特表 2024-519162 マスクパターニングのための窒化ホウ素

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-05-08

(54)【発明の名称】マスクパターニングのための窒化ホウ素

(51)【国際特許分類】

   C23C 16/38 20060101AFI20240426BHJP

【ＦＩ】

C23C16/38

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023572955

(86)(22)【出願日】2022-05-24

(85)【翻訳文提出日】2024-01-19

(86)【国際出願番号】 US2022030702

(87)【国際公開番号】W WO2022251196

(87)【国際公開日】2022-12-01

(31)【優先権主張番号】17/330,013

(32)【優先日】2021-05-25

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】チュー， スーユイ

(72)【発明者】

【氏名】ヤン， チョアンシー

(72)【発明者】

【氏名】ユイ， ハン

(72)【発明者】

【氏名】パディ， ディーネッシュ

(72)【発明者】

【氏名】クァク， ヨンジュ

(72)【発明者】

【氏名】キム， ジョンファン

(72)【発明者】

【氏名】フー， チーアン

(72)【発明者】

【氏名】ヤン， シアワン

【テーマコード（参考）】

4K030

【Ｆターム（参考）】

4K030AA07

4K030AA13

4K030AA16

4K030BA39

4K030BA49

4K030CA02

4K030CA04

4K030CA05

4K030DA02

4K030FA01

4K030JA09

4K030JA10

4K030JA16

(57)【要約】

例示的な堆積方法が、半導体処理チャンバの処理領域に、ホウ素含有前駆体及び窒素含有前駆体を伝達することを含みうる。本方法は、ホウ素含有前駆体及び窒素含有前駆体と共に水素含有前駆体を供給することを含みうる。水素含有前駆体と、ホウ素含有前駆体又は窒素含有前駆体のいずれかとの流量比が、約２：１以上でありうる。本方法は、半導体処理チャンバの処理領域内で全ての前駆体のプラズマを形成することを含みうる。本方法は、半導体処理チャンバの処理領域内に配置された基板上にホウ素・窒素材料を堆積させることを含みうる。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

堆積方法であって、
半導体処理チャンバの処理領域に、ホウ素含有前駆体及び窒素含有前駆体を伝達することと、
前記ホウ素含有前駆体及び前記窒素含有前駆体と共に、水素含有前駆体を供給することであって、前記水素含有前駆体と、前記ホウ素含有前駆体又は前記窒素含有前駆体のいずれかとの流量比が約２：１以上である、水素含有前駆体を供給することと、
前記半導体処理チャンバの前記処理領域内で全ての前駆体のプラズマを形成することと、
前記半導体処理チャンバの前記処理領域内に配置された基板上にホウ素・窒素材料を堆積させることと、
を含む、堆積方法。

【請求項2】

前記ホウ素・窒素材料は、膜密度が約１．６ｇ／ｃｍ^３以上であることを特徴とする、請求項１に記載の堆積方法。

【請求項3】

前記半導体処理チャンバの前記処理領域内で全ての前駆体の前記プラズマを形成する間、プラズマパワーが約１０００Ｗ以下に維持される、請求項１に記載の堆積方法。

【請求項4】

前記基板上に前記ホウ素・窒素材料を堆積させる間、基板温度が約３００℃以上に維持される、請求項１に記載の堆積方法。

【請求項5】

前記基板上に前記ホウ素・窒素材料を堆積させる間、圧力が約１０Ｔｏｒｒ以下に維持される、請求項１に記載の堆積方法。

【請求項6】

前記ホウ素含有前駆体及び前記窒素含有前駆体と共にアルゴン前駆体を供給することをさらに含む、請求項１に記載の方法。

【請求項7】

堆積した前記ホウ素・窒素材料は、絶対膜応力が約５００ＭＰａ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の堆積方法。

【請求項8】

前記ホウ素含有前駆体がジボランを含み、前記窒素含有前駆体がアンモニアを含む、請求項１に記載の堆積方法。

【請求項9】

前記基板が、交互に積層された膜の上に形成された炭素含有膜を含む、請求項１に記載の堆積方法。

【請求項10】

堆積方法であって、
半導体処理チャンバの処理領域に、ホウ素含有前駆体及び窒素含有前駆体を伝達することと、
前記半導体処理チャンバの前記処理領域内で全ての前駆体のプラズマを形成することと、
炭素含有材料を含む基板上にホウ素・窒素材料を堆積させることであって、前記基板が前記半導体処理チャンバの前記処理領域内に配置されており、前記ホウ素・窒素材料が、ホウ素リッチな材料を含み、前記ホウ素・窒素材料の密度が、約１．６ｇ／ｃｍ^３以上の膜密度を特徴とする、ホウ素・窒素材料を堆積させることと
を含む、堆積方法。

【請求項11】

前記ホウ素含有前駆体及び前記窒素含有前駆体と共に水素含有前駆体を供給することであって、前記水素含有前駆体と、前記ホウ素含有前駆体又は前記窒素含有前駆体のいずれかとの流量比が約２：１以上である、水素含有前駆体を供給することをさらに含む、請求項１０に記載の方法。

【請求項12】

前記ホウ素含有前駆体及び前記窒素含有前駆体と共にアルゴン前駆体を供給することであって、前記アルゴン前駆体と、前記水素含有前駆体との流量比が約１：１以上である、アルゴン前駆体を供給することをさらに含む、請求項１１に記載の方法。

【請求項13】

堆積した前記ホウ素・窒素材料は、絶対膜応力が約５００ＭＰａ以下であることを特徴とする、請求項１０に記載の堆積方法。

【請求項14】

前記基板上に前記ホウ素・窒素材料を堆積させる間、基板温度が約３００℃以上に維持される、請求項１０に記載の堆積方法。

【請求項15】

前記半導体処理チャンバの前記処理領域内で全ての前駆体の前記プラズマを形成する間、プラズマパワーが約５００Ｗ以下に維持される、請求項１０に記載の堆積方法。

【請求項16】

前記ホウ素含有前駆体がジボランを含み、前記窒素含有前駆体がアンモニアを含む、請求項１０に記載の堆積方法。

【請求項17】

堆積方法であって、
半導体処理チャンバの処理領域に、ホウ素含有前駆体及び窒素含有前駆体を伝達することと、
前記半導体処理チャンバの前記処理領域内で全ての前駆体のプラズマを形成することと、
前記半導体処理チャンバの前記処理領域内に配置された基板上にホウ素・窒素材料を堆積させることであって、前記基板が、交互に積層された膜の上に形成された炭素含有膜を含み、前記ホウ素・窒素材料が、前記炭素含有膜と接触させて堆積させられる、ホウ素・窒素材料を堆積させることと、
を含む、堆積方法。

