(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-11-08
(54)【発明の名称】モジュール式多方向ガス混合ブロック
(51)【国際特許分類】
H01L 21/31 20060101AFI20241031BHJP
H01L 21/3065 20060101ALI20241031BHJP
C23C 16/455 20060101ALI20241031BHJP
F16K 27/00 20060101ALI20241031BHJP
【FI】
H01L21/31 F
H01L21/302 101G
C23C16/455
F16K27/00 Z
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024524645
(86)(22)【出願日】2022-10-24
(85)【翻訳文提出日】2024-06-20
(86)【国際出願番号】 US2022047587
(87)【国際公開番号】W WO2023076171
(87)【国際公開日】2023-05-04
(32)【優先日】2021-10-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】390040660
【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
【氏名又は名称原語表記】APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
【住所又は居所原語表記】3050 Bowers Avenue Santa Clara CA 95054 U.S.A.
(74)【代理人】
【識別番号】110002077
【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】ラジ, デミアン ラジ ベンジャミン
(72)【発明者】
【氏名】ガリキパティ, キラン
(72)【発明者】
【氏名】アラム, サイード エー.
(72)【発明者】
【氏名】ランゲランド, カート アール.
【テーマコード(参考)】
3H051
4K030
5F004
5F045
【Fターム(参考)】
3H051BB05
3H051CC11
3H051FF15
4K030EA04
4K030EA05
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4K030LA15
5F004BA03
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5F045EH18
(57)【要約】
例示的なモジュール式ガス供給アセンブリは、まとめて接続された複数のモジュール式ガスブロックを含みうる。各ガスブロックは、上側部分と下側部分とを含みうる。上側部分の第1の端部は下側部分の第1の端部を越えて延び、下側部分の第2の端部は上側部分の第2の端部を越えて延びうる。第1の流体チャネルは、第1の流体ポート、第2の流体ポート、及び第3の流体ポートを含みうる。ブロック本体は、第1の流体チャネルに対して横方向に延びる第2の流体チャネルを画定しうる。第1のモジュール式ガスブロックは、第2のモジュール式ガスブロック及び第3のモジュール式ガスブロックと接続されうる。したがって、第1、第2及び第3のモジュール式ガスブロックの各々の第1の流体チャネルが互いに流体連通する。
【選択図】
図6
【特許請求の範囲】
【請求項1】
モジュール式ガス供給アセンブリであって、
前記モジュール式ガス供給アセンブリの長さ及び幅に沿ってガス経路を形成するように互いに接続された複数のモジュール式ガスブロックであって、各々が上側部分及び下側部分を有するブロック本体を含む、複数のモジュール式ガスブロック
を備え、
前記上側部分の第1の端部が前記下側部分の第1の端部を越えて延び、前記下側部分の第2の端部が前記上側部分の第2の端部を越えて延び、
前記ブロック本体の長手方向軸が、前記上側部分の前記第1の端部から前記第2の端部まで延び、
