特表 2024-536530 リソグラフィ装置及び関連方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-10-04

(54)【発明の名称】リソグラフィ装置及び関連方法

(51)【国際特許分類】

   G03F 7/20 20060101AFI20240927BHJP

   G03F 1/62 20120101ALI20240927BHJP

【ＦＩ】

G03F7/20 503

G03F7/20 521

G03F1/62

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024522595

(86)(22)【出願日】2022-10-07

(85)【翻訳文提出日】2024-05-29

(86)【国際出願番号】 EP2022077938

(87)【国際公開番号】W WO2023066683

(87)【国際公開日】2023-04-27

(31)【優先権主張番号】21204036.4

(32)【優先日】2021-10-21

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(31)【優先権主張番号】22162403.4

(32)【優先日】2022-03-16

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】504151804

【氏名又は名称】エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．

(74)【代理人】

【識別番号】100079108

【弁理士】

【氏名又は名称】稲葉 良幸

(74)【代理人】

【識別番号】100109346

【弁理士】

【氏名又は名称】大貫 敏史

(74)【代理人】

【識別番号】100117189

【弁理士】

【氏名又は名称】江口 昭彦

(74)【代理人】

【識別番号】100134120

【弁理士】

【氏名又は名称】内藤 和彦

(72)【発明者】

【氏名】デ フリース，ゴッセ，チャールズ

(72)【発明者】

【氏名】ドンデルス，シュールト，ニコラース，ランベルタス

(72)【発明者】

【氏名】ヤンセン，フランシスクス，ヨハネス，ヨセフ

(72)【発明者】

【氏名】クルガノワ，エフゲニア

(72)【発明者】

【氏名】ウルフ，アブラハム，ヤン

(72)【発明者】

【氏名】バッカー，タイズ，ヤン，ウィレム

(72)【発明者】

【氏名】ヒルデンブランド，ボルカー，ディルク

(72)【発明者】

【氏名】ヴェルムーレン，ポール，アレクサンダー

(72)【発明者】

【氏名】エンゲル，マイケル

(72)【発明者】

【氏名】ルティフイス，ベルナルドス，アントニウス，ヨハネス

(72)【発明者】

【氏名】ヴァン デル ハム，ロナルド

(72)【発明者】

【氏名】ヴァン リプジグ，ジェロエン，ペトラス，ヨハネス

【テーマコード（参考）】

2H195

2H197

【Ｆターム（参考）】

2H195BC31

2H195CA20

2H197BA23

2H197CA10

2H197DA09

2H197DB23

2H197GA01

2H197GA23

2H197HA03

(57)【要約】

リソグラフィ装置が、照明システムと、支持構造と、基板テーブルと、投影システムと加熱システムとを備える。照明システムは、放射ビームを調整するように構成される。支持構造は、照明システムにより調整された放射ビームを受けるためのレチクル－ペリクルアセンブリを支持するように構築される。基板テーブルは基板を支持するように構築される。投影システムは、レチクル－ペリクルアセンブリから放射ビームを受け、それを基板に投影するように構成される。加熱システムは、支持構造により支持されたレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルを加熱するように動作可能である。レチクル－ペリクルアセンブリを使用する方法が、基板上にパターン像を形成するためにレチクル－ペリクルアセンブリを放射ビームで照明すること、及び別個の熱源を使用してレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルを加熱することを含む。
【選択図】 図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
前記照明システムにより調整された前記放射ビームを受けるためのレチクル－ペリクルアセンブリを支持するように構築された支持構造と、
基板を支持するように構築された基板テーブルと、
前記レチクル－ペリクルアセンブリから前記放射ビームを受け、前記放射ビームを前記基板に投影するように構成された投影システムと
を備えたリソグラフィ装置であって、
前記リソグラフィ装置が更に、
前記支持構造により支持された前記レチクル－ペリクルアセンブリのペリクルを加熱するように動作可能な加熱システムを備えるリソグラフィ装置。

【請求項2】

目標温度分布を達成するために、前記支持構造により支持された前記レチクル－ペリクルアセンブリのペリクルを加熱するように前記加熱システムを制御するように動作可能なコントローラを更に備えた、請求項１のリソグラフィ装置。

【請求項3】

前記支持構造により支持されたレチクル－ペリクルアセンブリの前記照明システムからの放射への曝露中に、前記加熱システムが、前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルの少なくとも一部分を最低温度より高く維持するように構成される、請求項１又は請求項２のリソグラフィ装置。

【請求項4】

前記最低温度が、前記ペリクルの水素エッチング速度が無視できる温度である、請求項３のリソグラフィ装置。

【請求項5】

前記最低温度が８００Ｋ以上である、請求項３のリソグラフィ装置。

【請求項6】

前記加熱システムが、前記ペリクルの現在前記放射ビームを受けている部分を取り囲む前記ペリクルの少なくとも一部分を加熱するように構成される、請求項１から５のいずれか一項のリソグラフィ装置。

【請求項7】

前記支持構造により支持されたレチクル－ペリクルアセンブリを前記放射ビームに通すために、前記照明システムにより調整された前記放射ビームに対して前記支持構造を移動させるように動作可能な支持構造スキャン機構を更に備え、前記加熱システムが、前記ペリクルの現在前記放射ビームを受けている少なくとも一部分を加熱するように構成される、請求項１から６のいずれか一項のリソグラフィ装置。

【請求項8】

前記加熱システムがまた、前記ペリクルの現在前記放射ビームを受けている部分を取り囲む前記ペリクルの少なくとも一部分を加熱するように構成される、請求項７のリソグラフィ装置。

【請求項9】

前記加熱システムが、前記加熱システム及び前記照明システムから受けた前記放射ビームからの複合熱負荷が目標温度分布を達成するように、前記支持構造により支持された前記レチクル－ペリクルアセンブリのペリクルを加熱するように構成される、請求項１から８のいずれか一項のリソグラフィ装置。

【請求項10】

前記加熱システムが、実質的に前記ペリクルの膜全体を加熱するように構成される、請求項１から９のいずれか一項のリソグラフィ装置。

【請求項11】

前記加熱システムが、前記支持構造によって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルに放射を誘導するように動作可能な放射源を備える、請求項１から１０のいずれか一項のリソグラフィ装置。

【請求項12】

前記放射源が、電磁放射を前記ペリクルに誘導するように動作可能である、請求項１１のリソグラフィ装置。

【請求項13】

前記放射源が、前記支持構造によって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの前記ペリクルに入射するように電子を誘導するように動作可能である、請求項１１又は請求項１２のリソグラフィ装置。

【請求項14】

前記放射源が電子銃を備える、請求項１３のリソグラフィ装置。

【請求項15】

電子源から電子ビームを受け、前記サポートによって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルの表面に前記電子ビームを分配するように構成された電子光学系を更に備えた、請求項１３又は請求項１４のリソグラフィ装置。

【請求項16】

前記放射源により放出された放射を、前記支持構造によって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの異なる部分の範囲に誘導することができるように、前記放射源及び前記支持構造のうちの少なくとも一方を移動させるように動作可能な加熱スキャン機構を更に備えた、請求項１１から１５のいずれか一項のリソグラフィ装置。

【請求項17】

前記加熱システムが、前記支持構造によって支持されているときのペリクル－レチクルアセンブリの前記ペリクルに電流を供給するように構成される、請求項１から１６のいずれか一項のリソグラフィ装置。

【請求項18】

前記加熱システムが、前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルの異なる部分に接触するように動作可能な複数の電極と、前記複数の電極のうちの少なくとも２つの間に電圧を供給するように構成された電源とを備える、請求項１７のリソグラフィ装置。

【請求項19】

前記加熱システムが、
電極と、
前記電極と前記支持構造によって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルの少なくとも一部分との間に電圧を印加するように動作可能な電圧源と
を備える、請求項１から１８のいずれか一項のリソグラフィ装置。

【請求項20】

前記加熱システムが更に、
前記電極を加熱するように動作可能なヒータを備える、請求項１９のリソグラフィ装置。

【請求項21】

前記コントローラが、前記電圧源により印加された前記電圧を制御するように動作可能である、請求項２に直接的又は間接的に従属する場合の請求項１９又は請求項２０のリソグラフィ装置。

【請求項22】

前記加熱システムが、前記支持構造により支持された前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルを周期的に加熱するように動作可能である、請求項１又は請求項２のリソグラフィ装置。

【請求項23】

前記加熱システムが、前記支持構造により支持された前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルにパルス加熱を行うように動作可能である、請求項１又は請求項２のリソグラフィ装置。

【請求項24】

前記加熱システムのデューティサイクルが０．１以下であり、前記デューティサイクルが、前記加熱システムが前記ペリクルに加熱を行う時間の部分の、前記加熱システムが前記ペリクルに加熱を行わない時間の部分に対する比率である、請求項２２又は請求項２３のリソグラフィ装置。

【請求項25】

前記リソグラフィ装置が、前記基板テーブルにより支持される基板の複数の異なるターゲット領域上に、前記支持構造により支持された前記レチクル－ペリクルアセンブリのレチクルの像を形成するように動作可能であり、
前記加熱システムが、ｎ個（ｎは整数である）のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱される前記ペリクルの各部を加熱するように動作可能である、請求項２２から２４のいずれか一項のリソグラフィ装置。

【請求項26】

前記加熱システムが、４個のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱される前記ペリクルの各部を加熱するように動作可能である、請求項２５のリソグラフィ装置。

【請求項27】

前記加熱システムが、前記基板の１つのターゲット領域上に前記レチクルの像を形成することと、前記基板の次のターゲット領域上に前記レチクルの像を形成することとの間の時間に前記ペリクルを加熱するように動作可能である、請求項２５又は請求項２６のリソグラフィ装置。

【請求項28】

前記加熱システムが、１つの基板の露光と後続の基板の露光との間に、前記支持構造により支持された前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルを加熱するように動作可能である、請求項２２から２７のいずれか一項のリソグラフィ装置。

【請求項29】

前記加熱システムが、前記ペリクルの現在前記放射ビームを受けていない部分を加熱するように構成される、請求項２２から２８のいずれか一項のリソグラフィ装置。

【請求項30】

前記支持構造により支持されたレチクル－ペリクルアセンブリを前記放射ビームに通すために、前記照明システムにより調整された前記放射ビームに対して前記支持構造を移動させるように動作可能な支持構造スキャン機構を更に備え、前記加熱システムが、前記支持構造により支持された前記レチクル－ペリクルアセンブリが前記放射ビームに通されるときに、前記ペリクルの現在前記放射ビームを受けていない部分を加熱するように構成される、請求項２２から２９のいずれか一項のリソグラフィ装置。

【請求項31】

前記加熱システムが、実質的に前記ペリクルの膜全体を加熱するように構成される、請求項２２から３０のいずれか一項のリソグラフィ装置。

【請求項32】

前記加熱システムが、使用時に前記照明システムにより調整された前記放射ビームを受けない前記ペリクルの一部分を加熱するように構成される、請求項２２から３１のいずれか一項のリソグラフィ装置。

【請求項33】

前記加熱システムが、前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルの少なくとも一部分を最低温度より高く維持するように構成される、請求項２２から２４のいずれか一項のリソグラフィ装置。

【請求項34】

前記最低温度が、前記ペリクルの水素エッチング速度が無視できる温度である、請求項３３のリソグラフィ装置。

【請求項35】

前記最低温度が７００℃以上である、請求項３３又は請求項３４のリソグラフィ装置。

【請求項36】

前記支持構造により支持されたペリクル－レチクルアセンブルの前記ペリクルの少なくとも一部分の温度を決定するように動作可能な温度センサを更に備えた、請求項１から３５のいずれか一項のリソグラフィ装置。

【請求項37】

前記温度センサが、前記支持構造により支持されたペリクル－レチクルアセンブルの前記ペリクルの少なくとも一部分の温度プロファイルを決定するように動作可能である、請求項３６のリソグラフィ装置。

【請求項38】

前記加熱システムが、決定した前記ペリクルの少なくとも一部分の温度又は温度プロファイルに応じて、前記支持構造により支持された前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルを加熱するように動作可能である、請求項３６又は請求項３７のリソグラフィ装置。

【請求項39】

前記支持構造によって支持されているときの前記ペリクル－レチクルアセンブリの前記ペリクルの近傍に水素を供給するように動作可能な水素供給部を更に備えた、請求項１から３８のいずれか一項のリソグラフィ装置。

【請求項40】

レチクル－ペリクルアセンブリを使用する方法であって、
放射ビームの断面にパターンを付与するために前記レチクル－ペリクルアセンブリを前記放射ビームで照明し、基板上に前記レチクルの像を形成すること、及び
別個の熱源を使用して前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルを加熱することを含む方法。

【請求項41】

別個の熱源を使用した前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルの前記加熱によって、前記ペリクルが目標温度分布を達成する、請求項４０の方法。

【請求項42】

別個の熱源を使用した前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルの前記加熱によって、前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルの少なくとも一部分が最低温度より高く維持される、請求項４０又は請求項４１の方法。

【請求項43】

別個の熱源を使用した前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルの前記加熱によって、前記ペリクルの温度が、前記ペリクルの水素エッチング速度が無視できるレベルになるように十分に高くなる、請求項４０から４２のいずれか一項の方法。

【請求項44】

別個の熱源を使用した前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルの前記加熱によって、前記ペリクルの温度が８００Ｋ以上になる、請求項４０から４３のいずれか一項の方法。

【請求項45】

前記放射ビームによる前記レチクル－ペリクルアセンブリの照明中に、前記レチクル－ペリクルアセンブリが、前記放射ビームに通され、前記ペリクルの現在前記放射ビームを受けている少なくとも一部分が、前記別個の熱源を使用して加熱される、請求項４０から４４のいずれか一項の方法。

【請求項46】

前記ペリクルの現在前記放射ビームを受けている前記部分を取り囲む前記ペリクルの少なくとも一部分が、前記別個の熱源を使用して加熱される、請求項４０から４５のいずれか一項の方法。

【請求項47】

前記別個の熱源を使用した前記ペリクルの前記加熱によって、前記別個の熱源及び前記放射ビームからの複合熱負荷が目標温度分布を達成する、請求項４０から４６のいずれか一項の方法。

【請求項48】

実質的に前記ペリクルの膜全体が前記別個の熱源を使用して加熱される、請求項４０から４７のいずれか一項の方法。

【請求項49】

前記別個の熱源を使用して前記ペリクルを加熱することが、放射を前記ペリクルに誘導することを含む、請求項４０から４８のいずれか一項の方法。

【請求項50】

放射を前記ペリクルに誘導することによって前記別個の熱源を使用して前記ペリクルを加熱することが、前記放射を前記ペリクルにスキャンすることを含む、請求項４０から４９のいずれか一項の方法。

【請求項51】

前記別個の熱源を使用して前記ペリクルを加熱することが、前記ペリクルに電流を供給することを含む、請求項４０から５０のいずれか一項の方法。

【請求項52】

前記別個の熱源を使用して前記ペリクルを加熱することが、
前記ペリクルの少なくとも一部分に正の電圧を印加すること、及び
前記ペリクルの近傍に電極から電子を放出すること
を含む、請求項４０から５１のいずれか一項の方法。

【請求項53】

前記ペリクルの近傍に前記電極から電子を放出することが、前記電極を加熱することを含む、請求項５２の方法。

【請求項54】

別個の熱源を使用して前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルを加熱することが、前記別個の熱源を使用して前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルを周期的に加熱することを含む、請求項４０又は請求項４１の方法。

【請求項55】

別個の熱源を使用して前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルを加熱することが、前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルにパルス加熱を行うことを含む、請求項４０又は請求項４１の方法。

【請求項56】

前記ペリクルの前記加熱のデューティサイクルが０．１以下であり、前記デューティサイクルが、前記ペリクルに加熱が行われる時間の部分の、前記ペリクルに加熱が行われない時間の部分に対する比率である、請求項５４又は請求項５５の方法。

【請求項57】

前記レチクルの像が、前記基板の複数の異なるターゲット領域上に形成され、
前記ペリクルの加熱される各部が、ｎ個（ｎは整数である）のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱される、請求項５４から５６のいずれか一項の方法。

【請求項58】

前記ペリクルの加熱される各部が、４個のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱される、請求項５７の方法。

【請求項59】

前記ペリクルが、前記基板の１つのターゲット領域上に前記レチクルの像を形成することと、前記基板の次のターゲット領域上に前記レチクルの像を形成することとの間の時間に加熱される、請求項５７又は請求項５８の方法。

【請求項60】

前記ペリクルが、１つの基板の露光と後続の基板の露光との間に加熱される、請求項５４から５９のいずれか一項の方法。

【請求項61】

前記ペリクルを加熱することが、前記ペリクルの現在前記放射ビームを受けていない部分を加熱することを含む、請求項５４から６０のいずれか一項の方法。

【請求項62】

前記レチクルの前記像が、スキャン露光中に前記基板上に形成され、前記ペリクルを加熱することが、前記スキャン露光中に前記ペリクルの現在前記放射ビームを受けていない部分を加熱することを含む、請求項５４から６１のいずれか一項の方法。

【請求項63】

前記ペリクルを加熱することが、実質的に前記ペリクルの膜全体を加熱することを含む、請求項５４から６２のいずれか一項の方法。

【請求項64】

前記ペリクルを加熱することが、使用時に前記ペリクルの前記放射ビームにより照明されない部分を加熱することを含む、請求項５４から６３のいずれか一項の方法。

【請求項65】

前記ペリクルを加熱することが、前記ペリクルの少なくとも一部分を最低温度より高く維持することを含む、請求項５４から６４のいずれか一項の方法。

【請求項66】

前記最低温度が前記ペリクルの水素エッチング速度が無視できる温度である、請求項６５の方法。

【請求項67】

前記最低温度が７００℃以上である、請求項６５又は請求項６６の方法。

【請求項68】

前記ペリクルの少なくとも一部分の温度を決定することを更に含む、請求項４０から６７のいずれか一項の方法。

【請求項69】

前記ペリクルの少なくとも一部分の温度を決定することが、前記ペリクルの少なくとも一部分の温度プロファイルを決定することを含む、請求項６８の方法。

【請求項70】

前記別個の熱源を使用して前記ペリクルを加熱するステップが、決定した前記ペリクルの少なくとも一部分の温度又は温度プロファイルに依存する、請求項６８又は請求項６９の方法。

【請求項71】

前記方法が、請求項１から３９のいずれか一項に記載の装置を使用して実行される、請求項４０から７０のいずれか一項の方法。

【請求項72】

リソグラフィ装置で使用するためのペリクルであって、前記ペリクルがカーボンナノチューブから形成された基板を備え、前記基板が更に少なくとも１つの添加剤を含むペリクル。

【請求項73】

前記少なくとも１つの添加剤が、前記基板上に分布させた複数の触媒原子を含む、請求項７２のペリクル。

【請求項74】

前記少なくとも１つの添加剤の炭素原子に対する濃度が０．１～２％程度である、請求項７２又は請求項７３のペリクル。

【請求項75】

前記少なくとも１つの添加剤の濃度及び種類が、それを超えると前記ペリクルの水素エッチング速度が無視できる閾値温度が９００Ｋ未満になるようなものである、請求項７２から７４のいずれか一項のペリクル。

【請求項76】

前記少なくとも１つの添加剤が遷移金属を含む、請求項７２から７５のいずれか一項のペリクル。

【請求項77】

前記少なくとも１つの添加剤が、モリブデン、クロム、ニッケル、銅及び／又は鉄を含む、請求項７２から７６のいずれか一項のペリクル。

【請求項78】

前記少なくとも１つの添加剤がホウ素を含む、請求項７２から７７のいずれか一項のペリクル。

【請求項79】

前記少なくとも１つの添加剤の炭素原子に対する濃度が１５原子％程度である、請求項７８のペリクル。

【請求項80】

前記少なくとも１つの添加剤が非晶質炭素を含む、請求項４４から５１のいずれか一項のペリクル。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
[0001] この出願は、２０２１年１０月２１日に出願された欧州出願２１２０４０３６．４及び２０２２年３月１６日に出願された欧州出願２２１６２４０３．４の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

【0002】

[0002] 本発明は、極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィ装置内で使用するためのレチクル－ペリクルアセンブリを処理又は使用するための装置及び関連方法に関する。本発明は、レチクル－ペリクルアセンブリを処理するための装置及び方法での使用に特に適し得るペリクルにも関する。

【背景技術】

【0003】

[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。リソグラフィ装置は、例えばパターニングデバイス（例えばマスク）でのパターンを、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層に投影することができる。

【0004】

[0004] 基板にパターンを投影するためリソグラフィ装置が用いる放射の波長は、その基板上に形成することができるフィーチャの最小サイズを決定する。４～２０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射であるＥＵＶ放射を用いたリソグラフィ装置を使用すると、従来のリソグラフィ装置（例えば１９３ｎｍの波長の電磁放射を使用できる）よりも小さいフィーチャを基板上に形成することができる。

【0005】

[0005] リソグラフィ装置において放射ビームにパターンを与えるのに使用されるパターニングデバイス（例えば、マスク）は、マスクアセンブリの一部を構成することがある。マスクアセンブリは、パターニングデバイスを粒子汚染から保護するペリクルを備えることがある。ペリクルは、ペリクルフレームによって支持されることがある。

【0006】

[0006] 従来技術に関連する１つ以上の問題を回避又は軽減する装置を提供することが望ましい場合がある。

【発明の概要】

【0007】

[0007] 本開示の第１の態様によれば、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、照明システムにより調整された放射ビームを受けるためのレチクル－ペリクルアセンブリを支持するように構築された支持構造と、基板を支持するように構築された基板テーブルと、レチクル－ペリクルアセンブリから放射ビームを受け、放射ビームを基板に投影するように構成された投影システムとを備えたリソグラフィ装置であって、リソグラフィ装置が更に、支持構造により支持されたレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルを加熱するように動作可能な加熱システムを備えるリソグラフィ装置が提供される。

【0008】

[0008] 第１の態様によるリソグラフィ装置は、これより考察するように有利である。

【0009】

[0009] レチクルが照明システムから受けた放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成するように構成されることが理解されるであろう。投影システムは、基板上にレチクルの（回折限界）像を形成する。レチクル上に汚れがあると、一般に基板上に形成される像が変化し、印刷エラーが発生することになる。

【0010】

[00010] リソグラフィ装置は、極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィ装置である場合がある。レチクルの粒子汚染を回避するために、ペリクルとして知られている薄い膜を使用してレチクルを保護することが知られている。ペリクルはレチクルの前に配置され、粒子がレチクルに付着するのを防ぐ。ペリクルは、投影システムによって鮮明に結像されないように配置され、したがって、ペリクル上の粒子は結像プロセスを妨げない。ＥＵＶリソグラフィ装置においてペリクル膜として使用される１つの特に有望な材料はカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）の織物であり、（９８％超の）非常に高いＥＵＶ透過率及び非常に優れた機械的安定性をもたらす可能性がある。しかしながら、通常、リソグラフィ装置内には低圧の水素ガスが供給され、（露光中に）ＥＵＶ放射の存在下で水素プラズマを生じる。この水素イオンと水素プラズマからの水素フリーラジカルは、ＣＮＴから形成されたペリクルをエッチングし、ペリクルの潜在的な寿命を制限し、ＣＮＴペリクルの商業的実装を妨げる可能性があることがわかっている。

