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▶ メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-09-18
(54)【発明の名称】新規親水性ピン止めＭＡＴの開発
(51)【国際特許分類】
C08F 220/12 20060101AFI20240910BHJP
C08L 33/14 20060101ALI20240910BHJP
C08K 5/19 20060101ALI20240910BHJP
C08K 5/3415 20060101ALI20240910BHJP
H01L 21/027 20060101ALI20240910BHJP
【ＦＩ】
C08F220/12
C08L33/14
C08K5/19
C08K5/3415
H01L21/30 502D
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024509372
(86)(22)【出願日】2022-08-16
(85)【翻訳文提出日】2024-03-21
(86)【国際出願番号】 EP2022072817
(87)【国際公開番号】W WO2023021016
(87)【国際公開日】2023-02-23
(31)【優先権主張番号】63/234,301
(32)【優先日】2021-08-18
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】591032596
【氏名又は名称】メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
【氏名又は名称原語表記】Ｍｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｉｔ ｂｅｓｃｈｒａｅｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ
【住所又は居所原語表記】Ｆｒａｎｋｆｕｒｔｅｒ Ｓｔｒ． ２５０，Ｄ－６４２９３ Ｄａｒｍｓｔａｄｔ，Ｆｅｄｅｒａｌ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｇｅｒｍａｎｙ
(74)【代理人】
【識別番号】100069556
【弁理士】
【氏名又は名称】江崎 光史
(74)【代理人】
【識別番号】100111486
【弁理士】
【氏名又は名称】鍛冶澤 實
(74)【代理人】
【識別番号】100139527
【弁理士】
【氏名又は名称】上西 克礼
(74)【代理人】
【識別番号】100164781
【弁理士】
【氏名又は名称】虎山 一郎
(74)【代理人】
【識別番号】100221981
【弁理士】
【氏名又は名称】石田 大成
(72)【発明者】
【氏名】エヌジー・エドワード・ダブリュー
【テーマコード（参考）】
4J002
4J100
5F146
【Ｆターム（参考）】
4J002BG061
4J002BG071
4J002EN136
4J002EU026
4J002FD146
4J002GP03
4J002GQ01
4J002HA03
4J100AL03P
4J100AL08Q
4J100AL08R
4J100BA76Q
4J100BA77R
4J100BC48S
4J100BC54R
4J100CA03
4J100CA05
4J100CA06
4J100CA31
4J100DA01
4J100DA04
4J100HA53
4J100HC12
4J100HC43
4J100HC63
4J100HE05
4J100HE14
4J100JA01
4J100JA38
4J100JA44
5F146AA28
(57)【要約】
本発明は、構造（Ｉ）のアルキル含有繰り返し単位、構造（ＩＩ）のトリアルキルシリルオキシ含有繰り返し単位、構造（ＩＩＩ）の少なくとも一つのタイプの架橋性繰り返し単位を含む、構造（Ｉ）の繰り返し単位及び構造（Ａ）の少なくとも一つの他のタイプの繰り返し単位を含むランダムコポリマー、及びこのランダムコポリマーを含む組成物、及び構造（Ｉ）の繰り返し単位と、アルキル２－メチレンアルカノエートまたはアルキルメタクリレートから誘導される少なくとも一種の他の繰り返し単位とを有するランダムコポリマーを含み、かつ熱酸発生剤、光酸発生剤、熱ラジカル発生剤、または光ラジカル発生剤を含まない他の組成物であって、前記アルキルオキシ部分は、トリアルキルシリルオキシ、オキシラン類、トリアルキルオキシシリル、及びアントラセン類から選択される架橋性官能基で置換されている、前記他の組成物、及び誘導自己集合プロセッシングに使用するための親水性ＭＡＴコーティングをこれらの組成物から生成する方法に関する。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
構造（Ａ）のランダムコポリマーであって、構造（Ｉ）のアルキル含有繰り返し単位、但し、ＲＩはＣ１～Ｃ８アルキルであり、Ｒｍ１はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、及びｎ１は繰り返し単位の全数である；
構造（ＩＩ）のトリアルキルシリルオキシ含有繰り返し単位、但し、ＲＩＩは構造（Ａ－１）の部分であり、Ｒｍ２はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、Ｌ１は直接原子価結合またはＣ１～Ｃ８アルキレン部分のいずれかであり、ＲＩＩａ、ＲＩＩｂ及びＲＩＩｃは独立してＣ１～Ｃ４アルキルから選択され、そしてｎ２は繰り返し単位の全数である；
構造（ＩＩＩ）の少なくとも一つのタイプの架橋性繰り返し単位（この場合、ＲＩＩＩは構造（Ａ－２）または（Ａ－３）の部分である）、または構造（ＩＩＩ）の二つの異なるタイプの繰り返し単位（この場合、ＲＩＩＩは、構造（Ａ－２）の部分または構造（Ａ－３）の部分のいずれかである）、但し、Ｒｓ１はＣ１～Ｃ４アルキルであり、ＲｓはＣ１～Ｃ４アルキルであり、ｘは０、１または２であり、そしてＬ２及びＬ３は、独立して、直接原子価結合またはＣ１～Ｃ１０アルキレン部分のいずれかであり、そしてＲｏｘはオキシランを含む脂肪族部分であり、そしてｎ３は繰り返し単位の全数である；
構造（Ａ）に示される二つの末端基、そのうちの一方はＨであり、他方は、Ｒｒ、Ｒｒ１及びＲｒ２で置換されたメチル部分であり、但し、Ｒｒ１、Ｒｒ２は独立してＣ１～Ｃ８アルキルから選択され、そしてＲｒはシアノ部分（－ＣＮ）またはカルボニルアルキル部分（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒｉ）であり、ここでＲｉはＣ１～Ｃ８アルキルまたはアリール部分である；
を含む、前記ランダムコポリマー。
【化1】
【請求項2】
前記繰り返し単位が、構造（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）の繰り返し単位から本質的になり、但し、構造（ＩＩＩ）の繰り返し単位は、構造（ＩＩＩ）の単一のタイプの架橋性繰り返し単位であり、及びＲＩＩＩは、構造（Ａ－２）または構造（Ａ－３）の部分である、請求項１に記載のコポリマー。
【請求項3】
前記繰り返し単位が、構造（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）の繰り返し単位から本質的になり、但し、構造（ＩＩＩ）の繰り返し単位は構造（ＩＩＩ）の二つの異なるタイプの繰り返し単位であり、ここでＲＩＩＩは、構造（Ａ－２）または構造（Ａ－３）の部分である、請求項１または２に記載のコポリマー。
【請求項4】
前記繰り返し単位が、構造（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）の繰り返し単位からなり、但し、構造（ＩＩＩ）の繰り返し単位は、構造（ＩＩＩ）の単一のタイプの架橋性繰り返し単位であり、及びＲＩＩＩは、構造（Ａ－２）または構造（Ａ－３）の部分である、請求項１～３のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項5】
前記繰り返し単位が、構造（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）の繰り返し単位からなり、但し、構造（ＩＩＩ）の繰り返し単位は、構造（ＩＩＩ）の二つの異なるタイプの繰り返し単位であり、ここで、ＲＩＩＩは構造（Ａ－２）または構造（Ａ－３）の部分である、請求項１または３に記載のコポリマー。
【請求項6】
ＲＩＩＩが構造（Ａ－２）を有する、請求項１～５のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項7】
ＲＩＩＩが構造（Ａ－２）を有し、及びｘが１である、請求項１～６のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項8】
ＲＩＩＩが構造（Ａ－２）を有し、及びｘが２である、請求項１～６のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項9】
ＲＩＩＩが構造（Ａ－２）を有し、及びｘが０である、請求項１～６のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項10】
ＲＩＩＩが構造（Ａ－２）を有し、ここでＬ２はＣ２～Ｃ４アルキレン部分である、請求項１～９のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項11】
ＲＩＩＩが構造（Ａ－２ａ）を有する、請求項１～１０のいずれか一つに記載のコポリマー。【化2】
【請求項12】
ＲｓがＣ１～Ｃ４アルキルである、請求項１～１１のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項13】
ＲＩＩＩが構造（Ａ－２ｂ）を有する、請求項１～１２のいずれか一つに記載のコポリマー。【化3】
【請求項14】
ＲＩＩＩが構造（Ａ－３）を有する、請求項１～１３のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項15】
ＲＩＩＩが構造（Ａ－３ａ）を有し、但し、Ｒｅ、Ｒｅ１及びＲｅ２は個別にＨまたはＣ１～Ｃ８アルキルから選択され、更にＲｅ２とＲｅまたはＲｅ１のいずれかとがＣ１～Ｃ４アルキル基である場合は、Ｒｅ２とＲｅは、またはＲｅ２とＲｅ１は、Ｃ１～Ｃ４アルキレンを介して結合して環状リングを形成してもよい、請求項１～１４のいずれか一つに記載のコポリマー。【化4】
【請求項16】
ＲｅがＣ１～Ｃ８アルキル部分であり、及びＲｅ１及びＲｅ２がＨである、請求項１５に記載のコポリマー。
【請求項17】
Ｒｅ及びＲｅ１がＣ１～Ｃ８アルキル部分であり、及びＲｅ２がＨである、請求項１５に記載のコポリマー。
【請求項18】
Ｒｅ、Ｒｅ１及びＲｅ２が個別にＣ１～Ｃ８アルキル部分である、請求項１５に記載のコポリマー。
【請求項19】
ＲｅがＨであり、Ｒｅ１及びＲｅ２が個別にＣ１～Ｃ８アルキル部分である、請求項１５に記載のコポリマー。
【請求項20】
ＲｅがＨであり、Ｒｅ１がＣ１～Ｃ８アルキル部分であり、及びＲｅ２がＨである、請求項１５に記載のコポリマー。
【請求項21】
構造（Ａ－３）が構造（Ａ－３ｂ）を有し、ここでｃｙは１～３の範囲の整数である、請求項１～１５のいずれか一つに記載のコポリマー。【化5】
【請求項22】
ＲＩＩＩが構造（Ａ－３ｃ）を有する、請求項１～１５のいずれか一つに記載のコポリマー。【化6】
【請求項23】
ＲＩＩＩが構造（Ａ－３ｄ）を有する、請求項１～１４のいずれか一つに記載のコポリマー。【化7】
【請求項24】
ＲＩＩＩが構造（Ａ－３ｅ）を有する、請求項１～１４のいずれか一つに記載のコポリマー。【化8】
【請求項25】
Ｌ３が直接原子価結合またはＣ１～Ｃ２アルキレン部分である、請求項１～２４のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項26】
ＲＩＩＩが構造（Ａ－３ｆ）を有する、請求項１～１５及び２２のいずれか一つに記載のコポリマー。【化9】
【請求項27】
ＲＩＩＩが構造（Ａ－３ｇ）を有する、請求項１～１４及び２３のいずれか一つに記載のコポリマー。【化10】
【請求項28】
ＲＩＩＩが構造（Ａ－３ｈ）を有する、請求項１～１４及び２４のいずれか一つに記載のコポリマー。【化11】
【請求項29】
ＲＩＩａ、ＲＩＩｂ及びＲＩＩｃが同じＣ１～Ｃ４アルキルから選択される、請求項１～２８のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項30】
Ｌ１がＣ１～Ｃ３アルキレン部分である、請求項１～２９のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項31】
ＲＩＩが構造（Ａ－１ａ）を有する、請求項１～３０のいずれか一つに記載のコポリマー。【化12】
【請求項32】
ＲＩＩが構造（Ａ－１ｂ）を有する、請求項１～３０のいずれか一つに記載のコポリマー。【化13】
【請求項33】
ＲＩがＣ１～Ｃ４アルキルである、請求項１～３２のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項34】
ＲＩがＣ１～Ｃ３アルキルである、請求項１～３３のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項35】
ＲＩがメチルまたはエチルである、請求項１～３４のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項36】
ＲＩがメチルである、請求項１～３５のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項37】
Ｒｍ１がＨである、請求項１～３６のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項38】
Ｒｍ１がＣ１～Ｃ４アルキルである、請求項１～３６のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項39】
Ｒｍ１がメチルである、請求項１～３５及び３８のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項40】
Ｒｍ２がＣ１～Ｃ４アルキルである、請求項１～３９のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項41】
Ｒｍ２がメチルである、請求項１～４０のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項42】
Ｒｍ２がＨである、請求項１～３９のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項43】
Ｒｍ３がＣ１～Ｃ４アルキルである、請求項１～４１のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項44】
Ｒｍ３がメチルである、請求項１～４３のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項45】
Ｒｍ３がＨである、請求項１～４２のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項46】
Ｒｍ１、Ｒｍ２及びＲｍ３がメチルである、請求項１～３６、３８～４１、４３～４４のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項47】
Ｒｒがシアノ部分である、請求項１～４６のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項48】
Ｒｒがカルボキシアルキル部分である、請求項１～４６のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項49】
ＲｉがＣ１～Ｃ８アルキルである、請求項１～４６及び４８のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項50】
Ｒｉがアリールである、請求項１～４６及び４８のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項51】
Ｒｒ１及びＲｒ２が独立してＣ１～Ｃ４アルキルである、請求項１～５０のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項52】
Ｒｒ１及びＲｒ２がメチルである、請求項１～５１のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項53】
構造（Ｉ）の繰り返し単位が構造（Ｉａ）を有する、請求項１～５２のいずれか一つに記載のコポリマー。【化14】
【請求項54】
構造（ＩＩ）の繰り返し単位が構造（ＩＩａ）を有する、請求項１～５３のいずれか一つに記載のコポリマー。【化15】
【請求項55】
構造（ＩＩＩ）の繰り返し単位が構造（ＩＩＩａ）を有する、請求項１～５４のいずれか一つに記載のコポリマー。【化16】
【請求項56】
構造（ＩＩＩ）の全ての繰り返し単位が構造（ＩＩＩｂ）を有する、請求項１～５４のいずれか一つに記載のコポリマー。【化17】
【請求項57】
構造（ＩＩＩ）の繰り返し単位が、構造（ＩＩＩａ）及び（ＩＩＩｂ）を有するものの混合物である、請求項１～５３のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項58】
構造（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）の繰り返し単位の全モル数を基準にして、構造（Ｉ）の繰り返し単位のモル％が約６５モル％から約９０モル％までの範囲であり、構造（ＩＩ）の繰り返し単位のモル％が約５モル％から約２２モル％までの範囲であり、及びＲＩＩＩとして構造（Ａ－２）または（Ａ－３）の部分のいずれかを有する構造（ＩＩＩ）の繰り返し単位が、合計で、約５モル％から約２２モル％までの範囲であり、更に構造（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）の繰り返し単位のモル％の合計は１００モル％に等しい、請求項１～５６のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項59】
前記コポリマーが構造（Ａａ）を有する、請求項１～５４のいずれか一つに記載のコポリマー。【化18】
【請求項60】
構造（Ｉａ）、（ＩＩａ）及び（ＩＩＩａ）の繰り返し単位の全モル数を基準にして、構造（Ｉａ）の繰り返し単位のモル％が約６５モル％から約９０モル％までの範囲であり、構造（ＩＩａ）の繰り返し単位のモル％が約５モル％から約２２モル％までの範囲であり、及び構造（ＩＩＩａ）の繰り返し単位が約５モル％から約２２モル％までの範囲であり、更に、構造（Ｉａ）、（ＩＩａ）及び（ＩＩＩａ）の繰り返し単位のモル％の合計は１００モル％に等しい、請求項５９に記載のコポリマー。
【請求項61】
前記コポリマーが構造（Ａｂ）を有する、請求項１～５３及び５５のいずれか一つに記載のコポリマー。【化19】
【請求項62】
構造（Ｉａ）、（ＩＩａ）及び（ＩＩＩｂ）の繰り返し単位の全モル数を基準にして、構造（Ｉａ）の繰り返し単位のモル％が約６５モル％から約９０モル％までの範囲であり、構造（ＩＩａ）の繰り返し単位のモル％が約５モル％から約２２モル％までの範囲であり、及び構造（ＩＩＩｂ）の繰り返し単位が約５モル％から約２２モル％までの範囲であり、更に、構造（Ｉａ）、（ＩＩａ）及び（ＩＩＩｂ）の繰り返し単位のモル％の合計が１００モル％に等しい、請求項６１に記載のコポリマー。
【請求項63】
前記コポリマーが構造（Ａｃ）を有し、但し、ｎ１、ｎ２及びｎ３ａは、それぞれ、構造（Ｉａ）、（ＩＩａ）、（ＩＩＩａ）及び（ＩＩＩｂ）の各繰り返し単位の数を示す、請求項１～５４のいずれか一つに記載のコポリマー。【化20】
【請求項64】
構造（Ｉａ）、（ＩＩａ）、（ＩＩＩａ）及び（ＩＩＩｂ）の繰り返し単位の全モル数を基準にして、構造（Ｉａ）の繰り返し単位のモル％が約６５モル％から約９０モル％までの範囲であり、構造（ＩＩａ）の繰り返し単位のモル％が約５モル％から約１０モル％までの範囲であり、構造（ＩＩＩａ）及び（ＩＩＩｂ）の繰り返し単位の全数が約５モル％から約２２モル％までの範囲であり、更に、構造（Ｉａ）、（ＩＩａ）、（ＩＩＩａ）、（ＩＩＩｂ）の繰り返し単位のモル％の合計は１００モル％に等しい、請求項６３に記載のコポリマー。
【請求項65】
前記コポリマーが、約１５，０００から約５０，０００までの範囲のＭｗを有する、請求項１～６４のいずれか一つに記載のコポリマー。
【請求項66】
・ランダムポリマーであって、・・構造（Ｉ）のアルキル含有繰り返し単位、但し、ＲＩはＣ１～Ｃ８アルキルであり、Ｒｍ１はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルである；
