(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-06-21
(54)【発明の名称】検査データフィルタリングのシステム及び方法
(51)【国際特許分類】
G03F 7/20 20060101AFI20240614BHJP
【ＦＩ】
G03F7/20 521
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023575721
(86)(22)【出願日】2022-05-20
(85)【翻訳文提出日】2024-02-08
(86)【国際出願番号】 EP2022063752
(87)【国際公開番号】W WO2022263104
(87)【国際公開日】2022-12-22
(31)【優先権主張番号】63/212,249
(32)【優先日】2021-06-18
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】63/290,196
(32)【優先日】2021-12-16
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】504151804
【氏名又は名称】エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．
(74)【代理人】
【識別番号】100079108
【弁理士】
【氏名又は名称】稲葉 良幸
(74)【代理人】
【識別番号】100109346
【弁理士】
【氏名又は名称】大貫 敏史
(74)【代理人】
【識別番号】100117189
【弁理士】
【氏名又は名称】江口 昭彦
(74)【代理人】
【識別番号】100134120
【弁理士】
【氏名又は名称】内藤 和彦
(72)【発明者】
【氏名】プ，リンリン
(72)【発明者】
【氏名】リン，ユジャン
(72)【発明者】
【氏名】ワン，テン
(72)【発明者】
【氏名】ワン，ボー
(72)【発明者】
【氏名】ラ グレカ，ラファエル，エリック
(72)【発明者】
【氏名】フンシェ，ステファン
【テーマコード（参考）】
2H197
【Ｆターム（参考）】
2H197DA02
2H197DA03
2H197DA09
2H197HA03
2H197HA04
2H197HA05
2H197HA10
2H197JA17
2H197JA22
2H197JA23
(57)【要約】
半導体製造プロセスの変動を監視するために、ＳＥＭ画像に基づいて同一のパターンフィーチャのコンターが決定され、フィーチャの変動を決定するために、コンターが集約され、及び統計的に分析される。コンターの一部は、外れ値であり、コンターの集約及び平均化は、これらの外れ値を「隠す」。本開示では、特定の外れ値コンターを、集約して統計的に分析する前にフィルタリングすることが説明される。フィルタリングは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイントに基づく、又は一組の検査コンター内のコンターの全体的な幾何学的形状に基づくなど、複数のレベルで行うことができる。
【選択図】 図９
【選択図】 図９
【特許請求の範囲】
【請求項1】
パターニングプロセスを向上させるための方法であって、基板パターン検査画像を受信することと、
一組の検査コンターを形成するために、前記基板パターン検査画像内のコンターを決定することであって、前記コンターを決定することが、前記基板パターン検査画像内のフィーチャのエッジを検出することを含む、決定することと、
前記一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、
を含む、方法。
【請求項2】
決定されたコンターが頂点を含み、前記フィーチャの前記エッジを検出することは、前記決定されたコンターの前記頂点を識別することを含み、
前記外れ値コンターの前記フィルタリングは前記頂点に基づく、請求項１に記載の方法。
【請求項3】
前記決定されたコンターの頂点において形成された角度を決定することと、前記角度に基づいて前記一組の検査コンターから前記外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項4】
前記一組の検査コンターから前記外れ値コンターをフィルタリングすることは、角度閾値に対する前記決定された角度の比較に基づき、前記角度閾値より小さい頂点の角度を有する決定されたコンターは、外れ値コンターであると決定され、前記一組の検査コンターからフィルタリングされる、請求項３に記載の方法。
【請求項5】
前記決定されたコンターの隣接する頂点間の距離を決定することと、前記距離に基づいて、前記一組の検査コンターから前記外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項6】
前記一組の検査コンターから前記外れ値コンターをフィルタリングすることは、距離閾値に対する前記決定された距離の比較に基づき、前記距離閾値に違反する距離を有する決定されたコンターが、外れ値コンターであると決定され、前記一組の検査コンターからフィルタリングされる、請求項５に記載の方法。
【請求項7】
前記距離閾値は、頂点間の平均距離よりも所与の数倍若しくはパーセンテージ大きい若しくは小さい距離、又は
コンターエッジラフネスパラメータに対応する距離
を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項8】
前記決定されたコンターの重心を決定することと、重心と所与のコンターの１つ又は複数の頂点との間の関係に基づいて、前記一組の検査コンターから前記外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項9】
前記関係に基づいた前記フィルタリングは、前記所与のコンターが、重心距離閾値に違反する前記重心からの距離を有する１つ又は複数の頂点を有することに応答して、前記一組の検査コンターから前記所与のコンターをフィルタリングすることを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項10】
前記重心距離閾値は、頂点と前記重心との間の平均距離よりも所与の数倍又はパーセンテージ大きい又は小さい距離を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項11】
前記決定されたコンターの重心を決定することと、前記重心に基づいて、前記決定されたコンターに対して円又は楕円をあてはめることと、あてはめられた円又は楕円と所与のコンターの頂点との間の関係に基づいて、前記一組の検査コンターから前記外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項12】
前記関係に基づいた前記フィルタリングは、前記所与のコンターが、あてはめ距離閾値に違反する、前記あてはめられた円又は楕円からの距離を有する１つ又は複数の頂点を有することに応答して、前記一組の検査コンターから前記所与のコンターをフィルタリングすることを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項13】
前記基板パターン検査画像は、荷電粒子検査システムを用いて生成され、前記荷電粒子検査システムは走査電子顕微鏡を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項14】
前記フィルタリング後の前記一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、前記フィーチャの製造変動を決定することをさらに含み、前記製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、前記個々のパターニングプロセス変数に関連する前記費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項15】
前記一組の検査コンターを形成するために、前記基板パターン検査画像内のコンターを決定することは、パターンに関連するユニットセル又はレチクルにわたって繰り返しコンターを検出することを含み、前記一組の検査コンターから前記外れ値コンターをフィルタリングすることは、外れ値ユニットセル又は外れ値レチクルに関連する各コンター又はコンターの一部をフィルタリングすることを含む、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、２０２１年６月１８日に出願された米国特許出願第６３／２１２，２４９号、及び２０２１年１２月１６日に出願された米国特許出願第６３／２９０，１９６号の優先権を主張するものであり、これらの出願は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
[0001] 本出願は、２０２１年６月１８日に出願された米国特許出願第６３／２１２，２４９号、及び２０２１年１２月１６日に出願された米国特許出願第６３／２９０，１９６号の優先権を主張するものであり、これらの出願は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【0002】
[0002] 本開示は、一般に、半導体製造プロセスに関連する検査データのフィルタリングに関する。
【背景技術】
【0003】
[0003] 集積回路（ＩＣ）の製造プロセスでは、未完成又は完成した回路コンポーネントは、設計通りに製造され、欠陥がないことを確実にするために検査される。光学顕微鏡又は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）などの荷電粒子（例えば電子）ビーム顕微鏡を利用した検査システムを採用することができる。ＩＣコンポーネントの物理的なサイズが縮小し続け、その構造が複雑化し続けるにつれて、欠陥検出及び検査における精度及びスループットがより重要になる。全体的な画像品質は、特に二次電子及び後方散乱電子の高い信号検出効率の組み合わせに依存する。後方散乱電子は、サンプルのより深い層から脱出するための放出エネルギーがより高く、そのため、３Ｄ ＮＡＮＤデバイスの埋込層、ノード、高アスペクト比のトレンチ又は穴などの複雑な構造の結像には、後方散乱電子の検出が望ましい場合がある。オーバーレイ計測などの用途では、二次電子からの表面情報及び後方散乱電子からの埋込層情報を高品質な結像及び効率的な収集で同時に取得することが望ましい場合があり、ＳＥＭにおける複数の電子検出器を使用する必要性が強調される。二次電子及び後方散乱電子の収集及び検出効率を個々に最大化するために、様々な構造的配置の複数の電子検出器が使用され得るが、複合的な検出効率は低いままであり、そのため、達成される画像品質は、２次元及び３次元構造の高精度且つ高スループットの欠陥検査及び計測には不十分な場合がある。
【発明の概要】
【0004】
[0004] 製造プロセスの変動を監視するために、基板パターンのＳＥＭ画像に基づいて同一のパターンフィーチャのコンターを決定することができる。コンターを集約し（例えば、スタックし）、統計的に分析することによって、所与のフィーチャの変動を決定することができる。コンターの一部は、通常外れ値であり、コンターの集約は、これらの外れ値を「隠し」、このことは、特に、クリティカルディメンジョン、エッジ配置誤差、又はオーバーレイエラーなどの特定の製造プロセス特性の測定／キャラクタライゼーションの精度の低下をもたらし得る。本開示では、特定の外れ値コンターを、集約して統計的に分析する前にフィルタリングすることが説明される。フィルタリングは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイントに基づく、又は一組の検査コンター内のコンターの全体的な幾何学的形状に基づくなど、複数のレベルで行うことができる。これにより、これらの製造プロセス特性の測定／キャラクタライゼーションの精度が向上し、その結果、デバイスの歩留まりを向上させるために製造プロセスに対してより最適な調節を行うことが可能になるか、又は他の利点を有する可能性がある。
【0005】
[0005] ある実施形態によれば、パターニングプロセスを向上させるための方法が提供される。本方法は、基板パターン検査画像を受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像内のコンターを決定することと、を含む。コンターを決定することが、基板パターン検査画像内のフィーチャのエッジを検出することを含む。本方法は、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることをさらに含む。
【0006】
[0006] 実施形態によっては、決定されたコンターは、頂点を含み、フィーチャのエッジを検出することは、決定されたコンターの頂点を識別することを含み、外れ値コンターのフィルタリングは、頂点に基づく。
【0007】
[0007] 実施形態によっては、本方法は、決定されたコンターの頂点において形成された角度を決定することと、角度に基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む。
【0008】
[0008] 実施形態によっては、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることが、角度閾値に対する決定された角度の比較に基づき、角度閾値より小さい頂点の角度を有する決定されたコンターが、外れ値コンターであると決定され、一組の検査コンターからフィルタリングされる。実施形態によっては、閾値角度は、１２０度、９０度、６０度、又は４５度である。
【0009】
[0009] 実施形態によっては、本方法は、決定されたコンターの隣接する頂点間の距離を決定することと、距離に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む。
【0010】
[0010] 実施形態によっては、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることが、距離閾値に対する決定された距離の比較に基づき、距離閾値に違反する距離を有する決定されたコンターが、外れ値コンターであると決定され、一組の検査コンターからフィルタリングされる。
【0011】
[0011] 実施形態によっては、距離閾値は、頂点間の平均距離よりも所与の数倍若しくはパーセンテージ大きい若しくは小さい距離、又はコンターエッジラフネスパラメータに対応する距離を含む。
【0012】
[0012] 実施形態によっては、本方法は、決定されたコンターの重心を決定することと、重心と所与のコンターの１つ又は複数の頂点との間の関係に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む。
【0013】
[0013] 実施形態によっては、関係に基づいてフィルタリングすることが、所与のコンターが、重心距離閾値に違反する重心からの距離を有する１つ又は複数の頂点を有することに応答して、一組の検査コンターから所与のコンターをフィルタリングすることを含む。
【0014】
[0014] 実施形態によっては、重心距離閾値は、頂点と重心との間の平均距離よりも所与の数倍又はパーセンテージ大きい又は小さい距離を含む。
【0015】
[0015] 実施形態によっては、本方法は、決定されたコンターの重心を決定することと、重心に基づいて、決定されたコンターに対して、期待されるコンター形状をあてはめることと、あてはめられた期待されるコンターと所与のコンターの頂点との間の関係に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む。
【0016】
[0016] 実施形態によっては、本方法は、決定されたコンターの重心を決定することと、重心に基づいて、決定されたコンターに対して円又は楕円をあてはめることと、あてはめられた円又は楕円と所与のコンターの頂点との間の関係に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む。
【0017】
[0017] 実施形態によっては、関係に基づいてフィルタリングすることが、所与のコンターが、あてはめ距離閾値に違反する、あてはめられた円又は楕円からの距離を有する１つ又は複数の頂点を有することに応答して、一組の検査コンターから所与のコンターをフィルタリングすることを含む。
【0018】
[0018] 実施形態によっては、あてはめ距離閾値が、頂点とあてはめられた円又は楕円との間の平均距離よりも所与の数倍又はパーセンテージ大きい又は小さい距離を含む。
【0019】
[0019] 実施形態によっては、コンターは、多角形を含む。
【0020】
[0020] 実施形態によっては、基板パターン検査画像は、光学検査システム又は荷電粒子検査システムを用いて生成される。実施形態によっては、基板パターン検査画像は、荷電粒子検査システムを用いて生成され、荷電粒子検査システムは、走査電子顕微鏡を含む。
【0021】
[0021] 実施形態によっては、本方法は、フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、フィーチャの製造変動を決定することをさらに含む。実施形態によっては、製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される。
【0022】
[0022] 実施形態によっては、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像内のコンターを決定することは、パターンに関連するユニットセル又はレチクルにわたって繰り返しコンターを検出することを含み、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、外れ値ユニットセル又は外れ値レチクルに関連する各コンター又はコンターの一部をフィルタリングすることを含む。
【0023】
[0023] 別の実施形態によれば、基板パターン検査画像の一組の検査コンターから外れ値コンターを電子的にフィルタリングするための方法が提供される。本方法は、基板パターン検査画像を受信することを含む。本方法は、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することを含む。コンターを決定することは、基板パターン検査画像内の繰り返しフィーチャのエッジを検出することを含む。本方法は、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングし、フィルタリング後に、一組の検査コンター内に残りのコンターを残すことを含む。
【0024】
[0024] 実施形態によっては、本方法は、フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、繰り返しフィーチャの製造変動を決定することを含む。製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成される。個々のパターニングプロセス変数に関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される。
【0025】
[0025] 実施形態によっては、繰り返しフィーチャの製造変動を決定することは、一組の検査コンター内の残りのコンターをスタックすることと、スタックされた残りのコンターを統計的に分析することと、を含む。
【0026】
[0026] 実施形態によっては、フィルタリングは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて実行される。一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイントに基づくフィルタリングは、基板パターン検査画像における所与のコンターに沿ったピクセル位置の画像コントラスト又はノイズレベルを決定することを含む。一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づくフィルタリングは、所与のコンターの幾何学的形状の平滑度を決定することを含む。
【0027】
[0027] 実施形態によっては、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することは、パターンに関連するユニットセル又はレチクルにわたって繰り返しコンターを検出することを含む。一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、外れ値ユニットセル又は外れ値レチクルに関連する各コンターをフィルタリングすることを含む。
【0028】
[0028] 実施形態によっては、本方法は、一組の検査コンター内の各コンターのスコアを決定することと、スコアに基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、を含む。実施形態によっては、スコアは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて、基板パターン検査画像を参照して決定される。実施形態によっては、スコアは、コンター上の複数のポイントの各々に関する個々のスコアを含み、フィルタリングすることは、個々のスコアに基づく。実施形態によっては、スコアは、コンターの幾何学的形状に関連する総合スコアを含み、フィルタリングすることは、総合スコアに基づく。
【0029】
[0029] 実施形態によっては、基板パターン検査画像は、光学検査システム又は荷電粒子検査システムを用いて生成される。実施形態によっては、基板パターン検査画像は、荷電粒子検査システムを用いて生成され、荷電粒子検査システムは、走査電子顕微鏡を含む。
【0030】
[0030] 別の実施形態によれば、基板パターン検査画像の一組の検査コンターから外れ値コンターを電子的にフィルタリングするための方法が提供される。本方法は、基板パターン検査画像を受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することと、を含む。コンターを決定することは、基板パターン検査画像内の繰り返しフィーチャのエッジを検出することを含む。本方法は、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることを含む。フィルタリングすることは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて行われる。本方法は、フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、繰り返しフィーチャの製造変動を決定することを含む。
【0031】
[0031] 実施形態によっては、製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成される。個々のパターニングプロセス変数に関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される。
【0032】
[0032] 実施形態によっては、繰り返しフィーチャの製造変動を決定することは、一組の検査コンター内の残りのコンターをスタックすることと、スタックされた残りのコンターを統計的に分析することと、を含む。
【0033】
[0033] 実施形態によっては、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイントに基づいてフィルタリングすることは、基板パターン検査画像における所与のコンターに沿ったピクセル位置の画像コントラスト又はノイズレベルを決定することを含む。実施形態によっては、一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいてフィルタリングすることは、所与のコンターの幾何学的形状の平滑度を決定することを含む。
【0034】
[0034] 実施形態によっては、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することは、パターンに関連するユニットセル又はレチクルにわたって繰り返しコンターを検出することを含む。一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、外れ値ユニットセル又は外れ値レチクルに関連する各コンターをフィルタリングすることを含む。
【0035】
[0035] 実施形態によっては、本方法は、一組の検査コンター内の各コンターのスコアを決定することと、スコアに基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、を含む。スコアは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて、基板パターン検査画像を参照して決定される。実施形態によっては、スコアは、信頼度レベル又は確実性を示す。
【0036】
[0036] 実施形態によっては、スコアは、コンター上の複数のポイントの各々に関する個々のスコアを含み、フィルタリングすることは、個々のスコアに基づく。実施形態によっては、スコアは、コンターの幾何学的形状に関連する総合スコアを含み、フィルタリングすることは、総合スコアに基づく。
【0037】
[0037] 実施形態によっては、基板パターン検査画像は、光学検査システムを用いて生成される。実施形態によっては、基板パターン検査画像は、荷電粒子検査システムを用いて生成される。実施形態によっては、荷電粒子検査システムは、走査電子顕微鏡を含む。
【0038】
[0038] 別の実施形態によれば、命令を有する非一時的なコンピュータ可読媒体であって、命令が、コンピュータによって実行されると、上記の方法ステップのうちの１つ又は複数をコンピュータに実行させる、非一時的なコンピュータ可読媒体が提供される。
【0039】
[0039] 別の実施形態によれば、基板パターン検査画像の一組の検査コンターから外れ値コンターを電子的にフィルタリングするためのシステムが提供される。本システムは、上記の方法ステップのうちの１つ又は複数を実行するように機械可読命令によって構成された１つ又は複数のハードウェアプロセッサを含む。
【0040】
[0040] 別の実施形態によれば、命令を有する非一時的なコンピュータ可読媒体であって、命令が、コンピュータによって実行されると、コンピュータに、基板パターン検査画像の一組の検査コンターから外れ値コンターを電子的にフィルタリングさせる、非一時的なコンピュータ可読媒体が提供される。フィルタリングは、以前のパターニングプロセスと比較して、パターニングプロセスの製造変動の決定及びパターニングプロセスの最適化を向上させるように構成される。命令は、基板パターン検査画像を受信することであって、基板パターン検査画像が、荷電粒子検査システムを用いて生成される、受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することであって、コンターを決定することが、基板パターン検査画像内の繰り返しフィーチャのエッジを検出することを含む、決定することと、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることであって、フィルタリングすることが、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて行われる、フィルタリングすることと、フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、繰り返しフィーチャの製造変動を決定することと、を含む動作を生じさせる。製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成される。個々のパターニングプロセス変数に関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される。
【0041】
[0041] 実施形態によっては、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイントに基づいてフィルタリングすることは、基板パターン検査画像における所与のコンターに沿ったピクセル位置の画像コントラスト又はノイズレベルを決定することを含む、基板パターン検査画像の特徴を決定することを含み、一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいてフィルタリングすることは、所与のコンターの幾何学的形状の平滑度を決定することを含む。
【0042】
[0042] 実施形態によっては、動作は、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて、一組の検査コンター内の各コンターのスコアを決定することと、スコアに基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む。
【0043】
[0043] 実施形態によっては、繰り返しフィーチャの製造変動を決定することは、一組の検査コンター内の残りのコンターをスタックすることと、スタックされた残りのコンターを統計的に分析することと、を含む。
【0044】
[0044] 実施形態によっては、荷電粒子検査システムは、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を含む。
【0045】
[0045] 別の実施形態によれば、命令を有する非一時的なコンピュータ可読媒体であって、命令が、コンピュータによって実行されると、コンピュータに、基板パターン検査画像の一組の検査コンターから外れ値コンターを電子的にフィルタリングさせる、非一時的なコンピュータ可読媒体が提供される。フィルタリングは、以前のパターニングプロセスと比較して、パターニングプロセスの製造変動の決定及びパターニングプロセスの最適化を向上させるように構成される。命令は、基板パターン検査画像を受信することであって、基板パターン検査画像が、荷電粒子検査システムを用いて生成される、受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像内のコンターを決定することであって、コンターを決定することが、基板パターン検査画像内のフィーチャのエッジを検出することを含み、エッジがコンターの頂点を含む、決定することと、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることであって、フィルタリングが頂点に基づいて行われる、フィルタリングすることと、フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、フィーチャの製造変動を決定することであって、製造変動が、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用が、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される、決定することと、を含む動作を生じさせる。
【0046】
[0046] 実施形態によっては、動作は、決定されたコンターの頂点において形成された角度を決定することと、角度に基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む。
【0047】
[0047] 実施形態によっては、動作は、決定されたコンターの隣接する頂点間の距離を決定することと、距離に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む。
【0048】
[0048] 実施形態によっては、動作は、決定されたコンターの重心を決定することと、重心に基づいて、決定されたコンターに対して円、楕円、又は他の期待されるコンター形状をあてはめることと、あてはめられた円、楕円、又は他の期待されるコンター形状と所与のコンターの頂点との間の関係に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む。
【0049】
[0049] 実施形態によっては、荷電粒子検査システムは、走査電子顕微鏡を含む。
【0050】
[0050] 本開示の実施形態の他の利点は、説明目的で、及び例として特定の例示的な実施形態を記載する、添付の図面と併せて理解される以下の発明の詳細な説明から明らかとなるであろう。
【0051】
[0051] 本明細書に組み込まれ、本明細書の一部を構成する添付の図面は、１つ又は複数の実施形態を示し、発明の詳細な説明と共にこれらの実施形態を説明する。実施形態は、対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照して、単なる例として説明される。
【図面の簡単な説明】
【0052】
【図1】[0052]ある実施形態によるリソグラフィ投影装置の概略図である。
【図2】[0053]ある実施形態によるリソグラフィックセルの概略図を示す。
【図3】[0054]ある実施形態による、半導体製造を最適化するための３つの技術間の連携を表す、ホリスティックリソグラフィの概略図を示す。
【図4】[0055]ある実施形態による、荷電粒子（例えば電子ビーム）検査装置の一実施形態を概略的に示す。
【図5】[0056]ある実施形態による、検査装置の別の実施形態を概略的に示す。
【図6】[0057]ある実施形態による、基板パターン検査画像の一組の検査コンターから外れ値コンターを電子的にフィルタリングするための方法を示す。
【図7】[0058]ある実施形態による、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイントに基づくフィルタリングを示す。
【図8】[0059]ある実施形態による、一組の検査コンターにおけるコンターの幾何学的形状に基づくフィルタリングを示す。
【図9】[0060]ある実施形態による、コンターの頂点間の角度に基づくフィルタリング、コンターの頂点間の距離に基づくフィルタリング、コンターの重心とコンター上の１つ又は複数の頂点との間の距離に基づくフィルタリング、及びコンターに対する期待されるコンター形状のあてはめに基づくフィルタリングの概要図を示す。
【図10】[0061]ある実施形態による、決定されたコンターの頂点で形成される角度を決定することと、角度に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることとを示す。
