特表 2024-531989 集束粒子ビームを使用してサンプルの欠陥を修復するための方法および装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-09-03

(54)【発明の名称】集束粒子ビームを使用してサンプルの欠陥を修復するための方法および装置

(51)【国際特許分類】

   G03F 1/74 20120101AFI20240827BHJP

   H01J 37/317 20060101ALI20240827BHJP

   H01J 37/305 20060101ALI20240827BHJP

【ＦＩ】

G03F1/74

H01J37/317 D

H01J37/305 A

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024515350

(86)(22)【出願日】2022-09-08

(85)【翻訳文提出日】2024-05-07

(86)【国際出願番号】 EP2022075036

(87)【国際公開番号】W WO2023036895

(87)【国際公開日】2023-03-16

(31)【優先権主張番号】102021210019.8

(32)【優先日】2021-09-10

(33)【優先権主張国・地域又は機関】DE

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】503263355

【氏名又は名称】カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー

(74)【代理人】

【識別番号】100094569

【弁理士】

【氏名又は名称】田中 伸一郎

(74)【代理人】

【識別番号】100109070

【弁理士】

【氏名又は名称】須田 洋之

(74)【代理人】

【識別番号】100067013

【弁理士】

【氏名又は名称】大塚 文昭

(74)【代理人】

【識別番号】100120525

【弁理士】

【氏名又は名称】近藤 直樹

(74)【代理人】

【識別番号】100139712

【弁理士】

【氏名又は名称】那須 威夫

(74)【代理人】

【識別番号】100141553

【弁理士】

【氏名又は名称】鈴木 信彦

(74)【代理人】

【識別番号】100196612

【弁理士】

【氏名又は名称】鎌田 慎也

(72)【発明者】

【氏名】アウス ニコル

(72)【発明者】

【氏名】リノウ ダニエル

(72)【発明者】

【氏名】フェッティヒ ライナー

【テーマコード（参考）】

2H195

5C101

【Ｆターム（参考）】

2H195BD35

2H195BD36

2H195BE03

5C101AA31

5C101AA32

5C101BB01

5C101CC04

5C101CC17

5C101FF19

5C101FF22

5C101FF25

5C101FF27

5C101FF50

5C101GG04

5C101GG05

5C101GG13

5C101GG18

(57)【要約】

本発明は、集束粒子ビーム（２２７）を使用してサンプル（２０５、３００、１５００）の少なくとも１つの欠陥（３２０）を修復するための方法（１８００）であって、（ａ）少なくとも１つの第１の局所的導電性犠牲層（４００、５００）をサンプル（２０５、３００、１５００）上に生成するステップ（１８５０）であり、第１の局所的導電性犠牲層（４００、５００）は、第１の部分（４１０、５１０）および少なくとも１つの第２の部分（４２０、５３０、５４０、５５０、５６０）を有し、第１の部分（４１０、５１０）は、少なくとも１つの欠陥（３２０）に近接し、第１の部分（４１０、５１０）および少なくとも１つの第２の部分（４２０、５３０、５４０、５５０、５６０）は、相互に導電接続されている（５７０、５８０）、ステップ（１８５０）と、（ｂ）少なくとも１つの第１の基準マーク（４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５）を第１の局所的導電性犠牲層（４００、５００）の少なくとも１つの第２の部分（４２０、５３０、５４０、５５０、５６０）上に生成することにより、修復中の少なくとも１つの欠陥（３２０）に関して、集束粒子ビーム（２２７）のドリフトを補正するステップ（１８６０）とを含む、方法（１８００）に関する。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

集束粒子ビーム（２２７）を使用してサンプル（２０５、３００、１５００）の少なくとも１つの欠陥（３２０）を修復するための方法であって、
前記少なくとも１つの欠陥（３２０）の修復中に、前記少なくとも１つの欠陥（３２０）に関して、前記集束粒子ビーム（２２７）のドリフトを補正するために、前記少なくとも１つの欠陥（３２０）に近接して、前記サンプル（２０５、３００、１５００）上に少なくとも１つの第１の犠牲層（４００、５００）を生成するステップを含む、方法。

【請求項2】

集束粒子ビーム（２２７）を使用してサンプル（２０５、３００、１５００）の少なくとも１つの欠陥（３２０）を修復するための方法であって、
前記少なくとも１つの欠陥（３２０）の修復中に、前記少なくとも１つの欠陥（３２０）に関して、前記集束粒子ビーム（２２７）のドリフトを補正するために、少なくとも１つの第１の導電性犠牲層を前記サンプル（２０５、３００、１５００）上に生成するステップを含む、方法。

【請求項3】

前記第１の犠牲層（４００、５００）が、第１の局所的導電性犠牲層を含む、請求項１に記載の方法。

【請求項4】

前記第１の導電性犠牲層が、第１の局所的導電性犠牲層を含む、請求項２に記載の方法。

【請求項5】

前記集束粒子ビーム（２２７）が、集束電子ビームを含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の方法。

【請求項6】

少なくとも１つの第１の基準マークを前記第１の犠牲層上に生成するステップをさらに含む、請求項１～５のいずれか１項に記載の方法。

【請求項7】

前記第１の犠牲層（４００、５００）が、第１の部分（４１０、５１０）および少なくとも１つの第２の部分（４２０、５３０、５４０、５５０、５６０）を有し、前記第１の部分（４１０、５１０）が、前記少なくとも１つの欠陥（３２０）に近接し、前記第１の部分（４１０、５１０）および前記少なくとも１つの第２の部分（４２０、５３０、５４０、５５０、５６０）が、相互に導電接続されている（５７０、５８０）、請求項１～６のいずれか１項に記載の方法。

【請求項8】

前記少なくとも１つの欠陥（３２０）の修復中に、前記少なくとも１つの欠陥（３２０）のドリフトを補正するために、少なくとも１つの第１の基準マーク（４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５）を前記第１の犠牲層（４００、５００）の前記少なくとも１つの第２の部分（４２０、５３０、５４０、５５０、５６０）上に生成するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。

【請求項9】

前記少なくとも１つの欠陥（３２０）の修復前に、前記少なくとも１つの第１の基準マーク（４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５）と前記少なくとも１つの欠陥（３２０）との間の少なくとも１つの第１の基準距離（７２０、７３０、７４０、７５０）を決定するステップをさらに含む、請求項６または８に記載の方法。

【請求項10】

前記少なくとも１つの欠陥（３２０）に対する前記第１の部分（４１０、５１０）の近接が、前記少なくとも１つの欠陥（３２０）の縁部（３２５）に対する前記第１の部分（４１０、５１０）の近接、前記第１の部分（４１０、５１０）による前記少なくとも１つの欠陥（３２０）の部分的被覆、および前記第１の部分（４１０、５１０）による前記少なくとも１つの欠陥（３２０）の完全被覆から成る群の少なくとも１つの要素を含む、請求項１または２に直接的または間接的に従属する、請求項１～９のいずれか１項に記載の方法。

【請求項11】

前記少なくとも１つの第２の部分（４２０、５３０、５４０、５５０、５６０）が、前記少なくとも１つの第１の基準マーク（４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５）を検出するための前記集束粒子ビーム（２２７）の少なくとも１つの走査領域（４２２、４３２、４４２、４５２、５３２、５４２、５５２、５６２）の全体に延びている、請求項８に記載の方法、あるいは、請求項８に直接的または間接的に従属する、請求項９または１０に記載の方法。

【請求項12】

前記第１の犠牲層（４００、５００）を生成するステップが、少なくとも１つの第１の前駆体ガスと組み合わせて前記集束粒子ビーム（２２７）により前記第１の犠牲層（４００、５００）を堆積させることを含む、請求項１～１１のいずれか１項に記載の方法。

【請求項13】

前記少なくとも１つの第１の基準マーク（４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５）を生成するステップが、少なくとも１つの第２の前駆体ガスと組み合わせて前記集束粒子ビーム（２２７）を使用して前記少なくとも１つの第１の基準マーク（４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５）を堆積させることを含む、請求項６または８に記載の方法、あるいは、請求項６または８に直接的または間接的に従属する、請求項７および９～１２のいずれか１項に記載の方法。

【請求項14】

前記少なくとも１つの欠陥（３２０）の修復前に、前記少なくとも１つの欠陥（３２０）を覆う前記第１の犠牲層（４００、５００）の前記第１の部分（４１０、５１０）の部分を除去するステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。

【請求項15】

前記少なくとも１つの欠陥（３２０）が、過剰材料の欠陥を含み、前記方法が、前記第１の犠牲層（４００、５００、１５１０）を少なくとも部分的に通して、前記少なくとも１つの欠陥（３２０）を修復するステップをさらに含む、請求項１～１４のいずれか１項に記載の方法。

【請求項16】

前記第１の犠牲層（４００、５００）の前記第１の部分（４１０、５１０）および前記少なくとも１つの第２の部分（４２０、５３０、５４０、５５０、５６０）が、前記少なくとも１つの欠陥（３２０）を修復する動作によって、前記少なくとも１つの欠陥（３２０）を含む像断面が１０％以下、好ましくは５％以下、より好ましくは２％以下、最も好ましくは１％以下だけ歪むような横方向範囲を有する、請求項７または８に記載の方法、あるいは、請求項７または８に直接的または間接的に従属する、請求項９～１５のいずれか１項に記載の方法。

【請求項17】

前記少なくとも１つの欠陥（３２０）が、過剰材料の欠陥を含み、前記少なくとも１つの欠陥を修復する動作が、集束粒子ビーム（２２７）により誘起されるエッチングプロセスのエッチング速度が前記少なくとも１つの欠陥（３２０）および前記第１の部分（４１０、５１０）に対して実質的に同じとなるように、前記第１の犠牲層（４００、５００、１５１０）の前記第１の部分（４１０、５１０）、第２のエッチングガス、および／または少なくとも１つの添加ガスの材料組成を選択することを含む、請求項７または８に記載の方法、あるいは、請求項７または８に直接的または間接的に従属する、請求項９～１６のいずれか１項に記載の方法。

【請求項18】

前記サンプル（２０５、３００、１５００）の欠陥マップを生成するために、前記集束粒子ビーム（２２７）で前記サンプル（２０５、３００、１５００）を走査することをさらに含む、請求項１～１７のいずれか１項に記載の方法。

【請求項19】

少なくとも１つの第２の基準マーク（３３５、３５５、３６５、３８５）を前記サンプル（２０５、３００、１５００）上に生成するステップと、前記少なくとも１つの第２の基準マーク（３３５、３５５、３６５、３８５）と前記第１の犠牲層（４００、５００）の生成前の前記少なくとも１つの欠陥（３２０）との間の少なくとも１つの第２の基準距離（３４０、３４５、３７０、３９０）を決定するステップとをさらに含む、請求項１～１８のいずれか１項に記載の方法。

【請求項20】

少なくとも１つの第２の犠牲層（３３０、３５０、３６０、３８０）を前記サンプル（２０５、３００、１５００）上に生成するステップと、前記少なくとも１つの第２の基準マーク（３３５、３５５、３６５、３８５）を前記少なくとも１つの第２の犠牲層（３３０、３５０、３６０、３８０）上に堆積させるステップと、前記少なくとも１つの第２の基準マーク（３３５、３４５、３６５、３８５）と前記第１の犠牲層（４００、５００）の生成前の前記少なくとも１つの欠陥（３２０）との間の前記少なくとも１つの第２の基準距離（３４０、３４５、３７０、３９０）を決定するステップと、をさらに含む、請求項１～１９のいずれか１項に記載の方法。

【請求項21】

前記少なくとも１つの第２の基準距離（３４０、３４５、３７０、３９０）が、前記少なくとも１つの第１の基準距離（７２０、７３０、７４０、７５０）よりも大きい、請求項９に直接的または間接的に従属する、請求項１９または２０に記載の方法。

【請求項22】

前記第１の犠牲層（４００、５００）を生成することと、前記少なくとも１つの第２の基準マーク（３３５、３５５、３６５、３８５）および前記少なくとも１つの第２の基準距離（３４０、３４５、３７０、３９０）の使用により、前記少なくとも１つの欠陥（３２０）から、前記少なくとも１つの欠陥（３２０）を覆う前記第１の犠牲層（４００、５００）の前記第１の部分（４１０、５１０）の部分を除去することと、から成る群の少なくとも１つの要素を実行している間にドリフトを補正するステップをさらに含む、請求項１９～２１のいずれか１項に記載の方法。

【請求項23】

湿式化学的洗浄プロセスおよび／または機械的洗浄プロセスを使用して、前記サンプル（２０５、３００、１５００）から、前記第１の犠牲層（４００、５００）および前記少なくとも１つの第１の基準マーク（４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５）を一体的に除去するステップをさらに含む、請求項６または８に記載の方法、あるいは、請求項６または８に直接的または間接的に従属する、請求項７および９～２２のいずれか１項に記載の方法。

【請求項24】

湿式化学的洗浄プロセスおよび／または機械的洗浄プロセスを使用して、前記サンプル（２０５、３００、１５００００）から、前記第１の犠牲層（４００、５００）、前記少なくとも１つの第１の基準マーク（４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５）、および前記少なくとも１つの第２の基準マーク（３３５、３５５、３６５、３８５）を一体的に除去するステップをさらに含む、請求項６または８に直接的または間接的に従属する、請求項１９～２３のいずれか１項に記載の方法。

【請求項25】

請求項１～２４のいずれか１項に記載の方法ステップの実行をコンピュータシステム（２４０）に促す命令を含むコンピュータプログラム。

【請求項26】

集束粒子ビーム（２２７）を使用してサンプル（２０５、３００、１５００）の少なくとも１つの欠陥（３２０）を修復するための装置（２００）であって、
前記少なくとも１つの欠陥（３２０）の修復中に、前記少なくとも１つの欠陥（３２０）に関して、前記集束粒子ビーム（２２７）のドリフトを補正するために、前記少なくとも１つの欠陥（３２０）に近接して、前記サンプル（２０５、３００、１５００）上に少なくとも１つの第１の犠牲層（４００、５００）を生成するための手段を備える、装置（２００）。

【請求項27】

集束粒子ビーム（２２７）を使用してサンプル（２０５、３００、１５００）の少なくとも１つの欠陥（３２０）を修復するための装置（２００）であって、
前記少なくとも１つの欠陥（３２０）の修復中に、前記少なくとも１つの欠陥（３２０）に関して、前記集束粒子ビーム（２２７）のドリフトを補正するために、少なくとも１つの第１の導電性犠牲層を前記サンプル（２０５、３００、１５００）上に生成するための手段を備える、装置（２００）。

【請求項28】

前記第１の犠牲層を生成するための手段が、第１の局所的導電性犠牲層を生成するための手段を含む、請求項２６または２７に記載の装置（２００）。

【請求項29】

単段コンデンサシステム（２１８）を有する電子カラムをさらに備える、請求項２６～２８に記載の装置（２００）。

【請求項30】

前記第１の犠牲層（４００、５００）を生成するための手段が、少なくとも１本の電子ビーム（２２７）を含み、前記装置（２００）が、前記サンプル（２０５、３００、１５００）に衝突する電子の運動エネルギーを３０００ｅＶ未満として、前記電子ビーム（２２７）を直径２ｎｍ未満で集束させるように構成されている、請求項２６～２９のいずれか１項に記載の装置（２００）。

【請求項31】

前記第１の犠牲層（４００、５００）を生成するための手段が、少なくとも１本の電子ビーム（２２７）を含み、前記装置（２００）が、前記サンプル（２０５、３００、１５００）に衝突する電子の運動エネルギーを１５００ｅＶ未満として、前記電子ビーム（２２７）を直径２ｎｍ未満で集束させるように構成されている、請求項２６～２９のいずれか１項に記載の装置（２００）。

【請求項32】

前記第１の犠牲層（４００、５００）を生成するための手段が、少なくとも１本の電子ビーム（２２７）を含み、前記装置（２００）が、前記サンプル（２０５、３００、１５００）に衝突する電子の運動エネルギーを１０００ｅＶ未満として、前記電子ビーム（２２７）を直径２ｎｍ未満で集束させるように構成されている、請求項２６～２９のいずれか１項に記載の装置（２００）。

【請求項33】

前記第１の犠牲層（４００、５００）を生成するための手段が、少なくとも１本の電子ビーム（２２７）を含み、前記装置（２００）が、前記サンプル（２０５、３００、１５００）に衝突する電子の運動エネルギーを８００ｅＶ未満として、前記電子ビーム（２２７）を直径２ｎｍ未満で集束させるように構成されている、請求項２６～２９のいずれか１項に記載の装置（２００）。

【請求項34】

前記第１の犠牲層（４００、５００）を生成するための手段が、少なくとも１本の電子ビーム（２２７）を含み、前記装置（２００）が、前記サンプル（２０５、３００、１５００）に衝突する電子の運動エネルギーを６００ｅＶ未満として、前記電子ビーム（２２７）を直径２ｎｍ未満で集束させるように構成されている、請求項２６～２９のいずれか１項に記載の装置（２００）。

【請求項35】

前記装置（２００）の前記集束粒子ビーム（２２７）の局所的処理エリアが、１０ｎｍ未満の最小直径を有する、請求項２６～３４のいずれか１項に記載の装置（２００）。

【請求項36】

前記電子カラムの出口と前記サンプル（２０５、３００、１５００）との間の作動距離が、５ｍｍ未満である、請求項２６～３４のいずれか１項に記載の装置（２００）。

【請求項37】

前記電子カラムの出口と前記サンプル（２０５、３００、１５００）との間の作動距離が、４ｍｍ未満である、請求項２６～３４のいずれか１項に記載の装置（２００）。

【請求項38】

前記電子カラムの出口と前記サンプル（２０５、３００、１５００）との間の作動距離が、３ｍｍ未満である、請求項２６～３４のいずれか１項に記載の装置（２００）。

【請求項39】

前記電子カラムの出口と前記サンプル（２０５、３００、１５００）との間の作動距離が、２．５ｍｍ未満である、請求項２６～３４のいずれか１項に記載の装置（２００）。

【請求項40】

前記電子カラムが、一組の異なるアパーチャを使用するように構成されている、請求項２６～３９のいずれか１項に記載の装置（２００）。

【請求項41】

前記一組のアパーチャのうちの１つのアパーチャを選択することにより、前記電子ビーム（２２７）のビーム電流を制御するように構成されている制御ユニット（２４５）をさらに備える、請求項４０に記載の装置（２００）。

【請求項42】

請求項１～２４のいずれか１項に記載の方法を実行するように構成されている、請求項２６～４１のいずれか１項に記載の装置（２００）。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願は、２０２１年９月１０日にドイツ特許商標庁へ出願されたドイツ特許出願ＤＥ１０２０２１２１００１９．８「Ｖｅｒｆａｈｒｅｎ ｕｎｄ Ｖｏｒｒｉｃｈｔｕｎｇ ｚｕｍ Ｒｅｐａｒｉｅｒｅｎ ｅｉｎｅｓ Ｄｅｆｅｋｔｓ ｅｉｎｅｒ Ｐｒｏｂｅ ｍｉｔ ｅｉｎｅｍ ｆｏｋｕｓｓｉｅｒｔｅｎ Ｔｅｉｌｃｈｅｎｓｔｒａｈｌ」（Ｍｅｔｈｏｄ ａｎｄ ａｐｐａｒａｔｕｓ ｆｏｒ ｒｅｐａｉｒｉｎｇ ａ ｄｅｆｅｃｔ ｏｆ ａ ｓａｍｐｌｅ ｕｓｉｎｇ ａ ｆｏｃｕｓｅｄ ｐａｒｔｉｃｌｅ ｂｅａｍ）の優先権を主張するものである。特許出願ＤＥ１０２０２１２１００１９．８の全体を参照により本願に援用する。

【0002】

本発明は、集束粒子ビームを使用してサンプルの少なくとも１つの欠陥を修復するための方法および装置に関する。

【背景技術】

【0003】

電子機器における集積密度が高くなり続ける結果として、ナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ）用のフォトリソグラフィマスクおよび／またはテンプレートでは、これまで以上に小さな構造要素をウェハのフォトレジスト層または基板もしくはウェハのポジに結像する（ｉｍａｇｅ）必要がある。これらの要件を満たすため、光リソグラフィの露光波長は、ますます短い波長へとシフトしている。現在は、フッ化アルゴン（ＡｒＦ）エキシマレーザが主として露光目的に使用されるが、これらのレーザは、１９３ｎｍの波長で発光する。ウェハ露光プロセスの分解能を向上させるため、従来のバイナリフォトリソグラフィマスクのほか、さまざまな異型が開発されてきた。この点における例としては、透過率レベルが異なる位相シフトマスクもしくは交互位相シフトマスクならびに多重露光用マスクがある。多重露光の使用によって、分解能はさらに向上し得る。

【0004】

極紫外（ＥＵＶ）スペクトル範囲（１０ｎｍ～１５ｎｍ）の波長を使用するリソグラフィシステムに関して、研究が集中的に行われている。現在、最初のメモリチップおよびロジック製品が市場に投入されているが、その生産においては、ＥＵＶ技術における個々のマスクが既に使用されている。ＥＵＶリソグラフィ層の割合は、将来の製品において増加するであろう。

【0005】

構造要素の寸法が減少し続けていることを考慮すると、フォトリソグラフィマスク、フォトマスク、または単にマスクは必ずしも、ウェハ上に印刷可能または視覚化可能な欠陥を伴わずに生産できるわけではない。フォトマスクの視覚化可能または印刷可能な欠陥の密度は、構造寸法が小さくなるにつれて急激に高くなる。現在、ＥＵＶマスクは、利用される露光波長のため、欠陥数が最も多くなっている。欠陥スタンプまたはテンプレートの問題も同様に、ナノインプリントリソグラフィにおいてより深刻化している。これは主として、ＮＩＬでは光リソグラフィと異なり、ウェハまたは一般的に基板上に配置されている構造化対象のポジに対して、欠陥スタンプまたはテンプレートがそれぞれの欠陥を１：１で転写するという状況に起因する。

【0006】

ＮＩＬ用のフォトマスクおよび／またはテンプレートの生産には多大な費用がかかるため、欠陥マスクおよび／またはスタンプは常に、可能な限り修復される。マスクまたはスタンプの欠陥に関する２つの重要なグループとして、第一に暗欠陥(dark defects)がある。これらは、材料が存在するが、この材料はなくすべきである部位のことである。これらの欠陥は、好ましくは局所的エッチングプロセスによって過剰な材料を除去することにより修復される。

【0007】

第二に、いわゆる明欠陥(clear defects)が存在する。これらは、フォトマスク上の局所的な欠陥であり、ウェハステッパまたはウェハスキャナにおける露光に際して、同一の無欠陥基準位置よりも大きな光透過率を有する。修復プロセスの範囲内において、これらの欠陥は、マスクまたはスタンプ上で好適な光学特性を有する材料の局所的な堆積によって修正され得る。

【0008】

通常、マスクまたはスタンプの欠陥は、粒子ビーム誘起局所的エッチングプロセスおよび／または局所的堆積プロセスによって補正される。局所的な処理プロセスにおいては、さまざまな影響（たとえば、熱的および／または機械的ドリフト）によって、補正対象の要素と修復に用いられる粒子ビームとの間の位置シフトが生じ得る。さらに、修復目的で用いられる粒子ビームに対する欠陥の位置合わせに用いられるマイクロマニピュレータは、時間の経過とともに電気的または機械的ドリフトを有する。

【0009】

これらの影響を最小限に抑えるため、サンプル上の処理部位の近傍に基準構造または基準マークが適用され、一定間隔で走査される。基準位置に対して測定された基準マークの位置の逸脱は、粒子ビームのビーム位置の補正を目的に、サンプルの処理手順において使用される。これを「ドリフト補正」と称する。また、この目的に用いられる基準マークを当技術分野においては「ＤＣマーク」と称する。

【0010】

米国特許第７０１８６８３号、欧州特許出願公開第１６６２５３８号、特開２００３－００７２４７号、米国特許出願公開第２００７／００２３６８９号、米国特許出願公開第２００７／００７３５８０号、米国特許第６７４０４５６（Ｂ２）号、米国特許出願公開第２０１０／００９２８７６号、および米国特許第５５０４３３９号といった文献においては、基準マークの主題を検討している。

