(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-09-10
(54)【発明の名称】プラズマ処理用電極誘電体ノズル
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20240903BHJP
H01L 21/304 20060101ALI20240903BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 104H
H01L21/302 101E
H01L21/304 645C
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024512981
(86)(22)【出願日】2022-08-29
(85)【翻訳文提出日】2024-04-24
(86)【国際出願番号】 US2022041883
(87)【国際公開番号】W WO2023034209
(87)【国際公開日】2023-03-09
(31)【優先権主張番号】63/239,664
(32)【優先日】2021-09-01
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】592010081
【氏名又は名称】ラム リサーチ コーポレーション
【氏名又は名称原語表記】ＬＡＭ ＲＥＳＥＡＲＣＨ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ
(74)【代理人】
【識別番号】110000028
【氏名又は名称】弁理士法人明成国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】コンコーラ・ポール
(72)【発明者】
【氏名】スミス・ショーン・テイラー
(72)【発明者】
【氏名】崎山 幸紀
(72)【発明者】
【氏名】リーサー・カール・フレデリック
(72)【発明者】
【氏名】リンガンパリ・ラムキシャン・ラオ
【テーマコード（参考）】
5F004
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F004AA16
5F004BA20
5F004BB13
5F004BB21
5F004BB22
5F004BB24
5F004BD01
5F004DA22
5F004DA23
5F004DA26
5F004DB26
5F157AA12
5F157AA91
5F157AB02
5F157AB16
5F157AB33
5F157AB90
5F157BG33
5F157BG36
5F157BG37
5F157BG72
5F157BG75
5F157CF46
5F157CF48
5F157DB18
(57)【要約】
【解決手段】ウエハのエッジ部に蓄積されたエッジビードを除去するためのシステムおよびデバイスは、プロセスチャンバ内で使用されるノズルの中央部に配設された第１の電極と、第１の電極を取り囲む誘電体材料内に埋め込まれた第２の電極とを含む。第１のチャネルが、第１の電極と誘電体材料との間に画定され、第１のガス源から第１のガスを受容するために使用される。第２のチャネルが、誘電体材料とノズルの外壁との間に画定され、第２のガスを受容するために使用される。ＲＦ電源が、第１のガスのプラズマラジカルを生成するために、電極にＲＦ電力を供給するようにノズルに結合される。ノズルの底部の開口部が、ノズルの下方に位置決めされたウエハのエッジ部に向かって、プラズマラジカルの加圧流を供給するために使用される。
【選択図】図４
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ウエハを処理するために使用されるプロセスチャンバの上部に画定されたハウジング内に配設されたノズルであって、前記ノズルは、前記ウエハのエッジ部に蓄積されたエッジビードを除去するように構成され、前記ノズルの本体の中央部に画定された第１の電極と、
前記本体内に前記第１の電極を取り囲むように配設された誘電体材料と、
前記第１の電極と前記誘電体材料との間に画定された第１のチャネルであって、前記第１のチャネルの第１の端部が、第１の入口を通じて第１のガス源に結合され、第１のガスを前記第１のチャネル内に受容し、前記第１のチャネルの底部に画定された第２の端部が、開口部を含む、第１のチャネルと、
前記誘電体材料内に埋め込まれた第２の電極と、
前記ノズルに結合され、前記第１の電極と前記第２の電極との間に画定された前記第１のチャネル内に受容された前記第１のガスのプラズマを生成するためにＲＦ電力を供給するように構成された高周波（ＲＦ）電源と
を備え、
前記第１のチャネルの前記開口部は、動作中、前記プロセスチャンバの前記ノズルの下方に位置決めされた前記ウエハの前記エッジ部の一部に向かって、前記第１のチャネル内で生成された前記プラズマのラジカルの加圧流を供給するように構成される、ノズル。
【請求項2】
請求項１に記載のノズルであって、前記誘電体材料と前記ノズルの外壁との間に画定された第２のチャネルをさらに含み、
前記第２のチャネルの第１の端部は、第２のガス源に結合された第２の入口に接続され、第２のガスを前記第２のチャネル内に受容し、前記第２のチャネルの第２の端部は、前記ノズルの底部に配設され、前記第１のチャネルの前記開口部に隣接し、前記第１のチャネルの前記開口部を取り囲むように配向された第２の開口部を含み、前記第２の開口部から流出する前記第２のガスが、前記第１のチャネルの前記開口部から流出する前記プラズマの前記ラジカルの周囲にシールドを形成する、ノズル。
【請求項3】
請求項２に記載のノズルであって、前記第２のガスは、不活性ガスであり、前記不活性ガスは、アルゴンまたはヘリウムの一方である、ノズル。
【請求項4】
請求項１に記載のノズルであって、前記第２の電極の少なくとも一部が、前記第１のチャネルの前記開口部に近接して配設される、ノズル。
【請求項5】
請求項１に記載のノズルであって、前記第１の電極は整合ネットワークを介して前記ＲＦ電源に結合され、前記第２の電極は電気的に接地される、ノズル。
【請求項6】
請求項１に記載のノズルであって、前記第１の電極は電気的に接地され、前記第２の電極は整合ネットワークを介して前記ＲＦ電源に結合される、ノズル。
【請求項7】
請求項１に記載のノズルであって、前記第１の電極および前記第２の電極は、対応する整合ネットワークを介して前記ＲＦ電源に結合され、前記ＲＦ電源が、前記第１の電極と前記第２の電極との間でＲＦ電力の入力の供給を切り替えるように構成された差動駆動装置に結合され、前記差動駆動装置は、絶縁変圧器である、ノズル。
【請求項8】
請求項１に記載のノズルであって、前記誘電体材料の化学的および熱的特性が、前記第２の電極を画定するために使用される材料の化学的および熱的特性と一致する、ノズル。
【請求項9】
請求項１に記載のノズルであって、前記誘電体材料の熱膨張係数が、前記第２の電極を画定するために使用される材料の熱膨張係数と一致する、ノズル。
【請求項10】
請求項１に記載のノズルであって、前記第１および第２の電極は、タングステン、またはモリブデン、または白金のいずれか１つであり、
前記誘電体材料は、窒化アルミニウム、または酸窒化アルミニウム、または窒化ケイ素、または酸化アルミニウム、または酸化イットリウムのいずれか１つである、ノズル。
【請求項11】
請求項１に記載のノズルであって、前記第１の電極内に画定された第１の冷却要素と、前記誘電体材料の外径に画定された第２の冷却要素とをさらに含み、前記第２の冷却要素が、前記第２の電極が配設される領域において前記誘電体材料の外側側壁の少なくとも一部を覆うように設計され、前記第１および第２の冷却要素は、水冷却またはコイル冷却用に構成される、ノズル。
【請求項12】
請求項１１に記載のノズルであって、前記誘電体材料と前記ノズルの外壁との間に画定された第２のチャネルの第２の開口部に近接する前記誘電体材料の底部に沿って前記外側側壁に画定された第３の冷却要素をさらに含み、前記第３の冷却要素は、水冷却またはコイル冷却用に設計される、ノズル。
【請求項13】
請求項１に記載のノズルであって、前記第１のガスは、エッチャントガスとキャリアガスとの混合物を含み、前記エッチャントガスが、前記プラズマの前記ラジカルを生成するために使用され、前記エッチャントガスは、酸素である、ノズル。
【請求項14】
請求項１に記載のノズルであって、前記ハウジングは、前記ノズルを含む複数のノズルを含み、前記複数のノズルは、円弧に沿って画定され、前記複数のノズルの各ノズルが、前記複数のノズルの隣接するノズルから所定の距離だけ離間し、
前記ハウジング内に画定された前記円弧のプロファイルが、前記エッジビードの除去のために受け取られた前記ウエハの前記エッジ部の一部のプロファイルと一致し、
前記複数のノズルによって同時に付与された前記プラズマの前記ラジカルは、前記ウエハの前記エッジ部の前記一部を覆う、ノズル。
【請求項15】
請求項１に記載のノズルであって、前記ウエハは、前記プロセスチャンバ内に画定されたクランプチャック上に受け取られ、前記クランプチャックは、前記ウエハの前記エッジ部を前記ノズルの下方にもたらし得るように、ｘ軸、ｙ軸、およびｚ軸に沿って移動するように構成された可動ユニットであり、前記ノズルは、静止ユニットであり、前記クランプチャックは、静電チャックまたは真空チャックである、ノズル。
【請求項16】
