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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-09-10
(54)【発明の名称】多層極端紫外線リフレクタ
(51)【国際特許分類】
G03F 1/24 20120101AFI20240903BHJP
G03F 1/52 20120101ALI20240903BHJP
【ＦＩ】
G03F1/24
G03F1/52
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024515652
(86)(22)【出願日】2022-09-01
(85)【翻訳文提出日】2024-05-02
(86)【国際出願番号】 US2022042304
(87)【国際公開番号】W WO2023038840
(87)【国際公開日】2023-03-16
(31)【優先権主張番号】17/470,624
(32)【優先日】2021-09-09
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】390040660
【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．
(74)【代理人】
【識別番号】110002077
【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】シャオ， ウェン
(72)【発明者】
【氏名】ユーン， ヘルン ヤウ
(72)【発明者】
【氏名】ジンダル， ビブー
【テーマコード（参考）】
2H195
【Ｆターム（参考）】
2H195BA10
2H195BB25
2H195BB35
2H195BC04
2H195BC20
2H195BC24
2H195CA01
2H195CA16
2H195CA23
2H195CA24
(57)【要約】
極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク、ＥＵＶマスクブランクの形成方法、及びその製造システムが開示されている。ＥＵＶマスクブランクは、基板上に多層反射スタックを備える。多層反射スタックは、第１の膜、第２の膜、及び第３の膜を含む三層膜を含む。幾つかのＥＵＶマスクブランクは、第１の膜、第２の膜、及び第３の膜のうちの１又は複数上に界面層を含む。本明細書に記載のＥＵＶマスクブランクは、反射角の広い帯域幅にわたって低いＺｅｆｆ及び高い反射率を有し、これにより、特に高ＮＡのＥＵＶスキャナにおいてＭ３Ｄ効果を最小限に抑える。
【選択図】図５
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクであって、基板上の多層反射スタックであって、シリコン（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、イットリウム（Ｙ）、バリウム（Ｂａ）及びジルコニウム（Ｚｒ）で構成される群から選択される元素を含む第１の膜と、ルテニウム（Ｒｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）及び金（Ａｕ）で構成される群から選択される元素を含む第２の膜と、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）及びチタン（Ｔｉ）で構成される群から選択される金属を含む第３の膜とを含む三層膜を含む、多層反射スタック
を備える、ＥＵＶマスクブランク。
【請求項2】
前記第１の膜は、２．５ｎｍから６．５ｎｍの範囲の厚さを有する、請求項１に記載のＥＵＶマスクブランク。
【請求項3】
前記第２の膜及び前記第３の膜の各々は、０．５ｎｍから２．５ｎｍの範囲の厚さを有する、請求項１に記載のＥＵＶマスクブランク。
【請求項4】
前記多層反射スタックは、前記第３の膜のない多層反射スタックよりも高い反射率を有する、請求項１に記載のＥＵＶマスクブランク。
【請求項5】
前記多層反射スタックは、１３．５ｎｍの波長において約６０％から約７２％の範囲の反射率を有する、請求項４に記載のＥＵＶマスクブランク。
【請求項6】
前記多層反射スタックは、前記第３の膜のない多層反射スタックよりも広い帯域幅を有する、請求項１に記載のＥＵＶマスクブランク。
【請求項7】
前記多層反射スタックは、前記第３の膜のない多層反射スタックと比較して、低減された二重散乱効果を有する、請求項１に記載のＥＵＶマスクブランク。
【請求項8】
前記多層反射スタックは、前記第３の膜のない多層反射スタックよりも低いＺ効果（Ｚｅｆｆ）を有する、請求項１に記載のＥＵＶマスクブランク。
【請求項9】
前記第１の膜、前記第２の膜及び前記第３の膜のうちの１又は複数上に界面層を更に備える、請求項１に記載のＥＵＶマスクブランク。
【請求項10】
前記界面層は、窒化ケイ素（ＳｉｘＮｙ）、炭化ケイ素（ＳｉｘＣｙ）、窒化ホウ素（ＢｘＮｙ）、炭化ホウ素（ＢｘＣｙ）、窒化アルミニウム（ＡｌｘＮｙ）、ケイ化アルミニウム（ＡｌｘＳｉｙ）、ケイ化モリブデン（ＭｏｘＳｉｙ）、ケイ化ルテニウム（ＲｕｘＳｉｙ）、窒化モリブデン（ＭｏｘＮｙ）、及び窒化ルテニウム（ＲｕｘＮｙ）のうちの１又は複数を含む、請求項９に記載のＥＵＶマスクブランク。
【請求項11】
前記界面層は、０．５ｎｍから１．５ｎｍの範囲の厚さを有する、請求項９に記載のＥＵＶマスクブランク。
【請求項12】
極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクであって、基板上の多層反射スタックであって、シリコン（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、イットリウム（Ｙ）、バリウム（Ｂａ）及びジルコニウム（Ｚｒ）で構成される群から選択される元素を含む第１の膜と、ルテニウム（Ｒｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）及び金（Ａｕ）で構成される群から選択される元素を含む第２の膜と、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）及びチタン（Ｔｉ）で構成される群から選択される金属を含む第３の膜とを含む三層膜を含む、多層反射スタックと、
