特表 2024-524843 半導体ウエハ処理における変位測定

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-07-09

(54)【発明の名称】半導体ウエハ処理における変位測定

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/66 20060101AFI20240702BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20240702BHJP

   B24B 37/013 20120101ALI20240702BHJP

   B24B 37/30 20120101ALI20240702BHJP

   B24B 49/12 20060101ALI20240702BHJP

   B24B 37/005 20120101ALI20240702BHJP

【ＦＩ】

H01L21/66 J

H01L21/304 622T

H01L21/304 622R

B24B37/013

B24B37/30 Z

B24B37/30 E

B24B49/12

B24B37/005 A

H01L21/304 648G

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023573204

(86)(22)【出願日】2022-05-24

(85)【翻訳文提出日】2024-01-22

(86)【国際出願番号】 US2022030791

(87)【国際公開番号】W WO2022251266

(87)【国際公開日】2022-12-01

(31)【優先権主張番号】17/334,407

(32)【優先日】2021-05-28

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】ウォン， ジャスティン

(72)【発明者】

【氏名】チャトウ， エフド

【テーマコード（参考）】

3C034

3C158

4M106

5F057

5F157

【Ｆターム（参考）】

3C034AA19

3C034BB93

3C034CA02

3C034CA22

3C034CB03

3C034DD10

3C158AC02

3C158DA12

3C158EA12

3C158EB01

3C158ED00

4M106AA01

4M106BA05

4M106CA47

4M106DJ06

4M106DJ07

5F057AA02

5F057AA19

5F057AA41

5F057BA11

5F057BA15

5F057BB03

5F057CA11

5F057CA12

5F057DA03

5F057DA38

5F057EB06

5F057EB11

5F057FA19

5F057FA20

5F057FA33

5F057FA37

5F057FA46

5F057GA02

5F057GA07

5F057GB02

5F057GB13

5F057GB20

5F057GB31

5F157AA03

5F157AB26

5F157AB33

5F157CF42

(57)【要約】

半導体製造プロセス中に平坦な表面として開始するウエハが、下にある基板に層およびフィーチャーが追加されるにつれて、そったまたは撓んだものになり得る。このそりは、変位センサに隣接するウエハを回転させることによって製造プロセス間で検出され得る。変位センサは、上または下に撓んだウエハのエリアを特定するために、基準測定値に対する変位データを生成し得る。変位データは、次いで、位置合わせフィーチャーに対するウエハ上の位置にマッピングされ得る。このマッピングは、次いで、研磨プロセスにおけるキャリアヘッドが、ウエハが研磨されるとき、どのようにウエハを保つかまたはどのようにウエハに圧力を印加するかを調節することを含む、後続の半導体プロセスにおけるパラメータを調節することを行うために使用され得る。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ウエハを支持し、前記ウエハを前記ウエハの中心を中心として回転させるように構成されたプラットフォームと、
前記ウエハが回転されるときに前記ウエハの変位を測定するように配置された１つまたは複数の変位センサと
を備える、システム。

【請求項2】

前記ウエハが回転されるときに前記ウエハにおけるノッチを検出するように配置された位置合わせセンサ
をさらに備える、請求項１に記載のシステム。

【請求項3】

前記１つまたは複数の変位センサがレーザ変位センサを含み、
前記位置合わせセンサがスルービームセンサを含む、
請求項２に記載のシステム。

【請求項4】

前記１つまたは複数の変位センサも、前記ウエハが回転されるときに前記ウエハにおけるノッチを検出するように配置される、請求項１に記載のシステム。

【請求項5】

前記１つまたは複数の変位センサが、前記ウエハの上に配置された変位センサを含む、請求項１に記載のシステム。

【請求項6】

前記１つまたは複数の変位センサが、前記ウエハの下に配置された変位センサを含む、請求項１に記載のシステム。

【請求項7】

前記１つまたは複数の変位センサが、前記ウエハの半径方向の線に沿って配置された複数の変位センサを含む、請求項１に記載のシステム。

【請求項8】

前記１つまたは複数の変位センサが、前記ウエハの周りに異なる回転角度において配置された複数の変位センサを含む、請求項１に記載のシステム。

【請求項9】

半導体製造プロセス間でウエハの変位を測定する方法であって、前記方法は、
ウエハを前記ウエハの中心を中心として回転させることと、
前記ウエハが回転されるときに前記ウエハの前記中心から所定の距離における前記ウエハの変位を測定して、変位データを生成することと、
前記ウエハに対して実施される研磨プロセスまたは洗浄プロセスを制御するために、前記変位データを使用することと
を含む、方法。

【請求項10】

基準ウエハの変位を測定して、平坦なウエハ表面を表す基準変位データを生成すること
をさらに含む、請求項９に記載の方法。

【請求項11】

前記変位データを生成することが、前記基準変位データに対する前記ウエハの変位を決定することを含む、請求項１０に記載の方法。

【請求項12】

位置合わせデータに基づいて前記変位データを前記ウエハ上の２次元座標にマッピングすることをさらに含む、請求項９に記載の方法。

【請求項13】

位置合わせデータに基づいて前記変位データを前記ウエハ上の回転の角度にマッピングすることをさらに含む、請求項９に記載の方法。

【請求項14】

前記変位データにおいて前記ウエハ上の変位エリアを特定することと、前記変位エリアを前記研磨プロセスまたは前記洗浄プロセスに与えることとをさらに含む、請求項９に記載の方法。

【請求項15】

命令を備える非一時的コンピュータ可読媒体であって、前記命令は、１つまたは複数のプロセッサによって実行されたとき、前記１つまたは複数のプロセッサに、
ウエハについて、変位センサを使用して生成された変位データを受信することであって、前記変位データが、撓んだまたはそった前記ウエハ上のエリアを示す、変位データを受信することと、
撓んだまたはそった前記ウエハ上の前記エリアの位置に対応する、キャリアヘッドのパラメータを特定することであって、前記キャリアヘッドが、化学機械研磨（ＣＭＰ）機械またはウエハ洗浄機械の一部である、キャリアヘッドのパラメータを特定することと、
洗浄プロセスまたは研磨プロセス中に、撓んだまたはそった前記ウエハ上の前記エリアを補償するように、前記キャリアヘッドの前記パラメータを調節することと
を含む処理を実行させる、非一時的コンピュータ可読媒体。

【請求項16】

前記キャリアヘッドの前記パラメータを調節することは、
前記洗浄プロセスまたは前記研磨プロセス中に、前記キャリアヘッドが前記ウエハを把持する角度を調節すること
を含む、請求項１５に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。

【請求項17】

前記キャリアヘッドの前記パラメータを調節することが、
前記洗浄プロセスまたは前記研磨プロセス中に、撓んだまたはそった前記ウエハ上の前記エリアに対して与えられる、圧力の量を調節すること
を含む、請求項１５に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。

【請求項18】

圧力の前記量を調節することが、
撓んだまたはそった前記ウエハ上の前記エリアに隣接する前記キャリアヘッド中のチャンバを識別することと、
撓んだまたはそった前記ウエハ上の前記エリアを補償するように、前記チャンバ中の圧力を調節することと
を含む、請求項１７に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。

【請求項19】

圧力の前記量を調節することは、
前記洗浄プロセス中に、撓んだまたはそった前記ウエハ上の前記エリアをブラシが洗浄する圧力を調節すること
を含む、請求項１７に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。

【請求項20】

前記変位データが、前記ウエハの周りで前記変位センサを回転させることによって、前記変位センサを使用して生成される、請求項１５に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
本出願は、その内容全体がすべての目的のために参照により本明細書に組み込まれる、２０２１年５月２８日に出願され、「ＤＩＳＰＬＡＣＥＭＥＮＴ ＭＥＡＳＵＲＥＭＥＮＴＳ ＩＮ ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ ＷＡＦＥＲ ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧ」と題する米国非仮出願第１７／３３４，４０７号の利益および優先権を主張する。

【0002】

本開示は、一般に半導体製造プロセス間でウエハのそり（ｗａｒｐａｇｅ）を測定することに関する。詳細には、本開示は、ウエハの周りで変位データを測定して、ウエハにおけるそり（ｗａｒｐ）／撓み（ｂｏｗ）を特徴づけ、次いで、その変位データを使用して、後続のプロセスを、そのそり／撓みを補償するように制御することについて説明する。

【背景技術】

【0003】

集積回路は、一般に、シリコンウエハ上の導電層、半導電層、および／または絶縁層の順次堆積することによって、基板上に形成される。様々な製造プロセスは、処理ステップ間に基板上の層の平坦化を使用する。たとえば、特定の用途、たとえば、パターニングされた層のトレンチ中のビア、プラグ、および／またはラインを形成するための金属層の研磨では、パターニングされた層の上面が露出されるまで、上層が平坦化される。他の用途、たとえば、フォトリソグラフィのための誘電体層の平坦化では、下層上に所望の厚さが残るまで、上層が研磨される。

【0004】

化学機械研磨（ＣＭＰ）は、平坦化の１つの一般的な方法である。この平坦化方法は、一般に、基板がキャリアヘッドまたは研磨ヘッド上に取り付けられることを必要とする。基板の露出された表面が、一般に、回転する研磨パッドに対して置かれる。キャリアヘッドは、基板上に制御可能な加重を与えて、研磨パッドにその基板を押し付ける。研磨性のある研磨スラリが、一般に、研磨パッドの表面に供給される。

【0005】

ＣＭＰおよび他の半導体プロセスにおける１つの問題は、ウエハ上の一貫した表面を維持することである。ウエハは、比較的平坦であるシリコン結晶として開始し得るが、様々な半導体プロセスが、ウエハ上に、層またはフィーチャーを堆積させる、成長させる、追加する、エッチングする、除去する、および／または場合によっては置き得る。これらの追加の層およびフィーチャーは、蓄積し、ウエハ内に応力を生じさせ得る。その応力は、次いで、ウエハを撓ませまたはそらせ得る。このそりは、ウエハの表面を研磨または洗浄するとき、ウエハの表面がもはや均一でないことがある、問題を引き起こし得る。