【0011】

基準構造または基準マークは、処理対象のサンプルの部位の近傍における材料の堆積によって生成されることが多い。可能な場合、基準マークは、当該基準マークがマスクの動作に干渉しないフォトマスク上の部位に適用される。一例として、これらは、バイナリフォトマスクの場合の吸収体パターンの要素である。パターン要素のサイズが小さくなる結果として、基準マークは、吸収体パターンの要素のサイズに達する寸法または場合によりサイズを超える寸法を有する。そして、この場合も常に、特定のマスク種別においては、処理プロセスの後に基準マークを除去する必要がある。一例として、これは、位相シフトマスクに当てはまる。同様に、ＮＩＬにおける使用が意図される修復済みスタンプからも基準マークを除去する必要がある。

【0012】

本出願人の米国特許第９７２１７５４（Ｂ２）号は、基準マークを記載しており、その生産では、標準的なマスク洗浄プロセスによってマスクから除去し得る材料を使用する。ただし、このプロセスに適する材料は通例、処理プロセスの局所的エッチングプロセスに対する耐性が低い。この欠点のため、堆積した基準マークはマスクの処理プロセス中に著しく変化して、各基準マークの位置を決定し得る精度が大幅に低下する。

【0013】

独国特許出願公開第１０２０１８２１７０２５号は、粒子ビームによって基準マークを走査する際にサンプルを保護するため、犠牲層に対する基準マークの適用を記載している。

【0014】

論文"Metal assisted focused-ion beam nanopatterning", Nanotechnology, 27 (2016) 36LT01において、著者Ａ．ＫａｎｎｅｇｕｌｌａおよびＬ．－Ｊ．Ｃｈｅｎｇは、集束イオンビームのスパッタリング効果の結果としてＮＩＬスタンプの縁部が丸まってしまうことのないように、金属犠牲層の使用を記載している。

【0015】

上述の基準マークの変化の他にもさらなる問題が発生して、ドリフト補正の範囲内での機能が制限されたり、あるいは不可能になったりする可能性もある。局所的堆積プロセスの形態で実行される処理プロセスの範囲内で発生し得る問題として、明欠陥の補正に用いられる材料が堆積手順において欠陥の周りのサンプル上に意図せず堆積することがある。この欠陥の周りに堆積した材料をサンプルから除去するには、大きな困難を伴い得る。欠陥の補正に用いられる材料は、修復部位に永久的に付着するものだからである。修復対象の欠陥の周りに意図せず堆積した補正材料は、修復マスクまたは修復スタンプの動作挙動の劣化の原因となる。

【0016】

さらに、粒子ビーム誘起修復プロセスは、マスクまたはより一般的にサンプル中の電荷の生成および／または導入をもたらし得る。サンプルの静電帯電、特に、これに伴う静電ポテンシャルの不均一な分布は、処理対象の部位の結像および／または荷電粒子ビームを使用した基準マークの走査に際して歪みをもたらし、結果として、修復プロセスの品質の劣化につながる。

【0017】

したがって、本発明は、集束粒子ビームを使用してサンプルを修復する際の上述の困難を少なくとも部分的に回避し得る方法および装置を規定することを課題とする。

【発明の概要】

【0018】

本発明の第１の例示的な実施形態によれば、この課題は、請求項１に記載の方法および請求項２６に記載の装置によって解決される。本発明の第２の例示的な実施形態によれば、この課題は、請求項２に記載の方法および装置請求項２７に記載の装置によって解決される。

【0019】

一実施形態において、集束粒子ビーム(focused particle beam)を使用してサンプルの少なくとも１つの欠陥を修復する(repairing)ための方法は、少なくとも１つの欠陥の修復中に、少なくとも１つの欠陥に関して、集束粒子ビームのドリフトを補正するために、少なくとも１つの欠陥に近接して(adjacent)、サンプル上に少なくとも１つの第１の犠牲層を生成するステップを含む。

【0020】

粒子ビーム誘起エッチングプロセス(particle beam induced etching process)または粒子ビーム誘起堆積プロセス(particle beam induced deposition process)を使用したサンプルの修復プロセスにおいては、補正対象の欠陥に対して粒子ビームがドリフトする可能性がある。たとえば、ドリフトは、サンプルステージの熱的ドリフトによるものと考えられる。この集束電子ビームのドリフトの補正には、犠牲層が使用されるようになっていてもよい。欠陥に近接する犠牲層は、欠陥のすぐ近くにあってもよく、したがって、ドリフトの評価および／または補正のため、迅速にアクセス可能となり得る。具体的に、ドリフトの補正には、犠牲層と関連する構造が使用されるようになっていてもよい。たとえば、修復対象の欠陥に対する集束粒子ビームのドリフトを検出するために使用され得る基準マークが犠牲層上に堆積するようになっていてもよいが、これは必須ではない。犠牲層は、犠牲層上の基準マークの堆積に適するように生成され得る。

【0021】

別の実施形態において、集束粒子ビームを使用してサンプルの少なくとも１つの欠陥を修復するための方法は、少なくとも１つの欠陥の修復中に、少なくとも１つの欠陥に関して、集束粒子ビームのドリフトを補正するために、少なくとも１つの第１の導電性犠牲層をサンプル上に生成するステップを含む。

【0022】

修復の頻度が高いサンプルは、電気絶縁体であるか、または、半導体特性を有する程度のものである。前者のグループの例は、フォトマスクまたはＮＩＬスタンプの石英基板である。後者のグループの例は、ウェハ上に生成される集積回路（ＩＣ）である。粒子ビームは、サンプルおよび／または犠牲層の走査に際して、サンプルおよび／または犠牲層に電荷を生成し得る。このプロセスは、修復対象の欠陥の走査に際しても同様に発生し得る。結果として、欠陥の修復中は、サンプルの異なる局所的な帯電が生成され得る。ただし、導電性の犠牲層が局所的な帯電のバランスをとるため、集束粒子ビームは、犠牲層の走査に際して、同等の静電ポテンシャルを「見込む(see)」。このため、導電性犠牲層(electrically conductive sacrificial layer)は、サンプルの欠陥の修復プロセスにおいて、集束粒子ビームの位置決定の精度を向上させる。したがって、導電性犠牲層は、欠陥修復プロセス中の集束粒子ビームのドリフト補正を改善する。

【0023】

第１の犠牲層は、第１の導電性犠牲層および／または第１の局所的犠牲層（たとえば、第１の局所的導電性犠牲層）を含んでいてもよい。第１の導電性犠牲層は、第１の局所的導電性犠牲層(local, electrically conductive sacrificial layer)を含んでいてもよい。

【0024】

集束粒子ビームは、第１の局所的導電性犠牲層において、電荷を（排他的に）生成する。第１の犠牲層の導電性のため、生成された電荷は、第１の犠牲層全体で均一に分布し得る。その結果、荷電粒子ビームは、犠牲層および欠陥上またはその近くに配置され得る基準マークの走査に際して、実質的に同じ静電ポテンシャルを見込む。そして、欠陥および導電性犠牲層上を走査する際の荷電粒子ビームのさまざまな偏向、ひいては、たとえば導電性犠牲層および欠陥上に配置されている基準マークの像表現のさまざまな歪みが防止される。このため、ドリフト補正の品質が向上し得、したがって欠陥補正プロセスの品質が向上し得る。

【0025】

ここで、表現「実質的に（ｓｕｂｓｔａｎｔｉａｌｌｙ）」は、本明細書の他の箇所と同様に、従来技術に係る計量を使用する場合の慣習的誤差限界内の測定変数の指定を表す。

【0026】

本願において、表現「局所的犠牲層（ｌｏｃａｌ ｓａｃｒｉｆｉｃｉａｌ ｌａｙｅｒ）」は、犠牲層がサンプル全体にわたっては延びていないことを意味する。むしろ、第１の犠牲層は、局所的粒子ビーム誘起堆積プロセスによって、欠陥の周り、または、欠陥上の全体もしくは一部とその周りに堆積し得る。一例として、局所的犠牲層の横方向範囲(lateral extents)としては、１ｍｍ未満、５００μｍ未満、または１００μｍ未満が可能である。

【0027】

集束粒子ビームは、集束電子ビームを含んでいてもよい。

【0028】

より一般的に、集束粒子ビームは、光子ビーム、電子ビーム、イオンビーム、原子ビーム、および分子ビームから成る群(group)の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。光子ビームは、紫外（ＵＶ）、深紫外（ＤＵＶ）、または極紫外（ＥＵＶ）波長範囲の光子ビームを含んでいてもよい。

【0029】

集束粒子ビームは、集束電子ビームおよび／または集束イオンビームを含むのが好ましい。電子ビームおよびイオンビームは、光子ビームよりもはるかに小さなスポットへと集束可能であるため、欠陥修復中の空間分解能を容易に高くすることができる。さらに、電子ビームおよびイオンビームは、原子ビームまたは分子ビームよりも容易に生成および結像可能である。

【0030】

集束粒子ビームによるサンプルの走査によって、サンプルの走査領域に損傷が生じる可能性がある。損傷の発生範囲は、粒子ビームの種類によって決まる。たとえば、イオンビーム、原子ビーム、または分子ビームは、質量の大きな粒子からサンプル格子への大規模な運動量移行の結果として、走査領域に大きな損傷を生じる。さらに、イオンビーム、原子ビーム、または分子ビームの粒子の一部がサンプル格子に取り込まれ、結果として、その特性（たとえば、その光学特性）が局所的に変化する。

【0031】

これに対して、電子ビームは、電子質量が小さいため、通常は、サンプルの走査領域にごくわずかな損傷しか生じない。結果として、欠陥の修復時に電子を使用すると、大きな副次的影響を伴わないサンプルの欠陥処理が容易になる。このため、原則として、集束粒子ビームにおいては、イオンの使用よりも電子の使用が好ましいものとする。

【0032】

上記規定の方法は、少なくとも１つの第１の基準マークを第１の犠牲層上に生成するステップをさらに含んでいてもよい。

【0033】

少なくとも１つの第１の基準マークを生成するステップは、少なくとも１つの欠陥の修復が少なくとも１つの第１の基準マークを実質的に変化させることのないように、少なくとも１つの欠陥からある距離で少なくとも１つの第１の基準マークを生成することを含んでいてもよい。

【0034】

欠陥修復プロセス中のドリフトの補正に使用され、修復対象の欠陥のごく近傍に適用される第１の基準マークは、修復プロセスによって変化する場合があるため、ドリフト補正の手段としての機能が損なわれる可能性がある。第一に、局所的堆積プロセス中に材料が堆積して第１の基準マークを構成し、第二に、エッチングプロセスの形態の修復プロセスによって、第１の基準マークの構造が変化する可能性がある。本願に記載の方法によれば、修復対象の欠陥からある距離での第１の基準マークの適用が可能となり、この距離では、修復プロセスが少なくとも１つの第１の基準マークを実質的に変化させることがない。

【0035】

少なくとも１つの第１の基準マークは、１ｎｍ～１０００ｎｍ、好ましくは２ｎｍ～５００ｎｍ、より好ましくは５ｎｍ～１００ｎｍ、最も好ましくは１０ｎｍ～５０ｎｍの横方向範囲を有していてもよい。さらに、基準マークの横方向範囲が走査型粒子顕微鏡の視野よりも大きくならないこと、という条件から、基準マークの最大範囲に関する別の要求も生じる。

【0036】

第１の犠牲層は、第１の部分および少なくとも１つの第２の部分を有していてもよく、第１の部分は、少なくとも１つの欠陥に近接していてもよく、第１の部分および少なくとも１つの第２の部分は、相互に導電接続されていてもよい。

【0037】

第１の導電性犠牲層においては、第１の部分および少なくとも１つの第２の部分の両者が導電性である。第１の部分、少なくとも１つの第２の部分、および第１の部分と少なくとも１つの第２の部分との間の接続の導電率は、同じにすることも可能であるし、わずかに変化させることも可能である。本願において、用語「導電性（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ）」は、犠牲層の具体的な電気比抵抗が金属導体のオーダ、すなわち、ρ＜１Ω・ｃｍであることを表す。

【0038】

第１の部分は、少なくとも１つの欠陥の修復がサンプルに対して実質的に損傷を及ぼすことのないように、少なくとも１つの欠陥の周りの横方向範囲を有していてもよい。

【0039】

第１の犠牲層の第１の部分は、欠陥処理プロセス中または欠陥修復プロセス中の保護層を表す。後者は、第一に、修復対象の欠陥の寸法および修復に用いられる粒子ビームの焦点直径に対して、第二に、実行される欠陥修復の種類に対して適応され得る。上記背景において、表現「実質的に（ｓｕｂｓｔａｎｔｉａｌｌｙ）」は、実施された修復プロセスの結果としてのサンプルの機能性の損害が欠陥修復後には立証され得ないことを意味する。

【0040】

欠陥の修復は、集束粒子ビームの視野内で実行されるのが好ましい。本実施形態は、修復プロセス中の第１の基準マークの走査を目的として、粒子ビームを提供する装置のパラメータを修正する必要がない点において都合が良い。これにより、ドリフトの考え得る最良の補正が可能となる。一例として、走査型粒子顕微鏡の視野には、１０００μｍ×１０００μｍ、好ましくは１００μｍ×１００μｍ、より好ましくは１０μｍ×１０μｍ、最も好ましくは６μｍ×６μｍのエリアを含んでいてもよい。

【0041】

また、第１の犠牲層の横方向寸法は、集束粒子ビームの視野を超えることも可能である。一例として、これは、修復対象の欠陥が大きい場合に起こり得る。第１の部分は、少なくとも１つの欠陥の縁部(edge)の周りに、１ｎｍ～１０００μｍ、好ましくは２ｎｍ～２００μｍ、より好ましくは５ｎｍ～４０μｍ、最も好ましくは１０ｎｍ～１０μｍの範囲にわたって延びる横方向範囲を有していてもよい。

【0042】

第１の部分の厚さは、０．１ｎｍ～１０００ｎｍ、好ましくは０．５ｎｍ～２００ｎｍ、より好ましくは０．５ｎｍ～２００ｎｍ、最も好ましくは２ｎｍ～５０ｎｍの範囲を有していてもよい。

【0043】

少なくとも１つの基準マークを生成するステップは、少なくとも１つの欠陥の修復がドリフトの補正に対して実質的に影響を及ぼすことのないように、少なくとも１つの欠陥からある距離で少なくとも１つの第１の基準マークを生成することを含んでいてもよい。

【0044】

この特徴により、処理プロセスにおいては、第１の基準マークの構造が実質的に不変となることが確保される。したがって、修復プロセス全体を通しての制限なく、第１の基準マークの機能が維持される。

【0045】

上記規定の方法は、少なくとも１つの欠陥の修復中に、少なくとも１つの欠陥のドリフトを補正するために、少なくとも１つの第１の基準マークを第１の犠牲層の少なくとも１つの第２の部分上に生成するステップをさらに含んでいてもよい。

【0046】

上記規定の方法は、少なくとも１つの欠陥の修復前に、少なくとも１つの第１の基準マークと少なくとも１つの欠陥との間の少なくとも１つの第１の基準距離(reference distance)を決定するステップをさらに含んでいてもよい。

【0047】

少なくとも１つの欠陥に対する第１の部分の近接(adjacency)は、少なくとも１つの欠陥の縁部に対する第１の部分の近接、第１の部分による少なくとも１つの欠陥の部分的被覆(partial coverage)、および第１の部分による少なくとも１つの欠陥の完全被覆(complete coverage)から成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。

【0048】

修復プロセスの開始時に犠牲層が欠陥を縁取ることにより、少なくとも１つの第１の基準マークおよび修復対象の欠陥の走査に際しては、荷電粒子ビームが実質的に同じ静電ポテンシャルを「見込む」。さらに、第１の犠牲層が欠陥を縁取ることによって、修復プロセスの影響からサンプルを効果的に保護することができる。一例として、堆積材料が欠陥の周りで第１の犠牲層上に意図せず堆積する場合がある。さらに、サンプルの修復を目的として局所的エッチングプロセスが実行されている間は、修復対象の過剰材料(excess material)の欠陥を縁取る第１の犠牲層が欠陥の周りのサンプルの領域を保護する。

【0049】

修復プロセスが終了となったら、第１の犠牲層を当該第１の犠牲層上の堆積材料とともにサンプルから除去することができる。結果として、本発明に係る方法を実行することにより、実質的に残留物を伴わない欠陥の補正が容易になり、その結果、同時に、ドリフト補正の改善のほか、欠陥修復プロセスの品質の向上がさらに促進される。

【0050】

少なくとも１つの欠陥の縁部に対する第１の部分の近接は、少なくとも１つの欠陥の縁部全体に対する第１の部分の近接を含んでいてもよい。本実施形態は、特に、サンプル上の欠陥が孤立している場合に都合が良い。

【0051】

少なくとも１つの第２の部分は、少なくとも１つの第１の基準マークを検出するための集束粒子ビームの少なくとも１つの走査領域の全体に延びていてもよい。

【0052】

第１の犠牲層は、第１の部分の横方向範囲および少なくとも１つの第２の部分の数によって決まる横方向範囲を有していてもよい。

【0053】

第１の部分および少なくとも１つの第２の部分は、同一平面で相互接続されていてもよい。第１の部分と１つまたは複数の第２の部分との間の同一平面接続には、対応する第１の犠牲層を堆積させるための最大費用を必要とする。そしてこの場合も、大面積の第１の犠牲層の静電容量が大きいことから、欠陥修復中の少なくとも１つの基準マークの走査および／または集束粒子ビームによる帯電によっても、第１の犠牲層の静電ポテンシャルはわずかにしか変化しない。

【0054】

第１の部分と少なくとも１つの第２の部分との間の導電性接続は、０．１ｎｍ～１０００μｍ、好ましくは２０ｎｍ～１００μｍ、より好ましくは３０ｎｍ～１０μｍ、最も好ましくは４０ｎｍ～３μｍの範囲の幅を有していてもよい。

【0055】

第１の部分と少なくとも１つの第２の部分との間の導電性接続の厚さは、０．１ｎｍ～１０００ｎｍ、好ましくは０．５ｎｍ～２００ｎｍ、より好ましくは１ｎｍ～１００ｎｍ、最も好ましくは２ｎｍ～５０ｎｍの範囲を有していてもよい。

【0056】

導電性接続の形態の第１の部分および少なくとも１つの第２の部分の接続は、第１の部分および少なくとも１つの第２の部分が異なるレベルである場合に都合が良いと考えられる。一例として、第１の部分がフォトマスクの基板上に配置され、少なくとも１つの第２の部分がフォトマスクのパターン要素上に配置されていてもよい。

【0057】

少なくとも１つの第２の部分は、少なくとも１つの第１の基準マークの検出を目的として、集束粒子ビームの少なくとも１つの走査領域の全体に延びていてもよい。

【0058】

少なくとも１つの第１の基準マークの位置を決定している間に、集束粒子ビームの粒子の少なくとも過半数が第１の犠牲層の少なくとも１つの第２の部分に入射し得る。少なくとも１つの第２の部分の横方向範囲は、少なくとも１つの第１の基準マークを走査するための集束粒子ビームの走査領域を超えていてもよく、１．２倍、好ましくは１．５倍、より好ましくは２倍、最も好ましくは３倍である。

【0059】

少なくとも１つの第１の基準マークの位置の決定を目的として集束粒子ビームが走査する走査領域よりも、少なくとも１つの第１の基準マークの周りの少なくとも１つの第２の部分の方が規定の倍率だけ大きいことにより確保されることは、欠陥に対する集束粒子ビームのドリフトが顕著な場合であっても、少なくとも１つの第１の基準マークの走査が第１の犠牲層上で実質的に完全に実行されることである。これにより、サンプルにおいて電荷担体が制御不能に局所的発生することはなくなる。

【0060】

サンプル上の直接的な堆積ではなく、少なくとも１つの第１の基準マークを第１の犠牲層に取り付けることによって、付加的な自由度が得られる。このため、サンプルの処理プロセスの終了時に、サンプルから容易かつ実質的に完全に除去し得るように第１の犠牲層を設計可能である。この制約がない場合は、第１の基準マークの位置の多重決定と、実質的に変化しないサンプルの１つまたは複数の拡張処理プロセスと、の両者に耐えるように少なくとも１つの第１の基準マークを設計可能である。

【0061】

一例として、堆積した第１の犠牲層の少なくとも１つの第２の部分のエリアとしては、方形も可能であるし、矩形も可能である。横方向寸法は、矩形の短辺に関連する。少なくとも１つの第２の部分の面積は、少なくとも１本の集束粒子ビームの走査領域の面積に対して適応され得る。

【0062】

少なくとも１つの第２の部分の横方向範囲は、１０ｎｍ～１０００μｍ、好ましくは５０ｎｍ～５００μｍ、より好ましくは２００ｎｍ～１００μｍ、最も好ましくは５００ｎｍ～５０μｍの範囲の横方向寸法を有していてもよい。

【0063】

少なくとも１つの第２の部分の厚さは、０．１ｎｍ～１０００ｎｍ、好ましくは０．５ｎｍ～２００ｎｍ、より好ましくは１ｎｍ～１００ｎｍ、最も好ましくは２ｎｍ～５０ｎｍの範囲を有していてもよい。

【0064】

少なくとも１つの第１の犠牲層を生成するステップは、第１の前駆体ガスと組み合わせて集束粒子ビームにより第１の犠牲層を堆積させることを含んでいてもよい。集束粒子ビームは、電子ビームを含んでいてもよい。

【0065】

少なくとも１つの第１の前駆体ガスは、第１の犠牲層の第１の部分を堆積させるための少なくとも１つの第１の堆積ガスと、第１の犠牲層の少なくとも１つの第２の部分を堆積させるための少なくとも１つの第２の堆積ガスと、第１の犠牲層の導電性接続を堆積させるための少なくとも１つの第３の堆積ガスと、を含んでいてもよい。少なくとも１つの第１の堆積ガス、少なくとも１つの第２の堆積ガス、および少なくとも１つの第３の堆積ガスは、単一の堆積ガスを含んでいてもよいし、２つの異なる堆積ガスを含んでいてもよいし、３つの異なる堆積ガスを含んでいてもよい。第１の部分、１つもしくは複数の第２の部分、ならびに導電性接続のさまざまな機能は、それぞれに適応された材料組成によって最適化され得る。

【0066】

少なくとも１つの第１の前駆体ガスは、添加ガス(additive gas)としてのモリブデンヘキサカルボニル（Ｍｏ（ＣＯ）₆）および二酸化窒素（ＮＯ₂）を含んでいてもよく、ならびに／または、第１の前駆体ガスは、クロムヘキサカルボニル（Ｃｒ（ＣＯ）₆）を含んでいてもよい。

【0067】

少なくとも１つの第１の基準マークを生成するステップは、少なくとも１つの第２の前駆体ガスと組み合わせて集束粒子ビームを使用して少なくとも１つの第１の基準マークを堆積させることを含んでいてもよい。少なくとも１つの第１の基準マークを堆積させるための集束粒子ビームは、電子ビームを含んでいてもよい。

【0068】

第１の犠牲層および少なくとも１つの第１の基準マークは、１つの粒子ビームまたは異なる粒子ビームを使用して堆積可能である。一例としては、第１の犠牲層が電子ビームを使用して堆積し、少なくとも１つの第２の基準マークがイオンビームを使用して堆積するようになっていてもよい。

【0069】

第１の犠牲層を堆積させるための少なくとも１つの第１の前駆体ガスは、金属アルキル、遷移元素アルキル、主族アルキル、金属カルボニル、遷移元素カルボニル、主族カルボニル、金属アルコキシド、遷移元素アルコキシド、主族アルコキシド、金属錯体、遷移元素錯体、主族錯体、および有機化合物から成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。

【0070】

少なくとも１つの基準マークを堆積させるための少なくとも１つの第２の前駆体ガスは、金属アルキル、遷移元素アルキル、主族アルキル、金属カルボニル、遷移元素カルボニル、主族カルボニル、金属アルコキシド、遷移元素アルコキシド、主族アルコキシド、金属錯体、遷移元素錯体、主族錯体、および有機化合物から成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。

