特表 2024-535369 選択的グラフェン堆積

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-09-30

(54)【発明の名称】選択的グラフェン堆積

(51)【国際特許分類】

   C23C 16/26 20060101AFI20240920BHJP

   C23C 16/56 20060101ALI20240920BHJP

   H01L 21/285 20060101ALI20240920BHJP

   H01L 21/3205 20060101ALN20240920BHJP

【ＦＩ】

C23C16/26

C23C16/56

H01L21/285 C

H01L21/88 B

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024518459

(86)(22)【出願日】2022-09-14

(85)【翻訳文提出日】2024-05-21

(86)【国際出願番号】 US2022043530

(87)【国際公開番号】W WO2023049006

(87)【国際公開日】2023-03-30

(31)【優先権主張番号】17/483,273

(32)【優先日】2021-09-23

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】ゴーシュ， スプリヤ

(72)【発明者】

【氏名】ロイ， サスミット シンハー

(72)【発明者】

【氏名】マリック， アブヒジット バス

【テーマコード（参考）】

4K030

4M104

5F033

【Ｆターム（参考）】

4K030AA09

4K030AA17

4K030BA27

4K030CA04

4K030DA08

4K030FA01

4K030JA01

4K030JA05

4K030JA06

4K030JA09

4K030JA10

4K030JA11

4K030JA16

4K030LA15

4M104BB36

4M104DD43

4M104DD44

4M104DD45

4M104DD47

5F033GG00

5F033GG02

5F033GG03

5F033HH00

5F033HH07

5F033HH11

5F033HH15

5F033HH19

5F033HH32

5F033HH33

5F033MM12

5F033MM13

5F033PP07

5F033RR04

5F033WW02

5F033WW03

5F033WW05

5F033WW06

5F033WW07

5F033XX08

5F033XX28

5F033XX31

(57)【要約】

例示的な半導体処理方法が、半導体処理チャンバの処理領域に炭素含有前駆体を提供することを含み得る。基板が、半導体処理チャンバの処理領域内に配置され得る。基板は、１以上のフィーチャを画定する低誘電率材料、低誘電率材料にわたり１以上のフィーチャ内に延在するライナー、及びライナー上に堆積され１以上のフィーチャ内で延在する金属含有層を含み得る。該方法は、ライナー及び金属含有層の少なくとも一部分の上に材料の層を形成することを含み得る。材料の層は、グラフェンを含んでよい。該方法は、ライナー上の材料の層の一部分の実質的に全てを除去することを含み得る。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体処理チャンバの処理領域に炭素含有前駆体を提供することであって、基板が、前記半導体処理チャンバの前記処理領域内に配置され、前記基板は、
１以上のフィーチャを画定する低誘電率材料、
前記低誘電率材料にわたり前記１以上のフィーチャ内に延在するライナー、及び
前記ライナー上に堆積され前記１以上のフィーチャ内で延在する金属含有層を含む、半導体処理チャンバの処理領域に炭素含有前駆体を提供すること、
前記ライナー及び前記金属含有層の少なくとも一部分の上に材料の層を形成することであって、前記材料の層はグラフェンを含む、前記ライナー及び前記金属含有層の少なくとも一部分の上に材料の層を形成すること、並びに
前記ライナー上の前記材料の層の一部分の実質的に全てを除去することを含む、半導体処理方法。

【請求項2】

前記炭素含有前駆体は、炭素-炭素二重結合又は炭素-炭素三重結合を含む、請求項１に記載の半導体処理方法。

【請求項3】

前記半導体処理チャンバの前記処理領域への前記炭素含有前駆体の流量は、約１，５００sccm以下である、請求項１に記載の半導体処理方法。

【請求項4】

前記半導体処理チャンバ内の温度は、前記材料の層を形成している間、約５４０℃以下に維持される、請求項１に記載の半導体処理方法。

【請求項5】

前記半導体処理チャンバ内の圧力は、前記材料の層を形成している間、約５０Torr以下に維持される、請求項１に記載の半導体処理方法。

【請求項6】

前記材料の層を形成している間、前記半導体処理チャンバ内の温度は約４５０℃以下に維持され、
前記基板上に前記材料の層を形成している間、前記半導体処理チャンバ内の圧力は約２５Torr以下に維持される、請求項１に記載の半導体処理方法。

【請求項7】

前記材料の層は、約８０原子％以上の炭素濃度によって特徴付けられる、請求項１に記載の半導体処理方法。

【請求項8】

前記金属含有層上に形成される前記材料の層は、約１５nm以下の厚さによって特徴付けられる、請求項１に記載の半導体処理方法。

【請求項9】

前記ライナー上の前記材料の前記一部分の実質的に全てを除去する前に、前記半導体処理チャンバの前記処理領域に水素含有前駆体を提供することを更に含む、請求項１に記載の半導体処理方法。

【請求項10】

前記水素含有前駆体のプラズマを生成することを更に含み、前記プラズマは約１００W以下のプラズマ出力で生成される、請求項９に記載の半導体処理方法。

【請求項11】

半導体処理チャンバの処理領域に前駆体を提供することであって、前記前駆体はアセチレンを含み、基板が、前記半導体処理チャンバの前記処理領域内に配置され、前記基板は、
１以上のフィーチャを画定する低誘電率材料、及び
前記低誘電率材料上に堆積され前記１以上のフィーチャ内で延在する金属含有層を含む、半導体処理チャンバの処理領域に前駆体を提供すること、
前記低誘電率材料及び前記金属含有層の少なくとも一部分の上に材料の層を形成することであって、前記材料の層はグラフェンを含む、前記低誘電率材料及び前記金属含有層の少なくとも一部分の上に材料の層を形成すること、
前記半導体処理チャンバの前記処理領域に水素含有前駆体を提供すること、
前記水素含有前駆体のプラズマを生成すること、並びに
前記材料の層をプラズマ放出物と接触させ、前記低誘電率材料上の前記材料の層の実質的に全てを除去することを含む、半導体処理方法。

【請求項12】

前記半導体処理チャンバの前記処理領域への前記前駆体の流量は、約１，２５０sccm以下である、請求項１１に記載の半導体処理方法。

【請求項13】

前記材料の層を形成している間、前記半導体処理チャンバ内の温度は約５００℃以下に維持され、
前記基板上に前記材料の層を形成している間、前記半導体処理チャンバ内の圧力は約３０Torr以下に維持される、請求項１１に記載の半導体処理方法。