【発明の概要】

【0006】

いくつかの実施形態では、システムが、ウエハを支持し、ウエハをウエハの中心を中心として回転させるように構成されたプラットフォームと、ウエハが回転されるときにウエハの変位を測定するように配置された１つまたは複数の変位センサとを含み得る。

【0007】

いくつかの実施形態では、半導体製造プロセス間でウエハの変位を測定する方法が、ウエハをウエハの中心を中心として回転させることと、ウエハが回転されるときにウエハの中心から所定の距離におけるウエハの変位を測定して、変位データを生成することと、ウエハに対して実施される研磨プロセスまたは洗浄プロセスを制御するために、変位データを使用することとを含み得る。

【0008】

いくつかの実施形態では、非一時的コンピュータ可読媒体が命令を含み得、命令は、１つまたは複数のプロセッサによって実行されたとき、１つまたは複数のプロセッサに、ウエハについて、変位センサを使用して生成された変位データを受信することであって、変位データが、撓んだまたはそったウエハ上のエリアを示し得る、変位データを受信することと、撓んだまたはそったウエハ上のエリアのロケーションに対応する、キャリアヘッドのパラメータを識別することであって、キャリアヘッドが、化学機械研磨（ＣＭＰ）機械またはウエハ洗浄機械の一部であり得る、キャリアヘッドのパラメータを識別することと、洗浄プロセスまたは研磨プロセス中に、撓んだまたはそったウエハ上のエリアを補償するように、キャリアヘッドのパラメータを調節することとを含む処理を実行させる。

【0009】

任意の実施形態では、以下の特徴のいずれかおよびすべてが、任意の組合せで、限定なしに実施され得る。システムは、ウエハが回転されるときにウエハにおけるノッチを検出するように配置された位置合わせセンサをも含み得る。１つまたは複数の変位センサはレーザ変位センサを含み得、位置合わせセンサはスルービームセンサ（ｔｈｒｏｕｇｈ－ｂｅａｍ ｓｅｎｓｏｒ）を含み得る。１つまたは複数の変位センサも、ウエハが回転されるときにウエハにおけるノッチを検出するように配置され得る。１つまたは複数の変位センサは、ウエハの上に配置された変位センサを含み得る。１つまたは複数の変位センサは、ウエハの下に配置された変位センサを含み得る。１つまたは複数の変位センサは、ウエハの半径方向の線に沿って配置された複数の変位センサを含み得る。１つまたは複数の変位センサは、ウエハの周りに異なる回転角度において配置された複数の変位センサを含み得る。方法／処理は、基準ウエハの変位を測定して、平坦なウエハ表面を表す基準変位データを生成することをも含み得る。変位データを生成することは、基準変位データに対するウエハの変位を決定することを含み得る。方法／処理は、位置合わせデータに基づいて変位データをウエハ上の２次元座標にマッピングすることをも含み得る。方法／処理は、位置合わせデータに基づいて変位データをウエハ上の回転の角度にマッピングすることをも含み得る。方法／処理は、変位データにおいてウエハ上の変位エリアを識別することと、変位エリアを研磨プロセスまたは洗浄プロセスに与えることとをも含み得る。キャリアヘッドのパラメータを調節することは、洗浄プロセスまたは研磨プロセス中に、キャリアヘッドがウエハを把持する、角度を調節することを含み得る。キャリアヘッドのパラメータを調節することは、洗浄プロセスまたは研磨プロセス中に、撓んだまたはそったウエハ上のエリアに対して与えられる、圧力の量を調節することを含み得る。圧力の量を調節することは、撓んだまたはそったウエハ上のエリアに隣接するキャリアヘッド中のチャンバを識別することと、撓んだまたはそったウエハ上のエリアを補償するように、チャンバ中の圧力を調節することとを含み得る。圧力の量を調節することは、洗浄プロセス中に、撓んだまたはそったウエハ上のエリアをブラシが洗浄する、圧力を調節することを含み得る。変位データは、ウエハの周りで変位センサを回転させることによって、変位センサを使用して生成され得る。

【0010】

様々な実施形態の性質および利点のさらなる理解は、本明細書の残りの部分および図面を参照することによって実現され得、図面において、同様の参照番号が、同様の構成要素を指すためにいくつかの図面全体にわたって使用される。いくつかの事例では、複数の同様の構成要素のうちの１つを示すために、サブラベルが参照番号に関連付けられる。既存のサブラベルへの指定なしに参照番号への参照が行われるとき、すべてのそのような複数の同様の構成要素を指すことが意図されている。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】いくつかの実施形態による、研磨装置の一例の概略断面図である。

【図2】いくつかの実施形態による、インシトゥ（in-situ）光学モニタシステムからの測定されたスペクトルを示す図である。

【図3】いくつかの実施形態による、基板上の一連のスペクトル測定の経路を示す図である。

【図4】いくつかの実施形態による、ウエハ変位を測定するためのシステムを示す図である。

【図5A】いくつかの実施形態による、ウエハのエッジにおいて配置された変位センサを示す図である。

【図5B】いくつかの実施形態による、ウエハの底部エッジの変位を測定するように配置された変位センサを示す図である。

【図5C】いくつかの実施形態による、複数の変位センサを示す図である。

【図5D】いくつかの実施形態による、異なる回転角度において配置された複数の変位センサを示す図である。

【図6】いくつかの実施形態による、変位データの３次元グラフを示す図である。

【図7A】いくつかの実施形態による、変位センサによって測定され得る基準ウエハを示す図である。

【図7B】いくつかの実施形態による、凸状ウエハを示す図である。

【図7C】いくつかの実施形態による、凹状ウエハを示す図である。

【図8】いくつかの実施形態による、そったウエハについての変位データのグラフを示す図である。

【図9】いくつかの実施形態による、半導体製造プロセスの一部として実行され得る異なるプロセスのフローチャートである。

【図10】いくつかの実施形態による、半導体製造プロセス中にウエハの変位を測定するための方法のフローチャートである。

【図11】様々な実施形態が実施され得る、例示的なコンピュータシステムを示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

図１は、研磨装置１００の一例を示す。研磨装置１００は、研磨パッド１１０が上にあり得る回転可能なディスク形のプラテン１２０を含み得る。プラテンは、軸１２５を中心として回転するように動作可能であり得る。たとえば、モーター１２１が、ドライブシャフト１２４を回して、プラテン１２０を回転させ得る。研磨パッド１１０は、外側研磨層１１２と、よりソフトなバッキング層１１４とをもつ、２層研磨パッドであり得る。

【0013】

研磨装置１００は、スラリなど、研磨液１３２を研磨パッド１１０上に投与するためのポート１３０を含み得る。研磨装置は、研磨パッド１１０を一貫した研磨性のある状態に維持するために研磨パッド１１０を磨くための研磨パッドコンディショナをも含み得る。

【0014】

研磨装置１００は、少なくとも１つのキャリアヘッド１４０を含み得る。キャリアヘッド１４０は、研磨パッド１１０に対して基板１０を保つように動作可能であり得る。キャリアヘッド１４０は、各それぞれの基板に関連する研磨パラメータ、たとえば、圧力の独立した制御を有し得る。

【0015】

特に、キャリアヘッド１４０は、基板１０をフレキシブル膜１４４の下に保持するための保持リング１４２を含み得る。キャリアヘッド１４０は、フレキシブル膜１４４上の、したがって基板１０上の関連するゾーンに、独立して制御可能な圧力を印加し得る、膜によって画定された複数の独立して制御可能な加圧可能なチャンバ、たとえば、３つのチャンバ１４６ａ～１４６ｃをも含み得る。説明しやすいように、３つのチャンバのみが図１に示されているが、他の実施形態では、１つまたは２つのチャンバ、あるいは４つまたはそれ以上のチャンバ、たとえば、５つのチャンバがあり得る。

【0016】

キャリアヘッド１４０は、支持構造１５０、たとえば、カルーセルまたはトラックから懸垂され得、キャリアヘッドが軸１５５を中心として回転することができるように、ドライブシャフト１５２によってキャリアヘッド回転モーター１５４に接続され得る。随意に、キャリアヘッド１４０は、たとえば、カルーセル１５０またはトラック上のスライダー上で、あるいはカルーセル自体の回転振動によって、横方向に振動し得る。処理中、プラテンは、その中心軸１２５を中心として回転され得、キャリアヘッドは、その中心軸１５５を中心として回転され、および／または研磨パッドの上面にわたって横方向に平行移動され得る。

【0017】

１つのキャリアヘッド１４０のみが示されているが、研磨パッド１１０の表面エリアが効率的に使用され得るように、追加の基板を保つためにより多くのキャリアヘッドが提供され得る。
研磨装置は、インシトゥモニタシステム１６０をも含み得る。インシトゥモニタシステムは、基板上の層の厚さに依存する時間変動する一連の値を生成し得る。インシトゥモニタシステム１６０は、光学モニタシステムを含み得る。特に、インシトゥモニタシステム１６０は、研磨中に基板から反射される光の一連のスペクトルを測定し得る。

【0018】

研磨パッドを通る光学アクセス１０８が、開孔（すなわち、パッドを貫通する孔）または固体窓１１８を含むことによって提供され得る。固体窓１１８は、たとえば、研磨パッド中の開孔を充填するプラグとして、研磨パッド１１０に固定され得る。固体窓は、代替的に、研磨パッドに成形されるかまたは接着固定され得るが、いくつかの実施形態では、固体窓は、プラテン１２０上で支持され、研磨パッド中の開孔に突出することができる。

