特表 2024-526299 エッジプラズマ変調のための成形シャワーヘッド

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-07-17

(54)【発明の名称】エッジプラズマ変調のための成形シャワーヘッド

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/31 20060101AFI20240709BHJP

   C23C 16/455 20060101ALI20240709BHJP

【ＦＩ】

H01L21/31 C

C23C16/455

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024500156

(86)(22)【出願日】2022-07-01

(85)【翻訳文提出日】2024-03-01

(86)【国際出願番号】 US2022035917

(87)【国際公開番号】W WO2023283123

(87)【国際公開日】2023-01-12

(31)【優先権主張番号】17/371,575

(32)【優先日】2021-07-09

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】ペマサニ， サケス

(72)【発明者】

【氏名】ラジ， デミアン ラジ ベンジャミン

(72)【発明者】

【氏名】リー， シアオプー

(72)【発明者】

【氏名】ダナクシルル， アクシャイ

(72)【発明者】

【氏名】クルカルニ， マユル ゴビンド

(72)【発明者】

【氏名】ムチャラ， マドゥー サントシュ クマール

(72)【発明者】

【氏名】パディ， ディーネッシュ

(72)【発明者】

【氏名】ユ， ハン

【テーマコード（参考）】

4K030

5F045

【Ｆターム（参考）】

4K030EA05

4K030EA06

4K030FA03

4K030KA23

5F045AA08

5F045AD01

5F045AE01

5F045BB02

5F045DP03

5F045DP28

5F045DQ10

5F045EF05

5F045EH04

5F045EK07

5F045EM05

(57)【要約】

例示的な半導体処理チャンバは、チャンバ本体を含みうる。チャンバは、チャンバ本体内に配置された基板支持体を含みうる。基板支持体は、基板支持面を画定しうる。チャンバは、チャンバ本体の上に支持されて位置付けられたシャワーヘッドを含みうる。基板支持体及びシャワーヘッドの底面は、半導体処理チャンバ内の処理領域を少なくとも部分的に画定しうる。シャワーヘッドは、シャワーヘッドを貫通する複数の開孔を画定しうる。シャワーヘッドの底面は、基板支持体の少なくとも一部の真上に位置付けられた環状の溝又はリッジを画定しうる。
【選択図】図２Ａ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体処理チャンバであって、
チャンバ本体と、
前記チャンバ本体内に配置された基板支持体であって、基板支持面を画定する基板支持体と、
前記チャンバ本体の上部に支持されて位置付けられたシャワーヘッドと
を備え、
前記基板支持体及び前記シャワーヘッドの底面が、前記半導体処理チャンバ内の処理領域を少なくとも部分的に画定し、
前記シャワーヘッドが、前記シャワーヘッドを貫通する複数の開孔を画定し、
前記シャワーヘッドの前記底面が、前記基板支持体の少なくとも一部の真上に位置付けられた環状溝を画定する、半導体処理チャンバ。

【請求項2】

前記基板支持体が、前記基板支持体の上面から上方に突出するヒータポケットを備え、
前記環状溝が、前記ヒータポケットのサイズと形状に対応するサイズと形状を有している、請求項１に記載の半導体処理チャンバ。

【請求項3】

前記基板支持体内に埋め込まれたＲＦメッシュ
を更に備え、前記ＲＦメッシュと前記シャワーヘッドの前記底面との間の垂直距離が、前記シャワーヘッドの長さにわたって変化する、請求項１に記載の半導体処理チャンバ。

【請求項4】

前記環状溝が、前記複数の開孔の半径方向外側に配置される、請求項１に記載の半導体処理チャンバ。

【請求項5】

前記シャワーヘッドの前記底面が、前記底面から下方に突出する環状リッジを画定する、請求項１に記載の半導体処理チャンバ。

【請求項6】

前記環状溝と前記環状リッジが互いに接触している、請求項５に記載の半導体処理チャンバ。

【請求項7】

前記環状溝と前記環状リッジが互いに間隔を置いて配置される、請求項５に記載の半導体処理チャンバ。

【請求項8】

前記環状溝の内側エッジと外側エッジがテーパ状である、請求項１に記載の半導体処理チャンバ。

【請求項9】

前記溝の深さが、約５ミルと１００ミルとの間である、請求項１に記載の半導体処理チャンバ。

【請求項10】

半導体処理チャンバであって、
チャンバ本体と、
前記チャンバ本体内に配置された基板支持体であって、基板支持面を画定する基板支持体と、
前記チャンバ本体の上部に支持されて位置付けられたシャワーヘッドと
を備え、
前記基板支持体及び前記シャワーヘッドの底面が、前記半導体処理チャンバ内の処理領域を少なくとも部分的に画定し、
前記シャワーヘッドが、前記シャワーヘッドを貫通する複数の開孔を画定し、
前記シャワーヘッドの前記底面が、環状レリーフフィーチャを画定する、半導体処理チャンバ。

【請求項11】

前記環状レリーフフィーチャが、溝とリッジの一方又は両方を含む、請求項１０に記載の半導体処理チャンバ。

【請求項12】

前記環状レリーフフィーチャの少なくとも一部が、前記複数の開孔の少なくとも１つの半径方向内側に配置される、請求項１０に記載の半導体処理チャンバ。

【請求項13】

前記複数の開孔のサブセットが、前記環状レリーフフィーチャ内に配置される、請求項１２に記載の半導体処理チャンバ。

【請求項14】

前記複数の開孔の各々が、上側部分と下側部分とを含み、前記下側部分が、前記上側部分よりも小さい直径を有しており、
前記サブセット内の前記複数の開孔の各々の下側部分が、前記サブセットに含まれない前記複数の開孔の各々と同じサイズを有している、請求項１３に記載の半導体処理チャンバ。

【請求項15】

前記レリーフフィーチャの深さ又は高さが、前記レリーフフィーチャの幅にわたって一定である、請求項１０に記載の半導体処理チャンバ。

【請求項16】

前記レリーフフィーチャの深さ又は高さが、前記レリーフフィーチャの幅にわたって変化する、請求項１０に記載の半導体処理チャンバ。

【請求項17】

前記シャワーヘッドの前記底面が、追加の環状レリーフフィーチャを画定する、請求項１０に記載の半導体処理チャンバ。

【請求項18】

基板を処理する方法であって、
前駆体を処理チャンバに流入させることであって、
前記処理チャンバが、シャワーヘッドと、基板が配置される基板支持体とを備え、
前記処理チャンバの処理領域が、前記シャワーヘッドと前記基板支持体との間に少なくとも部分的に画定され、
前記シャワーヘッドが、前記シャワーヘッドを貫通する複数の開孔を画定し、
前記シャワーヘッドの底面が、環状レリーフフィーチャを画定する、前駆体を流入させることと、
前記処理チャンバの処理領域内に前記前駆体のプラズマを生成することと、
前記基板上に材料を堆積させることと
を含む、方法。

