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特表2024-520378化合物、これを含むコーティング組成物、化合物の製造方法、および電子素子
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-05-24
(54)【発明の名称】化合物、これを含むコーティング組成物、化合物の製造方法、および電子素子
(51)【国際特許分類】
C07F 7/18 20060101AFI20240517BHJP
C09D 4/00 20060101ALI20240517BHJP
G02B 1/111 20150101ALI20240517BHJP
【ＦＩ】
C07F7/18 E CSP
C09D4/00
G02B1/111
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023572205
(86)(22)【出願日】2023-03-21
(85)【翻訳文提出日】2023-11-21
(86)【国際出願番号】 KR2023003717
(87)【国際公開番号】W WO2023182770
(87)【国際公開日】2023-09-28
(31)【優先権主張番号】10-2022-0037305
(32)【優先日】2022-03-25
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】500239823
【氏名又は名称】エルジー・ケム・リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100110364
【弁理士】
【氏名又は名称】実広 信哉
(74)【代理人】
【識別番号】100122161
【弁理士】
【氏名又は名称】渡部 崇
(72)【発明者】
【氏名】ジヒェ・ジュン
(72)【発明者】
【氏名】ボムス・パク
(72)【発明者】
【氏名】ヒュン・チョル・キム
【テーマコード（参考）】
2K009
4H049
4J038
【Ｆターム（参考）】
2K009AA02
2K009CC26
2K009CC42
4H049VN01
4H049VP01
4H049VQ10
4H049VR21
4H049VR43
4H049VS09
4H049VT49
4H049VU21
4H049VW02
4J038FA011
4J038FA211
4J038MA09
4J038NA17
4J038PB09
4J038PC02
4J038PC03
(57)【要約】
本明細書は、化学式１の化合物、これを含むコーティング組成物、化合物の製造方法、および電子素子に関する。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
下記化学式１の化合物：【化1】
Ｒ１～Ｒ３は、それぞれ独立して、アルキル基であり、
ＲｆはＣｎＦ２ｎ＋１であり、ｎは１～２０の整数である。
【請求項2】
前記Ｒ１～Ｒ３は、それぞれ独立して、炭素数１～１０のアルキル基である、請求項１に記載の化合物。
【請求項3】
前記ｎは３～２０の整数である、請求項１に記載の化合物。
【請求項4】
前記化学式１は、下記化合物の中から選択されるいずれか一つである、請求項１に記載の化合物：【化2】
【請求項5】
前記化合物の屈折率は１．４５以下である、請求項１に記載の化合物。
【請求項6】
請求項１～５のいずれか一項に記載の化合物を含むコーティング組成物。
【請求項7】
前記コーティング組成物は、硬化型化合物を１種以上さらに含む、請求項６に記載のコーティング組成物。
【請求項8】
前記コーティング組成物の屈折率は１．５以下である、請求項６に記載のコーティング組成物。
【請求項9】
アルコキシシラン化合物とペルフルオロアルキル化合物を混合してアルコキシシラン中間体を合成する段階；および脱離反応により前記アルコキシシラン中間体に二重結合を導入する段階
を含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の化合物の製造方法。
【請求項10】
前記アルコキシシラン化合物は、下記化学式２で表される、請求項９に記載の化合物の製造方法：【化3】
Ｒ１～Ｒ３は、それぞれ独立して、アルキル基である。
【請求項11】
前記ペルフルオロアルキル化合物は、下記化学式３で表される、請求項９に記載の化合物の製造方法：【化4】
Ｘはハロゲン基であり、
ＲｆはＣｎＦ２ｎ＋１であり、ｎは１～２０の整数である。
【請求項12】
前記アルコキシシラン中間体を合成する段階は、ラジカル連鎖反応を用いる、請求項９に記載の化合物の製造方法。
【請求項13】
前記化合物は、前記アルコキシシラン化合物よりも屈折率が低い、請求項９に記載の化合物の製造方法。
【請求項14】
請求項１～５のいずれか一項に記載の化合物またはその硬化物を含む電子素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本明細書は、化合物、これを含むコーティング組成物、化合物の製造方法、および電子素子に関する。
【0002】
本出願は、２０２２年３月２５日付にて韓国特許庁に提出された韓国特許出願第１０－２０２２－００３７３０５号の出願日の利益を主張し、その内容のすべては本明細書に含まれる。
【背景技術】
【0003】
ペルフルオロアルキル基（Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌ ｇｒｏｕｐ）を含有する化合物は、低い表面エネルギーによりフィルム内で表面浮きおよび誘電率を低くして組成物全体の誘電率を低くし、高い耐熱性を有しており、表面コーティング剤の分野で広く用いられている。従来、ペルフルオロアルキル基を化合物に導入するために、グリニャール試薬（Ｇｒｉｇｎａｒｄ ｒｅａｇｅｎｔ）およびハロゲン化合物またはその誘導体を用いた求核置換（Ｎｕｃｌｅｏｐｈｉｌｉｃ ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎ）により誘導したが、反応が複雑であり、塩化ガスのような有毒ガスが発生し得るし、反応が空気および水分に敏感であるという欠点がある。シラン系化合物はガラスまたは金属の表面で高い物理化学的結合を形成して耐久性を高めるコーティング組成物として用いることができるため、これにペルフルオロアルキル基を導入する場合、接着能力を高めるとともに、表面に低い誘電性を付与可能なコーティング膜を形成することができる。しかし、ペルフルオロアルキル基を組成物に直接導入することは、相溶性の面で有利ではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】韓国公開特許第１０－２０１４－０１４３３２７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本明細書は、化合物、これを含むコーティング組成物、化合物の製造方法、および電子素子を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本明細書の一実施態様は、下記化学式１の化合物を提供する。
前記化学式１において、
Ｒ１～Ｒ３は、それぞれ独立して、アルキル基であり、
ＲｆはＣｎＦ２ｎ＋１であり、ｎは１～２０の整数である。
【化1】
Ｒ１～Ｒ３は、それぞれ独立して、アルキル基であり、
ＲｆはＣｎＦ２ｎ＋１であり、ｎは１～２０の整数である。
【0007】
本明細書のまた一つの実施態様は、前記化合物を含むコーティング組成物を提供する。
【0008】
本明細書のまた一つの実施態様は、アルコキシシラン化合物とペルフルオロアルキル化合物を混合してアルコキシシラン中間体を合成する段階；および脱離反応により前記アルコキシシラン中間体に二重結合を導入する段階を含む、前記化合物の製造方法を提供する。
