特表 2024-521151 ゲートオールアラウンド型ＦＥＴアーキテクチャにおけるボイドフリーなコンタクトトレンチ充填

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-05-28

(54)【発明の名称】ゲートオールアラウンド型ＦＥＴアーキテクチャにおけるボイドフリーなコンタクトトレンチ充填

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/336 20060101AFI20240521BHJP

   H01L 21/28 20060101ALI20240521BHJP

   H01L 21/3205 20060101ALN20240521BHJP

【ＦＩ】

H01L29/78 301Y

H01L21/28 301S

H01L21/88 R

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023572579

(86)(22)【出願日】2022-04-25

(85)【翻訳文提出日】2024-01-18

(86)【国際出願番号】 US2022026141

(87)【国際公開番号】W WO2022250820

(87)【国際公開日】2022-12-01

(31)【優先権主張番号】63/194,673

(32)【優先日】2021-05-28

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】ブレイル， ニコラス ルイス

(72)【発明者】

【氏名】リー， ビョン チャン

(72)【発明者】

【氏名】コロンボー， ベンジャミン

【テーマコード（参考）】

4M104

5F033

5F140

【Ｆターム（参考）】

4M104AA01

4M104AA03

4M104BB20

4M104BB21

4M104BB25

4M104BB26

4M104BB27

4M104CC01

4M104DD33

4M104DD43

4M104DD45

4M104DD46

4M104DD84

4M104FF18

4M104GG09

4M104HH13

4M104HH15

5F033HH07

5F033HH15

5F033HH19

5F033HH20

5F033HH32

5F033HH33

5F033MM13

5F033PP04

5F033PP06

5F033PP14

5F033PP26

5F033QQ08

5F033QQ11

5F033XX02

5F140AA00

5F140BA01

5F140BA05

5F140BB05

5F140BB06

5F140BH27

5F140BJ08

5F140BJ17

5F140BJ20

5F140BK18

5F140BK29

5F140BK30

5F140BK34

(57)【要約】

半導体デバイスにおいてコンタクトトレンチ構造体を形成する方法であって、方法は、トレンチの側壁上にコンタクトを形成するための第１の選択的堆積プロセスを実行することであって、トレンチの側壁のそれぞれは、第１の材料の第１の断面および第２の材料の第２の断面を含む、第１の選択的堆積プロセスを実行することと、コンタクト上に金属シリサイド層を形成するために第２の選択的堆積プロセスを実行することと、トレンチ内にコンタクトプラグを形成するための第１の金属充填プロセスを実行することであって、第１の金属充填プロセスはコンタクトプラグ金属材料をトレンチ内に堆積させることを含む、第１の金属充填プロセスを実行することと、トレンチ内に開口部を形成するためのエッチングプロセスを実行することであって、トレンチ内のコンタクトプラグ金属材料を部分的にエッチングすることを含む、エッチングプロセスを実行することと、第２の金属充填プロセスを実行することであって、第２の金属充填プロセスは開口部内にコンタクトプラグ金属材料を堆積させることを含む、第２の金属充填プロセスを実行することと、を含む。
【選択図】図３Ｈ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体デバイスにおいてコンタクトトレンチ構造体を形成する方法であって、
トレンチの側壁上にコンタクトを形成するための第１の選択的堆積プロセスを実行することであって、前記トレンチの前記側壁のそれぞれは第１の材料の第１の断面および第２の材料の第２の断面を含み、前記第１の選択的堆積プロセスは、
前記トレンチの前記側壁上に第３の材料をエピタキシャル成長させること、および
前記トレンチ内の前記第２の材料の前記第２の断面上に選択的に前記コンタクトを形成するために前記第１の材料の前記第１の断面上に形成された前記第３の材料の部分をエッチングすることを含む、第１の選択的堆積プロセスを実行することと、
前記コンタクト上に金属シリサイド層を形成するために第２の選択的堆積プロセスを実行することであって、前記第２の選択的堆積プロセスは、
前記トレンチ内に、前記コンタクト、および前記第１の材料の前記第１の断面上に金属シリサイド材料を成長させること、および
前記コンタクト上に選択的に前記金属シリサイド層を形成するために前記第１の材料の前記第１の断面上に形成された前記金属シリサイド材料の部分をエッチングすることを含む、第２の選択的堆積プロセスを実行することと、
前記トレンチ内にコンタクトプラグを形成するための第１の金属充填プロセスを実行することであって、前記第１の金属充填プロセスはコンタクトプラグ金属材料を前記トレンチ内に堆積させることを含む、第１の金属充填プロセスを実行することと、
前記トレンチ内に開口部を形成するためのエッチングプロセスを実行することであって、前記トレンチ内の前記コンタクトプラグ金属材料を部分的にエッチングすることを含む、エッチングプロセスを実行することと、
第２の金属充填プロセスを実行することであって、前記第２の金属充填プロセスは前記開口部内に前記コンタクトプラグ金属材料を堆積させることを含む、第２の金属充填プロセスを実行することと、を含む、方法。

【請求項2】

前記第１の材料は二酸化ケイ素または窒化ケイ素を含み、
前記第２の材料はケイ素含有材料を含む、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

前記第３の材料は、シリコン（Ｓｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、およびシリコンゲルマニウム（ＳｉＧ）で構成されるグループから選択された材料を含む、請求項１に記載の方法。

【請求項4】

前記コンタクトプラグ金属材料は、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、およびモリブデン（Ｍｏ）で構成されるグループから選択された材料を含む、請求項１に記載の方法。

【請求項5】

前記金属シリサイド材料は、ケイ化チタン（Ｔｉ）、ケイ化コバルト（Ｃｏ）、ケイ化ニッケル（Ｎｉ）、ケイ化モリブデン（Ｍｏ）、またはケイ化タンタル（Ｔａ）で構成されるグループから選択された材料を含む、請求項１に記載の方法。

