特表2024-524964誘電体エッチングにおけるプロファイルツイスティング制御
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-07-09
(54)【発明の名称】誘電体エッチングにおけるプロファイルツイスティング制御
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20240702BHJP
H05H 1/46 20060101ALI20240702BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 101C
H01L21/302 101B
H05H1/46 M
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023578681
(86)(22)【出願日】2022-06-16
(85)【翻訳文提出日】2024-02-20
(86)【国際出願番号】 US2022033784
(87)【国際公開番号】W WO2022271526
(87)【国際公開日】2022-12-29
(31)【優先権主張番号】63/213,010
(32)【優先日】2021-06-21
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】592010081
【氏名又は名称】ラム リサーチ コーポレーション
【氏名又は名称原語表記】ＬＡＭ ＲＥＳＥＡＲＣＨ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ
(74)【代理人】
【識別番号】110000028
【氏名又は名称】弁理士法人明成国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】マッキー・ニール・マカラエグ
(72)【発明者】
【氏名】ライ・ケビン
(72)【発明者】
【氏名】リー・チェン
(72)【発明者】
【氏名】チャン・ヒー
【テーマコード（参考）】
2G084
5F004
【Ｆターム（参考）】
2G084BB02
2G084BB05
2G084CC12
2G084CC13
2G084CC33
2G084DD02
2G084DD15
2G084DD23
2G084DD24
2G084DD55
2G084FF15
2G084FF27
2G084FF29
2G084HH02
2G084HH12
2G084HH16
2G084HH30
5F004AA01
5F004BA09
5F004BA20
5F004BB07
5F004BB12
5F004BB13
5F004BB22
5F004BD04
5F004CA03
5F004DA00
5F004DA01
5F004EA37
(57)【要約】
基板処理装置が、上側電極と、下側電極と、プラズマを使用して基板を処理するための処理ゾーンと、をもつ真空チャンバを含む。上側電極は、基板がチャンバに配置されたときに基板の表面に実質的に平行である表面を含む。装置は、処理ゾーンを通る１つまたは複数のアクティブ磁場を生成するように構成された少なくとも１つの磁場源と、少なくとも１つの磁場源および上側電極に結合されたコントローラと、を含む。コントローラは、プロセスガスを使用してプラズマを生成するために、上側電極と下側電極との間にＲＦ電力を印加するように構成される。コントローラは、基板の処理中に、少なくとも１つの磁場源を通る電流を制御し、ここで、電流が、１つまたは複数のアクティブ磁場の少なくとも１つの特性に対応する目標値に基づく。
【選択図】図１
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板処理装置であって、プラズマを使用して基板を処理するための処理ゾーンを含む真空チャンバと、
上側電極および下側電極であって、前記上側電極が、前記真空チャンバ内に配設され、前記基板が前記真空チャンバ内に配置されたときに前記基板の表面に実質的に平行である表面を有する、上側電極および下側電極と、
前記真空チャンバの前記処理ゾーンを通る１つまたは複数のアクティブ磁場を生成するように構成された少なくとも１つの磁場源と、
前記少なくとも１つの磁場源および前記上側電極に結合されたコントローラであって、
プロセスガスを使用して前記処理ゾーン内に前記プラズマを生成するために、前記上側電極と前記下側電極との間に無線周波数（ＲＦ）電力を印加することと、
前記基板の前記処理中に、前記少なくとも１つの磁場源を通る電流を制御することであって、前記電流が、前記１つまたは複数のアクティブ磁場の少なくとも１つの特性に対応する目標値に基づく、電流の制御と、
を行うように構成された、コントローラと、
を備える、基板処理装置。
【請求項2】
請求項１に記載の装置であって、前記コントローラが、前記基板における複数のスリットプロファイルに関連するシステマティックツイスティングの程度を検出することであって、前記システマティックツイスティングの程度が、前記複数のスリットプロファイルの１つまたは複数の測定に基づく、システマティックツイスティングの程度の検出
を行うようにさらに構成された、装置。
【請求項3】
請求項２に記載の装置であって、前記コントローラが、前記システマティックツイスティングの程度に基づいて、前記少なくとも１つの磁場源を通る前記電流を調整すること
を行うようにさらに構成された、装置。
【請求項4】
請求項２に記載の装置であって、前記上側電極の前記表面と前記下側電極の表面との間の距離が、前記システマティックツイスティングの程度に基づいて構成された、装置。
【請求項5】
請求項２に記載の装置であって、前記コントローラが、前記システマティックツイスティングの程度に基づいて、前記プロセスガスの流量を調整すること
を行うようにさらに構成された、装置。
【請求項6】
請求項１に記載の装置であって、前記１つまたは複数のアクティブ磁場の前記少なくとも１つの特性が、少なくとも１つのコイルに関連するコイル電流であって、前記少なくとも１つのコイルが、前記少なくとも１つの磁場源として構成された、コイル電流と、
前記１つまたは複数のアクティブ磁場の磁場大きさと、
前記１つまたは複数のアクティブ磁場の磁場極性と、
のうちの１つまたは複数を備える、装置。
【請求項7】
請求項６に記載の装置であって、前記１つまたは複数のアクティブ磁場を表す信号を検出するように構成された磁場センサをさらに備える、装置。
【請求項8】
請求項７に記載の装置であって、前記検出された信号が、前記１つまたは複数のアクティブ磁場の前記磁場大きさを示すものであり、前記コントローラが、前記１つまたは複数のアクティブ磁場の前記磁場大きさと、前記目標値に対応する磁場大きさと、の間の差に基づいて、前記少なくとも１つの磁場源を通る後続の電流を調整すること
を行うようにさらに構成された、装置。
【請求項9】
請求項７に記載の装置であって、前記検出された信号が、前記１つまたは複数のアクティブ磁場の前記磁場極性を示すものであり、前記コントローラが、前記１つまたは複数のアクティブ磁場の前記磁場極性と、前記目標値に対応する磁場極性と、に基づいて、前記少なくとも１つの磁場源を通る後続の電流を調整すること
を行うようにさらに構成された、装置。
【請求項10】
請求項１に記載の装置であって、前記少なくとも１つの磁場源が、所定の直径の少なくとも１つのコイルを備え、前記少なくとも１つのコイルが、前記基板の前記表面に実質的に平行である、装置。
【請求項11】
真空チャンバにおいて基板を処理する方法であって、前記方法は、前記真空チャンバの処理ゾーン内にプロセスガスを供給することと、
前記プロセスガスを使用して前記処理ゾーン内にプラズマを生成するために、前記真空チャンバの上側電極と下側電極との間に無線周波数（ＲＦ）電力を印加することであって、前記上側電極が、前記真空チャンバ内に配設され、前記基板が前記真空チャンバ内に配置されたときに前記基板の表面に実質的に平行である表面を有する、無線周波数（ＲＦ）電力の印加と、
前記真空チャンバの前記処理ゾーンを通る１つまたは複数のアクティブ磁場を生成するために、少なくとも１つの磁場源を通る電流を印加することと、
前記基板の前記処理中に、前記少なくとも１つの磁場源を通る前記電流を制御することであって、前記電流が、前記１つまたは複数のアクティブ磁場の少なくとも１つの特性に対応する目標値に基づく、電流の制御と、
を含む、方法。
【請求項12】
請求項１１に記載の方法であって、前記基板における複数のスリットプロファイルに関連するシステマティックツイスティングの程度を検出することであって、前記システマティックツイスティングの程度が、前記複数のスリットプロファイルの１つまたは複数の測定に基づく、システマティックツイスティングの程度の検出
をさらに含む、方法。
【請求項13】
請求項１２に記載の方法であって、前記システマティックツイスティングの程度に基づいて、前記少なくとも１つの磁場源を通る前記電流を調整すること
をさらに含む、方法。
【請求項14】
請求項１２に記載の方法であって、前記システマティックツイスティングの程度に基づいて、前記プロセスガスの流量を調整すること
をさらに含む、方法。
【請求項15】
請求項１１に記載の方法であって、前記１つまたは複数のアクティブ磁場の前記少なくとも１つの特性は、少なくとも１つのコイルに関連するコイル電流であって、前記少なくとも１つのコイルが、前記少なくとも１つの磁場源として構成された、コイル電流と、
前記１つまたは複数のアクティブ磁場の磁場大きさと、
前記１つまたは複数のアクティブ磁場の磁場極性と、
のうちの１つまたは複数を備える、方法。
【請求項16】
請求項１５に記載の方法であって、前記少なくとも１つの磁場源に関連する磁場センサを介して、前記１つまたは複数のアクティブ磁場の前記磁場大きさを検出することと、
前記１つまたは複数のアクティブ磁場の前記検出された磁場大きさと、前記目標値に対応する磁場大きさと、の間の差に基づいて、前記少なくとも１つの磁場源を通る後続の電流を調整することと、
をさらに含む、方法。
【請求項17】
命令を含む機械可読記憶媒体であって、前記命令が、機械によって実行されたとき、前記機械に、真空チャンバにおいて基板を処理するための動作を実施させ、前記動作は、前記真空チャンバの処理ゾーン内にプロセスガスを供給することと、