前記第１の膜、前記第２の膜、及び前記第３の膜のうちの１又は複数上の界面層であって、窒化ケイ素（ＳｉｘＮｙ）、炭化ケイ素（ＳｉｘＣｙ）、窒化ホウ素（ＢｘＮｙ）、炭化ホウ素（ＢｘＣｙ）、窒化アルミニウム（ＡｌｘＮｙ）、ケイ化アルミニウム（ＡｌｘＳｉｙ）、ケイ化モリブデン（ＭｏｘＳｉｙ）、ケイ化ルテニウム（ＲｕｘＳｉｙ）、窒化モリブデン（ＭｏｘＮｙ）、及び窒化ルテニウム（ＲｕｘＮｙ）のうちの１又は複数を含む、界面層と
を備える、ＥＵＶマスクブランク。
【請求項13】
前記第１の膜は、２．５ｎｍから６．５ｎｍの範囲の厚さを有する、請求項１２に記載のＥＵＶマスクブランク。
【請求項14】
前記第２の膜及び前記第３の膜の各々は、０．５ｎｍから２．５ｎｍの範囲の厚さを有する、請求項１２に記載のＥＵＶマスクブランク。
【請求項15】
前記多層反射スタックは、１３．５ｎｍの波長において約６０％から約７２％の範囲の反射率を有する、請求項１２に記載のＥＵＶマスクブランク。
【請求項16】
前記多層反射スタックは、前記第３の膜のない多層反射スタックよりも広い帯域幅を有する、請求項１２に記載のＥＵＶマスクブランク。
【請求項17】
前記多層反射スタックは、前記第３の膜のない多層反射スタックと比較して、低減された二重散乱効果を有する、請求項１２に記載のＥＵＶマスクブランク。
【請求項18】
前記多層反射スタックは、前記第３の膜のない多層反射スタックよりも低いＺ効果（Ｚｅｆｆ）を有する、請求項１２に記載のＥＵＶマスクブランク。
【請求項19】
前記界面層は、０．５ｎｍから１．５ｎｍの範囲の厚さを有する、請求項１２に記載のＥＵＶマスクブランク。
【請求項20】
前記ＥＵＶマスクブランクは、高開口数（高ＮＡ）ＥＵＶスキャナで使用するように構成されている、請求項１２に記載のＥＵＶマスクブランク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
［０００１］本開示は、概して、極端紫外線リソグラフィに関する。より詳細には、本開示は、三層膜を有する多層反射スタックを備える極端紫外線マスクブランクに関する。
【背景技術】
【0002】
［０００２］極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィは、０．０１３５ミクロン以下の最小フィーチャーサイズの半導体デバイスの製造に使用される。一連のミラー又はレンズ素子、及び非反射吸収マスクパターンでコーティングされた反射素子又はマスクブランクを使用することにより、パターニングされた光がレジストコーティングされた半導体基板上に反射される。
【0003】
［０００３］極端紫外線リソグラフィシステムのレンズ素子及びマスクブランクは、モリブデン及びシリコン等の材料の反射多層コーティングでコーティングされる。図１は、ＥＵＶマスクブランクから形成され、基板１４上に反射多層スタック１２を含み、ブラッグ干渉によってマスクされていない部分でＥＵＶ放射線を反射する従来のＥＵＶ反射マスク１０を示している。従来のＥＵＶ反射マスク１０のマスク（非反射）領域１６は、バッファ層１８及び吸収層２０をエッチングすることによって形成される。キャッピング層２２が反射多層スタック１２の上に形成され、エッチングプロセス中に反射多層スタック１２を保護する。エッチングされたマスクブランクは、（非反射）領域１６と反射領域２４とを有する。
【0004】
［０００４］多層リフレクタの有効ミラー面は、Ｚ効果（Ｚｅｆｆ）として知られる多層膜スタックへの光の侵入のために、吸収体から離れた距離にある。Ｚｅｆｆは反射光の位相変化を引き起こし、パターニングされた吸収体上でのＥＵＶ光の二重回折を引き起こす。二重回折の結果、リフレクタの開口数（ＮＡ）内に追加の回折光が入り込み、非テレセントリック性、フォーカスによるエッジ配置エラー、フィーチャーによるベストフォーカス変動、フェージングによるコントラスト低下等、マスク３Ｄ（Ｍ３Ｄ）効果と呼ばれる現象が発生する。
【0005】
［０００５］従って、特に高ＮＡのＥＵＶスキャナ用に、Ｍ３Ｄ効果を最小化する、反射角の広い帯域幅にわたって低いＺｅｆｆであり、高い反射率を有する多層反射スタックを有するＥＵＶマスクブランクを提供する必要がある。更に、多層反射スタックは、粗さ、均一性、応力、熱安定性を含むＥＵＶマスクブランクのその他の要件も満たさなければならない。
【発明の概要】
【0006】
［０００６］本開示の１又は複数の実施形態は、基板上に多層反射スタックを備える極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクを対象とする。多層反射スタックは、シリコン（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、イットリウム（Ｙ）、バリウム（Ｂａ）及びジルコニウム（Ｚｒ）で構成される群から選択される元素を含む第１の膜と、ルテニウム（Ｒｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）及び金（Ａｕ）で構成される群から選択される元素を含む第２の膜と、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）及びチタン（Ｔｉ）で構成される群から選択される金属を含む第３の膜とを含む三層膜を含む。
【0007】
［０００７］追加の実施形態は、基板上に多層反射スタックを備える極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクを対象とする。多層反射スタックは、シリコン（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、イットリウム（Ｙ）、バリウム（Ｂａ）及びジルコニウム（Ｚｒ）で構成される群から選択される元素を含む第１の膜と、ルテニウム（Ｒｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）及び金（Ａｕ）で構成される群から選択される元素を含む第２の膜と、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）及びチタン（Ｔｉ）で構成される群から選択される金属を含む第３の膜とを含む三層膜を含む。ＥＵＶマスクブランクは更に、第１の膜、第２の膜及び第３の膜のうちの１又は複数上に界面層を備える。界面層は、窒化ケイ素（ＳｉｘＮｙ）、炭化ケイ素（ＳｉｘＣｙ）、窒化ホウ素（ＢｘＮｙ）、炭化ホウ素（ＢｘＣｙ）、窒化アルミニウム（ＡｌｘＮｙ）、ケイ化アルミニウム（ＡｌｘＳｉｙ）、ケイ化モリブデン（ＭｏｘＳｉｙ）、ケイ化ルテニウム（ＲｕｘＳｉｙ）、窒化モリブデン（ＭｏｘＮｙ）、及び窒化ルテニウム（ＲｕｘＮｙ）のうちの１又は複数を含む。
