特表 2024-530977 多層極端紫外線反射材料

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-08-27

(54)【発明の名称】多層極端紫外線反射材料

(51)【国際特許分類】

   G03F 1/24 20120101AFI20240820BHJP

   G03F 1/52 20120101ALI20240820BHJP

【ＦＩ】

G03F1/24

G03F1/52

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024512085

(86)(22)【出願日】2022-08-03

(85)【翻訳文提出日】2024-04-10

(86)【国際出願番号】 US2022039266

(87)【国際公開番号】W WO2023033975

(87)【国際公開日】2023-03-09

(31)【優先権主張番号】17/461,250

(32)【優先日】2021-08-30

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】シャオ， ウェン

(72)【発明者】

【氏名】ヴァルゲス， ビンニ

(72)【発明者】

【氏名】ジンダル， ビブー

【テーマコード（参考）】

2H195

【Ｆターム（参考）】

2H195BA02

2H195BA10

2H195BB25

2H195BB27

2H195BB35

2H195BC04

2H195BC19

2H195BC27

2H195CA01

2H195CA05

2H195CA07

2H195CA16

2H195CA23

(57)【要約】

極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク、その製造システム、及び多層膜の反射率を高める方法が開示される。ＥＵＶマスクブランクは基板上に二重層膜を備えている。二重層膜は、ケイ素（Ｓｉ）を含む第１の膜層と、ルテニウム（Ｒｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、及びそれらのケイ化物からなる群より選択される元素を含む第２の膜層とを含む。一部のＥＵＶマスクブランクは、二重層膜上に交互の層を含む多層反射スタックと、該多層反射スタック上のキャッピング層とをさらに含む。一部のＥＵＶマスクブランクは、多層反射スタック上にケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ）、炭化ホウ素（Ｂ_４Ｃ）、及び窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる群より選択される平滑化層と、該平滑化層上のキャッピング層と、該キャッピング層上の吸収層とを備えている。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクにおいて、
基板上の二重層膜であって、ケイ素（Ｓｉ）を含む第１の膜層と、ルテニウム（Ｒｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、及びそれらのケイ化物からなる群より選択される元素を含む第２の膜層とを含む、二重層膜、
前記二重層膜上の多層反射スタックであって、交互の層を含む多層反射スタック、並びに
前記多層反射スタック上のキャッピング層
を備えた、極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク。

【請求項2】

前記多層反射スタック上の平滑化層と、該平滑化層上の前記キャッピング層とをさらに含み、前記平滑化層が、ケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ）、炭化ホウ素（Ｂ_４Ｃ）、及び窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる群より選択される、請求項１に記載のＥＵＶマスクブランク。

【請求項3】

前記第１の膜層が３ｎｍから５ｎｍの範囲の厚さを有し、前記第２の膜層が１ｎｍから３ｎｍの範囲の厚さを有する、請求項２に記載のＥＵＶマスクブランク。

【請求項4】

前記第２の膜層が、ルテニウム（Ｒｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、及びチタン（Ｔｉ）のうちの１つ以上のケイ化物を含む第１の層と、ルテニウム（Ｒｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、及びチタン（Ｔｉ）からなる群より選択される元素を含む第２の層と、前記ＥＵＶマスクブランクのアニーリング後にルテニウム（Ｒｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、及びチタン（Ｔｉ）のうちの１つ以上のケイ化物を含む第３の層とを含む三重層を備えている、請求項３に記載のＥＵＶマスクブランク。

【請求項5】

前記第１の層及び前記第３の層の各々が１ｎｍから３ｎｍの範囲の厚さを有する、請求項４に記載のＥＵＶマスクブランク。

【請求項6】

前記多層反射スタックの前記交互の層の各々の間に少なくとも１つの界面層をさらに含む、請求項１に記載のＥＵＶマスクブランク。

【請求項7】

前記少なくとも１つの界面層の各々が、アニーリング後に２０％を超えて増加しない厚さを有する、請求項６に記載のＥＵＶマスクブランク。

【請求項8】

前記少なくとも１つの界面層が、０．５ｎｍから２ｎｍの範囲の厚さを有する、請求項７に記載のＥＵＶマスクブランク。

【請求項9】

前記平滑化層が０．５ｎｍから２ｎｍの範囲の厚さを有する、請求項２に記載のＥＵＶマスクブランク。

【請求項10】

前記ＥＵＶマスクブランクが０．１０ｎｍから０．２０ｎｍの範囲の表面粗さを有する、請求項９に記載のＥＵＶマスクブランク。

【請求項11】

前記キャッピング層が２ｎｍから５ｎｍの範囲の厚さを有する、請求項１に記載のＥＵＶマスクブランク。

【請求項12】

前記キャッピング層がルテニウム（Ｒｕ）を含む、請求項１１に記載のＥＵＶマスクブランク。

【請求項13】

多層膜の反射率を高める方法において、
基板上に第１の膜層と第２の膜層とを含む二重層膜を形成することであって、前記第１の膜層がケイ素（Ｓｉ）を含み、前記第２の膜層がルテニウム（Ｒｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、及びそれらのケイ化物からなる群より選択される元素を含む、二重層膜を形成すること、
前記二重層膜上に交互の層を含む多層反射スタックを形成すること、
前記多層反射スタック上にキャッピング層を形成すること、並びに
前記多層膜をアニーリングすること
を含む、方法。

【請求項14】

前記多層反射スタック上に平滑化層を形成すること、及び前記平滑化層上に前記キャッピング層を形成することをさらに含み、前記平滑化層がケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ）、炭化ホウ素（Ｂ_４Ｃ）、及び窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる群より選択される、請求項１３に記載の方法。

【請求項15】

前記多層膜が、アニーリング前に約６６．８％の反射率を有する、請求項１４に記載の方法。

【請求項16】

前記多層膜が、アニーリング後に約６６．１％の反射率を有する、請求項１４に記載の方法。

【請求項17】

前記平滑化層を形成することにより、平滑化層を有しない多層膜と比較して前記多層膜の表面粗さが低減される、請求項１４に記載の方法。

【請求項18】

前記多層膜の前記表面粗さが０．１０ｎｍから０．２０ｎｍの範囲にある、請求項１７に記載の方法。

【請求項19】

前記多層膜内の応力が、アニーリング前の約６００ｎｍからアニーリング後の約２００ｎｍに低減される、請求項１４に記載の方法。

【請求項20】

前記多層膜をアニーリングすることが、１８０℃から２５０℃の範囲の温度で５分から６０分の範囲の時間行われる、請求項１３に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、概して、極端紫外線リソグラフィに関する。より詳細には、本開示は、二重層膜を含む極端紫外線マスクブランク、及び多層反射フィルムの反射率を高める方法に関する。

