特表2024-537603荷電粒子システムにおける故障メカニズムの分類及び識別による検査のためのシステム及び方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-10-16
(54)【発明の名称】荷電粒子システムにおける故障メカニズムの分類及び識別による検査のためのシステム及び方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/66 20060101AFI20241008BHJP
H01J 37/22 20060101ALI20241008BHJP
H01J 37/28 20060101ALI20241008BHJP
【ＦＩ】
H01L21/66 C
H01J37/22 502H
H01J37/28 B
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024510665
(86)(22)【出願日】2022-08-16
(85)【翻訳文提出日】2024-04-01
(86)【国際出願番号】 EP2022072815
(87)【国際公開番号】W WO2023041271
(87)【国際公開日】2023-03-23
(31)【優先権主張番号】21197008.2
(32)【優先日】2021-09-15
(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP
(81)【指定国・地域】
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ
(71)【出願人】
【識別番号】504151804
【氏名又は名称】エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．
(74)【代理人】
【識別番号】100079108
【弁理士】
【氏名又は名称】稲葉 良幸
(74)【代理人】
【識別番号】100109346
【弁理士】
【氏名又は名称】大貫 敏史
(74)【代理人】
【識別番号】100117189
【弁理士】
【氏名又は名称】江口 昭彦
(74)【代理人】
【識別番号】100134120
【弁理士】
【氏名又は名称】内藤 和彦
(72)【発明者】
【氏名】ヴォスナー，アヒム
(72)【発明者】
【氏名】ソン，ヨンフン
(72)【発明者】
【氏名】ニコルスキー，ピョートル
(72)【発明者】
【氏名】スン，ユン エー
(72)【発明者】
【氏名】コラーディ，アントニオ
(72)【発明者】
【氏名】ディレン，ヘルマヌス，アドリアヌス
【テーマコード（参考）】
4M106
5C101
【Ｆターム（参考）】
4M106AA01
4M106AA09
4M106BA02
4M106DE01
4M106DE05
4M106DE08
4M106DE20
4M106DE24
4M106DJ28
5C101AA03
5C101FF02
5C101HH11
5C101HH13
5C101HH68
5C101JJ07
(57)【要約】
荷電粒子ビームシステムのサンプルに関連する故障メカニズムを分類及び識別するためのビームを提供するための装置、システム、及び方法。幾つかの実施形態では、方法が、複数の欠陥を識別するためにサンプルの第１の複数の電圧コントラスト画像を解析することと、複数の欠陥のサブセットの故障メカニズムを決定するために複数の欠陥のサブセットのパターンを解析することとを含み得る。
【選択図】図６
【選択図】図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
故障メカニズムを識別するためのシステムであって、複数の欠陥を識別するために、サンプルの第１の複数の電圧コントラスト画像を解析することと、
前記複数の欠陥のサブセットの故障メカニズムを決定するために、前記複数の欠陥の前記サブセットのパターンを解析することと
を前記システムに実行させるように構成される回路を含むコントローラ
を含む、システム。
【請求項2】
前記コントローラが、前記故障メカニズムの決定を容易にするために、前記複数の欠陥の前記サブセットの前記パターンと前記サンプルに関連する複数のレイアウト設計との間の相関を解析すること
を前記システムにさらに実行させるように構成される回路を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項3】
前記コントローラが、前記欠陥の前記サブセットの分類を決定するために、前記複数の欠陥の前記サブセットの前記パターンを解析することを前記システムにさらに実行させるように構成される回路を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項4】
前記故障メカニズムを決定することと前記分類を決定することとが、分類器を使用することをさらに含み、前記分類器が、複数の摂動シミュレーションに基づいて第２の複数の電圧コントラスト画像を生成することであって、前記第２の複数の電圧コントラスト画像が複数の電圧コントラストパターンを含む、生成することと、
前記複数の摂動シミュレーションと前記第２の複数の電圧コントラストパターンとの間の複数の相関を決定するために、前記第２の複数の電圧コントラスト画像を比較することと
によって構築される、請求項３に記載のシステム。
【請求項5】
前記コントローラが、複数のレイアウト設計を選択することであって、前記複数のレイアウト設計がサンプルの複数のフィーチャを含む、選択することと、
前記複数のレイアウト設計において導電路を定めることと
によって前記複数の摂動シミュレーションを前記システムにさらに実行させるように構成される回路を含む、請求項４に記載のシステム。
【請求項6】
前記複数の摂動シミュレーションが、サンプルの処理中の複数のシミュレーテッドパターニングステップを含む、請求項４に記載のシステム。
【請求項7】
前記複数の摂動シミュレーションが、サンプルの処理中に使用される複数の材料を含む、請求項４に記載のシステム。
【請求項8】
前記第２の複数の電圧コントラストパターンの各電圧コントラストパターンがサンプル上のフィーチャのレイアウトを含む、請求項４に記載のシステム。
【請求項9】
前記複数の故障メカニズムがサンプル内の欠陥の複数の根本原因を含む、請求項４に記載のシステム。
【請求項10】
前記欠陥が前記サンプルの層内にある、請求項９に記載のシステム。
【請求項11】
前記第１の複数の電圧コントラスト画像の前記複数の欠陥の前記サブセットの前記パターンがフィーチャの繰り返しパターンを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項12】
前記複数の欠陥の前記サブセットの前記故障メカニズムが、サンプルの自己整合ダブルパターニング又は自己整合４重パターニングの何れか１つによるピッチウォーキングを含む、請求項１１に記載のシステム。
【請求項13】
前記第１の複数の電圧コントラスト画像の前記複数の欠陥の前記サブセットの前記パターンがフィーチャの市松模様を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項14】
前記複数の欠陥の前記サブセットの前記故障メカニズムがサンプルの複数の層間のオーバーレイ欠陥を含む、請求項１３に記載のシステム。
【請求項15】
故障メカニズムを分類及び識別するための方法を計算デバイスに実行させるために、前記計算デバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な１組の命令を記憶する非一時的コンピュータ可読媒体であって、前記方法が、複数の欠陥を識別するために、サンプルの第１の複数の電圧コントラスト画像を解析することと、
前記複数の欠陥のサブセットの故障メカニズムを決定するために、前記複数の欠陥の前記サブセットのパターンを解析することと
を含む、非一時的コンピュータ可読媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、２０２１年９月１５日に出願された欧州出願２１１９７００８．２号の優先権を主張するものであり、該出願はその全体が参照により本明細書に組み込まれる。
[0001] 本出願は、２０２１年９月１５日に出願された欧州出願２１１９７００８．２号の優先権を主張するものであり、該出願はその全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【0002】
[0002] 本明細書の説明は荷電粒子ビームシステムの分野に関し、より詳細には、荷電粒子ビームシステム検査システムのサンプルに関連する故障メカニズムを分類及び識別するために電圧コントラストを使用するためのシステムに関する。
【背景技術】
【0003】
[0003] 集積回路（ＩＣ）の製造プロセスにおいて、未完成又は完成回路コンポーネントは、それらが設計に従って製造されていること、及び欠陥がないことを保証するために検査される。光学顕微鏡を利用した検査システムは、一般的に、数百ナノメータに至るまでの分解能を有し、分解能は、光の波長によって制限される。ＩＣコンポーネントの物理的サイズは、サブ１００ナノメータ、或いはサブ１０ナノメータに至るまで減少し続けているため、光学顕微鏡を利用した検査システムよりも高い分解能が可能な検査システムが必要とされる。
【0004】
[0004] １ナノメータ未満に至るまでの分解能が可能な、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）又は透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）などの荷電粒子（例えば、電子）ビーム顕微鏡は、サブ１００ナノメータであるフィーチャサイズを有するＩＣコンポーネントを検査するための実用的ツールとして機能する。ＳＥＭを用いた場合、単一の一次電子ビームの電子、又は複数の一次電子ビームの電子は、検査下のウェーハの関心場所に集束させることができる。一次電子は、ウェーハと相互作用し、及び後方散乱され得、又はウェーハに二次電子を放出させ得る。後方散乱電子及び二次電子を含む電子ビームの強度は、ウェーハの内部構造及び外部構造の特性に基づいて変化し得、それによって、ウェーハが欠陥を有するか否かを示すことができる。
【発明の概要】
【0005】
[0005] 本開示の実施形態は、荷電粒子ビームシステムのサンプルに関連する故障メカニズムを分類及び識別するための装置、システム、及び方法を提供する。幾つかの実施形態では、方法が、複数の欠陥を識別するためにサンプルの第１の複数の電圧コントラスト画像を解析することと、複数の欠陥のサブセットの故障メカニズムを決定するために複数の欠陥のサブセットのパターンを解析することとを含み得る。
【0006】
[0006] 幾つかの実施形態では、故障メカニズムを分類及び識別するためのシステムは、複数の欠陥を識別するためにサンプルの第１の複数の電圧コントラスト画像を解析することと、複数の欠陥のサブセットの故障メカニズムを決定するために複数の欠陥のサブセットのパターンを解析することとをシステムに実行させるように構成され得る回路を含むコントローラを含み得る。
【0007】
[0007] 幾つかの実施形態では、非一時的コンピュータ可読媒体は、故障メカニズムを分類及び識別するための方法を計算デバイスに実行させるために、計算デバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な１組の命令を記憶することができる。方法は、複数の欠陥を識別するためにサンプルの第１の複数の電圧コントラスト画像を解析することと、複数の欠陥のサブセットの故障メカニズムを決定するために複数の欠陥のサブセットのパターンを解析することとを含み得る。
【0008】
[0008] 幾つかの実施形態では、故障メカニズムを分類及び識別するためのシステムは、複数の摂動シミュレーションに基づいて第１の複数の電圧コントラストパターンを生成することと、複数の摂動シミュレーションと第１の複数の電圧コントラストパターンとの間の関係を決定することと、第２の複数の電圧コントラストパターンを生成することと、第２の複数の電圧コントラストパターン及び複数の関係に基づいて故障メカニズムを識別することとをシステムに実行させるように構成され得る回路を含むコントローラを含み得る。
【0009】
[0009] 幾つかの実施形態では、故障メカニズムを分類及び識別するための方法は、複数の摂動シミュレーションに基づいて第１の複数の電圧コントラストパターンを生成することと、複数の摂動シミュレーションと第１の複数の電圧コントラストパターンとの間の関係を決定することと、第２の複数の電圧コントラストパターンを生成することと、第２の複数の電圧コントラストパターン及び複数の関係に基づいて故障メカニズムを識別することとを含み得る。
【0010】
[0010] 幾つかの実施形態では、非一時的コンピュータ可読媒体が、故障メカニズムを分類及び識別するための方法を計算デバイスに実行させるために、計算デバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な１組の命令を記憶することができる。方法は、複数の摂動シミュレーションに基づいて第１の複数の電圧コントラストパターンを生成することと、複数の摂動シミュレーションと第１の複数の電圧コントラストパターンとの間の関係を決定することと、第２の複数の電圧コントラストパターンを生成することと、第２の複数の電圧コントラストパターン及び複数の関係に基づいて故障メカニズムを識別することとを含み得る。
【0011】
[0011] 幾つかの実施形態では、故障メカニズムを分類及び識別するためのシステムが、複数の摂動シミュレーションに基づいて第１の複数の電圧コントラストパターンを生成することと、複数の摂動シミュレーションと第１の複数の電圧コントラストパターンとの間の複数の関係に基づいて第１の複数の電圧コントラストに関連する故障メカニズムを分類することと、第２の複数の電圧コントラストパターンを生成することと、分類された複数の故障メカニズムを使用して第２の複数の電圧コントラストパターンに関連する故障メカニズムを識別することとをシステムに実行させるように構成され得る回路を含むコントローラを含み得る。
【0012】
[0012] 幾つかの実施形態では、故障メカニズムを分類及び識別するためのシステムは、複数の摂動シミュレーションに基づいて第１の複数の電圧コントラスト画像を生成することであって、第１の複数の電圧コントラスト画像は第１の複数の電圧コントラストパターンを含む、生成することと、複数の摂動シミュレーションと第１の複数の電圧コントラストパターンとの間の関係を決定するために、第１の複数の電圧コントラスト画像を比較することによって分類器を構築することと、検査中に第２の複数の電圧コントラスト画像を生成することであって、第２の複数の電圧コントラスト画像は第２の複数の電圧コントラストパターンを含む、生成することと、分類器を使用して第２の複数の電圧コントラストパターンに基づいて故障メカニズムを識別することとをシステムに実行させるように構成され得る回路を含むコントローラを含み得る。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1】[0013]本開示の実施形態と一致した、例示的な電子ビーム検査（ＥＢＩ）システムを示す概略図である。
【図3】[0015]本開示の実施形態と一致した、一次電子ビームレットのランディングエネルギーに対する二次電子の収率を示す例示的なグラフである。
【図4】[0016]本開示の実施形態と一致した、ウェーハの例示的な電圧コントラスト応答を示す概略図である。
【図5A】[0017]本開示の実施形態と一致した、サンプルの電圧コントラスト応答を示す概略図である。
【図5B】[0017]本開示の実施形態と一致した、サンプルの電圧コントラスト応答を示す概略図である。
【図6】[0018]本開示の実施形態と一致した、サンプルに関連する故障メカニズムを分類及び識別するためのシステムの概略図である。
【図7】[0019]本開示の実施形態と一致した、サンプルに関連する故障メカニズムを分類及び識別する例示的なプロセスを示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【0014】
[0020] ここで、例示的な実施形態を詳細に参照する。これらの実施形態の例が、添付の図面に示されている。以下の説明は添付の図面を参照し、異なる図面中の同じ番号は、特に断りのない限り、同じ又は同様の要素を表す。例示的な実施形態の以下の説明文中に記載される実施態様は、本開示と一致する全ての実施態様を表すものではない。その代わり、それらは、添付の特許請求の範囲に列挙される主題に関連する態様と一致する装置及び方法の単なる例にすぎない。例えば、幾つかの実施形態は、電子ビームを利用するという文脈で説明されているが、本開示はそのように限定はされない。他のタイプの荷電粒子ビームも、同様に適用することができる。さらに、光学撮像、光検出、ｘ線検出、極紫外線検査、深紫外線検査などの他の撮像システムが使用されてもよい。
【0015】
[0021] 電子デバイスは、基板と呼ばれるシリコン片上に形成された回路から構成される。多数の回路が、同じシリコン片上に一緒に形成されることができ、集積回路又はＩＣと呼ばれる。多数のより多くの回路を基板上に収めることができるように、これらの回路の寸法は劇的に低減された。例えば、スマートフォン内のＩＣチップは、親指の爪ほど小さいことがあり得るが、２０億個を超えるトランジスタを含むことができ、各トランジスタの寸法は、人間の髪の毛の寸法の１／１０００よりも小さい。
【0016】
[0022] これらの極端に小さなＩＣを製造することは、複雑で時間がかかり高価なプロセスであり、しばしば数百にのぼる個別ステップを含む。たった１つのステップでのエラーが、完成したＩＣにおける欠陥をもたらし、そのＩＣを使い物にならなくする可能性がある。したがって、製造プロセスの目標の１つは、そのような欠陥を回避して、プロセスにおいて作製される機能的ＩＣの数を最大化すること、即ち、プロセスの全体的歩留まりを向上させることである。
【0017】