【請求項14】

前記材料の層は、約９００秒以下で形成される、請求項１１に記載の半導体処理方法。

【請求項15】

前記プラズマは、約５０W以下のプラズマ出力で生成される、請求項１４に記載の半導体処理方法。

【請求項16】

半導体処理チャンバの処理領域に炭素含有前駆体を提供することであって、基板が、前記半導体処理チャンバの前記処理領域内に配置される、半導体処理チャンバの処理領域に炭素含有前駆体を提供すること、
前記基板の少なくとも一部分の上に材料の層を形成することであって、前記材料の層はグラフェンを含む、前記基板の少なくとも一部分の上に材料の層を形成すること、及び
非晶質である前記材料の層の実質的に全てを除去することを含む、半導体処理方法。

【請求項17】

前記基板は、１以上のフィーチャを画定するライナー、及び前記ライナー上に堆積され前記１以上のフィーチャ内で延在する金属含有層を含み、
前記ライナー上の前記材料の層の実質的に全てが非晶質である、請求項１６に記載の半導体処理方法。

【請求項18】

前記炭素含有前駆体は、アセチレンを含む、請求項１６に記載の半導体処理方法。

【請求項19】

前記材料の層は、約６００秒以下で形成される、請求項１６に記載の半導体処理方法。

【請求項20】

非晶質である前記材料の層の実質的に全てを除去することは、前記材料の層を水素含有プラズマの放出物と接触させることを含む、請求項１６に記載の半導体処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、2021年9月23日に出願された米国特許出願第17／483,273号の利益を主張し、該米国特許出願の全開示は、あらゆる目的のために参照により本明細書に援用される。

【0002】

[0002] 本技術は、半導体プロセス及び材料に関する。特に、本技術は、金属上にグラフェンを選択的に堆積させることに関する。

【背景技術】

【0003】

[0003] 集積回路は、基板表面上に複雑にパターニングされた材料層を生成するプロセスによって可能となる。基板上にパターニングされた材料を生成することは、材料を形成し除去するための制御された方法を必要とする。材料の特性は、デバイスがどのように動作するかに影響を与え、また、膜が互いに対してどのように除去されるかにも影響を与え得る。プラズマ強化堆積は、特定の特性を有する膜を生成し得る。膜における所望の特性は、それらの用途に応じて異なり得る。

【0004】

[0004] したがって、高品質デバイス及び構造の製造に使用することができる、改善されたシステム及び方法が必要とされている。これらの必要性及びその他の必要性は、本技術によって対処される。

【発明の概要】

【0005】

[0005] 半導体構造を形成する例示的な方法は、半導体処理チャンバの処理領域に炭素含有前駆体を提供することを含み得る。基板が、半導体処理チャンバの処理領域内に配置され得る。基板は、１以上のフィーチャを画定する低誘電率材料（low dielectric constant material）、低誘電率材料にわたり１以上のフィーチャ内に延在するライナー、及びライナー上に堆積され１以上のフィーチャ内で延在する金属含有層を含み得る。該方法は、ライナー及び金属含有層の少なくとも一部分の上に材料の層を形成することを含み得る。材料の層は、グラフェンであってよく又はグラフェンを含んでよい。該方法は、ライナー上の材料の層の一部分の実質的に全てを除去することを含み得る。

【0006】

[0006] 幾つかの実施形態では、炭素含有前駆体が、炭素-炭素二重結合又は炭素-炭素三重結合を含み得る。半導体処理チャンバの処理領域への炭素含有前駆体の流量は、約１，５００sccm以下であり得る。半導体処理チャンバ内の温度は、材料の層を形成している間、約５４０℃以下に維持され得る。半導体処理チャンバ内の圧力は、材料の層を形成している間、約５０Torr以下に維持され得る。幾つかの実施形態では、材料の層を形成している間、半導体処理チャンバ内の温度が約４５０℃以下に維持され、基板上に材料の層を形成している間、半導体処理チャンバ内の圧力が約２５Torr以下に維持され得る。材料の層は、約８０原子％以上の炭素濃度によって特徴付けられ得る。金属含有層上に形成される材料の層は、約１５nm以下の厚さによって特徴付けられ得る。該方法は、ライナー上の材料の一部分の実質的に全てを除去する前に、半導体処理チャンバの処理領域に水素含有前駆体を提供することを含み得る。該方法は、水素含有前駆体のプラズマを生成することを含み得る。プラズマは、約１００W以下のプラズマ出力で生成され得る。

【0007】

[0007] 本技術の幾つかの実施形態は、半導体処理方法を包含し得る。該方法は、半導体処理チャンバの処理領域に前駆体を提供することを含み得る。前駆体は、アセチレンであってよく又はアセチレンを含んでよい。基板が、半導体処理チャンバの処理領域内に配置され得る。基板は、１以上のフィーチャを画定する低誘電率材料、及び低誘電率材料上に堆積され１以上のフィーチャ内で延在する金属含有層を含み得る。該方法は、低誘電率材料及び金属含有層の少なくとも一部分の上に材料の層を形成することを含み得る。材料の層は、グラフェンであってよく又はグラフェンを含んでよい。該方法は、半導体処理チャンバの処理領域に水素含有前駆体を提供すること、水素含有前駆体のプラズマを生成すること、及び、材料の層をプラズマ放出物と接触させ、低誘電率材料上の材料の層の実質的に全てを除去することを含み得る。

【0008】

[0008] 幾つかの実施形態では、半導体処理チャンバの処理領域への炭素含有前駆体の流量が、約１，２５０sccm以下であり得る。半導体処理チャンバ内の温度は、材料の層を形成している間、約５００℃以下に維持され得る。半導体処理チャンバ内の圧力は、基板上に材料の層を形成している間、約３０Torr以下に維持され得る。材料の層は、約９００秒以下で形成され得る。プラズマは、約５０W以下のプラズマ出力で生成され得る。

【0009】

[0009] 本技術の幾つかの実施形態は、半導体処理方法を包含し得る。該方法は、半導体処理チャンバの処理領域に炭素含有前駆体を提供することを含み得る。基板が、半導体処理チャンバの処理領域内に配置され得る。該方法は、基板の少なくとも一部分の上に材料の層を形成することを含み得る。材料の層は、グラフェンを含んでよい。該方法は、非晶質（アモルファス：amorphous）である材料の層の実質的に全てを除去することを含み得る。

