(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-09-03
(54)【発明の名称】均衡容量ターゲットを用いたオーバーレイ測定
(51)【国際特許分類】
H01L 21/66 20060101AFI20240827BHJP
【ＦＩ】
H01L21/66 J
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024504192
(86)(22)【出願日】2022-07-15
(85)【翻訳文提出日】2024-03-22
(86)【国際出願番号】 EP2022069880
(87)【国際公開番号】W WO2023016749
(87)【国際公開日】2023-02-16
(31)【優先権主張番号】21191161.5
(32)【優先日】2021-08-12
(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】504151804
【氏名又は名称】エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．
(74)【代理人】
【識別番号】100079108
【弁理士】
【氏名又は名称】稲葉 良幸
(74)【代理人】
【識別番号】100109346
【弁理士】
【氏名又は名称】大貫 敏史
(74)【代理人】
【識別番号】100117189
【弁理士】
【氏名又は名称】江口 昭彦
(74)【代理人】
【識別番号】100134120
【弁理士】
【氏名又は名称】内藤 和彦
(72)【発明者】
【氏名】ペレマンズ，ヘンリカス，ペトラス，マリア
(72)【発明者】
【氏名】ゴリー，ブノワ，エルベ
【テーマコード（参考）】
4M106
【Ｆターム（参考）】
4M106AA01
4M106BA02
4M106CA11
4M106CA39
4M106DB05
4M106DJ20
(57)【要約】
基板のオーバーレイ測定値を決定する方法は、基板の電荷注入素子に電荷を注入することと、第１の素子ペアの第１のキャパシタンス及び第２の素子ペアの第２のキャパシタンスを決定することと、第１のキャパシタンス及び第２のキャパシタンスに基づいてキャパシタンス比を決定することと、を含む。オーバーレイ測定値は、不均衡を示し得るキャパシタンス比に基づいて決定され得る。
【選択図】 図３Ａ
【選択図】 図３Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上に荷電粒子ビームを投影する荷電粒子ビーム源と、前記基板の電荷注入素子に電荷を注入することと、
前記基板の第１の素子ペアの第１のキャパシタンス及び第２の素子ペアの第２のキャパシタンスを決定することと、
前記第１のキャパシタンス及び前記第２のキャパシタンスに基づいてキャパシタンス比を決定することと、
前記キャパシタンス比に基づいてオーバーレイ測定値を決定することと、
を前記荷電粒子ビーム源に行わせる回路を有するコントローラと、
を備えた、荷電粒子ビームシステム。
【請求項2】
前記電荷注入素子に前記電荷を注入することが、前記電荷注入素子に前記荷電粒子ビームを照射することを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項3】
前記コントローラが、前記電荷注入素子と第１の測定素子との間のキャパシタンスとして前記第１のキャパシタンスを決定することと、
前記電荷注入素子と第２の測定素子との間のキャパシタンスとして前記第２のキャパシタンスを決定することと、
を行う回路を有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項4】
前記コントローラが、前記第１の測定素子の第１の電圧及び前記第２の測定素子の第２の電圧を決定するために、電圧コントラストイメージングを実行する回路を有する、請求項３に記載のシステム。
【請求項5】
前記コントローラが、前記第１のキャパシタンス及び前記第２のキャパシタンスに基づいて電圧比を決定する回路を有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項6】
前記コントローラが、前記基板を表す比例係数を決定する回路を有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項7】
前記コントローラが、前記比例係数に基づき、及び前記第１のキャパシタンス又は前記第２のキャパシタンスに基づいて、前記オーバーレイ測定値を決定する回路を有する、請求項６に記載のシステム。
【請求項8】
前記コントローラが、第１の測定素子のグレイレベルと第２の測定素子のグレイレベルとの間の差を決定する回路を有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項9】
基板の電荷注入素子に電荷を注入することと、前記基板の第１の素子ペアの第１のキャパシタンス及び第２の素子ペアの第２のキャパシタンスを決定することと、
前記第１のキャパシタンス及び前記第２のキャパシタンスに基づいてキャパシタンス比を決定することと、
前記キャパシタンス比に基づいてオーバーレイ測定値を決定することと、
を含む方法を荷電粒子ビーム装置に実行させるように前記荷電粒子ビーム装置の１つ又は複数のプロセッサによって実行可能である命令の一セットを記憶する非一時的なコンピュータ可読媒体。
【請求項10】
基板のオーバーレイ測定値を決定する方法であって、前記基板の電荷注入素子に電荷を注入することと、
第１の素子ペアの第１のキャパシタンス及び第２の素子ペアの第２のキャパシタンスを決定することと、
前記第１のキャパシタンス及び前記第２のキャパシタンスに基づいてキャパシタンス比を決定することと、
前記キャパシタンス比に基づいて前記オーバーレイ測定値を決定することと、
を含む、方法。
【請求項11】
前記電荷注入素子に前記電荷を注入することが、前記電荷注入素子に荷電粒子ビームを照射することを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項12】
前記電荷注入素子と第１の測定素子との間のキャパシタンスとして前記第１のキャパシタンスを決定することと、前記電荷注入素子と第２の測定素子との間のキャパシタンスとして前記第２のキャパシタンスを決定することと、
をさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項13】
前記第１の測定素子の第１の電圧及び前記第２の測定素子の第２の電圧を決定するために、電圧コントラストイメージングを実行することをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項14】
前記第１のキャパシタンス及び前記第２のキャパシタンスに基づいて電圧比を決定することをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項15】
前記基板を表す比例係数を決定することをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、２０２１年８月１２日に出願され、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる欧州特許出願第２１１９１１６１．５号の優先権を主張するものである。
[0001] 本出願は、２０２１年８月１２日に出願され、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる欧州特許出願第２１１９１１６１．５号の優先権を主張するものである。
【0002】
[0002] 本明細書の記載は、荷電粒子ビーム検査に関し、より詳細には、荷電粒子ビームに基づく電圧コントラストを有する均衡容量ターゲットを用いてオーバーレイ測定を行うためのシステム及び方法に関する。
【背景技術】
【0003】
[0003] チップ上の構造の相対的な変位を測定することは、半導体産業では一般的な作業である。電子回路は、正しく機能するチップを保証するために、ウェーハ上で、互いに非常に正確に積み重ねられるべきである多くの異なる層から構成され得る。層の配置は、専用のウェーハオーバーレイメトロロジシステムによってモニタリングされ得る。このようなシステムは、ウェーハ上の２つの機能層間の相対的変位（例えば、素子が変位したときの「オーバーレイ」又は「オーバーレイエラー」）を、両方の層に含まれる専用ターゲットを比較することによって測定することができる。リソグラフィプロセスでは、ターゲット又は他の構造のパラメータは、層をアライメントさせ、及びパターン形成されたフィーチャを正確に形成するためにフィードバック又はフィードフォワード制御を実行することができるように、モニタリングされ得る。
【0004】
[0004] オーバーレイターゲットは、ウェーハ中に、例えば絶縁体膜の下に埋設され得る。このようなターゲットの検査は、光学機器を用いた場合、困難な場合がある。オーバーレイを測定する他の方法は、様々な制約に直面し得る。さらに、オーバーレイは通常、パターン形成されたフィーチャの解像度（「at-resolution」）では測定されない（そのような測定が単純なものではないため）。その代わりに、必ずしも最終製品の高解像度フィーチャに似ているとは限らないかもしれない別のターゲットが通常使用される。オーバーレイ測定のためのシステム及び方法の改善が望まれている。
【発明の概要】
【0005】
[0005] 本開示の実施形態は、荷電粒子ビームに基づいたオーバーレイ測定のためのシステム及び方法を提供する。一部の実施形態では、基板に対してオーバーレイ測定を実行するように構成された荷電粒子ビームシステムが提供され得る。基板のオーバーレイ測定値を決定する方法は、基板の電荷注入素子に電荷を注入することと、第１の素子ペアの第１のキャパシタンス及び第２の素子ペアの第２のキャパシタンスを決定することと、第１のキャパシタンス及び第２のキャパシタンスに基づいてキャパシタンス比を決定することと、を含み得る。本方法は、キャパシタンス比に基づいてオーバーレイ測定値を決定することをさらに含み得る。
【0006】
[0006] 一部の実施形態では、基板のオーバーレイ測定値を決定する方法は、基板の第１の素子ペアの第１のキャパシタンスに基づいて、第１の過渡特性を決定することと、基板の第２の素子ペアの第２のキャパシタンスに基づいて、第２の過渡特性を決定することと、第１の過渡特性及び第２の過渡特性に基づいてキャパシタンス比を決定することと、を含み得る。
【0007】
[0007] 一部の実施形態では、基板に対称に配置されるように構成された第１の素子、第２の素子、及び第３の素子を含み得る基板を帯電させるように構成された荷電粒子ビームデバイスであって、第１～第３の素子が導電性であり、第１の素子と第２の素子との間、及び第１の素子と第３の素子との間に容量結合が形成され、第１の素子、第２の素子、及び第３の素子のうちの少なくとも１つが荷電粒子ビームデバイスによって帯電され、それによって、オーバーレイ測定値の決定を可能にするように基板が構成され、第１～第３の素子が非対称になると、キャパシタンスの不均衡が形成されるように基板が構成される、荷電粒子ビームデバイスが提供され得る。
【0008】
[0008] 前述の一般的な説明及び以下の詳細な説明は共に、例示的且つ説明的なものに過ぎず、開示の実施形態を特許請求され得るとして限定するものではないことを理解されたい。
【0009】
[0009] 本開示の上記及び他の態様は、添付の図面と併せて考慮される例示的な実施形態の説明からより明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1A】[0010]本開示の実施形態と一致する、ウェーハ検査に使用され得る基板１００を示す。
【図1B】[0011]本開示の実施形態と一致する基板１００の図式表現を示す。
【図2A】[0012]本開示の実施形態と一致する、電圧比測定を実行するための回路２００の図式表現である。
【図2B】[0013]本開示の実施形態と一致する、回路を用いた電圧比測定のシミュレーション結果の図式表現である。
【図3A】[0014]本開示の実施形態と一致する、ウェーハ検査に使用され得る基板を示す。
【図3B】[0015]本開示の実施形態と一致する、オーバーレイ測定を受ける構造の挙動の図式表現である。
【図3C】[0015]本開示の実施形態と一致する、オーバーレイ測定を受ける構造の挙動の図式表現である。
【図3D】[0016]本開示の実施形態と一致する、ウェーハ検査に使用され得る基板を示す。
