知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
▶ アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-06-28
(54)【発明の名称】ＣＣＰプラズマまたはＲＰＳ洗浄によるＳＩＮの洗浄
(51)【国際特許分類】
H01L 21/31 20060101AFI20240621BHJP
H01L 21/3065 20060101ALI20240621BHJP
【ＦＩ】
H01L21/31 C
H01L21/302 101B
H01L21/302 101H
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023580436
(86)(22)【出願日】2022-06-28
(85)【翻訳文提出日】2023-12-27
(86)【国際出願番号】 US2022035236
(87)【国際公開番号】W WO2023278388
(87)【国際公開日】2023-01-05
(31)【優先権主張番号】17/362,925
(32)【優先日】2021-06-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】390040660
【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．
(74)【代理人】
【識別番号】100094569
【弁理士】
【氏名又は名称】田中 伸一郎
(74)【代理人】
【識別番号】100103610
【弁理士】
【氏名又は名称】▲吉▼田 和彦
(74)【代理人】
【識別番号】100109070
【弁理士】
【氏名又は名称】須田 洋之
(74)【代理人】
【識別番号】100067013
【弁理士】
【氏名又は名称】大塚 文昭
(74)【代理人】
【氏名又は名称】上杉 浩
(74)【代理人】
【識別番号】100120525
【弁理士】
【氏名又は名称】近藤 直樹
(74)【代理人】
【識別番号】100139712
【弁理士】
【氏名又は名称】那須 威夫
(74)【代理人】
【識別番号】100141553
【弁理士】
【氏名又は名称】鈴木 信彦
(74)【代理人】
【識別番号】100176418
【弁理士】
【氏名又は名称】工藤 嘉晃
(72)【発明者】
【氏名】ラマリンガム ジョシリンガム
(72)【発明者】
【氏名】カオ ヨン
(72)【発明者】
【氏名】ラヴィツキー イリア
(72)【発明者】
【氏名】ミラー キース エイ
(72)【発明者】
【氏名】グン ツァ－ジン
(72)【発明者】
【氏名】タン シャンミン
(72)【発明者】
【氏名】ラバン シェーン
(72)【発明者】
【氏名】シュミーディング ランディー ディー
(72)【発明者】
【氏名】フォースター ジョン シー
(72)【発明者】
【氏名】サヴァンダイア キランクマール ニーラサンドラ
【テーマコード（参考）】
5F004
5F045
【Ｆターム（参考）】
5F004AA15
5F004BA03
5F004BA04
5F004BB13
5F004BB18
5F004BB22
5F004BB23
5F004BB26
5F004BB29
5F004DA17
5F004DA23
5F004DA24
5F004DA26
5F045AA08
5F045AC11
5F045AC16
5F045BB14
5F045EB06
5F045EH13
5F045EH18
5F045EK07
5F045EM05
5F045EM09
(57)【要約】
物理的気相堆積処理チャンバが記載される。処理チャンバは、処理チャンバの頂部部分にあるターゲットバッキング板と、処理チャンバの底部部分にある基板支持体と、基板支持体の外周に配置された堆積リングと、シールドとを含む。基板支持体は、処理キャビティを形成するためにターゲットバッキング板からある距離だけ離間された支持面を有する。シールドは、処理キャビティの外側境界を形成する。チャンバ内洗浄方法も記載される。一実施形態では、本方法は、処理キャビティへの処理チャンバの底部ガス流路を閉鎖することと、底部ガス流路から不活性ガスを流すことと、シールドの開口部を通して処理キャビティ内に反応物を流すことと、処理キャビティから反応ガスを排出することとを含む。
【選択図】図１
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
処理チャンバであって、前記処理チャンバの頂部部分にあるターゲットバッキング板と、
前記処理チャンバの底部部分にある基板支持体であり、処理キャビティを形成するために前記ターゲットバッキング板からある距離だけ離間された支持面を有する、基板支持体と、
前記基板支持体の外周に配置された堆積リングであり、輪郭形状を有する外側部分を有する、堆積リングと、
前記処理キャビティの外側境界を形成し、前記処理チャンバの前記頂部部分に頂部シールド端を有し、前記処理チャンバの前記底部部分に底部シールド端を有するシールドであり、前記頂部端が前記ターゲットバッキング板の周囲に配置され、前記底部端が前記基板支持体の周囲に配置され、前記底部端が前記堆積リングの前記外側部分に対して相補的な形状を有する輪郭表面を含む、シールドと、
を備え、
前記処理チャンバの前記頂部部分が前記ターゲットバッキング板の周囲と前記シールドの前記頂部との間に頂部ガス流路を備え、
前記処理チャンバの前記底部部分が前記シールドと前記堆積リングとの間に底部ガス流路を備える、
処理チャンバ。
【請求項2】
前記堆積リングが前記ターゲットバッキング板と前記密封ブラケットとの間にあるように、前記ターゲットバッキング板から前記基板支持体の反対側に配置された密封ブラケットと、前記シールドに接続されたベローズアセンブリと、
をさらに備え、
前記堆積リングおよび密封ブラケットが、前記密封ブラケットと前記堆積リングとの間に間隙がある処理位置と、前記密封ブラケットが前記ベローズアセンブリに接触する洗浄位置との間で移動可能である、
請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項3】
前記シールドの下方に配置されたシャッタディスクをさらに備え、前記基板支持体および前記シャッタディスクが、前記基板支持体が上方に移動して前記処理キャビティを形成するために、前記シャッタディスクが水平方向に移動する処理位置と、前記シャッタディスクが前記基板支持体と前記処理キャビティとの間の流体接続を遮断するために、前記基板支持体が下方に移動する洗浄位置との間で移動可能である、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項4】