【背景技術】

【0002】

極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィは、０．０１３５ミクロン以下の最小フィーチャーサイズの半導体デバイスの製造に使用することができる。無反射吸収マスクパターンでコーティングされた一連のミラー又はレンズ素子、並びに反射素子又はマスクブランクの使用を通じて、パターン化された光がレジストでコーティングされた半導体基板上で反射される。

【0003】

極端紫外線リソグラフィシステムのレンズ素子及びマスクブランクは、モリブデン及びケイ素などの材料の反射多層コーティングでコーティングされる。図１は、ＥＵＶマスクブランクから形成される従来のＥＵＶ反射マスク１０を示しており、これは、基板１４上に反射多層スタック１２を備えており、マスクされていない部分ではブラッグ干渉によってＥＵＶ放射を反射する。従来のＥＵＶ反射マスク１０のマスクされた（非反射）領域１６は、バッファ層１８及び吸収層２０をエッチングすることによって形成される。キャッピング層２２が反射多層スタック１２の上に形成され、エッチングプロセス中に反射多層スタック１２を保護する。エッチングされたマスクブランクは、（非反射）領域１６と、反射領域２４とを有する。

【0004】

アニーリングは通常、多層反射スタック内の交互層間に、より厚い界面層の形成を誘発する。多層反射スタック内のより厚い界面層は、多くの場合、ＥＵＶマスクブランクの反射率の低下を引き起こす。より厚い界面層を有する典型的な多層反射スタックでは、アニーリング後に反射率が約１．５％低下する。また、反射率が低いとスループットも低下し、ＥＵＶリソグラフィプロセスの消費電力が増加する。

【0005】

したがって、スループットを高め、電力消費を低減するためには、アニーリングの前後に高い反射率を有する多層反射スタックを有するＥＵＶマスクブランクを提供する必要がある。加えて、多層反射スタックは、粗さ、均一性、応力、及び熱安定性を含む、ＥＵＶマスクブランクの他の要件を満たさなければならない。

【発明の概要】

【0006】

本開示の１つ以上の実施形態は、基板上に二重層膜を含む極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクを対象とする。二重層膜は、ケイ素（Ｓｉ）を含む第１の膜層と、ルテニウム（Ｒｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、及びそれらのケイ化物からなる群より選択される元素を含む第２の膜層とを含む。ＥＵＶマスクブランクは、二重層膜上の交互層を含む多層反射スタックと、該多層反射スタック上のキャッピング層とを備えている。

【0007】

追加の実施形態は多層膜の反射率を高める方法を対象とする。該方法は、基板上に第１の膜層と第２の膜層とを含む二重層膜を形成することであって、第１の膜層がケイ素（Ｓｉ）を含み、第２の膜層がルテニウム（Ｒｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、及びそれらのケイ化物からなる群より選択される元素を含む、二重層膜を形成すること；該二重層膜上に交互の層を含む多層反射スタックを形成すること；該多層反射スタック上にキャッピング層を形成すること；並びに、多層膜をアニーリングすることを含む。

【0008】

本開示の上記特徴を詳細に理解することができるように、その一部が添付の図面に示されている実施形態を参照することにより、上に簡単に要約されている本開示のより詳細な説明を得ることができる。しかしながら、添付の図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示しているのであり、したがって、本開示は他の同等に有効な実施形態も許容しうることから、その範囲を限定すると見なされるべきではないことに留意されたい。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】従来の吸収体を用いた背景技術のＥＵＶ反射マスクの概略図

【図2】極端紫外線リソグラフィシステムの一実施形態の概略図

【図3】極端紫外線反射素子製造システムの一実施形態を示す図

【図4】アニーリング前のＥＵＶマスクブランクなどの極端紫外線反射素子の一実施形態を示す図

【図5】アニーリング後の図４の極端紫外線反射素子の一実施形態を示す図

【図6】マルチカソード物理的堆積チャンバの一実施形態を示す図

【発明を実施するための形態】

【0010】

本開示の幾つかの例示的な実施形態を説明する前に、本開示が、以下の説明に記載される構成又はプロセスステップの詳細に限定されないことが理解されるべきである。本開示は、他の実施形態も可能であり、さまざまな方法で実施又は実行することができる。

【0011】

本明細書で用いられる「水平」という用語は、その配向性とは無関係に、マスクブランクの平面又は表面に平行な平面として定義される。「垂直」という用語は、先に定義された水平に対して垂直な方向を指す。「上」、「下」、「底部」、「上部」、「側面」（「側壁」など）、「より高い」、「より低い」、「上部」、「上方」、「下方」などの用語は、図に示すように、水平面に対して定義される。「～上（on）」という用語は、要素間に直接的な接触が存在することを示す。「～のすぐ上（directly on）」という用語は、介在する要素なしで、要素間に直接的な接触が存在することを示す。本明細書で用いられる場合、「前駆体」、「反応物」、「反応性ガス」などの用語は、基板表面と反応することができる任意のガス状種を指すために交換可能に用いられる。本明細書で用いられる場合、「反射多層スタック」、「多層反射スタック」、「反射層の多層スタック」という用語は、ＥＵＶマスクブランクなどの反射素子を指すために交換可能に用いられる。

【0012】

当業者は、処理領域を説明するための「第１」及び「第２」などの序数の使用は、処理チャンバ内の特定の位置、又は処理チャンバ内での露出の順序を意味しないことを理解するであろう。本明細書で用いられる場合、「基板」という用語は、処理が行われる表面又は表面の一部を指す。基板に対しての言及は、文脈上他のことが明示されない限り、基板の一部分のみを指すこともありうることもまた、当業者に理解されよう。さらには、基板上への堆積についての言及は、ベア基板と、１つ以上の膜又はフィーチャーがその上に堆積又は形成されている基板の両方を意味する。

【0013】

次に図２を参照すると、極端紫外線リソグラフィシステム１００の例示的な実施形態が示されている。極端紫外線リソグラフィシステム１００は、極端紫外線光１１２を生成するための極端紫外線光源１０２、一組の反射素子、及びターゲットウエハ１１０を備えている。反射素子は、集光器１０４、ＥＵＶ反射マスク１０６、光学縮小アセンブリ１０８、マスクブランク、ミラー、又はそれらの組合せを含む。