【0008】
［０００８］上述した本開示の特徴を詳細に理解できるように、一部が添付の図面に例示されている実施形態を参照しながら、上記に要約した本開示をより具体的に説明する。しかし、添付の図面は本開示の典型的な実施形態を示すものに過ぎず、したがって、本開示の範囲を限定するものと見なすべきではなく、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうることに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】従来の吸収体を採用した背景技術のＥＵＶ反射マスクを示す概略図である。
【図2】極端紫外線リソグラフィシステムの実施形態を示す概略図である。
【図3】極端紫外線反射素子製造システムの実施形態を示す図である。
【図4】三層膜を含む多層反射スタックを有するＥＵＶマスクブランク等の極端紫外線反射素子の実施形態を示す図である。
【図6】マルチカソード物理堆積チャンバの実施形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
［００１５］本開示の幾つかの例示的な実施形態を説明する前に、本開示は、以下の説明で示す構造又はプロセスステップの詳細に限定されないことを理解されたい。本開示は、他の実施形態が可能であり、様々な方法で実施又は実行されることが可能である。
【0011】
［００１６］本明細書で使用する「水平」という用語は、その配向にかかわらず、マスクブランクの平面又は表面に平行な面として定義される。用語「垂直」は、先ほど定義した水平に垂直な方向を指す。「上方（ａｂｏｖｅ）」、「下方（ｂｅｌｏｗ）」、「底部（ｂｏｔｔｏｍ）」、「上部（ｔｏｐ）」、「側面（ｓｉｄｅ）」（「側壁」のように）、「上の（ｈｉｇｈｅｒ）」、「下の（ｌｏｗｅｒ）」、「上方の（ｕｐｐｅｒ）」、「上の（ｏｖｅｒ）」、「下方の（ｕｎｄｅｒ）」等の用語は、図に示すように、水平面に対して定義される。用語「上に（ｏｎ）」は、要素間に直接的な接触があることを示す。用語「直接上に（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｏｎ）」は、介在する要素がなく、要素間に直接接触があることを示す。本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用される場合、「前駆体」、「反応物」、「反応性ガス」等の用語は、基板表面と反応する任意のガス種を指すために互換的に使用される。本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用される場合、用語「反射多層スタック」、「多層反射スタック」、「反射層の多層スタック」は、ＥＵＶマスクブランクのような反射素子を指すために互換的に使用される。
【0012】
［００１７］当業者には、プロセス領域を説明するための「第１」及び「第２」のような序数の使用が、処理チャンバ内の特定の位置、又は処理チャンバ内の暴露の順序を意味するものではないことが理解されよう。本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用する用語「基板」は、プロセスが作用する表面、又は表面の一部を指す。また、基板への言及は、文脈が明らかにそうでないことを示さない限り、基板の一部のみを指す場合があることが当業者には理解されよう。更に、基板への堆積への言及は、ベア基板と、その上に１又は複数の膜又はフィーチャーが堆積又は形成された基板の両方を意味する。
【0013】
［００１８］ここで、極端紫外線リソグラフィシステム１００の例示的な実施形態を示す図２を参照する。極端紫外線リソグラフィシステム１００は、極端紫外光１１２を生成するための極端紫外光源１０２と、一組の反射素子と、ターゲットウエハ１１０とを含む。反射素子には、コンデンサ１０４、ＥＵＶ反射マスク１０６、光学縮小アセンブリ１０８、マスクブランク、ミラー、又はそれらの組み合わせが含まれる。
【0014】
［００１９］極端紫外光源１０２は、極端紫外光１１２を生成する。極端紫外光１１２は、５から５０ナノメートル（ｎｍ）の範囲の波長を有する電磁放射線である。例えば、極端紫外光源１０２は、レーザ、レーザ生成プラズマ、放電生成プラズマ、自由電子レーザ、シンクロトロン放射、又はそれらの組み合わせを含む。極端紫外光源１０２は、ある波長範囲にわたる広帯域の極端紫外線を生成する。例えば、極端紫外光源１０２は、５から５０ｎｍの範囲の波長を有する極端紫外光１１２を生成する。１又は複数の実施形態では、極端紫外光源１０２は、狭い帯域幅を有する極端紫外光１１２を生成する。例えば、極端紫外光源１０２は、１３．５ｎｍの極端紫外光１１２を生成する。波長ピークの中心は、１３．５ｎｍである。
【0015】
［００２０］集光器１０４は、極端紫外光１１２を反射及び集光するための光学ユニットである。集光器１０４は、ＥＵＶ反射マスク１０６を照らすために、極端紫外光源１０２からの極端紫外光１１２を反射及び集光する。集光器１０４を単一の素子として示したが、幾つかの実施形態における集光器１０４は、極端紫外光１１２を反射及び集光するために、凹面鏡、凸面鏡、平面鏡、又はそれらの組み合わせ等の１又は複数の反射素子を含むことを理解されたい。例えば、図示の実施形態における集光器１０４は、単一の凹面鏡、又は凸面、凹面、及び平坦な光学素子を有する光学アセンブリである。
【0016】
［００２１］ＥＵＶ反射マスク１０６は、マスクパターン１１４を有する極端紫外線反射素子である。ＥＵＶ反射マスク１０６は、ターゲットウエハ１１０上に形成されるべき回路レイアウトを形成するためのリソグラフィパターンを形成する。ＥＵＶ反射マスク１０６は、極端紫外光１１２を反射する。マスクパターン１１４は、回路レイアウトの一部を画定する。
【0017】
［００２２］光学縮小アセンブリ１０８は、マスクパターン１１４の像を縮小するための光学ユニットである。ＥＵＶ反射マスク１０６からの極端紫外光１１２の反射は、光学縮小アセンブリ１０８によって縮小され、ターゲットウエハ１１０に反射される。幾つかの実施形態の光学縮小アセンブリ１０８は、マスクパターン１１４の像のサイズを縮小するためのミラー及び他の光学素子を含む。例えば、幾つかの実施形態の光学縮小アセンブリ１０８は、極端紫外光１１２を反射及び集光するための凹面鏡を含む。
【0018】
