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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-09-12
(54)【発明の名称】計測スロットプレート
(51)【国際特許分類】
C23C 16/44 20060101AFI20240905BHJP
C23C 16/52 20060101ALI20240905BHJP
H01L 21/31 20060101ALI20240905BHJP
【ＦＩ】
C23C16/44 B
C23C16/52
H01L21/31 C
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024514408
(86)(22)【出願日】2022-09-02
(85)【翻訳文提出日】2024-05-01
(86)【国際出願番号】 US2022042442
(87)【国際公開番号】W WO2023034559
(87)【国際公開日】2023-03-09
(31)【優先権主張番号】17/466,403
(32)【優先日】2021-09-03
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】390040660
【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．
(74)【代理人】
【識別番号】110002077
【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】ドーリング， ケネス ブライアン
(72)【発明者】
【氏名】シャー， ヴィヴェック ビー．
(72)【発明者】
【氏名】アガルワル， アシュトシュ
(72)【発明者】
【氏名】バルジャ， サンジーヴ
(72)【発明者】
【氏名】サンパスクマール， シュリハリ
(72)【発明者】
【氏名】チャン， チュンレイ
【テーマコード（参考）】
4K030
5F045
【Ｆターム（参考）】
4K030CA04
4K030CA12
4K030EA03
4K030EA04
4K030FA01
4K030FA03
4K030FA04
4K030FA10
4K030GA02
4K030GA06
4K030HA01
4K030JA03
4K030JA05
4K030JA09
4K030JA10
4K030KA39
4K030KA41
4K030LA15
5F045AA08
5F045AA15
5F045AC16
5F045AF02
5F045AF03
5F045AF04
5F045AF07
5F045DP15
5F045DP27
5F045EE19
5F045EF05
5F045EK07
5F045EM05
5F045GB04
5F045GB05
5F045GB06
5F045GB09
(57)【要約】
計測スロットプレート、処理チャンバリッド、及び計測スロットプレートを有する処理チャンバが記載されている。計測スロットプレートの各々は独立して、プレートブランク、反射率計、静電容量センサ、ガス流量計、圧力計、高温計、距離センサ（レーザ）、放射計のうちの１又は複数を含む。
【選択図】図８
【選択図】図８
【特許請求の範囲】
【請求項1】
計測スロットプレートであって、細長い計測プレート本体の厚さを画定する上面及び底面、前記細長い計測プレート本体の長さを画定する内端及び外端を有する細長い計測プレート本体であって、
前記細長い計測プレート本体は、上部と下部とを有し、前記上部は、前記下部よりも大きい幅を有して前記上部の底面を形成し、前記下部は、前記下部の長さに沿って延在する第１の側面と第２の側面とを有する、細長い計測プレート本体と、
前記細長い計測プレート本体の上面にある入口であって、本体の厚さを少なくとも部分的に貫通して出口まで延在するガスチャネルに接続されている、入口と、
前記細長い計測プレート本体の厚さを貫通して延在する高温計開口部と
を備える、計測スロットプレート。
【請求項2】
前記内端及び前記外端の１又は複数は、前記下部の端面に沿って真空流又はパージガス流の１又は複数を供給するように構成されたガスポートを含む、請求項１に記載の計測スロットプレート。
【請求項3】
前記下部の第１の側面及び第２の側面に形成された凹部を更に備え、前記凹部は、ガスの流れが前記入口から前記ガスチャネルを通って前記凹部内を通過することができるように、前記ガスチャネルと流体連通している、請求項１に記載の計測スロットプレート。
【請求項4】
前記細長い計測プレート本体の上部は、前記上部の側面に形成された円弧状凹部を含む、請求項１に記載の計測スロットプレート。
【請求項5】
処理チャンバリッドであって、リッド本体の厚さを画定する上面及び底面を有するリッド本体であって、リッド本体に垂直な方向に沿って延在する基準軸を有するリッド本体と、
前記リッド本体の厚さを貫通して延在し、前記リッド本体の基準軸の周りに対称に配置された複数のステーション開口部と、
前記リッド本体の厚さを貫通して延在する複数のスロット開口部であって、前記スロット開口部の各々は、隣接するステーション開口部の間に配置され、長さ及び幅を有し、前記長さは、前記基準軸の近くに位置する前記スロット開口部の内端から、前記内端よりも前記基準軸から離れた前記スロット開口部の外端まで測定される、複数のスロット開口部と
を備える、処理チャンバリッド。
【請求項6】
前記複数のスロット開口部の各内部に位置決めされた細長い計測プレートを更に備える、請求項５に記載の処理チャンバリッド。
【請求項7】
少なくとも１つの細長い計測プレートは、処理中のウエハの温度を測定するように構成された高温計を含む、請求項６に記載の処理チャンバリッド。
【請求項8】
前記細長い計測プレートの各々は独立して、プレートブランク、反射率計、静電容量センサ、ガス流量計、圧力計、高温計、距離センサ（レーザ）又は放射計のうちの１又は複数を含む、請求項６に記載の処理チャンバリッド。
【請求項9】
前記細長い計測プレートの各々は、上部及び下部を含み、前記上部は、前記細長い計測プレートを前記スロット開口部内に支持するように構成された底面を有する前記下部よりも大きい幅を有する、請求項６に記載の処理チャンバリッド。
【請求項10】
