特表 2024-528264 最先端の基板パターニングにおけるエッチング抵抗の低減

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-07-26

(54)【発明の名称】最先端の基板パターニングにおけるエッチング抵抗の低減

(51)【国際特許分類】

   H10K 59/122 20230101AFI20240719BHJP

   H10K 50/844 20230101ALI20240719BHJP

   H10K 59/35 20230101ALI20240719BHJP

   H10K 71/16 20230101ALI20240719BHJP

【ＦＩ】

H10K59/122

H10K50/844

H10K59/35

H10K71/16 164

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024506944

(86)(22)【出願日】2022-08-04

(85)【翻訳文提出日】2024-04-02

(86)【国際出願番号】 US2022039443

(87)【国際公開番号】W WO2023014897

(87)【国際公開日】2023-02-09

(31)【優先権主張番号】63/229,266

(32)【優先日】2021-08-04

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】チェン， チャン－チア

(72)【発明者】

【氏名】チョン， チヨン

(72)【発明者】

【氏名】ハース， ディーター

(72)【発明者】

【氏名】リン， ユイ－シン

(72)【発明者】

【氏名】リー， ジョンミン

(72)【発明者】

【氏名】ウー， ウェン－ハオ

(72)【発明者】

【氏名】キム， シギョン

【テーマコード（参考）】

3K107

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC23

3K107CC45

3K107DD89

3K107DD94

3K107DD95

3K107EE48

3K107FF15

3K107GG04

(57)【要約】

本書に記載の実施形態は、デバイスであって、基板と、基板の上に配置されてデバイスのサブピクセルを画定するピクセル画定層（ＰＤＬ）構造と、複数のオーバーハング構造と、を備えるデバイスに関する。各オーバーハング構造は、本体構造を越えて横方向に延在する上部構造によって画定される。各本体構造は、各ＰＤＬ構造の上面の上に配置される。オーバーハング構造は、第１サブピクセル及び第２サブピクセルを含む複数のサブピクセルを画定する。各サブピクセルは、アノードと、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料と、カソードと、封入層とを含む。ＯＬＥＤ材料は、第１アノードの上に配置され、オーバーハング構造の下に延在する。カソードは、ＯＬＥＤ材料の上、及びオーバーハング構造の下に配置される。封入層は第１カソードの上に配置される。第１封入層は第１の厚さを有し、第２封入層は、第１封入層と異なる第２の厚さを有する。
【選択図】図１Ａ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

デバイスであって、
基板と、
前記基板の上に配置されて前記デバイスのサブピクセルを画定するピクセル画定層（ＰＤＬ）構造と、
複数のオーバーハング構造と、を備え、各オーバーハング構造が、本体構造を越えて横方向に延在する上部構造の上部延在部によって画定され、各本体構造は、各ＰＤＬ構造の上面の上に配置され、前記複数のオーバーハング構造のうちの隣接したオーバーハング構造が、第１サブピクセル及び第２サブピクセルを含む複数のサブピクセルを画定し、
前記第１サブピクセルが、
第１アノードと、
前記第１アノードの上に、前記第１アノードと接触して、及び前記隣接したオーバーハング構造の下に配置された、第１有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料と、
前記第１ＯＬＥＤ材料の上、及び前記隣接したオーバーハング構造の下に配置された、第１カソードと、
前記第１カソードの上に配置され、前記隣接したオーバーハング構造の下に延在して、前記隣接したオーバーハング構造の側壁の一部分と接触する第１封入層であって、第１の厚さを有する第１封入層と、を備え、
前記第２サブピクセルが、
第２アノードと、
前記第２アノードの上に、前記第２アノードと接触して、及び前記隣接したオーバーハング構造の下に配置された、第２有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料と、
前記第２ＯＬＥＤ材料の上、及び前記隣接したオーバーハング構造の下に配置された、第２カソードと、
前記第２カソードの上に配置され、前記隣接したオーバーハング構造の下に延在して、前記隣接したオーバーハング構造の側壁の一部分と接触する第２封入層であって、前記第１の厚さと異なる第２の厚さを有する第２封入層と、を備える、
デバイス。

【請求項2】

前記第２サブピクセルの前記第２封入層が、前記隣接したオーバーハング構造の下に延在して、前記本体構造の側壁の一部分及び前記上部構造の底面と接触する、請求項１に記載のデバイス。

【請求項3】

第３サブピクセルを更に備え、前記第３サブピクセルが、
第３アノードと、
前記第３アノードの上に、前記第３アノードと接触して、及び前記隣接したオーバーハング構造の下に配置された、第３有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料と、
前記第３ＯＬＥＤ材料の上、及び前記隣接したオーバーハング構造の下に配置された、第３カソードと、
前記第３カソードの上に配置され、前記隣接したオーバーハング構造の下に延在して、前記オーバーハング構造の側壁の一部分と接触する第３封入層であって、前記第１の厚さ及び前記第２の厚さと異なる第３の厚さを有する第３封入層と、を備える、請求項１に記載のデバイス。

【請求項4】

前記第３サブピクセルの前記第３封入層が、前記隣接したオーバーハング構造の下に延在して、前記本体構造の側壁の一部分、前記上部構造の底面、前記上部構造の側壁、及び前記上部構造の上面と接触する、請求項３に記載のデバイス。

【請求項5】

前記第１封入層、前記第２封入層、及び前記第３封入層が、窒化ケイ素材料、酸窒化ケイ素材料、酸化ケイ素材料、又はこれらの組み合わせを含む、請求項３に記載のデバイス。

【請求項6】

前記第１封入層が、前記第２封入層又は前記第３封入層の少なくとも一方と異なる材料を含む、請求項３に記載のデバイス。

【請求項7】

前記本体構造が、無機材料又は金属含有材料を含む、請求項１に記載のデバイス。

【請求項8】

前記第１封入層、前記第２封入層、及び前記第３封入層が、シリコン含有材料の少なくとも２つの層を含み、前記第１封入層、前記第２封入層、及び前記第３封入層のうちの少なくとも１つの前記シリコン含有材料の少なくとも２つの層が、互いと異なる、請求項３に記載のデバイス。

【請求項9】

前記第１ＯＬＥＤ材料は、前記ＰＤＬ構造と接触するように、前記第１アノードの上に、前記第１アノードと接触して、及び前記オーバーハング構造の下に配置され、前記第２ＯＬＥＤ材料は、前記ＰＤＬ構造と接触するように、前記第２アノードの上に、前記第２アノードと接触して、及び前記オーバーハング構造の下に配置される、請求項１に記載のデバイス。

【請求項10】

デバイスであって、
基板と、
前記基板の上に配置されて前記デバイスのサブピクセルを画定するピクセル画定層（ＰＤＬ）構造と、
複数のオーバーハング構造と、を備え、各オーバーハング構造が、本体構造を越えて横方向に延在してオーバーハングを形成する上部構造の上部延在部によって画定され、各本体構造は、各ＰＤＬ構造の上面の上に配置され、前記複数のオーバーハング構造のうちの隣接したオーバーハング構造が、第１サブピクセル及び第２サブピクセルを含む複数のサブピクセルを画定し、
前記第１サブピクセルが、
第１アノードと、
前記第１アノードの上に、前記第１アノードと接触して、及び前記隣接したオーバーハング構造の下に配置された、第１有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料と、
前記第１ＯＬＥＤ材料の上、及び前記隣接したオーバーハング構造の下に配置された、第１カソードと、
前記第１カソードの上に配置され、前記隣接したオーバーハング構造の下に延在して、前記オーバーハング構造の側壁の一部分と接触する第１封入層であって、前記オーバーハングの全領域内にあり、かつ第１の厚さを有する第１封入層と、を備え、
前記第２サブピクセルが、
第２アノードと、
前記第２アノードの上に、前記第２アノードと接触して、及び前記隣接したオーバーハング構造の下に配置された、第２有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料と、
前記第２ＯＬＥＤ材料の上、及び前記隣接したオーバーハング構造の下に配置された、第２カソードと、
前記第２カソードの上に配置され、前記隣接したオーバーハング構造の下に延在して、前記隣接したオーバーハング構造の側壁の一部分と接触する第２封入層であって、前記第１の厚さと異なる第２の厚さを有する第２封入層と、を備える、
デバイス。

【請求項11】

前記オーバーハングにおいて、
間隙が、前記オーバーハングにおける、前記上部構造の底面の表面上の第２封入層と、前記第２カソードの上の前記第２封入層との間に存在するか、又は、
前記間隙が、前記オーバーハングにおける、前記上部構造の下側エッジと、前記第２カソードの上の前記第２封入層との間に存在する、請求項１０に記載のデバイス。

【請求項12】

第３サブピクセルを更に備え、前記第３サブピクセルが、
第３アノードと、
前記第３アノードの上に、前記第３アノードと接触して、及び前記隣接したオーバーハング構造の下に配置された、第３有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料と、
前記第３ＯＬＥＤ材料の上、及び前記隣接したオーバーハング構造の下に配置されて、前記オーバーハング構造の一部分と接触する、第３カソードと、
前記第３カソードの上に配置され、前記隣接したオーバーハング構造の下に延在して、前記オーバーハング構造の側壁の一部分と接触する第３封入層であって、前記第１の厚さ及び前記第２の厚さと異なる第３の厚さを有する第３封入層と、を備える、請求項１１に記載のデバイス。

【請求項13】

前記第１封入層、前記第２封入層、及び前記第３封入層が、窒化ケイ素材料、酸窒化ケイ素材料、酸化ケイ素材料、又はこれらの組み合わせを含む、請求項１２に記載のデバイス。

【請求項14】

前記本体構造が、無機材料又は金属含有材料を含む、請求項１０に記載のデバイス。

【請求項15】

前記上部構造が、非導電性材料、無機材料、又は金属含有材料を含む、請求項１０に記載のデバイス。

【請求項16】

前記第１カソードが、前記第１ＯＬＥＤ材料の終点を越えて延在して前記ＰＤＬ構造と接触し、前記第２カソードが、前記第２ＯＬＥＤ材料の終点を越えて延在して前記ＰＤＬ構造と接触する、請求項１０に記載のデバイス。

【請求項17】

前記第１ＯＬＥＤ材料は、前記ＰＤＬ構造と接触するように、前記第１アノードの上に、前記第１アノードと接触して、及び前記オーバーハング構造の下に配置され、前記第２ＯＬＥＤ材料は、前記ＰＤＬ構造と接触するように、前記第２アノードの上に、前記第２アノードと接触して、及び前記オーバーハング構造の下に配置される、請求項１０に記載のデバイス。