【0009】
本明細書のまた一つの実施態様は、前記化合物またはその硬化物を含む電子素子を提供する。
【発明の効果】
【0010】
本明細書の一実施態様による化合物は、ペルフルオロアルキル基、シラン基、およびビニル基をすべて含むことで、高分子のモノマーとしての使用が容易である。また、高分子合成時に他の硬化型組成物との架橋結合に直接参加することで、所望の特性を有する高分子を合成することができる。
【0011】
本明細書の一実施態様による化合物は、高分子のモノマーとして用いられる場合、高熱、高圧などの反応条件が求められず、反応に参加する化合物および付加反応物の除去が容易であり、高純度の物質を容易に得ることができる。
【0012】
本明細書の一実施態様による化合物を含むコーティング組成物は、低い誘電率を有し、耐熱性および耐久性が高く、接着力に優れる。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、本明細書についてより詳細に説明する。
【0014】
本明細書の一実施態様は、下記化学式１の化合物を提供する。
前記化学式１において、
Ｒ１～Ｒ３は、それぞれ独立して、アルキル基であり、
ＲｆはＣｎＦ２ｎ＋１であり、ｎは１～２０の整数である。
【化2】
Ｒ１～Ｒ３は、それぞれ独立して、アルキル基であり、
ＲｆはＣｎＦ２ｎ＋１であり、ｎは１～２０の整数である。
【0015】
本明細書の一実施態様において、Ｒ１～Ｒ３は、それぞれ独立して、炭素数１～３０のアルキル基である。
【0016】
本明細書の一実施態様において、Ｒ１～Ｒ３は、それぞれ独立して、炭素数１～２０のアルキル基である。
【0017】
本明細書の一実施態様において、Ｒ１～Ｒ３は、それぞれ独立して、炭素数１～１０のアルキル基である。
【0018】
本明細書の一実施態様において、Ｒ１～Ｒ３は、それぞれ独立して、炭素数１～５のアルキル基である。
【0019】
本明細書の一実施態様において、Ｒ１～Ｒ３は、それぞれ独立して、メチル基；エチル基；プロピル基；ブチル基；またはペンチル基であってもよい。
【0020】
本明細書の一実施態様において、Ｒ１～Ｒ３は、それぞれ独立して、メチル基；エチル基；またはプロピル基であってもよい。
【0021】
本明細書の一実施態様において、Ｒ１～Ｒ３は、それぞれ独立して、メチル基；またはエチル基であってもよい。
【0022】
本明細書の一実施態様において、Ｒ１～Ｒ３は、それぞれ独立して、メチル基であってもよい。
【0023】
本明細書の一実施態様において、Ｒ１～Ｒ３は、それぞれ独立して、エチル基であってもよい。
【0024】
本明細書の一実施態様において、ｎは１～２０の整数である。
【0025】
本明細書の一実施態様によれば、前記ｎが上記範囲である場合、ペルフルオロアルキル基の鎖長の調節が容易であり、様々な分子量の化合物を製造することができる。
【0026】
ペルフルオロアルキル基を含む化合物の場合、低い誘電率および高い耐熱性の特性を示すが、相溶性の面で容易ではないという問題がある。しかし、前記化学式１の化合物は、ペルフルオロアルキル基、シラン基、およびビニル基をすべて含むことで、高分子のモノマーとしての使用が容易であり、他の硬化型組成物との架橋結合に直接参加することで、所望の高分子を合成することができる。
【0027】
本明細書の一実施態様において、ｎは３～２０の整数、３～１５の整数、３～１２の整数、または３～１１の整数であってもよい。
【0028】
本明細書の一実施態様において、ｎは４～２０の整数、４～１５の整数、４～１２の整数、４～１１の整数、または４～８の整数であってもよい。
【0029】
本明細書の一実施態様において、前記化学式１の二重結合において、置換基が表示されない部分は、水素が連結されたものである。
【0030】
本明細書の一実施態様によれば、前記化学式１は、下記化合物の中から選択されるいずれか一つであってもよい。
【化3】
【0031】
本明細書の一実施態様によれば、前記化学式１は、前記化学式１の化合物の混合物を含む。
【0032】
具体的に、前記化学式１の化合物の混合物とは、前記化学式１が２種以上含まれることを意味し、その構造は、互いに同一でも異なっていてもよい。
【0033】
本明細書の一実施態様において、前記化合物の屈折率は１．４以下であってもよく、下限は限定されないが、例えば１．２以上である。
【0034】
本明細書の一実施態様において、前記化合物の屈折率は１．３以下であってもよい。
【0035】
上記範囲内の屈折率を有する化合物をコーティング組成物に含む場合、コーティング組成物の屈折率および誘電率を低くし、耐熱性および耐久性を高めるという効果がある。
【0036】
本明細書の一実施態様において、前記化合物の屈折率は、ＲＸ－５０００α（ＡＴＡＧＯ社）を用いて２５℃で測定される。
【0037】
本明細書の一実施態様は、前記化合物を含むコーティング組成物を提供する。
【0038】
本明細書の一実施態様によるコーティング組成物は、低い屈折率および誘電率を有し、耐熱性および耐久性が高い。また、優れた接着力を提供し、接着コーティング剤として用いられる。
【0039】
本明細書の一実施態様において、前記コーティング組成物は、硬化型化合物を１種以上さらに含んでもよい。
【0040】
本明細書の一実施態様において、前述した化合物は、前記硬化型化合物と架橋結合して高分子を形成してもよい。
【0041】
本明細書の一実施態様による化合物は、二重結合を含むため、前記硬化型化合物との架橋結合に直接参加可能であり、高熱、高圧などの反応条件が求められない。また、架橋結合に参加する化合物および付加反応物の除去が容易であり、高純度の高分子を得ることができる。
【0042】
本明細書の一実施態様において、前記硬化型化合物は、ビニル基、すなわち二重結合を含むものであれば限定されない。
【0043】
本明細書の一実施態様において、前記コーティング組成物の屈折率は１．５以下であってもよい。
【0044】
本明細書の一実施態様において、前記コーティング組成物の屈折率は１．５以下、または１．４以下であってもよく、下限は限定されないが、例えば１．１以上であってもよい。
【0045】
本明細書の一実施態様において、前記コーティング組成物の屈折率は、ＲＸ－５０００α（ＡＴＡＧＯ社）を用いて２５℃で測定される。
【0046】
前記屈折率範囲を有するコーティング組成物は、低い誘電率を有することで、電子材料で用いられるデータ伝送の超高効率化の実現が可能な材料として用いることができる。
【0047】
本明細書の一実施態様は、アルコキシシラン化合物とペルフルオロアルキル化合物を混合してアルコキシシラン中間体を合成する段階；および脱離反応により前記アルコキシシラン中間体に二重結合を導入する段階を含む、前記化合物の製造方法を提供する。
【0048】
本明細書の一実施態様において、前記アルコキシシラン化合物は、下記化学式２で表されてもよい。
前記化学式２において、
Ｒ１～Ｒ３は、それぞれ独立して、アルキル基である。
【化4】
Ｒ１～Ｒ３は、それぞれ独立して、アルキル基である。
【0049】
前記化学式２のＲ１～Ｒ３に関する具体的な説明は、前述した化学式１における説明と同様である。
【0050】
本明細書の一実施態様において、前記ペルフルオロアルキル化合物は、下記化学式３で表されてもよい。
前記化学式３において、
Ｘはハロゲン基であり、
ＲｆはＣｎＦ２ｎ＋１であり、ｎは１～２０の整数である。
【化5】
Ｘはハロゲン基であり、
ＲｆはＣｎＦ２ｎ＋１であり、ｎは１～２０の整数である。
【0051】
本明細書において、ハロゲン基とは、周期表の１７族元素を意味し、具体的には－Ｆ、－Ｂｒ、－Ｃｌ、または－Ｉであってもよい。
【0052】
本明細書の一実施態様において、Ｘは－Ｉであってもよい。
【0053】