【図4A】[0017]本開示の実施形態と一致する、較正に使用され得る例示的な格子を示す。
【図4B】[0017]本開示の実施形態と一致する、較正に使用され得る例示的な格子を示す。
【図4C】[0017]本開示の実施形態と一致する、較正に使用され得る例示的な格子を示す。
【図4D】[0017]本開示の実施形態と一致する、較正に使用され得る例示的な格子を示す。
【図5A】[0018]本開示の実施形態と一致する、オーバーレイ測定のための基板のレイアウトの図式表現である。
【図5B】[0018]本開示の実施形態と一致する、オーバーレイ測定のための基板のレイアウトの図式表現である。
【図6】[0019]本開示の実施形態と一致する面内ジオメトリを有する基板を示す。
【図7】[0020]本開示の実施形態と一致する、角度を付けた構造を有する基板を示す。
【図8】[0021]本開示の実施形態と一致する、誘電体部分を有する基板を示す。
【図9】[0022]本開示の実施形態と一致する、オーバーレイ測定値を決定する方法を示すフローチャートである。
【図10】[0023]本開示の実施形態と一致する、オーバーレイ測定値を決定する方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0011】
[0024] これより、図面に例が示される例示的な実施形態について詳細に言及する。以下の記載は、添付の図面を参照し、添付の図面では、異なる図面における同じ番号は、別段の表記のない限り、同一又は類似の要素を表す。例示的な実施形態の以下の説明に記載される実装形態は、本発明と一致する全ての実装形態を表すものではない。代わりに、それらは、添付の特許請求の範囲に記載され得る主題に関連した態様と一致する装置、システム、及び方法の例にすぎない。
【0012】
[0025] 電子デバイスは、基板と呼ばれるシリコン片上に形成された回路から構築される。多くの回路は、同じシリコン片上に一緒に形成することができ、集積回路又はＩＣと呼ばれる。技術の進歩により、これらの回路のサイズは劇的に小さくなり、基板上により多くの回路を収めることができるようになった。例えば、スマートフォンのＩＣチップは、指の爪ほどの大きさでありながら、２０億個を超えるトランジスタを含むことができ、各トランジスタのサイズは、人間の髪の毛の幅の１０００分の１未満である。
【0013】
[0026] これらの極めて小さなＩＣの製造は、複雑で、時間がかかり、高価なプロセスであり、多くの場合、数百もの個々の工程を伴う。たとえ１つの工程におけるエラーであっても、完成したＩＣに欠陥が生じ、それが使い物にならなくなる可能性がある。したがって、製造プロセスの１つの目標は、そのような欠陥を回避して、そのプロセスで製造される機能ＩＣの数を最大化すること、つまりプロセスの全体的な歩留まりを向上させることである。
【0014】
[0027] 歩留まりを向上させる１つの要素は、チップ製造プロセスが十分な数の機能集積回路を製造していることを確実にするために、チップ製造プロセスをモニタリングすることである。プロセスをモニタリングする１つの方法は、チップ回路構造をその形成の様々な段階で検査することである。検査は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を使用して行うことができる。ＳＥＭは、これらの非常に小さな構造をイメージングする（事実上、構造の「写真」を撮る）ために使用することができる。この画像を用いて、構造が適切に形成されたかどうか、及びそれが適切な場所に形成されたかどうかを決定することができる。構造に欠陥があれば、欠陥が再び生じにくいようにプロセスを調整することができる。スループット（例えば、１時間当たりに処理されるサンプルの数）を向上させるためには、可能な限り迅速に検査を実施することが望ましい。
【0015】
[0028] 検査の一種には、オーバーレイ測定が含まれ得る。チップ内の様々な層における構造の位置は、構造が適切な場所で互いに積み重ねられていることを確実にするために、検査され得る。異なる層における構造間の相対的変位は、チップが適切に機能するために重要であり得るが、ウェーハの表面下に埋設された構造を測定することは困難である。オーバーレイ測定を行うための幾つかの技術には、光学メトロロジ、軟Ｘ線、及び電子ビームの直接スキャンが含まれ得る。しかしながら、各技術は、制約に直面する場合がある。例えば、光学メトロロジでは、現代の半導体製造プロセスのフィーチャサイズは、光学（例えば、可視光又は赤外線）メトロロジによる直接評価にとってはあまりにも小さすぎ、また、光学メトロロジターゲットのフットプリントは、所期のものよりも大きい。軟Ｘ線技術は、完全には成熟しておらず、そのような機器は大型である。電子ビームの直接スキャンは、ラステライズされたパターンでサンプル全体にわたってビームをトレースすることを伴い得るが、これは非常に時間がかかり、その信号対雑音比は、スキャン面積に比例する。
【0016】
[0029] 本開示の幾つかの実施形態は、キャパシタンスに基づいてオーバーレイ測定を実行するためのシステム及び方法を提供することができる。キャパシタンスとは、電荷を蓄積する構成要素の能力である。導電材料が、それらの間に絶縁材料を挟んで互いに近接して配置される場合、それらはキャパシタのように機能し得る。キャパシタンスを測定することは、ウェーハの表面層の下に埋設された構造の特性を決定するのに役立ち得る。オーバーレイ測定、例えば、ウェーハの異なる層に存在し得る構造の相対的変位は、キャパシタンスの変化を検出することによって決定され得る。キャパシタンスの変化は、電圧を検出することによって決定され得る。
【0017】
[0030] 一部の実施形態は、電圧コントラストイメージングと呼ばれるＳＥＭイメージングの一種を使用することもできる。電圧コントラストイメージングでは、外部バイアスをデバイスに印加することができ、荷電粒子ビームを使用して、イメージングされたフィーチャにおけるコントラストの変動を分析することができる。例えば、第１の電子ビームによって幾つかの浮遊素子（帯電素子）のうちの１つに電荷が注入されてもよい。また、測定ビームが浮遊素子のうちの異なる１つ（ターゲット素子）に当てられてもよく、（例えば、ＳＥＭ画像を生成することによって）ターゲット素子の画像が生成されてもよい。ＳＥＭ画像において、周囲に対するフィーチャの明るさ（例えば、グレイスケールＳＥＭ画像におけるその「グレイレベル」）は、その電圧に対応し得る。電圧は、モデル化され得る関係によってキャパシタンスに対応し得る。したがって、電圧コントラスト技術によって測定されたフィーチャの電圧を使用して、キャパシタンス結果を決定することができ、キャパシタンス結果を使用して、オーバーレイ測定値を決定することができる。
【0018】
[0031] 一部の実施形態は、公称状態において均衡キャパシタンスを有する基板の構造を採用し得る。この構造は、互いに容量結合された浮遊素子を含み得る。素子間の相対寸法が（例えば、オーバーレイエラーにより）シフトすると、キャパシタンスに対応する変化が生じ得る。キャパシタンスの変化は、素子のうちの１つ又は複数の電圧を測定することによって決定され得る。電圧又はキャパシタンス比は、オーバーレイ測定値を決定するために使用され得る。例えば、均衡のとれた比率は、中央の素子が２つのサイド素子間の厳密な中点に位置するように素子がアライメントされていることを示し得る。したがって、中央の素子と一方のサイド素子との間のキャパシタンスは、中央の素子と他方のサイド素子との間のキャパシタンスと等しくなり得る。オーバーレイは、ゼロと決定され得る。一方、不均衡な比率は、素子が変位していることを示し得る。例えば、中央の素子が、一方のサイド素子に対して他方のサイド素子よりもより近い場合がある。一部の実施形態では、キャパシタンスは、導体間の静電力に正比例する場合があり、したがって、中央の素子とより近いサイド素子との間のキャパシタンスは、中央の素子とより遠いサイド素子との間のキャパシタンスよりも高くなる場合がある。不均衡なキャパシタンス比は、オーバーレイエラーを示し得る。
【0019】
[0032] 一部の実施形態では、基板の構造は、公称状態において所定の配置で設けられてもよい。例えば、構造は、所定の均衡又は対称性で設けられてもよい。構造は、構造が対称状態から逸脱したときにキャパシタンスの変化が検出可能であるように構成されてもよい。
【0020】
[0033] 一部の実施形態は、荷電粒子ビームを使用して、浮遊素子のうちの１つ（例えば、電荷注入素子）に電荷を注入することができる。電荷注入素子は、電圧コントラストイメージングを可能にするように帯電し得る。荷電粒子ビームを使用して、他の浮遊素子（例えば、測定素子）に対して電圧コントラストイメージングを実行することもできる。特定の測定素子の電圧が決定されてもよい。また、異なる素子の測定値を比較することにより、電圧比（例えば、均衡又は不均衡）が決定されてもよい。電圧不均衡は、構造の容量特性に比例し得る。測定された電圧に基づいて、オーバーレイ測定値が決定され得る（例えば、素子の変位）。
【0021】
[0034] 一部の実施形態は、専用の電荷注入素子を使用せずにオーバーレイを測定することができる。代わりに、荷電粒子ビームは、測定素子のプロービングのためだけに使用され得る。プロービング自体が、いくらかの帯電を生じさせる場合がある。素子のオーバーレイ測定値は、キャパシタンスの不均衡によって影響を受ける過渡的な帯電挙動に基づいて決定され得る。オーバーレイエラーにより、素子間でキャパシタンスの不均衡が生じ得る。例えば、中央の素子が一方のサイド素子に対して他方のサイド素子よりも近くなるように変位される場合がある。キャパシタンスは、素子間の間隔に応じて異なり得るため、一方の素子ペア間のキャパシタンスが他方のペアとは異なり得る。荷電粒子ビームが測定素子のプロービングを行うとき、検出特性は、素子の変位を表す不均衡を明らかにし得る。オーバーレイ測定値は、検出された均衡又は不均衡に基づき得る。
【0022】
[0035] システムは、測定された不均衡が特定のずれ量に対応するように較正され得る。システムは、測定方法から変化に対する感度の切り離しを可能にし得る。例えば、オーバーレイを測定する比較方法において、感度は、オーバーレイを測定する場所及び方法に依存し得る。素子のある場所でオーバーレイを測定することは、同じ素子の異なる場所でオーバーレイを測定することとは異なり得る。比較方法は、感度と、使用される測定技術に対して実行可能な観察インターフェイスを生成する能力との間のトレードオフを必然的に伴い得る。しかしながら、本開示の一部の実施形態は、感度と観察インターフェイスの要件との間のトレードオフ関係を低減又は排除することができる。さらに、半導体デバイスにおけるフィーチャの解像度オーバーレイ測定（at-resolution overlay measurement）が可能にされ得る。
【0023】
[0036] 本開示の目的及び利点は、本明細書で述べる実施形態に記載されるような要素及び組み合わせによって実現され得る。しかしながら、本開示の実施形態は、そのような例示的な目的又は利点を達成するために必ずしも必要ではなく、一部の実施形態は、記載した目的又は利点を何れも達成しない場合がある。
【0024】
[0037] 本開示の範囲を限定することなく、一部の実施形態は、電子ビーム（「ｅビーム」）を利用するシステムにおけるシステム及び方法を提供するという文脈で説明される場合がある。しかしながら、本開示はそれに限定されない。他のタイプの荷電粒子ビームも同様に適用することができる。さらに、ウェーハ検査又はオーバーレイ測定のためのシステム及び方法は、光学イメージング、光子検出、Ｘ線検出、イオン検出などの他のイメージングシステムにおいて使用することができる。
【0025】
[0038] 本明細書において、特に別段の記載がない限り、「又は」という用語は、実行不可能な場合を除き、すべての可能な組み合わせを包含する。例えば、ある構成要素がＡ又はＢを含むと記載されている場合、特に別段の記載がない限り、又は実行不可能でない限り、その構成要素は、Ａ、又はＢ、又はＡ及びＢを含み得る。第２の例として、ある構成要素がＡ、Ｂ、又はＣを含むと記載されている場合、特に別段の記載がない限り、又は実行不可能でない限り、その構成要素は、Ａ、又はＢ、又はＣ、又はＡ及びＢ、又はＡ及びＣ、又はＢ及びＣ、又はＡ及びＢ及びＣを含み得る。「～の少なくとも１つ」などの表現は、必ずしもそれに続くリストの全体を修飾するとは限らず、また、必ずしもリストの各要素を修飾するとは限らないため、「Ａ、Ｂ、及びＣの少なくとも１つ」は、Ａのうちの１つのみ、Ｂのうちの１つのみ、Ｃのうちの１つのみ、又はＡ、Ｂ、及びＣの任意の組み合わせを含むものとして理解されるべきである。「Ａ及びＢのうちの１つ」又は「Ａ及びＢのうちの何れか１つ」という表現は、Ａのうちの１つ、又はＢのうちの１つを含む最も広い意味で解釈されるものとする。