【0011】

[00011] 本発明の発明者らは、水素イオン及びフリーラジカルによる炭素のエッチングが温度に依存することに気付いた。具体的には、本発明者らは、（ａ）炭素エッチング速度が低温でゼロではないこと、（ｂ）炭素エッチング速度が、それを超えると炭素エッチングが無視できるレベルに留まる閾値温度で無視できるレベルに低下すること、及び（ｃ）ＥＵＶリソグラフィスキャナ内のペリクルが通常、各サイクル中に炭素エッチング速度が無視できない温度をサンプリングする温度範囲を循環することになることに気付いた。例えば、ＥＵＶリソグラフィスキャナでは、動作中にＥＵＶ放射ビームがペリクル上を前後にスキャンするため、永続的な温度変動が発生する。たとえスキャン露光中の一部の時間であっても、ペリクルの温度が、炭素エッチング速度が無視できるレベルに低下する閾値温度を下回ると、ペリクルは急速に劣化することになる。様々な要因に応じて、閾値温度を下回る温度で炭素エッチング速度のピークが存在する場合がある。炭素エッチング速度のピークが存在する場合、そのピークは、例えば６００Ｋ～８００Ｋの温度にある場合がある。更に、変動によってペリクルの温度が繰り返しこのピークを越えることがあり、劣化が促進し、ＣＮＴペリクルの寿命が短くなる。レチクルの露光中のペリクルの温度が十分に高い温度に維持される場合は、劣化速度を低いレベルに維持することができ、ペリクルの寿命は劇的に延びる。以下で更に説明するように、ペリクルの温度をそれを超えて維持することが望ましい値は、様々な要因に依存することがある。ペリクルを閾値温度よりも高く維持することが望ましい場合があるが、閾値温度に近いがそれよりわずかに低い温度にペリクルを維持することによっても、ペリクルの劣化速度を大幅に遅らせ得ることが理解されるであろう。更に、これも以下で更に説明するように、閾値温度の値はまた様々な要因に依存することがある。例えば、ペリクルの温度を永続的に６００超、より好ましくは７００Ｋ超、又はより好ましくは８００Ｋ超に維持することが望ましい場合がある。ペリクルの温度を適切な温度に維持することによって、劣化速度を少なくとも一桁減じることができ、ペリクルの寿命が劇的に延びることが予想される。

【0012】

[00012] 有利には、支持構造により支持されたレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルを加熱するように構成された加熱システムを提供することによって、第１の態様によるリソグラフィ装置は、ペリクル、又はペリクルの水素プラズマに隣接する少なくともいずれかの部分の温度を安全な温度（例えば、カーボンエッチング速度が無視できるレベルである閾値温度を上回る）に維持し得ることを保証することができる。加熱システムが、照明システムからの放射ビームにより行われる加熱に加えて、ペリクルに熱を供給するための機構を提供することが理解されるであろう。

【0013】

[00013] リソグラフィ装置は更に、目標温度分布を達成するために、支持構造により支持されたレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルを加熱するように加熱システムを制御するように動作可能なコントローラを備えることがある。

【0014】

[00014] 支持構造により支持されたレチクル－ペリクルアセンブリの照明システムからの放射への曝露中に、加熱システムは、レチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの少なくとも一部分を最低温度より高く維持するように構成されることがある。

【0015】

[00015] 最低温度は、それを超えるとペリクルの水素エッチング速度が無視できるレベルに低下する閾値温度以上である場合がある。リソグラフィ装置内のペリクルの水素エッチング速度が、例えば、ペリクルを形成する材料、ペリクルに入射する水素イオンフラックス、ペリクルに入射するイオンのエネルギー分布などの多くの要因に依存することが理解されるであろう。

【0016】

[00016] 当業者によって理解されるように、リソグラフィ装置内では、水素プラズマは（基板の露光に使用される）ＥＵＶ放射によって形成される。したがって、いつでも、最低温度より高く維持されるレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの少なくとも一部分は、ペリクルの照明システムからＥＵＶ放射を受ける部分を含むことがある。更に、プラズマが周囲の領域に広がり得ることが理解されるであろう。したがって、いつでも、最低温度より高く維持されるレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの少なくとも一部分は、ペリクルの照明システムからＥＵＶ放射を受けている部分の中心にあるが、それよりわずかに大きいペリクルの一部分を含むことがある。

【0017】

[00017] 例えば一部の実施形態では、リソグラフィ装置には、ＣＮＴから形成されたペリクルが設けられることがある。

【0018】

[00018] 水素イオンと炭素材料との相互作用は、その内容が参照により本明細書に組み込まれる２つの公開された論文、（１）Ｊ．Ｒｏｔｈ、Ｃ．Ｇａｒｃｉａ－Ｒｏｓａｌｅｓ、「Ａｎａｌｙｔｉｃ ｄｅｓｃｒｉｐｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｅｒｏｓｉｏｎ ｏｆ ｇｒａｐｈｉｔｅ ｂｙ ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｉｏｎｓ」、Ｎｕｃｌ．Ｆｕｓｉｏｎ １９９６、３６／１２、１６４７－１６５９、及び（２）Ｊ．Ｒｏｔｈ、Ｃ．Ｇａｒｃｉａ－Ｒｏｓａｌｅｓ、「Ｃｏｒｒｉｇｅｎｄｕｍ－Ａｎａｌｙｔｉｃ ｄｅｓｃｒｉｐｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｅｒｏｓｉｏｎ ｏｆ ｇｒａｐｈｉｔｅ ｂｙ ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｉｏｎｓ」、Ｎｕｃｌ．Ｆｕｓｉｏｎ １９９７、３７、８９７に定量的に説明されている。この水素イオンと炭素材料との相互作用の定量的記述は、Ｒｏｔｈ－Ｇａｒｃｉａ－Ｒｏｓａｌｅｓ（ＲＧＲ）モデルと呼ばれることがある。ＲＧＲモデルは、例えばイオンエネルギーが１～３０ｅＶを形成するなど、リソグラフィ装置内で遭遇する典型的な水素イオンエネルギーの温度の関数として炭素材料のエッチング収率を予測するのに使用される可能性がある。ＥＵＶリソグラフィ装置内では、ペリクルに入射する一般的な水素イオンフラックスは、１・１０^１９ｍ^－２・ｓ^－１程度である場合がある。ＥＵＶリソグラフィ装置内では、ペリクルに入射する一般的な水素イオンフラックスは、１・１０^１９ｍ^－２・ｓ^－１の数桁の範囲内（例えば、１０^１８ｍ^－２・ｓ^－１から１０^２０ｍ^－２・ｓ^－１）にある場合がある。

【0019】

[00019] これらの典型的な周囲条件では、純粋にＣＮＴから形成されたペリクルの場合、ペリクルの水素エッチング速度は約１０５０Ｋの温度で無視できるレベルに低下することが予想される。ただし、異なる条件下では、異なる最低温度が望ましい場合があることが当業者によって理解されるであろう。

【0020】

[00020] 最低温度は、ペリクルの水素エッチング速度が無視できる温度である場合がある。

【0021】

[00021] 最低温度は６００Ｋ以上である場合がある。

【0022】

[00022] 最低温度は７００Ｋ以上である場合がある。

【0023】

[00023] 最低温度は８００Ｋ以上である場合がある。

【0024】

[00024] 最低温度は９００Ｋ以上である場合がある。

【0025】

[00025] 最低温度は１０００Ｋ以上である場合がある。

【0026】

[00026] 上で説明したように、これは、純粋にＣＮＴから形成されたペリクルにとって有益な場合があり、ペリクルに入射する水素イオンフラックスが存在し、１・１０^１９ｍ^－２・ｓ^－１程度である場合があり、水素イオンエネルギーは１～３０ｅＶ程度である。

【0027】

[00027] より好ましくは、最低温度は１０５０Ｋ以上である場合がある。一部の実施形態では、最低温度は１１００Ｋ以上である場合がある。

【0028】

[00028] 本発明者らは、高温での水素エッチング速度の無視できるレベルへの低下が、所定の温度でのｓｐ３炭素のｓｐ２炭素への変換によって支配されることに更に気付いた。更に、グラフェンやＣＮＴなどのｓｐ２炭素構造を形成する際にも同様のプロセスが起こり、炭素の温度が上昇してｓｐ２炭素構造が形成されるｓｐ２炭素への変換が行われる。グラフェンを成長させるためのそのようなプロセスには、例えば、化学蒸着（ＣＶＤ）及びプラズマ励起化学蒸着（ＰＥ－ＣＶＤ）が含まれる。更に、ｓｐ３炭素源からのグラフェンの成長は、単一原子触媒の存在下で３００℃（５７３Ｋ）という低い温度で開始され得ることが知られている。つまり、ｓｐ３炭素のｓｐ２炭素への変換は、単一原子触媒の存在下においてこの温度で開始される可能性がある。ペリクルのエッチングフリー動作温度範囲を下げることは、ペリクルの環境への熱負荷を軽減するため有益である。また、ペリクルに供給する熱が少なくて済むことを意味し、システムがこの熱を供給するのを容易にすることがある。

【0029】

[00029] したがって、本発明の発明者らは、ＣＮＴから形成されたペリクルに、ｓｐ３炭素をｓｐ２炭素に変換するための触媒として作用し得る濃度の添加剤を供給すべきであることを提案する。その結果、それを超えるとペリクルの水素エッチング速度が無視できるレベルに低下する閾値温度を、純粋なＣＮＴペリクルのおよそ１０５０Ｋから、例えば５７３Ｋ程度に下げることができると予想される。実際の閾値温度は添加剤の材料及び濃度に依存することになることが当業者によって理解されるであろう。

【0030】

[00030] 例えばモリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）などの遷移金属原子をＣＮＴペリクルに添加することが提案される。更に、本発明の発明者らは、そのような触媒原子の比較的低い濃度、例えば炭素原子に関して０．１～１％程度で十分であり得ると予想する。そのような濃度は、ＥＵＶ放射のペリクル透過に大きな影響を与えないと予想される。

【0031】

[00031] 加熱システムは、ペリクルの現在放射ビームを受けている部分を取り囲むペリクルの少なくとも一部分を加熱するように構成されることがある。

【0032】

[00032] ペリクルの現在放射ビームを受けている部分を取り囲むペリクルの部分を加熱することは特に有益である場合がある。なぜなら、水素プラズマはペリクルの上記の部分に広がることがあるが、ペリクルのその部分は放射ビームから熱を受けていない（むしろ、この熱を放射し急速に冷却することになる）ためである。

【0033】

[00033] リソグラフィ装置は更に、支持構造により支持されたレチクル－ペリクルアセンブリを放射ビームに通すために、照明システムにより調整された放射ビームに対して支持構造を移動させるように動作可能な支持構造スキャン機構を備えることがある。加熱システムは、ペリクルの現在放射ビームを受けている少なくとも一部分を加熱するように構成されることがある。

【0034】

[00034] つまり、基板の露光はスキャン露光として実行される。対応するスキャン機構が、投影システムから受けた放射ビームで基板テーブル（及びそれにより支持される任意の基板）を同期スキャンするように配置されることが理解されるであろう。

【0035】

[00035] 当業者によって理解されるように、リソグラフィ装置内では、水素プラズマは（基板の露光に使用される）ＥＵＶ放射によって形成される。したがって、いつでも、最低温度より高く維持されるレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの少なくとも一部分は、ペリクルの照明システムからＥＵＶ放射を受ける部分を含むことがある。

【0036】

[00036] レチクル及び／又はペリクルの平面に投影される放射ビームは、露光スリット又はスリットと呼ばれ得る細長い放射の帯を形成することがある。

【0037】

[00037] 既存のリソグラフィ装置では、照明システム及び／又は投影システムからスリットに向かう視線が存在する場合があるため、スリット内のペリクルを加熱することは有利である場合がある。これにより、加熱システムがペリクルを加熱するために電磁放射をペリクルに照射することが可能になることがある。

【0038】

[00038] 加熱システムは、ペリクルの現在放射ビームを受けている部分を取り囲むペリクルの少なくとも一部分を加熱するように構成されることがある。

【0039】

[00039] プラズマが周囲の領域に広がり得ることが更に理解されるであろう。したがって、いつでも、最低温度より高く維持されるレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの少なくとも一部分は、ペリクルの照明システムからＥＵＶ放射を受けている部分の中心にあるが、それよりわずかに大きい部分を含むことがある。

【0040】

[00040] 加熱システムは、加熱システム及び照明システムから受けた放射ビームからの複合熱負荷が目標温度分布を達成するように、支持構造により支持されたレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルを加熱するように構成されることがある。

【0041】

[00041] 例えば、加熱システムは、ペリクル全体が所望の温度又は温度範囲（例えば１０５０Ｋを超える）に維持されるように構成されることがある。

【0042】

[00042] 加熱システムは、実質的にペリクルの膜全体を加熱するように構成されることがある。

【0043】

[00043] スリットの領域のみを加熱する潜在的な問題は、スリットのすぐ外側のエッチングの抑制が不十分なことである場合がある。水素イオンフラックスは放射スリットの外側のペリクル位置で急速に減少することになるが、まだいくらかのイオンフラックスが残っていることとペリクル温度が不十分であることの組み合わせにより、ペリクルの寿命にマイナスの影響を及ぼすエッチングがもたらされることになる場合がある。

【0044】

[00044] 加熱システムは、支持構造によって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルに放射を誘導するように動作可能な放射源を備えることがある。

【0045】

[00045] 放射源は、電磁放射をペリクルに誘導するように動作可能である場合がある。

【0046】

[00046] 放射源は、支持構造によって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルのペリクルに入射するように電子を誘導するように動作可能である場合がある。

【0047】

[00047] 放射源は電子銃を備えることがある。

【0048】

[00048] リソグラフィ装置は更に、電子源から電子ビームを受け、サポートによって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの表面に電子ビームを分配するように構成された電子光学系を備えることがある。

【0049】

[00049] リソグラフィ装置は更に、放射源により放出された放射を、支持構造によって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの異なる部分の範囲に誘導することができるように、放射源及び支持構造のうちの少なくとも一方を移動させるように動作可能な加熱スキャン機構を備えることがある。

【0050】

[00050] 加熱スキャン機構が、（ａ）（支持構造の移動による）ペリクルの移動、及び（ｂ）ペリクルに対する放射の移動（支持構造に対して静的か動的か）の両方を考慮するように動作可能であり得ることが理解されるであろう。

【0051】

[00051] 加熱システムは、支持構造によって支持されているときのペリクル－レチクルアセンブリのペリクルに電流を供給するように構成されることがある。

【0052】

[00052] つまり、加熱システムは、ジュール加熱又は電気加熱を使用してペリクルを加熱するように構成されることがある。そのような実施形態は、ペリクル自体の電気抵抗率を利用してペリクルを加熱する。

【0053】

[00053] 加熱システムは、レチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの異なる部分に接触するように動作可能な複数の電極と、複数の電極のうちの少なくとも２つの間に電圧を供給するように構成された電源とを備えることがある。

【0054】

[00054] 例えば、２つのストリップ状電極がペリクルの２つの対向する面に沿って設けられることがあり、電圧が２つの電極間に供給されることがある。そのような構成により、電流がペリクルの対向面の一方から他方へ２つの電極間を（ほぼ垂直に）流れることになる。

【0055】

[00055] より多くの電極とこれらの電極における適切な電圧レベルを使用することによって、より複雑な加熱プロファイルを適用することができる。原則として有益な熱プロファイルを得るために、電圧を時間的に変調することも考えられる。

【0056】

[00056] 加熱システムは、電極と、電極と支持構造によって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの少なくとも一部分との間に電圧を印加するように動作可能な電圧源とを備えることがある。

【0057】

[00057] 有利には、そのような構成はペリクルの熱イオン加熱を可能にする。使用時に、電圧源は、電極がカソードとして作用することができ、ペリクルの少なくとも一部分がアノードとして作用することができるようなものである場合がある。そのような構成によって、カソードにより放出される電子がペリクルの少なくとも一部分に向けられる。電子は、ペリクルの（正に帯電した）少なくとも一部分に引き寄せられ、リソグラフィ装置の他の部分には引き寄せられない。したがって、そのような熱イオン加熱の１つの利点は、リソグラフィ装置の他の部分の加熱が全くないか又は最小になるように加熱が標的化されることである。そのような熱イオン加熱のもう１つの利点は、高い熱伝達を達成できることである。

【0058】

[00058] 一部の実施形態では、電圧源は、電極と支持構造によって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクル全体との間に電圧を印加するように動作可能である場合がある。例えば、ペリクルは連続した導電層を含むことがあり、電圧源は導電層に電圧を印加するように構成されることがある。他の実施形態では、電圧源は、電極と支持構造によって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの複数の部分のうちの１つとの間に電圧を印加するように動作可能である場合がある。例えば、ペリクルは、複数の分離した導電部を含む破断した導電層を含むことがあり、電圧源は、複数の導電部のうちの１つ以上に電圧を印加するように構成されることがある。

【0059】

[00059] 加熱システムは更に、電極を加熱するように動作可能なヒータを備えることがある。

【0060】

[00060] 使用時に、ヒータは、電極内の電子の熱エネルギーが電極を形成する材料の仕事関数を超えるように、電極の温度を適切な温度に維持するように動作可能である場合がある。

【0061】

[00061] コントローラを備える実施形態では、コントローラは、電圧源により印加された電圧を制御するように動作可能である場合がある。

【0062】

[00062] 一部の実施形態では、加熱システムは、支持構造により支持されたレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルを周期的に加熱するように動作可能である場合がある。

【0063】

[00063] 一部の実施形態では、加熱システムは、支持構造により支持されたレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルにパルス加熱を行うように動作可能である場合がある。

【0064】

[00064] これまで考察したように、一部のペリクル、特にカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）から形成されたペリクルは、リソグラフィ装置ＬＡ内での水素プラズマエッチングの影響を受けやすい。それを超えるとＣＮＴペリクル１９の水素エッチング速度が無視できるレベルに低下する閾値温度が存在すると予想される。この温度閾値は多くの要因に依存するが、７００℃程度である場合がある。したがって、このエッチングプロセスは、ＣＮＴペリクル１９を７００℃超に連続的に加熱することによって強く抑制される可能性がある。

【0065】

[00065] そのような周期的な加熱又はパルス加熱により、ペリクルの周期的に変化する温度プロファイル又はパルス温度プロファイルがもたらされることになることが理解されるであろう。しかしながら、本発明者らは、ペリクルが閾値レベルを超えて加熱され、加熱が解除されると、エッチング速度が無視できるレベルから上昇するまでに時間遅延が存在することに気付いた。十分な温度に加熱するとペリクルからの水素の脱離が起こり、水素エッチング速度が無視できるレベルに低下すると考えられる。更に、加熱後にペリクル表面に水素が補充されるまでにはゼロ以外の時間がかかるため、加熱を解除した後のエッチング速度の上昇には時間遅延があると考えられる。

【0066】

[00066] 有利には、レチクル－ペリクルアセンブリのペリクルを周期的にのみ加熱することによって、及び／又はレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルにパルス加熱を行うことによって、加熱システムにより供給されるパワーは、例えばペリクルが連続的に加熱される構成に比べて大幅に低減される。これにより、支持構造によって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリの近傍に設けられた加熱システムからの追加の加熱負荷が軽減される。そして、これにより加熱システムに必要な電力量及び熱負荷を吸収するのに必要な冷却容量の大きさが削減される。また、レチクルの歪みを引き起こし、リソグラフィ装置の結像性能に影響を与え得るレチクルへの追加の熱負荷（例えば、そのような熱負荷はオーバーレイの一因となることがある）も軽減される。

【0067】

[00067] 更に、レチクル－ペリクルアセンブリのペリクルを周期的にのみ加熱することによって、及び／又はレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルにパルス加熱を行うことによって、加熱システムは、リソグラフィ装置における露光と露光の間に動作することがある。例えば、加熱システムは、単一基板の異なるターゲット領域（又はダイ）の露光と露光の間に、あるいは異なる基板の露光と露光の間にも動作することがある。そして、露光と露光の間の加熱を可能にすることによって、加熱システムは、基板の露光中にペリクルを加熱することが望ましい構成とは異なる場所に位置することがある。有利には、これにより、例えば支持構造が非露光位置又は場所にあるときにペリクルを加熱し得る場所に加熱システムを収容するためのより大きな空間が存在することがあるため、加熱システムのリソグラフィ装置への統合が容易になることがある。

【0068】

[00068] 一般に、加熱パルスの持続時間は、ペリクルを所望の温度（例えば、それを超えるとペリクルの水素エッチングを無視できる閾値温度を超える）に加熱するのに十分な長さである場合がある。例えば、加熱パルスの持続時間は、０．１ｍｓから１００ｍｓ、より好ましくは１から１０ｍｓの範囲に及ぶ可能性がある。ペリクルを所望の温度に加熱するのに必要な時間が、ペリクルを加熱している間の加熱システムの出力に依存することになることが理解されるであろう。一部の実施形態では、加熱パルスの持続時間は１ｍｓ程度である場合がある。

【0069】

[00069] 一般に、２つの連続する加熱パルスの間の時間周期は、最初のパルスからの加熱の後にペリクルの表面に水素が補充されないように十分に短い場合がある。ここでも、最初のパルスからの加熱の後にペリクルの表面に水素が補充されるのに必要な時間が、ペリクルの近傍の状態に依存することになることが理解されるであろう。高出力リソグラフィ装置におけるラジカルフラックスの変動を考慮すると、加熱パルス間に必要とされ得る時間が、２つのダイ（後方及び前方）からウェーハ露光全体に及び得ることが判明している。加熱パルス間の時間の観点では、これは５０ｍｓから２０秒、より好ましくは１００ｍｓから１０秒の範囲にある。一部の実施形態では、２つの連続する加熱パルスの間の時間周期は、１００ｍｓ程度である場合がある。

【0070】

[00070] ＥＵＶリソグラフィ装置内では、非常に短い時間だけ周期的な加熱又はパルス加熱を行うことによって、水素エッチングを許容可能なレベル又は無視できるレベルに維持できると考えられる。したがって、一部の実施形態では、支持構造により支持されたレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの加熱システムにより行われる加熱は、これより考察するように比較的低いデューティサイクルのパルス加熱を含む。

【0071】

[00071] 加熱システムのデューティサイクルは０．１以下である場合がある。デューティサイクルは、加熱システムがペリクルに加熱を行う時間の部分の、加熱システムがペリクルに加熱を行わない時間の部分に対する比率である場合がある。

【0072】

[00072] 有利には、そのような構成は、ペリクルが連続的に加熱される構成と比べて、加熱システムにより供給される出力の量を１０分の１に減らすことになる。０．１以下の加熱システムのデューティサイクルは、ＥＵＶリソグラフィ装置内の状態が最悪のシナリオであっても、ペリクルの水素エッチングを許容可能なレベル又は無視できるレベルに維持するのに十分であると考えられる。

【0073】

[00073] しかしながら、実際には、ペリクルの水素エッチングを許容可能なレベル又は無視できるレベルに維持するには、更に小さいデューティサイクルで十分であると考えられる。例えば、一部の実施形態では、加熱システムのデューティサイクルは０．０１以下である場合がある。一部の実施形態では、加熱システムのデューティサイクルは１０^－３以下である場合がある。一部の実施形態では、加熱システムのデューティサイクルは１０^－４以下である場合がある。一部の実施形態では、加熱システムのデューティサイクルは１０^－５以下である場合がある。