請求項１に記載のノズルであって、前記ウエハは、前記プロセスチャンバ内に画定されたクランプチャック上に受け取られ、前記クランプチャックは静止ユニットであり、前記ノズルは前記ウエハの前記エッジ部の全体に前記プラズマのラジカルを付与するように、軸に沿って移動するように構成された可動ユニットであり、前記クランプチャックは、静電チャックまたは真空チャックである、ノズル。
【請求項17】
請求項１に記載のノズルであって、前記第１のガスは、エッチャントガスおよびキャリアガスを含み、前記エッチャントガスが、前記プラズマの前記ラジカルを生成するために使用される、ノズル。
【請求項18】
装置フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ）と、１つまたは複数のロードロックと、真空搬送モジュールと、ウエハを処理するための複数のプロセスチャンバとを有するウエハ処理システムであって、前記複数のプロセスチャンバの１つのプロセスチャンバは、前記ウエハのエッジ部からエッジビードを除去するために使用され、前記プロセスチャンバは、
前記プロセスチャンバの下部に画定され、処理のために受け取られた前記ウエハに支持面を提供するように構成されたクランプチャックと、
前記プロセスチャンバの上部に画定され、前記クランプチャックの上に配向されたハウジング内に配設されたノズルであって、
前記ノズルの本体の中央部に画定された第１の電極と、
前記本体内に前記第１の電極を取り囲むように配設された誘電体材料と、
前記第１の電極と前記誘電体材料との間に画定された第１のチャネルであって、前記第１のチャネルの第１の端部は、第１の入口を介して第１のガス源に結合され、第１のガスを前記第１のチャネル内に受容し、前記第１のチャネルの底部に画定された第２の端部は、開口部を含む、第１のチャネルと、
前記誘電体材料内に埋め込まれた第２の電極と、
前記ノズルに結合され、前記第１の電極と前記第２の電極との間に画定された前記第１のチャネル内に受容された前記第１のガスのプラズマを生成するためにＲＦ電力を供給するように構成された高周波（ＲＦ）電源と
を含むノズルと
を備え、
前記第１のチャネルの前記開口部は、動作中、前記プロセスチャンバの前記ノズルの下方に位置決めされた前記ウエハの前記エッジ部に向かって、前記第１のチャネル内で生成された前記プラズマのラジカルの加圧流を供給するように構成される、ウエハ処理システム。
【請求項19】
請求項１８に記載のウエハ処理システムであって、前記プロセスチャンバは、前記ウエハ処理システムの前記１つまたは複数のロードロックの上に配設され、前記プロセスチャンバが、前記ウエハ処理システムの前記ＥＦＥＭ内に画定されたチャンバ開口部を通じてアクセスされ、前記チャンバ開口部は、絶縁バルブによって制御される、ウエハ処理システム。
【請求項20】
請求項１８に記載のウエハ処理システムであって、前記誘電体材料と前記ノズルの外壁との間に画定された第２のチャネルをさらに含み、
前記第２のチャネルの第１の端部は、第２のガス源に結合された第２の入口に接続され、第２のガスを前記第２のチャネル内に受容し、前記第２のチャネルの第２の端部は、前記ノズルの底部に配設され、前記第１のチャネルの前記開口部に隣接し、前記第１のチャネルの前記開口部を取り囲むように配向された第２の開口部を含み、前記第２の開口部から流出する前記第２のガスが、前記第１のチャネルの前記開口部から流出する前記プラズマの前記ラジカルの周囲にシールドを形成する、ウエハ処理システム。
【請求項21】
請求項１８に記載のウエハ処理システムであって、前記ノズルを備えた前記ハウジングは静止ユニットであり、前記クランプチャックは可動ユニットであり、前記クランプチャックが、動作中、その上部に受け取った前記ウエハの前記エッジ部を前記ハウジング内の前記ノズルの前記開口部の下に配向できるように、ｘ軸、ｙ軸、またはｚ軸に沿って移動するように構成され、前記クランプチャックは、静電チャックまたは真空チャックである、ウエハ処理システム。
【請求項22】
請求項１８に記載のウエハ処理システムであって、前記ノズルを備えた前記ハウジングは可動ユニットであり、前記クランプチャックは静止ユニットであり、前記ノズルを備えた前記ハウジングが、動作中、前記ノズルを前記ウエハのエッジ部の上方に位置決めできるように、ｘ軸、ｙ軸、またはｚ軸に沿って移動するように構成され、前記クランプチャックは、静電チャックまたは真空チャックである、ウエハ処理システム。
【請求項23】
請求項１８に記載のウエハ処理システムであって、前記ＲＦ電源は整合ネットワークを介して前記第１の電極に結合され、前記第２の電極は電気的に接地される、ウエハ処理システム。
【請求項24】
請求項１８に記載のウエハ処理システムであって、前記第１の電極は電気的に接地され、前記ＲＦ電源は整合ネットワークを介して前記第２の電極に結合される、ウエハ処理システム。
【請求項25】
請求項１８に記載のウエハ処理システムであって、前記ＲＦ電源は、整合ネットワークを介して前記第１の電極および前記第２の電極に結合され、前記ＲＦ電源に結合された差動駆動装置は、前記第１の電極と前記第２の電極との間でＲＦ電力の入力の供給を切り替えるように構成され、前記差動駆動装置は、絶縁変圧器である、ウエハ処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本実施形態は、半導体ウエハ処理に関し、より詳細には、ウエハ処理システム内に受け取られた半導体ウエハのエッジビード除去に関する。
【背景技術】
【0002】
典型的な製作システムには、複数のクラスタツールアセンブリまたは処理ステーションが含まれる。半導体ウエハの製造プロセスで使用される各処理ステーションは、１つまたは複数のプロセスモジュールを含み、各プロセスモジュールが特定の製造動作を実行するために使用される。様々なプロセスモジュール内で実行される製造動作のいくつかには、プラズマを使用するエッチング動作、堆積動作、洗浄動作、リンス動作、乾燥動作等が含まれる。いくつかのプロセスモジュールは、ウエハの表面全体を処理するように設計され、いくつかの他のプロセスモジュールは、ウエハの中央部を処理するように設計されるが、さらに他のプロセスモジュールは、ウエハのエッジ部を処理するように設計される。概して、エッジ部の処理は、ウエハの外縁部に沿ってレジストの盛り上がりが発生する、エッジビードを除去するために行われる。レジストの盛り上がりは、スピンサイクル（例えば、スピンコーティング）中に発生する。エッジビードが速やかに除去されない場合、エッジビードは、その後のウエハ処理中に汚染を引き起こす可能性がある。
【0003】
エッジビード除去のための現在のアプローチは、プロセスチャンバ内を低圧に維持し、ウエハを高温に加熱することを含む。このアプローチでは、チャンバ圧力の循環時間、ウエハ加熱時間、エッチング時間、およびウエハ冷却時間が大幅にかかるため、スループットが制限され、必要なハードウェアが高額になる。鋼鉄を切断できるプラズマ直流（ＤＣ）アークベースのカッターは、アークがウエハを損傷する可能性があるため、ウエハ処理には適していない。さらに、ＤＣアークプラズマに使用されるノズルは、金属製であり、使用中にすぐに劣化する。劣化による金属汚染は、半導体処理には適さない。
【0004】
本発明の実施形態は、このような背景において生じるものである。
【発明の概要】
【0005】
本開示の実施形態は、エッジビード除去プロセスを使用してウエハのエッジ部を処理するためのシステムおよび方法を含む。ノズルベースのプラズマ噴射をウエハの回転と共に使用して、ウエハの周縁部全体を処理する。プラズマノズルは、電力および高熱負荷をサポートできる高周波（ＲＦ）電力を動力源とする。設計上、ＲＦ電力は、ウエハにアークを供給しない。プラズマノズルは、一対のＲＦ電極を含み、その間にラジカルを生成する。次に、ラジカルは、加圧噴射流によってウエハに向けられる。プラズマノズルの設計は、アーク放電および金属汚染を防ぐように、金属表面に誘電体バリアを使用する。さらに、このプラズマノズルの設計は、プラズマ化学との化学的適合性を提供する。この設計により、長寿命および高温動作を達成できる。プラズマノズルに使用される電極および誘電体材料は、熱膨張係数が一致するように設計される。誘電体材料（例えば、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化イットリウム等、セラミック）は、その望ましい絶縁破壊電圧、熱衝撃に対する高耐性、高い熱伝導性、および高温動作のために選択される。冷却要素をノズル内に組み込むことにより、高電力および長寿命運転が可能となる。
【0006】
このプラズマノズルの設計は、速い時定数の加熱および冷却を提供できる。比較的高圧のガスと共に使用される場合、この設計は、より低圧のプロセスで可能であるよりもより高い反応生成物の密度を提供する。このプラズマノズルの設計は、熱的または化学的に誘発される損傷がなくプラズマ内に高い電力密度をサポートできるため、（ウエハエッジ部で）高いエッチング速度を達成できる。このプラズマノズルのトポロジーは、従来技術と比較してハードウェアの大幅なコスト削減を提供する。
【0007】