【請求項19】

前記環状レリーフフィーチャが、溝とリッジの一方又は両方を含む、請求項１８に記載の基板を処理する方法。

【請求項20】

前記基板支持体がＲＦメッシュを含み、
前記ＲＦメッシュと前記シャワーヘッドの前記底面との間の垂直距離が、前記シャワーヘッドの長さにわたって変化する、請求項１８に記載の基板を処理する方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願との相互参照
［０００１］本出願は、「エッジプラズマ変調のための成形シャワーヘッド（ＳＨＡＰＥＤ ＳＨＯＷＥＲＨＥＡＤ ＦＯＲ ＥＤＧＥ ＰＬＡＳＭＡ ＭＯＤＵＬＡＴＩＯＮ）」と題する２０２１年７月９日出願の米国特許出願第１７／３７１，５７５号の利益及び優先権を主張するものであり、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。

【0002】

［０００２］本技術は、半導体製造のための部品及び装置に関する。より具体的には、本技術は、処理チャンバ分配部品及びその他の半導体処理機器に関する。

【背景技術】

【0003】

［０００３］集積回路は、基板表面に複雑にパターニングされた材料層を製造するプロセスによって実現される。基板上にパターニングされた材料を製造するには、材料を形成し除去するための制御された方法が必要である。チャンバ部品は、膜堆積又は材料除去のための処理ガスを基板に供給することが多い。対称性と均一性を促進するために、多くのチャンバ部品が、均一性を高めうる方法で材料を供給するための規則的なパターンのフィーチャを含みうる。しかし、この場合、オンウエハ調整のためのレシピ調整能力が制限される可能性がある。

【0004】

［０００４］したがって、高品質のデバイス及び構造を製造するために使用できる、改良されたシステム及び方法が必要とされている。現在の技術は、これらのニーズ及び他のニーズに対処している。

【発明の概要】

【0005】

［０００５］例示的な半導体処理チャンバは、チャンバ本体を含みうる。チャンバは、チャンバ本体内に配置された基板支持体を含みうる。基板支持体は、基板支持面を画定しうる。チャンバは、チャンバ本体の上に支持されて位置付けられたシャワーヘッドを含みうる。基板支持体及びシャワーヘッドの底面は、半導体処理チャンバ内の処理領域を少なくとも部分的に画定しうる。シャワーヘッドは、シャワーヘッドを貫通する複数の開孔を画定しうる。シャワーヘッドの底面は、基板支持体の少なくとも一部の真上に位置付けられた環状溝を画定しうる。

【0006】

［０００６］いくつかの実施形態では、基板支持体は、基板支持体の上面から上方に突出するヒータポケットを含みうる。環状溝は、ヒータポケットのサイズと形状に対応するサイズと形状を有しうる。チャンバは、基板支持体内に埋め込まれたＲＦメッシュを含みうる。ＲＦメッシュとシャワーヘッドの底面との間の垂直距離は、シャワーヘッドの長さにわたって変化しうる。環状溝は、複数の開孔の半径方向外側に配置されうる。シャワーヘッドの底面は、底面から下方に突出する環状リッジを画定しうる。環状溝と環状リッジは、互いに接触しうる。環状溝と環状リッジは、互いに間隔を置いて配置されうる。環状溝の内側エッジと外側エッジは、テーパ状でありうる。溝の深さは、約５ミルと１００ミルとの間でありうる。

【0007】

［０００７］本技術のいくつかの実施形態は、半導体処理チャンバを包含しうる。チャンバは、チャンバ本体を含みうる。チャンバは、チャンバ本体内に配置された基板支持体を含みうる。基板支持体は、基板支持面を画定しうる。チャンバは、チャンバ本体の上に支持されて位置付けられたシャワーヘッドを含みうる。基板支持体及びシャワーヘッドの底面は、半導体処理チャンバ内の処理領域を少なくとも部分的に画定しうる。シャワーヘッドは、シャワーヘッドを貫通する複数の開孔を画定しうる。シャワーヘッドの底面は、環状レリーフフィーチャ（ａｎｎｕｌａｒ ｒｅｌｉｅｆ ｆｅａｔｕｒｅ）を画定しうる。

【0008】

［０００８］いくつかの実施形態では、環状レリーフフィーチャは、溝及びリッジの一方又は両方を含みうる。環状レリーフフィーチャの少なくとも一部は、複数の開孔のうちの少なくとも１つの半径方向内側に配置されうる。複数の開孔のサブセットは、環状レリーフフィーチャ内に配置されうる。複数の開孔の各々が、上側部分と下側部分とを含みうる。下側部分は上側部分よりも小さな直径を含みうる。サブセット内の複数の開孔の各々の下側部分は、サブセットに含まれない複数の開孔の各々と同じサイズを有しうる。レリーフフィーチャの深さ又は高さは、レリーフフィーチャの幅にわたって一定でありうる。レリーフフィーチャの深さ又は高さは、レリーフフィーチャの幅にわたって変化しうる。シャワーヘッドの底面は、追加の環状レリーフフィーチャを画定しうる。

【0009】

［０００９］本技術のいくつかの実施形態は、基板を処理する方法を包含しうる。本方法は、前駆体を処理チャンバに流入させることを含みうる。処理チャンバは、シャワーヘッドと、基板が配置される基板支持体とを含みうる。処理チャンバの処理領域は、シャワーヘッドと基板支持体との間に少なくとも部分的に画定されうる。シャワーヘッドは、シャワーヘッドを貫通する複数の開孔を画定しうる。シャワーヘッドの底面は、環状レリーフフィーチャを画定しうる。本方法は、処理チャンバの処理領域内に前駆体のプラズマを発生させることを含みうる。本方法は、基板上に材料を堆積させることを含みうる。

【0010】

［００１０］いくつかの実施形態では、環状レリーフフィーチャは、溝及びリッジの一方又は両方を含みうる。基板支持体は、ＲＦメッシュを含みうる。ＲＦメッシュとシャワーヘッドの底面との間の垂直距離は、シャワーヘッドの長さにわたって変化しうる。

【0011】

［００１１］このような技術は、従来のシステム及び技術を凌駕する利点を提供しうる。例えば、本技術の実施形態は、基板のエッジ領域における制御された堆積を許容しうる。更に、部品は、プラズマ密度と分布への影響を低減するために、エッジ領域のプラズマ発生を維持しうる。これら実施形態及びその他の実施形態は、その多くの利点や特徴と共に、後述の記載及び添付の図面により詳細に説明されている。