前記プロセスガスを使用して前記処理ゾーン内にプラズマを生成するために、前記真空チャンバの上側電極と下側電極との間に無線周波数（ＲＦ）電力を印加することであって、前記上側電極が、前記真空チャンバ内に配設され、前記基板が前記真空チャンバ内に配置されたときに前記基板の表面に実質的に平行である表面を有する、無線周波数（ＲＦ）電力の印加と、
前記真空チャンバの前記処理ゾーンを通る１つまたは複数のアクティブ磁場を生成するために、少なくとも１つの磁場源を通る電流を印加することと、
前記基板の前記処理中に、前記少なくとも１つの磁場源を通る前記電流を制御することであって、前記電流が、前記１つまたは複数のアクティブ磁場の少なくとも１つの特性に対応する目標値に基づく、電流の制御と、
を含む、機械可読記憶媒体。
【請求項18】
請求項１７に記載の機械可読記憶媒体であって、前記動作は、前記基板における複数のスリットプロファイルに関連するシステマティックツイスティングの程度を検出することであって、前記システマティックツイスティングの程度が、前記複数のスリットプロファイルの１つまたは複数の測定に基づく、システマティックツイスティングの程度の検出
をさらに含む、機械可読記憶媒体。
【請求項19】
請求項１８に記載の機械可読記憶媒体であって、前記動作が、前記システマティックツイスティングの程度に基づいて、前記少なくとも１つの磁場源を通る前記電流を調整すること
をさらに含む、機械可読記憶媒体。
【請求項20】
請求項１８に記載の機械可読記憶媒体であって、前記動作が、前記システマティックツイスティングの程度に基づいて、前記プロセスガスの流量を調整すること
をさらに含む、機械可読記憶媒体。
【請求項21】
請求項１７に記載の機械可読記憶媒体であって、前記少なくとも１つの特性は、少なくとも１つのコイルに関連するコイル電流であって、前記少なくとも１つのコイルが、前記少なくとも１つの磁場源として構成された、コイル電流と、
前記１つまたは複数のアクティブ磁場の磁場大きさと、
前記１つまたは複数のアクティブ磁場の磁場極性と、
のうちの１つまたは複数を備える、機械可読記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
優先権の主張：
本出願は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる、２０２１年６月２１日に出願された米国特許出願第６３／２１３，０１０号の優先権の利益を主張する。
本出願は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる、２０２１年６月２１日に出願された米国特許出願第６３／２１３，０１０号の優先権の利益を主張する。
【0002】
本明細書で開示される主題は、一般に、プラズマベースの基板製造（たとえば、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）または誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）基板製造）中の高アスペクト比誘電体エッチングプロセスなど、誘電体エッチングプロセスにおけるプロファイルツイスティング制御のための方法、システム、および機械可読記憶媒体に関する。
【背景技術】
【0003】
エッチング、物理気相堆積（ＰＶＤ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、プラズマ強化化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、プラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）、パルス堆積層（ＰＤＬ）、プラズマ強化パルス堆積層（ＰＥＰＤＬ）、およびレジスト除去を含む技法によって半導体基板を処理するために、半導体基板処理システムが使用される。半導体基板処理装置の１つのタイプは、上側電極および下側電極を含んでいる真空チャンバを含む、ＣＣＰを使用するプラズマ処理装置であり、ここで、反応室において半導体基板を処理するためにプロセスガスをプラズマ励起するべく、無線周波数（ＲＦ）電力が、電極の間に印加される。半導体基板処理装置の別のタイプは、ＩＣＰ処理装置である。
【0004】
基板を製造するためのＣＣＰベースまたはＩＣＰベースの真空チャンバなど、半導体基板処理システムにおいて、基板表面におけるエッチング均一性およびグローバルイオンチルトが、プラズマ密度均一性によって影響を及ぼされる。そのような半導体基板処理システムにおいて、スリットエッチングは、誘電体エッチングワークフローにおける最終ステップのうちの１つであり、これにより、メモリホールなど、存在するフィーチャの相互作用（クリッピング）を防止するために、非常に厳しい限界寸法（ＣＤ）公差を伴い得る。１つまたは複数のプロファイル方向変化が起こり得る非理想的なプロファイル形状として説明され得る、スリットプロファイルツイスティングが、とりわけ、３Ｄ ＮＡＮＤスリットフィーチャの高アスペクト比（ＨＡＲ）エッチングの場合、考慮すべき事柄である。ツイストプロファイルが、スリット全体に沿って、あるいは構造またはダイの局所エリアにおいて起こり得る。追加として、ツイストプロファイルは、半導体基板製造中の望ましい結果ではない、予想よりも大きい、ＣＤ公差とのノンコンプライアンス、および存在するフィーチャのクリッピングのリスクに関連する。
【0005】
本明細書において提供される背景技術の説明は、本開示のコンテキストを概括的に提示するものである。このセクションにおいて説明される情報は、以下の開示される主題のための何らかのコンテキストを当業者に提供するために提示されるものであり、自認した従来技術とみなされるべきではないことに留意されたい。より詳細には、この背景技術のセクションにおいて説明される範囲内における、現在名前が挙げられている発明者の研究、および出願時に先行技術と別途みなされ得ない説明の態様は、本開示に対する先行技術として明示的にも暗示的にも認められない。
【発明の概要】
【0006】
真空チャンバ内で基板を処理するための、方法、システム、および機械可読媒体上に命令として記憶されたコンピュータプログラムが提示される。１つの一般的態様は、基板処理装置を含む。装置は、プラズマを使用して基板を処理するための処理ゾーンをもつ真空チャンバを含む。装置は、上側電極をさらに含む。上側電極は、真空チャンバ内に配設され、一般的に基板の表面に平行である表面を含む。装置は、真空チャンバの処理ゾーンを通る１つまたは複数のアクティブ磁場を生成するように構成された少なくとも１つの磁場源をさらに含む。装置は、少なくとも１つの磁場源および上側電極に結合されたコントローラをさらに含む。コントローラは、プロセスガスを使用して処理ゾーン内にプラズマを生成するために、真空チャンバの上側電極と下側電極との間にＲＦ電力を印加するように構成される。コントローラは、基板の処理中に、少なくとも１つの磁場源を通る電流を制御するようにさらに構成される。電流は、１つまたは複数のアクティブ磁場の少なくとも１つの特性に対応する目標値に基づく。
【0007】
別の一般的態様は、真空チャンバにおいて基板を処理する方法を含む。方法は、真空チャンバの処理ゾーン内にプロセスガスを供給することを含む。方法は、プロセスガスを使用して処理ゾーン内にプラズマを生成するために、真空チャンバの上側電極と下側電極との間にＲＦ電力を印加することをさらに含む。上側電極は、基板の表面に平行である表面を含む。方法は、真空チャンバの処理ゾーンを通る１つまたは複数のアクティブ磁場を生成するために、少なくとも１つの磁場源を通る電流を印加することをさらに含む。方法は、基板の処理中に、少なくとも１つの磁場源を通る電流を制御することをさらに含む。電流は、１つまたは複数のアクティブ磁場の少なくとも１つの特性に対応する目標値に基づく。
【0008】
追加の一般的態様は、命令を含む非一時的機械可読記憶媒体であって、命令は、機械によって実行されたとき、機械に、真空チャンバにおいて基板を処理するための動作を実施させる、非一時的機械可読記憶媒体を含む。動作は、真空チャンバの処理ゾーン内にプロセスガスを供給することを含む。動作は、プロセスガスを使用して処理ゾーン内にプラズマを生成するために、真空チャンバの上側電極と下側電極との間にＲＦ電力を印加することをさらに含む。上側電極は、基板の表面に平行である表面を含む。動作は、真空チャンバの処理ゾーンを通る１つまたは複数のアクティブ磁場を生成するために、少なくとも１つの磁場源を通る電流を印加することをさらに含む。動作は、基板の処理中に、少なくとも１つの磁場源を通る電流を制御することであって、電流が、１つまたは複数のアクティブ磁場の少なくとも１つの特性に対応する目標値に基づく、電流の制御をさらに含む。
【0009】
添付の図面のうちの様々な図は、本開示の例示的な実施形態を図示するにすぎず、その範囲を限定するものとみなされ得ない。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】いくつかの例示的な実施形態による、基板を製造するための、エッチングチャンバなどの真空チャンバを図示する図である。
【0011】
【図2】いくつかの例示的な実施形態による、開示される技法を使用して緩和され得る、基板スリットフィーチャの異なるタイプの帯電を図示する図である。
【0012】
【図3A】いくつかの例示的な実施形態による、シース不均一性をもたらす平坦な上側電極を使用する真空チャンバを図示する図である。
【0013】
【0014】
【図3C】いくつかの例示的な実施形態による、シース均一性をもたらす整形された上側電極を使用する真空チャンバを図示する図である。
【0015】
【図4A】いくつかの例示的な実施形態による、平坦なまたは整形された上側電極を使用する真空チャンバに関連するシース均一性のグラフである。
【0016】
【図4B】いくつかの例示的な実施形態による、平坦なまたは整形された上側電極を使用する真空チャンバに関連するイオンチルト均一性のグラフである。
【0017】
【図5】いくつかの例示的な実施形態による、平坦なまたは整形された上側電極を使用する真空チャンバに関連する電子密度のグラフである。
【0018】