一実施態様では、ノズルが、ウエハを処理するために使用されるプロセスチャンバの上部に画定されたハウジング内に配設され、ウエハのエッジ部に蓄積されたエッジビードを除去するために使用される。ノズルは、ノズルの本体の中央部に画定された第１の電極を含む。誘電体材料が、第１の電極と誘電体材料との間に画定された第１のチャネルを画定するように、本体内に第１の電極を取り囲むように配設される。第１のガス源に結合された第１の入口が、第１のガスを第１のチャネル内に供給するように構成される。第２の電極が、誘電体材料内に埋め込まれる。高周波（ＲＦ）電源が、ノズルに結合され、第１の電極と第２の電極との間に画定された第１のチャネル内に第１のガスのプラズマを生成するためにＲＦ電力を供給するように構成される。開口部が、第１のチャネルの底部に画定される。開口部は、プロセスチャンバに配設されたノズルの下方で受け取られたウエハのエッジ部に向かって、第１のチャネルからプラズマのラジカルの加圧流を供給するように構成される。
【0008】
一実施態様では、誘電体材料は、誘電体材料とノズルの外壁との間に第２のチャネルを画定するように、ノズルの本体に配設される。第２のガス源に結合された第２の入口が、第１の端部で第２のガスを第２のチャネルに供給するように構成され、第２のチャネルの第２の端部が、第１のチャネルの開口部に近接して配設される。第２のガスは、第１のチャネルの開口部を通じて供給されたプラズマのラジカルを運ぶキャリアガスとして機能する。
【0009】
一実施態様では、第２のガスは、不活性ガスである。不活性ガスは、アルゴンまたはヘリウムのいずれかである。
【0010】
一実施態様では、第２の電極は、第１のチャネルの開口部に近接して配設される。
【0011】
一実施態様では、第１の電極は整合ネットワークを介してＲＦ電源に結合され、第２の電極は電気的に接地される。
【0012】
一実施態様では、第１の電極は電気的に接地され、第２の電極は整合ネットワークを介してＲＦ電源に結合される。
【0013】
一実施態様では、第１の電極および第２の電極は、対応する整合ネットワークを介してＲＦ電源に結合される。ＲＦ電源は、第１の電極と第２の電極との間でＲＦ電力の供給を切り替えるように構成される。
【0014】
一実施態様では、誘電体材料の化学的および熱的特性が、第１の電極および第２の電極を画定するために使用される材料と実質的に同様である。
【0015】
一実施態様では、誘電体材料の熱膨張係数が、第１の電極および第２の電極に使用される材料の熱膨張係数と実質的に同様である。
【0016】
一実施態様では、誘電体材料は窒化アルミニウム、または酸窒化アルミニウム、または窒化ケイ素、または酸化アルミニウム、または酸化イットリウムのいずれか１つであり、第１および第２の電極はタングステン、または白金、またはモリブデンのいずれか１つから構成される。
【0017】
一実施態様では、ノズルは、誘電体材料の外径に画定された冷却要素を含む。冷却要素は、第２の電極が配設される領域において誘電体材料の外側側壁の少なくとも一部を覆うように設計される。冷却要素は、冷却剤を流すためのチャネルのネットワークを含む。
【0018】
一実施態様では、ノズルは、誘電体材料の底部に沿って外側側壁に画定された第２の冷却要素を含む。第２の冷却要素は、誘電体材料とノズルの外壁との間に画定された第２のチャネルの第２の開口部に近接して配設される。第２の冷却要素は、冷却剤を流すためのチャネルのネットワークを含む。
【0019】
一実施態様では、第１のガスは、エッチャントガスとキャリアガスとの混合物を含む。エッチャントガスは、プラズマのラジカルを生成するために使用される。エッチャントガスは、酸素である。
【0020】
一実施態様では、ノズルは、一組のノズルを含む。一組のノズルは、ハウジング内に画定された円弧に沿って画定される。各ノズルは、一組の隣接するノズルから所定の距離だけ離間している。円弧は、ハウジング内に画定され、エッジビードの除去のために受け取られたウエハのエッジ部のプロファイルと一致する。
【0021】
一実施態様では、ウエハは、プロセスチャンバ内に画定されたチャック上に受け取られる。チャックは、動作中、ウエハのエッジ部をノズルの下方にもたらし得るように、ｘ軸、ｙ軸、およびｚ軸に沿って移動するように構成される。
【0022】
一実施態様では、装置フロントエンドモジュールと、１つまたは複数のロードロックと、真空搬送モジュールと、ウエハを処理するための複数のプロセスチャンバとを有するウエハ処理システムを開示する。複数のプロセスチャンバの１つのプロセスチャンバは、ウエハのエッジ部からのエッジビードの除去のために使用される。プロセスチャンバは、プロセスチャンバの下部に画定されたクランプチャックを含む。クランプチャックは、処理のために受け取られたウエハに支持面を提供するように構成され、ｘ軸、ｙ軸、およびｚ軸に沿って移動するように構成される。ノズルが、プロセスチャンバの上部に画定されたノズルハウジング内に配設される。ノズルハウジングは、クランプチャックの上に配向される。ノズルは、ノズルの本体の中央部に画定された第１の電極を含む。誘電体材料が、第１の電極と誘電体材料との間に第１のチャネルを画定するように、本体内で第１の電極を取り囲むように配設される。第１のガス源に結合された第１の入口が、第１のチャネル内に第１のガスを供給するように構成される。第２の電極が、誘電体材料内に埋め込まれる。ＲＦ電源が、ノズルに結合され、第１の電極と第２の電極との間に画定された第１のチャネル内に第１のガスのプラズマを生成するためにＲＦ電力を供給するように構成される。
【0023】
一実施態様では、プロセスチャンバは、ウエハ処理システムのロードロックの上に配設される。プロセスチャンバは、ウエハ処理システムのＥＦＥＭに向かって画定されたチャンバ開口部を通じてアクセスされる。チャンバ開口部は、ＥＦＥＭ内に画定された絶縁バルブによって制御される。
【0024】
一実施態様では、誘電体材料は、誘電体材料とノズルの外壁との間に第２のチャネルを画定するように、ノズルの本体に配設される。第２のガス源に結合された第２の入口が、第１の端部で第２のガスを第２のチャネル内に供給するように構成される。第２のチャネルの第２の端部が、第１のチャネルの開口部に近接して配設される。第２のガスは、第１のチャネルの開口部を通じて供給されたプラズマのラジカルを運ぶキャリアガスとして機能する。
【0025】
一実施態様では、クランプチャックは可動ユニットであり、ノズルを備えたハウジングは静止ユニットである。クランプチャックは、動作中、その上部に受け取ったウエハのエッジ部がハウジング内のノズルの開口部の下に移動できるように、ｘ軸、ｙ軸、またはｚ軸に沿って移動するように構成される。
【0026】
一実施態様では、ＲＦ電源は整合ネットワークを介して第１の電極に結合され、第２の電極は電気的に接地される。
【0027】
一実施態様では、ＲＦ電源は整合ネットワークを介して第２の電極に結合され、第１の電極は電気的に接地される。
【0028】
一実施態様では、ＲＦ電源は、第１の電極および第２の電極のそれぞれ１つに結合される。ＲＦ電源からのＲＦ電力は、第１の電極と第２の電極との間で切り替えられる。
【0029】
電極の一方が誘電体材料に埋め込まれた二重電極を備えたノズルの設計の利点は、金属表面への誘電体バリアを使用して、アーク放電を防止し、金属汚染を防止することにある。このノズルの設計により、長寿命動作および高温動作を達成できる。さらに、電極および誘電体材料の熱膨張係数（ＣＴＥ）が一致する材料を選択することにより、エッジビードを効果的に除去するために、ウエハエッジ部へ高電力密度のプラズマを付与しやすくなる。誘電体材料のＣＴＥと電極材料のＣＴＥとを一致させることにより、破損またはクラックの可能性が防止または大幅に低減される。また、ＣＴＥ、熱伝導率、および熱容量が一致することにより、電極の放熱がしやすくなり、熱衝撃が最小限に抑えられる。誘電体材料（例えば、酸窒化アルミニウム、または窒化アルミニウム、または窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化イットリウムなど、セラミック）は、それらの望ましい絶縁破壊電圧、熱衝撃に対する高耐性、高い熱伝導性、望ましい熱容量、および高温動作のために選択される。さらに、ノズルに配設された冷却要素は、高電力および長寿命動作の助けとなる。プラズマ噴射とウエハの回転またはノズルヘッドの回転とを組み合わせることにより、ウエハの周縁部全体が確実に処理される。その他の利点としては、エッジビード除去に要する時間が速いことと、加熱および冷却が一定であることと、比較的高圧のガスと併用する場合、このノズルの設計が低圧プロセスで可能である場合よりもより高い反応生成物の密度を提供することが挙げられる。このノズルの設計に含まれるプラズマ噴射のトポロジーにより、熱的または化学的に誘発される損傷を実質的に防止しながら、簡素化されたハードウェアが必要とされるため、ハードウェアの実質的なコスト削減となる。
【0030】
これらおよび他の利点については後述するが、明細書、図面、および特許請求の範囲を読めば当業者には理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0031】
【0032】
【0033】
【0034】
【0035】
【0036】
【0037】
【0038】
【0039】
【0040】
【発明を実施するための形態】
【0041】