【0012】

［００１２］開示された技術の性質及び利点は、本明細書の残りの部分と図面を参照することによって更に理解を深めることができる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】［００１３］本技術のいくつかの実施形態による例示的な処理システムの上面平面図を示す。

【図2A】［００１４］本技術のいくつかの実施形態による例示的な処理チャンバの概略断面図を示す。

【図2B】［００１５］図２Ａのシャワーヘッドの部分概略断面図を示す。

【図2C】［００１６］本技術のいくつかの実施形態によるシャワーヘッドの部分概略断面図を示す。

【図2D】［００１７］本技術のいくつかの実施形態によるシャワーヘッドの部分概略断面図を示す。

【図3】［００１８］本技術のいくつかの実施形態による半導体処理の例示的な方法の工程を示す。

【発明を実施するための形態】

【0014】

［００１９］概略図としていくつかの図が含まれている。図面は例示を目的としており、縮尺どおりであると明記されていない限り、縮尺どおりであるとみなしてはならないと理解するべきである。更に、概略図として、図面は、理解を助けるために提供されており、現実的な描写に比べてすべての態様又は情報を含まない場合があり、例示を目的として強調された素材を含むことがある。

【0015】

［００２０］添付の図面では、類似の構成要素及び／又は特徴は、同じ参照符号を有しうる。更に、同じ種類の様々な構成要素は、類似の構成要素間を区別する文字により、参照符号に従って区別されうる。本明細書において第１の参照符号のみが使用される場合、その記載は、文字に関わりなく、同じ第１の参照符号を有する類似の構成要素のうちのいずれにも適用可能である。

【0016】

［００２１］プラズマ励起堆積プロセスは、基板上の膜形成を促進するために、１つ以上の構成前駆体を励起しうる（ｍａｙ ｅｎｅｒｇｉｚｅ）。導電体膜及び誘電体膜、並びに材料の移送及び除去を容易にするための膜を含む半導体構造を開発するために、任意の数の材料膜が製造されうる。例えば、ハードマスク膜は、基板のパターニングを容易にする一方で、他の方法で維持されるべき下地材料を保護するために形成されうる。多くの処理チャンバでは、多数の前駆体がガスパネル内で混合され、基板が配置されうるチャンバの処理領域に供給されうる。リッドスタックの構成要素が処理チャンバへの流入分布に影響を与えうる一方で、他の多くのプロセス変数も同様に、堆積の均一性に影響を与えうる。

【0017】

［００２２］デバイスフィーチャのサイズが小さくなると、基板表面全体の公差が小さくなり、膜全体の材料特性の差がデバイスの実現と均一性に影響を与えうる。多くのチャンバは、特徴的なプロセスの性質（ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ ｐｒｏｃｅｓｓ ｓｉｇｎａｔｕｒｅ）を含み、それが基板全体に残留の不均一性を生じさせうる。温度差、流量パターンの均一性、及び処理の他の態様は、基板上の膜に影響を与え、生成又は除去される材料について、基板全体で膜の均一性に差が生じうる。例えば、乱流の堆積ガス流及び／又はガスボックスの遮蔽板と面板の開孔の位置ずれにより、堆積ガス流が不均一になりうる。更に、ウエハエッジ付近の不連続性（ウエハエッジとヒータポケットとの間の間隙など）により、ウエハを横切るガス流が不均一になり、膜の堆積が不均一になりうる。場合によっては、遮蔽板は、基板のエッジ領域への前駆体の流れを均一に分散させないことがある。更に、いくつかの実施形態では、基板が配置される基板支持体又はヒータは、基板を加熱するための１つ以上の加熱機構を含みうる。基板の領域間で熱の供給や損失が異なると、膜の堆積に影響が出る可能性がある。例えば、基板のより暖かい部分は、より冷たい部分より堆積が厚くなりうる又は膜特性が異なりうる。この温度不均一性は、例えば、基板支持体のシャフト周囲の温度変動に起因し、特に基板のエッジ領域に影響を及ぼしうる。

【0018】

［００２３］本技術は、溝及び／又はリッジのような１つ以上のレリーフフィーチャを含むシャワーヘッドを組み込むことにより、これらの課題を克服する。レリーフフィーチャは、シャワーヘッドと基板支持体のＲＦメッシュ又は他の電極との間に形成される電極間の間隙のサイズを変更しうる。電極間の間隙は、処理チャンバの局所的な領域内でのプラズマ発生（及びその後の膜堆積）を減少させるために増加させることができ、及び／又は局所的な領域内でのプラズマ発生を増加させるために減少させることができる。半径方向の不均一性の問題に対処するため、これらのレリーフフィーチャは環状であることが多い。

【0019】

［００２４］残りの開示は、開示された技術を利用する特定の堆積プロセスをルーチン的に識別するが、システム及び方法は、他の堆積チャンバ及び洗浄チャンバ、並びに記載されたチャンバで行われうるプロセスに等しく適用可能であることが容易に理解されよう。従って、本技術は、これらの特定の堆積プロセスやチャンバだけでの使用に限定されると見なすべきではない。本開示では、本技術の実施形態による本システムの追加的な変形例及び調整例を説明する前に、本技術の実施形態によるリッドスタック構成要素を含みうる１つの可能なシステム及びチャンバについて説明する。

【0020】

［００２５］図１は、本技術のいくつかの実施形態による例示的な処理チャンバ１００の断面図を示す。図は、本技術の１つ以上の態様を組み込んだシステム、及び／又は本技術の実施形態に従って１つ以上の動作を実行しうるシステムの概要を示しうる。チャンバ１００又は実行される方法の追加の詳細については、以下に更に記載されうる。チャンバ１００は、本技術のいくつかの実施形態に従って膜層を形成するために利用されうるが、本方法は、膜形成が起こりうる任意のチャンバ内で同様に実行されうることを理解されたい。処理チャンバ１００は、チャンバ本体１０２と、チャンバ本体１０２内に配置された基板支持体１０４と、チャンバ本体１０２と接続され、かつ処理空間１２０内で基板支持体１０４を囲むリッドアセンブリ１０６とを含みうる。基板１０３は、開口部（ｏｐｅｎｉｎｇ）１２６を通して処理空間１２０に供給されうる。この開口部は、従来は、スリットバルブ又はドアを用いて処理のために密閉される場合がある。基板１０３は、処理中に基板支持体の表面１０５に載置されうる。基板支持体１０４は、矢印１４５で示すように、軸１４７に沿って回転可能でありうる。軸１４７には、基板支持体１０４のシャフト１４４が位置しうる。代替的には、基板支持体１０４は、堆積プロセス中に必要に応じて回転するように持ち上げられうる。

