特表 2024-519097 ケイ素・ゲルマニウムの熱堆積

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-05-08

(54)【発明の名称】ケイ素・ゲルマニウムの熱堆積

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/205 20060101AFI20240426BHJP

   C23C 16/06 20060101ALI20240426BHJP

【ＦＩ】

H01L21/205

C23C16/06

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023571970

(86)(22)【出願日】2022-05-18

(85)【翻訳文提出日】2024-01-18

(86)【国際出願番号】 US2022029777

(87)【国際公開番号】W WO2022245903

(87)【国際公開日】2022-11-24

(31)【優先権主張番号】17/324,352

(32)【優先日】2021-05-19

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】ワン， ホイユアン

(72)【発明者】

【氏名】ロイ， サスミット シンハー

(72)【発明者】

【氏名】マリック， アブヒジット バス

【テーマコード（参考）】

4K030

5F045

【Ｆターム（参考）】

4K030AA03

4K030AA06

4K030AA11

4K030AA16

4K030AA17

4K030AA18

4K030BA09

4K030BA29

4K030CA04

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4K030EA04

4K030FA01

4K030GA02

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4K030JA09

4K030JA10

4K030JA16

4K030KA18

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4K030KA23

4K030KA39

4K030KA41

4K030KA46

4K030LA15

5F045AA08

5F045AB02

5F045AB05

5F045AD08

5F045AE21

5F045AE25

5F045AF07

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5F045BB17

5F045BB19

5F045DP03

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5F045DQ10

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5F045EH06

5F045EH13

5F045EK07

5F045EK26

5F045EK27

5F045EM05

(57)【要約】

半導体処理の例示的な方法は、半導体処理チャンバの処理領域にケイ素含有前駆体を供給することを含みうる。基板は、半導体処理チャンバの処理領域内に配置されうる。本方法は、基板上にケイ素含有材料を堆積させることを含みうる。第１の期間の後に、本方法は、半導体処理チャンバの処理領域にゲルマニウム含有前駆体を供給することを含みうる。本方法は、ケイ素含有前駆体及びゲルマニウム含有前駆体を約４００℃以上の温度で熱反応させることを含みうる。本方法は、基板上にケイ素及びゲルマニウム含有層を形成することを含みうる。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体処理チャンバの処理領域にケイ素含有前駆体を供給することであって、前記半導体処理チャンバの前記処理領域内に基板が配置される、ケイ素含有前駆体を供給することと、
前記基板上にケイ素含有材料を堆積させることと、
第１の期間の後に、前記半導体処理チャンバの前記処理領域にゲルマニウム含有前駆体を供給することと、
前記ケイ素含有前駆体及び前記ゲルマニウム含有前駆体を約４００℃以上の温度で熱反応させることと、
前記基板上にケイ素及びゲルマニウム含有層を形成することと
を含む、半導体処理方法。

【請求項2】

前記基板上に前記ケイ素及びゲルマニウム含有層を形成している間、前記半導体処理チャンバの前記処理領域がプラズマの無い状態に維持される、請求項１に記載の半導体処理方法。

【請求項3】

前記第１の期間が約６０秒以下である、請求項１に記載の半導体処理方法。

【請求項4】

前記ゲルマニウム含有前駆体を供給するときに、前記ケイ素含有前駆体の流量を増加させること
を更に含む、請求項１に記載の半導体処理方法。

【請求項5】

前記ケイ素含有前駆体及び前記ゲルマニウム含有前駆体を熱反応させることが、約５００℃以上の温度で実行される、請求項１に記載の半導体処理方法。

【請求項6】

前記ケイ素含有前駆体を提供する前に、
処理前駆体のプラズマを形成することと、
前記基板を前記処理前駆体のプラズマ放出物に接触させることと
を更に含む、請求項１に記載の半導体処理方法。

【請求項7】

前記処理前駆体が、水素含有前駆体又は窒素含有前駆体の少なくとも１つを含む、請求項６に記載の半導体処理方法。

【請求項8】

前記ケイ素含有前駆体を前記処理領域に供給する前に、前記プラズマの形成を停止すること
を更に含む、請求項６に記載の半導体処理方法。

【請求項9】

前記ケイ素含有前駆体を前記処理領域に供給する前又は供給している間に、前記半導体処理チャンバ内の圧力を増加させること
を更に含む、請求項６に記載の半導体処理方法。

【請求項10】

前記ケイ素含有前駆体を前記処理領域に供給する前又は供給している間に、前記基板と前記半導体処理チャンバ内の面板との間の距離を短縮すること
を更に含む、請求項６に記載の半導体処理方法。

【請求項11】

処理前駆体のプラズマを形成することと、
基板を前記処理前駆体のプラズマ放出物と接触させることであって、前記基板が半導体処理チャンバの処理領域内に配置される、基板を前記処理前駆体のプラズマ放出物と接触させることと、
ケイ素含有前駆体を前記半導体処理チャンバの前記処理領域に供給することと、
その後、前記半導体処理チャンバの前記処理領域にゲルマニウム含有前駆体を供給することと、
前記半導体処理チャンバの前記処理領域内で、前記ケイ素含有前駆体と前記ゲルマニウム含有前駆体とを反応させることと、
前記基板上にケイ素及びゲルマニウム含有層を形成することと
を含む、半導体処理方法。

【請求項12】

前記ケイ素含有前駆体を供給している間及び前記ゲルマニウム含有前駆体を供給している間、前記半導体処理チャンバの前記処理領域がプラズマの無い状態に維持される、請求項１１に記載の半導体処理方法。

【請求項13】

前記ゲルマニウム含有前駆体を供給している間、前記ケイ素含有前駆体の供給を維持すること
を更に含む、請求項１１に記載の半導体処理方法。

【請求項14】

前記ゲルマニウム含有前駆体が、前記ケイ素含有前駆体を供給した後、少なくとも約５秒後に供給される、請求項１１に記載の半導体処理方法。

【請求項15】

前記ゲルマニウム含有前駆体を供給するときに、前記ケイ素含有前駆体の流量を増加させること
を更に含む、請求項１１に記載の半導体処理方法。

【請求項16】

前記半導体処理方法が、約４００℃以上の前記処理領域内の温度で実行される、請求項１１に記載の半導体処理方法。

【請求項17】

前記ケイ素含有前駆体を前記処理領域に供給する前又は供給している間に、前記半導体処理チャンバ内の圧力を増加させること
を更に含む、請求項１１に記載の半導体処理方法。