以下の説明では、本発明の特徴の完全な理解を提供するために、多数の具体的な詳細が記載されている。しかしながら、本発明はこれらの具体的な詳細の一部または全てがなくても実施され得ることが明らかであろう。他の例では、周知のプロセス動作は、本発明を不必要に不明瞭にしないために、詳細には説明されていない。
【0042】
本開示の実施形態は、ウエハのエッジ部からエッジビードを除去するために使用される処理ツール内のプロセスチャンバ内で使用されるノズルヘッドの詳細を提供する。広義では、ノズルヘッド（以下、単に「ノズル」と呼ばれる）は、プロセスチャンバの上部（「上側ハウジング部」とも呼ばれる）に配設されたノズルハウジング内に画定される。プロセスチャンバの下部（「下側ハウジング部」とも呼ばれる）は、ノズルを効率的に機能させるための構成要素を含んでもよい。構成要素は、エッジビード除去に使用されるプラズマを生成するためのプロセスガスを供給する信号を提供する、コントローラに結合されてもよい。一例では、ノズルハウジングの上側ハウジング部および／または下側ハウジング部は、プロセスチャンバ内に画定された支持柱に結合されてもよい。別の例では、ノズルハウジングの上側ハウジング部および／または下側ハウジング部は、プロセスチャンバの側壁に結合されてもよい。ノズルは、一対の電極を含み、一対のうち第１の電極はノズルの中央部に配設され、一対のうち第２の電極は第１の電極を取り囲む誘電体材料に埋め込まれる。誘電体材料は、第１の電極と誘電体材料との間に第１のチャネルを生成し、誘電体材料とノズルの外壁との間に第２のチャネルを生成するように、第１の電極を取り囲むように画定される。第１のチャネルは、第１の入口を通じて、第１のガス源から第１のガスを受容するように構成される。第２のチャネルは、第２の入口を通じて第２のガス源から第２のガスを受容するように構成される。
【0043】
高周波（ＲＦ）電源は、第１の電極または第２の電極にＲＦ電力を供給するように、ノズルに結合される。ＲＦ電力は、第１のチャネル内に第１のガスのプラズマのラジカルを生成するために使用される。次に、ラジカルは、ノズルの底部に画定された第１の開口部（すなわち、第１の出口）を通って第１のチャネルから運ばれる。第２のガスは、ノズルの底部に画定された第２の開口部（すなわち、第２の出口）を通って第２のチャネルから流出する。第２の開口部は、第２のチャネルから流出する第２のガスが第１の開口部から流出するプラズマのラジカルを取り囲み、プラズマラジカルの加圧噴射流を生成してエッチング速度を高めるために、第１の開口部に隣接するように画定される。第２のガスは、ノズルの下方で受け取られたウエハのエッジ部にラジカルを集中的に付与するようにシールドとして機能する。さらに、第２のガスシールドは、空気中での再結合および他の反応の発生を防ぎ、プラズマラジカルの分散を防止する。
【0044】
誘電体材料は、金属表面に対するバリアとして機能し、ＲＦ電力を印加する場合でもアーク放電、および金属汚染を防止する。誘電体材料と第１および第２の電極とに使用される材料は、熱膨張係数（ＣＴＥ）が一致し、高温動作に耐え得るように選択される。電極および誘電体材料のＣＴＥを一致させることにより、電極のクラックが防止され、これにより確実に高温動作時の長寿命が保証される。誘電体材料は、熱衝撃に対する高耐性、高い熱伝導性、望ましい熱容量、および高温動作のために選択される。さらに、ノズルに冷却要素を組み込むことにより、長寿命を延長できる。
【0045】
上記実施態様の一般的な理解と共に、次に、様々な具体的な詳細を様々な図面を参照して説明する。
【0046】
図１は、マルチステーションウエハ処理システムが採用されるウエハ処理システム１００の上面図を簡略化したブロック図を示す。ウエハ処理システムは、より大きなシステム、例えば、製造設備の一部であってもよく、複数のこのようなウエハ処理システムが採用されてもよいし、ウエハ処理システムが他のウエハ処理システムと共に採用されてもよい。ウエハ処理システム１００は、装置フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ、またはその他の場合、本明細書では、大気搬送モジュール（ＡＴＭ）と呼ばれる）など、複数のモジュール１０４と、１つまたは複数のロードロック１０８と、真空搬送モジュール（ＶＴＭ）１０２と、１つまたは複数のプロセスモジュール１０６とを含む。処理用のウエハは、ロードポート１１３で受け取られるウエハステーション（図示せず）からウエハ処理システム１００内にもたらされる。図１に示すウエハ処理システム１００は、一対のロードポート１１３を示している。ただし、ロードポート１１３の数は、より少ないか、またはより多いことも想定され得る。ロードポート１１３で受け取られたウエハステーションへのアクセスは、ＥＦＥＭ１０４に画定された開口部に配設された絶縁バルブによって提供される。ＥＦＥＭ１０４のロボット１０５のエンドエフェクタを使用して、ウエハステーションからウエハを取り出し、ロードロック１０８およびＶＴＭ１０２を介してプロセスモジュールにウエハを搬送する。一実施態様では、一対のロードロック１０８は、インバウンドロードロック１０８ａとアウトバウンドロードロック１０８ｂとを含む。インバウンドロードロック１０８ａはＶＴＭ１０２を介してウエハステーションからプロセスモジュールに未処理のウエハを搬送するために使用され、アウトバウンドロードロック１０８ｂは、プロセスモジュール１０６からＥＦＥＭ１０４を介してロードポート１１３で受け取られるウエハステーションに処理済みのウエハを搬送するために使用されてもよい。一実施態様では、ウエハ処理システムは、ウエハエッジ部からのエッジビードの除去のためのエッジビード除去プロセスモジュールと係合するように構成される容量結合プラズマ（ＣＣＰ）プロセスチャンバであるプロセスチャンバを含む。
【0047】
ＥＦＥＭ１０４は、大気状態に維持される。ロードロック１０８は、ウエハの搬送に必要な状態に応じて、大気状態または真空状態のいずれかに維持できる。各ロードロック１０８は、第１の側に画定された第１の開口部と第２の側に画定された第２の開口部とを含み、真空ポンプ（図示せず）に接続される。ロードロック１０８の第１の側はＥＦＥＭ１０４に連結され、第２の側はＶＴＭ１０２に連結される。第１の絶縁バルブが第１の開口部を介してロードロック１０８の内部へのアクセスを提供するために係合され、第２の絶縁バルブが第２の開口部を介してロードロック１０８へのアクセスを提供するために係合される。プロセスモジュールに向けて、ウエハステーションからロードロック１０８内に堆積されるウエハを搬送する際、第１の絶縁バルブは第１の開口部が開いたままであるように係合解除され、第２の絶縁バルブは第２の開口部が閉じた状態を保つように係合される。この時、ロードロック１０８は、大気状態で動作している。ＥＦＥＭ１０４のロボット１０５は、ウエハをウエハステーションから取り出し、ウエハをロードロック１０８に移動させる。ウエハがロードロック１０８に入ると、第１および第２の絶縁バルブは共に係合され、第１および第２の開口部を閉鎖位置に維持する。ロードロック１０８に接続された真空ポンプは、ロードロック１０８を真空状態にポンプダウンを行う。ロードロック１０８が真空状態になると、ロードロック１０８の第２の絶縁バルブは、第２の開口部を開いた状態に保つように係合解除され、一方で、第１の絶縁バルブは、第１の開口部を閉じた状態に保つように係合され続ける。ＶＴＭ１０２に配設された第２のロボット（図示せず）を使用して、ロードロック１０８からウエハを取り出し、処理のためにプロセスモジュールの１つに移動させる。ＶＴＭ１０２およびプロセスモジュールは共に、真空に維持される。ＶＴＭ１０２の第２のロボットは、ウエハを１つのプロセスモジュールから別のプロセスモジュールへ、ならびにロードロック１０８とプロセスモジュールとの間で移動させるために使用される。
【0048】
インバウンドロードロック１０８ａおよびアウトバウンドロードロック１０８ｂが存在する一実施態様では、ウエハは、ウエハステーションからＥＦＥＭ１０４およびインバウンドロードロック１０８ａを通じてプロセスモジュール内に移動し、プロセスモジュールからアウトバウンドロードロック１０８ｂを通じてウエハステーションに戻る。代替の実施態様では、一対のロードロック１０８の両方のロードロックを使用して、ウエハをプロセスモジュールとウエハステーションとの間で搬送する。さらに別の実施態様では、一対のロードロック１０８の第１のロードロックを使用して、ウエハをウエハステーションとプロセスモジュールとの間で搬送し、一対のロードロック１０８の第２のロードロックを使用して、消耗部品を消耗部品ステーションとプロセスモジュールとの間で搬送してもよい。
【0049】