【請求項18】

前記ホウ素含有前駆体及び前記窒素含有前駆体と共に水素含有前駆体を供給することであって、前記水素含有前駆体と、前記ホウ素含有前駆体又は前記窒素含有前駆体のいずれかとの流量比が約２：１以上である、水素含有前駆体を供給することをさらに含む、請求項１７に記載の方法。

【請求項19】

堆積した前記ホウ素・窒素材料は、絶対膜応力が約５００ＭＰａ以下であることを特徴とし、前記ホウ素・窒素材料の密度は、約１．６ｇ／ｃｍ^３以上の膜密度を特徴とする、請求項１７に記載の堆積方法。

【請求項20】

前記基板上に前記ホウ素・窒素材料を堆積させる間、基板温度が約４００℃以上に維持され、前記半導体処理チャンバの前記処理領域内で全ての前駆体のプラズマを形成する間、プラズマパワーが約５００Ｗ以下に維持される、請求項１７に記載の堆積方法。

【発明の詳細な説明】

【関連出願の相互参照】

【0001】

本出願は、２０２１年５月２５日に出願された「マスクパターニングのための窒化ホウ素（ＢＯＲＯＮ ＮＩＴＲＩＤＥ ＦＯＲ ＭＡＳＫ ＰＡＴＴＥＲＮＩＮＧ）」と題する米国特許出願第１７／３３０，０１３号の利益及び優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。

【技術分野】

【0002】

本技術は、半導体堆積プロセスに関する。より具体的には、本技術は、パターニングを改善するための材料の堆積方法に関する。

【背景技術】

【0003】

集積回路は、基板表面上に複雑にパターニングされた材料層を作り出すプロセスによって可能となる。基板上にパターニングされた材料を生成するには、露出した材料を形成及び除去する制御された方法が必要である。デバイスの小型化が継続的に進むにつれ、材料の均一性が後続の工程に影響を与えうる。さらに、基板上にはいつでもより多くの材料を組み込めるため、マスク及びパターニング材料の改良によって、選択的な除去工程が改善される可能性がある。

【0004】

従って、高品質のデバイス及び構造を製造するために使用可能な改良されたシステム及び方法が必要とされている。本技術は、上記の必要性及び他の必要性に対処する。

【発明の概要】

【0005】

例示的な堆積方法が、半導体処理チャンバの処理領域に、ホウ素含有前駆体及び窒素含有前駆体を伝達することを含みうる。本方法は、ホウ素含有前駆体及び窒素含有前駆体と共に水素含有前駆体を供給することを含みうる。水素含有前駆体と、ホウ素含有前駆体又は窒素含有前駆体のいずれかとの流量比が、約２：１以上でありうる。本方法は、半導体処理チャンバの処理領域内で全ての前駆体のプラズマを形成することを含みうる。本方法は、半導体処理チャンバの処理領域内に配置された基板上にホウ素・窒素材料を堆積させることを含みうる。

【0006】

幾つかの実施形態において、ホウ素・窒素材料は、膜密度が約１．６ｇ／ｃｍ^３以上であることを特徴としうる。半導体処理チャンバの処理領域内で全ての前駆体のプラズマを形成する間、プラズマパワーが約１０００Ｗ以下に維持されうる。基板上にホウ素・窒素材料を堆積させる間、基板温度が約３００℃以上に維持されうる。基板上にホウ素・窒素材料を堆積させる間、圧力が約１０Ｔｏｒｒ以下に維持されうる。本方法は、ホウ素含有前駆体及び窒素含有前駆体と共にアルゴン前駆体を供給することを含みうる。堆積したホウ素・窒素材料は、絶対膜応力が約５００ＭＰａ以下であることを特徴としうる。ホウ素含有前駆体は、ジボランであってよく又はジボランを含んでよく、窒素含有前駆体は、アンモニアであってよく又はアンモニアを含んでよい。基板が、交互に積層された膜の上に形成された炭素含有膜であってよく又は当該炭素含有膜を含んでよい。

【0007】

本技術の幾つか実施形態が、堆積方法を包含しうる。本方法が、半導体処理チャンバの処理領域に、ホウ素含有前駆体及び窒素含有前駆体を伝達することを含みうる。本方法は、半導体処理チャンバの処理領域内で全ての前駆体のプラズマを形成することを含みうる。本方法は、炭素含有材料を含む基板上にホウ素・窒素材料を堆積させることを含みうる。基板が、半導体処理装置チャンバの処理領域内で堆積させられうる。ホウ素・窒素材料が、ホウ素リッチな材料でありうる。ホウ素・窒素材料の密度は、約１．６ｇ／ｃｍ^３以上の膜密度を特徴としうる。

【0008】

幾つかの実施形態において、本方法は、ホウ素含有前駆体及び窒素含有前駆体と共に水素含有前駆体を供給することを含みうる。水素含有前駆体と、ホウ素含有前駆体又は窒素含有前駆体のいずれかとの流量比が、約２：１以上でありうる。本方法は、ホウ素含有前駆体及び窒素含有前駆体と共にアルゴン前駆体を供給することを含みうる。アルゴン前駆体と水素含有前駆体との流量比が、約１：１以上でありうる。堆積したホウ素・窒素材料は、絶対膜応力が約５００ＭＰａ以下であることを特徴としうる。基板上にホウ素・窒素材料を堆積させる間、基板温度が約３００℃以上に維持されうる。半導体処理チャンバの処理領域内で全ての前駆体のプラズマを形成する間、プラズマパワーが約５００Ｗ以下に維持されうる。ホウ素含有前駆体は、ジボランであってよく又はジボランを含んでよく、窒素含有前駆体は、アンモニアであってよく又はアンモニアを含んでよい。

【0009】

本技術の幾つか実施形態が、堆積方法を包含しうる。本方法が、半導体処理チャンバの処理領域に、ホウ素含有前駆体及び窒素含有前駆体を伝達することを含みうる。本方法は、半導体処理チャンバの処理領域内で全ての前駆体のプラズマを形成することを含みうる。本方法は、半導体処理チャンバの処理領域内に配置された基板上にホウ素・窒素材料を堆積させることを含みうる。基板が、交互に積層された膜の上に形成された炭素含有膜であってよく又は当該炭素含有膜を含んでよい。ホウ素・窒素材料は、炭素含有膜と接触させて堆積させられうる。