・・アルキル２－メチレンアルカノエート（アルキル－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｃ（アルキル）＝ＣＨ２）またはアルキルメタクリレート（アルキル－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ＝ＣＨ２）から誘導される、架橋するのに酸触媒を必要としない少なくとも一つのタイプの架橋可能な繰り返し単位、但し、前記アルキルオキシ部分は、トリアルキルシリルオキシ、オキシラン類、トリアルキルオキシシリル及びアントラセン類からなる群から選択される架橋可能な部分で置換されている；
を含むランダムコポリマー、及び
・スピンキャスト溶剤、
を含み、
・熱酸発生剤、光酸発生剤、熱ラジカル発生剤または光ラジカル発生剤は含まない、
組成物。
【化21】
【請求項67】
請求項１～６５のいずれか一つに記載のコポリマー、及びスピンキャスト用有機溶剤を含む、組成物。
【請求項68】
構造（Ｂ）の単一の架橋剤、または構造（Ｂ）の少なくとも二つの異なる架橋剤の混合物を更に含み、但し、Ｌ５は、少なくとも４個の炭素原子の長さを有するＣ４～Ｃ８アルキレンであり、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３及びＲａ４は独立してＣ４～Ｃ８アルキルから選択される、請求項６７に記載の組成物。【化22】
【請求項69】
Ｌ５がＣ４～Ｃ６アルキレンである、請求項６８に記載の組成物。
【請求項70】
前記架橋剤が構造（Ｂ－１）を有する、請求項６８または６９に記載の組成物。【化23】
【請求項71】
Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３及びＲａ４がＣ３～Ｃ６アルキルである、請求項６８～７０のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項72】
Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３及びＲａ４がｎ－ブチルである、請求項６８～７１のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項73】
前記架橋剤が構造（Ｂ－２）を有する、請求項６８～７２のいずれか一つに記載の組成物。【化24】
【請求項74】
前記架橋剤が構造（Ｂ）の単一の架橋剤である、請求項６８～７３のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項75】
前記架橋剤が、構造（Ｂ）の少なくとも二つの異なる架橋剤の混合物である、請求項６８～７３のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項76】
約０．２重量％から約２．０重量％までの前記コポリマー、及び約９８．０重量％から約９９．８重量％までの前記スピンキャスト用有機溶剤を含み、ここでこれらの重量％範囲の合計は１００重量％以下である、請求項６８に記載の組成物。
【請求項77】
約０．２重量％から約２．０重量％までの前記コポリマー、約０．０２重量％から約０．０４重量％までの前記架橋剤、及び約９８．０重量％から約９９．８重量％までの前記スピンキャスト用有機溶剤を含み、ここでこれらの重量％範囲の合計は１００重量％に等しい、請求項６８～７６のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項78】
・構造（Ｃ）を有するランダムコポリマーであって、・・構造（Ｉ）のアルキル含有繰り返し単位、但し、ＲＩはＣ１～Ｃ８アルキルであり、Ｒｍ１はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、ｎ１は繰り返し単位の全数である；
・・構造（ＩＶ）のアントラセン含有繰り返し単位、但し、Ｒｍ４はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、Ｌ４はＣ１～Ｃ８アルキレンであり、及びｎ４は繰り返し単位の全数である；
・・構造（Ｃ）に示される二つの末端基、そのうちの一方はＨであり、他方はＲｒ、Ｒｒ１及びＲｒ２で置換されたメチル部分であり、但し、Ｒｒ１及びＲｒ２は独立してＣ１～Ｃ８アルキルから選択され、そしてＲｒはシアノ部分（－ＣＮ）またはカルボニルアルキル部分（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒｉ）であり、ここでＲｉはＣ１～Ｃ８アルキルまたはアリール部分である；
を含む、前記ランダムコポリマー；
・構造（Ｍ－１）の少なくとも一種の架橋剤、または構造（Ｍ－１）の少なくとも二つの異なる架橋剤の混合物、但し、
・・Ｌは、Ｃ１～Ｃ８線状アルキレン、Ｃ２～Ｃ８分岐状アルキレン、Ｃ６～Ｃ２０アルキレン－オキシ－アルキレン連結基、Ｃ６～Ｃ２０アルキレン－オキシ－アルキレン－オキシ－アルキレン連結基、構造（Ｍ－１ａ）を有するアリール連結基、及び構造（Ｍ－１ｂ）を有するビス－アリール連結基から選択される連結基であり、但し、構造（Ｍ－１ａ）及び（Ｍ－１ｂ）において、
【化25】
・スピンキャスト用有機溶剤；
を含む、組成物。
【化26】
【請求項79】
構造（Ｃ）の前記コポリマーが、構造（Ｉ）及び（ＩＶ）の繰り返し単位から本質的になる、請求項７８に記載の組成物。
【請求項80】
構造（Ｃ）の前記コポリマーが、構造（Ｉ）及び（ＩＶ）の繰り返し単位からなる、請求項７８または７９に記載の組成物。
【請求項81】
構造（Ｉ）の繰り返し単位において、ＲＩがＣ１～Ｃ４アルキルである、請求項７８～８０のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項82】
構造（Ｉ）の繰り返し単位において、ＲＩがＣ１～Ｃ３アルキルである、請求項７８～８１のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項83】
構造（Ｉ）の繰り返し単位において、ＲＩがメチルまたはエチルである、請求項７８～８２のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項84】
構造（Ｉ）の繰り返し単位において、ＲＩがメチルである、請求項７８～８３のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項85】
構造（ＩＶ）の繰り返し単位において、Ｌ４がＣ１～Ｃ４アルキレンである、請求項７８～８４のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項86】
構造（ＩＶ）の繰り返し単位において、Ｌ４がＣ１～Ｃ２アルキレンである、請求項７８～８５のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項87】
構造（ＩＶ）の繰り返し単位が構造（ＩＶａ）を有する、請求項７８～８６のいずれか一つに記載の組成物。【化27】
【請求項88】
Ｒｍ１及びＲｍ２が独立してＣ１～Ｃ４アルキルから選択される、請求項７８～８７のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項89】
Ｒｍ１及びＲｍ２がメチルである、請求項７８～８８のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項90】
Ｒｍ１及びＲｍ２がＨである、請求項７８～８７のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項91】
構造（Ｉ）の繰り返し単位のモル％が約７０モル％から約９０モル％までの範囲であり、及び構造（ＩＶ）の繰り返し単位のモル％が約１０モル％から約３０モル％までの範囲であり、更に、構造（Ｉ）及び（ＩＶ）の繰り返し単位のモル％の合計は１００モル％に等しい、請求項７８～９０のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項92】
前記コポリマーが構造（Ｃ－１）を有する、請求項７８～９１のいずれか一つに記載の組成物。【化28】
【請求項93】
構造（Ｉａ）の繰り返し単位のモル％が約７０モル％から約９０モル％までの範囲であり、及び構造（ＩＶａ）の繰り返し単位のモル％が約１０モル％から約３０モル％までの範囲であり、更に、構造（Ｉａ）及び（ＩＶａ）の繰り返し単位のモル％の合計は１００モル％に等しい、請求項９２に記載の組成物。
【請求項94】
前記コポリマーが、約１５，０００から約１２０，０００までの範囲のＭｗを有する、請求項７８～９３のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項95】
前記コポリマーが、１．２から約２．５までの範囲の多分散性を有する、請求項７８～９４のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項96】
前記架橋剤が構造（Ｍ－１ｃ）、（Ｍ－１ｄ）、（Ｍ－１ｅ）、（Ｍ－１ｆ）、（Ｍ－１ｇ）、（Ｍ－１ｈ）を有するか、またはこれらのうちの少なくとも二つの混合物である、請求項７８～９５のいずれか一つに記載の組成物。【化29】
【請求項97】
約０．２重量％から約２．０重量％までの前記コポリマー、約０．０２重量％から約０．０４重量％までの前記架橋剤、及び約９８．０重量％から約９９．８重量％までの前記スピンキャスト用有機溶剤からなり、ここでこれらの重量％範囲の合計は１００重量％に等しい、請求項７８～９６のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項98】
前記架橋剤が、構造（Ｍ－１）の一つのタイプの架橋剤である、請求項７８～９７のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項99】
前記架橋剤が、構造（Ｍ－１）の少なくとも二つの異なるタイプの架橋剤である、請求項７８～９７のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項100】
・構造（Ｄ）を有するランダムコポリマーであって、・・構造（Ｉ）のアルキル含有繰り返し単位、但し、ＲＩはＣ１～Ｃ８アルキルであり、Ｒｍ１はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、及びｎ１は繰り返し単位の全数である；
・・構造（ＩＩＩ）の架橋性繰り返し単位、但し、Ｒｍ３はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、そしてＲｖは構造（Ａ－２）の部分であり、ここで、ＲＩＩＩは構造（Ａ－２）の部分であり、ここで、Ｒｓ１はＣ１～Ｃ４アルキルであり、ＲｓはＣ１～Ｃ４アルキルであり、ｘは０、１または２であり、そしてＬ２は直接原子価結合またはＣ１～Ｃ１０アルキレン部分のいずれかであり、そしてｎ３は繰り返し単位の全数である；
・・構造（Ｄ）に示される二つの末端基、そのうちの一方はＨであり、他方はＲｒ、Ｒｒ１及びＲｒ２で置換されたメチル部分であり、但し、Ｒｒ１及びＲｒ２は独立してＣ１～Ｃ８アルキルから選択され、そしてＲｒはシアノ部分（－ＣＮ）またはカルボニルアルキル部分（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒｉ）であり、ここでＲｉはＣ１～Ｃ８アルキルまたはアリール部分である；
を含む、前記ランダムコポリマー；
・構造（Ｂ）の少なくとも一種の架橋剤、但し、
Ｌ５は、少なくとも４個の炭素原子の長さを有するＣ４～Ｃ８アルキレンであり、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３及びＲａ４は独立してＣ４～Ｃ８アルキルから選択される；及び
・スピンキャスト用有機溶剤；
を含む、組成物。
【化30】
【請求項101】
構造（Ｄ）の前記コポリマーが、構造（Ｉ）及び（ＩＩＩ）の繰り返し単位から本質的になる、請求項１００に記載の組成物。
【請求項102】
構造（Ｄ）の前記コポリマーが、構造（Ｉ）及び（ＩＩＩ）の繰り返し単位からなる、請求項１００または１０１に記載の組成物。
【請求項103】
構造（Ｉ）の繰り返し単位において、ＲＩがＣ１～Ｃ４アルキルである、請求項１００～１０２のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項104】
構造（Ｉ）の繰り返し単位において、ＲＩがＣ１～Ｃ３アルキルである、請求項１００～１０３のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項105】
構造（Ｉ）の繰り返し単位において、ＲＩがメチルまたはエチルである、請求項１００～１０４のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項106】
構造（Ｉ）の繰り返し単位において、ＲＩがメチルである、請求項１００～１０５のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項107】
Ｒｍ１がＣ１～Ｃ４アルキルである、請求項１００～１０６のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項108】
Ｒｍ１がメチルである、請求項１００～１０６のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項109】
Ｒｍ１がＨである、請求項１００～１０６のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項110】
構造（Ａ－２）において、ｘが１である、請求項１００～１０９のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項111】
構造（Ａ－２）において、ｘが２である、請求項１００～１０９のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項112】
構造（Ａ－２）において、ｘが０である、請求項１００～１０９のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項113】
Ｌ２がＣ２～Ｃ４アルキレン部分である、請求項１００～１１２のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項114】
ＲＩＩＩが構造（Ａ－２ａ）を有する、請求項１００～１１３のいずれか一つに記載の組成物。【化31】
【請求項115】
ＲｓがＣ１～Ｃ４アルキルである、請求項１００～１１４のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項116】
ＲＩＩＩが構造（Ａ－２ｂ）を有する、請求項９７～１１５のいずれか一つに記載の組成物。【化32】
【請求項117】
Ｒｍ３がＣ１～Ｃ４アルキルである、請求項１００～１１６のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項118】
Ｒｍ３がメチルである、請求項１００～１１７のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項119】
Ｒｍ３がＨである、請求項１００～１１６のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項120】
構造（Ｄ）のポリマーにおいて、構造（Ｉ）の繰り返し単位のモル％が約７０モル％から約９０モル％までの範囲であり、及び構造（ＩＩＩ）の繰り返し単位のモル％が約５モル％から約３０モル％までの範囲であり、更に、構造（Ｉ）及び（ＩＩＩ）の繰り返し単位のモル％の合計は１００モル％に等しい、請求項１００～１１９のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項121】
前記コポリマーが構造（Ｄｂ）を有する、請求項１００～１２０のいずれか一つに記載の組成物。【化33】
【請求項122】
前記コポリマーが、約１５，０００から約１２０，０００までの範囲のＭｗを有する、請求項１００～１２１のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項123】
前記コポリマーが、１．２から約２．５までの範囲の多分散性を有する、請求項１００～１２２のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項124】
構造（Ｄｂ）のポリマーにおいて、構造（Ｉａ）の繰り返し単位のモル％が約７０モル％から約９０モル％までの範囲であり、及び構造（ＩＩＩｂ）の繰り返し単位のモル％が約１０モル％から約３０モル％までの範囲であり、更に、構造（Ｉａ）及び（ＩＩＩｂ）の繰り返し単位のモル％の合計は１００モル％に等しい、請求項１２１～１２３のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項125】
構造（Ｂ）の前記架橋剤において、Ｌ５がＣ４～Ｃ６アルキレンである、請求項１００～１２４のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項126】
構造（Ｂ）の前記架橋剤が構造（Ｂ－１）を有する、請求項１００～１２５のいずれか一つに記載の組成物。【化34】
【請求項127】
構造（Ｂ）の前記架橋剤において、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３及びＲａ４がＣ３～Ｃ６アルキルである、請求項１００～１２６のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項128】
構造（Ｂ）の前記架橋剤において、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３及びＲａ４がｎ－ブチルである、請求項１００～１２７のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項129】
前記架橋剤が構造（Ｂ－２）を有する、請求項１００～１２８のいずれか一つに記載の組成物。【化35】
【請求項130】
約０．２重量％から約２．０重量％までの前記コポリマー、約０．０２重量％から約０．０４重量％までの前記架橋剤、及び約９８．０重量％から約９９．８重量％までの前記スピンキャスト用有機溶剤を含み、これらの重量％範囲の合計は１００重量％に等しい、請求項１００～１２９のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項131】
前記架橋剤が、構造（Ｂ－１）の一つのタイプの架橋剤である、請求項１００～１３０のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項132】
前記架橋剤が、構造（Ｂ－１）の少なくとも二つの異なる架橋剤である、請求項１００～１３０のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項133】
・構造（Ｅ）のランダムコポリマーであって、・・構造（Ｉ）のアルキル含有繰り返し単位、但し、ＲＩはＣ１～Ｃ８アルキルであり、Ｒｍ１はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、及びｎ１は繰り返し単位の全数である；
・・構造（ＩＩＩｃ）の繰り返し単位、但し、Ｒｍ３ｃはＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、ＲＩＩＩＡｃは構造（Ａ－２）の部分であり、ここでＬ２は直接原子価結合またはＣ１～Ｃ１０アルキレン部分のいずれかであり、Ｒｓ１はＣ１～Ｃ４アルキルであり、ＲｓはＣ１～Ｃ４アルキルであり、ｘは０、１または２であり、及びｎ３ｃは、ランダムコポリマー中のこれらの繰り返し単位の数である；
・・構造（ＩＩＩｄ）の繰り返し単位、但し、Ｒｍ３ｄはＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、ＲＩＩＩＡｄは構造（Ａ－３）の部分であり、ここでＬ３は直接原子価結合またはＣ１～Ｃ１０アルキレン部分のいずれかであり、及びＲｏｘはオキシラン類を含む脂肪族部分であり、及びｎ３ｄは繰り返し単位の全数である；
・・構造（Ａ）に示される二つの末端基、そのうちの一方はＨであり、他方はＲｒ、Ｒｒ１及びＲｒ２で置換されたメチル部分であり、但し、Ｒｒ１及びＲｒ２は独立してＣ１～Ｃ８アルキルから選択され、及びＲｒはシアノ部分（－ＣＮ）またはカルボニルアルキル部分（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒｉ）であり、ここでＲｉはＣ１～Ｃ８アルキルまたはアリール部分である；
を含む、前記ランダムコポリマー；及び
・スピンキャスト用有機溶剤；
を含む、組成物。
【化36】
【請求項134】
前記コポリマーにおいて、ｘが１である、請求項１３３に記載の組成物。
【請求項135】
前記コポリマーにおいて、ｘが２である、請求項１３３に記載の組成物。
【請求項136】
前記コポリマーにおいて、ｘが０である、請求項１３３に記載の組成物。
【請求項137】
前記コポリマーにおいて、Ｌ２がＣ２～Ｃ４アルキレン部分である、請求項１３３～１３６のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項138】
