特表 2024-523698 再帰的ガスチャネルを有するシャワーヘッドアセンブリ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-06-28

(54)【発明の名称】再帰的ガスチャネルを有するシャワーヘッドアセンブリ

(51)【国際特許分類】

   C23C 16/455 20060101AFI20240621BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20240621BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20240621BHJP

【ＦＩ】

C23C16/455

H01L21/31 C

H01L21/302 101B

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024500113

(86)(22)【出願日】2022-07-07

(85)【翻訳文提出日】2024-02-29

(86)【国際出願番号】 US2022036413

(87)【国際公開番号】W WO2023283375

(87)【国際公開日】2023-01-12

(31)【優先権主張番号】17/370,619

(32)【優先日】2021-07-08

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】ベーンケ， ジョセフ フレデリック

(72)【発明者】

【氏名】ワカバヤシ， レイン テツロウ

(72)【発明者】

【氏名】ウォン， カーラトン

(72)【発明者】

【氏名】フランクリン， ティモシー ジョセフ

(72)【発明者】

【氏名】ソマーズ， ジョセフ エフ．

【テーマコード（参考）】

4K030

5F004

5F045

【Ｆターム（参考）】

4K030CA04

4K030CA12

4K030EA04

4K030EA05

4K030EA06

4K030FA01

4K030GA02

4K030JA10

4K030JA16

4K030KA17

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4K030KA23

4K030KA25

4K030KA26

4K030KA39

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4K030KA46

4K030KA47

4K030LA15

5F004BA04

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5F004BB22

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5F004BB29

5F004BD04

5F004CA06

5F045EB03

5F045EC02

5F045EF05

5F045EF11

5F045EH14

5F045EH20

5F045EJ03

5F045EK07

5F045EK22

5F045EM05

5F045EM07

(57)【要約】

シャワーヘッドの実施形態が本明細書で提供される。一部の実施形態において、シャワーヘッドアセンブリは、ガスプレートおよび冷却プレートを備えるチルプレートであって、ガスプレートを冷却プレートに拡散接合するためにガスプレートと冷却プレートとの間に配されたアルミニウムシリコン箔中間層を有する、チルプレートと、第１のプレート、第２のプレート、および第３のプレートを備えるヒータプレートと、を備え、第１のプレートを冷却プレートに拡散接合するために第１のプレートと冷却プレートとの間にアルミニウムシリコン箔中間層が配され、第１のプレートを第２のプレートに拡散接合するために第１のプレートと第２のプレートとの間にアルミニウムシリコン箔中間層が配され、第２のプレートを第３のプレートに拡散接合するために第２のプレートと第３のプレートとの間にアルミニウムシリコン箔中間層が配される。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板処理チャンバ内で使用するためのシャワーヘッドアセンブリであって、
ガスプレートおよび冷却プレートを備えるチルプレートであって、前記ガスプレートを前記冷却プレートに拡散接合するために前記ガスプレートと前記冷却プレートとの間に配されたアルミニウムシリコン箔中間層を有する、チルプレートと、
第１のプレート、第２のプレート、および第３のプレートを備えるヒータプレートと
を備え、前記第１のプレートを前記冷却プレートに拡散接合するために前記第１のプレートと前記冷却プレートとの間にアルミニウムシリコン箔中間層が配され、前記第１のプレートを前記第２のプレートに拡散接合するために前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間にアルミニウムシリコン箔中間層が配され、前記第２のプレートを前記第３のプレートに拡散接合するために前記第２のプレートと前記第３のプレートとの間にアルミニウムシリコン箔中間層が配される、シャワーヘッドアセンブリ。

【請求項2】

上部プレートをさらに備え、前記上部プレートを前記ガスプレートに拡散接合するために前記上部プレートと前記ガスプレートとの間にアルミニウムシリコン箔中間層が配される、請求項１に記載のシャワーヘッドアセンブリ。

【請求項3】

底プレートをさらに備え、前記冷却プレートを前記底プレートに拡散接合するために前記冷却プレートと前記底プレートとの間にアルミニウムシリコン箔中間層が配される、請求項１に記載のシャワーヘッドアセンブリ。

【請求項4】

前記底プレートを前記第１のプレートに拡散接合するために前記底プレートと前記第１のプレートとの間にアルミニウムシリコン箔中間層が配される、請求項３に記載のシャワーヘッドアセンブリ。

【請求項5】

前記ガスプレートを前記冷却プレートに拡散接合するために、前記第１のプレートを前記冷却プレートに拡散接合するために、前記第１のプレートを前記第２のプレートに拡散接合するために、かつ前記第２のプレートを前記第３のプレートに拡散接合するために使用される前記アルミニウムシリコン箔中間層が、約８０重量パーセントのアルミニウムおよび約２０重量パーセントのシリコンを有する、請求項１に記載のシャワーヘッドアセンブリ。

【請求項6】

前記ガスプレートを前記冷却プレートに拡散接合するために、前記第１のプレートを前記冷却プレートに拡散接合するために、前記第１のプレートを前記第２のプレートに拡散接合するために、かつ前記第２のプレートを前記第３のプレートに拡散接合するために使用される前記アルミニウムシリコン箔中間層が、共晶または近共晶化合物である、請求項５に記載のシャワーヘッドアセンブリ。

【請求項7】

前記チルプレートが、
互いに流体的に独立している前記チルプレート内に配された複数の再帰的ガス経路と、前記チルプレート内に配された１つまたは複数の冷却チャネルと
をさらに備え、前記複数の再帰的ガス経路のそれぞれが、前記チルプレートの第１の側面まで延びる単一のガス入口および前記チルプレートの第２の側面まで延びる複数のガス出口に流体結合され、
前記ヒータプレートが、前記ヒータプレート内に配された１つまたは複数の加熱要素と、前記ヒータプレートの上面から前記ヒータプレート内に流体的に独立して配された複数のプレナムまで延びる複数の第１のガス分配孔であって、前記チルプレートの前記複数のガス出口と一致する、複数の第１のガス分配孔と、前記複数のプレナムから前記ヒータプレートの下側表面まで延びる複数の第２のガス分配孔と、を含む、請求項１から６のいずれか一項に記載のシャワーヘッドアセンブリ。

【請求項8】

上側電極をさらに備え、前記上側電極は、前記ヒータプレートに結合され、かつ、前記上側電極の上面から、前記ヒータプレートの複数の第２のガス分配孔の位置に対応する位置で、前記上側電極の下側表面まで延びる複数の第３のガス分配孔を有する、請求項７に記載のシャワーヘッドアセンブリ。

