特表 2024-522968 ＣＶＤリアクタ用のガス入口部材

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-06-25

(54)【発明の名称】ＣＶＤリアクタ用のガス入口部材

(51)【国際特許分類】

   C23C 16/455 20060101AFI20240618BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20240618BHJP

【ＦＩ】

C23C16/455

H01L21/31 B

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023568004

(86)(22)【出願日】2022-06-01

(85)【翻訳文提出日】2023-11-02

(86)【国際出願番号】 EP2022064846

(87)【国際公開番号】W WO2022258446

(87)【国際公開日】2022-12-15

(31)【優先権主張番号】102021114868.5

(32)【優先日】2021-06-09

(33)【優先権主張国・地域又は機関】DE

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】502010251

【氏名又は名称】アイクストロン、エスイー

(74)【代理人】

【識別番号】100095267

【弁理士】

【氏名又は名称】小島 高城郎

(74)【代理人】

【識別番号】100124176

【弁理士】

【氏名又は名称】河合 典子

(74)【代理人】

【識別番号】100224269

【弁理士】

【氏名又は名称】小島 佑太

(72)【発明者】

【氏名】ボイド、アダム

(72)【発明者】

【氏名】クローリー、フレッド・マイケル・アンドルー

(72)【発明者】

【氏名】メーヤー、ドミニク

【テーマコード（参考）】

4K030

5F045

【Ｆターム（参考）】

4K030AA05

4K030AA11

4K030AA17

4K030CA12

4K030EA04

4K030EA05

4K030EA06

4K030FA10

4K030GA02

4K030JA01

4K030JA10

4K030KA12

4K030KA26

4K030KA46

4K030KA47

4K030LA14

5F045AB09

5F045AC01

5F045AD12

5F045AD13

5F045AD14

5F045AD15

5F045AD16

5F045DP03

5F045EF05

5F045EF09

5F045EF11

5F045EF14

5F045EJ01

5F045EK07

(57)【要約】

本発明は、ガス出口プレート（３）の後方に配置された第１のガス分配空間（６）を備えたＣＶＤリアクタ用のガス入口部材に関し、前面にガス出口プレート（３）から突出した端部（４’）を有する第１の管（４）がその空間から現れ、それらの管はガス出口プレート（３）に平行に延在する遮蔽プレート部材（１０，１１）の第１の貫通孔（５）内に挿通している。その第１の貫通孔（５）は、ガス出口プレート（３）に向いて端部（４’）の外径よりも大きい大直径である第１の部分（５’）と、ガス出口プレート（３）とは反対向きで小直径である２部分（５”）とを有する。さらに、遮蔽プレート部材（１０，１１）は、異なる熱伝導率をもつ互いに上下に配置された２枚の遮蔽プレート（１０，１１）からなることが提供される。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ＣＶＤリアクタ用のガス入口部材（２）であって、ガス出口プレート（３）の後方に配置された第１のガス分配空間（６）を有し、前記ガス出口プレート（３）から前方に突出する端部（４’）を有する第１の管（４）が前記第１のガス分配空間（６）から出ており、
前記第１の管（４）は、前記ガス出口プレート（３）に平行に延在する遮蔽プレート機構（１０，１１）の第１の貫通孔（５）内に入り込み、前記第１の貫通孔（５）は、前記端部（４’）の外径よりも大きい直径をもち前記ガス出口プレート（３）側に向いた第１部分（５’）を有すると共に、それより小さい直径をもち前記ガス出口プレート（３）とは反対側に向いた第２部分（５”）とを有する、前記ガス入口部材（２）において、
前記第２部分（５”）の直径が前記端部（４’）の端面の外径よりも小さく、前記端部（４’）は前記第１部分（５’）の底面に当接するか又は底面から離れており、前記端部（４’）の前記第１部分（５’）内への挿入深さ（Ｔ）は前記第１部分（５’）の深さ（Ｐ）以下であることを特徴とするガス入口部材。

【請求項2】

ＣＶＤリアクタ用のガス入口部材（２）であって、ガス出口プレート（３）の後方に配置された第１のガス分配空間（６）を有し、前記ガス出口プレート（３）から前方に突出する端部（４’）含む第１の管（４）が前記第１のガス分配空間（６）から出ており、
前記ガス出口プレート（３）の前方にそれに対し平行に延在しかつ少なくとも１つの遮蔽プレートを含む少なくとも１つの遮蔽プレート機構（１０，１１）を有し、前記遮蔽プレート機構（１０，１１）は第１の貫通孔（５）を具備する、前記ガス入口部材（２）において、
前記遮蔽プレート機構は、前記ガス出口プレート（３）側に向いた低熱伝導率の第１部分（１０）と、前記第１部分（１０）の隣りに位置し前記ガス出口プレート（３）とは反対側に向いた高熱伝導率の第２部分（１１）とを有することを特徴とするガス入口部材。

【請求項3】

前記第１の管（４）の端部（４’）は、前記遮蔽プレート機構の前記第１部分（１０）の前記第１の貫通孔（５’）に入り込むこと、及び／又は、
前記遮蔽プレート機構は、互いに熱伝導率が異なりかつ互いに隣り合って当接するか又は間隙を介して互いに離間する主面（１０’，１１’）を具備する２枚の遮蔽プレート（１０，１１）を有すること、及び／又は、
前記遮蔽プレート機構の前記第１部分（１０）は石英からなり、かつ前記遮蔽プレート機構の前記第２部分（１１）はグラファイトであるか又はコーティングされたグラファイトであることを特徴とする請求項２のガス入口部材（２）。

【請求項4】

前記遮蔽プレート機構（１０，１１）における、前記ガス出口プレート（３）側に向いた上側の主面（１０”）は、前記ガス出口プレート（３）の下側の主面（３’）に対して距離（Ｄ）を有することを特徴とする前出請求項のいずれか１つのガス入口部材（２）。

【請求項5】

前記距離（Ｄ）は、前記端部（４’）の前記第１の貫通孔（５）内への挿入深さ（Ｔ）よりも短いことを特徴とする請求項４のガス入口部材（２）。

【請求項6】

前記ガス入口部材の第２のガス分配空間（７）の１つが第２の管（８）と流体連通しており、前記第２の管（８）における、前記第２のガス分配空間（７）とは反対側に向いた開口が、前記遮蔽プレート機構（１０，１１）の第２の貫通孔（９）と対向していることを特徴とする前出請求項のいずれか１つのガス入口部材（２）。

