(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-07-05
(54)【発明の名称】ケイ素含有膜のプラズマ強化原子層堆積
(51)【国際特許分類】
H01L 21/31 20060101AFI20240628BHJP
H01L 21/205 20060101ALI20240628BHJP
H01L 21/316 20060101ALI20240628BHJP
H01L 21/318 20060101ALI20240628BHJP
C23C 16/455 20060101ALI20240628BHJP
C23C 16/42 20060101ALI20240628BHJP
【ＦＩ】
H01L21/31 C
H01L21/205
H01L21/316 X
H01L21/318 B
H01L21/318 C
H01L21/316 M
H01L21/318 M
C23C16/455
C23C16/42
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024500263
(86)(22)【出願日】2022-07-01
(85)【翻訳文提出日】2024-03-04
(86)【国際出願番号】 US2022036026
(87)【国際公開番号】W WO2023283144
(87)【国際公開日】2023-01-12
(31)【優先権主張番号】63/220,302
(32)【優先日】2021-07-09
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】63/334,774
(32)【優先日】2022-04-26
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】592010081
【氏名又は名称】ラム リサーチ コーポレーション
【氏名又は名称原語表記】ＬＡＭ ＲＥＳＥＡＲＣＨ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ
(74)【代理人】
【識別番号】110000028
【氏名又は名称】弁理士法人明成国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】クマー・ラヴィ
(72)【発明者】
【氏名】アガーワル・プルキット
(72)【発明者】
【氏名】ラボエ・エイドリアン
(72)【発明者】
【氏名】オースティン・ダスティン・ザッカリー
(72)【発明者】
【氏名】アベル・ジョセフ・アール．
(72)【発明者】
【氏名】アグニュー・ダグラス・ウォルター
(72)【発明者】
【氏名】ベイカー・ジョナサン・グラント
【テーマコード（参考）】
4K030
5F045
5F058
【Ｆターム（参考）】
4K030AA03
4K030AA06
4K030AA09
4K030AA14
4K030AA17
4K030AA18
4K030BA29
4K030BA35
4K030BA37
4K030BA40
4K030BA44
4K030EA06
4K030FA01
4K030HA01
4K030JA01
4K030JA05
4K030JA11
4K030LA15
5F045AA08
5F045AA15
5F045AB06
5F045AB31
5F045AB32
5F045AB33
5F045AB34
5F045AC00
5F045AC01
5F045AC07
5F045AC08
5F045AC09
5F045AC11
5F045AC12
5F045AC15
5F045AC16
5F045AC17
5F045AE23
5F045CA10
5F045CA13
5F045DC53
5F045DP03
5F045DQ17
5F045EB08
5F045EE04
5F045EE12
5F045EE14
5F045EE19
5F045EF05
5F045EG02
5F045EH18
5F045EH20
5F045GB07
5F045GB08
5F045HA13
5F058BC02
5F058BC04
5F058BC08
5F058BC11
5F058BC12
5F058BD02
5F058BD04
5F058BD10
5F058BF07
5F058BF22
5F058BF23
5F058BF29
5F058BF30
5F058BF36
5F058BF37
5F058BF39
5F058BG02
5F058BH12
(57)【要約】
【解決手段】方法は、基板支持体およびシャワーヘッドを備える処理ステーション内に基板を設けることであって、基板は、充填されるギャップを備えることと、動作（ａ）～（ｄ）：（ａ）シャワーヘッドを介してケイ素含有前駆体を処理ステーション内に流し、ケイ素含有前駆体を基板上に吸着させることを可能にすることを含む投与動作、（ｂ）（ａ）の後、パージガスを処理ステーション内に流す動作、（ｃ）（ｂ）の後、基板をプラズマ種に曝露し、吸着されたケイ素含有前駆体と反応させる動作、および（ｄ）（ｃ）の後、パージガスを処理ステーション内に流す動作の複数のサイクルを含むプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）プロセスによって、ギャップ内にケイ素含有膜を堆積することとを含み、ケイ素含有前駆体は、少なくとも（ｂ）の間、処理ステーション内に流れ続ける。
【選択図】図５
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板支持体およびシャワーヘッドを備える処理ステーション内に基板を設けることであって、前記基板は、充填されるギャップを備えることと、動作（ａ）～（ｄ）：
（ａ）前記シャワーヘッドを介してケイ素含有前駆体を前記処理ステーション内に流し、前記ケイ素含有前駆体を前記基板上に吸着させることを可能にすることを含む投与動作、
（ｂ）（ａ）の後、パージガスを前記処理ステーション内に流す動作、
（ｃ）（ｂ）の後、前記基板をプラズマ種に曝露し、前記吸着されたケイ素含有前駆体と反応させる動作、および
（ｄ）（ｃ）の後、パージガスを前記処理ステーション内に流す動作
の複数のサイクルを含むプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）プロセスによって、前記ギャップ内にケイ素含有膜を堆積することと
を含み、
前記ケイ素含有前駆体は、少なくとも（ｂ）の間、前記処理ステーション内に流れ続ける、
方法。
【請求項2】
請求項１に記載の方法であって、前記ケイ素含有前駆体は、（ｃ）の少なくとも一部の間、前記処理ステーション内に流れ続ける、方法。
【請求項3】
請求項１に記載の方法であって、前記ケイ素含有前駆体は、（ｃ）、および（ｄ）の少なくとも一部の間、前記処理ステーション内に流れ続ける、方法。
【請求項4】
請求項１に記載の方法であって、（ａ）の後、前記ケイ素含有前駆体の流れは、流量を減少して前記処理ステーション内に流れ続ける、方法。
【請求項5】
請求項１に記載の方法であって、（ａ）は、出口弁を介してガス送給ラインに流体接続されたケイ素含有前駆体源から不活性ガスおよび気化したケイ素含有前駆体を流すことであって、前記ガス送給ラインは、前記シャワーヘッドに流体接続されることと、（ａ）の終わりにおいて、前記出口弁を閉じることとを含む、方法。
【請求項6】
請求項５に記載の方法であって、前記ガス送給ライン内のケイ素含有前駆体は、前記出口弁が閉じられた後も前記処理ステーション内に流れ続ける、方法。
【請求項7】
請求項１に記載の方法であって、（ｃ）および（ｄ）の１つまたは複数の間、前記処理ステーションからケイ素含有前駆体を分流させることをさらに含む、方法。
【請求項8】
請求項１に記載の方法であって、（ｃ）の前記プラズマは、高周波（ＨＦ）および低周波（ＬＦ）ＲＦ電力を使用して生成される二重周波数ＲＦプラズマである、方法。
【請求項9】
請求項８に記載の方法であって、（ｃ）の間、前記処理ステーション内への不活性ガスの流れを増加させることをさらに含む、方法。
【請求項10】
請求項８に記載の方法であって、前記ＨＦ電力は、少なくとも４ｋＷであり、前記ＬＦ電力は、５００Ｗ～５ｋＷである、方法。
【請求項11】
請求項８に記載の方法であって、前記ギャップ内への前記ケイ素含有膜の堆積の間、前記ギャップ内にケイ素含有膜をスパッタリングして再堆積することをさらに含む、方法。
【請求項12】
請求項１に記載の方法であって、前記プラズマ種は、酸素（Ｏ2）から生成される、方法。
【請求項13】
請求項１に記載の方法であって、前記プラズマ種は、亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）から生成される、方法。
【請求項14】
請求項１に記載の方法であって、前記プラズマ種は、窒素（Ｎ2）から生成される、方法。
【請求項15】
請求項１に記載の方法であって、（ｂ）は、持続時間が５０～５００ミリ秒である、方法。
【請求項16】
請求項１に記載の方法であって、前記充填されるギャップは、３Ｄ ＮＡＮＤ構造のメモリスタック間のギャップである、方法。
【請求項17】
請求項１に記載の方法であって、前記ギャップは、少なくとも２０：１のアスペクト比を有する、方法。
【請求項18】
請求項１に記載の方法であって、前記複数のサイクルのうちの少なくとも１つの前に、前記堆積された膜を抑制プラズマに曝露することをさらに含む、方法。
【請求項19】
充填されるギャップを含む構造を有する基板を設けることと、（ａ）前記シャワーヘッドを介してケイ素含有前駆体を前記処理ステーション内に流し、前記ケイ素含有前駆体を前記基板上に吸着させることを可能にすることを含む投与動作、
（ｂ）（ａ）の後、パージガスを前記処理ステーション内に流す動作、
（ｃ）（ｂ）の後、前記基板をプラズマ種に曝露し、前記吸着されたケイ素含有前駆体と反応させる動作であって、（ｃ）の前記プラズマは、高周波（ＨＦ）および低周波（ＬＦ）ＲＦ電力を使用して生成される二重周波数ＲＦプラズマである動作、および
（ｄ）（ｃ）の後、パージガスを前記処理ステーション内に流す動作
を含むプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）プロセスによって、前記ギャップ内に部分的にのみ延びるように前記構造の上側部分に選択的にケイ素含有保護膜を堆積することと
を含む、方法。
【請求項20】
請求項１９に記載の方法であって、前記保護膜を含む前記基板をハロゲン種を含む抑制プラズマに曝露し、前記ギャップの一部に対する堆積を抑制すること、および
前記基板を前記抑制に曝露した後、前記ギャップ内に誘電体材料を堆積すること
の１つまたは複数のサイクルを実施することをさらに含む、方法。
【請求項21】
請求項１９に記載の方法であって、前記ケイ素含有前駆体は、少なくとも（ｂ）の間、前記処理ステーション内に流れ続ける、方法。
【請求項22】
請求項２０に記載の方法であって、前記保護膜は、前記抑制プラズマへの曝露中にエッチングされる、方法。
【請求項23】
請求項２０に記載の方法であって、（ａ）の間の前記プラズマは、三フッ化窒素（ＮＦ3）から生成され、前記保護ライナは、窒化ケイ素膜である、方法。
【請求項24】
請求項１に記載の方法であって、前記保護ライナは、厚さが１０～９９９オングストロームである、方法。
【請求項25】
請求項１に記載の方法であって、保護ライナを堆積することおよび１つまたは複数のサイクルを前記実施することは、同じチャンバ内で実施される、方法。
【請求項26】
請求項１に記載の方法であって、前記構造は、３Ｄ ＮＡＮＤ構造であり、前記ギャップは、各々が酸化物層および窒化物層の複数の対を含む２つのスタックによって形成され、ポリシリコン層によってキャップされ、前記保護膜は、前記ポリシリコン層を保護する、方法。
【請求項27】
基板支持体およびシャワーヘッドを備える処理ステーション内に基板を設けることと、動作（ａ）～（ｄ）：
（ｅ）前記シャワーヘッドを介してケイ素含有前駆体を前記処理ステーション内に流し、前記ケイ素含有前駆体を前記基板上に吸着させることを可能にすることを含む投与動作、
（ｆ）（ｂ）の後、パージガスを前記処理ステーション内に流す動作、
（ｇ）（ｂ）の後、前記基板をプラズマ種に曝露し、前記吸着されたケイ素含有前駆体と反応させる動作、および
（ｈ）（ｃ）の後、パージガスを前記処理ステーション内に流す動作
の複数のサイクルを含むプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）プロセスによって、前記基板上にケイ素含有膜を堆積することと
を含み、
前記ケイ素含有前駆体は、少なくとも（ｂ）の間、前記処理ステーション内に流れ続ける、
方法。
【請求項28】
請求項２７に記載の方法であって、前記ケイ素含有膜は、前記基板上のギャップを充填する、方法。
【請求項29】
請求項２７に記載の方法であって、前記ケイ素含有膜は、ギャップによって分離された２つのスタックを有する構造上に非共形的に堆積され、それにより前記膜が前記ギャップ内に部分的にのみ延びる前記スタックの上部に堆積される、方法。
【請求項30】
請求項２７に記載の方法であって、（ｃ）の前記プラズマは、高周波（ＨＦ）および低周波（ＬＦ）ＲＦ電力を使用して生成される二重周波数ＲＦプラズマである、方法。
【請求項31】
基板支持体およびシャワーヘッドを備える処理ステーション内に基板を設けることと、動作（ａ）～（ｄ）：
（ｅ）前記シャワーヘッドを介してケイ素含有前駆体を前記処理ステーション内に流し、前記ケイ素含有前駆体を前記基板上に吸着させることを可能にすることを含む投与動作、
（ｆ）（ｂ）の後、パージガスを前記処理ステーション内に流す動作、
（ｇ）（ｂ）の後、前記基板をプラズマ種に曝露し、前記吸着されたケイ素含有前駆体と反応させる動作、および
（ｈ）（ｃ）の後、パージガスを前記処理ステーション内に流す動作
の複数のサイクルを含むプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）プロセスによって、前記基板上にケイ素含有膜を堆積することと
を含み、
（ｃ）の前記プラズマは、高周波（ＨＦ）および低周波（ＬＦ）ＲＦ電力を使用して生成される二重周波数ＲＦプラズマである、
方法。
【請求項32】
請求項３１に記載の方法であって、前記ケイ素含有膜は、前記基板上のギャップを充填する、方法。
【請求項33】
請求項３１に記載の方法であって、前記ケイ素含有膜は、ギャップによって分離された２つのスタックを有する構造上に非共形的に堆積され、それにより前記膜が前記ギャップ内に部分的にのみ延びる前記スタックの上部に堆積される、方法。
【請求項34】
処理ステーション内に基板を設けることと、（ｆ）酸化ケイ素堆積のための前記処理ステーション内のプロセス条件を安定化すること、
（ｇ）酸素ベースのプラズマを使用してｘ回のプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）サイクルを実施することであって、ｘは、０よりも大きい整数であること、
（ｈ）窒化ケイ素堆積のための前記処理ステーション内のプロセス条件を安定化すること、