【請求項18】

処理前駆体のプラズマを形成することと、
基板を前記処理前駆体のプラズマ放出物と接触させることであって、前記基板が半導体処理チャンバの処理領域内に配置される、基板を前記処理前駆体のプラズマ放出物と接触させることと、
ケイ素含有前駆体を前記半導体処理チャンバの前記処理領域に供給することと、
前記基板上にケイ素含有材料の層を形成することと、
第１の期間の後に、前記半導体処理チャンバの前記処理領域にゲルマニウム含有前駆体を供給することと、
前記半導体処理チャンバの前記処理領域内で、前記ケイ素含有前駆体と前記ゲルマニウム含有前駆体とを反応させることと、
ケイ素含有材料の前記層に重なるように前記基板上にケイ素及びゲルマニウム含有層を形成することと
を含む、半導体処理方法。

【請求項19】

前記ケイ素含有前駆体を供給している間及び前記ゲルマニウム含有前駆体を供給している間、前記半導体処理チャンバの前記処理領域がプラズマの無い状態に維持される、請求項１８に記載の半導体処理方法。

【請求項20】

前記第１の期間が約６０秒以下である、請求項１８に記載の半導体処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
［０００１］本出願は、「ケイ素・ゲルマニウムの熱堆積（ＴＨＥＲＭＡＬ ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ ＯＦ ＳＩＬＩＣＯＮ－ＧＥＲＭＡＮＩＵＭ）」と題する２０２１年５月１９日に出願された米国特許出願第１７／３２４，３５２号の利益及び優先権を主張するものであり、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。

【0002】

［０００２］本技術は、半導体処理のための方法及び構成要素に関する。より具体的には、本技術は、半導体構造のためのケイ素・ゲルマニウム膜を生成するためのシステム及び方法に関する。

【背景技術】

【0003】

［０００３］集積回路は、基板表面に複雑にパターニングされた材料層を生成するプロセスによって可能になる。基板上にパターニングされた材料を製造するには、材料を形成及び除去するための制御された方法が必要である。デバイスの小型化が進むにつれて、構造のアスペクト比が大きくなり、処理工程中にこれらの構造の寸法を維持することが困難になりうる。フィーチャにわたって十分な共形性（ｃｏｎｆｏｒｍａｌｉｔｙ）を有しうる材料を開発することは、より難しくなりうる。更に、処理中にパターニングされる材料層の数が増えるにつれて、材料特性の維持とともに、露出した他の材料に対する除去選択性が改善された材料を製造することがより大きな課題となっている。

【0004】

［０００４］したがって、高品質のデバイス及び構造を製造するために使用することができる改良されたシステム及び方法が必要とされている。本技術は、これら必要性及びその他の必要性に対処する。

【発明の概要】

【0005】

［０００５］半導体処理の例示的な方法は、半導体処理チャンバの処理領域にケイ素含有前駆体を供給することを含みうる。基板は、半導体処理チャンバの処理領域内に配置されうる。本方法は、基板上にケイ素含有材料を堆積させることを含みうる。第１の期間の後に、本方法は、半導体処理チャンバの処理領域にゲルマニウム含有前駆体を供給することを含みうる。本方法は、ケイ素含有前駆体及びゲルマニウム含有前駆体を約４００℃以上の温度で熱反応させることを含みうる。本方法は、基板上にケイ素及びゲルマニウム含有層（ｓｉｌｉｃｏｎ－ａｎｄ－ｇｅｒｍａｎｉｕｍ－ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ ｌａｙｅｒ）を形成することを含みうる。

【0006】

［０００６］いくつかの実施形態では、基板上にケイ素及びゲルマニウム含有層を形成している間、半導体処理チャンバの処理領域はプラズマのない状態（ｐｌａｓｍａ－ｆｒｅｅ）に維持されうる。第１の期間は、約６０秒以下でありうる。本方法は、ゲルマニウム含有前駆体を供給する際にケイ素含有前駆体の流量を増加させることを含みうる。ケイ素含有前駆体とゲルマニウム含有前駆体を熱反応させることは、約５００℃以上の温度で実行されうる。ケイ素含有前駆体を供給する前に、本方法は、処理前駆体のプラズマを形成することを含みうる。本方法は、基板を処理前駆体のプラズマ放出物と接触させることを含みうる。処理前駆体は、水素含有前駆体又は窒素含有前駆体の少なくとも１つを含みうる。本方法は、ケイ素含有前駆体を処理領域に供給する前にプラズマの形成を停止することを含みうる。本方法は、ケイ素含有前駆体を処理領域に供給する前又は供給している間に、半導体処理チャンバ内の圧力を増加させることを含みうる。本方法は、ケイ素含有前駆体を処理領域に供給する前又は供給している間に、半導体処理チャンバ内の基板と面板との間の距離を短縮することを含みうる。

【0007】

［０００７］本技術のいくつかの実施形態は、半導体処理方法を包含しうる。本方法は、処理前駆体のプラズマを形成することを含みうる。本方法は、基板を処理前駆体のプラズマ放出物と接触させることを含みうる。基板は、半導体処理チャンバの処理領域内に配置されうる。本方法は、半導体処理チャンバの処理領域にケイ素含有前駆体を供給することを含みうる。本方法は、その後、ゲルマニウム含有前駆体を半導体処理チャンバの処理領域に供給することを含みうる。本方法は、半導体処理チャンバの処理領域内でケイ素含有前駆体とゲルマニウム含有前駆体とを反応させることを含みうる。本方法は、基板上にケイ素及びゲルマニウム含有層を形成することを含みうる。

