特表 2024-539327 物体を保持するためのクランプ、物体を保持するためのクランプを製造する方法、およびリソグラフィシステム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-10-28

(54)【発明の名称】物体を保持するためのクランプ、物体を保持するためのクランプを製造する方法、およびリソグラフィシステム

(51)【国際特許分類】

   G03F 7/20 20060101AFI20241018BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20241018BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20241018BHJP

【ＦＩ】

G03F7/20 501

H01L21/68 R

H01L21/302 101G

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024525354

(86)(22)【出願日】2022-10-14

(85)【翻訳文提出日】2024-05-10

(86)【国際出願番号】 EP2022078749

(87)【国際公開番号】W WO2023072640

(87)【国際公開日】2023-05-04

(31)【優先権主張番号】21205594.1

(32)【優先日】2021-10-29

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】504151804

【氏名又は名称】エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．

(74)【代理人】

【識別番号】100105924

【弁理士】

【氏名又は名称】森下 賢樹

(74)【代理人】

【識別番号】100134256

【弁理士】

【氏名又は名称】青木 武司

(72)【発明者】

【氏名】ポワエス、トーマス

(72)【発明者】

【氏名】ファン ローイ、レネ、アドリアヌス

(72)【発明者】

【氏名】シュタイン、アレクサンデル

【テーマコード（参考）】

2H197

5F004

5F131

【Ｆターム（参考）】

2H197AA05

2H197CA10

2H197CB16

2H197CC16

2H197CD02

2H197CD03

2H197CD05

2H197CD06

2H197CD12

2H197CD13

2H197GA01

2H197GA05

2H197GA17

2H197GA18

2H197HA03

5F004BB22

5F131AA02

5F131BA13

5F131DA33

5F131DA42

5F131EA02

5F131EB11

5F131EB54

5F131EB78

5F131EB79

(57)【要約】

【解決手段】本開示は、誘電部材と、誘電部材上に配置され、第１の導電材料からなる導電要素と、物体を支持するために導電要素上に配置された多数のバールとを備え、各バールが第２の導電材料を備えるクランプを提供する。クランプは、導電要素と多数のバールとの間に配置されたエッチング耐性材料と第３の導電材料の交互層のスタックを備える。
【選択図】図７

【特許請求の範囲】

【請求項1】

物体を保持するためのクランプであって、
前記物体を支持するために配置された複数のバールであって、各バールが第１の導電材料を備える、複数のバールを備え、
前記複数のバールは、エッチング耐性材料を備える層と第２の導電材料を備える層との交互層のスタックの上にあり、前記エッチング耐性材料は、前記複数のバールが除去されるときの前記第１の導電材料の除去速度よりも低い除去速度を有し、前記複数のバールの底部は、前記交互層のスタックから形成される、クランプ。

【請求項2】

前記スタックは、前記複数のバールのうち少なくとも２つのバールを接続するように構成されている、請求項１に記載のクランプ。

【請求項3】

前記エッチング耐性材料の除去速度は、前記複数のバールが除去されるときの前記第１の導電材料の除去速度の１／１０から１／１００００の間にある、請求項１または２に記載のクランプ。

【請求項4】

前記クランプは、前記スタックの下方に第３の導電材料を備える導電要素をさらに備え、前記導電要素は、前記複数のバールのうち少なくとも２つのバールを導電接続するように構成されている、請求項１から３のいずれかに記載のクランプ。

【請求項5】

前記エッチング耐性材料は、前記複数のバールが除去されるとき前記導電要素を保護する、請求項４に記載のクランプ。

【請求項6】

前記第１の導電材料、前記第２の導電材料、および前記第３の導電材料は、同一であり、またはＣｒＮを備える、請求項４または５に記載のクランプ。

【請求項7】

前記エッチング耐性材料は、Ｓｉを備える、請求項１から６のいずれかに記載のクランプ。

【請求項8】

前記スタックは、０．２ｍｍから２０ｍｍの間の合計厚さを有する、請求項１から７のいずれかに記載のクランプ。

【請求項9】

前記スタックは、少なくとも２層の前記エッチング耐性材料を備え、または、前記スタックの各層は、５０ｎｍから１ｍｍの間の厚さを有する、請求項１から８のいずれかに記載のクランプ。

【請求項10】

前記スタックは、エッチング耐性材料を備える少なくとも４つの層と、前記第３の導電材料を備える少なくとも３つの層とを備える、請求項１から９のいずれかに記載のクランプ。

【請求項11】

前記クランプは、静電ウェハクランプである、請求項１から１０のいずれかに記載のクランプ。

【請求項12】

エッチング耐性材料を備える前記層と前記第２の導電材料を備える前記層とが、前記クランプの上面視でほぼ同じ面積を有する、請求項１から１１のいずれかに記載のクランプ。

【請求項13】

請求項１に記載のクランプを備えるリソグラフィシステム。

【請求項14】

物体を保持するためのクランプを製造する方法であって、
誘電部材上に第１の導電材料からなる導電要素を配置する工程と、
前記物体を支持するための多数のバールを前記導電要素上に設ける工程と、を備え、各バールが、第２の導電材料からなる上部と、エッチング耐性材料と第３の導電材料との交互層のスタックを備える底部とを備える、方法。

【請求項15】

物体を保持するためのクランプを製造する方法であって、
前記物体を支持するための複数のバールを設けることを備え、各バールが第１の導電材料を備え、
前記複数のバールは、エッチング耐性材料を備える層と第２の導電材料を備える層との交互層のスタックの上にあり、前記エッチング耐性材料は、前記複数のバールが除去されるときの前記第１の導電材料の除去速度よりも低い除去速度を有する、方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
本出願は、２０２１年１０月２９日に出願された欧州出願第２１２０５５９４．１号の優先権を主張し、その全体が本明細書に参照により援用される。

