特表 2024-538506 複数の無線周波数（ＲＦ）電極を含む基板支持体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-10-23

(54)【発明の名称】複数の無線周波数（ＲＦ）電極を含む基板支持体

(51)【国際特許分類】

   H05H 1/46 20060101AFI20241016BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20241016BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20241016BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20241016BHJP

【ＦＩ】

H05H1/46 M

H01L21/31 C

H01L21/302 101G

H01L21/68 R

H01L21/68 P

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024515884

(86)(22)【出願日】2022-08-25

(85)【翻訳文提出日】2024-03-12

(86)【国際出願番号】 CN2022114832

(87)【国際公開番号】W WO2024040522

(87)【国際公開日】2024-02-29

(81)【指定国・地域】

【公序良俗違反の表示】

（特許庁注：以下のものは登録商標）

１．ＨＤＭＩ

(71)【出願人】

【識別番号】510182294

【氏名又は名称】北京北方華創微電子装備有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＢＥＩＪＩＮＧ ＮＡＵＲＡ ＭＩＣＲＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＥＱＵＩＰＭＥＮＴ ＣＯ．， ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】ＮＯ．８ Ｗｅｎｃｈａｎｇ Ａｖｅｎｕｅ Ｂｅｉｊｉｎｇ Ｅｃｏｎｏｍｉｃ－Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｃａｌ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ａｒｅａ， Ｂｅｉｊｉｎｇ １００１７６， Ｃｈｉｎａ

(74)【代理人】

【識別番号】110001771

【氏名又は名称】弁理士法人虎ノ門知的財産事務所

(72)【発明者】

【氏名】パァン ユイリン

(72)【発明者】

【氏名】ヅァォ ヂィンロォン

【テーマコード（参考）】

2G084

5F004

5F045

5F131

【Ｆターム（参考）】

2G084AA02

2G084AA05

2G084BB14

2G084CC09

2G084CC12

2G084DD02

2G084DD21

2G084DD38

2G084DD55

2G084FF04

2G084FF15

2G084FF38

2G084HH05

2G084HH06

2G084HH27

5F004AA01

5F004BA04

5F004BA06

5F004BA08

5F004BA14

5F004BB13

5F004BB22

5F004BB25

5F004BB26

5F004BC08

5F004BD03

5F004CA03

5F045AA08

5F045AA19

5F045AD01

5F045AE01

5F045BB02

5F045DP03

5F045DQ10

5F045EF05

5F045EH04

5F045EH08

5F045EH11

5F045EH12

5F045EH17

5F045EH20

5F045EK07

5F045EM05

5F045EM09

5F131AA02

5F131AA03

5F131AA32

5F131AA34

5F131BA01

5F131BA03

5F131BA04

5F131BA19

5F131CA06

5F131DA02

5F131DA23

5F131DA32

5F131EA03

5F131EB11

5F131EB16

5F131EB17

5F131EB18

5F131EB78

5F131EB81

5F131EB82

(57)【要約】

本開示は、概して、プラズマ半導体プロセス、およびかかるプロセス用のプロセス装置に関する。プロセス装置は、チャンバおよび基板支持体を含む。基板支持体は、チャンバ内部に配置される。基板支持体は、チャンバ内部で半導体基板を支持するように構成された支持面を含む。基板支持体は、複数の無線周波数（Radio Frequency：ＲＦ）電極を含む。ＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、それぞれのＲＦ電極に印加されるＲＦ信号の波長の２％以下である。それぞれの寸法は、支持面に平行な平面内にある。ＲＦ電極は、チャンバの内部容積内でプラズマを制御するように構成される。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体プロセス用のプロセス装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置される基板支持体とを含み、前記基板支持体は、前記チャンバ内で半導体基板を支持するように構成された支持面を含み、前記基板支持体は、複数の無線周波数（Radio Frequency：ＲＦ）電極を含み、前記複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、前記それぞれのＲＦ電極に印加されるＲＦ信号の波長の２％以下であり、前記それぞれの寸法は、前記支持面に平行な平面であり、前記複数のＲＦ電極は、前記チャンバ内でプラズマを制御するように構成される、
プロセス装置。

【請求項2】

前記複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極は、独立して、電圧がそれに対して印加されるように構成される、請求項１に記載のプロセス装置。

【請求項3】

前記複数のＲＦ電極は、前記支持面上に前記半導体基板をチャックするために、直流（Direct Current：ＤＣ）電圧がそれに対して印加されるようにさらに構成される、請求項１に記載のプロセス装置。

【請求項4】

前記基板支持体は、静電チャック、および前記静電チャックの下のベースプレートを含み、前記静電チャックは、前記複数のＲＦ電極を含み、前記ベースプレートは、バイアスＲＦ信号がそれに対して印加されるように構成された単一のバイアス電極を有する、請求項１に記載のプロセス装置。

【請求項5】

前記基板支持体は、静電チャック、および前記静電チャックの下のベースプレートを含み、前記静電チャックは、前記複数のＲＦ電極を含み、前記ベースプレートは、複数のバイアス電極を含み、前記複数のバイアス電極の各バイアス電極は、独立して、それぞれのバイアス信号がそれに対して印加されるように構成される、請求項１に記載のプロセス装置。

【請求項6】

ＲＦ電源システムであって、前記ＲＦ電源システムの出力ノードでＲＦ信号を出力するように構成された、前記ＲＦ電源システムと、
複数のＲＦ信号制御回路と、をさらに含み、
前記複数のＲＦ信号制御回路の各ＲＦ信号制御回路は、前記ＲＦ電源システムの前記出力ノードに電気的に接続された入力ノードを有し、かつ前記複数のＲＦ電極のそれぞれの１つのＲＦ電極に電気的に接続された出力ノードを有し、各ＲＦ信号制御回路は、前記ＲＦ信号の振幅および位相を調節して、前記それぞれのＲＦ信号制御回路の前記出力ノードで対応する調節されたＲＦ信号を出力するように制御可能である、請求項１に記載のプロセス装置。

【請求項7】

１つ以上のプロセッサと、
記憶された命令を含む非一時的メモリと、を含むコントローラをさらに含み、
前記命令は、前記１つ以上のプロセッサによって実行されると、前記１つ以上のプロセッサに、前記複数のＲＦ信号制御回路が前記それぞれの振幅および前記それぞれの位相を調節するように制御させる、請求項６に記載のプロセス装置。

【請求項8】

前記複数のＲＦ電極は、線形の格子で配列される、請求項１に記載のプロセス装置。

【請求項9】

前記複数のＲＦ電極は、分割された内側円を取り囲む、分割された同心環で配列される、請求項１に記載のプロセス装置。

【請求項10】

前記複数のＲＦ電極は、扇形に分割された内側円を取り囲む、半径方向に整列された分割された同心環で配列される、請求項１に記載のプロセス装置。

【請求項11】

前記複数のＲＦ電極は、完全な内側円を取り囲む、分割された同心環で配列される、請求項１に記載のプロセス装置。

【請求項12】

前記複数のＲＦ電極は、扇形に分割された円で配列される、請求項１に記載のプロセス装置。

【請求項13】

前記複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、２２１．１ミリメートル以下であり、前記それぞれの寸法は、前記支持面に平行な平面内にある、請求項１に記載のプロセス装置。

【請求項14】

前記複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、１９９．９ミリメートル以下であり、前記それぞれの寸法は、前記支持面に平行な平面内にある、請求項１に記載のプロセス装置。

【請求項15】

前記複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、５０．０ミリメートルから２２１．１ミリメートルの範囲であり、前記それぞれの寸法は、前記支持面に平行な平面内にある、請求項１に記載のプロセス装置。

【請求項16】

前記複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、５０．０ミリメートルから１９９．９ミリメートルの範囲であり、前記それぞれの寸法は、前記支持面に平行な平面内にある、請求項１に記載のプロセス装置。

【請求項17】

半導体プロセス用のプロセス装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置される基板支持体とを含み、
前記基板支持体は、前記チャンバ内で半導体基板を支持するように構成された支持面を含み、前記基板支持体は、前記チャンバ内でプラズマを制御するように構成された複数の無線周波数（Radio Frequency：ＲＦ）電極を含み、前記複数のＲＦ電極の第１のＲＦ電極は、前記支持面の中心の近傍に配置され、前記複数のＲＦ電極の第２のＲＦ電極は、前記支持面の周辺部の近傍に配置され、前記第１のＲＦ電極および前記第２のＲＦ電極は、前記支持面の中心と周辺部との間で、前記支持面の半径方向に平行な軸線と側面に沿って交差する、
プロセス装置。

【請求項18】

前記複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極は、独立して、電圧がそれに対して印加されるように構成される、請求項１７に記載のプロセス装置。

【請求項19】

前記複数のＲＦ電極は、前記支持面上に前記半導体基板をチャックするために、直流（Direct Current：ＤＣ）電圧がそれに対して印加されるようにさらに構成される、請求項１７に記載のプロセス装置。

【請求項20】

前記基板支持体は、静電チャックを含み、前記静電チャックは、前記複数のＲＦ電極を含み、前記基板支持体は、前記静電チャックの下のベースプレートをさらに含み、前記ベースプレートは、バイアスＲＦ信号がそれに対して印加されるように構成された単一のバイアス電極を有する、請求項１７に記載のプロセス装置。

【請求項21】

前記基板支持体は、静電チャックを含み、前記静電チャックは、前記複数のＲＦ電極を含み、前記基板支持体は、前記静電チャックの下のベースプレートをさらに含み、前記ベースプレートは、複数のバイアス電極を含み、前記複数のバイアス電極の各バイアス電極は、独立して、それぞれのバイアス信号がそれに対して印加されるように構成される、請求項１７に記載のプロセス装置。

【請求項22】

ＲＦ電源システムであって、前記ＲＦ電源システムの出力ノードでＲＦ信号を出力するように構成された、前記ＲＦ電源システムと、
複数のＲＦ信号制御回路と、をさらに含み、
前記複数のＲＦ信号制御回路の各ＲＦ信号制御回路は、前記ＲＦ電源システムの前記出力ノードに電気的に接続された入力ノードを有し、かつ前記複数のＲＦ電極のそれぞれの１つのＲＦ電極に電気的に接続された出力ノードを有し、前記複数のＲＦ信号制御回路の各ＲＦ信号制御回路は、前記ＲＦ信号の振幅および位相を調節して、対応する調節されたＲＦ信号を前記それぞれのＲＦ信号制御回路の前記出力ノードで出力するように制御可能である、請求項１７に記載のプロセス装置。

【請求項23】

１つ以上のプロセッサと、
記憶された命令を含む非一時的メモリと、を含むコントローラをさらに含み、
前記命令は、前記１つ以上のプロセッサによって実行されると、前記１つ以上のプロセッサに、前記複数のＲＦ信号制御回路が前記それぞれの振幅および前記それぞれの位相を調節するように制御させる、請求項２２に記載のプロセス装置。

【請求項24】

前記複数のＲＦ電極は、線形の格子で配列される、請求項１７に記載のプロセス装置。

【請求項25】

前記複数のＲＦ電極は、分割された内側円を取り囲む、分割された同心環で配列される、請求項１７に記載のプロセス装置。

【請求項26】

前記複数のＲＦ電極は、扇形に分割された内側円を取り囲む、半径方向に整列された分割された同心環で配列される、請求項１７に記載のプロセス装置。

【請求項27】

前記複数のＲＦ電極は、完全な内側円を取り囲む、分割された同心環で配列される、請求項１７に記載のプロセス装置。

【請求項28】

前記複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、２２１．１ミリメートル以下であり、前記それぞれの寸法は、前記支持面に平行な平面内にある、請求項１７に記載のプロセス装置。

【請求項29】

前記複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、１９９．９ミリメートル以下であり、前記それぞれの寸法は、前記支持面に平行な平面内にある、請求項１７に記載のプロセス装置。

【請求項30】

前記複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、５０．０ミリメートルから２２１．１ミリメートルの範囲であり、前記それぞれの寸法は、前記支持面に平行な平面内にある、請求項１７に記載のプロセス装置。

【請求項31】

前記複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、５０．０ミリメートルから１９９．９ミリメートルの範囲であり、前記それぞれの寸法は、前記支持面に平行な平面内にある、請求項１７に記載のプロセス装置。

【請求項32】

半導体プロセス用のプロセス装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置される基板支持体とを含み、前記基板支持体は、前記チャンバ内で半導体基板を支持するように構成された支持面を含み、前記基板支持体は、前記チャンバ内でプラズマを制御するように構成された複数の無線周波数（Radio Frequency：ＲＦ）電極を含み、前記複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、２２１．１ミリメートル以下であり、前記それぞれの寸法は、前記支持面に平行な平面である、
プロセス装置。

【請求項33】

前記複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極は、独立して、電圧がそれに対して印加されるように構成される、請求項３２に記載のプロセス装置。

【請求項34】

前記複数のＲＦ電極は、前記支持面上に前記半導体基板をチャックするために、直流（Direct Current：ＤＣ）電圧がそれに対して印加されるようにさらに構成される、請求項３２に記載のプロセス装置。

【請求項35】

前記基板支持体は、静電チャックを含み、前記静電チャックは、前記複数のＲＦ電極を含み、前記基板支持体は、前記静電チャックの下のベースプレートをさらに含み、前記ベースプレートは、バイアスＲＦ信号がそれに対して印加されるように構成された単一のバイアス電極を有する、請求項３２に記載のプロセス装置。

【請求項36】

前記基板支持体は、静電チャックを含み、前記静電チャックは、前記複数のＲＦ電極を含み、前記基板支持体は、前記静電チャックの下のベースプレートをさらに含み、前記ベースプレートは、複数のバイアス電極を含み、前記複数のバイアス電極の各バイアス電極は、独立して、それぞれのバイアス信号がそれに対して印加されるように構成される、請求項３２に記載のプロセス装置。

【請求項37】

ＲＦ電源システムであって、ＲＦ信号を前記ＲＦ電源システムの出力ノードで出力するように構成された、前記ＲＦ電源システムと、
複数のＲＦ信号制御回路と、をさらに含み、前記複数のＲＦ信号制御回路の各ＲＦ信号制御回路は、前記ＲＦ電源システムの前記出力ノードに電気的に接続された入力ノードを有し、かつ前記複数のＲＦ電極のそれぞれの１つのＲＦ電極に電気的に接続された出力ノードを有し、前記複数のＲＦ信号制御回路の各ＲＦ信号制御回路は、前記ＲＦ信号の振幅および位相を調節して、前記それぞれのＲＦ信号制御回路の前記出力ノードで対応する調節されたＲＦ信号を出力するように制御可能である、請求項３２に記載のプロセス装置。

【請求項38】

１つ以上のプロセッサと、
記憶された命令を含む非一時的メモリと、を含むコントローラをさらに含み、
前記命令は、前記１つ以上のプロセッサによって実行されると、前記１つ以上のプロセッサに、前記複数のＲＦ信号制御回路が前記それぞれの振幅および前記それぞれの位相を調節するように制御させる、請求項３７に記載のプロセス装置。