【0008】

［０００８］いくつかの実施形態では、半導体処理チャンバの処理領域は、ケイ素含有前駆体を供給している間、及びゲルマニウム含有前駆体を供給している間、プラズマの無い状態に維持されうる。本方法は、ゲルマニウム含有前駆体を供給しつつ、ケイ素含有前駆体の供給を維持することを含みうる。ゲルマニウム含有前駆体は、ケイ素含有前駆体を供給した後、少なくとも約５秒後に供給されうる。本方法は、ゲルマニウム含有前駆体を供給する際にケイ素含有前駆体の流量を増加させることを含みうる。半導体処理方法は、処理領域内の温度が約４００℃以上で実行されうる。本方法は、ケイ素含有前駆体を処理領域に供給する前又は供給している間に、半導体処理チャンバ内の圧力を増加させることを含みうる。

【0009】

［０００９］本技術のいくつかの実施形態は、半導体処理方法を包含しうる。本方法は、処理前駆体のプラズマを形成することを含みうる。本方法は、基板を処理前駆体のプラズマ放出物と接触させることを含みうる。基板は、半導体処理チャンバの処理領域内に配置されうる。本方法は、半導体処理チャンバの処理領域にケイ素含有前駆体を供給することを含みうる。本方法は、基板上にケイ素含有材料の層を形成することを含みうる。本方法は、第１の期間の後に、ゲルマニウム含有前駆体を半導体処理チャンバの処理領域に供給することを含みうる。本方法は、半導体処理チャンバの処理領域内でケイ素含有前駆体とゲルマニウム含有前駆体とを反応させることを含みうる。本方法は、ケイ素含有材料の層に重なる基板上にケイ素及びゲルマニウム含有層を形成することを含みうる。いくつかの実施形態では、半導体処理チャンバの処理領域は、ケイ素含有前駆体を供給している間、及びゲルマニウム含有前駆体を供給している間、プラズマの無い状態に維持されうる。第１の期間は、約６０秒以下でありうる。

【0010】

［００１０］このような技術は、従来のシステム及び技法を超える多数の利点を提供しうる。例えば、本技術の実施形態は、多数の基板フィーチャに適用可能なコンフォーマルな材料（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ ｍａｔｅｒｉａｌ）を製造しうる。更に、本技術は、プラグや間隙充填用途のケイ素・ゲルマニウム膜、並びにより均一な堆積が利点となりうる他の用途のケイ素・ゲルマニウム膜を生成しうる。これらの実施形態及びその他の実施形態は、その利点や特徴の多くと共に、後述の説明及び添付図面と併せて、より詳細に説明される。

【0011】

［００１１］開示された技術の性質及び利点は、本明細書の残りの部分と図面を参照することによって更に理解を深めることができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】［００１２］本技術のいくつかの実施形態による例示的なプラズマシステムの概略断面図を示す。

【図2】［００１３］本技術のいくつかの実施形態による半導体処理方法における工程を示す。

【図3】［００１４］Ａ～Ｃは、本技術のいくつかの実施形態に従って生成された材料層が含まれる例示的な概略断面構造を示す。

【発明を実施するための形態】

【0013】

［００１５］概略図として、いくつかの図面が含まれている。図面は例示を目的としており、縮尺どおりであると明記されていない限り、縮尺どおりであるとみなしてはならないことを理解するべきである。更に、概略図として、図面は、理解を助けるために提供されており、現実的な描写に比べてすべての態様又は情報を含まない場合があり、例示を目的として強調された材料を含みうる。

【0014】

［００１６］添付の図面では、類似の構成要素及び／又は特徴は、同じ参照符号を有しうる。更に、同種の様々な構成要素は、類似した構成要素同士を区別する文字により、参照符号に従って区別されうる。本明細書において第１の参照符号のみが使用されている場合、その説明は、文字に関わりなく、同じ第１の参照符号を有する類似した構成要素のうちのいずれにも適用可能である。

【0015】

［００１７］デバイスのサイズが縮小し続けると、デバイスを調整するために、多くの材料層の厚さとサイズが縮小されうる。アスペクト比も増加し、より選択的な材料形成が実行されうる。これらの材料は、他の材料を分離及び／又は保護するために、間隙充填工程及び他の堆積工程で使用されうる。更に、処理される表面上の材料の数が増えるにつれて、その後の除去又は処理中の選択性を高めるために、より新しい材料が利用されうる。非限定的な一例として、ケイ素・ゲルマニウムは、より従来の酸化ケイ素又は他の間隙充填材料の代替としての用途で利用されうる。しかし、ゲルマニウムを含有することで、様々なデバイス構造に沿ったコンフォーマルな形成（ｃｏｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｆｏｒｍａｔｉｏｎ）が困難になりうる。

【0016】

［００１８］従来の技術は、デバイス構造に適合しうるゲルマニウム含有材料を製造することに苦労してきた。例えば、ケイ素・ゲルマニウムのブランケット堆積は、生成されるデバイスに空隙及びやボイドを生じさせる可能性があり、これにはトレンチ、プラグ、又はアスペクト比の増加を特徴としうる他の構造が含まれうる。更に、ゲルマニウムによるコンフォーマルな形成（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ ｆｏｒｍａｔｉｏｎ）は、ゲルマニウムに関連するいくつかの態様のため困難でありうる。例えば、ケイ素と比較して、ゲルマニウムは融点が低く、熱的に不安定な形成が特徴でありうる。更に、ゲルマニウム材料は、特定の構造上で核生成しづらいおそれがある。例えば、ゲルマニウムは、特定の材料に対して他の材料よりも高い親和性を有しうる。これにより、堆積中に島状の形成（ｉｓｌａｎｄ－ｌｉｋｅ ｆｏｒｍａｔｉｏｎ）がもたらされうる。このため、コンフォーマルな形成が制限され、カバレッジに更なるボイド及び間隙が生成されうる。したがって、多くの従来技術では、ケイ素・ゲルマニウム膜を含有する能力には限界があった。

【0017】

［００１９］本技術は、ケイ素・ゲルマニウムがより容易にコンフォーマルに形成されうる材料のシード層（ｓｅｅｄｉｎｇ ｌａｙｅｒ）の上に熱ベースの材料堆積を実行することによって、これらの問題を克服する。シード層又は開始層を生成した後、ケイ素・ゲルマニウムを生成するために熱反応を実行することにより、本技術は、ゲルマニウム含有膜のカバレッジを向上させることができ、あらゆる数の半導体構造上にコンフォーマルな成長を実現することができる。残りの開示では、開示された技術を利用する特定の堆積プロセスをルーチン的に特定し、１つのタイプの半導体処理チャンバを説明するが、説明されるプロセスは、任意の数の半導体処理チャンバで実行されうることが容易に理解されよう。したがって、本技術は、これらの特定の堆積プロセス又はチャンバだけで使用するように限定されたものであると見なされるべきではない。本開示では、本技術による半導体処理の方法を説明する前に、本技術の実施形態に従ってプロセスを実行するために使用されうる１つの可能なチャンバについて説明することになる。