【0026】
[0039] ここで、本開示の実施形態と一致する、ウェーハ検査に使用され得る基板１００を示す図１Ａを参照する。図１Ａに示すように、基板１００は、ベース層１０２の上に絶縁層１０１を含み得る。ベース層１０２は、シリコンを含んでもよく、絶縁層１０１は、酸化シリコンを含んでもよい。
【0027】
[0040] 基板１００は、絶縁層１０１に形成された素子１１０、１２０、及び１３０を含み得る。素子１１０、１２０、及び１３０は、電線素子を含み得る。図１Ａは、素子１１０、１２０、及び１３０の一部又は全部が互いに平行に紙面の内外に延びる基板１００の断面を示し得る。素子１１０、１２０、及び１３０は、浮遊素子（例えば、それらは、他の素子に直接電気的に接続されていない）であってもよい。例えば、素子１１０、１２０、及び１３０は、効果的に接地されるほど長いのではなく、比較的短くてもよい。基板１００は、接地素子Ｇ１及びＧ２を含み得る。接地素子Ｇ１及びＧ２は、接地に接続されてもよいし、又はそれら自体が効果的に接地として機能するように大きくてもよい。一部の実施形態では、接地素子Ｇ１及びＧ２は、より大きな接地面構造の一部であってもよい。
【0028】
[0041] 素子は、所定の設計に従って基板１００に形成されてもよい。素子は、所定のサイズを有して、所定の場所に形成することができる。例えば、素子Ｇ１、Ｇ２、１１０、１２０、及び１３０の各々は、指定された幅、厚さ、及び材料の種類を有し得る。素子は、それぞれの軸を中心とするように形成されてもよい。例えば、接地素子Ｇ１は、軸１４１を中心とするように設計され、素子１２０は、軸１２１を中心とするように設計され、素子１１０は、軸１１１を中心とするように設計され、素子１３０は、軸１３１を中心とするように設計され、接地素子Ｇ２は、軸１５１を中心とするように設計される。
【0029】
[0042] 一部の実施形態では、素子は、少なくとも部分的に互いにオーバーラップする場合がある。例えば、図１Ａに示すように、素子１１０は、素子１２０及び１３０と上下方向にオーバーラップし得る。基板１００を平面視で見ると、素子１１０は、素子１２０及び１３０の少なくとも一部の上にかかり得る。一部の実施形態では、素子は、互いにオーバーラップしていない場合がある。
【0030】
[0043] 公称位置において、素子は互いに容量結合されてもよい。図１Ａに示すように、素子１１０と素子１２０との間のキャパシタンスＣ１、素子１２０と接地素子Ｇ１との間のキャパシタンスＣ２、素子１１０と素子１３０との間のキャパシタンスＣ３、及び素子１３０と接地素子Ｇ２との間のキャパシタンスＣ４が存在し得る。基板１００は、キャパシタンスＣ１及びＣ３が等しくなるように構成されてもよい。また、キャパシタンスＣ２及びＣ４が等しくてもよい。一部の実施形態では、キャパシタンスＣ１、Ｃ２、Ｃ３、及びＣ４が等しくてもよい。
【0031】
[0044] 公称状態において、キャパシタンスは、素子間でペアごとに均衡がとれていてもよい。例えば、素子Ｇ１、１１０、１２０、１３０、及びＧ２は、それぞれの軸において形成されてもよく、キャパシタンスＣ１、Ｃ２、Ｃ３、及びＣ４は、等しくてもよい。基板１００は、所定の配置を有し得る。例えば、基板１００は対称であってもよい。図１Ａに示すように、基板１００は、軸１１１に対して鏡面対称となるように設計されてもよい。キャパシタンスが公称配置において均衡がとれるように、他の種類の対称性が使用されてもよい。
【0032】
[0045] 図面は、特定の素子の電気的等価を示す場合があるが、所望の電気的挙動を達成するために、様々な構造又はジオメトリが使用され得ることが理解されるであろう。例えば、素子１１０及び１２０は、絶縁材料によって互いに分離されることによって、互いに容量結合されてもよいことが理解されるであろう。
【0033】
[0046] 図１Ｂは、本開示の実施形態と一致する基板１００の図式表現を示す。
【0034】
[0047] 一部の実施形態では、素子１１０は、電荷注入素子を含み得る。素子１１０は、電圧コントラストイメージングを可能にするように外部バイアス（例えば、電荷）を受け取るように構成されてもよい。素子１１０は、荷電粒子ビーム（例えば、電子ビーム）からの照射を受け取るように構成されてもよい。図１Ａに示すように、電子ビームＥは、軸１１１とアライメントされ、基板１００上に投影されてもよい。さらに、測定ビームＭ１及びＭ２は、それぞれ軸１２１及び軸１３１とアライメントされ、基板１００上に投影されてもよい。基板１００は、電圧比（例えば、電圧均衡又は不均衡）を測定するために、電圧コントラストイメージングシステムと共に使用されてもよい。
【0035】
[0048] 素子が（例えば、製造プロセスにおけるエラー、スケーリングエラーなどのために）その公称位置に対して変位すると、キャパシタンスの不均衡が生じ得る。例えば、図１Ａに示すように、素子１３０は、Δｘ分だけ変位位置１３０’に変位する場合がある。素子１３０が接地素子Ｇ２に近づき、素子１１０から離れるにつれて、キャパシタンスＣ１、Ｃ２、Ｃ３、及びＣ４の値が変化し得る。
【0036】
[0049] オーバーレイ測定値は、キャパシタンスの不均衡から決定され得る。キャパシタンスは、電圧に関連し得る。例えば、一部の素子は、導体の自己容量を表すｑ＝ＣＶの基本的関係（式中、ｑは蓄積された電荷、Ｃはキャパシタンス、Ｖは絶縁体の電位差である）に従い得る。荷電粒子ビームシステム（例えば、ＳＥＭイメージングシステム）では、１つ又は複数の導電性素子が絶縁層を含むサンプル上に設けられ得る。荷電粒子ビームは、サンプル上のあるエリアのプロービングを行うことができ、そのエリアは帯電し得る。荷電粒子ビームがそのエリアを照射し、そのエリアから二次荷電粒子が放出されると、表面電位が生じ得る。一部の電荷はサンプル上に蓄積され得るが、一部の電荷は二次荷電粒子放出としてサンプルから放出される。表面電位は、サンプルの正味の電荷を表す場合があり、表面電位は、エリア内の素子のキャパシタンスに対応する場合がある。電圧コントラスト法は、既知の電荷量を誘導することを伴い得る。したがって、素子の測定電圧は、その素子と別の素子との間のキャパシタンスを表し得る。
【0037】
[0050] 測定方法は、荷電粒子ビームを使用して電圧コントラストイメージングを行うことを伴い得る。電圧コントラストは、基板１００の様々な素子の電圧を測定するために使用することができる。荷電粒子ビームは、基板１００の３つの異なる場所に投影されてもよい。一部の実施形態では、複数のビーム（例えば、マルチビーム装置のビームレット）が使用されてもよい。一部の実施形態では、基板１００の異なる場所に異なる時点で投影される単一ビーム装置からのビームが使用されてもよい。
【0038】
[0051] 電子ビームＥ及び測定ビームＭ１及びＭ２は、異なる時点で基板１００の異なる場所に投影される単一ビーム装置からの同一ビームであってもよい。一部の実施形態では、電子ビームＥ及び測定ビームＭ１及びＭ２は、マルチビーム装置の別々のビームレットであってもよい。ビームが基板１００のある場所を照射すると、基板１００の照射された場所から二次荷電粒子が発生する場合があり、検出器で収集され得る。検出された荷電粒子は、電圧コントラストイメージングに使用することができる。
【0039】
[0052] 特定の構造の挙動は、測定された電圧がオーバーレイ測定値に対応するようにモデル化することができる。図１Ａに示す基板１００の場合、キャパシタンスは、公称（例えば、対称）配置に対する変位の関数であってもよい。基板１００は、以下の関係に従う場合があり、式中、ΔＣはキャパシタンス不均衡であり、Ｋ’は比例係数であり、ＯＶはオーバーレイ（例えば、公称配置に対する変位）である。
ΔＣ＝Ｋ’ＯＶ （１）
ΔＣ＝Ｋ’ＯＶ （１）
【0040】
[0053] オーバーレイＯＶの０の値は、素子が適切にアライメントされ、オーバーレイエラーが存在しないことを示し得る。キャパシタンス不均衡ΔＣの値も０である場合があり、これは、キャパシタンスの均衡がとれていることを示す。すなわち、キャパシタンス比は１対１であってもよい。一部の実施形態では、詳細な表現（例えば、特定の方程式）は、基板の詳細なジオメトリに依存し得る。基板は、公称位置において均衡のとれたジオメトリを有するように構成されてもよい。例えば、基板の一面上の導電素子は、基板の別の面上の導電素子と均衡がとれていてもよい。１つ又は複数の素子の位置のシフトは、逆の符号を持つキャパシタンスの変化に至る場合がある。
【0041】
[0054] 図１Ａに破線で示すように、素子は公称位置からΔｘ分だけ変位する場合がある。Δｘの値は、オーバーレイＯＶに対応し得る。上部構造に対する下部構造のシフトに関して、キャパシタンスは以下のように変化し得る。
【数1】
【0042】
[0055] ４つの公称キャパシタンスがすべて等しい場合、以下の関係が使用され得る。式中、Ｖｄｉｆｆは、電圧コントラストイメージングを実行することにより決定可能であり得る電位差である。
【数2】
【0043】
[0056] 一部の実施形態では、Ｖｄｉｆｆはまた、グレイ値の差に対応し得る。基板１００を電圧コントラスト法で使用して、第１の電子ビームを通して素子１１０に電荷が注入されてもよい。その結果生じる、素子１２０及び１３０の電圧は、電圧コントラストを用いて測定することができる。
【0044】
[0057] 図１Ａに示す配置では、素子１１０、Ｇ１、及びＧ２に対して素子１２０及び１３０が一緒にシフトすることにより、キャパシタンスの変化がもたらされる場合があり、キャパシタンスブリッジの形態が生じ得る。一次近似を用いて、一方向のシフトは、Ｃ２及びＣ３を減少させながらＣ１及びＣ４を増加させる。反対方向へのシフトは、逆の効果をもたらす。キャパシタンスの変化の結果として、測定される電圧は、素子間の相対シフトに比例して変化する。
【0045】
[0058] 図１Ａに示すように、素子１１０はある層に形成されてもよく、素子１２０及び１３０は別の層に形成される。接地素子Ｇ１及びＧ２は、素子１１０と同じ層に形成されてもよい。さらなるバリエーションには、接地素子Ｇ１及びＧ２を異なる平面に形成すること、素子Ｇ１、Ｇ２、１１０、１２０、及び１３０のすべてを単一層又は異なる層に形成すること、素子１２０及び１３０を上層に形成し、素子１１０を下層に形成すること、並びに他の任意の配列が含まれ得る。素子Ｇ１、Ｇ２、及び１１０は、１つのステップで製造されてもよく、素子１２０及び１３０は、第２のステップで製造され、又はその逆であってもよい。一部の実施形態では、接地素子は、素子１１０に接続されてもよい。例えば、素子１１０の下方に接地素子が設けられてもよい。
【0046】
[0059] 図２Ａは、本開示の実施形態と一致する、電圧比測定を実行するための回路２００の図式表現である。図２Ｂは、回路２００を用いた電圧比測定のシミュレーション結果を表し得る。図２Ｂのグラフにおいて、横軸は時間を表し、縦軸は電圧を表す。
【0047】
[0060] 図２Ａに示すように、指定の電流を有する電荷注入ビームを使用することができる。サンプルの表面から荷電粒子が放出されることにより、いくらかの電流が失われる場合がある。システムを流れる正味電流は、値ＩＥで表され得る。電荷注入ビームは、基板１００の素子１１０に当てられる、図１Ａに示すビームＥに対応し得る。電荷は、時点Ｔ１から注入され得、時点Ｔ２まで続き得る。測定電圧は、Ｃ１とＣ２との間、及びＣ３とＣ４との間で（例えば、それぞれ素子１２０及び１３０において）測定され得る。図２Ｂに示すように、電圧ＶＡ及びＶＢは異なり、電圧の不均衡、ひいてはキャパシタンスの不均衡を示している。不均衡は、基板１００及び特定の測定条件に対応するモデルに従って定量的に決定することができる。不均衡に基づいて、オーバーレイ測定値が決定され得る。Ｖｄｉｆｆは、電圧差ＶＡ－ＶＢに等しいものとして決定され得る。
【0048】