一実施態様では、ＶＴＭ１０２を介してアクセスされるプロセスモジュール１０６の１つは、複数の処理ステーションを含み得る。一例では、プロセスモジュールは、４つの処理ステーション１０６－１から１０６－４を含み得る。処理ステーション１０６－１から１０６－４は、リフト機構２２６を使用してアクセスされる。リフト機構は、一実施態様では、回転機構に取り付けられるスパイダーフォークを含む。一実施態様では、回転機構は、スピンドルモーター（図示せず）によって作動されるスピンドルである。スピンドルはプロセスモジュールの中央部に配設され、様々な処理ステーションのスパイダーフォークがスピンドルに接続される。一実施態様では、ウエハはキャリアプレート（図示せず）上に受け取られ、ウエハを備えたキャリアプレートはプロセスモジュールに画定された処理ステーション１０６の台座（図示せず）上に支持され、一対のスパイダーフォークを使用して、ウエハを備えたキャリアプレートを台座上で昇降させる。一実施態様では、プロセスモジュールに係合され得るスパイダーフォークの対の数は、プロセスモジュールに配設された処理ステーションの数に依存する。図１は、ウエハ処理システム１００のプロセスモジュールが４つの処理ステーション（１０６－１から１０６－４）と、４つの異なるウエハを１つのプロセスステーションから次のプロセスステーションに移動させるための４組のスパイダーフォークとを含むような一実施態様の下側ハウジング部の上面図を示す。ウエハを備えたキャリアプレートの持ち上げは、（ａ）キャリアプレートを支持するように、一対のスパイダーフォークをキャリアプレートの外側下面の下方に移動させ、（ｂ）リフトピン制御を使用してリフトピンを係合させ、ウエハを備えたキャリアプレートを台座から持ち上げ、（ｃ）リフトピンを係合解除して、リフトピンハウジング内に収納し、（ｄ）スピンドルを使用してキャリアプレートを次の処理ステーション上に画定された次の台座に回転させることによって行われる。ウエハ処理システム１００の種々の構成要素は、コントローラ（図示せず）に接続される。コントローラは、ウエハステーションからプロセスモジュールへのウエハの移動、およびプロセスモジュール内の処理ステーションへのウエハの移動を調整するように、様々な構成要素に適切な信号を生成する。
【0050】
代替の実施態様では、ウエハは、台座上に直接受け取られ、リフト機構を使用して台座から持ち上げられ、台座上に降され、回転機構を使用して１つのプロセスステーションから次のプロセスステーションに回転される。代替の実施態様（図示せず）では、スパイダーフォークの代わりに、キャリアパドルまたはキャリアブレード（図示せず）を使用して、キャリアプレート上に受け取られたウエハを１つのプロセスステーションから次のプロセスステーションに移動させてもよい。様々な実施態様は、リフト機構の一部としてスパイダーフォークまたはキャリアパドル／ブレードの使用に限定されず、他のタイプのリフト機構を係合させてもよい。
【0051】
図１に示す実施態様はＶＴＭ１０２を介してアクセス可能な４つの処理ステーションを備えた単一のプロセスモジュールを示しているが、実際には、ＶＴＭ１０２を介してアクセス可能な複数のプロセスモジュールが存在し得ることに留意されたい。プロセスモジュールは、マルチステーションプロセスモジュールであってもよいし、シングルステーションプロセスモジュールであってもよい。
【0052】
ＥＦＥＭ１０４、ＶＴＭ１０２、ロードロック、およびプロセスモジュールに加えて、ウエハ処理システム１００は、ウエハエッジ部からエッジビードを除去するための噴射式エッジビード除去（ＥＢＲ）システム（または本明細書では、単に「ＥＢＲシステム」と呼ばれる）１２５を含む。一実施態様では、ＥＢＲシステム１２５は、ＥＦＥＭ１０４のロードロック（単数または複数）１０８と同じ側に配設される。一実施態様では、ＥＢＲシステム１２５は、ロードロック（単数または複数）１０８の上に配設され、追加により生じるフットプリントを最小限に抑える。ウエハ処理システム１００が２つのロードロック（すなわち、インバウンド／アウトバウンドロードロック、またはウエハステーションとプロセスモジュールとの間でウエハを移動させることと同じ機能を実行する２つのロードロック、またはウエハを移動させる機能および消耗部品を移動させる機能の２つの異なる機能を実行する２つのロードロック）を含む。一実施態様では、ＥＢＲシステム１２５は、ロードロック１０８の一方の上（例えば、インバウンドロードロック１０８ａの上またはアウトバウンドロードロック１０８ｂの上のいずれか）に配設されてもよいし、両方のロードロック（例えば、インバウンドおよびアウトバウンドロードロック１０８ａ、１０８ｂ）の上に配設されてもよい。図１は、インバウンドおよびアウトバウンドロードロック（１０８ａ、１０８ｂ）が、ロードポート１１３が配設される側とは反対側にあるＥＦＥＭ１０４の側に配設され、ＥＢＲシステム１２５が、両方のロードロック（例えば、インバウンドおよびアウトバウンドロードロック１０８ａ、１０８ｂ）の一部を覆って配設されるウエハ処理システム１００の一実施態様を示す。
【0053】
ＥＢＲシステム１２５は、既存のウエハ処理システムのロードロック（単数または複数）の上に容易に積み重ねることができ、追加のフットプリントを残さないように、十分に小型かつ軽量に設計される。ＥＢＲシステム１２５へのアクセスは、ＥＢＲシステム１２５が結合されるＥＦＥＭ１０４の側にある開口部を通じて提供され、開口部は絶縁バルブを使用して動作される。ウエハ処理システム１００におけるＥＢＲシステム１２５のこの位置は、ＶＴＭ１０２側に、ウエハに追加の処理を実行するための別のプロセスモジュールを画定するための空きスペースを確保する。この実施態様では、ＥＢＲシステム１２５は、大気圧環境に維持される。ウエハ処理システム１００のこの設計により、ウエハをウエハステーションからＥＦＥＭ１０４を通じてプロセスモジュールのいずれか、およびＥＢＲシステム１２５に移動可能であり、ウエハのこのような移動はＥＦＥＭ１０４のロボット１０５を使用して支援される。
【0054】
別の実施態様では、ＥＢＲシステム１２５は、ＥＢＲシステム１２５に真空ポンプを追加することによって、真空にポンプダウンされてもよい。この実施態様では、ＥＢＲシステム１２５は、ＥＢＲシステム１２５を大気圧超、大気圧、および真空中で動作し得るという点で、ロードロック１０８と同様の方法で機能してもよい。代替の実施態様では、ＥＢＲシステム１２５は、真空に維持され、ＶＴＭ１０２を介してアクセス可能であってもよい。一実施態様では、ＥＢＲシステム１２５は、ＶＴＭ１０２を取り囲むプロセスモジュールの１つとして画定されてもよく、この場合、ウエハを処理するために利用可能なプロセスモジュールが１つ少なくなる。代替の実施態様では、ＥＢＲシステム１２５は、ウエハ処理システム１００に配設されたロードロック１０８ａ、１０８ｂのいずれか一方（インバウンドロードロック１０８ａまたはアウトバウンドロードロック１０８ｂ）、またはその両方の上に配設されてもよく、ＥＢＲシステム１２５へのアクセスはＶＴＭ１０２の開口部を通じて提供される。種々のプロセスモジュールにおいて全ての処理が行われた後、ＶＴＭロボットを使用して、エッジビード除去のためにウエハをＥＢＲシステム１２５に移動させてもよい。その後、処理および洗浄されたウエハは、アウトバウンドロードロック１０８ｂとＥＦＥＭ１０４とを介して、ロードポート１１３で受け取られたウエハステーションに戻される。さらに別の実施態様では、ＥＢＲシステム１２５は、ＶＴＭ１０２の周囲のスペースを取らないように、プロセスモジュールの１つの上に配設されてもよい。
【0055】
ＥＢＲシステム１２５は、ウエハを受け取り、支持するチャックと、エッジビード除去中にウエハエッジ部に向かってプラズマラジカルの加圧噴射を供給する１つまたは複数のノズル１３０を備えたノズルハウジング１２６とを含む。ＥＢＲシステム１２５の構成要素の詳細については、図２Ａ－１から図６Ｃを参照して説明する。チャックおよびノズルハウジングに加えて、ＥＢＲシステム１２５は、ウエハエッジ部から放出されたラジカルおよび残留物を速やかに除去するために排気装置（図示せず）を含む。残留物およびラジカルの迅速な除去により、確実に残留物がウエハ表面を汚染せず、ラジカルがウエハ表面に形成されたデバイスを損傷しないようになる。ノズルを備えたＥＢＲシステム１２５により、ウエハエッジ部からのエッジビードのエッチング速度を大幅に改善しながら、ハードウェアの変更を最小限に抑えることが可能である。
【0056】
図２Ａ－１は、一実施態様において、エッジビード除去のためのＥＢＲシステム１２５内へのウエハの移動を示す。前述のように、ＥＢＲシステム１２５は、チャック１２０と、ノズル１３０が配設されたノズルハウジング１２６とを含む。ノズルは、ウエハエッジ部におけるエッジビード除去のために、エッチャントガスの加圧プラズマラジカルを供給するように構成される。ウエハは、例えば、ＥＦＥＭ１０４のロボットのエンドエフェクタによってＥＢＲシステム１２５内に移動する。チャック１２０は、ウエハを受け取る支持面を提供し、プラズマラジカルを付与するために、ノズルハウジング１２６のノズル１３０の下にウエハのエッジ部をもたらすように、ｘ軸、ｙ軸、およびｚ軸に沿って移動するように構成される。この実施態様では、ノズルを備えたノズルハウジングは、静止している。ノズル１３０は、高周波（ＲＦ）電力を印加して、ノズル１３０内に受容されたエッチャントガスのプラズマを生成するように構成される。その後、プラズマのラジカルは、キャリアガスによって高圧でノズルから運ばれ、ノズル１３０の下方に位置決めされたウエハ１０１のエッジ部に付与する。ウエハ１０１を備えたチャック１２０は、エッジビードを効果的にエッチングするために、ウエハのエッジ部の様々な部分をプラズマラジカルに曝露させるように、ｘ軸に沿って回転する。
【0057】
