特表 2024-531124 紫外線とオゾンによる洗浄システム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-08-29

(54)【発明の名称】紫外線とオゾンによる洗浄システム

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20240822BHJP

   H01L 21/027 20060101ALI20240822BHJP

   G03F 1/82 20120101ALI20240822BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 647Z

H01L21/30 572B

H01L21/30 572A

G03F1/82

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024507021

(86)(22)【出願日】2022-07-14

(85)【翻訳文提出日】2024-03-21

(86)【国際出願番号】 US2022073722

(87)【国際公開番号】W WO2023019050

(87)【国際公開日】2023-02-16

(31)【優先権主張番号】17/397,088

(32)【優先日】2021-08-09

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】ウー， バンチウ

(72)【発明者】

【氏名】マハムレー， カリード

(72)【発明者】

【氏名】小川 洋輝

(72)【発明者】

【氏名】ダガン， エリヤフ シュロモ

【テーマコード（参考）】

2H195

5F146

5F157

【Ｆターム（参考）】

2H195BB19

2H195BB22

2H195BB28

2H195BB30

5F146MA02

5F146MA04

5F146MA10

5F146MA13

5F146MA17

5F157AA42

5F157AA64

5F157AB02

5F157AB33

5F157AB47

5F157AB90

5F157AC01

5F157BB76

5F157BD33

5F157CE73

5F157CF22

5F157CF38

5F157CF40

5F157CF66

5F157DB02

(57)【要約】

基板を洗浄するための洗浄装置は、照射領域において紫外線を放射するためのランプと、ランプを収納するハウジングと、ハウジングの下方に間隔を置いて配置された水デフレクタであって、オゾン水の供給を受けるための水入口と、ランプによって照射されたオゾン水を水デフレクタの下方の基板処理領域内に排出するための水出口とを有し、水入口と水出口との間に水流路を画定し、水流路は照射領域に延在する、水デフレクタと、ランプに沿ってランプの上方に延在する上部リフレクタと、水デフレクタに沿って水デフレクタの下方に延在する下部リフレクタであって、上部リフレクタ及び下部リフレクタは、照射領域を少なくとも部分的に画定し、紫外線を水流路に向かって反射し、下部リフレクタは、ランプによって放射された紫外線から基板を遮蔽する、下部リフレクタとを含む。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を洗浄するための洗浄装置であって、
照射領域において紫外線を放射するように構成されたランプと、
前記ランプを収納するハウジングであって、前記ランプを取り囲む冷却チャンバを画定するハウジングと、
前記ハウジングの下方に間隔を置いて配置された水デフレクタであって、オゾン水の供給を受けるための水入口と、前記ランプによって照射されたオゾン水を前記水デフレクタの下方の基板処理領域内に排出するための水出口とを有し、前記水入口と前記水出口との間に水流路を画定し、前記水流路は前記照射領域に延在する、水デフレクタと、
前記ハウジングの冷却チャンバ内で前記ランプに沿って前記ランプの上方に延在する上部リフレクタと、
前記水デフレクタに沿って前記水デフレクタの下方に延在する下部リフレクタであって、前記上部リフレクタ及び前記下部リフレクタは、前記照射領域を少なくとも部分的に画定し、前記ランプによって放射された紫外線を前記水流路に向かって反射するように構成され、前記下部リフレクタは、前記ランプによって放射された紫外線から前記基板を遮蔽するように構成される、下部リフレクタと
を備える、洗浄装置。

【請求項2】

内部領域を囲む洗浄チャンバを更に備え、前記洗浄装置は前記内部領域に囲まれている、請求項１に記載の洗浄装置。

【請求項3】

前記ランプは、３０から１５０ワットで作動し、約２５４ｎｍの主紫外線放射を有する低圧水銀蒸気ランプである、請求項１又は２に記載の洗浄装置。

【請求項4】

前記上部リフレクタ及び前記下部リフレクタの少なくとも一方は、前記ランプの長さと同等以上の長さを有する、請求項１又は２に記載の洗浄装置。

【請求項5】

前記基板処理領域において前記水出口の下方に前記基板を支持する基板支持体を更に備え、前記下部リフレクタは、前記水出口と前記基板支持体との間に配置されている、請求項１又は２に記載の洗浄装置。

【請求項6】

前記基板支持体は、前記基板を回転させるように構成されている、請求項５に記載の洗浄装置。

【請求項7】

前記ハウジングは、前記冷却チャンバと流体連結している入口及び出口を有し、前記冷却チャンバは、前記入口と前記出口との間及び前記ランプ上に冷却流体を流すように構成されている、請求項１又は２に記載の洗浄装置。