【図6A】いくつかの例示的な実施形態による、平坦な上側電極を使用する真空チャンバに関連する電子角度エネルギー分布のグラフである。
【0019】
【図6B】いくつかの例示的な実施形態による、整形された上側電極を使用する真空チャンバに関連する電子角度エネルギー分布のグラフである。
【0020】
【図7】いくつかの例示的な実施形態による、スリットプロファイルツイスティング緩和に関連してプラズマ密度均一性およびシース均一性を改善するために、平坦な上側電極とともに磁場源を使用する真空チャンバのブロック図である。
【0021】
【図8】いくつかの例示的な実施形態による、磁場源電流の変化に関するスリットプロファイルツイスティングの改善を図示する図である。
【0022】
【図9】いくつかの例示的な実施形態による、磁場源電流に関するシステマティックツイスティングのグラフである。
【0023】
【図10A】いくつかの例示的な実施形態による、処理ゾーン内の不均一なプラズマ密度をもつ真空チャンバの斜視図である。
【0024】
【0025】
【0026】
【図11A】いくつかの例示的な実施形態による、アクティブ磁場を生成するための磁場源として使用されるコイルをもつ真空チャンバの斜視図である。
【0027】
【0028】
【0029】
【図13】いくつかの例示的な実施形態による、真空チャンバにおいて基板を処理する方法のフローチャートである。
【0030】
【図14】１つもしくは複数の例示的な方法実施形態が実装され得る、または１つもしくは複数の例示的な実施形態がそれによって制御され得る、機械の例を図示するブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【0031】
例示的な方法、システム、およびコンピュータプログラムは、平坦な上側電極および少なくとも１つの磁場源を使用して、基板製造装置におけるスリットプロファイルツイスティングを制御することを対象とする。例は、可能なバリエーションを代表するにすぎない。別段に明記されていない限り、構成要素および機能は、随意であり、組み合わせられるかまたは再分割され得、動作は、順序が変動するか、あるいは組み合わせられるかまたは再分割され得る。以下の説明では、解説の目的で、多数の特定の詳細が、例示的な実施形態の完全な理解を提供するために記載される。しかしながら、本主題は、これらの特定の詳細なしに実践され得ることが当業者には明白であろう。
【0032】
基板スリットプロファイルのツイスティングは、１つまたは複数のプロファイル方向変化が起こる非理想的なプロファイル形状に関連する。ツイストプロファイルは、予想よりも大きい、ＣＤ公差とのノンコンプライアンスを有し、スリット全体に沿って、あるいは構造またはダイの局所エリアにおいて起こり得るので、基板製造中に（たとえば、３Ｄ ＮＡＮＤスリットフィーチャの高アスペクト比エッチング中に）存在するフィーチャがクリッピングされるリスクがある。
【0033】
２つの別個のメカニズムが、ツイスティングを引き起こし得、ランダムツイスティングおよびシステマティックツイスティングがある。ランダムツイスティングでは、循環的プロセスのディファレンシャルエッチングレート、または非理想的なエッチングフロントプロファイルが、ランダムな方向性変化をもたらす。システマティックツイスティングでは、非理想的な入射イオン軌道が、インフィーチャ帯電およびイオン散乱メカニズムを通して、複数のスリットフィーチャにわたって、繰り返すツイスティングプロファイルをもたらす。この点で、ランダムツイスティングは、エッチングプロセス差から生じ（たとえば、プロセス駆動型）、システマティックツイスティングは、非理想的なイオン角度分布から生じる（たとえば、イオン駆動型）。
【0034】
本明細書において開示される技法は、基板製造プロセス中の（たとえば、ＨＡＲ誘電体エッチングプロセスを含む誘電体エッチングプロセス中の）システマティックツイスティングを緩和することに関連する。より詳細には、シース均一性を改善するための、およびシステマティックスリットツイスティング欠陥を最小限に抑えることができるより理想的な入射イオン軌道を提供するための手段としてプラズマ密度均一性を修正するために、チューニング可能な磁場源が、基板製造プロセス中に使用される。追加として、磁場源は、均一な２次電子生成が、均一なイオン軌道との組合せにおいて、増加された表面電荷中和を通してＨＡＲ誘電体エッチングにおけるシステマティックツイスティングを最小限に抑えるために実現され得る、平坦な上側電極をもつ真空チャンバとともに使用され得る。開示される技法は、スリット、トレンチ、ホールをもたらす誘電体エッチングプロセス、および／または任意の他のＨＡＲ誘電体エッチングプロセスを含む、基板製造プロセス中のシステマティックツイスティングを緩和することに関して使用され得る。
【0035】
プラズマ密度均一性を調整するための例示的な技法は、帯状流分布、電極ギャップ、圧力、および電力送達を含む。しかしながら、これらの技法の多くは、フィーチャにおけるレート均一性、ＣＤ均一性、および全体的なＣＤ制御について著しいトレードオフを伴う。プラズマ密度均一性を調整するための別の技法は、上側電極を「整形する」ことである（たとえば、上側電極の１つまたは複数の表面は、湾曲させられ、基板の表面と非平行である）。整形された上側電極は、プラズマ密度均一性を調整するための有効な方法であり得るが、プロセス変更は、電極形状と影響し合い、（たとえば、パーツ交換に関連する）時間がかかり、費用がかかる、電極設計およびプロセス最適化の複数のサイクルをもたらす。加えて、整形された電極は、ＨＡＲスリットフィーチャ適用のための増加された帯電をもたらす２次電子生成をデチューニングこともあり、これは、スリットプロファイルツイスティングの原因となる。
【0036】
開示される技法は、高い２次電子収率を維持することができるプラズマ密度均一性を改善するために使用され、電極設計変更がない他のプロセスノブを用いた独立したチューニング可能性を可能にすることができる。この点について、開示される技法は、帯電を、スリットフィーチャにおける通常のイオン軌道を同時に可能にしながら低減することによって、基板にわたってシステマティックスリットツイスティングを低減するために、より大きいプロセスウィンドウを可能にするために使用され得る。いくつかの実施形態では、開示される技法は、真空チャンバと、平坦な（整形されていない）上側電極、および１つまたは複数のアクティブ磁場を生成するための（たとえば、プラズマ容積の外部に配設された）チューニング可能な磁場源と、の組合せの使用を含む。
【0037】
磁場源を使用しない場合、平坦な上側電極は、不均一なプラズマ密度、および均一な２次電子生成を伴うイオン軌道をもたらす。真空チャンバに磁場源を加えることによって、プラズマ密度は、システマティックツイスティングを著しく低減するために２次電子と協働して作用する理想的なイオン軌道を生成するために、プロセスガス流、圧力、電力、または電極ギャップとは無関係にチューニングされ得る。
【0038】
３Ｄ ＮＡＮＤデバイスのスリットフィーチャアスペクト比が増加し続けるにつれて、基板帯電を最小限に抑えるために、十分な２次電子生成を伴う通常のイオン軌道が使用される。開示される技法は、プラズマ密度均一性制御のための他の旧来のプロセスノブと組み合わせた電磁場強度の共最適化を可能にし、ハードウェア介入がない複雑な誘電体エッチングのためのソリューションのより速い速度をもたらす。
【0039】
本明細書で使用される、「平坦な電極」という用語は、整形されておらず、基板の表面に平行である少なくとも１つの表面を含む、真空チャンバ電極（たとえば、上側電極）を指す。本明細書で使用される、「整形された電極」という用語は、基板の表面に非平行である少なくとも１つの表面を含む真空チャンバ電極を指す。本明細書で使用される、「アキシャル磁場」という用語は、真空チャンバ内の基板の表面に直交する磁場を指し示す。本明細書で使用される、「ラジアル磁場」という用語は、真空チャンバ内の基板の表面に平行である磁場を指し示す。アキシャル磁場およびラジアル磁場は、本明細書において「アクティブ場」または「アクティブ磁場」とも呼ばれる磁場を形成する。いくつかの態様では、（たとえば、図１に関連して論じられるような）磁場コントローラが、所望のシース均一性を達成し、システマティックスリットツイスティング欠陥を最小限に抑えることができるより理想的な入射イオン軌道を提供するために、プラズマ密度均一性を改善する（たとえば、ＣＣＰベースまたはＩＣＰベースの基板処理装置など、１つまたは複数の基板処理装置の真空チャンバ内の基板の表面全体にわたってプラズマ密度を制御する）ために、個々のラジアルアクティブ磁場またはアキシャルアクティブ磁場、およびラジアルアクティブ磁場とアキシャルアクティブ磁場との両方の組合せを管理するために使用され得る。
【0040】
開示される技法を使用する例示的な真空チャンバが、図１および図７に関連して論じられる。図１３は、そのような技法を使用する基板処理のための方法の例示的なフローチャートを提供し、図１４は、開示される技法に関連して使用され得る例示的なデバイスを図示する。図２は、開示される技法を使用して緩和され得る、異なるタイプの帯電を図示する。図３Ａ～図３Ｃは、シース均一性に対する、上側電極の形状を変更することの影響を図示し、関連するグラフが、図４Ａ～図６Ｂに図示されている。図８および図９は、システマティックツイスティングを低減する際に、磁場源と組み合わせて平坦な上側電極を使用する、開示される技法の効果を図示する。図１０～図１２は、開示される技法とともに使用され得る、磁場源の異なる実施形態を図示する。
【0041】
図１は、一実施形態による、基板を製造するための真空チャンバ１００（たとえば、エッチングチャンバ）を図示する。２つの電極の間に電界を励起することは、真空チャンバにおいて無線周波数（ＲＦ）ガス放電を得るための方法のうちの１つである。発振電圧が電極の間に印加されたとき、得られる放電は、ＣＣＰ放電と呼ばれる。
【0042】