【0071】

金属アルキル、遷移元素アルキル、および主族アルキルは、シクロペンタジエニル（Ｃｐ）トリメチル白金（ＣｐＰｔＭｅ₃）、メチルシクロペンタジエニル（ＭｅＣｐ）トリメチル白金（ＭｅＣｐＰｔＭｅ₃）、テトラメチルスズ（ＳｎＭｅ₄）、トリメチルガリウム（ＧａＭｅ₂）、フェロセン（Ｃｏ₂Ｆｅ）、およびビスアリールクロム（Ａｒ₂Ｃｒ）から成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。金属カルボニル、遷移元素カルボニル、および主族カルボニルは、クロムヘキサカルボニル（Ｃｒ（ＣＯ）₆）、モリブデンヘキサカルボニル（Ｍｏ（ＣＯ）₆）、タングステンヘキサカルボニル（Ｗ（ＣＯ）₆）、ジコバルトオクタカルボニル（Ｃｏ₂（ＣＯ）₈）、トリルテニウムドデカカルボニル（Ｒｕ₃（ＣＯ）₁₂）、および鉄ペンタカルボニル（Ｆｅ（ＣＯ）₅）から成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。金属アルコキシド、遷移元素アルコキシド、および主族アルコキシドは、オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ、Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄）およびテトライソプロポキシチタン（Ｔｉ（ＯＣ₃Ｈ₇）₄）から成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。金属ハロゲン化物、遷移元素ハロゲン化物、および主族ハロゲン化物は、六フッ化タングステン（ＷＦ₆）、六塩化タングステン（ＷＣｌ₆）、六塩化チタン（ＴｉＣｌ₆）、三塩化ホウ素（ＢＣｌ₃）、および四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ₄）から成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。金属錯体、遷移元素錯体、および主族錯体は、銅ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナート）（Ｃｕ（Ｃ₅Ｆ₆ＨＯ₂）₂）およびジメチルゴールドトリフルオロアセチルアセトナート（Ｍｅ₂Ａｕ（Ｃ₅Ｆ₃Ｈ₄Ｏ₂））から成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。有機化合物は、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ₂）、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、真空ポンプ油の成分、および揮発性有機化合物からなる群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。

【0072】

少なくとも１つの第１の基準マークを生成するステップは、第１の犠牲層の少なくとも１つの第２の部分に少なくとも１つの窪みをエッチングすることを含んでいてもよい。少なくとも１つの窪みをエッチングすることは、少なくとも１つの第３の前駆体ガスと組み合わせて集束粒子ビームを使用して局所的エッチングプロセスを実行することを含んでいてもよい。集束粒子ビームは、電子ビームおよび／またはイオンビームを含んでいてもよい。

【0073】

少なくとも１つの第３の前駆体ガスは、少なくとも１つのエッチングガスを含んでいてもよい。少なくとも１つのエッチングガスは、ハロゲン含有化合物および酸素含有化合物から成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。ハロゲン含有化合物は、フッ素（Ｆ₂）、塩素（Ｃｌ₂）、臭素（Ｂｒ₂）、ヨウ素（Ｉ₂）、二フッ化キセノン（ＸｅＦ₂）、四フッ化ジキセノン（Ｘｅ₂Ｆ₄）、フッ化水素酸（ＨＦ）、ヨウ化水素（ＨＩ）、臭化水素（ＨＢｒ）、塩化ニトロシル（ＮＯＣｌ）、三塩化リン（ＰＣｌ₃）、五塩化リン（ＰＣｌ₅）、および三フッ化リン（ＰＦ₃）からなる群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。酸素含有化合物は、酸素（Ｏ₂）、オゾン（Ｏ₃）、水蒸気（Ｈ₂Ｏ）、過酸化水素（Ｈ₂Ｏ₂）、亜酸化窒素（Ｎ₂Ｏ）、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ₂）、および硝酸（ＨＮＯ₃）から成る群の少なくとも１つの要素を含んでもよい。

【0074】

少なくとも１つの第１の前駆体ガス、少なくとも１つの第２の前駆体ガス、および／または少なくとも１つの第３の前駆体ガスは、酸化剤、ハロゲン化物、および還元剤から成る群の少なくとも１つの添加ガスを含んでいてもよい。

【0075】

酸化剤は、酸素（Ｏ₂）、オゾン（Ｏ₃）、水蒸気（Ｈ₂Ｏ）、過酸化水素（Ｈ₂Ｏ₂）、亜酸化窒素（Ｎ₂Ｏ）、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ₂）、および硝酸（ＨＮＯ₃）から成る群の少なくとも１つの要素を含んでもよい。ハロゲン化物は、塩素（Ｃｌ₂）、塩酸（ＨＣｌ）、二フッ化キセノン（ＸｅＦ₂）、フッ化水素酸（ＨＦ）、要素（Ｉ₂）、ヨウ化水素（ＨＩ）、臭素（Ｂｒ₂）、臭化水素（ＨＢｒ）、塩化ニトロシル（ＮＯＣｌ）、三塩化リン（ＰＣｌ₃）、五塩化リン（ＰＣｌ₅）、および三フッ化リン（ＰＦ₃）からなる群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。還元剤は、水素（Ｈ₂）、アンモニア（ＮＨ₃）、およびメタン（ＣＨ₄）からなる群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。

【0076】

第１の前駆体ガスがモリブデンヘキサカルボニル（Ｍｏ（ＣＯ）₆）を含むこと、少なくとも１つの添加ガスが二酸化窒素（ＮＯ₂）を含むこと、および／または、第２の前駆体ガスがテトラエチルオルトシリケート（Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄）またはクロムヘキサカルボニル（Ｃｒ（ＣＯ）₆）を含むことが可能である。

【0077】

少なくとも１つの欠陥を覆う第１の犠牲層の第１の部分を除去するステップが、少なくとも１つの第４の前駆体ガスを使用して粒子ビーム誘起エッチングプロセスを実行することを含んでいてもよい。少なくとも１つの第４の前駆体ガスは、少なくとも１つの第２のエッチングガスを含んでいてもよい。少なくとも１つの第２のエッチングガスは、上掲の第１のエッチングガスの群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。犠牲層の第１の部分を堆積させるための第１の堆積ガスは、クロムヘキサカルボニル（Ｃｒ（ＣＯ）₆）およびモリブデンヘキサカルボニル（Ｍｏ（ＣＯ）₆）のから成る群の要素を含んでいてもよく、犠牲層の第１の部分を除去するための少なくとも１つの第２のエッチングガスは、塩化ニトロシル（ＮＯＣｌ）自体または少なくとも１つの添加ガス（たとえば、水（Ｈ₂Ｏ））との組み合わせを含んでいてもよい。

【0078】

少なくとも１つの第１の基準マークを第１の犠牲層の少なくとも１つの第２の部分にエッチングするための前駆体ガスは、添加ガス（たとえば、酸素（Ｏ₂）、水（Ｈ₂Ｏ）、または塩素（Ｃｌ₂）と組み合わせた二フッ化キセノン（ＸｅＦ₂）を含んでいてもよい。あるいは、たとえば塩化ニトロシル（ＮＯＣｌ）自体または添加ガス（たとえば、水（Ｈ₂Ｏ））との組み合わせが第１の基準マークの生成に使用されるようになっていてもよい。

【0079】

上記規定の方法は、少なくとも１つの欠陥の修復前に、少なくとも１つの欠陥を覆う第１の犠牲層の第１の部分の部分を除去するステップをさらに含んでいてもよい。

【0080】

少なくとも１つの欠陥は、過剰材料の欠陥を含んでいてもよく、この方法は、第１の犠牲層を少なくとも部分的に通して、少なくとも１つの欠陥を修復するステップをさらに含んでいてもよい。

【0081】

修復対象の過剰材料の欠陥の全体にわたって一部または全部が延びている第１の犠牲層または第１の犠牲層の第１の部分は、たとえば局所的粒子ビーム誘起エッチングプロセスを使用して、サンプルから単一のプロセスステップにて除去されるようになっていてもよい。この場合、欠陥のエッチング速度(etching rates)と第１の犠牲層の第１の部分の材料のエッチング速度とが相互に大きく異なる場合は、エッチングガスおよび／または添加ガスがエッチングプロセスの進行に対して適応され得る。さらに、粒子ビームの他のビームパラメータおよび／または他のプロセスパラメータをエッチングプロセスの進行に対して適応させることも可能である。局所的エッチングプロセスの進行は、エッチングプロセス中に生成される後方散乱電子または二次電子を分析することにより決定され得る。この追加または代替として、除去材料は、たとえばＳＩＭＳ（二次イオン質量分光）分析により分析され得る。このため、イオンビームが粒子ビームとして使用されるのが好ましい。さらに、エッチング速度は、犠牲層および除去対象の材料のエッチングプロセスの別々の最適化により校正され得る。一例として、これは、エッチングシーケンスの実行により実施され得る。

【0082】

第１の犠牲層の第１の部分および少なくとも１つの第２の部分は、少なくとも１つの欠陥を修復する動作(action)によって、少なくとも１つの欠陥を含む像断面(image section)が１０％以下、好ましくは５％以下、より好ましくは２％以下、最も好ましくは１％以下だけ歪むような横方向範囲を有していてもよい。集束粒子ビームによって欠陥を修復する動作により、導電性犠牲層が帯電する可能性がある。犠牲層が帯電すると、欠陥または欠陥残留物を含む像断面の歪みが生じ得る。像断面の歪みは、修復プロセスの開始前の像断面と関連する。

【0083】

犠牲層の帯電は、集束粒子ビームの結像パラメータに対して局所的な影響を及ぼす可能性があり、その結果、前記結像パラメータが局所的に変動する可能性がある。局所的な変化（たとえば、走査集束粒子ビームにより生成された像の倍率の局所的な変動）の結果、結像パラメータ（たとえば、倍率）が局所的にも変動していない像と比較して、像が歪む。

【0084】

第１の部分、少なくとも１つの第２の部分、および導電性接続は、金属、金属含有化合物、導電性セラミック、およびドープされた半導体化合物から成る群の少なくとも１つの要素を含む材料組成(material composition)を有していてもよい。

【0085】

金属は、モリブデン、コバルト、クロム、ニオブ、タングステン、レニウム、ルテニウム、およびチタンから成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。金属含有化合物は、モリブデン合金、コバルト含有化合物、クロム含有化合物、ニオブ含有化合物、タングステン含有化合物、レニウム含有化合物、およびチタン含有化合物から成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。金属含有化合物は、窒素、酸素、フッ素、塩素、炭素、およびケイ素から成る群の元素を含んでいてもよい。ドープされた半導体化合物は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、およびアンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）から成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。導電性セラミックは、ケイ化モリブデンを含んでいてもよい。

【0086】

第１の部分、少なくとも１つの第２の部分、および導電性接続は、異なる材料組成を有していてもよい。

【0087】

第１の犠牲層および少なくとも１つの第１の基準マークは、異なる材料組成を有していてもよい。

【0088】

これにより、少なくとも１つの第１の基準マークの走査に際して、第１の基準マークのトポロジの差異のほか、第１の犠牲層の少なくとも１つの第２の部分と少なくとも１つの第１の基準マークとの間に材料の差異も生じる。

【0089】

少なくとも１つの欠陥は、過剰材料の欠陥を含んでいてもよく、少なくとも１つの欠陥を修復する動作は、集束粒子ビームにより誘起されるエッチングプロセスのエッチング速度が少なくとも１つの欠陥および第１の部分に対して実質的に同じとなるように、第１の犠牲層の第１の部分、少なくとも１つの第２のエッチングガス、および／または少なくとも１つの添加ガスの材料組成を選択することを含んでいてもよい。

【0090】

この条件を満たすことによって、欠陥の局所的エッチングの場合に生じるエッチング領域の縁部における曲線の丸みを最小限に抑えることができる。さらに、欠陥補正の範囲内でのサンプルのアンダーエッチングを回避することができる。同時に、この条件を観測することによって、サンプルのエッチング領域の側壁を最大限に急峻化することが容易になる。

【0091】

サンプルは、リソグラフィサンプルを含んでいてもよい。リソグラフィサンプルは、ナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ）用のフォトマスクおよびスタンプから成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。ただし、サンプルは、フォトマスク、ＮＩＬ用スタンプ、集積回路（ＩＣ）、フォトニック集積回路（ＰＩＣ）、マイクロシステム（ＭＥＭＳ（微小電気機械システム）もしくはＭＯＥＭＳ（微小光電気機械システム））、ならびにプリント配線板（ＰＣＢ）から成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。集積回路および／またはフォトニック集積回路は、ウェハ上に配置されていてもよい。フォトマスクは、如何なる種類の透過型または反射型フォトマスク（たとえば、バイナリまたは位相シフトマスク）であってもよい。

【0092】

この方法は、少なくとも１つの欠陥の修復開始前に、少なくとも１つの第１の基準マークと少なくとも１つの欠陥との間の少なくとも１つの第１の基準距離を決定するステップをさらに含んでいてもよい。

【0093】

少なくとも１つの第１の基準距離を少なくとも１つの第１の基準マークと組み合わせて使用することにより、欠陥修復プロセスにおいて、集束粒子ビームに対する少なくとも１つの欠陥のドリフトを補正することができる。

【0094】

少なくとも１つの第１の基準マークは、１ｎｍ～１０００ｎｍ、好ましくは２ｎｍ～５００ｎｍ、より好ましくは５ｎｍ～２００ｎｍ、最も好ましくは１０ｎｍ～１００ｎｍの範囲の高さを有していてもよい。

【0095】

この方法は、集束粒子ビームでサンプルを走査することにより、サンプルの欠陥マップを生成するステップをさらに含んでいてもよい。

【0096】

サンプルを走査するステップは、集束粒子ビームを使用してサンプルの少なくとも１つの欠陥を走査することを含んでいてもよい。サンプルを走査するための集束粒子ビームは、第１の犠牲層の生成、少なくとも１つの第１の基準マークの生成、および／または局所的欠陥処理プロセスの開始に使用される粒子ビームを含んでいてもよい。ただし、サンプルの走査の範囲内においては、第１の粒子ビーム（たとえば、光子ビーム）を使用して少なくとも１つの欠陥を識別するとともに、第２の粒子ビーム（たとえば、電子ビーム）を使用して少なくとも１つの欠陥の修復形状の輪郭を検出することも可能である。

【0097】

上述の方法を実行する装置は、サンプル検査装置から、サンプルの少なくとも１つの欠陥の座標を受信するようにしてもよい。サンプルの欠陥マップには、サンプルの少なくとも１つの欠陥を含んでいてもよい。特に、欠陥マップは、少なくとも１つの欠陥を修復するための修復形状を含んでいてもよい。

【0098】

この方法は、少なくとも１つの第２の基準マークをサンプル上に生成するステップと、少なくとも１つの第２の基準マークと第１の犠牲層の生成前の少なくとも１つの欠陥との間の少なくとも１つの第２の基準距離を決定するステップと、をさらに含んでいてもよい。

【0099】

さらに、この方法は、少なくとも１つの第２の犠牲層をサンプル上に生成するステップと、少なくとも１つの第２の基準マークを少なくとも１つの第２の犠牲層上に堆積させるステップと、少なくとも１つの第２の基準マークと第１の犠牲層の生成開始前の少なくとも１つの欠陥との間の少なくとも１つの第２の基準距離を決定するステップと、を含んでいてもよい。

【0100】

少なくとも１つの第２の基準マークは、第１の犠牲層の堆積中のドリフトの補正に必要である。さらに、少なくとも１つの第２の基準マークは、少なくとも１つの欠陥を覆う第１の犠牲層の第１の部分の除去中のドリフトの補正に必要である。したがって、プロセス経済性の理由から、少なくとも１つの第２の犠牲層の堆積を省き、第２の基準マークをサンプルに直接適用するのが好都合となり得る。そしてこの場合も、少なくとも１つの第２の犠牲層の堆積によって付加的な自由度が得られ、これにより、サンプルからの少なくとも１つの第２の基準マークの除去を簡素化し得る。

【0101】

少なくとも１つの第２の基準距離は、少なくとも１つの第１の基準距離よりも大きくてもよい。

【0102】

少なくとも１つの第２の基準距離および少なくとも１つの第２の基準マークは、第１の犠牲層が堆積した状態で、集束粒子ビームと少なくとも１つの欠陥との間のドリフトの補正に必要である。したがって、少なくとも１つの第２の基準マークが第１の犠牲層により覆われていなければ非常に都合が良い。これにより、少なくとも１つの第２の基準マークの機能が確保される。

【0103】

さらに、この方法は、第１の犠牲層を生成することと、少なくとも１つの第２の基準マークおよび少なくとも１つの第２の基準距離の使用により、少なくとも１つの欠陥から、少なくとも１つの欠陥を覆う第１の犠牲層の第１の部分を除去することと、から成る群の少なくとも１つの要素を実行している間にドリフトを補正するステップを含んでいてもよい。

【0104】

プロセス処理の継続時間は、修復対象の欠陥に関して第１の犠牲層を可能な限り正確に堆積させることにより最適化され得る。一例として、欠陥を実質的に覆うことなく、その周りに第１の犠牲層を堆積可能であるなら、修復に先立って欠陥を露出させる目的で第１の犠牲層の第１の部分を除去するためのエッチングプロセスを省くことができる。

【0105】

この方法は、湿式化学的洗浄プロセスおよび／または機械的洗浄プロセスの範囲内において、サンプルから、第１の犠牲層および少なくとも１つの第１の基準マークを一体的に(jointly)除去するステップをさらに含んでいてもよい。

【0106】

ここに記載の方法の利点として、標準的な洗浄プロセスにより、サンプルから、少なくとも１つの第１の基準マークを第１の犠牲層とともに除去可能である。さらに、これらの方法によれば、欠陥処理プロセス中に第１の犠牲層がそのさまざまな機能を完全に果たし得るとともに、欠陥修復の終了時にサンプルから容易に除去され得るように、サンプルに対して第１の犠牲層の材料組成を一致させることが可能となる。

【0107】

さらに、この方法は、湿式化学的洗浄プロセス(wet chemical cleaning process)の範囲内において、サンプルから、第１の犠牲層、少なくとも１つの第１の基準マーク、および少なくとも１つの第２の基準マークを一体的に除去するステップを含んでいてもよい。

【0108】

この方法は、湿式化学的洗浄プロセスおよび／または機械的洗浄プロセスの範囲内において、サンプルから、第１の犠牲層、少なくとも１つの第２の犠牲層、少なくとも１つの第１の基準マーク、および少なくとも１つの第２の基準マークを一体的に除去するステップを追加で含んでいてもよい。

【0109】

湿式化学的洗浄プロセスは、少なくとも１つの酸化ガスが溶解した水を使用して実行可能である。酸化ガスは、酸素（Ｏ₂）、窒素（Ｎ₂）、および水素（Ｈ₂）から成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。さらに、水性洗浄溶液は、５未満、好ましくは３．５未満、より好ましくは２未満、最も好ましくは１未満のｐＨ値を有し得る。

【0110】

機械的洗浄プロセスは、超音波および／または極超音波の適用を含んでいてもよい。また、洗浄対象のサンプルの領域への物理的な力の作用による洗浄も可能である。

【0111】

さらに、この方法は、集束粒子ビーム誘起エッチングプロセスによって、サンプルから、第１の犠牲層および少なくとも１つの第１の基準マークを一体的に除去するステップを含んでいてもよい。さらに、粒子ビーム（たとえば、光子ビーム）を使用して第１の犠牲層および少なくとも１つの第１の基準マークを除去することも考えられる。

【0112】

この方法は、集束粒子ビームにより誘起されるエッチングプロセスによって、サンプルから、第１の犠牲層、少なくとも１つの第１の基準マーク、および少なくとも１つの第２の基準マークを一体的に除去するステップを追加で含んでいてもよい。

【0113】

この方法は、集束粒子ビームにより誘起されるエッチングプロセスによって、サンプルから、第１の犠牲層、少なくとも１つの第２の犠牲層、少なくとも１つの第１の基準マーク、および少なくとも１つの第２の基準マークを一体的に除去するステップをさらに含んでいてもよい。

【0114】

集束粒子ビームにより誘起される局所的エッチングプロセスによって、第１の犠牲層および／または少なくとも１つの第２の犠牲層とともに、サンプルから、少なくとも１つの第１の基準マークおよび少なくとも１つの第２の基準マークを除去することも可能である。第１および／もしくは第２の基準マークならびに第１および／もしくは第２の犠牲層を除去するための集束粒子ビームとしては、基準マークおよび／または犠牲層の生成に使用される粒子ビームが可能である。さらに、集束粒子ビームとしては、欠陥処理の実行に使用される粒子ビームが可能である。犠牲層の材料組成は、単純な除去性（たとえば、局所的粒子ビーム誘起エッチングプロセスによる犠牲層の単純なエッチング性）の観点から選択され得る。犠牲層および基準マークの一体的除去に好ましい粒子ビームは、電子ビームを含む。

【0115】

本願に記載の方法の利点として、犠牲層および基準マークの両者を単一の装置を使用して生成可能であり、この装置は、少なくとも１つの欠陥の処理および関連する基準マークと併せた犠牲層の除去に同時に使用可能である。これは、欠陥修復プロセス全体において、装置の真空を破壊する必要がないことを意味する。

【0116】

サンプルは、上述の方法を使用して修復される少なくとも１つの欠陥を有していてもよい。

【0117】

コンピュータプログラムは、上記説明の方法ステップの実行をコンピュータシステムに促す(prompt)命令を含み得る。コンピュータプログラムは、コンピュータ可読記憶媒体に格納可能である。

【0118】

一実施形態において、集束粒子ビームを使用してサンプルの少なくとも１つの欠陥を修復するための装置（２００）は、少なくとも１つの欠陥の修復中に、少なくとも１つの欠陥に関して、集束粒子ビームのドリフトを補正するために、少なくとも１つの欠陥に近接して、サンプル上に少なくとも１つの第１の犠牲層を生成するための手段を備える。

【0119】

別の実施形態において、集束粒子ビームを使用してサンプルの少なくとも１つの欠陥を修復するための装置は、少なくとも１つの欠陥の修復中に少なくとも１つの欠陥に関して、集束粒子ビームのドリフトを補正するために、少なくとも１つの第１の導電性犠牲層をサンプル上に生成するための手段を備える。

【0120】

第１の犠牲層を生成するための手段が、第１の局所的導電性犠牲層を生成するための手段を含む。

【0121】

この装置は、単段コンデンサシステム(single-stage condenser system)を有する電子カラム(electron column)をさらに備えていてもよい。

【0122】

第１の犠牲層を生成するための手段は、少なくとも１本の電子ビーム(at least one electron beam)を含んでいてもよく、この装置は、サンプル（２０５、３００、１５００）に衝突する電子の運動エネルギーを３０００ｅＶ未満として、電子ビームを直径２ｎｍ未満で集束させる(focus)ように構成されていてもよい。

【0123】

第１の犠牲層を生成するための手段は、少なくとも１本の電子ビームを含んでいてもよく、この装置は、サンプル（２０５、３００、１５００）に衝突する電子の運動エネルギーを１５００ｅＶ未満として、電子ビームを直径２ｎｍ未満で集束させるように構成されていてもよい。

【0124】

第１の犠牲層を生成するための手段は、少なくとも１本の電子ビームを含んでいてもよく、この装置は、サンプル（２０５、３００、１５００）に衝突する電子の運動エネルギーを１０００ｅＶ未満として、電子ビームを直径２ｎｍ未満で集束させるように構成されていてもよい。

【0125】

第１の犠牲層を生成するための手段は、少なくとも１本の電子ビームを含んでいてもよく、この装置は、サンプル（２０５、３００、１５００）に衝突する電子の運動エネルギーを８００ｅＶ未満として、電子ビームを直径２ｎｍ未満で集束させるように構成されていてもよい。

【0126】

第１の犠牲層を生成するための手段は、少なくとも１本の電子ビームを含んでいてもよく、この装置は、サンプル（２０５、３００、１５００）に衝突する電子の運動エネルギーを６００ｅＶ未満として、電子ビームを直径２ｎｍ未満で集束させるように構成されていてもよい。

【0127】

集束電子ビームの焦点直径の最小化には、局所的処理プロセスすなわちエッチングプロセスまたは堆積プロセスが作用する面積の縮小を伴う。最小焦点直径が２ｎｍ未満であれば、局所的処理エリアの最小直径が１０ｎｍ未満になることが容易になる。さらに、少なくとも１つの基準マークの走査および少なくとも１つの欠陥の処理のための運動エネルギーが低い電子を使用する結果として、集束粒子ビームによるサンプルへの損傷を最小限に抑えることができる。

【0128】

この装置の集束粒子ビームの局所的処理エリアは、１０ｎｍ未満の最小直径を有していてもよい。

【0129】

この装置の集束粒子ビームの局所的処理エリアは、５ｎｍ未満の最小直径を有していてもよい。

【0130】

この装置の集束粒子ビームの局所的処理エリアは、４ｎｍ未満の最小直径を有していてもよい。

【0131】

この装置の集束粒子ビームの局所的処理エリアは、３ｎｍ未満の最小直径を有していてもよい。

【0132】

この装置の集束粒子ビームの局所的処理エリアは、２．５ｎｍ未満の最小直径を有していてもよい。

【0133】

電子カラムは、一組の異なるアパーチャを使用するように構成されていてもよい。

【0134】

この装置は、一組のアパーチャのうちの１つを選択することにより、電子ビームのビーム電流を制御するように構成されている制御装置を備えていてもよい。この装置は、第１の基準距離および／または第２の基準距離を決定するように構成されている制御装置を備えていてもよい。さらに、制御装置は、この装置の如何なるパラメータの変更もなく、少なくとも１つの欠陥の処理および少なくとも１つの第１の基準マークの走査が実行され得るように、少なくとも１つの第１の基準マークと少なくとも１つの欠陥との間の距離を規定するように構成可能である。さらに、制御装置は、１つまたは複数の第１の基準マークを生成すべきサンプル上の１つまたは複数の部位を決定するように構成可能である。集束粒子ビームの焦点直径を把握することにより、この装置の制御装置は、第１の基準マークのサイズを決定することができる。第１および第２の基準マークのサイズは、第一に基準マークの面積を含み、第二に高さを含む。