【0010】

幾つかの実施形態において、本方法は、ホウ素含有前駆体及び窒素含有前駆体と共に水素含有前駆体を供給することを含みうる。水素含有前駆体と、ホウ素含有前駆体又は窒素含有前駆体のいずれかと、の流量比が、約２：１以上でありうる。堆積したホウ素・窒素材料は、絶対膜応力が約５００ＭＰａ以下であることを特徴としうる。ホウ素・窒素材料の密度は、約１．６ｇ／ｃｍ^３以上の膜密度を特徴としうる。基板上にホウ素・窒素材料を堆積させる間、基板温度が約４００℃以上に維持されうる。半導体処理チャンバの処理領域内で全ての前駆体のプラズマを形成する間、プラズマパワーが約５００Ｗ以下に維持されうる。

【0011】

このような技術は、従来のシステム及び技術に対して数多くの利点を提供することができる。例えば、上記のプロセスによって、改良された材料特性を特徴とする膜を生成することができる。さらに、幾つかの実施形態でケイ素を含まない材料を利用することで、下にある膜を介したエッチングの改善がもたらされ得、従来技術と比較して、より均一なマスク開口又は他のエッチングが得られうる。上記の実施形態及び他の実施形態は、その多くの利点や特徴と共に、以下の明細書の記載及び添付の図面においてより詳細に記載される。

【0012】

開示された技術の性質及び利点は、本明細書の残りの部分と図面を参照することによって更に理解が深められることになろう。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】本技術の幾つかの実施形態に係る例示的な処理チャンバの概略的な断面図を示す。

【図2】本技術の幾つかの実施形態に係る堆積方法における例示的な工程を示す。

【図3】本技術の実施形態に係る材料を含む基板の概略的な断面図を示す。

【発明を実施するための形態】

【0014】

図面のうちの幾つかが、概略図として含まれている。図は例示のためのものであり、縮尺どおりであると明記されていない限り縮尺どおりと見なすべきではないと理解されたい。さらに、概略図として、図面は、理解を助けるために提供されており、写実的な表現と比べて全ての態様又は情報を含まない場合があり、例示を目的として強調された素材を含むことがある。

【0015】

添付の図面では、類似の構成要素及び／又は特徴は、同一の参照符号を有することがある。更に、同じ種類の様々な構成要素は、参照符号の後に付いた、類似した構成要素の間で区別する文字によって区別することができる。本明細書で第１の参照符号のみが使用される場合、その説明は、上記文字に関係なく、同じ第１の参照符号を有するいずれの類似の構成要素にも適用されうる。

【0016】

３Ｄ ＮＡＮＤ構造の形成されるセルの数が増えるにつれて、メモリホール及び他の構造のアスペクト比が、（時には劇的に）大きくなり続ける。３Ｄ ＮＡＮＤの処理中には、プレースホルダ（ｐｌａｃｅｈｏｌｄｅｒ）層と誘電材料とのスタックが、電極間誘電体層を形成することができる。上記のプレースホルダ層には、材料を完全に除去して金属と置き換える前に、構造を配置するために様々な処理が行われていることがある。特に、メモリホール形成又は階段形成といった一部のプロセスは、スタックの大半又は全ての層を通るエッチングを含みうる。材料を部分的にエッチングできるように、又は基板に亘ってフィーチャ（ｆｅａｔｕｒｅ）を生成するためにエッチングできるように、マスク材料を使用することができる。何十又は何百もの層に通してエッチングするためにマスクを利用することは、現在のマスク技術にとって難題となりうる。

【0017】

例えば、メモリスタックによる構造形成において、一部の技術では、アモルファスカーボンといった炭素を含有するハードマスクを利用する。メモリ構造をパターニングする前に、マスクオープン（ｍａｓｋ－ｏｐｅｎ）処理が、炭素含有ハードマスクを介してフィーチャを形成することを含みうる。従来の技術は、カーボンハードマスクをパターニングするためにケイ素含有材料を利用しうる。しかしながら、層のスタックが増えるにつれて、カーボンハードマスクの厚さも、例えば、約３μｍ以上、約４μｍ以上の厚さ、又はこれらを上回る厚さに増大しうる。このことは、従来技術を用いたパターニングの難題となりうる。例えば、マスクオープンプロセス中は、カーボンハードマスクをパターニングするために使用されるケイ素含有マスクが、長時間にわたってエッチング化学物質に晒されうる。このことにより、ハードマスクがテーパ形状に開いて、ケイ素含有材料がより大きな入射角でエッチング露光に晒される虞がある。

【0018】

他のマスク材料と比較して、ケイ素含有材料は、入射角が大きくなるにつれてスパッタリングしやすくなりうる。しかしながら、このスパッタリングされた材料は、構造から排出されえず、スパッタリングされたケイ素又はケイ素・酸素材料が、開いたカーボンマスクを介して、エッチフロントで再堆積しうる。その結果、エッチフロントでクロッギング（ｃｌｏｇｇｉｎｇ、閉塞）が発生し、これによりフィーチャの形状が変わる虞がある。例えば、カーボンハードマスクのメモリホール開口部は、一部の領域内で蓄積が生じるにつれて、楕円形に形成し始めうる。この形状調整により、ハードマスクを貫通する直径を狭めうるネッキング（ｎｅｃｋｉｎｇ）が引き起こされ、ハードマスクに十分なメモリホールパターンを形成できない可能性がある。従来技術の中には、再堆積したケイ素材料を剥離又は除去するために、別のエッチャント又はエッチング工程を含めることを試みるものもあるが、フィーチャの大きさが限界寸法まで小さくなると、パターン崩壊が発生する可能性がある。これに対応して、ハードマスクの厚さが増すにつれて、従来の技術は、将来のノードでの形成を促進出来ない可能性がある。

【0019】

本技術は、これらの制限を、ホウ素・窒素材料を利用してカーボンハードマスクをパターニングすることで克服することができ、幾つかの実施形態では、本技術は、ケイ素の組み込みが無いマスクを利用することができる。例えば、本技術は、再堆積を制限しフィーチャの形状を維持することでカーボンハードマスクの開口部の改善を可能としうる特定の膜特性を特徴とするマスクを形成することができる。これにより、開口部のプロファイルをより均一にすることが促進され得、下にある基板材料への不正確なパターン転写が低減又は制限されうる。後述するプラズマ処理工程が実行されうる、本技術の実施形態に係るチャンバのおおまかな態様が記載された後に、特定の方法及び構成について述べられる。記載される技術は、幾つかの膜形成プロセスを改善するために使用することができ、様々な処理チャンバ及び処理に適用できるため、本技術は、記載される特定の膜及び処理に限定されることが意図されていないと理解されたい。

