特表 2024-533490 ＰＶＤにおける不均一性を低下させるための頂部マグネット

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-09-12

(54)【発明の名称】ＰＶＤにおける不均一性を低下させるための頂部マグネット

(51)【国際特許分類】

   C23C 14/35 20060101AFI20240905BHJP

   H01L 21/203 20060101ALN20240905BHJP

【ＦＩ】

C23C14/35 Z

H01L21/203 S

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024516414

(86)(22)【出願日】2022-06-24

(85)【翻訳文提出日】2024-03-13

(86)【国際出願番号】 US2022034898

(87)【国際公開番号】W WO2023043516

(87)【国際公開日】2023-03-23

(31)【優先権主張番号】17/478,047

(32)【優先日】2021-09-17

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】100094569

【弁理士】

【氏名又は名称】田中 伸一郎

(74)【代理人】

【識別番号】100103610

【弁理士】

【氏名又は名称】▲吉▼田 和彦

(74)【代理人】

【識別番号】100109070

【弁理士】

【氏名又は名称】須田 洋之

(74)【代理人】

【識別番号】100067013

【弁理士】

【氏名又は名称】大塚 文昭

(74)【代理人】

【識別番号】100120525

【弁理士】

【氏名又は名称】近藤 直樹

(74)【代理人】

【識別番号】100139712

【弁理士】

【氏名又は名称】那須 威夫

(74)【代理人】

【識別番号】100141553

【弁理士】

【氏名又は名称】鈴木 信彦

(74)【代理人】

【識別番号】100176418

【弁理士】

【氏名又は名称】工藤 嘉晃

(72)【発明者】

【氏名】シア ボルイ

(72)【発明者】

【氏名】チャン アンソニー チー－トゥン

(72)【発明者】

【氏名】ユエ シユ

(72)【発明者】

【氏名】レイ ウェイ

(72)【発明者】

【氏名】カマス アラヴィンド マイヤー

(72)【発明者】

【氏名】スンダララジャン マクンド

(72)【発明者】

【氏名】ワン ロンジュン

(72)【発明者】

【氏名】アレン アドルフ ミラー

【テーマコード（参考）】

4K029

5F103

【Ｆターム（参考）】

4K029AA06

4K029AA07

4K029AA08

4K029AA09

4K029AA24

4K029BD01

4K029CA05

4K029DC39

4K029DC43

5F103AA08

5F103PP00

(57)【要約】

位置合わせされた開口を各々が含む、頂部プレートとともにハウジングを備えるマグネットアセンブリが記載されている。ハウジングは、底部リングおよび環状壁を有し、底部リングには複数の開口が形成されている。頂部プレートは、ハウジング上にあり、ハウジングの底部リングの複数の開口と位置合わせされた複数の開口を有する。このマグネットアセンブリはさらに、非電導性のベースプレートおよび／または導電性のカバープレートを含むことができる。このマグネットアセンブリを使用し、磁場を調整する方法も記載されている。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

底部リングおよびハウジング環状壁を有するハウジングであって、前記底部リングが、前記底部リングの厚さを規定する頂面および底面、内周面を含む内径ならびに外周面を含む外径を有し、前記底部リングが、前記底部リングの前記厚さを貫いて延びる複数の開口を有し、前記ハウジング環状壁が、前記底部リングの前記頂面から高さだけ延びており、前記ハウジング環状壁が、壁厚を規定する、内周面を含む内径および外周面を含む外径を有する、前記ハウジング
を備える、マグネットアセンブリ。

【請求項2】

前記複数の開口が組を作って配置されており、それぞれの組が、前記底部リングの中心から前記外周面まで延びるベクトルに沿って整列しており、それぞれの組のそれぞれの孔が、前記中心から異なる距離のところに配置されている、請求項１に記載のマグネットアセンブリ。

【請求項3】

孔のそれぞれの組に３つの孔があり、前記中心の周りに孔の３つのリングを形成しており、それぞれのリングが、前記中心からの異なる半径を有する、請求項２に記載のマグネットアセンブリ。

【請求項4】

２４～６０組の範囲の孔の組がある、請求項２に記載のマグネットアセンブリ。

【請求項5】

前記底部リングが、前記外周面に平面を形成する面取りされた部分を有する、請求項１に記載のマグネットアセンブリ。

【請求項6】

前記ハウジング環状壁の前記高さが０．５～２．５インチの範囲にある、請求項１に記載のマグネットアセンブリ。

【請求項7】

前記ハウジング環状壁の頂部に頂部フランジをさらに備え、前記頂部フランジが、前記ハウジング環状壁の前記外周面から外側に延びている、請求項１に記載のマグネットアセンブリ。