[0023] 歩留まりを向上させる１つの構成要素は、チップ作製プロセスを監視して、十分な数の機能的集積回路が製造されていることを確認することである。プロセスを監視する１つの方法は、チップ回路構造物を形成する様々な段階において、チップ回路構造物を検査することである。検査は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を使用して実行してもよい。ＳＥＭを使用すると、これらの非常に小さな構造物を撮像する、要するに、ウェーハのこれらの構造物の「写真」を撮ることができる。この画像を使用して、構造物が適切に形成されたかどうか、及び構造物が適切な位置に形成されたかどうかを決定することができる。構造物に欠陥がある場合、欠陥が再発する可能性が低くなるようにプロセスを調節することができる。欠陥は半導体処理の様々な段階中に発生し得る。上記で述べた理由から、欠陥を可能な限り早く正確且つ効率的に見つけることが重要である。
【0018】
[0024] ＳＥＭの動作原理はカメラと似ている。カメラは、人又は物体から反射又は放射される光の輝度及び色を受け取って記録することにより、写真を撮る。ＳＥＭは、構造物から反射又は放射される電子のエネルギー又は量を受け取って記録することにより、「写真」を撮る。そのような「写真」を撮る前に、電子ビームが構造物の上に提供されることがあり、その構造物から電子が反射又は放射される（出てゆく）ときに、ＳＥＭの検出器が、それらの電子のエネルギー又は量を受け取って記録し、画像を生成することができる。そのような「写真」を撮るために、一部のＳＥＭは単一電子ビームを使用し（「シングルビームＳＥＭ」と呼ばれる）、一方、一部のＳＥＭは、複数の電子ビームを使用して（「マルチビームＳＥＭ」と呼ばれる）、ウェーハの複数の「写真」を撮る。複数の電子ビームを使用することにより、ＳＥＭは、これらの複数の「写真」を取得するために、構造物上により多くの電子ビームを提供することができ、その結果、より多くの電子が構造物から出ることになる。したがって、検出器はより多くの出てゆく電子を同時に受け取り、より高い効率及びより速い速度で、ウェーハの構造物の画像を生成することができる。
【0019】
[0025] 電圧コントラスト計測は、（例えばダイナミックランダムアクセスメモリの検査中）サンプルに関連する電気収率の初期プロキシ（early proxy）として使用される。電圧コントラストパターンを含むＳＥＭ画像は、典型的にはサンプルに関連する故障のランダムな発生を示し、電圧コントラストパターン自体が典型的にはフィーチャのランダムな「パターン」（例えば変化するグレイスケールレベル）を有する。
【0020】
[0026] しかし、典型的な電圧コントラスト欠陥パターンの欠陥検出解析は、観察された欠陥パターンと故障メカニズムとの間に関係があり得ることを理解しないため、サンプルの検査中に制約を受ける。電圧コントラスト計測を用いた代表的な検査では、サンプル内の欠陥及びその位置のみが記録される。このような検査中に生成される電圧コントラスト画像の欠陥検出解析は、欠陥のサブ構造（例えばサンプル内のパターン、層など）によって識別可能なサンプル処理情報（例えばサンプルのパターニングステップ、材料の起源など）は考慮しない。さらに、サンプルの欠陥は概して分類が困難である。
【0021】
[0027] 開示する実施形態の一部は、サンプルに関連する故障メカニズムを分類及び識別することによってこれらの欠点の一部又は全部に対処するシステム及び方法を提供する。開示する一部の実施形態は、摂動シミュレーションと電圧コントラストパターンとの間の関係を決定して分類器を構築し、検査中に分類器を使用してサンプルに関連する故障メカニズムを分類し、それにより検査中にサンプルに関連する故障メカニズムの自動識別を可能にすることができる。開示する他の実施形態は、電圧コントラスト画像において観察される欠陥のパターンと故障メカニズムとの間の関係を決定し、それにより検査中にサンプルに関連する故障メカニズムの自動識別を可能にすることができる。第１の例では、自己整合ダブルパターニング（ＳＡＤＰ）プロセスを利用して製造されるフィーチャは、フィーチャの２行目（例えばフィーチャの２行ごと）に発生する欠陥を有する場合があり、故障メカニズムはこの欠陥パターンに基づいてＳＡＤＰプロセスの使用に関係すると決定され得る。第２の例では、自己整合４重パターニング（ＳＡＱＰ）プロセスを利用して製造されるフィーチャは、フィーチャの４行目（例えばフィーチャの４行ごと）に発生する欠陥を有する場合があり、故障メカニズムはこの欠陥パターンに基づいてＳＡＱＰプロセスの使用に関係すると決定され得る。
【0022】
[0028] ２フィーチャパターンセットを作成するためにＳＡＤＰプロセスが使用される場合があり、４フィーチャパターンセットを作成するためにＳＡＱＰプロセスが使用される場合があるが、ＳＡＤＰ又はＳＡＱＰによって作成されたパターンセットの間には他のフィーチャが位置し得る。そのため、ＳＡＤＰパターンセットのフィーチャの２行ごとに、又はＳＡＱＰパターンセットのフィーチャの４行ごとに欠陥が発生し得るが、ＳＡＤＰ／ＳＡＱＰによって作成されたフィーチャのセットは互いに隣接しないことがあるので、繰り返しパターンは連続的でない可能性がある。或る例では、ＳＡＱＰプロセスが２つのパターンセットを作成するために使用され、パターンセットの間に１０個のフィーチャが位置する。繰り返しパターンは、第１のパターンセットの第１のＳＡＱＰによって作成されたフィーチャと、第２のパターンセットの対応する第１のＳＡＱＰによって作成されたフィーチャとを含む。しかし、この２つのＳＡＱＰパターンセットの間に位置する１０個のフィーチャはＳＡＱＰプロセスによって作成されていないので、ＳＡＱＰプロセスに関連する欠陥を示すことはない。
【0023】
[0029] 図面における構成要素の相対的な寸法は、理解しやすいように誇張されていることができる。以下の図面の説明では、同じ又は同様の参照番号は、同じ又は同様の構成要素又はエンティティを指しており、個々の実施形態に関して異なる点のみが説明されている。
【0024】
[0030] 本明細書で使用する場合、特段の断りがない限り、「又は」という用語は、実行不可能である場合を除いて、全ての可能な組み合わせを包含する。例えば、構成要素がＡ又はＢを含むことができると記載されている場合、特段の断りがない限り又は実行不可能でない限り、構成要素はＡ、又はＢ、又はＡ及びＢを含むことができる。第２の例として、構成要素がＡ、Ｂ、又はＣを含むことができると記載されている場合、特段の断りがない限り又は実行不可能でない限り、構成要素はＡ、又はＢ、又はＣ、又はＡ及びＢ、又はＡ及びＣ、又はＢ及びＣ、又はＡ及びＢ及びＣを含むことができる。
【0025】
[0031] 図１は、本開示の実施形態と一致した、例示的な電子ビーム検査（ＥＢＩ）システム１００を示す。ＥＢＩシステム１００は、撮像のために使用されることができる。図１に示すように、ＥＢＩシステム１００は、メインチャンバ１０１、装填／ロックチャンバ１０２、電子ビームツール１０４、及び機器フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ）１０６を含む。電子ビームツール１０４は、メインチャンバ１０１内部に配置されている。ＥＦＥＭ１０６は、第１の装填ポート１０６ａ及び第２の装填ポート１０６ｂを含む。ＥＦＥＭ１０６は、追加の装填ポートを含むことができる。第１の装填ポート１０６ａ及び第２の装填ポート１０６ｂは、検査対象のウェーハ（例えば、半導体ウェーハ、又は他の材料で作られたウェーハ）又はサンプル（ウェーハ及びサンプルは、互換的に使用されることができる）を収容するウェーハＦＯＵＰ（front opening unified pod）を受け取る。「ロット」とは、バッチとして処理するために装填されることができる複数のウェーハである。
【0026】
[0032] ＥＦＥＭ１０６内の１つ又は複数のロボットアーム（図示せず）が、ウェーハを装填／ロックチャンバ１０２に運ぶことができる。装填／ロックチャンバ１０２は、装填／ロック真空ポンプシステム（図示せず）に接続され、このポンプシステムは、大気圧よりも低い第１の圧力に達するように、装填／ロックチャンバ１０２内のガス分子を除去する。第１の圧力に達した後、１つ又は複数のロボットアーム（図示せず）がウェーハを装填／ロックチャンバ１０２からメインチャンバ１０１に運ぶことができる。メインチャンバ１０１は、メインチャンバ真空ポンプシステム（図示せず）に接続され、このポンプシステムは、第１の圧力よりも低い第２の圧力に達するように、メインチャンバ１０１内のガス分子を除去する。第２の圧力に達した後、ウェーハは電子ビームツール１０４による検査にかけられる。電子ビームツール１０４は、シングルビームシステム又はマルチビームシステムであり得る。
【0027】
[0033] コントローラ１０９は、電子ビームツール１０４に電子的に接続されている。コントローラ１０９は、ＥＢＩシステム１００の様々な制御を行うように構成されたコンピュータであり得る。図１では、コントローラ１０９は、メインチャンバ１０１、装填／ロックチャンバ１０２、及びＥＦＥＭ１０６を含む構造の外部にあるものとして示されているが、コントローラ１０９はこの構造の一部とすることもできることが理解されよう。
【0028】
[0034] 実施形態によっては、コントローラ１０９は１つ又は複数のプロセッサ（図示せず）を含むことができる。プロセッサは、情報を操作又は処理することができる汎用的な又は特定の電子デバイスであり得る。例えば、プロセッサは、任意の数の、中央処理装置（即ち「ＣＰＵ」）、グラフィックス処理装置（即ち「ＧＰＵ」）、光プロセッサ、プログラマブル論理制御装置、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、デジタルシグナルプロセッサ、ＩＰ（intellectual property）コア、プログラマブルロジックアレイ（ＰＬＡ）、プログラマブルアレイロジック（ＰＡＬ）、汎用アレイロジック（ＧＡＬ）、コンプレックスプログラマブルロジックデバイス（ＣＰＬＤ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、システムオンチップ（ＳｏＣ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、及びデータ処理可能な任意の種類の回路、の任意の組み合わせを含むことができる。プロセッサはまた、ネットワークを介して結合された複数の機械又はデバイスにまたがって分散した１つ又は複数のプロセッサを含む、仮想プロセッサであり得る。
【0029】
[0035] 実施形態によっては、コントローラ１０９はさらに、１つ又は複数のメモリ（図示せず）を含むことができる。メモリは、（例えば、バスを介して）プロセッサがアクセス可能なコード及びデータを記憶することができる、汎用の又は特定の電子デバイスであり得る。例えば、メモリは、任意の数のランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、光ディスク、磁気ディスク、ハードドライブ、ソリッドステートドライブ、フラッシュドライブ、セキュリティデジタル（ＳＤ）カード、メモリスティック、コンパクトフラッシュ（ＣＦ：登録商標）カード、又は任意の種類の記憶デバイス、の任意の組み合わせを含むことができる。コードには、オペレーティングシステム（ＯＳ）、及び特定のタスク用の１つ又は複数のアプリケーションプログラム（即ち「ａｐｐｓ」）が含まれることができる。メモリはまた、ネットワークを介して結合された複数の機械又はデバイスにまたがって分散した１つ又は複数のメモリを含む、仮想メモリであり得る。
【0030】
[0036] 次に図２を参照し、図２は本開示の実施形態と一致した、図１のＥＢＩシステム１００の一部であるマルチビーム検査ツールを含む例示的な電子ビームツール１０４を示す概略図である。幾つかの実施形態では、電子ビームツール１０４は、図１のＥＢＩシステム１００の一部であるシングルビーム検査ツールとして動作させることができる。マルチビーム電子ビームツール１０４（本明細書では装置１０４とも呼ぶ）は、電子源２０１、クーロンアパーチャプレート（又は「ガンアパーチャプレート」）２７１、集光レンズ２１０、放射源変換ユニット２２０、一次投影システム２３０、電動ステージ２０９、及び検査しようとするサンプル２０８（例えばウェーハ又はフォトマスク）を保持するための、電動ステージ２０９によって支持されるサンプルホルダ２０７を含む。マルチビーム電子ビームツール１０４は、二次投影システム２５０及び電子検出デバイス２４０をさらに含むことができる。一次投影システム２３０は対物レンズ２３１を含み得る。電子検出デバイス２４０は、複数の検出素子２４１、２４２、及び２４３を含み得る。ビームセパレータ２３３及び偏向走査ユニット２３２が一次投影システム２３０の内部に配置され得る。
【0031】
[0037] 電子源２０１、クーロンアパーチャプレート２７１、集光レンズ２１０、放射源変換ユニット２２０、ビームセパレータ２３３、偏向走査ユニット２３２、及び一次投影システム２３０は、装置１０４の一次光軸２０４とアライメントされ得る。二次投影システム２５０及び電子検出デバイス２４０は、装置１０４の二次光軸２５１とアライメントされ得る。
【0032】
[0038] 電子源２０１は、カソード（不図示）及び抽出器又はアノード（不図示）を含むことができ、動作中、電子源２０１はカソードから一次電子を放出するように構成され、（仮想の又は現実の）一次ビームクロスオーバー２０３を形成する一次電子ビーム２０２を形成するために、一次電子は抽出器及び／又はアノードによって抽出又は加速される。一次電子ビーム２０２は、一次ビームクロスオーバー２０３から放出されているとき可視化され得る。
【0033】
[0039] 放射源変換ユニット２２０は、画像形成素子アレイ（不図示）、収差補償器アレイ（不図示）、ビーム制限アパーチャアレイ（不図示）、及びプリベンドマイクロ偏向器アレイ（不図示）を含み得る。幾つかの実施形態では、プリベンドマイクロ偏向器アレイは、ビーム制限アパーチャアレイ、画像形成素子アレイ、及び収差補償器アレイに正常に入るように一次電子ビーム２０２の複数の一次ビームレット２１１、２１２、２１３を偏向させる。幾つかの実施形態では、単一の一次ビームレットが生成されるように装置１０４をシングルビームシステムとして動作させることができる。幾つかの実施形態では、集光レンズ２１０は、平行ビームになるように及び放射源変換ユニット２２０上に法線入射するように一次電子ビーム２０２を集束させるよう設計される。画像形成素子アレイは、一次電子ビーム２０２の複数の一次ビームレット２１１、２１２、２１３に影響を与えるための、並びに一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３の各々に対して１つずつ、一次ビームクロスオーバー２０３の複数の（仮想又は現実の）平行画像を形成するための複数のマイクロ偏向器又はマイクロレンズを含み得る。幾つかの実施形態では、収差補償器アレイは、フィールド曲率補償器アレイ（不図示）及び非点収差補償器アレイ（不図示）を含み得る。フィールド曲率補償器アレイは、一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３のフィールド曲率収差を補償するための複数のマイクロレンズを含み得る。非点収差補償器アレイは、一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３の非点収差を補償するための複数のマイクロスティグマトールを含み得る。ビーム制限アパーチャアレイは、個々の一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３の直径を制限するように構成され得る。図２は３つの一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３を一例として示しており、放射源変換ユニット２２０は任意の数の一次ビームレットを形成するように構成され得ることが理解されよう。コントローラ１０９は、放射源変換ユニット２２０、電子検出デバイス２４０、一次投影システム２３０、又は電動ステージ２０９などの図１のＥＢＩシステム１００の様々な部分に接続され得る。幾つかの実施形態では、以下でさらに詳細に説明するように、コントローラ１０９は様々な画像及び信号処理機能を実行することができる。コントローラ１０９は、荷電粒子ビーム検査システムの動作を統制するための様々な制御信号を生成することもできる。
【0034】
[0040] 集光レンズ２１０は、一次電子ビーム２０２を集束させるように構成される。集光レンズ２１０は、集光レンズ２１０の集束力を変化させることにより、放射源変換ユニット２２０の下流の一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３の電流を調節するようにさらに構成され得る。或いは電流は、個々の一次ビームレットに対応するビーム制限アパーチャアレイ内のビーム制限アパーチャの径方向サイズを変えることによって変更することができる。電流は、ビーム制限アパーチャの径方向サイズ及び集光レンズ２１０の集束力の両方を変えることによって変更することができる。集光レンズ２１０は、その第一原理平面（first principle plane）の位置が移動可能であるように構成され得る調節可能集光レンズとすることができる。調節可能集光レンズは磁気を帯びるように構成されてもよく、そのことはオフアクシスビームレット２１２及び２１３が回転角度を有して放射源変換ユニット２２０を照射することをもたらし得る。回転角度は、調節可能集光レンズの集束力又は第一原理平面の位置によって変化する。集光レンズ２１０は、集光レンズ２１０の集束力が変化しても回転角度を変化させないように構成され得る回転防止集光レンズであり得る。幾つかの実施形態では、集光レンズ２１０は、その集束力及びその第一原理平面の位置が変えられても回転角度が変化しない調節可能な回転防止集光レンズであり得る。
【0035】
[0041] 対物レンズ２３１は、ビームレット２１１、２１２、及び２１３を検査のためにサンプル２０８上に収束させるように構成することができ、目下の実施形態ではサンプル２０８の表面上に３つのプローブスポット２２１、２２２、及び２２３を形成し得る。クーロンアパーチャプレート２７１は、動作面では、クーロン効果を低減するために一次電子ビーム２０２の周辺電子を遮断するように構成される。クーロン効果は一次ビームレット２１１、２１２、２１３のプローブスポット２２１、２２２、及び２２３それぞれのサイズを拡大し、それにより検査分解能を劣化させる可能性がある。
【0036】
