(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-09-10
(54)【発明の名称】マスク欠陥検出
(51)【国際特許分類】
H01L 21/66 20060101AFI20240903BHJP
G03F 7/20 20060101ALI20240903BHJP
【ＦＩ】
H01L21/66 J
G03F7/20 521
G03F7/20 501
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024502008
(86)(22)【出願日】2022-07-08
(85)【翻訳文提出日】2024-03-06
(86)【国際出願番号】 EP2022069169
(87)【国際公開番号】W WO2023016723
(87)【国際公開日】2023-02-16
(31)【優先権主張番号】63/232,135
(32)【優先日】2021-08-11
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ブルートゥース
(71)【出願人】
【識別番号】504151804
【氏名又は名称】エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．
(74)【代理人】
【識別番号】100079108
【弁理士】
【氏名又は名称】稲葉 良幸
(74)【代理人】
【識別番号】100109346
【弁理士】
【氏名又は名称】大貫 敏史
(74)【代理人】
【識別番号】100117189
【弁理士】
【氏名又は名称】江口 昭彦
(74)【代理人】
【識別番号】100134120
【弁理士】
【氏名又は名称】内藤 和彦
(72)【発明者】
【氏名】ワン，フーミン
(72)【発明者】
【氏名】ウィーラント，マルコ，ジャン－ジャコ
(72)【発明者】
【氏名】カオ，ユ
(72)【発明者】
【氏名】ザン，グオホン
【テーマコード（参考）】
2H197
4M106
【Ｆターム（参考）】
2H197CB01
2H197DA03
2H197DA09
2H197DB06
2H197DB10
2H197DB11
2H197HA03
2H197JA18
2H197JA24
4M106AA01
4M106AA09
4M106BA02
4M106CA39
4M106DB05
4M106DJ27
(57)【要約】
マスクの欠陥を検出するための改善された方法及びシステムが開示される。改善された方法は、マスクを使用するリソグラフィシステムによって、選択されたプロセス条件下のマスク欠陥印刷可能性に基づいて決定される選択されたプロセス条件でウェーハが露光された後に、露光ウェーハを検査することと、検査に基づいて、マスクの欠陥に起因するウェーハ欠陥を識別して、マスクの欠陥の識別を可能にすることと、を含む。
【選択図】図６Ｂ
【選択図】図６Ｂ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
装置であって、一組の指令を格納するメモリと、
マスクを使用するリソグラフィシステムによって、選択されたプロセス条件下のマスク欠陥印刷可能性に基づいて決定される前記選択されたプロセス条件でウェーハが露光された後に、前記露光ウェーハを検査すること、及び、
前記検査に基づいて、前記マスクの欠陥に起因するウェーハ欠陥を識別して、前記マスクの前記欠陥の識別を可能にすること
を前記装置に行わせる前記一組の指令を実行するように構成された少なくとも１つのプロセッサと、
を含む、装置。
【請求項2】
前記露光ウェーハが、第１のフィールド及び第２のフィールドであって、前記第１のフィールドが前記選択されたプロセス条件で露光され、前記第２のフィールドが前記選択されたプロセス条件とは異なるプロセス条件で露光される、第１のフィールド及び第２のフィールドを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項3】
前記ウェーハ欠陥を識別する際、前記少なくとも１つのプロセッサが、前記第１のフィールドの全エリアを検査して、前記第１のフィールドの欠陥を識別することを前記装置に行わせる前記一組の指令を実行するように構成される、請求項２に記載の装置。
【請求項4】
前記ウェーハ欠陥を識別する際、前記少なくとも１つのプロセッサが、前記第１のフィールドの前記識別された欠陥の位置に対応する位置において前記第２のフィールドを検査することを前記装置に行わせる前記一組の指令を実行するように構成される、請求項２に記載の装置。
【請求項5】
前記少なくとも１つのプロセッサが、マスクを使用するリソグラフィシステムによって、異なるプロセス条件で試験ウェーハの複数フィールドのそれぞれが露光された後に、前記試験ウェーハの前記複数フィールドの複数を検査して、対応するフィールドの欠陥を識別することと、
前記検査に基づいて、前記選択されたプロセス条件を決定することと、
を前記装置に更に行わせる前記一組の指令を実行するように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項6】
前記選択されたプロセス条件を決定する際、前記少なくとも１つのプロセッサが、前記複数フィールドの中から基準を満たすフィールドを選択することであって、前記基準が、前記対応するフィールドで識別された欠陥の数の予め決定された範囲であることと、
前記選択されたフィールドを露光させるために使用されたプロセス条件を、前記選択されたプロセス条件となるように決定することと、
を前記装置に更に行わせる前記一組の指令を実行するように構成される、請求項５に記載の装置。
【請求項7】
前記試験ウェーハの前記複数フィールドの前記複数を検査する際、前記少なくとも１つのプロセッサが、前記複数フィールドのフィールドの部分エリアを検査して、前記部分エリアの欠陥を識別することを前記装置に行わせる前記一組の指令を実行するように構成される、請求項５に記載の装置。
【請求項8】
前記少なくとも１つのプロセッサが、欠陥粒子を有する前記マスクを用いる前記ウェーハの露光プロセスをシミュレートするためのリソグラフィモデルを設定することと、
前記マスクのトポグラフィ及び前記マスクの前記欠陥粒子に基づいて、前記マスク付近の電磁場をシミュレートすることであって、前記電磁場が前記マスク付近の光路の決定を可能にすることと、
前記シミュレートされた電磁場に基づいて、前記ウェーハの空間像又はレジスト像をシミュレートすることと、
前記シミュレートされた空間像又はレジスト像に基づいて、前記リソグラフィシステムのための前記選択されたプロセス条件を決定することと、
を前記装置に更に行わせる前記一組の指令を実行するように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項9】
前記リソグラフィモデルを設定する際、前記少なくとも１つのプロセッサが、異なるプロセス条件で複数のリソグラフィモデルを設定することを前記装置に更に行わせる前記一組の指令を実行するように構成される、請求項８に記載の装置。
【請求項10】
前記プロセス条件が、露光ドーズ、フォーカス、又は照明条件を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項11】
前記選択されたプロセス条件が、名目ドーズ未満の露光ドーズを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項12】
調節条件を決定するための方法をコンピューティングデバイスに行わせるために前記コンピューティングデバイスの少なくともプロセッサ上によって実行可能な一組の指令を格納する非一時的コンピュータ可読媒体であって、前記方法が、マスクを使用するリソグラフィシステムによって、異なるプロセス条件で試験ウェーハの複数フィールドのそれぞれが露光された後に、前記試験ウェーハの前記複数フィールドの複数を検査して、対応するフィールドの欠陥を識別することと、
前記検査に基づいて、調節条件を決定することと、
を含む、非一時的コンピュータ可読媒体。
【請求項13】
前記調節条件を決定する際、前記コンピューティングデバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な前記一組の指令が、前記複数フィールドの中から基準を満たすフィールドを選択することであって、前記基準が、前記対応するフィールドで識別された欠陥の数の予め決定された範囲であることと、
前記選択されたフィールドを露光させるために使用されたプロセス条件を、前記調節条件となるように決定することと、
を前記コンピューティングデバイスに更に行わせる、請求項１２に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項14】
前記試験ウェーハの前記複数フィールドの前記複数を検査する際、前記コンピューティングデバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な前記一組の指令が、前記複数フィールドのフィールドの部分エリアを検査して、前記部分エリアの欠陥を識別することを前記コンピューティングデバイスに更に行わせる、請求項１２に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項15】
前記プロセス条件が、露光ドーズ、フォーカス、又は照明条件を含む、請求項１２に記載のコンピュータ可読媒体。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
[0001] 本願は、２０２１年８月１１日に出願され、参照によりその全体を本明細書に援用する米国特許出願第６３／２３２，１３５号の優先権を主張する。
[0001] 本願は、２０２１年８月１１日に出願され、参照によりその全体を本明細書に援用する米国特許出願第６３／２３２，１３５号の優先権を主張する。
【0002】
[0002] 本明細書で提供する実施形態はマスク適格性評価技術に関し、より具体的には、荷電粒子ビーム検査システムを使用する効率的なマスク欠陥検出機構に関する。
【背景技術】
【0003】
[0003] リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。このような場合、マスク又はレチクルは、ＩＣの個々の層に対応する回路パターン（「設計レイアウト」）を含み、又は提供し得、この回路パターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つ又は複数のダイを含むもの）上に転写され得る。マスク欠陥は、プロセスの歩留まりに大いに影響を与え得る。従って、マスク欠陥を識別し、マスク欠陥が識別されたときに適切な手続きをとるタイミングを識別するために、プリントされたウェーハを検査することによってマスクの状態が監視され得る。
【0004】
[0004] 走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）などの荷電粒子（例えば、電子）ビーム顕微鏡又は光学顕微鏡を利用した検査システムが用いられて、「プリントチェック」又は「レチクルプリント検証」と呼ばれるプリントされたウェーハの検査に基づいてマスクの欠陥を見つけることができる。確率論的性質により、外部粒子に起因する粒子欠陥を含むいくつかのマスク欠陥は、ウェーハ上に一貫してプリントされない場合があり、従ってすべてのマスク欠陥を捕捉するためには、複数のウェーハフィールドを検査する必要がある。しかしながら、ＳＥＭツールを使用して２つ以上のウェーハフィールドを検査することには、コストがかかり得る。従って、マスク欠陥検出性能の向上が望まれる。
【発明の概要】
【0005】
[0005] 本明細書で提供する実施形態は、粒子ビーム検査装置を開示し、より具体的には複数の荷電粒子ビームを使用する検査装置を開示する。
【0006】
[0006] いくつかの実施形態は、マスクを使用するリソグラフィシステムによって、選択されたプロセス条件下のマスク欠陥印刷可能性に基づいて決定される選択されたプロセス条件でウェーハが露光された後に、露光ウェーハを検査すること、及び検査に基づいて、マスクの欠陥に起因するウェーハ欠陥を識別して、マスクの欠陥の識別を可能にすることを含む、方法を提供する。
【0007】
[0007] いくつかの実施形態は、調節条件を決定するための方法を提供する。本方法は、マスクを使用するリソグラフィシステムによって、異なるプロセス条件で試験ウェーハの複数フィールドのそれぞれが露光された後に、試験ウェーハの複数フィールドの複数を検査して、対応するフィールドの欠陥を識別すること、及び検査に基づいて調節条件を決定することを含む。
【0008】
[0008] いくつかの実施形態は、調節条件を決定するための方法を提供する。本方法は、欠陥粒子を有するマスクを用いるウェーハの露光プロセスをシミュレートするためのリソグラフィモデルを設定すること、マスクのトポグラフィ及びマスクの欠陥粒子に基づいて、マスク付近の電磁場をシミュレートすることであって、電磁場がマスク付近の光路の決定を可能にすること、シミュレートされた電磁場に基づいて、ウェーハの空間像又はレジスト像をシミュレートすること、並びに、シミュレートされた空間像又はレジスト像に基づいてリソグラフィシステムのための調節条件を決定すること、を含む。
【0009】
[0009] いくつかの実施形態は、マスクを使用するリソグラフィシステムによって露光されたウェーハを検査するように構成された荷電粒子ビームデバイスを提供する。本デバイスは、ウェーハの第１のフィールド及び第２のフィールドを照射するように構成された荷電粒子ビーム源であって、第１のフィールドが第１のプロセス条件で露光され、第２のフィールドが第１のプロセス条件とは異なる第２のプロセス条件で露光される、荷電粒子ビーム源と、ウェーハの欠陥の識別を可能にする、ウェーハから放出された二次荷電粒子を収集するように構成された検出器であって、第１のフィールド及び第２のフィールドの対応するフィールドの欠陥の数が互いに異なる、検出器と、マスク欠陥印刷可能性に基づいて第２のマスクを検査するために使用するプロセス条件の決定を助けるように構成されたプロセッサであって、マスク欠陥印刷可能性が識別された欠陥に基づいて決定される、プロセッサと、を含む。
【0010】
[0010] いくつかの実施形態は、一組の指令を格納するメモリと、マスクを使用するリソグラフィシステムによって、選択されたプロセス条件下のマスク欠陥印刷可能性に基づいて決定される選択されたプロセス条件でウェーハが露光された後に、露光ウェーハを検査すること、及び、検査に基づいて、マスクの欠陥に起因するウェーハ欠陥を識別して、マスクの欠陥の識別を可能にすること、を装置に行わせる一組の指令を実行するように構成された少なくとも１つのプロセッサと、を含む装置を提供する。
【0011】
[0011] いくつかの実施形態は、調節条件を決定するための装置であって、一組の指令を格納するメモリと、マスクを使用するリソグラフィシステムによって、異なるプロセス条件で試験ウェーハの複数フィールドのそれぞれが露光された後に、試験ウェーハの複数フィールドの複数を検査して、対応するフィールドの欠陥を識別すること、及び、検査に基づいて、調節条件を決定すること、を装置に行わせる一組の指令を実行するように構成された少なくとも１つのプロセッサと、を含む装置を提供する。
【0012】
[0012] いくつかの実施形態は、調節条件を決定するための装置であって、一組の指令を格納するメモリと、欠陥粒子を有するマスクを用いるウェーハの露光プロセスをシミュレートするためのリソグラフィモデルを設定すること、マスクのトポグラフィ及びマスクの欠陥粒子に基づいて、マスク付近の電磁場をシミュレートすることであって、電磁場がマスク付近の光路の決定を可能にすること、シミュレートされた電磁場に基づいて、ウェーハの空間像又はレジスト像をシミュレートすること、並びに、シミュレートされた空間像又はレジスト像に基づいて、リソグラフィシステムのための調節条件を決定すること、を装置に行わせる一組の指令を実行するように構成された少なくとも１つのプロセッサと、を含む装置を提供する。
【0013】
[0013] いくつかの実施形態は、方法をコンピューティングデバイスに行わせるためにコンピューティングデバイスの少なくともプロセッサ上によって実行可能な一組の指令を格納する非一時的コンピュータ可読媒体であって、方法が、マスクを使用するリソグラフィシステムによって、選択されたプロセス条件下のマスク欠陥印刷可能性に基づいて決定される選択されたプロセス条件でウェーハが露光された後に、露光ウェーハを検査すること、及び、検査に基づいて、マスクの欠陥に起因するウェーハ欠陥を識別して、マスクの欠陥の識別を可能にすること、を含む非一時的コンピュータ可読媒体を提供する。