【請求項8】

前記ハウジングがアルミニウムを含む、請求項１に記載のマグネットアセンブリ。

【請求項9】

前記底部リングの前記厚さおよび前記環状壁の前記壁厚が１／１６インチ～１／４インチの範囲にある、請求項１に記載のマグネットアセンブリ。

【請求項10】

頂面および底面を有するベースプレートであって、前記頂面および前記底面が前記ベースプレートの厚さを規定する、前記ベースプレートと、
前記ベースプレート上のハウジングであって、前記ハウジングが底部リングおよびハウジング環状壁を有し、前記底部リングが、前記底部リングの厚さを規定する頂面および底面、内周面を含む内径ならびに外周面を含む外径を有し、前記底部リングが、前記底部リングの前記厚さを貫いて延びる複数の開口を有し、前記ハウジング環状壁が、前記底部リングの前記頂面から高さだけ延びており、前記ハウジング環状壁が、壁厚を規定する、内周面を含む内径および外周面を含む外径を有する、前記ハウジングと、
前記ハウジング上の頂部プレートであって、前記頂部プレートが、前記頂部プレートの厚さを規定する頂面および底面、ならびに内周面を含む内径および外径面を含む外径を有し、前記頂部プレートが、前記頂部プレートの前記厚さを貫いて延びる複数の開口を有し、前記複数の開口が、前記ハウジングの前記底部リングの前記複数の開口と位置合わせされている、前記頂部プレートと、
カバープレート頂部壁およびカバープレート環状壁を有するカバープレートであって、前記カバープレート頂部壁が、前記カバープレート頂部壁の厚さを規定する頂面および底面を有し、前記カバープレート環状壁が、壁厚を規定する、内径面を含む内径および外径面を含む外径を有し、前記カバープレート環状壁が、前記カバープレート頂部壁の前記底面から高さだけ延びており、前記ハウジング環状壁の前記内径よりも小さい外径を有する、前記カバープレートと
を備える、マグネットアセンブリ。

【請求項11】

前記ハウジングの前記複数の開口が組を作って配置されており、それぞれの組が、前記底部リングの中心から前記外周面まで延びるベクトルに沿って整列しており、それぞれの組のそれぞれの孔が、前記中心から異なる距離のところに配置されており、前記頂部プレートの前記複数の開口が、前記ハウジングの前記組と位置合わせされた組を作って配置されている、請求項１０に記載のマグネットアセンブリ。

【請求項12】

孔のそれぞれの組に３つの孔があり、前記中心の周りに孔の３つのリングを形成しており、それぞれのリングが、前記中心からの異なる半径を有する、請求項１１に記載のマグネットアセンブリ。

【請求項13】

２４～６０組の範囲の孔の組がある、請求項１１に記載のマグネットアセンブリ。

【請求項14】

前記環状壁の前記高さが０．５～２．５インチの範囲にある、請求項１１に記載のマグネットアセンブリ。

【請求項15】

前記ベースプレートが、組み立てられたときにリング形のベースプレートを形成する少なくとも２つの部分を含む、請求項１０に記載のマグネットアセンブリ。

【請求項16】

前記ベースプレートが非導電性材料を含み、前記ハウジングがアルミニウムを含み、前記頂部プレートがステンレス鋼を含み、前記カバープレートがアルミニウムを含む、請求項１０に記載のマグネットアセンブリ。

【請求項17】

前記ベースプレートと前記ハウジングとの間に少なくとも１つのシムをさらに備える、請求項１０に記載のマグネットアセンブリ。

【請求項18】

前記少なくとも１つのシムの各々が、組立て時にリング形のシムを形成する少なくとも２つの部分を含む、請求項１７に記載のマグネットアセンブリ。

【請求項19】

前記環状壁の頂部に頂部フランジをさらに備え、前記頂部フランジが、前記環状壁の前記外周面から外側に延びている、請求項１７に記載のマグネットアセンブリ。

【請求項20】

前記ハウジングと前記頂部プレートとの間に配置された複数のマグネットをさらに備え、前記マグネットの各々が、前記ハウジングおよび前記頂部プレートの位置合わせされた開口内に配置されている、請求項１０に記載のマグネットアセンブリ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示の実施形態は一般に、物理的気相堆積（ＰＶＤ）の均一性を向上させるための装置および方法に関する。詳細には、本開示の実施形態は、ＰＶＤチャンバの頂部の上にマグネットを配置し調整するための装置および方法に関する。

【背景技術】

【0002】

アルゴン（Ａｒ⁺）イオンを使用した従来のスパッタリング前洗浄はしばしば、高い膜不均一性に帰着する。この膜不均一性は特に低バイアス電力プロセスにおいて広く認められる。例えば、いくつかの酸化シリコンプロセスの不均一性は、ＴｉＮに関して、７％（１σ値）よりも大きくなること、および８Åよりも大きい範囲をとることがありうる。

【0003】

加えて、現在のハードウェアの限界のため、バイアス電圧がペデスタルの中心から縁に向かって低下することにより、エッチング速度は、顕著な中心が高く／縁が低いプロファイルを示す。