【0074】

[00074] リソグラフィ装置は、基板テーブルにより支持される基板の複数の異なるターゲット領域上に、支持構造により支持されたレチクル－ペリクルアセンブリのレチクルの像を形成するように動作可能である場合がある。そのような実施形態では、加熱システムは、ｎ個（ｎは整数である）のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱されるペリクルの各部を加熱するように動作可能である場合がある。

【0075】

[00075] 一部の実施形態では、ｎは１より大きい場合がある。また、加熱システムは、ペリクル領域の一部が他のペリクル領域よりもプラズマ劣化を受けやすい場合があるため、ペリクルの各部を垂直方向（ｘ方向）に対してスキャン方向（ｙ方向）に別々に加熱するように動作可能である場合がある。

【0076】

[00076] ｎ個のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱されるペリクルの各部を加熱することのみによって、加熱システムは、基板の露光中にペリクルが連続的に加熱される構成とは異なる場所に位置することがある。有利には、これにより、例えば支持構造が非露光位置又は場所にあるときにペリクルを加熱し得る場所に加熱システムを収容するためのより大きな空間が存在することがあるため、加熱システムのリソグラフィ装置への統合が容易になる。

【0077】

[00077] スキャンリソグラフィ装置では、基板の１つのターゲット領域の露光中に、支持基板は、照明システムにより調整された放射ビームの経路を通って（放射ビームの一方の側の）第１の端部位置から（放射ビームの他方の側の）第２の端部位置へ移動（又はスキャン）される。一般に、基板の次のターゲット領域の露光のために、支持基板は放射ビームの経路を通って第２の端部位置から第１の端部位置に戻される。放射ビームに曝露されているときにペリクルへの視線を確保することは困難である。しかしながら、支持構造が第１又は第２の端部位置の一方に配置される場合には、通常、ペリクルに加熱を行うためのより大きな空間が存在する。

【0078】

[00078] 加熱システムは、４個のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱されるペリクルの各部を加熱するように動作可能である場合がある。

【0079】

[00079] ４個のすべてのダイの露光後にペリクルを加熱することは、ＥＵＶリソグラフィ装置内の状態が最悪のシナリオであっても、ペリクルの水素エッチングを許容可能なレベル又は無視できるレベルに維持するのに十分であると考えられる。

【0080】

[00080] しかしながら、実際には、ペリクルの水素エッチングを許容可能なレベル又は無視できるレベルに維持するには、加熱頻度を低くすることで十分になると考えられる。例えば、一部の実施形態では、加熱システムは、１０個のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱されるペリクルの各部を加熱するように動作可能である場合がある。一部の実施形態では、加熱システムは、１００個のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱されるペリクルの各部を加熱するように動作可能である場合がある。一部の実施形態では、加熱システムは、１０００個のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱されるペリクルの各部を加熱するように動作可能である場合がある。

【0081】

[00081] 加熱システムは、基板の１つのターゲット領域上にレチクルの像を形成することと、基板の次のターゲット領域上にレチクルの像を形成することとの間の時間にペリクルを加熱するように動作可能である場合がある。

【0082】

[00082] 加熱システムは、１つの基板の露光と後続の基板の露光との間に、支持構造により支持されたレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルを加熱するように動作可能である場合がある。

【0083】

[00083] 加熱システムは、ペリクルの現在放射ビームを受けていない部分を加熱するように構成されることがある。

【0084】

[00084] リソグラフィ装置は更に、支持構造により支持されたレチクル－ペリクルアセンブリを放射ビームに通すために、照明システムにより調整された放射ビームに対して支持構造を移動させるように動作可能な支持構造スキャン機構を備えることがあり、加熱システムは、支持構造により支持されたレチクル－ペリクルアセンブリが放射ビームに通されるときに、ペリクルの現在放射ビームを受けていない部分を加熱するように構成されることがある。

【0085】

[00085] そのような実施形態では、加熱システムは、ＥＵＶ放射ビームによってレチクルをスキャンする支持構造の移動を利用して、加熱ビームによってペリクルもスキャンする。

【0086】

[00086] 加熱システムは、実質的にペリクルの膜全体を加熱するように構成されることがある。

【0087】

[00087] 代替的に一部の実施形態では、加熱システムは、使用時に照明システムにより調整された放射ビームを受けないペリクルの部分を加熱するように構成されることがある。

【0088】

[00088] ＥＵＶからの周期的な加熱は、ペリクルの使用時に照明システムにより調整された放射ビームを受ける部分の水素エッチングを抑制するのに十分である場合がある。したがって、一部の実施形態では、加熱システムは、ペリクルの使用時に照明システムにより調整された放射ビームを受けない部分のみを加熱することがある。

【0089】

[00089] 加熱システムは、レチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの少なくとも一部分を最低温度より高く維持するように構成されることがある。最低温度は、ペリクルの水素エッチング速度が無視できる温度である場合がある。最低温度は７００℃以上である場合がある。最低温度は７５０℃以上である場合がある。最低温度は８００℃以上である場合がある。

【0090】

[00090] リソグラフィ装置は更に、支持構造により支持されたペリクル－レチクルアセンブルのペリクルの少なくとも一部分の温度を決定するように動作可能な温度センサを備えることがある。

【0091】

[00091] 温度センサは、支持構造により支持されたペリクル－レチクルアセンブルのペリクルの少なくとも一部分の温度プロファイルを決定するように動作可能である場合がある。

【0092】

[00092] 加熱システムは、決定したペリクルの少なくとも一部分の温度又は温度プロファイルに応じて、支持構造により支持されたレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルを加熱するように動作可能である場合がある。

【0093】

[00093] つまり、加熱システム及び温度センサはフィードバックループの一部を構成することがある。

【0094】

[00094] リソグラフィ装置は更に、支持構造によって支持されているときのペリクル－レチクルアセンブリのペリクルの近傍に水素を供給するように動作可能な水素供給部を備えることがある。

【0095】

[00095] 本開示の第２の態様によれば、レチクル－ペリクルアセンブリを使用する方法であって、レチクル－ペリクルアセンブリを放射ビームで照明して放射ビームの断面にパターンを付与し、基板上にレチクルの像を形成すること、及び別個の熱源を使用してレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルを加熱することを含む方法が提供される。

【0096】

[00096] これより考察するように、第２の態様による方法は有利である。

【0097】

[00097] この方法がＥＵＶリソグラフィプロセスの一部を構成し得ることは理解されるであろう。更に、レチクル－ペリクルアセンブリが放射ビームで照明されるときに、放射の一部分がペリクルによって吸収され、ペリクルを加熱することになることが理解されるであろう。有利には、別個の熱源を使用してペリクルを加熱することによって、第２の態様による方法は、ペリクルの温度、又はペリクルの使用時に水素プラズマに隣接する少なくともいずれかの部分の温度を、炭素エッチング速度が無視できるレベルにある安全な温度に維持できることを保証することができる。

【0098】

[00098] 別個の熱源を使用したレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの加熱によって、ペリクルが目標温度分布を達成することがある。

【0099】

[00099] 別個の熱源を使用したレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの加熱によって、レチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの少なくとも一部分が最低温度より高く維持されることがある。

【0100】

[000100] 別個の熱源を使用したレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの加熱によって、ペリクルの温度が、ペリクルの水素エッチング速度が無視できるレベルになるように十分に高くなることがある。

【0101】

[000101] 別個の熱源を使用したレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの加熱によって、ペリクルの温度が６００Ｋ以上になることがある。

【0102】

[000102] 別個の熱源を使用したレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの加熱によって、ペリクルの温度が７００Ｋ以上になることがある。

【0103】

[000103] 別個の熱源を使用したレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの加熱によって、ペリクルの温度が８００Ｋ以上になることがある。

【0104】

[000104] 別個の熱源を使用したレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの加熱によって、ペリクルの温度が９００Ｋ以上になることがある。

【0105】

[000105] 別個の熱源を使用したレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの加熱によって、ペリクルの温度が１０００Ｋ以上になることがある。

【0106】

[000106] より好ましくは、ペリクルの温度は１０５０Ｋ以上である場合がある。一部の実施形態では、ペリクルの温度は１１００Ｋ以上である場合がある。

【0107】

[000107] 放射ビームによるレチクル－ペリクルアセンブリの照明中に、レチクル－ペリクルアセンブリは、放射ビームに通されることがあり、ペリクルの現在放射ビームを受けている少なくとも一部分は、別個の熱源を使用して加熱されることがある。

【0108】

[000108] ペリクルの現在放射ビームを受けている部分を取り囲むペリクルの少なくとも一部分は、別個の熱源を使用して加熱されることがある。

【0109】

[000109] 別個の熱源を使用したペリクルの加熱によって、別個の熱源及び放射ビームからの複合熱負荷が目標温度分布を達成することがある。

【0110】

[000110] 実質的にペリクルの膜全体が別個の熱源を使用して加熱されることがある。

【0111】

[000111] 別個の熱源を使用したペリクルの加熱は、放射をペリクルに誘導することを含むことがある。

【0112】

[000112] 例えば、放射は電磁放射及び／又は電子を含むことがある。

【0113】

[000113] 放射をペリクルに誘導することによって別個の熱源を使用してペリクルを加熱することは、放射をペリクルにスキャンすることを含むことがある。

【0114】

[000114] 別個の熱源を使用したペリクルの加熱は、ペリクルに電流を供給することを含むことがある。

【0115】

[000115] 別個の熱源を使用してペリクルを加熱することは、ペリクルの少なくとも一部分に正の電圧を印加すること、及びペリクルの近傍の電極から電子を放出することを含むことがある。

【0116】

[000116] つまり、別個の熱源を使用したペリクルの加熱は、ペリクルの熱イオン加熱を使用して達成される。ペリクルの少なくとも一部分に正の電圧を印加することは、ペリクルの少なくとも一部分と電極との間に電圧を印加することによって達成されることがある。そのような構成により、電極はカソードとして作用し、ペリクルの少なくとも一部分はアノードとして作用することができる。そのような構成では、電極により放出される電子はペリクルの少なくとも一部分に向けられる。電子は、ペリクルの（正に帯電した）少なくとも一部分に引き寄せられ、リソグラフィ装置の他の部分には引き寄せられない。したがって、そのような熱イオン加熱の１つの利点は、リソグラフィ装置の他の部分の加熱が全くないか又は最小になるように加熱が標的化されることである。そのような熱イオン加熱のもう１つの利点は、高い熱伝達を達成できることである。

【0117】

[000117] ペリクルの近傍に電極から電子を放出することは、電極を加熱することを含むことがある。

【0118】

[000118] 例えば電極の加熱は、電極の温度によって、電極内の電子の熱エネルギーが電極を形成する材料の仕事関数を超えることになることを保証することがある。

【0119】

[000119] 別個の熱源を使用してレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルを加熱することは、別個の熱源を使用してレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルを周期的に加熱することを含むことがある。

【0120】

[000120] 別個の熱源を使用してレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルを加熱することは、レチクル－ペリクルアセンブリのペリクルにパルス加熱を行うことを含むことがある。

【0121】

[000121] これまで考察したように、一部のペリクル、特にカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）から形成されたペリクルは、リソグラフィ装置ＬＡ内での水素プラズマエッチングの影響を受けやすい。それを超えるとＣＮＴペリクル１９の水素エッチング速度が無視できるレベルに低下する閾値温度が存在すると予想される。この温度閾値は多くの要因に依存するが、７００℃程度である場合がある。したがって、このエッチングプロセスは、ＣＮＴペリクル１９を７００℃超に連続的に加熱することによって強く抑制される可能性がある。

【0122】

[000122] そのような周期的な加熱又はパルス加熱により、ペリクルの周期的に変化する温度プロファイル又はパルス温度プロファイルがもたらされることになることが理解されるであろう。しかしながら、本発明者らは、ペリクルが一旦閾値レベルを超えて加熱され、加熱が解除されると、エッチング速度が無視できるレベルから上昇するまでに時間遅延が存在することに気付いた。十分な温度に加熱するとペリクルからの水素の脱離が起こり、水素エッチング速度が無視できるレベルに低下すると考えられる。更に、加熱後にペリクル表面に水素が補充されるまでにはゼロ以外の時間がかかるため、加熱を解除した後のエッチング速度の上昇には時間遅延があると考えられる。

【0123】

[000123] 有利には、レチクル－ペリクルアセンブリのペリクルを周期的にのみ加熱することによって、及び／又はレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルにパルス加熱を行うことによって、加熱システムにより供給される出力は、例えばペリクルが連続的に加熱される構成に比べて大幅に低減される。これにより、支持構造によって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリの近傍に設けられた加熱システムからの追加の加熱負荷が軽減される。そして、これにより加熱システムに必要な電力量及び熱負荷を吸収するのに必要な冷却容量の大きさが削減される。また、レチクルの歪みを引き起こし、リソグラフィ装置の結像性能に影響を与え得るレチクルへの追加の熱負荷（例えば、そのような熱負荷はオーバーレイの一因となることがある）も軽減される。

【0124】

[000124] 更に、レチクル－ペリクルアセンブリのペリクルを周期的にのみ加熱することによって、及び／又はレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルにパルス加熱を行うことによって、加熱システムは、リソグラフィ装置における露光と露光の間に動作することがある。例えば、加熱システムは、単一基板の異なるターゲット領域（又はダイ）の露光と露光の間に、あるいは異なる基板の露光と露光の間にも動作することがある。そして、露光と露光の間の加熱を可能にすることによって、加熱システムは、基板の露光中にペリクルを加熱することが望ましい構成とは異なる場所に位置することがある。有利には、これにより、例えば支持構造が非露光位置又は場所にあるときにペリクルを加熱し得る場所に加熱システムを収容するためのより大きな空間が存在することがあるため、加熱システムのリソグラフィ装置への統合が容易になることがある。

【0125】

[000125] 一般に、加熱パルスの持続時間は、ペリクルを所望の温度（例えば、それを超えるとペリクルの水素エッチングを無視できる閾値温度を超える）に加熱するのに十分な長さである場合がある。例えば、加熱パルスの持続時間は、０．１ｍｓから１００ｍｓ、より好ましくは１から１０ｍｓの範囲に及ぶ可能性がある。ペリクルを所望の温度に加熱するのに必要な時間が、ペリクルを加熱している間の加熱システムの出力に依存することになることが理解されるであろう。一部の実施形態では、加熱パルスの持続時間は１ｍｓ程度である場合がある。

【0126】

[000126] 一般に、２つの連続する加熱パルスの間の時間周期は、最初のパルスからの加熱の後にペリクルの表面に水素が補充されないように十分に短い場合がある。ここでも、最初のパルスからの加熱の後にペリクルの表面に水素が補充されるのに必要な時間が、ペリクルの近傍の状態に依存することになることが理解されるであろう。高出力リソグラフィ装置におけるラジカルフラックスの変動を考慮すると、加熱パルス間に必要とされ得る時間は、２つのダイ（後方及び前方）からウェーハ露光全体に及び得ることが判明している。加熱パルス間の時間の観点では、これは５０ｍｓから２０秒、より好ましくは１００ｍｓから１０秒の範囲にある。一部の実施形態では、２つの連続する加熱パルスの間の時間周期は、１００ｍｓ程度である場合がある。

【0127】

[000127] ＥＵＶリソグラフィ装置内では、非常に短い時間だけ周期的な加熱又はパルス加熱を行うことによって、水素エッチングを許容可能なレベル又は無視できるレベルに維持できると考えられる。したがって、一部の実施形態では、支持構造により支持されたレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの加熱システムにより行われる加熱は、これより考察するように比較的低いデューティサイクルのパルス加熱を含む。

【0128】

[000128] ペリクルの加熱のデューティサイクルは０．１以下である場合がある。デューティサイクルは、ペリクルに加熱が行われる時間の部分の、ペリクルに加熱が行われない時間の部分に対する比率である場合がある。

【0129】

[000129] 有利には、そのような構成は、ペリクルが連続的に加熱される構成と比べて、加熱システムにより供給される出力の量を１０分の１に減らすことになる。０．１以下の加熱システムのデューティサイクルは、ＥＵＶリソグラフィ装置内の状態が最悪のシナリオであっても、ペリクルの水素エッチングを許容可能なレベル又は無視できるレベルに維持するのに十分であると考えられる。

【0130】

[000130] しかしながら、実際には、ペリクルの水素エッチングを許容可能なレベル又は無視できるレベルに維持するには、更に小さいデューティサイクルで十分であると考えられる。例えば、一部の実施形態では、加熱システムのデューティサイクルは０．０１以下である場合がある。一部の実施形態では、加熱システムのデューティサイクルは１０^－３以下である場合がある。一部の実施形態では、加熱システムのデューティサイクルは１０^－４以下である場合がある。一部の実施形態では、加熱システムのデューティサイクルは１０^－５以下である場合がある。

【0131】

[000131] 一部の実施形態では、レチクルの像は、基板の複数の異なるターゲット領域上に形成されることがある。そのような実施形態では、ペリクルの加熱される各部は、ｎ個（ｎは整数である）のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱されることがある。

【0132】

[000132] 一部の実施形態では、ｎは１より大きい場合がある。

【0133】

[000133] ｎ個のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱されるペリクルの各部を加熱することのみによって、加熱システムは、基板の露光中にペリクルが連続的に加熱される構成とは異なる場所に位置することがある。有利には、これにより、例えば支持構造が非露光位置又は場所にあるときにペリクルを加熱し得る場所に加熱システムを収容するためのより大きな空間が存在することがあるため、加熱システムのリソグラフィ装置への統合が容易になる。

【0134】

[000134] スキャンリソグラフィ装置では、基板の１つのターゲット領域の露光中に、支持基板は、照明システムにより調整された放射ビームの経路を通って（放射ビームの一方の側の）第１の端部位置から（放射ビームの他方の側の）第２の端部位置へ移動（又はスキャン）される。一般に、基板の次のターゲット領域の露光のために、支持基板は放射ビームの経路を通って第２の端部位置から第１の端部位置に戻される。放射ビームに曝露されているときにペリクルへの視線を確保することは困難である。しかしながら、支持構造が第１又は第２の端部位置の一方に配置される場合には、通常、ペリクルに加熱を行うためのより大きな空間が存在する。

【0135】

[000135] ペリクルの加熱される各部は、４個のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱されることがある。

【0136】

[000136] ４個のすべてのダイの露光後にペリクルを加熱することは、ＥＵＶリソグラフィ装置内の状態が最悪のシナリオであっても、ペリクルの水素エッチングを許容可能なレベル又は無視できるレベルに維持するのに十分であると考えられる。

【0137】

[000137] しかしながら、実際には、ペリクルの水素エッチングを許容可能なレベル又は無視できるレベルに維持するには、加熱頻度を低くすることで十分になると考えられる。例えば、一部の実施形態では、加熱システムは、１０個のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱されるペリクルの各部を加熱するように動作可能である場合がある。一部の実施形態では、加熱システムは、１００個のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱されるペリクルの各部を加熱するように動作可能である場合がある。一部の実施形態では、加熱システムは、１０００個のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱されるペリクルの各部を加熱するように動作可能である場合がある。

【0138】

[000138] ペリクルは、基板の１つのターゲット領域上にレチクルの像を形成することと、基板の次のターゲット領域上にレチクルの像を形成することとの間の時間に加熱されることがある。

【0139】

[000139] ペリクルは、１つの基板の露光と後続の基板の露光との間に加熱されることがある。

【0140】

[000140] ペリクルを加熱することは、ペリクルの現在放射ビームを受けていない一部分を加熱することを含むことがある。

【0141】

[000141] レチクルの像は、スキャン露光中に基板上に形成されることがあり、ペリクルを加熱することは、そのスキャン露光中に、ペリクルの現在放射ビームを受けていない部分を加熱することを含むことがある。そのような実施形態では、加熱システムは、ＥＵＶ放射ビームによってレチクルをスキャンする支持構造の移動を利用して、加熱ビームによってペリクルもスキャンする。

【0142】

[000142] ペリクルを加熱することは、実質的にペリクルの膜全体を加熱することを含むことがある。

【0143】

[000143] 代替的に、ペリクルを加熱することは、使用時にペリクルの放射ビームにより照明されない部分を加熱することを含むことがある。

【0144】

[000144] ＥＵＶからの周期的な加熱は、ペリクルの使用時に照明システムにより調整された放射ビームを受ける部分の水素エッチングを抑制するのに十分である場合がある。したがって、一部の実施形態では、加熱システムは、ペリクルの使用時に照明システムにより調整された放射ビームを受けない部分のみを加熱することがある。

【0145】

[000145] ペリクルを加熱することは、ペリクルの少なくとも一部分を最低温度より高く維持することを含むことがある。

【0146】

[000146] 最低温度は、ペリクルの水素エッチング速度が無視できる温度である場合がある。最低温度は７００℃以上である場合がある。最低温度は７５０℃以上である場合がある。最低温度は８００℃以上である場合がある。

【0147】

[000147] 方法は更に、ペリクルの少なくとも一部分の温度を決定することを含むことがある。

【0148】

[000148] ペリクルの少なくとも一部分の温度を決定することは、ペリクルの少なくとも一部分の温度プロファイルを決定することを含むことがある。

【0149】

[000149] 別個の熱源を使用してペリクルを加熱するステップは、決定したペリクルの少なくとも一部分の温度又は温度プロファイルに依存する場合がある。

【0150】

[000150] 方法は、本開示の第１の態様による装置を使用して実行されることがある。

【0151】

[000151] 本開示の第３の態様によれば、リソグラフィ装置で使用するためのペリクルであって、カーボンナノチューブから形成された基板を備え、基板が更に少なくとも１つの添加剤を含むペリクルが提供される。

【0152】

[000152] 少なくとも１つの添加剤は、基板上に分布させた複数の触媒原子を含むことがある。

【0153】

[000153] 少なくとも１つの添加剤の炭素原子に対する濃度は、０．１～２％程度である場合がある。例えば、少なくとも１つの不純物の炭素原子に対する濃度は、０．１～１％程度である場合がある。そのような添加剤の濃度は、ペリクルのＥＵＶ透過率を著しく低下させないと予想される。例えば、モリブデン原子の濃度が１％の場合、ペリクルのＥＵＶ透過率は０．１％未満低下すると推定される。同様に、ニッケル原子の濃度が１％の場合、ペリクルのＥＵＶ透過率は０．５％未満低下すると推定される。

【0154】

[000154] 少なくとも１つの添加剤の濃度及び種類は、それを超えるとペリクルの水素エッチング速度が無視できる閾値温度が９００Ｋ未満になるようなものである場合がある。

【0155】

[000155] 一部の実施形態では、少なくとも１つの添加剤の濃度及び種類は、それを超えるとペリクルの水素エッチング速度が無視できるレベルに低下する閾値温度が８００Ｋ未満になるようなものである。一部の実施形態では、少なくとも１つの添加剤の濃度及び種類は、それを超えるとペリクルの水素エッチング速度が無視できるレベルに低下する閾値温度が７００Ｋ未満になるようなものである。一部の実施形態では、少なくとも１つの添加剤の濃度及び種類は、それを超えるとペリクルの水素エッチング速度が無視できるレベルに低下する閾値温度が６００Ｋ未満になるようなものである。

