(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-09-12
(54)【発明の名称】パターニングデバイスの欠陥検出のシステム及び方法
(51)【国際特許分類】
G03F 1/84 20120101AFI20240905BHJP
H01L 21/66 20060101ALI20240905BHJP
【ＦＩ】
G03F1/84
H01L21/66 J
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024510633
(86)(22)【出願日】2022-08-15
(85)【翻訳文提出日】2024-04-17
(86)【国際出願番号】 EP2022072752
(87)【国際公開番号】W WO2023036561
(87)【国際公開日】2023-03-16
(31)【優先権主張番号】21195866.5
(32)【優先日】2021-09-09
(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】504151804
【氏名又は名称】エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．
(74)【代理人】
【識別番号】100079108
【弁理士】
【氏名又は名称】稲葉 良幸
(74)【代理人】
【識別番号】100109346
【弁理士】
【氏名又は名称】大貫 敏史
(74)【代理人】
【識別番号】100117189
【弁理士】
【氏名又は名称】江口 昭彦
(74)【代理人】
【識別番号】100134120
【弁理士】
【氏名又は名称】内藤 和彦
(72)【発明者】
【氏名】ヴァン ラルー，マリエ－クレア
(72)【発明者】
【氏名】ウィーラント，マルコ，ジャン－ジャコ
【テーマコード（参考）】
2H195
4M106
【Ｆターム（参考）】
2H195BD04
2H195BD14
2H195BD25
2H195BD26
4M106AA01
4M106BA02
4M106CA39
4M106DB05
(57)【要約】
マスクチェックウェーハは、製造用ウェーハとは異なるプロセスを利用することができるため、スキャナの生産性の低下につながる、瞳充填率（ＰＦＲ）が低い高コントラスト照明設定を利用することができる。製造用ウェーハに対して使用されるものとは異なる高コントラスト照明設定を選択することにより、確率的欠陥に対する粒子プリンタビリティの比率の向上を達成することができる。併せて、又はその代わりに、より高いドーズ量のレジストを利用することができる。これにより、ウェーハの露光時間を長くすることができ、フォトンショットノイズの影響が低減され、確率的欠陥に対する粒子プリンタビリティの比率の向上ももたらされる。その結果、確率的欠陥の量が過剰になることなく、粒子プリンタビリティをさらに向上させることができる。このため、荷電粒子検査及び分析の部位数、ひいてはスループットを大幅に向上させることができる。
【選択図】図７
【選択図】図７
【特許請求の範囲】
【請求項1】
パターニングデバイスの欠陥を検出するシステムであって、前記システムが、パターン付与基板を検査するように構成された荷電粒子検査システムであって、前記パターン付与基板が、前記パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造され、前記パターニングパラメータを変調することによって、前記パターン付与基板上への前記欠陥のパターナビリティが向上する、荷電粒子検査システムと、
機械可読命令によって、
前記パターニングデバイスの前記欠陥の前記パターナビリティの向上に関連する、前記パターン付与基板における欠陥を検出することと、
前記パターン付与基板における前記欠陥に基づいて、前記パターニングデバイスの前記欠陥を検出することと、
を行うように構成された１つ又は複数のプロセッサと、
を含む、システム。
【請求項2】
前記パターニングパラメータを変調することが、前記通常の製造パターニングプロセスにおける前記欠陥のパターナビリティと比べて、前記パターン付与基板上への前記欠陥の前記パターナビリティを向上させ、前記パターナビリティの向上と、前記変調されたパターニングパラメータに関連する前記パターン付与基板のパターニングされる欠陥の量とのバランスをとり、前記パターン付与基板のパターニング生産性を考慮することなく行われ、前記荷電粒子検査システム及び前記１つ又は複数のプロセッサがさらに、複数のフィールドで、前記パターン付与基板上の欠陥候補エリアにおいて前記パターン付与基板を検査し、前記パターン付与基板にわたってどの欠陥が繰り返され、したがって前記パターニングパラメータを変調することによって強調されたかを決定するように構成された、請求項１に記載のシステム。
【請求項3】
前記パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して、異なる、より高いドーズ量のレジストで前記基板をコートすることを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項4】
前記パターニングパラメータを変調することが、前記通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズ又は焦点を変更することを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項5】
前記パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して異なるレジストで前記基板をコートすることと、前記通常の製造パターニングプロセスに関連する前記露光照明の前記ドーズを変更することとを含み、前記ドーズを変更することが、前記通常の製造パターニングプロセスに使用されるドーズと比べて前記ドーズを増加させることを含む、請求項４に記載のシステム。
【請求項6】
前記パターニングパラメータを変調することが、前記通常の製造パターニングプロセス中に提供される照明と比較して、パターニングのためにより高いコントラストの照明を提供することを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項7】
前記パターニングパラメータを変調することが、前記通常のパターニングプロセスに関連する瞳充填率（ＰＦＲ）を変更することを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項8】
前記ＰＦＲが２０％未満に変更され、これにより、前記通常のパターニングプロセスのイルミネータ効率が１００％未満になる、請求項７に記載のシステム。
【請求項9】
前記パターニングデバイスがマスクであり、前記通常のパターニングプロセスが半導体製造プロセスである、請求項１に記載のシステム。
【請求項10】
前記荷電粒子検査システムが走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）であり、前記パターン付与基板が、パターン付与半導体ウェーハであり、前記パターニングデバイスの前記欠陥が、前記パターニングデバイス上の粒子を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項11】
前記パターン付与基板上への前記パターニングデバイスの前記欠陥の前記パターナビリティを向上させるように前記パターニングパラメータを変調することが、前記通常の製造パターニングプロセスにおいて前記欠陥をパターニングする可能性と比べて、前記パターニングデバイスの前記欠陥が前記パターン付与基板上にパターニングされる可能性を高めるように前記パターニングパラメータを変調することを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項12】
前記変調されたパターニングパラメータに関連する前記パターン付与基板の前記パターニングされた欠陥が、確率的欠陥を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項13】
前記パターン付与基板が、前記通常の製造パターニングプロセスに関連するリソグラフィシステム又は別個のリソグラフィシステムを用いて製造される、請求項１に記載のシステム。
【請求項14】
前記パターニングデバイスを使用し、前記通常の製造パターニングプロセス中に使用される前記パターニングパラメータと比較して前記パターニングパラメータを変調することによって製造される前記パターン付与基板が、前記通常の製造パターニングプロセスで使用されるパターンデザイン及びパターニングデバイスと同じパターンデザイン及びパターニングデバイスを使用して製造される、請求項１に記載のシステム。
【請求項15】
命令を記憶した非一時的なコンピュータ可読媒体であって、前記命令がコンピュータによって実行されると、荷電粒子検査システムを用いてパターン付与基板を検査することであって、前記パターン付与基板が、パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造され、前記パターニングパラメータを変調することによって、前記パターン付与基板上への前記パターニングデバイスの欠陥のパターナビリティが向上する、検査することと、
前記パターニングデバイスの前記欠陥の前記パターナビリティの向上に関連する、前記パターン付与基板における欠陥を検出することと、
前記パターン付与基板における前記欠陥に基づいて、前記パターニングデバイスの前記欠陥を検出することと、
を含む動作を生じさせる、非一時的なコンピュータ可読媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、２０２１年９月９日に出願された欧州特許出願第２１１９５８６６．５号の優先権を主張するものであり、この出願は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
[0001] 本出願は、２０２１年９月９日に出願された欧州特許出願第２１１９５８６６．５号の優先権を主張するものであり、この出願は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【0002】
[0002] 本開示は、一般に、半導体製造プロセスに関連する荷電粒子検査又は光学検査によってパターニングデバイスの欠陥検出を向上させることに関する。
【背景技術】
【0003】
[0003] 集積回路（ＩＣ）の製造プロセスでは、未完成又は完成した回路コンポーネントは、設計通りに製造され、欠陥がないことを確実にするために検査される。光学顕微鏡又は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）などの荷電粒子（例えば電子）ビーム顕微鏡を利用した検査システムを採用することができる。ＩＣコンポーネントの物理的なサイズが縮小し続け、その構造が複雑化し続けるにつれて、欠陥検出及び検査における精度及びスループットがより重要になる。全体的な画像品質は、特に二次電子及び後方散乱電子の高い信号検出効率の組み合わせに依存する。後方散乱電子は、サンプルのより深い層から脱出するための放出エネルギーがより高く、そのため、３Ｄ ＮＡＮＤデバイスの埋込層、ノード、高アスペクト比のトレンチ又は穴などの複雑な構造の結像には、後方散乱電子の検出が望ましい場合がある。オーバーレイ計測などの用途では、二次電子からの表面情報及び後方散乱電子からの埋込層情報を高品質な結像及び効率的な収集で同時に取得することが望ましい場合があり、ＳＥＭにおける複数の電子検出器を使用する必要性が強調される。二次電子及び後方散乱電子の収集及び検出効率を個々に最大化するために、様々な構造的配置の複数の電子検出器が使用され得るが、複合的な検出効率は低いままであり、そのため、達成される画像品質は、２次元及び３次元構造の高精度且つ高スループットの欠陥検査及び計測には不十分な場合がある。
【発明の概要】
【0004】
[0004] マスクは、ウェーハを露光させるために使用され、ウェーハは、（欠陥がウェーハ上に繰り返し印刷されることによって）マスク上の欠陥を見つけるために検査される。マスクの欠陥の中には、確実に印刷されないものもある。例えば、６０ｎｍの粒子は、約１０％の確率でしか印刷されない可能性があり、欠陥のあるマスクで露光されたウェーハを検査することによって、そのようなマスク欠陥を検出する信頼性及びスループットが低下する。その結果、多くの同一箇所を検査する必要があり、スループットの低下が生じる。
【0005】
[0005] ある実施形態によれば、パターニングデバイスの欠陥を検出する方法が提供される。本方法は、荷電粒子検査システムを用いてパターン付与基板を検査することを含む。パターン付与基板は、パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造される。パターニングパラメータを変調することによって、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティが向上する。本方法は、パターニングデバイスの欠陥のパターナビリティの向上に関連する、パターン付与基板における欠陥を検出することと、パターン付与基板における欠陥に基づいて、パターニングデバイスの欠陥を検出することと、を含む。
【0006】
[0006] 実施形態によっては、パターニングパラメータを変調することは、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティを向上させ、パターナビリティの向上と、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされる欠陥の量とのバランスをとる。パターニングパラメータを変調することは、パターン付与基板（例えば、マスクチェックウェーハ）のパターニング生産性を考慮することなく行われる。
【0007】
[0007] 実施形態によっては、本方法は、パターン付与基板にわたってどの欠陥が繰り返され、したがってパターニングパラメータを変調することによって強調されたかを決定するために、複数のフィールドで、パターン付与基板上の欠陥候補エリアにおいて検査を繰り返すことを含む。
【0008】
[0008] 実施形態によっては、パターニングパラメータを変調することは、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して、異なる、より高いドーズ量のレジストで基板をコートすることを含む。
【0009】
[0009] 実施形態によっては、パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズ又は焦点を変更することを含む。
【0010】
[0010] 実施形態によっては、パターニングパラメータを変調することは、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して異なるレジストで基板をコートすることと、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズを変更することとを含み、ドーズを変更することは、通常の製造パターニングプロセスに使用されるドーズと比べてドーズを増加させることを含む。
【0011】
[0011] 実施形態によっては、パターニングパラメータを変調することは、通常の製造パターニングプロセス中に提供される照明と比較して、パターニングのためにより高いコントラストの照明を提供することを含む。
【0012】
[0012] 実施形態によっては、パターニングパラメータを変調することは、通常のパターニングプロセスに関連する瞳充填率（ＰＦＲ）を変更することを含む。
【0013】
[0013] 実施形態によっては、ＰＦＲは、２０％未満に変更され、これにより、通常のパターニングプロセスのイルミネータ効率が１００％未満になる。
【0014】
[0014] 実施形態によっては、パターニングデバイスは、マスクであり、通常のパターニングプロセスは、半導体製造プロセスである。
【0015】
[0015] 実施形態によっては、荷電粒子検査システムは、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）である。
【0016】
[0016] 実施形態によっては、パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させるようにパターニングパラメータを変調することは、通常の製造パターニングプロセスにおいて欠陥をパターニングする可能性と比べて、パターニングデバイスの欠陥がパターン付与基板上にパターニングされる可能性を高めるようにパターニングパラメータを変調することを含む。
【0017】
[0017] 実施形態によっては、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされた欠陥が、確率的欠陥を含む。
【0018】
[0018] 実施形態によっては、パターン付与基板は、通常の製造パターニングプロセスに関連するリソグラフィシステム又は別個のリソグラフィシステムを用いて製造される。
【0019】
[0019] 実施形態によっては、パターン付与基板は、パターン付与半導体ウェーハであり、パターニングデバイスの欠陥は、パターニングデバイス上の粒子を含む。
【0020】
[0020] 実施形態によっては、パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造されるパターン付与基板は、通常の製造パターニングプロセスで使用されるパターンデザイン及びパターニングデバイスと同じパターンデザイン及びパターニングデバイスを使用して製造される。
【0021】
[0021] 別の実施形態によれば、パターニングデバイスの欠陥を検出する方法が提供される。本方法は、検査システムを用いてパターン付与基板を検査することを含む。パターン付与基板は、パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造される。パターニングパラメータを変調することによって、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティが向上する。本方法は、パターニングデバイスの欠陥のパターナビリティの向上に関連する、パターン付与基板における欠陥を検出することを含む。本方法は、パターン付与基板における欠陥に基づいて、パターニングデバイスの欠陥を検出することを含む。
【0022】
[0022] 別の実施形態によれば、基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターニングを向上させる方法が提供される。本方法は、通常の製造パターニングプロセスのパターニングパラメータを変調することを含む。パターニングパラメータを変調することは、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させる。本方法は、変調されたパターニングパラメータを使用して、基板上にパターニングデバイスの欠陥をパターニングすることを含む。変調されたパターニングパラメータでパターニングした後に、変調されたパターニングパラメータに関連するパターニングされる欠陥の量との間でバランスをとった欠陥のパターナビリティの向上により、基板は、荷電粒子検査システムによる検査のために構成される。
【0023】
[0023] 別の実施形態によれば、半導体製造プロセスで使用されるマスクの欠陥を検出する方法が提供される。検出は、パターン付与基板（例えば、マスクチェックウェーハ）のパターニング生産性を考慮することなく、欠陥が強調された非製造用のパターン付与半導体ウェーハに対して行われる。本方法は、荷電粒子検査システムを用いてパターン付与半導体ウェーハを検査することを含む。パターン付与半導体ウェーハは、マスクを使用し、通常の半導体製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造される。本方法は、パターン付与半導体ウェーハ上へのマスクの欠陥のパターナビリティを向上させ、パターナビリティの向上と、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与半導体ウェーハのパターニングされる欠陥の量とのバランスをとるように構成された、パターニングパラメータを変調することを含む。本方法は、マスクの欠陥のパターナビリティの向上に関連する、パターン付与半導体ウェーハにおける欠陥を検出することを含む。本方法は、パターン付与半導体ウェーハにおける欠陥に基づいて、マスクの欠陥を検出することを含む。
【0024】
[0024] 他の実施形態によれば、対応するシステム、又は上記に記載の動作のうちの１つ若しくは複数を行うように（又は１つ若しくは複数のプロセッサに行わせるように）構成された機械可読命令を記憶したコンピュータ可読媒体が提供される。
【0025】
[0025] 本開示の実施形態の他の利点は、説明目的で、及び例として特定の例示的な実施形態を記載する、添付の図面と併せて理解される以下の発明の詳細な説明から明らかとなるであろう。
【0026】
[0026] 本明細書に組み込まれ、本明細書の一部を構成する添付の図面は、１つ又は複数の実施形態を示し、発明の詳細な説明と共にこれらの実施形態を説明する。実施形態は、対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照して、単なる例として説明される。
【図面の簡単な説明】
【0027】
【図1】[0027]本開示の実施形態と一致するリソグラフィ投影装置の概略図である。
【図2】[0028]本開示の実施形態と一致するリソグラフィックセルの概略図を示す。
【図3】[0029]本開示の実施形態と一致する、半導体製造を最適化するための３つの技術間の連携を表す、ホリスティックリソグラフィの概略図を示す。
【図4】[0030]本開示の実施形態と一致する、荷電粒子（例えば電子ビーム）検査装置の一実施形態を概略的に示す。
【図5】[0031]本開示の実施形態と一致する、検査装置の別の実施形態を概略的に示す。
【図6】[0032]本開示の実施形態と一致する、パターニングデバイスの欠陥を検出するための方法を示す。
【図7】[0033]本開示の実施形態と一致する、確率的欠陥がパターニングされる一方で、基板上にパターニングされないパターニングデバイスの欠陥の一般化例を示す。
【図8】[0034]本開示の実施形態と一致する、欠陥プリンタビリティ対粒子サイズを一般的に示す。
【図9A】[0035]本開示の実施形態と一致する、基板上へのパターニングデバイスにおける欠陥のパターニングを向上させるための方法を示す。
【図9B】[0036]本開示の実施形態と一致する、基板上へのパターニングデバイスにおける欠陥のパターニングを向上させるための別の方法を示す。
【図10】[0037]本開示の実施形態と一致する例示的なコンピュータシステムのブロック図である。
【図11】[0038]本開示の実施形態と一致する別のリソグラフィ投影装置の概略図である。
【図13】[0040]本開示の実施形態と一致する、リソグラフィ投影装置のソースコレクタモジュールの詳細図である。
【発明を実施するための形態】
【0028】
[0041] 電子デバイスは、基板又はウェーハと呼ばれるシリコン片上に形成された回路で構築されている。多くの回路は、同じシリコン片上にフィーチャの繰り返しパターンとして一緒に形成される場合があり、集積回路又はＩＣと呼ばれる。これらの回路のサイズは劇的に小さくなっており、従って、基板上により多くの回路を収めることができる。例えば、スマートフォンのＩＣチップは親指の爪ほどの大きさでありながら、２０億個を超えるトランジスタを含む場合があり、各トランジスタのサイズは、人間の髪の毛のサイズの１０００分の１未満である。
【0029】
[0042] これらの極めて小さなＩＣの製造は、複雑で、時間及びコストのかかるプロセスであり、多くの場合、何百もの個々のステップを伴う。たとえ１つのステップにおける誤差であっても、完成したＩＣに欠陥が生じ、それによって完成したＩＣが使い物にならなくなる可能性がある。従って、製造プロセスの目標の１つは、そのような欠陥を回避して、プロセスで製造される、機能するＩＣの数を最大化すること、つまりプロセスの全体的な歩留まりを向上させることである。
【0030】
[0043] 歩留まりを向上させる１つの要素は、チップ製造プロセスを監視し、十分な数の機能する集積回路が製造されていることを確実にすることである。プロセスを監視する方法の１つは、チップ回路構造をその形成の様々な段階で検査することである。検査は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて行うことができる。ＳＥＭは、これらの非常に小さな構造を結像するため、事実上、構造の「写真」を撮るために使用することができる。この画像を使用して、構造が適切に形成されたかどうか、及びそれが適切な位置に形成されたかどうかを決定することができる。もし構造に欠陥があれば、その欠陥が再び起こりにくいようにプロセスを調節することができる。プロセスを監視する第２の方法は、リソグラフィプロセス中に集積回路を露光させるために使用されるマスクを検査して、マスクの欠陥を探すことである。マスク欠陥に起因するウェーハ上の繰り返し欠陥を探すことなどによって、マスクチェックウェーハ（例えば、検査のために使用される、非製造用の別のウェーハ）がマスクを検査するために使用されることもある。
【0031】
[0044] マスクチェックウェーハは、（通常の製造パターニングプロセスを使用する）製造用ウェーハとは異なるパターニングプロセスを利用することができる。このため、パターニングシステムの生産性低下につながる異なるパターニングプロセスパラメータを利用することができる。異なるパターニングパラメータの一例として、瞳充填率（ＰＦＲ（pupil fill ratio））が低い（例えば、２０％未満）高コントラストの照明設定（ウェーハ上にチップ回路をパターニングするために使用される光用）が挙げられる。製造用ウェーハに対して使用されるコントラスト設定とは異なる高コントラスト照明設定を選択することにより、確率的欠陥に対するパターニングデバイス欠陥（例えば、マスク上の粒子）のプリンタビリティの比率の向上を達成することができる。確率的欠陥とは、パターニングプロセスのパラメータ（例えば、高コントラスト照明又は他のパラメータ）に起因する欠陥である。併せて、又はその代わりに、より高いドーズ量のレジストを利用することもできる。これにより、基板の露光時間を長くすることができ、フォトンショットノイズ又は他の変数の影響が低減され、確率的欠陥に対する欠陥プリンタビリティの比率の向上ももたらされる。その結果、最良のエネルギー／最良の焦点以外の条件を用いても、確率的欠陥の量が過剰になることなく、欠陥プリンタビリティを向上させることができる。このため、荷電粒子検査及び分析の部位数、ひいてはスループットを大幅に向上させることができる。
【0032】
[0045] 当業者が本開示を実施できるように、本開示の理解を助ける実例として提供される本開示の実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。以下の図及び例は、本開示の範囲を単一の実施形態に限定することを意図するものではなく、記載又は図示された要素の一部又は全部を置き換えることによって他の実施形態が可能である。本開示の特定の要素が既知の構成要素を用いて部分的又は完全に実装され得る場合、そのような既知の構成要素のうち、本開示の理解に必要な部分のみを説明し、そのような既知の構成要素の他の部分の詳細な説明は、本開示を不明瞭にしないように省略する。ソフトウェアで実装されるとして記載する実施形態は、これに限定されるものではなく、本明細書において別段の指定がない限り、当業者には明らかであるように、ハードウェア又はソフトウェア及びハードウェアの組み合わせで実装される実施形態、並びにその逆で実装される実施形態を含み得る。本明細書において、単一の構成要素を示す実施形態は、限定的であるとみなされるものではなく、より正確に言えば、本開示は、本明細書において明示的に別段の記載がない限り、複数の同じ構成要素を含む他の実施形態、及びその逆を包含することを意図している。また、出願人は、本明細書又は特許請求の範囲におけるいかなる用語も、一般的でない又は特別な意味を付与されることを、そのように明示的に規定されない限り意図していない。本開示は、例示のために本明細書で言及される既知の構成要素に対する現在及び未来の既知の均等物を包含する。
【0033】
[0046] 本明細書では、ＩＣの製造について具体的に言及している場合があるが、本明細書の記載には他の多くの可能な用途があることを明確に理解されたい。例えば、それは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンス及び検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）パネル、薄膜磁気ヘッドなどの製造に用いることができる。当業者であれば、そのような代替の用途という文脈において、本明細書での「レチクル」、「ウェーハ」、又は「ダイ」という用語の使用は、それぞれ、「マスク」、「基板」、及び「ターゲット部分」というより一般的な用語と交換可能であるとみなされるべきものであることを理解するであろう。
【0034】
[0047] 本明細書では、「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７、又は１２６ｎｍの波長を有する）及びＥＵＶ（極端紫外線、例えば、約５～１００ｎｍの範囲内の波長を有する）を含む、あらゆるタイプの電磁放射を包含するように使用される。
【0035】
[0048] 本明細書で使用する「投影光学系」という用語は、例えば、屈折光学系、反射光学系、アパーチャ、及び反射屈折光学系を含む、様々なタイプの光学システムを網羅すると広く解釈されるものとする。「投影光学系」という用語は、まとめて、又は単独で、放射の投影ビームの誘導、整形、又は制御を行うためにこれらのデザインタイプのいずれかに従って動作するコンポーネントも含み得る。「投影光学系」という用語は、光学コンポーネントがリソグラフィ投影装置の光路上のどこに位置するかにかかわらず、リソグラフィ投影装置内のいずれの光学コンポーネントも含み得る。投影光学系は、ソースからの放射がパターニングデバイスを通過する前に、放射を整形、調節、又は投影するための光学コンポーネント、又は放射がパターニングデバイス（例えば、半導体）を通過した後に、放射を整形、調節、又は投影するための光学コンポーネントを含み得る。投影光学系は、一般に、ソース及びパターニングデバイスを除く。
【0036】
[0049] （例えば、半導体）パターニングデバイスは、１つ又は複数のデザインレイアウトを含むか、又は形成し得る。デザインレイアウトは、ＣＡＤ（computer-aided design）プログラムを利用して生成することができ、このプロセスは、しばしば、ＥＤＡ（electronic design automation）と呼ばれる。ほとんどのＣＡＤプログラムは、機能的デザインレイアウト／パターニングデバイスを作製するために、一組の所定のデザインルールに従う。これらのルールは、処理及びデザイン上の制約によって設定される。例えば、デザインルールは、デバイス又は線が望ましくない態様で互いに相互作用しないことを確実にするように、デバイス間（ゲート、コンデンサ等）又は相互接続線間のスペース許容値を定義する。デザインルールには、特定のパラメータ、パラメータの範囲に関する制限、又は他の情報が含まれるか、又は指定される場合がある。デザインルール制約又はパラメータのうちの１つ又は複数は、「クリティカルディメンジョン」（ＣＤ）と呼ばれることがある。デバイスのクリティカルディメンジョンは、線若しくは穴の最小の幅、又は２本の線若しくは２つの穴、又は他の特徴の間の最小のスペースとして定義されることがある。従って、ＣＤは、デザインされたデバイスの全体的なサイズ及び密度を決定する。デバイス製造の目標の１つは、（パターニングデバイスを介して）基板上に元のデザイン意図を忠実に再現することである。
【0037】
[0050] 本明細書で用いられる「マスク」又は「パターニングデバイス」という用語は、入ってくる放射ビームに、基板のターゲット部分に生成されるパターンに対応したパターン付き断面を付与するために使用することができる一般的な半導体パターニングデバイスを指すものと広く解釈することができ、「ライトバルブ」という用語も、この文脈で使用されることがある。従来のマスク（透過型又は反射型、バイナリ、位相シフト、ハイブリッドなど）に加えて、他のこのようなパターニングデバイスの例としては、プログラマブルミラーアレイとプログラマブルＬＣＤアレイが挙げられる。
【0038】
[0051] プログラマブルミラーアレイの一例は、粘弾性制御層及び反射面を有するマトリックスアドレス可能面であり得る。このような装置の背後にある基本原理は、（例えば）反射面のアドレスエリアが、入射放射を回折放射として反射し、一方、非アドレスエリアが、入射放射を非回折放射として反射する、ということである。適切なフィルタを使用して、前述の非回折放射を反射ビームから除去し、回折放射のみを後に残すことができ、このようにして、ビームが、マトリックスアドレス可能面のアドレッシングパターンに従ってパターン付与される。必要とされるマトリックスアドレッシングは、適切な電子手段を使用して実施することができる。プログラマブルＬＣＤアレイの一例が、本明細書に参照により組み込まれる米国特許第５，２２９，８７２号によって与えられる。
【0039】
[0052] 本明細書において、「パターニングプロセス」という用語は、一般に、リソグラフィプロセスの一部として指定された光のパターンの付与によってエッチングされた基板を作製するプロセスを意味する。しかしながら、本明細書に記載されるフィーチャの多くが、エッチング（例えば、プラズマ）処理を用いてプリントパターンを形成することに利点を提供し得るため、「パターニングプロセス」は、（例えば、プラズマ）エッチングも含み得る。
【0040】
[0053] 本明細書において、「パターン」という用語は、基板（例えば、ウェーハ）上にエッチングされる理想化されたパターンを意味する。
【0041】
[0054] 本明細書において、「プリントパターン」とは、ターゲットパターンに基づいてエッチングされた基板上の物理的パターンを意味する。プリントパターンは、例えば、谷、チャネル、凹部、エッジ、又はリソグラフィプロセスによって生じる他の２次元及び３次元のフィーチャを含み得る。