【請求項9】

前記チルプレートと前記ヒータプレートとの間に配された第１のサーマルガスケットシートと、前記ヒータプレートと前記上側電極との間に配された第２のサーマルガスケットシートと、をさらに備える、請求項８に記載のシャワーヘッドアセンブリ。

【請求項10】

前記複数の再帰的ガス経路が、前記チルプレートの２つの層に沿って配される、請求項７に記載のシャワーヘッドアセンブリ。

【請求項11】

前記ガスプレートが、上部プレートに結合される第１の側面および前記冷却プレートに結合される第２の側面と、前記ガスプレートの反対側で前記冷却プレートに結合される底プレートと、を有し、前記複数の再帰的ガス経路のうちの少なくとも１つが、前記ガスプレートの前記第１の側面および前記第２の側面上に配され、前記１つまたは複数の冷却チャネルが前記冷却プレート内に配される、請求項７に記載のシャワーヘッドアセンブリ。

【請求項12】

前記複数の再帰的ガス経路のそれぞれが、前記単一のガス入口から前記複数のガス出口の各ガス出口までの実質的に同等の流路を有する、請求項７に記載のシャワーヘッドアセンブリ。

【請求項13】

前記ヒータプレートの前記１つまたは複数の加熱要素が、前記シャワーヘッドアセンブリの２つ以上の加熱ゾーンを画定する、請求項７に記載のシャワーヘッドアセンブリ。

【請求項14】

前記第１のプレートが、前記１つまたは複数の加熱要素を収容するための複数のチャネルを有し、前記第２のプレートが、前記複数のチャネルを覆うように前記第１のプレートに結合され、前記第３のプレートが、前記第１のプレートの反対側の側面上で前記第２のプレートに結合され、前記第３のプレートが、前記複数のプレナムを画定する第２の複数のチャネルを有する、請求項７に記載のシャワーヘッドアセンブリ。

【請求項15】

前記複数の再帰的ガス経路が４つの再帰的ガス経路を含み、前記複数のプレナムが、前記シャワーヘッドアセンブリの下側表面に４つのガス分配ゾーンを画定するために４つのプレナムを含む、請求項７に記載のシャワーヘッドアセンブリ。

【請求項16】

プロセスチャンバであって、
中に内部空間を画定するチャンバ本体と、
基板を支持するために前記内部空間内に配された基板支持体と、
前記内部空間内の、前記基板支持体とは反対側に配された、請求項１から６のいずれか一項に記載のシャワーヘッドアセンブリと
を備える、プロセスチャンバ。

【請求項17】

前記チルプレートが、
互いに流体的に独立している、前記チルプレート内に配された複数の再帰的ガス経路と、前記チルプレート内に配された１つまたは複数の冷却チャネルと
をさらに備え、前記複数の再帰的ガス経路のそれぞれが、前記チルプレートの第１の側面まで延びる単一のガス入口および前記チルプレートの第２の側面まで延びる複数のガス出口に流体結合され、
前記ヒータプレートが、前記ヒータプレート内に配された１つまたは複数の加熱要素と、前記ヒータプレートの上面から前記ヒータプレート内に流体的に独立して配される複数のプレナムまで延びる複数の第１のガス分配孔であって、前記チルプレートの前記複数のガス出口と一致する、複数の第１のガス分配孔と、前記複数のプレナムから前記ヒータプレートの下側表面まで延びる複数の第２のガス分配孔と、を含む、請求項１６に記載のプロセスチャンバ。

【請求項18】

アルミニウムシリコン箔中間層が、前記底プレートを前記第１のプレートに拡散接合するために前記底プレートと前記第１のプレートとの間に配される、請求項１７に記載のプロセスチャンバ。

【請求項19】

複数の再帰的ガス経路が、前記チルプレートの２つの層に沿って配される、請求項１６に記載のプロセスチャンバ。

【請求項20】

基板処理チャンバ内で使用するためのシャワーヘッドアセンブリの製造方法であって、
チルプレートのガスプレートと前記チルプレートの冷却プレートとの間にアルミニウムシリコン箔中間層を設けること、および前記ガスプレートを前記冷却プレートに拡散接合することと、
ヒータプレートの第１のプレートと前記冷却プレートとの間にアルミニウムシリコン箔中間層を設けること、および前記第１のプレートを前記冷却プレートに拡散接合することと、
前記ヒータプレートの前記第１のプレートと第２のプレートとの間にアルミニウムシリコン箔中間層を設けること、および前記第１のプレートを前記第２のプレートに拡散接合することと、
前記ヒータプレートの前記第２のプレートと第３のプレートとの間にアルミニウムシリコン箔中間層を設けること、および前記第２のプレートを前記第３のプレートに拡散接合することと
を含む、シャワーヘッドアセンブリの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示の実施形態は、一般に基板処理装置に関し、より詳細には、基板処理装置と共に使用するためのシャワーヘッドに関する。

【背景技術】

【0002】

半導体プロセスチャンバ（例えば、堆積チャンバ、エッチチャンバなど）内で利用される従来のシャワーヘッドアセンブリは、典型的には、プロセス容積内への多数のガス注入点をもたらすために複数のガス出口に流体結合される単一のガス入口を含む。多数のガス注入点は、プロセスチャンバ内で処理されている基板の上により均等な流れ分配をもたらす。本発明者らは、単一のガス入口を複数のガス出口に分割するために溶接物を使用すると、漏出および保守性の問題が生じ得ることを観察している。加えて、単一のガス入口を複数のガス出口に分割するために溶接物を使用すると、シャワーヘッドアセンブリの全厚が望ましくないほど増大し得る。

【0003】

したがって、本発明者らは、改良型シャワーヘッドアセンブリの実施形態を提供している。

【発明の概要】

【0004】

基板処理チャンバ内で使用するためのシャワーヘッドの実施形態が、本明細書で提供される。一部の実施形態において、基板処理チャンバ内で使用するためのシャワーヘッドアセンブリが、ガスプレートおよび冷却プレートを備えるチルプレートであって、ガスプレートを冷却プレートに拡散接合するためにガスプレートと冷却プレートとの間に配されたアルミニウムシリコン箔中間層を有する、チルプレートと、第１のプレート、第２のプレート、および第３のプレートを備えるヒータプレートと、を備え、第１のプレートを冷却プレートに拡散接合するために第１のプレートと冷却プレートとの間にアルミニウムシリコン箔中間層が配され、第１のプレートを第２のプレートに拡散接合するために第１のプレートと第２のプレートとの間にアルミニウムシリコン箔中間層が配され、第２のプレートを第３のプレートに拡散接合するために第２のプレートと第３のプレートとの間にアルミニウムシリコン箔中間層が配される。