【請求項7】

前記ガス出口プレート（３）は、冷却装置（１２）により冷却可能であることを特徴とする前出請求項のいずれか１つのガス入口部材（２）。

【請求項8】

前記ガス出口プレート（３）は、冷却液が流れることができる冷却空間（１２）と隣接していることを特徴とする前出請求項の１つ以上のガス入口部材（２）。

【請求項9】

前記第２の管（８）の端部（８’）は、前記第２の貫通孔（９）における大直径の第１部分（９”）内に入り込み、かつ前記第２の貫通孔（９）の第２部分（９’）の直径は、前記第２の管（８）の前記端部（８’）の外径よりも小さいことを特徴とする請求項８のガス入口部材（２）。

【請求項10】

前記遮蔽プレート機構（１０，１１）は中央領域（Ｚ）を有し、前記第１及び／又は第２の管（４，８）の前記端部（４’，８’）は、前記遮蔽プレート機構（１０，１１）の前記中心領域（Ｚ）において、前記遮蔽プレート機構（１０，１１）の前記中央領域（Ｚ）を取り囲む周縁領域（Ｒ）におけるよりも前記第１又は第２の貫通孔（５，９）内により深く又はより浅く入り込むことを特徴とする前出請求項の１つのガス入口部材（２）。

【請求項11】

前記第１及び／又は第２の貫通孔（９）が、前記遮蔽プレート機構（１０，１１）における前記ガス出口プレート（３）側に向いた主面（１０”）に対して又は前記遮蔽プレート機構（１０，１１）における前記ガス出口プレート（３）とは反対側に向いた主面（１０’）に対して漏斗状に拡大することを特徴とする前出請求項のいずれか１つのガス入口部材（２）。

【請求項12】

前記第１及び／又は第２の貫通孔（５，９）の前記第１部分の円筒形領域（５’，９’）は、前記第１及び／又は第２の貫通孔（５，９）の前記第２部分の円筒形領域（５”，９”）上に段部を形成して隣接していることを特徴とする前出請求項のいずれか１つのガス入口部材（１）。

【請求項13】

前出請求項のいずれか１つによるガス入口部材（２）のための遮蔽プレート機構であって、互いに平行に延在する２つ主面（１０”，１１”）とそれらの主面（１０”，１１”）の間に延在しそれらの主面（１０”，１１”）上に均一に分布した貫通孔（５，９）とを有する、前記遮蔽プレート機構において、
前記遮蔽プレート機構（１０，１１）の第１の主面（１０”）は低熱伝導率部分から形成され、かつ前記遮蔽プレート機構（１０，１１）の第２の主面（１１”）は高熱伝導率部分から形成されることを特徴とする遮蔽プレート機構。

【請求項14】

前記貫通孔（５，９）は、互いに直径の異なる部分（５’，５”，９’，９”）を有することを特徴とする請求項１３に記載の遮蔽プレート機構。

【請求項15】

ガス入口部材（２）を有するＣＶＤリアクタ（１）であって、前記ガス入口部材（２）は１つ以上のガス分配空間（６，７）を有し、前記ガス分配空間（６，７）はガス出口プレート（３）に開口する管（８）によってかつ／又はガス出口プレート（３）から突出する管（４）によってプロセスチャンバ（１３）にプロセスガスを供給するために接続されており、前記プロセスチャンバ（１３）は前記ガス出口プレート（３）をカバーしかつ貫通孔（５，９）を有する遮蔽プレート機構（１０，１１）とサセプタ（１４）との間に位置し、
前記サセプタ（１４）は、前記プロセスチャンバ（１３）内でコーティングされる基板の担持体でありかつ加熱装置（１５）により加熱可能である、前記ＣＶＤリアクタ（１）において、
請求項１～１２のいずれか１つによる前記ガス入口部材（２）が形成されることを特徴とするＣＶＤリアクタ。

【請求項16】

少なくとも２つの成分を含むプロセスガスを、サセプタ（１４）と遮蔽プレート機構（１０，１１）により区画されたプロセスチャンバ（１３）に供給することによって、ＣＶＤリアクタ（１）の加熱されたサセプタ（１４）により担持された基板上に複数の成分を含む層を堆積するための方法において、
プロセスガスを供給するために、請求項１～１３のいずれか１つによるガス入口部材（２）が用いられることを特徴とする方法。

【請求項17】

前記第１の管（４）にIII主族元素の反応ガスが、そして前記第２の管（８）にＶ主族の反応ガスが供給されることを特徴とする請求項１６に記載の方法。

【請求項18】

前出請求項の１つの、１つ以上の特徴的な特徴を特徴とするガス入口部材、遮蔽プレート、ＣＶＤリアクタ又は方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ＣＶＤリアクタ用のガス入口部材に関し、ガス出口プレートの後方に配置された第１のガス分配空間を有し、ガス出口プレートから前方に突出する端部を有する第１の管が第１のガス分配空間から出ており、第１の管は、ガス出口プレートに平行に延在する遮蔽プレート機構の第１の貫通孔内に入り込み、第１の貫通孔は、上記端部の外径よりも大きい直径をもちガス出口プレート側に向いた大直径の第１部分と、より小さい直径をもちガス出口プレートとは反対側に向いた第２部分とを有する。

【0002】

本発明はさらに、そのようなガス入口部材のための遮蔽プレート機構に関する。

【0003】

本発明はさらに、ガス入口部材を有するＣＶＤリアクタ並びにＣＶＤリアクタ内の基板上に複数の元素からなるコーティングを堆積するための方法に関する。

【背景技術】

【0004】

特許文献１は、ＣＶＤリアクタのガス入口部材を記載している。ガス入口部材は複数のガス分配空間を有し、その中にそれぞれガス供給管を通して搬送ガスと共にプロセスガスを供給することができる。プロセスガスは、Ｖ主族元素の水素化物とIII主族元素の有機金属化合物とし得る。搬送ガスとして、希ガス、窒素又は水素を用い得る。ガス入口部材は冷却され、そしてそのために冷却空間があり、それを通って冷却液体が流れる。ガス入口部材はガス出口面を有し、それはガス出口プレートの主面である。ガス分配空間の各々は、その主面上に実質的に均一に分布して配置された多数の管によって、ガス出口面と遮蔽プレート機構との間にある間隙と接続されている。遮蔽プレート機構は、第１及び第２の貫通孔を具備する遮蔽プレートからなり、間隙に供給されたプロセスガスは、それらの貫通孔を通ってプロセスチャンバに到達するために遮蔽プレート機構を通過して流れることができる。サセプタにより形成されたプロセスチャンバの床上には、層を堆積するための基板が配置されており、その層はプロセスガスの２つの要素から構成されている。このために、サセプタは、加熱装置によりプロセス温度に加熱される。