【請求項18】

デバイスであって、
基板と、
前記基板の上に配置されて、前記デバイスのサブピクセルを画定するピクセル画定層（ＰＤＬ）構造と、
複数のオーバーハング構造と、を備え、各オーバーハング構造が、本体構造を越えて横方向に延在してオーバーハングを形成する上部構造の上部延在部によって画定され、各本体構造は、各ＰＤＬ構造の上面の上に配置され、前記複数のオーバーハング構造のうちの隣接したオーバーハング構造が、第１サブピクセル、第２サブピクセル、及び第３サブピクセルを含む複数のサブピクセルを画定し、
前記第１サブピクセルが、
第１アノードと、
前記第１アノードの上に、前記第１アノードと接触して、及び前記隣接したオーバーハング構造の下に配置された、第１有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料と、
前記第１ＯＬＥＤ材料の上に配置され、前記隣接したオーバーハング構造の下に延在して、前記オーバーハング構造の一部分と接触する、第１カソードと、
前記第１カソードの上に配置され、前記隣接したオーバーハング構造の下に延在して、前記オーバーハング構造の側壁の一部分と接触する第１封入層であって、第１の厚さを有する第１封入層と、を備え、
前記第２サブピクセルが、
第２アノードと、
前記第２アノードの上に、前記第２アノードと接触して、及び前記隣接したオーバーハング構造の下に配置された、第２有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料と、
前記第２ＯＬＥＤ材料の上に配置され、前記隣接したオーバーハング構造の下に延在して、前記オーバーハング構造の一部分と接触する、第２カソードと、
前記第２カソードの上に配置され、前記隣接したオーバーハング構造の下に延在して、前記オーバーハング構造の側壁の一部分と接触する第２封入層であって、前記第１の厚さと異なる第２の厚さを有する第２封入層と、を備え、
前記第３サブピクセルが、
第３アノードと、
前記第３アノードの上に、前記第３アノードと接触して、及び前記隣接したオーバーハング構造の下に配置された、第３有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料と、
前記第３ＯＬＥＤ材料の上に配置され、前記隣接したオーバーハング構造の下に延在して、本体構造の一部分と接触する、第３カソードと、
前記第３カソードの上に配置され、前記隣接したオーバーハング構造の下に延在して、前記オーバーハング構造の側壁の一部分と接触する第３封入層であって、前記第１の厚さ及び前記第２の厚さと異なる第３の厚さを有する第３封入層と、を備える、
デバイス。

【請求項19】

前記第１封入層の前記第１の厚さは、前記第２封入層の前記第２の厚さ及び前記第３封入層の前記第３の厚さよりも厚く、前記第２封入層の前記第２の厚さは、前記第３封入層の前記第３の厚さよりも厚い、請求項１８に記載のデバイス。

【請求項20】

前記第１封入層の前記第１の厚さは、前記第２封入層の前記第２の厚さ及び前記第３封入層の前記第３の厚さよりも薄く、前記第２封入層の前記第２の厚さは、前記第３封入層の前記第３の厚さよりも薄い、請求項１８に記載のデバイス。

【請求項21】

前記第１封入層、前記第２封入層、及び前記第３封入層が、窒化ケイ素材料、酸窒化ケイ素材料、酸化ケイ素材料、又はこれらの組み合わせを含む、請求項１８に記載のデバイス。

【請求項22】

前記第１封入層は第１の屈折率を有し、前記第２封入層は、前記第１の屈折率と異なる第２の屈折率を有し、前記第３封入層は、前記第１の屈折率及び前記第２の屈折率と異なる第３の屈折率を有する、請求項１８に記載のデバイス。

【請求項23】

前記本体構造が、無機材料又は金属含有材料を含む、請求項１８に記載のデバイス。

【請求項24】

前記第１カソードは、前記第１ＯＬＥＤ材料の終点を越えて延在して前記ＰＤＬ構造と接触し、前記第２カソードは、前記第２ＯＬＥＤ材料の終点を越えて延在して前記ＰＤＬ構造と接触する、請求項１８に記載のデバイス。

【請求項25】

前記第１ＯＬＥＤ材料は、前記ＰＤＬ構造と接触するように、前記第１アノードの上に、前記第１アノードと接触して、及び前記隣接したオーバーハング構造の下に配置され、前記第２ＯＬＥＤ材料は、前記ＰＤＬ構造と接触するように、前記第２アノードの上に、前記第２アノードと接触して、及び前記オーバーハング構造の下に配置される、請求項１８に記載のデバイス。

【請求項26】

デバイスであって、
基板と、
前記基板の上に配置されて前記デバイスのサブピクセルを画定するピクセル画定層（ＰＤＬ）構造と、
複数のオーバーハング構造と、を備え、各オーバーハング構造が、本体構造を越えて横方向に延在する上部構造の上部延在部によって画定され、各本体構造は、各ＰＤＬ構造の上面の上に配置され、前記複数のオーバーハング構造のうちの隣接したオーバーハング構造が、第１サブピクセル及び第２サブピクセルを含む複数のサブピクセルを画定し、
前記第１サブピクセルが、
第１アノードと、
前記第１アノードの上に、前記第１アノードと接触して、及び前記隣接したオーバーハング構造の下に配置された、第１有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料と、
前記第１ＯＬＥＤ材料の上、及び前記隣接したオーバーハング構造の下に配置された、第１カソードと、
前記第１カソードの上に配置され、前記隣接したオーバーハング構造の下に延在して、前記隣接したオーバーハング構造の側壁の一部分と接触する第１封入層であって、シリコン含有材料の少なくとも２つの層を含む第１封入層と、を備え、
前記第２サブピクセルが、
第２アノードと、
前記第２アノードの上に、前記第２アノードと接触して、及び前記隣接したオーバーハング構造の下に配置された、第２有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料と、
前記第２ＯＬＥＤ材料の上、及び前記隣接したオーバーハング構造の下に配置された、第２カソードと、
前記第２カソードの上に配置され、前記隣接したオーバーハング構造の下に延在して、前記隣接したオーバーハング構造の側壁の一部分と接触する第２封入層であって、前記第１封入層と異なる組成で前記シリコン含有材料を含む第２封入層と、を備える、
デバイス。

【請求項27】

第３サブピクセルを更に備え、前記第３サブピクセルが、
第３アノードと、
前記第３アノードの上に、前記第３アノードと接触して、及び前記隣接したオーバーハング構造の下に配置された、第３有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料と、
前記第３ＯＬＥＤ材料の上、及び前記隣接したオーバーハング構造の下に配置され、前記オーバーハング構造の一部分と接触するよう延在する、第３カソードと、
前記第３カソードの上に配置され、前記隣接したオーバーハング構造の下に延在して、前記オーバーハング構造の側壁の一部分と接触する第３封入層であって、第１の厚さ及び２の厚さと異なる第３の厚さを有する第３封入層と、を備える、請求項２６に記載のデバイス。

【請求項28】

前記第１封入層の前記第１の厚さは、前記第２封入層の前記第２の厚さ及び前記第３封入層の前記第３の厚さよりも厚く、前記第２封入層の前記第２の厚さは、前記第３封入層の前記第３の厚さよりも厚い、請求項２７に記載のデバイス。

【請求項29】

前記第１封入層の前記第１の厚さは、前記第２封入層の前記第２の厚さ及び前記第３封入層の前記第３の厚さよりも薄く、前記第２封入層の前記第２の厚さは、前記第３封入層の前記第３の厚さよりも薄い、請求項２８に記載のデバイス。

【請求項30】

前記第１封入層が、本体構造を越えて横方向に延在する上部構造の上部延在部によって画定されたオーバーハングの全領域内にある、請求項２６に記載のデバイス。

【発明の詳細な説明】

【背景技術】

【0001】

技術分野
［０００１］本書に記載の実施形態は、概してディスプレイに関する。より具体的には、本書に記載の実施形態は、ディスプレイ（有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイなど）に利用されうるサブピクセル回路及びかかるサブピクセル回路を形成する方法に関する。

【0002】

関連技術の説明
［０００２］ディスプレイデバイスを含む入力デバイスは、多種多様な電子システムにおいて使用されうる。有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、発光性エレクトロルミネッセンス層が電流に反応して光を放出する有機化合物の膜である、発光ダイオード（ＬＥＤ）である。ＯＬＥＤデバイスは、放出された光が透過性又は半透過性の底部電極及び基板（その上にパネルが製造されている）を通過する場合には、ボトムエミッションデバイスに分類される。トップエミッションデバイスは、ＯＬＥＤデバイスから放出された光が、このデバイスの製造後に追加されるリッドを通って出るか否かに基づいて分類される。現今、ＯＬＥＤは、多くの電子機器において、ディスプレイデバイスを作り出すために使用されている。現今の電子機器製造者は、ほんの数年前と比較しても、より高い解像度を実現しつつ、かかるディスプレイデバイスの小型化を推進している。

【0003】

［０００３］現在、ＯＬＥＤピクセルパターニングは、パネルサイズ、ピクセル解像度、及び基板サイズを制限するプロセスに基づくものである。ピクセルをパターニングするには、微細なメタルマスクを利用するのではなく、フォトリソグラフィが使用されるべきである。現在のところ、ＯＬＥＤピクセルパターニングでは、パターニングプロセスの後に有機材料を取り除くことが必要である。この有機材料は、取り除かれた後にも、ＯＬＥＤの性能を阻害する粒子問題を残す。したがって、当該技術分野において必要とされているのは、ディスプレイ（有機ＯＬＥＤディスプレイなど）に利用されうるサブピクセル回路及びサブピクセル回路を形成する方法である。

【発明の概要】

【0004】

［０００４］一実施形態では、デバイスが提供される。このデバイスは、基板と、基板の上に配置されてデバイスのサブピクセルを画定するピクセル画定層（ＰＤＬ）構造と、複数のオーバーハング構造とを含む。各オーバーハング構造は、本体構造を越えて横方向に延在する上部構造の上部延在部によって画定される。各本体構造は、各ＰＤＬ構造の上面の上に配置される。オーバーハング構造は、第１サブピクセル及び第２サブピクセルを含む複数のサブピクセルを画定する。第１サブピクセルは、第１アノードと、第１有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料と、第１カソードと、第１封入層とを含む。第１ＯＬＥＤ材料は、第１アノードの上に、第１アノードと接触して、及び隣接したオーバーハング構造の下に、配置される。第１カソードは、第１ＯＬＥＤ材料の上、及び隣接したオーバーハング構造の下に配置される。第１封入層は、第１カソードの上に配置され、隣接したオーバーハング構造の下に延在して、隣接したオーバーハング構造の側壁の一部分と接触する。第１封入層は第１の厚さを有する。第２サブピクセルは、第２アノードと、第２ＯＬＥＤ材料と、第２カソードと、第２封入層とを含む。第２有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料は、第２アノードの上に、第２アノードと接触して、及びオーバーハング構造の下に、配置される。第２カソードは、第２ＯＬＥＤ材料の上、及び隣接したオーバーハング構造の下に配置される。第２封入層は、第２カソードの上に配置され、隣接したオーバーハング構造の下に延在して、隣接したオーバーハング構造の側壁の一部分と接触する。第２封入層は、第１の厚さと異なる第２の厚さを有する。