【0021】

［００２６］プラズマプロファイルモジュレータ１１１は、基板支持体１０４上に配置された基板１０３にわたるプラズマ分布を制御するために、処理チャンバ１００内に配置されうる。プラズマプロファイルモジュレータ１１１は、チャンバ本体１０２に隣接して配置されうる第１の電極１０８を含み、チャンバ本体１０２をリッドアセンブリ１０６の他の構成要素から分離しうる。第１の電極１０８は、リッドアセンブリ１０６の一部であってもよく、別個の側壁電極であってもよい。第１の電極１０８は、環状又はリング状の部材であってもよく、リング電極であってもよい。第１の電極１０８は、処理空間１２０を取り囲む処理チャンバ１００の外周の周りに連続したループであってもよく、又は所望により選択された位置で不連続であってもよい。また、第１の電極１０８は、穿孔リング若しくはメッシュ電極などの穿孔電極であってもよく、又は、例えば二次ガス分配器などのプレート電極であってもよい。

【0022】

［００２７］セラミック又は金属酸化物、例えば酸化アルミニウム及び／又は窒化アルミニウムのような誘電体材料でありうる１つ以上のアイソレータ１１０ａ、１１０ｂは、第１の電極１０８に接触し、第１の電極１０８をガス分配器１１２及びチャンバ本体１０２から電気的及び熱的に分離しうる。ガス分配器１１２は、プロセス前駆体を処理空間１２０内に分配するための開孔１１８を画定しうる。ガス分配器１１２は、高周波（ＲＦ）発生器、ＲＦ電源、ＤＣ電源、パルスＤＣ電源、パルスＲＦ電源、又は処理チャンバと接続されうる任意の他の電源といった、第１の電力源１４２と接続されうる。いくつかの実施形態では、第１の電力源１４２は、ＲＦ電力源でありうる。

【0023】

［００２８］ガス分配器１１２は、導電性ガス分配器であっても非導電性ガス分配器であってもよい。ガス分配器１１２はまた、導電性部品及び非導電性部品で形成されうる。例えば、ガス分配器１１２の本体が導電性である一方で、ガス分配器１１２の面板は非導電性であってもよい。ガス分配器１１２は、図１に示されるような第１の電力源１４２などによって電力供給されうる。あるいは、ガス分配器１１２は、いくつかの実施形態では、接地と接続されうる。

【0024】

［００２９］第１の電極１０８は、処理チャンバ１００の接地経路を制御しうる第１の同調回路１２８と接続されうる。第１の同調回路１２８は、第１の電子センサ１３０と第１の電子コントローラ１３４を含みうる。第１の電子コントローラ１３４は、可変キャパシタ又は他の回路素子であっても、これを含んでもよい。第１の同調回路１２８は、１つ以上のインダクタ１３２であっても、これを含んでもよい。第１の同調回路１２８は、処理中に処理空間１２０内に存在するプラズマ条件下で可変又は制御可能なインピーダンスを許容する任意の回路でありうる。図示されるようないくつかの実施形態では、第１の同調回路１２８は、接地と第１の電子センサ１３０との間に並列に接続された第１の回路脚と第２の回路脚とを含みうる。第１の回路脚は、第１のインダクタ１３２Ａを含みうる。第２の回路脚は、第１の電子コントローラ１３４と直列に接続された第２のインダクタ１３２Ｂを含みうる。第２のインダクタ１３２Ｂは、第１の電子コントローラ１３４と、第１及び第２の回路脚の両方を第１の電子センサ１３０に接続するノードとの間に配置されうる。第１の電子センサ１３０は、電圧センサ又は電流センサであってもよく、第１の電子コントローラ１３４と接続されてもよい。これにより、処理空間１２０内のプラズマ条件をある程度閉ループ制御することができる。

【0025】

［００３０］第２の電極１２２は、基板支持体１０４と接続されうる。第２の電極１２２は、基板支持体１０４内に埋め込まれてもよく、基板支持体１０４の表面と接続されてもよい。第２の電極１２２は、プレート、穿孔板、メッシュ、ワイヤスクリーン、又は導電性素子の他の分散配置物でありうる。第２の電極１２２は、同調電極であり、例えば基板支持体１０４のシャフト１４４内に配置された、５０オームなどの選択された抵抗を有するケーブルといった、導管１４６によって、第２の同調回路１３６と接続されうる。第２の同調回路１３６は、第２の電子センサ１３８と、第２の可変キャパシタでありうる第２の電子コントローラ１４０とを有しうる。第２の電子センサ１３８は、電圧センサ又は電流センサであり、処理空間１２０内のプラズマ条件に対して更なる制御を行うために、第２の電子コントローラ１４０に接続されうる。

【0026】

［００３１］バイアス電極及び／又は静電チャック電極でありうる第３の電極１２４は、基板支持体１０４と接続されうる。第３の電極は、インピーダンス整合回路でありうるフィルタ１４８を通して、第２の電力源１５０と接続されうる。第２の電力源１５０は、ＤＣ電力、パルスＤＣ電力、ＲＦバイアス電力、パルスＲＦ源若しくはバイアス電力、又はこれら若しくは他の電源の組み合わせでありうる。いくつかの実施形態では、第２の電力源１５０は、ＲＦバイアス電力でありうる。

【0027】

［００３２］図１のリッドアセンブリ１０６及び基板支持体１０４は、プラズマ処理又は熱処理のための任意の処理チャンバと共に使用されうる。動作中、処理チャンバ１００は、処理空間１２０内のプラズマ条件をリアルタイムで制御することができる。基板１０３は、基板支持体１０４上に配置されうる。任意の所望の流れ計画に従って、プロセスガスが、入口１１４を使用してリッドアセンブリ１０６を通って流されうる。ガスは、出口１５２を通じて処理チャンバ１００から排出されうる。電力は、処理空間１２０内にプラズマを確立するために、ガス分配器１１２と接続されうる。いくつかの実施形態では、基板は、第３の電極１２４を用いて電気バイアスを受けうる。