【0014】

極端紫外線光源１０２は極端紫外線光１１２を生成する。極端紫外線光１１２は、５から５０ナノメートル（ｎｍ）の範囲の波長を有する電磁放射線である。例えば、極端紫外線光源１０２は、レーザ、レーザ生成プラズマ、放電生成プラズマ、自由電子レーザ、シンクロトロン放射光、又はそれらの組合せを含む。極端紫外線光源１０２は、ある範囲の波長にわたって広帯域の極端紫外線放射を生成する。例えば、極端紫外線光源１０２は、５から５０ｎｍの範囲の波長を有する極端紫外線光１１２を生成する。

【0015】

１つ以上の実施形態では、極端紫外線光源１０２は、狭い帯域幅を有する極端紫外線光１１２を生成する。例えば、極端紫外線光源１０２は、１３．５ｎｍの極端紫外線光１１２を生成する。波長ピークの中心は１３．５ｎｍである。

【0016】

集光器１０４は、極端紫外線光１１２を反射して集光するための光学ユニットである。集光器１０４は、極端紫外線光源１０２からの極端紫外線光１１２を反射して集光し、ＥＵＶ反射マスク１０６を照明する。集光器１０４は単一の元素として示されているが、幾つかの実施形態における集光器１０４は、極端紫外線光１１２を反射し集光するために、凹面鏡、凸面鏡、平面鏡、又はそれらの組合せなどの１つ以上の反射素子を含むものと理解される。例えば、図示される実施形態における集光器１０４は、単一の凹面鏡、又は凸面、凹面、及び平坦な光学素子を有する光学アセンブリである。

【0017】

ＥＵＶ反射マスク１０６は、マスクパターン１１４を有する極端紫外線反射素子である。ＥＵＶ反射マスク１０６は、ターゲットウエハ１１０上に形成される回路レイアウトを形成するためのリソグラフィパターンを生成する。ＥＵＶ反射マスク１０６は極端紫外線光１１２を反射する。マスクパターン１１４は回路レイアウトの一部を画定する。

【0018】

光学縮小アセンブリ１０８は、マスクパターン１１４の画像を縮小するための光学ユニットである。ＥＵＶ反射マスク１０６からの極端紫外線光１１２の反射は、光学縮小アセンブリ１０８によって縮小され、ターゲットウエハ１１０上へと反射される。幾つかの実施形態の光学縮小アセンブリ１０８は、ミラー、及びマスクパターン１１４の画像サイズを縮小するための他の光学素子を含む。例えば、幾つかの実施形態における光学縮小アセンブリ１０８は、極端紫外線光１１２を反射し集光するための凹面鏡を含む。

【0019】

光学縮小アセンブリ１０８は、ターゲットウエハ１１０のマスクパターン１１４の画像サイズを縮小する。例えば、ターゲットウエハ１１０上の光学縮小アセンブリ１０８によって４：１の比でマスクパターン１１４が結像され、ターゲットウエハ１１０上のマスクパターン１１４によって表される回路を形成する。極端紫外線光１１２は、ターゲットウエハ１１０と同期してＥＵＶ反射マスク１０６を走査し、ターゲットウエハ１１０上にマスクパターン１１４を形成する。

【0020】

次に図３を参照すると、極端紫外線反射素子製造システム２００の一実施形態が示されている。極端紫外線反射素子は、ＥＵＶマスクブランク２０４、極端紫外線ミラー２０５、又はＥＵＶ反射マスク１０６などの他の反射素子を含む。

【0021】

極端紫外線反射素子製造システム２００は、マスクブランク、ミラー、又は図２の極端紫外線光１１２を反射する他の要素を製造する。極端紫外線反射素子製造システム２００は、ソース基板２０３に薄いコーティングを施すことによって反射素子を製造する。

【0022】

ＥＵＶマスクブランク２０４は、図２のＥＵＶ反射マスク１０６を形成するための多層構造である。ＥＵＶマスクブランク２０４は、半導体製造技法を使用して形成される。ＥＵＶ反射マスク１０６は、エッチング及び他のプロセスによってＥＵＶマスクブランク２０４上に形成された図２のマスクパターン１１４を有する。

【0023】

極端紫外線ミラー２０５は、極端紫外線光の範囲を反射する多層構造である。極端紫外線ミラー２０５は、半導体製造技法を使用して形成される。ＥＵＶマスクブランク２０４及び極端紫外線ミラー２０５は、幾つかの実施形態では、各要素上に形成される層に関して同様の構造であるが、極端紫外線ミラー２０５はマスクパターン１１４を有しない。

【0024】

反射素子は極端紫外線光１１２の効率的なリフレクタである。ある実施形態では、ＥＵＶマスクブランク２０４及び極端紫外線ミラー２０５は、６０％を超える極端紫外線反射率を有する。６０％を超える極端紫外線光１１２を反射する場合、反射素子は効率的である。

【0025】

極端紫外線反射素子製造システム２００は、ソース基板２０３がロードされ、反射素子がアンロードされるウエハローディング及びキャリアハンドリングシステム２０２を含む。大気ハンドリングシステム２０６は、ウエハハンドリング真空チャンバ２０８へのアクセスを提供する。ウエハローディング及びキャリアハンドリングシステム２０２は、基板搬送ボックス、ロードロック、及び基板を大気からシステム内部の真空へと移送するための他の部品を含む。ＥＵＶマスクブランク２０４は非常に小さいスケールでデバイスを形成するために用いられることから、ソース基板２０３及びＥＵＶマスクブランク２０４は、汚染及び他の欠陥を防ぐために真空システム内で処理される。

【0026】

ウエハハンドリング真空チャンバ２０８は、２つの真空チャンバ、すなわち、第１の真空チャンバ２１０及び第２の真空チャンバ２１２を含む。第１の真空チャンバ２１０は第１のウエハハンドリングシステム２１４を含み、第２の真空チャンバ２１２は第２のウエハハンドリングシステム２１６を含む。２つの真空チャンバを有するウエハハンドリング真空チャンバ２０８が記載されているが、本システムは任意の数の真空チャンバを有することができるものと理解される。

【0027】

ウエハハンドリング真空チャンバ２０８は、さまざまな他のシステムを取り付けるためにその外縁に複数のポートを有する。第１の真空チャンバ２１０は、ガス抜きシステム２１８、第１の物理的気相堆積システム２２０、第２の物理的気相堆積システム２２２、及び前洗浄システム２２４を有する。ガス抜きシステム２１８は、基板から水分を熱的に脱着させるためのものである。前洗浄システム２２４は、ウエハ、マスクブランク、ミラー、又は他の光学部品の表面を洗浄するためのものである。