図２Ａ－２は、ウエハ１０１のエッジビード除去に使用されるＥＢＲシステム１２５のノズルハウジングを簡略化した側面図を示す。ノズル１３０は、第１のガスを受容するための第１のガス源と、第２のガスを受容するための第２のガス源とに結合される。第１のガスはエッチャントガス（例えば、酸素）を含み、第２のガスは不活性ガスである。ノズル１３０は、ＲＦ電力をエッチャントガスに印加して、プラズマを生成するように、ＲＦ電源に接続された一対の電極を含む。エッチャントガスに加えて、第１のガスは、キャリアガスを含み得る。キャリアガスは、ノズル１３０の下に受容されるウエハエッジ部に向かって、ノズル１３０からプラズマラジカルを押し出す。第１のガスのキャリアガスは、不活性ガスであり、第２のガスに含まれる不活性ガスと同じであっても異なっていてもよい。第２のガスは、ノズルから出るプラズマラジカルに摂動を与えるのではなく、プラズマラジカルを包囲するように、ノズルから真下に向けられる。第２のガスがプラズマラジカルのシールドとして機能することにより、プラズマラジカルの再結合または分散を防ぐと同時に、確実にウエハエッジ部にわたってラジカルを集中的に付与できるようになる。
【0058】
第３のガス源からの第３のガスは、第３の入口１３７からノズルハウジング１２６内のノズル１３０に隣接して画定された第３のチャネル内に供給される。第３の開口部は、エッジビード除去のためにウエハがノズルハウジングの下に受け取られる際に、ウエハの内側領域を覆うように、ノズルハウジング１２６に画定される。第３のガスにより加わる力は、プラズマラジカルを内側領域からウエハのエッジ部に向けるのに十分であるように定められる。ただし、プラズマラジカルがウエハエッジ部から早期に押し出されないように定められる。第３のガスは、不活性ガスであってよく、第１のガスおよび／または第２のガスの不活性ガスと同じであっても異なっていてもよい。ウエハが回転すると、ウエハエッジ部の様々な部分がプラズマラジカルに曝露される。ウエハエッジ部に付与された加圧プラズマラジカルは、エッジビードをウエハエッジ部から放出するように作用する。エッジビードおよびプラズマラジカルから放出された残留物は、ウエハ表面への汚染または損傷を防止するように、排気装置を使用してＥＢＲシステム１２５から速やかに除去される。図２Ａ－１および図２Ａ－２に示す実施態様では、ノズルハウジング１２６は、単一のノズル１３０を含むように示されている。
【0059】
図２Ｂ－１および図２Ｂ－２は、一実施態様において、複数のノズル１３０’が配設されるノズルハウジング１２６’を簡略化したブロック図を示す。図２Ｂ－１は俯瞰図を示し、図２Ｂ－２はＥＢＲシステム１２５’内に配設されたノズルハウジング１２６’の側面図を示す。複数のノズル（１３０’から１３０’－５）は、円弧１２７に沿ってノズルハウジング１２６’内に配置され、各ノズル１３０’は隣接するノズル１３０’から所定の距離だけ離間する。円弧１２７は、ウエハエッジ部がノズルハウジング１２６’のノズル１３０’の下にもたらされる際に、プラズマラジカルが同時に複数のノズル１３０’からウエハエッジ部に向かって流出し、ウエハエッジ部のエッジビードの放出に向けて機能するように、ウエハ１０１のエッジ部の輪郭と一致するように定められる。一実施態様では、隣接するノズル１３０の任意の対の間の所定の離間距離は、約５ｍｍから約５０ｍｍの間である。一実施態様では、一組の５つのノズル１３０’が、ノズルハウジング１２６’内に画定された円弧１２７’に沿って配設される。ノズル１３０’の各々は、図２Ａ－１および図２Ａ－２に示したノズル１３０と同様の構造であり、プラズマラジカルを生成するために第１のガスに含まれるエッチャントガスにＲＦ電力を印加できるように、第１の入口を通じて第１のガス源に、第２の入口を通じて第２のガスに、および整合ネットワークを通じてＲＦ電源に接続される。さらに、図２Ａ－１および図２Ａ－２に示した実施態様と同様に、第３のガス源に結合された第３の入口１３７は、ノズルハウジング１２６’内のノズル１３０’に隣接して画定された第３のチャネル内に第３のガスを供給するように構成される。第３のガスは、エッジビード除去中にウエハがノズルハウジング１２６’の下に位置決めされる際に、ウエハの内側領域を覆うように、ノズルハウジング１２６’に画定された第３の開口部を通じて供給される。
【0060】
図３は、一実施態様において、ＥＢＲシステム１２５を簡略化したブロック図を示し、ＥＢＲシステム１２５内に受け取られたウエハ１０１のウエハエッジ部からエッジビードを除去中に使用されるＥＢＲシステム１２５の様々な構成要素を示す。ＥＢＲシステム１２５は、この実施態様では、図２Ａ－１および図２Ａ－２を参照して説明した単一のノズルの実施態様に関連する。ただし、エッジビード除去プロセスを改善するために、ノズルハウジング１２６内に複数のノズル１３０を含むように容易に拡張可能である。ＥＢＲシステム１２５は、クランプチャック（または単に「チャック」と呼ばれる）１２０と、ノズルハウジング１２６とを含む。さらに、ＥＢＲシステム１２５は、ＥＢＲシステム１２５にて実行されるエッジビード除去動作中に、ウエハエッジ部から放出されたプラズマラジカルおよび残留物を速やかに除去するための排気装置（図示せず）を含む。一実施態様では、チャック１２０は、ウエハを所定の位置に受け取り、保持するように構成され、また、ｘ軸、ｙ軸、および／またはｚ軸に沿って移動するように構成される静電チャックである。別の実施態様では、チャック１２０は、ウエハを所定の位置に受け取り、保持するように構成され、また、ｘ軸、ｙ軸、および／またはｚ軸に沿って移動するように構成される真空チャックである。ウエハは、絶縁バルブ１４１によって動作される開口部１４０を介してＥＢＲシステム１２５内に移動する。ウエハは、ＥＦＥＭ１０４のロボット１０５のエンドエフェクタを使用してＥＢＲシステム１２５内に移動する。ＥＢＲシステム１２５は、大気状態で動作されている。
【0061】
絶縁バルブ１４１は、最初はＥＢＲシステム１２５へのアクセスを提供する係合解除状態である。ウエハ１０１がチャック１２０上に移動すると、絶縁バルブ１４１は、開口部を閉じるために係合される。ロードポート１１３の絶縁バルブと、ＥＦＥＭ１０４と、ＥＦＥＭ１０４のロボット１０５と、ロードロック１０８と、ＶＴＭ１０２と、ＶＴＭのロボットと、ＶＴＭ１０２を介してアクセスされるプロセスモジュールと、ＥＢＲ１２５の種々の構成要素（例えば、絶縁バルブ、チャック１２０、およびノズルハウジング１２６）とを含むウエハ処理システム１００の種々の構成要素は全て、様々なプロセスモジュール、ＥＢＲシステム１２５、ＶＴＭ１０２、ＥＦＥＭ１０４、ロードロック１０８へのウエハ１０１の搬入出、およびエッジビード除去プロセスを含む様々なプロセスの起動を調整するコントローラ（図示せず）に接続される。ＥＢＲシステム１２５は、チャック１２０と、ノズルハウジング１２６が統合されたノズルユニット１２８とを含む。一実施態様では、チャック１２０は可動ユニットであり、ノズルユニット１２８に配設されたノズルハウジング１２６は静止している。この実施態様では、ウエハ１０１をその上部に受け取るチャック１２０は、ウエハ１０１のエッジ部をノズルハウジング１２６のノズル（単数または複数）１３０の下にもたらすために、ｘ軸および／またはｙ軸に沿って移動する。ノズルユニット１２８は、上側ハウジング部１２８ａと下側ハウジング部１２８ｂとを含む。上側ハウジング部１２８ａは、ノズル（単数または複数）１３０が内部に画定されたノズルハウジング１２６を含む。上側ハウジング部１２８ａは、エッジビード除去のために受け取られたウエハ１０１の一部を収容するための間隙が間に存在するように、下側ハウジング部１２８ｂの上に配設される。間隙の大きさは、ウエハ１０１が間隙に受け取られたとき、ウエハ１０１のどの部分もノズルユニット１２８の上側ハウジング部１２８ａまたは下側ハウジング部１２８ｂのいずれの表面にも接触しないように定められる。これにより、ウエハが水平軸の周りを自由に回転し、ウエハエッジ部の様々な部分を露出することにより、プラズマラジカルを集中的に付与できるようになる。一実施態様では、上側ハウジング部１２８ａと下側ハウジング部１２８ｂとの間の間隙は、約０．８ｍｍから約２ｍｍの間に定められる。この実施態様では、ノズルユニット１２８の下側ハウジング部１２８ｂは、ＥＢＲシステム１２５のプロセスチャンバの側壁および／または底部に結合されてもよく、上側ハウジング部１２８ａの一部は、ＥＢＲシステム１２５のプロセスチャンバの側壁に取り付けられてもよく、上側ハウジング部１２８ａの残りの部分は、ノズル１３０を備えたノズルハウジング１２６がチャック１２０の上を移動して、ノズル（単数または複数）１３０をウエハエッジ部の上に位置決めできるように、ｘ軸、ｙ軸、および／またはｚ軸に沿って移動するように設計されてもよい。
【0062】
別の実施態様では、チャック１２０は静止ユニットであってもよく、ノズルユニット１２８のノズルハウジング１２６は可動ユニットであってもよい。この実施態様では、ノズルハウジング１２６は、チャック１２０上に受け取られたウエハ１０１の上にノズル１３０をもたらすように、ｘ軸、ｙ軸、およびｚ軸を移動するように構成されてもよい。一実施態様では、ノズル１３０がウエハ１０１のエッジ部の上に位置決めされると、ノズルハウジング１２６は、ノズル１３０がウエハエッジ部の円周の全体を覆うことができるように、ｘ軸、ｙ軸の周りを回転するように構成される。一実施態様では、ノズルユニット１２８は、ノズルハウジング１２６とともに上側ハウジング部１２８ａのみを含み得る。ノズルハウジング１２６の一部はＥＢＲシステム１２５のプロセスチャンバの側壁に取り付けられてもよく、残りの部分はｘ、ｙ、ｚ軸を移動するように構成されてもよい。代替の実施態様では、チャック１２０およびノズルユニット１２８のノズルハウジング１２６は両方とも、可動ユニットとして設計されてもよい。この実施態様では、ノズルハウジング１２６は、チャック１２０上に受け取られたウエハ１０１のエッジ部の一部の上にノズル１３０を位置決めするように移動可能である。ノズル１３０がウエハエッジ部の上に位置決めされると、チャック１２０は、ノズル１３０がウエハエッジ部の円周の全体を覆うことができるように、水平軸の周りを回転するように構成される。ＥＢＲシステム１２５は、ウエハエッジ部から放出された残留物およびプラズマラジカルを速やかに除去するための排気装置（図示せず）を含む。