【0002】

本発明は、物体を保持するためのクランプおよび方法に関する。クランプは静電クランプであってもよい。クランプは、例えばウェハ支持システムの一部である。物体は、例えば、リソグラフィ装置におけるウェハ、基板またはレチクルであってもよい。

【背景技術】

【0003】

リソグラフィ装置は、基板上に所望のパターンを適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。リソグラフィ装置は、例えば、パターニングデバイス（例えば、マスク）のパターンを、基板上に提供される放射感応性材料（レジスト）の層に投影することができる。

【0004】

半導体製造プロセスの進歩に伴い、回路素子の寸法は継続的に縮小される一方、デバイスあたりのトランジスタなどの機能素子の量は、一般に「ムーアの法則」と呼ばれる傾向に従い、数十年にわたって着実に増加している。ムーアの法則に追いつくため、半導体産業はますます小さなフィーチャを生成することを可能にする技術を追い求めている。基板上にパターンを投影するために、リソグラフィ装置は電磁放射を使用することができる。この放射の波長は、基板上にパターン形成されるフィーチャの最小サイズを決定する。現在使用されている代表的な波長は、３６５ｎｍ（ｉ線）、２４８ｎｍ（ＫｒＦ）、１９３ｎｍ（ＡｒＦ）、１３．５ｎｍ（ＥＵＶ）である。４ｎｍないし２０ｎｍの範囲内、例えば６．７ｎｍまたは１３．５ｎｍの波長を有する極紫外（ＥＵＶ）放射を使用するリソグラフィ装置は、例えば１９３ｎｍの波長の放射を使用するリソグラフィ装置よりも、基板上に小さいフィーチャを形成するのに使用できる。

【0005】

このような短波長では、リソグラフィ装置内でのパターニングデバイスおよび／または基板の正確な位置決めが不可欠である。

【0006】

このようなリソグラフィ装置は、パターニングデバイスおよび／または基板を、それぞれマスクテーブルまたはウェハテーブルなどの物体支持体にクランプするための１つまたは複数のクランプを備えることができる。クランプは、例えば、機械的クランプ、真空クランプ、または静電クランプであってもよい。ＥＵＶリソグラフィ装置の領域は必然的に真空に近い条件下で動作するため、静電クランプはＥＵＶ波長での動作に特に適している。本明細書において真空に近いとは、５ｋＰａ以下の範囲、または１～１０Ｐａの範囲の圧力を指しうる。

【0007】

このような短波長では、リソグラフィ装置内でのパターニングデバイスおよび／または基板の正確な位置決めが不可欠である。

【0008】

このようなリソグラフィ装置は、パターニングデバイスおよび／または基板を、それぞれマスクテーブルまたはウェハテーブルなどの物体支持体にクランプするための１つまたは複数のクランプを備えることができる。クランプは、例えば、機械的クランプ、真空クランプ、または静電クランプであってもよい。ＥＵＶリソグラフィ装置の各領域は必然的に真空に近い条件下で動作するため、静電クランプはＥＵＶ波長での動作に特に適している。

【0009】

静電ウェハクランプの中には、パターニングデバイスおよび／または基板を保持するための平面を画定する突起すなわち「バール」を導電的に接続する（等間隔に配置された）金属ライン（当技術分野で「マンハッタンライン」として知られる）を備える誘電性表面を有するものがある。

【0010】

１日に数千枚から数万枚のウェハが生産されるような広範な使用の結果、突起の上面の初期の相対的な粗さは、時間の経過とともに減少する。上面が平滑になると、同じく比較的平滑なウェハに付着し始める。この粘着性はリソグラフィプロセスを遅らせ、最終的にはウェハを損傷するリスクを伴う。この問題を回避するため、ウェハクランプは通常、ある時点で修復される。修復には、突起のエッチングまたは剥離が含まれる。エッチング工程では、すべての金属材料または導電材料が除去される。その後、構造が新たに堆積される。しかし、このプロセスは、比較的時間とコストがかかる。

【0011】

本発明の少なくとも１つの態様の少なくとも１つの実施形態の１つの目的は、従来技術の上記特定された欠点の少なくとも１つを回避または少なくとも軽減することにある。

【発明の概要】

【0012】

物体を保持するためのクランプであって、クランプは、誘電部材と、誘電部材上に配置され、第１の導電材料からなる導電要素と、物体を支持するために導電要素上に配置された多数のバールとを備え、各バールが第２の導電材料を備える。クランプは、導電要素と多数のバールとの間に配置されたエッチング耐性材料と第３の導電材料の交互層のスタックを備える。

【0013】

一実施形態では、第１、第２、第３の導電材料は、同じである。

【0014】

一実施形態では、第１、第２および／または第３の導電材料は、窒化クロム（ＣｒＮ）を備える。

【0015】

一実施形態では、エッチング耐性材料は、Ｓｉを備える。

【0016】

一実施形態では、スタックは、０．５ｍｍから２０ｍｍ程度の合計厚さを有する。

【0017】

一実施形態では、スタックは、少なくとも２層のエッチング耐性材料を備える。

【0018】

一実施形態では、スタックは、少なくとも４層のエッチング耐性材料と少なくとも３層の第３の導電材料とを備える。

【0019】

一実施形態では、スタックの各層は、５０ｎｍから１ｍｍ程度の厚さを有する。

【0020】

クランプは、静電ウェハクランプであってもよい。

【0021】

他の態様によると、本開示は、請求項１に記載のクランプを備えるリソグラフィシステムを提供する。

【0022】

更なる他の態様によると、本開示は、物体を保持するためのクランプであって、物体を支持するために配置された複数のバールを備え、各バールが第１の導電材料を備え、複数のバールは、エッチング耐性材料を備える層と第２の導電材料を備える層との交互層のスタックの上にあり、エッチング耐性材料は、複数のバールが除去されるときの第１の導電材料の除去速度よりも低い除去速度を有し、複数のバールの底部は、前記交互層のスタックから形成される、クランプを提供する。