プラズマ１０２が、安定した原料ガスを利用することによって作り出され得、電子ニュートラル衝突によって引き起こされた様々な分子の解離によって作り出された多種多様な化学反応副産物を得る。エッチングの化学態様は、中性ガス分子およびそれらの解離された副産物の、エッチングされるべき表面の分子との反応、およびポンプ排出され得る揮発性分子を生じることを伴う。プラズマが作り出されたとき、陽イオンは、チャンバ壁からプラズマを分ける空間電荷シースを横切ってプラズマから加速され、十分なエネルギーをもって基板表面をストライクし、基板表面から材料を除去する。基板表面から材料を選択的におよび異方的に除去するために極めて高エネルギーな化学反応イオンを使用するプロセスは、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）と呼ばれる。開示される技法は、アキシャル磁場およびラジアル磁場を使用してプラズマ密度およびシース均一性を制御することによって、ＲＩＥ均一性を改善する。
【0043】
（磁場コントローラまたはＭＦＣとも呼ばれる）コントローラ１１６は、ＲＦ発生器１１８、ガス源１２２、およびガスポンプ１２０など、チャンバにおける異なる要素を制御することによって真空チャンバ１００の動作を管理する。一実施形態では、ＣＦ4およびＣ4Ｆ8など、フッ化炭素ガスが、フッ化炭素ガスの異方性および選択的エッチング能力を理由に、誘電体エッチングプロセスにおいてプロセスガスとして使用されるが、本明細書で説明される原理は、他のプラズマ作成ガスに適用され得る。フッ化炭素ガスは、より小さい分子状および原子状ラジカルを含む化学反応副産物に容易に解離される。これらの化学反応副産物は、誘電体材料をエッチング除去する。
【0044】
真空チャンバ１００は、上部（または上側）電極（ＵＥ）１０４および下部（または下側）電極１０８をもつ処理チャンバを図示する。上側電極１０４は、接地されるか、またはＲＦ発生器（図示せず）に結合され得、下側電極１０８は、マッチングネットワーク１１４を介してＲＦ発生器１１８に結合される。ＲＦ発生器１１８は、１つまたは複数の（たとえば、２つまたは３つの）異なるＲＦ周波数のＲＦ電力を提供する。特定の動作のための真空チャンバ１００の所望の構成によれば、３つのＲＦ周波数のうちの少なくとも１つが、オンまたはオフにされ得る。図１に示されている実施形態では、ＲＦ発生器１１８は、たとえば、４００ｋＨｚ、２ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、および６０ＭＨｚの周波数を提供するように構成されるが、他の周波数も可能である。いくつかの態様では、下側電極１０８は、基板１０６を支持する静電チャック（ＥＳＣ）の一部である。
【0045】
真空チャンバ１００は、ガス源１２２によって提供されたプロセスガスを真空チャンバ１００の処理ゾーン１３４の中に投入するための、上側電極１０４上のガスシャワーヘッドと、プロセスガスがガスポンプ１２０によって真空チャンバ１００の中からポンピングされることを可能にする有孔閉じ込めリング１１２と、を含む。いくつかの例示的な実施形態では、ガスポンプ１２０は、ターボ分子ポンプであるが、他のタイプのガスポンプが、利用され得る。
【0046】
基板１０６が真空チャンバ１００中に存在するとき、シリコンフォーカスリング１１０が、基板１０６の表面に対する均一なエッチングのためにプラズマ１０２の底面において均一なＲＦ界があるように、基板１０６の隣に位置する。図１の実施形態は、上側電極１０４が対称ＲＦ接地電極１２４によって囲まれている、三極管リアクタ構成を示す。絶縁体１２６は、上側電極１０４から接地電極１２４を絶縁する誘電体である。ＩＣＰベースの実装形態を含む、真空チャンバ１００の他の実装形態も、開示される実施形態の範囲を変更することなしに可能である。
【0047】
基板１０６は、たとえば、（たとえば、１００ｍｍ、１５０ｍｍ、２００ｍｍ、３００ｍｍ、４５０ｍｍ、またはより大きい直径を有する）ウエハを含み、たとえば、元素半導体材料（たとえば、シリコン（Ｓｉ）またはゲルマニウム（Ｇｅ））あるいは化合物半導体材料（たとえば、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）またはガリウムヒ素（ＧａＡｓ））を備えることができる。追加として、他の基板は、たとえば、石英またはサファイアなどの誘電体材料を含む（半導体材料が、その上に適用され得る）。
【0048】
ＲＦ発生器１１８によって生成される各周波数は、基板製造プロセスにおける特定の目的のために選択され得る。４００ｋＨｚ、２ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、および６０ＭＨｚにおいて提供されるＲＦ電力を用いる図１の例では、４００ｋＨｚまたは２ＭＨｚ ＲＦの電力は、イオンエネルギー制御を提供し、２７ＭＨｚおよび６０ＭＨｚの電力は、プラズマ密度および化学作用の解離パターンの制御を提供する。各ＲＦ電力がオンまたはオフにされ得るこの構成は、基板またはウエハ上の超低イオンエネルギーを使用するいくらかのプロセス、およびイオンエネルギーが低くなければならない（たとえば、７００または２００ｅＶ未満でなければならない）いくらかのプロセス（たとえば、低ｋ材料のためのソフトエッチング）を可能にする。この構成を使用して可能にされ得る他のプロセスは、ＨＡＲ誘電体エッチングのために超高イオンエネルギーを使用するプロセスを含む。
【0049】
いくつかの態様では、真空チャンバ１００は、基板１０６の表面（たとえば、表面１２８）に平行である少なくとも１つの表面（たとえば、表面１０５）を含む、平坦な上側電極１０４を使用する。図３Ａおよび図３Ｂに図示されているように、平坦な上側電極の使用は、不均一なプラズマ密度をもたらし、不均一なプラズマ密度は、不均一なシース、および基板スリットフィーチャに関する非通常のイオン軌道を引き起こす。例示的な実施形態では、１つまたは複数のアクティブ磁場１３０が、プラズマ密度均一性を改善して均一なシースおよび通常のイオン軌道を引き起こすために、少なくとも１つの磁場源（たとえば、コイルであり得る磁場源１３８）によって導入され得る。少なくとも１つの磁場源は、ＭＦＣ１１６を介して構成、監視、および制御され得る。いくつかの態様では、１つまたは複数のアクティブ磁場は、１つまたは複数のアクティブ磁場の各々の大きさ（または少なくとも２つのアクティブ磁場の大きさの比）が事前構成されたしきい値に達し、処理ゾーン１３４内の基板１０６の表面にわたってプラズマ密度均一性およびシースを促進するように処理ゾーン１３４内に導入された、１つまたは複数のアキシャルアクティブ磁場１３２Ａおよび１つまたは複数のラジアルアクティブ磁場１３２Ｂを含み得る。
【0050】
いくつかの態様では、ＭＦＣ１１６は、通信リンク１４４を介して磁場源１３８の動作を構成および管理する。いくつかの実施形態では、磁場源１３８は、支持構造１４０を介して真空チャンバ１００の上部プレート１３６上に取り付けられたコイルである。いくつかの態様では、ＭＦＣ１１６は、１つまたは複数のアクティブ磁場を表す信号を検出するように構成された磁場センサ１４２を使用する。たとえば、ＭＦＣ１１６は、１つまたは複数の磁場源を通る電流、１つまたは複数のアクティブ磁場の大きさ、または１つまたは複数のアクティブ磁場の極性のうちの１つまたは複数を決定するために、検出された信号を使用し得る。１つまたは複数のアクティブ磁場を表す決定された信号は、１つまたは複数の磁場源を通る電流を調整するためにＭＦＣ１１６によって使用され得る。磁場センサ１４２からの検出された信号を使用してＭＦＣ１１６によって実施される例示的な機能性が、以下で図１３に関連して論じられる。いくつかの実施形態では、センサ１４２は、基板１０６の水平面（たとえば、表面１２８）に平行である水平面中に置かれ得る。追加として、センサ１４２は、センサの垂直軸（たとえば、水平面に直交する軸）が基板１０６の垂直軸（たとえば、中心垂直軸）と平行である（または、その軸と一致する）ように置かれ得る。
【0051】
例示的な実施形態では、ＭＦＣ１１６は、プロセスガスを使用して処理ゾーン１３４内にプラズマ１０２を生成するために、真空チャンバ１００の上側電極１０４と下側電極１０８との間に（たとえば、ＲＦ発生器１１８を介して）ＲＦ電力を印加するように構成される。ＭＦＣ１１６は、基板１０６の処理中に、磁場源１３８を通る電流を制御するようにさらに構成され、ここで、電流を印加することは、処理ゾーン１３４を通る１つまたは複数のアクティブ磁場１３０の生成を引き起こす（改善されたプラズマ密度均一性、および基板１０６におけるスリットプロファイルのシステマティックツイスティングの緩和をもたらす）。いくつかの態様では、電流は、１つまたは複数のアクティブ磁場１３０の少なくとも１つの特性に対応する目標値に基づく。たとえば、１つまたは複数のアクティブ磁場１３０の少なくとも１つの特性は、少なくとも１つのコイルのうちのコイルに関連するコイル電流（たとえば、少なくとも１つのコイルが、磁場源１３８として構成される）、１つまたは複数のアクティブ磁場１３０の磁場大きさ、および１つまたは複数のアクティブ磁場１３０の磁場極性のうちの１つまたは複数を含む。
【0052】
いくつかの実施形態では、１つまたは複数のアクティブ磁場１３０の少なくとも１つの特性（たとえば、電流、大きさ、または分極）に対応する目標値は、真空チャンバ１００内での基板処理に関連する知られている特性（たとえば、基板における複数のスリットプロファイルに関連するシステマティックツイスティングの程度）に基づいて、アプリオリに（たとえば、基板１０６を処理するために真空チャンバを使用する前に）決定され得る。この点について、ＭＦＣ１１６は、基板における複数のスリットプロファイルに関連するシステマティックツイスティングの程度を検出するようにさらに構成される。いくつかの態様では、システマティックツイスティングの程度は、複数のスリットプロファイルの１つまたは複数の測定に基づき得る。いくつかの実施形態では、システマティックツイスティングの程度は、（たとえば、処理される基板の分析に基づいて）アプリオリに決定され得る。他の態様では、ＭＦＣ１１６は、（たとえば、基板１０６の処理中に）動的にシステマティックツイスティングの程度を決定するように構成される。この点について、１つまたは複数のアクティブ磁場１３０の少なくとも１つの特性に対応する目標値は、動的に調整され得、これは、ＭＦＣ１１６が同様に動的に磁場源１３８の電流を調整することをもたらし得る。他の態様では、磁場源１３８の電流は、基板処理の前に設定され、基板処理全体にわたって一定に維持される。
