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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-10-16
(54)【発明の名称】センサレスＲＦインピーダンス整合ネットワーク
(51)【国際特許分類】
H05H 1/46 20060101AFI20241008BHJP
H01J 37/305 20060101ALN20241008BHJP
【ＦＩ】
H05H1/46 R
H01J37/305 A
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024517156
(86)(22)【出願日】2022-10-27
(85)【翻訳文提出日】2024-03-18
(86)【国際出願番号】 US2022047973
(87)【国際公開番号】W WO2023081052
(87)【国際公開日】2023-05-11
(31)【優先権主張番号】17/521,185
(32)【優先日】2021-11-08
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】390040660
【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．
(74)【代理人】
【識別番号】100101502
【弁理士】
【氏名又は名称】安齋 嘉章
(72)【発明者】
【氏名】グオ ユエ
(72)【発明者】
【氏名】ラマスワミ カルティク
(72)【発明者】
【氏名】ヤン ヤン
【テーマコード（参考）】
2G084
5C101
【Ｆターム（参考）】
2G084AA02
2G084BB02
2G084BB05
2G084BB06
2G084CC12
2G084CC13
2G084DD38
2G084DD51
2G084DD55
2G084FF04
2G084FF38
2G084HH07
2G084HH19
2G084HH24
2G084HH26
2G084HH28
2G084HH32
5C101AA31
5C101CC01
5C101CC17
5C101DD03
5C101DD17
5C101DD18
5C101DD20
5C101DD23
5C101DD30
5C101FF02
(57)【要約】
基板をプラズマ処理するための方法及び装置が提供される。方法は、ＲＦ電源からＲＦ電力を供給し、ＲＦ電源で第１の電力レベルで反射電力を測定し、測定された反射電力を第１の閾値と比較し、比較結果をコントローラに送信し、第１の電力レベルで測定された反射電力と第１の閾値との比較に基づいて、少なくとも１つの可変コンデンサを第１の位置に設定し、基板をプラズマ処理するためにＲＦ電源から第２の電力レベルでＲＦ電力を供給し、ＲＦ電源で第２の電力レベルで反射電力を測定し、第２の電力レベルで測定された反射電力と第１の閾値とは異なる第２の閾値とを比較し、比較結果を送信し、整合ネットワークで少なくとも１つの可変コンデンサを第２の位置に設定することを含む。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板をプラズマ処理する方法であって、プラズマ処理チャンバの処理容積内でプラズマを点火し、維持するのに適した第１の電力レベルでＲＦ電源からＲＦ電力を供給する工程と、
ＲＦ電源において第１の電力レベルで反射電力を測定する工程と、
測定された反射電力を第１の閾値と比較する工程と、
第１の閾値との比較結果を整合ネットワークのコントローラに送る工程と、
第１の電力レベルで測定された反射電力と第１の閾値との比較に基づいて、整合ネットワークにおいて少なくとも１つの可変コンデンサを第１の位置に設定する工程と、
第１の電力レベルとは異なる第２の電力レベルでＲＦ電源からＲＦ電力を供給する工程であって、第２の電力レベルは、プラズマ処理チャンバ内に配置された基板をプラズマ処理するためのものである工程と、
ＲＦ電源において第２の電力レベルで反射電力を測定する工程と、
第２の電力レベルで測定された反射電力を、第１の閾値とは異なる第２の閾値と比較する工程と、
第２の閾値との比較結果を整合ネットワークのコントローラに送る工程と、
第２の電力レベルで測定された反射電力と第２の閾値との比較に基づいて、整合ネットワークにおいて少なくとも１つの可変コンデンサを第２の位置に設定する工程と、
基板をプラズマ処理するために第２の電力レベルでＲＦ電力を供給し続ける工程とを含む方法。
【請求項2】
少なくとも１つの可変コンデンサを第１の位置及び第２の位置に設定することは、勾配ベースの方法、微分を含まない方法、モデルベースの方法、又は学習ベースの調整アルゴリズムの少なくとも１つを使用することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項3】
第１の閾値は、第１の電力レベルにおける反射電力の約１０％である、請求項１に記載の方法。
【請求項4】
第２の閾値は第１の電力レベルよりも小さい、請求項１～３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項5】
第２の電力レベルでＲＦ電力を供給することは、ＲＦ電力をパルスモードで供給することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項6】
パルスモードは単一レベルパルスモードである、請求項１～３又は５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項7】
パルスモードはマルチレベルパルスモードである、請求項１～３又は５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項8】
測定された反射電力を第１の閾値と比較すること、又は測定された反射電力を第２の閾値と比較することの少なくとも一方は、周波数調整を実行することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項9】
少なくとも１つの可変コンデンサを第１の位置及び第２の位置に設定することは、直列可変コンデンサ又は分路可変コンデンサのうちの少なくとも１つを設定することを含む、請求項１～３、５、又は８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項10】