【0005】

特許文献２により、多部品からなる遮蔽プレート機構が知られている。

【0006】

上述した管は、遮蔽プレート機構の貫通孔内に挿入される端部を形成している。それらの管は金属製であり、ガス入口部材の冷却装置によって、遮蔽プレート機構におけるサセプタ側に向いた主面の温度よりも低い温度に冷却される。サセプタ側に向いた主面上のこの冷スポットは、サセプタ上の層の成長に局所的に影響を及ぼす。

【0007】

先行技術はさらに、特許文献３、４、５、６、７、８を含む。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0008】

【特許文献1】独国特許出願公開第102011056589 号明細書

【特許文献2】独国特許出願公開第102020103948号明細書

【特許文献3】米国特許第6,565,661号明細書

【特許文献4】米国特許出願公開第2007/0272154号明細書

【特許文献5】米国特許出願公開第2005/0217582号明細書

【特許文献6】米国特許出願公開第2005/0241579号明細書

【特許文献7】米国特許出願公開第2015/0007770号明細書

【特許文献8】米国特許出願公開第2005/0255257号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0009】

本発明は、この影響を低減することを課題とする。本発明の課題の一つは、特に、遮蔽プレート機構におけるサセプタ側に向いた主面上の冷スポットを低減することである。

【課題を解決するための手段】

【0010】

この課題は、特許請求の範囲に規定された発明によって解決され、従属項は、下位の請求項に記載された発明の有利なさらなる発展を示すだけでなく、課題に対する独立した解決手段も示す。

【0011】

本発明の第１の態様では、第１のガス分配空間と接続される少なくとも１つの第１の管のための貫通孔が、互いに異なる直径をもつ２つの部分を有することが提供される。第１の管は、貫通孔の第１部分内に入り込む端部を有する。貫通孔のこの第１部分は、そこに入り込む第１の管の端部の外径よりも大きい内径を有する。貫通孔の第２部分は、より小さい直径を有する。特に直径は、端部の外径よりも小さい。貫通孔の第２部分の内径は、第１の管の内径にほぼ対応し得る。
遮蔽プレート機構が、特に、単一の遮蔽プレートから形成されるように設けられる。この遮蔽プレートは、第１の貫通孔を形成する多数の段付き孔を有し得る。段付き孔は、遮蔽プレートの主面上に均一に分布して配置されている。第１の貫通孔同士の間に第２の貫通孔を配置することができ、それらは第２の管に割り当てられている。第２の管も同様に端部を有し、それらの端部は、第２の貫通孔の大直径の部分に入り込むことができる。しかしながら、第２の管は、ガス出口面と面一に開口することもできる。第２の管は、第２のプロセスガスを供給可能な第２のガス分配空間と接続されている。

【0012】

特に、第１の管及び第１の貫通孔を通ってIII主族元素のプロセスガスが流れるように設けられる。第２の管及び第２の貫通孔を通ってＶ主族元素のプロセスガスが流れ得る。第２の貫通孔は、好ましくは第２の管の開口と対向している。
遮蔽プレート機構は、ガス出口プレート側に向いてガス出口プレートから離間した主面を有し得る。その距離は、貫通孔への端部の挿入深さよりも短くすることができる。その距離は特に、ガス出口プレートから突出する第１又は第２の管の端部の軸方向長さよりも短い。ガス出口プレートの材料厚さは、３ｍｍ～６ｍｍの範囲とすることができる。好ましくは、その材料厚さは５．５ｍｍである。ガス出口プレートは、冷却液体が流れる冷却空間と隣接し得る。冷却液体は、５０℃～７０℃の範囲の温度とすることができ、好ましくは約６０℃とする。遮蔽プレート機構がガス出口プレートから離間する距離は、０．２ｍｍ～２ｍｍの範囲とすることができる。その距離は好ましくは０．５ｍｍである。貫通孔の両方の部分を円筒形に形成でき、それによって両方の部分の境界領域に直径の異なる段部を形成する。その段部は、貫通孔の軸中心に位置し得る。

【0013】

拡大した直径を有する部分の軸方向長さは、２ｍｍ～５ｍｍとし得る。好ましくは、貫通孔における大直径部分の深さは、３ｍｍ又は４．６ｍｍとし得る。遮蔽プレート機構の厚さ、及び特に遮蔽プレート機構を形成する単一の遮蔽プレートの厚さは、４ｍｍ～１０ｍｍの範囲とし得る。遮蔽プレート機構の好ましい厚さは、６ｍｍ又は８ｍｍである。貫通孔内に入り込む管の端部の軸方向長さは、２ｍｍ～７ｍｍの範囲とし得る。好ましい長さは、３．５ｍｍ～５ｍｍとし得る。遮蔽プレートは、ＳｉＣ製であってもよい。しかしながら、遮蔽プレート機構の遮蔽プレート又は複数のプレートは、グラファイト製でもよく、そのような遮蔽プレートをＳｉＣでコーティングすることもできる。
ガス出口プレートからの遮蔽プレート又は遮蔽プレート機構の距離を変えるための手段を設けることができる。特にリフト装置が設けられ、それを用いてこの距離を設定できる。特にこの距離は、遮蔽プレート又は遮蔽プレート機構のプロセスチャンバに向いた側の表面温度が約２５０℃であるように設定される。
貫通孔の大直径部分の長さ、及び貫通孔の大直径部分内に挿入される端部の長さ又は挿入深さは、遮蔽プレートの表面温度が、プロセスチャンバ内で実行されるプロセスに応じて１００℃～３００℃の範囲になるように選択されることが好ましい。遮蔽プレート機構とガス出口プレートとの間の距離が拡大される洗浄プロセスのときは、表面温度は約８５０℃に達し得る。