【0014】
[0014] いくつかの実施形態は、調節条件を決定するための方法をコンピューティングデバイスに行わせるためにコンピューティングデバイスの少なくともプロセッサ上によって実行可能な一組の指令を格納する非一時的コンピュータ可読媒体を提供する。本方法は、マスクを使用するリソグラフィシステムによって、異なるプロセス条件で試験ウェーハの複数フィールドのそれぞれが露光された後に、試験ウェーハの複数フィールドの複数を検査して、対応するフィールドの欠陥を識別すること、及び検査に基づいて調節条件を決定することを含む。
【0015】
[0015] いくつかの実施形態は、調節条件を決定するための方法をコンピューティングデバイスに行わせるためにコンピューティングデバイスの少なくともプロセッサ上によって実行可能な一組の指令を格納する非一時的コンピュータ可読媒体を提供する。本方法は、欠陥粒子を有するマスクを用いるウェーハの露光プロセスをシミュレートするためのリソグラフィモデルを設定すること、マスクのトポグラフィ及びマスクの欠陥粒子に基づいて、マスク付近の電磁場をシミュレートすることであって、電磁場がマスク付近の光路の決定を可能にすること、シミュレートされた電磁場に基づいて、ウェーハの空間像又はレジスト像をシミュレートすること、並びに、シミュレートされた空間像又はレジスト像に基づいて、リソグラフィシステムのための調節条件を決定すること、を含む。
【0016】
[0016] 本開示の実施形態の他の利点は、図解及び例を手段として本発明のいくつかの実施形態が記載される添付図面に関連して行われる以下の説明から明白になる。
【0017】
[0017] 本開示の上記の及び他の態様は、添付図面と組み合わせて解釈される例示的実施形態の説明からより明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【図1】[0018]本開示の実施形態に一致する、リソグラフィシステムの様々なサブシステムの概略ブロック図である。
【図2】[0019]本開示の実施形態に一致する、複数のフィールドを有する露光ウェーハを示す。
【図3A】[0020]本開示の実施形態に一致する例示的な荷電粒子ビーム検査システムを示す概略図である。
【図4】[0022]本開示の実施形態に一致する、欠陥印刷可能性及び欠陥検出可能性を示す例示的グラフである。
【図5】[0023]本開示の実施形態に一致する、例示的なマスク欠陥検出システムのブロック図である。
【図6A】[0024]本開示の実施形態に一致する、ウェーハに印刷されたクリティカルディメンジョンに対するドーズ調節の影響を示す例示的グラフである。
【図6B】[0025]本開示の実施形態に一致する、ドーズ調節及び粒子サイズに従う欠陥印刷可能性を示す例示的グラフである。
【図6C】[0026]本開示の実施形態に一致する、フォーカス及び露光ドーズの調節に従う例示的な欠陥印刷可能性プロセスウィンドウである。
【図6D】[0027]本開示の実施形態に一致する、固定フォーカスにおける欠陥印刷可能性に対する露光ドーズ調節の影響を示す例示的グラフである。
【図7A】[0028]本開示の実施形態に一致する、実験に基づいて調節条件を決定する例示的なプロセスを示す。
【図7B】[0029]本開示の実施形態に一致する、シミュレーションに基づいて調節条件を決定する例示的なプロセスを示す。
【図7C】[0030]本開示の実施形態に一致する、マスク欠陥印刷可能性シミュレーションのための例示的なソフトウェアプラットフォームを示す。
【図8】[0031]本開示の実施形態に一致する、複数フィールドを有する例示的なウェーハを示す。
【図9】[0032]本開示の実施形態に一致する、例示的なマスク欠陥検出方法を表すプロセスフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0019】
[0033] ここで、例示的な実施形態を詳細に参照する。これらの実施形態の例が、添付の図面に示されている。以下の説明は添付の図面を参照し、異なる図面中の同じ番号は、特に断りの無い限り、同じ又は同様の要素を表す。例示的な実施形態の以下の説明文中に記載される実施態様は、全ての実施態様を表すものではない。その代わり、それらは、添付の特許請求の範囲に列挙される開示される実施形態に関連する態様と一致する装置及び方法の単なる例にすぎない。例えば、いくつかの実施形態は、電子ビームを利用するという文脈で説明されているが、本開示はそのように限定はされない。他のタイプの荷電粒子ビームも、同様に適用することができる。更に、光学撮像、光検出、ｘ線検出などの他の撮像システムが使用されることができる。
【0020】
[0034] 電子デバイスは、基板と呼ばれる半導体材料の断片上に形成される回路から構成される。半導体材料は、例えばシリコン、ガリウムヒ素、リン化インジウム、又はシリコンゲルマニウムなどを含み得る。多数の回路が、同じシリコン片上に一緒に形成されることができ、集積回路又はＩＣと呼ばれる。多数のより多くの回路を基板上に収めることができるように、これらの回路の寸法は劇的に低減された。例えば、スマートフォン内のＩＣチップは、親指の爪ほど小さいことがあり得るが、２０億個を超えるトランジスタを含むことができ、各トランジスタの寸法は、人間の髪の毛の寸法の１／１０００よりも小さい。
【0021】
[0035] これらの極めて小さな構造又は部品を有するＩＣを製造することは、複雑で時間がかかり高価なプロセスであり、しばしば数百にのぼる個別ステップを含む。たった１つのステップでのエラーが、完成したＩＣにおける欠陥をもたらし、そのＩＣを使い物にならなくする可能性がある。従って、製造プロセスの目標の１つは、そのような欠陥を回避して、プロセスにおいて作製される機能的ＩＣの数を最大化すること、即ち、プロセスの全体的歩留まりを向上させることである。
【0022】
[0036] 歩留まりを向上させる１つの構成要素は、チップ作製プロセスを監視して、十分な数の機能的集積回路が製造されていることを確認することである。プロセスを監視する１つの方法は、チップ回路構造物を形成する様々な段階において、チップ回路構造物を検査することである。検査は、走査荷電粒子顕微鏡（ＳＣＰＭ）を使用して行うことができる。例えば、ＳＣＰＭは走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）であり得る。ＳＣＰＭは、実際にはウェーハの構造の「写真」を撮り、それらの極めて小さな構造を撮像するために使用することができる。この画像を使用して、構造が適切な位置に適切に形成されたかどうかを判断することができる。構造に欠陥がある場合、その欠陥が再発しにくくなるようにプロセスを調節することができる。ＩＣ部品の物理的サイズが小さくなり続けるにつれ、欠陥検出の精度及び歩留まりがより重要になる。製造されたＩＣの欠陥を識別又は分類するために、ＳＥＭ画像などの検査画像を使用することができる。
【0023】
[0037] リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、マスク又はレチクルは、ＩＣの個々の層に対応する回路パターン（「設計レイアウト」）を含み、又は提供し得、この回路パターンは、マスク上の回路パターンを通してターゲット部分に照射するなどの方法によって、放射感応性材料（「レジスト」）の層でコーティングされた基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つ又は複数のダイを含むもの）上に転写され得る。マスク欠陥は、プロセスの歩留まりに大いに影響を与え得る。マスク欠陥を識別し、マスク欠陥が識別されたときに適切なフォローアップ手続きをとるために、プリントされたウェーハを検査することによってマスクの状態が監視され得る。例えば、マスクの欠陥を除去する手続き、例えば、マスクを洗浄したり、又は再加工したりすることによってマスクの欠陥を除去する手続きが行われ得る。リソグラフィが大量生産（ＨＶＭ）に移行すると、マスクの欠陥を見つけて直すことがより重要になる。
【0024】
[0038] プリントチェック方法において、ウェーハにパターンを形成するためにマスクが使用され、マスクの欠陥を検出するためにウェーハが検査される。例えば、ウェーハの欠陥を見つけるためにウェーハが検査され、複数のウェーハフィールドの同じ位置で欠陥が繰り返す場合、欠陥は、マスクの欠陥に起因すると決定され得る。ＳＥＭ画像などの検査画像もプリントチェックに使用され得る。プリントチェックは、マスク欠陥がウェーハに繰り返し印刷されるという仮定に基づくが、外部粒子に起因する粒子欠陥を含むいくつかのマスク欠陥、確率論によってウェーハに確実に印刷されないこともある。外部粒子は、様々なＩＣ製造プロセス又は放射線発生プロセスで発生され得る。例えば、マスク上の特定の粒子は、あるウェーハフィールドに印刷されるが、別のウェーハフィールドには印刷されないことがある。例えば、マスク上の６０ｎｍの粒子は、ウェーハ上にパターンを形成するためにマスクに照射される放射線の確率論的特性により、約１０％の時間しか印刷されないことがある。従って、すべてのマスク欠陥を捕捉するためには、複数のウェーハフィールドを完全に検査する必要がある。しかしながら、複数のウェーハフィールドをＳＥＭツールで完全に検査するには時間がかかり、このことは、全体的なスループットの低下につながり得る。従って、マスク欠陥検出性能の改善が望まれる。
【0025】
[0039] 本開示の実施形態は、ウェーハのマスク欠陥印刷可能性を改善するための機構を提供し得る。本開示のいくつかの実施形態によれば、マスクを使用してウェーハを露光する際のプロセス条件を調節することにより、マスク欠陥印刷可能性が改善され得る。本開示のいくつかの実施形態によれば、１つ又は複数のウェーハフィールドの完全な検査が、粒子欠陥を含む潜在的なマスク欠陥を識別し得る。本開示のいくつかの実施形態によれば、潜在的なマスク欠陥は、別のウェーハフィールドでスポット検査を行うことによって、欠陥がマスク欠陥であるか否かが検証され得る。本開示の実施形態は、実験又はシミュレーションに基づいて調整するためのプロセス条件を決定するための機構を提供し得る。
【0026】
[0040] 図面における構成要素の相対的な寸法は、理解しやすいように誇張されていることができる。以下の図面の説明では、同じ又は同様の参照番号は、同じ又は同様の構成要素又はエンティティを指しており、個々の実施形態に関して異なる点のみが説明されている。本明細書で使用する場合、特段の断りが無い限り、「又は」という用語は、実行不可能である場合を除いて、全ての可能な組み合わせを包含する。例えば、構成要素がＡ又はＢを含むことができると記載されている場合、特段の断りが無い限り又は実行不可能で無い限り、構成要素はＡ、又はＢ、又はＡ及びＢを含むことができる。第２の例として、構成要素がＡ、Ｂ、又はＣを含むことができると記載されている場合、特段の断りが無い限り又は実行不可能で無い限り、構成要素はＡ、又はＢ、又はＣ、又はＡ及びＢ、又はＡ及びＣ、又はＢ及びＣ、又はＡ及びＢ及びＣを含むことができる。
【0027】
[0041] 図１は、本開示の実施形態に一致する、リソグラフィシステムの様々なサブシステムの概略ブロック図である。図１に示すように、リソグラフィシステム１０は、照明光源１２と、照明光学系１４と、マスク１６（又はレチクル）と、伝送光学系１８と、を含み得る。照明光源１２は、深紫外エキシマレーザ光源、又は極端紫外（ＥＵＶ）光源を含む他のタイプの光源であり得る。照明光学系１４は、部分コヒーレンスを特徴付けてもよく、照明光源１２からの放射線を整形する光学系１４ａ及び１４ｂを含み得る。伝送光学系１８は、基板面１９にマスクパターンの像を投影し得る。投影光学系１８の瞳面における調節可能なフィルタ又はアパーチャは、基板面１９に入射するビーム角の範囲を制限し得る。
【0028】
[0042] リソグラフィ装置において、照明光源１２は、マスク１６に照明（すなわち、放射線）を提供し、投影光学系は、マスク１６を介して基板Ｗ上に照明を導き、整形する。「投影光学系」という用語は、本明細書では、放射ビームの波面を変え得るあらゆる光学部品を含むように広く定義される。例えば、投影光学系は、照明光学系１４及び伝送光学系１８の少なくともいくつかを含み得る。
【0029】
[0043] 本明細書では、実施形態をＩＣの製造で使用することが具体的に参照されているが、実施形態は、多くの他の用途を有することを明確に理解されたい。例えば、実施形態は、一体型光学系、磁区メモリのガイダンスパターン及び検出パターン、液晶ディスプレイパネル、薄膜磁気ヘッドなどの製造に採用され得る。このような代替的な用途の文脈において、本明細書における「レチクル」、「ウェーハ」、又は「フィールド」という用語の使用は、それぞれ、より一般的な用語である「マスク」、「基板」、及び「ターゲット部分」と交換可能であるとみなされるべきであることが当業者には理解されよう。本文書では、「放射線」及び「ビーム」という用語は、あらゆるタイプの電磁放射線を包含するように使用され、そのような電磁放射線には、紫外線（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７、又は１２６ｎｍの波長を有するもの）及びＥＵＶ（例えば、５～２０ｎｍの範囲の波長を有する極端紫外線もの）が含まれる。
【0030】
[0044] 図２は、本開示の実施形態に一致する、複数のフィールドを有する露光ウェーハを示す。図２に示すように、ウェーハ２０は、マスク（例えば、図１のマスク１６）のエリアにそれぞれ対応する複数のフィールド２１＿１～２１＿ｎを含み得る。いくつかの実施形態では、マスクが、複数のフィールド２１＿１～２１＿ｎのそれぞれに回路パターンを生成するために使用される。いくつかの実施形態では、マスクが、リソグラフィシステム（例えば、図１のリソグラフィシステム）によって複数のフィールド２１＿１～２１＿ｎ上に回路パターンを連続的に生成するために使用される。いくつかの実施形態では、各フィールドは１つのダイ又は任意の数のダイを含み得る。あるタイプのリソグラフィ装置では、マスク全体の回路パターンが１つのフィールドに１回で転写される。このような装置は一般にステッパと呼ばれる。一般にステップアンドスキャン装置と呼ばれる代替的な装置では、投影ビームがマスク上を所定の基準方向（「走査」方向）に走査する。マスク上の回路パターンの異なる部分が、漸進的に１つのフィールドに転写される。いくつかの実施形態では、ウェーハ２０は、ＳＥＭツールによって検査されて、１つ又は複数のフィールド２１＿１～２１＿ｎを検査することによって、マスクの欠陥を見つける。
【0031】
[0045] 図３Ａは、本開示の実施形態と一致した、例示的な電子ビーム検査（ＥＢＩ）システム１００を示す。ＥＢＩシステム１００は、撮像のために使用されることができる。図３Ａに示すように、ＥＢＩシステム１００は、メインチャンバ１０１、装填／ロックチャンバ１０２、ビームツール１０４、及び機器フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ）１０６を含む。ビームツール１０４は、メインチャンバ１０１内部に配置されている。ＥＦＥＭ１０６は、第１の装填ポート１０６ａ及び第２の装填ポート１０６ｂを含む。ＥＦＥＭ１０６は、追加の装填ポートを含むことができる。第１の装填ポート１０６ａ及び第２の装填ポート１０６ｂは、検査対象のウェーハ（例えば、半導体ウェーハ、又は他の材料で作られたウェーハ）又はサンプル（ウェーハ及びサンプルは、互換的に使用されることができる）を収容するウェーハＦＯＵＰ（front opening unified pod）を受け取る。「ロット」とは、バッチとして処理するために装填されることができる複数のウェーハである。
【0032】
[0046] ＥＦＥＭ１０６内の１つ又は複数のロボットアーム（図示せず）が、ウェーハを装填／ロックチャンバ１０２に運ぶことができる。装填／ロックチャンバ１０２は、装填／ロック真空ポンプシステム（図示せず）に接続され、このポンプシステムは、大気圧よりも低い第１の圧力に達するように、装填／ロックチャンバ１０２内のガス分子を除去する。第１の圧力に達した後、１つ又は複数のロボットアーム（図示せず）がウェーハを装填／ロックチャンバ１０２からメインチャンバ１０１に運ぶことができる。メインチャンバ１０１は、メインチャンバ真空ポンプシステム（図示せず）に接続され、このポンプシステムは、第１の圧力よりも低い第２の圧力に達するように、メインチャンバ１０１内のガス分子を除去する。第２の圧力に達した後、ウェーハはビームツール１０４による検査にかけられる。ビームツール１０４は、シングルビームシステム又はマルチビームシステムであり得る。