【0135】

この装置は、上述の方法の方法ステップを実行するように構成可能である。また、この装置は、コンピュータシステムとして設計可能であり、前述のコンピュータプログラムを含むことができる。

【0136】

本発明の別の例示的な実施形態によれば、上記課題は、実施形態１に記載の方法および実施形態１９に記載の装置によって解決される。実施形態１において、集束粒子ビームを使用してサンプルの少なくとも１つの欠陥を修復するための方法は、（ａ）少なくとも１つの第１の局所的導電性犠牲層をサンプル上に生成するステップであり、第１の局所的導電性犠牲層が、第１の部分および少なくとも１つの第２の部分を有し、第１の部分が、少なくとも１つの欠陥に近接し、第１の部分および少なくとも１つの第２の部分が、相互に導電接続されている、ステップと、（ｂ）少なくとも１つの欠陥の修復中、少なくとも１つの欠陥に関して、集束粒子ビームのドリフトを補正するために、少なくとも１つの第１の基準マークを第１の局所的導電性犠牲層の少なくとも１つの第２の部分上に生成するステップと、を含む。

【0137】

修復の頻度が高いサンプルは、電気絶縁体であるか、または、半導体特性を有する程度のものである。前者のグループの例は、フォトマスクまたはＮＩＬスタンプの石英基板である。後者のグループの例は、ウェハ上に生成される集積回路（ＩＣ）である。粒子ビームは、基準マークの走査に際して、サンプルに電荷を生成し得る。このプロセスは、修復対象の欠陥の走査に際しても同様に発生し得る。結果として、ドリフト補正により実行される欠陥の修復中は、サンプルの局所的な帯電が異なり得る。

【0138】

本発明に係る方法の実行に際して、集束粒子ビームは、第１の局所的導電性犠牲層において、電荷を（排他的に）生成する。第１の犠牲層の導電性のため、生成された電荷は、第１の犠牲層全体で均一に分布し得る。その結果、荷電粒子ビームは、基準マークおよび欠陥の走査に際して、実質的に同じ静電ポテンシャルを見込む。そして、欠陥および基準マーク上を走査する際の荷電粒子ビームのさまざまな偏向、ひいては、基準マークおよび欠陥の像表現のさまざまな歪みが防止される。これにより、ドリフト補正の品質ひいては欠陥補正プロセスの品質が向上し得る。

【0139】

ここで、表現「実質的に（ｓｕｂｓｔａｎｔｉａｌｌｙ）」は、本明細書の他の箇所と同様に、従来技術に係る計量を使用する場合の慣習的誤差限界内の測定変数の指定を表す。

【0140】

本願において、表現「局所的犠牲層（ｌｏｃａｌ ｓａｃｒｉｆｉｃｉａｌ ｌａｙｅｒ）」は、犠牲層がサンプル全体にわたっては延びていないことを意味する。むしろ、第１の犠牲層は、局所的粒子ビーム誘起堆積プロセスによって、欠陥の周り、または、欠陥上の全体もしくは一部とその周りに堆積し得る。一例として、局所的犠牲層の横方向範囲としては、１ｍｍ未満、５００μｍ未満、または１００μｍ未満が可能である。

【0141】

第１の導電性犠牲層においては、第１の部分および少なくとも１つの第２の部分の両者が導電性である。第１の部分、少なくとも１つの第２の部分、および第１の部分と少なくとも１つの第２の部分との間の接続の導電率は、同じにすることも可能であるし、わずかに変化させることも可能である。本願において、用語「導電性（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ）」は、犠牲層の具体的な電気比抵抗が金属導体のオーダ、すなわち、ρ＜１Ω・ｃｍであることを表す。

【0142】

少なくとも１つの欠陥に対する第１の部分の近接は、少なくとも１つの欠陥の縁部に対する第１の部分の近接、第１の部分による少なくとも１つの欠陥の部分的被覆、および第１の部分による少なくとも１つの欠陥の完全被覆から成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。

【0143】

修復プロセスの開始時に犠牲層が欠陥を縁取ることにより、少なくとも１つの第１の基準マークおよび修復対象の欠陥の走査に際しては、荷電粒子ビームが実質的に同じ静電ポテンシャルを「見込む」。さらに、第１の犠牲層が欠陥を縁取ることによって、修復プロセスの影響からサンプルを効果的に保護することができる。一例として、堆積材料が欠陥の周りで第１の犠牲層上に意図せず堆積する場合がある。さらに、サンプルの修復を目的として局所的エッチングプロセスが実行されている間は、修復対象の過剰材料の欠陥を縁取る第１の犠牲層が欠陥の周りのサンプルの領域を保護する。

【0144】

修復プロセスが終了となったら、第１の犠牲層を当該第１の犠牲層上の堆積材料とともにサンプルから除去することができる。結果として、本発明に係る方法を実行することにより、実質的に残留物を伴わない欠陥の補正が容易になり、その結果、同時に、ドリフト補正の改善のほか、欠陥修復プロセスの品質の向上がさらに促進される。

【0145】

少なくとも１つの欠陥の縁部に対する第１の部分の近接は、少なくとも１つの欠陥の縁部全体に対する第１の部分の近接を含んでいてもよい。本実施形態は、特に、サンプル上の欠陥が孤立している場合に都合が良い。

【0146】

この方法は、少なくとも１つの欠陥の修復が開始される前に、少なくとも１つの第１の基準マークと少なくとも１つの欠陥との間の少なくとも１つの第１の基準距離を決定するステップをさらに含んでいてもよい。

【0147】

少なくとも１つの第１の基準距離を少なくとも１つの第１の基準マークと組み合わせて使用することにより、欠陥修復プロセスにおいて、集束粒子ビームに対する少なくとも１つの欠陥のドリフトを補正することができる。

【0148】

第１の部分は、少なくとも１つの欠陥の修復がサンプルに対して実質的に損傷を及ぼすことのないように、少なくとも１つの欠陥の周りの横方向範囲を有していてもよい。

【0149】

第１の犠牲層の第１の部分は、欠陥処理プロセス中または欠陥修復プロセス中の保護層を表す。後者は、第一に、修復対象の欠陥の寸法および修復に使用される粒子ビームの焦点直径に対して、第二に、実行される欠陥修復の種類に対して適応され得る。上記の文脈において、表現「実質的に（ｓｕｂｓｔａｎｔｉａｌｌｙ）」は、実施された修復プロセスの結果としてのサンプルの機能性の損害が欠陥修復後には立証され得ないことを意味する。

【0150】

欠陥の修復は、集束粒子ビームの視野内で実行されるのが好ましい。本実施形態は、修復プロセス中の第１の基準マークの走査を目的として、粒子ビームを提供する装置のパラメータを修正する必要がない点において都合が良い。これにより、ドリフトの考え得る最良の補正が可能となる。一例として、走査型粒子顕微鏡の視野には、１０００μｍ×１０００μｍ、好ましくは１００μｍ×１００μｍ、より好ましくは１０μｍ×１０μｍ、最も好ましくは６μｍ×６μｍのエリアを含んでいてもよい。

【0151】

また、第１の犠牲層の横方向寸法は、集束粒子ビームの視野を超えることも可能である。一例として、これは、修復対象の欠陥が大きい場合に起こり得る。第１の部分は、少なくとも１つの欠陥の縁部の周りに、１ｎｍ～１０００μｍ、好ましくは２ｎｍ～２００μｍ、より好ましくは５ｎｍ～４０μｍ、最も好ましくは１０ｎｍ～１０μｍの範囲にわたって延びる横方向範囲を有していてもよい。

【0152】

第１の部分の厚さは、０．１ｎｍ～１０００ｎｍ、好ましくは０．５ｎｍ～２００ｎｍ、より好ましくは０．５ｎｍ～２００ｎｍ、最も好ましくは２ｎｍ～５０ｎｍの範囲を有していてもよい。

【0153】

少なくとも１つの基準マークを生成するステップは、少なくとも１つの欠陥の修復がドリフトの補正に対して実質的に影響を及ぼすことのないように、少なくとも１つの欠陥からある距離で少なくとも１つの第１の基準マークを生成することを含んでいてもよい。

【0154】

この特徴により、処理プロセスにおいては、第１の基準マークの構造が実質的に不変となることが確保される。したがって、修復プロセス全体を通しての制限なく、第１の基準マークの機能が維持される。

【0155】

少なくとも１つの第１の基準マークを生成するステップは、少なくとも１つの欠陥の修復が少なくとも１つの第１の基準マークを実質的に変化させることのないように、少なくとも１つの欠陥からある距離で少なくとも１つの第１の基準マークを生成することを含んでいてもよい。

【0156】

欠陥修復プロセス中のドリフトの補正に使用され、修復対象の欠陥のごく近傍に適用される第１の基準マークは、修復プロセスによって変化する場合があるため、ドリフト補正の手段としての機能が損なわれる可能性がある。第一に、局所的堆積プロセス中に材料が第１の修復マーク上に堆積し、第二に、エッチングプロセスの形態の修復プロセスによって、第１の基準マークの構造が変化する可能性がある。本願に記載の方法によれば、修復対象の欠陥からある距離での第１の基準マークの適用が可能となり、この距離では、修復プロセスが少なくとも１つの第１の基準マークを実質的に変化させることがない。

【0157】

少なくとも１つの第１の基準マークは、１ｎｍ～１０００ｎｍ、好ましくは２ｎｍ～５００ｎｍ、より好ましくは５ｎｍ～１００ｎｍ、最も好ましくは１０ｎｍ～５０ｎｍの横方向範囲を有していてもよい。さらに、基準マークの横方向範囲が走査型粒子顕微鏡の視野よりも大きくならないこと、という条件から、基準マークの最大範囲に関する別の要求も生じる。

【0158】

少なくとも１つの第１の基準マークは、１ｎｍ～１０００ｎｍ、好ましくは２ｎｍ～５００ｎｍ、より好ましくは５ｎｍ～２００ｎｍ、最も好ましくは１０ｎｍ～１００ｎｍの範囲の高さを有していてもよい。

【0159】

第１の犠牲層は、第１の部分の横方向範囲および少なくとも１つの第２の部分の数によって決まる横方向範囲を有していてもよい。

【0160】

第１の部分および少なくとも１つの第２の部分は、同一平面で相互接続されていてもよい。第１の部分と１つまたは複数の第２の部分との間の同一平面接続には、対応する第１の犠牲層を堆積させるための最大費用を必要とする。そしてこの場合も、大面積の第１の犠牲層の静電容量が大きいことから、欠陥修復中の少なくとも１つの基準マークの走査および／または集束粒子ビームによる帯電によっても、第１の犠牲層の静電ポテンシャルはわずかにしか変化しない。

【0161】

第１の部分と少なくとも１つの第２の部分との間の導電性接続は、０．１ｎｍ～１０００μｍ、好ましくは２０ｎｍ～１００μｍ、より好ましくは３０ｎｍ～１０μｍ、最も好ましくは４０ｎｍ～３μｍの範囲の幅を有していてもよい。

【0162】

第１の部分と少なくとも１つの第２の部分との間の導電性接続の厚さは、０．１ｎｍ～１０００ｎｍ、好ましくは０．５ｎｍ～２００ｎｍ、より好ましくは１ｎｍ～１００ｎｍ、最も好ましくは２ｎｍ～５０ｎｍの範囲を有していてもよい。

【0163】

導電性接続の形態の第１の部分および少なくとも１つの第２の部分の接続は、第１の部分および少なくとも１つの第２の部分が異なるレベルである場合に都合が良いと考えられる。一例として、第１の部分がフォトマスクの基板上に配置され、少なくとも１つの第２の部分がフォトマスクのパターン要素上に配置されていてもよい。

【0164】

集束粒子ビームは、光子ビーム、電子ビーム、イオンビーム、原子ビーム、および分子ビームから成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。光子ビームは、紫外（ＵＶ）、深紫外（ＤＵＶ）、または極紫外（ＥＵＶ）波長範囲の光子ビームを含んでいてもよい。

【0165】

集束粒子ビームは、集束電子ビームおよび／または集束イオンビームを含むのが好ましい。電子ビームおよびイオンビームは、光子ビームよりもはるかに小さなスポットへと集束可能であるため、欠陥修復中の空間分解能を容易に高くすることができる。さらに、電子ビームおよびイオンビームは、原子ビームまたは分子ビームよりも容易に生成および結像可能である。

【0166】

集束粒子ビームによるサンプルの走査によって、サンプルの走査領域に損傷が生じる可能性がある。損傷の発生範囲は、粒子ビームの種類によって決まる。たとえば、イオンビーム、原子ビーム、または分子ビームは、質量の大きな粒子からサンプル格子への大規模な運動量移行の結果として、走査領域に大きな損傷を生じる。さらに、イオンビーム、原子ビーム、または分子ビームの粒子の一部がサンプル格子に取り込まれ、結果として、その特性（たとえば、その光学特性）が局所的に変化する。

【0167】

これに対して、電子ビームは、電子質量が小さいため、通常は、サンプルの走査領域にごくわずかな損傷しか生じない。結果として、欠陥の修復時に電子を使用すると、大きな副次的影響を伴わないサンプルの欠陥処理が容易になる。このため、原則として、集束粒子ビームにおいては、イオンの使用よりも電子の使用が好ましいものとする。

【0168】

少なくとも１つの第２の部分は、少なくとも１つの第１の基準マークを検出するための集束粒子ビームの少なくとも１つの走査領域の全体に延びていてもよい。

【0169】

少なくとも１つの第１の基準マークの位置を決定している間に、集束粒子ビームの粒子の少なくとも過半数が第１の犠牲層の少なくとも１つの第２の部分に入射し得る。少なくとも１つの第２の部分の横方向範囲は、少なくとも１つの第１の基準マークを走査するための集束粒子ビームの走査領域を超えていてもよく、１．２倍、好ましくは１．５倍、より好ましくは２倍、最も好ましくは３倍である。

【0170】

少なくとも１つの第１の基準マークの位置の決定を目的として集束粒子ビームが走査する走査領域よりも、少なくとも１つの第１の基準マークの周りの少なくとも１つの第２の部分の方が規定の倍率だけ大きいことにより確保されることは、欠陥に対する集束粒子ビームのドリフトが顕著な場合であっても、少なくとも１つの第１の基準マークの走査が第１の犠牲層上で実質的に完全に実行されることである。これにより、サンプルにおいて電荷担体が制御不能に局所的発生することはなくなる。

【0171】

サンプル上の直接的な堆積ではなく、少なくとも１つの第１の基準マークを第１の犠牲層に取り付けることによって、付加的な自由度が得られる。このため、サンプルの処理プロセスの終了時に、サンプルから容易かつ実質的に完全に除去し得るように第１の犠牲層を設計可能である。この制約がない場合は、第１の基準マークの位置の多重決定と、実質的に変化しないサンプルの１つまたは複数の拡張処理プロセスと、の両者に耐えるように少なくとも１つの第１の基準マークを設計可能である。

【0172】

一例として、堆積した第１の犠牲層の少なくとも１つの第２の部分のエリアとしては、方形も可能であるし、矩形も可能である。横方向寸法は、矩形の短辺に関連する。少なくとも１つの第２の部分の面積は、少なくとも１本の集束粒子ビームの走査領域の面積に対して適応され得る。

【0173】

少なくとも１つの第２の部分の横方向範囲は、１０ｎｍ～１０００μｍ、好ましくは５０ｎｍ～５００μｍ、より好ましくは２００ｎｍ～１００μｍ、最も好ましくは５００ｎｍ～５０μｍの範囲の横方向寸法を有していてもよい。

【0174】

少なくとも１つの第２の部分の厚さは、０．１ｎｍ～１０００ｎｍ、好ましくは０．５ｎｍ～２００ｎｍ、より好ましくは１ｎｍ～１００ｎｍ、最も好ましくは２ｎｍ～５０ｎｍの範囲を有していてもよい。

【0175】

第１の犠牲層を生成するステップは、少なくとも１つの第１の前駆体ガスと組み合わせて集束粒子ビームにより第１の犠牲層を堆積させることを含んでいてもよい。集束粒子ビームは、電子ビームを含んでいてもよい。

【0176】

少なくとも１つの第１の前駆体ガスは、第１の犠牲層の第１の部分を堆積させるための少なくとも１つの第１の堆積ガスと、第１の犠牲層の少なくとも１つの第２の部分を堆積させるための少なくとも１つの第２の堆積ガスと、第１の犠牲層の導電性接続を堆積させるための少なくとも１つの第３の堆積ガスと、を含んでいてもよい。少なくとも１つの第１の堆積ガス、少なくとも１つの第２の堆積ガス、および少なくとも１つの第３の堆積ガスは、単一の堆積ガスを含んでいてもよいし、２つの異なる堆積ガスを含んでいてもよいし、３つの異なる堆積ガスを含んでいてもよい。第１の部分、１つもしくは複数の第２の部分、ならびに導電性接続のさまざまな機能は、それぞれに適応された材料組成によって最適化され得る。

【0177】

少なくとも１つの第１の前駆体ガスは、添加ガスとしてのモリブデンヘキサカルボニル（Ｍｏ（ＣＯ）₆）および二酸化窒素（ＮＯ₂）を含んでいてもよく、ならびに／または、第１の前駆体ガスは、クロムヘキサカルボニル（Ｃｒ（ＣＯ）₆）を含んでいてもよい。

【0178】

少なくとも１つの第１の基準マークを生成するステップは、少なくとも１つの第２の前駆体ガスと組み合わせて集束粒子ビームを使用して少なくとも１つの第１の基準マークを堆積させることを含んでいてもよい。少なくとも１つの第１の基準マークを堆積させるための集束粒子ビームは、電子ビームを含んでいてもよい。

【0179】

第１の犠牲層および少なくとも１つの第１の基準マークは、１つの粒子ビームまたは異なる粒子ビームを使用して堆積可能である。一例としては、第１の犠牲層が電子ビームを使用して堆積し、少なくとも１つの第２の基準マークがイオンビームを使用して堆積するようになっていてもよい。

【0180】

第１の犠牲層を堆積させるための少なくとも１つの第１の前駆体ガスは、金属アルキル、遷移元素アルキル、主族アルキル、金属カルボニル、遷移元素カルボニル、主族カルボニル、金属アルコキシド、遷移元素アルコキシド、主族アルコキシド、金属錯体、遷移元素錯体、主族錯体、および有機化合物から成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。

【0181】

少なくとも１つの基準マークを堆積させるための少なくとも１つの第２の前駆体ガスは、金属アルキル、遷移元素アルキル、主族アルキル、金属カルボニル、遷移元素カルボニル、主族カルボニル、金属アルコキシド、遷移元素アルコキシド、主族アルコキシド、金属錯体、遷移元素錯体、主族錯体、および有機化合物から成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。

【0182】

金属アルキル、遷移元素アルキル、および主族アルキルは、シクロペンタジエニル（Ｃｐ）トリメチル白金（ＣｐＰｔＭｅ₃）、メチルシクロペンタジエニル（ＭｅＣｐ）トリメチル白金（ＭｅＣｐＰｔＭｅ₃）、テトラメチルスズ（ＳｎＭｅ₄）、トリメチルガリウム（ＧａＭｅ₂）、フェロセン（Ｃｏ₂Ｆｅ）、およびビスアリールクロム（Ａｒ₂Ｃｒ）から成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。金属カルボニル、遷移元素カルボニル、および主族カルボニルは、クロムヘキサカルボニル（Ｃｒ（ＣＯ）₆）、モリブデンヘキサカルボニル（Ｍｏ（ＣＯ）₆）、タングステンヘキサカルボニル（Ｗ（ＣＯ）₆）、ジコバルトオクタカルボニル（Ｃｏ₂（ＣＯ）₈）、トリルテニウムドデカカルボニル（Ｒｕ₃（ＣＯ）₁₂）、および鉄ペンタカルボニル（Ｆｅ（ＣＯ）₅）から成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。金属アルコキシド、遷移元素アルコキシド、および主族アルコキシドは、オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ、Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄）およびテトライソプロポキシチタン（Ｔｉ（ＯＣ₃Ｈ₇）₄）から成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。金属ハロゲン化物、遷移元素ハロゲン化物、および主族ハロゲン化物は、六フッ化タングステン（ＷＦ₆）、六塩化タングステン（ＷＣｌ₆）、六塩化チタン（ＴｉＣｌ₆）、三塩化ホウ素（ＢＣｌ₃）、および四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ₄）から成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。金属錯体、遷移元素錯体、および主族錯体は、銅ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナート）（Ｃｕ（Ｃ₅Ｆ₆ＨＯ₂）₂）およびジメチルゴールドトリフルオロアセチルアセトナート（Ｍｅ₂Ａｕ（Ｃ₅Ｆ₃Ｈ₄Ｏ₂））から成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。有機化合物は、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ₂）、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、真空ポンプ油の成分、および揮発性有機化合物からなる群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。

【0183】

少なくとも１つの第１の基準マークを生成するステップは、第１の犠牲層の少なくとも１つの第２の部分に少なくとも１つの窪みをエッチングすることを含んでいてもよい。少なくとも１つの窪みをエッチングすることは、少なくとも１つの第３の前駆体ガスと組み合わせて集束粒子ビームを使用して局所的エッチングプロセスを実行することを含んでいてもよい。集束粒子ビームは、電子ビームおよび／またはイオンビームを含んでいてもよい。

【0184】

少なくとも１つの第３の前駆体ガスは、少なくとも１つのエッチングガスを含んでいてもよい。少なくとも１つのエッチングガスは、ハロゲン含有化合物および酸素含有化合物から成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。ハロゲン含有化合物は、フッ素（Ｆ₂）、塩素（Ｃｌ₂）、臭素（Ｂｒ₂）、ヨウ素（Ｉ₂）、二フッ化キセノン（ＸｅＦ₂）、四フッ化ジキセノン（Ｘｅ₂Ｆ₄）、フッ化水素酸（ＨＦ）、ヨウ化水素（ＨＩ）、臭化水素（ＨＢｒ）、塩化ニトロシル（ＮＯＣｌ）、三塩化リン（ＰＣｌ₃）、五塩化リン（ＰＣｌ₅）、および三フッ化リン（ＰＦ₃）からなる群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。酸素含有化合物は、酸素（Ｏ₂）、オゾン（Ｏ₃）、水蒸気（Ｈ₂Ｏ）、過酸化水素（Ｈ₂Ｏ₂）、亜酸化窒素（Ｎ₂Ｏ）、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ₂）、および硝酸（ＨＮＯ₃）から成る群の少なくとも１つの要素を含んでもよい。

【0185】

少なくとも１つの第１の前駆体ガス、少なくとも１つの第２の前駆体ガス、および／または少なくとも１つの第３の前駆体ガスは、酸化剤、ハロゲン化物、および還元剤から成る群の少なくとも１つの添加ガスを含んでいてもよい。

【0186】

酸化剤は、酸素（Ｏ₂）、オゾン（Ｏ₃）、水蒸気（Ｈ₂Ｏ）、過酸化水素（Ｈ₂Ｏ₂）、亜酸化窒素（Ｎ₂Ｏ）、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ₂）、および硝酸（ＨＮＯ₃）から成る群の少なくとも１つの要素を含んでもよい。ハロゲン化物は、塩素（Ｃｌ₂）、塩酸（ＨＣｌ）、二フッ化キセノン（ＸｅＦ₂）、フッ化水素酸（ＨＦ）、要素（Ｉ₂）、ヨウ化水素（ＨＩ）、臭素（Ｂｒ₂）、臭化水素（ＨＢｒ）、塩化ニトロシル（ＮＯＣｌ）、三塩化リン（ＰＣｌ₃）、五塩化リン（ＰＣｌ₅）、および三フッ化リン（ＰＦ₃）からなる群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。還元剤は、水素（Ｈ₂）、アンモニア（ＮＨ₃）、およびメタン（ＣＨ₄）からなる群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。

