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特表2024-522772マイクロリソグラフィフォトマスクの欠陥の粒子ビーム誘起処理のための方法および装置

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-06-21

(54)【発明の名称】マイクロリソグラフィフォトマスクの欠陥の粒子ビーム誘起処理のための方法および装置

(51)【国際特許分類】

G03F 1/74 20120101AFI20240614BHJP

【ＦＩ】

G03F1/74

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023577726

(86)(22)【出願日】2022-06-15

(85)【翻訳文提出日】2023-12-15

(86)【国際出願番号】 EP2022066347

(87)【国際公開番号】W WO2022263534

(87)【国際公開日】2022-12-22

(31)【優先権主張番号】102021115736.6

(32)【優先日】2021-06-17

(33)【優先権主張国・地域又は機関】DE

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】503263355

【氏名又は名称】カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー

(74)【代理人】

【識別番号】100094569

【弁理士】

【氏名又は名称】田中伸一郎

(74)【代理人】

【識別番号】100109070

【弁理士】

【氏名又は名称】須田洋之

(74)【代理人】

【識別番号】100067013

【弁理士】

【氏名又は名称】大塚文昭

(74)【代理人】

【識別番号】100120525

【弁理士】

【氏名又は名称】近藤直樹

(74)【代理人】

【識別番号】100139712

【弁理士】

【氏名又は名称】那須威夫

(74)【代理人】

【識別番号】100141553

【弁理士】

【氏名又は名称】鈴木信彦

(74)【代理人】

【識別番号】100196612

【弁理士】

【氏名又は名称】鎌田慎也

(72)【発明者】

【氏名】レンシングクリスチャン

(72)【発明者】

【氏名】ブレンデルミヒャエル

(72)【発明者】

【氏名】ブダッハミヒャエル

(72)【発明者】

【氏名】ロイスマルティンギュンター

【テーマコード（参考）】

2H195

【Ｆターム（参考）】

2H195BD32

2H195BD33

2H195BD34

2H195BD35

2H195BD36

(57)【要約】

マイクロリソグラフィフォトマスク（１００）の欠陥（Ｄ、Ｄ’）の粒子ビーム誘起処理のための方法であって、ａ）フォトマスク（１００）の少なくとも一部分の像（３００）を提供するステップ（Ｓ１）と、ｂ）像（３００）における欠陥（Ｄ、Ｄ’）の幾何学的形状を、修復形状（３０２、３０２’）として決定するステップ（Ｓ２）であって、修復形状（３０２、３０２’）は、ｎ個のピクセル（３０４）を含む、ステップと、ｃ）コンピュータにより実施される形式で、修復形状（３０２、３０２’）をｋ個の部分修復形状（３０６）に細分化するステップ（Ｓ３）であって、ｋ個の部分修復形状（３０６）のうちの第ｉのものはｍ個のピクセル（３０４）を有し、これらは、修復形状（３０２、３０２’）のｎ個のピクセル（３０４）のサブセットである、ステップと、ｄ）部分修復形状（３０６）のうちの第１のものを処理する目的で、部分修復形状（３０６）のうちの第１のもののｍ個のピクセル（３０４）の各々において活性化粒子ビーム（２０２）およびプロセスガスを提供するステップ（Ｓ４）と、ｅ）ｊ個の繰返し周期にわたって部分修復形状（３０６）のうちの第１のものについてステップｄ）を繰り返すステップ（Ｓ５）と、ｆ）各更なる部分修復形状（３０６）についてステップｄ）およびｅ）を繰り返すステップ（Ｓ６）と、を含む、方法。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

マイクロリソグラフィフォトマスク（１００）の欠陥（Ｄ、Ｄ’）の粒子ビーム誘起処理のための方法であって、
ａ）前記フォトマスク（１００）の少なくとも一部分の像（３００）を提供するステップ（Ｓ１）と、
ｂ）像（３００）における欠陥（Ｄ、Ｄ’）の幾何学的形状を、修復形状（３０２、３０２’）として決定するステップ（Ｓ２）であって、前記修復形状（３０２、３０２’）は、ｎ個のピクセル（３０４）を含む、ステップと、
ｃ）コンピュータにより実施される形式で、前記修復形状（３０２、３０２’）をｋ個の部分修復形状（３０６）に細分化するステップ（Ｓ３）であって、前記ｋ個の部分修復形状（３０６）のうちの第ｉのものはｍ_i個のピクセル（３０４）を有し、これらは、前記修復形状（３０２、３０２’）の前記ｎ個のピクセル（３０４）のサブセットである、ステップと、
ｄ）前記部分修復形状（３０６）のうちの第１のものを処理する目的で、前記部分修復形状（３０６）のうちの前記第１のものの前記ｍ_i個のピクセル（３０４）の各々において活性化粒子ビーム（２０２）およびプロセスガスを提供するステップ（Ｓ４）と、
ｅ）ｊ個の繰返し周期にわたって前記部分修復形状（３０６）のうちの前記第１のものについてステップｄ）を繰り返すステップ（Ｓ５）と、
ｆ）各更なる部分修復形状（３０６）についてステップｄ）およびｅ）を繰り返すステップ（Ｓ６）と、
を含む、方法。

【請求項2】

前記活性化粒子ビーム（２０２）および前記プロセスガスは、ステップｄ）における前記部分修復形状（３０６）のうちの前記第１のものの前記ｍ_i個のピクセル（３０４）の各々においてのみ提供される、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

前記修復形状（３０２、３０２’）は、ステップｃ）において、閾値（Ｗ）に基づいて前記ｋ個の部分修復形状（３０６）に細分化される、請求項１または２に記載の方法。

【請求項4】

前記閾値（Ｗ）は、経験的に決定される値であり、ステップａ）の前に決定される、請求項３に記載の方法。

【請求項5】

前記粒子ビーム誘起処理は、前記欠陥（Ｄ、Ｄ’）のエッチングまたは前記欠陥（Ｄ、Ｄ’）上の材料の堆積を含み、前記閾値（Ｗ）は、修復形状（３０２、３０２’）のピクセル（３０４）の数ｎに基づいて、エッチング速度（Ｒ）または堆積速度の経験的値から決定される、請求項３または４に記載の方法。

【請求項6】

前記閾値（Ｗ）は、前記修復形状（３０２、３０２’）のピクセル（３０４）の数ｎ、前記ピクセル（３０４）のサイズ（ａ）、前記粒子ビーム（２０２）の入射エリア（３０８）、それぞれのピクセル（３０４）における前記活性化粒子ビーム（２０２）の滞留時間、前記プロセスガスが提供されるガス量流量、前記プロセスガスの組成、および前記プロセスガスの様々なガス成分のガス量流量比を含むグループから選択されたパラメータに基づいて決定される、経験的に決定される値である、請求項３～５のいずれか１項に記載の方法。

【請求項7】

前記修復形状（３０２、３０２’）は、ボロノイ手法の支援により前記複数の部分修復形状（３０６）に細分化される、請求項１～６のいずれか１項に記載の方法。

【請求項8】

前記部分修復形状（３０６）は、ステップｃ）においてボロノイ中心（３１０）から開始するボロノイ領域として決定され、各部分修復形状（３０６）は、前記関連付けられたボロノイ中心（３１０）に対応する前記修復形状（３０２、３０２’）の前記ピクセル（３０４）と、前記修復形状（３０２、３０２’）の任意の他のボロノイ中心（３１０）よりも前記関連付けられたボロノイ中心（３１０）の近くに配置された前記修復形状（３０２、３０２’）の全てのピクセル（３０４）とを含む、請求項７に記載の方法。

【請求項9】

前記修復形状（４０２）は、それぞれの部分修復形状（４０６）のｍ’’_i個のピクセル（４１０、４１２）が走査方向（Ｘ）において互いに同じ距離を有するように前記複数の部分修復形状（４０６）に細分化される、請求項１～８のいずれか１項に記載の方法。

【請求項10】

前記修復形状（５０２）は、少なくとも２つの離間された領域（５０４）を含み、前記修復形状（５０２）は、各部分修復形状（５０６）が前記少なくとも２つの離間された領域（５０４）のうちの最大で１つを含むように前記複数の部分修復形状（５０６）に細分化される、請求項１～９のいずれか１項に記載の方法。

【請求項11】

前記方法は、ステップｄ）の前に、以下のステップ、すなわち、前記活性化粒子ビーム（２０２）により活性化された化学反応による前記プロセスガスの消耗が前記部分修復形状（３０６）にわたって一様に実施されるように、前記活性化粒子ビーム（２０２）が前記部分修復形状（３０６）のうちの前記第１のものの前記ｍ_i個のピクセル（３０４）において連続的に提供される順序を計算するステップを含む、請求項１～１０のいずれか１項に記載の方法。

【請求項12】

前記更なる部分修復形状（３０６）についてステップｆ）においてステップｄ）およびｅ）が実行される順序は、行ごとおよび／もしくは列ごとの順序と異なり、ならびに／またはランダムに分散される、請求項１～１１のいずれか１項に記載の方法。

【請求項13】

前記修復形状（３０２、３０２’）は、ステップｃ）において、ｈ個の相互に異なる細分化（３１２、３１６）において、部分修復形状（３０６、３０６’）に細分化され、ステップｄ）～ｆ）が前記ｈ個の細分化（３１２、３１６）の各々について実行される、請求項１～１２のいずれか１項に記載の方法。

【請求項14】

ステップｄ）～ｆ）は、ｈ個の細分化（３１２、３１６）の各々について、ｇがｊ未満である、ｇ個の繰返し周期にわたって、および／またはｊ／ｈ個の繰返し周期にわたって実行される、請求項１３に記載の方法。

【請求項15】

前記ｈ個の細分化（３１２、３１６）は、前記修復形状（３０２、３０２’）に対する部分修復形状（３０６）の境界（３１８）の変位、特に横方向の変位により互いに異なる、請求項１３または１４に記載の方法。

【請求項16】

ステップｄ）～ｆ）はｐ個の繰返し周期にわたって繰り返され、ここで、ｐは２以上の整数である、請求項１～１５のいずれか１項に記載の方法。

【請求項17】

マイクロリソグラフィフォトマスク（１００）の欠陥（Ｄ、Ｄ’）の粒子ビーム誘起処理のための装置（２００）であって、
フォトマスク（１００）の少なくとも一部分の像（３００）を提供するための手段（２１０）と、
像（３００）内の欠陥（Ｄ’Ｄ）の幾何学的形状を、修復形状（３０２、３０２’）として決定するためのコンピューティング装置（２２６）であって、前記修復形状（３０２、３０２’）はｎ個のピクセル（３０４）を含み、前記修復形状（３０２、３０２’）をコンピュータにより実施される形式で複数の部分修復形状（３０６）に細分化するように構成される、コンピューティング装置と、
それぞれの部分修復形状（３０６）を処理するためのｊ個の繰返し周期にわたって、全ての部分修復形状（３０６）の各ピクセル（３０４）において活性化粒子ビームおよびプロセスガスを提供するための手段（２１０、２２０）と、
を備える、装置。