【図11】[0062]ある実施形態による、決定されたコンターの隣接する頂点間の距離を決定することと、距離に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることとを示す。
【図12】[0063]ある実施形態による、決定されたコンターの重心を決定することと、重心と所与のコンターの１つ若しくは複数の頂点との間の関係、又は重心に基づいて所与のコンターにあてはめられた期待されるコンター形状に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、を示す。
【図13】[0064]ある実施形態による、基板パターンからの幾つかのフィルタリングされたコンターの一例を示す。
【図14】[0065]ある実施形態による、一般的なプロセス（直接的なスタッキング、フィルタリングなし）と、フィルタリング後のスタッキング及び分析との違いを示す。
【図15】[0066]ある実施形態による、例示的なコンピュータシステムのブロック図である。
【図16】[0067]ある実施形態による、別のリソグラフィ投影装置の概略図である。
【図18】[0069]ある実施形態による、リソグラフィ投影装置のソースコレクタモジュールの詳細図である。
【発明を実施するための形態】
【0053】
[0070] 電子デバイスは、基板又はウェーハと呼ばれるシリコン片上に形成された回路で構築されている。多くの回路は、同じシリコン片上にフィーチャの繰り返しパターンとして一緒に形成される場合があり、集積回路又はＩＣと呼ばれる。これらの回路のサイズは劇的に小さくなっており、従って、基板上により多くの回路を収めることができる。例えば、スマートフォンのＩＣチップは親指の爪ほどの大きさでありながら、２０億個を超えるトランジスタを含む場合があり、各トランジスタのサイズは、人間の髪の毛のサイズの１０００分の１未満である。
【0054】
[0071] これらの極めて小さなＩＣの製造は、複雑で、時間及びコストのかかるプロセスであり、多くの場合、何百もの個々のステップを伴う。たとえ１つのステップにおける誤差であっても、完成したＩＣに欠陥が生じ、それによって完成したＩＣが使い物にならなくなる可能性がある。従って、製造プロセスの目標の１つは、そのような欠陥を回避して、プロセスで製造される、機能するＩＣの数を最大化すること、つまりプロセスの全体的な歩留まりを向上させることである。
【0055】
[0072] 歩留まりを向上させる１つの要素は、チップ製造プロセスを監視し、十分な数の機能する集積回路が製造されていることを確実にすることである。プロセスを監視する方法の１つは、チップ回路構造をその形成の様々な段階で検査することである。検査は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて行うことができる。ＳＥＭは、これらの非常に小さな構造を結像するため、事実上、構造の「写真」を撮るために使用することができる。この画像を使用して、構造が適切に形成されたかどうか、及びそれが適切な位置に形成されたかどうかを決定することができる。もし構造に欠陥があれば、その欠陥が再び起こりにくいようにプロセスを調節することができる。
【0056】
[0073] 製造プロセスの変動を監視するために、基板パターンのＳＥＭ画像に基づいて同一のパターンフィーチャのコンターを決定することができる。コンターを集約し（例えば、スタックし）、統計的に分析することによって、所与のフィーチャの変動を決定することができる。コンターの一部は、通常外れ値であり、コンターの集約は、これらの外れ値を「隠し」、このことは、特に、クリティカルディメンジョン、エッジ配置誤差、又はオーバーレイエラーなどの特定の製造プロセス特性の測定／キャラクタライゼーションの精度の低下をもたらし得る。本開示では、特定の外れ値コンターを、集約して統計的に分析する前にフィルタリングすることが説明される。フィルタリングは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイントに基づく、一組の検査コンター内のコンターの全体的な幾何学的形状に基づく、コンターの頂点間の角度に基づく、コンターの頂点間の距離に基づく、コンターの重心とコンター上の１つ又は複数の頂点との間の距離に基づく、コンターに対する期待されるコンター形状のあてはめに基づく、又は他の情報に基づくなど、複数のレベルで行うことができる。これにより、これらの製造プロセス特性の測定／キャラクタライゼーションの精度が向上し、その結果、デバイスの歩留まりを向上させるために製造プロセスに対してより最適な調節を行うことが可能になるか、又は他の利点を有する可能性がある。
【0057】
[0074] 当業者が本開示を実施できるように、本開示の理解を助ける実例として提供される本開示の実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。特に、以下の図及び例は、本開示の範囲を単一の実施形態に限定することを意図するものではなく、記載又は図示された要素の一部又は全部を置き換えることによって他の実施形態が可能である。また、本開示の特定の要素が既知の構成要素を用いて部分的又は完全に実装され得る場合、そのような既知の構成要素のうち、本開示の理解に必要な部分のみを説明し、そのような既知の構成要素の他の部分の詳細な説明は、本開示を不明瞭にしないように省略する。ソフトウェアで実装されるとして記載する実施形態は、これに限定されるものではなく、本明細書において別段の指定がない限り、当業者には明らかであるように、ハードウェア又はソフトウェア及びハードウェアの組み合わせで実装される実施形態、並びにその逆で実装される実施形態を含み得る。本明細書において、単一の構成要素を示す実施形態は、限定的であるとみなされるものではなく、より正確に言えば、本開示は、本明細書において明示的に別段の記載がない限り、複数の同じ構成要素を含む他の実施形態、及びその逆を包含することを意図している。また、出願人は、本明細書又は特許請求の範囲におけるいかなる用語も、一般的でない又は特別な意味を付与されることを、そのように明示的に規定されない限り意図していない。さらに、本開示は、例示のために本明細書で言及される既知の構成要素に対する現在及び未来の既知の均等物を包含する。
【0058】
[0075] 本明細書では、ＩＣの製造について具体的に言及している場合があるが、本明細書の記載には他の多くの可能な用途があることを明確に理解されたい。例えば、それは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンス及び検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）パネル、薄膜磁気ヘッドなどの製造に用いることができる。当業者であれば、そのような代替の用途という文脈において、本明細書での「レチクル」、「ウェーハ」、又は「ダイ」という用語の使用は、それぞれ、「マスク」、「基板」、及び「ターゲット部分」というより一般的な用語と交換可能であるとみなされるべきものであることを理解するであろう。
【0059】
[0076] 本明細書では、「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７、又は１２６ｎｍの波長を有する）及びＥＵＶ（極端紫外線、例えば、約５～１００ｎｍの範囲内の波長を有する）を含む、あらゆるタイプの電磁放射を包含するように使用される。
【0060】
[0077] 本明細書で使用する「投影光学系」という用語は、例えば、屈折光学系、反射光学系、アパーチャ、及び反射屈折光学系を含む、様々なタイプの光学システムを網羅すると広く解釈されるものとする。「投影光学系」という用語は、まとめて、又は単独で、放射の投影ビームの誘導、整形、又は制御を行うためにこれらのデザインタイプのいずれかに従って動作するコンポーネントも含み得る。「投影光学系」という用語は、光学コンポーネントがリソグラフィ投影装置の光路上のどこに位置するかにかかわらず、リソグラフィ投影装置内のいずれの光学コンポーネントも含み得る。投影光学系は、ソースからの放射がパターニングデバイスを通過する前に、放射を整形、調節、又は投影するための光学コンポーネント、又は放射がパターニングデバイス（例えば、半導体）を通過した後に、放射を整形、調節、又は投影するための光学コンポーネントを含み得る。投影光学系は、一般に、ソース及びパターニングデバイスを除く。
【0061】
[0078] （例えば、半導体）パターニングデバイスは、１つ又は複数のデザインレイアウトを含むか、又は形成し得る。デザインレイアウトは、ＣＡＤ（computer-aided design）プログラムを利用して生成することができ、このプロセスは、しばしば、ＥＤＡ（electronic design automation）と呼ばれる。ほとんどのＣＡＤプログラムは、機能的デザインレイアウト／パターニングデバイスを作製するために、一組の所定のデザインルールに従う。これらのルールは、処理及びデザイン上の制約によって設定される。例えば、デザインルールは、デバイス又は線が望ましくない態様で互いに相互作用しないことを確実にするように、デバイス間（ゲート、コンデンサ等）又は相互接続線間のスペース許容値を定義する。デザインルールには、特定のパラメータ、パラメータの範囲に関する制限、又は他の情報が含まれるか、又は指定される場合がある。デザインルール制約又はパラメータのうちの１つ又は複数は、「クリティカルディメンジョン」（ＣＤ）と呼ばれることがある。デバイスのクリティカルディメンジョンは、線若しくは穴の最小の幅、又は２本の線若しくは２つの穴、又は他の特徴の間の最小のスペースとして定義されることがある。従って、ＣＤは、デザインされたデバイスの全体的なサイズ及び密度を決定する。デバイス製造の目標の１つは、（パターニングデバイスを介して）基板上に元のデザイン意図を忠実に再現することである。
【0062】
[0079] 本明細書で用いられる「マスク」又は「パターニングデバイス」という用語は、入ってくる放射ビームに、基板のターゲット部分に生成されるパターンに対応したパターン付き断面を付与するために使用することができる一般的な半導体パターニングデバイスを指すものと広く解釈することができ、「ライトバルブ」という用語も、この文脈で使用されることがある。従来のマスク（透過型又は反射型、バイナリ、位相シフト、ハイブリッドなど）に加えて、他のこのようなパターニングデバイスの例としては、プログラマブルミラーアレイとプログラマブルＬＣＤアレイが挙げられる。
【0063】
[0080] プログラマブルミラーアレイの一例は、粘弾性制御層及び反射面を有するマトリックスアドレス可能面であり得る。このような装置の背後にある基本原理は、（例えば）反射面のアドレスエリアが、入射放射を回折放射として反射し、一方、非アドレスエリアが、入射放射を非回折放射として反射する、ということである。適切なフィルタを使用して、前述の非回折放射を反射ビームから除去し、回折放射のみを後に残すことができ、このようにして、ビームが、マトリックスアドレス可能面のアドレッシングパターンに従ってパターン付与される。必要とされるマトリックスアドレッシングは、適切な電子手段を使用して実施することができる。プログラマブルＬＣＤアレイの一例が、本明細書に参照により組み込まれる米国特許第５，２２９，８７２号によって与えられる。
【0064】
[0081] 本明細書において、「パターニングプロセス」という用語は、一般に、リソグラフィプロセスの一部として指定された光のパターンの付与によってエッチングされた基板を作製するプロセスを意味する。しかしながら、本明細書に記載されるフィーチャの多くが、エッチング（例えば、プラズマ）処理を用いてプリントパターンを形成することに利点を提供し得るため、「パターニングプロセス」は、（例えば、プラズマ）エッチングも含み得る。
【0065】
[0082] 本明細書において、「パターン」という用語は、基板（例えば、ウェーハ）上にエッチングされる理想化されたパターンを意味する。
【0066】
[0083] 本明細書において、「プリントパターン」とは、ターゲットパターンに基づいてエッチングされた基板上の物理的パターンを意味する。プリントパターンは、例えば、谷、チャネル、凹部、エッジ、又はリソグラフィプロセスによって生じる他の２次元及び３次元のフィーチャを含み得る。
【0067】
[0084] 本明細書において、「予測モデル」、「プロセスモデル」、「電子モデル」、又は「シミュレーションモデル」（これらは互換的に使用され得る）という用語は、パターニングプロセスをシミュレートする１つ又は複数のモデルを含むモデルを意味する。例えば、モデルは、（例えば、リソグラフィプロセスにおいて光を供給するために使用されるレンズシステム／投影システムをモデル化し、フォトレジスト上に向かう光の最終的な光学像をモデル化することを含み得る）光学モデル、（例えば、光による化学的効果などの、レジストの物理的効果をモデル化する）レジストモデル、（例えば、ターゲットパターンの作成に使用することができ、サブレゾリューションアシストフィーチャ（ＳＲＡＦ）などを含み得る）光近接効果補正（ＯＰＣ）モデル、（例えば、プリントされたウェーハパターンに対するエッチングプロセスの物理的効果をシミュレートする）エッチング（若しくはエッチングバイアス）モデル、又は他のモデルを含み得る。
【0068】
[0085] 本明細書において、「較正」という用語は、モデルなどの何かを修正（例えば、改善若しくは調整）したり、又は検証したりすることを意味する。
【0069】
[0086] パターニングシステムは、上記のコンポーネントの何れか又は全てと、これらのコンポーネントに関連する動作の何れか又は全てを実行するように構成された他のコンポーネントとを含むシステムであってもよい。パターニングシステムは、例えば、リソグラフィ投影装置、スキャナ、レジストを塗布若しくは除去するように構成されたシステム、エッチングシステム、又は他のシステムを含み得る。
【0070】
[0087] 導入として、図１は、ある実施形態によるリソグラフィ投影装置の概略図である。リソグラフィ投影装置は、照明システムＩＬ、第１のオブジェクトテーブルＴ、第２のオブジェクトテーブルＷＴ、及び投影システムＰＳを含み得る。照明システムＩＬは、放射ビームＢを調節することができる。この例では、照明システムは、放射源ＳＯも含む。第１のオブジェクトテーブル（例えば、パターニングデバイステーブル）Ｔは、パターニングデバイスＭＡ（例えば、レチクル）を保持するためのパターニングデバイスホルダを備え、且つアイテムＰＳに対してパターニングデバイスを正確に位置決めするための第１のポジショナに接続され得る。第２のオブジェクトテーブル（例えば、基板テーブル）ＷＴは、基板Ｗ（例えば、レジストコートシリコンウェーハ）を保持するための基板ホルダを備え、且つアイテムＰＳに対して基板を正確に位置決めするための第２のポジショナに接続され得る。（例えば、レンズを含む）投影システムＰＳ（例えば、屈折型、反射型、又は反射屈折型光学システム）は、パターニングデバイスＭＡの照射部分を基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ又は複数のダイを含む）上に結像することができる。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、例えば、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。
【0071】
[0088] 描かれているように、本装置は、透過型（すなわち、透過型パターニングデバイスを有する）のものであってもよい。しかし一般に、それは、例えば反射型（反射型パターニングデバイスを有する）のものであってもよい。本装置は、従来のマスク用の異なる種類のパターニングデバイスを用いてもよく、例には、プログラマブルミラーアレイ又はＬＣＤマトリックスが含まれる。
【0072】
[0089] ソースＳＯ（例えば、水銀ランプ又はエキシマレーザ、ＬＰＰ（レーザ生成プラズマ）ＥＵＶソース）は、放射ビームを生成する。このビームは、例えば、照明システム（イルミネータ）ＩＬに対して、そのまま、又はビームエキスパンダなどの調節手段若しくはビームデリバリシステム（誘導ミラー、ビームエキスパンダなどを含む）を横断した後に、供給される。イルミネータＩＬは、ビームの強度分布の外側又は内側半径範囲（一般的に、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を設定するための調節手段ＡＤを含み得る。さらにそれは、一般に、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの様々な他のコンポーネントを含む。このようにして、パターニングデバイスＭＡに衝突するビームＢは、断面に所望の均一性及び強度分布を有する。
【0073】
[0090] 実施形態によっては、ソースＳＯは、リソグラフィ投影装置のハウジング内に位置してもよいが（大抵の場合、ソースＳＯが、例えば水銀ランプのとき）、それは、リソグラフィ投影装置から離れた位置にあってもよい。例えば、それが生成する放射ビームは、装置内に導き入れられてもよい（例えば、適宜の誘導ミラーを用いて）。この後者のシナリオは、ソースＳＯが例えばエキシマレーザ（例えば、ＫｒＦ、ＡｒＦ、又はＦ２レージングに基づく）であるケースであり得る。
【0074】
[0091] 続いて、ビームＢは、パターニングデバイステーブルＴ上に保持されるパターニングデバイスＭＡと交差し得る。ビームＢは、パターニングデバイスＭＡを横断した後、ビームＢの焦点を基板Ｗのターゲット部分Ｃに合わせるレンズＰＬを通過し得る。第２の位置決め手段（及び干渉測定手段ＩＦ）を用いて、例えば異なるターゲット部分ＣをビームＢのパス内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、例えば、パターニングデバイスライブラリからのパターニングデバイスＭＡの機械検索後に、又はスキャン中に、第１の位置決め手段を用いて、ビームＢのパスに対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、テーブルＴ、ＷＴの移動は、ロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現することができる。但しステッパの場合は（ステップアンドスキャンツールとは対照的に）、パターニングデバイステーブルＴは、ショートストロークアクチュエータに接続されてもよく、又は固定されてもよい。
【0075】
[0092] 描かれたツールは、ステップモード及びスキャンモードの２つの異なるモードで使用され得る。ステップモードでは、パターニングデバイステーブルＴは、基本的に静止したままであり、及びパターニングデバイス像全体が、一回の動作（すなわち、単一の「フラッシュ」）でターゲット部分Ｃ上に投影される。異なるターゲット部分ＣがビームＢによって照射され得るように、基板テーブルＷＴが、ｘ又はｙ方向にシフトされ得る。スキャンモードでは、所与のターゲット部分Ｃが、単一の「フラッシュ」で露光されないことを除き、基本的に同じシナリオがあてはまる。代わりに、パターニングデバイステーブルＴは、投影ビームＢがパターニングデバイス像上をスキャンさせられるように、速度ｖで、所与の方向（例えば、「スキャン方向」、すなわち「ｙ」方向）に移動可能である。並行して、基板テーブルＷＴが、速度Ｖ＝Ｍｖ（Ｍは、レンズの倍率である（一般的に、Ｍ＝１／４又は１／５））で、同じ又は反対方向に同時に移動される。このようにして、解像度を妥協する必要なしに、比較的大きなターゲット部分Ｃを露光させることができる。
【0076】
[0093] 図２は、リソグラフィックセルＬＣの概略図を示す。図２に示すように、リソグラフィ装置ＬＡは、リソセル又は（リソ）クラスタとも呼ばれることがあるリソグラフィックセルＬＣの一部を形成する場合があり、これは、基板Ｗ上で露光前及び露光後のプロセスを実行するための装置も含むことが多い。従来、これらには、レジスト層を堆積させるように構成されたスピンコータＳＣ、露光されたレジストを現像するためのデベロッパＤＥ、例えばレジスト層中の溶媒を調節するために、例えば基板Ｗの温度を調節するための冷却プレートＣＨ及びベークプレートＢＫが含まれる。基板ハンドラ又はロボットＲＯは、入出力ポートＩ／Ｏ１、Ｉ／Ｏ２から基板Ｗをピックアップし、それらを異なるプロセス装置間で移動させ、基板Ｗをリソグラフィ装置ＬＡのローディングベイＬＢに搬送する。リソセル内のデバイス（しばしばトラックとも総称される）は、通常、トラック制御ユニットＴＣＵの制御下にあり、トラック制御ユニットＴＣＵ自体は、例えばリソグラフィ制御ユニットＬＡＣＵを介して、リソグラフィ装置ＬＡも制御し得る監視制御システムＳＣＳによって制御され得る。
【0077】
[0094] リソグラフィ装置ＬＡによって露光される基板Ｗ（図１）が正確に且つ一貫して露光されるためには、基板を検査して、フィーチャのエッジの配置、後続層間のオーバーレイエラー、ラインの厚さ、クリティカルディメンジョン（ＣＤ）などのパターン付与された構造の特性を測定することが望ましい。この目的のために、検査ツール（図示せず）がリソセルＬＣに含まれてもよい。エラーが検出された場合、特に、検査が、同じバッチ又はロットの他の基板Ｗがまだ露光又は処理される前に行われる場合、例えば、後続の基板の露光又は基板Ｗ上で実行される他の処理ステップに対して調節が行われ得る。
【0078】
[0095] 基板Ｗ（図１）の特性、特に、異なる基板Ｗの特性がどのように変動するか、又は同じ基板Ｗの異なる層に関連する特性が層ごとにどのように変動するかを決定するために、計測装置とも呼ばれることがある検査装置が使用される。検査装置は、代替的に、基板Ｗ上の欠陥を識別するように構築されてもよく、例えば、リソセルＬＣの一部であってもよく、又はリソグラフィ装置ＬＡに統合されてもよく、又はスタンドアロンデバイスであってもよい。検査装置は、実際の基板（例えば、ウェーハパターンの荷電粒子－ＳＥＭ－画像）又は実際の基板の画像を用いて、潜像（露光後のレジスト層の像）上で、半潜像（露光後ベークステップＰＥＢ後のレジスト層の像）上で、現像されたレジスト像（レジストの露光部分若しくは未露光部分は除去されている）上で、エッチングされた像（エッチングなどのパターン転写ステップ後）上で、又は他の方法で、特性を測定することができる。
【0079】
[0096] 図３は、半導体製造を最適化するための３つの技術間の連携を表す、ホリスティックリソグラフィの概略図を示す。通常、リソグラフィ装置ＬＡにおけるパターニングプロセスは、基板Ｗ（図１）上の構造のディメンショニング（dimensioning）及び配置の高い精度を要求する処理において、最も重要なステップの１つである。この高精度を保証するために、図３に概略的に描かれているように、（この例においては）３つのシステムがいわゆる「ホリスティックな」制御環境で組み合わせられてもよい。これらのシステムのうちの１つは、リソグラフィ装置ＬＡであり、これは（仮想的に）計測装置（例えば、計測ツール）ＭＴ（第２のシステム）及びコンピュータシステムＣＬ（第３のシステム）に接続されている。「ホリスティックな」環境は、全体的なプロセスウィンドウを向上させるためにこれら３つのシステム間の連携を最適化し、リソグラフィ装置ＬＡによって実行されるパターニングがプロセスウィンドウ内に留まることを保証するための緊密な制御ループを提供するように構成されてもよい。プロセスウィンドウは、特定の製造プロセスが定義された結果（例えば、機能する半導体デバイス）をもたらすプロセスパラメータ（例えば、ドーズ、焦点、オーバーレイ）の範囲を定義し、通常、この範囲内で、リソグラフィプロセス又はパターニングプロセスのプロセスパラメータは、変動が許容される。
【0080】
[0097] コンピュータシステムＣＬは、パターン付与されるデザインレイアウト（の一部）を使用して、どの解像度向上技術を使用するべきかを予測し、コンピュータによるリソグラフィシミュレーション及び計算を実行して、どのマスクレイアウト及びリソグラフィ装置の設定が、パターニングプロセスの最大の全体的なプロセスウィンドウ（図３では、第１のスケールＳＣ１の二重矢印によって描写される）を達成するかを決定することができる。通常、解像度向上技術は、リソグラフィ装置ＬＡのパターニング可能性に合致するように配置される。コンピュータシステムＣＬは、リソグラフィ装置ＬＡがプロセスウィンドウ内のどこで現在動作しているかを（例えば、計測ツールＭＴからの入力を使用して）検出し、例えば準最適処理（図３では、第２のスケールＳＣ２において「０」を指す矢印によって描写される）に起因する欠陥が存在する可能性があるか否かを予測するために使用されることもある。
【0081】
[0098] 計測装置（ツール）ＭＴは、正確なシミュレーション及び予測を可能にするためにコンピュータシステムＣＬに入力を提供することができ、例えば、（図３では、第３のスケールＳＣ３の複数の矢印によって描写される）リソグラフィ装置ＬＡの較正ステータスにおいて可能性のあるドリフトを識別するためにリソグラフィ装置ＬＡにフィードバックを提供することができる。
【0082】
[0099] リソグラフィプロセスでは、例えばプロセス制御及び検証のために、作製された構造の測定を頻繁に行うことが望ましい。このような測定を行うためのツールには、計測ツール（装置）ＭＴが含まれる。走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）又は様々な形態のスキャトロメータ計測ツールＭＴを含む、このような測定を行うための異なるタイプの計測ツールＭＴが知られている。実施形態によっては、計測ツールＭＴは、ＳＥＭであるか、又はＳＥＭを含む。
【0083】
[00100] 実施形態によっては、計測ツールＭＴは、分光スキャトロメータ、エリプソスキャトロメータ、若しくは他の光ベースのツールであるか、又はそれらを含む。分光スキャトロメータは、放射源によって放出された放射が基板のターゲットフィーチャに誘導され、及びターゲットからの反射又は散乱放射がスペクトロメータ検出器に誘導されるように構成されてもよく、スペクトロメータ検出器は、鏡面反射放射のスペクトル（すなわち、波長の関数としての強度の測定値）を測定する。このデータから、例えば厳密結合波分析及び非線形回帰によって、又はシミュレーションされたスペクトルのライブラリとの比較によって、検出されたスペクトルを生じさせるターゲットの構造又はプロファイルを再構築することができる。エリプソスキャトロメータは、各偏光状態の散乱放射を測定することにより、リソグラフィプロセスのパラメータを決定することを可能にする。このような計測ツール（ＭＴ）は、例えば、計測装置の照明部において適切な偏光フィルタを使用することにより、偏光光（直線、円、又は楕円など）を放出する。計測装置に適したソースは、偏光放射も提供し得る。
【0084】
[00101] 上記の通り、製作されたデバイス（例えば、パターン付与された基板）は、製造中の様々な時点で検査され得る。図４は、荷電粒子（電子ビーム）検査装置５０の一般化された実施形態を概略的に示している。実施形態によっては、検査装置５０は、基板上に露光又は転写された構造（例えば、集積回路などのデバイスの構造の一部又は全部）の画像を生じさせる電子ビーム又は他の荷電粒子検査装置（例えば、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）と同じ又は類似のもの）であってもよい。電子源５４から放出された一次電子ビーム５２は、集光レンズ５６によって収束され、次いで、ビーム偏向器５８、Ｅ×Ｂ偏向器６０、及び対物レンズ６２を通過して、基板テーブルＳＴ上の基板７０を焦点で照射する。
【0085】
[00102] 基板７０に電子ビーム５２が照射されると、二次電子が基板７０から発生する。二次電子は、Ｅ×Ｂ偏向器６０によって偏向され、二次電子検出器７２によって検出される。２次元電子ビーム像は、例えば、ビーム偏向器５８による電子ビームの２次元スキャン、又はビーム偏向器５８による電子ビーム５２のＸ方向若しくはＹ方向への反復スキャン（基板テーブルＳＴによる基板７０のＸ方向若しくはＹ方向の他方への連続移動と共に）と同期して、サンプルから発生した電子を検出することにより、取得することができる。従って、実施形態によっては、電子ビーム検査装置は、電子ビーム検査装置によって電子ビームを提供することができる角度範囲（例えば、偏向器６０が電子ビーム５２を提供することができる角度範囲）によって定義される電子ビームの視野を有する。従って、視野の空間範囲は、電子ビームの角度範囲が表面に衝突することができる空間範囲である（ここで、表面は、静止していてもよく、又は視野に対して移動してもよい）。
【0086】
[00103] 図４に示すように、二次電子検出器７２によって検出された信号は、アナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換器７４によってデジタル信号に変換されてもよく、デジタル信号は、画像処理システム７６に送信されてもよい。実施形態によっては、画像処理システム７６は、処理ユニット８０による処理のためにデジタル画像の全部又は一部を記憶するためのメモリ７８を有していてもよい。処理ユニット８０（例えば、特別に設計されたハードウェア、又はハードウェア及びソフトウェアの組み合わせ、又はソフトウェアを含むコンピュータ可読媒体）は、デジタル画像を表すデータセットへとデジタル画像を変換又は処理するように構成される。実施形態によっては、処理ユニット８０は、本明細書に記載する動作（例えば、ＳＥＭ検査）の実行を引き起こすように構成又はプログラムされる。さらに、画像処理システム７６は、デジタル画像及び対応するデータセットを参照データベースに記憶するように構成された記憶媒体８２を有してもよい。オペレータがグラフィカルユーザインターフェースを用いて機器の必要な操作を行うことができるように、表示デバイス８４が画像処理システム７６と接続されてもよい。
【0087】
[00104] 図５は、荷電粒子検査装置の別の実施形態を概略的に示す。この装置は、サンプルステージ８９上のサンプル９０（パターン付与された基板など）を検査するために使用され、荷電粒子ビームジェネレータ８１、集光レンズモジュール９９、プローブ形成対物レンズモジュール８３、荷電粒子ビーム偏向モジュール８８、二次荷電粒子検出器モジュール８５、画像形成モジュール８６、又は他のコンポーネントを含む。荷電粒子ビームジェネレータ８１は、一次荷電粒子ビーム９１を生成する。集光レンズモジュール９９は、生成された一次荷電粒子ビーム９１を集光する。プローブ形成対物レンズモジュール８３は、集光された一次荷電粒子ビームの焦点を荷電粒子ビームプローブ９２に合わせる。荷電粒子ビーム偏向モジュール８８は、形成された荷電粒子ビームプローブ９２を、サンプルステージ８９上に固定されたサンプル９０上の関心エリアの表面にわたってスキャンする。実施形態によっては、荷電粒子ビームジェネレータ８１、集光レンズモジュール８３、及びプローブ形成対物レンズモジュール８３、又はそれらと同等の設計、代替物、又はそれらの任意の組み合わせは、走査荷電粒子ビームプローブ９２を生成する荷電粒子ビームプローブジェネレータを共に形成する。
【0088】
[00105] 二次荷電粒子検出器モジュール８５は、荷電粒子ビームプローブ９２によって衝撃を与えられた際にサンプル表面から放出された二次荷電粒子９３（場合によっては、サンプル表面からの他の反射又は散乱荷電粒子と共に）を検出し、二次荷電粒子検出信号９４を生成する。画像形成モジュール８６（例えば、コンピューティングデバイス）は、二次荷電粒子検出器モジュール８５から二次荷電粒子検出信号９４を受信し、それに応じて少なくとも１つのスキャン画像を形成するために、二次荷電粒子検出器モジュール８５と結合される。実施形態によっては、二次荷電粒子検出器モジュール８５及び画像形成モジュール８６、又はそれらと同等の設計、代替物、又はそれらの任意の組み合わせは、荷電粒子ビームプローブ９２によって衝撃を与えられたサンプル９０から放出された、検出された二次荷電粒子からスキャン画像を形成する画像形成装置を共に形成する。
【0089】
[00106] 実施形態によっては、監視モジュール８７は、画像形成モジュール８６から受信したサンプル９０のスキャン画像を用いて、パターニングプロセスの監視、制御などを行うため、又はパターニングプロセスのデザイン、制御、監視などのためのパラメータを導出するために、画像形成装置の画像形成モジュール８６に結合される。実施形態によっては、監視モジュール８７は、本明細書に記載される動作の実行を引き起こすように構成又はプログラムされる。実施形態によっては、監視モジュール８７は、コンピューティングデバイスを含む。実施形態によっては、監視モジュール８７は、本明細書に記載される機能を提供するように構成されたコンピュータプログラムを含む。実施形態によっては、図３のシステムにおける電子ビームのプローブスポットサイズは、検査速度を速くすることができるほどプローブスポットが十分に大きいように、例えばＣＤと比較して著しく大きい。しかしながら、プローブスポットが大きいため、解像度が低下し得る。
【0090】
[00107] 上記の通り、例えば、パターニングプロセスのデザイン、制御、監視などを行うために使用することができる結果を生じさせるための１つ又は複数のツールを使用することが望ましい場合がある。パターニングデバイスのためのパターンデザイン（例えば、サブレゾリューションアシストフィーチャ又は光近接効果補正の追加を含む）、パターニングデバイスのための照明などのパターニングプロセスの１つ又は複数の態様のコンピュータによる制御、デザインなどを行う際に使用される１つ又は複数のツールが提供され得る。従って、パターニングを伴う製造プロセスのコンピュータによる制御、デザインなどを行うシステムにおいて、製造システムのコンポーネント又はプロセスは、様々な機能モジュール又はモデルによって記述することができる。実施形態によっては、パターニングプロセスの１つ又は複数のステップ又は装置を記述する１つ又は複数の電子（例えば、数学的、パラメータ化など）モデルが提供され得る。実施形態によっては、パターニングプロセスのシミュレーションは、パターニングデバイスによって提供されるデザインパターンを使用してパターニングプロセスがパターン付与された基板をどのように形成するかをシミュレートするために、１つ又は複数の電子モデルを使用して実行することができる。