【0005】

［０００５］別の実施形態では、デバイスが提供される。このデバイスは、基板と、基板の上に配置されてデバイスのサブピクセルを画定するピクセル画定層（ＰＤＬ）構造と、複数のオーバーハング構造とを含む。各オーバーハング構造は、本体構造を越えて横方向に延在してオーバーハングを形成する、上部構造の上部延在部によって画定される。各本体構造は、各ＰＤＬ構造の上面の上に配置される。複数のオーバーハング構造のうちの隣接したオーバーハング構造が、第１サブピクセル及び第２サブピクセルを含む複数のサブピクセルを画定する。第１サブピクセルは、第１アノードと、第１有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料と、第１カソードと、第１封入層とを含む。第１ＯＬＥＤ材料は、第１アノードの上に、第１アノードと接触して、及び隣接したオーバーハング構造の下に、配置される。第１カソードは、第１ＯＬＥＤ材料の上、及び隣接したオーバーハング構造の下に配置される。第１封入層は、第１カソードの上に配置され、隣接したオーバーハング構造の下に延在して、オーバーハング構造の側壁の一部分と接触する。第１封入層は、オーバーハングの全領域内にあり、第１の厚さを有する。第２サブピクセルは、第２アノードと、第２ＯＬＥＤ材料と、第２カソードと、第２封入層とを含む。第２ＯＬＥＤ材料は、第２アノードの上に、第２アノードと接触して、及び隣接したオーバーハング構造の下に、配置される。第２カソードは、第２ＯＬＥＤ材料の上、及び隣接したオーバーハング構造の下に配置される。第２封入層は、第２カソードの上に配置され、隣接したオーバーハング構造の下に延在して、隣接したオーバーハング構造の側壁の一部分と接触する。第２封入層は、第１の厚さと異なる第２の厚さを有する。

【0006】

［０００６］更に別の実施形態では、デバイスが提供される。このデバイスは、基板と、基板の上に配置されてデバイスのサブピクセルを画定するピクセル画定層（ＰＤＬ）構造と、複数のオーバーハング構造とを含む。各オーバーハング構造は、本体構造を越えて横方向に延在してオーバーハングを形成する、上部構造の上部延在部によって画定される。各本体構造は、各ＰＤＬ構造の上面の上に配置される。複数のオーバーハング構造のうちの隣接したオーバーハング構造が、第１サブピクセルと、第２サブピクセルと、第３サブピクセルとを含む複数のサブピクセルを画定する。第１サブピクセルは、第１アノードと、第１有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料と、第１カソードと、第１封入層とを含む。第１ＯＬＥＤ材料は、第１アノードの上に、第１アノードと接触して、及び隣接したオーバーハング構造の下に、配置される。第１カソードは、第１ＯＬＥＤ材料の上に配置され、隣接したオーバーハング構造の下に延在して、オーバーハング構造の一部分と接触する。第１封入層は、第１カソードの上に配置され、隣接したオーバーハング構造の下に延在して、オーバーハング構造の側壁の一部分と接触する。この封入層は第１の厚さを有する。第２サブピクセルは、第２アノードと、第２ＯＬＥＤ材料と、第２カソードと、第２封入層とを含む。第２ＯＬＥＤ材料は、第２アノードの上に、第２アノードと接触して、及び隣接したオーバーハング構造の下に、配置される。第２カソードは、第２ＯＬＥＤ材料の上に配置され、隣接したオーバーハング構造の下に延在して、オーバーハング構造の一部分と接触する。第２封入層は、第２カソードの上に配置され、隣接したオーバーハング構造の下に延在して、オーバーハング構造の側壁の一部分と接触する。第２封入層は、第１の厚さと異なる第２の厚さを有する。第３サブピクセルは、第３アノードと、第３ＯＬＥＤ材料と、第３カソードと、第３封入層とを含む。第３ＯＬＥＤ材料は、第３アノードの上に、第３アノードと接触して、及び隣接したオーバーハング構造の下に、配置される。第３カソードは、第３ＯＬＥＤ材料の上に配置され、隣接したオーバーハング構造の下に延在して、本体構造の一部分と接触する。第３封入層は、第３カソードの上に配置され、隣接したオーバーハング構造の下に延在して、オーバーハング構造の側壁の一部分と接触する。この封入層は、第１の厚さ及び第２の厚さと異なる第３の厚さを有する。

【0007】

［０００７］更に別の実施形態では、デバイスが提供される。このデバイスは、基板と、基板の上に配置されてデバイスのサブピクセルを画定するピクセル画定層（ＰＤＬ）構造と、複数のオーバーハング構造とを含む。各オーバーハング構造は、本体構造を越えて横方向に延在する上部構造の上部延在部によって画定される。各本体構造は、各ＰＤＬ構造の上面の上に配置される。複数のオーバーハング構造のうちの隣接したオーバーハング構造が、第１サブピクセル及び第２サブピクセルを含む複数のサブピクセルを画定する。第１サブピクセルは、第１アノードと、第１有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料と、第１カソードと、第１封入層とを含む。第１ＯＬＥＤ材料は、第１アノードの上に、第１アノードと接触して、及び隣接したオーバーハング構造の下に、配置される。第１カソードは、第１ＯＬＥＤ材料の上、及び隣接したオーバーハング構造の下に配置される。第１封入層は、第１カソードの上に配置され、隣接したオーバーハング構造の下に延在して、隣接したオーバーハング構造の側壁の一部分と接触する。第１封入層は、シリコン含有材料の少なくとも２つの層を含む。第２サブピクセルは、第２アノードと、第２ＯＬＥＤ材料と、第２カソードと、第２封入層とを含む。第２ＯＬＥＤ材料は、第２アノードの上に、第２アノードと接触して、及び隣接したオーバーハング構造の下に、配置される。第２カソードは、第２ＯＬＥＤ材料の上、及び隣接したオーバーハング構造の下に配置される。第２封入層は、第２カソードの上に配置され、隣接したオーバーハング構造の下に延在して、隣接したオーバーハング構造の側壁の一部分と接触する。第２封入層は、第１封入層と異なる組成で、シリコン含有材料を含む。

【0008】

［０００８］本開示の上述の特徴が詳しく理解されうるように、上記では簡単に要約した本開示のより詳細な説明が、実施形態を参照することによって得られる。一部の実施形態は、付随する図面に示されている。しかし、付随する図面は、例示的な実施形態のみを示すものであり、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではなく、その他の等しく有効な実施形態をも許容しうることに、留意されたい。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1A】実施形態によるサブピクセル回路の概略断面図である。

【図1B】実施形態によるサブピクセル回路の概略断面図である。

【図1C】実施形態による、ドット型アーキテクチャを有するサブピクセル回路の概略上面断面図である。

【図1D】実施形態による、ライン型アーキテクチャを有するサブピクセル回路の概略断面図である。

【図2A】実施形態による、サブピクセル回路のオーバーハング構造の概略断面図である。

【図2B】実施形態による、サブピクセル回路のオーバーハング構造の概略断面図である。

【図3】実施形態による、サブピクセル回路を形成するためのオンデマンドな方法のフロー図である。

【図4A】実施形態による、サブピクセル回路を形成するための方法における基板の概略断面図である。

【図4B】実施形態による、サブピクセル回路を形成するための方法における基板の概略断面図である。

【図4C】実施形態による、サブピクセル回路を形成するための方法における基板の概略断面図である。

【図4D】実施形態による、サブピクセル回路を形成するための方法における基板の概略断面図である。

【図4E】実施形態による、サブピクセル回路を形成するための方法における基板の概略断面図である。

【図4F】実施形態による、サブピクセル回路を形成するための方法における基板の概略断面図である。

【図4G】実施形態による、サブピクセル回路を形成するための方法における基板の概略断面図である。

【図4H】実施形態による、サブピクセル回路を形成するための方法における基板の概略断面図である。

【図4I】実施形態による、サブピクセル回路を形成するための方法における基板の概略断面図である。

【図4J】実施形態による、サブピクセル回路を形成するための方法における基板の概略断面図である。

【図4K】実施形態による、サブピクセル回路を形成するための方法における基板の概略断面図である。

【図5】実施形態による、サブピクセル回路を形成するためのワンステップの方法のフロー図である。

【図6A】本書に記載の実施形態による、サブピクセル回路を形成するための方法における基板の概略断面図である。

【図6B】本書に記載の実施形態による、サブピクセル回路を形成するための方法における基板の概略断面図である。

【図6C】本書に記載の実施形態による、サブピクセル回路を形成するための方法における基板の概略断面図である。

【図6D】本書に記載の実施形態による、サブピクセル回路を形成するための方法における基板の概略断面図である。

【図6E】本書に記載の実施形態による、サブピクセル回路を形成するための方法における基板の概略断面図である。

【図6F】本書に記載の実施形態による、サブピクセル回路を形成するための方法における基板の概略断面図である。

【図6G】本書に記載の実施形態による、サブピクセル回路を形成するための方法における基板の概略断面図である。

【図6H】本書に記載の実施形態による、サブピクセル回路を形成するための方法における基板の概略断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

［００１９］理解を容易にするために、複数の図に共通する同一の要素を指し示すのに、可能な場合には、同一の参照番号を使用した。１つの実施形態で開示している要素は、具体的な記述がなくとも、他の実施形態でも有益に利用されうると想定される。

【0011】

［００２０］本書に記載の実施形態は、概してディスプレイに関する。より具体的には、本書に記載の実施形態は、ディスプレイ（有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイなど）に利用されうるサブピクセル回路及びかかるサブピクセル回路を形成する方法に関する。

【0012】

［００２１］本書に記載のサブピクセル回路の実施形態の各々は、複数のサブピクセルであって、その各々が、サブピクセル回路で恒久的な隣接したオーバーハング構造によって画定される、複数のサブピクセルを含む。図には、３つのサブピクセル（各サブピクセルが隣接したオーバーハング構造によって画定されている）が描かれているが、本書に記載の実施形態のサブピクセル回路は、複数のサブピクセル（例えば３つ以上のサブピクセル）を含む。各サブピクセルは、通電されると白色、赤色、緑色、青色、又はその他の色の光を放出するよう構成された、ＯＬＥＤ材料を有する。例えば、第１サブピクセルのＯＬＥＤ材料は通電されると赤色光を放出し、第２サブピクセルのＯＬＥＤ材料は通電されると緑色光を放出し、第３サブピクセルのＯＬＥＤ材料は通電されると青色光を放出する。

