特表 2024-534373 フルオロアルキルスズ前駆体の合成

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-09-20

(54)【発明の名称】フルオロアルキルスズ前駆体の合成

(51)【国際特許分類】

   C07F 7/22 20060101AFI20240912BHJP

   C01G 19/02 20060101ALN20240912BHJP

【ＦＩ】

C07F7/22 M CSP

C01G19/02 C

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024516372

(86)(22)【出願日】2022-09-09

(85)【翻訳文提出日】2024-05-07

(86)【国際出願番号】 US2022043116

(87)【国際公開番号】W WO2023043682

(87)【国際公開日】2023-03-23

(31)【優先権主張番号】63/243,885

(32)【優先日】2021-09-14

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】505307471

【氏名又は名称】インテグリス・インコーポレーテッド

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】カイパー， デーヴィッド

【テーマコード（参考）】

4H049

【Ｆターム（参考）】

4H049VN03

4H049VP01

4H049VQ39

4H049VR21

4H049VR53

4H049VU24

(57)【要約】

本発明は、マイクロ電子デバイス基板の表面上へのスズ含有膜の気相堆積に有用であると考えられる特定のフッ素化アルキルスズ化合物を提供する。また、前駆体化合物の調製方法、及びマイクロ電子デバイス基板上へのスズ含有膜の堆積におけるそのような化合物の使用方法も提供される。
【選択図】なし

【特許請求の範囲】

【請求項1】

式（Ｉ）

［式中、Ｙは、次の式の基、

であり、Ｒは、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、Ｃ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから独立して選択され、Ｒ^１は、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、及びＣ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから選択され、ｍは、０～４であり、ｎは、０～３である］
の化合物。

【請求項2】

Ｙが次の式の基、

である、請求項１に記載の化合物。

【請求項3】

Ｙが次式の基、

である、請求項１に記載の化合物。

【請求項4】

ｎが２である、請求項１から３のいずれか一項に記載の化合物。

【請求項5】

ＲがＣ_１～Ｃ_３アルキルから選択される、請求項１から４のいずれか一項に記載の化合物。

【請求項6】

Ｒが、メチル、エチル、及びイソプロピルから選択される、請求項１から４のいずれか一項に記載の化合物。

【請求項7】

Ｒ^１が、水素、メチル、又はエチルから選択される、請求項１から６のいずれか一項に記載の化合物。

【請求項8】

Ｒが、メチル、エチル、及びイソプロピルから選択され、Ｒ^１が、水素、メチル、又はエチルから選択される、請求項１から３のいずれか一項に記載の化合物。

【請求項9】

Ｒがメチルであり、Ｒ^１がメチルである、請求項１から３のいずれか一項に記載の化合物。

【請求項10】

式（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）、

及び

［式中、Ｒは、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、Ｃ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから独立して選択され、Ｒ^１は、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、及びＣ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから選択され、ｍは、０～４であり、ｎは、０～３である］
の化合物から選択される化合物。

【請求項11】

Ｒがメチルである、請求項１０に記載の化合物。

【請求項12】

Ｒ^１が水素又はＣ_１～Ｃ_８アルキルである、請求項１０又は１１に記載の化合物。

【請求項13】

反応ゾーン内のマイクロ電子デバイスの表面上にスズ含有膜を堆積させるための方法であって、次の式（Ｉ）及び（ＩＩＩ）、

［式中、Ｙは、次式の基、

であり、Ｒは、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、Ｃ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから独立して選択され、Ｒ^１は、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、及びＣ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから選択され、ｍは、０～４であり、ｎは、０～３である］、及び

［式中、Ｒは、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、Ｃ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから独立して選択され、各Ｒ^１は、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、及びＣ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから独立して選択され、ｍは０～４、ｎは０～３である］
から選択される少なくとも１つの化合物を含む前駆体組成物と、
－Ｏ－Ｒ^２及び－Ｎ（Ｒ^２）_２部分［式中、Ｒ^２は、Ｃ_１～Ｃ_４アルキルから選択される］と反応することができる化合物から選択される少なくとも１つのカウンター反応物と
を気相堆積条件下で反応ゾーン中に導入することを含む方法。

【請求項14】

前駆体組成物が、式（Ｉ）から選択される少なくとも１つの化合物を含み、Ｙが次の式の基、

であり、各Ｒは、メチル、エチル、イソプロピル、及びｔ－ブチルから独立して選択され、Ｒ^１は、水素、メチル、及びエチルから選択される、請求項１３に記載の方法。

【請求項15】

前駆体組成物が、式（Ｉ）から選択される少なくとも１つの化合物を含み、Ｙが次の式の基、

であり、各Ｒは、メチル、エチル、イソプロピル、及びｔ－ブチルから独立して選択され、Ｒ^１は、水素、メチル、及びエチルから選択される、請求項１３に記載の方法。

【請求項16】

Ｒがメチルである、請求項１３から１５のいずれか一項に記載の方法。

【請求項17】

Ｒ^１が水素又はＣ_１～Ｃ_８アルキルである、請求項１３からは１６のいずれか一項に記載の方法。

【請求項18】

反応ゾーン内のマイクロ電子デバイスの表面上にＥＵＶパターン形成可能な膜を堆積させるための方法であって、
ａ．次の式（Ｉ）及び（ＩＩＩ）、

［式中、Ｙは、次の式の基、

であり、Ｒは、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、Ｃ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから独立して選択され、Ｒ^１は、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、及びＣ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから選択され、ｍは、０～４であり、ｎは、０～３である］、及び

［式中、Ｒは、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、Ｃ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから独立して選択され、Ｒ^１は、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８ペルフルオロアルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８ペルフルオロアルキル、及びＣ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから選択され、ｍは、０～４であり、ｎは、０～３である］
から選択される反応物を含む前駆体組成物と、
ｂ．－Ｏ－Ｒ^２及び－Ｎ（Ｒ^２）_２部分［Ｒ^２は、Ｃ_１～Ｃ_４アルキルから選択される］と反応することができる化合物から選択される少なくとも１つのカウンター反応物と
を気相堆積条件下で反応ゾーン中に導入することを含む方法。

【請求項19】

前駆体組成物が、式（Ｉ）から選択される少なくとも１つの化合物を含み、Ｙが次の式の基、

であり、各Ｒは、メチル、エチル、イソプロピル、及びｔ－ブチルから独立して選択され、Ｒ^１は、水素、メチル、及びエチルから選択される、請求項１８に記載の方法。

【請求項20】

前駆体組成物が、式（Ｉ）から選択される少なくとも１つの化合物を含み、Ｙが次の式の基、

であり、各Ｒは、メチル、エチル、イソプロピル、及びｔ－ブチルから独立して選択され、Ｒ^１は、水素、メチル、及びエチルから選択される、請求項１８に記載の方法。

【請求項21】

Ｒがメチルである、請求項１８から２０のいずれか一項に記載の方法。

【請求項22】

Ｒ^１が水素又はＣ_１～Ｃ_８アルキルである、請求項１８から２１のいずれか一項に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

技術分野
優先権の主張
［０００１］本開示は、２０２１年９月１４日を出願日とする米国仮特許第６３／２４３，８８５号に対する優先権を主張しており、当該仮特許参照により本明細書に援用される。