【0010】

[0010] 基板は、１以上のフィーチャを画定するライナー、及びライナー上に堆積され１以上のフィーチャ内で延在する金属含有層を含み得る。ライナー上の材料の層の実質的に全てが、非晶質であり得る。炭素含有前駆体は、アセチレンであってよく又はアセチレンを含んでよい。材料の層は、約６００秒以下で形成され得る。非晶質である材料の層の実質的に全てを除去することは、材料の層を水素含有プラズマの放出物と接触させることを含み得る。

【0011】

[0011] このような技術は、従来のシステム及び技法を超えた多数の利点をもたらす可能性がある。例えば、プロセスや構造は、導電層とバリア層の両方の役割を果たす材料の層を選択的に堆積させることができる。更に、本技術の複数の実施形態の工程により、導電層とバリア層が１つの材料の層に組み合わされるため、全体的な構造の厚さを減らすことができる。これらの実施形態及びその他の実施形態は、その多くの利点や特徴と共に、後述の記載及び添付の図面により詳細に説明されている。

【0012】

[0012] 開示される技術の性質及び利点は、本明細書の残りの部分と図面を参照することによって更に理解を深めることができる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】[0013] 本技術の幾つかの実施形態による例示的な半導体処理チャンバの概略断面図を示す。

【図2】[0014] 本技術の幾つか実施形態による形成方法における選択された工程を示す。

【図3】[0015] 図３Ａ～図３Ｃは、本技術の幾つかの実施形態に従って生成された材料層が含まれる例示的な概略断面構造を示す。

【発明を実施するための形態】

【0014】

[0016] 図面のうちの幾つかは、概略図として含まれている。図面は例示を目的としており、縮尺通りであると明記されていない限り、縮尺通りであるとみなしてはならないと理解するべきである。加えて、図は、概略図として、理解を助けるために提供されており、実際の描写と比較すると、全ての態様又は情報を含むわけではないことがあり、且つ、例示のために余分な又は強調された素材を含み得る。

【0015】

[0017] 添付の図面では、類似の構成要素及び／又は特徴が、同じ参照符号を有し得る。更に、同じ種類の様々な構成要素は、類似の構成要素間を区別する文字により、参照符号に従って区別することができる。本明細書において第１の参照符号のみが使用される場合、その記載は、文字に関わりなく、同じ第１の参照符号を有する類似の構成要素のうちの何れにも適用可能である。

【0016】

[0018] 半導体処理におけるメタライゼーション形成中に、導電性ラインを画定する構造の周りに拡散バリアが含まれることがある。他の金属又は導電性材料の中でとりわけ、銅とコバルトは、デバイスやフィーチャの構造が微細化しても、相互接続として効率的に動作し得る。これらの材料は、より低い電気抵抗率と改善されたエレクトロマイグレーション耐性とによって特徴付けられ得る。しかし、これらの材料は原子拡散の影響を受け易く、金属種が誘電材料を通って拡散し、分離されたライン間の短絡を引き起こし、デバイスの故障につながる可能性がある。したがって、拡散を制限するために、金属材料の周りに拡散バリアが含まれ得る。拡散バリア材料には、窒化チタンや窒化タンタルなどの金属窒化物を含む多くの材料が含まれ得る。これらの材料は、誘電材料内で画定されたフィーチャの側壁や基部の周りに堆積され、フィーチャ内に堆積された金属を完全に閉じ込め、拡散を制限又は防止し得る。更に、これらの材料のうちの１つ、又は金属キャッピング層が、フィーチャが充填された後で金属の上に形成され得る。例えば、金属キャッピング層を利用することによって、原子拡散が防止され、また、より小さなフィーチャサイズでは、抵抗率の増加を抑えるために更なる導電性材料が提供される。

【0017】

[0019] しかし、これらの材料は幾つかの問題を引き起こす可能性があり、それらの問題はフィーチャサイズの縮小によって悪化する可能性がある。例えば、金属キャッピング層は、フィーチャ分離を確実にする上で問題を引き起こす可能性があり、フィーチャ間で完全に除去されない場合、導電性ライン間の短絡を引き起こす可能性がある。更に、チタンや窒化タンタルのような材料は、厚さが縮小すると不連続になり、原子移動や拡散が起こる可能性がある。これらの問題やその他の問題があるため、従来の技法では、フィーチャサイズを更に小さくしたり、拡散や不完全な材料除去によるフィーチャ間の短絡を防止したりする能力に限界があった。

【0018】

[0020] 本技術は、金属材料上に選択的に堆積されるグラフェンを利用することによって、これらの問題を克服する。グラフェンの二次元構造は、拡散バリアとして依然として効果的に機能する厚さが低減された層を可能にし得る。グラフェンはまた、導電性材料でもあるため、相互接続の微細化に伴う抵抗率の上昇を抑えるのに役立ち得る。更に、本技術の幾つかの実施形態による工程を実行することによって、グラフェンは、金属ライン上に選択的に堆積され得、介在するバリア材料又は誘電材料上に堆積されなくてよく、又はそのような堆積を制限することができる。これは、導電性材料が隣接したフィーチャ間で延在すること（これは、短絡につながり得る）を制限又は防止し得る。最後に、本技術に従ってフィーチャ間で形成され得る任意の残留グラフェンは、グラフェンバリア材料に対する最小限の損傷を伴って（或いは全く損傷なしに）容易に除去され得る。

【0019】

[0021] 残りの開示では、開示された技術を利用する特定の堆積プロセスを日常的に特定し、１つの種類の半導体処理チャンバを説明することとなるが、説明されるプロセスは、他の堆積チャンバ、ならびに任意の数の半導体処理チャンバで実行され得るプロセスに等しく適用可能であることが容易に理解されるであろう。したがって、本技術は、これらの特定の堆積プロセス又はチャンバ単独での使用に限定されるものと見なされるべきではない。本開示は、本技術による半導体処理の方法が説明される前に、本技術の複数の実施形態に従ってプロセスを実行するために使用され得る１つの可能なチャンバを説明することになる。