【0013】

［００２２］オーバーハング構造は、サブピクセル回路で恒久的であり、少なくとも、本体構造の上に配置された上部構造を含む。ディスプレイのサブピクセル回路の各サブピクセルを画定する、隣接したオーバーハング構造は、蒸着を使用してサブピクセル回路を形成し、サブピクセル回路が形成された後にもオーバーハング構造を定位置に保ちために用いられる。ＯＬＥＤ材料（正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、及び電子輸送層（ＥＴＬ）を含む））並びにカソードの堆積に、蒸着が利用される。一実施形態では、ＨＩＬ層はＨＴＬ層を上回る導電性を有する。別の実施形態では、ＨＩＬ層はＨＴＬ層よりも高いエネルギーレベルを有する。一部の事例では、封入層は蒸着によって配置されうる。一又は複数のキャッピング層を含む実施形態では、キャッピング層がカソードと封入層との間に配置される。オーバーハング構造と、蒸発源によって設定される蒸発角度とが、堆積角度を画定する。すなわち、オーバーハング構造は、蒸発源によって設定された蒸発角度を伴う蒸着中のシャドーイング効果を得るためのものである。ある特定の角度で堆積を行うために、蒸発源は、オーバーハング構造に対してある特定の角度で堆積材料を放出するよう構成される。サブピクセルそれぞれの封入層は、隣接した各オーバーハング構造の各々の少なくとも一部分の下に封入層が延在するように、カソードの上に配置される。各サブピクセルの封入層は、隣接した各オーバーハング構造の各々の側壁の少なくとも一部分と接触する。封入層は、厚さ、組成、及び堆積方法が、そのサブピクセル上に堆積されたＯＬＥＤ材料に応じて変更されうる。

【0014】

［００２３］図１Ａは、構成１０１Ａを有するサブピクセル回路１００の概略断面図である。図１Ａの断面図は、図１Ｃ及び図１Ｄの線１’’－１’’に沿った断面である。図１Ｂは、構成１０１Ｂを有するサブピクセル回路１００の概略断面図である。図１Ｂの断面図も、図１Ｃ及び図１Ｄの線１’’－１’’に沿った断面である。

【0015】

［００２４］サブピクセル回路１００は基板１０２を含む。金属含有層１０４が基板１０２上でパターニングされうる。金属含有層１０４は、基板１０２上に配置された隣接したピクセル画定層（ＰＤＬ）構造１２６によって画定される。一実施形態では、金属含有層１０４は、基板１０２上で予めパターニングされる。例えば、基板１０２が、予めパターニングされた酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）ガラス基板である。金属含有層１０４は、サブピクセルそれぞれのアノードを動作させるよう構成される。金属含有層１０４は、クロム、チタン、金、銀、銅、アルミニウム、ＩＴＯ、これらの組み合わせ、又はその他の好適な導電性材料を含むが、これらに限定されるわけではない。

【0016】

［００２５］ＰＤＬ構造１２６は基板１０２の表面上に配置される。ＰＤＬ構造１２６は、有機材料、上側に無機コーティングが配置された有機材料、又は無機材料、のうちの１つを含む。ＰＤＬ構造１２６の有機材料は、ポリイミドを含むが、これに限定されるわけではない。ＰＤＬ構造１２６の無機材料は、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、酸窒化ケイ素（Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）、又はこれらの組み合わせを含むが、これらに限定されるわけではない。隣接したＰＤＬ構造１２６が、サブピクセル回路１００のサブピクセルそれぞれを画定し、サブピクセルそれぞれのアノード（すなわち金属含有層１０４）を露出させる。

【0017】

［００２６］サブピクセル回路１００は、少なくとも第１サブピクセル１０８ａ、第２サブピクセル１０８ｂ、及び第３サブピクセル１０８ｃを含む、複数のサブピクセル１０６を有する。図には第１サブピクセル１０８ａ、第２サブピクセル１０８ｂ、及び第３サブピクセル１０８ｃが描かれているが、本書に記載の実施形態のサブピクセル回路１００は、３つ以上のサブピクセル１０６（例えば第４及び第５のサブピクセル）を含むこともある。各サブピクセル１０６は、通電されると白色、赤色、緑色、青色、又はその他の色の光を放出するよう構成された有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料１１２を有する。例えば、第１サブピクセル１０８ａのＯＬＥＤ材料１１２は通電されると赤色光を放出し、第２サブピクセル１０８ｂのＯＬＥＤ材料は通電されると緑色光を放出し、第３サブピクセル１０８ｃのＯＬＥＤ材料は通電されると青色光を放出し、第４サブピクセル及び第５サブピクセルのＯＬＥＤ材料は通電されると別の色の光を放出する。

【0018】

［００２７］オーバーハング構造１１０は、ＰＤＬ構造１２６の各々の上面１０３の表面上に配置される。オーバーハング構造１１０はサブピクセル回路で恒久的である。オーバーハング構造１１０は更に、サブピクセル回路１００の各サブピクセル１０６を画定する。オーバーハング構造１１０は、少なくとも、本体構造１１０Ａの上に配置された上部構造１１０Ｂを含む。一実施形態では、上部構造１１０Ｂは本体構造１１０Ａの表面上に配置される。本体構造１１０ＡはＰＤＬ構造１２６の上面１０３の上に配置される。一実施形態では、本体構造１１０ＡはＰＤＬ構造１２６の上面１０３の表面上に配置される。各オーバーハング構造１１０は隣接したオーバーハング１０９を含む。隣接したオーバーハング１０９は、本体構造１１０Ａの側壁１１１を越えて横方向に延在する上部構造１１０Ｂの上部延在部１０９Ａによって画定される。

【0019】

［００２８］上部構造１１０Ｂは、非導電性材料、無機材料、又は金属含有材料、のうちの１つを含む。本体構造１１０Ａは無機材料又は金属含有材料を含む。非導電性材料は、無機ケイ素含有材料を含むが、これに限定されるわけではない。例えば、ケイ素含有材料は、ケイ素の酸化物若しくは窒化物、又はこれらの組み合わせを含む。金属含有材料は、金属又は金属合金の少なくとも一方（例えば、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウムネオジム（ＡｌＮｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデンタングステン（ＭｏＷ）、銅（Ｃｕ）、又はこれらの組み合わせ）を含む。本体構造１１０Ａ及び上部構造１１０Ｂの無機材料は、チタン（Ｔｉ）、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸窒化ケイ素（Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏ）、又はこれらの組み合わせ、を含む。オーバーハング構造１１０は、定位置に保たれることが可能である（すなわち恒久的なものである）。ゆえに、オーバーハング構造が取り除かれた後にＯＬＥＤの性能を阻害する有機材料が残ることはない。取り除く作業が不要になることで、スループットも向上する。

【0020】

［００２９］一例では、上部構造１１０Ｂは非導電性無機材料を含み、本体構造１１０Ａは、導電性無機材料又は金属含有材料を含む。別の例では、上部構造１１０Ｂは、導電性無機材料又は金属含有材料を含み、本体構造１１０Ａも、導電性無機材料又は金属含有材料を含む。補助カソード２０２（図２Ｂ参照）が、本体構造１１０Ａの下に配置されることもある。

【0021】

［００３０］隣接したオーバーハング１０９は、上部構造１１０Ｂの上部延在部１０９Ａによって画定される。上部構造１１０Ｂの少なくとも底面１０７は、オーバーハング１０９の上部延在部１０９Ａ（図１Ｂ参照）を形成するよう、本体構造１１０Ａの上面１０５よりも幅広である。上部構造１１０Ｂは、本体構造１１０Ａの上面１０５の上に配置される。上部構造１１０Ｂの上部延在部１０９Ａは、オーバーハング１０９を形成し、上部構造１１０Ｂが本体構造１１０Ａをシャドーイングする（ｓｈａｄｏｗ）ことを可能にする。オーバーハング１０９のシャドーイングが、ＯＬＥＤ材料１１２とカソード１１４の各々の蒸着のために用いられる。ＯＬＥＤ材料１１２はオーバーハング１０９の下に配置される。カソード１１４はＯＬＥＤ材料１１２の上に配置され、オーバーハング１０９の下に延在する。一実施形態では、図２Ａ及び図２Ｂに示しているように、カソード１１４は本体構造１１０Ａの側壁１１１の第１部分２２０と接触する。

【0022】

［００３１］オーバーハング構造１１０と、蒸発源によって設定される蒸発角度とが、堆積角度を画定する。すなわち、オーバーハング構造１１０は、蒸発源によって設定された蒸発角度を伴う蒸着中のシャドーイング効果を得るために用いられる。オーバーハング１０９と蒸発源とが、ＯＬＥＤ材料１１２のＯＬＥＤ角度θ_ＯＬＥＤ、及びカソード１１４のカソード角度θ_{ｃａｔｈｏｄｅ}（図２Ａ及び図２Ｂ参照）を画定する。ＯＬＥＤ材料１１２のＯＬＥＤ角度θ_ＯＬＥＤ及びカソード１１４のカソード角度θ_{ｃａｔｈｏｄｅ}は、オーバーハング構造１１０及び蒸発源によって設定された蒸発角度によって生じる。すなわち、オーバーハング構造１１０は、蒸発源によって設定された蒸発角度を伴うＯＬＥＤ材料１１２及びカソード１１４の蒸着中のシャドーイング効果を得るために用いられる。一実施形態では、ＯＬＥＤ材料１１２及びカソード１１４は、オーバーハング構造１１０の本体構造１１０Ａの側壁１１１と接触する。別の実施形態では、図１Ａに示しているように、カソード１１４が、オーバーハング構造１１０の本体構造１１０Ａの側壁１１１と接触する。一実施形態では、図１Ａに示しているように、封入層１１６が、本体構造１１０Ａの側壁１１１の上に、及び上部構造１１０Ｂの底面１０７を覆うように配置される。別の実施形態では、図２Ｂに示しているように、本体構造１１０Ａは、補助カソード２０２の上に配置される。補助カソード２０２は、ＰＤＬ構造１２６の上面１０３の一部分の上に配置される。カソード１１４は、少なくとも補助カソード２０２と接触する。別の実施形態では、カソード１１４は、サブピクセル回路１００のアクティブ領域の外部で、バスバー（図示せず）と接触する。カソード１１４及び補助カソード２０２は、導電性材料（金属又は金属合金など）を含む。例えば、カソード１１４及び／又は補助カソード２０２は、クロム、チタン、アルミニウム、ＩＴＯ、又はこれらの組み合わせを含むが、これらに限定されるわけではない。一部の実施形態では、カソード１１４の材料は、本体構造１１０Ａ及び上部構造１１０Ｂの材料と異なる。