【0005】

一部の実施形態において、プロセスチャンバが、中に内部空間を画定するチャンバ本体と、基板を支持するために内部空間内に配された基板支持体と、内部空間内の、基板支持体とは反対側に配されたシャワーヘッドアセンブリと、を備え、シャワーヘッドアセンブリは、ガスプレートおよび冷却プレートを備えるチルプレートであって、ガスプレートを冷却プレートに拡散接合するためにガスプレートと冷却プレートとの間に配されたアルミニウムシリコン箔中間層を有する、チルプレートと、第１のプレート、第２のプレート、および第３のプレートを備えるヒータプレートと、を備え、第１のプレートを冷却プレートに拡散接合するために第１のプレートと冷却プレートとの間にアルミニウムシリコン箔中間層が配され、第１のプレートを第２のプレートに拡散接合するために第１のプレートと第２のプレートとの間にアルミニウムシリコン箔中間層が配され、第２のプレートを第３のプレートに拡散接合するために第２のプレートと第３のプレートとの間にアルミニウムシリコン箔中間層が配される。

【0006】

一部の実施形態において、基板処理チャンバ内で使用するためのシャワーヘッドアセンブリの製造方法が、チルプレートのガスプレートとチルプレートの冷却プレートとの間にアルミニウムシリコン箔中間層を設けること、およびガスプレートを冷却プレートに拡散接合することと、ヒータプレートの第１のプレートと冷却プレートとの間にアルミニウムシリコン箔中間層を設けること、および第１のプレートを冷却プレートに拡散接合することと、ヒータプレートの第１のプレートと第２のプレートとの間にアルミニウムシリコン箔中間層を設けること、および第１のプレートを第２のプレートに拡散接合することと、ヒータプレートの第２のプレートと第３のプレートとの間にアルミニウムシリコン箔中間層を設けること、および第２のプレートを第３のプレートに拡散接合することと、を含む。

【0007】

本開示の他の、およびさらなる実施形態が、下記で説明される。

【0008】

上記で簡潔に約言され、下記でより詳細に論考される、本開示の実施形態は、添付される図面において描写される本開示の例示的な実施形態への参照により理解され得る。しかしながら、添付される図面は、本開示の単に典型的な実施形態を例示するものであり、それゆえに、範囲について制限的と考えられるべきではなく、なぜならば、本開示は、他の等しく効果的な実施形態を認めることがあるからである。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】本開示の一部の実施形態によるプロセスチャンバの概略側面視図である。

【図2】本開示の一部の実施形態によるシャワーヘッドアセンブリの断面視図である。

【図3】本開示の一部の実施形態によるシャワーヘッドアセンブリのガスプレートの上面視図である。

【図4】本開示の一部の実施形態によるシャワーヘッドアセンブリのガスプレートの底面視図である。

【図5】本開示の一部の実施形態によるシャワーヘッドアセンブリのチルプレートの断面底面視図である。

【図6】本開示の一部の実施形態によるシャワーヘッドアセンブリのヒータプレートの断面上面視図である。

【図7】本開示の一部の実施形態によるシャワーヘッドアセンブリのヒータプレートの断面上面視図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

理解を手助けするために、同一の参照番号が、図に共通である同一の要素を記号表示するために、可能な場合に使用されている。図は、一定の縮尺では描画されず、明確さのために単純化されることがある。１つの実施形態の要素および特徴は、さらなる詳説なしに、他の実施形態に有益に組み込まれることがある。

【0011】

プロセスチャンバ内で使用するためのシャワーヘッドアセンブリの実施形態が本明細書において提供される。シャワーヘッドアセンブリは、処理チャンバ内で処理されている基板へのプロセスガスの流れを促進するように構成される。一部の実施形態において、シャワーヘッドアセンブリは、高電力供給のために動作するように構成される。シャワーヘッドアセンブリは、シャワーヘッドアセンブリを加熱するように構成されたヒータプレートを含む。シャワーヘッドアセンブリは、シャワーヘッドアセンブリを冷却するために、冷却チャネルが貫通しているチルプレートを含む。シャワーヘッドアセンブリは、単一のガス入口から複数のガス出口まで延びる１つまたは複数の再帰的ガス経路を含む。一部の実施形態において、１つまたは複数の再帰的ガス経路は、シャワーヘッドアセンブリの厚さを最小にするためにチルプレート内に有利に配される。

【0012】

少なくとも一部の実施形態において、チルプレートは、ガスプレートを冷却プレートに拡散接合するのを助けるために、ガスプレートと冷却プレートとの間に配された共晶または近共晶アルミニウムシリコン箔中間層を有するガスプレートおよび冷却プレートを備える。さらに、ヒータプレートは、第１のプレート、第２のプレート、および第３のプレートを備え、第１のプレートを冷却プレートに拡散接合するのを助けるために第１のプレートと冷却プレートとの間に共晶または近共晶アルミニウムシリコン箔中間層が配され、第１のプレート、第２のプレート、および第３のプレートのうちの１つまたは複数を互いに拡散接合するのを助けるために、第１のプレート、第２のプレート、および第３のプレートのうちの１つまたは複数の間に共晶または近共晶アルミニウムシリコン箔中間層が配される。

【0013】

図１は、本開示の一部の実施形態によるプロセスチャンバの一部分の概略側面視図を示す。一部の実施形態において、プロセスチャンバはエッチ処理チャンバである。しかしながら、異なるプロセスのために構成される他の型の処理チャンバが、さらには、本明細書に記載のシャワーヘッドアセンブリの実施形態を使用し得るか、またはこのシャワーヘッドアセンブリの実施形態と共に使用するために修正され得る。

【0014】

プロセスチャンバ１００は、基板処理中に内部空間１２０の中の準大気圧を維持するように好適に適合させられる真空チャンバである。プロセスチャンバ１００は、側壁と底部壁とを有するチャンバ本体１０６を含む。チャンバ本体１０６は、リッド１０４によりカバーされ、チャンバ本体１０６およびリッド１０４は、一緒に、内部空間１２０を画定する。チャンバ本体１０６およびリッド１０４は、アルミニウムなどの金属から作製されることがある。チャンバ本体１０６は、接地１１５への結合によって接地されることがある。