（ｉ）窒素ベースのプラズマを使用してｙ回のプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）サイクルを実施することであって、ｙは、０よりも大きい整数であること、および
（ｊ）１回以上（ａ）～（ｄ）を繰り返すこと
によって前記基板上に酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）膜を堆積することと
を含む、方法。
【請求項35】
請求項３４に記載の方法であって、ｘ＋ｙは、２０以下である、方法。
【請求項36】
請求項３４に記載の方法であって、ｘ＋ｙは、１５以下である、方法。
【請求項37】
請求項３４に記載の方法であって、ｘ＋ｙは、１５以下である、方法。
【請求項38】
請求項３４に記載の方法であって、（ｂ）の各サイクルの前記酸素ベースのプラズマは、第１の持続時間を有し、（ｄ）の各サイクルの前記窒素ベースのプラズマは、第２の持続時間を有し、前記第２の持続時間は、前記第１の持続時間の少なくとも２倍である、方法。
【請求項39】
請求項３４に記載の方法であって、前記ＳｉＯＮ膜は、パターニングされた層上に共形的に堆積される、方法。
【請求項40】
基板支持体およびシャワーヘッドを備える処理ステーション内に基板を設けることであって、前記基板は、充填されるギャップを備えることと、動作（ａ）～（ｄ）：
（ａ）前記シャワーヘッドを介してケイ素含有前駆体を前記処理ステーション内に流し、前記ケイ素含有前駆体を前記基板上に吸着させることを可能にすることを含む投与動作、
（ｂ）（ａ）の後、パージガスを前記処理ステーション内に流す動作、
（ｃ）（ｂ）の後、前記基板を反応剤ガスから生成されたプラズマ種に曝露し、前記吸着されたケイ素含有前駆体と反応させる動作、および
（ｄ）（ｃ）の後、パージガスを前記処理ステーション内に流す動作
の複数のサイクルを含むプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）プロセスによって、前記ギャップ内にケイ素含有膜を堆積することと
を含み、
前記反応剤ガスおよび／または前記プラズマ種は、少なくとも（ａ）の間、前記処理ステーション内に流れ続ける、
方法。
【請求項41】
基板支持体およびシャワーヘッドを備える処理ステーション内に基板を設けることであって、前記基板は、充填されるギャップを備えることと、動作（ａ）～（ｄ）：
（ａ）前記シャワーヘッドを介してケイ素含有前駆体を前記処理ステーション内に流し、前記ケイ素含有前駆体を前記基板上に吸着させることを可能にすることを含む投与動作、
（ｂ）（ａ）の後、パージガスを前記処理ステーション内に流す動作、
（ｃ）（ｂ）の後、前記基板を反応剤ガスから生成されたプラズマ種に曝露し、前記吸着されたケイ素含有前駆体と反応させる動作、および
（ｄ）（ｃ）の後、パージガスを前記処理ステーション内に流す動作
の複数のサイクルを含むプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）プロセスによって、前記ギャップ内にケイ素含有膜を堆積することと
を含み、
前記ケイ素含有前駆体は、少なくとも（ｂ）の間、前記処理ステーション内に流れ続け、ならびに／または前記反応剤ガスおよび／もしくは前記プラズマ種は、少なくとも（ａ）の間、前記処理ステーション内に流れ続け、
閉じた空隙が、前記ギャップ内に形成される、
方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
［参照による援用］
本出願の一部として、本明細書と同時にＰＣＴ出願願書が提出される。この同時出願されたＰＣＴ出願願書に明記され、本出願が利益または優先権を主張する各出願は、参照によりその全体があらゆる目的で本明細書に組み込まれる。
本出願の一部として、本明細書と同時にＰＣＴ出願願書が提出される。この同時出願されたＰＣＴ出願願書に明記され、本出願が利益または優先権を主張する各出願は、参照によりその全体があらゆる目的で本明細書に組み込まれる。
【背景技術】
【0002】
多くの半導体デバイス製作プロセスは、窒化ケイ素および酸化ケイ素などのケイ素含有膜を含む膜の形成を伴う。プラズマ強化原子層堆積（ＡＬＤ）を使用して、ケイ素含有膜を堆積することが可能である。
【0003】
ここで提供される背景の説明は、本開示の内容を概ね提示することを目的とする。この背景技術のセクションで説明されている範囲内における、現時点で名前を挙げられている発明者らによる研究、ならびに出願の時点で先行技術として別途みなされ得ない説明の態様は、明示または暗示を問わず、本開示に対抗する先行技術として認められない。
【発明の概要】
【0004】
本開示の一態様は、
基板支持体およびシャワーヘッドを含む処理ステーション内に基板を設けることであって、基板は、充填されるギャップを含むことと、
動作（ａ）～（ｄ）：
（ａ）シャワーヘッドを介してケイ素含有前駆体を処理ステーション内に流し、ケイ素含有前駆体を基板上に吸着させることを可能にすることを含む投与動作、
（ｂ）（ａ）の後、パージガスを処理ステーション内に流す動作、
（ｃ）（ｂ）の後、基板をプラズマ種に曝露し、吸着されたケイ素含有前駆体と反応させる動作、および
（ｄ）（ｃ）の後、パージガスを処理ステーション内に流す動作
の複数のサイクルを含むプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）プロセスによって、ギャップ内にケイ素含有膜を堆積することと
を含み、
ケイ素含有前駆体は、少なくとも（ｂ）の間、処理ステーション内に流れ続ける、
方法に関する。
基板支持体およびシャワーヘッドを含む処理ステーション内に基板を設けることであって、基板は、充填されるギャップを含むことと、
動作（ａ）～（ｄ）：
（ａ）シャワーヘッドを介してケイ素含有前駆体を処理ステーション内に流し、ケイ素含有前駆体を基板上に吸着させることを可能にすることを含む投与動作、
（ｂ）（ａ）の後、パージガスを処理ステーション内に流す動作、
（ｃ）（ｂ）の後、基板をプラズマ種に曝露し、吸着されたケイ素含有前駆体と反応させる動作、および
（ｄ）（ｃ）の後、パージガスを処理ステーション内に流す動作
の複数のサイクルを含むプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）プロセスによって、ギャップ内にケイ素含有膜を堆積することと
を含み、
ケイ素含有前駆体は、少なくとも（ｂ）の間、処理ステーション内に流れ続ける、
方法に関する。
【0005】
いくつかの実施形態では、ケイ素含有前駆体は、（ｃ）の少なくとも一部の間、処理ステーション内に流れ続ける。いくつかの実施形態では、ケイ素含有前駆体は、（ｃ）、および（ｄ）の少なくとも一部の間、処理ステーション内に流れ続ける。いくつかの実施形態では、（ａ）の後、ケイ素含有前駆体の流れは、流量を減少して処理ステーション内に流れ続ける。
【0006】
いくつかの実施形態では、（ａ）は、出口弁を介してガス送給ラインに流体接続されたケイ素含有前駆体源から不活性ガスおよび気化したケイ素含有前駆体を流すことであって、ガス送給ラインは、シャワーヘッドに流体接続されることと、（ａ）の終わりにおいて、出口弁を閉じることとを含む。いくつかのそのような実施形態では、ガス送給ライン内のケイ素含有前駆体は、出口弁が閉じられた後も処理ステーション内に流れ続ける。
【0007】
いくつかの実施形態では、方法は、（ｃ）および（ｄ）の１つまたは複数の間、処理ステーションからケイ素含有前駆体を分流させることをさらに含む。
【0008】
いくつかの実施形態では、（ｃ）のプラズマは、高周波（ＨＦ）および低周波（ＬＦ）ＲＦ電力を使用して生成される二重周波数ＲＦプラズマである。いくつかのそのような実施形態では、ＨＦ電力は、少なくとも４ｋＷであり、ＬＦ電力は、５００Ｗ～５ｋＷである。
【0009】
いくつかの実施形態では、方法は、（ｃ）の間、処理ステーション内への不活性ガスの流れを増加させることをさらに含む。いくつかの実施形態では、方法は、ギャップ内へのケイ素含有膜の堆積の間、ギャップ内にケイ素含有膜をスパッタリングして再堆積することをさらに含む。
【0010】
いくつかの実施形態では、プラズマ種は、酸素（Ｏ2）から生成される。いくつかの実施形態では、プラズマ種は、亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）から生成される。いくつかの実施形態では、プラズマ種は、窒素（Ｎ2）から生成される。いくつかの実施形態では、（ｂ）は、持続時間が５０～５００ミリ秒である。いくつかの実施形態では、充填されるギャップは、３Ｄ ＮＡＮＤ構造のメモリスタック間のギャップである。いくつかの実施形態では、ギャップは、少なくとも２０：１のアスペクト比を有する。
【0011】
いくつかの実施形態では、方法は、複数のサイクルのうちの少なくとも１つの前に、堆積された膜を抑制プラズマに曝露することをさらに含む。本開示の別の態様は、
基板支持体およびシャワーヘッドを備える処理ステーション内に基板を設けることであって、基板は、充填されるギャップを備えることと、
動作（ａ）～（ｄ）：
（ａ）シャワーヘッドを介してケイ素含有前駆体を処理ステーション内に流し、ケイ素含有前駆体を基板上に吸着させることを可能にすることを含む投与動作、
（ｂ）（ａ）の後、パージガスを処理ステーション内に流す動作、
（ｃ）（ｂ）の後、基板を反応剤ガスから生成されたプラズマ種に曝露し、吸着されたケイ素含有前駆体と反応させる動作、および
（ｄ）（ｃ）の後、パージガスを処理ステーション内に流す動作
の複数のサイクルを含むプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）プロセスによって、ギャップ内にケイ素含有膜を堆積することと
を含み、
反応剤ガスおよび／またはプラズマ種は、少なくとも（ａ）の間、処理ステーション内に流れ続ける、
ことに関する。
基板支持体およびシャワーヘッドを備える処理ステーション内に基板を設けることであって、基板は、充填されるギャップを備えることと、
動作（ａ）～（ｄ）：
（ａ）シャワーヘッドを介してケイ素含有前駆体を処理ステーション内に流し、ケイ素含有前駆体を基板上に吸着させることを可能にすることを含む投与動作、
（ｂ）（ａ）の後、パージガスを処理ステーション内に流す動作、
（ｃ）（ｂ）の後、基板を反応剤ガスから生成されたプラズマ種に曝露し、吸着されたケイ素含有前駆体と反応させる動作、および
（ｄ）（ｃ）の後、パージガスを処理ステーション内に流す動作
の複数のサイクルを含むプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）プロセスによって、ギャップ内にケイ素含有膜を堆積することと
を含み、
反応剤ガスおよび／またはプラズマ種は、少なくとも（ａ）の間、処理ステーション内に流れ続ける、
ことに関する。
【0012】
本開示の別の態様は、充填されるギャップを含む構造を有する基板を設けることと、
（ａ）シャワーヘッドを介してケイ素含有前駆体を処理ステーション内に流し、ケイ素含有前駆体を基板上に吸着させることを可能にすることを含む投与動作、
（ｂ）（ａ）の後、パージガスを処理ステーション内に流す動作、
（ｃ）（ｂ）の後、基板をプラズマ種に曝露し、吸着されたケイ素含有前駆体と反応させる動作であって、（ｃ）のプラズマは、高周波（ＨＦ）および低周波（ＬＦ）ＲＦ電力を使用して生成される二重周波数ＲＦプラズマである動作、および
（ｄ）（ｃ）の後、パージガスを処理ステーション内に流す動作
を含むプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）プロセスによって、ギャップ内に部分的にのみ延びるように構造の上側部分に選択的にケイ素含有保護膜を堆積することとを含む、方法に関する。
（ａ）シャワーヘッドを介してケイ素含有前駆体を処理ステーション内に流し、ケイ素含有前駆体を基板上に吸着させることを可能にすることを含む投与動作、
（ｂ）（ａ）の後、パージガスを処理ステーション内に流す動作、
（ｃ）（ｂ）の後、基板をプラズマ種に曝露し、吸着されたケイ素含有前駆体と反応させる動作であって、（ｃ）のプラズマは、高周波（ＨＦ）および低周波（ＬＦ）ＲＦ電力を使用して生成される二重周波数ＲＦプラズマである動作、および
（ｄ）（ｃ）の後、パージガスを処理ステーション内に流す動作
を含むプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）プロセスによって、ギャップ内に部分的にのみ延びるように構造の上側部分に選択的にケイ素含有保護膜を堆積することとを含む、方法に関する。
【0013】
いくつかの実施形態では、方法は、
保護膜を含む基板をハロゲン種を含む抑制プラズマに曝露し、ギャップの一部に対する堆積を抑制すること、および
基板を抑制に曝露した後、ギャップ内に誘電体材料を堆積すること
の１つまたは複数のサイクルを実施することをさらに含む。
保護膜を含む基板をハロゲン種を含む抑制プラズマに曝露し、ギャップの一部に対する堆積を抑制すること、および
基板を抑制に曝露した後、ギャップ内に誘電体材料を堆積すること
の１つまたは複数のサイクルを実施することをさらに含む。
【0014】
いくつかの実施形態では、ケイ素含有前駆体は、少なくとも（ｂ）の間、処理ステーション内に流れ続ける。いくつかの実施形態では、保護膜は、抑制プラズマへの曝露中にエッチングされる。いくつかの実施形態では、（ａ）の間のプラズマは、三フッ化窒素（ＮＦ3）から生成され、保護ライナは、窒化ケイ素膜である。
【0015】
いくつかの実施形態では、保護ライナは、厚さが１０～９９９オングストロームである。いくつかの実施形態では、保護ライナを堆積することおよび１つまたは複数のサイクルを実施することは、同じチャンバ内で実施される。
【0016】
いくつかの実施形態では、構造は、３Ｄ ＮＡＮＤ構造であり、ギャップは、各々が酸化物層および窒化物層の複数の対を含む２つのスタックによって形成され、ポリシリコン層によってキャップされ、保護膜は、ポリシリコン層を保護する。
【0017】
本開示の別の態様は、
基板支持体およびシャワーヘッドを含む処理ステーション内に基板を設けることと、
動作（ａ）～（ｄ）：
（ａ）シャワーヘッドを介してケイ素含有前駆体を処理ステーション内に流し、ケイ素含有前駆体を基板上に吸着させることを可能にすることを含む投与動作、
（ｂ）（ｂ）の後、パージガスを処理ステーション内に流す動作、
（ｃ）（ｂ）の後、基板をプラズマ種に曝露し、吸着されたケイ素含有前駆体と反応させる動作、および
（ｄ）（ｃ）の後、パージガスを処理ステーション内に流す動作
の複数のサイクルを含むプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）プロセスによって、基板上にケイ素含有膜を堆積することと
を含み、
ケイ素含有前駆体は、少なくとも（ｂ）の間、処理ステーション内に流れ続ける、
方法に関する。
基板支持体およびシャワーヘッドを含む処理ステーション内に基板を設けることと、
動作（ａ）～（ｄ）：
（ａ）シャワーヘッドを介してケイ素含有前駆体を処理ステーション内に流し、ケイ素含有前駆体を基板上に吸着させることを可能にすることを含む投与動作、