【0091】
[00108] 例えば図４又は図５のシステムからの画像は、画像内の半導体デバイス構造を表す、オブジェクトのエッジを記述する寸法、形状、コンター、又は他の情報を抽出するために処理され得る。形状、コンター、又は他の情報は、ユーザ定義のカットライン又は他の位置において、エッジ配置誤差（ＥＰＥ）、ＣＤなどのメトリクスによって定量化されてもよい。これらの形状、コンター、又は他の情報は、例えばパターニングプロセスを最適化するために使用され得る。
【0092】
[00109] 実施形態によっては、パターニングプロセスの最適化は、費用関数として表すことができる。最適化プロセスは、費用関数を最小化するパターニングプロセスの一組のパラメータ（デザイン変数、プロセス変数など）を見つけることを含み得る。費用関数は、最適化の目的に応じて任意の適切な形式を有し得る。例えば、費用関数は、システムの特定の特徴（評価点）の、これらの特徴の意図される値（例えば、理想値）に対する偏差の加重二乗平均平方根（ＲＭＳ）であり得る。費用関数はまた、これらの偏差の最大値（すなわち、最悪の偏差）であり得る。「評価点」という用語は、システム又は製作方法のあらゆる特徴を含むように広く解釈されるものとする。パターニングプロセスのデザイン変数又はプロセス変数は、有限の範囲に限定されてもよく、又はシステム若しくは方法の実装形態の実用性のために相互依存であってもよい。リソグラフィ投影装置の場合、制約は、調整可能な範囲又はパターニングデバイスの製造可能性デザインルールなどのハードウェアの物理的特性及び特徴に関連することが多い。評価点は、例えば、１つ又は複数のエッチングパラメータ、ドーズ、及び焦点などの非物理的特徴だけでなく、基板の画像内の物理的な点を含み得る。
【0093】
[00110] エッチングシステムでは、一例として、費用関数（ＣＦ）は以下のように表すことができる。
式中、（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）は、Ｎ個のデザイン変数又はその値であり、ｆｐ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）は、（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）のデザイン変数の一組の値に対する特徴の実際の値と意図された値との間の差などのデザイン変数（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）の関数であり得る。実施形態によっては、ｗｐは、ｆｐ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）に関連する重み定数である。例えば、特徴は、パターンのエッジ上の所与のポイントで測定された、エッジ（又は、例えばコンターを形成するエッジ上の複数のポイント）の位置であってもよい。異なるｆｐ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）は、異なる重みｗｐを有し得る。例えば、ある特定のエッジの許容される位置の範囲が狭い場合、そのエッジの実際の位置と意図された位置との間の差を表すｆｐ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）の重みｗｐは、より高い値を与えられ得る。ｆｐ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）はまた、層間特徴の関数とすることもでき、これはデザイン変数（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）の関数である。もちろん、ＣＦ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）は、上記の式の形式に限定されず、ＣＦ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）は、任意の他の適切な形式とすることができる。
【数1】
式中、（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）は、Ｎ個のデザイン変数又はその値であり、ｆｐ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）は、（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）のデザイン変数の一組の値に対する特徴の実際の値と意図された値との間の差などのデザイン変数（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）の関数であり得る。実施形態によっては、ｗｐは、ｆｐ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）に関連する重み定数である。例えば、特徴は、パターンのエッジ上の所与のポイントで測定された、エッジ（又は、例えばコンターを形成するエッジ上の複数のポイント）の位置であってもよい。異なるｆｐ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）は、異なる重みｗｐを有し得る。例えば、ある特定のエッジの許容される位置の範囲が狭い場合、そのエッジの実際の位置と意図された位置との間の差を表すｆｐ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）の重みｗｐは、より高い値を与えられ得る。ｆｐ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）はまた、層間特徴の関数とすることもでき、これはデザイン変数（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）の関数である。もちろん、ＣＦ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）は、上記の式の形式に限定されず、ＣＦ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）は、任意の他の適切な形式とすることができる。
【0094】
[00111] 費用関数は、パターニングシステム、パターニングプロセス、リソグラフィ装置、リソグラフィプロセス、又は基板の任意の１つ又は複数の適切な特徴、例えば、焦点、ＣＤ、像シフト、像歪み、像回転、確率的変動、スループット、局所ＣＤ変動、プロセスウィンドウ、層間特徴、又はそれらの組み合わせを表し得る。実施形態によっては、費用関数は、レジスト像の１つ又は複数の特徴を表す関数を含み得る。例えば、ｆｐ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）は、単に、レジスト像内のポイントとそのポイントの意図された位置との間の距離（すなわち、例えばエッチング後、又は他のプロセスの後のエッジ配置誤差ＥＰＥｐ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ））であってもよい。パラメータ（例えば、デザイン変数）は、エッチングシステム、ソース、パターニングデバイス、投影光学系、ドーズ、焦点のような調節可能なパラメータなどの任意の調節可能なパラメータを含み得る。
【0095】
[00112] パラメータ（例えばデザイン変数）には制約があり、これは、（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）∈Ｚと表現することができ、式中、Ｚは、デザイン変数の一組の可能値である。デザイン変数に対するあり得る制約の１つは、リソグラフィ投影装置の所望のスループットによって課され得る。所望のスループットによって課される、そのような制約がなければ、最適化は、一組の非現実的なデザイン変数の値をもたらし得る。制約は、不可欠と解釈されるべきものではない。
【0096】
[00113] パターンフィーチャのコンターは、基板パターンの画像に基づいて決定されることが多い。これらのコンターは、様々なキーパフォーマンス指標（ＫＰＩ）を決定するために使用され、これらの指標は、半導体製造プロセスの変動を監視するために使用される。一例として、エッジ配置誤差（ＥＰＥ）は、プロセス変動を監視するために使用される一般的なＫＰＩとなっている。ＥＰＥには、結像（例えば、クリティカルディメンジョン（ＣＤ）及びパターン配置変動）及びオーバーレイによる寄与が含まれる。
【0097】
[00114] 所与のフィーチャの変動を決定するために、コンターがスタックされ、分析される（例えば、ＥＰＥ又は他のＫＰＩが決定される）。しかしながら、コンターの一部は外れ値である可能性があり、コンターのスタッキング及び平均化は、これらの外れ値を「隠す」。例えば、コンターは、様々な品質（例えば、画像は、コンターを決定するために使用されるフィーチャのエッジのきれいで明確なビューを提供しない場合があり、その代わりに、画像は、ピクセル化される場合、ぼやけている場合などがある）又は様々な信頼度レベル（例えば、低品質の画像から、コンターが正確にその画像のどこにあるかが不明であるか、又は特定の製造プロセスが異常な結果を生成した可能性がある）を有し得る。外れ値は、例えば、プロセス変動若しくはツール条件のドリフトにより、パターンデザインの本質的な違い（一部のパターンは、結像、分析、若しくは他の抽出作業にとってより困難である）により、又は他の理由で生じる場合がある。これらの外れ値コンターがスタックに入り、それらに基づいて分析が行われる場合、外れ値コンターは、そのスタックから引き出されるあらゆる決定に影響を与え得る。例としてＥＰＥを用いて、外れ値コンターを含むスタックに基づくＥＰＥ計算は、誤った（又は少なくとも精度の低い）ＥＰＥ決定、及び特定の製造パラメータに対する不必要な製造プロセスの調節を、そのような調節のための「予算」は他の製造パラメータに対して使用するのが最善であったかもしれないのに、引き起こす可能性がある。
【0098】
[00115] 有利なことに、本開示には、特定の外れ値コンターが集約され（例えば、スタックされ）、統計的に分析される前に、それらをフィルタリングすることが記載される。各コンターは分析され、実施形態によっては、スコアが、コンターが「理想」にどれだけ近いかを格付けし、閾値未満のスコアを有するコンターがフィルタリングされ、残りのコンターが集約される。フィルタリングは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイントに基づいて、一組の検査コンター内のコンターの全体的な幾何学的形状に基づいて、コンターの頂点間の角度に基づいて、コンターの頂点間の距離に基づいて、コンターの重心とコンター上の１つ若しくは複数の頂点との間の距離に基づいて、コンターに対する期待されるコンター形状のあてはめに基づいて、ユニットセルレベル（異なるフィーチャの複数の異なるコンターを含む）で、又はダイ若しくはレチクルレベルでなどの、複数のレベルで実行することができる。
【0099】
[00116] 図６は、基板パターン検査画像の一組の検査コンターから外れ値コンターを電子的にフィルタリングするための例示的な方法６００を示す。フィルタリングは、以前のパターニングプロセスと比較して、パターニングプロセスの製造変動の決定及びパターニングプロセスの最適化を向上させるように構成される。方法６００は、基板パターン検査画像を受信すること（動作６０２）と、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定すること（動作６０４）と、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすること（動作６０６）と、繰り返しフィーチャの製造変動を決定すること（動作６０８）と、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために、又は他の動作において、製造変動を費用関数に提供すること（動作６１０）とを含む。
【0100】
[00117] 実施形態によっては、非一時的なコンピュータ可読媒体は、コンピュータによって実行されると、コンピュータに動作６０２～６１０のうちの１つ若しくは複数、又は他の動作を実行させる命令を記憶する。方法６００の動作は、例示を意図したものである。実施形態によっては、方法６００は、記載していない１つ若しくは複数の追加の動作を用いて、又は説明した動作のうちの１つ若しくは複数を用いずに達成され得る。例えば、動作６１０又は他の動作は、任意選択であってもよい。さらに、方法６００の動作が図６に図示され、及び本明細書において記載される順序は、限定を意図するものではない。
【0101】
[00118] 動作６０２では、基板パターン検査画像が受信される。基板パターン検査画像は、光学検査システム、荷電粒子検査システム、電子モデル、又は他のシステムを用いて生成される。光学検査システムは、例えば（上記のような）スキャトロメータ、又は他の光学検査システムであってもよい。荷電粒子検査システムは、例えば、（例えば、図４及び図５に示され、上記に記載したような）走査電子顕微鏡、若しくはマルチビーム荷電粒子検査システムなどの他の荷電粒子検査システムであるか、又はそれを含み得る。電子モデルは、基板パターンの表現を生成する任意の電子モデルであってもよい。
【0102】
[00119] 基板パターン検査画像は、パターン内のコンターの幾何学的形状を記述する情報又は幾何学的形状に関連する情報を含み得る。パターン内のコンターの幾何学的形状は、例えば、２次元幾何学的形状であってもよい。受信した基板パターン検査画像は、コンターの特徴を記述するデータ（例えば、Ｘ－Ｙ次元データポイント、幾何学的形状を記述する数式など）、コンターに関連する処理パラメータ、又は他のデータを含む。画像はさらに、１つ若しくは複数の副層に埋め込まれたフィーチャに関する情報、前の層の前の検査からのデータ、検査画像を生成する検査システムを操作するユーザによって選択及び入力された情報、又は他の情報などの３Ｄ情報を含み得る。
【0103】
[00120] 基板パターン検査画像は、本システムの１つ若しくは複数の他の部分から（例えば、異なるプロセッサから、若しくは単一のプロセッサの異なる部分から）、本システムに関連しないリモートコンピューティングシステムから、（光学若しくは荷電粒子）検査システムから、又は他のソースから電子的に受信されてもよい。基板パターン検査画像は、無線で又はワイヤを介して、可搬記憶媒体を介して、又は他のソースから受信され得る。基板パターン検査画像は、例えばクラウドストレージなどの別のソースからアップロード若しくはダウンロードされてもよく、又は他の方法で受信されてもよい。
【0104】
[00121] 動作６０４では、基板パターン検査画像に基づいてコンターが決定される。コンターの決定は、基板パターン検査画像内のフィーチャのエッジを検出することを含む。フィーチャは、繰り返し又は非繰り返しであり得る。実施形態によっては、コンターは、画像（例えば、ＳＥＭ画像）内のパターンフィーチャを取り囲む境界又はエッジ位置を示す一組のポイントを含む。これらのフィーチャのエッジを検出することは、局所化された（例えば、ピクセル若しくは他の局所化された指標）画像特徴、パターンのエッジの位置若しくは他の寸法情報を指定する電子ファイル（例えば、.GDSファイル）若しくは他のソース、又は他の情報を使用してこれらのポイントを検出することを含み得る。画像特徴は、コントラスト、鮮鋭度、色、ノイズ、又は他の特徴若しくは情報を含み得る。非限定的な例として、フィーチャのエッジは、所与の画像内の幾つかの隣接するピクセルにおける類似又は非類似の色間の強いコントラスト（例えば、これは鮮鋭なエッジを示すであろう）に基づいて検出され得る。別の非限定的な例として、ＳＥＭ画像を使用して、局所的なコンターポイント検出の結果、パターンフィーチャ上の１つの位置の近くで幾つかのエッジポイントの候補が識別される場合があり、この場合、最も鮮鋭なポイントが最も可能性の高いエッジポイントとして選択され得る（すなわち、ある単一の鮮鋭なエッジは、同じウィンドウ内の幾つかの鮮鋭なエッジよりも、より低い不確実性で、位置をより特定しやすい）。尤度は、局所的な確率モデルに基づいて生成することができ、例えばＫＰＩとして定量化することができる。
【0105】
[00122] 実施形態によっては、動作６０４は、例えば、パターンに関連するユニットセル又はレチクル（例えば、上記のようなパターニングデバイス）にわたって同一の繰り返しフィーチャに関するコンターを検出することを含む。同一の繰り返しフィーチャに関する決定されたコンターは、一組の検査コンターを形成し得る。
【0106】
[00123] 動作６０６では、一組の検査コンターから外れ値コンターがフィルタリングされ、フィルタリング後に、一組の検査コンター内に残りのコンターが残される。フィルタリングは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイントに基づいて、一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて、コンターの頂点間の角度に基づいて、コンターの頂点間の距離に基づいて、コンターの重心とコンター上の１つ若しくは複数の頂点との間の距離に基づいて、コンターに対する期待されるコンター形状のあてはめに基づいて、又は他の情報に基づいて実行される。実施形態によっては、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、例えば、外れ値ユニットセル又は外れ値レチクルに関連する各コンターをフィルタリングすることを含む。
【0107】
[00124] 非限定的な例として、画像内の局所的なグレイレベルコントラスト情報に基づいて検出されたコンターについて、ポイントベースのＫＰＩ（例えばＥＰＥ）を決定することができる。画像のコントラストが強い鮮鋭なエッジは、ぼやけたエッジよりも、より低い不確実性で、位置を特定しやすい。コンター内の各ポイントは、ポイントレベルの信頼度情報を提供するＫＰＩ値と関連付けることができる。このような画像において鮮鋭なエッジに沿って位置するポイントは、一組の検査コンター内に保持されるように構成されたコンターを含み（例えば、このコンターに沿ったポイントに対して決定されたあらゆるＫＰＩ値が将来の計算に使用されるように）、ぼやけたエッジに沿って位置するポイントは、フィルタリングされるように構成されたコンターを含む（例えば、このコンターに沿ったポイントに対して決定されたあらゆるＫＰＩ値がフィルタリングされ、将来の計算に使用されないように）。
【0108】
[00125] 別の非限定的な例として、コンターの幾何学的形状を用いてフィーチャ（多角形）レベルのＫＰＩを決定することができる。この例では、検出されたフィーチャのエッジが、２つの可能な例として、鮮鋭なスパイク又は複数の分離した領域（又はフィーチャの他の異常な若しくは予期しない全体的な形状）を有するコンターを形成する場合、このコンターは、（例えば、このコンターを使用して決定されたあらゆるフィーチャレベルのＫＰＩ値がフィルタリングされ、将来の計算に使用されないように）一組の検査コンターからフィルタリングされ得る。これらの概念は、ユニットセルレベルのフィルタリング、ダイ若しくはレチクルレベルのフィルタリング、又は他のフィルタリングを含むように拡張されてもよい。さらに、これらの概念は、例えば、ＫＰＩを有するパーセンタイルコンターに対するソフトフィルタリング／カーネル密度推定を含むように拡張されてもよい。
【0109】
[00126] 図７及び図８は、ポイントベースのフィルタリング（図７）及び幾何学的形状ベースのフィルタリング（図８）に関連する追加の詳細を示す。図７は、繰り返しフィーチャ７０４のための一組の検査コンター内のコンター７０２上の個々のポイント７００に基づくフィルタリングを示す。実施形態によっては、これは、基板パターン検査画像７０６内のコンター７０２に沿ったポイント７００におけるピクセル位置の画像コントラスト、色、鮮鋭度、又はノイズレベルを決定することを含む。図７は、コンター７０２上のポイント７００のヒートマップ７０８を示す。ヒートマップ７０８において、より濃い色調は、コンター７０２が所与のポイント７００に実際に存在する信頼度レベル（例えば、画像のコントラスト、色、鮮鋭度、ノイズなどに基づいて決定される）がより低いことを示し、より薄い色調は、より高い信頼度レベルを示す。ヒートマップ７０８は、より低い信頼度７１０及びより高い信頼度７１２に関連するコンター７０２の部分を示す。実際には、本システム及び方法を用いて、より低い信頼度７１０に関連するコンター７０２の部分は、一組の検査コンターからフィルタリングされ、より高い信頼度７１２に関連するコンター７０２の部分は、一組の検査コンター内に残る。
【0110】
[00127] 図８は、（繰り返し）フィーチャ８０８の一組の検査コンターにおけるコンター８０４、８０６の幾何学的形状８００、８０２に基づくフィルタリングを示す。図８は、２つの個々のコンタクトホール（繰り返しフィーチャ８０８）のコンター８０４、８０６の例を示す。実施形態によっては、一組の検査コンター内のコンター８０４、８０６の幾何学的形状８００、８０２に基づくフィルタリングは、所与のコンター８０４、８０６の幾何学的形状８００、８０２の平滑度を決定することを含む。ここで、例えば、コンター８０４は、比較的平滑な幾何学的形状を有するが、コンター８０６は、形状偏差８０７を有する。コンター８０６は、影の影響を受け、そのことが偏差８０７を引き起こしているように見える。ジオメトリベースのＫＰＩは、コンター８０４及び８０６に対して異なる値を持つ可能性が高い。実際には、フィーチャ８０８（又は他の理由）のために一組の検査コンターから決定されたジオメトリベースのＫＰＩの精度を高めるために本システム及び方法を使用して、コンター８０６は、一組の検査コンターからフィルタリングされ、コンター８０４は、一組の検査コンター内に残る。
【0111】
[00128] 図９は、コンター９１０の頂点９０４、９０６、９０８間の角度９０２に基づくフィルタリング９００、コンター９２４の頂点間（９１８と９２０との間、及び９２０と９２２との間）の距離９１４、９１６に基づくフィルタリング９１２、コンター９３６の重心９３４とコンター９３６上の１つ又は複数の頂点９３８との間の距離９３２に基づくフィルタリング９３０、並びにコンター９３６に対する期待されるコンター形状９４２のあてはめに基づくフィルタリング９４０の概要図を示す。実施形態によっては、パターンフィーチャは多角形を含む。言い換えれば、パターンフィーチャは、多辺（multi-sided）又は多エッジ（multi-edged）であってもよい。コンターは、多角形の辺又はエッジ（又は辺若しくはエッジの一部）を含む。コンターは、例えば、複数セグメントの線、曲線、若しくは他の形状であるか、又はそれを含み得る。複数セグメントの線、曲線などは、セグメント間に接合部を有し得る。コンターの頂点は、線又は曲線のセグメントの接合部又は他の交点に位置し得る。外れ値コンターのフィルタリングは、後述するように、少なくとも部分的にこれらの頂点に基づいてもよい。
【0112】
[00129] 図９及びフィルタリング９００を参照すると、各頂点９０４、９０６、９０８における隣接するセグメントの角度（例えば、角度９０２）が決定されてもよく、角度が所定の閾値（例えば、９０度）に違反する場合、コンター９１０は、対応するフィーチャ（又はフィーチャの少なくともその局所部分）がフィルタリングされるようにしてもよい。フィルタリング９１２を参照すると、隣接する頂点９１８、９２０、９２２（又はコンター９２４上の他のポイント）間の距離９１４及び９１６が決定されてもよく、距離が所定の閾値（例えば、一例として特定の距離又はエッジラフネスなどのプロセスパラメータ要件）に違反する場合、コンター９２４は、対応するフィーチャ（又はフィーチャの少なくともその局所部分）がフィルタリングされるようにしてもよい。フィルタリング９３０及び９４０を参照すると、重心９３４が決定されてもよく、次いで、期待されるフィーチャ形状（例えば、円又は楕円）がコンターにあてはめられてもよく、あてはめは、（例えば、重心９３４からコンター９３６上の位置までの距離をチェックすること、期待されるあてはめと実際のあてはめとの間の差をチェックすることなどによって）外れ値頂点又はコンター９３６上の他のポイントについてチェックされてもよい。これらの各例は、以下でさらに詳細に説明する。
【0113】
[00130] 図１０は、決定されたコンター１０６０、１０６２、及び１０６４の頂点１０２０～１０５６で形成される角度１０００～１０１６を決定することと、角度１０００～１０１６に基づいて、一組の検査コンター（コンター１０６０、１０６２、及び１０６４によってグループとして形成される）から外れ値コンター１０６０、１０６２をフィルタリングすることとを示す。コンター１０６４は、この例では保持される。一組の検査コンターから外れ値コンター１０６０、１０６２をフィルタリングすることは、決定された角度１０００～１０１６と角度閾値との比較に基づく。閾値は、（例えば、後述するように）ユーザインターフェースを介して行われる入力若しくは選択によってユーザにより決定されてもよく、（現在若しくは過去の）寸法データ若しくは他の情報に基づいて（本明細書に記載するように）プロセッサによって自動的に決定されてもよく、又は他の方法で決定されてもよい。例えば、ユーザは、経験、プロセスデータなどに基づいて、フィルタリングプロセスがこれらの角度に基づいてコンターを過剰又は過小にフィルタリングしないことを確実にするように閾値を設定することができる。角度閾値に違反する頂点の角度を有する、決定されたコンターは、外れ値コンターであると決定され、一組の検査コンターからフィルタリングされる。例えば、角度閾値よりも小さい頂点の角度を有する、決定されたコンターは、外れ値コンターであると決定され、一組の検査コンターからフィルタリングされる。このような閾値角度は、１２０度、９０度、６０度、４５度、又は他の角度であってもよい。別の例として、角度閾値よりも大きい頂点の角度を有する、決定されたコンターは、外れ値コンターであると決定され、一組の検査コンターからフィルタリングされる。このような閾値角度は、１５０度、１６０度、１７０度、１８０度、又は他の角度であってもよい。本明細書に記載するように、実施形態によっては、角度が閾値角度に違反するコンターの部分のみがフィルタリングされてもよく、コンターの残りの部分は保持されるか、又はコンター全体がフィルタリングされてもよいことに留意されたい。
【0114】
[00131] 図１１は、決定されたコンター１１６０、１１６２、１１６４の隣接する頂点１１２０～１１５０間の距離１１００～１１１４を決定することと、距離１１００～１１１４に基づいて、（コンター１１６０、１１６２、及び１１６４によってグループとして形成される）一組の検査コンターから外れ値コンター１１６０及び１１６２をフィルタリングすることとを示す。実施形態によっては、一組の検査コンターから外れ値コンター１１６０及び１１６２をフィルタリングすることは、決定された距離１１００～１１１４と距離閾値との比較に基づく。距離閾値に違反する距離を有する、決定されたコンターは、外れ値コンターであると決定され、一組の検査コンターからフィルタリングされる。実施形態によっては、距離閾値は、特定の値、頂点間の平均距離よりも所与の数倍（例えば、２倍、５倍、１０倍など）若しくはパーセンテージ（例えば、１５０％、２００％など）大きい若しくは小さい距離、又は例えば、コンターエッジラフネスパラメータ若しくは他のプロセスパラメータに対応する距離を含む。実施形態によっては、閾値の種類又は大きさは、（例えば、下記のような）ユーザインターフェースを介して行われる入力若しくは選択によってユーザにより決定されてもよく、（現在若しくは過去の）寸法データ若しくは他の情報に基づいて（本明細書に記載するように）プロセッサによって自動的に決定されてもよく、又は他の方法で決定されてもよい。例えば、ユーザは、経験、プロセスデータなどに基づいて、フィルタリングプロセスがこれらの距離に基づいてコンターを過剰又は過小にフィルタリングしないことを確実にするように閾値を設定することができる。本明細書に記載するように、実施形態によっては、距離が閾値距離に違反するコンターの部分のみがフィルタリングされてもよく、コンターの残りの部分は保持されるか、又はコンター全体がフィルタリングされてもよいことに留意されたい。
【0115】
[00132] 図１２は、決定されたコンター１２０６、１２０８、１２１０の重心１２００、１２０２、１２０４を決定することと、重心１２００、１２０２、１２０４と、所与のコンターの１つ若しくは複数の頂点１２２０～１２３４との間の関係、又は重心１２００、１２０２、若しくは１２０４に基づいて所与のコンターにあてはめられた期待されるコンター形状１２４０、１２４２、１２４４に基づいて、一組の検査コンター（コンター１２０６、１２０８、及び１２１０によってグループとして形成される）から外れ値コンター１２０６及び１２０８をフィルタリングすることと、を示す。実施形態によっては、関係に基づくフィルタリングは、所与のコンター（例えば、コンター１２０６又は１２０８）が、重心距離閾値に違反する重心（例えば、１２００又は１２０２）からの距離を有する１つ又は複数の頂点（例えば、頂点１２２０、１２２２、１２２４、１２２８）を有することに応答して、一組の検査コンターから所与のコンターをフィルタリングすることを含む。重心距離閾値は、例えば、頂点と重心との間の平均距離よりも所与の数倍若しくはパーセンテージ大きい若しくは小さい距離、又は他の距離を含む。
【0116】
[00133] 実施形態によっては、フィルタリングは、決定されたコンター１２０６、１２０８、１２１０の重心１２００、１２０２、１２０４を決定することと、重心１２００、１２０２、１２０４に基づいて、決定されたコンター１２０６、１２０８、１２１０に対して期待されるコンター形状１２４０、１２４２、１２４４をあてはめることと、あてはめられた期待されるコンター形状１２４０、１２４２（この例では）と所与のコンターの頂点（例えば、この例では、期待されるコンター形状１２４０については１２２０、１２２２、１２２４、及び期待されるコンター形状１２４２については１２２８）との間の関係に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンター１２０６、１２０８をフィルタリングすることとを含む。実施形態によっては、期待されるコンター形状は、例えば、円、楕円、又は他の形状を含む。実施形態によっては、この関係に基づいたフィルタリングは、所与のコンターが、あてはめ距離閾値に違反する、あてはめられた円又は楕円からの距離を有する１つ又は複数の頂点を有することに応答して、一組の検査コンターから所与のコンターをフィルタリングすることを含む。言い換えれば、コンターは、コンターの頂点が、あてはめられた期待されるコンター形状の上又はその付近に存在しなければ、フィルタリングされてもよい。実施形態によっては、あてはめ距離閾値は、頂点とあてはめられた円又は楕円との間の平均距離よりも所与の数倍又はパーセンテージ大きい又は小さい距離を含む。
【0117】
[00134] 上記の他の閾値と同様に、重心距離閾値及びあてはめ距離閾値は、（例えば、下記のような）ユーザインターフェースを介して行われる入力若しくは選択によってユーザにより決定されてもよく、（現在若しくは過去の）寸法データ若しくは他の情報に基づいて（本明細書に記載するように）プロセッサによって自動的に決定されてもよく、又は他の方法で決定されてもよい。例えば、ユーザは、経験、プロセスデータなどに基づいて、フィルタリングプロセスがこれらの距離に基づいてコンターを過剰又は過小にフィルタリングしないことを確実にするように閾値を設定することができる。本明細書に記載するように、実施形態によっては、距離が閾値距離に違反するコンターの部分のみがフィルタリングされてもよく、コンターの残りの部分は保持されるか、又はコンター全体がフィルタリングされてもよいことに留意されたい。
【0118】
[00135] 図１３は、基板パターン１３０２からの幾つかのフィルタリングされたコンター１３００の一例を示す。図１３は、幾つかのフィルタリングされていない（許容可能な）コンター１３０４も示している。コンター１３００は、上記の動作のうちの１つ又は複数に基づいてフィルタリングされる（又はフィルタリングされない）。例えば、図１３に示すように、一部のコンター１３０６は、頂点間の角度に基づいてフィルタリングされ、一部のコンター１３０８は、頂点間の距離に基づいてフィルタリングされ、一部のコンター１３１０は、重心及びあてはめられた期待されるコンターに基づいてフィルタリングされ、一部のコンターは、これらの要素のうちの２つ以上の組み合わせに基づいてフィルタリングされる。
【0119】
[00136] 図６に戻ると、実施形態によっては、動作６０６は、一組の検査コンター内の各コンターのスコアを決定することと、スコアに基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることとを含む。スコアは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状、又は他の情報に基づいて決定され得る。実施形態によっては、スコアは、コンター上の複数のポイントの各々に関する個々のスコアを含み、フィルタリングは、個々のスコアに基づく。実施形態によっては、スコアは、コンターの幾何学的形状に関連する総合スコアを含み、フィルタリングは、総合スコアに基づく。
【0120】
[00137] 実施形態によっては、一組の検査コンター内の各コンターは、（例えば、上記の例のうちの１つ又は複数で記載したように）分析され、スコアが割り当てられる。実施形態によっては、スコアは、（例えば、上記のように）検出されたコンターの位置の確実性の信頼度、又はコンター上の特定の位置でコンターについて計算された様々なＫＰＩの信頼度を格付けする。例えば、スコアは、統計的信頼値であってもよい。統計的信頼値は、特定のポイントレベルの位置における特定のＫＰＩ（２つの例としてＥＰＥ又はＣＤなど）に対するものであってもよい（但しこれは、フィーチャの幾何学的形状レベル、ユニットセルレベル、又はダイ若しくはレチクルレベルで適用することもできる）。
【0121】