【0033】
[0047] コントローラ１０９がビームツール１０４に電子的に接続される。コントローラ１０９は、ＥＢＩシステム１００の様々な制御を実行するように構成されるコンピュータであり得る。図３Ａではメインチャンバ１０１、ロード／ロックチャンバ１０２、及びＥＦＥＭ１０６を含む構造の外側にあるようにコントローラ１０９を図示するが、コントローラ１０９は構造の一部であり得ることが理解されよう。
【0034】
[0048] いくつかの実施形態では、コントローラ１０９は１つ又は複数のプロセッサ（図示せず）を含むことができる。プロセッサは、情報を操作又は処理することができる汎用的な又は特定の電子デバイスであり得る。例えば、プロセッサは、任意の数の、中央処理装置（即ち「ＣＰＵ」）、グラフィックス処理装置（即ち「ＧＰＵ」）、光プロセッサ、プログラマブル論理制御装置、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、デジタル・シグナル・プロセッサ、ＩＰ（intellectual property）コア、プログラマブル・ロジック・アレイ（ＰＬＡ）、プログラマブル・アレイ・ロジック（ＰＡＬ）、汎用アレイロジック（ＧＡＬ）、コンプレックス・プログラマブル・ロジック・デバイス（ＣＰＬＤ）、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（ＦＰＧＡ）、システム・オン・チップ（ＳｏＣ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、及びデータ処理可能な任意の種類の回路、の任意の組み合わせを含むことができる。プロセッサはまた、ネットワークを介して結合された複数の機械又はデバイスにまたがって分散した１つ又は複数のプロセッサを含む、仮想プロセッサであり得る。
【0035】
[0049] いくつかの実施形態では、コントローラ１０９は更に、１つ又は複数のメモリ（図示せず）を含むことができる。メモリは、（例えば、バスを介して）プロセッサがアクセス可能なコード及びデータを記憶することができる、汎用の又は特定の電子デバイスであり得る。例えば、メモリは、任意の数のランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、光ディスク、磁気ディスク、ハードドライブ、ソリッド・ステート・ドライブ、フラッシュドライブ、セキュリティ・デジタル（ＳＤ）カード、メモリスティック、コンパクト・フラッシュ（ＣＦ）カード、又は任意の種類の記憶デバイス、の任意の組み合わせを含むことができる。コード及びデータには、オペレーティングシステム（ＯＳ）、及び特定のタスク用の１つ又は複数のアプリケーション・プログラム（即ち「ａｐｐｓ」）が含まれることができる。メモリはまた、ネットワークを介して結合された複数の機械又はデバイスにまたがって分散した１つ又は複数のメモリを含む、仮想メモリであり得る。
【0036】
[0050] 図３Ｂは、本開示の実施形態に一致する、ＥＢＩシステム１００（図３Ａ）で使用するように構成され得る例示的なマルチビームツール１０４（本明細書では装置１０４とも呼ぶ）及び画像処理システム２９０の概略図を示す。
【0037】
[0051] ビームツール１０４は、荷電粒子源２０２、ガンアパーチャ２０４、集光レンズ２０６、荷電粒子源２０２から放出される一次荷電粒子ビーム２１０、放射源変換ユニット２１２、一次荷電粒子ビーム２１０の複数のビームレット２１４、２１６、及び２１８、一次投影光学系２２０、電動ウェーハステージ２８０、ウェーハホルダー２８２、複数の二次荷電粒子ビーム２３６、２３８、及び２４０、二次光学系２４２、及び荷電粒子検出デバイス２４４を含む。一次投影光学系２２０は、ビームセパレータ２２２、偏向走査ユニット２２６、及び対物レンズ２２８を含み得る。荷電粒子検出デバイス２４４は、検出サブ領域２４６、２４８、及び２５０を含み得る。
【0038】
[0052] 荷電粒子源２０２、ガンアパーチャ２０４、集光レンズ２０６、放射源変換ユニット２１２、ビームセパレータ２２２、偏向走査ユニット２２６、及び対物レンズ２２８は、装置１０４の一次光軸２６０とアライメントすることができる。二次光学系２４２及び荷電粒子検出デバイス２４４は、装置１０４の二次光軸２５２とアライメントすることができる。
【0039】
[0053] 荷電粒子源２０２は、電子、陽子、イオン、ミューオン、又は電荷を搬送する他の任意の粒子などの１つ又は複数の荷電粒子を放出することができる。いくつかの実施形態では、荷電粒子源２０２は電子放射源であり得る。例えば荷電粒子源２０２はカソード、抽出器、又はアノードを含むことができ、一次電子はカソードから放出され、（仮想の又は現実の）クロスオーバー２０８と共に一次荷電粒子ビーム２１０（この場合は一次電子ビーム）を形成するために抽出又は加速され得る。曖昧さを生じさせることなく説明を容易にするために、本明細書の説明の一部では電子を例として使用する。しかし、本開示の如何なる実施形態でも電子に限らず任意の荷電粒子を使用できることに留意すべきである。一次荷電粒子ビーム２１０は、クロスオーバー２０８から放出されているとき可視化され得る。ガンアパーチャ２０４は、クーロン効果を低減するために一次荷電粒子ビーム２１０の周辺荷電粒子を遮断することができる。クーロン効果は、プローブスポットのサイズの拡大を引き起こし得る。
【0040】
[0054] 放射源変換ユニット２１２は、画像形成素子のアレイ及びビーム制限アパーチャのアレイを含み得る。画像形成素子のアレイは、マイクロ偏向器又はマイクロレンズのアレイを含み得る。画像形成素子のアレイは、一次荷電粒子ビーム２１０の複数のビームレット２１４、２１６、及び２１８と共にクロスオーバー２０８の複数の（仮想の又は現実の）平行画像を形成することができる。ビーム制限アパーチャのアレイは、複数のビームレット２１４、２１６、及び２１８を制限することができる。図３Ｂには３つのビームレット２１４、２１６、及び２１８が示されているが、本開示の実施形態はこれに限定されない。例えばいくつかの実施形態では、装置１０４は第１の数のビームレットを生成するように構成され得る。いくつかの実施形態では、ビームレットの第１の数は１から１０００までの範囲内にあり得る。いくつかの実施形態では、ビームレットの第１の数は２００～５００の範囲内にあり得る。例示的実施形態では、装置１０４が４００のビームレットを生成することができる。
【0041】
[0055] 集光レンズ２０６は、一次荷電粒子ビーム２１０を集束させることができる。放射源変換ユニット２１２の下流のビームレット２１４、２１６、及び２１８の電流は、集光レンズ２０６の集束力を調節することによって、又はビーム制限アパーチャのアレイ内の対応するビーム制限アパーチャの半径のサイズを変えることによって変化させることができる。対物レンズ２２８は、ビームレット２１４、２１６、及び２１８を撮像用のウェーハ２３０上に集束させることができ、ウェーハ２３０の表面上に複数のプローブスポット２７０、２７２、及び２７４を形成することができる。
【0042】
[0056] ビームセパレータ２２２は、静電双極子場及び磁気双極子場を生成するウィーンフィルタ型のビームセパレータであり得る。いくつかの実施形態では、これらが適用される場合、ビームレット２１４、２１６、及び２１８の荷電粒子（例えば電子）に対して静電双極子場が及ぼす力は、荷電粒子に対して磁気双極子場が及ぼす力に対して大きさが実質的に等しく、方向が反対であり得る。従って、ビームレット２１４、２１６、及び２１８はゼロの偏向角でビームセパレータ２２２を真っ直ぐに通過することができる。しかし、ビームセパレータ２２２によって生成されるビームレット２１４、２１６、及び２１８の総分散もゼロでないことがある。ビームセパレータ２２２は、二次荷電粒子ビーム２３６、２３８、及び２４０をビームレット２１４、２１６、及び２１８から分離し、二次荷電粒子ビーム２３６、２３８、及び２４０を二次光学系２４２に導くことができる。
【0043】
[0057] 偏向走査ユニット２２６は、ビームレット２１４、２１６、及び２１８を偏向させてウェーハ２３０の表面エリア上のプローブスポット２７０、２７２、及び２７４を走査することができる。プローブスポット２７０、２７２、及び２７４におけるビームレット２１４、２１６、及び２１８の入射に応答し、二次荷電粒子ビーム２３６、２３８、及び２４０がウェーハ２３０から放出され得る。二次荷電粒子ビーム２３６、２３８、及び２４０は、エネルギーの分布を有する荷電粒子（例えば電子）を含み得る。例えば、二次荷電粒子ビーム２３６、２３８、及び２４０は、二次電子（エネルギー≦５０ｅＶ）及び後方散乱電子（５０ｅＶとビームレット２１４、２１６、及び２１８のランディングエネルギーとの間のエネルギー）を含む二次電子ビームであり得る。二次光学系２４２は、二次荷電粒子ビーム２３６、２３８、及び２４０を荷電粒子検出デバイス２４４の検出サブ領域２４６、２４８、及び２５０上に収束させることができる。検出サブ領域２４６、２４８、及び２５０は、対応する二次荷電粒子ビーム２３６、２３８、及び２４０を検出し、ウェーハ２３０の表面エリア上の又はその下の構造のＳＣＰＭ画像を再構築するために使用される対応する信号（例えば電圧、電流など）を生成するように構成され得る。
【0044】
[0058] 生成される信号は、二次荷電粒子ビーム２３６、２３８、及び２４０の強度を表すことができ、荷電粒子検出デバイス２４４、一次投影光学系２２０、及び電動ウェーハステージ２８０と通信する画像処理システム２９０に提供され得る。走査プローブスポット（例えば走査プローブスポット２７０、２７２、及び２７４）の移動がウェーハ２３０上の関心エリアを整然とカバーするように、電動ウェーハステージ２８０の移動速度は偏向走査ユニット２２６によって制御されるビームの偏向と同期され調整され得る。かかる同期及び調整のパラメータは、ウェーハ２３０の様々な材料に適応するように調節することができる。例えばウェーハ２３０の異なる材料は、走査プローブスポットの移動に対して異なる信号感度を引き起こし得る異なる抵抗－容量特性を有する場合がある。
【0045】
[0059] 二次荷電粒子ビーム２３６、２３８、及び２４０の強度はウェーハ２３０の外部構造又は内部構造に応じて変化する場合があり、従ってウェーハ２３０が欠陥を含むかどうかを示すことができる。更に、上述したようにビームレット２１４、２１６、及び２１８は、異なる強度を有し得る二次荷電粒子ビーム２３６、２３８、及び２４０を生成するために、ウェーハ２３０の上面の異なる位置上に又はウェーハ２３０の局所構造の異なる側面上に投影することができる。従って、二次荷電粒子ビーム２３６、２３８、及び２４０の強度をウェーハ２３０のエリアとマップすることにより、画像処理システム２９０はウェーハ２３０の内部構造又は外部構造の特性を反映する画像を再構築することができる。
【0046】
[0060] いくつかの実施形態では、画像処理システム２９０は、画像取得器２９２、ストレージ２９４、及びコントローラ２９６を含むことができる。画像取得器２９２は、１つ又は複数のプロセッサを含むことができる。例えば画像取得器２９２は、コンピュータ、サーバ、メインフレームホスト、端末、パーソナルコンピュータ、任意の種類のモバイル計算装置など、又はそれらの組み合わせを含み得る。画像取得器２９２は、導電体、光ファイバケーブル、携帯ストレージ媒体、ＩＲ、ブルートゥース、インターネット、ワイヤレスネットワーク、ワイヤレス無線、又はそれらの組み合わせなどの媒体を介してビームツール１０４の荷電粒子検出デバイス２４４に通信可能に結合され得る。いくつかの実施形態では、画像取得器２９２は荷電粒子検出デバイス２４４から信号を受信することができ、画像を構築することができる。このようにして、画像取得器２９２はウェーハ２３０の走査荷電粒子顕微鏡（ＳＣＰＭ）画像を取得することができる。画像取得器２９２は、輪郭を生成すること、取得された画像上に指示子を重畳すること、などの様々な後処理機能を行うこともできる。画像取得器２９２は取得された画像の輝度及びコントラストなどの調節を行うように構成され得る。いくつかの実施形態では、ストレージ２９４は、ハードディスク、フラッシュドライブ、クラウドストレージ、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、他の種類のコンピュータ可読メモリなどのストレージ媒体であり得る。ストレージ２９４は画像取得器２９２に結合することができ、走査済み生画像データを元画像及び後処理済み画像として保存するために使用され得る。画像取得器２９２及びストレージ２９４は、コントローラ２９６に接続されていてもよい。いくつかの実施形態では、画像取得器２９２、ストレージ２９４、及びコントローラ２９６が１つの制御ユニットとして一体化され得る。
【0047】
[0061] いくつかの実施形態では、画像取得器２９２は荷電粒子検出デバイス２４４から受信された撮像信号に基づきウェーハの１つ又は複数のＳＣＰＭ画像を取得し得る。撮像信号は、荷電粒子撮像を行うための走査動作に対応し得る。取得された画像は、複数の撮像エリアを含む単一画像であり得る。単一画像はストレージ２９４内に格納され得る。単一画像は複数の領域に分割され得る元画像であり得る。これらの領域の各々は、ウェーハ２３０のフィーチャを含む１つの撮像エリアを含み得る。取得された画像は、一時系列にわたって複数回サンプリングされるウェーハ２３０の単一の撮像エリアの複数の画像を含み得る。複数の画像はストレージ２９４内に格納され得る。いくつかの実施形態では、画像処理システム２９０はウェーハ２３０の同一位置の複数の画像を用いて画像処理工程を行うように構成され得る。
【0048】
[0062] いくつかの実施形態では、画像処理システム２９０は、検出された二次荷電粒子（例えば二次電子）の分布を得るための測定回路（例えばアナログ／デジタル変換器）を含み得る。検出時間ウィンドウ中に収集された荷電粒子の分布データをウェーハ表面上に入射するビームレット２１４、２１６、及び２１８の対応する走査パスデータと組み合わせて使用して、検査中のウェーハ構造の画像を再構築することができる。再構築された画像は、ウェーハ２３０の内部構造又は外部構造の様々なフィーチャを明らかにするために使用することができ、それによりウェーハ内に存在する可能性がある任意の欠陥を明らかにするために使用され得る。
【0049】
[0063] いくつかの実施形態では、荷電粒子が電子であり得る。一次荷電粒子ビーム２１０の電子がウェーハ２３０の表面（例えばプローブスポット２７０、２７２、及び２７４）上に投影されると、一次荷電粒子ビーム２１０の電子はウェーハ２３０の粒子と相互作用して一定の深さまでウェーハ２３０の表面を貫通し得る。一次荷電粒子ビーム２１０の一部の電子は、ウェーハ２３０の材料と弾性的に（例えば弾性散乱又は衝突の形で）相互作用し、ウェーハ２３０の表面から反射又は跳ね返され得る。弾性相互作用は、相互作用の物体（例えば一次荷電粒子ビーム２１０の電子）の全運動エネルギーを保存し、相互作用する物体の運動エネルギーは他の形態のエネルギー（例えば熱、電磁エネルギーなど）に変換されない。このような弾性相互作用から発生する反射電子は、後方散乱電子（ＢＳＥ）と呼ばれることがある。一次荷電粒子ビーム２１０の一部の電子は、ウェーハ２３０の材料と（例えば非弾性散乱又は衝突の形で）非弾性的に相互作用する場合がある。非弾性相互作用は、相互作用の物体の全運動エネルギーを保存せず、相互作用する物体の運動エネルギーの一部又は全てが他の形態のエネルギーに変換する。例えば非弾性相互作用により、一次荷電粒子ビーム２１０の一部の電子の運動エネルギーが材料の原子の電子励起及び遷移を引き起こす可能性がある。かかる非弾性相互作用は、二次電子（ＳＥ）と呼ばれることがあるウェーハ２３０の表面から出る電子を生成することもある。ＢＳＥ及びＳＥの収量又は放出率は、数ある中でも例えば検査中の材料及び材料の表面上に照射される一次荷電粒子ビーム２１０の電子の照射エネルギーに依存する。一次荷電粒子ビーム２１０の電子のエネルギーは、その加速電圧（例えば図３Ｂの荷電粒子源２０２のアノードとカソードとの間の加速電圧）によって部分的に付与される場合がある。ＢＳＥ及びＳＥの量は、一次荷電粒子ビーム２１０の注入電子よりも多い又は少ない場合がある（更には同じであり得る）。
【0050】
