(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-07-12
(54)【発明の名称】リソグラフィシステム、基板撓み補償器、および方法
(51)【国際特許分類】
G03F 7/20 20060101AFI20240705BHJP
【ＦＩ】
G03F7/20 521
G03F7/20 501
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024501864
(86)(22)【出願日】2022-06-28
(85)【翻訳文提出日】2024-01-22
(86)【国際出願番号】 EP2022067792
(87)【国際公開番号】W WO2023285139
(87)【国際公開日】2023-01-19
(31)【優先権主張番号】63/221,129
(32)【優先日】2021-07-13
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】504151804
【氏名又は名称】エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．
(74)【代理人】
【識別番号】100105924
【弁理士】
【氏名又は名称】森下 賢樹
(74)【代理人】
【識別番号】100134256
【弁理士】
【氏名又は名称】青木 武司
(72)【発明者】
【氏名】ファン デ ケルクホフ、マルクス、アドリアヌス
【テーマコード（参考）】
2H197
【Ｆターム（参考）】
2H197CD02
2H197CD07
2H197DC04
2H197DC14
2H197HA03
(57)【要約】
【解決手段】システムは、一または複数の突起を有する支持テーブルおよび圧力デバイスを含む。一または複数の突起は、基板が支持テーブルから浮くように、基板に接触して支持する。支持テーブルによって支持された時の基板の撓みは、基板の材料および／または寸法に基づく。圧力デバイスは、撓みが低減されるように、基板の一方側の圧力を調整する。
【選択図】図４
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板が支持テーブルから浮くように、前記基板に接触して支持するように構成される一または複数の突起を備える支持テーブルであって、前記支持テーブルによって支持された時の前記基板の撓みが、前記基板の材料および／または寸法に基づく支持テーブルと、前記撓みが低減されるように、前記基板の一方側の圧力を調整するように構成される圧力デバイスと、
を備えるシステム。
【請求項2】
前記圧力デバイスは、前記基板および前記支持テーブルの間のギャップに結合される導管を備え、前記圧力デバイスは、前記基板の一方側の圧力を調整するために、前記ギャップとの間で加圧ガスを導入および／または除去するように更に構成され、
前記圧力デバイスは、前記基板の一方側の圧力を調整するために、前記基板の一方側での加圧ガスの流れを生成するように構成される、
請求項１に記載のシステム。
【請求項3】
前記圧力を調整するために、前記圧力デバイスを制御するように構成されるコントローラと、測定信号を生成するように構成される圧力センサであって、前記コントローラが、受け取った前記測定信号に基づいて前記圧力を判定するように構成される圧力センサと、
を更に備え、
前記コントローラは、前記判定された圧力に基づいて制御信号を生成するように更に構成され、
前記圧力デバイスは、受け取った前記制御信号に基づいて前記圧力を調整するように更に構成される、
請求項１に記載のシステム。
【請求項4】
前記圧力センサは、前記基板および前記支持テーブルの間のギャップに配置され、前記システムは、前記システムの雰囲気に曝され、第２測定信号を生成するように構成される第２圧力センサを更に備え、
前記コントローラは、前記第２測定信号を受け取り、前記測定信号および前記第２測定信号に基づいて、前記ギャップおよび前記雰囲気の間の圧力差を判定するように更に構成され、
前記制御信号を生成することは、前記圧力差に更に基づく、
請求項３に記載のシステム。
【請求項5】
前記圧力デバイスは、前記浮いた基板および前記支持テーブルの間のギャップでの圧力を調整するように更に構成され、前記圧力デバイスは、前記システムの雰囲気圧力を調整するように更に構成される、
請求項１に記載のシステム。
【請求項6】
前記支持テーブルを駆動するように構成されるアクチュエータであって、前記圧力デバイスが、前記駆動に伴う圧力変化を補償するように更に構成されるアクチュエータと、前記駆動に伴う圧力変化を補償するために、前記圧力デバイスを制御するように構成されるコントローラと、
を更に備える請求項１に記載のシステム。
【請求項7】
一または複数の突起を備える支持テーブルによって支持される基板の撓みを低減するための方法であって、前記支持テーブルの前記一または複数の突起を、前記基板を支持するように接触させることであって、前記支持テーブルによって支持された時の前記基板の撓みが、前記基板の材料および／または寸法に基づく接触させることと、
前記撓みが低減されるように、圧力デバイスを使用して前記基板の一方側の圧力を調整することと、
を備える方法。
【請求項8】
前記圧力を調整することは、前記圧力デバイスを使用して、前記基板の一方側での加圧ガスの流れを供給することを備える、請求項７に記載の方法。
【請求項9】
圧力センサを使用して前記基板の一方側での圧力を判定することを更に備え、前記調整することは、
コントローラを使用して、前記判定された圧力に基づいて制御信号を生成することと、
前記調整することを実行するために、前記圧力デバイスで前記制御信号を受け取ることと、
を備える請求項７に記載の方法。
【請求項10】
前記圧力センサによって提供される情報は、前記基板および前記支持テーブルの間のギャップに対応し、前記支持テーブルの雰囲気に曝される第２圧力センサを使用して、前記ギャップおよび前記雰囲気の間の圧力差を判定することを備え、
前記制御信号を生成することは、前記圧力差に更に基づく、
請求項９に記載の方法。
【請求項11】
アクチュエータを使用して前記支持テーブルを駆動することを更に備え、前記圧力を調整することは、前記駆動に伴う圧力変化を補償することを備える、
請求項７に記載の方法。
【請求項12】
パターニングデバイスのパターンを照明するように構成される照明システムと、前記パターンのイメージを基板上に投影するように構成される投影システムと、
前記パターニングデバイスが支持テーブルから浮くように、前記パターニングデバイスに接触して支持するように構成される一または複数の突起を備える支持テーブルであって、前記支持テーブルによって支持された時の前記パターニングデバイスの撓みが、前記パターニングデバイスの材料および／または寸法に基づく支持テーブルと、
前記撓みが低減されるように、前記基板の一方側の圧力を調整するように構成される圧力デバイスと、
を備えるリソグラフィシステム。
【請求項13】
前記圧力デバイスは、前記基板の一方側の圧力を調整するために、前記基板の一方側での加圧ガスの流れを生成するように構成される、請求項１２に記載のリソグラフィシステム。
【請求項14】
前記圧力を調整するために、前記圧力デバイスを制御するように構成されるコントローラと、測定信号を生成するように構成される圧力センサであって、前記コントローラが、受け取った前記測定信号に基づいて前記圧力を判定し、前記判定された圧力に基づいて制御信号を生成するように構成される圧力センサと、
を更に備え、
前記圧力デバイスは、受け取った前記制御信号に基づいて前記圧力を調整するように更に構成される、
請求項１２に記載のリソグラフィシステム。
【請求項15】
前記支持テーブルを駆動するように構成されるアクチュエータであって、前記圧力デバイスが、前記駆動に伴う圧力変化を補償するように更に構成されるアクチュエータと、前記駆動に伴う圧力変化を補償するために、前記圧力デバイスを制御するように構成されるコントローラと、
を更に備える請求項１２に記載のリソグラフィシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
［関連出願へのクロスリファレンス］
本出願は、2021年7月13日に出願された米国仮特許出願63/221,129号の優先権を主張し、その全体が参照によって本書に援用される。
本出願は、2021年7月13日に出願された米国仮特許出願63/221,129号の優先権を主張し、その全体が参照によって本書に援用される。
【0002】
［技術分野］
本開示は、基板テーブル等の薄い基板のための支持構造と、リソグラフィ装置およびシステムにおける使用のための圧力デバイスに関する。
本開示は、基板テーブル等の薄い基板のための支持構造と、リソグラフィ装置およびシステムにおける使用のための圧力デバイスに関する。
【背景技術】
【0003】