前記処理位置にあるときに前記底部流路を通って前記処理キャビティと流体連結し、前記洗浄位置にあるときに前記底部流路を介して前記処理領域から隔離されるターボポンプハウジングをさらに備える、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項5】
前記頂部流路を通って前記処理領域と流体連結する粗引きポンプをさらに備える、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項6】
前記粗引きポンプと前記処理キャビティとの間に粗引きバルブをさらに備え、前記粗引きバルブが、前記粗引きバルブが開いているときに前記処理キャビティから前記頂部流路を通って前記粗引きポンプへのガスの流れを可能にし、前記粗引きバルブが閉じているときに前記粗引きポンプへの流れを阻止するように構成されている、請求項５に記載の処理チャンバ。
【請求項7】
前記処理チャンバが、前記粗引きバルブが閉じているときに、前記頂部流路を通って前記処理領域へのガスの流れを可能にするように構成されている、請求項６に記載の処理チャンバ。
【請求項8】
前記粗引きバルブが、前記堆積リングおよび密封ブラケットが前記洗浄位置にあるときに閉じられている、請求項７に記載の処理チャンバ。
【請求項9】
前記シールド、前記ターゲットバッキング板、前記基板支持体、前記堆積リング、前記密封ブラケット、または前記ターボポンプハウジングのうちの１つまたは複数が、フッ化物ラジカルおよび／またはフッ素スパッタリングに対して耐性がある、請求項５に記載の処理チャンバ。
【請求項10】
チャンバ内洗浄方法であって、処理キャビティへの処理チャンバの底部ガス流路を閉鎖することであり、前記処理キャビティが、前記処理チャンバが処理位置にあるときに、基板支持体、ターゲットバッキング板、およびシールドによって画定される、底部ガス流路を閉鎖することと、
不活性ガス入り口からチャンバ内に不活性ガスを流すことであり、前記チャンバが、前記基板支持体、接地ブラケット、前記シールド、アダプタ、およびチャンバ本体によって画定される、不活性ガスを流すことと、
反応物入り口から前記シールドの開口部を通して前記処理キャビティ内に反応物を流すことと、
頂部ガス流路を通して前記処理キャビティから前記反応物を排出することであり、前記頂部ガス流路が前記処理チャンバの頂部部分内に位置し、前記頂部ガス流路が前記シールドの上を通過する、前記反応物を排出することと、
を含む、方法。
【請求項11】
前記底部ガス流路を閉鎖することが、ベローズアセンブリに接触するようにシールブラケットを移動させることによって行われ、前記シールブラケットが、前記堆積リングが前記ターゲットバッキング板と前記シールブラケットとの間にあるように、前記ターゲットバッキング板から前記基板支持体の反対側に配置され、ベローズアセンブリが前記シールドに接続される、請求項１０に記載の方法。
【請求項12】
前記底部ガス流路を閉鎖することが、前記基板支持体を前記チャンバ内に移動させることと、
前記シールドの下方から前記処理キャビティ内にシャッタディスクをスライドさせて、前記チャンバを前記処理キャビティから遮断することと、
を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項13】
前記反応物が、ＮＦ3、フッ化物ラジカル、水素（Ｈ2）、酸素（Ｏ2）、またはそれらの組合せを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項14】
前記ターゲットのうちの１つまたは複数が４０℃～６５℃の範囲の温度に維持され、前記基板支持体が２００℃～２５０℃の範囲の温度に維持され、または前記シールドが２００℃～２５０℃の範囲の温度に維持される、請求項１０に記載の方法。
【請求項15】
前記フッ化物ラジカルが、ペデスタルにＲＦバイアスを印加することによって形成される、請求項１３に記載の方法。
【請求項16】
１リットルのＮＦ3が前記処理キャビティ内に流される、請求項１３に記載の方法。
【請求項17】
前記処理キャビティ内に１００ｍＴｏｒｒ～１Ｔｏｒｒの範囲の圧力で前記反応物を流すこと、または２Ｔｏｒｒ～３Ｔｏｒｒの範囲の圧力で前記チャンバ内に前記不活性ガスを流すことのうちの１つまたは複数によって実行される、請求項１０に記載の方法。
【請求項18】
前記反応物がフッ化物ラジカルを含み、前記フッ化物ラジカルが遠隔プラズマ源においてＮＦ3から生成される、請求項１０に記載の方法。
【請求項19】
前記基板支持体、前記シールド、前記堆積リング、前記密封ブラケット、前記ベローズアセンブリ、または前記ターゲットバッキング板のうちの１つまたは複数をコーティング材料でコーティングすることをさらに含み、前記コーティング材料が、ＹＦ、ＹＯＦ、ＡｌＯＦ、ＺｒＯ2Ｆ、ＺｒＯ2、ＡｌＯx、またはＹ2Ｏ3からなる群から選択される、請求項１０に記載の方法。
【請求項20】
ＳｉＮまたはその誘導体を含む蓄積材料を除去する、請求項１０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示の実施形態は、電子デバイス製造の分野に関し、詳細には、集積回路（ＩＣ）製造に関する。詳細には、本開示の実施形態は、物理的気相堆積装置および物理的気相堆積装置のためのチャンバ内洗浄方法に関する。
【背景技術】
【0002】
物理的気相堆積（ＰＶＤ）中に、微粒子および汚染物質を含む材料がプロセスキット（例えば、シールド、エッジリング）上に蓄積する。プロセスキット上に形成された材料は、その後処理されるウエハを汚染する可能性があり、プロセスキット部品の除去および／または交換が必要となる。結果として、ＰＶＤによって厚いハードマスク膜を堆積させることは、頻繁な予防保守（ＰＭ）のために困難であり、これは、ウエハのスループットおよびコストに影響を与える。さらに、既存のハードウェアを使用して微粒子汚染に対する低い仕様を満たすことは極めて困難である。
【0003】
ＰＶＤチャンバを開けるたびに、汚染の機会およびスループットの問題が生じる。ＰＶＤチャンバは、ターゲットが消耗して、交換が必要になったときに開けられる。目標ライフサイクルごとに、ＰＶＤチャンバは、プロセスキット部品を交換するために何度も開けられることが多い。
【0004】