【0004】

不均一性改善のための現在の解決策はバイアス／ソース比の最適化を含み、最小の不均一性は１付近（ソース電力と同等のバイアス電力）で観察される。しかしながら、高エネルギーＡｒ⁺イオンは金属の再スパッタリングを引き起こすことがあり、基板上の誘電体膜に損傷を与えうる。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

したがって、当技術分野では、エッチング・プロセスにおける不均一性を改善する装置および方法が求められている。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の１つまたは複数の実施形態は、底部リングを有するハウジングを備えるマグネットアセンブリを対象としており、底部リングは、底部リングの厚さを規定する頂面および底面、内周面を含む内径ならびに外周面を含む外径を有する。底部リングは、底部リングの厚さを貫いて延びる複数の開口を有し、底部リングの頂面から高さだけハウジング環状壁が延びている。ハウジング環状壁は、壁厚を規定する、内周面を含む内径および外周面を含む外径を有する。

【0007】

本開示の追加の実施形態は、ベースプレート、ハウジング、頂部プレートおよびカバープレートを備えるマグネットアセンブリを対象としている。ベースプレートは、ベースプレートの厚さを規定する頂面および底面を有する。ハウジングはベースプレート上にある。ハウジングは底部リングを有し、底部リングは、底部リングの厚さを規定する頂面および底面、内周面を含む内径ならびに外周面を含む外径を有する。底部リングは、底部リングの厚さを貫いて延びる複数の開口を有する。底部リングの頂面から高さだけハウジング環状壁が延びている。ハウジング環状壁は、壁厚を規定する、内周面を含む内径および外周面を含む外径を有する。頂部プレートはハウジング上にある。頂部プレートは、頂部プレートの厚さを規定する頂面および底面、ならびに内周面を含む内径および外径面を含む外径を有する。頂部プレートは、頂部プレートの厚さを貫いて延びる複数の開口を有する。複数の開口は、ハウジングの底部リングの複数の開口と位置合わせされている。カバープレートはカバープレート頂部壁およびカバープレート環状壁を有する。カバープレート頂部壁は、カバープレート頂部壁の厚さを規定する頂面および底面を有する。カバープレート環状壁は、壁厚を規定する、内径面を含む内径および外径面を含む外径を有する。カバープレート環状壁は、カバープレート頂部壁の底面から高さだけ延びており、ハウジング環状壁の内径よりも小さい外径を有する。

【0008】

列挙された本開示の特徴を詳細に理解することができるようにするため、そのうちのいくつかが添付図面に示されている実施形態を参照することにより、上に概要を簡単に示した本開示のより詳細な説明を得ることができる。しかしながら、添付図面は、本開示の典型的な実施形態だけを示しており、したがって、添付図面を、本開示の範囲を限定するものとみなすべきではないことに留意すべきである。これは、本開示が、等しく有効な他の実施形態を受け入れる可能性があるためである。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】本開示の１つまたは複数の実施形態による物理的気相堆積チャンバの頂部の上のマグネットアセンブリの等角図である。

【図2】線２－２’に沿って切った、図１の物理的気相堆積チャンバの頂部の上のマグネットアセンブリの部分断面図である。

【図3】本開示の１つまたは複数の実施形態によるマグネットアセンブリの等角図である。

【図4】本開示の１つまたは複数の実施形態によるマグネットアセンブリの分解図である。

【図5】本開示の１つまたは複数の実施形態によるマグネットアセンブリのベースプレートの一部分の等角図である。

【図6】本開示の１つまたは複数の実施形態によるマグネットアセンブリのシム（ｓｈｉｍ）の一部分の等角図である。

【図7】本開示の１つまたは複数の実施形態によるマグネットアセンブリのシムの一部分の等角図である。

【図8】本開示の１つまたは複数の実施形態によるマグネットアセンブリのハウジングの等角図である。

【図9】本開示の１つまたは複数の実施形態によるマグネットアセンブリのハウジングの上面図である。

【図10】本開示の１つまたは複数の実施形態によるマグネットアセンブリの頂部プレートの等角図である。

【図11】本開示の１つまたは複数の実施形態によるマグネットアセンブリのカバープレートの等角図である。

【図12】本開示の１つまたは複数の実施形態によるマグネットアセンブリの部分断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

本開示のいくつかの例示的な実施形態の説明の前に、本開示は、以下の説明に記載された構造またはプロセスステップの詳細に限定されないことを理解すべきである。本開示は、他の実施形態を受け入れることができ、さまざまなやり方で実施または実行することができる。

【0011】

本明細書および添付された請求項で使用されているとき、用語「基板」は、プロセスが作用する対象の表面または表面の部分を指す。そうではないことが文脈から明らかである場合を除き、基板への言及が基板の一部分だけへの言及であることもありうることも当業者は理解するであろう。加えて、基板上に堆積させるとの言及が、裸の基板と、１つまたは複数の膜または特徴がその上に堆積したまたは形成された基板の両方を意味することもありうる。