（ｂ）（ｂ）の後、パージガスを処理ステーション内に流す動作、
（ｃ）（ｂ）の後、基板をプラズマ種に曝露し、吸着されたケイ素含有前駆体と反応させる動作、および
（ｄ）（ｃ）の後、パージガスを処理ステーション内に流す動作
の複数のサイクルを含むプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）プロセスによって、基板上にケイ素含有膜を堆積することと
を含み、
ケイ素含有前駆体は、少なくとも（ｂ）の間、処理ステーション内に流れ続ける、
方法に関する。
【0018】
いくつかの実施形態では、ケイ素含有膜は、基板上のギャップを充填する。いくつかの実施形態では、ケイ素含有膜は、ギャップによって分離された２つのスタックを有する構造上に非共形的に堆積され、それにより膜がギャップ内に部分的にのみ延びるスタックの上部に堆積される。いくつかの実施形態では、（ｃ）のプラズマは、高周波（ＨＦ）および低周波（ＬＦ）ＲＦ電力を使用して生成される二重周波数ＲＦプラズマである。
【0019】
本開示の別の態様は、
基板支持体およびシャワーヘッドを含む処理ステーション内に基板を設けることと、
動作（ａ）～（ｄ）：
（ａ）シャワーヘッドを介してケイ素含有前駆体を処理ステーション内に流し、ケイ素含有前駆体を基板上に吸着させることを可能にすることを含む投与動作、
（ｂ）（ｂ）の後、パージガスを処理ステーション内に流す動作、
（ｃ）（ｂ）の後、基板をプラズマ種に曝露し、吸着されたケイ素含有前駆体と反応させる動作、および
（ｄ）（ｃ）の後、パージガスを処理ステーション内に流す動作
の複数のサイクルを含むプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）プロセスによって、基板上にケイ素含有膜を堆積することと
を含み、
（ｃ）のプラズマは、高周波（ＨＦ）および低周波（ＬＦ）ＲＦ電力を使用して生成される二重周波数ＲＦプラズマである、
方法に関する。
基板支持体およびシャワーヘッドを含む処理ステーション内に基板を設けることと、
動作（ａ）～（ｄ）：
（ａ）シャワーヘッドを介してケイ素含有前駆体を処理ステーション内に流し、ケイ素含有前駆体を基板上に吸着させることを可能にすることを含む投与動作、
（ｂ）（ｂ）の後、パージガスを処理ステーション内に流す動作、
（ｃ）（ｂ）の後、基板をプラズマ種に曝露し、吸着されたケイ素含有前駆体と反応させる動作、および
（ｄ）（ｃ）の後、パージガスを処理ステーション内に流す動作
の複数のサイクルを含むプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）プロセスによって、基板上にケイ素含有膜を堆積することと
を含み、
（ｃ）のプラズマは、高周波（ＨＦ）および低周波（ＬＦ）ＲＦ電力を使用して生成される二重周波数ＲＦプラズマである、
方法に関する。
【0020】
いくつかの実施形態では、ケイ素含有膜は、基板上のギャップを充填する。いくつかの実施形態では、ケイ素含有膜は、ギャップによって分離された２つのスタックを有する構造上に非共形的に堆積され、それにより膜がギャップ内に部分的にのみ延びるスタックの上部に堆積される。
【0021】
さらに、本開示の別の態様は、処理ステーション内に基板を設けることと、
（ａ）酸化ケイ素堆積のための処理ステーション内のプロセス条件を安定化すること、
（ｂ）酸素ベースのプラズマを使用してｘ回のプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）サイクルを実施することであって、ｘは、０よりも大きい整数であること、
（ｃ）窒化ケイ素堆積のための処理ステーション内のプロセス条件を安定化すること、
（ｄ）窒素ベースのプラズマを使用してｙ回のプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）サイクルを実施することであって、ｙは、０よりも大きい整数であること、および
（ｅ）１回以上（ａ）～（ｄ）を繰り返すこと
によって基板上に酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）膜を堆積することとに関する。
（ａ）酸化ケイ素堆積のための処理ステーション内のプロセス条件を安定化すること、
（ｂ）酸素ベースのプラズマを使用してｘ回のプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）サイクルを実施することであって、ｘは、０よりも大きい整数であること、
（ｃ）窒化ケイ素堆積のための処理ステーション内のプロセス条件を安定化すること、
（ｄ）窒素ベースのプラズマを使用してｙ回のプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）サイクルを実施することであって、ｙは、０よりも大きい整数であること、および
（ｅ）１回以上（ａ）～（ｄ）を繰り返すこと
によって基板上に酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）膜を堆積することとに関する。
【0022】
いくつかの実施形態では、ｘ＋ｙは、２０、１５、または１０以下である。
【0023】
いくつかの実施形態では、（ｂ）の各サイクルの酸素ベースのプラズマは、第１の持続時間を有し、（ｄ）の各サイクルの窒素ベースのプラズマは、第２の持続時間を有し、第２の持続時間は、第１の持続時間の少なくとも２倍である。いくつかの実施形態では、ＳｉＯＮ膜は、パターニングされた層上に共形的に堆積される。
【0024】
これらおよび他の態様は、図面を参照して以下でさらに説明される。
【図面の簡単な説明】
【0025】
【0026】
【0027】
【0028】
【0029】
【0030】
【0031】
【0032】
【0033】
【0034】
【0035】
【0036】
【0037】
【0038】
【0039】
【0040】
【0041】
【0042】
【発明を実施するための形態】
【0043】
以下の説明では、提示された実施形態の完全な理解を提供するために、多くの具体的な詳細が記載されている。開示された実施形態は、これらの具体的な詳細の一部または全部なしで実践することができる。他の例では、開示された実施形態を不必要に曖昧にしないように、周知のプロセス動作は詳細に説明されていない。開示された実施形態は、特定の実施形態と併せて説明されるが、特定の実施形態は、開示された実施形態を限定することを意図するものではないことが理解されるであろう。
【0044】
半導体製造プロセスは、多くの場合、ケイ素含有膜を含む誘電体材料の堆積を伴う。そのような膜は、３Ｄ ＮＡＮＤ構造、ＤＲＡＭ構造、およびシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）構造を含む構造におけるギャップ充填のために、またはパターニングされた基板上に使用され、コンタクト用のバリア層などの様々な用途のための共形膜を形成することが可能である。窒化ケイ素層および炭化ケイ素層は、ＦｉｎＦＥＴ、ＭＲＡＭ、３ＤＸＰｏｉｎｔ、ＲｅＲＡＭ、およびＰＣＲＡＭなどの論理およびメモリ構造用の先進的なデバイスにおける封止膜、スペーサ、およびバリア膜として使用され得る。
【0045】
本明細書に記載の実施形態は、ＡＬＤによる堆積を伴う。ＡＬＤは、連続的な自己制限反応を使用して材料の薄層を堆積する技法である。典型的には、ＡＬＤサイクルは、少なくとも１つの反応剤を基板表面に送給して吸着させ、その後、吸着された反応剤を１つまたは複数の反応剤と反応させ、膜の少なくとも部分的な層を形成する動作を含む。一例として、酸化ケイ素堆積サイクルは、以下の動作を含むことができる：（ｉ）ケイ素含有前駆体の送給／吸着、（ｉｉ）チャンバからのケイ素含有前駆体のパージ、（ｉｉｉ）任意選択のプラズマによる酸素含有反応剤の送給、ならびに（ｉｖ）チャンバからの酸素含有反応剤および／またはプラズマのパージ。プラズマが第２の反応剤の送給中に使用される場合、いくつかの実施形態では、これはプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）と呼ばれる。ケイ素含有前駆体の送給または吸着は、「投与」動作と呼ばれることがあり、吸着された前駆体と反応させるための第２の反応剤の送給は、「変換」動作と呼ばれることがある。
【0046】
化学気相堆積（ＣＶＤ）技法とは異なり、ＡＬＤプロセスは、表面媒介堆積反応を使用して、層ごとに膜を堆積する。ＡＬＤプロセスの一例では、表面活性部位の集団を含む基板表面が、基板を収容するチャンバに提供される投与量の第１の前駆体（ケイ素含有前駆体など）の気相分布に曝露される。この第１の前駆体の分子は、第１の前駆体の化学吸着種および／または物理吸着分子を含め、基板表面上に吸着される。化合物が本明細書に記載のように基板表面上に吸着される場合、吸着層は、化合物ならびに化合物の誘導体を含み得ることを理解されたい。例えば、ケイ素含有前駆体の吸着層は、ケイ素含有前駆体ならびにケイ素含有前駆体の誘導体を含むことができる。第１の前駆体の投与後、チャンバを排気して気相に残っている第１の前駆体のほとんどまたはすべてを除去し、吸着種の大部分または吸着種のみが残るようにする。いくつかの実施態様では、チャンバが完全に排気されない場合がある。例えば、チャンバは、気相中の第１の前駆体の分圧が反応を軽減するのに十分に低くなるように排気されてもよい。酸素含有反応剤などの第２の反応剤がチャンバに導入されることで、これらの分子の一部が表面上に吸着された第１の前駆体と反応する。いくつかのプロセスでは、第２の前駆体は、吸着された第１の前駆体と直ちに反応する。他の実施形態では、第２の反応剤は、活性化源が一時的に適用された後にのみ反応する。いくつかの実施形態では、プラズマが第２の反応剤の投与中に点火される。その後、チャンバを再び排気し、結合していない第２の反応剤分子を除去することが可能である。いくつかの実施形態では、チャンバが完全に排気されない場合がある。追加のＡＬＤサイクルを使用して、膜厚を構築することも可能である。ケイ素含有第１の反応剤（ケイ素含有前駆体とも呼ばれる）および第２の反応剤（共反応剤とも呼ばれる）の例が、以下に提供される。
【0047】
図１では、反応剤を１つまたは複数のＡＬＤサイクルを実施するために使用され得るマルチステーション反応チャンバ（図示せず）の単一のステーションに送給するためのガス送給システム１００が概略的に示されている。この図は、ＡＬＤ反応剤の送給を行うためのガス流ライン、マニホールド、弁、レギュレータ、フィルタ、シャワーヘッドなどの構成を示している。例として、ガスラインは、ガス流の方向を示す矢印を有する細い実線として概略的に示され、弁は、図では円内の十字線で示され、レギュレータは、円内の矢印で示され、マニホールドは、「マニホールド」とラベル付けされた実線のボックスで示され、フィルタは、ガスラインの両側に曲線で示されている。ガス流ラインのほとんどは、ガスを「シャワーヘッド」１１０に送り、シャワーヘッド１１０は、この概略図に示すように、ＡＬＤ反応剤を図示しない反応チャンバに送給するデバイスである。
【0048】
したがって、図１に示すガス送給システム１００の特定の実施形態を参照すると、反応チャンバへの膜前駆体（例えば、ケイ素含有膜前駆体）の送給（ＡＬＤ投与および吸着ステップ（上記動作（ｉ）を参照）に関連する）は、前駆体を液体送給システム（「ＬＰＤＳ」とラベル付けされている）１２０から加熱された注入マニホールド１２５（「ＨＩＭ」とラベル付けされている）に導入することを伴い得、そこで前駆体がガス源１３０（「マニホールドＡ」）から生じる予熱された（「予熱器」１２４参照）不活性キャリアガスと混合される。続いてキャリアガスが、前駆体を４つの弁１６９、１６４、１６５、１６６のアレイに運び、この弁のアレイは、（ガス流距離の点で）反応チャンバに非常に近接しているため、アセンブリ１６０として使用時点弁マニホールド（ＰＶＭ）と呼ぶことができる。 特に、弁１６５が開き、弁１６６が閉じている状態でＰＶＭ１６０から、前駆体およびキャリアガスがシャワーヘッド１１０に直接流れ、続いて反応チャンバ内に流れる。
【0049】
同様に、図１の送給システム１００はまた、ＡＬＤで使用するための反応チャンバへの酸化剤の送給を示している（酸化プラズマの生成および吸着されたケイ素含有前駆体との反応に関連する（上記のステップ（ｉｉｉ）参照））。具体的には、ガス源１４０（「マニホールドＣ」）は、図に示すＰＶＭ１６０の弁１６９を通ってシャワーヘッド１１０に流されるＯ2および／またはＮ2Ｏガスの源として示される。マニホールドＣ１４０および「マニホールドＤ」１７０の存在もまた、投与後パージ（上記のステップ（ｉｉ））およびＲＦ後パージ（上記のステップ（ｉｖ））のために不活性ガスを送給するために使用され得るため、この構成の場面において留意されるべきである。マニホールドＤ１７０に関して、ガス送給システム１００は、マニホールドＤから供給されるパージガスが「予熱器」１７１を通過し、その後シャワーヘッドに向かって２つの経路を流れるように構成される。両方の経路を流れるパージガスは、レギュレータ（１７２または１７３）を通過し、その後、弁（１７３Ａおよび１７３Ｃまたは１７５Ａおよび１７５Ｃ）が上流および下流に配置されたフィルタ（１７３Ｂまたは１７５Ｂ）を通過する。一方の経路はシャワーヘッド１１０に直接進み、他方の経路はまずＰＯＳ１６０に接続し、投与ステップ後にＰＯＳデバイス内に残留するあらゆる残っている反応剤ガスをパージする。また、いくつかの実施形態では、前駆体は、不活性パージガスを使用せずに、真空を反応チャンバに適用することによって（例えば、弁作動真空源の動作を通じて）、反応チャンバ内の処理ステーションを囲む容積から除去され得ることに留意されたい。
【0050】
加えて、図１は、ＮＦ3ベースのプラズマ（図に示すように）を用いる遠隔プラズマ源１９５を示しており、反応チャンバおよびプロセスステーションへのその流体結合は弁１１６によって調節されることにも留意されたい。最後に、いくつかの実施形態では、マニホールドＢ１５０（弁１４４によって調節される）は、共反応剤ガス、例えば、ＰＯＳ１６０の弁１６５を通ってシャワーヘッド１１０に流される窒素（Ｎ2）などの窒素含有共反応剤の源として機能し得ることに留意されたい。
【0051】
連続して複数のＰＥＡＬＤサイクルを実施することによって、ＰＥＡＬＤを介して共形膜を堆積することができる。ＰＥＡＬＤによって堆積された各層は非常に薄く、典型的にはケイ素含有前駆体の単一の単層から形成され、実質的な厚さの膜を堆積するには多くのサイクルを伴う場合があり、したがって比較的時間がかかることがある。多くの場合、ＰＥＡＬＤサイクル時間は、弁および流量制御デバイスの動作時間に匹敵し、これは、そのような流量制御デバイスがケイ素含有前駆体および／または他の反応剤の定常状態の流れを提供するのにかかる時間が、サイクル時間における所望のさらなる短縮を妨げる制限要因になることを意味する。反応剤の定常状態の流れは、流量制御デバイスを開位置にしたままにし、ＰＥＡＬＤサイクルのタイミング要件によって必要に応じて反応チャンバへの、または反応チャンバからの反応剤の流れを分流させることによって確立することが可能である。