【0156】

[000156] 少なくとも１つの添加剤は遷移金属を含むことがある。

【0157】

[000157] 少なくとも１つの添加剤は、モリブデン、クロム、ニッケル、銅及び／又は鉄を含むことがある。

【0158】

[000158] 少なくとも１つの添加剤はホウ素を含むことがある。

【0159】

[000159] 少なくとも１つの添加剤の炭素原子に対する濃度は、１５原子％程度である場合がある。

【0160】

[000160] 少なくとも１つの添加剤は非晶質炭素を含むことがある。

【0161】

[000161] 上述した、又は以下の説明で参照される１つ以上の態様又は特徴が、１つ以上の他の態様又は特徴と組み合わせられ得ることが理解されるであろう。

【図面の簡単な説明】

【0162】

[000162] 本発明の実施形態を、添付の概略図を参照して、単なる例示として以下に説明する。

【0163】

【図1】リソグラフィ装置及び放射源を備えるリソグラフィシステムの概略図である。

【図2A】第１の端部位置に配置された、図１に示した支持構造及びパターニングデバイスの概略平面図である。

【図2B】第２の端部位置に配置された、図１に示した支持構造及びパターニングデバイスの概略平面図である。

【図3A】図１のリソグラフィ装置の支持構造上のパターニングデバイス及びレチクルマスキングブレードの第１の断面の概略図である。

【図3B】図１のリソグラフィ装置の支持構造上のパターニングデバイス及びレチクルマスキングブレードの第２の断面の概略図である。

【図4】第１の構成における図１のリソグラフィ装置のｙマスキングブレード及びｘマスキングブレード（点線）を示す平面図である。

【図5】４つの異なるイオンエネルギー、すなわち５ｅＶ、１０ｅＶ、２０ｅＶ及び３０ｅＶの１．５・１０^１９ｍ^－２・ｓ^－１の水素イオンフラックスについての炭素の水素エッチングの予想エッチング速度を温度の関数として、同様にｓｐ３炭素濃度を温度の関数として示す。

【図6】図１に示したリソグラフィ装置の加熱システムの第１の例示的な実施形態の概略図である。

【図7】図６に示した加熱システムの変形例の概略図である。

【図8】図１に示したリソグラフィ装置の加熱システムの別の例示的な実施形態の概略図である。

【図9】ペリクルの熱イオン加熱（破線）及び放射加熱（点線）の加熱力の推定を放射体の温度の関数として示すグラフである。

【図10】一旦加熱が解除される、水素エッチングが無視できるようになる温度に加熱する期間の後の時間の関数としての水素エッチング速度の概略的な定性的グラフである。

【図11】第１の端部位置に配置された図１に示した支持構造及びパターニングデバイスの概略平面図であり、支持構造が第１の端部位置に配置されるときにスリット領域に最も近いパターニングデバイスの一部分も示す。

【図12A】基板の露光中にペリクルをスキャンする放射カーテンを生成するために放射源を使用して基板のｎ個のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱されるペリクルの各部を加熱するように動作可能な、図１に示したリソグラフィ装置の加熱システムの第１の実施形態の概略図である。

【図12B】ペリクル及び図１２Ａに示した加熱システムの実施形態により生成された放射カーテンの概略平面図である。

【図13A】基板の露光中にペリクルをスキャンする放射カーテンを生成するために放射源を使用して基板のｎ個のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱されるペリクルの各部を加熱するように動作可能な、図１に示したリソグラフィ装置の加熱システムの第２の実施形態の概略図である。

【図13B】ペリクル及び図１３Ａに示した加熱システムの実施形態により生成された放射カーテンの概略平面図である。

【図14A】基板の露光中にペリクルをスキャンする放射カーテンを生成するために放射源を使用して基板のｎ個のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱されるペリクルの各部を加熱するように動作可能な、図１に示したリソグラフィ装置の加熱システムの第３の実施形態の概略図である。

【図14B】ペリクル及び図１４Ａに示した加熱システムの実施形態により生成された放射カーテン、並びにその実施形態のビームバンプの概略平面図である。

【図15A】基板の露光中にペリクルをスキャンする放射カーテンを生成するために放射源を使用して基板のｎ個のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱されるペリクルの各部を加熱するように動作可能な、図１に示したリソグラフィ装置の加熱システムの第４の実施形態の概略図である。

【図15B】ペリクル及び図１５Ａに示した加熱システムの実施形態により生成された放射カーテン、並びにその実施形態のビームバンプ及びミラーの概略平面図である。

【図16A】基板の露光中にペリクルをスキャンする放射カーテンを生成するために放射源を使用して基板のｎ個のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱されるペリクルの各部を加熱するように動作可能な、図１に示したリソグラフィ装置の加熱システムの第５の実施形態の概略図である。

【図16B】ペリクル及び図１６Ａに示した加熱システムの実施形態により生成された放射カーテンの概略平面図である。

【図17A】単一の放射源が放射カーテン全体を生成するように動作可能な、ｘ－ｚ平面における配置を示す。

【図17B】複数の放射源がそれぞれ放射カーテンの一部分を生成するように動作可能な、ｘ－ｚ平面における配置を示す。

【図18A】基板の露光中にペリクルをスキャンする放射カーテンを生成するために放射源を使用して基板のｎ個のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱されるペリクルの各部を加熱するように動作可能な、図１に示したリソグラフィ装置の加熱システムの第６の実施形態の概略図である。

【図18B】ペリクル及び図１８Ａに示した加熱システムの実施形態により生成された放射カーテンの概略平面図である。

【図19A】基板の露光中にペリクルをスキャンする放射カーテンを生成するために放射源を使用して基板のｎ個のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱されるペリクルの各部を加熱するように動作可能な、図１に示したリソグラフィ装置の加熱システムの第７の実施形態の概略図である。

【図19B】ペリクル及び図１９Ａに示した加熱システムの実施形態により生成された放射カーテンの概略平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0164】

[000163] 図１はリソグラフィシステムを示している。リソグラフィシステムは、放射源ＳＯ及びリソグラフィ装置ＬＡを備える。放射源ＳＯは、極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビームＢを生成するように構成される。リソグラフィ装置ＬＡは、照明システムＩＬと、パターニングデバイスＭＡ（例えば、レチクル又はマスク）を備えるレチクルアセンブリ１５を支持するように構成された支持構造ＭＴと、投影システムＰＳと、基板Ｗを支持するように構成された基板テーブルＷＴとを備える。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡに入射する前に放射ビームＢを調整するように構成される。投影システムは、放射ビームＢ（今やパターニングデバイスＭＡによりパターン付与されている）を基板Ｗに投影するように構成される。基板Ｗは先に形成されたパターンを含むことがある。この場合、リソグラフィ装置は、パターン付き放射ビームＢを先に基板Ｗ上に形成されたパターンと位置合わせする。

【0165】

[000164] 放射源ＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳはすべて、外部環境から隔離できるように構築及び配置されることがある。大気圧より低い圧力のガス（例えば、水素）が放射源ＳＯ内に供給されることがある。照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳ内に真空が設けられることがある。大気圧よりかなり低い圧力の少量のガス（例えば、水素）が、照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳ内に供給されることがある。

【0166】

[000165] 図１に示す放射源ＳＯは、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ばれ得るタイプである。例えばＣＯ２レーザであり得るレーザ１が、レーザビーム２を介して、燃料放出器３から与えられるスズ（Ｓｎ）などの燃料にエネルギーを付与するように構成される。以下の説明ではスズに言及するが、任意の適切な燃料が使用されることがある。燃料は、例えば液体の形態である場合や、例えば金属又は合金である場合がある。燃料放出器３は、例えば小滴の形態のスズを、プラズマ形成領域４に向かう軌道に沿って誘導するように構成されたノズルを備えることがある。レーザビーム２は、プラズマ形成領域４でスズに入射する。レーザエネルギーのスズへの付与は、プラズマ形成領域４においてプラズマ７を生成する。プラズマのイオンの脱励起及び再結合の間にプラズマ７からＥＵＶ放射を含む放射が放出される。

【0167】

[000166] ＥＵＶ放射は、近法線入射放射コレクタ５（より一般的に法線入射放射コレクタと呼ばれることがある）によって収集及び集束される。コレクタ５は、ＥＵＶ放射（例えば１３．５ｎｍなどの所望の波長を有するＥＵＶ放射）を反射するように構成される多層構造を有することがある。コレクタ５は、２つの楕円焦点を有する楕円構成を有することがある。以下で考察するように、第１の焦点がプラズマ形成領域４にある場合があり、第２の焦点が中間焦点６にある場合がある。

【0168】

[000167] レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源の他の実施形態では、コレクタ５は、ＥＵＶ放射をかすめ入射角で受け、ＥＵＶ放射を中間焦点に集束させるように構成される、いわゆる斜入射型コレクタである場合がある。斜入射型コレクタは、例えば複数の斜入射リフレクタを備えた入れ子型コレクタである場合がある。斜入射リフレクタは、光軸を中心として軸対称に配置されることがある。

【0169】

[000168] 放射源ＳＯは、１つ以上の汚染トラップ（図示せず）を備えることがある。例えば汚染トラップが、プラズマ形成領域４と放射コレクタ５との間に位置することがある。汚染トラップは、例えば回転フォイルトラップであるか、又は他の任意の適切な形態の汚染トラップである場合がある。

【0170】

[000169] レーザ１は放射源ＳＯから分離されることがある。この場合、レーザビーム２は、例えば適切な誘導ミラー及び／若しくはビームエキスパンダ、並びに／又は他の光学系を備えたビームデリバリシステム（図示せず）を用いて、レーザ１から放射源ＳＯに渡されることがある。レーザ１及び放射源ＳＯは、併せて放射システムと見なされることがある。

【0171】

[000170] コレクタ５により反射される放射は放射ビームＢを形成する。放射ビームＢは点６で集束されてプラズマ形成領域４の像を形成し、これは照明システムＩＬのための仮想放射源として作用する。放射ビームＢが集束される点６は、中間焦点と呼ばれることがある。放射源ＳＯは、中間焦点６が放射源ＳＯの閉鎖構造９の開口部８に又はその近くに位置するように配置される。

【0172】

[000171] 放射ビームＢは、放射源ＳＯから放射ビームを調整するように構成される照明システムＩＬに入る。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１を備えることがある。ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１は連携して、放射ビームＢに所望の断面形状及び所望の角度分布を与える。放射ビームＢは、照明システムＩＬから移動し、支持構造ＭＴにより保持されたレチクルアセンブリ１５に入射する。レチクルアセンブリ１５は、パターニングデバイスＭＡ及びペリクル１９を備える。ペリクルは、ペリクルフレーム１７を介してパターニングデバイスＭＡに取り付けられる。レチクルアセンブリ１５は、レチクル－ペリクルアセンブリ１５と呼ばれることがある。パターニングデバイスＭＡは放射ビームＢを反射しこれにパターンを付与する。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１に加えて、又はその代わりに他のミラー又はデバイスを備えることがある。

【0173】

[000172] パターニングデバイスＭＡからの反射に続き、パターン付き放射ビームＢは投影システムＰＳに進入する。投影システムは、基板テーブルＷＴにより保持された基板Ｗに放射ビームＢを投影するように構成される複数のミラー１３、１４を備える。投影システムＰＳは、ある縮小係数を放射ビームに適用し、パターニングデバイスＭＡ上の対応するフィーチャよりも小さなフィーチャを有する像を形成することがある。例えば、４という縮小係数が適用されることがある。図１では投影システムＰＳは２つのミラー１３、１４を有しているが、投影システムＰＳは任意の数のミラー（例えば６つのミラー）を備えることがある。

【0174】

[000173] リソグラフィ装置は、例えばスキャンモードで使用されることがある。スキャンモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期的にスキャンしながら、放射ビームに付与されたパターンを基板Ｗに投影する（すなわち動的露光）。基板テーブルＷＴの支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する速度及び方向は、投影システムＰＳの縮小及び像反転特性によって決定されることがある。基板Ｗに入射するパターン付き放射ビームは放射の帯域を含むことがある。放射の帯域は露光スリットと呼ばれることがある。スキャン露光中、基板テーブルＷＴ及び支持構造ＭＴの移動によって、露光スリットが基板Ｗの露光フィールド上を進むことがある。

【0175】

[000174] 図１に示す放射源ＳＯ及び／又はリソグラフィ装置は、図示されていないコンポーネントを備えることがある。例えば、放射源ＳＯ内にスペクトルフィルタが設けられることがある。スペクトルフィルタは、ＥＵＶ放射に対して実質的に透過性であるが、赤外線放射のような他の波長の放射を実質的に遮断することがある。

【0176】

[000175] リソグラフィシステムの他の実施形態では、放射源ＳＯは他の形態をとることもある。例えば代替的な実施形態では、放射源ＳＯは１つ以上の自由電子レーザを備えることがある。１つ以上の自由電子レーザは、１つ以上のリソグラフィ装置に供給され得るＥＵＶ放射を放出するように構成されることがある。

【0177】

[000176] 以上で簡単に説明したように、レチクルアセンブリ１５は、パターニングデバイスＭＡに隣接して設けられるペリクル１９を備える。ペリクル１９は、放射ビームＢが照明システムＩＬからパターニングデバイスＭＡに近付くときと、パターニングデバイスＭＡによって反射されて投影システムＰＳに向かうときの両方でペリクル１９を通過するように、放射ビームＢの経路に設けられる。ペリクル１９は、ＥＵＶ放射を実質的に通す（ただし、少量のＥＵＶ放射を吸収することになる）薄膜又は膜を含む。本明細書において、ＥＵＶ透過ペリクル又はＥＵＶ放射を実質的に通す膜とは、ペリクル１９がＥＵＶ放射の少なくとも６５％、ＥＵＶ放射の好ましくは少なくとも８０％、より好ましくは少なくとも９０％を透過することを意味する。ペリクル１９は、パターニングデバイスＭＡを粒子汚染から保護する役割を果たす。

【0178】

[000177] リソグラフィ装置ＬＡ内部でクリーンな環境を維持する努力がなされることがあるが、リソグラフィ装置ＬＡ内部に依然として粒子が存在することがある。ペリクル１９がなければ、粒子がパターニングデバイスＭＡ上に付着されることがある。パターニングデバイスＭＡ上の粒子は、放射ビームＢに付与されるパターン、ひいては基板Ｗに転写されるパターンに悪影響を及ぼす恐れがある。ペリクル１９は、有利にはパターニングデバイスＭＡ上に粒子が付着されるのを防止するために、パターニングデバイスＭＡとリソグラフィ装置ＬＡ内の環境との間にバリアを提供する。

【0179】

[000178] ペリクル１９は、パターニングデバイスＭＡから、ペリクル１９の表面に入射する粒子がリソグラフィ装置ＬＡのフィールド面内に存在しない十分な距離に位置決めされる。このペリクル１９とパターニングデバイスＭＡとの間の間隔は、ペリクル１９の表面上の粒子が基板Ｗ上に結像される放射ビームＢにパターンを付与する程度を抑える役割を果たす。粒子が放射ビームＢ内に存在しても、その位置が放射ビームＢのフィールド面内でない（例えば、パターニングデバイスＭＡの表面でない）場合、その粒子の像が基板Ｗの表面で焦点が合わないことが理解されるであろう。他に考慮すべき事項が存在しないならば、ペリクル１９をパターニングデバイスＭＡからかなり離れた距離に位置決めすることが望ましい場合がある。しかしながら実際は、他のコンポーネントが存在するため、リソグラフィ装置ＬＡ内でペリクルを収容するのに利用可能な空間は限られている。一部の実施形態では、ペリクル１９とパターニングデバイスＭＡとの間の間隔は、例えば約１ｍｍ～１０ｍｍ、例えば１ｍｍ～５ｍｍ、例えば２ｍｍ～２．５ｍｍである場合がある。

【0180】

[000179] ペリクルは境界部及び膜を含むことがある。ペリクルの境界部は中空で概ね矩形である場合があり、膜は境界部によって囲まれていることがある。当技術分野で知られているように、ペリクルは１つ以上の薄い材料層を概ね矩形のシリコン基板上に堆積させることによって形成されることがある。シリコン基板は、ペリクルのこの構築段階の間１つ以上の薄層を支持する。層の所望の又は目標厚さ及び組成が一旦適用されると、シリコン基板の中央部がエッチングによって除去される（これはバックエッチングと呼ばれることがある）。矩形のシリコン基板の周辺部はエッチングされない（代替的には中央部よりエッチングの程度が少ない）。この周辺部は最終ペリクルの境界部を形成する一方、１つ以上の薄層はペリクルの（境界部によって境される）膜を形成する。ペリクルの境界部はシリコンから形成されることがある。

【0181】

[000180] そのようなペリクルは、より剛性の高いペリクルフレームからのある程度のサポートを必要とすることがある。ペリクルフレームは２つの機能を提供することがある。第１に、ペリクルフレームはペリクルを支持することがあり、またペリクル膜をぴんと張ることがある。第２に、ペリクルフレームは、ペリクルのパターニングデバイス（レチクル）との接続を促進することがある。１つの既知の構成では、ペリクルフレームは、ペリクルの境界部に接着される概ね矩形の本体部及びこの本体の側部に接着されるチタン取付機構を備えることがある。パターニングデバイス（レチクル）には中間固定部材（スタッドとして知られている）が固定されている。パターニングデバイス（レチクル）上の中間固定部材（スタッド）は、ペリクルフレームの取付部材と係合する（例えば解放可能に係合する）ことがある。

【0182】

[000181] 本開示の一部の実施形態によるリソグラフィ装置ＬＡは、支持構造ＭＴによって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９に熱２２を供給するように動作可能な加熱システム２０を更に備える。リソグラフィ装置ＬＡは、これより考察するように有利である。

【0183】

[000182] ＥＵＶリソグラフィ装置においてペリクル１９膜として使用するための特に有望な材料の１つは、（９８％超の）非常に高いＥＵＶ透過率と非常に良好な機械的安定性を提供し得るカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）の織物である。しかしながら、通常、リソグラフィ装置ＬＡ内には低圧の水素ガスが供給され、（基板Ｗの露光中）ＥＵＶ放射Ｂの存在下で水素プラズマを生じる。この水素イオンと水素プラズマからの水素フリーラジカルは、ＣＮＴから形成されたペリクル１９をエッチングし、ペリクル１９の潜在的な寿命を制限し、ＣＮＴペリクルの商業的実装を妨げる可能性があることがわかっている。

【0184】

[000183] 本発明の発明者らは、水素イオン及びフリーラジカルによる炭素のエッチングが温度に依存することに気付いた。具体的には、本発明者らは、（ａ）炭素エッチング速度が低温でゼロではないこと、（ｂ）炭素エッチング速度が、それを超えると炭素エッチングが無視できるレベルに留まる閾値温度で無視できるレベルに低下すること、及び（ｃ）ＥＵＶリソグラフィスキャナ内のペリクル１９が通常、各サイクル中に炭素エッチング速度が無視できない温度をサンプリングする温度範囲を循環することになることに気付いた。例えば、ＥＵＶリソグラフィスキャナでは、動作中にＥＵＶ放射ビームがペリクル１９上を前後にスキャンするため、永続的な温度変動が発生する。たとえスキャン露光中の一部の時間であっても、ペリクル１９の温度が炭素エッチング速度が無視できるレベルに低下する閾値温度を下回ると、ペリクルは急速に劣化することになる。様々な要因に応じて、閾値温度を下回る温度で炭素エッチング速度のピークが存在する場合がある。炭素エッチング速度のピークが存在する場合、そのピークは、例えば６００Ｋ～８００Ｋの温度にある場合がある。更に、変動によってペリクルの温度が繰り返しこのピークを越えることがあり、劣化が促進し、ＣＮＴペリクル１９の寿命が短くなる。レチクルの露光中のペリクルの温度が十分に高い温度に維持される場合は、劣化速度を低いレベルに維持することができ、ペリクルの寿命は劇的に延びる。以下で更に説明するように、ペリクルの温度をそれを超えて維持することが望ましい値は、様々な要因に依存することがある。ペリクルを閾値温度よりも高い温度に維持することが望ましい場合があるが、閾値温度に近いがそれよりわずかに低い温度を上回る温度にペリクルを維持することによっても、ペリクルの劣化速度を大幅に遅らせ得ることが理解されるであろう。更に、これも以下で更に説明するように、閾値温度の値はまた様々な要因に依存することがある。例えば、ペリクルの温度を永続的に６００超、より好ましくは７００Ｋ超、又はより好ましくは８００Ｋ超に維持することが望ましい場合がある。ペリクルの温度を適切な温度に維持することによって、劣化速度を少なくとも一桁減じることができ、ペリクルの寿命が劇的に延びることが予想される。

【0185】

[000184] 有利には、支持構造ＭＴにより支持されたレチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクルを加熱するように構成された加熱システム２０を提供することによって、リソグラフィ装置ＬＡは、ペリクル１９、又はペリクル１９の水素プラズマに隣接する少なくともいずれかの部分の温度を、カーボンエッチング速度を許容できる安全な温度に維持し得ることを保証することができる。例えば安全な温度は、カーボンエッチング速度が無視できるレベルに低下する閾値を上回ることがある。加熱システム２０が、照明システムＩＬからの放射ビームＢにより行われる加熱に加えて、ペリクル１９に熱２２を供給するための機構を提供することが理解されるであろう。

【0186】

[000185] 更に、支持構造ＭＴにより支持されたレチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクルを加熱するように構成された加熱システム２０を提供することによって、リソグラフィ装置ＬＡは、ペリクル１９の温度のより良好な制御を可能にする可能性があり、ペリクルの熱サイクル及びそのような熱サイクルに関連する問題の低減をもたらすことがある。

【0187】

[000186] 加熱システム２０が図１に非常に概略的に示されていること、及び実際には加熱システム２０が任意の適切な形態をとり得ることが理解されるであろう。リソグラフィ装置の変更を最小限に抑えて既存のリソグラフィ装置に追加できる加熱システム２０を提供することが特に望ましい場合がある。つまり、既存のリソグラフィ装置は、本開示の少なくとも一部の実施形態にいくつかの設計上の制約を与えることがある。したがって、図２Ａから図４を参照して、例示的なタイプのリソグラフィ装置のいくつかの特徴、特に支持構造ＭＴに近いいくつかの特徴及びコンポーネントについてこれより説明する。

【0188】

[000187] 支持構造ＭＴは、図２Ａ及び２Ｂを参照してこれより考察するように、単一の動的スキャン露光でレチクル－ペリクルアセンブリ１５のパターニングデバイスＭＡのより大きな領域を露光するために、スキャン方向に移動可能である場合がある。図２Ａ及び２Ｂは、２つの異なる位置における支持構造ＭＴ及びレチクル－ペリクルアセンブリ１５の概略平面図を示している。

【0189】

[000188] 支持構造ＭＴは、領域２４内に移動可能に取り付けられる。具体的には、支持構造ＭＴは、第１の端部位置（図２Ａに示す）と第２の端部位置（図２Ｂに示す）との間で、矢印２６で示すようにスキャン方向に移動可能である。

【0190】

[000189] 別段の記載がない限り、本明細書全体を通じて、以下のデカルト座標のセットが使用されることになる。スキャン方向はｙ方向と表示される。同様に支持構造ＭＴの平面内にあり、スキャン方向に垂直な方向は非スキャン方向と呼ばれ、ｘ方向と表示される。支持構造ＭＴの平面に垂直な方向は、ｚ方向と表示される。