本明細書の一実施態様において、前記アルコキシシラン中間体は、下記化学式４で表されてもよい。
前記化学式４において、
Ｒ１～Ｒ３は、それぞれ独立して、アルキル基であり、
Ｘはハロゲン基であり、
ＲｆはＣｎＦ２ｎ＋１であり、ｎは１～２０の整数である。
【化6】
Ｒ１～Ｒ３は、それぞれ独立して、アルキル基であり、
Ｘはハロゲン基であり、
ＲｆはＣｎＦ２ｎ＋１であり、ｎは１～２０の整数である。
【0054】
本明細書の一実施態様において、前記アルコキシシラン中間体を合成する段階における反応温度は１０℃～４０℃で、好ましくは２０℃～４０℃で、より好ましくは３０℃である。
【0055】
上記反応温度範囲内で合成を行う場合、反応条件が厳しくなくマイルドであり、温度が上昇するにつれて現れる副反応が抑制され、最終的な目的物の収率が高くなる。
【0056】
本明細書の一実施態様において、前記アルコキシシラン中間体を合成する段階における反応圧力は常圧である。
【0057】
本明細書の一実施態様において、前記アルコキシシラン中間体を合成する段階は、ラジカル連鎖反応（Ｒａｄｉｃａｌ Ｃｈａｉｎ Ｒｅａｃｔｉｏｎ）を用いてもよい。
【0058】
本明細書の一実施態様において、前記ラジカル連鎖反応には、ラジカル開始剤および溶媒が用いられてもよい。
【0059】
本明細書の一実施態様において、前記ラジカル開始剤は、アゾ開始剤（Ａｚｏ ｉｎｉｔｉａｔｏｒ）である。
【0060】
本明細書の一実施態様において、前記ラジカル開始剤は、アゾビスイソブチロニトリル（ａｚｏｂｉｓｉｓｏｂｕｔｙｒｏｎｉｔｒｉｌｅ、ＡＩＢＮ）、２，２’－アゾビス－２，４－ジメチルバレロニトリル（２，２’－ａｚｏｂｉｓ－（２，４－ｄｉｍｅｔｈｙｌｖａｌｅｒｏｎｉｔｒｉｌｅ）、２，２’－アゾビス（４－メトキシ－２，４－ジメチルバレロニトリル（２，２’－Ａｚｏｂｉｓ（４－ｍｅｔｈｏｘｙ－２，４－ｄｉｍｅｔｈｙｌｖａｌｅｒｏｎｉｔｒｉｌｅ））、ベンゾイルパーオキサイド（ｂｅｎｚｏｙｌ ｐｅｒｏｘｉｄｅ、ＢＰＯ）、またはジ－ｔｅｒｔ－ブチルパーオキサイド（ｄｉ－ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌ ｐｅｒｏｘｉｄｅ、ＤＴＢＰ）の中から選択されるいずれか一つ以上である。
【0061】
好ましくは、前記ラジカル開始剤は、アゾビスイソブチロニトリル（ａｚｏｂｉｓｉｓｏｂｕｔｙｒｏｎｉｔｒｉｌｅ、ＡＩＢＮ）であってもよい。
【0062】
前記ラジカル開始剤を用いる場合、低温でラジカル反応の開始が可能であり、前記反応温度およびマイルドな反応条件で反応を進行できるという利点がある。
【0063】
本明細書の一実施態様において、前記溶媒は有機溶媒である。
【0064】
本明細書の一実施態様において、前記溶媒は、ヘキサン、ヘプタン、トルエン、ベンゼン、ジクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、クロロホルム、ジクロロホルム、ニトロメタン、ジブロモメタン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、フルオロベンゼン、ブロモベンゼン、クロロベンゼン、キシレン、メシチレン、エチルアセテート、またはこれらの任意の混合物の中から選択されるが、これに限定されず、従来用いられる有機溶媒を用いてもよい。
【0065】
本明細書の一実施態様において、前記溶媒は、エチルアセテートであってもよい。
【0066】
本明細書の一実施態様において、前記アルコキシシラン中間体に二重結合を導入する段階における反応温度は常温であり、例えば１０℃～３０℃であってもよい。
【0067】
本明細書の一実施態様において、前記アルコキシシラン中間体に二重結合を導入する段階における反応圧力は常圧である。
【0068】
本明細書の一実施態様において、前記アルコキシシラン中間体に二重結合を導入する段階は、脱離反応（Ｅｌｉｍｉｎａｔｉｏｎ Ｒｅａｃｔｉｏｎ）を用いる。
【0069】
本明細書の一実施態様において、前記脱離反応には、塩基（ｂａｓｅ）および溶媒が用いられてもよい。
【0070】
本明細書の一実施態様において、前記塩基としては、ＤＢＵ（１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデ－７－セン（１，８－Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ－７－ｅｎｅ））、トリメチルアミン（ｔｒｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、水酸化ナトリウム（ｓｏｄｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）などが挙げられるが、これに限定されない。
【0071】
好ましくは、前記塩基は、ＤＢＵ（１，８－Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ－７－ｅｎｅ）であってもよい。
【0072】
本明細書の一実施態様において、前記脱離反応に用いられる溶媒は、前記アルコキシシラン中間体を合成する段階における溶媒の説明と同様である。
【0073】
本明細書の一実施態様において、前記アルコキシシラン中間体に二重結合を導入する段階は、前記脱離反応に加え、上層液と下層液を分離させる段階；および前記上層液から副生成物を除去する段階をさらに含んでもよい。
【0074】
本明細書の一実施態様において、前記脱離反応が完了すると、上層液と下層液に分離される。前記上層液と下層液に分離される時点は、脱離反応完了後に限定されず、脱離反応が進行しつつ層分離が起こることができる。
【0075】
本明細書の一実施態様において、前記上層液と下層液を分離させる段階では、当該技術分野で一般的に用いられる分離方法が用いられてもよい。
【0076】
本明細書の一実施態様において、前記上層液には、最終的な目的化合物および副生成物が含まれてもよい。
【0077】
本明細書の一実施態様において、前記下層液には、塩基および副生成物が含まれてもよい。下層液に含まれている塩基は、反応に参加していない未反応塩基として、前述した塩基の説明と同様である。
【0078】
本明細書に一実施態様において、前記副生成物は、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、またはＨＩであってもよい。
【0079】
本明細書の一実施態様において、前記上層液から副生成物を除去する段階は、前記副生成物を沈殿させる段階；および前記沈殿した副生成物をフィルタする段階を含んでもよい。
【0080】
本明細書の一実施態様において、前記沈殿させる段階において、ヘキサン（ｈｅｘａｎｅ）、ヘプタン（ｈｅｐｔａｎｅ）、およびエーテル（ｅｔｈｅｒ）類などが用いられてもよいが、これに限定されない。
【0081】
本明細書の一実施態様において、前記沈殿した副生成物をフィルタする段階では、当該技術分野で一般的に用いられるフィルタ方法が用いられてもよい。
【0082】
本明細書の一実施態様によれば、前記化合物を２種以上含む混合物を提供する。
【0083】
本明細書のまた一つの実施態様によれば、前記混合物に含まれる２種以上の化合物は、互いに同一または異なる。すなわち、前記化学式１の構造であるとともに、互いに同一または異なることを意味する。
【0084】
本明細書のまた一つの実施態様によれば、前記混合物は、前記化学式１とは異なる化合物をさらに含んでもよい。
【0085】
本明細書の一実施態様によれば、前記化学式１の化合物に由来する単分子を提供する。
【0086】
本明細書において、例えば、前記「化学式１の化合物に由来する単分子」とは、前記化学式１の化合物のビニル基がラジカルを形成して追加の置換基が導入された単分子、または前記化学式１の化合物自体を意味し得る。