【請求項6】

前記第１の金属充填プロセスより前に共形堆積プロセスを実行することであって、前記共形堆積プロセスは、
前記トレンチの露出面上にバリア金属材料を堆積させることを含む、共形堆積プロセスを実行することをさらに含む、請求項１に記載の方法。

【請求項7】

前記バリア金属材料は、窒化チタン（ＴｉＮ）および窒化タンタル（ＴａＮ）で構成されるグループから選択された材料を含む、請求項６に記載の方法。

【請求項8】

半導体デバイスにおいてボイドフリーなトレンチコンタクトプラグを形成する方法であって、
トレンチ内にコンタクトプラグを形成するための第１の金属充填プロセスを実行することであって、前記第１の金属充填プロセスは前記トレンチ内にコンタクトプラグ金属材料を堆積させることを含み、前記トレンチの側壁は、エピタキシャル成長したコンタクトが形成される第１の材料の第１の断面、および第２の材料の第２の断面を含む、第１の金属充填プロセスを実行することと、
前記トレンチ内に開口部を形成するためのエッチングプロセスを実行することであって、前記トレンチ内の前記コンタクトプラグ金属材料を部分的にエッチングすることを含む、エッチングプロセスを実行することと、
第２の金属充填プロセスを実行することであって、前記第２の金属充填プロセスは前記開口部内に前記コンタクトプラグ金属材料を堆積させることを含む、第２の金属充填プロセスを実行することと、を含む、方法。

【請求項9】

前記第１の材料は二酸化ケイ素または窒化ケイ素を含み、
前記第２の材料はケイ素含有材料を含む、請求項８に記載の方法。

【請求項10】

前記エピタキシャル成長したコンタクトは、シリコン（Ｓｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、およびシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）で構成されるグループから選択された材料を含む、請求項８に記載の方法。

【請求項11】

前記コンタクトプラグ金属材料は、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、およびモリブデン（Ｍｏ）で構成されるグループから選択された材料を含む、請求項８に記載の方法。

【請求項12】

前記トレンチの露出面上に金属バリア層を共形堆積させることをさらに含む、請求項８に記載の方法。

【請求項13】

バリア金属材料は、窒化チタン（ＴｉＮ）および窒化タンタル（ＴａＮ）で構成されるグループから選択された材料を含む、請求項１２に記載の方法。

【請求項14】

第１の半導体層および第２の半導体層のスタックであって、トレンチが前記スタックを通して形成される、スタックと、
前記トレンチに面する前記第１の半導体層のそれぞれの端部に形成されるスペーサと、
前記トレンチ内の前記第２の半導体層の第１の断面のそれぞれにおいてエピタキシャル成長したコンタクトと、
前記コンタクト上に成長した金属シリサイド層と、
前記トレンチ内の前記金属シリサイド層上のバリア金属層と、
前記トレンチ内のボイドフリーな金属コンタクトプラグと、を備える、半導体構造体。

【請求項15】

前記第１の半導体層はシリコンゲルマニウムを含み、
前記第２の半導体層はシリコンを含む、請求項１４に記載の半導体構造体。

【請求項16】

前記スペーサは二酸化ケイ素または窒化ケイ素を含む、請求項１４に記載の半導体構造体。

【請求項17】

前記コンタクトは、シリコン（Ｓｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、およびシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）で構成されるグループから選択された材料を含む、請求項１４に記載の半導体構造体。

【請求項18】

前記ボイドフリーな金属コンタクトプラグは、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、およびモリブデン（Ｍｏ）で構成されるグループから選択された材料を含む、請求項１４に記載の半導体構造体。

【請求項19】

前記金属シリサイド層は、ケイ化チタン（Ｔｉ）、ケイ化コバルト（Ｃｏ）、ケイ化ニッケル（Ｎｉ）、ケイ化モリブデン（Ｍｏ）、またはケイ化タンタル（Ｔａ）で構成されるグループから選択された材料を含む、請求項１４に記載の半導体構造体。

【請求項20】

バリア金属材料は、窒化チタン（ＴｉＮ）および窒化タンタル（ＴａＮ）で構成されるグループから選択された材料を含む、請求項１４に記載の半導体構造体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書に記載される実施形態は、一般的に、半導体デバイス製造に関し、より詳細には、ゲートオールアラウンド型電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）においてコンタクトトレンチ構造体を形成するシステムおよび方法に関する。

【背景技術】

【0002】

複数のゲートを単一のデバイスに組み込むため、従来の平面バルクＭＯＳＦＥＴよりもスケーラブルであるマルチゲート金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、例えば、二重ゲート電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）トライゲートＭＯＳＦＥＴ、およびゲートオールアラウンド型（ＧＡＡ）ＦＥＴは、それらの３次元（３Ｄ）設計および小型であることにより、生産上の難題をもたらしている。ゲートがシリコンベースのチャネルの２つまたは４つ全ての側部に設置されるＧＡＡ ＦＥＴなどの１０～１５ｎｍ未満の技術ノード用のアーキテクチャでは、寄生抵抗または外部抵抗はデバイスの性能にかなりの影響を与える。そのような寄生抵抗を最小化するために、シリコンベースのチャネルと金属コンタクトプラグとをインターフェース接続するためのコンタクトが形成される。しかしながら、この構造体は、既存の金属充填プロセスによってコンタクトプラグにおけるボイドまたはコアの形成が生じることが多いため、金属コンタクトプラグを形成する際にさらなる難題をもたらす。コンタクトプラグにおけるボイドの存在によって、接触抵抗が大幅に増大する可能性がある。