予防保守間の時間を長くするための他のアプローチとしては、加熱されたシールドを使用すること、プロセスキットをテクスチャリングすること、金属部品上に異なる材料コーティングを使用して熱膨張係数のマッチングを改善すること、および高応力膜に亀裂を入れることが挙げられる。しかしながら、これらのアプローチでさえ、２Ｋ未満のウエハしか処理することができず、それでもプロセスキットを頻繁に交換する必要がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
多くの化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバは、堆積プロセスを実行する前に遠隔プラズマ源（ＲＰＳ）を使用してチャンバを洗浄し、チャンバをコーティングする。しかしながら、チャンバ内のすべての金属部品を保護することは困難であるため、ＰＶＤチャンバでは遠隔プラズマ源洗浄は行われていない。
【0006】
したがって、当技術分野では、プロセスキットが全目標ライフサイクルを動作できるようにする方法および装置が必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本開示の１つまたは複数の実施形態は、処理チャンバを対象とする。一部の実施形態において、処理チャンバは、処理チャンバの頂部部分にあるターゲットバッキング板であって、基板支持体が、処理キャビティを形成するためにターゲットバッキング板からある距離だけ離間された支持面を有する、ターゲットバッキング板と、処理チャンバの底部部分にある基板支持体と、基板支持体の外周に配置された堆積リングであって、輪郭形状を有する外側部分を有する、堆積リングと、処理キャビティの外側境界を形成し、処理チャンバの頂部部分に頂部シールド端を有し、処理チャンバの底部部分に底部シールド端を有するシールドであって、頂部端がターゲットバッキング板の周囲に配置され、底部端が基板支持体の周囲に配置され、底部端が、堆積リングの外側部分に対して相補的な形状を有する輪郭表面を含む、シールドと、を備える。
【0008】
一部の実施形態において、処理チャンバの頂部部分は、ターゲットバッキング板の周囲とシールドの頂部との間に頂部ガス流路を備える。
【0009】
一部の実施形態において、処理チャンバの底部部分は、シールドと堆積リングとの間に底部ガス流路を備える。
【0010】
本開示の別の実施形態は、チャンバ内洗浄方法に関する。一部の実施形態において、本方法は、処理キャビティへの処理チャンバの底部ガス流路を閉鎖することであって、処理キャビティが、処理チャンバが処理位置にあるときに、基板支持体、ターゲットバッキング板、およびシールドによって画定される、底部ガス流路を閉鎖することと、不活性ガス入り口からチャンバ内に不活性ガスを流すことであって、チャンバが、基板支持体、接地ブラケット、シールド、アダプタ、およびチャンバ本体によって画定される、不活性ガスを流すことと、反応物入り口からシールドの開口部を通して処理キャビティ内に反応物を流すことと、頂部ガス流路を通して処理キャビティから反応物を排出することであって、頂部ガス流路が処理チャンバの頂部部分内に位置し、頂部ガス流路がシールドの上を通過する、反応物を排出することと、を含む。
【0011】
本開示の上記で列挙された特徴を詳細に理解することができるように、実施形態を参照することによって、上記で簡潔に要約された本開示のより具体的な説明を行うことができ、その実施形態の一部が添付の図面に示される。しかしながら、添付の図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示しており、したがって、本開示は他の等しく有効な実施形態を許容し得るため、その範囲を限定するものと見なされるべきではないことに留意されたい。本明細書に記載される実施形態は、同様の参照符号が同様の要素を示す添付の図面の図において、限定ではなく例として示される。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】本開示の１つまたは複数の実施形態による物理的気相堆積チャンバの概略断面図である。
【図2】本開示の１つまたは複数の実施形態による物理的気相堆積チャンバの断面概略図である。
【図3】本開示の１つまたは複数の実施形態による物理的気相堆積チャンバの断面概略図である。
【図4】本開示の１つまたは複数の実施形態による物理的気相堆積チャンバの断面概略図である。
【図5】本開示の１つまたは複数の実施形態による物理的気相堆積チャンバの断面概略図である。
【図6】本開示の１つまたは複数の実施形態による物理的気相堆積チャンバの断面概略図である。
【図7】本開示の１つまたは複数の実施形態による処理チャンバおよびガス流路の概略図である。
【図8】本開示の１つまたは複数の実施形態によるチャンバ内洗浄方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
添付の図面において、同様の構成要素および／または特徴は、同じ参照ラベルを有することがある。さらに、同じタイプの様々な構成要素は、参照ラベルの後のダッシュと、同様の構成要素を区別する第２のラベルとによって区別されることがある。本明細書で第１の参照ラベルのみが使用される場合、その説明は、第２の参照ラベルにかかわらず、同じ第１の参照ラベルを有する同様の構成要素のいずれか１つに適用可能である。
【0014】
本開示のいくつかの例示的な実施形態を説明する前に、本開示は、以下の説明に記載される構成またはプロセスステップの詳細に限定されないことを理解されたい。本開示は、他の実施形態が可能であり、様々な仕方で実施および実行することができる。
【0015】
本開示は、プロセスキットの目標ライフサイクルを延ばすための方法および装置を含む。一部の実施形態において、目標ライフサイクルを延ばすための方法は、反応性核種を使用して、内部処理チャンバ部品（例えば、プロセスキット部品）から蓄積材料を洗浄することを含む。一部の実施形態において、洗浄は、内部部品から蓄積された材料を選択的にエッチングおよび／またはスパッタリングすることを含む。一部の実施形態において、蓄積材料は、蓄積金属膜および／または蓄積誘電体膜を含む。一部の実施形態において、蓄積された誘電体膜はＳｉＮ膜を含む。
【0016】
１つまたは複数の実施形態において、処理チャンバは、プロセスキットのライフサイクルを延ばすように構成されている。一部の実施形態において、処理チャンバは、プロセスキットの全目標ライフサイクルを実質的に動作する。一部の実施形態において、処理チャンバは、全目標寿命３６００ＫＷＨＲのＳｉＮプロセス（１０Ｋを超える１５００Å膜）を実行する。