【請求項18】

マイクロリソグラフィフォトマスクの欠陥の粒子ビーム誘起処理のための装置（２００）を制御するために、コンピューティング装置（２２６）によって実行されるとき、請求項１～１６のいずれか１項に記載の方法ステップを実行するように前記装置（２００）にプロンプトする命令を含む、コンピュータプログラム製品。

【請求項19】

マイクロリソグラフィフォトマスク（１００）の欠陥（Ｄ、Ｄ’）の粒子ビーム誘起処理中に閾値（Ｗ）に基づいて修復形状（３０２、３０２’）をｋ個の部分修復形状（３０６）に細分化するための閾値（Ｗ）を決定するための方法であって、
ｉ）所定の処理パラメータを用いて、フォトマスク（１００）の第１の試験欠陥（６０６）の粒子ビーム誘起処理を行うステップ（Ｓ１’）であって、前記第１の試験欠陥（６０６）は、第１のサイズ（Ｇ₃）を有する、ステップと、
ｉｉ）前記第１の試験欠陥（６０６）の前記処理の品質を決定するステップ（Ｓ２’）と、
ｉｉｉ）処理パラメータが決定されるまで変更された処理パラメータについてステップｉ）およびｉｉ）を繰り返すステップ（Ｓ３’）であって、前記決定された品質は、所定の品質以上である、ステップと、
ｉｖ）前記決定された処理パラメータを用いて、前記フォトマスク（１００）の更なる試験欠陥（６０２、６０４、６０８、６１０）の粒子ビーム誘起処理を行うステップ（Ｓ４’）であって、前記更なる試験欠陥（６０２、６０４、６０８、６１０）は各々、前記他の更なる試験欠陥のサイズと異なり、かつ前記第１の試験欠陥（６０６）のサイズ（Ｇ₃）と異なるサイズ（Ｇ₁、Ｇ₂、Ｇ₄、Ｇ₅）を有する、ステップと、
ｖ）各更なる試験欠陥（６０２、６０４、６０８、６１０）について前記処理の品質を決定するステップ（Ｓ５’）と、
ｖｉ）前記第１および前記更なる試験欠陥（６０２、６０４、６０６、６０８、６１０）について決定された品質に基づいて閾値（Ｗ）を決定するステップ（Ｓ６’）と、
を含む、方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、マイクロリソグラフィフォトマスクの欠陥の粒子ビーム誘起処理のための方法および装置に関する。

【背景技術】

【0002】

マイクロリソグラフィは、例えば集積回路等の微細構造構成部品を製造するために用いられる。マイクロリソグラフプロセスは、照明システムおよび投影システムを有するリソグラフィ装置を用いて実行される。マスク構造を基板の感光コーティングに転写するために、照明システムによって照明されるフォトマスク（レチクル）の像(image)は、この場合、感光層（フォトレジスト）でコーティングされ、投影システムの像面に配置された、基板、例えばシリコンウェハに対し、投影システムによって投影される。

【0003】

小さな構造サイズを達成し、これにより微細構造の構成要素の集積密度を増大させるために、例えば深紫外（ＤＵＶ）または極紫外（ＥＵＶ）と呼ばれる非常に短い波長を有する光がますます使用されている。ＤＵＶは、例えば１９３ｎｍの波長を有し、ＥＵＶは、例えば１３．５ｎｍの波長を有する。

【0004】

この場合、マイクロリソグラフィフォトマスク(microlithographic photomask)は、数ナノメートル～数百ｎｍの範囲をとる構造サイズを有する。そのようなフォトマスクの製造は、非常に複雑であり、したがってコストが高い。特に、これは、フォトマスクが欠陥なしでなくてはならず、そうでなければ、フォトマスクによってシリコンウェハ上に製造された構造が所望の機能を呈することを確実にすることができないことに起因する。特に、フォトマスク上の構造の品質は、このフォトマスクによってウェハ上に製造される集積回路の品質を決定するものである。

【0005】

この理由により、マイクロリソグラフィフォトマスクは欠陥の存在についてチェックされ、見つかった欠陥が標的を絞った方式で修復される。典型的な欠陥は、例えば、エッチングプロセスの実行に成功しなかったことに起因した、想定された構造の欠如、またはそうでない場合、例えばエッチングプロセスが過度に急速に進行したかもしくは誤った位置で効果を発現したことに起因した、想定外の構造の存在を含む。これらの欠陥は、適切な位置における余分な材料の標的を絞ったエッチング、または追加の材料の標的を絞った堆積(targeted deposition)によって修復することができ、例として、これは電子ビーム誘起プロセス（ＦＥＢＩＰ「集束電子ビーム誘起処理(focussed electron beam induced processing)」）によって、非常に標的を絞った方式で可能となる。

【0006】

ＤＥ１０２０１７２０８１１４Ａ１は、フォトリソグラフィマスクの粒子ビーム誘起エッチングの方法を記載している。この場合、粒子ビーム、特に電子ビームおよびエッチングガスは、エッチングされるフォトリソグラフィマスク上の場所に提供される。粒子ビームは、フォトリソグラフィマスクの材料とエッチングガスとの間の局所的化学反応を活性化し、その結果として、材料がこのフォトリソグラフィマスクから局所的にアブレーションされる。

【0007】

大面積の欠陥について、提供されるプロセスガス、例えば、エッチングガスの組成が欠陥のサイズの増大と共に不利に変化し得ると判断されている。これは、欠陥の処理を深刻に損なう可能性がある。例として、エッチング速度(etching rate)が、不利なガス組成に起因して大幅に低減する場合があり、そのため、欠陥を完全に除去することができないか、またはより高い電子ビーム用量（すなわち、例えばより長いエッチング持続時間）でしか完全に除去することができない。

【発明の概要】

【0008】

この背景に対し、本発明の目的は、マイクロリソグラフィフォトマスクの欠陥の粒子ビーム誘起処理(particle beam-induced processing)のための改善された方法および改善された装置を提供することである。

【0009】

したがって、マイクロリソグラフィフォトマスクの欠陥の粒子ビーム誘起処理のための方法が提案される。本方法は、
ａ）フォトマスクの少なくとも一部分の像を提供するステップと、
ｂ）像における欠陥の幾何学的形状を、修復形状(repair shape)として決定するステップであって、修復形状はｎ個のピクセルを含む、ステップと、
ｃ）コンピュータにより実施される形式で(in computer-implemented fashion)、修復形状をｋ個の部分修復形状(a number k of sub-repair shapes)に細分化するステップであって、ｋ個の部分修復形状のうちの第ｉのもの(i-th)はｍ_i個のピクセルを有し、これらは、修復形状のｎ個のピクセルのサブセットである、ステップと、
ｄ）部分修復形状のうちの第１のものを処理する目的で、部分修復形状のうちの第１のもののｍ_i個のピクセルの各々において活性化粒子ビーム(activating particle beam)およびプロセスガス(process gas)を提供するステップと、
ｅ）ｊ個の繰返し周期(a number j of repetition cycles)にわたって部分修復形状のうちの第１のものについてステップｄ）を繰り返すステップと、
ｆ）各更なる部分修復形状についてステップｄ）およびｅ）を繰り返すステップと、
を含む。

【0010】

特に、ｎ、ｋ、ｍ_iおよびｊは２以上の整数である。更に、ｉは、１からｋまで実行されるカウンタを指定する整数である。

【0011】

修復形状は、複数の部分修復形状に細分化され、このため、部分修復形状のうちの１つの処理時間は、全体修復形状の処理時間よりも短い。結果として、欠陥の処理に必要とされかつ／または最適なプロセスガスのガス組成は、部分修復形状の処理中により良好に確実にすることができる。結果として、欠陥はより良好に処理することができる。例として、提案される方法は、プロセスガスの有利なおよび／または最適なガス組成を用いて、大面積の修復形状および／または多くのピクセルを有する修復形状を処理することも可能にする。

【0012】

欠陥の処理は、特に、その範囲内で材料がフォトマスクから局所的にアブレーションされる欠陥のエッチング、または欠陥の領域内のフォトマスク上の材料の堆積を含む。例として、提案される方法は、欠陥の領域内の余分な構造がより良好にエッチング除去されることを可能にするか、または欠陥の領域内の欠落した構造をより良好に拡張させることができる。

【0013】

フォトマスクの少なくとも１つの部分の像が、例えば走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって記録される。例として、フォトマスクの少なくとも１つの部分の像が、数ナノメートルのオーダーの空間分解能を有する。像は、例えば、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）または走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）等の走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）を用いて記録することもできる。

【0014】

本方法は、特に、走査型電子顕微鏡および／または走査型プローブ顕微鏡を用いてフォトマスクの少なくとも１つの部分の像を捕捉するステップを含むことができる。

【0015】

例として、マイクロリソグラフィフォトマスクは、ＥＵＶリソグラフィ装置のためのフォトマスクである。この場合、ＥＵＶは「極紫外」を表し、０．１ｎｍ～３０ｎｍ、特に１３．５ｎｍの作業光の波長を示す。ＥＵＶリソグラフィ装置内で、ビーム成形および照明システムを用いて、特に反射性光学素子（反射性フォトマスク）の形態をとるフォトマスク（「レチクル」とも呼ばれる）上へのＥＵＶ放射を誘導する。フォトマスクは、ＥＵＶリソグラフィ装置の投影システムを用いて縮小状態でウェハ等の上に結像される構造を有する。

【0016】

例として、マイクロリソグラフィフォトマスクは、ＤＵＶリソグラフィ装置のためのフォトマスクとすることもできる。この場合、ＤＵＶは「深紫外」を表し、３０ｎｍ～２５０ｎｍ、特に１９３ｎｍまたは２４８ｎｍの作業光の波長を示す。ＤＵＶリソグラフィ装置内で、ビーム成形および照明システムを用いて、特に透過性光学素子（透過性フォトマスク）の形態をとるフォトマスク上へのＤＵＶ放射を誘導する。フォトマスクは、ＤＵＶリソグラフィ装置の投影システムを用いて縮小状態でウェハ等の上に結像される構造を有する。