プロセッサにより実行されると基板をプラズマ処理する方法を実行する命令を記憶した非一時的なコンピュータ可読記憶媒体であって、方法は、プラズマ処理チャンバの処理容積内でプラズマを点火し、維持するのに適した第１の電力レベルでＲＦ電源からＲＦ電力を供給する工程と、
ＲＦ電源において第１の電力レベルで反射電力を測定する工程と、
測定された反射電力を第１の閾値と比較する工程と、
第１の閾値との比較結果を整合ネットワークのコントローラに送る工程と、
第１の電力レベルで測定された反射電力と第１の閾値との比較に基づいて、整合ネットワークにおいて少なくとも１つの可変コンデンサを第１の位置に設定する工程と、
第１の電力レベルとは異なる第２の電力レベルでＲＦ電源からＲＦ電力を供給する工程であって、第２の電力レベルは、プラズマ処理チャンバ内に配置された基板をプラズマ処理するためのものである工程と、
ＲＦ電源において第２の電力レベルで反射電力を測定する工程と、
第２の電力レベルで測定された反射電力を、第１の閾値とは異なる第２の閾値と比較する工程と、
第２の閾値との比較結果を整合ネットワークのコントローラに送る工程と、
第２の電力レベルで測定された反射電力と第２の閾値との比較に基づいて、整合ネットワークにおいて少なくとも１つの可変コンデンサを第２の位置に設定する工程と、
基板をプラズマ処理するために第２の電力レベルでＲＦ電力を供給し続ける工程とを含む、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項11】
少なくとも１つの可変コンデンサを第１の位置及び第２の位置に設定することは、勾配ベースの方法、微分を含まない方法、モデルベースの方法、又は学習ベースの調整アルゴリズムの少なくとも１つを使用することを含む、請求項１０に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項12】
第１の閾値は、第１の電力レベルにおける反射電力の約１０％である、請求項１０に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項13】
第２の閾値は第１の電力レベルよりも小さい、請求項１０～１２のいずれか１項に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項14】
第２の電力レベルでＲＦ電力を供給することは、ＲＦ電力をパルスモードで供給することを含む、請求項１０に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項15】
パルスモードは単一レベルパルスモードである、請求項１０～１２又は１４のいずれか１項に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項16】
パルスモードはマルチレベルパルスモードである、請求項１０～１２又は１４のいずれか１項に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項17】
測定された反射電力を第１の閾値と比較すること、又は測定された反射電力を第２の閾値と比較することの少なくとも一方は、周波数調整を実行することを含む、請求項１０に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項18】
少なくとも１つの可変コンデンサを第１の位置及び第２の位置に設定することは、直列可変コンデンサ又は分路可変コンデンサのうちの少なくとも１つを設定することを含む、請求項１０～１２、１４、又は１７のいずれか１項に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項19】
基板を処理するためのシステムであって、ＲＦ電力を供給するように構成されたＲＦ電源と、
処理ガスをプラズマ処理チャンバの処理容積に供給するように構成されたガス源と、
ＲＦ電源から受信した比較結果に基づいて、少なくとも１つの可変コンデンサを設定するように構成された整合ネットワークと、
コントローラであって、
プラズマ処理チャンバの処理容積内でプラズマを点火し、維持するのに適した第１の電力レベルでＲＦ電源からＲＦ電力を供給し、
ＲＦ電源において第１の電力レベルで反射電力を測定し、
測定された反射電力を第１の閾値と比較し、
第１の閾値との比較結果を整合ネットワークのコントローラに送り、
第１の電力レベルで測定された反射電力と第１の閾値との比較に基づいて、整合ネットワークにおいて少なくとも１つの可変コンデンサを第１の位置に設定し、
第１の電力レベルとは異なる第２の電力レベルでＲＦ電源からＲＦ電力を供給し、第２の電力レベルは、プラズマ処理チャンバ内に配置された基板をプラズマ処理するためのものであり、
ＲＦ電源において第２の電力レベルで反射電力を測定し、
第２の電力レベルで測定された反射電力を、第１の閾値とは異なる第２の閾値と比較し、
第２の閾値との比較結果を整合ネットワークのコントローラに送り、
第２の電力レベルで測定された反射電力と第２の閾値との比較に基づいて、整合ネットワークにおいて少なくとも１つの可変コンデンサを第２の位置に設定し、
基板をプラズマ処理するために第２の電力レベルでＲＦ電力を供給し続けように構成されたコントローラを含むシステム
【請求項20】
ＲＦ電源と整合回路網との間に接続されたサーキュレータと、コントローラに接続されたパワーメータと、
サーキュレータに接続されるダミー負荷を含む、請求項１９に記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【分野】
【0001】
本開示の実施形態は、概して、基板を処理するための方法及び装置に関し、例えば、センサレス高周波（ＲＦ）インピーダンス整合ネットワークを使用する方法及び装置に関する。
【背景】
【0002】
プラズマ基板（ウエハ）処理中に使用されるインピーダンス整合ネットワークが知られている。例えば、従来のＲＦインピーダンス整合ネットワークは、電力効率を最適化するためにＲＦ源とプラズマリアクタ（チャンバ）の間に配置される電気回路を備える。例えば、調整された整合ポイントでは、最大のＲＦ電力（順方向電力）がプラズマ負荷に供給され、ほぼゼロの電力がＲＦ源に反射されて戻る（反射電力）。従来のインピーダンス整合ネットワークは、インピーダンスの測定と監視のために１つ以上のセンサを必要とする。インピーダンス測定は、通常、インピーダンス整合ネットワークの入力及び出力で、電圧及び電流プローブ及び／又は振幅及び位相検出器を使用して行われる。幾つかの例では、ＲＦ整合ネットワークの入力ポートでセンサを使用することができる。収集されたインピーダンスの大きさと位相情報は、インピーダンス整合ネットワークの１つ以上の監視されるモータ化（電動）可変コンデンサを制御するために使用される。従来のインピーダンス整合ネットワークはプラズマに最大の電力伝達を供給するのに適しているが、このようなネットワークは複雑で比較的高価なハードウェアを使用し、使用前にセンサの校正を必要とする。