【0028】

［００３３］処理空間１２０内のプラズマを励起すると、プラズマと第１の電極１０８との間に電位差が確立されうる。また、プラズマと第２の電極１２２との間に電位差が設けられてもよい。次に、２つの同調回路１２８、１３６によって表される接地経路の流動特性を調整するために、電子コントローラ１３４、１４０が使用されうる。堆積速度及び中心からエッジまでのプラズマ密度の均一性の独立した制御を提供するために、設定点が第１の同調回路１２８及び第２の同調回路１３６に供給されうる。電子コントローラが両方とも可変キャパシタでありうる実施形態では、電子センサは、独立して、堆積速度を最大化し、厚さの不均一性を最小化するように、可変キャパシタを調整しうる。

【0029】

［００３４］同調回路１２８、１３６の各々は、それぞれの電子コントローラ１３４、１４０を使用して調整されうる可変インピーダンスを有しうる。電子コントローラ１３４、１４０が可変キャパシタである場合、可変キャパシタの各々のキャパシタンス範囲、及び第１のインダクタ１３２Ａ及び第２のインダクタ１３２Ｂのインダクタンスは、インピーダンス範囲を提供するように選択されうる。この範囲はプラズマの周波数特性及びと電圧特性に依存する場合があり、各可変キャパシタの容量範囲に最小値が存在しうる。したがって、第１の電子コントローラ１３４の容量が最小又は最大であるとき、第１の同調回路１２８のインピーダンスは高くなり、その結果、基板支持体上の空中又は側方の被覆率が最小となるプラズマ形状が得られる可能性がある。第１の電子コントローラ１３４の容量が、第１の同調回路１２８のインピーダンスを最小化する値に近づくと、プラズマの空中被覆率が最大になり、基板支持体１０４の作業領域全体を効果的に覆うことができる。第１の電子コントローラ１３４の容量が最小インピーダンス設定から逸脱すると、プラズマ形状がチャンバ壁から収縮し、基板支持体の空中被覆率が低下する可能性がある。第２の電子コントローラ１４０は、第２の電子コントローラ１４０の容量が変更されうるので、基板支持体上のプラズマの空中被覆率を増減させる、同様の効果を有しうる。

【0030】

［００３５］電子センサ１３０、１３８は、それぞれの回路１２８、１３６を閉ループで調整するために使用されうる。使用されるセンサの種類に応じて、電流又は電圧の設定点が各センサに設置される。センサは、設定点からの偏差を最小化するために各電子コントローラ１３４、１４０の調整を決定する制御ソフトウェアを備えうる。その結果、処理中にプラズマ形状が選択され、動的に制御されうる。前述の議論は、可変キャパシタでありうる電子コントローラ１３４、１４０に基づいているが、調整可能なインピーダンスを有する同調回路１２８、１３６を提供するために、調整可能な特性を有する任意の電子部品が使用されてもよいことを理解されたい。

【0031】

［００３６］図２Ａは、本技術のいくつかの実施形態による処理チャンバ２００の概略断面図を示す。図２Ａは、図１に関して上述した１つ以上の構成要素を含み、そのチャンバに関する更なる詳細を示しうる。チャンバ２００は、先に説明したように、誘電体材料のスタックの堆積を含む半導体処理工程を実行するために使用されうる。チャンバ２００は、半導体処理システムの処理領域の部分図を示し、チャンバ２００のいくつかの実施形態に組み込まれると理解される、先に説明した追加のリッドスタック構成要素などの構成要素のすべてを含まなくてもよい。チャンバ２００は概して、処理領域２１０を画定する側壁、底壁、及び内部側壁を有するチャンバ本体２０５を含みうる。処理領域２１０は、処理領域２１０内に配置された基板支持体２１５を含みうる。基板支持体２１５は、本体部分などの基板支持体の露出面上に基板２２０を支持するように適合されたヒータを設けうる。例えば、基板支持体２１５は、基板支持表面２１９の外側の境界を画定するポケット２１７を含みうる。ポケット２１７は基板支持体２１５から上方に突出し、ポケット２１７の上面は基板２２０の上面と実質的に位置合わせされている。例えば、ポケット２１７の上面は、基板２２０の上面の高さの約３％以内、基板２２０の上面の高さの約２％以内、基板２２０の上面の高さの約１％以内、基板２２０の上面の高さの約０．５％以内、又はそれを下回りうる。例えば、１ｍｍの厚さを有する基板２２０の場合、ポケット２１７の上面の高さは、約０．９７０ｍｍ～１．０３０ｍｍの間、約０．９８０ｍｍ～１．０２０ｍｍの間、約０．９９０ｍｍ～１．０１０ｍｍの間、約０．９９５ｍｍ～１．００５ｍｍの間、又は約１ｍｍでありうる。基板支持体２１５は、例えば抵抗加熱素子などの加熱素子２２５を含み、基板温度を所望のプロセス温度に加熱及び制御しうる。基板支持体２１５は、ランプアセンブリなどの遠隔加熱要素、又は他の任意の加熱デバイスによっても加熱されうる。

【0032】

［００３７］基板支持体２１５の本体は、ステム２３０であってもよい（ｍａｙ ｂｅ ｔｏ ａ ｓｔｅｍ ２３０）。ステム２３０は、基板支持体２１５を電源コンセント（ｐｏｗｅｒ ｏｕｔｌｅｔ）又は電源ボックス（ｐｏｗｅｒ ｂｏｘ）２３５と電気的に接続しうる。パワーボックス２３５は、処理領域２１０内での基板支持体２１５の上昇及び移動を制御する駆動システムを含みうる。ステム２３０はまた、基板支持体２１５に電力を供給するための電力インターフェースも含みうる。電源ボックス２３５はまた、熱電対インターフェースなどの電力及び温度インジケータのためのインターフェースを含みうる。前駆体分配アセンブリ２４０は、チャンバ本体２０５の上部と、場合によってはその間に位置付けられた１つ以上の介在部品と、接続されうる。前駆体分配アセンブリ２４０は、反応物及び洗浄前駆体を処理領域２１０内に供給しうる。前駆体分配アセンブリ２４０は、ガスボックス２４５、遮断板２５０、及び／又はシャワーヘッド２５５を含みうる。ガスボックス２４５は、処理チャンバ内へのアクセスを画定又は提供しうる。遮蔽板２５０は、ガスボックス２４５と基板支持体２１５との間に位置付けられうる。遮蔽板２５０は、プレートを貫通する多数の開孔を含む又は画定しうる。いくつかの実施形態では、遮断板は、中心コンダクタンスの増加によって特徴付けられうる。例えば、いくつかの実施形態では、遮蔽板の中心領域に近接するか、又は中心領域周囲に延びる開孔のサブセットは、中心領域の半径方向外側の開孔よりも大きな開孔直径によって特徴付けられうる。これにより、いくつかの実施形態では、中心のフローコンダクタンス（ｃｅｎｔｒａｌ ｆｌｏｗ ｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅ）が増加する可能性がある。高周波（「ＲＦ」）源（図示せず）が、ガス分配アセンブリ２４０と接続され、ガス分配アセンブリ２４０に電力を供給して、シャワーヘッド２５５と基板支持体２１５との間にプラズマ領域の生成を促進しうる。いくつかの実施形態では、ＲＦ源は、プラズマ発生を促進するために、基板支持体２１５などのチャンバ本体２０５の他の部分と接続されうる。例えば、ＲＦメッシュ又は電極２７０は、処理領域２１０内でのプラズマの発生を促進するためにＲＦ電力が供給されうる基板支持体２１５の本体内に埋め込まれうる。