【0187】

第１の前駆体ガスがモリブデンヘキサカルボニル（Ｍｏ（ＣＯ）₆）を含むことが可能であり、少なくとも１つの添加ガスが二酸化窒素（ＮＯ₂）を含むことが可能であり、および／または、第２の前駆体ガスがテトラエチルオルトシリケート（Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄）またはクロムヘキサカルボニル（Ｃｒ（ＣＯ）₆）を含むことが可能である。

【0188】

上述の方法は、少なくとも１つの欠陥の修復前に、少なくとも１つの欠陥を覆う第１の犠牲層の第１の部分の部分を除去するステップをさらに含んでいてもよい。

【0189】

少なくとも１つの欠陥を覆う第１の犠牲層の第１の部分を除去するステップが、少なくとも１つの第４の前駆体ガスを使用して粒子ビーム誘起エッチングプロセスを実行することを含んでいてもよい。少なくとも１つの第４の前駆体ガスは、少なくとも１つの第２のエッチングガスを含んでいてもよい。少なくとも１つの第２のエッチングガスは、上掲の第１のエッチングガスの群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。犠牲層の第１の部分を堆積させるための第１の堆積ガスは、クロムヘキサカルボニル（Ｃｒ（ＣＯ）₆）およびモリブデンヘキサカルボニル（Ｍｏ（ＣＯ）₆）のから成る群の要素を含んでいてもよく、犠牲層の第１の部分を除去するための少なくとも１つの第２のエッチングガスは、塩化ニトロシル（ＮＯＣｌ）自体または少なくとも１つの添加ガス（たとえば、水（Ｈ₂Ｏ））との組み合わせを含んでいてもよい。

【0190】

少なくとも１つの第１の基準マークを第１の犠牲層の少なくとも１つの第２の部分にエッチングするための前駆体ガスは、添加ガス（たとえば、酸素（Ｏ₂）、水（Ｈ₂Ｏ）、または塩素（Ｃｌ₂）と組み合わせた二フッ化キセノン（ＸｅＦ₂）を含んでいてもよい。あるいは、たとえば塩化ニトロシル（ＮＯＣｌ）自体または添加ガス（たとえば、水（Ｈ₂Ｏ））との組み合わせが第１の基準マークの生成に使用されるようになっていてもよい。

【0191】

少なくとも１つの欠陥は、過剰材料の欠陥を含んでいてもよく、この方法は、第１の犠牲層を少なくとも部分的に通して、少なくとも１つの欠陥を修復するステップをさらに含んでいてもよい。

【0192】

修復対象の過剰材料の欠陥の全体にわたって一部または全部が延びている第１の犠牲層または第１の犠牲層の第１の部分は、たとえば局所的粒子ビーム誘起エッチングプロセスを使用して、サンプルから単一のプロセスステップにて除去されるようになっていてもよい。この場合、欠陥のエッチング速度と第１の犠牲層の第１の部分の材料のエッチング速度とが相互に大きく異なる場合は、エッチングガスおよび／または添加ガスがエッチングプロセスの進行に対して適応され得る。さらに、粒子ビームの他のビームパラメータおよび／または他のプロセスパラメータをエッチングプロセスの進行に対して適応させることも可能である。局所的エッチングプロセスの進行は、エッチングプロセス中に生成される後方散乱電子または二次電子を分析することにより決定され得る。この追加または代替として、除去材料は、たとえばＳＩＭＳ（二次イオン質量分光）分析により分析され得る。このため、イオンビームが粒子ビームとして使用されるのが好ましい。さらに、エッチング速度は、犠牲層および除去対象の材料のエッチングプロセスの別々の最適化により校正され得る。一例として、これは、エッチングシーケンスの実行により実施され得る。

【0193】

第１の犠牲層の第１の部分および少なくとも１つの第２の部分は、少なくとも１つの欠陥を修復する動作によって、少なくとも１つの欠陥を含む像断面が１０％以下、好ましくは５％以下、より好ましくは２％以下、最も好ましくは１％以下だけ歪むような横方向範囲を有していてもよい。集束粒子ビームによって欠陥を修復する動作により、導電性犠牲層が帯電する可能性がある。犠牲層が帯電すると、欠陥または欠陥残留物を含む像断面の歪みが生じ得る。像断面の歪みは、修復プロセスの開始前の像断面と関連する。

【0194】

犠牲層の帯電は、集束粒子ビームの結像パラメータに対して局所的な影響を及ぼす可能性があり、その結果、前記結像パラメータが局所的に変動する可能性がある。局所的な変化（たとえば、走査集束粒子ビームにより生成された像の倍率の局所的な変動）の結果、結像パラメータ（たとえば、倍率）が局所的にも変動していない像と比較して、像が歪む。

【0195】

第１の部分、少なくとも１つの第２の部分、および導電性接続は、金属、金属含有化合物、導電性セラミック、およびドープされた半導体化合物から成る群の少なくとも１つの要素を含む材料組成を有していてもよい。

【0196】

金属は、モリブデン、コバルト、クロム、ニオブ、タングステン、レニウム、ルテニウム、およびチタンから成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。金属含有化合物は、モリブデン合金、コバルト含有化合物、クロム含有化合物、ニオブ含有化合物、タングステン含有化合物、レニウム含有化合物、およびチタン含有化合物から成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。金属含有化合物は、窒素、酸素、フッ素、塩素、炭素、およびケイ素から成る群の元素を含んでいてもよい。ドープされた半導体化合物は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、およびアンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）から成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。導電性セラミックは、ケイ化モリブデンを含んでいてもよい。

【0197】

第１の部分、少なくとも１つの第２の部分、および導電性接続は、異なる材料組成を有していてもよい。

【0198】

第１の犠牲層および少なくとも１つの第１の基準マークは、異なる材料組成を有していてもよい。

【0199】

これにより、少なくとも１つの第１の基準マークの走査に際して、第１の基準マークのトポロジの差異のほか、第１の犠牲層の少なくとも１つの第２の部分と少なくとも１つの第１の基準マークとの間に材料の差異も生じる。

【0200】

少なくとも１つの欠陥は、過剰材料の欠陥を含んでいてもよく、少なくとも１つの欠陥を修復する動作は、集束粒子ビームにより誘起されるエッチングプロセスのエッチング速度が少なくとも１つの欠陥および第１の部分に対して実質的に同じとなるように、第１の犠牲層の第１の部分、少なくとも１つの第２のエッチングガス、および／または少なくとも１つの添加ガスの材料組成を選択することを含んでいてもよい。

【0201】

この条件を満たすことによって、欠陥の局所的エッチングの場合に生じるエッチング領域の縁部における曲線の丸みを最小限に抑えることができる。さらに、欠陥補正の範囲内でのサンプルのアンダーエッチングを回避することができる。同時に、この条件を観測することによって、サンプルのエッチング領域の側壁を最大限に急峻化することが容易になる。

【0202】

サンプルは、リソグラフィサンプルを含んでいてもよい。リソグラフィサンプルは、ナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ）用のフォトマスクおよびスタンプから成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。ただし、サンプルは、フォトマスク、ＮＩＬ用スタンプ、集積回路（ＩＣ）、フォトニック集積回路（ＰＩＣ）、マイクロシステム（ＭＥＭＳ（微小電気機械システム）もしくはＭＯＥＭＳ（微小光電気機械システム））、ならびにプリント配線板（ＰＣＢ）から成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。集積回路および／またはフォトニック集積回路は、ウェハ上に配置されていてもよい。フォトマスクは、如何なる種類の透過型または反射型フォトマスク（たとえば、バイナリまたは位相シフトマスク）であってもよい。

【0203】

この方法は、集束粒子ビームでサンプルを走査することにより、サンプルの欠陥マップを生成するステップをさらに含んでいてもよい。

【0204】

サンプルを走査するステップは、集束粒子ビームを使用してサンプルの少なくとも１つの欠陥を走査することを含んでいてもよい。サンプルを走査するための集束粒子ビームは、第１の犠牲層の生成、少なくとも１つの第１の基準マークの生成、および／または局所的欠陥処理プロセスの開始に使用される粒子ビームを含んでいてもよい。ただし、サンプルの走査の範囲内においては、第１の粒子ビーム（たとえば、光子ビーム）を使用して少なくとも１つの欠陥を識別するとともに、第２の粒子ビーム（たとえば、電子ビーム）を使用して少なくとも１つの欠陥の修復形状の輪郭を検出することも可能である。

【0205】

上述の方法を実行する装置は、サンプル検査装置から、サンプルの少なくとも１つの欠陥の座標を受信するようにしてもよい。サンプルの欠陥マップには、サンプルの少なくとも１つの欠陥を含んでいてもよい。特に、欠陥マップは、少なくとも１つの欠陥を修復するための修復形状を含んでいてもよい。

【0206】

この方法は、少なくとも１つの第２の基準マークをサンプル上に生成するステップと、少なくとも１つの第２の基準マークと第１の犠牲層の生成開始前の少なくとも１つの欠陥との間の少なくとも１つの第２の基準距離を決定するステップと、をさらに含んでいてもよい。

【0207】

さらに、この方法は、少なくとも１つの第２の犠牲層をサンプル上に生成するステップと、少なくとも１つの第２の基準マークを少なくとも１つの第２の犠牲層上に堆積させるステップと、少なくとも１つの第２の基準マークと第１の犠牲層の生成開始前の少なくとも１つの欠陥との間の少なくとも１つの第２の基準距離を決定するステップと、を含んでいてもよい。

【0208】

少なくとも１つの第２の基準マークは、第１の犠牲層の堆積中のドリフトの補正に必要である。さらに、少なくとも１つの第２の基準マークは、少なくとも１つの欠陥を覆う第１の犠牲層の第１の部分の除去中のドリフトの補正に必要である。したがって、プロセス経済性の理由から、少なくとも１つの第２の犠牲層の堆積を省き、第２の基準マークをサンプルに直接適用するのが好都合となり得る。そしてこの場合も、少なくとも１つの第２の犠牲層の堆積によって付加的な自由度が得られ、これにより、サンプルからの少なくとも１つの第２の基準マークの除去を簡素化し得る。

【0209】

少なくとも１つの第２の基準距離は、少なくとも１つの第１の基準距離よりも大きくてもよい。

【0210】

少なくとも１つの第２の基準距離および少なくとも１つの第２の基準マークは、第１の犠牲層が堆積した状態で、集束粒子ビームと少なくとも１つの欠陥との間のドリフトの補正に必要である。したがって、少なくとも１つの第２の基準マークが第１の犠牲層により覆われていなければ非常に都合が良い。これにより、少なくとも１つの第２の基準マークの機能が確保される。

【0211】

さらに、この方法は、第１の犠牲層を生成することと、少なくとも１つの第２の基準マークおよび少なくとも１つの第２の基準距離の使用により、少なくとも１つの欠陥から、少なくとも１つの欠陥を覆う第１の犠牲層の第１の部分を除去することと、から成る群の少なくとも１つの要素を実行している間にドリフトを補正するステップを含んでいてもよい。

【0212】

プロセス処理の継続時間は、修復対象の欠陥に関して第１の犠牲層を可能な限り正確に堆積させることにより最適化され得る。一例として、欠陥を実質的に覆うことなく、その周りに第１の犠牲層を堆積可能であるなら、修復に先立って欠陥を露出させる目的で第１の犠牲層の第１の部分を除去するためのエッチングプロセスを省くことができる。

【0213】

この方法は、湿式化学的洗浄プロセスおよび／または機械的洗浄プロセスの範囲内において、サンプルから、第１の犠牲層および少なくとも１つの第１の基準マークを一体的に除去するステップをさらに含んでいてもよい。

【0214】

ここに記載の方法の利点として、標準的な洗浄プロセスにより、サンプルから、少なくとも１つの第１の基準マークを第１の犠牲層とともに除去可能である。さらに、この方法によれば、欠陥処理プロセス中に第１の犠牲層がそのさまざまな機能を完全に果たし得るとともに、欠陥修復の終了時にサンプルから容易に除去され得るように、サンプルに対して第１の犠牲層の材料組成を一致させることが可能となる。

【0215】

さらに、この方法は、湿式化学的洗浄プロセスの範囲内において、サンプルから、第１の犠牲層、少なくとも１つの基準マーク、および少なくとも１つの第１の基準マークを一体的に除去するステップを含んでいてもよい。

【0216】

この方法は、湿式化学的洗浄プロセスおよび／または機械的洗浄プロセスの範囲内において、サンプルから、第１の犠牲層、少なくとも１つの第２の犠牲層、少なくとも１つの第１の基準マーク、および少なくとも１つの第２の基準マークを一体的に除去するステップを追加で含んでいてもよい。

【0217】

湿式化学的洗浄プロセスは、少なくとも１つの酸化ガスが溶解した水を使用して実行可能である。酸化ガスは、酸素（Ｏ₂）、窒素（Ｎ₂）、および水素（Ｈ₂）から成る群の少なくとも１つの要素を含んでいてもよい。さらに、水性洗浄溶液は、５未満、好ましくは３．５未満、より好ましくは２未満、最も好ましくは１未満のｐＨ値を有し得る。

【0218】

機械的洗浄プロセスは、超音波および／または極超音波の適用を含んでいてもよい。また、洗浄対象のサンプルの領域への物理的な力の作用による洗浄も可能である。

【0219】

さらに、この方法は、集束粒子ビーム誘起エッチングプロセスによって、サンプルから、第１の犠牲層および少なくとも１つの第１の基準マークを一体的に除去するステップを含んでいてもよい。さらに、粒子ビーム（たとえば、光子ビーム）を使用して第１の犠牲層および少なくとも１つの第１の基準マークを除去することも考えられる。

【0220】

この方法は、集束粒子ビームにより誘起されるエッチングプロセスによって、サンプルから、第１の犠牲層、少なくとも１つの第１の基準マーク、および少なくとも１つの第２の基準マークを一体的に除去するステップを追加で含んでいてもよい。

【0221】

この方法は、集束粒子ビームにより誘起されるエッチングプロセスによって、サンプルから、第１の犠牲層、少なくとも１つの第２の犠牲層、少なくとも１つの第１の基準マーク、および少なくとも１つの第２の基準マークを一体的に除去するステップをさらに含んでいてもよい。

【0222】

集束粒子ビームにより誘起される局所的エッチングプロセスによって、第１の犠牲層および／または少なくとも１つの第２の犠牲層とともに、サンプルから、少なくとも１つの第１の基準マークおよび少なくとも１つの第２の基準マークを除去することも可能である。第１および／もしくは第２の基準マークならびに第１および／もしくは第２の犠牲層を除去するための集束粒子ビームとしては、基準マークおよび／または犠牲層の生成に使用される粒子ビームが可能である。さらに、集束粒子ビームとしては、欠陥処理の実行に使用される粒子ビームが可能である。犠牲層の材料組成は、単純な除去性（たとえば、局所的粒子ビーム誘起エッチングプロセスによる犠牲層の単純なエッチング性）の観点から選択され得る。犠牲層および基準マークの一体的除去に好ましい粒子ビームは、電子ビームを含む。

【0223】

本願に記載の方法の利点として、犠牲層および基準マークの両者を単一の装置を使用して生成可能であり、この装置は、少なくとも１つの欠陥の処理および関連する基準マークと併せた犠牲層の除去に同時に使用可能である。これは、欠陥修復プロセス全体において、装置の真空を破壊する必要がないことを意味する。

【0224】

サンプルは、上述の方法を使用して修復される少なくとも１つの欠陥を有していてもよい。

【0225】

コンピュータプログラムは、上記説明の方法ステップの実行をコンピュータシステムに促す命令を含み得る。コンピュータプログラムは、コンピュータ可読記憶媒体に格納可能である。

【0226】

実施形態１９において、集束粒子ビームを使用してサンプルの少なくとも１つの欠陥を修復するための装置は、（ａ）少なくとも１つの第１の局所的導電性犠牲層をサンプル上に生成するための手段であり、第１の局所的導電性犠牲層が、第１の部分および少なくとも１つの第２の部分を有し、第１の部分が、少なくとも１つの欠陥に近接し、第１の部分および少なくとも１つの第２の部分が、相互に導電接続されている、手段と、（ｂ）修復中の少なくとも１つの欠陥に関して、集束粒子ビームのドリフトを補正するために、少なくとも１つの第１の基準マークを第１の局所的導電性犠牲層の少なくとも１つの第２の部分上に生成するための手段と、を備える。

【0227】

第１の犠牲層を生成するための手段は、少なくとも１本の電子ビームを含むことができ、この装置は、サンプルに衝突する電子の運動エネルギーが３０００ｅＶ未満、好ましくは２０００ｅＶ未満、より好ましくは１０００ｅＶ未満、最も好ましくは６００ｅＶ未満である場合に、電子ビームを直径２ｎｍ未満で集束させるように構成可能である。

【0228】

集束電子ビームの焦点直径の最小化には、局所的処理プロセスすなわちエッチングプロセスまたは堆積プロセスが作用する面積の縮小を伴う。最小焦点直径が２ｎｍ未満であれば、局所的処理エリアの最小直径が１０ｎｍ未満になる。さらに、少なくとも１つの基準マークの走査および少なくとも１つの欠陥の処理のための運動エネルギーが低い電子を使用する結果として、集束粒子ビームによるサンプルへの損傷を最小限に抑えることができる。

【0229】

この装置は、上述の方法の方法ステップを実行するように構成可能である。また、この装置は、コンピュータシステムとして設計可能であり、前述のコンピュータプログラムを含むことができる。

【0230】

この装置は、単段コンデンサシステムを有する電子カラムを備えていてもよい。さらに、電子カラムは、一組の異なる絞りを使用するように構成されていてもよい。ビーム電流は、絞りの選択により制御され得る。単段コンデンサシステムは、低運動エネルギーの電子を小さなスポットに集束させるように構成されていてもよい。電子カラムの出力とサンプルとの間の作動距離としては、５ｍｍ未満、好ましくは４ｍｍ未満、より好ましくは３ｍｍ未満、最も好ましくは２．５ｍｍ未満が可能である。

【0231】

この装置は、第１の基準距離および／または第２の基準距離を決定するように構成されている制御装置を備え得る。さらに、制御装置は、この装置の如何なるパラメータの変更もなく、少なくとも１つの欠陥の処理および少なくとも１つの第１の基準マークの走査が実行され得るように、少なくとも１つの第１の基準マークと少なくとも１つの欠陥との間の距離を規定するように構成可能である。さらに、制御装置は、１つまたは複数の第１の基準マークを生成すべきサンプル上の１つまたは複数の部位を決定するように構成可能である。集束粒子ビームの焦点直径を把握することにより、この装置の制御装置は、第１の基準マークのサイズを決定することができる。第１および第２の基準マークのサイズは、第一に基準マークの面積を含み、第二に高さを含む。

【0232】

以下の詳細な説明では、図面を参照して、本発明の現時点で好ましい例示的な実施形態を記載する。

【図面の簡単な説明】

【0233】

【図1a】従来技術に係る、粒子ビーム誘起エッチングプロセスの形態のサンプルの局所的欠陥処理プロセスの模式断面図である。

【図1b】図１ａの欠陥処理プロセスの結果を再現する図である。

【図2】サンプルの欠陥の高精度修復に使用可能な装置のいくつかの重要な構成要素を表す模式ブロック図である。

【図3a】欠陥、４つの第２の犠牲層、集束粒子ビームの走査領域が関連付けられている４つの第２の基準マーク、および第２の基準マークと欠陥との間の４つの第２の基準距離を示すフォトマスクの基板の断面を表す模式平面図である。

【図3b】基準マークがフォトマスクの基板またはパターン要素上に直接堆積している、図３ａの改良を示す図である。

【図4】欠陥を覆う第１の部分と、４つの第１の基準マークが生成されている第２の部分と、を有する第１の犠牲層の第１の例示的な実施形態が堆積した、図３ａの断面を再現する図である。

【図5】欠陥およびその周囲を覆う第１の部分と、第１の基準マークがそれぞれ堆積した４つの第２の部分と、を有する第１の犠牲層の第２の例示的な実施形態が堆積した、図３ａの断面を再現する図である。

【図6】局所的粒子ビーム誘起エッチングプロセスを第１の犠牲層の第１の部分に対して実行することにより欠陥を露出させた後の図５を再現する図である。

【図7】第１の基準マークと明瞭化対象の欠陥との間の第１の基準距離を追加した、図６を再現する図である。

【図8】欠陥処理プロセスの終了時の図７を表す図である。

【図9】関連する４つの第１および４つの第２の基準マークとともに第１の犠牲層および４つの第２の犠牲層を除去した後の図３ａの修復断面を示す図である。

【図10】粒子ビーム誘起エッチングプロセスが実行される第１の厚い犠牲層を伴うナノインプリントリソグラフィ用のスタンプの断面を示す図である。

【図11】第２の薄い犠牲層を伴う図１０を表す図である。

【図12】図１０および図１１に記載の粒子ビーム誘起エッチングプロセスならびに犠牲層を伴わない比較プロセスに関して、エッチング深さの関数としての公称深さの１０％に対応する深さにおいて生成された窪みの幅または直径に関連する測定データを示す図である。

【図13】エッチングされた窪みの直径を公称エッチング深さの５０％で測定した、図１２を再現する図である。

【図14】図１０および図１１のエッチングプロセスならびに犠牲層を伴わない比較プロセスの側壁角に関連する測定データを示す図である。

【図15】犠牲層を通じたＮＩＬスタンプの粒子ビーム誘起エッチングプロセスであって、スタンプの材料よりも大きな速度で犠牲層がエッチングされる、プロセスの結果を示す図である。

【図16】犠牲層のエッチング速度がスタンプの材料のエッチング速度よりも小さい、図１５を繰り返す図である。

【図17】犠牲層およびスタンプのエッチング速度が実質的に同じである、図１５を繰り返す図である。

【図18】サンプルの少なくとも１つの欠陥を修復するための方法のフローチャートを再現する図である。

【発明を実施するための形態】

【0234】

以下、サンプルを修復するための本発明に係る方法および本発明に係る装置の現時点で好ましい実施形態を説明する。この方法は、ナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ）用のフォトマスクおよびスタンプを参照して記載する。さらに、ＮＩＬ用のフォトリソグラフィマスクまたはテンプレートの欠陥修復に使用し得る改良された走査型電子顕微鏡の例を使用して、本発明に係る装置を説明する。

【0235】

ただし、本発明に係る方法および本発明に係る装置は、後述の例に限定されない。当業者であれば、局所的堆積プロセスおよび／またはエッチングプロセスを開始するためのエネルギー源として、論じられた走査型電子顕微鏡の代わりに、たとえば集束イオンビームおよび／または集束光子ビームを使用する任意の走査型粒子顕微鏡を採用可能であることが難なく認識されよう。さらに、本発明に係る方法は、例として以下に論じるフォトマスクおよびＮＩＬスタンプの形態のサンプルの使用に限定されない。むしろ、上記第３項に例示として掲載した任意のサンプルの実施形態の修復に使用可能である。

【0236】

図１ａは、従来技術に係る、サンプル１００の欠陥１２０の修復プロセスの模式断面図である。図１ａに示す例において、サンプル１００は、不十分な窪みのエッチングが意図されるウェハ１００を含む。すなわち、サンプル１００は、過剰材料の欠陥１２０を有する。窪みを生成するためのエッチングプロセス中のサンプル１００に対する集束粒子ビーム１３０のドリフトを制御する目的で、２つの基準マーク１６０がサンプル１００上に堆積している。粒子ビーム１３０による基準マーク１６０の走査時に生じる損傷に対してサンプル１００を保護するため、基準マーク１６０は、犠牲層１４０上に堆積している。当技術分野においては、基準マーク１６０をＤＣ（ドリフト補正）マークと称する。

【0237】

粒子ビームを使用したサンプル１００の走査に際しては、静電ポテンシャルφ₁を生じる電荷がサンプル１００の表面上に生成され得る。同様に、粒子ビーム１３０を使用した基準マーク１６０の走査に際しては、犠牲層１４０の帯電φ₂を生じる得る電荷が犠牲層１４０に生成または注入され得る。犠牲層１４０が帯電すると、サンプル１００走査時の荷電粒子ビーム１３０（たとえば、電子ビーム１３０）の第１の偏向と、犠牲層１４０または基準マーク１６０走査時の前記ビームの第２の偏向と、が生じる。