【0042】
[0055] 本明細書において、「予測モデル」、「プロセスモデル」、「電子モデル」、又は「シミュレーションモデル」（これらは互換的に使用され得る）という用語は、パターニングプロセスをシミュレートする１つ又は複数のモデルを含むモデルを意味する。例えば、モデルは、（例えば、リソグラフィプロセスにおいて光を供給するために使用されるレンズシステム／投影システムをモデル化し、フォトレジスト上に向かう光の最終的な光学像をモデル化することを含み得る）光学モデル、（例えば、光による化学的効果などの、レジストの物理的効果をモデル化する）レジストモデル、（例えば、ターゲットパターンの作成に使用することができ、サブレゾリューションアシストフィーチャ（ＳＲＡＦ）などを含み得る）光近接効果補正（ＯＰＣ）モデル、（例えば、プリントされたウェーハパターンに対するエッチングプロセスの物理的効果をシミュレートする）エッチング（若しくはエッチングバイアス）モデル、又は他のモデルを含み得る。
【0043】
[0056] 本明細書において、「較正」という用語は、モデルなどの何かを修正（例えば、改善若しくは調整）したり、又は検証したりすることを意味する。
【0044】
[0057] パターニングシステムは、上記のコンポーネントの何れか又は全てと、これらのコンポーネントに関連する動作の何れか又は全てを実行するように構成された他のコンポーネントとを含むシステムであってもよい。パターニングシステムは、例えば、リソグラフィ投影装置、スキャナ、レジストを塗布若しくは除去するように構成されたシステム、エッチングシステム、又は他のシステムを含み得る。
【0045】
[0058] 導入として、図１は、ある実施形態によるリソグラフィ投影装置の概略図である。リソグラフィ投影装置は、照明システムＩＬ、第１のオブジェクトテーブルＴ、第２のオブジェクトテーブルＷＴ、及び投影システムＰＳを含み得る。照明システムＩＬは、放射ビームＢを調節することができる。この例では、照明システムは、放射源ＳＯも含む。第１のオブジェクトテーブル（例えば、パターニングデバイステーブル）Ｔは、パターニングデバイスＭＡ（例えば、レチクル）を保持するためのパターニングデバイスホルダを備え、且つアイテムＰＳに対してパターニングデバイスを正確に位置決めするための第１のポジショナに接続され得る。第２のオブジェクトテーブル（例えば、基板テーブル）ＷＴは、基板Ｗ（例えば、レジストコートシリコンウェーハ）を保持するための基板ホルダを備え、且つアイテムＰＳに対して基板を正確に位置決めするための第２のポジショナに接続され得る。（例えば、レンズを含む）投影システムＰＳ（例えば、屈折型、反射型、又は反射屈折型光学システム）は、パターニングデバイスＭＡの照射部分を基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ又は複数のダイを含む）上に結像することができる。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、例えば、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。
【0046】
[0059] 描かれているように、本装置は、透過型（すなわち、透過型パターニングデバイスを有する）のものであってもよい。しかし一般に、それは、例えば反射型（反射型パターニングデバイスを有する）のものであってもよい。本装置は、従来のマスク用の異なる種類のパターニングデバイスを用いてもよく、例には、プログラマブルミラーアレイ又はＬＣＤマトリックスが含まれる。
【0047】
[0060] ソースＳＯ（例えば、水銀ランプ又はエキシマレーザ、ＬＰＰ（レーザ生成プラズマ）ＥＵＶソース）は、放射ビームを生成する。このビームは、照明システム（イルミネータ）ＩＬに対して、そのまま、又はビームエキスパンダなどの調節手段若しくはビームデリバリシステム（誘導ミラー、ビームエキスパンダなどを含む）を横断した後に、供給される。例えば、イルミネータＩＬは、ビームの強度分布の外側又は内側半径範囲（一般的に、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を設定するための調節手段ＡＤを含み得る。さらにそれは、一般に、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの様々な他のコンポーネントを含む。このようにして、パターニングデバイスＭＡに衝突するビームＢは、断面に所望の均一性及び強度分布を有する。
【0048】
[0061] 実施形態によっては、ソースＳＯは、リソグラフィ投影装置のハウジング内に位置してもよいが（大抵の場合、ソースＳＯが、例えば水銀ランプのとき）、それは、リソグラフィ投影装置から離れた位置にあってもよい。例えば、それが生成する放射ビームは、装置内に導き入れられてもよい（例えば、適宜の誘導ミラーを用いて）。この後者のシナリオは、ソースＳＯが例えばエキシマレーザ（例えば、ＫｒＦ、ＡｒＦ、又はＦ２レージングに基づく）であるケースであり得る。
【0049】
[0062] 続いて、ビームＢは、パターニングデバイステーブルＴ上に保持されるパターニングデバイスＭＡと交差し得る。ビームＢは、パターニングデバイスＭＡを横断した後、ビームＢの焦点を基板Ｗのターゲット部分Ｃに合わせるレンズＰＬを通過し得る。第２の位置決め手段（及び干渉測定手段ＩＦ）を用いて、例えば異なるターゲット部分ＣをビームＢのパス内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、例えば、パターニングデバイスライブラリからのパターニングデバイスＭＡの機械検索後に、又はスキャン中に、第１の位置決め手段を用いて、ビームＢのパスに対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、テーブルＴ、ＷＴの移動は、ロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現することができる。但しステッパの場合は（ステップアンドスキャンツールとは対照的に）、パターニングデバイステーブルＴは、ショートストロークアクチュエータに接続されてもよく、又は固定されてもよい。
【0050】
[0063] 描かれたツールは、ステップモード及びスキャンモードの２つの異なるモードで使用され得る。ステップモードでは、パターニングデバイステーブルＴは、基本的に静止したままであり、及びパターニングデバイス像全体が、一回の動作（すなわち、単一の「フラッシュ」）でターゲット部分Ｃ上に投影される。異なるターゲット部分ＣがビームＢによって照射され得るように、基板テーブルＷＴが、ｘ又はｙ方向にシフトされ得る。スキャンモードでは、所与のターゲット部分Ｃが、単一の「フラッシュ」で露光されないことを除き、基本的に同じシナリオがあてはまる。代わりに、パターニングデバイステーブルＴは、投影ビームＢがパターニングデバイス像上をスキャンさせられるように、速度ｖで、所与の方向（例えば、「スキャン方向」、すなわち「ｙ」方向）に移動可能である。並行して、基板テーブルＷＴが、速度Ｖ＝Ｍｖ（Ｍは、レンズの倍率である（一般的に、Ｍ＝１／４又は１／５））で、同じ又は反対方向に同時に移動される。このようにして、解像度を妥協する必要なしに、比較的大きなターゲット部分Ｃを露光させることができる。
【0051】
[0064] 図２は、リソグラフィックセルＬＣの概略図を示す。図２に示すように、リソグラフィ投影装置（図１に示され、図２ではリソグラフィ装置ＬＡとして示されている）は、リソセル又は（リソ）クラスタとも呼ばれることがあるリソグラフィックセルＬＣの一部を形成する場合があり、これは、基板Ｗ上で露光前及び露光後のプロセスを実行するための装置も含むことが多い。従来、これらには、レジスト層を堆積させるように構成されたスピンコータＳＣ、露光されたレジストを現像するためのデベロッパＤＥ、例えばレジスト層中の溶媒を調節するために、例えば基板Ｗの温度を調節するための冷却プレートＣＨ及びベークプレートＢＫが含まれる。基板ハンドラ又はロボットＲＯは、入出力ポートＩ／Ｏ１、Ｉ／Ｏ２から基板Ｗをピックアップし、それらを異なるプロセス装置間で移動させ、基板Ｗをリソグラフィ装置ＬＡのローディングベイＬＢに搬送する。リソセル内のデバイス（しばしばトラックとも総称される）は、通常、トラック制御ユニットＴＣＵの制御下にあり、トラック制御ユニットＴＣＵ自体は、例えばリソグラフィ制御ユニットＬＡＣＵを介して、リソグラフィ装置ＬＡも制御し得る監視制御システムＳＣＳによって制御され得る。
【0052】
[0065] リソグラフィ装置ＬＡによって露光される基板Ｗ（図１）が正確に且つ一貫して露光されるためには、基板を検査して、フィーチャのエッジの配置、後続層間のオーバーレイエラー、ラインの厚さ、クリティカルディメンジョン（ＣＤ）などのパターン付与された構造の特性を測定することが望ましい。この目的のために、検査ツール（図示せず）がリソセルＬＣに含まれてもよい。エラーが検出された場合、特に、検査が、同じバッチ又はロットの他の基板Ｗがまだ露光又は処理される前に行われる場合、例えば、後続の基板の露光又は基板Ｗ上で実行される他の処理ステップに対して調節が行われ得る。
【0053】
[0066] 基板Ｗ（図１）の特性、特に、異なる基板Ｗの特性がどのように変動するか、又は同じ基板Ｗの異なる層に関連する特性が層ごとにどのように変動するかを決定するために、計測装置とも呼ばれることがある検査装置が使用される。検査装置は、代替的に、基板Ｗ上の欠陥を識別するように構築されてもよく、例えば、リソセルＬＣの一部であってもよく、又はリソグラフィ装置ＬＡに統合されてもよく、又はスタンドアロンデバイスであってもよい。検査装置は、実際の基板（例えば、ウェーハパターンの荷電粒子－ＳＥＭ－画像）又は実際の基板の画像を用いて、潜像（露光後のレジスト層の像）上で、半潜像（露光後ベークステップＰＥＢ後のレジスト層の像）上で、現像されたレジスト像（レジストの露光部分若しくは未露光部分は除去されている）上で、エッチングされた像（エッチングなどのパターン転写ステップ後）上で、又は他の方法で、特性を測定することができる。
【0054】
[0067] 図３は、半導体製造を最適化するための３つの技術間の連携を表す、ホリスティックリソグラフィの概略図を示す。通常、リソグラフィ装置ＬＡにおけるパターニングプロセスは、基板Ｗ（図１）上の構造のディメンショニング（dimensioning）及び配置の高い精度を要求する処理において、最も重要なステップの１つである。この高精度を保証するために、図３に概略的に描かれているように、（この例においては）３つのシステムがいわゆる「ホリスティックな」制御環境で組み合わせられてもよい。これらのシステムのうちの１つは、リソグラフィ装置ＬＡであり、これは（仮想的に）計測装置（例えば、計測ツール）ＭＴ（第２のシステム）及びコンピュータシステムＣＬ（第３のシステム）に接続されている。「ホリスティックな」環境は、全体的なプロセスウィンドウを向上させるためにこれら３つのシステム間の連携を最適化し、リソグラフィ装置ＬＡによって実行されるパターニングがプロセスウィンドウ内に留まることを保証するための緊密な制御ループを提供するように構成されてもよい。プロセスウィンドウは、特定の製造プロセスが定義された結果（例えば、機能する半導体デバイス）をもたらすプロセスパラメータ（例えば、ドーズ、焦点、オーバーレイ）の範囲を定義し、通常、この範囲内で、リソグラフィプロセス又はパターニングプロセスのプロセスパラメータは、変動が許容される。
【0055】
[0068] コンピュータシステムＣＬは、パターン付与されるデザインレイアウト（の一部）を使用して、どの解像度向上技術を使用するべきかを予測し、コンピュータによるリソグラフィシミュレーション及び計算を実行して、どのマスクレイアウト及びリソグラフィ装置の設定が、パターニングプロセスの最大の全体的なプロセスウィンドウ（図３では、第１のスケールＳＣ１の二重矢印によって描写される）を達成するかを決定することができる。通常、解像度向上技術は、リソグラフィ装置ＬＡのパターニング可能性に合致するように配置される。コンピュータシステムＣＬは、リソグラフィ装置ＬＡがプロセスウィンドウ内のどこで現在動作しているかを（例えば、計測ツールＭＴからの入力を使用して）検出し、例えば準最適処理（図３では、第２のスケールＳＣ２において「０」を指す矢印によって描写される）に起因する欠陥が存在する可能性があるか否かを予測するために使用されることもある。
【0056】
[0069] 計測装置（ツール）ＭＴは、正確なシミュレーション及び予測を可能にするためにコンピュータシステムＣＬに入力を提供することができ、例えば、（図３では、第３のスケールＳＣ３の複数の矢印によって描写される）リソグラフィ装置ＬＡの較正ステータスにおいて可能性のあるドリフトを識別するためにリソグラフィ装置ＬＡにフィードバックを提供することができる。
【0057】
[0070] リソグラフィプロセスでは、例えばプロセス制御及び検証のために、作製された構造の測定を頻繁に行うことが望ましい。このような測定を行うためのツールには、計測ツール（装置）ＭＴが含まれる。走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）又は様々な形態のスキャトロメータ計測ツールＭＴを含む、このような測定を行うための異なるタイプの計測ツールＭＴが知られている。実施形態によっては、計測ツールＭＴは、ＳＥＭであるか、又はＳＥＭを含む。
【0058】
[0071] 実施形態によっては、計測ツールＭＴは、分光スキャトロメータ、エリプソスキャトロメータ、若しくは他の光ベースのツールであるか、又はそれらを含む。分光スキャトロメータは、放射源によって放出された放射が基板のターゲットフィーチャに誘導され、及びターゲットからの反射又は散乱放射がスペクトロメータ検出器に誘導されるように構成されてもよく、スペクトロメータ検出器は、鏡面反射放射のスペクトル（すなわち、波長の関数としての強度の測定値）を測定する。このデータから、例えば厳密結合波分析及び非線形回帰によって、又はシミュレーションされたスペクトルのライブラリとの比較によって、検出されたスペクトルを生じさせるターゲットの構造又はプロファイルを再構築することができる。エリプソスキャトロメータは、各偏光状態の散乱放射を測定することにより、リソグラフィプロセスのパラメータを決定することを可能にする。このような計測ツール（ＭＴ）は、例えば、計測装置の照明部において適切な偏光フィルタを使用することにより、偏光光（直線、円、又は楕円など）を放出する。計測装置に適したソースは、偏光放射も提供し得る。
【0059】
[0072] 上記の通り、製作されたデバイス（例えば、パターン付与された基板）は、製造中の様々な時点で検査され得る。図４は、荷電粒子（電子ビーム）検査装置５０の一般化された実施形態を概略的に示している。実施形態によっては、検査装置５０は、基板上に露光又は転写された構造（例えば、集積回路などのデバイスの構造の一部又は全部）の画像を生じさせる電子ビーム又は他の荷電粒子検査装置（例えば、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）と同じ又は類似のもの）であってもよい。電子源５４から放出された一次電子ビーム５２は、集光レンズ５６によって収束され、次いで、ビーム偏向器５８、Ｅ×Ｂ偏向器６０、及び対物レンズ６２を通過して、基板テーブルＳＴ上の基板７０を焦点で照射する。
【0060】
[0073] 基板７０に電子ビーム５２が照射されると、二次電子が基板７０から発生する。二次電子は、Ｅ×Ｂ偏向器６０によって偏向され、二次電子検出器７２によって検出される。２次元電子ビーム像は、例えば、ビーム偏向器５８による電子ビームの２次元スキャン、又はビーム偏向器５８による電子ビーム５２のＸ方向若しくはＹ方向への反復スキャン（基板テーブルＳＴによる基板７０のＸ方向若しくはＹ方向の他方への連続移動と共に）と同期して、サンプルから発生した電子を検出することにより、取得することができる。従って、実施形態によっては、電子ビーム検査装置は、電子ビーム検査装置によって電子ビームを提供することができる角度範囲（例えば、偏向器６０が電子ビーム５２を提供することができる角度範囲）によって定義される電子ビームの視野を有する。従って、視野の空間範囲は、電子ビームの角度範囲が表面に衝突することができる空間範囲である（ここで、表面は、静止していてもよく、又は視野に対して移動してもよい）。
【0061】
[0074] 図４に示すように、二次電子検出器７２によって検出された信号は、アナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換器７４によってデジタル信号に変換されてもよく、デジタル信号は、画像処理システム７６に送信されてもよい。実施形態によっては、画像処理システム７６は、処理ユニット８０による処理のためにデジタル画像の全部又は一部を記憶するためのメモリ７８を有していてもよい。処理ユニット８０（例えば、特別に設計されたハードウェア、又はハードウェア及びソフトウェアの組み合わせ、又はソフトウェアを含むコンピュータ可読媒体）は、デジタル画像を表すデータセットへとデジタル画像を変換又は処理するように構成される。実施形態によっては、処理ユニット８０は、本明細書に記載する動作（例えば、ＳＥＭ検査）の実行を引き起こすように構成又はプログラムされる。さらに、画像処理システム７６は、デジタル画像及び対応するデータセットを参照データベースに記憶するように構成された記憶媒体８２を有してもよい。オペレータがグラフィカルユーザインターフェースを用いて機器の必要な操作を行うことができるように、表示デバイス８４が画像処理システム７６と接続されてもよい。
【0062】
[0075] 図５は、荷電粒子検査装置の別の実施形態を概略的に示す。この装置は、サンプルステージ８９上のサンプル９０（パターン付与された基板など）を検査するために使用され、荷電粒子ビームジェネレータ８１、集光レンズモジュール９９、プローブ形成対物レンズモジュール８３、荷電粒子ビーム偏向モジュール８８、二次荷電粒子検出器モジュール８５、画像形成モジュール８６、又は他のコンポーネントを含む。荷電粒子ビームジェネレータ８１は、一次荷電粒子ビーム９１を生成する。集光レンズモジュール９９は、生成された一次荷電粒子ビーム９１を集光する。プローブ形成対物レンズモジュール８３は、集光された一次荷電粒子ビームの焦点を荷電粒子ビームプローブ９２に合わせる。荷電粒子ビーム偏向モジュール８８は、形成された荷電粒子ビームプローブ９２を、サンプルステージ８９上に固定されたサンプル９０上の関心エリアの表面にわたってスキャンする。実施形態によっては、荷電粒子ビームジェネレータ８１、集光レンズモジュール８３、及びプローブ形成対物レンズモジュール８３、又はそれらと同等の設計、代替物、又はそれらの任意の組み合わせは、走査荷電粒子ビームプローブ９２を生成する荷電粒子ビームプローブジェネレータを共に形成する。
【0063】
[0076] 二次荷電粒子検出器モジュール８５は、荷電粒子ビームプローブ９２によって衝撃を与えられた際にサンプル表面から放出された二次荷電粒子９３（場合によっては、サンプル表面からの他の反射又は散乱荷電粒子と共に）を検出し、二次荷電粒子検出信号９４を生成する。画像形成モジュール８６（例えば、コンピューティングデバイス）は、二次荷電粒子検出器モジュール８５から二次荷電粒子検出信号９４を受信し、それに応じて少なくとも１つのスキャン画像を形成するために、二次荷電粒子検出器モジュール８５と結合される。実施形態によっては、二次荷電粒子検出器モジュール８５及び画像形成モジュール８６、又はそれらと同等の設計、代替物、又はそれらの任意の組み合わせは、荷電粒子ビームプローブ９２によって衝撃を与えられたサンプル９０から放出された、検出された二次荷電粒子からスキャン画像を形成する画像形成装置を共に形成する。
【0064】
[0077] 実施形態によっては、監視モジュール８７は、画像形成モジュール８６から受信したサンプル９０のスキャン画像を用いて、パターニングプロセスの監視、制御などを行うため、又はパターニングプロセスのデザイン、制御、監視などのためのパラメータを導出するために、画像形成装置の画像形成モジュール８６に結合される。実施形態によっては、監視モジュール８７は、本明細書に記載される動作の実行を引き起こすように構成又はプログラムされる。実施形態によっては、監視モジュール８７は、コンピューティングデバイスを含む。実施形態によっては、監視モジュール８７は、本明細書に記載される機能を提供するように構成されたコンピュータプログラムを含む。実施形態によっては、図５のシステムにおける電子ビームのプローブスポットサイズは、検査速度を速くすることができるほどプローブスポットが十分に大きいように、例えばＣＤと比較して著しく大きい。しかしながら、プローブスポットが大きいため、解像度が低下し得る。
【0065】
[0078] 上記の通り、例えば、パターニングプロセスのデザイン、制御、監視などを行うために使用することができる結果を生じさせるための１つ又は複数のツールを使用することが望ましい場合がある。パターニングデバイスのためのパターンデザイン（例えば、サブレゾリューションアシストフィーチャ又は光近接効果補正の追加を含む）、パターニングデバイスのための照明などのパターニングプロセスの１つ又は複数の態様のコンピュータによる制御、デザインなどを行う際に使用される１つ又は複数のツールが提供され得る。従って、パターニングを伴う製造プロセスのコンピュータによる制御、デザインなどを行うシステムにおいて、製造システムのコンポーネント又はプロセスは、様々な機能モジュール又はモデルによって記述することができる。実施形態によっては、パターニングプロセスの１つ又は複数のステップ又は装置を記述する１つ又は複数の電子（例えば、数学的、パラメータ化など）モデルが提供され得る。実施形態によっては、パターニングプロセスのシミュレーションは、パターニングデバイスによって提供されるデザインパターンを使用してパターニングプロセスがパターン付与された基板をどのように形成するかをシミュレートするために、１つ又は複数の電子モデルを使用して実行することができる。
【0066】
[0079] 例えば図４又は図５のシステムからの画像は、画像内の半導体デバイス構造を表す、オブジェクトのエッジを記述する寸法、形状、コンター、又は他の情報を抽出するために処理され得る。形状、コンター、又は他の情報は、ユーザ定義のカットライン又は他の位置において、エッジ配置誤差（ＥＰＥ）、ＣＤなどのメトリクスによって定量化されてもよい。これらの形状、コンター、又は他の情報は、例えばパターニングプロセスを最適化するために使用され得る。
【0067】
[0080] 実施形態によっては、パターニングプロセスの最適化は、費用関数として表すことができる。最適化プロセスは、費用関数を最小化するパターニングプロセスの一組のパラメータ（デザイン変数、プロセス変数など）を見つけることを含み得る。費用関数は、最適化の目的に応じて任意の適切な形式を有し得る。例えば、費用関数は、システムの特定の特徴（評価点）の、これらの特徴の意図される値（例えば、理想値）に対する偏差の加重二乗平均平方根（ＲＭＳ）であり得る。費用関数はまた、これらの偏差の最大値（すなわち、最悪の偏差）であり得る。「評価点」という用語は、システム又は製作方法のあらゆる特徴を含むように広く解釈されるものとする。パターニングプロセスのデザイン変数又はプロセス変数は、有限の範囲に限定されてもよく、又はシステム若しくは方法の実装形態の実用性のために相互依存であってもよい。リソグラフィ投影装置の場合、制約は、調整可能な範囲又はパターニングデバイスの製造可能性デザインルールなどのハードウェアの物理的特性及び特徴に関連することが多い。評価点は、例えば、１つ又は複数のエッチングパラメータ、ドーズ、及び焦点などの非物理的特徴だけでなく、基板の画像内の物理的な点を含み得る。
【0068】
[0081] エッチングシステムでは、一例として、費用関数（ＣＦ）は以下のように表すことができる。
式中、（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）は、Ｎ個のデザイン変数又はその値であり、ｆｐ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）は、（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）のデザイン変数の一組の値に対する特徴の実際の値と意図された値との間の差などのデザイン変数（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）の関数であり得る。実施形態によっては、ｗｐは、ｆｐ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）に関連する重み定数である。例えば、特徴は、パターンのエッジ上の所与のポイントで測定された、エッジ（又は、例えばコンターを形成するエッジ上の複数のポイント）の位置であってもよい。異なるｆｐ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）は、異なる重みｗｐを有し得る。例えば、ある特定のエッジの許容される位置の範囲が狭い場合、そのエッジの実際の位置と意図された位置との間の差を表すｆｐ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）の重みｗｐは、より高い値を与えられ得る。ｆｐ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）はまた、層間特徴の関数とすることもでき、これはデザイン変数（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）の関数である。もちろん、ＣＦ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）は、上記の式の形式に限定されず、ＣＦ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）は、任意の他の適切な形式とすることができる。
【数1】
式中、（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）は、Ｎ個のデザイン変数又はその値であり、ｆｐ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）は、（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）のデザイン変数の一組の値に対する特徴の実際の値と意図された値との間の差などのデザイン変数（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）の関数であり得る。実施形態によっては、ｗｐは、ｆｐ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）に関連する重み定数である。例えば、特徴は、パターンのエッジ上の所与のポイントで測定された、エッジ（又は、例えばコンターを形成するエッジ上の複数のポイント）の位置であってもよい。異なるｆｐ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）は、異なる重みｗｐを有し得る。例えば、ある特定のエッジの許容される位置の範囲が狭い場合、そのエッジの実際の位置と意図された位置との間の差を表すｆｐ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）の重みｗｐは、より高い値を与えられ得る。ｆｐ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）はまた、層間特徴の関数とすることもでき、これはデザイン変数（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）の関数である。もちろん、ＣＦ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）は、上記の式の形式に限定されず、ＣＦ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）は、任意の他の適切な形式とすることができる。
【0069】
[0082] 費用関数は、パターニングシステム、パターニングプロセス、リソグラフィ装置、リソグラフィプロセス、又は基板の任意の１つ又は複数の適切な特徴、例えば、焦点、ＣＤ、像シフト、像歪み、像回転、確率的変動、スループット、局所ＣＤ変動、プロセスウィンドウ、層間特徴、又はそれらの組み合わせを表し得る。実施形態によっては、費用関数は、レジスト像の１つ又は複数の特徴を表す関数を含み得る。例えば、ｆｐ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）は、単に、レジスト像内のポイントとそのポイントの意図された位置との間の距離（すなわち、例えばエッチング後、又は他のプロセスの後のエッジ配置誤差ＥＰＥｐ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ））であってもよい。パラメータ（例えば、デザイン変数）は、エッチングシステム、ソース、パターニングデバイス、投影光学系、ドーズ、焦点のような調節可能なパラメータなどの任意の調節可能なパラメータを含み得る。
【0070】
[0083] パラメータ（例えばデザイン変数）には制約があり、これは、（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）∈Ｚと表現することができ、式中、Ｚは、デザイン変数の一組の可能値である。デザイン変数に対するあり得る制約の１つは、リソグラフィ投影装置の所望のスループットによって課され得る。所望のスループットによって課される、そのような制約がなければ、最適化は、一組の非現実的なデザイン変数の値をもたらし得る。制約は、不可欠と解釈されるべきものではない。
【0071】
[0084] パターニングプロセスの最適化は、非製造用ウェーハ又はマスクチェックウェーハから得られた検査データに基づく場合がある。集積回路の製造中、通常の製造用ウェーハは、数百又は数千のプロセスステップを経て、それらのプロセスステップのうち、リソグラフィ露光は数十回に及ぶことが多い。マスクチェックウェーハは、多くの場合、たった数回の堆積ステップ、及び時にはたった１回のリソグラフィステップを経て、その後、現像ステップと、場合によっては１回の（数回の）エッチングステップとを経る、いわゆるショートループウェーハである。このように、マスクチェックウェーハは、リソグラフィステップ又はマスク上のエラーによって導入された欠陥を確認するために、製造用ウェーハの一般的な処理ステップのごく一部のみを経るウェーハである。マスクチェックウェーハは、製造スケジュール、スループット要件、歩留まり若しくは品質要件、又は通常の製造パターニングプロセスの他の要件からの圧力を受けない。上述のように、マスクチェック（非製造用）ウェーハは、（通常の製造パターニングプロセスを使用する）製造用ウェーハとは異なるパターニングプロセスを利用することができるため、パターニングシステムの生産性の低下につながる異なるパターニングパラメータを利用することができ、確率的欠陥に対するパターニングデバイス欠陥（例えば、マスク上の粒子）のパターナビリティ（プリンタビリティ）の比率の向上を達成することができる。確率的欠陥とは、パターニングプロセスのパラメータ（例えば、高コントラスト照明又は他のパラメータ）に起因する欠陥である。このため、荷電粒子検査及び分析の部位数、ひいてはスループットを大幅に向上させることができる。
【0072】
[0085] 現在のシステム及び方法では、１つ（又は数個）のフィールド全体が欠陥の可能性を見つけるために検査されるエリアスキャンが実施される。このステップでは、マスク欠陥及びプロセス欠陥（確率的欠陥など）の両方が発見され得る。リピータ分析（又はレビューステップ）も行われる。このステップ中に、エリアスキャンで見つかった欠陥は、どれが繰り返されるか（したがってマスク欠陥であるか）、及びどれが繰り返されないか（したがって、プロセス欠陥であるか）を調べるために、複数のフィールドで検査される。有利なことに、リピータ分析で検査される部位数が減少する。エリアスキャンは、荷電粒子検査システム（典型的にはマルチビーム）又は明視野検査などの光学的方法の両方を用いて行うことができるが、リピータ分析は、荷電粒子検査システムを用いて行われる。実施形態によっては、欠陥のプリンタビリティを向上させるために、エリアスキャンにプロセスパラメータの変調が適用される。リピータ分析については、リピータ分析中に検査されるフィールドが製造設定により近くなるように、変調が小さいか、又は全く使用されない。これについては、以下でさらに詳細に説明する。
【0073】
[0086] 確率的欠陥と（例えば、マスク粒子に起因する）パターニングデバイスの印刷欠陥との区別は、（例えば、上述のように）パターン付与された基板を繰り返し検査することによって行うことができる。パターニングデバイス欠陥は、荷電粒子検査システムによる検査中に複数のフィールドで繰り返されるが、確率的欠陥は、一般に複数のフィールドで繰り返されない。フィールドは、パターニングデバイス（例えば、マスク）の単一の画像を含む基板（例えば、ウェーハ）の一部を含む。フィールドのサイズは、パターニングデバイスのサイズによって制限され、通常は、２６ｍｍ×３３ｍｍに制限される。多くのフィールドは、例えば３００ｍｍ基板に収まる。
【0074】
[0087] 実際には、繰り返し分析中に検査できる部位数には制限がある。一般的には、例えば、ＳＥＭなどの単一ビーム荷電粒子検査ツールを用いて、１００～１０００の部位を複数（例えば、１０～５０）のフィールドで検査することができる。確率論（例えば、全く同じように印刷されるべき、パターン付与基板における或るパターニングされたフィーチャと次のパターニングされたフィーチャとの間の局所的な、しばしばランダムな変動性）は、パターニングデバイス（例えば、マスク）における欠陥（例えば、粒子）のプリンタビリティに影響を与え得る。例えば、粒子は、或るフィールドでは印刷される場合があるが、別のフィールドでは印刷されない場合がある。このことは、荷電粒子検査が一般的に１つのフィールドのみを対象とするため、課題を提起する。したがって、検査されたフィールドで欠陥を発見する確率を向上させることが重要である。既存の技術の潜在的な問題は、信頼性のある検出を確実にするために、パターニングデバイス欠陥（例えば、粒子）の印刷確率を十分に高めるために必要な変調が、繰り返し分析で検査できる１フィールド内の１００～１０００の部位よりもはるかに多くの確率的欠陥をもたらす点である。