【0020】

[0022] 図１は、本技術の幾つかの実施形態による、例示的な半導体処理チャンバシステム１００の断面図を示す。半導体処理チャンバ１００を利用して、本技術の幾つかの実施形態に従って膜層を形成することができるが、該方法は、膜形成が行われ得る任意のチャンバ内で同様に実行されてよいことを理解されたい。半導体処理チャンバ１００は、チャンバ本体１０２、チャンバ本体１０２の内部に配置された基板支持体１０４、及び、チャンバ本体１０２に結合され、基板支持体１０４を処理空間１２０内に囲い込むリッドアセンブリ１０６を含み得る。基板１０３は、開口部１２６を通して処理空間１２０に提供されてよく、この開口部は、スリットバルブ又はドアを用いて処理のために従来通りに封止されてよい。基板１０３は、処理中に基板支持体の表面１０５上に載置されてよい。基板支持体１０４は、矢印１４５で示されているように、基板支持体１０４のシャフト１４４が配置される軸１４７に沿って回転可能であり得る。代替的に、基板支持体１０４は、堆積プロセス中に必要に応じて持ち上げて回転させることができる。

【0021】

[0023] プラズマプロファイル変調器１１１が、基板支持体１０４上に配置された基板１０３にわたるプラズマの分布を制御するために、半導体処理チャンバ１００内に配置され得る。プラズマプロファイル変調器１１１は、第１の電極１０８を含み得る。第１の電極１０８は、チャンバ本体１０２に隣接して配置されてよく、チャンバ本体１０２をリッドアセンブリ１０６の他の構成要素から分離し得る。第１の電極１０８は、リッドアセンブリ１０６の一部であってよく、又は別個の側壁電極であってもよい。第１の電極１０８は、環状又はリング状の部材であってよく、リング電極であってよい。第１の電極１０８は、処理空間１２０を囲む半導体処理チャンバ１００の外周の連続的なループであってよく、所望の場合、選択された位置において不連続であってもよい。第１の電極１０８はまた、例えば穿孔リング又はメッシュ電極などの穿孔電極であってもよく、又は例えば二次ガス分配器などの平板電極であってもよい。

【0022】

[0024] 例えば酸化アルミニウム及び／又は窒化アルミニウムといったセラミック又は金属酸化物などの誘電材料であってよい１以上の絶縁体１１０ａ、１１０ｂが、第１の電極１０８に接触してよく、第１の電極１０８をガス分配器１１２から及びチャンバ本体１０２から電気的且つ熱的に分離してよい。ガス分配器１１２は、プロセス前駆体を処理空間１２０の中に分配するための開孔１１８を画定してよい。ガス分配器１１２は、処理チャンバに結合されてよいRF生成器、RF電源、DC電源、パルス状DC電源、パルス状RF電源、又は任意の他の電源などの、第１の電力源１４２に結合され得る。幾つかの実施形態では、第１の電力源１４２がRF電源であってよい。

【0023】

[0025] ガス分配器１１２は、導電性ガス分配器又は非導電性ガス分配器であってよい。ガス分配器１１２はまた、導電性及び非導電性の構成要素で形成されてもよい。例えば、ガス分配器１１２の本体が導電性であってよい一方で、ガス分配器１１２の面板は非導電性であってよい。ガス分配器１１２は、図１で示されているような第１の電力源１４２などによって電力供給されてよく、又は、幾つかの実施形態では、ガス分配器１１２は、接地に結合されてもよい。

【0024】

[0026] 第１の電極１０８は、半導体処理チャンバ１００の接地経路を制御してよい第１の同調回路１２８に結合され得る。第１の同調回路１２８は、第１の電子センサ１３０、及び第１の電子コントローラ１３４を含んでよい。第１の電子コントローラ１３４は、可変キャパシタ又は他の回路素子であってよく、又はそれを含んでよい。第１の同調回路１２８は、１以上のインダクタ１３２であってよく、又はそれを含んでよい。第１の同調回路１２８は、処理中に処理空間１２０内に存在するプラズマ条件下で可変又は制御可能なインピーダンスを可能にする任意の回路であってよい。図示されているような幾つかの実施形態では、第１の同調回路１２８が、接地と第１の電子センサ１３０との間で平行に結合された第１の回路脚及び第２の回路脚を含んでよい。第１の回路脚は、第１のインダクタ１３２Ａを含んでよい。第２の回路脚は、第１の電子コントローラ１３４と直列に結合された第２のインダクタ１３２Ｂを含んでよい。第２のインダクタ１３２Ｂは、第１の電子コントローラ１３４と、第１及び第２の回路脚の両方を第１の電子センサ１３０に結合するノードとの間に配置されてよい。第１の電子センサ１３０は、電圧又は電流センサであってよく、第１の電子コントローラ１３４に結合されてよい。第１の電子コントローラ１３４は、処理空間１２０の内側のプラズマ状態のある程度の閉ループ制御を許容し得る。

【0025】

[0027] 第２の電極１２２が、基板支持体１０４に結合されてよい。第２の電極１２２は、基板支持体１０４内に埋め込まれてよく、又は基板支持体１０４の表面に結合されてよい。第２の電極１２２は、板、穿孔板、メッシュ、ワイヤスクリーン、又は導電性要素の任意の他の分散配置（distributed arrangement）であってよい。第２の電極１２２は、同調電極であってよく、例えば、基板支持体１０４のシャフト１４４内に配置された、５０オームなどの選択された抵抗率を有するケーブルなどの導管１４６によって、第２の同調回路１３６に結合され得る。第２の同調回路１３６は、第２の電子センサ１３８及び第２の電子コントローラ１４０を有してよい。第２の電子コントローラ１４０は、第２の可変キャパシタであってよい。第２の電子センサ１３８は、電圧又は電流センサであってよく、処理空間１２０内のプラズマ状態を更に制御するために、第２の電子コントローラ１４０に結合されてよい。

【0026】

[0028] バイアス電極及び／又は静電チャック電極であってよい第３の電極１２４が、基板支持体１０４に結合され得る。第３の電極は、フィルタ１４８を通して第２の電力源１５０に結合されてよい。フィルタ１４８は、インピーダンス整合回路であってよい。第２の電力源１５０は、DC電源、パルス状DC電源、RFバイアス電源、パルス状RF源若しくはバイアス電源、又はこれらの組み合わせ若しくは他の電源であってよい。幾つかの実施形態では、第２の電力源１５０が、RFバイアス電源であってよい。