【0238】

集束粒子ビーム１３０を使用した欠陥１２０の走査時および欠陥１２０の補正を目的とした粒子ビーム誘起エッチングプロセスの実行時には、サンプル１００の局所的帯電φ₂の問題も同様に発生する。通常、犠牲層１４０の帯電φ₂は、サンプル１００の局所的帯電φ₁とは異なる。したがって、欠陥１２０の領域におけるサンプル１００の走査時には、基準マーク１６０の検出を目的とした犠牲層１４０の走査時と異なるように荷電粒子ビーム１３０が偏向する。

【0239】

図１ｂは、図１ａの欠陥修復プロセスの結果を模式的に示している。第一に、欠陥補正のために実行された粒子ビーム誘起局所的エッチングプロセスの欠陥１２０の周りの縁部１７０に対する作用によって、修復された欠陥１２０の周りのサンプル１００の縁部１７０が丸み１８０を帯びている。第二に、欠陥修復により生成された側壁角１９０は、９０°の規定側壁角と大幅に異なる。

【0240】

後述の装置２００は、図１ｂと比較して、修復プロセスを実行した結果の改善が可能である。図２は、サンプル２０５の分析および／または修復に使用可能な装置２００の必須構成要素を模式的に示している。サンプル２０５は、如何なる微細構造コンポーネントまたは構造部であってもよい。一例として、サンプル２０５は、ＮＩＬ用の透過型フォトマスク、反射型フォトマスク、またはテンプレートを含んでいてもよい。さらに、装置２００は、たとえば集積回路（ＩＣ）、微視的システム（ＭＥＭＳ、ＭＯＥＭＳ）、および／またはフォトニック集積回路（ＰＩＣ）の分析および／または修復に用いられるようになっていてもよい。以下に説明する例において、サンプル２０５は、フォトリソグラフィマスクまたはＮＩＬスタンプである。

【0241】

図２の例示的な装置２００は、改良された走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）である。電子銃２１５が電子ビーム２２７を生成すると、ビーム成形素子２２０およびビーム偏向素子２２５によって、サンプルステージ２１０上に配置されているサンプル２０５へと集束電子ビーム２２７として案内される。

【0242】

ビーム成形素子２２０は、単段コンデンサシステム２１８を具備する。単段コンデンサシステム２１８は、サンプル２０５上のスポット径が非常に小さな（Ｄ＜２ｎｍ）集束電子ビーム２２７のサンプル２０５上での生成を容易化すると同時に、サンプル２０５上での電子ビーム２２７の電子の運動エネルギーを低くする（Ｅ＜１ｋｅＶ）。ＳＥＭは、小さなスポット径をサンプル２０５上に生成するため、サンプル２０５からの作動距離が短い。作動距離は、３ｍｍ未満の寸法を有していてもよい。低エネルギー電子は、非常に高い空間分解能での実質的に損傷のないサンプル２０５の処理を容易化する。ただし、電子ビーム２２７の電子の運動エネルギーが低いことから、サンプル１００の帯電φ₂および／または犠牲層１６０の帯電φ₁により、電子ビームは不要な偏向の影響を特に受けやすくなる。この問題は、以下の図面に記載の措置により回避される。

【0243】

さらに、ビーム成形素子２２０は、一組の異なる絞りを具備する。電子ビーム２２７のビーム電流は、適当な絞りの選択により制御される。

【0244】

サンプルステージ２１０は、マイクロマニピュレータ（図２には示さず）を有しており、これによって、サンプル２０５上の欠陥部位１２０をサンプル２０５上の電子ビーム２２９の入射点の直下に移動可能となる。また、電子ビーム２２７の焦点がサンプル２０５の表面上となるように、サンプルステージ２１０を高さ方向すなわち電子ビーム２２７のビーム方向に変位可能である（同様に、図２には示さず）。さらに、サンプルステージ２１０は、サンプル２０５を規定温度にして保つことができる温度設定および温度制御のための装置を備え得る（図２には示さず）。

【0245】

図２の装置２００は、サンプル２０５上の局所的化学反応を開始するためのエネルギー源２１５として、電子ビーム２２７を使用する。上記説明の通り、サンプル２０５の表面に入射する電子は、それぞれの運動エネルギーが広いエネルギー範囲にわたって変動する場合であっても、たとえばイオンビームと比較して、サンプル２０５への損傷が少なくなる。ただし、ここに提示の装置２００および方法は、電子ビーム２２７の使用に限定されない。むしろ、サンプル２０５の表面上の電子ビーム２２７の入射点２２９において前駆体ガスの化学反応を局所的にもたらし得る任意の所望の粒子ビーム２２７を使用可能である。代替的な粒子ビームの例は、イオンビーム、原子ビーム、分子ビーム、および／または光子ビームである。さらに、２つ以上の粒子ビームを並行して使用することができる。特に、電子ビーム２２７および光子ビームをエネルギー源２１５として同時に使用することができる（図２には示さず）。

【0246】

電子ビーム２２７は、サンプル２０５（たとえば、フォトマスク）、特に、フォトマスクのサンプル２０５の欠陥部位１２０の像の記録に使用可能である。後方散乱電子および／または二次電子を検出するための検出器２３０がサンプル２０５の表面輪郭および／または組成に比例する信号を供給する。

【0247】

制御装置２４５によってサンプル２０５の全体で電子ビーム２２７を走査することにより、装置２００のコンピュータシステム２４０がサンプル２０５の像を生成することができる。制御装置２４５は、図２に示すように、コンピュータシステム２４０の一部であってもよいし、別個のユニットとして実行されていてもよい（図２には示さず）。コンピュータシステム２４０は、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、またはこれらの組み合わせにて実現され、検出器２３０の測定データからの像の抽出を可能にするアルゴリズムを含み得る。そして、コンピュータシステム２４０の画面（図２には示さず）が算出像を表し得る。さらに、コンピュータシステム２４０は、検出器２３０の測定データおよび／または算出像を格納することができる。また、コンピュータシステム２４０の制御ユニット２４５は、電子銃２１５、ビーム結像およびビーム成形素子２２０および２２５、ならびに単段コンデンサシステム２１８を制御するようにしてもよい。制御装置２４５の制御信号は、マイクロマニピュレータ（図２には示さず）によるサンプルステージ２１０の移動をさらに制御し得る。

【0248】

装置２００は、第２の検出器２３５を備えていてもよい。第２の検出器２３５は、サンプル２０５により放出される二次電子のエネルギー分布の検出に使用可能である。このため、検出器２３５によれば、局所的エッチングプロセスにおいてサンプル２０５から除去される材料の組成を分析可能となる。代替実施形態において、検出器２３５は、ＳＩＭＳ（二次イオン質量分光）検出器を含み得る。

【0249】

サンプル２０５に入射する電子ビーム２２７（または一般的に、集束粒子ビーム２２７）は、サンプル２０５を帯電させ得る。結果として、電子ビーム２２７が偏向し得、欠陥１２０の記録時および／または修復時の空間分解能が低下し得る。さらに、電子ビーム２２７による分析および／または修復対象のサンプル２０５の領域に対するサンプル２０５の位置合わせに使用されるマイクロマニピュレータがドリフトの影響を受ける可能性がある。サンプル２０５の局所的帯電および／または熱的ドリフトの影響を抑えるため、装置２００は、犠牲層１４０および基準マーク１６０をサンプル２０５に適用するための供給コンテナを備えることにより、分析中すなわちサンプル２０５を修復する検査および／または動作において、上述の不都合な影響を大幅に回避することができる。

【0250】

装置２００は、犠牲層１４０の堆積を目的として第１の前駆体ガスを貯蔵する第１のコンテナ２５０を備える。このため、第１のコンテナは、たとえば金属カルボニル（たとえば、モリブデンヘキサカルボニル（Ｍｏ（ＣＯ）₆））を貯蔵していてもよい。

【0251】

第２の供給コンテナ２５５は、基準マーク１６０の生成に使用可能な第２の前駆体ガスを貯蔵していてもよい。一例として、第２の前駆体ガスは、オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ、Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄）またはクロムヘキサカルボニル（Ｃｒ（ＣＯ）₆）を貯蔵していてもよい。代替実施形態において、第２の供給コンテナ２５５は、第１の犠牲層の第２の部分における局所的窪みの形態の第１の基準マークの生成を促進する第１のエッチングガスの形態の第２の前駆体ガスを貯蔵していてもよい。さらに、第１のエッチングガスは、修復対象の欠陥を覆う第１の犠牲層の部分の除去に使用可能である。第１のエッチングガスは、添加ガス（たとえば、酸素（Ｏ２）または塩素（Ｃｌ₂））と組み合わせた二フッ化キセノン（ＸｅＦ₂）を含んでいてもよい。あるいは、第１のエッチングガスは、塩化ニトロシル（ＮＯＣｌ）を含んでいてもよい。

【0252】

第３の供給コンテナ２６０は、添加ガス（たとえば、ハロゲン化物（たとえば、塩素（Ｃｌ₂））、還元剤（たとえば、アンモニア（ＮＨ₃））、または酸化剤（たとえば、二酸化窒素（ＮＯ₂）または水（Ｈ₂Ｏ）））を貯蔵していてもよい。添加ガスの使用によって、犠牲層１４０の堆積および／または基準マーク１６０の生成を補助することができる。さらに、第３のガス貯蔵ユニット２６０の添加ガスの使用によって、第１の犠牲層の生成後に欠陥を露出させることができる。犠牲層の堆積に二酸化窒素（ＮＯ₂）の添加ガスを使用すること、および／または、エッチングプロセスの実行に水（Ｈ₂Ｏ）の添加ガスを使用することが好ましい。

【0253】

サンプルステージ２１０上に配置されているサンプル２０５を処理するため、すなわち、前記サンプルの欠陥１２０を修復するため、装置２００は、少なくとも第３および第４の前駆体ガス用の少なくとも３つの供給コンテナを備える。図２の例示的な装置２００において、第４のコンテナ２６５に貯蔵されている第３の前駆体ガスは、３つの異なる処理ガスを含んでいてもよい。これらは、第１の犠牲層の、第１の部分、少なくとも１つの第２の部分、および第１の部分と少なくとも１つの第２の部分との間の導電性接続の堆積に使用可能である。

【0254】

さらに、第４の供給コンテナ２６５は、別の堆積ガスの形態の第３の前駆体ガスを貯蔵していてもよい。これを使用することにより、電子ビーム誘起堆積（ＥＢＩＤ）プロセスによって、不十分な材料をサンプル２０５上に堆積させる。たとえば犠牲層１４０の材料とは異なり、第４の供給コンテナから堆積させる材料は、サンプル２０５に対する非常に優れた付着性を示し、その物理的および光学的特性を可能な限り再現するものとする。一例として、第４の供給コンテナ２６５には、主族アルコキシド（たとえば、ＴＥＯＳ）または金属カルボニル（たとえば、モリブデンヘキサカルボニル（Ｍｏ（ＣＯ）₆）もしくはクロムヘキサカルボニル（Ｃｒ（ＣＯ）₆）が貯蔵され得る。

【0255】

第５の供給コンテナ２７０は、第２のエッチングガスの形態の第４の前駆体ガスを貯蔵していてもよい。第５の供給コンテナ２７０の第２のエッチングガスの使用により、局所的電子ビーム誘起エッチング（ＥＢＩＥ）プロセスによって、サンプル２０５から過剰材料を除去することができる。使用頻度が高いエッチングガスの一例は、二フッ化キセノン（ＸｅＦ₂）である。欠陥がエッチング困難な材料を含む場合、第２のエッチングガスは、塩化ニトロシル（ＮＯＣｌ）を含んでいてもよい。

【0256】

第６の供給コンテナ２７５は、別の前駆体ガス（たとえば、別の堆積ガスまたは第３のエッチングガス）を貯蔵することができる。別の実施形態において、第６の供給コンテナは、第２の添加ガスを貯蔵していてもよい。

【0257】

図２の例示的な装置２００において、各供給コンテナ２５０、２５５、２６０、２６５、２７０、２７５は、単位時間当たりに供給される対応するガスの絶対値、すなわち、電子ビーム２２７の入射部位におけるガス体積流量をモニタリングまたは制御するため、それぞれの制御弁２５１、２５６、２６１、２６６、２７１、２７６を有する。制御弁２５１、２５６、２６１、２６６、２７１、および２７６は、コンピュータシステム２４０の制御ユニット２４５により制御およびモニタリングされる。このため、処理位置２２９に供給されるガスの分圧比を広範囲に設定することができる。

【0258】

さらに、例示的な装置２００において、各供給コンテナ２５０、２５５、２６０、２６５、２７０、２７５は、サンプル２０５上の電子ビーム２２７の入射点の近傍にてノズルで終端するそれぞれのガス供給ラインシステム２５２、２５７、２６２、２６７、２７２、２７７を有する。代替実施形態（図２には示さず）においては、ガス供給ラインシステムの使用によって、共通流中の複数またはすべての処理ガスをサンプル２０５の表面上に運ぶ。

【0259】

図２に示す例において、弁２５１、２５６、２６１、２６６、２７１、２７６は、対応するコンテナ２５０、２５５、２６０、２６５、２７０、２７５の近傍に配置されている。代替構成において、制御弁２５１、２５６、２６１、２６６、２７１、２７６は、対応するノズル（図２には示さず）の近傍に組み込み可能である。図２に示す実例とは異なり、現時点では優先されないものの、コンテナ２５０、２５５、２６０、２６５、２７０、２７５に貯蔵されているガスのうちの１つまたは複数を装置２００の真空チャンバ２０２の下部において非指向的に供給することも可能である。この場合、装置２００は、当該装置２００の上部における極端に低圧の真空を防止するため、電子ビーム２２７を供給する当該装置２００の下側反応空間２０２と上部との間において、絞り（図２には示さず）を組み込む必要がある。

【0260】

供給コンテナ２５０、２５５、２６０、２６５、２７０、および２７５はそれぞれ、対応する供給コンテナの冷却および加熱の両者を可能にするそれぞれの温度設定要素および温度制御要素を有していてもよい。これにより、堆積ガス、添加ガス、およびエッチングガスをそれぞれの最適な温度で貯蔵および提供可能となる（図２には示さず）。さらに、前駆体が固体または液体の場合は、１つまたは複数の供給コンテナにおける温度によって、１つまたは複数の前駆体ガスの蒸気圧を調節可能である。また、質量流量コントローラ（ＭＦＣ）によって、ガス状前駆体のガス体積流量を制御可能である。

【0261】

さらに、各供給システム２５２、２５７、２６２、２６７、１７２、および２７７は、サンプル２０５上の電子ビーム２２７の入射点において、すべてのプロセスガスをそれぞれの最適な処理温度で供給するため、それぞれの温度設定要素および温度制御要素を備えていてもよい（同様に、図２には示さず）。コンピュータシステム２４０の制御装置２４５は、供給コンテナ２５０、２５５、２６０、２６５、２７０、２７５およびガス供給ラインシステム２５２、２５７、２６２、２６７、２７２、２７７の両者の温度設定要素および温度制御要素を制御可能であるとともに、１つまたは複数のＭＦＣを通るガス体積流量を調節可能である。

【0262】

図２の装置２００は、反応チャンバ２０２において必要な真空を生成して維持するためのポンプシステムを備える（図２には示さず）。制御弁２５１、２５６、２６１、２６６、２７１、２７６を閉じた状態で、装置２００の反応チャンバ２０２においては、１０^-6ｍｂａｒ以下の残留ガス圧が実現される。ポンプシステムは、電子ビーム２２７を供給するための装置２００の上部およびサンプル２０５を伴うサンプルステージ２１０を備えた反応チャンバ２０２を含む下部について、別個のポンプシステムを含んでいてもよい。さらに、装置２００は、電子ビーム２２７の処理点２２９の近傍において、サンプル２０５の表面における規定の局所的圧力条件を規定するための吸引抽出装置を備え得る（図２には示さず）。付加的な吸引抽出装置の使用により、局所的粒子ビーム誘起プロセスでは必要とされない堆積ガス、添加ガス、およびエッチングガスの１つまたは複数の揮発性反応生成物のサンプル２０５上および／または反応チャンバ２０２中の堆積を大略防止することができる。１つもしくは複数のポンプシステムならびに付加的な吸引抽出装置の機能についても同様に、コンピュータシステム２４０の制御装置２４５によって制御および／またはモニタリング可能である。

【0263】

制御装置２４５、コンピュータシステム２４０、またはコンピュータシステム２４０の専用コンポーネントによって、識別される欠陥１２０に対する１つまたは複数の基準マーク１６０のサイズを決定することができる。基準マーク１６０のサイズには、その面積および高さの両方の決定を含む。さらに、制御装置２４５、コンピュータシステム２４０、またはコンピュータシステム２４０の特定コンポーネントの使用によって、基準マーク１６０の位置の走査に使用される電子ビーム２２７の走査領域を決定することができる。制御装置２４５および／またはコンピュータシステム２４０は、これを把握することにより、犠牲層１３０のサイズを決定することができる。

【0264】

制御装置２４５は通常、分析および／または修復プロセス中のサンプル２０５と粒子ビーム２２７との間のドリフトを考慮するため、走査領域のエリアのサイズの２倍となるように、犠牲層１４０のエリアを選択する。さらに、サンプル２０５の材料組成を把握することにより、制御装置２４５は、１つまたは複数の犠牲層１４０を堆積させるための前駆体ガスを選択することができる。さらに、制御装置２４５は、１つまたは複数の基準マーク１６０を犠牲層１４０上に堆積させるための１つもしくは複数の前駆体ガスならびに任意選択としての添加ガスを選択することができる。犠牲層１４０および基準マーク１６０の材料組成を好適に選択することによって、犠牲層１４０の背景に対する基準マーク１６０の視認性を最適化することができる。

【0265】

また、基準マーク１６０の場合と同様に、犠牲層１４０のサイズには、犠牲層１４０の横方向寸法のほか、その厚さも含む。これは、粒子ビーム２２７の規定数の走査手順に耐えるように設計されている。さらに、犠牲層１４０の厚さは、ごく近傍で実行される修復プロセスの成分が犠牲層１４０を破壊することなく犠牲層１４０上に堆積し得るように選択される。最後に、犠牲層１４０の材料組成は、洗浄プロセス（たとえば、湿式化学的洗浄プロセスおよび／または機械的洗浄プロセス）によってサンプル２０５から除去され得るように選択される。

【0266】

図２の下側の部分画像は、１つもしくは複数の犠牲層１４０ならびに１つもしくは複数の基準マーク１６０が堆積する装置２００内の処理手順の前、最中、および／または終了後のサンプル２０５の洗浄に使用される洗浄液２９５を有する洗浄装置２９０を示している。犠牲層１４０および基準マーク１６０は、従来の洗浄プロセスにおいてサンプル２０５から一体的に除去される。洗浄装置２９０は、洗浄液２９５の超音波および／または極超音波励起の生成が可能な１つもしくは複数の超音波源ならびに／または複数の極超音波源（図２には示さず）を備えていてもよい。さらに、洗浄装置２９０は、紫外（ＵＶ）および／または赤外（ＩＲ）スペクトル範囲で発光し、洗浄プロセスの補助として使用可能な１つまたは複数の光源を備えていてもよい。

【0267】

図３ａは、フォトマスク３００の基板３１０上の断面３０５の平面図である。マスク３００の断面３０５には、基板３１０のパターン要素３１５および欠陥３２０を含む。図３ａに示す例において、基板３１０は、不足材料の欠陥３２０を有するが、これは、粒子ビーム誘起処理プロセスを使用した修復が意図される。ただし、欠陥３２０としては、過剰材料の欠陥も可能である。処理プロセス中の粒子ビームまたは電子ビーム２２７のドリフトの補償を可能にするため、断面３０５には、４つの第２の基準マーク３３５、３５５、３６５、３８５を含む。後続の例と同様に、基準マーク３３５、３５５、３６５、および３８５は、図３ａに示す例において、円筒形状を有する。基準マーク３３５、３５５、３６５、および３８５は、直径が５０ｎｍ、高さが１００ｎｍであってもよい。

【0268】

第２の基準マーク３３５、３５５、３６５、および３８５は、第２の犠牲層３３０、３５０、３７０、３８０上に堆積している。この場合は、２つの第２の犠牲層３３０および３６０がマスク３００のパターン要素３１５上に堆積し、２つの第２の犠牲層３５０および３８０がマスク３００の基板３１０上に堆積している。第２の犠牲層３３０、３５０、３７０、３８０は、欠陥３２０の修復後、たとえば標準的なマスク洗浄プロセスによってマスク３００から容易に除去可能となるような材料または材料組成により製造されていてもよい。一例としては、第２の犠牲層３３０、３５０、３７０、および３８０を堆積させるための前駆体ガスとして、モリブデンヘキサカルボニル（Ｍｏ（ＣＯ）₆）を使用可能である。

【0269】

第２の基準マーク３３５、３５５、３６５、３８５は、別の前駆体ガスまたは第２の前駆体ガスによって、犠牲層３３０、３５０、３６０、３８０上に堆積しているのが好ましい。第２の前駆体ガスの例としては、クロムヘキサカルボニル（Ｃｒ（ＣＯ）₆）およびテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ、Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄）が挙げられる。第２の犠牲層３３０、３５０、３６０、３８０および第２の基準マーク３３５、３５５、３６５、３８５は、異なる材料により製造するのが好都合である。結果として、荷電粒子ビーム２２７を使用して第２の基準マーク３３５、３５５、３６５、３８５を走査する際には、トポロジの差異のほか、材料の差異が存在する。これにより、第２の基準マーク３３５、３５５、３６５、３８５の位置を決定するのが容易になる。

【0270】

図３ａにおいて、破線の矩形は、第２の基準マーク３３５、３５５、３６５、３８５の位置の決定を目的として粒子ビーム２２７により走査される走査領域３３２、３５２、３６２、および３８２を規定している。図３ａにおいて、４つの両矢印は、欠陥３２０と基準マーク３３５、３５５、３６５、３８５との間の第２の基準距離３４０、３４５、３７０、３９０を示している。図３ａの例示は、欠陥３２０の処理プロセスの一部においてドリフトを補償するための４つの第２の基準マーク３３５、３５５、３６５、および３８５を再現している。ドリフトの補償には、第２の基準マーク３３５、３５５、３６５、３８５のうちの１つおよび基準距離３４０、３４５、３７０、３９０のうちの１つで十分である。

【0271】

以下に説明する通り、４つの第２の基準距離３４０、３４５、３７０、および３９０ならびに４つの第２の基準マーク３３５、３５５、３６５、３８５は、欠陥３２０の修復を目的として第１の犠牲層を堆積させている間のドリフトの補償に使用される。さらに、ドリフトを補償するための第２の基準マーク３３５、３５５、３６５、３８５は、エッチングによって欠陥３２０から犠牲層を除去するための局所的エッチングプロセスにおいても使用可能である。したがって、第２の基準マーク３３５、３５５、３６５、３８５は、修復対象の欠陥に関して犠牲層をパターン化する間の第１の犠牲層の配置およびドリフトの補償にしか役立たない。ただし、実際の欠陥修復中のドリフトの補償には使用されない。

【0272】

第１の犠牲層の配置に関する要求は、実際の欠陥修復の場合の要求と比較して少ない。したがって、プロセス経済性の理由から、第２の基準マーク３３５、３５５、３６５、および３８５をフォトマスク３００上に直接堆積させるのが好都合と考えられる。この改良を図３ｂに示す。

【0273】

図４は、図３ａのマスク断面３０５の欠陥３２０の全体および周囲に第１の犠牲層４００を適用する第１の例示的な実施形態を示している。第１の犠牲層４００は、フォトマスク３１０の基板３１０上に全体が堆積している。犠牲層４００の第１の部分４１０は、欠陥３２０を完全に覆い、欠陥３２０の周囲に延びている。一改良において、犠牲層４００の第１の部分４１０は、欠陥３２０の一部のみを覆っていてもよい（図４には示さず）。別の好適な改良において、第１の犠牲層４００またはその第１の部分４１０は、当該第１の犠牲層４００の第１の部分４１０が可能な限り完全に欠陥３２０を縁取るように、マスク３００の基板３１０上に堆積している（同様に、図４には示さず）。ここに述べた２つの改良によって、欠陥３２０の修復プロセスが簡素化され得る。上記説明の通り、第２の基準マーク３３５、３５５、３６５、３８５は、ドリフトの補償ひいては欠陥３２０に関する第１の犠牲層の正確な堆積に使用可能である。

【0274】

図４に示す例示的な実施形態において、第１の犠牲層４００の第１の部分４１０および第２の部分４２０は、同一平面で相互接続されている。第１の犠牲層４００の第２の部分４２０の角部の領域では、４つの第１の基準マーク４２５、４３５、４４５、４５５が第１の犠牲層４００の第２の部分４２０上に堆積している。図４においては、第１の基準マーク４２５、４３５、４４５、４５５の位置の決定を目的として集束粒子ビーム（たとえば、電子ビーム２２７）が走査する走査領域４２２、４３２、４４２、４５２を破線の矩形４２２、４３２、４４２、４５２で示している。