リソグラフィ装置は、基板上、通常は基板のターゲット部分上に所望のパターンを適用する装置である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（IC）の製造において使用されうる。この場合、マスクまたはレチクルとも表されるパターニングデバイスが、ICの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために使用されうる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの部分、一つのダイ、または複数のダイを含む）上に転写されうる。パターンの転写は、典型的に、基板上に提供される放射感応性材料（レジスト）の層上へのイメージングによる。一般的に、単一の基板は、連続的にパターン形成される近接したターゲット部分のネットワークを含む。リソグラフィ装置は、ターゲット部分上に全体パターンを一度に露光することで各ターゲット部分が照明されるいわゆるステッパ、および、放射ビームを通じてパターンを所定方向（「スキャン」方向）にスキャンすると同時に、このスキャン方向に平行または非平行にターゲット部分をスキャンすることで、各ターゲット部分が照明されるいわゆるスキャナを含みうる。基板上にパターンをインプリントすることで、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【0004】
他のリソグラフィシステムは、パターニングデバイスが存在せず、光ビームが二つのビームに分けられ、反射システムの使用を通じて当該二つのビームが基板のターゲット部分で干渉される干渉リソグラフィシステムである。干渉によって、基板のターゲット部分に線が形成される。
【0005】
リソグラフィプロセスの異なるステージで計測を実行することが重要である。例えば、リソグラフィオペレーション中に、異なる処理ステップは、異なる層が順に基板上に形成されることを要求しうる。従って、基板上に先に形成されたパターンに対して、当該基板を高い精度で配置することが求められうる。一般的に、アライメントマークがアライメント対象の基板上に配置され、第２オブジェクトを参照して位置が特定される。マスクからの正確な露光を担保するために、リソグラフィ装置は、アライメントマークの位置を検出し、アライメントマークを使用して基板を配置するために、アライメント装置を使用してもよい。二つの異なる層におけるアライメントマークの間のミスアライメントは、オーバーレイエラーとして測定される。
【0006】
リソグラフィプロセスを監視するために、パターン形成された基板のパラメータが測定される。パラメータは、例えば、パターン形成された基板内または上に形成された連続する層の間のオーバーレイエラーや、現像された感光性レジストの臨界線幅を含んでもよい。この測定は、製品基板および／または専用の計測ターゲットに対して実行されうる。走査電子顕微鏡および様々な特別なツールの使用を含み、リソグラフィプロセスにおいて形成された微細構造の測定を行うための様々な技術がある。高速および非侵襲的な形態の特別な検査ツールは、基板の表面上のターゲット上に放射のビームが向けられ、散乱または反射されたビームの特性が測定されるスキャトロメータである。基板によって反射または散乱された前後のビームの特性を比較することによって、基板の特性が判定されうる。これは、例えば、既知の基板特性に関する既知の測定のライブラリに格納されているデータと、反射されたビームを比較することによって行われうる。分光スキャトロメータは、広帯域放射ビームを基板上に向け、特定の狭い角度範囲内に散乱される放射のスペクトル（波長の関数としての強度）を測定する。対照的に、角度分解スキャトロメータは、単色の放射ビームを使用し、角度の関数としての散乱された放射の強度を測定する。
【0007】
このような光学スキャトロメータは、現像された感光性レジストの臨界寸法またはパターン形成された基板内または上に形成される二つの層の間のオーバーレイエラー（OV）等のパラメータを測定するために使用されうる。基板の特性は、ビームが基板によって反射または散乱された前後の照明ビームの特性を比較することによって判定されうる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
前述されたリソグラフィおよび計測プロセスは、典型的に、正確にマシニングされた基板テーブル（例えば、略完全な平坦性を有するもの）に依存している。リソグラフィ製造のサブミクロンの公差要求を満たすために、基板（例えば、ウェーハおよびパターニングデバイス）の平坦性が公差マージン内であることが重要である。パターニングデバイスは、その表面エリアの寸法（例えば、直径で約150mm）と比べて、比較的薄く（例えば、厚さが4mm、2mm、または1mmより小さい）、弱い不均一な力を受けただけでも歪みうる。このような歪みは、基板に対して実行される後続のリソグラフィおよび計測プロセスに悪影響を及ぼしうる。
【0009】
従って、基板テーブル上で支持されている間に基板が曲がることを防止できるデバイスおよび方法を開発することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【0010】
いくつかの実施形態では、システムが、一または複数の突起を有する支持テーブルと圧力デバイスを備える。一または複数の突起は、基板が支持テーブルから浮くように、基板に接触して支持するように構成される。支持テーブルによって支持された時の基板の撓みは、基板の材料および／または寸法によってもたらされうる。圧力デバイスは、撓みが低減されるように、基板の一方側の圧力を調整するように構成される。
【0011】
いくつかの実施形態では、一または複数の突起を有する支持テーブルによって支持される基板の撓みを低減するための方法が、支持テーブルの一または複数の突起を、基板を支持するように接触させることを備える。支持テーブルによって支持された時の基板の撓みは、基板の材料および／または寸法に基づく。方法は、撓みが低減されるように、圧力デバイスを使用して基板の一方側の圧力を調整することを更に備える。
【0012】
いくつかの実施形態では、リソグラフィシステムが、照明システム、投影システム、一または複数の突起を備える支持テーブル、および圧力デバイスを備える。照明システムは、パターニングデバイスのパターンを照明するように構成される。投影システムは、パターンのイメージを基板上に投影するように構成される。一または複数の突起は、基板が支持テーブルから浮くように、パターニングデバイスに接触して支持するように構成される。支持テーブルによって支持された時のパターニングデバイスの撓みは、パターニングデバイスの材料および／または寸法によってもたらされうる。圧力デバイスは、撓みが低減されるように、パターニングデバイスの一方側の圧力を調整するように構成される。
【0013】
本開示の更なる特徴は、様々な実施形態の構造および動作と共に、付随する図面を参照して以下で詳細に記述される。本開示は、ここで記述される具体的な実施形態に限定されないと理解される。このような実施形態は、例示のみを目的として、ここで提示される。追加的な実施形態は、ここに含まれる教示に基づいて、当業者にとって明らかである。
【図面の簡単な説明】
【0014】
ここで援用されて明細書の一部を構成する付随する図面は、本開示を例示し、その記述と共に、ここで記載される実施形態を当業者が製造および使用できるように、本開示の原理を説明するために更に利用される。
【0015】
図１Ａは、いくつかの実施形態に係る反射型リソグラフィ装置を示す。
【0016】
図１Ｂは、いくつかの実施形態に係る透過型リソグラフィ装置を示す。
【0017】
図２は、いくつかの実施形態に係る反射型リソグラフィ装置を示す。
【0018】
図３は、いくつかの実施形態に係るリソグラフィセルを示す。
【0019】
図４は、いくつかの実施形態に係る撓み補償のためのシステムを示す。
【0020】
図５は、いくつかの実施形態に係る基板の撓みを低減するための方法ステップのフローチャートを示す。
【0021】
本開示の特徴は、図面（同様の参照記号は一貫して対応する要素を表す）と併せて解釈される以下の詳細な記述からより明らかになる。図面における同様の参照番号は、概して、同一、機能的に同様、および／または構造的に同様の要素を示す。加えて、概して、参照番号における最も左の数字は、当該参照番号が最初に現れる図を表す。特に断らない限り、開示を通じて提供される図面は、実際の寸法に忠実なものと解釈されるべきではない。
【発明を実施するための形態】
【0022】
本明細書は、本開示の特徴を備える一または複数の実施形態を開示する。開示される実施形態は、例として提供される。本開示の範囲は、開示される実施形態に限定されない。請求項に係る特徴は、添付される特許請求の範囲によって定められる。
【0023】