【請求項8】

前記冷却流体は、冷却乾燥空気を含む、請求項７に記載の洗浄装置。

【請求項9】

前記ハウジングは、上部カバーと、前記上部カバーに密封された下部カバーとを含み、前記入口及び前記出口は、前記上部カバーに形成されている、請求項７に記載の洗浄装置。

【請求項10】

前記上部カバーはＰＴＦＥから形成され、前記下部カバーは石英から形成される、請求項９に記載の洗浄装置。

【請求項11】

前記水出口と前記ハウジングとの間の水平方向の間隔は、０．５インチから４インチである、請求項１又は２に記載の洗浄装置。

【請求項12】

前記水平方向の間隔は、１インチから２インチである、請求項１１に記載の洗浄装置。

【請求項13】

前記上部リフレクタ及び前記下部リフレクタは、アルミニウム又はアルミニウム合金で構成されている、請求項１又は２に記載の洗浄装置。

【請求項14】

前記水出口は、前記基板処理領域に対して水平方向に平行移動するように構成されている、請求項１又は２に記載の洗浄装置。

【請求項15】

前記基板処理領域において前記下部リフレクタの下方に前記基板を支持する基板支持体を更に備え、前記基板支持体は、前記基板を回転させるように構成され、前記水デフレクタは、紫外線照射されたオゾン水を前記基板処理領域内に流しながら水平方向に平行移動するように構成されている、請求項１又は２に記載の洗浄装置。

【請求項16】

基板を洗浄する方法であって、
前記基板を紫外線から遮蔽しながら、紫外線照射されたオゾン水を前記基板上に流すこと
を含む方法。

【請求項17】

紫外線照射されたオゾン水を前記基板上に流すことは、前記基板の上方に配置された水出口から前記紫外線照射されたオゾン水を流すことを更に含み、前記紫外線照射されたオゾン水を前記基板上に流しながら前記基板を回転させることを更に含む、請求項１６に記載の方法。

【請求項18】

前記紫外線照射されたオゾン水を前記基板上に流すことは、紫外線を受ける経路に沿ってオゾン水を通過させることを更に含み、前記経路は前記水出口まで延在し、下部リフレクタは、前記経路の下方の、前記経路に沿って流れるオゾン水に向かって紫外線を反射し返し且つ前記基板を紫外線から遮蔽する位置に配置されている、請求項１７に記載の方法。

【請求項19】

前記紫外線照射されたオゾン水を前記基板上に流しながら、前記水出口を前記基板に対して水平方向に平行移動させること
を更に含む、請求項１７に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

［０００１］本開示の実施形態は、概して、洗浄システムに関し、より具体的には、紫外線及びオゾンによる洗浄システムに関する。

【背景技術】

【0002】

［０００２］半導体製造産業で使用される基板は、多くの場合、処理中にその上に発生する汚染物質又は他の不要な粒子等の不要な物質を除去するために洗浄される。基板には、半導体ウエハ、チャンバ構成要素、フォトマスク等が含まれ得る。

【0003】

［０００３］汚染物質は、紫外線照射されたオゾン水で基板を洗浄することによって除去することができる。上記水は、紫外線を放射する紫外線源によって照射することができる。しかしながら、本発明者らは、一部の紫外線オゾン水洗浄装置及び方法が、放射された紫外線に基板を暴露することを観察しており、それ自体が、洗浄されるべき汚染物質以外の更なる材料を除去又は変質させる望ましくない要因となり得る。更なる材料の除去又は変質は、基板に欠陥を引き起こす可能性がある。

【0004】

［０００４］従って、本発明者らは、基板を洗浄するための改良された洗浄装置及び方法を提供した。

【発明の概要】

【0005】

［０００５］基板を洗浄するための装置及び方法の実施形態が本明細書において提供される。幾つかの実施形態では、基板を洗浄するための装置は、照射領域において紫外線を放射するように構成されたランプと、ランプを収納するハウジングであって、ランプを取り囲む冷却チャンバを画定するハウジングと、ハウジングの下方に間隔を置いて配置された水デフレクタであって、オゾン水の供給を受けるための水入口と、ランプによって照射されたオゾン水を水デフレクタの下方の基板処理領域内に排出するための水出口とを有し、水入口と水出口との間に水流路を画定し、水流路は照射領域に延在する、水デフレクタと、ハウジングの冷却チャンバ内でランプに沿ってランプの上方に延在する上部リフレクタと、水デフレクタに沿って水デフレクタの下方に延在する下部リフレクタであって、上部リフレクタ及び下部リフレクタは、照射領域を少なくとも部分的に画定し、ランプによって放射された紫外線を水流路に向かって反射するように構成され、下部リフレクタは、ランプによって放射された紫外線から基板を遮蔽するように構成される、下部リフレクタとを含む。

