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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-08-08
(54)【発明の名称】ペリクル膜
(51)【国際特許分類】
G03F 1/62 20120101AFI20240801BHJP
【ＦＩ】
G03F1/62
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024507904
(86)(22)【出願日】2022-07-28
(85)【翻訳文提出日】2024-03-29
(86)【国際出願番号】 EP2022071251
(87)【国際公開番号】W WO2023025511
(87)【国際公開日】2023-03-02
(31)【優先権主張番号】21193346.0
(32)【優先日】2021-08-26
(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】504151804
【氏名又は名称】エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．
(74)【代理人】
【識別番号】100079108
【弁理士】
【氏名又は名称】稲葉 良幸
(74)【代理人】
【識別番号】100109346
【弁理士】
【氏名又は名称】大貫 敏史
(74)【代理人】
【識別番号】100117189
【弁理士】
【氏名又は名称】江口 昭彦
(74)【代理人】
【識別番号】100134120
【弁理士】
【氏名又は名称】内藤 和彦
(72)【発明者】
【氏名】アグリコラ，フランシスカス，テオドルス
(72)【発明者】
【氏名】フェレ リン，ルルド
(72)【発明者】
【氏名】デ グラーフ，デニス
(72)【発明者】
【氏名】アンデ，チャイタニヤ クリシュナ
(72)【発明者】
【氏名】ドンメズ ノヤン，インシ
(72)【発明者】
【氏名】シ，ファイ トン
(72)【発明者】
【氏名】ヴァン デル ワード，ティース，ウーター
(72)【発明者】
【氏名】ローリエ，アン－ソフィー
(72)【発明者】
【氏名】バイロン，マキシム
(72)【発明者】
【氏名】ギースバーズ，アドリアヌス，ヨハネス，マリア
【テーマコード（参考）】
2H195
【Ｆターム（参考）】
2H195BC33
2H195BC38
2H195BC39
(57)【要約】
リソグラフィ装置のためのペリクル膜であって、ペリクル膜は金属シリサイド及び補強網を含む。補強網は、金属シリサイド層間に位置し得る。補強網は不規則であり得る。補強網は２０ミクロンまでの最大寸法を伴うウィンドウを含む。補強網は少なくとも５ミクロンの平均サイズを有するウィンドウを含む。
【選択図】 図３Ａ
【選択図】 図３Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
リソグラフィ装置のためのペリクル膜であって、前記ペリクル膜は金属シリサイド及び補強網を含む、ペリクル膜。
【請求項2】
前記補強網は金属シリサイド層間に位置する、請求項１に記載のペリクル膜。
【請求項3】
前記補強網は不規則である、請求項１又は２に記載のペリクル膜。
【請求項4】
前記補強網は２０ミクロンまでの最大寸法を伴うウィンドウを含む、請求項１から３のいずれかに記載のペリクル膜。
【請求項5】
前記補強網は少なくとも５ミクロンの平均サイズを有するウィンドウを含む、請求項１から４のいずれかに記載のペリクル膜。
【請求項6】
前記補強網は、ウィンドウを除き、前記ペリクルの１０％までのエリアを有する、請求項１から５のいずれかに記載のペリクル膜。
【請求項7】
前記補強網はナノチューブから形成される、請求項１から６のいずれかに記載のペリクル膜。
【請求項8】
前記ナノチューブはカーボンナノチューブである、請求項７に記載のペリクル膜。
【請求項9】
前記ナノチューブはコーティングされる、請求項７又は８に記載のペリクル膜。
【請求項10】
追加層が、前記補強網と少なくとも１つの前記金属シリサイド層との間に提供される、請求項１から９のいずれかに記載のペリクル膜。
【請求項11】
前記少なくとも１つの追加層は金属層である、請求項１０に記載のペリクル膜。
【請求項12】
前記金属シリサイドは窒化金属シリサイドである、請求項１から１１のいずれかに記載のペリクル膜。
【請求項13】
請求項１から１２のいずれかに記載の前記ペリクル膜及びフレームを備えるペリクルアセンブリであって、前記ペリクル膜は前記フレームによって支持されている、ペリクルアセンブリ。
【請求項14】
フレームによって支持されるペリクル膜を備えるペリクルアセンブリであって、前記ペリクル膜は前記フレームの外縁まで完全に延在しない、ペリクルアセンブリ。
【請求項15】
複数の層を備える境界スタックが、前記フレームと前記ペリクル膜との間に提供され、前記境界スタックの少なくとも一部は、前記フレームの外縁まで完全に延在しない、請求項１４に記載のペリクルアセンブリ。
【請求項16】
前記ペリクル膜、及び任意選択で、前記境界スタックの少なくとも一部の外縁に、アライメントマークとして使用するための形状が提供される、請求項１４又は１５に記載のペリクルアセンブリ。
【請求項17】
前記ペリクル膜及び境界スタックは一般に長方形であり、前記形状は、前記ペリクル膜の少なくとも１つのコーナーに、及び、任意選択として前記境界スタックの少なくとも一部に提供される、請求項１６に記載のペリクルアセンブリ。
【請求項18】
前記形状は、前記ペリクル膜の各コーナーに、及び、任意選択として前記境界スタックの少なくとも一部に提供される、請求項１７に記載のペリクルアセンブリ。
【請求項19】
前記形状は、前記コーナーから延在する２つの突起部を備える、請求項１７又は１８に記載のペリクルアセンブリ。
【請求項20】
前記２つの突起部は互いに垂直に延在する、請求項１９に記載のペリクルアセンブリ。
【請求項21】
前記境界スタックの少なくとも１つの層は、前記フレームの前記外縁まで完全に延在する、請求項１４から２０のいずれかに記載のペリクルアセンブリ。
【請求項22】
前記境界スタックは、前記ペリクル膜の下方及び前記境界スタックのシリコンベース層の上方に位置する、酸化物層を備える、請求項１４から２１のいずれかに記載のペリクルアセンブリ。
【請求項23】
前記酸化物層は、前記ペリクル膜及びペリクルフレームの組み合わせと、前記ペリクル膜及びパターニングデバイスの組み合わせとの間の、望ましいコントラスト比に寄与するように選択された厚みを有する、請求項２２に記載のペリクルアセンブリ。
【請求項24】
前記酸化物層は、前記ペリクル膜及び前記境界スタックフレームの組み合わせと、前記境界スタックの少なくとも一部が存在しない前記フレームの外側部分との間の、望ましいコントラスト比に寄与するように選択された厚みを有する、請求項１５及び２２に記載のペリクルアセンブリ。
【請求項25】
請求項１から１２のいずれかに記載の前記ペリクル膜を備え、前記ペリクル膜を支持するフレームを更に備える、ペリクルアセンブリであって、前記フレームはベース及び境界スタックを備え、前記境界スタックは、前記ペリクル膜の下方及び前記境界スタックのシリコンベース層の上方に位置する、酸化物層を備える、ペリクルアセンブリ。
【請求項26】
前記酸化物層は、前記ペリクル膜及びペリクルフレームの組み合わせと、前記ペリクル膜及びパターニングデバイスの組み合わせとの間の、望ましいコントラスト比に寄与するように選択された厚みを有する、請求項２５に記載のペリクルアセンブリ。
【請求項27】
前記望ましいコントラスト比は０．１以上である、請求項２３から２６のいずれかに記載のペリクルアセンブリ。
【請求項28】
請求項１３から２７のいずれかに記載の前記ペリクルを備え、リソグラフィマスクを更に備える、マスクアセンブリであって、前記境界スタック及びペリクル膜は、前記ペリクル膜及び前記リソグラフィマスクの組み合わされた反射率とは異なる、組み合わされた反射率を有する、マスクアセンブリ。
【請求項29】
前記境界スタック及びペリクル膜の前記組み合わされた反射率に対する前記ペリクル膜及びリソグラフィマスクの前記組み合わされた反射率は、０．１以上のコントラスト比を提供する、請求項２８に記載のマスクアセンブリ。
【請求項30】
ペリクルアセンブリを作製する方法であって、ａ．ベースを提供すること、
ｂ．複数の犠牲層を前記ベース上に提供すること、
ｃ．第１の金属シリサイドを最上の犠牲層上に提供すること、
ｄ．補強網を前記第１の金属シリサイド層上に提供すること、及び、
ｅ．第２の金属シリサイド層を前記補強網上に提供すること、
を含む、方法。
【請求項31】
前記第２の金属シリサイド層が提供される前に、金属層が前記補強網の頂部上に提供される、請求項３０に記載の方法。
【請求項32】
前記補強網は、カーボンナノチューブから形成される、請求項３１に記載の方法。
【請求項33】
前記特許請求されたペリクルアセンブリ、又は特許請求されたペリクル膜、又は請求項１から３２のいずれかに従って製造されたペリクルアセンブリのうちの、いずれかを備えるリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
[0001] 本願は、２０２１年８月２６日出願の、欧州出願第２１１９３３４６．０号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
[0001] 本願は、２０２１年８月２６日出願の、欧州出願第２１１９３３４６．０号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【0002】
[0002] 本発明はペリクル膜に関する。本発明は特に、ＥＵＶリソグラフィ装置及びＥＵＶリソグラフィツールに関連して使用するが、限定されない。本発明は、ペリクルアセンブリ及びこうしたアセンブリを備えるリソグラフィ装置にも関する。
【背景技術】
【0003】
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。リソグラフィ装置は、例えばパターニングデバイス（例えばマスク）でのパターンを、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層に投影することができる。
【0004】
[0004] 基板上にパターンを投影するために、リソグラフィ装置は電磁放射を使用することができる。この放射の波長は、基板上に形成可能なフィーチャの最小サイズを決定する。４～２０ｎｍの範囲内、例えば６．７ｎｍ又は１３．５ｎｍの波長を有する極端紫外線（ＥＵＶ）放射を使用するリソグラフィ装置は、例えば１９３ｎｍの波長を有する放射を使用するリソグラフィ装置よりも小さいフィーチャを基板上に形成するのに使用することができる。
【0005】