【請求項39】

前記複数のＲＦ電極は、線形の格子で配列される、請求項３２に記載のプロセス装置。

【請求項40】

前記複数のＲＦ電極は、分割された内側円を取り囲む、分割された同心環で配列される、請求項３２に記載のプロセス装置。

【請求項41】

前記複数のＲＦ電極は、扇形に分割された内側円を取り囲む、半径方向に整列された分割された同心環で配列される、請求項３２に記載のプロセス装置。

【請求項42】

前記複数のＲＦ電極は、完全な内側円を取り囲む、分割された同心環で配列される、請求項３２に記載のプロセス装置。

【請求項43】

前記複数のＲＦ電極は、扇形に分割された円で配列される、請求項３２に記載のプロセス装置。

【請求項44】

前記複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、５０．０ミリメートル超であり、前記それぞれの寸法は、前記支持面に平行な平面内にある、請求項３２に記載のプロセス装置。

【請求項45】

前記複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、１９９．９ミリメートル以下であり、前記それぞれの寸法は、前記支持面に平行な平面内にある、請求項３２に記載のプロセス装置。

【請求項46】

前記複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、５０．０ミリメートルから１９９．９ミリメートルの範囲であり、前記それぞれの寸法は、前記支持面に平行な平面内にある、請求項３２に記載のプロセス装置。

【請求項47】

半導体プロセスのための方法であって、
プロセス装置のチャンバ内でプラズマを発生させることであって、基板支持体が、前記チャンバ内に配置され、かつ支持面上で半導体基板を支持し、前記半導体基板は、前記プラズマに曝される、プラズマを発生させることと、
前記基板支持体に配置された複数のＲＦ電極にそれぞれの無線周波数（Radio Frequency：ＲＦ）信号を印加することを含む、前記プラズマを制御することと、
を含む、方法。

【請求項48】

前記複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、前記それぞれのＲＦ電極に印加される前記それぞれのＲＦ信号の波長の２％以下である、請求項４７に記載の方法。

【請求項49】

前記基板支持体上に前記半導体基板をチャックすることと、前記複数のＲＦ電極に直流（Direct Current：ＤＣ）電圧を印加することと、をさらに含む、請求項４７に記載の方法。

【請求項50】

ベースプレートのバイアス電極にバイアスＲＦ信号を印加することをさらに含み、前記基板支持体は、静電チャック、および前記静電チャックの下に配置されたベースプレートを含み、前記静電チャックは、前記複数のＲＦ電極を含み、前記ベースプレートは、単一のバイアス電極を有する、請求項４７に記載の方法。

【請求項51】

ベースプレートのそれぞれのバイアス電極に複数のバイアスＲＦ信号を印加することをさらに含み、前記基板支持体は、静電チャック、および前記静電チャックの下に配置された前記ベースプレートを含み、前記静電チャックは、前記複数のＲＦ電極を含み、前記ベースプレートは、前記バイアス電極を含む、請求項４７に記載の方法。

【請求項52】

ＲＦ電源システムによって初期ＲＦ信号を生成することと、
複数のＲＦ信号制御回路の各ＲＦ信号制御回路によって、前記初期ＲＦ信号の振幅、位相オフセット、またはこれらの組み合わせを調節して、前記複数のＲＦ電極に印加されるＲＦ信号のそれぞれのＲＦ信号を生成することと、
をさらに含む、請求項４７に記載の方法。

【請求項53】

前記複数のＲＦ電極の第１のＲＦ電極は、前記半導体基板の中心の近傍に配置され、
前記複数のＲＦ電極の第２のＲＦ電極は、前記半導体基板の周辺部の近傍に配置され、
前記第１のＲＦ電極および前記第２のＲＦ電極は、前記支持面の中心と周辺部との間で、前記支持面の半径方向に平行な軸線と側面に沿って交差する、
請求項４７に記載の方法。

【請求項54】

前記複数のＲＦ電極は、線形の格子で配列される、請求項４７に記載の方法。

【請求項55】

前記複数のＲＦ電極は、分割された内側円を取り囲む、分割された同心環で配列される、請求項４７に記載の方法。

【請求項56】

前記複数のＲＦ電極は、扇形に分割された内側円を取り囲む、半径方向に整列された分割された同心環で配列される、請求項４７に記載の方法。

【請求項57】

前記複数のＲＦ電極は、完全な内側円を取り囲む、分割された同心環で配列される、請求項４７に記載の方法。

【請求項58】

前記複数のＲＦ電極は、扇形に分割された円で配列される、請求項４７に記載の方法。

【請求項59】

前記複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、２２１．１ミリメートル以下であり、前記それぞれの寸法は、前記支持面に平行な平面内にある、請求項４７に記載の方法。

【請求項60】

前記複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、１９９．９ミリメートル以下であり、前記それぞれの寸法は、前記支持面に平行な平面内にある、請求項４７に記載の方法。

【請求項61】

前記複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、５０．０ミリメートルから２２１．１ミリメートルの範囲であり、前記それぞれの寸法は、前記支持面に平行な平面内にある、請求項４７に記載の方法。

【請求項62】

前記複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、５０．０ミリメートルから１９９．９ミリメートルの範囲であり、前記それぞれの寸法は、前記支持面に平行な平面内にある、請求項４７に記載の方法。

【請求項63】

半導体プロセスのための方法であって、
プロセス装置を使用して、第１の複数の基板に対して第１のプロセス条件を有するプラズマ半導体プロセスを実施することであって、前記プロセス装置は、前記プラズマ半導体プロセス中に、基板を支持するように構成された基板支持体を含み、前記基板支持体は、前記プラズマ半導体プロセスのプラズマを制御するように構成された複数の無線周波数（Radio Frequency：ＲＦ）電極を含み、前記第１のプロセス条件は、前記プラズマ半導体プロセス中に、前記複数のＲＦ電極に印加されるＲＦ信号の振幅および位相に対応する、前記プラズマ半導体プロセスを実施することと、
前記プラズマ半導体プロセス中に、前記複数のＲＦ電極の第１のＲＦ電極の第１の位置に対応する前記第１の複数の基板のそれぞれの第１の特性を測定することであって、前記第１の特性は、前記プラズマ半導体プロセスによって形成される、前記それぞれの第１の特性を測定することと、
前記プラズマ半導体プロセス中に、前記複数のＲＦ電極の第２のＲＦ電極の第２の位置に対応する前記第１の複数の基板のそれぞれの第２の特性を測定することであって、前記第２の特性は、前記プラズマ半導体プロセスによって形成され、前記第２の位置は、前記第１の位置とは異なる、前記それぞれの第２の特性を測定することと、
プロセッサベースのシステムによって、前記第１の特性および前記第２の特性に基づいて、第２の複数の基板に対して前記プラズマ半導体プロセスを実施する間に適用される第２のプロセス条件を決定することであって、前記第２のプロセス条件は、前記プラズマ半導体プロセス中に前記複数のＲＦ電極に印加されるＲＦ信号の振幅および位相に対応する、前記第２のプロセス条件を決定することと、
前記プロセス装置を使用して、前記第２の複数の基板に対して前記第２のプロセス条件を有する前記プラズマ半導体プロセスを実施することと、
を含む、方法。

【請求項64】

前記第１の特性は、前記第１の複数の基板の各基板の、前記第１の位置に対応する前記それぞれの基板にエッチングされる凹部の第１の輪郭角度を含み、
前記第２の特性は、前記第１の複数の基板の各基板の、前記第２の位置に対応する前記それぞれの基板にエッチングされる凹部の第２の輪郭角度を含む、請求項６３に記載の方法。

【請求項65】

前記第１の特性は、前記第１の複数の基板の各基板の、前記第１の位置に対応する前記それぞれの基板にエッチングされる凹部の第１の深さを含み、
前記第２の特性は、前記第１の複数の基板の各基板の、前記第２の位置に対応する前記それぞれの基板にエッチングされる凹部の第２の深さを含む、請求項６３に記載の方法。

【請求項66】

前記第１の特性は、前記第１の複数の基板の各基板の、前記第１の位置に対応する前記それぞれの基板上に堆積されるフィルムの第１の厚さを含み、
前記第２の特性は、前記第１の複数の基板の各基板の、前記第２の位置に対応する前記フィルムの第２の厚さを含む、請求項６３に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【背景技術】

【0001】

プラズマプロセスは、半導体産業において広く普及している。プラズマ半導体プロセスは、材料のエッチング、材料の堆積などに以前から使用されている。このようなプラズマプロセスにより、半導体基板に対するプロセス品質または得られる特性が改善されることが知られている。例えば、プラズマ化学気相成長法（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition：ＰＥＣＶＤ）は、低い成膜温度、高い材料純度、および改善されたステップカバレッジなどの、従来の化学気相成長（Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ）プロセスに優る利点があることが知られている。プラズマエッチングプロセスでは、一般的に、プラズマはプロセスチャンバ内で発生し、方向性エッチングを実現するために表面電界によって加速される場合がある。しかし、プラズマの導入により、様々な課題が生じた。

【発明の概要】

【0002】

本明細書に記載する第１の実施形態は、半導体プロセス用のプロセス装置である。プロセス装置は、チャンバおよび基板支持体を含む。チャンバは、チャンバ内に内部容積を有する。基板支持体は、チャンバの内部容積内に配置される。基板支持体は、チャンバの内部容積内で半導体基板を支持するように構成された支持面を含む。基板支持体は、複数の無線周波数（Radio Frequency：ＲＦ）電極を含む。複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、それぞれのＲＦ電極に印加されるＲＦ信号の波長の２％以下である。それぞれの寸法は、支持面に平行な平面内にある。複数のＲＦ電極は、チャンバの内部容積内で、少なくとも部分的にプラズマを制御するように構成される。

【0003】

第２の実施形態は、半導体プロセス用のプロセス装置である。プロセス装置は、チャンバおよび基板支持体を含む。チャンバは、チャンバ内に内部容積を有する。基板支持体は、チャンバの内部容積内に配置される。基板支持体は、チャンバの内部容積内で半導体基板を支持するように構成された支持面を含む。基板支持体は、チャンバの内部容積内で、少なくとも部分的にプラズマを制御するように構成された複数の無線周波数（ＲＦ）電極を含む。複数のＲＦ電極の第１のＲＦ電極は、支持面の中心の近傍に配置され、複数のＲＦ電極の第２のＲＦ電極は、支持面の周辺部の近傍に配置される。第１のＲＦ電極および第２のＲＦ電極は、支持面の中心と周辺部との間で、支持面の半径方向に平行な軸線と側面に沿って交差する。

【0004】

第３の実施形態は、半導体プロセス用のプロセス装置である。プロセス装置は、チャンバおよび基板支持体を含む。チャンバは、チャンバ内に内部容積を有する。基板支持体は、チャンバの内部容積内に配置される。基板支持体は、チャンバの内部容積内で半導体基板を支持するように構成された支持面を含む。基板支持体は、チャンバの内部容積内で、少なくとも部分的にプラズマを制御するように構成された複数の無線周波数（ＲＦ）電極を含む。複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、２２１．１ミリメートル以下であり、それぞれの寸法は、支持面に平行な平面内にある。

【0005】

第４の実施形態は、半導体プロセスのための方法である。方法は、プロセス装置のチャンバのプロセス容積内でプラズマを発生させることを含む。基板支持体は、チャンバ内に配置され、かつ支持面上で半導体基板を支持する。半導体基板は、プラズマに曝される。方法は、基板支持体に配置された複数のＲＦ電極にそれぞれの無線周波数（ＲＦ）信号を印加することを含む、プラズマを制御することをさらに含む。

【0006】

第５の実施形態は、半導体プロセスのための方法である。方法は、プロセス装置を使用して、第１の複数の基板に対して第１のプロセス条件を有するプラズマ半導体プロセスを実施することを含む。プロセス装置は、プラズマ半導体プロセス中に基板を支持するように構成された基板支持体を含む。基板支持体は、少なくとも部分的に、プラズマ半導体プロセスのプラズマを制御するように構成された複数の無線周波数（ＲＦ）電極を含む。第１のプロセス条件は、プラズマ半導体プロセス中に複数のＲＦ電極に印加されるＲＦ信号の振幅および位相に対応する。方法は、プラズマ半導体プロセス中に、複数のＲＦ電極の第１のＲＦ電極の第１の位置に対応する第１の複数の基板のそれぞれの第１の特性を測定することを含む。第１の特性は、プラズマ半導体プロセスによって形成される。方法は、プラズマ半導体プロセス中に、複数のＲＦ電極の第２のＲＦ電極の第２の位置に対応する第１の複数の基板のそれぞれの第２の特性を測定することを含む。第２の特性は、プラズマ半導体プロセスによって形成される。第２の位置は、第１の位置とは異なる。方法は、プロセッサベースのシステムによって、第１の特性および第２の特性に基づいて、第２の複数の基板に対してプラズマ半導体プロセスを実施する間に適用される第２のプロセス条件を決定することを含む。第２のプロセス条件は、プラズマ半導体プロセス中に複数のＲＦ電極に印加されるＲＦ信号の振幅および位相に対応する。方法は、プロセス装置を使用して、第２の複数の基板に対して第２のプロセス条件を有するプラズマ半導体プロセスを実施することを含む。

【0007】

前述の要約は、以下の詳細な説明をより良く理解できるように、本開示の実施形態の様々な特徴をかなり広範に概説したものである。以下では、このような実施形態の追加の特徴および利点を説明する。記載される例は、添付の特許請求の範囲の範囲内にある他の例を変更または設計するための基礎として容易に利用され得る。

【図面の簡単な説明】

【0008】

上記の特徴を詳細に理解できるように、添付図面と併せて以下の詳細な説明を参照する。

【0009】

【図1】いくつかの実施形態による半導体プロセス用のプロセス装置の概略図である。

【0010】

【図2】いくつかの実施形態による無線周波数（ＲＦ）電極の配置のレイアウト図である。

【図3】いくつかの実施形態による無線周波数（ＲＦ）電極の配置のレイアウト図である。

【図4】いくつかの実施形態による無線周波数（ＲＦ）電極の配置のレイアウト図である。

【図5】いくつかの実施形態による無線周波数（ＲＦ）電極の配置のレイアウト図である。

【図6】いくつかの実施形態による無線周波数（ＲＦ）電極の配置のレイアウト図である。

【0011】

【図7A】いくつかの実施形態による図２から６の種々のＲＦ電極のレイアウト図である。

【図7B】いくつかの実施形態による図２から６の種々のＲＦ電極のレイアウト図である。

【図7C】いくつかの実施形態による図２から６の種々のＲＦ電極のレイアウト図である。

【図7D】いくつかの実施形態による図２から６の種々のＲＦ電極のレイアウト図である。

【0012】

【図8】いくつかの実施形態による半導体プロセス用のプロセス装置の概略図である。

【0013】

【図9】いくつかの実施形態による半導体プロセス用のプロセス装置の概略図である。

【0014】

【図10】いくつかの実施形態による図１、８、および９のプロセス装置のＲＦ電力システムの概略図である。

【0015】

【図11】いくつかの実施形態による図１、８、および９のプロセス装置と共に実装され得るＲＦ電力システムの概略図である。

【0016】

【図12】いくつかの実施形態によるプロセッサベースのシステムである。

【0017】

【図13】いくつかの実施形態による半導体プロセスの方法のフローチャートである。

【0018】

【図14】いくつかの実施形態による半導体プロセスの方法のフローチャートである。

【0019】

図面および付随する詳細な説明は、様々な例の特徴を理解するために提供されるものであり、添付の特許請求の範囲の範囲を限定するものではない。図面に図示され、付随する詳細な説明に記載された例は、添付の特許請求の範囲の範囲内にある他の例を変更または設計するための基礎として容易に利用され得る。図面間で共通する同一の要素を指定するために、可能な限り同一の参照番号が使用される場合がある。これらの図は関連する要素または特徴を明確に示すために描かれており、必ずしも縮尺通りに描かれているわけではない。