【0002】

［０００２］本発明は有機スズ化学の分野に属する。特に、本発明は、スズ含有膜の気相堆積に有用な、ある種のフッ素含有スズ化合物の製造方法に関する。

【背景技術】

【0003】

背景
［０００３］特定の有機スズ化合物は、マイクロ電子デバイスの製造における高純度の酸化スズ（ＩＩ）の堆積に有用であることが示されている。特に興味深いのは、アルキルアミノ基とアルキル基の組み合わせを有する有機スズ化合物であり、これらは、マイクロ電子デバイス基板上へのスズ含有膜の堆積における液体前駆体として有用である。

【0004】

［０００４］さらに、特定の有機金属化合物は、マイクロ電子デバイスの製造に使用される極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィ技術などの用途における高純度の金属酸化物膜の堆積における前駆体として有用であることが示されている。この方法では、特定の有機金属前駆体を逆反応物と組み合わせて利用して、重合した有機金属膜を形成する。次に、パターンが表面上に形成され、パターン化されたＥＵＶ光のビームを使用して膜を露光することを含む、ＥＵＶパターン形成可能な膜を露光し、その後、得られたマイクロ電子デバイスの表面を周囲空気中で露光後ベーキングに曝す。パターン化されたＥＵＶ光によるこの処理では、表面の一部の露出部分と一部の非露出部分が残るため、２つの領域の異なる物理的及び化学的違いにより、さらなる操作とパターン化が可能になる。例えば、米国特許公開第２０２１／００１３０３４号を参照されたい。

【0005】

［０００５］したがって、このドライ（フォト）レジストプロセスで使用できる前駆体組成物と逆反応剤の組み合わせのさらなる開発の必要性が存在し、高純度の酸化スズ膜の堆積で使用する方法の改善の必要性も存在する。

【発明の概要】

【0006】

［０００６］要約すると、本発明は、マイクロ電子デバイス基板の表面上へのスズ含有膜の気相堆積に有用であると考えられる特定のフッ素化アルキルスズ化合物を提供する。一態様では、本発明は、式（Ｉ）、

［式中、Ｙは、次式の基、

であり、Ｒは、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、Ｃ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから独立して選択され、及びＲ^１は、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、及びＣ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから選択され、ｍは、０～４であり、ｎは、０～３である］の化合物を提供する。

【0007】

詳細な説明
［０００７］本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用される場合、単数形「一つ（ａ）」、「一つ（ａｎ）」、及び「そのあるいは該あるいは前記（ｔｈｅ）」には、内容が明確に別段の指示をしない限り、複数の指示対象が含まれる。本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用される「又は（ｏｒ）」という用語は、内容が明確に別段の指示をしない限り、一般に「及び／又は」を含む意味で使用される。

【0008】

［０００８］「約（ａｂｏｕｔ）」という用語は、一般に、列挙された値と同等であると見なされる（例えば、同じ機能又は結果を有する）数値の範囲を指す。多くの場合、「約（ａｂｏｕｔ）」という用語には、最も近い有効数字に四捨五入された数値が含まれる場合がある。

【0009】

［０００９］端点を使用して表現される数値範囲には、その範囲内に含まれるすべての数値が含まれる（例えば、１～５には、１、１．５、２、２．７５、３、３．８０、４、５が含まれる）。

【0010】

［００１０］一態様では、本発明は、式（Ｉ）、

［式中、Ｙは、次式の基、

であり、Ｒは、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、Ｃ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから選択され、Ｒ^１は、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、及びＣ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから選択され、ｍは、０～４であり、ｎは、０～３である］
の化合物。

【0011】

［００１１］特定の実施形態では、Ｒはメチル、エチル、及びイソプロピルから選択される。特定の実施形態では、Ｒ^１は、水素、メチル、及びエチルから選択される。

【0012】

［００１２］特定の実施形態では、ｎは０～２である。いくつかの実施形態では、Ｒ^１はＣ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキルである。

【0013】

［００１３］式（Ｉ）の化合物は、以下のスキームに従って調製することができる。

［式中、Ｍは、リチウム、カリウム、ナトリウム、又は式ＭｇＸ（式中、Ｘはクロロ、ヨード、及びブロモから選択される）の基から選択され、Ｒ及びＲ^１は上記の通りである］。次に、上記の式（Ａ）の中間体をＰｈ_３ＳｎＦ（すなわち、フッ化トリフェニルスズ－ＣＡＳ Ｎｏ．３７９－５２－２）の存在下で式Ｍ－Ｆの化合物と反応させて、次の式（Ｂ）、

の化合物を生成する。

【0014】

［００１４］同様に、式（Ｂ）の化合物は、既知のフッ素化剤を使用して、対応するブロモ、ヨード、又はクロロ化合物をフッ素化することによって調製することができる。例えば、Ｙａｎｐｉｎ ＬｉｕらのＯｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ， ２０１３， ３２， ２１， ６５８７－６５９２； Ｙｏｎｅｄａ， ＮｏｒｉｈｉｋｏらのＣｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ （１９８７）， （８）， １６７５－８； Ｍａｋｏｓｚａ， ＭｉｅｃｚｙｓｌａｗらのｅＥＲＯＳ Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｒｅａｇｅｎｔｓ ｆｏｒ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ （２００１）； Ｅｓｃｏｕｌａ， Ｂ．らの Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ （１９８６）， ２７（１３）， １４９９－１５００； Ｐａｔｔｉｓｏｎ， Ｆ．Ｌ．Ｍ．らのＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ （１９５７）， ７９， ２３０８－１１； Ｉｗａｓａｋｉ， ＴａｋａｎｏｒｉらのＣｈｅｍｉｃａｌ Ｓｃｉｅｎｃｅ （２０１８）， ９（８）， ２１９５－２２１１； Ａｌｂａｎｅｓｅ， ＤｏｍｅｎｉｃｏらのＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ （１９９８）， ６３（２５）， ９５８７－９５８９；及びＭａｔｈｉｅｓｓｅｎ， ＢｅｎｔｅらのＣｈｅｍｉｓｔｒｙ － Ａ Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ （２０１１）， １７（２８）， ７７９６－７８０５を参照されたい。

【0015】

［００１５］次に、式（Ｂ）の化合物は、例えば、Ｒがフェニルである場合、約１～３モル当量のＳｎＣｌ_４で処理して、式（Ｃ）、

のトリクロロスズ中間体を得ることができる。

【0016】

［００１６］次いで、式（Ｃ）の化合物を、式ＬｉＮ（ＣＨ_３）_２の化合物の存在下で約２～約５モル当量の式ＨＮ（Ｒ）_２の化合物と反応させて、式（Ｉ）の化合物を得ることができる。ここで、式中Ｙは次式の基である。

【0017】

［００１７］Ｙが次式の基、

である式（Ｉ）の化合物は、第二級もしくは第三級アミンの存在下で式（Ｃ）の化合物をＲＯＨで処理することによって、又は式（Ｃ）の化合物をＭＯＲ［式中、Ｍは、アルカリ金属から選択される］で処理することによって調製することができる。