【0023】

［００３２］各サブピクセル１０６は、封入層１１６を含む。例えば、第１サブピクセル１０８ａは第１封入層１１６Ａを有し、第２サブピクセル１０８ｂは第２封入層１１６Ｂを有し、第３サブピクセル１０８ｃは第３封入層１１６Ｃを有する。封入層１１６は、局所的パッシべーション層でありうるか、又は局所的パッシべーション層に相当しうる。サブピクセルそれぞれの封入層１１６は、オーバーハング構造１１０の少なくとも一部分の下、及び隣接したオーバーハング構造１１０の各々の側壁の少なくとも一部分の上に延在するように、カソード１１４（及びＯＬＥＤ材料１１２の）上に配置される。一実施形態では、図１Ａのサブピクセル１０８ｂ及び１０８ｃに図示しているように、第２封入層１１６Ｂ及び第３封入層１１６Ｃは、カソード１１４の上に配置され、隣接したオーバーハング１０９の下に延在して、本体構造１１０Ａの側壁１１１の第２部分（図示せず）と接触する。別の実施形態では、図１Ａのサブピクセル１０８ａに示しているように、第１封入層１１６Ａが、本体構造１１０Ａの側壁１１１の上に、及び上部構造１１０Ｂの底面１０７を覆うように配置される。別の実施形態では、図１Ｂのサブピクセル１０８ａに図示しているように、第１封入層１１６Ａは、本体構造１１０Ａの側壁１１１、上部構造１１０Ｂの底面１０７、上部構造１１０Ｂの側壁１１３、及びオーバーハング構造１１０の上部構造１１０Ｂの上面１１５の一部分を覆うように配置される。封入層１１６は、本体構造１１０Ａの側壁１１１同士の間に封入層１１６の最上部エッジを画定する、上面１１９を更に含む。

【0024】

［００３３］一又は複数のキャッピング層を含む実施形態では、カソード１１４と封入層１１６との間にキャッピング層が配置される。例えば、第１キャッピング層及び第２キャッピング層が、カソード１１４と封入層１１６との間に配置される。本書に記載の実施形態の各々が、カソード１１４と封入層１１６との配置された一又は複数のキャッピング層を含みうる。第１キャッピング層は有機材料を含みうる。第２キャッピング層は、無機材料（フッ化リチウムなど）を含みうる。第１キャッピング層及び第２キャッピング層は、蒸着によって堆積されうる。別の実施形態では、サブピクセル回路１００は、少なくとも、オーバーハング構造１１０及び封入層１１６の上に配置されたグローバル（ｇｌｏｂａｌ）パッシべーション層１２０を更に含む。更に別の実施形態では、サブピクセルは、各サブピクセル１０６のオーバーハング構造１１０の上、及び、封入層１１６とグローバルパッシべーション層１２０との間に配置された、中間パッシべーション層を含む。

【0025】

［００３４］サブピクセル回路１００の構成１０１Ａ及び構成１０１Ｂは、少なくとも、オーバーハング構造１１０及び封入層１１６の上に配置されたグローバルパッシべーション層１２０を更に含む。一実施形態では、中間層１１８が、グローバルパッシべーション層１２０とオーバーハング構造１１０及び封入層１１６との間に配置されうる。中間層１１８は、インクジェット材料（アクリル材料など）を含みうる。

【0026】

［００３５］図１Ｃは、ドット型アーキテクチャ１０１Ｃを有するサブピクセル回路１００の概略上面断面図である。図１Ｄは、ライン型アーキテクチャ１０１Ｄを有するサブピクセル回路１００の概略断面図である。図１Ｃ及び図１Ｄの各上部断面図は、図１Ａ及び図１Ｂの線１’－１’に沿った断面である。ドット型アーキテクチャ１０１Ｃは、隣接したＰＤＬ構造１２６による複数のピクセル開口１２４Ａを含む。ピクセル開口１２４Ａの各々は、ドット型アーキテクチャ１０１Ｃのサブピクセル１０６の各々を画定するオーバーハング構造１１０（図１Ａ参照）によって囲まれている。ライン型アーキテクチャ１０１Ｄは、隣接したＰＤＬ構造１２６による複数のピクセル開口１２４Ｂを含む。ピクセル開口１２４Ｂの各々には、ライン型アーキテクチャ１０１Ｄのサブピクセル１０６の各々を画定するオーバーハング構造１１０（図１Ａ参照）が当接している。

【0027】

［００３６］図２Ａは、サブピクセル回路１００のオーバーハング構造１１０の概略断面図である。図２Ｂも、サブピクセル回路１００のオーバーハング構造１１０の概略断面図である。一実施形態では、オーバーハング構造１１０は、非導電性の無機材料の上部構造１１０Ｂと、導電性の無機材料の本体構造１１０Ａとを含む。別の実施形態では、オーバーハング構造１１０は、導電性の無機材料の上部構造１１０Ｂと、導電性の無機材料の本体構造１１０Ａとを含む。一実施形態では、カソード１１４が、オーバーハング構造１１０の本体構造１１０Ａと接触する。別の実施形態では、図２Ｂに示しているように、本体構造１１０Ａは、補助カソード２０２の上に配置される。カソード１１４は、少なくとも補助カソード２０２と接触する。別の実施形態では、カソード１１４は、サブピクセル回路１００のアクティブ領域の外部でバスバー（図示せず）と接触する。

【0028】

［００３７］上部構造１１０Ｂは、下側エッジ２０６とオーバーハングベクトル２０８とを含む。下側エッジ２０６は、本体構造１１０Ａの側壁１１１を越えて延在する。オーバーハングベクトル２０８は、下側エッジ２０６及びＰＤＬ構造１２６によって画定される。ＯＬＥＤ材料１１２は、金属含有層１０４の上、ＰＤＬ構造１２６の側壁１２７の上、及びＰＤＬ構造１２６の上面１０３の第１部分２１０の上に配置され、オーバーハング１０９の下にＯＬＥＤ終点２１８まで延在する。ＯＬＥＤ材料１１２は、ＯＬＥＤベクトル２１２とオーバーハングベクトル２０８との間にＯＬＥＤ角度θ_ＯＬＥＤを形成する。ＯＬＥＤベクトル２１２は、上部構造１１０Ｂの下に延在するＯＬＥＤ終点２１８、及び上部構造１１０Ｂの下側エッジ２０６によって画定される。一実施形態では、ＯＬＥＤ材料１１２は、ＨＩＬ、ＨＴＬ、ＥＭＬ、及びＥＴＬのうちの一又は複数を含みうる。

【0029】

［００３８］カソード１１４は、各サブピクセル１０６において、ＯＬＥＤ材料１１２の上、ＰＤＬ構造１２６の第１部分２１０の上、及びＰＤＬ構造１２６の上面１０３の第２部分２１１の上に配置される。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる一部の実施形態では、カソード１１４は本体構造１１０Ａの側壁１１１の第１部分２２０上に配置される。図２Ｂに示しているような、本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる別の実施形態では、カソード１１４は補助カソード２０２の一部分２２２と接触する。カソード１１４が補助カソード２０２の一部分２２２と接触している実施形態では、カソード１１４は、本体構造１１０Ａの側壁１１１の第１部分２２０とも接触する。カソード１１４は、カソードベクトル２２４とオーバーハングベクトル２０８との間にカソード角度θ_{ｃａｔｈｏｄｅ}を形成する。カソードベクトル２２４は、上部構造１１０Ｂの下に延在するカソード終点２２６、及び上部構造１１０Ｂの下側エッジ２０６によって画定される。

【0030】

［００３９］封入層１１６は、少なくとも、オーバーハング構造１１０の上部構造１１０Ｂの下、及びオーバーハング構造１１０の側壁の少なくとも一部分の上に延在するように、カソード１１４（及びＯＬＥＤ材料１１２）の上に配置される。一実施形態では、図１Ａ及び図１Ｂのサブピクセル１０８ｂ及び１０８ｃに図示しているように、第２封入層１１６Ｂ及び第３封入層１１６Ｃが、カソード１１４の上に配置され、隣接したオーバーハング１０９の下に延在して、本体構造１１０Ａの側壁１１１の第２部分（図示せず）と接触する。別の実施形態では、図２Ａに示しているように、第１封入層１１６Ａが、本体構造１１０Ａの側壁１１１の上に、及び上部構造１１０Ｂの底面１０７を覆うように配置される。別の実施形態では、図２Ｂに示しているように、第１封入層１１６Ａは、オーバーハング構造１１０の、本体構造１１０Ａの側壁１１１、上部構造１１０Ｂの底面１０７、上部構造１１０Ｂの側壁１１３、及び上部構造１１０Ｂの上面１１５の一部分と接触する。封入層１１６は、本体構造１１０Ａの側壁１１１同士の間に、封入層１１６の最上部エッジを画定する上面１１９を更に含む。

【0031】

［００４０］封入層１１６は、堆積厚さを使用して変更されうる。各封入層１１６は厚さを有する。この厚さは、封入層の底面から封入層１１６の上面までの距離である。第１封入層１１６Ａは第１の厚さｔ_１を有し、第２封入層１１６Ｂは第２の厚さｔ_２を有し、第３封入層１１６Ｃは第３の厚さｔ_３を有する。別の実施形態では、第２の厚さｔ_２は第１の厚さｔ_１及び第３の厚さｔ_３と異なり、第３の厚さｔ_３は、第１の厚さｔ_１及び第２の厚さｔ_２と異なる。一実施形態では、図１Ａに示しているように、厚さｔ_１は厚さｔ_２及び厚さｔ_３よりも厚く、厚さｔ_２は厚さｔ_３よりも厚い。別の実施形態では、図１Ｂに示しているように、厚さｔ_１は厚さｔ_２及び厚さｔ_３よりも薄く、厚さｔ_２は厚さｔ_３よりも薄い。別の実施形態では、厚さｔ_２は厚さｔ_１及び厚さｔ_３よりも厚く、厚さｔ_１は厚さｔ_３よりも厚い。別の実施形態では、厚さｔ_２は厚さｔ_１及び厚さｔ_３よりも厚く、厚さｔ_３は厚さｔ_１よりも厚い。

【0032】

［００４１］別の実施形態では、封入層１１６の厚さは、放出される光の波長が増大するにつれて厚くなる。例えば、赤色ＯＬＥＤ材料１１２を有するサブピクセル１０８ａにおける第１封入層１１６Ａの厚さｔ_１が最も厚く（～５８０ｎｍ）、緑色ＯＬＥＤ材料１１２を有する第２サブピクセル１０８ｂにおいて第２封入層１１６Ｂの厚さｔ_２は薄くなり（～５４０ｎｍ）、青色ＯＬＥＤ材料１１２を有するサブピクセル１０８ｃにおける第３封入層１１６Ｃの厚さｔ_３が最も薄くなる（～４４０ｎｍ）。別の実施形態では、封入層１１６の厚さは、放出される光の波長が増大するにつれて薄くなる。例えば、赤色ＯＬＥＤ材料１１２を有するサブピクセル１０８ａにおける第１封入層１１６Ａの厚さｔ_１が最も薄く（～５８０ｎｍ）、緑色ＯＬＥＤ材料１１２を有する第２サブピクセル１０８ｂにおいて第２封入層１１６Ｂの厚さｔ_２は厚くなり（～５４０ｎｍ）、青色ＯＬＥＤ材料１１２を有するサブピクセル１０８ｃにおいて、第３封入層１１６Ｃの厚さｔ_３が最も厚くなる（～４４０ｎｍ）。別の実施形態では、封入層１１６の厚さは、サブピクセル１０８ａ，１０８ｂ，及び１０８ｃで使用されるＯＬＥＤ光の種類にかかわらず変化しうる。各サブピクセルにおける封入層の厚さは、後続の封入層のエッチング中に堆積済みの層を保護するために変更される。厚さｔ_１，ｔ_２及びｔ_３は、約０．５μｍと約２．０μｍとの間（例えば約０．８μｍから約１．２μｍとの間）の範囲でありうる。