[0064] ＳＥＭによって生成された画像は、欠陥検査に使用することができる。例えば、ウェーハの試験デバイス領域を捕捉した生成画像を、同じ試験デバイス領域を捕捉した基準画像と比較することができる。基準画像は（例えばシミュレーションによって）予め決定され、既知の欠陥を含まない場合がある。生成画像と基準画像との差が許容水準を超える場合、潜在的欠陥が識別され得る。別の例として、ＳＥＭはウェーハの複数の領域を走査することであって、各領域は同じように設計された試験デバイス領域を含む、走査すること、及び製造時にそれらの試験デバイス領域を捕捉する複数の画像を生成することができる。複数の画像は互いに比較することができる。複数の画像間の差が許容水準を超える場合、潜在的欠陥が識別され得る。
【0051】
[0065] いくつかの実施形態では、ＳＥＭ画像もまた、１つ又は複数のフィールド、例えば図２の２１＿１～２１＿ｎを検査することによってマスク欠陥を見つけるために利用され得る。欠陥が複数フィールド２１＿１～２１＿ｎで繰り返す場合、欠陥をマスク欠陥とみなすことができる。しかしながら、外部粒子に起因する粒子欠陥を含むいくつかのマスク欠陥は、ウェーハ上にパターンを形成するためにマスクに適用される放射線の確率論的特性により、すべてのフィールドに印刷されないこともある。例えば、マスク上の特定の粒子は、あるフィールドに欠陥として印刷されるが、別のフィールドには印刷されないことがある。従って、すべてのマスク欠陥を捕捉するために、複数のフィールドが検査されることがある。例えば、マスク上の特定のサイズの粒子は、約１０％の時間しか印刷されないことがある。従って、このようなシナリオでは、粒子欠陥を含むすべてのマスク欠陥を捕捉するためには、ウェーハの多数のフィールドが検査される必要があり、これにより、マスク欠陥検出のスループットが低下する。
【0052】
[0066] 図４は、本開示の実施形態に一致する、欠陥印刷可能性及び欠陥検出可能性を示す例示的グラフである。図４では、フィールドに７５％～１００％の確率で印刷される欠陥が第１のグループＡとしてグループ化され、フィールドに２５％～７５％の確率で印刷される欠陥が第２のグループＢとしてグループ化され、フィールドに２５％未満の確率で印刷される欠陥が第３のグループＣとしてグループ化される。図４はまた、例示的な因子として粒子サイズあたりの欠陥印刷可能性の強度を示す。図４から、粒子サイズが縮小すると欠陥印刷可能性が減少し得ることに留意されたい。図４に示すように、３つのフィールドを検査することによって、第１のグループＡの欠陥のほとんどすべてを検出することができ、３つのフィールドを検査することによって、第２のグループＢの欠陥の約６０～９５％を検出することができ、３つのフィールドを検査することによって、第３のグループＣの欠陥の６０％未満を検出することができる。第２のグループＢ又は第３のグループＣのすべてのマスク欠陥を検出するためには、４つ以上のフィールドが検査されてもよいことに留意されたい。
【0053】
[0067] ＩＣ部品の物理的サイズが小さくなり続けるにつれ、欠陥検出の精度及び歩留まりがより重要になる。ＳＥＭ画像のピクセルサイズが、特定レベルの欠陥感度及び解像度を維持するために小さくなり続ける。従って、複数フィールドをＳＥＭツールで検査するには時間がかかり、このことは、最終的に全体的な歩留まりを低下させ得る。本開示の実施形態は、１つのフィールドの完全な検査に基づいて、粒子欠陥を含むマスク欠陥を検出し得るマスク欠陥検出システムを提供し得る。本開示のいくつかの実施形態によれば、リソグラフィシステムを使用してウェーハを露光させるためのプロセス条件を調節することにより、マスク欠陥をウェーハに確実に印刷することができる。
【0054】
[0068] 次に、図５を参照すると、図５は、本開示の実施形態に一致する、例示的なマスク欠陥検出システムのブロック図である。いくつかの実施形態では、マスク欠陥検出システム５００は、１つ又は複数のプロセッサ及びメモリを含み得る。様々な実施形態において、マスク欠陥検出システム５００は、荷電粒子ビーム検査システム（例えば図３ＡのＥＢＩシステム１００）、又は計算機リソグラフィシステム、又は他のフォトリソグラフィシステムの一部とすることができ、又はそれらと別個であってもよいことが理解されよう。いくつかの実施形態では、マスク欠陥検出システム５００は、本明細書で論じるようにコントローラ１０９に実装され得る１つ又は複数の構成要素（例えばソフトウェアモジュール）を含み得る。図５に示すように、マスク欠陥検出システム５００は、調節条件取得器５１０と、露光ウェーハ取得器５２０と、欠陥識別器５３０と、欠陥検証器５４０と、を含み得る。
【0055】
[0069] 本開示のいくつかの実施形態によれば、調節条件取得器５１０は、リソグラフィシステムを使用してウェーハを露光させるために使用され得る調節プロセス条件を取得し得る。いくつかの実施形態では、調節条件が、ウェーハ上のマスク欠陥印刷可能性を強化し得る。いくつかの実施形態では、調節条件が、マスク上の粒子欠陥を含むマスク欠陥をより確実にウェーハ上に印刷され得るようにし、これにより、マスク欠陥検出率を向上させ得る。いくつかの実施形態では、外部粒子がマスクのパターンを部分的に遮る場合、粒子は、ウェーハ上にハード欠陥として印刷されるのではなく、ウェーハに印刷されたパターンを縮小又は拡大させ得る。この印刷されたパターンのサイズ変化がＳＥＭツールの欠陥検出感度範囲外である場合、印刷されたパターンの検査が粒子欠陥を捕捉しないことがある。本開示のいくつかの実施形態によれば、粒子欠陥を含むマスク欠陥がウェーハ上にハード欠陥として印刷されるように欠陥印刷可能性を高めるように調節プロセス条件が選択され得る。いくつかの実施形態では、調節プロセス条件が、名目プロセス条件とは異なり得る。いくつかの実施形態では、名目プロセス条件が、生産のためにマスクを用いてウェーハを露光させるためのリソグラフィシステムの生産プロセス条件であり得る。いくつかの実施形態では、最もよくあるプロセス条件は、多くの場合、異なるフィールド又はウェーハの間のばらつきを最小化しながら、ウェーハの許容可能な品質が望まれている名目プロセス条件として定義され得る。いくつかの実施形態では、名目プロセス条件が、大量生産（ＨＶＭ）のためにウェーハを印刷するのに適した最適なプロセス条件であり得る。
【0056】
[0070] 本開示のいくつかの実施形態によれば、欠陥印刷可能性を改善するように調整され得るプロセス条件が、リソグラフィシステム、例えば図１のリソグラフィシステム１０の露光ドーズ、フォーカス、照明条件などを含み得る。いくつかの実施形態では、露光ドーズが、どれだけの量の光又は放射線を通すかを示すことができ、エネルギー密度ｍＪ／ｃｍ２の単位として、光強度に露光時間を乗じたものとして定義され得る。いくつかの実施形態では、露光ドーズが、とりわけ、リソグラフィシステム１０の照明光源１２の動作を制御することによって調節され得る。いくつかの実施形態では、フォーカスが、基板面１９に対する伝送光学系１８の焦点を示し得る。いくつかの実施形態では、フォーカスが、とりわけ、伝送光学系１８の動作を制御することによって調節され得る。いくつかの実施形態では、フォーカスが、伝送光学系１８のフィルタ、レンズなどの部品の動作を制御することによって調節され得る。
【0057】
[0071] いくつかの実施形態では、照明条件が、照明光源１２からマスクに入射する放射線の特性を示し得る。放射線の特性は、放射線がマスクにどのように入射するかを表し得る。いくつかの実施形態では、照明条件が、これだけに限定されないが、マスクへの放射線の入射角度、マスクへの放射線のパターン、マスクに入射する放射ビームの数などを含み得る。いくつかの実施形態では、照明条件が、とりわけ、リソグラフィシステム１０の照明光学系１４の動作を制御することによって調節され得る。いくつかの実施形態では、照明光学系１４が、フィルタ、レンズ、ミラーなどの様々な部品を含み得、このような様々な部品が、マスクに入射する放射ビームが所望の特性を有するように正確に調整するために使用され得る。いくつかの実施形態では、照明条件が、照明光学系１４の照明瞳を制御することによって調節され得る。いくつかの実施形態では、照明瞳が、ファセットされた瞳ミラーアレイとして実装され得る。いくつかの実施形態では、照明条件が、瞳の数、各瞳の反射角度、瞳から出る放射パターンなどを調整することによって調節され得る。
【0058】
[0072] 図６Ａは、本開示の実施形態に一致する、ウェーハに印刷されたクリティカルディメンジョンに対するドーズ調節の影響を示す例示的グラフである。図６Ａは、特定の構造に対応する粒子がマスクに存在する場合、ウェーハに印刷された特定の構造のクリティカルディメンジョンが、露光ドーズが減少するにつれてどのように変化するかを示す。例えば、構造はコンタクトホールであり得、コンタクトホールのクリティカルディメンジョンはコンタクトホールの直径によって測定され得る。図６Ａでは、ウェーハで測定された構造のクリティカルディメンジョンは、ウェーハを露光させるのに使用される露光ドーズが減少するにつれて小さくなる。例えば、露光ドーズが名目露光ドーズ（図６Ａの下部の横軸に０％と示されるもの）から６０％減少（図６Ａの下部の横軸に－６０％と示されるもの）すると、クリティカルディメンジョンは約４５％減少する。クリティカルディメンジョンの変化がＳＥＭツールの欠陥検出感度範囲に入ると、マスク上の粒子は、印刷されたウェーハ上のハード欠陥として検出され得る。図６Ａから、露光ドーズが調節されると、マスク上の光を遮る粒子の影響が強くなり、これにより、粒子欠陥を含むマスク欠陥がハード欠陥として印刷されるように欠陥印刷可能性が向上し得ることに留意されたい。図６Ａに示すように、露光ドーズを調節することにより、欠陥印刷可能性、ひいては欠陥検出可能性が改善され得る。
【0059】
[0073] 図６Ｂは、本開示の実施形態に一致する、ドーズ調節及び粒子サイズに従う欠陥印刷可能性を示す例示的グラフである。図６Ｂでは、第１の線Ｌ１は、ドーズ調節がない場合に粒子サイズに従って欠陥印刷可能性がどのように変化するかを示し、第２の線Ｌ２は、名目ドーズから１０％のドーズ減少がある場合に粒子サイズに従って欠陥印刷可能性がどのように変化するかを示し、第３の線Ｌ３は、名目ドーズから２０％のドーズ減少がある場合に粒子サイズに従って欠陥印刷可能性がどのように変化するかを示す。図６Ｂの粒子サイズ６０における縦の点線によって、同じ粒子サイズの欠陥印刷可能性は、露光ドーズが減少するにつれて増加し得ることに留意されたい。図６Ｂから、粒子サイズが大きくなるにつれて欠陥印刷可能性が増加し得ることにも留意されたい。本開示のいくつかの実施形態によれば、露光ドーズ調節の影響が粒子サイズごとに異なり得る。本開示の粒子サイズ又はクリティカルディメンジョンの数値は、正確な値ではなく、異なる粒子サイズ又はクリティカルディメンジョンの間の比率を示すために使用されることを理解されたい。
【0060】
[0074] 図６Ｃは、本開示の実施形態に一致する、フォーカス及び露光ドーズの調節に従う例示的な欠陥印刷可能性プロセスウィンドウである。図６Ｃでは、フォーカスの変化が下部の横軸に示され、露光ドーズの変化が左側の縦軸に示され、フォーカス及び露光ドーズの変化に従う欠陥印刷可能性の変化が右側のコントラストバーによって定義されたコントラストレベルとして示される。図６Ｃでは、印刷可能性率が対数スケールで示され、接続された白線上のすべての点が同じレベルの印刷可能性率を有する。図６Ｃに示すように、フォーカス調節もまた、露光ドーズ調節に加えて欠陥印刷可能性に影響を与え得る。図６Ｃから、フォーカス調節が欠陥印刷可能性に与える影響が、露光ドーズによって変わり得る、そしてその逆も同様であり得ることに留意されたい。図６Ｃの露光ドーズ及びフォーカスの数値が、正確な値ではなく、ドーズ又はフォーカスレベルの比率を示すために使用されることも理解されたい。
【0061】
[0075] 図６Ｄは、本開示の実施形態に一致する、固定フォーカスにおける欠陥印刷可能性に対する露光ドーズ調節の影響を示す例示的グラフである。図６Ｄは、特定のフォーカスレベル、例えば図６Ｃのフォーカス値２において、露光ドーズが０％から－４０％に減少した場合、欠陥印刷可能性がどのように変化し得るかを示している。図６Ｄでは、露光ドーズを－２５％から－３５％に減少させることにより、欠陥印刷可能性が約８０％増加し得ることに留意されたい。プロセス条件調節なしで、それぞれのフィールドが約５％の欠陥印刷可能性を有する約３２個の完全なフィールドを検査することによって同じレベルの欠陥検出率（例えば、８０％）を達成することができることに留意されたい。
【0062】
[0076] 本開示のいくつかの実施形態によれば、照明条件もまた、ウェーハ上のマスク欠陥印刷可能性を変化させ得る。いくつかの実施形態では、照明条件の調節が、露光ドーズ又はフォーカスの調節が欠陥印刷可能性に与える影響の程度に影響を与え得る。例えば、照明条件を変えることによって、図６Ｄのグラフの形状又は勾配を変えることができる。従って、調節プロセス条件を決定する際、様々なプロセスパラメータが一緒に考慮され得る。露光ドーズ、フォーカス、又は照明条件の調節が欠陥印刷可能性に与える影響について説明してきたが、リソグラフィシステムを動作させる他のプロセスパラメータが調節パラメータとして利用されてもよいことを理解されたい。
【0063】
[0077] 再び図５を参照すると、本開示のいくつかの実施形態によれば、調節条件取得器５１０が、実験又はシミュレーションに基づいて調節条件を決定し得る。
【0064】
[0078] 図７Ａは、本開示の実施形態に一致する、実験に基づいて調節条件を決定する例示的なプロセスを示す。図示のプロセス７１０は、ステップの順序を修正したり、追加のステップを含めたりするように変更されてもよいことを理解されたい。
【0065】
[0079] ステップＳ７１１において、ウェーハ上で複数フィールドが、異なるプロセス条件で露光され得る。いくつかの実施形態では、ステップＳ７１１は、図１のリソグラフィシステム１０によって行われ得る。いくつかの実施形態では、１つのマスクパターンが異なるプロセス条件で複数回露光され得る。例えば、図２を参照すると、第１のフィールド２１＿１が第１のプロセス条件で露光され、第２のフィールド２１＿２が第２のプロセス条件で露光され、第ｎのフィールド２１＿ｎが第ｎのプロセス条件で露光され得る。いくつかの実施形態では、プロセス条件が１つのプロセスパラメータを含むことができ、各プロセス条件が異なるプロセスパラメータ値を含むことができる。いくつかの実施形態では、プロセス条件が、複数のプロセスパラメータを含むことができ、各条件が、複数のプロセスパラメータの異なるパラメータ値の組み合わせを含むことができる。
【0066】
[0080] ステップＳ７１２において、複数フィールドが検査されて、複数フィールドの欠陥を検出し得る。いくつかの実施形態では、ステップＳ７１２は、図３ＡのＥＢＩシステム１００又は図３Ｂの電子ビームツール１０４によって行われ得る。いくつかの実施形態では、欠陥を識別する検査が、フィールドの全エリアに対して行われ得る。いくつかの実施形態では、検査が、フィールドの部分エリアに対して行われ得る。例えば、フィールドの一部（例えば、１％のエリア）が検査されて、対応するフィールドの欠陥を検出し得る。
【0067】
[0081] ステップＳ７１３において、調節条件が、複数フィールドに対する検査結果に基づいて決定され得る。いくつかの実施形態では、調節条件が、検査結果に基づいて、複数フィールドの中から選択されたフィールドを露光させるために設定されたプロセス条件であり得る。いくつかの実施形態では、検査結果に基づいて、検査された複数フィールドの中から基準を満たす１つのフィールドが選択され得る。いくつかの実施形態では、基準が、検査によって検出される欠陥の数であり得る。調節条件はマスク欠陥印刷可能性を強化し得るが、プロセスパラメータの調節は、マスク欠陥に起因しない、プロセス欠陥と呼ばれ得る、印刷されたウェーハ上の他の欠陥をも増加させ得る。従って、いくつかの実施形態では、基準が、欠陥検証器５４０によって処理され得る欠陥の数であり得る。例えば、１％のエリア中に約１０個の欠陥を含むフィールドが、検査された複数フィールドの中から選択され得る。いくつかの実施形態では、選択されたフィールドを露光させるために使用されたプロセス条件が、調節条件となるように選択され得る。
【0068】
[0082] 図７Ｂは、本開示の実施形態に一致する、シミュレーションに基づいて調節条件を決定する例示的なプロセスを示す。図示のプロセス７２０は、ステップの順序を修正したり、追加のステップを含めたりするように変更されてもよいことを理解されたい。
【0069】
[0083] ステップＳ７２１において、マスク欠陥印刷可能性をシミュレートするためのシミュレーション環境が設定され得る。本開示のいくつかの実施形態によれば、実際のウェーハにマスクパターンを印刷することなしに、マスク欠陥印刷可能性がシミュレートされ得る。いくつかの実施形態では、マスク欠陥印刷可能性のシミュレーションが、Tachyonなどのソフトウェアプラットフォームで行われ得る。図７Ｃは、本開示のいくつかの実施形態に一致する、マスク欠陥印刷可能性シミュレーションのための例示的なソフトウェアプラットフォームを示す。図７Ｃに示すように、ソフトウェアプラットフォーム７３１は、シミュレーション環境として、マスクパターン７３２と、粒子パラメータ７３３と、リソグラフィモデル７３４とを含み得る。