[0042] ビームセパレータ２３３は、例えば静電双極子場及び磁気双極子場（図２には不図示）を生成する静電偏向器を含むウィーンフィルタであり得る。動作面では、ビームセパレータ２３３は、静電双極子場による静電力を一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３の個々の電子に及ぼすように構成され得る。この静電力は、大きさは等しいが、ビームセパレータ２３３の磁気双極子場が個々の電子に及ぼす磁力と方向が反対である。したがって、一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３は、少なくともほぼゼロの偏向角でビームセパレータ２３３を少なくともほぼ真っすぐに通過し得る。
【0037】
[0043] 偏向走査ユニット２３２は、動作面では一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３を偏向させて、サンプル２０８の表面のセクション内の個々の走査エリアにわたるプローブスポット２２１、２２２、及び２２３を走査するように構成される。一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３、又はサンプル２０８上のプローブスポット２２１、２２２、及び２２３の入射に応じて、サンプル２０８から電子が出現し、３つの二次電子ビーム２６１、２６２、及び２６３を発生させる。二次電子ビーム２６１、２６２、及び２６３のそれぞれは、（５０ｅＶ以下の電子エネルギーを有する）二次電子及び（５０ｅＶと一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３のランディングエネルギーとの間の電子エネルギーを有する）後方散乱電子を典型的には含む。ビームセパレータ２３３は、二次電子ビーム２６１、２６２、及び２６３を二次投影システム２５０に向けて偏向させるように構成される。二次投影システム２５０はその後、二次電子ビーム２６１、２６２、及び２６３を電子検出デバイス２４０の検出素子２４１、２４２、及び２４３上に集束させる。検出素子２４１、２４２、及び２４３は、対応する二次電子ビーム２６１、２６２、及び２６３を検出し、例えばサンプル２０８の対応する走査エリアの画像を構築するためにコントローラ１０９又は信号処理システム（不図示）に送信される対応する信号を生成するように配置される。
【0038】
[0044] 幾つかの実施形態では、検出素子２４１、２４２、及び２４３は対応する二次電子ビーム２６１、２６２、及び２６３をそれぞれ検出し、画像処理システム（例えばコントローラ１０９）に向けて対応する強度信号出力（不図示）を生成する。幾つかの実施形態では、各検出素子２４１、２４２、及び２４３は１つ又は複数のピクセルを含むことができる。検出素子の強度信号出力は、検出素子内の全てのピクセルによって生成される信号の合計であり得る。
【0039】
[0045] 幾つかの実施形態では、コントローラ１０９は、画像取得器（不図示）、ストレージ（不図示）を含む画像処理システムを含み得る。画像取得器は、１つ又は複数のプロセッサを含んでもよい。例えば画像取得器は、コンピュータ、サーバ、メインフレームホスト、端末、パーソナルコンピュータ、任意の種類のモバイルコンピューティングデバイスなど、又はそれらのものの組み合わせを含んでもよい。画像取得器は、とりわけ導電体、光ファイバケーブル、ポータブル記憶媒体、ＩＲ、Bluetooth、インターネット、ワイヤレスネットワーク、ワイヤレス無線機、又はそれらのものの組み合わせなどの媒体によって装置１０４の電子検出デバイス２４０に通信可能に結合され得る。幾つかの実施形態では、画像取得器は電子検出デバイス２４０から信号を受信することができ、画像を構築し得る。こうして画像取得器はサンプル２０８の画像を取得することができる。画像取得器は、輪郭の生成、取得画像へのインジケータの重畳などの様々な後処理機能を行うこともできる。画像取得器は、取得画像の輝度及びコントラストなどの調節を行うように構成され得る。幾つかの実施形態では、ストレージは、ハードディスク、フラッシュドライブ、クラウドストレージ、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、他の種類のコンピュータ可読メモリなどの記憶媒体であり得る。ストレージは画像取得器と結合されてもよく、走査された生の画像データを元画像として保存するために、及び後処理された画像を保存するために使用することができる。
【0040】
[0046] 幾つかの実施形態では、画像取得器は電子検出デバイス２４０から受信した撮像信号に基づいてサンプルの１つ又は複数の画像を取得し得る。撮像信号は、荷電粒子撮像を行うための走査動作に対応し得る。取得される画像は、複数の撮像エリアを含む単一画像であり得る。単一画像はストレージ内に記憶され得る。単一画像は複数の領域に分割され得る元画像であり得る。これらの領域の各々は、サンプル２０８のフィーチャを含む１つの撮像エリアを含み得る。取得される画像は、或る時系列にわたって複数回サンプリングされるサンプル２０８の単一の撮像エリアの複数の画像を含み得る。複数の画像はストレージ内に記憶され得る。いくつかの実施形態では、コントローラ１０９はサンプル２０８の同一位置の複数の画像を用いて画像処理工程を行うように構成され得る。
【0041】
[0047] いくつかの実施形態では、コントローラ１０９は、検出された二次電子の分布を得るための測定回路（例えばアナログ／デジタル変換器）を含むことができる。検出時間窓の間に収集される電子分布データは、ウェーハ表面に入射する一次ビームレット２１１、２１２、及び２１３の各々の対応する走査パスデータと組み合わせて使用して、検査中のウェーハ構造の画像を再構築することができる。再構築された画像は、サンプル２０８の内部構造又は外部構造の様々なフィーチャを明らかにするために使用することができ、それによりウェーハ内に存在する可能性がある任意の欠陥を明らかにするために使用され得る。
【0042】
[0048] いくつかの実施形態では、コントローラ１０９は、サンプル２０８の検査中にサンプル２０８を移動させるように電動ステージ２０９を制御し得る。いくつかの実施形態では、コントローラ１０９は、電動ステージ２０９が一定速度で一方向にサンプル２０８を連続的に移動させることを可能にし得る。他の実施形態では、コントローラ１０９は、電動ステージ２０９が走査プロセスの工程に応じて経時的にサンプル２０８の移動速度を変更することを可能にし得る。
【0043】
[0049] 図２は装置１０４が３つの一次電子ビームを使用することを示すが、装置１０４は２つ以上の数の一次電子ビームを使用できることが理解されよう。本開示は、装置１０４内で使用される一次電子ビームの数を制限しない。幾つかの実施形態では、装置１０４はリソグラフィに使用されるＳＥＭであり得る。
【0044】
[0050] 単一荷電粒子ビーム撮像システム（「単一ビームシステム」）と比較すると、複数荷電粒子ビーム撮像システム（「マルチビームシステム」）は、異なる走査モードについてスループットを最適化するように設計され得る。本開示の実施形態は、異なるジオメトリを有するビームアレイを使用することにより、異なる走査モードのスループットを最適化する能力を有するマルチビームシステムを提供する。異なるスループット及び解像度要件に適応すること。
【0045】
[0051] プロセッサ（例えば図１～図２のコントローラ１０９のプロセッサ）が画像処理、データ処理、ビームレット走査、データベース管理、グラフィカル表示、荷電粒子ビーム装置又は別の撮像デバイスの操作などを実行するための命令を記憶する非一時的コンピュータ可読媒体が提供され得る。非一時的媒体の一般的な形態は、例えばフロッピーディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク、ソリッドステートドライブ、磁気テープ、又は他の任意の磁気データ記憶媒体、ＣＤ－ＲＯＭ、他の任意の光学データ記憶媒体、穿孔パターンを有する任意の物理媒体、ＲＡＭ、ＰＲＯＭ、及びＥＰＲＯＭ、ＦＬＡＳＨ－ＥＰＲＯＭ、又は他の任意のフラッシュメモリ、ＮＶＲＡＭ、キャッシュ、レジスタ、他の任意のメモリチップ又はカートリッジ、及びこれらのもののネットワークバージョンを含む。
【0046】
[0052] 図３は、本開示の実施形態と一致した、一次電子ビームレットのランディングエネルギーに対する二次電子の収率を示す例示的なグラフを示す。このグラフは、一次電子ビームの複数のビームレット（例えば図２の一次電子ビーム２０２の複数のビームレット２１１、２１２、又は２１３）のランディングエネルギーと、二次電子ビーム（例えば図２の二次電子ビーム２６１、２６２、又は２６３）の収率との関係を示す。収率は一次電子の衝突に応答して生成される二次電子の数を示す。例えば１．０よりも大きい収率は、ウェーハ上にランディングした一次電子の数よりも多くの二次電子が生成され得ることを示す。同様に、１．０未満の収率は、一次電子の衝突に応答して生成される二次電子の方が少ない可能性があることを示す。
【0047】
[0053] 図３のグラフに示すように、一次電子のランディングエネルギーがＥ１からＥ２の範囲内にある場合、ウェーハの表面上にランディングするよりも多くの電子がウェーハの表面から離れる可能性があり、そのことはウェーハの表面における正電位を生じさせる可能性がある。幾つかの実施形態では、「正モード」と呼ばれる前述のランディングエネルギーの範囲内で欠陥検査が実行され得る。検出デバイス（例えば図２の検出デバイス２４０）がより少ない二次電子を受ける可能性があるので、電子ビームツール（例えば図２の電子ビームツール１０４）はより正の表面電位を有するデバイス構造のより暗い電圧コントラスト画像を生成し得る（図４参照）。
【0048】
[0054] ランディングエネルギーがＥ１よりも低い場合又はＥ２よりも高い場合、より少ない電子がウェーハの表面から離れる可能性があり、それによりウェーハの表面における負電位が生じる。幾つかの実施形態では、「負モード」と呼ばれるこのランディングエネルギーの範囲内で欠陥検査が実行され得る。電子ビームツール（例えば図２の電子ビームツール１０４）は、より負の表面電位を有するデバイス構造のより明るい電圧コントラスト画像を生成し得る、検出デバイス（例えば図２の検出デバイス２４０）がより多くの二次電子を受ける（図４参照）。
【0049】
[0055] 幾つかの実施形態では、一次電子ビームのランディングエネルギーが電子源とウェーハとの間の全バイアスによって制御され得る。
【0050】
[0056] 図４は、本開示の実施形態と一致した、ウェーハの電圧コントラスト応答の概略図を示す。幾つかの実施形態では、荷電粒子検査システムの電圧コントラスト法を使用してウェーハの物理的及び電気的欠陥（例えば抵抗性ショート及びオープン、ディープトレンチコンデンサの欠陥、バックエンドオブライン（ＢＥＯＬ）欠陥など）を検出することができる。電圧コントラスト画像を用いた欠陥検出は、検査を行う前に荷電粒子を検査しようとするウェーハ（例えば図２のサンプル２０８）の領域に印加する前段走査プロセス（即ちチャージング、フラッディング、中和、又はプレッピングプロセス）を用いることができる。
【0051】
[0057] 幾つかの実施形態では、一次電子ビームの複数のビームレット（例えば図２の一次電子ビーム２０２の複数のビームレット２１１、２１２、又は２１３）でウェーハを照射し、照射に対するウェーハの電圧コントラスト応答を測定することにより、ウェーハの内部又は外部構造の欠陥を検出するために電子ビームツール（例えば図２の電子ビームツール１０４）を使用することができる。幾つかの実施形態では、ウェーハは基板４１０上に現像されるテストデバイス領域４２０を含むことができる。幾つかの実施形態では、テストデバイス領域４２０は、絶縁材料４５０によって隔てられる複数のデバイス構造４３０及び４４０を含むことができる。例えばデバイス構造４３０は基板４１０に接続される。対照的にデバイス構造４４０は、デバイス構造４４０と基板４１０との間に薄い絶縁体構造４７０（例えば薄い酸化物）が存在するように絶縁材料４５０によって基板４１０から隔てられる。
【0052】
[0058] 電子ビームツールは、一次電子ビームの複数のビームレットでテストデバイス領域４２０の表面を走査することにより、テストデバイス領域４２０の表面から二次電子（例えば図２の二次電子ビーム２６１、２６２、又は２６３）を発生させ得る。上記で説明したように、一次電子のランディングエネルギーがＥ１からＥ２の間にある場合（即ち図３において収率が１．０よりも大きい場合）、ウェーハの表面にランディングするよりも多くの電子がウェーハの表面から離れ、それによりウェーハの表面における正電位をもたらし得る。
【0053】
[0059] 図４に示すように、ウェーハの表面において正電位が蓄積することがある。例えば電子ビームツールが（例えば前段走査プロセス中に）テストデバイス領域４２０を走査した後、デバイス構造４４０は基板４１０内の電気接地に接続されていないのでデバイス構造４４０はより多くの正電荷を保持する可能性があり、それによりデバイス構造４４０の表面において正電位がもたらされる。対照的にデバイス構造４３０に印加される同じランディングエネルギー（即ち同じ収率）を有する一次電子は、正電荷が基板４１０への接続によって供給される電子によって中和され得るので、デバイス構造４３０内により少ない正電荷が保持されることをもたらし得る。
【0054】
[0060] 電子ビームツールの画像処理システム（例えば図２のコントローラ１０９）は、対応するデバイス構造４３０及び４４０の電圧コントラスト画像４３５及び４４５をそれぞれ生成することができる。例えばデバイス構造４３０は接地と短絡しており、蓄積された正電荷を保持しない可能性がある。したがって、検査中に一次電子ビームレットがウェーハの表面にランディングすると、デバイス構造４３０はより多くの二次電子をはじき、結果としてより明るい電圧コントラスト画像をもたらし得る。対照的に、デバイス構造４４０は基板４１０又は他の如何なる接地にも接続されていないので、デバイス構造４４０は正電荷の蓄積を保持する可能性がある。この正電荷の蓄積は検査中により少ない二次電子をデバイス構造４４０にはじかせ、結果としてより暗い電圧コントラスト画像をもたらし得る。
【0055】
[0061] 電子ビームツール（例えば図２のマルチビーム電子ビームツール１０４）は、電子を供給してウェーハの表面上に電位を蓄積することによってウェーハの表面を前段走査することができる。ウェーハを前段走査した後、電子ビームツールはウェーハ内の複数のダイの画像を得ることができる。前段走査は、前段走査中にウェーハの表面に蓄積された表面電位が検査中も保持され、電子ビームツールの検出閾値を上回り続けるという仮定の下でウェーハに適用される。
【0056】
[0062] しかし、蓄積された表面電位レベルは電気絶縁破壊又はトンネリングの影響によって検査中に変化することがあり、それにより欠陥を検出できないことがある。例えば絶縁体構造４７０などの高抵抗の薄いデバイス構造（例えば薄い酸化物）に高電圧が印加されると漏洩電流が高抵抗構造を流れ、それにより構造が完全な絶縁体として機能することを妨げ得る。このことは回路の機能に影響を与え、デバイスの欠陥を招き得る。漏洩電流の同様の影響は、不適切に形成された材料又は高抵抗金属層、例えばタングステンプラグと電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のソース又はドレイン領域との間のコバルトシリサイド（例えばＣｏＳｉ、ＣｏＳｉ２、Ｃｏ２Ｓｉ、Ｃｏ３Ｓｉなどの）層を有する構造内でも生じる可能性がある。
【0057】
[0063] 欠陥のあるエッチングプロセスは、電気的に接続することを意図した２つの構造（例えばデバイス構造４４０及び基板４１０）間の不所望の電気的遮断（例えば開回路）を生じさせる薄い酸化物を残し得る。例えばデバイス構造４３０及び４４０は基板４１０と接触するように設計され同一に機能し得るが、製造誤差が原因でデバイス構造４４０には絶縁体構造４７０が存在し得る。この場合、絶縁体構造４７０は絶縁破壊効果を起こしやすい欠陥を示し得る。
【0058】
【0059】
[0065] 幾つかの実施形態では、サンプル（例えば図２のサンプル２０８）の電圧コントラスト画像は、サンプル内の１つ又は複数の根本的欠陥を示し得るパターン（例えば欠陥パターン、繰り返しパターンなど）を含み得る。
【0060】
[0066] 例えばサンプルは、自己整合ダブルパターニング（ＳＡＤＰ）又は自己整合４重パターニング（ＳＡＱＰ）によって処理することができる。幾つかの実施形態では、ＳＡＤＰ又はＳＡＱＰによって処理されるサンプルは、ピッチウォーキング欠陥を有する場合がある。ピッチウォーキング欠陥は、フィーチャ間のピッチがサンプル内で交互する欠陥である。ピッチウォーキング欠陥は、サンプル処理中のマスクのミスアライメント又は予めパターニングされたフィーチャのクリティカルディメンションの偏差によって引き起こされる可能性がある。
【0061】
[0067] ＳＡＤＰ又はＳＡＱＰによって処理されたサンプルの検査中、サンプルの１つ又は複数の電圧コントラスト画像が生成され得る。幾つかの実施形態では、ＳＡＤＰ又はＳＡＱＰ又はプロセスの組み合わせによって処理されるサンプルの電圧コントラスト画像は電圧コントラスト画像５００ａを含み得る。幾つかの実施形態では、電圧コントラスト画像５００ａはサンプル上のフィーチャのパターンセットを含み得る。幾つかの実施形態では、サンプルが組み合わせパターンセットを含むことができ、各パターンセットは異なるやり方で又は同じやり方で処理され得る。例えば第１のパターンセットは第１の種類のマスクを使用して処理する（例えばＳＡＤＰ又はＳＡＱＰを使用して処理する）ことができ、第２のパターンセットは第２の種類のマスクを使用して処理する（例えばＳＡＱＰ又はＳＡＤＰを使用して処理する）ことができる。
【0062】
[0068] 幾つかの実施形態では、一部のパターンセットが欠陥を含み得るのに対し、一部のパターンセットは欠陥を含まない場合がある。欠陥のあるパターンセットは、欠陥のあるパターンセットに隣接してもよく又は欠陥のないパターンセットに隣接してもよい。幾つかの実施形態では、パターンセットが電圧コントラスト画像５００ａ内で観察され得る様々な種類の欠陥を有することがある。幾つかの実施形態では、同じ種類の欠陥（例えばＳＡＤＰ又はＳＡＱＰに関係する処理によるピッチウォーキング欠陥）を有する２つ以上のパターンセットがサンプル上に含まれ得る（例えば欠陥の種類がサンプル上で繰り返される場合がある）。