[0061] モデルは、実験などの較正によって、又はシミュレーションによって決定されてもよい。一部の実施形態では、モデルは、線形応答領域を包含し得る。例えば、図２Ｂに示すように、測定電圧（及びそれらの差）は、時点Ｔ１と時点Ｔ２との間の時間と共に、ほぼ線形に増加し得る。時間は、現在のドーズに対応し得る。ドーズと測定された電圧差を相関させる比例係数が求められ得る。オーバーレイは、測定された電圧差及び比例係数に基づいて決定され得る。一部の実施形態では、測定挙動が完全には線形でない場合がある。しかしながら、例えば、少なくともある範囲にわたって挙動をモデル化する係数が決定されてもよい。この係数は、挙動が実質的に線形である範囲に対応し得る。
【0049】
[0062] 一部の実施形態では、モデルは、漏れ電流を考慮に入れることができる。例えば、一部の構造は、測定された電圧ＶＡ及びＶＢに影響を与え得る漏れ電流を示す場合がある。さらに、ＶＡが測定された地点から（レジスタによって表され得る）接地までの漏れ経路、及びＶＢが測定された地点から（レジスタによって表され得る）接地までの漏れ経路が提供され得る。このような漏れ経路は、振幅の減少及び帯電状態に達した後の電圧バイアスの急激な低下の影響を引き起こし得る。影響は、電荷が測定部分から漏れる速度に依存し得る。
【0050】
[0063] ここで、本開示の実施形態と一致する、ウェーハ検査に使用され得る基板３００を示す図３Ａを参照する。基板３００は、特定の相違点を除き、基板１００と同様であってもよい。例えば、接地面は、ベース層３０２の単一の平面によって表されてもよい。さらに、浮動素子の配置は変更されてもよい。
【0051】
[0064] 図３Ａに示すように、基板３００は、ベース層３０２の上に絶縁層３０１を含み得る。基板３００は、絶縁層１０１に形成された素子３１０、３２０、及び３３０を含み得る。素子３１０、３２０、及び３３０は、電線素子（例えば、導電線）を含み得る。素子３１０、３２０、及び３３０の一部又は全部は、紙面内外に互いに平行に延び得る。
【0052】
[0065] 素子３１０、３２０、及び３３０は、互いに容量結合されてもよい。素子３１０と素子３２０との間にはキャパシタンスＣ１が存在し得る。素子３１０と素子３３０との間には、キャパシタンスＣ２が存在し得る。さらに、接地面と素子３２０及び３３０の各々との間には、キャパシタンスＣ３が存在し得る。接地面と素子３１０との間には、キャパシタンスＣ４が存在し得る。
【0053】
[0066] 素子３２０及び３３０は、荷電粒子ビームからの照射を受け取るように構成されてもよい。図３Ａに示すように、測定ビームＭ１及びＭ２は、それぞれ軸３２１及び軸３３１とアライメントされ、基板３００上に投影されてもよい。基板３００は、電圧比を測定するために、電圧コントラストイメージングシステムと共に使用されてもよい。図１Ａとは異なり、図３Ａでは、電荷注入素子の励起に使用される電子ビームＥは存在しない。
【0054】
[0067] 一部の実施形態では、基板３００は、以下の条件を満たすように構成されてもよい：Ｃ１＞＞Ｃ３。また、以下の条件が満たされてもよい：Ｃ２＞＞Ｃ３。従って、Ｃ３は無視されるほど小さくなり得る。Ｃ４についても同様であってもよい。
【0055】
[0068] 基板を含む構造の挙動は、測定された電圧がオーバーレイ測定値に対応するようにモデル化され得る。図３Ａに示す基板３００の場合、キャパシタンスは、公称（例えば、対称又は均衡）配置に対する変位の関数であってもよい。
【0056】
[0069] 測定ビームＭ１及びＭ２による素子３２０及び３３０の測定電圧の差は、キャパシタンスＣ１とＣ２との間の差に関連し得る。キャパシタンスの差は、オーバーレイに関連し得る。オーバーレイ測定値を決定する方法は、第１及び第２の素子の電圧を測定することと、比キャパシタンスを決定することと、を含み得る。
【0057】
[0070] 方程式（１）～（６）のような関係の場合、比例係数は、例えば、実験的に、又はシミュレーションにより決定することができる。比例係数は、観察下の構造に関する情報、電圧コントラストイメージングシステムの動作条件、又はオーバーレイの測定に関連する他のパラメータに基づいてもよい。
【0058】
[0071] 図３Ｂ及び図３Ｃは、本開示の実施形態と一致する、オーバーレイ測定を受ける構造の挙動の図式表現である。図３Ｂでは、横軸は電荷密度を表し、縦軸は表面電位を表し得る。電荷密度は、基板３００上の素子に適用される測定ドーズに対応し得る。図３Ｂのグラフは、測定ビームＭ１及びＭ２を当てることによる基板３００の測定挙動を表し得る。グラフに示される曲線は、オーバーレイエラーが生じた場合（例えば、素子の配置が対称などの所定の配置から逸脱する）、互いに異なり得る。例えば、素子３１０が軸３１１に対して変位した場合（図３Ａを参照）、曲線は異なり得る。素子３１０は、変位Δｘ分だけ軸３１１からシフトされ得る。素子３１０は、素子３２０から離れて、素子３３０に近づく場合があり、キャパシタンスＣ１及びＣ２の値が変化し得る。例えば、キャパシタンスが小さくなると、キャパシタンスが大きい場合よりも帯電が速くなり得る。曲線３２５は、測定ビームＭ１を使用した素子３２０の測定された表面電位を表し、曲線３３５は、測定ビームＭ２を使用した素子３３０の測定された表面電位を表し得る。矢印３４１は、キャパシタンスの増加傾向を表す。曲線３２５は小さなキャパシタンスを表し、曲線３３５は大きなキャパシタンスを表し得る。複数の素子ペア間のキャパシタンスが等しい場合（例えば、Ｃ１＝Ｃ２の場合、キャパシタンス比が１対１であることも意味する）、曲線３２５及び３３５は、互いにオーバーラップし得る。オーバーラップする曲線は、オーバーレイエラーが存在しないこと（例えば、構造が対称配置で形成されていること）を示し得る。
【0059】
[0072] 図３Ｃは、基板３００上の測定ビームＭ１及びＭ２を使用した測定結果から収集された別の形態のデータを表し得る。図３Ｃにおいて、横軸は電荷密度を表し、縦軸は検出器で検出された二次荷電粒子電流を一次ビーム電流で割った値を表し得る。縦軸は、電圧コントラストによってイメージングされたフィーチャのグレイレベルに対応し得る。電荷密度は、測定ドーズに対応し得る。
【0060】
[0073] 図３Ｂと同様に、オーバーレイエラーが発生した場合、図３Ｃの曲線は異なり得る。図３Ｃにおいて、曲線３２７は、測定ビームＭ１を使用した素子３２０の測定されたグレイ値を表し、曲線３３７は、測定ビームＭ２を使用した、素子３３０の測定された表面電位を表し得る。矢印３４１は、キャパシタンスの減少傾向を表す。曲線３２７は小さなキャパシタンスを表し、曲線３３７は大きなキャパシタンスを表し得る。複数の素子ペア間のキャパシタンスが等しい場合（例えば、Ｃ１＝Ｃ２の場合）、曲線３２７及び３３７は、互いにオーバーラップし得る。オーバーラップする曲線は、オーバーレイエラーが存在しないこと（例えば、構造が対称配置で形成されていること）を示し得る。
【0061】
[0074] 図３Ｂ及び図３Ｃに示すように、測定された素子間の差異が示される測定ドーズ量の範囲が存在し得る。例えば、図３Ｂに示すように、曲線３２５及び曲線３３５の値が互いに異なる、第１の測定ドーズＱ１と第２の測定ドーズＱ２との間の範囲が存在し得る。曲線３２５及び曲線３３５の値は、帯電が継続するにつれて収束し得る。キャパシタンス不均衡の過渡的挙動を明らかにすることができる最適なドーズ量範囲を決定することができる。構造が所定の配置（例えば、対称）にある場合、表面電位又はグレイレベルの測定値は、過渡的挙動の領域であっても、素子間で同じであり得る。しかしながら、構造が（例えば、オーバーレイエラーにより）所定の配置から逸脱すると、表面電位又はグレイレベルの測定値は、過渡的挙動の領域において、素子によって異なり得る。
【0062】
[0075] 図３Ｄは、本開示の実施形態と一致する、ウェーハ検査に使用され得る別の例示的な基板３００Ａを示す。基板３００Ａは、特定の相違点を除き、基板３００と同様であってもよい。例えば、１つの上側素子及び２つの下側素子が存在してもよい。
【0063】
[0076] 基板３００及び３００Ａはそれぞれ、所定の配置を有し得る。例えば、公称状態において、軸３１１に対して鏡面対称であってもよい。構造が所定の配置から逸脱すると（例えば、素子３１０、３２０、及び３３０のうちの１つ又は複数が左又は右にシフトすると）、キャパシタンスの不均衡が検出可能となり得る。測定されたキャパシタンス（例えば、電圧コントラストイメージングによって決定される）に基づいて、オーバーレイ測定値が決定され得る。
【0064】
[0077] 一部の実施形態では、構造の測定値とオーバーレイ測定値との間の対応が決定され得る。測定された電圧差とオーバーレイ（例えば、変位Δｘ又はＯＶ）との間の関連性は、構造内の様々な素子のキャパシタンス（例えば、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）及び比例定数に依存し得る。一部の実施形態では、比例定数が計算されてもよい。一部の実施形態では、較正法が使用されてもよい。図３Ｄに示され得るような基板３００Ａについて、Ｖｄｉｆｆは、Ｍ１から検出された電圧とＭ２から検出された電圧との間の電圧差として決定され得る。
【0065】
[0078] ここで、本開示の実施形態と一致する、較正に使用され得る例示的な格子を示す図４Ａ～４Ｄを参照する。図４Ａ及び図４Ｂに示すように、オーバーレイは、入射ビームＩ及び結果ビーム（resultant beam）Ｉ－１及びＩ＋１を使用して測定され得る。一部の実施形態では、光ビームを採用する光学的方法が使用されてもよい。オーバーレイエラーが存在しない場合、Ｉ－１及びＩ＋１の測定強度は等しくなり得る。図４Ａは、ＯＶ＝０及びＡ＝Ｉ＋１－Ｉ－１＝０の状況を示しており、ＯＶはオーバーレイであり、Ａは荷電粒子ビームに基づく測定値である。入射ビームＩは、第１の層構造４０１及び第２の層構造４０２を含む格子構造４００Ａ上に投影され得る。第１の層構造４０１及び第２の層構造４０２は、互いに正確に積み重ねられており、オーバーレイエラーは存在しない。格子構造４００Ａとの相互作用の結果として、強度が等しい結果ビームＩ－１及びＩ＋１が生成される。
【0066】
[0079] 一方、オーバーレイエラーが存在する場合（例えば、格子が互いに正確に積み重ねられていない場合）、入射ビームが格子と異なる相互作用をする場合があり、結果ビームが非対称に生成され得る。図４Ｂは、ＯＶ≠０及びＡ＝Ｉ＋１－Ｉ－１＝Ｋ×ＯＶの状況を示しており、式中、ＯＶはオーバーレイであり、Ａは荷電粒子ビームに基づく測定値であり、Ｋは比例係数である。入射ビームＩは、第１の層構造４０１及び第２の層構造４０２を含む格子構造４００Ｂ上に投影され得る。第１の層構造４０１及び第２の層構造４０２は、互いにオフセットしている。したがって、オーバーレイエラーが存在する。格子構造４００Ｂとの相互作用の結果として、強度が等しくない結果ビームＩ－１及びＩ＋１が生成される。
【0067】
[0080] キャパシタンスの不均衡に基づく方法では、未知のアプリオリ比例係数Ｋが存在し得る。係数Ｋは、例えば、システムの特性及び測定条件に基づいてモデル化され得る。
【0068】
[0081] プロセス依存の比例係数Ｋを除去するために、二重バイアスのオーバーレイ測定が使用され得る。係数Ｋは、組み込みであるが反対のバイアスｄを有する２つのオーバーレイターゲットに対する複合測定を使用することによって抽出されてもよい。反対のバイアスを有する２つのターゲットは、オーバーレイ値及び比例係数Ｋの抽出を可能にし得る。オーバーレイ測定システムを較正する方法は、反対のバイアスを有する２つのターゲットを使用することを含み得る。この方法は、第１のターゲットの第１の測定結果及び第２のターゲットの第２の測定値を用いてオーバーレイを決定することを含み得る。バイアスは予め既知であってもよい。
【0069】
[0082] 図４Ｃは、第１の方向にバイアスされた第１の格子４１０を示す。図４Ｃに示すように、第１の層構造４０１は、正のバイアスｄだけ第２の層構造４０２からオフセットされている。図４Ｃは、ＯＶ＝ｄ及びＡ＋＝Ｋ（ＯＶ＋ｄ）の状況を示している。一方、図４Ｄは、第１の方向とは反対の方向にバイアスされた第２の格子４２０を示す。図４Ｄに示すように、第１の層構造４０１は、負のバイアス－ｄだけ第２の層構造４０２からオフセットされている。図４Ｄは、ＯＶ＝－ｄ及びＡ－＝Ｋ（ＯＶ－ｄ）の状況を示している。第１の格子４１０及び第２の格子４２０を用いて、比例係数Ｋに依存することなくオーバーレイを測定することができる。例えば、第１の格子４１０及び第２の格子４２０からの測定値を組み合わせると、以下の関係を見出すことができる。
【数3】
【0070】
[0083] 上記から、バイアスｄは、マスクウェーハによって決定することができる。さらに、Ａの値（例えば、Ａ－及びＡ＋）は、メトロロジツールによって正確に測定することができる。「Ａ」は、電圧コントラストイメージング結果、グレイレベルなどの測定結果を表し得る。