【0027】

[0029] 図１のリッドアセンブリ１０６及び基板支持体１０４は、プラズマ又は熱処理用の任意の処理チャンバと共に使用されてよい。工程中、半導体処理チャンバ１００が、処理空間１２０内のプラズマ状態のリアルタイム制御を許容し得る。基板１０３は、基板支持体１０４上に配置されてよく、プロセスガスが、任意の所望のフロープラン（flow plan）に従って入口１１４を使用してリッドアセンブリ１０６を通して流されてよい。ガスは、出口１５２を通って半導体処理チャンバ１００を出ることができる。電源が、処理空間１２０内にプラズマを確立するために、ガス分配器１１２に結合されてよい。幾つかの実施形態では、基板が、第３の電極１２４を使用して電気バイアスをかけられてよい。

【0028】

[0030] 処理空間１２０内のプラズマを励起すると、プラズマと第１の電極１０８との間に電位差が確立され得る。また、プラズマと第２の電極１２２との間に電位差が確立され得る。次いで、電子コントローラ１３４、１４０が、２つの同調回路１２８、１３６によって表される接地経路の流れ特性を調整するために使用されてよい。堆積速度の独立した制御と、中心から縁部までのプラズマ密度の均一性の独立した制御とを行うために、第１の同調回路１２８と第２の同調回路１３６とに設定点がもたらされ得る。電子コントローラが両方とも可変キャパシタであり得る複数の実施形態では、電子センサが、独立して、堆積速度を最大化し、厚さの不均一性を最小化するように可変キャパシタを調整し得る。

【0029】

[0031] 同調回路１２８、１３６の各々は、それぞれの電子コントローラ１３４、１４０を使用して調整されてよい可変インピーダンスを有し得る。電子コントローラ１３４、１４０が可変キャパシタである場合、可変キャパシタの各々の容量範囲、並びに第１のインダクタ１３２Ａ及び第２のインダクタ１３２Ｂのインダクタンスは、インピーダンスの範囲を提供するように選択され得る。この範囲は、プラズマの周波数特性や電圧特性に依存し、各可変キャパシタの静電容量範囲に最小値が存在し得る。それゆえ、第１の電子コントローラ１３４の静電容量が最小又は最大であるときに、第１の同調回路１２８のインピーダンスは高くなり、基板支持体の上の空中又は横方向の被覆率（coverage）が最小であるプラズマ形状がもたらされ得る。第１の電子コントローラ１３４の静電容量が第１の同調回路１２８のインピーダンスを最小化する値に近づくと、プラズマの空中被覆率は最大まで成長し、基板支持体１０４の全作業領域を効果的に覆うことになり得る。第１の電子コントローラ１３４の容量が最小インピーダンス設定から外れると、プラズマ形状がチャンバ壁から収縮し、基板支持体の空中被覆率が低下することがある。第２の電子コントローラ１４０は、同様の効果を有し、第２の電子コントローラ１４０の静電容量が変更可能なので、基板支持体上のプラズマの空中被覆率を増減させることができる。

【0030】

[0032] 電子センサ１３０、１３８は、閉ループでそれぞれの回路１２８、１３６を調整するために使用され得る。使用されるセンサの種類に応じて、電流又は電圧の設定点が各センサに設けられ、各それぞれの電子コントローラ１３４、１４０への調整を決定する制御ソフトウェアであって、設定点からの偏差を最小化する制御ソフトウェアがセンサに提供され得る。その結果、処理中に、プラズマ形状が選択され、動的に制御され得る。前述の説明は、可変キャパシタであり得る電子コントローラ１３４、１４０に基づいているが、調整可能なインピーダンスを有する同調回路１２８、１３６を提供するために、調整可能な特性を有する任意の電子部品が使用され得ることが理解されよう。

【0031】

[0033] プラズマ処理チャンバは、本技術に従って膜処理の１以上の態様に使用されてよいが、幾つかの実施形態では、炭素膜を形成することが、プラズマ強化プロセスを利用しなくてもよい。プラズマを利用することにより、前駆体から炭素が更に放出されることによって、生成される膜の共形性が制限される可能性があり、これは、炭素が他のラジカル種と再結合し、チャンバから流出することを可能にすることによって、生成される膜内の炭素取り込みを制限し得る。本技術は、幾つかの実施形態では、少なくとも、プラズマを生成することなしに膜を形成し得る。図２は、本技術の幾つかの実施形態による、半導体処理の例示的な方法２００の工程を示す。該方法は、上述された半導体処理チャンバ１００、ならびにプラズマ堆積が実行され得る任意の他のチャンバを含む、様々な処理チャンバ内で実行されてよい。方法２００は、本技術による方法の幾つかの実施形態に特に関連付けられてよく又は関連付けられなくてもよい、幾つかの任意選択的な工程を含んでよい。図３Ａ～図３Ｃで示されているように、方法２００は、例示的な構造３００又は基板３０５を含む、任意の数の半導体構造又は基板に対して実行されてよいことを理解されたい。それらの半導体構造又は基板上に材料の層が形成されてよい。図３Ａ～図３Ｃは、部分的な概略図のみを示し、基板は、図で示されるような複数の態様を有する任意の数の構造セクション、ならびに本技術の工程から依然として利益を得ることができる代替的な複数の構造の側面を含むことができることを理解されたい。

【0032】

[0034] 方法２００は、本技術による方法の幾つかの実施形態に特に関連付けられてよく又は関連付けられなくてもよい、図示されている幾つかの任意選択的な工程を含んでよい。例えば、工程の多くは、より広い範囲の構造形成を提供するために説明されているが、本技術にとって重要なものではないか、又は以下で更に説明されるように代替的な方法論によって実行されてよい。前述されたように、方法２００は、図３Ａ～図３Ｃで概略的に示される工程を説明してよく、それらの図は、方法２００の工程と併せて説明されることになる。

【0033】

[0035] 方法２００の第１の工程の前に、基板３０５は、方法２００が実行され得る半導体処理チャンバ１００の処理領域内に配置されることに先立って、１以上のやり方で処理されてよい。これらの工程の一部又は全部は、上述されたように、複数のチャンバ又はシステムツール内で実行されてよく、又は同じシステムツール上の種々のチャンバ（方法２００の工程が実行され得る半導体処理チャンバを含み得る）において実行されてよい。