【0012】

本明細書で使用されているとき、「基板」は、製造プロセス中に膜処理が実行される任意の基板または基板上に形成された任意の材料表面を指す。例えば、その上で処理を実行することができる基板表面は、用途に応じて、シリコン、酸化シリコン、ストレインドシリコン、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）、炭素がドープされた酸化シリコン、アモルファスシリコン、ドープされたシリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、ガラス、サファイヤなどの材料、ならびに金属、金属窒化物、金属合金および他の導電性材料などの他の材料を含む。基板は半導体ウエハを含むが、これに限定されるわけではない。基板は、基板表面を研摩、エッチング、還元、酸化、ヒドロキシル化、アニール、ＵＶ硬化、ｅビーム硬化および／またはベークするための前処理プロセスにかけられることがある。基板自体の表面における直接膜処理に加えて、本開示では、開示された膜処理ステップの任意のステップが、後により詳細に開示される基板上に形成された下層に実行されることもあり、用語「基板表面」は、文脈が指示するそのような下層を含むことが意図されている。

【0013】

１つまたは複数の実施形態によれば、膜または膜の層に関する用語「～上にある」は、表面、例えば基板表面にその膜または層が直にあること、およびその膜または層と表面、例えば基板表面との間に１つまたは複数の下層があることを含む。したがって、１つまたは複数の実施形態では、句「基板表面上にある」は、１つまたは複数の下層を含むことが意図されている。他の実施形態では、句「～上に直にある」が、介在層なしで表面、例えば基板表面と接触した層または膜に関する。したがって、「基板表面上に直にある層」という句は、間の層なしに基板表面と直に接触した層を指す。

【0014】

本開示のいくつかの実施形態は、バイアス／ソース比の最適化を必要としない装置および方法を提供する。頂部マグネットを調整することにより、エッチングプロファイルを大幅に変化させることができる。いくつかの実施形態は、チャンバの頂部の上にマグネットを配置することによって不均一性を低下させる。プロセスチャンバに外部定常磁場を導入してＡｒ⁺イオン分布を最適化することができる。この外部磁場を調節して、Ａｒスパッタエッチング速度不均一性（ＮＵ％）を改善することができる。例示的な実施形態では、現在の方法の不均一性を＜４％に低減させることができる。

【0015】

いくつかの実施形態では、プロセスチャンバを開くことまたは他のチャンバ構成を変更することなくマグネットアセンブリを設置および最適化（調整）することができる。その結果、印加された強い磁場によって、エッチングプロファイルが、中心が高く／縁が低いものから、中心が低く／縁が高いものに変化する。マグネットの数、高さ、半径および極性を調節してプロファイルを平坦化し、ＮＵ％を改善することができる。いくつかの実施形態では、知られている方法の不均一性が約９％から約２％に低下する。

【0016】

さらに以下ではいくつかの実施形態のハードウェア部品について論じる。一般に、プラスチック（例えばナイロン）のベースプレートおよびシムがチャンバキャップに対して頂部マグネットリングを保持し、高さ調節を可能にする。ハウジング、頂部プレートおよびカバープレートがマグネットを支持する。組立てを容易にするためにアルミニウムの中にマグネットを保持するため、頂部プレートは、ステンレス鋼を用いてマグネットの数を調整するための孔（例えば４８）を有する。マグネットは引力によって頂部プレート上に配置され、他の部分は機械的締め具（例えばねじ）によって保持される。

【0017】

図１および２を参照すると、本開示の１つまたは複数の実施形態はマグネットアセンブリ１００を対象としている。マグネットアセンブリ１００は、特に、物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバ２００と一緒に使用されるように構成されている。図１は、本開示の１つまたは複数の実施形態によるマグネットアセンブリ１００を備えるＰＶＤチャンバ２００の頂部の一部分を示している。図２は、線２－２’に沿って切った、ＰＶＤチャンバ２００およびマグネットアセンブリ１００の一部分の部分断面図を示している。図示のＰＶＤチャンバ２００は、ファンカバー２３０を備えるファン２２０と、連動スイッチ２１０とを含む。図示のマグネットアセンブリ１００はファン２２０の周りに広がっている。本開示の実施形態はＰＶＤチャンバ２００に関して説明されるが、マグネットアセンブリ１００はＰＶＤチャンバと一緒に使用することに限定されないこと、および調整可能なマグネットアレイがその中で使用される他の機器にマグネットアセンブリ１００を組み込むことができることを当業者は認めるであろう。