【発明を実施するための形態】

【0020】

以下、各図を参照しながら様々な特徴について説明する。実施形態は、示された全ての態様または利点を有するとは限らない。特定の実施形態と共に記載される態様または利点は、その実施形態に必ずしも限定されるものではなく、図示または明確にそのように記載されていない場合であっても、任意の他の実施形態で実施することができる。さらに、本明細書に記載の方法は、特定の順番の動作で説明される場合があるが、他の実施形態による他の方法が、より多いまたはより少ない動作を伴って様々な他の順番で実装される場合がある（例えば、様々な動作の異なる連続的または並行した実施を含む）。

【0021】

本開示は、プラズマ半導体プロセスおよびプラズマ半導体プロセス用のプロセス装置に関する。本明細書に記載のいくつかの実施形態は、プロセス装置の基板支持体を含み、ここで、該基板支持体は、プロセス装置内でプラズマを制御するように構成された複数の無線周波数（ＲＦ）電極を含む。基板支持体に複数のＲＦ電極を設けることにより、プラズマのより正確で局所的な制御を可能にすることができ、ゆえに、プラズマ均一性を促進することができる。

【0022】

半導体プロセス中のプラズマ不均一性は、製造される集積回路（Integrated Circuit：ＩＣ）ダイの欠陥をもたらす可能性がある。プラズマ不均一性は、半導体基板（例えば、ウエハ）の中心と、半導体基板のエッジ近傍との間で観察されている。著しい数のＩＣダイが半導体基板のエッジの近傍に製造されるため、半導体基板のエッジにおけるプラズマ不均一性は、収率の著しい損失をもたらす可能性がある。

【0023】

様々な要因が、半導体基板の中心とエッジとの間のプラズマ不均一性に関与している場合がある。１つの要因は、通常、プロセス装置の物理的構造である。プロセス装置の物理的構造は、半導体プロセス中のガスの流れに影響を与える可能性があり、かつそのような流れは、プロセス装置のチャンバの全体にわたって不均一である可能性がある。このことにより、異なる位置でのプラズマの反応物質および／または副産物の濃度のばらつきが起こる可能性がある。プロセス装置の物理的構造により、プラズマを発生させるために使用される電磁場が少なくとも部分的に決まる可能性がある。プラズマが発生する電極間の構造により、電磁場が決まる可能性がある。電極の中心で、電磁場は、無限平面から発生するものとしてモデル化され、エッジ効果はないか、ほとんどない。電極のエッジの近くで、エッジ効果はより顕著になり、それにより、電磁場の指向性が低下および／または変化する可能性がある。その結果、プラズマ密度は、基板の中心と半導体基板のエッジでは異なる可能性がある。さらに、電極のエッジは、プロセス装置のチャンバの壁により近いため、低抵抗の電磁ループが生じる場合があり、これにより、中心とエッジとの間で、プラズマ密度およびイオンエネルギーの差が生じる可能性がある。

【0024】

別の要因は、プラズマを発生させるのに使用されるＲＦ信号の周波数、および電極の側面のサイズである可能性がある。ＲＦ信号の周波数を下げる（例えば、波長を長くする）ことにより、電磁場が減少する可能性がある。一方で、周波数を上げると、プラズマのＲＦ磁場の均一性に影響を与える可能性がある有限波長効果が生じる場合がある。不均一性の問題は、周波数および基板サイズが大きくなるにつれて大きくなる場合がある。例えば、電磁波の進行方向に沿って、波長の１％の間隔にわたる電磁場強度の差が、最大６．２８％になる場合がある。波の最も滑らかな部分であっても、１％よりも良好な磁場均一性を実現するために、ＲＦ電極の側面のサイズは、ＲＦ信号の波長の２％以下である場合がある。半導体プロセスチャンバにおいて、３００ｍｍのウエハサイズに対するＲＦ信号の上限周波数は約６０ＭＨｚであり得る。しかし、この周波数では、半導体基板上でＲＦ電磁場の著しい不均一性が見られる場合がある。

【0025】

本明細書に記載のいくつかの実施形態によれば、基板支持体は、複数のＲＦ電極を含む。いくつかの実施形態では、各ＲＦ電極は、ＲＦ電極に印加されるＲＦ信号の波長の２％以下の側面寸法を有する。異なるＲＦ信号が、ＲＦ電極に印加される可能性がある。ＲＦ電極のそれぞれに対する電磁場をほぼ均一にすることで、ＲＦ電極に印加されるＲＦ信号を適切に調節することを通して半導体基板上の電磁場の全体的な均一性を達成可能となり得る。これにより、プラズマプロセス装置内の有限波長効果を解決することができ、より高い密度のプラズマを発生するために、または表面電界および関連する表面侵食を低減するために、より高い周波数ＲＦ電力を利用することが可能になる。複数のＲＦ電極を個別に制御することにより、半導体基板上の電磁場の特性を調節して、他のプロセスパラメータによって起こる不均一性を補償することができる。

【0026】

いくつかの実施形態では、ＲＦ電極のうち２つ以上は、支持面の中心と周辺部との間に配置され、支持面の半径方向に平行な軸線と側面に沿って交差する。基板支持体は、プラズマ半導体プロセス中に半導体基板を支持するように構成された支持面を含む。ＲＦ電極のうち２つ以上をかかる配置に整列させることによって、異なるＲＦ信号が、例えば、中心近傍のＲＦ電極およびエッジ近傍のＲＦ電極に印加され得る。このような異なるＲＦ信号を印加することによって、プラズマは、エッジと中心とで異なるように制御され、それにより、プラズマ均一性が促進され得る。印加されるこのような異なるＲＦ信号は、プラズマの不均一性の原因となるプラズマ半導体プロセスの様々な他の影響に対処することができる。

【0027】

いくつかの実施形態では、それぞれのＲＦ電極に印加される異なるＲＦ信号は、個々の電極より大きな基板にわたって均一な電磁場を得るために、同じ振幅および位相を有する場合があり、その一方で、いくつかの他の実施形態では、それぞれのＲＦ電極に印加される異なるＲＦ信号は、所望の効果（例えば、エッジ効果などの他のプロセスパラメータに起因する不均一性の補償）を実現するために、異なる振幅および／または位相を有する可能性がある。

【0028】

いくつかの実施形態では、基板支持体の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、２２１．１ミリメートル（ｍｍ）以下であり、これは、周波数が２７．１２ＭＨｚの信号の波長のおよそ２％である。いくつかの実施形態では、基板支持体の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、１９９．９ｍｍ以下であり、これは、周波数が３０ＭＨｚの信号の波長のおよそ２％である。いくつかの実施形態では、基板支持体の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、９９．９ｍｍ以下であり、これは、周波数が６０ＭＨｚの信号の波長のおよそ２％である。いくつかの実施形態では、基板支持体の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、５０．０ｍｍから２２１．１ｍｍ、５０．０ｍｍから１９９．９ｍｍ、または５０．０ｍｍから９９．９ｍｍの範囲であり、ここで、５０．０ｍｍは、周波数が１２０ＭＨｚの信号の波長のおよそ２％である。基板支持体にそのような寸法を有するＲＦ電極を設けることにより、波長の影響により生じるプラズマの不均一性を低減することができ、かつ起こり得る電磁場の振動を低減することができる。他の利点または利益は、本明細書に記載の種々の態様を使用して実現することができる。

【0029】

簡略化および便宜のために、図に示された類似の構成要素は、個別にまたは全体的に、同じ基本参照番号で参照される場合がある。図中、かかる構成要素のインスタンスには、それぞれのインスタンス識別子（「－数」の形）がそれに対して付けられた基本参照番号が付される。例えば、説明が、Ｘ個のウィジェットＺＺＺに言及する場合があり、その場合、図中のインスタンスは、ＺＺＺ－１、ＺＺＺ－２、．．．ＺＺＺ－ｘといったように番号が付される。本明細書における構成要素の特定のインスタンスへの言及は、基本参照番号および対応するインスタンス識別子（例えば、ウィジェットＺＺＺ－２のインスタンス）への言及を含む。

【0030】

図１は、いくつかの実施形態による半導体プロセス用のプロセス装置１００の概略図である。図１は、種々の方向を簡単に説明するためのＸ－Ｙ－Ｚ軸を含み、そのような軸は、他の図における方向に従って再現される。図１のプロセス装置１００は、本明細書に記載の種々の態様を不明瞭なものにしないように簡単に図示されている。当業者であれば、プロセス装置１００のその他の態様も容易に理解されるであろう。本実施形態では、プロセス装置１００は、容量結合プラズマ（Capacitively Coupled Plasma：ＣＣＰ）プロセス装置として示される。他の実施形態では、プロセス装置１００は、誘導結合プラズマ（Inductively Coupled Plasma：ＩＣＰ）プロセス装置、電子サイクロトロン共鳴（Electron Cyclotron Resonance：ＥＣＲ）プロセス装置、または別のプロセス装置として構成され得る。当業者であれば、本明細書に記載の態様が、そのような他のプロセス装置に適用可能であることを容易に理解されるであろう。プロセス装置１００は、スパッタリング、物理気相成長（Physical Vapor Deposition：ＰＶＤ）、変形二重プラズマ（Modified Double Plasma：ＭＤＰ）、プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）、イオンビームエッチング（Ion Beam Etching：ＩＢＥ）、反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching：ＲＩＥ）、およびその他のプロセスなど、プラズマ半導体プロセスを実施するためのものであり得る。加工されることになる基板は、半導体ウエハ、ソーラパネル、ディスプレイパネル、および／または他の材料である可能性がある。

【0031】

プロセス装置１００は、チャンバ１０２を含む。チャンバ１０２は、チャンバ１０２の内壁によって画定される内部容積１０４を有する。プロセス装置１００は、チャンバ１０２の内部容積１０４内に配置された基板支持体１０６を含む。基板支持体１０６は、静電チャック（ElectroStatic Chuck：ＥＳＣ）１０８、ヒーター１１０、およびベースプレート１１２を含む。図示した構成では、ヒーター１１０は、ベースプレート１１２の上方にそれと接して配置され、かつＥＳＣ１０８は、ヒーター１１０の上方にそれと接して配置される。基板支持体１０６は、台座１１４の上に配置され、それによって支持される。ベースプレート１１２は、台座１１４の上方にそれと接して配置される。基板支持体１０６は、半導体プロセス中に半導体基板１２０を支持するように構成された支持面１１６を有する。半導体プロセス中、半導体基板１２０は、基板支持体１０６の支持面１１６上に配置される。図１の図解では、支持面１１６は、ｘ－ｙ平面である。

【0032】

ＥＳＣ１０８は、ｎ個のＲＦ電極１３０を含む。後に詳述するように、ＲＦ電極１３０は、ＲＦ電圧信号がそれに対して印加されるように構成され、さらに、直流（Direct Current：ＤＣ）電圧がそれに対して印加される場合がある。ＥＳＣ１０８は、ＲＦ電極１３０間の直接的な接触を電気的に絶縁するために、ＲＦ電極１３０を被覆する誘電材料を含む可能性がある。誘電材料は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、酸化シリコン（ＳｉＯ２）など、またはこれらの組み合わせであるか、またはそれらを含む可能性がある。ＲＦ電極１３０は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）などの任意の金属、またはこれらの組み合わせであるか、またはそれらを含む可能性がある。ＲＦ電極１３０の様々な配置および構成が、以下の各図にて図示されている。

【0033】

ヒーター１１０は、誘電性の熱伝導性材料に配置された１つ以上の抵抗加熱素子１３４を含む。電流は、１つ以上の抵抗加熱素子１３４を通って流れることができ、これにより、半導体基板１２０に伝導される熱エネルギーを生成することができる。

【0034】

ベースプレート１１２は、バイアス電極１３６および流体チャネル１３８を含む。本実施形態では、ベースプレート１１２は、単一のバイアス電極１３６を含むが、後続の実施形態で詳述するように、ベースプレート１１２は、複数のバイアス電極も含む場合がある。バイアス電極１３６は、バイアス電極１３６と他の構成要素との直接的な接触を電気的に絶縁するために、その上に誘電材料を有する場合がある。流体チャネル１３８は、バイアス電極１３６に埋め込まれて配置される。流体チャネル１３８は、半導体基板１２０からの熱エネルギーを取り除いて、放散させるために、流体（例えば、液体）がそれを通って流れるように構成される。流体チャネル１３８は、冷却器と呼ばれることもある。

【0035】

プロセス装置１００は、チャンバ１０２の内部容積１０４内に配置された、ガス分配プレート１４０およびガスシャワーヘッド１４２をさらに含む。ガス分配プレート１４０は、それを貫通する開口部を有し、かつガスシャワーヘッド１４２も、それを貫通する開口部を有する。ガス分配プレート１４０およびガスシャワーヘッド１４２は、接地ノードに電気的に接続される（例えば、電気的に接地されている）。チャンバ１０２は、ガス供給システム１４６に流体的に接続されたガス導入口１４４を有し、かつ排出システム１５０に流体的に接続されたガス排出口１４８を有する。ガス分配プレート１４０およびガスシャワーヘッド１４２は、半導体プロセス中、ガス供給システム１４６からガス導入口１４４を通り、ガス分配プレート１４０を貫通する開口部を通り、次に、ガスシャワーヘッド１４２を貫通する開口部を通って、内部容積１０４内のプロセス容積１５２にガスが流れるように、基板支持体１０６を基準としてチャンバ１０２の内部容積１０４内に配置される。プロセス容積１５２は、ガスシャワーヘッド１４２と基板支持体１０６との間に配置され、これは、一般的に、半導体プロセス中に、プラズマが（プロセス容積１５２内へのガスの流れを用いて）発生させられる場所である。基板支持体１０６の支持面１１６上に配置された半導体基板１２０は、半導体プロセス中にプロセス容積１５２内でプラズマに曝される。次に、ガスは、ガス排出口１４８を通って排出システム１５０に流れ、チャンバ１０２の内部容積１０４の中から外へ排出され得る。