【概要】
【0003】
基板をプラズマ処理するための方法及び装置が本明細書で提供される。幾つかの実施形態では、例えば、基板をプラズマ処理する方法は、プラズマ処理チャンバの処理容積内でプラズマを点火し、維持するのに適した第１の電力レベルでＲＦ電源からＲＦ電力を供給する工程と、ＲＦ電源において第１の電力レベルで反射電力を測定する工程と、測定された反射電力を第１の閾値と比較する工程と、第１の閾値との比較結果を整合ネットワークのコントローラに送る工程と、第１の電力レベルで測定された反射電力と第１の閾値との比較に基づいて、整合ネットワークにおいて少なくとも１つの可変コンデンサを第１の位置に設定する工程と、第１の電力レベルとは異なる第２の電力レベルでＲＦ電源からＲＦ電力を供給する工程であって、第２の電力レベルは、プラズマ処理チャンバ内に配置された基板をプラズマ処理するためのものである工程と、ＲＦ電源において第２の電力レベルで反射電力を測定する工程と、第２の電力レベルで測定された反射電力を、第１の閾値とは異なる第２の閾値と比較する工程と、第２の閾値との比較結果を整合ネットワークのコントローラに送る工程と、第２の電力レベルで測定された反射電力と第２の閾値との比較に基づいて、整合ネットワークにおいて少なくとも１つの可変コンデンサを第２の位置に設定する工程と、基板をプラズマ処理するために第２の電力レベルでＲＦ電力を供給し続ける工程とを含む。
【0004】
少なくとも幾つかの実施形態によれば、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体は、プロセッサにより実行されると基板をプラズマ処理する方法を実行する命令を記憶している。この方法は、プラズマ処理チャンバの処理容積内でプラズマを点火し、維持するのに適した第１の電力レベルでＲＦ電源からＲＦ電力を供給する工程と、ＲＦ電源において第１の電力レベルで反射電力を測定する工程と、測定された反射電力を第１の閾値と比較する工程と、第１の閾値との比較結果を整合ネットワークのコントローラに送る工程と、第１の電力レベルで測定された反射電力と第１の閾値との比較に基づいて、整合ネットワークにおいて少なくとも１つの可変コンデンサを第１の位置に設定する工程と、第１の電力レベルとは異なる第２の電力レベルでＲＦ電源からＲＦ電力を供給する工程であって、第２の電力レベルは、プラズマ処理チャンバ内に配置された基板をプラズマ処理するためのものである工程と、ＲＦ電源において第２の電力レベルで反射電力を測定する工程と、第２の電力レベルで測定された反射電力を、第１の閾値とは異なる第２の閾値と比較する工程と、第２の閾値との比較結果を整合ネットワークのコントローラに送る工程と、第２の電力レベルで測定された反射電力と第２の閾値との比較に基づいて、整合ネットワークにおいて少なくとも１つの可変コンデンサを第２の位置に設定する工程と、基板をプラズマ処理するために第２の電力レベルでＲＦ電力を供給し続ける工程とを含む。
【0005】
少なくとも幾つかの実施形態によれば、基板を処理するためのシステムは、ＲＦ電力を供給するように構成されたＲＦ電源と、処理ガスをプラズマ処理チャンバの処理容積に供給するように構成されたガス源と、ＲＦ電源から受信した比較結果に基づいて、少なくとも１つの可変コンデンサを設定するように構成された整合ネットワークと、コントローラであって、プラズマ処理チャンバの処理容積内でプラズマを点火し、維持するのに適した第１の電力レベルでＲＦ電源からＲＦ電力を供給し、ＲＦ電源において第１の電力レベルで反射電力を測定し、測定された反射電力を第１の閾値と比較し、第１の閾値との比較結果を整合ネットワークのコントローラに送り、第１の電力レベルで測定された反射電力と第１の閾値との比較に基づいて、整合ネットワークにおいて少なくとも１つの可変コンデンサを第１の位置に設定し、第１の電力レベルとは異なる第２の電力レベルでＲＦ電源からＲＦ電力を供給し、第２の電力レベルは、プラズマ処理チャンバ内に配置された基板をプラズマ処理するためのものであり、ＲＦ電源において第２の電力レベルで反射電力を測定し、第２の電力レベルで測定された反射電力を、第１の閾値とは異なる第２の閾値と比較し、第２の閾値との比較結果を整合ネットワークのコントローラに送り、第２の電力レベルで測定された反射電力と第２の閾値との比較に基づいて、整合ネットワークにおいて少なくとも１つの可変コンデンサを第２の位置に設定し、基板をプラズマ処理するために第２の電力レベルでＲＦ電力を供給し続けように構成されたコントローラを含む。
【0006】
本開示の他の更なる実施形態について以下に説明する。
【図面の簡単な説明】
【0007】
本開示の実施形態は、上で簡単に要約され、以下でより詳細に論じられるが、添付図面に示される本開示の例示的な実施形態を参照することにより理解することができる。しかしながら、添付図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示しており、従って、本開示は他の同様に効果的な実施形態を含み得るため、その範囲を限定するもの解釈されるべきではない。
【図1】本開示の１つ以上の実施形態による装置の概略図である。
【図4】本開示の１つ以上の実施形態による、基板を処理する方法のフローチャートである。
【0008】
理解を容易にするために、可能な限り、各図に共通する同一の要素を示すために同一の参照番号が使用される。図は一定の縮尺で描かれておらず、明確化のために簡略化されている場合がある。一実施形態の要素及びフィーチャは、更に詳述することなく、他の実施形態に有益に組み込まれてもよい。
【詳細な説明】
【0009】
基板を処理するための方法及び装置の実施形態が本明細書で提供される。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、装置はプラズマ処理チャンバで使用するためのセンサレスＲＦインピーダンス整合ネットワークシステムと、プラズマ処理チャンバのプラズマ負荷インピーダンスを整合させるための方法を含む。本明細書で説明されるセンサレスＲＦ整合ネットワークと自動マッチングアルゴリズムは、センサの校正を必要としないシンプルでコスト効率の高いハードウェアを使用する。
【0010】