【0020】

図１は、本技術の幾つかの実施形態に係る例示的な処理チャンバ１００の断面図を示す。図は、本技術の１つ以上の態様が組み込まれた及び／又は本技術の実施形態に係る１つ以上の処理を実行しうるシステムの概要を示しうる。チャンバ１００又は実行される方法のさらなる詳細事項が、以下で更に記載されうる。チャンバ１００は、本技術の幾つかの実施形態に従って膜層を形成するために利用されうるが、本方法は、膜形成が行われうる任意のチャンバ内で同様に実行されうると理解されたい。処理チャンバ１００は、チャンバ本体１０２と、チャンバ本体１０２の内部に配置された基板支持体１０４と、チャンバ本体１０２と結合されており処理空間１２０内の基板支持体１０４を密閉するリッドアセンブリ１０６と、を含みうる。基板１０３は、開口部１２６を通して処理空間１２０に供給することができ、上記開口部は、スリットバルブ又はドアを使用して、従来のようにシールされうる。基板１０３は、処理中に基板支持体の表面１０５上に載置されうる。基板支持体１０４は、基板支持体１０４のシャフト１４４が位置しうる軸１４７に沿って、矢印１４５で示すように回転可能でありうる。代替的に、堆積プロセスの間に必要に応じて、基板支持体１０４を持ち上げて回転させることができる。

【0021】

基板支持体１０４上に配置された基板１０３に亘るプラズマ分布を制御するために、プラズマプロファイル変調器１１１が処理チャンバ１００内に配置されうる。プラズマプロファイル変調器１１１は、第１の電極１０８を含むことができ、第１の電極１０８は、チャンバ本体１０２に隣接して配置することができ、かつ、チャンバ本体１０２をリッドアセンブリ１０６の他の構成要素から分離することができる。第１の電極１０８は、リッドアセンブリ１０６の一部であってよく、又は別個の側壁電極であってよい。第１の電極１０８は、環状又はリング状の部材とすることができ、リング電極でありうる。第１の電極１０８は、処理空間１２０を取り囲む処理チャンバ１００の外周の周りの連続的なループであってよく、又は、所望の場合には、選択された位置で非連続的でありうる。第１の電極１０８はまた、穿孔リング又はメッシュ電極といった穿孔電極であってよく、又は、例えば、２次ガス分配器といった平板電極であってよい。

【0022】

１つ以上の絶縁体１１０ａ、１１０ｂは、セラミック又は金属酸化物といった誘電材料、例えば酸化アルミニウム及び／又は窒化アルミニウムでありうるが、第１の電極１０８と接触して、当該第１の電極１０８をガス分配器１１２及びチャンバ本体１０２から電気的及び熱的に分離することができる。ガス分配器１１２は、処理空間１２０内へとプロセス前駆体を分配するための開孔１１８を画定しうる。ガス分配器１１２は、ＲＦ発生器、ＲＦ電源、ＤＣ電源、パルス状ＤＣ電源、パルス状ＲＦ電源、又は処理チャンバと接続しうる任意の他の電源といった第１の電源１４２と接続することができる。幾つかの実施形態では、第１の電源１４２がＲＦ電源でありうる。

【0023】

ガス分配器１１２は、導電性ガス分配器又は非導電性ガス分配器でありうる。ガス分配器１１２はまた、導電性の構成要素及び非導電性の構成要素から形成されうる。例えば、ガス分配器１１２の本体が導電性であってよく、ガス分配器１１２の面板が非導電性であってよい。ガス分配器１１２は、例えば図１に示す第１の電源１４２などによって電力供給することができ、又は幾つかの実施形態では、ガス分配器１１２が、接地に接続されうる。

【0024】

第１の電極１０８は、処理チャンバ１００の接地経路を制御しうる第１の同調回路１２８と接続することができる。第１の同調回路１２８は、第１の電子センサ１３０と、第１の電子コントローラ１３４と、を含みうる。第１の電子コントローラ１３４は、可変キャパシタ又は他の回路素子であってよく、又はこれらを含んでよい。第１の同調回路１２８は、１つ以上のインダクタ１３２であってよく又はこれらを含んでよい。第１の同調回路１２８は、処理中の処理空間１２０内に存在するプラズマ条件下で可変的な又は制御可能なインピーダンスを可能にする任意の回路でありうる。図示のような幾つかの実施形態では、第１の同調回路１２８が、接地と第１の電子センサ１３０との間に並列に接続された第１の回路の脚及び第２の回路の脚を含みうる。第１の回路の脚は、第１のインダクタ１３２Ａを含みうる。第２の回路の脚は、第１の電子コントローラ１３４と直列に接続された第２のインダクタ１３２Ｂを含みうる。第２のインダクタ１３２Ｂは、第１の電子コントローラ１３４と、第１の回路の脚と第２の回路の脚の両方を第１の電子センサ１３０に接続する接続点と、の間に配置されうる。第１の電子センサ１３０は、電圧又は電流センサであってよく、かつ第１の電子コントローラ１３４と接続することができ、これにより、処理空間１２０の内部のプラズマ条件への或る程度の閉ループ制御がもたらされうる。

【0025】

第２の電極１２２が、基板支持体１０４と接続されうる。第２の電極１２２は、基板支持体１０４に埋め込まれてよく、又は基板支持体１０４の表面と接続されてよい。第２の電極１２２は、プレート、穿孔プレート、メッシュ、ワイヤスクリーン、又は導電性要素の任意の他の分散された構成でありうる。第２の電極１２２は同調電極とすることができ、コンジット１４６によって、例えば基板支持体１０４のシャフト１４４内に配置された、５０オームといった選択された抵抗を有するケーブルによって、第２の同調回路１３６と接続されうる。第２の同調回路１３６は、第２の電子センサ１３８と、第２の可変キャパシタでありうる第２の電子コントローラ１４０と、を有しうる。第２の電子センサ１３８は、電圧又は電流センサであってよく、処理空間１２０内のプラズマ条件への更なる制御を提供するために、第２の電子コントローラ１４０と接続されうる。

【0026】

バイアス電極及び／又は静電チャック電極でありうる第３の電極１２４が、基板支持体１０４と接続されうる。第３の電極は、フィルタ１４８を介して第２の電源１５０と接続することができ、ここでフィルタ１４８はインピーダンス整合回路でありうる。第２の電源１５０は、ＤＣ電源、パルス状ＤＣ電源、ＲＦバイアス電源、パルス状ＲＦ源若しくはバイアス電源、又は、これらの又は他の電源の組み合わせでありうる。幾つかの実施形態では、第２の電源１５０は、ＲＦバイアス電源でありうる。

【0027】

図１のリッドアセンブリ１０６及び基板支持体１０４は、プラズマ処理又は熱処理のための任意の処理チャンバで使用されうる。稼働時に、処理チャンバ１００は、処理空間１２０内のプラズマ条件のリアルタイム制御を行いうる。基板１０３は、基板支持体１０４上に配置することができ、プロセスガスが、任意の所望のフロー計画に従って、入口１１４を使用してリッドアセンブリ１０６を流過しうる。ガスは、出口１５２を通して処理チャンバ１００を出ることができる。処理空間１２０内でプラズマを形成するために、電力がガス分配器１１２と接続されうる。幾つかの実施形態において、第３の電極１２４を使用して基板に電気バイアスが掛けられうる。