【0071】
[0084] 一部の実施形態では、オーバーレイは、図４Ｃ及び図４Ｄに示されるように、符号がオーバーレイターゲットの組み込みバイアスｄの方向に関連する、以下のような方程式に従って電圧不均衡から決定され得る。
【数4】
【0072】
[0085] 一部の実施形態では、オーバーレイは、２つの測定値（１つは第１のバイアスを有し、もう１つは反対のバイアスを有する）を用いて測定することができる。バイアスは、予め既知であってもよい。測定値をオーバーレイに相関させるための比例係数への依存をなくすように、２つの測定値が組み合わせられてもよい。例えば、検出器で収集された荷電粒子の強度の測定値は、オーバーレイの値を得るために既知のバイアス項と共に直接使用されてもよい。
【0073】
[0086] 一部の実施形態では、基板における素子のレイアウトを最適化することができる。最適化は、帯電効率又は測定効率のために行われ得る。例えば、電子ビームスキャンとの互換性を高めるために、帯電スキャンの場所と測定スキャンの場所とを分離するようにターゲットのジオメトリが最適化されてもよい。本明細書では「スキャン」について説明するが、荷電粒子ビームがサンプルの表面を常に移動する必要はないことが理解されるであろう。一部の実施形態では、荷電粒子ビームは、１つ又は複数の特定の場所に投影することができ、使用されないときにはオフにする（例えば、サンプルから離れてブランクにする）ことができる。基板の素子に対するドーズ量は、素子上の荷電粒子ビームの滞留時間によって決定され得る。
【0074】
[0087] 基板を帯電させるように構成された荷電粒子ビームデバイスを提供することができる。基板は、基板において対称に配置されるように構成された第１の素子、第２の素子、及び第３の素子を含み得る。例えば、図１Ａに示すように、第１の素子（１１０）、第２の素子（１２０）、及び第３の素子（１３０）を有する基板１００が提供されてもよい。また、図３Ａに示すように、第１の素子（３１０）、第２の素子（３２０）、及び第３の素子（３３０）を有する基板３００が提供されてもよい。素子は、鏡面対称性を有するなどにより、対称的に配置されてもよい。一部の実施形態では、対称性はまた、図７に示されるような別のタイプの均衡配置を有することによって達成されてもよい。
【0075】
[0088] 第１の素子と第２の素子との間、及び第１の素子と第３の素子との間には、容量結合が形成されてもよい。例えば、図１Ａに示すように、素子１１０と素子１２０との間にキャパシタンスＣ１が存在し、素子１１０と素子１３０との間にキャパシタンスＣ２が存在してもよい。また、図３Ａに示すように、素子３１０と素子３２０との間にキャパシタンスＣ１が存在してもよく、素子３１０と素子３３０との間にキャパシタンスＣ２が存在してもよい。
【0076】
[0089] 基板は、第１の素子、第２の素子、及び第３の素子のうちの少なくとも１つが荷電粒子ビームデバイスによって帯電され、それによってオーバーレイ測定値の決定を可能にするように構成されてもよい。例えば、図１Ａに示すように、素子１１０は、ビームＥによって帯電されてもよい。ビームＥは、荷電粒子ビームデバイスの荷電粒子ビーム源によって生成され得る。荷電粒子ビームデバイスは、単一ビーム装置又はマルチビーム装置を含み得る。また、図３Ａに示すように、素子３２０又は素子３３０は、それぞれ測定ビームＭ１及びＭ２によって帯電されてもよい。基板は、第１～第３の素子が非対称になると、キャパシタンスの不均衡が形成されるように構成されてもよい。オーバーレイは、キャパシタンスの不均衡によって決定され得る。
【0077】
[0090] 荷電粒子ビーム源は、基板から放出された二次荷電粒子を収集するように構成された検出器を含み得る。二次荷電粒子は、荷電粒子ビーム源のビームの照射によって基板から放出され得る二次電子又は後方散乱電子を含み得る。二次荷電粒子は、第１～第３の素子のうち、第１の素子ペアと第２の素子ペアとの間のキャパシタンス比を示し得る。荷電粒子ビーム源は、キャパシタンス比に基づいてオーバーレイ測定値を決定するように構成された電子制御装置（ＥＣＵ）も含み得る。電子制御装置は、メモリ及びプロセッサを含み得る。
【0078】
[0091] ここで、本開示の実施形態と一致する、オーバーレイ測定のための基板のレイアウトの図式表現である図５Ａ及び図５Ｂを参照する。図５Ａは、図１Ａに示される基板１００の平面図を表し得る。図５Ｂは、図３Ａに示される基板３００の平面図を表し得る。
【0079】
[0092] 図５Ａに示すように、電荷注入領域５１０、相互作用領域５２０、及び測定領域５３０が存在し得る。領域５１０、５２０、及び５３０は、基板１００の上面図の一部であり得る。電荷注入領域５１０は、下に素子１１０が位置する基板の部分を荷電粒子ビームが照射し得る場所を指定し得る。荷電粒子ビームは、スキャン経路５１５をたどり得る。荷電粒子ビームは基板と相互作用し、電荷が素子１１０に注入され得る。相互作用領域５２０において、素子１１０、１２０、１３０、Ｇ１、及びＧ２は、容量結合によって互いに相互作用し得る。測定領域５３０は、下に素子１２０及び１３０が位置する基板の部分に荷電粒子ビームを照射し得る場所を指定し得る。荷電粒子ビームは、スキャン経路５３５をたどり得る。測定領域５３０で使用される荷電粒子ビームは、電荷注入領域５１０で使用されるものと同じであってもよい。荷電粒子ビームは、異なる時点で異なる場所を照射することができる。測定領域５３０への照射は、基板の電圧コントラストイメージングの実行と同時であってもよい。電圧は、特定の素子（例えば、素子１２０又は素子１３０の電圧測定）について読み取られ、単一のスキャンインタイムと相関してもよい。荷電粒子ビームのビーム電流は、その用途に応じて調整することができる。一部の実施形態では、複数の荷電粒子ビームが使用されてもよい。例えば、素子１１０、１２０、及び１３０の各々への照射を一度に行うように、マルチビームシステムのビームレットが基板上に投影されてもよい。
【0080】
[0093] 相互作用領域５２０は、容量結合を形成するための素子を含み得る。素子は、相互作用領域５２０において互いにオーバーラップしてもよい。図５Ａにおいて、接地素子Ｇ１及びＧ２は、それぞれ素子１２０及び１３０と共に、キャパシタンスＣ２及びＣ４（図１Ａを参照）を形成するために使用されてもよい。図５Ｂにおいて、接地面は、素子３１０、３２０、及び３３０のすべての下にある下層のベース層（例えば、シリコン）によって形成されてもよい。
【0081】
[0094] 一部の実施形態では、電荷注入領域は省かれてもよい。図５Ｂは、相互作用領域５２０及び測定領域５３０を示す。一部の実施形態では、荷電粒子ビームは、ある領域にわたってスキャンすることができ、ビームが特定の素子の上に投影された時間（例えば、滞留時間）によって電流ドーズ量が決定されてもよい。ドーズ量は、例えば、スキャン速度又はビーム電流を調整することによって調整されてもよい。一部の実施形態では、荷電粒子ビームは特定の場所に誘導され、移動することなくその場所を照射してもよい。例えば、図５Ｂに示すように、第１の測定点Ｐ１及び第２の測定点Ｐ２が存在してもよい。荷電粒子ビームは、点Ｐ１及び点Ｐ２にのみ投影されることによって基板を照射するために使用されてもよい。一部の実施形態では、異なる点を照射するために別々の荷電粒子ビームが使用されてもよい。
【0082】
[0095] 一部の実施形態では、注入領域５１０、相互作用領域５２０、又は測定領域５３０は、基板の平面視において互いに物理的に間隔をあけて配置されてもよい。フットプリント（例えば、相互作用フットプリント及び測定フットプリント）間の分離は、さらなる最適化及びカスタマイゼーションなどの利点を可能にし得る。例えば、オーバーレイ感度を提供する素子（例えば、素子１１０、１２０、１３０、Ｇ１、Ｇ２、３１０、３２０、又は３３０）は、基板の注入部分又は測定部分とは別に設計されてもよい。このような素子は、電気的に結合されてもよい。このように、様々なセクションのフットプリントは、特定の用途の具体的なニーズに合わせて最適化することができる。
【0083】
[0096] 測定領域５３０と相互作用領域５２０との間の分離は、相互作用領域５２０の最適化を可能にし得る。相互作用領域５２０は、必ずしもオーバーレイに関連しない場合がある基準を含む様々な基準に従って最適化され得る。最適化は、幾何学的パラメータ又は電気的パラメータに基づいてもよい。基準には、ラインエッジラフネス、クリティカルディメンジョン、又は漏れ電流が含まれ得る。一方、基板の入力部及び出力部（例えば、注入領域５１０及び測定領域５３０）は、オーバーレイのためのキャパシタンスの不均衡の測定をサポートするための数個の基準しか必要としない場合があり、他の基準に基づいて基板の他の部分を最適化するための実質的な柔軟性が残される。さらに、一部の実施形態では、注入領域５１０及び測定領域５３０は、異なる層に位置することができ、それによって、柔軟性及びカスタマイズ性がさらに高まる。例えば、注入領域５１０又は測定領域５３０を基板の異なる層に移動させるために金属ビアが設けられてもよい。
【0084】
[0097] 一部の実施形態では、オーバーレイ測定は、上に適合する構造を有するターゲットに対して実行され得る。ターゲットには、オーバーレイ、アライメント、クリティカルディメンジョン、又は任意の測定に使用される専用ターゲットが含まれ得る。一部の実施形態では、ターゲットは必ずしも専用ターゲットとして使用されることを意図した構造である必要はない。ターゲットは、ＩＣチップの機能構成要素の一部である構造を含み得る。
【0085】
[0098] オーバーレイ測定に使用することができる構造のバリエーションには、様々な層の素子、面内ジオメトリ、又は角度の付いた構造が含まれ得る。さらに、非常に多数の素子が設けられてもよい。また、誘電体の材料の厚さ又は誘電率の変化を測定するために、測定値が使用されてもよい。
【0086】
[0099] 例えば、図１Ａを参照して上述したように、電荷注入素子を上側の層に設けるのではなく、電荷注入素子は異なる層に設けられてもよい。例えば、電荷注入素子は、下側の層に設けられてもよい。測定素子は、電荷注入素子の上に設けられてもよい。一部の実施形態では、測定素子は、電荷注入素子に対して並べて設けられてもよい。さらに、図１Ａは５つの素子（例えば、素子１１０、１２０、１３０、並びに接地素子Ｇ１及びＧ２）を示しているが、他の数の素子が使用されてもよい。例えば、接地素子と他の構造との間に、追加の電荷注入素子及び測定素子を介在させてもよい。
【0087】
[00100] インターディジットの変形形態を使用することもできる。素子は、長手方向を有し得るラインを含み得る。長手方向は必ずしも直線でなくてもよいが、ラインは、長手方向に沿い得る。例えば、配線経路は、蛇行していてもよい。それでもなお、複数の素子は、長手方向に沿った様々な位置で互いに平行のままであってもよい。任意の所与の断面において、例えば、素子は、公称間隔を維持するように構成されてもよい。
【0088】
[00101] 図６は、本開示の実施形態と一致する面内ジオメトリを有する基板６００を示す。基板６００は、電荷注入素子として機能し得る素子６１０を含み得る。基板６００は、測定素子として機能し得る素子６２０及び６３０も含み得る。さらに、基板６００は、接地素子Ｇ１及びＧ２を含み得る。素子間のキャパシタンスは、横方向に形成されてもよい。図６は、ｚ方向及びｘ方向の例示的な座標軸を示す。ｚ方向は、基板６００の厚さ方向であってもよい。ｘ方向及びｙ方向は、横（水平）方向であってもよい。
【0089】
[00102] オーバーレイ測定の実行は、素子６２０及び６３０の電圧コントラストを測定することを伴い得る。図６に公称的に示されるような所定の配置からの逸脱は、素子６２０及び６３０の電圧を測定することによって検出可能なキャパシタンスの不均衡をもたらし得る。基板６００の公称状態は、（例えば、ｘ方向に沿って）左右対称性を有し得る。対称軸は、素子６１０の中点と交差するｚ方向の線であってもよい。
【0090】
[00103] 図７は、本開示の実施形態と一致する、角度を付けた構造を有する基板７００を示す。基板７００は、素子７１０、７２０、及び７３０を含み得る。素子７２０及び７３０は、測定素子として機能し得る。基板７００の所定の配置は、図７に示す配置であってもよい。所定の配置は、回転対称性を含み得る。素子７１０は、公称的に軸７１１とアライメントされてもよい。素子７１０は、素子７２０及び７３０に対して所定のオーバーラップを有するように構成されてもよい。素子７２０とのオーバーラップ量は、素子７３０とのオーバーラップ量に等しくてもよい。