前記細長い計測プレートの少なくとも１つの端部は、前記細長い計測プレートの端面と前記スロット開口部の端面との間に真空流又はパージガス流の１又は複数を供給するように構成されたガスポートを含む、請求項９に記載の処理チャンバリッド。
【請求項11】
前記細長い計測プレートの少なくとも１つは、前記上部の上面に入口を含み、前記入口は、細長い計測プレート本体の厚さを少なくとも部分的に貫通して出口まで延在するガスチャネルに接続されている、請求項９に記載の処理チャンバリッド。
【請求項12】
前記細長い計測プレートは更に、下部の第１の側面及び第２の側面に形成された凹部を含み、前記凹部は、ガスの流れが前記入口から前記ガスチャネルを通って前記凹部内を通過することができるように、前記ガスチャネルと流体連通している、請求項１１に記載の処理チャンバリッド。
【請求項13】
前記細長い計測プレートの少なくとも１つは、細長い計測プレート本体の厚さを貫通して延在するライトパイプを含み、前記ライトパイプは、ガスが前記ガスチャネルを通って前記凹部内に流れるときに前記ライトパイプがガスカーテンで囲まれるように、第１の側面及び第２の側面の凹部間に形成された開口部内に位置決めされる、請求項１２に記載の処理チャンバリッド。
【請求項14】
前記細長い計測プレートの上部は、前記上部の側面に形成された円弧状凹部を含む、請求項９に記載の処理チャンバリッド。
【請求項15】
処理チャンバであって、プロセス領域を囲む側壁と底部とを有するチャンバ本体と、
前記プロセス領域内に回転軸を有する基板支持体であって、前記回転軸から距離を置いて位置決めされ、前記回転軸の周りに対称に配置された複数の可動ヒータを含む、基板支持体と、
前記チャンバ本体の側壁の上部エッジと接触するように位置決めされたチャンバリッドであって、前記チャンバリッドは、リッド本体の厚さを画定する上面及び底面を有するリッド本体であって、リッド本体に垂直な方向に沿って延在する基準軸を有するリッド本体と、前記リッド本体の厚さを貫通して延在し、前記リッド本体の基準軸の周りに対称に配置された複数のステーション開口部と、前記リッド本体の厚さを貫通して延在する複数のスロット開口部であって、前記スロット開口部の各々は、隣接するステーション開口部の間に位置し、長さ及び幅を有し、前記長さは、前記基準軸の近くに位置する前記スロット開口部の内端から、前記内端よりも前記基準軸から離れた前記スロット開口部の外端まで測定される、複数のスロット開口部と
を含む、チャンバリッドと
を備える、処理チャンバ。
【請求項16】
前記複数のスロット開口部の各内部に配置された細長い計測プレートを更に備える、請求項１５に記載の処理チャンバ。
【請求項17】
前記細長い計測プレートの少なくとも１つは、移動中のウエハの温度を測定するように構成された高温計を含む、請求項１６に記載の処理チャンバ。
【請求項18】
前記細長い計測プレートの各々は上部と下部とを含み、前記上部は、前記細長い計測プレートを前記スロット開口部内に支持するように構成された底面を有する前記下部より大きい幅を有する、請求項１６に記載の処理チャンバ。
【請求項19】
前記細長い計測プレートの少なくとも１つの端部は、前記細長い計測プレートの端面と前記スロット開口部の端面との間に真空流又はパージガス流の１又は複数を供給するように構成されたガスポートを含む、請求項１８に記載の処理チャンバ。
【請求項20】
前記細長い計測プレートの少なくとも１つは、前記上部の上面に入口を含み、前記入口は、細長い計測プレート本体の厚さを少なくとも部分的に貫通して出口まで延在するガスチャネルに接続され、前記細長い計測プレートは更に、前記下部の第１の側面及び第２の側面に形成された凹部を含み、前記凹部は、ガスの流れが前記入口から前記ガスチャネルを通って前記凹部内を通過することができるように、前記ガスチャネルと流体連通している、請求項１８に記載の処理チャンバ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
［０００１］本開示の実施形態は、概して、処理チャンバリッドに関する。より詳細には、本開示の実施形態は、計測スロットプレートを組み込んだ処理チャンバリッドを対象とする。
【背景技術】
【0002】
［０００２］マイクロエレクトロニクスデバイスの製造では、その場（インシトゥ）でのウエハ処理を最適化する必要がある。原子層堆積（ＡＬＤ）チャンバを含む幾つかの処理チャンバでは、ウエハとヒータを処理ステーション間で迅速に移動させて、前駆体と反応性化学物質に別々に暴露する。ウエハは、熱擾乱及びプロセス汚染を受けることなく移動するため、非接触環境でウエハの温度及び膜特性を正確に測定することは困難な場合が多い。
【0003】
［０００３］更に、ウエハハンドオフとも呼ばれる、基板支持体又はヒータ上へのウエハの配置は、ウエハ上に形成される膜の完全性及び均一性に影響を与える可能性がある。例えば、金属酸化物ＡＬＤ膜の厚さは、ウエハハンドオフに特に敏感である。通常、ウエハハンドオフは目視で実行されるが、この方法はしばしば不正確で時間がかかる。また、手作業によるウエハハンドオフは、処理チャンバリッドを持ち上げる必要があり、真空が抜けて、ウエハ処理が中断される可能性がある。
【0004】
［０００４］したがって、測定値のドリフト及び真空の抜けを伴わずに、その場でのウエハ処理をリアルタイムで制御、校正、評価、監視する必要がある。
【発明の概要】
【0005】
［０００５］本開示の１又は複数の実施形態は、計測スロットプレートを対象とする。計測スロットプレートは、本体の厚さを画定する上面及び底面、本体の長さを画定する内端及び外端を有する細長い計測プレート本体を備える。細長い計測プレート本体は、上部と下部とを有する。上部は、下部よりも大きい幅を有して上部の底面を形成する。下部は、下部の長さに沿って延在する第１の側面と第２の側面とを有する。計測スロットプレートは、細長い計測プレート本体の上面にある入口を備える。入口は、本体の厚さを少なくとも部分的に貫通して出口まで延在するガスチャネルに接続されている。計測スロットプレートは、本体の厚さを貫通して延在する高温計開口部を備える。
【0006】