【0023】

更なる他の態様によると、本開示は、物体を保持するためのクランプを製造する方法であって、誘電部材上に第１の導電材料からなる導電要素を配置する工程と、物体を支持するための多数のバールを導電要素上に設ける工程と、を備え、各バールが、第２の導電材料からなる上部と、エッチング耐性材料と第３の導電材料との交互層のスタックを備える底部とを備える、方法を提供する。

【0024】

方法は、
エッチングによってバールの上部を除去する工程と、
第２の導電材料の新しい層を誘電部材上に堆積させる工程と、
第２の導電材料の新しい層上にエッチング耐性材料の多数のドットを堆積させる工程と、
エッチングによって第２の導電材料を除去する工程と、
エッチング耐性材料のドットを除去する工程とを備えてもよい。

【図面の簡単な説明】

【0025】

【図1】リソグラフィ装置および放射源を備えるリソグラフィシステムを示す図である。

【図2】マンハッタンラインによって接続された複数の導電性バールを有する静電クランプの一部の斜視図である。

【図3】バールとマンハッタンラインの上面図である。

【図4】バールを製造する方法の一実施形態の後続工程におけるバールの断面を概略的に示す図である。

【図5】バールを製造する方法の一実施形態の後続工程におけるバールの断面を概略的に示す図である。

【図6】バールを製造する方法の一実施形態の後続工程におけるバールの断面を概略的に示す図である。

【図7】バールを製造する方法の一実施形態の後続工程におけるバールの断面を概略的に示す図である。

【図8】バールを修復する方法の一実施形態の後続工程におけるバールの断面を概略的に示す図である。

【図9】バールを修復する方法の一実施形態の後続工程におけるバールの断面を概略的に示す図である。

【図10】バールを修復する方法の一実施形態の後続工程におけるバールの断面を概略的に示す図である。

【図11】バールを修復する方法の一実施形態の後続工程におけるバールの断面を概略的に示す図である。

【図12】バールを修復する方法の一実施形態の後続工程におけるバールの断面を概略的に示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0026】

図１は、放射源ＳＯとリソグラフィ装置ＬＡとを含むリソグラフィシステムを示している。放射源ＳＯは、ＥＵＶ放射ビームＢを生成し、そのＥＵＶ放射ビームＢをリソグラフィ装置ＬＡに供給するように構成されている。リソグラフィ装置ＬＡは、照明システムＩＬと、パターニングデバイスＭＡ（例えば、マスク）を支持するように構成された支持構造ＭＴと、投影システムＰＳと、基板Ｗを支持するように構成された基板テーブルＷＴとを備える。

【0027】

照明システムＩＬは、ＥＵＶ放射ビームＢがパターニングデバイスＭＡに入射する前にＥＵＶ放射ビームＢを調整するように構成されている。そこで、照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０とファセット瞳ミラーデバイス１１を含んでもよい。ファセットフィールドミラーデバイス１０とファセット瞳ミラーデバイス１１は、ＥＵＶ放射ビームＢに所望の断面形状と所望の強度分布を提供する。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０およびファセット瞳ミラーデバイス１１に加えて、またはこれに代えて、その他のミラーまたはデバイスを含んでもよい。

【0028】

こうして調整された後、ＥＵＶ放射ビームＢは、パターニングデバイスＭＡと相互作用する。この相互作用の結果、パターニングされたＥＵＶ放射ビームＢ’が生成される。投影システムＰＳは、パターニングされたＥＵＶ放射ビームＢ’を基板Ｗ上に投影するように構成されている。そのために、投影システムＰＳは、基板テーブルＷＴによって保持される基板ＷにパターニングされたＥＵＶ放射ビームＢ’を投影するように構成された複数のミラー１３、１４を備えてもよい。投影システムＰＳは、パターニングされたＥＵＶ放射ビームＢ’に縮小率を適用してもよく、パターニングデバイスＭＡ上の対応するフィーチャよりも小さいフィーチャをもつ像が形成される。例えば、４倍または８倍の縮小率が適用されうる。図１では投影システムＰＳが２つのミラー１３、１４のみを有するように示されているが、投影システムＰＳは、異なる数のミラー（例えば６つ又は８つのミラー）を含みうる。

【0029】

基板Ｗは、以前に形成されたパターンを含んでいてもよい。このような場合、リソグラフィ装置ＬＡは、パターニングされたＥＵＶ放射ビームＢ’によって形成された像を、基板Ｗ上に以前に形成されたパターンに位置合わせする。

【0030】

相対的な真空、すなわち大気圧よりも十分に低い圧力の少量のガス（例えば水素）が、放射源ＳＯ、照明システムＩＬ、及び／又は投影システムＰＳに提供されてもよい。

【0031】

図１に示す放射源ＳＯは、例えば、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源とも呼ばれるタイプのものである。レーザシステム１は、例えばＣＯ_２レーザを含み、レーザビーム２を介して、例えば燃料エミッタ３から供給されるスズ（Ｓｎ）などの燃料にエネルギを付与するように配置されている。以下の説明ではスズについて言及するが、任意の適切な燃料を使用することができる。燃料は、例えば液体状であってもよく、例えば金属または合金であってもよい。燃料エミッタ３は、例えば液滴の形態のスズを、プラズマ形成領域４へ向かう軌道に沿って方向付けるように構成されたノズルを備えてもよい。レーザビーム２は、プラズマ形成領域４でスズに入射する。スズへのレーザエネルギの付与により、プラズマ形成領域４にスズプラズマ７が形成される。プラズマ７からは、プラズマの電子とイオンとの脱励起および再結合の際に、ＥＵＶ放射を含む放射が放出される。