【0018】

［００２０］図１は、本技術のいくつかの実施形態による例示的な処理チャンバ１００の断面図を示す。本図は、本技術の１つ又は複数の態様を組み込み、及び／又は、本技術の実施形態による１つ又は複数の工程を実行するように具体的に構成されうる、システムの概要を示しうる。チャンバ１００又は実行される方法の追加の詳細にが、以下で更に説明されうる。チャンバ１００は、本技術のいくつかの実施形態に従って膜層を形成するために利用されうるが、本方法は、膜形成が起こりうる任意のチャンバで同様に実行されてよいことが理解されよう。処理チャンバ１００は、チャンバ本体１０２と、チャンバ本体１０２の内部に配置された基板支持体１０４と、チャンバ本体１０２と接続され、処理空間１２０の基板支持体１０４を囲むリッドアセンブリ１０６とを含みうる。基板１０３は、開口部１２６を通して処理空間１２０に提供されてもよく、この開口部は、スリットバルブ又はドアを用いて処理のために従来通りに封止されていてもよい。基板１０３は、処理中に基板支持体の表面１０５に載置されうる。基板支持体１０４は、矢印１４５で示すように、基板支持体１０４のシャフト１４４が位置しうる軸１４７に沿って、回転可能でありうる。あるいは、基板支持体１０４は、堆積プロセス中に必要に応じて回転するように持ち上げられてもよい。

【0019】

［００２１］プラズマプロファイル変調器１１１は、基板支持体１０４上に配置された基板１０３にわたったプラズマ分布を制御するために、処理チャンバ１００内に配置されうる。プラズマプロファイル変調器１１１は、チャンバ本体１０２に隣接して配置され、チャンバ本体１０２をリッドアセンブリ１０６の他の構成要素から分離することができる第１の電極１０８を含みうる。第１の電極１０８は、リッドアセンブリ１０６の一部であってもよく、又は別個の側壁電極であってもよい。第１の電極１０８は、環状又はリング状の部材であり、リング電極でありうる。第１の電極１０８は、処理空間１２０を囲む処理チャンバ１００の外周周囲の連続的なループであってもよく、所望の場合、選択された位置において不連続であってもよい。また、第１の電極１０８は、例えば、穿孔リング又はメッシュ電極などの穿孔電極であってもよく、又は、例えば、２次ガス分配器などの平板電極であってもよい。

【0020】

［００２２］例えば酸化アルミニウム及び／又は窒化アルミニウムといった、セラミック又は金属酸化物のような誘電体材料でありうる、１つ又は複数のアイソレータ１１０ａ、１１０ｂは、第１の電極１０８と接触して、第１の電極１０８をガス分配器１１２及びチャンバ本体１０２から電気的及び熱的に分離しうる。ガス分配器１１２は、プロセス前駆体を処理空間１２０に分配するための開孔１１８を画定しうる。ガス分配器１１２は、ＲＦ発生器、ＲＦ電源、ＤＣ電源、パルス状ＤＣ電源、パルス状ＲＦ電源、又は処理チャンバと接続されうる任意の他の電源などの、第１の電力源１４２と接続されうる。いくつかの実施形態では、第１の電力源１４２は、ＲＦ電源でありうる。

【0021】

［００２３］ガス分配器１１２は、導電性ガス分配器又は非導電性ガス分配器でありうる。また、ガス分配器１１２は、導電性及び非導電性の構成要素から形成されうる。例えば、ガス分配器１１２の本体が導電性である一方で、ガス分配器１１２の面板は非導電性であってもよい。ガス分配器１１２は、図１に示されるような第１の電力源１４２などによって、電力供給されてもよく、又はいくつかの実施形態では、ガス分配器１１２は、接地で接続されてもよい。

【0022】

［００２４］第１の電極１０８は、処理チャンバ１００の接地経路を制御しうる第１の同調回路１２８と接続されうる。第１の同調回路１２８は、第１の電子センサ１３０と、第１の電子コントローラ１３４とを含みうる。第１の電子コントローラ１３４は、可変キャパシタ又は他の回路素子であってもよく、又はそれを含んでいてもよい。第１の同調回路１２８は、１つ又は複数のインダクタ１３２であってもよく、又はそれを含んでいてもよい。第１の同調回路１２８は、処理中に処理空間１２０内に存在するプラズマ条件下で可変又は制御可能なインピーダンスを可能にする任意の回路でありうる。図示されるようないくつかの実施形態では、第１の同調回路１２８は、接地と第１の電子センサ１３０との間で平行に接続された第１の回路脚及び第２の回路脚を含みうる。第１の回路脚は、第１のインダクタ１３２Ａを含みうる。第２の回路脚は、第１の電子コントローラ１３４と直列に接続された第２のインダクタ１３２Ｂを含みうる。第２のインダクタ１３２Ｂは、第１の電子コントローラ１３４と、第１及び第２の回路脚の両方を第１の電子センサ１３０に結合するノードとの間に配置されうる。第１の電子センサ１３０は、電圧又は電流センサであり、第１の電子コントローラ１３４と接続され、処理空間１２０の内部のプラズマ条件のある程度の閉ループ制御を許容しうる。

【0023】

［００２５］第２の電極１２２は、基板支持体１０４と接続されうる。第２の電極１２２は、基板支持体１０４内に埋め込まれてもよく、又は基板支持体１０４の表面と接続されてもよい。第２の電極１２２は、板、穿孔板、メッシュ、ワイヤスクリーン、又は導電性要素の他の分散設備（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ）でありうる。第２の電極１２２は同調電極であってもよく、例えば、基板支持体１０４のシャフト１４４内に配置された、５０オームなどの選択された抵抗を有するケーブルなどの導管１４６によって、第２の同調回路１３６と接続されうる。第２の同調回路１３６は、第２の電子センサ１３８と、第２の電子コントローラ１４０とを有しうるが、この第２の電子コントローラ１４０は、第２の可変キャパシタであってもよい。第２の電子センサ１３８は、電圧又は電流センサであり、第２の電子コントローラ１４０と接続され、処理空間１２０内のプラズマ条件に対する更なる制御を提供しうる。