【0018】

［００１８］別の合成経路では、ｎが１である式（Ｉ）の化合物は、特定の中間体の直接フッ素化によって調製することができる。

【0019】

［００１９］したがって、別の態様では、本発明は、式（ＩＩ）、

［式中、Ｒは、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～_Ｃ８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、及びアリールから選択され、各Ｒ^１は、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、及びアリールから独立して選択される］
の化合物を調製する方法であって、次の式（Ｄ）、

の化合物をフッ素化剤で処理することを含む方法を提供する。

【0020】

［００２０］上記の方法では、例示的なＲ基及びＲ^１基は、メチル、エチル、プロピル、ｎ－ブチル、ｎ－ペンチル、ビニル、アリル、２－アルキニルプロパン、フェニルなどを含む。適切なフッ素化剤は、次のような既知の求核性デオキシフッ素化剤を含む。
ジエチルアミノ硫黄トリフルオリド（「ＤＡＳＴ」としても知られる）；
２－ピリジンスルホニルフルオリド、ＣＡＳ Ｎｏ．８７８３７６－３５－３、ＰｙＦｌｕｏｒ（商標）の商標で販売；
［メチル（オキソ）｛１－［６－トリフルオロメチル）－３－ピリジル］エチル｝－λ６－スルファニリデン］シアナミド；ＣＡＳ番号９４６５７８－００３、”ＳｕｌｆｏｘａＦｌｕｏｒ（商標）”としても知られている；
１，３－ビス（２，６－ジイソプロピルフェニル）－２，２－ジフルオロ－２，３－ジヒドロ－１Ｈ－イミダゾール、ＣＡＳ Ｎｏ．１３１４６５７－４０－３、ＰｈｅｎｏＦｌｕｏｒ（商標）の商標で販売；
（ジエチルアミノ）ジフルオロスルホニウムテトラフルオロボレート、ＣＡＳ番号６３５１７－２９－３、ＸｔａｌＦｌｕｏｒ－Ｅ（登録商標）としても知られ、ＯｍｅｇａＣｈｅｍ， Ｉｎｃ． により販売；
ビス（２－メトキシエチル）アミノ硫黄トリフルオリド、ＣＡＳ番号２０２２８９－３８－１、Ｄｅｏｘｏ－Ｆｌｕｏｒ（登録商標）の商標で販売、Ａｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ， Ｉｎｃ．；
ペルフルオロブタンスルホニルフルオリド、ＣＡＳ Ｎｏ．３７５－７２－４、１，１，２，２，３，３，４，４，４－ノナフルオロブタン－１－スルホニルフルオリドとしても知られている；

【0021】

４－モルホリニル硫黄トリフルオリド、ＣＡＳ Ｎｏ．５１０１０－７４－３、Ｍｏｒｐｈ－ＤＡＳＴとしても知られている；
ジフルオロ－４－モルホリニルスルホニウムテトラフルオロボレート、ＣＡＳ Ｎｏ．６３５１７－３３－９、ＸｔａｌＦｌｕｏｒ－Ｍ（登録商標）としても知られ、Ｓｉｇｍａ Ａｌｄｒｉｃｈにより販売；
４－ｔｅｒｔ－ブチル－２，６－ジメチルフェニル硫黄トリフルオリド、ＣＡＳ Ｎｏ．９４７７２５－０４－４、ＦＬＵＯＬＥＡＤ（商標）としても知られ、ＴＣＩ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓによって販売；
Ｎ，Ｎ－ジエチル－１，１，２，３，３，３－ヘキサフルオロプロピルアミン、ＣＡＳ Ｎｏ．３０９－８８－６、石川試薬としても知られている；
Ｎ，Ｎ－ジエチル－α，α－ジフルオロ－３－メチルベンジルアミン、ＣＡＳ Ｎｏ．５００１３１－５０－０、ＤＦＭＢＡとしても知られている；
テトラメチルフルオロホルムアミジニウムヘキサフルオロホスフェート、ＣＡＳ Ｎｏ．１６４２９８－２３－１、ＴＦＦＨとしても知られ、Ｓｉｇｍａ Ａｌｄｒｉｃｈにより販売；
フルオロ－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－ビス（テトラメチレン）ホルムアミジニウムヘキサフルオロリン酸、ＣＡＳ Ｎｏ．１６４２９８－２５－３、ＢＴＦＦＨとしても知られ、Ｓｉｇｍａ Ａｌｄｒｉｃｈにより販売；及び
１，３－ビス（２，６－ジイソプロピルフェニル）－２，２－ジフルオロ－２，３－ジヒドロ－１Ｈ－イミダゾール、ＣＡＳ Ｎｏ．１３１４６５７－４０－３、ＰｈｅｎｏＦｌｕｏｒ（商標）としても知られている。

【0022】

［００２１］さらなる合成の代替手段では、ｎが１（ｏｎｅ）である式（Ｉ）の化合物、すなわち下記式（ＩＩ）の化合物は、対応するメシレート又はトシレートの直接フッ素化によって製造することができる。式（ＩＩ）の化合物は、式（Ｉ）の化合物を合成するための中間体として有用である。

【0023】

［００２２］さらなる態様では、本発明は、式（ＩＩ）、

［式中、Ｒは、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、Ｃ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから独立して選択され、Ｒ^１は、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、及びＣ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから選択され、ｍは、０～４であり、ｎは、０～３である］
の化合物を調製するための方法を提供し、本方法は、式（Ｅ）、

［式中、Ｒ^２は、トルエンスルホニル又はメタンスルホニルである］の化合物を、式Ｍ－Ｆ［式中、Ｍは、リチウム、カリウム、ナトリウム、又はテトラ－Ｃ_１～Ｃ_８アルキルアンモニウム基から選択される］の化合物で処理することを含む。特定の実施形態では、この反応は、イオン液体、ポリエチレングリコールなどの化合物、又は相間移動触媒の存在下で行われる。

【0024】

［００２３］式（Ｅ）の化合物は、塩基の存在下、式（Ｄ）の化合物を塩化メタンスルホニル又は塩化トルエンスルホニルなどのハロゲン化メタンスルホニル又はトルエンスルホニルと反応させることにより、上記式（Ｄ）の化合物から調製することができる。

【0025】

［００２４］上記の式（Ｄ）の化合物は、以下のスキームに従って既知の化学を使用して調製することができる：

【0026】

［００２５］式（ＩＩ）の化合物を合成する別の方法では、式の化合物は、次の式、

［式中、各Ｘは、ハロゲン基から独立して選択される］
の化合物と反応させて、次の式、

の化合物を提供し、次に、これを式Ｍ－Ｆの化合物の存在下でハロゲン交換反応に供することができる。

【0027】

［００２６］得られた化合物は次にＳｎＣｌ_４で処理することができ、次の式、

の対応するトリクロロスズ化合物が得られ、これは、式ＬｉＮ（Ｒ）_２の化合物及び少なくとも２モル当量の式（Ｒ）_２ＮＨの化合物と反応させた後、次の式（ＩＩＩ）、

［式中、Ｒは、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、Ｃ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから独立して選択され、Ｒ^１は、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルコキシ、Ｃ_２～Ｃ_８アルキル、ＣＣ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８パーフルオロアルキル、及びＣ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから選択され、ｍは、０～４であり、ｎは、０～３である］
のトリス（アミド）スズ化合物を提供する。