【0036】

プロセス装置１００は、ＲＦ電源システム１６０を含む電力システム、ｎ個のＲＦ信号制御回路１６４、ＤＣ電源１７０、ｎ個の絶縁フィルタ１７２、およびｎ個のアナログ加算器／加算回路１７４を含む。ＲＦ電源システム１６０は、ＲＦ発生器およびＲＦ整合ネットワークを含んでもよく、かつＲＦ電源システム１６０の出力ノードで、連続的なＲＦ信号および／またはパルスＲＦ信号である場合があるＲＦ信号を生成および出力するように構成される。ＲＦ電源システム１６０の出力ノードは、ＲＦ信号制御回路１６４の入力ノードに電気的に接続される。後に詳述するように、各ＲＦ信号制御回路１６４は、ＲＦ電源システム１６０から受信したＲＦ信号に基づいて、調節されたＲＦ信号を生成するように、個別にまたは独立して制御可能である。ＲＦ信号制御回路１６４によって生成された調節されたＲＦ信号は、受信したＲＦ信号の調節された振幅を有する場合がある（例えば、ＲＦ信号制御回路１６４の利得によって、１よりも大きい、１以下の大きさを有する場合がある）か、および／または受信したＲＦ信号からの位相オフセットを有する場合がある。利得および／または位相オフセットは、それぞれのＲＦ信号制御回路１６４がそれを実装するように構成されている、それぞれ、一連の利得および／または位相オフセットから選択可能である場合がある。各ＲＦ信号制御回路１６４は、対応するアナログ加算器／加算回路１７４の第１の入力ノードに電気的に接続された出力ノードを有する。ＤＣ電源１７０は、ＤＣ電源１７０の出力ノードでＤＣ電圧を生成および出力するように構成される。ＤＣ電源１７０の出力ノードは、絶縁フィルタ１７２のそれぞれの入力ノードに電気的に接続され、かつ絶縁フィルタ１７２の出力ノードは、アナログ加算器／加算回路１７４のそれぞれの第２の入力ノードに電気的に接続される。各絶縁フィルタ１７２は、ＲＦ信号などの時間的に変動する信号を抑制するように構成される。各絶縁フィルタ１７２は、例えば、ローパスフィルタであってよい。各アナログ加算器／加算回路１７４は、それぞれのＲＦ信号制御回路１６４からの調節されたＲＦ信号を、それぞれの絶縁フィルタ１７２およびＤＣ電源１７０からのＤＣ電圧に合計または加算し、それぞれのアナログ加算器／加算回路１７４の出力ノードで結果として生じるＲＦ／ＤＣ信号を出力するように構成される。各アナログ加算器／加算回路１７４は、ＥＳＣ１０８のそれぞれのＲＦ電極１３０に電気的に接続される。

【0037】

動作中、所与のアナログ加算器／加算回路１７４によって出力されたＲＦ／ＤＣ信号は、アナログ加算器／加算回路１７４が電気的に接続されたそれぞれのＲＦ電極１３０に印加される。ＲＦ／ＤＣ信号のＤＣ成分（ＤＣ電源１７０によって生成される）は、基板支持体１０６の支持面１１６上に半導体基板１２０をチャックするために使用することができる。ＲＦ／ＤＣ信号のＲＦ成分（対応するＲＦ信号制御回路１６４によって出力される）は、プロセス容積１５２内でプラズマを発生させ、および／または制御するために使用することができる。ＲＦ／ＤＣ信号のＲＦ成分を生成するために、対応する独立制御可能なＲＦ信号制御回路１６４と共に、複数のＲＦ電極１３０を各々設けることによって、プラズマを発生させ、および制御するためのＲＦ信号を、基板支持体１０６の異なる位置で異なるものとすることができる。異なる位置での異なるＲＦ信号を可能にすることによって、プラズマを局所的に制御して、均一性の改善を促進することができ、ゆえに、半導体プロセスによって形成される結果として生じる構造物の均一性が改善される。明確にするために、本明細書で使用される場合、ＲＦ／ＤＣ信号は、ＲＦ成分を伴わずにＤＣ成分を含んでよい（逆も同様）。しかし、いくつかの実施形態では、ＲＦ／ＤＣ信号は、ＲＦ成分およびＤＣ成分の両方を含む。

【0038】

プロセス装置１００は、ＲＦ電源システム１８０を含む。ＲＦ電源システム１８０は、ＲＦ発生器およびＲＦ整合ネットワークを含んでもよく、かつＲＦ電源システム１８０の出力ノードで、連続的なＲＦ信号および／またはパルスＲＦ信号である場合があるＲＦ信号を生成および出力するように構成される。ＲＦ電源システム１８０の出力ノードは、ベースプレート１１２のバイアス電極１３６に電気的に接続される。ベースプレート１１２は、本実施形態では、ＥＳＣ１０８内のＲＦ電極１３０と強く容量結合される場合がある。それゆえ、いくつかの実施形態によれば、ベースプレート１１２は、プラズマを発生させるためのＲＦ電極１３０の操作性を向上させるために、ＲＦ電源システム１８０によって出力されるＲＦ信号によってバイアスをかけられる。

【0039】

いくつかの実施形態では、ＲＦ電源システム１８０は、ＲＦ電源システム１６０と同じ周波数で動作することができる。ＲＦ電源システム１８０は、動作中、ＲＦ電極１３０に印加されるＲＦ／ＤＣ信号のＲＦ成分を基準として目標の振幅および目標の位相オフセットを有するＲＦ信号を出力する。いくつかの実施形態では、ＲＦ電源システム１８０によって出力されるＲＦ信号は、ＲＦ電極１３０に印加されるＲＦ／ＤＣ信号のＲＦ成分の平均振幅である振幅を有する。さらに、いくつかの実施形態では、ＲＦ電源システム１８０によって出力されるＲＦ信号は、ＲＦ信号がＲＦ／ＤＣ信号のＲＦ成分の平均と位相を合わせることを可能にする位相オフセットを有する。ベースプレート１１２のバイアス電極１３６にそのようなＲＦ信号を印加させることにより、プラズマを発生させ、および制御するためのＲＦ電極１３０の操作性を向上させることができる。いくつかの実施形態では、ＲＦ電源システム１８０は、プラズマプロセスの二重周波数操作を提供するために、ＲＦ電源システム１６０の周波数とは異なる周波数で動作することができる。例えば、ＲＦ電源システム１８０は、ＲＦ電源システム１６０の周波数よりも低い周波数で動作する場合がある。より低い周波数のＲＦ電界の電力は、より高い周波数のＲＦと比較して、よりプラズマシースに結合する場合がある。そのような二重周波数操作により、プラズマシースおよびメインプラズマに供給されるＲＦ電力の分割の調節が可能になる。これにより、基板におけるプラズマ密度およびイオンエネルギーを比較的別々に制御することができる。

【0040】

プロセス装置１００は、コントローラ１９０を含む。コントローラ１９０は、強化されたプロセッサアーキテクチャ、ソフトプロセッサ（例えば、フィールドプログラマブルゲートアレイ（Field Programmable Gate Array：ＦＰＧＡ）のプログラマブルファブリック上に実装される）、またはこれらの組み合わせであるか、またはこれらであり得る、任意のプロセッサベースのシステムであるか、それを含む可能性がある。例えば、コントローラ１９０は、コンピュータ、サーバ、プログラマブルロジックコントローラ（Programmable Logic Controller：ＰＬＣ）など、またはこれらの組み合わせであるか、これらを含む可能性がある。コントローラ１９０は、プロセス装置１００の動作を制御することができ、かつ、本明細書に記載するように、プロセス装置１００の動作を実行するようにプログラムされる可能性がある。とりわけ、コントローラ１９０は、ＲＦ信号制御回路１６４に通信可能に接続される。コントローラ１９０は、ＲＦ信号制御回路１６４を制御するための様々な設定値を実装するようにプログラムされることがある。

【0041】

図１のプロセス装置１００に関してＲＦ電極１３０を、チャンバ１０２内でプラズマを発生させるために実装されるものとして説明したが、ＲＦ電極１３０は、ＩＣＰプロセス装置などの他のプロセス装置内の基板支持体におけるバイアス電極であってもよい。本明細書に記載の態様は、プラズマを制御するために、他の装置および構成に適用することができる。

【0042】

図２、３、４、５、および６は、それぞれ、いくつかの実施形態によるＲＦ電極２３０、３３０、４３０、５３０、６３０の配置２００、３００、４００、５００、６００のレイアウト図である。図１のＥＳＣ１０８内のＲＦ電極１３０は、図２、３、４、５、および６に示されている配置２００、３００、４００、５００、６００のいずれか、または任意の他の配置を有する可能性がある。配置２００、３００、４００、５００、６００は、半導体基板１２０を支持する支持面１１６に平行なｘ－ｙ平面で示されている。それぞれの配置２００、３００、４００、５００、６００のエッジ２０２、３０２、４０２、５０２、６０２は、円形であり、基板支持体１０６の支持面１１６のエッジと一致している（例えば、垂直方向で整列している）。エッジ２０２、３０２、４０２、５０２、６０２の他の形状も、実装され得る。それぞれの配置２００、３００、４００、５００、６００の中心２０４、３０４、４０４、５０４、６０４が示されており、これは、支持面１１６の中心と一致している（例えば、垂直方向で整列している）。

【0043】

図２を参照すると、配置２００は、ＲＦ電極２３０を含んでいる。いくつかの実施形態では、配置２００は、１０から２００個のＲＦ電極２３０を含む。配置２００は、ＲＦ電極２３０の線形の格子である。本実施形態では、ＲＦ電極２３０は、エッジ２０２と交差するＲＦ電極２３０以外は、矩形（例えば、正方形）である。例えば、エッジ２０２にあるＲＦ電極２３０－１、２３０－２は、１つの側面が円弧状であり、他の側面は直線である。その他のＲＦ電極２３０（例えば、ＲＦ電極２３０－３から２３０－８）は、矩形（例えば、側面が直線である）。ＲＦ電極２３０－５、２３０－６、２３０－７、２３０－８は、配置２００の中心２０４の近傍に示されている。誘電材料２４０が、近接するＲＦ電極２３０間の直接的な電気接触を防ぐために、近接するＲＦ電極２３０間に配置される。

【0044】

図３を参照すると、配置３００は、ＲＦ電極３３０を含んでいる。いくつかの実施形態では、配置３００は、６から２００個のＲＦ電極３３０を含む。配置３００は、ＲＦ電極３３０の分割された内側円を取り囲む、分割された同心環である。本実施形態では、各ＲＦ電極３３０は、円の分割部分か、または同心環の分割部分である。例えば、中心３０４近傍のＲＦ電極３３０－５、３３０－６のそれぞれは、内側円の分割部分（例えば、半円）であり、かつエッジ３０２にあるＲＦ電極３３０－１、３３０－２のそれぞれは、同心環外側の分割部分である。図３に示すように、ＲＦ電極３３０の５つの同心環は、ＲＦ電極３３０－５、３３０－６の内側円の分割部分を取り囲んでおり、かつ他の実施形態では、任意数の同心環が、実装され得る。同心環内の各ＲＦ電極３３０は、中心３０４から半径方向に垂直なそれぞれの方向で、その同心環内の近接するＲＦ電極から分割される。同心環内の各ＲＦ電極３３０は、内側円弧側面、外側円弧側面、および対向する直線側面（例えば、中心３０４から半径方向に延びた）を有する。誘電材料３４０が、近接するＲＦ電極３３０間の直接的な電気接触を防ぐために、近接するＲＦ電極３３０間に配置される。

【0045】

図４を参照すると、配置４００は、ＲＦ電極４３０を含んでいる。いくつかの実施形態では、配置４００は、６から２００個のＲＦ電極４３０を含む。配置４００は、ＲＦ電極４３０の扇形に分割された内側円を取り囲む、半径方向に整列された分割された同心環である。本実施形態では、各ＲＦ電極４３０は、円の扇形部分か、または同心環の分割部分である。同心環の分割部分は、配置４００の内側円の扇形部分と半径方向で整列されている。図４の図示された実施形態では、配置４００は、１２個の扇形部分（例えば、各扇形部分は３０°）を有する。配置４００の内側円および各同心環は、１２個の扇形部分のそれぞれの中に、扇形部分または分割部分を有する。他の数の扇形部分が、他の実施形態で実装され得る。一例として、中心４０４近傍のＲＦ電極４３０－５、４３０－６のそれぞれは、内側円の扇形部分であり、かつエッジ４０２にあるＲＦ電極４３０－１、４３０－２のそれぞれは、同心環外側の分割部分である。他の配置では、ＲＦ電極の内側円は、複数のＲＦ電極の扇形に分割された円とは対照的に、単一のＲＦ電極の完全な円であってもよい。ＲＦ電極（例えば、ＲＦ電極４３０－５、４３０－６）の内側円を中心にしたＲＦ電極４３０の５つの同心環が図４に示されているが、他の実施形態では、任意数の同心環が、実装され得る。各ＲＦ電極４３０は、中心４０４から半径方向に垂直なそれぞれの方向で、それぞれの内側円または同心環内の近接するＲＦ電極と分割される。内側円内の各ＲＦ電極４３０は、直線側面（例えば、中心４０４から半径方向に延びた）、および外側円弧側面を有する。同心環内の各ＲＦ電極４３０は、内側円弧側面、外側円弧側面、および対向する直線側面（例えば、中心４０４から半径方向に延びた）を有する。誘電材料４４０が、近接するＲＦ電極４３０間の直接的な電気接触を防ぐために、近接するＲＦ電極４３０間に配置される。

【0046】

図５を参照すると、配置５００は、ＲＦ電極５３０を含んでいる。いくつかの実施形態では、配置５００は、５から２００個のＲＦ電極５３０を含む。配置５００は、ＲＦ電極５３０の完全な内側円を取り囲む、分割された同心環である。本実施形態では、完全な内側円のＲＦ電極５３０－５が、中心５０４にあり、かつ他のＲＦ電極５３０のそれぞれは、同心環の分割部分である。完全な内側円のＲＦ電極５３０－５を中心にしたＲＦ電極５３０の２つの同心環が図５に示されているが、他の実施形態では、任意数の同心環が、実装され得る。同心環内の各ＲＦ電極５３０は、中心５０４から半径方向に垂直なそれぞれの方向で、その同心環内の近接するＲＦ電極５３０から分割される。完全な内側円のＲＦ電極５３０－５は、外側円周を有する。同心環内の各ＲＦ電極５３０は、内側円弧側面、外側円弧側面、および対向する直線側面（例えば、中心５０４から半径方向に延びた）を有する。誘電材料５４０が、近接するＲＦ電極５３０間の直接的な電気接触を防ぐために、近接するＲＦ電極５３０間に配置される。