【0070】
[0084] いくつかの実施形態では、マスクパターン７３２が、検査されるマスクのパターンであり得る。いくつかの実施形態では、マスクパターン７３２が、マスクパターン７３２に対応するウェーハ設計のためのレイアウトファイルであり得る。レイアウトファイルは、グラフィックデータベースシステム（ＧＤＳ）フォーマット、グラフィックデータベースシステムＩＩ（ＧＤＳＩＩ）フォーマット、オープンアートワークシステム相互交換標準（ＯＡＳＩＳ：Open Artwork System Interchange Standard）フォーマット、Caltech中間フォーマット（ＣＩＦ：Caltech Intermediate Format）などであり得る。ウェーハの設計は、ウェーハ上に含めるためのパターン又は構造を含むことができる。パターン又は構造は、フォトリソグラフィマスク又はレチクルからウェーハにフィーチャを転写するために使用されるマスクパターンであり得る。いくつかの実施形態では、とりわけＧＤＳ又はＯＡＳＩＳフォーマットのレイアウトは、ウェーハの設計に関係する平面幾何学的形状、テキスト、及び他の情報を表すバイナリファイルフォーマットで格納されるフィーチャ情報を含み得る。
【0071】
[0085] 本開示のいくつかの実施形態によれば、粒子パラメータ７３３が、これだけに限定されないが、粒子サイズ、マスクパターン（例えば、マスクパターン７３２）上の粒子位置、粒子材料、粒子形状などを含み得る。本開示のいくつかの実施形態では、ステップＳ７２１において、粒子パラメータ７３３が設定され得る。本開示のいくつかの実施形態によれば、リソグラフィモデル７３４が異なるプロセス条件で設定され得る。いくつかの実施形態では、プロセス条件が、露光ドーズ、フォーカス、照明条件などの何れか１つを含み得る。いくつかの実施形態では、各リソグラフィモデルが、プロセス条件の異なる設定を含み得る。
【0072】
[0086] ステップＳ７２２において、マスク欠陥印刷可能性が、ステップＳ７２１で設定されたシミュレーション環境下でシミュレートされ得る。いくつかの実施形態では、シミュレーションが、リソグラフィモデルごとに対応するプロセス条件で行われ得る。いくつかの実施形態では、マスク欠陥印刷可能性のシミュレーションが、マスク付近の電磁場のシミュレーションを含み得る。いくつかの実施形態では、マスク付近の電磁場が、マスクのトポグラフィ、マスク上の粒子位置、粒子特性などに基づいてシミュレートされ得る。いくつかの実施形態では、粒子特性が、これだけに限定されないが、サイズ、形状、構成材料などを含み得る。本開示のいくつかの実施形態によれば、マスク付近の電磁場が、マスクのトポグラフィ及びマスク上の粒子特性に従って変化し得、これにより、マスクに照射される光子の挙動を決定することが可能になり得る。マスク上の外部粒子の周りの電磁場分布が、粒子のない正常なマスクと比較して、マスクに照射される光子に対する粒子の影響を示し得る。本開示のいくつかの実施形態によれば、マスクのトポグラフィ及び粒子特性に従ってマスク付近の光路がどのように変更又は変化されるかが、マスク付近の電磁場に基づいて決定され得る。
【0073】
[0087] 本開示のいくつかの実施形態によれば、ステップＳ７２２において、ウェーハの空間像又はレジスト像が、シミュレートされた電磁場に基づいてシミュレートされ得る。リソグラフィ装置において、照明光源が、マスクに照明（すなわち、放射線）を提供し、投影光学系は、マスクを介してウェーハに照明を導き、整形する。空間像（ＡＩ）はウェーハ上の放射線強度分布である。ウェーハ上のレジスト層が露光され、空間像はそこに潜在する「レジスト像」（ＲＩ）としてレジスト層に転写される。レジスト像（ＲＩ）は、レジスト層におけるレジストの溶解度の空間分布として定義され得る。空間像からレジスト像を計算するためにレジストモデルを使用することができ、この一例は、同一出願人による米国特許出願公開第２００９－０１５７３６０号に見出すことができ、同米国特許出願の開示は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。レジストモデルは、レジスト層の特性（例えば、露光、ＰＥＢ、及び現像の際に発生する化学的プロセスの影響）のみに関連する。リソグラフィ装置の光学特性（例えば、照明、マスク、及び投影光学系の特性）が空間像を決定付ける。リソグラフィ装置に使用されるマスクは変更され得るため、マスクの光学特性と、少なくとも照明光学系及び投影光学系を含むリソグラフィ装置の他の構成要素の光学特性とを分離することが望ましい。
【0074】
[0088] 本開示のいくつかの実施形態によれば、空間像又はレジスト像はまた、光がマスクで反射した後、マスク上の粒子の情報を運び得る。いくつかの実施形態では、シミュレートされた空間像が、ウェーハ上のレジスト層を露光させる放射線強度分布を含むことができる。図７Ｃは、一例として、粒子が空間像にどのように影響するかを示すために、ソフトウェアプラットフォーム７３１によって生成されたマスクパターンの２つの空間像７３５及び７３６を示す。この例では、マスクパターン上に粒子が存在しない場合に空間像７３５が生成され、同じマスクパターン上に粒子が存在する場合に空間像７３６が生成される。図７Ｃから、マスクパターン上の粒子の存在がウェーハ上の放射線強度分布を変化させ得ることに留意されたい。いくつかの実施形態では、マスク欠陥印刷可能性は、空間像に基づいて分析され得る。本開示のいくつかの実施形態によれば、レジスト像もまたレジストモデルと組み合わせることによりシミュレートされ得、このことにより、ウェーハ上のマスク欠陥印刷可能性の正確な予測が可能になり得る。
【0075】
[0089] ステップＳ７２３において、調節条件が、複数のリソグラフィモデルに対するシミュレーション結果に基づいて決定され得る。いくつかの実施形態では、調節条件が、選択されたリソグラフィモデルのために設定されたプロセス条件であり得る。いくつかの実施形態では、基準を満たす１つのリソグラフィモデルが、複数のリソグラフィモデルの中から選択され得る。いくつかの実施形態では、シミュレーションの結果が最適なマスク欠陥印刷可能性を提供する１つのリソグラフィモデルが選択され得る。いくつかの実施形態では、最適なマスク欠陥印刷可能性が、欠陥印刷可能性と、マスク欠陥に起因しないプロセス欠陥の数との間のトレードオフを考慮することによって決定され得る。異なる処理条件でリソグラフィモデルを設定し、最適なマスク欠陥印刷可能性を提供する１つのリソグラフィモデルを選択することについて説明してきたが、１つのリソグラフィモデルを使用する実施形態も適用可能であり得ることを理解されたい。例えば、１つのリソグラフィモデルが設定され得、プロセス条件を少しずつ変えながらシミュレートされた画像を観察することにより、プロセス条件が選択され得る。
【0076】
[0090] 再び図５を参照すると、本開示のいくつかの実施形態によれば、露光ウェーハ取得器５２０が、調節条件取得器５１０によって取得された調節条件で露光されたウェーハを取得し得る。いくつかの実施形態では、ウェーハは、１つのマスクに対応するパターンを有する複数フィールドを有し得る。図８は、本開示の実施形態に一致する、複数フィールド８０＿１～８０＿ｎを有するウェーハ８０を示す。いくつかの実施形態では、複数フィールド８０＿１～８０＿ｎは、リソグラフィシステムによって同じマスクを用いて露光され得る。いくつかの実施形態では、ウェーハ８０が、調節条件で露光される少なくとも１つのフィールド（例えば、８０＿１）を含み得る。いくつかの実施形態では、複数フィールドの残り（例えば、８０＿２から８０＿ｎ）が名目プロセス条件で露光され得る。いくつかの実施形態では、残りのフィールド（例えば、８０＿２～８０＿ｎ）は、名目条件から外れることがあるが、検証ステップに負担をかけ得るレベルの追加プロセスを作成することを依然として避けることができるプロセス条件で露光され得る。いくつかの実施形態によれば、名目からわずかに外れたプロセス条件を使用することは、図５の欠陥検証器５４０によるマスク欠陥検出率を更に高めることができる。いくつかの実施形態では、残りのフィールド（例えば、８０＿２から８０＿ｎ）が互いに異なるプロセス条件で露光され得る。
【0077】
[0091] 再び図５を参照すると、本開示のいくつかの実施形態によれば、欠陥識別器５３０が、第１のフィールドの欠陥を識別し得る。いくつかの実施形態では、第１のフィールドは、調節条件取得器５１０によって取得された調節条件で露光される調節フィールド８０＿１であり得る。いくつかの実施形態では、調節フィールド８０＿１の欠陥が、調節フィールド８０＿１の検査画像から識別され得る。いくつかの実施形態では、検査画像は調節フィールド８０＿１のＳＥＭ画像である。いくつかの実施形態では、検査画像が、例えば図３ＡのＥＢＩシステム１００又は図３Ｂの電子ビームツール１０４によって生成される検査画像であり得る。本開示のいくつかの実施形態によれば、欠陥識別器５３０が、調節フィールドのすべての欠陥を見つけるために調節フィールド８０＿１の完全なフィールド検査を行い得る。例えば、調節フィールド８０＿１の全エリアの検査画像が取得され得、調節フィールド８０＿１上のすべての欠陥が識別され得る。いくつかの実施形態では、欠陥識別器５３０が、すべてのマスク欠陥を確実に見つけるために複数の調節フィールド（例えば、調節フィールド８０＿１）を完全に検査し得る。いくつかの実施形態では、欠陥識別器５３０によって識別された欠陥が、マスク欠陥又はプロセス欠陥を含み得る。いくつかの実施形態では、欠陥識別器５３０が、フィールド又はマスク上の対応する位置に関連する欠陥のリストを生成し得る。
【0078】
[0092] 本開示のいくつかの実施形態によれば、欠陥検証器５４０が、欠陥識別器５３０によって識別された欠陥がマスク欠陥であるか否かを検証し得る。本開示のいくつかの実施形態によれば、識別された欠陥のリストにある欠陥が、調節フィールド８０＿１と同じマスクで露光される第２のフィールド（例えば、８０＿２～８０＿ｎ）を検査することによって、欠陥がマスク欠陥か否かを検証され得る。いくつかの実施形態では、欠陥検証器５４０が、識別された欠陥の位置におけるスポット検査を行い得る。例えば、欠陥検証器５４０が、調節フィールド８０＿１の識別された欠陥に対応する位置について第２のフィールド８０＿２を検査し得る。いくつかの実施形態では、調節フィールド８０＿１の識別された欠陥が第２のフィールド８０＿２で繰り返す場合、識別された欠陥はマスク欠陥と決定され得る。調節フィールド８０＿１の識別された欠陥が第２のフィールド８０＿２で繰り返さない場合、識別された欠陥は非マスク欠陥と決定され得る。いくつかの実施形態では、欠陥検証器５４０が、検証の精度を高めるために、追加のフィールドを検査し得る。例えば、欠陥検証器５４０が、複数の第２のフィールド８０＿２～８０＿ｎを検査して、識別された欠陥がマスク欠陥か否かを検証し得る。本開示のいくつかの実施形態によれば、欠陥検証器５４０が、マスク上の対応する位置に関連するマスク欠陥のリストを生成し得る。いくつかの実施形態では、マスク欠陥のリストは、対応するマスクからのマスク欠陥を直すために利用され得る。
【0079】
[0093] 図９は、本開示の実施形態に一致する、例示的なマスク欠陥検出方法を表すプロセスフローチャートである。方法９００のステップは、システム（例えば、図５のシステム５００）によって行われ得る。方法９００のいくつかのステップは、荷電粒子ビーム検査システム（例えば、図３のＥＢＩシステム１００）、又は計算機リソグラフィシステム、又は他のフォトリソグラフィシステムによって行われ得る。図示の方法９００は、ステップの順序を修正したり、追加のステップを含めたりするように変更されてもよいことを理解されたい。
【0080】
[0094] ステップＳ９１０において、調節条件が取得され得る。ステップＳ９１０は、例えばとりわけ調節条件取得器５１０によって行われ得る。いくつかの実施形態では、調節プロセスが、選択された調節条件で（リソグラフィシステムのマスクを使用して）ウェーハを露光させる際に、ウェーハ上のマスク欠陥印刷可能性を向上させ得る。いくつかの実施形態では、調節プロセス条件が、マスクの外部粒子を含むマスク欠陥をより確実にウェーハ上に印刷され得るようにし、これにより、マスク欠陥検出率を改善し得る。いくつかの実施形態では、調節プロセス条件が、マスクを用いてウェーハを露光させるためのリソグラフィシステムの名目プロセス条件とは異なり得る。本開示のいくつかの実施形態によれば、欠陥印刷可能性を改善するように調整され得るプロセス条件が、リソグラフィシステム、例えば図１のリソグラフィシステム１０の露光ドーズ、フォーカス、照明条件などを含み得る。いくつかの実施形態によれば、調節条件が実験又はシミュレーションに基づいて取得され得る。調節条件を決定するプロセスを図７Ａ及び図７Ｂに関して説明しており、従ってここでは簡潔にするために詳細な説明は省略する。
【0081】
[0095] ステップＳ９２０において、露光ウェーハが取得され得る。ステップＳ９２０は、例えばとりわけ露光ウェーハ取得器５２０によって行われ得る。いくつかの実施形態では、ウェーハは、ステップＳ９１０で取得された調節条件で露光されている。いくつかの実施形態では、図８に示すように、ウェーハ８０が、それぞれが１つのマスクに対応するパターンを有する複数フィールド８０＿１～８０＿ｎを有し得る。いくつかの実施形態では、ウェーハ８０が、ステップＳ９１０で取得された調節条件で露光される少なくとも１つのフィールド（例えば、８０＿１）を含み得る。いくつかの実施形態では、複数フィールドの残り（例えば、８０＿２から８０＿ｎ）が、名目プロセス条件又は名目からわずかに外れた条件で露光され得る。いくつかの実施形態では、残りのフィールド（例えば、８０＿２から８０＿ｎ）が互いに異なるプロセス条件で露光され得る。
【0082】
[0096] ステップＳ９３０において、第１のフィールドの欠陥が、第１のフィールドを検査することによって識別され得る。ステップＳ９３０は、例えばとりわけ欠陥識別器５３０によって行われ得る。いくつかの実施形態では、第１のフィールドは、ステップＳ９２０で取得された調節条件で露光される調節フィールド８０＿１であり得る。いくつかの実施形態では、調節フィールド８０＿１の欠陥が、調節フィールド８０＿１の検査画像から識別され得る。本開示のいくつかの実施形態によれば、調節フィールド８０＿１の完全なフィールド検査が、調節フィールドのすべての欠陥を見つけるために行われ得る。いくつかの実施形態では、すべてのマスク欠陥を確実に見つけるために複数の調節フィールドが完全に検査され得る。いくつかの実施形態では、フィールド又はマスク上の対応する位置に関連する欠陥のリストが生成され得る。
【0083】
[0097] ステップＳ９４０において、欠陥が、第２のフィールドを検査することによって検証され得る。ステップＳ９４０は、例えばとりわけ欠陥検証器５４０によって行われ得る。本開示のいくつかの実施形態によれば、ステップＳ９３０で識別された欠陥がマスク欠陥であるか否かが検証され得る。本開示のいくつかの実施形態によれば、識別された欠陥のリストにある欠陥が、調節フィールド８０＿１と同じマスクで露光される第２のフィールド（例えば、８０＿２～８０＿ｎ）を検査することによって、欠陥がマスク欠陥か否かを検証され得る。いくつかの実施形態では、識別された欠陥の位置におけるスポット検査が検証のために行われ得る。いくつかの実施形態では、調節フィールド８０＿１の識別された欠陥が第２のフィールド８０＿２で繰り返す場合、識別された欠陥はマスク欠陥と決定され得る。調節フィールド８０＿１の識別された欠陥が第２のフィールド８０＿２で繰り返さない場合、識別された欠陥は非マスク欠陥と決定され得る。いくつかの実施形態では、検証の精度を高めるために、追加のフィールドが検査され得る。例えば、複数の第２のフィールド８０＿２～８０＿ｎが、識別された欠陥がマスク欠陥か否かを検証するために検査され得る。本開示のいくつかの実施形態によれば、マスク上の対応する位置に関連するマスク欠陥のリストが生成され得る。いくつかの実施形態では、マスク欠陥のリストは、対応するマスクからのマスク欠陥を直すために利用され得る。
【0084】