【0028】

［００２７］さらに別の代替的手段では、式（Ｄ）の化合物は、以下のスキームに従って製造することができる。

【0029】

［００２８］上記の反応スキームでは、Ｒ^４は、式－Ｓｉ（ＣＨ_３）_３、－Ｓｉ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_３、－Ｓｉ（イソプロピル）_３、－Ｓｉ（ｔ－ブチル）_２（フェニル）、及び－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ｔ－ブチル）から選択することができる。

【0030】

［００２９］したがって、さらなる態様では、本発明は、次の式、

［式中、各Ｒ^１は、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、及びアリールから独立して選択される］
の化合物を調製する方法を提供し、本方法は、次の式、

の化合物の、塩基の存在下で、式Ｒ^２－Ｃｌの化合物での処理により、次の式、

［式中、Ｒ^４は、式－Ｓｉ（ＣＨ_３）_３、
－Ｓｉ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_３、－Ｓｉ（ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ）_３、－Ｓｉ（ｔ－ｂｕｔｙｌ）_２（ｐｈｅｎｙｌ）、及び－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ｔ－ｂｕｔｙｌ）の群から選択される］
の化合物を提供し、続いて、式（フェニル）_３ＳｎＮａの化合物で処理して、次の式、

の化合物を提供し、続いて、ヒドロキシ基を脱保護する。

【0031】

［００３０］式（Ｉ）の化合物と同様に、（ＩＩＩ）の化合物は、マイクロ電子デバイス基板の表面上へのスズ含有膜の気相堆積における前駆体として有用であると考えられており、上記のように、式（ＩＩ）の化合物は中間体として有用である。したがって、第４の態様では、本発明は、式（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）、

及び

［式中、Ｒは、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、Ｃ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから独立して選択され、Ｒ^１は、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルコキシ、Ｃ_２～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８パーフルオロアルキル、及びＣ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから選択され、ｍは、０～４であり、ｎは、０～３である］
の化合物を提供する。

【0032】

［００３１］特定の実施形態では、ＲはＣ_１～Ｃ_３アルキルから選択される。特定の実施形態では、Ｒはメチル、エチル、及びイソプロピルから選択される。特定の実施形態では、Ｒ^１は、水素、メチル、又はエチルから選択される。

【0033】

［００３２］上で述べたように、これらの有機スズ前駆体化合物は、マイクロ電子デバイスの表面上にスズ含有膜を堆積させることが望ましい場合の様々な気相堆積プロセスにおいて有用であると考えられる。したがって、第５の態様では、本発明は、反応ゾーン内のマイクロ電子デバイスの表面上にスズ含有膜を堆積させるための方法を提供し、本方法は、式（Ｉ）及び（ＩＩＩ）から選択される少なくとも１つの化合物を含む前駆体組成物を気相堆積条件下で反応ゾーン中に導入することを含む。

【0034】

［００３３］さらに、本発明の前駆体は、極端紫外光（ＥＵＶ）技術を使用するマイクロ電子デバイス基板のパターン形成に特に有用であると考えられる。これに関しては、参照により本明細書に援用される米国特許公開第２０２１／００１３０３４号を参照されたい。本発明の前駆体組成物は、蒸気流の形態で、マイクロ電子デバイス表面上にオリゴマー又はポリマー形態の有機金属材料を形成する方法でカウンター反応物と混合されることが企図される。このようにして形成された膜は、ＥＵＶ光との反応性を考慮すると、ＥＵＶパターン形成可能な膜となる。

【0035】

したがって、第６の態様では、反応ゾーン内のマイクロ電子デバイスの表面上にＥＵＶパターン形成可能な膜を堆積させるための方法であって、
ａ．式（Ｉ）及び（ＩＩＩ）の少なくとも１つの化合物から選択される反応物を含む前駆体組成物と、
ｂ．－Ｏ－Ｒ^２及び－Ｎ（Ｒ^２）_２部分（Ｒ^２は、Ｃ_１～Ｃ_４アルキルから選択される）と反応することができる化合物から選択される少なくとも１つのカウンター反応物と、を気相堆積条件下で反応ゾーンに導入することを含む方法。

【0036】

［００３５］適切なカウンター反応物は、上記の式（Ｉ）及び（ＩＩＩ）の化合物の－Ｏ－Ｒ^２及び／又は－Ｎ（Ｒ^２）_２基を置換することができる化合物であり、水、過酸化水素などの過酸化物、ジヒドロキシ又はポリヒドロキシアルコール、硫化水素、二硫化水素、トリフルオロアセトアルデヒド一水和物、フッ素化ジヒドロキシ又はポリヒドロキシアルコール、及びフッ素化グリコールなどの物質を含む。

【0037】

［００３６］このように形成された薄膜は、ＳｎＯ_ｘを含むオリゴマー又はポリマー有機金属材料であり、ｘは、約１．５～約２である。さらに、これらのＥＵＶパターン形成可能な薄膜の厚さは一般に約０．５～約１００ｎｍまで変化する。

【0038】

［００３７］特定の実施形態では、気相堆積条件は、化学気相堆積、パルス化学気相堆積、及び原子層帰巣堆積として知られる反応条件を含む。パルス化学帰巣堆積の場合、中間（不活性ガス）パージステップの有無にかかわらず、前駆体組成物とカウンター反応物の一連の交互パルスを利用して、膜厚を所望の終点まで蓄積させることができる。

【0039】

［００３８］特定の実施形態では、上に示した前駆体化合物のパルス時間（すなわち、基板への前駆体曝露の継続時間）は、約１～３０秒の範囲である。パージステップを利用する場合、持続時間は約１～２０秒又は１～３０秒である。他の実施形態では、共反応物のパルス時間は５～６０秒の範囲である。

【0040】

［００３９］一実施形態では、気相堆積条件は、約０℃～約２５０℃、又は約２２℃～約１５０℃の反応ゾーンの温度、及び約１０ｍＴｏｒｒ～約１０Ｔｏｒｒの減圧を含む。

【0041】

［００４０］上記の式（Ｉ）～（ＶＩ）の少なくとも１つから選択される化合物を含む前駆体組成物は、上記の反応物と組み合わせて使用する場合、（ａ）スズ含有膜及び（ｂ）高純度のＥＵＶパターン形成可能な膜を形成するために使用することができる。第８及び第９の態様では、化学気相堆積（ＣＶＤ）、デジタル（パルス）ＣＶＤ、原子層気相堆積（ＡＬＤ）、又は流動性化学気相堆積（ＦＣＶＤ）などの任意の適切な気相堆積技術を利用することができる。

【0042】

［００４１］本発明の第１０の態様では、上記の化合物は、任意の適切な方法、例えば枚葉式ウエハＣＶＤ又はＡＬＤで、あるいは、又は複数のウエハを含む炉内で、反応ゾーン内のカウンター反応物及び所望のマイクロ電子デバイス基板の表面と反応させることができる。