前記コポリマーにおいて、ＲＩＩＩＡｃが構造（Ａ－２ａ）を有する、請求項１３３、１３６及び１３７のいずれか一つに記載の組成物。【化37】
【請求項139】
前記コポリマーにおいて、ＲｓがＣ１～Ｃ４アルキルである、請求項１３３～１３８のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項140】
前記コポリマーにおいて、ＲＩＩＩＡｃが構造（Ａ－２ｂ）を有する、請求項１３３、１３６、１３８及び１３９のいずれか一つに記載の組成物。【化38】
【請求項141】
ＲＩＩＩＡｄが構造（Ａ－３ａ）を有し、但し、Ｒｅ、Ｒｅ１及びＲｅ２は個別にＨまたはＣ１～Ｃ８アルキルから選択され、更にここで、Ｒｅ２とＲｅまたはＲｅ１のいずれかとがＣ１～Ｃ４アルキル基である場合には、Ｒｅ２とＲｅとは、またはＲｅ２とＲｅ１とは、Ｃ１～Ｃ４アルキレンを介して結合して環状リングを形成してよい、請求項１３３～１４０のいずれか一つに記載の組成物。【化39】
【請求項142】
ＲｅがＣ１～Ｃ８アルキル部分であり、及びＲｅ１及びＲｅ２がＨである、請求項１４１に記載の組成物。
【請求項143】
Ｒｅ及びＲｅ１がＣ１～Ｃ８アルキル部分であり、及びＲｅ２がＨである、請求項１４１に記載の組成物。
【請求項144】
Ｒｅ、Ｒｅ１及びＲｅ２が個別にＣ１～Ｃ８アルキル部分である、請求項１４１に記載の組成物。
【請求項145】
ＲｅがＨであり、Ｒｅ１及びＲｅ２が個別にＣ１～Ｃ８アルキル部分である、請求項１４１に記載の組成物。
【請求項146】
ＲｅがＨであり、Ｒｅ１がＣ１～Ｃ８アルキル部分であり、及びＲｅ２がＨである、請求項１４１に記載の組成物。
【請求項147】
ＲＩＩＩＡｄが構造（Ａ－３ｂ）を有し、ここでｃｙは１～３の範囲の整数である、請求項１４１に記載の組成物。【化40】
【請求項148】
ＲＩＩＩＡｄが構造（Ａ－３ｃ）を有する、請求項１４１に記載の組成物。【化41】
【請求項149】
ＲＩＩＩＡｄが構造（Ａ－３ｄ）を有する、請求項１３３～１４０のいずれか一つに記載の組成物。【化42】
【請求項150】
ＲＩＩＩＡｄが構造（Ａ－３ｅ）を有する、請求項１３３～１４０のいずれか一つに記載の組成物。【化43】
【請求項151】
Ｌ３が直接原子価結合またはＣ１～Ｃ２アルキレン部分である、請求項１３３～１５０のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項152】
ＲＩＩＩＡｄが構造（Ａ－３ｆ）を有する、請求項１３３～１４１、１４８及び１５１のいずれか一つに記載の組成物。【化44】
【請求項153】
ＲＩＩＩＡｄが構造（Ａ－３ｇ）を有する、請求項１３３～１４０、１４９及び１５１のいずれか一つに記載の組成物。【化45】
【請求項154】
ＲＩＩＩＡｄが構造（Ａ－３ｈ）を有する、請求項１３３～１４０、１５０及び１５１のいずれか一つに記載の組成物。【化46】
【請求項155】
ＲＩがＣ１～Ｃ４アルキルである、請求項１３３～１５４のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項156】
ＲＩがＣ１～Ｃ３アルキルである、請求項１３３～１５５のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項157】
ＲＩがメチルまたはエチルである、請求項１３３～１５６のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項158】
ＲＩがメチルである、請求項１３３～１５７のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項159】
Ｒｍ１がＨである、請求項１３３～１５８のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項160】
Ｒｍ３ｃがＣ１～Ｃ４アルキルである、請求項１３３～１５９のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項161】
Ｒｍ３ｃがメチルである、請求項１３３～１６０のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項162】
Ｒｍ３ｃがＨである、請求項１３３～１５９のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項163】
Ｒｍ３ｄがＣ１～Ｃ４アルキルである、請求項１３３～１６２のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項164】
Ｒｍ３ｄがメチルである、請求項１３３～１６３のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項165】
Ｒｍ３ｄがＨである、請求項１３３～１６２のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項166】
Ｒｍ１、Ｒｍ３ｃ及びＲｍ３ｄがメチルである、請求項１３３～１５８、１６０～１６１及び１６３～１６４のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項167】
Ｒｒがシアノ部分である、請求項１３３～１６６のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項168】
Ｒｒがカルボキシアルキル部分である、請求項１３３～１６６のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項169】
ＲｉがＣ１～Ｃ８アルキルである、請求項１３３～１６６及び１６８のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項170】
Ｒｉがアリールである、請求項１３３～１６６及び１６８のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項171】
Ｒｒ１及びＲｒ２が独立してＣ１～Ｃ４アルキルである、請求項１３３～１７０のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項172】
Ｒｒ１及びＲｒ２がメチルである、請求項１３３～１７１のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項173】
構造（Ｉ）の繰り返し単位が構造（Ｉａ）を有する、請求項１３４～１７２のいずれか一つに記載の組成物。【化47】
【請求項174】
構造（ＩＩＩｄ）の繰り返し単位が構造（ＩＩＩａ）を有する、請求項１３３～１７３のいずれか一つに記載の組成物。【化48】
【請求項175】
構造（ＩＩＩｃ）の繰り返し単位が構造（ＩＩＩｂ）を有する、請求項１３３～１７４のいずれか一つに記載の組成物。【化49】
【請求項176】
前記コポリマーにおいて、構造（Ｉ）、（ＩＩＩｃ）及び（ＩＩＩｄ）の繰り返し単位の全モル数を基準にして、構造（Ｉ）の繰り返し単位のモル％が約７０モル％から約９０モル％までの範囲であり、構造（ＩＩＩｃ）の繰り返し単位のモル％が約５モル％から約２２モル％までの範囲であり、及び構造（ＩＩＩｄ）の繰り返し単位が約５モル％から約２２モル％までの範囲であり、更に、構造（Ｉ）、（ＩＩＩｃ）及び（ＩＩＩｄ）の繰り返し単位のモル％の合計は１００モル％に等しい、請求項１３３～１７５のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項177】
前記コポリマーが構造（Ｅ－１）を有する、請求項１３３～１７６のいずれか一つに記載の組成物。【化50】
【請求項178】
前記コポリマーにおいて、構造（Ｉａ）、（ＩＩＩｂ）及び（ＩＩＩａ）の繰り返し単位の全モル数を基準にして、構造（Ｉａ）の繰り返し単位のモル％が約７０モル％から約９０モル％までの範囲であり、構造（ＩＩＩｂ）の繰り返し単位のモル％が約５モル％から約２２モル％までの範囲であり、及び構造（ＩＩＩａ）の繰り返し単位が約５モル％から約２２モル％までの範囲であり、更に、構造（Ｉａ）、（ＩＩＩｂ）及び（ＩＩＩａ）の繰り返し単位のモル％の合計は１００モル％に等しい、請求項１７７に記載の組成物。
【請求項179】
前記コポリマーが、約１５，０００から約１２０，０００までの範囲のＭｗを有する、請求項１３３～１７８のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項180】
前記コポリマーが、１．２から約６までの範囲の多分散性を有する、請求項１３２～１７９のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項181】
構造（Ｂ）の単一の架橋剤、または構造（Ｂ）の少なくとも二つの異なる架橋剤の混合物を更に含み、但し、Ｌ５は、少なくとも４個の炭素原子の長さを有するＣ４～Ｃ８アルキレンであり、及びＲａ１、Ｒａ２、Ｒａ３及びＲａ４は、独立してＣ４～Ｃ８アルキルから選択される、請求項１３３～１８０のいずれか一つに記載の組成物。【化51】
【請求項182】
Ｌ５がＣ４～Ｃ６アルキレンである、請求項１８１に記載の組成物。
【請求項183】
前記架橋剤が構造（Ｂ－１）を有する、請求項１８１または１８２に記載の組成物。【化52】
【請求項184】
Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３及びＲａ４がＣ３～Ｃ６アルキルである、請求項１８１～１８３のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項185】
Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３及びＲａ４がｎ－ブチルである、請求項１８１～１８４のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項186】
前記架橋剤が構造（Ｂ－２）を有する、請求項１８１～１８５のいずれか一つに記載の組成物。【化53】
【請求項187】
前記架橋剤が構造（Ｂ）の単一の架橋剤である、請求項１８１～１８６のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項188】
前記架橋剤が、構造（Ｂ）の少なくとも二つの異なる架橋剤の混合物である、請求項１８１～１８６のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項189】
約０．２重量％から約２．０重量％までの前記コポリマー、及び約９８．０重量％から約９９．８重量％までの前記スピンキャスト用有機溶剤を含み、ここでこれらの重量％範囲の合計は１００重量％以下である、請求項１３３～１８０のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項190】
約０．２重量％から約０．５重量％までの前記コポリマー、及び約０．０２重量％から約０．０４重量％までの前記架橋剤、及び約９９．５重量％から約９９．８重量％までの前記スピンキャスト用有機溶剤を含み、ここで、これらの重量％範囲の合計は１００重量％に等しい、請求項１８１～１８８のいずれか一つに記載の組成物。
【請求項191】
請求項６７～７７のいずれか一つに記載の組成物を用いて、架橋されたピン止め膜を形成する方法であって、次のステップ：ｉ）請求項６７～７７のいずれか一つに記載の組成物を基材上にコーティングするステップ；
ｉｉ）空気中、約２３０から約２５０℃までの温度において、前記のコーティングされた基材を、約３０秒間から約３分間ベークして、架橋するステップ；
ｉｉｉ）洗浄液を用いて約１分間から約４分間、洗浄して、可溶性材料を除去するステップ；
ｉｖ）コーティングを乾燥して、前記架橋されたピン止め層を基材上に形成するステップ；
を含む、前記方法。
【請求項192】
ブロックコポリマー膜中に増倍されたパターンを誘導する方法であって、ｉａ）二つ以上の自発的に分離するブロックを有するブロックコポリマーを提供するステップ；
ｉｉａ）基材を提供するステップ；
ｉｉｉａ）請求項１９１に従い、架橋されたピン止め層を形成するステップ；及び
ｉｖａ）前記架橋されたピン止め層の少なくとも一部上に、ブロックコポリマーを配置するステップ；
を含む、前記方法。
【請求項193】
次のステップ：ｖａ）前記ブロックコポリマーを配置する前に、リソグラフィプロセスにより、架橋されたピン止め層中にパターンを形成するステップ；及び
ｖｉａ）任意選択的に、前記パターン中に第二のコーティングを供し、ここで前記第二のコーティングは中性層である、ステップ；
を更に含む、請求項１９２に記載の方法。
【請求項194】
請求項７８～９９のいずれか一つに記載の組成物を用いて、架橋されたピン止め膜を形成する方法であって、次のステップ：ｉｂ）請求項７８～９９のいずれか一つに記載の組成物を基材上にコーティングするステップ；
ｉｉｂ）空気中、約２３０から約２５０℃の温度において、前記コーティングされた基材を、約３０秒間から約３分間ベークして架橋するステップ；
ｉｉｉｂ）洗浄液を用いて約１分間から約４分間洗浄して、可溶性材料を除去するステップ；
ｉｖｂ）コーティングを乾燥して、前記架橋されたピン止め層を基材上に形成するステップ；
を含む、前記方法。
【請求項195】
ブロックコポリマー膜中に増倍されたパターンを誘導する方法であって、ｉｃ）二つ以上の自発的に分離するブロックを有するブロックコポリマーを提供するステップ；
ｉｉｃ）基材を提供するステップ；
ｉｉｉｃ）請求項１９４に従い、架橋されたピン止め層を形成するステップ；
ｉｉｉｃ）前記架橋されたピン止め層の少なくとも一部上に、前記ブロックコポリマーを配置するステップ；
を含む、前記方法。
【請求項196】
ｉｃｖ）前記ブロックコポリマーを配置する前に、リソグラフィプロセスにより、架橋されたピン止め層中にパターンを形成するステップ；ｖｃ）任意選択に、前記パターン中に第二のコーティングを供し、但し、前記第二のコーティングは中性層である、ステップ；
を更に含む、請求項１９５に記載の方法。
【請求項197】
請求項１００～１３２のいずれか一つに記載の組成物を用いて、架橋されたピン止め膜を形成する方法であって、次のステップ：ｉｄ）請求項１００～１３２のいずれか一つに記載の組成物を基材上にコーティングするステップ；
ｉｉｄ）空気中、約２３０から約２５０℃の温度で、前記コーティングされた基材を、約３０秒間から約３分間ベークして、架橋するステップ；
ｉｉｉｄ）洗浄液を用いて約１分間から約４分間洗浄して、可溶性材料を除去するステップ；
ｉｖｄ）コーティングを乾燥して、前記架橋されたピン止め層を基材上に形成するステップ；
を含む、前記方法。
【請求項198】
ブロックコポリマー膜中に増倍されたパターンを誘導する方法であって、ｉｅ）二つ以上の自発的に分離するブロックを有するブロックコポリマーを提供するステップ；
ｉｉｅ）基材を提供するステップ；
ｉｉｉｅ）請求項１９７に従い、架橋されたピン止め層を形成するステップ；及び
ｉｖｅ）前記架橋されたピン止め層の少なくとも一部上にブロックコポリマーを配置するステップ；
を含む、前記方法。
【請求項199】
ｖｅ）前記ブロックコポリマーを配置する前に、リソグラフィプロセスにより、架橋されたピン止め層中にパターンを形成するステップ；ｖｉｅ）任意選択に、前記パターン中に第二のコーティングを供し、ここで前記第二のコーティングは中性層であるステップ；
を更に含む、請求項１９８に記載の方法。
【請求項200】
請求項１３３～１９０のいずれか一つに記載の組成物を用いて、架橋されたピン止め膜を形成する方法であって、次のステップ：ｉｆ）請求項１３３～１９０のいずれか一つに記載の組成物を基材上にコーティングするステップ；
ｉｉｆ）空気中、約２３０から約２５０℃までの温度で、前記コーティングされた基材を、約３０秒間から約３分間ベークして架橋するステップ；
ｉｉｉｆ）洗浄液を用いて約１分間から約４分間まで洗浄して、可溶性材料を除去するステップ；
ｉｖｆ）コーティングを乾燥して、前記架橋されたピン止め層を基材上に形成するステップ；
を含む、前記方法。
【請求項201】
ブロックコポリマー膜中に増倍されたパターンを誘導する方法であって、ｉｇ）二つ以上の自発的に分離するブロックを有するブロックコポリマーを提供するステップ；
ｉｉｇ）基材を提供するステップ；
ｉｉｉｇ）請求項２００に従い、架橋されたピン止め層を形成するステップ；
ｉｖｇ）前記の架橋されたピン止め層の少なくとも一部上にブロックコポリマーを配置するステップ；
を含む、前記方法。
【請求項202】
ｖｇ）前記ブロックコポリマーを配置する前に、リソグラフィプロセスにより、架橋されたピン止め層中にパターンを形成するステップ；ｖｉｇ）任意選択に、前記パターン中に第二のコーティングを供し、ここで前記第二のコーティングは中性層である、ステップ；
を更に含む、請求項２０１に記載の方法。
【請求項203】
架橋されたピン止め膜を基材上に形成するための、またはブロックコポリマー膜において増倍されたパターンを誘導するための、請求項１～６５のいずれか一つに記載のコポリマーまたは請求項６６～１９０のいずれか一つに記載の組成物の使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、誘導自己集合加工で使用するための極性ピン止めＭＡＴ組成物に関する。
【背景技術】
【0002】
ブロックコポリマーの自己集合は、ナノスケールのオーダーの図形の限界寸法（ＣＤ）を達成することができる、微細電子デバイスの製造のためのより一層小さいパターン化図形を生成するのに有用な方法である。自己集合方法は、コンタクトホールまたはポストのアレイなどの繰り返し図形のためのマイクロリソグラフィ技術の解像能力を拡張するために望ましい。慣用のリソグラフィ方策では、基材または層状基材上にコーティングされたフォトレジスト層上にマスクを通して露光するために紫外（ＵＶ）放射線を使用することができる。ポジ型もしくはネガ型フォトレジストが有用であり、そしてこれらは、慣用の集積回路（ＩＣ）プラズマ加工技術を用いた乾式現像を可能とするようにケイ素などの耐熱性元素を含むこともできる。ポジ型フォトレジストでは、マスクを通過したＵＶ放射線は、フォトレジスト中で光化学的反応を引き起こして、露光された領域が、現像剤溶液でまたは慣用のＩＣプラズマ加工によって除去されるようになる。これとは反対に、ネガ型フォトレジストでは、マスクを通過したＵＶ放射線が、放射線に曝された領域を現像剤溶液を用いてまたは慣用のＩＣプラズマ加工では除去され難くする。ゲート、ビアまたはインターコネクタなどの集積回路図形が次いで基材または層状基材中にエッチングされ、そして残ったフォトレジストは除去される。慣用のリソグラフィ露光プロセスを用いる場合は、集積回路図形の図形寸法には限界がある。パターン寸法の更なる縮小は、収差、焦点、プロキシミティ効果、達成可能な最小露光波長及び達成可能な最大開口数に関連した制限の故に放射線露光を用いては達成が困難である。大規模集積へのニーズの故に、デバイスの回路寸法及び図形は絶え間なく縮小されてきた。過去には、図形の最終の解像度は、それ自体に限界のある、フォトレジストの露光に使用される光の波長に依存してきた。基材上のパターン化された領域を使用するブロックコポリマー画像形成を用いたグラフォエピタキシ及びケモエピタキシなどの誘導（別称ではガイド）自己集合技術は、ＣＤ変動を減少しながら解像度を向上するために使用される非常に望ましい技術である。これらの技術は、慣用のＵＶリソグラフィ技術を増強するために、またはＥＵＶ、電子線、ディープＵＶまたは液浸リソグラフィを用いた方策においてより一層高い解像度及びＣＤコントロールを可能とするために、使用することができる。誘導自己集合（ＤＳＡ）ブロックコポリマーは、耐エッチング性のコポリマー単位のブロックと、高度にエッチング可能なコポリマー単位とのブロックとを含み、コーティングされ、基材上で整列及びエッチングされると、非常に高密度のパターンの領域を与える。
【0003】
それぞれパターン化または非パターン化基材領域上でのブロックコポリマー膜の誘導（ガイド）または非ガイド自己集合のためには、典型的には、このブロックコポリマー層の自己集合プロセスは、中性層を覆うこの膜のアニールの間に起こる。半導体基材上のこの中性層は、非パターン化中性層であってよいか、またはケモエピタキシもしくはグラフォエピタキシでは、この中性層は、（上記のＵＶリソグラフィ技術を介して形成された）グラフォエピタキシもしくはケモエピタキシガイド図形をそれぞれ含み得る。ブロックコポリマー膜がアニールされる間、下層の中性層は、ブロックコポリマードメインのナノ相分離を誘導する。一つの例は、下にある中性層表面に対して垂直なラメラまたはシリンダである層分離ドメインの形成である。これらのナノ相分離したブロックコポリマードメインはプリパターン（例えば、ライン・アンド・スペースＬ／Ｓ）を形成し、これを、エッチングプロセス（例えばプラズマエッチング）を介して基材中に転写することができる。グラフォエピタキシまたはケモエピタキシでは、これらの誘導図形は、パターン修正及びパターン増倍の両方に影響を及ぼし得る。パターン化されていない中性層の場合は、これは、例えばＬ／ＳまたはＣＨの反復アレイを生成する。例えば、両方のブロックがＢＣＰ－空気界面で類似の表面エネルギーを持つポリ（スチレン－ｂ－メチルメタクリレート）（Ｐ（Ｓ－ｂ－ＭＭＡ））などの慣用のブロックコポリマーでは、これは、ポリマー－基材界面のところでグラフトもしくは架橋されている非優先的もしくは中性材料の層上にブロックコポリマーをコーティング及び熱アニールすることによって達成できる。