［０００６］本開示の別の実施形態は、処理チャンバリッドを対象とする。処理チャンバリッドは、リッド本体の厚さを画定する上面及び底面を有するリッド本体を備える。リッド本体は、リッド本体に垂直な方向に沿って延在する基準軸を有する。処理チャンバリッドは、リッド本体の厚さを貫通して延在し、リッド本体の基準軸の周りに対称に配置された複数のステーション開口部を備える。処理チャンバリッドは、リッド本体の厚さを貫通して延在する複数のスロット開口部であって、スロット開口部の各々は、隣接するステーション開口部の間に配置され、長さ及び幅を有し、長さは、基準軸の近くに位置するスロット開口部の内端から、内端よりも基準軸から離れたスロット開口部の外端まで測定される、複数のスロット開口部を備える。
【0007】
［０００７］本開示の更なる実施形態は、処理チャンバを対象とする。処理チャンバは、プロセス領域を囲む側壁と底部とを有するチャンバ本体と、プロセス領域内に回転軸を有する基板支持体とを備える。基板支持体は、回転軸から距離を置いて配置され、回転軸の周りに対称に配置された複数の可動ヒータを含む。処理チャンバは、チャンバ本体の側壁の上部エッジと接触するように位置決めされたチャンバリッドを備える。チャンバリッドは、リッド本体の厚さを画定する上面及び底面を有するリッド本体であって、リッド本体に垂直な方向に沿って延在する基準軸を有するリッド本体と、リッド本体の厚さを貫通して延在し、リッド本体の基準軸の周りに対称に配置された複数のステーション開口部と、リッド本体の厚さを貫通して延在する複数のスロット開口部であって、スロット開口部の各々は、隣接するステーション開口部の間に配置され、長さ及び幅を有し、長さは、基準軸の近くに位置するスロット開口部の内端から、内端よりも基準軸から離れたスロット開口部の外端まで測定される、複数のスロット開口部とを含む。
【0008】
［０００８］上述した本開示の特徴を詳細に理解できるように、一部が添付の図面に例示された実施形態を参照しながら、上記に要約した本開示をより具体的に説明する。しかし、添付の図面は本開示の典型的な実施形態を示すものに過ぎず、したがって、その範囲を限定するものと見なすべきではなく、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうることに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】本開示の１又は複数の実施形態に係る処理チャンバを示す断面等角図である。
【図2】本開示の１又は複数の実施形態に係る処理チャンバを示す断面図である。
【図3】本開示の１又は複数の実施形態に係る処理ステーションを示す分解断面図である。
【図4】本開示の１又は複数の実施形態に係る処理プラットフォームの概略図である。
【図5】本開示の１又は複数の実施形態に係る処理チャンバリッドを示す上面図である。
【図6】本開示の１又は複数の実施形態に係る処理チャンバリッドを示す上面図である。
【図7A】本開示の１又は複数の実施形態に係るスロット開口部を示す上面図である。
【図7B】計測スロットプレートの一実施形態を示す正面断面図である。
【図7C】計測スロットプレートの一実施形態を示す正面断面図である。
【図8】１又は複数の実施形態に係るレーザ及び反射率計計測スロットキットを示す断面図である。
【図10】１又は複数の実施形態に係る高温計を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
［００２１］本開示の幾つかの例示的な実施形態を説明する前に、本開示は、以下の説明に記載される構築又はプロセスステップの詳細に限定されないことを理解されたい。本開示は、他の実施形態が可能であり、様々な方法で実行又は実施することができる。
【0011】
［００２２］本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用する用語「基板」及び「ウエハ」は、交換可能に使用され、いずれもプロセスが作用する表面、又は表面の一部を指す。また、文脈が明らかにそうでないことを示さない限り、当業者には、基板への言及が基板の一部分のみを指しうることが理解されよう。更に、基板への堆積への言及は、ベア基板と、その上に１又は複数の膜又は特徴が堆積又は形成された基板の両方を意味し得る。
【0012】
［００２３］本明細書で使用する「基板」は、製造プロセス中に膜処理が実行される基板に形成された任意の基板又は材料表面を指す。例えば、処理が実行され得る基板表面には、用途に応じて、シリコン、酸化ケイ素、ストレインドシリコン、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）、炭素がドープされた酸化ケイ素、窒化ケイ素、ドープされたシリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、ガラス、サファイア等の材料、及び金属、金属窒化物、金属合金、及び他の導電性材料等の他の任意の材料が含まれる。基板には、限定しないが、半導体ウエハが含まれる。基板は、基板表面を研磨、エッチング、還元、酸化、水酸化（又は、化学的機能性を付与するために標的化学部位を他の方法で生成もしくはグラフト化）、アニール及び／又は焼成するための前処理プロセスに暴露され得る。基板自体の表面で直接膜処理を行うことに加えて、本開示では、開示される膜処理ステップのいずれもが、以下により詳細に開示するように、基板に形成された下層で行われてよく、「基板表面」という用語は、文脈が示すように、そのような下層を含むことが意図される。したがって、例えば、膜／層又は部分膜／層が基板表面上に堆積された場合、新たに堆積された膜／層の露出した表面が基板表面となる。所定の基板表面が何を含むかは、どのような膜を堆積させるか、また使用される特定の化学物質によって決まる。
【0013】
［００２４］本明細書で使用する「原子層堆積」又は「周期的堆積」とは、基板表面に材料の層を堆積させるために、２種類以上の反応性化合物に順次暴露することを指す。基板又は基板の一部は、処理チャンバの反応ゾーン内に導入される２種以上の反応性化合物に順次又は別々に曝露される。時間領域ＡＬＤプロセスでは、各反応性化合物への曝露は、各化合物が基板表面に付着及び／又は基板表面で反応し、その後処理チャンバからパージされることができるように時間遅延によって分離される。これらの反応性化合物に、基板が順次曝露されると言われる。
【0014】
