特表 2024-522375 高ピクセル密度構造及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-06-18

(54)【発明の名称】高ピクセル密度構造及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/00 20060101AFI20240611BHJP

   G09F 9/33 20060101ALI20240611BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20240611BHJP

   G09F 9/302 20060101ALI20240611BHJP

   H01L 33/50 20100101ALI20240611BHJP

【ＦＩ】

G09F9/00 338

G09F9/33

G09F9/30 349Z

G09F9/302 C

G09F9/30 338

H01L33/50

G09F9/00 307A

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023576044

(86)(22)【出願日】2022-06-02

(85)【翻訳文提出日】2024-02-06

(86)【国際出願番号】 US2022031857

(87)【国際公開番号】W WO2022260914

(87)【国際公開日】2022-12-15

(31)【優先権主張番号】17/345,970

(32)【優先日】2021-06-11

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】シュ， リソン

(72)【発明者】

【氏名】チュー， ミンウェイ

(72)【発明者】

【氏名】クワク， ビョン スン

(72)【発明者】

【氏名】バン， ヒョンスン

(72)【発明者】

【氏名】ツァオ， リャン

(72)【発明者】

【氏名】ウン， ホウ ティ－．

(72)【発明者】

【氏名】ガナパティアッパン， シヴァパキア

(72)【発明者】

【氏名】パティバンドラ， ナグ

【テーマコード（参考）】

5C094

5F142

5G435

【Ｆターム（参考）】

5C094AA09

5C094AA42

5C094BA03

5C094BA25

5C094CA20

5C094DA12

5C094DB05

5C094ED01

5C094ED20

5C094FB02

5C094FB14

5C094GB10

5C094JA01

5C094JA08

5F142AA81

5F142BA32

5F142CA02

5F142CB12

5F142CB23

5F142CD02

5F142CE08

5F142DA14

5F142DA36

5F142DA64

5F142DA72

5F142DA73

5F142DB12

5F142DB17

5F142GA02

5G435AA04

5G435AA17

5G435BB04

5G435CC09

5G435HH20

5G435KK05

(57)【要約】

高ピクセル密度ＬＥＤ構造の製造方法について説明する。本方法は、バックプレーン基板及びＬＥＤ基板を形成することを含み得る。バックプレーン基板及びＬＥＤ基板は互いに結合させることができ、結合された基板はＬＥＤピクセルのアレイを含み得る。ＬＥＤピクセルの各々は、分離されたサブピクセルの群を含み得る。ＬＥＤピクセルの各々の分離されたサブピクセルのうちの少なくとも１つに量子ドット層が形成され得る。本方法は更に、欠陥のあるＬＥＤピクセルの量子ドット層のないサブピクセル上に置換量子ドット層を形成することによって、少なくとも１つの欠陥のあるＬＥＤピクセルを修復することを含み得る。本方法は、少なくとも１つの欠陥のあるＬＥＤピクセルを修復した後に、ＬＥＤピクセルのアレイ上にＵＶバリア層を形成することも含み得る。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体処理方法であって、
バックプレーン基板及びＬＥＤ基板を形成することと、
前記バックプレーン基板を前記ＬＥＤ基板に結合させることであって、結合された基板はＬＥＤピクセルのアレイを含み、前記ＬＥＤピクセルの各々は分離されたサブピクセルの群を含む、前記バックプレーン基板を前記ＬＥＤ基板に結合させることと、
前記ＬＥＤピクセルの各々の前記分離されたサブピクセルのうちの少なくとも１つに量子ドット層を形成することと、
欠陥のあるＬＥＤピクセルの量子ドット層のないサブピクセル上に置換量子ドット層を形成することによって、少なくとも１つの欠陥のあるＬＥＤピクセルを修復することと、
前記少なくとも１つの欠陥のあるＬＥＤピクセルを修復した後に、前記ＬＥＤピクセルのアレイ上にＵＶバリア層を形成することと
を含む方法。

【請求項2】

ＬＥＤサブピクセルの各々は、約４００ｎｍ以下の波長によって特徴付けられる第１の波長光を発光するように動作可能なガリウム－窒素含有発光ダイオード構造を含む、請求項１に記載の半導体処理方法。

【請求項3】

量子ドット層は、前記ガリウム－窒素含有発光ダイオード構造から発光された前記第１の波長光を吸収し、前記第１の波長光よりも長い波長によって特徴付けられる第２の波長光を発光するように動作可能である、請求項２に記載の半導体処理方法。

【請求項4】

前記置換量子ドット層は、前記欠陥のあるＬＥＤピクセルの動作していないサブピクセル上に形成された量子ドット層と同じ波長の光を発光するように動作可能である、請求項１に記載の半導体処理方法。

【請求項5】

修復されていないＬＥＤピクセルは、前記ＬＥＤピクセルのアレイ上に前記ＵＶバリア層を形成した後に、量子ドット層のないサブピクセルを含む、請求項１に記載の半導体処理方法。

【請求項6】

前記ＬＥＤピクセルのアレイは、１インチ当たり約１０００ピクセル以上のピクセル密度を有する、請求項１に記載の半導体処理方法。

【請求項7】

前記分離されたサブピクセルの各々の最長寸法は、約１０μｍ以下である、請求項１に記載の半導体処理方法。

【請求項8】

前記方法は更に、前記ＬＥＤピクセルの各々の前記サブピクセルのうちの少なくとも１つにマイクロレンズを形成することを含む、請求項１に記載の半導体処理方法。

【請求項9】

半導体処理方法であって、
バックプレーン基板及びＬＥＤ基板を形成することと、
前記バックプレーン基板を前記ＬＥＤ基板に結合させることであって、結合された基板はＬＥＤピクセルのアレイを含み、前記ＬＥＤピクセルの各々は少なくとも４つの分離されたサブピクセルを含む、前記バックプレーン基板を前記ＬＥＤ基板に結合させることと、
前記ＬＥＤピクセルの各々の前記分離されたサブピクセルのうちの少なくとも３つに量子ドット層を形成することであって、前記量子ドット層の各々は、前記ＬＥＤピクセルの他の量子ドット層とは異なる波長の可視光を発光するように動作可能である、前記ＬＥＤピクセルの各々の前記分離されたサブピクセルのうちの少なくとも３つに量子ドット層を形成することと、
前記ＬＥＤピクセルのアレイ上にＵＶバリア層を形成することであって、前記ＵＶバリア層を形成した後に、前記ＬＥＤピクセルの少なくとも一部は少なくとも１つの量子ドット層のないサブピクセルを含む、前記ＬＥＤピクセルのアレイ上にＵＶバリア層を形成することと
を含む方法。

【請求項10】

前記ＬＥＤ基板が前記バックプレーン基板に結合される前に、前記ＬＥＤ基板にピクセル分離構造が形成される、請求項９に記載の半導体処理方法。

【請求項11】

前記ＬＥＤ基板が前記バックプレーン基板に結合された後に、前記結合された基板にピクセル分離構造が形成される、請求項９に記載の半導体処理方法。

【請求項12】

前記ＬＥＤ基板が前記バックプレーン基板に結合される前に、前記ＬＥＤ基板にＬＥＤ構造が形成される、請求項９に記載の半導体処理方法。

【請求項13】

前記ＬＥＤ基板が前記バックプレーン基板に結合された後に、前記結合された基板に前記ＬＥＤ構造が形成される、請求項９に記載の半導体処理方法。

【請求項14】

前記ＬＥＤ基板の露出面において、前記結合された基板に追加のバックプレーン基板が結合される、請求項９に記載の半導体処理方法。

【請求項15】

半導体構造であって、
バックプレーン層と、
前記バックプレーン層と接触するＬＥＤピクセルのアレイと、
前記ＬＥＤピクセルのアレイ上のＵＶバリア層と
を備え、
前記ＬＥＤピクセルの各々は、少なくとも４つの分離されたサブピクセルを含み、
前記分離されたサブピクセルのうちの少なくとも３つは、量子ドット層を含み、
前記ＬＥＤピクセルの少なくとも一部は、量子ドット層のないサブピクセルを含む、半導体構造。

【請求項16】

前記バックプレーン層は、前記ＬＥＤピクセルの各々の前記分離されたサブピクセルの各々と電気的に接触するＣＭＯＳデバイスを有するシリコン含有層を含む、請求項１５に記載の半導体構造。

【請求項17】

前記構造は更に、前記ＬＥＤピクセルの各々の前記サブピクセルの各々の間にピクセル分離構造を備え、前記ピクセル分離構造は、前記サブピクセルのうちの１つから発光された光が隣接するサブピクセルによって吸収されるのを防止する、請求項１５に記載の半導体構造。

【請求項18】

前記サブピクセルの各々は、ガリウム－窒素含有発光ダイオード構造を含む、請求項１５に記載の半導体構造。

【請求項19】

前記ＬＥＤピクセルの各々の前記サブピクセルのうちの少なくとも１つは更に、前記ＵＶバリア層と接触するマイクロレンズを含む、請求項１５に記載の半導体構造。

【請求項20】

前記半導体構造は、仮想現実ヘッドセット又は拡張現実メガネ用のＬＥＤディスプレイ内に組み込まれる、請求項１５に記載の半導体構造。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
［０００１］本出願は、２０２１年６月１１日に出願の「ＨＩＧＨ ＰＩＸＥＬ ＤＥＮＳＩＴＹ ＳＴＲＵＣＴＵＲＥＳ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤＳ ＯＦ ＭＡＫＩＮＧ」と題する米国非仮出願第１７／３４５，９７０号の利益及び優先権を主張するものであり、その内容を全て、参照により本明細書に援用する。