【0004】
グラフォエピタキシ誘導自己集合方法では、ブロックコポリマーは、慣用のリソグラフィ（紫外線、ディープＵＶ、電子線、極端紫外線（ＥＵＶ）露光源）を用いてプリパターン化されてライン／スペース（Ｌ／Ｓ）またはコンタクトホール（ＣＨ）パターンなどの繰り返しのトポグラフィ図形が形成されている基材の周りに自己組織化する。Ｌ／Ｓ誘導自己集合アレイの一例では、ブロックコポリマーは、予めパターン化されたライン間のトレンチ中に異なるピッチの平行なライン－スペースパターンを形成できる自己整列したラメラ領域を形成して、トポグラフィカルライン間のトレンチ中の空間をより微細なパターンに分割することによりパターン解像度を増強することができる。例えば、プラズマエッチングに耐性がある炭素リッチなブロック（例えば、スチレンであるか、またはＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉなどの何らかの他の元素を含む）、及びプラズマで高度にエッチングまたは除去可能なブロックを含む、マイクロ相分離が可能なジブロックコポリマーまたはトリブロックコポリマーは、高解像度パターン画定を供し得る。高エッチング性ブロックの例には、酸素を豊富に含みかつ耐熱性元素を含まず、更に高エッチング性ブロックを形成することができるモノマー、例えばメチルメタクリレートを含み得る。自己集合パターンを画定するエッチングプロセスに使用されるプラズマエッチングガスは、典型的には、集積回路（ＩＣ）の製造に用いられるプロセスに使用されるガスである。このようにして、慣用のリソグラフィ技術によって画定可能なものと比べて非常に微細なパターンを典型的なＩＣ基材に生成でき、そうしてパターンの増倍が達成される。同様に、グラフォエピタキシを使用することによって、コンタクトホールなどの図形をより緻密に生成することができる。グラフォエピタキシでは、慣用のリソグラフィによって画定されるコンタクトホールまたはポストのアレイの周りでの誘導自己集合によって適当なブロックコポリマーがそれ自体で整列して、エッチング可能なドメイン及び耐エッチング性のドメインの領域のより緻密なアレイを形成し、これが、エッチングした時にコンタクトホールのより緻密なアレイを与える。その結果、グラフォエピタキシは、パターン調整及びパターン増倍の両方を提供する可能性を持つ。
【0005】
ケミカルエピタキシまたはピン止めケミカルエピタキシでは、誘導自己集合プロセスの基礎となるトポグラフィを持たないかまたは顕著なトポグラフィを持たない（別の言い方では、非誘導性トポグラフィ）、化学親和性が異なる領域である誘導性図形を有する表面上に、ブロックコポリマーの自己集合が形成される。例えば、基材の表面を、慣用のリソグラフィ（ＵＶ、ディープＵＶ、電子線、ＥＵＶ）を用いてパターン化して、表面ケミストリーが放射線により変性された露光された領域が、未露光で化学的変化を示さない領域と交互している異なる化学親和性の表面をライン・アンド・スペース（Ｌ／Ｓ）パターンで生成することができる。これらの領域はトポグラフィの差異は供しないが、ブロックコポリマーセグメントの自己集合を誘導する表面化学的差異またはピン止めを供する。具体的には、耐エッチング性の繰り返し単位（例えばスチレン繰り返し単位）及び高速エッチング性の繰り返し単位（例えばメチルメタクリレート繰り返し単位）を含むブロックセグメントを持つブロックコポリマーの誘導自己集合は、パターン上での耐エッチング性ブロックセグメントと高エッチング性のブロックセグメントの正確な配置を可能とする。この技術は、これらのブロックコポリマーを正確に配置すること、及びその後に、プラズマまたはウェットエッチング加工の後に基材にパターンをパターン転写することを可能にする。ケミカルエピタキシは、ラインエッジラフネス及びＣＤコントロールの改善と助けとなって、そうしてパターン調整が可能となるように、化学的差異の変化によって微調整できるという利点を有する。繰り返しコンタクトホール（ＣＨ）アレイなどの他のタイプのパターンも、ケモエピタキシを用いてパターン調整することができる。
【0006】
これらの中性層は、誘導自己集合に使用されたブロックコポリマーのいずれのブロックセグメントにも親和性を持たない、基材上の層または処理された基材の表面である。ブロックコポリマーの誘導自己集合のグラフォエピタキシ法では中性層が有用である、というのも、これらは、誘導自己集合のためのブロックポリマーセグメントの適切な配置または配向を可能とし、これが、基材に対する耐エッチング性ブロックポリマーセグメント及び高エッチング性ブロックポリマーセグメントの適切な配置をもたらすからである。例えば、慣用の放射線リソグラフィで画定されたライン・アンド・スペース図形を含む表面では、中性層は、ブロックセグメントが基材の表面に対して垂直に配向するようにブロックセグメントを配向することを可能とするが、このような配向は、慣用のリソグラフィで画定されるライン間の長さに対するブロックコポリマー中のブロックセグメントの長さに依存してパターン調整とパターン増倍の両方に理想的な配向である。基材が、ブロックセグメントのうちの一つとあまりに強く相互作用すると、このセグメントがその表面上に平坦に横たわって、セグメントと基材との間の接触面が最大化されるだろう；このような表面は、慣用のリソグラフィにより生成された図形に基づいたパターンの調整またはパターンの増倍のいずれかを達成するために使用できる望ましい垂直な整列を乱すことになるであろう。基材の選択された小さな領域を変性またはピン止めして、これらを、ブロックコポリマーの一つのブロックと強く相互作用するようにし、基材の残部は中性層でコーティングされた状態で残すことは、ブロックコポリマーのドメインを所望の方向に整列させるのに有用であり得、そしてこれは、パターン増倍のために使用されるピン止めケモエピタキシまたはグラフォエピタキシの基本となる。ピン止め領域は、例えば、スチレンとメチルメタクリレートとのブロックコポリマーにおけるポリメチルメタクリレートブロックセグメントなどの極性ブロックコポリマーセグメントに対して比較的大きな親和性を有する親水性であるものであり得るか、または代替的に、例えば、スチレンとメチルメタクリレートとのブロックコポリマーにおけるポリスチレンブロックセグメントに対して比較的大きな親和性を有する疎水性のものであり得るピン止め領域であってよい。
【0007】
熱的にまたは光化学的に酸を放出する小分子活性剤の存在を必要としない簡単な処方及び成分を有する、ＤＳＡ加工用の親水性ＭＡＴピン止め層を開発することに対する要望がある。というのも、このような処方は、欠陥の生成を招く、熱アニールの間の上層のブロックコポリマーに起こり得る汚染の問題を避けるであろうからである。例えば、熱酸発生剤としてのパラトルエンスルホン酸トリエチルアンモニウム塩を用いて調合されたポリ（メチルメタクリレート－ｒ－２－ビニルオキシエチル）Ｐ（ＭＭＡ－ｒ－ＶＥＭＡ）の調合物が、リバースラインフローＤＳＡ加工に使用するための親水性架橋性ピン止めＭＡＴ組成物として開発された（ＵＳ９，０９３，２６３（特許文献１））。しかし、ＶＥＭＡの架橋性基を熱活性化するために加える必要があるこの熱酸発生剤添加剤は、基材上でＭＡＴ層を熱硬化する時にダークスポット欠陥を引き起こすことが観察された。これは、ポリ（メチルメタクリレート－ｂ－スチレン）ブロックコポリマー上層のその後のＤＳＡプロセスにおいて欠陥を引き起こす。加えて、Ｐ（ＭＭＡ－ｒ－ＶＥＭＡ）の合成は、毒性の高いテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）を試薬として使用した重合後の修飾を必要とした。このような合成法は、大規模で行うのには問題があり得、そのため、上層のブロックコポリマーのＤＳＡ加工の時にＭＡＴ下層として使用された時に欠陥を形成する可能性を避けるために、より簡単にスケールアップ可能でかつ架橋を触媒するための硬化添加剤を必要としない新規の親水性ＭＡＴ材料の開発に対する要望がある。本発明に関連して、ＭＡＴ層とは、その上にコーティングされたいかなる層に対しても不溶性であり、かつＤＳＡ中性またはピン止め層として使用することができる、架橋された層である。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】Ｐ（ＭＭＡ－ｒ－ＴＭＯＳｉＰｒＭＡ－ｒ－ＴＭＳＨＥＭＡ）の代表的１Ｈ ＮＭＲスペクトルを示す。
【図2】ケイ素ウェハ上の合成例２の材料の架橋膜上で２５０℃でアニールした、ＰＭＥ－７１０２（Ｌｏ＝２９ｎｍ、膜厚は１５００ｒｐｍで３５ｎｍである）の平行な形態を示すＳＥＭ画像である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0009】
【特許文献1】ＵＳ９，０９３，２６３
【非特許文献】
【0010】
【非特許文献1】Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ ２０１９，５２，２９８７－２９９４
【非特許文献2】Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｒａｐｉｄ Ｃｏｍｍｕｎ．２０１８，３９，１８００４７９
【非特許文献3】Ａ．Ｄｅｉｔｅｒ Ｓｈｌｕｔｅｒ ｅｔ ａｌ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ，２０１４，Ｖｏｌｕｍｅ １，ｐ３１５
【非特許文献4】Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２０１４，Ｖｏｌ ７，ｐ．６２５
【発明の概要】
【0011】
本発明は、幾つかの異なる新規ターポリマー親水性架橋性ＭＡＴ組成物を記載するものであり、これらの組成物は全て、主成分として極性アルキルメタ（アクリレート）、例えばメチルメタクリレートを含み、及びその樹脂成分は、多量にスケールアップできるように設計されており、及び硬化を可能にするために熱酸発生剤、光酸発生剤、熱ラジカル発生剤または光ラジカル発生剤の添加を必要としない。これらの一つは、Ｐ（ＭＭＡ－ｒ－ＡＭＭＡ）［すなわち、ポリ（メチルメタクリレート－ｃｏ－９－アントラセンメチルメタクリレート）］であり、これは、親水性膜をそれ自体で保持するには不十分にしか架橋しないが、架橋された樹脂に組み入れられるビスマレイミド系架橋剤を添加することにより十分に架橋するようにすることができ、及び上層のブロックコポリマーの汚染やＤＳＡ加工中の欠陥の形成の問題を回避する。この問題を解消するための他の方策の一つは、親水性ＭＡＴ調合物中の樹脂として、Ｐ（ＭＭＡ－ｒ－ＴＭＯＳｉＰｒＭＡ）［すなわち、ポリ（メチルメタクリレート）－ｃｏ－３－（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート］を使用することであった。これは、低拡散二官能性塩基添加剤を用いて熱的に架橋することができ、優れた膜保持性を与えた。他の方策の一つは、樹脂ターポリマーとして、Ｐ（ＭＭＡ－ｒ－ＴＭＯＳｉＰｒＭＡ－ｒ－ＴＭＳＨＥＭＡ［すなわち、ポリ（メチルメタクリレート－ｃｏ－３－（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート）－ｃｏ－２－トリメチルシリルオキシエチルメタクリレート）］を使用することであった。これもまた、コーティング欠陥が少ない親水性架橋性ピン止めＭＡＴを与えるが、酸または塩基性熱または光化学的添加剤の使用を必要としない。これらのポリマーデザインの全てにおいて、ＰＳ－ｂ－ＰＭＭＡジブロックコポリマーをピン止めするためにＭＭＡ成分が必要である。ＴＭＯＳｉＰｒＭＡ成分は、架橋を可能にし、優れた基材付着性を与える。ＴＭＳＨＥＭＡ成分は、ベーク時にポリマーを架橋させるフリーのヒドロキシル基をマスクする。全てのモノマーのメタクリル的性質は、この膜の親水性を高くする。これらの材料の硬化膜に存在する少ない欠陥は、ガイドパターンの及びそれ故、ＢＣＰのＤＳＡのより良好な加工を可能とし、欠陥数を減少させる。
【0012】
本発明の他の観点の一つは、以下を含む構造（Ａ）の発明的ランダムコポリマーである：
・構造（Ｉ）のアルキル含有繰り返し単位、式中、ＲＩはＣ１～Ｃ８アルキルであり、Ｒｍ１はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、及びｎ１は繰り返し単位の全数である；
・構造（ＩＩ）のトリアルキルシリルオキシ含有繰り返し単位、式中、ＲＩＩは構造（Ａ－１）の部分であり、ここでＲｍ２はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、Ｌ１は直接原子価結合またはＣ１～Ｃ８アルキレン部分のいずれかであり、ＲＩＩａ、ＲＩＩｂ及びＲＩＩｃは独立してＣ１～Ｃ４アルキルから選択され、そしてｎ２は繰り返し単位の全数である；
・構造（ＩＩＩ）の少なくとも一つのタイプの架橋性繰り返し単位（式中、ＲＩＩＩは構造（Ａ－２）または（Ａ－３）の部分である）、または構造（ＩＩＩ）の二つの異なるタイプの繰り返し単位（式中、ＲＩＩＩは、構造（Ａ－２）の部分または構造（Ａ－３）の部分のいずれかである）、ここで、ＲＳ１はＣ１～Ｃ４アルキルであり、ＲＳはＣ１～Ｃ４アルキルであり、ｘは０、１または２であり、Ｌ２及びＬ３は、独立して、直接原子価結合またはＣ１～Ｃ１０アルキレン部分のいずれかであり、ＲＯＸはオキシランを含む脂肪族部分であり、そしてｎ３は繰り返し単位の全数である；
・構造（Ａ）に示される二つの末端基、そのうちの一つはＨであり、他方は、Ｒｒ、Ｒｒ１及びＲｒ２で置換されたメチル部分であり、ここで、Ｒｒ１及びＲｒ２は独立してＣ１～Ｃ８アルキルから選択され、そしてＲｒはシアノ部分（－ＣＮ）またはカルボニルアルキル部分（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒｉ）であり、ＲｉはＣ１～Ｃ８アルキルまたはアリール部分である。
・構造（Ｉ）のアルキル含有繰り返し単位、式中、ＲＩはＣ１～Ｃ８アルキルであり、Ｒｍ１はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、及びｎ１は繰り返し単位の全数である；
・構造（ＩＩ）のトリアルキルシリルオキシ含有繰り返し単位、式中、ＲＩＩは構造（Ａ－１）の部分であり、ここでＲｍ２はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、Ｌ１は直接原子価結合またはＣ１～Ｃ８アルキレン部分のいずれかであり、ＲＩＩａ、ＲＩＩｂ及びＲＩＩｃは独立してＣ１～Ｃ４アルキルから選択され、そしてｎ２は繰り返し単位の全数である；
・構造（ＩＩＩ）の少なくとも一つのタイプの架橋性繰り返し単位（式中、ＲＩＩＩは構造（Ａ－２）または（Ａ－３）の部分である）、または構造（ＩＩＩ）の二つの異なるタイプの繰り返し単位（式中、ＲＩＩＩは、構造（Ａ－２）の部分または構造（Ａ－３）の部分のいずれかである）、ここで、ＲＳ１はＣ１～Ｃ４アルキルであり、ＲＳはＣ１～Ｃ４アルキルであり、ｘは０、１または２であり、Ｌ２及びＬ３は、独立して、直接原子価結合またはＣ１～Ｃ１０アルキレン部分のいずれかであり、ＲＯＸはオキシランを含む脂肪族部分であり、そしてｎ３は繰り返し単位の全数である；
・構造（Ａ）に示される二つの末端基、そのうちの一つはＨであり、他方は、Ｒｒ、Ｒｒ１及びＲｒ２で置換されたメチル部分であり、ここで、Ｒｒ１及びＲｒ２は独立してＣ１～Ｃ８アルキルから選択され、そしてＲｒはシアノ部分（－ＣＮ）またはカルボニルアルキル部分（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒｉ）であり、ＲｉはＣ１～Ｃ８アルキルまたはアリール部分である。
【0013】
【化1】
・ランダムコポリマーであって：
・・構造（Ｉ）のアルキル含有繰り返し単位、式中、ＲＩはＣ１～Ｃ８アルキルであり、Ｒｍ１はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルである；
・・アルキル２－メチレンアルカノエート（アルキル－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｃ（アルキル）＝ＣＨ２）またはアルキルメタクリレート（アルキル－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ＝ＣＨ２）から誘導される、架橋するために酸触媒を必要としない少なくとも一つのタイプの架橋可能な繰り返し単位、但し、前記アルキルオキシ部分は、トリアルキルシリルオキシ、オキシラン類、トリアルキルオキシシリル及びアントラセン類からなる群から選択される架橋可能な部分で置換されている；
を含むランダムコポリマー、
・スピンキャスト用溶剤、
を含むが、
・熱酸発生剤、光酸発生剤、熱ラジカル発生剤または光ラジカル発生剤は含まない、
組成物である。
【0014】
【化2】
【0015】
本発明の他の観点の一つは、ＤＳＡ加工における、これらの架橋された極性ＭＡＴコーティングの使用である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
前記の一般的な説明及び以下の詳細な説明は双方とも例示、説明のためのものであって、特許請求の範囲に記載の発明に関してそれを限定するものではないと理解するべきである。本願において、他に具体的に記載がなければ、単数形の使用は複数を包含し、単数形は「少なくとも一つ」を意味し、そして「または」の使用は「及び／または」を意味する。更に、「含む」という記載、並びに「含まれる」などの他の動詞形の使用は限定的ではない。また、「要素」または「成分」などの記載は、他に具体的に記載がなければ、一つの構成単位を含む要素及び成分、並びに１つ超の構成単位を含む要素または成分の両方を包含する。他に指示が無ければ、ここで使用する「及び」という接続詞は両立的であることを意図しており、「または」という接続詞は排他的であることを意図していない。例えば、「またはその代わりに」というフレーズは、排他的であることを意図している。ここで使用する「及び／または」という記載は、単一要素の使用も含む、前述される要素の任意の組み合わせを指す。
【0017】
Ｃ１－Ｃ４アルキルという用語は、メチル及びＣ２～Ｃ４線状アルキル及びＣ３～Ｃ４分岐状アルキル部分の総称であり、その例としては、メチル（－ＣＨ３）、エチル（－ＣＨ２－ＣＨ３）、ｎ－プロピル（－ＣＨ２－ＣＨ２－ＣＨ３）、イソプロピル（－ＣＨ（ＣＨ３）２）、ｎ－ブチル（－ＣＨ２－ＣＨ２－ＣＨ２－ＣＨ３）、ｔｅｒｔ－ブチル（－Ｃ（ＣＨ３）３）、イソブチル（ＣＨ２－ＣＨ（ＣＨ３）２）、２－ブチル（－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２－ＣＨ３）などが挙げられる。同様に、Ｃ１～Ｃ８アルキルという用語は、メチルＣ２～Ｃ８線状アルキル、Ｃ３～Ｃ８分岐状アルキル、Ｃ４～Ｃ８シクロアルキル（例えば、シクロペンチル、シクロヘキシルなど）、またはＣ５～Ｃ８アルキレンシクロアルキル（例えば、－ＣＨ２－シクロヘキシル、ＣＨ２－ＣＨ２－シクロペンチルなど）を包含する。
【0018】
Ｃ２～Ｃ５アルキレンという用語は、Ｃ２～Ｃ５線状アルキレン部分（例えば、エチレン、プロピレンなど）及びＣ３～Ｃ５分岐状アルキレン部分（例えば－ＣＨ（ＣＨ３）－、－ＣＨ（ＣＨ３）－ＣＨ２－など）を包含する。
【0019】
ここに記載の本発明の組成物中の成分として有用なスチレン系及びアルキル２－メチレンアルカノエート誘導繰り返し単位部分のジブロック及びトリブロックコポリマーは、アニオン重合、原子移動ラジカル重合（ＡＴＲＰ）、可逆的付加開裂連鎖移動（ＲＡＦＴ）重合、リビングラジカル重合など様々な方法によって製造することができる（Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ ２０１９，５２，２９８７－２９９４（非特許文献１）；Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｒａｐｉｄ Ｃｏｍｍｕｎ．２０１８，３９，１８００４７９（非特許文献２）；Ａ．Ｄｅｉｔｅｒ Ｓｈｌｕｔｅｒ ｅｔ ａｌ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ，２０１４，Ｖｏｌｕｍｅ １，ｐ３１５（非特許文献３）；Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２０１４，Ｖｏｌ ７，ｐ．６２５（非特許文献４））。
【0020】