【0043】

［００４２］あるいはまた、本発明の方法は、ＡＬＤ又はＡＬＤに似た方法として実行することもできる。本明細書で使用される場合、「ＡＬＤ又はＡＬＤ様」という用語は、例えば、（ｉ）式（Ｉ）及び（ＩＩＩ）から選択される化合物を含む前駆体組成物を含む各反応物、カウンター反応物を、例えば、枚葉式ウエハＡＬＤ反応器、セミバッチＡＬＤ反応器、又はバッチ炉ＡＬＤ反応器のような反応器に順次導入する、あるいは、（ｉｉ）各反応物は、基板をリアクタの異なるセクションに移動又は回転させることによって基板又はマイクロ電子デバイス表面に曝露され、各セクションは不活性ガスカーテン、すなわち空間ＡＬＤ反応器又はロールツーロールＡＬＤ反応器によって分離される、方法を指す。特定の実施形態では、ＡＬＤ膜の厚さは約０．５ｎｍ～約４０ｎｍであり、堆積温度は約３０℃～約５００℃の範囲である。

【0044】

［００４３］本明細書に開示される堆積方法は、１つ又は複数のパージガスを必要とする場合がある。未消費の反応物及び／又は反応副生成物をパージするために使用されるパージガスは、前駆体組成物又はカウンター反応物のいずれとも反応しない不活性ガスである。例示的なパージガスには、アルゴン、窒素、ヘリウム、ネオン、及びそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。特定の実施形態では、Ａｒなどのパージガスは約１０～約２０００ｓｃｃｍの範囲の流量で約０．１～１０００秒間反応器内に供給され、それにより、反応器内に残る可能性のある未反応物質及び副生成物がパージされる。このようなパージガスは、前駆体組成物及び逆反応物質のいずれか又は両方のための不活性キャリアガスとしても利用され得る。

【0045】

［００４４］前駆体組成物及びカウンター反応物を供給するそれぞれのステップは、それらを供給する順序を変更すること、及び／又は得られるＥＵＶパターン形成可能膜の化学量論的組成を変更することによって実行され得る。

【0046】

［００４５］エネルギーが反応ゾーンの前駆体組成物及び共反応物に加えられて、反応が誘発され、マイクロ電子デバイス表面上にＥＵＶパターン形成可能な膜が形成される。このようなエネルギーは、熱、パルス熱、プラズマ、パルスプラズマ、ヘリコンプラズマ、高密度プラズマ、誘導結合プラズマ、Ｘ線、電子ビーム、光子、遠隔プラズマ法、及びそれらの組み合わせによって提供することができるが、これらに限定されない。特定の実施形態では、二次ＲＦ周波数源を使用して、基板表面のプラズマ特性を変更することができる。堆積がプラズマを伴う実施形態では、プラズマ生成プロセスは、プラズマが反応器内で直接生成される直接プラズマ生成プロセス、又は代替的に、遠隔プラズマ生成プロセスでは、プラズマが反応ゾーンと基板の「遠隔」で生成され、反応器に供給される。

【0047】

［００４６］本明細書で使用される場合、「マイクロ電子デバイス」という用語は、マイクロエレクトロニクス、集積回路、又はコンピュータチップの用途で使用するために製造される、３Ｄ ＮＡＮＤ構造、フラットパネルディスプレイ、及び微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）を含む半導体基板に対応する。「マイクロ電子デバイス」という用語は決して限定するものではなく、ネガティブチャネル金属酸化物半導体（ｎＭＯＳ）及び／又はポジティブチャネル金属酸化物半導体（ｐＭＯＳ）トランジスタを含み、最終的にはマイクロ電子デバイス又はマイクロ電子アセンブリになる任意の基板を含むことは理解すべきである。このようなマイクロ電子デバイスは、例えば、スズ、ＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＯＳＧ、ＦＳＧ、炭化スズ、水素化炭化スズ、窒化スズ、水素化窒化スズ、炭窒化スズ、水素添加炭窒化スズ、窒化ホウ素、反射防止コーティング、フォトレジスト、ゲルマニウム、ゲルマニウム含有、ホウ素含有、Ｇａ／Ａｓ、フレキシブル基板、多孔質無機材料、銅若しくはアルミニウムなどの金属、及び、これらに限定されないが、ＴｉＮ、Ｔｉ（Ｃ）Ｎ、ＴａＮ、Ｔａ（Ｃ）Ｎ、Ｔａ、Ｗ、又はＷＮの拡散バリア層から選択できる少なくとも１つの基板を含む。

【実施例】

【0048】

［００４７］実施例１
［００４８］Ｐｈ_３ＳｎＣＨ_２ＣＨ_２（ＣＨ_３）ＯＨは、Ｄａｖｉｓ， Ｄ． Ｄ．；Ｇｒａｙ， Ｃ． Ｅ． Ｄｅｏｘｙｍｅｔａｌａｔｉｏｎ Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ． Ｍｅｃｈａｎｉｓｍ ｏｆ Ｄｅｏｘｙｓｔａｎｎｙｌａｔｉｏｎ． Ｊ． Ｏｒｇ． Ｃｈｅｍ． １９７０， ３５ （５）， １３０３－１３０７．（Ｐｈ＝フェニル）にある手順に従って合成することができる。

【0049】

［００４９］実施例２
［００５０］Ｃｌ（ＣＨ_２）_２Ｏ－ＴＭＳは、Ｍａｎｄｅｒ， Ｌ． Ｎ．； Ｔｕｒｎｅｒ， Ｊ． Ｖ． Ｃｈｌｏｒｏｅｔｈｏｘｙ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌ）Ｓｉｌａｎｅ： Ａ Ｈａｒｄ－Ｂａｓｅ Ｔｒａｐ Ｗｈｉｃｈ Ｐｒｅｓｅｒｖｅｓ Ｔｍｓ Ｅｔｈｅｒ Ｇｒｏｕｐｓ ａｎｄ Ｉｍｐｒｏｖｅｓ ｔｈｅ Ｗｉｔｔｉｇ Ｍｅｔｈｙｌｅｎａｔｉｏｎ ｏｆ Ｇｉｂｂｅｒｅｌｌｉｎｓ． Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ １９８１， ２２ （４１）， ４１４９－４１５２．（ＴＭＳ＝トリメチルシリル）にある手順に従って合成することができる。

【0050】

［００５１］実施例３ Ｐｈ_３ＳｎＣＨ_２ＣＨ_２ＯＴＭＳ
［００５２］－６５℃に冷却した１００ｍＬ丸底フラスコ中のテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）中のトリフェニルスズ酸ナトリウム（３．２７ｍｍｏｌ）の０．１Ｍ溶液３２．６ｍＬに、（２－クロロエトキシ）トリメチルシランの溶液（０．５００ｇ、３．２７ｍｍｏｌ）を５ｍＬのＴＨＦ中で５分間かけて加えた。最小限の発熱のみが観察された。反応混合物を－６５℃で１時間撹拌し、次いで周囲温度まで温めた。反応混合物からすべての揮発性物質を減圧下で除去し、最少量のヘキサン中でスラリー化し、セライト床で濾過した。濾液を濃縮して、０．６５０ｇの黄色油を得た（４２％）。^１Ｈ－ＮＭＲ（１４９ ＭＨｚ ＣＤＣｌ_３， ２９８Ｋ）：δ ７．６１－７．５７ （ｍ， ６Ｈ）， ７．１８－７．１１ （ｍ， ９Ｈ）， ３．７８ （ｔ， ２Ｈ）， １．６８ （ｔ， ２Ｈ）， －０．１３ （ｓ， ９Ｈ）． ^１３Ｃ ｛^１Ｈ｝ ＮＭＲ （１００ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ_３ ２８９Ｋ）： ｄ １３９．８８， １３７．６０， １２９．００， １２８．７２， ６０．１３， １７．４４， －０．６３ ｐｐｍ． ^１１９Ｓｎ ｛^１Ｈ｝ ＮＭＲ （１４９ ＭＨｚ ＣＤＣｌ_３， ２９８Ｋ）： ｄ － ９９．６１ ｐｐｍ．