【0017】

例として、マイクロリソグラフィフォトマスクは、基板と、コーティングによって基板上に形成された構造とを備える。例として、フォトマスクは透過性フォトマスクであり、この場合、結像されるパターンは、透明基板上の吸収（すなわち、不透明なまたは部分的に不透明な）コーティングの形態で実現される。代替的に、フォトマスクは、特にＥＵＶリソグラフィにおいて用いるための、反射性フォトマスクとすることもできる。

【0018】

例として、基板は、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、例えば石英ガラスを含む。例として、構造化されたコーティングは、クロム、クロム化合物、タンタル化合物、ならびに／またはシリコン、窒素、酸素および／もしくはモリブデンから作製された化合物を含む。基板および／またはコーティングは、他の材料も含むことができる。

【0019】

ＥＵＶリソグラフィ装置のためのフォトマスクの場合、基板は、モリブデンおよびシリコン層の交互のシーケンスを含むことができる。

【0020】

提案される方法を用いると、フォトマスクの欠陥、特に、このフォトマスクの構造化されたコーティングの欠陥を識別、位置特定および修復することが可能である。特に、欠陥は、基板に誤って施されたフォトマスクの（吸収または反射）コーティングである。本方法を用いて、コーティングが欠落しているフォトマスク上の場所でコーティングを拡張させることができる。更に、コーティングは、誤って施されたフォトマスク上の場所から、本方法を用いて除去することができる。

【0021】

このために、フォトマスクの少なくとも１つの部分の記録された像において欠陥の幾何学的形状が決定される。例として、欠陥の２次元の幾何学的形状が決定される。欠陥の決定された幾何学的形状は、以下でいわゆる修復形状と呼ばれる。

【0022】

ｎ個のピクセルが、この修復形状の粒子ビーム誘起処理のために修復形状において定義される。方法のステップｄ）～ｆ）の全体にわたって、粒子ビームは、修復形状のｎ個のピクセルの各々に方向付けられる。特に、電子ビームの強度最大がｎ個のピクセルの各々の各中心に方向付けられる。換言すると、修復形状のｎ個のピクセルは、粒子ビーム誘起処理のための修復形状のラスタ、特に２次元ラスタを表す。例として、修復形状のｎ個のピクセルは、欠陥の粒子ビーム誘起処理中の粒子ビームの入射エリアに対応する。例として、ピクセルサイズは、ピクセルの中心に方向付けられた電子ビームの強度分布が、電子ビームのガウス強度分布によりこのピクセルの縁部において所定の強度に降下するように選択される。所定の強度は、強度最大値の半分までの降下、またはそうでない場合、電子ビームの強度最大値の任意の他の割合までの降下に対応することができる。例として、ピクセルサイズおよび／または電子ビーム半値幅は、ナノメートル以下の範囲にあるかまたは数ナノメートルのオーダーである。

【0023】

例として、プロセスガスは、前駆体ガスおよび／またはエッチングガスである。例として、プロセスガスは、複数のガス成分の混合物、すなわちプロセスガス混合物とすることができる。例として、プロセスガスは、各々が或る特定の分子タイプのみを有する複数のガス成分の混合物とすることができる。

【0024】

特に、主族元素、金属または遷移元素のアルキル化合物は、堆積または高層構造物(elevated structure)の成長に適した前駆体ガスとみなすことができる。この例は、（シクロペンタジニエル）トリメチル白金（ＣｐＰｔＭｅ₃Ｍｅ＝ＣＨ４）、（メチルシクロペンタジニエル）トリメチル白金（ＭｅＣｐＰｔＭｅ₃）、テトラメチルスズ（ＳｎＭｅ₄）、トリメチルガリウム（ＧａＭｅ₃）、フェロセン（Ｃｐ₂Ｆｅ）、ビスアリールクロム（ＡＲ₂Ｃｒ）、および／または主族元素、金属または遷移元素のカリボニル化合物、例えば、クロムヘキサカルボニル（Ｃｒ（ＣＯ）₆）、モリブデンヘキサカルボニル（Ｍｏ（ＣＯ）₆）、タングステンヘキサカルボニル（Ｗ（ＣＯ）₆）、ジコバルトオクタカルボニル（Ｃｏ₂（ＣＯ）₈）、トリルテニウムドデカカルボニル（Ｒｕ₃（ＣＯ）₁₂）、鉄ペンタカルボニル（Ｆｅ（ＣＯ）₅）、および／または主族元素、金属または遷移元素のアルコキシド化合物、例えば、テトラエトキシシラン（Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄）、テトライソプロポキシチタン（Ｔｉ（ＯＣ₃Ｈ₇）₄）、および／または主族元素、金属または遷移元素のハロゲン化合物、例えば、六フッ化タングステン（ＷＦ₆）、六塩化タングステン（ＷＣｌ₆）、四塩化チタン（ＴｉＣｌ₄）、三フッ化ホウ素（ＢＦ₃）、四塩化けい素（ＳｉＣｌ₄）、および／または主族元素、金属または遷移元素を含む錯体、例えば、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）銅（Ｃｕ（Ｃ₅Ｆ₆ＨＯ₂）₂）、ジメチル金トリフルオロアセチルアセトナート（Ｍｅ₂Ａｕ（Ｃ₅Ｆ₃Ｈ₄Ｏ₂））、および／または有機化合物、例えば一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ₂）、脂肪族および／または芳香族炭化水素等を含む。

【0025】

例として、エッチングガスは、二フッ化キセノン（ＸｅＦ₂）、二塩化キセノン（ＸｅＣｌ₂）、四塩化キセノン（ＸｅＣｌ₄）、蒸気（Ｈ₂Ｏ）、重水（Ｄ₂Ｏ）、酸素（Ｏ₂）、オゾン（Ｏ₃）、アンモニア（ＮＨ₃）、塩化ニトロシル（ＮＯＣｌ）および／または以下のハロゲン化合物、ＸＮＯ、ＸＯＮＯ₂、Ｘ₂Ｏ、ＸＯ₂、Ｘ₂Ｏ₂、Ｘ₂Ｏ₄、Ｘ₂Ｏ₆のうちの１つを含むことができる。ここで、Ｘはハロゲン化合物である。堆積した試験構造のうちの１つまたは複数をエッチングするための更なるエッチングガスは、本出願人の米国特許出願第１３／０１０３２８１号に指定されている。

【0026】

プロセスガスは、更なる添加ガス、例えば酸化性ガス、例えば、過酸化水素（Ｈ₂Ｏ₂）、亜酸化窒素（Ｎ₂Ｏ）、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ₂）、硝酸（ＨＮＯ₃）および他の酸素含有ガス、ならびに／またはハロゲン化合物、例えば、塩素（Ｃｌ₂）、塩化水素（ＨＣｌ）、フッ化水素（ＨＦ）、ヨウ素（Ｉ₂）、ヨウ化水素（ＨＩ）、臭素（ＢＲ₂）、臭化水素（ＨＢｒ）、三塩化リン（Ｐｃｌ₃）、五塩化リン（ＰＣｌ₅）、三フッ化リン（ＰＦ₃）および他のハロゲン含有ガス、ならびに／または還元ガス、例えば、水素（Ｈ₂）、アンモニア（ＮＨ₃）、メタン（ＣＨ₄）および他の水素含有ガスを含むことができる。これらの添加ガスは、例えば、エッチングプロセスのために、バッファガスとして、不動態化媒体として等で用いることができる。

【0027】

例として、活性化粒子ビームは、粒子ビームを生成するための粒子ビーム源と、フォトマスクのそれぞれの部分修復形状のピクセルｍ_iに粒子ビームを方向付けるように構成された粒子ビーム誘導デバイス（例えば、走査ユニット）と、特定の焦点において粒子ビームを成形するように構成された粒子ビーム成形デバイス（例えば、電子またはビーム光学素子）と、プロセスガスまたはプロセスガスの少なくともガス成分を格納するように構成された少なくとも１つの格納容器と、プロセスガスまたはプロセスガスの少なくとも１つのガス成分を所定のガス量流量(gas quantity flow rate)でそれぞれの部分修復形状のピクセルｍ_iに提供するように構成された少なくとも１つのガス提供デバイスとを備えることができる装置を利用して提供される。

【0028】

例えば、活性化粒子ビームは、電子ビーム、イオンビームおよび／またはレーザビームを含む。

【0029】

例として、電子ビームは、変更された走査型電子顕微鏡を利用して提供される。例として、フォトマスクの少なくとも１つの部分の像は、活性化電子ビームを提供する同じ変更された走査型電子顕微鏡を用いて記録される。

【0030】

活性化粒子ビームは、特に、フォトマスクの材料とプロセスガスとの間の局所的化学反応を活性化し、これにより、気相からのフォトマスク上への材料の局所的堆積、または気相へのフォトマスクの材料の局所的転移が導かれる。

【0031】

活性化粒子ビームは、例えば粒子ビーム誘導デバイスによって、それぞれの部分修復形状のｍ_i個のピクセルの各々において連続して提供される。方法のステップｄ）において、活性化粒子ビームは、所定の滞留時間(dwell time)にわたってｍ_i個のピクセルの各々に留まる。例として、滞留時間は１００ｎｓである。

【0032】

特に、ステップｄ）～ｆ）は、単一の修復シーケンスにおいて中断なしで実行される。すなわち、粒子ビームは、特に、部分修復形状のうちの第１のもの（または更なるもの）の最後のピクセルにおいて提供された後、次に処理されるために部分修復形状の第１のピクセルにおいて即座に提供される。

【0033】

実施形態によれば、活性化粒子ビームおよびプロセスガスは、ステップｄ）における部分修復形状のうちの第１のもののｍ_i個のピクセルの各々においてのみ提供される。

【0034】

換言すると、活性化粒子ビームおよびプロセスガスは、ステップｄ）において、第１の部分修復形状のピクセルにおいてのみ提供され、更なる部分修復形状のピクセルにおいては提供されない。部分修復形状は、ステップｄ）～ｆ）において連続的に処理されるとも言える。

【0035】

更なる実施形態によれば、修復形状は、ステップｃ）において、閾値に基づいてｋ個の部分修復形状に細分化される。

【0036】

例として、修復形状は、部分修復形状が全て同じサイズおよび同じピクセル数ｍ_iを有するように複数の部分修復形状に細分化される。例として、修復形状は、部分修復形状のピクセル数ｍ_iが互いに３０％、２０％、１０％、５％、３％および／または１％未満異なるように、複数の部分修復形状に細分化することもできる。