【0032】

プラズマからのＥＵＶ放射は、コレクタ５によって収集され、集束される。コレクタ５は、例えば、近垂直入射放射コレクタ５（より一般的には、垂直入射放射コレクタと呼ばれることもある）を備える。コレクタ５は、ＥＵＶ放射（例えば、１３．５ｎｍなどの所望の波長を有するＥＵＶ放射）を反射するように構成された多層ミラー構造を有してもよい。コレクタ５は、２つの焦点を有する楕円形の構成を有してもよい。一方の焦点はプラズマ形成領域４にあってもよく、他方の焦点は後述する中間焦点６にあってもよい。

【0033】

レーザシステム１は、放射源ＳＯから空間的に分離されていてもよい。この場合、レーザビーム２は、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダ、及び／又は他の光学系を備えるビーム伝送システム（図示せず）の助けを借りて、レーザシステム１から放射源ＳＯへと渡されてもよい。レーザシステム１、放射源ＳＯ及びビーム伝送システムは合わせて、放射システムであるとみなされてもよい。

【0034】

コレクタ５で反射された放射は、ＥＵＶ放射ビームＢを形成する。ＥＵＶ放射ビームＢは、中間焦点６に集束され、プラズマ形成領域４に存在するプラズマの中間焦点６における像を形成する。中間焦点６における像は、照明システムＩＬのための仮想放射源として機能する。放射源ＳＯは、中間焦点６が放射源ＳＯの包囲構造９の開口部８またはその近傍に位置するように構成される。

【0035】

図１は、放射源ＳＯをレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源として描いているが、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源や自由電子レーザ（ＦＥＬ）などの任意の適切な源がＥＵＶ放射の生成に使用されてもよい。

【0036】

図２を参照すると、基板テーブルＷＴは、基板Ｗを基板支持体ＷＴにクランプするように構成された、チャックとしても知られるクランプ２００を備えることができる。静電クランプの本体は、一般に、基板Ｗの形状およびサイズに対応している。クランプの少なくとも上面２０５、例えば使用時に基板Ｗに面する表面に、クランプ２００は、バールとも呼ばれる突起２１０、２１５を有する。バールは、クランプの上面２０５から延び、基板Ｗが保持される平面を画定する。

【0037】

「上」という用語は、図１の例示的なリソグラフィ装置ＬＡの文脈で使用されることが理解されよう。ここでは、静電クランプ２００は、特定の向きで描かれている。開示されたクランプは、様々な向きに配置されうることから、従って、「上」という用語は、記載された特定の使用例の文脈で捉えられるべきであることが理解されるであろう。

【0038】

一実施形態では、直径例えば２００ｍｍ、３００ｍｍ、または４５０ｍｍのクランプ全体に、数百個、数千個、または数万個ものバールが分布していてもよい。バールの先端は一般に、静電クランプ２４５の上面から延びるすべてのバールの総面積が、上面の総表面積の約１０％未満となるように、例えば１ｍｍ^２未満の小さな面積を有する。このようなバールの配置のために、基板Ｗ、静電クランプ２００、または基板支持体ＷＴの表面上に存在するかもしれない粒子は、高い確率でバールの間に落下し、したがって基板または基板ホルダの変形をもたらすことはない。バールの配置は、あるパターンを形成してもよく、基板Ｗおよび基板支持体ＷＴに対する力の適切な分布を提供するために、規則的であってもよく、または、所望に応じて変化させることもできる。

【0039】

図２は、静電クランプ２００の誘電部材２４５の一部の斜視図を示す。誘電部材２４５は、表面２０５、例えば使用時に基板Ｗに面する表面を有する。

【0040】

描かれている部分は、第１のバール２１０と第２のバール２１５を示している。各バール２１０、２１５は、導電性の層またはコーティングを備えてもよく、または、導電性の層またはコーティングからなるものであってもよい。バール２１０、２１５は、導電要素２２０に結合されている。静電クランプ２００の誘電体表面２０５は、このような導電要素２２０を複数備えてもよい。導電要素または導電ライン２２０は、概して反復的および／または規則的なパターンでレイアウトされてもよく、「マンハッタンライン」と呼ばれることがある。物体（例えばウェハ）に接触するバールの表面は、同じ電圧を有するか、または接地されてもよい。

【0041】

導電要素２２０は、静電クランプ２００の誘電体表面２０５上に配置されるか、または誘電体表面２０５に埋め込まれてもよい。導電要素２２０は、静電クランプ２００の誘電体表面２０５に対して盛り上がっていてもよく、例えば面一でなくてもよい。あるいは、導電要素２２０は、表面２０５に埋め込まれていてもよい（図示せず）。

【0042】

加えて又は代替的に、図２に描かれている静電クランプ２００は、リソグラフィ投影装置、レチクルハンドリング装置、及びレチクル製造装置のうち少なくとも１つにおいてリソグラフィ投影レチクル又はレチクルブランクを静電クランプするようにクランプ構成可能であってもよい。

【0043】

図２および図３では、バール２１０、２１５は円筒形として描かれているが、バール２１０、２１５は、物体、例えば基板Ｗまたはレチクル（図示せず）を支持するのに適した他の形状を有し得ることが理解されよう。いくつかの実施形態では、バール４１０、４１５は、その高さ全体にわたって同じ形状および寸法を有する。他の実施形態では、バール２１０、２１５は、テーパ状であってもよい。バール２１０、２１５はまた、寸法が変化していてもよい。例えば、異なる実施形態におけるバールは、約１マイクロメートルから約５ミリメートルの距離を突出していてもよい。

【0044】

図２には２つのバール２１０、２１５のみが示されているが、静電クランプ２００のマップは、数百、数千、あるいは数万のバールなど、より多くのバールを備えてもよいことが理解されよう。これらバールは共に、基板Ｗのような物体を支持するための平面を画定する。