【0051】

［００５３］実施例４ Ｐｈ_３ＳｎＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ（Ｐｒｏｐｈｅｔｉｃ）へのＰｈ_３ＳｎＣＨ_２ＣＨ_２ＯＴＭＳ－脱保護
［００５４］Ｐｈ_３ＳｎＣＨ_２ＣＨ_２ＯＴＭＳのＰｈ_３ＳｎＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨへの変換は、１，２－及び１，３－ジオールを含むヒドロキシル基の保護で参照されている手順を変更して実行することができる。Ｉｎ Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ Ｇｒｏｕｐｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ； Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ， Ｌｔｄ， １９９９； ｐｐ １１９－１２１．

（ＭｅＯＨ＝メタノール）

【0052】

［００５５］無水クエン酸（２．０５ｇ、１０．７ｍｍｏｌ）を１００ｍＬのフラスコ内のメタノール６０ｍＬに溶解し、トリメチル［２－（トリフェニルスタンニル）エトキシ］シラン（５．００ｇ、１０．７ｍｍｏｌ）をフラスコに移す。反応混合物を２４時間撹拌し、減圧下で揮発分を除去し、１００ｍＬのＴＨＦで抽出する。ＴＨＦ溶液を飽和重炭酸ナトリウム溶液、続いて水で洗浄し、次いで分離し、硫酸マグネシウムで乾燥させる。次いで、揮発性物質を減圧下で除去して、生成物を白色固体として得る。

【0053】

［００５６］実施例５ Ｐｈ_３ＳｎＣＨ_２ＣＨ_２ＯＴＢＤＭＳ（Ｐｒｏｐｈｅｔｉｃ）
［００５７］トリフェニルスズ酸ナトリウム（５４．０ｍＬ、５４．０ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液に、－６５℃で、ｔｅｒｔ－ブチル（２－クロロエトキシ）ジメチルシラン（１０．５ｇ、５４．０ｍｍｏｌ）の１０ｍＬ無水テトラヒドロフラン溶液を滴下する。暗緑色の溶液を１８時間かけて周囲温度まで温め、次いですべての揮発性物質を真空中で除去する。残渣を最少量のヘキサン中でスラリーにし、セライト床で濾過し、濾液を真空中で濃縮した。（ＴＢＤＳ＝ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル）。

【0054】

［００５８］実施例６ Ｐｈ_３ＳｎＣＨ_２ＣＨ_２ＯＴＢＤＭＳ（Ｐｒｏｐｈｅｔｉｃ）由来のＰｈ_３ＳｎＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ

【0055】

［００５９］ｔｅｒｔ－ブチルジメチル［２－（トリフェニルスタンニル）エトキシ］シラン（５．００ｇ、９．８１ｍｍｏｌ）のＴＨＦ１０ｍＬ溶液に、テトラブチル（フルオロ）アミン（１９．６ｍＬ、１９．６ｍｍｏｌ）の溶液（ＴＨＦ中１．０Ｍ）を添加する。混合物を１８時間撹拌し、３０ｍＬの水を添加する。混合物をジエチルエーテル（２０ｍＬアリコート）で２回抽出し、合わせた有機層を飽和ＮＨ_４Ｃｌ溶液及び飽和ブライン溶液で連続的に洗浄する。生成物溶液を硫酸マグネシウムで乾燥させ、次いで減圧下ですべての揮発分を除去する。

【0056】

［００６０］実施例７ Ｐｈ_３ＳｎＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ（Ｐｒｏｐｈｅｔｉｃ）由来のＰｈ_３ＳｎＣＨ_２ＣＨ_２ＯＴｓ

【0057】

［００６１］ＰＴＦＥコーティングされた撹拌エッグを備え、氷浴で約５℃に冷却した１００ｍＬの丸底フラスコ内のＰｈ_３ＳｎＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ（３．９５ｇ、１０．００ｍｍｏｌ）のピリジン（６．００ｍＬ、７４．４ｍｍｏｌ）撹拌溶液に、ｐ－トルエンスルホニルクロリド（２．１９ｇ、１１．５ｍｍｏｌ）を数回に分けて加えた。得られた混合物を氷浴中で３時間撹拌し、３５．０ｍＬのジクロロメタンで希釈し、１０ｍＬの２ＭのＨＣｌ、１０ｍＬの水、及び１０ｍＬの１０％重炭酸ナトリウム水溶液で連続的に洗浄する。有機層を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下ですべての揮発分を除去する。

【0058】

［００６２］実施例８ Ｐｈ_３ＳｎＣＨ_２ＣＨ_２ＯＴｓ（Ｐｒｏｐｈｅｔｉｃ）由来のＰｈ_３ＳｎＣＨ_２ＣＨ_２－Ｆ

【0059】

［００６３］１．０Ｍのフッ化テトラブチルアンモニウム９．５５ｍＬのＴＨＦ（９．５５ミリモル）溶液に、Ｐｈ_３ＳｎＣＨ_２ＣＨ_２ＯＴｓ（５．００ｇ、９．１０ミリモル）を添加する。溶液を１８時間還流し、次いですべての揮発分を除去する。

【0060】

［００６４］実施例９ Ｐｈ_３ＳｎＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ（Ｐｒｏｐｈｅｔｉｃ）由来のＰｈ_３ＳｎＣＨ_２ＣＨ_２－Ｆ

【0061】

［００６５］２５ｍＬのジクロロメタン中のジエチルアミノ硫黄トリフルオリド（２．２９ｇ、１２．８ｍｍｏｌ）の冷却（－７０℃）溶液に、Ｐｈ_３ＳｎＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ（５．００ｇ、１２．６ｍｍｏｌ）の溶液を滴下する。撹拌した溶液を３時間かけて周囲温度まで温める。反応混合物を０℃に冷却した５０ｍＬの飽和重炭酸ナトリウム溶液に添加し、次いで２０ｍＬアリコートのジクロロメタンで２回抽出する。合わせた有機相を硫酸マグネシウムで乾燥し、シリカプラグを通して濾過する。次いで、生成物溶液から揮発分を減圧下で除去する。

【0062】

［００６６］実施例１０ Ｐｈ_３ＳｎＣＨ_２ＣＨ_２－Ｆ（Ｐｒｏｐｈｅｔｉｃ）由来のＣｌ_３ＳｎＣＨ_２ＣＨ_２－Ｆ

【0063】

［００６７］撹拌棒及びサーモウェルを備えた１００ｍＬフラスコに、（２－フルオロエチル）トリフェニルスタンナン（４０．００ｇ、１００ミリモル）を入れ、次いでテトラクロロスタンナン（５２．１ｇ、２００ミリモル）で、数回に分けて処理する。添加が完了したら、フラスコを、１’ビグリューカラムを備えた蒸留装置に取り付ける。次いで、生成物を減圧下でフェニルトリクロロスズ及びジフェニルジクロロスズから分別蒸留する。