【0003】

よって、寄生抵抗を最小化しかつボイドフリーな（ｖｏｉｄ－ｆｒｅｅ）金属コンタクトプラグを有するＦＥＴデバイスを製造できるシステムおよび方法が必要とされている。

【発明の概要】

【0004】

本開示の実施形態は、半導体デバイスにおいてコンタクトトレンチ構造体を形成する方法を提供する。方法は、トレンチの側壁上にコンタクトを形成するための第１の選択的堆積プロセスを実行することであって、トレンチの側壁のそれぞれは、第１の材料の第１の断面、および第２の材料の第２の断面を含む、第１の選択的堆積プロセスを実行することと、コンタクト上に金属シリサイド層を形成するための第２の選択的堆積プロセスを実行することと、トレンチ内にコンタクトプラグを形成するための第１の金属充填プロセスを実行することであって、第１の金属充填プロセスはコンタクトプラグ金属材料をトレンチ内に堆積させることを含む、第１の金属充填プロセスを実行することと、トレンチ内に開口部を形成するためのエッチングプロセスを実行することであって、トレンチ内のコンタクトプラグ金属材料を部分的にエッチングすることを含む、エッチングプロセスを実行することと、第２の金属充填プロセスを実行することであって、第２の金属充填プロセスは開口部内にコンタクトプラグ金属材料を堆積させることを含む、第２の金属充填プロセスを実行することと、を含む。第１の選択的堆積プロセスは、トレンチの側壁上にシリサイド材料を成長させることと、トレンチ内の第２の材料の第２の断面上に選択的にコンタクトを形成するために第１の材料の第１の断面上に形成されたシリサイド材料の部分をエッチングすることとを含む。第２の選択的堆積プロセスは、トレンチ内に、コンタクト、および第１の材料の第１の断面上に金属シリサイド材料を成長させることと、コンタクト上に選択的に金属シリサイド層を形成するために第１の材料の第１の断面上に形成された金属シリサイド材料の部分をエッチングすることと、を含む。

【0005】

本開示の実施形態は、半導体デバイスにおいてボイドフリーなトレンチコンタクトプラグを形成する方法も提供する。方法は、トレンチ内にコンタクトプラグを形成するための第１の金属充填プロセスを実行することであって、第１の金属充填プロセスはトレンチ内にコンタクトプラグ金属材料を堆積させることを含み、トレンチの側壁は、エピタキシャル成長したコンタクトが形成される第１の材料の第１の断面、および第２の材料の第２の断面を含む、第１の金属充填プロセスを実行することと、トレンチ内に開口部を形成するためのエッチングプロセスを実行することであって、トレンチ内のコンタクトプラグ金属材料を部分的にエッチングすることを含む、エッチングプロセスを実行することと、第２の金属充填プロセスを実行することであって、第２の金属充填プロセスは開口部内にコンタクトプラグ金属材料を堆積させることを含む、第２の金属充填プロセスを実行することと、を含む。

【0006】

本開示の実施形態は半導体構造体をさらに提供する。半導体構造体は、第１の半導体層および第２の半導体層のスタックであって、トレンチがスタックを通して形成される、スタックと、トレンチに面する第１の半導体層のそれぞれの端部に形成されたスペーサと、トレンチ内の第２の半導体層の第１の断面のそれぞれにおいてエピタキシャル成長したコンタクトと、コンタクト上に成長した金属シリサイド層と、トレンチ内の金属シリサイド層上のバリア金属層と、トレンチ内のボイドフリーな金属コンタクトプラグと、を含む。

【0007】

本開示の上記の特徴が詳細に理解可能であるように、上に簡潔に要約された本開示のより詳細な説明は、一部が添付の図面に例示されている実施形態を参照して得られ得る。しかしながら、添付の図面は、本開示の典型的な実施形態のみ例示しているため、本開示の範囲を限定するものとみなされるべきではなく、本開示では、他の等しく効果的な実施形態が認められ得ることに留意すべきである。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】一実施形態による例示のマルチチャンバ処理システムの概略的な上面図である。

【図2】一実施形態による半導体構造体においてコンタクトトレンチ構造体を形成する方法のプロセスフロー図である。

【図3A】一実施形態による半導体構造体の等角図である。

【図3B】一実施形態による半導体構造体の一部分の断面図である。

【図3C】一実施形態による半導体構造体の一部分の断面図である。

【図3D】一実施形態による半導体構造体の一部分の断面図である。

【図3E】一実施形態による半導体構造体の一部分の断面図である。

【図3F】一実施形態による半導体構造体の一部分の断面図である。

【図3G】一実施形態による半導体構造体の一部分の断面図である。

【図3H】一実施形態による半導体構造体の一部分の断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

理解を容易にするように、図に共通する同一の要素を指定するために、可能な限り同一の参照記号が使用されている。一実施形態の要素および特徴は、有益には、さらに詳述することなく他の実施形態に組み込まれる場合があることが考えられる。

【0010】

本明細書に説明される実施形態は、隣接するデバイスモジュール間のトレンチ内に形成された金属コンタクトプラグ、およびコンタクトプラグとデバイスモジュールにおけるシリコンベースのチャネルとをインターフェース接続するコンタクトを有するゲートオールアラウンド型（ＧＡＡ）ＦＥＴなど、大幅にスケール変更された処理ノード用のトランジスタデバイスを形成するためのシステムおよび方法を提供する。コンタクトは、寄生抵抗を低減するように選択的堆積プロセスによって形成される。トレンチは、その後、金属コンタクトプラグを形成するためにコンタクト上に金属が充填されるが、金属コンタクトプラグにはボイドまたはコアが形成される場合がある。よって、トレンチに形成されたコンタクトプラグは、トンレンチ内に開口部を形成するために部分的にエッチングされ、開口部にはボイドフリーなコンタクトプラグを形成するために金属が充填されて、接触抵抗が低減される。