【0002】

［０００２］本技術は、半導体プロセス及び半導体製品に関する。より具体的には、本技術は、半導体構造及び形成されたデバイスの製造に関する。

【背景技術】

【0003】

［０００３］数百万個のミクロンサイズのピクセルでできた発光ダイオード（ＬＥＤ）ディスプレイデバイスは、基板表面に複雑にパターニングされた材料層を形成する製造プロセスによって可能になる。基板上にパターニングされた材料を製造するには、制御された材料の堆積及び除去方法が必要である。しかし、新しいデバイス設計では、非常に正確な寸法の高品質な材料層を製造することは困難な場合がある。

【0004】

［０００４］従って、ＬＥＤディスプレイデバイス用の高品質な材料及び構造を製造するために使用できる改良されたシステム及び方法が必要である。これら及び他のニーズは、本技術によって対処される。

【発明の概要】

【0005】

［０００５］本技術は、バックプレーン基板及びＬＥＤ基板を形成することを含む例示的な半導体処理方法を含む。バックプレーン基板及びＬＥＤ基板は互いに結合され、結合された基板はＬＥＤピクセルのアレイを含む。ＬＥＤピクセルの各々は、分離されたサブピクセルの群を含み得る。ＬＥＤピクセルの各々の分離されたサブピクセルのうちの少なくとも１つに量子ドット層が形成され得る。本方法は更に、欠陥のあるＬＥＤピクセルの量子ドット層のないサブピクセル上に置換量子ドット層を形成することによって、少なくとも１つの欠陥のあるＬＥＤピクセルを修復することを含み得る。本方法は、少なくとも１つの欠陥のあるＬＥＤピクセルを修復した後に、ＬＥＤピクセルのアレイ上にＵＶバリア層を形成することも含み得る。

【0006】

［０００６］追加の実施形態では、ＬＥＤサブピクセルの各々は、約４００ｎｍ以下の波長によって特徴付けられる第１の波長光を発光するように動作可能なガリウム－窒素含有発光ダイオード構造を含み得る。更なる実施形態では、量子ドット層は、ガリウム－窒素含有発光ダイオード構造から発光された第１の波長光を吸収し、第１の波長光よりも長い波長によって特徴付けられる第２の波長光を発光するように動作可能である。また更なる実施形態では、置換量子ドット層は、欠陥のあるＬＥＤピクセルの動作していないサブピクセル上に形成された量子ドット層と同じ波長の光を発光するように動作可能である。更に追加の実施形態では、修復されていないＬＥＤピクセルは、ＬＥＤピクセルのアレイ上にＵＶバリア層を形成した後に、量子ドット層のないサブピクセルを含む。更なる実施形態では、ＬＥＤピクセルのアレイは、１インチ当たり約１０００ピクセル以上のピクセル密度を有する。また更なる実施形態では、分離されたサブピクセルの各々の最長寸法は、約１０μｍ以下である。また更なる実施形態では、本方法は更に、ＬＥＤピクセルの各々のサブピクセルのうちの少なくとも１つにマイクロレンズを形成することを含む。

【0007】

［０００７］本技術はまた、バックプレーン基板及びＬＥＤ基板を形成することを含み得る追加の半導体処理方法を含む。バックプレーン基板及びＬＥＤ基板は互いに結合させることができ、結合された基板はＬＥＤピクセルのアレイを含む。ＬＥＤピクセルの各々は少なくとも４つの分離されたサブピクセルを含み得る。ＬＥＤピクセルの各々の分離されたサブピクセルのうちの少なくとも３つに量子ドット層が形成され得る。量子ドット層の各々は、ＬＥＤピクセルの他の量子ドット層とは異なる波長の可視光を発光するように動作可能であり得る。本方法は更に、ＬＥＤピクセルのアレイ上にＵＶバリア層を形成することを含み得る。実施形態では、ＵＶバリア層を形成した後に、ＬＥＤピクセルの少なくとも一部は少なくとも１つの量子ドット層のないサブピクセルを含む。

【0008】

［０００８］追加の実施形態では、ＬＥＤ基板及びバックプレーン基板が互いに結合される前に、ＬＥＤ基板にピクセル分離構造が形成され得る。更なる実施形態では、ＬＥＤ基板及びバックプレーン基板が互いに結合された後に、結合された基板にピクセル分離構造が形成される。また更なる実施形態では、ＬＥＤ基板及びバックプレーン基板が互いに結合される前に、ＬＥＤ基板にＬＥＤ構造が形成される。更に追加の実施形態では、ＬＥＤ基板及びバックプレーン基板が互いに結合された後に、結合された基板にＬＥＤ構造が形成される。更なる実施形態では、ＬＥＤ基板の露出面において、結合された基板に追加のバックプレーン基板が結合される。

【0009】

［０００９］本技術は更に、バックプレーン層、バックプレーン層と接触するＬＥＤピクセルのアレイ、及びＬＥＤピクセルのアレイ上のＵＶバリア層を含み得る半導体構造を含む。ＬＥＤピクセルの各々は、少なくとも４つの分離されたサブピクセルを含み得る。分離されたサブピクセルのうちの少なくとも３つは、量子ドット層を含んでいてよく、ＬＥＤピクセルの少なくとも一部は、量子ドット層のないサブピクセルを含み得る。

【0010】

［００１０］追加の実施形態では、バックプレーン層は、ＬＥＤピクセルの各々の分離されたサブピクセルの各々と電気的に接触するＣＭＯＳデバイスを有するシリコン含有層を含む。更なる実施形態では、半導体構造は、ＬＥＤピクセルの各々のサブピクセルの各々の間にピクセル分離構造を含む。ピクセル分離構造は、サブピクセルのうちの１つから発光された光が隣接するサブピクセルによって吸収されるのを防止する。また更なる実施形態では、サブピクセルの各々は、ガリウム－窒素含有発光ダイオード構造を含み得る。更に追加の実施形態では、ＬＥＤピクセルの各々のサブピクセルのうちの少なくとも１つは更に、ＵＶバリア層と接触するマイクロレンズを含む。更なる実施形態では、半導体構造は、仮想現実ヘッドセット又は拡張現実メガネ用のＬＥＤディスプレイ内に組み込まれる。

【0011】

［００１１］上記技術は、従来の半導体処理方法及び構造よりも多くの利点を提供し得る。例えば、処理方法の実施形態は、従来の処理方法よりも欠陥のあるピクセルが少ない高ピクセル密度のディスプレイを製造し得る。更なる実施形態では、処理方法は、高密度ＬＥＤ基板と、ディスプレイの各ピクセルのサブピクセルに個別にアドレス指定できるサブミクロンサイズの制御回路を含むバックプレーン基板とを互いに結合させることによって、１インチ当たり約１０００ピクセル以上のピクセル密度を有するディスプレイを製造することができる。また更なる実施形態では、高ピクセル密度、低ピクセル欠陥構造は、仮想現実ヘッドセット及び拡張現実メガネ等の近距離で見るディスプレイにおいて、改善された視聴体験を生み出す。これら及び他の実施形態を、それらの多くの利点及び特徴と共に、以下の説明及び添付の図面と併せて、より詳細に説明する。

【0012】

［００１２］開示された技術の性質及び利点の更なる理解は、本明細書の残りの部分及び図面を参照することによって得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】Ａ及びＢは、本技術の幾つかの実施形態に係る、結合のために基板をアライメントするためのフィデューシャルを含む、バックプレーン及びＬＥＤ基板を示す上から見た簡略図である。

【図2】本技術の実施形態に係る、ＬＥＤアレイの一部を示す上から見た図である。

【図3】本技術の実施形態に係る、ＬＥＤピクセルを示す裂開断面図である。

【図4】本技術の実施形態に係る、ガリウム－窒素含有ＬＥＤ構造を示す断面図である。

【図5】本技術の幾つかの実施形態に係る、高ピクセル密度半導体構造の形成方法における例示的な工程を示す図である。

【図6A】本技術の実施形態に従って処理されている半導体構造を示す断面図である。

【図6B】本技術の実施形態に従って処理されている半導体構造を示す断面図である。

【図6C】本技術の実施形態に従って処理されている半導体構造を示す断面図である。

【図6D】本技術の実施形態に従って処理されている半導体構造を示す断面図である。

【図6E】本技術の実施形態に従って処理されている半導体構造を示す断面図である。

【図7A】本技術の実施形態に従って処理されている別の半導体構造を示す断面図である。

【図7B】本技術の実施形態に従って処理されている別の半導体構造を示す断面図である。

【図7C】本技術の実施形態に従って処理されている別の半導体構造を示す断面図である。

【図7D】本技術の実施形態に従って処理されている別の半導体構造を示す断面図である。

【図7E】本技術の実施形態に従って処理されている別の半導体構造を示す断面図である。

【図7F】本技術の実施形態に従って処理されている別の半導体構造を示す断面図である。

【図8】Ａ及びＢは、本技術の実施形態に従って処理されている更に別の半導体構造を示す断面図である。

【図9】Ａ及びＢは、本技術の実施形態に従って処理されている更なる半導体構造を示す断面図である。

【図10】Ａ及びＢは、本技術の実施形態に従って処理されている更に別の半導体構造を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