【0064】

［００６８］実施例１１ Ｃｌ_３ＳｎＣＨ_２ＣＨ_２－Ｆ（Ｐｒｏｐｈｅｔｉｃ）由来の（Ｍｅ_２Ｎ）_３ＳｎＣＨ_２ＣＨ_２－Ｆ

【0065】

［００６９］撹拌エッグを備えた２５０ｍＬの３つ口丸底フラスコに、ブチルリチウム（３６．０ｍＬ、５７．６ｍｍｏｌ）及び３５ｍＬのヘキサンを仕込む。溶液を０℃に冷却し、次いでジメチルアミン（６．５８ｇ、１４６ミリモル）で処理する。次いで、得られたスラリーを－１０℃に冷却し、トリクロロ（２－フルオロエチル）スタンナン（５．００ｇ、１８．３ｍｍｏｌ）のヘキサン２５ｍＬ溶液を２時間かけて滴下して処理する。反応混合物を１８時間かけて周囲温度まで温め、次いで濾過する。濾液を減圧下で濃縮して、所望の生成物を得る。

【0066】

態様
［００７０］第１の態様では、本発明は、式（Ｉ）、

［式中、Ｙは、次式の基、

であり、Ｒは、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、Ｃ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから独立して選択され、Ｒ^１は、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、及びＣ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから選択され、ｍは、０～４であり、ｎは、０～３である］
の化合物を提供する。

【0067】

［００７１］第２の態様では、本発明は、Ｙが次の基、

である、第１の態様の化合物を提供する。

【0068】

［００７２］第３の態様では、本発明は、Ｙが次の基、

である、第１の態様の化合物を提供する。

【0069】

［００７３］第４の態様では、本発明は、ｎが２である、第１、第２、又は第３の態様の化合物を提供する。

【0070】

［００７４］第５の態様では、本発明は、ＲがＣ_１～Ｃ_３アルキルから選択される、第１～第４の態様のいずれか１つの化合物を提供する。

【0071】

［００７５］第６の態様では、本発明は、Ｒがメチル、エチル、及びイソプロピルから選択される、第１～第５の態様のいずれか１つの化合物を提供する。

【0072】

［００７６］第７の態様では、本発明は、Ｒ^１が水素、メチル、又はエチルから選択される、第１～第６の態様のいずれか１つの化合物を提供する。

【0073】

［００７７］第８の態様では、本発明は、第１～第７の態様のいずれか１つの化合物を提供し、その際、Ｒはメチル、エチル、及びイソプロピルから選択され、Ｒ^１は水素、メチル、又はエチルから選択される。

【0074】

［００７８］第９の態様では、本発明は、Ｒがメチルであり、Ｒ^１がメチルである、第１～第８の態様のいずれか１つの化合物を提供する。

【0075】

［００７９］第１０の態様では、本発明は、式（ＩＩ）、

［式中、Ｒは、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、Ｃ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから独立して選択され、Ｒ^１は、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、及びＣ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから選択され、ｍは、０～４であり、ｎは、０～３である］の化合物を調製する方法であって、
次の式（Ｄ）、

の化合物をフッ素化剤で処理することを含む方法を提供する。

【0076】

［００８０］第１１の態様では、本発明は、第１０の態様の方法を提供し、ここで、フッ素化剤は、ジエチルアミノ硫黄トリフルオリド、［メチル（オキソ）｛１－［６－トリフルオロメチル）－３－ピリジル］エチル｝－λ６－スルファニリデン］シアナミド；１，３－ビス（２，６－ジイソプロピルフェニル）－２，２－ジフルオロ－２，３－ジヒドロ－１Ｈ－イミダゾール；（ジエチルアミノ）ジフルオロスルホニウムテトラフルオロボレート；ビス（２－メトキシエチル）アミノ硫黄トリフルオリド；ペルフルオロブタンスルホニルフルオリド；４－モルホリニル硫黄トリフルオリド；ジフルオロ－４－モルホリニルスルホニウムテトラフルオロボレート；４－ｔｅｒｔ－ブチル－２，６－ジメチルフェニル硫黄トリフルオリド；Ｎ，Ｎ－ジエチル－１，１，２，３，３，３－ヘキサフルオロプロピルアミン；
Ｎ，Ｎ－ジエチル－α，α－ジフルオロ－３－メチルベンジルアミン；テトラメチルフルオロホルムアミジニウムヘキサフルオロリン酸；フルオロ－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－ビス（テトラメチレン）ホルムアミジニウムヘキサフルオロリン酸；及び１，３－ビス（２，６－ジイソプロピルフェニル）－２，２－ジフルオロ－２，３－ジヒドロ－１Ｈ－イミダゾールから選択される。

【0077】

［００８１］第１２の態様では、本発明は、Ｒがフェニルである、第１０又は第１１の態様の方法を提供する。

【0078】

［００８２］第１３の態様では、本発明は、Ｒ^１が水素又はＣ_１～Ｃ_８アルキルである、第１０～第１２の態様のいずれか１つの方法を提供する。

【0079】

［００８３］第１４の態様では、本発明は、次の式（ＩＩ）、

［式中、Ｒは、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、Ｃ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから独立して選択され、Ｒ^１は、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、及びＣ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから選択され、ｍは、０～４であり、ｎは、０～３である］
の化合物を調製するための方法であって、本方法は、式（Ｂ）、

［式中、Ｒ^２は、トルエンスルホニル又はメタンスルホニルである］の化合物を、式Ｍ－Ｆ［式中、Ｍは、リチウム、カリウム、ナトリウム、又はテトラ－Ｃ_１～Ｃ_８アルキルアンモニウム基から選択される］の化合物で処理することを含む方法を提供する。

【0080】

［００８４］第１５の態様では、本発明は、Ｒがフェニルである、第１４の態様の方法を提供する。

【0081】

［００８５］第１６の態様では、本発明は、Ｒ^１が水素又はＣ_１～Ｃ_８アルキルである、第１４又は第１５の態様の方法を提供する。

【0082】

［００８６］第１７の態様では、本発明は、次の式、

［式中、各Ｒ^１は、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、及びアリールから独立して選択される］
の化合物を調製する方法であって、本方法は、次の式、

の化合物の、塩基の存在下での、式Ｒ^２－Ｃｌの化合物との処理により、次の式、

［式中、Ｒ^２は、式－Ｓｉ（ＣＨ_３）_３、－Ｓｉ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_３、－Ｓｉ（イソプロピル）_３、－Ｓｉ（ｔ－ブチル）_２（フェニル）、及び－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ｔ－ブチル）の群から選択される］の化合物を提供し、続いて、式（フェニル）_３ＳｎＮａの化合物で処理して、次の式、

の化合物を提供し、続いて、ヒドロキシ基を脱保護する。

【0083】

［００８７］第１８の態様では、本発明は、次の式（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）、

及び

［式中、Ｒは、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、Ｃ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから独立して選択され、Ｒ^１は、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、及びＣ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから選択され、ｍは、０～４であり、ｎは、０～３である］
の化合物から選択される化合物を提供する。