【0015】

基板支持体１２４が、例えば半導体ウエハなどの基板１２２、または、他の、静電的に保持され得るような基板を支持および保持するために、内部空間１２０の中に配される。基板支持体１２４は、一般的には、ペデスタル１２８と、ペデスタル１２８を支持するための中空支持シャフト１１２とを備えることがある。ペデスタル１２８は、静電チャック１５０を含むことがある。静電チャック１５０は、内に配される１つまたは複数の電極１５４を有する誘電体プレートを備える。中空支持シャフト１１２は、例えば、ペデスタル１２８に、裏側ガス、プロセスガス、流体、冷却剤、電力、または類するものを提供するための導管をもたらす。

【0016】

基板支持体１２４は、静電チャック１５０に対する、チャック電力供給１４０およびＲＦ源（例えば、ＲＦバイアス電力供給１１７またはＲＦプラズマ電力供給１７０）に結合される。一部の実施形態において、裏側ガス供給１４２が、チャンバ本体１０６の外方に配され、静電チャック１５０に熱移送ガスを供給する。一部の実施形態において、ＲＦバイアス電力供給１１７は、１つまたは複数のＲＦマッチネットワーク１１６を介して、静電チャック１５０に結合される。一部の実施形態において、基板支持体１２４は、代替法として、ＡＣまたはＤＣバイアス電力を含むことがある。

【0017】

プロセスチャンバ１００はまた、ガス供給１１８に結合され、ガス供給１１８と流体連結し、ガス供給１１８は、プロセスチャンバ１００内に配された基板１２２を処理するために、プロセスチャンバ１００に１つまたは複数のプロセスガスを供給することができる。シャワーヘッドアセンブリ１３２が、内部空間１２０内の基板支持体１２４とは反対側に配される。一部の実施形態において、シャワーヘッドアセンブリ１３２はリッド１０４に結合される。シャワーヘッドアセンブリ１３２および基板支持体１２４は、シャワーヘッドアセンブリ１３２と基板支持体１２４との間に処理量１４４を部分的に画定する。シャワーヘッドアセンブリ１３２は、１つまたは複数のプロセスガスをガス供給１１８から処理量１４４内へ分配するための、複数の開口を含む。シャワーヘッドアセンブリ１３２はチルプレート１３８を含み、これはシャワーヘッドアセンブリ１３２および孔／チャネル（以下でより詳細に説明される）の温度を制御してチルプレート１３８を通るガス流路を提供するためのものである。シャワーヘッドアセンブリ１３２は、チルプレート１３８に結合されたヒータプレート１４１を含む。ヒータプレート１４１は、シャワーヘッドアセンブリ１３２の温度を制御するとともに、ヒータプレート１４１を通るガス流路を提供するための孔／チャネル（以下でより詳細に説明される）を含めるために、ヒータプレート１４１内に配されるかまたは埋め込まれた１つまたは複数の加熱要素を含む。一部の実施形態において、シャワーヘッドアセンブリ１３２は、ヒータプレート１４１に結合された上側電極１３６を含む。上側電極１３６は、内部空間１２０内の基板支持体１２４とは反対側に配される。上側電極１３６は、１つまたは複数のプロセスガスに点火するために、１つまたは複数の電源（例えば、ＲＦプラズマ電力供給１７０）に結合される。一部の実施形態において、上側電極１３６は、単結晶シリコンまたは他のシリコン含有材料を備える。

【0018】

ライナ１０２が、プラズマを内部空間１２０内に閉じ込めるために、内部空間１２０内に、基板支持体１２４およびシャワーヘッドアセンブリ１３２の少なくとも一方の周囲に配される。一部の実施形態において、ライナ１０２は、アルミニウムまたはシリコン含有材料などの、好適なプロセス材料から作製される。ライナ１０２は、上側ライナ１６０と、下側ライナ１６２とを含む。上側ライナ１６０は、上記で述べられた材料のいずれかから作製されることがある。一部の実施形態において、下側ライナ１６２は、上側ライナ１６０と同じ材料から作製される。一部の実施形態において、上側ライナ１６０は、上側電極１３６の階段状外面１８８と一致する階段状内面を含む。

【0019】

下側ライナ１６２は、ポンプポート１４８（下記で論考される）へのプロセスガスの流れ経路をもたらすために、下側ライナ１６２の周囲に配置構成される複数の半径方向スロット１６４を含む。一部の実施形態において、ライナ１０２は、シャワーヘッドアセンブリ１３２およびペデスタル１２８と共に、処理量１４４を少なくとも部分的に画定する。一部の実施形態において、シャワーヘッドアセンブリ１３２の外側直径は、ライナ１０２の外側直径よりも小さくかつライナ１０２の内側直径よりも大きい。ライナ１０２は、基板１２２をプロセスチャンバ１００の内外へ移動させるための、チャンバ本体１０６内のスリット１０３と一致する開口１０５を含む。

【0020】

一部の実施形態において、ライナ１０２は、あらかじめ決定された温度にライナ１０２を加熱するために、ヒータリング１８０に結合される。一部の実施形態において、ライナ１０２は、１つまたは複数のファスナ１５８を介して、ヒータリング１８０に結合される。ヒータ電源１５６が、ヒータリング１８０およびライナ１０２を加熱するために、ヒータリング１８０内の１つまたは複数の加熱エレメントに結合される。

【0021】

プロセスチャンバ１００は、プロセスチャンバ１００を排気するために使用される、スロットルバルブと真空ポンプとを含む、真空システム１１４に結合され、その真空システム１１４と流体連結する。プロセスチャンバ１００の内方の圧力は、スロットルバルブおよび／または真空ポンプを調整することにより調節されることがある。真空システム１１４は、ポンプポート１４８に結合されることがある。

【0022】

一部の実施形態において、ライナ１０２は、下側トレイ１１０によって支えられる。下側トレイ１１０は、複数の半径方向スロット１６４からポンプポート１４８に、１つまたは複数のプロセスガスおよび処理副生成物の流れを指向するように構成される。一部の実施形態において、下側トレイ１１０は、外側側壁１２６と、内側側壁１３０と、外側側壁１２６から内側側壁１３０に広がる下側壁１３４とを含む。外側側壁１２６、内側側壁１３０、および下側壁１３４は、それらの外側側壁１２６と、内側側壁１３０と、下側壁１３４との間に排気容積１８４を画定する。一部の実施形態において、外側側壁１２６および内側側壁１３０は環状である。下側壁１３４は、排気容積１８４を真空システム１１４に流体結合するために、１つまたは複数の開口１８２（１つが図１において示される）を含む。下側トレイ１１０は、ポンプポート１４８によって支えられ、または、ポンプポート１４８に別法で結合されることがある。一部の実施形態において、下側トレイ１１０は、チャンバ部品、例えば、基板支持体１２４のペデスタル１２８を収容するために、内側側壁１３０から半径方向に内向きに広がるレッジ１５２を含む。一部の実施形態において、下側トレイ１１０は、接地経路をもたらすために、アルミニウムなどの導電性材料から作製される。