【0045】

さらに、例示のみを目的として、導電要素２２０は、直線状であるように描かれており、例えば、バール２１０、２５は、直線状の導電要素２２０によって画定される直線状の経路上に配置されている。例示的な実施形態では、静電クランプは、並列に又は別のパターンで配置された複数の直線状の導電要素２２０を備えてもよく、この場合、バールも直線状に配置される。本開示の範囲に属する他の実施形態では、導電要素２２０は、曲線、円、または螺旋などの異なる形状または配置を有してもよい。いくつかの実施形態において、導電要素２２０は、誘電体表面２０５の外周および／または中心から放射状に延びるように配置されてもよい。

【0046】

いくつかの実施形態では、バールは、誘電部材２４５の表面２０５上に同心のリング状に配置されてもよい。複数の導電要素は、これらリングに配置された複数のバールのそれぞれの間に延在し、これらを接続してもよい。

【0047】

上述したように、導電要素２２０は、誘電部材２４５の表面２０５に形成されたトレンチ（図示せず）内に配置されてもよい。トレンチは、傾斜した側壁で形成されていてもよい。例えば、いくつかの実施形態では、誘電部材２４５の表面２０５によって画定される平面に対する傾斜の角度は、３０度から４０度の間であってもよい。このような傾斜側壁は、ウェットエッチングのプロセスによって形成されてもよい。

【0048】

図４から図７を参照すると、本開示に係る少なくとも１つのバール２１０を備えるクランプを製造する方法の一実施形態は、以下の工程を備えてもよい。

【0049】

図４は、第１の導電材料の第１の層２５０を堆積することを備える第１の工程を示す。前記第１の層２５０は、最終的にマンハッタンライン２２０を形成する。この方法は、第１の層２５０の上に第２の複合層またはスタック２５２を堆積することを備える。スタック２５２は、エッチストップ材料（層２５４）および第２の導電材料（層２５６）の多数の交互層２５４、２５６を備える。第３の導電材料の第３の層２５８は、スタック２５２の上に堆積される。エッチストップ材料の第４の層２６０が第３の層２５８の上に堆積される。層２６０は、最終的に１つ又は複数のバール２１０を形成するためのマスクを形成する。バール２１０は、１ｍｍから１００ｍｍの間、好ましくは５ｍｍから１５ｍｍの間の厚さを有する。

【0050】

一実施形態では、第１、第２および／または第３の導電材料は、窒化クロム（ＣｒＮ）、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、または同様の適切な材料を備えてもよい。エッチストップ層２５４および／または２６０は、Ｓｉまたは同様の適切な材料を備えてもよい。一実施形態では、それぞれの層２５０、２５４、２５６、２５８、２６０の堆積工程は、すべて同じ堆積チャンバ内で行われ、堆積材料の投入が調整される。すなわち、堆積チャンバへの投入は、例えば、それぞれの層の所定の厚さ、それぞれの材料の堆積速度などに応じて、特定の導電材料から特定のエッチストップ材料に変更される。一実施形態では、第１、第２および／または第３の導電材料は、同じ材料を備えてもよい。

【0051】

スタック２５２の各層２５４、２５６は、５０ｎｍから１ｍｍ程度、好ましくは８０ｎｍから３００ｎｍの間の厚さを有してもよい。スタック２５２は、０．２ｍｍから２０ｍｍ程度、好ましくは０．４ｍｍから１ｍｍの間の厚さを有してもよい。第１の層２５０は、０．２ｍｍから１０ｍｍ程度、好ましくは０．４ｍｍから１ｍｍの間の厚さを有してもよい。第３の層２５８は、０．５ｍｍから１５ｍｍ程度、好ましくは５ｍｍから１１ｍｍの間の厚さを有してもよい。スタック２５２は、導電材料とエッチストップ材料との交互層の少なくとも１組または２組を備えてもよい。より多くの交互層をスタック２５２に追加することにより、図８から図１２を参照して本明細書で以下に説明するように、追加の修復工程を可能にすることができる。一実施形態では、スタック２５２は、少なくとも５層のエッチストップ材料２５４の間に挟まれた少なくとも４層の導電材料２５６を備えてもよい。エッチストップ材料および導電材料は、各材料を選択的に除去できるように選択されてもよい。本明細書において「選択的に」とは、一方の材料が（例えばウェットエッチングやイオンビーム成形によって）除去され、他方の材料は除去工程の影響を実質的に受けないこと、およびその逆を示す。例えば、バール２１０が部分的または完全に除去されるとき、エッチング耐性材料はバール２１０の除去速度よりも低い除去速度を有する。エッチング耐性材料の除去速度は、複数のバールが除去されるときのバールの第１の導電材料の除去速度の１／１０から１／１００００の間、好ましくは１／２０から１／１０００の間、より好ましくは１／５０から１／２００の間である。

【0052】

図５は、第３の層２５８の導電材料が除去された第２の工程の結果を示す。この除去は、例えばエッチング、イオンビーム成形またはレーザ成形を備える。層２６０のマスキング機能により、マスク２６０で覆われた層２５８の一部が残り、１つ又は複数のバール２１０が形成される。層２２０は、例えばＳｉとＣｒＮの断続的な層を備える多層スタック２５２によって覆われている。設計上の「マンハッタン」構造２２０に隣接する第２のエッチストップの下にある層２５０の導電材料、典型的にはＣｒＮも除去されなければならない。層２６２、２６４の多層エッチストップは、非常にエッチング耐性が高い。例えばレーザ加工により、基板２５４の表面にコーティングを残さないはずの場所で多層エッチストップのスタック２５２の全体を除去することができ、その結果、図５に示すような構造が得られる。