【0017】
図１は、本開示の１つまたは複数の実施形態による処理チャンバ１００の概略図を示す。処理チャンバ１００は、頂部部分１０１と、底部部分１０２と、それらの間の少なくとも１つの処理キャビティ１０３とを備える。
【0018】
頂部部分１０１は、少なくとも１つの処理キャビティ１０３に面するターゲットバッキング板１０５を備える。一部の実施形態において、ターゲットバッキング板１０５は、銅クロム（ＣｕＣｒ）を含む。一部の実施形態において、ターゲットバッキング板１０５はターゲット１０７を支持し、ターゲットは処理キャビティ１０３に面する。一部の実施形態において、ターゲットはケイ素またはその誘導体を含む。一部の実施形態において、頂部部分１０１は、ターゲットボンド１０６をさらに含む。ターゲットボンド１０６は、ターゲット１０７をターゲットバッキング板１０５に取り付けるのを支援する。ターゲットボンド１０６は、ターゲットバッキング板１０５とターゲット１０７との間に位置する。ターゲットボンド１０６は、当業者に知られている任意の適切なボンディング材料とすることができる。一部の実施形態において、ターゲットボンド１０６は、インジウムまたはその誘導体を含む。
【0019】
底部部分１０２は、処理キャビティ１０３を形成するために、ターゲットバッキング板１０５からある距離だけ離間された支持面１１１を有する基板支持体１１０を備える。一部の実施形態において、この距離は、５０ｍｍ～１００ｍｍ、５２．５ｍｍ～１００ｍｍ、５５．５ｍｍ～１００ｍｍ、５０ｍｍ～８０ｍｍ、５２．５ｍｍ～８０ｍｍ、５５．５ｍｍ～８０ｍｍ、５０ｍｍ～６０ｍｍ、５２．５ｍｍ～６０ｍｍ、５５．５ｍｍ～６０ｍｍ、または５２．５ｍｍ～５５．５ｍｍの範囲にある。一部の実施形態において、処理キャビティ１０３は、５２．５ｍｍの高さを有する。
【0020】
一部の実施形態において、基板支持体１１０は、ペデスタルおよび静電チャックを支持する取付板を備える。静電チャック（ＥＳＣ）は、静電チャックカバーによって処理キャビティ１０３内の反応性ガスから保護される。一部の実施形態において、静電チャック（ＥＳＣ）は、保護ウエハを含むカバーを有する。一部の実施形態において、洗浄モードにあるとき、保護ウエハは、処理キャビティ１０３内の反応性核種による損傷から静電チャック（ＥＳＣ）を保護するように機能する。
【0021】
一部の実施形態において、堆積リング１１５は、基板支持体１１０の外周１１２に配置されている。堆積リング１１５は、輪郭成形された外側部分１１６を有する。一部の実施形態において、堆積リング１１５は、酸化アルミニウムまたはその誘導体を含む。
【0022】
底部部分１０２は、基板支持体１１０、堆積リング１１５およびシールド１３０の下に接地ブラケット１２５を備える。一部の実施形態において、接地ブラケット１２５はステンレス鋼を含む。一部の実施形態において、接地ブラケット１２５はニッケルめっきステンレス鋼を含む。
【0023】
処理チャンバ１００は、シールド１３０を備える。シールド１３０は、処理キャビティ１０３の外側境界を形成する。一部の実施形態において、シールド１３０は、頂部部分１０１のシールド頂部端１３１と、底部部分１０２のシールド底部端１３２とを備える。一部の実施形態において、シールド１３０は単一部品である。一部の実施形態において、シールド頂部端１３１およびシールド底部端１３２は、別個の部品であり、締め具によって一緒に締め付けられている。
【0024】
シールド頂部端１３１は、ターゲットバッキング板１０５の溝１０８と相補的な形状を含む。処理チャンバ１００の頂部部分１０１は、ターゲットバッキング板１０５の周囲の溝１０８とシールド頂部端１３１との間に頂部ガス流路１３３を備える。一部の実施形態において、図示するように、ターゲットボンド１０６は、バッキング板１０５の溝１０８の輪郭に沿って延在する。
【0025】
シールド底部端１３２は、基板支持体１１０の外周１１２の周りに配置されている。シールド底部端１３２は、堆積リング１１５の外側部分１１６に対して相補的な形状を有する輪郭面１３４を含む。シールド底部端１３２および堆積リング１１５は、底部ガス流路１３９を形成する。別の言い方をすれば、底部ガス流路１３９は、シールド底部端１３２の輪郭面１３４と堆積リング１１５の輪郭面１１６との間に延在する。
【0026】
一部の実施形態において、処理チャンバ１００の底部部分１０２は、シールド底部端１３２と堆積リング１１５との間に底部ガス流路１３９を構成する。
【0027】
処理チャンバ１００は、ヒータ１４０を備える。一部の実施形態において、ヒータ１４０は、処理キャビティ１０３内の温度を維持するための大きな熱質量として作用する。ヒータ１４０は、シールド底部端１３２の外周に位置する。ヒータ１４０は、処理チャンバ１００の熱質量容量を増加させるように機能する。一部の実施形態において、ヒータ１４０は、シールド１３０の温度を１５０℃～２５０℃、または２００℃～２５０℃の範囲に維持するように機能する。
【0028】
処理チャンバ１００は、アダプタ１４５を備える。アダプタ１４５は、頂部部分１０１の外周に位置し、ターゲットバッキング板１０５および／またはターゲットボンド１０６と接触し、任意でそれらを支持する。一部の実施形態において、アダプタ１４５は、ヒータ１４０まで延在する。一部の実施形態において、アダプタ１４５は、頂部部分１０１とシールドとの間の空間１５２を介して処理キャビティ１０３に流体接続されたプレナム１４６を備える。一部の実施形態において、アダプタ１４５はアルミニウムを含む。
【0029】
１つまたは複数の実施形態において、処理チャンバ１００は、切り換え弁マニホールド１４８に接続された粗引きライン１４７を備える。一部の実施形態において、プレナム１４６は、切り換え弁マニホールド１４８を有する粗引きライン１４７に動作可能に接続されている。切り換え弁マニホールド１４８は、粗引きポンプ１６２に接続されている。切り換え弁マニホールド１４８は、切り換え弁マニホールド１４８が開いているときに、処理キャビティ１０３から頂部流路１３３および空間１５２を通って粗引きポンプ１６２へのガスの流れを可能にし、切り換え弁マニホールド１４８が閉じているときに、粗引きポンプ１６２への流れを阻止するように構成されている。一部の実施形態において、処理チャンバ１００は、切り換え弁マニホールド１４８が閉じられているときに、頂部流路１３３を通って処理キャビティ１０３内へのガスの流れを可能にするように構成されている。一部の実施形態において、切り換え弁マニホールド１４８は、洗浄モードのときに開かれる。