[0005] パターンが、パターニングデバイス（例えば、マスク又はレチクル）を使用してリソグラフィ装置内の放射ビームに付与され得る。放射は、基板上に像を形成するために、パターニングデバイスを介して、又はパターニングデバイスに反射して、提供される。パターニングデバイスの表面上の汚染は、基板上での欠陥の製造を生じさせる可能性がある。膜アセンブリはペリクルとも呼ばれ、パターニングデバイスを浮遊粒子及び他の形の汚染から保護するために提供され得る。
【0006】
[0006] ペリクルは、パターニングデバイス以外の光学構成要素を保護するためにも提供され得る。ペリクルは、互いに密封されるリソグラフィ装置の領域間に、リソグラフィ放射のための通路を提供するためにも使用され得る。ペリクルは、スペクトル純度フィルタなどのフィルタとして、又はリソグラフィ装置の動的ガスロックの一部としても、使用され得る。
【0007】
[0007] リソグラフィにおけるペリクルの使用は周知であり確立されている。リソグラフィ装置内のペリクルは、パターニングデバイスから離れて位置し、使用中、リソグラフィ装置の焦点面の外にある、膜（ペリクル膜とも呼ばれる）である。ペリクルがリソグラフィ装置の焦点面の外にある際、ペリクル上に着地する汚染粒子は、リソグラフィ装置内で焦点外れである。したがって、汚染粒子の像は基板上に投影されない。ペリクルが存在しない場合、パターニングデバイス上に着地する汚染粒子が基板上に投影され、投影パターン内に欠陥をもたらす。
【0008】
[0008] マスクアセンブリは、粒子汚染からパターニングデバイス（例えば、マスク）を保護するペリクルを含み得る。ペリクルは、ペリクルアセンブリ又は膜アセンブリを形成する、ペリクルによって支持され得る。ペリクルは、例えば、ペリクル境界領域をフレームに接着又は他の方法で取り付けることによって、フレームに取り付けられ得る。フレームは、永続的に又は取外し可能にパターニングデバイスに取り付けられ得る。フレームは、境界としても既知であり得る。
【0009】
[0009] 従来技術に関連付けられた問題に対処する、ペリクル膜及び／又はペリクルアセンブリを提供することが望ましい。
【発明の概要】
【0010】
[00010] 本発明の第１の態様によれば、リソグラフィ装置のためのペリクル膜が提供され、ペリクル膜は金属シリサイド及び補強網を含む。
【0011】
[00011] 有利なことに、補強網はペリクルを強化すると同時に、ペリクルの透過のごくわずかな減少を生じさせる。有利なことに、ペリクルの外側表面が金属シリサイドであるため、ＥＵＶ放射などの条件にさらされたとき、ペリクルの表面の挙動は補強膜によって影響を受けない。
【0012】
[00012] 補強網は、金属シリサイド層間に位置し得る。
【0013】
[00013] 有利なことに、ペリクルの外側表面が金属シリサイドであるため、ＥＵＶ放射などの条件にさらされたとき、ペリクルの表面の挙動は補強網によって影響を受けない。
【0014】
[00014] 補強網は不規則であり得る。
【0015】
[00015] 補強網は２０ミクロンまでの最大寸法を伴うウィンドウを含み得る。
【0016】
[00016] 補強網は少なくとも５ミクロンの平均サイズを有するウィンドウを含み得る。
【0017】
[00017] 補強網は、ウィンドウを除き、ペリクルの１０％までのエリアを有し得る。
【0018】
[00018] 補強網はナノチューブから形成され得る。
【0019】
[00019] ナノチューブはカーボンナノチューブであり得る。
【0020】
[00020] ナノチューブはコーティングされ得る。
【0021】
[00021] 追加層が、補強網と少なくとも１つの金属シリサイド層との間に提供され得る。
【0022】
[00022] 少なくとも１つの追加層は金属層であり得る。
【0023】
[00023] 金属シリサイドは窒化金属シリサイドであり得る。
【0024】
[00024] 本発明の第２の態様によれば、本発明の第１の態様のペリクル膜を備えるペリクルアセンブリ、及びフレームが提供され、ペリクル膜はフレームによって支持されている。
【0025】
[00025] 本発明の第３の態様によれば、フレームによって支持されるペリクル膜を備えるペリクルアセンブリが提供され、ペリクル膜はフレームの外縁まで完全に延在しない。
【0026】
[00026] 有利なことに、本配置は、結像システムが（フレームが提供される側部とは反対のペリクルの側部から）ペリクルアセンブリに注目するとき、向上したコントラストを提供し得る。
【0027】
[00027] 複数のＸＸＸを備える境界スタックが、フレームとペリクル膜との間に提供される。境界スタックの少なくとも一部は、フレームの外縁まで完全に延在しない。
【0028】
[00028] 有利なことに、本配列は、結像システムが（フレームが提供される側部とは反対のペリクルの側部から）ペリクルアセンブリに注目するとき、更に向上したコントラストを提供し得る。
【0029】
[00029] ペリクル膜の外縁は、アライメントマークとして使用するための形状が提供され得る。境界スタックの少なくとも一部の外縁は、アライメントマークとして使用するための形状が提供され得る。
【0030】
[00030] ペリクル膜及び境界スタックは、一般に長方形であり得る。形状は、ペリクル膜の少なくとも１つのコーナーに、及び、任意選択として境界スタックの少なくとも一部に、提供され得る。
【0031】
[00031] 形状は、ペリクル膜の各コーナーに、及び、任意選択として境界スタックの少なくとも一部に、提供され得る。
【0032】
[00032] 形状は、コーナーから延在する２つの突起部を備え得る。
【0033】
[00033] ２つの突起部は互いに垂直に延在し得る。
【0034】
[00034] 境界スタックの少なくとも１つの層は、フレームの外縁まで完全に延在し得る。
【0035】
[00035] 境界スタックは、ペリクル膜の下方及び境界スタックのシリコンベース層の上方に位置する、酸化物層を備え得る。
【0036】
[00036] 酸化物層は、ペリクル膜及びペリクルフレームの組み合わせと、ペリクル膜及びパターニングデバイスの組み合わせとの間の、望ましいコントラスト比に寄与するように選択された厚みを有し得る。
【0037】
[00037] 酸化物層は、ペリクル膜及び境界スタックフレームの組み合わせと、境界スタックの少なくとも一部が存在しないフレームの外側部分との間の、望ましいコントラスト比に寄与するように選択された厚みを有し得る。
【0038】
[00038] 本発明の第４の態様によれば、第１の態様のペリクル膜を備え、ペリクル膜を支持するフレームを更に備える、ペリクルアセンブリが提供され、フレームはベース及び境界スタックを備え、境界スタックは、ペリクル膜の下方及び境界スタックのシリコンベース層の上方に位置する、酸化物層を備える。
【0039】
[00039] 酸化物層は、ペリクル膜及びペリクルフレームの組み合わせと、ペリクル膜及びパターニングデバイスの組み合わせとの間の、望ましいコントラスト比に寄与するように選択された厚みを有し得る。
【0040】
[00040] 望ましいコントラスト比は０．１以上であり得る。
【0041】
[00041] 本発明の第５の態様によれば、先行態様のペリクルを備え、リソグラフィマスクを更に備える、マスクアセンブリが提供され、境界スタック及びペリクル膜は、ペリクル膜及びリソグラフィマスクの組み合わされた反射率とは異なる、組み合わされた反射率を有する。
【0042】
[00042] 境界スタック及びペリクル膜の組み合わされた反射率に対するペリクル膜及びリソグラフィマスクの組み合わされた反射率は、０．１以上のコントラスト比を提供し得る。
【0043】
[00043] 本発明の第６の態様によれば、ペリクルアセンブリを作製する方法が提供され、方法は、ベースを提供すること、複数の犠牲層をベース上に提供すること、第１の金属シリサイドを最上の犠牲層上に提供すること、補強網を第１の金属シリサイド層上に提供すること、及び、第２の金属シリサイド層を補強網上に提供することを含む。
【0044】
[00044] 第２の金属シリサイド層が提供される前に、金属層が補強網の頂部上に提供され得る。
【0045】
[00045] 補強網は、カーボンナノチューブから形成され得る。
【0046】
[00046] 本発明の第７の態様によれば、ペリクル膜、ペリクルアセンブリ、又は先行態様のマスクアセンブリを備える、リソグラフィ装置が提供される。
【0047】
[00047] 態様のいずれかについて説明したフィーチャは、本発明の他の態様のいずれかについて説明したフィーチャと組み合わせられ得る。
【0048】
[00048] 次に、ＥＵＶリソグラフィ装置を参照しながら本発明を説明する。しかしながら、本発明はＥＵＶリソグラフィに限定されず、他のタイプのリソグラフィに適切であり得ることを理解されよう。
【0049】
[00049] 本発明の実施形態を、添付の概略図を参照して、単なる例示として以下に説明する。
【図面の簡単な説明】
【0050】
【図1】リソグラフィ装置及び放射源を備える、リソグラフィシステムを示す概略図である。
【図2】ペリクルアセンブリを示す概略図である。
【図3A】本発明の一実施形態に従った、ペリクルアセンブリを示す概略図である。
【図3B】本発明の一実施形態に従った、ペリクルアセンブリを示す概略図である。
【図4A】本発明の更なる実施形態に従った、ペリクルアセンブリを示す概略図である。
【図4B】本発明の更なる実施形態に従った、ペリクルアセンブリを示す概略図である。
【図5A】本発明の更なる実施形態に従った、ペリクルアセンブリを示す概略図である。
【図5B】本発明の更なる実施形態に従った、ペリクルアセンブリを示す概略図である。
【図6】コントラスト比が、ペリクルアセンブリのフレームの境界スタックの材料厚みの関数としてどのように変化するかを示すグラフである。
【図7】本発明の一実施形態に従った、ペリクル膜及びペリクルアセンブリの製造段階を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【0051】
[00050] 図１は、放射源ＳＯ及びリソグラフィ装置ＬＡを備えたリソグラフィシステムを示している。放射源ＳＯは、ＥＵＶ放射ビームＢを生成し、ＥＵＶ放射ビームＢをリソグラフィ装置ＬＡに供給するように構成される。リソグラフィ装置ＬＡは、照明システムＩＬと、パターニングデバイスＭＡ（例えばマスク）を支持するように構成された支持構造ＭＴと、投影システムＰＳと、基板Ｗを支持するように構成された基板テーブルＷＴとを備える。
【0052】
[00051] 照明システムＩＬは、ＥＵＶ放射ビームＢがパターニングデバイスＭＡに入射する前にＥＵＶ放射ビームＢを調節するように構成される。そのため、照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１を備えることができる。ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１は共に、ＥＵＶ放射ビームＢに所望の断面形状と所望の強度分布とを与える。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１に加えて又はこれらの代わりに、他のミラー又はデバイスを備えることができる。