【0023】

動作において、例えば、プラズマが、１つまたは複数のプロセスを実行するために、処理量１４４内で作られることがある。プラズマは、プロセスガスに点火し、プラズマを作るために、プラズマ電源（例えば、ＲＦプラズマ電力供給１７０）からの電力を、内部空間１２０の付近または中の、１つまたは複数の電極（例えば、上側電極１３６）を介して、プロセスガスに結合することにより作られることがある。バイアス電力が、さらには、プラズマから基板１２２に向けてイオンを引き付けるために、バイアス電力供給（例えば、ＲＦバイアス電力供給１１７）から、静電チャック１５０の中の１つまたは複数の電極１５４に提供されることがある。

【0024】

プラズマシースは、基板１２２のエッジにおいて曲がり得るものであり、イオンがプラズマシースに直角をなして加速することを引き起こす。イオンは、プラズマシースにおける曲がりにより、基板エッジにおいて集束または偏向させられ得る。一部の実施形態において、基板支持体１２４は、静電チャック１５０の周りに配されるエッジリング１４６を含む。一部の実施形態において、エッジリング１４６および静電チャック１５０は、基板受け表面を画定する。エッジリング１４６は、プラズマシースの曲がりを制御および／または低減するために、ＲＦバイアス電力供給１１７、または、第２のＲＦバイアス電力供給（示されない）などの電源に結合されることがある。

【0025】

図２は、本開示の一部の実施形態によるシャワーヘッドアセンブリ１３２の断面視図を示す。シャワーヘッドアセンブリ１３２は、チルプレート１３８内に配されるかまたは埋め込まれた１つまたは複数の冷却チャネル２０４を有するチルプレート１３８を含む。シャワーヘッドアセンブリ１３２は、チルプレート１３８に結合されたヒータプレート１４１を含む。ヒータプレート１４１は、ヒータプレート１４１内に配されるかまたは埋め込まれた１つまたは複数の加熱要素２０８を含む。１つまたは複数の加熱要素２０８は、シャワーヘッドアセンブリ１３２の２つ以上のガスゾーンに対して独立した温度制御を行うために、１つまたは複数の加熱ゾーン内に配置され得る。１つまたは複数の加熱要素２０８は、１つまたは複数の電力供給２９０に結合される。シャワーヘッドアセンブリ１３２は、互いに流体独立しておりかつシャワーヘッドアセンブリ１３２を通って延びる複数のガス流路を含む。一部の実施形態において、チルプレート１３８はアルミニウムから作製される。一部の実施形態において、ヒータプレート１４１はアルミニウムから作製される。

【0026】

チルプレート１３８は、互いに流体独立しておりかつシャワーヘッドアセンブリ１３２の２つ以上のガスゾーンに対応している、チルプレート１３８内に配された複数の再帰的ガス経路２０６を含む。例えば、複数の再帰的ガス経路２０６は、２つ、３つ、または４つの再帰的ガス経路（図３および図４には２つの再帰的ガス経路が示されている）を備えることができる。複数の再帰的ガス経路２０６はそれぞれ、チルプレート１３８の第１の側面２１８まで延びる単一のガス入口とチルプレート１３８の第２の側面２２４まで延びる複数のガス出口２４８とに流体結合される。再帰的ガス経路２０６はそれぞれ、単一のガス入口から複数のガス出口２４８のそれぞれのガス出口までの実質的に同等の流路（すなわち、実質的に同等の軸方向長さおよび断面積）を備えることができる。一部の実施形態において、実質的に同等の流路が、互いの１０％以内である長さを備えることができる。実質的に同等の流路は、シャワーヘッドアセンブリ１３２を通り処理量１４４内へのより均一なガス分配を有利にもたらす。

【0027】

一部の実施形態において、複数の再帰的ガス経路２０６は、チルプレート１３８の周囲に共通平面（すなわち単一層）に沿って配される。一部の実施形態において、複数の再帰的ガス経路２０６のうちの少なくとも１つが、チルプレート１３８の周囲に２つ以上の平面（すなわち２つ以上の層）に沿って配され、そこで接続チャネル（接続チャネル２２０など）が複数の再帰的ガス経路２０６の複数の層を結合する。２つ以上の層により、単一層に比べて、複数の再帰的ガス経路２０６がチルプレート１３８内に延びるための容積の増大が有利に可能になる。図２は、２つの平面に沿って配された複数の再帰的ガス経路２０６のうちの少なくとも１つを示す。

【0028】

一部の実施形態において、チルプレート１３８は、互いに結合された１つまたは複数のプレートを備える。図２に示されているように、一部の実施形態において、チルプレート１３８は、上部プレート２２８に結合された第１の側面２３８と冷却プレート２３２に結合された第２の側面２４０とを有するガスプレート２３０を含む。上部プレート２２８の底面は、１つまたは複数の接合プロセス、例えば、ろう付け、拡散接合などにより、ガスプレート２３０の上面に結合される。例えば、少なくとも一部の実施形態において、上部プレート２２８の底面は、拡散接合を助けるために共晶または近共晶（例えば、５７７℃）アルミニウムシリコン箔中間層２２９（中間層２２９）を使用してガスプレート２３０の上面に結合される。少なくとも一部の実施形態において、中間層２２９は、約１ミルから約１０ミルの厚さを有することができる。さらに、ガスプレート２３０の底面は、やはり拡散接合を助けるために中間層２２９を使用して冷却プレート２３２の上面に結合される。冷却プレート２３２は、冷却プレート２３２のガスプレート２３０とは反対側で底プレート２３４に結合される。冷却プレート２３２の底面は、拡散接合を助けるために中間層２２９を使用して底プレート２３４の上面に結合され得る。同様に、底プレート２３４の底面は、下記でより詳細に記述されるように、ヒータプレート１４１のプレートのうちの１つまたは複数に結合され得る。