【0075】
[0088] 有利なことに、本開示は、パターン付与基板の確率的欠陥に対する、基板にパターニングされるパターニングデバイス欠陥の比率を増加させるための技術を説明する。パターニングプロセスパラメータを変調することにより、確率論に起因する基板上の欠陥の確率が減少し、基板上のパターニングデバイス欠陥の確率が増加する。これには、例えば、高コントラスト／低瞳充填率（ＰＦＲ）照明の使用が含まれ得る。２０％未満の瞳充填率パラメータを有する照明を使用することにより、最も高い結像コントラストを提供する瞳の一部の使用が可能となる。現在のＥＵＶイルミネータでは、これにより、（例えば、１００％未満の）イルミネータ効率がもたらされ、したがって、スループットの不利益が生じる。通常の製造用基板のパターニングにとって、これは望ましくない。
【0076】
[0089] しかしながら、このトレードオフは、非製造用基板又はマスクチェック基板では異なる。スループットは、それほど重要ではなく、高くしたコントラストを使用して、パターン付与基板上の確率的欠陥の数を減らすことができ、これにより、確率的欠陥に対するパターニングデバイス欠陥のパターナビリティの比率が向上する。これにより、パラメータ変調が確率的欠陥を過剰に発生させることなくパターニングデバイス欠陥のパターナビリティを向上させるため、より簡単にパターニングデバイス欠陥の検出が促進される。
【0077】
[0090] パターニングプロセスパラメータを変調することは、追加的又は代替的に、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して、より高いドーズ量のレジストでコートされた基板を露光させることを含み得る。これにより、例えばフォトンショットノイズの影響が低減されるように、基板を（通常の製造パターニングプロセスの場合よりも）長く露光することが可能となる。フォトンショットノイズは、例えば、基板が受けるＥＵＶ露光ドーズのノイズにつながり、それにより、ウェーハ上のフィーチャサイズ及び確率的欠陥の変動性がもたらされる。さらに、フォトンショットノイズの起源は、ポアソンノイズを含み得る。フィーチャあたりの光子数は限られているため、光子数において統計的なばらつきが生じ得る。
【0078】
[0091] この場合もやはり確率的欠陥を過剰に発生させることなく、パターニングデバイス欠陥のパターナビリティを向上させるために、パラメータ変調（例えば、この例では、より高いドーズ量のレジスト、実際のドーズ、又は焦点）を使用することができるため、パターニングプロセスパラメータを変調することにより、パターニングデバイス欠陥のより簡単な検出も可能となる。他のパターニングプロセスパラメータの変調も企図される。
【0079】
[0092] 図６は、パターニングデバイスの欠陥を検出するための例示的な方法６００を示す。パターニングデバイスの欠陥は、粒子、スズ（Ｓｎ）液滴、又はパターニングデバイスの耐用期間中に蓄積し得る他の欠陥、修理関連の欠陥若しくは不完全性、又は他の欠陥であるか、又はそれらを含み得る。方法６００は、荷電粒子検査システム（例えば、ＳＥＭ）を用いてパターン付与基板（例えば、ウェーハ）を検査すること（動作６０２）、パターニングデバイスの欠陥のパターナビリティの向上に関連した、パターン付与基板における欠陥を検出すること（動作６０４）、パターン付与基板の欠陥に基づいてパターニングデバイスの欠陥を検出すること（動作６０６）、パターン付与基板にわたってどの欠陥が繰り返され、したがってパターニングパラメータを変調することによって強調されたかを決定するために、複数のフィールドで、パターン付与基板上の欠陥候補エリアにおいて検査を繰り返すこと（動作６０８）、又は他の動作を含む。可能な１つの例として、欠陥は粒子の場合があり、パターニングデバイスはマスクの場合があり、パターン付与基板はパターン付与ウェーハの場合があり、荷電粒子検査システムはＳＥＭの場合がある。実施形態によっては、エリア（例えば、第１の）スキャンとリピータ分析とに異なるＳＥＭツールを使用することができる。通常、エリアスキャンは、マルチビームＳＥＭを使用して行われる。リピータ分析も、マルチビームツールを使用して行うことができるが、通常、リピータ分析にはシングルビームＳＥＭを使用することが有利である。
【0080】
[0093] 実施形態によっては、非一時的なコンピュータ可読媒体は、コンピュータによって実行されると、コンピュータに動作６０２～６０８のうちの１つ若しくは複数、又は他の動作を実行させる命令を記憶する。方法６００の動作は、例示を意図したものである。実施形態によっては、方法６００は、記載していない１つ若しくは複数の追加の動作を用いて、又は説明した動作のうちの１つ若しくは複数を用いずに達成され得る。さらに、方法６００の動作が図６に図示され、及び本明細書において記載される順序は、限定を意図するものではない。
【0081】
[0094] 動作６０２では、荷電粒子検査システムを用いて、パターン付与基板が検査される。荷電粒子検査は、（少なくとも）１つの全フィールド（上記）が検査されるエリアスキャンであってもよい。荷電粒子検査システムは、例えば、（例えば図４及び図５に示された上述のような）走査電子顕微鏡、若しくはマルチビーム荷電粒子検査システムなどの他の荷電粒子検査システムであるか、又はそれを含み得る。荷電粒子検査システムは、パターン内のコンターの幾何学的形状を記述する情報又は幾何学的形状に関連する情報を含む画像を生成するように構成される。パターン内のコンターの幾何学的形状は、例えば、２次元幾何学的形状であってもよい。画像は、コンターの特徴を記述するデータ（例えば、Ｘ－Ｙ次元データポイント、幾何学的形状を記述する数式など）、コンターに関連する処理パラメータ、又は他のデータを含む。画像はさらに、１つ若しくは複数の副層に埋め込まれたフィーチャに関する情報、前の層の前の検査からのデータ、検査画像を生成する検査システムを操作するユーザによって選択及び入力された情報、又は他の情報などの３Ｄ情報を含み得る。
【0082】
[0095] パターン付与基板は、パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造される。実施形態によっては、通常のパターニングプロセスは、半導体製造プロセスである。通常の製造パターニングプロセスは、大量のパターン付与基板を製造する通常の過程で使用される任意のパターニングプロセスを含み得る。通常の製造パターニングプロセスは、いくつかのプロセスステップを有する場合があり、各プロセスステップは、（例えば、機能的集積回路を含み得る）パターン付与基板の製造に使用されるプロセスウィンドウを定義するパラメータを有する。通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングプロセスパラメータを変調することは、パターニングパラメータのレベル若しくはセットポイントを増加若しくは減少させること、或る量のプロセスコンポーネントを追加若しくは除去すること、パターニングプロセスステップを追加若しくは除去すること、又はその他の方法でパターニングプロセスパラメータを通常の製造パターニングプロセスのためのものから調節することを含み得る。これは、パラメータのプロセスウィンドウの内側又は外側の調節を含み得る。
【0083】
[0096] パターニングパラメータを変調することにより、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティが向上する。実施形態によっては、パターニングデバイス欠陥のパターン付与基板上へのパターナビリティを向上させることは、基板上にパターニングされた確率的欠陥に対するパターニングデバイス欠陥（例えば、マスク上の粒子）の比率を向上させることを含む。パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させるようにパターニングパラメータを変調することは、通常の製造パターニングプロセスで欠陥をパターニングする可能性と比較して、パターニングデバイスの欠陥がパターン付与基板上にパターニングされる可能性を高めるようにパターニングパラメータを変調することを含む。
【0084】
[0097] パターニングパラメータの変調はまた、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板におけるパターニングされる欠陥（例えば、確率的欠陥）の量と、パターナビリティの向上とのバランスをとる。変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板におけるパターニングされる欠陥の量とパターナビリティの向上とのバランスをとるとは、確率的欠陥（例えば、パターニングデバイスの欠陥ではなく、パターニングパラメータ自体に起因する欠陥）の数を制限しながら、パターニングデバイスの欠陥が、対応する欠陥をパターン付与基板上に規則的に出現させるのに十分に高い確率でパターニングされる（例えば、印刷される）ことを確実にすることを指す。
【0085】
[0098] 後述するように、これにより、繰り返し分析（動作６０８）中に検査する必要がある部位の数が許容可能なレベルに制限される。許容可能なレベルは、（例えば、繰り返し分析が実行のために或る閾値の時間量しか必要としないように）時間に基づいて決定されてもよく、（例えば、繰り返し分析がパターン付与ウェーハ上の目標数の部位の検査しか必要としないように）検査部位の数に基づいて決定されてもよく、又は他の方法で決定されてもよい。
【0086】
[0099] パターニングパラメータの変調は、パターン付与基板（例えば、マスクチェックウェーハ）のパターニング生産性を考慮することなく行われる。これは、上述したように、変調が非製造用基板に対して行われるためである。非製造用基板には、例えば、チェックウェーハ又は他の基板が含まれ得る。
【0087】
[00100] 実施形態によっては、パターン付与基板は、通常の製造パターニングプロセスに関連する、上述のＬＡ（例えば、図２を参照）、スキャナ、若しくは他のコンポーネント、又は別個のリソグラフィシステムであるか、又はそれ（ら）を含み得るリソグラフィシステムを用いて製造される。実施形態によっては、パターン付与基板は、パターニングデバイスを使用して、通常の製造パターニングプロセスで使用されるパターンデザインと同じパターンデザインのために、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造される。つまり、方法６００においてマスクチェックウェーハが使用され得るとしても、通常の製造デザインが基板上にパターニングされ得る。
【0088】
[00101] 実施形態によっては、パターニングパラメータを変調することは、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して、異なる、より高いドーズ量のレジストで基板をコートすることを含む。実施形態によっては、パターニングパラメータを変調することは、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズ又は焦点を変更することを含む。実施形態によっては、パターニングパラメータを変調することは、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して異なるレジストで基板をコートすることと、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズを変更することとを含む。ドーズを変更することは、通常の製造パターニングプロセスに使用されるドーズと比べてドーズを減少又は増加させることを含み得る。
【0089】
[00102] 例えば、欠陥のプリンタビリティを向上させるためにドーズ変調が使用され得る。このドーズ変調は、ドーズを下げることを含む場合があり、それにより、欠陥の可能性を高める露光不足が生じる。しかしながら、変調は、追加的又は代替的に、異なる、より高いドーズ量のレジストを露光させることを含み得る。このより高いドーズ量のレジストは、公称露光に対してより高い露光ドーズを必要とする。さらに、欠陥の可能性を高めるために、このより高いドーズ量のレジストは、露光不足にされ得る。正味のドーズは、露光不足にされないが、より感応性の高いレジストを使用する通常の製造パターニングプロセスに対して、依然として増加したドーズである可能性があることに留意されたい。
【0090】
[00103] 実施形態によっては、パターニングパラメータを変調することは、通常の製造パターニングプロセス中に提供される照明と比較して、パターニングのためにより高いコントラストの照明を提供することを含む。これは、通常のパターニングプロセスに関連する瞳充填率（ＰＦＲ）を変更することによってパターニングパラメータを変調することを含み得る。瞳は、例えば、パターニングデバイス上に所望の角度分布の照明を提供するように構成されたリソグラフィシステム（例えば、上述のＬＡ）のコンポーネントであってもよい。ＰＦＲは、光で充填される照明瞳の割合である。現在のＥＵＶ照明システムでは、イルミネータ効率（ＩＥ）の損失なしに２０％未満のＰＦＲを生じさせることはできず、これは、スループットの損失につながる。実施形態によっては、例えば、ＰＦＲが２０％未満に変更され、これにより、通常のパターニングプロセスのイルミネータ効率が１００％未満になる。この技術は、例えば、コントラストを高めた照明設定を得るために使用することができる。
【0091】
[00104] 動作６０４において、パターン付与基板の欠陥が検出される。欠陥は、パターニングデバイスにおける欠陥のパターナビリティの向上に関連する。パターナビリティの向上に関連する欠陥は、変調されたパターニングパラメータに起因する場合があり、変調されたパターニングパラメータによって拡大又は縮小される場合があり、変調されたパターニングパラメータによって頻度が高くなる場合若しくは低くなる場合があり、又はパターニングデバイスにおける欠陥のパターナビリティの向上と別の関連性を有する場合がある。対照的に、通常の製造パターニングプロセスで生じた欠陥は、印刷頻度が低くなるか、あまり顕著でないか、又は全く印刷されない場合がある。実施形態によっては、欠陥は、粒子、スズ（Ｓｎ）液滴、又はパターニングデバイスの耐用期間中に蓄積し得る他の欠陥、修理関連の欠陥若しくは不完全性、又は他の欠陥を含み得る。
【0092】
[00105] 動作６０６において、パターニングデバイスの欠陥は、パターン付与基板の欠陥に基づいて検出される。パターン付与基板の欠陥に基づいてパターニングデバイスの欠陥を検出することは、パターン付与基板の欠陥を逆にパターニングデバイスにマッピングすること、パターン付与基板及びパターニングデバイスのフィーチャの寸法を分析及び比較すること、又は他の分析を含み得る。例えば、パターニングデバイスの欠陥は、パターン付与基板上の特定の位置に現れることがある。パターニングデバイス上のパターンは基板にわたって繰り返し再現されるため、パターニングデバイス上の欠陥の位置は、パターン付与基板の欠陥に基づいて決定され得る。パターニングデバイスと基板との間のアライメント情報、パターンの幾何学的寸法、又は他の情報を使用して、パターン付与基板上で検出された欠陥に基づいて、パターニングデバイスの欠陥の位置を決定することができる。
【0093】
[00106] 動作６０８では、パターン付与基板上の欠陥候補エリアで検査が繰り返される。検査は、複数のフィールドで繰り返される。検査は、どの欠陥がパターン付与基板にわたって繰り返され、したがってパターニングパラメータを変調することによって強調されたかを決定するために繰り返される。欠陥候補エリアには、エリアスキャン（動作６０２）中に、パターニングプロセスパラメータの変調に起因する欠陥を潜在的に含むとして識別されたパターン付与基板上のエリアが含まれる。つまり、方法６００は、２つの（又はそれより多い）検査ステップを含む。この２つのステップは、上述の動作６０２と、動作６０２（例えば、エリアスキャン）においてパターン付与基板上のホットスポット（例えば、欠陥候補を含むパターン付与基板のエリア）が発見された繰り返し検査及び分析を含む動作６０８とを含む。これらのホットスポットは、どの欠陥が繰り返され（したがって、パターニングデバイスの欠陥によって引き起こされるのか）を決定するために、複数のフィールドで検査される。
【0094】
[00107] 上述のように、パターニングデバイス（例えば、マスク）における欠陥のパターナビリティ（例えば、プリンタビリティ）の向上は、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板におけるパターニングされる欠陥の量との間でバランスがとられる。これにより、確率的欠陥（例えば、パターニングデバイスの欠陥ではなく、パターニングパラメータ自体に起因する欠陥）の数を制限しながら、パターニングデバイスの欠陥が、対応する欠陥をパターン付与基板上に規則的に出現させるのに十分に高い確率でパターニングされる（例えば、印刷される）ことが確実となる。これにより、繰り返し分析（動作６０８）中に検査する必要がある部位の数が許容可能なレベルに制限される。許容可能なレベルは、（例えば、繰り返し分析が実行のために或る閾値の時間量しか必要としないように）時間に基づいて決定されてもよく、（例えば、繰り返し分析がパターン付与ウェーハ上の目標数の部位の検査しか必要としないように）検査部位の数に基づいて決定されてもよく、又は他の方法で決定されてもよい。非限定例として、許容可能なレベルは、欠陥候補を含む約１００～１０００個の部位であってもよい。
【0095】
[00108] 上記の例示的なパターニングプロセスパラメータ変調例（より高いドーズ量のレジスト又は高コントラスト／低瞳充填率照明）に戻り、実施形態によっては、エリアスキャン（動作６０２）に使用されるフィールドは、高コントラスト／低ＰＦＲ照明を使用して露光されることが可能であり、一方、繰り返し検査（動作６０８）に使用されるフィールドは、粒子欠陥の存在に関する決定が大量生産を表す条件下で行われるように、公称条件下で露光されることが可能である。実施形態によっては、１つの単一基板がエリアスキャン（動作６０２）及び繰り返し検査（動作６０８）に使用される場合、繰り返し検査は、より高いドーズ量で露光されるフィールドに対しても行われ得る。必要であれば、公称（例えば、通常の製造パターニングプロセス）のレジストでコートされた第２の非製造用又はチェック基板（ウェーハ）を使用して、パターニングデバイス欠陥の存在に関する決定が大量生産を表す条件下で再度行われるように、公称条件下で露光されたフィールドに対して繰り返し検査が行われ得る。
【0096】
[00109] 図７は、確率的欠陥７０８がパターニングされる一方で、基板７０６上にパターニング（７０５）されないパターニングデバイス７００の欠陥７０２、７０４の一般化例を示す。本明細書に記載されるように、本システム及び方法は、確率的欠陥（例えば、欠陥７０８）の量が過剰になることなく、（例えば、欠陥７０２、７０４の）欠陥パターナビリティ又はプリンタビリティを向上させることができるように構成される。このため、荷電粒子検査及び分析に必要とされる部位数、ひいてはスループットを大幅に向上させることができる（例えば、部位の数の減少及びスループットの増加）。図７は、許容可能な量の確率的欠陥をもたらす変調の大きさを選択するために、異なる変調の大きさで幾つかのフィールド７０９を露光させることも示している。リピータ分析は、非変調フィールドに対して行われる。
【0097】
[00110] 図８は、欠陥プリンタビリティ８００対粒子サイズ８０２を一般的に示す。また、図８は、欠陥プリンタビリティ８００が、ドーズの減少（例えば、ドーズの減少８０３－０％の始点から１０％及び２０％分）に伴ってどのように増加するかを示している。本明細書に記載されるように、ドーズ変調は、欠陥のプリンタビリティを向上させるために使用され得る。このドーズ変調は、（例えば、図８に示されるように）ドーズを減少させることを含む場合があり、これにより、欠陥の可能性を増加させる露光不足がもたらされる。しかしながら、変調は、追加的又は代替的に、異なる、より高いドーズ量のレジストを露光させることを含み得る。このより高いドーズ量のレジストは、公称露光に対してより高い露光ドーズを必要とする。さらに、欠陥の可能性を高めるために、このより高いドーズ量のレジストは、露光不足にされ得る。正味のドーズは、露光不足にされないが、より感応性の高いレジストを使用する通常の製造パターニングプロセスに対して、依然として増加したドーズである可能性があることに留意されたい。マスク上の粒子欠陥と確率的欠陥との区別のさらなる明確さを提供するために、ドーズを減少させることは、マスク上の粒子欠陥の検出には有効であるが、（望ましくない）確率的欠陥の増加をもたらす。高いドーズ量のレジストを使用することにより、確率的欠陥が少なくなるため、公称ドーズより低いドーズを使用して粒子欠陥のプリンタビリティを高める余地が増える。
【0098】
[00111] 図９Ａ及び図９Ｂは、基板上へのパターニングデバイスにおける欠陥のパターニングを向上させるための例示的な方法９００及び９０１を示す。方法９００は、通常の製造パターニングプロセスのパターニングパラメータを変調すること（動作９０２）、変調されたパターニングパラメータを使用してパターニングデバイスにおける欠陥を基板上にパターニングすること（動作９０４）、どの欠陥が基板にわたって繰り返され、したがってパターニングパラメータを変調することによって強調されたかを決定するために、全フィールド検査を使用して、複数のフィールドにおいて基板上の欠陥候補エリアで基板を検査すること（動作９０６）、又は他の動作を含む。
【0099】
[00112] 実施形態によっては、図６に示す方法６００のように、非一時的なコンピュータ可読媒体（例えば、図６の動作に関連する媒体と同一又は類似の媒体）は、コンピュータによって実行されると、コンピュータに動作９０２～９０６、９０３～９０９（図９Ｂ）、又は他の動作のうちの１つ又は複数を実行させる命令を記憶する。方法９００及び９０１の動作は、例示であることを意図したものである。実施形態によっては、方法９００又は９０１は、記載されていない１つ若しくは複数の追加の動作とともに、又は説明された動作のうちの１つ若しくは複数を用いずに達成され得る。さらに、方法９００の動作が図９Ａに示され、方法９０１が図９Ｂに示され、本明細書に記載される順序は、限定することを意図したものではない。方法９００又は９０１の動作の多くは、上述の方法６００の動作に対応し、方法６００の動作の説明は、方法９００又は９０１の対応する動作に当てはまること（したがって、以下では繰り返さないこと）に留意されたい。
【0100】
[00113] 図９Ａを参照すると、上述したように、動作９０２において、通常のパターニングプロセスのパターニングパラメータが変調される。実施形態によっては、通常のパターニングプロセスは、半導体パターニングプロセスである。パターニングパラメータは、プロセッサ（例えば、コンピュータコントローラ）によって自動的若しくは他の方法で電子的に調節されてもよく、ユーザによって手動で変調されてもよく、又は他の方法で変調されてもよい。パターニングパラメータを変調することにより、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、パターニングデバイスにおける欠陥の基板上へのパターナビリティが向上する。
【0101】
[00114] 実施形態によっては、パターニングパラメータを変調することは、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して、異なる、より高いドーズ量のレジストで基板をコートすることを含む。実施形態によっては、パターニングパラメータを変調することは、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズ又は焦点を変更することを含む。実施形態によっては、パターニングパラメータを変調することは、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して異なるレジストで基板をコートすることと、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズを変更することとを含む。実施形態によっては、ドーズを変更することは、通常の製造パターニングプロセスに使用されるドーズと比べてドーズを増加又は減少させることを含む。
【0102】
[00115] 実施形態によっては、パターニングパラメータを変調することは、通常の製造パターニングプロセス中に提供される照明と比較して、パターニングのためにより高いコントラストの照明を提供することを含む。これは、パターニングパラメータを変調することが、通常のパターニングプロセスに関連する瞳充填率（ＰＦＲ）を変更することを含むことを含み得る。実施形態によっては、ＰＦＲが２０％未満に変更され、これにより、通常のパターニングプロセスのイルミネータ効率が１００％未満になる。
【0103】
[00116] 動作９０４では、パターニングデバイスの欠陥は、変調されたパラメータを使用して基板上にパターニングされる。実施形態によっては、パターニングデバイスは、マスクである。パターニングは、図１に示され、上述されたリソグラフィ投影装置、図２に示されたＬＡ、又は他のパターニングシステムなどのパターニングシステムによって行われる。変調されたパターニングパラメータでパターニングした後に、変調されたパターニングパラメータに関連するパターニングされる欠陥の量との間でバランスをとった欠陥のパターナビリティの向上により、基板は、荷電粒子検査システムによる検査のために構成される。実施形態によっては、荷電粒子検査システムは、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）である。方法６００（図６）と同様に、パターニングパラメータの変調は、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティを向上させ、パターナビリティの向上と、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされる欠陥の量とのバランスをとる。それはまた、パターン付与基板（例えば、マスクチェックウェーハ）のパターニング生産性を考慮することなく行われる。実施形態によっては、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされた欠陥は、確率的欠陥を含む。
【0104】
[00117] 実施形態によっては、パターン付与基板は、通常の製造パターニングプロセスに関連するリソグラフィシステム（例えば、図１に示すリソグラフィ投影装置、図２に示すＬＡ、スキャナ、若しくは他のコンポーネントであってもよく、又はそれ（ら）を含んでもよい）、又は別個のリソグラフィシステムを用いて製造される。パターン付与基板は、パターン付与半導体ウェーハであってもよく、パターニングデバイスの欠陥は、例えば、パターニングデバイス上の粒子を含み得る。実施形態によっては、パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造されるパターン付与基板は、通常の製造パターニングプロセスで使用されるパターンデザイン及びパターニングデバイスと同じパターンデザイン及びパターニングデバイスを使用して製造される。
【0105】
[00118] 動作９０６では、基板は、複数のフィールドの欠陥候補エリアで検査される。動作９０６は、基板にわたってどの欠陥が繰り返され、したがってパターニングパラメータを変調することによって強調されたかの決定を容易にすることができる。上述したように、パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させるようにパターニングパラメータを変調することは、通常の製造パターニングプロセスにおいて欠陥をパターニングする可能性と比べて、パターニングデバイスの欠陥がパターン付与基板上にパターニングされる可能性を高めるようにパターニングパラメータを変調することを含む。
【0106】
[00119] 実施形態によっては、方法９００（及び図６に示す方法６００）は、欠陥候補エリアの検査から出力された情報に基づいて、通常の製造パターニングプロセスのためのパターン付与基板の荷電粒子検査を調節することを含み得る。例えば、欠陥候補エリアの検査は、ある位置にパターニングデバイスの欠陥が存在することを示し得る。通常の製造パターニングプロセスに同一又は類似のマスクが使用される場合、通常の製造パターニングプロセスの荷電粒子検査は、製造用基板上の対応する位置に焦点を合わせるように調節され得る。追加的又は代替的に、パターニングデバイスの欠陥による印刷パターンへの影響が最小限に抑えられるように、通常の製造パターニングプロセスが調節され得る（例えば、プロセスパラメータは、プロセスウィンドウ内で変更されてもよく、プロセスは、追加又は削除されてもよいなど）。
【0107】
[00120] 図９Ｂに示すように、方法９０１は、一部のフィールドのみに対して通常の製造パターニングプロセスのパターニングパラメータを変調すること（動作９０３）（又は、それらのフィールドに対して変調パラメータを下げること）、一部のフィールドに対して変調された（又は低く変調された）パターニングパラメータを使用してパターニングデバイスの欠陥を基板上にパターニングすること（動作９０５）、全フィールド検査を使用して基板を検査すること（動作９０７）、及び非変調フィールド又は低く変調されたフィールドに対してリピータ分析を行うこと（動作９０９）を含む。
【0108】
[00121] 図１０は、本明細書に記載された動作のうちの１つ又は複数に使用され得る（図３に示されるＣＬと類似であってもよく、又は同一であってもよい）例示的なコンピュータシステムＣＳの図である。コンピュータシステムＣＳは、情報を通信するためのバスＢＳ又は他の通信機構と、情報を処理するためにバスＢＳと結合されたプロセッサＰＲＯ（又は複数のプロセッサ）とを含む。コンピュータシステムＣＳは、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）又は他の動的ストレージデバイスなどの、プロセッサＰＲＯによって実行される情報及び命令を保存するためにバスＢＳに結合されたメインメモリＭＭも含む。メインメモリＭＭは、プロセッサＰＲＯによって実行される命令の実行中に、一時変数又は他の中間情報を保存するためにも使用されてもよい。コンピュータシステムＣＳは、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）ＲＯＭ、又はプロセッサＰＲＯのための静的情報及び命令を保存するためにバスＢＳに結合された他の静的ストレージデバイスをさらに含む。情報及び命令を保存するための磁気ディスク又は光ディスクなどのストレージデバイスＳＤが設けられると共に、バスＢＳに結合される。
【0109】
[00122] コンピュータシステムＣＳは、バスＢＳを介して、情報をコンピュータユーザに表示するための、陰極線管（ＣＲＴ）、フラットパネル、又はタッチパネルディスプレイなどのディスプレイＤＳに結合されてもよい。英数字及び他のキーを含む入力デバイスＩＤが、情報及びコマンド選択をプロセッサＰＲＯに通信するためにバスＢＳに結合される。別のタイプのユーザ入力デバイスは、プロセッサＰＲＯに方向情報及びコマンド選択を通信するため、及びディスプレイＤＳ上でカーソルの移動を制御するための、マウス、トラックボール、又はカーソル方向キーなどのカーソル制御部ＣＣである。この入力デバイスは、一般的に、２つの軸（第１の軸（例えばｘ）及び第２の軸（例えばｙ））において、デバイスがある面内で位置を特定することを可能にする２つの自由度を有する。タッチパネル（スクリーン）ディスプレイが、入力デバイスとして使用されてもよい。
【0110】
[00123] ある実施形態によれば、本明細書における１つ又は複数の方法の部分は、メインメモリＭＭに含まれる１つ又は複数の命令の１つ又は複数のシーケンスを実行するプロセッサＰＲＯに応答して、コンピュータシステムＣＳによって行われてもよい。このような命令は、ストレージデバイスＳＤなどの別のコンピュータ可読媒体からメインメモリＭＭに読み込まれてもよい。メインメモリＭＭに含まれる命令のシーケンスの実行は、プロセッサＰＲＯに本明細書に記載のプロセスステップ（動作）を行わせる。メインメモリＭＭに含まれる命令のシーケンスを実行するために、多重処理構成の１つ又は複数のプロセッサが用いられてもよい。ある実施形態では、ソフトウェア命令の代わりに、又はソフトウェア命令と一緒に、ハードワイヤード回路が用いられてもよい。従って、本明細書の記載は、ハードウェア回路及びソフトウェアの特定の組み合わせに限定されない。
【0111】
[00124] 本明細書で使用される「コンピュータ可読媒体」という用語は、実行のためにプロセッサＰＲＯに命令を提供することに関与するあらゆる媒体を指す。このような媒体は、限定されないが、不揮発性媒体、揮発性媒体、及び伝送媒体を含む、多くの形態をとり得る。不揮発性媒体は、例えば、ストレージデバイスＳＤなどの光又は磁気ディスクを含む。揮発性媒体は、メインメモリＭＭなどの動的メモリを含む。伝送媒体は、同軸ケーブル、銅線及び光ファイバ（バスＢＳを含むワイヤを含む）を含む。伝送媒体は、無線周波数（ＲＦ）及び赤外線（ＩＲ）データ通信中に生成されるものなどの、音波又は光波の形態もとり得る。コンピュータ可読媒体は非一時的であってよく、例えば、フロッピーディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、その他の磁気媒体、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ、その他の光媒体、パンチカード、紙テープ、孔のパターンを有したその他の物理媒体、ＲＡＭ、ＰＲＯＭ、及びＥＰＲＯＭ、ＦＬＡＳＨ－ＥＰＲＯＭ、その他のメモリチップ又はカートリッジを含む。非一時的なコンピュータ可読媒体は、そこに記録された（機械可読）命令を有することができる。命令は、コンピュータによって実行されると、本明細書に記載する動作の何れかを実施することができる。一時的なコンピュータ可読媒体は、例えば、搬送波又は他の伝搬電磁信号を含み得る。
【0112】