記述される実施形態や、明細書における「一つの実施形態」「一実施形態」「一実施例」等への言及は、記述される実施形態が特定の特徴、構造、または特質を含んでもよいが、全ての実施形態が必ずしも特定の特徴、構造、または特質を含まなくてもよいということを表す。更に、このような言い回しは、必ずしも同じ実施形態を指すとは限らない。更に、特定の特徴、構造、または特質がある実施形態に関して記述される場合、このような特徴、構造、または特質を他の実施形態に関して有効にすることは、明示的に記述されるか否かによらず当業者の知識の範囲内であると理解される。
【0024】
「下」（例えば、beneath、below、lower）や「上」（例えば、above、on、upper）等の空間的に相対的な用語は、図示される一方の要素または特徴の、他方の要素または特徴に対する関係の記述を容易にするためにここで使用されうる。空間的に相対的な用語は、図示される方向に加えて、使用中または動作中のデバイスの異なる方向も包含する趣旨である。装置は異なる方向（90度回転された方向や他の方向）を向いていてもよく、ここで使用される空間的に相対的な用語は、それに合わせて同様に解釈されてもよい。
【0025】
用語「約」は、特定の技術に基づいて変動しうる与えられた量の値を示すために、ここで使用されてもよい。特定の技術に基づいて、用語「約」は、例えば、値の10-30%（例えば、値の±10%、±20%、または±30%）の範囲内で変動する与えられた量の値を示してもよい。
【0026】
開示の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、またはこれらの任意の組合せとして実装されうる。開示の実施形態は、一または複数のプロセッサによって読み込まれて実行されうる、機械読取可能媒体に格納された命令として実装されてもよい。機械読取可能媒体は、装置（例えば、演算デバイス）によって読取可能な態様で情報を格納または送信するための任意のメカニズムを含んでもよい。例えば、機械読取可能媒体は、リードオンリーメモリ（ROM）、ランダムアクセスメモリ（RAM）、磁気ディスクストレージ媒体、光学ストレージ媒体、フラッシュメモリデバイス、電気／光／音その他の態様の伝送信号（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号等）等を含んでもよい。更に、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、および／または命令は、特定のアクションを実行するものとしてここで記述されうる。但し、このような記述は単に便宜的なものに過ぎず、このようなアクションは実際には、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令等を実行する演算デバイス、プロセッサ、コントローラその他のデバイスによって引き起こされると理解されるべきである。
【0027】
このような実施形態を詳細に記述する前に、本開示の実施形態が実施されうる環境例を参考のために提示する。
【0028】
リソグラフィシステム例
【0029】
図１Ａおよび１Ｂは、本開示の実施形態が実装されうるリソグラフィ装置１００およびリソグラフィ装置１００’のそれぞれの模式図である。リソグラフィ装置１００およびリソグラフィ装置１００’のそれぞれは次の要素を含む：放射ビームＢ（例えば、深紫外または極端紫外放射）を調整するように構成される照明システム（イルミネータ）ＩＬ；パターニングデバイス（例えば、マスク、レチクル、または動的なパターニングデバイス）ＭＡを支持するように構成され、当該パターニングデバイスＭＡを正確に配置するように構成される第１ポジショナＰＭに接続される支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ；基板（例えば、レジストがコーティングされたウェーハ）Ｗを保持するように構成され、当該基板Ｗを正確に配置するように構成される第２ポジショナＰＷに接続される基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴ。リソグラフィ装置１００および１００’は、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに形成されたパターンを、基板Ｗのターゲット部分（例えば、一または複数のダイを含む）Ｃ上に投影するように構成される投影システムＰＳも有する。リソグラフィ装置１００では、パターニングデバイスＭＡおよび投影システムＰＳが反射型である。リソグラフィ装置１００’では、パターニングデバイスＭＡおよび投影システムＰＳが透過型である。
【0030】
照明システムＩＬは、放射ビームＢの方向付け、形成、または制御のための、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁気型、静電型その他のタイプの光学コンポーネント、またはそれらの任意の組合せ等の様々なタイプの光学コンポーネントを含みうる。
【0031】
支持構造ＭＴは、参照フレームに対するパターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置１００および１００’の少なくとも一つのデザイン、およびパターニングデバイスＭＡが真空環境に保持されるか否か等の他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械型、真空型、静電型、または他のクランプ技術を使用しうる。支持構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定されまたは移動可能なフレームまたはテーブルでもよい。センサを使用することで、支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを、例えば投影システムＰＳに対する所望の位置に確実に配置できる。
【0032】
用語「パターニングデバイス」ＭＡは、例えば、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを生成するように、放射ビームＢの断面にパターンを形成するために使用されてもよい任意のデバイスを指すものと広義に解釈されるべきである。放射ビームＢに形成されるパターンは、集積回路を形成するためにターゲット部分Ｃに生成されるデバイスにおける特定の機能層に対応しうる。
【0033】
パターニングデバイスＭＡは、透過型（例えば、図１Ｂのリソグラフィ装置１００’におけるように）でもよいし、反射型（例えば、図１Ａのリソグラフィ装置１００におけるように）でもよい。透過または反射の品質は、例えば、EUVまたはDUV放射の使用に基づいて選ばれてもよい。パターニングデバイスＭＡの例は、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、またはプログラマブルLCDパネルを含む。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、バイナリ型、レベンソン型位相シフト、またはハーフトーン型位相シフト、および様々なハイブリッドマスクタイプ等のマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、入射ビームを異なる方向に反射するために個別に傾けられうる小ミラーのマトリックス配置を利用する。傾けられたミラーは、放射ビームＢにパターン（小ミラーのマトリックスによって反射されたもの）を形成する。
【0034】
用語「投影システム」ＰＳは、使用される露光放射や、基板Ｗ上での液浸液の使用または真空の使用等の他のファクタにとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁気型および静電型の光学システム、またはそれらの任意の組合せを含む、任意のタイプの投影システムを包含してもよい。他のガスが放射または電子を過剰に吸収しうるため、EUVまたは電子ビームの放射のために真空環境が使用されうる。このため、真空壁および真空ポンプによって、真空環境がビーム経路全体に提供されうる。
【0035】
リソグラフィ装置１００および／またはリソグラフィ装置１００’は、２（デュアルステージ）またはそれより多い基板テーブルＷＴ（および／または、２以上のマスクテーブル）を有するタイプでもよい。このような「複数ステージ」装置では、追加的な基板テーブルＷＴが並列に使用されうる、または、一または複数の他の基板テーブルＷＴが露光のために使用されている間に、準備ステップが一または複数のテーブル上で実行されうる。いくつかの状況では、追加的なテーブルが、基板テーブルＷＴでなくてもよい。
【0036】
リソグラフィ装置は、投影システムおよび基板の間のスペースを満たすために、基板の少なくとも一部が、水等の比較的高い屈折率を有する液体によって覆われうるタイプでもよい。液浸液は、リソグラフィ装置における他のスペース、例えば、マスクおよび投影システムの間にも適用されうる。液浸技術は、投影システムの開口数を高めるための周知技術である。ここで使用される用語「液浸」は、基板等の構造が液体中に沈まなくてはならないことを意味するのではなく、露光中に液体が投影システムおよび基板の間に位置することのみを意味する。