【0019】

光学モニタシステム１６０は、光源１６２、光検出器１６４、ならびに、遠隔コントローラ１９０、たとえば、コンピュータと光源１６２および光検出器１６４との間で信号を送受信するための回路１６６を含み得る。１つまたは複数の光ファイバが、光を光源１６２から研磨パッド中の光学アクセスに伝送することと、基板１０から反射された光を検出器１６４に伝送することとを行うために使用され得る。たとえば、分岐された光ファイバ１７０が、光を、光源１６２から基板１０に伝送し、検出器１６４に戻すために使用され得る。分岐された光ファイバは、光学アクセスに近接して配置されたトランク１７２と、それぞれ、光源１６２および検出器１６４に接続された２つの分岐１７４および１７６とを含み得る。

【0020】

いくつかの実施形態では、プラテンの上面は、分岐されたファイバのトランク１７２の１つの端部を保つ光ヘッド１６８がはめ込まれる、凹部１２８を含むことができる。光ヘッド１６８は、トランク１７２の上部と固体窓１１８との間の垂直距離を調節するための機構を含み得る。

【0021】

回路１６６の出力は、ドライブシャフト１２４中の回転カプラ１２９、たとえば、スリップリングを通って、光学モニタシステムのためのコントローラ１９０に至る、デジタル電気信号であり得る。同様に、光源は、コントローラ１９０から回転カプラ１２９を通って光学モニタシステム１６０に至るデジタル電気信号中の制御コマンドに応答してオンまたはオフにされ得る。代替的に、回路１６６は、ワイヤレス信号によってコントローラ１９０と通信し得る。

【0022】

光源１６２は、紫外線（ＵＶ）、可視光、または近赤外（ＮＩＲ）光を放出するように動作可能であり得る。光検出器１６４は、分光計であり得る。分光計は、電磁スペクトルの一部分にわたって光の強度を測定するための光学器械である。たとえば、回折格子分光計が使用され得る。分光計のための一般的な出力は、波長（または周波数）の関数としての光の強度を含み得る。図２は、波長の関数としての強度をもつ測定されたスペクトル２００の一例を示す。

【0023】

上述のように、光源１６２および光検出器１６４は、それらの動作を制御し、それらの信号を受信するように動作可能な、コンピューティングデバイス、たとえば、コントローラ１９０に接続され得る。コンピューティングデバイスは、研磨装置の近くにあるマイクロプロセッサを含み得る。たとえば、コンピューティングデバイスは、プログラム可能なコンピュータであり得る。制御に関して、コンピューティングデバイスは、たとえば、光源の起動をプラテン１２０の回転と同期させ得る。ディスプレイ１９２、たとえば、ＬＥＤスクリーンと、ユーザ入力デバイス１９４、たとえば、キーボードおよび／またはマウスとが、コントローラ１９０に接続され得る。

【0024】

処理中、コントローラ１９０は、たとえば、光源の特定のフラッシュまたは検出器の時間フレームについて光検出器によって受信された光のスペクトルについて説明する情報を搬送する信号を受信し得る。したがって、このスペクトルは、研磨中にインシトゥで測定されたスペクトルであり得る。任意の特定の理論に限定されることなく、基板１０から反射された光のスペクトルは、最外層の厚さの変化により、研磨が進むにつれて、変わり、したがって、一連の時間変動するスペクトルをもたらし得る。

【0025】

光学モニタシステム１６０は、測定周波数における一連の測定されたスペクトル、または「スペクトルデータ」を生成するように構成され得る。基板１０と光学アクセス１０８との間の相対動きは、基板１０上の異なる位置においてシーケンス内のスペクトルが測定されることを引き起こす。いくつかの実装形態では、光源１６２によって生成された光線は、（図３に矢印Ｒによって示されている）プラテン１２０とともに回転する点から出現し得る。図３に示されているように、そのような実装形態では、基板１０と光学アクセス１０８との間の相対動きは、基板１０にわたる経路における位置３００においてスペクトルが測定されることを引き起こすことができる。いくつかの実装形態では、プラテンの回転ごとに１つのスペクトルのみが測定される。さらに、いくつかの実施形態では、光線の放出点は静止しており、光学アクセス１０８が光線と整合したときのみ測定が行われる。

【0026】

ＣＭＰプロセスは、半導体ウエハの製造中に行われ得る多くの異なるプロセスのうちの１つを表す。異なる層およびフィーチャーが基板に追加されたとき、ＣＭＰプロセスは、ウエハを平坦化し、ステージ間に材料の特定の量を除去するために使用され得る。理想的には、ウエハは、完全に平坦であるシリコン結晶基板として開始し得る。しかしながら、層およびフィーチャーが基板に追加されるにつれて、この追加の材料は、その構造に応力が加わり、ウエハにおいてそりまたは撓みを引き起こし得る。このそりは、ＣＭＰプロセス中に、ウエハが不均等に研磨され、ＣＭＰプロセスが完了した後に、均一な厚さを有しない層を生じ得る、問題を引き起こし得る。

【0027】

本明細書で説明される実施形態は、半導体製造プロセス間でウエハの垂直変位を特徴づけることによって、これらのおよび他の技術的問題を解決する。変位測定が、変位センサを使用してウエハの周囲の周りで行われ得る。得られた変位データは、次いで、研磨プロセス、洗浄プロセス、および／またはウエハがハンドリングされる角度または配向を制御するために使用され得る。これは、後続の半導体プロセスがウエハのそりを補償することを可能にする。

【0028】

図４は、いくつかの実施形態による、ウエハ変位を測定するためのシステム４００を示す。システム４００は、ウエハ４０４を支持し、ウエハ４０４をウエハ４０４の中心軸４１４を中心として回転させるように構成されたプラットフォーム４１２を含み得る。たとえば、ＣＭＰ機械に置かれる前に、オペレータまたはロボットアームが、プラットフォーム４１２上にウエハ４０４を置き得る。プラットフォーム４１２は、次いで、ウエハ４０４を中心軸４１４を中心として回転させ得る。様々なセンサが、回転中にウエハ４０４の属性を測定し得る。

【0029】

いくつかの実施形態では、システム４００は、位置合わせセンサを含み得る。位置合わせセンサは、第１の構成要素４０１と第２の構成要素４０３との間で光ビームを通すように構成されたスルービームセンサを使用して実装され得る。位置合わせセンサは、そのビームが第１の構成要素４０１と第２の構成要素４０３との間でいつ遮断されたかを検出するように構成され得る。したがって、位置合わせセンサは、あらかじめ定義された配向にウエハ４０４を位置合わせするために、プラットフォーム４１２によって与えられるウエハ４０４の回転とともに使用され得る。たとえば、ウエハ４０４は、ウエハ４０４の外側周囲に沿ったノッチ４１６または他のエッジフィーチャーを含み得る。通常、ウエハ４０４は、ウエハ４０４が中心軸４１４を中心として回転するとき、第１の構成要素４０１と第２の構成要素４０３との間のビームを遮ることになる。しかしながら、ウエハ４０４のエッジに沿ったノッチ４１６の位置が、位置合わせセンサの第１の構成要素４０１の上を通るとき、ビームは、第２の構成要素４０３によって検出され、したがって、ノッチ４１６の位置を示し得る。

【0030】

ノッチ４１６の位置がウエハ４０４において識別されると、システム４００は、随意に、ウエハ４０４を所定の配向に回転させ得る。たとえば、いくつかの場合には、システム４００は、ノッチ４１６の位置が特定されたとき、ウエハ４０４の回転を停止し得る。他の場合には、システム４００は、所定の回転角に達するまで、ウエハ４０４を回転させ続け得る。システム４００によって実施されるこのプロセスは、ウエハ４０４が、半導体製造プロセスにおける後続の機械に移動される前に既知の配向に回転されることを確実にするために使用され得る。たとえば、いくつかのシステムは、ウエハ４０４が様々な機械間で移動するときにウエハ４０４をハンドリングするためにロボットアームを使用し得る。ＣＭＰ機械（または任意の他の半導体製造機械）の研磨パッド上に置かれる前に、ウエハ４０４は、既知の位置に回転され得る。以下で説明されるように、ウエハ４０４のこの位置合わせおよび回転配向は、撓みまたは反りのあるウエハ４０４上の位置を識別するためにも使用され得る。

【0031】

システム４００は、位置合わせ器（ａｌｉｇｎｅｒ）と呼ばれる機械によって少なくとも部分的に実施され得る。詳細には、位置合わせ器は、ノッチ４１６の位置が特定されるまでウエハ４０４を回転させるように構成され得る。いくつかの実施形態では、位置合わせ器は、ウエハ４０４が回転するときにウエハ４０４に対して距離または変位測定をも実施するように修正され得る。システム４００は、変位センサ４０６をさらに含み得る。本明細書で使用される「変位センサ」という用語は、センサからの表面の距離を測定するように構成された任意のセンサを含み得る。いくつかの実施形態は、一例としてレーザ変位センサを使用し得る。レーザ変位センサは、ウエハ４０４の表面に向けられた１つまたは複数のレーザビームを放出し、ウエハ４０４からの反射を受信し得る。変位センサ４０６は、次いで、変位センサ４０６と、レーザビームが向けられたウエハ４０４の表面との間の距離を計算し得る。ウエハ４０４が中心軸４１４を中心として回転されるとき、変位センサ４０６は、ウエハ４０４の表面に対する距離測定値を連続的にサンプリングし得る。

【0032】

位置合わせ器を修正するとき、システム４００は、変位センサ４０６から受信された変位データを制御および／または記録するコンピュータシステムをも含み得る。コンピュータシステムは、変位センサ４０６の動作を制御し、変位データを記録するように構成された１つまたは複数のプロセッサ（たとえば、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、デジタルコントローラ、ＦＰＧＡ、プログラム可能なハードウェアなど）を含み得る。１つまたは複数のプロセッサは、システム４００の一体部分であり得る。代替的に、１つまたは複数のプロセッサは、有線または無線インターフェースを通して変位センサ４０６と通信する別個のコンピュータシステムの一部であり得る。変位センサ４０６を制御するための命令が、非一時的コンピュータ可読媒体など、１つまたは複数のメモリデバイスに記憶され得、これらの命令は、１つまたは複数のプロセッサに、変位データを受信することおよび処理すること、ウエハ４０４を回転させること、変位データを再パッケージすることなどの処理を実行させ得る。コンピュータシステムの一例が、図１１において以下で説明される。