［００２５］空間ＡＬＤプロセスでは、基板表面の異なる部分、又は基板表面上の材料が、２種類以上の反応性化合物に同時に曝露されるため、基板上の任意の所与の点が実質的に同時に１を超える反応性化合物に曝露されることはない。本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用する場合、この点で使用される「実質的に」という用語は、当業者に理解されるように、拡散により基板の小さい部分が複数の反応性ガスに同時に曝露され得る可能性があり、同時曝露が意図されないことを意味する。
【0015】
［００２６］時間領域ＡＬＤプロセスの一態様では、第１の反応性ガス（すなわち、第１の前駆体又は化合物Ａ、例えばマンガン前駆体、ルテニウム前駆体、又はマンガン－ルテニウム前駆体）が、第１の時間遅延に続いて反応ゾーン内にパルス導入される。次に、第２の前駆体又は化合物Ｂ（例えば、還元剤）が反応ゾーン内にパルス導入され、第２の遅延が続く。各時間遅延中に、アルゴン等のパージガスを処理チャンバ内に導入させて、反応ゾーンをパージすることができる、又は反応ゾーンから全ての残留反応性化合物又は反応副生成物を除去することができる。あるいはパージガスは、反応性化合物のパルス間の時間遅延中にパージガスのみが流れるように、堆積プロセスを通して連続的に流すことができる。反応性化合物はあるいは、所望の膜又は膜厚が基板表面上に形成されるまでパルス導入される。いずれのシナリオにおいても、化合物Ａ、パージガス、化合物Ｂ、パージガスをパルスするＡＬＤプロセスが１サイクルとなる。サイクルは、化合物Ａ又は化合物Ｂのいずれかで開始して、所望の厚さの膜に達するまで、サイクルのそれぞれの順序を継続することができる。
【0016】
［００２７］本明細書で使用する「パルス」又は「投与（用量）」は、プロセスチャンバ内に断続的又は非連続的に導入される供給源ガスの量を指すものである。各パルス内の特定の化合物の量は、パルスの持続時間によって時間と共に変化し得る。特定のプロセスガスは、単一の化合物又は２種類以上の化合物の混合物／組み合わせ、例えば以下に説明するプロセスガスを含み得る。
【0017】
［００２８］本開示は、処理チャンバの実施形態を提供する。１又は複数の実施形態では、処理チャンバは、プロセス領域を囲む側壁及び底部を有するチャンバ本体を備える。１又は複数の実施形態では、処理チャンバは、プロセス領域内に回転軸を有する基板支持体を備える。１又は複数の実施形態では、基板支持体は、回転軸から距離を置いて位置決めされ、回転軸の周りに対称に配置された複数の可動ヒータを備える。
【0018】
［００２９］本開示は、シングルウエハ又はマルチウエハ（バッチとも呼ばれる）プロセスチャンバと共に使用するための方法を提供する。図１及び図２は、本開示の１又は複数の実施形態に係る処理チャンバ１００を示す図である。図１に、本開示の１又は複数の実施形態に係る断面等角図として図示した処理チャンバ１００を示す。図２に、本開示の１又は複数の実施形態に係る処理チャンバ１００の断面を示す。したがって、本開示の幾つかの実施形態は、基板支持体２００を組み込んだ処理チャンバ１００を対象とする。
【0019】
［００３０］処理チャンバ１００は、壁１０４及び底部１０６を有するハウジング１０２を備える。ハウジング１０２は、処理チャンバリッド３００と共に、内部領域とも呼ばれる内部領域１０９を画定する。
【0020】
［００３１］図示した処理チャンバ１００は、複数の処理ステーション１１０を含む。処理ステーション１１０は、ハウジング１０２の内部領域１０９に位置し、基板支持体２００の回転軸２１１の周りに円形配置で位置決めされる。各処理ステーション１１０は、前面１１４を有するガス分配プレート１１２（ガス注入器とも呼ばれる）を含む。幾つかの実施形態では、各ガス分配プレート１１２の前面１１４は実質的に同一平面上にある。処理ステーション１１０は、処理が行われ得る領域として画定される。例えば、幾つかの実施形態では、処理ステーション１１０は、後述する基板支持体２００の支持面２３１と、ガス分配プレート１１２の前面１１４とによって囲まれる領域として画定される。図示の実施形態では、ヒータ２３０が基板支持面として機能し、基板支持体２００の一部を形成する。
【0021】
［００３２］処理ステーション１１０は、任意の適切なプロセスを実行し、任意の適切なプロセス条件を提供するように構成され得る。使用されるガス分配プレート１１２の種類は、例えば、実行されるプロセスの種類及びシャワーヘッド又はガス注入器の種類に依存する。例えば、原子層堆積（ＡＬＤ）装置として動作するように構成された処理ステーション１１０は、シャワーヘッド又は渦タイプのガス注入器を有していてよく、その一方で、プラズマステーションとして動作するように構成された処理ステーション１１０は、プラズマガスがウエハに向かって流れるのを可能にしつつプラズマを生成するための１又は複数の電極及び／又は接地プレート構成を有していてよい。図２に示す実施形態は、図面の左側（処理ステーション１１０ａ）に、図面の右側（処理ステーション１１０ｂ）とは異なる種類の処理ステーション１１０を有する。適切な処理ステーション１１０には、熱処理ステーション、マイクロ波プラズマ、３電極ＣＣＰ、ＩＣＰ、平行平板ＣＣＰ、ＵＶ露光、レーザ処理、ポンピングチャンバ、アニールステーション、及び計測ステーションが含まれるが、これらに限定されない。
【0022】
［００３３］図３は、本開示の１又は複数の実施形態に係る処理ステーション１１０又はプロセスチャンバで使用するためのガス分配アセンブリ１０５を示す分解図である。当業者は、図３に図示した実施形態が一般的な概略図であり、詳細（例えば、ガスチャネル）が省略されていることを認識するであろう。図示したガス分配アセンブリ１０５は、３つの主要な構成要素：ガス分配プレート１１２、リッド１８０、及びオプションのスペーサ３３０を含む。スペーサ３３０は、ポンプ／パージスペーサ、インサート又はポンプ／パージインサートとも呼ばれる。幾つかの実施形態では、スペーサ３３０は、真空（排気）に接続されている、又は真空と流体連通している。幾つかの実施形態では、スペーサ３３０は、パージガス源に接続されている、又はパージガス源と流体連通している。
【0023】
［００３４］チャンバリッド３００の複数のステーション開口部３１０は、均一なサイズであってよい、又は異なるサイズを有していてよい。異なるサイズ／形状のガス分配プレート１１２は、複数のステーション開口部３１０からガス分配プレート１１２に移行するのに適した形状のポンプ／パージスペーサ３３０と共に使用することができる。例えば、図示したように、ポンプ／パージスペーサ３３０は、側壁３３５を有する上部３３１及び底部３３３を含む。チャンバリッド３００の複数の開口部３１０内に挿入されると、レッジ３３４が複数の開口部３１０に位置決めされるように構成される。