【0037】
図１Ａおよび１Ｂを参照して、イルミネータＩＬは、放射ソースＳＯから放射ビームを受け取る。例えば、ソースＳＯがエキシマレーザの場合、ソースＳＯおよびリソグラフィ装置１００、１００’は、物理的に別の物でもよい。このような場合、ソースＳＯは、リソグラフィ装置１００または１００’の一部を構成するものと解釈されず、例えば、適切な方向付けミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤ（図１Ｂ参照）によって、放射ビームＢがソースＳＯからイルミネータＩＬに渡される。例えば、ソースＳＯが水銀ランプである他の場合では、ソースＳＯが、リソグラフィ装置１００、１００’の一部でもよい。ソースＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤと共に、放射システムと表されうる。
【0038】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するためのアジャスタＡＤ（図１Ｂ参照）を含みうる。一般的に、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側半径範囲および／または内側半径範囲（一般的に、「σ-outer」および「σ-inner」とそれぞれ表される）が調整されうる。加えて、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯ等の様々な他のコンポーネント（図１Ｂ参照）を備えうる。イルミネータＩＬは、放射ビームＢが断面における所望の均一性および強度分布を有するように調整するために使用されうる。
【0039】
図１Ａを参照して、放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射し、当該パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。リソグラフィ装置１００では、放射ビームＢが、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射される。放射ビームＢは、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射された後、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に放射ビームＢを集光する投影システムＰＳを通過する。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）によって、基板テーブルＷＴが正確に駆動されうる（例えば、放射ビームＢの経路に異なるターゲット部分Ｃを配置するように）。同様に、第１ポジショナＰＭおよび他の位置センサＩＦ１は、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に配置するために使用されうる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用してアラインされうる。
【0040】
図１Ｂを参照して、放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射し、当該パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通過した放射ビームＢは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集光する投影システムＰＳを通過する。投影システムは、照明システム瞳ＩＰＵに対する瞳共役ＰＰＵを有する。放射の部分は、照明システム瞳ＩＰＵでの強度分布から発出され、マスクパターンでの回折によって影響されることなく当該マスクパターンを通過し、照明システム瞳ＩＰＵでの強度分布のイメージを生成する。
【0041】
投影システムＰＳは、基板Ｗ上にコーティングされたフォトレジスト層上に、マスクパターンＭＰのイメージを投影する。ここで、イメージは、強度分布からの放射によってマスクパターンＭＰから生成される回折ビームによって形成される。例えば、マスクパターンＭＰは、線およびスペースのアレイを含みうる。零次回折と異なるアレイでの回折放射は、線に直交する方向における方向の変化を伴う逸れた回折ビームを生成する。非回折ビーム（すなわち、いわゆる零次回折ビーム）は、伝送方向における変化を伴わずにパターンを通過する。零次回折ビームは、投影システムＰＳの瞳共役ＰＰＵの上流において投影システムＰＳの上方レンズまたは上方レンズグループを通過し、瞳共役ＰＰＵに到達する。零次回折ビームと関連付けられる瞳共役ＰＰＵの面における強度分布の部分は、照明システムＩＬの照明システム瞳ＩＰＵにおける強度分布のイメージである。開口デバイスＰＤは、例えば、投影システムＰＳの瞳共役ＰＰＵを含む面に実質的に配置される。
【0042】
投影システムＰＳは、レンズまたはレンズグループＬによって、零次回折ビームだけでなく、一次または一次および高次回折ビーム（不図示）も捕捉するように設けられる。いくつかの実施形態では、ダイポール照明の解像度向上効果を利用するために、線に直交する方向に延びる線パターンをイメージングするためのダイポール照明が使用されうる。例えば、一次回折ビームは、対応する零次回折ビームとウェーハＷのレベルで干渉し、線パターンＭＰのイメージを可能な限り高い解像度およびプロセスウィンドウ（すなわち、許容可能な露光ドーズ偏差との組合せにおいて使用可能な焦点深度）で生成する。いくつかの実施形態では、照明システム瞳ＩＰＵと反対の象限に放射極（不図示）を提供することによって、非点収差が低減されうる。更に、いくつかの実施形態では、反対の象限における放射極と関連付けられる投影システムの瞳共役ＰＰＵにおいて零次ビームをブロックすることによって、非点収差が低減されうる。これは、その全体が参照によって本書に援用される、2009年3月31日に発行された米国特許7,511,799B2において、より詳細に記述されている。
【0043】
第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）によって、基板テーブルＷＴが正確に駆動されうる（例えば、異なるターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路上に配置するように）。同様に、第１ポジショナＰＭおよび他の位置センサ（図１Ｂでは不図示）が、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に配置するために使用されうる（例えば、マスクライブラリからの機械的な取出し後やスキャン中）。
【0044】
一般的に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を構成する長ストロークモジュール（粗動位置決め）および短ストロークモジュール（微動位置決め）によって実現されうる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２ポジショナＰＷの一部を構成する長ストロークモジュールおよび短ストロークモジュールを使用して実現されうる。（スキャナではない）ステッパの場合、マスクテーブルＭＴは短ストロークアクチュエータのみに接続されてもよいし、固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用してアラインされうる。基板アライメントマークは、図示のように専用のターゲット部分を占めるが、ターゲット部分の間のスペースに配置されうる（スクライブラインアライメントマークとして知られている）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に提供される状況では、マスクアライメントマークがダイの間に配置されうる。
【0045】
マスクテーブルＭＴおよびパターニングデバイスＭＡは、真空内ロボットＩＶＲがマスク等のパターニングデバイスを真空チャンバ内外で駆動するために使用されうる真空チャンバＶ内に置かれうる。あるいは、マスクテーブルＭＴおよびパターニングデバイスＭＡが真空チャンバ外にある場合、真空外ロボットが、真空内ロボットＩＶＲと同様に様々な移送オペレーションのために使用されうる。真空内および真空外ロボットは共に、移送ステーションの固定されたキネマティックマウントに任意のペイロード（例えば、マスク）を円滑に移送するために較正されるべきである。
【0046】
リソグラフィ装置１００および１００’は、以下のモードの少なくとも一つにおいて使用されうる。
【0047】