【0028】

第１の物理的気相堆積システム２２０及び第２の物理的気相堆積システム２２２などの物理的気相堆積システムは、幾つかの実施形態では、ソース基板２０３上に導電性材料の薄膜を形成するために用いられる。例えば、幾つかの実施形態の物理的気相堆積システムは、マグネトロンスパッタリングシステム、イオンスパッタリングシステム、パルス状レーザ堆積、カソードアーク堆積などの真空堆積システム、又はそれらの組合せを含む。マグネトロンスパッタリングシステムなどの物理的気相堆積システムは、ソース基板２０３上に、ケイ素、金属、合金、化合物、又はそれらの組合せの層を含む薄膜を形成する。

【0029】

１つ以上の実施形態では、物理的気相堆積システムは、反射層、キャッピング層、及び吸収層を形成する。例えば、物理的気相堆積システムは、ケイ素、モリブデン、酸化チタン、二酸化チタン、酸化ルテニウム、酸化ニオブ、ルテニウムタングステン、ルテニウムモリブデン、ルテニウムニオブ、クロム、タンタル、窒化物、化合物の層、又はこれらの組合せの層を形成するように構成される。幾つかの化合物が酸化物として記載されているが、該化合物は、酸化物、二酸化物、酸素原子を有する原子混合物、又はそれらの組合せを含むものと理解される。

【0030】

第２の真空チャンバ２１２は、第１のマルチカソード源２２６、化学気相堆積システム２２８、硬化チャンバ２３０、及びそれに接続された超平滑堆積チャンバ２３２を有する。例えば、幾つかの実施形態の化学気相堆積システム２２８は、流動性化学気相堆積システム（ＦＣＶＤ）、プラズマ支援化学気相堆積システム（ＣＶＤ）、エアロゾル支援ＣＶＤ、ホットフィラメントＣＶＤシステム、又は同様のシステムを含む。別の例では、化学気相堆積システム２２８、硬化チャンバ２３０、及び超平滑堆積チャンバ２３２は、極端紫外線反射素子製造システム２００とは別のシステム内にある。

【0031】

化学気相堆積システム２２８は、ソース基板２０３上に材料の薄膜を形成する。例えば、化学気相堆積システム２２８は、単結晶層、多結晶層、アモルファス層、エピタキシャル層、又はそれらの組合せを含む材料の層をソース基板２０３上に形成するために用いられる。化学気相堆積システム２２８は、ケイ素、酸化ケイ素、シリコンオキシカーバイド、炭素、タングステン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化チタン、金属、合金、及び化学気相堆積に適した他の材料の層を形成する。例えば、化学気相堆積システムは平坦化層を形成する。

【0032】

第１のウエハハンドリングシステム２１４は、大気ハンドリングシステム２０６と連続真空内の第１の真空チャンバ２１０の周囲のさまざまなシステムとの間でソース基板２０３を移動させることができる。第２のウエハハンドリングシステム２１６は、連続真空内でソース基板２０３を維持しつつ、第２の真空チャンバ２１２の周囲でソース基板２０３を移動させることができる。極端紫外線反射素子製造システム２００は、連続真空中でソース基板２０３及びＥＵＶマスクブランク２０４を第１のウエハハンドリングシステム２１４と第２のウエハハンドリングシステム２１６との間で移送する。

【0033】

本開示の幾つかの実施形態は、多層膜の反射率を高める方法を提供する。該方法は、第１の膜層と第２の膜層とを含む二重層膜を基板上に形成すること；該二重層膜上に交互の層を含む多層反射スタックを形成すること；該多層反射スタック上にキャッピング層を形成すること；及び、多層膜をアニーリングすることを含む。図４及び図５のうちの１つ以上を参照して、反射率を高める方法を説明することができる。図５は、アニーリングして多層膜４００を形成した後の図４の極端紫外線反射素子３００の一実施形態を示している。

【0034】

次に図４を参照すると、図３のＥＵＶマスクブランク２０４又は図３の極端紫外線ミラー２０５などの極端紫外線反射素子３００の一実施形態が示されている。ＥＵＶマスクブランク２０４及び極端紫外線ミラー２０５は、図２の極端紫外線光１１２を反射させるための構造である。ＥＵＶマスクブランク２０４は、必要な回路のレイアウトで吸収層３８０をパターン化することによって図２に示されるＥＵＶ反射マスク１０６を形成するために用いられる。

【0035】

本明細書で用いられる場合、簡単にするために、ＥＵＶマスクブランク２０４の用語は、極端紫外線ミラー２０５の用語と交換可能に用いられる。１つ以上の実施形態では、ＥＵＶマスクブランク２０４は、図２のマスクパターン１１４の形成に加えて、吸収層３８０が追加された極端紫外線ミラー２０５の部品を含む。

【0036】

極端紫外線反射素子３００は、基板３１０、該基板３１０上の二重層膜３２０、該二重層膜３２０上の多層反射スタック３４０、及び多層反射スタック３４０上のキャッピング層３７０を含む。１つ以上の実施形態では、極端紫外線ミラー２０５は、図２の集光器１０４又は図２の光学縮小アセンブリ１０８で使用するための反射構造を形成するために用いられる。

【0037】

ＥＵＶマスクブランク２０４は、マスクパターン１１４を有するＥＵＶ反射マスク１０６を形成するために用いられる光学的に平坦な構造である。１つ以上の実施形態では、ＥＵＶマスクブランク２０４の反射面は、図２の極端紫外線光１１２などの入射光を反射するための平坦な焦点面を形成する。

【0038】

図４に示される実施形態は、基板３１０、該基板３１０上の二重層膜３２０、該二重層膜３２０上の多層反射スタック３４０、該多層反射スタック３４０上の平滑化層３６０、及び該平滑化層３６０上のキャッピング層３７０を有する極端紫外線反射素子３００を含む。

【0039】

基板３１０は、極端紫外線反射素子３００に構造的支持を提供するための要素である。１つ以上の実施形態では、基板３１０は、温度変化中に安定性を提供するために、低い熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する材料でできている。１つ以上の実施形態では、基板３１０は、機械的循環、熱循環、結晶形成、又はそれらの組合せに対する安定性などの特性を有する。１つ以上の実施形態による基板３１０は、ケイ素、ガラス、酸化物、セラミック、ガラスセラミック、又はそれらの組合せなどの材料から形成される。

【0040】

極端紫外線反射素子３００は、アニーリング前に約６６．８％の反射率を有する。典型的なＥＵＶマスクブランクは、アニーリング前に約６５．６％の反射率を有する。以下にさらに記載されるように、本開示のＥＵＶマスクブランク２０４は、アニーリングの前後で、典型的なＥＵＶマスクブランクより高い反射率を有する。