【0006】

［０００６］幾つかの実施形態では、基板を洗浄するための装置は、照射領域において紫外線を放射するように構成されたランプと、ランプを収納するハウジングであって、ランプを取り囲む冷却チャンバを画定するハウジングと、ハウジングの下方に間隔を置いて配置された水デフレクタであって、オゾン水の供給を受けるための水入口と、ランプによって照射されたオゾン水を水デフレクタの下方の基板処理領域内に排出するための水出口とを有し、水入口と水出口との間に水流路を画定し、水流路は照射領域に延在する、水デフレクタと、ハウジングの冷却チャンバ内でランプに沿ってランプの上方に延在する上部リフレクタと、水デフレクタに沿って水デフレクタの下方に延在する下部リフレクタであって、上部リフレクタ及び下部リフレクタは、照射領域を少なくとも部分的に画定し、ランプによって放射された紫外線を水流路に向かって反射するように構成され、下部リフレクタは、ランプによって放射された紫外線から基板を遮蔽するように構成される、下部リフレクタと、基板処理領域において下部リフレクタの下方に基板を支持する基板支持体であって、基板を回転させるように構成された基板支持体とを含み、洗浄装置は、照射されたオゾン水を基板処理領域内に流しながら水平方向に平行移動するように構成される。

【0007】

［０００７］幾つかの実施形態では、基板を洗浄する方法は、基板を紫外線から遮蔽しながら、紫外線照射されたオゾン水を基板上に流すことを含む。

【0008】

［０００８］本開示の他の更なる実施形態を以下に説明する。

【0009】

［０００９］添付の図面に示す本開示の例示的な実施形態を参照することによって、上記に要約し、以下により詳細に説明する本開示の実施形態を理解することができる。しかし、添付の図面は本開示の典型的な実施形態を単に示すものであり、したがって、範囲を限定するものと見なすべきではなく、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうるものである。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る洗浄チャンバを有するマルチチャンバ処理ツールを示す概略図である。

【図2】図１に示すマルチチャンバ処理ツールの洗浄チャンバの洗浄装置を示す概略図である。

【図3】本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る、図２に示す洗浄装置を採用した洗浄ワークフローを示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

［００１３］理解を容易にするために、可能な限り、図面共通の同一要素を示すのに同一の参照番号を使用している。図面は縮尺どおりに描かれておらず、わかりやすくするために簡略化されている場合がある。一実施形態の要素及び特徴は、更に詳述することなく、他の実施形態に有益に組み込まれ得る。

【0012】

［００１４］基板を洗浄するための洗浄チャンバの実施形態が、本明細書において提供される。洗浄チャンバは、基板が湿式洗浄又は乾式洗浄プロセスを受けた後に、不要な粒子又は残留物を除去するために基板を洗浄するように構成される。基板は、例えば、半導体ウエハ、フォトマスク等である。フォトマスクの例では、基板上にフォトレジストが残っている場合がある。紫外線照射されたオゾン水をフォトレジスト上に流すと、フォトレジストがフォトマスクから解離する。解離した残留物と水はその後、洗浄チャンバの内部領域から除去される。

【0013】

［００１５］図１は、本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る１又は複数の湿式洗浄チャンバ１３０（図１には３つ示す）を有するマルチチャンバ処理ツール（ツール）１００を示す概略図である。以下に説明するツール１００は、例示的な構成で示したものであり、他の構成を用いることも可能である。ツール１００は、概して、ファクトリインターフェース１０２と、ファクトリインターフェース１０２に結合された移送チャンバ１０６と、移送チャンバ１０６に結合された湿式洗浄チャンバ１３０を含む複数のプロセスチャンバ１０５とを含む。ファクトリインターフェース１０２は、１又は複数の基板１１２を受け入れるための複数のロードポート１０４を含む。１又は複数の基板１１２は、半導体ウエハ、キャリア基板、フォトマスク等であってよい。幾つかの実施形態では、複数のロードポート１０４は、ファクトリインターフェース１０２の共通の側面に沿って配置される。ファクトリインターフェースロボット１１０は、ファクトリインターフェース１０２の内部領域１０８に配置され、１又は複数の基板１１２を複数のロードポート１０４から移送チャンバ１０６へと往復移動又は輸送することができる。ファクトリインターフェースロボット１１０は、内部領域１０８内での回転運動、内部領域１０８内での横方向運動、又はその両方のために構成され得る。