[00138] 実施形態によっては、スコアは、コンターの「理想的な」コンターに対する近似を格付けする。理想的なコンターは、ターゲットフィーチャデザイン、前の製造処理ステップを所与として期待されるフィーチャ形状、若しくは他の情報であってもよく、又はそれに基づいて決定されてもよい。理想的なコンターは、（例えば、電子ファイルをアップロード若しくはダウンロードすることによって、特定のコンターを「理想的」と指定することによって、コンター若しくはコンターに沿ったポイントが存在すべき寸法若しくは位置を指定することなどによって）ユーザによって指定されてもよく、電子モデルによって生成されてもよく、製造プロセスの測定値から決定されてもよく、基板パターン画像との類似性に基づいて決定されてもよく、又は他の方法で取得されてもよい。理想的なコンターに対する近似とは、コンターに関連する特定の位置で測定された測定値と、その測定値に対して期待される若しくは許容可能な範囲との間の差（例えば、近似は、コンターと基板パターン画像との間の（既知若しくは未知の）関係に基づいて決定することもできる）、所与のコンターが期待される若しくは許容可能な幾何学的形状から逸脱する量、又は近似の他の尺度を指し得る。
【0122】
[00139] 実施形態によっては、閾値に違反する（例えば、本システム又は方法がどのように構成されるかに応じて、上又は下にある）スコアを有するコンターがフィルタリングされ、残りのコンターが集約される（例えば、スタックされる）。閾値は、ターゲットフィーチャデザイン、前の製造処理ステップを所与として期待されるフィーチャ形状、又は他の情報に基づいて決定されてもよい。閾値は、（例えば、電子ファイルをアップロード若しくはダウンロードすること、（下記の）ユーザインターフェースを使用して特定の閾値を入力すること、閾値に関連する寸法若しくは位置を指定することなどによって）ユーザによって指定されてもよく、電子モデルによって生成されてもよく、製造プロセスの測定値から決定されてもよく、勾配感度（gradient sensitivity）、ピーク広がり許容度（peak spread tolerance）などのＳＥＭ画像関連メトリクス若しくはユーザ入力に基づいて決定されてもよく、又は他の方法で決定されてもよい。
【0123】
[00140] 動作６０８では、繰り返しフィーチャの製造変動が決定される。繰り返しフィーチャの製造変動は、フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて決定されてもよい。実施形態によっては、繰り返しフィーチャの製造変動を決定することは、一組の検査コンター内の残りのコンターをスタックすることと、スタックされた残りのコンターを統計的に分析することとを含む。
【0124】
[00141] 図１４は、一般的なプロセス１４００（フィルタリングなしの直接的なスタッキングを示す矢印を参照－例えば、矢印は、コンター１４０８から下記の分析１４０４に直接進む）と、本明細書に記載するようなフィルタリング１４０６を用いたスタッキング１４０２及び分析１４０４との違いを示す。フィルタリング１４０６を用いたスタッキング１４０２及び分析１４０４では、基板１４１１上の繰り返しフィーチャ１４１０からのコンター１４０８が一緒に集約される。ユーザは、上記のように、フィルタリング１４０６のための閾値を選択及び設定することができる。例えば、幾何学的形状（多角形）レベルのＫＰＩ閾値が設定される場合、閾値に違反する幾何学的形状（多角形）ＫＰＩを有するコンターは、スタッキング１４０２及び逐次的又は他の後続の分析１４０４ステップの間に除去される。同様に、ユニットセル又は視野全体（例えば、ダイ又はレチクルレベル画像）からのコンターをフィルタリングすることができる。図１４は、フィルタリングされていないコンタースタック及びフィルタリングされたコンタースタックに基づいてそれぞれ計算されたパーセンタイルコンター１４１２及び１４１４（１％、５０％、９９％）を示す。フィルタリング１４０６により、確実性の低いコンター１４０８がフィルタリング１４０６され、パーセンタイルコンター１４１４が、パーセンタイルコンター１４１２と比べて改善される。つまり、図１４に示すように、パーセンタイルコンター１４１４は、パーセンタイルコンター１４１２と比較して、より規則的な形状（例えば、より平滑で、より円形）である。
【0125】
[00142] 本システム及び方法の有効性の別の例示として、使用時に、上記のフィルタリング動作は、所与の基板パターン内のコンターの約２～３％をフィルタリングする傾向がある。運用において、この２～３％のフィルタリング率は、複数の運用にわたって、また基板パターン内の相対的な位置にわたって、適度に一定のままである。心強いことに、この２～３％のフィルタリング率は、フィルタリングに使用される画像から境界線を除外すると、約１～２％に減少する（そして、この場合も、複数の運用及び複数の位置にわたって適度に一定のままである）。
【0126】
[00143] 図６に戻ると、動作６１０において、個々のパターニングプロセス変数又はメトリクスに関連する費用の決定を容易にするために、製造変動又は他の情報が費用関数に提供される。個々のパターニングプロセス変数又はメトリクスに関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される。実施形態によっては、個々のパターニングプロセス変数又はメトリクスに関連する費用は、パターニングシステム（例えば、図１に示すようなリソグラフィ投影装置）、又は他の半導体製造プロセス若しくはシステムの（例えば、共同）最適化を容易にするためにオプティマイザに提供されるように構成される。一般に、オプティマイザは、所与の費用関数の最小値を求めるコンピュータアルゴリズムである。オプティマイザは、例えば、複数のパターニングプロセス変数、パターニングシステム設定値、又は他の情報を共同決定するように構成された勾配ベースの非線形オプティマイザであってもよい。オプティマイザは、異なるメトリクス（例えば、クリティカルディメンジョン、パターン配置誤差、エッジ配置誤差、クリティカルディメンジョン非対称性、エッチングプロセスに関連する欠陥数、又は他のメトリクス）に関連する製造能力又は費用に対して、異なる可能性のあるプロセス変数（例えば、それぞれが、それ自体の許容範囲内にある）のバランスをとるように構成された１つ又は複数のプロセッサによって形成されてもよい。
【0127】
[00144] 図１５は、本明細書に記載する動作のうちの１つ又は複数に使用され得る例示的なコンピュータシステムＣＳの図である。コンピュータシステムＣＳは、情報を通信するためのバスＢＳ又は他の通信機構と、情報を処理するためにバスＢＳと結合されたプロセッサＰＲＯ（又は複数のプロセッサ）とを含む。コンピュータシステムＣＳは、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）又は他の動的ストレージデバイスなどの、プロセッサＰＲＯによって実行される情報及び命令を保存するためにバスＢＳに結合されたメインメモリＭＭも含む。メインメモリＭＭは、プロセッサＰＲＯによって実行される命令の実行中に、一時変数又は他の中間情報を保存するためにも使用されてもよい。コンピュータシステムＣＳは、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）ＲＯＭ、又はプロセッサＰＲＯのための静的情報及び命令を保存するためにバスＢＳに結合された他の静的ストレージデバイスをさらに含む。情報及び命令を保存するための磁気ディスク又は光ディスクなどのストレージデバイスＳＤが設けられると共に、バスＢＳに結合される。
【0128】
[00145] コンピュータシステムＣＳは、バスＢＳを介して、情報をコンピュータユーザに表示するための、陰極線管（ＣＲＴ）、フラットパネル、又はタッチパネルディスプレイなどのディスプレイＤＳに結合されてもよい。英数字及び他のキーを含む入力デバイスＩＤが、情報及びコマンド選択をプロセッサＰＲＯに通信するためにバスＢＳに結合される。別のタイプのユーザ入力デバイスは、プロセッサＰＲＯに方向情報及びコマンド選択を通信するため、及びディスプレイＤＳ上でカーソルの移動を制御するための、マウス、トラックボール、又はカーソル方向キーなどのカーソル制御部ＣＣである。この入力デバイスは、一般的に、２つの軸（第１の軸（例えばｘ）及び第２の軸（例えばｙ））において、デバイスがある面内で位置を特定することを可能にする２つの自由度を有する。タッチパネル（スクリーン）ディスプレイが、入力デバイスとして使用されてもよい。
【0129】
[00146] ある実施形態によれば、本明細書における１つ又は複数の方法の部分は、メインメモリＭＭに含まれる１つ又は複数の命令の１つ又は複数のシーケンスを実行するプロセッサＰＲＯに応答して、コンピュータシステムＣＳによって行われてもよい。このような命令は、ストレージデバイスＳＤなどの別のコンピュータ可読媒体からメインメモリＭＭに読み込まれてもよい。メインメモリＭＭに含まれる命令のシーケンスの実行は、プロセッサＰＲＯに本明細書に記載のプロセスステップ（動作）を行わせる。メインメモリＭＭに含まれる命令のシーケンスを実行するために、多重処理構成の１つ又は複数のプロセッサが用いられてもよい。ある実施形態では、ソフトウェア命令の代わりに、又はソフトウェア命令と一緒に、ハードワイヤード回路が用いられてもよい。従って、本明細書の記載は、ハードウェア回路及びソフトウェアの特定の組み合わせに限定されない。
【0130】
[00147] 本明細書で使用される「コンピュータ可読媒体」という用語は、実行のためにプロセッサＰＲＯに命令を提供することに関与するあらゆる媒体を指す。このような媒体は、限定されないが、不揮発性媒体、揮発性媒体、及び伝送媒体を含む、多くの形態をとり得る。不揮発性媒体は、例えば、ストレージデバイスＳＤなどの光又は磁気ディスクを含む。揮発性媒体は、メインメモリＭＭなどの動的メモリを含む。伝送媒体は、同軸ケーブル、銅線及び光ファイバ（バスＢＳを含むワイヤを含む）を含む。伝送媒体は、無線周波数（ＲＦ）及び赤外線（ＩＲ）データ通信中に生成されるものなどの、音波又は光波の形態もとり得る。コンピュータ可読媒体は非一時的であってよく、例えば、フロッピーディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、その他の磁気媒体、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ、その他の光媒体、パンチカード、紙テープ、孔のパターンを有したその他の物理媒体、ＲＡＭ、ＰＲＯＭ、及びＥＰＲＯＭ、ＦＬＡＳＨ－ＥＰＲＯＭ、その他のメモリチップ又はカートリッジを含む。非一時的なコンピュータ可読媒体は、そこに記録された（機械可読）命令を有することができる。命令は、コンピュータによって実行されると、本明細書に記載する動作の何れかを実施することができる。一時的なコンピュータ可読媒体は、例えば、搬送波又は他の伝搬電磁信号を含み得る。
【0131】
[00148] コンピュータ可読媒体の様々な形態が、実行のためにプロセッサＰＲＯに１つ又は複数の機械可読命令の１つ又は複数のシーケンスを運ぶことに関与してもよい。例えば、命令は、最初は、リモートコンピュータの磁気ディスクにある場合がある。リモートコンピュータは、命令をそれの動的メモリにロードし、及びモデムを使用して電話回線上で命令を送ることができる。コンピュータシステムＣＳにローカルなモデムが、電話回線上のデータを受信し、及び赤外線送信機を用いてデータを赤外線信号に変換することができる。バスＢＳに結合された赤外線検出器が、赤外線信号で搬送されたデータを受信し、及びそのデータをバスＢＳにのせることができる。バスＢＳは、データをメインメモリＭＭに搬送し、そこからプロセッサＰＲＯが、命令の読み出し及び実行を行う。メインメモリＭＭによって受信された命令は、任意選択的に、プロセッサＰＲＯによる実行の前又は後に、ストレージデバイスＳＤに保存されてもよい。
【0132】
[00149] コンピュータシステムＣＳは、バスＢＳに結合された通信インターフェースＣＩも含み得る。通信インターフェースＣＩは、ローカルネットワークＬＡＮに接続されたネットワークリンクＮＤＬに結合する双方向データ通信も提供する。例えば、通信インターフェースＣＩは、対応するタイプの電話回線にデータ通信接続を提供するデジタル総合サービス網（ＩＳＤＮ）カード又はモデムでもよい。別の例として、通信インターフェースＣＩは、互換性のあるＬＡＮへのデータ通信接続を提供するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）カードでもよい。ワイヤレスリンクが実施されてもよい。このような実施において、通信インターフェースＣＩは、様々なタイプの情報を表すデジタルデータストリームを搬送する電気、電磁、又は光信号の送信及び受信を行う。
【0133】
[00150] ネットワークリンクＮＤＬは通常、１つ又は複数のネットワークを介して他のデータデバイスにデータ通信を提供する。例えば、ネットワークリンクＮＤＬは、ローカルネットワークＬＡＮを介してホストコンピュータＨＣへの接続を提供することができる。これは、現在一般に「インターネット」ＩＮＴと呼ばれる世界的なパケットデータ通信ネットワークを通じて提供されるデータ通信サービスを含み得る。ローカルネットワークＬＡＮ（インターネット）は、デジタルデータストリームを搬送する電気信号、電磁信号、又は光信号を使用し得る。様々なネットワークを介した信号、及びネットワークデータリンクＮＤＬ上にあり、通信インターフェースＣＩを介した信号（これらは、コンピュータシステムＣＳとの間でデジタルデータを搬送する）は、情報を伝送する搬送波の例示的な形態である。
【0134】
[00151] コンピュータシステムＣＳは、１つ又は複数のネットワーク、ネットワークデータリンクＮＤＬ、及び通信インターフェースＣＩを介して、メッセージを送信し、プログラムコードを含むデータを受信することができる。インターネットの例では、ホストコンピュータＨＣは、インターネットＩＮＴ、ネットワークデータリンクＮＤＬ、ローカルネットワークＬＡＮ、及び通信インターフェースＣＩを介して、アプリケーションプログラムの要求コードを送信し得る。そのようなダウンロードされたアプリケーションの１つは、例えば、本明細書に記載する方法の全部又は一部を提供することができる。受信されたコードは、受信された際にプロセッサＰＲＯによって実行されてもよいし、又は後の実行のためにストレージデバイスＳＤ、若しくは他の不揮発性ストレージに記憶されてもよい。このようにして、コンピュータシステムＣＳは、搬送波の形態でアプリケーションコードを取得することができる。
【0135】
[00152] 図１６は、本明細書に記載する動作のうちの１つ若しくは複数に使用され得るか、又はそれ（ら）を容易にし得る別のリソグラフィ投影装置（ＬＰＡ）の概略図である。図１６に示すＬＰＡは、図１に示す装置に類似するか、又は同じである。ＬＰＡは、ソースコレクタモジュールＳＯ、放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬ、パターニングデバイステーブルＴ、基板テーブルＷＴ、及び投影システムＰＳを含み得る。パターニングデバイステーブルＴは、パターニングデバイス（例えば、マスク又はレチクル）ＭＡを支持するように構築することができ、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続され得る。基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴは、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築されてもよく、基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続され得る。投影システム（例えば反射型投影システム）ＰＳは、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）上に投影するように構成することができる。
【0136】
[00153] この例が示すように、ＬＰＡは、反射型（例えば、反射型パターニングデバイスを用いる）であり得る。ほとんどの材料が、ＥＵＶ波長範囲内で吸収性であるので、パターニングデバイスは、例えば、モリブデン及びシリコンのマルチスタックを含む多層リフレクタを有し得ることに留意されたい。一例では、マルチスタックリフレクタは、各層の厚さが４分の１波長である、モリブデン及びシリコンの４０層ペアを有する。さらに小さな波長が、Ｘ線リソグラフィを用いて生成され得る。ほとんどの材料が、ＥＵＶ及びｘ線波長で吸収性であるので、パターニングデバイストポグラフィ上の薄い一片のパターン付き吸収材料（例えば、多層リフレクタ上のＴａＮアブゾーバ）は、どこにフィーチャが印刷され（ポジ型レジスト）、又は印刷されないか（ネガ型レジスト）を定義する。
【0137】
[00154] イルミネータＩＬは、ソースコレクタモジュールＳＯから極端紫外線放射（ＥＵＶ）ビームを受け得る。ＥＵＶ放射を生成する方法は、必ずしも限定されないが、ＥＵＶ範囲において１つ又は複数の輝線を備えた少なくとも１つの元素（例えば、キセノン、リチウム、又はスズ）を有するプラズマ状態に材料を変換することを含む。レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれることが多い、そのような１つの方法では、プラズマは、線発光元素を有する材料の小滴、ストリーム、又はクラスタなどの燃料をレーザビームで照射することによって生成され得る。ソースコレクタモジュールＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供するレーザ（図１６では不図示）を含むＥＵＶ放射システムの一部でもよい。その結果生じるプラズマが、出力放射（例えば、ＥＵＶ放射）を放出し、これが、ソースコレクタモジュールに配置される放射コレクタを用いて収集される。レーザ及びソースコレクタモジュールは、例えば、燃料励起用のレーザビームを提供するためにＣＯ２レーザが使用される場合には、別個のエンティティでもよい。このようなケースでは、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成するとはみなされず、及び放射ビームは、例えば、適宜の誘導ミラー又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを用いて、レーザからソースコレクタモジュールへと渡され得る。他の例では、例えばソースが、ＤＰＰソースと呼ばれることが多い、放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合、ソースは、ソースコレクタモジュールの一体化部分でもよい。
【0138】
[00155] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するためのアジャスタを含み得る。一般に、イルミネータの瞳面の強度分布の少なくとも外側又は内側半径範囲（一般的に、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）が、調節され得る。さらに、イルミネータＩＬは、ファセットフィールド及び瞳ミラーデバイスなどの様々な他のコンポーネントを含み得る。イルミネータを使用して、断面に所望の均一性及び強度分布を有するように放射ビームを調整することができる。
【0139】
[00156] 放射ビームＢは、パターニングデバイステーブルＴに保持されるパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、及びパターニングデバイスによってパターン付けされ得る。放射ビームＢは、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射された後、ビームの焦点を基板Ｗのターゲット部分Ｃに合わせる投影システムＰＳを通過する。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＰＳ２（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を用いて、（例えば異なるターゲット部分Ｃを放射ビームＢのパス内に位置決めするように）基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサＰＳ１を用いて、放射ビームＢのパスに対してパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを正確に位置決めすることができる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。
【0140】
[00157] 描かれた装置ＬＰＡは、以下のモード：ステップモード、スキャンモード、及び静止モードのうちの少なくとも１つで使用され得る。ステップモードでは、パターニングデバイステーブルＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止したままであり、放射ビームに付与されたパターン全体が一度にターゲット部分Ｃ上に投影される（例えば、単一静的露光）。次いで、異なるターゲット部分Ｃが露光され得るように、基板テーブルＷＴが、Ｘ又はＹ方向にシフトされる。スキャンモードでは、放射ビームに付与されたパターンが、ターゲット部分Ｃ上に投影される間に、パターニングデバイステーブルＴ及び基板テーブルＷＴは、同期してスキャンされる（すなわち、単一動的露光）。パターニングデバイステーブルＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの縮小及び像反転特性によって決定され得る。静止モードでは、放射ビームに付与されたパターンが、ターゲット部分Ｃ上に投影される間に、パターニングデバイステーブルＴは、プログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止したままであり、且つ基板テーブルＷＴは、移動又はスキャンされる。このモードでは、一般にパルス放射源が用いられ、及びプログラマブルパターニングデバイスが、基板テーブルＷＴの各移動後に、又はスキャン中の連続する放射パルスの合間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【0141】
[00158] 図１７は、図１６（又は図１）に示すリソグラフィ投影装置のより詳細な図である。図１７に示すように、ＬＰＡは、ソースコレクタモジュールＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳを含み得る。ソースコレクタモジュールＳＯは、ソースコレクタモジュールＳＯの閉鎖構造２２０内で真空環境が維持され得るように構成される。ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０は、放電生成プラズマ源によって形成され得る。ＥＵＶ放射は、ガス又は蒸気（例えば、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射を放出するために、高温プラズマ２１０が作られるＸｅガス、Ｌｉ蒸気、又はＳｎ蒸気）によって生成され得る。高温プラズマ２１０は、例えば、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを生じさせる放電によって作られる。Ｘｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気又は任意のその他の適宜のガス若しくは蒸気の例えば１０Ｐａの分圧が、放射の効率的生成に必要とされ得る。一部の実施形態では、励起スズ（Ｓｎ）のプラズマは、ＥＵＶ放射を生成するために提供される。
【0142】
[00159] 高温プラズマ２１０によって放出された放射は、ソースチャンバ２１１から、ソースチャンバ２１１の開口内、又はその後ろに位置する任意選択的なガスバリア又は汚染物質トラップ２３０（場合によっては、汚染物質バリア又はフォイルトラップとも呼ばれる）を介して、コレクタチャンバ２１２内へと渡される。汚染物質トラップ２３０は、チャネル構造を含み得る。汚染物質トラップ２３０は、ガスバリア、又はガスバリア及びチャネル構造の組み合わせも含み得る。汚染物質トラップ又は汚染物質バリアトラップ２３０（下記に示す）は、チャネル構造をも含む。コレクタチャンバ２１１は、斜入射型コレクタでもよい放射コレクタＣＯを含み得る。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側２５１及び下流放射コレクタ側２５２を有する。コレクタＣＯを横断する放射は、格子スペクトルフィルタ２４０に反射して、線「Ｏ」によって示される光軸に沿った仮想光源点ＩＦに焦点を合わせることができる。仮想光源点ＩＦは、一般的に中間焦点と呼ばれ、及びソースコレクタモジュールは、中間焦点ＩＦが、閉鎖構造２２０の開口２２１に、又はその付近に位置するように配置される。仮想光源点ＩＦは、放射放出プラズマ２１０の像である。
【0143】
[00160] 続いて、放射は、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２１の所望の角度分布、及びパターニングデバイスＭＡにおいて放射強度の所望の均一性を提供するように配置されたファセットフィールドミラーデバイス２２及びファセット瞳ミラーデバイス２４を包含し得る照明システムＩＬを横断する。パターニングデバイステーブルＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡにおける放射ビーム２１の反射時に、パターン付きビーム２６が形成され、及びパターン付きビーム２６は、投影システムＰＳによって、反射要素２８、３０を介して、基板テーブルＷＴによって保持される基板Ｗ上に結像される。一般に、図示されるよりも多くの要素が、照明光学系ユニットＩＬ及び投影システムＰＳ内に存在し得る。格子スペクトルフィルタ２４０が、例えば、リソグラフィ装置のタイプに応じて、任意選択的に存在してもよい。さらに、図面に示されるミラーよりも多くのミラーが存在してもよく、例えば、図１７に示されるよりも１～６個の追加の反射要素が、投影システムＰＳに存在してもよい。
【0144】
[00161] 図１７に示されるようなコレクタ系ＣＯは、コレクタ（又はコレクタミラー）の単なる一例として、斜入射型リフレクタ２５３、２５４、及び２５５を備えた入れ子式コレクタとして描かれる。斜入射型リフレクタ２５３、２５４、及び２５５は、光軸Ｏに対して軸対称に配置され、及びこのタイプのコレクタ系ＣＯは、ＤＰＰソースと呼ばれることが多い、放電生成プラズマ源と組み合わせて使用され得る。
【0145】
[00162] 図１８は、リソグラフィ投影装置ＬＰＡ（前の図に示す）のソースコレクタモジュールＳＯの詳細図である。ソースコレクタモジュールＳＯは、ＬＰＡ放射システムの一部であってもよい。レーザＬＡは、レーザエネルギーをキセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）、又はリチウム（Ｌｉ）などの燃料に堆積させ、数十ｅＶの電子温度の高イオン化プラズマ２１０を生成するように配置され得る。脱励起及びこれらのイオンの再結合中に生成されるエネルギー放射は、プラズマから放出され、近法線入射コレクタ系ＣＯによって収集され、及び閉鎖構造２２０の開口２２１上に焦点が合わせられる。
【0146】
[00163] 様々な実施形態が、続く番号付き条項のリストにおいて開示される。
１．基板パターン検査画像を受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することであって、コンターを決定することが、基板パターン検査画像内の繰り返しフィーチャのエッジを検出することを含む、決定することと、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングし、フィルタリング後に、一組の検査コンター内に残りのコンターを残すことと、を含む方法。
２．フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、繰り返しフィーチャの製造変動を決定することをさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
３．製造変動が、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用が、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（２）
４．繰り返しフィーチャの製造変動を決定することは、一組の検査コンター内の残りのコンターをスタックすることと、スタックされた残りのコンターを統計的に分析することと、を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（２）
５．フィルタリングが一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて実行される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
６．一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイントに基づくフィルタリングは、基板パターン検査画像における所与のコンターに沿ったピクセル位置の画像コントラスト又はノイズレベルを決定することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（５）
７．一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づくフィルタリングは、所与のコンターの幾何学的形状の平滑度を決定することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（５）
８．一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することは、パターンに関連するユニットセル又はレチクルにわたって繰り返しコンターを検出することを含み、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、外れ値ユニットセル又は外れ値レチクルに関連する各コンターをフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
９．一組の検査コンター内の各コンターのスコアを決定することと、スコアに基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
１０．スコアは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて、基板パターン検査画像を参照して決定される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９）
１１．スコアは、コンター上の複数のポイントの各々に関する個々のスコアを含み、フィルタリングすることは、個々のスコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９）
１２．スコアは、コンターの幾何学的形状に関連する総合スコアを含み、フィルタリングすることは、総合スコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９）
１３．基板パターン検査画像は、光学検査システム又は荷電粒子検査システムを用いて生成される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
１４．基板パターン検査画像は、荷電粒子検査システムを用いて生成され、荷電粒子検査システムは走査電子顕微鏡を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３）
１５．命令を有する非一時的なコンピュータ可読媒体であって、命令が、コンピュータによって実行されると、先行する条項の何れか一項に記載の方法をコンピュータに実行させる、非一時的なコンピュータ可読媒体。（１）
１６．基板パターン検査画像を受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することであって、コンターを決定することは、基板パターン検査画像内の繰り返しフィーチャのエッジを検出することを含む、決定することと、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングし、フィルタリング後に、一組の検査コンター内に残りのコンターを残すことと、を行うように、機械可読命令によって構成された１つ又は複数のプロセッサを備えたシステム。
１７．１つ又は複数のプロセッサは、フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、繰り返しフィーチャの製造変動を決定するようにさらに構成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
１８．製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１７）
１９．繰り返しフィーチャの製造変動を決定することは、一組の検査コンター内の残りのコンターをスタックすることと、スタックされた残りのコンターを統計的に分析することと、を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１７）
２０．フィルタリングは一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて実行される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
２１．一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイントに基づくフィルタリングは、基板パターン検査画像における所与のコンターに沿ったピクセル位置の画像コントラスト又はノイズレベルを決定することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（２０）