【0063】
[0069] 例えば電圧コントラスト画像５００ａは、フィーチャ５３４ａの欠陥を有するパターンセット５３０ａを含み得る。フィーチャ５３４ａの欠陥はサンプル上の４つのフィーチャの複数のパターンセット５３０ａ内で発生する場合があり（例えば欠陥が繰り返される場合があり）、そのことはパターンセット５３０ａで使用されるＳＡＱＰプロセスの使用に関係する故障メカニズムを示し得る。幾つかの実施形態では、パターンセット５３０ａが別のパターンセット５３０ａに隣接し得る一方、幾つかの実施形態ではパターンセット５３０ａが異なる種類のフィーチャに隣接し得る（例えばパターンセット５３０ａはＳＡＱＰによって処理されないパターンセット５５４ａに隣接してもよく、パターンセット５３０ａは欠陥なしでＳＡＱＰによって処理されるパターンセット５３２ａなどに隣接してもよい）。
【0064】
[0070] 幾つかの実施形態では、電圧コントラスト画像５００ａが、フィーチャ５４４ａに欠陥があるパターンセット５４０ａを含むことがある。フィーチャ５４４ａの欠陥はサンプル上の２つのフィーチャの複数のパターンセット５４０ａ内で発生する場合があり（例えば欠陥が繰り返される場合があり）、このことはパターンセット５４０ａで使用されるＳＡＤＰプロセスの使用に関係する故障メカニズムを示し得る。幾つかの実施形態では、パターンセット５４０ａが別のパターンセット５４０ａに隣接し得る一方、幾つかの実施形態ではパターンセット５４０ａが異なる種類のフィーチャに隣接し得る（例えばパターンセット５４０ａはＳＡＤＰによって処理されないパターンセット５５２ａに隣接してもよく、パターンセット５４０ａは欠陥なしでＳＡＤＰによって処理されるパターンセット５４２ａなどに隣接してもよい）。
【0065】
[0071] 電圧コントラスト画像５００ａ内のフィーチャの欠陥は、異なるやり方で描かれてもよいことを理解すべきである。例えば幾つかの実施形態では、フィーチャの欠陥がフィーチャ上の不均一な線（例えば波状曲線）によって描かれ得る。
【0066】
[0072] 電圧コントラスト画像５００ａはｘ方向に延びるフィーチャを描き得るが、電圧コントラスト画像はｙ方向に延びるフィーチャ、ｘ方向及びｙ方向に延びるフィーチャ、ｘ又はｙ以外の方向に延びるフィーチャなどの任意の組み合わせを描き得ることを理解すべきである。
【0067】
[0073] 幾つかの実施形態では、サンプルの電圧コントラスト画像が、サンプル内のフィーチャ５２０ｂの市松模様のパターン（例えばグレイスケールレベルが交互するフィーチャ）を有する電圧コントラストパターン５１０ｂを含み得る。電圧コントラストパターン５１０ｂは、サンプルがサンプルの層間にオーバーレイ欠陥を含むことを示し得る。
【0068】
[0074] 電圧コントラストパターンは、電圧コントラスト画像５００ａ又は電圧コントラストパターン５１０ｂ内で描かれるフィーチャの配置又はグレイスケールレベルに限定されないことに留意すべきである。
【0069】
[0075] 従来の検査方法は電圧コントラストパターンを解析することなしに電圧コントラスト画像内の個々のフィーチャを解析するだけなので、電圧コントラスト画像５００ａ及び電圧コントラストパターン５１０ｂ内の欠陥を有するパターンセットが識別可能ではない場合がある（例えば電圧コントラスト画像５００ａ又は電圧コントラストパターン５１０ｂに関連する故障メカニズムが知られていない可能性がある）。
【0070】
[0076] 図６は、サンプル（例えば図２のサンプル２０８）に関連する故障メカニズムを分類及び識別するためのシステム６００の概略図を示す。システム６００は、検査システム６１０、レイアウトコンポーネント６２０、導電路コンポーネント６３０、シミュレーションコンポーネント６４０、及び分類コンポーネント６５０を含み得る。検査システム６１０、レイアウトコンポーネント６２０、導電路コンポーネント６３０、シミュレーションコンポーネント６４０、及び分類コンポーネント６５０は、物理的に（例えばケーブルによって）又は遠隔的に互いに（直接又は間接的に）電気的に結合され得る。検査システム６１０は、ウェーハ（例えば図２のサンプル２０８参照）の画像を取得するために使用される、図１及び図２に関して記載したシステムであり得る。幾つかの実施形態では、システム６００のコンポーネントが１つ又は複数のサーバ（例えば各サーバは独自のプロセッサを含む）として実装され得る。幾つかの実施形態では、システム６００のコンポーネントは、システム６００の１つ又は複数のデータベースからデータを引き出し得るソフトウェアとして実装され得る。幾つかの実施形態では、システム６００は１つのサーバ又は複数のサーバを含み得る。幾つかの実施形態では、システム６００はコントローラ（例えば図１のコントローラ１０９、図２のコントローラ１０９）によって実装される１つ又は複数のモジュールを含み得る。
【0071】
[0077] レイアウトコンポーネント６２０は、プロセッサ６２２及びストレージ６２４を含むことができる。レイアウトコンポーネント３２０は、導電路コンポーネント６３０にデータを送信するための通信インタフェース６２６も含むことができる。プロセッサ６２２は、サンプルの現像（例えばリソグラフィ）に使用されるレジストレイアウト設計又は最終層レイアウト設計などの１つ又は複数のレイアウト設計を選択するように構成され得る。幾つかの実施形態では、レイアウト設計はサンプルの内部設計を反映することができる。レイアウト設計は、サンプル上に現像され得る１つ又は複数のレイアウト構造（例えばフィーチャのレイアウト）を含み得る。幾つかの実施形態では、１つ又は複数のレイアウト設計がサンプルの１つ又は複数の層内にあり得る。
【0072】
[0078] レイアウト設計は、ウェーハ設計用のレイアウトファイル内に記憶することができる。レイアウトファイルは、グラフィックデータベースシステム（ＧＤＳ）フォーマット、グラフィックデータベースシステムＩＩ（ＧＤＳＩＩ）フォーマット、オープンアートワークシステム交換標準（ＯＡＳＩＳ）フォーマット、Caltech中間フォーマット（ＣＩＦ）などにあり得る。ウェーハ設計は、ウェーハ上に含めるためのパターン又は構造を含み得る。パターン又は構造は、フォトリソグラフィマスク又はレチクルからウェーハにフィーチャを転写するために使用されるマスクパターンであり得る。幾つかの実施形態では、とりわけＧＤＳ又はＯＡＳＩＳフォーマットのレイアウトは、平面幾何学形状、テキスト、及びウェーハ設計に関係する他の情報を表すバイナリファイルフォーマットで記憶されたフィーチャ情報を含み得る。幾つかの実施形態では、レイアウト設計は検査システム６１０の視野（ＦＯＶ）に対応し得る（例えば検査システム６１０のＦＯＶはレイアウト設計の１つ又は複数のレイアウト構造を含み得る）。幾つかの実施形態では、検査されたサンプルに基づいて（例えばサンプル上で識別されているレイアウトに基づいて）レイアウト設計が選択され得る。レイアウトコンポーネント６２０は、選択された１つ又は複数のレイアウト設計を含むデータを導電路コンポーネント６３０に伝送することができる。
【0073】
[0079] 導電路コンポーネント６３０は、プロセッサ６３２及びストレージ６３４を含むことができる。導電路コンポーネント６３０は、レイアウトコンポーネント６２０からデータを受信しシミュレーションコンポーネント６４０にデータを送信するための通信インタフェース６３６も含むことができる。プロセッサ６３２は、レイアウトコンポーネント６２０から１つ又は複数の選択されたレイアウト設計を受信するように構成され得る。プロセッサ６３２は、選択された１つ又は複数のレイアウト設計において１つ又は複数の導電路を定めるように構成され得る。例えばサンプルの一部が導電性であり得る一方、サンプルの他の一部が絶縁性である場合がある。サンプル内の１つ又は複数の導電路は、サンプルの予期される電圧コントラスト画像を生成するために使用することができる。
【0074】
[0080] 例えば１つ又は複数のビアと完全なオーバーレイによって接続された２つの層を有するサンプルは、２つの層間に完全な導電路を有する可能性がある。１つ又は複数のビア及びオーバーレイ欠陥によって接続された２つの層を有するサンプルは、２つの層間の完全な導電路を有さない場合がある。完全な導電路を有するサンプルの予期される電圧コントラスト画像は、オーバーレイ欠陥を有するサンプルの予期される電圧コントラスト画像とは異なる場合がある。したがって、プロセッサ６３２は、選択された１つ又は複数のレイアウト設計に基づいてサンプル内の導電路（例えば層内の導電路、複数の層内の１つ又は複数の導電路、複数の層内の導電路、複数の導電路を有する層など）を定めることができる。つまり電圧コントラスト画像は、サンプルに使用されるレイアウト設計に応じて異なる電圧コントラストパターン（例えば図５Ａの電圧コントラスト画像５００ａのパターンセット、図５Ｂの電圧コントラストパターン５１０ｂ）を有するように生成され得る。導電路コンポーネント６３０は、定められた１つ又は複数の導電路及び選択された１つ又は複数のレイアウト設計を含むデータをシミュレーションコンポーネント６４０に伝送することができる。
【0075】
[0081] シミュレーションコンポーネント６４０は、プロセッサ６４２及びストレージ６４４を含むことができる。シミュレーションコンポーネント６４０は、導電路コンポーネント６３０からデータを受信し分類コンポーネント６５０にデータを送信するための通信インタフェース６４６も含むことができる。プロセッサ６４２は、導電路コンポーネント６３０から１つ又は複数の定められた導電路及び１つ又は複数のレイアウト設計を受信するように構成され得る。プロセッサ６４２は、１つ又は複数のレイアウト設計及び１つ又は複数の定められた導電路を使用して１つ又は複数の摂動シミュレーションを実行するように構成され得る。例えばサンプルの摂動シミュレーションは、欠陥の根本原因と電圧コントラスト画像内の電圧コントラストパターンとの間の関係において異なる感度を構築するために使用され得る。
【0076】
[0082] 例えば摂動シミュレーションは、サンプル内で誤差（例えば配置誤差、クリティカルディメンション誤差、オーバーレイ誤差、サイズ誤差など）が引き起こされ得るサンプルのパターニングの実験をシミュレートし得る。幾つかの実施形態では、誤差はサンプルの層内又は異なる層間にあり得る。例えばオーバーレイ誤差は、サンプルの異なる層内のレイアウト設計をシミュレートすることによってシミュレートすることができ、レイアウト設計はサンプルの上面図において互いにずれている可能性がある。幾つかの実施形態では、シミュレーションはサンプル上のレイアウト設計のグループを含むことができる。幾つかの実施形態では、プロセッサ６４２はサンプルの処理に使用される様々なパターニングステップ又は材料をシミュレートすることができる。
【0077】
[0083] 幾つかの実施形態では、システム６００が欠陥を含む特定の層を識別し、サンプルの検査中に欠陥の根本原因を識別することができるように、レイアウト設計の（例えばＧＤＳフォーマットにある）レイアウトファイルを使用してサンプル内の１つ又は複数の層についてオーバーレイ又はクリティカルディメンションの差異（例えば欠陥）をシミュレートすることができる。
【0078】
[0084] 幾つかの実施形態では、プロセッサ６４２は１つ又は複数の摂動シミュレーションに基づいて１つ又は複数の電圧コントラスト画像を生成することができ、各電圧コントラスト画像は電圧コントラストパターン（例えば図５Ａの電圧コントラスト画像５００ａのパターンセット、図５Ｂの電圧コントラストパターン５１０ｂ）を有することができる。プロセッサ６４２は、サンプルに対する実際の実験を回避することによってリソース（例えば時間、コストなど）を節約するように実験を有利にシミュレートすることができる。
【0079】
[0085] シミュレーションコンポーネント６４０は、摂動シミュレーション及び生成された電圧コントラスト画像を含むデータを分類コンポーネント６５０に伝送することができる。
【0080】
[0086] 分類コンポーネント６５０は、プロセッサ６５２及びストレージ６５４を含むことができる。分類コンポーネント６５０は、シミュレーションコンポーネント６４０からデータを受信するための通信インタフェース６５６も含み得る。プロセッサ６５２は、摂動シミュレーション及び１つ又は複数の生成された電圧コントラスト画像をシミュレーションコンポーネント６４０から受信するように構成され得る。プロセッサ６５２は、プロセッサ６４２によって生成された１つ又は複数の電圧コントラスト画像を比較し、１つ又は複数の摂動シミュレーションと１つ又は複数の電圧コントラストパターンとの間の１つ又は複数の関係（例えば相関）を決定することによって分類器を構築するように構成され得る。例えば１つ又は複数の摂動シミュレーションに基づいて、プロセッサ６５２は、サンプルのレイアウト設計に関連する異なる故障メカニズム（例えば故障又は欠陥の異なる根本原因を有するレイアウト設計、故障又は欠陥を招くことが知られているレイアウト設計など）と電圧コントラスト画像の予期される（例えば観察される又は対応する）電圧コントラストパターンとの間の関係を導出することができる。
【0081】
[0087] 幾つかの実施形態では、プロセッサ６５２はルックアップテーブルの構築、機械学習（例えば分類器アルゴリズム）の使用などによって分類器を構築することができる。
【0082】
[0088] 分類コンポーネント６５０は、分類器を含むデータを検査システム６１０に伝送することができる。
【0083】
[0089] 検査システム６１０は、１つ又は複数のサンプルの検査中に分類コンポーネント６５０によって構築された分類器を使用することができる。例えば検査システム６１０は、検査中にサンプルの１つ又は複数の電圧コントラスト画像を生成することができ、電圧コントラスト画像は１つ又は複数の電圧コントラストパターンを含む。検査システム６１０は、分類器を使用して電圧コントラストパターンを識別（例えば認識）し、サンプルの１つ又は複数の故障メカニズム（例えば任意の故障又は欠陥の根本原因）を決定することができる。検査システム６１０は、分類器を使用して検査中に故障又は欠陥（例えば配置誤差、クリティカルディメンション誤差、オーバーレイ誤差、サイズ誤差など）を自動で有利に分類することができる。幾つかの実施形態では、検査システム６１０は、生成された電圧コントラストパターンに基づき、検査中に１つ又は複数の欠陥が存在する特定の層を有利に識別するために分類器を使用することができる。
【0084】
[0090] 例えば検査システム６１０は、電圧コントラストパターンを含むサンプルの電圧コントラスト画像を生成することができる。電圧コントラストパターン（例えば図５Ａの電圧コントラスト画像５００ａのパターンセット）は、ＳＡＤＰプロセス（例えば図５Ａの２つのフィーチャのパターンセット５４０ａ内の欠陥）又はＳＡＱＰプロセス（例えば図５Ａの４つのフィーチャのパターンセット５３０ａ内の欠陥）の使用に関係する欠陥（例えば図５Ａのフィーチャ５３４ａ、図５Ａのフィーチャ５４４ａ）を含み得る。検査システム６１０は、分類器を使用して電圧コントラストパターンを認識し、サンプルの欠陥（例えば故障メカニズム）の根本原因がサンプルのＳＡＤＰ又はＳＡＱＰからのピッチウォーキングだと判定することができる。
【0085】
[0091] 幾つかの実施形態では、検査システム６１０は、電圧コントラストパターンを含むサンプルの電圧コントラスト画像を生成することができる。電圧コントラストパターン（例えば図５Ｂの電圧コントラストパターン５１０ｂ）は、フィーチャ（例えばグレイスケールレベルが交互する図５Ｂのフィーチャ５２０Ｂ）の市松模様のパターンを含み得る。検査システム６１０は、分類器を使用して電圧コントラストパターンを認識し、サンプルの欠陥（例えば故障メカニズム）の根本原因がサンプルの層間のオーバーレイ欠陥だと判定することができる。
【0086】
[0092] 次に、本開示の実施形態と一致した、サンプルに関連する故障メカニズムを分類及び識別する例示的なプロセス７００を示すフローチャートである図７を参照する。プロセス７００のステップは、説明のために計算デバイス、例えば図１のコントローラ１０９上で実行される或いはコントローラ１０９の機能を使用するシステム（例えば図６のシステム６００）によって実行され得る。図示の方法７００は、ステップの順序を修正するために及び追加のステップを含めるために変更できることが理解されよう。
【0087】
[0093] ステップ７０１で、（例えば、図６のプロセッサ６３２を使用する）システムは、サンプルの現像（例えばリソグラフィ）に使用されるレジストレイアウト設計又は最終層レイアウト設計などの、１つ又は複数のレイアウト設計を選択することができる。幾つかの実施形態では、レイアウト設計はサンプルの内部設計を反映することができる。レイアウト設計は、サンプル上に現像され得る１つ又は複数のレイアウト構造（例えばフィーチャのレイアウト）を含み得る。幾つかの実施形態では、１つ又は複数のレイアウト設計がサンプルの１つ又は複数の層内にあり得る。
【0088】
[0094] レイアウト設計は、ウェーハ設計用のレイアウトファイル内に記憶することができる。レイアウトファイルは、グラフィックデータベースシステム（ＧＤＳ）フォーマット、グラフィックデータベースシステムＩＩ（ＧＤＳＩＩ）フォーマット、オープンアートワークシステム交換標準（ＯＡＳＩＳ）フォーマット、Caltech中間フォーマット（ＣＩＦ）などにあり得る。ウェーハ設計は、ウェーハ上に含めるためのパターン又は構造を含み得る。パターン又は構造は、フォトリソグラフィマスク又はレチクルからウェーハにフィーチャを転写するために使用されるマスクパターンであり得る。幾つかの実施形態では、とりわけＧＤＳ又はＯＡＳＩＳフォーマットのレイアウトは、平面幾何学形状、テキスト、及びウェーハ設計に関係する他の情報を表すバイナリファイルフォーマットで記憶されたフィーチャ情報を含み得る。幾つかの実施形態では、レイアウト設計はシステム（例えば図６の検査システム６１０）の視野（ＦＯＶ）に対応し得る。
【0089】