【0014】

［００１６］移送チャンバ１０６は、ファクトリインターフェース１０２に結合されており、幾つかの実施形態では、ファクトリインターフェース１０２の、複数のロードポート１０４とは反対の側に配置されている。移送チャンバ１０６は、ファクトリインターフェースロボット１１０から受け取った１又は複数の基板１１２を、移送チャンバに結合された１又は複数のプロセスチャンバ１０５に往復移動させるために、その中に配置された移送ロボット１１６を含む。移送ロボット１１６は、回転運動、横方向運動、又はその両方のために構成され得る。例えば、横方向運動は、移送チャンバ１０６の床上のレールを介して、又は移送ロボット１１６の下方のトラックを介して達成され得る。移送ロボット１１６のアーム１２２は、１又は複数の基板１１２を複数のプロセスチャンバ１０５のそれぞれのチャンバの内外へ移動させるために伸縮可能である。

【0015】

［００１７］幾つかの実施形態では、移送ロボット１１６は、ファクトリインターフェースロボット１１０から１又は複数の基板１１２を直接受け取るように構成される。幾つかの実施形態では、移送ロボット１１６は、ファクトリインターフェースロボット１１０から１又は複数の基板１１２を間接的に受け取るように構成される。例えば、幾つかの実施形態では、ファクトリインターフェース１０２又は移送チャンバ１０６の一方は、１又は複数の基板１１２のうちの１又は複数を保持するように構成されたバッファ１２０を含む。移送ロボット１１６は、１又は複数の基板１１２をバッファ１２０に移送するように構成されていてよく、移送ロボット１１６は、１又は複数の基板１１２をバッファ１２０から複数のプロセスチャンバ１０５に移送し、複数のプロセスチャンバ１０５からバッファ１２０に戻すように構成され得る。

【0016】

［００１８］移送チャンバ１０６は、１又は複数の環境制御を有していてよい。例えば、移送チャンバ１０６の気流開口部は、移送チャンバ１０６に入る気流を濾過するためのフィルタを含み得る。他の環境制御は、湿度制御、静電気制御、温度制御、又は圧力制御のうちの１又は複数を含み得る。

【0017】

［００１９］１又は複数のプロセスチャンバ１０５は、移送チャンバ１０６に対して直交して結合され得る、又は移送チャンバ１０６に対してある角度で結合され得る。複数のプロセスチャンバ１０５は、移送チャンバ１０６と密封係合していてよい。移送チャンバ１０６は一般に大気圧で作動するが、真空圧でも作動するように構成されていてよい。複数のプロセスチャンバ１０５は、ツール１００で処理される１又は複数の基板１１２に１又は複数の処理ステップを実行するように構成される。例えば、複数のプロセスチャンバ１０５は、１又は複数の基板１１２を液体、例えば水で洗浄するように構成された１又は複数の湿式洗浄チャンバ１３０（図１に３つ示す）を含み得る。複数のプロセスチャンバ１０５は、例えば、プラズマエッチング又はプラズマアッシング手順を介して、１又は複数の基板１１２に乾式洗浄プロセスを実行するように構成された１又は複数の乾式洗浄チャンバ１４０（図１に２つ示す）を含み得る。１又は複数のプロセスチャンバ１０５は、少なくとも１つの焼成チャンバ、例えば、湿式洗浄又は乾式洗浄プロセスの後に残った残留物又はヘイズを除去するために１又は複数の基板を加熱するように構成された焼成チャンバ１５０を含む。幾つかの実施形態では、１又は複数の湿式洗浄チャンバ１３０は、移送チャンバ１０６の、１又は複数の乾式洗浄チャンバ１４０とは異なる側に配置される。

【0018】

［００２０］図２は、図１のマルチチャンバ処理ツール１００の湿式洗浄チャンバ１３０に収納された洗浄装置２００の概略図である。幾つかの実施形態では、湿式洗浄チャンバ１３０は、洗浄装置２００の一部を形成していてよい。図２に、基板１１２を洗浄するために使用されている洗浄装置２００を示す。上述のマルチチャンバ処理ツール１００の特定の湿式洗浄チャンバ１３０に関連して説明したが、洗浄装置２００は、マルチチャンバ処理ツールに結合せずにスタンドアロンツールとして使用することを含む他の構成を有する処理ツールにあり得るもの以外の他の構成を有する湿式洗浄チャンバに収納され得る。