【0028】

処理空間１２０内でプラズマが励起されると、プラズマと第１の電極１０８との間に電位差が確立されうる。プラズマと第２の電極１２２との間にも、電位差が確立されうる。次いで、電子コントローラ１３４、１４０が、２つの同調回路１２８、１３６によって表される接地経路の流れ特性を調整するために使用されうる。堆積速度、及び、中心から端までのプラズマ密度の均一性への別々の制御を提供するために、第１の同調回路１２８及び第２の同調回路１３６に設定点が伝達されうる。電子コントローラが両方とも可変キャパシタでありうる実施形態において、電子センサは、堆積速度を最大にしかつ厚さの不均一性を最小に抑えるために、可変キャパシタを別々に調整することができる。

【0029】

同調回路１２８、１３６のそれぞれは、それぞれの電子コントローラ１３４、１４０を使用して調整できる可変インピーダンスを有しうる。電子コントローラ１３４、１４０が可変キャパシタである場合に、可変キャパシタのそれぞれの容量範囲、並びに、第１インダクタ１３２Ａ及び第２インダクタ１３２Ｂのインダクタンスは、或るインピーダンス範囲を提供するよう選択されうる。当該範囲は、プラズマの周波数特性及び電圧特性に依存し得、各可変キャパシタの容量範囲内に最小値を有しうる。従って、第１の電子コントローラ１３４の容量が最小値又は最大値にあるときには、第１の同調回路１２８のインピーダンスが高くなり得、結果として、プラズマの形状は、基板支持体の上の空中での又は横方向の被覆率が最小になる。第１の電子コントローラ１３４の容量が第１の同調回路１２８のインピーダンスを最小に抑える値に近づくと、プラズマの空中での被覆率が最大値まで増大し、基板支持体１０４の全作業領域を効率良く覆うことができる。第１の電子コントローラ１３４の容量が最小インピーダンス設定から外れると、プラズマ形状がチャンバ壁から縮小して、基板支持体の空中での被覆率が低下しうる。第２の電子コントローラ１４０も同様の効果を有することができ、第２の電子コントローラ１４０の容量を変更できるため基板支持体の上でのプラズマの空中被覆率を増減させることができる。

【0030】

電子センサ１３０、１３８は、閉ループにおいてそれぞれの回路１２８、１３６を調整するために使用することができる。電流又は電圧のための設定点を、使用されるセンサの種類に従って各センサに導入することができ、設定点からの逸脱を最小に抑えるために各それぞれの電子コントローラ１３４、１４０への調整を決定する制御ソフトウェアを、センサに備えることができる。従って、プラズマ形状が選択され、処理中に動的に制御されうる。先の記載は、可変キャパシタでありうる電子コントローラ１３４、１４０に基づいているが、調整可能な特性を備えた任意の電子的構成要素が、調整可能なインピーダンスを有する同調回路１２８、１３６を提供するために使用できると理解されたい。

【0031】

図２は、本技術の幾つかの実施形態に係る堆積方法２００における例示的な工程を示している。本方法は、上述の処理チャンバ１００含む様々な処理チャンバ内で実行されうる。方法２００は、本技術に係る方法の幾つかの実施形態に特に関連してもしなくてもよい幾つかの任意の工程を含みうる。例えば、工程の多くは、より広い範囲の構造形成を提供するために記載されているが、本技術にとって重大ではなく、又は容易に分かるであろう代替的な方法によって実行することができる。方法２００は、図３に概略的に示す材料を製造するための工程を説明することができるが、図３の説明は、方法２００の工程と併せて記載される。図は、部分的な概略図を示しているのにすぎず、基板は、図に示される様々な特性及び態様を有する任意の数の追加の材料及び特徴を含みうると理解されたい。

【0032】

方法２００は、列挙された工程を開始する前に追加の工程を含みうる。例えば、追加の処理工程には、半導体基板上に、３Ｄ ＮＡＮＤのための材料のスタックを含む構造を形成すること、トランジスタ又は他のメモリ構造を形成すること、又は、材料の形成及び／又は除去の両方を含みうる任意の他の処理が含まれうる。事前の処理工程は、方法２００が実行されうるチャンバ内で実行されてよく、又は、処理は、方法２００が実行されうる半導体処理チャンバ内に基板を伝達する前に、１つ以上の他の処理チャンバ内で実行されてよい。いずれにせよ、方法２００は、任意選択的に、上記の処理チャンバ１００といった半導体処理チャンバ、又は上記の構成要素を含みうる他のチャンバの処理領域に半導体基板を伝達することを含みうる。基板は、基板支持体上に配置することができ、基板支持体は、基板支持体１０４といったペデスタルであってよく、上述の処理空間１２０といったチャンバの処理領域内に存在しうる。例示的な基板３０５が図３に示されており、基板３０５の上に材料が形成されうる。

【0033】

基板３０５は、材料をその上に堆積させられる任意の数の材料でありうる。基板は、基板３０５又は基板３０５上に形成される材料でありうる、ケイ素、ゲルマニウム、酸化ケイ素若しくは窒化ケイ素を含む誘電材料、金属材料、若しくは、これらの材料の任意の数の組み合わせであってよく、又はこれらを含んでよい。基板の上にはスタック３１０を重ねることができ、スタック３１０は、ケイ素と酸化ケイ素、酸化ケイ素と窒化ケイ素、又は３Ｄ ＮＡＮＤスタックの製造のためなど半導体処理で使用しうる他の材料の交互層を含みうる。２０個の層が示されているが、スタック全体には数十又は数百の層など任意の数の層が含まれうると理解されたい。