【0033】

変位センサは、ウエハ４０４が回転されるときにウエハ４０４の変位を測定するように配置され得る。ウエハ４０４の変位を測定することは、変位データを生成し得る。変位データは、変位センサ４０６からウエハ４０４までの距離測定値を含み得る。代替的に、変位データは、基準位置からのウエハ４０４の変位を含み得る。たとえば、ウエハ４０４のための基準位置が、基準として、平坦であることが知られているベアシリコン基板または他のウエハについての変位データを測定することによって、決定され得る。ウエハ４０４が下方へ撓み、したがって、変位測定値が基準変位よりも長い場合、変位データは、負値を含み得る。ウエハ４０４が上方へ撓み、したがって、変位測定値が基準変位よりも短い場合、変位データは、対応する正値を含み得る。

【0034】

図４の例は、位置合わせ器と変位センサ４０６とを組み合わせたシステム４００を含む。しかしながら、変位センサ４０６を含むように位置合わせ器を修正する代わりに、他のシステムは、位置合わせ器を省略し、ウエハ４０４を回転させるプラットフォームをもつ専用変位センサを提供し得る。他の実施形態では、変位センサ４０６は、ウエハ４０４が静止したままである間、中心軸４１４を中心としてそれ自体が回転し得る。これらの実施形態では、変位センサ自体が位置合わせ器に代わり、変位センサ４０６により位置合わせ機能を実施し得る。たとえば、変位センサ４０６は、変位データを収集し、ノッチ４１６の位置を検出し得る。

【0035】

図５Ａは、いくつかの実施形態による、ウエハ５０４のエッジにおいて配置された変位センサ５０６ａを示す。上記の図４の例では、変位センサ５０６ａは、ウエハの外側エッジに向けられ得る。たとえば、ウエハの外側エッジは、ウエハ５０４の最外１ｃｍを含み得、したがって、変位測定は、ウエハ５０４の外側エッジに沿った変位を特徴づける。変位センサ５０６ａのこの位置は、特定の技術的利点を与え得る。詳細には、ウエハ５０４の撓みまたはそりが、エッジにおいて最も顕著であり得る。ウエハ５０４がプラットフォーム上でウエハ５０４の中心部分において取り付けられるので、最も大きい変位が、ウエハ５０４のエッジに沿って測定され得る。さらに、ウエハのエッジに向けられたとき、変位センサ５０６ａは、位置合わせ器の機能をも実施し得る。詳細には、変位センサ５０６ａは、ウエハ５０４からの変位測定値を連続的にサンプリングし得る。ウエハ５０４においてノッチに遭遇したとき、変位測定値は、負のしきい値距離を超え得、変位センサ５０６ａは、この測定値をノッチの位置として解釈し得る。したがって、変位センサ５０６ａは、ウエハ５０４についての配向および変位データを決定し得る。

【0036】

図５Ｂは、いくつかの実施形態による、ウエハ５０４の底部エッジの変位を測定するように配置された変位センサ５０６ｂを示す。図５Ａに示されているようにウエハ５０４の上に配置される代わりに、変位センサ５０６ｂは、ウエハ５０４の下に置かれ得る。変位センサ５０６ｂのこの位置は、特定の技術的利点を与え得る。詳細には、システムに／からウエハ５０４を移動するためにロボットアームが使用されるとき、ウエハ５０４の下に配置された変位センサ５０６ｂは、一般に、ロボットアームがウエハ５０４を持ち上げるときにロボットアームによるウエハ５０４の移動に干渉しないことになる。この配置によって与えられる別の技術的利点は、半導体デバイスへの発光変位センサの影響を伴う。一般に、ウエハ上のデバイスは、ウエハ５０４の上側にレイアウトされ、露出され得る。ウエハ５０４の下に変位センサ５０６ｂを置くことによって、システムは、レーザまたは他の高強度光源がこれらの半導体デバイスを照らすことを回避することができる。これは、これらの半導体デバイスが特に高強度光に敏感であるとき、有利であり得る。

【0037】

図５Ｃは、いくつかの実施形態による、複数の変位センサ５０６ｃ、５０８ｃを示す。この例では、複数の変位センサ５０６ｃ、５０８ｃは、ウエハ５０４の中心から外に延びる半径方向の線５１０上に配置され得る。これは、システムが、回転の各角度における複数の点において変位データを測定することを可能にする。図５Ｃの例は２つの変位センサ５０６ｃ、５０８ｃを示しているが、変位センサのこの数は、例として与えられるにすぎず、限定するものではない。他の実施形態は、３つ以上の変位センサを含み得る。複数の変位センサが半径方向の線５１０に沿って変位データを測定する場合、システムは、ウエハ５０４上の複数の位置の変位マップを生成して、ウエハのエッジだけではなく、ウエハ５０４の表面全体の変位マッピングを作成することができる。本開示より前に、ウエハ５０４の表面全体のレーザ走査を実施する計測（ｍｅｔｒｏｌｏｇｙ）ステーションが、ウエハ５０４の多くの異なる態様の正確なビューを生成するために必要とされた。しかしながら、その計測ステーションは、費用がかかり、動作させるのに時間がかかる。図５Ｃに示されているように複数の変位センサ５０６ｃ、５０８を提供することは、計測ステーションによって実施される動作の少なくとも一部分を、ウエハ５０４についての変位データの表面マッピングを与えるための低コスト、高速プロセスと置き換え得る。

【0038】

図５Ｄは、いくつかの実施形態による、異なる回転角度において配置された複数の変位センサ５０６ｄ、５０８ｄを示す。異なる半径方向の距離において同じ半径方向の線に沿って変位センサ５０６ｄ、５０８ｄを置く代わりに、いくつかの実施形態は、既知の回転の角度５１２だけ分離された同じ半径方向の距離において変位センサ５０６ｄ、５０８ｄを配置し得る。これらの実施形態は、変位センサ５０６ｄ、５０８ｄのうちの１つが機能しない場合、位置についての複製変位データをバックアップとして与え得る。これらの実施形態はまた、変位センサ５０６ｄ、５０８ｄにおける機能不全を特徴づけ、較正し、および／または検出するために複製変位データを使用し得る。３つ以上の変位センサも、限定なしに使用され得ることに留意されたい。同じ半径方向の距離において複数の変位センサ５０６ｄ、５０８ｄを整列させることによって与えられる別の技術的利点は、ウエハ５０４についての並列データの収集である。たとえば、ウエハ５０４上に約１８０°間隔で複数の変位センサ５０６ｄ、５０８ｄを置くことによって、ウエハ外周全体が、完全な回転ではなく１／２回転において測定され得る。同様に、ウエハ５０４上に約９０°間隔で４つの変位センサを置くことによって、ウエハ外周全体は、完全な回転ではなく１／４回転において測定され得る。したがって、これらの構成は、変位データを収集するために必要とされる総時間を、５０％、２５％などだけ低減することができる。

【0039】

図５Ａ～図５Ｄに示されている異なる変位センサ数および／またはロケーションの組合せが、任意の組合で、限定なしに使用され得る。たとえば、いくつかの実施形態は、ウエハの上側に回転の異なる角度および／または異なる半径方向の距離における複数の変位センサを含みながら、随意に、ウエハの底部側に回転の異なる角度および／または異なる半径方向の距離における追加の変位センサを含み得る。いくつかの実施形態はまた、複数の変位センサが使用されるとき、異なるセンサタイプまたは設定を使用し得る。たとえば、いくつかの実施形態は、各々が、異なる光周波数で動作し得る、複数のレーザ変位センサを使用し得る。異なる周波数は、異なってウエハから反射し得、したがって、異なるセンサについて異なる光周波数を使用することは、全体的な変位データ測定値の正確さを改善し得る。さらに、いくつかの実施形態は、複数の変位センサが使用されるとき、異なるセンサタイプを使用し得る。たとえば、ある場所においては、レーザ変位センサが使用され得、別の場所においては、超音波変位センサが使用され得る。

【0040】

図６は、いくつかの実施形態による、変位データの３次元（３Ｄ）グラフ６００を示す。グラフ６００は、ウエハのデフォルト変位または基準変位に対する距離測定値を含む。ウエハ上の位置が、ミリメートルスケールでデカルト座標にマッピングされ得る。これらの座標は、ノッチについての位置合わせデータに基づいて割り当てられ得る。たとえば、ノッチ位置は、グラフ６００の（ｘ，ｙ）平面において（０，１５０）の座標位置を割り当てられ得る。したがって、変位データにおける位置合わせ位置が捕捉されると、いくつかの実施形態は、ノッチ位置に基づく座標位置に一致するように変位データを回転させ得る。

【0041】

この例では、変位データは、基準位置に対する垂直距離として記憶される。たとえば、リング６０２は、撓みまたはそりが存在しないときのウエハの基準位置を表し得る。基準位置より上で測定された距離を表すデータ点６０４は、正の変位として表され得る。これらのデータ点６０４は、ウエハの中心に対して上方に撓んだまたはそったウエハ上の位置に対応し得る。基準位置より下で測定された距離を表すデータ点６０６は、負の変位として表され得る。これらのデータ点６０６は、ウエハの中心に対して下方に撓んだまたはそったウエハ上の位置に対応し得る。

【0042】

変位データは、各ウエハについて、ウエハがプラットフォーム上で回転されるとき、記憶され得る。さらに、変位データは、ウエハを測定するシステムにおける各変位センサについて記憶され得る。様々な変位センサからの変位データは、単一ウエハについて組み合わせられて、ウエハの表面全体にわたって変位の３Ｄマッピングを生成し得る。この変位データは、次いで、半導体処理パイプラインにおける他のマシンにパスされ、以下で説明されるようにそれらのマシンの処理を制御するために使用され得る。