【0029】

少なくとも一部の実施形態において、上述のプレートを互いに拡散接合するために使用される中間層２２９は、同じでも異なっていてもよい。例えば、中間層２２９に使用されるシリコンに対するアルミニウムの重量パーセントは、異なるプレートの間で様々であることができる。例えば、少なくとも一部の実施形態において、上部プレート２２８の底面をガスプレート２３０の上面に拡散接合するために使用される中間層２２９は、約８８重量パーセントアルミニウムおよび約１２重量パーセントシリコンを有することができる。同様に、ガスプレート２３０の底面を冷却プレート２３２の上面に拡散接合するために使用される中間層２２９は、約８０重量パーセントのアルミニウムおよび約２０重量パーセントのシリコンを有することができ、冷却プレート２３２の底面を底プレート２３４の上面に拡散接合するために使用される中間層２２９は、約８８重量パーセントアルミニウムおよび約１２重量パーセントシリコンを有することができる。

【0030】

１つまたは複数の冷却チャネル２０４は、冷却プレート２３２の底面２４２に沿って配される。一部の実施形態において、複数の再帰的ガス経路２０６は、ガスプレート２３０の第１の側面２３８および第２の側面２４０の少なくとも一方上に配される。一部の実施形態において、複数の再帰的ガス経路２０６のうちの１つまたは複数は、複数の再帰的ガス経路２０６がチルプレート１３８内に２つの層に沿って配される実施形態では第１の側面２３８と第２の側面２４０の両方に配される。このような実施形態では、２つの層に沿って位置する再帰的ガス経路は、２つの層を流体結合する接続チャネル２２０を含む。再帰的ガス経路２０６が３つ以上の層に沿って配されている実施形態では、ガスプレート２３０は、互いに結合された２つ以上のプレートを備えることができる。底プレート２３４は、複数のガス出口２４８を少なくとも部分的に画定する開口を含む。

【0031】

一部の実施形態において、第１のガス入口２１２が、チルプレート１３８の第１の側面２１８（すなわちプレート２２８の上面）から複数の再帰的ガス経路２０６のうちの第１の再帰的ガス経路３１０（図３参照）まで延びる。一部の実施形態において、第２のガス入口２１６が、チルプレート１３８の第１の側面２１８から複数の再帰的ガス経路２０６のうちの第２の再帰的ガス経路３３０（図３参照）まで延びる。

【0032】

一部の実施形態において、複数の再帰的ガス経路２０６のそれぞれがガス供給１１８に結合される。ガス供給は、再帰的ガス経路のうちの任意の１つまたは複数に１つまたは複数のプロセスガスを供給するように構成され得る。例えば、一部の実施形態において、ガス供給１１８は、第１の再帰的ガス経路３１０および第２の再帰的ガス経路３３０のそれぞれに単一のプロセスガスを供給するように構成される。一部の実施形態において、ガス供給１１８は、第１のプロセスガスまたはガス状混合物を１つまたは複数の第１の再帰的ガス経路３１０および第２の再帰的ガス経路３３０に供給し、第２のプロセスガスまたはガス状混合物を第１の再帰的ガス経路３１０および第２の再帰的ガス経路３３０の残り部分に供給するように構成される。一部の実施形態において、ガス供給１１８は、異なるプロセスガスまたはガス状混合物を再帰的ガス経路のそれぞれに供給するように構成される。

【0033】

ヒータプレート１４１は１つまたは複数の加熱要素２０８を含む。一部の実施形態において、ヒータプレート１４１は、ヒータプレート１４１の上面２５０から、流体独立しておりかつヒータプレート１４１内に配されている複数のプレナム２５６まで延びる複数の第１のガス分配孔２５２を含む。複数の第２のガス分配孔２５４が、ヒータプレート１４１を通るガス流路を提供するために、複数のプレナム２５６からヒータプレートの下側表面２５８まで延びる。一部の実施形態において、複数の第２のガス分配孔２５４は、１つまたは複数のプロセスガスを処理量１４４内へより均一に分散させるために、複数の第１のガス分配孔２５２よりも多い孔を備える。

【0034】

複数の第１のガス分配孔２５２は、チルプレート１３８の複数のガス出口２４８に整列される。一部の実施形態において、複数のプレナム２５６は複数の再帰的ガス経路２０６と一致する。一部の実施形態において、シャワーヘッドアセンブリ１３２は、ヒータプレート１４１に結合された上側電極１３６を含む。上側電極１３６は、上側電極の上面２７６においてヒータプレート１４１の複数の第２のガス分配孔２５４の位置に対応する位置から、上側電極１３６の下側表面２７８まで延びる複数の第３のガス分配孔２７４を含む。一部の実施形態において、複数の第３のガス分配孔２７４は、約１０ミルから約５０ミルの直径を有する。上側電極１３６、ヒータプレート１４１、およびチルプレート１３８は、ファスナ、ばねテンショナ、または類するものを介して互いに結合され得る。

【0035】

一部の実施形態において、互いに流体独立している、シャワーヘッドアセンブリ１３２を通る複数のガス流路はそれぞれ、チルプレート１３８を貫通して、チルプレート１３８の第１の側面２１８上の当該ガス入口からチルプレート１３８内の再帰的流路を経由して、チルプレート１３８の第２の側面２２４まで延びる当該複数のガス出口（例えば、ガス出口２４８）まで延び、ヒータプレート１４１を貫通して、複数の第１のガス分配孔２５４のうちの当該孔、複数のプレナム２５６のうちの当該プレナム、および複数の第２のガス分配孔２５４のうちの当該孔を経由して延び、上側電極１３６を貫通して、複数の第３のガス分配孔２７４を経由して延びる。例えば、第１のガス流路が、第１の再帰的ガス経路４１０に関連する複数のガス出口２４８から第１のガス分配孔２５２のうちの対応するガス分配孔を通り、複数のプレナム２５６のうちの第１のプレナム内へ延びる。同様に、第２のガス流路が、第２の再帰的ガス経路３３０に関連する複数のガス出口２４８から第１のガス分配孔２５２のうちの対応するガス分配孔を通り、複数のプレナム２５６のうちの第２のプレナム内へ延びる。