【0047】

図２、３、４、および５の配置２００、３００、４００、５００では、所与の半径方向に対して、異なるＲＦ電極が、支持面１１６の中心から支持面１１６の周辺部まで、支持面１１６の半径方向に平行な軸線と交差して配置される。支持面１１６の半径方向に平行なこのような軸線は、例えば、配置２００、３００、４００、５００における、中心２０４、３０４、４０４、５０４からエッジ２０２、３０２、４０２、５０２までであってよい。例えば、図２を参照すると、ＲＦ電極２３０－１、２３０－５は、線２５０に沿って、中心２０４からエッジ２０２までの軸線と交差して配置される。同様に、例えば、図３を参照すると、ＲＦ電極３３０－１、３３０－６は、線３５０に沿って、中心３０４からエッジ３０２までの軸線と交差して配置される。図４を参照すると、ＲＦ電極４３０－１、４３０－５は、線４５０に沿って、中心４０４からエッジ４０２までの軸線と交差して配置される。図５を参照すると、ＲＦ電極５３０－１、５３０－５は、線５５０に沿って、中心５０４からエッジ５０２までの軸線と交差して配置される。支持面１１６の中心および周辺部に異なるＲＦ電極を配置させることによって、中心および周辺部で異なるＲＦ信号を印加して、プラズマを局所的に制御して、プラズマの均一性を促進することができる。

【0048】

図６を参照すると、配置６００は、ＲＦ電極６３０を含んでいる。配置６００は、ＲＦ電極６３０の扇形に分割された円である。本実施形態では、各ＲＦ電極６３０は、円の扇形部分である。図６の図示された実施形態では、配置６００は、１２個の扇形部分（例えば、各扇形部分は３０°）を有する。他の数の扇形部分が、他の実施形態で実装され得る。各ＲＦ電極６３０は、中心６０４の近傍からエッジ６０２まで延びている。各ＲＦ電極６３０は、中心６０４から半径方向に垂直なそれぞれの方向で、近接するＲＦ電極と分割される。ＲＦ電極６３０は、直線側面（例えば、中心６０４から半径方向に延びた）、および外側円弧側面を有する。誘電材料６４０が、近接するＲＦ電極６３０間の直接的な電気接触を防ぐために、近接するＲＦ電極６３０間に配置される。

【0049】

図７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、および７Ｄは、いくつかの実施形態による図２から６の種々のＲＦ電極のレイアウト図である。図７Ａから７ＤのＲＦ電極は、様々な側面を例示するために示されている。図７Ａは、ＲＦ電極７３０－１のレイアウト図であり、これは、図２のエッジ２０２と交差するＲＦ電極２３０である場合がある。ＲＦ電極７３０－１は、頂点Ａ１、Ｂ１、Ｃ１、Ｄ１を有する。ＲＦ電極７３０－１は、円弧側面Ａ１－Ｂ１、直線側面Ｂ１－Ｃ１、直線側面Ｃ１－Ｄ１および直線側面Ｄ１－Ａ１を有する。図７Ｂは、ＲＦ電極７３０－２のレイアウト図であり、これは、図３、４、および５の同心環の分割部分であるＲＦ電極３３０、４３０、５３０である場合がある。ＲＦ電極７３０－２は、頂点Ａ２、Ｂ２、Ｃ２、Ｄ２を有する。ＲＦ電極７３０－２は、外側円弧側面Ａ２－Ｂ２、直線側面Ｂ２－Ｃ２、内側円弧側面Ｃ２－Ｄ２、および直線側面Ｄ２－Ａ２を有する。図７Ｃは、ＲＦ電極７３０－３のレイアウト図であり、これは、図３の内側円の分割部分であるＲＦ電極３３０－５、３３０－６である場合がある。ＲＦ電極７３０－３は、頂点Ａ３、Ｂ３および円弧点Ｃ３を有する。ＲＦ電極は、直線側面Ａ３－Ｂ３および円弧側面Ａ３－Ｃ３－Ｂ３を有する。図７Ｄは、ＲＦ電極７３０－４のレイアウト図であり、これは、図４および６の円の扇形部分であるＲＦ電極４３０、６３０である場合がある。ＲＦ電極７３０－４は、頂点Ａ４、Ｂ４、Ｃ４を有する。ＲＦ電極７３０－４は、円弧側面Ａ４－Ｂ４、直線側面Ｂ４－Ｃ４、および直線側面Ｃ４－Ａ４を有する。

【0050】

いくつかの実施形態では、配置２００、３００、４００、５００、６００における各ＲＦ電極２３０、３３０、４３０、５３０、６３０の各側面の寸法は、それぞれのＲＦ電極に印加されるそれぞれのＲＦ信号（ゆえに、電磁場）の最小波長の２％未満である。いくつかの実施形態では、ＲＦ信号は、マルチ周波数ＲＦ信号である場合があり、したがって、最小波長は、マルチ周波数ＲＦ信号の中で最も周波数が高いＲＦ信号である場合がある。

【0051】

いくつかの実施形態では、配置２００、３００、４００、５００、６００における各ＲＦ電極２３０、３３０、４３０、５３０、６３０の各側面の寸法は、２２１．１ｍｍ未満、より詳細には、１９９．９ｍｍ未満、さらに詳細には、９９．９ｍｍ未満である。いくつかの実施形態では、配置２００、３００、４００、５００、６００における各ＲＦ電極２３０、３３０、４３０、５３０、６３０の各側面の寸法は、５０．０ｍｍ超から２２１．１ｍｍ未満の範囲、より詳細には、５０．０ｍｍ超から１９９．９ｍｍ未満の範囲、さらに詳細には、５０．０ｍｍ超から９９．９ｍｍ未満の範囲である。図７Ａから７Ｄは、例示的なＲＦ電極７３０の側面を示している。さらに、側面は、存在する場合、図５のＲＦ電極５３０－５など、完全な円のＲＦ電極の円周側面、および図３のＲＦ電極３３０－５などの矩形ＲＦ電極の直線側面を含む可能性がある。側面をこのような寸法で設けることによって、波長の影響により生じるプラズマの不均一性が低減され得、かつ電磁場の振動も低減され得る。半導体ウエハ以外のプロセス材料の場合、基板支持体のサイズおよび形状、ならびにＲＦ電磁場の周波数は変化する場合がある。波長に起因する不均一性を低減するために、ＲＦ波長の２％以下の寸法を有する複数のＲＦ電極を使用する方法は、依然として適用可能である。

【0052】

図８は、いくつかの実施形態による半導体プロセス用のプロセス装置８００の概略図である。図８のプロセス装置８００は、図１のプロセス装置１００の変形形態であり、ゆえに、図中の同じ参照番号は、同じ構成要素を示している。同じ構成要素の説明は、簡潔にするためここでは省略する。

【0053】

プロセス装置８００の基板支持体１０６のベースプレート１１２は、ｎ個のバイアス電極８３６を含む。ベースプレート１１２内のバイアス電極８３６の配置は、ＥＳＣ１０８内のＲＦ電極１３０の配置と対応している。例えば、各バイアス電極８３６は、概して、対応するＲＦ電極１３０と同じ形状を有し、垂直方向で（例えば、ｚ方向で）整列している可能性がある。

【0054】

プロセス装置８００は、さらに、ｎ個のＲＦバイアス制御回路８８８を含む。各ＲＦバイアス制御回路８８８は、ＲＦ電源システム１８０の出力ノードに電気的に接続された入力ノードを有する。ＲＦ信号制御回路１６４と同様に、各ＲＦバイアス制御回路８８８は、ＲＦ電源システム１８０から受信したＲＦ信号に基づいて、調節されたＲＦ信号を生成するように、個別にまたは独立して制御可能である。ＲＦバイアス制御回路８８８によって生成された調節されたＲＦ信号は、受信したＲＦ信号の調節された振幅を有する場合がある（例えば、ＲＦバイアス制御回路８８８の利得によって、１よりも大きい、１に等しい、または１以下の大きさを有する場合がある）か、および／または受信したＲＦ信号からの位相オフセットを有する場合がある。利得および／または位相オフセットは、それぞれのＲＦバイアス制御回路８８８がそれを実装するように構成されている、それぞれ、一連の利得および／または位相オフセットから選択可能である場合がある。各ＲＦバイアス制御回路８８８は、それぞれのバイアス電極８３６に電気的に接続された出力ノードを有する。

【0055】

動作中、ＲＦ電源システム１８０は、ＲＦバイアス信号をＲＦバイアス制御回路８８８に出力する。ＲＦバイアス信号は、ＲＦ電源システム１８０によって出力されたＲＦ信号に基づいて生成され、かつ、例えば、ＲＦ電源システム１６０によって出力されたＲＦ信号に従って、ＲＦ電源システム１８０のＲＦ整合ネットワークによって整合された、周波数、位相、および振幅である可能性がある。ＲＦバイアス制御回路８８８は、それぞれの調節されたＲＦバイアス信号が目標利得および目標位相オフセットを有するように、ＲＦバイアス信号を調節する。調節されたＲＦバイアス信号は、それぞれのＲＦバイアス制御回路８８８によって、それぞれのバイアス電極８３６に出力される。それぞれのＲＦバイアス制御回路８８８によって出力された調節されたＲＦバイアス信号は、対応するＲＦ信号制御回路１６４によって出力されたＲＦ信号に対応する振幅および位相オフセットを有することができる。例えば、ＲＦバイアス制御回路８８８－１によって出力された調節されたＲＦバイアス信号は、ＲＦ信号制御回路１６４－１によって出力されたＲＦ信号に対応する振幅および位相オフセットを有することができ、かつＲＦバイアス制御回路８８８－ｎによって出力された調節されたＲＦバイアス信号は、ＲＦ信号制御回路１６４－ｎによって出力されたＲＦ信号に対応する振幅および位相オフセットを有することができる。

【0056】

調節されたＲＦバイアス信号生成するために、対応する独立制御可能なＲＦバイアス制御回路８８８と共に、複数のバイアス電極８３６を各々設けることによって、基板支持体１０６にバイアスをかけるためのＲＦバイアス信号は、基板支持体１０６の異なる位置で異なるものとすることができる。異なる位置での異なるＲＦバイアス信号を可能にすることによって、ＲＦ電極１３０の操作性をより正確なものとすることができ、かつ、プラズマの均一性の改善を促進するように向上させることができ、ゆえに、半導体プロセスによって形成される結果として生じる構造物の均一性が改善される。

【0057】

図９は、いくつかの実施形態による半導体プロセス用のプロセス装置９００の概略図である。図９のプロセス装置９００は、図１のプロセス装置１００の変形形態であり、ゆえに、図中の同じ参照番号は、同じ構成要素を示している。同じ構成要素の説明は、簡潔にするためここでは省略する。

【0058】

基板支持体１０６は、中間プレート９０２をさらに含む。図示した構成では、ヒーター１１０は、ベースプレート１１２の上方にそれと接して配置され、中間プレート９０２は、ヒーター１１０の上方にそれと接して配置され、かつＥＳＣ１０８は、中間プレート９０２の上方にそれと接して配置される。ＥＳＣ１０８は、チャック電極９０４を含む。チャック電極９０４は、チャッキングのために、ＤＣ電圧がそれに対して印加されるように構成される。ＥＳＣ１０８は、チャック電極９０４間の直接的な接触を電気的に絶縁するために、チャック電極９０４を被覆する誘電材料を含む可能性がある。中間プレート９０２は、ｎ個のＲＦ電極１３０を含む。前述のように、ＲＦ電極１３０は、ＲＦ電圧信号がそれに対して印加されるように構成される。中間プレート９０２は、ＲＦ電極１３０間の直接的な接触を電気的に絶縁するために、ＲＦ電極１３０を被覆する誘電材料を含む可能性がある。

【0059】

ＤＣ電源１７０の出力ノード（例えば、正出力ノードおよび負出力ノード）は、絶縁フィルタ１７２の入力ノードに電気的に接続され、かつ絶縁フィルタ１７２の出力ノードは、それぞれのチャック電極９０４に電気的に接続される。絶縁フィルタ１７２は、例えば、ローパスフィルタであってよい。ＤＣ電源１７０は、半導体基板１２０をチャックおよび解放するために選択的にオンおよびオフにされる可能性がある。

【0060】

各ＲＦ信号制御回路１６４は、対応するＲＦ電極１３０に電気的に接続された出力ノードを有する。図９のプロセス装置９００では、それぞれのＲＦ信号は、ＲＦ電極１３０に印加され得（例えば、プラズマを発生させ、および／または制御するために）、その一方で、ＤＣ電圧が、チャック電極９０４に印加され得る（例えば、半導体基板をチェックするために）。

【0061】

いくつかの実施形態では、プロセス装置は、ｎ個のバイアス電極８３６を含むベースプレート１１２を備えることと、図８のプロセス装置８００に関して説明したようなＲＦ電源システム１８０およびＲＦバイアス制御回路８８８を備えることを除いて、図９のプロセス装置９００に類似するものであってもよい。

【0062】

図１０は、いくつかの実施形態によるプロセス装置１００、８００、９００のＲＦ電力システム１０００の概略図である。ＲＦ電力システム１０００は、ＲＦ電源システム１６０、ＲＦ信号制御回路１６４、アナログ加算器／加算回路１７４、およびＲＦ電極１３０を含む。各ＲＦ信号制御回路１６４は、それぞれの電圧／電力制御回路１００２、およびそれぞれの位相制御回路１００４を含む。例えば、ＲＦ信号制御回路１６４－１は、電圧／電力制御回路１００２－１および位相制御回路１００４－１を含み、かつＲＦ信号制御回路１６４－ｎは、電圧／電力制御回路１００２－ｎおよび位相制御回路１００４－ｎを含む。各電圧／電力制御回路１００２は、それぞれのＲＦ信号制御回路１６４の入力ノードであり、かつＲＦ電源システム１６０の出力ノードに電気的に接続された入力ノードを有する。各電圧／電力制御回路１００２は、それぞれの位相制御回路１００４の入力ノードに電気的に接続された出力ノードを有する。各位相制御回路１００４は、それぞれのＲＦ信号制御回路１６４の出力ノードであり、それぞれのアナログ加算器／加算回路１７４の第１の入力ノードに電気的に接続された出力ノードを有する。それぞれのＲＦ信号制御回路１６４の電圧／電力制御回路１００２および位相制御回路１００４は、例えば、それぞれのＲＦ信号制御回路１６４に関する１つ以上の設定値を受信するコントローラ１９０に通信可能に接続されている。設定値は、電圧／電力制御回路１００２の利得および位相制御回路１００４の位相オフセットを選択的に構成するデジタル数値またはコードである。