［００２３］光学縮小アセンブリ１０８は、ターゲットウエハ１１０上のマスクパターン１１４の像のサイズを縮小する。例えば、マスクパターン１１４は、光学縮小アセンブリ１０８によってターゲットウエハ１１０上に４：１の比率で結像され、マスクパターン１１４によって表される回路をターゲットウエハ１１０上に形成する。極端紫外光１１２は、ＥＵＶ反射マスク１０６をターゲットウエハ１１０と同期して走査し、ターゲットウエハ１１０上にマスクパターン１１４を形成する。
【0019】
［００２４］ここで、極端紫外線反射素子製造システム２００の実施形態を示す図３を参照する。極端紫外線反射素子は、ＥＵＶマスクブランク２０４、極端紫外線ミラー２０５、又はＥＵＶ反射マスク１０６等の他の反射素子を含む。極端紫外線反射素子製造システム２００は、図２の極端紫外光１１２を反射するマスクブランク、ミラー、又は他の素子を製造する。極端紫外線反射素子製造システム２００は、ソース基板２０３に薄いコーティングを施すことによって反射素子を製造する。
【0020】
［００２５］ＥＵＶマスクブランク２０４は、図２のＥＵＶ反射マスク１０６を形成するための多層構造である。ＥＵＶマスクブランク２０４は、半導体製造技術を用いて形成される。ＥＵＶ反射マスク１０６は、エッチング及び他のプロセスによってＥＵＶマスクブランク２０４上に形成された図２のマスクパターン１１４を有する。極端紫外線ミラー２０５は、極端紫外光の範囲で反射する多層構造である。極端紫外線ミラー２０５は、半導体製造技術を用いて形成される。ＥＵＶマスクブランク２０４及び極端紫外線ミラー２０５は、幾つかの実施形態では、各要素上に形成された層に関しては類似の構造であるが、極端紫外線ミラー２０５はマスクパターン１１４を有していない。
【0021】
［００２６］反射素子は、極端紫外光１１２の効率的なリフレクタである。実施形態では、ＥＵＶマスクブランク２０４及び極端紫外線ミラー２０５は、６０％を超える極端紫外線反射率を有する。反射素子は、極端紫外光１１２の６０％を超えて反射すれば効率的である。極端紫外線反射素子製造システム２００は、ソース基板２０３がロードされ、反射素子がアンロードされるウエハローディング及びキャリアハンドリングシステム２０２を含む。大気ハンドリングシステム２０６は、ウエハハンドリング真空チャンバ２０８へのアクセスを提供する。ウエハローディング及びキャリアハンドリングシステム２０２には、基板輸送ボックス、ロードロック、及びシステム内で基板を大気から真空に移送するための他の構成要素が含まれる。ＥＵＶマスクブランク２０４が非常に小さいスケールのデバイスを形成するのに使用されるため、ソース基板２０３及びＥＵＶマスクブランク２０４は、汚染及びその他の欠陥を防止するために真空システムで処理される。
【0022】
［００２７］ウエハハンドリング真空チャンバ２０８は、２つの真空チャンバ、第１の真空チャンバ２１０及び第２の真空チャンバ２１２を含む。第１の真空チャンバ２１０は第１のウエハハンドリングシステム２１４を含み、第２の真空チャンバ２１２は第２のウエハハンドリングシステム２１６を含む。２つの真空チャンバを有するウエハハンドリング真空チャンバ２０８を説明したが、システムは任意の数の真空チャンバを有していてよいことを理解されたい。
【0023】
［００２８］ウエハハンドリング真空チャンバ２０８は、他の様々なシステムを取り付けるための複数のポートをその周辺部に有する。第１の真空チャンバ２１０は、ガス抜きシステム２１８、第１の物理気相堆積システム２２０、第２の物理気相堆積システム２２２、及び前洗浄システム２２４を有する。ガス抜きシステム２１８は、基板から水分を熱的に脱離させるためのものである。前洗浄システム２２４は、ウエハ、マスクブランク、ミラー、又はその他の光学部品の表面を洗浄するためのものである。
【0024】
［００２９］第１の物理気相堆積システム２２０及び第２の物理気相堆積システム２２２等の物理気相堆積システムは、幾つかの実施形態では、ソース基板２０３上に導電性材料の薄膜を形成するために使用される。例えば、幾つかの実施形態の物理気相堆積システムには、マグネトロンスパッタリングシステム、イオンスパッタリングシステム、パルスレーザ堆積、カソードアーク堆積、又はそれらの組み合わせ等の真空堆積システムが含まれる。マグネトロンスパッタリングシステム等の物理気相堆積システムは、ソース基板２０３上にシリコン、金属、合金、化合物、又はそれらの組み合わせの層を含む薄い層を形成する。
【0025】
［００３０］１又は複数の実施形態では、物理気相堆積システムは、反射層、キャッピング層、及び吸収体層を形成する。例えば、物理気相堆積システムは、シリコン、モリブデン、酸化チタン、二酸化チタン、酸化ルテニウム、酸化ニオブ、ルテニウムタングステン、ルテニウムモリブデン、ルテニウムニオブ、クロム、タンタル、窒化物、化合物、又はそれらの組み合わせの層を形成するように構成される。１又は複数の実施形態によれば、物理気相堆積システムは、図４及び図５に関して説明したように、シリコン（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、イットリウム（Ｙ）、バリウム（Ｂａ）及びジルコニウム（Ｚｒ）を含む第１の膜と、ルテニウム（Ｒｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）及び金（Ａｕ）で構成される群から選択される元素を含む第２の膜と、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）及びチタン（Ｔｉ）で構成される群から選択される金属を含む第３の膜の層を形成するように構成される。幾つかの化合物を酸化物として記載したが、化合物は、酸化物、二酸化物、酸素原子を有する原子混合物、又はそれらの組み合わせを含むことを理解されたい。
【0026】
［００３１］第２の真空チャンバ２１２は、第２の真空チャンバ２１２に接続された第１のマルチカソード源２２６、化学気相堆積システム２２８、硬化チャンバ２３０、及び超平滑堆積チャンバ２３２を有する。例えば、幾つかの実施形態の化学気相堆積システム２２８は、流動性化学気相堆積システム（ＦＣＶＤ）、プラズマ化学気相堆積システム（ＣＶＤ）、エアロゾルＣＶＤ、ホットフィラメントＣＶＤシステム、又は同様のシステムを含む。別の実施例では、化学気相堆積システム２２８、硬化チャンバ２３０、及び超平滑堆積チャンバ２３２は、極端紫外線反射素子製造システム２００とは別のシステムにある。
【0027】