【0014】

本発明の第２の態様では、遮蔽プレート機構が２つの部分を有する。このために遮蔽プレート機構は、互いに向き合った主面が互いに当接するか又は互いにわずかに離間している２枚の個別の遮蔽プレートから構成できる。遮蔽プレート機構の一部は低熱伝導率を有しすなわち断熱体として機能し、そして遮蔽プレート機構の別の一部は高熱伝導率を有しすなわち熱伝導体として機能することが重要である。本発明の好適な形態によれば、ガス出口プレートと直接に又は間隙を介して隣り合う遮蔽プレートは、断熱材料から、例えば石英から作製される。それに対し、プロセスチャンバ側に向いた遮蔽プレートは、良好な熱伝導材料から、例えばグラファイト又はコーティングされたグラファイトから形成される。

【0015】

異なる熱伝導率をもつ２つの部分を有する遮蔽プレート機構は、本発明の第１の態様の特徴も有することができ、特に、互いに異なる直径を具備するプロセスガス用の貫通孔も形成し得る。その場合、ガス出口プレート側に向いた上側の遮蔽プレートは大直径の部分を有し、そしてプロセスチャンバ側に向いたもう１つの遮蔽プレートはより小さい直径の貫通孔を有するように設けることができる。しかしながら、大直径の部分は、下側の遮蔽プレートにまで延在させることもでき、それによって管の端部が、上側の遮蔽プレートの貫通孔を通り抜けて下側の遮蔽プレートの貫通孔のより大きい部分にまで到達できる。それに替えて、上側の遮蔽プレートが互いに異なる直径をもつ貫通孔を有するように設けることもできる。大直径の貫通孔内には、第１の管が入り込む。第２のプロセスガス用の第２の管は、ガス出口プレートの下側の主面に開口する。

【0016】

本発明による遮蔽プレート機構又は本発明によるＣＶＤリアクタ、又は本発明によるガス入口部材は、さらに、以下の特徴を有することができる。
ガス出口面は、平面視にて円形である。遮蔽プレート機構は、平面視にて円形面を有する。遮蔽プレート機構は、中央領域を有し得る。中央領域は、周縁領域により取り囲まれ得る。遮蔽プレート機構は、１つ以上の互いに上下に配置された遮蔽プレートから形成することができる。端部の長さは、中央領域において周縁領域におけるよりも長くしてもよい。端部の長さは、周縁領域において中央領域におけるよりも長くしてもよい。
第１又は第２の貫通孔の第１部分は、遮蔽プレート機構の全面に亘って同じ直径と同じ軸方向深さを有し得る。しかしながら、第１又は第２の貫通孔の第１部分が、中央領域において周縁領域とは異なる深さを有するようにもできる。第１及び／又は第２の貫通孔の第１部分及び／又は第２部分がそれぞれ、その軸方向の全長に亘って同じとなるように設計することもできる。それらの部分は、特に円筒形とし得る。第１及び／又は第２の貫通孔の第１部分及び第２部分は、平面視にて円形とし得る。さらに、第１又は第２の貫通孔がそれぞれ、主面に対して漏斗状に拡大するようにもできる。

【0017】

本発明はさらに、基板上に複数の成分を含む層を堆積する方法に関する。それらの成分は特に異なる元素であり、そして特にIII主族とＶ主族の元素である。その方法は、上述したように、ガス入口部材、遮蔽プレート機構、又はＣＶＤリアクタを使用することを特徴とする。遮蔽プレート機構が均一な熱伝導率を有する場合は、均一な材料による１つの遮蔽プレートから形成することができる。そして、遮蔽プレート機構が異なる熱伝導率をもつ部分を有する場合は、２つの遮蔽プレートからなるようにできる。特に、III主族元素、特にIII主族の有機金属化合物を含むプロセスガスが流れる管は、遮蔽プレートの段付き孔内に入り込む端部を有する。その段付き孔は、管の端部の外径よりも小さい直径をもつ部分を有する。
さらに、Ｖ主族元素、特にＶ主族元素の水素化物が流れる管には、遮蔽プレートの孔内に入り込む端部がない。しかしながら、この第２の管も、同様に、段付き孔内に入り込む端部を有するようにもできる。
上述した特徴又は少なくともそれらの特徴の一部によって、遮蔽プレート機構におけるプロセスチャンバに向いた側の温度の均一性が改善される。
第２部分の直径が、本発明では、端部の端面の直径よりも小さいことによって、端部は、第１の部分内に、最大で第１の貫通孔の第１部分の底面まで挿入できる。

【図面の簡単な説明】

【0018】

以下、添付の図面を参照して例示的実施形態を参照して本発明をさらに詳細に説明する。

【図1】図１は、ＣＶＤリアクタの概略図である。

【図2】図２は、図１に示したＣＶＤリアクタの第１の例示的実施形態のガス入口部材２の詳細図であり、遮蔽プレート１０はガス出口プレート３から短い距離Ｄにある。

【図3】図３は、図２と同様の図であり距離Ｄが伸長されている。

【図4】図４は、図２に示したガス入口部材の一部をさらに拡大した図である。

【図5】図５は、第２の例示的実施形態の図２と同様の図である。

【図6】図６は、第３の例示的実施形態の図２と同様の図である。

【図7】図７は、第４の例示的実施形態の図２と同様の図である。

【図8】図８は、第５の例示的実施形態の図２と同様の図である。

【図9】図９は、第６の例示的実施形態の図２と同様の図である。

【図10】図１０は、第７の例示的実施形態の図２と同様の図である。

【発明を実施するための形態】

【0019】

図１は、基板上にIII－Ｖ層を堆積するためのＣＶＤリアクタを概略的に示している。ＣＶＤリアクタ１のリアクタハウジング内にはサセプタ１４があり、それはコーティングされたグラファイトからなりかつ加熱装置１５によって８５０℃～１２００℃のプロセス温度に加熱することができる。加熱装置１５は、赤外ヒーター、ＲＦヒーター又は抵抗ヒーターとし得る。サセプタ１４における加熱装置１５とは反対側の主面は、プロセスチャンバ内でコーティングされる基板を載置するために用いられる。サセプタ１４により床面を区画されるプロセスチャンバ１３は、ガス入口部材２により上面を区画される。プロセスチャンバ１３の高さＳは、７ｍｍ～１５ｍｍの範囲とし得る。好ましい高さＳは約１１ｍｍである。ガス入口部材２は、特に金属製の上方部分を有し、その中にガス分配空間６、７が配置される。ガス分配空間６、７内に、ガス供給管１６を用いて外部からプロセスガスを供給し得る。ガス分配空間６、７の各々には、好ましくは２つのプロセスガスのうちの一方が供給され、各々のプロセスガスは、例えばIII主族元素の有機金属化合物又はＶ主族元素の水素化物である反応ガスと水素とすることができる。