【0087】
本明細書の一実施態様によれば、前記化学式１の化合物に由来するモノマーを含む重合体を提供する。
【0088】
当該技術分野の通常の知識を有するものであれば、本明細書に記載された用語「モノマー」は、化合物が重合し、重合体の主鎖に連結されている状態と理解することができる。
本明細書において、例えば、前記「化学式１の化合物に由来するモノマー」とは、重合体中で主鎖を構成する繰り返し単位として、前記化学式１の化合物のビニル基がラジカルを形成してモノマーになることができ、他の重合体の主鎖を構成するモノマーまたは末端基が導入できることを意味する。
本明細書において、例えば、前記「化学式１の化合物に由来するモノマー」とは、重合体中で主鎖を構成する繰り返し単位として、前記化学式１の化合物のビニル基がラジカルを形成してモノマーになることができ、他の重合体の主鎖を構成するモノマーまたは末端基が導入できることを意味する。
【0089】
本明細書の一実施態様によれば、前記重合体は、追加のモノマーをさらに含んでもよく、追加のモノマーは限定されない。
【0090】
本明細書の一実施態様によれば、前記追加のモノマーは、前述した硬化型化合物に由来するモノマーであってもよい。
【0091】
本明細書の一実施態様によれば、前記重合体は、交互重合体、ブロック重合体、またはランダム重合体であってもよいが、これに限定されない。
【0092】
また、本明細書において、重合体に含まれるモノマーを言及する場合にも、言及されたモノマーのみを含むことに限定されるものではなく、本発明の目的を逸脱しない範囲内で、上記で言及されたモノマー以外に他のモノマーをコモノマーとしてさらに含んでもよい。
【0093】
本明細書の一実施態様による化合物、組成物、前記化合物に由来する単分子、および重合体は、電子材料、有機絶縁材料、基板材料、および／または半導体材料として用いられ、これに限定されない。
【0094】
本明細書の一実施態様は、前記化合物およびその硬化物を含む電子素子を提供する。
【0095】
本明細書の一実施態様は、前記化合物を含むコーティング組成物を含む電子素子を提供する。
【0096】
本明細書の一実施態様によれば、前記化合物および硬化型化合物を含むコーティング組成物を含む電子素子を提供する。
【実施例】
【0097】
以下、本明細書を具体的に説明するために実施例を挙げて詳しく説明する。ただし、本明細書に係る実施例は種々の異なる形態に変形されてもよく、本明細書の範囲が後述する実施例に限定されるものと解釈されない。本明細書の実施例は、当業界で平均的な知識を有する者に本明細書をより完全に説明するために提供されるものである。
【0098】
＜製造例＞化合物の製造
＜実施例１＞化合物１
２００ｍＬの二口丸底フラスコ（２ ｎｅｃｋ ｒｏｕｎｄ－ｂｏｔｔｏｍ ｆｌａｓｋ）にて、ビニルトリメトキシシラン（Ｖｉｎｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎｅ）４６ｇ、ノナフルオロ－１－ヨードブタン（Ｎｏｎａｆｌｕｏｒｏ－１－ｉｏｄｏｂｕｔａｎｅ）５３ｍＬをエチルアセテート（Ｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）１５ｇに溶解した後、３０℃で窒素で３０分間バブリング（Ｂｕｂｂｌｉｎｇ）を行った。これにＡＩＢＮ（Ａｚｏｂｉｓｉｓｏｂｕｔｙｒｏｎｉｔｒｉｌｅ）１．５ｇを投入した後に３時間撹拌し、トリメトキシ（３，３，４，４，５，５，６，６，６－ノナフルオロ－１－ヨードオクチル）シランを合成した。その後、エチルアセテート１００ｍＬを入れ、ＤＢＵ（１，８－Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ－７－ｅｎｅ）４２ｍＬを徐々に滴下して脱離反応を行った。反応完了後、反応液間に分離が起こると、下層液であるＤＢＵおよびＨＩ塩層を除去した。上層液に残っている残留副生成物をヘキサンで沈殿させて除去し、下記化合物１を得た。
＜実施例１＞化合物１
２００ｍＬの二口丸底フラスコ（２ ｎｅｃｋ ｒｏｕｎｄ－ｂｏｔｔｏｍ ｆｌａｓｋ）にて、ビニルトリメトキシシラン（Ｖｉｎｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎｅ）４６ｇ、ノナフルオロ－１－ヨードブタン（Ｎｏｎａｆｌｕｏｒｏ－１－ｉｏｄｏｂｕｔａｎｅ）５３ｍＬをエチルアセテート（Ｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）１５ｇに溶解した後、３０℃で窒素で３０分間バブリング（Ｂｕｂｂｌｉｎｇ）を行った。これにＡＩＢＮ（Ａｚｏｂｉｓｉｓｏｂｕｔｙｒｏｎｉｔｒｉｌｅ）１．５ｇを投入した後に３時間撹拌し、トリメトキシ（３，３，４，４，５，５，６，６，６－ノナフルオロ－１－ヨードオクチル）シランを合成した。その後、エチルアセテート１００ｍＬを入れ、ＤＢＵ（１，８－Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ－７－ｅｎｅ）４２ｍＬを徐々に滴下して脱離反応を行った。反応完了後、反応液間に分離が起こると、下層液であるＤＢＵおよびＨＩ塩層を除去した。上層液に残っている残留副生成物をヘキサンで沈殿させて除去し、下記化合物１を得た。
【化7】
【0099】
前記化合物１の１Ｈ－ＮＭＲを確認した結果、１Ｈ－ＮＭＲチャートは以下のとおりである。
１Ｈ－ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３、ｐｐｍ ＴＭＳ）δ：３．５９（９Ｈ、Ｓ）、６．３９（２Ｈ、ｍ）
１Ｈ－ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３、ｐｐｍ ＴＭＳ）δ：３．５９（９Ｈ、Ｓ）、６．３９（２Ｈ、ｍ）
【0100】
前記化合物１のＭＳ測定結果は下記のとおりであり、ＧＣ／ＥＩイオン化過程中にＣＨ３－（ｍｅｔｈｙｌ）基が脱離して測定された。
イオン化モード＝：ＡＰＣＩ＋：ｍ／ｚ＝３５１．０［Ｍ＋Ｈ］＋、Ｅｘａｃｔ Ｍａｓｓ：３６６．０
イオン化モード＝：ＡＰＣＩ＋：ｍ／ｚ＝３５１．０［Ｍ＋Ｈ］＋、Ｅｘａｃｔ Ｍａｓｓ：３６６．０
【0101】
＜実施例２＞化合物２
２００ｍＬの二口丸底フラスコ（２ ｎｅｃｋ ｒｏｕｎｄ－ｂｏｔｔｏｍ ｆｌａｓｋ）にて、ビニルトリメトキシシラン（Ｖｉｎｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎｅ）４６ｇ、トリデカフルオロヘキシルヨージド（Ｔｒｉｄｅｃａｆｌｕｏｒｏｈｅｘｙｌ Ｉｏｄｉｄｅ）６７ｍＬをエチルアセテート（Ｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）１５ｇに溶解した後、３０℃で窒素で３０分間バブリング（Ｂｕｂｂｌｉｎｇ）を行った。これにＡＩＢＮ（Ａｚｏｂｉｓｉｓｏｂｕｔｙｒｏｎｉｔｒｉｌｅ）１．５ｇを投入した後に３時間撹拌し、トリメトキシ（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８－トリデカフルオロ－１－ヨードオクチル）シランを合成した。その後、エチルアセテート１００ｍＬを入れ、ＤＢＵ（１，８－Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ－７－ｅｎｅ）４２ｍＬを徐々に滴下して脱離反応を行った。反応完了後、反応液間に分離が起こると、下層液であるＤＢＵおよびＨＩ塩層を除去した。上層液に残っている残留副生成物をヘキサンで沈殿させて除去し、下記化合物２を得た。