【0033】

［００４２］封入層１１６は、非導電性の無機材料（ケイ素含有材料など）を含む。ケイ素含有材料は、窒化ケイ素（例えばＳｉ_３Ｎ_４）材料、酸窒化ケイ素材料（例えばＳｉ_２Ｎ_２Ｏ）、酸化ケイ素材料（例えばＳｉＯ_２）、又はこれらの組み合わせを含みうる。一実施形態では、第１封入層１１６Ａは窒化ケイ素材料を含み、第２封入層１１６Ｂは酸窒化ケイ素材料を含み、第３封入層１１６Ｃは酸化ケイ素を含む。封入層１１６の厚さは、封入層１１６の材料のエッチング選択性に依拠することもある。上記のケイ素含有材料は、封入層１１６の光学特性を変えるよう、更に変更されうる。例えば、ケイ素含有材料は、屈折率を増減させるようチューニングされうる。屈折率の違いは、封入層１１６のエッチング速度にも影響を与えうる。これにより、封入層１１６の追加的なエッチング選択性の制御が可能になる。一実施形態では、第１封入層１１６Ａは第１の屈折率を有し、第２封入層１１６Ｂは第２の屈折率を有し、第３の封入層１１６Ｃは第３屈折率を有する。この実施形態では、第１の屈折率と、第２の屈折率と、第３の屈折率とは互いに異なる。

【0034】

［００４３］第１封入層１１６Ａ，第２封入層１１６Ｂ，及び第３封入層１１６Ｃのうちの少なくとも１つは、ケイ素含有材料の少なくとも２つの層を含みうる。第１封入層１１６Ａ，第２封入層１１６Ｂ，及び第３封入層１１６Ｃのうちの少なくとも１つは、ケイ素含有材料の層のうちの少なくとも１つに、他の封入層１１６の組成と異なる組成を含む。第１の例では、第１封入層Ｉ１１６Ａは、窒化ケイ素材料の上に酸窒化ケイ素材料を含む。第２封入層１１６Ｂは窒化ケイ素層の上に酸化ケイ素層を含む。第３封入層１１６Ｃは酸化ケイ素層の上に窒化ケイ素層を含む。第２の例では、第１封入層Ｉ１１６Ａは、酸窒化ケイ素層の上に酸化ケイ素層を含む。第２封入層１１６Ｂは酸窒化ケイ素層の上に窒化ケイ素層を含む。第３封入層１１６Ｃは酸化ケイ素層の上に酸窒化ケイ素層を有する。窒化ケイ素材料は、約０．８μｍから約１．２μｍの厚さを有する。酸窒化ケイ素層は、約０．２μｍから約０．４μｍの厚さを有する。酸化ケイ素層は、約０．２μｍから約０．４μｍの厚さを有する。

【0035】

［００４４］封入層１１６は、堆積の種々のモード（例えば原子層堆積（ＡＬＤ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、及び物理的気相堆積（ＰＶＤ））を使用して、更に変更されうる。一例では、第１サブピクセル１０８ａは、ＣＶＤを使用して堆積された窒化ケイ素と、ＡＬＤを使用して堆積された酸化ケイ素とを含む。第２サブピクセル１０８ｂは、ＣＶＤを使用して堆積された窒化ケイ素と、ＣＶＤを使用して堆積された酸窒化ケイ素とを含む。第３サブピクセル１０８ｃは、ＣＶＤを使用して堆積された窒化ケイ素を含む。封入層１１６は、堆積プロセスに誘導結合プラズマ（ＩＤＰ）を使用すること又は導電結合プラズマ（ＣＣＰ）を使用することの間で、更に変更されうる。

【0036】

［００４５］各サブピクセルの封入層１１６の組成、堆積方法、及び厚さを変更することで、後続の層の堆積中に堆積済みの層が保護され、プロセスの歩留まり及び効率が向上する。封入層１１６の厚さの変化により、下側エッジ２０６と封入層１１６の上面との間の距離（図１Ａ及び図１Ｂのサブピクセル１０８ｂ及び１０８ｃ参照）、並びに封入層１１６の封入エッジ２３０と封入層１１６の上面１１９との間の距離が、更に制御される。かかる距離により、オーバーハング構造１１０の下で行われるエッチング及び堆積の量が制御され、後続の堆積及びエッチングにおけるＯＬＥＤ材料１１２の保護の増大がもたらされる。

【0037】

［００４６］封入層１１６は、オーバーハング構造１１０の下に延在して、本体構造１１０Ａの第２部分と接触する。封入エッジ２３０と封入層１１６の上面１１９との間に、ある距離が画定される。一実施形態では、第１封入層１１６Ａは、オーバーハング１０９の全領域内に存在する。この実施形態では、封入層の厚さｔ_１は、上部構造１１０Ｂの底面１０７から第１封入層１１６Ａの底面までである。例えば、封入エッジ２３０と封入層１１６の上面１１９との間に距離はない。別の実施形態では、図１Ｂ及び図２Ｂのサブピクセル１０８ａに図示しているように、第１封入層１１６Ａは、オーバーハング構造１１０の下に延在して、本体構造１１０Ａ、上部構造１１０Ｂの底面１０７、上部構造１１０Ｂの側壁１１３、及び上部構造１１０Ｂの上面１１５の一部分１１７と接触する。第１封入層１１６Ａは、オーバーハング１０９の下の領域の一部分を充填する厚さｔ_１を有する。上部構造１１０Ｂの底面１０７の表面上の第１封入層１１６Ａと、カソード１１４の上の第１封入層１１６Ａとの間に、間隙が画定される。厚さｔ_１は、第１封入層１１６Ａの封入エッジ２３０と上面１１９との間の間隙の距離Ｄ１を決定する。別の実施形態では、図１Ａ及び図１Ｂの第２サブピクセル１０８ｂに図示しているように、第２封入層１１６Ｂは、オーバーハング構造１１０の下に延在して、本体構造１１０Ａの一部分と接触する。第２封入層１１６Ｂは、第２サブピクセルにおいて、オーバーハング１０９の下の領域の一部分を充填する第２の厚さｔ_２を有する。上部構造１１０Ｂの下側エッジ２０６と、カソード１１４の上の第２封入層１１６Ｂとの間に、間隙が画定される。第２の厚さｔ_２は、下側エッジ２０６と第２封入層１１６Ｂの上面１１９との間の間隙の距離Ｄ２を決定する。別の実施形態では、図１Ａ及び図１Ｂのサブピクセル１０８ｃに図示しているように、第３封入層１１６Ｃが、オーバーハング構造１１０の下に延在して、本体構造１１０Ａの一部分と接触する。第３封入層１１６Ｃは、第３サブピクセル１０８ｃにおいて、オーバーハング１０９の下の領域の一部分を充填する第３の厚さｔ_３を有する。上部構造１１０Ｂの下側エッジ２０６と、カソード１１４の上の第３封入層１１６Ｃとの間に、間隙が画定される。第３の厚さｔ_３は、下側エッジ２０６と第３封入層１１６Ｃの上面１１９との間の間隙の距離Ｄ３を決定する。更に別の実施形態では、第１封入層１１６Ａは第１の厚さｔ_１を有し、第２封入層１１６Ｂは第２の厚さｔ_２を有し、第３封入層１１６Ｃは第３の厚さｔ_３を有する。第２の厚さｔ_２は第１の厚さｔ_１と異なる。第３の厚さｔ_３は、第１の厚さｔ_１及び第２の厚さｔ_２と異なる。図１Ａには、第１サブピクセル１０８ａの第１封入層１１６Ａがオーバーハングの全領域内にある実施形態が描かれている一方、図１Ｂには、第１サブピクセル１０８ａの第１封入層１１６Ａが、上部構造１１０Ｂの上面１１５の一部分を包含する実施形態が描かれており、第１サブピクセル１０８ａの第１封入層１１６Ａ、第２サブピクセル１０８ｂの第２封入層１１６Ｂ、及びを第３サブピクセル１０８ｃの第３封入層１１６ｃは、本書に記載の実施形態のいかなる組み合わせも含みうる。

【0038】

［００４７］ＯＬＥＤ材料１１２の蒸着中、上部構造１１０Ｂの下側エッジ２０６がＯＬＥＤ終点２１８の位置を画定する。例えば、ＯＬＥＤ材料１１２は、ＯＬＥＤベクトル２１２に対応するＯＬＥＤ最大角度で蒸発し、下側エッジ２０６により、ＯＬＥＤ材料１１２がＯＬＥＤ終点２１８を越えては堆積されないことが確実になる。カソード１１４の蒸着中には、上部構造１１０Ｂの下側エッジ２０６は、カソード終点２２６の位置を画定する。例えば、カソード１１４は、カソードベクトル２２４に対応するカソード最大角度で蒸発し、下側エッジ２０６により、カソード１１４がカソード終点２２６を越えては堆積されないことが確実になる。ＯＬＥＤ角度θ_ＯＬＥＤはカソード角度θ_{ｃａｔｈｏｄｅ}を下回る。

【0039】

［００４８］図３は、実施形態による、サブピクセル回路１００を形成するための方法３００のフロー図である。図４Ａ－図４Ｋは、本書に記載の実施形態による、サブピクセル回路１００を形成するための方法３００における基板１０２の概略断面図である。本書に記載の方法３００により、ドット型アーキテクチャ１０１Ｃを有するサブピクセル回路１００とライン型アーキテクチャ１０１Ｄを有するサブピクセル回路１００の両方を製造する能力が提供される。

【0040】

［００４９］工程３０１において、図４Ａに示しているように、基板１０２の上に、本体構造層４０２Ａ及び上部構造層４０２Ｂが堆積される。本体構造層４０２Ａは、ＰＤＬ構造１２６及び金属含有層１０４の上に配置される。上部構造層４０２Ｂは本体構造層４０２Ａの上に配置される。本体構造層４０２Ａは、オーバーハング構造１１０の、本体構造１１０Ａに対応し、上部構造層４０２Ｂは上部構造１１０Ｂに対応する。オーバーハング構造１１０の一部の実施形態では、補助カソード層（図示せず）が、本体構造層４０２ＡとＰＤＬ構造１２６及び金属含有層１０４との間に配置される。