[00125] コンピュータ可読媒体の様々な形態が、実行のためにプロセッサＰＲＯに１つ又は複数の機械可読命令の１つ又は複数のシーケンスを運ぶことに関与してもよい。例えば、命令は、最初は、リモートコンピュータの磁気ディスクにある場合がある。リモートコンピュータは、命令をそれの動的メモリにロードし、及びモデムを使用して電話回線上で命令を送ることができる。コンピュータシステムＣＳにローカルなモデムが、電話回線上のデータを受信し、及び赤外線送信機を用いてデータを赤外線信号に変換することができる。バスＢＳに結合された赤外線検出器が、赤外線信号で搬送されたデータを受信し、及びそのデータをバスＢＳにのせることができる。バスＢＳは、データをメインメモリＭＭに搬送し、そこからプロセッサＰＲＯが、命令の読み出し及び実行を行う。メインメモリＭＭによって受信された命令は、任意選択的に、プロセッサＰＲＯによる実行の前又は後に、ストレージデバイスＳＤに保存されてもよい。
【0113】
[00126] 例として、（例えば上述のような）ＳＥＭに対して、画像検査、画像取得、荷電粒子源の起動、非点収差補正装置の電気的励起の調節、電子のランディングエネルギーの調節、対物レンズの励起の調節、二次電子検出器の位置及び配向の調節、ステージ動作制御、ビームセパレータの励起、ビーム偏向器へのスキャン偏向電圧の印加、電子検出器からの信号情報に関連するデータの受信及び処理、静電素子の構成、信号電子の検出、制御電極電位の調節、電子源、抽出器電極、及びサンプルに印加される電圧の調節などをコントローラ（例えばＣＳ）のプロセッサ（ＰＲＯ）が実行するための命令を記憶したコンピュータ可読媒体が提供され得る。
【0114】
[00127] コンピュータシステムＣＳは、バスＢＳに結合された通信インターフェースＣＩも含み得る。通信インターフェースＣＩは、ローカルネットワークＬＡＮに接続されたネットワークリンクＮＤＬに結合する双方向データ通信も提供する。例えば、通信インターフェースＣＩは、対応するタイプの電話回線にデータ通信接続を提供するデジタル総合サービス網（ＩＳＤＮ）カード又はモデムでもよい。別の例として、通信インターフェースＣＩは、互換性のあるＬＡＮへのデータ通信接続を提供するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）カードでもよい。ワイヤレスリンクが実施されてもよい。このような実施において、通信インターフェースＣＩは、様々なタイプの情報を表すデジタルデータストリームを搬送する電気、電磁、又は光信号の送信及び受信を行う。
【0115】
[00128] ネットワークリンクＮＤＬは通常、１つ又は複数のネットワークを介して他のデータデバイスにデータ通信を提供する。例えば、ネットワークリンクＮＤＬは、ローカルネットワークＬＡＮを介してホストコンピュータＨＣへの接続を提供することができる。これは、現在一般に「インターネット」ＩＮＴと呼ばれる世界的なパケットデータ通信ネットワークを通じて提供されるデータ通信サービスを含み得る。ローカルネットワークＬＡＮ（インターネット）は、デジタルデータストリームを搬送する電気信号、電磁信号、又は光信号を使用し得る。様々なネットワークを介した信号、及びネットワークデータリンクＮＤＬ上にあり、通信インターフェースＣＩを介した信号（これらは、コンピュータシステムＣＳとの間でデジタルデータを搬送する）は、情報を伝送する搬送波の例示的な形態である。
【0116】
[00129] コンピュータシステムＣＳは、１つ又は複数のネットワーク、ネットワークデータリンクＮＤＬ、及び通信インターフェースＣＩを介して、メッセージを送信し、プログラムコードを含むデータを受信することができる。インターネットの例では、ホストコンピュータＨＣは、インターネットＩＮＴ、ネットワークデータリンクＮＤＬ、ローカルネットワークＬＡＮ、及び通信インターフェースＣＩを介して、アプリケーションプログラムの要求コードを送信し得る。そのようなダウンロードされたアプリケーションの１つは、例えば、本明細書に記載する方法の全部又は一部を提供することができる。受信されたコードは、受信された際にプロセッサＰＲＯによって実行されてもよいし、又は後の実行のためにストレージデバイスＳＤ、若しくは他の不揮発性ストレージに記憶されてもよい。このようにして、コンピュータシステムＣＳは、搬送波の形態でアプリケーションコードを取得することができる。
【0117】
[00130] 図１１は、本明細書に記載する動作のうちの１つ若しくは複数に使用され得るか、又はそれ（ら）を容易にし得る別のリソグラフィ投影装置（ＬＰＡ）の概略図である。図１１に示すＬＰＡは、図１に示す装置に類似するか、又は同じである。ＬＰＡは、ソースコレクタモジュールＳＯ、放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬ、パターニングデバイステーブルＴ、基板テーブルＷＴ、及び投影システムＰＳを含み得る。パターニングデバイステーブルＴは、パターニングデバイス（例えば、マスク又はレチクル）ＭＡを支持するように構築することができ、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続され得る。基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴは、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築されてもよく、基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続され得る。投影システム（例えば反射型投影システム）ＰＳは、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）上に投影するように構成することができる。
【0118】
[00131] この例が示すように、ＬＰＡは、反射型（例えば、反射型パターニングデバイスを用いる）であり得る。ほとんどの材料が、ＥＵＶ波長範囲内で吸収性であるので、パターニングデバイスは、例えば、モリブデン及びシリコンのマルチスタックを含む多層リフレクタを有し得ることに留意されたい。一例では、マルチスタックリフレクタは、各層の厚さが４分の１波長である、モリブデン及びシリコンの４０層ペアを有する。さらに小さな波長が、Ｘ線リソグラフィを用いて生成され得る。ほとんどの材料が、ＥＵＶ及びｘ線波長で吸収性であるので、パターニングデバイストポグラフィ上の薄い一片のパターン付き吸収材料（例えば、多層リフレクタ上のＴａＮアブゾーバ）は、どこにフィーチャが印刷され（ポジ型レジスト）、又は印刷されないか（ネガ型レジスト）を定義する。
【0119】
[00132] イルミネータＩＬは、ソースコレクタモジュールＳＯから極端紫外線放射（ＥＵＶ）ビームを受け得る。ＥＵＶ放射を生成する方法は、必ずしも限定されないが、ＥＵＶ範囲において１つ又は複数の輝線を備えた少なくとも１つの元素（例えば、キセノン、リチウム、又はスズ）を有するプラズマ状態に材料を変換することを含む。レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれることが多い、そのような１つの方法では、プラズマは、線発光元素を有する材料の小滴、ストリーム、又はクラスタなどの燃料をレーザビームで照射することによって生成され得る。ソースコレクタモジュールＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供するレーザ（図１１では不図示）を含むＥＵＶ放射システムの一部でもよい。その結果生じるプラズマが、出力放射（例えば、ＥＵＶ放射）を放出し、これが、ソースコレクタモジュールに配置される放射コレクタを用いて収集される。レーザ及びソースコレクタモジュールは、例えば、燃料励起用のレーザビームを提供するためにＣＯ２レーザが使用される場合には、別個のエンティティでもよい。このようなケースでは、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成するとはみなされず、及び放射ビームは、例えば、適宜の誘導ミラー又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを用いて、レーザからソースコレクタモジュールへと渡され得る。他の例では、例えばソースが、ＤＰＰソースと呼ばれることが多い、放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合、ソースは、ソースコレクタモジュールの一体化部分でもよい。
【0120】
[00133] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するためのアジャスタを含み得る。一般に、イルミネータの瞳面の強度分布の少なくとも外側又は内側半径範囲（一般的に、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）が、調節され得る。さらに、イルミネータＩＬは、ファセットフィールド及び瞳ミラーデバイスなどの様々な他のコンポーネントを含み得る。イルミネータを使用して、断面に所望の均一性及び強度分布を有するように放射ビームを調整することができる。
【0121】
[00134] 放射ビームＢは、パターニングデバイステーブルＴに保持されるパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、及びパターニングデバイスによってパターン付けされ得る。放射ビームＢは、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射された後、ビームの焦点を基板Ｗのターゲット部分Ｃに合わせる投影システムＰＳを通過する。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＰＳ２（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を用いて、（例えば異なるターゲット部分Ｃを放射ビームＢのパス内に位置決めするように）基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサＰＳ１を用いて、放射ビームＢのパスに対してパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを正確に位置決めすることができる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。
【0122】
[00135] 描かれた装置ＬＰＡは、以下のモード：ステップモード、スキャンモード、及び静止モードのうちの少なくとも１つで使用され得る。ステップモードでは、パターニングデバイステーブルＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止したままであり、放射ビームに付与されたパターン全体が一度にターゲット部分Ｃ上に投影される（例えば、単一静的露光）。次いで、異なるターゲット部分Ｃが露光され得るように、基板テーブルＷＴが、Ｘ又はＹ方向にシフトされる。スキャンモードでは、放射ビームに付与されたパターンが、ターゲット部分Ｃ上に投影される間に、パターニングデバイステーブルＴ及び基板テーブルＷＴは、同期してスキャンされる（すなわち、単一動的露光）。パターニングデバイステーブルＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの縮小及び像反転特性によって決定され得る。静止モードでは、放射ビームに付与されたパターンが、ターゲット部分Ｃ上に投影される間に、パターニングデバイステーブルＴは、プログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止したままであり、且つ基板テーブルＷＴは、移動又はスキャンされる。このモードでは、一般にパルス放射源が用いられ、及びプログラマブルパターニングデバイスが、基板テーブルＷＴの各移動後に、又はスキャン中の連続する放射パルスの合間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【0123】
[00136] 図１２は、図１１（又は図１）に示すリソグラフィ投影装置のより詳細な図である。図１２に示すように、ＬＰＡは、ソースコレクタモジュールＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳを含み得る。ソースコレクタモジュールＳＯは、ソースコレクタモジュールＳＯの閉鎖構造２２０内で真空環境が維持され得るように構成される。ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０は、放電生成プラズマ源によって形成され得る。ＥＵＶ放射は、ガス又は蒸気（例えば、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射を放出するために、高温プラズマ２１０が作られるＸｅガス、Ｌｉ蒸気、又はＳｎ蒸気）によって生成され得る。高温プラズマ２１０は、例えば、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを生じさせる放電によって作られる。Ｘｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気又は任意のその他の適宜のガス若しくは蒸気の例えば１０Ｐａの分圧が、放射の効率的生成に必要とされ得る。一部の実施形態では、励起スズ（Ｓｎ）のプラズマは、ＥＵＶ放射を生成するために提供される。
【0124】
[00137] 高温プラズマ２１０によって放出された放射は、ソースチャンバ２１１から、ソースチャンバ２１１の開口内、又はその後ろに位置する任意選択的なガスバリア又は汚染物質トラップ２３０（場合によっては、汚染物質バリア又はフォイルトラップとも呼ばれる）を介して、コレクタチャンバ２１２内へと渡される。汚染物質トラップ２３０は、チャネル構造を含み得る。汚染物質トラップ２３０は、ガスバリア、又はガスバリア及びチャネル構造の組み合わせも含み得る。汚染物質トラップ又は汚染物質バリアトラップ２３０（下記に示す）は、チャネル構造をも含む。コレクタチャンバ２１１は、斜入射型コレクタでもよい放射コレクタＣＯを含み得る。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側２５１及び下流放射コレクタ側２５２を有する。コレクタＣＯを横断する放射は、格子スペクトルフィルタ２４０に反射して、線「Ｏ」によって示される光軸に沿った仮想光源点ＩＦに焦点を合わせることができる。仮想光源点ＩＦは、一般的に中間焦点と呼ばれ、及びソースコレクタモジュールは、中間焦点ＩＦが、閉鎖構造２２０の開口２２１に、又はその付近に位置するように配置される。仮想光源点ＩＦは、放射放出プラズマ２１０の像である。
【0125】
[00138] 続いて、放射は、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２１の所望の角度分布、及びパターニングデバイスＭＡにおいて放射強度の所望の均一性を提供するように配置されたファセットフィールドミラーデバイス２２及びファセット瞳ミラーデバイス２４を包含し得る照明システムＩＬを横断する。パターニングデバイステーブルＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡにおける放射ビーム２１の反射時に、パターン付きビーム２６が形成され、及びパターン付きビーム２６は、投影システムＰＳによって、反射要素２８、３０を介して、基板テーブルＷＴによって保持される基板Ｗ上に結像される。一般に、図示されるよりも多くの要素が、照明光学系ユニットＩＬ及び投影システムＰＳ内に存在し得る。格子スペクトルフィルタ２４０が、例えば、リソグラフィ装置のタイプに応じて、任意選択的に存在してもよい。さらに、図面に示されるミラーよりも多くのミラーが存在してもよく、例えば、図１２に示されるよりも１～６個の追加の反射要素が、投影システムＰＳに存在してもよい。
【0126】
[00139] 図１２に示されるようなコレクタ系ＣＯは、コレクタ（又はコレクタミラー）の単なる一例として、斜入射型リフレクタ２５３、２５４、及び２５５を備えた入れ子式コレクタとして描かれる。斜入射型リフレクタ２５３、２５４、及び２５５は、光軸Ｏに対して軸対称に配置され、及びこのタイプのコレクタ系ＣＯは、ＤＰＰソースと呼ばれることが多い、放電生成プラズマ源と組み合わせて使用され得る。
【0127】
[00140] 図１３は、リソグラフィ投影装置ＬＰＡ（前の図に示す）のソースコレクタモジュールＳＯの詳細図である。ソースコレクタモジュールＳＯは、ＬＰＡ放射システムの一部であってもよい。レーザＬＡは、レーザエネルギーをキセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）、又はリチウム（Ｌｉ）などの燃料に堆積させ、数十ｅＶの電子温度の高イオン化プラズマ２１０を生成するように配置され得る。脱励起及びこれらのイオンの再結合中に生成されるエネルギー放射は、プラズマから放出され、近法線入射コレクタ系ＣＯによって収集され、及び閉鎖構造２２０の開口２２１上に焦点が合わせられる。
【0128】
[00141] 次の番号付き条項リストにおいて、様々な実施形態を開示する。
１．パターニングデバイスの欠陥を検出する方法であって、方法が、荷電粒子検査システムを用いてパターン付与基板を検査することであって、パターン付与基板が、パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造され、パターニングパラメータを変調することによって、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティが向上する、検査することと、パターニングデバイスの欠陥のパターナビリティの向上に関連する、パターン付与基板における欠陥を検出することと、パターン付与基板における欠陥に基づいて、パターニングデバイスの欠陥を検出することと、を含む、方法。
２．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティを向上させ、パターナビリティの向上と、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされる欠陥の量とのバランスをとり、パターン付与基板のパターニング生産性を考慮することなく行われ、方法が、パターン付与基板にわたってどの欠陥が繰り返され、したがってパターニングパラメータを変調することによって強調されたかを決定するために、複数のフィールドで、パターン付与基板上の欠陥候補エリアにおいて検査を繰り返すことをさらに含む、条項１に記載の方法。（１）
３．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して、異なる、より高いドーズ量のレジストで基板をコートすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
４．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズ又は焦点を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
５．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して異なるレジストで基板をコートすることと、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズを変更することとを含み、ドーズを変更することが、通常の製造パターニングプロセスに使用されるドーズと比べてドーズを増加させることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４）
６．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセス中に提供される照明と比較して、パターニングのためにより高いコントラストの照明を提供することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
７．パターニングパラメータを変調することが、通常のパターニングプロセスに関連する瞳充填率（ＰＦＲ）を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
８．ＰＦＲが２０％未満に変更され、これにより、通常のパターニングプロセスのイルミネータ効率が１００％未満になる、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（７）
９．パターニングデバイスがマスクであり、通常のパターニングプロセスが半導体製造プロセスである、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
１０．荷電粒子検査システムが走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）である、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
１１．パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させるようにパターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおいて欠陥をパターニングする可能性と比べて、パターニングデバイスの欠陥がパターン付与基板上にパターニングされる可能性を高めるようにパターニングパラメータを変調することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
１２．変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされた欠陥が、確率的欠陥を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
１３．パターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスに関連するリソグラフィシステム又は別個のリソグラフィシステムを用いて製造される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
１４．パターン付与基板が、パターン付与半導体ウェーハであり、パターニングデバイスの欠陥が、パターニングデバイス上の粒子を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
１５．パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造されるパターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスで使用されるパターンデザイン及びパターニングデバイスと同じパターンデザイン及びパターニングデバイスを使用して製造される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
１６．パターニングデバイスの欠陥を検出するシステムであって、システムが、パターン付与基板を検査するように構成された荷電粒子検査システムであって、パターン付与基板が、パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造され、パターニングパラメータを変調することによって、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティが向上する、荷電粒子検査システムと、機械可読命令によって、パターニングデバイスの欠陥のパターナビリティの向上に関連する、パターン付与基板における欠陥を検出することと、パターン付与基板における欠陥に基づいて、パターニングデバイスの欠陥を検出することと、を行うように構成された１つ又は複数のプロセッサと、を含む、システム。
１７．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティを向上させ、パターナビリティの向上と、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされる欠陥の量とのバランスをとり、パターン付与基板のパターニング生産性を考慮することなく行われ、荷電粒子検査システム及び１つ又は複数のプロセッサが、複数のフィールドで、パターン付与基板上の欠陥候補エリアにおいてパターン付与基板を検査することと、パターン付与基板にわたってどの欠陥が繰り返され、したがってパターニングパラメータを変調することによって強調されたかを決定することとを行うようにさらに構成される、条項１６に記載のシステム。（１６）
１８．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して、異なる、より高いドーズ量のレジストで基板をコートすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
１９．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズ又は焦点を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
２０．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して異なるレジストで基板をコートすることと、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズを変更することとを含み、ドーズを変更することが、通常の製造パターニングプロセスに使用されるドーズと比べてドーズを増加させることを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１９）
２１．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセス中に提供される照明と比較して、パターニングのためにより高いコントラストの照明を提供することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
２２．パターニングパラメータを変調することが、通常のパターニングプロセスに関連する瞳充填率（ＰＦＲ）を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
２３．ＰＦＲが２０％未満に変更され、これにより、通常のパターニングプロセスのイルミネータ効率が１００％未満になる、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（２２）
２４．パターニングデバイスがマスクであり、通常のパターニングプロセスが半導体製造プロセスである、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
２５．荷電粒子検査システムが走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）である、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
２６．パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させるようにパターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおいて欠陥をパターニングする可能性と比べて、パターニングデバイスの欠陥がパターン付与基板上にパターニングされる可能性を高めるようにパターニングパラメータを変調することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
２７．変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされた欠陥が、確率的欠陥を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
２８．パターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスに関連するリソグラフィシステム又は別個のリソグラフィシステムを用いて製造される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
２９．パターン付与基板が、パターン付与半導体ウェーハであり、パターニングデバイスの欠陥が、パターニングデバイス上の粒子を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
３０．パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造されるパターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスで使用されるパターンデザイン及びパターニングデバイスと同じパターンデザイン及びパターニングデバイスを使用して製造される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
３１．命令を記憶した非一時的なコンピュータ可読媒体であって、命令がコンピュータによって実行されると、荷電粒子検査システムを用いてパターン付与基板を検査することであって、パターン付与基板が、パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造され、パターニングパラメータを変調することによって、パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティが向上する、検査することと、パターニングデバイスの欠陥のパターナビリティの向上に関連する、パターン付与基板における欠陥を検出することと、パターン付与基板における欠陥に基づいて、パターニングデバイスの欠陥を検出することと、を含む動作を生じさせる、非一時的なコンピュータ可読媒体。
３２．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティを向上させ、パターナビリティの向上と、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされる欠陥の量とのバランスをとり、パターン付与基板のパターニング生産性を考慮することなく行われ、動作が、パターン付与基板にわたってどの欠陥が繰り返され、したがってパターニングパラメータを変調することによって強調されたかを決定するために、複数のフィールドで、パターン付与基板上の欠陥候補エリアにおいて検査を繰り返すことをさらに含む、条項３１に記載の媒体。（３１）
３３．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して、異なる、より高いドーズ量のレジストで基板をコートすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
３４．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズ又は焦点を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
３５．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して異なるレジストで基板をコートすることと、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズを変更することとを含み、ドーズを変更することが、通常の製造パターニングプロセスに使用されるドーズと比べてドーズを増加させることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３４）
３６．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセス中に提供される照明と比較して、パターニングのためにより高いコントラストの照明を提供することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
３７．パターニングパラメータを変調することが、通常のパターニングプロセスに関連する瞳充填率（ＰＦＲ）を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
３８．ＰＦＲが２０％未満に変更され、これにより、通常のパターニングプロセスのイルミネータ効率が１００％未満になる、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３７）
３９．パターニングデバイスがマスクであり、通常のパターニングプロセスが半導体製造プロセスである、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
４０．荷電粒子検査システムが走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）である、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
４１．パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させるようにパターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおいて欠陥をパターニングする可能性と比べて、パターニングデバイスの欠陥がパターン付与基板上にパターニングされる可能性を高めるようにパターニングパラメータを変調することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
４２．変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされた欠陥が、確率的欠陥を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
４３．パターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスに関連するリソグラフィシステム又は別個のリソグラフィシステムを用いて製造される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