【0024】

［００２６］バイアス電極及び／又は静電チャック電極でありうる第３の電極１２４は、基板支持体１０４と接続されうる。第３の電極は、フィルタ１４８を通して第２の電力源１５０と連結され、ここでフィルタ１４８は、インピーダンス整合回路でありうる。第２の電力源１５０は、ＤＣ電力、パルス状ＤＣ電力、ＲＦバイアス電力、パルス状ＲＦ源若しくはバイアス電力、又はこれら又は他の電源の組み合わせでありうる。いくつかの実施形態では、第２の電力源１５０は、ＲＦバイアス電力でありうる。基板支持体１０４はまた、基板を約２５℃と約８００℃との間又はそれ以上でありうる処理温度まで加熱するように構成された１つ又は複数の加熱要素を含みうる。

【0025】

［００２７］図１のリッドアセンブリ１０６及び基板支持体１０４は、プラズマ処理又は熱処理のための任意の処理チャンバと共に使用されうる。動作において、処理チャンバ１００は、処理空間１２０内のプラズマ条件のリアルタイム制御を許容しうる。基板１０３は基板支持体１０４上に配置され、プロセスガスは、任意の所望のフロー計画に従って、入口１１４を使用してリッドアセンブリ１０６を通して流されうる。気体は、出口１５２を通して処理チャンバ１００を出ることができる。電力は、処理空間１２０内にプラズマを確立するために、ガス分配器１１２と接続されうる。基板は、いくつかの実施形態において、第３の電極１２４を使用して電気バイアスを受けうる。

【0026】

［００２８］処理空間１２０内のプラズマを励起すると、プラズマと第１の電極１０８との間に電位差が確立されうる。また、プラズマと第２の電極１２２との間に電位差が確立されうる。次に、電子コントローラ１３４、１４０が、２つの同調回路１２８、１３６によって表される接地経路の流れ特性を調整するために使用されうる。堆積速度の独立した制御と、中心からエッジまでのプラズマ密度の均一性の独立した制御を行うために、第１の同調回路１２８と第２の同調回路１３６に設定点がもたらされうる。電子コントローラが両方とも可変キャパシタでありうる実施形態では、電子センサは、独立して、堆積速度を最大化し、厚さ不均一性を最小化するように、可変キャパシタを調整しうる。

【0027】

［００２９］同調回路１２８、１３６の各々は、それぞれの電子コントローラ１３４、１４０を使用して調整されうる可変インピーダンスを有しうる。電子コントローラ１３４、１４０が可変キャパシタである場合、可変キャパシタの各々の容量範囲、及び第１インダクタ１３２Ａ及び第２インダクタ１３２Ｂのインダクタンスは、インピーダンス範囲を提供するように選択されうる。この範囲は、プラズマの周波数特性や電圧特性に依存し、各可変キャパシタの容量範囲に最小値が存在しうる。それゆえ、第１の電子コントローラ１３４の容量が最小又は最大であるとき、第１の同調回路１２８のインピーダンスは高くなり、基板支持体上の空中又は横方向のカバレッジ（ｃｏｖｅｒａｇｅ）が最小であるプラズマ形状がもたらされうる。第１の電子コントローラ１３４の容量が第１の同調回路１２８のインピーダンスを最小化する値に近づくと、プラズマの空中カバレッジは最大まで成長し、基板支持体１０４の全作業領域を効果的に覆うことになりうる。第１の電子コントローラ１３４の容量が最小インピーダンス設定から外れると、プラズマ形状がチャンバ壁から収縮し、基板支持体の空中カバレッジが低下することがある。第２の電子コントローラ１４０は、同様の効果を有し、第２の電子コントローラ１４０の容量が変更されうるので、基板支持体上のプラズマの空中カバレッジを増減させうる。

【0028】

［００３０］電子センサ１３０、１３８は、閉ループでそれぞれの回路１２８、１３６を調整するために使用されうる。使用されるセンサの種類に応じて、電流又は電圧の設定点が各センサに設置され、各それぞれの電子コントローラ１３４、１４０への調整を決定して、設定点からの偏差を最小化する制御ソフトウェアが、センサに提供されうる。その結果、処理中に、プラズマ形状が選択され、動的に制御されうる。前述の議論は、可変キャパシタでありうる電子コントローラ１３４、１４０に基づいているが、調整可能なインピーダンスを有する同調回路１２８、１３６を提供するために、調整可能な特性を有する任意の電子構成要素が使用されうることが理解されよう。

【0029】

［００３１］先に論じたように、プラズマ処理チャンバは膜処理の１つ又は複数の態様に使用されうるが、ケイ素膜及びゲルマニウム膜を形成するいくつかの実施形態では、工程の一部又は全部にプラズマ強化プロセスを利用しないことがあり、これにより、生成される膜の共形性が改善されうる。本技術は、いくつかの実施形態において、少なくともプラズマを発生させずに膜層を形成しうる。図２は、本技術のいくつかの実施形態による処理方法２００における例示的な工程を示す。本方法は、上述の処理チャンバ１００を含む様々な処理チャンバ、並びに非プラズマチャンバを含む他の任意のチャンバにおいて実行され、これらのチャンバ内で工程が実行されうる。方法２００は、方法の開始前に、フロントエンド処理、堆積、エッチング、研磨、洗浄、又は説明された動作の前に実行されうる任意の他の動作を含む１つ又は複数の動作を含みうる。方法は、本技術の実施形態による方法のいくつかの実施形態に特に関連してもしなくてもよい、多数のオプション工程を含みうる。例えば、工程の多くは、実行されるプロセスのより広い範囲を提供するために記載されているが、この技術にとって重要なものではないか、あるいは、更に後述するように、代替の方法論によって実行される可能性がある。方法２００は、図３Ａ～３Ｃに概略的に示される工程を説明しうる。その図解が、方法２００の工程と併せて説明される。図は部分的な概略図を示しているに過ぎず、基板は、図に示されているような様々な特性及び態様を有する任意の数の追加の材料及びフィーチャを含みうることを理解されたい。