【0019】

［００２１］洗浄装置２００は、ランプ２０２の上方及び下方の照射領域２０４において紫外線を放射するように構成されたランプ２０２を含む。ランプ２０２は、低圧水銀紫外線ランプであってよい。ランプ２０２は、約３０から１５０ワットで作動し、２４０ナノメートルから３１０ナノメートルの波長におけるピーク振幅によって定義されるスペクトルを有する紫外線を放射することができる。幾つかの実施形態では、ランプは、約２５４ナノメートルの主紫外線放射を有する紫外線を放射する。

【0020】

［００２２］洗浄装置２００は、ランプ２０２を収納するハウジング２０６も含む。ハウジング２０６は、ランプ２０２を取り囲む冷却チャンバ２０８を画定する。図２に示す実施形態では、ハウジング２０６は、例えばＯリング２０６ｃ等で、互いに密封係合された上部カバー２０６ａ及び下部カバー２０６ｂを含み得る。上部カバー２０６ａは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）から形成されていてよく、下部カバー２０６ｂは、ランプ２０２によって放射される紫外線の透過を可能にする石英から形成されていてよい。ハウジング２０６は、入口２０６ｄ及び出口２０６ｅを有していてよい。入口２０６ｄ及び出口２０６ｅは、図２の実施形態に示すように、上部カバー２０６ａに形成されていてよい。入口２０６ｄは、冷却乾燥空気等の冷却流体の供給源に流体結合されていてよい。出口２０６ｅは、冷却流体の排気装置に流体結合されていてよい。入口２０６ｄ及び出口２０６ｅは、冷却チャンバ２０８と流体連結しており、冷却チャンバ２０８は、冷却流体を入口２０６ｄと出口２０６ｅとの間、及びランプ２０２上に流すように構成されている。ランプ２０２上の冷却流体の流れは、ランプ２０２を冷却し、ランプ２０２の温度を制御する。

【0021】

［００２３］ランプ２０２の温度は、ランプ２０２によって放射される発光スペクトルのピーク振幅に影響を与え得る。例えば、より低い温度はピーク振幅を減少させ得る。実施形態では、洗浄装置２００は、ランプ２０２の発光スペクトルのピーク振幅を監視するための紫外線モニタ２０３を含むことができ、この紫外線モニタ２０３は、ランプ２０２の温度を調節するためのフィードバックとして、すなわち、冷却流体の流量及び冷却流体の入口温度等の、冷却チャンバ２０８を通過する冷却流体のパラメータを調節することによって使用することができる。紫外線モニタ２０３は、図２に示すようにハウジング２０６に接続されていてよい。

【0022】

［００２４］洗浄装置２００は、ハウジング２０６の下方に間隔を置いて配置された水デフレクタ２１０も含む。水デフレクタ２１０は、オゾン水２１４の供給を受けるための水入口２１２と、ランプ２０２によって照射されたオゾン水を水デフレクタ２１０の下方の基板処理領域２１８内に排出するための水出口２１６とを有する。水デフレクタ２１０は、水入口２１２と水出口２１６との間に水流路２２０を画定する。水流路２２０は、照射領域２０４に延在し、オゾン水が照射領域２０４を通過して水出口２１６に向かう際に、ランプ２０２によって放射される紫外線によって照射され得るようになっている。水デフレクタ２１０は、石英から形成されていてよく、ランプ２０２によって放射される紫外線の透過を可能にし得る。

【0023】

［００２５］また、洗浄装置２００は、図２に示すように、ハウジング２０６の冷却チャンバ２０８内に配置され得る上部リフレクタ２２２を含む。上部リフレクタ２２２は、ランプ２０２に沿ってランプ２０２の上方に延在する。洗浄装置２００はまた、ランプ２０２に沿ってランプ２０２の下方に且つ水デフレクタ２１０の下方に延在する下部リフレクタ２２４を含む。上部リフレクタ２２２及び下部リフレクタ２２４は、照射領域２０４を少なくとも部分的に画定し、ランプ２０２によって放射された紫外線を水流路２２０に向かって反射するように構成されている。下部リフレクタ２２４は、基板処理領域２１８（及び基板処理領域２１８の基板１１２）をランプ２０２によって放射される紫外線から遮蔽するように構成されている。上部リフレクタ２２２及び下部リフレクタ２２４は、アルミニウム又はアルミニウム合金、あるいは紫外線を反射して基板処理領域２１８に遮蔽を与えることができる任意の他の適切な材料で形成されていてよい。