【0043】

図７Ａは、いくつかの実施形態による、変位センサ７０６によって測定され得る基準ウエハ７０４を示す。基準ウエハ７０４は、ｚ平面における理想的な平坦なウエハであり得る。言い換えれば、基準ウエハ７０４は、ウエハ７０４の表面と整合する一定の基準変位７２０を示す変位データを生成し得る。基準ウエハ７０４から受信された変位データは、システムによって測定される他の後続のウエハの相対変位を特徴づけるために使用され得る。基準ウエハ７０４は、システムのための較正または初期化プロセスの一部として測定され得る。後続のウエハの後続の測定からの変位データは、基準ウエハからの変位データから減算され得る。図７Ａに明示的に示されていないが、複数の変位センサを含む実施形態は、各センサについての基準変位データを記憶し得る。後続のウエハから測定される変位データが、各対応する変位センサについての基準変位データから減算され得る。

【0044】

図７Ｂは、いくつかの実施形態による、凸状ウエハ７０４ｂを示す。凸状プロファイルは、ウエハ７０４ｂが、ウエハの中心に対してウエハ７０４ｂのエッジにおいて下方に撓んだかまたはそったことを示す。変位７２２が、基準変位７２０よりも大きく、基準変位７２０から減算されたとき、変位７２２について負値を生じ得る。同様に、図７Ｃは、いくつかの実施形態による、凹状ウエハ７０４ｃを示す。凹状プロファイルは、ウエハ７０４ｃが、ウエハの中心に対してウエハ７０４ｃのエッジにおいて上方に撓んだかまたはそったことを示す。変位７２４が、基準変位７２０よりも小さく、基準変位７２０から減算されたとき、変位７２４について正値を生じ得る。

【0045】

図８は、いくつかの実施形態による、そったウエハについての変位データのグラフ８００を示す。３Ｄ軸上の２Ｄ座標にマッピングされる代わりに、変位データは、２Ｄ軸にマッピングされ得、ここで、ｘ軸は回転の角度を示し、ｙ軸はベースラインに対する変位を示す。回転の角度へのマッピングはまた、回転の原点を決定するための位置合わせデータに基づき得る。変位データ８０２は、凹部分および／または凸部分を含み得るウエハに対応する。このタイプのウエハは、ウエハのエッジに沿って上下に波打つ「ポテトチップ」形状として特徴づけられ得る。変位データ８０４は、上方にカールするかまたはそる一方の側をもつウエハに対応する。グラフ８００は、ウエハにおける任意のタイプのそりまたは撓み条件のための変位データが、本明細書で説明されるシステムによってどのように特徴づけられ得るかを示す。

【0046】

図６の２Ｄ座標へのマッピング、または図８における角度回転へのマッピングは、後続のプロセスを制御するために使用され得る。たとえば、図６の２Ｄ座標は、より多く研磨されるか、より多く洗浄されるか、または研磨プロセス中に他と異なる圧力をかけられるべきである、ウエハにおける２Ｄ領域を識別するために使用され得る。たとえば、これらの他と異なる圧力は、変位データにおいて表されるようなウエハにおける凹凸を補償するための、いくつかのエリアにおけるより低い圧力と、他のエリアにおけるより高い圧力とを含み得る。ウエハ上の変位の連続エリアが、１つの領域に一緒にグループ化され、ＣＭＰキャリアヘッド中の特定の加圧されたチャンバにマッピングされ得る。ウエハ上のこれらの領域は、上記で説明されたマッピングされたデータにおいて識別され得る。

【0047】

図９は、いくつかの実施形態による、半導体製造プロセスの一部として実行され得る異なるプロセスのフローチャート９００である。ウエハが、フローチャート９００の開始より前に、様々な堆積プロセス、エッチングプロセスなどを実行する機械など、様々な半導体機械を使用して処理されていることがあることに留意されたい。これらのプロセスが実行された後に、ロボットアームが、ウエハ位置合わせ器／変位測定システム９０２上にウエハを移動し得る。このシステム９０２は、上記で説明されたシステム４００を使用して実装され得る。ウエハ位置合わせ器／変位測定システム９０２は、変位データ９０８を生成し得る。

【0048】

ロボットアームは、ＣＭＰプロセスを実施するためにＣＭＰ機械９０４上にウエハを移動し得る。変位データ９０８は、ＣＭＰ機械９０４のためのハンドリング制御９１０および／または終点制御９１２に伝送され得る。変位データは、次いで、ウエハに対して実施される研磨プロセスを制御するために使用され得る。詳細には、ＣＭＰ機械９０４は、ウエハを把持するかまたは保つ、キャリアヘッドを含み得る。キャリアヘッドは、いくつかのパラメータに関連し得る。これらのパラメータは、ウエハがキャリアヘッドによって把持される角度、および／または様々なロケーションにおいてウエハに印加される圧力の量を制御し得る。これらのパラメータは、以下で説明される洗浄プロセスまたは研磨プロセス中に、撓んだまたはそったウエハ上のエリアを補償するように、キャリアヘッドに関して調節され得る。

【0049】

たとえば、変位データ９０８は、ハンドリング制御９１０がウエハをどのように把持するかを制御するために使用され得る。たとえば、平坦なウエハが、撓んだウエハよりも多くの力でキャリアヘッドによって把持され得る。ＣＭＰ機械は、変位データを受信し、変位データにおいて識別された変位の量に基づいて、ウエハに適用される把持力を調節し得る。さらに、ウエハがウエハ周囲の一部分に沿って撓んでいた場合、ハンドリング制御９１０は、撓んだ部分が、図１に示されているＣＭＰ機械１００上のキャリアヘッド１４０から離れてウエハの残部よりもわずかに多く突出するように、わずかな角度においてウエハを把持し得る。さらに、チャンバ１４６は、変位データ９０８に基づいて加圧され得る。ウエハのそった部分の後ろにある特定のチャンバ１４６は、それらのチャンバが、ウエハの残部に一致して、そった部分を押すか、または研磨プロセス中により大きい圧力を印加するように、他のチャンバよりも多く加圧され得る。これは、ウエハがＣＭＰ機械９０４中の研磨パッドに対して押されるので、ウエハ上の平坦な表面を生成し得る。ウエハの配向が、位置合わせ手順から知られているので、変位データは、ウエハのそった部分の上にあるキャリアヘッド１４０中の特定のチャンバ１４６にマッピングされ得る。これらのチャンバは、ウエハの各対応する領域に関連する正／負の変位データに基づいて、より多くまたはより少なく加圧され得る。

【0050】

変位データ９０８はまた、ＣＭＰ機械９０４によって実施されるＣＭＰプロセスの終点制御９１２によって使用され得る。たとえば、ウエハ上の上層フィルムのリアルタイム厚さは、ウエハが、図１～図３において上記で説明されたプロセスを使用して研磨されるとき、測定され得る。たとえば、平坦なウエハが、撓んだまたはそったウエハよりも、高速におよび多くの力で研磨され得る。変位データへのアクセスがない場合、研磨プロセスは、概して、平坦なウエハとそったウエハの両方に適応するために、平均またはワーストケース研磨速度／圧力を使用する。しかしながら、ウエハが、変位データを使用して平坦なまたはそったものとして特徴づけられ得るとき、研磨プロセス中に適用される速度／圧力は、それに応じて調節され得る。ＣＭＰ機械は、ウエハが平坦であるかどうかを決定するために変位データを使用し得、ウエハが平坦である場合、ＣＭＰ機械は、研磨プロセスの速度／圧力を増加させ得る。ウエハが平坦でない場合、ＣＭＰ機械は、研磨プロセスの速度または圧力を減少させ得る。これは、研磨プロセスを通したウエハのスループットの５％～１０％の増加につながり得る。変位データはまた、ＣＭＰ機械９０４に与えられて、平坦なウエハとそったウエハの両方が、同様の所望の研磨後特性を有するように研磨されることを可能にし得る。たとえば、ウエハの撓んだ部分が、ウエハ上の全体的に平坦な表面を生成するために、ウエハの平坦な部分よりも多く研磨され得る。いくつかの実施形態はまた、変位データに基づいて研磨プロセスの他のパラメータを調節し得る。たとえば、実質的に平坦なウエハが、より高速に研磨するために、より高い温度またはより研磨性のあるスラリを使用し得、そったウエハが、より繊細に研磨するために、あまり研磨性のないスラリを使用し得、またはその逆であり得る。さらに、温度および化学添加物（ａｄｄｉｔｉｖｅ）が、研磨されているウエハ上の異なるゾーンに適用され得る。たとえば、ウエハのそった部分には、スラリに対する第１の化学添加物および／または温度を使用し得、ウエハの平坦な部分には、第２の化学添加物および／または温度を使用し得る。

【0051】

反射された波長の測定値は、研磨パッドからのウエハの変位によって影響を及ぼされ得る。変位データ９０８は、撓んでいるまたはそっていることがあり、したがって、研磨されている表面の不正確な厚さ測定値につながり得る、ウエハ上のロケーションを補償するために使用され得る。たとえば、ウエハが研磨パッドのほうへ撓むことを示す正の変位データは、分光計によって受信された反射された波長への変位の影響に基づいて、比例する量を厚さ測定値から加算または減算し得る。最終的に、終点が、半導体製造パイプラインにおける後続のステップのためにウエハ上に全体的に平坦な表面を作り出すために、ウエハのそった部分を、ウエハの他の部分よりも多く研磨するように、調節され得る。