【0053】
例示的な実施形態では、ＭＦＣ１１６は、システマティックツイスティングの程度に基づいて、磁場源１３８を通る電流を調整するようにさらに構成される。いくつかの態様では、上側電極の表面１０５と下側電極１０８の表面との間の距離は、システマティックツイスティングの程度に基づいて構成される。他の態様では、ＭＦＣ１１６は、システマティックツイスティングの程度に基づいて、プロセスガスの流量を調整することを行うようにさらに構成される。いくつかの実施形態では、磁場センサ１４２は、１つまたは複数のアクティブ磁場を表す信号を検出するように構成される。検出された信号は、１つまたは複数のアクティブ磁場の磁場大きさを示すものであり得、ＭＦＣ１１６は、１つまたは複数のアクティブ磁場の磁場大きさと、目標値に対応する磁場大きさと、の間の差に基づいて、少なくとも１つの磁場源を通る後続の電流を調整することを行うようにさらに構成される。いくつかの態様では、検出された信号は、１つまたは複数のアクティブ磁場の磁場極性を示すものであり、ＭＦＣ１１６は、１つまたは複数のアクティブ磁場の磁場極性と、目標値に対応する磁場極性と、に基づいて、少なくとも１つの磁場源を通る後続の電流を調整することを行うようにさらに構成される。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの磁場源１３８は、所定の直径の少なくとも１つのコイルを含み、少なくとも１つのコイルが、基板１０６の表面１２８に実質的に平行である。
【0054】
図２は、いくつかの例示的な実施形態による、開示される技法を使用して緩和され得る、基板スリットフィーチャの異なるタイプの帯電を図示する。図２を参照すると、スリットフィーチャ２００は、負に帯電した上部領域２０２および正に帯電した下部領域２０４に基づく垂直帯電に関連する。スリットフィーチャ２０６および２０８は、平行帯電に関連し、ここで、正および負の電荷は、スリットフィーチャの対向する垂直表面上に配設される。
【0055】
いくつかの態様では、垂直帯電は、スリットフィーチャ２００によって図示されているように、横方向エッチング（または「マウスバイト」／とがった欠陥）の原因となり、イオン衝撃の全体的な効率を低減する。
【0056】
スリットフィーチャ２０６は、下部主導型平行帯電メカニズムに関連し、下部主導型平行帯電メカニズムは、システマティックおよびランダムツイスティング、酸化物接触楕円率、イオン軌道偏向、非対称ポリマー堆積、および隣接するフィーチャをマージするように押すこと（たとえば、「マウスバイト」および「ビーク」）の原因となる。スリットフィーチャ２０８は、上部主導型平行帯電メカニズムに関連し、上部主導型平行帯電メカニズムは、システマティックツイスティングの原因となる。追加として、上部主導型平行帯電の時間依存性は、マスク消費およびタイプによって変化してもよい。
【0057】
図示されている垂直および平行帯電は、整形された上側電極に関連する電子不均一性（たとえば、非通常の入射角）によって引き起こされる。帯電の両方のタイプは、平行帯電がイオンを偏向させることがあり、垂直帯電がイオンを減速させ、スリットフィーチャにおけるツイスティングおよび他の欠陥の増加の原因となるので、望ましくない。いくつかの態様では、垂直帯電および平行帯電は、開示される技法を使用して（たとえば、磁場源と組み合わせて平坦な上側電極を使用して）緩和され得る。
【0058】
図３Ａは、平坦な上側電極３０２、および基板３０４を支持する（下部電極を含み得る）ＥＳＣ３０６を使用する真空チャンバ３００Ａを図示する。図３Ａに図示されているように、平坦な上側電極３０２を使用することは、２次電子３０８の通常の入射角、および（図３Ｂに見られるような）非通常のイオン軌道に関連する不均一なシース３１０をもたらす。
【0059】
図３Ｂは、いくつかの例示的な実施形態による、図３Ａの真空チャンバに関連するイオンの非通常の入射角（またはイオンチルト）の線図３００Ｂを図示する。図３Ｂを参照すると、不均一なシース３１０は、イオン散乱３１２および非通常のイオン入射角もたらし、これらは、基板スリットフィーチャにおけるツイスティングの原因となる。
【0060】
図３Ｃは、いくつかの例示的な実施形態による、シース均一性をもたらす整形された上側電極を使用する真空チャンバを図示する。図３Ｃを参照すると、真空チャンバ３００Ｃは、整形された（内側）上側電極３１６、および基板３０４を支持する（下部電極を含み得る）ＥＳＣ３１４を使用する。図３Ｃに図示されているように、整形された上側電極３１６を使用することは、２次電子３１８の非通常の入射角、および通常のイオン軌道に関連する均一なシース３２０をもたらす。
【0061】
いくつかの実施形態では、開示される技法は、平坦な上側電極３０２に関連する２次電子３０８の通常の入射角と、シース均一性を改善し、通常のイオン軌道および最適なグローバルイオンチルトを得るための磁場源（たとえば、磁場源１３８）との利益を使用する。
【0062】
図４Ａは、いくつかの例示的な実施形態による、平坦なまたは整形された上側電極を使用する真空チャンバに関連するシース均一性のグラフ４００Ａを図示する。図３Ａおよびグラフ４００Ａに図示されているように、平坦な上側電極は、シースベンディング（または不均一性）を伴い、ひずみイオン入射角を引き起こす。
【0063】
図４Ｂは、いくつかの例示的な実施形態による、平坦なまたは整形された上側電極を使用する真空チャンバに関連するイオンチルト均一性のグラフ４００Ｂを図示する。図４Ｂおよび図３Ｃに図示されているように、整形器上側電極は、改善されたイオンチルト均一性をもたらす。しかしながら、整形された上側電極ソリューションは、電子均一性（密度および入射角）を犠牲にして、シースベンディングおよびグローバルイオンチルトを改善する。
【0064】
図５は、いくつかの例示的な実施形態による、平坦なまたは整形された上側電極を使用する真空チャンバに関連する電子密度のグラフ５００を図示する。図５を参照すると、グローバルチルトについて（たとえば、整形された上側電極を使用することによって）シース均一性を改善することは、不均一な電子密度をもたらすことに留意されたい。平坦な上側電極および整形された上側電極に関連する角度エネルギー分布が、それぞれ、図６Ａおよび図６Ｂに図示されている。
【0065】
図６Ａは、いくつかの例示的な実施形態による、平坦な上側電極を使用する真空チャンバに関連する電子角度エネルギー分布のグラフを図示する。図６Ａを参照すると、グラフ６００Ａ、６０２Ａ、および６０４Ａは、それぞれ、３０ｍｍ、７９ｍｍ、および１１０ｍｍの基板半径の平坦な上側電極を使用することに関連する角度エネルギー分布を図示する。グラフ６００Ａ～６０４Ａから分かるように、電子軌道は、真空チャンバが平坦な上側電極を使用するとき、基板の直径に沿った広範囲の電子エネルギー分布を伴って垂直である。
【0066】
図６Ｂは、いくつかの例示的な実施形態による、整形された上側電極を使用する真空チャンバに関連する電子角度エネルギー分布のグラフを図示する。図６Ｂを参照すると、グラフ６００Ｂ、６０２Ｂ、および６０４Ｂは、それぞれ、３０ｍｍ、７９ｍｍ、および１１０ｍｍの基板半径の整形された上側電極を使用することに関連する角度エネルギー分布を図示する。グラフ６００Ｂ～６０４Ｂから分かるように、電子軌道、および基板の直径に沿った電子エネルギー分布の範囲は、不均一であり、半径に依る。
【0067】
図７は、いくつかの例示的な実施形態による、スリットプロファイルツイスティング緩和に関連してプラズマ密度均一性およびシース均一性を改善するために、平坦な上側電極とともに磁場源を使用する真空チャンバ７０２のブロック図７０１を図示する。図７を参照すると、真空チャンバ７０２は、平坦な上側電極７０８、および基板７０６を支持する（下部電極を含み得る）ＥＳＣ７０４を含む。いくつかの態様では、上側電極７０８は、外側上側電極７１０に近接して配設された内側上側電極であり得る。線図７００に図示されているように、平坦な上側電極７０８を使用することは、２次電子７１２の通常の入射角、および（図３Ｂに見られるような）非通常のイオン軌道に関連する不均一なシース７１４Ａをもたらす。いくつかの実施形態では、プラズマ密度均一性およびシース均一性は、１つまたは複数のアクティブ磁場を生成するために使用される（線図７０１に図示されている）磁場源７１６を使用することによって改善される。１つまたは複数のアクティブ磁場は、プラズマ密度均一性の改善を引き起こし、より均一なシース７１４Ｂをもたらす。この点について、平坦な上側電極および磁場源を使用する開示される技法は、２次電子７１２の通常の入射角を有することと、（通常のイオン入射角およびグローバルイオンチルト均一性による）均一なシースと、の組合せをもたらし、これは、基板処理中の基板スリットプロファイルフィーチャにおける（たとえば、図８に図示されているように）システマティックツイスティングの発生率を実質的に低減する。
【0068】
図８は、いくつかの例示的な実施形態による、磁場源電流の変化に関するスリットプロファイルツイスティングの改善を図示する線図８００である。図８を参照すると、（異なる大きさのアクティブ磁場をもたらす）磁場源の異なる電流に関連し得る、異なる基板処理レシピ８０２、８０４、および８０６が図示されている。図８に見られるように、システマティックプロファイルツイスティング８０８は、磁場源電流が０Ａから８Ａに増加されるにつれて、（５．３１の測度から２．４１の測度に）低減され、その一方で、ランダムプロファイルツイスティング８１０は、実質的にそのままである。磁場源電流の増加に基づくシステマティックツイスティングの改善は、いくつかの例示的な実施形態による、磁場源電流に関するシステマティックツイスティングのグラフ９００を図示する図９においても示されている。
【0069】
図１０Ａは、いくつかの例示的な実施形態による、処理ゾーン内の不均一なプラズマ密度をもつ真空チャンバ１００２の斜視図１０００を図示する。図１０Ａを参照すると、真空チャンバ１００２は、（たとえば、基板スリットフィーチャの垂直または平行帯電を低減するために）平坦な上側電極を使用し得、これは、処理ゾーン１００４内の不均一なプラズマ密度をもたらし得る。しかしながら、不均一なプラズマ密度は、不均一なシース１０１６をもたらすシースベンディングを引き起こし、これは、ツイスティングおよび他のスリットフィーチャ欠陥の原因となる非理想的な（たとえば、非通常の）イオン軌道を引き起こす。