ランダムコポリマーであるポリ（スチレン－ｃｏ－メチルメタクリレート）は、「Ｐ（Ｓ－ｃｏ－ＭＭＡ）」と略され、そしてこの材料のオリゴマー型は、Ｐ（Ｓ－ｃｏ－ＭＭＡ）と略される。同様に、ブロックコポリマーであるポリ（スチレン－ブロック－メチルメタクリレート）はＰ（Ｓ－ｂ－ＭＭＡ）と略され、他方、この材料のオリゴマーは、オリゴ（Ｓ－ｂ－ＭＭＡ）と略される。オリゴマーのオリゴ（スチレン－ｃｏ－ｐ－オクチルスチレン）－ブロック－（メチルメタクリレート－ｃｏ－ジ（エチレングリコール）メチルエーテルメタクリレート）は、ランダムブロックコポリマー要素を指示するために同じ略語を使用し、具体的にはオリゴ（Ｓ－ｃｏ－ｐ－ＯＳ）－ｂ－Ｐ（ＭＭＡ－ｃｏ－ＤＥＧＭＥＭＡ）（Ｓ＝スチレン、ｐ－ＯＳ＝パラ－オクチルスチレン、ＭＭＡ＝メタクリレート、ＤＥＧＭＥＭＡ＝ジ（エチレングリコール）メチルエーテルメタクリレート）は、二つのブロックがランダムコポリマーであるこのブロックコポリマー中の繰り返し単位を指示する。
【0021】
ＦＯＶは、本願においてＳＥＭ図のトップダウン走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）の「視野（ｆｉｅｌｄ ｏｆ ｖｉｅｗ）」の略語である。「Ｌ／Ｓ」は、「ライン・アンド・スペース」リソグラフィ図形の略語である。
【0022】
ＰＧＭＥＡ及びＰＧＭＥは、それぞれ、１－メトキシプロパン－２－イルアセテート及び１－メトキシプロパン－２－オールの略語である。
【0023】
ここで使用する各章の表題は、文書構成を目的としたものであって、記載の主題を限定するものと解釈するべきではない。限定はされないが特許、特許出願、論文、書籍及び専門書を始めとした本願で引用する全ての文献または文献の一部は、全ての目的に関してそれらの内容の全てが本明細書中に掲載されたものとする。ここに掲載されたものとする文献及び類似の資料の一つ以上における用語の定義が、本願明細書におけるものと矛盾する場合は、本願の定義が優先する。
【0024】
他に指示がない限り、「アルキル」は、線状、分岐状炭化水素基（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｔｅｒｔ－ブチル及び類似の基）、または環状炭化水素基（例えば、シクロヘキシル、シクロプロピル、シクロペンチル及び類似の基）、多環式炭化水素基（例えば、ノルボルニル、アダマンチル及び類似の基）であることができる炭化水素基を指す。これらのアルキル部分は、以下に記載のように置換されていてもまたは置換されていなくともよい。「アルキル」という用語は、Ｃ１～Ｃ８炭素を有するこのような部分を指す。構造上の理由から、線状アルキルはＣ１から始まり、他方で、分岐状アルキル及び環状アルキルはＣ３から始まり、そして多環式アルキルはＣ５から始まると理解される。更に、以下に記載のアルキルから誘導される部分、例えばアルキルオキシ及びパーフルオロアルキルは、他に記載がなければ、同じ炭素数範囲を有すると理解される。上記とは異なるアルキル基の長さが規定される場合は、アルキルの前記の定義は、前記の全てのタイプのアルキル部分を包含する点でなおも有効であり、及び所与のタイプのアルキル基の最小炭素数に関しての前記の構造に関する考慮はなおも該当する。
【0025】
アルキルオキシ（別称はアルコキシ）は、オキシ（－Ｏ－）部分を介して結合したアルキル基を指す（例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、１，２－イソプロポキシ、シクロペンチルオキシ、シクロヘキシルオキシ及び類似物）。これらのアルキルオキシ部分は、以下に記載のように置換されていてもまたは置換されていなくともよい。
【0026】
ハロまたはハライドは、一つの結合手によって有機部分に結合するハロゲン、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩを指す。
【0027】
ここで使用する場合、ラクトンという用語は、モノラクトン類（例えば、カプロラクトン）及びジラクトン類（例えばラクチド）の両方を包含する。
【0028】
ハロアルキルは、水素のうちの少なくとも一つが、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、または１超のハロ部分が存在する場合にはこれらの混合物の群から選択されるハライドによって置き換えられている、上述したものなどの、線状、環状または分岐状の飽和アルキル基を指す。フルオロアルキルは、これらの部分の特定のサブグループである。
【0029】
パーフルオロアルキルは、水素の全てがフッ素に置き換えられた先に定義した線状、環状または分岐状の飽和アルキル基を指す（例えば、トリフルオロメチル、パーフルオロエチル、パーフルオロイソプロピル、パーフルオロシクロヘキシル及び類似の基）。
【0030】
構造（Ａ）のコポリマー
本発明の一つの観点は、以下を含む構造（Ａ）の発明的ランダムコポリマーである：
・構造（Ｉ）のアルキル含有繰り返し単位、式中、ＲＩはＣ１～Ｃ８アルキルであり、Ｒｍ１はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、そしてｎ１は繰り返し単位の全数である；
・構造（ＩＩ）のトリアルキルシリルオキシ含有繰り返し単位、式中、ＲＩＩは構造（Ａ－１）の部分であり、ここでＲｍ２はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、Ｌ１は直接原子価結合またはＣ１～Ｃ８アルキレン部分のいずれかであり、ＲＩＩａ、ＲＩＩｂ及びＲＩＩｃは独立してＣ１～Ｃ４アルキルから選択され、そしてｎ２は繰り返し単位の全数である；
・構造（ＩＩＩ）の少なくとも一つのタイプの架橋性繰り返し単位（式中、ＲＩＩＩは構造（Ａ－２）または（Ａ－３）の部分である）、または構造（ＩＩＩ）の二つの異なるタイプの繰り返し単位（式中、ＲＩＩＩは、構造（Ａ－２）の部分または構造（Ａ－３）の部分のいずれかである）、ここで、ＲＳ１はＣ１～Ｃ４アルキルであり、ＲＳはＣ１～Ｃ４アルキルであり、ｘは０、１または２であり、及びＬ２及びＬ３は、独立して、直接原子価結合またはＣ１～Ｃ１０アルキレン部分のいずれかであり、ＲＯＸはオキシランを含む脂肪族部分であり、そしてｎ３は繰り返し単位の全数である；
・構造（Ａ）に示される二つの末端基、そのうちの一つはＨであり、他方は、Ｒｒ、Ｒｒ１及びＲｒ２で置換されたメチル部分であり、ここで、Ｒｒ１及びＲｒ２は独立してＣ１～Ｃ８アルキルから選択され、そしてＲｒはシアノ部分（－ＣＮ）またはカルボニルアルキル部分（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒｉ）であり、ＲｉはＣ１～Ｃ８アルキルまたはアリール部分である。
本発明の一つの観点は、以下を含む構造（Ａ）の発明的ランダムコポリマーである：
・構造（Ｉ）のアルキル含有繰り返し単位、式中、ＲＩはＣ１～Ｃ８アルキルであり、Ｒｍ１はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、そしてｎ１は繰り返し単位の全数である；
・構造（ＩＩ）のトリアルキルシリルオキシ含有繰り返し単位、式中、ＲＩＩは構造（Ａ－１）の部分であり、ここでＲｍ２はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、Ｌ１は直接原子価結合またはＣ１～Ｃ８アルキレン部分のいずれかであり、ＲＩＩａ、ＲＩＩｂ及びＲＩＩｃは独立してＣ１～Ｃ４アルキルから選択され、そしてｎ２は繰り返し単位の全数である；
・構造（ＩＩＩ）の少なくとも一つのタイプの架橋性繰り返し単位（式中、ＲＩＩＩは構造（Ａ－２）または（Ａ－３）の部分である）、または構造（ＩＩＩ）の二つの異なるタイプの繰り返し単位（式中、ＲＩＩＩは、構造（Ａ－２）の部分または構造（Ａ－３）の部分のいずれかである）、ここで、ＲＳ１はＣ１～Ｃ４アルキルであり、ＲＳはＣ１～Ｃ４アルキルであり、ｘは０、１または２であり、及びＬ２及びＬ３は、独立して、直接原子価結合またはＣ１～Ｃ１０アルキレン部分のいずれかであり、ＲＯＸはオキシランを含む脂肪族部分であり、そしてｎ３は繰り返し単位の全数である；
・構造（Ａ）に示される二つの末端基、そのうちの一つはＨであり、他方は、Ｒｒ、Ｒｒ１及びＲｒ２で置換されたメチル部分であり、ここで、Ｒｒ１及びＲｒ２は独立してＣ１～Ｃ８アルキルから選択され、そしてＲｒはシアノ部分（－ＣＮ）またはカルボニルアルキル部分（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒｉ）であり、ＲｉはＣ１～Ｃ８アルキルまたはアリール部分である。
【0031】
【化3】
【0032】
構造（Ａ）の本発明のコポリマーの他の観点の一つでは、前記繰り返し単位は、構造（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）の繰り返し単位から本質的になり、但し、構造（ＩＩＩ）の繰り返し単位は、構造（ＩＩＩ）の二つの異なるタイプの繰り返し単位であり、ここで、ＲＩＩＩは、構造（Ａ－２）または構造（Ａ－３）の部分である。
【0033】
構造（Ａ）の本発明のコポリマーの他の観点の一つでは、前記繰り返し単位は、構造（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）の繰り返し単位からなり、但し、構造（ＩＩＩ）の繰り返し単位は、構造（ＩＩＩ）の単一のタイプの架橋性繰り返し単位であり、及びＲＩＩＩは、構造（Ａ－２）または構造（Ａ－３）の部分である。
【0034】
構造（Ａ）の本発明のコポリマーの他の観点の一つでは、前記繰り返し単位は、構造（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）の繰り返し単位からなり、但し、構造（ＩＩＩ）の繰り返し単位は、構造（ＩＩＩ）の二つの異なるタイプの繰り返し単位であり、ここで、ＲＩＩＩは、構造（Ａ－２）または構造（Ａ－３）の部分である。
【0035】
構造（Ａ）の本発明のコポリマーの他の観点の一つでは、ＲＩＩＩは構造（Ａ－２）を有する。この態様の他の観点の一つでは、ｘは１である。この態様の他の観点の一つでは、ｘは２である。この態様の他の観点の一つでは、ｘは０である。この態様の更に別の観点の一つでは、Ｌ２はＣ２～Ｃ４アルキレン部分である。
【0036】
構造（Ａ）の本発明のコポリマーの他の観点の一つでは、ＲＩＩＩは構造（Ａ－２ａ）を有する。この態様の一つの観点では、ＲｓはＣ１～Ｃ４アルキルである。この態様の他の観点の一つでは、ＲＩＩＩは構造（Ａ－２ｂ）を有する。
【0037】
【化4】
【0038】
【化5】
【0039】
【化6】
【0040】
【化7】
【0041】
【化8】
【0042】
【化9】
【0043】
構造（Ａ）の本発明のコポリマーの他の観点の一つでは、ＲＩＩＩは構造（Ａ－３）を有し、ＲＩＩＩは構造（Ａ－３ｆ）を有する。
【0044】
【化10】
【0045】
【化11】
【0046】
【化12】
【0047】
【化13】
【0048】
構造（Ａ）の本発明のコポリマーの他の観点の一つでは、構造（Ａ－１）において、ＲＩＩは構造（Ａ－１ａ）を有する。
【0049】
【化14】
【0050】
【化15】
【0051】
構造（Ａ）の本発明のコポリマーの一つの観点では、構造（Ｉ）の繰り返し単位において、Ｒｍ１はＨである。他の観点の一つでは、Ｒｍ１はＣ１～Ｃ４アルキルである。更に別の観点の一つでは、Ｒｍ１はメチルである。
【0052】
構造（Ａ）の本発明のコポリマーの一つの態様では、構造（ＩＩ）の繰り返し単位において、Ｒｍ２はＣ１～Ｃ４アルキルである。この態様の他の観点の一つでは、Ｒｍ２はメチルである。更に別の観点の一つでは、Ｒｍ２はＨである。
【0053】
構造（Ａ）の本発明のコポリマーの一つの態様では、構造（ＩＩＩ）の繰り返し単位において、Ｒｍ３はＣ１～Ｃ４アルキルである。この態様の他の観点の一つでは、Ｒｍ３はメチルである。更に別の観点の一つでは、Ｒｍ３はＨである。
【0054】
構造（Ａ）の本発明のコポリマーの一つの態様では、Ｒｍ１、Ｒｍ２及びＲｍ３はメチルである。
【0055】
構造（Ａ）の本発明のコポリマーの一つの態様では、末端基において、Ｒｒはシアノ部分である。構造（Ａ）の本発明のコポリマーの一つの態様では、末端基において、Ｒｒはカルボキシアルキル部分である。この態様の一つの観点では、ＲｉはＣ１～Ｃ８アルキルである。この態様の他の観点の一つでは、Ｒｉはアリールである。構造（Ａ）の本発明のコポリマーの一つの態様では、末端基において、Ｒｒ１及びＲｒ２は独立してＣ１～Ｃ４アルキルである。この態様の他の観点の一つでは、Ｒｒ１及びＲｒ２はメチルである。
【0056】
構造（Ａ）の本発明のコポリマーの一つの態様では、構造（Ｉ）の繰り返し単位は構造（Ｉａ）を有する。
【0057】
構造（Ａ）の本発明のコポリマーの一つの態様では、構造（ＩＩ）の繰り返し単位は構造（ＩＩａ）を有する。
【0058】
構造（Ａ）の本発明のコポリマーの一つの態様では、構造（ＩＩＩ）の繰り返し単位は構造（ＩＩＩａ）を有する。
【0059】
構造（Ａ）の本発明のコポリマーの一つの態様では、構造（ＩＩＩ）の繰り返し単位は全て構造（ＩＩＩｂ）を有する。
【0060】
【化16】
【0061】
構造（Ａ）の本発明のコポリマーの一つの態様では、構造（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）の繰り返し単位の全モル数を基準にして、構造（Ｉ）の繰り返し単位のモル％は約６５モル％から約９０モル％までの範囲であり、構造（ＩＩ）の繰り返し単位のモル％は約５モル％から約２２モル％までの範囲であり、及びＲＩＩＩとして構造（Ａ－２）または（Ａ－３）の部分のいずれかを有する構造（ＩＩＩ）の繰り返し単位は合計で約５モル％から約２２モル％までの範囲であり、及び構造（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）の繰り返し単位のモル％の合計は１００モル％に等しい。
【0062】
構造（Ａ）の本発明のコポリマーの一つの態様では、前記コポリマーは構造（Ａａ）を有する。この態様の一つの観点では、構造（Ｉａ）、（ＩＩａ）及び（ＩＩＩａ）の繰り返し単位の全モル数を基準にして、構造（Ｉａ）の繰り返し単位のモル％は約６５モル％から約９０モル％までの範囲であり、構造（ＩＩａ）の繰り返し単位のモル％は約５モル％から約２２モル％までの範囲であり、そして構造（ＩＩＩａ）の繰り返し単位は約５モルから約２２モル％までの範囲であり、及び構造（Ｉａ）、（ＩＩａ）及び（ＩＩＩａ）の繰り返し単位のモル％の合計は１００モル％に等しい。
【0063】
【化17】
【0064】
【化18】
【0065】
【化19】
【0066】
構造（Ｉ）の繰り返し単位と、トリアルキルシリルオキシ、オキシラン類、トリアルキルオキシシリル及びアントラセン類から選択される架橋可能な部分を含む少なくとも一つのタイプの繰り返し単位とを含むランダムコポリマーを含む組成物
本発明の他の観点の一つは、
・以下を含むランダムコポリマー：
・・構造（Ｉ）のアルキル含有繰り返し単位、式中、ＲＩはＣ１～Ｃ８アルキルであり、Ｒｍ１はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルである；
・・アルキル２－メチレンアルカノエート（アルキル－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｃ（アルキル）＝ＣＨ２）またはアルキルメタクリレート（アルキル－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ＝ＣＨ２）から誘導される、架橋するのに酸触媒を必要としない少なくとも一つのタイプの架橋可能な繰り返し単位、ここで、前記アルキルオキシ部分は、トリアルキルシリルオキシ、オキシラン類、トリアルキルオキシシリル、及びアントラセン類からなる群から選択される架橋可能な部分で置換されている；
・スピンキャスト用溶剤、
を含むが、
・熱酸発生剤、光酸発生剤、熱ラジカル発生剤または光ラジカル発生剤は含まない、
組成物である。
本発明の他の観点の一つは、
・以下を含むランダムコポリマー：
・・構造（Ｉ）のアルキル含有繰り返し単位、式中、ＲＩはＣ１～Ｃ８アルキルであり、Ｒｍ１はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルである；
・・アルキル２－メチレンアルカノエート（アルキル－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｃ（アルキル）＝ＣＨ２）またはアルキルメタクリレート（アルキル－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ＝ＣＨ２）から誘導される、架橋するのに酸触媒を必要としない少なくとも一つのタイプの架橋可能な繰り返し単位、ここで、前記アルキルオキシ部分は、トリアルキルシリルオキシ、オキシラン類、トリアルキルオキシシリル、及びアントラセン類からなる群から選択される架橋可能な部分で置換されている；
・スピンキャスト用溶剤、
を含むが、
・熱酸発生剤、光酸発生剤、熱ラジカル発生剤または光ラジカル発生剤は含まない、
組成物である。
【0067】
この態様の一つの観点では、この組成物は、以下に記載の構造（Ａ）のランダムコポリマーを含む。
【0068】
このコンセプトの他の態様は、構造（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）のランダムコポリマーを含む、ここに記載の組成物である。
【0069】
【化20】
本発明の他の観点の一つは、ここに記載の構造（Ａ）のコポリマーのいずれか一つと、スピンキャスト用有機溶剤とを含む組成物である。
【0070】
本発明のこの組成物の一つの観点では、これは、構造（Ｂ）の単一の架橋剤、または構造（Ｂ）の少なくとも二つの異なる架橋剤の混合物を更に含み、ここで、Ｌ５はＣ４～Ｃ８アルキレンであり、これは、少なくとも４個の炭素原子の長さを有し、及びＲａ１、Ｒａ２、Ｒａ３及びＲａ４は独立してＣ４～Ｃ８アルキルから選択される。この態様の一つの観点では、Ｌ５はＣ４～Ｃ６アルキレンである。他の観点の一つでは、これは構造（Ｂ－１）を有する。これらの態様の一つの観点では、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３及びＲａ４はＣ３～Ｃ６アルキルである。これらの態様の更に別の観点の一つでは、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３及びＲａ４はｎ－ブチルである。更に別の観点の一つでは、この架橋剤は構造（Ｂ－２）を有する。
【0071】
【化21】
【0072】
本発明のこの組成物の一つの観点では、これは、構造（Ｂ）、（Ｂ－１）または（Ｂ－２）の少なくとも二つの異なるタイプの架橋剤の混合物を含む。
【0073】
この組成物の一つの観点では、これは、約０．２重量％から約２．０重量％までの前記コポリマー、及び約９８．０重量％から約９９．８重量％までの前記スピンキャスト用有機溶剤を含み、これらの重量％範囲の合計は１００重量％以下である。この態様の一つの観点では、これはこれらの二つの成分のみからなる。
【0074】
この組成物の一つの観点では、これは、約０．２重量％から約２．０重量％までの前記コポリマー、約０．０２重量％から約０．０４重量％までの前記架橋剤、及び約９８．０重量％から約９９．８重量％の前記スピンキャスト用溶剤を含み、ここでこれらの重量％範囲の合計は１００重量％に等しい。この態様の一つの観点では、これは、これらの三つの成分のみからなる。
【0075】
ここに記載の構造（Ａ）のコポリマーを含む組成物の一つの態様では、これらは、熱酸発生剤、光酸発生剤、熱ラジカル発生剤または光ラジカル発生剤を含まない。
【0076】
構造（Ｃ）のコポリマー、構造（Ｍ－１）の架橋剤、及びスピンキャスト用有機溶剤を含む組成物
本発明の他の観点の一つは、
・以下を含む、構造（Ｃ）を有するランダムコポリマー；
・・構造（Ｉ）のアルキル含有繰り返し単位、式中、ＲＩはＣ１～Ｃ８アルキルであり、Ｒｍ１はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、そしてｎ１は繰り返し単位の全数である；
・・構造（ＩＶ）のアントラセン含有繰り返し単位、式中、Ｒｍ４はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、Ｌ４はＣ１～Ｃ８アルキレンであり、そしてｎ４は繰り返し単位の全数である；
・・構造（Ｃ）に示す二つの末端基、そのうちの一つはＨであり、そして他方は、Ｒｒ、Ｒｒ１及びＲｒ２で置換されたメチル部分であり、ここでＲｒ１及びＲｒ２はＣ１～Ｃ８アルキルから独立して選択され、及びＲｒはシアノ部分（－ＣＮ）またはカルボニルアルキル部分（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒｉ）であり、ＲｉはＣ１～Ｃ８アルキルまたはアリール部分である；
・構造（Ｍ－１）の少なくとも一種の架橋剤、または構造（Ｍ－１）の少なくとも二つの異なる架橋剤の混合物、但し、
・・Ｌは、Ｃ１～Ｃ８線状アルキレン、Ｃ２～Ｃ８分岐状アルキレン、Ｃ６～Ｃ２０アルキレン－オキシ－アルキレン連結基、Ｃ６～Ｃ２０アルキレン－オキシ－アルキレン－オキシ－アルキレン連結基、構造（Ｍ－１ａ）を有するアリール連結基、及び構造（Ｍ－１ｂ）を有するビス－アリール連結基から選択される連結基であり、構造（Ｍ－１ａ）及び（Ｍ－１ｂ）において、
本発明の他の観点の一つは、
・以下を含む、構造（Ｃ）を有するランダムコポリマー；