２２．一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づくフィルタリングは、所与のコンターの幾何学的形状の平滑度を決定することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（２０）
２３．一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することは、パターンに関連するユニットセル又はレチクルにわたって繰り返しコンターを検出することを含み、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、外れ値ユニットセル又は外れ値レチクルに関連する各コンターをフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
２４．１つ又は複数のプロセッサは、一組の検査コンター内の各コンターのスコアを決定することと、スコアに基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、を行うようにさらに構成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
２５．スコアが、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて、基板パターン検査画像を参照して決定される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（２４）
２６．スコアは、コンター上の複数のポイントの各々に関する個々のスコアを含み、フィルタリングすることが、個々のスコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（２４）
２７．スコアは、コンターの幾何学的形状に関連する総合スコアを含み、フィルタリングすることが、総合スコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（２４）
２８．基板パターン検査画像は、光学検査システム又は荷電粒子検査システムを用いて生成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
２９．基板パターン検査画像は、荷電粒子検査システムを用いて生成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（２８）
３０．荷電粒子検査システムは走査電子顕微鏡を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（２９）
３１．命令を有する非一時的なコンピュータ可読媒体であって、命令が、コンピュータによって実行されると、基板パターン検査画像を受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することであって、コンターを決定することは、基板パターン検査画像内の繰り返しフィーチャのエッジを検出することを含む、決定することと、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングし、フィルタリング後に、一組の検査コンター内に残りのコンターを残すことと、を含む動作をコンピュータに行わせる、非一時的なコンピュータ可読媒体。
３２．動作は、フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、繰り返しフィーチャの製造変動を決定することをさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
３３．製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３２）
３４．繰り返しフィーチャの製造変動を決定することは、一組の検査コンター内の残りのコンターをスタックすることと、スタックされた残りのコンターを統計的に分析することと、を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３２）
３５．フィルタリングは一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて実行される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
３６．一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイントに基づくフィルタリングは、基板パターン検査画像における所与のコンターに沿ったピクセル位置の画像コントラスト又はノイズレベルを決定することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３５）
３７．一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づくフィルタリングは、所与のコンターの幾何学的形状の平滑度を決定することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３５）
３８．一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することは、パターンに関連するユニットセル又はレチクルにわたって繰り返しコンターを検出することを含み、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、外れ値ユニットセル又は外れ値レチクルに関連する各コンターをフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
３９．動作は、一組の検査コンター内の各コンターのスコアを決定することと、スコアに基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
４０．スコアは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて、基板パターン検査画像を参照して決定される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３９）
４１．スコアは、コンター上の複数のポイントの各々に関する個々のスコアを含み、フィルタリングすることは、個々のスコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３９）
４２．スコアは、コンターの幾何学的形状に関連する総合スコアを含み、フィルタリングすることが、総合スコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３９）
４３．基板パターン検査画像は、光学検査システム又は荷電粒子検査システムを用いて生成される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
４４．基板パターン検査画像は、荷電粒子検査システムを用いて生成される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（４３）
４５．荷電粒子検査システムは走査電子顕微鏡を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（４４）
４６．基板パターン検査画像の一組の検査コンターから外れ値コンターを電子的にフィルタリングするための方法であって、基板パターン検査画像を受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することであって、コンターを決定することは、基板パターン検査画像内の繰り返しフィーチャのエッジを検出することを含む、決定することと、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることであって、フィルタリングすることが、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて行われる、フィルタリングすることと、フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、繰り返しフィーチャの製造変動を決定することと、を含む方法。
４７．製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
４８．繰り返しフィーチャの製造変動を決定することは、一組の検査コンター内の残りのコンターをスタックすることと、スタックされた残りのコンターを統計的に分析することと、を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
４９．一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイントに基づいてフィルタリングすることは、基板パターン検査画像における所与のコンターに沿ったピクセル位置の画像コントラスト又はノイズレベルを決定することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
５０．一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいてフィルタリングすることは、所与のコンターの幾何学的形状の平滑度を決定することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
５１．一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することは、パターンに関連するユニットセル又はレチクルにわたって繰り返しコンターを検出することを含み、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、外れ値ユニットセル又は外れ値レチクルに関連する各コンターをフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
５２．一組の検査コンター内の各コンターのスコアを決定することと、スコアに基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
５３．スコアは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて、基板パターン検査画像を参照して決定される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（５２）
５４．スコアは、コンター上の複数のポイントの各々に関する個々のスコアを含み、フィルタリングすることは、個々のスコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（５２）
５５．スコアは、コンターの幾何学的形状に関連する総合スコアを含み、フィルタリングすることは、総合スコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（５２）
５６．スコアは、信頼度レベル又は確実性を示す、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（５２）
５７．基板パターン検査画像は、光学検査システムを用いて生成される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
５８．光学検査システムはスキャトロメータである、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（５７）
５９．基板パターン検査画像は、荷電粒子検査システムを用いて生成される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
６０．荷電粒子検査システムは走査電子顕微鏡を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（５９）
６１．命令を有する非一時的なコンピュータ可読媒体であって、命令が、コンピュータによって実行されると、コンピュータに、基板パターン検査画像の一組の検査コンターから外れ値コンターを電子的にフィルタリングさせ、命令が、基板パターン検査画像を受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することであって、コンターを決定することは、基板パターン検査画像内の繰り返しフィーチャのエッジを検出することを含む、決定することと、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることであって、フィルタリングすることは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて行われる、フィルタリングすることと、フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、繰り返しフィーチャの製造変動を決定することと、を含む動作を生じさせる、非一時的なコンピュータ可読媒体。
６２．製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（６１）
６３．繰り返しフィーチャの製造変動を決定することは、一組の検査コンター内の残りのコンターをスタックすることと、スタックされた残りのコンターを統計的に分析することと、を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（６１）
６４．一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイントに基づいてフィルタリングすることは、基板パターン検査画像における所与のコンターに沿ったピクセル位置の画像コントラスト又はノイズレベルを決定することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（６１）
６５．一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいてフィルタリングすることは、所与のコンターの幾何学的形状の平滑度を決定することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（６１）
６６．一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することは、パターンに関連するユニットセル又はレチクルにわたって繰り返しコンターを検出することを含み、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、外れ値ユニットセル又は外れ値レチクルに関連する各コンターをフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（６１）
６７．一組の検査コンター内の各コンターのスコアを決定することと、スコアに基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（６１）
６８．スコアは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて、基板パターン検査画像を参照して決定される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（６７）
６９．スコアは、コンター上の複数のポイントの各々に関する個々のスコアを含み、フィルタリングすることは、個々のスコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（６７）
７０．スコアは、コンターの幾何学的形状に関連する総合スコアを含み、フィルタリングすることは、総合スコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（６７）
７１．スコアは、信頼度レベル又は確実性を示す、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（６７）
７２．基板パターン検査画像は、光学検査システムを用いて生成される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（６１）
７３．光学検査システムはスキャトロメータである、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７２）
７４．基板パターン検査画像は、荷電粒子検査システムを用いて生成される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（６１）
７５．荷電粒子検査システムは走査電子顕微鏡を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７４）
７６．基板パターン検査画像の一組の検査コンターから外れ値コンターを電子的にフィルタリングするためのシステムであって、基板パターン検査画像を受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することであって、コンターを決定することは、基板パターン検査画像内の繰り返しフィーチャのエッジを検出することを含む、決定することと、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることであって、フィルタリングすることは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて行われる、フィルタリングすることと、フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、繰り返しフィーチャの製造変動を決定することと、を行うように、機械可読命令によって構成された１つ又は複数のプロセッサを備えたシステム。
７７．製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（７６）
７８．繰り返しフィーチャの製造変動を決定することは、一組の検査コンター内の残りのコンターをスタックすることと、スタックされた残りのコンターを統計的に分析することと、を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（７６）
７９．一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイントに基づいてフィルタリングすることは、基板パターン検査画像における所与のコンターに沿ったピクセル位置の画像コントラスト又はノイズレベルを決定することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（７６）
８０．一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいてフィルタリングすることは、所与のコンターの幾何学的形状の平滑度を決定することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（７６）
８１．一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することは、パターンに関連するユニットセル又はレチクルにわたって繰り返しコンターを検出することを含み、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、外れ値ユニットセル又は外れ値レチクルに関連する各コンターをフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（７６）
８２．１つ又は複数のプロセッサは、一組の検査コンター内の各コンターのスコアを決定することと、スコアに基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに行うように構成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（７６）
８３．スコアは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて、基板パターン検査画像を参照して決定される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（８２）
８４．スコアは、コンター上の複数のポイントの各々に関する個々のスコアを含み、フィルタリングすることが、個々のスコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（８２）
８５．スコアが、コンターの幾何学的形状に関連する総合スコアを含み、フィルタリングすることが、総合スコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（８２）
８６．スコアは、信頼度レベル又は確実性を示す、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（８２）
８７．基板パターン検査画像は、光学検査システムを用いて生成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（７６）
８８．光学検査システムはスキャトロメータである、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（８７）
８９．基板パターン検査画像は、荷電粒子検査システムを用いて生成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（７６）
９０．荷電粒子検査システムは走査電子顕微鏡を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（８９）
９１．命令を有する非一時的なコンピュータ可読媒体であって、命令が、コンピュータによって実行されると、コンピュータに、基板パターン検査画像の一組の検査コンターから外れ値コンターを電子的にフィルタリングさせ、フィルタリングが、以前のパターニングプロセスと比較して、パターニングプロセスの製造変動の決定及びパターニングプロセスの最適化を向上させるように構成され、命令が、基板パターン検査画像を受信することであって、基板パターン検査画像が、荷電粒子検査システムを用いて生成される、受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することであって、コンターを決定することは、基板パターン検査画像内の繰り返しフィーチャのエッジを検出することを含む、決定することと、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることであって、フィルタリングすることは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて行われる、フィルタリングすることと、フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、繰り返しフィーチャの製造変動を決定することであって、製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される、決定することと、を含む動作を生じさせる、非一時的なコンピュータ可読媒体。
９２．一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイントに基づいてフィルタリングすることは、基板パターン検査画像における所与のコンターに沿ったピクセル位置の画像コントラスト又はノイズレベルを決定することを含む、基板パターン検査画像の特徴を決定することを含み、一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいてフィルタリングすることは、所与のコンターの幾何学的形状の平滑度を決定することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（９１）
９３．動作は、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて、一組の検査コンター内の各コンターのスコアを決定することと、スコアに基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（９１）
９４．繰り返しフィーチャの製造変動を決定することは、一組の検査コンター内の残りのコンターをスタックすることと、スタックされた残りのコンターを統計的に分析することと、を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（９１）
９５．荷電粒子検査システムは走査電子顕微鏡を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（９１）
９６．基板パターン検査画像の一組の検査コンターから外れ値コンターを電子的にフィルタリングするための方法であって、フィルタリングすることが、以前のパターニングプロセスと比較して、パターニングプロセスの製造変動の決定及びパターニングプロセスの最適化を向上させるように構成され、方法が、基板パターン検査画像を受信することであって、基板パターン検査画像は、荷電粒子検査システムを用いて生成される、受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することであって、コンターを決定することは、基板パターン検査画像内の繰り返しフィーチャのエッジを検出することを含む、決定することと、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることであって、フィルタリングすることは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて行われる、フィルタリングすることと、フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、繰り返しフィーチャの製造変動を決定することであって、製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される、決定することと、を含む、方法。
９７．一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイントに基づいてフィルタリングすることは、基板パターン検査画像における所与のコンターに沿ったピクセル位置の画像コントラスト又はノイズレベルを決定することを含む、基板パターン検査画像の特徴を決定することを含み、一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいてフィルタリングすることは、所与のコンターの幾何学的形状の平滑度を決定することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９６）
９８．一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて、一組の検査コンター内の各コンターのスコアを決定することと、スコアに基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９６）
９９．繰り返しフィーチャの製造変動を決定することは、一組の検査コンター内の残りのコンターをスタックすることと、スタックされた残りのコンターを統計的に分析することと、を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９６）
１００．荷電粒子検査システムは走査電子顕微鏡を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９６）
１０１．基板パターン検査画像の一組の検査コンターから外れ値コンターを電子的にフィルタリングするためのシステムであって、フィルタリングすることは、以前のパターニングプロセスと比較して、パターニングプロセスの製造変動の決定及びパターニングプロセスの最適化を向上させるように構成され、システムは、基板パターン検査画像を受信することであって、基板パターン検査画像は、荷電粒子検査システムを用いて生成される、受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することであって、コンターを決定することは、基板パターン検査画像内の繰り返しフィーチャのエッジを検出することを含む、決定することと、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることであって、フィルタリングすることは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて行われる、フィルタリングすることと、フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、繰り返しフィーチャの製造変動を決定することであって、製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される、決定することと、を行うように、機械可読命令によって構成された１つ又は複数のプロセッサを備えた、システム。
１０２．一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイントに基づいてフィルタリングすることは、基板パターン検査画像における所与のコンターに沿ったピクセル位置の画像コントラスト又はノイズレベルを決定することを含む、基板パターン検査画像の特徴を決定することを含み、一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいてフィルタリングすることは、所与のコンターの幾何学的形状の平滑度を決定することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０１）
１０３．１つ又は複数のプロセッサは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて、一組の検査コンター内の各コンターのスコアを決定することと、スコアに基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、を行うようにさらに構成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０１）
１０４．繰り返しフィーチャの製造変動を決定することは、一組の検査コンター内の残りのコンターをスタックすることと、スタックされた残りのコンターを統計的に分析することと、を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０１）
１０５．荷電粒子検査システムは走査電子顕微鏡を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０１）
１０６．フィーチャの製造変動を分析する方法であって、同一のフィーチャを含む走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像を受信することと、同一のフィーチャのそれぞれのコンターを決定することと、コンターの第１のサブセットをフィルタリングして、コンターの残りの第２のサブセットを残すことと、コンターの第２のサブセットに基づいて、同一のフィーチャの製造変動を決定することと、を含む方法。
１０７．コンターの特徴に基づいて、コンターのそれぞれのスコアを決定することをさらに含み、第１のサブセットのフィルタリングは、スコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１０６）
１０８．コンターの特徴に基づいて、各コンター上の複数のポイントのそれぞれのスコアを決定することをさらに含み、第１のサブセットのフィルタリングは、スコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１０６）
１０９．命令を有する非一時的なコンピュータ可読媒体であって、命令が、コンピュータによって実行されると、同一のフィーチャを含む走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像を受信することと、同一のフィーチャのそれぞれのコンターを決定することと、コンターの第１のサブセットをフィルタリングして、コンターの残りの第２のサブセットを残すことと、コンターの第２のサブセットに基づいて、同一のフィーチャの製造変動を決定することと、を含む動作を生じさせる、非一時的なコンピュータ可読媒体。
１１０．動作が、コンターの特徴に基づいて、コンターのそれぞれのスコアを決定することをさらに含み、第１のサブセットのフィルタリングは、スコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１０９）
１１１．動作は、コンターの特徴に基づいて、各コンター上の複数のポイントのそれぞれのスコアを決定することをさらに含み、第１のサブセットのフィルタリングは、スコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１０９）
１１２．フィーチャの製造変動を分析するためのシステムであって、同一のフィーチャを含む走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像を受信することと、同一のフィーチャのそれぞれのコンターを決定することと、コンターの第１のサブセットをフィルタリングして、コンターの残りの第２のサブセットを残すことと、コンターの第２のサブセットに基づいて、同一のフィーチャの製造変動を決定することと、を行うように機械可読命令によって構成された１つ又は複数のプロセッサを備えたシステム。
１１３．１つ又は複数のプロセッサは、コンターの特徴に基づいて、コンターのそれぞれのスコアを決定するようにさらに構成され、第１のサブセットのフィルタリングは、スコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１１２）