図１は、本開示の少なくとも幾つかの実施形態による装置の概略図である。この装置は、電子ビーム（ｅｂｅａｍ）を使用して１つ以上の基板（ウエハ）をエッチングするのに適している。従って、少なくとも幾つかの実施形態では、装置は、電子ビーム誘起エッチング（ＥＢＩＥ）を実行するように構成された処理チャンバ１００（例えば、電子ビーム処理チャンバ等のプラズマ処理チャンバ）である。処理チャンバ１００は、処理容積１０１を画定するチャンバ本体１０２を有する。一実施形態では、チャンバ本体１０２は実質的に円筒形の形状を有し、内部の真空圧環境を維持するのに適した材料（例えば、アルミニウムやステンレス鋼等の金属材料）で形成することができる。
【0011】
天井１０６がチャンバ本体１０２に結合され、処理容積１０１を形成する。天井１０６は、チャンバ本体１０２を製造するために利用される材料等の導電性材料から形成される。天井１０６は電極１０８（例えば、上部電極）に結合され、電極を支持する。幾つかの実施形態では、電極１０８は天井１０６に結合され、これにより、電極１０８は処理容積１０１に隣接し、又は処理容積１０１内に配置される。電極１０８は、高い二次電子放出係数（例えば、約５～約１０の二次電子放出係数）を有するプロセス適合性材料で形成される。比較的高い二次電子放出係数を有する材料としては、珪素、炭素、炭化珪素材料、又は酸化珪素材料が挙げられるが、これらに限定されない。代替的に、電極１０８は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、又は酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）等の金属酸化物材料から形成することができる。電気絶縁材料から形成される誘電体リング１０９がチャンバ本体１０２に結合され、電極１０８を取り囲む。図示されるように、誘電体リング１０９は、チャンバ本体１０２と天井１０６との間に配置され、電極１０８を支持する。
【0012】
天井１０６は、電極１０８に対向するチャッキング電極１５２を含む絶縁層１５０を含むことができる。少なくとも幾つかの実施形態では、電極を静電的に天井１０６にクランプするために、ＤＣ電圧電源１５４を給電導体１５５を介してチャッキング電極１５２に結合し、ＤＣ電力（例えば電圧電位）を印加するための電極１０８に接続することができる。このような実施形態では、ＤＣブロッキングコンデンサ１５６を、インピーダンス整合ネットワーク１２４の出力と直列に接続することができる。コントローラ１２６は、ＤＣ電圧電源１５４を制御するように作用する。
【0013】
電極１０８と天井１０６との間の機械的接触は、電極１０８と天井１０６の間の高い熱コンダクタンスを維持するのに十分である。更に、機械的接触の力は、ＤＣ電圧電源１５４により提供される静電クランプ力により調整することができる。
【0014】
１つ以上の実施形態では、天井１０６は導電性であり、電極１０８と電気的に接触している。インピーダンス整合ネットワーク１２４からの電力は、天井１０６を介して電極１０８に伝導される。１つ以上の実施形態では、チャンバ本体１０２は接地電位に維持することができる。１つ以上の実施形態では、処理チャンバ１００内の接地された内面（即ち、チャンバ本体１０２）は、プロセス適合性材料（例えば、珪素（Ｓｉ）、炭素（Ｃ）、炭化珪素（ＳｉＣ）材料、酸化珪素（ＳｉＯ）材料、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、又は酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）等）でコーティングすることができる。
【0015】
幾つかの実施形態では、天井１０６の内部に熱伝導性の液体又は媒体を導くための内部通路（図示せず）が、熱媒体循環供給源に接続される。熱媒体循環供給源はヒートシンク又は熱源として作用する。
【0016】
ペデスタル１１０が処理容積１０１内に配置される。ペデスタル１１０は、その上に基板１１１（例えば、シリコンウエハ等の半導体ウエハ、又はガラスパネル、又は太陽電池、ディスプレイ、又は他の用途のための他の基板）を支持し、電極１０８に平行に配向された基板支持面１１０ａを有する。一実施形態では、ペデスタル１１０は、リフトサーボ１１２により軸方向に移動可能である。オペレーション中、上部電極（例えば、電極１０８等）は、基板支持面１１０ａから１つ以上の距離（例えば、プロセス位置）に維持される。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、電極１０８は、基板を処理するための処理位置から約１インチから約２０インチの距離に維持される。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、距離は約６インチから約１０インチであってもよい。
【0017】
コントローラ１２６が提供され、処理チャンバ１００の様々なコンポーネントと結合され、基板を処理するための処理チャンバ１００のオペレーションを制御する。コントローラ１２６は、中央処理装置１２７、サポート回路１２９及びメモリ１３１を含み、メモリ１３１は、本明細書に記載の方法を実行するための命令を有する非一時的なコンピュータ可読記憶媒体であってもよい。コントローラ１２６は、直接的に、又は処理チャンバ１００及び／又はサポートシステムコンポーネントに関連付けられたコンピュータ（又はコントローラ）を介して、１つ以上のエネルギー源に動作可能に結合し、制御する。コントローラ１２６は、様々なチャンバ及びサブプロセッサを制御するために工業環境で使用できる任意の形式の汎用コンピュータプロセッサであってもよい。コントローラ１２６のメモリ１３１又は非一時的なコンピュータ可読記憶媒体は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスク、ハードディスク、光記憶装置（例えば、コンパクトディスク、デジタルビデオディスク等）、フラッシュドライブ、又はローカル又はリモートのその他の形式のデジタルストレージ等の容易に入手可能なメモリの１つ以上であってもよい。サポート回路１２９は、従来の方法で中央処理装置１２７をサポートするために中央処理装置１２７に結合される。サポート回路１２９は、キャッシュ、電源、クロック回路、入出力回路及びサブシステム等を含む。基板処理方法（例えば、基板のＥＢＩＥ）等の本明細書に記載の本発明の方法は、本明細書に記載される方法で１つ以上のエネルギー源のオペレーションを制御するために実行又は呼び出すことができるソフトウェアルーチン１３３としてメモリ１３１に格納することができる。また、ソフトウェアルーチン１３３は、中央処理装置１２７により制御されるハードウェアから遠隔に位置する第２の中央処理装置（図示せず）により記憶及び／又は実行することができる。