【0063】
図４は、一実施態様において、ウエハのエッジ部からエッジビードを除去するためのＥＢＲシステム１２５に使用されるノズル１３０を拡大した、垂直断面図を示す。ノズル１３０は、中央部に画定された第１の電極１３３を含む。誘電体材料１３８が、第１の電極１３３と誘電体材料１３８との間に第１のチャネル１３５が画定されるように、第１の電極１３３を取り囲むように配設される。第１のチャネル１３５は、第１の端部において画定された第１の入口１３１を介して第１のガス源（図示せず）に接続され、ノズル１３０の底部に画定された第２の端部において第１の開口部１４２に接続される。第１のチャネル１３５は、第１の入口１３１を通じて第１のガス源から第１のガスを受容するように構成される。第１のガスは、酸素など、エッチャントガスと、アルゴンまたはヘリウムなど、不活性ガスとの混合物であってもよい。エッチャントガスはプラズマを生成するために使用され、不活性ガスはエッチャントガスのプラズマラジカルを第１の開口部１４２を通じて運ぶために使用される。第２の電極１３４が、誘電体材料１３８内に埋め込まれ、第１の電極１３３を取り囲む。誘電体材料１３８は、ＲＦ電力が印加されるとき、アーク放電と金属汚染とを防止するように、金属表面に対するバリアとして機能する。
【0064】
ノズル１３０内に配設された誘電体材料１３８は、誘電体材料１３８とノズル１３９の外壁との間に第２のチャネル１３６をさらに画定する。第２のチャネル１３６は、第１の端部において画定された第２の入口１３２を介して第２のガス源に結合され、第２のガスを受容し、第２の開口部１４３が、ノズル１３０の底部に画定された第２の端部において画定される。第２の開口部１４３は、第１の開口部１４２に隣接して画定され、第１の開口部１４２を取り囲む。第２の開口部１４３は、単一の開口部であってもよいし、第１の開口部１４２を取り囲む複数の開口部であってもよい。第２のガスは、例えば、アルゴン、ヘリウム等、不活性ガスである。第２のチャネル１３６は第２のガスのための別個のガス経路を生成し、ノズル１３０の底部の第２の開口部１４３は第１の開口部１４２を流通するプラズマラジカルに摂動を与えることなく、第２のガスが真っ直ぐ下に流れるようにする。第２の開口部１４３を出る第２のガスは、プラズマラジカルとキャリアガスとの混合物を包囲することによって、第１の開口部１４２を出るキャリアガスと混合されたプラズマラジカルに対するシールドとして機能する。
【0065】
図４Ａは、シールドガスで取り囲まれたプラズマラジカルがウエハ１０１のエッジ部に向けられている図を示す。シールドガスにより、プラズマラジカルの分散または周囲の空気との再結合が防止され、プラズマラジカルをウエハエッジ部１０１－ｅに集中的に付与できるようになる。ウエハが水平軸の周りを回転すると、ウエハエッジ部１０１－ｅの様々な部分がプラズマラジカルに曝露されることにより、ウエハエッジ部１０１－ｅに蓄積したエッジビードを効果的に除去するように機能する。ノズルハウジング１２６内のノズル１３０に隣接して画定された第３のチャネルに受容された第３のガスは、第３の開口部を通じてウエハ１０１の表面にわたって供給される。第３のガスは、ウエハエッジ部１０１－ｅが確実にプラズマラジカルに十分に曝露されるように、プラズマラジカルをウエハエッジ部１０１－ｅの上に維持するのに十分な力で供給される。
【0066】
図４を参照すると、一実施態様では、第２の電極１３４は、第２の電極１３４が中央部に配設された第１の電極１３３と平行に配向されるように、誘電体材料１３８に埋め込まれる。代替の実施態様では、誘電体材料１３８に埋め込まれた第２の電極１３４は、第１の電極１３３に対して垂直な方向に配向される。さらに別の実施態様では、第２の電極１３４は、誘電体材料１３８の輪郭に沿う形状であり、第１の電極１３３と平行になるように配向される。向きに関係なく、第２の電極１３４は、第１の電極１３３から所定の距離だけ離間して配設され、所定の距離は、第１のチャネル１３５内に受容された第１のガスのプラズマを生成できるように決定される。一実施態様では、第１の電極１３３は、金属製である。別の実施態様では、第１の電極１３３および第２の電極１３４は、同じ材料から構成される。代替の実施態様では、第１の電極１３３は、第２の電極１３４とは異なる材料で構成される。
【0067】
第２の電極１３４に使用される材料は、高温に耐えるように選択される。一実施態様では、第２の電極１３４に使用される材料は、第２の電極１３４が埋め込まれる誘電体材料１３８のＣＴＥに一致する熱膨張係数（ＣＴＥ）を有するように選択される。一実施態様では、第１および第２の電極１３３、１３４はタングステン、モリブデン、または白金のいずれか１つから構成され、誘電体材料１３８は窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、または酸化イットリウムのいずれか１つから構成される。一実施態様では、誘電体材料１３８および／または第１の電極１３３は、１つまたは複数の冷却要素を使用して冷却される。一実施態様では、冷却要素は、第２の電極に近接する領域に配設される。冷却要素の詳細については、図６Ａ～図６Ｃを参照して説明する。
【0068】
一実施態様では、ノズル１３０の中央部に配設された第１の電極１３３は高周波（ＲＦ）電源に結合され、第２の電極１３４は整合ネットワークを介して接地される。代替の実施態様では、第１の電極１３３は接地され、第２の電極１３４は整合ネットワークを介してＲＦ電源に結合される。さらに別の実施態様では、第１の電極１３３および第２の電極１３４は、整合ネットワークを介してＲＦ電源に結合される。この実施態様では、第１の電極１３３も第２の電極１３４も接地されていない。差動電圧が、第１の電極１３３および第２の電極１３４に印加される。例えば、入力電圧が２Ｖの場合、第１の電極に印加される電圧は＋Ｖとなり、第２の電極に印加される電圧は－Ｖとなる（すなわち、各電極には、入力電圧の半分の電圧が印加される）。差動駆動装置が、ＲＦ電源（図示せず）に結合され、２つの電極（第１の電極１３３、第２の電極１３４）間でＲＦ電力の入力を切り替えるために使用される。一実施態様では、差動駆動装置は、差動電圧を供給するために使用される二次巻線を備えた絶縁変圧器であってもよい。
【0069】
一実施態様では、第１のガスは、エッチャントガスとキャリアガスとの混合物を含む。一実施態様では、エッチャントガスは酸素であり、キャリアガスはアルゴン（すなわち、不活性ガス）である。別の実施態様では、エッチャントガスは酸素であり、キャリアガスはヘリウム（すなわち、不活性ガス）である。前述のエッチャントガスおよびキャリアガスの例は単なる例として提供されており、制限的なものと見なされるべきではないことに留意されたい。除去の対象となるエッジビードの膜（すなわち、残留物）の種類に応じて、キャリアガスはアルゴンまたはヘリウムなどの任意の安定した、不活性ガスであってもよく、エッチャントガスはフッ素、塩素、またはいくつかの他のハロゲン、または水素であってもよい。
【0070】
一実施態様では、高精度のエッジビード除去を達成するために、高密度のプラズマラジカルをウエハエッジ部に供給するように、ノズルのトポロジーが定められる。一実施態様では、第１のガス中のエッチャントガスの流量は毎分１００標準立方センチメートル（ｓｃｃｍ）から約３００ｓｃｃｍの間に定められ、キャリアガス流の流量は約１０００ｓｃｃｍから３０，０００ｓｃｃｍの間に定められる。
【0071】
ノズルのトポロジーは、最小限のハードウェアを含む単純なプロセスチャンバを使用して、ウエハエッジ部からエッジビードを除去する効率的かつ効果的な方法を提供する。プラズマは遠隔で生成され、ウエハエッジ部に供給される。ウエハエッジ部に付与される第１および第２のガスに追加して、第３のガスをノズルに隣接して画定された第３のチャネルから供給してもよい。第３のガスは、第２のガスに包まれた第１のガスをウエハの中央部からウエハエッジ部に向かって押し出すガスカーテンとして機能し、ウエハエッジ部へのプラズマラジカルの集中的な付与を提供する。単純な設計により、プロセスチャンバが軽量かつ小型に保たれ、既存の他のモジュール（例えば、ロードロック）上にプロセスチャンバの積み重ねが可能となり、追加のフットプリントを残さない。
【0072】
いくつかの実施態様では、ノズルハウジング１２６内に「ｎ」個のノズル（ここで、「ｎ」は整数である）が存在し、プラズマラジカルを同時に供給して、ウエハエッジ部のより広い領域を覆ってもよい。いくつかの実施態様では、ノズルハウジングは、互いに近接して配設され、ノズルハウジング１２６内に画定された円弧に沿って配設された３個または５個または７個または９個のノズルを含み得る。円弧は、基板のエッジ部の曲率に一致するように定められる。本明細書では、ノズルを使用するＥＢＲシステムを参照して様々な実施態様を説明してきたが、実施態様は、ノズルが動作するＥＢＲシステムに限定されず、他の非ノズルツール／部品もエッジビード除去のために係合されてもよい。