【0024】
［００３５］ポンプ／パージスペーサ３３０は、ガス分配プレート１１２を挿入することができる開口部３３９を含む。図示したガス分配プレート１１２は、ポンプ／パージスペーサ３３０の上部３３１に隣接する裏面３３２によって形成されたレッジと接触し得るフランジ３４２を有する。ガス分配プレート１１２の直径又は幅は、ポンプ／パージスペーサ３３０の開口部３３９内に収まり得る任意の適切なサイズであってよい。これにより、チャンバリッド３００の同じ開口部３１０内で様々な種類のガス分配プレート１１２を使用することができる。
【0025】
［００３６］図４は、本開示の１又は複数の実施形態に係る処理プラットフォーム４００を示す図である。図４に示す実施形態は、１つの可能な構成を表したものに過ぎず、本開示の範囲を限定するものとして捉えるべきではない。例えば、幾つかの実施形態では、処理プラットフォーム４００は、図示した実施形態とは異なる数の処理チャンバ１００、バッファステーション４２０及び／又はロボット４３０のうちの１又は複数の構成を有する。
【0026】
［００３７］例示的な処理プラットフォーム４００は、複数の側面４１１、４１２、４１３、４１４を有する中央移送ステーション４１０を含む。図示の移送ステーション４１０は、第１の側面４１１、第２の側面４１２、第３の側面４１３及び第４の側面４１４を有する。４つの側面を示したが、当業者であれば、例えば、処理プラットフォーム４００の全体構成に応じて、移送ステーション４１０に任意の適切な数の側面が存在し得ることを理解するであろう。幾つかの実施形態では、移送ステーション４１０は３つの側面、４つの側面、５つの側面、６つの側面、７つの側面又は８つの側面を有する。
【0027】
［００３８］移送ステーション４１０は、その中に配置されたロボット４３０を有する。ロボット４３０は、処理中にウエハを移動させることができる任意の適切なロボットであり得る。幾つかの実施形態では、ロボット４３０は、第１のアーム４３１及び第２のアーム４３２を有する。第１のアーム４３１及び第２のアーム４３２は、他のアームから独立して動くことができる。第１のアーム４３１及び第２のアーム４３２は、ｘ－ｙ平面内及び／又はｚ軸に沿って動くことができる。幾つかの実施形態では、ロボット４３０は、第３のアーム（図示せず）又は第４のアーム（図示せず）を含む。各アームは、他のアームから独立して動くことができる。
【0028】
［００３９］図示した実施形態は、２つが中央移送ステーション４１０の第２の側面４１２、第３の側面４１３及び第４の側面４１４の各々に接続された、６つの処理チャンバ１００を含む。各処理チャンバ１００は、異なるプロセスを実行するように構成され得る。
【0029】
［００４０］処理プラットフォーム４００はまた、中央移送ステーション４１０の第１の側面４１１に接続された１又は複数のバッファステーション４２０も含み得る。バッファステーション４２０は、同じ機能又は異なる機能を実行することができる。例えば、バッファステーションは、処理されて元のカセットに戻されるウエハのカセットを保持することができる、又はバッファステーションのうちの１つは、処理後に他のバッファステーションに移動される未処理のウエハを保持することができる。幾つかの実施形態では、バッファステーションの１又は複数は、処理前及び／又は処理後のウエハを前処理、前加熱、又は洗浄するように構成される。
【0030】
［００４１］処理プラットフォーム４００はまた、中央移送ステーション４１０といずれかの処理チャンバ１００との間に１又は複数のスリットバルブ４１８を含み得る。スリットバルブ４１８は、処理チャンバ１００内の内部領域を中央移送ステーション４１０内の環境から隔離するために開閉することができる。例えば、処理チャンバが処理中にプラズマを生成する場合、漂遊プラズマが移送ステーションのロボットに損傷を与えるのを防ぐために、その処理チャンバ用のスリットバルブを閉じることが有用であり得る。
【0031】
［００４２］処理プラットフォーム４００は、ウエハ又はウエハのカセットを処理プラットフォーム４００内にロードできるように、ファクトリインターフェース４５０に接続することができる。ファクトリインターフェース４５０内のロボット４５５を使用して、ウエハ又はカセットをバッファステーション内外に移動させることができる。ウエハ又はカセットは、中央移送ステーション４１０のロボット４３０によって処理プラットフォーム４００内で移動させることができる。幾つかの実施形態では、ファクトリインターフェース４５０は、別のクラスタツール（すなわち、別のマルチチャンバ処理プラットフォーム）の移送ステーションである。
【0032】
［００４３］コントローラ４９５は、様々な構成要素の動作を制御するために、処理プラットフォーム４００の様々な構成要素に配設され、結合され得る。コントローラ４９５は、処理プラットフォーム４００全体を制御する単一のコントローラ、又は処理プラットフォーム４００の個々の部分を制御する複数のコントローラであり得る。例えば、幾つかの実施形態の処理プラットフォーム４００は、個々の処理チャンバ１００、中央移送ステーション４１０、ファクトリインターフェース４５０及び／又はロボット４３０のうちの１又は複数のために別々のコントローラを備える。
【0033】
［００４４］幾つかの実施形態では、処理チャンバ１００は更に、第１の温度又は第２の温度のうちの１又は複数を制御するように構成された、複数の実質的に共平面の支持面２３１に接続されたコントローラ４９５を備える。１又は複数の実施形態では、コントローラ４９５は、基板支持体２００（図２）の移動速度を制御する。
【0034】
［００４５］幾つかの実施形態では、コントローラ４９５は、中央処理装置（ＣＰＵ）４９６、メモリ４９７、及び支援回路４９８を含む。コントローラ４９５は、処理プラットフォーム４００を直接制御することができる、又は特定のプロセスチャンバ及び／又は支援システム構成要素に関連するコンピュータ（又はコントローラ）を介して制御することができる。
【0035】