【0191】

[000190] リソグラフィ装置ＬＡは、少なくとも第１の端部位置と第２の端部位置との間でスキャン方向に支持構造ＭＴを移動させるように動作可能なスキャンモジュールを備えると考えられることがある。例えば、スキャンモジュールは、支持構造ＭＴが移動可能に取り付けられると考えられ得る支持フレーム（領域２４により概略的に示される）に対してスキャン方向に支持構造ＭＴを移動させるように動作可能である場合がある。

【0192】

[000191] レチクル－ペリクルアセンブリ１５は、中央部１５ａと、中央部１５ａを取り囲む周辺部１５ｂとを備えると考えられることがある。中央部１５ａは、像形成部と呼ばれることがあり、レチクルＭＡの放射ビームＢにパターン付与する部分及びペリクル１９の膜と一致することがある。周辺部１５ｂは、ペリクル１９の境界部分及びペリクル１９のフレームと一致することがある。

【0193】

[000192] 第１の位置と第２の位置との間の支持構造ＭＴの移動は、レチクル－ペリクルアセンブリ１５の中央部１５ａが配置され得るすべての領域により画定された支持構造ＭＴの拡張された第１の部分領域２８を画定する。つまり、支持構造ＭＴの拡張された第１の部分領域２８は、レチクル－ペリクルアセンブリ１５の中央部１５ａを第１の端部位置（図２Ａに示す）から第２の端部位置（図２Ｂに示す）に移動させることによって画定される領域である。

【0194】

[000193] リソグラフィ装置ＬＡには、図３Ａ、図３Ｂ、及び図４を参照してこれより説明するように、照明される基板Ｗ上のフィールドの範囲を画定する４つのレチクルマスキングブレードが設けられる。照明システムＩＬは、支持構造ＭＴ上に配置されるときにパターニングデバイスＭＡのある領域を照明するように動作可能である。この領域は、照明システムＩＬのスリットと呼ばれることがあり、放射を受け得るパターニングデバイスのほぼ矩形の領域を画定する４つのレチクルマスキングブレードによって少なくとも部分的に画定される。ほぼ矩形の領域の、ｘ方向と呼ばれ得る第１の方向の範囲は、一対のｘマスキングブレード３２、３４によって画定される。ほぼ矩形の領域の、ｙ方向と呼ばれ得る第２の方向の範囲は、一対のｙマスキングブレード３６、３８によって画定される。

【0195】

[000194] マスキングブレード３２、３４、３６、３８のそれぞれは、支持構造ＭＴ上のパターニングデバイスの平面に近いが、わずかに外側に配置される。ｘマスキングブレード３２、３４は第１の平面４０に配置され、ｙマスキングブレード３６、３８は第２の平面４２に配置される。

【0196】

[000195] マスキングブレード３２、３４、３６、３８のそれぞれは、放射を受け得るパターニングデバイスＭＡの平面内に矩形のフィールド領域４４の一端を画定する。実際には、照明システムＩＬは、矩形のフィールド領域４４の一部のみを照明することがある。図４に示すように、照明システムＩＬは、（ｙマスキングブレード３６、３８の位置に応じて）矩形のフィールド領域４４の一部と一致し得る湾曲したスリット領域４６を照明するように構成されることがある。

【0197】

[000196] 湾曲スリット領域４６は、照明システムＩＬ内の光学系によって部分的に画定されることがある。また、湾曲スリット領域４６は、湾曲スリット領域４６の湾曲縁部の一方又は両方に沿って設けられた複数の独立可動物体によって部分的に画定されることがある。複数の独立可動物体は、フィンガと呼ばれることがある。複数の独立可動物体は、異なるｘ位置に設けられることがあり、可動物体のそれぞれと照明システムＩＬにより生成される放射ビームＢとの重なりを制御するためにｙ方向に移動可能である場合がある。可動部材のｙ位置を制御することにより、湾曲スリット領域４６の湾曲縁部の一方又は両方の形状（又は少なくとも強度分布）を制御することがある。可動部材は、非スキャン方向（すなわち、ｘ方向）の異なる位置で放射ビームＢにより提供される放射ドーズ量の変化を最小限に抑えるのに使用されることがある。更に、湾曲したスリット領域４６は、物理的開口、例えば投影システムＰＳの入口開口によって部分的に画定されることがある。

【0198】

[000197] マスキングブレード３２、３４、３６、３８のそれぞれは、放射ビームの経路内に配置されない退避位置と、照明システムＩＬによりパターニングデバイスＭＡに投影される放射ビームを少なくとも部分的に遮断する挿入位置との間で独立して移動可能である場合がある。マスキングブレード３２、３４、３６、３８を放射ビームの経路内に移動させることによって、放射ビームＢを（ｘ方向及び／又はｙ方向に）切り取り、したがって放射ビームＢを受けるフィールド領域４４の範囲を制限することができる。

【0199】

[000198] ｘ方向はリソグラフィ装置ＬＡの非スキャン方向に対応し、ｙ方向はリソグラフィ装置ＬＡのスキャン方向に対応する。パターニングデバイスＭＡは、単一の動的スキャン露光でパターニングデバイスＭＡのより大きな領域を露光するために、（ここでも矢印２６によって示すように）フィールド領域４４を通ってｙ方向に移動可能である。

【0200】

[000199] 基板Ｗのターゲット領域の動的露光中に、ターゲット領域は基板Ｗの平面内の露光領域を通して移動される。露光領域は、パターニングデバイスＭＡの露光領域４４が投影システムＰＳによって投影される基板Ｗの一部分である。基板Ｗのターゲット領域が露光領域に移動するとき、ターゲット領域のみが放射を受ける（すなわち、ターゲット領域の外側の基板のどの部分も露光されない）ように第１のマスキングブレード３６、３８は移動する。スキャン露光の開始時に、ｙマスキングブレード３６、３８の一方が放射ビームＢの経路に配置され、基板Ｗのどの部分も放射を受けないようにシャッタとして機能する。スキャン露光の終了時に、他方のｙマスキングブレード３６、３８が放射ビームＢの経路に配置され、基板Ｗのどの部分も放射を受けないようにシャッタとして機能する。

【0201】

[000200] 放射ビームＢの光線は、マスキングブレード３２、３４、３６、３８のそれぞれに隣接して示される。スリット領域４６内の各点が、ある範囲の角度からの放射で照明されることが理解されるであろう。例えば、スリット領域４６内の各点は、円錐状の放射を受けることがある。マスキングブレード３２、３４、３６、３８のそれぞれに隣接して示される放射ビームＢの光線は、パターニングデバイスＭＡが受ける放射の平均方向を示す。マスキングブレード３２、３４、３６、３８のそれぞれに隣接して示される放射ビームＢの光線は、主光線と呼ばれることがある。図３Ａ及び３Ｂから分かるように、この実施形態では、ｘ－ｚ平面に投影されるとき、放射の主光線は通常、パターニングデバイスＭＡに垂直に入射するが、ｙ－ｚ平面に投影されるとき、放射の主光線は通常はパターニングデバイスＭＡに角度４８で入射する。

【0202】

[000201] リソグラフィ装置ＬＡは更にガスノズル５０を備えることがあり、ガスノズル５０は、ガス流５２を支持構造ＭＴに隣接して導くように配置されることがある。特に、ガスノズル５０によって支持構造ＭＴに隣接して供給されるガス流５２は、パターニングデバイスＭＡの表面にほぼ平行である場合があり、直交流と呼ばれることがある。ガスノズル５０は、ｘマスキングブレード３２、３４とほぼ同じ平面（第１の平面４０）に配置されることがある。ガスノズルは、ガス流５２がスキャン方向にほぼ平行になり、ｘマスキングブレード３２、３４間を流れるようにスキャン方向を向くことがある。ガスノズル５０は、支持構造ＭＴに隣接してガス流を供給するように動作可能なガス供給モジュールの一部を構成すると考えられることがある。

【0203】

[000202] ガスノズル５０は、支持構造ＭＴによって支持されているときのペリクル－レチクルアセンブリ１５のペリクル１９の近傍に水素を供給するように動作可能な水素供給部の一部を構成することがある。

【0204】

[000203] 図４は、正のｚ方向（すなわち、図３Ｂの上方）に見た第２の平面４２におけるｙマスキングブレード３６、３８の平面図を示している。ｘマスキングブレード３２、３４及びガスノズル（第１の平面４０に配置される）の位置が点線で示されている。図４において、４つのマスキングブレード３２、３４、３６、３８は、ほぼ矩形のフィールド領域４４を画定するように配置され、スリット領域４６は、このほぼ矩形のフィールド領域４４内に配置されている。これは、ターゲット領域（例えば、基板Ｗ上のダイ）の中央部の露光中の４つのマスキングブレード３２、３４、３６、３８の典型的な構成である場合がある。上で説明したように、フィールド領域４４のサイズを制御するために、ｘマスキングブレード３２、３４のそれぞれはｘ方向に移動するように動作可能であり、ｙマスキングブレード３６、３８のそれぞれはｙ方向に移動するように動作可能である。ｙマスキングブレード３６、３８は、フィールド領域４４の同じ側から作動できるように構成される。これを達成するために、ｙマスキングブレード３６、３８は、（実質的に同じ平面４２内にあるが）ｙマスキングブレード３６、３８のそれぞれに、同じ方向（図４の負のｙ方向）に延びる１つ以上の支持部が設けられるように形作られる。

【0205】

[000204] マスキングブレード３２、３４、３６、３８及びガスノズル５０は、共通のマスキングブレードアセンブリサポート（図示せず）上に取り付けられることがある。マスキングブレード３２、３４、３６、３８が、そのようなサポートに対して移動できるように、そのようなサポート上に移動可能に取り付けられ得ることが理解されるであろう。ガスノズルは、そのようなサポート上に静的に取り付けられることがある。

【0206】

[000205] リソグラフィ装置ＬＡは更に、目標温度分布を達成するために、支持構造ＭＴにより支持されたレチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９を加熱するように加熱システム２０を制御するように動作可能なコントローラ３０を備えることがある。

【0207】

[000206] リソグラフィ装置ＬＡは更に、支持構造ＭＴにより支持されたペリクル－レチクルアセンブル１５のペリクル１９の少なくとも一部分の温度を決定するように動作可能な温度センサ３１を備えることがある。温度センサ３１は、支持構造ＭＴにより支持されたペリクル－レチクルアセンブル１５のペリクル１９の少なくとも一部分の温度プロファイルを決定するように動作可能である場合がある。加熱システム２０は、決定したペリクル１９の少なくとも一部分の温度又は温度プロファイルに応じて、支持構造ＭＴにより支持されたレチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９を加熱するように動作可能である場合がある。つまり、加熱システム２０及び温度センサ３１は、（例えば、コントローラ３０を介して）フィードバックループの一部を構成することがある。

【0208】

[000207] リソグラフィ装置ＬＡは、支持構造ＭＡにより支持されたレチクル－ペリクルアセンブリ１５を照明システムＩＬからの放射Ｂに露光している間、加熱システム２０が、レチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９の少なくとも一部分を最低温度より高く維持するように構成されるように構成されることがある。

【0209】

[000208] 最低温度は、それを超えるとペリクル１９の水素エッチング速度が無視できるレベルに低下する閾値温度である場合がある。リソグラフィ装置ＬＡ内のペリクル１９の水素エッチング速度が、例えば、ペリクル１９を形成する材料、ペリクル１９に入射する水素イオンフラックス、ペリクル１９に入射するイオンのエネルギー分布などの多くの要因に依存することが理解されるであろう。

【0210】

[000209] 当業者には理解されるように、リソグラフィ装置内では、水素プラズマは（基板Ｗの露光に使用される）ＥＵＶ放射Ｂによって形成される。したがって、いつでも、最低温度より高く維持されるレチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９の少なくとも一部分は、ペリクルの照明システムＩＬからＥＵＶ放射を受ける部分を含むことがある。例えば、最低温度より高く維持されるレチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９の少なくとも一部分は、スリット領域４６を含むことがある（図４参照）。更に、プラズマが周囲の領域に広がり得ることが理解されるであろう。したがって、いつでも、最低温度より高く維持されるレチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９の少なくとも一部分は、ペリクルのスリット領域４６内にあり照明システムＩＬからＥＵＶ放射を受けている部分の中心にあるが、それよりわずかに大きいペリクル１９の一部分を含むことがある。

【0211】

[000210] 一部の実施形態では、最低温度より高く維持されるレチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９の少なくとも一部分は、ペリクル１９のマスキングブレード３２、３４、３６、３８により画定される矩形のフィールド領域４４内の部分を含むことがある。

【0212】

[000211] 一部の実施形態では、リソグラフィ装置ＬＡには、ＣＮＴから形成されるペリクル１９が設けられることがある。

【0213】

[000212] 水素イオンと炭素材料との相互作用は、その内容が参照により本明細書に組み込まれる２つの公開された論文、（１）Ｊ．Ｒｏｔｈ、Ｃ．Ｇａｒｃｉａ－Ｒｏｓａｌｅｓ、「Ａｎａｌｙｔｉｃ ｄｅｓｃｒｉｐｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｅｒｏｓｉｏｎ ｏｆ ｇｒａｐｈｉｔｅ ｂｙ ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｉｏｎｓ」、Ｎｕｃｌ．Ｆｕｓｉｏｎ １９９６、３６／１２、１６４７－１６５９、及び（２）Ｊ．Ｒｏｔｈ、Ｃ．Ｇａｒｃｉａ－Ｒｏｓａｌｅｓ、「Ｃｏｒｒｉｇｅｎｄｕｍ－Ａｎａｌｙｔｉｃ ｄｅｓｃｒｉｐｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｅｒｏｓｉｏｎ ｏｆ ｇｒａｐｈｉｔｅ ｂｙ ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｉｏｎｓ」、Ｎｕｃｌ．Ｆｕｓｉｏｎ １９９７、３７、８９７に定量的に説明されている。この水素イオンと炭素材料との相互作用の定量的記述は、Ｒｏｔｈ－Ｇａｒｃｉａ－Ｒｏｓａｌｅｓ（ＲＧＲ）モデルと呼ばれることがある。ＲＧＲモデルは、例えばイオンエネルギーが１～３０ｅＶを形成するなど、リソグラフィ装置内で遭遇する典型的な水素イオンエネルギーの温度の関数として炭素材料のエッチング収率を予測するのに使用される可能性がある。ＥＵＶリソグラフィ装置内では、ペリクルに入射する一般的な水素イオンフラックスは、１・１０^１９ｍ^－２・ｓ^－１程度である場合がある。ＥＵＶリソグラフィ装置内では、ペリクルに入射する一般的な水素イオンフラックスは、１・１０^１９ｍ^－２・ｓ^－１の数桁の範囲内（例えば、１０^１８ｍ^－２・ｓ^－１から１０^２０ｍ^－２・ｓ^－１）にある場合がある。

【0214】

[000213] 図５は、４つの異なるイオンエネルギー、すなわち５ｅＶ、１０ｅＶ、２０ｅＶ及び３０ｅＶの１．５・１０^１９ｍ^－２・ｓ^－１の水素イオンフラックスについての炭素の水素エッチングの予想エッチング速度を温度の関数として示している。図５はまた、ｓｐ３炭素濃度を温度の関数として示している。図５から、リソグラフィ装置ＬＡ内のこれらの典型的な周囲条件では、純粋にＣＮＴから形成されたペリクルの場合、ペリクルの水素エッチング速度は約１０５０Ｋの温度で無視できるレベルに低下することが予想されることがわかる。しかしながら、当業者であれば、異なる条件下では異なる最低温度が望ましい場合があることを理解するであろう。

【0215】

[000214] 一部の実施形態では、最低温度は、それを超えるとペリクル１９の水素エッチング速度が無視できるレベルに低下する温度である。一部の実施形態では、最低温度は１０００Ｋ以上である場合がある。上で説明したように、これは純粋にＣＮＴから形成されたペリクルにとって有益であり、ペリクルに入射する水素イオンフラックスは１・１０^１９ｍ^－２・ｓ^－１程度である場合があり、水素イオンエネルギーは１～３０ｅＶ程度である。より好ましくは、最低温度は１０５０Ｋ以上である場合がある。一部の実施形態では、最低温度は１１００Ｋ以上である場合がある。

【0216】

[000215] そのような高温、例えば１１００Ｋのペリクルが、そのエネルギーの一部を周囲に放射することになる。レチクルＭＡに向かって放射される熱は、原則としてレチクルＭＡを更に加熱することがあるが、これは望ましくない。したがって、レチクルＭＡに対するこの追加の熱負荷を推定して、それが許容できるか否かを評価することが有用である。１１００Ｋの温度では熱が放射されることになるため、プランクの放射公式、すなわち次の公式を使用して推定することができる。

【0217】

【数1】

【0218】

ここで、ｐはパワー密度、εはペリクルの放射率、σはシュテファン・ボルツマン定数（５．６７×ｌ０^－８Ｗ・Ｋ^－４・ｍ^－２）、Ｔはペリクルの温度、Ｔ_０はレチクルの温度である。ＣＮＴペリクルは、放射率ε＝０．１の灰色体放射体として機能すると予想される（かなり低い数値であるが、現在の実験用ＣＮＴペリクルが０．０２～０．０９の放射率値を示しているため、依然として最悪の状況を表している）。これをＴ＝１１００Ｋ及びＴ_０＝３００Ｋとともに使用し、ｐ＝０．８Ｗ・ｃｍ^－２を得る。レチクルＭＡは、ペリクルから放出される赤外線（ＩＲ）放射の反射率が高く、このＩＲ放射の約９０％を反射すると予想される。これは、０．０８・ｃｍ^－２のパワー密度がレチクルＭＡによって吸収されると予想されることを意味する。これをＥＵＶ放射からレチクルにかかる予想熱負荷と比較すると、現在のＥＵＶ放射源パワーで１１００Ｋであるペリクルは、レチクルにおける熱負荷を約１～２％だけ増加させることになると推定される。将来的に、ＥＵＶ放射源のパワーが高くなると、相対的なペリクル寄与は更に小さくなるであろう。したがって、この追加の熱負荷は許容可能である。

【0219】

[000216] 本発明者らは、高温での水素エッチング速度の無視できるレベルへの低下が、所定の温度でのｓｐ３炭素のｓｐ２炭素への変換によって支配されること（図５参照）に更に気付いた。更に、グラフェンやＣＮＴなどのｓｐ２炭素構造を形成する際にも同様のプロセスが起こり、炭素の温度が上昇してｓｐ２炭素構造が形成されるｓｐ２炭素への変換が行われる。グラフェンを成長させるためのそのようなプロセスには、例えば、化学蒸着（ＣＶＤ）及びプラズマ励起化学蒸着（ＰＥ－ＣＶＤ）が含まれる。更に、ｓｐ３炭素源からのグラフェンの成長は、単一原子触媒の存在下で３００℃（５７３Ｋ）という低い温度で開始され得ることが知られている。つまり、ｓｐ３炭素のｓｐ２炭素への変換は、単一原子触媒の存在下においてこの温度で開始される可能性がある。ペリクル１９のエッチングフリー動作温度範囲を下げることは、ペリクル１９の環境への熱負荷を軽減するため有益である。また、加熱システム２０がペリクル１９に供給する熱が少なくて済むことを意味し、システムがこの熱を供給するのを容易にすることがある。

【0220】

[000217] したがって、本発明の発明者らは、ＣＮＴから形成されたペリクル１９に、ｓｐ３炭素をｓｐ２炭素に変換するための触媒として作用し得る濃度の添加剤を供給すべきであることを提案する。その結果、それを超えるとペリクル１９の水素エッチング速度が無視できるレベルに低下する閾値温度を、純粋なＣＮＴペリクルのおよそ１０５０Ｋから、例えば５７３Ｋ程度に下げることができると予想される。実際の閾値温度は添加剤の材料及び濃度に依存することになることが当業者によって理解されるであろう。

【0221】

[000218] 例えばモリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）などの遷移金属原子をＣＮＴペリクル１９に添加することが提案されている。更に、本発明の発明者らは、そのような触媒原子の比較的低い濃度、例えば炭素原子に関して０．１～１％程度で十分であり得ると予想する。そのような濃度は、ＥＵＶ放射のペリクル１９の透過に大きな影響を与えないと予想される。

【0222】

[000219] 付加的に又は代替的に、ホウ素（Ｂ）を約１５％の原子百分率でＣＮＴペリクル１９に添加することが提案される。

【0223】

[000220] 付加的に又は代替的に、ＣＮＴペリクル１９に非晶質炭素を添加することが提案される。

【0224】

[000221] 加熱システム２０は、加熱システム２０及び照明システムから受けた放射ビームＢからの複合熱負荷が目標温度分布を達成するように、支持構造ＭＴにより支持されたレチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９を加熱するように構成されることがある。例えば、加熱システムは、ペリクル全体が所望の温度又は温度範囲（例えば、１０５０Ｋを超える）に維持されるように構成されることがある。代替的に、より選択的な局所的な加熱が適用されることもある。

【0225】

[000222] 支持構造ＭＴによって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９に熱２２を供給するように動作可能な加熱システム２０の第１の実施形態を、図６を参照してこれより説明する。

【0226】

[000223] リソグラフィ装置ＬＡは、上述したように、支持構造により支持されたレチクル－ペリクルアセンブリ１５を放射ビームＢに通すために、照明システムＩＬにより調整された放射ビームＢに対して支持構造ＭＴを移動させるように動作可能な支持構造スキャン機構を備えたスキャンリソグラフィ装置である。つまり、基板Ｗの露光はスキャン露光として実行される。対応するスキャン機構が、投影システムＰＳから受けた放射ビームＢで基板テーブルＷＴ（及びそれにより支持される任意の基板Ｗ）を同期スキャンするように配置されることが理解されるであろう。

【0227】

[000224] 加熱システム２０は、少なくともペリクル１９の現在放射ビームＢを受けている部分５６と、ペリクル１９の現在放射ビームＢを受けている部分５６に隣接するペリクル１９の部分５４とを加熱するように構成されている。このアプローチでは、ペリクル１９のＥＵＶ放射Ｂに曝露される部分、したがって、水素イオンフラックスが最大でエッチングプロセスがペリクル１９に最も損傷を与え得るペリクル１９の部分が、水素イオンによるエッチングを防ぐために適切な温度に維持される可能性がある。

【0228】

[000225] 当業者には理解されるように、リソグラフィ装置ＬＡ内では、水素プラズマは（基板Ｗの露光に使用される）ＥＵＶ放射Ｂによって形成される。したがって、いつでも、照明システムＩＬからＥＵＶ放射Ｂを受けるレチクル－ペリクルアセンブリのペリクル１９の少なくとも一部分は、最低温度より高く維持されることがある。

【0229】

[000226] 既存のリソグラフィ装置では、照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳからスリット４６に向かう視線が存在する場合があるため、スリット４６の近傍でペリクル１９を加熱することが有利である場合がある。これにより、加熱システム２０がペリクル１９を加熱するために放射６０をペリクル１９に照射することが可能になることがある。

【0230】

[000227] 図６に示す例示的な実施形態では、加熱システム２０は、２つの放射源２０ａ、２０ｂを備え、それぞれが支持構造ＭＴによって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９に放射６０ａ、６０ｂを導くように動作可能である。放射６０ａ、６０ｂは、電磁放射又は電子ビームを含むことがある。