【0030】
１つまたは複数の実施形態において、処理チャンバ１００は、粗引きポンプ１６２に接続された軽減アセンブリ１６３を備える。洗浄モードでは、粗引きポンプ１６２は、頂部ガス流路１３３を介して処理キャビティ１０３から軽減アセンブリ１６３に向かってガスを除去する。１つまたは複数の実施形態において、処理チャンバ１００は、軽減アセンブリ１６３に接続された排気アセンブリ１６４を備える。一部の実施形態において、排気アセンブリ１６４は、ハウス排気を構成する。洗浄モードでは、排気アセンブリ１６４は、軽減アセンブリ１６３および処理チャンバ１００からガスを除去する。
【0031】
処理チャンバ１００は、処理チャンバの内部容積１５１を形成するチャンバ本体１５０を備える。内部容積１５１の頂部は、頂部部分１０１、底部部分１０２、および処理キャビティ１０３によって閉じられている。一部の実施形態において、チャンバ本体１５０は、アダプタ１４５を下から支持する。内部容積１５１は、チャンバ本体１５０内に、基板支持体１１０、接地ブラケット１２５、シールド１３０、アダプタ１４５を含む。底部ガス流路１３９は、シールド１３０と堆積リング１１５との間の空間を介して、処理キャビティ１０３を内部容積１５１に流体接続する。一部の実施形態において、チャンバ本体１５０はステンレス鋼を含む。
【0032】
処理チャンバ１００は、シールド底部端１３２とアダプタ１４５との間に封じ込めＯリング１５５を備える。封じ込めＯリング１５５は、シールド１２０とアダプタ１４５との間の空間を介した、頂部ガス流路１３３と内部容積１５１および／またはヒータ１４０との間のいかなる流体接触も防止するように機能する。一部の実施形態において、封じ込めＯリング１５５は、フッ化物ラジカルおよび／またはフッ素スパッタリングに対して耐性がある。
【0033】
底部部分１０２は、シャフト１５３およびフープリフト部品１５４を備える。基板支持体１１０および接地ブラケット１５０は、シャフト１５３上に配置されている。シャフト１５３は、フープリフト部品１５４と動作可能に接続されている。一部の実施形態において、フープリフト部品１５４は、底部部分１０２を上下に移動させる。
【0034】
１つまたは複数の実施形態において、処理チャンバ１００は、不活性ガス入り口１５７を備える。不活性ガス入り口１５７は、内部容積１５１内の正圧を維持するように機能する。内部容積１５１内の正圧は、処理キャビティ１０３またはシールド１３０とアダプタ１４５との間の空間から内部容積１５１へのガスの漏れを阻止する。一部の実施形態において、不活性ガスは、アルゴン、窒素（Ｎ2）、またはそれらの組合せを含む。一部の実施形態において、不活性ガスは保護ガスをさらに含む。一部の実施形態において、保護ガスは、酸素（Ｏ2）または水素（Ｈ2）を含む。
【0035】
１つまたは複数の実施形態において、処理チャンバ１００は、底部流路１３９を通って処理キャビティ１０３と流体連結するターボポンプハウジング１６８を備える。
【0036】
１つまたは複数の実施形態において、処理チャンバ１００は、プロセスガス入り口１５８を備える。プロセスガス入り口１５８は、プロセスガス入り口バルブ１４９を備える。一部の実施形態において、プロセスガスリザーバ（図示せず）がプロセスガス入り口バルブ１４９に接続されている。堆積モードにあるとき、処理チャンバ１００は、頂部ガス流路１３３、処理キャビティ１０３、および底部ガス流路１３９を通るプロセスガスの流れを可能にするように構成されている。一部の実施形態において、プロセスガス入り口１５８を使用して、頂部ガス流路１３３を介して反応物を処理キャビティ１０３に供給することができる。
【0037】
１つまたは複数の実施形態において、処理チャンバ１００は、反応物入り口１５９を備え、反応物入り口１５９は、反応物入り口経路１６０および反応物入り口バルブ１６１を備える。反応物入り口バルブ１６１は、頂部流路１３３を通って処理キャビティ１０３と流体連結している。図２は、処理チャンバ１００の一実施形態を示しており、処理チャンバ１００は、反応物入り口経路１６０を備える。図２の実施形態によると、反応物入り口経路１６０は、アダプタ１４５を貫通し、シールド頂部端１３１とシールド底部端１３２との間の孔を通って処理キャビティ１０３に開口している。一部の実施形態において、処理チャンバ１００は、２つ以上の反応物入り口１５９を備える。一部の実施形態において、処理チャンバ１００は、少なくとも２つの反応物入り口１５９を備える。一部の実施形態において、処理チャンバ１００は、２つの反応物入り口１５９を備え、反応物入り口１５９は、９０°離れている。一部の実施形態において、反応物入り口１５９はステンレス鋼を含む。
【0038】
一部の実施形態において、反応物入り口１５９は、反応ガスリザーバ（図示せず）に接続されている。一部の実施形態において、反応物入り口経路１６０は、反応物入り口バルブ１６１を介して反応ガスリザーバに接続されている。一部の実施形態において、洗浄モードにあるとき、反応物入り口バルブ１６１が開かれ、処理キャビティ１０３と反応ガスリザーバとの間の流体連結を確立する。一部の実施形態において、堆積モードにあるとき、反応入り口バルブは閉じられ、処理キャビティ１０３と反応ガスリザーバとの間の流体連結を遮断する。
【0039】
本開示の別の実施形態では、反応物入り口１５９は、遠隔プラズマ源（図示せず）に接続されている。一部の実施形態において、反応物入り口経路１６０は、反応物入り口バルブ１６１を介して遠隔プラズマ源に接続されている。一部の実施形態において、洗浄モードにあるとき、反応物入り口バルブ１６１が開かれ、処理キャビティ１０３と遠隔プラズマ源との間の流体連結を確立する。一部の実施形態において、堆積モードにあるとき、反応入り口バルブは閉じられ、処理キャビティ１０３と遠隔プラズマ源との間の流体連結を遮断する。
【0040】
図３および図４は、処理チャンバ１００がそれぞれ処理モードおよび洗浄モードにあるときの本開示の一実施形態を示す。したがって、一部の実施形態において、底部部分１０２は密封ブラケット１２０を備える。密封ブラケット１２０は、堆積リング１１５がターゲットバッキング板１０５と密封ブラケット１２０との間にあるように、ターゲットバッキング板１０５から基板支持体１１０の反対側に配置されている。一部の実施形態において、密封ブラケット１２０は、ニッケルめっきステンレス鋼を含む。一部の実施形態において、接地ブラケット１２５は、密封ブラケット１２０の下方に位置する。一部の実施形態において、密封ブラケット１０３は、締め具１２６を介して接地ブラケット１２５に固定されている。一部の実施形態において、締め具１２６はステンレス鋼を含む。