【0034】

材料のスタックの上にはハードマスク３１５を重ねることができ、ハードマスク３１５には、スタックを通ってフィーチャが生成されるようパターニングされうる。非限定的な一例として、ハードマスクが、スタック３１０を通るメモリホールを生成するために、一連の開口でパターニングされうる。ハードマスク３１５は、マスキングで使用される任意の数の材料であってよく、幾つかの実施形態では、炭素含有材料であってよく又は炭素含有材料を含みうる。炭素含有材料は、アモルファスカーボン材料であってよく、マスクの特性を調整するための１つ以上の金属又は元素を含みうるドープされた炭素材料であってよい。前述したように、幾つかの実施形態において、ハードマスク３１５は、約２μｍ以上の厚さを特徴とし得、さらに、約３μｍ以上、約４μｍ以上、又はこれらを上回る厚さを特徴としうる。従って、ハードマスクを貫通するエッチングにはかなりの時間が掛かり、従来の技術ではフィーチャの過剰な広がり、並びにスパッタリング及び堆積につながる可能性がある。本技術では、パターニングマスクをハードマスク３１５上に形成することで上記の問題を克服し、本技術により、改善された膜特性を特徴とし得、かつスパッタ又は再堆積しないこともある。幾つかの実施形態では、本技術の実施形態に係るパターニングマスクは、ケイ素が無くてよく、パターニングマスクの形成中にケイ素を含む材料を前駆体として含まなくてよい。代わりに、本技術の幾つかの実施形態では、ホウ素及び窒素を含むマスクを形成して、アモルファスカーボンハードマスクといったハードマスク３１５のパターニングを容易にすることができる。

【0035】

工程２０５において、１つ以上の前駆体がチャンバの処理領域に伝達されうる。例えば、ホウ素・窒素膜が形成されうる例示的な実施形態では、ホウ素含有前駆体及び窒素含有前駆体が、処理チャンバの処理領域に伝達されうる。本技術の幾つかの実施形態において、プラズマ強化堆積を行うことができ、これにより材料の反応及び堆積が促進されうる。上述したように、本技術の幾つかの実施形態は、ホウ素・窒素材料の形成又は堆積を包含することができ、このホウ素・窒素材料は、下にあるマスクのパターニングを容易にする材料特性を特徴としうる。炭素に対する十分な選択性を特徴とする膜を生成すると共に、スパッタリング及びパターン損失を抑制するために、本技術は、特定の材料特性を有する窒化ホウ素膜を製造するための処理の幾つかの他の態様を含みうる。

【0036】

本技術の幾つかの実施形態は、追加的に、工程２１０において水素含有前駆体を供給することを含むことができ、水素含有前駆体は、ホウ素含有前駆体及びケイ素含有前駆体と共に供給されうる。伝達された前駆体は全て、工程２１５において半導体処理チャンバの処理領域内でプラズマを形成するために使用されうる。工程２２０では、ホウ素・窒素含有材料が、基板３０５の上に堆積させられうる。幾つかの実施形態で水素含有前駆体を組み込み及び／又は後述のようにアルゴンガスを組み込むことで、膜の応力、密度、及び他の膜特性が、パターニングマスクとしての作用を改善するために制御されうる。

【0037】

追加の水素源を組み込むことで、膜の修正及びプロファイルエッチングを、材料の堆積と同時に実施することができる。例えば、ホウ素・窒素材料で形成されているフィーチャとの反応及び／又は物理的相互作用を通じて、水素ラジカルは、制御された膜成長及び構造形成を促進することができる。従って、膜の応力をよりニュートラルすることができ、かつ密度を衝突の量に基づいて調整することが可能であり、このこともまた、後述する追加パラメータを用いて制御することができる。プロセス中に十分な水素ラジカルを供給するために、水素含有前駆体が、ホウ素含有前駆体及び窒素含有前駆体の一方又は両方よりも大きな流量で含まれうる。例えば、幾つかの実施形態において、水素含有前駆体と、ホウ素含有前駆体及び窒素含有前駆体の一方又は両方と、の流量比は、約１：１であってよく、幾つかの実施形態において、約２：１以上、約３：１以上、約４：１以上、約５：１以上、約６：１以上、約８：１以上、約１０：１以上、約１５：１以上、約２０：１以上、約２５：１以上、約３０：１以上、約３５：１以上、約４０：１以上、約４５：１以上、約５０：１以上、約１００：１以上、約２００：１以上、又はそれ以上であってよい。

【0038】

例えば、使用される前駆体に従って、窒素含有前駆体が、約５００ｓｃｃｍ以下の流量で伝達されてよく、さらに、約４００ｓｃｃｍ以下、約３００ｓｃｃｍ以下、約２００ｓｃｃｍ以下、約１００ｓｃｃｍ以下、約９０ｓｃｃｍ以下、約８０ｓｃｃｍ以下、約７０ｓｃｃｍ以下、約６０ｓｃｃｍ以下、約５０ｓｃｃｍ以下、約２５ｓｃｃｍ以下、約１０ｓｃｃｍ以下、又はそれ以下の流量で伝達されてよい。同様に、ホウ素含有前駆体は、約５００ｓｃｃｍ以下の流量で伝達されてよく、さらに、約４００ｓｃｃｍ以下、約３５０ｓｃｃｍ以下、約３００ｓｃｃｍ以下、約２５０ｓｃｃｍ以下、約２００ｓｃｃｍ以下、約１５０ｓｃｃｍ以下、約１００ｓｃｃｍ以下、約８０ｓｃｃｍ以下、約６０ｓｃｃｍ以下、約５０ｓｃｃｍ以下、約４０ｓｃｃｍ以下、約３０ｓｃｃｍ以下、約２０ｓｃｃｍ以下、約１０ｓｃｃｍ以下、又はそれの以下の流量で伝達されてよい。幾つかの実施形態では、ホウ素含有前駆体を、水素といった他の前駆体で希釈することができ、これにより、分解を制限することができる。ホウ素含有前駆体は、任意の材料割合で含まれてよく、上述の流量は、混合された前駆体の流量であってよく、又は、本技術の実施形態に係るホウ素成分の流量であってよい。上記の範囲内の任意の追加の範囲、又は、記載され又は記載されていない任意の値の組み合わせも使用することができる。膜を、基板、又は基板を覆う材料の上に任意の厚さまで堆積させることができる。例えば、図３に示すように、ホウ素・窒素膜でありうるパターニングマスク３２０が、カーボンハードマスクといったハードマスク３１５の上に、当該ハードマスク３１５と接触して直接的に堆積されられうる。

【0039】

ホウ素含有前駆体及び窒素含有前駆体に関して、本技術では任意の数の前駆体を使用することができる。例えば、ホウ素含有材料は、ボラン、ジボラン、又は他の多中心結合ホウ素材料といったボラン、及び、ホウ素・窒素含有材料を生成するために使用しうる任意の他のホウ素含有材料であってよく、又はこれらを含んでよい。窒素含有材料は、二原子窒素、アンモニア、亜酸化窒素、一酸化窒素、又は他の窒素含有材料といった、任意の窒素材料を含みうる。幾つかの実施形態において、炭素、酸素、金属、又は任意の他の材料といった１つ以上のドーパントが、ホウ素・窒素膜に含まれてよいが、幾つかの実施形態では、パターニングマスク３２０は、ケイ素を含まなくてよく、又はケイ素が無くてよい。生成される膜は、本技術の実施形態において、任意の割合によるホウ素及び／又は窒素の導入を特徴とすることができ、いずれかの元素が、生成される膜内で過半数の原子割合を形成する。