【0037】

例として、修復形状は、ステップｃ）が実行されるか否かの判定が閾値に基づいて実行されるように、閾値に基づいて複数の部分修復形状に細分化される。換言すると、修復形状は、例えば、閾値を上回ると複数の部分修復形状への細分化が行われるのに対し、閾値を下回ると修復形状の細分化が行われないように、閾値に基づいて複数の部分修復形状に細分化される。

【0038】

例として、修復形状は、修復形状が細分化される部分修復形状の数ｋが、閾値に基づいて決定されるように、複数の部分修復形状に細分化される。

【0039】

閾値は、第１の（例えば、上側）および第２の（例えば、下側）閾値（すなわち、パラメータ範囲）も含むことができる。

【0040】

更なる実施形態によれば、閾値は、経験的に決定される値(empirically determined value)であり、ステップａ）の前に決定される。

【0041】

結果として、閾値は、欠陥の粒子ビーム誘起処理のために、方法の適用前に定義することができる。例として、閾値は、事前に、方法を実行するための装置の製造者によって閾値を決定するための別個の方法の範囲内で決定することができる。結果として、フォトマスクの欠点を処理するための方法は、ユーザにとってより容易に実行することができる。

【0042】

更なる実施形態によれば、粒子ビーム誘起処理は、欠陥のエッチングまたは欠陥上の材料の堆積を含み、閾値は、修復形状のピクセルの数ｎ(a number n of pixels)に基づいて、エッチング速度または堆積速度(deposition rate)の経験的値から決定される。

【0043】

結果として、所望のエッチング速度または堆積速度の達成を、ｎピクセルを有する修復形状に対応するフォトマスクの欠陥の場合に確実にすることができる。

【0044】

更なる実施形態によれば、閾値は、修復形状のピクセルの数ｎ、ピクセルのサイズ、粒子ビームの入射エリア、それぞれのピクセルにおける活性化粒子ビームの滞留時間、プロセスガスが提供されるガス量流量、プロセスガスの組成、およびプロセスガスの様々なガス成分のガス量流量比を含むグループから選択されたパラメータに基づいて決定される、経験的に決定される値である。

【0045】

これは、特に、複数の部分修復形状への修復形状の細分化がこのように実行され、かつ、そのような細分化の欠如により、或る特定のピクセルが処理されるべき時点において、処理される修復形状のピクセルにおけるプロセスガスの組成、ガス量および／または密度が不利になるときはいつでも実行されることを確実にすることができる。

【0046】

特に、閾値は、粒子ビームにより誘発される処理によって、フォトマスクの欠陥を、少なくとも所定の量まで修復、例えばエッチングすることができるように決定される、経験的に決定される閾値である。例として、修復の品質は、修復部位の平滑性（例えば、エッチングの平滑性）、修復エッジ（例えば、エッチングエッジ）の幅、修復（例えば、エッチング）の速さおよび／またはエッチング速度もしくは堆積速度を決定することによって決定される。

【0047】

特に、ガス量流量は、体積流量、または単位時間あたりに、定義された断面、例えばガス提供ユニットの弁を通じて移送されるプロセスガスの量を指定する流量である。例として、ガス量流量は、プロセスガスの温度を設定することによって定義される。例として、プロセスガスの温度は、－４０℃～＋２０℃の範囲内の温度に設定される。

【0048】

滞留時間は、このピクセルの位置においてフォトマスクにおける局所的反応（化学反応、エッチング反応および／または材料堆積反応）を開始する目的で、部分修復形状のｍ_i個のピクセルのうちの１つに活性化粒子ビームが方向付けられる持続時間である。

【0049】

更なる実施形態によれば、修復形状は、ボロノイ手法(Voronoi approach)の支援により複数の部分修復形状に細分化される。

【0050】

ボロノイ手法またはボロノイ図は、欠陥の幾何学的形状、すなわち修復形状の、部分修復形状への容易な細分化を促進する。特に、不規則形状を有する欠陥、このため、不規則形状を有する修復形状は、容易に部分修復形状に分解することができる。

【0051】

更なる実施形態によれば、部分修復形状は、ステップｃ）において、ボロノイ中心から開始するボロノイ領域として決定される。各部分修復形状は、関連付けられたボロノイ中心に対応する修復形状のピクセルと、修復形状の任意の他のボロノイ中心よりも関連付けられたボロノイ中心の近くに配置された修復形状の全てのピクセルとを含む。

【0052】

特に、ボロノイ中心間の距離は、ステップｃ）において閾値に基づいて予め決定され、ボロノイ中心は、所定の距離に基づいて決定される。例として、結果として、ボロノイ中心は、修復形状にわたって一様分布するように修復形状において定義される。

【0053】

更なる実施形態によれば、修復形状は、それぞれの部分修復形状のｍ_i個のピクセルが走査方向において互いに同じ距離を有するように複数の部分修復形状に細分化される。

【0054】

例として、修復形状は、ＸＹ平面を定義する２次元の幾何学的形状である。例として、修復形状のｎ個のピクセルは、Ｘ方向およびＹ方向に配置される。例として、粒子ビームは、粒子ビーム誘導デバイス（走査ユニット）の支援によりＸ方向およびＹ方向に誘導される。例として、走査方向は、Ｘ方向および／またはＹ方向に対応する。

【0055】

走査方向において互いから同じ距離を有するそれぞれの部分修復形状のピクセルが回避することは、走査中、部分修復形状が処理されている間、量子ビームが、部分修復形状における間隙、すなわち、部分修復形状の外側の領域にわたって誘導される必要があることである。

【0056】

更なる実施形態によれば、修復形状は少なくとも２つの離間された領域を含む。更に、修復形状は、各部分修復形状が、少なくとも２つの離間された領域のうちの最大で１つを含むように複数の部分修復形状に細分化される。

【0057】

結果として、部分修復形状の処理中に、量子ビームが非連続領域、すなわち離間された領域間で前後に動かされなくてはならないことを回避することが可能である。これは、部分修復形状が、１００、１０００、１０，０００、１００，０００または百万のオーダーとなり得るｊ個の繰返し周期にわたって粒子ビームによって処理されるため、特に有利である。

【0058】

更なる実施形態によれば、方法は、ステップｄ）の前に、以下のステップ、すなわち、活性化粒子ビームにより活性化された化学反応によるプロセスガスの消耗(depletion)が部分修復形状にわたって一様に実施されるように、活性化粒子ビームが部分修復形状のうちの第１のもののｍ_i個のピクセルにおいて連続的に提供される順序(sequence)を計算するステップを含む。

【0059】

特に、部分修復形状のｍ_i個のピクセルのラインごとの走査を回避することができる。

【0060】

更なる実施形態によれば、更なる部分修復形状についてステップｆ）においてステップｄ）およびｅ）が実行される順序は、行ごとおよび／もしくは列ごとの順序と異なり、ならびに／またはランダムに分散される。

【0061】

特に、ステップｄ）およびｅ）によって部分修復形状が処理される順序は、行ごとおよび／もしくは列ごとの順序と異なり、ならびに／またはランダムに分散される。

【0062】

更なる実施形態によれば、修復形状は、ステップｃ）における、部分修復形状へのｈ個の相互に異なる細分化(a number h of mutually different subdivisions)により細分化される。更に、ステップｄ）～ｆ）は、ｈ個の細分化の各々について実行される。

【0063】

これにより、部分修復形状間の境界における欠陥の不均一な処理を回避することができる。この場合、ｈは２以上の整数である。

【0064】

例として、ｈ個全ての細分化の第１の部分修復形状は互いに重なり合う可能性があり、ｈ個全ての細分化の第２の部分修復形状は互いに重なり合う可能性がある等である。すなわち、ｈ個全ての細分化の第ｉの部分修復形状は、互いに重なり合う可能性がある。ここで、ｉ＝１～ｋである。

【0065】

更なる実施形態によれば、ステップｄ）～ｆ）は、ｈ個の細分化の各々について、ｇがｊ未満である、ｇ個の繰返し周期にわたって、および／またはｊ／ｈ個の繰返し周期にわたって実行される。

【0066】

結果として、合計ｊ個の繰返し周期をｈ個の細分化の間で細分化することができる。この場合、ｇは２以上の整数である。

【0067】

更なる実施形態によれば、ｈ個の細分化は、修復形状に対する部分修復形状の境界の変位、特に横方向の変位により互いに異なる。

【0068】

修復形状の更なる細分化の計算は、このように特に容易に実現することができる。

【0069】

更なる実施形態によれば、ステップｄ）～ｆ）はｐ個の繰返し周期にわたって繰り返され、ここで、ｐは２以上の整数である。

【0070】

欠陥がステップｄ）～ｆ）の１回の反復中に完全にではなく部分的にのみ修復され、欠陥の完全な修復がｐ個の繰り返し周期によってのみ達成される結果として、部分修復形状間の境界における欠陥の非一様な処理を回避することができる。この実施形態は、ｈ個の相互に異なる細分化を用いることに対する代替を提示するか、またはこれに加えて適用することができる。

【0071】

更なる態様によれば、マイクロリソグラフィフォトマスクの欠陥の粒子ビーム誘起処理のための装置が提案される。装置は、
フォトマスクの少なくとも一部分の像を提供するための手段と、
像内の欠陥の幾何学的形状を、修復形状として決定するためのコンピューティング装置であって、修復形状は、ｎ個のピクセルを含み、修復形状をコンピュータにより実施される形式で複数の部分修復形状に細分化するように構成される、コンピューティング装置と、
それぞれの部分修復形状を処理するためのｊ個の繰返し周期にわたって、全ての部分修復形状の各ピクセルにおいて活性化粒子ビームおよびプロセスガスを提供するための手段と、
を備える。

【0072】

更なる態様によれば、コンピュータプログラム製品が提案される。このコンピュータプログラム製品は、マイクロリソグラフィマスクの欠陥の粒子ビーム誘起処理のための装置を制御するために、コンピューティング装置によって実行されるとき、請求項１～１３のいずれか１項に記載の方法ステップを実行するように装置に促す命令を含む。

【0073】

例えば、コンピュータプログラム手段等のコンピュータプログラム製品を、例えば、例としてメモリカード、ＵＳＢスティック、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ等のストレージ媒体として、またはそうでない場合、ネットワークにおけるサーバからダウンロード可能なファイルの形態で提供または供給することができる。例として、無線通信ネットワークにおいて、これは、コンピュータプログラム製品またはコンピュータプログラム手段を用いて適切なファイルを転送することによって有効にすることができる。