［００２３］幾つかの図面は概略図として含まれている。図は例示するためのものであり、縮尺が具体的に記載されていない限り、縮尺通りとみなすべきでないことを理解されたい。更に、概略図として、図は理解を助けるために提供されるものであり、現実的な表現と比較して、全ての態様又は情報を含まない場合があり、例示のために誇張された材料を含む場合がある。

【0015】

［００２４］添付の図では、同様の構成要素及び／又は特徴には、同じ参照ラベルが付いている場合がある。更に、同じ種類の様々な構成要素は、参照ラベルの後に類似の構成要素を区別する文字を付けることで区別され得る。本明細書で最初の参照ラベルのみを使用した場合、その説明は、文字に関係なく、同じ最初の参照ラベルを有する類似の構成要素のいずれか１つにも適用可能である。

【0016】

［００２５］本技術は、欠陥のあるピクセルの数の少ない高ピクセル密度発光ダイオードデバイスを製造するための実施形態を含む。追加の実施形態には、仮想現実ヘッドセット及び拡張現実メガネ等の近接視ディスプレイデバイス、ならびに高解像度テレビ、モニタ、及びスマートフォンやタブレット等の電子機器用ディスプレイに組み込むことができる高ピクセル密度半導体構造が含まれる。本技術の実施形態には、１インチ当たり約１０００ピクセル（ｐｐｉ）以上を有し、ほとんどの視聴者が気づかないほど欠陥のあるピクセルが非常に少ない半導体構造を製造する方法が含まれる。

【0017】

［００２６］ＬＣＤディスプレイ技術は、過去１０年間にディスプレイ解像度を急速に向上させてきた。現在製造されているほとんどのＬＥＤテレビやモニタのピクセル密度は約８０ｐｐｉ（すなわち、「４Ｋ」解像度）であり、１６０ｐｐｉ（すなわち、「８Ｋ」解像度）のディスプレイを提供するメーカーの数も増えてきている。ディスプレイ業界は、最大６５０ｐｐｉのピクセル密度を有する「マイクロＬＥＤ」ディスプレイ（通称、μ－ＬＥＤ）と呼ばれている次世代の高解像度ディスプレイを公表し始めている。しかし、これらのマイクロＬＥＤディスプレイの解像度でさえも、仮想現実ヘッドセット及び拡張現実メガネ等のように、視聴者が非常に近い距離（例えば、約３インチ以下）でディスプレイを見る多くの用途には十分な高さではない場合がある。このような用途の多くでは、満足のいくユーザ体験のために、約１０００ｐｐｉ以上の高ピクセル密度のディスプレイが必要とされる。

【0018】

［００２７］残念ながら、薄膜トランジスタから製造されたＬＣＤサブピクセル用の従来の制御回路は、ピクセル密度が６００ｐｐｉを超えて大幅に高まるにつれて、他の問題の中でもとりわけ応答時間の低下及び輝度の低下を含む性能問題が増大する。このような性能問題に対処する試みには、１０００ｐｐｉ未満のピクセル密度に近づいた有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）技術の開発が含まれる。しかし、これらのＯＬＥＤ技術は、経時劣化してディスプレイの寿命を縮める可能性のある有機ポリマー材料を使用している。約１０００ｐｐｉ以上のピクセル密度によって特徴付けられるディスプレイ用に安定した高ピクセル密度構造を製造するには、改良された方法及び構造が必要である。

【0019】

［００２８］高ピクセル密度構造を製造する際の別の問題は、ピクセル数が多いということは、製造工程中にピクセル欠陥が発生する機会が多くなるということである。ピクセル欠陥には、全く発光しないサブピクセル（すなわち、「デッド」サブピクセル）の点欠陥、及び発光量が多すぎて又は少なすぎてピクセル全体に色の歪みを生じさせるサブピクセルが含まれる。残念ながら、高ピクセル密度構造では、ピクセルの寸法が小さくなるにつれて、隣接するサブピクセル、及びサブピクセルと電子通信している１又は複数のバックプレーン層の制御回路を破壊することなく、サブピクセルの点欠陥を分離して交換することがますます困難になる。欠陥のあるＬＥＤピクセルのサブピクセルを交換し、高ピクセル密度構造におけるピクセル欠陥の数を減らすには、改良された方法が必要である。

【0020】

［００２９］ピクセル密度を約１０００ｐｐｉ以上に高めることによる更に別の問題は、隣接するサブピクセルによって発光される光からの干渉が増加する、クロストークとして知られる特性である。より密に詰め込まれたピクセルとサブピクセルとの間のクロストークの増加は、ディスプレイ上に変色及び画像の歪みを生じさせる可能性がある。各サブピクセルから発光される光を分離し、各サブピクセルの隣接するサブピクセルとのクロストークを増加させないようにするためには、改良された製造方法及び構造が必要である。

【0021】

［００３０］本技術の実施形態は、高ピクセル密度ディスプレイのピクセル密度を約１０００ｐｐｉ以上に高める際の問題に対処する。実施形態は、ＬＥＤの材料を１つの基板（ＬＥＤ基板）上に成長させ、ＬＥＤからの発光を制御するための制御回路を第２の基板（バックプレーン基板）上に形成する製造方法を含む。実施形態では、バックプレーン基板は、ＬＥＤディスプレイの各サブピクセルをアドレス指定及び活性化するためのＣＭＯＳ回路が形成されたシリコン基板であってよい。ＣＭＯＳ回路は、最大寸法が約１０μｍ以下のサブピクセルを活性化するための高速応答時間によって特徴付けられ得る。

【0022】

［００３１］本技術の実施形態は、高ピクセル密度構造において欠陥のあるピクセルの数を減少させる問題にも対処する。実施形態では、製造方法は、ＬＥＤピクセルの他のサブピクセルのうちの１つが欠陥である場合に置換サブピクセルとして機能し得る少なくとも１つの余分なサブピクセルをＬＥＤピクセルの各々に形成することを含み得る。更なる実施形態では、欠陥のあるＬＥＤピクセルは、交換されるサブピクセルとほぼ同じ波長の光を発光する量子ドット層を余分なサブピクセルに形成することによって修復することができる。欠陥のあるＬＥＤピクセルを修復した後に、製造工程を継続して、欠陥のあるＬＥＤピクセルの数が少ない、あるいは全くない高ピクセル密度構造を製造する。

【0023】

［００３２］本技術の実施形態は更に、１つのサブピクセルから発光された光が隣接するサブピクセルから発光された光と干渉するのを防止するピクセル分離要素を有する高ピクセル密度構造の製造方法を含む。ピクセル分離要素は、隣接するサブピクセルから発光される光によって生じるクロストークを減少させ、高ピクセル密度構造を組み込んだディスプレイにおける変色及び画像の歪みを低減させる。

【0024】

ＬＥＤ含有高ピクセル密度構造
［００３３］図１Ａ及び図１Ｂは各々、本技術の実施形態に係る高ピクセル密度構造を形成するために互いに結合され得るバックプレーン基板及びＬＥＤ基板を示す上から見た図である。図１Ａは、バックプレーン基板１０２及びＬＥＤ基板１０４を示す図である。実施形態では、バックプレーン基板１０２は、ＬＥＤピクセルのサブピクセルをアドレス指定及び制御するためにＣＭＯＳデバイス構造１０６が形成されるシリコン基板であってよい。更なる実施形態では、ＬＥＤ基板１０４は、高ピクセル密度構造のＬＥＤピクセルのアレイのサブピクセルを形成するＬＥＤ材料の層を含み得る。更なる実施形態では、ＬＥＤ基板１０４は、その上にＬＥＤ材料の他の層が形成されるシリコン又はサファイア等の基板成長層を含み得る。図１Ａに示す実施形態では、基板が互いに結合された後まで、ＬＥＤ基板１０４にＬＥＤ構造が形成されない場合がある。更なる実施形態では、バックプレーン基板１０２及びＬＥＤ基板１０４は更に、結合時に基板のアライメントを助けるフィデューシャル１０８及び１１０をそれぞれ含む。

【0025】

［００３４］図１Ｂは、バックプレーン基板１５２及びＬＥＤ基板１５４の別の実施形態を示す図である。実施形態では、バックプレーン基板１５２は、ＬＥＤピクセルのサブピクセルをアドレス指定及び制御するためにＣＭＯＳデバイス構造１５６が形成されるシリコン基板であってよい。図１Ｂに示す実施形態では、ＬＥＤ基板がバックプレーン基板１５２と結合される前に、ＬＥＤ基板１５４にＬＥＤ構造１６２が形成される。追加の実施形態では、バックプレーン基板１５２及びＬＥＤ基板１５４は更に、結合時に基板のアライメントを助けるフィデューシャル１５８及び１６０をそれぞれ含む。