４４．パターン付与基板が、パターン付与半導体ウェーハであり、パターニングデバイスの欠陥が、パターニングデバイス上の粒子を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
４５．パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造されるパターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスで使用されるパターンデザイン及びパターニングデバイスと同じパターンデザイン及びパターニングデバイスを使用して製造される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
４６．パターニングデバイスの欠陥を検出する方法であって、方法が、検査システムを用いてパターン付与基板を検査することであって、パターン付与基板が、パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造され、パターニングパラメータを変調することによって、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティが向上する、検査することと、パターニングデバイスの欠陥のパターナビリティの向上に関連する、パターン付与基板における欠陥を検出することと、パターン付与基板における欠陥に基づいて、パターニングデバイスの欠陥を検出することと、を含む、方法。
４７．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティを向上させ、パターナビリティの向上と、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされる欠陥の量とのバランスをとり、パターン付与基板のパターニング生産性を考慮することなく行われ、方法が、パターン付与基板にわたってどの欠陥が繰り返され、したがってパターニングパラメータを変調することによって強調されたかを決定するために、複数のフィールドで、パターン付与基板上の欠陥候補エリアにおいて検査を繰り返すことをさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
４８．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して、異なる、より高いドーズ量のレジストで基板をコートすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
４９．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズ又は焦点を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
５０．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して異なるレジストで基板をコートすることと、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズを変更することとを含み、ドーズを変更することが、通常の製造パターニングプロセスに使用されるドーズと比べてドーズを増加させることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４９）
５１．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセス中に提供される照明と比較して、パターニングのためにより高いコントラストの照明を提供することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
５２．パターニングパラメータを変調することが、通常のパターニングプロセスに関連する瞳充填率（ＰＦＲ）を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
５３．ＰＦＲが２０％未満に変更され、これにより、通常のパターニングプロセスのイルミネータ効率が１００％未満になる、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
５４．パターニングデバイスがマスクであり、通常のパターニングプロセスが半導体製造プロセスである、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
５５．検査システムが荷電粒子検査システム又は光学検査システムである、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
５６．パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させるようにパターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおいて欠陥をパターニングする可能性と比べて、パターニングデバイスの欠陥がパターン付与基板上にパターニングされる可能性を高めるようにパターニングパラメータを変調することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
５７．変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされた欠陥が、確率的欠陥を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
５８．パターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスに関連するリソグラフィシステム又は別個のリソグラフィシステムを用いて製造される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
５９．パターン付与基板が、パターン付与半導体ウェーハであり、パターニングデバイスの欠陥が、パターニングデバイス上の粒子を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
６０．パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造されるパターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスで使用されるパターンデザイン及びパターニングデバイスと同じパターンデザイン及びパターニングデバイスを使用して製造される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
６１．パターニングデバイスの欠陥を検出するシステムであって、システムが、パターン付与基板を検査するように構成された検査システムであって、パターン付与基板が、パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造され、パターニングパラメータを変調することによって、パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティが向上する、検査システムと、機械可読命令によって、パターニングデバイスの欠陥のパターナビリティの向上に関連する、パターン付与基板における欠陥を検出することと、パターン付与基板における欠陥に基づいて、パターニングデバイスの欠陥を検出することと、を行うように構成された１つ又は複数のプロセッサと、を含む、システム。
６２．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティを向上させ、パターナビリティの向上と、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされる欠陥の量とのバランスをとり、パターン付与基板のパターニング生産性を考慮することなく行われ、検査システム及び１つ又は複数のプロセッサが、パターン付与基板にわたってどの欠陥が繰り返され、したがってパターニングパラメータを変調することによって強調されたかを決定するために、複数のフィールドで、パターン付与基板上の欠陥候補エリアにおいて検査を繰り返すように構成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（６１）
６３．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して、異なる、より高いドーズ量のレジストで基板をコートすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（６１）
６４．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズ又は焦点を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（６１）
６５．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して異なるレジストで基板をコートすることと、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズを変更することとを含み、ドーズを変更することが、通常の製造パターニングプロセスに使用されるドーズと比べてドーズを増加させることを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（６４）
６６．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセス中に提供される照明と比較して、パターニングのためにより高いコントラストの照明を提供することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（６１）
６７．パターニングパラメータを変調することが、通常のパターニングプロセスに関連する瞳充填率（ＰＦＲ）を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（６１）
６８．ＰＦＲが２０％未満に変更され、これにより、通常のパターニングプロセスのイルミネータ効率が１００％未満になる、条項６７に記載のシステム。（６１）
６９．パターニングデバイスがマスクであり、通常のパターニングプロセスが半導体製造プロセスである、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（６１）
７０．検査システムが荷電粒子検査システム又は光学検査システムである、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（６１）
７１．パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させるようにパターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおいて欠陥をパターニングする可能性と比べて、パターニングデバイスの欠陥がパターン付与基板上にパターニングされる可能性を高めるようにパターニングパラメータを変調することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（６１）
７２．変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされた欠陥が、確率的欠陥を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（６１）
７３．パターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスに関連するリソグラフィシステム又は別個のリソグラフィシステムを用いて製造される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（６１）
７４．パターン付与基板が、パターン付与半導体ウェーハであり、パターニングデバイスの欠陥が、パターニングデバイス上の粒子を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（６１）
７５．パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造されるパターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスで使用されるパターンデザイン及びパターニングデバイスと同じパターンデザイン及びパターニングデバイスを使用して製造される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（６１）
７６．命令を記憶した非一時的なコンピュータ可読媒体であって、命令がコンピュータによって実行されると、検査システムを用いてパターン付与基板を検査することであって、パターン付与基板が、パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造され、パターニングパラメータを変調することによって、パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティが向上する、検査することと、パターニングデバイスの欠陥のパターナビリティの向上に関連する、パターン付与基板における欠陥を検出することと、パターン付与基板における欠陥に基づいて、パターニングデバイスの欠陥を検出することと、を含む動作を生じさせる、非一時的なコンピュータ可読媒体。
７７．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティを向上させ、パターナビリティの向上と、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされる欠陥の量とのバランスをとり、パターン付与基板のパターニング生産性を考慮することなく行われ、動作が、パターン付与基板にわたってどの欠陥が繰り返され、したがってパターニングパラメータを変調することによって強調されたかを決定するために、複数のフィールドで、パターン付与基板上の欠陥候補エリアにおいて検査を繰り返すことをさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７６）
７８．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して、異なる、より高いドーズ量のレジストで基板をコートすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７６）
７９．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズ又は焦点を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７６）
８０．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して異なるレジストで基板をコートすることと、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズを変更することとを含み、ドーズを変更することが、通常の製造パターニングプロセスに使用されるドーズと比べてドーズを増加させることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７９）
８１．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセス中に提供される照明と比較して、パターニングのためにより高いコントラストの照明を提供することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７６）
８２．パターニングパラメータを変調することが、通常のパターニングプロセスに関連する瞳充填率（ＰＦＲ）を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７６）
８３．ＰＦＲが２０％未満に変更され、これにより、通常のパターニングプロセスのイルミネータ効率が１００％未満になる、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７６）
８４．パターニングデバイスがマスクであり、通常のパターニングプロセスが半導体製造プロセスである、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７６）
８５．検査システムが荷電粒子検査システム又は光学検査システムである、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７６）
８６．パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させるようにパターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおいて欠陥をパターニングする可能性と比べて、パターニングデバイスの欠陥がパターン付与基板上にパターニングされる可能性を高めるようにパターニングパラメータを変調することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７６）
８７．変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされた欠陥が、確率的欠陥を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７６）
８８．パターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスに関連するリソグラフィシステム又は別個のリソグラフィシステムを用いて製造される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７６）
８９．パターン付与基板が、パターン付与半導体ウェーハであり、パターニングデバイスの欠陥が、パターニングデバイス上の粒子を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７６）
９０．パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造されるパターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスで使用されるパターンデザイン及びパターニングデバイスと同じパターンデザイン及びパターニングデバイスを使用して製造される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７６）
９１．基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターニングを向上させる方法であって、方法が、通常の製造パターニングプロセスのパターニングパラメータを変調することであって、パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させる、変調することと、変調されたパターニングパラメータを使用して、基板上にパターニングデバイスの欠陥をパターニングすることと、を含み、変調されたパターニングパラメータでパターニングした後に、変調されたパターニングパラメータに関連するパターニングされる欠陥の量との間でバランスをとった欠陥のパターナビリティの向上により、基板が、荷電粒子検査システムによる検査のために構成される、方法。
９２．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティを向上させ、パターナビリティの向上と、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされる欠陥の量とのバランスをとり、パターン付与基板のパターニング生産性を考慮することなく行われ、方法が、基板にわたってどの欠陥が繰り返され、したがってパターニングパラメータを変調することによって強調されたかを決定するために、複数のフィールドで、基板上の欠陥候補エリアにおいて基板を検査することをさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９１）
９３．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して、異なる、より高いドーズ量のレジストで基板をコートすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９１）
９４．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズ又は焦点を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９１）
９５．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して異なるレジストで基板をコートすることと、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズを変更することとを含み、ドーズを変更することが、通常の製造パターニングプロセスに使用されるドーズと比べてドーズを増加させることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９４）
９６．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセス中に提供される照明と比較して、パターニングのためにより高いコントラストの照明を提供することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９１）
９７．パターニングパラメータを変調することが、通常のパターニングプロセスに関連する瞳充填率（ＰＦＲ）を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９１）
９８．ＰＦＲが２０％未満に変更され、これにより、通常のパターニングプロセスのイルミネータ効率が１００％未満になる、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９７）
９９．パターニングデバイスがマスクであり、通常のパターニングプロセスが半導体製造プロセスである、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９１）
１００．荷電粒子検査システムが、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）である、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９１）
１０１．パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させるようにパターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおいて欠陥をパターニングする可能性と比べて、パターニングデバイスの欠陥がパターン付与基板上にパターニングされる可能性を高めるようにパターニングパラメータを変調することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９１）
１０２．変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされた欠陥が、確率的欠陥を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９１）
１０３．パターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスに関連するリソグラフィシステム又は別個のリソグラフィシステムを用いて製造される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９１）
１０４．パターン付与基板が、パターン付与半導体ウェーハであり、パターニングデバイスの欠陥が、パターニングデバイス上の粒子を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９１）
１０５．パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造されるパターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスで使用されるパターンデザイン及びパターニングデバイスと同じパターンデザイン及びパターニングデバイスを使用して製造される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９１）
１０６．基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターニングを向上させるシステムであって、システムが、機械可読命令によって、通常の製造パターニングプロセスのパターニングパラメータを変調することであって、パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させる、変調することを行うように構成された１つ又は複数のプロセッサと、変調されたパターニングパラメータを使用して、基板上にパターニングデバイスの欠陥をパターニングするように構成されたパターニングシステムと、を含み、変調されたパターニングパラメータでパターニングした後に、変調されたパターニングパラメータに関連するパターニングされる欠陥の量との間でバランスをとった欠陥のパターナビリティの向上により、基板が、荷電粒子検査システムによる検査のために構成される、システム。
１０７．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティを向上させ、パターナビリティの向上と、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされる欠陥の量とのバランスをとり、パターン付与基板のパターニング生産性を考慮することなく行われ、システムが、基板にわたってどの欠陥が繰り返され、したがってパターニングパラメータを変調することによって強調されたかを決定するために、複数のフィールドで、基板上の欠陥候補エリアにおいて基板を検査するように構成された荷電粒子検査システムをさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０６）
１０８．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して、異なる、より高いドーズ量のレジストで基板をコートすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０６）
１０９．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズ又は焦点を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０６）
１１０．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して異なるレジストで基板をコートすることと、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズを変更することとを含み、ドーズを変更することが、通常の製造パターニングプロセスに使用されるドーズと比べてドーズを増加させることを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０９）
１１１．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセス中に提供される照明と比較して、パターニングのためにより高いコントラストの照明を提供することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０６）
１１２．パターニングパラメータを変調することが、通常のパターニングプロセスに関連する瞳充填率（ＰＦＲ）を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０６）
１１３．ＰＦＲが２０％未満に変更され、これにより、通常のパターニングプロセスのイルミネータ効率が１００％未満になる、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０６）
１１４．パターニングデバイスがマスクであり、通常のパターニングプロセスが半導体製造プロセスである、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０６）
１１５．荷電粒子検査システムが、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）である、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０６）
１１６．パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させるようにパターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおいて欠陥をパターニングする可能性と比べて、パターニングデバイスの欠陥がパターン付与基板上にパターニングされる可能性を高めるようにパターニングパラメータを変調することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０６）
１１７．変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされた欠陥が、確率的欠陥を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０６）
１１８．パターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスに関連するリソグラフィシステム又は別個のリソグラフィシステムを用いて製造される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０６）
１１９．パターン付与基板が、パターン付与半導体ウェーハであり、パターニングデバイスの欠陥が、パターニングデバイス上の粒子を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０６）
１２０．パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造されるパターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスで使用されるパターンデザイン及びパターニングデバイスと同じパターンデザイン及びパターニングデバイスを使用して製造される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０６）
１２１．命令を記憶した非一時的なコンピュータ可読媒体であって、命令がコンピュータによって実行されると、通常の製造パターニングプロセスのパターニングパラメータを変調することであって、パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させる、変調することと、変調されたパターニングパラメータを使用して、基板上にパターニングデバイスの欠陥をパターニングすることと、を含む動作を生じさせ、変調されたパターニングパラメータでパターニングした後に、変調されたパターニングパラメータに関連するパターニングされる欠陥の量との間でバランスをとった欠陥のパターナビリティの向上により、基板が、荷電粒子検査システムによる検査のために構成される、非一時的なコンピュータ可読媒体。
１２２．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティを向上させ、パターナビリティの向上と、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされる欠陥の量とのバランスをとり、パターン付与基板のパターニング生産性を考慮することなく行われ、命令が、基板にわたってどの欠陥が繰り返され、したがってパターニングパラメータを変調することによって強調されたかを決定するために、複数のフィールドで、基板上の欠陥候補エリアにおいて基板を検査することをさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１２１）
１２３．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して、異なる、より高いドーズ量のレジストで基板をコートすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１２１）
１２４．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズ又は焦点を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１２１）
１２５．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して異なるレジストで基板をコートすることと、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズを変更することとを含み、ドーズを変更することが、通常の製造パターニングプロセスに使用されるドーズと比べてドーズを増加させることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１２１）
１２６．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセス中に提供される照明と比較して、パターニングのためにより高いコントラストの照明を提供することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１２１）