【0020】

図２は、ガス入口部材２の第１の例示的実施形態を示している。例えばIII主族成分を供給可能な第１のガス分配空間６は、第１の管４によってプロセスチャンバ１３と流体的に連通している。第２のガス分配空間７は、第２の管８によって同様にプロセスチャンバ１３と流体的に連通している。両方の管４、８は、供給管１７によって冷却液体を供給可能な冷却空間１２を通って延在している。冷却液体は排出管１７’によって冷却空間１２から排出される。このように構成された冷却装置によって、プロセスチャンバ１３に向いた側にガス出口面３’を形成するガス出口プレート３が冷却される。

【0021】

サセプタ１４とガス出口面３’との間には遮蔽プレート機構が延在している。図２及び３に示した第１の例示的実施形態では、遮蔽プレート機構は、グラファイトからなる単一の遮蔽プレート１０から形成されている。遮蔽プレート１０は、ＳｉＣによりコーティングされている。遮蔽プレート１０は、ガス出口面３’から距離Ｄだけ離れている主面１０”を有する。その距離は０．５ｍｍとすることができる。

【0022】

図２は、ガス入口部材２の第１の例示的実施形態を示している。例えばIII主族成分を供給可能な第１のガス分配空間６は、第１の管４によってプロセスチャンバ１３と流体的に連通している。第２のガス分配空間７は、第２の管８によって同様にプロセスチャンバ１３と流体的に連通している。両方の管４、８は、供給管１７によって冷却液体を供給可能な冷却空間１２を通って延在している。冷却液体は排出管１７’によって冷却空間１２から排出される。このように構成された冷却装置によって、プロセスチャンバ１３に向いた側にガス出口面３’を形成するガス出口プレート３が冷却される。

【0023】

サセプタ１４とガス出口面３’との間には遮蔽プレート機構が延在している。図２及び３に示した第１の例示的実施形態では、遮蔽プレート機構は、グラファイトからなる単一の遮蔽プレート１０から形成されている。遮蔽プレート１０は、ＳｉＣによりコーティングされている。遮蔽プレート１０は、ガス出口面３’から距離Ｄだけ離れている主面１０”を有する。その距離は０．５ｍｍとすることができる。

【0024】

遮蔽プレート１０は、第１及び第２の貫通孔５、９を有し、それらは遮蔽プレート１０の表面全体に均一に分布して配置されている。第１の貫通孔５は、大きい直径をもち円筒形の内部空間を備えた第１部分５’を有する。第１部分５’に続いて段部を形成して、より小さい直径をもつ第２部分５”がある。この第２部分も円筒形の内部空間を有し得る。第１部分５’がガス出口プレート３の方に開口する一方、第２部分５”はガス出口プレート３とは反対側に向いた、遮蔽プレート１０の主面１０’に開口する。

【0025】

第２の貫通孔９は、その全長に亘って同一の一定の円形断面と、第２部分５”の直径にほぼ対応する直径とを有する。

【0026】

図４に示すように、第１の管４はそれぞれ、ガス出口面３’を超えて突出する端部４’を有する。端部４’がガス出口面３’から突出する長さＬは、例示的実施形態では、３．５ｍｍであることが好ましい。貫通孔５の第１部分５’の深さＰは３ｍｍとすることができる。遮蔽プレート１０の材料厚さＢは６ｍｍとすることができる。

【0027】

端部４’の端面は、第１部分５’の底面から離間することができる。しかしながら、例示的実施形態では、端部４’の端面は第１部分５’の底面５’”に当接している。この例示的実施形態では、挿入深さＴは、第１部分５’の深さＰに対応している。端部４’の端面が第１部分５’の底面から離れていると、挿入深さＴは第１部分５’の深さＰよりも小さくなる。第２部分５”の直径は、端部４’の外径よりも小さく、第１の管４の内径にほぼ対応し得る。その直径は、第１の管４の内径よりもやや小さいか、又は第１の管４の内径よりもやや大きい。

【0028】

第２の管８の開口は、第２の貫通孔の開口から離れている。

【0029】

図１に符号１８で示すリフト装置を用いて、距離Ｄを大きくすることができる。これにより、遮蔽プレート１０に対する冷却空間１２の冷却装置の冷却効果が減少するため、、例えば遮蔽プレート１０の主面１０’を洗浄するエッチングを行うために、遮蔽プレート１０を図２に示した位置から図３に示した動作位置へと降下させることができる。図１及び２に示した動作位置では、主面１０”の表面温度が約２５０℃である一方、図３に示した動作位置では、主面１０”の表面温度は８００℃を超える可能性がある。

【0030】

図５に示した例示的実施形態は、第２の管もまた、上述した態様で第２の貫通孔９の大直径の第１部分９”内に入り込む点のみにおいて、図２～図４に示した例示的実施形態と実質的に異なる。この場合もまた、第２の管の端面は、第２の貫通孔の底面に載置されるか又は第２の貫通孔９の底面から離れている。第２の貫通孔の第２部分９”の直径は、この場合も、第２の貫通孔９の第１部分９’内に入り込む第２の管の端部８’の外径よりも小さい。

【0031】

図６に示した例示的実施形態では、端部４’は、実質的に円板状の遮蔽プレート１０の中央領域Ｚにおいて、中央領域Ｚを取り囲む周縁領域Ｒにおけるよりも第１の貫通孔５内への挿入深さが小さい。

【0032】

図７に示した例示的実施形態では、端部４’は、実質的に円板状の遮蔽プレート１０の中央領域Ｚにおいて、中央領域Ｚを取り囲む周縁領域Ｒにおけるよりも第１の貫通孔５内への挿入深さが大きい。

【0033】

図８に示した例示的実施形態は、第１及び／又は第２の貫通孔５、９が、遮蔽プレート１０の主面１０”に対して又は主面１０’に対して、漏斗状に拡大しているという点において上述した例示的実施形態とは異なる。貫通孔５の第２部分５”は、底面５”’に対して及び主面１０’に対して、漏斗状に拡大することができる。