【0041】

１つ以上の実施形態では、二重層膜３２０は、ケイ素（Ｓｉ）を含む第１の膜層３２２を含む。１つ以上の実施形態では、二重層膜３２０の第１の膜層３２２は、３ｎｍから５ｎｍの範囲、３．５ｎｍから５ｎｍの範囲、又は３．５ｎｍから４．５ｎｍの範囲の厚さを有する。

【0042】

二重層膜３２０は、ルテニウム（Ｒｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、及びそれらのケイ化物からなる群より選択される元素を含む第２の膜層３２４を含む。１つ以上の実施形態では、二重層膜３２０の第２の膜層３２４は、１ｎｍから３ｎｍの範囲、１．５ｎｍから２．５ｎｍの範囲、又は１．５ｎｍから２ｎｍの範囲の厚さを有する。

【0043】

ほとんどの材料は極端紫外波長の光を吸収することから、用いられる光学要素は他のリソグラフィシステムで用いられるような透過型ではなく反射型になる。多層反射スタック３４０は、異なる光学特性を有する材料の薄層を交互に有することによって反射構造を形成し、ブラッグリフレクタ又はミラーを生成する。

【0044】

１つ以上の実施形態では、多層反射スタック３４０は二重層膜３２０上にある。１つ以上の実施形態では、多層反射スタック３４０は、極端紫外線光１１２を反射させる構造である。１つ以上の実施形態では、多層反射スタック３４０は、第１の層３４２と第２の層３４６とを含む交互の層の複数の対を含む。１つ以上の実施形態では、第１の層３４２及び第２の層３４６は、ケイ素（Ｓｉ）とモリブデン（Ｍｏ）、及びケイ素（Ｓｉ）とルテニウム（Ｒｕ）のうちの１つ以上を含む。１つ以上の実施形態では、第１の層３４２はケイ素（Ｓｉ）を含み、第２の層３４６はモリブデン（Ｍｏ）を含む。１つ以上の実施形態では、第１の層３４２はモリブデン（Ｍｏ）を含み、第２の層３４６はケイ素（Ｓｉ）を含む。１つ以上の実施形態では、第１の層３４２はケイ素（Ｓｉ）を含み、第２の層３４６はルテニウム（Ｒｕ）を含む。１つ以上の実施形態では、第１の層３４２はルテニウム（Ｒｕ）を含み、第２の層３４６はケイ素（Ｓｉ）を含む。

【0045】

第１の層３４２及び第２の層３４６は、さまざまな構造を有することができる。ある実施形態では、第１の層３４２及び第２の層３４６の両方が、単一層、多層、分割層構造、非均一構造、又はそれらの組合せで形成される。

【0046】

１つ以上の実施形態では、多層スタック３４０の第１の層３４２及び第２の層３４６は、反射対を形成する。本明細書及び添付の特許請求の範囲で用いられる場合、「反射対」及び「交互の層の複数の対」という用語は、１つ以上の反射層を指すために互換的に用いられうる。非限定的な実施形態では、多層反射スタック３４０は、合計で最大１２０の反射層に２０～６０の範囲の反射対を含む。別の非限定的な実施形態では、多層反射スタック３４０は、合計４０の反射層に２０の反射対を含む。

【0047】

１つ以上の実施形態によれば、多層スタック３４０の第１の層３４２及び第２の層３４６は、屈折率ｎに比較的大きい差を有しており、例えば、第１の層３４２の材料のｎ（高ｎ）は０．９４～１．０１でありえ、第２の層３４６の材料のｎ（低ｎ）は０．８７～０．９３でありえ、高いＥＵＶ反射を有する界面を形成することができる。１つ以上の実施形態では、第１の層３４２及び第２の層３４６の両方の材料は、多層によるＥＵＶ吸収を最小限に抑えるために低い消光係数（例えば、ｋ＜０．０３）を有する。多層反射スタック３４０は、さまざまな方法で形成される。ある実施形態では、第１の層３４２及び第２の層３４６は、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリングシステム、パルス状レーザ堆積、カソードアーク堆積、又はそれらの組合せを用いて形成される。

【0048】

例示的な実施形態では、多層反射スタック３４０は、マグネトロンスパッタリングなどの物理気相堆積技法を使用して形成される。ある実施形態では、多層反射スタック３４０の第１の層３４２及び第２の層３４６は、正確な厚さ、低い粗さ、及び層間のクリーンな界面を含む、マグネトロンスパッタリング技法によって形成される特性を有する。ある実施形態では、多層反射スタック３４０の第１の層３４２及び第２の層３４６は、正確な厚さ、低い粗さ、及び層間のクリーンな界面を含む、物理気相堆積によって形成される特性を有する。

【0049】

ある実施形態では、交互の層３４２、３４６の各々は、極端紫外線光１１２について異なる光学定数を有する。交互の層の厚さの周期が極端紫外線光１１２の波長の半分である場合、交互の層は共鳴反射率を提供する。ある実施形態では、１３ｎｍの波長の極端紫外線光１１２では、交互の層は約６．５ｎｍの厚さである。提供されるサイズ及び寸法は、典型的な要素の通常の工学公差内であることが理解される。

【0050】

物理気相堆積技法を使用して形成された多層反射スタック３４０の層の物理的寸法は、反射率を高めるために正確に制御される。層の厚さにより、極端紫外線反射素子のピーク反射率波長が決定する。層の厚さが正確でない場合、所望の波長１３．５ｎｍでの反射率が低下する。１つ以上の実施形態では、第１の層３４２及び第２の層３４６の各々は、３ｎｍから５ｎｍの範囲、３．５ｎｍから４．５ｎｍの範囲、又は３ｎｍから４ｎｍの範囲の厚さを有する。１つ以上の実施形態では、第１の層３４２の厚さと第２の層３４６の厚さとは異なる。