【0034】

[0036] 該方法は、工程２０５において、半導体処理チャンバ１００の処理領域に炭素含有前駆体を提供することを含み得る。基板３０５が、半導体処理チャンバ１００の処理領域内に配置され得る。基板３０５は、複数の実施形態では、実質的に平坦な又は凹凸のある表面を有し得る。基板は、結晶シリコン、酸化ケイ素、歪みシリコン、シリコンゲルマニウム、ドープされた若しくはドープされていないポリシリコン、ドープされた若しくはドープされていないシリコンウエハ、パターニングされた若しくはパターニングされていないウエハ、シリコンオンインシュレータ、炭素がドープされた酸化ケイ素、窒化ケイ素、ドープされたシリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、又はサファイアなどの材料であってよい。基板３０５は、２００mm又は３００mmの直径のウエハ、ならびに矩形又は正方形パネルなどの、様々な寸法形状を有してよい。

【0035】

[0037] 基板の上に低誘電率材料３１０が形成され得る。低誘電率材料３１０は、１以上のフィーチャを画定し得る。１以上のフィーチャは、相互接続又はメタライゼーションラインの位置を画定し得る。低誘電率材料３１０は、非限定的に、酸化ケイ素、若しくはフッ素や炭素でドープされた酸化物などの、酸化物材料、又は処理に使用され得る他の低誘電率（low-k）材料を含んでよい。ライナー３１５が、低誘電率材料３１０にわたり１以上のフィーチャ内に延在し得る。ライナー３１５は、非限定的に、窒化タンタル又は窒化チタンを含み得るが、任意の他のバリア材料が、本技術の複数の実施形態において使用されてよい。金属含有材料３２０が、ライナー３１５上に堆積されてよく、１以上のフィーチャ内で延在してよい。１以上のフィーチャは、基板の層にわたり相互接続又はメタライゼーションラインを生成し得る。金属含有材料３２０は、銅、コバルト、タングステン、又は他の金属材料などの、任意の数の金属であってよい。

【0036】

[0038] 前述されたように、工程２０５において、方法２００は、半導体処理チャンバ１００の処理領域に炭素含有前駆体を提供することを含み得る。堆積において使用されてよい炭素含有前駆体は、任意の数の炭素含有前駆体であってよく又はそれらを含んでよい。例えば、炭素含有前駆体は、任意の炭化水素ガス、又は炭素と水素を含むか若しくは炭素と水素から構成される任意の材料であってよく又はそれらを含んでよい。幾つかの実施形態では、炭素含有前駆体が、１以上の炭素-炭素二重結合及び／又は１以上の炭素-炭素三重結合によって特徴付けられてよい。したがって、幾つかの実施形態では、炭素含有前駆体が、アセチレン、エチレン、プロペンなどのアルカン、アルケン、若しくはアルキン、又は任意の他の炭素含有材料であってよく又はそれらを含んでよい。前駆体には、炭素と水素を含む前駆体が含まれてよく、これらは、任意の他の元素の結合と共に、任意の量の炭素及び水素結合を含んでよい。エチレンやエタンなど様々な炭素含有前駆体が考えられるが、アセチレンは改善された堆積特性を示し得る。その上に堆積が求められ得るところの金属は、エチレンやエタンよりも低い温度でアセチレンに触媒作用を及ぼす可能性がある。当業者によって理解されるように、より低い温度は、処理中の熱収支のために好適であり得る。

【0037】

[0039] 前述されたように、形成工程の一部又は全部は、基板処理領域がプラズマフリーに維持されている間に実行され得る。熱化学気相堆積を実行することによって、より共形な材料形成が可能になり、ならびに材料は増加した炭素含有量によって特徴付けられる。半導体処理チャンバ１００の処理領域への炭素含有前駆体の流量は、約１，５００sccm以下であってよく、約１，４００sccm以下、約１，３００sccm以下、約１，２５０sccm以下、約１，２００sccm以下、約１，１００sccm以下、約１，０００sccm以下、約９００sccm以下、約８００sccm以下、約７００sccm以下、約６００sccm以下、約５００sccm以下、又はそれより下であってよい。工程２０５中、炭素含有前駆体の一部分は、金属含有層３２０と反応し得る。例えば、炭素含有前駆体の一部分は、コバルトや銅などの、金属含有層３２０内の金属と反応し得る。金属は、炭素を消費して金属と炭素の合金を形成することとなる。それは、ライン金属の効率を有害に低減させ得る。約１，５００sccm以下などのより低い流量では、金属含有層３２０によって消費される炭素の量を低減しつつ、金属含有層３２０上の材料のグラフェン層の形成を依然として維持することができる。

【0038】

[0040] 炭素含有前駆体に加えて、水素含有前駆体も、半導体処理チャンバ１００の処理領域に提供されてよい。半導体処理チャンバ１００の処理領域への水素含有前駆体の流量は、約７００sccm以上であってよく、約８００sccm以上、約９００sccm以上、約１，０００sccm以上であってよい。複数の実施形態では、水素含有前駆体が、二原子水素であってよく又は二原子水素を含んでよい。

【0039】

[0041] 工程２１０では、方法２００が、金属含有層３２０上の材料の層の一部分３２５を含む材料の層を形成することを含む選択的堆積工程を含み得る。その一方で、ライナー材料３１５上などの構造の介在部分の上の形成を制限又は防止する。複数の実施形態では、金属含有層３２０上の材料の層の一部分３２５が、グラフェニックカーボン（graphenic carbon）を含んでよい。一方で、ライナー上の材料の層の一部分３３０は、アモルファスカーボンを含み得る。金属含有層３２０内の金属は、本技術の複数の実施形態において利用される、より低い処理温度で炭素含有材料の分解に触媒作用を及ぼし得る。これによって、金属材料の上での成長が可能になり得る一方で、誘電材料やバリア材料の上での成長が制限又は防止され得る。更に、金属は、グラフェン形成に触媒作用を及ぼし、これは、金属の上に高品質のグラフェン層を形成し得る。ある量の炭素材料が、金属フィーチャの間のバリア材料上に形成され得るが、この材料は、アモルファスカーボンに限られ得る。これは、以下で更に説明されるように、容易に除去することができる。