１．ステップモードでは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴが、放射ビームＢに形成された全体パターンがターゲット部分Ｃ上に一度に投影される（すなわち、単一静的露光）間、実質的に静止状態に保たれる。そして、異なるターゲット部分Ｃが露光されうるように、基板テーブルＷＴがＸおよび／またはＹ方向にシフトされる。
【0048】
２．スキャンモードでは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴが、放射ビームＢに形成されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち、単一動的露光）間、同時にスキャンされる。支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの倍率および像反転特性によって決定されうる。
【0049】
３．他のモードでは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴが、プログラマブルパターニングデバイスを保持しながら実質的に静止状態に保たれ、放射ビームＢに形成されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される間に、基板テーブルＷＴが駆動またはスキャンされる。パルス放射ソースＳＯが利用されてもよく、プログラマブルパターニングデバイスは、必要に応じて、基板テーブルＷＴの各移動後またはスキャン中の連続する放射パルスの間に更新される。この動作モードは、プログラマブルミラーアレイ等のプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用されうる。
【0050】
以上の使用モードの組合せおよび／または変形や、全く異なる使用モードが利用されてもよい。
【0051】
更なる実施形態では、リソグラフィ装置１００が、極端紫外（EUV）リソグラフィのためのEUV放射のビームを生成するように構成されるEUVソースを含む。一般的に、EUVソースは放射システムにおいて構成され、対応する照明システムはEUVソースのEUV放射ビームを調整するように構成される。
【0052】
図２は、ソースコレクタ装置ＳＯ、照明システムＩＬ、および投影システムＰＳを含むリソグラフィ装置１００をより詳細に示す。ソースコレクタ装置ＳＯは、ソースコレクタ装置ＳＯの閉鎖構造２２０において真空環境が維持されうるように、構成および配置される。EUV放射放出プラズマ２１０は、放電生成プラズマソースによって形成されうる。EUV放射は、電磁スペクトルのEUV範囲における放射を放出するための極高温プラズマ２１０が生成されるガスまたは蒸気（例えば、Xeガス、Li蒸気、またはSn蒸気）によって生成されうる。極高温プラズマ２１０は、例えば、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマをもたらす電気的な放電によって生成される。Xe、Li、Sn蒸気や、他の任意の適切なガスまたは蒸気の10Pa等の分圧が、放射の効率的な生成のために要求されうる。いくつかの実施形態では、EUV放射を生成するためにスズ（Sn）励起プラズマが提供される。
【0053】
高温プラズマ２１０によって放出された放射は、ソースチャンバ２１１における開口の内部または後方に位置するオプションのガスバリアまたは汚染トラップ２３０（いくつかの場合、汚染バリアまたはフォイルトラップとも表される）を介して、ソースチャンバ２１１からコレクタチャンバ２１２内に渡される。汚染トラップ２３０は、チャネル構造を含みうる。また、汚染トラップ２３０は、ガスバリアまたはガスバリアおよびチャネル構造の組合せを含みうる。ここで更に示される汚染トラップ２３０（または、汚染バリア）は、少なくともチャネル構造を含む。
【0054】
コレクタチャンバ２１２は、いわゆる斜入射型コレクタでもよい放射コレクタＣＯを含みうる。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側２５１および下流放射コレクタ側２５２を有する。コレクタＣＯを通過する放射は、格子スペクトルフィルタ２４０から反射され、仮想ソース点ＩＦに集められうる。仮想ソース点ＩＮＴＦは一般的に中間焦点と表され、ソースコレクタ装置は中間焦点ＩＮＴＦが閉鎖構造２２０における開口２１９上または付近に位置するように設けられる。仮想ソース点ＩＮＴＦは、放射放出プラズマ２１０のイメージである。格子スペクトルフィルタ２４０は、特に赤外線（IR）放射を抑えるために使用される。
【0055】
続いて、放射は、パターニングデバイスＭＡでの所望の放射ビーム２２１の角度分布、およびパターニングデバイスＭＡでの所望の放射強度の均一性を提供するために設けられるファセットフィールドミラーデバイス２２２およびファセット瞳ミラーデバイス２２４を含みうる照明システムＩＬを通過する。支持構造ＭＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡでの放射のビーム２２１の反射の際にパターン形成されたビーム２２６が形成され、当該パターン形成されたビーム２２６は、投影システムＰＳによって、反射エレメント２２８、２２９を介して、ウェーハステージまたは基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗ上にイメージングされる。
【0056】
一般的に、図示されたものより多くのエレメントが照明光学ユニットＩＬおよび投影システムＰＳに存在しうる。リソグラフィ装置のタイプに応じて、格子スペクトルフィルタ２４０がオプションで存在しうる。更に、図２に示されたものより多くのミラーが存在しうる。例えば、１と６の間の追加的な反射エレメントが、図２に示されたものに加えて投影システムＰＳに存在しうる。
【0057】
図２に例示されるようなコレクタ光学要素ＣＯは、コレクタ（または、コレクタミラー）の単なる一例として、斜入射型リフレクタ２５３、２５４、および２５５による入れ子状のコレクタとして示されている。斜入射型リフレクタ２５３、２５４、および２５５は、光軸Ｏの周りに軸対称に配置され、このタイプのコレクタ光学要素ＣＯは、しばしばDPPソースと呼ばれる放電生成プラズマソースとの組合せで使用されるのが好ましい。
【0058】
例示的なリソグラフィセル
【0059】
図３は、いくつかの実施形態に係る、リソセルまたはクラスタとも表されるリソグラフィセル３００を示す。リソグラフィ装置１００または１００’は、リソグラフィセル３００の一部を構成しうる。また、リソグラフィセル３００は、露光前および露光後のプロセスを基板に対して実行する一または複数の装置を含みうる。従来、これらは、レジスト層を形成するためのスピンコータＳＣ、露光されたレジストを現像するためのデベロッパＤＥ、冷却プレートＣＨ、およびベークプレートＢＫを含む。基板ハンドラまたはロボットＲＯは、基板を入力／出力ポートＩ／Ｏ１、Ｉ／Ｏ２からピックアップし、それらを異なる処理装置の間で動かし、それらをリソグラフィ装置１００または１００’のローディングベイＬＢに搬送する。しばしばトラックと総称されるこれらのデバイスは、リソグラフィ制御ユニットＬＡＣＵを介してリソグラフィ装置も制御する監視制御システムＳＣＳによってそれ自体が制御されるトラック制御ユニットＴＣＵの制御下にある。このように、異なる装置がスループットおよび処理効率を最大化するために動作しうる。
【0060】
基板テーブルのための例示的な撓み補償器
【0061】
撓み補償システムの文脈において、用語「基板」は、支持テーブル（例えば、ＷＴまたはＭＴ（図１Ａ、１Ｂ））によって支持される実質的に平らな平面構造を広く表すために、ここで使用されうると理解されるべきである。この意味で、用語「パターニングデバイス」「ウェーハ」「フィルム」等は、基板の具体例でありうる。材料の硬さおよび厚さ（または、材料の柔らかさおよび薄さ）に応じて、基板は支持テーブル上に支持されている時に撓みうる。例えば、支持テーブルは、支持テーブルの本体の上方に基板を浮かせる、より小さい脚または突起を有しうる。突起に直接的に接触しない基板の部分は、沈みうるまたは撓みうる（例えば、重力の影響によって）。撓みの量は、基板の材料および／または寸法に基づきうる。撓みは、平らな基板に依存するリソグラフィおよび計測プロセスの精度に悪影響を及ぼしうる。本開示は、これらの課題を解決するための構造および機能を提供する。例えば、方法は、基板を撓みに反して押すために圧力差を使用する。圧力差は、撓んだ基板に対して力を適用するための固体構造に依存することなく撓みを防止できる。
【0062】