【0011】

図１は、本開示のいくつかの実施形態によるマルチチャンバ処理システム１００の一例の概略的な上面図である。処理システム１００は、一般的に、ファクトリインターフェース１０２と、ロードロックチャンバ１０４、１０６と、各々の移送ロボット１１２、１１４を有する移送チャンバ１０８、１１０と、保持チャンバ１１６、１１８と、処理チャンバ１２０、１２２、１２４、１２６、１２８、１３０とを含む。本明細書に詳述されるように、処理システム１００におけるウエハは、ウエハを処理システム１００の外側の周囲環境（例えば、製造工場などに存在し得る周囲大気環境）に露出することなく、さまざまなチャンバにおいて処理可能でありかつこれらの間で移送可能である。例えば、ウエハは、処理システム１００におけるウエハに対して実行されるさまざまなプロセス間の低圧または真空環境を破壊することなく、低圧（例えば、約３００トル以下）または真空環境のさまざまなチャンバにおいて処理可能でありかつそれらの間で移送可能である。それ故に、処理システム１００は、ウエハの一部の処理のための統合されたソリューションを提供し得る。

【0012】

本明細書に提供された教示に従って適切に修正され得る処理システムの例には、カリフォルニア州サンタクララにあるＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社から市販されているＥｎｄｕｒａ（登録商標）、Ｐｒｏｄｕｃｅｒ（登録商標）、もしくはＣｅｎｔｕｒａ（登録商標）統合処理システムまたは他の適切な処理システムが含まれる。他の処理システム（他の製造業者からのものを含む）が、本明細書に説明される態様から利益を得るように適応され得ることが企図される。

【0013】

図１の示された例では、ファクトリインターフェース１０２は、ウエハの移送を容易にするために、ドッキングステーション１４０およびファクトリインターフェースロボット１４２を含む。ドッキングステーション１４０は、１つまたは複数の前方開口型統一ポッド（ＦＯＵＰ）１４４を受け入れるように構成される。いくつかの例では、それぞれのファクトリインターフェースロボット１４２は、一般的に、ファクトリインターフェース１０２からロードロックチャンバ１０４、１０６にウエハを移送するように構成された対応するファクトリインターフェースロボット１４２の一端に配置されたブレード１４８を備える。

【0014】

ロードロックチャンバ１０４、１０６は、ファクトリインターフェース１０２に結合された各々のポート１５０、１５２と、移送チャンバ１０８に結合された各々のポート１５４、１５６とを有する。移送チャンバ１０８は、保持チャンバ１１６、１１８に結合された各々のポート１５８、１６０と、処理チャンバ１２０、１２２に結合された各々のポート１６２、１６４とをさらに有する。同様に、移送チャンバ１１０は、保持チャンバ１１６、１１８に結合された各々のポート１６６、１６８と、処理チャンバ１２４、１２６、１２８、１３０に結合された各々のポート１７０、１７２、１７４、１７６とを有する。ポート１５４、１５６、１５８、１６０、１６２、１６４、１６６、１６８、１７０、１７２、１７４、１７６は、例えば、移送ロボット１１２、１１４によってウエハを受け渡しするための、および各々のチャンバ間でガスが通過するのを防止するために各々のチャンバ間の密閉を行うためのスリットバルブを有するスリットバルブ開口部とすることができる。概して、いずれのポートもウエハを移送するために開いており、それ他の場合は、ポートは閉じている。

【0015】

ロードロックチャンバ１０４、１０６、移送チャンバ１０８、１１０、保持チャンバ１１６、１１８、および処理チャンバ１２０、１２２、１２４、１２６、１２８、１３０は、ガスおよび圧力制御システム（具体的には図示せず）に流体結合されてよい。ガスおよび圧力制御システムは、１つまたは複数のガスポンプ（例えば、ターボポンプ、クライオポンプ、粗引きポンプ）、ガス源、さまざまなバルブ、およびさまざまなチャンバに流体結合された導管を含むことができる。動作時に、ファクトリインターフェースロボット１４２は、ウエハをＦＯＵＰ１４４からポート１５０または１５２を通してロードロックチャンバ１０４または１０６に移送する。ガスおよび圧力制御システムは、ロードロックチャンバ１０４または１０６をポンプダウンする。ガスおよび圧力制御システムは、移送チャンバ１０８、１１０および保持チャンバ１１６、１１８を内部低圧または真空環境（不活性ガスを含んでよい）でさらに維持する。それ故に、ロードロックチャンバ１０４または１０６のポンプダウンは、例えば、ファクトリインターフェース１０２の大気環境と移送チャンバ１０８の低圧または真空環境との間でのウエハの受け渡しを容易にする。

【0016】

ポンプダウンされたロードロックチャンバ１０４または１０６にウエハがある状態で、移送ロボット１１２は、ポート１５４または１５６を通してロードロックチャンバ１０４または１０６から移送チャンバ１０８内にウエハを移送する。次いで、移送ロボット１１２は、各々のポート１６２、１６４を通して処理するための処理チャンバ１２０、１２２の、および、各々のポート１５８、１６０を通してさらなる移送を待つために保持するための保持チャンバ１１６、１１８のいずれかにおよび／またはこれらのいずれかの間でウエハを移送することが可能である。同様に、移送ロボット１１４は、ポート１６６または１６８を通して保持チャンバ１１６または１１８におけるウエハにアクセスすることが可能であり、各々のポート１７０、１７２、１７４、１７６を通して処理するための処理チャンバ１２４、１２６、１２８、１３０の、および、各々のポート１６６、１６８を通してさらなる移送を待つために保持するための保持チャンバ１１６、１１８のいずれかにおよび／またはそれらのいずれかの間でウエハを移送することが可能である。さまざまなチャンバ内のおよびチャンバ間でのウエハの移送および保持は、ガスおよび圧力制御システムによって提供される低圧または真空環境において行われ得る。