【0053】
[00052] このように調節された後、ＥＵＶ放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡと相互作用する。この相互作用の結果、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’が生成される。
【0054】
[00053] ペリクルアセンブリ１５は、パターニングデバイスＭＡを保護するために放射の経路内に示される。ペリクルアセンブリ１５は、ペリクル膜１９及びペリクル膜１９を支持するフレーム１７を備える。フレーム１７は境界と呼ばれ得る。ペリクル膜１９は、実質的に（少量のＥＵＶ放射を吸収するが）ＥＵＶ放射に対して透過的な薄膜を備える。ペリクル膜１９は、粒子汚染からパターニングデバイスＭＡを保護するように作用する。ペリクル膜１９は、単にペリクルと呼ばれ得る。ペリクルアセンブリ１５は、任意の必須の位置に置かれ得、リソグラフィ装置の任意の要素、例えば、リソグラフィ装置内のミラーの１つ以上を保護するために使用され得ることを理解されよう。
【0055】
[00054] リソグラフィ装置ＬＡ内部のクリーンな環境を維持するための努力が行われる間、粒子は依然としてリソグラフィ装置ＬＡ内部に存在し得る。ペリクル１９がない場合、粒子はパターニングデバイスＭＡ上に堆積し得る。パターニングデバイスＭＡ上の粒子は、放射ビームＢに付与されるパターン、したがって、基板Ｗに転写されるパターンに、悪影響を与え得る。ペリクル１９は、粒子がパターニングデバイスＭＡ上に堆積するのを防ぐために、パターニングデバイスＭＡとリソグラフィ装置ＬＡ内の環境との間にバリアを提供する。
【0056】
[00055] 使用中、ペリクル１９は、ペリクル１９の表面上に入射するいずれの粒子も放射ビームＢの焦点面内に無いように十分な、パターニングデバイスＭＡからの距離に位置決めされる。ペリクル１９とパターニングデバイスＭＡとの間のこの分離は、ペリクル１９の表面上の任意の粒子が放射ビームＢにパターンを付与する範囲を減少させるように作用する。放射のビームＢ内であるが、放射のビームＢの焦点面内ではない（すなわち、パターニングデバイスＭＡの表面ではない）位置に、粒子が存在する場合、粒子のいずれの像も基板Ｗの表面における焦点内に無いことになることを理解されよう。いくつかの実施形態において、ペリクル１９とパターニングデバイスＭＡとの間の分離は、例えば、２ｍｍから３ｍｍの間（例えば、およそ２．５ｍｍ）であり得る。いくつかの実施形態において、ペリクル１９とパターニングデバイスとの間の分離は調整可能であり得る。
【0057】
[00056] パターン付与されたＥＵＶ放射ビームＢ’の生成後、投影システムＰＳは、パターン付与されたＥＵＶ放射ビームＢ’を基板Ｗ上に投影するように構成される。そのため、投影システムＰＳは、パターン付与されたＥＵＶ放射ビームＢ’を、基板テーブルＷＴによって保持される基板Ｗ上に投影するように構成された、複数のミラー１３、１４を備え得る。投影システムＰＳは、パターン付与されたＥＵＶ放射ビームＢ’に縮小係数を適用し得、したがって、パターニングデバイスＭＡ上の対応するフィーチャよりも小さなフィーチャを伴う像を形成する。例えば、４又は８の縮小係数が適用され得る。投影システムＰＳは図１内で２つのミラー１３、１４のみを有するように示されているが、投影システムＰＳは異なる数のミラー（例えば、６又は８個のミラー）を含み得る。
【0058】
[00057] 基板Ｗは、以前に形成されたパターンを含み得る。この場合、リソグラフィ装置ＬＡは、パターン付与されたＥＵＶ放射ビームＢ’によって形成された像と、基板Ｗ上に以前に形成されたパターンとを位置合わせする。
【0059】
[00058] 相対真空、すなわち大気圧をはるかに下回る圧力の少量のガス（例えば水素）が、放射源ＳＯ内、照明システムＩＬ内、及び／又は投影システムＰＳ内に提供され得る。
【0060】
[00059] 図１に示される放射源ＳＯは、例えば、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ばれ得るタイプである。レーザシステム１は、例えばＣＯ２レーザを含み得、例えば燃料放出器３から提供されるスズ（Ｓｎ）などの燃料内に、レーザビーム２を介してエネルギーを蓄積するように配置される。下記の説明ではスズに言及しているが、任意の適切な燃料が使用され得る。燃料は、例えば液体の形であり得、例えば金属又は合金であり得る。燃料放出器３は、例えば液滴の形のスズを、プラズマ形成領域４に向かう軌道に沿って誘導するように構成されたノズルを備え得る。レーザビーム２は、プラズマ形成領域４においてスズ上に入射する。レーザエネルギーのスズ内への蓄積は、プラズマ形成領域４においてスズプラズマ７を作成する。ＥＵＶ放射を含む放射は、プラズマのイオンを伴う電子の脱励起及び再結合の間、プラズマ７から放出される。
【0061】
[00060] プラズマからのＥＵＶ放射は、コレクタ５によって収集及び合焦される。コレクタ５は、例えば近法線入射放射コレクタ５（時には、より一般には、法線入射放射コレクタと呼ばれる）を含む。コレクタ５は、ＥＵＶ放射（例えば、１３．５ｎｍなどの望ましい波長を有するＥＵＶ放射）を反射するように配置された、多層ミラー構造を有し得る。コレクタ５は、２つの焦点を有する楕円構成を有し得る。焦点のうちの第１の１つはプラズマ形成領域４に有り得、焦点のうちの第２の１つは、下記で考察するように、中間焦点６に有り得る。
【0062】
[00061] レーザシステム１は、放射源ＳＯから空間的に分離し得る。この場合、レーザビーム２は、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダ、並びに／あるいは他の光学系を備える、ビームデリバリシステム（図示せず）の支援により、レーザシステム１から放射源ＳＯへと渡され得る。レーザシステム１、放射源ＳＯ、及びビームデリバリシステムは、まとめて、放射システムであると見なされ得る。
【0063】
[00062] コレクタ５によって反射される放射は、ＥＵＶ放射ビームＢを形成する。ＥＵＶ放射ビームＢは、プラズマ形成領域４に存在するプラズマの中間焦点６において像を形成するために、中間焦点６において合焦する。中間焦点６における像は、照明システムＩＬのための仮想放射源として作用する。放射源ＳＯは、中間焦点６が放射源ＳＯの閉鎖構造９内の開口８に、又は開口８近くに位置するように配置される。
【0064】
[00063] 図１は放射源ＳＯをレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源として示しているが、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源又は自由電子レーザ（ＦＥＬ）などの任意の適切な源が、ＥＵＶ放射を発生させるために使用され得る。
【0065】
[00064] 図２は、ペリクルアセンブリ１５及びパターニングデバイスＭＡの断面及びより詳細な概略図である。パターニングデバイスＭＡはパターン付与された表面２４を有する。ペリクルフレーム１７（又は「境界」）は、ペリクル１９の外周部分周辺でペリクル１９を支持する。ペリクルフレーム１７は、ペリクルフレーム１７がパターニングデバイスＭＡに取り外し可能に取り付けできるように（すなわち、ペリクルフレーム１７がパターニングデバイスＭＡに取り付けできるように、及びパターニングデバイスＭＡから取り外しできるように）構成された、取り付け機構２２を含み得る。取り付け機構２２は、パターニングデバイスＭＡ上に提供される取り付けフィーチャ（図示せず）と係合するように構成される。取り付けフィーチャは、例えば、パターニングデバイスＭＡから延在する突出部であり得る。取り付け機構２２は、例えば、突出部と係合し、ペリクルフレーム１７をパターニングデバイスＭＡに固定する、ロッキング部材を備え得る。ペリクルフレーム１７は、更なるペリクルフレームを介してマスクに取り付けられ得る。複数の取り付け機構及び関連付けられた取り付けフィーチャが提供され得る。取り付け機構は、ペリクルフレーム１７周辺に分散され得る（例えば、フレームの一方の側に２つ、及びフレームの反対側に２つ）。関連付けられた取り付けフィーチャは、パターニングデバイスＭＡの外周周辺に分散され得る。ペリクル膜１９を望ましい位置に位置決めするために、任意の他の取り付け機構又は位置決め方法が使用され得ることを理解されたい。
【0066】
[00065] 汚染粒子２６が図２内に概略的に示されている。汚染粒子２６は、ペリクル１９上に入射し、ペリクル１９によって保持されている。ペリクル１９は、リソグラフィ装置ＬＡによって基板上に結像されないように、汚染粒子をマスクＭＡのパターン付与された表面２４から十分遠くに保持する。本発明の一実施形態に従ったペリクルアセンブリは、（パターニングデバイス上の）マスクパターンを、使用中、実質的に欠陥の無いままで提供できる（マスクパターンがペリクルによる汚染から保護される）ようにし得る。
【0067】
[00066] ペリクルアセンブリ１５は、フレーム１７を提供するための基板の頂部上にペリクル１９を直接堆積させることによって、構築され得る。基板は、例えば、シリコンウェーハ又はＳＯＩウェーハであり得る。ペリクル１９を画定するフィルムの堆積後、基板の中央部分を除去し、ペリクル１９を支持するためのフレーム１７を形成するように外側外周のみを残すために、基板は選択的にバックエッチングされ得る。作製プロセスの一例を、下記で更に考察する。
【0068】
[00067] ペリクル１９は、例えば、金属シリサイド又はドープされた金属シリサイドから形成され得る。ドープされた金属シリサイドは、公式Ｍｘ（Ｓｉ）ｙＤｚによって記述され得、この式でＭは金属を示し、Ｓｉはシリコンを示し、Ｄはドーパントを示す。下付き文字ｘ、ｙ、及びｚは、それぞれ、Ｍ、Ｓｉ、及びＤの相対比率を示す。
【0069】
[00068] 金属Ｍは、金属の範囲のうちの１つであり得る。例えば、金属は、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｓｃ、Ｅｕ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｌａ、Ｙ、及びＢｅを含むグループから選択され得る。このグループのうちの好ましい金属は、ジルコニウム、モリブデン、又はベリリウムである。モリブデンが最も好ましい。
【0070】
[00069] ドーパントＤは、ドーパントの範囲のうちの１つであり得る。例えばドーパントは、酸素、炭素、ホウ素、又は窒素であり得る。これらの中で、好ましいドーパントは窒素である。
【0071】
[00070] 特に興味深いのは、窒化モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉＮ）及びモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）である。モリブデン、シリコン、及び任意選択として窒素の、相対比率は、変化し得る。本発明の実施形態は、任意の金属シリサイド又はドープされた金属シリサイドを含み得る。