【0073】
図５Ａ～図５Ｃは、１つの例示的な実施態様において、ノズルハウジング１２６のノズル１３０の下に受け取られたウエハ１０１のウエハエッジ部１０１－ｅを示すＥＢＲシステム１２５の別のプロファイルの図を示す。図５Ａはウエハがノズル１３０の下の位置に移動しているときの正面透視図を示し、図５Ｂは側面透視図を示し、図５ＣはＥＢＲシステム１２５内のノズルハウジング１２６のノズル１３０の下の位置にウエハ１０１を有する全側面透視図を示す。ウエハは、チャック（例えば、静電チャックまたは真空チャック（図５Ａ～図５Ｃには図示せず））の支持面（例えば、ステージの上面）上に受け取られ、ノズルハウジング１２６のノズル１３０の下の位置に移動する。ＥＢＲシステム１２５のノズルユニット１２８の上側ハウジング部１２８ａと下側ハウジング部１２８ｂとの間のノズルハウジング１２６の間隙は、上側および下側ハウジング部１２８ａ、１２８ｂのいかなる表面または部分にも接触することなく、ウエハエッジ部１０１－ｅを挿入するのに十分である。図５Ａ～図５Ｃは、一実施態様において、ＥＢＲシステム１２５内に配設されたノズルユニット１２８の上側ハウジング部および下側ハウジング部（１２８ａ、１２８ｂ）の両方が、ＥＢＲシステム１２５のプロセスチャンバの側壁に取り付けられていることを示す。ノズルハウジング１２６は、上側ハウジング部１２８ａに画定される。この実施態様では、ノズルハウジング１２６は静止していてもよく、ウエハを受け取るチャックは可動ユニットであってもよい。代替の実施態様では、チャックは静止ユニットであってもよく、ノズル１３０を備えたノズルハウジング１２６は可動ユニットであってもよい。この実施態様では、ノズル１３０を備えたノズルハウジング１２６は、ノズル１３０から出るプラズマラジカルがウエハのエッジ部を洗浄できるように、ウエハの円周の周囲を移動するように構成される。一実施態様では、チャック１２０上に画定されたウエハ支持体とノズルハウジング１２６のノズル（単数または複数）１３０との間の間隙（単数または複数）、およびウエハのエッジ部に対するノズル（単数または複数）１３０の位置を測定するために、センサが、ノズルハウジング、またはＥＢＲシステム１２５のプロセスチャンバの上側ハウジング部、または下側ハウジング部に供給されてもよい。測定は、リアルタイムで行われる。ノズルハウジング１２６（ノズルハウジング１２６が可動ユニットである場合）またはチャック（チャックが可動ユニットである場合）の位置決めは、エッジビード除去動作のためにノズル１３０をウエハのエッジ部分の上に位置決めするように、リアルタイムで制御される。
【0074】
図６Ａ～図６Ｃは、いくつかの実施態様において、使用寿命を改善し、エッジビード除去のための高電力動作を可能にするために１つまたは複数の冷却要素を採用するノズルハウジング内のノズル１３０の一部を示す。図６Ａは、一実施態様において、ノズルをノズルハウジング１２６にクランプするために使用されるクランプ面１４７の上方に画定された第１の冷却要素１４４を示す。１つまたは複数のＯリング溝がノズル１３０に提供され、Ｏリング溝の中にＯリングが受容されることにより、ノズル１３０をノズルハウジング１２６内にぴったりと収めることができる。図６Ａ～図６Ｃに示す実施態様では、第１のＯリング溝が第１の冷却要素１４４の上方に画定され、第２のＯリング溝が第１の冷却要素１４４の下方、および第１の冷却要素１４４とクランプ面１４７との間に画定される。第２の冷却要素１４５が、第２の電極１３４が埋め込まれる誘電体材料１３８の領域を取り囲むように、誘電体材料１３８の外径の側方に画定される。一実施態様では、第２の電極１３４の第１の端部が、誘電体材料１３８の内半径から距離「ｄ１」にあるように画定され、内半径は、ノズル１３０の第１の開口部１４２（図４に示す）に隣接するように画定される。一実施態様では、距離ｄ１は、約０．１ｍｍから約１．０ｍｍの間であるように定められる。一実施態様では、第２の冷却要素１４５は、第２の電極１３４の第２の端部から距離「ｄ２」に配設される。一実施態様では、離間距離ｄ２は、約０．１ｍｍから約１．０ｍｍの間であるように定められてもよい。一実施態様では、第２の電極１３４は、第２の電極１３４の底面が誘電体材料１３８の底面から高さ「ｈ１」に画定されるように配設される。一実施態様では、高さｈ１は、約０．１ｍｍから約１．０ｍｍの間であるように定められてもよい。図６Ａに示す実施態様では、第２の電極１３４は、第１の電極１３３の底部の輪郭と一致する輪郭を有するように定められ、第１の電極１３３の底部と平行になるように誘電体材料１３８内に配設される。第１および第２の冷却要素１４４、１４５に加えて、ノズルは、第１の電極内に組み込まれる中央冷却要素（図示せず）を含み得る。
【0075】
図６Ｂは、一実施態様において、誘電体材料１３８に埋め込まれた第２の電極１３４’の代替形状を示す。この実施態様では、第２の電極１３４’は、直線トポロジーを有し、第１の電極１３３の底部と平行になるように、誘電体材料１３８内に配設される。図６Ａに示す実施態様と同様に、第２の電極１３４の第１の端部は誘電体材料１３８の内半径から距離ｄ１に画定され、第２の冷却要素１４５は第２の電極１３４の第２の端部から距離ｄ２にあるように、誘電体材料１３８の外径の側方に画定される。さらに、第２の電極１３４’をＲＦ電力に接続するために、電気接点が、クランプ面１４７’に提供される。この実施態様では、第１の電極１３３は、接地されてもよい。
【0076】
図６Ｃは、図６Ｂに示したノズルの別の実施態様を示す。この実施態様では、ノズルに画定された種々の構成要素に加えて、ノズルは、誘電体材料１３８の底側に沿って配設された第３の冷却要素１４６を含み得る。第２の電極１３４’は、図６Ｂに示したものと同様の形状であり、同様の向きで配設される。第１、第２、および第３の冷却要素１４４、１４５、１４６は、水冷または蒸発流体冷却用に構成されてもよい。第１の電極１３３は、中央部に配設され、図６Ａに示すように、真っ直ぐな角度のエッジ部、または図６Ｂおよび図６Ｃに示すように、丸みを帯びたエッジ部を有するプロファイルを有してもよい。さらに、第１の電極１３４の幅は、ノズル１３０の幅に基づいてもよく、より狭くても広くてもよい。
【0077】
本明細書にて説明する様々な実施態様は、ＲＦ電力を動力源とし、したがって電力負荷および高熱負荷をサポートするように設計された二重電極を備えたノズルを提供する。高電力および高熱負荷があっても、アークがウエハに供給されない。その代わり、プラズマラジカルが、２つのＲＦ電極間で生成され、加圧噴射流によってウエハエッジ部に向けられる。この設計では、アーク放電と金属汚染とを防ぐために誘電体バリアが使用される。プラズマ化学との化学的適合性が達成される。誘電体材料および電極材料は、高温動作を維持し、ノズル開口部を通じて高圧で付与できる高密度プラズマラジカルを供給するように選択される。誘電体材料のＣＴＥと一致するＣＴＥを有する材料を第２の電極に選択することによって、誘電体材料に埋め込まれた第２の電極への損傷が最小化または排除される。誘電体材料は、セラミックであり、その望ましい耐圧、熱衝撃に対する高耐性、高い熱伝導性、望ましい熱容量、および高温動作のために選択される。ノズルの電力供給能力、ひいては使用寿命を延ばすように、冷却要素が表面を冷却するために提供される。ノズルベースのＥＢＲシステムを使用する様々な利点は、ウエハエッジ部を洗浄するための、高速時間、一定の加熱および冷却であり、比較的高圧のガスと共に使用する場合、より高い反応生成物の密度が可能である。また、ノズルのプラズマ噴射のトポロジーは、ハードウェアの大幅なコスト削減を提供し、熱的または化学的に誘発される損傷を与えることなく、プラズマ内への高電力密度をサポートすることによって、高いエッチング速度を達成できる。
【0078】
様々な実施態様の前述の説明は、例示および説明の目的で提供されている。それは、網羅的であること、または本発明を限定することを意図するものではない。特定の実施態様の個々の要素または特徴は一般に、その特定の実施態様に限定されるものではなく、適用可能な場合には、特に図示または記載されていなくても置き換え可能であり、選択された実施態様において使用可能である。また、同様に、様々な方法で変化させてもよい。そのような変形は、本発明からの逸脱と見なされるものではなく、全てのそのような変形は、本発明の範囲内に含まれることが意図される。
【0079】
前述の実施形態は、理解を明確にする目的で、ある程度詳細に説明しているが、添付の特許請求の範囲の範囲内で特定の変更および修正を実施できることは明らかであろう。したがって、本実施形態は、例示的なものであって制限的なものではないと考えられ、本実施形態は、本明細書で与えられた詳細に限定されるものではなく、特許請求の範囲の範囲およびそれらの等価物の範囲内で修正されてもよい。
【図1】
【図2A-1】
【図2A-2】
【図2B-1】
【図2B-2】
【図3】
【図4】
【図4A】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【国際調査報告】