２００ｍＬの二口丸底フラスコ（２ ｎｅｃｋ ｒｏｕｎｄ－ｂｏｔｔｏｍ ｆｌａｓｋ）にて、ビニルトリメトキシシラン（Ｖｉｎｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎｅ）４６ｇ、トリデカフルオロヘキシルヨージド（Ｔｒｉｄｅｃａｆｌｕｏｒｏｈｅｘｙｌ Ｉｏｄｉｄｅ）６７ｍＬをエチルアセテート（Ｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）１５ｇに溶解した後、３０℃で窒素で３０分間バブリング（Ｂｕｂｂｌｉｎｇ）を行った。これにＡＩＢＮ（Ａｚｏｂｉｓｉｓｏｂｕｔｙｒｏｎｉｔｒｉｌｅ）１．５ｇを投入した後に３時間撹拌し、トリメトキシ（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８－トリデカフルオロ－１－ヨードオクチル）シランを合成した。その後、エチルアセテート１００ｍＬを入れ、ＤＢＵ（１，８－Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ－７－ｅｎｅ）４２ｍＬを徐々に滴下して脱離反応を行った。反応完了後、反応液間に分離が起こると、下層液であるＤＢＵおよびＨＩ塩層を除去した。上層液に残っている残留副生成物をヘキサンで沈殿させて除去し、下記化合物２を得た。
【化8】
【0102】
前記化合物２の１Ｈ－ＮＭＲを確認した結果、１Ｈ－ＮＭＲチャートは以下のとおりである。
１Ｈ－ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３、ｐｐｍ ＴＭＳ）δ：３．６１（９Ｈ、Ｓ）、６．３９（２Ｈ、ｍ）
１Ｈ－ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３、ｐｐｍ ＴＭＳ）δ：３．６１（９Ｈ、Ｓ）、６．３９（２Ｈ、ｍ）
【0103】
前記化合物２のＧＣ－ＭＳ測定結果は下記のとおりであり、ＧＣ／ＥＩイオン化過程中にＣＨ３－（ｍｅｔｈｙｌ）基が脱離して測定された。
イオン化モード＝：ＡＰＣＩ＋：ｍ／ｚ＝４５１．０［Ｍ＋Ｈ］＋、Ｅｘａｃｔ Ｍａｓｓ：４６６．０
イオン化モード＝：ＡＰＣＩ＋：ｍ／ｚ＝４５１．０［Ｍ＋Ｈ］＋、Ｅｘａｃｔ Ｍａｓｓ：４６６．０
【0104】
＜実施例３＞化合物３
２００ｍＬの二口丸底フラスコ（２ ｎｅｃｋ ｒｏｕｎｄ－ｂｏｔｔｏｍ ｆｌａｓｋ）にて、ビニルトリメトキシシラン（Ｖｉｎｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎｅ）４６ｇ、ヘプタデカフルオロ－１－ヨードブタン（Ｈｅｐｔａｄｅｃａｆｌｕｏｒｏ－１－ｉｏｄｏｂｕｔａｎｅ）８２ｍＬをエチルアセテート（Ｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）１５ｇに溶解した後、３０℃で窒素で３０分間バブリング（Ｂｕｂｂｌｉｎｇ）を行った。これにＡＩＢＮ（Ａｚｏｂｉｓｉｓｏｂｕｔｙｒｏｎｉｔｒｉｌｅ）１．５ｇを投入した後に３時間撹拌し、トリメトキシ（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０－ヘプタデカフルオロ－１－ヨードオクチル）シランを合成した。その後、エチルアセテート１００ｍＬを入れ、ＤＢＵ（１，８－Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ－７－ｅｎｅ）４２ｍＬを徐々に滴下して脱離反応を行った。反応完了後、反応液間に分離が起こると、下層液であるＤＢＵおよびＨＩ塩層を除去した。上層液に残っている残留副生成物をヘキサンで沈殿させて除去し、下記化合物３を得た。
２００ｍＬの二口丸底フラスコ（２ ｎｅｃｋ ｒｏｕｎｄ－ｂｏｔｔｏｍ ｆｌａｓｋ）にて、ビニルトリメトキシシラン（Ｖｉｎｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎｅ）４６ｇ、ヘプタデカフルオロ－１－ヨードブタン（Ｈｅｐｔａｄｅｃａｆｌｕｏｒｏ－１－ｉｏｄｏｂｕｔａｎｅ）８２ｍＬをエチルアセテート（Ｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）１５ｇに溶解した後、３０℃で窒素で３０分間バブリング（Ｂｕｂｂｌｉｎｇ）を行った。これにＡＩＢＮ（Ａｚｏｂｉｓｉｓｏｂｕｔｙｒｏｎｉｔｒｉｌｅ）１．５ｇを投入した後に３時間撹拌し、トリメトキシ（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０－ヘプタデカフルオロ－１－ヨードオクチル）シランを合成した。その後、エチルアセテート１００ｍＬを入れ、ＤＢＵ（１，８－Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ－７－ｅｎｅ）４２ｍＬを徐々に滴下して脱離反応を行った。反応完了後、反応液間に分離が起こると、下層液であるＤＢＵおよびＨＩ塩層を除去した。上層液に残っている残留副生成物をヘキサンで沈殿させて除去し、下記化合物３を得た。
【化9】
【0105】
前記化合物３の１Ｈ－ＮＭＲを確認した結果、１Ｈ－ＮＭＲチャートは以下のとおりである。
１Ｈ－ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３、ｐｐｍ ＴＭＳ）δ：３．６０（９Ｈ、Ｓ）、６．４０（２Ｈ、ｍ）
１Ｈ－ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３、ｐｐｍ ＴＭＳ）δ：３．６０（９Ｈ、Ｓ）、６．４０（２Ｈ、ｍ）
【0106】
前記化合物３のＭＳ測定結果は下記のとおりであり、ＧＣ／ＥＩイオン化過程中にＣＨ３－（ｍｅｔｈｙｌ）基が脱離して測定された。
イオン化モード＝：ＡＰＣＩ＋：ｍ／ｚ＝５５１．０［Ｍ＋Ｈ］＋、Ｅｘａｃｔ Ｍａｓｓ：５６６．０
イオン化モード＝：ＡＰＣＩ＋：ｍ／ｚ＝５５１．０［Ｍ＋Ｈ］＋、Ｅｘａｃｔ Ｍａｓｓ：５６６．０
【0107】
＜実施例４＞化合物４
２００ｍＬの二口丸底フラスコ（２ ｎｅｃｋ ｒｏｕｎｄ－ｂｏｔｔｏｍ ｆｌａｓｋ）にて、ビニルトリエトキシシラン（Ｖｉｎｙｌｔｒｉｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎｅ）５９ｇ、ノナフルオロ－１－ヨードブタン（Ｎｏｎａｆｌｕｏｒｏ－１－ｉｏｄｏｂｕｔａｎｅ）５３ｍＬをエチルアセテート（Ｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）１５ｇに溶解した後、３０℃で窒素で３０分間バブリング（Ｂｕｂｂｌｉｎｇ）を行った。これにＡＩＢＮ（Ａｚｏｂｉｓｉｓｏｂｕｔｙｒｏｎｉｔｒｉｌｅ）１．５ｇを投入した後に３時間撹拌し、トリエトキシ（３，３，４，４，５，５，６，６，６－ノナフルオロ－１－ヨードブチル）シランを合成した。その後、エチルアセテート１００ｍＬを入れ、ＤＢＵ（１，８－Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ－７－ｅｎｅ）４２ｍＬを徐々に滴下して脱離反応を行った。反応完了後、反応液間に分離が起こると、下層液であるＤＢＵおよびＨＩ塩層を除去した。上層液に残っている残留副生成物をヘキサンで沈殿させて除去し、下記化合物４を得た。