【0041】

［００５０］工程３０２において、図４Ｂに示しているように、レジスト４０６が配置され、パターニングされる。レジスト４０６は上部構造層４０２Ｂの上に配置される。レジスト４０６はポジ型レジスト又はネガ型レジストである。ポジ型レジストは、レジストの部分であって、それぞれが電磁放射に曝露されるとレジスト現像液に対して可溶性になる、部分を含む。このレジスト現像液は、電磁放射を使用してレジストにパターンが書き込まれた後に、レジストに付与される。ネガ型レジストは、レジストの部分であって、それぞれが電磁放射に曝露されるとレジスト現像液に対して不溶性になる、部分を含む。このレジスト現像液は、電磁放射を使用してレジストにパターンが書き込まれた後に、レジストに付与される。レジストの化学組成により、レジスト４０６がポジ型フォトレジストであるか、又はネガ型フォトレジストであるかが決定される。レジスト４０６は、第１サブピクセル１０８ａの、ドット型アーキテクチャ１０１Ｃのピクセル開口１２４Ａ、又はライン型アーキテクチャ１０１Ｄのピクセル開口１２４Ｂの一方を形成するようパターニングされる。パターニングは、フォトリソグラフィ、デジタルリソグラフィプロセス、又はレーザアブレーションプロセスのうちの１つである。

【0042】

［００５１］工程３０３において、図４Ｃに示しているように、上部構造層４０２Ｂ及び本体構造層４０２Ａの、ピクセル開口１２４Ａ、１２４Ｂによって露出した部分が除去される。ピクセル開口１２４Ａ、１２４Ｂによって露出した上部構造層４０２Ｂは、乾式エッチングプロセス又は湿式エッチングプロセスによって除去されうる。ピクセル開口１２４Ａ、１２４Ｂによって露出した本体構造層４０２Ａは、乾式エッチングプロセス又は湿式エッチングプロセスによって除去されうる。補助カソード層を含む実施形態では、本体構造１１０Ａの下に配置された補助カソード２０２を形成するために、補助カソード層の一部分が乾式エッチングプロセス又は湿式エッチングプロセスによって除去されうる。工程３０３で、第１サブピクセル１０８ａのオーバーハング構造１１０が形成される。上部構造１１０Ｂに対応する上部構造層４０２Ｂの材料と本体構造１１０Ａに対応する本体構造層４０２Ａの材料との間のエッチング選択性、並びに、上部構造層４０２Ｂ及び本体構造層４０２Ａの露出した部分を除去するためのエッチングプロセスは、（図１Ａ、図１Ｂ、図２Ａ、及び図２Ｂに示しているように）上部構造１１０Ｂの底面１０７を本体構造１１０Ａの上面１０５よりも幅広にし、オーバーハング１０９を画定する上部延在部１０９Ａを形成するために用いられる。オーバーハング１０９のシャドーイングが、ＯＬＥＤ材料１１２とカソード１１４の蒸着のために用いられる。

【0043】

［００５２］工程３０４において、図４Ｄに示しているように、第１サブピクセル１０８ａのＯＬＥＤ材料１１２、カソード１１４、及び封入層１１６が堆積される。オーバーハング１０９のシャドーイングが、ＯＬＥＤ材料１１２とカソード１１４の各々の蒸着のために用いられる。図２に対応する記載において詳述しているように、オーバーハング構造１１０のシャド－イング効果によって、ＯＬＥＤ材料１１２のＯＬＥＤ角度θ_ＯＬＥＤ（図１Ａ及び図２Ａ参照）、並びにカソード１１４のカソード角度θ_{ｃａｔｈｏｄｅ}（図１Ａ及び図２Ａ参照）が画定される。ＯＬＥＤ材料１１２のＯＬＥＤ角度θ_ＯＬＥＤ及びカソード１１４のカソード角度θ_{ｃａｔｈｏｄｅ}は、ＯＬＥＤ材料１１２及びカソード１１４の蒸着によるものである。一実施形態では、カソード１１４が、オーバーハング構造１１０の本体構造１１０Ａと接触する。別の実施形態では、カソード１１４は少なくとも補助カソード２０２と接触する。封入層１１６は、カソード１１４の上に厚さｔ_１を伴って堆積される。キャッピング層を含む実施形態では、カソード１１４と封入層１１６との間にキャッピング層が堆積される。キャッピング層は蒸着によって堆積されうる。

【0044】

［００５３］工程３０５において、図４Ｅに示しているように、レジスト４０８が第１サブピクセル１０８ａのウエル４１０内に形成される。一実施形態では、レジスト４０８の厚さはレジスト４０６の厚さと異なる。工程３０６において、図４Ｆに示しているように、レジスト４０８によって露出した、封入層１１６、カソード１１４、及びＯＬＥＤ材料１１２が除去される。レジスト４０８によって露出した、封入層１１６、カソード１１４、及びＯＬＥＤ材料１１２は、湿式エッチングプロセスによって除去されうる。レジスト４０８はウエルから除去され、その後にオーバーハング構造１１０が残される。工程３０７において、図４Ｇに示しているように、レジスト４１２が配置され、パターニングされる。一実施形態では、レジスト４１２の厚さは、レジスト４０６及びレジスト４０８の厚さと異なる。レジスト４１２は、第１サブピクセル１０８ａの上部構造層４０２Ｂ及び上部構造１１０Ｂの上に配置される。レジスト４１２は、第２サブピクセル１０８ｂの、ドット型アーキテクチャ１０１Ｃのピクセル開口１２４Ａ、又はライン型アーキテクチャ１０１Ｄのピクセル開口１２４Ｂの一方を形成するようパターニングされる。

【0045】

［００５４］工程３０８において、図４Ｈに示しているように、上部構造層４０２Ｂ及び本体構造層４０２Ａの、第２サブピクセル１０８ｂのピクセル開口１２４Ａ、１２４Ｂによって露出した部分が除去される。ピクセル開口１２４Ａ、１２４Ｂによって露出した上部構造層４０２Ｂは、乾式エッチングプロセス又は湿式エッチングプロセスによって除去されうる。ピクセル開口１２４Ａ、１２４Ｂによって露出した本体構造層４０２Ａは、乾式エッチングプロセス又は湿式エッチングプロセスによって除去されうる。補助カソード層を含む実施形態では、本体構造１１０Ａの下に配置された補助カソード２０２を形成するために、補助カソード層の一部分が乾式エッチングプロセス又は湿式エッチングプロセスによって除去されうる。工程３０８で、第２サブピクセル１０８ｂのオーバーハング構造１１０が形成される。上部構造１１０Ｂに対応する上部構造層４０２Ｂの材料と本体構造１１０Ａに対応する本体構造層４０２Ａの材料のエッチング選択性、並びに、上部構造層４０２Ｂ及び本体構造層４０２Ａの露出した部分を除去するためのエッチングプロセスは、（図１Ａに示しているように）上部構造１１０Ｂの底面１０７を本体構造１１０Ａの上面１０５よりも広くして、オーバーハング１０９を画定する上部延在部１０９Ａを形成するために用いられる。オーバーハング１０９のシャドーイングが、ＯＬＥＤ材料１１２とカソード１１４の蒸着のために用いられる。

【0046】

［００５５］工程３０９において、図４Ｉに示しているように、第２サブピクセル１０８ｂのＯＬＥＤ材料１１２、カソード１１４、及び封入層１１６が堆積される。キャッピング層を含む実施形態では、カソード１１４と封入層１１６との間にキャッピング層が堆積される。キャッピング層は蒸着によって堆積されうる。オーバーハング１０９のシャドーイングが、ＯＬＥＤ材料１１２及びカソード１１４の蒸着のために用いられる。オーバーハング構造１１０のシャドーイング効果によって、ＯＬＥＤ材料１１２のＯＬＥＤ角度θ_ＯＬＥＤ及びカソード１１４のカソード角度θ_{ｃａｔｈｏｄｅ}が画定される。ＯＬＥＤ材料１１２のＯＬＥＤ角度θ_ＯＬＥＤ及びカソード１１４のカソード角度θ_{ｃａｔｈｏｄｅ}は、ＯＬＥＤ材料１１２及びカソード１１４の蒸着によって生じる。一実施形態では、カソード１１４が、オーバーハング構造１１０の本体構造１１０Ａと接触する。別の実施形態では、カソード１１４は少なくとも補助カソード２０２と接触する。封入層１１６は、カソード１１４の上に厚さｔ_２を伴って堆積される。一実施形態では、厚さｔ_２は厚さｔ_１を下回る。別の実施形態では、厚さｔ_２が厚さｔ_１を上回る。

【0047】

［００５６］工程３１０において、図４Ｊに示しているように、レジスト４１６が第２サブピクセル１０８ｂのウエル内に形成される。一実施形態では、レジスト４１６の厚さは、レジスト４０６、レジスト４０８、及びレジスト４１２の厚さと異なる。工程３１１において、図４Ｋに示しているように、レジスト４１６によって露出した、封入層１１６、カソード１１４、及びＯＬＥＤ材料１１２が除去される。レジスト４１６によって露出した、封入層１１６、カソード１１４、及びＯＬＥＤ材料１１２は、湿式エッチングプロセスによって除去されうる。レジスト４１６はウエルから除去され、その後にオーバーハング構造１１０が残される。本書に記載の工程３０１－３１１により、２つのサブピクセル１０６を含むサブピクセル回路１００が形成される。工程３０６－３１０は、追加のサブピクセル（例えば第３及び／又は第４のサブピクセル）の各々のために反復されうる。図１Ａ及び図１Ｂに示している第３サブピクセル１０８ｃの封入層１１６は厚さｔ_３を有する。追加のピクセル１０８ｎがあればそれは、厚さｔ_ｎの封入層１１６を有する。一実施形態では、サブピクセル１０８ｃにおける封入層１１６の厚さｔ_３は、厚さｔ_１及びｔ_２よりも薄い。別の実施形態では、サブピクセル１０８ｃにおける封入層１１６の厚さｔ_３は、厚さｔ_１及びｔ_２よりも厚い。別の実施形態では、サブピクセル１０８ｃにおける封止層１１６の厚さｔ_３は、厚さｔ_１よりも薄く、厚さｔ_２よりも厚い。別の実施形態では、サブピクセル１０８ｃにおける封止層１１６の厚さｔ_３は、厚さｔ_１よりも厚く、厚さｔ_２よりも薄い。別の実施形態では、封入層１１６の厚さは、放出される光の波長が増大するにつれて厚くなる。別の実施形態では、封入層１１６の厚さは、放出される光の波長が増大するにつれて薄くなる。