【0017】

処理チャンバ１２０、１２２、１２４、１２６、１２８、１３０は、ウエハを処理するための任意の適したチャンバとすることができる。いくつかの例では、処理チャンバ１２２は洗浄プロセスを実行可能であり得、処理チャンバ１２０はエッチングプロセスを実行可能であり得、処理チャンバ１２４、１２６、１２８、１３０は各々のエピタキシャル成長プロセスを実行可能であり得る。処理チャンバ１２２は、カリフォルニア州サンタクララのＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓから入手可能なＳｉＣｏＮｉ（商標）Ｐｒｅｃｌｅａｎチャンバであってよい。処理チャンバ１２０は、カリフォルニア州サンタクララのＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓから入手可能なＳｅｌｅｃｔｒａ（商標）エッチングチャンバであってよい。

【0018】

システムコントローラ１９０は、処理システム１００またはこの構成要素を制御するために処理システム１００に結合される。例えば、システムコントローラ１９０は、処理システム１００のチャンバ１０４、１０６、１０８、１１６、１１８、１１０、１２０、１２２、１２４、１２６、１２８、１３０の直接制御を使用して、またはチャンバ１０４、１０６、１０８、１１６、１１８、１１０、１２０、１２２、１２４、１２６、１２８、１３０と関連付けられたコントローラを制御することによって、処理システム１００の動作を制御してよい。動作時に、システムコントローラ１９０は、処理システム１００の性能を調整するために、各々のチャンバからのデータ収集およびフィードバックを可能にする。

【0019】

システムコントローラ１９０は、一般に、中央処理装置（ＣＰＵ）１９２、メモリ１９４、および支援回路１９６を含む。ＣＰＵ１９２は、工業環境で使用可能である任意の形態の汎用プロセッサのうちの１つであってよい。メモリ１９４または非一時的コンピュータ可読媒体は、ＣＰＵ１９２によってアクセス可能であり、かつ、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、リードオンリメモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスク、ハードディスク、またはローカルまたはリモートの任意の他の形態のデジタルストレージなどのメモリのうちの１つまたは複数であってよい。支援回路１９６は、ＣＰＵ１９２に結合され、キャッシュ、クロック回路、入力／出力サブシステム、および電源などを備えてよい。本明細書に開示されるさまざまな方法は、一般的に、例えば、ソフトウェアルーチンとしてメモリ１９４（または特定のプロセスチャンバのメモリ）に記憶されたコンピュータ命令コードを実行するＣＰＵ１９２によってＣＰＵ１９２の制御下で実施されてよい。コンピュータ命令コードがＣＰＵ１９２によって実行されるとき、ＣＰＵ１９２は、チャンバを制御してさまざまな方法に従ってプロセスを実行する。

【0020】

他の処理システムは、他の構成であり得る。例えば、より多くのまたはより少ない処理チャンバが移送装置に結合されてよい。示された例では、移送装置は、移送チャンバ１０８、１１０と、保持チャンバ１１６、１１８とを含む。他の例では、より多いもしくはより少ない移送チャンバ（例えば、１つの移送チャンバ）および／またはより多いもしくはより少ない保持チャンバ（例えば、保持チャンバなし）が、処理システムにおける移送装置として実装されてよい。

【0021】

図２は、本開示の１つまたは複数の実装形態による、半導体構造体３００でコンタクトトレンチ構造体を形成する方法２００のプロセスフロー図を示す。図３Ａは半導体構造体３００の等角図である。図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄ、図３Ｅ、図３Ｆ、図３Ｇ、および図３Ｈは、方法２００のさまざまな状態に対応する半導体構造体３００の一部分の断面図である。図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄ、図３Ｅ、図３Ｆ、図３Ｇ、および図３Ｈが、半導体構造体３００の部分的な概略図のみを示し、半導体構造体３００が図に示されるような態様を有する任意の数のトランジスタ部およびさらなる材料を含有し得ることは、理解されるべきである。図２に示される方法が順を追って説明されているが、省略および／または追加された１つまたは複数の動作を含む、および／または別の望ましい順序で再配置されている他の工程順序が、本明細書に提供される本開示の実施形態の範囲内にあることも留意されるべきである。

【0022】

図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄ、図３Ｅ、図３Ｆ、図３Ｇ、および図３Ｈを参照すると、半導体構造体３００は、第１のゲートオールアラウンド型電界効果トランジスタ（ＧＡＡ ＦＥＴ）モジュールＴＲ１と第２のＧＡＡ ＦＥＴモジュールＴＲ２とを有する基板３０２を含み得る。第２のＧＡＡ ＦＥＴモジュールＴＲ２は図３Ａに示されていない。第１のＧＡＡ ＦＥＴモジュールＴＲ１および第２のＧＡＡ ＦＥＴモジュールＴＲ２は、トレンチ３０４によって分離される。

【0023】

本明細書で使用される用語「基板」は、後続の処理動作の基盤としての役割を果たしかつ洗浄される表面を含む材料の層を指す。基板３０２は、必要に応じて、シリコン系材料または任意の適切な絶縁材料もしくは導電性材料であってよい。基板３０２は、結晶シリコン（例えば、Ｓｉ＜１００＞またはＳｉ＜１１１＞）、酸化ケイ素、歪みシリコン、シリコンゲルマニウム、ドープされたまたはドープされていないポリシリコン、ドープされたまたはドープされていないシリコンウエハおよびパターン形成されたまたはパターン形成されていないウエハ、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）、炭素がドープされた酸化ケイ素、窒化ケイ素、ドープされたシリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、ガラス、またはサファイアなどの材料を含んでよい。