前記ブロック本体が、前記長手方向軸に沿って延びる第1の流体チャネルを画定し、前記第1の流体チャネルが、
前記下側部分の前記第2の端部の上面を通って延びる第1の流体ポート、
前記上側部分の中間領域の上面を通って延びる第2の流体ポート、及び
前記上側部分の前記第1の端部の下面を通って延びる第3の流体ポート
を含み、
前記ブロック本体が、前記長手方向軸及び前記第1の流体チャネルに対して横方向に延びる第2の流体チャネルを画定し、
前記複数のモジュール式ガスブロックのうちの第1のモジュール式ガスブロックが、前記複数のモジュール式ガスブロックのうちの第2のモジュール式ガスブロック、及び前記複数のモジュール式ガスブロックのうちの第3のモジュール式ガスブロックと接続されることで、前記第1のモジュール式ガスブロック、前記第2のモジュール式ガスブロック、及び前記第3のモジュール式ガスブロックの各々の前記第1の流体チャネルが互いに流体連通する、モジュール式ガス供給アセンブリ。
【請求項2】
前記第1のモジュール式ガスブロックの前記上側部分の前記第1の端部が、前記第2のモジュール式ガスブロックの前記下側部分の前記第2の端部の上方に位置決めされ、かつ前記第2の端部と接続され、
前記第1のモジュール式ガスブロックの前記第3の流体ポートが、前記第2のモジュール式ガスブロックの前記第1の流体ポートと接続される、請求項1に記載のモジュール式ガス供給アセンブリ。
【請求項3】
前記第1のモジュール式ガスブロックの前記下側部分の前記第2の端部が、前記第3のモジュール式ガスブロックの前記上側部分の前記第1の端部の下方に位置決めされ、かつ前記第1の端部と接続され、
前記第1のモジュール式ガスブロックの前記第1の流体ポートが、前記第3のモジュール式ガスブロックの前記第3の流体ポートと接続される、請求項1に記載のモジュール式ガス供給アセンブリ。
【請求項4】
複数のバルブ
を更に備え、
前記複数のバルブの各々が、前記複数のモジュール式ガスブロックのそれぞれ1つの上側部分の前記中間領域と接続され、
前記複数のバルブの各々が、バルブポートを含み、
各バルブポートが、前記複数のモジュール式ガスブロックのそれぞれ1つの前記第2の流体ポートと接続される、請求項1に記載のモジュール式ガス供給アセンブリ。
【請求項5】
前記複数のモジュール式ガスブロックのうちの第4のモジュール式ガスブロックが、前記第1のモジュール式ガスブロックの前記長手方向軸に対して横方向で前記第1のモジュール式ガスブロックと接続される、請求項1に記載のモジュール式ガス供給アセンブリ。
【請求項6】
前記第1のモジュール式ガスブロックの前記第2の流体チャネルが、前記第4のモジュール式ガスブロックの前記第2の流体チャネルと流体連通している、請求項5に記載のモジュール式ガス供給アセンブリ。
【請求項7】
前記モジュール式ガス供給アセンブリが、前記複数のモジュール式ガスブロックの各々の前記第1の端部の方向にある近位端と、前記複数のモジュール式ガスブロックの各々の前記第2の端部の方向にある遠位端とを備え、
前記複数のモジュール式ガスブロックのうちの最も近位のガスブロックの前記第3の流体ポートが閉塞され、
前記複数のモジュール式ガスブロックのうち最も遠位のガスブロックの前記第1の流体ポートが閉塞される、請求項1に記載のモジュール式ガス供給アセンブリ。
【請求項8】
前記複数のモジュール式ガスブロックのうちの前記最も遠位のガスブロックの前記第1の流体ポート、及び前記複数のモジュール式ガスブロックのうちの前記最も近位のガスブロックの前記第3の流体ポートの一方又は両方の閉塞物が、追加の複数のモジュール式ガスブロックを前記モジュール式ガス供給アセンブリの前記幅に沿って前記ガス供給アセンブリに接続するように取り外し可能である、請求項7に記載のモジュール式ガス供給アセンブリ。
【請求項9】
前記複数のモジュール式ガスブロックの各々が同一の形状寸法を含む、請求項1に記載のモジュール式ガス供給アセンブリ。
【請求項10】
前記複数のモジュール式ガスブロックの各々の頂面が概ね同一平面上にあり、
前記複数のモジュール式ガスブロックの各々の底面が概ね同一平面上にある、請求項1に記載のモジュール式ガス供給アセンブリ。