【0026】

［００３５］図２は、本技術の実施形態に係るＬＥＤアレイ２００の一部を示す上から見た図である。図示の実施形態では、ＬＥＤアレイ２００の一部は、各々が４つのサブピクセル２０４ａ～ｄを含む４つのＬＥＤピクセル２０２を含む。サブピクセル２０４ａ～ｄは、異なる平均ピーク波長の可視光を発光するように動作可能な３つのサブピクセル２０４ａ～ｃと、高ピクセル密度構造の製造中に他の３つのサブピクセル２０４ａ～ｃのいずれかが故障した場合に置換サブピクセルとして機能することができる第４のサブピクセル２０４ｄとを含む。実施形態では、３つのサブピクセル２０４ａ～ｃは、電磁スペクトルの赤、緑、及び青の部分の可視光を発光するように動作可能であり得る。更なる実施形態では、サブピクセル２０４ａは、約５８０ｎｍ以上、約５８５ｎｍ以上、約５９０ｎｍ以上、約５９５ｎｍ以上、約６００ｎｍ以上、約６０５ｎｍ以上、約６１０ｎｍ以上、約６１５ｎｍ以上、約６２０ｎｍ以上、又はそれ以上のピーク強度波長によって特徴付けられる可視光を発光するように動作可能な赤色サブピクセルと見なされ得る。更なる実施形態では、サブピクセル２０４ｂは、５００ｎｍから５８０ｎｍのピーク強度波長によって特徴付けられる可視光を発光するように動作可能な緑色サブピクセルであってよい。また更なる実施形態では、サブピクセル２０４ｃは、約５００ｎｍ以下、約４９０ｎｍ以下、約４８０ｎｍ以下、約４７０ｎｍ以下、約４６０ｎｍ以下、約４５０ｎｍ以下、約４４０ｎｍ以下、約４３０ｎｍ以下、約４２０ｎｍ以下、約４１０ｎｍ以下、約４００ｎｍ以下、又はそれ未満のピーク強度波長によって特徴付けられる可視光を発光するように動作可能な青色サブピクセルであってよい。また更なる実施形態では、サブピクセルから発光される光は、約１００ｎｍ以下、約９０ｎｍ以下、約８０ｎｍ以下、約７０ｎｍ以下、約６０ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約４０ｎｍ以下、約３０ｎｍ以下、約２０ｎｍ以下、又はそれ未満のスペクトル帯域幅によって特徴付けられ得る。

【0027】

［００３６］図２に示す実施形態では、サブピクセル２０４ａ～ｄは、正方形として示され、ピクセル２０２は、４つの正方形のサブピクセルの正方形の配置として示されている。サブピクセル２０４ａ～ｄの実施形態は、他の種類の形状の中でも、長方形、平行四辺形、台形、五角形、六角形、七角形、八角形、九角形、円形、及び楕円形等の追加の形状を有し得ることが理解されよう。また更なる実施形態では、ピクセル２０２は、他の種類の形状の中でも、長方形、平行四辺形、台形、円形、及び楕円形等の追加の形状に配置することもできる。更なる実施形態では、サブピクセル２０４ａ～ｄの各々は、約１０μｍ以下、約９μｍ以下、約８μｍ以下、約７μｍ以下、約６μｍ以下、約５μｍ以下、又はそれ未満の最長寸法（例えば、対角線の長さ）によって特徴付けられ得る。また更なる実施形態では、ピクセル２０２の各々は、約２５μｍ以下、約２２．５μｍ以下、約２０μｍ以下、約１７．５μｍ以下、約１５μｍ以下、約１２．５μｍ以下、約１０μｍ以下、又はそれ未満の最長寸法によって特徴付けられ得る。

【0028】

［００３７］図３は、本技術の実施形態に係るＬＥＤピクセル３００を示す裂開断面図である。図示の実施形態では、図２に示すピクセル２０２等のＬＥＤピクセルは、赤、緑、青、及びブランクのサブピクセル３０２ａ～ｄの断面ライナ配置を明らかにするために、サブピクセル２０４ａ～ｂ及び２０４ｃ～ｄの間で切断され、裂開されている。サブピクセル３０２ａ～ｄは、隣接するサブピクセル間のピクセル分離構造３０４によって互いに分離されている。実施形態では、サブピクセル３０２ａ～ｄのうちの１又は複数は、ＵＶバリア層３０８上に配置されたマイクロレンズ３０６を含み得る。更なる実施形態では、各サブピクセル３０２ａ～ｃは、可視光の異なるピーク強度波長（例えば、赤色光、緑色光、及び青色光）を発光するように動作可能な量子ドット層３１０ａ～ｃを更に含み得る。第４のサブピクセル３０２ｄは、他のサブピクセルのうちの１つの置換サブピクセルとして機能しない限り、量子ドット層のないマトリクス材料を含み得る。

【0029】

［００３８］サブピクセル３０２ａ～ｄは、量子ドット層３１０ａ～ｃを励起してより長波長の可視光を発光させる短波長の光を生成するように動作可能なＬＥＤ構造３１２を含み得る。追加の実施形態では、ＬＥＤ構造３１２は、バックプレーン基板３１４によって独立して活性化され得る。実施形態では、バックプレーン基板３１４は、ＬＥＤ構造３１２に独立して対処する半導体層３１８に形成された一組の第１のコンタクト３１６及び第２のコンタクト３１８を含み得る。実施形態では、コンタクトは、他の導電性材料の中でも、銅、アルミニウム、金、タングステン、クロム、又はニッケル等の導電性材料でできていてよい。また更なる実施形態では、ＬＥＤ構造３１２は、ＬＥＤ構造とバックプレーン基板３１４のコンタクトとの間の導電経路の一部を形成する透明導電層３２２と３２４との間に位置決めされ得る。追加の実施形態では、透明導電層は、他の透明導電性材料の中でも、酸化インジウムスズ又は酸化インジウム亜鉛でできていてよい。また更なる実施形態では、ミラー層３２６を透明電気層３２４に隣接して位置決めして、ＬＥＤ構造によって発光された光を量子ドット層に向かって反射させることができる。更なる実施形態では、ミラー層は、銅、アルミニウム、クロム、銀、白金、又はモリブデン等の１又は複数の反射性金属でできていてよい。また更なる実施形態では、ＬＥＤ基板をバックプレーン基板に結合する導電性結合層３２８を、ミラー層３２６とバックプレーン基板３１４との間に位置決めし得る。更なる実施形態では、導電性結合層は、他の導電性材料の中でも、スズ、金、又はインジウム等の１又は複数の導電性材料でできていてよい。

【0030】

［００３９］追加の実施形態では、電気絶縁性のパッシベーション層３２９が、ＬＥＤ構造３１２及び隣接する導電層（例えば、透明導電層３２２及び３２４、ミラー層３２６、ならびに結合層３２８）の周囲に位置決めされ得る。パッシベーション層３２９は、ＬＥＤ構造３１２をサブピクセル３０２ａ～ｄの他の導電性材料から電気的に絶縁し、第１及び第２のコンタクト３１６及び３１８のみがＬＥＤ構造を電気的にオン／オフできるようにする。実施形態では、パッシベーション層は、他の誘電体材料の中でも、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、又は窒化アルミニウム等の誘電体材料でできていてよい。更なる実施形態では、サブピクセル３０２ａ～ｄは、第１のコンタクト３１６及び第２のコンタクト３１８を通して電気信号を送信することによって、独立してオン及びオフに切り替えることができる。電気信号は、コンタクト、及び結合層３２８、ミラー層３２６、透明導電層３２２、３２４等の他の導電層を通過して、ＬＥＤ構造を活性化し、ＬＥＤ構造に発光させることができる。

【0031】

［００４０］更なる実施形態では、ＬＥＤ構造３１２によって発光される光の波長は、量子ドット層３１０ａ～ｃのいずれかによって発光される波長よりも短くて（すなわち、よりエネルギーが高くて）よい。追加の実施形態では、ＬＥＤ構造３１２は、約４００ｎｍ以下、約３９５ｎｍ以下、約３９０ｎｍ以下、約３８５ｎｍ以下、約３８０ｎｍ以下、約３７５ｎｍ以下、約３７０ｎｍ以下、約３６５ｎｍ以下、約３６０ｎｍ以下、約３５５ｎｍ以下、約３５０ｎｍ以下、又はそれ未満のピーク強度波長によって特徴付けられる光を発光するように動作可能であり得る。また更なる実施形態では、ＬＥＤ構造３１２は、紫外光と同じピーク強度波長又は紫外光と異なるピーク強度波長を発光することができる。

【0032】

［００４１］実施形態では、ＬＥＤ構造３１２は、ガリウム－窒素含有ＬＥＤ構造であってよい。図４は、本技術の高ピクセル密度構造に含まれ得るガリウム－窒素含有ＬＥＤ構造４００を示す簡略化された断面図である。図示の実施形態では、ＬＥＤ構造４００は、基板４０２上にエピタキシャル形成された窒化ガリウムＬＥＤ構造である。追加の実施形態では、基板４０２は、他の種類の基板の中でも、シリコン基板又はサファイア基板であってよい。ＬＥＤ構造は更に、ｎドープＧａＮ層４０４及びｐドープＧａＮ層４０８を含む。ｎドープＧａＮ層４０４とｐドープＧａＮ層４０８との間に形成されているのは、ＬＥＤ構造によって発光される光が生成される多重量子井戸（ＭＱＷ）領域４０６である。ＬＥＤ構造４００は更に、ｎドープＧａＮ層４０４を電流が通過する経路を形成する導電性Ｎパッドコンタクト４１０を含み得る。また、ＬＥＤ構造４００は、ｐドープＧａＮ層４０８を電流が通過する経路を形成する導電性のＰパッドコンタクト４１２を含み得る。Ｎパッドコンタクト４１０及びＰパッドコンタクト４１２は、ＬＥＤサブピクセルの導電層に接続され得る、又はバックプレーン基板の制御回路のコンタクトに直接接続され得る。実施形態では、制御回路からの電気信号は、ＬＥＤ構造４００を通る電流の流れを作り出し、構造のＭＱＷ領域４０６からの発光を引き起こす。追加の実施形態では、ＭＱＷ領域４０６は、印加された電気信号（例えば、電流及び／又は電圧）に対して再現可能なピーク強度波長及び量子効率によって特徴付けられる光を発光するように形成される。実施形態では、ＭＱＷ領域４０６から発光される光のピーク強度波長は、紫外波長であってよい。