【0024】

ＧＡＡ ＦＥＴモジュールＴＲ１およびＴＲ２のそれぞれは、基板３０２上に交互にかつ繰り返し積み重ねられた第１の半導体層３０６および第２の半導体層３０８を含む。第１の半導体層３０６は、第２の半導体層３０８が形成される第２の材料に対するエッチング選択性を有する第１の材料で形成される（すなわち、第１の材料のエッチング速度は第２の材料のエッチング速度より高い）。エッチング選択性（すなわち、第１の材料のエッチング速度対第２の材料のエッチング速度の比率）は約１０：１～２００：１である。第１の材料と第２の材料との例示の組み合わせには、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧ
ｅ）／シリコン（Ｓｉ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）／ゲルマニウム（Ｇｅ）、およびゲルマニウム錫（ＧｅＳｎ）／シリコン（Ｓｉ）が含まれる。第１の半導体層３０６および第２の半導体層３０８のスタックは、第１のＧＡＡ ＦＥＴモジュールＴＲ１と第２のＧＡＡ ＦＥＴモジュールＴＲ２との間でトレンチ３０４によって分離され、かつ第１のＧＡＡ ＦＥＴモジュールＴＲ１および第２のＧＡＡ ＦＥＴモジュールＴＲ２のそれぞれのモジュール内の別個のピラー３１０に分割される。第１の半導体層３０６は、トレンチ３０４に面する第１の半導体層３０６の端部においてくぼみを形成するように選択的にエッチングされてよく、このそれぞれにはスペーサ３１２が形成される。これらスペーサ３１２は、第１のＧＡＡ ＦＥＴモジュールＴＲ１および第２のＧＡＡ ＦＥＴモジュールＴＲ２におけるピラーの隣に堆積させるソース／ドレイン領域（図示せず）間に形成されてよい。スペーサ３１２は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、オキシ炭化ケイ素（ＳｉＯＣ）、ホウ素がドープされたオキシ炭窒化シリコン（ＳｉＯＣＢＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、または酸化ハフニウム（ＨｆＯ_２）などの誘電材料で形成されてよい。

【0025】

ピラーにおける第２の半導体層３０８は、数ナノメートル～数１０ナノメートルの幅を有するチャネルとしての役割を果たし得る。

【0026】

第１の半導体層３０６および第２の半導体層３０８は、化学気相堆積（ＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、または物理的気相堆積（ＰＶＤ）などの任意の適切な堆積技法を使用して形成されてよく、ピラー３１０は、リソグラフィおよびエッチングプロセスなどのパターニング技法によって形成される。第１の半導体層３０６および第２の半導体層３０８はそれぞれ、約６ｎｍ～約１４ｎｍ、例えば約１０ｎｍの厚さを有してよい。第１の半導体層３０６の選択的エッチングは、乾式プラズマエッチングプロセスなどの任意の適したエッチングプロセスによって行われてよい。

【0027】

方法２００は、図３Ｃに示されるように、トレンチ３０４内の第２の半導体層３０８の露出断面３０８Ｓ上に選択的にコンタクト３１４を形成するように、ブロック２１０において第１の選択的堆積プロセスによって開始される。コンタクト３１４は、寄生抵抗を最小化するために、以下に論じられるように、第２の半導体層３０８と金属コンタクトプラグとの間のインターフェースとして形成される。コンタクト３１４は第３の材料で形成される。第３の材料の例には、シリコン（Ｓｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、およびゲルマニウム（Ｇｅ）の比率が２０％～１００％の範囲のシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）が含まれる。コンタクト３１４は、コンタクト３１４の所望の伝導特性に応じて、濃度が約１０^２０ｃｍ^－３～５・１０^２１ｃｍ^－３の、ホウ素（Ｂ）またはガリウム（Ｇａ）などのｐ型ドーパントでドープされ得る。コンタクト３１４は、濃度が約１０^２０ｃｍ^－３～５・１０^２１ｃｍ^－３の、リン（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）などのｎ型ドーパントでドープされ得る。

【0028】

第１の選択的堆積プロセスは、第１の堆積プロセスおよび第１のエッチングプロセスを含む。第１の堆積プロセスはエピタキシャル堆積プロセスである。第１の選択的堆積プロセスにおける選択性は、トレンチ３０４内の、第２の半導体層３０８の露出断面３０８Ｓ（例えば、シリコン（Ｓｉ）またはシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ））およびスペーサ３１２の露出断面３１２Ｓ（例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）または窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４））における第３の材料の核生成の差異から生じ得る。核生成は、（図３Ｂに示されるように）スペーサ３１２の露出断面３１２Ｓ（例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）または窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４））よりも第２の半導体層３０８の露出断面３０８Ｓ（例えば、シリコン（Ｓｉ）またはシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ））での方が早い速度で生じ得るため、第３の材料のエピタキシャル層は、第２の半導体層３０８の露出断面３０８Ｓ（例えば、シリコン（Ｓｉ）またはシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ））上で形成されてよく、第３の材料のアモルファス層は、トレンチ３０４の側壁３０４Ｓが第１の堆積プロセスにおいてシリコン源および金属源を含有する堆積ガスにさらされたとき、トレンチ３０４内のスペーサ３１２の露出断面３１２Ｓ（例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）または窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４））上に形成されてよい。その後の第１のエッチングプロセスでは、スペーサ３１２の露出断面３１２Ｓ上に形成された第３の材料のアモルファス層は、適したエッチングガスによって、第２の半導体層３０８の露出断面３０８Ｓ上に形成された第３の材料のエピタキシャル層よりも早い速度でエッチング可能である。よって、第１の堆積プロセスと第１のエッチングプロセスとが組み合わせられることで、全体として、トレンチ３０４内の第２の半導体層３０８の露出断面３０８Ｓ上の第３の材料のエピタキシャル成長が得られ得るが、もしあれば、スペーサ３１２の露出断面３１２Ｓ上の第３の材料の成長は最小限に抑えられる。