[0095] ステップ７０３で、システム（図６のプロセッサ６３２）は、選択された１つ又は複数のレイアウト設計において１つ又は複数の導電路を定めることができる。例えばサンプルの一部が導電性であり得る一方、サンプルの他の一部が絶縁性である場合がある。サンプル内の１つ又は複数の導電路は、サンプルの予期される電圧コントラスト画像を生成するために使用することができる。例えば１つ又は複数のビアと完全なオーバーレイによって接続された２つの層を有するサンプルは、２つの層間に完全な導電路を有する可能性がある。１つ又は複数のビア及びオーバーレイ欠陥によって接続された２つの層を有するサンプルは、２つの層間の完全な導電路を有さない場合がある。完全な導電路を有するサンプルの予期される電圧コントラスト画像は、オーバーレイ欠陥を有するサンプルの予期される電圧コントラスト画像とは異なる場合がある。したがって、システムは、選択された１つ又は複数のレイアウト設計に基づいてサンプル内の導電路（例えば層内の導電路、複数の層内の１つ又は複数の導電路、複数の層内の導電路、複数の導電路を有する層など）を定める必要がある。
【0090】
[0096] ステップ７０５で、システム（例えば図６のプロセッサ６４２）は、１つ又は複数のパターン設計及び１つ又は複数の定められた導電路を使用して１つ又は複数の摂動シミュレーションを実行することができる。例えばサンプルの摂動シミュレーションは、欠陥の根本原因と電圧コントラスト画像内の電圧コントラストパターンとの間の関係において異なる感度を構築するために使用され得る。
【0091】
[0097] 例えば摂動シミュレーションは、サンプル内で誤差（例えば配置誤差、クリティカルディメンション誤差、オーバーレイ誤差、サイズ誤差など）が引き起こされ得るサンプルのパターニングの実験をシミュレートし得る。幾つかの実施形態では、誤差はサンプルの層内又は異なる層間にあり得る。例えばオーバーレイ誤差は、サンプルの異なる層内のレイアウト設計をシミュレートすることによってシミュレートすることができ、レイアウト設計はサンプルの上面図において互いにずれている可能性がある。幾つかの実施形態では、シミュレーションはサンプル上のレイアウト設計のグループを含むことができる。幾つかの実施形態では、システムはサンプルの処理に使用される様々なパターニングステップ又は材料をシミュレートすることができる。
【0092】
[0098] 幾つかの実施形態では、システムが欠陥を含む特定の層を識別し、サンプルの検査中に欠陥の根本原因を識別することができるように、レイアウト設計の（例えばＧＤＳフォーマットにある）レイアウトファイルを使用してサンプル内の１つ又は複数の層についてオーバーレイ又はクリティカルディメンションの差異（例えば欠陥）をシミュレートすることができる。
【0093】
[0099] ステップ７０７で、システム（例えば図６のプロセッサ６４２を使用する）は１つ又は複数の摂動シミュレーションに基づいて１つ又は複数の電圧コントラスト画像を生成することができ、各電圧コントラスト画像は電圧コントラストパターン（例えば図５Ａの電圧コントラスト画像５００ａのパターンセット、図５Ｂの電圧コントラストパターン５１０ｂ）を有することができる。例えば電圧コントラスト画像は、摂動シミュレーションで使用されるサンプル内のレイアウト設計に応じて異なる電圧コントラストパターン（例えば図５Ａの電圧コントラスト画像５００ａのパターンセット、図５Ｂの電圧コントラストパターン５１０ｂ）を有するように生成され得る。システムは、サンプルに対する実際の実験を回避することによってリソース（例えば時間、コストなど）を節約するように実験を有利にシミュレートすることができる。
【0094】
[0100] ステップ７０９で、システム（例えば図６のプロセッサ６５２）は、生成された電圧コントラスト画像を比較し、１つ又は複数の摂動シミュレーションと１つ又は複数の電圧コントラストパターンとの間の１つ又は複数の関係（例えば相関）を決定することによって分類器を構築することができる。例えば１つ又は複数の摂動シミュレーションに基づき、システムは、サンプルのレイアウト設計に関連する異なる故障メカニズム（例えば故障又は欠陥の異なる根本原因を有するレイアウト設計、故障又は欠陥を招くことが知られているレイアウト設計など）と電圧コントラスト画像の予期される（例えば観察される又は対応する）電圧コントラストパターンとの間の関係を導出することができる。
【0095】
[0101] 幾つかの実施形態では、システムはルックアップテーブルの構築、機械学習（例えば分類器アルゴリズム）の使用などによって分類器を構築することができる。
【0096】
[0102] ステップ７１１で、システム（例えば検査システム６１０）は、検査中に分類器を使用して１つ又は複数のサンプルに関連する複数の故障メカニズムを識別することができる。例えばシステムは、検査中にサンプルの１つ又は複数の電圧コントラスト画像を生成することができ、電圧コントラスト画像は１つ又は複数の電圧コントラストパターンを含む。システムは、分類器を使用して電圧コントラストパターンを識別（例えば認識）し、サンプルの１つ又は複数の故障メカニズム（例えば任意の故障又は欠陥の根本原因）を決定することができる。システムは、分類器を使用して検査中に故障又は欠陥（例えば配置誤差、クリティカルディメンション誤差、オーバーレイ誤差、サイズ誤差など）を自動で有利に分類することができる。幾つかの実施形態では、システムは、生成された電圧コントラストパターンに基づき、検査中に１つ又は複数の欠陥が存在する特定の層を有利に識別するために分類器を使用することができる。
【0097】
[0103] 例えばシステムは、電圧コントラストパターンを含むサンプルの電圧コントラスト画像を生成することができる。電圧コントラストパターン（例えば図５Ａの電圧コントラスト画像５００ａのパターンセット）は、ＳＡＤＰプロセス（例えば図５Ａの２つのフィーチャのパターンセット５４０ａ内の欠陥）又はＳＡＱＰプロセス（例えば図５Ａの４つのフィーチャのパターンセット５３０ａ内の欠陥）の使用に関係する欠陥（例えば図５Ａのフィーチャ５３４ａ、図５Ａのフィーチャ５４４ａ）を含み得る。システムは、分類器を使用して電圧コントラストパターンを認識し、サンプルの欠陥（例えば故障メカニズム）の根本原因がサンプルのＳＡＤＰ又はＳＡＱＰからのピッチウォーキングだと判定することができる。
【0098】
[0104] 幾つかの実施形態では、システムは、電圧コントラストパターンを含むサンプルの電圧コントラスト画像を生成することができる。電圧コントラストパターン（例えば図５Ｂの電圧コントラストパターン５１０ｂ）は、フィーチャ（例えばグレイスケールレベルが交互する図５Ｂのフィーチャ５２０Ｂ）の市松模様のパターンを含み得る。システムは、分類器を使用して電圧コントラストパターンを認識し、サンプルの欠陥（例えば故障メカニズム）の根本原因がサンプルの層間のオーバーレイ欠陥だと判定することができる。
【0099】
[0105] 本開示の実施形態と一致して、電子ビームツールを制御するためのコントローラ（例えば図１のコントローラ１０９）のプロセッサ用の命令を記憶する非一時的コンピュータ可読媒体が提供され得る。非一時的媒体の一般的な形態は、例えばフロッピーディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク、ソリッドステートドライブ、磁気テープ、又は他の任意の磁気データ記憶媒体、コンパクトディスク読み出し専用メモリ（ＣＤ－ＲＯＭ）、他の任意の光学データ記憶媒体、穿孔パターンを有する任意の物理媒体、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、プログラマブル読み出し専用メモリ（ＰＲＯＭ）、及び消去可能なプログラマブル読み出し専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）、ＦＬＡＳＨ－ＥＰＲＯＭ、又は他の任意のフラッシュメモリ、不揮発性ランダムアクセスメモリ（ＮＶＲＡＭ）、キャッシュ、レジスタ、他の任意のメモリチップ又はカートリッジ、及びこれらのもののネットワークバージョンを含む。
【0100】
[0106] 以下の条項を使用して実施形態をさらに説明することができる。
１．故障メカニズムを識別するための方法であって、
複数の欠陥を識別するためにサンプルの第１の複数の電圧コントラスト画像を解析することと、
複数の欠陥のサブセットの故障メカニズムを決定するために複数の欠陥のサブセットのパターンを解析することと
を含む、方法。
２．故障メカニズムの決定を容易にするために、複数の欠陥のサブセットのパターンとサンプルに関連する複数のレイアウト設計との間の相関を解析することをさらに含む、条項１に記載の方法。
３．欠陥のサブセットの分類を決定するために、複数の欠陥のサブセットのパターンを解析することをさらに含む、条項１又は２に記載の方法。
４．故障メカニズムを決定すること及び分類を決定することが分類器を使用することをさらに含み、分類器は
複数の摂動シミュレーションに基づいて第２の複数の電圧コントラスト画像を生成することであって、第２の複数の電圧コントラスト画像は複数の電圧コントラストパターンを含む、生成することと、
複数の摂動シミュレーションと第２の複数の電圧コントラストパターンとの間の複数の相関を決定するために、第２の複数の電圧コントラスト画像を比較することと
によって構築される、条項３に記載の方法。
５．複数のレイアウト設計を選択することであって、複数のレイアウト設計はサンプルの複数のフィーチャを含む、選択することと、
複数のレイアウト設計において導電路を定めることと
によって複数の摂動シミュレーションを実行することをさらに含む、条項４に記載の方法。
６．複数のレイアウト設計がサンプルの複数の層内にある、条項５に記載の方法。
７．導電路が複数の導電路を含む、条項５又は６に記載の方法。
８．複数のレイアウト設計の各レイアウト設計が、定められた導電路を含む、条項５乃至７の何れか一項に記載の方法。
９．複数のレイアウト設計のサブセットが、定められた導電路を含む、条項５乃至７の何れか一項に記載の方法。
１０．複数のレイアウト設計のサブセットが、サンプル内の複数の層を含む、条項９に記載の方法。
１１．複数の摂動シミュレーションに基づいて第２の複数の電圧コントラスト画像を生成することが、サンプルにおける誤差を引き起こすことを含む、条項４乃至１０の何れか一項に記載の方法。
１２．誤差が配置誤差、クリティカルディメンション誤差、オーバーレイ誤差、又はサイズ誤差の何れか１つを含む、条項１１に記載の方法。
１３．誤差がサンプルの層内にある、条項１１又は１２に記載の方法。
１４．層が複数の層である、条項１３に記載の方法。
１５．複数の摂動シミュレーションが、サンプルの処理中の複数のシミュレーテッドパターニングステップを含む、条項４乃至１４の何れか一項に記載の方法。
１６．複数の摂動シミュレーションが、サンプルの処理中に使用される複数の材料を含む、条項４乃至１５の何れか一項に記載の方法。
１７．第２の複数の電圧コントラストパターンの各電圧コントラストパターンがサンプル上のフィーチャのレイアウトを含む、条項４乃至１６の何れか一項に記載の方法。
１８．複数の故障メカニズムがサンプル内の欠陥の複数の根本原因を含む、条項４乃至１７の何れか一項に記載の方法。
１９．欠陥がサンプルの層内にある、条項１８に記載の方法。
２０．層が複数の層である、条項１９に記載の方法。
２１．第１の複数の電圧コントラスト画像の複数の欠陥のサブセットのパターンがフィーチャの繰り返しパターンを含む、条項１乃至２０の何れか一項に記載の方法。
２２．複数の欠陥のサブセットの故障メカニズムが、サンプルの自己整合ダブルパターニング又は自己整合４重パターニングの何れか１つによるピッチウォーキングを含む、条項２１に記載の方法。
２３．第１の複数の電圧コントラスト画像の複数の欠陥のサブセットのパターンがフィーチャの市松模様を含む、条項１乃至２０の何れか一項に記載の方法。
２４．複数の欠陥のサブセットの故障メカニズムがサンプルの複数の層間のオーバーレイ欠陥を含む、条項２３に記載の方法。
２５．故障メカニズムを識別するためのシステムであって、
複数の欠陥を識別するためにサンプルの第１の複数の電圧コントラスト画像を解析することと、
複数の欠陥のサブセットの故障メカニズムを決定するために複数の欠陥のサブセットのパターンを解析することと
をシステムに実行させるように構成される回路を含むコントローラ
を含む、システム。
２６．故障メカニズムの決定を容易にするために、複数の欠陥のサブセットのパターンとサンプルに関連する複数のレイアウト設計との間の相関を解析すること
をシステムにさらに実行させるように構成される回路をコントローラが含む、条項２５に記載のシステム。
２７．欠陥のサブセットの分類を決定するために、複数の欠陥のサブセットのパターンを解析することをシステムにさらに実行させるように構成される回路をコントローラが含む、条項２５又は２６に記載のシステム。
２８．故障メカニズムを決定すること及び分類を決定することが分類器を使用することをさらに含み、分類器は
複数の摂動シミュレーションに基づいて第２の複数の電圧コントラスト画像を生成することであって、第２の複数の電圧コントラスト画像は複数の電圧コントラストパターンを含む、生成することと、
複数の摂動シミュレーションと第２の複数の電圧コントラストパターンとの間の複数の相関を決定するために、第２の複数の電圧コントラスト画像を比較することと
によって構築される、条項２７に記載のシステム。
２９．複数のレイアウト設計を選択することであって、複数のレイアウト設計はサンプルの複数のフィーチャを含む、選択することと、
複数のレイアウト設計において導電路を定めることと
によって複数の摂動シミュレーションをシステムにさらに実行させるように構成される回路をコントローラが含む、条項２８に記載のシステム。
３０．複数のレイアウト設計がサンプルの複数の層内にある、条項２９に記載のシステム。
３１．導電路が複数の導電路を含む、条項２９又は３０に記載のシステム。
３２．複数のレイアウト設計の各レイアウト設計が、定められた導電路を含む、条項２９乃至３１の何れか一項に記載のシステム。
３３．複数のレイアウト設計のサブセットが、定められた導電路を含む、条項２９乃至３１の何れか一項に記載のシステム。
３４．複数のレイアウト設計のサブセットが、サンプル内の複数の層を含む、条項３３に記載のシステム。
３５．複数の摂動シミュレーションに基づいて第２の複数の電圧コントラスト画像を生成することがサンプルにおける誤差を引き起こすことを含む、条項２８乃至３４の何れか一項に記載のシステム。
３６．誤差が配置誤差、クリティカルディメンション誤差、オーバーレイ誤差、又はサイズ誤差の何れか１つを含む、条項３５に記載のシステム。
３７．誤差がサンプルの層内にある、条項３５又は３６に記載のシステム。
３８．層が複数の層である、条項３７に記載のシステム。
３９．複数の摂動シミュレーションが、サンプルの処理中の複数のシミュレーテッドパターニングステップを含む、条項２８乃至３８の何れか一項に記載のシステム。
４０．複数の摂動シミュレーションが、サンプルの処理中に使用される複数の材料を含む、条項２８乃至３９の何れか一項に記載のシステム。
４１．第２の複数の電圧コントラストパターンの各電圧コントラストパターンがサンプル上のフィーチャのレイアウトを含む、条項２８乃至４０の何れか一項に記載のシステム。
４２．複数の故障メカニズムがサンプル内の欠陥の複数の根本原因を含む、条項２８乃至４１の何れか一項に記載のシステム。
４３．欠陥がサンプルの層内にある、条項４２に記載のシステム。
４４．層が複数の層である、条項４３に記載のシステム。
４５．第１の複数の電圧コントラスト画像の複数の欠陥のサブセットのパターンがフィーチャの繰り返しパターンを含む、条項２５乃至４４の何れか一項に記載のシステム。
４６．複数の欠陥のサブセットの故障メカニズムが、サンプルの自己整合ダブルパターニング又は自己整合４重パターニングの何れか１つによるピッチウォーキングを含む、条項４５に記載のシステム。
４７．第１の複数の電圧コントラスト画像の複数の欠陥のサブセットのパターンがフィーチャの市松模様を含む、条項２５乃至４４の何れか一項に記載のシステム。
４８．複数の欠陥のサブセットの故障メカニズムがサンプルの複数の層間のオーバーレイ欠陥を含む、条項４７に記載のシステム。
４９．故障メカニズムを分類及び識別するための方法を計算デバイスに実行させるために、計算デバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な１組の命令を記憶する非一時的コンピュータ可読媒体であって、方法は
複数の欠陥を識別するために、サンプルの第１の複数の電圧コントラスト画像を解析することと、
複数の欠陥のサブセットの故障メカニズムを決定するために、複数の欠陥のサブセットのパターンを解析することと
を含む、非一時的コンピュータ可読媒体。
５０．故障メカニズムの決定を容易にするために、複数の欠陥のサブセットのパターンとサンプルに関連する複数のレイアウト設計との間の相関を解析すること
を計算デバイスにさらに実行させるために計算デバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な１組の命令、条項４９に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
５１．欠陥のサブセットの分類を決定するために、複数の欠陥のサブセットのパターンを解析することを計算デバイスにさらに実行させるために計算デバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な１組の命令、条項４９又は５０に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
５２．故障メカニズムを決定すること及び分類を決定することが分類器を使用することをさらに含み、分類器は
複数の摂動シミュレーションに基づいて第２の複数の電圧コントラスト画像を生成することであって、第２の複数の電圧コントラスト画像は複数の電圧コントラストパターンを含む、生成することと、
複数の摂動シミュレーションと第２の複数の電圧コントラストパターンとの間の複数の相関を決定するために、第２の複数の電圧コントラスト画像を比較することと
によって構築される、条項５１に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
５３．複数のレイアウト設計を選択することであって、複数のレイアウト設計はサンプルの複数のフィーチャを含む、選択することと、
複数のレイアウト設計において導電路を定めることと
によって複数の摂動シミュレーションを計算デバイスにさらに実行させるために計算デバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な１組の命令、条項５２に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