【0091】
[00104] 基板７００の配置において、素子７１０と素子７２０との間のキャパシタンス（例えば、Ｃ１）及び素子７１０と素子７３０との間のキャパシタンス（例えば、Ｃ２）は、素子間の幾何学的なオーバーラップに比例し得る。公称配置では、Ｃ２に対するＣ１の比は、１対１であってもよい。素子７１０がその公称位置から逸脱すると、素子７１０と素子７２０との間のオーバーラップ量は、素子７１０と素子７３０との間のオーバーラップ量とは逆に変化し得る。オーバーラップ量が変化すると、キャパシタンスの不均衡が生じ得る。オーバーレイは、キャパシタンス比（例えば、均衡又は不均衡）から決定されてもよい。
【0092】
[00105] 素子７１０は、軸７１１に沿って平行移動することによって、その公称位置から逸脱し得る。軸７１１に沿った平行移動により、素子７１０及び７２０との異なるオーバーラップ量がもたらされ得る。一部の実施形態では、素子７１０は、ｘ方向にシフトし得る。ｙ方向に沿った素子７１０のシフトにより、オーバーラップ量の違いは必ずしも生じない。基板７００は、素子７１０のｘ方向へのシフトに対して感度が高い場合があるが、ｙ方向には全く感度が高くない場合がある。素子７２０及び７３０が非常に長い場合、平行移動は、ｙ方向に不変であり得る。
【0093】
[00106] 接地素子は、素子７２０及び７３０の隣に設けられてもよいし、又は基板７００のベース層に設けられてもよい。
【0094】
[00107] 図８は、本開示の実施形態と一致する、誘電体部分を有する基板８００を示す。基板８００は、素子８１０、８２０、及び８３０と、接地素子Ｇ１及びＧ２とを含み得る。また、素子間に誘電体構造が設けられてもよい。誘電体構造は、導電素子を互いに分離するラインを含み得る。誘電体構造は、リソエッチングリソエッチング（ＬＥＬＥ）プロセス、ダブルパターニング、又は任意の適切な製造プロセスによって形成されてもよい。基板８００は、誘電体構造が所定の幅（例えば、幅ｗ１、ｗ２、ｗ３、及びｗ４）を有して形成されるように構成されてもよい。基板８００は、所定の配置を有するように構成されてもよい。基板８００は、左右鏡面対称性を有していてもよい。誘電体構造の特性が非対称に変化すると、素子８１０、８２０、８３０、Ｇ１、及びＧ２間のキャパシタンスが変化し得る。例えば、幅ｗ１、ｗ２、ｗ３、又はｗ４が非対称に変化すると、キャパシタンスの不均衡が生じる。さらに、誘電体構造の誘電率が非対称に変化すると、キャパシタンスの不均衡が生じる。キャパシタンスの不均衡は、測定電圧から検出可能であり得る。例えば、素子８２０及び８３０の電圧を測定し、キャパシタンスの不均衡を決定することができる。キャパシタンスの不均衡は、誘電体構造に関する情報を明らかにするために使用されてもよい。さらに、素子８１０、８２０、及び８３０に関する非対称な変化も、キャパシタンスの不均衡を通じて検出可能であり得る。
【0095】
[00108] 一部の実施形態では、キャパシタンス比（例えば、均衡若しくは不均衡）を決定する方法、又はオーバーレイ測定値を決定する方法が提供され得る。ここで、本開示の実施形態と一致する、オーバーレイ測定値を決定する第１の方法を示す図９を参照する。
【0096】
[00109] 図９に示すように、方法９００は、基板の素子に電荷を注入するステップ９１０から開始することができる。ステップ９１０は、電荷注入素子に電荷を注入することを含み得る。ステップ９１０は、電子ビームなどの荷電粒子ビームで素子を照射することを含み得る。ステップ９１０は、図１Ａに示すように、素子１１０にビームＥを照射することを含み得る。
【0097】
[00110] 方法９００は、第１の素子ペアの第１のキャパシタンスを決定するステップ９２０を含み得る。第１の素子ペアは、ステップ９１０において電荷が注入された素子と、第１の測定素子などの別の素子とを含み得る。第１のキャパシタンスを決定することは、ステップ９１０において電荷が注入された素子とは別個の素子に対して電圧コントラストイメージングを実行することを含み得る。電圧コントラストイメージングを実行することは、ステップ９１０において使用されたものと同じ又は異なる荷電粒子ビームを使用することを含み得る。第１のキャパシタンスを決定することは、第１の測定素子の電圧を測定することを含み得る。ステップ９２０は、図１Ａに示すように、ビームＭ１で素子１２０を照射すること、又はビームＭ２で素子１３０を照射することを含み得る。図２Ｂに示すように、ＶＡ又はＶＢなどの照射された素子の電圧が決定され得る。
【0098】
[00111] 方法９００は、第２の素子ペアの第２のキャパシタンスを決定するステップ９３０を含み得る。第２の素子ペアは、ステップ９１０において電荷が注入された素子と、第２の測定素子などの別の素子とを含み得る。第２のキャパシタンスを決定することは、ステップ９１０において電荷が注入された素子とは別個であり、及びステップ９２０において測定された素子とは別個の素子に対して電圧コントラストイメージングを実行することを含み得る。ステップ９３０は、図１Ａに示すように、素子１２０又は素子１３０の他方にビーム（例えば、ビームＭ１又はビームＭ２）を照射することを含み得る。図２Ｂに示すように、ＶＡ又はＶＢの他方などの照射された素子の電圧が決定され得る。他のキャパシタンスのさらなる決定も行われ得る（第１の測定素子と接地との間のキャパシタンスの決定、及び第２の測定素子と接地との間のキャパシタンスの決定など）。
【0099】
[00112] 方法９００は、決定された第１及び第２のキャパシタンスに基づいてキャパシタンス比を決定するステップ９４０を含み得る。ステップ９４０は、第１の測定素子の電圧と第２の測定素子の電圧との間の電圧比を決定することを含み得る。ステップ９４０は、検査下の基板を表す比例係数と、基板を表すキャパシタンス値とに基づいて電圧比を決定することを含み得る。基板は、素子間に公称キャパシタンスを有するように構成されてもよく、基板を表すキャパシタンス値は、公称値を含み得る。比例係数は、較正によって決定されてもよい。比例係数は、図４Ａ～４Ｄに関して上述したようなバイアス法を用いて決定されてもよい。
【0100】
[00113] ステップ９４０は、キャパシタンス比に基づいてオーバーレイ測定値を決定することを含み得る。オーバーレイ測定値は、基板の公称配置に対する素子のシフトに対応し得る。キャパシタンス比は、キャパシタンスの不均衡を含み得る。ステップ９４０は、キャパシタンスの不均衡に基づいて、Δｘなどのオーバーレイエラーを決定することを含み得る。
【0101】
[00114] ここで、本開示の実施形態と一致する、オーバーレイ測定値を決定する第２の方法を示す図１０を参照する。図１０に示すように、方法１０００は、第１の素子ペアのキャパシタンスに基づいて第１の過渡特性を決定するステップ１０１０から開始することができる。第１の素子ペアは、中央の素子と、第１の測定素子などの別の素子とを含み得る。例えば、図３Ａ又は図３Ｂに示すように、中央の素子は、素子３１０を含んでもよく、他方の素子は、素子３２０又は素子３３０を含んでもよい。第１の過渡特性を決定することは、第１の測定素子の表面電位を決定することを含み得る。第１の過渡特性を決定することは、第１の測定素子のグレイレベルを決定することを含み得る。第１の過渡特性は、例えば、図３Ｂ及び図３Ｃを参照して上述したように、キャパシタンスの不均衡が観察可能であり得る測定ドーズ量の範囲内で決定され得る。ステップ１０１０は、第１の測定素子に対して電圧コントラストイメージングを実行することを含み得る。第１の過渡特性を決定することは、第１の測定素子の電圧を測定することを含み得る。ステップ１０１０は、図３Ａ又は図３Ｂに示すように、素子３２０にビームＭ１を照射すること、又は素子３３０にビームＭ２を照射することを含み得る。
【0102】
[00115] 方法１０００は、第２の素子ペアのキャパシタンスに基づいて第２の過渡特性を決定するステップ１０２０を含み得る。第２の素子ペアは、中央の素子と、第２の測定素子などの別の素子とを含み得る。ステップ１０２０は、第２の測定素子に対して電圧コントラストイメージングを実行することを含み得る。電圧コントラストイメージングを実行することは、ステップ１０１０において使用されたものと同じ又は異なる荷電粒子ビームを使用することを含み得る。ステップ１０２０は、図３Ａ又は図３Ｂに示すように、素子３２０又は素子３３０の他方にビーム（例えば、ビームＭ１又はビームＭ２）を照射することを含み得る。第１の過渡特性及び第２の過渡特性は、素子間にキャパシタンスの不均衡が存在する場合に互いに異なり得る。例えば、中央の素子が公称位置に対して変位している場合（例えば、中央の素子が、第１の測定素子及び第２の測定素子から等距離になく、第１の測定素子又は第２の測定素子に近い）、第１の過渡特性及び第２の過渡特性は、キャパシタンスの不均衡が観察可能であり得る測定ドーズ量の範囲において互いに異なり得る。もちろん、（例えば、中央の素子が公称位置に対して変位していない場合に）キャパシタンスの均衡も見出され得る。容量比の決定は、オーバーレイを決定するために使用され得る。中央の素子と第１の測定素子との間のキャパシタンスが決定されてもよい。また、中央の素子と第２の測定素子との間のキャパシタンスが決定されてもよい。他のキャパシタンスのさらなる決定も実行され得る（中央の素子と接地との間のキャパシタンスを決定すること、第１の測定素子と接地との間のキャパシタンスを決定すること、及び第２の測定素子と接地との間のキャパシタンスを決定することなど）。
【0103】
[00116] 方法１０００は、決定された第１及び第２の過渡特性に基づいてキャパシタンス比を決定するステップ１０３０を含み得る。キャパシタンス比は、キャパシタンスの不均衡を含み得る。ステップ１０３０は、第１の過渡特性及び第２の過渡特性が異なる場合にオーバーレイエラーが存在すると決定することを含み得る。ステップ１０３０は、Δｘなどのオーバーレイエラーを決定することを含み得る。
【0104】
[00117] 本開示の実施形態と一致する他の方法には、較正の方法、比例定数を決定する方法、オーバーレイ測定のための構造をモデル化する方法、オーバーレイ測定を実行するための最適なドーズ量範囲を決定する方法、荷電粒子ビームデバイスを用いて基板を帯電させる方法、及びオーバーレイターゲットを製造する方法などが含まれ得る。
【0105】
[00118] 図９若しくは図１０の例示的なフローチャート又は本開示の実施形態と一致する他の方法に従ってオーバーレイ測定を実行するためのコントローラ（例えば、荷電粒子ビーム装置を制御するように構成された中央処理装置又は電子制御装置）のプロセッサのための命令を記憶する非一時的なコンピュータ可読媒体が提供され得る。例えば、非一時的なコンピュータ可読媒体に記憶された命令は、方法９００又は１０００を部分的又は全体的に実行するためのコントローラの回路によって実行され得る。非一時的な媒体の一般的な形態には、例えば、フロッピーディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク、ソリッドステートドライブ、磁気テープ、又は任意の他の磁気データストレージ媒体、コンパクトディスク読み出し専用メモリ（ＣＤ－ＲＯＭ）、任意の他の光学データストレージ媒体、穴のパターンを有する任意の物理的媒体、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、プログラマブル読み出し専用メモリ（ＰＲＯＭ）、及び消去可能プログラマブル読み出し専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）、ＦＬＡＳＨ－ＥＰＲＯＭ、又は任意の他のフラッシュメモリ、不揮発性ランダムアクセスメモリ（ＮＶＲＡＭ）、キャッシュ、レジスタ、任意の他のメモリチップ又はカートリッジ、及びこれらのネットワークバージョンが含まれる。
【0106】