［００３２］化学気相堆積システム２２８は、ソース基板２０３上に材料の薄膜を形成する。例えば、化学気相堆積システム２２８は、単結晶層、多結晶層、アモルファス層、エピタキシャル層、又はそれらの組み合わせを含む材料の層をソース基板２０３上に形成するために使用される。化学気相堆積システム２２８は、シリコン、酸化ケイ素、オキシ炭化ケイ素、炭素、タングステン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化チタン、金属、合金、及び化学気相堆積に適した他の材料の層を形成する。例えば、化学気相堆積システムは平坦化層を形成する。
【0028】
［００３３］第１のウエハハンドリングシステム２１４は、連続真空中で大気ハンドリングシステム２０６と第１の真空チャンバ２１０の周辺部の様々なシステムとの間でソース基板２０３を移動させることができる。第２のウエハハンドリングシステム２１６は、ソース基板２０３を連続真空中に維持しながら、第２の真空チャンバ２１２の周りでソース基板２０３を移動させることができる。極端紫外線反射素子製造システム２００は、ソース基板２０３とＥＵＶマスクブランク２０４とを、連続真空中で第１のウエハハンドリングシステム２１４と第２のウエハハンドリングシステム２１６との間で移送する。
【0029】
［００３４］本開示の幾つかの実施形態は、極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクを形成する方法を提供する。本方法は、基板上に多層反射スタックを形成することを含む。１又は複数の実施形態では、多層反射スタックは、第１の膜、第２の膜、及び第３の膜を含む三層膜を備える。幾つかの方法は更に、第１の膜、第２の膜、及び第３の膜のうちの１又は複数上に界面層を形成することを含む。幾つかの方法は、多層反射スタック上にキャッピング層を形成し、キャッピング層上に吸収体層を形成することを含む。極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクを形成する方法は、図４及び図５のうちの１又は複数に図示したＥＵＶマスクブランクの実施形態を参照して説明することができる。図５は、多層反射スタック３８０を有する極端紫外線反射素子４００を形成するために１又は複数の界面層３２５、３３５、３４５を更に含む、図４の極端紫外線反射素子３００の実施形態を示している。
【0030】
［００３５］ここで、図３のＥＵＶマスクブランク２０４又は図３の極端紫外線ミラー２０５等の極端紫外線反射素子３００の実施形態を示す図４を参照する。ＥＵＶマスクブランク２０４及び極端紫外線ミラー２０５は、図２の極端紫外光１１２を反射するための構造である。ＥＵＶマスクブランク２０４は、図２に示すＥＵＶ反射マスク１０６を形成するために用いられる。
【0031】
［００３６］本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用する場合、ＥＵＶマスクブランク２０４の用語は、簡略化のために、極端紫外線ミラー２０５の用語と互換的に使用される。１又は複数の実施形態では、ＥＵＶマスクブランク２０４は、図２のマスクパターン１１４を形成することに加えて、吸収体層３８０が追加された極端紫外線ミラー２０５の構成要素を含む。
【0032】
［００３７］ＥＵＶマスクブランク２０４は、マスクパターン１１４を有するＥＵＶ反射マスク１０６を形成するために使用される光学的に平坦な構造である。１又は複数の実施形態では、ＥＵＶマスクブランク２０４の反射面は、図２の極端紫外光１１２等の入射光を反射するための平坦な焦点面を形成する。
【0033】
［００３８］極端紫外線反射素子３００は、基板３１０と、基板３１０上の多層反射スタック３７０とを含む。多層反射スタック３７０は、第１の膜３２０、第２の膜３３０、及び第３の膜３４０を含む三層膜を備える。１又は複数の実施形態では、極端紫外線ミラー２０５は、図２の集光器１０４又は図２の光学縮小アセンブリ１０８で使用するための反射構造を形成するために使用される。図４に示す実施形態は、基板３１０と、基板３１０上の多層反射スタック３７０とを有する極端紫外線反射素子３００を含み、多層反射スタック３７０は、第１の膜３２０、第２の膜３３０及び第３の膜３４０を含む三層膜と、多層反射スタック３７０上のキャッピング層３５０と、キャッピング層３５０上の吸収体層３６０とを備える。
【0034】
［００３９］基板３１０は、極端紫外線反射素子３００に構造的支持を与えるための要素である。１又は複数の実施形態では、基板３１０は、温度変化時の安定性を提供するために、低い熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する材料から作られる。１又は複数の実施形態では、基板３１０は、機械的サイクル、熱サイクル、結晶形成、又はそれらの組み合わせに対する安定性等の特性を有する。１又は複数の実施形態に係る基板３１０は、シリコン、ガラス、酸化物、セラミック、ガラスセラミック、又はそれらの組み合わせ等の材料から形成される。
【0035】
［００４０］ほとんどの材料は極端紫外線波長で光を吸収するため、使用される光学素子は、他のリソグラフィシステムで使用されるような透過型の代わりに反射型である。多層反射スタック３７０は、異なる光学特性を有する材料の交互の薄層を有することによって反射構造を形成し、ブラッグリフレクタ又はミラーを作製する。
【0036】
［００４１］１又は複数の実施形態では、多層反射スタック３７０は、極端紫外光１１２に対して反射性を有する構造である。１又は複数の実施形態では、多層反射スタック３７０は、第１の膜３２０、第２の膜３３０、及び第３の膜３４０を有する三層膜を含む複数の交互の層群を備える。第１の膜３２０、第２の膜３３０及び第３の膜３４０は様々な構造を有していてよい。実施形態では、第１の膜３２０、第２の膜３３０及び第３の膜３４０の各々は、単層、多層、分割層構造、不均一構造、又はそれらの組み合わせで形成される。
【0037】
［００４２］１又は複数の実施形態では、多層反射スタック３７０の第１の膜３２０、第２の膜３３０、及び第３の膜３４０は、反射群を形成する。本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用する用語「反射群」及び「複数の交互の膜群」及び「複数の交互の層群」は、１又は複数の反射層を指すために互換的に使用され得る。非限定的な実施形態では、多層反射スタック３７０は、２０から６０の範囲の反射群、合計最大１８０の反射層を含む。別の非限定的な実施形態では、多層反射スタック３７０は、２０の反射群、合計６０の反射層を含む。別の非限定的な実施形態では、多層反射スタック３７０は、１０の反射群、合計３０の反射層を含む。