２００ｍＬの二口丸底フラスコ（２ ｎｅｃｋ ｒｏｕｎｄ－ｂｏｔｔｏｍ ｆｌａｓｋ）にて、ビニルトリエトキシシラン（Ｖｉｎｙｌｔｒｉｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎｅ）５９ｇ、ノナフルオロ－１－ヨードブタン（Ｎｏｎａｆｌｕｏｒｏ－１－ｉｏｄｏｂｕｔａｎｅ）５３ｍＬをエチルアセテート（Ｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）１５ｇに溶解した後、３０℃で窒素で３０分間バブリング（Ｂｕｂｂｌｉｎｇ）を行った。これにＡＩＢＮ（Ａｚｏｂｉｓｉｓｏｂｕｔｙｒｏｎｉｔｒｉｌｅ）１．５ｇを投入した後に３時間撹拌し、トリエトキシ（３，３，４，４，５，５，６，６，６－ノナフルオロ－１－ヨードブチル）シランを合成した。その後、エチルアセテート１００ｍＬを入れ、ＤＢＵ（１，８－Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ－７－ｅｎｅ）４２ｍＬを徐々に滴下して脱離反応を行った。反応完了後、反応液間に分離が起こると、下層液であるＤＢＵおよびＨＩ塩層を除去した。上層液に残っている残留副生成物をヘキサンで沈殿させて除去し、下記化合物４を得た。
【化10】
【0108】
前記化合物４の１Ｈ－ＮＭＲを確認した結果、１Ｈ－ＮＭＲチャートは以下のとおりである。
１Ｈ－ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３、ｐｐｍ ＴＭＳ）δ：１．２４（９Ｈ、ｍ）、３．８４（６Ｈ、ｍ）、６．４１（２Ｈ、ｍ）
１Ｈ－ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３、ｐｐｍ ＴＭＳ）δ：１．２４（９Ｈ、ｍ）、３．８４（６Ｈ、ｍ）、６．４１（２Ｈ、ｍ）
【0109】
＜実施例５＞化合物５
２００ｍＬの二口丸底フラスコ（２ ｎｅｃｋ ｒｏｕｎｄ－ｂｏｔｔｏｍ ｆｌａｓｋ）にて、ビニルトリエトキシシラン（Ｖｉｎｙｌｔｒｉｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎｅ）５９ｇ、トリデカフルオロヘキシルヨージド（Ｔｒｉｄｅｃａｆｌｕｏｒｏｈｅｘｙｌ Ｉｏｄｉｄｅ）６７ｍＬをエチルアセテート（Ｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）１５ｇに溶解した後、３０℃で窒素で３０分間バブリング（Ｂｕｂｂｌｉｎｇ）を行った。これにＡＩＢＮ（Ａｚｏｂｉｓｉｓｏｂｕｔｙｒｏｎｉｔｒｉｌｅ）１．５ｇを投入した後に３時間撹拌し、トリエトキシ（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８－トリデカフルオロ－１－ヨードヘキシル）シランを合成した。その後、エチルアセテート１００ｍＬを入れ、ＤＢＵ（１，８－Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ－７－ｅｎｅ）４２ｍＬを徐々に滴下して脱離反応を行った。反応完了後、反応液間に分離が起こると、下層液であるＤＢＵおよびＨＩ塩層を除去した。上層液に残っている残留副生成物をヘキサンで沈殿させて除去し、下記化合物５を得た。
２００ｍＬの二口丸底フラスコ（２ ｎｅｃｋ ｒｏｕｎｄ－ｂｏｔｔｏｍ ｆｌａｓｋ）にて、ビニルトリエトキシシラン（Ｖｉｎｙｌｔｒｉｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎｅ）５９ｇ、トリデカフルオロヘキシルヨージド（Ｔｒｉｄｅｃａｆｌｕｏｒｏｈｅｘｙｌ Ｉｏｄｉｄｅ）６７ｍＬをエチルアセテート（Ｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）１５ｇに溶解した後、３０℃で窒素で３０分間バブリング（Ｂｕｂｂｌｉｎｇ）を行った。これにＡＩＢＮ（Ａｚｏｂｉｓｉｓｏｂｕｔｙｒｏｎｉｔｒｉｌｅ）１．５ｇを投入した後に３時間撹拌し、トリエトキシ（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８－トリデカフルオロ－１－ヨードヘキシル）シランを合成した。その後、エチルアセテート１００ｍＬを入れ、ＤＢＵ（１，８－Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ－７－ｅｎｅ）４２ｍＬを徐々に滴下して脱離反応を行った。反応完了後、反応液間に分離が起こると、下層液であるＤＢＵおよびＨＩ塩層を除去した。上層液に残っている残留副生成物をヘキサンで沈殿させて除去し、下記化合物５を得た。
【化11】
【0110】
前記化合物５の１Ｈ－ＮＭＲを確認した結果、１Ｈ－ＮＭＲチャートは以下のとおりである。
１Ｈ－ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３、ｐｐｍ ＴＭＳ）δ：１．２４（９Ｈ、ｍ）、３．８５（６Ｈ、ｍ）、６．４１（２Ｈ、ｍ）
１Ｈ－ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３、ｐｐｍ ＴＭＳ）δ：１．２４（９Ｈ、ｍ）、３．８５（６Ｈ、ｍ）、６．４１（２Ｈ、ｍ）
【0111】
＜実施例６＞化合物６
２００ｍＬの二口丸底フラスコ（２ ｎｅｃｋ ｒｏｕｎｄ－ｂｏｔｔｏｍ ｆｌａｓｋ）にて、ビニルトリエトキシシラン（Ｖｉｎｙｌｔｒｉｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎｅ）５９ｇ、ヘプタデカフルオロ－ｎ－オクチルヨージド（Ｈｅｐｔａｄｅｃａｆｌｕｏｒｏ－ｎ－ｏｃｔｙｌｉｏｄｉｄｅ）８２ｍＬをエチルアセテート（Ｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）１５ｇに溶解した後、３０℃で窒素で３０分間バブリング（Ｂｕｂｂｌｉｎｇ）を行った。これにＡＩＢＮ（Ａｚｏｂｉｓｉｓｏｂｕｔｙｒｏｎｉｔｒｉｌｅ）１．５ｇを投入した後に３時間撹拌し、トリエトキシ（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０－ヘプタデカフルオロ－１－ヨードオクチル）シランを合成した。その後、エチルアセテート１００ｍＬを入れ、ＤＢＵ（１，８－Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ－７－ｅｎｅ）４２ｍＬを徐々に滴下して脱離反応を行った。反応完了後、反応液間に分離が起こると、下層液であるＤＢＵおよびＨＩ塩層を除去した。上層液に残っている残留副生成物をヘキサンで沈殿させて除去し、下記化合物６を得た。
２００ｍＬの二口丸底フラスコ（２ ｎｅｃｋ ｒｏｕｎｄ－ｂｏｔｔｏｍ ｆｌａｓｋ）にて、ビニルトリエトキシシラン（Ｖｉｎｙｌｔｒｉｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎｅ）５９ｇ、ヘプタデカフルオロ－ｎ－オクチルヨージド（Ｈｅｐｔａｄｅｃａｆｌｕｏｒｏ－ｎ－ｏｃｔｙｌｉｏｄｉｄｅ）８２ｍＬをエチルアセテート（Ｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）１５ｇに溶解した後、３０℃で窒素で３０分間バブリング（Ｂｕｂｂｌｉｎｇ）を行った。これにＡＩＢＮ（Ａｚｏｂｉｓｉｓｏｂｕｔｙｒｏｎｉｔｒｉｌｅ）１．５ｇを投入した後に３時間撹拌し、トリエトキシ（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０－ヘプタデカフルオロ－１－ヨードオクチル）シランを合成した。その後、エチルアセテート１００ｍＬを入れ、ＤＢＵ（１，８－Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ－７－ｅｎｅ）４２ｍＬを徐々に滴下して脱離反応を行った。反応完了後、反応液間に分離が起こると、下層液であるＤＢＵおよびＨＩ塩層を除去した。上層液に残っている残留副生成物をヘキサンで沈殿させて除去し、下記化合物６を得た。
【化12】
【0112】
前記化合物６の１Ｈ－ＮＭＲを確認した結果、１Ｈ－ＮＭＲチャートは以下のとおりである。