【0053】

図６は次の工程を示す。ここでは、エッチストップ材料を含むスタック２５２によって覆われていない第１の層２５０の部分が除去される。除去は、例えば、ウェットエッチング、イオンビーム成形またはレーザ成形によって行われる。エッチストップ材料２５４の最上層は、当該層によって覆われた導電材料の層を保護する機能を果たす。スタック２５２は、クランプの上面視で、層２２０とほぼ同じ面積を持つことになる。スタック２５２と層２２０の組み合わせは、マンハッタンラインとしてパターニングされることができる。

【0054】

別の実施形態では、スタック２５２は、誘電部材２４５上に直接堆積され、マンハッタンラインとしてパターニングされることができる。層２２０は存在しないことができる。スタック２５２は十分に導電性を有し、バールを接続することができる。

【0055】

図７は、エッチストップ材料が除去される、後続工程を示す。この工程は、バール２１０を覆っている層２６０を除去し、バール２１０で覆われていない層２５４のエッチストップ材料も除去する。除去は、ウェットエッチングまたはイオンビーム成形を含んでもよい。図７に示すように、除去工程は、第１の層２６２のみを除去してもよいし、または、第１の層２６２および第２の層２６４のエッチストップ材料を除去してもよい。第１の導電性スタック層２６６は、エッチストップ材料を除去する過程で除去されてもよく、第２の導電性スタック層２６８が部分的に露出した状態とされてもよい。図７の除去工程では、例えばイオンビーム成形（ＩＢＦ）が行われてもよい。イオンビーム成形は、エッチストップ層２６２、２６４によって止められることはない。その代わり、イオンビーム成形は所定の深さまで材料を除去する。ＩＢＦは、比較的幅の広いビーム（バール２１０の典型的な直径よりはるかに大きい）を使用し、バールの上端を平坦にすることを目的としている。後者は材料除去量を高める。そのため、ＩＢＦ除去工程によって影響を受けるスタック２５２の層２６２、２６４、２６６の量は、バール上端の材料除去の必要性によって左右される。イオンビーム成形を使用する場合、層２６０の厚さは、スタック２５２の厚さよりも小さくなるように選択される。選択された修復可能回数に応じて、層２６０の厚さは、例えば、スタック２５２の合計厚さの多くとも半分、例えば約３分の１、または例えば多くとも４分の１である。

【0056】

図７は、関連するマンハッタンライン２２０上のバール２１０の断面を示しており、ウェハ、マスクまたはレチクルのような物体を保持する準備が整った状態にある。図７に示す少なくとも１つのバール２１０は、典型的には、本開示に係るクランプの一部である。クランプ自体は、図７に示すようなバールを多数備える。エッチング耐性材料を備える層２５４と導電材料を備える層２５６は、クランプの上面視で、ほぼ同じ面積を有する。層２５６は、層２５４とほぼ完全に重なっている。

【0057】

図７に示されるように、エッチストップ材料が除去される後続工程の結果、バールの底部は、交互層のスタック２５２から形成される。図４と図７の交互層のスタック２５２を比較すると、バールで覆われていないスタック２５２の一部が除去される。その結果、図７に示すように、バールの底部は、図７に参照番号２６２、２６４および２６６で示す交互層のスタックの一部を備える。

【0058】

図８は、損傷を受けた上面２７０を有するバール２１０の断面を示す。この損傷は、上記で説明したように、通常、使用による磨耗と損傷に起因する。例えば、上面が平滑になりすぎ、その結果、粘着性が生じている可能性がある。あるいは、表面２７０が所定の表面構造に対して粗くなりすぎた可能性もある。

【0059】

図９は、クランプを修復する方法の第１の工程を示している。構造全体を除去するのではなく、導電材料とエッチストップ材料との交互層を含むスタック２５２により、最上部２５８のみを除去することができる。除去は例えば、バール２１０の導電材料を除去するためのウェットエッチングを含んでもよい。エッチングは、スタック２５２に含まれる導電材料の１つの層２７２の側部も除去しうる。エッチストップ材料の後続層２７４は、エッチングプロセスを停止させる。その結果、スタック２５２は、導電材料（典型的にはＣｒＮ）の下層２２０をエッチングから保護したままとなる。スタック２５２内の材料の交互セットの数は、再加工の実行可能回数を決定しうる。例えば、約９つの交互層２５４、２５６のスタックを使用して、２回から３回の再加工または修復が可能となりうる。

【0060】

図１０は次の工程を示す。ここでは、導電材料の層２７６が図９の構造上に堆積される。図４に示した層２６０と同様のマスキング層２７８が、層２７６の上に堆積される。層２７６は基本的にバール層２１０を再堆積する。層２７８はバールの形状を決定する構造化マスクを付加する。

【0061】

図１１は、不要な材料を除去することを備える次の工程を示す。ここでの除去は、エッチング、典型的にはウェットエッチングを含んでもよい。マスキング層２７８によって覆われていない層２７６の導電材料は、ウェットエッチングによって除去されうる。スタック２５２に含まれるエッチストップ層２７４は、マンハッタンライン２２０を保護するためにエッチングプロセスを停止する。

【0062】

図１２は、マスク２７４を除去することを含む後続工程を示している。マスク２７８を除去することは、イオンビーム成形（ＩＢＦ）を含み得る。ＩＢＦプロセスはまた、バール２１０によって露出されたエッチストップ層２７４の一部を除去してもよい。

【0063】

図１２は、関連するマンハッタンライン２２０上のバール２１０の断面を示しており、ウェハ、マスクまたはレチクルのような物体を保持する準備が整った状態にある。図１２に示す少なくとも１つのバール２１０は、典型的には、本開示に係るクランプの一部である。クランプ自体は、図１２に示すようなバールを多数備える。したがって、限られた数の工程で、図８から図１２に関して説明したように、本開示のクランプを修復することができる。本開示の方法は、マンハッタンライン２２０を含む構造全体を除去し、その後再堆積することを省略する。結果として、修復は、時間および関連コストの実質的な節約を提供する。