【0063】

いくつかの実施形態では、電圧／電力制御回路１００２は、増幅器、およびＲＦ信号を受信して、受信したＲＦ信号を基準として利得が調節されたＲＦ信号を出力するように構成された選択的に構成可能なインピーダンスネットワークを含み得る。選択的に構成可能なインピーダンスネットワークは、例えば、並列接続されたいくつかのスイッチング抵抗を含むことができる。例えば、スイッチング抵抗は、トランジスタのチャネルと電気的に直列で接続された抵抗を含み得る。設定値のビット、または設定値の復号化によって得られたビットである可能性がある信号は、例えば、選択的にトランジスタのチャネルを導通状態または非導通状態にするために、トランジスタのゲートに印加することができる。抵抗を選択的に電気的に並列接続および／または並列切断することにより、電圧／電力制御回路１００２の利得を選択的に構成することができる。当業者であれば、電圧／電力制御回路１００２の構成、ならびに、異なる利得を実現するために、かかる電圧／電力制御回路１００２を選択的に構成可能にすることができる方法（抵抗、コンデンサ、および／またはインダクタなどのインピーダンス素子の任意の組み合わせを使用することによる場合がある）を容易に理解するであろう。

【0064】

同様に、いくつかの実施形態では、位相制御回路１００４は、増幅器、およびＲＦ信号を受信して、受信したＲＦ信号を基準として位相オフセットが調節されたＲＦ信号を出力するように構成された選択的に構成可能なインピーダンスネットワークを含み得る。選択的に構成可能なインピーダンスネットワークは、例えば、抵抗、コンデンサ、および／またはインダクタを含む、並列接続されたいくつかのスイッチングインピーダンス素子を含むことができる。設定値のビット、または設定値の復号化によって得られたビットである可能性がある信号は、例えば、選択的にトランジスタのチャネルを導通状態または非導通状態にするために、トランジスタのゲートに印加することができる。インピーダンス素子を選択的に電気的に並列接続および／または並列切断することにより、位相制御回路１００４の位相オフセットを選択的に構成することができる。当業者であれば、位相制御回路１００４の構成、および、異なる位相オフセットを実現するために、かかる位相制御回路１００４を選択的に構成可能にすることができる方法を容易に理解するであろう。

【0065】

図１１は、いくつかの実施形態によるプロセス装置１００、８００、９００と共に実装される場合があるＲＦ電力システム１１００の概略図である。図１１のＲＦ電力システム１１００は、図１０のＲＦ電力システム１０００の変形形態である。ＲＦ電力システム１１００は、マルチ周波数ＲＦ電力システムである。ＲＦ電力システム１１００は、ｐ個のＲＦ電源システムを含み、そのうちの２個（例えば、ＲＦ電源システム１６０－１、１６０－２）が図示されている。各ＲＦ電源システム１６０は、目標周波数でＲＦ信号を生成するように構成され、ＲＦ電源システム１６０の各目標周波数は、異なる可能性がある。例えば、ＲＦ電源システム１６０－１の目的周波数は、１３．５６ＭＨｚであってもよく、かつＲＦ電源システム１６０－２の目的周波数は、６０ＭＨｚであってもよい。

【0066】

ＲＦ電力システム１１００は、各ＲＦ電源システム１６０に対してｎ個のＲＦ信号制御回路１６４を含む。合計で、ＲＦ電力システム１１００は、（ｎ×ｐ）個のＲＦ信号制御回路１６４を含む。図中、各ＲＦ信号制御回路１６４は、記号「－ｉｊ」が付されており、ここで、ｉは、どのＲＦ電極１３０が所与のＲＦ信号制御回路１６４と関連するかを指定するものであり、かつ、ｊは、どのＲＦ電源システムが所与のＲＦ信号制御回路１６４と関連するかを指定するものである。各ＲＦ信号制御回路１６４は、電圧／電力制御回路１００２および位相制御回路１００４を含み、かつ、図１０に関して前述したように構成される。

【0067】

各ＲＦ電源システム１６０に関しては、それぞれのＲＦ電源システム１６０の出力ノードは、そのＲＦ電源システム１６０に関連付けられたｎ個のＲＦ信号制御回路１６４の入力ノードに電気的に接続される。各ＲＦ信号制御回路１６４は、それぞれのＲＦ絶縁フィルタ１１０２（ＲＦ信号制御回路１６４と同様に記号が付されている）の入力ノードに電気的に接続された出力ノードを有する。各ＲＦ絶縁フィルタ１１０２は、関連するＲＦ電源システム１６０によって生成されたＲＦ信号の目標周波数を有するＲＦ信号を通過させるように構成される。各ＲＦ絶縁フィルタ１１０２は、目標周波数での信号以外のいかなる信号も除去または減少させ得る。例えば、ＲＦ絶縁フィルタ１１０２は、関連するＲＦ電源システム１６０によって生成されたＲＦ信号の周波数を主な対象としたバンドパスフィルタとすることができる。

【0068】

ＲＦ電力システム１１００は、ｎ個のアナログ加算器／加算回路１０７４を含む。各アナログ加算器／加算回路１０７４は、（ｐ＋１）個の入力ノードを有し、かつそれぞれのＲＦ電極１３０に関連付けられる。所与のＲＦ電極１３０に関連付けられたそれぞれのＲＦ絶縁フィルタ１１０２の出力ノードは、その所与のＲＦ電極１３０に関連付けられたアナログ加算器／加算回路１０７４のそれぞれの入力ノードに電気的に接続される。さらに、各アナログ加算器／加算回路１０７４のそれぞれの入力ノードは、ＤＣ電源１７０の出力ノードに電気的に接続される。各アナログ加算器／加算回路１０７４は、それぞれのＲＦ絶縁フィルタ１１０２から受信したｐ個のＲＦ信号と、ＤＣ電源１７０から受信したＤＣ電圧とを加算して、ＲＦ／ＤＣ信号を生成するように構成される。各アナログ加算器／加算回路１０７４は、そのアナログ加算器／加算回路１０７４と関連付けられたＲＦ電極１３０に電気的に接続された出力ノードを有する。アナログ加算器／加算回路１０７４によって生成されたＲＦ／ＤＣ信号は、出力ノードでＲＦ電極１３０に対して出力される。周波数が異なるＲＦ信号を生成する複数のＲＦ電源システム１６０を設けることにより、ＲＦ／ＤＣ信号は、ＲＦ電極１３０に印加される複数のＲＦ成分を含むことができる。ＲＦ電力システム１１００の他の態様も、図１０のＲＦ電力システム１０００の説明を含む、これまでの説明に鑑みて当業者には明らかである。

【0069】

図１２は、いくつかの実施形態によるプロセッサベースのシステム１２００を示している。プロセッサベースのシステム１２００は、コンピュータ、サーバ、プログラマブルロジックコントローラ（ＰＬＣ）など、またはこれらの組み合わせであるか、これらを含む可能性がある。プロセッサベースのシステム１２００は、コントローラ１９０、または本明細書に記載の任意の動作を実施する任意の他のプロセッサベースのシステムとして実装されてよい。プロセッサベースのシステム１２００は、１つ以上のプロセッサ１２０２、メモリシステム１２１２、通信バス１２２２、１つ以上の入力／出力（Input/Output：Ｉ／Ｏ）インターフェース１２３２、およびネットワークインターフェース１２４２を含む。

【0070】

各プロセッサ１２０２は、１つ以上のプロセッサコア１２０４を含む可能性がある。各プロセッサ１２０２および／またはプロセッサコア１２０４は、例えば、中央演算処理装置（Central Processing Unit：ＣＰＵ）、縮小命令セットコンピューティング（Reduced Instruction Set Computing：ＲＩＳＣ）プロセッサ、複合命令セットコンピューティング（Complex Instruction Set Computing：ＣＩＳＣ）プロセッサ、グラフィック処理装置（Graphics Processing Unit：ＧＰＵ）、デジタル信号プロセッサ（Digital Signal Processor：ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（Application Specific Integrated Circuit：ＡＳＩＣ）などの強化されたプロセッサ、もしくはこれらの組み合わせ、またはフィールドプログラマブルゲートアレイ（Field Programmable Gate Array：ＦＰＧＡ）などのプログラマブルロジックで実装されたソフトプロセッサであってよい。

【0071】

メモリシステム１２１２は、１つ以上のメモリコントローラ１２１４およびメモリ１２１６を含む。メモリコントローラ１２１４は、特定のメモリ１２１６またはメモリ１２１６のサブセットへの読み出しおよび／または書き込みアクセスを制御するように構成される。メモリ１２１６は、主記憶装置、ディスク記憶装置、またはそれらの任意の好適な組み合わせを含む場合がある。メモリ１２１６は、任意のタイプの揮発性または不揮発性メモリ、例えば、ダイナミックランダムアクセスメモリ（Dynamic Random Access Memory：ＤＲＡＭ）、静的ランダムアクセスメモリ（Static Random Access Memory：ＳＲＡＭ）、消去可能プログラマブル読み出し専用メモリ（Erasable Programmable Read-Only Memory：ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能プログラマブル読み出し専用メモリ（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory：ＥＥＰＲＯＭ）、フラッシュメモリ、ソリッドステート記憶装置などを含む場合がある。メモリ１２１６は、非一時的マシン可読記憶媒体である。命令１２１８は、メモリ１２１６に記憶される。命令１２１８は、マシン実行可能コード（例えば、マシンコード）であってもよく、かつファームウェア、ソフトウェア、プログラム、アプリケーション、または他のマシン実行可能コードを含む場合がある。命令１２１８は、例えば、ソフトウェアモジュール１２２０を具現化することができ、これは、１つ以上のプロセッサ１２０２によって実行されると、本明細書に記載の様々な機能および動作を実施する。

【0072】

１つ以上のＩ／Ｏインターフェース１２３２は、１つ以上のＩ／Ｏデバイス１２３４と電気的におよび／または通信可能に接続されるように構成される。Ｉ／Ｏデバイス１２３４は、ＲＦ信号制御回路１６４、および、適用可能な場合は、ＲＦバイアス制御回路８８８を含む。ＲＦ信号制御回路１６４およびＲＦバイアス制御回路８８８は、Ｉ／Ｏインターフェース１２３２を介してそれぞれの設定値を受信することができる。他の例示的なＩ／Ｏデバイス１２３４としては、キーボード、マウス、ディスプレイデバイス、プリンタなどが挙げられる。１つ以上のＩ／Ｏインターフェース１２３２は、産業応用接続、ユニバーサルシリアルバス（Universal Serial Bus：ＵＳＢ）接続、高解像度マルチメディアインターフェース（High-Definition Multimedia Interface：ＨＤＭＩ）接続、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）回路などのコネクタまたは結合回路を含むことができる。

【0073】

ネットワークインターフェース１２４２は、ネットワーク１２４４に通信可能に接続されるように構成される。ネットワークインターフェース１２４２は、イーサネット接続などの有線通信用の回路を含むことができ、および／またはＷｉ－Ｆｉ（登録商標）通信用の回路など、無線通信用の回路を含むことができる。例えば、ネットワーク１２４４に通信可能に接続された１つ以上のコンピュータおよび／またはサーバは、レシピ、プロセス条件などを、ネットワーク１２４４およびネットワークインターフェース１２４２を介して、プロセッサベースのシステム１２００に通信する場合がある。

【0074】

通信バス１２２２は、１つ以上のプロセッサ１２０２、メモリシステム１２１２、１つ以上のＩ／Ｏインターフェース１２３２、およびネットワークインターフェース１２４２に通信可能に接続される。様々な構成要素は、通信バス１２２２を介して互いに通信することができる。通信バス１２２２は、通信を仲裁するアービタを含ませることなどによって、通信のフローを制御できる。

【0075】

図１３は、いくつかの実施形態による半導体プロセスの方法１３００のフローチャートである。方法１３００は、前述のプロセス装置１００、８００、９００を使用して実施することができる。方法１３００の動作は、コントローラ１９０によって開始および／または制御され得る（例えば、１つ以上のプロセッサ１２０２による命令１２１８の実行によって）。ブロック１３０２で、半導体基板１２０は、プロセス装置１００、８００、９００のチャンバ１０２内に搬送され、チャンバ１０２内の基板支持体１０６（例えば、ＥＳＣ１０８）上に載せられる。基板支持体１０６（例えば、ＥＳＣ１０８または中間プレート９０２）は、前述のようにｎ個のＲＦ電極１３０を含む。半導体基板１２０は、図１または８のプロセス装置１００、８００内で、ＤＣ電圧をＲＦ電極１３０に印加することによって、または図９のプロセス装置９００内で、ＤＣ電圧をチャック電極９０４に印加すること（例えば、半導体基板１２０をチャックするために）によって基板支持体１０６に固定され得る。図１または８のプロセス装置１００、８００では、ＤＣ電圧は、前述したように、それぞれのＲＦ／ＤＣ信号を使用してＲＦ電極１３０に印加することができるが、この際、ＲＦ／ＤＣ信号は、半導体基板１２０が最初にＥＳＣ１０８に固定される時点では、ＲＦ成分を含んでいない場合もある。

【0076】

ブロック１３０４で、プラズマ半導体プロセスが、プロセス装置１００、８００、９００のチャンバ１０２内で実施される。プラズマ半導体プロセスは、例えば、エッチングプロセス、蒸着プロセス、または任意の他の適用可能なプロセスとすることができる。例示的なプラズマ半導体プロセスとしては、スパッタリング、ＰＶＤ、ＭＤＰ、ＰＥＣＶＤ、ＩＢＥ、およびＲＩＥが上げられる。ブロック１３０４は、ブロック１３０６の、チャンバ１０２のプロセス容積１５２内でプラズマを発生させることを含む。半導体基板１２０は、プロセス容積１５２内でプラズマに曝され得る。プラズマは、ガスをチャンバ１０２内に流して（例えば、ガス供給システム１４６から、ガス導入口１４４、ガス分配プレート１４０、およびガスシャワーヘッド１４２を通して）、それぞれのＲＦ／ＤＣ信号（それぞれがＲＦ成分を含む）またはそれぞれのＲＦ信号をＲＦ電極１３０に印加することによって発生させることができる。プラズマは、ＲＦ電極１３０およびガスシャワーヘッド１４２が接地される場合に、ＲＦ成分またはＲＦ信号の結果として発生させることができる。ブロック１３０４は、ブロック１３０８の、基板支持体１０６のＲＦ電極１３０に印加されるＲＦ信号の振幅および／または位相を調節することによるプラズマを制御することをさらに含む。参照を容易にするために別々に説明するが、ブロック１３０６、１３０８は、同じ動作によって実施することができる。いくつかの実施形態では、プラズマを制御することにより、半導体基板１２０の中心と比較して、半導体基板１２０の周辺部のプラズマを制御できる。いくつかの実施形態では、プラズマは、半導体基板１２０のエッジの、かつ近くの、および半導体基板１２０の中心近傍の、異なるＲＦ電極１３０に、異なるそれぞれのＲＦ成分を有するＲＦ／ＤＣ信号または異なるそれぞれのＲＦ信号を印加することによって、半導体基板１２０の中心と周辺部の間で異なるように制御することができる。異なるＲＦ成分または信号は、異なる振幅、位相オフセット、または任意のそれらの順列を有する可能性がある、それぞれの調節されたＲＦ信号を生成するようにＲＦ信号制御回路１６４を選択的に構成することによって実装することができる。ＲＦ信号制御回路１６４は、コントローラ１９０からＲＦ信号制御回路１６４に通信される設定値に従って選択的に構成することができる。加えて、バイアス電極１３６、８３６にバイアスをかけることが、ブロック１３０６，１３０８の間に実施され得る。バイアスをかけることは、ＲＦバイアス信号を、プロセス装置１００におけるような単一のバイアス電極１３６に印加することか、それぞれのＲＦバイアス信号を、プロセス装置８００におけるような複数のバイアス電極８３６に印加することを含む可能性がある。