【0033】

［００４２］図４では、基板４０２上に完全に形成されたＬＥＤ構造４００が示されている。後述する追加の実施形態では、基板４０２は、構造が形成される前に、ＬＥＤ構造４００を形成するＬＥＤ材料の層から除去され得る。これらの実施形態の幾つかでは、ＬＥＤ基板及びバックプレーン基板は、ＬＥＤ材料が構造４００のような個別のＬＥＤ構造内に形成される前に互いに結合される。追加の実施形態では、基板４０２は、ＬＥＤ材料の層がＬＥＤ構造内に形成される前に、バックプレーン基板に結合されたＬＥＤ材料の層から分離される。

【0034】

［００４３］図３に戻ると、ＬＥＤ構造３１２によって発光された短波長の光は、量子ドット層３１０ａ～ｃを励起させ、量子ドット層３１０ａ～ｃにより長い波長の光を発光させることができる。上述のように、各量子ドット層３１０ａ～ｃは、それぞれのＬＥＤ構造３１２からの光を吸収し、電磁スペクトルの異なる部分の光を発光するように動作可能である。図示の実施形態では、量子ドット層３１０ａはスペクトルの赤色部分の光を発光するように動作可能であり、量子ドット層３１０ｂはスペクトルの緑色部分の光を発光するように動作可能であり、量子ドット層３１０ｃはスペクトルの青色部分の光を発光するように動作可能である。量子ドット層３１０ａ～ｃ及びＬＥＤ構造３１２によって生成された光は、ＬＥＤ構造３１２によって生成された紫外光を吸収するが、量子ドット層３１０ａ～ｃからの可視光を通過させるＵＶバリア層３０８を通過する。幾つかの実施形態では、ＵＶバリア層３０８を通過した光は、マイクロレンズ３０６によって集光され、高ピクセル密度構造によって表示される画像の品質を更に向上させることができる。

【0035】

［００４４］本技術の実施形態では、ＬＥＤ構造３１２は、同じピーク強度波長又はほぼ同じピーク強度波長によって特徴付けられる光を発光することができる。これらの実施形態は、異なるピーク強度波長での発光において著しく異なる量子効率を有するガリウム－窒素含有ＬＥＤ構造に関する問題に対処する。これらの差は、赤色及び青色の可視光を発光するガリウム－窒素含有ＬＥＤ構造間で特に顕著である。ガリウム－窒素含有ＬＥＤ構造は、赤色光よりも青色光の発光において著しく高い量子効率を有し、多くの場合、それを補うために追加の構造及び処理技術が必要となる。本技術の実施形態では、ＬＥＤ構造３１２は、同じ又はほぼ同じピーク強度波長の光を発光するように形成されていてよく、ガリウム－窒素含有ＬＥＤ構造にとって高い量子効率を有する波長の光を発光するように選択され得る。追加の実施形態では、ピーク強度波長は、量子ドット層によって吸収され、量子ドット層に可視波長の光を発光させることができる紫外波長であってよい。可視スペクトルの青色部分と赤色部分との間で発光される光の量子効率に広い変動範囲を有するガリウム－窒素含有ＬＥＤ構造とは対照的に、量子ドット層は、紫外波長で吸収された光が可視スペクトルの異なる波長で発光を引き起こすための量子効率のばらつきが狭い。

【0036】

［００４５］実施形態では、量子ドット層３１０ａ～ｃから発光される可視光の量子効率の変動範囲は、約２５％以下、約１５％以下、約１０％以下、約５％以下、約２．５％以下、約１％以下、又はそれ未満であってよい。追加の実施形態では、量子ドット層は、約５０％以上、約６０％以上、約７０％以上、約８０％以上、約９０％以上、約９５％以上、約９７％以上、約９８％以上、約９９％以上、又はそれ以上の量子効率によって特徴付けられ得る。

【0037】

［００４６］更なる実施形態では、隣接するサブピクセル及び近くのサブピクセルから生成された光によって生じるクロストークを、隣接するサブピクセル間のピクセル分離構造３０４によって低減又は除去することができる。実施形態では、隣接するピクセル及び近くのピクセルからの光の強度の低減は、約５０％以上、約６０％以上、約７０％以上、約８０％以上、約９０％以上、約９５％以上、約９９％以上、又はそれ以上であってよい。追加の実施形態では、ピクセル分離構造３０４は、アルミニウム又は銅等の反射性材料の層等の材料の１又は複数の追加の層によって覆われているピクセル分離材料のコア柱を含み得る。実施形態では、コア柱の材料は、他の種類の材料の中でも、金属又は誘電体材料を含み得る。更なる実施形態では、金属材料は、他の金属の中でも、シリコン、タングステン、銅、及びアルミニウムのうちの１又は複数を含み得る。また更なる実施形態では、誘電体材料は、他の誘電体材料の中でも、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、フォトレジスト材料、又は誘電体有機ポリマー材料のうちの１又は複数を含み得る。

【0038】

［００４７］実施形態では、ピクセル分離構造３０４は、バックプレーン基板３１４から量子ドット層３１０ａ～ｃの上面まで延びていてよい。更なる実施形態では、ピクセル分離構造３０４は、ＵＶバリア層３０８まで、また更なる実施形態では、マイクロレンズ３０６の頂点まで延びていてよい。追加の実施形態では、ピクセル分離構造３０４は、約２．５μｍ以上、約５μｍ以上、約７．５μｍ以上、約１０μｍ以上、約１２．５μｍ以上、約１５μｍ以上、約１７．５μｍ以上、約２０μｍ以上、又はそれ以上の高さを有し得る。更に追加の実施形態では、ピクセル分離構造３０４は、約１μｍ以上、約２μｍ以上、約３μｍ以上、約４μｍ以上、約５μｍ以上、約６μｍ以上、約７μｍ以上、約８μｍ以上、約９μｍ以上、約１０μｍ以上、又はそれ以上の幅を有し得る。また更なる実施形態では、ピクセル分離構造３０４は、約１．５：１以上、約２：１以上、約２．５：１以上、約３：１以上、約３．５：１以上、約４：１以上、約４．５：１以上、約５：１以上、又はそれ以上である高さ対幅のアスペクト比を有し得る。

【0039】

高ピクセル密度ＬＥＤ構造の製造方法
［００４８］図５は、本技術の実施形態に係る高ピクセル密度ＬＥＤ構造の形成方法５００における選択された工程を示すフロー図である。方法５００は、フロントエンド処理、堆積、エッチング、研磨、洗浄、又は記載された工程の前に実行され得る任意の他の工程を含む、本方法の開始前の１又は複数の工程を含んでいてよい、又は含んでいなくてよい。本方法は、本技術に係る方法の幾つかの実施形態に具体的に関連していてよい、又は関連していなくてよい多数のオプションの工程を含み得る。方法５００は、図６Ａ～図６Ｅ、図７Ａ～図７Ｆ、図８Ａ～図８Ｂ、図９Ａ～図９Ｂ、及び図１０Ａ～図１０Ｂに簡略化された概略形態で示す半導体構造の実施形態を形成する工程を記載したものであり、その図示を、方法５００の工程と併せて説明する。図６Ａ～図６Ｅ、図７Ａ～図７Ｆ、図８Ａ～図８Ｂ、図９Ａ～図９Ｂ、及び図１０Ａ～図１０Ｂは単に、限定された詳細を有する部分的な概略図の例示であり、幾つかの実施形態では、基板は、図に例示したような態様を有する任意の数の半導体セクション、ならびにやはり本技術の態様のいずれかから利益を得ることができる代替構造態様を含み得ることを理解されたい。

【0040】

［００４９］方法５００で説明する実施形態は、高ピクセル密度ＬＥＤ構造を開発する工程を含む。方法５００は、バックプレーン基板を形成すること５０５と、ＬＥＤ基板を形成すること５１０とを含み得る。実施形態では、バックプレーン基板は、高ピクセル密度ＬＥＤ構造の各ＬＥＤピクセルのサブピクセルを活性化するための制御回路の少なくとも一部を含むバックプレーン層を含み得る。追加の実施形態では、バックプレーン層は、バックプレーン基板とＬＥＤ基板との間の接合面を通る導電性経路を形成するためのコンタクトを含む、制御回路の要素が形成されるシリコン層であってよい。

【0041】

［００５０］図６Ａに示す高ピクセル密度構造６００の実施形態では、別個のバックプレーン基板６０２及びＬＥＤ基板６０４が設けられている。バックプレーン基板６０２は、第１のコンタクト６０８及び第２のコンタクト６１０が形成されたバックプレーン層６０６を含む。バックプレーン基板６０２は、電気絶縁性のパッシベーション層６１２も含む。図示の実施形態では、高ピクセル密度構造６００は、構造のすべての制御回路がバックプレーン基板６０２に形成され、ＬＥＤ構造の一方の側面に位置決めされるフリップチップＬＥＤ構造の一部であってよい。ＬＥＤ基板６０４は、ＬＥＤ基板層６１６上に形成されたガリウム－窒素含有層６１４を含む。ＬＥＤ基板６０４はまた、ＬＥＤ基板層６１６と接触している側とは反対側のガリウム－窒素含有層６１４上に形成された透明導電層６１８、ミラー層６２０、及び結合層６２２を含む。図６Ａに示す実施形態では、ＬＥＤ構造は、バックプレーン基板６０２とＬＥＤ基板６０４とが互いに結合された後まで、ＬＥＤ材料及びその周囲の材料の層に形成されない。