【0072】
[00071] 図３Ａ及び図３Ｂは、本発明の一実施形態に従ったペリクルアセンブリ１１５を概略的に示す。ペリクルアセンブリ１１５は、図３Ａでは斜視図で、図３Ｂでは断面図で示されている。ペリクルアセンブリ１１５は、ペリクル膜１１９と、ペリクル膜を支持するフレーム１１７とを備える。フレーム１１７は境界とも呼ばれ得る。
【0073】
[00072] ペリクル膜１１９は、２つの金属シリサイド層１３２、１３３の間に位置するカーボンナノチューブ１３０を備える。金属シリサイド層は、例えばＭｏＳｉＮとすることができる。図３Ｂを参照すると、金属シリサイドの下方層１３２は実質的に平坦であるが、金属シリサイドの上方層１３３は、カーボンナノチューブ１３０の上を通る場所では隆起を含む。これは、下記で更に考察するように、ペリクル膜１１９が作製される様式の結果である。
【0074】
[00073] カーボンナノチューブ１３０は、秩序配置では提供されない。代わりに、無秩序配置（例えば、ランダム配置）で提供される。概略的に示されるように、カーボンナノチューブ１３０は互いに交差する。これらの交差は、各々がカーボンナノチューブ１３０によって完全に囲まれたペリクル膜１１９のエリアを確立する。ペリクル膜１１９の完全に囲まれたエリア１３４は、図３Ａではラベリングされている。実際には、概略的に示されるものより多くのカーボンナノチューブ１３０が存在し、したがって、概略的に示されるものより多くの完全に囲まれたエリアが存在する。カーボンナノチューブ１３０は、ペリクル膜１１９を強化するように作用する補強網を形成する。カーボンナノチューブ１３０によって形成される補強網は、ペリクル膜１１９の完全に囲まれたエリア、すなわち、カーボンナノチューブ１３０によって完全に囲まれたペリクル膜のエリアの、パッチワークを確立する。
【0075】
[00074] 「交差する」という用語は、１つのカーボンナノチューブが別のカーボンナノチューブを貫通し、通過することを意味するものではない。代わりに、１つのカーボンナノチューブは別のカーボンナノチューブの上を横断し、例えば、それらが交わる地点において、第１のカーボンナノチューブが第２のカーボンナノチューブの頂部上に横たわっている。
【0076】
[00075] ペリクル膜１１９は、カーボンナノチューブによって完全に囲まれたエリア（例えば、ラベリングエリア１３４など）からなるため、実質的なペリクルの長さ又は幅に沿ったペリクルの断裂が防止又は抑止される。ペリクル内の欠陥又は何らかの汚染は、ペリクル内に穴を形成させ得る。従来技術のペリクルでは、この穴は、ペリクルのかなりの割合を横切って延在する断裂として伝搬する。断裂の伝搬は、リソグラフィ装置ＬＡの動作中に発生するペリクルの迅速な加速及び減速によって生じ得る。有利なことに、カーボンナノチューブ１３０は、ペリクル内の穴がカーボンナノチューブを横切って伝搬しないほど十分に強い。これが、ペリクル膜１１９のかなりの部分を横切って延在する断裂が確立されるのを防止する。完全に囲まれたエリア１３４を例とすると、穴がそのエリア内に形成された場合、穴は、そのエリアを囲むカーボンナノチューブ１３０の範囲まで外側に伝搬し得る。しかしながら、穴はそれ以上伝搬しない。それによって穴のサイズは、完全に囲まれたエリア１３４のサイズに限定される。完全に囲まれたエリアは、完全に閉鎖されたエリア又はウィンドウと呼ばれ得る。
【0077】
[00076] ペリクル膜１１９の完全に囲まれたエリアのサイズは、ペリクル膜１１９上に提供されるカーボンナノチューブの密度によって決定される（カーボンナノチューブの密度が高いほど、より小さな完全に囲まれたエリアが提供される）。したがって、小さな閉鎖されたペリクルエリアを提供するためには、ペリクル膜１１９上に高密度のカーボンナノチューブを提供することが望ましいと考えられ得る。しかしながら、カーボンナノチューブはＥＵＶ放射を吸収し、可能な限り多くのＥＵＶ放射を透過させることがペリクル膜１１９にとって望ましいため、ペリクル膜１１９上に提供されるカーボンナノチューブの量を最小化することも望ましい。
【0078】
[00077] これらの競合する要件を考慮すると、ペリクル膜上に提供されるカーボンナノチューブの量は、カーボンナノチューブがペリクル膜エリアの１％まで（又は１０％まで）のエリアを占有するものであり得る。言い換えれば、補強網（開口又はカーボンナノチューブ間のエリアを除く）にとって、ペリクルのエリアの１％まで（又は、１０％まで）のエリアを有することが望ましい可能性がある。全エリアの割合としてのカーボンナノチューブの量は、カーボンナノチューブの密度と呼ばれ得る。１０％を超える密度でのカーボンナノチューブを有することによって生じる、ペリクルの透過の損失は、リソグラフィ装置のスループットにかなりの影響を与え得る。カーボンナノチューブの密度が１０％に近い（例えば、５％から１０％の間）とき、カーボンナノチューブがペリクル膜を横切って均一に分散する場合、ペリクル膜は低下したＥＵＶ透過のエリアを有し得る。したがって、５％までのカーボンナノチューブの密度が好ましく、１％までのカーボンナノチューブの密度がより好ましい。カーボンナノチューブは１％より大きな密度で提供され得るが、ペリクルの著しい断裂の防止に関して提供される恩恵は相対的に低い。これは、１％密度のカーボンナノチューブと共にペリクル内に形成される穴のサイズが、（下記で説明するように）リソグラフィ装置によって投影されるパターンに対して著しい効果を有さない範囲に限定され得るからである。
【0079】
[00078] カーボンナノチューブ１３０には、完全に閉鎖されたエリアが２０ミクロンまでの最大寸法を有するような補強網を形成する密度が提供され得る。カーボンナノチューブには、閉鎖エリアの最大寸法が２０ミクロンより大きい、例えば５０ミクロンまで又は１００ミクロンまでのような、より低い密度が提供され得る。しかしながら、これによって、穴を５０ミクロンまで又は１００ミクロンまでの最大寸法で形成できることになる。こうしたより大きな穴のサイズの欠点は、リソグラフィ装置によって露光される基板上に入射するＥＵＶ放射の強度において、著しい差を生じさせ得る（ペリクルよりも多くのＥＵＶ放射が穴を通過する）ことである。これは、リソグラフィ装置によって基板上に投影されるパターンの精度に影響を与え得る。閉鎖エリアの最大寸法が２０ミクロンまで（又は、場合によっては１０ミクロンまで）に限定される場合、基板上に入射するＥＵＶの強度の差は、基板上で露光されるパターンに著しく影響を与えるほど十分でない場合がある。有利なことに、これは、ペリクルアセンブリ１１５が、ペリクル内の穴の存在にかかわらず、通常通りに使用を続行できることを意味する。穴は、補強網によって含められ、リソグラフィ装置の性能に著しい影響を与えないことになる。完全に閉鎖されたエリアは、５ミクロン以下の平均エリアを有し得る。
【0080】
[00079] 補強されたペリクル膜の一実施形態の作製は、下記の通りであり得る。ペリクル作製の初期のステップは、図７に関して下記で更に説明し得る。次いで、金属シリサイドの層が（例えば、スパッタリングを使用して）堆積される。層は薄く、例えば５ナノメートル未満であり得る。層は例えば、およそ２ナノメートル（例えば、２～４ナノメートル）の厚みを有し得る。
【0081】
[00080] 次いで、カーボンナノチューブは、揮発性溶剤内の溶液（例えば、有機溶剤キンキチオフェン末端ポリ（エチレングリコール））として提供される。この溶液は、例えばスピニングによって、金属シリサイド層上に印加される。次いで、溶液を蒸発させてカーボンナノチューブが後に残るように、焼成ステップが実行される。これにより、図３Ａ及び図３Ｂに概略的に示されるように、カーボンナノチューブの無秩序配置を提供する。
【0082】
[00081] カーボンナノチューブは、単一壁ナノチューブであり得る。カーボンナノチューブは、０．２ｍから２ｎｍの間の半径を有し得る（これは、単一壁カーボンナノチューブの典型的な厚みである）。カーボンナノチューブは、バンドルするか又はバンドルしないことができる。カーボンナノチューブがバンドルされていない場合、ペリクル膜上におよそ４ナノメートルまでの厚み（互いに交差する２ｎｍの２つのナノチューブ）を有し得る。しかしながら、それらは、これよりも薄い、例えば２ナノメートル以下、更には１ｎｍ以下の厚みを有し得る。カーボンナノチューブがバンドルされている場合、５ｎｍまで、更には１０ｎｍまでのバンドル厚みを有し得る。これは、ペリクル膜上におよそ２０ｎｍまでの厚み（互いに交差する１０ｎｍの２つのナノチューブ）を有し得る。
【0083】
[00082] カーボンナノチューブは、例えば１００ミクロン以上の長さを有し得る。カーボンナノチューブは、ミリメートル程度の長さを有し得る。
【0084】
[00083] 任意選択として、金属などの材料の層が、カーボンナノチューブの頂部上に堆積され得る。この層は、例えば原子層堆積を使用して形成され得る。
【0085】
[00084] 金属シリサイドの第２の層が、カーボンナノチューブの頂部上（存在する場合は、任意選択の金属層の頂部上）に、例えばスパッタリングを使用して堆積される。金属シリサイドの第２の層は薄くてよく、例えば５ナノメートル以下の厚みを有する。金属シリサイドの第２の層は、例えばおよそ２ナノメートル（例えば、２～４ナノメートル）の厚みを有し得る。
【0086】
[00085] 次いで、ペリクル膜は、任意の余分なカーボンナノチューブが存在すればこれを、及び任意の他の汚染が存在すればこれを除去するために、クリーニングされる。
【0087】
[00086] 次いで、図７に関連して下記で説明する、エッチングプロセスが実行される。
【0088】
[00087] 作製プロセスの間に、各金属シリサイド層の酸化が、およそ１ナノメートル厚みの金属シリサイドを除去することになる。本実施形態では、およそ２ナノメートル（例えば、２～４ナノメートル）の厚みの金属シリサイドが各層に使用されるのは、このためである。酸化は、およそ１ｎｍ厚みの酸化エリアを各層に追加することになる。ペリクル膜が形成されたとき、金属シリサイドの２つの層と酸化エリアは、およそ４ナノメートルの組み合わせ厚みを有し得る。カーボンナノチューブは、存在する場合、追加の厚み（例えば、バンドルされていないカーボンナノチューブについて、およそ０．５ｎｍからおよそ４ｎｍまで）を追加することになる。結果として生じるペリクル膜１１９は、およそわずか５ナノメートル以下の厚み（カーボンナノチューブを含む）を有することになる。ペリクル膜１１９は、１０ナノメートルまでの厚み（カーボンナノチューブを含む）を有し得る。ペリクル膜１１９は、１５ナノメートルまでの厚み（カーボンナノチューブを含む）を有し得る。
【0089】