【0036】

一部の実施形態において、ヒータプレート１４１は、互いに結合された１つまたは複数のプレートを備える。一部の実施形態において、ヒータプレート１４１は、第２のプレート２６４に結合された第１のプレート２６２を含む。上述のように、底プレート２３４の底面が、ヒータプレート１４１のうちの１つまたは複数のプレートに結合され得る。例えば、少なくとも一部の実施形態において、底プレート２３４の底面は、拡散接合を助けるために中間層２２９を使用して第１のプレート２６２の上面に結合され得る。代替法として、底プレート２３４が使用されない場合、冷却プレート２３２の底面は、拡散接合を助けるために中間層２２９を使用して第１のプレート２６２の上面に結合され得る。さらに、少なくとも一部の実施形態において、第１のプレート２６２の底面が、拡散接合を助けるために中間層２２９を使用して第２のプレート２６４の上面に結合され得る。１つまたは複数の加熱要素２０８は複数のチャネル２６８内に配される。一部の実施形態において、複数のチャネル２６８は第１のプレート２６２内に配される。一部の実施形態において、複数のチャネル２６８は第２のプレート２６４内に配される。一部の実施形態において、複数のチャネル２６８は、第１のプレート２６２と第２のプレート２６４の両方によって画定される。一部の実施形態において、第１のプレート２６２および第２のプレート２６４は共に複数のチャネル２６８を含む。一部の実施形態において、第３のプレート２６６が、第２のプレート２６４の第１のプレート２６２とは反対側の側面上で第２のプレート２６４に結合される。少なくとも一部の実施形態において、第２のプレート２６４の底面が、拡散接合を助けるために中間層２２９を使用して第３のプレート２６６の上面に結合され得る。一部の実施形態において、第３のプレート２６６は、複数のプレナム２５６を画定する第２の複数のチャネル２７２を含む。上述のように、第１のプレートを第３のプレートに互いに対して拡散接合するために使用される中間層２２９は、例えば、上述したシリコンに対するアルミニウムの重量パーセンテージを使用して、同じでも異なっていてもよい。

【0037】

１つまたは複数の随意のサーマルガスケットが、チルプレート１３８とヒータプレート１４１との間の強化された熱的結合ならびに圧縮インターフェースをもたらすために、チルプレート１３８とヒータプレート１４１との間に配され得る。例えば、一部の実施形態において、第１のサーマルガスケットシート２８０が、チルプレート１３８とヒータプレート１４１との間の強化された熱的結合ならびに圧縮インターフェースをもたらすために、チルプレート１３８とヒータプレート１４１との間に配され得る。一部の実施形態において、第２のサーマルガスケットシート２８２が、ヒータプレート１４１と上側電極１３６との間の強化された熱的結合ならびに圧縮インターフェースをもたらすために、ヒータプレート１４１と上側電極１３６との間に配され得る。第１のサーマルガスケットシート２８０は、ヒータプレート１４１の複数の第１のガス分配孔２５２の位置と一致する複数の開口を含む。第２のサーマルガスケットシート２８２は、ヒータプレート１４１の複数の第２のガス分配孔２５４の位置と一致する複数の開口を含む。第１のサーマルガスケットシート２８０および第２のガスケットシート２８１は、熱的かつ電気的に伝導性の材料シートから作製される。一部の実施形態において、第１のサーマルガスケットシート２８０および第２のガスケットシート２８１はポリマー材料を備える。一部の実施形態において、第１のサーマルガスケットシート２８０および第２のガスケットシート２８１は、エラストマーと金属のサンドイッチ構造を備える。

【0038】

図３は、本開示の一部の実施形態によるチルプレート１３８のガスプレート２３０の上面視図を示す。図４は、本開示の一部の実施形態によるガスプレート２３０の底面視図を示す。図３および図４に示されているガスプレート２３０は、ガスプレート２３０の２つの層に沿って配された複数の再帰的ガス経路２０６を有する。図３は、複数の再帰的ガス経路２０６の第１の層３００の実施形態を示す。図４は、複数の再帰的ガス経路２０６の第２の層４００の実施形態を示す。

【0039】

複数の再帰的ガス経路２０６はそれぞれ、第１の層３００および第２の層４００の少なくとも一方の中に配され得る。一部の実施形態において、複数の再帰的ガス経路２０６のうちの１つまたは複数が、第２の層４００から第１の層３００まで延び、第２の層４００に戻る。一部の実施形態において、第１のガス入口２１２は、第１の層３００まで延び、第１の層３００と第２の層４００の両方に配された第１の再帰的ガス経路３１０に流体結合される。一部の実施形態において、第１の再帰的ガス経路３１０は、第１のガス入口２１２から第１の層３００内で、第１の再帰的ガス経路３１０の複数の層を流体結合する接続チャネル２２０Ａと一致する複数の端部にかけて１回または複数回枝分かれする。一部の実施形態において、第１の再帰的ガス経路３１０は、２つの接続チャネル２２０Ａと一致する２つの端部にかけて１回枝分かれする。

【0040】

一部の実施形態において、第２の層４００内で、第１の再帰的ガス経路３１０は、接続チャネル２２０Ａのそれぞれから複数の第１の端部４１５にかけて１回または複数回枝分かれする。一部の実施形態において、第１の再帰的ガス経路３１０は、各接続チャネル２２０Ａから第２の層４００内で１回枝分かれして、４つの第１の端部４１５を形成する。一部の実施形態において、複数の第１の端部４１５は、ガスプレート２３０の周囲に対称的に配される。一部の実施形態において、複数の第１の端部４１５は、虚円に沿って一定の間隔を置いて位置する。一部の実施形態において、第１の再帰的ガス経路３１０は、第２の層４００内の環状延長部分および半径方向延長部分を含む。複数の第２の端部４３５は、チルプレート１３８の複数のガス出口２４８の第１のサブセット２４８Ａに整列される。一部の実施形態において、第１の再帰的ガス経路３１０は、各接続チャネル２２０Ａから第２の層４００内で２回枝分かれして、８つの第１の端部４１５を形成する。

【0041】

一部の実施形態において、第２の再帰的ガス経路３３０が、第２のガス入口２１６から第２の層４００まで延び、第１の層３００まで延び、次いで第２の層４００に戻る。このようにして、第２の再帰的ガス経路３３０は、第１の層３００と第２の層４００の両方の中に配され得る。一部の実施形態において、第２の再帰的ガス経路３３０は、第２のガス入口２１６から第２の層４００内で、第２の再帰的ガス経路３３０の複数の層を流体結合する接続チャネル２２０Ｃと一致する複数の端部にかけて１回または複数回枝分かれする。一部の実施形態において、第２の再帰的ガス経路３３０は１回枝分かれして、２つの接続チャネル２２０Ｃと一致する２つの端部を形成する。