【0048】

［００５７］封止層１１６の厚さ、組成、及び堆積方法は、上述したように変更されうる。封入層１１６の組成及び堆積方法を変更して厚さの変化を生じさせることによって、層堆積中に堆積済みのＯＬＥＤ材料１１２が損傷から保護され、プロセスの歩留まり及び効率が向上する。封入層１１６の厚さを変化させることで、下側エッジ２０６と封入層１１６の上面との間の距離（図１及び図２のサブピクセル１０８ｂ及び１０８ｃ参照）、及び封入層１１６の封入エッジ２３０と封入層１１６の上面１１９との間の距離が、更に制御される。かかる距離により、オーバーハング構造１１０の下で行われるエッチング及び堆積の量が制御され、後続の堆積及びエッチングにおけるＯＬＥＤ材料１１２の保護の増大がもたらされる。

【0049】

［００５８］図５は、サブピクセル回路１００を形成するための方法５００のフロー図である。図６Ａ－図６Ｈは、本書に記載の実施形態による、サブピクセル回路１００を形成するための方法５００における基板１０２の概略断面図である。

【0050】

［００５９］工程５０１において、基板１０２の上に、図６Ａに示しているように、本体構造層４０２Ａ及び上部構造層４０２Ｂが堆積される。本体構造層４０２Ａは、ＰＤＬ構造１２６及び金属含有層１０４の上に配置される。上部構造層４０２Ｂは本体構造層４０２Ａの上に配置される。本体構造層４０２Ａは、オーバーハング構造１１０の、本体構造１１０Ａに対応し、上部構造層４０２Ｂは上部構造１１０Ｂに対応する。オーバーハング構造１１０の一部の実施形態では、補助カソード層４０４が、本体構造層４０２ＡとＰＤＬ構造１２６及び金属含有層１０４との間に配置される。補助カソード層４０４は補助カソード２０２に対応する。レジスト４０６が、ピクセル開口１２４Ａ、１２４Ｂを露出するよう、上部構造層４０２Ｂ上に配置され、パターニングされる。工程５０２において、図６Ｂに示しているように、上部構造層４０２Ｂ及び本体構造層４０２Ａの、ピクセル開口１２４Ａ、１２４Ｂによって露出したオーバーハング構造部分が除去される。ピクセル開口１２４Ａ、１２４Ｂによって露出した上部構造層４０２Ｂは、乾式エッチングプロセス又は湿式エッチングプロセスによって除去されうる。ピクセル開口１２４Ａ、１２４Ｂによって露出した本体構造層４０２Ａは、乾式エッチングプロセス又は湿式エッチングプロセスによって除去されうる。

【0051】

［００６０］工程５０３において、図６Ｃに示しているように、第１サブピクセル１０８ａのＯＬＥＤ材料１１２、カソード１１４、及び封入層１１６が堆積される。キャッピング層を含む実施形態では、カソード１１４と封入層１１６との間にキャッピング層が堆積される。キャッピング層は蒸着によって堆積されうる。図２Ｂに対応する記載において詳述しているように、オーバーハング構造１１０のシャド－イング効果によって、ＯＬＥＤ材料１１２のＯＬＥＤ角度θ_ＯＬＥＤ（図２Ｂ参照）、並びにカソード１１４のカソード角度θ_{ｃａｔｈｏｄｅ}（図２Ｂ参照）が画定される。ＯＬＥＤ材料１１２のＯＬＥＤ角度θ_ＯＬＥＤ及びカソード１１４のカソード角度θ_{ｃａｔｈｏｄｅ}は、ＯＬＥＤ材料１１２及びカソード１１４の蒸着によるものである。一実施形態では、カソード１１４が、オーバーハング構造１１０の本体構造１１０Ａと接触する。別の実施形態では、カソード１１４は、少なくとも補助カソード２０２と接触する。封入層１１６は、カソード１１４の上に厚さｔ_１を伴って堆積される。

【0052】

［００６１］工程５０４において、図６Ｄに示しているように、レジスト６０２が第１サブピクセル１０８ａのウエル内に形成される。一実施形態では、レジスト６０２はレジスト４０６の厚さと異なる厚さを有する。工程５０５において、図６Ｅに示しているように、レジスト６０２によって露出した、封入層１１６、カソード１１４、及びＯＬＥＤ材料１１２が除去される。レジスト６０２によって露出した、封入層１１６、カソード１１４、及びＯＬＥＤ材料１１２は、湿式エッチングプロセスによって除去されうる。レジスト６０２は除去される。

【0053】

［００６２］工程５０６において、図６Ｆに示しているように、第２サブピクセル１０８ｂのＯＬＥＤ材料１１２、カソード１１４、及び封入層１１６が堆積される。第１サブピクセル１０８ａのウエル内にレジスト６０４が形成され、レジスト６０４の上に、ＯＬＥＤ材料１１２、カソード１１４、及び封入層１１６が堆積される。一実施形態では、レジスト６０４は、レジスト６０２及びレジスト４０６の厚さと異なる厚さを有する。キャッピング層を含む実施形態では、カソード１１４と封入層１１６との間にキャッピング層が堆積される。キャッピング層は蒸着によって堆積されうる。オーバーハング１０９のシャドーイングが、ＯＬＥＤ材料１１２とカソード１１４の各々の蒸着のために用いられる。オーバーハング構造１１０のシャドーイング効果によって、ＯＬＥＤ材料１１２のＯＬＥＤ角度θ_ＯＬＥＤ及びカソード１１４のカソード角度θ_{ｃａｔｈｏｄｅ}が画定される。ＯＬＥＤ材料１１２のＯＬＥＤ角度θ_ＯＬＥＤ及びカソード１１４のカソード角度θ_{ｃａｔｈｏｄｅ}は、ＯＬＥＤ材料１１２及びカソード１１４の蒸着によるものである。一実施形態では、カソード１１４が、オーバーハング構造１１０の本体構造１１０Ａと接触する。カソード１１４は、少なくとも補助カソード２０２と接触する。封入層１１６は、カソード１１４の上に厚さｔ_２を伴って堆積される。一実施形態では、厚さｔ_２は厚さｔ_１を下回る。別の実施形態では、厚さｔ_２が厚さｔ_１を上回る。

【0054】

［００６３］工程５０７において、図６Ｇに示しているように、レジスト６０６が第２サブピクセル１０８ｂのウエル内に形成される。一実施形態では、レジスト６０６は、レジスト４０６、レジスト６０２、及びレジスト６０４の厚さと異なる厚さを有する。工程５０８において、図６Ｈに示しているように、レジスト４１６によって露出した、封入層１１６、カソード１１４、及びＯＬＥＤ材料１１２が除去される。レジスト６０６によって露出した、封入層１１６、カソード１１４、及びＯＬＥＤ材料１１２は、湿式エッチングプロセスによって除去されうる。レジスト６０６は除去される。

【0055】

［００６４］本書に記載の工程５０１－５０８により、２つ以上のサブピクセル１０６を含むサブピクセル回路１００が形成される。工程５０５－５０８は、追加のサブピクセル（例えば第３及び／又は第４のサブピクセル）の各々のために反復されうる。図１Ａ及び図１Ｂに示している第３サブピクセル１０８ｃでは、封入層１１６は厚さｔ_３を有する。追加のピクセル１０８ｎがあればそれは、厚さｔ_ｎの封入層１１６を有する。一実施形態では、サブピクセル１０８ｃにおける封入層１１６の厚さｔ_３は、厚さｔ_１及びｔ_２．よりも薄い。別の実施形態では、サブピクセル１０８ｃにおける封入層１１６の厚さｔ_３、厚さｔ_１及びｔ_２よりも厚い。別の実施形態では、サブピクセル１０８ｃにおける封止層１１６の厚さｔ_３は、厚さｔ_１よりも薄く、厚さｔ_２よりも厚い。別の実施形態では、サブピクセル１０８ｃにおける封止層１１６の厚さｔ_３は、厚さｔ_１よりも厚く、厚さｔ_２よりも薄い。別の実施形態では、封入層１１６の厚さは、放出される光の波長が増大するにつれて厚くなる。別の実施形態では、封入層１１６の厚さは、放出される光の波長が増大するにつれて薄くなる。

【0056】

［００６５］封止層１１６の厚さ、組成、及び堆積方法は、上述したように変更されうる。封入層１１６の組成及び堆積方法を変更して厚さの変化を生じさせることによって、堆積済みのＯＬＥＤ材料１１２が層堆積中に損傷から保護され、プロセスの歩留まり及び効率が向上する。封入層１１６の厚さを変化させることで、下側エッジ２０６と封入層１１６の上面との間の距離（図１及び図２のサブピクセル１０８ｂ及び１０８ｃ参照）、及び封入層１１６の封入エッジ２３０と封入層１１６の上面１１９との間の距離が、更に制御される。かかる距離により、オーバーハング構造１１０の下で行われるエッチング及び堆積の量が制御され、後続の堆積及びエッチングにおけるＯＬＥＤ材料１１２の保護の増大がもたらされる。

【0057】

［００６６］要するに、本書に記載されているのは、ディスプレイ（有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイなど）に利用されうるサブピクセル回路に関するデバイス、及びかかるサブピクセル回路を形成する方法である。ディスプレイのサブピクセル回路の各サブピクセルを画定する、隣接したオーバーハング構造は、（例えば、第５、第６、又は第７の例示的な実施形態の方法を利用して、）蒸着を使用してサブピクセル回路を形成し、サブピクセル回路が形成された後にもオーバーハング構造を定位置に保つために、用いられる。ＯＬＥＤ材料及びカソードの堆積には、蒸着が利用されうる。オーバーハング構造は蒸発角度を画定する。すなわち、オーバーハング構造が、一部の実施形態により、ＯＬＥＤ材料及びカソードの各々について、ＯＬＥＤ材料が本体構造に（及び実施形態によっては補助カソードに）接触せず、カソードが本体構造と接触するように、蒸着中のシャド－イング効果を得るために用いられる。サブピクセルそれぞれの封入層は、隣接した各オーバーハング構造の各々の少なくとも一部分の下に、及び隣接したオーバーハング構造の各々の側壁の上に延在するように、カソードの上に配置される。各サブピクセルにおける封入層の厚さは、後続の封入層のエッチング中に堆積済みの層を保護するために変更される。厚さの変更は、減少でも、増大でも、又は堆積されたＯＬＥＤ材料（例えばＯＬＥＤの色）に依拠するものでもありうる。

【0058】

［００６７］上記の説明は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲を逸脱することなく、本開示の他の実施形態及び更なる実施形態が考案されてよく、本開示の範囲は以下の特許請求の範囲によって決まる。

【図1A】

【図1B】

【図1C】

【図1D】

【図2A】

【図2B】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図4E】

【図4F】

【図4G】

【図4H】

【図4I】

【図4J】

【図4K】

【図5】

【図6A】

【図6B】

【図6C】

【図6D】

【図6E】

【図6F】

【図6G】

【図6H】

【国際調査報告】