【0040】

[0042] 金属含有層３２０上の材料の層の一部分３２５は、約８０原子％以上の炭素濃度によって特徴付けられてよく、約８２原子％以上、約８４原子％以上、約８６原子％以上、約８８原子％以上、約９０原子％以上、又はそれより上の炭素濃度によって特徴付けられてよい。約８０原子％以上の炭素濃度は、導電性を向上させてよく、材料の層の一部分３２５が、導電層とバリア層の両方としての役割を果たすのに寄与してよい。より高い炭素濃度は、材料の層の一部分３２５がより完全なグラフェン格子によって特徴付けられることをもたらしてよく、これは、バリア層としての役割を果たし、材料の層の一部分３２５にわたる原子拡散を防止するのに寄与してよい。金属含有層３２０上に形成された材料の層の一部分３２５は、約１５nm以下の厚さによって特徴付けられてよく、約１４nm以下、約１３nm以下、約１２nm以下、約１１nm以下、約１０nm以下、約９nm以下、約８nm以下、約７nm以下、約６nm以下、約５nm以下、約４nm以下、約３nm以下、又はそれより下の厚さによって特徴付けられてよい。グラフェンを原子拡散バリアとして利用することによって、低減された厚さが可能になってよく、これは、依然として金属拡散からの完全な保護を確実にする。更に、グラフェンは、有利なことに、構造内のライン抵抗率を減少させる可能性がある。前述されたように、デバイスのサイズが縮小するにつれて、デバイス内の層の厚さは同様に縮小し、グラフェンは、抵抗率の増加を制御しながらこの縮小を可能とし得る。

【0041】

[0043] 工程２１０において、材料の層の一部分３２５は、約９００秒以下で形成されてよい。例えば、材料の層の一部分３２５は、約８００秒以下、約７００秒以下、約６００秒以下、約５００秒以下、約４００秒以下、約３００秒以下、又はそれより下で形成されてよい。炭素含有前駆体の流量に関連付けられる効果と同様に、より長い期間にわたる材料の層の一部分３２５の形成は、炭素含有前駆体と金属含有層３２０内の金属との望ましくない相互作用を増加させる可能性があり、介在する材料に沿った形成も増加させる可能性がある。９００秒を超える時間では、半導体処理チャンバ内の炭素含有前駆体の飽和により、金属と炭素含有前駆体が反応して合金を形成することをもたらし得る。

【0042】

[0044] 前述されたように、材料の層は、金属含有前駆体３２０上に形成された材料の層の一部分３２５と、ライナー３１５上に形成された材料の層の一部分３３０とによって特徴付けられ得る。下層との相互作用により、炭素含有前駆体は、金属含有層３２０とライナー３１５の各々の上に異なるように堆積し得る。例えば、金属含有層３２０上に形成された材料の層の一部分３２５は、結晶性であってよく、又は結晶性に形成され得る。逆に、ライナー３１５上に形成された材料の層の一部分３３０は、非晶質又は非結晶性であってよく、これは以下で更に説明されるように除去を容易にし得る。

【0043】

[0045] 半導体処理チャンバ１００内の温度は、材料の層を形成している間、約５４０℃以下に維持されてよい。５４０℃を超える温度では、金属が炭素を取り込んで合金を形成するので、金属含有層３２０内での金属の消費が増加し得る。したがって、半導体処理チャンバ１００内の温度は、材料の層を形成している間、約５３０℃以下、例えば、約５２０℃以下、約５１０℃以下、約５００℃以下、約４９０℃以下、約４８０℃以下、約４７０℃以下、約４６０℃以下、約４５０℃以下、約４４０℃以下、約４３０℃以下、約４２０℃以下、約４１０℃以下、約４００℃以下、又はそれより下に維持されてよい。材料の層の形成は、熱に基づく反応であり得るため、約３００℃以下の温度では、材料の層の一部分３２５の層形成が困難になる可能性があり、したがって、温度は、約３００℃以上、約３５０℃以上、約４００℃以上、又はそれより上に維持されてよい。

【0044】

[0046] 半導体処理チャンバ１００内の圧力は、材料の層を形成している間、約５０Torr以下に維持されてよい。５０Torrよりも高い圧力では、炭素含有前駆体と接触したときに、金属の消費が増加する可能性がある。更に、より高い圧力は、材料の層の堆積速度を低下させる可能性がある。したがって、半導体処理チャンバ１００内の圧力は、材料の層が形成されている間、約４５Torr以下、例えば、約４０Torr以下、約３５Torr以下、約３０Torr以下、約２５Torr以下、約２０Torr以下、約１５Torr以下、又はそれより下に維持されてよい。

【0045】

[0047] 材料の層の一部分３２５が、金属含有層３２０上で十分な厚さまで形成された後で、工程２２５は、ライナー３１５上に堆積した可能性がある任意の残留炭素含有材料を除去することを含んでよい。本技術の幾つかの実施形態では、酸素含有除去が使用されてよいが、酸素プラズマプロセスでは、残留することが意図されている金属領域上のグラフェン材料に孔が開いたり、そのようなグラフェン材料が除去されたりする可能性がある。したがって、本技術の幾つかの実施形態では、方法２００が、ライナー３１５上の炭素含有材料のより制御された除去を実行するために、工程２１５において、処理領域に水素含有前駆体を提供することを含んでよい。それにより、グラフェン材料が、実質的に、本質的に、又は完全に、金属材料上に残ることが可能になり得る。方法２００はまた、工程２２０において、水素含有前駆体の水素含有プラズマを生成することも含んでよい。プラズマは、約１００W以下のプラズマ出力で生成されてよい。プラズマは、約９０W以下、約８０W以下、約７０W以下、約６０W、約５０W以下、約４５W以下、約４０W以下、約３５W以下、約３０W以下、約２５W以下、約２０W以下、又はそれより下のプラズマ出力で生成されてよい。約５０W以下のプラズマ出力を使用することによって、プラズマは、ライナー３１５上の材料の層の一部分３３０のみを除去してよい。前述されたように、ライナー３１５上の材料の層の一部分３３０は、非晶質の可能性があるが、一方で、金属含有層３２０上の材料の層の一部分３２５は、結晶性である可能性がある。水素含有前駆体のプラズマは、約１００W以下、約５０W以下、またはそれより下のプラズマ出力で生成され、アモルファスカーボン（さもなければ、ライナー３１５上の材料の層の一部分３３０と呼ばれるもの）のみを除去できる可能性がある。残りの材料の層の一部分３２５であるグラフェニックカーボンは、特に本技術の複数の実施形態による、殊に低いプラズマ出力で、水素含有前駆体のプラズマによって実質的に変化しない程度に、十分に形成及び組織化される可能性がある。つまり、ライナー３１５上の炭素などの質の悪い炭素は、約１００W以下のプラズマ出力で生成されるプラズマによって除去されるが、金属含有層３２０上のグラフェンなどの高品質の炭素は、プラズマによる処理に耐え、構造３００上に残り得る。金属含有層３２０上の材料の層の一部分３２５の一部のエッチング又は除去が生じ得るが、この除去は微量であり、ライナー３１５上の材料の層の一部分３３０よりもはるかに遅い速度であることを理解されたい。