【0052】
図２および図３は、ケイ素含有前駆体の分流を含む、４ステーションチャンバにおける酸化ケイ素のＰＥＡＬＤ堆積についての例示的なタイミング図を示す。図２は、４つのステーションにおける同時投与に対応し、図３は、ステーション１および２における同時投与、続いてステーション３および４における同時投与に対応する。図２および図３は、例として提供されていることに留意されたい。本明細書に記載の方法は、単一のステーションチャンバを含む、任意の数のステーションで実施することが可能である。マルチステーションチャンバの場合、ケイ素含有前駆体の投与は、ステーションのすべてまたはサブセットにわたって並行しておよび／または順次に実施されてもよい。
【0053】
さらに、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸炭化ケイ素、酸炭窒化ケイ素などを含む他の材料の堆積は、適切な反応剤の選択によって実施されてもよい。例えば、タイミング図におけるＲＦ酸化剤の動作は、ＲＦ窒化によって置き換えることが可能である。
【0054】
図２では、タイミング図において上から下に、４つの処理ステーション（「ステーション１」～「ステーション４」とラベル付けされている）の各々へのケイ素含有前駆体送給の概略図が表示されており、これは、４つの処理ステーションの各々に誘導／方向転換された前駆体流を示す４つのトレース２１１、２１２、２１３、２１４によって示されている。分流流路に（すなわち、処理ステーションにではない）分流された前駆体流が、第５のトレース２１５によって概略的に示されている。これらの５つのトレース（２１１、２１２、２１３、２１４、および２１５）は、図２の最上部のトレース２１０によって概略的に示されている全前駆体流の内訳を表す。図はまた、投与後およびＲＦ後のパージガス流のタイミング（「パージガス」とラベル付けされたトレース２２０／２２１で示される）、ならびに酸化プラズマの生成および吸着された前駆体との反応のタイミング（「酸化剤／ＲＦ」とラベル付けされたトレース２３０で示される）を概略的に示している。図２の例では、図１に示すような単一のガス送給システムを使用して、前駆体を、例えば、４処理ステーション構成（場合によりすべてが同じ反応チャンバ内に含まれる）における各処理ステーションに流すことができる。他の実施形態では、各処理ステーションに対して専用のガス送給システムを用いることが可能である。
【0055】
図２のタイミング図では、４つのＡＬＤサイクルの前駆体投与ステップは、互いに一致するようにタイミングが調整される。したがって、ステップ（ｉ）（左端）において、４つのステーションに位置決めされた基板には、４つのウエハの各々の表面上に吸着させることが可能であるケイ素含有前駆体が同時に投与される。この場面では、これは図１の弁１６４の開放に対応し得るが、ＰＯＳの他の弁は閉じたままであることに留意されたい。投与ステップ（ｉ）が終了した後、図の「分流」トレース２１５によって示されるように、前駆体流の全体が分流される。投与後パージステップ（ｉｉ）中（図２の「パージガス」トレース２２０によって示す）、ステップ（ｉｉｉ）におけるＲＦ生成酸化プラズマによる活性化を介した吸着された前駆体の反応中（図２の「酸化剤／ＲＦ」トレース２３０によって示す）、およびＲＦ後パージ中（図２の「パージガス」トレース２２０によっても示す）、ケイ素含有前駆体の完全な分流が行われる。
【0056】
この場面では、「投与」トレースと「分流」トレースとの間の遷移は、図１の「真空への分流」ラベルによって示すように、ＰＯＳの弁１６４の閉鎖および弁１６６の開放に対応し得ることに留意されたい。同様に、弁１６４および１６６がこれらの位置（１６４が閉じ、１６６が開く）にある場合、図１の「パージガス」トレース２２０によって示されるパージステップ（ｉｉ）および（ｉｖ）は、当然のことながら、閉じたままの弁１６５、１６９を開くことによって達成することができる（また、いくつかの実施形態では、シャワーヘッド付近で追加のパージを行うために弁１６２Ａおよび１６２Ｂの開放も伴う）。図２の「酸化剤／ＲＦ」トレース２３０によって示す酸化プラズマステップ（ｉｉｉ）を介した反応は、（パージステップのために開いたままにされていた）弁１６５が閉じられ、１６４および１６６がそれらの分流位置に留まる一方でＰＯＳの弁１６９が開くことに対応し得る。図１を参照した弁動作の説明は、一例であることに留意されたい。
【0057】
図３は、図２と同様のタイミング図を示すが、一連の４つのＡＬＤサイクルの並列実行を伴い、そこでは共通の源からのケイ素含有前駆体の流れが最初に処理ステーション１および２でウエハに投与され、その後、ステーション３および４でウエハに投与されるように方向転換される。
【0058】
本開示の一態様は、ＰＥＡＬＤによって増加した成長速度で材料を堆積する方法に関する。方法は、深いフィーチャを含めてギャップ充填に使用することができ、フィーチャ内の空隙を迅速に閉鎖することが可能となる。例示的な適用には、メモリスタック、他の３Ｄ ＮＡＮＤ構造、ＤＲＡＭ構造、およびシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）構造を隔離する３Ｄ ＮＡＮＤ構造におけるスリットのギャップ充填が挙げられる。いくつかの実施形態では、ギャップは、高アスペクト比（ＨＡＲ）ギャップであり得る。例には、最大３５：１のアスペクト比を有するギャップが挙げられる。
【0059】
いくつかの実施形態では、方法は、ケイ素含有前駆体の投与中に流量を制御することを含む。いくつかの実施形態では、方法は、投与後のサイクルの少なくとも一部の間にケイ素含有前駆体をステーション内に流すことを可能にすることを含む。いくつかの実施形態では、方法は、投与、パージ、およびＲＦ動作のタイミングシーケンスを制御することを含む。いくつかの実施形態では、方法は、ＲＦ動作中に低周波ＲＦ（ＬＦＲＦ）成分を含めることを伴う。様々な実施形態によれば、成長速度を高めるために上記の方法のいずれか１つまたは複数が用いられる。方法は、ＣＶＤ型成分をＡＬＤ堆積に追加することによって成長速度を高めることが可能である。
【0060】
ケイ素含有前駆体投与中の流量の制御は、キャリアガスを減少させることによってケイ素含有前駆体およびキャリアガスの総流量を低減することを伴い得る。これにより、投与中にケイ素含有前駆体の濃度が増加する。一例として、ステーション当たりの総流量は、ケイ素含有前駆体およびアルゴンまたは別のキャリアガスにおいて２０００～４０００標準立方センチメートル毎分（ｓｃｃｍ）であり得る。投与中のケイ素含有前駆体：キャリアガスの体積流量比は、例えば、１：４～３：１または３：５～５：２であってもよい。これは、成長速度の増加がないプロセスの場合の１：６～１：５の比率と比較することができる。
【0061】
パージ中にケイ素含有前駆体をチャンバ内に流すことを可能にすることは、様々な方式で実施することができる。例えば、シャワーヘッドへの弁は、投与とＲＦ動作との間の少なくとも一部の時間の間、ケイ素含有前駆体ガスを分流させずに開いたままにすることが可能である。これにより、ケイ素含有前駆体がステーション内に流れ続けることが可能になる。
【0062】
いくつかの実施形態では、チャンバ内への流れは、ケイ素含有前駆体ガス源で完全に制御され得る。図４は、ケイ素含有前駆体を送給するためのガス送給システムの一部の簡略化した概略図を示す。ケイ素含有前駆体ガス源４０２は、例えば、蒸気吸引アンプル、ケイ素含有前駆体源、および不活性ガス源を含むことができる。アンプルは、ケイ素含有前駆体および不活性ガスを受け取り、ケイ素含有前駆体を気化させるように構成され得る。プッシュガス源４０４からプッシュガスを供給し、ケイ素含有前駆体／不活性ガス混合物を図示のようにシャワーヘッドに押し出すことが可能である。３つの弁が、図４の簡略化した概略図に図示されている。出口弁４１２が、ケイ素含有ガス源における流れを制御する。シャワーヘッドへの入口弁４１６は、シャワーヘッドを通ってステーション内への流れを制御する。また、分流弁４１４を含む分流ラインも示されている。図４に示すガス分配システムは、例えば、図１に関して上述したようなガス分配システムの一部であってもよい。
【0063】
特定の実施形態では、ＡＬＤサイクルの投与後パージの少なくとも一部の間、入口弁４１６は開いており、分流弁４１４は閉じている。これにより、ケイ素含有前駆体ガスの流れを出口弁４１２によって制御することが可能になる。出口弁４１２が閉じられた後であっても、ある程度の量のケイ素含有前駆体ガスがライン内にあり、ステーションに入る可能性がある。
【0064】
図５～図８は、ＣＶＤ型成分を含む酸化ケイ素のＰＥＡＬＤ堆積についてのタイミングシーケンスの例を提供する。図２および図３に関して上述したように、これらのシーケンスは、酸化ケイ素の堆積またはＲＦ酸化プロセスに限定されない。窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸炭化ケイ素、酸炭窒化ケイ素などを含む他の材料の堆積は、適切な反応剤の選択によって実施されてもよい。例えば、タイミング図におけるＲＦ酸化剤の動作は、ＲＦ窒化によって置き換えることが可能である。
【0065】
まず。図５を参照すると、酸化ケイ素の堆積のための例示的なタイミングシーケンスが示されている。５つのステージ：２回の投与（Ｄ１およびＤ２）、投与後パージ（ＰＤＰ）、ＲＦ／酸化、およびＲＦ後パージが図５には示されている。最上部のトレースは、Ｓｉ含有前駆体源出口弁からのＳｉ含有前駆体および不活性ガスの流れを示す。一例は、図４の出口弁４１２である。最上部から２番目のトレースは、ステーション内へのＳｉ含有前駆体および不活性ガスの流れである。図４の例では、不活性ガスは、図４のケイ素含有前駆体ガス源４０２およびプッシュガス源４０４から来ることが可能である。分流ガス、パージガス、およびＲＦ／酸化剤もまた示されている。
【0066】
投与Ｄ１の間、Ｓｉ含有前駆体ガス源からの出口弁は開いている。これは、図２および図３の投与ステップと同様である。出口弁が閉じられると、Ｓｉ含有前駆体ガス源からのＳｉ含有前駆体および不活性ガスの流れが停止する。ある程度の量のＳｉ含有前駆体が、ラインおよびシャワーヘッド内に残る。投与Ｄ２の間、このＳｉ含有前駆体および不活性ガスは、ステーション内に流れ続ける。これは、最上部から２番目のトレースによって示される。Ｄ２の間にケイ素含有前駆体ガス源からのＳｉ含有前駆体の継続的な供給がない間、いくつかの実施形態では不活性ガス源から不活性ガスが供給され得ることに留意されたい。例えば、図４では、不活性ガスは、プッシュガス源４０４から流れ続けることが可能である。
【0067】
図５のシーケンスは、図２のシーケンスとは異なり、後者のシーケンスは、投与後の任意のＳｉ含有前駆体の流れを分流させる。図５の例では、ライン内に残っている任意の前駆体は、サイクル全体を通じて、分流を伴わずにステーション内に流れ続けることが可能である。これは、投与後パージ中、パージガスが流されるとき、ＲＦ／酸化ステージ中、およびＲＦ後パージ中を含む。Ｓｉ含有前駆体および不活性ガスはＤ２の間にステーション内に流れ続けるが、その源から新たなＳｉ含有前駆体が供給されないため、流れ中のＳｉ含有前駆体の総流量および量は減少する。いくつかの実施形態では、それらはプロセス全体を通じて継続的に減少し得る。
【0068】
いくつかの実施形態では、サイクルの一部の間に分流が行われてもよい。図６は、図５と同様に、Ｄ２投与ステージを含むタイミングシーケンスの別の例を示す。図６の例では、前駆体の流れが、ＲＦ／酸化ステージおよびＲＦ後パージステージに対して分流される。代替の実施形態では、分流は、ＰＤＰステージの始まりに、またはＰＤＰもしくはＲＦ／酸化ステージ中の任意の時点で開始されてもよい。図５および図６の例では、ステーションへの流れは、シャワーヘッド内または分流弁４１４の下流のライン内にあり得るケイ素含有前駆体および不活性ガスを含む。
【0069】
Ｄ１ステージの後に前駆体をステーション内に流すことを可能にすることにより、堆積プロセスへのＣＶＤ型成分の提供を容易にすることができる。ＲＦ／酸化ステージ中にステーション内に存在する非吸着前駆体は、ＣＶＤ型反応で反応する。堆積プロセスのＣＶＤ型成分によって堆積される膜の量は、Ｄ２ステージおよび分流の有無およびタイミングを含む、いくつかのパラメータによって制御することができる。図６のタイミング図を使用する場合よりも図５のタイミング図を使用する場合、ＲＦ／酸化ステージ中により多くの前駆体が存在することになる。ＰＤＰステージの存在、パージ量、およびタイミングもまた、ＣＶＤ型成分を制御するために使用され得る。ＣＶＤ型成分を増加させるために、ＰＤＰステージ中に流されるパージガスの量および／またはＰＤＰステージの持続時間を低減することができる。いくつかの実施形態では、投与後パージは、図７に示すように省略されてもよい。いくつかの実施形態では、Ｄ２ステージは省略されてもよく、ＰＤＰステージはＤ１ステージの終わりから始まる。ケイ素含有前駆体は、図８のタイミング図に示すように、分流せずにステーションに依然として流れることが可能である。
【0070】
堆積のＣＶＤ型成分を制御する別のパラメータは、Ｄ１段階（または図２および図３で参照される投与）の終わりとＲＦ／酸化の開始との間の時間である。この時間は、Ｄ２および／またはＰＤＰステージを含む。例示的な時間は、５ミリ秒～５００ミリ秒の範囲である。この範囲の下限では、堆積は、より多くのＣＶＤ型成分を有する。範囲の上限では、堆積は、大部分がＡＬＤであり得る。
【0071】
いくつかの実施形態では、酸化または窒化中、ＲＦには、低周波（ＬＦ）成分ならびに高周波（ＨＦ）成分が供給される。そのような実施形態では、堆積された誘電体の一部がフィーチャ上部からスパッタリングされ、フィーチャ内でさらに再堆積される。いくつかの実施形態では、ＨＦ成分は、酸化物、窒化物、または他の所望の膜への良好な変換を得るために比較的高い。例えば、ＨＦ成分は、４ｋＷ～１０ｋＷ（４つのステーションに分割される）、すなわちステーション当たり１ｋＷ～２．５ｋＷであってもよい。スパッタリングおよび再堆積の量は、ＬＦ電力を制御することによって調節することが可能である。いくつかの実施形態では、ＬＦ電力は、ＲＦ電力と同じであるか、またはＲＦ電力よりも低くてもよい。例えば、ＬＦ成分は、５００Ｗ～１０ｋＷ（４つのステーションに分割される）、すなわちステーション当たり１２５Ｗ～２．５ｋＷであってもよい。いくつかの実施形態では、ＬＦ電力は、５００Ｗ～５ｋＷ（４つのステーションに分割される）、すなわちステーション当たり１２５Ｗ～１２５０Ｗである。ステーション当たりの電力は、任意の数のステーションを有するチャンバに使用され得る。ＨＦ周波数は、約１３．５６または２７ＭＨｚであり、ＬＦ周波数は、約３００～４００ｋＨｚである。
【0072】