[00088] カーボンナノチューブの厚みは、全体として、必ずしもペリクル膜の厚みではない。カーボンナノチューブを有さないペリクル膜のエリアが、金属シリサイド層の厚み（金属シリサイドの酸化エリアを含む）によって決定される厚みを有することになる。
【0090】
[00089] 一実施形態において、ペリクル膜１１９の平均厚みは、５ナノメートル未満であり得る。この状況において、「平均厚み」という用語は、カーボンナノチューブから生じる厚みへの寄与を含む。しかしながら、カーボンナノチューブのエリアが少ない（例えば、ペリクル膜の合計エリアの１％以下）一実施形態では、平均厚みへのカーボンナノチューブの寄与は最小である。これは、９５％を超えるＥＵＶ透過を提供し得る。有利なことに、ペリクル膜の薄さは、従来のペリクル膜よりも高いＥＵＶ透過を提供し、それによって、基板上へのＥＵＶ放射の強度をより高くし、その結果として、リソグラフィ装置ＬＡのスループットをより高くすることができる。カーボンナノチューブの密度は、ペリクル膜の透過がカーボンナノチューブによって著しく影響されない程度に低くてよい（例えば、１％以下）。
【0091】
[00090] カーボンナノチューブ１３０によって形成される補強網は、ペリクル膜１１９に強度を提供する。ペリクル膜１１９は、例えば、対応する厚みの従来の金属シリサイドフィルムよりも強い場合がある。カーボンナノチューブによって形成される補強網は、金属シリサイド層の厚みを、カーボンナノチューブが存在しなければ不可能なレベルまで減少させることが可能な、強度を提供する。
【0092】
[00091] カーボンナノチューブは、深紫外線（ＤＵＶ）放射に対して反射性である。ペリクルによるＤＵＶの反射は、リソグラフィ装置ＬＡ内の基板Ｗ上に提供されるレジストの望まない露光を生じさせ得るため、望ましくない。カーボンナノチューブの量を、例えばペリクル膜のエリアの１％未満に制限することによって、ペリクルによって反射されるＤＵＶの量も制限される。したがって、ペリクル膜から反射されるＤＵＶによるウェーハの著しい露光が回避され得る。
【0093】
[00092] 本発明の説明した実施形態は、補強網を形成するためにカーボンナノチューブを使用するが、補強網を形成するために他の構造（例えば、ホウ素ナノチューブ）が使用され得る。
【0094】
[00093] 説明した実施形態は、スピンコーティングを使用してカーボンナノチューブを提供するが、カーボンナノチューブを提供するために他の方法が使用され得る。他の方法の例は、ウェット（インクジェット）プリンティング、ドライプリンティング、スプレーコーティング、及びプレスである。
【0095】
[00094] 説明した実施形態において、金属シリサイド層を提供するためにスパッタリングが使用されるが、他の方法（例えば、原子層堆積（ＡＬＤ））が使用され得る。スパッタリングと比較して、ＡＬＤを使用する利点は、プラズマが存在しないことである。プラズマは、カーボンナノチューブを潜在的に損傷させる可能性があり、ＡＬＤが使用される場合、この潜在的損傷は回避される。
【0096】
[00095] カーボンナノチューブは、両側が金属シリサイドによってコーティングされるため、ガス放出に関してペリクル膜の挙動は、全体が金属シリサイドで形成されるペリクル膜の場合と同じになる。これは、カーボンナノチューブに向けて行われる特殊な汚染制御方法が不要であることを意味するため、有利である。
【0097】
[00096] 有利なことに、カーボンナノチューブは熱膨張の小さい係数（一般に金属シリサイドより小さい）を有し、したがって、加熱されたときに生じ得るペリクル膜のたるみを減少させ得る。
【0098】
[00097] カーボンナノチューブは、例えばチタン、ジルコニウム、又はタングステン、あるいはそれらの酸化物（他の金属又は合金が使用され得る）でコーティングされ得る。カーボンナノチューブのコーティングは、例えば原子層堆積（ＡＬＤ）を使用して実行され得る。カーボンナノチューブをコーティングすることで、カーボンナノチューブの放射率を増加させ得、それによって有利なことに、ペリクル膜のより効果的な冷却を可能にする。
【0099】
[00098] 上記で更に述べたように、ペリクルアセンブリがリソグラフィ装置で使用するためにパターニングデバイスＭＡに取り付けられる。取り付けは、例えば取り付け機構２２を介し得る（図２を参照のこと）。ペリクルアセンブリ１５をパターニングデバイスＭＡに取り付けるとき、１つ以上の結像センサ（例えば、カメラ）を使用して、パターニングデバイスに関するペリクルアセンブリの位置を監視し得る。生じ得る問題は、ペリクルフレーム１７及びペリクル膜１９の組み合わされた反射率が、パターニングデバイスＭＡ及びペリクル膜の組み合わされた反射率に非常に類似し得ることである。結像センサは、結果として、ペリクル膜１９に注目したときと同じであるか又はほとんど同じ、ペリクルフレーム１７に注目したときの光の強度を見ることができる。言い換えれば、ペリクルフレームとペリクル膜との間の（パターニングデバイスがその下方にある）コントラストは、非常に低い場合がある。これによって、ペリクルフレームを区別することが困難になり得、次いで、ペリクルフレームをパターニングデバイスに正確に取り付けることを可能にするように、ペリクルフレームをパターニングデバイスに関して位置合わせすることが困難になり得る。本発明の実施形態は、この問題に対処する。
【0100】
[00099] この問題に対処する第１の実施形態は、図４に概略的に示されている。図４は、本発明の一実施形態に従った、ペリクルアセンブリ２１５の概略的断面図である。ペリクルアセンブリ２１５は、ペリクル膜２１９及びフレーム２１７を備える。フレーム２１７は、ベース２４０及び層のスタック２４２を備える。層のスタック２４２は、境界スタックと呼ばれ得る。フレーム２１７のベース２４０は、例えばシリコンから形成され得る。境界スタック２４２は、例えば、シリコン酸化物層及びシリコンベース層の組み合わせから形成され得る（一例を更に下記で説明する）。上記で更に述べたように、ペリクル膜２１９、境界スタック２４２、及びベース２４０は、ペリクル膜２１９及びパターニングデバイス（図示せず）の組み合わされた反射率と同様の、組み合わされた反射率を提供し得る。これにより、ペリクルアセンブリをパターニングデバイスと位置合わせする際に困難が生じ得る。図４の実施形態では、境界スタック部分の外側部が（例えば、エッチングを介して）部分的に除去されている。結果として、境界スタック２４２及びペリクル膜２１９は、フレーム２１７の外縁まで完全に延在しない。代わりに、フレーム２１７の外縁の前に、境界スタック（及びペリクル膜２１９）の下方にステップが存在する。ペリクルアセンブリ２１５に注目する結像システムは、境界スタック２４２の一部がないことに起因して、ペリクルアセンブリ２１５の外側周辺において異なる反射率を見ることになる。これは、光が、境界スタックの残りの部分（この場合、何らかのシリコン酸化物）及びベース２４０のみによって反射され、境界スタック２４２の残りの部分又はペリクル膜２１９によって反射されないからである。それによって、ペリクルフレーム２１７の外側部分２４４及びペリクルフレーム２１７の内側部分２４６との間で、著しいコントラストが達成される。このペリクルフレーム２１７の内側部分２４６と外側部分２４４との間のコントラストが、ペリクルアセンブリ２１５をパターニングデバイスと位置合わせするために使用される結像システムによって、ペリクルフレームをより容易に識別できるようにする。加えて、コントラストにおける差は、ペリクルアセンブリ２１５をパターニングデバイスから容易に区別できるようにする。これにより、ペリクルアセンブリ２１５のパターニングデバイスに対する位置合わせをより容易に達成できるようにする。
【0101】
[000100] 図４Ｂは、本発明の一実施形態に従った、ペリクルアセンブリ２１５の上方からの図を概略的に示す。図４Ａに示された実施形態と同様に、ペリクルアセンブリ２１５はペリクル膜２１９及びフレーム２１７を備える。ペリクルアセンブリ２１５の１つのコーナーの拡大図も、図４Ｂに示されている。この拡大図は、ペリクル膜２１９、ペリクルフレームの内側部分２４６、及びペリクルフレームの外側部分２４４を示す。内側部分２４６は（図４Ａに示されるような）全境界スタック２４２層を含むが、外側部分２４４には、少なくとも一部の境界スタック層が存在しない。少なくとも一部の境界スタック層は、例えば、ペリクルフレーム２１７の外側部分２４４からエッチングによって取り除かれている場合がある。
【0102】
[000101] 全境界スタック２４２は、単純なコーナーを形成しない。代わりに、全境界スタック２４２の一部は全境界スタックが交わる地点を越えて延在し、それによってコーナーから延在する２つの突起部２４８、２４９を形成する。突起部２４８、２４９は互いに直交して延在する。これらの突起部２４８、２４９は、有利なことに、ペリクルアセンブリ２１５をパターニングデバイス（図示せず）と位置合わせするように構成されたアライメントシステムによって、アライメントマークとして使用され得る。アライメントシステムは、結像システム（例えば、カメラ）を含み得、ペリクルアセンブリ２１５の位置を決定するときに、突起部２４８、２４９を探すように構成され得る。ペリクルフレーム２１７の内側部分２４６と外側部分２４４との間の反射率の差は既知であり得、したがって、アライメントシステムによって見られるコントラストも、アライメントシステムによって既知であり得る。これにより、アライメントシステムは、突起部２４８、２４９によって形成されるアライメントマークをより容易に識別できるようになる。
【0103】
[000102] 境界スタック２４２の内側部分２４６の２つの直交する突起部２４８、２４９が、図４Ｂに示されているが、他の形状も形成され得る。１つ又は複数の形状は、ペリクルフレームの１つ以上のコーナーに形成され得、及び／又は、ペリクルフレーム上のその他の場所に形成され得る。
【0104】
[000103] 境界スタックの内側部分２４６の突起部又は他の形状は、有利なことに、アライメントシステムがペリクルアセンブリとパターニングデバイスとを位置合わせすることをより容易にする。
【0105】
[000104] 図５は、本発明の更なる実施形態に従ったペリクルアセンブリ３１５を示す。本実施形態では、境界スタック３４２はペリクルフレーム３１７の外縁まで完全に延在する。しかしながら、ペリクル膜３１９は、ペリクルフレーム３１７の外縁まで完全に延在しない（ペリクル膜の一部が、例えばエッチングによって除去され得る）。結果として、ペリクル膜３１９と境界スタック３４２との間に遷移が存在する。この遷移は、ペリクルアセンブリ３１５の位置を決定するためにアライメントシステムによって使用され得る反射率の差を提供する。
【0106】
[000105] 図５Ｂは、上方から見たペリクルアセンブリ３１５を示す。本実施形態では、境界スタック３４２はペリクルフレーム３１７の外縁まで完全に延在するが、ペリクル膜３１９は完全に延在しない。ペリクル膜のコーナーは、２つの突起部３４８、３４９を含む。これらの突起部は、前の実施形態に関して上記で説明した様式と同じ様式で、アライメントマークとして使用され得る。