【請求項11】
前記複数のモジュール式ガスブロックの前記流体ポートの少なくとも一部の間に形成された境界面がC型シールを含む、請求項1に記載のモジュール式ガス供給アセンブリ。
【請求項12】
前記モジュール式ガス供給アセンブリが、前記複数のモジュール式ガスブロックの下に延びる溶接部を含まない、請求項1に記載のモジュール式ガス供給アセンブリ。
【請求項13】
モジュール式ガスブロックであって、
上側部分と下側部分とを有するブロック本体を含み、
前記上側部分の第1の端部が前記下側部分の第1の端部を越えて延び、前記下側部分の第2の端部が前記上側部分の第2の端部を越えて延び、
前記ブロック本体の長手方向軸が、前記上側部分の前記第1の端部から前記第2の端部まで延び、
前記ブロック本体が、前記長手方向軸に沿って延びる第1の流体チャネルを画定し、前記第1の流体チャネルが、
前記下側部分の前記第2の端部の上面を通って延びる第1の流体ポート、
前記上側部分の中間領域の上面を通って延びる第2の流体ポート、及び
前記上側部分の前記第1の端部の下面を通って延びる第3の流体ポート
を含み、
前記ブロック本体が、前記長手方向軸及び前記第1の流体チャネルに対して横方向に延びる第2の流体チャネルを画定する、モジュール式ガスブロック。
【請求項14】
前記上側部分の前記第1の端部の上面と前記下側部分の前記第2の端部の前記上面が各々、複数の締め具レセプタクルを画定する、請求項12に記載のモジュール式ガスブロック。
【請求項15】
前記上側部分の前記第1の端部の前記下面と前記下側部分の前記第2の端部の前記上面が実質的に同一平面上にある、請求項13に記載のモジュール式ガスブロック。
【請求項16】
前記上側部分の前記第1の端部と前記下側部分の前記第2の端部の厚さは合わせて、前記中間領域と実質的に同じ厚さである、請求項13に記載のモジュール式ガスブロック。
【請求項17】
モジュール式ガス供給アセンブリであって、
第1のモジュール式ガスブロックと、
前記第1のモジュール式ガスブロックの第1の端部に接続された第2のモジュール式ガスブロックと、
前記第1のモジュール式ガスブロックの第2の端部に接続された第3のモジュール式ガスブロックと
を備え、
前記第1のモジュール式ガスブロック、前記第2のモジュール式ガスブロック、及び前記第3のモジュール式ガスブロックの各々が、上側部分と下側部分とを有するブロック本体を含み、
前記上側部分の第1の端部が前記下側部分の第1の端部を越えて延び、前記下側部分の第2の端部が前記上側部分の第2の端部を越えて延び、
前記ブロック本体が、前記第1の端部から前記第2の端部まで延びる第1の流体チャネルを画定し、前記第1の流体チャネルが、
前記下側部分の前記第2の端部の上面を通って延びる第1の流体ポート、
前記上側部分の中間領域の上面を通って延びる第2の流体ポート、及び
前記上側部分の前記第1の端部の下面を通って延びる第3の流体ポート
を含み、
前記ブロック本体が、前記第1の流体チャネルに対して横方向に延びる第2の流体チャネルを画定し、
前記第1のモジュール式ガスブロック、前記第2のモジュール式ガスブロック、及び前記第3のモジュール式ガスブロックの各々の前記第1の流体チャネルが互いに流体連通している、モジュール式ガス供給アセンブリ。
【請求項18】
前記第1のモジュール式ガスブロックの前記上側部分の前記第1の端部が、前記第2のモジュール式ガスブロックの前記下側部分の前記第2の端部の上方に位置決めされ、かつ前記第2の端部と接続され、
前記第1のモジュール式ガスブロックの前記第3の流体ポートが、前記第2のモジュール式ガスブロックの前記第1の流体ポートと接続される、請求項17に記載のモジュール式ガス供給アセンブリ。
【請求項19】
前記第1のモジュール式ガスブロックの前記下側部分の前記第2の端部が、前記第3のモジュール式ガスブロックの前記上側部分の前記第1の端部の下方に位置決めされ、かつ前記第1の端部と接続され、
前記第1のモジュール式ガスブロックの前記第1の流体ポートが、前記第3のモジュール式ガスブロックの前記第3の流体ポートと接続される、請求項17に記載のモジュール式ガス供給アセンブリ。