スパッタリングおよび再堆積はまた、アルゴン（Ａｒ）などの不活性ガスの流量によって制御することもできる。いくつかの実施形態では、スパッタリングおよび再堆積を増加させるために、ＲＦステージ中に高アルゴンＡｒガス流が使用される。例えば、Ａｒ流量は、４つのステーションに対して最大約５０標準リットル／分（ｓｌｍ）、すなわちステーション当たり最大１２．５ｓｌｍである。下限では、ＲＦステージ中に約３．５～１０ｓｌｍ、すなわちステーション当たり８７５ｓｃｃｍ～２．５ｓｌｍのＡｒ流量が使用され得る。いくつかの実施形態では、ステーションへのＡｒ流量は、ＲＦステージに対してのみ増加されてもよい。
【0073】
いくつかの実施形態では、ＣＶＤ型成分は、ＲＦパージ（ＲＦＰ）を使用して制御される。酸化剤または他の共反応剤は完全にはパージされず、次の投与ステージにおいて前駆体と反応するためにチャンバ内に残ることが可能である。これは、上述した投与および／またはＰＤＰの制御に加えて、またはその代わりに行われてもよい。例示的なタイミング図が、図９に示されている。
【0074】
図９は、サイクルにおける４つのステージ：投与、ＰＤＰ、ＲＦ／酸化、およびＲＦＰを示す。示す例では、Ｓｉ前駆体および不活性ガスは、投与中にステーションにある。いくつかの実施形態では、分流器（図示せず）を使用して、投与中にステーションから遠ざけるように前駆体を誘導することが可能である。代替の実施形態では、前駆体は、投与後にチャンバ内に流れ続けることが可能であってもよい。図９では、酸化剤は、プラズマが消滅すると同時にオフおよび／または分流される。代替の実施形態では、酸化剤は、ＲＦがオフになった後もチャンバ内に流れ続けることが可能であってもよい。
【0075】
ＲＦＰのタイミングを適切に制御することによって、その後の投与中にＣＶＤ型成分を導入することができる。パージ流ならびに酸化剤（または他の共反応剤）の量および濃度も制御することで、ＣＶＤ型成分に影響を及ぼすことが可能である。ＲＦＰ時間を短縮すること、ならびに／または酸化剤の量および／もしくは濃度を増加させことによって、酸化剤種は、前駆体と反応する次の投与段階中に存在することが可能になる。酸化剤種は、分子および／もしくはラジカル、または他の残光プラズマ種であってもよい。残りの種の反応性を高めるために、ＲＦ電力（ＨＦおよび／またはＬＦ）も増加させることができる。ＲＦＰ時間の例は、０．５秒～５秒の範囲である。パージ流の例は、５ｌｐｍ～４５ｌｐｍの範囲である（しかし、これは特定のリアクタの幾何学的形状およびサイズに依存する）。
【0076】
いくつかの実施形態では、ＲＦＰ時間は、１秒未満である。１秒以上のＲＦＰ時間は、純粋なＡＬＤをもたらす可能性が高い。対照的に、パージ流が少ない０．１秒のＲＦＰでは、ＣＶＤ型成分が高い。いくつかの実施形態では、ＲＦＰ時間は、０．９秒、０．８秒、０．７秒、０．６秒、０．５秒、０．４秒、０．３秒、または０．２秒未満である。
【0077】
図１０は、すべての他のプロセスパラメータを一定に保った場合の、ＲＦＰ時間の関数としての堆積速度の一例を示す。５０００ＷのＲＦ電力が使用された。例示的なプロセスでは、堆積速度は、約０．３秒以下のＲＦＰ時間ではより高く、その後、ＲＦＰ時間が増加するにつれて減少する。０．５秒では、プロセスは、純粋なＡＬＤであるかまたはそれに近い。強いまたは弱いＣＶＤ型成分または純粋なＡＬＤをもたらすＲＦＰ時間は、パージ流、酸化剤の量、酸化剤の濃度、ＲＦ電力などに依存する。
【0078】
上述したように、方法は、メモリおよび論理用途を含む様々な用途に対して実施され得る。いくつかの実施形態では、方法は、ギャップ充填のために使用することが可能である。図１１ａは、側壁１１１５間に未充填のギャップ１１０３を含むフィーチャ１１０１の一例を示す。図では、幅「ａ」および高さ「ｂ」が示されている。幅は、直径であってもよい。アスペクト比（Ａ／Ｒ）は、示されるようにｂ／ａによって与えられる。側壁１１１５は、概して垂直である。しかし、いくらかのリエントランシーが存在する可能性がある。リエントランシーは、フィーチャの底部から上に向かって狭くなっていく。挿入図１１１０は、フィーチャ内の深さ「ｘ」における厚さ「ｙ」のリエントランシーを示す。側壁面は、１つまたは複数の誘電体材料、導電性材料、または半導電性材料を含み得る。いくつかの実施形態では、ギャップは、ライナ膜で裏打ちされてもよい。
【0079】
いくつかの実施形態では、方法は、３Ｄ ＮＡＮＤ構造の製作中にギャップを充填するために実施される。例えば、酸化ケイ素／窒化ケイ素（ＯＮＯＮ）交互層にスリットをエッチングした後、誘電体をスリットに堆積することが可能である。図１１ｂは、２つのメモリスタック１１０５間にギャップ１１０３を含む構造の一例を示す。各スタックは、２対２５６対以上の交互の酸化物／窒化物層を含むことができる。様々な実施形態によれば、スタックは層、例えば、ポリシリコン層で裏打ちされてもよい。ギャップ１１０３の充填中、ＬＦ成分がＲＦ酸化動作に追加され得る。ＬＦ成分を追加することにより、ＯＮＯＮスタックにおける亀裂の形成が軽減される。いくつかの実施形態では、これは、スパッタリングおよび再堆積された膜における架橋および／または応力によるものである。
【0080】
方法は、論理デバイス製作用のＤＲＡＭ構造、ならびにシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）およびディープトレンチアイソレーション（ＤＴＩ）構造を含む任意の適切な構造の誘電体ギャップ充填に使用され得る。いくつかの実施形態では、ギャップ充填中、方法は、抑制および／またはエッチング動作を含むことができる。例えば、上述のＰＥＡＬＤタイミングシーケンスは、ギャップを充填する堆積－エッチング－堆積（ＤＥＤ）プロセスにおける堆積動作に使用されてもよい。
【0081】
いくつかの実施形態では、本明細書に記載の方法は、ホールおよびトレンチ構造内に閉じた空隙を形成するために使用される。図１１ｃは、２つのフィーチャ間に形成された空隙１１２０の一例を示す。誘電体材料１１２２は、より多くの誘電体材料がフィーチャの上部に堆積されるにつれて空隙１１２２が形成されるのに十分な量のＣＶＤ型成分を用いてフィーチャ間のギャップに堆積される。上述の技法を使用して、空隙を形成するようにＣＶＤ型成分を制御することが可能である。
【0082】
空隙（エアギャップとも呼ばれる）を形成することによって、半導体デバイスにおけるレベル内容量を低減することができる。方法はまた、ＭＥＭＳデバイス内にエアギャップを形成することを含む、任意の適切な場面でエアギャップを形成するために使用することができる。半導体構造の例には、相互接続、導電ライン、または他の導電性フィーチャが挙げられる。方法はまた、フィーチャ間の誘電体膜によってキャップされたエアギャップが有用な任意の場面でも実施することが可能である。構造の例には、ホールおよびスリットなどの３Ｄ ＮＡＮＤ構造、ビットライン構造などのＤＲＡＭ構造、バックエンドオブライン（ＢＥＯＬ）の金属ライン、論理ゲートなどが挙げられる。構造は、フィーチャ間に未充填のギャップを有する２つ以上の隣接するフィーチャを有することによって特徴付けられる。多くの実施態様では、フィーチャは導電性フィーチャであり、形成されるエアギャップは非常に低いｋ誘電率を提供し、寄生容量を低減する。しかし、フィーチャの側壁面は、導電性表面、誘電性表面、または半導体表面、またはこれらの組み合わせを含む任意の材料であってもよい。例えば、構造は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）膜でコーティングされた銅（Ｃｕ）ラインであってもよい。構造の寸法はまた、特定の用途に依存する。例えば、入来するＤＲＡＭ構造は、幅２５～５０ｎｍ、深さ３００～８００ｎｍのギャップを有することができ、入来する３Ｄ ＮＡＮＤ構造は、幅５０～３５０ｎｍ、深さ５～８ミクロンである場合がある。しかし、方法は、いずれかの特定の構造寸法、フィーチャ構成、または側壁面に限定されない。いくつかの実施形態では、方法は、エアギャップを形成するための他の技法（犠牲材料の堆積および除去など）を実施することが困難な用途で実施することが可能である。
【0083】
形成された空隙は、１１２６で示す空隙の上部の載置および形状によって特徴付けることができる。空隙の場所は、ＲＦ時間の量および／またはスパッタリング量によって調節することができる。空隙の上部は、一般に、さらなる処理中に空隙が閉じられたままであることを確実にするために、フィーチャの上部よりもある程度は下にある。いくつかの実施形態では、空隙の上部は、図１１ｃに示すように丸形である。丸形の上部は、亀裂を防止するのに役立つ。
【0084】
空隙を含むフィーチャは、堆積の結果形成される窪み１１２８によってさらに特徴付けることができる。上述のスパッタリングにより、窪み角１１３０が広がる。いくつかの実施形態では、窪み角は、５０°よりも大きい、５５°よりも大きい、６０°よりも大きい、６５°よりも大きい、７０°よりも大きい、７５°よりも大きい、８０°よりも大きい、または８５°よりも大きい。
【0085】
いくつかの実施形態では、プロセスは、抑制プラズマへの定期的な曝露を含むことができる。抑制プラズマは不動態化された表面を形成し、膜の核形成障壁を増加させる。抑制プラズマがフィーチャ内の材料と相互作用する場合、フィーチャの底部における材料は、幾何学的陰影の効果のため、フィーチャの上部部分近くまたはフィールド内に位置する材料よりも少ないプラズマ処理を受ける。フィーチャの上部における堆積が選択的に抑制され、フィーチャの下側部分における堆積はより少ない抑制で、または抑制されずに進行する。その結果、ボトムアップ充填が強化され、継ぎ目の影響を軽減し、空隙の形成を防止するより好ましい傾斜プロファイルを形成する。ハロゲン含有プラズマは、効果的な抑制プラズマとなり得る。例えば、いくつかの用途では、三フッ化窒素（ＮＦ3）から生成されたプラズマは、分子状窒素（Ｎ2）から生成されたプラズマと比較して、大幅に短縮された時間で抑制効果を提供することが可能である。しかし、ハロゲン含有プラズマはまた、エッチャントとして作用し得る。例えば、抑制を実施している間、低エネルギーで表面に衝突する原子は抑制剤として作用することができ、高エネルギーの原子は材料を除去することができる。プラズマはエネルギー分布を有するため、プラズマの一部の成分がフィーチャの上部近くに衝突し、エッチングされる場合がある。エッチングされた誘電体は、堆積中に置換される。下層の材料（例えば、ポリシリコン（ポリＳｉ）、金属酸化物など）が除去された場合、エッチングされた誘電体は置換されず、デバイス性能に影響を及ぼす可能性がある。
【0086】
いくつかの実施形態では、方法は、ギャップの上部に保護膜を形成するために実施される。この膜は、ギャップの上部にある「ヘルメット」と呼ばれることがあり、抑制プラズマによる損傷から保護することができる。図１２ａは、開示された実施形態に従って使用され得るプロセスシーケンスの一例を示す。図１２ａの例では、複数のＡＬＤ動作が示されている。これらの動作のいずれか１つまたは複数は、上述の技法の１つまたは複数を使用して、ＣＶＤ型成分を含むことができる。
【0087】
図１２ａのプロセスシーケンスは、抑制プラズマへの曝露前に保護膜の堆積を含む。他の動作（例えば、浸漬、不動態化）は、特定の実施形態では省略されてもよく、特定の実施形態では動作が追加されてもよい。図１２ａの例示的なプロセスシーケンスでは、１つまたは複数のウエハがギャップ充填を受ける。プロセスは、堆積チャンバに提供された後、浸漬から始まることができる。これは、例えば、粒子の除去または別の前処理に有用であり得る。続いて、保護膜のＡＬＤ堆積のｎ１サイクルが実施される。保護ライナＡＬＤのさらなる詳細については、以下で説明される。保護膜が堆積された後、ｎ個の抑制ブロックが実施され、１つの抑制ブロックの動作が示されている。抑制ブロックの第１の動作は、表面処理である抑制プラズマである。上述したように、プラズマは、アニオンを含むハロゲン種、およびＦ-、Ｃｌ-、Ｉ-、Ｂｒ-、フッ素ラジカルなどのラジカル種を含むことができる。構造に損傷を与える可能性のあるプラズマからの保護を行う保護膜を有する、他の抑制プラズマが使用されてもよい。例えば、分子状窒素（Ｎ2）、分子状水素（Ｈ2）、アンモニア（ＮＨ3）、アミン、ジオール、ジアミン、アミノアルコール、チオール、またはそれらの組み合わせから生成されたプラズマは、抑制プラズマとして使用することが可能である。温度、ＲＦ電力、および下層の材料の感度などの条件が、これらによりプラズマ損傷が発生し得るような条件である場合、保護膜を使用することができる。いくつかの実施形態では、ハロゲン含有ガス（例えば、ＮＦ3）が使用される。ハロゲン含有ガスは、抑制を制御し、かつエッチングを防止するために酸素（Ｏ2）などの別のガスで大幅に希釈されてもよい。例えば、いくつかの実施形態では、酸化剤：ハロゲンの体積流量比は、少なくとも５：１または少なくとも１０：１であってもよい。
【0088】
抑制プラズマがフィーチャ内の材料と相互作用する場合、フィーチャの底部における材料は、幾何学的陰影の効果のため、フィーチャの上部部分近くまたはフィールド内に位置する材料よりも少ないプラズマ処理を受ける。その結果、フィーチャの上部における堆積が選択的に抑制され、フィーチャの下側部分における堆積はより少ない抑制で、または抑制されずに進行する。図１２ａでは、抑制ブロックにおける次の動作は、ＡＬＤ充填のｎ２サイクルである。誘電体材料は、フィーチャの底部に選択的に堆積される。抑制プラズマおよびＡＬＤ充填のｎ２サイクルは、一緒になって成長サイクルを形成する。成長サイクルをｎ３回繰り返すことで、抑制効果が減少した際に断続的な抑制動作でフィーチャを充填し続けることができる。抑制ブロックにおける成長サイクルの数は、フィーチャのリエントランシーに依存する場合がある。より多くのリエントランシーを示すフィーチャは、より長い抑制時間または複数の抑制ブロックを使用することができる。図１２ａの例では、抑制ブロックは、不動態化動作で終了する。これは、残留抑制剤を除去し、堆積された膜を緻密化することもできる表面処理である。いくつかの実施形態では、酸素プラズマが使用される。いくつかの実施形態では、不動態化サイクルは、省略されてもよい。
【0089】
成長サイクルおよび不動態化を含む１つまたは複数の追加の抑制ブロックが、合計ｎ個の抑制ブロックに対して実施され得る。抑制ブロックの数は、フィーチャを充填するためにどれだけの材料が使用されるかに依存する。抑制プラズマ、ＡＬＤ、および不動態化条件は、フィーチャを充填するために抑制ブロックごとに変更することが可能である。例えば、抑制プラズマ持続時間は、フィーチャの下４分の１が充填されるまで２０秒であり（抑制ブロック１）、その後、構造の中央の５０％に対しては５秒に変更される（抑制ブロック２）などであってもよい。
【0090】
フィーチャがほぼ充填されると、抑制はもはや必要なくなり、充填はＡＬＤ充填のｎ４サイクルで完了することができる。いくつかの実施形態では、その後、誘電体のキャップまたはオーバーバーデン層を堆積することが可能である。高速堆積のために、プラズマ強化化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）がこのステージにおいて使用されてもよい。
【0091】