【0042】

［００５１］図７Ａはまた、実施形態に係る別個のバックプレーン基板７０２及びＬＥＤ基板７０４を有する高ピクセル密度構造７００の一部を示す図である。バックプレーン基板７０２は、第１のコンタクト７０８が形成されたバックプレーン層７０６を含む。バックプレーン基板７０２は、電気絶縁性のパッシベーション層７１２も含む。図示の実施形態では、高ピクセル密度構造７００は、構造の制御回路の一部がバックプレーン基板７０２に形成され、制御回路の別の部分（図示せず）がバックプレーン基板７０２の反対側のＬＥＤ構造の側面に位置決めされた垂直ＬＥＤ構造の一部であってもよい。ＬＥＤ基板７０４は、基板層７１６上に形成されたＬＥＤ材料層のスタックを含み得る。ＬＥＤ材料層は、ガリウム－窒素含有層７１４、透明導電層７１８、ミラー層７２０、及び結合層７２２を含み得る。図７Ａに示す実施形態では、ＬＥＤ構造は、バックプレーン基板７０２とＬＥＤ基板７０４とが互いに結合された後まで、ＬＥＤ材料層に形成されない。

【0043】

［００５２］図８Ａは、別個のバックプレーン基板８０２及びＬＥＤ基板８０４を有する高ピクセル密度構造８００の一部の別の実施形態を示す図である。バックプレーン基板８０２は、第１のコンタクト８０８が形成されたバックプレーン層８０６を含む。バックプレーン基板８０２は、電気絶縁性のパッシベーション層８１２も含む。図示の実施形態では、高ピクセル密度構造８００は、構造の制御回路の一部がバックプレーン基板８０２に形成され、制御回路の別の部分（図示せず）がバックプレーン基板８０２の反対側のＬＥＤ構造の側面に位置決めされた垂直ＬＥＤ構造の一部であってよい。ＬＥＤ基板８０４は、基板層８１６上に形成されたＬＥＤ材料層のスタックを含み得る。ＬＥＤ材料層は、ガリウム－窒素含有層８１４、透明導電層８１８、パッシベーション層８１９、ミラー層８２０、及び結合層８２２を含み得る。図８Ａに示す実施形態では、バックプレーン基板８０２とＬＥＤ基板８０４とが互いに結合される前に、ＬＥＤ材料層にＬＥＤ構造が既に形成されている。

【0044】

［００５３］図９Ａは、別個のバックプレーン基板９０２及びＬＥＤ基板９０４を有する高ピクセル密度構造９００の一部の更に別の実施形態を示す図である。バックプレーン基板９０２は、第１のコンタクト９０８が形成されたバックプレーン層９０６を含む。バックプレーン基板９０２は、電気絶縁性のパッシベーション層９１２も含む。図示の実施形態では、高ピクセル密度構造９００は、構造の制御回路の一部がバックプレーン基板９０２に形成され、制御回路の別の部分（図示せず）がバックプレーン基板９０２の反対側のＬＥＤ構造の側面に位置決めされた垂直ＬＥＤ構造の一部であってよい。ＬＥＤ基板９０４は、基板層９１６上に形成されたＬＥＤ材料層のスタックを含み得る。ＬＥＤ材料層は、ガリウム－窒素含有層９１４、透明導電層９１８、ミラー層９２０、及び結合層９２２を含み得る。ＬＥＤ基板９０４はまた、ＬＥＤ基板９０４の他の層に直交する方向に形成されたピクセル分離構造９２４を含み得る。実施形態では、ピクセル分離構造９２４は、反射性及び導電性材料（例えば、金属）でできていてよく、ピクセル分離構造がガリウム－窒素含有層９１４に形成されたＬＥＤ構造に短絡するのを防止するために、電気絶縁性のピクセル分離パッシベーション層９２６によって囲まれていてよい。図９Ａに示す実施形態では、ＬＥＤ構造及びピクセル分離構造は、バックプレーン基板９０２とＬＥＤ基板９０４とが互いに結合される前に、ＬＥＤ材料層に既に形成されている。

【0045】

［００５４］図１０Ａは、別個のバックプレーン基板１００２及びＬＥＤ基板１００４を有する高ピクセル密度構造１０００の一部の更に別の実施形態を示す図である。バックプレーン基板１００２は、第１のコンタクト１００８が形成されたバックプレーン層１００６を含む。バックプレーン基板１００２は、電気絶縁性のパッシベーション層１０１２も含む。図示の実施形態では、高ピクセル密度構造１０００は、構造の制御回路の一部がバックプレーン基板１００２に形成され、制御回路の別の部分（図示せず）がバックプレーン基板１００２の反対側のＬＥＤ構造の側面に位置決めされた垂直ＬＥＤ構造の一部であってよい。ＬＥＤ基板１００４は、基板層１０１６上に形成されたＬＥＤ材料層のスタックを含み得る。ＬＥＤ材料層は、ガリウム－窒素含有層１０１４、透明導電層１０１８、ミラー層１０２０、及び結合層１０２２を含み得る。ＬＥＤ基板１００４はまた、ＬＥＤ基板１００４の他の層に直交する方向に形成されたピクセル分離構造１０２４を含み得る。実施形態では、ピクセル分離構造１０２４は、反射性及び導電性材料（例えば、金属）でできていてよく、ピクセル分離構造がガリウム－窒素含有層１０１４に形成されたＬＥＤ構造を短絡するのを防止するために、電気絶縁性のピクセル分離パッシベーション層１０２６によって囲まれていてよい。追加の実施形態では、ＬＥＤ基板１００４は、ミラー層１０２０及びピクセル分離構造１０２４と接触する誘電体層１０２８を含み得る。図１０Ａに示す実施形態では、ＬＥＤ構造及びピクセル分離構造は、バックプレーン基板１００２及びＬＥＤ基板１００４が互いに結合される前に、ＬＥＤ材料層に既に形成されている。

【0046】

［００５５］本技術の実施形態では、方法５００は更に、工程５１５においてＬＥＤ構造をパターニングする工程、工程５２０においてサブピクセルを分離する工程、及び工程５２５においてバックプレーン基板とＬＥＤ基板とを互いに結合させる工程を含み得る。実施形態では、工程５１５、５２０、及び５２５は、異なる順序で実行され得る。幾つかの実施形態では、ＬＥＤ構造は、バックプレーン基板とＬＥＤ基板とを工程５２５において互いに結合させる前に、工程５１５においてＬＥＤ基板上にパターニングされ得る。追加の実施形態では、バックプレーン基板及びＬＥＤ基板は、工程５１５においてＬＥＤ基板（又はＬＥＤ層材料）上にＬＥＤ構造をパターニングする前に、工程５２５において互いに結合される。また更なる実施形態では、サブピクセルは、工程５１５においてＬＥＤ基板にＬＥＤ構造が形成される前又は形成された後に、また、工程５２５においてバックプレーン基板とＬＥＤ基板とが互いに結合される前又は結合された後に、工程５２０において互いに分離され得る。

【0047】

［００５６］図６Ｂは、ＬＥＤ構造がＬＥＤ基板にパターニングされる前に、又はピクセル分離構造が形成される前に、バックプレーン基板６０２とＬＥＤ基板６０４とが互いに結合される実施形態を示す図である。図示の実施形態では、バックプレーン基板６０２とＬＥＤ基板６０４とが互いに結合されたときに、第１のコンタクト６０８がパッシベーション層６１２を貫通して形成され、第１のコンタクトと結合層６２２との間に導電性接合面が形成されている。基板６０２及び６０４が互いに結合された後に、図６Ｃ及び図６Ｄに示すように、組み合わされた基板にＬＥＤ構造がパターニングされる。図６Ｃは、第２のコンタクト６１０と、第１のコンタクト６０８と電気的に接触している表面とは反対側のガリウム－窒素含有層６１４の表面との間に形成された導電性ビア６２４を図示している。追加の実施形態では、第１のコンタクト６０８は、ガリウム－窒素含有層６１４のＰパッドコンタクト（図示せず）と電気的に接触していてよく、第２のコンタクト６１０は、層６１４のＮパッドコンタクト（図示せず）と電気的に接触していてよい。更なる実施形態では、電気絶縁性のパッシベーション層６２６がビア６２４と接触して、ガリウム－窒素含有層６１４のｐドープ領域とｎドープ領域との間の電気的短絡を防止することができる。図６Ｄは、バックプレーン基板６０２上にパターニングされた後のＬＥＤ構造を図示している。図示の実施形態では、別の電気絶縁性のパッシベーション層６２８が、ピクセル分離工程の形成に備えてＬＥＤ構造の周囲に形成されている。

【0048】

［００５７］図６Ｅは、先に形成されたＬＥＤ構造の周囲に形成されたピクセル分離構造を示す図である。図示の実施形態では、ピクセル分離構造は、ミラー層６３０及びピクセル分離柱６３２を含む。ミラー層６３０は、ガリウム－窒素含有層６１４から発光された光を、ＬＥＤ構造の上方でピクセルミラー層とピクセル分離柱６３２との間に続いて形成される量子ドット層（図示せず）に向けて反射させるように動作可能であってよい。また更なる実施形態では、ＬＥＤパッシベーション層６２８の上方に形成されたミラー層６３０の一部を除去して、ガリウム－窒素含有層６１４によって発光された光が量子ドット層を保持する空間内を通過できるようにすることができる。ＬＥＤパッシベーション層６２８は、発光された光の透過率が高くなるようにできている。