[0098] コントローラ（例えば図１のコントローラ１０９）のプロセッサがとりわけ画像検査、画像取得、ステージ位置決め、ビーム集束、電界調節、ビーム曲げ、集光レンズ調節、荷電粒子源の活性化、ビーム偏向、並びに方法７１０、７２０、及び９００の少なくともいくつかのステップを実行するための指令を格納する非一時的コンピュータ可読媒体が提供され得る。非一時的メディアの一般形式は、例えばフロッピーディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク、ソリッドステートドライブ、磁気テープ、又は任意の他の磁気データストレージ媒体、コンパクトディスク読み出し専用メモリ（ＣＤ－ＲＯＭ）、任意の他の光学データストレージ媒体、穴のパターンを有する任意の物理的媒体、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、プログラマブルＲＯＭ（ＰＲＯＭ）、及び消去可能プログラマブルＲＯＭ（ＥＰＲＯＭ）、ＦＬＡＳＨ－ＥＰＲＯＭ又は任意の他のフラッシュメモリ、不揮発性ランダムアクセスメモリ（ＮＶＲＡＭ）、キャッシュ、レジスタ、任意の他のメモリチップ又はカートリッジ及びそのネットワーク化バージョンを含む。
【0085】
[0099] 実施形態は以下の条項を用いて更に説明することができる：
１．マスクを使用するリソグラフィシステムによって、選択されたプロセス条件下のマスク欠陥印刷可能性に基づいて決定される選択されたプロセス条件でウェーハが露光された後に、露光ウェーハを検査することと、
検査に基づいて、マスクの欠陥に起因するウェーハ欠陥を識別して、マスクの欠陥の識別を可能にすることと、
を含む、方法。
２．露光ウェーハが、第１のフィールド及び第２のフィールドであって、第１のフィールドが選択されたプロセス条件で露光され、第２のフィールドが選択されたプロセス条件とは異なるプロセス条件で露光される、第１のフィールド及び第２のフィールドを含む、条項１に記載の方法。
３．ウェーハ欠陥を識別することが、
第１のフィールドの全エリアを検査して、第１のフィールドの欠陥を識別すること
を含む、条項２に記載の方法。
４．ウェーハ欠陥を識別することが、
第１のフィールドの識別された欠陥の位置に対応する位置において第２のフィールドを検査すること
を更に含む、条項２又は３に記載の方法。
５．マスクを使用するリソグラフィシステムによって、異なるプロセス条件で試験ウェーハの複数フィールドのそれぞれを露光させること、
試験ウェーハの複数フィールドの複数を検査して、対応するフィールドの欠陥を識別すること、及び
検査に基づいて、選択されたプロセス条件を決定すること、
を更に含む、条項１～４の何れか一項に記載の方法。
６．選択されたプロセス条件を決定することが、
複数フィールドの中から基準を満たすフィールドを選択することであって、基準が、対応するフィールドで識別された欠陥の数の予め決定された範囲であることと、
選択されたフィールドを露光させるために使用されたプロセス条件を、選択されたプロセス条件となるように決定することと、
を含む、条項５に記載の方法。
７．試験ウェーハの複数フィールドの複数を検査することが、
複数フィールドのフィールドの部分エリアを検査して、部分エリアの欠陥を識別すること
を含む、条項５又は６に記載の方法。
８．欠陥粒子を有するマスクを用いるウェーハの露光プロセスをシミュレートするためのリソグラフィモデルを設定すること、
マスクのトポグラフィ及びマスクの欠陥粒子に基づいて、マスク付近の電磁場をシミュレートすることであって、電磁場がマスク付近の光路の決定を可能にすること、
シミュレートされた電磁場に基づいて、ウェーハの空間像又はレジスト像をシミュレートすること、並びに、
シミュレートされた空間像又はレジスト像に基づいて、リソグラフィシステムのための選択されたプロセス条件を決定すること、
を更に含む、条項１～４の何れか一項に記載の方法。
９．リソグラフィモデルを設定することが、
異なるプロセス条件で複数のリソグラフィモデルを設定すること
を含む、条項８に記載の方法。
１０．プロセス条件が、露光ドーズ、フォーカス、又は照明条件を含む、条項１～９の何れか一項に記載の方法。
１１．選択されたプロセス条件が、名目ドーズ未満の露光ドーズを含む、条項１～９の何れか一項に記載の方法。
１２．名目ドーズが、生産プロセス条件に関連する、条項１１に記載の方法。
１３．マスクを使用するリソグラフィシステムによって、選択されたプロセス条件でウェーハを露光させることを更に含む、条項１～１２の何れか一項に記載の方法。
１４．調節条件を決定するための方法であって、
マスクを使用するリソグラフィシステムによって、異なるプロセス条件で試験ウェーハの複数フィールドのそれぞれが露光された後に、試験ウェーハの複数フィールドの複数を検査して、対応するフィールドの欠陥を識別すること、及び
検査に基づいて、調節条件を決定すること、
を含む、方法。
１５．調節条件を決定することが、
複数フィールドの中から基準を満たすフィールドを選択することであって、基準が、対応するフィールドで識別された欠陥の数の予め決定された範囲であることと、
選択されたフィールドを露光させるために使用されたプロセス条件を、調節条件となるように決定することと、
を含む、条項１４に記載の方法。
１６．試験ウェーハの複数フィールドの複数を検査することが、
複数フィールドのフィールドの部分エリアを検査して、部分エリアの欠陥を識別すること
を含む、条項１４又は１５に記載の方法。
１７．マスクを使用するリソグラフィシステムによってウェーハを露光させることであって、露光ウェーハが、第１のフィールド及び第２のフィールドであって、第１のフィールドが調節条件で露光され、第２のフィールドが調節条件とは異なる名目プロセス条件で露光される、第１のフィールド及び第２のフィールドを含むこと
を更に含む、条項１４～１６の何れか一項に記載の方法。
１８．プロセス条件が、露光ドーズ、フォーカス、又は照明条件を含む、条項１４～１７の何れか一項に記載の方法。
１９．マスクを使用するリソグラフィシステムによって、異なるプロセス条件で試験ウェーハの複数フィールドのそれぞれを露光させること
を更に含む、条項１４～１８の何れか一項に記載の方法。
２０．調節条件を決定するための方法であって、
欠陥粒子を有するマスクを用いるウェーハの露光プロセスをシミュレートするためのリソグラフィモデルを設定すること、
マスクのトポグラフィ及びマスクの欠陥粒子に基づいて、マスク付近の電磁場をシミュレートすることであって、電磁場がマスク付近の光路の決定を可能にすること、
シミュレートされた電磁場に基づいて、ウェーハの空間像又はレジスト像をシミュレートすること、並びに、
シミュレートされた空間像又はレジスト像に基づいて、リソグラフィシステムのための調節条件を決定すること、
を含む、方法。
２１．リソグラフィモデルを設定することが、
異なるプロセス条件で複数のリソグラフィモデルを設定すること
を含む、条項２０に記載の方法。
２２．調節条件を決定することが、
プロセス条件を変更しながら、シミュレートされた空間像及びレジスト像を観測することによって、調節条件を決定すること
を含む、条項２０に記載の方法。
２３．マスクを使用するリソグラフィシステムによってウェーハを露光させることであって、露光ウェーハが、第１のフィールド及び第２のフィールドであって、第１のフィールドが調節条件で露光され、第２のフィールドが調節条件とは異なる名目プロセス条件で露光される、第１のフィールド及び第２のフィールドを含むこと
を更に含む、条項２０～２２の何れか一項に記載の方法。
２４．プロセス条件が、露光ドーズ、フォーカス、又は照明条件を含む、条項２０～２３の何れか一項に記載の方法。
２５．マスクを使用するリソグラフィシステムによって露光されたウェーハを検査するように構成された荷電粒子ビームデバイスであって、
ウェーハの第１のフィールド及び第２のフィールドを照射するように構成された荷電粒子ビーム源であって、第１のフィールドが第１のプロセス条件で露光され、第２のフィールドが第１のプロセス条件とは異なる第２のプロセス条件で露光される、荷電粒子ビーム源と、
ウェーハの欠陥の識別を可能にする、ウェーハから放出された二次荷電粒子を収集するように構成された検出器であって、第１のフィールド及び第２のフィールドの対応するフィールドの欠陥の数が互いに異なる、検出器と、
マスク欠陥印刷可能性に基づいて第２のマスクを検査するために使用するプロセス条件の決定を助けるように構成されたプロセッサであって、マスク欠陥印刷可能性が識別された欠陥に基づいて決定される、プロセッサと、
を含む、荷電粒子ビームデバイス。
２６．第１のプロセス条件が、露光ドーズ、フォーカス、又は照明条件において第２のプロセス条件とは異なる、条項２５に記載のデバイス。
２７．第１のプロセス条件が、名目ドーズ未満の露光ドーズを含む、条項２５又は２６に記載のデバイス。
２８．第２のプロセス条件が、名目プロセス条件である、条項２５～２７の何れか一項に記載のデバイス。
２９．荷電粒子ビーム源が、第１のフィールドの全エリアを照射して、第１のフィールドの欠陥を識別し、第１のフィールドの識別された欠陥の位置に対応する位置において第２のフィールドを照射するように構成される、条項２５～２８の何れか一項に記載のデバイス。
３０．装置であって、
一組の指令を格納するメモリと、
マスクを使用するリソグラフィシステムによって、選択されたプロセス条件下のマスク欠陥印刷可能性に基づいて決定される選択されたプロセス条件でウェーハが露光された後に、露光ウェーハを検査することと、
検査に基づいて、マスクの欠陥に起因するウェーハ欠陥を識別して、マスクの欠陥の識別を可能にすることと、
を装置に行わせる一組の指令を実行するように構成された、少なくとも１つのプロセッサと、
を含む、装置。
３１．露光ウェーハが、第１のフィールド及び第２のフィールドであって、第１のフィールドが選択されたプロセス条件で露光され、第２のフィールドが選択されたプロセス条件とは異なるプロセス条件で露光される、第１のフィールド及び第２のフィールドを含む、条項３０に記載の装置。
３２．ウェーハ欠陥を識別する際、少なくとも１つのプロセッサが、
第１のフィールドの全エリアを検査して、第１のフィールドの欠陥を識別すること
を装置に行わせる一組の指令を実行するように構成される、条項３１に記載の装置。
３３．ウェーハ欠陥を識別する際、少なくとも１つのプロセッサが、
第１のフィールドの識別された欠陥の位置に対応する位置において第２のフィールドを検査すること
を装置に行わせる一組の指令を実行するように構成される、条項３１又は３２に記載の方法。
３４．少なくとも１つのプロセッサが、
マスクを使用するリソグラフィシステムによって、異なるプロセス条件で試験ウェーハの複数フィールドのそれぞれが露光された後に、試験ウェーハの複数フィールドの複数を検査して、対応するフィールドの欠陥を識別すること、及び
検査に基づいて、選択されたプロセス条件を決定すること
を装置に更に行わせる一組の指令を実行するように構成される、条項３０～３３の何れか一項に記載の装置。
３５．選択されたプロセス条件を決定する際、少なくとも１つのプロセッサが、
複数フィールドの中から基準を満たすフィールドを選択することであって、基準が、対応するフィールドで識別された欠陥の数の予め決定された範囲であることと、
選択されたフィールドを露光させるために使用されたプロセス条件を、選択されたプロセス条件となるように決定することと、
を装置に更に行わせる一組の指令を実行するように構成される、条項３４に記載の装置。
３６．試験ウェーハの複数フィールドの複数を検査する際、少なくとも１つのプロセッサが、
複数フィールドのフィールドの部分エリアを検査して、部分エリアの欠陥を識別すること
を装置に行わせる一組の指令を実行するように構成される、条項３４又は３５に記載の装置。
３７．少なくとも１つのプロセッサが、
欠陥粒子を有するマスクを用いるウェーハの露光プロセスをシミュレートするためのリソグラフィモデルを設定すること、
マスクのトポグラフィ及びマスクの欠陥粒子に基づいて、マスク付近の電磁場をシミュレートすることであって、電磁場がマスク付近の光路の決定を可能にすること、
シミュレートされた電磁場に基づいて、ウェーハの空間像又はレジスト像をシミュレートすること、並びに、
シミュレートされた空間像又はレジスト像に基づいて、リソグラフィシステムのための選択されたプロセス条件を決定すること、
を装置に更に行わせる一組の指令を実行するように構成される、条項３０～３３の何れか一項に記載の装置。
３８．リソグラフィモデルを設定する際、少なくとも１つのプロセッサが、
異なるプロセス条件で複数のリソグラフィモデルを設定すること
を装置に更に行わせる一組の指令を実行するように構成される、条項３７に記載の装置。
３９．プロセス条件が、露光ドーズ、フォーカス、又は照明条件を含む、条項３０～３８の何れか一項に記載の装置。
４０．選択されたプロセス条件が、名目ドーズ未満の露光ドーズを含む、条項３０～３９の何れか一項に記載の装置。
４１．調節条件を決定するための装置であって、
一組の指令を格納するメモリと、
マスクを使用するリソグラフィシステムによって、異なるプロセス条件で試験ウェーハの複数フィールドのそれぞれが露光された後に、試験ウェーハの複数フィールドの複数を検査して、対応するフィールドの欠陥を識別することと、
検査に基づいて、調節条件を決定することと、
を装置に行わせる一組の指令を実行するように構成された、少なくとも１つのプロセッサと、
を含む、装置。
４２．調節条件を決定する際、少なくとも１つのプロセッサが、
複数フィールドの中から基準を満たすフィールドを選択することであって、基準が、対応するフィールドで識別された欠陥の数の予め決定された範囲であることと、
選択されたフィールドを露光させるために使用されたプロセス条件を、調節条件となるように決定することと、
を装置に更に行わせる一組の指令を実行するように構成される、条項４１に記載の装置。
４３．試験ウェーハの複数フィールドの複数を検査する際、少なくとも１つのプロセッサが、
複数フィールドのフィールドの部分エリアを検査して、部分エリアの欠陥を識別すること
を装置に行わせる一組の指令を実行するように構成される、条項４１又は４２に記載の装置。
４４．プロセス条件が、露光ドーズ、フォーカス、又は照明条件を含む、条項４１～４３の何れか一項に記載の装置。
４５．調節条件を決定するための装置であって、
一組の指令を格納するメモリと、
欠陥粒子を有するマスクを用いるウェーハの露光プロセスをシミュレートするためのリソグラフィモデルを設定すること、
マスクのトポグラフィ及びマスクの欠陥粒子に基づいて、マスク付近の電磁場をシミュレートすることであって、電磁場がマスク付近の光路の決定を可能にすること、
シミュレートされた電磁場に基づいて、ウェーハの空間像又はレジスト像をシミュレートすること、並びに、
シミュレートされた空間像又はレジスト像に基づいて、リソグラフィシステムのための調節条件を決定すること、
を装置に行わせる一組の指令を実行するように構成された、少なくとも１つのプロセッサと、
を含む、装置。
４６．リソグラフィモデルを設定する際、少なくとも１つのプロセッサが、
異なるプロセス条件で複数のリソグラフィモデルを設定すること
を装置に更に行わせる一組の指令を実行するように構成される、条項４５に記載の装置。
４７．調節条件を決定する際、少なくとも１つのプロセッサが、
プロセス条件を変更しながら、シミュレートされた空間像及びレジスト像を観測することによって、調節条件を決定すること
を装置に更に行わせる一組の指令を実行するように構成される、条項４５に記載の装置。
４８．プロセス条件が、露光ドーズ、フォーカス、又は照明条件を含む、条項４５～４７の何れか一項に記載の装置。
４９．方法をコンピューティングデバイスに行わせるためにコンピューティングデバイスの少なくともプロセッサ上によって実行可能な一組の指令を格納する非一時的コンピュータ可読媒体であって、方法が、
マスクを使用するリソグラフィシステムによって、選択されたプロセス条件下のマスク欠陥印刷可能性に基づいて決定される選択されたプロセス条件でウェーハが露光された後に、露光ウェーハを検査すること、及び
検査に基づいて、マスクの欠陥に起因するウェーハ欠陥を識別して、マスクの欠陥の識別を可能にすること
を含む、非一時的コンピュータ可読媒体。
５０．露光ウェーハが、第１のフィールド及び第２のフィールドであって、第１のフィールドが選択されたプロセス条件で露光され、第２のフィールドが選択されたプロセス条件とは異なるプロセス条件で露光される、第１のフィールド及び第２のフィールドを含む、条項４９に記載のコンピュータ可読媒体。
５１．ウェーハ欠陥を識別する際、コンピューティングデバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な一組の指令が、