【0074】

上記および下記に言及されるユニットの各々、例えば、コンピューティング装置、制御デバイス、決定デバイス、細分化デバイスは、ハードウェアおよび／またはソフトウェアにおいて実施することができる。ハードウェアとしての実施の場合、対応するユニットは、装置として、または装置の一部として、例えばコンピュータまたはマイクロプロセッサとして具現化することができる。例として、装置は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）、グラフィック処理ユニット（ＧＰＵ）、プログラマブルハードウェアロジック（例えば、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ））、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）等を含むことができる。更に、１つまたは複数のユニットは、単一のハードウェア装置において共に実施することができ、例えば、メモリ、インタフェース等を共有することができる。ユニットは、別個のハードウェア構成要素において実現することもできる。

【0075】

更なる実施形態によれば、閾値を決定するための方法が提案される。決定された閾値は、マイクロリソグラフィフォトマスクの欠陥の粒子ビーム誘起処理中に、閾値に基づいて、修復形状をｋ個の部分修復形状に細分化する役割を果たす。方法は、
ｉ）所定の処理パラメータを用いて、フォトマスクの第１の試験欠陥(first test defect)の粒子ビーム誘起処理を行うステップであって、第１の試験欠陥は、第１のサイズを有する、ステップと、
ｉｉ）第１の試験欠陥の処理の品質を決定するステップと、
ｉｉｉ）処理パラメータが決定されるまで変更された処理パラメータについてステップｉ）およびｉｉ）を繰り返すステップであって、決定された品質は、所定の品質以上である、ステップと、
ｉｖ）決定された処理パラメータを用いて、フォトマスクの更なる試験欠陥の粒子ビーム誘起処理を行うステップであって、更なる試験欠陥は各々、他の更なる試験欠陥のサイズと異なり、かつ第１の試験欠陥のサイズと異なるサイズを有する、ステップと、
ｖ）各更なる試験欠陥について処理の品質を決定するステップと、
ｖｉ）第１および更なる試験欠陥について決定された品質に基づいて閾値を決定するステップと、
を含む。

【0076】

所定のおよび決定された処理パラメータは、例えば、ピクセルにおける電子ビームの滞留時間（例えば１００ｎｓ、１０ｎｓまたは数μｓ）；十分な吸着プロセスガスが修復部位の近くの表面に再び存在することを確実にするために、ピクセルが電子ビームに「曝され」ない中断期間（例として１００μｓ～５０００μｓの値）；修復形状のピクセルにわたる電子ビームの誘導（走査）のタイプ（例えば、ライン走査、蛇行走査、ピクセルにおけるランダム化されたホームイン（ｈｏｍｉｎｇｉｎ）および／またはピクセルにおける増分ホームイン）、および／またはプロセスガスのガス量流量（例として、ガス量流量は、プロセスガスの温度を設定することによって定義され、温度は例えば－４０℃～＋２０℃である）を含む。

【0077】

例として、修復の品質は、修復部位の平滑性（例えば、エッチングまたは堆積される材料の平滑性）、修復エッジ（例えば、エッチングエッジまたは堆積エッジ）の幅、修復（例えば、エッチングまたは堆積）の速さおよび／またはエッチング速度もしくは堆積速度を決定することによって決定される。例として、所定の品質は、修復部位の平滑性、修復エッジの幅、修復の速さ、エッチング速度および／または堆積速度の所定の値である。

【0078】

粒子ビーム誘起処理のための方法に関して説明された特徴および利点は、相応して、装置、コンピュータプログラム製品、および閾値を決定するための方法に適用され、逆もまた同様である。

【0079】

「１つの」は、本事例において、必ずしも厳密に１つの要素に限定されるものとして理解されるべきでない。むしろ、例えば、２つ、３つまたはそれ以上等の複数の要素を提供することもできる。ここで用いられる任意の他の数も、要素の述べた数への厳密な制約が存在するという旨で理解されるべきでない。むしろ、特段の記載がない限り、上方および下方への数値のずれが可能である。

【0080】

本発明の更なる可能な実施態様は、例示的な実施形態に関して上記または下記で示された任意の特徴または実施形態の明示的に言及されていない組み合わせも含む。この場合、当業者は、本発明のそれぞれの基本形態に対する改善または捕捉として、個々の態様も加える。

【0081】

本発明の更なる有利な改良点および態様は、従属請求項の主題であり、以下に説明する本発明の例示的な実施形態の主題でもある。以下の文において、本発明は、添付の図面を参照して好ましい実施形態に基づいてより詳細に説明される。

【図面の簡単な説明】

【0082】

【図1】１つの実施形態による構造化されたコーティングにおける欠陥を有するマイクロリソグラフィフォトマスクの詳細を概略的に示す。

【図2】１つの実施形態による図１からのフォトマスクの欠陥の粒子ビーム誘起処理のための装置を示す。

【図3】欠陥の幾何学的形状が複数の部分修復形状に細分化された、図１からのフォトマスクの欠陥の更なる例を示す。

【図4】図３の拡大詳細図を示す。

【図5】欠陥の幾何学的形状が２つの相互に異なる細分化によって複数の部分修復形状に細分化された図３に類似した図を示す。

【図6】図１のフォトマスクの欠陥の更なる例を示す。

【図7】図１のフォトマスクの欠陥の更なる例を示す。

【図8】１つの実施形態による図１のフォトマスクの欠陥の粒子ビーム誘起処理のための方法のフローチャートを示す。

【図9】１つの実施形態による閾値を決定するための方法のフローチャートを示し、プロセスにおいて決定される閾値は図８の方法に適用可能である。

【図10】図９の方法において修復および評価される５つの修復された試験欠陥の像を示す。

【図11】図１０からの試験欠陥の欠陥サイズの関数としてのエッチング速度の図を示す。

【発明を実施するための形態】

【0083】

別段の指示がない限り、同じであるかまたは機能的に同じである要素は、図面において同じ参照符号を提供される。また、図面における図は必ずしも縮尺通りではないことを理解されたい。

【0084】

図１は、マイクロリソグラフィフォトマスク１００の詳細を概略的に示す。示す例において、フォトマスク１００は、透過性フォトリソグラフィマスク１００である。フォトマスク１００は基板１０２を含む。基板１０２は、特に、フォトマスク１００が露光される波長において光学的に透過性である。例として、基板１０２の材料は石英ガラスを含む。

【0085】

構造化されたコーティング１０４（パターン要素１０４）が基板１０２に施された。特に、コーティング１０４は、吸収材料から作製されたコーティングである。例として、コーティング１０４の材料はクロム層を含む。例として、コーティング１０４の厚みは、５０ｎｍ～１００ｎｍの範囲をとる。フォトマスク１００の基板１０２上のコーティング１０４によって形成される構造の構造サイズＢは、フォトマスク１００の様々な位置において異なることができる。例として、図１において、領域の幅Ｂが構造サイズとしてプロットされている。例として、構造サイズＢは、２０～２００ｎｍの領域内にある。構造サイズＢは、２００ｎｍ超、例えば数マイクロメートルのオーダーとすることもできる。

【0086】

他の例では、上述した以外の材料も、基板およびコーティングに用いることができる。更に、フォトマスク１００は、透過性フォトマスクではなく、反射性フォトマスクとすることもできる。この場合、反射層は、吸収層１０４の代わりに適用される。

【0087】

時折、例えばエッチングプロセスが意図された通りに厳密に実行されないことに起因して、欠陥Ｄがフォトマスクの製造中に生じる可能性がある。図１において、そのような欠陥Ｄは斜線で表されている。これは、２つの隣り合ったコーティング領域１０４が、フォトマスク１００のためのテンプレートにおいて別個であると考えられているにもかかわらず、この領域からコーティング１０４が除去されなかったことに起因する余分な材料である。欠陥Ｄがウェブを形成するとも言える。この場合、欠陥Ｄのサイズは構造サイズＢに対応する。構造サイズＢよりも小さい、例えば５～２０ｎｍのオーダーの他の欠陥も知られている。フォトマスクを用いてリソグラフィ装置において製造された構造が、ウェハ上で所望の形状を有し、このため、この方式で製造された半導体コンポーネントが所望の機能を満たすことを確実にするために、図１に示す欠陥Ｄまたはそうでない場合他の欠陥等の欠陥を修復する必要がある。この例において、例えば、粒子ビーム誘起エッチングによって、標的を絞った方式でウェブを除去することが必要である。

【0088】

図２は、マイクロリソグラフィフォトマスクの欠陥、例えば図１からのフォトマスク１００の欠陥Ｄの粒子ビーム誘起処理のための装置２００を示す。図２は、フォトマスク１００の欠陥Ｄの粒子ビーム誘起修復、この例ではエッチングのために用いることができる装置２００のいくつかのコンポーネントを通じた概略断面図を示す。更に、装置２００は、修復プロセスの実施前、実施中および実施後の、フォトマスクの結像、特にマスク１００および欠陥Ｄの構造化されたコーティング１０４の結像のために用いることもできる。

【0089】

図２に示す装置２００は、変更された走査型電子顕微鏡２００を表す。この場合、電子ビーム２０２の形態の粒子ビーム２０２を用いて欠陥Ｄを修復する。電子ビーム２０２を活性化粒子ビームとして用いることは、電子ビーム２０２が実質的にフォトマスク１００、特にその基板１０２に損傷を与えることができないか、またはわずかにしか損傷を与えることができないという利点を有する。

【0090】

実施形態において、フォトマスク１００のための局所的粒子ビーム誘起修復プロセスを活性化させるためのレーザビームを、電子ビーム２０２の代わりに、または電子ビーム２０２に加えて用いることができる（図２には示されていない）。更に、電子ビームおよび／またはレーザビームの代わりに、局所的化学反応を活性化するために、イオンビーム、原子ビームおよび／または分子ビームを用いることが可能である（図２には示されていない）。

【0091】

装置２００は、真空ポンプ２０６によって或る特定のガス圧力に保たれた真空ハウジング２０４において大部分が配置されている。

【0092】

例として、装置２００は、マイクロリソグラフィフォトマスク、例えばＤＵＶまたはＥＵＶリソグラフィ装置のためのフォトマスクのための修復ツールである。

【0093】

処理されるフォトマスク１００は、試料ステージ２０８上に配置される。例として、試料ステージ２０８は、フォトマスク１００の位置を、３つの空間方向、および数ナノメートルの精度で３つの回転軸において設定するように構成される。

【0094】

装置２００は、電子カラム２１０を含む。電子カラム２１０は、活性化電子ビーム２０２を提供するための電子源２１２を含む。更に、電子カラム２１０は、電子またはビーム光学素子２１４を含む。電子源２１２は、電子ビーム２０２を生成し、電子またはビーム光学素子２１４は、電子ビーム２０２の焦点を合わせ、電子ビーム２０２をカラム２１０の出力においてフォトマスク１００に向ける。電子カラム２１０は、フォトマスク１００の表面上で電子ビーム２０２を誘導、すなわち、走査するように構成された偏向ユニット２１６（走査ユニット２１６）を更に含む。