【0033】

［００３８］シャワーヘッド２５５は、先に図示したように、遮蔽板２５０と基板支持体２１５との間のチャンバ２００内に位置付けられうる。シャワーヘッド２５５は、第１の表面２５７と、第１の表面２５７の反対側にある第２の表面２５９とによって特徴付けられうる。いくつかの実施形態では、第１の表面２５７は、遮蔽板２５０、及び／又はガスボックス２４５の方に向かっていてもよい。第２の表面２５９は、チャンバ２００の処理領域２１０内で基板支持体２１５に向かい合うように位置付けられうる。例えば、いくつかの実施形態では、シャワーヘッド２５５の第２の表面２５９及び基板支持体２１５は、処理領域２１０を少なくとも部分的に画定しうる。シャワーヘッド２５５は、シャワーヘッド２５５を通って画定され、第１の表面２５７から第２の表面２５９を通って延びる複数の開孔２６０を画定しうる。各開孔２６０は、シャワーヘッド２５５を通る流体経路を提供しうる。開孔２６０は、チャンバの処理領域への流体アクセスを提供しうる。開孔２６０は、いくつかの実施形態では、概して円筒形の断面を有しうる。図示されているように、各開孔２６０は、より大きい上側部分２６２及びより小さい下側部分２６４を含む開孔輪郭を有しうるが、種々の実施形態において他の開孔輪郭も可能である。

【0034】

［００３９］シャワーヘッド２５５のサイズ、及び開孔２６０のサイズに応じて、シャワーヘッド２５５は、プレートを貫通する任意の数の開孔２６０、例えば、約１，０００以上の開孔、約２，０００以上の開孔、約３，０００以上の開孔、約４，０００以上の開孔、約５，０００以上の開孔、約６，０００以上の開孔、又はこれを上回る開孔を画定しうる。上述したように、開孔２６０は、シャワーヘッド２５５の中心軸から外側に延びる一組のリングに含まれてもよく、前述したように任意の数のリングを含んでもよい。リングは、円形又は楕円形を含む任意の数の形状、並びに長方形、六角形などの任意の他の幾何学パターン、又は半径方向外向きの多数のリングに分布する開孔を含みうる任意の他の幾何学パターンによって特徴付けられうる。開孔の間隔は均一でも千鳥状でもよく、中心から中心までの間隔は約１０ｍｍ以下でありうる。開孔はまた、約９ｍｍ以下、約８ｍｍ以下、約７ｍｍ以下、約６ｍｍ以下、約５ｍｍ以下、約４ｍｍ以下、約３ｍｍ以下、又はこれを下回る間隔を置いて配置されうる。

【0035】

［００４０］リングは、上述したように、任意の幾何学形状によって特徴付けられてもよく、いくつかの実施形態では、開孔は、リングあたりの開孔のスケーリング関数によって特徴付けられてもよい。例えば、いくつかの実施形態では、第１の開孔は、図示されたように中心軸に沿ってなど、面板の中心を通って延びうる。開孔の第１のリングは、中心開孔周囲で延び、約４個と約１０個との間の開孔など、任意の数の開孔を含みうる。これらの開孔は、各開孔の中心を通って延びる幾何学形状周囲に等間隔に配置されうる。開孔の任意の数の追加のリングは、第１のリングから半径方向外向きに延び、第１のリングの開孔の数の関数となりうる数の開孔を含みうる。例えば、各連続するリング内の開孔の数は、式ＸＲから求められる、各対応するリング内の開孔の数によって特徴付けられうる。ここで、Ｘは開孔の基本数であり、Ｒは対応するリング番号である。開孔の基本数は、第１のリング内の開孔の数であり、いくつかの実施形態では、第１のリングが増加した数の開孔を有する場合には、更に後述するように、他の数でありうる。例えば、第１のリングに分布する５つの開孔を有する例示的な面板について、５が開孔の基本数でありうる場合、第２のリングは１０個（５×２）の開孔によって特徴付けられ、第３のリングは１５個（５×３）の開孔によって特徴付けられ、第２０のリングは１００個（５×２０）の開孔によって特徴付けられうる。これは、前述したように、最大５０、５０以上、又は約５０のリングなど、任意の数の開孔リングにわたって継続しうる。いくつかの実施形態では、面板を横切る複数の開孔の各開孔は、開孔輪郭によって特徴付けられうる。この開孔輪郭は、本技術の実施形態において、同じであっても異なっていてもよい。

【0036】

［００４１］図２Ｂの部分概略断面図に最もよく示されているように、シャワーヘッド２５５の第２の表面２５９は、１つ以上の環状レリーフフィーチャ２７５を画定しうる。レリーフフィーチャ２７５は、第２の表面２５９周囲を３６０度以下で延びうる。各レリーフフィーチャ２７５は、第２の表面２５９から下方に突出するリッジ及び／又は第２の表面２５９内に延びる溝の形態でありうる。例えば、図示されているように、レリーフフィーチャ２７５ａは、第２の表面２５９の周囲に延びる環状溝の形態である。レリーフフィーチャ２７５の断面は一定であってもよく、レリーフフィーチャ２７５の長さに沿って変化してもよい。レリーフフィーチャ２７５は、任意の断面形状を有しうる。例えば、いくつかの実施形態では、レリーフフィーチャ２７５は、高さ（リッジの場合）又は深さ（溝の場合）がレリーフフィーチャ２７５の幅にわたって一定であるような長方形の断面形状を有しうる。他の実施形態では、レリーフフィーチャ２７５の断面は、レリーフフィーチャ２７５の高さ又は深さがレリーフフィーチャ２７５の幅にわたって変化するように、テーパ状及び／又は輪郭状でありうる。