【0038】
［００４３］多層反射スタック３７０は、様々な方法で形成される。実施形態では、第１の膜３２０、第２の膜３３０、及び第３の膜３４０は、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリングシステム、パルスレーザ堆積、カソードアーク堆積、又はそれらの組み合わせで形成される。
【0039】
［００４４］例示的な実施形態では、多層反射スタック３７０は、マグネトロンスパッタリング等の物理気相堆積技術を用いて形成される。実施形態では、多層反射スタック３７０の第１の膜３２０、第２の膜３３０、及び第３の膜３４０は、正確な厚さ、低い粗さ、及び層間の清浄な界面を含むマグネトロンスパッタリング技術によって形成される特性を有する。実施形態では、多層反射スタック３７０の第１の膜３２０、第２の膜３３０、及び第３の膜３４０は、正確な厚さ、低い粗さ、及び層間の清浄な界面を含む物理気相堆積によって形成される特性を有する。
【0040】
［００４５］実施形態では、第１の膜３２０、第２の膜３３０、及び第３の膜３４０の各々は、極端紫外光１１２に対して異種の光学定数を有する。交互の層は、交互の層の厚さの周期が極端紫外光１１２の波長の１／２である場合に、共鳴反射率を提供する。実施形態では、波長１３ｎｍの極端紫外光１１２に対して、第１の膜３２０、第２の膜３３０、及び第３の膜３４０の各厚さは約４．３３ｎｍである。提供されたサイズ及び寸法は、典型的な素子に対する通常の工学公差内であることを理解されたい。
【0041】
［００４６］物理気相堆積技術を使用して形成された多層反射スタック３７０の層の物理的寸法は、反射率を高めるように精密に制御される。層の厚さは、極端紫外線反射素子の反射率のピーク波長を決定する。層の厚さが不適切な場合、所望の波長１３．５ｎｍにおける反射率が低下する。
【0042】
［００４７］１又は複数の実施形態では、第１の膜３２０は、シリコン（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、イットリウム（Ｙ）、バリウム（Ｂａ）及びジルコニウム（Ｚｒ）で構成される群から選択される元素を含む。１又は複数の実施形態では、第１の膜３２０は、２．５ｎｍから６．５ｎｍの範囲、３．０ｎｍから５ｎｍの範囲、又は３．５ｎｍから４．５ｎｍの範囲の厚さを有する。
【0043】
［００４８］１又は複数の実施形態では、第２の膜３３０は、ルテニウム（Ｒｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）及び金（Ａｕ）で構成される群から選択される元素を含む。１又は複数の実施形態では、第２の膜３３０は、０．５ｎｍから２．５ｎｍの範囲、０．５ｎｍから２．０ｎｍの範囲、又は０．５ｎｍから１．５ｎｍの範囲の厚さを有する。
【0044】
［００４９］１又は複数の実施形態では、第３の膜３４０は、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、及びチタン（Ｔｉ）で構成される群から選択される金属を含む。１又は複数の実施形態では、第３の膜３４０は、０．５ｎｍから２．５ｎｍの範囲、０．５ｎｍから２．０ｎｍの範囲、又は０．５ｎｍから１．５ｎｍの範囲の厚さを有する。１又は複数の実施形態では、第２の膜３３０及び第３の膜３４０は同じ厚さを有する。１又は複数の実施形態では、第２の膜３３０及び第３の膜３４０は異なる厚さを有する。
【0045】
［００５０］１又は複数の実施形態では、多層反射スタック３７０は、第３の膜３４０のない多層反射スタックよりも高い反射率を有する。１又は複数の実施形態では、多層反射スタック３７０は、少なくとも約６２％の反射率を有する。１又は複数の実施形態では、多層反射スタック３７０は、１３．５ｎｍの波長において約６０％から約７２％の範囲の反射率を有する。１又は複数の実施形態では、多層反射スタック３７０は、波長１３．５ｎｍにおいて約６２％から約７０％の範囲、又は約６２％から約６６％の範囲の反射率を有する。１又は複数の実施形態では、第３の膜３４０のない多層反射スタックは、約６０％未満の反射率を有する。
【0046】
［００５１］１又は複数の実施形態では、多層反射スタック３７０は、第３の膜３４０のない多層反射スタックよりも広い帯域幅を有する。１又は複数の実施形態では、帯域幅は、２つの隣接する５０％エッジ点間の距離、すなわち、波長の関数としての反射率スペクトルの半値全幅（ＦＷＨＭ）で測定される。１又は複数の実施形態では、第３の膜３４０を有する多層反射スタック３７０のＦＷＨＭは、０．７５ｎｍから０．８５ｎｍの範囲にある。１又は複数の実施形態では、第３の膜３４０のない多層反射スタックのＦＷＨＭは０．５５ｎｍから０．７０ｎｍの範囲にある。
【0047】
［００５２］１又は複数の実施形態では、多層反射スタック３７０は、第３の膜３４０のない多層反射スタックと比較して、低減された二重散乱効果を有する。本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用する用語「二重回折効果」、「二重散乱効果」及び「マスク３Ｄ（Ｍ３Ｄ）効果」は、Ｚ効果（Ｚｅｆｆ）を指すために互換的に使用され得る。
【0048】
［００５３］１又は複数の実施形態では、多層反射スタック３７０は、第３の膜３４０のない多層反射スタックよりも低いＺ効果（Ｚｅｆｆ）を有する。１又は複数の実施形態では、Ｚｅｆｆは、吸収体層からの距離を指す。１又は複数の実施形態では、Ｚｅｆｆが低いとは、吸収体層からの距離が相対的に短いことを意味する。したがって、パターニングされたＥＵＶマスクブランクにおける多層反射面と吸収体層との間の距離も相対的に短くなる。より低いＺｅｆｆを得ることにより、二重散乱効果が低減され、リソグラフィの歩留まりが向上することが有利に見出されている。１又は複数の実施形態では、吸収体層３６０は、多層反射スタック３７０上にある、又は直接多層反射スタック３７０上にある。１又は複数の実施形態では、吸収体層３６０が多層反射スタック３７０上にある又は直接多層反射スタック３７０上にあるとき、Ｚｅｆｆは３０ｎｍから４５ｎｍの範囲にある。１又は複数の実施形態では、第３の膜３４０のない多層反射スタックにおけるＺｅｆｆは、５０ｎｍから６０ｎｍの範囲にある。
【0049】