【0095】

装置２００は、入射電子ビーム２０２によってフォトマスク１００において生成された二次電子および／または後方散乱電子を検出するための検出器２１８を更に備える。例として、示すように、検出器２１８は、電子カラム２１０内でリング型の形式で電子ビーム２０２の周りに配置される。検出器２１８の代わりとして、または検出器２１８に加えて、装置２００は、二次電子および／または後方散乱電子（図２に示されていない）を検出するための他の／更なる検出器も含むことができる。

【0096】

更に、装置２００は、フォトマスク１００の欠陥Ｄを分析するのに用いることができる１つ以上の走査型プローブ顕微鏡、例えば原子間力顕微鏡を含むことができる（図２に示されていない）。

【0097】

装置２００は、フォトマスク１００の表面にプロセスガスを供給するためのガス提供ユニット２２０を更に備える。例として、ガス提供ユニット２２０は、弁２２２およびガスライン２２４を含む。電子カラム２１０によってフォトマスク１００の表面上のロケーションに向けられた電子ビーム２０２は、弁２２２およびガスライン２２４を介して外側からガス提供ユニット２２０によって供給されたプロセスガスと併せて電子ビーム誘起処理（ＥＢＩＰ）を実行することができる。特に、これらの処理は、材料の堆積および／またはエッチングを含む。

【0098】

装置２００は、コンピューティング装置２２６、例えば、制御デバイス２２８、決定デバイス２３０および細分化デバイス２３２を有するコンピュータを更に備える。図２の例において、コンピューティング装置２２６は真空ハウジング２０４の外側に配置される。

【0099】

コンピューティング装置２２６、特に制御デバイス２２８は、装置２００を制御する役割を果たす。特に、コンピューティング装置２２６、特に制御デバイス２２８は、電子カラム２１０を駆動することによって電子ビーム２０２の提供を制御する。特に、コンピューティング装置２２６、特に制御デバイス２２８は、走査ユニット２１６を駆動することによってフォトマスク１００の表面上の電子ビーム２０２の走査を制御する。更に、コンピューティング装置２２６は、ガス提供ユニット２２０を駆動することによって、プロセスガスの提供を制御する。

【0100】

更に、コンピューティング装置２２６は、装置２００の検出器２１８および／または他の検出器からの測定データを受信し、測定データから像を生成する。この像はモニタ（ここには図示せず）上に表示することができる。更に、測定データから生成された像は、コンピューティング装置２２６のメモリユニット（ここには図示せず）に記憶することができる。

【0101】

フォトマスク１００をチェックするために、特に、フォトマスク１００上の構造化コーティング１０４をチェックするために、装置２００は、特に、装置２００の検出器２１８および／または他の検出器からの測定データから、フォトマスク１００（図１）の像３００またはフォトマスク１００の詳細の像３００を捕捉するように構成される。例として、像３００の空間分解能は、数ナノメートルのオーダーである。

【0102】

コンピューティング装置２２６、特に決定デバイス２３０は、記録された像３００における欠陥Ｄ（図１）を認識し、この欠陥を位置特定して、欠陥Ｄの幾何学的形状３０２（修復形状３０２）を決定するように構成される。欠陥Ｄの決定された幾何学的形状３０２、すなわち修復形状３０２は、例えば２次元幾何学的形状である。

【0103】

図３は、フォトマスク１００の構造化コーティング１０４の欠陥Ｄ’の更なる例を示す。この例において、欠陥Ｄ’、このためその修復形状３０２’は正方形である。

【0104】

コンピューティング装置２２６、特に、決定デバイス２３０は、デバイス修復形状３０２、３０２’（図１および図３）を、ｎ個のピクセル３０４を含むグリッドに分割するように構成される。図３は、修復形状３０２’のいくつかのピクセル３０４を例示的な形式でプロットする。例として、修復形状３０２’は、百万ピクセル３０４（ｎ＝１，０００，０００）を含む。例として、ピクセル３０４の側辺長ａ（図４）は、数ナノメートル、例えば１．５ｎｍである。例として、ピクセル３０４は１．５ｎｍｘ１．５ｎｍのサイズを有する。修復方法の過程において、電子ビーム２０２は、走査ユニット２１６によって各ピクセル３０４の各中心に複数回方向付けられる。特に、電子ビーム２０２のガウス強度プロファイルの強度最大値は、方法の過程にわたって、各ピクセル３０４の中心に複数回方向付けられる。

【0105】

コンピューティング装置２２６、特に細分化デバイス２３２は、例えば、閾値Ｗに基づいて、修復形状３０２、３０２’を複数の、特にｋ個の部分修復形状３０６に細分化するように構成される。例として、コンピューティング装置２２６は、修復形状のピクセル３０４の数ｎが所定の閾値Ｗを超えている場合、修復形状３０２、３０２’を細分化するように構成される。例として、所与の修復形状３０２’が細分化される部分修復形状の総数ｋは、所定の閾値Ｗに基づいて予め定義される。例として、所定の閾値Ｗは、経験的に決定された閾値Ｗである。

【0106】

図３に示す例において、修復形状３０２’は、９個の部分修復形状３０６（ｋ＝９）に細分化される。各部分修復形状３０６は、ｍ_i個のピクセル３０４を有し、これは、修復形状３０２’のｎ個のピクセル３０４のサブセットである。特に、ｉ＝１～ｋについてのｍ_iにわたる総和はｎに等しい。図３に示す例において、部分修復形状３０６は全て同じサイズを有する。換言すると、９個の部分修復形状３０６の各々は、同じ数ｍ_i個のピクセル３０４を含む（すなわち、ｍ_i(i=1~9)＝ｎ／ｋ））。他の例において、第ｉの部分修復形状３０６のｍ_i個のピクセル３０４は、他の（ｋ－１）個の部分修復形状３０６のうちの１つ、いくつかまたは全てと異なることもできる。

【0107】

図４は、図３に例示的な形式で示される第１の部分修復形状３０６の５つのピクセル３０４が拡大形式で示される、図３からの拡大詳細図を示す。各ピクセル３０４は、側辺長ａを有する正方形である。結果として、２つの隣接するピクセル中心Ｍ間の距離もａに等しくなる。直径ｃを有し、参照符号３０８によって表される円は、フォトマスク１００の表面上の電子ビーム２０２の入射エリアを表す。この場合、直径ｃは側辺長ａに対応する。電子ビーム２０２は、特に径方向に対称のガウス強度プロファイルを有する。特に、電子ビーム２０２は、その強度分布の最大値が技術的に可能である範囲内で中心Ｍに入射するように入射エリア３０８またはピクセル３０４の中心Ｍに方向付けられる。例として、入射エリア３０８は、電子ビーム２０２の強度プロファイルの半値幅に対応することができる。しかしながら、入射エリア３０８は、電子ビーム２０２の強度分布の最大値からの任意の他の強度降下にも対応することができる。

【0108】

例として、修復形状３０２’（図３）は、ボロノイ手法（ボロノイ図）によってｋ個の部分修復形状３０６に細分化される。この場合、コンピューティング装置２２６、特に細分化デバイス２３２を用いて、修復形状３０２’（図３）におけるボロノイ中心３１０間の距離を定義する。修復形状３０２’におけるボロノイ中心（３１０）は、コンピューティング装置２２６、特に細分化デバイス２３２を用いてこの距離ｓに基づいて決定される。

【0109】

更に、コンピューティング装置２２６、特に細分化デバイス２３２は、この例において、ボロノイ中心３１０から開始するボロノイ領域として部分修復形状３０６を決定するように構成される。このため、このように決定された各部分修復形状３０６は、関連付けられたボロノイ中心３１０に対応する修復形状３０２’のピクセル３０４と、修復形状３０２’の任意の他のボロノイ中心３１０よりも関連付けられたボロノイ中心３１０の近くに配置された修復形状３０２’の全てのピクセル３０４とを含む。

【0110】

図３は、比較的単純な修復形状３０２’、特に正方形を示しているが、ボロノイ手法によって、更に複雑な修復形状を部分修復形状に適切に細分化することができる。この点における例は、ハニカム構造またはより一般的な２次元多面体を含む。

【0111】

コンピューティング装置２２６、特に制御デバイス２２８は、電子ビーム２０２によって、プロセスガスの提供下で部分修復形状３０６に細分化された修復形状３０２’を走査するように構成され、その幾何学的形状が修復形状３０２’である欠陥Ｄ’が処理および修正されるようにする。この場合、活性化電子ビーム２０２は、第１の部分修復形状３０６のｍ_i=1個のピクセル３０４の各々に連続して方向付けられる。電子ビーム２０２は、所定の滞留時間にわたって第１の部分修復形状３０６のｍ_i=1個のピクセル３０４の各々において滞留する。この場合、プロセスガスの化学反応は、電子ビーム２０２によって第１の部分修復形状３０６のｍ_i=1個のピクセル３０４の各々において活性化される。例として、プロセスガスは、エッチングガスを含む。例として、化学反応により、エッチングされる欠陥Ｄ’の材料との揮発性反応生成物が生じることになり、これは、室温において少なくとも部分的にガス状であり、ポンプシステム（図示せず）を用いてポンピングにより除去することができる。

【0112】

電子ビーム２０２が第１の部分修復形状３０６のｍ_i=1個のピクセル３０４の各々に一旦方向付けられると（ステップｄ））、この手順は、ｊ個の繰返し周期にわたって繰り返される（ステップｅ））。

【0113】

第１の部分修復形状３０６の全てのｍ_i=1個のピクセル３０４におけるｊ個の繰返し周期にわたって第１の部分修復形状３０６が処理された後、修復形状３０２’の残りのｋ－１個の部分修復形状３０６のうちの各更なる１つがそれに応じて処理される（ステップｆ））。この場合、部分修復形状３０６が処理される順序は、行ごとおよび／または列ごとの順序と異なる場合がある。換言すると、図３の例において、部分修復形状３０６は、左上から右下まで連続するのと異なる順序で処理することもできる。例として、部分修復形状３０６が処理される順序は、ランダムに分散してもよい。

【0114】

実施形態において、ステップｄ）～ｆ）は、ｍ＝１個のピクセル３０４の各々について全体繰返し周期数がｊｘｐとなるように、繰返し周期数ｐ(a number p of repetition cycles)にわたって繰り返される。