【0018】

図３は、マグネットアセンブリ１００、例えば図１および２に示されているもののようなマグネットアセンブリ１００の一実施形態を示している。図４は、本開示の１つまたは複数の実施形態による、マグネットアセンブリ１００の部品の分解図を示している。図３および４に示されたマグネットアセンブリ１００は、空の内部１０１を有する全体にリング形の構造体であり、スタック構成に配置されたベースプレート１１０、シム１２０、シム１３０（図４に示されている）、ハウジング１４０、頂部プレート１６０およびカバープレート１８０を含む。図示の実施形態は、組立て目的のさまざまなノッチ１０２および位置合わせピン１０４を含む。

【0019】

図５は、本開示の１つまたは複数の実施形態によるベースプレート１１０の一部分を示している。ベースプレート１１０は、ベースプレート１１０の厚さＴ_Bを規定する頂面１１１および底面１１２を有する。ベースプレート１１０は、ベースプレート１１０の幅Ｗ_Bを規定する、内周面１１３を含む内径および外周面１１４を含む外径を含む。

【0020】

いくつかの実施形態ではベースプレート１１０が２つ以上の部片を含む。例えば、図に示された実施形態は、接触またはほぼ接触するように端面１１６が配置されて全体にリング形のベース部品を形成するように組み立てることができる、２部分ベースプレート１１０を有する。いくつかの実施形態のこの分割片ベースプレートは、組立て中にプロセスチャンバから部品を取り外す必要がないように既存のプロセスチャンバ上にマグネットアセンブリ１００を容易に後付けすることを可能にする。

【0021】

いくつかの実施形態ではベースプレート１１０が少なくとも２つの部分を含む。例えば、図５に示されているもののような２つのベースプレート１１０を接続して単一のベースプレート１１０を形成することができる。いくつかの実施形態では、ベースプレート１１０が、単一のベースプレート１１０を形成するように接続された３つまたは４つの部片を含む。

【0022】

図５に示された実施形態は、内周面１１３から内側に延びる接続フランジ１１８を含む。接続フランジ１１８は、物理的締め具を使用してベースプレート１１０をプロセスチャンバに固定するための領域を提供する。

【0023】

ベースプレート１１０は、適当な任意の厚さＴＢとすることができ、適当な任意の幅Ｗ_Bを有することができる。いくつかの実施形態では、ベースプレート１１０の厚さＴ_Bが厚さ１／３２インチ～１インチ（または１ｍｍ～２５ｍｍ）の範囲にある。いくつかの実施形態では、ベースプレート１１０の幅Ｗ_Bが幅１／２インチ～４インチ（または１２ｍｍ～１００ｍｍ）の範囲にある。

【0024】

ベースプレート１１０は、当業者に知られている適当な任意の材料でできたものとすることができる。いくつかの実施形態ではベースプレート１１０が非導電性材料を含む。いくつかの実施形態では、この非導電性材料が、アセタール、ポリアセタール、ポリホルムアルデヒド、ナイロン、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリカーボネートまたはポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）のうちの１つまたは複数を含む。

【0025】

いくつかの実施形態では、マグネットアセンブリ１００がさらに、少なくとも１つの任意選択のシム１２０、１３０を含む。図６は、本開示の１つまたは複数の実施形態による任意選択のシム１２０の一部分を示している。図７は、本開示の１つまたは複数の実施形態による任意選択の第２のシム１３０の一部分を示している。シム１２０、１３０は、厚さＴ_S1、Ｔ_S2を規定する頂面１２１、１３１および底面１２２、１３２を有する。シム１２０、１３０は、シム１２０、１３０の幅Ｗ_S1、Ｗ_S2を規定する、内周面１２３、１３３を含む内径および外周面１２４、１３４を含む外径を含む。

【0026】

いくつかの実施形態ではシム１２０、１３０が２つ以上の部片を含む。例えば、図に示された実施形態は、接触またはほぼ接触するように端面１２６、１３６が配置されて全体にリング形のシム部品を形成するように組み立てることができる、２部分シム１２０、１３０を有する。いくつかの実施形態のこれらの分割片シムは、組立て中にプロセスチャンバから部品を取り外す必要がないような形で既存のプロセスチャンバ上にマグネットアセンブリ１００を容易に後付けすることを可能にする。

【0027】

いくつかの実施形態ではシム１２０、１３０が少なくとも２つの部分を含む。例えば、図６および７に示されているもののような２つのシム１２０、１３０を接続して単一のシム１２０、１３０を形成することができる。いくつかの実施形態では、シム１２０、１３０が、単一のシムを形成するように接続された３つまたは４つの部片を含む。