【0049】

［００５８］図７Ｂはまた、ＬＥＤ構造がＬＥＤ基板にパターニングされる前に、又はピクセル分離構造が形成されるときに、互いに結合されるバックプレーン基板７０２及びＬＥＤ基板７０４を示している。第１のコンタクト７０８は、バックプレーン基板７０２とＬＥＤ基板７０４とが互いに結合されるときに、パッシベーション層７１２を貫通して形成され、コンタクトと結合層７２２との間に導電性接合面を形成する。基板７０２及び７０４が互いに結合された後に、図７Ｃに示すように、組み合わされた基板にＬＥＤ構造がパターニングされる。図示の実施形態では、ＬＥＤ構造はバックプレーン基板７０２上にパターニングされ、ピクセル分離構造が形成される前に、別の電気絶縁性のパッシベーション層７２８及びミラー層７３０がＬＥＤ構造の周囲に形成される。

【0050】

［００５９］図７Ｄは、先に形成されたＬＥＤ構造の周囲に形成されたピクセル分離構造を示す図である。図示の実施形態では、ピクセル分離構造は、ミラー層７３１及びピクセル分離柱７３２の追加部分を含む。ピクセル分離構造は更に、ピクセル分離構造の側壁及びガリウム－窒素含有層７１４の表面に形成された追加の透明導電層７３４を含む。ミラー層７３１は、ガリウム－窒素含有層７１４から発光された光を、ＬＥＤ構造の上方でピクセルミラー層とピクセル分離柱７３２との間に続いて形成される量子ドット層（図示せず）に向けて反射させるように動作可能であってよい。また更なる実施形態では、ミラー層７３０及びＬＥＤパッシベーション層７２８の一部を除去し、追加の透明導電層７３４に置き換えることができる。ガリウム－窒素含有層７１４から発光された光は、追加の透明導電層７３４を通過して量子ドット層を保持する空間に入ることができる。

【0051】

［００６０］図７Ｅ及び図７Ｆは、本技術の実施形態に従ってＬＥＤ構造をパターニングし、サブピクセルを分離するための別の実施形態を示す図である。図７Ｅは、ＬＥＤ構造を有するＬＥＤ基板層上に堆積されパターニングされた誘電体材料７５０を示している。パターニングされた誘電体材料７５０は、ピクセル分離構造がその上に形成され得る犠牲柱を形成し得る。図示の実施形態では、パッシベーション層７５２及びピクセル分離柱７５４がパターニングされた誘電体材料７５０の上に堆積されパターニングされる。図７Ｆは、パターニングされた誘電体材料が除去され、底部にガリウム－窒素含有層７１４、側壁（パッシベーション層とピクセル分離柱を含む）にピクセル分離構造を含む開口部が形成された状態を示している。追加の実施形態では、別の透明導電層７５６をガリウム－窒素含有層７１４及びピクセル分離構造上に形成し得る。

【0052】

［００６１］図８Ｂは、ＬＥＤ構造がＬＥＤ基板にパターニングされた後に、バックプレーン基板８０２及びＬＥＤ基板８０４が互いに結合された実施形態を示す図である。図示の実施形態では、バックプレーン基板８０２及びＬＥＤ基板８０４が互いに結合されたときに、コンタクト８０８がパッシベーション層８１２を貫通して形成され、コンタクトと結合層８２２との間に導電性接合面を形成する。また、実施形態では、基板層を除去してガリウム－窒素含有層８１４を露出させる。追加の実施形態では、ピクセル分離構造（図示せず）が、結合層８２２、ミラー層８２０、及びパッシベーション層８１９の側壁を含むＬＥＤ構造の側壁に沿って形成され得る。更なる実施形態では、ピクセル分離構造は、電気絶縁性のパッシベーション層及び金属又は誘電体材料等のピクセル分離材料の柱を含み得る。また更なる実施形態では、ピクセル分離構造は、ピクセル分離構造とＬＥＤ構造とによって形成された開口部に位置決めされた量子ドット層（図示せず）に向けて光を反射させるために、構造の内部側壁に形成された追加のミラー層を含み得る。

【0053】

［００６２］図９Ｂは、ＬＥＤ構造及びピクセル分離構造の少なくとも一部がＬＥＤ基板にパターニングされた後に、バックプレーン基板９０２及びＬＥＤ基板９０４が互いに結合された実施形態を示す図である。図示の実施形態では、バックプレーン基板９０２とＬＥＤ基板９０４とが互いに結合されたときに、コンタクト９０８がパッシベーション層９１２を貫通して形成され、コンタクトと結合層９２２との間に導電性接合面を形成する。また、実施形態では、基板層を除去して、ガリウム－窒素含有層９１４とピクセル分離構造９２４の上部とを露出させる。実施形態では、追加の透明導電層９２８をガリウム－窒素含有層９１４及びピクセル分離構造９２４上に形成し得る。

【0054】

［００６３］図１０Ｂは、ＬＥＤ構造及びピクセル分離構造の少なくとも一部がＬＥＤ基板にパターニングされた後に、バックプレーン基板１００２及びＬＥＤ基板１００４が互いに結合された別の実施形態を示す図である。図示の実施形態では、バックプレーン層１００６のコンタクト１００８と、ＬＥＤ構造のミラー層１０２０、透明導電層１０１８、及びガリウム－窒素含有層１０１４との間に導電経路を形成するために、誘電体層１０２８に導電性相互接続部１０３０が形成される。また、実施形態では、基板層１０１６を除去して、ガリウム－窒素含有層１０１４及びピクセル分離構造１０２４の上部を露出させる。実施形態では、追加の透明導電層１０３２が、ガリウム－窒素含有層１０１４及びピクセル分離構造１０２４上に形成され得る。

【0055】

［００６４］図５に戻ると、方法５００はまた更に、工程５３０において、分離したＬＥＤサブピクセル構造における量子ドット層の形成を含み得る。実施形態では、量子ドット層の形成は、ＬＥＤピクセルのアレイの各ＬＥＤピクセルのサブピクセルのうちの１つにおいて特定のピーク強度波長によって特徴付けられる光を発光するように動作可能な量子ドット層を形成するための連続的な工程を含み得る。更なる実施形態では、連続的な工程は、各ＬＥＤピクセルのサブピクセルのうちの１つに赤色の量子ドット層を形成し、次に、サブピクセルのうちの別の１つに緑色の量子ドット層を形成し、次に、サブピクセルのうちの更に別の１つに青色の量子ドット層を形成することを含み得る。青色量子ドットの形成後、ＬＥＤピクセルのアレイの各ＬＥＤピクセルは、赤、緑、青のサブピクセルを含む。

【0056】

［００６５］追加の実施形態では、ＬＥＤサブピクセルにおいて特定の色の可視光（例えば、赤色光、緑色光、又は青色光）を発光するように動作可能な量子ドット層の形成は、高ピクセル密度ＬＥＤ構造上に光硬化性流体を分注すること、ＬＥＤピクセルのアレイの各ＬＥＤピクセルのサブピクセルのうちの１つを活性化して、そのサブピクセル上で光硬化性流体を照射して硬化させること、及び活性化されなかった他のサブピクセルから未硬化の光硬化性流体を除去することを含み得る。これらの形成工程は、ＬＥＤピクセルのアレイの各色の光を発光するサブピクセルに対して繰り返すことができる。実施形態では、形成工程は、ＬＥＤピクセルのアレイ全体にわたって、量子ドット層をＬＥＤピクセルの活性化されたサブピクセルとセルフアライメントさせる。量子ドット層を適切な群のサブピクセルに形成するための精密なアライメント工程は必要ない。量子ドット層のセルフアライメントは、サブピクセルのサイズが縮小し、ピクセル密度が高くなるにつれて、ますます有益になる。

【0057】

［００６６］実施形態では、光硬化性流体は、１又は複数の架橋性化合物、光開始剤、及び色変換剤を含み得る。追加の実施形態では、架橋性化合物は、硬化したときにポリマーを形成するモノマーを含み得る。更なる実施形態では、モノマーは、アクリレートモノマー、メタクリレートモノマー、及びアクリルアミドモノマーを含み得る。また更なる実施形態では、架橋性化合物は、ＳＵ－８フォトレジスト等のネガ型フォトレジスト材料を含み得る。更なる実施形態では、光開始剤は、紫外光によって励起されたときに不飽和化合物の硬化を開始するラジカルを生成する他の種類の光開始剤化合物の中でも、ホスフィンオキシド化合物及びケト化合物を含み得る。市販の光開始剤化合物としては、他の光開始剤の中でも、Ｉｒｇａｃｕｒｅ １８４、Ｉｒｇａｃｕｒｅ ８１９、Ｄａｒｏｃｕｒ １１７３、Ｄａｒｏｃｕｒ ４２６５、Ｄａｒｏｃｕｒ ＴＰＯ、Ｏｍｎｉｃａｔ ２５０、及びＯｍｎｉｃａｔ ５５０が挙げられる。また更なる実施形態では、色変換剤は、ＬＥＤ構造からのより短い波長の（すなわち、よりエネルギーの高い）光を吸収し、サブピクセルによって発光される光の色に対応するより長い波長の光を発光することができる量子ドット材料を含み得る。実施形態では、これらの量子ドット材料は、他の半導体材料の中でも、リン化インジウム、セレン化亜鉛、硫化亜鉛、シリコン、ケイ酸塩、グラフェン等の無機半導体材料、及びドープされた無機酸化物のうちの１又は複数の種類でできたナノ粒子を含み得る。