δ：１．２４（９Ｈ、ｍ）、３．８５（６Ｈ、ｍ）、６．４１（２Ｈ、ｍ）
δ：１．２４（９Ｈ、ｍ）、３．８５（６Ｈ、ｍ）、６．４１（２Ｈ、ｍ）
【0113】
＜実験例＞屈折率の測定
ＲＸ－５０００α（ＡＴＡＧＯ社）を用いて、２５℃で、前記実施例で製造された化合物、および下記表１に記載されている比較例化合物の屈折率を測定した。
ＲＸ－５０００α（ＡＴＡＧＯ社）を用いて、２５℃で、前記実施例で製造された化合物、および下記表１に記載されている比較例化合物の屈折率を測定した。
【0114】
【表1】
【0115】
前記表１によれば、前記化学式１の化合物は、一つの分子内にシラン基、ビニル基、およびペルフルオロアルキル基を同時に含むことで、シラン基、ビニル基、およびペルフルオロアルキル基を同時に含まない比較例に比べて屈折率が低いことを確認することができる。
【0116】
特に、実施例１～６と比較例１～３を比較すると、前記化学式１の化合物は、ペルフルオロアルキル基を含むことで、低い屈折率を有することを確認することができる。
【手続補正書】
【提出日】2023-11-21
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0098】
＜製造例＞化合物の製造
＜実施例１＞化合物１
２００ｍＬの二口丸底フラスコ（２ ｎｅｃｋ ｒｏｕｎｄ－ｂｏｔｔｏｍ ｆｌａｓｋ）にて、ビニルトリメトキシシラン（Ｖｉｎｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎｅ）４６ｇ、ノナフルオロ－１－ヨードブタン（Ｎｏｎａｆｌｕｏｒｏ－１－ｉｏｄｏｂｕｔａｎｅ）５３ｍＬをエチルアセテート（Ｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）１５ｇに溶解した後、３０℃で窒素で３０分間バブリング（Ｂｕｂｂｌｉｎｇ）を行った。これにＡＩＢＮ（Ａｚｏｂｉｓｉｓｏｂｕｔｙｒｏｎｉｔｒｉｌｅ）１．５ｇを投入した後に３時間撹拌し、トリメトキシ（３，３，４，４，５，５，６，６，６－ノナフルオロ－１－ヨードヘキシル）シランを合成した。その後、エチルアセテート１００ｍＬを入れ、ＤＢＵ（１，８－Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ－７－ｅｎｅ）４２ｍＬを徐々に滴下して脱離反応を行った。反応完了後、反応液間に分離が起こると、下層液であるＤＢＵおよびＨＩ塩層を除去した。上層液に残っている残留副生成物をヘキサンで沈殿させて除去し、下記化合物１を得た。
＜実施例１＞化合物１
２００ｍＬの二口丸底フラスコ（２ ｎｅｃｋ ｒｏｕｎｄ－ｂｏｔｔｏｍ ｆｌａｓｋ）にて、ビニルトリメトキシシラン（Ｖｉｎｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎｅ）４６ｇ、ノナフルオロ－１－ヨードブタン（Ｎｏｎａｆｌｕｏｒｏ－１－ｉｏｄｏｂｕｔａｎｅ）５３ｍＬをエチルアセテート（Ｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）１５ｇに溶解した後、３０℃で窒素で３０分間バブリング（Ｂｕｂｂｌｉｎｇ）を行った。これにＡＩＢＮ（Ａｚｏｂｉｓｉｓｏｂｕｔｙｒｏｎｉｔｒｉｌｅ）１．５ｇを投入した後に３時間撹拌し、トリメトキシ（３，３，４，４，５，５，６，６，６－ノナフルオロ－１－ヨードヘキシル）シランを合成した。その後、エチルアセテート１００ｍＬを入れ、ＤＢＵ（１，８－Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ－７－ｅｎｅ）４２ｍＬを徐々に滴下して脱離反応を行った。反応完了後、反応液間に分離が起こると、下層液であるＤＢＵおよびＨＩ塩層を除去した。上層液に残っている残留副生成物をヘキサンで沈殿させて除去し、下記化合物１を得た。
【化7】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0104】
＜実施例３＞化合物３
２００ｍＬの二口丸底フラスコ（２ ｎｅｃｋ ｒｏｕｎｄ－ｂｏｔｔｏｍ ｆｌａｓｋ）にて、ビニルトリメトキシシラン（Ｖｉｎｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎｅ）４６ｇ、ヘプタデカフルオロ－１－ヨードオクタン（Ｈｅｐｔａｄｅｃａｆｌｕｏｒｏ－１－ｉｏｄｏｏｃｔａｎｅ）８２ｍＬをエチルアセテート（Ｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）１５ｇに溶解した後、３０℃で窒素で３０分間バブリング（Ｂｕｂｂｌｉｎｇ）を行った。これにＡＩＢＮ（Ａｚｏｂｉｓｉｓｏｂｕｔｙｒｏｎｉｔｒｉｌｅ）１．５ｇを投入した後に３時間撹拌し、トリメトキシ（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０－ヘプタデカフルオロ－１－ヨードデシル）シランを合成した。その後、エチルアセテート１００ｍＬを入れ、ＤＢＵ（１，８－Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ－７－ｅｎｅ）４２ｍＬを徐々に滴下して脱離反応を行った。反応完了後、反応液間に分離が起こると、下層液であるＤＢＵおよびＨＩ塩層を除去した。上層液に残っている残留副生成物をヘキサンで沈殿させて除去し、下記化合物３を得た。
２００ｍＬの二口丸底フラスコ（２ ｎｅｃｋ ｒｏｕｎｄ－ｂｏｔｔｏｍ ｆｌａｓｋ）にて、ビニルトリメトキシシラン（Ｖｉｎｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎｅ）４６ｇ、ヘプタデカフルオロ－１－ヨードオクタン（Ｈｅｐｔａｄｅｃａｆｌｕｏｒｏ－１－ｉｏｄｏｏｃｔａｎｅ）８２ｍＬをエチルアセテート（Ｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）１５ｇに溶解した後、３０℃で窒素で３０分間バブリング（Ｂｕｂｂｌｉｎｇ）を行った。これにＡＩＢＮ（Ａｚｏｂｉｓｉｓｏｂｕｔｙｒｏｎｉｔｒｉｌｅ）１．５ｇを投入した後に３時間撹拌し、トリメトキシ（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０－ヘプタデカフルオロ－１－ヨードデシル）シランを合成した。その後、エチルアセテート１００ｍＬを入れ、ＤＢＵ（１，８－Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ－７－ｅｎｅ）４２ｍＬを徐々に滴下して脱離反応を行った。反応完了後、反応液間に分離が起こると、下層液であるＤＢＵおよびＨＩ塩層を除去した。上層液に残っている残留副生成物をヘキサンで沈殿させて除去し、下記化合物３を得た。
【化9】
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0107】
＜実施例４＞化合物４
２００ｍＬの二口丸底フラスコ（２ ｎｅｃｋ ｒｏｕｎｄ－ｂｏｔｔｏｍ ｆｌａｓｋ）にて、ビニルトリエトキシシラン（Ｖｉｎｙｌｔｒｉｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎｅ）５９ｇ、ノナフルオロ－１－ヨードブタン（Ｎｏｎａｆｌｕｏｒｏ－１－ｉｏｄｏｂｕｔａｎｅ）５３ｍＬをエチルアセテート（Ｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）１５ｇに溶解した後、３０℃で窒素で３０分間バブリング（Ｂｕｂｂｌｉｎｇ）を行った。これにＡＩＢＮ（Ａｚｏｂｉｓｉｓｏｂｕｔｙｒｏｎｉｔｒｉｌｅ）１．５ｇを投入した後に３時間撹拌し、トリエトキシ（３，３，４，４，５，５，６，６，６－ノナフルオロ－１－ヨードヘキシル）シランを合成した。その後、エチルアセテート１００ｍＬを入れ、ＤＢＵ（１，８－Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ－７－ｅｎｅ）４２ｍＬを徐々に滴下して脱離反応を行った。反応完了後、反応液間に分離が起こると、下層液であるＤＢＵおよびＨＩ塩層を除去した。上層液に残っている残留副生成物をヘキサンで沈殿させて除去し、下記化合物４を得た。