いくつかの実施形態では、保護膜は、上述のようにＣＶＤ型成分を使用して堆積される。図１２ｂは、ＯＮＯＮスタックの上部にポリＳｉ１２１８を有する３Ｄ ＮＡＮＤ構造１２５０の一例を示す。１２５１において、ポリＳｉ２１８は、ギャップ２０６を充填するために使用される抑制プラズマに曝露されると脆弱になる。１２５３において、保護膜１２６０が示されている。特定の実施形態では、シャワーヘッドへのケイ素含有前駆体を制御する入口弁は開いており、分流弁は閉じられていない。これにより、ケイ素含有前駆体ガスの流れをケイ素含有前駆体源の出口弁によって制御することが可能になる。図４に関して上述したように、出口弁が閉じられた後、ある程度の量のケイ素含有前駆体ガスがライン内にあり、ステーションに入ることができる。同じまたは他の実施形態では、ＬＦ電力が保護膜の形成中に使用される。
【0092】
保護ライナの堆積中にケイ素含有前駆体をステーション内に流すことを可能にすることにより、ＣＶＤ型成分を用いないＡＬＤプロセスよりもはるかに迅速に保護膜を堆積することが可能となる。ＬＦ成分を提供することにより、堆積を改善することもでき、ＨＦのみを堆積した膜よりも均一性が高く、かつ屈折率（ＲＩ）が高い膜を提供することができる。図１３を参照すると、１０００Ｗ ＨＦ＋１５００Ｗ ＬＦ（三角形）を用いた、および１０００Ｗ ＨＦのみを用いたＰＥＡＬＤにより１０Ｔｏｒｒでケイ素含有前駆体／パージ／Ｎ2プラズマ／パージシーケンスを使用して堆積された膜についての厚さ不均一性（ＮＵ）および屈折率（ＲＩ）が示されている。ＨＦ＋ＬＦ堆積膜の場合、ＮＵは著しく低く、ＲＩは高い。ＲＩは、エッチング速度と逆相関する。したがって、ＨＦ＋ＬＦ堆積膜は、よりエッチング耐性がある。堆積速度も複数の圧力で示されており、ＨＦ＋ＬＦ堆積膜の方が高い。
【0093】
保護膜は、抑制プラズマに対して比較的エッチング耐性のある材料から形成され得る。保護ライナの例には、窒化ケイ素、炭化ケイ素、および酸化ケイ素（酸窒化ケイ素、酸炭化ケイ素、炭窒化ケイ素などを含む）が挙げられる。抑制剤ガスと適合し、下層の膜と比較して抑制剤において高い選択性（低いエッチング速度）を有する任意の材料を使用することが可能である。
【0094】
酸化ケイ素は、フッ素系または同様のプラズマに対して窒化ケイ素または炭化ケイ素よりも低い耐性を有し、特定の状況でのみ使用され得る。特定の状況には、以下の１つまたは複数が挙げられ得る：抑制プラズマが比較的弱いこと、抑制プラズマが短期間のみ適用されること、およびフィーチャ寸法が、充填中にフィーチャをピンチオフすることなくかなり大量の保護膜を堆積することが可能であること。
【0095】
窒化ケイ素（ＳｉＮ）は、Ｎ2プラズマまたは他の窒素含有プラズマを使用して堆積され得る。いくつかの実施形態では、酸化剤はＳｉＮの堆積中に使用されない。しかし、特定のプロセス条件では、周囲条件により窒化ケイ素ではなく酸化ケイ素が形成される場合がある。ＳｉＮ保護膜の堆積中にＬＦを使用すると、酸化物ではなく窒化物が形成される。例えば、図１３を参照すると、ＨＦのみの堆積は、膜のかなりの部分が窒化物ではなく酸化物であることを示すＲＩを有する。ＨＦ／ＬＦ堆積膜は、窒化物のＲＩと一致するＲＩを有する。ＬＦ ＲＦ電力は、過剰なスパッタリングを回避するために制限される場合がある。いくつかの実施形態では、ＬＦ電力の量は、４つのステーションに対して１～２ｋＷ（すなわちステーション当たり２５０Ｗ～５００Ｗ）である。酸素がほとんど存在しない極低圧を使用すること、および／またはより長いＲＦ時間を使用することによって、ＳｉＮ膜を堆積することも可能である。炭化ケイ素は、炭素含有共反応剤（例えば、シランとメタンの反応）を使用して堆積され得る。
【0096】
多くの実施形態では、材料は犠牲的であり、抑制中に除去されるため、特に限定されない。保護膜の深さは、保護ライナがない場合に抑制プラズマが下層に損傷を与える深さを決定することによって決定することができる。これは、モデル化によって、またはこれらの組み合わせによって実験的に行うことができる。保護膜は、抑制プラズマを通して下層を保護するが、最後の抑制プラズマの終わりまでに除去されるような厚さに堆積され得る。これは、実験的に、および／または既知のエッチング速度から決定することができる。例示的な厚さは、数十～数百オングストロームの範囲であり得る。いくつかの実施形態では、ギャップ充填後にある程度の量の保護膜が残る場合がある。そのような場合、保護ライナが残るギャップの部分を充填する前に、別々の除去プロセスを実施することができる。いくつかの実施形態では、残りの保護膜がデバイス内に残される場合がある。いくつかの実施形態では、保護膜の堆積は複数回、例えば、ｍ個の抑制ブロックごとに実施されてもよい。
【0097】
ＰＥＡＬＤプロセスにおけるＣＶＤ型成分は、共形的にではなく構造の上部に優先的に保護ライナを堆積することを容易にすることができる。上述したように、いくつかの実施形態では、ケイ素含有前駆体は、プロセス全体にわたって、あるいは図５～図８に関して説明したように流れることが可能である。いくつかの実施形態では、ＬＦ ＲＦプラズマが使用される。さらに、保護ライナの非共形堆積をさらに容易にするために、圧力を比較的低く（例えば、２０Ｔｏｒｒ未満、または１５Ｔｏｒｒ未満）に保つことができる。
【0098】
本明細書に記載の方法による保護ライナの堆積により、ギャップの上部からその最深点まで厚さが徐々にテーパ状になる可能性がある。エッチング速度は深さが増加するにつれて減少し、それにより下層をエッチングすることなくテーパ状の保護ライナを除去することができる。
【0099】
図１４は、保護ライナの堆積の一部として実施され得る単一のＰＥＡＬＤサイクルについての、または図１２ａに示す他のＡＬＤ動作のいずれかについてのプロセスフロー図を提示する。動作１４０２において、基板がケイ素含有前駆体に曝露され、前駆体をフィーチャの表面上に吸着させる。この動作は、自己制限的であってもよい。いくつかの実施形態では、前駆体は、フィーチャの表面上のすべての活性部位よりも少ない部位に吸着する。動作１４０４において、プロセスチャンバは任意選択でパージされ、未吸着のケイ素含有前駆体が除去される。上述したように、いくつかの実施形態では、基板は、パージ中にケイ素含有前駆体を含む流れに曝露され続ける。
【0100】
動作１４０６において、基板は、共反応剤から生成されたプラズマに曝露される。例には、酸化ケイ素層または酸窒化ケイ素層を形成するためのＯ2および／またはＮ2Ｏ、窒化ケイ素層を形成するための窒素（Ｎ2）またはアンモニア（ＮＨ3）、炭化ケイ素層を生成するためのメタン（ＣＨ4）などが挙げられる。上述したように、いくつかの実施形態では、基板は、この動作中にケイ素含有前駆体を含む流れに曝露され続ける。また、上述したように、同じまたは他の実施形態では、プラズマは、ＬＦおよびＨＦ電圧を使用して生成されるＲＦ生成プラズマである。
【0101】
動作１４０８において、プロセスチャンバは任意選択でパージされ、ケイ素含有前駆体と共反応剤との間の反応から副生成物を除去する。上述したように、いくつかの実施形態では、基板は、この動作中にケイ素含有前駆体を含む流れに曝露され続ける。動作１４０２～１４０８が多数のサイクルにわたって繰り返され、フィーチャ内に所望の厚さでケイ素含有層が堆積される。
【0102】
本明細書に記載のプロセスは、特定の反応機構に限定されないことに留意されたい。したがって、図１４に関して説明したプロセスは、厳密に自己制限的ではないものも含め、ケイ素含有前駆体および変換プラズマへの連続曝露を使用するすべての堆積プロセスを含む。プロセスは、プラズマを生成するために使用される１つまたは複数のガスが断続的なプラズマ点火によりプロセス全体にわたって継続的に流されるシーケンスを含む。
【0103】
本開示の別の態様は、ＰＥＡＬＤによって酸窒化ケイ素層を形成する方法に関する。本明細書で使用される場合、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）は、ＳｉＯxＮyを指し、ｘおよびｙは、０よりも大きい数である。図１５は、酸窒化ケイ素層を形成する方法についてのプロセスフロー図である。まず、動作１５０２において、ＳｉＯ堆積のためのプロセス条件が安定化される。これは、上述したように、ガス流を変更し、チャンバまたはチャンバのステーション内への流量を安定化することを伴う。いくつかの実施形態では、これは、チャンバ圧力を安定化することを伴い得る。以下でさらに説明するように、基板温度および／またはチャンバ圧力は、前の動作と同じであってもよく、安定化する必要がない場合がある。
【0104】
次に、ケイ素含有前駆体および酸素含有（Ｏ含有）共反応剤を使用するｘ回のＰＥＡＬＤサイクルが動作１５０４で実施される。以下でさらに説明するように、サイクル数ｘは、堆積された膜に組み込まれる酸素の量、および堆積された膜が均質なＳｉＯＮ膜であるか、または層状ＳｉＯ／ＳｉＮ膜であるかによって決定され得る。いくつかの実施形態では、ｘは、終点を含む、１～１５、または１もしくは１０、または１～７の整数である。
【0105】
ｘ回のサイクルが実施されると、チャンバにおけるプロセス条件が動作１５０６でＳｉＮ堆積のために安定化される。動作１５０６は、ガス流を変更し、かつ安定化することを含み、チャンバ圧力を変更することをさらに含むことができる。以下でさらに説明するように、基板温度および／またはチャンバ圧力は、前の動作と同じであってもよく、安定化する必要がない場合がある。
【0106】
次に、ケイ素含有前駆体および窒素含有（Ｎ含有）共反応剤を使用するｙ回のＰＥＡＬＤサイクルが動作１５０８で実施される。Ｎ含有反応剤は、典型的には酸素を含まず、動作１５０８中にＯ含有反応剤は使用されない。以下でさらに説明するように、サイクル数ｙは、堆積された膜に組み込まれる窒素の量、および堆積された膜が均質なＳｉＯＮ膜であるか、または層状ＳｉＯ／ＳｉＮ膜であるかによって決定され得る。いくつかの実施形態では、ｙは、終点を含む、１～１５、または１もしくは１０、または１～７の整数である。
【0107】
動作１５０１において、動作１５０２～１５０８が１回以上繰り返されて膜厚が蓄積される。様々な実施形態によれば、図１５に示すプロセス全体は、同じチャンバ内で実施され、いくつかの実施形態では、マルチステーションチャンバの同じステーション内で実施される。いくつかの実施形態では、異なるステーションが異なるプロセス動作に対して使用されてもよい。
【0108】
ＳｉＯＮ膜への窒素の組み込みの微制御を使用して、膜のドライエッチング速度を制御することができ、一般に、より多くの窒素がよりエッチング耐性の高い膜をもたらす。ｘ：ｙの比を使用して、膜中のＯおよびＮの相対量を調節することができる。いくつかの実施形態では、ＳｉＯおよびＳｉＮの堆積を繰り返す前のサイクル数ｘおよびｙの各々ならびに合計サイクル数ｘ＋ｙは、堆積された膜が均質なＳｉＯＮ膜となるように十分に低く保たれる。ＳｉＯおよびＳｉＮが個別の交互層である実施形態では、サイクル数を増やすことができる。様々な実施形態によれば、比ｘ：ｙは、１：１０～１０：１の範囲であり得る。他の比が使用されてもよい。
【0109】
いくつかの実施形態では、チャンバ圧力は、動作１５０２および１５０６で変更される。他の実施形態では、同じチャンバ圧力が使用される。動作１５０８（窒素系プラズマを使用）のＰＥＡＬＤサイクル中のプラズマ持続時間は、動作１５０４（酸素系プラズマを使用）のプラズマ持続時間よりもはるかに長い。例えば、これは少なくとも２倍の長さ、少なくとも３倍の長さ、少なくとも５倍の長さ、または少なくとも７倍の長さである。様々な実施形態によれば、動作１５０４で使用されるケイ素含有前駆体は、動作１５０８で使用されるものと同じであっても異なっていてもよい。
【0110】
様々な実施形態によれば、動作１５０２は、処理ステーションに入る窒素（Ｎ2）または他の非酸素含有窒素含有反応剤の流れを停止することを伴い得る。これは、例えば、マニホールドからの流れを停止または分流させることを伴う場合がある。この動作は、分流を伴ってマニホールドから酸化剤（例えば、Ｏ2および／またはＮ2Ｏ）の流れを開始することをさらに伴ってもよい。この動作は、処理ステーションへのケイ素含有前駆体の流れを開始することをさらに伴ってもよい。これは、分流を伴わずにケイ素含有前駆体ガス源からの弁、例えば図４の弁４１２を開くことを伴うができる。いくつかの実施形態では、弁は、動作１５０８のＲＦパージ動作中に開いてもよいし、開いたままにしてもよい。
【0111】
様々な実施形態によれば、動作１５０６は、処理ステーションに入る酸素（Ｏ2）または他の酸素反応剤の流れを停止することを伴い得る。これは、例えば、マニホールドからの流れを停止または分流させることを伴う場合がある。この動作は、分流を伴ってマニホールドから非酸素含有窒素含有反応剤（例えば、Ｎ2）の流れを開始することをさらに伴ってもよい。この動作は、処理ステーションへのケイ素含有前駆体の流れを開始することをさらに伴ってもよい。これは、分流を伴わずにケイ素含有前駆体ガス源からの弁、例えば図４の弁４１２を開くことを伴うができる。いくつかの実施形態では、弁は、動作１５０４のＲＦパージ動作中に開いてもよいし、開いたままにしてもよい。
【0112】
図１６Ａは、図１５による方法において様々な数のＳｉＮサイクルを使用して堆積された膜についてのエッチング速度と逆相関する屈折率（ＲＩ）および密度を示す。図１６Ａからわかるように、ＲＩおよび密度（したがってドライエッチング速度）は、合計ＳｉＮおよびＳｉＯサイクルに対してＳｉＮサイクルの数を増減させることによって、かなり広い範囲で調節することができる。
【0113】
図１６Ｂは、４つの厚さ３ｋÅの膜、すなわち、各反復について３回の酸化剤サイクルから７回の窒化剤サイクルを伴う図１５に示すような方法を使用して堆積された１つのＳｉＯ2膜、１つのＳｉＮ膜、１つのＳｉＯＮ膜、および各反復について７回の酸化剤サイクルから３回の窒化剤サイクルを伴う図１５に示すような方法を使用して堆積されたＳｉＯＮ膜についてのＦＴＩＲスペクトルを示す。Ｏ2／Ａｒプラズマ動作とＮ2／Ａｒプラズマ動作の両方を使用して堆積された膜の場合、ピークはＳｉＯ2とＳｉＮのピークの間にあり、膜が混合ＳｉＯＮ膜であり、層状ＳｉＯ2／ＳｉＮ膜ではないことを示している。
【0114】
本明細書に記載のＳｉＯＮ膜は、パターニングスキームにおけるスペーサとしての用途を含む様々な用途に使用することが可能である。例えば、ＳｉＯＮ膜は、エッチングされるターゲット層の上に重なるパターニングされたコア材料の上に堆積され得る。いくつかの実施形態では、パターニングされたコア材料は、アモルファスカーボン構造などの炭素系構造であってもよい。ＳｉＯＮ膜を堆積させ、パターニングされたコア材料を共形的にコーティングすることができる。図１６Ｃは、パターニングされた層１６１３上に共形的に堆積された、調節された組成およびドライエッチング速度を有するＳｉＯＮ膜１６２０の一例を示す。パターニングされた層１６１３についての材料の例には、アモルファスカーボン、アモルファスケイ素、およびフォトレジストが挙げられる。共形膜１６２０は方向性エッチングされ、パターニングされた第１の層１６１３に隣接するスペーサ１６２１を形成する。パターニングされた第１の層１６１３が選択的に除去され、自立型スペーサ１６２１が残る。スペーサ２２１は、下層１６０５内にさらに小さいピッチでフィーチャを形成するために、さらに小さいＣＤを有するマスクを提供することができる。ＳｉＯＮ膜１６２０は、パターン転写スキームにおいていくつかの正確なエッチング動作を受ける可能性があるため、上述したようにドライエッチング速度を調節することができることが有利である。