【0275】

図５は、マスク３００の欠陥３２０上およびその周囲に堆積している第１の犠牲層５００の第２の例示的な実施形態を示している。図５の例においては、第１の犠牲層５００の第１の部分５１０が同様に欠陥３２０を完全に覆い、また、付加的に欠陥３２０の縁部を越えて延びている。さらに、第１の犠牲層５００は、第１の第２部分５３０、第２の第２部分５４０、第３の第２部分５５０、および第４の第２部分５６０を備える。犠牲層５００の第２の第２部分５４０および第３の第２部分５５０は、マスク３００の基板３１０上に堆積するとともに、第１の部分５１０と重なり合っている。第１の第２部分５３０および第４の第２部分５６０は、マスク３００のパターン要素３１５上に堆積するとともに、導電性ウェブ５７０および５８０または導電性接続５７０および５８０によって、第１の犠牲層５００の第１の部分５１０に接続されている。第１の犠牲層５００の第１の部分５１０のサイズは、欠陥３２０のサイズおよび欠陥３２０の修復に使用される粒子ビーム２２７の焦点直径によって決まる。

【0276】

第１の犠牲層５００の第２の例示的な実施形態は、第１の犠牲層が設計され得る柔軟性を示している。第２の部分の一部がパターン要素３１５上に配置されていることにより、欠陥修復により生じる考えられるマスクへの損傷を最小限に抑えることができる。さらに、基準マーク５３５、５６５の位置を決定する目的で集束粒子ビーム２２７がパターン要素３１５の縁部全体を走査する必要性を回避することができる。結果として、基準マーク５３５、５６５の位置の決定精度が最適化され得る。

【0277】

犠牲層５００の４つの第２の部分５３０、５４０、５５０、５６０のそれぞれには、それぞれ、第１の基準マーク５３５、５４５、５５５、５６５が堆積している。さらに、第１の犠牲層５００の第２の部分５３０、５４０、５５０、５６０には、第１の基準マーク５３５、５４５、５５５、５６５を検出するための集束粒子ビームの走査領域５３２、５４２、５５２、５６２がプロットされている。第１の犠牲層５００の４つの第２の部分５３０、５４０、５５０、５６０のエリアは、欠陥３２０を修復するための集束粒子ビーム２２７のドリフトが比較的大きい場合であっても、集束粒子ビーム２２７が第１の犠牲層の第２の部分５３０、５４０、５５０、５６０の全体のみを走査するように寸法規定されている。結果として、第１の犠牲層５００の制御不可能な局所的帯電を確実に回避可能となる。基準マーク４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、および５６５は、直径が５０ｎｍ、高さが１００ｎｍであってもよい。

【0278】

第１の犠牲層４００、５００は、導電性材料の組成を有する。一例として、犠牲層４００、５００は、前駆体ガス（たとえば、モリブデンヘキサカルボニル（Ｍｏ（ＣＯ）₆））に添加ガス（たとえば、酸化剤）を任意選択として添加した状態で局所的粒子ビーム誘起堆積プロセスを実行することにより、マスク３００の基板３１０上またはマスク３００のパターン要素３１５上に堆積していてもよい。当然のことながら、第１の導電性犠牲層４００、５００の堆積には、別の材料（たとえば、クロムヘキサカルボニル（Ｃｒ（ＣＯ）₆））も使用可能である。

【0279】

図４の第１の犠牲層４００の場合、第１の部分４１０および第２の部分４２０は、同じ材料組成を有する。図５の第１の犠牲層５００の場合も同様に、第１の部分５１０、４つの第２の部分５３０、５４０、５５０、５６０、および２つの導電性接続５７０、５８０が単一の前駆体ガスにより堆積したものであってもよい。ただし、異なる前駆体ガスによっても同様に、第１の部分５１０、第２の部分５３０、５４０、５５０、５６０、および導電性接続をマスク３００の基板３１０上またはパターン要素３１５上に堆積させることができる。

【0280】

第１の犠牲層４００、５００のエリアを可能な限り大きく寸法規定するのが好都合である。結果として、欠陥３２０の除去および／または欠陥の修復の範囲内において第１の基準マーク５３０、５４０、５５０、５６０を走査する際の帯電が生成され大きなエリアに分散し得る。その結果、生成された帯電では、第１の犠牲層４００、５００の静電ポテンシャルがわずかにしか変化しない。ただし、特に重要なのは、静電ポテンシャルが第１の犠牲層４００、５００の全体で均一または均質に変化することである。これは、第１の基準マーク５３５、５４５、５５５、５６５の走査、第１の部分４１０、５１０のエッチング、および欠陥３２０の処理に際して、集束粒子ビーム２２７が実質的に同じ静電ポテンシャルを見込むため、どこでも同じ偏向になることを意味する。

【0281】

犠牲層４００、５００の第１の部分４１０、５１０の厚さは、第１の部分４１０、５１０が基本的に損傷を受けることなく欠陥３２０の処理プロセスに耐えるように選択される。第１の犠牲層４００、５００の第２の部分４２０または第２の部分４２０、５３０、５４０、５５０、５６０の厚さは、第１の基準マーク４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５を複数回数または多数回数走査した結果としても、第２の部分４２０または第２の部分４２０、５３０、５４０、５５０、５６０が実質的に変化しないように設計される。装置２００の制御装置２４５および／またはコンピュータシステム２４０は、欠陥３２０および集束粒子ビーム２２７を把握することにより、犠牲層４００、５００の第１の部分４１０、５１０ならびに／または第２の部分４２０もしくは第２の部分５３０、５４０、５５０、５６０の厚さを決定することができる。

【0282】

また、第２の犠牲層３３０、３５０、３６０、３８０および第２の基準マーク３３５、３５５、３６５、３８５の背景において上述した通り、犠牲層４００、５００の第２の部分４２０または第２の部分５３０、５４０、５５０、５６０は、第１の基準マーク４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５が当該第２の部分４２０または第２の部分５３０、５４０、５５０、５６０と異なる材料組成を有する場合にも都合が良い。トポロジの差異とともに材料の差異が生じると、第１の基準マーク４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５の検出が容易になる。

【0283】

図４および図５に基づいて説明した第１の犠牲層４００、５００の堆積の後は、図４および図５において第１の部分４１０、５１０により完全に覆われた欠陥３２０を露出させる。通常、これは、局所的粒子ビーム誘起エッチングプロセスにより実行される。この目的に使用されるエッチングガスおよび付加的に必要となる添加ガスは、第１の犠牲層４００、５００の第１の部分４１０、５１０の材料組成に基づいて選択される。使用する１つまたは複数の前駆体ガスの選択は、制御装置２４５および／またはコンピュータシステム２４０により対応可能である。考え得るエッチングガスには、二フッ化キセノン（ＸｅＦ₂）自体または水（Ｈ₂Ｏ）との組み合わせを含む。第１の犠牲層４００、５００の第１の部分４１０、５１０が必須成分としてクロムを含む場合は、欠陥３２０を除去するための局所粒子ビーム誘起エッチングプロセスにおける前駆体ガスとして、水（Ｈ₂Ｏ）と組み合わせた塩化ニトロシル（ＮＯＣｌ）を使用することができる。

【0284】

欠陥に対する集束粒子ビーム２２７のドリフトは、第２の基準距離３４０、３４５、３７０、３９０および第２の基準マーク３３５、３５５、３６５、３８５によって補償される。このため、局所的エッチングプロセスが規則的または不規則な時間間隔で中断され、装置２００の集束粒子ビーム２２７が第２の犠牲層３３０、３５０、３６０、３８０の全体を走査することにより、第２の基準マーク３３５、３５５、３６５、３８５の位置を決定する。制御装置２４５および／またはコンピュータシステム２４０は、測定データから、ドリフトの発生を判定して補正する。

【0285】

図３ａに示す欠陥３２０は、フォトマスク３００の基板３１０の不足材料の欠陥である。欠陥３２０が過剰材料の欠陥である場合は、欠陥の除去および欠陥のエッチングを単一のプロセスステップで実行することができる。局所的エッチングプロセスの第１の部分のドリフトは、第２の基準マーク３３５、３５５、３６５、３８５によって補正される。実際の欠陥がエッチングされる範囲内での局所的エッチングプロセスの第２の部分のドリフトは、第１の基準マーク４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５によって補正される。検出された後方散乱電子および／または二次電子のスペクトルに基づいて、装置２００は、エッチングされているのが第１の犠牲層４００、５００の第１の部分４１０、５１０であるか欠陥３２０であるかを認識することができる。必要に応じて、エッチングガスまたはエッチングガスと添加ガスとの組み合わせをエッチングプログレスに対して調整することができる。

【0286】

図４および図５の例において、犠牲層４００、５００は、欠陥３２０を完全に覆っている。欠陥３２０（基板材料不足の欠陥）の処理に先立って、欠陥３２０から、欠陥３２０を覆う第１の犠牲層４００、５００の第１の部分４１０、５１０の部分を除去する必要がある。したがって、第１の犠牲層４００、５００の第１の部分４１０、５１０が欠陥全体を覆っていなければ都合が良い（図４および図５には示さず）。第１の部分４１０、５１０が欠陥３２０の一部にしか延びていない場合は、実際の欠陥修復に先立って欠陥３２０から除去する必要がある材料が少なくなる。考え得る最良の場合において、第１の犠牲層４００、５００の第１の部分４１０、５１０は、欠陥３２０の縁部３２５の全体にわたって延びている。結果として、犠牲層４００、５００の第１の部分４１０、５１０のエッチングステップの経済性を高めることができる。上記説明の通り、第２の基準マーク３３５、３５５、３６５、および３８５の使用によって堆積手順中にドリフトを補正することにより、犠牲層４００、５００の第１の部分４１０、５１０を正確に堆積可能となる。

【0287】

第１の基準マーク５２５、５３５、５４５、５５５と除去される欠陥３２０との間の基準距離７２０、７３０、７４０、７５０は依然として、実際の欠陥処理プロセスの開始前に決定される。図７においては、基準距離７２０、７３０、７４０、７５０を再現している。それ以外について、図７は図６に対応する。基準距離７２０、７３０、７４０、７５０の決定は、集束粒子ビーム２２７を使用して欠陥３２０および第１の基準マーク５２５、５３５、５４５、５５５を走査することにより実行可能である。装置２００の制御装置２４５および／またはコンピュータシステム２４０は、測定データから基準距離７２０、７３０、７４０、７５０を決定することができる。

【0288】

ここで、粒子ビーム誘起堆積プロセスによる欠陥３２０の処理中に第１の基準マーク４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５および第１の基準距離７２０、７３０、７４０、７５０を使用することにより、修復対象の欠陥３２０に対して、集束粒子ビーム２２７のドリフトを補正することができる。このため、局所的堆積プロセスが規則的または不規則な時間間隔で中断され、第１の基準マーク５３５、５４５、５５５、５６５が集束粒子ビーム２２７を使用して走査される。制御装置２４５および／またはコンピュータシステム２４０は、このように測定データから、ドリフトの発生を判定して補正することができる。欠陥３２０をマスク３００の基板３１０の材料で充填するには、ケイ素含有前駆体ガス（たとえば、テトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ、Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄））を使用可能である。

【0289】

図６および図７に示すように、犠牲層４００、５００の第１の部分４１０、５１０は、欠陥３２０の全周に延びている。結果として、犠牲層４００、５００の第１の部分４１０、５１０は、欠陥３２０のごく近傍で発生する局所的堆積プロセスの影響から、欠陥を囲むフォトマスク３００の基板３１０を効果的に保護することができる。図８は、欠陥３２０の修復プロセスの終了後のマスク断面３０５を示している。欠陥３２０は、基板材料８００の堆積によって完全に除去されている。ただし、局所堆積プロセスによって、欠陥３２０の周りの第１の犠牲層４００、５００の第１の部分４１０、５１０にも基板材料８００が堆積してしまっており、これは望ましくない。これを図８の参照記号８５０で示す。

【0290】

図９は、第２の犠牲層３３０、３５０、３６０、３８０の除去後の図３ａのフォトリソグラフィマスク３００の断面３０５のＳＥＭ像を再現しており、第２の基準マーク３３５、３５５、３６５、３８５および第１の犠牲層４００、５００が対応する第１の基準マーク４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５と関連付けられている。洗浄装置２９０の洗浄液２９５による残留物を実質的に伴わずに、基準マーク３３５、３５５、３６５、３８５、４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５が配置されている犠牲層３３０、３５０、３６０、３８０、４００、５００と、犠牲層５００の第１の部分５１０の縁部領域８５０の基板材料８００と、がフォトマスク３００から除去されている。記載の方法の大きな利点として、欠陥補正プロセスの終了後に、標準的な洗浄プロセス（たとえば、従来のマスク洗浄）によって、サンプル２０５に堆積した補助構造をサンプル２０５から除去することができる。

【0291】

ただし、局所的粒子ビーム誘起エッチングプロセスによって、マスク３００から、基準マーク３３５、３５５、３６５、３８５、４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５が配置されている犠牲層３３０、３５０、３６０、３８０、４００、５００の一部または全部を除去することも可能である。この手順は、堆積した補助構造が干渉する可能性のあるサンプル２０５からの１つまたは複数の別の欠陥の除去が意図される場合に好都合となり得る。装置２００においては、真空の破壊を伴って装置２００からサンプル２０５を取り外す必要なく、代替的な除去を実行可能である。

【0292】

図１０の画像１０９５は、ナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ）用スタンプ１０００の断面の記録を示している。後続の図１１の画像１１９５と同様に、図１０の画像１０９５の記録は、高角環状暗視野（ＨＡＡＤＦ）によって記録された走査型透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）の記録を再現している。

【0293】

周期的な間隔または不規則な間隔でＮＩＬスタンプ１０００に窪み１０１０をエッチングすることが意図される。エッチングプロセスは、図２に基づいて記載の装置２００を使用して実行される。これは、ＥＢＩＥプロセスが実行されることを意味する。局所的エッチングプロセス中にスタンプ１０００を保護するため、処理対象のスタンプ１００の領域すなわち窪み１０２０の生成が意図される領域のエリア全体にわたって、「硬質マスク」の形態の犠牲層１０１０が堆積している。犠牲層１０１０は、前駆体ガスを使用するＥＢＩＤプロセスによって、スタンプ１０００上に堆積している。図１０および図１１の例においては、モリブデンヘキサカルボニル（Ｍｏ（ＣＯ）₆）前駆体ガスが使用される。画像１０９５は、厚い犠牲層１０１０を有する。厚い犠牲層１０１０は、厚さが１００ｎｍのオーダであってもよい。

【0294】

図１０および図１１に記載の例において、窪み１０２０は、犠牲層１０１０を通ってエッチングされている。犠牲層１０１０は、エッチングプロセスにおいて、生成対象の窪み１０２０の周りのスタンプ１０００の表面１０３０を効果的に保護する機能を有する。さらに、犠牲層１０１０は、ＮＩＬスタンプ１０００の表面１０３０のエッチングに際して発生する縁部の丸み１０４０を最小限に抑えることが意図される。さらに、犠牲層１０１０の目的として、エッチングされる窪み１０２０がスタンプ１０００の表面１０３０に関して、直角に可能な限り近い側壁角１０５０を有するように、生成される窪み１０２０の側壁角１０５０を最大化する。

【0295】

図１１の画像１１９５は、図１０の画像１０９５を再現しているが、両者の差異として、モリブデンヘキサカルボニル（Ｍｏ（ＣＯ）₆）前駆体ガスに基づいて堆積した犠牲層１１２０の方がより小さな厚さを有する。一例として、図１１の犠牲層１１１０の厚さは、図１０の犠牲層１０１０の厚さの略半分であってもよい。

【0296】

図１２～図１４の画像１２００、１３００、および１４００は、図１０および図１１に示すＮＩＬスタンプ１０００および１１００の窪み１０２０、１１２０の測定データを示している。薄い犠牲層１１１０を通してエッチングされた窪み１１２０の測定データは、画像１２００～１４００の文字（ｂ）により示される。厚い犠牲層１０１０を通してエッチングされた薄層１０２０の測定データは、画像１２００～１４００の文字（ｃ）により表される。比較を目的として、保護犠牲層１０１０、１１１０を前もって適用することなく、ＮＩＬスタンプに対して、窪み１０２０、１１２０を生成するためのエッチングプロセスを実行した。以下の画像１２００～１４００において、このエッチングプロセスの測定データは、文字（ａ）により表示される。

【0297】

図１２の画像１２００は、生成された窪み１０２０、１１２０の幅をエッチング深さの関数として示している。図１２に示す測定データにおいて、エッチングされた窪み１０２０、１１２０の幅または直径は、規定のエッチング深さの１０％に対応する深さで測定されている。ＮＩＬスタンプ１０００、１１００が犠牲層１０１０、１１１０により覆われない範囲内でのエッチングとの比較において、保護犠牲層１０１０、１１１０なくエッチングされた窪みは、非常に大きな直径（ａ）を有する。

【0298】

図１３の画像１３００は、エッチングされた窪み１０２０、１１２０の測定データを再現しており、窪み１０２０、１１２０の幅または直径は、公称エッチング深さの５０％に対応する深さで測定されたものである。５０％の深さであっても、犠牲層１０１０、１１１０なく生成された窪み１０２０、１１２０は依然として、犠牲層１０１０、１１１０を通してエッチングされた窪み１０２０、１１２０よりも大きな直径を有する。ただし、画像１２００および１３００の比較から、これらの差異は、表面１０３０、１１３０からの距離の増加とともに小さくなることが明らかである。

【0299】

図１４の画像１４００は、上述の３つの測定データセットについて測定された側壁角を生成された窪み１０２０、１１２０の関数として表している。犠牲層１０１０、１１１０が適用されていると、犠牲層１０１０、１１１０の保護なく実行されたＥＢＩＥプロセスと比較して、エッチングされた窪み１０２０、１１２０の側壁角が大きくなる。

【0300】

図１５～図１７の画像１５９５、１６９５、および１７９５は、ＥＢＩＥプロセスによってＮＩＬスタンプに窪みを生成するための図１０および図１１に示すエッチングプロセスの拡大断面を示している。ＥＢＩＥプロセスは、エッチングガスおよび任意選択としての添加ガスと組み合わせた装置２００の集束粒子ビーム２２７により実行される。上記説明の通り、集束粒子ビーム２２７の好ましい粒子は、電子である。

【0301】

窪み１５２０、１６２０、１７２０のエッチングに先立って、窪み１５２０、１６２０、１７２０の製造が意図される部分の表面１５３０上に犠牲層１５１０が堆積している。これは、図１０および図１１の例において説明したようなエッチングプロセスが犠牲層１５１０を通して実行されることを意味する。犠牲層１５１０としては、図１０および図１１の犠牲層１０１０、１１１０の一方が可能である。当然のことながら、犠牲層１５１０の堆積を目的として、異なる前駆体ガス（たとえば、異なる金属カルボニル（たとえば、クロムヘキサカルボニル（Ｃｒ（ＣＯ）₆）））を使用可能である。

【0302】

図１５の画像１５９５は、ＮＩＬスタンプ１５００の材料よりも高速に犠牲層１５１０をエッチングするエッチングガス、２つ以上のエッチングガスの組み合わせ、またはエッチングガスおよび添加ガスを使用したエッチングプロセスの結果を示している。犠牲層１５１０のエッチング速度が大きい結果として、犠牲層１５１０は、エッチング継続時間が長くなるにつれて、計画された窪み１５２０の縁部からさらに後退する。プロセスにおいて解放されるスタンプ１５００の表面１５３０は、保護なしのＥＢＩＥプロセスの別の影響を受ける。窪み１５２０に沿う表面１５３０の縁部は、粒子ビーム誘起エッチングプロセスの結果として大きな丸み１５４０を帯びる。さらに、ＥＢＩＥプロセスでは、側壁角１５５０が９０°よりもはるかに小さな漏斗状構造の窪み１５２０が生成される傾向にある。

【0303】

図１６の画像１６９５は、犠牲層１０１０の材料よりも高速にスタンプ１５００の材料をエッチングしたＥＢＩＥプロセスの結果を示している。粒子ビーム誘起エッチングプロセスによって犠牲層１５１０に開口が生じると、前記プロセスは、犠牲層１５１０内よりもスタンプ１５００内で高速に進行する。これにより、犠牲層１５１０のアンダーエッチング１６４０が生成されて望ましくない。さらに、窪み１６２０の側壁角１６５０は、スタンプ１５００の表面１５３０に関して規定された直角から大幅に逸脱する。全体として、生成された窪み１６２０は、規定の円筒形状から大きく逸脱している。

【0304】

図１７の画像１７９５は、エッチングガスが犠牲層１５１０の材料およびＮＩＬスタンプ１５００の材料を同じ速度でエッチングするＥＢＩＥプロセスの完了後の窪み１７２０を示している。表面１５３０から窪み１７２０への遷移における縁部の丸み１７４０は、犠牲層１５１０およびスタンプ１５００の均一なエッチングによって最小限に抑えられている。さらに、犠牲層１５１０およびスタンプ１５００を同じ速度でエッチングするＥＢＩＥプロセスによって、側壁角１７５０は最大限に大きくなる。

【0305】

したがって、犠牲層１５１０を通して粒子ビーム誘起エッチングプロセスを実行する場合は、犠牲層１５１０およびサンプル２０５、３００、１５００に対して同じエッチング速度の条件が満たされるようにＥＢＩＥプロセスを設計するのが特に好都合である。これは、エッチングガスを所与として、犠牲層１５１０に対する好適な材料の選択によって実現され得る。犠牲層１５１０の材料を所与として、犠牲層１５１０およびサンプル２０５、３００、１５００を実質的に同じ速度でエッチングするエッチングガス、さまざまなエッチングガスの組み合わせ、ならびに／またはエッチングガスおよび少なくとも１つの添加ガスを選択することができる。犠牲層１５１０の材料およびエッチングガスの両者を選択可能であれば特に都合が良い。

【0306】

最後に、図１８は、本願に記載のようなサンプル２０５、３００、１５００の欠陥３２０を修復するための方法のフローチャート１８００を示している。この方法は、ステップ１８１０で開始となる。最初のステップ１８２０においては、集束粒子ビーム２２７を使用してサンプル２０５、３００、１５００の欠陥マップを決定する。欠陥マップは、少なくとも１つの欠陥３２０を含む。装置２００の集束粒子ビーム２２７を使用することにより、サンプル２０５、３００、１５００の少なくとも１つの欠陥３２０を走査可能である。装置２００の制御装置２４５および／またはコンピュータシステム２４０は、集束粒子ビーム２２７により生成された測定データから、サンプル２０５、３００、１５００の欠陥マップを決定することができる。

【0307】

次のステップ１８３０においては、少なくとも１つの第２の局所的犠牲層３３０、３５０、３７０、３８０をサンプル２０５、３００、１５００上に生成する。少なくとも１つの第２の局所的犠牲層３３０、３５０、３７０、３８０は、装置２００によりＥＢＩＤプロセスを実行することによって、サンプル２０５、３００、１５００上に堆積可能である。

【0308】

その後、ステップ１８４０においては、少なくとも１つの第２の基準マーク３３５、３５５、３６５、３８５を少なくとも１つの第２の局所的犠牲層３３０、３５０、３６０、３８０上に生成する。少なくとも１つの第２の基準マーク３３５、３５５、３６５、３８５は、少なくとも１つの第１の基準マーク４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５より、少なくとも１つの欠陥３２０からの距離が長い。少なくとも１つの第２の基準マーク３３５、３５５、３６５、３８５は、装置２００により粒子ビーム誘起堆積プロセスを実行することによって生成可能である。

【0309】

ステップ１８２０、１８３０、および１８４０は、サンプル２０５、３００、１５００の少なくとも１つの欠陥３２０を修復するための方法の任意選択的なステップである。したがって、図１８においては、これらのステップを破線の縁部で表している。

【0310】

ステップ１８５０においては、第１の部分４１０、５１０および少なくとも１つの第２の部分４２０、５３０、５４０、５５０、５６０を有する少なくとも１つの第１の局所的導電性犠牲層４００、５００を生成する。第１の部分４１０、５１０は、少なくとも１つの欠陥３２０に近接し、第１の部分４１０、５１０および少なくとも１つの第２の部分４２０、５３０、５４０、５５０、５６０は、相互に導電接続されている。装置２００は、ＥＢＩＤプロセスを実行することにより、第１の局所的導電性犠牲層４００、５００をサンプル２０５、３００、１５００上に生成可能である。