【0029】

いくつかの実施形態では、堆積ガスにおけるシリコン源は、例えば、シラン（ＳｉＨ_４）、ジクロルシラン（ＳｉＨ_２Ｃｌ_２）、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ_３）、テトラクロロシラン（ＳｉＣｌ_４）、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）、およびトリシラン（Ｓｉ_３Ｈ_８）、またはこれらの組み合わせなどのケイ素含有前駆体を含んでよい。堆積ガスは、代替的には、ゲルマン（ＧｅＨ_４）およびジゲルマン（Ｇｅ_２Ｈ_６）などのゲルマニウム含有前駆体を含むゲルマニウム源を含んでよい。プロセスガスはドーパント源をさらに含んでよい。ドーパント源は、例えば、エピタキシャル堆積したコンタクト３１４の所望の伝導特性に応じて、炭素、リン、ホウ素、ヒ素、ガリウム、またはアルミニウムを含んでよい。堆積ガスの金属源は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、および鉄（Ｆｅ）を含んでよい。ドーパント源は、ｐ型ドーピング用の前駆体ジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）およびｎ型ドーピング用のリン（ＰＨ_３）を含んでよい。エッチングガスはエッチャントガスおよびキャリアガスを含む。エッチャントガスは、塩化水素（ＨＣＩ）、塩素（Ｃｌ_２）、またはフッ化水素（ＨＦ）などのハロゲン含有ガスを含んでよい。キャリアガスは、窒素（Ｎ_２）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、または水素（Ｈ_２）を含んでよい。

【0030】

ブロック２１０における第１の堆積プロセスおよび第１のエッチングプロセスはそれぞれ、約３００℃～約８００℃の温度、および５゜トル～６００゜トルの圧力で、図１に示される処理チャンバ１２０、１２２、１２４、１２６、１２８、または１３０などの処理チャンバにおいて実行されてよい。

【0031】

第１の堆積プロセスおよび第１のエッチングプロセスのサイクルは、トレンチ３０４内のコンタクト３１４の所望の厚さを得るために必要に応じて繰り返されてよい。コンタクト３１４の厚さは約５Å～約１０Åであってよい。

【0032】

エピタキシャル成長した第３の材料が、第２の半導体層３０８の露出断面３０８Ｓに対して、類似の結晶構造体を有しかつ格子不整合が小さいため、エピタキシャル成長した第３の材料が第２の半導体層３０８の露出断面３０８Ｓに対する明白な結晶方位関係を示し得ることは留意されるべきである。例えば、ニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ_２）は、シリコン単結晶（１００）および（１１１）においてエピタキシャル成長可能であり、格子整合は良好である。エピタキシャル成長した第３の材料と第２の半導体層３０８の露出断面３０８Ｓとのこの結晶方位関係により、エピタキシャル成長したコンタクト３１４はそれぞれ、第１の堆積プロセスおよび第１のエッチングプロセスに対する条件に応じて、ボール形状またはピラミッド形状であり得る。

【0033】

ブロック２２０において、図３Ｄに示されるように、コンタクト３１４上に金属シリサイド層３１６を堆積するための第２の選択的堆積プロセスが実行される。金属シリサイド層３１６は、コンタクト３１４に当てられ、かつトレンチ３０４におけるコンタクトプラグと第２の半導体層３０８との間の電気接続を提供し、これらを通した電気接続を維持する。金属シリサイド層３１６は、ケイ化チタン（Ｔｉ）、ケイ化コバルト（Ｃｏ）、ケイ化ニッケル（Ｎｉ）、ケイ化モリブデン（Ｍｏ）、またはケイ化タンタル（Ｔａ）などの金属シリサイド材料で形成されてよい。

【0034】

第２の選択的堆積プロセスは、第２の堆積プロセスおよび第２のエッチングプロセスを含む。第２の選択的堆積プロセスにおける選択性は、トレンチ３０４内の、コンタクト３１４（例えば、シリコン（Ｓｉ）またはシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ））およびスペーサ３１２の露出断面３１２Ｓ（例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）または窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４））における、金属シリサイド材料の核生成の差異から生じ得る。核生成は、スペーサ３１２の露出断面３１２Ｓ（例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）または窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４））よりもコンタクト３１４（例えば、シリコン（Ｓｉ）またはシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ））での方が早い速度で生じ得るため、金属シリサイド材料のエピタキシャル層は、コンタクト３１４（例えば、シリコン（Ｓｉ）またはシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ））上で形成されてよく、金属シリサイド材料のアモルファス層は、第２の堆積プロセスにおいて金属シリサイド源を含有する堆積ガスにさらされたとき、トレンチ３０４内のスペーサ３１２の露出断面３１２Ｓ（例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）または窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４））上に形成されてよい。その後の第２のエッチングプロセスでは、スペーサ３１２の露出断面３１２Ｓ上に形成された金属シリサイド材料のアモルファス層は、適したエッチングガスによって、コンタクト３１４上に形成された金属シリサイド材料のエピタキシャル層よりも早い速度でエッチング可能である。よって、第２の堆積プロセスと第２のエッチングプロセスとが組み合わせられることで、全体として、トレンチ３０４内のコンタクト３１４上の金属シリサイド材料のエピタキシャル成長が得られ得るが、もしあれば、スペーサ３１２の露出断面３１２Ｓ上の金属シリサイド材料の成長は最小限に抑えられる。

【0035】

いくつかの実施形態では、金属シリサイド源は、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、またはこれらの組み合わせを含んでよい。エッチングガスはエッチャントガスおよびキャリアガスを含む。エッチャントガスは、塩化水素（ＨＣＩ）、塩素（Ｃｌ_２）、四塩化炭素（ＣＣｌ_４）、クロロホルム（ＣＨＣｌ_３）、ジクロロメタン（ＣＨ_２Ｃｌ_２）、またはクロロメタン（ＣＨ_３Ｃｌ）などの塩素含有ガスを含んでよい。キャリアガスは、窒素（Ｎ_２）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、または水素（Ｈ_２）を含んでよい。メタン（ＣＨ_４）、エタン（Ｃ_２Ｈ_６）、またはエチレン（Ｃ_２Ｈ_４）などの炭素含有ガスはまた、金属シリサイド層３１６のエッチングのための触媒として供給されてよい。