１２７．パターニングパラメータを変調することが、通常のパターニングプロセスに関連する瞳充填率（ＰＦＲ）を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１２１）
１２８．ＰＦＲが２０％未満に変更され、これにより、通常のパターニングプロセスのイルミネータ効率が１００％未満になる、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１２７）
１２９．パターニングデバイスがマスクであり、通常のパターニングプロセスが半導体製造プロセスである、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１２１）
１３０．荷電粒子検査システムが、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）である、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１２１）
１３１．パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させるようにパターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおいて欠陥をパターニングする可能性と比べて、パターニングデバイスの欠陥がパターン付与基板上にパターニングされる可能性を高めるようにパターニングパラメータを変調することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１２１）
１３２．変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされた欠陥が、確率的欠陥を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１２１）
１３３．パターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスに関連するリソグラフィシステム又は別個のリソグラフィシステムを用いて製造される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１２１）
１３４．パターン付与基板が、パターン付与半導体ウェーハであり、パターニングデバイスの欠陥が、パターニングデバイス上の粒子を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１２１）
１３５．パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造されるパターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスで使用されるパターンデザイン及びパターニングデバイスと同じパターンデザイン及びパターニングデバイスを使用して製造される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１２１）
１３６．パターニングデバイスの欠陥を検出する方法であって、方法が、荷電粒子検査システムを用いてパターン付与基板を検査することであって、パターン付与基板が、パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造され、パターニングパラメータを変調することによって、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティが向上する、検査することと、パターニングデバイスの欠陥のパターナビリティの向上に関連する、パターン付与基板における欠陥を検出することと、パターン付与基板における欠陥に基づいて、パターニングデバイスの欠陥を検出することと、を含む、方法。
１３７．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティを向上させ、パターナビリティの向上と、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされる欠陥の量とのバランスをとり、パターン付与基板のパターニング生産性を考慮することなく行われ、方法が、パターン付与基板にわたってどの欠陥が繰り返され、したがってパターニングパラメータを変調することによって強調されたかを決定するために、複数のフィールドで、パターン付与基板上の欠陥候補エリアにおいて検査を繰り返すことをさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３６）
１３８．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して、異なる、より高いドーズ量のレジストで基板をコートすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３６）
１３９．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズ又は焦点を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３６）
１４０．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して異なるレジストで基板をコートすることと、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズを変更することとを含み、ドーズを変更することが、通常の製造パターニングプロセスに使用されるドーズと比べてドーズを増加させることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３９）
１４１．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセス中に提供される照明と比較して、パターニングのためにより高いコントラストの照明を提供することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３６）
１４２．パターニングパラメータを変調することが、通常のパターニングプロセスに関連する瞳充填率（ＰＦＲ）を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３６）
１４３．ＰＦＲが２０％未満に変更され、これにより、通常のパターニングプロセスのイルミネータ効率が１００％未満になる、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３６）
１４４．パターニングデバイスがマスクであり、通常のパターニングプロセスが半導体製造プロセスである、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３６）
１４５．荷電粒子検査システムが走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）である、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３６）
１４６．パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させるようにパターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおいて欠陥をパターニングする可能性と比べて、パターニングデバイスの欠陥がパターン付与基板上にパターニングされる可能性を高めるようにパターニングパラメータを変調することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３６）
１４７．変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされた欠陥が、確率的欠陥を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３６）
１４８．パターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスに関連するリソグラフィシステム又は別個のリソグラフィシステムを用いて製造される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３６）
１４９．パターン付与基板が、パターン付与半導体ウェーハであり、パターニングデバイスの欠陥が、パターニングデバイス上の粒子を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３６）
１５０．パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造されるパターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスで使用されるパターンデザイン及びパターニングデバイスと同じパターンデザイン及びパターニングデバイスを使用して製造される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３６）
１５１．パターニングデバイスの欠陥を検出するシステムであって、システムが、パターン付与基板を検査するように構成された荷電粒子検査システムであって、パターン付与基板が、パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造され、パターニングパラメータを変調することによって、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティが向上する、荷電粒子検査システムと、機械可読命令によって、パターニングデバイスの欠陥のパターナビリティの向上に関連する、パターン付与基板における欠陥を検出することと、パターン付与基板における欠陥に基づいて、パターニングデバイスの欠陥を検出することと、を行うように構成された１つ又は複数のプロセッサと、を含む、システム。
１５２．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティを向上させ、パターナビリティの向上と、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされる欠陥の量とのバランスをとり、パターン付与基板のパターニング生産性を考慮することなく行われ、荷電粒子検査システム及び１つ又は複数のプロセッサが、複数のフィールドで、パターン付与基板上の欠陥候補エリアにおいてパターン付与基板を検査することと、パターン付与基板にわたってどの欠陥が繰り返され、したがってパターニングパラメータを変調することによって強調されたかを決定することとを行うようにさらに構成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５１）
１５３．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して、異なる、より高いドーズ量のレジストで基板をコートすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５１）
１５４．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズ又は焦点を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５１）
１５５．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して異なるレジストで基板をコートすることと、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズを変更することとを含み、ドーズを変更することが、通常の製造パターニングプロセスに使用されるドーズと比べてドーズを増加させることを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５４）
１５６．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセス中に提供される照明と比較して、パターニングのためにより高いコントラストの照明を提供することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５１）
１５７．パターニングパラメータを変調することが、通常のパターニングプロセスに関連する瞳充填率（ＰＦＲ）を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５１）
１５８．ＰＦＲが２０％未満に変更され、これにより、通常のパターニングプロセスのイルミネータ効率が１００％未満になる、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５１）
１５９．パターニングデバイスがマスクであり、通常のパターニングプロセスが半導体製造プロセスである、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５１）
１６０．荷電粒子検査システムが走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）である、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５１）
１６１．パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させるようにパターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおいて欠陥をパターニングする可能性と比べて、パターニングデバイスの欠陥がパターン付与基板上にパターニングされる可能性を高めるようにパターニングパラメータを変調することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５１）
１６２．変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされた欠陥が、確率的欠陥を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５１）
１６３．パターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスに関連するリソグラフィシステム又は別個のリソグラフィシステムを用いて製造される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５１）
１６４．パターン付与基板が、パターン付与半導体ウェーハであり、パターニングデバイスの欠陥が、パターニングデバイス上の粒子を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５１）
１６５．パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造されるパターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスで使用されるパターンデザイン及びパターニングデバイスと同じパターンデザイン及びパターニングデバイスを使用して製造される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５１）
１６６．命令を記憶した非一時的なコンピュータ可読媒体であって、命令がコンピュータによって実行されると、荷電粒子検査システムを用いてパターン付与基板を検査することであって、パターン付与基板が、パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造され、パターニングパラメータを変調することによって、パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティが向上する、検査することと、パターニングデバイスの欠陥のパターナビリティの向上に関連する、パターン付与基板における欠陥を検出することと、パターン付与基板における欠陥に基づいて、パターニングデバイスの欠陥を検出することと、を含む動作を生じさせる、非一時的なコンピュータ可読媒体。
１６７．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティを向上させ、パターナビリティの向上と、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされる欠陥の量とのバランスをとり、パターン付与基板のパターニング生産性を考慮することなく行われ、動作が、パターン付与基板にわたってどの欠陥が繰り返され、したがってパターニングパラメータを変調することによって強調されたかを決定するために、複数のフィールドで、パターン付与基板上の欠陥候補エリアにおいて検査を繰り返すことをさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１６６）
１６８．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して、異なる、より高いドーズ量のレジストで基板をコートすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１６６）
１６９．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズ又は焦点を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１６６）
１７０．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して異なるレジストで基板をコートすることと、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズを変更することとを含み、ドーズを変更することが、通常の製造パターニングプロセスに使用されるドーズと比べてドーズを増加させることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１６９）
１７１．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセス中に提供される照明と比較して、パターニングのためにより高いコントラストの照明を提供することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１６６）
１７２．パターニングパラメータを変調することが、通常のパターニングプロセスに関連する瞳充填率（ＰＦＲ）を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１６６）
１７３．ＰＦＲが２０％未満に変更され、これにより、通常のパターニングプロセスのイルミネータ効率が１００％未満になる、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１６６）
１７４．パターニングデバイスがマスクであり、通常のパターニングプロセスが半導体製造プロセスである、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１６６）
１７５．荷電粒子検査システムが走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）である、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１６６）
１７６．パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させるようにパターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおいて欠陥をパターニングする可能性と比べて、パターニングデバイスの欠陥がパターン付与基板上にパターニングされる可能性を高めるようにパターニングパラメータを変調することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１６６）
１７７．変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされた欠陥が、確率的欠陥を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１６６）
１７８．パターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスに関連するリソグラフィシステム又は別個のリソグラフィシステムを用いて製造される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１６６）
１７９．パターン付与基板が、パターン付与半導体ウェーハであり、パターニングデバイスの欠陥が、パターニングデバイス上の粒子を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１６６）
１８０．パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造されるパターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスで使用されるパターンデザイン及びパターニングデバイスと同じパターンデザイン及びパターニングデバイスを使用して製造される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１６６）
１８１．命令を記憶した非一時的なコンピュータ可読媒体であって、命令がコンピュータによって実行されると、半導体製造プロセスで使用されるマスクの欠陥を検出することをコンピュータに行わせ、検出が、パターン付与基板のパターニング生産性を考慮することなく、欠陥が強調された非製造用のパターン付与半導体ウェーハに対して行われ、命令が、荷電粒子検査システムを用いてパターン付与半導体ウェーハを検査することであって、パターン付与半導体ウェーハが、マスクを使用し、通常の半導体製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造され、パターニングパラメータを変調することが、パターン付与半導体ウェーハ上へのマスクの欠陥のパターナビリティを向上させ、パターナビリティの向上と、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与半導体ウェーハのパターニングされる欠陥の量とのバランスをとるように構成される、検査することと、マスクの欠陥のパターナビリティの向上に関連する、パターン付与半導体ウェーハにおける欠陥を検出することと、パターン付与半導体ウェーハにおける欠陥に基づいて、マスクの欠陥を検出することと、を含む動作を生じさせる、非一時的なコンピュータ可読媒体。
１８２．パターニングパラメータを変調することが、通常の半導体製造プロセスのレジストと比較して、異なる、より高いドーズ量のレジストで半導体ウェーハをコートすることと、より高いドーズ量のレジストに基づいて、通常の半導体製造プロセスに関連する露光照明のドーズ又は焦点を変更することとを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１８１）
１８３．パターニングパラメータを変調することが、通常の半導体製造プロセス中に提供される照明と比較して、パターニングのためにより高いコントラストの照明を提供することを含み、より高いコントラストの照明が、半導体製造プロセスに関連する瞳充填率（ＰＦＲ）を２０％未満に変更することによって提供され、これにより、半導体製造プロセスのイルミネータ効率が１００％未満になる、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１８１）
１８４．荷電粒子検査システムが走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）である、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１８１）
１８５．パターン付与半導体ウェーハ上へのマスクの欠陥のパターナビリティを向上させるようにパターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおいて欠陥をパターニングする可能性と比べて、マスクの欠陥が半導体ウェーハ上にパターニングされる可能性を高めるようにパターニングパラメータを変調することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１８１）
１．パターニングデバイスの欠陥を検出する方法であって、方法が、荷電粒子検査システムを用いてパターン付与基板を検査することであって、パターン付与基板が、パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造され、パターニングパラメータを変調することによって、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティが向上する、検査することと、パターニングデバイスの欠陥のパターナビリティの向上に関連する、パターン付与基板における欠陥を検出することと、パターン付与基板における欠陥に基づいて、パターニングデバイスの欠陥を検出することと、を含む、方法。
２．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティを向上させ、パターナビリティの向上と、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされる欠陥の量とのバランスをとり、パターン付与基板のパターニング生産性を考慮することなく行われ、方法が、パターン付与基板にわたってどの欠陥が繰り返され、したがってパターニングパラメータを変調することによって強調されたかを決定するために、複数のフィールドで、パターン付与基板上の欠陥候補エリアにおいて検査を繰り返すことをさらに含む、条項１に記載の方法。（１）
３．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して、異なる、より高いドーズ量のレジストで基板をコートすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
４．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズ又は焦点を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
５．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して異なるレジストで基板をコートすることと、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズを変更することとを含み、ドーズを変更することが、通常の製造パターニングプロセスに使用されるドーズと比べてドーズを増加させることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４）
６．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセス中に提供される照明と比較して、パターニングのためにより高いコントラストの照明を提供することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
７．パターニングパラメータを変調することが、通常のパターニングプロセスに関連する瞳充填率（ＰＦＲ）を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
８．ＰＦＲが２０％未満に変更され、これにより、通常のパターニングプロセスのイルミネータ効率が１００％未満になる、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（７）
９．パターニングデバイスがマスクであり、通常のパターニングプロセスが半導体製造プロセスである、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
１０．荷電粒子検査システムが走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）である、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
１１．パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させるようにパターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおいて欠陥をパターニングする可能性と比べて、パターニングデバイスの欠陥がパターン付与基板上にパターニングされる可能性を高めるようにパターニングパラメータを変調することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
１２．変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされた欠陥が、確率的欠陥を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
１３．パターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスに関連するリソグラフィシステム又は別個のリソグラフィシステムを用いて製造される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
１４．パターン付与基板が、パターン付与半導体ウェーハであり、パターニングデバイスの欠陥が、パターニングデバイス上の粒子を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
１５．パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造されるパターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスで使用されるパターンデザイン及びパターニングデバイスと同じパターンデザイン及びパターニングデバイスを使用して製造される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１）
１６．パターニングデバイスの欠陥を検出するシステムであって、システムが、パターン付与基板を検査するように構成された荷電粒子検査システムであって、パターン付与基板が、パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造され、パターニングパラメータを変調することによって、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティが向上する、荷電粒子検査システムと、機械可読命令によって、パターニングデバイスの欠陥のパターナビリティの向上に関連する、パターン付与基板における欠陥を検出することと、パターン付与基板における欠陥に基づいて、パターニングデバイスの欠陥を検出することと、を行うように構成された１つ又は複数のプロセッサと、を含む、システム。
１７．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティを向上させ、パターナビリティの向上と、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされる欠陥の量とのバランスをとり、パターン付与基板のパターニング生産性を考慮することなく行われ、荷電粒子検査システム及び１つ又は複数のプロセッサが、複数のフィールドで、パターン付与基板上の欠陥候補エリアにおいてパターン付与基板を検査することと、パターン付与基板にわたってどの欠陥が繰り返され、したがってパターニングパラメータを変調することによって強調されたかを決定することとを行うようにさらに構成される、条項１６に記載のシステム。（１６）
１８．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して、異なる、より高いドーズ量のレジストで基板をコートすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
１９．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズ又は焦点を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
２０．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して異なるレジストで基板をコートすることと、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズを変更することとを含み、ドーズを変更することが、通常の製造パターニングプロセスに使用されるドーズと比べてドーズを増加させることを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１９）
２１．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセス中に提供される照明と比較して、パターニングのためにより高いコントラストの照明を提供することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
２２．パターニングパラメータを変調することが、通常のパターニングプロセスに関連する瞳充填率（ＰＦＲ）を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
２３．ＰＦＲが２０％未満に変更され、これにより、通常のパターニングプロセスのイルミネータ効率が１００％未満になる、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（２２）
２４．パターニングデバイスがマスクであり、通常のパターニングプロセスが半導体製造プロセスである、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