【0028】

シム１２０、１３０は、適当な任意の厚さＴ_S1、Ｔ_S2とすることができ、適当な任意の幅Ｗ_S1、Ｗ_S2を有することができる。いくつかの実施形態では、シム１２０、１３０の厚さＴ_S1、Ｔ_S2が、独立して、厚さ１／３２インチ～１インチ（または１ｍｍ～２５ｍｍ）の範囲にある。いくつかの実施形態では、シム１２０、１３０の幅Ｗ_S1、Ｗ_S2が、独立して、幅１／２インチ～４インチ（または１２ｍｍ～１００ｍｍ）の範囲にある。いくつかの実施形態では、シム１２０、１３０が、ハウジング１４０を適当な高さまで持ち上げるのに十分な、合わせた厚さまたは単一の厚さを有する。いくつかの実施形態では、ベースプレート１１０とハウジング１４０との間にシムが使用されない。いくつかの実施形態では、ベースプレート１１０とハウジング１４０との間に１つのシム１２０が使用される。いくつかの実施形態では、ベースプレート１１０とハウジング１４０との間に２つのシム１２０、１３０が使用される。いくつかの実施形態では、ベースプレート１１０とハウジング１４０との間に３つ以上のシムが使用される。

【0029】

シム１２０、１３０は、当業者に知られている適当な任意の材料でできたものとすることができる。いくつかの実施形態では、シム１２０、１３０が、独立して、非導電性材料を含む。いくつかの実施形態では、この非導電性材料が、アセタール、ポリアセタール、ポリホルムアルデヒド、ナイロン、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリカーボネートまたはポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）のうちの１つまたは複数を含む。

【0030】

本開示のいくつかの実施形態は、ハウジング１４０、またはハウジング１４０を含むマグネットアセンブリ１００を対象としている。図８は、本開示の１つまたは複数の実施形態によるハウジング１４０を示している。図９は、本開示の１つまたは複数の実施形態によるハウジング１４０の上面図を示している。いくつかの実施形態では、ハウジング１４０が、空の内部１４１を有する全体にリング形の部品である。いくつかの実施形態のハウジング１４０は、ベースプレート１１０と直に接触してまたは１つもしくは複数の介在シム１２０、１３０を挟んでベースプレート１１０上に配置される。

【0031】

ハウジング１４０は底部リング１４２を有し、底部リング１４２は、底部リング１４２の厚さＴ_BRを規定する頂面１４３および底面１４４を有する。底部リング１４２は、底部リング１４２の幅Ｗ_BRを規定する、内周面１４４を含む内径および外周面１４５を含む外径を有する。いくつかの実施形態では、底部リング１４２の厚さＴ_BRが１／１６インチ～１／４インチ（または１．５ｍｍ～６ｍｍ）の範囲にある。いくつかの実施形態では、底部リング１４２の幅ＷＢＲが１インチ～４インチ（または２５ｍｍ～１００ｍｍ）の範囲にある。

【0032】

底部リング１４２は、底部リング１４２の厚さＴ_BRを貫いて延びる複数の開口１４６を有する。いくつかの実施形態では、開口１４６が、底部リング１４２の頂面１４３から底部リング１４２の厚さＴ_BRの一部分を貫いて距離だけ延びている。

【0033】

ハウジングの複数の開口１４６は組１４７を作って配置されている。開口１４６のそれぞれの組１４７は、底部リング１４２の中心１４８から外周面１４５まで延びるベクトルＶ_BRに沿って整列している。開口の組の中のそれぞれの開口は、異なる半径または直径を有する開口１４６のリングを形成するように、中心１４８から異なる距離のところに配置されている。

【0034】

開口１４６のそれぞれの組１４７は、ベクトルＶ_BRに沿って整列した適当な任意の数の開口を有することができる。図示の実施形態では、それぞれの組１４７が３つの開口１４６を有する。いくつかの実施形態では、それぞれの組１４７に３つの開口１４６があり、中心１４８の周りに開口１４６の３つのリングを形成しており、それぞれのリングは、中心１４８からの異なる半径を有する。いくつかの実施形態では、それぞれの組１４７が２つ以上の開口１４６を含む。いくつかの実施形態では、それぞれの組１４７が２つ～５つの範囲の開口１４６を含む。

【0035】

中心１４８の周りに配置される開口１４６の組１４７の数はさまざまとすることができる。いくつかの実施形態では、６～１２０組の範囲の開口１４６の組１４７がある。いくつかの実施形態では、１２～８０組または２４～６０組の範囲の開口１４６の組１４７がある。

【0036】

ハウジング１４０は、底部リング１４２の頂面１４３から高さＨ_AWだけ延びるハウジング環状壁１５０を含む。ハウジング環状壁１５０は、壁厚Ｔ_AWを規定する、内周面１５１を含む内径および外周面１５２を含む外径を有する。いくつかの実施形態では、環状壁１５０の厚さＴ_AWが１／１６インチ～１／４インチ（または１．５ｍｍ～６ｍｍ）の範囲にある。いくつかの実施形態では、環状壁１５０の高さＨ_AWが０．５インチ～２．５インチ（または１２ｍｍから６２ｍｍ）の範囲にある。