【0311】

次のステップ１８６０においては、少なくとも１つの欠陥３２０の修復中に、少なくとも１つの欠陥３２０に関して、集束粒子ビーム２２７のドリフトを補正するために、少なくとも１つの第１の基準マーク４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５を第１の局所的導電性犠牲層４００、５００の少なくとも１つの第２の部分４２０、５３０、５４０、５５０、５６０上に生成する。このプロセスステップは、少なくとも１つの前駆体ガスと組み合わせて装置２００の集束粒子ビーム２２７により実行可能である。最後に、この方法は、ステップ１８７０において終了となる。

【0312】

以下、本発明の理解を促進するため、他の実施形態を説明する。

【0313】

１．集束粒子ビーム（２２７）を使用してサンプル（２０５、３００、１５００）の少なくとも１つの欠陥（３２０）を修復するための方法（１８００）であって、
ａ．少なくとも１つの第１の局所的導電性犠牲層（４００、５００）をサンプル（２０５、３００、１５００）上に生成するステップ（１８５０）であり、第１の局所的導電性犠牲層（４００、５００）が、第１の部分（４１０、５１０）および少なくとも１つの第２の部分（４２０、５３０、５４０、５５０、５６０）を有し、第１の部分（４１０、５１０）が、少なくとも１つの欠陥（３２０）に近接し、第１の部分（４１０、５１０）および少なくとも１つの第２の部分（４２０、５３０、５４０、５５０、５６０）が、相互に導電接続されている（５７０、５８０）、ステップ（１８５０）と、
ｂ．少なくとも１つの欠陥（３２０）の修復中に、少なくとも１つの欠陥（３２０）に関して、集束粒子ビーム（２２７）のドリフトを補正するために、少なくとも１つの第１の基準マーク（４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５）を第１の局所的導電性犠牲層（４００、５００）の少なくとも１つの第２の部分（４２０、５３０、５４０、５５０、５６０）上に生成するステップ（１８６０）と、
を含む、方法（１８００）。

【0314】

２．少なくとも１つの欠陥（３２０）に対する第１の部分（４１０、５１０）の近接が、少なくとも１つの欠陥（３２０）の縁部（３２５）に対する第１の部分（４１０、５１０）の近接、第１の部分（４１０、５１０）による少なくとも１つの欠陥（３２０）の部分的被覆、および第１の部分（４１０、５１０）による少なくとも１つの欠陥（３２０）の完全被覆から成る群の少なくとも１つの要素を含む、実施形態１に記載の方法（１８００）。

【0315】

３．少なくとも１つの欠陥（３２０）の修復が開始される前に、少なくとも１つの第１の基準マーク（４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５）と少なくとも１つの欠陥（３２０）との間の少なくとも１つの第１の基準距離（７２０、７３０、７４０、７５０）を決定するステップをさらに含む、実施形態１に記載の方法（１８００）。

【0316】

４．少なくとも１つの第２の部分（４３０、５３０、５４０、５５０、５６０）が、少なくとも１つの第１の基準マーク（４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５）を検出するための集束粒子ビーム（２２７）の少なくとも１つの走査領域（４２２、４３２、４４２、４５２、５３２、５４２、５５２、５６２）の全体に延びている、実施形態１に記載の方法（１８００）。

【0317】

５．第１の局所的導電性犠牲層（４００、５００）を生成するステップが、少なくとも１つの第１の前駆体ガスと組み合わせて集束粒子ビーム（２２７）により第１の局所的導電性犠牲層（４００、５００）を堆積させることを含む、実施形態１に記載の方法（１８００）。

【0318】

６．少なくとも１つの第１の基準マーク（４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５）を生成するステップが、少なくとも１つの第２の前駆体ガスと組み合わせて集束粒子ビーム（２２７）を使用して少なくとも１つの第１の基準マーク（４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５）を堆積させることを含む、実施形態１に記載の方法（１８００）。

【0319】

７．少なくとも１つの欠陥（３２０）が修復される前に、少なくとも１つの欠陥（３２０）を覆う第１の犠牲層（４００、５００）の第１の部分（４１０、５１０）の部分を除去するステップをさらに含む、実施形態１に記載の方法（１８００）。

【0320】

８．少なくとも１つの欠陥（３２０）が、過剰材料の欠陥を含み、当該方法（１８００）が、第１の犠牲層（４００、５００、１５１０）を少なくとも部分的に通して、少なくとも１つの欠陥（３２０）を修復するステップをさらに含む、実施形態１に記載の方法（１８００）。

【0321】

９．第１の犠牲層（４００、５００）の第１の部分（４１０、５１０）および少なくとも１つの第２の部分（４２０、５３０、５４０、５５０、５６０）が、少なくとも１つの欠陥（３２０）を修復する動作によって、少なくとも１つの欠陥（３２０）を含む像断面が１０％以下、好ましくは５％以下、より好ましくは２％以下、最も好ましくは１％以下だけ歪むような横方向範囲を有する、実施形態１に記載の方法（１８００）。

【0322】

１０．少なくとも１つの欠陥（３２０）が、過剰材料の欠陥を含み、少なくとも１つの欠陥を修復する動作が、集束粒子ビームにより誘起されるエッチングプロセスのエッチング速度が少なくとも１つの欠陥（３２０）および第１の部分（４１０、５１０）に対して実質的に同じとなるように、第１の犠牲層（４００、５００、１５１０）の第１の部分（４１０、５１０）、第２のエッチングガス、および／または少なくとも１つの添加ガスの材料組成を選択することを含む、実施形態１に記載の方法（１８００）。

【0323】

１１．集束粒子ビーム（２２７）でサンプル（２０５、３００、１５００）を走査することにより、サンプル（２０５、３００、１５００）の欠陥マップを生成するステップをさらに含む、実施形態１に記載の方法（１８００）。

【0324】

１２．少なくとも１つの第２の基準マーク（３３５、３５５、３６５、３８５）をサンプル（２０５、３００、１５００）上に生成するステップと、少なくとも１つの第２の基準マーク（３３５、３５５、３６５、３８５）と第１の犠牲層（４００、５００）の生成開始前の少なくとも１つの欠陥（３２０）との間の少なくとも１つの第２の基準距離（３４０、３４５、３７０、３９０）を決定するステップと、をさらに含む、実施形態１に記載の方法（１８００）。

【0325】

１３．少なくとも１つの第２の犠牲層（３３０、３５０、３６０、３８０）をサンプル（２０５、３００、１５００）上に生成するステップと、少なくとも１つの第２の基準マーク（３３５、３５５、３６５、３８５）を少なくとも１つの第２の犠牲層（３３０、３５０、３６０、３８０）上に堆積させるステップと、少なくとも１つの第２の基準マーク（３３５、３４５、３６５、３８５）と第１の犠牲層（４００、５００）の生成開始前の少なくとも１つの欠陥（３２０）との間の少なくとも１つの第２の基準距離（３４０、３４５、３７０、３９０）を決定するステップと、をさらに含む、実施形態１に記載の方法（１８００）。

【0326】

１４．少なくとも１つの第２の基準距離（３４０、３４５、３７０、３９０）が、少なくとも１つの第１の基準距離（７２０、７３０、７４０、７５０）よりも大きい、実施形態１に記載の方法（１８００）。

【0327】

１５．第１の犠牲層（４００、５００）を生成することと、少なくとも１つの第２の基準マーク（３３５、３５５、３６５、３８５）および少なくとも１つの第２の基準距離（３４０、３４５、３７０、３９０）の使用により、少なくとも１つの欠陥（３２０）から、少なくとも１つの欠陥（３２０）を覆う第１の犠牲層（４００、５００）の第１の部分（４１０、５１０）の部分を除去することと、から成る群の少なくとも１つの要素を実行している間にドリフトを補正するステップをさらに含む、実施形態１に記載の方法（１８００）。

【0328】

１６．湿式化学的洗浄プロセスおよび／または機械的洗浄プロセスの範囲内において、サンプル（２０５、３００、１５００）から、第１の犠牲層（４００、５００）および少なくとも１つの第１の基準マーク（４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５）を一体的に除去するステップをさらに含む、実施形態１に記載の方法（１８００）。

【0329】

１７．湿式化学的洗浄プロセスおよび／または機械的洗浄プロセスの範囲内において、サンプル（２０５、３００、１５００００）から、第１の犠牲層（４００、５００）、少なくとも１つの第１の基準マーク（４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５）、および少なくとも１つの第２の基準マーク（３３５、３５５、３６５、３８５）を一体的に除去するステップをさらに含む、実施形態１に記載の方法（１８００）。

【0330】

１８．実施形態１～１７のいずれか１つに記載の方法ステップの実行をコンピュータシステム（２４０）に指示する命令を含むコンピュータプログラム。

【0331】

１９．集束粒子ビーム（２２７）を使用してサンプル（２０５、３００、１５００）の少なくとも１つの欠陥（３２０）を修復するための装置（２００）であって、
ａ．少なくとも１つの第１の局所的導電性犠牲層（４００、５００）をサンプル（２０５、３００、１５００）上に生成するための手段であり、第１の局所的導電性犠牲層（４００、５００）が、第１の部分（４１０、５１０）および少なくとも１つの第２の部分（４２０、５３０、５４０、５５０、５６０）を有し、第１の部分（４１０、５１０）が、少なくとも１つの欠陥（３２０）に近接し、第１の部分（４１０、５１０）および少なくとも１つの第２の部分（４２０、５３０、５４０、５５０、５６０）が、相互に導電接続されている、手段と、
ｂ．少なくとも１つの欠陥（３２０）の修復中に、少なくとも１つの欠陥（３２０）に関して、集束粒子ビーム（２２７）のドリフトを補正するために、少なくとも１つの第１の基準マーク（４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５）を第１の局所的導電性犠牲層（４００、５００）の少なくとも１つの第２の部分（４２０、５３０、５４０、５５０、５６０）上に生成するための手段と、
を備える、装置（２００）。

【0332】

２０．第１の犠牲層（４００、５００）を生成するための手段が、少なくとも１本の電子ビーム（２２７）を含み、当該装置（２００）が、サンプル（２０５、３００、１５００）に衝突する電子の運動エネルギーが３０００ｅＶ未満、好ましくは１５００ｅＶ未満、より好ましくは１０００ｅＶ未満、さらに好ましくは８００ｅＶ未満、最も好ましくは６００ｅＶ未満である場合に、電子ビーム（２２７）を直径２ｎｍ未満で集束させるように構成されている、実施形態１９に記載の装置（２００）。

【0333】

２１．実施形態１～１７のいずれか１つに記載の方法を実行するように構成されている、実施形態１９に記載の装置（２００）。

【図1a】

【図1b】

【図2】

【図3a】

【図3b】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【手続補正書】

【提出日】2024-05-07

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

集束粒子ビーム（２２７）を使用してサンプル（２０５、３００、１５００）の少なくとも１つの欠陥（３２０）を修復するための方法であって、
前記少なくとも１つの欠陥（３２０）の修復中に、前記少なくとも１つの欠陥（３２０）に関して、前記集束粒子ビーム（２２７）のドリフトを補正するために、前記少なくとも１つの欠陥（３２０）に近接して、前記サンプル（２０５、３００、１５００）上に少なくとも１つの第１の犠牲層（４００、５００）を生成するステップを含む、方法。

【請求項2】

集束粒子ビーム（２２７）を使用してサンプル（２０５、３００、１５００）の少なくとも１つの欠陥（３２０）を修復するための方法であって、
前記少なくとも１つの欠陥（３２０）の修復中に、前記少なくとも１つの欠陥（３２０）に関して、前記集束粒子ビーム（２２７）のドリフトを補正するために、少なくとも１つの第１の導電性犠牲層を前記サンプル（２０５、３００、１５００）上に生成するステップを含む、方法。

【請求項3】

前記第１の犠牲層（４００、５００）が、第１の局所的導電性犠牲層を含む、請求項１に記載の方法。

【請求項4】

前記第１の導電性犠牲層が、第１の局所的導電性犠牲層を含む、請求項２に記載の方法。

【請求項5】

前記集束粒子ビーム（２２７）が、集束電子ビームを含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の方法。

【請求項6】

少なくとも１つの第１の基準マークを前記第１の犠牲層上に生成するステップをさらに含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の方法。

【請求項7】

前記第１の犠牲層（４００、５００）が、第１の部分（４１０、５１０）および少なくとも１つの第２の部分（４２０、５３０、５４０、５５０、５６０）を有し、前記第１の部分（４１０、５１０）が、前記少なくとも１つの欠陥（３２０）に近接し、前記第１の部分（４１０、５１０）および前記少なくとも１つの第２の部分（４２０、５３０、５４０、５５０、５６０）が、相互に導電接続されている（５７０、５８０）、請求項１～４のいずれか１項に記載の方法。

【請求項8】

前記少なくとも１つの欠陥（３２０）の修復中に、前記少なくとも１つの欠陥（３２０）のドリフトを補正するために、少なくとも１つの第１の基準マーク（４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５）を前記第１の犠牲層（４００、５００）の前記少なくとも１つの第２の部分（４２０、５３０、５４０、５５０、５６０）上に生成するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。

【請求項9】

前記少なくとも１つの欠陥（３２０）の修復前に、前記少なくとも１つの第１の基準マーク（４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５）と前記少なくとも１つの欠陥（３２０）との間の少なくとも１つの第１の基準距離（７２０、７３０、７４０、７５０）を決定するステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。

【請求項10】

前記少なくとも１つの欠陥（３２０）に対する前記第１の部分（４１０、５１０）の近接が、前記少なくとも１つの欠陥（３２０）の縁部（３２５）に対する前記第１の部分（４１０、５１０）の近接、前記第１の部分（４１０、５１０）による前記少なくとも１つの欠陥（３２０）の部分的被覆、および前記第１の部分（４１０、５１０）による前記少なくとも１つの欠陥（３２０）の完全被覆から成る群の少なくとも１つの要素を含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の方法。

【請求項11】

前記少なくとも１つの第２の部分（４２０、５３０、５４０、５５０、５６０）が、前記少なくとも１つの第１の基準マーク（４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５）を検出するための前記集束粒子ビーム（２２７）の少なくとも１つの走査領域（４２２、４３２、４４２、４５２、５３２、５４２、５５２、５６２）の全体に延びている、請求項８に記載の方法。

【請求項12】

前記第１の犠牲層（４００、５００）を生成するステップが、少なくとも１つの第１の前駆体ガスと組み合わせて前記集束粒子ビーム（２２７）により前記第１の犠牲層（４００、５００）を堆積させることを含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の方法。

【請求項13】

前記少なくとも１つの第１の基準マーク（４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５）を生成するステップが、少なくとも１つの第２の前駆体ガスと組み合わせて前記集束粒子ビーム（２２７）を使用して前記少なくとも１つの第１の基準マーク（４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５）を堆積させることを含む、請求項６に記載の方法。

【請求項14】

前記少なくとも１つの欠陥（３２０）の修復前に、前記少なくとも１つの欠陥（３２０）を覆う前記第１の犠牲層（４００、５００）の前記第１の部分（４１０、５１０）の部分を除去するステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。

【請求項15】

前記少なくとも１つの欠陥（３２０）が、過剰材料の欠陥を含み、前記方法が、前記第１の犠牲層（４００、５００、１５１０）を少なくとも部分的に通して、前記少なくとも１つの欠陥（３２０）を修復するステップをさらに含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の方法。

【請求項16】

前記第１の犠牲層（４００、５００）の前記第１の部分（４１０、５１０）および前記少なくとも１つの第２の部分（４２０、５３０、５４０、５５０、５６０）が、前記少なくとも１つの欠陥（３２０）を修復する動作によって、前記少なくとも１つの欠陥（３２０）を含む像断面が１０％以下、好ましくは５％以下、より好ましくは２％以下、最も好ましくは１％以下だけ歪むような横方向範囲を有する、請求項７に記載の方法。

【請求項17】

前記少なくとも１つの欠陥（３２０）が、過剰材料の欠陥を含み、前記少なくとも１つの欠陥を修復する動作が、集束粒子ビーム（２２７）により誘起されるエッチングプロセスのエッチング速度が前記少なくとも１つの欠陥（３２０）および前記第１の部分（４１０、５１０）に対して実質的に同じとなるように、前記第１の犠牲層（４００、５００、１５１０）の前記第１の部分（４１０、５１０）、第２のエッチングガス、および／または少なくとも１つの添加ガスの材料組成を選択することを含む、請求項７に記載の方法。

【請求項18】

前記サンプル（２０５、３００、１５００）の欠陥マップを生成するために、前記集束粒子ビーム（２２７）で前記サンプル（２０５、３００、１５００）を走査することをさらに含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の方法。

【請求項19】

少なくとも１つの第２の基準マーク（３３５、３５５、３６５、３８５）を前記サンプル（２０５、３００、１５００）上に生成するステップと、前記少なくとも１つの第２の基準マーク（３３５、３５５、３６５、３８５）と前記第１の犠牲層（４００、５００）の生成前の前記少なくとも１つの欠陥（３２０）との間の少なくとも１つの第２の基準距離（３４０、３４５、３７０、３９０）を決定するステップとをさらに含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の方法。

【請求項20】

少なくとも１つの第２の犠牲層（３３０、３５０、３６０、３８０）を前記サンプル（２０５、３００、１５００）上に生成するステップと、前記少なくとも１つの第２の基準マーク（３３５、３５５、３６５、３８５）を前記少なくとも１つの第２の犠牲層（３３０、３５０、３６０、３８０）上に堆積させるステップと、前記少なくとも１つの第２の基準マーク（３３５、３４５、３６５、３８５）と前記第１の犠牲層（４００、５００）の生成前の前記少なくとも１つの欠陥（３２０）との間の前記少なくとも１つの第２の基準距離（３４０、３４５、３７０、３９０）を決定するステップと、をさらに含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の方法。

【請求項21】

前記少なくとも１つの第２の基準距離（３４０、３４５、３７０、３９０）が、前記少なくとも１つの第１の基準距離（７２０、７３０、７４０、７５０）よりも大きい、請求項９に直接的または間接的に従属する、請求項１９に記載の方法。

【請求項22】

前記第１の犠牲層（４００、５００）を生成することと、前記少なくとも１つの第２の基準マーク（３３５、３５５、３６５、３８５）および前記少なくとも１つの第２の基準距離（３４０、３４５、３７０、３９０）の使用により、前記少なくとも１つの欠陥（３２０）から、前記少なくとも１つの欠陥（３２０）を覆う前記第１の犠牲層（４００、５００）の前記第１の部分（４１０、５１０）の部分を除去することと、から成る群の少なくとも１つの要素を実行している間にドリフトを補正するステップをさらに含む、請求項１９に記載の方法。

【請求項23】

湿式化学的洗浄プロセスおよび／または機械的洗浄プロセスを使用して、前記サンプル（２０５、３００、１５００）から、前記第１の犠牲層（４００、５００）および前記少なくとも１つの第１の基準マーク（４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５）を一体的に除去するステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。

【請求項24】

湿式化学的洗浄プロセスおよび／または機械的洗浄プロセスを使用して、前記サンプル（２０５、３００、１５００００）から、前記第１の犠牲層（４００、５００）、前記少なくとも１つの第１の基準マーク（４２５、４３５、４４５、４５５、５３５、５４５、５５５、５６５）、および前記少なくとも１つの第２の基準マーク（３３５、３５５、３６５、３８５）を一体的に除去するステップをさらに含む、請求項６に直接的または間接的に従属する、請求項１９に記載の方法。

【請求項25】

請求項１～４のいずれか１項に記載の方法ステップの実行をコンピュータシステム（２４０）に促す命令を含むコンピュータプログラム。

【請求項26】

集束粒子ビーム（２２７）を使用してサンプル（２０５、３００、１５００）の少なくとも１つの欠陥（３２０）を修復するための装置（２００）であって、
前記少なくとも１つの欠陥（３２０）の修復中に、前記少なくとも１つの欠陥（３２０）に関して、前記集束粒子ビーム（２２７）のドリフトを補正するために、前記少なくとも１つの欠陥（３２０）に近接して、前記サンプル（２０５、３００、１５００）上に少なくとも１つの第１の犠牲層（４００、５００）を生成するための手段を備える、装置（２００）。

【請求項27】

集束粒子ビーム（２２７）を使用してサンプル（２０５、３００、１５００）の少なくとも１つの欠陥（３２０）を修復するための装置（２００）であって、
前記少なくとも１つの欠陥（３２０）の修復中に、前記少なくとも１つの欠陥（３２０）に関して、前記集束粒子ビーム（２２７）のドリフトを補正するために、少なくとも１つの第１の導電性犠牲層を前記サンプル（２０５、３００、１５００）上に生成するための手段を備える、装置（２００）。

【請求項28】

前記第１の犠牲層を生成するための手段が、第１の局所的導電性犠牲層を生成するための手段を含む、請求項２６または２７に記載の装置（２００）。

【請求項29】

単段コンデンサシステム（２１８）を有する電子カラムをさらに備える、請求項２６または２７に記載の装置（２００）。

【請求項30】

前記第１の犠牲層（４００、５００）を生成するための手段が、少なくとも１本の電子ビーム（２２７）を含み、前記装置（２００）が、前記サンプル（２０５、３００、１５００）に衝突する電子の運動エネルギーを３０００ｅＶ未満として、前記電子ビーム（２２７）を直径２ｎｍ未満で集束させるように構成されている、請求項２６または２７に記載の装置（２００）。

【請求項31】

前記第１の犠牲層（４００、５００）を生成するための手段が、少なくとも１本の電子ビーム（２２７）を含み、前記装置（２００）が、前記サンプル（２０５、３００、１５００）に衝突する電子の運動エネルギーを１５００ｅＶ未満として、前記電子ビーム（２２７）を直径２ｎｍ未満で集束させるように構成されている、請求項２６または２７に記載の装置（２００）。

【請求項32】

前記第１の犠牲層（４００、５００）を生成するための手段が、少なくとも１本の電子ビーム（２２７）を含み、前記装置（２００）が、前記サンプル（２０５、３００、１５００）に衝突する電子の運動エネルギーを１０００ｅＶ未満として、前記電子ビーム（２２７）を直径２ｎｍ未満で集束させるように構成されている、請求項２６または２７に記載の装置（２００）。

【請求項33】

前記第１の犠牲層（４００、５００）を生成するための手段が、少なくとも１本の電子ビーム（２２７）を含み、前記装置（２００）が、前記サンプル（２０５、３００、１５００）に衝突する電子の運動エネルギーを８００ｅＶ未満として、前記電子ビーム（２２７）を直径２ｎｍ未満で集束させるように構成されている、請求項２６または２７に記載の装置（２００）。

【請求項34】

前記第１の犠牲層（４００、５００）を生成するための手段が、少なくとも１本の電子ビーム（２２７）を含み、前記装置（２００）が、前記サンプル（２０５、３００、１５００）に衝突する電子の運動エネルギーを６００ｅＶ未満として、前記電子ビーム（２２７）を直径２ｎｍ未満で集束させるように構成されている、請求項２６または２７に記載の装置（２００）。

【請求項35】

前記装置（２００）の前記集束粒子ビーム（２２７）の局所的処理エリアが、１０ｎｍ未満の最小直径を有する、請求項２６または２７に記載の装置（２００）。

【請求項36】

前記電子カラムの出口と前記サンプル（２０５、３００、１５００）との間の作動距離が、５ｍｍ未満である、請求項２６または２７に記載の装置（２００）。

【請求項37】

前記電子カラムの出口と前記サンプル（２０５、３００、１５００）との間の作動距離が、４ｍｍ未満である、請求項２６または２７に記載の装置（２００）。

【請求項38】

前記電子カラムの出口と前記サンプル（２０５、３００、１５００）との間の作動距離が、３ｍｍ未満である、請求項２６または２７に記載の装置（２００）。

【請求項39】

前記電子カラムの出口と前記サンプル（２０５、３００、１５００）との間の作動距離が、２．５ｍｍ未満である、請求項２６または２７に記載の装置（２００）。

【請求項40】

前記電子カラムが、一組の異なるアパーチャを使用するように構成されている、請求項２６または２７に記載の装置（２００）。

【請求項41】

前記一組のアパーチャのうちの１つのアパーチャを選択することにより、前記電子ビーム（２２７）のビーム電流を制御するように構成されている制御ユニット（２４５）をさらに備える、請求項４０に記載の装置（２００）。

【請求項42】

請求項１～４のいずれか１項に記載の方法を実行するように構成されている、請求項２６または２７に記載の装置（２００）。

【国際調査報告】