【0231】

[000228] 上で説明したように、リソグラフィ装置ＬＡには、湾曲したスリット領域４６を画定するために、ＥＵＶ放射ビームＢ内に延在し、放射ビームＢを効果的にクリップし得る様々な物体が存在する。これらの物体には、フィンガ、物理的開口及びマスキングブレード３２、３４、３６、３８が含まれることがある。照明システムＩＬとペリクルとの間に配置されるすべてのそのような物体は、図６のボックス５８によって概略的に表される。これらの物体５８はまた、加熱システム２０の視線を制限することになる。したがって、２つの放射源２０ａ、２０ｂは、それにより放出される放射６０ａ、６０ｂが、そのようなビームクリッピング物体５８の位置でＥＵＶ放射ビームＢと空間的に重なるように配置されるべきである。更に、これらの物体５８は異なるｚ位置に配置されることがあるため、２つの放射源２０ａ、２０ｂは、それにより放出される放射６０ａ、６０ｂがｚ位置の拡張範囲にわたってＥＵＶ放射ビームＢと空間的に重なるように配置されるべきである。

【0232】

[000229] 加熱システム２０が、放射ビームＢの（スキャン方向の）各側に１つずつ、２つの放射源２０ａ、２０ｂを備えるのはこの理由による。
[000230]

【0233】

[000231] 図６から分かるように、この実施形態では、加熱システム２０は、少なくともペリクル１９の現在放射ビームＢを受けている部分５６を取り囲むペリクル１９の部分５４を加熱するように構成されている。プラズマがそのような周囲領域５４に広がり得ることが理解されるであろう。したがって、いつでも、最低温度より高く維持されるレチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９の少なくとも一部分は、ペリクル１９の照明システムＩＬからＥＵＶ放射Ｂを受けている部分５６の中心にあるが、それよりわずかに大きいペリクル１９の部分５４、５６を含むことがある。

【0234】

[000232] 放射６０ａ、６０ｂの波長の選択は、ペリクル１９が放射６０ａ、６０ｂのかなりの部分を吸収し、できるだけ少ない放射６０ａ、６０ｂを（レチクルＭＡに）透過させるようなものである場合がある。例えば、放射６０ａ、６０ｂは赤外線放射を含むことがある。加熱システムの放射源２０ａ、２０ｂは、ＥＵＶ放射ビームＢの外側にあるが、比較的小さな入射角でペリクル１９に入射するように位置決めされることがある。入射角は、一部の実施形態では、例えば約０～２０°の範囲にある場合がある。一部の実施形態では、放射６０ａ、６０ｂを生成する放射源２０ａ、２０ｂは、リソグラフィ装置ＬＡの外側に位置決めされ、任意の適切な光学経路（例えば、光ファイバを含む）を使用してペリクル１９に向けられる可能性がある。

【0235】

[000233] 加熱システム２０の第１の実施形態では、加熱システム２０は、ペリクル１９の現在放射ビームＢを受けている部分５６に、ペリクルの隣接部分５４よりも少ない熱を供給するように構成されることがある。これにより、ＥＵＶ熱負荷がペリクル１９の現在放射ビームＢを受けている部分５６に与えられるにもかかわらず、ペリクル１９の現在放射ビームＢを受けている部分５６とペリクルの隣接部分５４の両方にわたってほぼ均一な温度を達成できる可能性がある。

【0236】

[000234] 加熱システム２０の第１の実施形態の変形例を、図７を参照してこれより説明する。図７に示す加熱システム２０は、この変形例では加熱システム２０がペリクル１９の現在放射ビームＢを受けている部分５６に隣接するペリクルの部分５４を加熱するように構成されている点を除いて、図６に示す加熱システム２０とほぼ同一である。この実施形態では、放射６０ａ、６０ｂは、ペリクル１９の現在放射ビームＢを受けている部分５６に誘導されていない。このような変形例は、ＥＵＶ放射ビームＢが、ペリクル１９の現在放射ビームＢを受けている部分５６を所望の最低温度に維持するのに十分な熱を供給する状況に使用されることがある。

【0237】

[000235] 第２の例示的な実施形態では、加熱システム２０は、これより考察するように、実質的にペリクル１９の膜全体を加熱するように構成されることがある。

【0238】

[000236] スリット４６の領域内のペリクル１９のみを加熱することの潜在的な問題は、スリット４６のすぐ外側のエッチングの抑制が不十分なことである場合がある。水素イオンフラックスは放射スリット４６の外側のペリクル位置で急速に減少することになるが、ある程度のイオンフラックスがまだ残っていることとペリクル温度が不十分であることの組み合わせにより、ペリクル１９の寿命にマイナスの影響を与えるエッチングが生じることになる場合がある。

【0239】

[000237] この第２の実施形態は、依然として放射源を使用して実施されることがある。しかしながら、加熱システム２０の技術的実現は、ペリクル１９全体へのアクセスが小さなかすめ入射角の下でペリクル１９の側面を介してのみ達成できるためより複雑になる。それにもかかわらず、支持構造ＭＴの近傍に放射源を設けるか、光ファイバを使用してリソグラフィ装置の外部の放射源からペリクルに放射を供給する、同様のレーザ光駆動加熱方式が想定される可能性がある。

【0240】

[000238] 固定された加熱プロファイルを使用して、均一なペリクル１９の温度を達成することができる。例えば、スリット４６内にあるペリクル１９の領域は、ペリクル１９の他のエリアよりも加熱システム２０から受ける放射が少ない場合がある。実質的にペリクル１９の膜全体にわたって均一なペリクル１９の温度を達成することには、熱サイクルによるペリクル１９の機械的疲労の潜在的な問題を解決するという利点がある。リソグラフィ装置内のスペースの制約によって、加熱システム２０からの放射はかすめ入射角でペリクルに供給されることがある。そのようなかすめ入射角ではペリクル１９の反射率が増加するため、これにより放射の吸収が低下することになる。このことの第１の結果は、電磁放射源の場合に、加熱システム２０の放射源が、図６に示し上述した実施形態で使用される放射源よりも多くの電力を必要とすることがあることである。このことの第２の結果は、レチクルＭＡに透過される放射が少なくなり、加熱システム２０により与えられるレチクルＭＡへの追加の熱負荷が有利に低減されることである。

【0241】

[000239] 電子ビームに対するペリクル１９の反射率は、かすめ入射角での電磁放射に対するペリクル１９の反射率よりも低い。したがって、加熱システム２０から熱２２を供給するために電子ビームを使用することには、同様のかすめ入射角で電磁放射源よりも比較的多くの熱２２をペリクル１９に供給するという利点がある。更に、電子ビームの適切な電子エネルギーを選択することによって、電子ビームからペリクル１９を通ってレチクルＭＡへの電子の透過を無視できるレベルに低減することができる（その結果、加熱システム２０からのレチクルＭＡへの追加の熱負荷が全くないか、又は極めて少ない）。

【0242】

[000240] 実質的にペリクル１９の膜全体を加熱するためには、支持構造ＭＴの移動があってもそうすることができるだけ照射野が十分に大きくなければならないことが理解されるであろう。つまり、照射野は、拡張された第１の部分領域２８（図２Ａ及び２Ｂ参照）と一致することがある。この移動に対応することで照射面積が実質的に２倍になり、支持構造ＭＴの加熱が行われることになる。

【0243】

[000241] 一部の実施形態は更に、放射源２０により放出される放射を、支持構造ＭＴによって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９の異なる部分の範囲に誘導することができるように、放射源２０及び支持構造ＭＴの少なくとも一方を移動させるように動作可能な加熱スキャン機構を備えることがある。加熱スキャン機構が、（ａ）（支持構造ＭＴの移動による）ペリクル１９の移動、及び（ｂ）ペリクル１９に対する放射２２の移動（支持構造ＭＴに対して静的か動的か）の両方を考慮するように動作可能であり得ることが理解されるであろう。

【0244】

[000242] 例えば、ガルバノミラーのシステムを使用して、加熱システム２０によってペリクル１９に送達される電磁放射の方向を制御することができる。同様に、電子光学系（例えば、磁石）を使用して、加熱システム２０によってペリクル１９に送達される電子ビームの方向を制御することができる。そのようなシステムは、光強度又は電子流を変調することによって、より良い柔軟性を提供する。すなわち、そのような加熱スキャン機構を使用して、ペリクル１９のあらゆる部分が最適化された量の熱負荷を受けて特定の温度プロファイルを生成する可能性がある。

【0245】

[000243] 加熱システム２０の第３の例示的な実施形態は、支持構造ＭＴによって支持されているときのペリクル－レチクルアセンブリ１５のペリクル１９を介して電流を供給するように構成される。つまり、この第３の実施形態では、加熱システム２０は、ジュール加熱又は電気加熱を使用してペリクル１９を加熱するように構成されることがある。そのような実施形態は、ペリクル１９自体の電気抵抗率を利用してペリクル１９を加熱する。

【0246】

[000244] 加熱システムは、レチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９の異なる部分に接触するように動作可能な複数の電極と、複数の電極のうちの少なくとも２つの間に電圧を供給するように構成された電源とを備えることがある。

【0247】

[000245] 例えば、２つのストリップ状電極がペリクル１９の２つの対向する面に沿って設けられることがあり、電圧が２つの電極間に供給されることがある。そのような構成により、電流がペリクルの対向面の一方から他方へ２つの電極間を（概ね又はほぼ垂直に）流れることになる。

【0248】

[000246] より多くの電極とこれらの電極における適切な電圧レベルを使用することによって、より複雑な加熱プロファイルを適用することができる。原則として有益な熱プロファイルを得るために、電圧を時間的に変調することも考えられる。

【0249】

[000247] 支持構造ＭＴによって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９に熱２２を供給するように動作可能な加熱システム２０の別の実施形態を、図８を参照してこれより説明する。

【0250】

[000248] リソグラフィ装置ＬＡは、上述したように、支持構造により支持されたレチクル－ペリクルアセンブリ１５を放射ビームＢに通すために、照明システムＩＬにより調整された放射ビームＢに対して支持構造ＭＴを（図８の矢印６１が示すように）移動させるように動作可能な支持構造スキャン機構を備えたスキャンリソグラフィ装置である場合がある。つまり、基板Ｗの露光はスキャン露光として実行されることがある。対応するスキャン機構が、投影システムＰＳから受けた放射ビームＢで基板テーブルＷＴ（及びそれにより支持される任意の基板Ｗ）を同期スキャンするように配置されることが理解されるであろう。

【0251】

[000249] 加熱システム２０は、電極６２と電圧源６４とを備える。電圧源６４は、電極６２と、支持構造ＭＴによって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクル１９との間に電圧を印加するように動作可能である。

【0252】

[000250] 加熱システム２０は更に、電極６２をこれに熱６８を供給することによって加熱するように動作可能なヒータ６６を備えることがある。使用時に、ヒータ６６は、電極６２内の電子の熱エネルギーが電極６２を形成する材料の仕事関数を超えるように、電極６２の温度を適切な温度に維持するように動作可能である。

【0253】

[000251] 有利には、図８に示す構成はペリクル１９の熱イオン加熱を可能にする。使用時に、電圧源６４は、電極６２がカソードとして作用することができ、ペリクル１９がアノードとして作用することができるようなものである場合がある。そのような構成によって、カソードにより放出される電子７０がペリクル１９に向けられる。電子７０は、（正に帯電した）ペリクル１９に引き寄せられ、リソグラフィ装置ＬＡの他の部分には引き寄せられない。したがって、そのような熱イオン加熱の１つの利点は、リソグラフィ装置ＬＡの他の部分の加熱が全くないか又は最小になるように加熱が標的化されることである。そのような熱イオン加熱のもう１つの利点は、高い熱伝達を達成できることである。

【0254】

[000252] 一部の実施形態では、電圧源６４は、例えばコントローラ３０（図１参照）から制御信号７２を受信することがある。電極６２と、支持構造ＭＴによって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクル１９との間に電圧源６４により印加される電圧は、制御信号７２に依存することがある。

【0255】

[000253] 図８に示す例示的な実施形態では、電圧源６４は、電極６２と支持構造ＭＴによって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクル１９全体との間に電圧を印加するように動作可能である。例えば、ペリクル１９は連続した導電層を含むことがあり、電圧源は導電層に電圧を印加するように構成されることがある。したがって、この実施形態では、加熱システム２０は、実質的にペリクル１９の膜全体を加熱するように構成される。

【0256】

[000254] 他の一部の実施形態では、電圧源６４が、電極６２と支持構造ＭＴによって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクル１９の複数の部分のうちの１つとの間に電圧を印加するように動作可能であり得ることが理解されるであろう。例えば、ペリクルは、複数の分離した導電部を含む破断した導電層を含むことがあり、電圧源６４は、複数の導電部のうちの１つ以上に電圧を印加するように構成されることがある。そのような代替実施形態は、加熱システム２０が、ペリクル１９の現在放射ビームＢを受けている部分、及び任意選択でペリクル１９の現在放射ビームＢを受けている部分に隣接するペリクル１９の部分を、図６及び図７を参照して上述した実施形態と同様の方法で加熱できるようにすることがある。この手法では、ペリクル１９のＥＵＶ放射Ｂに曝露される部分、したがって水素イオンフラックスが最も大きく、エッチングプロセスがペリクル１９に最も損傷を与え得るペリクル１９の部分を、水素イオンによるエッチングを防ぐために適切な温度に維持することができる。

【0257】

[000255] 更に、電圧源６４が、電極６２と支持構造ＭＴによって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクル１９の複数の部分のうちの１つとの間に電圧を印加するように動作可能であるそのような代替実施形態では、異なる加熱プロファイルを達成するために、ペリクル１９の異なる部分に異なる電圧を印加することがある。

【0258】

[000256] 図８には単一の電極として概略的に示しているが、実際には、電極６２が２つ以上の電極を含み得ることが理解されるであろう。一部の実施形態では、支持構造ＭＴの移動を考慮して、使用中のペリクル１９の位置範囲を通じてペリクル１９の効率的な加熱を促進するために、複数の電極が使用されることがある。

【0259】

[000257] 図９は、ペリクル１９の熱イオン加熱（破線）及び放射加熱（点線）の加熱力の推定を放射体の温度の関数として示すグラフである。図９から、放射体温度が高い場合、熱イオン加熱の方が放射加熱よりも効率的であることがわかる。具体的には、約８００Ｋを超える高いラジエータ温度では、熱イオン加熱の方が放射加熱よりも効率的になることが予想される。

【0260】

[000258] これまで考察したように、ペリクル１９は、（９８％超の）非常に高いＥＵＶ透過率及び非常に優れた機械的安定性をもたらし得るカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）の織物から形成された膜を含む。しかしながら、ＣＮＴから形成されたそのようなペリクル１９は、リソグラフィ装置ＬＡ内での水素プラズマエッチングの影響を受けやすい。これまでも考察したように、それを超えるとＣＮＴペリクル１９の水素エッチング速度が無視できるレベルに低下する閾値温度が存在することが予想される。この温度閾値は多くの要因に依存するが、７００℃程度である場合がある。したがって、このエッチングプロセスは、ＣＮＴペリクル１９を７００℃超に連続的に加熱することによって強く抑制される可能性がある。これにより、ＣＮＴペリクル１９の潜在的な寿命を大幅に延長することができ、ＣＮＴペリクルが実行可能な選択肢となる。例えば、ＣＮＴペリクル１９の潜在的な寿命は、１０，０００～２０，０００枚を超えるシリコンウェーハＷの露光に延長され得ることが予想される。

【0261】

[000259] そのようなＣＮＴペリクル１９のエッチングを抑制するために提案される補助加熱には、いくつかの潜在的な問題がある。第１に、上記のように支持構造ＭＴによって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリ１５の近傍で利用可能な加熱システム２０が設けられ得る空間は限られている。第２に、支持構造ＭＴによって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリ１５の近傍に設けられ得る加熱システム２０からの追加の加熱負荷を限られた冷却量で最小限に抑えることが一般に望ましい。レチクルＭＡへの追加の熱負荷は、レチクルの歪みを引き起こす可能性があり、リソグラフィ装置ＬＡの結像性能に影響を与えることがある。例えば、そのような熱負荷はオーバーレイに影響を与えることがある。ペリクル１９の膜全体を５００～１０００℃の範囲の温度で連続的に加熱するのに使用される電力は、１０Ｗ以上、例えば１０～５００Ｗの範囲、より好ましくは５０～２００Ｗ程度である場合がある。更に、この電力のかなりの部分がレチクルＭＡ又は他の周辺コンポーネントに供給されることがある。また、ペリクル１９の膜全体が連続的に加熱されるときに、スリット領域４６内の膜の部分が重複して加熱されて、レチクル－ペリクルアセンブリ１５の近傍に不必要な熱負荷が生じることがある。

【0262】

[000260] 本開示の一部の実施形態では、加熱システム２０は、支持構造ＭＴによって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９を周期的に加熱するように動作可能である。本開示の一部の実施形態では、加熱システム２０は、支持構造ＭＴによって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９にパルス加熱を行うように動作可能である。特に、本開示の一部の実施形態は、ペリクル１９の低デューティサイクルパルス（フラッシュ）加熱を使用して、エッチング速度抑制によってＣＮＴペリクル寿命の向上を達成する。

【0263】

[000261] そのような周期的な加熱又はパルス加熱により、ペリクル１９の周期的に変化する温度プロファイル又はパルス温度プロファイルがもたらされることになることが理解されるであろう。しかしながら、本発明者らは、ペリクル１９が一旦閾値レベルを超えて加熱され、加熱が解除されると、エッチング速度が無視できるレベルから上昇するまでに時間遅延が存在することに気付いた。水素エッチングが無視できるレベルになる温度に加熱した後に、一旦加熱を解除すると、概ね図１０に定性的に示すように水素エッチング速度が時間の経過とともに変化することがわかった。

【0264】

[000262] 十分な温度に加熱するとペリクル１９からの水素の脱離が起こり、水素エッチング速度が無視できるレベルに低下すると考えられる。更に、加熱後にペリクル１９の表面に水素が補充されるまでにはゼロ以外の時間がかかるため、加熱を解除した後のエッチング速度の上昇には時間遅延Δｔがあると考えられる。この水素補充速度は、リソグラフィ装置ＬＡ内のペリクル１９の膜への水素ラジカルフラックスに比例することがある。加熱を解除してからの時間が増加するにつれて、最終的にエッチング速度は室温のペリクル１９の一般的な値に上昇する。

【0265】

[000263] 有利には、レチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９を周期的にのみ加熱することによって、及び／又はレチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９にパルス加熱を行うことによって、加熱システム２０により供給される出力は、例えばペリクル１９が連続的に加熱される構成に比べて大幅に低減される。これにより、支持構造ＭＴによって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリ１５の近傍に設けられた加熱システム２０からの追加の加熱負荷が軽減される。そして、これにより加熱システム２０に必要な電力量及び熱負荷を吸収するのに必要な冷却容量の大きさが削減される。また、レチクルＭＡの歪みを引き起こし、リソグラフィ装置ＬＡの結像性能に影響を与え得るレチクルＭＡへの追加の熱負荷（例えば、そのような熱負荷はオーバーレイの一因となることがある）も軽減される。

【0266】

[000264] 更に、レチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９を周期的にのみ加熱することによって、及び／又はレチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９にパルス加熱を行うことによって、加熱システム２０は、リソグラフィ装置ＬＡにおける露光と露光の間に動作することがある。例えば、加熱システム２０は、単一基板Ｗの異なるターゲット領域（又はダイ）の露光と露光の間に、あるいは異なる基板Ｗの露光と露光の間にも動作することがある。そして、露光と露光の間の加熱を可能にすることによって、加熱システム２０は、基板Ｗの露光中にペリクル１９を加熱することが望ましい構成とは異なる場所に位置することがある。有利には、これにより、例えば支持構造ＷＴが非露光位置又は場所にあるときにペリクル１９を加熱し得る場所に加熱システム２０を収容するためのより大きな空間が存在することがあるため、加熱システム２０のリソグラフィ装置ＬＡへの統合が容易になることがある。

【0267】

[000265] 一般に、加熱パルスの持続時間は、ペリクル１９を所望の温度（例えば、それを超えるとペリクルの水素エッチングを無視できる閾値温度を超える）に加熱するのに十分な長さである場合がある。例えば、ペリクル１９を７００℃以上程度の温度又は８００℃程度の温度に加熱することが望ましい場合がある。ペリクル１９を所望の温度に加熱するのに必要な時間が、ペリクル１９を加熱している間の加熱システム２０の出力に依存することになることが理解されるであろう。例えば、加熱パルスの持続時間は、０．１ｍｓから１００ｍｓ、より好ましくは１から１０ｍｓの範囲に及ぶ可能性がある。一部の実施形態では、加熱パルスの持続時間は１ｍｓ程度である場合がある。

【0268】

[000266] 一般に、２つの連続する加熱パルスの間の時間周期は、最初のパルスからの加熱の後にペリクル１９の表面に水素が補充されないように十分に短い場合がある。言い換えれば、２つの連続する加熱パルスの間の時間周期は、加熱の解除後のエッチング速度の増加における時間遅延Δｔよりも短い場合がある（図１０参照）。ここでも、最初のパルスからの加熱の後にペリクル１９の表面に水素が補充されるのに必要な時間が、ペリクル１９の近傍の状態に依存することになることが理解されるであろう。これまで説明したように、この水素補充速度は、リソグラフィ装置ＬＡ内のペリクル１９の膜への水素ラジカルフラックスに比例することがある。高出力リソグラフィ装置におけるラジカルフラックスの変動を考慮すると、加熱パルス間に必要とされ得る時間は、２つのダイ（後方及び前方）からウェーハ露光全体に及び得ることが判明している。加熱パルス間の時間の観点では、これは５０ｍｓから２０秒、より好ましくは１００ｍｓから１０秒の範囲にある。一部の実施形態では、２つの連続する加熱パルスの間の時間周期は、１００ｍｓ程度である場合がある。

【0269】

[000267] ＥＵＶリソグラフィ装置ＬＡ内では、非常に短い時間だけ周期的な加熱又はパルス加熱を行うことによって、ＣＮＴペリクル１９の水素エッチングを許容可能なレベル又は無視できるレベルに維持できると考えられる。したがって、一部の実施形態では、支持構造ＭＴにより支持されたレチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９の加熱システム２０により行われる加熱は、これより考察するように比較的低いデューティサイクルのパルス加熱を含む。

【0270】

[000268] 以下では、加熱システム２０の加熱デューティサイクルが、（ａ）加熱システムがペリクルに加熱を行う時間の部分の、（ｂ）加熱システムがペリクルに加熱を行わない時間の部分に対する比率を意味することを意図している。一部の実施形態では、加熱システム２０のデューティサイクルは０．１以下である。有利には、そのような構成は、ペリクルが連続的に加熱される構成と比べて、加熱システム２０により供給される出力の量を１０分の１に減らすことになる。以前のシミュレーションでは、ペリクルを７００℃を超える温度に連続的に加熱すると、オーバーレイに０．２ｎｍ程度の影響が生じると予想され得ることが示されているが、この影響は、レチクルＭＡをより大きく冷却することによって（例えば、レチクルＭＡに使用される水の温度を下げることによって）軽減されることがある。０．１以下の加熱デューティサイクルでペリクル１９を周期的に加熱することにより、熱負荷が１０分の１に減少すると、オーバーレイへの影響が少なくとも１０分の１に減少することになり、レチクルＭＡに対して追加の冷却を行う必要性をなくすことがある。実際、以下で説明するように、加熱デューティサイクルを更に小さくすることも可能である場合があり、これによりオーバーレイへの影響が実質的に無視できるものになることがある。