【0051】

１つ以上の実施形態では、多層反射スタック３４０は、交互の第１の層３４２及び第２の層３４６の各々の間に少なくとも１つの界面層３４４を含む。理論に束縛されることは意図していないが、アニーリングにより、多層反射スタックの交互の層間に、より厚い界面層の形成が誘発されると考えられる。多層反射スタック内のより厚い界面層は、多くの場合、ＥＵＶマスクブランクの反射率の低下を引き起こす。より厚い界面層を有する典型的な多層反射スタックでは、アニーリング後に反射率が約１．５％低下する。また、反射率が低いとスループットが低下し、ＥＵＶリソグラフィプロセスの消費電力が増加する。有利なことに、本明細書に記載される界面層３４４は、アニール後の厚さの増加が少なく、従って、典型的なＥＵＶマスクブランクと比較して、反射率の低下が少なく、スループットが向上し、消費電力が削減されることが判明した。１つ以上の実施形態では、少なくとも１つの界面層３４４は、アニーリング後に２０％を超えて増加しない厚さを有する。１つ以上の実施形態では、少なくとも１つの界面層３４４は、アニーリング後に１５％を超えて増加しない厚さ、アニーリング後に１０％を超えて増加しない厚さ、アニーリング後に５％を超えて増加しない厚さ、又はアニーリング後に１％を超えて増加しない厚さを有する。１つ以上の実施形態では、少なくとも１つの界面層３４４は、０．５ｎｍから２ｎｍの範囲、０．８ｎｍから１．５ｎｍの範囲、又は０．８ｎｍから１．２ｎｍの範囲の厚さを有する。

【0052】

１つ以上の実施形態では、第１の層３４２及び第２の層３４６は、ケイ素（Ｓｉ）とモリブデン（Ｍｏ）、及びケイ素（Ｓｉ）とルテニウム（Ｒｕ）のうちの１つ以上を含む。１つ以上の実施形態では、第１の層３４２はケイ素（Ｓｉ）を含み、第２の層３４６はモリブデン（Ｍｏ）を含む。１つ以上の実施形態では、第１の層３４２はモリブデン（Ｍｏ）を含み、第２の層３４６はケイ素（Ｓｉ）を含む。１つ以上の実施形態では、第１の層３４２はケイ素（Ｓｉ）を含み、第２の層３４６はルテニウム（Ｒｕ）を含む。１つ以上の実施形態では、第１の層３４２はルテニウム（Ｒｕ）を含み、第２の層３４６はケイ素（Ｓｉ）を含む。

【0053】

１つ以上の実施形態では、少なくとも１つの界面層３４４は、シリコン・オン・モリブデン、モリブデン・オン・シリコン、シリコン・オン・ルテニウム、及びルテニウム・オン・シリコンのうちの１つ以上を含む。１つ以上の実施形態では、少なくとも１つの界面層３４４は、多層スタック３４０の密度の少なくとも９５％の密度を有する。１つ以上の実施形態では、界面層３４４は、多層スタック３４０の密度の少なくとも８５％、少なくとも７５％、少なくとも６５％、又は少なくとも５０％の密度を有する。

【0054】

１つ以上の実施形態では、少なくとも１つの界面層３４４が第１の層３４２又は第２の層３４６のうちの１つ以上の上又はすぐ上にない場合に、少なくとも１つの界面層３４４は、少なくとも１４００℃、少なくとも１２００℃、少なくとも１０００℃、少なくとも８００℃、少なくとも６００℃、又は少なくとも４００℃の温度で熱的に安定している。１つ以上の実施形態では、前述の温度は、各温度における界面層材料自体の安定性を指す。言い換えれば、界面層材料が他の材料と接触せずに単独で温度に曝露される場合、その材料は上記の温度で安定である。しかしながら、界面層が他の材料、例えばその上下の層と接触している場合、６００℃を超える高温では、隣接する層からの材料の原子が界面層へと拡散しうる。１つ以上の実施形態では、少なくとも１つの界面層３４４が約６００℃を超える温度で第１の層３４２上に存在する場合、第１の層３４２からのケイ素（Ｓｉ）が界面層３４４内に拡散しうる。１つ以上の実施形態では、少なくとも１つの界面層３４４が約６００℃を超える温度で第２の層３４６上に存在する場合、第２の層３４６の１つ以上の元素は界面層３４４内に拡散しうる。１つ以上の実施形態では、界面層３４４は、少なくとも５００℃、少なくとも３００℃、又は少なくとも２００℃の温度で、厚さが増加しない、又は化学量論を変化させない。

【0055】

１つ以上の実施形態では、極端紫外線反射素子３００は、平滑化層３６０を備えている。図４に示される実施形態では、平滑化層３６０は多層反射スタック３４０上にあり、キャッピング層３４０は平滑化層３６０上にある。１つ以上の実施形態では、平滑化層３６０は、ケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ）、炭化ホウ素（Ｂ_４Ｃ）、及び窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる群より選択される。１つ以上の実施形態では、ケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ）、炭化ホウ素（Ｂ_４Ｃ）、及び窒化ケイ素（ＳｉＮ）の各々は、破壊するのが難しい強力な結合を形成する。１つ以上の実施形態では、平滑化層３６０は熱的に安定している。１つ以上の実施形態では、平滑化層３６０は、０．５ｎｍから２ｎｍの範囲、０．８ｎｍから１．５ｎｍの範囲、又は０．８ｎｍから１．２ｎｍの範囲の厚さを有する。

【0056】

極端紫外線反射素子３００は、多層反射スタック３４０上にキャッピング層３７０を含む。図４に示される実施形態では、極端紫外線反射素子３００は、平滑化層３６０上にキャッピング層３７０を含む。１つ以上の実施形態では、キャッピング層３７０は、洗浄中の浸食に耐えるのに十分な硬さを有するさまざまな材料から形成される。一実施形態では、ルテニウム（Ｒｕ）は、良好なエッチング停止材であり、動作条件下で比較的不活性であることから、キャッピング層材料として用いられる。しかしながら、幾つかの実施形態では、キャッピング層３７０を形成するために他の材料が用いられることが理解される。１つ以上の実施形態では、キャッピング層３７０は、２ｎｍから５ｎｍの範囲、２．５ｎｍから４ｎｍの範囲、又は２．５ｎｍから３ｎｍの範囲の厚さを有する。

【0057】

１つ以上の実施形態では、より硬い材料で形成された多層反射スタック３４０の上にキャッピング層３７０を形成することにより、反射率が向上する。幾つかの実施形態では、反射率の増加は、低粗さの層、層間のクリーンな界面、改良された層材料、又はそれらの組合せを使用して達成される。

【0058】

１つ以上の実施形態では、キャッピング層３７０は、極端紫外線光１１２の透過を可能にする保護層である。１つ以上の実施形態では、キャッピング層３７０は、多層反射スタック３４０のすぐ上に形成される。１つ以上の実施形態では、キャッピング層３７０は、多層反射スタック３４０を汚染物質及び機械的損傷から保護する。一実施形態では、多層反射スタック３４０は、酸素、炭素、炭化水素、又はそれらの組合せによる汚染に敏感である。一実施形態によるキャッピング層３７０は、汚染物質と相互作用して汚染物質を中和する。