【請求項20】
前記第1のモジュール式ガスブロックの前記第1の流体チャネルに対して横方向で前記第1のモジュール式ガスブロックと接続された第4のモジュール式ガスブロック
を更に含む、請求項17に記載のモジュール式ガス供給アセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願との相互参照
[0001]本出願は、「モジュール式多方向ガス混合ブロック(MODULAR MULTI-DIRECTIONAL GAS MIXING BLOCK)」と題する、2021年10月29日に出願された米国特許出願第17/514,430号の利益及び優先権を主張するものであり、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【0002】
[0002]本技術は、半導体処理及び装置に関する。より具体的には、本技術は基板処理システム及び構成要素に関する。
【背景技術】
【0003】
[0003]半導体処理システムは、多数の処理チャンバをまとめて統合するために、クラスタツールを利用することが多い。このような構成により、制御された処理環境から基板を除去せずに、複数の連続した処理工程を実行することが容易になりうる。あるいは、変化するチャンバ内で複数の基板に対して同様のプロセスを一度に実行することができる。これらのチャンバは、例えば、ガス抜きチャンバ、前処理チャンバ、移送チャンバ、化学気相堆積チャンバ、物理気相堆積チャンバ、エッチングチャンバ、計測チャンバ、及びその他のチャンバを含みうる。特定のプロセスレシピ及びプロセスフローを使用して特定の構造を製造するために、クラスタツール内のチャンバの組み合わせ、並びにこれらのチャンバが動作する動作条件及びパラメータが選択される。
【0004】
[0004]処理システムは、多数のプロセスガスを混合及び/又は様々なチャンバに供給しうるガス供給アセンブリを含むことが多い。これらのガスの流れは、処理チャンバの各々へのガスの均一な流れを確保するために注意深く制御されうる。
【0005】
[0005]従って、ガスを効率的に混合する、及び/又は別法で、所望の条件下で処理チャンバに供給するために使用できる改良されたシステム及び方法が必要とされている。本技術は、これらのニーズ及び他のニーズに対処する。
【発明の概要】
【0006】
[0006]例示的なモジュール式ガス供給アセンブリは、モジュール式ガス供給アセンブリの長さ及び幅に沿ってガス経路を形成するように互いに接続された複数のモジュール式ガスブロックを含みうる。複数のモジュール式ガスブロックの各々は、上側部分と下側部分とを有するブロック本体を含みうる。上側部分の第1の端部は下側部分の第1の端部を越えて延び、下側部分の第2の端部は上側部分の第2の端部を越えて延びうる。ブロック本体の長手方向軸は、上側部分の第1の端部から第2の端部まで延びうる。ブロック本体は、長手方向軸に沿って延びる第1の流体チャネルを画定しうる。第1の流体チャネルは、下側部分の第2の端部の上面を通って延びる第1の流体ポートを含みうる。第1の流体チャネルは、上側部分の中間領域(medial region)の上面を通って延びる第2の流体ポートを含みうる。第1の流体チャネルは、上側部分の第1の端部の下面を通って延びる第3の流体ポートを含みうる。ブロック本体は、長手方向軸及び第1の流体チャネルに対して横方向に延びる第2の流体チャネルを画定しうる。複数のモジュール式ガスブロックのうちの第1のモジュール式ガスブロックは、複数のモジュール式ガスブロックのうちの第2のモジュール式ガスブロック、及び複数のモジュール式ガスブロックのうちの第3のモジュール式ガスブロックと接続されることで、第1のモジュール式ガスブロック、第2のモジュール式ガスブロック、及び第3のモジュール式ガスブロックの各々の第1の流体チャネルが互いに流体連通しうる。
【0007】