[00119] 図中のブロック図は、本開示の様々な例示的実施形態によるシステム、方法、及びコンピュータハードウェア又はソフトウェア製品の可能な実装形態のアーキテクチャ、機能性、及び動作を示すことができる。この点で、概略図の各ブロックは、電子回路などのハードウェアを使用して実装され得る特定の算術演算処理又は論理演算処理を表し得る。ブロックは、指定された論理機能を実装するための１つ又は複数の実行可能命令を含むコードのモジュール、セグメント、又は部分も表し得る。幾つかの代替実装形態では、ブロックに示された機能は、図に記された順序とは異なって生じ得ることを理解されたい。例えば、連続して示された２つのブロックが実質的に同時に実行若しくは実装されてもよく、又は時に、関与する機能性に応じて２つのブロックが逆の順序で実行されてもよい。また、幾つかのブロックは省略されてもよい。ブロック図の各ブロック、及びブロックの組み合わせは、指定された機能若しくは行為を実行する特殊用途のハードウェアベースのシステムによって、又は特殊用途のハードウェア及びコンピュータ命令の組み合わせによって実装され得ることも理解されたい。
【0107】
[00120] 実施形態は、以下の条項を用いてさらに説明することができる。
１．基板のオーバーレイ測定値を決定する方法であって、
基板の電荷注入素子に電荷を注入することと、
第１の素子ペアの第１のキャパシタンス及び第２の素子ペアの第２のキャパシタンスを決定することと、
第１のキャパシタンス及び第２のキャパシタンスに基づいてキャパシタンス比を決定することと、
キャパシタンス比に基づいてオーバーレイ測定値を決定することと、
を含む、方法。
２．電荷注入素子に電荷を注入することが、電荷注入素子に荷電粒子ビームを照射することを含む、条項１に記載の方法。
３．電荷注入素子と第１の測定素子との間のキャパシタンスとして第１のキャパシタンスを決定することと、
電荷注入素子と第２の測定素子との間のキャパシタンスとして第２のキャパシタンスを決定することと、
をさらに含む、条項１又は２に記載の方法。
４．第１の測定素子の第１の電圧及び第２の測定素子の第２の電圧を決定するために、電圧コントラストイメージングを実行することをさらに含む、条項３に記載の方法。
５．第１のキャパシタンス及び第２のキャパシタンスに基づいて電圧比を決定することをさらに含む、条項１～４の何れか一項に記載の方法。
６．基板を表す比例係数を決定することをさらに含む、条項１～５の何れか一項に記載の方法。
７．比例係数に基づき、及び第１のキャパシタンス又は第２のキャパシタンスに基づいて、オーバーレイ測定値を決定することをさらに含む、条項６に記載の方法。
８．第１の測定素子のグレイレベルと第２の測定素子のグレイレベルとの間の差を決定することをさらに含む、条項１に記載の方法。
９．基板のオーバーレイ測定値を決定する方法であって、
基板の第１の素子ペアの第１のキャパシタンスに基づいて、第１の過渡特性を決定することと、
基板の第２の素子ペアの第２のキャパシタンスに基づいて、第２の過渡特性を決定することと、
第１の過渡特性及び第２の過渡特性に基づいてキャパシタンス比を決定することと、
キャパシタンス比に基づいてオーバーレイ測定値を決定することと、
を含む、方法。
１０．第１の測定素子の表面電位と第２の測定素子の表面電位との間の差を決定することをさらに含む、条項９に記載の方法。
１１．第１の測定素子のグレイレベルと第２の測定素子のグレイレベルとの間の差を決定することをさらに含む、条項９に記載の方法。
１２．第１の素子ペアが、中央の素子と第１の測定素子とを含み、第２の素子ペアが、中央の素子と第２の測定素子とを含む、条項１０又は１１に記載の方法。
１３．電圧コントラストイメージングを実行することをさらに含む、条項９～１２の何れか一項に記載の方法。
１４．第１のキャパシタンス又は第２のキャパシタンスを決定することをさらに含む、条項９～１３の何れか一項に記載の方法。
１５．第１の過渡特性及び第２の過渡特性が、所定の測定ドーズ量の範囲内で決定される、条項９～１４の何れか一項に記載の方法。
１６．基板を帯電させるように構成された荷電粒子ビームデバイスであって、デバイスが、
基板に対称に配置されるように構成された第１の素子、第２の素子、及び第３の素子のうちの少なくとも１つを照射するように構成された荷電粒子ビーム源であって、第１～第３の素子が導電性である、荷電粒子ビーム源と、
第１～第３の素子のうちの第１の素子ペアと第２の素子ペアとの間のキャパシタンス比を示す、基板から放出された二次荷電粒子を収集するように構成された検出器と、
キャパシタンス比に基づいてオーバーレイ測定値を決定するように構成された電子制御装置と、
を備えた、デバイス。
１７．第１の素子が第１の層に形成され、第２の素子及び第３の素子が第２の層に形成される、条項１６に記載のデバイス。
１８．第１の層が第２の層の上にある、条項１６に記載のデバイス。
１９．第１の層が第２の層の下にある、条項１６に記載のデバイス。
２０．第１の素子が第１のプロセスステップで形成され、第２の素子及び第３の素子が第２のプロセスステップで形成される、条項１７に記載のデバイス。
２１．第１の素子が第１のプロセスステップで形成され、第２の素子が第２のプロセスステップで形成され、第３の素子が第３のプロセスステップで形成される、条項１７に記載のデバイス。
２２．第１の素子、第２の素子、及び第３の素子が１つの層に形成される、条項１６、２０、及び２１の何れか一項に記載のデバイス。
２３．荷電粒子ビーム源が、複数の電子ビームレットを生成するように構成される、条項１６～２２の何れか一項に記載のデバイス。
２４．第１～第３の素子が、互いに実質的に平行な電線を含む、条項１６～２３の何れか一項に記載のデバイス。
２５．基板の電荷注入素子に電荷を注入することと、
基板の第１の素子ペアの第１のキャパシタンス及び第２の素子ペアの第２のキャパシタンスを決定することと、
第１のキャパシタンス及び第２のキャパシタンスに基づいてキャパシタンス比を決定することと、
キャパシタンス比に基づいてオーバーレイ測定値を決定することと、
を含む方法を荷電粒子ビーム装置に実行させるように、荷電粒子ビーム装置の１つ又は複数のプロセッサによって実行可能である命令の一セットを記憶する非一時的なコンピュータ可読媒体。
２６．電荷注入素子に電荷を注入することが、電荷注入素子に荷電粒子ビームを照射することを含む、条項２５に記載の媒体。
２７．命令の一セットが、
電荷注入素子と第１の測定素子との間のキャパシタンスとして第１のキャパシタンスを決定することと、
電荷注入素子と第２の測定素子との間のキャパシタンスとして第２のキャパシタンスを決定することと、
を荷電粒子ビーム装置に行わせるように実行可能である、条項２５又は２６に記載の媒体。
２８．命令の一セットが、
第１の測定素子の第１の電圧及び第２の測定素子の第２の電圧を決定するために、電圧コントラストイメージングを実行することを荷電粒子ビーム装置に行わせるように実行可能である、条項２７に記載の媒体。
２９．命令の一セットが、
第１のキャパシタンス及び第２のキャパシタンスに基づいて電圧比を決定することを荷電粒子ビーム装置に行わせるように実行可能である、条項２５～２８の何れか一項に記載の媒体。
３０．命令の一セットが、
基板を表す比例係数を決定することを荷電粒子ビーム装置に行わせるように実行可能である、条項２５～２９の何れか一項に記載の媒体。
３１．命令の一セットが、
比例係数に基づき、及び第１のキャパシタンス又は第２のキャパシタンスに基づいて、オーバーレイ測定値を決定することを荷電粒子ビーム装置に行わせるように実行可能である、条項３０に記載の媒体。
３２．命令の一セットが、
第１の測定素子のグレイレベルと第２の測定素子のグレイレベルとの間の差を決定することを荷電粒子ビーム装置に行わせるように実行可能である、条項２５に記載の媒体。
３３．基板上に荷電粒子ビームを投影するように構成された荷電粒子ビーム源と、
基板の電荷注入素子に電荷を注入することと、
基板の第１の素子ペアの第１のキャパシタンス及び第２の素子ペアの第２のキャパシタンスを決定することと、
第１のキャパシタンス及び第２のキャパシタンスに基づいてキャパシタンス比を決定することと、
キャパシタンス比に基づいてオーバーレイ測定値を決定することと、
を荷電粒子ビーム源に行わせるように構成された回路を有するコントローラと、
を備えた、荷電粒子ビームシステム。
３４．電荷注入素子に電荷を注入することが、電荷注入素子に荷電粒子ビームを照射することを含む、条項３３に記載のシステム。
３５．コントローラが、
電荷注入素子と第１の測定素子との間のキャパシタンスとして第１のキャパシタンスを決定することと、
電荷注入素子と第２の測定素子との間のキャパシタンスとして第２のキャパシタンスを決定することと、
を行うように構成された回路を有する、条項３３又は３４に記載のシステム。
３６．コントローラが、
第１の測定素子の第１の電圧及び第２の測定素子の第２の電圧を決定するために、電圧コントラストイメージングを実行するように構成された回路を有する、条項３５に記載のシステム。
３７．コントローラが、
第１のキャパシタンス及び第２のキャパシタンスに基づいて電圧比を決定するように構成された回路を有する、条項３３～３５の何れか一項に記載のシステム。
３８．コントローラが、
基板を表す比例係数を決定するように構成された回路を有する、条項３３～３７の何れか一項に記載のシステム。
３９．コントローラが、
比例係数に基づき、及び第１のキャパシタンス又は第２のキャパシタンスに基づいて、オーバーレイ測定値を決定するように構成された回路を有する、条項３８に記載のシステム。
４０．コントローラが、
第１の測定素子のグレイレベルと第２の測定素子のグレイレベルとの間の差を決定するように構成された回路を有する、条項３３に記載のシステム。
４１．基板の第１の素子ペアの第１のキャパシタンスに基づいて、第１の過渡特性を決定することと、
基板の第２の素子ペアの第２のキャパシタンスに基づいて、第２の過渡特性を決定することと、
第１の過渡特性及び第２の過渡特性に基づいてキャパシタンス比を決定することと、
キャパシタンス比に基づいてオーバーレイ測定値を決定することと、
を含む方法を荷電粒子ビーム装置に実行させるように、荷電粒子ビーム装置の１つ又は複数のプロセッサによって実行可能である命令の一セットを記憶する非一時的なコンピュータ可読媒体。
４２．命令の一セットが、
第１の測定素子の表面電位と第２の測定素子の表面電位との間の差を決定することを荷電粒子ビーム装置に行わせるように実行可能である、条項４１に記載の媒体。
４３．命令の一セットが、
第１の測定素子のグレイレベルと第２の測定素子のグレイレベルとの間の差を決定することを荷電粒子ビーム装置に行わせるように実行可能である、条項４１に記載の媒体。
４４．第１の素子ペアが、中央の素子と第１の測定素子とを含み、第２の素子ペアが、中央の素子と第２の測定素子とを含む、条項４１～４３の何れか一項に記載の媒体。
４５．命令の一セットが、
電圧コントラストイメージングを実行することを荷電粒子ビーム装置に行わせるように実行可能である、条項４１～４４の何れか一項に記載の媒体。
４６．命令の一セットが、
第１のキャパシタンス又は第２のキャパシタンスを決定することを荷電粒子ビーム装置に行わせるように実行可能である、条項４１～４５の何れか一項に記載の媒体。
４７．第１の過渡特性及び第２の過渡特性が、所定の測定ドーズ量の範囲内で決定される、条項４１～４６の何れか一項に記載の媒体。
４８．基板上に荷電粒子ビームを投影するように構成された荷電粒子ビーム源と、
基板の第１の測定素子及び第２の測定素子上に荷電粒子ビームを投影することと、
基板の第１の素子ペアの第１のキャパシタンスに基づいて、第１の過渡特性を決定することと、
基板の第２の素子ペアの第２のキャパシタンスに基づいて、第２の過渡特性を決定することと、
第１の過渡特性及び第２の過渡特性に基づいてキャパシタンス比を決定することと、
キャパシタンス比に基づいてオーバーレイ測定値を決定することと、
を荷電粒子ビーム源に行わせるように構成された回路を有するコントローラと、
を備えた、荷電粒子ビームシステム。
４９．コントローラが、
第１の測定素子の表面電位と第２の測定素子の表面電位との間の差を決定するように構成された回路を有する、条項４８に記載のシステム。
５０．コントローラが、
第１の測定素子のグレイレベルと第２の測定素子のグレイレベルとの間の差を決定するように構成された回路を有する、条項４８に記載のシステム。
５１．第１の素子ペアが、中央の素子と第１の測定素子とを含み、第２の素子ペアが、中央の素子と第２の測定素子とを含む、条項４８～５０の何れか一項に記載のシステム。
５２．コントローラが、
電圧コントラストイメージングを実行するように構成された回路を有する、条項４８～５１の何れか一項に記載のシステム。
５３．コントローラが、
第１のキャパシタンス又は第２のキャパシタンスを決定するように構成された回路を有する、条項４８～５２の何れか一項に記載のシステム。