［００５４］図４及び図５を参照すると、キャッピング層３５０は、洗浄中の浸食に抵抗するのに十分な硬度を有する様々な材料から形成される。一実施形態では、ルテニウム（Ｒｕ）が、良好なエッチング停止であり、動作条件下で比較的不活性であるため、キャッピング層材料として使用される。しかしながら、幾つかの実施形態では、他の材料がキャッピング層３５０を形成するために使用されることを理解されたい。１又は複数の実施形態では、キャッピング層３５０は、２ｎｍから５ｎｍの範囲、２．５ｎｍから４ｎｍの範囲、又は２．５ｎｍから３ｎｍの範囲の厚さを有する。
【0050】
［００５５］１又は複数の実施形態では、より硬い材料で形成された多層反射スタック３７０の上にキャッピング層３５０を形成すると、反射率が向上する。幾つかの実施形態では、反射率の向上は、低粗度層、層間の清浄な界面、改良された層材料、又はそれらの組み合わせを使用して達成される。
【0051】
［００５６］１又は複数の実施形態では、キャッピング層３５０は、極端紫外光１１２の透過を可能にする保護層である。１又は複数の実施形態では、キャッピング層３５０は、多層反射スタック３７０上に直接形成される。１又は複数の実施形態では、キャッピング層３５０は、汚染物質及び機械的損傷から多層反射スタック３７０を保護する。一実施形態では、多層反射スタック３７０は、酸素、炭素、炭化水素、又はそれらの組み合わせによる汚染に敏感である。実施形態に係るキャッピング層３５０は、汚染物質と相互作用してそれらを中和する。
【0052】
［００５７］１又は複数の実施形態では、キャッピング層３５０は、極端紫外光１１２に対して透明である光学的に均一な構造である。極端紫外光１１２は、キャッピング層３５０を通過して多層反射スタック３７０で反射する。１又は複数の実施形態では、キャッピング層３５０は、１％から２％の全反射率損失を有する。１又は複数の実施形態では、異なる材料の各々は、厚さに応じて異なる反射率損失を有するが、それらのすべては、１％から２％の範囲内にあるであろう。
【0053】
［００５８］１又は複数の実施形態では、キャッピング層３５０は、滑らかな表面を有する。例えば、幾つかの実施形態におけるキャッピング層３５０の表面は、０．２ｎｍＲＭＳ（二乗平均平方根測定値）未満の粗さを有する。別の例では、キャッピング層３５０の表面は、１／１００ｎｍ及び１／１μｍの範囲の長さに対して０．０８ｎｍＲＭＳの粗さを有する。ＲＭＳの粗さは、測定される範囲によって異なる。１００ｎｍから１μｍの特定の範囲では、粗さは０．０８ｎｍ以下である。
【0054】
［００５９］キャッピング層３５０は、様々な方法によって形成される。実施形態では、キャッピング層３５０は、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリングシステム、イオンビーム堆積、電子ビーム蒸着、高周波（ＲＦ）スパッタリング、原子層堆積（ＡＬＤ）、パルスレーザ堆積、カソードアーク堆積、又はそれらの組合せを用いて、多層反射スタック３７０上に形成される又は多層反射スタック３７０上に直接形成される。１又は複数の実施形態では、キャッピング層３５０は、正確な厚さ、低い粗さ、及び層間の清浄な界面を含む、マグネトロンスパッタリング技術によって形成される物理的特性を有する。実施形態では、キャッピング層３５０は、正確な厚さ、低い粗さ、及び層間の清浄な界面を含む、物理気相堆積によって形成される物理的特性を有する。１又は複数の実施形態では、キャッピング層３５０は、本明細書に記載の方法のいずれかを使用して、多層反射スタック３７０上に形成される又は多層反射スタック３７０上に直接形成される。
【0055】
［００６０］再び図４及び図５を参照すると、吸収体層３６０が、キャッピング層３５０上に形成されている又はキャッピング層３５０上に直接形成されている。１又は複数の実施形態では、吸収体層３６０は、多層反射スタック３７０上にある又は直接その上にある。吸収体層３６０は、極端紫外光１１２を吸収する層である。吸収体層３６０は、極端紫外光１１２を反射しない領域を提供することによってＥＵＶ反射マスク１０６上にパターンを形成するために使用される。１又は複数の実施形態に係る吸収体層３６０は、極端紫外光１１２の特定の周波数、例えば、約１３．５ｎｍに対して高い吸収係数を有する材料を含む。実施形態では、吸収体層３６０は、キャッピング層３５０上に直接形成され、吸収体層３６０は、ＥＵＶ反射マスク１０６のパターンを形成するためにフォトリソグラフィプロセスを用いてエッチングされる。
【0056】
［００６１］１又は複数の実施形態によれば、キャッピング層３５０の上に吸収体層３６０を形成することにより、ＥＵＶ反射マスク１０６の信頼性が向上する。キャッピング層３６０は、吸収体層３６０のエッチング停止層として機能する。図２のマスクパターン１１４が吸収体層３６０にエッチングされると、吸収体層３６０の下のキャッピング層３５０がエッチング作用を停止して多層反射スタック３７０を保護する。１又は複数の実施形態では、吸収体層３６０は、キャッピング層３５０に対してエッチング選択性がある。幾つかの実施形態では、キャッピング層３５０はルテニウムを含み、吸収体層３６０はルテニウムに対してエッチング選択性がある。
【0057】
［００６２］１又は複数の実施形態では、吸収体層３６０は、約１８０度から約２２０度の範囲の位相シフトを提供する、０．９２未満の「ｎ」値を有する。約０．９２未満の「ｎ」値は、規格化画像対数傾斜（ＮＩＬＳ）を改善し、３Ｄ効果を緩和する。本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用する「正規化画像対数勾配（ＮＩＬＳ）」とは、空間画像のリソグラフィ品質を記述するメトリックを指す。本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用する「ｎ」又は「ｎ値」は、屈折率を指す。屈折率は、ある媒体から別の媒体へ通過する際の光線の屈曲の測定値である。低い「ｎ」値はＮＩＬＳを改善し、３Ｄ効果を緩和する。
【0058】
［００６３］実施形態では、吸収体層３６０は、約５０ｎｍ未満、約４５ｎｍ未満、約４０ｎｍ未満、約３５ｎｍ未満、約３０ｎｍ未満、約２５ｎｍ未満、約２０ｎｍ未満、約１５ｎｍ未満、約１０ｎｍ未満、約５ｎｍ未満、約１ｎｍ未満、又は約０．５ｎｍ未満を含む、約５５ｎｍ未満の厚さを有する。他の実施形態では、吸収体層３６０は、約１ｎｍから約５４ｎｍ、１ｎｍから約５０ｎｍ、及び１５ｎｍから約５０ｎｍの範囲を含む、約０．５ｎｍから約５５ｎｍの範囲の厚さを有する。
【0059】