【0271】

[000269] ０．１以下の加熱システム２０のデューティサイクルは、ＥＵＶリソグラフィ装置ＬＡ内の状態が最悪のシナリオであっても、ペリクルの水素エッチングを許容可能なレベル又は無視できるレベルに維持するのに十分であると考えられる。

【0272】

[000270] しかしながら、実際には、ペリクル１９の水素エッチングを許容可能なレベル又は無視できるレベルに維持するには、更に小さいデューティサイクルで十分になると考えられる。例えば、一部の実施形態では、加熱システム２０のデューティサイクルは０．０１以下である場合がある。一部の実施形態では、加熱システム２０のデューティサイクルは１０^－３以下である場合がある。一部の実施形態では、加熱システム２０のデューティサイクルは１０^－４以下である場合がある。一部の実施形態では、加熱システム２０のデューティサイクルは１０^－５以下である場合がある。

【0273】

[000271] 基板Ｗの複数のターゲット領域のスキャン露光中に、ペリクル１９のスリット領域４６（図４参照）を通過する部分は、ＥＵＶ放射ビームＢ（図１参照）によって周期的に加熱されることになる。基板Ｗの各ターゲット領域（単一のダイであり得る）が露光される（すなわち、レチクルＭＡの像がそのターゲット領域上に形成される）とき、レチクル－ペリクルアセンブリ１５の中央部１５ａ（図２Ａ及び２Ｂ参照）からのペリクルの各部は、ＥＵＶ放射ビームＢから加熱パルスを受けることになる。中間焦点６（図１参照）におけるＥＵＶ放射ビームＢの出力が６００Ｗであり、標準的なレチクルスキャン速度を有するリソグラフィ装置の場合、レチクル－ペリクルアセンブリ１５の中央部１５ａからのペリクルの各部は、（ＥＵＶ放射ビームＢからの）１～１０ｍｓの加熱の加熱サイクルと、その後の１０ｍｓから１００ｍｓの範囲の冷たい時間とを経験することになると推定される。つまり、レチクル－ペリクルアセンブリ１５の中央部１５ａからのペリクル１９の部分は、約０．０４の加熱デューティサイクルを受けることが予想される。したがって、ＥＵＶ放射ビームＢが各ターゲット領域又はダイの露光中にペリクルを十分に高い温度（例えば少なくとも７００℃の温度）に加熱する限り、ＥＵＶ放射ビームＢからの周期的な加熱は、ペリクル１９の露出部（すなわち、レチクル－ペリクルアセンブリ１５の中央部１５ａからのペリクルの部分）における水素エッチングを抑制するのに十分であると予想される。

【0274】

[000272] したがって、６００Ｗ超のＥＵＶ出力の放射源ＳＯを有するＥＵＶリソグラフィ装置ＬＡでは、ペリクル１９の露出部における水素エッチングを抑制するには、ＥＵＶ吸収によるペリクル１９の加熱だけで十分であることが予想される。しかしながら、水素プラズマは同様に、ペリクル１９のＥＵＶ放射ビームＢの外側にある他の部分に隣接して存在するため、ペリクル１９の寿命を制限するエッチング率が高い領域が存在することがある。

【0275】

[000273] したがって、一部の実施形態では、加熱システム２０は、使用時に照明システムＩＬにより調整された放射ビームＢを受けないペリクル１９の部分を加熱するように構成される。つまり、加熱システム２０は、レチクル－ペリクルアセンブリ１５の周辺部１５ｂからのペリクル１９の一部分を加熱するように構成されることがある。他の実施形態では、加熱システム２０は、実質的にペリクル１９の膜全体を加熱するように構成されることがある。

【0276】

[000274] 一般に、加熱システム２０がレチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９を周期的にのみ加熱するように、及び／又はレチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９にパルス加熱を行うことによって構成される実施形態では、加熱システム２０は、レチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９の少なくとも一部分を最低温度より高く維持するように構成される。最低温度は、ペリクル１９の水素エッチング速度が無視できる温度である場合がある。例えば、最低温度は７００℃以上である場合がある。他の実施形態では、最低温度は７５０℃以上である場合がある。他の実施形態では、最低温度は８００℃以上である場合がある。

【0277】

[000275] ＣＮＴペリクル１９の水素エッチングを抑制するのに十分であると予想される比較的低い加熱デューティサイクルは多くの結果をもたらす。

【0278】

[000276] 第１に、加熱システム２０が、ペリクル１９の現在放射ビームＢを受けていない部分を加熱するように構成されることを可能にする。特に、加熱システム２０が、ペリクル１９の現在放射ビームＢを受けていない部分のみを加熱するように構成されることを可能にする。支持構造ＭＴにより支持されたレチクル－ペリクルアセンブリ１５を放射ビームＢに通すために、照明システムＩＬにより調整された放射ビームＢに対して支持構造ＭＴを移動させるように動作可能なスキャン機構を有するスキャンリソグラフィ装置において、ペリクル１９の現在放射ビームＢを受けていない部分を加熱するように構成された加熱システム２０は、加熱システムが、図２Ａ及び２Ｂに示す２つの端部位置のうちの一方に配置されるときにペリクル１９に熱を供給することを可能にすることがある。

【0279】

[000277] 第２に、リソグラフィ装置ＬＡが、支持構造ＭＴにより支持されたレチクル－ペリクルアセンブリ１５のレチクルＭＡの像を、基板テーブルＷＴにより支持された基板Ｗの複数の異なるターゲット領域（例えば、ダイ）上に形成するように動作可能な実施形態について、加熱システム２０は、ｎ個（ｎは整数である）のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱されるペリクル１９の各部を加熱するように動作可能である場合がある。一部の実施形態では、ｎは１より大きい場合がある。ｎ個のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱されるペリクル１９の各部を加熱することのみによって、加熱システム２０は、ペリクル１９が基板Ｗの露光中に連続的に加熱される構成とは異なる場所に位置することがある。例えば、スキャンリソグラフィ装置ＬＡでは、基板Ｗの１つのターゲット領域の露光中に、支持基板ＭＴは、照明システムＩＬにより調整された放射ビームＢの経路を通して第１の端部位置（図２Ａ参照）から第２の端部位置（図２Ｂ参照）に移動（又はスキャン）される。一般に、基板Ｗの次のターゲット領域の露光のために、支持基板ＭＴは放射ビームＢの経路を通って第２の端部位置から第１の端部位置に戻される。ペリクル１９が（図２Ａ及び２Ｂに示す位置の間で）放射ビームＢに曝露されているときにペリクル１９への視線を確保することは困難である。しかしながら、支持構造が第１又は第２の端部位置（すなわち、図２Ａ又は図２Ｂ）の一方に配置される場合には、通常、ペリクル１９に加熱を行うためのより大きな空間が存在する。有利には、ｎ個のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱されるペリクル１９の各部を加熱することのみによって、加熱システム２０は、ペリクル１９が第１又は第２の端部位置（すなわち、図２Ａ又は図２Ｂ）の一方にあるときにペリクル１９（又はその一部分）を加熱するように構成される可能性がある。これにより、例えばペリクル１９の現在ＥＵＶ放射に曝露されていない部分を加熱し得る場所に加熱システム２０を収容するためのより大きな空間が存在することがあるため、加熱システム２０のリソグラフィ装置ＬＡへの統合が容易になる。

【0280】

[000278] 一部の実施形態では、加熱システム２０は、４個のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱されるペリクル１９の各部を加熱するように動作可能である場合がある。４個のすべてのダイの露光後にペリクル１９を加熱することは、ＥＵＶリソグラフィ装置ＬＡ内の状態が最悪のシナリオであっても、ペリクル１９の水素エッチングを許容可能なレベル又は無視できるレベルに維持するのに十分であると考えられる。しかしながら、実際には、ペリクル１９の水素エッチングを許容可能なレベル又は無視できるレベルに維持するには、加熱頻度を低くすることで十分になると考えられる。例えば、一部の実施形態では、加熱システム２０は、１０個のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱されるペリクル１９の各部を加熱するように動作可能である場合がある。一部の実施形態では、加熱システム２０は、１００個のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱されるペリクル１９の各部を加熱するように動作可能である場合がある。一部の実施形態では、加熱システム２０は、１０００個のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱されるペリクル１９の各部を加熱するように動作可能である場合がある。

【0281】

[000279] 加熱システム２０が、基板Ｗのｎ個のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱されるペリクル１９の各部を加熱するように動作可能である一部の実施形態では、加熱システム２０は、基板Ｗの１つのターゲット領域上にレチクルＭＡの像を形成することと、基板Ｗの次のターゲット領域上にレチクルＭＡの像を形成することとの間の時間に加熱されるペリクル１９の各部を加熱するように動作可能である場合がある。例えば、ペリクル１９の加熱することが望ましいすべての部分は、レチクル－ペリクルアセンブリ１５が図２Ａ及び２Ｂに概略的に示す２つの端部位置の一方に配置されるときに加熱されることがある。代替的に、図１１から図１９Ｂを参照して以下で考察するように、加熱システム２０が基板Ｗのｎ個のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱されるペリクル１９の各部を加熱するように動作可能である他の一部の実施形態では、加熱システム２０は、ＥＵＶ放射ビームＢによってレチクルをスキャンする支持構造の移動を利用して、加熱ビームによってペリクル１９もスキャンすることがある。

【0282】

[000280] 一部の実施形態では、ＣＮＴペリクル１９の水素エッチングの十分な抑制を確実にするのに必要とされる加熱デューティサイクルは、加熱システム２０が１つの基板Ｗの露光と後続の基板Ｗの露光との間にペリクル１９を加熱するように動作可能であるほど十分に低い場合がある。これは、リソグラフィ装置のスループットに影響を与えることなく達成されることがある。

【0283】

[000281] レチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９を周期的に加熱するのに適した、及び／又はレチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９にパルス加熱を行うのに適した加熱システム２０の一部の実施形態を、図１１から図１９Ｂを参照してこれより考察する。

【0284】

[000282] 一般に、レチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９を周期的に加熱するのに適した、及び／又はレチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９にパルス加熱を行うのに適した加熱システム２０が、スリット領域４６及びフィールド領域４４（図４参照）の外側のペリクルに加熱を行うように構成される可能性がある。加熱システム２０は、支持構造ＭＴが（図２Ａに示す）第１の端部位置及び／又は（図２Ｂに示す）第２の端部位置に配置されるときに、ペリクル１９の少なくとも一部を加熱するように構成されることがある。特に、支持構造ＭＴが第１又は第２の端部位置の一方に配置されるときに、加熱システム２０は、図１１を参照してこれより考察するように、レチクル－ペリクルアセンブリ１５のスリット領域４６に最も近い部分を加熱するように動作可能である。図１１は、図２Ａに示す第１の端部位置に配置された支持構造ＭＴ及びパターニングデバイスＭＡの同じ概略平面図を示している。一部の実施形態における加熱システム２０は、支持構造ＭＴが第１の端部位置に配置されるときに、レチクル－ペリクルアセンブリ１５のスリット領域４６に最も近い部分８０を加熱するように構成される。そのような構成により、第１の端部位置から第２の端部位置への支持構造ＭＴの通常のスキャン動作中に、レチクル－ペリクルアセンブリ１５全体は加熱システム２０によって加熱される可能性がある。

【0285】

[000283] 一般に、加熱システム２０が、レチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９を周期的に加熱するように、及び／又はレチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９にパルス加熱を行うように構成される実施形態では、加熱システムは１つ以上の放射源を備える。放射源は通常、電磁放射源である。放射源は、光源と呼ばれることがある。適切な放射源には、（ｉ）発光ダイオード（ＬＥＤ）、及び（ｉｉ）レーザ（例えば、垂直共振器面発光レーザ、ＶＣＳＥＬ）が含まれる。有利には、ＬＥＤとレーザの両方は非常に小さな体積で構築される可能性がある。

【0286】

[000284] レーザを使用して、吸収率を高め、出力を制限できるような視射角でペリクル１９を加熱することができる。これはまた、レチクルＭＡに供給される出力を、ひいてはレチクルＭＡの望ましくない変形を制限する。ＬＥＤはより多くの発散光を放射するため、ＬＥＤを使用する実施形態を使用して、比較的短い距離からペリクル１９を加熱することがある。一方、適切なビーム誘導装置（例えば光ファイバ、ミラーなど）を使用すれば、ＬＥＤからの光を非ゼロ角度でペリクル１９に誘導することができる。

【0287】

[000285] 一部の実施形態では、加熱システム２０は更に、ペリクル１９により反射される加熱システム２０からの光を吸収するように構成されたヒートシンクを備えることがある。有利には、これにより、環境内の重要な要素（レチクルＭＡなど）の加熱が回避される可能性がある。熱は吸収層又は構造に捕捉された後に吸収され、水流によって除去される可能性がある。

【0288】

[000286] 一般に、ヒータ（光源）及びヒートシンクは、ペリクルとの視線を可能にする（そして好ましくは、支持構造ＭＴが第１の端部位置に配置されるときに（図１１参照）、レチクル－ペリクルアセンブリ１５のスリット領域４６に最も近い部分８０との視線を可能にする）任意のコンポーネント上に配置される可能性がある。そのような実施形態の加熱システム２０の各部を支持し得る適切なコンポーネントには、（ａ）レチクル－ペリクルアセンブリ１５をフィンガシステムから保護するように構成されるシールド、（ｂ）ｘマスキングブレード３２、３４（図３及び図４参照）、（ｃ）レチクル－ペリクルアセンブリ１５の近くにガス流を供給するように構成されたガスノズル５０（図４参照）、及び／又は（ｄ）レチクル－ペリクルアセンブリ１５の近くに水素流を誘導するように構成されるスポイラが含まれる。一般に、加熱システム２０の光源は、放射をペリクル１９に、ペリクル１９に対して概ね垂直に又はかすめ入射角で誘導するように構成される可能性がある（ただし、ｘマスキングブレード３２、３４は基板Ｗの露光中は開いているため、ｘマスキングブレード３２、３４上に配置されるとき、光源は一般に放射をかすめ入射角でペリクルに誘導することになる）。

【0289】

[000287] 図１２Ａから図１９Ｂはすべて、基板Ｗのｎ個のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱されるペリクル１９の各部を加熱するように動作可能な加熱システム２０の実施形態を概略的に示している。各実施形態において、加熱システム２０は、ＥＵＶ放射ビームＢによってレチクルをスキャンする支持構造ＭＴの移動を利用して、加熱ビームによってペリクル１９もスキャンする。各実施形態において、リソグラフィ装置ＬＡは、上記のように、支持構造により支持されたペリクル－レチクルアセンブリ１５を放射ビームＢに通すために照明システムＩＬにより調整された放射ビームＢに対して（図１２Ａから図１９Ｂの矢印８２で示すように）支持構造ＭＴを移動させるように動作可能な支持構造スキャン機構を備えたスキャンリソグラフィ装置である。つまり、基板Ｗの露光は、スキャン露光として実行されることがある。対応するスキャン機構が、投影システムＰＳから受けた放射ビームＢで基板テーブルＷＴ（及びそれにより支持される任意の基板Ｗ）を同期スキャンするように配置されることが理解されるであろう。

【0290】

[000288] 図１２Ａ及び１２Ｂに示す実施形態は放射源８４を含む。放射源８４は、１つ以上のＬＥＤ及び／又は１つ以上のレーザを備えることがある。放射源８４は、ペリクルに放射カーテン８６を投影するように動作可能である。放射源８４が、支持構造ＭＴが第１の端部位置に配置されるとき（図１１参照）に、レチクル－ペリクルアセンブリ１５のスリット領域４６に最も近い部分８０に放射を投影するように動作可能である場合があることが理解されるであろう。放射源８４は単一の放射源を含むことがある。代替的に、放射源８４は、（例えば、非スキャン方向に分離された）複数の放射源を含むことがある。放射源８４は、放射カーテン８６がペリクル１９に概ね垂直に入射するように放射カーテン８６をペリクル１９に誘導するように動作可能である。

【0291】

[000289] 放射源８４は、紫外線（例えば２００～４００ｎｍの吸収ピーク領域の波長を有する）又は赤外線（例えば１μｍ～２０μｍ、好ましくは１～１０μｍの波長を有する）に典型的な波長を有する放射を出力するように動作可能である場合がある。スキャン方向（図のｙ方向）における放射カーテン８６の所望の範囲は、支持構造ＭＴのスキャン速度に依存する場合がある。

【0292】

[000290] ペリクル１９を８００℃など５００～１０００Ｃの範囲の温度に加熱することが望ましい場合がある。これを３ｍｓで達成するには、放射カーテン８６のパワー密度は５～３０ｋＷ／ｍ^２、より好ましくは７．５～２５ｋＷ／ｍ^２である場合がある。ペリクル１９全体を加熱するには、非スキャン方向（図のｘ方向）の広がりが１１ｃｍのペリクルの場合、総加熱力は８Ｗ程度である場合がある。ただし、上で説明したように、一部の実施形態では、レチクル－ペリクルアセンブリ１５の周辺部１５ｂのみを加熱する必要がある場合がある。レチクル－ペリクルアセンブリ１５の周辺部１５ｂのみ、例えば、レチクル－ペリクルアセンブリ１５の外側１０ｍｍのみが加熱される場合、総加熱力は１．４Ｗ程度である場合がある。

【0293】

[000291] 図１３Ａ及び図１３Ｂに示す実施形態は、図１３Ａ及び図１３Ｂでは、源８４が、放射カーテン８６がかすめ入射角でペリクル１９に入射するように、スキャン方向（すなわち、ｙ方向）の成分を有する放射の方向で放射カーテン８６をペリクル１９に誘導するように動作可能であることを除いて、図１２Ａ及び１２Ｂに示した実施形態と同じである。

【0294】

[000292] 図１４Ａ及び図１４Ｂに示す実施形態は、図１４Ａ及び図１４Ｂに示す実施形態が更にビームダンプ８８を備えることを除いて、図１３Ａ及び図１３Ｂに示される実施形態と同じである。ビームダンプ８８は、放射９０のレチクル－ペリクルアセンブリ１５により反射される少なくとも一部分を吸収するように構成される。ビームダンプ８８のペリクル１９への投影も図１４Ｂに示されている。

【0295】

[000293] 図１５Ａ及び図１５Ｂに示す実施形態は、図１５Ａ及び図１５Ｂに示す実施形態が更に、ビームダンプ８８及びミラー９２を備えることを除いて、図１３Ａ及び図１３Ｂに示した実施形態と同じである。ミラー９２は、放射９０のレチクル－ペリクルアセンブリ１５により反射された少なくとも一部分を反射して、反射ビーム９４としてレチクル－ペリクルアセンブリ１５に戻すように構成される。ビームダンプ８８は、反射ビーム９４のレチクル－ペリクルアセンブリ１５により反射される少なくとも一部分９６を吸収するように構成される。ビームダンプ８８及びミラー９２のペリクル１９への投影も図１５Ｂに示されている。

【0296】

[000294] 図１６Ａ及び図１６Ｂに示す実施形態は、図１６Ａ及び図１６Ｂでは、源８４が、放射カーテン８６がかすめ入射角でペリクル１９に入射するように、非スキャン方向（すなわち、ｘ方向）の成分を有する放射の方向で放射カーテン８６をペリクル１９に誘導するように動作可能であることを除いて、図１２Ａ及び１２Ｂに示した実施形態と同じである。

【0297】

[000295] 図１６Ａ及び図１６Ｂに示す実施形態は単一の放射源８４を示すが、そのような実施形態は、代替的に複数の放射源を備えることもある。図１７Ａは、単一の放射源８４が放射カーテン８６全体を生成するように動作可能なｘ－ｚ平面における配置を示している。図１７Ｂは、複数の放射源８４ａ～８４ｅがそれぞれ放射カーテン８６の一部分８６ａ～８６ｅを生成するように動作可能なｘ－ｚ平面における配置を示している。

【0298】

[000296] 図１８Ａ及び図１８Ｂに示す実施形態は、図１８Ａ及び図１８Ｂでは、源８４が、それぞれが放射カーテン８６がかすめ入射角でペリクル１９に入射するように、非スキャン方向（すなわち、ｘ方向）の成分を有する放射の方向で放射カーテン８６の一部分８６ａ～８６ｆをペリクル１９に誘導するように動作可能な６個の個別の放射源８６ａ～８６ｆを含むことを除いて、図１６Ａ及び図１６Ｂに示した実施形態と同じである。

【0299】

[000297] 図１９Ａ及び図１９Ｂに示す実施形態は、図１９Ａ及び図１９Ｂでは、個別の放射源のうちの３個８６ａ～８６ｃがペリクル１９の一方の側に配置され、個別の放射源のうちの他の３個８６ｄ～８６ｆが、ペリクル１９の他方の側に配置されることを除いて、図１８Ａ及び図１８Ｂに示した実施形態と同じである。

【0300】

[000298] 一実施形態では、加熱システム２０は、ＥＵＶ放射ビームＢを使用してペリクル１９を加熱するように動作可能である。この場合、ｘマスキングブレード３２、３４及びｙマスキングブレード３６、３８は、完全に開いて露光フィールド領域４４（図４参照）を拡張する。これは、（基板Ｗの不要な露光を防ぐために）投影システムＰＳの下に基板Ｗがない場合又はＥＵＶ放射が投影システムＰＳによって（例えば、投影システムＰＳの動的ガスロックのシャッタを使用して）停止されている場合にのみ行われる可能性がある。（ＥＵＶ放射を使用する）この加熱方法は、ＣＮＴペリクル１９のサイクル間の所要時間が１枚の基板Ｗの露光時間よりも長い場合に効果的である可能性がある。この場合、ペリクル１９は、連続する基板Ｗの露光の間に露光される可能性がある。

【0301】

[000299] 本開示の一部の実施形態は、レチクル－ペリクルアセンブリ１５を使用する方法に関する。この方法は、レチクル－ペリクルアセンブリ１５を放射ビームＢで、放射ビームの断面にパターンを付与するために照明し、基板Ｗ上にレチクルＭＡの像を形成すること、及び別個の熱源を使用してレチクル－ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９を加熱することを含むことがある。別個の熱源は、上記の加熱システム２０である場合がある。

【0302】

[000300] 本開示の一部の実施形態は、リソグラフィ装置ＬＡで使用するためのペリクル１９であって、カーボンナノチューブから形成された基板を含み、基板が更に少なくとも１つの添加剤を含むペリクル１９に関する。

【0303】

[000301] 少なくとも１つの添加剤は、基板上に分布させた複数の触媒原子を含むことがある。

【0304】

[000302] 少なくとも１つの添加剤の濃度及び種類は、それを超えるとペリクルの水素エッチング速度が無視できるレベルに低下する閾値温度が９００Ｋ未満となるようなものである場合がある。一部の実施形態では、少なくとも１つの添加剤の濃度及び種類は、それを超えるとペリクルの水素エッチング速度が無視できるレベルに低下する閾値温度が８００Ｋ未満となるようなものである。一部の実施形態では、少なくとも１つの添加剤の濃度及び種類は、それを超えるとペリクルの水素エッチング速度が無視できるレベルに低下する閾値温度が７００Ｋ未満となるようなものである。一部の実施形態では、少なくとも１つの添加剤の濃度及び種類は、それを超えるとペリクルの水素エッチング速度が無視できるレベルに低下する閾値温度が６００Ｋ未満となるようなものである。