・・構造（Ｉ）のアルキル含有繰り返し単位、式中、ＲＩはＣ１～Ｃ８アルキルであり、Ｒｍ１はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、そしてｎ１は繰り返し単位の全数である；
・・構造（ＩＶ）のアントラセン含有繰り返し単位、式中、Ｒｍ４はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、Ｌ４はＣ１～Ｃ８アルキレンであり、そしてｎ４は繰り返し単位の全数である；
・・構造（Ｃ）に示す二つの末端基、そのうちの一つはＨであり、そして他方は、Ｒｒ、Ｒｒ１及びＲｒ２で置換されたメチル部分であり、ここでＲｒ１及びＲｒ２はＣ１～Ｃ８アルキルから独立して選択され、及びＲｒはシアノ部分（－ＣＮ）またはカルボニルアルキル部分（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒｉ）であり、ＲｉはＣ１～Ｃ８アルキルまたはアリール部分である；
・構造（Ｍ－１）の少なくとも一種の架橋剤、または構造（Ｍ－１）の少なくとも二つの異なる架橋剤の混合物、但し、
・・Ｌは、Ｃ１～Ｃ８線状アルキレン、Ｃ２～Ｃ８分岐状アルキレン、Ｃ６～Ｃ２０アルキレン－オキシ－アルキレン連結基、Ｃ６～Ｃ２０アルキレン－オキシ－アルキレン－オキシ－アルキレン連結基、構造（Ｍ－１ａ）を有するアリール連結基、及び構造（Ｍ－１ｂ）を有するビス－アリール連結基から選択される連結基であり、構造（Ｍ－１ａ）及び（Ｍ－１ｂ）において、
【0077】
【化22】
・・Ｒｂｍ、Ｒｂｍ１、及びＲｂｍ２は、独立して、Ｈ及びＣ１～Ｃ８アルキルから選択され、
・・Ｘは、直接原子価結合であるか、またはスルホン（－Ｓ（＝Ｏ）２－）、スルホキシド（－Ｓ（＝Ｏ）－）、カルボニル（－Ｃ（＝Ｏ）－）、カーボネート（－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ）、オキシカルボニル（－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、カルボニルオキシ（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－）、Ｃ１～Ｃ８線状アルキレンスペーサ、Ｃ２～Ｃ８分岐状アルキレン、Ｃ５～Ｃ８環状アルキレン、オキシ（－Ｏ－）、及びスルフィド（－Ｓ－）からなる群から選択される連結基である；
・スピンキャスト用有機溶剤；
を含む組成物である。
【0078】
【化23】
【0079】
この組成物の他の観点の一つでは、構造（Ｃ）のコポリマーは、構造（Ｉ）の繰り返し単位のモル％が約７０モル％から約９０モル％までの範囲であり、及び構造（ＩＶ）の繰り返し単位のモル％が約１０モル％から約３０モル％までの範囲であり、及び更に、構造（Ｉ）及び（ＩＶ）の繰り返し単位のモル％の合計は１００モル％に等しいものである。この態様の他の観点の一つでは、前記コポリマーは、約１５，０００から約１２０，０００の範囲のＭｗを有する。この態様の他の観点の一つでは、前記コポリマーは、１．２から約２．５までの範囲の多分散性を有する。
【0080】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｃ）のコポリマーは、構造（Ｉ）の繰り返し単位において、ＲＩがＣ１～Ｃ４アルキルであるものである。この態様の他の観点の一つでは、ＲＩはＣ１～Ｃ３アルキルである。更に別の観点の一つでは、ＲＩはメチルまたはエチルである。なお更に別の観点の一つでは、ＲＩはメチルである。この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｃ）のコポリマーは、構造（ＩＶ）の繰り返し単位において、Ｌ４がＣ１～Ｃ４アルキレンであるものである。この態様の他の観点の一つでは、Ｌ４はＣ１～Ｃ２アルキレンである。この態様のなお更に別の観点の一つでは、構造（ＩＶ）の繰り返し単位は構造（ＩＶａ）を有する。これらの態様の他の観点の一つでは、Ｒｍ１及びＲｍ２は個別にＣ１～Ｃ４アルキルから選択される。この態様の他の観点の一つでは、Ｒｍ１及びＲｍ２はメチルである。この態様のなお更に別の観点の一つでは、Ｒｍ１及びＲｍ２はＨである。
【0081】
【化24】
【0082】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｃ）のコポリマーは構造（Ｃ－１）を有する。この態様の他の観点の一つでは、構造（Ｉａ）の繰り返し単位のモル％は約７０モル％から約９０モル％までの範囲であり、及び構造（ＩＶａ）の繰り返し単位のモル％は約１０モル％から約３０モル％までの範囲であり、ここで構造（Ｉａ）及び（ＩＶａ）の繰り返し単位のモル％の合計は１００モル％に等しい。この態様の他の観点の一つでは、前記コポリマーは、約１５，０００から約１２０，０００の範囲のＭｗを有する。この態様の他の観点の一つでは、前記コポリマーは、１．２から約２．５までの範囲の多分散性を有する。
【0083】
【化25】
【0084】
【化26】
【0085】
この組成物の他の態様の一つでは、前記架橋剤は、構造（Ｍ－１）の一つのタイプの架橋剤である。
【0086】
この組成物の他の態様の一つでは、前記架橋剤は、構造（Ｍ－１）の少なくとも二つの異なるタイプの架橋剤である。
【0087】
ここに記載の構造（Ｃ）のコポリマーを含む組成物の一つの態様では、これらは、熱酸発生剤、光酸発生剤、熱ラジカル発生剤または光ラジカル発生剤を含まない。
【0088】
構造（Ｄ）のコポリマー、構造（Ｂ）の架橋剤、及びスピンキャスト用有機溶剤を含む組成物
本発明の他の観点の一つは、
・以下を含む構造（Ｄ）を有するランダムコポリマー；
・・構造（Ｉ）のアルキル含有繰り返し単位、式中、ＲＩはＣ１～Ｃ８アルキルであり、Ｒｍ１はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、そしてｎ１は繰り返し単位の全数である；
・・構造（ＩＩＩ）の架橋性繰り返し単位、式中、Ｒｍ３はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、Ｒｖは構造（Ａ－２）の部分であり、ここでＲＩＩＩは、構造（Ａ－２）の部分であり、ここでＲｓ１はＣ１～Ｃ４アルキルであり、ＲｓはＣ１～Ｃ４アルキルであり、ｘは０、１または２であり、そしてＬ２は直接原子価結合またはＣ１～Ｃ１０アルキレン部分のいずれかであり、そしてｎ３は繰り返し単位の全数である；
・・構造（Ｄ）に示される二つの末端基、そのうちの一方はＨであり、他方はＲｒ、Ｒｒ１及びＲｒ２で置換されたメチル部分であり、ここで、Ｒｒ１及びＲｒ２は独立してＣ１～Ｃ８アルキルから選択され、Ｒｒはシアノ部分（－ＣＮ）またはカルボニルアルキル部分（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒｉ）であり、ここでＲｉはＣ１～Ｃ８アルキルまたはアリール部分である；
・構造（Ｂ）の少なくとも一種の架橋剤、式中、Ｌ５は、少なくとも４個の炭素原子の長さを有するＣ４～Ｃ８アルキレンであり、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３及びＲａ４は独立してＣ４～Ｃ８アルキルから選択される；及び
・スピンキャスト用有機溶剤；
を含む組成物である。
本発明の他の観点の一つは、
・以下を含む構造（Ｄ）を有するランダムコポリマー；
・・構造（Ｉ）のアルキル含有繰り返し単位、式中、ＲＩはＣ１～Ｃ８アルキルであり、Ｒｍ１はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、そしてｎ１は繰り返し単位の全数である；
・・構造（ＩＩＩ）の架橋性繰り返し単位、式中、Ｒｍ３はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、Ｒｖは構造（Ａ－２）の部分であり、ここでＲＩＩＩは、構造（Ａ－２）の部分であり、ここでＲｓ１はＣ１～Ｃ４アルキルであり、ＲｓはＣ１～Ｃ４アルキルであり、ｘは０、１または２であり、そしてＬ２は直接原子価結合またはＣ１～Ｃ１０アルキレン部分のいずれかであり、そしてｎ３は繰り返し単位の全数である；
・・構造（Ｄ）に示される二つの末端基、そのうちの一方はＨであり、他方はＲｒ、Ｒｒ１及びＲｒ２で置換されたメチル部分であり、ここで、Ｒｒ１及びＲｒ２は独立してＣ１～Ｃ８アルキルから選択され、Ｒｒはシアノ部分（－ＣＮ）またはカルボニルアルキル部分（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒｉ）であり、ここでＲｉはＣ１～Ｃ８アルキルまたはアリール部分である；
・構造（Ｂ）の少なくとも一種の架橋剤、式中、Ｌ５は、少なくとも４個の炭素原子の長さを有するＣ４～Ｃ８アルキレンであり、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３及びＲａ４は独立してＣ４～Ｃ８アルキルから選択される；及び
・スピンキャスト用有機溶剤；
を含む組成物である。
【0089】
【化27】
【0090】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｄ）の前記コポリマーは、構造（Ｉ）の繰り返し単位に関して、ＲＩがＣ１～Ｃ４アルキルであるものである。この態様の他の観点の一つでは、ＲＩはＣ１～Ｃ３アルキルである。この態様の他の観点の一つでは、ＲＩはメチルまたはエチルである。この態様のなお更に別の観点の一つでは、ＲＩはメチルである。
【0091】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｄ）の前記コポリマーは、Ｒｍ１がＣ１～Ｃ４アルキルであるものである。この態様の他の観点の一つでは、Ｒｍ１はメチルである。
【0092】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｄ）の前記コポリマーは、Ｒｍ１がＨであるものである。
【0093】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｄ）の前記コポリマーは、構造（Ａ－２）においてｘが１であるものである。この態様の他の観点の一つでは、これは、構造（Ａ－２）においてｘが２であるものである。この態様の他の観点の一つでは、これは、構造（Ａ－２）においてｘが０であるものである。
【0094】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｄ）の前記コポリマーは、構造（Ａ－２）中、Ｌ２がＣ２～Ｃ４アルキレン部分であるものである。
【0095】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｄ）の前記コポリマーは、ＲＩＩＩが構造（Ａ－２ａ）を有するものである。
【0096】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｄ）の前記コポリマーは、ＲｓがＣ１～Ｃ４アルキルであるものである。
【0097】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｄ）の前記コポリマーは、ＲＩＩＩが構造（Ａ－２ｂ）を有するものである。
【0098】
【化28】
【0099】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｄ）の前記コポリマーは、Ｒｍ３がＨであるものである。
【0100】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｄ）の前記コポリマーは、構造（Ｄ）のポリマーにおいて、構造（Ｉ）の繰り返し単位のモル％が約７０モル％から約９０モル％までの範囲であり、及び構造（ＩＩＩ）の繰り返し単位のモル％が約５モル％から（好ましくは、約１０モル％から）、約３０モル％までの範囲であり、ここで、構造（Ｉ）及び（ＩＩＩ）の繰り返し単位のモル％の合計は１００モル％に等しいものである。
【0101】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｄ）の前記コポリマーは構造（Ｄｂ）を有する。
【0102】
【化29】
【0103】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｄｂ）の前記コポリマーは、構造（Ｉａ）の繰り返し単位のモル％が約７０モル％から約９０モル％までの範囲であり、及び構造（ＩＩＩｂ）の繰り返し単位のモル％が約１０モル％から約３０モル％までの範囲であり、ここで、構造（Ｉａ）及び（ＩＩＩｂ）の繰り返し単位のモル％の合計は１００モル％に等しいものである。
【0104】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｂ）の前記架橋剤において、Ｌ５はＣ４～Ｃ６アルキレンである。この態様の他の観点の一つでは、構造（Ｂ）の前記架橋剤は構造（Ｂ－１）を有する。
【0105】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｂ）または（Ｂ－１）の前記架橋剤において、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３及びＲａ４はＣ３～Ｃ６アルキルである。この態様の他の観点の一つでは、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３及びＲａ４はｎ－ブチルである。この態様のなお更に別の観点の一つでは、前記架橋剤は構造（Ｂ－１）を有する。この態様のなお更に別の観点の一つでは、前記架橋剤は構造（Ｂ－２）を有する。
【0106】
【化30】
【0107】
この組成物の他の態様の一つでは、前記架橋剤は、構造（Ｂ－１）の一つのタイプの架橋剤である。この組成物の他の態様の一つでは、前記架橋剤は、構造（Ｂ－１）の少なくとも二つの異なる架橋剤である。
【0108】
ここに記載の構造（Ｄ）のコポリマーを含む組成物の一つの態様では、これらは、熱酸発生剤、光酸発生剤、熱ラジカル発生剤または光ラジカル発生剤を含まない。
【0109】
構造（Ｅ）のランダムコポリマー及びスピンキャスト用有機溶剤を含む組成物
本発明の他の観点の一つは、
・以下を含む、構造（Ｅ）のランダムコポリマー；
・・構造（Ｉ）のアルキル含有繰り返し単位、式中、ＲＩはＣ１～Ｃ８アルキルであり、Ｒｍ１はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、そしてｎ１は繰り返し単位の全数である；
・・構造（ＩＩＩｃ）の繰り返し単位、但し、Ｒｍ３ｃはＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、ＲＩＩＩＡｃは構造（Ａ－２）の部分であり、ここでＬ２は直接原子価結合またはＣ１～Ｃ１０アルキレン部分のいずれかであり、Ｒｓ１はＣ１～Ｃ４アルキルであり、ＲｓはＣ１～Ｃ４アルキルであり、ｘは０、１または２であり、そしてｎ３ｃは繰り返し単位の全数である；
・・構造（ＩＩＩｄ）の繰り返し単位、式中、Ｒｍ３ｄはＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、ＲＩＩＩＡｄは構造（Ａ－３）の部分であり、ここでＬ３は直接原子価結合またはＣ１～Ｃ１０アルキレン部分のいずれかであり、及びＲｏｘは、オキシランを含む脂肪族部分であり、そしてｎ３ｄは繰り返し単位の全数である；及び
・・構造（Ａ）に示される二つの末端基、そのうちの一つはＨであり、他方はＲｒ、Ｒｒ１及びＲｒ２で置換されたメチル部分であり、ここでＲｒ１及びＲｒ２は独立してＣ１～Ｃ８アルキルから選択され、そしてＲｒはシアノ部分（－ＣＮ）またはカルボニルアルキル部分（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒｉ）であり、ここでＲｉはＣ１～Ｃ８アルキルまたはアリール部分である；及び
・スピンキャスト用有機溶剤；
を含む組成物である。
本発明の他の観点の一つは、
・以下を含む、構造（Ｅ）のランダムコポリマー；
・・構造（Ｉ）のアルキル含有繰り返し単位、式中、ＲＩはＣ１～Ｃ８アルキルであり、Ｒｍ１はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、そしてｎ１は繰り返し単位の全数である；
・・構造（ＩＩＩｃ）の繰り返し単位、但し、Ｒｍ３ｃはＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、ＲＩＩＩＡｃは構造（Ａ－２）の部分であり、ここでＬ２は直接原子価結合またはＣ１～Ｃ１０アルキレン部分のいずれかであり、Ｒｓ１はＣ１～Ｃ４アルキルであり、ＲｓはＣ１～Ｃ４アルキルであり、ｘは０、１または２であり、そしてｎ３ｃは繰り返し単位の全数である；
・・構造（ＩＩＩｄ）の繰り返し単位、式中、Ｒｍ３ｄはＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルであり、ＲＩＩＩＡｄは構造（Ａ－３）の部分であり、ここでＬ３は直接原子価結合またはＣ１～Ｃ１０アルキレン部分のいずれかであり、及びＲｏｘは、オキシランを含む脂肪族部分であり、そしてｎ３ｄは繰り返し単位の全数である；及び
・・構造（Ａ）に示される二つの末端基、そのうちの一つはＨであり、他方はＲｒ、Ｒｒ１及びＲｒ２で置換されたメチル部分であり、ここでＲｒ１及びＲｒ２は独立してＣ１～Ｃ８アルキルから選択され、そしてＲｒはシアノ部分（－ＣＮ）またはカルボニルアルキル部分（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒｉ）であり、ここでＲｉはＣ１～Ｃ８アルキルまたはアリール部分である；及び
・スピンキャスト用有機溶剤；
を含む組成物である。
【0110】
【化31】
【0111】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｅ）の前記コポリマーにおいて、Ｌ２はＣ２～Ｃ４アルキレン部分である。
【0112】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｅ）の前記コポリマーにおいて、ＲＩＩＩＡＣは構造（Ａ－２ａ）を有する。
【0113】
【化32】
【0114】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｅ）の前記コポリマーにおいて、ＲＩＩＩＡｃは構造（Ａ－２ｂ）を有する。
【0115】
【化33】
【0116】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｅ）の前記コポリマーにおいて、ＲｅはＣ１～Ｃ８アルキル部分であり、Ｒｅ１及びＲｅ２はＨである。この態様の他の観点の一つにおいて、Ｒｅ及びＲｅ１はＣ１～Ｃ８アルキル部分であり、Ｒｅ２はＨである。この態様の他の観点の一つにおいて、Ｒｅ、Ｒｅ１及びＲｅ２は個別にＣ１～Ｃ８アルキル部分である。この態様のなお更に別の観点の一つでは、ＲｅはＨであり、そしてＲｅ１及びＲｅ２は個別にＣ１～Ｃ８アルキル部分である。この態様のなお更に別の観点の一つでは、ＲｅはＨであり、Ｒｅ１はＣ１～Ｃ８アルキル部分であり、及びＲｅ２はＨである。
【0117】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｅ）の前記コポリマーにおいて、ＲＩＩＩＡｄは構造（Ａ－３ｂ）を有し、ここでｃｙは１～３の範囲の整数である。
【0118】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｅ）の前記コポリマーにおいて、ＲＩＩＩＡｄは構造（Ａ－３ｃ）を有する。
【0119】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｅ）の前記コポリマーにおいて、ＲＩＩＩＡｄは構造（Ａ－３ｄ）を有する。
【0120】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｅ）の前記コポリマーにおいて、ＲＩＩＩＡｄは構造（Ａ－３ｅ）を有する。
【0121】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｅ）の前記コポリマーにおいて、Ｌ３は直接原子価結合またはＣ１～Ｃ２アルキレン部分である。
【0122】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｅ）の前記コポリマーにおいて、ＲＩＩＩＡｄは構造（Ａ－３ｆ）を有する。
【0123】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｅ）の前記コポリマーにおいて、ＲＩＩＩＡｄは構造（Ａ－３ｇ）を有する。
【0124】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｅ）の前記コポリマーにおいて、ＲＩＩＩＡｄは構造（Ａ－３ｈ）を有する。
【0125】
【化34】
【0126】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｅ）の前記コポリマーにおいて、ＲＩはＨである。この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｅ）の前記コポリマーにおいて、Ｒｍ１はＨである。