【0034】

図８では、漏斗状の拡大部を有し得る貫通孔５、９の複数の異なる構成を示している。例示的実施形態では、第１の貫通孔５の各々及び第２の貫通孔９の各々が、互いに同じ形状を有する。

【0035】

図９及び１０に示した例示的実施形態は、上述した例示的実施形態とは先ず、同じ材料から作製されかつ１枚のみの遮蔽プレートからなる遮蔽プレート機構に替えて、遮蔽プレート機構が２枚の遮蔽プレート１０、１１を有する点において異なる。ガス出口プレート３側に向いた上側の遮蔽プレート１０は、例えば石英である熱伝導性の小さい材料から作製でき、したがって断熱体を形成する。ガス出口プレート３とは反対側に向きプロセスチャンバ１３に向いて特にプロセスチャンバ１３と隣接する下側の遮蔽プレート１１は、例えばグラファイトである熱伝導性の大きい材料から作製できる。下側の遮蔽プレート１１は、特に、上側の遮蔽プレート１０よりも５倍、１０倍、２０倍大きい比熱伝導率を有する。両方の遮蔽プレート１０、１１は、互いに当接して位置することができる。しかしながら、それらは、互いに離間して位置することもできる。両方の遮蔽プレート１０、１１は、それぞれ貫通孔５、９を有し、上側の遮蔽プレート１０は貫通孔５、９の上側部分５’、９’を、そして下側の遮蔽プレート１１は貫通孔５、９の下側部分５”、９”をそれぞれ形成している。

【0036】

図９に示した例示的実施形態では、上側部分５’、９’が、それに割り当てられた下側部分５”、９”と同じ断面をそれぞれ有する。第１の管４及び第２の管８は、この例示的実施形態ではガス出口面３’に開口する。

【0037】

図１０に示した例示的実施形態では、第１の管４の端部４’が、図２～８に示した例示的実施形態を参照して説明したように、第１の貫通孔５の上側部分５’に入り込んでいる。この例示的実施形態では、上側の遮蔽プレート１０の大直径の部分５’と、下側の遮蔽プレート１１の小直径の部分５”が形成されている。遮蔽プレート１０、１１は、互いに同じ厚さを有し得る。しかしながら、それらは異なる材料厚さを有してもよい。ここでも、端部４’の端面は、下側プレート１１の主面１１’に当接するか、又は、図１０に示すようにそれらが離間するように設けることができる。

【0038】

上記の記載は、全体として本願の対象となる発明を説明するものであり、これらの発明は、少なくとも以下の特徴の組み合わせを通じて従来技術を独立して発展させており、これらの特徴の組み合わせのうちの２つ、それ以上、又はすべてを組み合わせることもできる。

【0039】

第２部分５”の直径が、端部４’の外径よりも小さいことを特徴とするガス入口部材。

【0040】

遮蔽プレート機構が、ガス出口プレート３側に向いた低熱伝導率の第１部分１０と、その隣にあってガス出口プレート３とは反対側に向いた高熱伝導率の第２部分１１とを有することを特徴とするガス入口部材。

【0041】

第１の管４の端部４’が、遮蔽プレート機構の第１部分１０の第１の貫通孔５’内に入り込むこと、及び／又は、遮蔽プレート機構が、互いに異なる熱伝導率をもつ２枚の遮蔽プレート１０、１１を有し、それらの遮蔽プレートは互いに隣り合って当接するか又は間隙をもって互いに離間する主面１０’、１１’を有すること、及び／又は、遮蔽プレート機構の第１部分１０が石英からなりかつ遮蔽プレート機構の第２部分１１がグラファイト又はコーティングされたグラファイトからなることを特徴とするガス入口部材。

【0042】

遮蔽プレート機構１０、１１におけるガス出口プレート３側に向いた上側の主面１０”が、ガス出口プレート３の下側の主面３’に対して距離Ｄだけ離れていること、及び／又は、距離Ｄが、端部４’の第１の貫通孔５内への挿入深さＴよりも小さいことを特徴とするガス入口部材。

【0043】

ガス入口部材の第２のガス分配空間７が、第２の管８と流体的に連通しており、第２の管８における第２のガス分配空間７とは反対側に向いた開口が、遮蔽プレート機構１０、１１の第２の貫通孔９と対向していること、及び／又は、ガス出口プレート３が、冷却装置により冷却可能であること、及び／又は、ガス出口プレート３に対して、冷却液体が通過して流れ得る冷却空間１２が隣接していることを特徴とするガス入口部材。

【0044】

第２の管８の端部８’が、第２の貫通孔９の大直径の第１部分９”内に入り込み、かつ、第２の貫通孔９の第２部分９’は、第２の管８の端部８’の外径よりも小さい直径を有することを特徴とするガス入口部材。

【0045】

遮蔽プレート機構１０、１１が中央領域Ｚを有し、第１及び／又は第２の管４、８の端部４’、８’が、遮蔽プレート機構１０、１１の中央領域Ｚにおいて、遮蔽プレート機構１０、１１の中央領域Ｚを取り囲む周縁領域Ｒにおけるよりも第１又は第２の貫通孔５、９内により深く又はより浅く挿入されることを特徴とするガス入口部材。

【0046】

前記第１及び／又は第２の貫通孔９が、遮蔽プレート機構１０、１１におけるガス出口プレート３側に向いた主面１０”又は遮蔽プレート機構１０、１１におけるガス出口プレート３とは反対側に向いた主面１０’に対して漏斗状に拡大していること、及び／又は、第１及び／又は第２の貫通孔５、９の第１部分の円筒形領域５’、９’は、第１及び／又は第２の貫通孔５、９の第２部分の円筒形領域５”、５”上に段部を形成して隣接していることを特徴とするガス入口部材。

【0047】

遮蔽プレート機構１０、１１の第１の主面１０’が低熱伝導率をもつ部分から形成され、かつ遮蔽プレート機構１０、１１の第２の主面１１’が高熱伝導率をもつ部分から形成されること、及び／又は、貫通孔５、９が、互いに異なる直径をもつ部分５’、５”、９’、９”を有することを特徴とする遮蔽プレート機構。