【0107】
[000106] 図５Ｂでは、ペリクル膜３１９の２つの直交する突起部３４８、３４９が示されているが、他の形状も形成され得る。１つ又は複数の形状は、ペリクルフレームの１つ以上のコーナーに形成され得、及び／又は、ペリクルフレーム上の他の場所に形成され得る。ペリクル膜３１９の突起部又は他の形状は、有利なことに、アライメントシステムがペリクルアセンブリとパターニングデバイスとを位置合わせすることをより容易にする。
【0108】
[000107] 一実施形態では、ペリクルアセンブリの境界スタックの厚みは、ペリクル膜、境界スタック、及びベースの組み合わされた反射率が、ペリクル膜とパターニングデバイスとの組み合わされた反射率と著しく異なることを保証するために、選択され得る。図６は、コントラスト比が境界スタックの厚みの関数としてどのように変化するかの一例を示すグラフである。コントラスト比は縦軸上に示され、境界スタック厚みは水平軸上に示される。グラフは、シリコン及びシリコン酸化物を含む境界スタックのための光学モデリングソフトウェアを使用して生成された。暗線は、境界スタックの正確なターゲット厚みにおけるモデリングされた光学反射率を示す。暗線の両側の帯域は、境界スタックの作製中に層厚みの変動が存在する場合に生じることになる、反射率の変動を表す。図６から見られるように、境界スタックの何らかの厚みについて、コントラスト比は低くてよく、ゼロでさえあり得る。他の厚みについて、コントラスト比は高くてよい（例えば、０．２以上）。モデリングソフトウェアは、０．０１より上（例えば、０．０２より上）のコントラスト比が提供されることを保証するように、境界スタックの厚みを選択するために使用され得る。０．２以上のコントラスト比が取得され得る。０．０１以上のコントラスト比は、ペリクルアセンブリをパターニングデバイスから差別できるようにし得る。しかしながら、０．０２以上のコントラスト比の誤差の範囲を提供することが好ましい。場合によっては、層厚みの変動が存在し得、これがコントラスト比に影響を与えることになる。そのため、層厚みの変動が存在する場合であっても、コントラストは良好のままであることを保証するために、０．１以上又は０．２以上のコントラスト比が使用され得る。
【0109】
[000108] コントラスト比は、異なる屈折率を伴う材料の選択を介して調整され得る。例えば、境界スタックの犠牲層が、スタックの反射率の観点からの望ましい屈折率を有する材料から形成され得る。別の例では、シリコン及びシリコン酸化物は異なる屈折率を有するため、境界スタックにおけるシリコンとシリコン酸化物との間の比を変更することで、スタックの屈折率が変化することになる。
【0110】
[000109] 本発明の一実施形態に従ったペリクルアセンブリが、物理蒸着（ＰＶＤ）を使用して形成され得る。
【0111】
[000110] 出願者は、金属シリサイド又はドープされた金属シリサイドペリクル層が所望の品質及び歩留まりで製造され得る、製造プロセスを開発した。製造プロセスを下記で説明する。
【0112】
[000111] 本文書における他の図面と同様に、図面は例示的であることが意図され、したがって一定の縮尺で描画されていないことに留意されたい。これは特に、例えば平面基板に関して、例えばペリクル層の厚みを考慮するときに重要である。これは特に、製造段階を考慮するときにも重要である。主な製造段階が示されているが、これらは、本来は例示的であり、追加のステップ及びプロセスが、図示されたステップの前、間、及び／又は、後に実施され得ることを理解されたい。追加として、いくつかの段階は単一ステップ（例えば、エッチングプロセス）として示され得るが、実際には単一ステップによって示される全体効果を伴ういくつかの順次的な小プロセスとして実行され得る。
【0113】
[000112] 下記及び上記のプロセスは、エッチングを指す。エッチングは、材料の一部を除去するために使用される一般的な製造プロセスである。多層材料において、選択的エッチングは、下にある層が露光されるように外側層の一部を除去することができる。エッチングは、レジスト、例えばフォトレジストを提供すること、及び、レジストをパターニングすることを含み得る。実施形態は、レジストの性質によって特に限定されず、任意の適切なレジストが使用され得る。レジストは、下にある層がエッチングされるのを保護する働きをする。したがって、レジストのパターニングは、後続のエッチングプロセスによって除去されるスタックのエリアを画定する働きをする。エッチャントは、例えば、リン酸及び／又はフッ酸などの、化学エッチャントとすることができる。
【0114】
[000113] 図７は、本発明の一実施形態に従った、ペリクルアセンブリ４１５の製造段階を概略的に示す。単に基板４００と呼ばれ得る、平面基板４００が提供される。基板４００は、例えばシリコンウェーハであり得る。基板４００は、例えば正方形、円形、又は長方形などの形状を有する。基板４００の形状は特に限定されないが、最も一般的に使用可能な形状であるため、円形である可能性が最も高い。基板４００のサイズは特に限定されない。
【0115】
[000114] 第１の犠牲層４０１ａが、例えば基板４００上に堆積させることによって提供される。第１の犠牲層４０１ａは、好ましくは基板４００を実質的に囲むが、いくつかの実施形態では、基板４００を部分的にのみ囲み得る。第１の犠牲層４０１ａは、酸化物、例えばシリコン酸化物又は熱酸化物を含む。
【0116】
[000115] 次いで、第２の犠牲層４０１ｂが、例えば第１の犠牲層４０１ａ上に堆積させることによって提供される。第２の犠牲層４０１ｂは、好ましくは第１の犠牲層４０１ａを実質的に囲むが、いくつかの実施形態では、第１の犠牲層４０１ａを部分的にのみ囲み得る。第２の犠牲層４０１ｂは、あるタイプのシリコン、例えばポリシリコン又はドープされたシリコン、好ましくはインシチュドープポリシリコン（ＩＳＤＰ）を含み得る。有利なことに、ＩＳＤＰを含む第２の犠牲層４０１ｂは、相対的に低いラフネス及びわずかな突起部と共に形成可能である。
【0117】
[000116] 異なる材料（この場合、酸化物及びシリコン）から形成される隣接犠牲層（例えば、第１及び第２の犠牲層４０１ａ、４０１ｂ）は、所与のエッチング動作について異なる速度でエッチングすることになる。すなわち、特定のエッチング動作について、第１の犠牲層４０１ａは即時にエッチングし得るが、第２の犠牲層４０１ｂは比較的低速でエッチングし得るか、又はまったくエッチングしなくてよい。このようにして、異なる材料から形成される隣接犠牲層は、有利なことに、１つの層に所与のエッチング動作のためのエッチストップを形成させることができる。
【0118】
[000117] 第３の犠牲層４０１ｃが、例えば第２の犠牲層４０１ｂ上に堆積させることによって提供される。第３の犠牲層４０１ｃは、好ましくは第２の犠牲層４０１ｂを実質的に囲むが、いくつかの実施形態では、第２の犠牲層４０１ｂを部分的にのみ囲み得る。第３の犠牲層４０１ｃは、酸化物、例えばシリコン又は熱酸化物の薄層を含む。薄いとは、第３の犠牲層４０１ｃの厚みが、ペリクル膜４１９の厚みと同じ程度（又はより薄い）であることを意味する。第３の犠牲層４０１ｃは、薄酸化物層４０１ｃとして知られ得る。酸化物の薄層は、当分野で既知のように、周知の層厚みで容易に成長する。したがって、薄酸化物層４０１ｃは、低い表面ラフネスで形成され得る。したがってこれは、ペリクル膜４１９を堆積させる平滑表面を提供する。
【0119】
[000118] 基板４００並びに第１、第２、及び第３の犠牲層４０１ａ、４０１ｂ、４０１ｃは、この段階でスタックと呼ばれ得る。
【0120】
[000119] ペリクル膜の堆積に先立ち、後に境界となるエリアを画定するために、犠牲層４０１ａ、４０１ｂ、４０１ｃがパターン付与され、それによって最終ペリクルアセンブリの形状を画定する。すなわち、最終ペリクルアセンブリの形状を画定するために、スタックの表面がパターン付与される。この面はスタックの「背面」と呼ばれ得、ペリクル膜４１９を受け取る面の反対側の面として定義される。このプロセスは、パターニングプロセスとして知られ得る。このパターニングプロセスは、任意の適切なレジスト及びエッチングプロセスを使用して実行され得る。このプロセス中、基板は機器によって取り扱われ得、例えば、適所にクランプ及び／又は反転され得る。こうした取り扱いは、基板又は関連付けられた犠牲層の１つ以上の表面を損傷又は汚染するリスクを冒し得る。ペリクル膜４１９の堆積に先立ち、このパターニングプロセスを実行することによって、ペリクル膜４１９を損傷させるリスクが低減され得る。図７には特定のパターンが示されているが、ペリクルアセンブリの望ましい最終形状に依存して、任意の代替パターンが生成され得ることを理解されたい。
【0121】
[000120] パターニングプロセスに続き、第３の犠牲層４０１ｃの表面上にペリクル膜４１９が提供される。ペリクル膜１９は、１つ以上のペリクル層を備え得る。図７に示されるペリクル膜４１９は、単一ペリクル層を備える。ペリクル層は、いくつかの恩恵を上記で考察した、ドープされた金属シリサイドを含む。本実施形態又は他の実施形態におけるペリクル層は、代替として、金属シリサイドを含み得る。ペリクル膜４１９は複数層を備え得る。ペリクル膜４１９は、補強網（例えば、カーボンナノチューブから形成される）を備え得る。補強網は、ペリクル膜の金属シリサイドに埋め込み得る。補強網は、金属シリサイドの層間に位置し得る。ペリクル膜４１９は、他の実施形態に関して上記で更に説明され得る。
【0122】
[000121] １つ以上のキャッピング層にペリクル層が提供され得る。これらのキャッピング層は、将来のエッチングプロセスのためのエッチストップとして提供され得る。代替又は追加として、これらのキャッピング層は、ペリクル層又はペリクル膜上の応力量を制御するように提供され得る。キャッピング層は、例えば酸化物を含み得る。キャッピング層は、第３の犠牲層４０１ｃの応力に匹敵する応力で有益に堆積され得る。キャッピング層は、第３の犠牲層４０１ｃと同様のエッチング時間を有するように、有益に構成され得る。
【0123】
[000122] ペリクル膜４１９の堆積後、基板４００、第１の犠牲層４０１ａ、第２の犠牲層４０１ｂ、及び第３の犠牲層４０１ｃの更なる部分が、基板４００の一部（及び、犠牲層４０１ａ、４０１ｂ、４０１ｃの一部）を除去し、ペリクル膜４１９を支持するためのフレーム４１７を形成するために外側外周のみを残すように、選択的にバックエッチングされ得る。
【0124】
[000123] 第１のエッチングステップは、およそ７００ｕｍの厚みを有するウェーハであり得る、基板４０２の深Ｓｉエッチングを実行することからなる。このエッチングは、ウェット化学エッチングにおいて実行され得、完了するために（より薄い層についての他のエッチングと比べて）長い時間期間を必要とし得る。エッチャントが（酸化物である）第１の犠牲層４０１ａに到達すると、エッチング速度は著しく減速する。ウェーハからのＳｉがキャビティエリア内部で完全に除去されることを確実にするために、著しいオーバーエッチングが使用され得る。このオーバーエッチングは、第１の犠牲層４０１ａが酸化物層であり、したがってエッチングバリアとして作用し、頂部上にある層の残余を保護するため、可能である。