[0007]いくつかの実施形態では、第1のモジュール式ガスブロックの上側部分の第1の端部は、第2のモジュール式ガスブロックの下側部分の第2の端部の上方に位置決めされ、第2の端部と接続されうる。第1のモジュール式ガスブロックの第3の流体ポートは、第2のモジュール式ガスブロックの第1の流体ポートと接続されうる。第1のモジュール式ガスブロックの下側部分の第2の端部は、第3のモジュール式ガスブロックの上側部分の第1の端部の下方に位置決めされ、かつ第1の端部と接続されうる。第1のモジュール式ガスブロックの第1の流体ポートは、第3のモジュール式ガスブロックの第3の流体ポートと接続されうる。本アセンブリは、複数のバルブを含みうる。複数のバルブの各々は、複数のモジュール式ガスブロックのそれぞれ1つの上側部分の中間領域と接続されうる。複数のバルブの各々は、バルブポートを含みうる。各バルブポートは、複数のモジュール式ガスブロックのそれぞれ1つの第2の流体ポートと接続されうる。複数のモジュール式ガスブロックのうちの第4のモジュール式ガスブロックは、第1のモジュール式ガスブロックの長手方向軸に対して横方向で第1のモジュール式ガスブロックと接続されうる。第1のモジュール式ガスブロックの第2の流体チャネルは、第4のモジュール式ガスブロックの第2の流体チャネルと流体連通しうる。モジュール式ガス供給アセンブリは、複数のモジュール式ガスブロックの各々の第1の端部の方向にある近位端と、複数のモジュール式ガスブロックの各々の第2の端部の方向にある遠位端とを含みうる。複数のモジュール式ガスブロックのうち最も近位のガスブロックの第3の流体ポートは、閉塞しうる。複数のモジュール式ガスブロックのうち最も遠位のガスブロックの第1の流体ポートは、閉塞しうる。複数のモジュール式ガスブロックのうちの最も遠位のガスブロックの第1の流体ポート、及び複数のモジュール式ガスブロックのうちの最も近位のガスブロックの第3の流体ポートの一方又は両方の閉塞物は、追加の複数のモジュール式ガスブロックをモジュール式ガスアセンブリの幅に沿ってガス供給アセンブリに接続するように取り外し可能である。複数のモジュール式ガスブロックの各々は、同一の形状を含みうる。複数のモジュール式ガスブロックの各々の頂面は、概ね同一平面上にありうる。複数のモジュール式ガスブロックの各々の底面は、概ね同一平面上にありうる。複数のモジュール式ガスブロックの流体ポートの少なくとも一部の間に形成される境界面は、C型シールを含みうる。モジュール式ガス供給アセンブリは、複数のモジュール式ガスブロックの下に延びる溶接部を含まなくてもよい。
【0008】
[0008]本技術のいくつかの実施形態は、モジュール式ガスブロックを包含しうる。ブロックは、上側部分と下側部分を有するブロック本体を含みうる。上側部分の第1の端部は下側部分の第1の端部を越えて延び、下側部分の第2の端部は上側部分の第2の端部を越えて延びうる。ブロック本体の長手方向軸は、上側部分の第1の端部から第2の端部まで延びうる。ブロック本体は、長手方向軸に沿って延びる第1の流体チャネルを画定しうる。第1の流体チャネルは、下側部分の第2の端部の上面を通って延びる第1の流体ポートを含みうる。第1の流体チャネルは、上側部分の中間領域の上面を通って延びる第2の流体ポートを含みうる。第1の流体チャネルは、上側部分の第1の端部の下面を通って延びる第3の流体ポートを含みうる。ブロック本体は、長手方向軸及び第1の流体チャネルに対して横方向に延びる第2の流体チャネルを画定しうる。
【0009】
[0009]いくつかの実施形態では、上側部分の第1の端部の上面及び下側部分の第2の端部の上面は各々、複数の締め具レセプタクルを画定しうる。上側部分の第1の端部の下面と下側部分の第2の端部の上面とは、実質的に同一平面上にありうる。上側部分の第1の端部と下側部分の第2の端部の厚さは合わせて、中間領域と実質的に同じ厚さでありうる。
【0010】