【0042】

一部の実施形態において、第１の層３００内で、第２の再帰的ガス経路３３０は、接続チャネル２２０Ｃのそれぞれから接続チャネル２２０Ｄと一致する端部にかけて１回または複数回枝分かれする。一部の実施形態において、第２の再帰的ガス経路３３０は、接続チャネル２２０Ｃのそれぞれから１回枝分かれして、４つの接続チャネル２２０Ｄと一致する４つの端部を形成する。

【0043】

一部の実施形態において、第２の層４００内で、第２の再帰的ガス経路３３０は、接続チャネル２２０Ｄのそれぞれから複数の第２の端部４３５にかけて１回または複数回枝分かれする。一部の実施形態において、第２の再帰的ガス経路３３０は、各接続チャネル２２０Ｄから第２の層４００内で１回枝分かれして、合計８つの第２の端部４３５を形成する。一部の実施形態において、複数の第２の端部４３５は、ガスプレート２３０の周囲に対称的に配される。一部の実施形態において、複数の第２の端部４３５は、虚円に沿って一定の間隔を置いて配される。一部の実施形態において、第２の再帰的ガス経路３３０は、第２の層４００内の環状延長部分および半径方向延長部分を含む。複数の第２の端部４３５は、チルプレート１３８の複数のガス出口２４８の第２のサブセット２４８Ｂに整列される。一部の実施形態において、第２の再帰的ガス経路３３０は、第１の再帰的ガス経路３１０から半径方向外方に配される。一部の実施形態において、第２の再帰的ガス経路３３０は、各接続チャネル２２０Ｄから第２の層４００内で２回枝分かれして、１６個の第２の端部４３５を形成する。

【0044】

図５は、本開示の一部の実施形態によるシャワーヘッドアセンブリ１３２のチルプレート１３８の断面底面視図を示す。一部の実施形態において、複数のガス出口２４８は、チルプレート１３８の同心円に沿って配される。一部の実施形態において、複数のガス出口２４８は、チルプレート１３８の同心円に沿って一定の間隔を置いて配される。一部の実施形態において、各同心円にある複数のガス出口２４８のうちのガス出口は、シャワーヘッドアセンブリ１３２の異なるガス分配ゾーンと一致する。一部の実施形態において、シャワーヘッドアセンブリ１３２は２つのガス分配ゾーンを備え、第１のゾーンは半径方向に最も内側のゾーンであり、第２のゾーンは半径方向に最も外側のゾーンである。一部の実施形態において、シャワーヘッドアセンブリ１３２は４つのゾーンを備え、第１のゾーンは半径方向に最も内側のゾーンであり、第２のゾーンは第１のゾーンの半径方向外側にあり、第３のゾーンは第２のゾーンの半径方向外側にあり、第４のゾーンは半径方向に最も外側のゾーンであり、第３のゾーンの半径方向外側にある。

【0045】

一部の実施形態において、１つまたは複数の冷却チャネル２０４は、この冷却チャネルを通る冷却剤を供給するための入口５１０と冷却剤のために戻り経路を提供するための出口５２０とを有する１つの冷却チャネルを含む。一部の実施形態において、１つまたは複数の冷却チャネル２０４は、各ゾーンに近接して延びる。一部の実施形態において、１つまたは複数の冷却チャネル２０４は、渦巻きパターンで配置される。

【0046】

図６は、本開示の一部の実施形態によるシャワーヘッドアセンブリ１３２のヒータプレート１４１の断面上面視図を示す。１つまたは複数の加熱要素２０８は、ヒータプレート１４１の周囲に、ヒータプレート１４１を加熱するための任意適切なパターンで延びることができる。一部の実施形態において、１つまたは複数の加熱要素２０８は、シャワーヘッドアセンブリ１３２の２つ以上の当該加熱ゾーンを画定する２つ以上の加熱要素である。一部の実施形態において、１つまたは複数の加熱要素２０８は、ヒータプレート１４１の中心に近接する第１の加熱要素６１０を含む。一部の実施形態において、１つまたは複数の加熱要素２０８は、第１の加熱要素６１０の半径方向外方に配された第２の加熱要素６２０を含む。一部の実施形態において、第２の加熱要素６２０は、複数の第１のガス分配孔２５２の半径方向に最も外側のセット６１２を越えて半径方向外方に延びる。

【0047】

図７は、本開示の一部の実施形態による複数のプレナム２５６の平面に沿ったヒータプレート１４１の断面上面視図を示す。一部の実施形態において、複数のプレナム２５６は、複数のガス分配ゾーンと一致する。一部の実施形態において、複数のプレナム２５６は、２つのガス分配ゾーンと一致する２つのプレナムを備える。一部の実施形態において、複数のプレナム２５６は、４つのガス分配ゾーンと一致する４つのプレナムを備える。一部の実施形態において、第１のプレナム７２０が、第１の再帰的ガス経路３１０に関連する第１のガス分配孔２５２の第１のサブセット２５２Ａに流体結合される。一部の実施形態において、第２のプレナム７４０が、第２の再帰的ガス経路３３０に関連する複数の第１のガス分配孔２５２の第２のサブセット２５２Ｂに流体結合される。第１のプレナム７２０は、複数の第２のガス分配孔２５４の第１のサブセット２５４Ａと流体結合される。第２のプレナム７４０は、複数の第２のガス分配孔２５４の第２のサブセット２５４Ｂと流体結合される。複数の第２のガス分配孔２５４は、各プレナム内に均等に分散される。第１のプレナム７２０および第２のプレナム７４０は、複数の第１のガス分配孔２５２からのガス流を各プレナム内の複数の第２のガス分配孔２５４に指向するために、複数の壁７０２を含むことができる。一部の実施形態において、複数の壁７０２は多角形断面形状を有する。一部の実施形態において、複数の壁７０２は湾曲している。一部の実施形態において、複数の第２のガス分配孔２５４は、複数のプレナム２５６内に１００個より多い孔を備える。一部の実施形態において、複数の第２のガス分配孔２５４は同心円内に配置される。一部の実施形態において、各同心円内の第２のガス分配孔２５４は、当該同心円に沿って一定間隔を置いて配される。複数のプレナム２５６の各プレナムは、第２のガス分配孔２５４の１つまたは複数の同心円を含むことができる。一部の実施形態において、複数の第２のガス分配孔２５４は、約１０ミルから約５０ミルの直径を有する。

【0048】

前述は、本開示の実施形態を対象とするものであるが、本開示の他の、およびさらなる実施形態が、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく考案されることがある。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【国際調査報告】