第１のフィールドの全エリアを検査して、第１のフィールドの欠陥を識別すること
をコンピューティングデバイスに更に行わせる、条項５０に記載のコンピュータ可読媒体。
５２．ウェーハ欠陥を識別する際、コンピューティングデバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な一組の指令が、
第１のフィールドの識別された欠陥の位置に対応する位置において第２のフィールドを検査すること
をコンピューティングデバイスに更に行わせる、条項５０又は５１に記載のコンピュータ可読媒体。
５３．コンピューティングデバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な一組の指令が、
マスクを使用するリソグラフィシステムによって、異なるプロセス条件で試験ウェーハの複数フィールドのそれぞれが露光された後に、試験ウェーハの複数フィールドの複数を検査して、対応するフィールドの欠陥を識別すること、及び
検査に基づいて、選択されたプロセス条件を決定すること
をコンピューティングデバイスに更に行わせる、条項４９～５２の何れか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
５４．選択されたプロセス条件を決定する際、コンピューティングデバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な一組の指令が、
複数フィールドの中から基準を満たすフィールドを選択することであって、基準が、対応するフィールドで識別された欠陥の数の予め決定された範囲であること、
選択されたフィールドを露光させるために使用されたプロセス条件を、選択されたプロセス条件となるように決定すること
をコンピューティングデバイスに更に行わせる、条項５３に記載のコンピュータ可読媒体。
５５．試験ウェーハの複数フィールドの複数を検査する際、コンピューティングデバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な一組の指令が、
複数フィールドのフィールドの部分エリアを検査して、部分エリアの欠陥を識別すること
をコンピューティングデバイスに更に行わせる、条項５３又は５４に記載のコンピュータ可読媒体。
５６．コンピューティングデバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な一組の指令が、
欠陥粒子を有するマスクを用いるウェーハの露光プロセスをシミュレートするためのリソグラフィモデルを設定すること、
マスクのトポグラフィ及びマスクの欠陥粒子に基づいて、マスク付近の電磁場をシミュレートすることであって、電磁場がマスク付近の光路の決定を可能にすること、
シミュレートされた電磁場に基づいて、ウェーハの空間像又はレジスト像をシミュレートすること、並びに、
シミュレートされた空間像又はレジスト像に基づいて、リソグラフィシステムのための選択されたプロセス条件を決定すること
をコンピューティングデバイスに更に行わせる、条項４９～５２の何れか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
５７．リソグラフィモデルを設定する際、コンピューティングデバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な一組の指令が、
異なるプロセス条件で複数のリソグラフィモデルを設定すること
をコンピューティングデバイスに更に行わせる、条項５６に記載のコンピュータ可読媒体。
５８．プロセス条件が、露光ドーズ、フォーカス、又は照明条件を含む、条項４９～５７の何れか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
５９．選択されたプロセス条件が、名目ドーズ未満の露光ドーズを含む、条項４９～５７の何れか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
６０．調節条件を決定するための方法をコンピューティングデバイスに行わせるためにコンピューティングデバイスの少なくともプロセッサ上によって実行可能な一組の指令を格納する非一時的コンピュータ可読媒体であって、方法が、
マスクを使用するリソグラフィシステムによって、異なるプロセス条件で試験ウェーハの複数フィールドのそれぞれが露光された後に、試験ウェーハの複数フィールドの複数を検査して、対応するフィールドの欠陥を識別すること、及び
検査に基づいて、調節条件を決定すること
を含む、非一時的コンピュータ可読媒体。
６１．調節条件を決定する際、コンピューティングデバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な一組の指令が、
複数フィールドの中から基準を満たすフィールドを選択することであって、基準が、対応するフィールドで識別された欠陥の数の予め決定された範囲であること、
選択されたフィールドを露光させるために使用されたプロセス条件を、調節条件となるように決定すること、
をコンピューティングデバイスに更に行わせる、条項６０に記載のコンピュータ可読媒体。
６２．試験ウェーハの複数フィールドの複数を検査する際、コンピューティングデバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な一組の指令が、
複数フィールドのフィールドの部分エリアを検査して、部分エリアの欠陥を識別すること
をコンピューティングデバイスに更に行わせる、条項６０又は６１に記載のコンピュータ可読媒体。
６３．プロセス条件が、露光ドーズ、フォーカス、又は照明条件を含む、条項６０～６２の何れか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
６４．調節条件を決定するための方法をコンピューティングデバイスに行わせるためにコンピューティングデバイスの少なくともプロセッサ上によって実行可能な一組の指令を格納する非一時的コンピュータ可読媒体であって、方法が、
欠陥粒子を有するマスクを用いるウェーハの露光プロセスをシミュレートするためのリソグラフィモデルを設定すること、
マスクのトポグラフィ及びマスクの欠陥粒子に基づいて、マスク付近の電磁場をシミュレートすることであって、電磁場がマスク付近の光路の決定を可能にすること、
シミュレートされた電磁場に基づいて、ウェーハの空間像又はレジスト像をシミュレートすること、並びに、
シミュレートされた空間像又はレジスト像に基づいて、リソグラフィシステムのための調節条件を決定すること
を含む、非一時的コンピュータ可読媒体。
６５．リソグラフィモデルを設定する際、コンピューティングデバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な一組の指令が、
異なるプロセス条件で複数のリソグラフィモデルを設定すること
をコンピューティングデバイスに更に行わせる、条項６４に記載のコンピュータ可読媒体。
６６．調節条件を決定する際、コンピューティングデバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な一組の指令が、
プロセス条件を変更しながら、シミュレートされた空間像及びレジスト像を観測することによって、調節条件を決定すること
をコンピューティングデバイスに更に行わせる、条項６４に記載のコンピュータ可読媒体。
６７．プロセス条件が、露光ドーズ、フォーカス、又は照明条件を含む、条項６４～６６の何れか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
６８．試験ウェーハの複数フィールドが、試験ウェーハのすべてのフィールドのサブセットであり、サブセットがすべてのフィールドより少ない、条項５、１４、又は１９の何れか一項に記載の方法。
６９．マスク及び第２のマスクが、同じ単一のマスクである、条項２５に記載のデバイス。
１．マスクを使用するリソグラフィシステムによって、選択されたプロセス条件下のマスク欠陥印刷可能性に基づいて決定される選択されたプロセス条件でウェーハが露光された後に、露光ウェーハを検査することと、
検査に基づいて、マスクの欠陥に起因するウェーハ欠陥を識別して、マスクの欠陥の識別を可能にすることと、
を含む、方法。
２．露光ウェーハが、第１のフィールド及び第２のフィールドであって、第１のフィールドが選択されたプロセス条件で露光され、第２のフィールドが選択されたプロセス条件とは異なるプロセス条件で露光される、第１のフィールド及び第２のフィールドを含む、条項１に記載の方法。
３．ウェーハ欠陥を識別することが、
第１のフィールドの全エリアを検査して、第１のフィールドの欠陥を識別すること
を含む、条項２に記載の方法。
４．ウェーハ欠陥を識別することが、
第１のフィールドの識別された欠陥の位置に対応する位置において第２のフィールドを検査すること
を更に含む、条項２又は３に記載の方法。
５．マスクを使用するリソグラフィシステムによって、異なるプロセス条件で試験ウェーハの複数フィールドのそれぞれを露光させること、
試験ウェーハの複数フィールドの複数を検査して、対応するフィールドの欠陥を識別すること、及び
検査に基づいて、選択されたプロセス条件を決定すること、
を更に含む、条項１～４の何れか一項に記載の方法。
６．選択されたプロセス条件を決定することが、
複数フィールドの中から基準を満たすフィールドを選択することであって、基準が、対応するフィールドで識別された欠陥の数の予め決定された範囲であることと、
選択されたフィールドを露光させるために使用されたプロセス条件を、選択されたプロセス条件となるように決定することと、
を含む、条項５に記載の方法。
７．試験ウェーハの複数フィールドの複数を検査することが、
複数フィールドのフィールドの部分エリアを検査して、部分エリアの欠陥を識別すること
を含む、条項５又は６に記載の方法。
８．欠陥粒子を有するマスクを用いるウェーハの露光プロセスをシミュレートするためのリソグラフィモデルを設定すること、
マスクのトポグラフィ及びマスクの欠陥粒子に基づいて、マスク付近の電磁場をシミュレートすることであって、電磁場がマスク付近の光路の決定を可能にすること、
シミュレートされた電磁場に基づいて、ウェーハの空間像又はレジスト像をシミュレートすること、並びに、
シミュレートされた空間像又はレジスト像に基づいて、リソグラフィシステムのための選択されたプロセス条件を決定すること、
を更に含む、条項１～４の何れか一項に記載の方法。
９．リソグラフィモデルを設定することが、
異なるプロセス条件で複数のリソグラフィモデルを設定すること
を含む、条項８に記載の方法。
１０．プロセス条件が、露光ドーズ、フォーカス、又は照明条件を含む、条項１～９の何れか一項に記載の方法。
１１．選択されたプロセス条件が、名目ドーズ未満の露光ドーズを含む、条項１～９の何れか一項に記載の方法。
１２．名目ドーズが、生産プロセス条件に関連する、条項１１に記載の方法。
１３．マスクを使用するリソグラフィシステムによって、選択されたプロセス条件でウェーハを露光させることを更に含む、条項１～１２の何れか一項に記載の方法。
１４．調節条件を決定するための方法であって、
マスクを使用するリソグラフィシステムによって、異なるプロセス条件で試験ウェーハの複数フィールドのそれぞれが露光された後に、試験ウェーハの複数フィールドの複数を検査して、対応するフィールドの欠陥を識別すること、及び
検査に基づいて、調節条件を決定すること、
を含む、方法。
１５．調節条件を決定することが、
複数フィールドの中から基準を満たすフィールドを選択することであって、基準が、対応するフィールドで識別された欠陥の数の予め決定された範囲であることと、
選択されたフィールドを露光させるために使用されたプロセス条件を、調節条件となるように決定することと、
を含む、条項１４に記載の方法。
１６．試験ウェーハの複数フィールドの複数を検査することが、
複数フィールドのフィールドの部分エリアを検査して、部分エリアの欠陥を識別すること
を含む、条項１４又は１５に記載の方法。
１７．マスクを使用するリソグラフィシステムによってウェーハを露光させることであって、露光ウェーハが、第１のフィールド及び第２のフィールドであって、第１のフィールドが調節条件で露光され、第２のフィールドが調節条件とは異なる名目プロセス条件で露光される、第１のフィールド及び第２のフィールドを含むこと
を更に含む、条項１４～１６の何れか一項に記載の方法。
１８．プロセス条件が、露光ドーズ、フォーカス、又は照明条件を含む、条項１４～１７の何れか一項に記載の方法。
１９．マスクを使用するリソグラフィシステムによって、異なるプロセス条件で試験ウェーハの複数フィールドのそれぞれを露光させること
を更に含む、条項１４～１８の何れか一項に記載の方法。
２０．調節条件を決定するための方法であって、
欠陥粒子を有するマスクを用いるウェーハの露光プロセスをシミュレートするためのリソグラフィモデルを設定すること、
マスクのトポグラフィ及びマスクの欠陥粒子に基づいて、マスク付近の電磁場をシミュレートすることであって、電磁場がマスク付近の光路の決定を可能にすること、
シミュレートされた電磁場に基づいて、ウェーハの空間像又はレジスト像をシミュレートすること、並びに、
シミュレートされた空間像又はレジスト像に基づいて、リソグラフィシステムのための調節条件を決定すること、
を含む、方法。
２１．リソグラフィモデルを設定することが、
異なるプロセス条件で複数のリソグラフィモデルを設定すること
を含む、条項２０に記載の方法。
２２．調節条件を決定することが、
プロセス条件を変更しながら、シミュレートされた空間像及びレジスト像を観測することによって、調節条件を決定すること
を含む、条項２０に記載の方法。
２３．マスクを使用するリソグラフィシステムによってウェーハを露光させることであって、露光ウェーハが、第１のフィールド及び第２のフィールドであって、第１のフィールドが調節条件で露光され、第２のフィールドが調節条件とは異なる名目プロセス条件で露光される、第１のフィールド及び第２のフィールドを含むこと
を更に含む、条項２０～２２の何れか一項に記載の方法。
２４．プロセス条件が、露光ドーズ、フォーカス、又は照明条件を含む、条項２０～２３の何れか一項に記載の方法。
２５．マスクを使用するリソグラフィシステムによって露光されたウェーハを検査するように構成された荷電粒子ビームデバイスであって、
ウェーハの第１のフィールド及び第２のフィールドを照射するように構成された荷電粒子ビーム源であって、第１のフィールドが第１のプロセス条件で露光され、第２のフィールドが第１のプロセス条件とは異なる第２のプロセス条件で露光される、荷電粒子ビーム源と、
ウェーハの欠陥の識別を可能にする、ウェーハから放出された二次荷電粒子を収集するように構成された検出器であって、第１のフィールド及び第２のフィールドの対応するフィールドの欠陥の数が互いに異なる、検出器と、
マスク欠陥印刷可能性に基づいて第２のマスクを検査するために使用するプロセス条件の決定を助けるように構成されたプロセッサであって、マスク欠陥印刷可能性が識別された欠陥に基づいて決定される、プロセッサと、
を含む、荷電粒子ビームデバイス。
２６．第１のプロセス条件が、露光ドーズ、フォーカス、又は照明条件において第２のプロセス条件とは異なる、条項２５に記載のデバイス。
２７．第１のプロセス条件が、名目ドーズ未満の露光ドーズを含む、条項２５又は２６に記載のデバイス。
２８．第２のプロセス条件が、名目プロセス条件である、条項２５～２７の何れか一項に記載のデバイス。
２９．荷電粒子ビーム源が、第１のフィールドの全エリアを照射して、第１のフィールドの欠陥を識別し、第１のフィールドの識別された欠陥の位置に対応する位置において第２のフィールドを照射するように構成される、条項２５～２８の何れか一項に記載のデバイス。
３０．装置であって、
一組の指令を格納するメモリと、
マスクを使用するリソグラフィシステムによって、選択されたプロセス条件下のマスク欠陥印刷可能性に基づいて決定される選択されたプロセス条件でウェーハが露光された後に、露光ウェーハを検査することと、
検査に基づいて、マスクの欠陥に起因するウェーハ欠陥を識別して、マスクの欠陥の識別を可能にすることと、
を装置に行わせる一組の指令を実行するように構成された、少なくとも１つのプロセッサと、
を含む、装置。
３１．露光ウェーハが、第１のフィールド及び第２のフィールドであって、第１のフィールドが選択されたプロセス条件で露光され、第２のフィールドが選択されたプロセス条件とは異なるプロセス条件で露光される、第１のフィールド及び第２のフィールドを含む、条項３０に記載の装置。
３２．ウェーハ欠陥を識別する際、少なくとも１つのプロセッサが、