２００ｍＬの二口丸底フラスコ（２ ｎｅｃｋ ｒｏｕｎｄ－ｂｏｔｔｏｍ ｆｌａｓｋ）にて、ビニルトリエトキシシラン（Ｖｉｎｙｌｔｒｉｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎｅ）５９ｇ、ノナフルオロ－１－ヨードブタン（Ｎｏｎａｆｌｕｏｒｏ－１－ｉｏｄｏｂｕｔａｎｅ）５３ｍＬをエチルアセテート（Ｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）１５ｇに溶解した後、３０℃で窒素で３０分間バブリング（Ｂｕｂｂｌｉｎｇ）を行った。これにＡＩＢＮ（Ａｚｏｂｉｓｉｓｏｂｕｔｙｒｏｎｉｔｒｉｌｅ）１．５ｇを投入した後に３時間撹拌し、トリエトキシ（３，３，４，４，５，５，６，６，６－ノナフルオロ－１－ヨードヘキシル）シランを合成した。その後、エチルアセテート１００ｍＬを入れ、ＤＢＵ（１，８－Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ－７－ｅｎｅ）４２ｍＬを徐々に滴下して脱離反応を行った。反応完了後、反応液間に分離が起こると、下層液であるＤＢＵおよびＨＩ塩層を除去した。上層液に残っている残留副生成物をヘキサンで沈殿させて除去し、下記化合物４を得た。
【化10】
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0109】
＜実施例５＞化合物５
２００ｍＬの二口丸底フラスコ（２ ｎｅｃｋ ｒｏｕｎｄ－ｂｏｔｔｏｍ ｆｌａｓｋ）にて、ビニルトリエトキシシラン（Ｖｉｎｙｌｔｒｉｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎｅ）５９ｇ、トリデカフルオロヘキシルヨージド（Ｔｒｉｄｅｃａｆｌｕｏｒｏｈｅｘｙｌ Ｉｏｄｉｄｅ）６７ｍＬをエチルアセテート（Ｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）１５ｇに溶解した後、３０℃で窒素で３０分間バブリング（Ｂｕｂｂｌｉｎｇ）を行った。これにＡＩＢＮ（Ａｚｏｂｉｓｉｓｏｂｕｔｙｒｏｎｉｔｒｉｌｅ）１．５ｇを投入した後に３時間撹拌し、トリエトキシ（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８－トリデカフルオロ－１－ヨードオクチル）シランを合成した。その後、エチルアセテート１００ｍＬを入れ、ＤＢＵ（１，８－Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ－７－ｅｎｅ）４２ｍＬを徐々に滴下して脱離反応を行った。反応完了後、反応液間に分離が起こると、下層液であるＤＢＵおよびＨＩ塩層を除去した。上層液に残っている残留副生成物をヘキサンで沈殿させて除去し、下記化合物５を得た。
２００ｍＬの二口丸底フラスコ（２ ｎｅｃｋ ｒｏｕｎｄ－ｂｏｔｔｏｍ ｆｌａｓｋ）にて、ビニルトリエトキシシラン（Ｖｉｎｙｌｔｒｉｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎｅ）５９ｇ、トリデカフルオロヘキシルヨージド（Ｔｒｉｄｅｃａｆｌｕｏｒｏｈｅｘｙｌ Ｉｏｄｉｄｅ）６７ｍＬをエチルアセテート（Ｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）１５ｇに溶解した後、３０℃で窒素で３０分間バブリング（Ｂｕｂｂｌｉｎｇ）を行った。これにＡＩＢＮ（Ａｚｏｂｉｓｉｓｏｂｕｔｙｒｏｎｉｔｒｉｌｅ）１．５ｇを投入した後に３時間撹拌し、トリエトキシ（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８－トリデカフルオロ－１－ヨードオクチル）シランを合成した。その後、エチルアセテート１００ｍＬを入れ、ＤＢＵ（１，８－Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ－７－ｅｎｅ）４２ｍＬを徐々に滴下して脱離反応を行った。反応完了後、反応液間に分離が起こると、下層液であるＤＢＵおよびＨＩ塩層を除去した。上層液に残っている残留副生成物をヘキサンで沈殿させて除去し、下記化合物５を得た。
【化11】
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0111】
＜実施例６＞化合物６
２００ｍＬの二口丸底フラスコ（２ ｎｅｃｋ ｒｏｕｎｄ－ｂｏｔｔｏｍ ｆｌａｓｋ）にて、ビニルトリエトキシシラン（Ｖｉｎｙｌｔｒｉｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎｅ）５９ｇ、ヘプタデカフルオロ－ｎ－オクチルヨージド（Ｈｅｐｔａｄｅｃａｆｌｕｏｒｏ－ｎ－ｏｃｔｙｌｉｏｄｉｄｅ）８２ｍＬをエチルアセテート（Ｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）１５ｇに溶解した後、３０℃で窒素で３０分間バブリング（Ｂｕｂｂｌｉｎｇ）を行った。これにＡＩＢＮ（Ａｚｏｂｉｓｉｓｏｂｕｔｙｒｏｎｉｔｒｉｌｅ）１．５ｇを投入した後に３時間撹拌し、トリエトキシ（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０－ヘプタデカフルオロ－１－ヨードデシル）シランを合成した。その後、エチルアセテート１００ｍＬを入れ、ＤＢＵ（１，８－Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ－７－ｅｎｅ）４２ｍＬを徐々に滴下して脱離反応を行った。反応完了後、反応液間に分離が起こると、下層液であるＤＢＵおよびＨＩ塩層を除去した。上層液に残っている残留副生成物をヘキサンで沈殿させて除去し、下記化合物６を得た。
２００ｍＬの二口丸底フラスコ（２ ｎｅｃｋ ｒｏｕｎｄ－ｂｏｔｔｏｍ ｆｌａｓｋ）にて、ビニルトリエトキシシラン（Ｖｉｎｙｌｔｒｉｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎｅ）５９ｇ、ヘプタデカフルオロ－ｎ－オクチルヨージド（Ｈｅｐｔａｄｅｃａｆｌｕｏｒｏ－ｎ－ｏｃｔｙｌｉｏｄｉｄｅ）８２ｍＬをエチルアセテート（Ｅｔｈｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）１５ｇに溶解した後、３０℃で窒素で３０分間バブリング（Ｂｕｂｂｌｉｎｇ）を行った。これにＡＩＢＮ（Ａｚｏｂｉｓｉｓｏｂｕｔｙｒｏｎｉｔｒｉｌｅ）１．５ｇを投入した後に３時間撹拌し、トリエトキシ（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０－ヘプタデカフルオロ－１－ヨードデシル）シランを合成した。その後、エチルアセテート１００ｍＬを入れ、ＤＢＵ（１，８－Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ－７－ｅｎｅ）４２ｍＬを徐々に滴下して脱離反応を行った。反応完了後、反応液間に分離が起こると、下層液であるＤＢＵおよびＨＩ塩層を除去した。上層液に残っている残留副生成物をヘキサンで沈殿させて除去し、下記化合物６を得た。
【化12】
【国際調査報告】