［００４６］コントローラ４９５は、様々なチャンバ及びサブプロセッサを制御するために産業環境で使用することができる任意の形式の汎用コンピュータプロセッサの１つであってよい。コントローラ４９５のメモリ４９７又はコンピュータ可読媒体は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読取専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスク、ハードディスク、光記憶媒体（例えば、コンパクトディスク又はデジタルビデオディスク）、フラッシュドライブ、又はローカルもしくはリモートの任意の他の形態のデジタルストレージ等の容易に入手可能なメモリのうちの１又は複数であってよい。メモリ４９７は、処理プラットフォーム４００のパラメータ及び構成要素を制御するためにプロセッサ（ＣＰＵ４９６）によって実行可能な命令セットを保持することができる。
【0036】
［００４７］支援回路４９８は、従来の方法でプロセッサを支援するためにＣＰＵ４９６に結合される。これらの回路は、キャッシュ、電源、クロック回路、入出力回路及びサブシステム等を含む。１又は複数のプロセスが、プロセッサによって実行又は呼び出されると、プロセッサに、本明細書に記載の方法で処理プラットフォーム４００又は個々の処理チャンバの動作を制御させるソフトウェアルーチンとして、メモリ４９７に記憶され得る。ソフトウェアルーチンはまた、ＣＰＵ４９６によって制御されるハードウェアから遠隔に位置する第２のＣＰＵ（図示せず）によって記憶及び／又は実行され得る。
【0037】
［００４８］本開示のプロセス及び方法の幾つか又は全ては、ハードウェアにおいても実行可能である。このように、プロセスは、ソフトウェアにおいて実装され、コンピュータシステムを使用して実行され得る、あるいはハードウェアにおいて、例えば、特定用途向け集積回路又は他の種類のハードウェア実装として実行され得る、又はソフトウェア及びハードウェアの組み合わせとして実行され得る。ソフトウェアルーチンは、プロセッサによって実行されると、汎用コンピュータを、プロセスが実行されるようにチャンバの動作を制御する特定目的のコンピュータ（コントローラ）に変換する。
【0038】
［００４９］幾つかの実施形態では、コントローラ４９５は、方法を実行するための個々のプロセス又はサブプロセスを実行するための１又は複数の構成を有する。コントローラ４９５は、方法の機能を実行するための中間コンポーネントに接続され、中間コンポーネントを動作させるように構成され得る。例えば、コントローラ４９５は、ガスバルブ、アクチュエータ、モータ、スリットバルブ、真空制御、又は他の構成要素のうちの１又は複数に接続され、それらを制御するように構成され得る。
【0039】
［００５０］各パルス／投与の持続時間は可変であり、例えば、処理チャンバの容積容量、及びそれに結合された真空システムの能力に対応するように調整することができる。更に、プロセスガスの投与時間は、プロセスガスの流量、プロセスガスの温度、制御バルブの種類、採用したプロセスチャンバの種類、及びプロセスガスの成分が基板表面上に吸着する能力に応じて変更され得る。投与時間は、形成される層の種類や形成されるデバイスの形状寸法に基づいて変更され得る。投与時間は、基板の実質的に全表面上に吸着／化学吸着し、その上にプロセスガス成分の層を形成するのに十分な量の化合物を供給するのに十分な長さでなければならない。
【0040】
［００５１］本開示の幾つかの実施形態は、空間処理チャンバとも呼ばれるバッチ処理チャンバを使用する膜堆積プロセスを対象とする。１又は複数の実施形態では、バッチ処理チャンバは、当業者に周知の任意のバッチ処理チャンバであってよい。
【0041】
［００５２］図５を参照すると、処理チャンバリッド３００は、リッド本体の厚さを画定する上面５１２及び底面を有するリッド本体５１０を備える。１又は複数の実施形態では、リッド本体の厚さは、１インチから５インチの範囲、又は１．５インチから４．５インチの範囲内、又は２インチから４インチの範囲である。１又は複数の実施形態では、リッド本体５１０は、リッド本体５１０に垂直な方向に沿って延在する基準軸５２０を有する。１又は複数の実施形態では、基準軸５２０は、処理チャンバリッドの中心に位置し、リッド本体５１０に垂直な方向に沿って延在する中心軸である。当業者は、図５に示す実施形態が、例示の目的で基準軸５２０を中心軸として示していることを認識するであろう。
【0042】
［００５３］１又は複数の実施形態では、処理チャンバリッド３００は、リッド本体の厚さを貫通して延在し、リッド本体の基準軸５２０の周りに対称に配置された複数のステーション開口部３１０を含む。１又は複数の実施形態では、複数のステーション開口部３１０は、少なくとも２つの開口部を含む。１又は複数の実施形態では、複数のステーション開口部３１０は４つの開口部を含む。
【0043】
［００５４］図５～図７Ｃを参照すると、１又は複数の実施形態では、処理チャンバリッド３００は、リッド本体の厚さを貫通して延在する複数のスロット開口部５３０を含む。１又は複数の実施形態では、各スロット開口部５３０は、隣接するステーション開口部３１０の間に配置され、長さＬ及び幅Ｗを有し、長さは、基準軸５２０の近くに位置するスロット開口部５３０の内端５４０から、内端５４０よりも基準軸５２０から離れたスロット開口部５３０の外端５５０まで測定される。１又は複数の実施形態では、処理チャンバリッド３００は、複数のスロット開口部５３０の各々の内部に位置決めされた計測スロットプレート６００を備える。幾つかの実施形態の長さＬは、１００ｍｍから４００ｍｍの範囲、又は２００ｍｍから３５０ｍｍの範囲である。図７Ａは、その中に配置された計測スロットプレート６００を有するスロット開口部５３０を示す上面図である。
【0044】
［００５５］本開示の実施形態は、真空密閉された処理チャンバを有利に提供する。１又は複数の実施形態では、処理チャンバリッド３００は真空密閉される。１又は複数の実施形態では、複数のスロット開口部５３０の各計測スロットプレート６００は、独立して真空密閉された窓を有する。
【0045】
［００５６］図８及び図９を参照すると、計測スロットプレート６００は、細長い計測プレート本体６１０の厚さを画定する上面６１２及び底面６１４を有する細長い計測プレート本体６１０を備える。１又は複数の実施形態では、細長い計測プレート本体６１０の厚さは、２インチから６インチの範囲、又は２．５インチから５インチの範囲である。