【0115】
図１～図１６Ｃを参照して上述したようにケイ素含有膜を堆積するために、１つまたは複数のケイ素含有前駆体を使用することが可能である。ケイ素含有反応剤は共反応剤と反応し、ケイ素含有膜（例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯＣなど）を形成することができる。開示された実施形態に従って使用するのに適したケイ素含有前駆体は、ポリシラン（Ｈ3Ｓｉ－（ＳｉＨ2）n－ＳｉＨ3）を含み、ｎ＞０である。シランの例は、シラン（ＳｉＨ4）、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、およびオルガノシラン、例えばメチルシラン、エチルシラン、イソプロピルシラン、ｔ－ブチルシラン、ジメチルシラン、ジエチルシラン、ジ－ｔ－ブチルシラン、アリルシラン、ｓｅｃ－ブチルシラン、テキシルシラン、イソアミルシラン、ｔ－ブチルジシラン、ジ－ｔ－ブチルジシランなどである。
【0116】
ハロシランは、少なくとも１つのハロゲン基を含み、水素および／または炭素基を含んでも含まなくてもよい。ハロシランの例は、ヨードシラン、ブロモシラン、クロロシラン、およびフルオロシランである。特定のクロロシランは、テトラクロロシラン、トリクロロシラン、ジクロロシラン、モノクロロシラン、クロロアリルシラン、クロロメチルシラン、ジクロロメチルシラン、クロロジメチルシラン、クロロエチルシラン、ｔ－ブチルクロロシラン、ジ－ｔ－ブチルクロロシラン、クロロイソプロピルシラン、クロロ－ｓｅｃ－ブチルシラン、ｔ－ブチルジメチルクロロシラン、テキシルジメチルクロロシランなどである。
【0117】
アミノシランは、ケイ素原子に結合した少なくとも１つの窒素原子を含むが、水素、酸素、ハロゲン、および炭素も含有してもよい。アミノシランの例は、モノ、ジ、トリ、およびテトラアミノシラン（それぞれ、Ｈ3Ｓｉ（ＮＨ2）、Ｈ2Ｓｉ（ＮＨ2）2、ＨＳｉ（ＮＨ2）3、およびＳｉ（ＮＨ2）4）、ならびに置換モノ、ジ、トリ、およびテトラアミノシラン、例えば、ｔ－ブチルアミノシラン、メチルアミノシラン、ｔｅｒｔ－ブチルシランアミン、ビス（ｔｅｒｔ－ブチルアミノ）シラン（ＳｉＨ2（ＮＨＣ（ＣＨ3）3）2（ＢＴＢＡＳ）、ｔｅｒｔ－ブチルシリルカルバメート、ＳｉＨ（ＣＨ3）－（Ｎ（ＣＨ3）2）2、ＳｉＨＣｌ－（Ｎ（ＣＨ3）2）2、（Ｓｉ（ＣＨ3）2ＮＨ）3などである。アミノシランのさらなる例は、トリシリルアミン（Ｎ（ＳｉＨ3））である。いくつかの実施形態では、中心のＳｉ原子に結合した２つ以上のアミン基を有するアミノシランが使用されてもよい。これらは、単一のアミン基のみが結合しているアミノシランよりも損傷が少ない場合がある。
【0118】
ケイ素含有前駆体のさらなる例には、トリメチルシラン（３ＭＳ）、エチルシラン、ブタシラン、ペンタシラン、オクタシラン、ヘプタシラン、ヘキサシラン、シクロブタシラン、シクロヘプタシラン、シクロヘキサシラン、シクロオクタシラン、シクロペンタシラン、１，４－ジオキサ－２，３，５，６－テトラシラシクロヘキサン、ジエトキシメチルシラン（ＤＥＭＳ）、ジエトキシシラン（ＤＥＳ）、ジメトキシメチルシラン、ジメトキシシラン（ＤＭＯＳ）、メチルジエトキシシラン（ＭＤＥＳ）、メチルジメトキシシラン（ＭＤＭＳ）、オクタメトキシドデカシロキサン（ＯＭＯＤＤＳ）、ｔｅｒｔ－ブトキシジシラン、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）、テトラオキシメチルシクロテトラシロキサン（ＴＯＭＣＴＳ）、トリエトキシシラン（ＴＥＳ）、トリエトキシシロキサン（ＴＲＩＥＳ）、およびトリメトキシシラン（ＴＭＳまたはＴｒｉＭＯＳ）が挙げられる。
【0119】
いくつかの実施態様では、ケイ素含有前駆体は、シロキサンまたはアミノ基含有シロキサンを含んでもよい。いくつかの実施形態では、本明細書で使用されるシロキサンは、Ｘ（Ｒ1）aＳｉ－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ2）bＹの式を有してもよく、ａおよびｂは、０～２の整数であり、ＸおよびＹは、独立して、ＨまたはＮＲ3Ｒ4とすることができ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、およびＲ4の各々は、水素、非分岐アルキル、分岐アルキル、飽和複素環基、不飽和複素環基、またはそれらの組み合わせである。いくつかの実施形態では、少なくとも１つのＸまたはＹがＮＲ3Ｒ4である場合、Ｒ３およびＲ４は、各々が結合している原子と一緒になって、飽和複素環式化合物を形成する。いくつかの実施形態では、ケイ素含有前駆体は、ペンタメチル化アミノ基含有シロキサンまたはジメチル化アミノ基含有シロキサンである。アミノ基含有シロキサンの例には、１－ジエチルアミノ１，１，３，３，３－ペンタメチルジシロキサン、１－ジイソプロピルアミノ－１，１，３，３，３－ペンタメチルジシロキサン、１－ジプロピルアミノ－１，１，３，３，３－ペンタメチルジシロキサン、１－ジ－ｎ－ブチルアミノ－１，１，３，３，３－ペンタメチルジシロキサン、１－ジ－ｓｅｃ－ブチルアミノ－１，１，３，３，３－ペンタメチルジシロキサン、１－Ｎ－メチルエチルアミノ－１，１，３，３，３－ペンタメチルジシロキサン、１－Ｎ－メチルプロピルアミノ－１，１，３，３，３－ペンタメチルジシロキサン、１ Ｎ－メチルブチルアミノ－１，１，３，３，３－ペンタメチルジシロキサン、１－ｔ－ブチルアミノ－１，１，３，３，３－ペンタメチルジシロキサン、１－ピペリジノ－１，１，３，３，３－ペンタメチルジシロキサン、１－ジメチルアミノ－１，１－ジメチルジシロキサン、１－ジエチルアミノ－１，１－ジメチルジシロキサン、１－ジイソプロピルアミノ－１，１－ジメチルジシロキサン、１－ジプロピルアミノ－１，１－ジメチルジシロキサン、１－ジ－ｎ－ブチルアミノ－１，１－ジメチルジシロキサン、１－ジ－ｓｅｃ－ブチルアミノ－１，１－ジメチルジシロキサン、１－Ｎ－メチルエチルアミノ－１，１－ジメチルジシロキサン、１－Ｎ－メチルプロピルアミノ－１，１－ジメチルジシロキサン、ｅ １－Ｎ－メチルブチルアミノ－１，１－ジメチルジシロキサン、１－ピペリジノ－１，１－ジメチルジシロキサン、１－ｔ－ブチルアミノ－１，１－ジメチルジシロキサン、１－ジメチルアミノジシロキサン、１－ジエチルアミノジシロキサン、１－ジイソプロピルアミノジシロキサン、１－ジプロピルアミノジシロキサン、１－ジ－ｎ－ブチルアミノジシロキサン、１－ジ－ｓｅｃ－ブチルアミノジシロキサン、１－Ｎ－メチルエチルアミノジシロキサン、１－Ｎ－メチルプロピルアミノジシロキサン、１－Ｎ－メチルブチルアミノジシロキサン、１－ピペリジノジシロキサン、１－ｔ－ブチルアミノジシロキサン、および１－ジメチルアミノ－１，１，５，５，５－ペンタメチルジシロキサンが挙げられる。
【0120】
ケイ素含有前駆体に加えて、アルゴン、窒素、ヘリウム、水素、またはそれらの組み合わせなどの不活性ガスを含む１つまたは複数の他のガスも流すことが可能である。様々な実施形態において、アルゴンガスは、約１ｓｌｍ～約２０ｓｌｍの流量を使用して導入されてもよい。いくつかの実施形態では、窒素ガスは、約０ｓｌｍ～約３０ｓｌｍの流量を使用して導入される（０ｓｌｍは、窒素ガスが流されていないことを指すことを理解されたい）。いくつかの実施形態では、水素ガスは、約０ｓｌｍ～約５ｓｌｍの流量を使用して導入される（０ｓｌｍは、水素ガスが流されていないことを指すことを理解されたい）。
【0121】
プラズマエネルギーを供給することで第２の反応剤をイオンおよびラジカル、ならびに他の活性種に活性化し、これらが吸着された前駆体の吸着層および気相中に存在する任意の前駆体と反応する。様々な実施形態において、プラズマはその場（ｉｎ－ｓｉｔｕ）プラズマであり、それによりプラズマはチャンバ内の基板表面の真上に形成される。ｉｎ－ｓｉｔｕプラズマは、約０．２１２２Ｗ／ｃｍ2～約２．１２２Ｗ／ｃｍ2、または約０．４４２１Ｗ／ｃｍ2～約１．７６８４Ｗ／ｃｍ2の基板面積当たりの電力で点火され得る。例えば、単一のウエハに対する電力は、約１５０Ｗ～約６０００Ｗ、または約５００Ｗ～約６０００Ｗ、または約６００Ｗ～約６０００Ｗ、または約８００Ｗ～約４０００Ｗ、または約３１０Ｗ～約１２５０Ｗの範囲であってもよい。４つの３００ｍｍウエハに対する電力は、約１５０Ｗ～約６０００Ｗ、または約１２５０Ｗ～約５０００Ｗの範囲であってもよい。本明細書に記載の範囲は、その終点を含む。
【0122】
ＡＬＤプロセス用のプラズマは、２つの容量結合されたプレートを使用して無線周波数（ＲＦ）場をガスに印加することによって生成され得る。ＲＦ場によるプレート間のガスのイオン化によりプラズマが点火され、プラズマ放電領域内に自由電子が生成される。これらの電子はＲＦ場によって加速され、気相反応剤分子と衝突する可能性がある。これらの電子と反応剤分子の衝突により、堆積プロセスに関与するラジカル種が形成され得る。ＲＦ場は、任意の適切な電極を介して結合され得ることが理解されよう。
【0123】
本出願では、「半導体ウエハ」、「ウエハ」、「基板」、「ウエハ基板」、および「部分的に製作された集積回路」という用語は、互換的に使用される。当業者は、「部分的に製作された集積回路」という用語が、集積回路製作の多くの段階のいずれかにあるケイ素ウエハを指すことができることを理解するであろう。半導体デバイス業界で使用されるウエハまたは基板は、典型的には、２００ｍｍ、または３００ｍｍ、または４５０ｍｍの直径を有する。特に明記しない限り、本明細書に記載される処理の詳細（例えば、流量、電力レベルなど）は、直径３００ｍｍの基板の処理、または直径３００ｍｍの基板を処理するように構成された処理チャンバに関連し、他のサイズの基板もしくはチャンバに応じて拡大縮小することができる。
【0124】
図１７は、プロセスチャンバ本体１７０２を有するプラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）プロセスステーション１７００の一実施形態の概略図を図示する。ＰＥＡＬＤプロセスステーション１７００は、いくつかの実施形態では、低圧環境で基板を処理するのに適している場合がある。いくつかの実施形態では、ＰＥＡＬＤプロセスステーション１７００の１つまたは複数のハードウェアパラメータ値（以下で詳細に説明されるものを含む）は、１つまたは複数のコンピュータコントローラ１７５０によってプログラム的に調整することができる。
【0125】
ＰＥＡＬＤプロセスステーション１７００は、プロセスガスを分配シャワーヘッド１７０６に送給するための反応剤送給システム１７０１ａと流体連通する。反応剤送給システム１７０１ａは、図１を参照して上述した、または図１８を参照して以下で説明される１つまたは複数のマニホールド、混合容器、質量流量コントローラ、液体流量コントローラ、および弁を含むことができる。様々な実施形態において、シャワーヘッド１７０６またはプロセスチャンバ１７０２への１つまたは複数のプロセスガスの送給は、サイクルにわたって変化し得る。例えば、１つまたは複数のプロセスガスを投与する継続期間は、変化する場合がある。開示された実施形態では、コントローラ１７５０は、１つまたは複数の入口弁、分流弁、および出口弁を制御することによって、１つまたは複数のプロセスガスの送給を制御することが可能である。
【0126】
シャワーヘッド１７０６は、プロセスガスを基板１７１２に向けて分配する。図１７に示す実施形態では、基板１７１２は、シャワーヘッド１７０６の下に位置し、台座１７０８上に静止した状態で示されている。シャワーヘッド１７０６は、任意の適切な形状を有してもよく、プロセスガスを基板１７１２に分配するための任意の適切な数および配置のポートを有してもよい。任意選択で、台座４０８は、プロセス圧力、反応剤濃度、プラズマ密度などを調節するために、プロセスの一部の間に下降および／または上昇されてもよい。
【0127】
シャワーヘッド１７０６および／または台座１７０８は、プラズマに電力を供給するために、整合ネットワーク１７１６を介して高周波無線周波数（ＨＦＲＦ）電源１７１４ａおよび低周波無線周波数（ＬＦＲＦ）と電気的に通信する。いくつかの実施形態では、プラズマエネルギーは、プロセスステーション圧力、ガス濃度、ＲＦ源電力、ＲＦ源周波数、およびプラズマ電力パルスタイミングの１つまたは複数を制御することによって制御することができる。そのようなパラメータ値は、本明細書で説明されるマルチサイクルＡＬＤプロセスにおいて、ＡＬＤサイクルごとに変化し得る。例えば、ＬＦＲＦ電源１７１４ｂおよび整合ネットワーク１７１６は、１つまたは複数のＡＬＤサイクル中に所望のスパッタリング効果を得るために任意の適切な電力で動作することが可能である。適切な電力の例は、上記に含まれている。例示的な低周波ＲＦ周波数は、限定はしないが、５０ｋＨｚ～５００ｋＨｚの周波数を含み得る。例示的な高周波ＲＦ周波数は、限定はしないが、１．８ＭＨｚ～２．４５ＧＨｚの周波数を含み得る。
【0128】
いくつかの実施形態では、プラズマは、１つまたは複数のプラズマモニタによってｉｎ－ｓｉｔｕで監視することができる。１つのシナリオでは、プラズマ電力は、１つまたは複数の電圧、電流センサ（例えば、ＶＩプローブ）によって監視され得る。別のシナリオでは、プラズマ密度および／またはプロセスガス濃度は、１つまたは複数の発光分光センサ（ＯＥＳ）によって測定されてもよい。いくつかの実施形態では、１つまたは複数のプラズマパラメータは、そのようなｉｎ－ｓｉｔｕプラズマモニタからの測定値に基づいてプログラム的に調整することができる。例えば、ＯＥＳセンサは、プラズマ電力のプログラム制御を提供するためのフィードバックループで使用され得る。いくつかの実施形態では、他のモニタを使用して、プラズマおよび他のプロセス特性を監視することができることが理解されよう。そのようなモニタには、限定はしないが、赤外線（ＩＲ）モニタ、音響モニタ、および圧力変換器が挙げられ得る。
【0129】