【0041】
一部の実施形態において、処理チャンバ１００は、シールド１３０に接続された、または接触したベローズアセンブリ１３８を備える。一部の実施形態において、ベローズアセンブリ１３８は、シールド１３０の外周上およびシールド底部端１３２の下方に位置する。ベローズアセンブリ１３８は、頂部ベローズフランジ１３５と、ベローズ１３６と、底部ベローズフランジ１３７とを備える。頂部ベローズフランジ１３５は、シールド底部端１３２の外側の輪郭表面に隣接してシールド底部端１３２の下方に位置する。頂部ベローズフランジ１３５および底部ベローズフランジ１３７は、それらの間にベローズ１３６を支持する。一部の実施形態において、頂部ベローズフランジ１３５および底部ベローズフランジ１３７のうちの１つまたは複数は、ニッケルめっきされたステンレス鋼を含む。
【0042】
１つまたは複数の実施形態において、処理チャンバ１００は、頂部ベローズフランジ１３５とシールド底部端１３２との間にエラストマシーラントを備える。一部の実施形態において、エラストマシーラントは、頂部ベローズフランジ１３５とシールド底部端１３２との間の空間を通って内部容積１５１内の反応物が漏れるのを防止する。一部の実施形態において、エラストマシーラントは、フッ化物ラジカルおよび／またはフッ素スパッタリングに対して耐性がある。
【0043】
一部の実施形態において、底部ガス流路１３９は、密封ブラケット１２０とベローズアセンブリ１３８との間に間隙１４１をさらに備える。したがって、一部の実施形態において、底部ガス流路１３９は、シールド１３０と堆積リング１１５との間の空間、および密封ブラケット１２０とベローズアセンブリ１３８との間の空間を介して、処理キャビティ１０３を内部容積１５１に流体接続する。
【0044】
図３は、一実施形態を示し、処理キャビティ１０３は、底部ガス流路１３９を介して内部容積１５１に流体接続されている。一部の実施形態において、堆積リング１１５および密封ブラケット１２０は、密封ブラケット１２０と堆積リング１１５との間に間隙１４１がある処理位置（図３に示す）と、密封ブラケット１２０がベローズアセンブリ１３８に接触する洗浄位置（図４に示す）との間で移動可能である。一部の実施形態において、フープリフト部品１５４は、底部部分１０２を上方に移動させて密封ブラケット１２０を底部ベローズフランジ１３５と接触させ、それによって処理キャビティ１０３を密封する。フープリフト部品１５４は、底部部分１０２を下方に移動させて、密封ブラケット１２０を底部ベローズフランジ１３７と接触させ、それによって底部ガス流路１４１を開く。図４は、底部ガス流路１３９を介した処理キャビティ１０３と内部容積１５１との間の流体の交換が防止された、密閉された処理キャビティ１０３を示す。
【0045】
したがって、一部の実施形態において、密封ブラケット１２０および堆積リング１１５が処理位置にあるとき、ターボポンプハウジング１６８は、底部流路１３９を介して処理キャビティ１０３と流体連結する。密封ブラケット１２０および堆積リング１１５が洗浄位置にあるとき、ターボポンプハウジング１６８は、底部ガス流路を介して処理キャビティ１０３から隔離される。
【0046】
図５および図６は、本開示の別の実施形態を示し、処理キャビティは、シャッタディスク１５６を備える。一部の実施形態において、シャッタディスク１５６は、シールド１３０の下方に位置する。一部の実施形態において、基板支持体１１０、堆積リング１１５、または静電チャック（ＥＳＣ）のうちの１つまたは複数は、処理位置と洗浄位置との間で移動可能である。一部の実施形態において、シャッタディスク１５６は、底部部分１０２が内部容積１５１内にあるときに、処理キャビティ１０３と内部容積１５１との間の流体接続を遮断するように機能する。一部の実施形態において、フープリフト部品１５４は、基板支持体１１０、堆積リング１１５、または静電チャック（ＥＳＣ）のうちの１つまたは複数を内部容積１５１内へと下方に移動させる。一部の実施形態において、シャッタディスク１５６は、基板支持体１１０、堆積リング１１５、または静電チャック（ＥＳＣ）のうちの１つまたは複数が内部容積１５１内にあるときに、処理キャビティ１０３と内部容積１５１との間の流体接続を遮断するように機能する。一部の実施形態において、図５に示すように、処理位置にあるとき、シャッタディスク１５６は、基板支持体１１０が上方に移動して処理キャビティ１０３を形成するように、水平外方向に移動する。一部の実施形態において、図６に示すように、洗浄位置にあるとき、基板支持体１１０は、シャッタディスク１５６が基板支持体１１０と処理キャビティ１０３との間の流体接続を遮断するように、下方に移動する。一部の実施形態において、フープリフト部品１５４は、シャッタディスク１５６が基板支持体１１０と処理キャビティ１０３との間の流体接続を遮断するように、底部部分１０２を下方に移動させる。一部の実施形態において、シャッタディスク１５６は、フープリフト部品１５４が底部部分１０２を上方に移動させて基板支持体１１０が処理キャビティ１０３を形成するように、水平方向にスライドする。
【0047】
一部の実施形態において、シールド１３０、ベローズアセンブリ１３８、ターゲットバッキング板１０５、基板支持体１１０、堆積リング１１５、密封ブラケット１２０、チャンバ本体１５０、静電チャック（ＥＳＣ）、シャッタディスク１５６、シャフト１５３、フープリフト部品１５４、粗引きライン１６０、ターゲット１０７、ターゲットボンド１０６、Ｏリング１５５、ターボポンプハウジング１６８、軽減アセンブリ１６３、または排気アセンブリ１６４のうちの１つまたは複数は、フッ化物ラジカルおよび／またはフッ素スパッタリングに対して耐性がある。
【0048】
一部の実施形態において、シールド１３０、ベローズアセンブリ１３８、ターゲットバッキング板１０５、基板支持体１１０、堆積リング１１５、密封ブラケット１２０、チャンバ本体１５０、静電チャック（ＥＳＣ）、シャッタディスク１５６、シャフト１５３、フープリフト部品１５４、粗引きライン１４７、ターゲット１０７、ターゲットボンド１０６、Ｏリング１５５、ターボポンプハウジング１６８、軽減アセンブリ１６３、または排気アセンブリ１６４のうちの１つまたは複数のうちの１つまたは複数は、アルミニウム、アルミナ、イットリア、および／またはニッケルめっきＳＳＬのうちの１つまたは複数で作られている。