【0036】

ブロック２２０における第２の堆積プロセスおよび第２のエッチングプロセスはそれぞれ、約３００℃～約８００℃の温度、および１゜トル～５゜トルの圧力で、図１に示される処理チャンバ１２０、１２２、１２４、１２６、１２８、または１３０などの処理チャンバにおいて実行されてよい。

【0037】

第２の堆積プロセスおよび第２のエッチングプロセスのサイクルは、金属シリサイド層３１６の所望の厚さを得るために必要に応じて繰り返されてよい。

【0038】

ブロック２３０では、図３Ｅに示されるように、金属シリサイド層３１６、スペーサ３１２の露出断面３１２Ｓ、トレンチ３０４の底面３２０、および第１のＧＡＡ ＦＥＴモジュールＴＲ１および第２のＧＡＡ ＦＥＴモジュールＴＲ２の上面３２２を含めて、トレンチ３０４の露出面上にバリア金属層３１８を形成するための共形堆積プロセスが実行される。バリア金属層３１８は、以下に論じられるように、金属シリサイド層３１６を保護し、かつトレンチ３０４におけるコンタクトプラグ３２４の核生成および成長を可能にする。バリア金属層３１８は、窒化チタン（ＴｉＮ）または窒化タンタル（ＴａＮ）であるバリア金属材料で形成されてよい。

【0039】

ブロック２３０における共形堆積プロセスは、約１００℃～約３００℃の温度での、図１に示される処理チャンバ１２０、１２２、１２４、１２６、１２８、または１３０などの処理チャンバにおける、原子層堆積（ＡＬＤ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、スピンオン、物理的気相堆積（ＰＶＤ）などの任意の適した堆積プロセスを含み得る。

【0040】

ブロック２４０において、図３Ｆに示されるように、コンタクトプラグ３２４を形成するためにトレンチ３０４に金属を充填するための第１の金属充填プロセスが実行される。ブロック２４０における第１の金属充填プロセスで形成されたコンタクトプラグ３２４は、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、またはモリブデン（Ｍｏ）などのコンタクトプラグ金属材料で形成されてよい。コンタクトプラグ３２４はｐ型ドープまたはｎ型ドープされてよい。ブロック２４０における第１の金属充填プロセスは、図１に示される処理チャンバ１２０、１２２、１２４、１２６、１２８、または１３０などの処理チャンバにおける、ＷＦ_６などのタングステン含有前駆体、またはコバルト含有前駆体を使用する化学気相堆積（ＣＶＤ）プロセスを含んでよい。

【0041】

ブロック２４０において第１の金属充填プロセスで堆積したコンタクトプラグ３２４は、トレンチ３０４にボイド３２６を含む場合があるが、これは、トレンチ３０４の幅が、ブロック２１０～２３０で形成された、コンタクト３１４、金属シリサイド層３１６、および第２のバリア金属層３１８により狭くなっているためであり、それによって、金属充填堆積のための通路は部分的にふさがれる。方法２００はブロック２４０～２５０に進んで、トレンチ３０４内のコンタクトプラグ３２４におけるボイド３２６を取り除く。

【0042】

ブロック２５０において、図３Ｇに示されるように、トレンチ３０４内のコンタクトプラグ３２４を選択的にエッチングしかつ開口部３２８を形成するためのエッチングプロセスが実行される。ブロック２５０におけるエッチングプロセスは、図１に示される処理チャンバ１２０、１２２、１２４、１２６、１２８、または１３０などの処理チャンバにおいて、エッチャントガスおよびキャリアガスを含むエッチングガスを使用して行われる。エッチャントガスは、三フッ化窒素（ＮＦ_３）などのフッ素含有ガスを含んでよい。

【0043】

ブロック２６０において、図３Ｈに示されるように、コンタクトプラグ３３０を形成するために開口部３２８にコンタクトプラグ金属材料を充填するための第２の金属プロセスが実行される。ブロック２６０における第２の金属充填プロセスは、ブロック２４０における第１の金属充填プロセスと同じ条件で実行される。ブロック２５０におけるエッチングプロセスおよびブロック２６０における第２の金属充填プロセスは、コンタクトプラグ３３０にボイドがなくなるまで繰り返されてよい。コンタクトプラグ３３０のそのようなボイドがない品質は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）またはトンネル顕微鏡（ＴＥＭ）によって観測され得、コンタクトプラグ３１４の抵抗が低減され得る。いくつかの実施形態では、ブロック２５０におけるエッチングプロセスおよびブロック２６０における第２の金属充填プロセスは、約１０サイクル繰り返される。

【0044】

本明細書に説明される実施形態は、ゲートオールアラウンド型（ＧＡＡ）ＦＥＴなどのトランジスタデバイスにおけるコンタクトトレンチ構造体を形成するためのシステムおよび方法を提供する。コンタクトトレンチ構造体は、隣接するデバイスモジュール間のトレンチ内に形成された金属コンタクトプラグ、およびコンタクトプラグと、デバイスモジュールにおけるシリコンベースのチャネルとをインターフェース接続するコンタクトを含む。コンタクトは、寄生抵抗を低減するように選択的堆積プロセスによって形成される。金属コンタクトプラグは、堆積エッチングプロセスごとにボイドなく形成されることで、接触抵抗が低減される。

【0045】

前述は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の他のおよびさらなる実施形態は、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく考案されてよく、本開示の範囲は以下の特許請求の範囲によって判断される。

【図1】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図3D】

【図3E】

【図3F】

【図3G】

【図3H】

【国際調査報告】