【0052】

次に、ウエハは、研磨プロセスの後に残されたデブリからウエハを洗浄するように構成された、洗浄装置９０６またはウエハ洗浄機械に移動され得る。変位データ９０８は、洗浄装置９０６のハンドリング制御９１４に、および／または洗浄レシピ９１６を実装するソフトウェアにパスされ得る。洗浄装置９０６は、ＣＭＰ機械９０４について上記で説明されたキャリアヘッドと同様のキャリアヘッドを含み得る。次に、変位データ９０８は、ウエハに対して実施される洗浄プロセスを制御するためにも使用され得る。たとえば、ハンドリング制御９１４は、研磨プロセスについて上記で説明されたように、ウエハが、洗浄プロセスのためにより均一に配向されるように、変位データに基づいて、異なるようにウエハを把持するように変更され得る。さらに、洗浄方策９１６は、ウエハのそり／撓みプロファイルに基づいて変更され得る。そった領域に対応するウエハの部分が、変位データにおける相対的な正値／負値に基づいて、より多くまたはより少なく洗浄され得る。たとえば、ブラシをウエハに印加するための圧力が、より多いまたはより少ない圧力を洗浄機械中のウエハの突出するエリアに印加するように、正／負の変位データにより調節され得る。

【0053】

図１０は、いくつかの実施形態による、半導体製造プロセス中にウエハの変位を測定するための方法のフローチャート１０００を示す。本方法は、ウエハをウエハの中心を中心として回転させることを含み得る（１００２）。この回転は、図４において上記で示されたように、ウエハがプラットフォーム上で支持されるとき、実施され得る。この回転はまた、同時に、位置合わせセンサを使用してウエハ上のノッチの位置を特定し、そのノッチを位置合わせするために使用され得る。

【0054】

本方法は、ウエハが回転されるときにウエハの中心から所定の距離におけるウエハの変位を測定して、変位データを生成することをさらに含み得る（１００４）。所定の距離は、変位センサがウエハから変位データを読み取る位置に対応し得る。所定の距離は、図５Ａ～図５Ｄにおいて上記に示されたように、ウエハの外側エッジに沿って、ウエハの中心から延びる半径方向の線に沿った任意の点において、および／あるいは、位置合わせセンサからの、または別の変位センサからの角度変位において、位置し得る。変位データは、複数の異なる変位センサからの変位測定値を特徴づけ得る。変位センサは、距離を測定するように構成された、レーザ変位センサまたは任意の他のタイプの変位センサを使用して実装され得る。

【0055】

本方法は、ウエハに対して実施される研磨プロセスまたは洗浄プロセスを制御するために変位データを使用することをさらに含み得る（１００６）。本方法のこの部分は随意であり得、本方法のいくつかの実行はウエハを特徴づけるために変位データを使用し、任意の他のプロセスを制御するために変位データを使用しないことがある。たとえば、変位データは、ウエハ表面を特徴づけるために、および／あるいはウエハに対して実施された前のプロセスを特徴づけるかまたはテストするために使用され得る。研磨プロセスを制御することは、ハンドリング制御を調節すること、および／またはキャリアヘッドがウエハを固定する配向を変更することを行うために、変位データを使用することを含み得る。研磨プロセスを制御することは、ウエハが研磨パッドに押し付けられるときに、ウエハにおける撓みを補償するために、ウエハの裏側に対して圧力の変動する量を印加するために変位データを使用することをも含み得る。いくつかの実施形態はまた、洗浄プロセスなど、他のプロセスを制御するために変位データを使用し得る。

【0056】

ウエハに対して実施される研磨プロセスまたは洗浄プロセスを制御するために変位データを使用する随意のステップは、対応する研磨機械または洗浄機械のコンピュータシステムによって実行され得る。たとえば、研磨機械のコンピュータシステム上のソフトウェア命令が、１つまたは複数のプロセッサに、変位センサを使用して生成された変位データを受信させ得る。上記で説明されたように、変位データは、撓んだまたはそったウエハ上の少なくとも１つのエリアを示し得る。これらの命令はまた、その機械に、撓んだまたはそったウエハのエリア上の位置に対応するキャリアヘッドのパラメータを識別させ得る。コンピュータシステムは、次いで、撓んだまたはそったウエハ上のエリアを補償するように、キャリアヘッドに関するそのパラメータを調節し得る。上記で説明されたように、これらのパラメータは、キャリアヘッドがウエハを把持する角度を調節し得る、研磨プロセス中に印加される圧力を調節し得る、プロセス中にウエハの配向を調節し得る、キャリアヘッド中の様々なチャンバを使用してウエハの裏面に印加される圧力を調節し得る、などを行い得る。

【0057】

図１０に示されている特定のステップが、様々な実施形態に従って、半導体製造プロセス間でウエハの変位を測定する特定の方法を提供することを諒解されたい。他の一連のステップも、代替実施形態に従って実施され得る。たとえば、代替実施形態は、上記で概説されたステップを異なる順序で実施し得る。その上、図１０に示されている個々のステップは、個々のステップに適するように様々なシーケンスで実施され得る複数のサブステップを含み得る。さらに、特定の適用例に応じて、追加のステップが追加または除去され得る。多くの変形形態、変更形態、および代替形態も、本開示の範囲内に入る。

【0058】

本明細書で説明される方法の各々は、コンピュータシステムによって実施され得る。これらの方法の各ステップは、コンピュータシステムによって自動的に実行され得、および／またはユーザを伴う入力／出力により与えられ得る。たとえば、ユーザが、方法における各ステップのための入力を与え得、これらの入力の各々は、そのような入力を要求する特定の出力に応答したものであり得、その出力は、コンピュータシステムによって生成される。各入力は、対応する要求する出力に応答して受信され得る。さらに、入力は、ユーザから受信される、データストリームとして別のコンピュータシステムから受信される、メモリロケーションから取り出される、ネットワークを介して取り出される、ウェブサービスから要求される、などであり得る。同様に、出力は、ユーザに与えられる、データストリームとして別のコンピュータシステムに与えられる、メモリロケーションに保存される、ネットワークを介して送信される、ウェブサービスに与えられる、などであり得る。要するに、本明細書で説明される方法の各ステップは、コンピュータシステムによって実施され得、ユーザを伴うことも伴わないこともある、コンピュータシステムへのおよびからの任意の数の入力、出力、および／または要求を伴い得る。ユーザを伴わないそれらのステップは、人間の介入なしにコンピュータシステムによって自動的に実施されると言われ得る。したがって、本明細書で説明される各方法の各ステップが、ユーザへのおよびからの入力および出力を含むように変更され得るか、または、任意の決定がプロセッサによって行われる場合、人間の介入なしにコンピュータシステムによって自動的に行われ得ることを、本開示に照らして理解されよう。さらに、本明細書で説明される方法の各々のいくつかの実施形態は、有形ソフトウェア製品を形成するために、有形、非一時的ストレージ媒体に記憶された命令のセットとして実装され得る。

【0059】

図１１は、様々な実施形態が実装され得る、例示的なコンピュータシステム１１００を示す。コンピュータシステム１１００は、上記で説明されたコンピュータシステムのいずれかを実施するために使用され得る。たとえば、コンピュータシステム１１００は、変位センサを制御し、変位データを記憶するために使用され得る。コンピュータシステム１１００は、ＣＭＰ機械または洗浄装置など、他の半導体製造機械に変位データを伝送するためにも使用され得る。ＣＭＰ機械および／または洗浄装置はまた、変位データを使用して研磨プロセスおよび／または洗浄プロセスを制御するコンピュータシステム１１００を含み得る。

【0060】

図に示されているように、コンピュータシステム１１００は、バスサブシステム１１０２を介していくつかの周辺サブシステムと通信する処理ユニット１１０４を含む。これらの周辺サブシステムは、処理加速ユニット１１０６と、Ｉ／Ｏサブシステム１１０８と、ストレージサブシステム１１１８と、通信サブシステム１１２４とを含み得る。ストレージサブシステム１１１８は、有形コンピュータ可読ストレージ媒体１１２２とシステムメモリ１１１０とを含む。

【0061】

バスサブシステム１１０２は、コンピュータシステム１１００の様々な構成要素およびサブシステムに、意図されるように互いと通信させるための機構を提供する。バスサブシステム１１０２は単一バスとして概略的に示されているが、バスサブシステムの代替実施形態は複数のバスを利用し得る。バスサブシステム１１０２は、メモリバスまたはメモリコントローラと、周辺バスと、様々なバスアーキテクチャのいずれかを使用するローカルバスとを含む、いくつかのタイプのバス構造のいずれかであり得る。たとえば、そのようなアーキテクチャは、Industry Standard Architecture（ＩＳＡ）バスと、Micro Channel Architecture（ＭＣＡ）バスと、Enhanced ISA（ＥＩＳＡ）バスと、Video Electronics Standards Association（ＶＥＳＡ）ローカルバスと、ＩＥＥＥ Ｐ１３８６．１規格に合わせて製造されたメザニンバスとして実装され得るPeripheral Component Interconnect（ＰＣＩ）バスとを含み得る。

【0062】

１つまたは複数の集積回路（たとえば、従来のマイクロプロセッサまたはマイクロコントローラ）として実装され得る、処理ユニット１１０４は、コンピュータシステム１１００の処理を制御する。１つまたは複数のプロセッサが、処理ユニット１１０４中に含まれ得る。これらのプロセッサは、シングルコアプロセッサまたはマルチコアプロセッサを含み得る。いくつかの実施形態では、処理ユニット１１０４は、１つまたは複数の独立した処理ユニット１１３２および／または１１３４として実装され、各処理ユニット中にシングルまたはマルチコアプロセッサが含まれ得る。他の実施形態では、処理ユニット１１０４は、２つのデュアルコアプロセッサを単一のチップに統合することによって形成されたクワッドコア処理ユニットとしても実装され得る。

【0063】

様々な実施形態では、処理ユニット１１０４は、プログラムコードに応答して様々なプログラムを実行することができ、複数の同時に実行するプログラムまたはプロセスを維持することができる。所与の時間において、実行されるべきプログラムコードの一部または全部が、（１つまたは複数の）プロセッサ１１０４中におよび／またはストレージサブシステム１１１８中に、常駐し得る。好適なプログラミングを通して、（１つまたは複数の）プロセッサ１１０４は、上記で説明された様々な機能を提供し得る。コンピュータシステム１１００は、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）、専用プロセッサなどを含むことができる、処理加速ユニット１１０６をさらに含み得る。