１１４．１つ又は複数のプロセッサは、コンターの特徴に基づいて、各コンター上の複数のポイントのそれぞれのスコアを決定するようにさらに構成され、第１のサブセットのフィルタリングは、スコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１１２）
１１５．パターニングプロセスを向上させるための方法であって、基板パターン検査画像を受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像内のコンターを決定することであって、コンターを決定することは、基板パターン検査画像内のフィーチャのエッジを検出することを含む、決定することと、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、を含む方法。
１１６．決定されたコンターは頂点を含み、フィーチャのエッジを検出することが、決定されたコンターの頂点を識別することを含み、外れ値コンターのフィルタリングが頂点に基づく、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１１５）
１１７．決定されたコンターの頂点において形成された角度を決定することと、角度に基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１１５）
１１８．一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、角度閾値に対する決定された角度の比較に基づき、角度閾値より小さい頂点の角度を有する決定されたコンターは、外れ値コンターであると決定され、一組の検査コンターからフィルタリングされる、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１１７）
１１９．閾値角度は１２０度、９０度、６０度、又は４５度である、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１１８）
１２０．決定されたコンターの隣接する頂点間の距離を決定することと、距離に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１１５）
１２１．一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、距離閾値に対する決定された距離の比較に基づき、距離閾値に違反する距離を有する決定されたコンターが、外れ値コンターであると決定され、一組の検査コンターからフィルタリングされる、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１２０）
１２２．距離閾値が、頂点間の平均距離よりも所与の数倍若しくはパーセンテージ大きい若しくは小さい距離、又はコンターエッジラフネスパラメータに対応する距離を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１２１）
１２３．決定されたコンターの重心を決定することと、重心と所与のコンターの１つ又は複数の頂点との間の関係に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１１５）
１２４．関係に基づいてフィルタリングすることは、所与のコンターが、重心距離閾値に違反する重心からの距離を有する１つ又は複数の頂点を有することに応答して、一組の検査コンターから所与のコンターをフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１２３）
１２５．重心距離閾値は、頂点と重心との間の平均距離よりも所与の数倍又はパーセンテージ大きい又は小さい距離を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１２４）
１２６．決定されたコンターの重心を決定することと、重心に基づいて、決定されたコンターに対して、期待されるコンター形状をあてはめることと、あてはめられた期待されるコンターと所与のコンターの頂点との間の関係に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１１５）
１２７．決定されたコンターの重心を決定することと、重心に基づいて、決定されたコンターに対して円又は楕円をあてはめることと、あてはめられた円又は楕円と所与のコンターの頂点との間の関係に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１１５）
１２８．関係に基づいてフィルタリングすることは、所与のコンターが、あてはめ距離閾値に違反する、あてはめられた円又は楕円からの距離を有する１つ又は複数の頂点を有することに応答して、一組の検査コンターから所与のコンターをフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１２７）
１２９．あてはめ距離閾値は、頂点とあてはめられた円又は楕円との間の平均距離よりも所与の数倍又はパーセンテージ大きい又は小さい距離を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１２８）
１３０．コンターが多角形を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１１５）
１３１．基板パターン検査画像は、光学検査システム又は荷電粒子検査システムを用いて生成される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１１５）
１３２．基板パターン検査画像は、荷電粒子検査システムを用いて生成され、荷電粒子検査システムが走査電子顕微鏡を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３１）
１３３．フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、フィーチャの製造変動を決定することをさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１１５）
１３４．製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３３）
１３５．一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像内のコンターを決定することは、パターンに関連するユニットセル又はレチクルにわたって繰り返しコンターを検出することを含み、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、外れ値ユニットセル又は外れ値レチクルに関連する各コンター又はコンターの一部をフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１１５）
１３６．命令を有する非一時的なコンピュータ可読媒体であって、命令が、コンピュータによって実行されると、コンピュータに、基板パターン検査画像を受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像内のコンターを決定することであって、コンターを決定することは、基板パターン検査画像内のフィーチャのエッジを検出することを含む、決定することと、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、を行わせる、非一時的なコンピュータ可読媒体。
１３７．決定されたコンターが頂点を含み、フィーチャのエッジを検出することは、決定されたコンターの頂点を識別することを含み、外れ値コンターのフィルタリングが頂点に基づく、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１３６）
１３８．命令が、決定されたコンターの頂点において形成された角度を決定することと、角度に基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をコンピュータにさらに行わせる、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１３６）
１３９．一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、角度閾値に対する決定された角度の比較に基づき、角度閾値より小さい頂点の角度を有する決定されたコンターが、外れ値コンターであると決定され、一組の検査コンターからフィルタリングされる、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１３８）
１４０．閾値角度は１２０度、９０度、６０度、又は４５度である、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１３９）
１４１．命令が、決定されたコンターの隣接する頂点間の距離を決定することと、距離に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をコンピュータにさらに行わせる、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１３６）
１４２．一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、距離閾値に対する決定された距離の比較に基づき、距離閾値に違反する距離を有する決定されたコンターが、外れ値コンターであると決定され、一組の検査コンターからフィルタリングされる、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１４１）
１４３．距離閾値は、頂点間の平均距離よりも所与の数倍若しくはパーセンテージ大きい若しくは小さい距離、又はコンターエッジラフネスパラメータに対応する距離を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１４２）
１４４．命令が、決定されたコンターの重心を決定することと、重心と所与のコンターの１つ又は複数の頂点との間の関係に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をコンピュータにさらに行わせる、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１３６）
１４５．関係に基づいてフィルタリングすることは、所与のコンターが、重心距離閾値に違反する重心からの距離を有する１つ又は複数の頂点を有することに応答して、一組の検査コンターから所与のコンターをフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１４４）
１４６．重心距離閾値が、頂点と重心との間の平均距離よりも所与の数倍又はパーセンテージ大きい又は小さい距離を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１４５）
１４７．命令が、決定されたコンターの重心を決定することと、重心に基づいて、決定されたコンターに対して、期待されるコンター形状をあてはめることと、あてはめられた期待されるコンターと所与のコンターの頂点との間の関係に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をコンピュータにさらに行わせる、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１３６）
１４８．命令が、決定されたコンターの重心を決定することと、重心に基づいて、決定されたコンターに対して円又は楕円をあてはめることと、あてはめられた円又は楕円と所与のコンターの頂点との間の関係に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をコンピュータにさらに行わせる、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１３６）
１４９．関係に基づいてフィルタリングすることは、所与のコンターが、あてはめ距離閾値に違反する、あてはめられた円又は楕円からの距離を有する１つ又は複数の頂点を有することに応答して、一組の検査コンターから所与のコンターをフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１４８）
１５０．あてはめ距離閾値は、頂点とあてはめられた円又は楕円との間の平均距離よりも所与の数倍又はパーセンテージ大きい又は小さい距離を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１４９）
１５１．コンターは多角形を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１３６）
１５２．基板パターン検査画像は、光学検査システム又は荷電粒子検査システムを用いて生成される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１３６）
１５３．基板パターン検査画像は、荷電粒子検査システムを用いて生成され、荷電粒子検査システムは走査電子顕微鏡を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１５２）
１５４．命令が、フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、フィーチャの製造変動を決定することをコンピュータにさらに行わせる、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１３６）
１５５．製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１５４）
１５６．一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像内のコンターを決定することは、パターンに関連するユニットセル又はレチクルにわたって繰り返しコンターを検出することを含み、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、外れ値ユニットセル又は外れ値レチクルに関連する各コンター又はコンターの一部をフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１３６）
１５７．パターニングプロセスを向上させるためのシステムであって、システムが、基板パターン検査画像を受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像内のコンターを決定することであって、コンターを決定することは、基板パターン検査画像内のフィーチャのエッジを検出することを含む、決定することと、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、を行うように、機械可読命令によって構成された１つ又は複数のプロセッサを備えた、システム。
１５８．決定されたコンターが頂点を含み、フィーチャのエッジを検出することが、決定されたコンターの頂点を識別することを含み、外れ値コンターのフィルタリングが頂点に基づく、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５７）
１５９．１つ又は複数のプロセッサは、決定されたコンターの頂点において形成された角度を決定することと、角度に基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、を行うようにさらに構成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５７）
１６０．一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、角度閾値に対する決定された角度の比較に基づき、角度閾値より小さい頂点の角度を有する決定されたコンターが、外れ値コンターであると決定され、一組の検査コンターからフィルタリングされる、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５９）
１６１．閾値角度は１２０度、９０度、６０度、又は４５度である、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６０）
１６２．１つ又は複数のプロセッサは、決定されたコンターの隣接する頂点間の距離を決定することと、距離に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、を行うようにさらに構成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５７）
１６３．一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、距離閾値に対する決定された距離の比較に基づき、距離閾値に違反する距離を有する決定されたコンターが、外れ値コンターであると決定され、一組の検査コンターからフィルタリングされる、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６２）
１６４．距離閾値は、頂点間の平均距離よりも所与の数倍若しくはパーセンテージ大きい若しくは小さい距離、又はコンターエッジラフネスパラメータに対応する距離を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６３）
１６５．１つ又は複数のプロセッサは、決定されたコンターの重心を決定することと、重心と所与のコンターの１つ又は複数の頂点との間の関係に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、を行うようにさらに構成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５７）
１６６．関係に基づいてフィルタリングすることは、所与のコンターが、重心距離閾値に違反する重心からの距離を有する１つ又は複数の頂点を有することに応答して、一組の検査コンターから所与のコンターをフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６５）
１６７．重心距離閾値は、頂点と重心との間の平均距離よりも所与の数倍又はパーセンテージ大きい又は小さい距離を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６６）
１６８．１つ又は複数のプロセッサは、決定されたコンターの重心を決定することと、重心に基づいて、決定されたコンターに対して、期待されるコンター形状をあてはめることと、あてはめられた期待されるコンターと所与のコンターの頂点との間の関係に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、を行うようにさらに構成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５７）
１６９．１つ又は複数のプロセッサは、決定されたコンターの重心を決定することと、重心に基づいて、決定されたコンターに対して円又は楕円をあてはめることと、あてはめられた円又は楕円と所与のコンターの頂点との間の関係に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、を行うようにさらに構成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５７）
１７０．関係に基づいてフィルタリングすることは、所与のコンターが、あてはめ距離閾値に違反する、あてはめられた円又は楕円からの距離を有する１つ又は複数の頂点を有することに応答して、一組の検査コンターから所与のコンターをフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６９）
１７１．あてはめ距離閾値は、頂点とあてはめられた円又は楕円との間の平均距離よりも所与の数倍又はパーセンテージ大きい又は小さい距離を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１７０）
１７２．コンターは多角形を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５７）
１７３．基板パターン検査画像は、光学検査システム又は荷電粒子検査システムを用いて生成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５７）
１７４．基板パターン検査画像は、荷電粒子検査システムを用いて生成され、荷電粒子検査システムが走査電子顕微鏡を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１７３）
１７５．１つ又は複数のプロセッサは、フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、フィーチャの製造変動を決定するようにさらに構成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５７）
１７６．製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１７５）
１７７．一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像内のコンターを決定することは、パターンに関連するユニットセル又はレチクルにわたって繰り返しコンターを検出することを含み、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、外れ値ユニットセル又は外れ値レチクルに関連する各コンター又はコンターの一部をフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５７）
１７８．パターニングプロセスを向上させるための方法であって、基板パターン検査画像を受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像内のコンターを決定することであって、コンターを決定することは、基板パターン検査画像内のフィーチャのエッジを検出することを含む、決定することと、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、を含む方法。
１７９．決定されたコンターは頂点を含み、フィーチャのエッジを検出することは、決定されたコンターの頂点を識別することを含み、外れ値コンターのフィルタリングが頂点に基づく、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１７８）
１８０．決定されたコンターの頂点において形成された角度を決定することと、角度に基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１７８）
１８１．一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、角度閾値に対する決定された角度の比較に基づき、角度閾値より小さい頂点の角度を有する決定されたコンターが、外れ値コンターであると決定され、一組の検査コンターからフィルタリングされる、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１８０）
１８２．決定されたコンターの隣接する頂点間の距離を決定することと、距離に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１７８）
１８３．一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、距離閾値に対する決定された距離の比較に基づき、距離閾値に違反する距離を有する決定されたコンターが、外れ値コンターであると決定され、一組の検査コンターからフィルタリングされる、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１８２）
１８４．距離閾値は、頂点間の平均距離よりも所与の数倍若しくはパーセンテージ大きい若しくは小さい距離、又はコンターエッジラフネスパラメータに対応する距離を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１８３）
１８５．決定されたコンターの重心を決定することと、重心と所与のコンターの１つ又は複数の頂点との間の関係に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１７８）
１８６．関係に基づいてフィルタリングすることは、所与のコンターが、重心距離閾値に違反する重心からの距離を有する１つ又は複数の頂点を有することに応答して、一組の検査コンターから所与のコンターをフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１８５）
１８７．重心距離閾値は、頂点と重心との間の平均距離よりも所与の数倍又はパーセンテージ大きい又は小さい距離を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１８６）
１８８．決定されたコンターの重心を決定することと、重心に基づいて、決定されたコンターに対して円又は楕円をあてはめることと、あてはめられた円又は楕円と所与のコンターの頂点との間の関係に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１７８）
１８９．関係に基づいてフィルタリングすることは、所与のコンターが、あてはめ距離閾値に違反する、あてはめられた円又は楕円からの距離を有する１つ又は複数の頂点を有することに応答して、一組の検査コンターから所与のコンターをフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１８８）
１９０．基板パターン検査画像は、荷電粒子検査システムを用いて生成され、荷電粒子検査システムは走査電子顕微鏡を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１７８）
１９１．フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、フィーチャの製造変動を決定することをさらに含み、製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１７８）
１９２．一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像内のコンターを決定することは、パターンに関連するユニットセル又はレチクルにわたって繰り返しコンターを検出することを含み、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、外れ値ユニットセル又は外れ値レチクルに関連する各コンター又はコンターの一部をフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１７８）
１９３．命令を有する非一時的なコンピュータ可読媒体であって、命令が、コンピュータによって実行されると、コンピュータに、基板パターン検査画像の一組の検査コンターから外れ値コンターを電子的にフィルタリングさせ、フィルタリングが、以前のパターニングプロセスと比較して、パターニングプロセスの製造変動の決定及びパターニングプロセスの最適化を向上させるように構成され、命令が、基板パターン検査画像を受信することであって、基板パターン検査画像は、荷電粒子検査システムを用いて生成される、受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像内のコンターを決定することであって、コンターを決定することは、基板パターン検査画像内のフィーチャのエッジを検出することを含み、エッジがコンターの頂点を含む、決定することと、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることであって、フィルタリングが頂点に基づいて行われる、フィルタリングすることと、フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、フィーチャの製造変動を決定することであって、製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される、決定することと、を含む動作を生じさせる、非一時的なコンピュータ可読媒体。
１９４．動作は、決定されたコンターの頂点において形成された角度を決定することと、角度に基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１９３）
１９５．動作は、決定されたコンターの隣接する頂点間の距離を決定することと、距離に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１９３）
１９６．動作は、決定されたコンターの重心を決定することと、重心に基づいて、決定されたコンターに対して円又は楕円をあてはめることと、あてはめられた円又は楕円と所与のコンターの頂点との間の関係に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１９３）
１９７．荷電粒子検査システムは走査電子顕微鏡を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１９３）
１．基板パターン検査画像を受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することであって、コンターを決定することが、基板パターン検査画像内の繰り返しフィーチャのエッジを検出することを含む、決定することと、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングし、フィルタリング後に、一組の検査コンター内に残りのコンターを残すことと、を含む方法。
２．フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、繰り返しフィーチャの製造変動を決定することをさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
３．製造変動が、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用が、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（２）
４．繰り返しフィーチャの製造変動を決定することは、一組の検査コンター内の残りのコンターをスタックすることと、スタックされた残りのコンターを統計的に分析することと、を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（２）
５．フィルタリングが一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて実行される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
６．一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイントに基づくフィルタリングは、基板パターン検査画像における所与のコンターに沿ったピクセル位置の画像コントラスト又はノイズレベルを決定することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（５）
７．一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づくフィルタリングは、所与のコンターの幾何学的形状の平滑度を決定することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（５）
８．一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することは、パターンに関連するユニットセル又はレチクルにわたって繰り返しコンターを検出することを含み、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、外れ値ユニットセル又は外れ値レチクルに関連する各コンターをフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
９．一組の検査コンター内の各コンターのスコアを決定することと、スコアに基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
１０．スコアは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて、基板パターン検査画像を参照して決定される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９）
１１．スコアは、コンター上の複数のポイントの各々に関する個々のスコアを含み、フィルタリングすることは、個々のスコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９）
１２．スコアは、コンターの幾何学的形状に関連する総合スコアを含み、フィルタリングすることは、総合スコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９）
１３．基板パターン検査画像は、光学検査システム又は荷電粒子検査システムを用いて生成される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
１４．基板パターン検査画像は、荷電粒子検査システムを用いて生成され、荷電粒子検査システムは走査電子顕微鏡を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３）
１５．命令を有する非一時的なコンピュータ可読媒体であって、命令が、コンピュータによって実行されると、先行する条項の何れか一項に記載の方法をコンピュータに実行させる、非一時的なコンピュータ可読媒体。（１）