２５．荷電粒子検査システムが走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）である、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
２６．パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させるようにパターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおいて欠陥をパターニングする可能性と比べて、パターニングデバイスの欠陥がパターン付与基板上にパターニングされる可能性を高めるようにパターニングパラメータを変調することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
２７．変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされた欠陥が、確率的欠陥を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
２８．パターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスに関連するリソグラフィシステム又は別個のリソグラフィシステムを用いて製造される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
２９．パターン付与基板が、パターン付与半導体ウェーハであり、パターニングデバイスの欠陥が、パターニングデバイス上の粒子を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
３０．パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造されるパターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスで使用されるパターンデザイン及びパターニングデバイスと同じパターンデザイン及びパターニングデバイスを使用して製造される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１６）
３１．命令を記憶した非一時的なコンピュータ可読媒体であって、命令がコンピュータによって実行されると、荷電粒子検査システムを用いてパターン付与基板を検査することであって、パターン付与基板が、パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造され、パターニングパラメータを変調することによって、パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティが向上する、検査することと、パターニングデバイスの欠陥のパターナビリティの向上に関連する、パターン付与基板における欠陥を検出することと、パターン付与基板における欠陥に基づいて、パターニングデバイスの欠陥を検出することと、を含む動作を生じさせる、非一時的なコンピュータ可読媒体。
３２．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティを向上させ、パターナビリティの向上と、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされる欠陥の量とのバランスをとり、パターン付与基板のパターニング生産性を考慮することなく行われ、動作が、パターン付与基板にわたってどの欠陥が繰り返され、したがってパターニングパラメータを変調することによって強調されたかを決定するために、複数のフィールドで、パターン付与基板上の欠陥候補エリアにおいて検査を繰り返すことをさらに含む、条項３１に記載の媒体。（３１）
３３．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して、異なる、より高いドーズ量のレジストで基板をコートすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
３４．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズ又は焦点を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
３５．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して異なるレジストで基板をコートすることと、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズを変更することとを含み、ドーズを変更することが、通常の製造パターニングプロセスに使用されるドーズと比べてドーズを増加させることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３４）
３６．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセス中に提供される照明と比較して、パターニングのためにより高いコントラストの照明を提供することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
３７．パターニングパラメータを変調することが、通常のパターニングプロセスに関連する瞳充填率（ＰＦＲ）を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
３８．ＰＦＲが２０％未満に変更され、これにより、通常のパターニングプロセスのイルミネータ効率が１００％未満になる、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３７）
３９．パターニングデバイスがマスクであり、通常のパターニングプロセスが半導体製造プロセスである、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
４０．荷電粒子検査システムが走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）である、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
４１．パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させるようにパターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおいて欠陥をパターニングする可能性と比べて、パターニングデバイスの欠陥がパターン付与基板上にパターニングされる可能性を高めるようにパターニングパラメータを変調することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
４２．変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされた欠陥が、確率的欠陥を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
４３．パターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスに関連するリソグラフィシステム又は別個のリソグラフィシステムを用いて製造される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
４４．パターン付与基板が、パターン付与半導体ウェーハであり、パターニングデバイスの欠陥が、パターニングデバイス上の粒子を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
４５．パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造されるパターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスで使用されるパターンデザイン及びパターニングデバイスと同じパターンデザイン及びパターニングデバイスを使用して製造される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（３１）
４６．パターニングデバイスの欠陥を検出する方法であって、方法が、検査システムを用いてパターン付与基板を検査することであって、パターン付与基板が、パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造され、パターニングパラメータを変調することによって、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティが向上する、検査することと、パターニングデバイスの欠陥のパターナビリティの向上に関連する、パターン付与基板における欠陥を検出することと、パターン付与基板における欠陥に基づいて、パターニングデバイスの欠陥を検出することと、を含む、方法。
４７．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティを向上させ、パターナビリティの向上と、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされる欠陥の量とのバランスをとり、パターン付与基板のパターニング生産性を考慮することなく行われ、方法が、パターン付与基板にわたってどの欠陥が繰り返され、したがってパターニングパラメータを変調することによって強調されたかを決定するために、複数のフィールドで、パターン付与基板上の欠陥候補エリアにおいて検査を繰り返すことをさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
４８．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して、異なる、より高いドーズ量のレジストで基板をコートすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
４９．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズ又は焦点を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
５０．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して異なるレジストで基板をコートすることと、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズを変更することとを含み、ドーズを変更することが、通常の製造パターニングプロセスに使用されるドーズと比べてドーズを増加させることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４９）
５１．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセス中に提供される照明と比較して、パターニングのためにより高いコントラストの照明を提供することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
５２．パターニングパラメータを変調することが、通常のパターニングプロセスに関連する瞳充填率（ＰＦＲ）を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
５３．ＰＦＲが２０％未満に変更され、これにより、通常のパターニングプロセスのイルミネータ効率が１００％未満になる、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
５４．パターニングデバイスがマスクであり、通常のパターニングプロセスが半導体製造プロセスである、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
５５．検査システムが荷電粒子検査システム又は光学検査システムである、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
５６．パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させるようにパターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおいて欠陥をパターニングする可能性と比べて、パターニングデバイスの欠陥がパターン付与基板上にパターニングされる可能性を高めるようにパターニングパラメータを変調することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
５７．変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされた欠陥が、確率的欠陥を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
５８．パターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスに関連するリソグラフィシステム又は別個のリソグラフィシステムを用いて製造される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
５９．パターン付与基板が、パターン付与半導体ウェーハであり、パターニングデバイスの欠陥が、パターニングデバイス上の粒子を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
６０．パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造されるパターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスで使用されるパターンデザイン及びパターニングデバイスと同じパターンデザイン及びパターニングデバイスを使用して製造される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（４６）
６１．パターニングデバイスの欠陥を検出するシステムであって、システムが、パターン付与基板を検査するように構成された検査システムであって、パターン付与基板が、パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造され、パターニングパラメータを変調することによって、パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティが向上する、検査システムと、機械可読命令によって、パターニングデバイスの欠陥のパターナビリティの向上に関連する、パターン付与基板における欠陥を検出することと、パターン付与基板における欠陥に基づいて、パターニングデバイスの欠陥を検出することと、を行うように構成された１つ又は複数のプロセッサと、を含む、システム。
６２．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティを向上させ、パターナビリティの向上と、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされる欠陥の量とのバランスをとり、パターン付与基板のパターニング生産性を考慮することなく行われ、検査システム及び１つ又は複数のプロセッサが、パターン付与基板にわたってどの欠陥が繰り返され、したがってパターニングパラメータを変調することによって強調されたかを決定するために、複数のフィールドで、パターン付与基板上の欠陥候補エリアにおいて検査を繰り返すように構成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（６１）
６３．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して、異なる、より高いドーズ量のレジストで基板をコートすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（６１）
６４．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズ又は焦点を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（６１）
６５．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して異なるレジストで基板をコートすることと、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズを変更することとを含み、ドーズを変更することが、通常の製造パターニングプロセスに使用されるドーズと比べてドーズを増加させることを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（６４）
６６．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセス中に提供される照明と比較して、パターニングのためにより高いコントラストの照明を提供することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（６１）
６７．パターニングパラメータを変調することが、通常のパターニングプロセスに関連する瞳充填率（ＰＦＲ）を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（６１）
６８．ＰＦＲが２０％未満に変更され、これにより、通常のパターニングプロセスのイルミネータ効率が１００％未満になる、条項６７に記載のシステム。（６１）
６９．パターニングデバイスがマスクであり、通常のパターニングプロセスが半導体製造プロセスである、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（６１）
７０．検査システムが荷電粒子検査システム又は光学検査システムである、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（６１）
７１．パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させるようにパターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおいて欠陥をパターニングする可能性と比べて、パターニングデバイスの欠陥がパターン付与基板上にパターニングされる可能性を高めるようにパターニングパラメータを変調することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（６１）
７２．変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされた欠陥が、確率的欠陥を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（６１）
７３．パターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスに関連するリソグラフィシステム又は別個のリソグラフィシステムを用いて製造される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（６１）
７４．パターン付与基板が、パターン付与半導体ウェーハであり、パターニングデバイスの欠陥が、パターニングデバイス上の粒子を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（６１）
７５．パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造されるパターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスで使用されるパターンデザイン及びパターニングデバイスと同じパターンデザイン及びパターニングデバイスを使用して製造される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（６１）
７６．命令を記憶した非一時的なコンピュータ可読媒体であって、命令がコンピュータによって実行されると、検査システムを用いてパターン付与基板を検査することであって、パターン付与基板が、パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造され、パターニングパラメータを変調することによって、パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティが向上する、検査することと、パターニングデバイスの欠陥のパターナビリティの向上に関連する、パターン付与基板における欠陥を検出することと、パターン付与基板における欠陥に基づいて、パターニングデバイスの欠陥を検出することと、を含む動作を生じさせる、非一時的なコンピュータ可読媒体。
７７．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティを向上させ、パターナビリティの向上と、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされる欠陥の量とのバランスをとり、パターン付与基板のパターニング生産性を考慮することなく行われ、動作が、パターン付与基板にわたってどの欠陥が繰り返され、したがってパターニングパラメータを変調することによって強調されたかを決定するために、複数のフィールドで、パターン付与基板上の欠陥候補エリアにおいて検査を繰り返すことをさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７６）
７８．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して、異なる、より高いドーズ量のレジストで基板をコートすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７６）
７９．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズ又は焦点を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７６）
８０．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して異なるレジストで基板をコートすることと、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズを変更することとを含み、ドーズを変更することが、通常の製造パターニングプロセスに使用されるドーズと比べてドーズを増加させることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７９）
８１．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセス中に提供される照明と比較して、パターニングのためにより高いコントラストの照明を提供することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７６）
８２．パターニングパラメータを変調することが、通常のパターニングプロセスに関連する瞳充填率（ＰＦＲ）を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７６）
８３．ＰＦＲが２０％未満に変更され、これにより、通常のパターニングプロセスのイルミネータ効率が１００％未満になる、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７６）
８４．パターニングデバイスがマスクであり、通常のパターニングプロセスが半導体製造プロセスである、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７６）
８５．検査システムが荷電粒子検査システム又は光学検査システムである、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７６）
８６．パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させるようにパターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおいて欠陥をパターニングする可能性と比べて、パターニングデバイスの欠陥がパターン付与基板上にパターニングされる可能性を高めるようにパターニングパラメータを変調することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７６）
８７．変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされた欠陥が、確率的欠陥を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７６）
８８．パターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスに関連するリソグラフィシステム又は別個のリソグラフィシステムを用いて製造される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７６）
８９．パターン付与基板が、パターン付与半導体ウェーハであり、パターニングデバイスの欠陥が、パターニングデバイス上の粒子を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７６）
９０．パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造されるパターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスで使用されるパターンデザイン及びパターニングデバイスと同じパターンデザイン及びパターニングデバイスを使用して製造される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（７６）
９１．基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターニングを向上させる方法であって、方法が、通常の製造パターニングプロセスのパターニングパラメータを変調することであって、パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させる、変調することと、変調されたパターニングパラメータを使用して、基板上にパターニングデバイスの欠陥をパターニングすることと、を含み、変調されたパターニングパラメータでパターニングした後に、変調されたパターニングパラメータに関連するパターニングされる欠陥の量との間でバランスをとった欠陥のパターナビリティの向上により、基板が、荷電粒子検査システムによる検査のために構成される、方法。
９２．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティを向上させ、パターナビリティの向上と、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされる欠陥の量とのバランスをとり、パターン付与基板のパターニング生産性を考慮することなく行われ、方法が、基板にわたってどの欠陥が繰り返され、したがってパターニングパラメータを変調することによって強調されたかを決定するために、複数のフィールドで、基板上の欠陥候補エリアにおいて基板を検査することをさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９１）
９３．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して、異なる、より高いドーズ量のレジストで基板をコートすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９１）
９４．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズ又は焦点を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９１）
９５．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して異なるレジストで基板をコートすることと、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズを変更することとを含み、ドーズを変更することが、通常の製造パターニングプロセスに使用されるドーズと比べてドーズを増加させることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９４）
９６．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセス中に提供される照明と比較して、パターニングのためにより高いコントラストの照明を提供することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９１）
９７．パターニングパラメータを変調することが、通常のパターニングプロセスに関連する瞳充填率（ＰＦＲ）を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９１）
９８．ＰＦＲが２０％未満に変更され、これにより、通常のパターニングプロセスのイルミネータ効率が１００％未満になる、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９７）
９９．パターニングデバイスがマスクであり、通常のパターニングプロセスが半導体製造プロセスである、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９１）
１００．荷電粒子検査システムが、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）である、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９１）
１０１．パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させるようにパターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおいて欠陥をパターニングする可能性と比べて、パターニングデバイスの欠陥がパターン付与基板上にパターニングされる可能性を高めるようにパターニングパラメータを変調することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９１）
１０２．変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされた欠陥が、確率的欠陥を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９１）
１０３．パターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスに関連するリソグラフィシステム又は別個のリソグラフィシステムを用いて製造される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９１）
１０４．パターン付与基板が、パターン付与半導体ウェーハであり、パターニングデバイスの欠陥が、パターニングデバイス上の粒子を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９１）
１０５．パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造されるパターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスで使用されるパターンデザイン及びパターニングデバイスと同じパターンデザイン及びパターニングデバイスを使用して製造される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（９１）
１０６．基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターニングを向上させるシステムであって、システムが、機械可読命令によって、通常の製造パターニングプロセスのパターニングパラメータを変調することであって、パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させる、変調することを行うように構成された１つ又は複数のプロセッサと、変調されたパターニングパラメータを使用して、基板上にパターニングデバイスの欠陥をパターニングするように構成されたパターニングシステムと、を含み、変調されたパターニングパラメータでパターニングした後に、変調されたパターニングパラメータに関連するパターニングされる欠陥の量との間でバランスをとった欠陥のパターナビリティの向上により、基板が、荷電粒子検査システムによる検査のために構成される、システム。
１０７．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティを向上させ、パターナビリティの向上と、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされる欠陥の量とのバランスをとり、パターン付与基板のパターニング生産性を考慮することなく行われ、システムが、基板にわたってどの欠陥が繰り返され、したがってパターニングパラメータを変調することによって強調されたかを決定するために、複数のフィールドで、基板上の欠陥候補エリアにおいて基板を検査するように構成された荷電粒子検査システムをさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０６）
１０８．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して、異なる、より高いドーズ量のレジストで基板をコートすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０６）