[0010]本技術のいくつかの実施形態は、モジュール式ガス供給アセンブリを包含しうる。アセンブリは、第1のモジュール式ガスブロックを含みうる。アセンブリは、第1のモジュール式ガスブロックの第1の端部に接続された第2のモジュール式ガスブロックを含みうる。アセンブリは、第1のモジュール式ガスブロックの第2の端部に接続された第3のモジュール式ガスブロックを含みうる。第1のモジュール式ガスブロック、第2のモジュール式ガスブロック、及び第3のモジュール式ガスブロックの各々は、上側部分及び下側部分を有するブロック本体を含みうる。上側部分の第1の端部は下側部分の第1の端部を越えて延び、下側部分の第2の端部は上側部分の第2の端部を越えて延びうる。ブロック本体は、第1の端部から第2の端部まで延びる第1の流体チャネルを画定しうる。第1の流体チャネルは、下側部分の第2の端部の上面を通って延びる第1の流体ポートを含みうる。第1の流体チャネルは、上側部分の中間領域の上面を通って延びる第2の流体ポートを含みうる。第1の流体チャネルは、上側部分の第1の端部の下面を通って延びる第3の流体ポートを含みうる。ブロック本体は、第1の流体チャネルに対して横方向に延びる第2の流体チャネルを画定しうる。第1のモジュール式ガスブロック、第2のモジュール式ガスブロック、及び第3のモジュール式ガスブロックの各々の第1の流体チャネルは、互いに流体連通しうる。
【0011】
[0011]いくつかの実施形態では、第1のモジュール式ガスブロックの上側部分の第1の端部は、第2のモジュール式ガスブロックの下側部分の第2の端部の上方に位置決めされ、第2の端部と接続されうる。第1のモジュール式ガスブロックの第3の流体ポートは、第2のモジュール式ガスブロックの第1の流体ポートと接続されうる。第1のモジュール式ガスブロックの下側部分の第2の端部は、第3のモジュール式ガスブロックの上側部分の第1の端部の下方に位置決めされ、かつ第1の端部と接続されうる。第1のモジュール式ガスブロックの第1の流体ポートは、第3のモジュール式ガスブロックの第3の流体ポートと接続されうる。アセンブリは、第1のモジュール式ガスブロックの第1の流体チャネルに対して横方向で第1のモジュール式ガスブロックと接続された第4のモジュール式ガスブロックを含みうる。
【0012】
[0012]このような技術は、従来のシステム及び技法よりも多くの利点を提供しうる。例えば、本処理システムは、カスタマイズされたガスアセンブリを製造するために容易に組み立てることができるモジュール式ガスアセンブリ構成要素を提供しうる。更に、モジュール式ガスアセンブリ構成部品は、溶接部の複雑な配置を必要とせずに、異なるガスの混合を容易にし、ガス供給アセンブリの時間、コスト、及び複雑さを低減しうる。これら実施形態及びその他の実施形態は、その多くの利点や特徴と共に、後述の記載及び添付の図面と併せて詳細に説明される。
【0013】
[0013]開示された技術の性質及び利点は、本明細書の残りの部分と図面を参照することによって更に理解を深めることができる。
【図面の簡単な説明】
【0014】
【
図1】[0014]本技術のいくつかの実施形態による例示的な処理システムの概略上面図を示す。
【
図2】[0015]本技術のいくつかの実施形態による例示的なチャンバシステムの移送領域の概略等角図を示す。
【
図3】[0016]本技術のいくつかの実施形態による例示的なチャンバシステムの移送領域の概略等角図を示す。
【
図4】[0017]本技術のいくつかの実施形態による例示的なチャンバシステムの移送領域の概略等角図を示す。
【
図5】[0018]本技術のいくつかの実施形態によるチャンバシステムの概略部分等角図を示す。
【
図6】[0019]本技術のいくつかの実施形態による例示的なモジュール式ガスブロックの概略等角図を示す。
【
図6A】[0020]
図6のモジュール式ガスブロックの概略断面正面図を示す。
【
図6B】[0021]
図6のモジュール式ガスブロックの概略断面側面図を示す。
【
図7】[0022]本技術のいくつかの実施形態によるガス供給アセンブリの概略断面側面図を示す。
【
図8】[0023]本技術のいくつかの実施形態によるガス供給アセンブリの概略断面正面図を示す。
【
図9】[0024]本技術のいくつかの実施形態による多数のガス供給アセンブリの概略上面図を示す。
【
図10】[0025]本技術のいくつかの実施形態による半導体処理システムの概略上面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【0015】