［００６４］ここで、第１の膜３２０、第２の膜３３０、第３の膜３４０、及びキャッピング層３５０の各々の間に界面層３２５、３３５、３４５を有し、キャッピング層３５０上に吸収体層３６０を有する極端紫外線反射素子４００を示す図５を参照する。１又は複数の実施形態では、多層反射スタック３８０は、第１の膜３２０、第２の膜３３０、及び第３の膜３４０のうちの１又は複数の上に界面層３２５、３３５、３４５を備える。
【0060】
［００６５］１又は複数の実施形態では、界面層３２５、３３５、３４５は同じである。１又は複数の実施形態では、界面層３２５、３３５、３４５の各々は異なっている。１又は複数の実施形態では、界面層３２５、３３５、３４５は、窒化ケイ素（ＳｉｘＮｙ）、炭化ケイ素（ＳｉｘＣｙ）、窒化ホウ素（ＢｘＮｙ）、炭化ホウ素（ＢｘＣｙ）、窒化アルミニウム（ＡｌｘＮｙ）、ケイ化アルミニウム（ＡｌｘＳｉｙ）、ケイ化モリブデン（ＭｏｘＳｉｙ）、ケイ化ルテニウム（ＲｕｘＳｉｙ）、窒化モリブデン（ＭｏｘＮｙ）、及び窒化ルテニウム（ＲｕｘＮｙ）のうちの１又は複数を含む。１又は複数の実施形態では、少なくとも１つの界面層３２５、３３５、３４５は、０．５ｎｍから１．５ｎｍの範囲、０．５ｎｍから１．２ｎｍの範囲、又は０．８ｎｍから１．２ｎｍの範囲の厚さを有する。
【0061】
［００６６］本明細書に記載のＥＵＶマスクブランクは、高開口数（高ＮＡ）ＥＵＶスキャナで使用するように構成され得ることが有利に見出されている。理論に拘束されるつもりはないが、典型的なＥＵＶスキャナは０．３３ＮＡレンズを含むが、「高ＮＡ」ＥＵＶスキャナは０．５５ＮＡレンズを含む。高ＮＡのＥＵＶスキャナは、０．３３ＮＡレンズを含むスキャナで発生するマスク分割を有利に回避し、マスク分割における累積エッジ配置エラー（ＥＰＥ）を排除し、プロセスの複雑性を低減し、コストを削減する。マスク分割における累積ＥＰＥが排除されると、ＥＵＶリソグラフィステップの歩留まりが高くなる。
【0062】
［００６７］本明細書に記載のＥＵＶマスクブランクは、低いＺｅｆｆと、反射角の広い帯域幅にわたって高い反射率を有し、Ｍ３Ｄ効果を最小限に抑えることが発見されている。Ｍ３Ｄ効果の低減は、図２に示すタイプのＥＵＶリソグラフィシステムで使用される場合に歩留まりを増加させると考えられる。本開示の実施形態は、反射率の増加により高いスループットを有するＥＵＶマスクブランクを有利に提供する。本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用する「スループット」とは、単位時間当たりの処理サンプル数を指す。
【0063】
［００６８］ここで、実施形態に係るマルチカソード源チャンバ６００の上部を示す図６を参照する。マルチカソードチャンバ６００は、上部アダプタ６０４によってキャッピングされた円筒形本体部分６０２を有するベース構造６０１を含む。上部アダプタ６０４には、上部アダプタ６０４の周りに位置決めされたカソード源６０６、６０８、６１０、６１２、及び６１４等の多数のカソード源が設けられる。１又は複数の実施形態に係るカソード源６０６、６０８、６１０、６１２、及び６１４は、三層膜、界面層、キャッピング層、及び吸収体層を含む多層反射スタックを形成するために、本明細書に記載の異なる材料を含む。
【0064】
［００６９］幾つかの実施形態では、マルチカソード源チャンバ６００は、図３に示すシステムの一部である。実施形態では、極端紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク製造システムは、真空を生成するための基板ハンドリング真空チャンバと、真空内で、基板ハンドリング真空チャンバにロードされた基板を輸送するための基板ハンドリングプラットフォームと、複数のサブチャンバであって、三層膜と、三層膜の１又は複数の膜間のオプションの界面層と、多層反射スタック上のキャッピング層と、キャッピング層上の吸収体層とを含む多層反射スタックを基板上に含むＥＵＶマスクブランクを形成するために基板ハンドリングプラットフォームによってアクセスされる複数のサブチャンバとを備える。本システムは、図４又は図５に関して示し、図４～図５に関して記載したＥＵＶマスクブランクに関して記載した特性のいずれかを有するＥＵＶマスクブランクを製造するために使用される。
【0065】
［００７０］プロセスは、概して、プロセッサによって実行されると、プロセスチャンバに本開示のプロセスを実行させるソフトウェアルーチンとしてメモリに記憶され得る。ソフトウェアルーチンはまた、プロセッサによって制御されるハードウェアから遠隔に位置する第２のプロセッサ（図示せず）によって記憶及び／又は実行され得る。本開示の方法の一部又は全部はまた、ハードウェアにおいて実行され得る。このように、プロセスは、ソフトウェアにおいて実装され、コンピュータシステムを使用して実行され得る、ハードウェアにおいて、例えば、特定用途向け集積回路又は他のタイプのハードウェア実装態様として実行され得る、又はソフトウェア及びハードウェアの組み合わせとして実行され得る。ソフトウェアルーチンは、プロセッサによって実行されると、汎用コンピュータを、プロセスが実行されるようにチャンバの動作を制御する特定目的のコンピュータ（コントローラ）に変換する。
【0066】
［００７１］本明細書全体で言及する、「一実施形態」、「特定の実施形態」、「１又は複数の実施形態」、又は「実施形態」は、その実施形態に関連して記載する特定の特徴、構造、材料、又は特性が本開示の少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。したがって、本明細書中の様々な箇所における「１又は複数の実施形態では」、「特定の実施形態では」、「一実施形態では」、又は「実施形態では」等の句の出現は、必ずしも本開示の同じ実施形態を指すとは限らない。更に、特定の特徴、構造、材料、又は特性は、１又は複数の実施形態において任意の適切な方法で組み合わせることが可能である。
【0067】
［００７２］本明細書の開示を、特定の実施形態を参照しながら説明してきたが、これらの実施形態は単なる例示であることを理解されたい。当業者には、本開示の主旨及び範囲から逸脱することなく、本開示の方法及び装置に様々な修正及び変更を加えることができることが明らかとなる。したがって、本開示は、添付の特許請求の範囲及びその等価物の範囲内にある修正及び変更を含むことを意図する。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【国際調査報告】