１６．基板パターン検査画像を受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することであって、コンターを決定することは、基板パターン検査画像内の繰り返しフィーチャのエッジを検出することを含む、決定することと、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングし、フィルタリング後に、一組の検査コンター内に残りのコンターを残すことと、を行うように、機械可読命令によって構成された１つ又は複数のプロセッサを備えたシステム。
１７．１つ又は複数のプロセッサは、フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、繰り返しフィーチャの製造変動を決定するようにさらに構成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
１８．製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１７）
１９．繰り返しフィーチャの製造変動を決定することは、一組の検査コンター内の残りのコンターをスタックすることと、スタックされた残りのコンターを統計的に分析することと、を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１７）
２０．フィルタリングは一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて実行される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
２１．一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイントに基づくフィルタリングは、基板パターン検査画像における所与のコンターに沿ったピクセル位置の画像コントラスト又はノイズレベルを決定することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（２０）
２２．一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づくフィルタリングは、所与のコンターの幾何学的形状の平滑度を決定することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（２０）
２３．一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することは、パターンに関連するユニットセル又はレチクルにわたって繰り返しコンターを検出することを含み、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、外れ値ユニットセル又は外れ値レチクルに関連する各コンターをフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
２４．１つ又は複数のプロセッサは、一組の検査コンター内の各コンターのスコアを決定することと、スコアに基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、を行うようにさらに構成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
２５．スコアが、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて、基板パターン検査画像を参照して決定される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（２４）
２６．スコアは、コンター上の複数のポイントの各々に関する個々のスコアを含み、フィルタリングすることが、個々のスコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（２４）
２７．スコアは、コンターの幾何学的形状に関連する総合スコアを含み、フィルタリングすることが、総合スコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（２４）
２８．基板パターン検査画像は、光学検査システム又は荷電粒子検査システムを用いて生成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
２９．基板パターン検査画像は、荷電粒子検査システムを用いて生成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（２８）
３０．荷電粒子検査システムは走査電子顕微鏡を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（２９）
３１．命令を有する非一時的なコンピュータ可読媒体であって、命令が、コンピュータによって実行されると、基板パターン検査画像を受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することであって、コンターを決定することは、基板パターン検査画像内の繰り返しフィーチャのエッジを検出することを含む、決定することと、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングし、フィルタリング後に、一組の検査コンター内に残りのコンターを残すことと、を含む動作をコンピュータに行わせる、非一時的なコンピュータ可読媒体。
３２．動作は、フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、繰り返しフィーチャの製造変動を決定することをさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
３３．製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３２）
３４．繰り返しフィーチャの製造変動を決定することは、一組の検査コンター内の残りのコンターをスタックすることと、スタックされた残りのコンターを統計的に分析することと、を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３２）
３５．フィルタリングは一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて実行される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
３６．一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイントに基づくフィルタリングは、基板パターン検査画像における所与のコンターに沿ったピクセル位置の画像コントラスト又はノイズレベルを決定することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３５）
３７．一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づくフィルタリングは、所与のコンターの幾何学的形状の平滑度を決定することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３５）
３８．一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することは、パターンに関連するユニットセル又はレチクルにわたって繰り返しコンターを検出することを含み、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、外れ値ユニットセル又は外れ値レチクルに関連する各コンターをフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
３９．動作は、一組の検査コンター内の各コンターのスコアを決定することと、スコアに基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
４０．スコアは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて、基板パターン検査画像を参照して決定される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３９）
４１．スコアは、コンター上の複数のポイントの各々に関する個々のスコアを含み、フィルタリングすることは、個々のスコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３９）
４２．スコアは、コンターの幾何学的形状に関連する総合スコアを含み、フィルタリングすることが、総合スコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３９）
４３．基板パターン検査画像は、光学検査システム又は荷電粒子検査システムを用いて生成される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
４４．基板パターン検査画像は、荷電粒子検査システムを用いて生成される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（４３）
４５．荷電粒子検査システムは走査電子顕微鏡を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（４４）
４６．基板パターン検査画像の一組の検査コンターから外れ値コンターを電子的にフィルタリングするための方法であって、基板パターン検査画像を受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することであって、コンターを決定することは、基板パターン検査画像内の繰り返しフィーチャのエッジを検出することを含む、決定することと、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることであって、フィルタリングすることが、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて行われる、フィルタリングすることと、フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、繰り返しフィーチャの製造変動を決定することと、を含む方法。
４７．製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
４８．繰り返しフィーチャの製造変動を決定することは、一組の検査コンター内の残りのコンターをスタックすることと、スタックされた残りのコンターを統計的に分析することと、を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
４９．一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイントに基づいてフィルタリングすることは、基板パターン検査画像における所与のコンターに沿ったピクセル位置の画像コントラスト又はノイズレベルを決定することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
５０．一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいてフィルタリングすることは、所与のコンターの幾何学的形状の平滑度を決定することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
５１．一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することは、パターンに関連するユニットセル又はレチクルにわたって繰り返しコンターを検出することを含み、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、外れ値ユニットセル又は外れ値レチクルに関連する各コンターをフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
５２．一組の検査コンター内の各コンターのスコアを決定することと、スコアに基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
５３．スコアは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて、基板パターン検査画像を参照して決定される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（５２）
５４．スコアは、コンター上の複数のポイントの各々に関する個々のスコアを含み、フィルタリングすることは、個々のスコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（５２）
５５．スコアは、コンターの幾何学的形状に関連する総合スコアを含み、フィルタリングすることは、総合スコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（５２）
５６．スコアは、信頼度レベル又は確実性を示す、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（５２）
５７．基板パターン検査画像は、光学検査システムを用いて生成される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
５８．光学検査システムはスキャトロメータである、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（５７）
５９．基板パターン検査画像は、荷電粒子検査システムを用いて生成される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
６０．荷電粒子検査システムは走査電子顕微鏡を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（５９）
６１．命令を有する非一時的なコンピュータ可読媒体であって、命令が、コンピュータによって実行されると、コンピュータに、基板パターン検査画像の一組の検査コンターから外れ値コンターを電子的にフィルタリングさせ、命令が、基板パターン検査画像を受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することであって、コンターを決定することは、基板パターン検査画像内の繰り返しフィーチャのエッジを検出することを含む、決定することと、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることであって、フィルタリングすることは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて行われる、フィルタリングすることと、フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、繰り返しフィーチャの製造変動を決定することと、を含む動作を生じさせる、非一時的なコンピュータ可読媒体。
６２．製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（６１）
６３．繰り返しフィーチャの製造変動を決定することは、一組の検査コンター内の残りのコンターをスタックすることと、スタックされた残りのコンターを統計的に分析することと、を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（６１）
６４．一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイントに基づいてフィルタリングすることは、基板パターン検査画像における所与のコンターに沿ったピクセル位置の画像コントラスト又はノイズレベルを決定することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（６１）
６５．一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいてフィルタリングすることは、所与のコンターの幾何学的形状の平滑度を決定することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（６１）
６６．一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することは、パターンに関連するユニットセル又はレチクルにわたって繰り返しコンターを検出することを含み、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、外れ値ユニットセル又は外れ値レチクルに関連する各コンターをフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（６１）
６７．一組の検査コンター内の各コンターのスコアを決定することと、スコアに基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（６１）
６８．スコアは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて、基板パターン検査画像を参照して決定される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（６７）
６９．スコアは、コンター上の複数のポイントの各々に関する個々のスコアを含み、フィルタリングすることは、個々のスコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（６７）
７０．スコアは、コンターの幾何学的形状に関連する総合スコアを含み、フィルタリングすることは、総合スコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（６７）
７１．スコアは、信頼度レベル又は確実性を示す、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（６７）
７２．基板パターン検査画像は、光学検査システムを用いて生成される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（６１）
７３．光学検査システムはスキャトロメータである、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７２）
７４．基板パターン検査画像は、荷電粒子検査システムを用いて生成される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（６１）
７５．荷電粒子検査システムは走査電子顕微鏡を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７４）
７６．基板パターン検査画像の一組の検査コンターから外れ値コンターを電子的にフィルタリングするためのシステムであって、基板パターン検査画像を受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することであって、コンターを決定することは、基板パターン検査画像内の繰り返しフィーチャのエッジを検出することを含む、決定することと、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることであって、フィルタリングすることは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて行われる、フィルタリングすることと、フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、繰り返しフィーチャの製造変動を決定することと、を行うように、機械可読命令によって構成された１つ又は複数のプロセッサを備えたシステム。
７７．製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（７６）
７８．繰り返しフィーチャの製造変動を決定することは、一組の検査コンター内の残りのコンターをスタックすることと、スタックされた残りのコンターを統計的に分析することと、を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（７６）
７９．一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイントに基づいてフィルタリングすることは、基板パターン検査画像における所与のコンターに沿ったピクセル位置の画像コントラスト又はノイズレベルを決定することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（７６）
８０．一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいてフィルタリングすることは、所与のコンターの幾何学的形状の平滑度を決定することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（７６）
８１．一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することは、パターンに関連するユニットセル又はレチクルにわたって繰り返しコンターを検出することを含み、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、外れ値ユニットセル又は外れ値レチクルに関連する各コンターをフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（７６）
８２．１つ又は複数のプロセッサは、一組の検査コンター内の各コンターのスコアを決定することと、スコアに基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに行うように構成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（７６）
８３．スコアは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて、基板パターン検査画像を参照して決定される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（８２）
８４．スコアは、コンター上の複数のポイントの各々に関する個々のスコアを含み、フィルタリングすることが、個々のスコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（８２）
８５．スコアが、コンターの幾何学的形状に関連する総合スコアを含み、フィルタリングすることが、総合スコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（８２）
８６．スコアは、信頼度レベル又は確実性を示す、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（８２）
８７．基板パターン検査画像は、光学検査システムを用いて生成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（７６）
８８．光学検査システムはスキャトロメータである、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（８７）
８９．基板パターン検査画像は、荷電粒子検査システムを用いて生成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（７６）
９０．荷電粒子検査システムは走査電子顕微鏡を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（８９）
９１．命令を有する非一時的なコンピュータ可読媒体であって、命令が、コンピュータによって実行されると、コンピュータに、基板パターン検査画像の一組の検査コンターから外れ値コンターを電子的にフィルタリングさせ、フィルタリングが、以前のパターニングプロセスと比較して、パターニングプロセスの製造変動の決定及びパターニングプロセスの最適化を向上させるように構成され、命令が、基板パターン検査画像を受信することであって、基板パターン検査画像が、荷電粒子検査システムを用いて生成される、受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することであって、コンターを決定することは、基板パターン検査画像内の繰り返しフィーチャのエッジを検出することを含む、決定することと、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることであって、フィルタリングすることは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて行われる、フィルタリングすることと、フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、繰り返しフィーチャの製造変動を決定することであって、製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される、決定することと、を含む動作を生じさせる、非一時的なコンピュータ可読媒体。
９２．一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイントに基づいてフィルタリングすることは、基板パターン検査画像における所与のコンターに沿ったピクセル位置の画像コントラスト又はノイズレベルを決定することを含む、基板パターン検査画像の特徴を決定することを含み、一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいてフィルタリングすることは、所与のコンターの幾何学的形状の平滑度を決定することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（９１）
９３．動作は、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて、一組の検査コンター内の各コンターのスコアを決定することと、スコアに基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（９１）
９４．繰り返しフィーチャの製造変動を決定することは、一組の検査コンター内の残りのコンターをスタックすることと、スタックされた残りのコンターを統計的に分析することと、を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（９１）
９５．荷電粒子検査システムは走査電子顕微鏡を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（９１）
９６．基板パターン検査画像の一組の検査コンターから外れ値コンターを電子的にフィルタリングするための方法であって、フィルタリングすることが、以前のパターニングプロセスと比較して、パターニングプロセスの製造変動の決定及びパターニングプロセスの最適化を向上させるように構成され、方法が、基板パターン検査画像を受信することであって、基板パターン検査画像は、荷電粒子検査システムを用いて生成される、受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することであって、コンターを決定することは、基板パターン検査画像内の繰り返しフィーチャのエッジを検出することを含む、決定することと、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることであって、フィルタリングすることは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて行われる、フィルタリングすることと、フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、繰り返しフィーチャの製造変動を決定することであって、製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される、決定することと、を含む、方法。
９７．一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイントに基づいてフィルタリングすることは、基板パターン検査画像における所与のコンターに沿ったピクセル位置の画像コントラスト又はノイズレベルを決定することを含む、基板パターン検査画像の特徴を決定することを含み、一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいてフィルタリングすることは、所与のコンターの幾何学的形状の平滑度を決定することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９６）
９８．一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて、一組の検査コンター内の各コンターのスコアを決定することと、スコアに基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９６）
９９．繰り返しフィーチャの製造変動を決定することは、一組の検査コンター内の残りのコンターをスタックすることと、スタックされた残りのコンターを統計的に分析することと、を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９６）
１００．荷電粒子検査システムは走査電子顕微鏡を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９６）
１０１．基板パターン検査画像の一組の検査コンターから外れ値コンターを電子的にフィルタリングするためのシステムであって、フィルタリングすることは、以前のパターニングプロセスと比較して、パターニングプロセスの製造変動の決定及びパターニングプロセスの最適化を向上させるように構成され、システムは、基板パターン検査画像を受信することであって、基板パターン検査画像は、荷電粒子検査システムを用いて生成される、受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像に基づいてコンターを決定することであって、コンターを決定することは、基板パターン検査画像内の繰り返しフィーチャのエッジを検出することを含む、決定することと、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることであって、フィルタリングすることは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて行われる、フィルタリングすることと、フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、繰り返しフィーチャの製造変動を決定することであって、製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される、決定することと、を行うように、機械可読命令によって構成された１つ又は複数のプロセッサを備えた、システム。
１０２．一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイントに基づいてフィルタリングすることは、基板パターン検査画像における所与のコンターに沿ったピクセル位置の画像コントラスト又はノイズレベルを決定することを含む、基板パターン検査画像の特徴を決定することを含み、一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいてフィルタリングすることは、所与のコンターの幾何学的形状の平滑度を決定することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０１）
１０３．１つ又は複数のプロセッサは、一組の検査コンター内のコンター上の個々のポイント、又は一組の検査コンター内のコンターの幾何学的形状に基づいて、一組の検査コンター内の各コンターのスコアを決定することと、スコアに基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、を行うようにさらに構成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０１）
１０４．繰り返しフィーチャの製造変動を決定することは、一組の検査コンター内の残りのコンターをスタックすることと、スタックされた残りのコンターを統計的に分析することと、を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０１）
１０５．荷電粒子検査システムは走査電子顕微鏡を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０１）
１０６．フィーチャの製造変動を分析する方法であって、同一のフィーチャを含む走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像を受信することと、同一のフィーチャのそれぞれのコンターを決定することと、コンターの第１のサブセットをフィルタリングして、コンターの残りの第２のサブセットを残すことと、コンターの第２のサブセットに基づいて、同一のフィーチャの製造変動を決定することと、を含む方法。
１０７．コンターの特徴に基づいて、コンターのそれぞれのスコアを決定することをさらに含み、第１のサブセットのフィルタリングは、スコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１０６）
１０８．コンターの特徴に基づいて、各コンター上の複数のポイントのそれぞれのスコアを決定することをさらに含み、第１のサブセットのフィルタリングは、スコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１０６）