【0024】

［００２６］洗浄装置２００はまた、基板処理領域２１８に位置する基板支持体２２８を含み得る。基板支持体２２８は、プレート２２８ａと、プレート２２８ａから湿式洗浄チャンバ１３０まで延在するシャフト２２８ｂとを有する。基板支持体２２８は、湿式洗浄チャンバ１３０に回転可能に接続されている。基板支持体２２８は、シャフト２２８ｂを通って垂直に延在する中心軸２２６を中心に回転するように構成されている。図２に示すように、プレート２２８ａは、紫外線照射されたオゾン水が基板１１２上に流れる間、基板処理領域２１８において基板１１２を支持するように構成されている。

【0025】

［００２７］水出口２１６をハウジング２０６から横方向に間隔を置いて配置するために、水デフレクタ２１０がハウジング２０６から水平方向に延在していてよい。水デフレクタ２１０は、ハウジング２０６から水平方向に０．５インチから４インチの距離だけ延在していてよい。また、水出口２１６は、基板１１２の上面から垂直方向に約２．５インチの間隔を置いて配置され得る。

【0026】

［００２８］洗浄装置２００は、水デフレクタ２１０及び下部リフレクタ２２４の少なくとも一方を支持し得るリフレクタプロテクタ２３０を含んでいてよい。リフレクタプロテクタ２３０は、水デフレクタ２１０に結合された第１の端部２３０ａ及び第２の端部２３０ｂを有していてよい。リフレクタプロテクタ２３０は、基板支持体２２８に対して湿式洗浄チャンバ１３０内で水デフレクタ２１０及び水出口２１６を平行移動させるように構成されたアクチュエータ２３２（例えば、リニアアクチュエータ）を介して湿式洗浄チャンバ１３０に接続されていてよい。実施形態では、水デフレクタ２１０は、基板支持体２２８が中心軸２２６を中心に回転する間に平行移動するように構成され得る。基板支持体２２８に対して水デフレクタ２１０を平行移動させることにより、基板処理領域２１８上の水デフレクタ２１０の水出口２１６の水平位置を平行移動させることができる。したがって、基板１１２が基板処理領域２１８において基板支持体２２８によって支持されているときに、紫外線照射されたオゾン水を、洗浄されるべき基板１１２上の異なる位置に有利に方向づけすることができ、より制御された（例えば、より均一な）洗浄プロセス結果が得られる。

【0027】

［００２９］湿式洗浄チャンバ１３０は、移送ロボット１１６（図１）等によって、湿式洗浄チャンバ１３０の内部から基板１１２を導入する又は取り出すことを可能にするために開閉動作可能なスリットバルブドア１３１を有していてよい。

【0028】

［００３０］図３は、本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る洗浄ワークフロー３００を示す図である。３０２において、基板１１２が、基板支持体２２８のプレート２２８ａ上に配置される。基板１１２は、基板処理領域２１８に位置決めされ、水出口２１６の下方に垂直に位置する。３０４において、オゾン水２１４の供給源からのオゾン水が、照射領域２０４を通って水流路２２０に沿って流れる。３０６において、紫外線照射されたオゾン水が、水出口２１６から排出され、重力によって基板１１２上に落下する。洗浄ワークフロー３００の間、基板支持体２２８のシャフト２２８ｂは、基板１１２を水デフレクタ２１０に対して回転させるために、中心軸２２６を中心に回転することができる。また、洗浄ワークフロー３００の間、水デフレクタ２１０を水平方向に平行移動させることができる。シャフト２２８ｂの回転は、水デフレクタ２１０の平行移動と連動していてよい、又は水デフレクタ２１０の平行移動とは独立していてよい。紫外線照射されたオゾン水は、基板１１２の表面上に所定時間供給されていてよい、又はプロセスを監視して洗浄プロセスの終了を決定することができ、このとき、紫外線ランプ２０２の電源を落として、オゾン水の流れを停止することができる。その後、洗浄された基板１１２をチャンバ１３０から取り出すことができ、所望により、新しい基板１１２を導入して洗浄プロセスを再び実行することができる。

【0029】

［００３１］上記は本開示の実施形態を対象としたものであるが、本開示の他の及び更なる実施形態を、その基本的範囲から逸脱することなく考案することが可能である。

【図1】

【図2】

【図3】

【国際調査報告】