図４は、いくつかの実施形態に係るシステム４００を示す。いくつかの実施形態では、システム４００が、支持テーブル４０２および圧力デバイス４０６を備えうる。支持テーブル４０２は、一または複数の突起４０４を備えうる。圧力デバイス４０６は、導管４０８を備えうる。支持テーブル４０２は、例えば、ウェーハテーブルＷＴまたはマスクテーブルＭＴ（図１）を表しうる。いくつかの実施形態では、突起４０４が、支持テーブル４０２の頂側に配置される。支持テーブルの文脈において、用語「頂（top）」「上（upper）」等は、基板４１２と相互作用する支持テーブルの側を記述するために、ここで使用されうる。反対の用語「底（bottom）」「下（lower）」等は、それらの反対の意味で使用されてもよい。
【0063】
いくつかの実施形態では、支持テーブル４０２が、基板４１２を支持しうる。但し、大きい接触表面積は、二つの表面の間での汚染物質の交換の可能性を高める。互いの接触表面積の量を低減することが望ましい場合がある。例えば、一または複数の突起４０４は、基板４１２を支持テーブル４０２から浮かせるように、基板４１２と接触しうる。つまり、基板４１２が支持テーブル４０２に固定された時（例えば、クランプ（不図示）を介して）、基板４１２および支持テーブル４０２の頂面の間にギャップ４１４が存在する。ギャップ４１４は、汚染の問題を緩和するのに役立ちうる。突起４０４が遠く離れた場合に、基板４１２の撓みはより深刻になりうる。突起を互いに遠く離す理由は、大面積の基板４１２を透過モードで使用するためでもよい（透過ビームの経路を妨げないように突起が遠く離される）。この提供される例は非限定的であり、反射型および透過型の両方の基板が、ここで記述される実施形態を実現できることを当業者は理解する。
【0064】
いくつかの実施形態では、光学品質を高める（例えば、より良い透過）ために、および／またはパターニングデバイスの質量を低減する（これによって、スキャナにおける高加速中のスリップのリスクを低減できる）ために、基板４１２の厚さを低減することが望ましい。しかし、厚さの削減は、特に、基板４１２に対して作用する力に対抗するための基板４１２の硬さが十分でない場合、顕著な基板４１２の撓みをもたらしうる。更に、いくつかの例では、基板４１２がフィルムと呼ばれうるほどに、極めて薄い基板４１２を使用することが望ましい。
【0065】
いくつかの実施形態では、基板４１２の撓みに対抗するための方法が、撓みが低減されるように基板４１２の一方側の圧力を調整することでもよい。圧力は、圧力デバイス４０６を使用して調整されうる。基板の文脈において、用語「側（side）」は、基板の広い側（すなわち、最大の平面エリアを有する側）を表すために使用される一方で、用語「エッジ」「周辺」等は、広い側を囲む基板の端を表すために使用されうると理解されるべきである。例えば、ディスク基板の円形表面は、基板の頂側および底側である一方で、円形側の円周は、基板のエッジまたは周辺である。
【0066】
いくつかの実施形態では、圧力デバイス４０６が、ギャップ４１４でのスペースに結合されうる（例えば、流体が流通する）。いくつかの実施形態では、導管４０８が、ギャップ４１４に結合されうる。圧力デバイス４０６は、例えば、ギャップ４１４との間で加圧流体（例えば、ガス）を導入または除去するポンプデバイスを備えうる。ギャップ４１４での圧力を調整することによって、基板４１２の二つの側の間で圧力差が生成される。例えば、基板４１２が紙面における下方に撓んでいる場合、ギャップ４１４における圧力が、当該ギャップ４１４と反対の基板４１２の一方側のスペース４１６における雰囲気圧力より大きくされうる（例えば、Ｐｇａｐ＞Ｐａｍｂｉｅｎｔ）。圧力は、撓みに対向する力で、基板４１２を上方に押す。
【0067】
いくつかの実施形態では、圧力デバイス４０６が、ギャップ４１４に結合されるものに限られる必要はない。例えば、圧力デバイス４０６は、スペース４１６に結合されうる（この構成は図４では示されない）。このシナリオでは、基板４１２の撓みを防止するために、Ｐｇａｐ＞Ｐａｍｂｉｅｎｔという条件を生成するように、雰囲気圧力が調整されうる。撓み防止の文脈において、用語「防止する」等は、撓みの完全または部分的な低減を表すために使用されうる。例えば、圧力補償なしでは、基板４１２が約5ミクロン撓むかもしれない。圧力補償があると、撓みは約2ミクロンに低減されうる。そして、圧力デバイス４０６を使用して、約3ミクロンの撓みが防止されたと言える。ここで記述される実施形態は、約2ミクロン以下、1ミクロン以下、0.5ミクロン以下、または0.1ミクロン以下に、撓みを低減できると理解されるべきである。
【0068】
いくつかの実施形態では、システム４００が、圧力センサ４１８およびコントローラ４２０を備えうる。圧力センサ４１８は、ギャップ４１４に配置されうる。圧力センサ４１８は、ギャップ４１４での圧力を測定できる。圧力センサ４１８は、ギャップ４１４での圧力についての情報を含む測定信号を生成できる。コントローラ４２０は、ギャップ４１４での圧力を判定するために、圧力センサ４１８から測定信号を受け取ることができる。判定された圧力に基づいて、コントローラ４２０は、ギャップ４１４での圧力を調整する、および／またはスペース４１６での雰囲気圧力を調整するように、圧力デバイス４０６を制御するための制御信号を生成できる。
【0069】
いくつかの実施形態では、システム４００が、圧力センサ４１８に代えてまたは加えて、圧力センサ４２２を備えうる。圧力センサ４２２は、スペース４１６に配置されうる（すなわち、システム４００の雰囲気に曝される）。圧力センサ４１８がギャップ４１４に対するものであるのと同様に、圧力センサ４２２はスペース４１６に対するものである。コントローラ４２０は、圧力センサ４１８および４２２から受け取られた測定信号を分析することによって、ギャップ４１４および雰囲気の間の圧力差を判定できる。コントローラ４２０によって生成される制御信号は、基板４１２の上下において測定された圧力における差に基づきうる。
【0070】
いくつかの実施形態では、想定される雰囲気条件についての情報、基板４１２の材料特性および寸法についての情報、および／または基板４１２の撓み挙動に影響を及ぼす任意の他の情報を有するように、コントローラ４２０がプログラミングされうる。コントローラ４２０によって生成される制御信号は、システム４００の様々なセンサからのデータに代えてまたは加えて、想定される雰囲気条件についてのプログラミングされた情報、基板４１２の材料特性および寸法についてのプログラミングされた情報、および／または基板４１２の撓み挙動に影響を及ぼす任意の他のプログラミングされた情報に基づきうる。他のセンサからのデータが利用できない時、コントローラ４２０は、先を見る構成（システム４００について予めプログラミングされた情報に基づく予測）において動作すると言える。センサからのデータが利用できる時（特に、リアルタイムで）、コントローラは、フィードバック構成において動作すると言える。
【0071】
いくつかの実施形態では、システム４００が、アクチュエータ４１０を備えうる。アクチュエータ４１０は、支持テーブル４０２に結合されうる。アクチュエータ４１０は、基板４１２を一の位置から他の位置に動かすために、支持テーブル４０２を駆動（例えば、並進、回転等）できる。移動の際、基板４１２の直上のスペース４１６で流れが観測される。ベルヌーイの定理の結果として、ギャップ４１４およびスペース４１６の間の圧力差が、基板４１２の動きによって変動しうる。リソグラフィ装置では、マスクテーブルＭＴ（図１）が、基板の上下における有意な圧力差をもたらす高速スキャンオペレーションを行いうる。圧力デバイス４０６は、基板４１２の駆動に伴う圧力変化を補償するために使用されうる。コントローラ４２０は、基板４１２の動きに起因する圧力差の量を考慮するようにプログラミングされうる。例えば、コントローラ４２０は、方程式１（Eq. 1）に基づいて、ギャップ４１４およびスペース４１６の間の圧力差を推定するように構成されうる。
【0072】
【数1】
【0073】
ここで、ρは空気の密度（空気は、非限定的な例として使用される）であり、ｖｒはレチクルスキャン速度であり、ｖｓｐａｃｅはスペース４１６での流速であり、ｖｇａｐはギャップ４１４での流速である。ｖｒが増加する時、コントローラ４２０は、駆動に伴う圧力変化を補償するために、制御信号を介して圧力デバイス４０６と通信できる。
【0074】
いくつかの実施形態では、ギャップ４１４および／またはスペース４１６における流速が、圧力デバイス４０６を使用して調整されうると理解されるべきである。圧力デバイス４０６は、ギャップ４１４および／またはスペース４１６におけるガス流を生成するための真空ポンプおよび／またはブロワを備えうる。撓みが低減されるように基板４１２の一方側の圧力を調整することは、ギャップ４１４および／またはスペース４１６との間で、流れが生成されるように加圧ガスを導入／除去することによって達成されうる。一つの例では、ｖｇａｐおよびｖｓｐａｃｅがｖｒと比べて速い場合、方程式１において示される近似によって示されるように、支持テーブル４０２の動きは無視されうる。この条件に達するために、いくつかの実施形態では、約2、5、10、またはそれ以上のファクタで異なる速度における差を生成するために、コントローラ４２０が使用されうる。
【0075】