【0030】

［００３２］方法２００は、半導体構造を特定の製造工程に発展させるためのオプションの工程を含んでも含まなくてもよい。方法２００が、図３Ａに示されるように、ケイ素・ゲルマニウム材料が形成されうる例示的な構造を含む、任意の数の半導体構造又は基板３０５上で実行されうることを理解されたい。図３Ａに示されるように、基板３０５は、トレンチ、開孔、又は半導体処理における他の構造などの１つ又は複数の凹部又はフィーチャを形成するように処理されうる。基板３０５は、ケイ素又はケイ素含有材料、ゲルマニウム、他の基板材料、並びに半導体処理中に基板の上に形成されうる１つ又は複数の材料からなるベースウエハ又は基板などの、任意の数の材料でありうる。例えば、いくつかの実施形態では、基板は、半導体処理のための１つ又は複数の材料又は構造を含むように処理されうる。基板３０５は、任意の数の材料の酸化物又は窒化物などの誘電体材料でありうるか又は誘電体材料を含みうる。形成されたフィーチャ又は凹部は、１つ又は複数の下位の材料３１０へのアクセスを提供しうる。材料３１０は金属であってもよいし、処理中にアクセスされる他の材料であってもよい。例えば、材料３１０は、コバルト、タングステン、又は遷移金属を含む任意の数の他の金属の金属プラグであり、任意の構造で形成されうる。更に、いくつかの実施形態では、凹部は、基板３０５の側壁に沿って延びうるライナ３１５を含みうる。ライナ３１５は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、及びいくつかの実施形態における遷移金属窒化物又は酸化物といった、酸化物又は窒化物ライナでありうる。図には１つのフィーチャのみが示されているが、例示的な構造は、本技術の実施形態に従って、構造に沿って画定された任意の数のフィーチャを有しうることを理解されたい。

【0031】

［００３３］フィーチャのアスペクト比、すなわちフィーチャの深さ対形成されたフィーチャの幅又は直径の比は、約２：１以上であり、約３：１以上、約４：１以上、約５：１以上、約６：１以上、約７：１以上、約８：１以上、約９：１以上、約１０：１以上、又はこれ以上でありうる。プラズマ堆積層は、トレンチ内の深部まで十分に到達することができず、フィーチャの上部でピンチオフが発生しうる。しかしながら、本技術によって生成されるケイ素・ゲルマニウム膜は、構造を完全に貫通するカバレッジによって特徴付けられうる。例えば、構造の上部に近い側壁に沿った膜の厚さと、構造の底部に近い側壁に沿った膜の厚さとは実質的に同一であり、製造される膜は実質的に共形性がある。従って、いくつかの実施形態では、堆積された膜は、約８０％以上である、フィーチャの側壁又は基部に沿って、又は形成された膜に沿って、任意の２つの領域間に形成された厚さの共形性又は類似性によって特徴付けられうる。いくつかの実施形態では、共形性は、約８５％以上、約９０％以上、約９２％以上、約９４％以上、約９６％以上、約９８％以上、又はこれを上回りうる。従って、本技術は、共形性が実現され、空隙及びボイドの形成を制限しうる、多くの半導体プロセスに含有されうるケイ素・ゲルマニウム膜を生成しうる。

【0032】

［００３４］先に説明したように、ゲルマニウムは材料によっては形成されにくい場合があり、その場合、コンフォーマルなカバレッジ（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ ｃｏｖｅｒａｇｅ）ではなく、部分的に形成されうる。例えば、基板３０５又はライナ３１５に使用されうる誘電体材料は、コンフォーマルなカバレッジにとって課題となるおそれがある、というのもゲルマニウムが他のゲルマニウム部位においてより核形成しやすく、カバレッジにボイドが生じうるためである。したがって、本技術は、ケイ素又はケイ素含有材料のシード層を形成し、ゲルマニウムの核形成を改善し、コンフォーマルなカバレッジ（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ ｃｏｖｅｒａｇｅ）を増加させうる。

【0033】

［００３５］ケイ素の接着及び核形成を高めるために、いくつかの実施形態では、方法２００は、オプションの工程２０５での前処理を含みうる。基板の表面を前処理することで、堆積が実行されうる基板又は材料に沿って良好な末端を生成することにより、膜の接着が高められうる。前処理は、熱プロセスであってもよく若しくは熱プロセスを含んでもよく、又はプラズマ強化プロセスを含んでもよい。この処理には、水素含有前駆体、窒素含有前駆体、又は他の前駆体を供給することが含まれ、これらの前駆体は、基板上の露出した表面と接触又は相互作用するように流れうる。例示的な前駆体は、基板を前処理しうる他の材料の中でも、水素、窒素、アンモニア、又は他の水素含有前駆体若しくは窒素含有前駆体の１つ以上を供給することを含みうる。１つ又は複数の前駆体は、チャンバの処理領域に供給され、プラズマが形成されうる。基板が前駆体のプラズマ放出物と接触され、良好な末端が生成されうる。ライナ３１５が酸化物材料でありうるか酸化物材料を含みうるかにかわらず、多くの材料は、処理中のある時点で大気曝露による表面的な酸化層を更に含みうる。前処理を行うことにより、ヒドロキシル末端が除去され、又はより好ましい窒素含有末端や水素含有末端に置き換えられうる。

【0034】

［００３６］前処理は、プラズマ強化工程であってもプラズマ強化工程を含んでもよいが、実行される場合、いくつかの実施形態では、堆積工程又は形成工程は、半導体処理チャンバの処理領域をプラズマの無い状態に維持しつつ実行されうる。したがって、いくつかの実施形態では、本方法は、前処理工程の後にプラズマ形成を停止することを含みうる。いくつかの実施形態では、方法２００のいずれの工程も又は他の注目される工程も、プラズマ生成によって実行されず、残りの工程は、熱プロセスとして実行されうる。前処理中に、プラズマ出力は十分に高く維持され、ラジカルの発生とエネルギーが増加し、表面の末端制御が改善されうる。例えば、プラズマは、約５００Ｗ以上の電力で生成され、約６００Ｗ以上、約７００Ｗ以上、約８００Ｗ以上、約９００Ｗ以上、約１０００Ｗ以上、又はこれ以上の電力で生成されうる。