【0115】

欠陥Ｄ’の領域においてコーティング１０４を（完全に）除去するために、例えば、合計１００、１０００、１０，０００、１００，０００または百万個の繰返し周期の数ｊ（またはｊｘｈ）が各ピクセルｍ_i=1において必要とされる。

【0116】

ｎ個のピクセルを有する修復形状３０２’は、図３の例において各々がｎ／ｋ個のピクセルを有する複数の部分修復形状３０６（ｋ個の部分修復形状３０６、この場合、９個）に細分化されるため、ｋ個の部分修復形状３０６のうちの１つの処理時間は、修復形状３０２’全体の処理時間よりも短い。これは、欠陥Ｄ’の処理に必要とされかつ／または最適なプロセスガスのガス組成を、部分修復形状３０６の処理中により良好に確実にすることができるため、有利である。例として、プロセスガスのガス組成は、修復形状３０２’ごとではなく、部分修復形状３０６ごとに更新することができる。例として、これにより、プロセスガスの不利なガス組成によるエッチング速度における大幅な低減を回避することができる。

【0117】

図３に示す、部分修復形状３０６への修復形状３０２’の細分化３１２、および電子ビーム２０２による記載した走査方法の場合、部分修復形状３０６間の境界領域３１４において望ましくない減少が生じ得る。例として、第１の部分修復形状３０６と第２の部分修復形状３０６との間の境界領域３１４は、図３において参照符号を設けられている。そのような境界領域３１４において、電子ビーム２０２による処理は、余分なもしくは不十分な材料アブレーション、または余分なもしくは不十分な材料堆積につながる場合がある。

【0118】

そのような修復形状内アーチファクトを回避するために、コンピューティング装置２２６、特に細分化デバイス２３２は、修復形状３０２’を、ｈ個の相互に異なる細分化３１２、３１６に細分化するように構成することができる。

【0119】

図５は、図３に非常に類似したものを示すが、図３に示す部分修復形状３０６への修復形状３０２’の細分化３１２が図５において破線を用いて示されている。更に、図５は、コンピューティング装置２２６、特に細分化デバイス２３２によって計算された更なる細分化３１６を示す。結果として、図５は、２つの相互に異なる細分化３１２、３１６への修復形状３０２’の細分化を説明する。

【0120】

図５に示す例において、細分化３１６は、第１の細分化３１２による部分修復形状３０６の境界３１８が修復形状３０２’に対し横方向に変位され、新たな部分修復形状３０６’がこのように決定されるようになっていた点で細分化３１２と異なる。図５において明らかであるように、第２の細分化３１６による部分修復形状３０６’は互いに異なるサイズを有し、互いに異なるピクセル数ｍ’_iを有する。

【0121】

複数の細分化３１２、３１６（ｈ個の細分化、この場合は２つ）が、修復形状内アーチファクトを回避する目的で修復形状３０２’について計算される場合、例えば、所定の数（またはｊ×ｐ）個の繰返し周期が複数の細分化３１２、３１６間で分割される。例として、図５の例において、第１の細分化３１２の各部分修復形状３０６、および第２の細分化３１６の各部分修復形状３０６’が、ｇ個の繰返し周期にわたって電子ビーム２０２によって処理される。ここで、各事例におけるｇはｊ／ｈ（または（ｊｘｐ）／ｈ）に等しい。換言すると、所定の数ｊ（またはｊ×ｐ）個の繰返し周期は、２つの細分化３１２、３１６間で一様に分割される。

【0122】

より複雑な修復形状の事例において、コンピューティング装置２２６、特に細分化デバイス２３２は、図６および図７に説明されるように、更なる境界条件を考慮に入れながら、修復形状の細分化を行うように構成することができる。

【0123】

図６は、修復形状４０２の更なる例を示す。修復形状４０２は、装置２００の電子ビーム２０２が、凹型領域４０４内に存在する間隙４０８を走査方向Ｘにおいて繰り返し横切るように凹型領域４０４を有する。そのような場合、コンピューティング装置２２６、特に細分化デバイス２３２は、それぞれの部分修復形状４０６のｍ’’_i個のピクセルが走査方向Ｘにおいて互いに同じ距離を有するように修復形状４０２を複数の部分修復形状４０６に細分化するように構成することができる。換言すると、修復形状４０２は、電子ビーム２０２が走査方向Ｘにおいて部分修復形状４０６を処理するときに間隙を横切る必要がないように複数の部分修復形状４０６に細分化される。

【0124】

修復形状４０２の３つのピクセル４１０、４１２、４１４が図６において例示的な形式でプロットされる。ピクセル４１０および４１２は、第１の部分修復形状４０６に属し、ピクセル４１４は第２の部分修復形状４０６に属する。第１の部分修復形状４０６の２つのピクセル４１０および４１２は、直接隣り合って配置されることが明らかである。特に、それらの間には、走査方向Ｘにおいてであっても間隙がない。対照的に、第１の部分修復形状のピクセル４１２および第２の部分修復形状のピクセル４１４は、直接隣り合って配置されず、それらの間には、走査方向Ｘにおいて、間隙４０８に対応する距離ｅが存在する。

【0125】

図７は、修復形状５０２の更なる例を示す。例において、修復形状５０２は２つの離間された領域５０４を有する。修復形状５０２は、他の例において、３つ以上の離間された領域５０４も有することができる。修復形状５０２を細分化するために、コンピューティング装置２２６、特に細分化デバイス２３２は、各部分修復形状５０６が２つの離間された領域５０４のうちの最大で１つを含むように、修復形状５０２を複数の部分修復形状５０６に細分化するように構成することができる。換言すると、修復形状５０２は、電子ビーム２０２が走査方向Ｘにおいて部分修復形状５０６を処理するときに間隙を横切る必要がないように複数の部分修復形状５０６に細分化される。

【0126】

図８は、マイクロリソグラフィフォトマスクの欠陥の粒子ビーム誘起処理のための方法のフローチャートを示す。フォトマスク１００（図１）の欠陥Ｄ、Ｄ’は、方法によって処理することができる。例として、欠陥Ｄ、Ｄ’は図１に示す修復形状３０２、図３に示す修復形状３０２’、図６に示す修復形状４０２、図７に示す修復形状５０２、または任意の他の修復形状を有する。

【0127】

方法のステップＳ１において、フォトマスク１００の少なくとも一部分の像３００が提供される。特に、フォトマスク１００の一部分の走査電子顕微鏡像３００は、装置２００によって捕捉され、フォトマスク１００の構造化されたコーティング１０４の欠陥Ｄ、Ｄ’は、上記像において結像される。

【0128】

方法のステップＳ２において、像３００内の欠陥Ｄ、Ｄ’の幾何学形状が、修復形状３０２、３０２’、４０２、５０２として決定される。

【0129】

方法のステップＳ３において、修復形状３０２、３０２’、４０２、５０２は、コンピュータにより実施される形式で複数の部分修復形状３０６、４０６、５０６に細分化される。例として、この細分化は、閾値Ｗ（例えば、経験的に決定された閾値）に基づいて実施される。

【0130】

方法のステップＳ４において、活性化粒子ビーム２０２およびプロセスガスは、部分修復形状３０６、４０６、５０６の第１のものの各ピクセルにおいて提供される。

【0131】

方法のステップＳ５において、ステップＳ４は、部分修復形状の第１のものについて、ｊ個の繰返し周期にわたって繰り返される。

【0132】

方法のステップＳ６において、ステップＳ４およびＳ５は、部分修復形状のうちの更なる各々について繰り返される。

【0133】

実施形態において、方法は、図９においてフローチャートによって示されるように、閾値Ｗを決定するために実行される。特に、方法は、マイクロリソグラフィフォトマスク（図８）の欠陥の粒子ビーム誘起処理の上記の方法の前に実行される。図９による方法は、特に、閾値Ｗを経験的に決定するための方法である。

【0134】

図９に関係して説明される閾値Ｗを決定するための方法の例において、決定された閾値Ｗは、修復形状サイズＧ_S（図１１）、すなわち欠陥サイズである。特に、この例における閾値Ｗは、最大修復形状サイズＧ_Sを有する。修復形状サイズＧ_Sは、面積またはピクセル数の単位で指定することができる。

【0135】

他の例において、閾値Ｗも更に最小修復形状サイズを有することができる。換言すると、閾値Ｗは、下限（最小修復形状最サイズ）および上限（最大修復形状サイズ）を有する或る範囲の修復形状サイズも呈し得る。

【0136】

閾値を決定するための方法の他の実施形態において、閾値Ｗは、修復形状サイズＧ_Sと異なるパラメータとすることもできる。

【0137】

閾値Ｗは、図９の方法において、決定された閾値Ｗが図８の修復方法に適用されるとき、フォトマスク１００の欠陥ＤまたはＤ’（図１または図３）を、例えば、少なくとも指定された量までの粒子ビーム誘起処理によって修復、例えばエッチングすることができるように決定される。図９の閾値Ｗを決定するための方法において、図１または図３におけるフォトマスク１００の欠陥ＤまたはＤ’に類似した試験欠陥６０２～６１０（図１０）は、例えば装置２００（図２）を用いて、粒子ビーム誘起処理によって試験目的で修復される。次に、修復の品質が決定される。

【0138】

例として、修復の品質が、エッチングの平滑性、エッチングエッジの幅、および／またはエッチングの速さを検出することによって決定される。品質は、装置２００（図２）によって調整可能な様々なパラメータ、例えば、ピクセル３０４（図３）における電子ビーム２０２（図２）の滞留時間、１つのピクセル３０４および更なるピクセル３０４の露出間の中断期間、修復形状３０２’のピクセル３０４にわたる電子ビーム２０２の誘導（走査）のタイプ（例えば、ライン走査またはピクセルにおけるランダム化されたホームイン）、およびプロセスガスのガス量流量（流量）に依拠する。更に、修復の品質は、フォトマスク（例えば、図１のフォトマスク１００）のマスク材料のタイプ、および選択されたプロセスガス（例えば、プロセスガス混合物）に依拠する。更に、修復の品質は、修復される修復形状（例えば、図１、図３、図６、図７における修復形状３０２、３０２’、４０２、５０２）に依拠する。特に、修復の品質は修復形状サイズ（欠陥サイズ）に依拠し、修復形状が複数の部分修復形状（例えば、図３における３０６）に細分化される場合、これらの部分修復形状のサイズにも依拠する。