【0058】

［００６７］方法５００は、工程５３５における量子ドット層の形成後にサブピクセルを試験することも含み得る。幾つかの実施形態では、サブピクセルは、量子ドット層の各色の形成後に試験され得る。追加の実施形態では、サブピクセルは、すべての量子ドット層が形成された後に試験され得る。また更なる実施形態では、試験工程は、全てのサブピクセルを活性化することと、どのサブピクセルに欠陥があるかを検出することとを含み得る。実施形態では、これらの欠陥は、他の種類の欠陥の中でも、全く光を生成しないサブピクセル、一定の強度で光を生成しないサブピクセル、及び目標強度で光を生成しないサブピクセル（例えば、薄暗すぎる又は明るすぎるサブピクセル）を含み得る。

【0059】

［００６８］方法５００はまた更に、工程５４０において、欠陥のあるサブピクセルを置換することを含み得る。実施形態では、置換は、ＬＥＤピクセルの量子ドット層のない（ブランク）サブピクセルに置換量子ドット層を形成することを含み得る。置換量子ドット層は、非活性化される欠陥のあるサブピクセルと同じ波長の光を発光するように動作可能である。置換工程５４０は、高ピクセル密度構造における欠陥のあるＬＥＤピクセルの数を大幅に減少させることができる。実施形態では、高ピクセル密度構造における欠陥のあるサブピクセルの割合は、約７５％以上、約８５％以上、約９５％以上、約９９％以上、又はそれ以上に低下し得る。追加の実施形態では、置換工程５４０の後、高ピクセル密度構造の欠陥のあるＬＥＤピクセルの数は、１０００個あたり約１個以下、５０００個あたり約１個以下、１０，０００個あたり約１個以下、２５，０００個あたり約１個以下、５０，０００個あたり約１個以下、７５，０００個あたり約１個以下、１００，０００個あたり約１個以下、２５０，０００個あたり約１個以下、５００，０００個あたり約１個以下、７５０，０００個あたり約１個以下、１，０００，０００個あたり約１個以下、又はそれ未満であってよい。

【0060】

［００６９］方法５００はまた更に、工程５４５において、ＬＥＤピクセルのサブピクセル上にＵＶバリア層を形成することを含み得る。実施形態では、ＵＶバリア層は、量子ドット層を含むサブピクセルでは量子ドット層の上に、量子ドット層のないサブピクセルではＬＥＤ構造の上に形成され得る。更なる実施形態では、ＵＶバリア層は、量子ドット層によって発光された可視光を透過させ、サブピクセルのＬＥＤ構造によって生成されたＵＶ光を吸収する誘電体層であってよい。実施形態では、誘電体層は、化学気相堆積又は物理的気相堆積によって堆積された酸化ケイ素層であってよい。追加の実施形態では、ＵＶバリア層は、ポリアクリレート、ポリメチルメタクリレート、及びポリアクリレートとポリメチルメタクリレートとのコポリマー等の有機ポリマーからできていてよい。また更なる実施形態では、ＵＶバリア層は、ＢＡＳＦからのＴｉｎｕｖｉｎ ＣａｒｂｏＰｒｏｔｅｃｔ、及びＥｖｅｒｌｉｇｈｔからのＥｖｅｒｓｏｒｂシリーズ等の市販の材料からできていてよい。実施形態では、ＵＶバリア層は、高ピクセル密度構造から発光される全光におけるＵＶ光の割合を、約５％以下、約２．５％以下、約１％以下、約０．５％以下、約０．１％以下、約０．０５％以下、約０．０１％以下、又はそれ未満に低下させ得る。追加の実施形態では、ＵＶバリア層は、量子ドット層からの可視光を約５０％以上、約７５％以上、約８５％以上、約９０％以上、約９５％以上、約９９％以上、又はそれ以上で透過させることができる。

【0061】

［００７０］方法５００はまた追加として、工程５５０において、ＬＥＤピクセルのアレイのＬＥＤピクセルのサブピクセルのうちの１又は複数にマイクロレンズを形成することを含み得る。実施形態では、マイクロレンズは、ＬＥＤピクセルの各々におけるサブピクセルのうちの２つ以上、サブピクセルのうちの３つ以上、及びサブピクセルの全てに形成され得る。追加の実施形態では、マイクロレンズは、他のレンズ形状の中でも、凸型レンズ、凹型レンズ、フレネル型レンズであってよい。更なる実施形態では、マイクロレンズは、サブピクセルから発光された可視光を透過させることができる無機材料又は有機材料でできていてよい。追加の実施形態では、マイクロレンズは、他のポリマーの中でも、ポリジメチルシロキサン、ポリアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリスチレン、及びポリ（ベンジルメタクリレート）等のポリマーでできていてよい。更なる実施形態では、マイクロレンズは、他の無機材料の中でも、シリカ、酸化亜鉛、及び酸化アルミニウム等の無機材料でできていてよい。マイクロレンズは、他の用途の中でも、高ピクセル密度構造によって発光された光を曲げたり集束させたりして、ＶＲヘッドセット及びＡＲメガネ等の特定の用途のための画質を向上させる。

【0062】

［００７１］方法５００等の本方法の実施形態は、約１０００ｐｐｉ以上、約１２５０ｐｐｉ以上、約１５００ｐｐｉ以上、約１７５０ｐｐｉ以上、約２０００ｐｐｉ以上、約２５００ｐｐｉ以上、約２７５０ｐｐｉ以上、約３０００ｐｐｉ以上、又はそれ以上のピクセル密度を有する高ピクセル密度構造を製造するために使用され得る。実施形態では、本方法は、サブピクセルを形成し、分離させることで、隣接するサブピクセルとのクロストークを低減させることを含む。追加の実施形態では、本方法は、サブピクセルを試験し、先に量子ドット層のないブランクサブピクセルに置換量子ドット層を形成することによって欠陥のあるサブピクセルを置換する工程により、欠陥のあるピクセルがより少ない高ピクセル密度構造の製造を可能にする。本方法により、高ピクセル密度、高速応答時間、及び高画質画像表示能力の両方を必要とする仮想現実ヘッドセット及び拡張現実メガネ等のディスプレイデバイスに組み込むことができる高ピクセル密度構造の製造が可能になる。

【0063】

［００７２］前述の説明では、説明の目的で、本技術の様々な実施形態の理解を提供するために、多数の詳細が記載されている。しかしながら、当業者には、特定の実施形態が、これらの詳細の一部を伴わずに、又は追加の詳細を伴って実施され得ることが明らかであろう。

【0064】

［００７３］幾つかの実施形態を開示したが、実施形態の主旨から逸脱することなく、様々な修正、代替構造、及び同等物を使用できることが当業者によって認識されるであろう。さらに、本技術を不必要に曖昧にすることを避けるために、幾つかの周知のプロセス及び要素は説明していない。従って、上記の明細を、本技術の範囲を限定するものと解釈すべきではない。さらに、方法又はプロセスは、順次又は段階的に説明され得るが、工程は、同時に、又は列挙されたものとは異なる順序で実行され得ることが理解されるべきである。

【0065】

［００７４］値の範囲が提供される場合、文脈が明確に別段の指示をしていない限り、その範囲の上限と下限との間の、下限の単位の最小部分までの各介在値もまた、具体的に開示されることを理解されたい。いずれかの記載された値又は記載された範囲の記載されていない介在値と、その記載された範囲の他のいずれかの記載された値又は介在値との間のいかなるより狭い範囲も含まれる。これらのより小さい範囲の上限と下限は、独立して範囲に含まれる又は除外される場合があり、より小さい範囲に一方の限界値、又は両方の限界値が含まれる、又はどちらの限界値も含まれない各範囲も、記載された範囲におけるいずれかの具体的に除外された限界値に従って、本技術内に含まれる。記載された範囲に限界値の一方又は両方が含まれる場合、それら含まれる限界値の一方又は両方を除外する範囲も含まれる。

【0066】

［００７５］本明細書及び添付の特許請求の範囲において使用される場合、単数形「ａ」、「ａｎ」、及び「ｔｈｅ」は、文脈が明確に別段の指示をしていない限り、複数の参照を含む。従って、例えば、「ピクセル（ａ ｐｉｘｅｌ）」への言及は、複数の上記ピクセルを含み、「層（ｔｈｅ ｌａｙｅｒ）」への言及は、当業者に周知の１又は複数の層及びその等価物等への言及を含む。

【0067】

［００７６］また、本明細書及び以下の特許請求の範囲で使用する場合、「含む、備える（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」、「含む、備える（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｃｏｎｔａｉｎ）」、「含む（ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅ）」、及び「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」という用語は、記載された特徴、整数、構成要素、又は工程の存在を指定するものであるが、１又は複数の他の特徴、整数、構成要素、工程、動作、又は群の存在又は追加を排除するものではない。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6A】

【図6B】

【図6C】

【図6D】

【図6E】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図7D】

【図7E】

【図7F】

【図8】

【図9】

【図10】

【国際調査報告】