５４．複数のレイアウト設計がサンプルの複数の層内にある、条項５３に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
５５．導電路が複数の導電路を含む、条項５３又は５４に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
５６．複数のレイアウト設計の各レイアウト設計が、定められた導電路を含む、条項５３乃至５５の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
５７．複数のレイアウト設計のサブセットが、定められた導電路を含む、条項５３乃至５５の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
５８．複数のレイアウト設計のサブセットが、サンプル内の複数の層を含む、条項５７に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
５９．複数の摂動シミュレーションに基づいて第２の複数の電圧コントラスト画像を生成することがサンプルにおける誤差を引き起こすことを含む、条項５２乃至５８の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
６０．誤差が配置誤差、クリティカルディメンション誤差、オーバーレイ誤差、又はサイズ誤差の何れか１つを含む、条項５９に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
６１．誤差がサンプルの層内にある、条項５９又は６０に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
６２．層が複数の層である、条項６１に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
６３．複数の摂動シミュレーションが、サンプルの処理中の複数のシミュレーテッドパターニングステップを含む、条項５２乃至６２の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
６４．複数の摂動シミュレーションが、サンプルの処理中に使用される複数の材料を含む、条項５２乃至６３の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
６５．第２の複数の電圧コントラストパターンの各電圧コントラストパターンがサンプル上のフィーチャのレイアウトを含む、条項５２乃至６４の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
６６．複数の故障メカニズムがサンプル内の欠陥の複数の根本原因を含む、条項５２乃至６５の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
６７．欠陥がサンプルの層内にある、条項６６に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
６８．層が複数の層である、条項６７に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
６９．第１の複数の電圧コントラスト画像の複数の欠陥のサブセットのパターンがフィーチャの繰り返しパターンを含む、条項４９乃至６８の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
７０．複数の欠陥のサブセットの故障メカニズムが、サンプルの自己整合ダブルパターニング又は自己整合４重パターニングの何れか１つによるピッチウォーキングを含む、条項６９に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
７１．第１の複数の電圧コントラスト画像の複数の欠陥のサブセットのパターンがフィーチャの市松模様を含む、条項４９乃至６８の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
７２．複数の欠陥のサブセットの故障メカニズムがサンプルの複数の層間のオーバーレイ欠陥を含む、条項７１に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
７３．故障メカニズムを分類及び識別するためのシステムであって、
複数の摂動シミュレーションに基づいて第１の複数の電圧コントラストパターンを生成することと、
複数の摂動シミュレーションと第１の複数の電圧コントラストパターンとの間の関係を決定することと、
第２の複数の電圧コントラストパターンを生成することと、
第２の複数の電圧コントラストパターン及び複数の関係に基づいて故障メカニズムを識別することと
をシステムに実行させるように構成される回路を含むコントローラ
を含む、システム。
７４．複数のレイアウト設計を選択することであって、複数のレイアウト設計はサンプルの複数のフィーチャを含む、選択することと、
複数のレイアウト設計において導電路を定めることと
によって複数の摂動シミュレーションをシステムにさらに実行させるように構成される回路をコントローラが含む、条項７３に記載のシステム。
７５．複数のレイアウト設計がサンプルの複数の層内にある、条項７４に記載のシステム。
７６．導電路が複数の導電路を含む、条項７４又は７５に記載のシステム。
７７．複数のレイアウト設計の各レイアウト設計が、定められた導電路を含む、条項７４乃至７６の何れか一項に記載のシステム。
７８．複数のレイアウト設計のサブセットが、定められた導電路を含む、条項７４乃至７６の何れか一項に記載のシステム。
７９．複数のレイアウト設計のサブセットが、サンプル内の複数の層を含む、条項７８に記載のシステム。
８０．複数の摂動シミュレーションに基づいて第１の複数の電圧コントラストパターンを生成することがサンプルにおける誤差を引き起こすことを含む、条項７３乃至７９の何れか一項に記載のシステム。
８１．誤差が配置誤差、クリティカルディメンション誤差、オーバーレイ誤差、又はサイズ誤差の何れか１つを含む、条項８０に記載のシステム。
８２．誤差がサンプルの層内にある、条項８０又は８１に記載のシステム。
８３．層が複数の層である、条項８２に記載のシステム。
８４．複数の摂動シミュレーションが、サンプルの処理中の複数のシミュレーテッドパターニングステップを含む、条項７３乃至８３の何れか一項に記載のシステム。
８５．複数の摂動シミュレーションが、サンプルの処理中に使用される複数の材料を含む、条項７３乃至８４の何れか一項に記載のシステム。
８６．第１の複数の電圧コントラストパターンの各電圧コントラストパターンがサンプル上のフィーチャのレイアウトを含む、条項７３乃至８５の何れか一項に記載のシステム。
８７．故障メカニズムがサンプル内の欠陥の根本原因を含む、条項７３乃至８６の何れか一項に記載のシステム。
８８．欠陥がサンプルの層内にある、条項８７に記載のシステム。
８９．層が複数の層である、条項８８に記載のシステム。
９０．第２の複数の電圧コントラストパターンの電圧コントラストパターンがフィーチャの繰り返しパターンを含む、条項７３乃至８９の何れか一項に記載のシステム。
９１．電圧コントラストパターンの故障メカニズムが、サンプルの自己整合ダブルパターニング又は自己整合４重パターニングの何れか１つによるピッチウォーキングを含む、条項９０に記載のシステム。
９２．第２の複数の電圧コントラストパターンの電圧コントラストパターンがフィーチャの市松模様を含む、条項７３乃至８９の何れか一項に記載のシステム。
９３．電圧コントラストパターンの故障メカニズムがサンプルの複数の層間のオーバーレイ欠陥を含む、条項９２に記載のシステム。
９４．故障メカニズムを分類及び識別するための方法であって、
複数の摂動シミュレーションに基づいて第１の複数の電圧コントラストパターンを生成することと、
複数の摂動シミュレーションと第１の複数の電圧コントラストパターンとの間の関係を決定することと、
第２の複数の電圧コントラストパターンを生成することと、
第２の複数の電圧コントラストパターン及び複数の関係に基づいて故障メカニズムを識別することと
を含む、方法。
９５．複数のレイアウト設計を選択することであって、複数のレイアウト設計はサンプルの複数のフィーチャを含む、選択することと、
複数のレイアウト設計において導電路を定めることと
によって複数の摂動シミュレーションを実行することをさらに含む、条項９４に記載の方法。
９６．複数のレイアウト設計がサンプルの複数の層内にある、条項９５に記載の方法。
９７．導電路が複数の導電路を含む、条項９５又は９６に記載の方法。
９８．複数のレイアウト設計の各レイアウト設計が定められた導電路を含む、条項９５乃至９７の何れか一項に記載の方法。
９９．複数のレイアウト設計のサブセットが定められた導電路を含む、条項９５乃至９７の何れか一項に記載の方法。
１００．複数のレイアウト設計のサブセットがサンプル内の複数の層を含む、条項９９に記載の方法。
１０１．複数の摂動シミュレーションに基づいて第１の複数の電圧コントラストパターンを生成することがサンプルにおける誤差を引き起こすことを含む、条項９４乃至１００の何れか一項に記載の方法。
１０２．誤差が配置誤差、クリティカルディメンション誤差、オーバーレイ誤差、又はサイズ誤差の何れか１つを含む、条項１０１に記載の方法。
１０３．誤差がサンプルの層内にある、条項１０１又は１０２に記載の方法。
１０４．層が複数の層である、条項１０３に記載の方法。
１０５．複数の摂動シミュレーションが、サンプルの処理中の複数のシミュレーテッドパターニングステップを含む、条項９４乃至１０４の何れか一項に記載の方法。
１０６．複数の摂動シミュレーションが、サンプルの処理中に使用される複数の材料を含む、条項９４乃至１０５の何れか一項に記載の方法。
１０７．第１の複数の電圧コントラストパターンの各電圧コントラストパターンがサンプル上のフィーチャのレイアウトを含む、条項９４乃至１０６の何れか一項に記載の方法。
１０８．故障メカニズムがサンプル内の欠陥の根本原因を含む、条項９４乃至１０７の何れか一項に記載の方法。
１０９．欠陥がサンプルの層内にある、条項１０８に記載の方法。
１１０．層が複数の層である、条項１０９に記載の方法。
１１１．第２の複数の電圧コントラストパターンの電圧コントラストパターンがフィーチャの繰り返しパターンを含む、条項９４乃至１１０の何れか一項に記載の方法。
１１２．電圧コントラストパターンの故障メカニズムが、サンプルの自己整合ダブルパターニング又は自己整合４重パターニングの何れか１つによるピッチウォーキングを含む、条項１１１に記載の方法。
１１３．第２の複数の電圧コントラストパターンの電圧コントラストパターンがフィーチャの市松模様を含む、条項９４乃至１１０の何れか一項に記載の方法。
１１４．電圧コントラストパターンの故障メカニズムがサンプルの複数の層間のオーバーレイ欠陥を含む、条項１１３に記載の方法。
１１５．故障メカニズムを分類及び識別するための方法を計算デバイスに実行させるために、計算デバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な１組の命令を記憶する非一時的コンピュータ可読媒体であって、方法は
複数の摂動シミュレーションに基づいて第１の複数の電圧コントラストパターンを生成することと、
複数の摂動シミュレーションと第１の複数の電圧コントラストパターンとの間の関係を決定することと、
第２の複数の電圧コントラストパターンを生成することと、
第２の複数の電圧コントラストパターン及び複数の関係に基づいて故障メカニズムを識別することと
を含む、非一時的コンピュータ可読媒体。
１１６．複数のレイアウト設計を選択することであって、複数のレイアウト設計はサンプルの複数のフィーチャを含む、選択すること、及び
複数のレイアウト設計において導電路を定めること
によって複数の摂動シミュレーションを計算デバイスにさらに実行させるために計算デバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な１組の命令、条項１１５に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１１７．複数のレイアウト設計がサンプルの複数の層内にある、条項１１６に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１１８．導電路が複数の導電路を含む、条項１１６又は１１７に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１１９．複数のレイアウト設計の各レイアウト設計が、定められた導電路を含む、条項１１６乃至１１８の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１２０．複数のレイアウト設計のサブセットが、定められた導電路を含む、条項１１６乃至１１８の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１２１．複数のレイアウト設計のサブセットがサンプル内の複数の層を含む、条項１２０に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１２２．複数の摂動シミュレーションに基づいて第１の複数の電圧コントラストパターンを生成することがサンプルにおける誤差を引き起こすことを含む、条項１１５乃至１２１の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１２３．誤差が配置誤差、クリティカルディメンション誤差、オーバーレイ誤差、又はサイズ誤差の何れか１つを含む、条項１２２に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１２４．誤差がサンプルの層内にある、条項１２２又は１２３に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１２５．層が複数の層である、条項１２４に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１２６．複数の摂動シミュレーションが、サンプルの処理中の複数のシミュレーテッドパターニングステップを含む、条項１１５乃至１２５の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１２７．複数の摂動シミュレーションが、サンプルの処理中に使用される複数の材料を含む、条項１１５乃至１２６の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１２８．第１の複数の電圧コントラストパターンの各電圧コントラストパターンがサンプル上のフィーチャのレイアウトを含む、条項１１５乃至１２７の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１２９．故障メカニズムがサンプル内の欠陥の根本原因を含む、条項１１５乃至１２８の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１３０．欠陥がサンプルの層内にある、条項１２９に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１３１．層が複数の層である、条項１３０に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１３２．第２の複数の電圧コントラストパターンの電圧コントラストパターンがフィーチャの繰り返しパターンを含む、条項１１５乃至１３１の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１３３．電圧コントラストパターンの故障メカニズムが、サンプルの自己整合ダブルパターニング又は自己整合４重パターニングの何れか１つによるピッチウォーキングを含む、条項１３２に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１３４．第２の複数の電圧コントラストパターンの電圧コントラストパターンがフィーチャの市松模様を含む、条項１１５乃至１３１の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１３５．電圧コントラストパターンの故障メカニズムがサンプルの複数の層間のオーバーレイ欠陥を含む、条項１３４に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１３６．故障メカニズムを分類及び識別するためのシステムであって、
複数の摂動シミュレーションに基づいて第１の複数の電圧コントラストパターンを生成することと、
複数の摂動シミュレーションと第１の複数の電圧コントラストパターンとの間の関係に基づいて第１の複数の電圧コントラストに関連する故障メカニズムを分類することと、
第２の複数の電圧コントラストパターンを生成することと、
分類された故障メカニズムを使用して第２の複数の電圧コントラストパターンに関連する故障メカニズムを識別することと
をシステムに実行させるように構成される回路を含むコントローラ
を含む、システム。
１３７．故障メカニズムを分類及び識別するためのシステムであって、
複数の摂動シミュレーションに基づいて第１の複数の電圧コントラスト画像を生成することであって、第１の複数の電圧コントラスト画像は第１の複数の電圧コントラストパターンを含む、生成することと、
複数の摂動シミュレーションと第１の複数の電圧コントラストパターンとの間の関係を決定するために、第１の複数の電圧コントラスト画像を比較することによって分類器を構築することと、
検査中に第２の複数の電圧コントラスト画像を生成することであって、第２の複数の電圧コントラスト画像は第２の複数の電圧コントラストパターンを含む、生成することと、
分類器を使用して第２の複数の電圧コントラストパターンに基づいて故障メカニズムを識別することと
をシステムに実行させるように構成される回路を含むコントローラ
を含む、システム。
１３８．パターンが複数のパターンセットを含み、複数のパターンセットの各パターンセットが２つのフィーチャ及び２つのフィーチャに関連する欠陥を含む、条項１に記載の方法。