【0046】
［００５７］１又は複数の実施形態では、細長い計測プレート本体６１０は、本体の長さＬ１を画定する内端６１６及び外端６１８を有する。幾つかの実施形態では、内端６１６及び外端６１８のうちの１又は複数は、下部の端面に沿って真空流又はパージガス流のうちの１又は複数を供給するように構成されたガスポート（図示せず）を備える。１又は複数の実施形態では、本体の長さＬ１は、１００ｍｍから４００ｍｍの範囲、又は２５０ｍｍから３７５ｍｍの範囲、又は３００ｍｍから３５０ｍｍの範囲である。
【0047】
［００５８］図７Ｂ及び図７Ｃに戻って参照すると、細長い計測プレート本体６１０は、上部６３０及び下部６４０を有する。１又は複数の実施形態では、上部６３０は、下部６４０よりも大きい幅を有して上部の底面６３２を形成する。１又は複数の実施形態では、上部６３０の底面６３２は、細長い計測スロットプレート６００をスロット開口部５３０内のレッジ５３２上に支持するように構成される（図７Ｂ参照）。幾つかの実施形態では、上部６３０の底面６３２は、細長い計測スロットプレート６００をリッド本体５１０の上面５１２上で支持するように構成される（図７Ｃ参照）。１又は複数の実施形態では、細長い計測プレート本体６１０の上部６３０は、１０ｍｍから５０ｍｍの範囲、又は１５ｍｍから４５ｍｍの範囲、又は２０ｍｍから４０ｍｍの範囲、又は２５ｍｍから３５ｍｍの範囲の幅を有する。
【0048】
［００５９］図８を参照すると、細長い計測スロットプレート６００の上部６３０は、上部６３０の側面に形成された円弧状凹部６３１を含む。１又は複数の実施形態では、細長い計測プレート本体６１０の下部６４０は、５ｍｍから１５ｍｍの範囲、又は７．５ｍｍから１０ｍｍの範囲の幅を有する。図９を参照すると、細長い計測プレート本体６１０の下部６４０は、下部の長さＬ２に沿って延在する第１の側面及び第２の側面を有する。１又は複数の実施形態では、下部の長さＬ２は、３００ｍｍから４００ｍｍの範囲、又は３２５ｍｍから３７５ｍｍの範囲、又は３５０ｍｍから３６０ｍｍの範囲である。
【0049】
［００６０］１又は複数の実施形態では、計測スロットプレート６００は、細長い計測プレート本体６１０の上面６１２に入口（図示せず）を備える。１又は複数の実施形態では、入口は、本体６１０の厚さを少なくとも部分的に貫通して出口まで延在するガスチャネルに接続される。
【0050】
［００６１］１又は複数の実施形態では、計測スロットプレート６００は、本体６１０の厚さを貫通して延在する高温計開口部（図示せず）を備える。１又は複数の実施形態では、高温計が高温計開口部に配置される。
【0051】
［００６２］１又は複数の実施形態では、計測スロットプレート６００は、下部の第１の側面及び第２の側面に形成された凹部６３１を備える。１又は複数の実施形態では、凹部６３１は、ガスの流れが入口からガスチャネルを通って凹部内を通過できるように、ガスチャネルと流体連通している。
【0052】
［００６３］１又は複数の実施形態では、細長い計測スロットプレート６００の各々は、独立して、プレートブランク、反射率計、静電容量センサ、ガス流量計、圧力計、高温計、距離センサ、又は放射計のうちの１又は複数を備える。
【0053】
［００６４］１又は複数の実施形態では、細長い計測スロットプレート６００の少なくとも１つは、処理中のウエハの温度を測定するように構成されたプレートブランク、反射率計、静電容量センサ、ガス流量計、圧力計、高温計、距離センサ、又は放射計のうちの１又は複数を備える。１又は複数の実施形態では、細長い計測スロットプレート６００の少なくとも１つは、ウエハが１つの処理ステーションから別の処理ステーションに移動する際にウエハの温度を測定するように構成されたプレートブランク、反射率計、静電容量センサ、ガス流量計、圧力計、高温計、距離センサ、又は放射計のうちの１又は複数を備える。１又は複数の実施形態では、細長い計測スロットプレート６００の少なくとも１つは、処理中のウエハの温度を測定するように構成された高温計を備える。１又は複数の実施形態では、細長い計測プレートの少なくとも１つは、ウエハが１つの処理ステーションから別の処理ステーションに移動する際にウエハの温度を測定するように構成された高温計を備える。幾つかの実施形態では、計測スロットプレートは「プロセスゾーン」の外側にあり、プロセスステーションの間に位置する。幾つかの実施形態では、計測スロットプレートは、ウエハがプロセスステーション間を移動する際にウエハの温度を測定するように構成され、再現性のある（ドリフトのない）計測ソリューションを提供する。
【0054】
［００６５］１又は複数の実施形態では、プレートブランクは、細長い計測プレートに配置され得る。細長い計測スロットプレート６００が使用されない場合、プレートブランクは、プロセスチャンバリッド３００のスロット開口部５３０を占有する。プレートブランクは、処理チャンバ内の動作圧力を維持するために、処理チャンバリッド３００に気密シールを提供する。
【0055】
［００６６］１又は複数の実施形態では、細長い計測スロットプレート６００は反射率計を備える。幾つかの実施形態では、反射率計は、ウエハ又は基板支持面の温度を測定するように構成される。幾つかの実施形態では、反射率計は、ウエハ温度の補正又は調整を行うためのヒータ制御を含むフィードバックループの一部である。１又は複数の実施形態では、反射率計は、ウエハからのエネルギーの反射パルスを検出及び測定するために使用される。幾つかの実施形態の反射率計は、ウエハ上に形成される膜の厚さを測定することを可能にする。反射率計は、光を表面に伝送して、表面から反射された光を測定する。幾つかの実施形態では、反射率計は、温度、又は膜厚に相関させることができる表面放射率の相対変化の１又は複数を測定するように構成される。
【0056】
［００６７］１又は複数の実施形態では、細長い計測スロットプレート６００は、静電容量センサを備える。幾つかの実施形態では、静電容量センサは、ウエハ又はウエハ上の膜の静電容量を測定するように構成される。幾つかの実施形態では、静電容量センサは、間隙距離及び／又は膜厚変動を測定するように構成される。
【0057】
［００６８］１又は複数の実施形態では、細長い計測スロットプレート６００は、ガス流量計を備える。幾つかの実施形態では、ガス流量計は、細長い計測スロットプレート６００内の１又は複数のセンサの周りにガスカーテンを提供するために、細長い計測スロットプレート６００内へのガスの流れを制御するように構成される。