【0070】
例示的な実施形態では、平坦な上側電極の使用から生じる不均一なプラズマ密度および不均一なシースは、処理ゾーン１００４内にアクティブ磁場１００６を導入することによって緩和され得る。アクティブ磁場１００６は、（たとえば、図１１Ａ～図１２に図示されているような）少なくとも１つの磁場源によって生成され、対応する大きさＢｚおよびＢｒをもつ、アキシャルアクティブ磁場１００８およびラジアルアクティブ磁場１０１０のうちの一方または両方を含む。処理ゾーン１００４内のアクティブ磁場１００６は、ＭＦＣ１１６を介して構成され、処理ゾーン１００４内で基板表面にわたってより大きいプラズマ均一性をもたらし得る。より詳細には、少なくとも１つの磁場源は、１つまたは複数のアクティブ磁場の少なくとも１つの特性に対応する目標値が（たとえば、図１に関連して説明されたＭＦＣ１１６の機能性に関連して論じられたように）達成されるように、１つまたは複数のアクティブ磁場（たとえば、アクティブ磁場１００６）を生成するために、開示される技法に基づいて使用され得る。図１０Ａは、単一のアクティブ磁場を図示するが、本開示は、この点について限定されず、複数のアクティブ磁場が、使用されてもよい（たとえば、基板の表面に平行である複数のアクティブ磁場、アクティブ磁場のうちの１つまたは複数が基板の表面に直交する複数のアクティブ磁場など）。
【0071】
図１０Ｂは、いくつかの例示的な実施形態による、図１０Ａの真空チャンバ１００２の上面図を図示する。図１０Ｃは、いくつかの例示的な実施形態による、図１０Ａの真空チャンバ１００２の側面図を図示する。図１０Ｃを参照すると、真空チャンバ１００２は、（図１中の上部プレート１３６と同じであり得る）上部プレート１０１２、および処理ゾーン１００４内で基板を処理することに関連して使用される様々な設備１０１４（たとえば、ＲＦ構成要素および通信リンク、ガス送達、ヒーター、高電圧クランプ、基板送達メカニズムなど）を含むことができる。上部プレート１０１２は、熱電対、およびガス流を取り扱うための補助構成要素、温度制御のための電力、ガス真空機能性に関連する機械構成要素、磁場センサ（たとえば、センサ１４２）などを含むことができる。
【0072】
例示的な実施形態では、上部プレート１０１２または設備１０１４は、プラズマ密度に対する平坦な上側電極を使用することの不均一性影響に対抗するために１つまたは複数のアクティブ磁場（たとえば、アキシャルアクティブ磁場１００８およびラジアルアクティブ磁場１０１０を含むアクティブ磁場１００６）を生成することができる、１つまたは複数の１つの磁場源（たとえば、磁場源１３８）を取り付けるために使用され得る。この点について、プラズマ密度均一性およびシース均一性は、（たとえば、１つまたは複数の磁場源を通る電流を印加することによって）アクティブ磁場１００６を生成することと、１つまたは複数のアクティブ磁場の少なくとも１つの特性に対応する目標値（たとえば、１つまたは複数の磁場源を通る所望の電流、所望の極性、または１つまたは複数のアクティブ磁場の所望の大きさ）に基づいて電流を制御することと、によって（平坦な上側電極を使用しながら）改善され得る。
【0073】
図１１Ａは、いくつかの例示的な実施形態による、アクティブ磁場を生成するための磁場源として使用されるコイルをもつ真空チャンバ１１０２の斜視図を図示する。コイルは、単一のらせんコイル、または単一のコイルを形成するために一緒に緊密にラッピングされた多重ループであり得る。図１１Ａを参照すると、（真空チャンバ１００と同じであり得る）真空チャンバ１１０２は、（たとえば、図１および図１０Ａに関連して説明されたような）平坦な上側電極の使用からもたらされる真空チャンバ１１０２の処理ゾーン内の不均一なプラズマ密度を経験し得る。
【0074】
いくつかの態様では、磁場源１１０４（たとえば、コイル）は、真空チャンバ１１０２内にアクティブ磁場１１０６を生成するように構成され得る。アクティブ磁場１１０６は、大きさＢｚをもつアキシャル磁場１１１０と、大きさＢｒをもつラジアル磁場１１１２と、を含み得る。いくつかの態様では、アクティブ磁場１１０６は、磁場コントローラ（たとえば、ＭＦＣ１１６）によって構成され、周期的に監視され、調整され得る。たとえば、アクティブ磁場の１つまたは複数の特性（たとえば、磁場源１１０４の電流、極性、大きさなど）は、真空チャンバ１１０２内のプラズマ分布の均一性を調整するように構成され得る。
【0075】
例示的な実施形態では、ＭＦＣ１１６は、アクティブ磁場１１０６の動的調整を実施するために（たとえば、電流、極性、または大きさを決定するために）アクティブ磁場１１０６を表す信号を検出するための磁場センサ（たとえば、センサ１４２）を使用し得る。たとえば、ＭＦＣ１１６は、コイル１１０４の電流（たとえば、直流（ＤＣ））を調整し、それにより、アクティブ磁場１１０６の大きさ（および対応する大きさＢｚおよびＢｒ）を変更し得る。いくつかの態様では、電流は、真空チャンバ内の均一なプラズマ分布が達成されるように、アクティブ磁場１１０６の大きさが目標値（たとえば、事前構成され、アプリオリに決定された、所望の磁場大きさ、所望の電流、または所望の極性）に対応するように調整され得る。他の態様では、ＭＦＣ１１６は、所望の合計Ｂｚおよび／またはＢｒが、所望のエッチング均一性を達成するために、チャンバマッチングのより良い均一性を達成するかまたはプラズマ均一性を変更するためにチャンバ内で達成されるように、磁場源１１０４の異なる特性（たとえば、電流、大きさ、極性など）を調整し得る。
【0076】
図１１Ｂは、いくつかの例示的な実施形態による、磁場源１１０４のための取付けオプションを図示する、図１１Ａの真空チャンバ１１０２の側面図である。図１１Ｂを参照すると、例示的な実施形態では、磁場源１１０４（たとえば、コイル）は、内部的に、真空チャンバ１１０２内に、および処理ゾーン１１１４に近接して取り付けられ得る。例示的な実施形態では、コイル１１０４は、（図１中の上部プレート１３６と同じであり得る）真空チャンバ１１０２の上部プレート１１１６に固定されたペデスタル１１１８（たとえば、図１および図１２に図示されている支持構造１４０）上に取り付けられ得る。例示的な実施形態では、コイル１１０４は、接続１１２０を介して真空チャンバ１１０２の内面（たとえば、図１１Ｂに図示されているような上面）に取り付けられてもよい。
【0077】
例示的な実施形態では、コイル１１０４は、真空チャンバ１１０２の外側に置かれ得る。例示的な実施形態では、複数のコイルが、アクティブ磁場を生成するための磁場源として使用され得、ここで、各コイルは、別様に（たとえば、真空チャンバの内側または外側に）置かれ得る。
【0078】
図１２は、いくつかの実施形態による、図１の真空チャンバの上部プレート上に取り付けられた例示的な磁場源を図示する。図１２を参照すると、支持構造１４０は、磁場源（たとえば、コイル）１３８を組み込んだ金属ハウジングを含み得る。いくつかの態様では、センサ１４２は、支持構造１４０に（たとえば、支持構造１４０の表面上に）ブラケット１２０２（または別の取付けメカニズム）を介して取り付けられ得る。
【0079】
図１３は、いくつかの例示的な実施形態による、真空チャンバにおいて基板を処理するための方法１３００のフローチャートである。方法１３００は、図１のＭＦＣ１１６または図１４のプロセッサ１４０２など、磁場コントローラによって実施され得る、動作１３０２、１３０４、１３０６、および１３０８を含む。いくつかの実施形態では、図１４のプロセッサ１４０２は、ＭＦＣ１１６の機能性を実施する処理回路構成を含み得る。
【0080】
図１３を参照すると、動作１３０２において、プロセスガスが、真空チャンバの処理ゾーン内に供給される。たとえば、ＭＦＣ１１６は、ガス源１２２から処理ゾーン１３４の中へのプロセスガスの供給を可能にする。動作１３０４において、ＲＦ電力が、プロセスガスを使用して処理ゾーン内にプラズマを生成するために、真空チャンバの上側電極と下側電極との間に印加される。上側電極は、真空チャンバ内に配設され、基板が真空チャンバ内に配置されたときに基板の表面に実質的に平行である表面を含む。たとえば、ＭＦＣ１１６は、ＲＦ発生器１１８を使用して上側電極１０４と下側電極１０８との間にＲＦ電力を印加する。追加として、上側電極１０４は、基板１０６の表面１２８に平行である少なくとも１つの表面（たとえば、表面１０５）を含む。
【0081】
動作１３０６において、電流が、真空チャンバの処理ゾーンを通る１つまたは複数のアクティブ磁場を生成するために、少なくとも１つの磁場源を通って印加される。たとえば、ＭＦＣ１１６は、処理ゾーン１３４を通る１つまたは複数のアクティブ磁場１３０を生成するために、磁場源１３８を通る電流を印加する。動作１３０８において、少なくとも１つの磁場源を通る電流は、基板の処理中に（たとえば、ＭＦＣ１１６によって）制御され、ここで、電流が、１つまたは複数のアクティブ磁場の少なくとも１つの特性に対応する目標値に基づく。
【0082】
図１４は、本明細書で説明される１つまたは複数の例示的なプロセス実施形態が、実装され得る、または、それによって制御され得る、機械１４００の例を図示するブロック図である。代替実施形態では、機械１４００は、スタンドアロンデバイスとして動作し得るか、または他の機械に接続（たとえば、ネットワーク化）され得る。ネットワーク化展開では、機械１４００は、サーバ機械、クライアント機械、またはサーバクライアントネットワーク環境においてその両方の能力で動作し得る。例では、機械１４００は、ピアツーピア（Ｐ２Ｐ）（または他の分散型）ネットワーク環境におけるピア機械の働きをし得る。さらに、単一の機械１４００のみが図示されているが、「機械」という用語はまた、クラウドコンピューティング、サービスとしてのソフトウェア（ＳａａＳ）、または他のコンピュータクラスタ構成を介してなど、本明細書で論じられる方法論のうちのいずれか１つまたは複数を実施するために、命令のセット（または複数のセット）を個々にまたは共同で実行する機械の任意の集合を含むと解されるべきである。
【0083】