【0064】

Ｉ／Ｏサブシステム１１０８は、ユーザインターフェース入力デバイスとユーザインターフェース出力デバイスとを含み得る。ユーザインターフェース入力デバイスは、キーボード、マウスまたはトラックボールなどのポインティングデバイス、ディスプレイに組み込まれたタッチパッドまたはタッチスクリーン、スクロールホイール、クリックホイール、ダイヤル、ボタン、スイッチ、キーパッド、音声コマンド認識システムをもつオーディオ入力デバイス、マイクロフォン、および他のタイプの入力デバイスを含み得る。ユーザインターフェース入力デバイスは、たとえば、ユーザが、ジェスチャーおよび話されたコマンドを使用するナチュラルユーザインターフェースを通して、Ｍｉｃｒｏｓｏｆｔ Ｘｂｏｘ（登録商標）３６０ゲームコントローラなど、入力デバイスを制御し、その入力デバイスと対話することを可能にする、Ｍｉｃｒｏｓｏｆｔ Ｋｉｎｅｃｔ（登録商標）動きセンサなどの動き検知および／またはジェスチャー認識デバイスを含み得る。ユーザインターフェース入力デバイスは、ユーザからの目の活動（たとえば、写真を撮るおよび／またはメニュー選択を行う間の「まばたき」）を検出し、目のジェスチャーを入力デバイス（たとえば、Ｇｏｏｇｌｅ Ｇｌａｓｓ（登録商標））への入力として変換する、Ｇｏｏｇｌｅ Ｇｌａｓｓ（登録商標）まばたき検出器など、目ジェスチャー認識デバイスをも含み得る。さらに、ユーザインターフェース入力デバイスは、ユーザが音声コマンドを通して、音声認識システム（たとえば、Ｓｉｒｉ（登録商標）ナビゲータ）と対話することを可能にする、音声認識検知デバイスを含み得る。

【0065】

ユーザインターフェース入力デバイスは、限定はしないが、３次元（３Ｄ）マウス、ジョイスティックまたはポインティングスティック、ゲームパッドおよびグラフィックタブレット、スピーカーなどのオーディオ／視覚デバイス、デジタルカメラ、デジタルカムコーダ、ポータブルメディアプレーヤ、ウェブカム、画像スキャナ、指紋スキャナ、バーコードリーダー３Ｄスキャナ、３Ｄプリンタ、レーザ測距器、ならびに視線追跡デバイスをも含む。さらに、ユーザインターフェース入力デバイスは、たとえば、コンピュータ断層撮影、磁気共鳴撮像、ポジトロン断層法、医療超音波検査デバイスなど、医療撮像入力デバイスを含み得る。ユーザインターフェース入力デバイスは、たとえば、ＭＩＤＩキーボード、デジタル楽器など、オーディオ入力デバイスをも含み得る。

【0066】

ユーザインターフェース出力デバイスは、ディスプレイサブシステム、インジケータライト、またはオーディオ出力デバイスなどの非視覚ディスプレイなどを含み得る。ディスプレイサブシステムは、カソードレイチューブ（ＣＲＴ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）またはプラズマディスプレイを使用するものなどのフラットパネルデバイス、投影デバイス、タッチスクリーンなどであり得る。概して、「出力デバイス」という用語の使用は、コンピュータシステム１１００からユーザまたは他のコンピュータに情報を出力するための、すべての考えられるタイプのデバイスおよび機構を含むものとする。たとえば、ユーザインターフェース出力デバイスは、限定はしないが、モニタ、プリンタ、スピーカー、ヘッドフォン、自動車ナビゲーションシステム、プロッタ、音声出力デバイス、およびモデムなど、テキスト、グラフィックス、およびオーディオ／ビデオ情報を視覚的に伝達する、様々なディスプレイデバイスを含み得る。

【0067】

コンピュータシステム１１００は、システムメモリ１１１０内に現在位置するものとして示されているソフトウェア要素を備える、ストレージサブシステム１１１８を備え得る。システムメモリ１１１０は、処理ユニット１１０４上でロード可能および実行可能であるプログラム命令、ならびにこれらのプログラムの実行中に生成されるデータを記憶し得る。

【0068】

コンピュータシステム１１００の構成およびタイプに応じて、システムメモリ１１１０は、（ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）などの）揮発性および／または（読取り専用メモリ（ＲＯＭ）、フラッシュメモリなどの）不揮発性であり得る。ＲＡＭは、一般に、処理ユニット１１０４にとって直ちにアクセス可能である、ならびに／または処理ユニット１１０４によって現在動作および実行されている、データおよび／またはプログラムモジュールを含んでいる。いくつかの実装形態では、システムメモリ１１１０は、スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）またはダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）など、複数の異なるタイプのメモリを含み得る。いくつかの実装形態では、起動中など、コンピュータシステム１１００内の要素間で情報を転送するのを助ける基本ルーチンを含んでいる、基本入出力システム（ＢＩＯＳ）が、一般にＲＯＭに記憶され得る。限定ではなく例として、システムメモリ１１１０はまた、クライアントアプリケーション、ウェブブラウザ、中間ティアアプリケーション、リレーショナルデータベース管理システム（ＲＤＢＭＳ）などを含み得る、アプリケーションプログラム１１１２と、プログラムデータ１１１４と、オペレーティングシステム１１１６とを示す。例として、オペレーティングシステム１１１６は、様々なバージョンのＭｉｃｒｏｓｏｆｔ Ｗｉｎｄｏｗｓ（登録商標）、Ａｐｐｌｅ Ｍａｃｉｎｔｏｓｈ（登録商標）、および／またはＬｉｎｕｘオペレーティングシステム、（限定はしないが、様々なＧＮＵ／Ｌｉｎｕｘオペレーティングシステム、Ｇｏｏｇｌｅ Ｃｈｒｏｍｅ（登録商標）ＯＳなどを含む）様々な市販のＵＮＩＸ（登録商標）またはＵＮＩＸのようなオペレーティングシステム、ならびに／あるいはｉＯＳ、Ｗｉｎｄｏｗｓ（登録商標）Ｐｈｏｎｅ、Ａｎｄｒｏｉｄ（登録商標）ＯＳ、ＢｌａｃｋＢｅｒｒｙ（登録商標）１０ ＯＳ、およびＰａｌｍ（登録商標）ＯＳオペレーティングシステムなどのモバイルオペレーティングシステムを含み得る。

【0069】

ストレージサブシステム１１１８はまた、いくつかの実施形態の機能を提供する基本プログラミングおよびデータ構築物を記憶するための、有形コンピュータ可読ストレージ媒体を提供し得る。プロセッサによって実行されたとき、上記で説明された機能を提供する、ソフトウェア（プログラム、コードモジュール、命令）は、ストレージサブシステム１１１８に記憶され得る。これらのソフトウェアモジュールまたは命令は、処理ユニット１１０４によって実行され得る。ストレージサブシステム１１１８は、いくつかの実施形態に従って使用されるデータを記憶するためのリポジトリをも提供し得る。

【0070】

ストレージサブシステム１１１８は、コンピュータ可読ストレージ媒体１１２２にさらに接続され得る、コンピュータ可読ストレージ媒体リーダー１１２０をも含み得る。システムメモリ１１１０と一緒に、および随意に、システムメモリ１１１０と組み合わせて、コンピュータ可読ストレージ媒体１１２２は、コンピュータ可読情報を、一時的におよび／またはより永続的に含んでいる、記憶する、伝送する、および取り出すための、遠隔、ローカル、固定、および／またはリムーバブルストレージデバイスおよびストレージ媒体を包括的に表し得る。

【0071】

コード、またはコードの部分を含んでいる、コンピュータ可読ストレージ媒体１１２２は、限定はしないが、情報のストレージおよび／または伝送のための任意の方法または技術において実装される、揮発性および不揮発性、リムーバブルおよび非リムーバブル媒体など、ストレージ媒体および通信媒体を含む、任意の適切な媒体をも含むことができる。これは、ＲＡＭ、ＲＯＭ、電子的消去可能プログラム可能なＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）、フラッシュメモリまたは他のメモリ技術、ＣＤ－ＲＯＭ、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）、または他の光ストレージ、磁気カセット、磁気テープ、磁気ディスクストレージまたは他の磁気ストレージデバイスなど、有形コンピュータ可読ストレージ媒体、あるいは他の有形コンピュータ可読媒体を含むことができる。これは、データ信号、データ伝送、または所望の情報を伝送するために使用され得、コンピューティングシステム１１００によってアクセスされ得る、任意の他の媒体など、非有形コンピュータ可読媒体をも含むことができる。

【0072】

例として、コンピュータ可読ストレージ媒体１１２２は、非リムーバブル不揮発性磁気媒体から読み取るかまたは非リムーバブル不揮発性磁気媒体に書き込むハードディスクドライブ、リムーバブル不揮発性磁気ディスクから読み取るかまたはリムーバブル不揮発性磁気ディスクに書き込む磁気ディスクドライブ、ならびに、ＣＤ ＲＯＭ、ＤＶＤ、およびＢｌｕ－Ｒａｙ（登録商標）ディスク、または他の光媒体など、リムーバブル不揮発性光ディスクから読み取るかまたはリムーバブル不揮発性光ディスクに書き込む光ディスクドライブを含み得る。コンピュータ可読ストレージ媒体１１２２は、限定はしないが、Ｚｉｐ（登録商標）ドライブ、フラッシュメモリカード、ユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）フラッシュドライブ、セキュアデジタル（ＳＤ）カード、ＤＶＤディスク、デジタルビデオテープなどを含み得る。コンピュータ可読ストレージ媒体１１２２は、フラッシュメモリベース固体ドライブ（ＳＳＤ）、エンタープライズフラッシュドライブ、ソリッドステートＲＯＭなど、不揮発性メモリに基づくＳＳＤ、ソリッドステートＲＡＭ、ダイナミックＲＡＭ、スタティックＲＡＭ、ＤＲＡＭベースＳＳＤ、磁気抵抗ＲＡＭ（ＭＲＡＭ）ＳＳＤなど、揮発性メモリに基づくＳＳＤ、およびＤＲＡＭベースＳＳＤとフラッシュメモリベースＳＳＤとの組合せを使用するハイブリッドＳＳＤをも含み得る。ディスクドライブおよびそれらの関連するコンピュータ可読媒体は、コンピュータシステム１１００のための、コンピュータ可読命令、データ構造、プログラムモジュール、および他のデータの、不揮発性ストレージを提供し得る。