【0048】

ガス入口部材２が上述した請求項の１つによって形成されることを特徴とするＣＶＤリアクタ。

【0049】

ガス入口部材２が上述した請求項の１つによって形成されることを特徴とする方法。

【0050】

第１の管４にIII主族元素の反応ガスが、第２の管８にＶ主族の反応ガスが供給されることを特徴とする方法。

【0051】

開示された全ての特徴は、（それ自体のために、また互いに組み合わされて）本発明に不可欠である。ここでの出願の開示は、関連する／追加された優先権書類（先の出願の写し）の開示内容をその内容全体に含み、それはこれらの書類の特徴を本願の請求項に組み込む目的でもある。従属請求項は、特にこれらの請求項に基づいて分割出願を行うために、引用される請求項の特徴がなくても、先行技術の独立した発明性のあるさらなる発展を特徴とする。各請求項で特定された発明は、前述の説明で特定された、特に参照符号が付与された、及び／又は符号の説明で特定された、１つ以上の機能を追加で有することができる。本発明はまた、特に、それらがそれぞれの使用目的に明らかに不要であるか、又は技術的に同じ効果を有する別の手段で置き換えることができる限り、前述の説明で述べた特徴の個々のものが実装されない設計形態に関する。

【符号の説明】

【0052】

１ ＣＶＤリアクタ
２ ガス入口部材
３ ガス出口プレート
３’ ガス出口面
４ 第１の管
４’ 端部
５ 第１の貫通孔
５’ 大直径部
５” 小直径部
５’” 底部
６ 第１のガス分配空間
７ 第2のガス分配空間
８ 第２の管
８’ 端部
９ 第２の貫通孔
９’ 大直径部
９” 小直径部
１０ 遮蔽プレート
１０’ 主面
１０” 主面
１１ 遮蔽プレート
１１’ 主面
１２ 冷却空間
１３ プロセスチャンバ
１４ サセプタ
１５ 加熱装置
１６ ガス供給管
１７ 冷却液供給管
１７’ 冷却液排出管
１８ リフト装置

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【手続補正書】

【提出日】2023-12-12

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ＣＶＤリアクタ用のガス入口部材（２）であって、ガス出口プレート（３）の後方に配置された第１のガス分配空間（６）を有し、前記ガス出口プレート（３）から前方に突出する端部（４’）を有する第１の管（４）が前記第１のガス分配空間（６）から出ており、
前記第１の管（４）は、前記ガス出口プレート（３）に平行に延在する遮蔽プレート機構（１０，１１）の第１の貫通孔（５）内に入り込み、前記第１の貫通孔（５）は、前記端部（４’）の外径よりも大きい直径をもち前記ガス出口プレート（３）側に向いた第１部分（５’）を有すると共に、それより小さい直径をもち前記ガス出口プレート（３）とは反対側に向いた第２部分（５”）とを有する、前記ガス入口部材（２）において、
前記第２部分（５”）の直径が前記端部（４’）の端面の外径よりも小さく、前記端部（４’）は前記第１部分（５’）の底面に当接するか又は底面から離れており、前記端部（４’）の前記第１部分（５’）内への挿入深さ（Ｔ）は前記第１部分（５’）の深さ（Ｐ）以下であることを特徴とするガス入口部材。

【請求項2】

ＣＶＤリアクタ用のガス入口部材（２）であって、ガス出口プレート（３）の後方に配置された第１のガス分配空間（６）を有し、前記ガス出口プレート（３）から前方に突出する端部（４’）含む第１の管（４）が前記第１のガス分配空間（６）から出ており、
前記ガス出口プレート（３）の前方にそれに対し平行に延在しかつ少なくとも１つの遮蔽プレートを含む少なくとも１つの遮蔽プレート機構（１０，１１）を有し、前記遮蔽プレート機構（１０，１１）は第１の貫通孔（５）を具備する、前記ガス入口部材（２）において、
前記遮蔽プレート機構は、前記ガス出口プレート（３）側に向いた低熱伝導率の第１部分（１０）と、前記第１部分（１０）の隣りに位置し前記ガス出口プレート（３）とは反対側に向いた高熱伝導率の第２部分（１１）とを有することを特徴とするガス入口部材。

【請求項3】

前記第１の管（４）の端部（４’）は、前記遮蔽プレート機構の前記第１部分（１０）の前記第１の貫通孔（５）に入り込むこと、及び／又は、
前記遮蔽プレート機構は、互いに熱伝導率が異なりかつ互いに隣り合って当接するか又は間隙を介して互いに離間する主面（１０’，１１’）を具備する２枚の遮蔽プレート（１０，１１）を有すること、及び／又は、
前記遮蔽プレート機構の前記第１部分（１０）は石英からなり、かつ前記遮蔽プレート機構の前記第２部分（１１）はグラファイトであるか又はコーティングされたグラファイトであることを特徴とする請求項２のガス入口部材（２）。

【請求項4】

前記遮蔽プレート機構（１０，１１）における、前記ガス出口プレート（３）側に向いた上側の主面（１０”）は、前記ガス出口プレート（３）の下側の主面（３’）に対して距離（Ｄ）を有することを特徴とする請求項１～３のいずれか１つのガス入口部材（２）。

【請求項5】

前記距離（Ｄ）は、前記端部（４’）の前記第１の貫通孔（５）内への挿入深さ（Ｔ）よりも短いことを特徴とする請求項４のガス入口部材（２）。

【請求項6】

前記ガス入口部材の第２のガス分配空間（７）の１つが第２の管（８）と流体連通しており、前記第２の管（８）における、前記第２のガス分配空間（７）とは反対側に向いた開口が、前記遮蔽プレート機構（１０，１１）の第２の貫通孔（９）と対向していることを特徴とする請求項１～５のいずれか１つのガス入口部材（２）。

【請求項7】

前記ガス出口プレート（３）は、冷却装置（１２）により冷却可能であることを特徴とする請求項１～６のいずれか１つのガス入口部材（２）。

【請求項8】

前記ガス出口プレート（３）は、冷却液が流れることができる冷却空間（１２）と隣接していることを特徴とする請求項１～７のいずれか１つのガス入口部材（２）。

【請求項9】

前記第２の管（８）の端部（８’）は、前記第２の貫通孔（９）における大直径の第１部分（９’）内に入り込み、かつ前記第２の貫通孔（９）の第２部分（９”）の直径は、前記第２の管（８）の前記端部（８’）の外径よりも小さいことを特徴とする請求項８のガス入口部材（２）。