【0035】

［００３７］工程２１０において、本方法は、基板が収容されうる半導体処理チャンバの処理領域にケイ素含有前駆体を供給することを含みうる。処理チャンバは、前処理が実行されうるチャンバと同じチャンバであっても異なるチャンバであってもよい。ケイ素含有前駆体は、ケイ素含有前駆体は基板に接触するように、また処理表面が生成されるときは、その処理表面に接触するように、処理領域に流入されうる。アモルファスシリコンを含むケイ素でありうるケイ素含有材料の層は、工程２１５において、基板に沿って形成又は堆積されうる。図３Ｂに示されるように、ケイ素含有層３２０は、基板に沿った任意の及び／又はすべての露出された表面に沿って延びうる。表面に沿って延びうることはライナ材料３１５、基板材料３０５が露出されたときに、それらに沿って延びうることも含まれる。またいくつかの実施形態において金属でありうる材料３１０などのその他の含有材料に沿って延びうることも含まれる。本プロセスは、その後のケイ素・ゲルマニウム成長のためのシード層として動作しうる、表面全体にわたるカバレッジ量を生成するのに十分な期間にわたって実行されうる。

【0036】

［００３８］シード層が生成される第１の期間の後に行われうる動作２２０において、半導体処理チャンバの処理領域に、ゲルマニウム含有前駆体が供給されうる。工程２２５において、ケイ素含有前駆体及びゲルマニウム含有前駆体は、半導体処理チャンバの処理領域内で熱反応され、これにより、基板上にケイ素及びゲルマニウム含有層が形成されうる。図３Ｃに示されるように、ケイ素・ゲルマニウム材料３２５は、ケイ素含有層３２０の露出した領域に沿って形成又は堆積しうる。これにより、ゲルマニウム含有材料がよりコンフォーマルに成長し、空隙又はボイドの形成が抑制されうる。本技術のいくつかの実施形態の間にシーム３３０が生成されうるが、層は、フィーチャを通して実質的に連続的であり、空隙の形成は最小限又は限定的に行われうる。より高いゲルマニウム親和性を有する材料のシード層が構造に沿って形成されうるので、基板に沿ったフィーチャの側壁に沿って隙間のないカバレッジが生成されうる。

【0037】

［００３９］いくつかの実施形態では、反応が実行されるため、半導体処理チャンバ、ペデスタル、又は基板は、約４００℃以上の温度に維持されてうる。これにより、ケイ素含有前駆体及びゲルマニウム含有前駆体の分解が確実になりうる。いくつかの実施形態では、温度は、約４５０℃以上、約５００℃以上、約５２０℃以上、約５４０℃以上、約５６０℃以上、約５８０℃以上、約６００℃以上、又はこれ以上の温度に維持されうる。

【0038】

［００４０］前述のように、形成工程の一部又は全部は、基板処理領域がプラズマの無い状態に維持されている間に実施されうる。熱化学気相堆積を実行することによって、よりコンフォーマルな材料形成が行われうる。本技術のいくつかの実施形態による処理中に使用されうるケイ素含有前駆体の非限定的な例は、シラン、ジシラン、四フッ化ケイ素、四塩化ケイ素、ジクロロシラン、テトラエチルオルソシリケート、並びにケイ素含有膜形成において使用されうる任意の他のケイ素含有前駆体を含みうる。ゲルマニウム含有前駆体は、ゲルマン、テトラメチルゲルマニウム、水素化トリブチルゲルマニウム、水素化トリエチルゲルマニウム、水素化トリフェニルゲルマニウムなどの他の有機ゲルマニウム前駆体、フッ化ゲルマニウムなどのハロゲン・ゲルマニウム前駆体、又は他のゲルマニウム含有前駆体といった、任意の数のゲルマニウム材料を含みうる。前駆体とともに流されうる追加の材料は、二原子水素、窒素、アルゴン、ヘリウム、又はケイ素含有前駆体及びゲルマニウム含有前駆体の一方又は両方とともに追加されうる任意の数の他のキャリアガスでありうるか又はこれらを含みうる。

【0039】

［００４１］材料の層は、本技術の実施形態において、任意の厚さに形成されうるが、ケイ素含有層は、生成される膜全体の特性を大きく変えることなく、ゲルマニウムシーディングのための完全なカバレッジ（ｃｏｍｐｌｅｔｅ ｃｏｖｅｒａｇｅ ｆｏｒ ｇｅｒｍａｎｉｕｍ ｓｅｅｄｉｎｇ）を確保しうる、低減された厚さに形成されうる。例えば、いくつかの実施形態において、ケイ素含有層は、膜特性への影響を制限しつつ、表面の完全なカバレッジを提供しうる、例えば数枚の単層材料などの、約２０Å以下の厚さに形成され、約１５Å以下、約１０Å以下、約５Å以下、又はこれ以下の厚さに形成されうる。ケイ素含有層の形成を制御するために、温度が下げられ、膜の形成速度が制御されうる。例えば、先に述べた温度のいずれかが使用されつつ、例えば約５００℃以下の温度でケイ素含有層堆積を実行することにより、ケイ素含有層がよりゆっくりと形成されうる。ケイ素含有層が生成されうる第１の期間は、本技術のいくつかの実施形態では、約６０秒以下であり、約５０秒以下、約４０秒以下、約３０秒以下、約２０秒以下、約１０秒以下、又はこれ以下でありうる。