【0059】

１つ以上の実施形態では、キャッピング層３７０は、極端紫外線光１１２に対して透明な光学的に均一な構造である。極端紫外線光１１２は、キャッピング層３７０を通過して、多層反射スタック３４０で反射する。１つ以上の実施形態では、キャッピング層３７０は、１％から２％の全反射率損失を有する。１つ以上の実施形態では、異なる材料の各々は、厚さに応じて異なる反射率損失を有するが、それらはすべて、１％から２％の範囲であろう。

【0060】

１つ以上の実施形態では、キャッピング層３７０は滑らかな表面を有する。例えば、幾つかの実施形態におけるキャッピング層３７０の表面は、０．２ｎｍＲＭＳ（平均二乗根測定）未満の粗さを有する。別の例では、キャッピング層３７０の表面は、１／１００ｎｍと１／１μｍの間の範囲の長さについて、０．０８ｎｍＲＭＳの粗さを有する。

【0061】

キャッピング層３７０はさまざまな方法によって形成される。ある実施形態では、キャッピング層３７０は、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリングシステム、イオンビーム堆積、エレクトロンビーム蒸発、高周波（ＲＦ）スパッタリング、原子層堆積（ＡＬＤ）、パルス状レーザ堆積、カソードアーク堆積、又はそれらの組合せを用いて、多層反射スタック３４０上又は多層反射スタック３４０のすぐ上に形成される。１つ以上の実施形態では、キャッピング層３７０は、正確な厚さ、低い粗さ、及び層間のクリーンな界面を含む、マグネトロンスパッタリング技法によって形成される物理的特性を有する。ある実施形態では、キャッピング層３７０は、正確な厚さ、低い粗さ、及び層間のクリーンな界面を含む、物理気相堆積によって形成される物理的特性を有する。１つ以上の実施形態では、キャッピング層３７０は、本明細書に記載される方法のいずれかを使用して、平滑化層３６０上又は平滑化層３６０のすぐ上に形成される。

【0062】

吸収層３８０は、極端紫外線光１１２を吸収する層である。吸収層３８０は、極端紫外線光１１２を反射しない領域を提供することによって、ＥＵＶ反射マスク１０６上にパターンを形成するために用いられる。吸収層３８０は、１つ以上の実施形態によれば、約１３．５ｎｍなどの極端紫外線光１１２の特定の周波数に対して高い吸収係数を有する材料を含む。ある実施形態では、吸収層３８０はキャッピング層３７０のすぐ上に形成され、吸収層３８０は、フォトリソグラフィプロセスを使用してエッチングされて、ＥＵＶ反射マスク１０６のパターンを形成する。

【0063】

１つ以上の実施形態によれば、キャッピング層３７０の上に吸収層３８０を形成することにより、ＥＵＶ反射マスク１０６の信頼性が高まる。キャッピング層３７０は、吸収層３８０のためのエッチング停止層として機能する。図２のマスクパターン１１４が吸収層３８０内へとエッチングされると、吸収層３８０の下のキャッピング層３７０がエッチング動作を停止し、多層反射スタック３４０を保護する。１つ以上の実施形態では、吸収層３８０はキャッピング層３７０に対して選択的にエッチングされる。幾つかの実施形態では、キャッピング層３７０はルテニウムを含み、吸収層３８０はルテニウムに対して選択的にエッチングされる。

【0064】

１つ以上の実施形態では、吸収層３８０は０．９３未満の「ｎ」値を有し、これは約１８０度から約２２０度の範囲の位相シフトを提供する。約０．９３未満の「ｎ」値は、正規化画像対数勾配（ＮＩＬＳ）を改善し、３Ｄ効果を軽減する。本明細書及び添付の特許請求の範囲で用いられる場合、「正規化画像対数勾配（ＮＩＬＳ）」とは、空中像のリソグラフィ品質を説明する指標を指す。本明細書及び添付の特許請求の範囲で用いられる場合、「ｎ」又は「ｎ値」は屈折率を指す。屈折率は、ある媒体から別の媒体へと通過するときの光線の曲がりを測定したものである。「ｎ」値が低いと、ＮＩＬＳが改善され、３Ｄ効果が軽減される。

【0065】

ある実施形態では、吸収層３８０は、約５０ｎｍ未満、約４５ｎｍ未満、約４０ｎｍ未満、約３５ｎｍ未満、約３０ｎｍ未満、約２５ｎｍ未満、約２０ｎｍ未満、約１５ｎｍ未満、約１０ｎｍ未満、約５ｎｍ未満、約１ｎｍ未満、又は約０．５ｎｍ未満を含む、約５５ｎｍ未満の厚さを有する。他の実施形態では、吸収層３８０は、約１ｎｍから約５４ｎｍ、１ｎｍから約５０ｎｍ、及び１５ｎｍから約５０ｎｍの範囲を含む、約０．５ｎｍから約５５ｎｍの範囲の厚さを有する。

【0066】

図５には、アニールして多層膜４００を形成した後の図４の極端紫外線反射素子３００の一実施形態が示されている。図５に示される実施形態は、基板３１０上の多層膜４００、基板３１０上のアニーリングされたシリコン層３２１、該アニーリングされたシリコン層３２１上の三重層３２５、該三重層３２５上の多層反射スタック３４０、該多層反射スタック３４０上の平滑化層３６０、該平滑化層上のキャッピング層３７０、及び該キャッピング層３７０上の吸収層３８０を含む。

【0067】

１つ以上の実施形態では、アニーリング多層膜４００は、１８０℃から２５０℃の範囲の温度で５分から６０分の範囲の時間行われる。

【0068】

極端紫外線反射素子３００は、アニーリング前に約６６．８％の反射率を有する。１つ以上の実施形態では、多層膜４００は、アニーリング後に約６６．１％の反射率を有する。典型的なＥＵＶマスクブランクは、アニーリング前に約６５．６％の反射率、アニーリング後に約６４．２の反射率を有する。以下にさらに記載されるように、本開示のＥＵＶマスクブランク２０４は、アニーリングの前後で、典型的なＥＵＶマスクブランクより高い反射率を有する。