いくつかの実施形態では、コントローラ１７５０に対する命令は、入出力制御（ＩＯＣ）シーケンス命令を介して提供され得る。一例では、プロセス段階に対する条件を設定するための命令は、プロセスレシピの対応するレシピ段階に含まれてもよい。場合によっては、プロセスレシピ段階は、プロセス段階に対するすべての命令がそのプロセス段階と同時に実行されるように、順に配置されてもよい。いくつかの実施形態では、１つまたは複数のリアクタパラメータ値を設定するための命令が、レシピ段階に含まれ得る。例えば、第１のレシピ段階は、不活性ガスおよび／または反応剤ガス（例えば、シランなどの第１の前駆体）の流量を設定するための命令、キャリアガス（窒素またはアルゴンなど）の流量を設定するための命令、および第１のレシピ段階のための時間遅延命令を含んでもよい。第２の後続のレシピ段階は、不活性ガスおよび／または反応剤ガスの流量を調節または停止するための命令、キャリアガスまたはパージガスの流量を調節するための命令、ならびに第２のレシピ段階のための時間遅延命令を含んでもよい。第３のレシピ段階は、第１のレシピ段階で使用されるガス（例えば、酸素などの第２の前駆体）と同じであっても異なっていてもよい不活性ガスおよび／または反応剤ガスの流量を設定するための命令、プラズマＨＦＲＦ電力を設定するための命令、プラズマＬＦＲＦ電力を設定するための命令、第１のレシピ段階における流量と同じであっても異なっていてもよいキャリアガスの流量、プラズマ条件を調節するための命令、ならびに第３のレシピ段階のための時間遅延命令を含んでもよい。第４のレシピ段階は、不活性ガスおよび／または反応剤ガスの流量を調節または停止するための命令、キャリアガスまたはパージガスの流量を調節するための命令、ならびに第４のレシピ段階のための時間遅延命令を含んでもよい。第５のレシピ段階は、不活性ガスおよび／または反応剤ガス（例えば、酸素および／またはアルゴン）の流量を設定するための命令、異なるまたは同じプラズマＬＦＲＦおよび／またはＨＦＲＦ電力を設定するための命令、キャリアガスの流量、プラズマ条件を調節するための命令、ならびに間欠プラズマ処理を実施するための第５のレシピ段階のための時間遅延命令を含んでもよい。場合によっては、レシピ段階はまた、オン状態とオフ状態との間でプラズマをパルスするための命令を含んでもよい。さらに多くのレシピ段階がまた、使用されてもよい。これらのレシピ段階は、本開示の範囲内で任意の適切な方法でさらに細分化および／または反復され得ることが理解されよう。
【0130】
いくつかの実施形態では、台座１７０８は、ヒータ１７１０を介して温度制御されてもよい。さらに、いくつかの実施形態では、プロセスステーション１７００についての圧力制御は、バタフライ弁１７１８によって提供され得る。図１７の実施形態に示すように、バタフライ弁１７１８は、下流の真空ポンプ（図示せず）によって提供される真空を絞る。しかし、いくつかの実施形態では、プロセスステーション１７００の圧力制御はまた、プロセスステーション１７００に導入される１つまたは複数のガスの流量を変化させることによって調整することができる。プロセスステーション１７００は、上述のような例示的なレシピを制御するための制御部１７５０を含むことができる。
【0131】
いくつかの実施態様では、コントローラ１７５０はシステムの一部であり、そのようなシステムは上述した例の一部であってもよい。そのようなシステムは、１つまたは複数の処理ツール、１つまたは複数のチャンバ、１つまたは複数の処理用プラットフォーム、および／または特定の処理構成要素（ウエハ台座、ガス流システムなど）を含む半導体処理機器を備えることができる。これらのシステムは、半導体ウエハまたは基板の処理前、処理中、および処理後のシステム動作を制御するための電子機器と一体化されてもよい。そのような電子機器は「コントローラ」と呼ばれることがあり、１つまたは複数のシステムの様々な構成要素または副部品を制御してもよい。コントローラ１７５０は、処理要件および／またはシステムのタイプに応じて、本明細書に開示されるプロセスのいずれかを制御するようにプログラムされてもよい。そのようなプロセスとしては、処理ガスの送給および／もしくは１つまたは複数のガスの分流を含むプロセスガスの送給のための異なる投与時間の変更、温度設定（例えば、加熱および／または冷却）、圧力設定、真空設定、電力設定、ＲＦ発生器設定および／もしくはＲＦ電力設定の変更、ＲＦ整合回路設定、周波数設定、流量設定、流体送給設定、位置および動作設定、特定のシステムに接続または連動するツールおよび他の移送ツールに対するウエハの搬入と搬出、ならびに／またはロードロックに対するウエハの搬入と搬出が含まれる。
【0132】
広義には、コントローラ１７５０は、命令を受信し、命令を発行し、動作を制御し、洗浄動作を可能にし、エンドポイント測定を可能にするなどの様々な集積回路、論理、メモリ、および／またはソフトウェアを有する電子機器として定義されてもよい。集積回路は、プログラム命令を記憶するファームウェアの形式のチップ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）として定義されたチップ、および／または１つまたは複数のマイクロプロセッサ、すなわちプログラム命令（例えば、ソフトウェア）を実行するマイクロコントローラを含んでもよい。プログラム命令は、様々な個々の設定（またはプログラムファイル）の形式でコントローラ４５０に通信される命令であって、特定のプロセスを半導体ウエハ上で、または半導体ウエハ用に、またはシステムに対して実行するための動作パラメータを定義してもよい。動作パラメータは、いくつかの実施形態では、１つまたは複数の層、材料、金属、酸化物、ケイ素、二酸化ケイ素、表面、回路、および／またはウエハダイの製作における１つまたは複数の処理ステップを実現するためプロセスエンジニアによって定義されるレシピの一部であってもよい。
【0133】
コントローラ１７５０は、いくつかの実施態様では、システムと統合または結合されるか、他の方法でシステムにネットワーク接続されるコンピュータの一部であってもよく、またはそのようなコンピュータに結合されてもよく、またはそれらの組み合わせであってもよい。例えば、コントローラ１７５０は、「クラウド」内にあってもよいし、ファブホストコンピュータシステムのすべてもしくは一部であってもよい。これにより、ウエハ処理のリモートアクセスが可能となる。コンピュータは、システムへのリモートアクセスを可能にして、製作動作の現在の進捗状況を監視し、過去の製作動作の履歴を検討し、複数の製作動作から傾向または性能基準を検討し、現在の処理のパラメータを変更し、現在の処理に続く処理ステップを設定するか、または新しいプロセスを開始してもよい。いくつかの例では、リモートコンピュータ（例えば、サーバ）は、ネットワークを通じてプロセスレシピをシステムに提供することができる。そのようなネットワークは、ローカルネットワークまたはインターネットを含んでいてもよい。リモートコンピュータは、パラメータおよび／または設定のエントリまたはプログラミングを可能にするユーザインターフェースを含んでもよく、そのようなパラメータおよび／または設定は、その後リモートコンピュータからシステムに通信される。いくつかの例では、コントローラ１７５０は命令をデータの形式で受信する。そのようなデータは、１つまたは複数の動作中に実施される各処理ステップのためのパラメータを特定するものである。パラメータは、実施されるプロセスのタイプ、およびコントローラ１７５０が連動または制御するように構成されるツールのタイプに特有のものであってもよいことを理解されたい。したがって、上述したように、コントローラ１７５０は、例えば、互いにネットワーク接続され共通の目的（本明細書で説明されるプロセスおよび制御など）に向けて協働する１つまたは複数の個別のコントローラを含むことによって分散されてもよい。このような目的のための分散型コントローラの例として、チャンバ上の１つまたは複数の集積回路であって、（例えば、プラットフォームレベルで、またはリモートコンピュータの一部として）遠隔配置されておりチャンバにおけるプロセスを制御するよう組み合わせられる１つまたは複数の集積回路と通信するものが挙げられるであろう。
【0134】
限定はしないが、例示的なシステムは、プラズマエッチングチャンバまたはモジュール、堆積チャンバまたはモジュール、スピンリンスチャンバまたはモジュール、金属めっきチャンバまたはモジュール、洗浄チャンバまたはモジュール、ベベルエッジエッチングチャンバまたはモジュール、物理気相堆積（ＰＶＤ）チャンバまたはモジュール、化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバまたはモジュール、原子層堆積（ＡＬＤ）チャンバまたはモジュール、原子層エッチング（ＡＬＥ）チャンバまたはモジュール、イオン注入チャンバまたはモジュール、追跡チャンバまたはモジュール、ならびに半導体ウエハの製作および／または製造に関連するか使用されてもよい任意の他の半導体処理システムを含むことができる。
【0135】
上記のように、ツールによって実施される１つまたは複数のプロセスステップに応じて、コントローラ１７５０は、１つまたは複数の他のツール回路もしくはモジュール、他のツール構成要素、クラスタツール、他のツールインターフェース、隣接するツール、近接するツール、工場全体に位置するツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、または半導体製造工場内のツール場所および／もしくはロードポートに対してウエハの容器を搬入および搬出する材料搬送に使用されるツールと通信してもよい。
【0136】
本明細書に記載の方法は、マルチステーションまたはシングルステーション基板処理装置を使用して実施することができる。マルチステーション基板処理装置のいくつかの実施形態では、様々なプロセス入力（例えば、プロセスガス、プラズマ電力、プラズマ生成用のガス、反応剤、膜前駆体、ヒータ電力など）の制御および／または供給は、共有源からマルチステーション装置内の複数の処理ステーションに分散されてもよい。例えば、いくつかの実施形態では、共有ＲＦ電力源が、２つ以上の処理ステーション内でプラズマを生成するためのＲＦ電力を供給することが可能である。別の例では、共有ガス分配マニホールドが、プロセスガスを２つ以上の処理ステーションに供給することができる。マルチステーション処理ツールのいくつかの非限定的な例示的な実施形態について、以下で説明する。
【0137】
図１８は、共通の低圧反応チャンバ内に複数の処理ステーション３８４２を含む、例示的な基板処理装置３８４０を概略的に示す。低圧環境に各ステーションを維持することによって、膜堆積プロセス間の真空破壊によって引き起こされる欠陥を回避することができる。図１８に示す例では、各処理ステーション３８４２は、上述のようにケイ素含有膜を堆積するように構成される。図１８に図示される実施形態では、各処理ステーション３８４２に対するプロセスガスは、送給前にプロセスガスをブレンドおよび／または調整するための共通の混合容器３８４４によって供給される。いくつかの実施形態では、混合容器３８４４は、温度制御されてもよい。膜前駆体（ケイ素含有膜前駆体など）および場合によってはキャリアガス中の他の反応剤を含むプロセスガス、ならびにプラズマサポート用のガスは、複数のプロセスガス送給ライン、弁、およびマニホールドから供給され得る。例えば、図１８は、送給ライン３８４５と流体連通するケイ素前駆体／アルゴン混合物およびアルゴン（キャリアガスとして）を含むマニホールドＡ、送給ライン３８４７と流体連通する窒素およびアルゴン（同様に、キャリアガスとして機能する）を含むマニホールドＢ、ならびに送給ライン３８４８と流体連通する酸素ガス（Ｏ2）および／もしくは亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）、ヘリウム、ならびに／またはアルゴン（後者の２つはキャリアガスとして）を含むマニホールドＣを図示する。他の適切な配置および化学物質（上述したような）が本開示の範囲内に含まれること、ならびに様々なＡＬＤベースの膜堆積化学物質および複数基板の装置および配置が、本明細書に開示されるプロセスタイミングシーケンスから利益を得ることができることを理解されたい。いくつかの実施形態では、別々の混合容器を用いて、不適合な反応剤と前駆体を分離することが可能である。
【0138】
図１８は、単一の反応チャンバ内に４つの処理ステーションを有するマルチステーション基板処理装置を図示しているが、他の構成は、単一の反応チャンバ内により多くのまたはより少ない数の処理ステーションを有してもよい。したがって、例えば、いくつかの実施形態では、マルチステーション基板処理装置は、反応チャンバ当たり２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、または１６個、またはそれ以上の処理ステーション、または反応チャンバ当たりの処理ステーションの前述の数の任意の対によって定義される範囲内における反応チャンバ当たりの処理ステーションの数、例えば、反応チャンバ当たり２～６つの処理ステーション、反応チャンバ当たり４～８つの処理ステーション、反応チャンバ当たり８～１６個の処理ステーションなどを有してもよい。
【0139】
他の実施形態では、基板処理装置は、反応チャンバごとに単一の処理ステーションのみを有してもよい。
【0140】
本明細書に記載の装置／プロセスは、例えば、半導体デバイス、ディスプレイ、ＬＥＤ、太陽光パネルなどの製作または製造のために、リソグラフィパターニングツールまたはプロセスと併せて使用されてもよい。典型的には、必須ではないが、そのようなツール／プロセスは、共通の製作施設で共に使用または実施される。膜のリソグラフィパターニングは、典型的には、以下の動作のいくつかまたはすべてを含み、各動作が使用可能な多くのツールを用いて可能にされる：（１）スピンオンツールまたはスプレーオンツールを使用して、ワークピース（すなわち、基板）にフォトレジストを塗布する動作、（２）ホットプレートまたは炉またはＵＶ硬化ツールを使用してフォトレジストを硬化する動作、（３）ウエハステッパなどのツールを用いて可視光またはＵＶ光またはＸ線光でフォトレジストを露光する動作、（４）ウェットベンチなどのツールを使用して、レジストを現像してレジストを選択的に除去し、それによってレジストをパターニングする動作、（５）ドライエッチングツールまたはプラズマ支援エッチングツールを使用することによって、下層の膜またはワークピースにレジストパターンを転写する動作、および（６）ＲＦまたはマイクロ波プラズマレジストストリッパなどのツールを使用してレジストを除去する動作。
【0141】
結論
前述の実施形態は、明確な理解のために多少詳しく説明されてきたが、一定の変更および修正が添付の特許請求の範囲の範囲内で実践されてもよいことは明らかであろう。本実施形態のプロセス、システム、および装置の実施には多くの別の方法があることに留意されたい。したがって、本実施形態は、限定ではなく例示と見なされるべきであり、それらの実施形態は本明細書に述べられる詳細に限定されるべきではない。
前述の実施形態は、明確な理解のために多少詳しく説明されてきたが、一定の変更および修正が添付の特許請求の範囲の範囲内で実践されてもよいことは明らかであろう。本実施形態のプロセス、システム、および装置の実施には多くの別の方法があることに留意されたい。したがって、本実施形態は、限定ではなく例示と見なされるべきであり、それらの実施形態は本明細書に述べられる詳細に限定されるべきではない。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11a】
【図11b】
【図11c】
【図12a】
【図12b】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16A】
【図16B】
【図16C】
【図17】
【図18】
【国際調査報告】