【0018】
１つ以上の実施形態では、ペデスタル１１０は、基板支持面１１０ａを形成する絶縁パック１４２と、絶縁パック１４２の内部に配置された下部電極１４４と、電極１４４に接続されたチャッキング電圧源１４８を含むことができる。更に、少なくとも幾つかの実施形態では、絶縁パック１４２の下にあるベース層１４６は、循環供給源からの熱伝達媒体（例えば、液体）を循環させるための１つ以上の内部通路（図示せず）を含むことができる。このような実施形態では、循環供給源はヒートシンク又は熱源として作用することができる。
【0019】
１つ以上のＲＦ電力発生器を処理チャンバ１００に結合することができる。少なくとも幾つかの実施形態では、約２０ＭＨｚから約２００ＭＨｚまでの周波数を有する高周波ＲＦ電源１２０と、約１００ｋＨｚから約２０ＭＨｚまでの周波数を有する低周波ＲＦ電源１２２が、例えば、ＲＦ給電導体１２３（ＲＦ伝送線路）を介し、インピーダンス整合ネットワーク１２４を介して電極１０８に結合される。少なくとも幾つかの実施形態では、１つ以上のＲＦ発生器は、約１００ｋＨｚから約２００ＭＨｚの周波数を有する単一のＲＦ源を備えることができる。インピーダンス整合ネットワーク１２４からのＲＦ給電導体１２３は、電極１０８に直接接続するのではなく、電極支持体又は天井１０６に接続することができる。このような実施形態では、ＲＦ給電導体１２３からのＲＦ電力は、電極支持体から電極に容量結合することができる。インピーダンス整合ネットワーク１２４は、高周波ＲＦ電源１２０と低周波ＲＦ電源１２２の異なる周波数でインピーダンス整合を提供すると共に、高周波ＲＦ電源１２０と低周波ＲＦ電源１２２を互いに分離するフィルタリングを提供するように適合される。高周波ＲＦ電源１２０及び低周波ＲＦ電源１２２の出力電力レベルは、コントローラ１２６により独立して制御することができる。
【0020】
高周波ＲＦ電源１２０及び低周波ＲＦ電源１２２を用いると、電極１０８とペデスタル１１０との間の距離（例えば、約６インチから約１０インチ）を選択することにより、処理容積１０１内の半径方向のプラズマ均一性を制御することができる。例えば、幾つかの実施形態では、より低いＶＨＦ周波数は、処理容積１０１内のプラズマイオン密度の端部の高い半径方向分布を生成し、より高いＶＨＦ周波数は、プラズマイオン密度の中央の高い半径方向分布を生成する。このような選択により、高周波ＲＦ電源１２０及び低周波ＲＦ電源１２２の電力レベルは、実質的に均一な半径方向のプラズマイオン密度を有するプラズマを生成することができる。
【0021】
上部ガスインジェクタ１３０は、第１のバルブ１３２を介して処理容積１０１に処理ガスを提供し、下部ガスインジェクタ１３４は第２のバルブ１３６を介して処理容積１０１に処理ガスを提供する。上部ガスインジェクタ１３０及び下部ガスインジェクタ１３４はチャンバ本体１０２の側壁に配置することができる。処理ガスは、ガス供給源（例えば、ガス源）１３８等の処理ガス供給源のアレイから、第１のバルブ１３２及び第２のバルブ１３６に結合されたバルブ１４０のアレイを介して供給される。処理容積１０１内に供給される処理ガス種及びガス流量は、独立して制御可能とすることができる。例えば、上部ガスインジェクタ１３０を介するガス流は、下部ガスインジェクタ１３４を介するガス流と異なっていてもよい。コントローラ１２６は、バルブ１４０のアレイを制御する。
【0022】
実施形態では、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）（又は他の不活性ガス）等の１つ以上の不活性ガス、及び／又はメタン（ＣＨ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、水素（Ｈ２）、臭化水素（ＨＢｒ）、アンモニア（ＮＨ３）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、三フッ化窒素（ＮＦ３）、テトラフルオロメタン（ＣＦ４）、六フッ化硫黄（ＳＦ６）、一酸化炭素（ＣＯ）、硫化カルボニル（ＣＯＳ）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）、ヘキサフルオロブタジエン（Ｃ４Ｆ６）、塩素（Ｃｌ２）、窒素（Ｎ２）、酸素（Ｏ２）、これら組み合わせ等の１つ以上の反応性ガスを、上部ガスインジェクタ１３０及び下部ガスインジェクタ１３４のいずれか又は両方を介して処理容積１０１に供給することができる。幾つかの実施形態では、電極１０８に隣接する処理容積１０１に送られる処理ガスは、以下でより詳細に説明されるように、二次電子を基板１１１に向けて加速することができ、及び／又は処理容積１０１内に形成される反応性プラズマから電極１０８を緩衝し、これにより電極１０８の寿命を延ばすことができる。
【0023】
本開示によれば、プラズマは、様々なバルク及び表面プロセスにより、例えば、容量結合１７０（例えば、容量結合プラズマ（ＣＣＰ））及び／又は誘導結合１７２（例えば、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ））により、処理容積１０１内に生成される。イオンエネルギーを制御するバイアス電力とは別に、誘導結合電力又は高周波容量結合電力を使用して、プラズマ密度の独立した制御を達成することができる。従って、処理チャンバ１００が容量結合１７０と共に使用するように構成されてる場合（例えば、ＣＣＰリアクタとして構成されている）、電源は、基板を支持するバイアス電極（例えば、電源１４４等）又は上部電極（例えば、電極１０８等）のいずれかに供給される高周波（バイアスと比較して）電源を意味する。代替的又は選択的に、処理チャンバ１００が誘導結合１７２と共に使用するように構成されている場合（例えば、ＩＣＰリアクタとして構成されている場合）、電源は、コイル１７３（図１に仮想線で示す）に印加される電力を意味する。処理チャンバ１００がＩＣＰリアクタとして構成される場合、誘電体窓１７５（仮想線で示す）が処理チャンバ１００のチャンバ本体１０２の側面に設けられる。誘電体窓１７５は、真空境界と、プラズマを励起する電磁波の窓を提供するように構成される。
【0024】