【請求項10】

前記遮蔽プレート機構（１０，１１）は中央領域（Ｚ）を有し、前記第１及び／又は第２の管（４，８）の前記端部（４’，８’）は、前記遮蔽プレート機構（１０，１１）の前記中心領域（Ｚ）において、前記遮蔽プレート機構（１０，１１）の前記中央領域（Ｚ）を取り囲む周縁領域（Ｒ）におけるよりも前記第１又は第２の貫通孔（５，９）内により深く又はより浅く入り込むことを特徴とする請求項１～９のいずれか１つのガス入口部材（２）。

【請求項11】

前記第１及び／又は第２の貫通孔（９）が、前記遮蔽プレート機構（１０，１１）における前記ガス出口プレート（３）側に向いた主面（１０”）に対して又は前記遮蔽プレート機構（１０，１１）における前記ガス出口プレート（３）とは反対側に向いた主面（１０’）に対して漏斗状に拡大することを特徴とする請求項１～１０のいずれか１つのガス入口部材（２）。

【請求項12】

前記第１及び／又は第２の貫通孔（５，９）の前記第１部分の円筒形領域（５’，９’）は、前記第１及び／又は第２の貫通孔（５，９）の前記第２部分の円筒形領域（５”，９”）上に段部を形成して隣接していることを特徴とする請求項１～１１のいずれか１つのガス入口部材（１）。

【請求項13】

請求項１～１２のいずれか１つによるガス入口部材（２）のための遮蔽プレート機構であって、互いに平行に延在する２つ主面（１０”，１１”）とそれらの主面（１０”，１１”）の間に延在しそれらの主面（１０”，１１”）上に均一に分布した貫通孔（５，９）とを有する、前記遮蔽プレート機構において、
前記遮蔽プレート機構（１０，１１）の第１の主面（１０”）は低熱伝導率部分から形成され、かつ前記遮蔽プレート機構（１０，１１）の第２の主面（１１”）は高熱伝導率部分から形成されることを特徴とする遮蔽プレート機構。

【請求項14】

前記貫通孔（５，９）は、互いに直径の異なる部分（５’，５”，９’，９”）を有することを特徴とする請求項１３に記載の遮蔽プレート機構。

【請求項15】

ガス入口部材（２）を有するＣＶＤリアクタ（１）であって、前記ガス入口部材（２）は１つ以上のガス分配空間（６，７）を有し、前記ガス分配空間（６，７）はガス出口プレート（３）に開口する管（８）によってかつ／又はガス出口プレート（３）から突出する管（４）によってプロセスチャンバ（１３）にプロセスガスを供給するために接続されており、前記プロセスチャンバ（１３）は前記ガス出口プレート（３）をカバーしかつ貫通孔（５，９）を有する遮蔽プレート機構（１０，１１）とサセプタ（１４）との間に位置し、
前記サセプタ（１４）は、前記プロセスチャンバ（１３）内でコーティングされる基板の担持体でありかつ加熱装置（１５）により加熱可能である、前記ＣＶＤリアクタ（１）において、
請求項１～１２のいずれか１つによる前記ガス入口部材（２）が形成されることを特徴とするＣＶＤリアクタ。

【請求項16】

少なくとも２つの成分を含むプロセスガスを、サセプタ（１４）と遮蔽プレート機構（１０，１１）により区画されたプロセスチャンバ（１３）に供給することによって、ＣＶＤリアクタ（１）の加熱されたサセプタ（１４）により担持された基板上に複数の成分を含む層を堆積するための方法において、
プロセスガスを供給するために、請求項１～１２のいずれか１つによるガス入口部材（２）が用いられることを特徴とする方法。

【請求項17】

前記第１の管（４）にIII主族元素の反応ガスが、そして前記第２の管（８）にＶ主族の反応ガスが供給されることを特徴とする請求項１６に記載の方法。

【手続補正2】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１８

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0018】

以下、添付の図面を参照して例示的実施形態を参照して本発明をさらに詳細に説明する。

【図1】図１は、ＣＶＤリアクタの概略図である。

【図2】図２は、図１に示したＣＶＤリアクタの第１の例示的実施形態のガス入口部材２の詳細図であり、遮蔽プレート１０の主面１０”はガス出口面３’から短い距離Ｄにある。

【図3】図３は、図２と同様の図であり距離Ｄが伸長されている。

【図4】図４は、図２に示したガス入口部材の一部をさらに拡大した図である。

【図5】図５は、第２の例示的実施形態の図２と同様の図である。

【図6】図６は、第３の例示的実施形態の図２と同様の図である。

【図7】図７は、第４の例示的実施形態の図２と同様の図である。

【図8】図８は、第５の例示的実施形態の図２と同様の図である。

【図9】図９は、第６の例示的実施形態の図２と同様の図である。

【図10】図１０は、第７の例示的実施形態の図２と同様の図である。

【手続補正3】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３０

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0030】

図５に示した例示的実施形態は、第２の管もまた、上述した態様で第２の貫通孔９の大直径の第１部分９’内に入り込む点のみにおいて、図２～図４に示した例示的実施形態と実質的に異なる。この場合もまた、第２の管の端面は、第２の貫通孔の底面に載置されるか又は第２の貫通孔９の底面から離れている。第２の貫通孔の第２部分９”の直径は、この場合も、第２の貫通孔９の第１部分９’内に入り込む第２の管の端部８’の外径よりも小さい。

【手続補正4】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４４

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0044】

第２の管８の端部８’が、第２の貫通孔９の大直径の第１部分９’内に入り込み、かつ、第２の貫通孔９の第２部分９”は、第２の管８の端部８’の外径よりも小さい直径を有することを特徴とするガス入口部材。

【手続補正5】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４６

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0046】

前記第１及び／又は第２の貫通孔５、９が、遮蔽プレート機構１０、１１におけるガス出口プレート３側に向いた主面１０”又は遮蔽プレート機構１０、１１におけるガス出口プレート３とは反対側に向いた主面１０’に対して漏斗状に拡大していること、及び／又は、第１及び／又は第２の貫通孔５、９の第１部分の円筒形領域５’、９’は、第１及び／又は第２の貫通孔５、９の第２部分の円筒形領域５”、５”上に段部を形成して隣接していることを特徴とするガス入口部材。

【国際調査報告】