例は、本明細書で説明されるように、論理、数個の構成要素、またはメカニズムを含み得るか、あるいは論理、数個の構成要素、またはメカニズムによって動作し得る。回路構成は、ハードウェア（たとえば、単純な回路、ゲート、論理）を含む有形エンティティにおいて実装される回路の集合である。回路構成メンバーシップは、時間および基礎をなすハードウェアの変動性に関してフレキシブルであり得る。回路構成は、動作しているとき、指定された動作を単独でまたは組み合わせて実施し得るメンバーを含む。例では、回路構成のハードウェアは、特定の動作を実行するように不変に設計（たとえば、ハードワイヤード）され得る。例では、回路構成のハードウェアは、特定の動作の命令を符号化するために（たとえば、磁気的に、電気的に、不変質量粒子の移動可能な配置によって）物理的に修正されるコンピュータ可読媒体を含む、可変に接続された物理的構成要素（たとえば、実行ユニット、トランジスタ、単純な回路）を含み得る。物理的構成要素を接続する際に、ハードウェア構成体の基礎をなす電気的性質は、（たとえば、絶縁体から導体体に、またはその逆に）変更される。命令は、埋込み型ハードウェア（たとえば、実行ユニットまたはローディングメカニズム）が、動作中のときに特定の動作の一部分を実行するために可変接続を介してハードウェア中の回路構成のメンバーを作り出すことを可能にする。したがって、コンピュータ可読媒体は、デバイスが動作しているとき、回路構成の他の構成要素に通信可能に結合される。いくつかの態様では、物理的構成要素のうちのいずれかは、２つ以上の回路構成の２つ以上のメンバーにおいて使用され得る。たとえば、動作中、実行ユニットは、ある時点において第１の回路構成の第１の回路において使用され、異なる時間において第１の回路構成における第２の回路によって、または第２の回路構成における第３の回路によって再利用され得る。
【0084】
機械（たとえば、コンピュータシステム）１４００は、ハードウェアプロセッサ１４０２（たとえば、中央処理ユニット（ＣＰＵ）、ハードウェアプロセッサコア、またはそれらの任意の組合せ）、グラフィックス処理ユニット（ＧＰＵ）１４０３、メインメモリ１４０４、およびスタティックメモリ１４０６を含み得、これらの一部または全部は、インターリンク（たとえば、バス）１４０８を介して互いと通信し得る。機械１４００は、ディスプレイデバイス１４１０、英数字入力デバイス１４１２（たとえば、キーボード）、およびユーザインターフェース（ＵＩ）ナビゲーションデバイス１４１４（たとえば、マウス）をさらに含み得る。例では、ディスプレイデバイス１４１０、英数字入力デバイス１４１２、およびＵＩナビゲーションデバイス１４１４は、タッチスクリーンディスプレイであり得る。機械１４００は、追加として、マス記憶デバイス（たとえば、ドライブユニット）１４１６、信号生成デバイス１４１８（たとえば、スピーカー）、ネットワークインターフェースデバイス１４２０、および、全地球測位システム（ＧＰＳ）センサ、コンパス、加速度計、または別のセンサなど、１つまたは複数のセンサ１４２１を含み得る。機械１４００は、１つまたは複数の周辺デバイス（たとえば、プリンタ、カードリーダ）と通信するかまたは１つまたは複数の周辺デバイスを制御するためのシリアル接続（たとえば、ユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ））、パラレル接続、あるいは他のワイヤードまたはワイヤレス（たとえば、赤外（ＩＲ）、ニアフィールド通信（ＮＦＣ））接続など、出力コントローラ１４２８を含み得る。
【0085】
【0086】
マス記憶デバイス１４１６は、本明細書で説明される技法または機能のうちのいずれか１つまたは複数によって具現または利用されるデータ構造または命令１４２４（たとえば、ソフトウェア）の１つまたは複数のセットがそれに記憶される、機械可読媒体１４２２を含み得る。命令１４２４は、機械１４００による命令１４２４の実行中にメインメモリ１４０４内に、スタティックメモリ１４０６内に、ハードウェアプロセッサ１４０２内に、またはＧＰＵ１４０３内に完全にまたは少なくとも部分的に存在してもよい。例では、ハードウェアプロセッサ１４０２、ＧＰＵ１４０３、メインメモリ１４０４、スタティックメモリ１４０６、またはマス記憶デバイス１４１６のうちの１つのまたは任意の組合せが、機械可読媒体を構成し得る。
【0087】
機械可読媒体１４２２は、単一の媒体として図示されているが、「機械可読媒体」という用語は、１つまたは複数の命令１４２４を記憶するように構成された、単一の媒体または複数の媒体（たとえば、集中型もしくは分散型データベース、ならびに／または関連するキャッシュおよびサーバ）を含み得る。
【0088】
「機械可読媒体」という用語は、機械１４００による実行のための命令１４２４を記憶するか、符号化するか、または搬送することが可能であり、機械１４００に、本開示の技法のうちのいずれか１つまたは複数を実施させるか、またはそのような命令１４２４によって使用されるかもしくはそのような命令１４２４に関連するデータ構造を記憶するか、符号化するか、もしくは搬送することが可能である、任意の媒体を含み得る。非限定的な機械可読媒体例は、ソリッドステートメモリおよび光媒体および磁気媒体を含み得る。例では、大容量機械可読媒体が、複数の粒子が不変（たとえば、静止）質量を有する機械可読媒体１４２２を備える。したがって、大容量機械可読媒体は、一時的伝搬信号ではない。大容量機械可読媒体の特定の例は、半導体メモリデバイス（たとえば、電気的プログラマブル読取り専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能プログラマブル読取り専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ））およびフラッシュメモリデバイスなどの不揮発性メモリ、内蔵ハードディスクおよびリムーバブルディスクなどの磁気ディスク、光磁気ディスク、ならびにＣＤ－ＲＯＭディスクおよびＤＶＤ－ＲＯＭディスクを含み得る。
【0089】
さらに、命令１４２４は、ネットワークインターフェースデバイス１４２０を介して、伝送媒体を使用する通信ネットワーク１４２６を通じて送信または受信され得る。
【0090】
上記の技法の実装形態は、ハードウェアおよびソフトウェアの任意の数の仕様、構成、または例示的な展開を通して成し遂げられ得る。本明細書で説明される機能的ユニットまたは能力は、それらの実装独立性をより詳細に強調するために、構成要素またはモジュールと呼ばれているか、あるいは構成要素またはモジュールとラベル付けされていることがあることを理解されたい。そのような構成要素は、任意の数のソフトウェアまたはハードウェア形態によって具現され得る。たとえば、構成要素またはモジュールは、カスタム超大規模集積（ＶＬＳＩ）回路またはゲートアレイを備えるハードウェア回路、論理チップなどのオフザシェルフ半導体、トランジスタ、または他の個別構成要素として実装され得る。構成要素またはモジュールは、フィールドプログラマブルゲートアレイ、プログラマブルアレイ論理、プログラマブル論理デバイスなど、プログラマブルハードウェアデバイスで実装されてもよい。構成要素またはモジュールは、様々なタイプのプロセッサによる実行のためのソフトウェアで実装されてもよい。たとえば、実行可能コードの識別される構成要素またはモジュールは、たとえば、オブジェクト、プロシージャ、または機能として編成され得る、コンピュータ命令の１つまたは複数の物理または論理ブロックを備え得る。とはいえ、識別される構成要素またはモジュールの実行ファイルは、物理的に一緒に位置決めされる必要はなく、論理的に一緒に連結されたとき、構成要素またはモジュールを備え、構成要素またはモジュールの陳述された目的を達成する、異なるロケーションに記憶された異種命令を備え得る。
【0091】
実際、実行可能コードの構成要素またはモジュールは、単一の命令または多くの命令であり得、さらには、数個の異なるコードセグメントにわたって、異なるプログラムの間で、および数個のメモリデバイスまたは処理システムにわたって分散され得る。とりわけ、（コード書き換えおよびコード解析など）説明されるプロセスのいくつかの態様は、コードが（たとえば、センサまたはロボット中に埋め込まれたコンピュータにおいて）展開される処理システムとは異なる（たとえば、データセンタにあるコンピュータにおける）処理システム上で行われ得る。同様に、動作データは、本明細書において構成要素またはモジュール内で識別および説明され得、任意の好適な形態で具現され、任意の好適なタイプのデータ構造内で編成され得る。動作データは、単一のデータセットとして集められ得るか、または異なる記憶デバイスにわたることを含む異なるロケーションにわたって分散され得、少なくとも部分的に、単にシステムまたはネットワーク上の電子信号として存在し得る。構成要素またはモジュールは、受動的または能動的であり、所望の機能を実施するように動作可能なエージェントを含み得る。
【0092】
補注および例
【0093】
例１は、プラズマを使用して基板を処理するための処理ゾーンを含む真空チャンバと、上側電極および下側電極であって、上側電極が、真空チャンバ内に配設され、基板が真空チャンバ内に配置されたときに基板の表面に実質的に平行である表面を有する、上側電極および下側電極と、真空チャンバの処理ゾーンを通る１つまたは複数のアクティブ磁場を生成するように構成された少なくとも１つの磁場源と、少なくとも１つの磁場源および上側電極に結合され、プロセスガスを使用して処理ゾーン内にプラズマを生成するために、上側電極と下側電極との間に無線周波数（ＲＦ）電力を印加することと、基板の処理中に、少なくとも１つの磁場源を通る電流を制御することであって、電流が、１つまたは複数のアクティブ磁場の少なくとも１つの特性に対応する目標値に基づく、電流の制御と、を行うように構成された、コントローラと、を備える、基板処理装置である。
【0094】
例２において、例１の主題は、コントローラが、基板における複数のスリットプロファイルに関連するシステマティックツイスティングの程度を検出することであって、システマティックツイスティングの程度が、複数のスリットプロファイルの１つまたは複数の測定に基づく、システマティックツイスティングの程度の検出を行うようにさらに構成されたことを含む。