ＣＣＰ又はＩＣＰにより生成されるイオンは、以下でより詳細に説明されるように、プラズマから生成されるイオンによる電極１０８のイオン衝撃を促進する電場の影響を受ける。更に、処理チャンバ１００の動作モードに応じて、電極１０８のイオン衝撃エネルギーは、電極１０８に供給される電力、例えば、ＤＣ電圧電源１５４、低周波ＲＦ電源１２２、高周波ＲＦ電源１２０の１つ以上により供給される電力の関数である場合がある。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、電極１０８のイオン衝撃エネルギーは、ＤＣ電圧電源１５４及びＤＣ電圧電源１５４の一方又は両方からの電圧の印加により提供することができる。少なくとも幾つかの実施形態では、ＤＣ電圧電源１５４及び低周波ＲＦ電源１２２の一方又は両方を使用することに加えて、高周波ＲＦ電源１２０を使用して、プラズマ密度及び電子ビーム束を増加することができる。
【0025】
ＤＣ電圧電源１５４が電極１０８に電力（例えば、バイアス）を供給するために使用される場合、ＤＣ電圧電源１５４により供給される電力は、約１Ｗ～約３０ｋＷ（例えば、約‐１５６０Ｖ～約‐１４４０Ｖ）であってもよい。同様に、低周波ＲＦ電源１２２が電極１０８に電力（例えば、バイアス）を供給するために使用される場合、低周波ＲＦ電源１２２により供給される電力は、約１００ｋＨｚから約２０ＭＨｚの周波数で約１Ｗから約３０ｋＷであってもよい。同様に、高周波ＲＦ電源１２０がＤＣ電圧電源１５４及び低周波ＲＦ電源１２２のいずれか又は両方と併せて使用される場合、高周波ＲＦ電源１２０により供給される電力は、周波数は約２０ＭＨｚから約２００ＭＨｚで約１Ｗから約３０ｋＷであってもよい
【0026】
幾つかの実施形態では、ＲＦバイアス電源１６２は、インピーダンス整合ネットワーク１６４を介してペデスタル１１０の電極１４４に結合することができる。ＲＦバイアス電源１６２が使用される場合、基板１１１上でイオンを加速するように構成される。ＲＦバイアス電源１６２は、低周波ＲＦ電力及び／又は高周波ＲＦ電力を供給するように構成することができる。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、ＲＦバイアス電源１６２は、例えば約１００ｋＨｚ～約２００ＭＨｚの１つ以上の周波数で電極１４４に１Ｗ～３０ｋＷの電力を供給するように構成することができる。幾つかの実施形態では、例えば、ＲＦバイアス電源１６２は、約１００ｋＨｚ～約１００ＭＨｚの周波数で１Ｗ～３０ｋＷの電力を電極１４４に供給するように構成することができる。
【0027】
波形調整プロセッサ１４７は、インピーダンス整合ネットワーク１６４の出力と電極１４４との間、及び／又はインピーダンス整合ネットワーク１２４の出力と電極１０８との間に接続することができる。波形調整プロセッサ１４７コントローラは、ＲＦバイアス電源１６２及び／又は高周波ＲＦ電源１２０及び低周波ＲＦ電源１２２により生成された波形を所望の波形に変更するように構成することができる。基板１１１及び／又は電極１０８の近傍のプラズマのイオンエネルギーは、波形調整プロセッサ１４７により制御することができる。例えば、幾つかの実施形態では、波形調整プロセッサ２４７は、所望のイオンエネルギーレベルに対応するレベルでの各ＲＦサイクルの所定の部分の間の振幅が保持される波形を生成する。コントローラ１２６は波形調整プロセッサ１４７を制御する。
【0028】
また、基板１１１のエッチングは１つ以上の要因により影響を受けることがある。例えば、圧力（使用する場合には電子ビームエネルギー、電子ビームプラズマ電略、及びバイアス電力に加えて）は、基板１１１のエッチングに影響を与える場合がある。従って、一実施形態では、基板１１１のＥＢＩＥ中に処理容積１０１内に維持される圧力は、約０．１ｍＴｏｒｒから約３００ｍＴｏｒｒの間である。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、電子ビーム中性化及びエッチングプロファイル制御が必要な場合等、基板１１１のＥＢＩＥ中に処理容積１０１内に維持される圧力は、約０．１ｍＴｏｒｒから約３０ｍＴｏｒｒの間であってもよい。同様に、少なくとも幾つかの実施形態では、電子ビーム中性化及びエッチングプロファイル制御が必要なく、バイアス電力も必要ない場合等、基板１１１のＥＢＩＥ中に処理容積１０１内に維持される圧力は、約０．１ｍＴｏｒｒから約１００ｍＴｏｒｒの間であってもよい。圧力は、処理容積１０１と流体連通する真空ポンプ１６８により生成される。圧力は、処理容積１０１と真空ポンプ１６８の間に配置されるゲートバルブ１６６により調整される。コントローラ１２６は、真空ポンプ１６８及び／又はゲートバルブ１６６を制御する。
【0029】
図２は、本開示の１つ以上の実施形態による、図１の装置と共に使用するために構成されたセンサレスインピーダンス整合ネットワーク２００（例えば、インピーダンス整合ネットワーク１２４又はインピーダンス整合ネットワーク１６４）のブロック図である。センサレスインピーダンス整合ネットワーク２００は、１つ以上のコンデンサ及びインダクタを備えることができる。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、センサレスインピーダンス整合ネットワーク２００は、分路可変コンデンサ２０２及び直列可変コンデンサ２０４を備えることができる。センサレスインピーダンス整合ネットワーク２００は、５０Ωの伝送ライン２０６を介して、ＲＦ電源（例えば、高周波ＲＦ電源１２０及び低周波ＲＦ電源１２２）の構成要素であるか、又はＲＦ電源に接続することができる。少なくとも幾つかの実施形態では、センサレスインピーダンス整合ネットワーク２００は、ＲＦバイアス電源１６２の構成要素であるか、又はＲＦバイアス電源１６２に接続することができ、Ｖｒｆは容量性結合１７０に接続され、及び／又はＶｒｆは誘導性結合１７２に接続され、これも５０Ωの伝送ラインを介して行われる。また、少なくとも幾つかの実施形態では、センサレスインピーダンス整合ネットワーク２００は、Ｌ型センサレスインピーダンス整合ネットワーク１０８を備えることができる。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、調整範囲の最適化のために、１つ以上の固定インダクタを分路可変コンデンサ２０２及び直列可変コンデンサ２０４と直列に接続することができる。
【0030】