【0049】
図７は、本開示の１つまたは複数の実施形態による処理チャンバおよびガス流路の概略図を示す。一部の実施形態において、プレナム１４６は、上部ゲートバルブ７０２およびスロットルバルブ７０４を介して粗引きポンプ１６２に流体接続される。一部の実施形態において、圧力計７０３および／または圧力計７０７が流路に沿って配置されている。上部ゲートバルブ７０２およびスロットルバルブ７０４が開いているとき、ガスは出口経路７０５に沿って粗引きポンプ１６２に流れる。一部の実施形態において、出口経路は出口バルブ７２０を備える。上部ゲートバルブ７０２および／またはスロットルバルブ７０４が閉じられると、ガスは、粗引きライン１４７またはターボポンプハウジング１６８を通って粗引きポンプ１６２に流れる。一部の実施形態において、内部容積１５１は、下部ゲートバルブ７１８を介してターボポンプハウジング１６８に動作可能に接続されている。下部ゲートバルブ７１８が閉じられると、ガスは、粗引きライン１４７および切り換え弁マニホールド１４８を通って粗引きポンプ１６２に直接流れる。下部ゲートバルブ７１８が開かれると、ガスは、下部ゲートバルブ７１８およびターボポンプハウジング１６８を通って、ターボポンプハウジング出口７２５および切り換え弁マニホールド１４８を通って粗引きポンプ１６２に流れる。切り換え弁マニホールド１４８は、ガスが切り換え弁マニホールドコネクタ経路７３０を介して、粗引きライン１４７を通って、またはターボポンプハウジング１６８を通って、粗引きポンプ１６２に流れるかどうかを制御するために使用することができる。ガスは、粗引きポンプ１６２から軽減アセンブリ１６３に流れる。その後、ガスは、軽減アセンブリ１６３から排気アセンブリ１６４に流れ、排気される。一部の実施形態において、ターボポンプハウジング１６８は、ターボポンプを備える。
【0050】
本開示の別の態様は、チャンバ内洗浄方法を提供する。図８は、チャンバ内洗浄方法８００の一実施形態を示す。図８によると、方法８００は、ブロック８０１において、底部ガス流路１３９を閉鎖することと、ブロック８０２において、不活性ガス入り口から内部容積１５１内に不活性ガスを流して、内部容積１５１内に正圧を維持することと、ブロック８０３において、反応物入り口からシールド１３０の開口部を通して処理キャビティ１０３内に反応物を流すことと、ブロック８０４において、頂部ガス流路１３３を通して処理キャビティから反応物を排出することとを含む。
【0051】
１つまたは複数の実施形態において、ブロック８０１の間、密封ブラケット１２０は、ベローズアセンブリ１３８に接触して底部ガス流路１３９を閉鎖するように、ある距離を（例えば、垂直に約２．５ｍｍ）移動する。一部の実施形態において、操作８０１の後、ターゲット１０７と基板支持体１１０との間の距離は、５０ｍｍ～１００ｍｍ、５２．５ｍｍ～１００ｍｍ、５５．５ｍｍ～１００ｍｍ、５０ｍｍ～８０ｍｍ、５２．５ｍｍ～８０ｍｍ、５５．５ｍｍ～８０ｍｍ、５０ｍｍ～６０ｍｍ、５２．５ｍｍ～６０ｍｍ、５５．５ｍｍ～６０ｍｍ、または５２．５ｍｍ～５５．５ｍｍの範囲にある。一部の実施形態において、操作８０１の後、ターゲット１０７と基板支持体１１０との間の距離は５５．５ｍｍである。
【0052】
１つまたは複数の実施形態において、ブロック８０１の間、底部部分１０２は、内部容積１５１まで下方に移動し、シャッタディスク１５６は、水平方向に移動して、処理キャビティ１０３と内部容積１５１との間の流体接続を遮断する。
【0053】
１つまたは複数の実施形態において、操作８０２は、正圧を維持するために、Ａｒ、Ｎ2、またはそれらの組合せを内部容積１５１内に流すことを含む。一部の実施形態において、正圧は、２Ｔｏｒｒ～３Ｔｏｒｒの範囲にある。
【0054】
１つまたは複数の実施形態において、方法８００の１つまたは複数の操作は、処理キャビティ１０３内で、１０-3ｍＴｏｒｒ～３Ｔｏｒｒ、１０-3ｍＴｏｒｒ～２Ｔｏｒｒ、１０-3ｍＴｏｒｒ～１Ｔｏｒｒ、１０-3ｍＴｏｒｒ～８００ｍＴｏｒｒ、１０-3ｍＴｏｒｒ～６００ｍＴｏｒｒ、１０-3ｍＴｏｒｒ～４００ｍＴｏｒｒ、１０-3ｍＴｏｒｒ～２００ｍＴｏｒｒ、１０-3ｍＴｏｒｒ～１００ｍＴｏｒｒ、１０-3ｍＴｏｒｒ～１ｍＴｏｒｒ、１０-3ｍＴｏｒｒ～１０-2ｍＴｏｒｒ、５０ｍＴｏｒｒ～３Ｔｏｒｒ、５０ｍＴｏｒｒ～２Ｔｏｒｒ、５０ｍＴｏｒｒ～１Ｔｏｒｒ、５０ｍＴｏｒｒ～８００ｍＴｏｒｒ、５０ｍＴｏｒｒ～６００ｍＴｏｒｒ、５０ｍＴｏｒｒ～４００ｍＴｏｒｒ、５０ｍＴｏｒｒ～２００ｍＴｏｒｒ、５０ｍＴｏｒｒ～１００ｍＴｏｒｒ、１００ｍＴｏｒｒ～３Ｔｏｒｒ、１００ｍＴｏｒｒ～２Ｔｏｒｒ、１００ｍＴｏｒｒ～１Ｔｏｒｒ、１００ｍＴｏｒｒ～８００ｍＴｏｒｒ、１００ｍＴｏｒｒ～６００ｍＴｏｒｒ、１００ｍＴｏｒｒ～４００ｍＴｏｒｒ、１００ｍＴｏｒｒ～２００ｍＴｏｒｒ、２００ｍＴｏｒｒ～３Ｔｏｒｒ、２００ｍＴｏｒｒ～２Ｔｏｒｒ、２００ｍＴｏｒｒ～１Ｔｏｒｒ、２００ｍＴｏｒｒ～８００ｍＴｏｒｒ、２００ｍＴｏｒｒ～６００ｍＴｏｒｒ、２００ｍＴｏｒｒ～４００ｍＴｏｒｒ、４００ｍＴｏｒｒ～３Ｔｏｒｒ、４００ｍＴｏｒｒ～２Ｔｏｒｒ、４００ｍＴｏｒｒ～１Ｔｏｒｒ、４００ｍＴｏｒｒ～８００ｍＴｏｒｒ、４００ｍＴｏｒｒ～６００ｍＴｏｒｒ、６００ｍＴｏｒｒ～３Ｔｏｒｒ、６００ｍＴｏｒｒ～２Ｔｏｒｒ、６００ｍＴｏｒｒ～１Ｔｏｒｒ、６００ｍＴｏｒｒ～８００ｍＴｏｒｒ、８００ｍＴｏｒｒ～３Ｔｏｒｒ、８００ｍＴｏｒｒ～２Ｔｏｒｒ、８００ｍＴｏｒｒ～１Ｔｏｒｒ、または１Ｔｏｒｒ～３Ｔｏｒｒの範囲の圧力で独立して行われる。一部の実施形態において、洗浄中、チャンバ内の圧力は、処理キャビティ１０３内の圧力よりも高い。一部の実施形態において、洗浄中、チャンバ内の圧力は、処理キャビティ１０３内の圧力よりも１～３Ｔｏｒｒの範囲の量だけ高い。
【0055】
一部の実施形態において、操作８０３の間、シールド１３０は、１５０℃～２５０℃または２００℃～２５０℃の範囲の温度に維持される。一部の実施形態において、ヒータ１４０は、シールド１３０を１５０℃～２５０℃または２００℃～２５０℃の範囲の温度に維持するように機能する。一部の実施形態において、１５０℃～２５０℃の範囲のシールド１３０の温度は、蓄積材料を除去するのに役立つ。一部の実施形態において、操作８０３の間、基板支持体１１０は、１５０℃～２５０℃、または２００℃～２５０℃の範囲の温度に維持される。一部の実施形態において、操作８０３の間、ターゲット１０７は、３０℃～６５℃、４０℃～６５℃、５０℃～６５℃、３０℃～６０℃、４０℃～６０℃、５０℃～６０℃の範囲の温度に維持される。