[0026]概略図としていくつかの図が含まれている。図面は例示を目的としており、縮尺又は比率どおりであると明記されていない限り、縮尺や比率を考慮するものではないことを理解されたい。更に、概略図として、図面は、理解を助けるために提供されており、現実的な描写に比べてすべての態様又は情報を含まない場合があり、例示を目的として強調された素材を含むことがある。
【0016】
[0027]添付の図面では、類似の構成要素及び/又は特徴は、同じ参照符号を有しうる。更に、同じ種類の様々な構成要素は、類似の構成要素間を区別する文字により、参照符号に従って区別されうる。本明細書において第1の参照符号のみが使用される場合、その記載は、文字に関わりなく、同じ第1の参照符号を有する類似の構成要素のうちのいずれにも適用可能である。
【0017】
[0028]基板処理は、ウエハ又は半導体基板上の材料を追加、除去、又はその他の方法で修正するための、時間を要する動作を含みうる。基板を効率的に移動させることで、待機時間を短縮し、基板のスループットを向上させうる。クラスタツール内で処理される基板の数を増やすために、メインフレーム上に追加のチャンバが組み込まれうる。移送ロボット及び処理チャンバは、ツールを長くすることによって継続的に追加できるが、クラスタツールの設置面積が拡大するにつれて、スペース効率が悪くなりうる。したがって、本技術は、画定された設置面積内で処理チャンバの数が増加したクラスタツールを含みうる。移送ロボットの限られた設置面積に対応するため、本技術では、ロボットから横方向外側に処理チャンバの数を増やしてもよい。例えば、いくつかの従来のクラスタツールは、ロボット周囲の半径方向にチャンバの数を最大にするために、中央に配置された移送ロボットのセクション周囲に配置された1つ又は2つの処理チャンバを含みうる。本技術は、追加のチャンバを別の列又は群のチャンバとして横方向外側に組み込むことにより、この概念を拡張しうる。例えば、本技術は、1つ以上のロボットアクセス位置の各々からアクセス可能な3つ、4つ、5つ、6つ、又はこれ以上の処理チャンバを含むクラスタツールに適用されうる。
【0018】
[0029]処理システムは、様々なガスを処理チャンバに供給するためのガス供給アセンブリを含みうる。所定のチャンバ又はセットのチャンバに流されるガスの種類ごとに異なる出力供給ルーメンを有する必要性をなくすために、ガス供給アセンブリは、チャンバに適合可能なガスを混合し共流するように設計されることが多い。従来のガス供給アセンブリは、アセンブリの長さ(又はy軸)に沿って出力溶接部にガスを供給する。様々なガスの混合を促進するために、従来のシステムは、バルブ、質量流コントローラ(mass flow controller)、並びに/又は他の遮断及び/若しくは流量絞り構成要素が装着されうるガスブロックの下に通常設けられる様々な溶接部の配列を利用する。溶接部のネットワークは複雑であり、新しいガス供給アセンブリの設計及び製造、既存のガス供給アセンブリの変更、及び/又は既存のガス供給アセンブリの整備において問題になる可能性がある。
【0019】
[0030]従来の構成要素を使用して新しいガス供給アセンブリを設計するには、技術者は、ガスブロックの下に位置決めされた溶接部が互いに衝突しないようにしながら、ガスアセンブリの様々なポートを適切に結合するために、正しい形状及びサイズの溶接部を設計する必要がある。製作は面倒であり、機能的なアセンブリを実現するために、かなりの数の異なる溶接部を使用することを含みうる。更に、溶接構成が複雑なため、技術者は、新しいアセンブリ設計に対応するために容易に変更できるような基本アセンブリ設計を行うことができない。そのため、技術者は各アセンブリをゼロから設計しなければならない。これらの問題により、新しいアセンブリの設計及び製造に時間がかかり(最大15週間)、非常に高価になりうる。
【0020】