【0077】

ブロック１３１０では、プラズマ半導体プロセスが終了して、半導体基板１２０は、プロセス装置１００、８００、９００のチャンバ１０２の中から外へ搬送される。プラズマ半導体プロセスの終了時に、ＤＣ／ＲＦ信号またはＲＦ信号のＲＦ成分は、ＲＦ電極１３０への印加が停止され得（例えば、ＲＦ電源システム１６０がオフにされる）、ガスは、チャンバ１０２内の供給が停止され得、かつチャンバ１０２の中から外へ排出され得る。加えて、ＲＦバイアス信号は、バイアス電極１３６、８３６への印加が停止され得る。ＲＦ／ＤＣ信号のＤＣ成分もまた、ＥＳＣ１０８から半導体基板１２０を解放するために、停止され得る（例えば、ＤＣ電源１７０をオフにすることによって）。その後、半導体基板１２０は、チャンバ１０２の中から外へ搬送され得る。

【0078】

図１４は、いくつかの実施形態による半導体プロセスのための方法１４００のフローチャートである。ブロック１４０２で、図１３に関して説明したようなプラズマ半導体プロセスが、プロセス装置１００、８００、９００を使用して、第１の複数の半導体基板（例えば、半導体基板の１つ以上のロット）に対して実施される。プラズマプロセスは、第１のプロセス条件で実施される。第１のプロセス条件は、ＲＦ信号制御回路１６４の設定値、および、適用可能な場合は、ＲＦバイアス制御回路８８８の設定値を含む。これらの設定値に基づいて、ＲＦ／ＤＣ信号またはＲＦ信号のＲＦ成分が、プラズマ半導体プロセス中にそれぞれのＲＦ電極１３０に印加され、ＲＦ信号が、プラズマ半導体プロセス中にバイアス電極１３６、８３６に印加される。

【0079】

ブロック１４０４で、プラズマ半導体プロセス中にＲＦ電極１３０の第１の１つ以上のＲＦ電極１３０のそれぞれの位置に対応する第１の複数の半導体基板のそれぞれの第１の特性が測定され、かつブロック１４０６で、プラズマ半導体プロセス中にＲＦ電極１３０の第２の１つ以上のＲＦ電極１３０のそれぞれの位置に対応する第１の複数の半導体基板のそれぞれの第２の特性が測定される。第１の１つ以上のＲＦ電極１３０の位置は、第２の１つ以上のＲＦ電極１３０の位置とは異なる。いくつかの実施形態では、第１の位置は、プラズマ半導体プロセス中、第１の複数の半導体基板のそれぞれの中心の近傍であり得、かつ第２の位置は、プラズマ半導体プロセス中、第１の複数の半導体基板のそれぞれのエッジの近傍である。第１の特性および第２の特性は、同じ特徴または成分であり得、「第１」および「第２」は、参照を容易にするために使用される。測定は、計測装置によって実施することができる。いくつかの実施形態では、第１および第２の特性は、プラズマ半導体プロセスによってエッチングされる凹部の輪郭角度であるか、またはそれらを含む可能性がある。いくつかの実施形態では、第１および第２の特性は、プラズマ半導体プロセスによってエッチングされる凹部の深さであるか、またはそれらを含む可能性がある。いくつかの実施形態では、第１および第２の特性は、プラズマ半導体プロセスによって堆積されるフィルムの厚さであるか、またはそれらを含む可能性がある。その他の特性が測定されてよい。第１の特性と第２の特性とのばらつきは、第１の複数の基板が加工される際の、プラズマ半導体プロセス中のプラズマの不均一性を意味する可能性がある。

【0080】

ブロック１４０８で、１つ以上のプロセッサベースのシステムを使用して、プラズマ半導体プロセスが第２の複数の半導体基板に対して実施される間にプロセス装置内で適用される第２のプロセス条件が決定される。第２のプロセス条件は、ブロック１４０４、１４０６で測定された第１の特性および第２の特性、例えば、第１の特性と第２の特性との差などに基づいて決定される。第２のプロセス条件は、第１のプロセス条件と同じタイプのそれぞれのプロセス条件であるが、第１のプロセス条件および第２のプロセス条件の値またはデータは、異なる場合がある。一例として、高度プロセス制御（Advanced Process Control：ＡＰＣ）アルゴリズムを動作させるプロセッサベースのシステムは、それぞれのＲＦ電極１３０に印加されるＤＣ／ＲＦ信号またはＲＦ信号のＲＦ成分の振幅および位相オフセット、ならびに、それぞれのバイアス電極１３６、８３６に印加されるＲＦバイアス信号の振幅および位相オフセットを決定する場合がある。次に、ＡＰＣアルゴリズムを動作させるプロセッサベースのシステムは、ＲＦ信号制御回路１６４、および、適用可能な場合は、ＲＦバイアス制御回路８８８を設定する設定値を決定する場合がある。

【0081】

ブロック１４１０で、第２のプロセス条件が、プラズマ半導体プロセス用のプロセス装置に適用される。例えば、ＡＰＣアルゴリズムを動作させるプロセッサベースのシステムは、第２のプロセス条件をコントローラ１９０に通信する（例えば、ネットワーク１２４４を介して）場合がある。コントローラ１９０は、第２のプロセス条件を有するようにプラズマ半導体プロセスのレシピをリセットすることができ、かつ、第２のプロセス条件（例えば、設定値）をＲＦ信号制御回路１６４、および、適用可能な場合は、ＲＦバイアス制御回路８８８に通信し、これにより、これらの回路が第２のプロセス条件に基づいて選択的に構成されるようになる。

【0082】

ブロック１４１２で、プロセス装置１００、８００、９００を使用して、プラズマ半導体プロセスが、第２の複数の半導体基板に対して実施される。プラズマプロセスは、第２のプロセス条件で実施される。第２のプロセス条件の設定値に基づいて、ＲＦ／ＤＣ信号のＲＦ成分が、プラズマ半導体プロセス中にＲＦ電極１３０に印加され、ＲＦバイアス信号が、プラズマ半導体プロセス中にバイアス電極１３６、８３６に印加される。

【0083】

第１の実施形態は、半導体プロセス用のプロセス装置である。プロセス装置は、チャンバおよび基板支持体を含む。チャンバは、チャンバ内に内部容積を有する。基板支持体は、チャンバの内部容積内に配置される。基板支持体は、チャンバの内部容積内で半導体基板を支持するように構成された支持面を含む。基板支持体は、複数の無線周波数（Radio Frequency：ＲＦ）電極を含む。複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、それぞれのＲＦ電極に印加されるＲＦ信号の波長の２％以下である。それぞれの寸法は、支持面に平行な平面内にある。複数のＲＦ電極は、チャンバの内部容積内で、少なくとも部分的にプラズマを制御するように構成される。

【0084】

第１の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極は、複数のＲＦ電極の他の各ＲＦ電極に印加される他の各電圧とは独立して、電圧がそれに対して印加されるように構成される場合がある。

【0085】

第１の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極は、支持面上に半導体基板をチャックするために、直流（ＤＣ）電圧がそれに対して印加されるようにさらに構成される場合がある。

【0086】

第１の実施形態のプロセス装置において、基板支持体は、静電チャックを含む場合がある。静電チャックは、複数のＲＦ電極を含むことができる。基板支持体は、静電チャックの下にベースプレートをさらに含む場合があり、かつベースプレートは、バイアスＲＦ信号がそれに対して印加されるように構成された単一のバイアス電極を有する場合がある。

【0087】

第１の実施形態のプロセス装置において、基板支持体は、静電チャックを含む場合があり、かつ静電チャックは、複数のＲＦ電極を含む場合がある。基板支持体は、静電チャックの下にベースプレートをさらに含む場合があり、かつベースプレートは、複数のバイアス電極を含む場合がある。複数のバイアス電極の各バイアス電極は、複数のバイアス電極の他の各バイアス電極に印加される他の各バイアス信号とは独立して、それぞれのバイアス信号がそれに対して印加されるように構成される場合がある。

【0088】

第１の実施形態のプロセス装置は、ＲＦ電源システムおよび複数のＲＦ信号制御回路をさらに含む場合がある。ＲＦ電源システムは、ＲＦ電源システムの出力ノードでＲＦ信号を出力するように構成される場合がある。複数のＲＦ信号制御回路の各ＲＦ信号制御回路は、ＲＦ電源システムの出力ノードに電気的に接続された入力ノードを有する場合があり、かつ複数のＲＦ電極のそれぞれの１つのＲＦ電極に電気的に接続された出力ノードを有する場合がある。複数のＲＦ信号制御回路の各ＲＦ信号制御回路は、ＲＦ信号の振幅および位相を調節して、それぞれのＲＦ信号制御回路の出力ノードで対応する調節されたＲＦ信号を出力するように制御可能である場合がある。加えて、プロセス装置は、コントローラを含む場合がある。コントローラは、１つ以上のプロセッサおよび非一時的メモリを含む場合がある。非一時的メモリは、記憶された命令を含むことができ、該命令は、１つ以上のプロセッサによって実行されると、該１つ以上のプロセッサに、複数のＲＦ信号制御回路がそれぞれの振幅およびそれぞれの位相を調節するように制御させる。

【0089】

第１の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極は、線形の格子で配列されてよい。

【0090】

第１の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極は、分割された内側円を取り囲む、分割された同心環で配列されてよい。

【0091】

第１の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極は、扇形に分割された内側円を取り囲む、半径方向に整列された分割された同心環で配列されてよい。

【0092】

第１の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極は、完全な内側円を取り囲む、分割された同心環で配列されてよい。

【0093】

第１の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極が、扇形に分割された円で配列されてよい。

【0094】

第１の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、２２１．１ミリメートル以下であってよい。それぞれの寸法は、支持面に平行な平面内にあってよい。

【0095】

第１の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、１９９．９ミリメートル以下であってよい。それぞれの寸法は、支持面に平行な平面内にあってよい。

【0096】

第１の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、５０．０ミリメートルから２２１．１ミリメートルの範囲であってよい。それぞれの寸法は、支持面に平行な平面内にあってよい。

【0097】

第１の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、５０．０ミリメートルから１９９．９ミリメートルの範囲であってよい。それぞれの寸法は、支持面に平行な平面内にあってよい。

【0098】

第２の実施形態は、半導体プロセス用のプロセス装置である。プロセス装置は、チャンバおよび基板支持体を含む。チャンバは、チャンバ内に内部容積を有する。基板支持体は、チャンバの内部容積内に配置される。基板支持体は、チャンバの内部容積内で半導体基板を支持するように構成された支持面を含む。基板支持体は、チャンバの内部容積内で、少なくとも部分的にプラズマを制御するように構成された複数の無線周波数（ＲＦ）電極を含む。複数のＲＦ電極の第１のＲＦ電極は、支持面の中心の近傍に配置され、複数のＲＦ電極の第２のＲＦ電極は、支持面の周辺部の近傍に配置される。第１のＲＦ電極および第２のＲＦ電極は、支持面の中心と周辺部との間で、支持面の半径方向に平行な軸線と側面に沿って交差する。

【0099】

第２の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極は、複数のＲＦ電極の他の各ＲＦ電極に印加される他の各電圧とは独立して、電圧がそれに対して印加されるように構成される場合がある。

【0100】

第２の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極は、支持面上に半導体基板をチャックするために、直流（ＤＣ）電圧がそれに対して印加されるようにさらに構成される場合がある。

【0101】

第２の実施形態のプロセス装置において、基板支持体は、静電チャックを含む場合があり、かつ静電チャックは、複数のＲＦ電極を含む場合がある。基板支持体は、静電チャックの下にベースプレートをさらに含む場合があり、かつベースプレートは、バイアスＲＦ信号がそれに対して印加されるように構成された単一のバイアス電極を有する場合がある。

【0102】

第２の実施形態のプロセス装置において、基板支持体は、静電チャックを含む場合があり、かつ静電チャックは、複数のＲＦ電極を含む場合がある。基板支持体は、静電チャックの下にベースプレートをさらに含む場合があり、かつベースプレートは、複数のバイアス電極を含む場合がある。複数のバイアス電極の各バイアス電極は、複数のバイアス電極の他の各バイアス電極に印加される他の各バイアス信号とは独立して、それぞれのバイアス信号がそれに対して印加されるように構成される場合がある。

【0103】

第２の実施形態のプロセス装置は、ＲＦ電源システムおよび複数のＲＦ信号制御回路をさらに含む場合がある。ＲＦ電源システムは、ＲＦ電源システムの出力ノードでＲＦ信号を出力するように構成される場合がある。複数のＲＦ信号制御回路の各ＲＦ信号制御回路は、ＲＦ電源システムの出力ノードに電気的に接続された入力ノードを有する場合があり、かつ複数のＲＦ電極のそれぞれの１つのＲＦ電極に電気的に接続された出力ノードを有する場合がある。複数のＲＦ信号制御回路の各ＲＦ信号制御回路は、ＲＦ信号の振幅および位相を調節して、それぞれのＲＦ信号制御回路の出力ノードで対応する調節されたＲＦ信号を出力するように制御可能である場合がある。加えて、プロセス装置は、コントローラを含む場合がある。コントローラは、１つ以上のプロセッサおよび非一時的メモリを含む場合がある。非一時的メモリは、記憶された命令を含むことができ、該命令は、１つ以上のプロセッサによって実行されると、該１つ以上のプロセッサに、複数のＲＦ信号制御回路がそれぞれの振幅およびそれぞれの位相を調節するように制御させる。

【0104】

第２の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極は、線形の格子で配列されてよい。

【0105】

第２の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極は、分割された内側円を取り囲む、分割された同心環で配列されてよい。

【0106】

第２の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極は、扇形に分割された内側円を取り囲む、半径方向に整列された分割された同心環で配列されてよい。

【0107】

第２の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極は、完全な内側円を取り囲む、分割された同心環で配列されてよい。

【0108】

第２の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、２２１．１ミリメートル以下であってよい。それぞれの寸法は、支持面に平行な平面内にあってよい。

【0109】

第２の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、１９９．９ミリメートル以下であってよい。それぞれの寸法は、支持面に平行な平面内にあってよい。

【0110】

第２の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、５０．０ミリメートルから２２１．１ミリメートルの範囲であってよい。それぞれの寸法は、支持面に平行な平面内にあってよい。

【0111】

第２の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、５０．０ミリメートルから１９９．９ミリメートルの範囲であってよい。それぞれの寸法は、支持面に平行な平面内にあってよい。