【0037】

［００４２］シャワーヘッド２５５内に溝及び／又は突出部／リッジ（レリーフフィーチャ２７５）を含むことにより、基板２２０上の所与の位置において堆積速度を変化させることができる。これは、シャワーヘッド２５５及びＲＦメッシュ２７０にＲＦ電力が供給されるときに、シャワーヘッド２５５の第２の表面２５９とＲＦメッシュ２７０との間の電位が変化することに起因しうる。この電位は、シャワーヘッド２５５の第２の表面２５９の一部とＲＦメッシュ２７０との間の垂直距離に依存する。リッジレリーフフィーチャ２７５が存在することで、シャワーヘッド２５５とＲＦメッシュ２７０との間の垂直距離が減少し、レリーフフィーチャ２７５に近接する基板２２０の部分の電位及び堆積速度が増加しうる。溝のレリーフフィーチャ２７５が存在することで、シャワーヘッド２５５とＲＦメッシュ２７０との間の垂直距離が増加し、レリーフフィーチャ２７５に近接する基板２２０の部分の電位及び堆積速度が低下しうる。このようにして、任意の数の溝及び／又はリッジが第２の表面２５９に設けられ、シャワーヘッド２５５の長さに沿ってシャワーヘッド２５５とＲＦメッシュ２７０との間の垂直距離を変化させ、基板２２０の１つ以上の領域における堆積速度が制御されうる。

【0038】

［００４３］図示されているように、レリーフフィーチャ２７５ａは、ヒータポケット２１７のサイズ及び形状に実質的に対応するサイズ及び形状を有する環状溝の形態である（例えば、溝の各寸法は、ヒータポケット２１７の対応する寸法の約１０％以内である）。溝の内側エッジは、ヒータポケット２１７の内側エッジのテーパに対応するテーパを有しうる。溝の外側エッジは、ヒータポケット２１７の外側エッジの輪郭に一致するように輪郭が決定されうる。溝の上面は、ヒータポケット２１７の上面と一致するように実質的に平坦でありうる。ヒータポケット２１７の上方（基板２２０の半径方向外側）に溝を位置付けることによって、低下した電位の効果は、基板２２０のエッジ領域（例えば、基板２２０の半径の外側８５％、９０％、９５％、９７％、９９％など）で表されうる。

【0039】

［００４４］レリーフフィーチャ２７５の高さ及び／又は深さ（及び結果として生じるシャワーヘッド２５５とＲＦメッシュ２７０との間の間隔の変化）は、膜の厚さの所与の変化に対応しうる。一例として、所与の方向への１ミル（又は他の距離）の間隔変更により、およそ２１０Å（又は他の厚さ）の膜の厚さ補正が行われうる。例えば、１０ミルの溝レリーフフィーチャ２７５は、基板２２０の対応する領域における膜の厚さをおよそ２１００Å減少させうる一方で、１０ミルのリッジレリーフフィーチャ２７５は、基板２２０の対応する領域における膜の厚さを約２１００Å増加させうる。レリーフフィーチャ２７５の高さ及び／又は深さと膜の厚さとの間の関係に基づいて、各レリーフフィーチャ２７５のサイズ、位置、及び／又は形状が、基板２２０の膜の厚さプロファイルを変更するために選択されうる。例えば、１つ以上のリッジレリーフフィーチャが、低堆積の領域に対応するシャワーヘッド２５５の領域に位置付けられる一方で、１つ以上の溝レリーフフィーチャは、高堆積の領域に対応するシャワーヘッド２５５の領域に位置付けられうる。。レリーフフィーチャ２７５の高さ／深さは、約２００ミル以下、約１５０ミル以下、約１００ミル以下、約９０ミル以下、約８０ミル以下、約７０ミル以下、約６０ミル以下、約５０ミル以下、約４０ミル以下、約３０ミル以下、約２０ミル以下、約１０ミル以下、約５ミル以下でありうる。多くの場合、各レリーフフィーチャ２７５の深さ／高さは、約５ミルと１００ミルとの間か又はその程度でありうる。

【0040】

［００４５］レリーフフィーチャ２７５の幅にわたる各レリーフフィーチャ２７５の高さ及び／又は深さは、基板２２０の所与の領域内の膜の厚さの所望の変化に対応するように選択されうる。したがって、各レリーフフィーチャ２７５のサイズ及び形状は、平坦なシャワーヘッドを使用する既知の膜化学物質の膜の厚さプロファイルにおけるピーク又は谷を実質的に模倣しうる。これにより、膜堆積速度が変化して、ｖの大きさを効果的に低減し、基板２２０の表面にわたってより均一な膜の厚さを実現しうる。例えば、基板２２０の半径の約７５％から基板２２０の半径の約９５％までの基板の領域の膜が厚すぎる場合、この領域の膜の厚さを減少させるのに役立つように、この領域の上方及び／又はわずかに外側のシャワーヘッド２５５に溝レリーフフィーチャ２７５が形成されうる。同様に、基板２２０の半径の約９５％から基板２２０の半径の約９８％までの基板の領域の膜が薄すぎる場合、この領域の膜の厚さを増加させるのに役立つように、この領域の上方及び／又はわずかに外側のシャワーヘッド２５５にリッジレリーフフィーチャ２７５が形成されうる。

【0041】

［００４６］レリーフフィーチャ２７５は、シャワーヘッド２５５の開孔２６０の半径方向外側に形成されてもよく、及び／又は開孔２６０の少なくとも１つの最外エッジの半径方向内側に形成されてもよい。例えば、図示されているように、開孔２６０ａのサブセットは、レリーフフィーチャ２７５ａ内に配置されている。このような場合、シャワーヘッド２５５全体にわたって均一なフローコンダクタンスを維持するために、各開孔２６０の下側部分２６４は一定に保持されうる。開孔２６０ａの場合、これは、各開孔２６０ａの下側部分２６４がサブセットに含まれない開孔２６０の下側部分２６４と同じ長さになりうるように、上側部分２６２ａの長さが短縮される結果となりうる。