１０９．命令を有する非一時的なコンピュータ可読媒体であって、命令が、コンピュータによって実行されると、同一のフィーチャを含む走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像を受信することと、同一のフィーチャのそれぞれのコンターを決定することと、コンターの第１のサブセットをフィルタリングして、コンターの残りの第２のサブセットを残すことと、コンターの第２のサブセットに基づいて、同一のフィーチャの製造変動を決定することと、を含む動作を生じさせる、非一時的なコンピュータ可読媒体。
１１０．動作が、コンターの特徴に基づいて、コンターのそれぞれのスコアを決定することをさらに含み、第１のサブセットのフィルタリングは、スコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１０９）
１１１．動作は、コンターの特徴に基づいて、各コンター上の複数のポイントのそれぞれのスコアを決定することをさらに含み、第１のサブセットのフィルタリングは、スコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１０９）
１１２．フィーチャの製造変動を分析するためのシステムであって、同一のフィーチャを含む走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像を受信することと、同一のフィーチャのそれぞれのコンターを決定することと、コンターの第１のサブセットをフィルタリングして、コンターの残りの第２のサブセットを残すことと、コンターの第２のサブセットに基づいて、同一のフィーチャの製造変動を決定することと、を行うように機械可読命令によって構成された１つ又は複数のプロセッサを備えたシステム。
１１３．１つ又は複数のプロセッサは、コンターの特徴に基づいて、コンターのそれぞれのスコアを決定するようにさらに構成され、第１のサブセットのフィルタリングは、スコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１１２）
１１４．１つ又は複数のプロセッサは、コンターの特徴に基づいて、各コンター上の複数のポイントのそれぞれのスコアを決定するようにさらに構成され、第１のサブセットのフィルタリングは、スコアに基づく、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１１２）
１１５．パターニングプロセスを向上させるための方法であって、基板パターン検査画像を受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像内のコンターを決定することであって、コンターを決定することは、基板パターン検査画像内のフィーチャのエッジを検出することを含む、決定することと、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、を含む方法。
１１６．決定されたコンターは頂点を含み、フィーチャのエッジを検出することが、決定されたコンターの頂点を識別することを含み、外れ値コンターのフィルタリングが頂点に基づく、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１１５）
１１７．決定されたコンターの頂点において形成された角度を決定することと、角度に基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１１５）
１１８．一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、角度閾値に対する決定された角度の比較に基づき、角度閾値より小さい頂点の角度を有する決定されたコンターは、外れ値コンターであると決定され、一組の検査コンターからフィルタリングされる、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１１７）
１１９．閾値角度は１２０度、９０度、６０度、又は４５度である、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１１８）
１２０．決定されたコンターの隣接する頂点間の距離を決定することと、距離に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１１５）
１２１．一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、距離閾値に対する決定された距離の比較に基づき、距離閾値に違反する距離を有する決定されたコンターが、外れ値コンターであると決定され、一組の検査コンターからフィルタリングされる、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１２０）
１２２．距離閾値が、頂点間の平均距離よりも所与の数倍若しくはパーセンテージ大きい若しくは小さい距離、又はコンターエッジラフネスパラメータに対応する距離を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１２１）
１２３．決定されたコンターの重心を決定することと、重心と所与のコンターの１つ又は複数の頂点との間の関係に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１１５）
１２４．関係に基づいてフィルタリングすることは、所与のコンターが、重心距離閾値に違反する重心からの距離を有する１つ又は複数の頂点を有することに応答して、一組の検査コンターから所与のコンターをフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１２３）
１２５．重心距離閾値は、頂点と重心との間の平均距離よりも所与の数倍又はパーセンテージ大きい又は小さい距離を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１２４）
１２６．決定されたコンターの重心を決定することと、重心に基づいて、決定されたコンターに対して、期待されるコンター形状をあてはめることと、あてはめられた期待されるコンターと所与のコンターの頂点との間の関係に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１１５）
１２７．決定されたコンターの重心を決定することと、重心に基づいて、決定されたコンターに対して円又は楕円をあてはめることと、あてはめられた円又は楕円と所与のコンターの頂点との間の関係に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１１５）
１２８．関係に基づいてフィルタリングすることは、所与のコンターが、あてはめ距離閾値に違反する、あてはめられた円又は楕円からの距離を有する１つ又は複数の頂点を有することに応答して、一組の検査コンターから所与のコンターをフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１２７）
１２９．あてはめ距離閾値は、頂点とあてはめられた円又は楕円との間の平均距離よりも所与の数倍又はパーセンテージ大きい又は小さい距離を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１２８）
１３０．コンターが多角形を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１１５）
１３１．基板パターン検査画像は、光学検査システム又は荷電粒子検査システムを用いて生成される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１１５）
１３２．基板パターン検査画像は、荷電粒子検査システムを用いて生成され、荷電粒子検査システムが走査電子顕微鏡を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３１）
１３３．フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、フィーチャの製造変動を決定することをさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１１５）
１３４．製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３３）
１３５．一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像内のコンターを決定することは、パターンに関連するユニットセル又はレチクルにわたって繰り返しコンターを検出することを含み、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、外れ値ユニットセル又は外れ値レチクルに関連する各コンター又はコンターの一部をフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１１５）
１３６．命令を有する非一時的なコンピュータ可読媒体であって、命令が、コンピュータによって実行されると、コンピュータに、基板パターン検査画像を受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像内のコンターを決定することであって、コンターを決定することは、基板パターン検査画像内のフィーチャのエッジを検出することを含む、決定することと、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、を行わせる、非一時的なコンピュータ可読媒体。
１３７．決定されたコンターが頂点を含み、フィーチャのエッジを検出することは、決定されたコンターの頂点を識別することを含み、外れ値コンターのフィルタリングが頂点に基づく、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１３６）
１３８．命令が、決定されたコンターの頂点において形成された角度を決定することと、角度に基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をコンピュータにさらに行わせる、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１３６）
１３９．一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、角度閾値に対する決定された角度の比較に基づき、角度閾値より小さい頂点の角度を有する決定されたコンターが、外れ値コンターであると決定され、一組の検査コンターからフィルタリングされる、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１３８）
１４０．閾値角度は１２０度、９０度、６０度、又は４５度である、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１３９）
１４１．命令が、決定されたコンターの隣接する頂点間の距離を決定することと、距離に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をコンピュータにさらに行わせる、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１３６）
１４２．一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、距離閾値に対する決定された距離の比較に基づき、距離閾値に違反する距離を有する決定されたコンターが、外れ値コンターであると決定され、一組の検査コンターからフィルタリングされる、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１４１）
１４３．距離閾値は、頂点間の平均距離よりも所与の数倍若しくはパーセンテージ大きい若しくは小さい距離、又はコンターエッジラフネスパラメータに対応する距離を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１４２）
１４４．命令が、決定されたコンターの重心を決定することと、重心と所与のコンターの１つ又は複数の頂点との間の関係に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をコンピュータにさらに行わせる、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１３６）
１４５．関係に基づいてフィルタリングすることは、所与のコンターが、重心距離閾値に違反する重心からの距離を有する１つ又は複数の頂点を有することに応答して、一組の検査コンターから所与のコンターをフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１４４）
１４６．重心距離閾値が、頂点と重心との間の平均距離よりも所与の数倍又はパーセンテージ大きい又は小さい距離を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１４５）
１４７．命令が、決定されたコンターの重心を決定することと、重心に基づいて、決定されたコンターに対して、期待されるコンター形状をあてはめることと、あてはめられた期待されるコンターと所与のコンターの頂点との間の関係に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をコンピュータにさらに行わせる、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１３６）
１４８．命令が、決定されたコンターの重心を決定することと、重心に基づいて、決定されたコンターに対して円又は楕円をあてはめることと、あてはめられた円又は楕円と所与のコンターの頂点との間の関係に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をコンピュータにさらに行わせる、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１３６）
１４９．関係に基づいてフィルタリングすることは、所与のコンターが、あてはめ距離閾値に違反する、あてはめられた円又は楕円からの距離を有する１つ又は複数の頂点を有することに応答して、一組の検査コンターから所与のコンターをフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１４８）
１５０．あてはめ距離閾値は、頂点とあてはめられた円又は楕円との間の平均距離よりも所与の数倍又はパーセンテージ大きい又は小さい距離を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１４９）
１５１．コンターは多角形を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１３６）
１５２．基板パターン検査画像は、光学検査システム又は荷電粒子検査システムを用いて生成される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１３６）
１５３．基板パターン検査画像は、荷電粒子検査システムを用いて生成され、荷電粒子検査システムは走査電子顕微鏡を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１５２）
１５４．命令が、フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、フィーチャの製造変動を決定することをコンピュータにさらに行わせる、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１３６）
１５５．製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１５４）
１５６．一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像内のコンターを決定することは、パターンに関連するユニットセル又はレチクルにわたって繰り返しコンターを検出することを含み、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、外れ値ユニットセル又は外れ値レチクルに関連する各コンター又はコンターの一部をフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１３６）
１５７．パターニングプロセスを向上させるためのシステムであって、システムが、基板パターン検査画像を受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像内のコンターを決定することであって、コンターを決定することは、基板パターン検査画像内のフィーチャのエッジを検出することを含む、決定することと、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、を行うように、機械可読命令によって構成された１つ又は複数のプロセッサを備えた、システム。
１５８．決定されたコンターが頂点を含み、フィーチャのエッジを検出することが、決定されたコンターの頂点を識別することを含み、外れ値コンターのフィルタリングが頂点に基づく、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５７）
１５９．１つ又は複数のプロセッサは、決定されたコンターの頂点において形成された角度を決定することと、角度に基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、を行うようにさらに構成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５７）
１６０．一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、角度閾値に対する決定された角度の比較に基づき、角度閾値より小さい頂点の角度を有する決定されたコンターが、外れ値コンターであると決定され、一組の検査コンターからフィルタリングされる、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５９）
１６１．閾値角度は１２０度、９０度、６０度、又は４５度である、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６０）
１６２．１つ又は複数のプロセッサは、決定されたコンターの隣接する頂点間の距離を決定することと、距離に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、を行うようにさらに構成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５７）
１６３．一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、距離閾値に対する決定された距離の比較に基づき、距離閾値に違反する距離を有する決定されたコンターが、外れ値コンターであると決定され、一組の検査コンターからフィルタリングされる、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６２）
１６４．距離閾値は、頂点間の平均距離よりも所与の数倍若しくはパーセンテージ大きい若しくは小さい距離、又はコンターエッジラフネスパラメータに対応する距離を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６３）
１６５．１つ又は複数のプロセッサは、決定されたコンターの重心を決定することと、重心と所与のコンターの１つ又は複数の頂点との間の関係に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、を行うようにさらに構成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５７）
１６６．関係に基づいてフィルタリングすることは、所与のコンターが、重心距離閾値に違反する重心からの距離を有する１つ又は複数の頂点を有することに応答して、一組の検査コンターから所与のコンターをフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６５）
１６７．重心距離閾値は、頂点と重心との間の平均距離よりも所与の数倍又はパーセンテージ大きい又は小さい距離を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６６）
１６８．１つ又は複数のプロセッサは、決定されたコンターの重心を決定することと、重心に基づいて、決定されたコンターに対して、期待されるコンター形状をあてはめることと、あてはめられた期待されるコンターと所与のコンターの頂点との間の関係に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、を行うようにさらに構成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５７）
１６９．１つ又は複数のプロセッサは、決定されたコンターの重心を決定することと、重心に基づいて、決定されたコンターに対して円又は楕円をあてはめることと、あてはめられた円又は楕円と所与のコンターの頂点との間の関係に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、を行うようにさらに構成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５７）
１７０．関係に基づいてフィルタリングすることは、所与のコンターが、あてはめ距離閾値に違反する、あてはめられた円又は楕円からの距離を有する１つ又は複数の頂点を有することに応答して、一組の検査コンターから所与のコンターをフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６９）
１７１．あてはめ距離閾値は、頂点とあてはめられた円又は楕円との間の平均距離よりも所与の数倍又はパーセンテージ大きい又は小さい距離を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１７０）
１７２．コンターは多角形を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５７）
１７３．基板パターン検査画像は、光学検査システム又は荷電粒子検査システムを用いて生成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５７）
１７４．基板パターン検査画像は、荷電粒子検査システムを用いて生成され、荷電粒子検査システムが走査電子顕微鏡を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１７３）
１７５．１つ又は複数のプロセッサは、フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、フィーチャの製造変動を決定するようにさらに構成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５７）
１７６．製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１７５）
１７７．一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像内のコンターを決定することは、パターンに関連するユニットセル又はレチクルにわたって繰り返しコンターを検出することを含み、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、外れ値ユニットセル又は外れ値レチクルに関連する各コンター又はコンターの一部をフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５７）
１７８．パターニングプロセスを向上させるための方法であって、基板パターン検査画像を受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像内のコンターを決定することであって、コンターを決定することは、基板パターン検査画像内のフィーチャのエッジを検出することを含む、決定することと、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、を含む方法。
１７９．決定されたコンターは頂点を含み、フィーチャのエッジを検出することは、決定されたコンターの頂点を識別することを含み、外れ値コンターのフィルタリングが頂点に基づく、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１７８）
１８０．決定されたコンターの頂点において形成された角度を決定することと、角度に基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１７８）
１８１．一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、角度閾値に対する決定された角度の比較に基づき、角度閾値より小さい頂点の角度を有する決定されたコンターが、外れ値コンターであると決定され、一組の検査コンターからフィルタリングされる、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１８０）
１８２．決定されたコンターの隣接する頂点間の距離を決定することと、距離に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１７８）
１８３．一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、距離閾値に対する決定された距離の比較に基づき、距離閾値に違反する距離を有する決定されたコンターが、外れ値コンターであると決定され、一組の検査コンターからフィルタリングされる、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１８２）
１８４．距離閾値は、頂点間の平均距離よりも所与の数倍若しくはパーセンテージ大きい若しくは小さい距離、又はコンターエッジラフネスパラメータに対応する距離を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１８３）
１８５．決定されたコンターの重心を決定することと、重心と所与のコンターの１つ又は複数の頂点との間の関係に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１７８）
１８６．関係に基づいてフィルタリングすることは、所与のコンターが、重心距離閾値に違反する重心からの距離を有する１つ又は複数の頂点を有することに応答して、一組の検査コンターから所与のコンターをフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１８５）
１８７．重心距離閾値は、頂点と重心との間の平均距離よりも所与の数倍又はパーセンテージ大きい又は小さい距離を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１８６）
１８８．決定されたコンターの重心を決定することと、重心に基づいて、決定されたコンターに対して円又は楕円をあてはめることと、あてはめられた円又は楕円と所与のコンターの頂点との間の関係に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１７８）
１８９．関係に基づいてフィルタリングすることは、所与のコンターが、あてはめ距離閾値に違反する、あてはめられた円又は楕円からの距離を有する１つ又は複数の頂点を有することに応答して、一組の検査コンターから所与のコンターをフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１８８）
１９０．基板パターン検査画像は、荷電粒子検査システムを用いて生成され、荷電粒子検査システムは走査電子顕微鏡を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１７８）
１９１．フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、フィーチャの製造変動を決定することをさらに含み、製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１７８）
１９２．一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像内のコンターを決定することは、パターンに関連するユニットセル又はレチクルにわたって繰り返しコンターを検出することを含み、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることは、外れ値ユニットセル又は外れ値レチクルに関連する各コンター又はコンターの一部をフィルタリングすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１７８）
１９３．命令を有する非一時的なコンピュータ可読媒体であって、命令が、コンピュータによって実行されると、コンピュータに、基板パターン検査画像の一組の検査コンターから外れ値コンターを電子的にフィルタリングさせ、フィルタリングが、以前のパターニングプロセスと比較して、パターニングプロセスの製造変動の決定及びパターニングプロセスの最適化を向上させるように構成され、命令が、基板パターン検査画像を受信することであって、基板パターン検査画像は、荷電粒子検査システムを用いて生成される、受信することと、一組の検査コンターを形成するために、基板パターン検査画像内のコンターを決定することであって、コンターを決定することは、基板パターン検査画像内のフィーチャのエッジを検出することを含み、エッジがコンターの頂点を含む、決定することと、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることであって、フィルタリングが頂点に基づいて行われる、フィルタリングすることと、フィルタリング後の一組の検査コンター内の残りのコンターに基づいて、フィーチャの製造変動を決定することであって、製造変動は、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用の決定を容易にするために費用関数に提供されるように構成され、個々のパターニングプロセス変数に関連する費用は、パターニングプロセスの最適化を容易にするために使用されるように構成される、決定することと、を含む動作を生じさせる、非一時的なコンピュータ可読媒体。
１９４．動作は、決定されたコンターの頂点において形成された角度を決定することと、角度に基づいて一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１９３）
１９５．動作は、決定されたコンターの隣接する頂点間の距離を決定することと、距離に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１９３）
１９６．動作は、決定されたコンターの重心を決定することと、重心に基づいて、決定されたコンターに対して円又は楕円をあてはめることと、あてはめられた円又は楕円と所与のコンターの頂点との間の関係に基づいて、一組の検査コンターから外れ値コンターをフィルタリングすることと、をさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１９３）
１９７．荷電粒子検査システムは走査電子顕微鏡を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１９３）
【0147】
[00164] 本明細書で開示される概念は、サブ波長フィーチャ用の任意の結像、エッチング、研磨、検査などのシステムで使用することができ、ますます短い波長を生成できる新たな結像技術に有用であり得る。新たな技術には、ＥＵＶ（極端紫外線）、ＡｒＦレーザを使用して１９３ｎｍの波長、さらにはフッ素レーザを使用して１５７ｎｍの波長を生成できるＤＵＶリソグラフィが含まれる。また、ＥＵＶリソグラフィは、２０～５０ｎｍの範囲内の波長を、シンクロトロンを用いることによって、又はこの範囲内の光子を生成するために、物質（固体若しくはプラズマ）に高エネルギーの電子を衝突させることにより、生成することができる。
【0148】
[00165] 本明細書に開示される概念は、シリコンウェーハなどの基板を用いた製造に使用することができるが、開示される概念は、あらゆるタイプの製造システム（例えば、シリコンウェーハ以外の基板上での製造に使用されるもの）に使用され得ることを理解されたい。
【0149】
[00166] さらに、開示される要素の組み合わせ及びサブコンビネーションは、別々の実施形態を含み得る。例えば、本明細書に記載されるポイントレベルのフィルタリング及びフィーチャレベルのフィルタリングは、別々の実施形態に含まれてもよいし、同じ実施形態に一緒に含まれてもよい。
【0150】
[00167] 上記の説明は、例示を意図したものであり、限定を意図したものではない。従って、当業者には、以下に記載される特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されるような変更がなされ得ることが明らかであろう。
【0151】
[00168] 本明細書で使用される場合、特に別段の記載がない限り、「又は」という用語は、実行不可能な場合を除き、全ての可能な組み合わせを包含する。例えば、ある構成要素がＡ又はＢを含んでもよいと記載されている場合、特に別段の記載がない限り、又は実行不可能でない限り、その構成要素は、Ａ、又はＢ、又はＡ及びＢを含んでもよい。第２の例として、ある構成要素がＡ、Ｂ、又はＣを含んでもよいと記載されている場合、特に別段の記載がない限り、又は実行不可能でない限り、その構成要素は、Ａ、又はＢ、又はＣ、又はＡ及びＢ、又はＡ及びＣ、又はＢ及びＣ、又はＡ及びＢ及びＣを含んでもよい。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【国際調査報告】