【0139】

図９に関連して説明した閾値Ｗを決定するための方法の例において、第１の試験欠陥（例えば、図１０における試験欠陥６０６）（図１または図３におけるフォトマスク１００の欠陥ＤまたはＤ’に類似する）が、所与のマスク材料（例えば、図１におけるフォトマスク１００のマスク材料）について、および第１の所与の欠陥サイズ（例えば、一般的なまたは平均欠陥サイズＧ₃であり、例えば、３００×４００ｎｍ²のサイズを有する）について、ステップＳ１’における装置２００を用いて粒子ビーム誘起処理によって、修復、例えばエッチングされる。

【0140】

この場合、装置２００によって調整することができる以下の修復パラメータが設定される。
ｉ）ピクセルにおける電子ビーム２０２の滞留時間（例えば、１００ｎｓ、１０ｎｓまたは数μｓ）、
ｉｉ）十分な吸着プロセスガスが修復部位の付近の表面に再び存在することを確実にするために、ピクセルが電子ビーム２０２に「曝されない」中断期間（例えば、１００μｓ～５０００μｓ）、
ｉｉｉ）修復形状のピクセルにわたる電子ビーム２０２の誘導（走査）のタイプ、例えば、ライン走査、蛇行走査、ピクセルにおけるランダム化されたホームインおよび／またはピクセルにおける増分ホームイン（例として、ｘ個ごとのピクセルがまずホームインされ、まだ「曝されていない」ピクセルが後続する）、および、
ｉｖ）プロセスガスのガス量流量（例として、ガス量流量は、プロセスガスの温度を設定することによって定義され、温度は例えば－４０℃～＋２０℃である）。

【0141】

図１０は、複数の修復された試験欠陥６０２、６０４、６０６、６０８および６１０の像６００（例えば、ＳＥＭ像）を示す。したがって、試験欠陥６０２～６１０は、異なるサイズＧ₁～Ｇ₅を有する。例として、サイズＧ₁～Ｇ₅は、ピクセル数として指定される。例として、試験欠陥６０２は、２５００ピクセルのサイズＧ₁を有し、試験欠陥６０４は４０，０００ピクセルのサイズＧ₂を有し、試験欠陥６０６は１６０，０００ピクセルのサイズＧ₃を有し、試験欠陥６０８は３６０，０００ピクセルのサイズＧ₄を有し、試験欠陥６１０は１，０００，０００ピクセルのサイズＧ₅を有する。

【0142】

しかしながら、試験欠陥６０２～６１０のサイズは、他の例において、ピクセルと異なる単位でも指定することができる。更に、試験欠陥６０２～６１０も、例示的な形式において指定されたサイズと異なるサイズＧ₁～Ｇ₅を有することができる。図１０は、５つの試験欠陥６０２～６１０を例示的な形式で更に示すが、閾値を決定するための方法の範囲内で５つよりも多くのまたは少ない試験欠陥を適用することも可能である。

【0143】

試験目的で装置２００を用いて粒子ビーム誘起処理によってステップＳ１’において修復、例えばエッチングされる第１の試験欠陥は、例えば平均サイズＧ₃を有する試験欠陥６０６である。しかしながら、試験欠陥６０２～６１０のうちの別のものはステップＳ１’において第１の試験欠陥として処理することができる。

【0144】

閾値Ｗを決定するための方法のステップＳ２’において、例えばステップＳ１’において処理される第１の試験欠陥６０６の修復、例えばエッチングの品質が決定される。例として、修復の品質は、修復部位の平滑性（例えば、エッチングの平滑性）、修復エッジ（例えば、エッチングエッジ）の幅、修復（例えば、エッチング）の速さおよび／またはエッチングまたは堆積される材料の量（例えば、エッチング速度もしくは堆積速度）を決定することによって決定される。

【0145】

図１１は、欠陥サイズＧに対しエッチング速度Ｒがプロットされる図を示す。例として、サイズＧ₃を有する第１の試験欠陥６０６について、ステップＳ２’においてエッチング速度Ｒ₃が決定された。

【0146】

ステップＳ２’において決定される第１の試験欠陥６０６の修復の品質は、閾値Ｗを決定するための方法のステップＳ３’において決定される指定された品質以上である。例として、修復された試験欠陥６０６の検出されたエッチング速度Ｒ₃が十分であるか否かの判断が存在する。例として、検出されたエッチング速度Ｒ₃が所定のエッチング速度Ｒ_S（図１１）よりも大きいか否かに関して判断が存在する。

【0147】

ステップＳ１’～Ｓ３’は、ステップＳ３’において決定された修復の品質が指定された品質以上になるまで繰り返し実行される。特に、ステップＳ２’において設定されるパラメータは、指定された品質に最適なパラメータ設定を決定するために、プロセスにおいて変動される。

【0148】

閾値Ｗを決定するための方法のステップＳ４’において、異なる欠陥サイズ、例えば、図１０に示す試験欠陥６０２～６１０の場合、サイズＧ₁～Ｇ₅を有する試験系列は、第１の試験欠陥（例えば、図１０の６０６）についてステップＳ１’～Ｓ３’において決定された最適パラメータ設定を用いて実行される。特に、試験系列は、第１の指定された欠陥サイズ（例えば、Ｇ₃）と異なる更なる試験欠陥６０２、６０４、６０８および６１０の欠陥サイズ（例えば、Ｇ₁、Ｇ₂、Ｇ₄およびＧ₅）について実行される。試験系列の範囲内で、更なる試験欠陥６０２、６０４、６０８および６１０が、粒子ビーム誘起処理によって修復、例えばエッチングされる。

【0149】

閾値Ｗを決定するための方法のステップＳ５’において、修復の品質が、ステップＳ４’において適用される各欠陥サイズＧ₁、Ｇ₂、Ｇ₄およびＧ₅について（すなわち、ステップＳ４’において修復される各試験欠陥６０２、６０４、６０８および６１０について）決定される。例として、エッチング速度Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₄およびＲ₅（図１１）は、各修復された試験欠陥６０２、６０４、６０８および６１０について決定される。

【0150】

図１１から明らかであるように、試験欠陥６０２～６０８（すなわち、欠陥サイズＧ₁～Ｇ₄）について決定されたエッチング速度Ｒ₁～Ｒ₄は、比較的一定であり、特に所定のエッチング速度Ｒ_Sよりも大きい。換言すると、これらの試験欠陥６０２～６０８のためのエッチング手順は、十分な結果を伴って完了した。しかしながら、エッチング速度Ｒ₅は、より大きな試験欠陥６１０（欠陥サイズＧ₅）について、他の試験欠陥６０２～６０８よりも実質的に低く、特に、所定もエッチング速度Ｒ_S未満である。換言すると、この試験欠陥６１０のためのエッチング手順は、不十分な結果を伴って完了した。

【0151】

閾値Ｗを決定するための方法のステップＳ６’において、閾値Ｗは、試験系列の結果に基づいて決定される。例として、閾値Ｗは最大欠陥サイズ（図１１におけるＧ₄）に基づいて決定され、ここで、ステップＳ５’において決定される修復品質は、指定される品質以上である。閾値Ｗは、修復品質が指定された品質以上である検出サイズの範囲（最小欠陥サイズＧ_min～最大欠陥サイズＧ_max、例えば図１１におけるＧ₁～Ｇ₄）として決定することもできる。

【0152】

例として、閾値Ｗは、以下の式に基づいて決定することもできる。

【0153】

Ｗ＝｛ｘ［（Ｇ_max）^0.5－（Ｇ_min）^0.5］＋（Ｇ_min）^0.5｝²
ここで、ｘは、例えば０．５または０．７５またはそうでない場合１である係数である。図１１の例において、Ｇ_max＝Ｇ₄およびＧ_min＝Ｇ₁である。

【0154】

実際のマスク修復（図８のステップＳ１～Ｓ６）前に上記の方法において決定された閾値（図９のステップＳ１’～Ｓ６’）は、実際のマスク修復（図８）を実行するときに用いることができる。特に、欠陥（図８）の粒子ビーム誘起処理のための方法のステップｃ）において、処理される欠陥のサイズが所定の閾値Ｗよりも大きい（例えば、上述した式によって決定される閾値Ｗよりも大きい、および／または修復が依然として十分である最大欠陥サイズＧ_max＝Ｇ₄よりも大きい）とき、修復形状（それぞれ図１および図３における３０２、３０２’）を部分修復形状（図３における３０６）に細分化することができる。更に、ステップｃ）において修復形状（図１、図３における３０２、３０２’）が細分化されるｋ個の部分修復形状（図３における３０６）は、部分修復形状（図３における３０６）の各々のサイズが所定の閾値Ｗ以下となり、および／または部分修復形状（図３における３０６）の各々のサイズが欠陥サイズの所定の範囲内になるように、閾値Ｗに基づいて設定することができる。

【0155】

本発明は、例示的な実施形態に基づいて説明されたが、様々な方式で変更することができる。

【符号の説明】

【0156】

１００フォトマスク
１０２基板
１０４コーティング
２００装置
２０２粒子ビーム
２０４真空ハウジング
２０６真空ポンプ
２０８試料ステージ
２１０電子カラム
２１２電子源
２１４電子またはビーム光学素子
２１６走査ユニット
２１８検出器
２２０ガス提供ユニット
２２２弁
２２４ガスライン
２２６コンピューティング装置
２２８制御デバイス
２３０決定デバイス
２３２細分化デバイス
３００像
３０２、３０２’ 修復形状
３０４ピクセル
３０６部分修復形状
３１０ボロノイ中心
３１２細分化
３１４境界領域
３１６細分化
３１８境界
４０２修復形状
４０４凹型領域
４０６部分修復形状
４０８間隙
４１０ピクセル
４１２ピクセル
４１４ピクセル
５０２修復形状
５０４離間された領域
５０６部分修復形状
６００像
６０２試験欠陥
６０４試験欠陥
６０６試験欠陥
６０８試験欠陥
６１０試験欠陥
ａピクセルサイズ
Ｂ構造幅
ｃ直径
Ｄ、Ｄ’ 欠陥
Ｅ距離
Ｇサイズ
Ｇ₁ サイズ
Ｇ₂ サイズ
Ｇ₃ サイズ
Ｇ₄ サイズ
Ｇ₅ サイズ
Ｇ_S サイズ
Ｍ中心
Ｒエッチング速度
Ｒ₁ エッチング速度
Ｒ₂ エッチング速度
Ｒ₃ エッチング速度
Ｒ₄ エッチング速度
Ｒ₅ エッチング速度
Ｒ_S エッチング速度
ｓ距離
Ｓ１～Ｓ６方法ステップ
Ｓ１’～Ｓ６’ 方法ステップ
Ｘ方向
Ｗ閾値

【図1】