【0073】

通信サブシステム１１２４は、他のコンピュータシステムおよびネットワークへのインターフェースを提供する。通信サブシステム１１２４は、コンピュータシステム１１００からの他のシステムからデータを受信するための、およびコンピュータシステム１１００からの他のシステムにデータを伝送するための、インターフェースとして働く。たとえば、通信サブシステム１１２４は、コンピュータシステム１１００がインターネットを介して１つまたは複数のデバイスに接続することを可能にし得る。いくつかの実施形態では、通信サブシステム１１２４は、（たとえば、セルラー電話技術、３Ｇ、４Ｇ、またはＥＤＧＥ（グローバル進化型高速データレート）などの高度データネットワーク技術、ＷｉＦｉ（ＩＥＥＥ８０２．１１ファミリー規格）、または他のモバイル通信技術、またはそれらの任意の組合せを使用する）ワイヤレス音声および／またはデータネットワークにアクセスするための高周波（ＲＦ）トランシーバ構成要素、全地球測位システム（ＧＰＳ）受信機構成要素、ならびに／あるいは他の構成要素を含むことができる。いくつかの実施形態では、通信サブシステム１１２４は、ワイヤレスインターフェースに加えてまたはワイヤレスインターフェースの代わりにワイヤードネットワーク接続性（たとえば、イーサネット）を提供することができる。

【0074】

いくつかの実施形態では、通信サブシステム１１２４はまた、コンピュータシステム１１００を使用し得る１人または複数のユーザのために、構造化されたおよび／または構造化されていないデータフィード１１２６、イベントストリーム１１２８、イベント更新１１３０などの形態で、入力通信を受信し得る。

【0075】

例として、通信サブシステム１１２４は、１つまたは複数のサードパーティ情報ソースからのＴｗｉｔｔｅｒ（登録商標）フィード、Ｆａｃｅｂｏｏｋ（登録商標）更新、Ｒｉｃｈ Ｓｉｔｅ Ｓｕｍｍａｒｙ（ＲＳＳ）フィードなどのウェブフィード、および／またはリアルタイム更新など、データフィード１１２６をソーシャルネットワークおよび／または他の通信サービスのユーザからリアルタイムで受信するように構成され得る。

【0076】

さらに、通信サブシステム１１２４はまた、連続データストリームの形態のデータを受信するように構成され得、そのデータは、リアルタイムイベントのイベントストリーム１１２８、および／またはイベント更新１１３０を含み得、それらは、本質的に明示的終わりなしに連続または無限であり得る。連続データを生成するアプリケーションの例は、たとえば、センサデータアプリケーション、金融ティッカー、ネットワーク性能測定ツール（たとえばネットワーク監視およびトラフィック管理アプリケーション）、クリックストリーム分析ツール、自動車交通監視などを含み得る。

【0077】

通信サブシステム１１２４はまた、コンピュータシステム１１００に結合された１つまたは複数のストリーミングデータソースコンピュータと通信していることがある１つまたは複数のデータベースに、構造化されたおよび／または構造化されていないデータフィード１１２６、イベントストリーム１１２８、イベント更新１１３０などを出力するように構成され得る。

【0078】

コンピュータシステム１１００は、ハンドヘルド携帯用デバイス（たとえば、ｉＰｈｏｎｅ（登録商標）セルラーフォン、ｉＰａｄ（登録商標）コンピューティングタブレット、ＰＤＡ）、ウェアラブルデバイス（たとえば、Ｇｏｏｇｌｅ Ｇｌａｓｓ（登録商標）ヘッドマウントディスプレイ）、ＰＣ、ワークステーション、メインフレーム、キオスク、サーバラック、または任意の他のデータ処理システムを含む、様々なタイプのうちの１つであり得る。

【0079】

コンピュータおよびネットワークの絶え間なく変化する性質により、図に示されているコンピュータシステム１１００の説明は、特定の例としてのものにすぎない。図に示されているシステムよりも多いまたは少ない構成要素を有する多くの他の構成が可能である。たとえば、カスタマイズされたハードウェアも使用され得、および／あるいは特定の要素が、ハードウェア、ファームウェア、（アプレットを含む）ソフトウェア、または組合せで実装され得る。さらに、ネットワーク入出力デバイスなど、他のコンピューティングデバイスへの接続が、採用され得る。本明細書で提供される開示および教示に基づいて、様々な実施形態を実装するための他のやり方および／または方法が、明らかであるべきである。

【0080】

上記の説明では、説明の目的で、様々な実施形態の完全な理解を提供するために、多数の具体的な詳細が記載された。ただし、いくつかの実施形態がこれらの具体的な詳細のうちのいくつかなしに実践され得ることは明らかであろう。他の事例では、よく知られている構造およびデバイスが、ブロック図の形式で示されている。

【0081】

上記の説明は、例示的な実施形態を提供するにすぎず、本開示の範囲、適用可能性、または構成を限定するものではない。むしろ、様々な実施形態の上記の説明は、少なくとも１つの実施形態を実装するための可能な開示を提供する。添付の特許請求の範囲に記載のいくつかの実施形態の趣旨および範囲から逸脱することなく、様々な変更が要素の機能および配置において行われ得ることを理解されたい。

【0082】

実施形態の完全な理解を提供するために、上記の説明において具体的な詳細が与えられた。ただし、実施形態がこれらの具体的な詳細なしに実践され得ることを理解されよう。たとえば、回路、システム、ネットワーク、プロセス、および他の構成要素は、不要な詳細で実施形態を不明瞭にしないために、ブロック図の形式の構成要素として示されていることがある。他の事例では、よく知られている回路、プロセス、アルゴリズム、構造、および技法が、実施形態を不明瞭にすることを回避するために、不要な詳細なしに示されていることがある。

【0083】

また、個々の実施形態は、フローチャート、流れ図、データフロー図、構造図、またはブロック図として示されている、プロセスとして説明されていることがあることに留意されたい。フローチャートは動作を順次行われるプロセスとして説明していることがあるが、動作の多くは、並列にまた同時に実施され得る。さらに、動作の順序は並べ替えられ得る。プロセスは、その動作が完了したとき終了するが、図中に含まれない追加のステップを有し得る。プロセスは、メソッド、関数、プロシージャ、サブルーチン、サブプログラムなどに対応し得る。プロセスが関数に対応するとき、その終了は、呼出し関数またはメイン関数への関数のリターンに対応することができる。

【0084】

「コンピュータ可読媒体」という用語は、限定はしないが、携帯用または固定ストレージデバイス、光ストレージデバイス、ワイヤレスチャネル、ならびに（１つまたは複数の）命令および／またはデータを記憶するか、含んでいるか、または搬送することが可能な様々な他の媒体を含む。コードセグメントまたは機械実行可能命令は、プロシージャ、関数、サブプログラム、プログラム、ルーチン、サブルーチン、モジュール、ソフトウェアパッケージ、クラス、あるいは命令、データ構造、またはプログラム文の任意の組合せを表し得る。コードセグメントは、情報、データ、引数、パラメータ、またはメモリコンテンツをパスするおよび／または受信することによって別のコードセグメントまたはハードウェア回路に結合され得る。情報、引数、パラメータ、データなどは、メモリ共有、メッセージパッシング、トークンパッシング、ネットワーク伝送などを含む任意の好適な手段を介して、パスされるか、フォワーディングされるか、または伝送され得る。

【0085】

さらに、実施形態は、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、ミドルウェア、マイクロコード、ハードウェア記述言語、またはそれらの任意の組合せによって実装され得る。ソフトウェア、ファームウェア、ミドルウェアまたはマイクロコードで実装されるとき、必要なタスクを実行するためのプログラムコードまたはコードセグメントは、機械可読媒体に記憶され得る。（１つまたは複数の）プロセッサは、必要なタスクを実行し得る。

【0086】

上記の明細書では、特徴が、その特定の実施形態を参照しながら説明されたが、すべての実施形態がそれに限定されるとは限らないことを認識されたい。いくつかの実施形態の様々な特徴および態様が、個々にまたは一緒に使用され得る。さらに、実施形態は、本明細書のより広い趣旨および範囲から逸脱することなく、本明細書で説明されるもの以外の、任意の数の環境および適用例において利用され得る。したがって、本明細書および図面は、限定的ではなく例示的なものと見なされるべきである。

【0087】

さらに、説明の目的で、方法が、特定の順序で説明された。代替実施形態では、方法は、説明されたものとは異なる順序で実施され得ることを諒解されたい。また、上記で説明された方法が、ハードウェア構成要素によって実施され得るか、あるいは、汎用もしくは専用プロセッサまたは命令によりプログラムされた論理回路など、機械にその方法を実施させるために使用され得る、機械実行可能命令のシーケンスで具現され得ることを諒解されたい。これらの機械実行可能命令は、ＣＤ－ＲＯＭまたは他のタイプの光ディスク、フロッピーディスケット、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、磁気または光学カード、フラッシュメモリ、あるいは電子命令を記憶するのに好適な他のタイプの機械可読媒体など、１つまたは複数の機械可読媒体に記憶され得る。代替的に、方法は、ハードウェアとソフトウェアとの組合せによって実行され得る。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図5D】

【図6】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【国際調査報告】