前述の従来の整合ネットワークとは異なり、センサレスインピーダンス整合ネットワークは入力側又は出力にセンサを使用しないため、センサの校正データをコントローラのメモリに保存する必要がない。オペレーション中、センサレスインピーダンス整合ネットワーク２００は、ＲＦ発生器から直接、順方向電力信号及び反射電力信号を受信する。例えば、ＲＦ源から受信した順方向電力信号及び反射電力信号を、（例えば、有線又は無線通信を介して）センサレスインピーダンス整合ネットワーク２００の整合コントローラ２０８に送信することができる。代替的又は追加的に、整合コントローラ２０８は、順方向電力信号及び反射電力信号をコントローラ１２６から受信することができる。整合コントローラ２０８は、順方向電力信号及び反射電力信号を使用して、分路可変コンデンサ２０２及び直列可変コンデンサ２０４を調整する。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、整合コントローラ２０８は、電圧定在波比（ＶＳＷＲ）、反射係数等の１つ以上のパラメータを含むメモリ（例えば、メモリ１３１）に格納でき、事前にプログラムされた学習ベースのアルゴリズムを使用し、分路可変コンデンサ２０２及び直列可変コンデンサ２０４の静電容量値を計算する。
【0031】
図３は、本開示の１つ以上の実施形態による、図１の装置と共に使用するために構成されたセンサレスインピーダンス整合ネットワーク３００（例えば、インピーダンス整合ネットワーク１２４又はインピーダンス整合ネットワーク１６４）のブロック図である。センサレスインピーダンス整合ネットワーク３００はセンサレスインピーダンス整合ネットワーク２００と実質的に同一である。従って、本明細書では、センサレスインピーダンス整合ネットワーク３００に特有のフィーチャのみを説明する。
【0032】
センサレスインピーダンス整合ネットワーク３００は、１つ以上の端子を有するＲＦサーキュレータ３０２を備える。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、ＲＦサーキュレータ３０２は３つの端子を備えることができ、５０Ω伝送ライン２０６を介してＲＦ電源とセンサレスインピーダンス整合ネットワーク３００との間に接続される。ＲＦサーキュレータ３０２は、ＲＦ電力が一方向に流れること可能にするように構成される。例えば、順方向電力信号及び反射電力信号は、ＲＦサーキュレータ３０２を通過し、５０Ωのダミー負荷３０４で終端する。少なくとも幾つかの実施形態では、電力メータ３０６を使用して、所望の周波数でＲＦ反射電力を測定することができる。反射された電力信号は、整合コントローラ２０８に通信可能に接続されたツールコントローラ（例えば、コントローラ１２６）に送信することができる。少なくとも幾つかの実施形態では、ＲＦ電源及びセンサレスインピーダンス整合ネットワーク３００は、ツールコントローラにより同期及び制御することができる。代替的に、上述したように、コントローラ１２６を使用する必要はなく、電力メータ３０６及びダミー負荷３０４を整合コントローラ２０８に直接接続することができる。
【0033】
電力メータデータ、ＲＦ電力、及び分路可変コンデンサ２０２及び直列可変コンデンサ２０４のコンデンサ位置はツールコントローラに送信され、温度、化学的性質及び流量等の１つ以上の他のシステム処理データと組み合わせることができ、これにより、オペレーション中に協調的なインテリジェントなリアルタイム制御が作成される。少なくとも幾つかの実施形態では、結合されたデータを使用して、学習ベースのモデルを教示することができる。
【0034】
図４は、本開示の１つ以上の実施形態による、基板を処理するための方法４００のフローチャートである。方法４００は、例えば、基板のＥＢＩＥを実行するように構成された処理チャンバ、例えば、処理チャンバ１００を使用して実行することができる。説明のため、処理チャンバは、基板のＥＢＩＥ用に構成されたＣＣＰリアクタとして構成されているとする。基板（例えば、基板１１１）は、例えば１５０ｍｍ、２００ｍｍ、３００ｍｍ、４５０ｍｍ基板等であってもよい。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、基板は、半導体ウエハ等の３００ｍｍ基板であってもよい。理解されるように、本明細書に記載の電力／電圧、及び／又は、パルス／デューティサイクルは、例えば３００ｍｍより大きい又は小さい直径を有する基板に対して、それに応じて調整することができる。最初に、上述の処理ガスのうちの１つ以上を、処理チャンバの処理容積、例えば処理容積１０１に導入することができる。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、処理ガスは、Ｈｅ、Ａｒ等（又は他の不活性ガス）、及び／又はＨ２、ＨＢｒ、ＮＨ３、Ｓｉ２Ｈ６、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ２、ＮＦ３、ＣＦ４、ＳＦ６、ＣＯ、ＣＯＳ、ＣＨＦ３、Ｃ４Ｆ６、Ｃｌ２、Ｎ２、Ｏ２等（又は他の反応性ガス）の１つ以上であってもよい。更に、プロセス容積は、約０．１ｍＴｏｒｒから約３００ｍＴｏｒｒまでの１つ以上のオペレーション圧力に維持することができる。
【0035】
少なくとも幾つかの実施形態では、方法４００は、２つの主なステップ、即ち、比較的低い電力を使用してプラズマを点火し、維持する第１の事前学習フェーズと、比較的高い電力を使用して基板をプラズマ処理する第２の調整フェーズを含む。
【0036】
第１の事前学習段階中、４０２において、方法４００は、プラズマ処理チャンバの処理容積内でプラズマを点火し、維持するのに適した第１の電力レベルでＲＦ電力を供給するように構成されたＲＦ電源から電力を供給することを含む。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、ＲＦ電源は、処理チャンバ１００にＲＦ電力（例えば、約２０ｋＨｚから約２０ＭＨｚの周波数で１Ｗから約３０ｋＷ）を供給し、処理チャンバ１００の処理溶液１０１内でプラズマを点火し、維持することができる。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、第１の電力レベルは、約１Ｗ～約３０ｋＷであってもよく、約１００ｋＨｚ～約２０ＭＨｚの周波数で供給することができる。
【0037】
ＲＦ発生器から測定された反射電力信号に基づいて、コントローラ（例えば、コントローラ１２６）は、１つ以上の直列可変コンデンサ１３０及び１つ以上の分路可変コンデンサ１３０の位置を決定する。例えば、４０４では、方法４００は、ＲＦ電源において第１の電力レベルでの反射電力を測定することを含む。例えば、ＲＦ電源のコントローラ（例えば、コントローラ１２６）は、高周波ＲＦ電源１２０（及び／又は低周波ＲＦ電源１２２）における反射電力を測定することができる。