第１のフィールドの全エリアを検査して、第１のフィールドの欠陥を識別すること
を装置に行わせる一組の指令を実行するように構成される、条項３１に記載の装置。
３３．ウェーハ欠陥を識別する際、少なくとも１つのプロセッサが、
第１のフィールドの識別された欠陥の位置に対応する位置において第２のフィールドを検査すること
を装置に行わせる一組の指令を実行するように構成される、条項３１又は３２に記載の方法。
３４．少なくとも１つのプロセッサが、
マスクを使用するリソグラフィシステムによって、異なるプロセス条件で試験ウェーハの複数フィールドのそれぞれが露光された後に、試験ウェーハの複数フィールドの複数を検査して、対応するフィールドの欠陥を識別すること、及び
検査に基づいて、選択されたプロセス条件を決定すること
を装置に更に行わせる一組の指令を実行するように構成される、条項３０～３３の何れか一項に記載の装置。
３５．選択されたプロセス条件を決定する際、少なくとも１つのプロセッサが、
複数フィールドの中から基準を満たすフィールドを選択することであって、基準が、対応するフィールドで識別された欠陥の数の予め決定された範囲であることと、
選択されたフィールドを露光させるために使用されたプロセス条件を、選択されたプロセス条件となるように決定することと、
を装置に更に行わせる一組の指令を実行するように構成される、条項３４に記載の装置。
３６．試験ウェーハの複数フィールドの複数を検査する際、少なくとも１つのプロセッサが、
複数フィールドのフィールドの部分エリアを検査して、部分エリアの欠陥を識別すること
を装置に行わせる一組の指令を実行するように構成される、条項３４又は３５に記載の装置。
３７．少なくとも１つのプロセッサが、
欠陥粒子を有するマスクを用いるウェーハの露光プロセスをシミュレートするためのリソグラフィモデルを設定すること、
マスクのトポグラフィ及びマスクの欠陥粒子に基づいて、マスク付近の電磁場をシミュレートすることであって、電磁場がマスク付近の光路の決定を可能にすること、
シミュレートされた電磁場に基づいて、ウェーハの空間像又はレジスト像をシミュレートすること、並びに、
シミュレートされた空間像又はレジスト像に基づいて、リソグラフィシステムのための選択されたプロセス条件を決定すること、
を装置に更に行わせる一組の指令を実行するように構成される、条項３０～３３の何れか一項に記載の装置。
３８．リソグラフィモデルを設定する際、少なくとも１つのプロセッサが、
異なるプロセス条件で複数のリソグラフィモデルを設定すること
を装置に更に行わせる一組の指令を実行するように構成される、条項３７に記載の装置。
３９．プロセス条件が、露光ドーズ、フォーカス、又は照明条件を含む、条項３０～３８の何れか一項に記載の装置。
４０．選択されたプロセス条件が、名目ドーズ未満の露光ドーズを含む、条項３０～３９の何れか一項に記載の装置。
４１．調節条件を決定するための装置であって、
一組の指令を格納するメモリと、
マスクを使用するリソグラフィシステムによって、異なるプロセス条件で試験ウェーハの複数フィールドのそれぞれが露光された後に、試験ウェーハの複数フィールドの複数を検査して、対応するフィールドの欠陥を識別することと、
検査に基づいて、調節条件を決定することと、
を装置に行わせる一組の指令を実行するように構成された、少なくとも１つのプロセッサと、
を含む、装置。
４２．調節条件を決定する際、少なくとも１つのプロセッサが、
複数フィールドの中から基準を満たすフィールドを選択することであって、基準が、対応するフィールドで識別された欠陥の数の予め決定された範囲であることと、
選択されたフィールドを露光させるために使用されたプロセス条件を、調節条件となるように決定することと、
を装置に更に行わせる一組の指令を実行するように構成される、条項４１に記載の装置。
４３．試験ウェーハの複数フィールドの複数を検査する際、少なくとも１つのプロセッサが、
複数フィールドのフィールドの部分エリアを検査して、部分エリアの欠陥を識別すること
を装置に行わせる一組の指令を実行するように構成される、条項４１又は４２に記載の装置。
４４．プロセス条件が、露光ドーズ、フォーカス、又は照明条件を含む、条項４１～４３の何れか一項に記載の装置。
４５．調節条件を決定するための装置であって、
一組の指令を格納するメモリと、
欠陥粒子を有するマスクを用いるウェーハの露光プロセスをシミュレートするためのリソグラフィモデルを設定すること、
マスクのトポグラフィ及びマスクの欠陥粒子に基づいて、マスク付近の電磁場をシミュレートすることであって、電磁場がマスク付近の光路の決定を可能にすること、
シミュレートされた電磁場に基づいて、ウェーハの空間像又はレジスト像をシミュレートすること、並びに、
シミュレートされた空間像又はレジスト像に基づいて、リソグラフィシステムのための調節条件を決定すること、
を装置に行わせる一組の指令を実行するように構成された、少なくとも１つのプロセッサと、
を含む、装置。
４６．リソグラフィモデルを設定する際、少なくとも１つのプロセッサが、
異なるプロセス条件で複数のリソグラフィモデルを設定すること
を装置に更に行わせる一組の指令を実行するように構成される、条項４５に記載の装置。
４７．調節条件を決定する際、少なくとも１つのプロセッサが、
プロセス条件を変更しながら、シミュレートされた空間像及びレジスト像を観測することによって、調節条件を決定すること
を装置に更に行わせる一組の指令を実行するように構成される、条項４５に記載の装置。
４８．プロセス条件が、露光ドーズ、フォーカス、又は照明条件を含む、条項４５～４７の何れか一項に記載の装置。
４９．方法をコンピューティングデバイスに行わせるためにコンピューティングデバイスの少なくともプロセッサ上によって実行可能な一組の指令を格納する非一時的コンピュータ可読媒体であって、方法が、
マスクを使用するリソグラフィシステムによって、選択されたプロセス条件下のマスク欠陥印刷可能性に基づいて決定される選択されたプロセス条件でウェーハが露光された後に、露光ウェーハを検査すること、及び
検査に基づいて、マスクの欠陥に起因するウェーハ欠陥を識別して、マスクの欠陥の識別を可能にすること
を含む、非一時的コンピュータ可読媒体。
５０．露光ウェーハが、第１のフィールド及び第２のフィールドであって、第１のフィールドが選択されたプロセス条件で露光され、第２のフィールドが選択されたプロセス条件とは異なるプロセス条件で露光される、第１のフィールド及び第２のフィールドを含む、条項４９に記載のコンピュータ可読媒体。
５１．ウェーハ欠陥を識別する際、コンピューティングデバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な一組の指令が、
第１のフィールドの全エリアを検査して、第１のフィールドの欠陥を識別すること
をコンピューティングデバイスに更に行わせる、条項５０に記載のコンピュータ可読媒体。
５２．ウェーハ欠陥を識別する際、コンピューティングデバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な一組の指令が、
第１のフィールドの識別された欠陥の位置に対応する位置において第２のフィールドを検査すること
をコンピューティングデバイスに更に行わせる、条項５０又は５１に記載のコンピュータ可読媒体。
５３．コンピューティングデバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な一組の指令が、
マスクを使用するリソグラフィシステムによって、異なるプロセス条件で試験ウェーハの複数フィールドのそれぞれが露光された後に、試験ウェーハの複数フィールドの複数を検査して、対応するフィールドの欠陥を識別すること、及び
検査に基づいて、選択されたプロセス条件を決定すること
をコンピューティングデバイスに更に行わせる、条項４９～５２の何れか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
５４．選択されたプロセス条件を決定する際、コンピューティングデバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な一組の指令が、
複数フィールドの中から基準を満たすフィールドを選択することであって、基準が、対応するフィールドで識別された欠陥の数の予め決定された範囲であること、
選択されたフィールドを露光させるために使用されたプロセス条件を、選択されたプロセス条件となるように決定すること
をコンピューティングデバイスに更に行わせる、条項５３に記載のコンピュータ可読媒体。
５５．試験ウェーハの複数フィールドの複数を検査する際、コンピューティングデバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な一組の指令が、
複数フィールドのフィールドの部分エリアを検査して、部分エリアの欠陥を識別すること
をコンピューティングデバイスに更に行わせる、条項５３又は５４に記載のコンピュータ可読媒体。
５６．コンピューティングデバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な一組の指令が、
欠陥粒子を有するマスクを用いるウェーハの露光プロセスをシミュレートするためのリソグラフィモデルを設定すること、
マスクのトポグラフィ及びマスクの欠陥粒子に基づいて、マスク付近の電磁場をシミュレートすることであって、電磁場がマスク付近の光路の決定を可能にすること、
シミュレートされた電磁場に基づいて、ウェーハの空間像又はレジスト像をシミュレートすること、並びに、
シミュレートされた空間像又はレジスト像に基づいて、リソグラフィシステムのための選択されたプロセス条件を決定すること
をコンピューティングデバイスに更に行わせる、条項４９～５２の何れか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
５７．リソグラフィモデルを設定する際、コンピューティングデバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な一組の指令が、
異なるプロセス条件で複数のリソグラフィモデルを設定すること
をコンピューティングデバイスに更に行わせる、条項５６に記載のコンピュータ可読媒体。
５８．プロセス条件が、露光ドーズ、フォーカス、又は照明条件を含む、条項４９～５７の何れか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
５９．選択されたプロセス条件が、名目ドーズ未満の露光ドーズを含む、条項４９～５７の何れか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
６０．調節条件を決定するための方法をコンピューティングデバイスに行わせるためにコンピューティングデバイスの少なくともプロセッサ上によって実行可能な一組の指令を格納する非一時的コンピュータ可読媒体であって、方法が、
マスクを使用するリソグラフィシステムによって、異なるプロセス条件で試験ウェーハの複数フィールドのそれぞれが露光された後に、試験ウェーハの複数フィールドの複数を検査して、対応するフィールドの欠陥を識別すること、及び
検査に基づいて、調節条件を決定すること
を含む、非一時的コンピュータ可読媒体。
６１．調節条件を決定する際、コンピューティングデバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な一組の指令が、
複数フィールドの中から基準を満たすフィールドを選択することであって、基準が、対応するフィールドで識別された欠陥の数の予め決定された範囲であること、
選択されたフィールドを露光させるために使用されたプロセス条件を、調節条件となるように決定すること、
をコンピューティングデバイスに更に行わせる、条項６０に記載のコンピュータ可読媒体。
６２．試験ウェーハの複数フィールドの複数を検査する際、コンピューティングデバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な一組の指令が、
複数フィールドのフィールドの部分エリアを検査して、部分エリアの欠陥を識別すること
をコンピューティングデバイスに更に行わせる、条項６０又は６１に記載のコンピュータ可読媒体。
６３．プロセス条件が、露光ドーズ、フォーカス、又は照明条件を含む、条項６０～６２の何れか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
６４．調節条件を決定するための方法をコンピューティングデバイスに行わせるためにコンピューティングデバイスの少なくともプロセッサ上によって実行可能な一組の指令を格納する非一時的コンピュータ可読媒体であって、方法が、
欠陥粒子を有するマスクを用いるウェーハの露光プロセスをシミュレートするためのリソグラフィモデルを設定すること、
マスクのトポグラフィ及びマスクの欠陥粒子に基づいて、マスク付近の電磁場をシミュレートすることであって、電磁場がマスク付近の光路の決定を可能にすること、
シミュレートされた電磁場に基づいて、ウェーハの空間像又はレジスト像をシミュレートすること、並びに、
シミュレートされた空間像又はレジスト像に基づいて、リソグラフィシステムのための調節条件を決定すること
を含む、非一時的コンピュータ可読媒体。
６５．リソグラフィモデルを設定する際、コンピューティングデバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な一組の指令が、
異なるプロセス条件で複数のリソグラフィモデルを設定すること
をコンピューティングデバイスに更に行わせる、条項６４に記載のコンピュータ可読媒体。
６６．調節条件を決定する際、コンピューティングデバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な一組の指令が、
プロセス条件を変更しながら、シミュレートされた空間像及びレジスト像を観測することによって、調節条件を決定すること
をコンピューティングデバイスに更に行わせる、条項６４に記載のコンピュータ可読媒体。
６７．プロセス条件が、露光ドーズ、フォーカス、又は照明条件を含む、条項６４～６６の何れか一項に記載のコンピュータ可読媒体。
６８．試験ウェーハの複数フィールドが、試験ウェーハのすべてのフィールドのサブセットであり、サブセットがすべてのフィールドより少ない、条項５、１４、又は１９の何れか一項に記載の方法。
６９．マスク及び第２のマスクが、同じ単一のマスクである、条項２５に記載のデバイス。
【0086】
[00100] 図中のブロック図は、本開示の様々な例示的実施形態によるシステム、方法、及びコンピュータハードウェア又はソフトウェア製品の可能な実装のアーキテクチャ、機能、及び動作を示し得る。この点に関して、概略図における各ブロックは、電子回路などのハードウェアを用いて実装され得る一定の算術演算処理又は論理演算処理を表し得る。ブロックは、指定の論理機能を実装するための１つ又は複数の実行可能指令を含むコードのモジュール、セグメント、又は一部を表すこともある。一部の代替的実装形態では、ブロック内に示す機能が図面に示す順序と異なる順序で生じ得ることを理解すべきである。例えば関与する機能にもよるが、連続して示す２つのブロックをほぼ同時に実行又は実装することができ、又は２つのブロックを逆の順序で実行できる場合もある。一部のブロックは省略することもできる。ブロック図の各ブロック及びブロックの組み合わせは、指定の機能又は行為を実行する専用のハードウェアベースのシステムによって、又は専用のハードウェア及びコンピュータ指令の組み合わせによって実装され得ることも理解すべきである。
【0087】
[00101] 本開示の実施形態は、上記で説明し、添付の図面に図示した通りの構成に限定されるものではなく、また、本発明の範囲から逸脱することなく様々な修正及び変更を加えることができることを理解されたい。本開示は様々な実施形態に関連して説明されたが、本発明の他の実施形態は、本明細書の考察と本明細書において開示された本発明の実行から当業者にとって明白となる。本明細書及び例は例示的にすぎないと考えられ、本発明の真の範囲と精神は以下の特許請求の範囲により指示されるということが意図されている。
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図4】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図6D】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図8】
【図9】
【国際調査報告】