【0084】

［００８８］第１９の態様では、本発明は、Ｒがメチルである、第１８の態様の化合物を提供する。

【0085】

［００８９］第２０の態様では、本発明は、Ｒ^１が水素又はＣ_１～Ｃ_８アルキルである、第１８又は第１９の態様の化合物を提供する。

【0086】

第２１の態様では、本発明は、反応ゾーン内のマイクロ電子デバイスの表面上にスズ含有膜を堆積させるための方法であって、次の式（Ｉ）及び（ＩＩＩ）、

［式中、Ｙは、次式の基、

であり、Ｒは、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、Ｃ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから独立して選択され、Ｒ^１は、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８ペルフルオロアルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８ペルフルオロアルキル、及びＣ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから選択され、ｍは、０～４であり、ｎは、０～３である］、及び

［式中、Ｒは、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、Ｃ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから独立して選択され、Ｒ^１は、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８ペルフルオロアルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８ペルフルオロアルキル、及びＣ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから選択され、ｍは、０～４であり、ｎは、０～３である］から選択される少なくとも１つの化合物を含む前駆体組成物と、
－Ｏ－Ｒ^２及び－Ｎ（Ｒ^２）_２部分（Ｒ^２は、Ｃ_１～Ｃ_４アルキルから選択される）と反応することができる化合物から選択される少なくとも１つのカウンター反応物と、
を気相堆積条件下で反応ゾーンに導入することを含む方法を提供する。

【0087】

［００９１］第２２の態様では、本発明は、前駆体組成物が、式（Ｉ）［式中、Ｙは、次の式の基、

であり、各Ｒは、メチル、エチル、イソプロピル、及びｔ－ブチルから独立して選択され、Ｒ^１は、水素、メチル、エチルから選択される］
から選択される少なくとも１つの化合物を含む、第２１の態様の方法を提供する。

【0088】

［００９２］第２３の態様では、本発明は、前駆体組成物が、式（Ｉ）［式中、Ｙは、次の式の基、

であり、各Ｒは、メチル、エチル、イソプロピル、及びｔ－ブチルから独立して選択され、Ｒ^１は、水素、メチル、エチルから選択される］
から選択される少なくとも１つの化合物を含む、第２１の態様の方法を提供する。

【0089】

［００９３］第２４の態様では、本発明は、Ｒがメチルである、第２１、第２２、又は第２３の態様の方法を提供する。

【0090】

［００９４］第２５の態様では、本発明は、Ｒ^１が水素又はＣ_１～Ｃ_８アルキルである、第２１～第２４の態様のいずれか１つの方法を提供する。

【0091】

［００９５］第２６の態様では、本発明は、反応ゾーン内のマイクロ電子デバイスの表面上にＥＵＶパターン形成可能な膜を堆積させるための方法であって、
ａ．次の式（Ｉ）及び（ＩＩＩ）、

［式中、Ｙは、次の式の基、

であり、Ｒは、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、Ｃ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから独立して選択され、Ｒ^１は、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８ペルフルオロアルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８ペルフルオロアルキル、及びＣ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから選択され、ｍは、０～４であり、ｎは、０～３である］、及び

［式中、Ｒは、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、Ｃ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから選択され、及びＲ^１は、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、及びＣ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから選択され、ｍは、０～４であり、ｎは、０～３である］
から選択される反応物を含む前駆体組成物と、
ｂ．－Ｏ－Ｒ^２及び－Ｎ（Ｒ^２）_２部分［Ｒ^２は、Ｃ_１～Ｃ_４アルキルから選択される］と反応することができる化合物から選択される少なくとも１つのカウンター反応物と、
を気相堆積条件下で反応ゾーンに導入することを含む方法を提供する。

【0092】

［００９６］第２７の態様では、本発明は、前駆体組成物が、式（Ｉ）［式中、Ｙは、次の式の基、

であり、各Ｒは、メチル、エチル、イソプロピル、及びｔ－ブチルから独立して選択され、Ｒ^１は、水素、メチル、エチルから選択される］から選択される少なくとも１つの化合物を含む、第２６態様の方法を提供する。

【0093】

［００９７］第２８の態様では、本発明は、前駆体組成物が、式（Ｉ）［式中、Ｙは、次の式の基、

であり、各Ｒは、メチル、エチル、イソプロピル、及びｔ－ブチルから独立して選択され、Ｒ^１は、水素、メチル、エチルから選択される］から選択される少なくとも１つの化合物を含む、第２６態様の方法を提供する。

【0094】

［００９８］第２９の態様では、本発明は、Ｒがメチルである、第２６、第２７、又は第２８の態様の方法を提供する。

【0095】

［００９９］第３０の態様では、本発明は、Ｒ^１が水素又はＣ_１～Ｃ_８アルキルである、第２６～第２９の態様のいずれか１つの方法を提供する。

【0096】

［００１００］以上、本開示のいくつかの例示的な実施形態を説明したが、当業者であれば、添付の特許請求の範囲内でさらに他の実施形態を作成し、使用できることが容易に理解されるであろう。この文書によってカバーされる開示の多くの利点は、前述の説明で説明されている。しかしながら、この開示は多くの点で単なる例示に過ぎないことが理解されるであろう。もちろん、本開示の範囲は、添付の特許請求の範囲が表現される言語で定義される。

【手続補正書】

【提出日】2024-05-28

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

式（Ｉ）

［式中、Ｙは、次の式の基、

であり、Ｒは、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、Ｃ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから独立して選択され、Ｒ^１は、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、及びＣ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから選択され、ｍは、０～４であり、ｎは、０～２である］
の化合物。

【請求項2】

Ｙが次の式の基、

である、請求項１に記載の化合物。

【請求項3】

ＲがＣ _１ ～Ｃ _３ アルキルから選択される、請求項１に記載の化合物。

【請求項4】

式（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）、

及び

［式中、Ｒは、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、Ｃ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから独立して選択され、Ｒ^１は、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、及びＣ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから選択され、ｎは、０～２であり、化合物が式（ＩＩ）の化合物である場合、ｍは２～４であり、化合物が式（ＩＩＩ）の化合物である場合、ｍは０～４である］
の化合物から選択される化合物。

【請求項5】

反応ゾーン内のマイクロ電子デバイスの表面上にスズ含有膜を堆積させるための方法であって、次の式（Ｉ）及び（ＩＩＩ）、

［式中、Ｙは、次式の基、

であり、Ｒは、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、Ｃ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから独立して選択され、Ｒ^１は、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、及びＣ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから選択され、ｍは、０～４であり、ｎは、０～２である］、及び

［式中、Ｒは、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、Ｃ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから独立して選択され、各Ｒ^１は、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_８アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、Ｃ_２～Ｃ_８アルケニル、Ｃ_２～Ｃ_８アルキニル、アリール、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_８過フッ素化アルキル、及びＣ_１～Ｃ_８部分フッ素化アルキルから独立して選択され、ｍは０～４、ｎは０～２である］
から選択される少なくとも１つの化合物を含む前駆体組成物と、
－Ｏ－Ｒ^２及び－Ｎ（Ｒ^２）_２部分［式中、Ｒ^２は、Ｃ_１～Ｃ_４アルキルから選択される］と反応することができる化合物から選択される少なくとも１つのカウンター反応物と
を気相堆積条件下で反応ゾーン中に導入することを含む方法。

【国際調査報告】