【0064】

図８から図１２に示されるように、バールの底部は、交互層のスタック２５２から形成される。図８と図１２の交互層のスタック２５２を比較すると、修復処理により、バールで覆われていないスタック２５２の一部が除去されることが分かる。その結果、図１２でバールの底部を形成する交互層のスタック２５２は、図８に示すバールと比較して厚くなり、今度は追加の層を備えている。

【0065】

図８に示すように、バールが損傷した場合、バールの修復が必要になることがある。従来のシステムでは、エッチストップ層はすでになくなっている。そのため、バール全体とマンハッタンラインを含むすべての導電性構造とが除去され、再度堆積される。これには時間と労力がかかる。本開示のクランプは、１つのエッチストップ層の代わりに、例えばＣｒＮ層とＳｉ層を備える多層スタックを有し、Ｓｉ層がエッチストップとして機能する複数の界面を可能にする。その結果、修復のたびにクランプを「マンハッタンライン存在」状態に戻すことができ、クランプの修復をより迅速かつ安価に行うことができる。本明細書において、マンハッタンライン存在状態とは、修復中も基本的にそのままの状態を維持する導電ライン２２０の所定の構造を意味する。

【0066】

一実施形態では、底部２２０の厚さは例えば約１μｍとすることができる。ライン２２０の導電材料は、ＣｒＮ（導電性をもつ）で作ることができる。この部分は「マンハッタン」ラインと呼ばれることがある。基本的に、ライン２２０は、すべてのバール２１０、２１５をグランドと呼ばれる基準電圧に電気的に接続する薄膜相互接続である。バールの上部は、例えばＣｒＮで作られている。各バール２１０、２１５は、約９ｍｍの高さを有してもよい。

【0067】

本書では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及しているが、本明細書に記載のリソグラフィ装置は他の用途を有し得ることを理解すべきである。ありうる他の用途には、統合光学システム、磁区メモリの案内および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造が含まれる。

【0068】

本書では、リソグラフィ装置の文脈で本発明の実施形態を具体的に説明しているが、本発明の実施形態は、他の装置で使用することができる。本発明の実施形態は、マスク検査装置、計測装置、または、ウェーハ（または他の基板）又はマスク（または他のパターニングデバイス）などの物体を測定または処理する任意の装置の一部を形成してもよい。これらの装置は、一般にリソグラフィツールと呼ばれ得る。そのようなリソグラフィツールは、真空条件または周囲（非真空）条件を使用することができる。

【0069】

上記では、光リソグラフィの文脈における本発明の実施形態の使用について具体的に言及がなされたかもしれないが、文脈が許す限り、本発明は光リソグラフィに限定されず、例えばインプリントリソグラフィのような他の用途において使用され得ることが理解されるであろう。

【0070】

本発明の特定の実施形態を上で説明したが、本発明は、説明された以外の方法で実施されてもよいことを理解すべきである。上記の説明は、限定ではなく、例示を目的としている。したがって、記載された本発明には、以下に記載される特許請求の範囲から逸脱することなく、変更が加えられてもよいことは当業者には明らかであろう。

【0071】

条項
１．物体を保持するためのクランプを製造する方法であって、
前記物体を支持するための多数のバールを設けることを備え、各バールが第１の導電材料を備え、
前記複数のバールは、エッチング耐性材料を備える層と第２の導電材料を備える層との交互層のスタックの上にあり、前記エッチング耐性材料は、前記複数のバールが除去されるときの前記第１の導電材料の除去速度よりも低い除去速度を有する、方法。
２．前記スタックは、誘電部材の上方に配置され、
前記複数のバールを除去することと、
前記誘電部材上に前記第１の導電材料を備える層を堆積させることと、
前記第１の導電材料の前記層上に前記エッチング耐性材料を備える層を堆積させることと、
別の複数のバールを形成するために、前記エッチング耐性材料を備える前記層をパターニングすることと、
前記別の複数のバールを形成するために、エッチングによって前記第１の導電材料を除去し、前記エッチング耐性材料を備える前記層を除去することと、をさらに備える、条項１に記載の方法。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【手続補正書】

【提出日】2024-06-28

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

物体を保持するためのクランプであって、
前記物体を支持するために配置された複数のバールであって、各バールが第１の導電材料を備える、複数のバールを備え、
前記複数のバールは、エッチング耐性材料を備える層と第２の導電材料を備える層との交互層のスタックの上にあり、前記エッチング耐性材料は、前記複数のバールが除去されるときの前記第１の導電材料の除去速度よりも低い除去速度を有し、前記複数のバールの底部は、前記交互層のスタックから形成される、クランプ。

【請求項2】

前記スタックは、前記複数のバールのうち少なくとも２つのバールを接続するように構成されている、請求項１に記載のクランプ。

【請求項3】

前記エッチング耐性材料の除去速度は、前記複数のバールが除去されるときの前記第１の導電材料の除去速度の１／１０から１／１００００の間にある、請求項１に記載のクランプ。

【請求項4】

前記クランプは、前記スタックの下方に第３の導電材料を備える導電要素をさらに備え、前記導電要素は、前記複数のバールのうち少なくとも２つのバールを導電接続するように構成されている、請求項１から３のいずれかに記載のクランプ。