いくつかの実施形態では、コントローラ４２０によって生成される制御信号が、追加的なセンサを使用して強化されうる。例えば、システム４００は、基板４１２上のフィーチャを測定するための光学センサ４２４を備えうる。フィーチャは、基板４１２が撓んだ時の変化が光学センサ４２４によって測定されうるように構成されうる。光学センサ４２４は、コントローラ４２０によって受け取られる測定信号を生成できる。コントローラ４２０は、撓みを補償するように制御信号を変更するために、光学センサ４２４からの情報を使用できる。
【0076】
図５は、いくつかの実施形態に係る、基板の撓みを低減するための方法ステップを示す。システム４００（図４）が、方法ステップのために使用されうる。ステップ５０２では、一または複数の突起４０４が、基板４１２に接触する。支持テーブル４０２によって支持されている時の基板４１２の撓みは、基板４１２の材料および／または寸法に基づきうる。ステップ５０４では、撓みが低減されるように、圧力デバイス４０６を使用して、基板４１２の一方側の圧力が調整される。
【0077】
図５の方法ステップは、任意の考えられる順序で実行され、全てのステップが実行される必要はない。更に、前述された図５の方法ステップは、単なるステップの一例を反映する非限定的なものである。つまり、図１～４を参照して記述される実施形態に基づいて、更なる方法ステップおよび機能が考えられうる。
【0078】
実施形態は、更に以下の項目を使用して記述されてもよい。
項目１：
基板が支持テーブルから浮くように、前記基板に接触して支持するように構成される一または複数の突起を備える支持テーブルであって、前記支持テーブルによって支持された時の前記基板の撓みが、前記基板の材料および／または寸法に基づく支持テーブルと、
前記撓みが低減されるように、前記基板の一方側の圧力を調整するように構成される圧力デバイスと、
を備えるシステム。
項目２：
前記圧力デバイスは、前記基板および前記支持テーブルの間のギャップに結合される導管を備え、
前記圧力デバイスは、前記基板の一方側の圧力を調整するために、前記ギャップとの間で加圧ガスを導入および／または除去するように更に構成される、
項目１に記載のシステム。
項目３：
前記圧力デバイスは、前記基板の一方側の圧力を調整するために、前記基板の一方側での加圧ガスの流れを生成するように構成される、項目１に記載のシステム。
項目４：
前記圧力を調整するために、前記圧力デバイスを制御するように構成されるコントローラを更に備える、項目１に記載のシステム
項目５：
測定信号を生成するように構成される圧力センサであって、前記コントローラが、受け取った前記測定信号に基づいて前記圧力を判定するように構成される圧力センサを更に備える、項目４に記載のシステム。
項目６：
前記コントローラは、前記判定された圧力に基づいて制御信号を生成するように更に構成され、
前記圧力デバイスは、受け取った前記制御信号に基づいて前記圧力を調整するように更に構成される、
項目５に記載のシステム。
項目７：
前記圧力センサは、前記基板および前記支持テーブルの間のギャップに配置され、
前記システムは、前記システムの雰囲気に曝され、第２測定信号を生成するように構成される第２圧力センサを更に備え、
前記コントローラは、前記第２測定信号を受け取り、前記測定信号および前記第２測定信号に基づいて、前記ギャップおよび前記雰囲気の間の圧力差を判定するように更に構成され、
前記制御信号を生成することは、前記圧力差に更に基づく、
項目６に記載のシステム。
項目８：
前記圧力デバイスは、前記浮いた基板および前記支持テーブルの間のギャップでの圧力を調整するように更に構成される、項目１に記載のシステム。
項目９：
前記圧力デバイスは、前記システムの雰囲気圧力を調整するように更に構成される、項目１に記載のシステム。
項目１０：
前記支持テーブルを駆動するように構成されるアクチュエータであって、前記圧力デバイスが、前記駆動に伴う圧力変化を補償するように更に構成されるアクチュエータを更に備える、項目１に記載のシステム。
項目１１：
前記駆動に伴う圧力変化を補償するために、前記圧力デバイスを制御するように構成されるコントローラを更に備える、項目１０に記載のシステム。
項目１２：
一または複数の突起を備える支持テーブルによって支持される基板の撓みを低減するための方法であって、
前記支持テーブルの前記一または複数の突起を、前記基板を支持するように接触させることであって、前記支持テーブルによって支持された時の前記基板の撓みが、前記基板の材料および／または寸法に基づく接触させることと、
前記撓みが低減されるように、圧力デバイスを使用して前記基板の一方側の圧力を調整することと、
を備える方法。
項目１３：
前記圧力を調整することは、前記圧力デバイスを使用して、前記基板の一方側での加圧ガスの流れを供給することを備える、項目１２に記載の方法。
項目１４：
圧力センサを使用して前記基板の一方側での圧力を判定することを更に備え、
前記調整することは、
コントローラを使用して、前記判定された圧力に基づいて制御信号を生成することと、
前記調整することを実行するために、前記圧力デバイスで前記制御信号を受け取ることと、
を備える項目１２に記載の方法。
項目１５：
前記圧力センサによって提供される情報は、前記基板および前記支持テーブルの間のギャップに対応し、
前記支持テーブルの雰囲気に曝される第２圧力センサを使用して、前記ギャップおよび前記雰囲気の間の圧力差を判定することを備え、
前記制御信号を生成することは、前記圧力差に更に基づく、
項目１４に記載の方法。
項目１６：
アクチュエータを使用して前記支持テーブルを駆動することを更に備え、
前記圧力を調整することは、前記駆動に伴う圧力変化を補償することを備える、
項目１２に記載の方法。
項目１７：
パターニングデバイスのパターンを照明するように構成される照明システムと、
前記パターンのイメージを基板上に投影するように構成される投影システムと、
前記パターニングデバイスが支持テーブルから浮くように、前記パターニングデバイスに接触して支持するように構成される一または複数の突起を備える支持テーブルであって、前記支持テーブルによって支持された時の前記パターニングデバイスの撓みが、前記パターニングデバイスの材料および／または寸法に基づく支持テーブルと、
前記撓みが低減されるように、前記基板の一方側の圧力を調整するように構成される圧力デバイスと、
を備えるリソグラフィシステム:
項目１８：
前記圧力デバイスは、前記基板の一方側の圧力を調整するために、前記基板の一方側での加圧ガスの流れを生成するように構成される、項目１７に記載のリソグラフィシステム。
項目１９：
前記圧力を調整するために、前記圧力デバイスを制御するように構成されるコントローラと、
測定信号を生成するように構成される圧力センサであって、前記コントローラが、受け取った前記測定信号に基づいて前記圧力を判定し、前記判定された圧力に基づいて制御信号を生成するように構成される圧力センサと、
を更に備え、
前記圧力デバイスは、受け取った前記制御信号に基づいて前記圧力を調整するように更に構成される、
項目１７に記載のリソグラフィシステム。
項目２０：
前記支持テーブルを駆動するように構成されるアクチュエータであって、前記圧力デバイスが、前記駆動に伴う圧力変化を補償するように更に構成されるアクチュエータと、
前記駆動に伴う圧力変化を補償するために、前記圧力デバイスを制御するように構成されるコントローラと、
を更に備える項目１７に記載のリソグラフィシステム。
項目１：
基板が支持テーブルから浮くように、前記基板に接触して支持するように構成される一または複数の突起を備える支持テーブルであって、前記支持テーブルによって支持された時の前記基板の撓みが、前記基板の材料および／または寸法に基づく支持テーブルと、
前記撓みが低減されるように、前記基板の一方側の圧力を調整するように構成される圧力デバイスと、
を備えるシステム。
項目２：
前記圧力デバイスは、前記基板および前記支持テーブルの間のギャップに結合される導管を備え、
前記圧力デバイスは、前記基板の一方側の圧力を調整するために、前記ギャップとの間で加圧ガスを導入および／または除去するように更に構成される、
項目１に記載のシステム。
項目３：
前記圧力デバイスは、前記基板の一方側の圧力を調整するために、前記基板の一方側での加圧ガスの流れを生成するように構成される、項目１に記載のシステム。
項目４：
前記圧力を調整するために、前記圧力デバイスを制御するように構成されるコントローラを更に備える、項目１に記載のシステム
項目５：
測定信号を生成するように構成される圧力センサであって、前記コントローラが、受け取った前記測定信号に基づいて前記圧力を判定するように構成される圧力センサを更に備える、項目４に記載のシステム。
項目６：
前記コントローラは、前記判定された圧力に基づいて制御信号を生成するように更に構成され、
前記圧力デバイスは、受け取った前記制御信号に基づいて前記圧力を調整するように更に構成される、