【0056】
１つまたは複数の実施形態では、操作８０３は、反応物を処理キャビティ１０３に流すことを含む。一部の実施形態において、反応物はフッ化物ラジカルを含む。一部の実施形態において、フッ化物ラジカルはＮＦ3から生成される。一部の実施形態において、操作８０４は、蓄積材料を選択的にエッチングする。一部の実施形態において、選択的エッチングは、フッ化物ラジカルを用いて行われる。一部の実施形態において、フッ化物ラジカルは、処理チャンバ１００内で熱的にＮＦ3から生成される。一部の実施形態において、フッ化物ラジカルは、ＮＦ3にＲＦバイアスを印加することによって形成される。一部の実施形態において、チャンバ内洗浄方法は、基板支持体にバイアスを印加することをさらに含む。一部の実施形態において、チャンバ内洗浄方法は、ペデスタルにバイアスを印加することをさらに含む。一部の実施形態において、フッ化物ラジカルは、１３．５４ＭＨｚ（＜１Ｋワット）の高周波（ＲＦ）で生成される。一部の実施形態において、フッ化物ラジカルは、５００Ｗ～１０００Ｗの範囲のバイアスを印加することによって生成される。一部の実施形態において、フッ化物ラジカルは、１０００Ｗのバイアスを印加することによって生成される。
【0057】
一部の実施形態において、反応物は反応ガスを含む。一部の実施形態において、反応ガスは、１リットル～３リットルの用量で処理キャビティ１０３内に流される。一部の実施形態において、反応ガスは、ＮＦ3、酸素（Ｏ2）、水素（Ｈ2）またはアルゴン（Ａｒ）のうちの１つまたは複数を含む。一部の実施形態において、洗浄モードにあるとき、１リットルのＮＦ3が処理キャビティ１０３内に流される。一部の実施形態において、洗浄モードにあるとき、３リットルの水素（Ｈ2）、酸素（Ｏ2）、またはアルゴン（Ａｒ）のうちの１つまたは複数が処理キャビティ１０３内に流される。一部の実施形態において、反応ガスは、ＮＦ3と、Ｏ2、Ｈ2、またはＡｒのうちの１つまたは複数を含む。一部の実施形態において、反応ガスは、ＮＦ3：Ｈ2比が１：１～１：３の範囲にあるＮＦ3およびＨ2を含む。一部の実施形態において、反応ガスは、ＮＦ3：Ｏ2比が１：１～１：３の範囲にあるＮＦ3およびＯ2を含む。一部の実施形態において、アルゴンは、ＮＦ3、Ｈ2、またはＯ2のうちの１つまたは複数と並行して流される。
【0058】
１つまたは複数の実施形態において、反応ガスは、キャリアガスをさらに含む。一部の実施形態において、キャリアガスは不活性ガスを含む。一部の実施形態において、不活性ガスはＡｒを含む。一部の実施形態において、不活性ガスはＨｅを含む。
【0059】
一部の実施形態において、反応物は、遠隔プラズマ源で生成されたフッ化物ラジカルを含む。一部の実施形態において、本方法は、蓄積材料を選択的にスパッタリングすることを含む。一部の実施形態において、選択的スパッタリングは、フッ化物ラジカルを用いて行われる。一部の実施形態において、フッ化物ラジカルは、反応物入り口１５９を通して注入される。一部の実施形態において、洗浄モードにあるとき、反応物入り口バルブ１６１が開かれ、処理キャビティ１０３と遠隔プラズマ源との間の流体連結を確立する。一部の実施形態において、堆積モードにあるとき、反応物入り口バルブ１６１は閉じられている。
【0060】
一部の実施形態において、ブロック８０４において、反応物は、頂部ガス流路１３３を介してプレナム１４６を通って処理キャビティ１０３から出る。一部の実施形態において、プレナム１４６は、粗引きポンプ１６２および／または軽減アセンブリ１６３を介して排気アセンブリ１６４に動作可能に接続されている。
【0061】
一部の実施形態において、チャンバ内洗浄方法は、シールド１３０、ベローズアセンブリ１３８、ターゲットバッキング板１０５、基板支持体１１０、堆積リング１１５、密封ブラケット１２０、チャンバ本体１５０、静電チャック（ＥＳＣ）パッド、シャフト１７５、フープリフト部品１７７、ターボポンプハウジング１８０、粗引きライン１４７、ターゲット１０７、ターゲットボンド１０６、封じ込めＯリング１５５、排気アセンブリ１６４、または軽減アセンブリ１６３のうちの１つまたは複数のうちの１つまたは複数をコーティング材料でコーティングすることをさらに含む。一部の実施形態において、コーティング材料は、ＺｒＯ2、ＡｌＯx、Ｙ2Ｏ3またはそれらの組合せを含む。一部の実施形態において、コーティング材料は、ＹＦ、ＹＯＦ、ＡｌＯＦ、ＺｒＯ2Ｆ、ＺｒＯ2、ＡｌＯx、Ｙ2Ｏ3またはそれらの組合せを含む。
【0062】
一実施形態では、処理チャンバ１００内に蓄積された蓄積材料は、チャンバ内洗浄方法によって除去される。一部の実施形態において、チャンバ内洗浄方法は、３００ｋＷｈごとに実行される。一部の実施形態において、チャンバ内洗浄方法は、ターゲットごとに１０回実行される。一部の実施形態において、チャンバ内洗浄方法は、３～４日ごとに実行される。
【0063】
一部の実施形態において、チャンバ内洗浄方法は、蓄積材料の粒径を２０ｎｍ～１０μｍの範囲に低減する。
【0064】
一部の実施形態において、チャンバ内洗浄方法は、プロセスキットの目標ライフサイクルを延ばす。一部の実施形態において、チャンバ内洗浄方法は、プロセスパラメータを調整することをさらに含む。一部の実施形態において、プロセスパラメータは、マグネトロンチューニング、反応物注入、同心ガスコンダクタンス経路、またはそれらの組合せを含む。一部の実施形態において、プロセスパラメータは、ターゲットと保護ウエハ（または基板支持体）との間の間隔、マグネトロンチューニング、処理キャビティ内の圧力、Ａｒ対Ｎ2の比、またはＤＣ電力を含む。
【0065】
一部の実施形態において、ＰＶＤにおけるインシトゥＲＦ ＮＦ3洗浄および／または遠隔プラズマ源フッ化物ラジカル洗浄を用いて実行されるチャンバ内洗浄方法は、処理チャンバ１００を開くことなく処理キャビティ１０３を洗浄し、良好な粒子を維持する。
【0066】
前述の明細書において、本開示の実施形態は、その特定の例示的な実施形態を参照して説明されてきた。以下の特許請求の範囲に記載される本開示の実施形態のより広い趣旨および範囲から逸脱することなく、様々な修正が行われ得ることは明らかであろう。したがって、本明細書および図面は、限定的な意味ではなく例示的な意味で考慮されるべきである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【国際調査報告】