【0127】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｅ）の前記コポリマーにおいて、Ｒｍ３ｃはＣ１～Ｃ４アルキルである。この態様の他の観点の一つでは、Ｒｍ３ｃはメチルである。
【0128】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｅ）の前記コポリマーにおいて、Ｒｍ３ｃはＨである。
【0129】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｅ）の前記コポリマーにおいて、Ｒｍ３ｄはＣ１～Ｃ４アルキルである。この態様の他の観点の一つでは、Ｒｍ３ｄはメチルである。
【0130】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｅ）の前記コポリマーにおいて、Ｒｍ３ｄはＨである。
【0131】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｅ）の前記コポリマーにおいて、Ｒｍ１、Ｒｍ３ｃ及びＲｍ３ｄはメチルである。
【0132】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｅ）の前記コポリマーにおいて、Ｒｒはシアノ部分である。
【0133】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｅ）の前記コポリマーにおいて、Ｒｒはカルボキシアルキル部分である。この態様の他の観点の一つでは、ＲｉはＣ１～Ｃ８アルキルである。この態様の他の観点の一つでは、Ｒｉはアリールである。
【0134】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｅ）の前記コポリマーにおいて、Ｒｒ１及びＲｒ２は独立してＣ１～Ｃ４アルキルである。この態様の他の観点の一つでは、Ｒｒ１及びＲｒ２はメチルである。
【0135】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｅ）の前記コポリマーにおいて、構造（Ｉ）の繰り返し単位は構造（Ｉａ）を有する。
【0136】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｅ）の前記コポリマーにおいて、構造（ＩＩＩｄ）の繰り返し単位は構造（ＩＩＩａ）を有する。
【0137】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｅ）の前記コポリマーにおいて、構造（ＩＩＩｃ）の繰り返し単位は構造（ＩＩＩｂ）を有する。
【0138】
【化35】
【0139】
この組成物の他の態様の一つでは、構造（Ｅ）の前記コポリマーは構造（Ｅ－１）を有する。この態様の一つの観点では、構造（Ｉａ）の繰り返し単位のモル％は約７０モル％から約９０モル％までの範囲であり、構造（ＩＩＩｂ）の繰り返し単位のモル％は約５モル％から約２２モル％までの範囲であり、そして構造（ＩＩＩａ）の繰り返し単位は約５モル％から約２２モル％までの範囲であり、更にここで、構造（Ｉａ）、（ＩＩＩｂ）及び（ＩＩＩａ）の繰り返し単位のモル％の合計は１００モル％に等しい。
【0140】
【化36】
【0141】
この組成物の他の態様の一つでは、これは、更に、構造（Ｂ）の単一の架橋剤を含むか、または構造（Ｂ）の少なくとも二つの異なる架橋剤の混合物を含み、ここでＬ５はＣ４～Ｃ８アルキレンであり、これは、少なくとも４個の炭素原子の長さを有し、及びＲａ１、Ｒａ２、Ｒａ３及びＲａ４は独立してＣ４～Ｃ８アルキルから選択される。この態様の一つの観点では、Ｌ５はＣ４～Ｃ６アルキレンである。この態様の他の観点の一つでは、前記架橋剤は構造（Ｂ－１）を有する。前記架橋剤の他の観点の一つでは、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３及びＲａ４はＣ３～Ｃ６アルキルである。この態様のなお更に別の観点の一つでは、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３及びＲａ４はｎ－ブチルである。
【0142】
単一の架橋剤を含むこの組成物の他の態様の一つでは、この架橋剤は構造（Ｂ－１）を有する。この態様の一つの観点では、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３及びＲａ４はＣ３～Ｃ６アルキルである。この態様の他の観点の一つでは、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３及びＲａ４はｎ－ブチルである。
【0143】
この組成物の他の態様の一つでは、これは、約０．２重量％から約２．０重量％までの前記コポリマー、及び約９８．０重量％から約９９．８重量％までの前記スピンキャスト用有機溶剤を含むものであり、ここで、これらの重量％範囲の合計は１００重量％以下である。
【0144】
この組成物の他の態様の一つでは、これは、約０．２重量％から約０．５重量％までの前記コポリマー、及び約０．０２重量％から約０．０４重量％までの前記架橋剤、及び約９９．５重量％から約９９．８重量％までの前記スピンキャスト用有機溶剤を含み、ここでこれらの重量％範囲の合計は１００重量％に等しい。
【0145】
単一の架橋剤を含むこの組成物の他の態様の一つでは、この架橋剤は構造（Ｂ－２）を有する。
【0146】
【化37】
構造（Ａ）、（Ｃ）、（Ｄ）または（Ｅ）及びそれらの上記の副構造のいずれかのコポリマーを含む、ここに記載の本発明の組成物の使用するための適当な溶剤は、フォトレジスト、底面反射防止コーティング、または半導体材料のリソグラフィ加工を用いた他のタイプの有機コーティングなどの材料をスピンキャストするために使用される任意の有機溶剤である。前記の本発明の組成物の他の観点の一つでは、前記有機系スピンキャスト溶剤は、前記ランダムコポリマー、及びここに記載のものなどの他の追加的な任意選択の成分を溶解することができる溶剤である。この有機系スピンキャスト溶剤は、単一の溶剤または複数種の溶剤の混合物であってよい。適当な溶剤は、有機溶剤であり、これには、例えばグリコールエーテル誘導体、例えばエチルセロソルブ、メチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールｎ－プロピルエーテル、またはジエチレングリコールジメチルエーテル；グリコールエーテルエステル誘導体、例えばエチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート、またはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）；カルボキシレート、例えばエチルアセテート、ｎ－ブチルアセテート及びアミルアセテート；二塩基性酸のカルボキシレート、例えばジエチルオキシレート及びジメチルマロネート；グリコール類のジカルボキシレート、例えばエチレングリコールジアセテート及びプロピレングリコールジアセテート；及びヒドロキシカルボキシレート、例えば乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、グリコール酸エチル、及び３－ヒドロキシプロピオン酸エチル；ケトンエステル、例えばピルビン酸メチルまたはピルビン酸エチル；アルキルオキシカルボン酸エステル、例えば３－メトキシプロピオン酸メチル、３－エトキシプロピオン酸エチル、２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオン酸エチル、またはエトキシプロピオン酸メチル；ケトン誘導体、例えばメチルエチルケトン、アセチルアセトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンまたは２－ヘプタノン；ケトンエーテル誘導体、例えばジアセトンアルコールメチルエーテル；ケトンアルコール誘導体、例えばアセトールまたはジアセトンアルコール；ケタールまたはアセタール、例えば１，３ジオキサラン及びジエトキシプロパン；ラクトン、例えばブチロラクトン；アミド誘導体、例えばジメチルアセトアミドまたはジメチルホルムアミド、アニソール及びこれらの混合物などが挙げられ得る。
【0147】
構造（Ａ）のコポリマーを含む組成物を使用する方法
本発明の他の観点の一つは、構造（Ａ）のコポリマーを含む、ここに記載の組成物のいずれか一つを用いて、架橋されたピン止め膜を形成する方法であって、次のステップ：
ｉ）ここに記載の構造（Ａ）のコポリマーを含む組成物のいずれか一つを、基材上にコーティングするステップ；
ｉｉ）空気中、約２３０から約２５０℃までの温度において、前記のコーティングされた基材を、約３０秒間から約３分間ベークして、架橋するステップ；
ｉｉｉ）洗浄液を用いて約１分間から約４分間、洗浄して、可溶性材料を除去するステップ；
ｉｖ）コーティングを乾燥して、前記架橋されたピン止め層を基材上に形成するステップ；
を含む、前記方法である。
本発明の他の観点の一つは、構造（Ａ）のコポリマーを含む、ここに記載の組成物のいずれか一つを用いて、架橋されたピン止め膜を形成する方法であって、次のステップ：
ｉ）ここに記載の構造（Ａ）のコポリマーを含む組成物のいずれか一つを、基材上にコーティングするステップ；
ｉｉ）空気中、約２３０から約２５０℃までの温度において、前記のコーティングされた基材を、約３０秒間から約３分間ベークして、架橋するステップ；
ｉｉｉ）洗浄液を用いて約１分間から約４分間、洗浄して、可溶性材料を除去するステップ；
ｉｖ）コーティングを乾燥して、前記架橋されたピン止め層を基材上に形成するステップ；
を含む、前記方法である。
【0148】
本発明の他の観点の一つは、ここに記載の構造（Ａ）のコポリマーを用いた、ブロックコポリマー膜において増倍パターンを誘導するための方法であって、次のステップ：
ｉａ）二つ以上の自発的に分離するブロックを有するブロックコポリマーを提供するステップ；
ｉｉａ）基材を提供するステップ；
ｉｉｉａ）上記のプロセスステップｉ）～ｉｖ）に従い、架橋されたピン止め層を形成するステップ；及び
ｉｖａ）前記架橋されたピン止め層の少なくとも一部上に、前記ブロックコポリマーを配置するステップ；
を含む、前記方法である。
ｉａ）二つ以上の自発的に分離するブロックを有するブロックコポリマーを提供するステップ；
ｉｉａ）基材を提供するステップ；
ｉｉｉａ）上記のプロセスステップｉ）～ｉｖ）に従い、架橋されたピン止め層を形成するステップ；及び
ｉｖａ）前記架橋されたピン止め層の少なくとも一部上に、前記ブロックコポリマーを配置するステップ；
を含む、前記方法である。
【0149】
この方法の他の観点の一つでは、これは、次のステップを更に含んでよい：
ｖａ）前記ブロックコポリマーを配置する前に、リソグラフィプロセスにより、架橋されたピン止め層中にパターンを形成するステップ；及び
ｖｉａ）任意選択的に、前記パターン中に第二のコーティングを供し、ここで前記第二のコーティングは中性層である、ステップ。
ｖａ）前記ブロックコポリマーを配置する前に、リソグラフィプロセスにより、架橋されたピン止め層中にパターンを形成するステップ；及び
ｖｉａ）任意選択的に、前記パターン中に第二のコーティングを供し、ここで前記第二のコーティングは中性層である、ステップ。
【0150】
構造（Ｃ）のコポリマーを含む組成物を使用する方法。
【0151】
本発明の他の観点の一つは、構造（Ｃ）のコポリマーを含む、ここに記載の組成物のいずれか一つを用いて、架橋されたピン止め膜を形成する方法であって、次のステップ：
ｉｂ）ここに記載の構造（Ｃ）のコポリマーを含む組成物のいずれか一つを、基材上にコーティングするステップ；
ｉｉｂ）空気中、約２３０から約２５０℃の温度において、前記コーティングされた基材を、約３０秒間から約３０分間ベークして架橋するステップ；
ｉｉｉｂ）洗浄液を用いて約１分間から約４分間洗浄して、可溶性材料を除去するステップ；
ｉｖｂ）コーティングを乾燥して、前記架橋されたピン止め層を基材上に形成するステップ；
を含む前記方法である。
ｉｂ）ここに記載の構造（Ｃ）のコポリマーを含む組成物のいずれか一つを、基材上にコーティングするステップ；
ｉｉｂ）空気中、約２３０から約２５０℃の温度において、前記コーティングされた基材を、約３０秒間から約３０分間ベークして架橋するステップ；
ｉｉｉｂ）洗浄液を用いて約１分間から約４分間洗浄して、可溶性材料を除去するステップ；
ｉｖｂ）コーティングを乾燥して、前記架橋されたピン止め層を基材上に形成するステップ；
を含む前記方法である。
【0152】
本発明の他の観点の一つは、ここに記載の構造（Ｃ）のコポリマーを用いたブロックコポリマー膜中に増倍パターンを誘導する方法であって、次のステップ：
ｉｃ）二つ以上の自発的に分離するブロックを有するブロックコポリマーを提供するステップ；
ｉｉｃ）基材を提供するステップ；
ｉｉｉｃ）ステップｉｂ）～ｉｖｂ）の記載に従って、架橋されたピン止め層を形成するステップ；及び
ｉｖｃ）前記架橋されたピン止め層の少なくとも一部上に、前記ブロックコポリマーを配置するステップ；
を含む、前記方法である。
ｉｃ）二つ以上の自発的に分離するブロックを有するブロックコポリマーを提供するステップ；
ｉｉｃ）基材を提供するステップ；
ｉｉｉｃ）ステップｉｂ）～ｉｖｂ）の記載に従って、架橋されたピン止め層を形成するステップ；及び
ｉｖｃ）前記架橋されたピン止め層の少なくとも一部上に、前記ブロックコポリマーを配置するステップ；
を含む、前記方法である。
【0153】
この方法の他の観点の一つでは、これは、次のステップを更に含んでよい：
ｖｃ）前記ブロックコポリマーを配置する前に、リソグラフィプロセスにより、架橋されたピン止め層中にパターンを形成するステップ；及び
ｖｉｃ）任意選択に、前記パターン中に第二のコーティングを提供し、ここで前記第二のコーティングは中性層である、ステップ。
ｖｃ）前記ブロックコポリマーを配置する前に、リソグラフィプロセスにより、架橋されたピン止め層中にパターンを形成するステップ；及び
ｖｉｃ）任意選択に、前記パターン中に第二のコーティングを提供し、ここで前記第二のコーティングは中性層である、ステップ。
【0154】
構造（Ｄ）のコポリマーを含む組成物を使用する方法。
【0155】
本発明の他の観点の一つは、構造（Ｄ）のコポリマーを含む、ここに記載の組成物のいずれか一つを用いた架橋されたピン止め膜を形成する方法であって、次のステップ：
ｉｄ）ここに記載の構造（Ｄ）のコポリマーを含む組成物のいずれか一つを基材上にコーティングするステップ；
ｉｉｄ）空気中、約２３０から約２５０℃までの温度で、前記コーティングされた基材を、約３０秒間から約３分間ベークして架橋するステップ；
ｉｉｉｄ）洗浄液を用いて約１分間から約４分間洗浄して、可溶性材料を除去するステップ；
ｉｖｄ）コーティングを乾燥して、前記架橋されたピン止め層を基材上に形成するステップ；
を含む、方法である。
ｉｄ）ここに記載の構造（Ｄ）のコポリマーを含む組成物のいずれか一つを基材上にコーティングするステップ；
ｉｉｄ）空気中、約２３０から約２５０℃までの温度で、前記コーティングされた基材を、約３０秒間から約３分間ベークして架橋するステップ；
ｉｉｉｄ）洗浄液を用いて約１分間から約４分間洗浄して、可溶性材料を除去するステップ；
ｉｖｄ）コーティングを乾燥して、前記架橋されたピン止め層を基材上に形成するステップ；
を含む、方法である。
【0156】
本発明の他の観点の一つは、ここに記載の構造（Ｄ）のコポリマーを用いたブロックコポリマー膜中に増倍パターンを誘導する方法であって、次のステップ：
ｉｅ）二つ以上の自発的に分離するブロックを有するブロックコポリマーを提供するステップ；
ｉｉｅ）基材を提供するステップ；
ｉｉｉｅ）ステップｉｄ）からｉｖｄ）に記載のようにして、架橋されたピン止め層を形成するステップ；及び
ｉｖｅ）前記架橋されたピン止め層の少なくとも一部上にブロックコポリマーを配置するステップ；
を含む、前記方法である。
ｉｅ）二つ以上の自発的に分離するブロックを有するブロックコポリマーを提供するステップ；
ｉｉｅ）基材を提供するステップ；
ｉｉｉｅ）ステップｉｄ）からｉｖｄ）に記載のようにして、架橋されたピン止め層を形成するステップ；及び
ｉｖｅ）前記架橋されたピン止め層の少なくとも一部上にブロックコポリマーを配置するステップ；
を含む、前記方法である。
【0157】
この方法の他の観点の一つでは、これは、次のステップを更に含んでよい：
ｖｅ）前記ブロックコポリマーを配置する前に、リソグラフィプロセスにより、架橋されたピン止め層中にパターンを形成するステップ；及び
ｖｉｅ）任意選択に、前記パターン中に第二のコーティングを提供し、ここで前記第二のコーティングは中性層であるステップ。
ｖｅ）前記ブロックコポリマーを配置する前に、リソグラフィプロセスにより、架橋されたピン止め層中にパターンを形成するステップ；及び
ｖｉｅ）任意選択に、前記パターン中に第二のコーティングを提供し、ここで前記第二のコーティングは中性層であるステップ。
【0158】
構造（Ｅ）のコポリマーを含む組成物を用いた方法。
【0159】
本発明の他の観点の一つは、構造（Ｅ）のコポリマーを含む、ここに記載の組成物のいずれか一つを用いた架橋されたピン止め膜を形成する方法であって、次のステップ：
ｉｆ）ここに記載の構造（Ｅ）のコポリマーを含む組成物のいずれか一つを基材上にコーティングするステップ；
ｉｉｆ）空気中、約２３０℃から約２５０℃までの温度で、前記コーティングされた基材を、約３０秒間から約３０分間ベークして架橋するステップ；
ｉｉｉｆ）洗浄液を用いて約１分間から約４分間まで洗浄して、可溶性材料を除去するステップ；
ｉｖｆ）コーティングを乾燥して、前記架橋されたピン止め層を基材上に形成するステップ；
を含む、前記方法である。
ｉｆ）ここに記載の構造（Ｅ）のコポリマーを含む組成物のいずれか一つを基材上にコーティングするステップ；
ｉｉｆ）空気中、約２３０℃から約２５０℃までの温度で、前記コーティングされた基材を、約３０秒間から約３０分間ベークして架橋するステップ；
ｉｉｉｆ）洗浄液を用いて約１分間から約４分間まで洗浄して、可溶性材料を除去するステップ；
ｉｖｆ）コーティングを乾燥して、前記架橋されたピン止め層を基材上に形成するステップ；
を含む、前記方法である。
【0160】
本発明の他の観点の一つは、ここに記載の構造（Ｅ）のコポリマーを用いたブロックコポリマー膜中に増倍パターンを誘導する方法であって、次のステップ：
ｉｇ）二つ以上の自発的に分離するブロックを有するブロックコポリマーを提供するステップ；
ｉｉｇ）基材を提供するステップ；
ｉｉｉｇ）ステップｉｆ）からｉｖｆ）に記載にようにして、架橋されたピン止め層を形成するステップ；及び
ｉｖｇ）前記の架橋されたピン止め層の少なくとも一部上にブロックコポリマーを配置するステップ；
を含む、前記方法である。
ｉｇ）二つ以上の自発的に分離するブロックを有するブロックコポリマーを提供するステップ；
ｉｉｇ）基材を提供するステップ；
ｉｉｉｇ）ステップｉｆ）からｉｖｆ）に記載にようにして、架橋されたピン止め層を形成するステップ；及び
ｉｖｇ）前記の架橋されたピン止め層の少なくとも一部上にブロックコポリマーを配置するステップ；
を含む、前記方法である。
【0161】
この方法の他の観点の一つでは、これは、次のステップを更に含んでよい：
ｖｇ）前記ブロックコポリマーを配置する前に、リソグラフィプロセスにより、架橋されたピン止め層中にパターンを形成するステップ；及び
ｖｉｇ）任意選択に、前記パターン中に第二のコーティングを提供し、ここで前記第二のコーティングは中性層である、ステップ。
ｖｇ）前記ブロックコポリマーを配置する前に、リソグラフィプロセスにより、架橋されたピン止め層中にパターンを形成するステップ；及び
ｖｉｇ）任意選択に、前記パターン中に第二のコーティングを提供し、ここで前記第二のコーティングは中性層である、ステップ。
【0162】
本発明の他の観点の一つは、架橋されたピン止め膜を基材上に形成するための、またはブロックコポリマー膜中に増倍パターンを誘導するための、上記のコポリマーまたは組成物の使用である。
【実施例】
【0163】
化学品
別段の表示がない限り、全ての化学品は、シグマ・アルドリッヒ社（３０５０ スプルース通り セントルイス，ＭＯ６３１０３）から購入した。
別段の表示がない限り、全ての化学品は、シグマ・アルドリッヒ社（３０５０ スプルース通り セントルイス，ＭＯ６３１０３）から購入した。
【0164】
全ての合成実験はＮ２雰囲気中で行った。リソグラフィ実験は、本明細書に記載のように行った。コポリマーの分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィを用いて測定した。１００Å、５００Å、１０３Å、１０５Å及び１０６Åμ－ウルトラスチラゲルカラムを備えたゲル透過クロマトグラフィ
リソグラフィ実験は、ＴＥＬ Ｃｌｅａｎ ＡＣＴ８トラックを用いて行った。ＳＥＭ写真を、アプライド・マテリアルズＮａｎｏＳＥＭ＿３Ｄを用いて撮影した。操作電子顕微鏡写真を、１ＦＯＶ拡大または２ＦＯＶ拡大で示す（視野（ＦＯＶ）＝５μｍ）。