【0112】

第３の実施形態は、半導体プロセス用のプロセス装置である。プロセス装置は、チャンバおよび基板支持体を含む。チャンバは、チャンバ内に内部容積を有する。基板支持体は、チャンバの内部容積内に配置される。基板支持体は、チャンバの内部容積内で半導体基板を支持するように構成された支持面を含む。基板支持体は、チャンバの内部容積内で、少なくとも部分的にプラズマを制御するように構成された複数の無線周波数（ＲＦ）電極を含む。複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、２２１．１ミリメートル以下であり、それぞれの寸法は、支持面に平行な平面内にある。

【0113】

第３の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極は、複数のＲＦ電極の他の各ＲＦ電極に印加される他の各電圧とは独立して、電圧がそれに対して印加されるように構成される場合がある。

【0114】

第３の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極は、支持面上に半導体基板をチャックするために、直流（ＤＣ）電圧がそれに対して印加されるようにさらに構成される場合がある。

【0115】

第３の実施形態のプロセス装置において、基板支持体は、静電チャックを含む場合があり、かつ静電チャックは、複数のＲＦ電極を含む場合がある。基板支持体は、静電チャックの下にベースプレートをさらに含む場合があり、かつベースプレートは、バイアスＲＦ信号がそれに対して印加されるように構成された単一のバイアス電極を有する場合がある。

【0116】

第３の実施形態のプロセス装置において、基板支持体は、静電チャックを含む場合があり、かつ静電チャックは、複数のＲＦ電極を含む場合がある。基板支持体は、静電チャックの下にベースプレートをさらに含む場合があり、かつベースプレートは、複数のバイアス電極を含む場合がある。複数のバイアス電極の各バイアス電極は、複数のバイアス電極の他の各バイアス電極に印加される他の各バイアス信号とは独立して、それぞれのバイアス信号がそれに対して印加されるように構成される場合がある。

【0117】

第３の実施形態のプロセス装置は、ＲＦ電源システムおよび複数のＲＦ信号制御回路をさらに含む場合がある。ＲＦ電源システムは、ＲＦ電源システムの出力ノードでＲＦ信号を出力するように構成される場合がある。複数のＲＦ信号制御回路の各ＲＦ信号制御回路は、ＲＦ電源システムの出力ノードに電気的に接続された入力ノードを有する場合があり、かつ複数のＲＦ電極のそれぞれの１つのＲＦ電極に電気的に接続された出力ノードを有する場合がある。複数のＲＦ信号制御回路の各ＲＦ信号制御回路は、ＲＦ信号の振幅および位相を調節して、それぞれのＲＦ信号制御回路の出力ノードで対応する調節されたＲＦ信号を出力するように制御可能である場合がある。加えて、プロセス装置は、コントローラを含む場合がある。コントローラは、１つ以上のプロセッサおよび非一時的メモリを含む場合がある。非一時的メモリは、記憶された命令を含むことができ、該命令は、１つ以上のプロセッサによって実行されると、該１つ以上のプロセッサに、複数のＲＦ信号制御回路がそれぞれの振幅およびそれぞれの位相を調節するように制御させる。

【0118】

第３の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極は、線形の格子で配列されてよい。

【0119】

第３の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極は、分割された内側円を取り囲む、分割された同心環で配列されてよい。

【0120】

第３の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極は、扇形に分割された内側円を取り囲む、半径方向に整列された分割された同心環で配列されてよい。

【0121】

第３の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極は、完全な内側円を取り囲む、分割された同心環で配列されてよい。

【0122】

第３の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極が、扇形に分割された円で配列されてよい。

【0123】

第３の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、５０．０ミリメートル超であってよい。それぞれの寸法は、支持面に平行な平面内にあってよい。

【0124】

第３の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、１９９．９ミリメートル以下であってよい。それぞれの寸法は、支持面に平行な平面内にあってよい。

【0125】

第３の実施形態のプロセス装置において、複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、５０．０ミリメートルから１９９．９ミリメートルの範囲であってよい。それぞれの寸法は、支持面に平行な平面内にあってよい。

【0126】

第４の実施形態は、半導体プロセスのための方法である。方法は、プロセス装置のチャンバのプロセス容積内でプラズマを発生させることを含む。基板支持体は、チャンバ内に配置され、かつ支持面上で半導体基板を支持する。半導体基板は、プラズマに曝される。方法は、基板支持体に配置された複数のＲＦ電極にそれぞれの無線周波数（ＲＦ）信号を印加することを含む、プラズマを制御することをさらに含む。

【0127】

第４の実施形態の方法において、複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、それぞれのＲＦ電極に印加されるそれぞれのＲＦ信号の波長の２％以下であってよい。

【0128】

第４の実施形態の方法は、基板支持体上に半導体基板をチャックすることをさらに含む場合があり、これは、複数のＲＦ電極に直流（ＤＣ）電圧を印加することを含む。

【0129】

第４の実施形態の方法は、バイアスＲＦ信号をベースプレートのバイアス電極に印加することをさらに含む場合がある。基板支持体は、静電チャックを含む場合があり、かつ静電チャックは、複数のＲＦ電極を含む場合がある。基板支持体は、静電チャックの下に配置されたベースプレートをさらに含む場合があり、かつベースプレートは、単一のバイアス電極を有する場合がある。

【0130】

第４の実施形態の方法は、複数のバイアスＲＦ信号をベースプレートのそれぞれのバイアス電極に印加することをさらに含む場合がある。基板支持体は、静電チャックを含む場合があり、かつ静電チャックは、複数のＲＦ電極を含む場合がある。基板支持体は、静電チャックの下に配置されたベースプレートをさらに含む場合があり、かつベースプレートは、バイアス電極を含む場合がある。

【0131】

第４の実施形態の方法は、ＲＦ電源システムによって初期ＲＦ信号を生成することと、複数のＲＦ信号制御回路の各ＲＦ信号制御回路によって、初期ＲＦ信号の振幅、位相オフセット、またはこれらの組み合わせを調節して、複数のＲＦ電極に印加されるＲＦ信号のそれぞれのＲＦ信号を生成することと、をさらに含む場合がある。

【0132】

第４の実施形態の方法において、複数のＲＦ電極の第１のＲＦ電極は、半導体基板の中心の近傍に配置されてよく、複数のＲＦ電極の第２のＲＦ電極は、半導体基板の周辺部の近傍に配置されてよい。第１のＲＦ電極および第２のＲＦ電極は、支持面の中心と周辺部との間で、支持面の半径方向に平行な軸線と側面に沿って交差する場合がある。

【0133】

第４の実施形態の方法において、複数のＲＦ電極は、線形の格子で配列されてよい。

【0134】

第４の実施形態の方法において、複数のＲＦ電極は、分割された内側円を取り囲む、分割された同心環で配列されてよい。

【0135】

第４の実施形態の方法において、複数のＲＦ電極は、扇形に分割された内側円を取り囲む、半径方向に整列された分割された同心環で配列されてよい。

【0136】

第４の実施形態の方法において、複数のＲＦ電極は、完全な内側円を取り囲む、分割された同心環で配列されてよい。

【0137】

第４の実施形態の方法において、複数のＲＦ電極が、扇形に分割された円で配列されてよい。

【0138】

第４の実施形態の方法において、複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、２２１．１ミリメートル以下であってよい。それぞれの寸法は、支持面に平行な平面内にあってよい。

【0139】

第４の実施形態の方法において、複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、１９９．９ミリメートル以下であってよい。それぞれの寸法は、支持面に平行な平面内にあってよい。

【0140】

第４の実施形態の方法において、複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、５０．０ミリメートルから２２１．１ミリメートルの範囲であってよい。それぞれの寸法は、支持面に平行な平面内にあってよい。

【0141】

第４の実施形態の方法において、複数のＲＦ電極の各ＲＦ電極の各側面の寸法は、５０．０ミリメートルから１９９．９ミリメートルの範囲であってよい。それぞれの寸法は、支持面に平行な平面内にあってよい。

【0142】

第５の実施形態は、半導体プロセスのための方法である。方法は、プロセス装置を使用して、第１の複数の基板に対して第１のプロセス条件を有するプラズマ半導体プロセスを実施することを含む。プロセス装置は、プラズマ半導体プロセス中に基板を支持するように構成された基板支持体を含む。基板支持体は、少なくとも部分的に、プラズマ半導体プロセスのプラズマを制御するように構成された複数の無線周波数（ＲＦ）電極を含む。第１のプロセス条件は、プラズマ半導体プロセス中に複数のＲＦ電極に印加されるＲＦ信号の振幅および位相に対応する。方法は、プラズマ半導体プロセス中に、複数のＲＦ電極の第１のＲＦ電極の第１の位置に対応する第１の複数の基板のそれぞれの第１の特性を測定することを含む。第１の特性は、プラズマ半導体プロセスによって形成される。方法は、プラズマ半導体プロセス中に、複数のＲＦ電極の第２のＲＦ電極の第２の位置に対応する第１の複数の基板のそれぞれの第２の特性を測定することを含む。第２の特性は、プラズマ半導体プロセスによって形成される。第２の位置は、第１の位置とは異なる。方法は、プロセッサベースのシステムによって、第１の特性および第２の特性に基づいて、第２の複数の基板に対してプラズマ半導体プロセスを実施する間に適用される第２のプロセス条件を決定することを含む。第２のプロセス条件は、プラズマ半導体プロセス中に複数のＲＦ電極に印加されるＲＦ信号の振幅および位相に対応する。方法は、プロセス装置を使用して、第２の複数の基板に対して第２のプロセス条件を有するプラズマ半導体プロセスを実施することを含む。

【0143】

第５の実施形態の方法において、第１の特性は、第１の複数の基板の各基板の、第１の位置に対応するそれぞれの基板にエッチングされる凹部の第１の輪郭角度を含む場合があり、第２の特性は、第１の複数の基板の各基板の、第２の位置に対応するそれぞれの基板にエッチングされる凹部の第２の輪郭角度を含む場合がある。

【0144】

第５の実施形態の方法において、第１の特性は、第１の複数の基板の各基板の、第１の位置に対応するそれぞれの基板にエッチングされる凹部の第１の深さを含む場合があり、第２の特性は、第１の複数の基板の各基板の、第２の位置に対応するそれぞれの基板にエッチングされる凹部の第２の深さを含む場合がある。

【0145】

第５の実施形態の方法において、第１の特性は、第１の複数の基板の各基板の、第１の位置に対応するそれぞれの基板上に堆積されるフィルムの第１の厚さを含む場合があり、第２の特性は、第１の複数の基板の各基板の、第２の位置に対応するフィルムの第２の厚さを含む場合がある。

【0146】

第６の実施形態は、半導体プロセス用の電力システムである。電力システムは、第１のＲＦ電源システムおよび第１の複数のＲＦ信号制御回路を含む。第１の複数のＲＦ信号制御回路の各ＲＦ信号制御回路は、（ｉ）第１のＲＦ電源システムの出力ノードに電気的に接続された入力ノード、および（ｉｉ）プロセス装置の静電チャックのそれぞれのＲＦ電極に電気的に接続されるように構成された出力ノードを有する。第１の複数のＲＦ信号制御回路の各ＲＦ信号制御回路は、それぞれの入力ノードで受信されるＲＦ信号の振幅および位相を変化させて、それぞれの入力ノードで受信されたＲＦ信号に基づいて、それぞれのＲＦ信号制御回路の出力ノードで出力ＲＦ信号を出力するように制御可能なように構成される。第１の複数のＲＦ信号制御回路の各ＲＦ信号制御回路は、第１の複数のＲＦ信号制御回路の他の各ＲＦ信号制御回路から独立して制御可能である。

【0147】

第６の実施形態において、電力システムは、複数のアナログ加算器／加算回路をさらに含む場合がある。アナログ加算器／加算回路の各アナログ加算器／加算回路は、第１の入力ノード、第２の入力ノード、および出力ノードを含む。それぞれのアナログ加算器／加算回路の第１の入力ノードは、第１の複数のＲＦ信号制御回路のそれぞれのＲＦ信号制御回路の出力ノードに電気的に接続される。アナログ加算器／加算回路の第２の入力ノードは、ＤＣ電源に電気的に接続されるように構成される。複数のアナログ加算器／加算回路の各アナログ加算器／加算回路の出力ノードは、静電チャックのそれぞれのＲＦ電極に電気的に接続されるように構成される。

【0148】

第６の実施形態において、電力システムは、第２のＲＦ電源システム、第２の複数のＲＦ信号制御回路、第１の複数の絶縁フィルタ、第２の複数の絶縁フィルタ、および複数のアナログ加算器／加算回路をさらに含む場合がある。第２の複数のＲＦ信号制御回路の各ＲＦ信号制御回路は、（ｉ）第２のＲＦ電源システムの出力ノードに電気的に接続された入力ノード、および（ｉｉ）プロセス装置の静電チャックのそれぞれのＲＦ電極に電気的に接続されるように構成された出力ノードを有する。第２の複数のＲＦ信号制御回路の各ＲＦ信号制御回路は、それぞれの入力ノードで受信されるＲＦ信号の振幅および位相を変化させて、それぞれの入力ノードで受信されたＲＦ信号に基づいて、それぞれのＲＦ信号制御回路の出力ノードで出力ＲＦ信号を出力するように制御可能なように構成される。第２の複数のＲＦ信号制御回路の各ＲＦ信号制御回路は、第２の複数のＲＦ信号制御回路の他の各ＲＦ信号制御回路から独立して制御可能である。第１の複数の絶縁フィルタの各絶縁フィルタは、入力ノードおよび出力ノードを有する。第１の複数の絶縁フィルタのそれぞれの絶縁フィルタの入力ノードは、第１の複数のＲＦ信号制御回路のそれぞれの１つのＲＦ信号制御回路の出力ノードに電気的に接続される。第２の複数の絶縁フィルタの各絶縁フィルタは、入力ノードおよび出力ノードを有する。第２の複数の絶縁フィルタのそれぞれの絶縁フィルタの入力ノードは、第２の複数のＲＦ信号制御回路のそれぞれの１つのＲＦ信号制御回路の出力ノードに電気的に接続される。複数のアナログ加算器／加算回路の各アナログ加算器／加算回路は、第１の入力ノード、第２の入力ノード、および出力ノードを含む。複数のアナログ加算器／加算回路のそれぞれの加算器／加算回路の第１の入力ノードは、第１の複数の絶縁フィルタのそれぞれの絶縁フィルタの出力ノードに電気的に接続される。複数のアナログ加算器／加算回路のそれぞれの加算器／加算回路の第２の入力ノードは、第２の複数の絶縁フィルタのそれぞれの絶縁フィルタの出力ノードに電気的に接続される。複数のアナログ加算器／加算回路の各アナログ加算器／加算回路の出力ノードは、静電チャックのそれぞれのＲＦ電極に電気的に接続されるように構成される。

【0149】

種々の例について詳細に記載してきたが、種々の変化、置換、および変更が、添付の特許請求の範囲によって定義される範囲を逸脱することなく行われ得ることを理解すべきである。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図7D】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【国際調査報告】