【0305】

[000303] 一部の実施形態では、少なくとも１つの添加剤は遷移金属を含むことがある。例えば、少なくとも１つの添加剤は、モリブデン、クロム、ニッケル、銅及び／又は鉄を含むことがある。少なくとも１つの添加剤の炭素原子に対する濃度は０．１～２％程度である。例えば、少なくとも１つの不純物の炭素原子に対する濃度は、０．１～１％程度である場合がある。そのような添加剤の濃度は、ペリクルのＥＵＶ透過率を著しく低下させないと予想される。例えば、モリブデン原子の濃度が１％の場合、ペリクルのＥＵＶ透過率は０．１％未満低下することになると推定される。同様に、ニッケル原子の濃度が１％の場合、ペリクルのＥＵＶ透過率は０．５％未満低下することになると推定される。

【0306】

[000304] 付加的に又は代替的に、一部の実施形態では、少なくとも１つの添加剤はホウ素を含むことがある。例えば、ホウ素の炭素原子に対する濃度は、１５原子％程度（すなわち、約１５％の原子百分率）である場合がある。

【0307】

[000305] 付加的に又は代替的に、一部の実施形態では、少なくとも１つの添加剤は非晶質炭素を含むことがある。

【0308】

[000306] この文書におけるマスク又はレチクルへの言及は、パターニングデバイスへの言及として解釈されることがあり（マスク又はレチクルはパターニングデバイスの一例である）、これらの用語は同じ意味で使用されることがある。特に、マスクアセンブリという用語は、レチクルアセンブリ及びパターニングデバイスアセンブリと同義である。

【0309】

[000307] 本明細書ではリソグラフィ装置に関連して本発明の実施形態について具体的な言及がなされているが、本発明の実施形態は他の装置に使用することもできる。本発明の実施形態は、マスク検査装置、メトロロジ装置、又はウェーハ（あるいはその他の基板）もしくはマスク（あるいはその他のパターニングデバイス）などのオブジェクトを測定又は処理する任意の装置の一部を形成してよい。これらの装置は一般にリソグラフィツールと呼ばれることがある。このようなリソグラフィツールは、真空条件又は周囲（非真空）条件を使用することができる。

【0310】

[000308] 用語「ＥＵＶ放射」は、４～２０ｎｍの範囲内、例えば１３～１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射を包含すると考えられることがある。ＥＵＶ放射は、１０ｎｍ未満、例えば６．７ｎｍ又は６．８ｎｍなどの４～１０ｎｍの範囲内の波長を有することがある。

【0311】

[000309] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。考えられる他の用途は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。

【0312】

[000310] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることは理解されよう。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図3A】

【図3B】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12A】

【図12B】

【図13A】

【図13B】

【図14A】

【図14B】

【図15A】

【図15B】

【図16A】

【図16B】

【図17A】

【図17B】

【図18A】

【図18B】

【図19A】

【図19B】

【手続補正書】

【提出日】2024-06-18

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
前記照明システムにより調整された前記放射ビームを受けるためのレチクル－ペリクルアセンブリを支持するように構築された支持構造と、
基板を支持するように構築された基板テーブルと、
前記レチクル－ペリクルアセンブリから前記放射ビームを受け、前記放射ビームを前記基板に投影するように構成された投影システムと
を備えたリソグラフィ装置であって、
前記リソグラフィ装置が更に、
前記支持構造により支持された前記レチクル－ペリクルアセンブリのペリクルを加熱するように動作可能な加熱システムを備えるリソグラフィ装置。

【請求項2】

目標温度分布を達成するために、前記支持構造により支持された前記レチクル－ペリクルアセンブリのペリクルを加熱するように前記加熱システムを制御するように動作可能なコントローラを更に備えた、請求項１のリソグラフィ装置。

【請求項3】

前記支持構造により支持されたレチクル－ペリクルアセンブリの前記照明システムからの放射への曝露中に、前記加熱システムが、前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルの少なくとも一部分を最低温度より高く維持するように構成される、請求項１又は２のリソグラフィ装置。

【請求項4】

前記最低温度が、前記ペリクルの水素エッチング速度が無視できる温度である、請求項３のリソグラフィ装置。

【請求項5】

前記最低温度が８００Ｋ以上である、請求項３のリソグラフィ装置。

【請求項6】

前記加熱システムが、前記ペリクルの現在前記放射ビームを受けている部分を取り囲む前記ペリクルの少なくとも一部分を加熱するように構成される、請求項１又は２のリソグラフィ装置。

【請求項7】

前記支持構造により支持されたレチクル－ペリクルアセンブリを前記放射ビームに通すために、前記照明システムにより調整された前記放射ビームに対して前記支持構造を移動させるように動作可能な支持構造スキャン機構を更に備え、前記加熱システムが、前記ペリクルの現在前記放射ビームを受けている少なくとも一部分を加熱するように構成される、請求項１又は２のリソグラフィ装置。

【請求項8】

前記加熱システムがまた、前記ペリクルの現在前記放射ビームを受けている部分を取り囲む前記ペリクルの少なくとも一部分を加熱するように構成される、請求項７のリソグラフィ装置。

【請求項9】

前記加熱システムが、前記加熱システム及び前記照明システムから受けた前記放射ビームからの複合熱負荷が目標温度分布を達成するように、前記支持構造により支持された前記レチクル－ペリクルアセンブリのペリクルを加熱するように構成される、請求項１又は２のリソグラフィ装置。

【請求項10】

前記加熱システムが、実質的に前記ペリクルの膜全体を加熱するように構成される、請求項１又は２のリソグラフィ装置。

【請求項11】

前記加熱システムが、前記支持構造によって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルに放射を誘導するように動作可能な放射源を備える、請求項１又は２のリソグラフィ装置。

【請求項12】

レチクル－ペリクルアセンブリを使用する方法であって、
放射ビームの断面にパターンを付与するために前記レチクル－ペリクルアセンブリを前記放射ビームで照明し、基板上に前記レチクルの像を形成すること、及び
別個の熱源を使用して前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルを加熱することを含む方法。

【請求項13】

別個の熱源を使用した前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルの前記加熱によって、前記ペリクルが目標温度分布を達成する、請求項１２の方法。

【請求項14】

リソグラフィ装置で使用するためのペリクルであって、前記ペリクルがカーボンナノチューブから形成された基板を備え、前記基板が更に少なくとも１つの添加剤を含むペリクル。

【請求項15】

前記少なくとも１つの添加剤が、前記基板上に分布させた複数の触媒原子を含む、請求項１４のペリクル。

【手続補正2】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０３１２

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0312】

[000310] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることは理解されよう。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲及び条項から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
［条項１］
放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
前記照明システムにより調整された前記放射ビームを受けるためのレチクル－ペリクルアセンブリを支持するように構築された支持構造と、
基板を支持するように構築された基板テーブルと、
前記レチクル－ペリクルアセンブリから前記放射ビームを受け、前記放射ビームを前記基板に投影するように構成された投影システムと
を備えたリソグラフィ装置であって、
前記リソグラフィ装置が更に、
前記支持構造により支持された前記レチクル－ペリクルアセンブリのペリクルを加熱するように動作可能な加熱システムを備えるリソグラフィ装置。
［条項２］
目標温度分布を達成するために、前記支持構造により支持された前記レチクル－ペリクルアセンブリのペリクルを加熱するように前記加熱システムを制御するように動作可能なコントローラを更に備えた、条項１のリソグラフィ装置。
［条項３］
前記支持構造により支持されたレチクル－ペリクルアセンブリの前記照明システムからの放射への曝露中に、前記加熱システムが、前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルの少なくとも一部分を最低温度より高く維持するように構成される、条項１又は条項２のリソグラフィ装置。
［条項４］
前記最低温度が、前記ペリクルの水素エッチング速度が無視できる温度である、条項３のリソグラフィ装置。
［条項５］
前記最低温度が８００Ｋ以上である、条項３のリソグラフィ装置。
［条項６］
前記加熱システムが、前記ペリクルの現在前記放射ビームを受けている部分を取り囲む前記ペリクルの少なくとも一部分を加熱するように構成される、条項１から５のいずれか一項のリソグラフィ装置。
［条項７］
前記支持構造により支持されたレチクル－ペリクルアセンブリを前記放射ビームに通すために、前記照明システムにより調整された前記放射ビームに対して前記支持構造を移動させるように動作可能な支持構造スキャン機構を更に備え、前記加熱システムが、前記ペリクルの現在前記放射ビームを受けている少なくとも一部分を加熱するように構成される、条項１から６のいずれか一項のリソグラフィ装置。
［条項８］
前記加熱システムがまた、前記ペリクルの現在前記放射ビームを受けている部分を取り囲む前記ペリクルの少なくとも一部分を加熱するように構成される、条項７のリソグラフィ装置。
［条項９］
前記加熱システムが、前記加熱システム及び前記照明システムから受けた前記放射ビームからの複合熱負荷が目標温度分布を達成するように、前記支持構造により支持された前記レチクル－ペリクルアセンブリのペリクルを加熱するように構成される、条項１から８のいずれか一項のリソグラフィ装置。
［条項１０］
前記加熱システムが、実質的に前記ペリクルの膜全体を加熱するように構成される、条項１から９のいずれか一項のリソグラフィ装置。
［条項１１］
前記加熱システムが、前記支持構造によって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルに放射を誘導するように動作可能な放射源を備える、条項１から１０のいずれか一項のリソグラフィ装置。
［条項１２］
前記放射源が、電磁放射を前記ペリクルに誘導するように動作可能である、条項１１のリソグラフィ装置。
［条項１３］
前記放射源が、前記支持構造によって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの前記ペリクルに入射するように電子を誘導するように動作可能である、条項１１又は条項１２のリソグラフィ装置。
［条項１４］
前記放射源が電子銃を備える、条項１３のリソグラフィ装置。
［条項１５］
電子源から電子ビームを受け、前記サポートによって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルの表面に前記電子ビームを分配するように構成された電子光学系を更に備えた、条項１３又は条項１４のリソグラフィ装置。
［条項１６］
前記放射源により放出された放射を、前記支持構造によって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリのペリクルの異なる部分の範囲に誘導することができるように、前記放射源及び前記支持構造のうちの少なくとも一方を移動させるように動作可能な加熱スキャン機構を更に備えた、条項１１から１５のいずれか一項のリソグラフィ装置。
［条項１７］
前記加熱システムが、前記支持構造によって支持されているときのペリクル－レチクルアセンブリの前記ペリクルに電流を供給するように構成される、条項１から１６のいずれか一項のリソグラフィ装置。
［条項１８］
前記加熱システムが、前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルの異なる部分に接触するように動作可能な複数の電極と、前記複数の電極のうちの少なくとも２つの間に電圧を供給するように構成された電源とを備える、条項１７のリソグラフィ装置。
［条項１９］
前記加熱システムが、
電極と、
前記電極と前記支持構造によって支持されているときのレチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルの少なくとも一部分との間に電圧を印加するように動作可能な電圧源と
を備える、条項１から１８のいずれか一項のリソグラフィ装置。
［条項２０］
前記加熱システムが更に、
前記電極を加熱するように動作可能なヒータを備える、条項１９のリソグラフィ装置。
［条項２１］
前記コントローラが、前記電圧源により印加された前記電圧を制御するように動作可能である、条項２に直接的又は間接的に従属する場合の条項１９又は条項２０のリソグラフィ装置。
［条項２２］
前記加熱システムが、前記支持構造により支持された前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルを周期的に加熱するように動作可能である、条項１又は条項２のリソグラフィ装置。
［条項２３］
前記加熱システムが、前記支持構造により支持された前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルにパルス加熱を行うように動作可能である、条項１又は条項２のリソグラフィ装置。
［条項２４］
前記加熱システムのデューティサイクルが０．１以下であり、前記デューティサイクルが、前記加熱システムが前記ペリクルに加熱を行う時間の部分の、前記加熱システムが前記ペリクルに加熱を行わない時間の部分に対する比率である、条項２２又は条項２３のリソグラフィ装置。
［条項２５］
前記リソグラフィ装置が、前記基板テーブルにより支持される基板の複数の異なるターゲット領域上に、前記支持構造により支持された前記レチクル－ペリクルアセンブリのレチクルの像を形成するように動作可能であり、
前記加熱システムが、ｎ個（ｎは整数である）のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱される前記ペリクルの各部を加熱するように動作可能である、条項２２から２４のいずれか一項のリソグラフィ装置。
［条項２６］
前記加熱システムが、４個のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱される前記ペリクルの各部を加熱するように動作可能である、条項２５のリソグラフィ装置。
［条項２７］
前記加熱システムが、前記基板の１つのターゲット領域上に前記レチクルの像を形成することと、前記基板の次のターゲット領域上に前記レチクルの像を形成することとの間の時間に前記ペリクルを加熱するように動作可能である、条項２５又は条項２６のリソグラフィ装置。
［条項２８］
前記加熱システムが、１つの基板の露光と後続の基板の露光との間に、前記支持構造により支持された前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルを加熱するように動作可能である、条項２２から２７のいずれか一項のリソグラフィ装置。
［条項２９］
前記加熱システムが、前記ペリクルの現在前記放射ビームを受けていない部分を加熱するように構成される、条項２２から２８のいずれか一項のリソグラフィ装置。
［条項３０］
前記支持構造により支持されたレチクル－ペリクルアセンブリを前記放射ビームに通すために、前記照明システムにより調整された前記放射ビームに対して前記支持構造を移動させるように動作可能な支持構造スキャン機構を更に備え、前記加熱システムが、前記支持構造により支持された前記レチクル－ペリクルアセンブリが前記放射ビームに通されるときに、前記ペリクルの現在前記放射ビームを受けていない部分を加熱するように構成される、条項２２から２９のいずれか一項のリソグラフィ装置。
［条項３１］
前記加熱システムが、実質的に前記ペリクルの膜全体を加熱するように構成される、条項２２から３０のいずれか一項のリソグラフィ装置。
［条項３２］
前記加熱システムが、使用時に前記照明システムにより調整された前記放射ビームを受けない前記ペリクルの一部分を加熱するように構成される、条項２２から３１のいずれか一項のリソグラフィ装置。
［条項３３］
前記加熱システムが、前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルの少なくとも一部分を最低温度より高く維持するように構成される、条項２２から２４のいずれか一項のリソグラフィ装置。
［条項３４］
前記最低温度が、前記ペリクルの水素エッチング速度が無視できる温度である、条項３３のリソグラフィ装置。
［条項３５］
前記最低温度が７００℃以上である、条項３３又は条項３４のリソグラフィ装置。
［条項３６］
前記支持構造により支持されたペリクル－レチクルアセンブルの前記ペリクルの少なくとも一部分の温度を決定するように動作可能な温度センサを更に備えた、条項１から３５のいずれか一項のリソグラフィ装置。
［条項３７］
前記温度センサが、前記支持構造により支持されたペリクル－レチクルアセンブルの前記ペリクルの少なくとも一部分の温度プロファイルを決定するように動作可能である、条項３６のリソグラフィ装置。
［条項３８］
前記加熱システムが、決定した前記ペリクルの少なくとも一部分の温度又は温度プロファイルに応じて、前記支持構造により支持された前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルを加熱するように動作可能である、条項３６又は条項３７のリソグラフィ装置。
［条項３９］
前記支持構造によって支持されているときの前記ペリクル－レチクルアセンブリの前記ペリクルの近傍に水素を供給するように動作可能な水素供給部を更に備えた、条項１から３８のいずれか一項のリソグラフィ装置。
［条項４０］
レチクル－ペリクルアセンブリを使用する方法であって、
放射ビームの断面にパターンを付与するために前記レチクル－ペリクルアセンブリを前記放射ビームで照明し、基板上に前記レチクルの像を形成すること、及び
別個の熱源を使用して前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルを加熱することを含む方法。
［条項４１］
別個の熱源を使用した前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルの前記加熱によって、前記ペリクルが目標温度分布を達成する、条項４０の方法。
［条項４２］
別個の熱源を使用した前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルの前記加熱によって、前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルの少なくとも一部分が最低温度より高く維持される、条項４０又は条項４１の方法。
［条項４３］
別個の熱源を使用した前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルの前記加熱によって、前記ペリクルの温度が、前記ペリクルの水素エッチング速度が無視できるレベルになるように十分に高くなる、条項４０から４２のいずれか一項の方法。
［条項４４］
別個の熱源を使用した前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルの前記加熱によって、前記ペリクルの温度が８００Ｋ以上になる、条項４０から４３のいずれか一項の方法。
［条項４５］
前記放射ビームによる前記レチクル－ペリクルアセンブリの照明中に、前記レチクル－ペリクルアセンブリが、前記放射ビームに通され、前記ペリクルの現在前記放射ビームを受けている少なくとも一部分が、前記別個の熱源を使用して加熱される、条項４０から４４のいずれか一項の方法。
［条項４６］
前記ペリクルの現在前記放射ビームを受けている前記部分を取り囲む前記ペリクルの少なくとも一部分が、前記別個の熱源を使用して加熱される、条項４０から４５のいずれか一項の方法。
［条項４７］
前記別個の熱源を使用した前記ペリクルの前記加熱によって、前記別個の熱源及び前記放射ビームからの複合熱負荷が目標温度分布を達成する、条項４０から４６のいずれか一項の方法。
［条項４８］
実質的に前記ペリクルの膜全体が前記別個の熱源を使用して加熱される、条項４０から４７のいずれか一項の方法。
［条項４９］
前記別個の熱源を使用して前記ペリクルを加熱することが、放射を前記ペリクルに誘導することを含む、条項４０から４８のいずれか一項の方法。
［条項５０］
放射を前記ペリクルに誘導することによって前記別個の熱源を使用して前記ペリクルを加熱することが、前記放射を前記ペリクルにスキャンすることを含む、条項４０から４９のいずれか一項の方法。
［条項５１］
前記別個の熱源を使用して前記ペリクルを加熱することが、前記ペリクルに電流を供給することを含む、条項４０から５０のいずれか一項の方法。
［条項５２］
前記別個の熱源を使用して前記ペリクルを加熱することが、
前記ペリクルの少なくとも一部分に正の電圧を印加すること、及び
前記ペリクルの近傍に電極から電子を放出すること
を含む、条項４０から５１のいずれか一項の方法。
［条項５３］
前記ペリクルの近傍に前記電極から電子を放出することが、前記電極を加熱することを含む、条項５２の方法。
［条項５４］
別個の熱源を使用して前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルを加熱することが、前記別個の熱源を使用して前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルを周期的に加熱することを含む、条項４０又は条項４１の方法。
［条項５５］
別個の熱源を使用して前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルを加熱することが、前記レチクル－ペリクルアセンブリの前記ペリクルにパルス加熱を行うことを含む、条項４０又は条項４１の方法。
［条項５６］
前記ペリクルの前記加熱のデューティサイクルが０．１以下であり、前記デューティサイクルが、前記ペリクルに加熱が行われる時間の部分の、前記ペリクルに加熱が行われない時間の部分に対する比率である、条項５４又は条項５５の方法。
［条項５７］
前記レチクルの像が、前記基板の複数の異なるターゲット領域上に形成され、
前記ペリクルの加熱される各部が、ｎ個（ｎは整数である）のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱される、条項５４から５６のいずれか一項の方法。
［条項５８］
前記ペリクルの加熱される各部が、４個のすべてのターゲット領域の露光ごとに１回加熱される、条項５７の方法。
［条項５９］
前記ペリクルが、前記基板の１つのターゲット領域上に前記レチクルの像を形成することと、前記基板の次のターゲット領域上に前記レチクルの像を形成することとの間の時間に加熱される、条項５７又は条項５８の方法。
［条項６０］
前記ペリクルが、１つの基板の露光と後続の基板の露光との間に加熱される、条項５４から５９のいずれか一項の方法。
［条項６１］
前記ペリクルを加熱することが、前記ペリクルの現在前記放射ビームを受けていない部分を加熱することを含む、条項５４から６０のいずれか一項の方法。
［条項６２］
前記レチクルの前記像が、スキャン露光中に前記基板上に形成され、前記ペリクルを加熱することが、前記スキャン露光中に前記ペリクルの現在前記放射ビームを受けていない部分を加熱することを含む、条項５４から６１のいずれか一項の方法。
［条項６３］
前記ペリクルを加熱することが、実質的に前記ペリクルの膜全体を加熱することを含む、条項５４から６２のいずれか一項の方法。
［条項６４］
前記ペリクルを加熱することが、使用時に前記ペリクルの前記放射ビームにより照明されない部分を加熱することを含む、条項５４から６３のいずれか一項の方法。
［条項６５］
前記ペリクルを加熱することが、前記ペリクルの少なくとも一部分を最低温度より高く維持することを含む、条項５４から６４のいずれか一項の方法。
［条項６６］
前記最低温度が前記ペリクルの水素エッチング速度が無視できる温度である、条項６５の方法。
［条項６７］
前記最低温度が７００℃以上である、条項６５又は条項６６の方法。
［条項６８］
前記ペリクルの少なくとも一部分の温度を決定することを更に含む、条項４０から６７のいずれか一項の方法。
［条項６９］
前記ペリクルの少なくとも一部分の温度を決定することが、前記ペリクルの少なくとも一部分の温度プロファイルを決定することを含む、条項６８の方法。
［条項７０］
前記別個の熱源を使用して前記ペリクルを加熱するステップが、決定した前記ペリクルの少なくとも一部分の温度又は温度プロファイルに依存する、条項６８又は条項６９の方法。
［条項７１］
前記方法が、条項１から３９のいずれか一項に記載の装置を使用して実行される、条項４０から７０のいずれか一項の方法。
［条項７２］
リソグラフィ装置で使用するためのペリクルであって、前記ペリクルがカーボンナノチューブから形成された基板を備え、前記基板が更に少なくとも１つの添加剤を含むペリクル。
［条項７３］
前記少なくとも１つの添加剤が、前記基板上に分布させた複数の触媒原子を含む、条項７２のペリクル。
［条項７４］
前記少なくとも１つの添加剤の炭素原子に対する濃度が０．１～２％程度である、条項７２又は条項７３のペリクル。
［条項７５］
前記少なくとも１つの添加剤の濃度及び種類が、それを超えると前記ペリクルの水素エッチング速度が無視できる閾値温度が９００Ｋ未満になるようなものである、条項７２から７４のいずれか一項のペリクル。
［条項７６］
前記少なくとも１つの添加剤が遷移金属を含む、条項７２から７５のいずれか一項のペリクル。
［条項７７］
前記少なくとも１つの添加剤が、モリブデン、クロム、ニッケル、銅及び／又は鉄を含む、条項７２から７６のいずれか一項のペリクル。
［条項７８］
前記少なくとも１つの添加剤がホウ素を含む、条項７２から７７のいずれか一項のペリクル。
［条項７９］
前記少なくとも１つの添加剤の炭素原子に対する濃度が１５原子％程度である、条項７８のペリクル。
［条項８０］
前記少なくとも１つの添加剤が非晶質炭素を含む、条項４４から５１のいずれか一項のペリクル。

【国際調査報告】