【0058】
［００６９］１又は複数の実施形態では、細長い計測スロットプレート６００の各々は独立して、ガス供給システムのガスの圧力を監視するように構成されたガス圧力センサを備える。化学気相堆積又は原子層堆積システムで使用するのに適した圧力計又は圧力変換器等の任意の適切なガス圧力センサを使用することができる。１又は複数の実施形態では、細長い計測スロットプレート６００の各々は、独立して圧力計を備える。
【0059】
［００７０］１又は複数の実施形態では、細長い計測スロットプレート６００は、距離センサを備える。幾つかの実施形態では、距離センサは、レーザ高さセンサを含む。１又は複数の実施形態では、レーザ高さセンサは、計測スロットプレートの広いスロットを通して光ビームを下方に輻射し、ビームが反射する表面までの距離を正確に測定するために、ウエハ又はヒータ表面からある角度で反射された光を収集するように構成される。１又は複数の実施形態では、レーザ高さセンサは、処理チャンバリッド３００とウエハとの間の距離、ヒータ２３０の振れ、静電チャックの共平面性及び／又は隣接するスピナプレートを監視する。
【0060】
［００７１］１又は複数の実施形態では、細長い計測スロットプレート６００は、放射計を備える。幾つかの実施形態では、放射計は、細長い計測スロットプレート６００の下方を通過するウエハ上の膜の１又は複数の特性を測定するように構成される。幾つかの実施形態では、放射計は表面からの反射エネルギーを測定するように構成される。
【0061】
［００７２］本開示の実施形態は、真空の抜けを伴わずに、１つの処理チャンバ１００又は処理ステーション１１０から別の処理チャンバ１００又は処理ステーション１１０に移動させることができる細長い計測スロットプレート６００内のセンサプローブを有利に提供する。
【0062】
［００７３］図８及び図９を参照すると、１又は複数の実施形態では、細長い計測スロットプレート６００は、レーザ高さセンサ及び反射率計を備える。１又は複数の実施形態では、レーザ高さセンサ及び反射率計を備える細長い計測スロットプレート６００は、レーザ及び反射率計リッドスロットキット７００と呼ばれる。１又は複数の実施形態では、レーザ及び反射率計リッドスロットキット７００は、ウエハ中心７７０に位置決めされた反射率計プローブ７１０、ばねクリップ７２０、ピークナット７３０、Ｏリング７４０、及びピークスペーサ７５０を備える。
【0063】
［００７４］１又は複数の実施形態では、レーザ及び反射率計リッドスロットキット７００は、内側レーザ焦点７８０及び外側レーザ焦点７９０を有する。１又は複数の実施形態では、内側レーザ焦点７８０は、ウエハ中心７７０から１４０ｎｍから１５０ｎｍの範囲の距離に位置決めされる。１又は複数の実施形態では、外側レーザ焦点７９０は、ウエハ中心７７０から１１０ｎｍから１２０ｎｍの範囲の距離に位置する。
【0064】
［００７５］ライトパイプ８００を示す断面図である図１０を参照する。当業者はご存知のように、高温計は、可撓性の光伝送ケーブルを介してライトパイプに取り付けられた遠隔感知装置である。幾つかの実施形態のライトパイプ８００は、金属シースによって保護され、ケーブル接続インターフェースを用いて金属本体に取り付けられた半硬質サファイアプローブを備える。１又は複数の実施形態では、細長い計測スロットプレートは、ライトパイプ８００を備える。１又は複数の実施形態では、ライトパイプ８００を有する細長い計測スロットプレートは、１又は複数のスロット開口部５３０に位置決めされる。１又は複数の実施形態では、ライトパイプ８００は、ライトパイプアセンブリ８１０を備える。１又は複数の実施形態では、ライトパイプアセンブリ８１０はライトパイプシールド８２０によって取り囲まれている。１又は複数の実施形態では、ライトパイプシールド８２０は、上端８２２と底端８２４とを有し、底端８２４は、上端８２２よりもウエハに近い。１又は複数の実施形態では、石英窓８３０がライトパイプアセンブリ８１０及びライトパイプシールド８２０を取り囲んでいる１又は複数の実施形態では、石英窓８３０は、ライトパイプシールドの上端からウエハ又は基板支持面の１ｍｍから３ｍｍ上方の範囲まで延在する高さを有する。１又は複数の実施形態では、石英窓の高さは、高温計シールドの底端よりも更に２．５ｍｍから４．５ｍｍの範囲に延在する。
【0065】
［００７６］石英窓８３０は、外面８３１を有する。１又は複数の実施形態では、ライトパイプ８００は、石英窓８３０の外面８３１とスロット開口部５３０との間に画定されたパージスロット８４０を備える。
【0066】
［００７７］幾つかの実施形態では、ライトパイプ８００は真空プロセスゾーン内に入らない。真空バリアを形成するために石英窓が組み込まれる。ライトパイプは、光がウエハの近傍を通過する窓（上部シールフランジと１ｍｍ厚のカバー窓を有する長管）に挿入される。幾つかの実施形態では、石英窓は不活性ガスでパージされる。
【0067】
［００７８］本明細書全体で言及する、「一実施形態」、「特定の実施形態」、「１又は複数の実施形態」、又は「実施形態」は、その実施形態に関連して記載する特定の特徴、構造、材料、又は特性が本開示の少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。したがって、本明細書中の様々な箇所における「１又は複数の実施形態では」、「特定の実施形態では」、「１つの実施形態では」、又は「実施形態では」等の句の出現は、必ずしも本開示の同じ実施形態を指すとは限らない。更に、１又は複数の実施形態では、特定の特徴、構造、材料、又は特性は、任意の適切な方法で組み合わせることができる。
【0068】
［００７９］本明細書の開示を、特定の実施形態を参照しながら説明してきたが、これらの実施形態は、本開示の原理及び適用の単なる例示であることを理解されたい。本開示の主旨及び範囲から逸脱することなく、本開示の方法及び装置に様々な修正及び変更を加えることができることが、当業者には明らかであろう。したがって、本開示は、添付の特許請求の範囲及びその等価物の範囲内にある修正及び変更を含むことが意図される。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図8】
【図9】
【図10】
【国際調査報告】