【0038】
次に、４０６では、方法４００は、測定された反射電力を第１の閾値と比較することを含む。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、第１の閾値は、第１の電力レベルでの反射電力の約１０％であってもよい。更に、測定された反射電力を第１の閾値と比較することは、例えばＲＦ電力発生器において周波数調整を実行することを含むことができる。
【0039】
次に、４０８では、方法４００は、第１の閾値との比較結果を整合ネットワークのコントローラに送信することを含む。例えば、ＲＦ電源のコントローラは、第１の閾値との比較結果をセンサレスインピーダンス整合ネットワーク２００の整合コントローラ２０８に送信する。次に、４１０では、方法４００は、第１の電力レベルで測定された反射電力と第１の閾値との比較に基づいて、整合ネットワークにおいて少なくとも１つの可変コンデンサを第１の位置に設定することを含む。例えば、センサレスインピーダンス整合ネットワーク２００の整合コントローラ２０８は、分路可変コンデンサ２０２及び直列可変コンデンサ２０４の一方又は両方を１つ以上の位置に設定することができ、これは整合コントローラ２０８のメモリに記憶することができる。少なくとも幾つかの実施形態では、整合コントローラ２０８は、１つ以上の最適化アルゴリズム（例えば、勾配ベースの方法、微分を含まない方法、及び／又はモデルベースの方法）を使用して、分路可変コンデンサ２０２と直列可変コンデンサ２０４を設定する１つ以上の位置を決定することができる。
【0040】
第２の調整段階（例えば、微調整段階）では、比較的小さな閾値を使用してアルゴリズムを実行することができる。例えば、４１２では、方法４００は、ＲＦ電源から第１の電力レベルとは異なる第２の電力レベルでＲＦ電力を供給することを含む。第２の調整段階中に使用される第２の電力レベルは、プラズマ処理チャンバ内に配置された基板をプラズマ処理するために使用される。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、ＲＦ電源は、基板をプラズマ処理するために処理チャンバ１００にＲＦ電力（例えば、約２０ＭＨｚ～約２００ＭＨｚの周波数で１Ｗ～約１０ｋＷ）を供給することができる。少なくとも幾つかの実施形態では、ＲＦ電力は、単一レベルパルスモード又はマルチレベルパルスモードを含むパルスモードで供給することができる。更に、少なくとも幾つかの実施形態では、ＲＦプラズマ源における周波数調整技術も、第２の調整段階中に使用することができる。
【0041】
次に、４１４において、方法４００は、ＲＦ電源において第２の電力レベルでの反射電力を測定することを含む。例えば、上述のように、ＲＦ電源のコントローラ（例えば、コントローラ１２６）は、高周波ＲＦ電源１２０（及び／又は低周波ＲＦ電源１２２）における反射電力を測定することができる。
【0042】
次に、４１６で、方法４００は、第２の電力レベルで測定された反射電力を第１の閾値とは異なる第２の閾値と比較することを含む（例えば、第２の閾値は第１の電力レベルより小さい）。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、第２の閾値は、第１の電力レベルでの反射電力の約１％～約９％とすることができる。更に、４０６と同様に、測定された反射電力を第２の閾値と比較することは、例えばＲＦ電力発生器において周波数調整を実行することを含むことができる。
【0043】
次に、４１８で、方法４００は、第２の閾値の比較結果を整合ネットワークのコントローラに送信することを含む。例えば、ＲＦ電源のコントローラは、第２の閾値との比較結果をセンサレスインピーダンス整合ネットワーク２００の整合コントローラ２０８に送信する。次に、４２０で、方法４００は、第２の電力レベルで測定された反射電力と第２の閾値との比較に基づいて、整合ネットワークで、少なくとも１つの可変コンデンサを第２の位置に設定することを含む。例えば、センサレスインピーダンス整合ネットワーク２００の整合コントローラ２０８は、分路可変コンデンサ２０２及び直列可変コンデンサ２０４の一方又は両方を１つ以上の位置に設定することができ、これは整合コントローラ２０８のメモリに記憶することができる。少なくとも幾つかの実施形態では、整合コントローラ２０８は１つ以上の最適化アルゴリズム（例えば、勾配ベースの方法、微分を含まない方法、及び／又はモデルベースの方法）を使用して、分路可変コンデンサ２０２と直列可変コンデンサ２０４を設定する１つ以上の位置を決定することができる。次に、４２２において、方法４００は、基板をプラズマ処理するために第２の電力レベルでＲＦ電力を供給し続けることを含む。
【0044】
センサレスインピーダンス整合ネットワーク３００を使用した方法４００のオペレーションは、センサレスインピーダンス整合ネットワーク２００を使用した方法４００のオペレーションと実質的に同一である。例えば、上述したようにＲＦ電源での反射電力を使用する代わりに、コントローラ１２６は、方法４００を実行するときに、ＲＦサーキュレータ３０２に接続されたパワーメータ３０６から測定値を受信するように構成することができる。
【0045】
更に、方法４００は、オペレーション中にＲＦバイアス電源と併せて使用することができる。例えば、方法４００は、ＲＦバイアス電源１６２と共に使用することができる。
【0046】
モータの位置、順方向電力／反射電力、圧力、化学的性質等を含むすべてのデータは、メモリ（例えば、メモリ１３１、又はセンサレスインピーダンス整合ネットワーク２００及びセンサレスインピーダンス整合ネットワーク３００（図２及び図３に図示せず）のローカルメモリ）に格納することができ、方法４００のコントローラ１２６又は整合コントローラ２０８によりアクセスすることができる。このようなデータは、学習ベースの調整アルゴリズム（履歴結果、経験的データに基づくことができる）及び軌道の最適化の調整に使用することができる。幾つかの実施形態では、センサレスインピーダンス整合ネットワーク２００及びセンサレスインピーダンス整合ネットワーク３００は、全ての履歴実行の結果に基づいて新しい位置に調整することができる。
【0047】
上記は本開示の実施形態を対象とするが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他の更なる実施形態を創作することができる。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【国際調査報告】