１０９．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズ又は焦点を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０６）
１１０．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して異なるレジストで基板をコートすることと、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズを変更することとを含み、ドーズを変更することが、通常の製造パターニングプロセスに使用されるドーズと比べてドーズを増加させることを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０９）
１１１．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセス中に提供される照明と比較して、パターニングのためにより高いコントラストの照明を提供することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０６）
１１２．パターニングパラメータを変調することが、通常のパターニングプロセスに関連する瞳充填率（ＰＦＲ）を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０６）
１１３．ＰＦＲが２０％未満に変更され、これにより、通常のパターニングプロセスのイルミネータ効率が１００％未満になる、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０６）
１１４．パターニングデバイスがマスクであり、通常のパターニングプロセスが半導体製造プロセスである、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０６）
１１５．荷電粒子検査システムが、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）である、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０６）
１１６．パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させるようにパターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおいて欠陥をパターニングする可能性と比べて、パターニングデバイスの欠陥がパターン付与基板上にパターニングされる可能性を高めるようにパターニングパラメータを変調することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０６）
１１７．変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされた欠陥が、確率的欠陥を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０６）
１１８．パターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスに関連するリソグラフィシステム又は別個のリソグラフィシステムを用いて製造される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０６）
１１９．パターン付与基板が、パターン付与半導体ウェーハであり、パターニングデバイスの欠陥が、パターニングデバイス上の粒子を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０６）
１２０．パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造されるパターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスで使用されるパターンデザイン及びパターニングデバイスと同じパターンデザイン及びパターニングデバイスを使用して製造される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１０６）
１２１．命令を記憶した非一時的なコンピュータ可読媒体であって、命令がコンピュータによって実行されると、通常の製造パターニングプロセスのパターニングパラメータを変調することであって、パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させる、変調することと、変調されたパターニングパラメータを使用して、基板上にパターニングデバイスの欠陥をパターニングすることと、を含む動作を生じさせ、変調されたパターニングパラメータでパターニングした後に、変調されたパターニングパラメータに関連するパターニングされる欠陥の量との間でバランスをとった欠陥のパターナビリティの向上により、基板が、荷電粒子検査システムによる検査のために構成される、非一時的なコンピュータ可読媒体。
１２２．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティを向上させ、パターナビリティの向上と、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされる欠陥の量とのバランスをとり、パターン付与基板のパターニング生産性を考慮することなく行われ、命令が、基板にわたってどの欠陥が繰り返され、したがってパターニングパラメータを変調することによって強調されたかを決定するために、複数のフィールドで、基板上の欠陥候補エリアにおいて基板を検査することをさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１２１）
１２３．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して、異なる、より高いドーズ量のレジストで基板をコートすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１２１）
１２４．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズ又は焦点を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１２１）
１２５．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して異なるレジストで基板をコートすることと、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズを変更することとを含み、ドーズを変更することが、通常の製造パターニングプロセスに使用されるドーズと比べてドーズを増加させることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１２１）
１２６．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセス中に提供される照明と比較して、パターニングのためにより高いコントラストの照明を提供することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１２１）
１２７．パターニングパラメータを変調することが、通常のパターニングプロセスに関連する瞳充填率（ＰＦＲ）を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１２１）
１２８．ＰＦＲが２０％未満に変更され、これにより、通常のパターニングプロセスのイルミネータ効率が１００％未満になる、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１２７）
１２９．パターニングデバイスがマスクであり、通常のパターニングプロセスが半導体製造プロセスである、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１２１）
１３０．荷電粒子検査システムが、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）である、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１２１）
１３１．パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させるようにパターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおいて欠陥をパターニングする可能性と比べて、パターニングデバイスの欠陥がパターン付与基板上にパターニングされる可能性を高めるようにパターニングパラメータを変調することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１２１）
１３２．変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされた欠陥が、確率的欠陥を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１２１）
１３３．パターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスに関連するリソグラフィシステム又は別個のリソグラフィシステムを用いて製造される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１２１）
１３４．パターン付与基板が、パターン付与半導体ウェーハであり、パターニングデバイスの欠陥が、パターニングデバイス上の粒子を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１２１）
１３５．パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造されるパターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスで使用されるパターンデザイン及びパターニングデバイスと同じパターンデザイン及びパターニングデバイスを使用して製造される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１２１）
１３６．パターニングデバイスの欠陥を検出する方法であって、方法が、荷電粒子検査システムを用いてパターン付与基板を検査することであって、パターン付与基板が、パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造され、パターニングパラメータを変調することによって、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティが向上する、検査することと、パターニングデバイスの欠陥のパターナビリティの向上に関連する、パターン付与基板における欠陥を検出することと、パターン付与基板における欠陥に基づいて、パターニングデバイスの欠陥を検出することと、を含む、方法。
１３７．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティを向上させ、パターナビリティの向上と、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされる欠陥の量とのバランスをとり、パターン付与基板のパターニング生産性を考慮することなく行われ、方法が、パターン付与基板にわたってどの欠陥が繰り返され、したがってパターニングパラメータを変調することによって強調されたかを決定するために、複数のフィールドで、パターン付与基板上の欠陥候補エリアにおいて検査を繰り返すことをさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３６）
１３８．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して、異なる、より高いドーズ量のレジストで基板をコートすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３６）
１３９．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズ又は焦点を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３６）
１４０．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して異なるレジストで基板をコートすることと、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズを変更することとを含み、ドーズを変更することが、通常の製造パターニングプロセスに使用されるドーズと比べてドーズを増加させることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３９）
１４１．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセス中に提供される照明と比較して、パターニングのためにより高いコントラストの照明を提供することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３６）
１４２．パターニングパラメータを変調することが、通常のパターニングプロセスに関連する瞳充填率（ＰＦＲ）を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３６）
１４３．ＰＦＲが２０％未満に変更され、これにより、通常のパターニングプロセスのイルミネータ効率が１００％未満になる、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３６）
１４４．パターニングデバイスがマスクであり、通常のパターニングプロセスが半導体製造プロセスである、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３６）
１４５．荷電粒子検査システムが走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）である、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３６）
１４６．パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させるようにパターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおいて欠陥をパターニングする可能性と比べて、パターニングデバイスの欠陥がパターン付与基板上にパターニングされる可能性を高めるようにパターニングパラメータを変調することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３６）
１４７．変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされた欠陥が、確率的欠陥を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３６）
１４８．パターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスに関連するリソグラフィシステム又は別個のリソグラフィシステムを用いて製造される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３６）
１４９．パターン付与基板が、パターン付与半導体ウェーハであり、パターニングデバイスの欠陥が、パターニングデバイス上の粒子を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３６）
１５０．パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造されるパターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスで使用されるパターンデザイン及びパターニングデバイスと同じパターンデザイン及びパターニングデバイスを使用して製造される、先行する条項の何れか一項に記載の方法。（１３６）
１５１．パターニングデバイスの欠陥を検出するシステムであって、システムが、パターン付与基板を検査するように構成された荷電粒子検査システムであって、パターン付与基板が、パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造され、パターニングパラメータを変調することによって、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティが向上する、荷電粒子検査システムと、機械可読命令によって、パターニングデバイスの欠陥のパターナビリティの向上に関連する、パターン付与基板における欠陥を検出することと、パターン付与基板における欠陥に基づいて、パターニングデバイスの欠陥を検出することと、を行うように構成された１つ又は複数のプロセッサと、を含む、システム。
１５２．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティを向上させ、パターナビリティの向上と、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされる欠陥の量とのバランスをとり、パターン付与基板のパターニング生産性を考慮することなく行われ、荷電粒子検査システム及び１つ又は複数のプロセッサが、複数のフィールドで、パターン付与基板上の欠陥候補エリアにおいてパターン付与基板を検査することと、パターン付与基板にわたってどの欠陥が繰り返され、したがってパターニングパラメータを変調することによって強調されたかを決定することとを行うようにさらに構成される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５１）
１５３．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して、異なる、より高いドーズ量のレジストで基板をコートすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５１）
１５４．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズ又は焦点を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５１）
１５５．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して異なるレジストで基板をコートすることと、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズを変更することとを含み、ドーズを変更することが、通常の製造パターニングプロセスに使用されるドーズと比べてドーズを増加させることを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５４）
１５６．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセス中に提供される照明と比較して、パターニングのためにより高いコントラストの照明を提供することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５１）
１５７．パターニングパラメータを変調することが、通常のパターニングプロセスに関連する瞳充填率（ＰＦＲ）を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５１）
１５８．ＰＦＲが２０％未満に変更され、これにより、通常のパターニングプロセスのイルミネータ効率が１００％未満になる、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５１）
１５９．パターニングデバイスがマスクであり、通常のパターニングプロセスが半導体製造プロセスである、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５１）
１６０．荷電粒子検査システムが走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）である、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５１）
１６１．パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させるようにパターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおいて欠陥をパターニングする可能性と比べて、パターニングデバイスの欠陥がパターン付与基板上にパターニングされる可能性を高めるようにパターニングパラメータを変調することを含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５１）
１６２．変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされた欠陥が、確率的欠陥を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５１）
１６３．パターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスに関連するリソグラフィシステム又は別個のリソグラフィシステムを用いて製造される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５１）
１６４．パターン付与基板が、パターン付与半導体ウェーハであり、パターニングデバイスの欠陥が、パターニングデバイス上の粒子を含む、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５１）
１６５．パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造されるパターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスで使用されるパターンデザイン及びパターニングデバイスと同じパターンデザイン及びパターニングデバイスを使用して製造される、先行する条項の何れか一項に記載のシステム。（１５１）
１６６．命令を記憶した非一時的なコンピュータ可読媒体であって、命令がコンピュータによって実行されると、荷電粒子検査システムを用いてパターン付与基板を検査することであって、パターン付与基板が、パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造され、パターニングパラメータを変調することによって、パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティが向上する、検査することと、パターニングデバイスの欠陥のパターナビリティの向上に関連する、パターン付与基板における欠陥を検出することと、パターン付与基板における欠陥に基づいて、パターニングデバイスの欠陥を検出することと、を含む動作を生じさせる、非一時的なコンピュータ可読媒体。
１６７．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおける欠陥のパターナビリティと比べて、パターン付与基板上への欠陥のパターナビリティを向上させ、パターナビリティの向上と、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされる欠陥の量とのバランスをとり、パターン付与基板のパターニング生産性を考慮することなく行われ、動作が、パターン付与基板にわたってどの欠陥が繰り返され、したがってパターニングパラメータを変調することによって強調されたかを決定するために、複数のフィールドで、パターン付与基板上の欠陥候補エリアにおいて検査を繰り返すことをさらに含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１６６）
１６８．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して、異なる、より高いドーズ量のレジストで基板をコートすることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１６６）
１６９．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズ又は焦点を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１６６）
１７０．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスのレジストと比較して異なるレジストで基板をコートすることと、通常の製造パターニングプロセスに関連する露光照明のドーズを変更することとを含み、ドーズを変更することが、通常の製造パターニングプロセスに使用されるドーズと比べてドーズを増加させることを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１６９）
１７１．パターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセス中に提供される照明と比較して、パターニングのためにより高いコントラストの照明を提供することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１６６）
１７２．パターニングパラメータを変調することが、通常のパターニングプロセスに関連する瞳充填率（ＰＦＲ）を変更することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１６６）
１７３．ＰＦＲが２０％未満に変更され、これにより、通常のパターニングプロセスのイルミネータ効率が１００％未満になる、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１６６）
１７４．パターニングデバイスがマスクであり、通常のパターニングプロセスが半導体製造プロセスである、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１６６）
１７５．荷電粒子検査システムが走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）である、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１６６）
１７６．パターン付与基板上へのパターニングデバイスの欠陥のパターナビリティを向上させるようにパターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおいて欠陥をパターニングする可能性と比べて、パターニングデバイスの欠陥がパターン付与基板上にパターニングされる可能性を高めるようにパターニングパラメータを変調することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１６６）
１７７．変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与基板のパターニングされた欠陥が、確率的欠陥を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１６６）
１７８．パターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスに関連するリソグラフィシステム又は別個のリソグラフィシステムを用いて製造される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１６６）
１７９．パターン付与基板が、パターン付与半導体ウェーハであり、パターニングデバイスの欠陥が、パターニングデバイス上の粒子を含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１６６）
１８０．パターニングデバイスを使用し、通常の製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造されるパターン付与基板が、通常の製造パターニングプロセスで使用されるパターンデザイン及びパターニングデバイスと同じパターンデザイン及びパターニングデバイスを使用して製造される、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１６６）
１８１．命令を記憶した非一時的なコンピュータ可読媒体であって、命令がコンピュータによって実行されると、半導体製造プロセスで使用されるマスクの欠陥を検出することをコンピュータに行わせ、検出が、パターン付与基板のパターニング生産性を考慮することなく、欠陥が強調された非製造用のパターン付与半導体ウェーハに対して行われ、命令が、荷電粒子検査システムを用いてパターン付与半導体ウェーハを検査することであって、パターン付与半導体ウェーハが、マスクを使用し、通常の半導体製造パターニングプロセス中に使用されるパターニングパラメータと比較してパターニングパラメータを変調することによって製造され、パターニングパラメータを変調することが、パターン付与半導体ウェーハ上へのマスクの欠陥のパターナビリティを向上させ、パターナビリティの向上と、変調されたパターニングパラメータに関連するパターン付与半導体ウェーハのパターニングされる欠陥の量とのバランスをとるように構成される、検査することと、マスクの欠陥のパターナビリティの向上に関連する、パターン付与半導体ウェーハにおける欠陥を検出することと、パターン付与半導体ウェーハにおける欠陥に基づいて、マスクの欠陥を検出することと、を含む動作を生じさせる、非一時的なコンピュータ可読媒体。
１８２．パターニングパラメータを変調することが、通常の半導体製造プロセスのレジストと比較して、異なる、より高いドーズ量のレジストで半導体ウェーハをコートすることと、より高いドーズ量のレジストに基づいて、通常の半導体製造プロセスに関連する露光照明のドーズ又は焦点を変更することとを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１８１）
１８３．パターニングパラメータを変調することが、通常の半導体製造プロセス中に提供される照明と比較して、パターニングのためにより高いコントラストの照明を提供することを含み、より高いコントラストの照明が、半導体製造プロセスに関連する瞳充填率（ＰＦＲ）を２０％未満に変更することによって提供され、これにより、半導体製造プロセスのイルミネータ効率が１００％未満になる、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１８１）
１８４．荷電粒子検査システムが走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）である、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１８１）
１８５．パターン付与半導体ウェーハ上へのマスクの欠陥のパターナビリティを向上させるようにパターニングパラメータを変調することが、通常の製造パターニングプロセスにおいて欠陥をパターニングする可能性と比べて、マスクの欠陥が半導体ウェーハ上にパターニングされる可能性を高めるようにパターニングパラメータを変調することを含む、先行する条項の何れか一項に記載の媒体。（１８１）
【0129】
[00142] 本明細書で開示される概念は、サブ波長フィーチャ用の任意の結像、エッチング、研磨、検査などのシステムで使用することができ、ますます短い波長を生成できる新たな結像技術に有用であり得る。新たな技術には、ＥＵＶ（極端紫外線）、ＡｒＦレーザを使用して１９３ｎｍの波長、さらにはフッ素レーザを使用して１５７ｎｍの波長を生成できるＤＵＶリソグラフィが含まれる。また、ＥＵＶリソグラフィは、２０～５０ｎｍの範囲内の波長を、シンクロトロンを用いることによって、又はこの範囲内の光子を生成するために、物質（固体若しくはプラズマ）に高エネルギーの電子を衝突させることにより、生成することができる。
【0130】
[00143] 本明細書に開示される概念は、シリコンウェーハなどの基板を用いた製造に使用することができるが、開示される概念は、あらゆるタイプの製造システム（例えば、シリコンウェーハ以外の基板上での製造に使用されるもの）に使用され得ることを理解されたい。
【0131】
[00144] さらに、開示される要素の組み合わせ及びサブコンビネーションは、別々の実施形態を含み得る。例えば、本明細書に記載されるポイントレベルのフィルタリング及びフィーチャレベルのフィルタリングは、別々の実施形態に含まれてもよいし、同じ実施形態に一緒に含まれてもよい。
【0132】
[00145] 上記の説明は、例示を意図したものであり、限定を意図したものではない。従って、当業者には、以下に記載される特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されるような変更がなされ得ることが明らかであろう。
【0133】
[00146] 本明細書で使用される場合、特に別段の記載がない限り、「又は」という用語は、実行不可能な場合を除き、全ての可能な組み合わせを包含する。例えば、ある構成要素がＡ又はＢを含んでもよいと記載されている場合、特に別段の記載がない限り、又は実行不可能でない限り、その構成要素は、Ａ、又はＢ、又はＡ及びＢを含んでもよい。第２の例として、ある構成要素がＡ、Ｂ、又はＣを含んでもよいと記載されている場合、特に別段の記載がない限り、又は実行不可能でない限り、その構成要素は、Ａ、又はＢ、又はＣ、又はＡ及びＢ、又はＡ及びＣ、又はＢ及びＣ、又はＡ及びＢ及びＣを含んでもよい。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9A】
【図9B】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【国際調査報告】