【0125】
[000124] 次のステップにおいて、異なるウェット化学エッチングを使用して、第１の犠牲層４０１ａが除去される。エッチングは、第１の犠牲層４０１ａに対して高度に選択的であり、第２の犠牲層４０１ｂを著しくエッチングしない（シリコンである第２の犠牲層はエッチストップ層として作用する）。
【0126】
[000125] これに続き、シリコンである第２の犠牲層４０１ｂが、第２の犠牲層に対して高度に選択的であるウェットエッチングによって除去される。このエッチングは、第３の犠牲層４０１ｃを著しくエッチングしない（酸化物である第３の犠牲層はエッチストップ層として作用する）。
【0127】
[000126] 最終的に、第３の犠牲層４０１ｃが、ペリクル膜４１９に達するまでウェットエッチングによって除去される。第３の犠牲層４０１ｃは例えば第２の犠牲層４０１ｂよりも薄いため、エッチングはより短い時間期間にわたって実施される。これは、エッチング時間がより緊密に制御可能であり、それによってペリクル膜４１９内へのエッチングのリスクを最小限にすることを意味する。
【0128】
[000127] 第３の犠牲層４０１ｃは、第２の犠牲層４０１ｂとペリクル膜４１９との間の拡散バリアとして作用する。第３の犠牲層は、第２の犠牲層を酸化させることによって形成され得る。代替として、第３の犠牲層４０１ｃは、ＰＶＤ、ＰＥＣＶＤ、又はＡＬＤなどの堆積法を使用して形成され得る。
【0129】
[000128] フレーム４１７は、基板４００の一部、並びに、第１の犠牲層４０１ａの一部、第２の犠牲層４０１ｂの一部、及び第３の犠牲層４０１ｃの一部を備える、境界スタックを備える。
【0130】
[000129] 本実施形態を参照しながら上記で考察した材料のいくつかが与えられる一例において、フレーム４１７は、ドープされた金属シリサイドペリクル膜と共にアバットメントに入ってくる前に、シリコンの秩序スタック、酸化物、ＩＳＤＰ、及び薄酸化物を備え得る。代替として、フレーム４１７は、ドープされた金属シリサイドペリクル膜と共にアバットメントに入ってくる前に、シリコンの秩序スタック、酸化物、シリコン、及び薄酸化物を備え得る。犠牲層の数及びそれらの組成に依存して、フレーム４１７は対応する層の秩序スタックを備え得ることを理解されたい。
【0131】
[000130] 犠牲層の組成の選択肢は、追加として、ペリクルアセンブリの処理時間の低減に役立ち得る。例えばいくつかのプロセスは、製造プロセス内の「ボトルネック」、例えば窒化シリコン又はＩＳＤＰの形成を構築する。有益なことに、これらの材料は本発明のいくつかの実施形態から省略され得、それによって処理時間を低減させる。
【0132】
[000131] 犠牲層の組成及び／又は犠牲層の厚みの選択肢は、上記で更に説明したように、結果として生じる境界スタック及びフレームの反射率に基づいて選択され得る。反射率は、（例えば、０．１以上のコントラスト比、又は上記で更に考察したような他のコントラスト比を提供する）ペリクル膜及びパターニングデバイスの組み合わされた反射率と著しく異なるように選択され得る。一例において、酸化物、例えばシリコン酸化物又は熱酸化物の層であり得る、第３の犠牲層４０１ｃは、境界スタック及びフレームの望ましい反射率を提供するように選択された厚みを有し得る。別の例では、第１の犠牲層４０１ａ（又は第２の犠牲層４０１ｂ）は、境界スタック及びフレームの望ましい反射率を提供するように選択された厚みを有し得る。第１の犠牲層は最も厚く、結果として第１の犠牲層の改変を介して、反射率の望ましい変更を達成することが最も容易であり得る。
【0133】
[000132] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。考えられる他の用途は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。
【0134】
[000133] 本明細書ではリソグラフィ装置に関連して本発明の実施形態について具体的な言及がなされているが、本発明の実施形態は他の装置に使用することもできる。本発明の実施形態は、マスク検査装置、メトロロジ装置、又はウェーハ（あるいはその他の基板）もしくはマスク（あるいはその他のパターニングデバイス）などのオブジェクトを測定又は処理する任意の装置の一部を形成してよい。これらの装置は一般にリソグラフィツールと呼ばれることがある。このようなリソグラフィツールは、真空条件又は周囲（非真空）条件を使用することができる。
【0135】
[000134] 文脈上許される場合、本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらの任意の組み合わせにおいて実装することができる。本発明の実施形態は、１つ以上のプロセッサにより読み取られて実行され得る、機械可読媒体に記憶された命令として実装することも可能である。機械可読媒体は、機械（例えばコンピューティングデバイス）により読み取り可能な形態で情報を記憶又は伝送するための任意の機構を含むことができる。例えば機械可読媒体は、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音響又は他の形態の伝搬信号（例えば搬送波、赤外信号、デジタル信号など）、及び他のものを含むことができる。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令は、特定のアクションを実行するものとして本明細書で説明されることがある。しかしながら、そのような説明は単に便宜上のものであり、そのようなアクションは実際には、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行するコンピューティングデバイス、プロセッサ、コントローラ、又は他のデバイスから生じ、実行する際、アクチュエータ又は他のデバイスが物質世界と相互作用し得ることを理解すべきである。
【0136】
[000135] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることは理解されよう。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図4A】
【図4B】
【図5A】
【図5B】
【図6】
【図7】
【手続補正書】
【提出日】2024-04-09
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
リソグラフィ装置のためのペリクル膜であって、前記ペリクル膜は金属シリサイド及び補強網を含む、ペリクル膜。
【請求項2】
前記補強網は金属シリサイド層間に位置する、請求項１に記載のペリクル膜。
【請求項3】
前記補強網は不規則である、請求項１又は２に記載のペリクル膜。
【請求項4】
前記補強網はナノチューブから形成される、請求項１又は２に記載のペリクル膜。
【請求項5】
前記ナノチューブはカーボンナノチューブである、請求項４に記載のペリクル膜。
【請求項6】
追加層が、前記補強網と少なくとも１つの前記金属シリサイド層との間に提供される、請求項１又は２に記載のペリクル膜。
【請求項7】
前記少なくとも１つの追加層は金属層である、請求項６に記載のペリクル膜。
【請求項8】
前記金属シリサイドは窒化金属シリサイドである、請求項１又は２に記載のペリクル膜。
【請求項9】
請求項１又は２に記載の前記ペリクル膜及びフレームを備えるペリクルアセンブリであって、前記ペリクル膜は前記フレームによって支持されている、ペリクルアセンブリ。ペリクルアセンブリ。
【請求項10】
前記フレームはベース及び境界スタックを備え、前記境界スタックは、前記ペリクル膜の下方及び前記境界スタックのシリコンベース層の上方に位置する、酸化物層を備える、請求項９に記載のペリクルアセンブリ。
【請求項11】
前記酸化物層は、前記ペリクル膜及びペリクルフレームの組み合わせと、前記ペリクル膜及びパターニングデバイスの組み合わせとの間の、望ましいコントラスト比に寄与するように選択された厚みを有する、請求項１０に記載のペリクルアセンブリ。
【請求項12】
前記望ましいコントラスト比は０．１以上である、請求項１１に記載のペリクルアセンブリ。
【請求項13】
請求項９に記載の前記ペリクルアセンブリを備え、リソグラフィマスクを更に備える、マスクアセンブリであって、前記境界スタック及びペリクル膜は、前記ペリクル膜及び前記リソグラフィマスクの組み合わされた反射率とは異なる、組み合わされた反射率を有する、マスクアセンブリ。
【請求項14】
前記境界スタック及びペリクル膜の前記組み合わされた反射率に対する前記ペリクル膜及びリソグラフィマスクの前記組み合わされた反射率は、０．１以上のコントラスト比を提供する、請求項１３に記載のマスクアセンブリ。
【請求項15】
ペリクルアセンブリを作製する方法であって、ａ．ベースを提供すること、
ｂ．複数の犠牲層を前記ベース上に提供すること、
ｃ．第１の金属シリサイドを最上の犠牲層上に提供すること、
ｄ．補強網を前記第１の金属シリサイド層上に提供すること、及び、
ｅ．第２の金属シリサイド層を前記補強網上に提供すること、
を含む、方法。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0136】
[000135] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることは理解されよう。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲及び条項から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
［条項１］
リソグラフィ装置のためのペリクル膜であって、前記ペリクル膜は金属シリサイド及び補強網を含む、ペリクル膜。
［条項２］
前記補強網は金属シリサイド層間に位置する、条項１に記載のペリクル膜。
［条項３］
前記補強網は不規則である、条項１又は２に記載のペリクル膜。
［条項４］
前記補強網は２０ミクロンまでの最大寸法を伴うウィンドウを含む、条項１から３のいずれかに記載のペリクル膜。
［条項５］
前記補強網は少なくとも５ミクロンの平均サイズを有するウィンドウを含む、条項１から４のいずれかに記載のペリクル膜。
［条項６］
前記補強網は、ウィンドウを除き、前記ペリクルの１０％までのエリアを有する、条項１から５のいずれかに記載のペリクル膜。
［条項７］
前記補強網はナノチューブから形成される、条項１から６のいずれかに記載のペリクル膜。
［条項８］
前記ナノチューブはカーボンナノチューブである、条項７に記載のペリクル膜。
［条項９］
前記ナノチューブはコーティングされる、条項７又は８に記載のペリクル膜。
［条項１０］