【0040】

例えば、ホウ素・窒素膜へのホウ素の導入は、任意の割合の導入に基づきうる。例として、生成される膜は、約５原子％以上のホウ素の導入を含むことができ、幾つかの実施形態では、約１０原子％以上のホウ素の導入、約１５原子％以上のホウ素の導入、約２０原子％以上のホウ素の導入、約２５原子％以上のホウ素の導入、約３０原子％以上のホウ素の導入、約３５原子％以上のホウ素の導入、約４０原子％以上のホウ素の導入、約４５原子％以上のホウ素の導入、約５０原子％以上のホウ素の導入、約５５原子％以上のホウ素の導入、約６０原子％以上のホウ素の導入、約６５原子％以上のホウ素の導入、約７０原子％以上のホウ素の導入、約７５原子％以上のホウ素の導入、約８０原子％以上のホウ素の導入、約８５原子％以上のホウ素の導入、約９０原子％以上のホウ素の導入、約９５原子％以上のホウ素の導入、又はそれ以上の割合でのホウ素の導入を含むことができ、これにより、実質的に非晶質のホウ素膜が生成されうる。これらの例のいずれにおいても、残りの割合は、基本的に、任意の割合の窒素若しくは水素であってよく、又は、窒素若しくは水素を任意の割合で含んでよく、追加のドーパント又は構成材料も含まれてよい。幾つかの実施形態では、ホウ素・窒素膜は、ホウ素が大部分を占めてよく、又はホウ素リッチな（ｂｏｒｏｎ－ｒｉｃｈ）膜であってよい。これには、ホウ素の含有率が約５１原子％である膜、及び、１つ又は全ての他の構成材料に対してホウ素の含有率が大きい膜が含まれる。

【0041】

堆積の１つ以上の追加の態様がまた、実施されている堆積の態様を改善するために調整されうる。例えば、プラズマパワーが、利用される水素含有前駆体に従って、水素解離の程度に影響を与えうる。ホウ素含有材料及び窒素含有材料の一部では、材料が、堆積温度で十分に反応し最小限のプラズマ強化で済むものもある。加えて、プラズマパワーがイオン衝突に影響を与えて、より圧縮性の高い膜を形成しうる。これに対応して、幾つかの実施形態では、プラズマ形成中に、プラズマパワーを約１０００Ｗ以下に維持することができ、さらに、約９５０Ｗ以下、約９００Ｗ以下、約８５０Ｗ以下、約８００Ｗ以下、約７５０Ｗ以下、約７００Ｗ以下、約６５０Ｗ以下、約６００Ｗ以下、約５５０Ｗ以下、約５００Ｗ以下、約４５０Ｗ以下、約４００Ｗ以下、約３５０Ｗ以下、約３００Ｗ以下、約２５０Ｗ以下、約２００Ｗ以下、又はそれ以下に維持することができる。

【0042】

加えて、基板の温度も堆積に影響を与えうる。例えば、幾つかの実施形態において、基板を約３００℃以上の温度に維持することができ、さらに、約３２０℃以上、約３４０℃以上、約３６０℃以上、約３８０℃以上、約４００℃以上、約４２０℃以上、約４４０℃以上、約４６０℃以上、約４８０℃以上、約５００℃以上、約５２０℃以上、約５４０℃以上、約５６０℃以上、約５８０℃以上、約６００℃以上、又はそれ以上の温度に維持することができる。プラズマ強化堆積プロセス及び熱堆積プロセスの多くは、堆積温度を上げようとすることがあり、これにより、膜内の結合がより容易に改善される可能性がある。しかしながら、温度が上昇し続けると、膜の応力も同様に増加する可能性があり、従って、膜内でより低い応力を生じさせるために、温度を約６５０℃以下に維持することができ、さらに、約６００℃以下、又はそれ以下に維持することができる。

【0043】

処理領域内の圧力が、堆積中に起こるイオン化及び物理的相互作用の量に影響を与えうる。処理圧力を下げることで、イオンの相互作用が増大しうる。これに対応して、幾つかの実施形態では、堆積中の処理圧力を約１０Ｔｏｒｒ以下に維持することができ、さらに、約９Ｔｏｒｒ以下、約８Ｔｏｒｒ以下、約７Ｔｏｒｒ以下、約６Ｔｏｒｒ以下、約５Ｔｏｒｒ以下、約４Ｔｏｒｒ以下、約３Ｔｏｒｒ以下、約２Ｔｏｒｒ以下、又はそれ以下に維持することができるが、幾つかの実施形態では、衝突及び膜の応力を制御するために、圧力が、約１Ｔｏｒｒ以上、約２Ｔｏｒｒ以上、又はそれ以上に維持されうる。同様に、面板又は電極からの基板の間隔も衝突に影響を与えることができ、間隔が小さいほど、衝突が増大しうる。これに対応して、幾つかの実施形態では、基板を面板から約７ｍｍ以上の間隔で配置することができ、さらに、約８ｍｍ以上、約９ｍｍ以上、約１０ｍｍ以上、約１１ｍｍ以上、約１２ｍｍ以上、約１３ｍｍ以上、約１４ｍｍ以上、又はそれ以上の間隔で配置することができる。

【0044】

アルゴンが、プラズマ特性及び膜の高密度化にさらに寄与するために、幾つかの実施形態において含まれうる。これに対応して、幾つかの実施形態では、アルゴンがホウ素含有前駆体及び窒素含有前駆体と共に含まれうる。より重いアルゴン原子が衝突に与える影響を制限するために、アルゴン前駆体と、水素含有前駆体との流量比を、約２：１以下に維持することができ、さらに、約１．９：１以下、約１．８：１以下、約１．７：１以下、約１．６：１以下、約１．５：１以下、約１．４：１以下、約１．３：１以下、約１．２：１以下、約１．１：１以下、約１．０：１以下、又はそれ以下に維持することができる。

【0045】

本技術の実施形態に従って堆積を行うことで、堆積される膜は、改善された材料特性を特徴としうる。例えば、炭素膜は、実質的に中性の応力を特徴としうるが、ホウ素・窒素材料は、より圧縮的応力を特徴としうる。減衰しない場合には、応力は基板の接着及び反りに影響を与える可能性がある。本技術の実施形態に従って堆積工程を行うことで、圧縮応力を緩和しうる膜を生成することができる。例えば、幾つかの実施形態では、堆積の後で、膜内の圧縮応力を約－６００ＭＰａ以下に維持することができ、これは約６００ＭＰａ以下の絶対応力であり得、さらに、圧縮応力が、約－５５０ＭＰａ以下、約－５００ＭＰａ以下、約－４５０ＭＰａ以下、約－４００ＭＰａ以下、約－３５０ＭＰａ以下、約－３００ＭＰａ以下、約－２５０ＭＰａ以下、約－２００ＭＰａ以下、約－１５０ＭＰａ以下、約－１００ＭＰａ以下であってよく、又はそれ以下であってよい。