【0046】

[0048] 工程２２５において、ライナー３１５上の材料の層の一部分３３０は、約３００秒以下で除去されてよい。例えば、材料の層の一部分３３０は、約２５０秒以下、約２００秒以下、約１７５秒以下、約１５０秒以下、約１２５秒以下、約１００秒以下、又はそれより下で除去されてよい。３００秒を超える除去時間では、ライナー３１５上の材料の層の一部分３３０が完全に除去されてよいが、より長い処理時間は、金属含有層３２０上の材料の層のエッチング又は除去につながり得る。したがって、エッチング時間は、処理中にグラフェンが金属材料の上に維持されることを確実にするように制限される場合がある。

【0047】

[0049] 工程２１０及び２２５は、同じ又は同様なプロセス条件で行われてよい。例えば、温度及び／又は圧力は、材料の層の形成と材料の層の一部分３３０の除去との両方で維持されてよい。逆に、材料の層の形成と材料の層の一部分３３０の除去との間で、温度及び／又は圧力が修正され又は調整されてもよい。例えば、幾つかの実施形態では、除去又はエッチング工程中に圧力が下げられてよい。処理領域内の圧力を下げることによって、プラズマ粒子の平均自由行程が増加し、アモルファスカーボン材料の除去を促進される可能性がある。したがって、堆積は、約１０Torr以上、約２０Torr以上、又はそれより上で生じてよいが、除去プロセスは、約１０Torr以下で生じてよく、約８Torr以下、約６Torr以下、約５Torr以下、約４Torr以下、約３Torr以下、又はそれより下で生じてよい。

【0048】

[0050] 方法２００は、任意選択的な工程２３０での、更なる処理を含んでよい。例えば、工程２３０は、説明された工程の後に、バックエンド処理、堆積、エッチング、研磨、洗浄、又は任意の他の工程を含んでよい。一実施形態では、工程２３０が、ライナー３１５、金属含有層３２０、及び金属含有層３２０上に残っている材料の層の一部分３２５上に、低誘電材料を堆積させることを含んでよい。工程２３０は、ライナー３１５、金属含有層３２０、及び金属含有層３２０上に残っている材料の層の一部分３２５上の低誘電材料を貫通してエッチングすることを含んでよい。低誘電材料を貫通するエッチングは、ビアを形成してよい。このビアは、金属含有層３２０のプラグのうちの１以上と接続するための金属充填工程を可能にし得る。

【0049】

[0051] 説明されたプロセスのうちの１以上を利用することによって、導電性材料の制御された個別の形成が可能となり、材料の層が改善されることになり、したがって、構造３００が得られてよい。その場合、本明細書で説明されるグラフェンを含む材料の層の一部分３２５などの１つの層は、従来技術よりも低減された厚さを利用しながら、金属材料上に個別に形成される導電層とバリア層の両方の特性を提供し、短絡を引き起こし得る介在する材料が存在しない状態を維持するか、又は容易に除去可能な材料を有する状態を維持する。その結果、本技術によって改善された構造が可能になり、従来技術よりも改善された全体的な抵抗率を有する低減された厚さの構造を生成することができる。

【0050】

[0052] 前述の記載では、説明を目的として、本技術の様々な実施形態の理解を促すために、数々の詳細が提示されている。しかし、当業者には、これらの詳細のうちの一部がなくても、或いは、追加の詳細があれば、特定の複数の実施形態を実施することができることは明らかであろう。

【0051】

[0053] 幾つかの実施形態を開示したが、当業者は、実施形態の精神から逸脱することなく、様々な修正例、代替構造物、及び均等物を使用できることを認識されよう。更に、幾つかの周知の処理及び要素は、本技術を不必要に不明瞭にすることを避けるために説明されていない。したがって、上記の説明は、本技術の範囲を限定するものと解釈すべきでない。更に、方法又は処理は、順次又は段階的に説明され得るが、工程は、同時に行われてもよく、又は、記載よりも異なる順序で行われてもよいことを理解するべきである。

【0052】

[0054] 値の範囲が提供されている場合、文脈上そうでないと明示されていない限り、当然ながら、その範囲の上限値と下限値との間の各介在値は、下限値の最も小さい単位まで具体的に開示されている。記載された範囲の任意の記載値又は記載されていない介在値の間の任意の小さい範囲、そしてその記載範囲のその他の任意の記載された値又は介在する値も含まれる。これら小さい範囲の上限及び下限は、その範囲に個々に含まれ、又はその範囲から除外される場合があり、小さい範囲に限界値の何れかが含まれる、どちらも含まれない、又は両方が含まれる各範囲もまた、記載された範囲における明確に除外される任意の限界値を条件として、この技術範囲に包含される。記載された範囲が、限界値の片方又は両方を含む場合、これらの含められた限界値のいずれか又は両方を除外する範囲も含まれる。

【0053】

[0055] 本明細書及び特許請求の範囲で使用される単数形「a」、「an」、及び「the」は、文脈が他のことを明らかに示していない限り、複数の参照対象を含む。したがって、例えば、「炭素含有前駆体」への言及は、複数のこのような前駆体を含み、「材料の層」への言及は、当業者に知られている１以上の層及びその均等物への言及を含む、などである。

【0054】

[0056] また、「備える（comprise（s））」、「備えている（comprising）」、「含有する（contain（s））」、「含有している（containing）」、「含む（include（s））」、及び「含んでいる（including）」という用語は、本明細書及び特許請求の範囲で使用された場合、記載された特徴、整数、構成要素、又はステップの存在を特定することを意図しているが、１以上のその他の特徴、整数、構成要素、工程、動作、又は群の存在若しくは追加を除外するものではない。

【図1】

【図2】

【図3】

【国際調査報告】