【0040】

［００４２］第１の期間の後に、ゲルマニウム含有前駆体が処理領域に供給されうる。ケイ素含有前駆体の流れは、ゲルマニウム含有前駆体の供給中に維持されうるか、又は流量を増減させるなどして変更されうる。例えば、ケイ素含有前駆体の流れが第１の期間の後に継続されうる一方で、ゲルマニウム含有前駆体は、ケイ素含有前駆体の流れに単に追加されうる。更に、いくつかの実施形態では、ケイ素含有前駆体の流量は、ゲルマニウム含有前駆体が供給される時点で増減されうる。例えば、最小流量のゲルマニウム含有前駆体が供給され、堆積中に十分な形成及び共形性が確実に実現されうる。しかし、より低いゲルマニウム含有量を特徴とする膜を求める場合などには、ケイ素含有前駆体の流量が増加され、これによりゲルマニウム含有前駆体が更に希釈されうる。これにより、シード層又は開始層の成長が制御可能になる一方で、膜中のゲルマニウム含有量も制御されうる。従って、本技術のいくつかの実施形態では、ゲルマニウム濃度は、約５％以下又は約５％以上となるように制御され、約１０％以上、約１５％以上、約２０％以上、約２５％以上、約３０％以上、約３５％以上、約４０％以上、又はこれ以上となるように制御されうる。

【0041】

［００４３］プラズマ前処理などの前処理工程が実行されるとき、熱堆積工程の前に他のチャンバ条件が調整されうる。例えば、プラズマの前処理中に、処理領域では比較的低い圧力が維持されうる。これにより、プラズマ放出物の平均自由行程が増加し、より高いアスペクト比の構造への供給が促進されうる。しかしながら、プラズマ処理の後に、いくつかの実施形態では、シード層又はバルク層のいずれか一方又は両方の形成中など、ケイ素含有前駆体又はゲルマニウム含有前駆体のいずれか一方又は両方の供給を含みうる熱堆積工程のために、圧力が上昇しうる。熱堆積中の圧力を上昇させることで、非プラズマ強化前駆体がより高いアスペクト比の構造に確実にアクセスできるようになり、堆積が求められうるすべての表面にわたって材料の十分な流束が提供されうる。したがって、いくつかの実施形態では、前処理工程中の圧力は、約１２Ｔｏｒｒ以下に維持され、約１０Ｔｏｒｒ以下、約８Ｔｏｒｒ以下、約６Ｔｏｒｒ以下、約４Ｔｏｒｒ以下、約２Ｔｏｒｒ以下、又はこれ以下に維持されうる。いずれかの堆積前駆体の供給中、又は工程２１０～工程２２５の一部若しくはすべての間、圧力は、約１０Ｔｏｒｒ以上まで上昇させることができ、約５０Ｔｏｒｒ以上、約１００Ｔｏｒｒ以上、約１５０Ｔｏｒｒ以上、約２００Ｔｏｒｒ以上、約２５０Ｔｏｒｒ以上、約３００Ｔｏｒｒ以上、約３５０Ｔｏｒｒ以上、約４００Ｔｏｒｒ以上、又はこれ以上まで上昇させることができる。

【0042】

［００４４］同様に、いくつかの実施形態では、基板は、プラズマ前処理などの前処理工程の間、半導体処理チャンバ内の面板から第１の距離に維持され、その後、堆積工程の間、面板から第２の距離に移動されうる。例えば、プラズマ生成は処理チャンバの処理領域で行われうるため、基板は、面板からある距離に維持されて、プラズマの生成が促進され、また、より低い処理圧力などで、処理領域内での横方向又は半径方向の流れが促進されうる。前処理の後に、いくつかの実施形態では、基板が、面板に近づけられたり面板から離されたりして、再配置されうる。例えば、いくつかの実施形態では、基板が面板により近づくように移動され、基板全体に形成された構造内の流れだけでなく、堆積も促進されうる。これにより、処理チャンバ内の温度変動が制限され、堆積がフィーチャに沿ってよりコンフォーマルに行われることを保証する。本技術の実施形態に従ってケイ素・ゲルマニウム堆積を実行することにより、任意の数の高アスペクト比フィーチャにわたってコンフォーマルなカバレッジが生成されうる。

【0043】

［００４５］上記の記載では、説明を目的として、本技術の様々な実施形態の理解を促すために、数々の詳細が提示されてきた。しかしながら、当業者には、これらの詳細のうちの一部がなくても、或いは、追加の詳細があっても、特定の実施形態を実施できることが明らかであろう。

【0044】

［００４６］いくつかの実施形態を開示したが、実施形態の精神から逸脱することなく、様々な修正例、代替構造物、及び均等物を使用できることが当業者には認識されよう。更に、いくつかの周知のプロセス及び要素は、本技術を不必要に不明瞭にすることを避けるために説明されていない。したがって、上記の説明は、本技術の範囲を限定するものと解釈すべきでない。

【0045】

［００４７］値の範囲が提供されている場合、文脈上そうでないと明示されていない限り、当然ながら、その範囲の上限値と下限値との間の各介在値は、下限値の最も小さい単位まで具体的に開示されている。記載された範囲の任意の記載値又は記載されていない介在値の間の任意のより狭い範囲、及びその記載範囲のその他の任意の記載された値又は介在する値も含まれる。このようなより狭い範囲の上限値及び下限値は、その範囲に個々に含まれるか、又はその範囲から除外される場合がある。この狭い範囲に限界値のいずれかが含まれるか、どちらも含まれないか、又は両方が含まれる場合の各範囲も、記載の範囲内に特に除外された限界値があることを条件として、本技術に包含される。記載された範囲が、限界値の一方又は両方を含む場合、これらの含められた限界値のいずれか又は両方を除外する範囲も含まれる。

【0046】

［００４８］本明細書及び特許請求の範囲で使用される単数形「ａ」、「ａｎ」、及び「ｔｈｅ」は、文脈が他のことを明らかに示していない限り、複数の参照対象を含む。したがって、例えば、「ある前駆体（ａ ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）」への言及は、複数のそのような前駆体を含み、「その（前記）層（ｔｈｅ ｌａｙｅｒ）」への言及は、当業者に知られている１つ又は複数の層及びその均等物への言及を含み、その他の形にも同様のことが当てはまる。

【0047】

［００４９］また、「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｅ（ｓ））」、「備えている（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含有する（ｃｏｎｔａｉｎ（ｓ））」、「含有している（ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅ（ｓ））」、及び「含んでいる（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」という用語は、本明細書及び特許請求の範囲で使用される場合、記載された特徴、整数、構成要素、又は動作の存在を特定することを意図しているが、その他の１つ以上の特徴、整数、構成要素、動作、活動、又は群の存在又は追加を除外するものではない。

【図1】

【図2】

【図3】

【国際調査報告】