追加層が、前記補強網と少なくとも１つの前記金属シリサイド層との間に提供される、条項１から９のいずれかに記載のペリクル膜。
［条項１１］
前記少なくとも１つの追加層は金属層である、条項１０に記載のペリクル膜。
［条項１２］
前記金属シリサイドは窒化金属シリサイドである、条項１から１１のいずれかに記載のペリクル膜。
［条項１３］
条項１から１２のいずれかに記載の前記ペリクル膜及びフレームを備えるペリクルアセンブリであって、前記ペリクル膜は前記フレームによって支持されている、ペリクルアセンブリ。
［条項１４］
フレームによって支持されるペリクル膜を備えるペリクルアセンブリであって、前記ペリクル膜は前記フレームの外縁まで完全に延在しない、ペリクルアセンブリ。
［条項１５］
複数の層を備える境界スタックが、前記フレームと前記ペリクル膜との間に提供され、前記境界スタックの少なくとも一部は、前記フレームの外縁まで完全に延在しない、条項１４に記載のペリクルアセンブリ。
［条項１６］
前記ペリクル膜、及び任意選択で、前記境界スタックの少なくとも一部の外縁に、アライメントマークとして使用するための形状が提供される、条項１４又は１５に記載のペリクルアセンブリ。
［条項１７］
前記ペリクル膜及び境界スタックは一般に長方形であり、前記形状は、前記ペリクル膜の少なくとも１つのコーナーに、及び、任意選択として前記境界スタックの少なくとも一部に提供される、条項１６に記載のペリクルアセンブリ。
［条項１８］
前記形状は、前記ペリクル膜の各コーナーに、及び、任意選択として前記境界スタックの少なくとも一部に提供される、条項１７に記載のペリクルアセンブリ。
［条項１９］
前記形状は、前記コーナーから延在する２つの突起部を備える、条項１７又は１８に記載のペリクルアセンブリ。
［条項２０］
前記２つの突起部は互いに垂直に延在する、条項１９に記載のペリクルアセンブリ。
［条項２１］
前記境界スタックの少なくとも１つの層は、前記フレームの前記外縁まで完全に延在する、条項１４から２０のいずれかに記載のペリクルアセンブリ。
［条項２２］
前記境界スタックは、前記ペリクル膜の下方及び前記境界スタックのシリコンベース層の上方に位置する、酸化物層を備える、条項１４から２１のいずれかに記載のペリクルアセンブリ。
［条項２３］
前記酸化物層は、前記ペリクル膜及びペリクルフレームの組み合わせと、前記ペリクル膜及びパターニングデバイスの組み合わせとの間の、望ましいコントラスト比に寄与するように選択された厚みを有する、条項２２に記載のペリクルアセンブリ。
［条項２４］
前記酸化物層は、前記ペリクル膜及び前記境界スタックフレームの組み合わせと、前記境界スタックの少なくとも一部が存在しない前記フレームの外側部分との間の、望ましいコントラスト比に寄与するように選択された厚みを有する、条項１５及び２２に記載のペリクルアセンブリ。
［条項２５］
条項１から１２のいずれかに記載の前記ペリクル膜を備え、前記ペリクル膜を支持するフレームを更に備える、ペリクルアセンブリであって、前記フレームはベース及び境界スタックを備え、前記境界スタックは、前記ペリクル膜の下方及び前記境界スタックのシリコンベース層の上方に位置する、酸化物層を備える、ペリクルアセンブリ。
［条項２６］
前記酸化物層は、前記ペリクル膜及びペリクルフレームの組み合わせと、前記ペリクル膜及びパターニングデバイスの組み合わせとの間の、望ましいコントラスト比に寄与するように選択された厚みを有する、条項２５に記載のペリクルアセンブリ。
［条項２７］
前記望ましいコントラスト比は０．１以上である、条項２３から２６のいずれかに記載のペリクルアセンブリ。
［条項２８］
条項１３から２７のいずれかに記載の前記ペリクルを備え、リソグラフィマスクを更に備える、マスクアセンブリであって、前記境界スタック及びペリクル膜は、前記ペリクル膜及び前記リソグラフィマスクの組み合わされた反射率とは異なる、組み合わされた反射率を有する、マスクアセンブリ。
［条項２９］
前記境界スタック及びペリクル膜の前記組み合わされた反射率に対する前記ペリクル膜及びリソグラフィマスクの前記組み合わされた反射率は、０．１以上のコントラスト比を提供する、条項２８に記載のマスクアセンブリ。
［条項３０］
ペリクルアセンブリを作製する方法であって、
ａ．ベースを提供すること、
ｂ．複数の犠牲層を前記ベース上に提供すること、
ｃ．第１の金属シリサイドを最上の犠牲層上に提供すること、
ｄ．補強網を前記第１の金属シリサイド層上に提供すること、及び、
ｅ．第２の金属シリサイド層を前記補強網上に提供すること、
を含む、方法。
［条項３１］
前記第２の金属シリサイド層が提供される前に、金属層が前記補強網の頂部上に提供される、条項３０に記載の方法。
［条項３２］
前記補強網は、カーボンナノチューブから形成される、条項３１に記載の方法。
［条項３３］
前記特許請求されたペリクルアセンブリ、又は特許請求されたペリクル膜、又は条項１から３２のいずれかに従って製造されたペリクルアセンブリのうちの、いずれかを備えるリソグラフィ装置。
［条項１］
リソグラフィ装置のためのペリクル膜であって、前記ペリクル膜は金属シリサイド及び補強網を含む、ペリクル膜。
［条項２］
前記補強網は金属シリサイド層間に位置する、条項１に記載のペリクル膜。
［条項３］
前記補強網は不規則である、条項１又は２に記載のペリクル膜。
［条項４］
前記補強網は２０ミクロンまでの最大寸法を伴うウィンドウを含む、条項１から３のいずれかに記載のペリクル膜。
［条項５］
前記補強網は少なくとも５ミクロンの平均サイズを有するウィンドウを含む、条項１から４のいずれかに記載のペリクル膜。
［条項６］
前記補強網は、ウィンドウを除き、前記ペリクルの１０％までのエリアを有する、条項１から５のいずれかに記載のペリクル膜。
［条項７］
前記補強網はナノチューブから形成される、条項１から６のいずれかに記載のペリクル膜。
［条項８］
前記ナノチューブはカーボンナノチューブである、条項７に記載のペリクル膜。
［条項９］
前記ナノチューブはコーティングされる、条項７又は８に記載のペリクル膜。
［条項１０］
追加層が、前記補強網と少なくとも１つの前記金属シリサイド層との間に提供される、条項１から９のいずれかに記載のペリクル膜。
［条項１１］
前記少なくとも１つの追加層は金属層である、条項１０に記載のペリクル膜。
［条項１２］
前記金属シリサイドは窒化金属シリサイドである、条項１から１１のいずれかに記載のペリクル膜。
［条項１３］
条項１から１２のいずれかに記載の前記ペリクル膜及びフレームを備えるペリクルアセンブリであって、前記ペリクル膜は前記フレームによって支持されている、ペリクルアセンブリ。
［条項１４］
フレームによって支持されるペリクル膜を備えるペリクルアセンブリであって、前記ペリクル膜は前記フレームの外縁まで完全に延在しない、ペリクルアセンブリ。
［条項１５］
複数の層を備える境界スタックが、前記フレームと前記ペリクル膜との間に提供され、前記境界スタックの少なくとも一部は、前記フレームの外縁まで完全に延在しない、条項１４に記載のペリクルアセンブリ。
［条項１６］
前記ペリクル膜、及び任意選択で、前記境界スタックの少なくとも一部の外縁に、アライメントマークとして使用するための形状が提供される、条項１４又は１５に記載のペリクルアセンブリ。
［条項１７］
前記ペリクル膜及び境界スタックは一般に長方形であり、前記形状は、前記ペリクル膜の少なくとも１つのコーナーに、及び、任意選択として前記境界スタックの少なくとも一部に提供される、条項１６に記載のペリクルアセンブリ。
［条項１８］
前記形状は、前記ペリクル膜の各コーナーに、及び、任意選択として前記境界スタックの少なくとも一部に提供される、条項１７に記載のペリクルアセンブリ。
［条項１９］
前記形状は、前記コーナーから延在する２つの突起部を備える、条項１７又は１８に記載のペリクルアセンブリ。
［条項２０］
前記２つの突起部は互いに垂直に延在する、条項１９に記載のペリクルアセンブリ。
［条項２１］
前記境界スタックの少なくとも１つの層は、前記フレームの前記外縁まで完全に延在する、条項１４から２０のいずれかに記載のペリクルアセンブリ。
［条項２２］
前記境界スタックは、前記ペリクル膜の下方及び前記境界スタックのシリコンベース層の上方に位置する、酸化物層を備える、条項１４から２１のいずれかに記載のペリクルアセンブリ。
［条項２３］
前記酸化物層は、前記ペリクル膜及びペリクルフレームの組み合わせと、前記ペリクル膜及びパターニングデバイスの組み合わせとの間の、望ましいコントラスト比に寄与するように選択された厚みを有する、条項２２に記載のペリクルアセンブリ。
［条項２４］
前記酸化物層は、前記ペリクル膜及び前記境界スタックフレームの組み合わせと、前記境界スタックの少なくとも一部が存在しない前記フレームの外側部分との間の、望ましいコントラスト比に寄与するように選択された厚みを有する、条項１５及び２２に記載のペリクルアセンブリ。
［条項２５］
条項１から１２のいずれかに記載の前記ペリクル膜を備え、前記ペリクル膜を支持するフレームを更に備える、ペリクルアセンブリであって、前記フレームはベース及び境界スタックを備え、前記境界スタックは、前記ペリクル膜の下方及び前記境界スタックのシリコンベース層の上方に位置する、酸化物層を備える、ペリクルアセンブリ。
［条項２６］
前記酸化物層は、前記ペリクル膜及びペリクルフレームの組み合わせと、前記ペリクル膜及びパターニングデバイスの組み合わせとの間の、望ましいコントラスト比に寄与するように選択された厚みを有する、条項２５に記載のペリクルアセンブリ。
［条項２７］
前記望ましいコントラスト比は０．１以上である、条項２３から２６のいずれかに記載のペリクルアセンブリ。
［条項２８］
条項１３から２７のいずれかに記載の前記ペリクルを備え、リソグラフィマスクを更に備える、マスクアセンブリであって、前記境界スタック及びペリクル膜は、前記ペリクル膜及び前記リソグラフィマスクの組み合わされた反射率とは異なる、組み合わされた反射率を有する、マスクアセンブリ。
［条項２９］
前記境界スタック及びペリクル膜の前記組み合わされた反射率に対する前記ペリクル膜及びリソグラフィマスクの前記組み合わされた反射率は、０．１以上のコントラスト比を提供する、条項２８に記載のマスクアセンブリ。
［条項３０］
ペリクルアセンブリを作製する方法であって、
ａ．ベースを提供すること、
ｂ．複数の犠牲層を前記ベース上に提供すること、
ｃ．第１の金属シリサイドを最上の犠牲層上に提供すること、
ｄ．補強網を前記第１の金属シリサイド層上に提供すること、及び、
ｅ．第２の金属シリサイド層を前記補強網上に提供すること、
を含む、方法。
［条項３１］
前記第２の金属シリサイド層が提供される前に、金属層が前記補強網の頂部上に提供される、条項３０に記載の方法。
［条項３２］
前記補強網は、カーボンナノチューブから形成される、条項３１に記載の方法。
［条項３３］
前記特許請求されたペリクルアセンブリ、又は特許請求されたペリクル膜、又は条項１から３２のいずれかに従って製造されたペリクルアセンブリのうちの、いずれかを備えるリソグラフィ装置。
【国際調査報告】