【0069】

１つ以上の実施形態では、アニーリングプロセスは、図４の第２の膜層３２４を図５に示されるアニーリングされたシリコン層３２１の三重層３２５へと変換する。１つ以上の実施形態では、三重層３２５は、ルテニウム（Ｒｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、及びチタン（Ｔｉ）のうちの１つ以上のケイ化物を含む第１の層３２６と、ルテニウム（Ｒｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、及びチタン（Ｔｉ）からなる群より選択される元素を含む第２の層３２８と、ルテニウム（Ｒｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、及びチタン（Ｔｉ）のうちの１つ以上のケイ化物を含む第３の層３３０とを含む。１つ以上の実施形態では、三重層３２５の第１の層３２６は、１ｎｍから３ｎｍの範囲、１ｎｍから２ｎｍの範囲、又は１．５ｎｍから２ｎｍの範囲の厚さを有する。１つ以上の実施形態では、三重層３２５の第２の層３２８は、１ｎｍから３ｎｍの範囲、１．５ｎｍから２．５ｎｍの範囲、又は１．５ｎｍから２ｎｍの範囲の厚さを有する。１つ以上の実施形態では、三重層３２５の第３の層３３０は、１ｎｍから３ｎｍの範囲、１．５ｎｍから２．５ｎｍの範囲、又は１．５ｎｍから２ｎｍの範囲の厚さを有する。１つ以上の実施形態では、第１の層３２６、第２の層３２８、及び第３の層３３０の各々は、同じ厚さを有する。１つ以上の実施形態では、第１の層３２６、第２の層３２８、及び第３の層３３０の各々は、異なる厚さを有する。

【0070】

理論に束縛されることは意図していないが、アニーリングにより、多層反射スタックの交互の層間に、より厚い界面層の形成が引き起こされると考えられる。ルテニウム・オン・シリコンを含む界面層の形成は、表面粗さの増加に寄与すると考えられる。有利なことに、ルテニウム・オン・シリコンを含む界面層３４６上の平滑化層が表面粗さを低減することが発見された。

【0071】

１つ以上の実施形態では、平滑化層３６０は、平滑化層を有しない多層膜と比較して、多層膜４００の表面粗さを低減する。１つ以上の実施形態では、多層膜４００の表面粗さは、０．１０ｎｍから０．２０ｎｍの範囲内にある。１つ以上の実施形態では、平滑化層を有しない多層膜は、少なくとも０．２０ｎｍの表面粗さを有する。

【0072】

１つ以上の実施形態では、多層膜の応力は、干渉計を使用してＥＵＶマスクブランク２０４、又は多層膜４００の全体的な平坦度を測定することによって測定することができる。１つ以上の実施形態では、干渉計は、アニーリング前とアニーリング後の全体的な平坦度を測定するために用いられる。１つ以上の実施形態では、平滑化層３６０は、ＥＵＶマスクブランク２０４又は多層膜４００のうちの１つ以上の応力を軽減する。１つ以上の実施形態では、多層膜４００の応力は、アニーリング前の約６００ｎｍからアニーリング後の約２００ｎｍに減少する。１つ以上の実施形態では、平滑層のない多層膜の応力は、アニーリング前の約８００ｎｍからアニーリング後の約４００ｎｍに減少する。

【0073】

次に図６を参照すると、一実施形態によるマルチカソード源チャンバ６００の上部が示されている。マルチカソードチャンバ６００は、上部アダプタ６０４によって蓋がされた円筒形の本体部分６０２を備えたベース構造６０１を含む。上部アダプタ６０４は、該上部アダプタ６０４の周りに位置づけられたカソード源６０６、６０８、６１０、６１２、及び６１４などの複数のカソード源を備えている。１つ以上の実施形態によるカソード源６０６、６０８、６１０、６１２、及び６１４は、多層反射スタック、吸収材、キャッピング層、二重層膜、及び平滑化層を形成するように、本明細書に記載されるような異なる材料を含む。

【0074】

幾つかの実施形態では、マルチカソード源チャンバ６００は、図３に示されるシステムの一部である。ある実施形態では、極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク製造システムは、真空を生成するための基板ハンドリング真空チャンバ、基板ハンドリング真空チャンバにロードされた基板を真空中で搬送するための基板ハンドリングプラットフォーム、及びＥＵＶマスクブランクを形成するために基板ハンドリングプラットフォームによってアクセスされる複数のサブチャンバであって、基板上に反射層の多層スタックを含み、該多層スタックが複数の反射層の対、反射層の多層スタック上のキャッピング層、及びキャッピング層上の吸収層を含む、複数のサブチャンバを含む。該システムは、図４又は図５に関して示されるＥＵＶマスクブランクを製造するために用いられ、図４～５に関して記載されるＥＵＶマスクブランクに関して説明される特性のいずれかを有する。

【0075】

プロセスは、概して、プロセッサによって実行されると、処理チャンバに本開示の処理を実行させるソフトウェアルーチンとしてメモリに格納されうる。ソフトウェアルーチンはまた、プロセッサによって制御されているハードウェアから遠隔に位置している第２のプロセッサ（図示せず）によって格納及び／又は実行することができる。本開示の方法の幾つか又はすべてをハードウェアで実行することもできる。したがって、プロセスは、ソフトウェアに実装されてもよく、かつ、例えば、ハードウェア内のコンピュータシステムを特定用途向け集積回路又は他の種類のハードウェアの実装、若しくはソフトウェアとハードウェアとの組合せとして使用して、プロセスを実行することもできる。ソフトウェアルーチンは、プロセッサによって実行されると、汎用コンピュータを、プロセスが実行されるようにチャンバの動作を制御する特定用途向けコンピュータ（コントローラ）に変換する。

【0076】

この明細書全体を通じての、「一実施形態（one embodiment）」、「ある特定の実施形態（certain embodiments）」、「１つ以上の実施形態（one or more embodiments）」、又は、「実施形態（an embodiment）」に対する言及は、実施形態に関連して説明されている特定の特徴、構造、材料、又は特性が、本開示の少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。ゆえに、この明細書全体のさまざまな箇所での「１つ以上の実施形態で」、「ある実施形態で」、「一実施形態で」、又は「実施形態において」などの表現の表出は、必ずしも、本開示の同一の実施形態に言及するものではない。さらには、特定の特徴、構造、材料、又は特性は、１つ以上の実施形態において、任意の適切な方法で組み合わせることができる。

【0077】

本明細書の開示は特定の実施形態を参照して説明されているが、これらの実施形態は単なる例示であるものと理解されたい。本開示の主旨及び範囲から逸脱することなく、本開示の方法及び装置に対してさまざまな修正及び変形を行うことができることは、当業者にとって明らかであろう。したがって、本開示は、添付の特許請求の範囲及びその等価物の範囲内である修正及び変形を含むことが意図されている。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【国際調査報告】