１３９．各パターンセットの２つのフィーチャは、２つのフィーチャが自己整合ダブルパターニングプロセスの使用によって製造されることを示し、欠陥は自己整合ダブルパターニングプロセスの使用に関係する故障メカニズムを示す、条項１３８に記載の方法。
１４０．パターンが複数のパターンセットを含み、複数のパターンセットの各パターンセットが４つのフィーチャ及び４つのフィーチャに関連する欠陥を含む、条項１に記載の方法。
１４１．各パターンセットの４つのフィーチャは、４つのフィーチャが自己整合４重パターニングプロセスの使用によって製造されることを示し、欠陥は自己整合４重パターニングプロセスの使用に関係する故障メカニズムを示す、条項１４０に記載の方法。
１４２．パターンが複数のパターンセットを含み、複数のパターンセットの各パターンセットが２つのフィーチャ及び２つのフィーチャに関連する欠陥を含む、条項２５に記載のシステム。
１４３．各パターンセットの２つのフィーチャは、２つのフィーチャが自己整合ダブルパターニングプロセスの使用によって製造されることを示し、欠陥は自己整合ダブルパターニングプロセスの使用に関係する故障メカニズムを示す、条項１４２に記載の方法。
１４４．パターンが複数のパターンセットを含み、複数のパターンセットの各パターンセットが４つのフィーチャ及び４つのフィーチャに関連する欠陥を含む、条項２５に記載のシステム。
１４５．各パターンセットの４つのフィーチャは、４つのフィーチャが自己整合４重パターニングプロセスの使用によって製造されることを示し、欠陥は自己整合４重パターニングプロセスの使用に関係する故障メカニズムを示す、条項１４４に記載の方法。
１４６．パターンが複数のパターンセットを含み、複数のパターンセットの各パターンセットが２つのフィーチャ及び２つのフィーチャに関連する欠陥を含む、条項４９に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１４７．各パターンセットの２つのフィーチャは、２つのフィーチャが自己整合ダブルパターニングプロセスの使用によって製造されることを示し、欠陥は自己整合ダブルパターニングプロセスの使用に関係する故障メカニズムを示す、条項１４６に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１４８．パターンが複数のパターンセットを含み、複数のパターンセットの各パターンセットが４つのフィーチャ及び４つのフィーチャに関連する欠陥を含む、条項４９に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１４９．各パターンセットの４つのフィーチャは、４つのフィーチャが自己整合４重パターニングプロセスの使用によって製造されることを示し、欠陥は自己整合４重パターニングプロセスの使用に関係する故障メカニズムを示す、条項１４８に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１５０．関係が複数の関係を含む、条項７３乃至９３の何れか一項に記載のシステム。
１５１．故障メカニズムが複数の故障メカニズムを含む、条項７３乃至９３又は１５０の何れか一項に記載のシステム。
１５２．関係が複数の関係を含む、条項９４乃至１１４の何れか一項に記載の方法。
１５３．故障メカニズムが複数の故障メカニズムを含む、条項９４乃至１１４又は１５２の何れか一項に記載の方法。
１５４．関係が複数の関係を含む、条項１１５乃至１３５の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１５５．故障メカニズムが複数の故障メカニズムを含む、条項１１５乃至１３５又は１５４の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１．故障メカニズムを識別するための方法であって、
複数の欠陥を識別するためにサンプルの第１の複数の電圧コントラスト画像を解析することと、
複数の欠陥のサブセットの故障メカニズムを決定するために複数の欠陥のサブセットのパターンを解析することと
を含む、方法。
２．故障メカニズムの決定を容易にするために、複数の欠陥のサブセットのパターンとサンプルに関連する複数のレイアウト設計との間の相関を解析することをさらに含む、条項１に記載の方法。
３．欠陥のサブセットの分類を決定するために、複数の欠陥のサブセットのパターンを解析することをさらに含む、条項１又は２に記載の方法。
４．故障メカニズムを決定すること及び分類を決定することが分類器を使用することをさらに含み、分類器は
複数の摂動シミュレーションに基づいて第２の複数の電圧コントラスト画像を生成することであって、第２の複数の電圧コントラスト画像は複数の電圧コントラストパターンを含む、生成することと、
複数の摂動シミュレーションと第２の複数の電圧コントラストパターンとの間の複数の相関を決定するために、第２の複数の電圧コントラスト画像を比較することと
によって構築される、条項３に記載の方法。
５．複数のレイアウト設計を選択することであって、複数のレイアウト設計はサンプルの複数のフィーチャを含む、選択することと、
複数のレイアウト設計において導電路を定めることと
によって複数の摂動シミュレーションを実行することをさらに含む、条項４に記載の方法。
６．複数のレイアウト設計がサンプルの複数の層内にある、条項５に記載の方法。
７．導電路が複数の導電路を含む、条項５又は６に記載の方法。
８．複数のレイアウト設計の各レイアウト設計が、定められた導電路を含む、条項５乃至７の何れか一項に記載の方法。
９．複数のレイアウト設計のサブセットが、定められた導電路を含む、条項５乃至７の何れか一項に記載の方法。
１０．複数のレイアウト設計のサブセットが、サンプル内の複数の層を含む、条項９に記載の方法。
１１．複数の摂動シミュレーションに基づいて第２の複数の電圧コントラスト画像を生成することが、サンプルにおける誤差を引き起こすことを含む、条項４乃至１０の何れか一項に記載の方法。
１２．誤差が配置誤差、クリティカルディメンション誤差、オーバーレイ誤差、又はサイズ誤差の何れか１つを含む、条項１１に記載の方法。
１３．誤差がサンプルの層内にある、条項１１又は１２に記載の方法。
１４．層が複数の層である、条項１３に記載の方法。
１５．複数の摂動シミュレーションが、サンプルの処理中の複数のシミュレーテッドパターニングステップを含む、条項４乃至１４の何れか一項に記載の方法。
１６．複数の摂動シミュレーションが、サンプルの処理中に使用される複数の材料を含む、条項４乃至１５の何れか一項に記載の方法。
１７．第２の複数の電圧コントラストパターンの各電圧コントラストパターンがサンプル上のフィーチャのレイアウトを含む、条項４乃至１６の何れか一項に記載の方法。
１８．複数の故障メカニズムがサンプル内の欠陥の複数の根本原因を含む、条項４乃至１７の何れか一項に記載の方法。
１９．欠陥がサンプルの層内にある、条項１８に記載の方法。
２０．層が複数の層である、条項１９に記載の方法。
２１．第１の複数の電圧コントラスト画像の複数の欠陥のサブセットのパターンがフィーチャの繰り返しパターンを含む、条項１乃至２０の何れか一項に記載の方法。
２２．複数の欠陥のサブセットの故障メカニズムが、サンプルの自己整合ダブルパターニング又は自己整合４重パターニングの何れか１つによるピッチウォーキングを含む、条項２１に記載の方法。
２３．第１の複数の電圧コントラスト画像の複数の欠陥のサブセットのパターンがフィーチャの市松模様を含む、条項１乃至２０の何れか一項に記載の方法。
２４．複数の欠陥のサブセットの故障メカニズムがサンプルの複数の層間のオーバーレイ欠陥を含む、条項２３に記載の方法。
２５．故障メカニズムを識別するためのシステムであって、
複数の欠陥を識別するためにサンプルの第１の複数の電圧コントラスト画像を解析することと、
複数の欠陥のサブセットの故障メカニズムを決定するために複数の欠陥のサブセットのパターンを解析することと
をシステムに実行させるように構成される回路を含むコントローラ
を含む、システム。
２６．故障メカニズムの決定を容易にするために、複数の欠陥のサブセットのパターンとサンプルに関連する複数のレイアウト設計との間の相関を解析すること
をシステムにさらに実行させるように構成される回路をコントローラが含む、条項２５に記載のシステム。
２７．欠陥のサブセットの分類を決定するために、複数の欠陥のサブセットのパターンを解析することをシステムにさらに実行させるように構成される回路をコントローラが含む、条項２５又は２６に記載のシステム。
２８．故障メカニズムを決定すること及び分類を決定することが分類器を使用することをさらに含み、分類器は
複数の摂動シミュレーションに基づいて第２の複数の電圧コントラスト画像を生成することであって、第２の複数の電圧コントラスト画像は複数の電圧コントラストパターンを含む、生成することと、
複数の摂動シミュレーションと第２の複数の電圧コントラストパターンとの間の複数の相関を決定するために、第２の複数の電圧コントラスト画像を比較することと
によって構築される、条項２７に記載のシステム。
２９．複数のレイアウト設計を選択することであって、複数のレイアウト設計はサンプルの複数のフィーチャを含む、選択することと、
複数のレイアウト設計において導電路を定めることと
によって複数の摂動シミュレーションをシステムにさらに実行させるように構成される回路をコントローラが含む、条項２８に記載のシステム。
３０．複数のレイアウト設計がサンプルの複数の層内にある、条項２９に記載のシステム。
３１．導電路が複数の導電路を含む、条項２９又は３０に記載のシステム。
３２．複数のレイアウト設計の各レイアウト設計が、定められた導電路を含む、条項２９乃至３１の何れか一項に記載のシステム。
３３．複数のレイアウト設計のサブセットが、定められた導電路を含む、条項２９乃至３１の何れか一項に記載のシステム。
３４．複数のレイアウト設計のサブセットが、サンプル内の複数の層を含む、条項３３に記載のシステム。
３５．複数の摂動シミュレーションに基づいて第２の複数の電圧コントラスト画像を生成することがサンプルにおける誤差を引き起こすことを含む、条項２８乃至３４の何れか一項に記載のシステム。
３６．誤差が配置誤差、クリティカルディメンション誤差、オーバーレイ誤差、又はサイズ誤差の何れか１つを含む、条項３５に記載のシステム。
３７．誤差がサンプルの層内にある、条項３５又は３６に記載のシステム。
３８．層が複数の層である、条項３７に記載のシステム。
３９．複数の摂動シミュレーションが、サンプルの処理中の複数のシミュレーテッドパターニングステップを含む、条項２８乃至３８の何れか一項に記載のシステム。
４０．複数の摂動シミュレーションが、サンプルの処理中に使用される複数の材料を含む、条項２８乃至３９の何れか一項に記載のシステム。
４１．第２の複数の電圧コントラストパターンの各電圧コントラストパターンがサンプル上のフィーチャのレイアウトを含む、条項２８乃至４０の何れか一項に記載のシステム。
４２．複数の故障メカニズムがサンプル内の欠陥の複数の根本原因を含む、条項２８乃至４１の何れか一項に記載のシステム。
４３．欠陥がサンプルの層内にある、条項４２に記載のシステム。
４４．層が複数の層である、条項４３に記載のシステム。
４５．第１の複数の電圧コントラスト画像の複数の欠陥のサブセットのパターンがフィーチャの繰り返しパターンを含む、条項２５乃至４４の何れか一項に記載のシステム。
４６．複数の欠陥のサブセットの故障メカニズムが、サンプルの自己整合ダブルパターニング又は自己整合４重パターニングの何れか１つによるピッチウォーキングを含む、条項４５に記載のシステム。
４７．第１の複数の電圧コントラスト画像の複数の欠陥のサブセットのパターンがフィーチャの市松模様を含む、条項２５乃至４４の何れか一項に記載のシステム。
４８．複数の欠陥のサブセットの故障メカニズムがサンプルの複数の層間のオーバーレイ欠陥を含む、条項４７に記載のシステム。
４９．故障メカニズムを分類及び識別するための方法を計算デバイスに実行させるために、計算デバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な１組の命令を記憶する非一時的コンピュータ可読媒体であって、方法は
複数の欠陥を識別するために、サンプルの第１の複数の電圧コントラスト画像を解析することと、
複数の欠陥のサブセットの故障メカニズムを決定するために、複数の欠陥のサブセットのパターンを解析することと
を含む、非一時的コンピュータ可読媒体。
５０．故障メカニズムの決定を容易にするために、複数の欠陥のサブセットのパターンとサンプルに関連する複数のレイアウト設計との間の相関を解析すること
を計算デバイスにさらに実行させるために計算デバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な１組の命令、条項４９に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
５１．欠陥のサブセットの分類を決定するために、複数の欠陥のサブセットのパターンを解析することを計算デバイスにさらに実行させるために計算デバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な１組の命令、条項４９又は５０に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
５２．故障メカニズムを決定すること及び分類を決定することが分類器を使用することをさらに含み、分類器は
複数の摂動シミュレーションに基づいて第２の複数の電圧コントラスト画像を生成することであって、第２の複数の電圧コントラスト画像は複数の電圧コントラストパターンを含む、生成することと、
複数の摂動シミュレーションと第２の複数の電圧コントラストパターンとの間の複数の相関を決定するために、第２の複数の電圧コントラスト画像を比較することと
によって構築される、条項５１に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
５３．複数のレイアウト設計を選択することであって、複数のレイアウト設計はサンプルの複数のフィーチャを含む、選択することと、
複数のレイアウト設計において導電路を定めることと
によって複数の摂動シミュレーションを計算デバイスにさらに実行させるために計算デバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な１組の命令、条項５２に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
５４．複数のレイアウト設計がサンプルの複数の層内にある、条項５３に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
５５．導電路が複数の導電路を含む、条項５３又は５４に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
５６．複数のレイアウト設計の各レイアウト設計が、定められた導電路を含む、条項５３乃至５５の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
５７．複数のレイアウト設計のサブセットが、定められた導電路を含む、条項５３乃至５５の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
５８．複数のレイアウト設計のサブセットが、サンプル内の複数の層を含む、条項５７に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
５９．複数の摂動シミュレーションに基づいて第２の複数の電圧コントラスト画像を生成することがサンプルにおける誤差を引き起こすことを含む、条項５２乃至５８の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
６０．誤差が配置誤差、クリティカルディメンション誤差、オーバーレイ誤差、又はサイズ誤差の何れか１つを含む、条項５９に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
６１．誤差がサンプルの層内にある、条項５９又は６０に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
６２．層が複数の層である、条項６１に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
６３．複数の摂動シミュレーションが、サンプルの処理中の複数のシミュレーテッドパターニングステップを含む、条項５２乃至６２の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
６４．複数の摂動シミュレーションが、サンプルの処理中に使用される複数の材料を含む、条項５２乃至６３の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
６５．第２の複数の電圧コントラストパターンの各電圧コントラストパターンがサンプル上のフィーチャのレイアウトを含む、条項５２乃至６４の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
６６．複数の故障メカニズムがサンプル内の欠陥の複数の根本原因を含む、条項５２乃至６５の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
６７．欠陥がサンプルの層内にある、条項６６に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
６８．層が複数の層である、条項６７に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
６９．第１の複数の電圧コントラスト画像の複数の欠陥のサブセットのパターンがフィーチャの繰り返しパターンを含む、条項４９乃至６８の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
７０．複数の欠陥のサブセットの故障メカニズムが、サンプルの自己整合ダブルパターニング又は自己整合４重パターニングの何れか１つによるピッチウォーキングを含む、条項６９に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
７１．第１の複数の電圧コントラスト画像の複数の欠陥のサブセットのパターンがフィーチャの市松模様を含む、条項４９乃至６８の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