リソグラフィ実験は、ＴＥＬ Ｃｌｅａｎ ＡＣＴ８トラックを用いて行った。ＳＥＭ写真を、アプライド・マテリアルズＮａｎｏＳＥＭ＿３Ｄを用いて撮影した。操作電子顕微鏡写真を、１ＦＯＶ拡大または２ＦＯＶ拡大で示す（視野（ＦＯＶ）＝５μｍ）。
【0165】
エッチング実験は、メチルメタクリレートとスチレンとの自己集合膜ブロックコポリマーにとって標準的な等方性酸素エッチング条件を用いて行った。
【0166】
他に指示がなければ、分子量測定（別称では、Ｍｎ多分散性）は、溶離液としてＴＨＦ溶剤を用いた１００Å、５００Å、１０３Å、１０５Å及び１０６Åμ－ウルトラスチラゲルカラムを装備したゲル透過クロマトグラフィ（ＰＳＳ Ｉｎｃ．独国）によって行った。ポリスチレンポリマー標準をキャリブレーションに使用した。
【0167】
１Ｈ ＮＭＲスペクトルは、ブルカー社製Ａｄｖａｎｃｅｄ ＩＩＩ ４００ＭＨｚスペクトロメータを用いて記録した。
【0168】
コポリマーの分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィを用いて測定した。化学品は、他に記載がなければ、シグマ・アルドリッヒ・コーポレーション（ミズーリ州、セントルイス）から得たものである。
【0169】
リソグラフィ実験は、ＴＥＬ Ｃｌｅａｎ ＡＣＴ８トラックを用いて行った。ＳＥＭ写真は、アプライド・マテリアルズＮａｎｏＳＥＭ＿３Ｄを用いて撮影した。走査電子顕微鏡写真を、１ＦＯＶ拡大または２ＦＯＶ拡大（視野（ＦＯＶ）＝１、２及び５ＦＯＶを用いて５μｍ）で示す。
【0170】
エッチング実験は、メチルメタクリレートとスチレンとの自己集合膜ブロックコポリマーにとって標準的な等方性酸素エッチング条件を用いて行った。
【0171】
他に指示がなければ、分子量測定（別称では、Ｍｎ多分散性）は、溶離液としてＴＨＦ溶剤を用いた１００Å、５００Å、１０３Å、１０５Å及び１０６Åμ－ウルトラスチラゲルカラムを装備したゲル透過クロマトグラフィ（ＰＳＳ Ｉｎｃ．独国）によって行った。ポリスチレンポリマー標準をキャリブレーションに使用した。
【0172】
試験用のポリマー材料の合成
参考用ポリマー合成例：Ｐ（Ｓ－ｂ－ＭＭＡ）（２６ｋ－ｂ－３０ｋ）の合成
Ｐ（Ｓ－ｂ－ＭＭＡ）（２６Ｋ－ｂ－３０Ｋ）を、例２に記載したのと同じ手順を用いて合成した。目的のＭｎ、及びＰＳとＰＭＭＡブロックとの組成を達成するために、開始剤の量及びモノマー量を変えた。簡単に言えば、２０ｇ（０．１９２モル）のスチレンを、０．５５ｍＬ（１．４Ｍ溶液）のｓｅｃ－ブチルリチウムを用いて重合した。次いで、２．５ｍＬの無水トルエン中の０．１６４ｇ（０．０００７モル）の１，１’－ジフェニルエチレン（ＤＰＥ）を、アンプルを介して反応器中に加えた。この反応混合物の橙色は暗い赤煉瓦色に変化した。これは、スチリルリチウム活性センターが、非局在化ＤＰＥ付加カルボアニオンに転化したことを示唆する。２分間の攪拌後、少量（２ｍＬ）の反応混合物を、ＰＳブロック分子量分析のために採取した。次いで、メチルメタクリレート（２２．８５ｇ、０．２３モル）をアンプルを介して加えた。この反応を３０分後に１ｍＬの脱気したメタノールを用いて停止した。１０％の水を含む過剰のイソプロパノール（ポリマー溶液の５倍）中に析出してブロックコポリマーを回収し、濾過し、そして真空下に５５℃で１２時間乾燥して、４６．９モル％のポリスチレンブロック及び５３．１モル％のポリメチルメタクリレートブロックからなる４０ｇのＰ（Ｓ－ｂ－ＭＭＡ）を得た（収率９４％）。
参考用ポリマー合成例：Ｐ（Ｓ－ｂ－ＭＭＡ）（２６ｋ－ｂ－３０ｋ）の合成
Ｐ（Ｓ－ｂ－ＭＭＡ）（２６Ｋ－ｂ－３０Ｋ）を、例２に記載したのと同じ手順を用いて合成した。目的のＭｎ、及びＰＳとＰＭＭＡブロックとの組成を達成するために、開始剤の量及びモノマー量を変えた。簡単に言えば、２０ｇ（０．１９２モル）のスチレンを、０．５５ｍＬ（１．４Ｍ溶液）のｓｅｃ－ブチルリチウムを用いて重合した。次いで、２．５ｍＬの無水トルエン中の０．１６４ｇ（０．０００７モル）の１，１’－ジフェニルエチレン（ＤＰＥ）を、アンプルを介して反応器中に加えた。この反応混合物の橙色は暗い赤煉瓦色に変化した。これは、スチリルリチウム活性センターが、非局在化ＤＰＥ付加カルボアニオンに転化したことを示唆する。２分間の攪拌後、少量（２ｍＬ）の反応混合物を、ＰＳブロック分子量分析のために採取した。次いで、メチルメタクリレート（２２．８５ｇ、０．２３モル）をアンプルを介して加えた。この反応を３０分後に１ｍＬの脱気したメタノールを用いて停止した。１０％の水を含む過剰のイソプロパノール（ポリマー溶液の５倍）中に析出してブロックコポリマーを回収し、濾過し、そして真空下に５５℃で１２時間乾燥して、４６．９モル％のポリスチレンブロック及び５３．１モル％のポリメチルメタクリレートブロックからなる４０ｇのＰ（Ｓ－ｂ－ＭＭＡ）を得た（収率９４％）。
【0173】
１００Å、５００Å、１０３Å、１０５Å及び１０６Åμ－ウルトラスチラゲルカラムを備えたゲル透過クロマトグラフィは、ＰＳキャリブレーション標準換算で第一のＰ（ＳＰＤＥ）ブロックは４５，０４８ｇ／モルのＭｎ（ＧＰＣ）及び１．０４のＭｗ／Ｍｎを有したことを示した。ＧＰＣから得られたジブロックコポリマー分子量は、Ｍｎ，ＰＳ－ｂ－ＰＭＭＡ＝４６，９７８ｇ／モル及びＭｗ／Ｍｎ＝１．０２である。
【0174】
全ての化学品は、他に記載がなければ、ミリポア－シグマ社から入手可能である。９－アントラセンメチルメタクリレートは、シャンハイＢ＆Ｃ社から入手可能である。ＮＭＲは、ブルカー社製４００ＭＨｚ Ａｖａｎｃｅ ＩＩＩスペクトロメータによって測定した。ＧＰＣは、アジレント・システムを用いて測定した。
【0175】
ポリマー合成例１：ポリ（メチルメタクリレート－ｃｏ－９－アントラセンメチルメタクリレート（８０／２０）のポリマーの合成：
メチルメタクリレート（４０．０５ｇ、０．４０モル）、９－アントラセンメチルメタクリレート（２７．６３ｇ、０．１０モル）、２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオニトリル）（６．４１ｇ、０．０３モル）、及びアニソール（１００ｇ）をフラスコに加え、そして三度凍結融解して脱気し、次いで窒素雰囲気を充填した。この混合物を、８５℃の油浴中で１６時間加熱した。この混合物をテトラヒドロフランで希釈し、そしてヘキサン中で析出させた。上澄みをデカントし、そして残部を真空炉中で乾燥した。残部をＴＨＦ中に再溶解し、そしてもう一度ヘキサン中で析出させた。上澄みをデカントし、そして残部を真空炉中で乾燥した。残部をＴＨＦ中に再溶解し、そしてＤＩ水中で析出させた。ポリマーを収集し、そして真空炉中で乾燥した。淡黄色の粉末、６３．６ｇ（収率９４．０％）；Ｍｎ ４３，５３２ｇ／モル、Ｍｗ ８９，９３４ｇ／モル、ＰＤＩ ２．０７）。１Ｈ ＮＭＲに基づき（８２．５／１７．５）組成。
メチルメタクリレート（４０．０５ｇ、０．４０モル）、９－アントラセンメチルメタクリレート（２７．６３ｇ、０．１０モル）、２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオニトリル）（６．４１ｇ、０．０３モル）、及びアニソール（１００ｇ）をフラスコに加え、そして三度凍結融解して脱気し、次いで窒素雰囲気を充填した。この混合物を、８５℃の油浴中で１６時間加熱した。この混合物をテトラヒドロフランで希釈し、そしてヘキサン中で析出させた。上澄みをデカントし、そして残部を真空炉中で乾燥した。残部をＴＨＦ中に再溶解し、そしてもう一度ヘキサン中で析出させた。上澄みをデカントし、そして残部を真空炉中で乾燥した。残部をＴＨＦ中に再溶解し、そしてＤＩ水中で析出させた。ポリマーを収集し、そして真空炉中で乾燥した。淡黄色の粉末、６３．６ｇ（収率９４．０％）；Ｍｎ ４３，５３２ｇ／モル、Ｍｗ ８９，９３４ｇ／モル、ＰＤＩ ２．０７）。１Ｈ ＮＭＲに基づき（８２．５／１７．５）組成。
【0176】
調合物１：
Ｐ（ＭＭＡ－ｒ－ＡＭＭＡ）（１）を１重量％溶液としてＡｒＦシンナー中に溶解した。１，１’－（メチレンジ－４，１－フェニレン）ビスマレイミドを１重量％溶液としてＡｒＦシンナー中に溶解した。１重量％の溶液としてのＰ（ＭＭＡ－ｒ－ＡＭＭＡ）（９．４４ｇ）及び１重量％溶液としての１，１’－（メチレンジ－４，１－フェニレン）ビスマレイミド（０．５６ｇ）を混合し、そして０．２ミクロンディスクフィルターに通して濾過した。
Ｐ（ＭＭＡ－ｒ－ＡＭＭＡ）（１）を１重量％溶液としてＡｒＦシンナー中に溶解した。１，１’－（メチレンジ－４，１－フェニレン）ビスマレイミドを１重量％溶液としてＡｒＦシンナー中に溶解した。１重量％の溶液としてのＰ（ＭＭＡ－ｒ－ＡＭＭＡ）（９．４４ｇ）及び１重量％溶液としての１，１’－（メチレンジ－４，１－フェニレン）ビスマレイミド（０．５６ｇ）を混合し、そして０．２ミクロンディスクフィルターに通して濾過した。
【0177】
調合物２：
Ｐ（ＭＭＡ－ｒ－ＡＭＭＡ）（１）を１重量％溶液としてＡｒＦシンナー中に溶解した。１，１’－（メチレンジ－４，１－フェニレン）ビスマレイミドを１重量％溶液としてＡｒＦシンナー中に溶解した。１重量％溶液としてのＰ（ＭＭＡ－ｒ－ＡＭＭＡ）（９．７１ｇ）及び１重量％溶液としての１，１’－（メチレンジ－４，１－フェニレン）ビスマレイミド（０．２９ｇ）を混合し、そして０．２ミクロンディスクフィルターに通して濾過した。
Ｐ（ＭＭＡ－ｒ－ＡＭＭＡ）（１）を１重量％溶液としてＡｒＦシンナー中に溶解した。１，１’－（メチレンジ－４，１－フェニレン）ビスマレイミドを１重量％溶液としてＡｒＦシンナー中に溶解した。１重量％溶液としてのＰ（ＭＭＡ－ｒ－ＡＭＭＡ）（９．７１ｇ）及び１重量％溶液としての１，１’－（メチレンジ－４，１－フェニレン）ビスマレイミド（０．２９ｇ）を混合し、そして０．２ミクロンディスクフィルターに通して濾過した。
【0178】
ポリマー合成例２：ポリ（メチルメタクリレート－ｃｏ－３－（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート（８５／１５）の合成：
メチルメタクリレート（１４．６ｇ、０．１５モル）、３－（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート（９．１ｇ、０．０４モル）、２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオニトリル）（０．３６ｇ、２．２ミリモル）、及び２－ブタノン（３６ｇ）をフラスコに加え、そして三度凍結融解して脱気し、次いで窒素雰囲気で充填した。この混合物を８５℃の油浴中で１６時間加熱した。この混合物をテトラヒドロフランで希釈し、そしてヘキサン中で析出させた。上澄みをデカントし、そして残部を真空炉中で乾燥した。残部をＴＨＦ中に再溶解し、そしてもう一度ヘキサン中で析出させた。上澄みをデカントし、そして残部を真空炉中で乾燥した。残部をＴＨＦ中に再溶解し、そしてＤＩ水中で析出させた。ポリマーを収集し、そして真空炉中で乾燥した。白色の粉末、２２．３ｇ（収率９３．８％）；Ｍｎ １６，２６５ｇ／モル、Ｍｗ ２８，４８１ｇ／モル、ＰＤＩ １．７５。１Ｈ ＮＭＲに基づき（７９．２／２０．８）組成。
メチルメタクリレート（１４．６ｇ、０．１５モル）、３－（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート（９．１ｇ、０．０４モル）、２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオニトリル）（０．３６ｇ、２．２ミリモル）、及び２－ブタノン（３６ｇ）をフラスコに加え、そして三度凍結融解して脱気し、次いで窒素雰囲気で充填した。この混合物を８５℃の油浴中で１６時間加熱した。この混合物をテトラヒドロフランで希釈し、そしてヘキサン中で析出させた。上澄みをデカントし、そして残部を真空炉中で乾燥した。残部をＴＨＦ中に再溶解し、そしてもう一度ヘキサン中で析出させた。上澄みをデカントし、そして残部を真空炉中で乾燥した。残部をＴＨＦ中に再溶解し、そしてＤＩ水中で析出させた。ポリマーを収集し、そして真空炉中で乾燥した。白色の粉末、２２．３ｇ（収率９３．８％）；Ｍｎ １６，２６５ｇ／モル、Ｍｗ ２８，４８１ｇ／モル、ＰＤＩ １．７５。１Ｈ ＮＭＲに基づき（７９．２／２０．８）組成。
【0179】
調合物３：
Ｐ（ＭＭＡ－ｒ－ＴＭＯＳｉＰｒＭＡ）（２）を１重量％溶液としてＡｒＦシンナー中に溶解した。１重量％溶液としてのＰ（ＭＭＡ－ｒ－ＴＭＳｉＯＳｉＰｒＭＡ）溶液（７．８１ｇ）及び１重量％溶液としてのビス（テトラブチルアンモニウム）ペンタン－１，５－ビス（オラート）（２．１９ｇ）を混合し、そして０．２ミクロンディスクフィルターに通して濾過した。
Ｐ（ＭＭＡ－ｒ－ＴＭＯＳｉＰｒＭＡ）（２）を１重量％溶液としてＡｒＦシンナー中に溶解した。１重量％溶液としてのＰ（ＭＭＡ－ｒ－ＴＭＳｉＯＳｉＰｒＭＡ）溶液（７．８１ｇ）及び１重量％溶液としてのビス（テトラブチルアンモニウム）ペンタン－１，５－ビス（オラート）（２．１９ｇ）を混合し、そして０．２ミクロンディスクフィルターに通して濾過した。
【0180】
ポリマー合成例３：ポリ（メチルメタクリレート－ｃｏ－３－（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート）－ｃｏ－２－トリメチルシリルオキシエチルメタクリレート）の合成：
メチルメタクリレート（１３．８ｇ、０．１４モル）、３－（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート（９．７９ｇ、０．０４モル）、２－トリメチルシリルオキシエチルメタクリレート（３．９９ｇ、０．０２モル）、２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオニトリル）（０．４１ｇ、２．５ミリモル）、及びメチルイソブチルケトン（４２ｇ）をフラスコに加え、そして三度凍結融解して脱気し、次いで窒素雰囲気を充填した。この混合物を８５℃の油浴中で１６時間加熱した。この混合物をテトラヒドロフランで希釈し、そしてヘキサン中で析出させた。上澄みをデカントし、そして残部を真空炉中で乾燥した。残部をＴＨＦ中に再溶解し、そしてもう一度ヘキサン中で析出させた。上澄みをデカントし、そして残部を真空炉中で乾燥した。残部をＴＨＦ中に再溶解し、そしてＤＩ水中で析出させた。ポリマーを収集し、そして真空炉中で乾燥した。白色の粉末、２６．２ｇ（収率９４．３％）；Ｍｎ １７，７９９ｇ／モル、Ｍｗ ３４，０２４ｇ／モル、ＰＤＩ １．９１。１Ｈ ＮＭＲに基づいて（６９．８／２０．７／９．５）。
メチルメタクリレート（１３．８ｇ、０．１４モル）、３－（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート（９．７９ｇ、０．０４モル）、２－トリメチルシリルオキシエチルメタクリレート（３．９９ｇ、０．０２モル）、２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオニトリル）（０．４１ｇ、２．５ミリモル）、及びメチルイソブチルケトン（４２ｇ）をフラスコに加え、そして三度凍結融解して脱気し、次いで窒素雰囲気を充填した。この混合物を８５℃の油浴中で１６時間加熱した。この混合物をテトラヒドロフランで希釈し、そしてヘキサン中で析出させた。上澄みをデカントし、そして残部を真空炉中で乾燥した。残部をＴＨＦ中に再溶解し、そしてもう一度ヘキサン中で析出させた。上澄みをデカントし、そして残部を真空炉中で乾燥した。残部をＴＨＦ中に再溶解し、そしてＤＩ水中で析出させた。ポリマーを収集し、そして真空炉中で乾燥した。白色の粉末、２６．２ｇ（収率９４．３％）；Ｍｎ １７，７９９ｇ／モル、Ｍｗ ３４，０２４ｇ／モル、ＰＤＩ １．９１。１Ｈ ＮＭＲに基づいて（６９．８／２０．７／９．５）。
【0181】
ポリマー合成例４：ポリ（メチルメタクリレート－ｃｏ－３－（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート）－ｃｏ－グリシジルメタクリレート）の合成
メチルメタクリレート（１４．４ｇ、０．１４モル）、３－（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート（１０．２ｇ、０．０４モル）、グリシジルメタクリレート（２．９ｇ、０．０２モル）、２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオニトリル）（０．４１ｇ、２．５ミリモル）、及びメチルイソブチルケトン（４２ｇ）をフラスコに加え、そして三度凍結融解して脱気し、次いで窒素雰囲気で充填した。この混合物を、８５℃の油浴中で１６時間加熱した。この混合物をテトラヒドロフランで希釈し、そしてヘキサン中で析出させた。上澄みをデカントし、そして残部を真空炉中で乾燥した。残部をＴＨＦ中に再溶解し、そしてもう一度ヘキサン中で析出させた。上澄みをデカントし、そして残部を真空炉中で乾燥した。残部をＴＨＦ中に再溶解し、そしてＤＩ水中で析出させた。ポリマーを収集し、そして真空炉中で乾燥した。白色の粉末、２６．８ｇ（収率９６．５％）；Ｍｎ １９，１１３ｇ／モル、Ｍｗ ９５，９９５ｇ／モル、ＰＤＩ ５．０２。
メチルメタクリレート（１４．４ｇ、０．１４モル）、３－（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート（１０．２ｇ、０．０４モル）、グリシジルメタクリレート（２．９ｇ、０．０２モル）、２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオニトリル）（０．４１ｇ、２．５ミリモル）、及びメチルイソブチルケトン（４２ｇ）をフラスコに加え、そして三度凍結融解して脱気し、次いで窒素雰囲気で充填した。この混合物を、８５℃の油浴中で１６時間加熱した。この混合物をテトラヒドロフランで希釈し、そしてヘキサン中で析出させた。上澄みをデカントし、そして残部を真空炉中で乾燥した。残部をＴＨＦ中に再溶解し、そしてもう一度ヘキサン中で析出させた。上澄みをデカントし、そして残部を真空炉中で乾燥した。残部をＴＨＦ中に再溶解し、そしてＤＩ水中で析出させた。ポリマーを収集し、そして真空炉中で乾燥した。白色の粉末、２６．８ｇ（収率９６．５％）；Ｍｎ １９，１１３ｇ／モル、Ｍｗ ９５，９９５ｇ／モル、ＰＤＩ ５．０２。
【0182】
スキーム１は、ポリマー合成例６及び７のポリマーを製造するための一般的な反応スキームを示す。
【0183】
【0184】
（ＴＢＡ）２－ＰＤの合成：ビス（テトラブチルアンモニウム）ペンタン－１，５－ビス（オラート）
１，５－ペンタンジオール（０．１０ｇ、１．０ミリモル）、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（１．５４ｇ、１．９ミリモル）及びＡｒＦシンナー（５５ｇ）を混合することにより、１重量％溶液としてのビス（テトラブチルアンモニウム）ペンタン－１，５－ビス（オラート）を調製した。
１，５－ペンタンジオール（０．１０ｇ、１．０ミリモル）、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（１．５４ｇ、１．９ミリモル）及びＡｒＦシンナー（５５ｇ）を混合することにより、１重量％溶液としてのビス（テトラブチルアンモニウム）ペンタン－１，５－ビス（オラート）を調製した。
【0185】
【化39】
表１は、試験した調合物の組成を示す。これらの調合物は、記載のポリマー及び架橋剤をＡｒＦシンナー（ＰＧＭＥＡ：ＰＧＭＥ７０：３０）中に溶解して０．４重量％または１重量％の溶液とすることによって調製した。存在する場合に架橋剤に示した重量％は、溶液の合計した固形物重量に対するものである。溶解後、各サンプルは、０．２ミクロンディスクフィルターに通して濾過した。
【0186】
【表1】
【0187】
ＭＰＢＭ：１，１’－（メチレンジ－４，１－フェニレン）ビスマレイミド（１，１’－（メチレンビス（４，１－フェニレン））ビス（１Ｈ－ピロール－２，５－ジオン）は、シグマ－アルドリッヒ社から得た。
【0188】
【化40】
表２は、これらの組成物を用いて形成した架橋膜について行った浸漬試験の結果を示す。これらの浸漬試験は、これらの全ての調合物が、極性誘導ＭＡＴとして使用するのに満足な架橋を有することを示した。
【0189】
【表2】
【0190】
調合物の浸漬試験
ブロックコポリマー調合物
参考用ポリマー合成例をＡｒＦシンナー中に溶解して、０．４重量％溶液を調製し、これを０．２μｍＰＴＦＥを用いて濾過した。
ブロックコポリマー調合物
参考用ポリマー合成例をＡｒＦシンナー中に溶解して、０．４重量％溶液を調製し、これを０．２μｍＰＴＦＥを用いて濾過した。
【0191】
図２は、シリコンウェハ上の合成例２の材料の架橋膜上で、空気中、２５０℃で２分間アニールしたＰＭＥ－７１０２（Ｌｏ＝２９ｎｍ、膜厚は１５００ｒｐｍで３５ｎｍ）について、平行な形状を示すＳＥＭ画像を示す。フィンガープリントパターンが結果として無いことは、下層のＭＡＴ層が、上層のブロックコポリマーの極性メチルメタクリレートと相互作用することにより、上層のブロックコポリマーをピン止めしたことを示す。
【図1】
【図2】
【国際調査報告】