【0042】

［００４７］図２Ｃは、チャンバ２００内で利用されうるシャワーヘッド２５５ｃを示す。例えば、シャワーヘッド２５５ｂは、リッジレリーフフィーチャ２７５ｃを含みうる。レリーフ構造２７５ｃは、１つ以上の既知の低い領域（平坦なシャワーヘッドなどの異なるシャワーヘッドを使用して実行される堆積工程に基づいて決定されうる）における膜堆積を増加させるように、サイズ、位置、及び／又は形状が決定されうる。輪郭が変化する鋭利な移行点を有するように示されているが、いくつかの実施形態では、移行点は丸みを帯びうる及び／又は他の輪郭を有しうることが理解されよう。このような輪郭形成は、チャンバ２００内の流れの均一性の問題防止に役立つ可能性がある。図２Ｄは、チャンバ２００内で使用されうるシャワーヘッド２５５ｄを示す。例えば、シャワーヘッド２５５ｄは、溝及びリッジを含むレリーフフィーチャ２７５ｄを含みうる。レリーフ構造２７５ｄの溝部分２８０は、１つ以上の既知の高い領域における膜堆積を減少させるようなサイズ、位置、及び／又は形状とされうる。その一方で、レリーフフィーチャ２７５ｄのリッジ分２８５は、１つ以上の既知の低い領域における膜堆積を増加させるようなサイズ、位置、及び／又は形状とされうる。ここでは、溝部分２８０とリッジ部分２８５とが境界を共有し、互いに接触している状態で示されているが、いくつかの実施形態では、溝部分２８０とリッジ部分２８５とは、互いに半径方向に間隔を置いて配置されてもよい。更に、溝部分２８０がリッジ部分２８５の半径方向内側にある状態で示されているが、この相対的位置関係は、様々な実施形態において逆であってもよいことが理解されよう。更に、溝部分及び／又はリッジ部分の任意の数及び／又は組み合わせが、いくつかの実施形態に含まれうることが理解されよう。

【0043】

［００４８］図３は、本技術のいくつかの実施形態による半導体処理の例示的な方法３００の工程を示す。本方法は、シャワーヘッド２５５などの本技術の実施形態によるシャワーヘッドを含みうる、上述の処理チャンバ２００を含む様々な処理チャンバにおいて実行されうる。方法３００は、本技術による方法のいくつかの実施形態に特に関連する場合もあれば、関連しない場合もある、多数のオプションの工程を含みうる。

【0044】

［００４９］方法３００は、ハードマスク膜を形成するための工程又は他の堆積工程を含みうる処理方法を含みうる。方法は、方法３００を開始する前のオプションの工程を含みうる。或いは、方法は、追加の工程を含みうる。例えば、方法３００は、図示されるのとは異なる順序で実行される工程を含みうる。いくつかの実施形態では、方法３００は、工程３０５において、１つ以上の前駆体を処理チャンバに流入させることを含みうる。例えば、前駆体がチャンバ２００などのチャンバに流入され、前駆体をチャンバの処理領域内に供給する前に、前駆体をガスボックス、遮蔽板、又はシャワーヘッドのうちの１つ以上を通して流しうる。

【0045】

［００５０］いくつかの実施形態では、シャワーヘッドは、溝及び／又はリッジのような１つ以上の環状レリーフフィーチャを画定しうる。レリーフフィーチャは、シャワーヘッドの離散的な位置で、シャワーヘッドと基板支持体内に配置されたＲＦメッシュとの間に形成される電極間の間隙のサイズを変更しうる。この間隙サイズの変化は、レリーフフィーチャの位置における基板への堆積速度の変化を引き起こす可能性がある。工程３１０では、プラズマを生成するためにシャワーヘッドにＲＦ電力を供給することなどにより、処理領域内で前駆体からプラズマが生成されうる。プラズマ中で形成された材料は、工程３１５で基板上に堆積されうる。いくつかの実施形態では、堆積された材料は、基板のエッジにおける厚さが基板の中心領域内の厚さとほぼ同じであることを特徴としうる。例えば、堆積された材料は、基板のエッジに近接する厚さが１５００Ａ未満のターゲット均一性を有することを特徴とする。

【0046】

［００５１］更に、基板のエッジにおける厚さは、基板の半径に沿った中間又は中心領域に近接する厚さよりも小さい若しくは約９％大きくてもよく、また小さい若しくは約８％大きくてもよく、小さい若しくは約７％大きくてもよく、小さい若しくは約６％大きくてもよく、小さい若しくは約５％大きくてもよく、小さい若しくは約４％大きくてもよく、小さいか若しくは約３％大きくてもよく、小さい若しくは約２％大きくてもよく、小さい若しくは約１％大きくてもよく、又は基板に沿った位置にわたって実質的に類似又は均一であってもよい。既知の膜の厚さの高い領域と低い領域に対応する１つ以上のレリーフフィーチャを有するシャワーヘッドを利用することで、均一性を向上させうる。

【0047】

［００５２］上記の記載では、説明を目的として、本技術の様々な実施形態の理解を促すために、数々の詳細が提示されてきた。しかしながら、特定の実施形態は、これらの詳細のいくつかがなくても或いは追加の詳細があっても実施されうることが、当業者には明らかだろう。

【0048】

［００５３］いくつかの実施形態を開示してきたが、当業者には、実施形態の精神から逸脱することなく、様々な修正例、代替構造物、及び均等物を使用できることが認識されよう。更に、本技術を不必要に不明瞭にすることを避けるために、多くの周知のプロセス及び要素については記載していない。従って、上記の説明は、本技術の範囲を限定するものと見なされるべきではない。

【0049】

［００５４］値の範囲が提供されている場合、文脈上そうでないと明示されていない限り、当然ながら、その範囲の上限値と下限値との間の各介在値は、下限値の最も小さい単位まで具体的に開示されている。記載された範囲の任意の記載値又は記載されていない介在値の間の任意の小さい範囲、そしてその記載範囲のその他の任意の記載された値又は介在する値も含まれる。これら小さい範囲の上限及び下限は、その範囲に個々に含まれ、又はその範囲から除外される場合があり、小さい範囲に限界値のいずれかが含まれる、どちらも含まれない、又は両方が含まれる各範囲もまた、記載された範囲における明確に除外される任意の限界値を条件として、この技術範囲に包含される。記載された範囲に限界値の一方又は両方が含まれる場合、これらの含有限界値のいずれか又は両方を除外する範囲も含まれる。

【0050】

［００５５］本明細書及び特許請求の範囲で使用される単数形「ａ」、「ａｎ」、及び「ｔｈｅ」は、文脈が他のことを明らかに示していない限り、複数の参照対象を含む。したがって、例えば、「あるヒータ（ａ ｈｅａｔｅｒ）」への言及は、複数のこのようなヒータを含み、「その突出部（ｔｈｅ ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）」への言及は、当業者に知られている１つ以上の突出部及びその均等物などへの言及を含む。

【0051】

［００５６］また、「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｅ（ｓ））」、「備えている（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含有する（ｃｏｎｔａｉｎ（ｓ））」、「含有している（ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅ（ｓ））」、及び「含んでいる（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」という用語は、本明細書及び特許請求の範囲で使用された場合、記載された特徴、整数、構成要素、又はステップの存在を特定することを意図しているが、１つ以上のその他の特徴、整数、構成要素、工程、動作、又はグループの存在又は追加を除外するものではない。

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図2D】

【図3】

【国際調査報告】