【0037】

いくつかの実施形態では、ハウジング１４０が、環状壁１５０の頂部に頂部フランジ１５５を含む。いくつかの実施形態の頂部フランジ１５５は、環状壁１５０の外周面１５２から外側に延びる。いくつかの実施形態では、頂部フランジ１５５が、底部リング１４２の外周面と同じ直径を有する外周面１５７まで外側に延びる。いくつかの実施形態では、頂部フランジ１５７の頂面１５６と底面１５８との間に規定される頂部フランジ１５５の厚さＴ_TFが、１／１６インチ～１／４インチ（または１．５ｍｍ～６ｍｍ）の範囲にある。

【0038】

いくつかの実施形態では、図に示されているように、底部リング１４２および／または頂部フランジ１５５が、外周面１４５、１５７に平面１５９を形成する面取りされた部分を有する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの平面１５９を形成する少なくとも１つの面取りされた部分がある。いくつかの実施形態では、平面１５９が、ハウジング１４０がプロセスチャンバ上の別の部品、例えば図１に示された連動スイッチ２１０に隣接してぴったりと収まることを可能にするサイズに作られている。

【0039】

ハウジング１４０は適当な任意の材料でできたものとすることができる。いくつかの実施形態ではハウジング１４０が導電性材料を含む。いくつかの実施形態では、ハウジング１４０が、アルミニウムまたはステンレス鋼のうちの１つまたは複数を含む。

【0040】

いくつかの実施形態ではマグネットアセンブリ１００が頂部プレート１６０を含む。図１０は、本開示の１つまたは複数の実施形態による頂部プレート１６０を示している。いくつかの実施形態の頂部プレート１６０はハウジング１４０の環状壁１５０上に配置される。いくつかの実施形態では、頂部プレート１６０が、ハウジング１４０の頂部フランジ１５５上に配置される。

【0041】

頂部プレート１６０は、空の内部１６１を有する全体にリング形の部品である。頂部プレート１６０は、頂部プレート１６０の厚さＴ_TPを規定する頂面１６２および底面１６３を有する。頂部プレート１６０は、頂部プレート１６０の幅Ｗ_TPを規定する、内周面１６４を含む内径および外径面１６５を含む外径を有する。

【0042】

頂部プレート１６０は、頂部プレート１６０の厚さＴ_TPを貫いて延びる複数の開口１６６を有する。いくつかの実施形態では、開口１６６が、底面１６３から、頂部プレート１６０の厚さＴ_TPを部分的に貫いて延びて、底面１６３に凹部を形成している。いくつかの実施形態では、頂部プレート１６０の厚さＴ_TPが１／１６インチ～１／４インチ（または１．５ｍｍ～６ｍｍ）の範囲にある。

【0043】

複数の開口１６６は、ハウジング１４０の底部リング１４２の複数の開口１４６と位置合わせされている。いくつかの実施形態では、複数の開口１６６が、ハウジング１４０の開口１４６の組１４７と位置合わせされた組１６７を作って配置されている。

【0044】

頂部プレート１６０の複数の開口１６６は組１６７を作って配置されている。開口１６６のそれぞれの組１６７は、頂部プレート１６０の中心１６８から外周面１６５まで延びるベクトルＶ_TPに沿って整列している。開口の組１６７の中のそれぞれの開口１６６は、異なる半径または直径を有する開口１６６のリングを形成するように、中心１６８から異なる距離のところに配置されている。

【0045】

開口１６６のそれぞれの組１６７は、ベクトルＶ_TPに沿って整列した適当な任意の数の開口を有することができる。図示の実施形態では、それぞれの組１６７が３つの開口１６６を有する。いくつかの実施形態では、それぞれの組１６７に３つの開口１６６があり、中心１６８の周りに開口１６６の３つのリングを形成しており、それぞれのリングは、中心１６８からの異なる半径を有する。いくつかの実施形態では、それぞれの組１６７が２つ以上の開口１６６を含む。いくつかの実施形態では、それぞれの組１６７が２つ～５つの範囲の開口１６６を含む。

【0046】

中心１６８の周りに配置される開口１６６の組１６７の数はさまざまとすることができる。いくつかの実施形態では、６～１２０組の範囲の開口１６６の組１６７がある。いくつかの実施形態では、１２～８０組の範囲の開口１６６の組１４７または２４～６０組の範囲の開口１６６の組１６７がある。

【0047】

いくつかの実施形態では、図に示されているように、頂部プレート１６０が、外周面１６５に平面１６９を形成する面取りされた部分を有する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの平面１６９を形成する少なくとも１つの面取りされた部分がある。いくつかの実施形態では、平面１６９が、頂部プレート１６０がプロセスチャンバ上の別の部品、例えば図１に示された連動スイッチ２１０に隣接してぴったりと収まることを可能にするサイズに作られている。

【0048】

頂部プレート１６０は適当な任意の材料でできたものとすることができる。いくつかの実施形態では頂部プレート１６０が導電性材料を含む。いくつかの実施形態では、頂部プレート１６０が、アルミニウムまたはステンレス鋼のうちの１つまたは複数を含む。