５４．第１の過渡特性及び第２の過渡特性が、所定の測定ドーズ量の範囲内で決定される、条項４８～５３の何れか一項に記載のシステム。
１．基板のオーバーレイ測定値を決定する方法であって、
基板の電荷注入素子に電荷を注入することと、
第１の素子ペアの第１のキャパシタンス及び第２の素子ペアの第２のキャパシタンスを決定することと、
第１のキャパシタンス及び第２のキャパシタンスに基づいてキャパシタンス比を決定することと、
キャパシタンス比に基づいてオーバーレイ測定値を決定することと、
を含む、方法。
２．電荷注入素子に電荷を注入することが、電荷注入素子に荷電粒子ビームを照射することを含む、条項１に記載の方法。
３．電荷注入素子と第１の測定素子との間のキャパシタンスとして第１のキャパシタンスを決定することと、
電荷注入素子と第２の測定素子との間のキャパシタンスとして第２のキャパシタンスを決定することと、
をさらに含む、条項１又は２に記載の方法。
４．第１の測定素子の第１の電圧及び第２の測定素子の第２の電圧を決定するために、電圧コントラストイメージングを実行することをさらに含む、条項３に記載の方法。
５．第１のキャパシタンス及び第２のキャパシタンスに基づいて電圧比を決定することをさらに含む、条項１～４の何れか一項に記載の方法。
６．基板を表す比例係数を決定することをさらに含む、条項１～５の何れか一項に記載の方法。
７．比例係数に基づき、及び第１のキャパシタンス又は第２のキャパシタンスに基づいて、オーバーレイ測定値を決定することをさらに含む、条項６に記載の方法。
８．第１の測定素子のグレイレベルと第２の測定素子のグレイレベルとの間の差を決定することをさらに含む、条項１に記載の方法。
９．基板のオーバーレイ測定値を決定する方法であって、
基板の第１の素子ペアの第１のキャパシタンスに基づいて、第１の過渡特性を決定することと、
基板の第２の素子ペアの第２のキャパシタンスに基づいて、第２の過渡特性を決定することと、
第１の過渡特性及び第２の過渡特性に基づいてキャパシタンス比を決定することと、
キャパシタンス比に基づいてオーバーレイ測定値を決定することと、
を含む、方法。
１０．第１の測定素子の表面電位と第２の測定素子の表面電位との間の差を決定することをさらに含む、条項９に記載の方法。
１１．第１の測定素子のグレイレベルと第２の測定素子のグレイレベルとの間の差を決定することをさらに含む、条項９に記載の方法。
１２．第１の素子ペアが、中央の素子と第１の測定素子とを含み、第２の素子ペアが、中央の素子と第２の測定素子とを含む、条項１０又は１１に記載の方法。
１３．電圧コントラストイメージングを実行することをさらに含む、条項９～１２の何れか一項に記載の方法。
１４．第１のキャパシタンス又は第２のキャパシタンスを決定することをさらに含む、条項９～１３の何れか一項に記載の方法。
１５．第１の過渡特性及び第２の過渡特性が、所定の測定ドーズ量の範囲内で決定される、条項９～１４の何れか一項に記載の方法。
１６．基板を帯電させるように構成された荷電粒子ビームデバイスであって、デバイスが、
基板に対称に配置されるように構成された第１の素子、第２の素子、及び第３の素子のうちの少なくとも１つを照射するように構成された荷電粒子ビーム源であって、第１～第３の素子が導電性である、荷電粒子ビーム源と、
第１～第３の素子のうちの第１の素子ペアと第２の素子ペアとの間のキャパシタンス比を示す、基板から放出された二次荷電粒子を収集するように構成された検出器と、
キャパシタンス比に基づいてオーバーレイ測定値を決定するように構成された電子制御装置と、
を備えた、デバイス。
１７．第１の素子が第１の層に形成され、第２の素子及び第３の素子が第２の層に形成される、条項１６に記載のデバイス。
１８．第１の層が第２の層の上にある、条項１６に記載のデバイス。
１９．第１の層が第２の層の下にある、条項１６に記載のデバイス。
２０．第１の素子が第１のプロセスステップで形成され、第２の素子及び第３の素子が第２のプロセスステップで形成される、条項１７に記載のデバイス。
２１．第１の素子が第１のプロセスステップで形成され、第２の素子が第２のプロセスステップで形成され、第３の素子が第３のプロセスステップで形成される、条項１７に記載のデバイス。
２２．第１の素子、第２の素子、及び第３の素子が１つの層に形成される、条項１６、２０、及び２１の何れか一項に記載のデバイス。
２３．荷電粒子ビーム源が、複数の電子ビームレットを生成するように構成される、条項１６～２２の何れか一項に記載のデバイス。
２４．第１～第３の素子が、互いに実質的に平行な電線を含む、条項１６～２３の何れか一項に記載のデバイス。
２５．基板の電荷注入素子に電荷を注入することと、
基板の第１の素子ペアの第１のキャパシタンス及び第２の素子ペアの第２のキャパシタンスを決定することと、
第１のキャパシタンス及び第２のキャパシタンスに基づいてキャパシタンス比を決定することと、
キャパシタンス比に基づいてオーバーレイ測定値を決定することと、
を含む方法を荷電粒子ビーム装置に実行させるように、荷電粒子ビーム装置の１つ又は複数のプロセッサによって実行可能である命令の一セットを記憶する非一時的なコンピュータ可読媒体。
２６．電荷注入素子に電荷を注入することが、電荷注入素子に荷電粒子ビームを照射することを含む、条項２５に記載の媒体。
２７．命令の一セットが、
電荷注入素子と第１の測定素子との間のキャパシタンスとして第１のキャパシタンスを決定することと、
電荷注入素子と第２の測定素子との間のキャパシタンスとして第２のキャパシタンスを決定することと、
を荷電粒子ビーム装置に行わせるように実行可能である、条項２５又は２６に記載の媒体。
２８．命令の一セットが、
第１の測定素子の第１の電圧及び第２の測定素子の第２の電圧を決定するために、電圧コントラストイメージングを実行することを荷電粒子ビーム装置に行わせるように実行可能である、条項２７に記載の媒体。
２９．命令の一セットが、
第１のキャパシタンス及び第２のキャパシタンスに基づいて電圧比を決定することを荷電粒子ビーム装置に行わせるように実行可能である、条項２５～２８の何れか一項に記載の媒体。
３０．命令の一セットが、
基板を表す比例係数を決定することを荷電粒子ビーム装置に行わせるように実行可能である、条項２５～２９の何れか一項に記載の媒体。
３１．命令の一セットが、
比例係数に基づき、及び第１のキャパシタンス又は第２のキャパシタンスに基づいて、オーバーレイ測定値を決定することを荷電粒子ビーム装置に行わせるように実行可能である、条項３０に記載の媒体。
３２．命令の一セットが、
第１の測定素子のグレイレベルと第２の測定素子のグレイレベルとの間の差を決定することを荷電粒子ビーム装置に行わせるように実行可能である、条項２５に記載の媒体。
３３．基板上に荷電粒子ビームを投影するように構成された荷電粒子ビーム源と、
基板の電荷注入素子に電荷を注入することと、
基板の第１の素子ペアの第１のキャパシタンス及び第２の素子ペアの第２のキャパシタンスを決定することと、
第１のキャパシタンス及び第２のキャパシタンスに基づいてキャパシタンス比を決定することと、
キャパシタンス比に基づいてオーバーレイ測定値を決定することと、
を荷電粒子ビーム源に行わせるように構成された回路を有するコントローラと、
を備えた、荷電粒子ビームシステム。
３４．電荷注入素子に電荷を注入することが、電荷注入素子に荷電粒子ビームを照射することを含む、条項３３に記載のシステム。
３５．コントローラが、
電荷注入素子と第１の測定素子との間のキャパシタンスとして第１のキャパシタンスを決定することと、
電荷注入素子と第２の測定素子との間のキャパシタンスとして第２のキャパシタンスを決定することと、
を行うように構成された回路を有する、条項３３又は３４に記載のシステム。
３６．コントローラが、
第１の測定素子の第１の電圧及び第２の測定素子の第２の電圧を決定するために、電圧コントラストイメージングを実行するように構成された回路を有する、条項３５に記載のシステム。
３７．コントローラが、
第１のキャパシタンス及び第２のキャパシタンスに基づいて電圧比を決定するように構成された回路を有する、条項３３～３５の何れか一項に記載のシステム。
３８．コントローラが、
基板を表す比例係数を決定するように構成された回路を有する、条項３３～３７の何れか一項に記載のシステム。
３９．コントローラが、
比例係数に基づき、及び第１のキャパシタンス又は第２のキャパシタンスに基づいて、オーバーレイ測定値を決定するように構成された回路を有する、条項３８に記載のシステム。
４０．コントローラが、
第１の測定素子のグレイレベルと第２の測定素子のグレイレベルとの間の差を決定するように構成された回路を有する、条項３３に記載のシステム。
４１．基板の第１の素子ペアの第１のキャパシタンスに基づいて、第１の過渡特性を決定することと、
基板の第２の素子ペアの第２のキャパシタンスに基づいて、第２の過渡特性を決定することと、
第１の過渡特性及び第２の過渡特性に基づいてキャパシタンス比を決定することと、
キャパシタンス比に基づいてオーバーレイ測定値を決定することと、
を含む方法を荷電粒子ビーム装置に実行させるように、荷電粒子ビーム装置の１つ又は複数のプロセッサによって実行可能である命令の一セットを記憶する非一時的なコンピュータ可読媒体。
４２．命令の一セットが、
第１の測定素子の表面電位と第２の測定素子の表面電位との間の差を決定することを荷電粒子ビーム装置に行わせるように実行可能である、条項４１に記載の媒体。
４３．命令の一セットが、
第１の測定素子のグレイレベルと第２の測定素子のグレイレベルとの間の差を決定することを荷電粒子ビーム装置に行わせるように実行可能である、条項４１に記載の媒体。
４４．第１の素子ペアが、中央の素子と第１の測定素子とを含み、第２の素子ペアが、中央の素子と第２の測定素子とを含む、条項４１～４３の何れか一項に記載の媒体。
４５．命令の一セットが、
電圧コントラストイメージングを実行することを荷電粒子ビーム装置に行わせるように実行可能である、条項４１～４４の何れか一項に記載の媒体。
４６．命令の一セットが、
第１のキャパシタンス又は第２のキャパシタンスを決定することを荷電粒子ビーム装置に行わせるように実行可能である、条項４１～４５の何れか一項に記載の媒体。
４７．第１の過渡特性及び第２の過渡特性が、所定の測定ドーズ量の範囲内で決定される、条項４１～４６の何れか一項に記載の媒体。
４８．基板上に荷電粒子ビームを投影するように構成された荷電粒子ビーム源と、
基板の第１の測定素子及び第２の測定素子上に荷電粒子ビームを投影することと、
基板の第１の素子ペアの第１のキャパシタンスに基づいて、第１の過渡特性を決定することと、
基板の第２の素子ペアの第２のキャパシタンスに基づいて、第２の過渡特性を決定することと、
第１の過渡特性及び第２の過渡特性に基づいてキャパシタンス比を決定することと、
キャパシタンス比に基づいてオーバーレイ測定値を決定することと、
を荷電粒子ビーム源に行わせるように構成された回路を有するコントローラと、
を備えた、荷電粒子ビームシステム。
４９．コントローラが、
第１の測定素子の表面電位と第２の測定素子の表面電位との間の差を決定するように構成された回路を有する、条項４８に記載のシステム。
５０．コントローラが、
第１の測定素子のグレイレベルと第２の測定素子のグレイレベルとの間の差を決定するように構成された回路を有する、条項４８に記載のシステム。
５１．第１の素子ペアが、中央の素子と第１の測定素子とを含み、第２の素子ペアが、中央の素子と第２の測定素子とを含む、条項４８～５０の何れか一項に記載のシステム。
５２．コントローラが、
電圧コントラストイメージングを実行するように構成された回路を有する、条項４８～５１の何れか一項に記載のシステム。
５３．コントローラが、
第１のキャパシタンス又は第２のキャパシタンスを決定するように構成された回路を有する、条項４８～５２の何れか一項に記載のシステム。
５４．第１の過渡特性及び第２の過渡特性が、所定の測定ドーズ量の範囲内で決定される、条項４８～５３の何れか一項に記載のシステム。
【0108】
[00121] 本開示の実施形態は、上記に記載し、添付図面に図示した正確な構築に限定されるものではなく、その範囲から逸脱することなく、様々な修正及び変更が成され得ることが理解されるであろう。
【図1A】
【図1B】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図5A】
【図5B】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【国際調査報告】