【0095】
例３において、例２の主題は、コントローラが、システマティックツイスティングの程度に基づいて、少なくとも１つの磁場源を通る電流を調整することを行うようにさらに構成されたことを含む。
【0096】
例４において、例２～３の主題は、上側電極の表面と下側電極の表面との間の距離が、システマティックツイスティングの程度に基づいて構成されたことを含む。
【0097】
例５において、例２～４の主題は、コントローラが、システマティックツイスティングの程度に基づいて、プロセスガスの流量を調整することを行うようにさらに構成されたことを含む。
【0098】
例６において、例１～５の主題は、１つまたは複数のアクティブ磁場の少なくとも１つの特性が、少なくとも１つのコイルに関連するコイル電流であって、少なくとも１つのコイルが、少なくとも１つの磁場源として構成された、コイル電流と、１つまたは複数のアクティブ磁場の磁場大きさと、１つまたは複数のアクティブ磁場の磁場極性と、のうちの１つまたは複数を備えることを含む。
【0099】
例７において、例６の主題は、１つまたは複数のアクティブ磁場を表す信号を検出するように構成された磁場センサを含む。
【0100】
例８において、例７の主題は、検出された信号が、１つまたは複数のアクティブ磁場の磁場大きさを示すものであり、コントローラが、１つまたは複数のアクティブ磁場の磁場大きさと、目標値に対応する磁場大きさと、の間の差に基づいて、少なくとも１つの磁場源を通る後続の電流を調整することを行うようにさらに構成されたことを含む。
【0101】
例９において、例７～８の主題は、検出された信号が、１つまたは複数のアクティブ磁場の磁場極性を示すものであり、コントローラが、１つまたは複数のアクティブ磁場の磁場極性と、目標値に対応する磁場極性と、に基づいて、少なくとも１つの磁場源を通る後続の電流を調整することを行うようにさらに構成されたことを含む。
【0102】
例１０において、例１～９の主題は、少なくとも１つの磁場源が、所定の直径の少なくとも１つのコイルを備え、少なくとも１つのコイルが、基板の表面に実質的に平行であることを含む。
【0103】
例１１は、真空チャンバにおいて基板を処理する方法であって、方法は、真空チャンバの処理ゾーン内にプロセスガスを供給することと、プロセスガスを使用して処理ゾーン内にプラズマを生成するために、真空チャンバの上側電極と下側電極との間に無線周波数（ＲＦ）電力を印加することであって、上側電極が、真空チャンバ内に配設され、基板が真空チャンバ内に配置されたときに基板の表面に実質的に平行である表面を有する、無線周波数（ＲＦ）電力の印加と、真空チャンバの処理ゾーンを通る１つまたは複数のアクティブ磁場を生成するために、少なくとも１つの磁場源を通る電流を印加することと、基板の処理中に、少なくとも１つの磁場源を通る電流を制御することであって、電流が、１つまたは複数のアクティブ磁場の少なくとも１つの特性に対応する目標値に基づく、電流の制御と、を含む、方法である。
【0104】
例１２において、例１１の主題は、基板における複数のスリットプロファイルに関連するシステマティックツイスティングの程度を検出することであって、システマティックツイスティングの程度が、複数のスリットプロファイルの１つまたは複数の測定に基づく、システマティックツイスティングの程度の検出を含む。
【0105】
例１３において、例１２の主題は、システマティックツイスティングの程度に基づいて、少なくとも１つの磁場源を通る電流を調整することを含む。
【0106】
例１４において、例１２～１３の主題は、システマティックツイスティングの程度に基づいて、プロセスガスの流量を調整することを含む。
【0107】
例１５において、例１１～１４の主題は、１つまたは複数のアクティブ磁場の少なくとも１つの特性が、少なくとも１つのコイルに関連するコイル電流であって、少なくとも１つのコイルが、少なくとも１つの磁場源として構成された、コイル電流と、１つまたは複数のアクティブ磁場の磁場大きさと、１つまたは複数のアクティブ磁場の磁場極性と、のうちの１つまたは複数を備えることを含む。
【0108】
例１６において、例１５の主題は、少なくとも１つの磁場源に関連する磁場センサを介して、１つまたは複数のアクティブ磁場の磁場大きさを検出することと、１つまたは複数のアクティブ磁場の検出された磁場大きさと、目標値に対応する磁場大きさと、の間の差に基づいて、少なくとも１つの磁場源を通る後続の電流を調整することと、を含む。
【0109】
例１７は、命令を含む非一時的機械可読記憶媒体であって、命令は、機械によって実行されたとき、機械に、真空チャンバにおいて基板を処理するための動作を実施させ、動作は、真空チャンバの処理ゾーン内にプロセスガスを供給することと、プロセスガスを使用して処理ゾーン内にプラズマを生成するために、真空チャンバの上側電極と下側電極との間に無線周波数（ＲＦ）電力を印加することであって、上側電極が、真空チャンバ内に配設され、基板が真空チャンバ内に配置されたときに基板の表面に実質的に平行である表面を有する、無線周波数（ＲＦ）電力の印加と、真空チャンバの処理ゾーンを通る１つまたは複数のアクティブ磁場を生成するために、少なくとも１つの磁場源を通る電流を印加することと、基板の処理中に、少なくとも１つの磁場源を通る電流を制御することであって、電流が、１つまたは複数のアクティブ磁場の少なくとも１つの特性に対応する目標値に基づく、電流の制御と、を含む、非一時的機械可読記憶媒体である。
【0110】
例１８において、例１７の主題は、基板における複数のスリットプロファイルに関連するシステマティックツイスティングの程度を検出することであって、システマティックツイスティングの程度が、複数のスリットプロファイルの１つまたは複数の測定に基づく、システマティックツイスティングの程度の検出をさらに含む動作を含む。
【0111】
例１９において、例１８の主題は、システマティックツイスティングの程度に基づいて、少なくとも１つの磁場源を通る電流を調整することをさらに含む動作を含む。
【0112】
例２０において、例１８～１９の主題は、システマティックツイスティングの程度に基づいて、プロセスガスの流量を調整することをさらに含む動作を含む。
【0113】
例２１において、例１７～２０の主題は、少なくとも１つの特性が、少なくとも１つのコイルに関連するコイル電流であって、少なくとも１つのコイルが、少なくとも１つの磁場源として構成された、コイル電流と、１つまたは複数のアクティブ磁場の磁場大きさと、１つまたは複数のアクティブ磁場の磁場極性と、のうちの１つまたは複数を備えることを含む。
【0114】
例２２は、命令を含む、少なくとも１つの機械可読媒体であって、命令は、処理回路構成によって実行されたとき、処理回路構成に、例１～２１のうちのいずれかを実装するための動作を実施させる、少なくとも１つの機械可読媒体である。
【0115】
例２３は、例１～２１のうちのいずれかを実装するための手段を備える装置である。
【0116】
例２４は、例１～２１のうちのいずれかを実装するためのシステムである。
【0117】
例２５は、例１～２１のうちのいずれかを実装するための方法である。
【0118】
本明細書全体にわたって、複数の事例が、単一の事例として説明される構成要素、動作、または構造を実装し得る。１つまたは複数の方法の個々の動作が、別個の動作として例示され、説明されるが、個々の動作のうちの１つまたは複数は、同時に実施され得、いかなることも、例示されている順序で動作が実施されることを必要としない。例示的な構成のための別個の構成要素として提示される構造および機能性は、組み合わせられた構造または構成要素として実装され得る。同様に、単一の構成要素として提示される構造および機能性は、別個の構成要素として実装され得る。これらおよび他のバリエーション、修正、追加、および改善は、本明細書の主題の範囲内に入る。
【0119】
本明細書において例示される実施形態は、当業者が、開示される教示を実践することを可能にするのに十分詳細に説明される。構造的および論理的置換および変更が、本開示の範囲から逸脱することなく行われ得るように、他の実施形態が、使用され、そこから導出され得る。発明を実施するための形態は、それゆえ、限定的な意味で取られるべきではなく、様々な実施形態の範囲は、添付の特許請求の範囲と、そのような請求項が資格を付与される均等物の全範囲と、によってのみ定義される。
【0120】
特許請求の範囲は、本明細書において開示されるあらゆる特徴を、実施形態が前記特徴のサブセットを採用し得るので、記載するとは限らないことがある。さらに、実施形態は、特定の例において開示されるものよりも少ない特徴を含み得る。これにより、以下の特許請求の範囲は、発明を実施するための形態に本明細書によって組み込まれ、請求項は、別個の実施形態として独立している。
【0121】
本明細書で使用される、「または」という用語は、包含的または排他的のいずれかの意味で解釈され得る。そのうえ、複数の事例が、単一の事例として本明細書において説明されるリソース、動作、または構造について提供され得る。追加として、様々なリソース、動作、モジュール、エンジン、およびデータストアの間の境界は、やや恣意的であり、特定の動作は、特定の例示の構成のコンテキストにおいて例示される。機能性の他の割り当てが、想定され、本開示の様々な実施形態の範囲内に入り得る。概して、例示的な構成における別個のリソースとして提示される構造および機能性は、組み合わせられた構造またはリソースとして実装され得る。同様に、単一のリソースとして提示される構造および機能性は、別個のリソースとして実装され得る。これらおよび他のバリエーション、修正、追加、および改善は、添付の特許請求の範囲によって表されるような本開示の実施形態の範囲内に入る。したがって、本明細書および図面は、限定的な意味ではなく例示の意味で顧慮されるべきである。
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図4A】
【図4B】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10A】
【図10B】
【図10C】
【図11A】
【図11B】
【図12】
【図13】
【図14】
【国際調査報告】