７２．複数の欠陥のサブセットの故障メカニズムがサンプルの複数の層間のオーバーレイ欠陥を含む、条項７１に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
７３．故障メカニズムを分類及び識別するためのシステムであって、
複数の摂動シミュレーションに基づいて第１の複数の電圧コントラストパターンを生成することと、
複数の摂動シミュレーションと第１の複数の電圧コントラストパターンとの間の関係を決定することと、
第２の複数の電圧コントラストパターンを生成することと、
第２の複数の電圧コントラストパターン及び複数の関係に基づいて故障メカニズムを識別することと
をシステムに実行させるように構成される回路を含むコントローラ
を含む、システム。
７４．複数のレイアウト設計を選択することであって、複数のレイアウト設計はサンプルの複数のフィーチャを含む、選択することと、
複数のレイアウト設計において導電路を定めることと
によって複数の摂動シミュレーションをシステムにさらに実行させるように構成される回路をコントローラが含む、条項７３に記載のシステム。
７５．複数のレイアウト設計がサンプルの複数の層内にある、条項７４に記載のシステム。
７６．導電路が複数の導電路を含む、条項７４又は７５に記載のシステム。
７７．複数のレイアウト設計の各レイアウト設計が、定められた導電路を含む、条項７４乃至７６の何れか一項に記載のシステム。
７８．複数のレイアウト設計のサブセットが、定められた導電路を含む、条項７４乃至７６の何れか一項に記載のシステム。
７９．複数のレイアウト設計のサブセットが、サンプル内の複数の層を含む、条項７８に記載のシステム。
８０．複数の摂動シミュレーションに基づいて第１の複数の電圧コントラストパターンを生成することがサンプルにおける誤差を引き起こすことを含む、条項７３乃至７９の何れか一項に記載のシステム。
８１．誤差が配置誤差、クリティカルディメンション誤差、オーバーレイ誤差、又はサイズ誤差の何れか１つを含む、条項８０に記載のシステム。
８２．誤差がサンプルの層内にある、条項８０又は８１に記載のシステム。
８３．層が複数の層である、条項８２に記載のシステム。
８４．複数の摂動シミュレーションが、サンプルの処理中の複数のシミュレーテッドパターニングステップを含む、条項７３乃至８３の何れか一項に記載のシステム。
８５．複数の摂動シミュレーションが、サンプルの処理中に使用される複数の材料を含む、条項７３乃至８４の何れか一項に記載のシステム。
８６．第１の複数の電圧コントラストパターンの各電圧コントラストパターンがサンプル上のフィーチャのレイアウトを含む、条項７３乃至８５の何れか一項に記載のシステム。
８７．故障メカニズムがサンプル内の欠陥の根本原因を含む、条項７３乃至８６の何れか一項に記載のシステム。
８８．欠陥がサンプルの層内にある、条項８７に記載のシステム。
８９．層が複数の層である、条項８８に記載のシステム。
９０．第２の複数の電圧コントラストパターンの電圧コントラストパターンがフィーチャの繰り返しパターンを含む、条項７３乃至８９の何れか一項に記載のシステム。
９１．電圧コントラストパターンの故障メカニズムが、サンプルの自己整合ダブルパターニング又は自己整合４重パターニングの何れか１つによるピッチウォーキングを含む、条項９０に記載のシステム。
９２．第２の複数の電圧コントラストパターンの電圧コントラストパターンがフィーチャの市松模様を含む、条項７３乃至８９の何れか一項に記載のシステム。
９３．電圧コントラストパターンの故障メカニズムがサンプルの複数の層間のオーバーレイ欠陥を含む、条項９２に記載のシステム。
９４．故障メカニズムを分類及び識別するための方法であって、
複数の摂動シミュレーションに基づいて第１の複数の電圧コントラストパターンを生成することと、
複数の摂動シミュレーションと第１の複数の電圧コントラストパターンとの間の関係を決定することと、
第２の複数の電圧コントラストパターンを生成することと、
第２の複数の電圧コントラストパターン及び複数の関係に基づいて故障メカニズムを識別することと
を含む、方法。
９５．複数のレイアウト設計を選択することであって、複数のレイアウト設計はサンプルの複数のフィーチャを含む、選択することと、
複数のレイアウト設計において導電路を定めることと
によって複数の摂動シミュレーションを実行することをさらに含む、条項９４に記載の方法。
９６．複数のレイアウト設計がサンプルの複数の層内にある、条項９５に記載の方法。
９７．導電路が複数の導電路を含む、条項９５又は９６に記載の方法。
９８．複数のレイアウト設計の各レイアウト設計が定められた導電路を含む、条項９５乃至９７の何れか一項に記載の方法。
９９．複数のレイアウト設計のサブセットが定められた導電路を含む、条項９５乃至９７の何れか一項に記載の方法。
１００．複数のレイアウト設計のサブセットがサンプル内の複数の層を含む、条項９９に記載の方法。
１０１．複数の摂動シミュレーションに基づいて第１の複数の電圧コントラストパターンを生成することがサンプルにおける誤差を引き起こすことを含む、条項９４乃至１００の何れか一項に記載の方法。
１０２．誤差が配置誤差、クリティカルディメンション誤差、オーバーレイ誤差、又はサイズ誤差の何れか１つを含む、条項１０１に記載の方法。
１０３．誤差がサンプルの層内にある、条項１０１又は１０２に記載の方法。
１０４．層が複数の層である、条項１０３に記載の方法。
１０５．複数の摂動シミュレーションが、サンプルの処理中の複数のシミュレーテッドパターニングステップを含む、条項９４乃至１０４の何れか一項に記載の方法。
１０６．複数の摂動シミュレーションが、サンプルの処理中に使用される複数の材料を含む、条項９４乃至１０５の何れか一項に記載の方法。
１０７．第１の複数の電圧コントラストパターンの各電圧コントラストパターンがサンプル上のフィーチャのレイアウトを含む、条項９４乃至１０６の何れか一項に記載の方法。
１０８．故障メカニズムがサンプル内の欠陥の根本原因を含む、条項９４乃至１０７の何れか一項に記載の方法。
１０９．欠陥がサンプルの層内にある、条項１０８に記載の方法。
１１０．層が複数の層である、条項１０９に記載の方法。
１１１．第２の複数の電圧コントラストパターンの電圧コントラストパターンがフィーチャの繰り返しパターンを含む、条項９４乃至１１０の何れか一項に記載の方法。
１１２．電圧コントラストパターンの故障メカニズムが、サンプルの自己整合ダブルパターニング又は自己整合４重パターニングの何れか１つによるピッチウォーキングを含む、条項１１１に記載の方法。
１１３．第２の複数の電圧コントラストパターンの電圧コントラストパターンがフィーチャの市松模様を含む、条項９４乃至１１０の何れか一項に記載の方法。
１１４．電圧コントラストパターンの故障メカニズムがサンプルの複数の層間のオーバーレイ欠陥を含む、条項１１３に記載の方法。
１１５．故障メカニズムを分類及び識別するための方法を計算デバイスに実行させるために、計算デバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な１組の命令を記憶する非一時的コンピュータ可読媒体であって、方法は
複数の摂動シミュレーションに基づいて第１の複数の電圧コントラストパターンを生成することと、
複数の摂動シミュレーションと第１の複数の電圧コントラストパターンとの間の関係を決定することと、
第２の複数の電圧コントラストパターンを生成することと、
第２の複数の電圧コントラストパターン及び複数の関係に基づいて故障メカニズムを識別することと
を含む、非一時的コンピュータ可読媒体。
１１６．複数のレイアウト設計を選択することであって、複数のレイアウト設計はサンプルの複数のフィーチャを含む、選択すること、及び
複数のレイアウト設計において導電路を定めること
によって複数の摂動シミュレーションを計算デバイスにさらに実行させるために計算デバイスの少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な１組の命令、条項１１５に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１１７．複数のレイアウト設計がサンプルの複数の層内にある、条項１１６に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１１８．導電路が複数の導電路を含む、条項１１６又は１１７に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１１９．複数のレイアウト設計の各レイアウト設計が、定められた導電路を含む、条項１１６乃至１１８の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１２０．複数のレイアウト設計のサブセットが、定められた導電路を含む、条項１１６乃至１１８の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１２１．複数のレイアウト設計のサブセットがサンプル内の複数の層を含む、条項１２０に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１２２．複数の摂動シミュレーションに基づいて第１の複数の電圧コントラストパターンを生成することがサンプルにおける誤差を引き起こすことを含む、条項１１５乃至１２１の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１２３．誤差が配置誤差、クリティカルディメンション誤差、オーバーレイ誤差、又はサイズ誤差の何れか１つを含む、条項１２２に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１２４．誤差がサンプルの層内にある、条項１２２又は１２３に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１２５．層が複数の層である、条項１２４に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１２６．複数の摂動シミュレーションが、サンプルの処理中の複数のシミュレーテッドパターニングステップを含む、条項１１５乃至１２５の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１２７．複数の摂動シミュレーションが、サンプルの処理中に使用される複数の材料を含む、条項１１５乃至１２６の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１２８．第１の複数の電圧コントラストパターンの各電圧コントラストパターンがサンプル上のフィーチャのレイアウトを含む、条項１１５乃至１２７の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１２９．故障メカニズムがサンプル内の欠陥の根本原因を含む、条項１１５乃至１２８の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１３０．欠陥がサンプルの層内にある、条項１２９に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１３１．層が複数の層である、条項１３０に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１３２．第２の複数の電圧コントラストパターンの電圧コントラストパターンがフィーチャの繰り返しパターンを含む、条項１１５乃至１３１の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１３３．電圧コントラストパターンの故障メカニズムが、サンプルの自己整合ダブルパターニング又は自己整合４重パターニングの何れか１つによるピッチウォーキングを含む、条項１３２に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１３４．第２の複数の電圧コントラストパターンの電圧コントラストパターンがフィーチャの市松模様を含む、条項１１５乃至１３１の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１３５．電圧コントラストパターンの故障メカニズムがサンプルの複数の層間のオーバーレイ欠陥を含む、条項１３４に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１３６．故障メカニズムを分類及び識別するためのシステムであって、
複数の摂動シミュレーションに基づいて第１の複数の電圧コントラストパターンを生成することと、
複数の摂動シミュレーションと第１の複数の電圧コントラストパターンとの間の関係に基づいて第１の複数の電圧コントラストに関連する故障メカニズムを分類することと、
第２の複数の電圧コントラストパターンを生成することと、
分類された故障メカニズムを使用して第２の複数の電圧コントラストパターンに関連する故障メカニズムを識別することと
をシステムに実行させるように構成される回路を含むコントローラ
を含む、システム。
１３７．故障メカニズムを分類及び識別するためのシステムであって、
複数の摂動シミュレーションに基づいて第１の複数の電圧コントラスト画像を生成することであって、第１の複数の電圧コントラスト画像は第１の複数の電圧コントラストパターンを含む、生成することと、
複数の摂動シミュレーションと第１の複数の電圧コントラストパターンとの間の関係を決定するために、第１の複数の電圧コントラスト画像を比較することによって分類器を構築することと、
検査中に第２の複数の電圧コントラスト画像を生成することであって、第２の複数の電圧コントラスト画像は第２の複数の電圧コントラストパターンを含む、生成することと、
分類器を使用して第２の複数の電圧コントラストパターンに基づいて故障メカニズムを識別することと
をシステムに実行させるように構成される回路を含むコントローラ
を含む、システム。
１３８．パターンが複数のパターンセットを含み、複数のパターンセットの各パターンセットが２つのフィーチャ及び２つのフィーチャに関連する欠陥を含む、条項１に記載の方法。
１３９．各パターンセットの２つのフィーチャは、２つのフィーチャが自己整合ダブルパターニングプロセスの使用によって製造されることを示し、欠陥は自己整合ダブルパターニングプロセスの使用に関係する故障メカニズムを示す、条項１３８に記載の方法。
１４０．パターンが複数のパターンセットを含み、複数のパターンセットの各パターンセットが４つのフィーチャ及び４つのフィーチャに関連する欠陥を含む、条項１に記載の方法。
１４１．各パターンセットの４つのフィーチャは、４つのフィーチャが自己整合４重パターニングプロセスの使用によって製造されることを示し、欠陥は自己整合４重パターニングプロセスの使用に関係する故障メカニズムを示す、条項１４０に記載の方法。
１４２．パターンが複数のパターンセットを含み、複数のパターンセットの各パターンセットが２つのフィーチャ及び２つのフィーチャに関連する欠陥を含む、条項２５に記載のシステム。
１４３．各パターンセットの２つのフィーチャは、２つのフィーチャが自己整合ダブルパターニングプロセスの使用によって製造されることを示し、欠陥は自己整合ダブルパターニングプロセスの使用に関係する故障メカニズムを示す、条項１４２に記載の方法。
１４４．パターンが複数のパターンセットを含み、複数のパターンセットの各パターンセットが４つのフィーチャ及び４つのフィーチャに関連する欠陥を含む、条項２５に記載のシステム。
１４５．各パターンセットの４つのフィーチャは、４つのフィーチャが自己整合４重パターニングプロセスの使用によって製造されることを示し、欠陥は自己整合４重パターニングプロセスの使用に関係する故障メカニズムを示す、条項１４４に記載の方法。
１４６．パターンが複数のパターンセットを含み、複数のパターンセットの各パターンセットが２つのフィーチャ及び２つのフィーチャに関連する欠陥を含む、条項４９に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１４７．各パターンセットの２つのフィーチャは、２つのフィーチャが自己整合ダブルパターニングプロセスの使用によって製造されることを示し、欠陥は自己整合ダブルパターニングプロセスの使用に関係する故障メカニズムを示す、条項１４６に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１４８．パターンが複数のパターンセットを含み、複数のパターンセットの各パターンセットが４つのフィーチャ及び４つのフィーチャに関連する欠陥を含む、条項４９に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１４９．各パターンセットの４つのフィーチャは、４つのフィーチャが自己整合４重パターニングプロセスの使用によって製造されることを示し、欠陥は自己整合４重パターニングプロセスの使用に関係する故障メカニズムを示す、条項１４８に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１５０．関係が複数の関係を含む、条項７３乃至９３の何れか一項に記載のシステム。
１５１．故障メカニズムが複数の故障メカニズムを含む、条項７３乃至９３又は１５０の何れか一項に記載のシステム。
１５２．関係が複数の関係を含む、条項９４乃至１１４の何れか一項に記載の方法。
１５３．故障メカニズムが複数の故障メカニズムを含む、条項９４乃至１１４又は１５２の何れか一項に記載の方法。
１５４．関係が複数の関係を含む、条項１１５乃至１３５の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
１５５．故障メカニズムが複数の故障メカニズムを含む、条項１１５乃至１３５又は１５４の何れか一項に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
【0101】
[0107] 本開示の実施形態は、上記で説明し添付図面に示した通りの構成に限定されず、本発明の範囲から逸脱することなく様々な修正及び変更を加え得ることが理解されよう。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図6】
【図7】
【国際調査報告】