【請求項5】

前記エッチング耐性材料は、前記複数のバールが除去されるとき前記導電要素を保護する、請求項４に記載のクランプ。

【請求項6】

前記第１の導電材料、前記第２の導電材料、および前記第３の導電材料は、同一であり、またはＣｒＮを備える、請求項４に記載のクランプ。

【請求項7】

前記エッチング耐性材料は、Ｓｉを備える、請求項１から３のいずれかに記載のクランプ。

【請求項8】

前記スタックは、０．２ｍｍから２０ｍｍの間の合計厚さを有する、請求項１から３のいずれかに記載のクランプ。

【請求項9】

前記スタックは、少なくとも２層の前記エッチング耐性材料を備え、または、前記スタックの各層は、５０ｎｍから１ｍｍの間の厚さを有する、請求項１から３のいずれかに記載のクランプ。

【請求項10】

前記スタックは、前記エッチング耐性材料を備える少なくとも４つの層と、第３の導電材料を備える少なくとも３つの層とを備える、請求項１から３のいずれかに記載のクランプ。

【請求項11】

前記クランプは、静電ウェハクランプである、請求項１から３のいずれかに記載のクランプ。

【請求項12】

前記エッチング耐性材料を備える前記層と前記第２の導電材料を備える前記層とが、前記クランプの上面視でほぼ同じ面積を有する、請求項１から３のいずれかに記載のクランプ。

【請求項13】

請求項１から３のいずれかに記載のクランプを備えるリソグラフィシステム。

【請求項14】

物体を保持するためのクランプを製造する方法であって、
誘電部材上に第１の導電材料からなる導電要素を配置する工程と、
前記物体を支持するための多数のバールを前記導電要素上に設ける工程と、を備え、各バールが、第２の導電材料からなる上部と、エッチング耐性材料と第３の導電材料との交互層のスタックを備える底部とを備える、方法。

【請求項15】

物体を保持するためのクランプを製造する方法であって、
前記物体を支持するための複数のバールを設けることを備え、各バールが第１の導電材料を備え、
前記複数のバールは、エッチング耐性材料を備える層と第２の導電材料を備える層との交互層のスタックの上にあり、前記エッチング耐性材料は、前記複数のバールが除去されるときの前記第１の導電材料の除去速度よりも低い除去速度を有する、方法。

【手続補正3】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７１

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0071】

条項
１．物体を保持するためのクランプであって、
前記物体を支持するために配置された複数のバールであって、各バールが第１の導電材料を備える、複数のバールを備え、
前記複数のバールは、エッチング耐性材料を備える層と第２の導電材料を備える層との交互層のスタックの上にあり、前記エッチング耐性材料は、前記複数のバールが除去されるときの前記第１の導電材料の除去速度よりも低い除去速度を有し、前記複数のバールの底部は、前記交互層のスタックから形成される、クランプ。
２．前記スタックは、前記複数のバールのうち少なくとも２つのバールを接続するように構成されている、条項１に記載のクランプ。
３．前記エッチング耐性材料の除去速度は、前記複数のバールが除去されるときの前記第１の導電材料の除去速度の１／１０から１／１００００の間にある、条項１または２に記載のクランプ。
４．前記クランプは、前記スタックの下方に第３の導電材料を備える導電要素をさらに備え、前記導電要素は、前記複数のバールのうち少なくとも２つのバールを導電接続するように構成されている、条項１から３のいずれかに記載のクランプ。
５．前記エッチング耐性材料は、前記複数のバールが除去されるとき前記導電要素を保護する、条項４に記載のクランプ。
６．前記第１の導電材料、前記第２の導電材料、および前記第３の導電材料は、同一であり、またはＣｒＮを備える、条項４または５に記載のクランプ。
７．エッチング耐性材料は、Ｓｉを備える、条項１から６のいずれかに記載のクランプ。
８．前記スタックは、０．２ｍｍから２０ｍｍの間の合計厚さを有する、条項１から７のいずれかに記載のクランプ。
９．前記スタックは、少なくとも２層の前記エッチング耐性材料を備え、または、前記スタックの各層は、５０ｎｍから１ｍｍの間の厚さを有する、条項１から８のいずれかに記載のクランプ。
１０．前記スタックは、エッチング耐性材料を備える少なくとも４つの層と、前記第３の導電材料を備える少なくとも３つの層とを備える、条項１から９のいずれかに記載のクランプ。
１１．前記クランプは、静電ウェハクランプである、条項１から１０のいずれかに記載のクランプ。
１２．エッチング耐性材料を備える前記層と前記第２の導電材料を備える前記層とが、前記クランプの上面視でほぼ同じ面積を有する、条項１から１１のいずれかに記載のクランプ。
１３．条項１に記載のクランプを備えるリソグラフィシステム。
１４．物体を保持するためのクランプを製造する方法であって、
誘電部材上に第１の導電材料からなる導電要素を配置する工程と、
前記物体を支持するための多数のバールを前記導電要素上に設ける工程と、を備え、各バールが、第２の導電材料からなる上部と、エッチング耐性材料と第３の導電材料との交互層のスタックを備える底部とを備える、方法。
１５．物体を保持するためのクランプを製造する方法であって、
前記物体を支持するための多数のバールを設けることを備え、各バールが第１の導電材料を備え、
前記複数のバールは、エッチング耐性材料を備える層と第２の導電材料を備える層との交互層のスタックの上にあり、前記エッチング耐性材料は、前記複数のバールが除去されるときの前記第１の導電材料の除去速度よりも低い除去速度を有する、方法。
１６．前記スタックは、誘電部材の上方に配置され、
前記複数のバールを除去することと、
前記誘電部材上に前記第１の導電材料を備える層を堆積させることと、
前記第１の導電材料の前記層上に前記エッチング耐性材料を備える層を堆積させることと、
別の複数のバールを形成するために、前記エッチング耐性材料を備える前記層をパターニングすることと、
前記別の複数のバールを形成するために、エッチングによって前記第１の導電材料を除去し、前記エッチング耐性材料を備える前記層を除去することと、をさらに備える、条項１５に記載の方法。

【国際調査報告】