【0049】

マグネットアセンブリ１００のいくつかの実施形態はカバープレート１８０を含む。図１１は、本開示の１つまたは複数の実施形態によるカバープレート１８０を示している。カバープレート１８０は、空の内部１８１を有する全体にリング形の部品である。カバープレート１８０はカバープレート頂部壁１８２を有し、カバープレート頂部壁１８２は、カバープレート頂部壁１８２の厚さＴ_CPを規定する頂面１８３および底面１８４を有する。いくつかの実施形態では、カバープレート１８０の厚さＴ_CPが１／１６インチ～１／４インチ（または１．５ｍｍ～６ｍｍ）の範囲にある。

【0050】

カバープレート１８０はカバープレート環状壁１９０を有し、カバープレート環状壁１９０は、環状壁厚Ｔ_CAWを規定する、内径面１９１を含む内径および外径面１９２を含む外径を有する。カバープレート環状壁１９０は、カバープレート頂部壁１８２の底面１８４から高さＨ_CPだけ延びており、ハウジング環状壁１５０の内周面１５１の内径よりも小さい外径を有する外径面１９２を有する。いくつかの実施形態では、環状壁１９０の厚さＴ_CAWが１／１６インチ～１／４インチ（または１．５ｍｍ～６ｍｍ）の範囲にある。

【0051】

カバープレート１８０は適当な任意の材料でできたものとすることができる。いくつかの実施形態ではカバープレート１８０が導電性材料を含む。いくつかの実施形態では、カバープレート１８０が、アルミニウムまたはステンレス鋼のうちの１つまたは複数を含む。

【0052】

いくつかの実施形態では、図に示されているように、カバープレート１８０が、外周面１８５に平面１８９を形成する面取りされた部分を有する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの平面１８９を形成する少なくとも１つの面取りされた部分がある。いくつかの実施形態では、平面１８９が、カバープレート１８０がプロセスチャンバ上の別の部品、例えば図１に示された連動スイッチ２１０に隣接してぴったりと収まることを可能にするサイズに作られている。

【0053】

マグネットアセンブリ１００のいくつかの実施形態は１つまたは複数のマグネット１９５を含む。図１２は、本開示の１つまたは複数の実施形態によるマグネットアセンブリ１００の部分断面図を示している。いくつかの実施形態では、ハウジング１４０の開口１４６のそれぞれの組１４７がマグネット１９５を有する。いくつかの実施形態では、ハウジング１４０の開口１４６の組１４７の数よりも少数のマグネット１９５がある。いくつかの実施形態では、マグネット１９５が、ハウジング１４０と頂部プレート１６０との間に、それぞれのマグネット１９５が、ハウジング１４０および頂部プレート１６０の開口１４６、１６６と位置合わせされるように配置される。いくつかの実施形態では、マグネット１９５が、それぞれ開口１６６および開口１４６にぴったりとはまる頂部突起部１９６および底部突起部１９７を含む。

【0054】

いくつかの実施形態によれば、組み立てられたときには、図１２に示されているように、カバープレート１８０の底部１８６は、シム１２０の頂面１２１（またはシム１２０が存在しない場合にはベースプレート１１０の頂面１１１）から距離１８７だけ離れている。いくつかの実施形態では、距離１８７が、０．０１インチ～０．１インチ（または０．２５ｍｍ～２．５ｍｍ）の範囲にある。いくつかの実施形態では、組立て時に、カバープレート１８０の外周面１８２が、ハウジング１４０の内周面１４４から、０．００５インチ～０．０５インチ（または０．１２５ｍｍ～１．２５ｍｍ）の範囲の距離だけ離隔している。いくつかの実施形態のマグネットアセンブリ１００は、１つまたは複数の物理的コネクタ１９４（例えばボルトまたはねじ）を使用して一体に保持される。

【0055】

この明細書の全体を通じて、「１つの実施形態」、「ある種の実施形態」、「１つまたは複数の実施形態」または「一実施形態」に関する言及は、その実施形態に関して記載された特定の特徴、構造、材料または特性が本開示の少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。したがって、本明細書全体のさまざまな箇所における「１つまたは複数の実施形態では」、「ある種の実施形態では」、「１つの実施形態では」または「一実施形態では」などの句の出現が、本開示の同じ実施形態を指しているとは限らない。さらに、１つまたは複数の実施形態において、それらの特定の特徴、構造、材料または特性が適当な任意のやり方で組み合わされていてもよい。

【0056】

本明細書では、本開示を、特定の実施形態を参照して説明したが、記載された実施形態は本開示の原理および用途の単なる例であることを当業者は理解するであろう。本開示の趣旨および範囲から逸脱することなく本開示の方法および装置にさまざまな修正および変更を加えることができることは当業者には明白であろう。したがって、本開示は、添付の請求項およびその等価物の範囲内の修正および変更を含むことができる。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【国際調査報告】