項目５に記載のシステム。
項目７：
前記圧力センサは、前記基板および前記支持テーブルの間のギャップに配置され、
前記システムは、前記システムの雰囲気に曝され、第２測定信号を生成するように構成される第２圧力センサを更に備え、
前記コントローラは、前記第２測定信号を受け取り、前記測定信号および前記第２測定信号に基づいて、前記ギャップおよび前記雰囲気の間の圧力差を判定するように更に構成され、
前記制御信号を生成することは、前記圧力差に更に基づく、
項目６に記載のシステム。
項目８：
前記圧力デバイスは、前記浮いた基板および前記支持テーブルの間のギャップでの圧力を調整するように更に構成される、項目１に記載のシステム。
項目９：
前記圧力デバイスは、前記システムの雰囲気圧力を調整するように更に構成される、項目１に記載のシステム。
項目１０：
前記支持テーブルを駆動するように構成されるアクチュエータであって、前記圧力デバイスが、前記駆動に伴う圧力変化を補償するように更に構成されるアクチュエータを更に備える、項目１に記載のシステム。
項目１１：
前記駆動に伴う圧力変化を補償するために、前記圧力デバイスを制御するように構成されるコントローラを更に備える、項目１０に記載のシステム。
項目１２：
一または複数の突起を備える支持テーブルによって支持される基板の撓みを低減するための方法であって、
前記支持テーブルの前記一または複数の突起を、前記基板を支持するように接触させることであって、前記支持テーブルによって支持された時の前記基板の撓みが、前記基板の材料および／または寸法に基づく接触させることと、
前記撓みが低減されるように、圧力デバイスを使用して前記基板の一方側の圧力を調整することと、
を備える方法。
項目１３：
前記圧力を調整することは、前記圧力デバイスを使用して、前記基板の一方側での加圧ガスの流れを供給することを備える、項目１２に記載の方法。
項目１４：
圧力センサを使用して前記基板の一方側での圧力を判定することを更に備え、
前記調整することは、
コントローラを使用して、前記判定された圧力に基づいて制御信号を生成することと、
前記調整することを実行するために、前記圧力デバイスで前記制御信号を受け取ることと、
を備える項目１２に記載の方法。
項目１５：
前記圧力センサによって提供される情報は、前記基板および前記支持テーブルの間のギャップに対応し、
前記支持テーブルの雰囲気に曝される第２圧力センサを使用して、前記ギャップおよび前記雰囲気の間の圧力差を判定することを備え、
前記制御信号を生成することは、前記圧力差に更に基づく、
項目１４に記載の方法。
項目１６：
アクチュエータを使用して前記支持テーブルを駆動することを更に備え、
前記圧力を調整することは、前記駆動に伴う圧力変化を補償することを備える、
項目１２に記載の方法。
項目１７：
パターニングデバイスのパターンを照明するように構成される照明システムと、
前記パターンのイメージを基板上に投影するように構成される投影システムと、
前記パターニングデバイスが支持テーブルから浮くように、前記パターニングデバイスに接触して支持するように構成される一または複数の突起を備える支持テーブルであって、前記支持テーブルによって支持された時の前記パターニングデバイスの撓みが、前記パターニングデバイスの材料および／または寸法に基づく支持テーブルと、
前記撓みが低減されるように、前記基板の一方側の圧力を調整するように構成される圧力デバイスと、
を備えるリソグラフィシステム:
項目１８：
前記圧力デバイスは、前記基板の一方側の圧力を調整するために、前記基板の一方側での加圧ガスの流れを生成するように構成される、項目１７に記載のリソグラフィシステム。
項目１９：
前記圧力を調整するために、前記圧力デバイスを制御するように構成されるコントローラと、
測定信号を生成するように構成される圧力センサであって、前記コントローラが、受け取った前記測定信号に基づいて前記圧力を判定し、前記判定された圧力に基づいて制御信号を生成するように構成される圧力センサと、
を更に備え、
前記圧力デバイスは、受け取った前記制御信号に基づいて前記圧力を調整するように更に構成される、
項目１７に記載のリソグラフィシステム。
項目２０：
前記支持テーブルを駆動するように構成されるアクチュエータであって、前記圧力デバイスが、前記駆動に伴う圧力変化を補償するように更に構成されるアクチュエータと、
前記駆動に伴う圧力変化を補償するために、前記圧力デバイスを制御するように構成されるコントローラと、
を更に備える項目１７に記載のリソグラフィシステム。
【0079】
本テキストにおいて、ICの製造におけるリソグラフィ装置の使用について、具体的な参照がなされたかもしれないが、ここで記述されるリソグラフィ装置は他の用途を有してもよいと理解されるべきである。他の用途としては、集積光学システム、磁気ドメインメモリのためのガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、LCD、薄膜磁気ヘッド等の製造が例示される。このような代替的な用途の文脈において、ここでの用語「ダイ」の使用は、より一般的な用語「ターゲット部分」の具体例として解釈されてもよいと当業者は理解する。ここで参照される基板は、露光の前または後において、例えば、トラックユニット（典型的に、基板に対してレジスト層を適用し、露光されたレジストを現像するツール）、計測ユニットおよび／または検査ユニットにおいて処理されてもよい。適用可能な場合、ここでの開示は、このような他の基板処理ツールに対して適用されてもよい。更に、例えば、複数層のICを形成するために、基板は複数回に亘って処理されてもよく、ここで使用される用語「基板」は、複数の処理された層を既に含む基板を表してもよい。
【0080】
光学リソグラフィの文脈における開示された実施形態の使用について、以上で具体的な参照がなされたかもしれないが、開示された実施形態は、インプリントリソグラフィ等の他の用途において使用されてもよく、文脈が許す場合、光学リソグラフィに限定されないと理解される。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスにおけるトポグラフィが、基板上に生成されるパターンを定める。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層内にプレスされてもよく、その上で電磁放射、熱、圧力またはこれらの組合せを適用することによってレジストが硬化される。レジストが硬化された後にパターニングデバイスがレジスト外に駆動されると、当該レジスト内にパターンが残される。
【0081】
ここでの表現または用語は、非限定的な記述を目的としており、本開示の用語または表現は、ここでの教示の下で当業者によって解釈されると理解される。
【0082】
以上の例は、本開示の実施形態の非限定的な例示である。現場で通常現れる様々な条件およびパラメータの、当業者にとって明らかな他の適切な変更および適合は、開示の精神および範囲内である。
【0083】
開示の具体的な実施形態が前述されたが、本開示の実施形態は、記述されたものと異なる態様で実施されてもよいと理解される。記述は、非限定的な例示を目的としている。従って、以下で示される請求項の範囲から逸脱することなく、記述された開示に対して変更が加えられてもよいことは当業者にとって明らかである。
【0084】
「発明の概要」および「要約書」ではなく、「発明を実施するための形態」が「特許請求の範囲」を解釈するために使用されることが意図されていると理解される。「発明の概要」および「要約書」は、発明者が想到した一または複数の本開示の実施例を示すが、その全てを示すものではないため、いかなる態様でも本開示および付随する「特許請求の範囲」を限定する趣旨ではない。
【0085】
特定の機能およびそれらの関係の実施形態を例示する機能構成ブロックを利用して、本開示が前述された。これらの機能構成ブロックの境界は、記述の便宜のために、ここで任意に定められている。特定の機能およびそれらの関係が適切に実現される限り、他の境界が定められうる。
【0086】
具体的な実施形態の以上の記述は、他者が、当技術分野における知識を適用することによって、過度な実験や本開示の概念からの逸脱を伴わずに、このような具体的な実施形態を、様々な用途に合わせて容易に変更できる、および／または、適合させられるように、本開示の本質を完全に明らかにする。従って、このような適合および変更は、ここで提示された教示および示唆に基づいて、開示された実施形態の均等物の意味および範囲内にあることが意図されている。
【0087】
保護される主題の幅および範囲は、前述の例示的な実施形態のいずれによっても限定されるべきでなく、以下の特許請求の範囲およびそれらの均等物のみによって定められるべきである。
【図1A】
【図1B】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【国際調査報告】