【0046】

さらに、本技術は、他のホウ素含有膜に対して向上した密度を特徴とする膜を製造することができる。酸窒化ケイ素膜は、より高い密度を特徴とすることができ、より近い代替物を提供するために、本技術は、約１．５０ｇ／ｃｍ^３以上の膜密度を特徴とするホウ素・窒素膜を製造することができ、さらに、約１．５５ｇ／ｃｍ^３以上、約１．６０ｇ／ｃｍ^３以上、約１．６５ｇ／ｃｍ^３以上、約１．７０ｇ／ｃｍ^３以上、約１．７５ｇ／ｃｍ^３以上、約１．８０ｇ／ｃｍ^３以上、約１．８５ｇ／ｃｍ^３以上、約１．９０ｇ／ｃｍ^３以上、約１．９５ｇ／ｃｍ^３以上、約２．００ｇ／ｃｍ^３以上、又はそれ以上の膜密度を特徴とする膜を生成することができる。このことで、エッチングの選択性を改善することができ、これにより、パターニングマスクを介したエッチングプロファイルも制御されうる。

【0047】

膜形成が行われた後に、任意的な工程２２５において、パターニングマスクを処理して、エッチングプロセスで下にある材料に転写されるフィーチャを形成することができる。図３に示される１つの非限定的な例において、パターニングマスク３２０が、３Ｄ ＮＡＮＤのためのハードマスク３１５をパターニングするために使用されうる。その後、膜スタックをエッチングする前に、ハードマスクを開くためのエッチングプロセスが行われうる。図に示されるように、マスクオープンプロセスが行われるにつれて、ハードマスクの増大した厚さのために、パターニングマスク３２０は、エッチャント材料への曝露が増しており、これにより、過剰な除去及びマスクに沿った傾斜量が生じうる。図３は誇張された例を示しているが、ケイ素含有材料が利用される従来技術では、この除去によってスパッタリングが発生しうる。というのは、斜面が形成されるにつれて、パターニングマスクに沿った入射角がより大きくなるからである。

【0048】

本技術は、ハードマスク３１５内で再堆積又はネッキングを発生させうるスパッタリングが制限され又は基本的に無いことを特徴とし得、ハードマスク３１５又は下にある層を通る開口又はフィーチャの形成の均一性を向上させうる。図示のように、角度Ａは、パターニングマスク及び／又はハードマスクを通る、垂直からの角度を表しうるが、幾つかの実施形態では、角度Ａを約１５°以下に維持することができ、さらに、フィーチャにおいてパターニングを発生させることができ、ここで、角度Ａを約１０°以下、約９°以下、約８°以下、約７°以下、約６°以下、約５°以下、約４°以下、約３°以下、約２°以下、約１°以下、又はそれ下に維持することができ、平行性（ｐａｒａｌｌｅｌｉｓｍ）、又は、実質的若しくは基本的に垂直な壁が、構造全体を通して生成されうる。さらに、開口が形成されている場合に、各開口の直径は、エッチング後にハードマスク全体で約９０％以上均一であり得、かつ、任意の２点において上から下まで、約９１％以上、約９２％以上、約９３％以上、約９４％以上、約９５％以上、約９６％以上、約９７％以上、約９８％以上、約９９％以上、又はそれ以上の割合で一貫性があり又は均一でありうる。本技術の実施形態に従って堆積を行うことで、改善されたハードマスクを形成することができ、これにより、エッチング選択性を改善しつつ、不均一なエッチングを引き起こしうるスパッタリング又は再堆積を低減できる材料を利用することで、
処理中の均一性の向上を促進することができる。

【0049】

先の記載では、説明を目的として、本技術の様々な実施形態の理解を促すべく、数多くの詳細事項を記載した。しかしながら、特定の実施形態が、これらの詳細事項の幾つかを含まずに又は更なる詳細事項を含んで実施されうることが当業者には明らかであろう。

【0050】

幾つかの実施形態を開示してきたが、当業者には、様々な変形例、代替的な構造、及び均等物を、上記の実施形態の思想から逸脱することなく使用できることが分かるであろう。加えて、本技術を不必要に分かりにくくすることを避けるために、幾つかの周知のプロセス及び要素については説明しなかった。従って、先の説明は、本技術の範囲を限定するものと解釈すべきではない。さらに、方法又はプロセスは、連続的又は段階的に説明されうるが、工程は、同時に行われてもよく、又は、列挙されたものとは異なる順序で行われてもよいと理解されたい。

【0051】

値の範囲が与えられている場合に、文脈上そうでないと明示されていない限り、その範囲の上限値と下限値との間に介在する各値が、下限値の最も小さい単位まで具体的に開示されていると理解される。明記された範囲内の任意の明記された値又は明記されていない介在する値と、その明記された範囲内の他の明記された値又は他の介在する値と、の間の任意のより狭い範囲が包含される。これらのより狭い範囲の上限値及び下限値は、個別にその範囲内に含まれることも除外されることもあり、より狭い範囲内に限界値の一方又は両方が含まれる場合、又はどちらも含まれない場合の各範囲も、明記された範囲内の任意の特に除外された限界値に従って、本技術の範囲内に包含される。明記された範囲が、限界値の一方又は両方を含む場合、この含められた限界値の一方又は両方を除いた範囲も含まれる。

【0052】

本明細書及び添付の特許請求の範囲では、単数形「１つの（ａ）」、「１つの（ａｎ）」、及び「その（ｔｈｅ）」は、文脈上別途明示しない限り複数の指示物を含む。したがって、例えば、「ある前駆体（ａ ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）」への言及は、複数のこのような前駆体を含み、「その層（ｔｈｅ ｌａｙｅｒ）」への言及は、当業者に知られている１つ以上の層及びその均等物への言及を含み、その他の形にも同様のことが当てはまる。

【0053】

また、「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｅ（ｓ））」、「備えている（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含有する（ｃｏｎｔａｉｎ（ｓ））」、「含有している（ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅ（ｓ））」、及び「含んでいる（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」という単語は、本明細書及び特許請求の範囲で使用されている場合、記載された特徴、整数、構成要素、又は工程の存在を特定することを意図しているが、１つ以上の他の特徴、整数、構成要素、工程、アクション、又グループの存在又は追加を排除するものではない。

【図1】

【図2】

【図3】

【国際調査報告】