[0031]既存のガス供給アセンブリの変更(新しいガス源/ガススティックの追加又は削除など)及び/又は整備の際、技術者は、溶接部にアクセスするために、全ての上側部品(バルブ、質量流コントローラ、ガスブロックなど)を取り外さなければならない。ガススティックを追加又は削除するには、ガスアセンブリの大部分又は全体を分解する必要があることが多い。新たに追加されたガススティックの混合に対応するため、ガスブロックの下にある溶接部のネットワークを完全に再設計及び/又は交換する必要がありうる。多くの場合、ガス供給アセンブリの以前の反復工程(previous iteration)からのいずれの溶接部も廃棄しなければならず、かなりの無駄が生じる。更に、ガスアセンブリの改造や整備が有毒なガススティックに影響を与える場合、有毒なガスが環境内に漏れるのを防ぐために、有毒ガススティック全体を交換する必要がありうる。これらの問題は、既存のアセンブリの改造又は整備に時間がかかり(最大18週間)、非常に高価になる可能性がある。
【0021】
[0032]本技術は、x方向に隣接するガススティック間のガス混合を促進するルーメンを含むモジュール式ガスブロックを利用することにより、これらの問題を克服する。このようなルーメンは、ガス供給アセンブリの底部における溶接部のネットワークの必要性を排除し、ガス供給アセンブリの設計及び製作を著しく単純化しうる。モジュール式ガスブロックの全部又は大部分は、同一の形状を有しうる。これにより、ガス供給アセンブリを変更することは、他の流路を露出させる必要なく、既存のガス供給アセンブリにガススティックを接続し又は既存のガス供給アセンブリからガススティックを取り外すだけの簡単な作業になりうる。こうすることで、有毒なガススティックにさらされる危険性がなくなり、変更工程中の廃棄物の削減に役立ちうる。加えて、ガス供給アセンブリの整備中に有毒ガスのリスクを更に軽減するために、有毒ガスの流路を洗浄するために使用されうるパージガススティックが提供されうる。このような特徴は、ガス供給アセンブリの設計、製造、及び/又は別法による変更に関連する時間(多くの場合、4~5週間未満まで)とコストを大幅に短縮しうる。
【0022】
[0033]残りの開示は、本構造及び方法が採用されうる4つの位置のチャンバシステムなどの特定の構造をルーチン的に特定するだろうが、本システム及び方法は、説明される構造的能力から利益を得ることができる任意の数の構造及び装置にも等しく適用可能であることが容易に理解されよう。従って、本技術は、特定の構造だけに使用されるような限定的なものであると考えられるべきではない。更に、本技術の基礎を提供するために例示的なツールシステムが説明されることになるが、本技術は、説明される工程及びシステムの一部又は全部から利益を得ることができる任意の数の半導体処理チャンバ及びツールに組み込むことができることを理解されたい。
【0023】
[0034]
図1は、本技術のいくつかの実施形態による、堆積チャンバ、エッチングチャンバ、ベーキングチャンバ、及び硬化チャンバの基板処理ツール又は処理システム100の1つの実施形態の上面図を示す。本図において、1組の前方開口型統一ポッド102が、ロボットアーム104a及び104bによってファクトリインターフェース103内で受け取られ、チャンバシステム又は4つのセクション(quad sections)109a~c内に位置決めされた基板処理領域108の1つに送られる前に、ロードロック又は低圧保持領域106内に位置決めされる様々なサイズの基板を供給する。これらのチャンバシステム又は4つのセクション109a~cは、複数の処理領域108と流体連通された移送領域を各々が有する基板処理システムでありうる。4つのシステムが図示されているが、スタンドアローンチャンバ、ツインチャンバ、その他のマルチチャンバシステムを組み込んだプラットフォームも同様に本技術に包含されることを理解されたい。移送チャンバ112に収容された第2のロボットアーム110は、基板ウエハを保持領域106から4つのセクション109に搬送して戻すために使用されうる。第2のロボットアーム110は、4つの各セクション又は処理システムが接続されうる移送チャンバ内に収容されうる。各基板処理領域108は、周期的層堆積、原子層堆積、化学気相堆積、物理気相堆積、並びにエッチング、前洗浄、アニール、プラズマ処理、ガス抜き、配向、及び他の基板プロセスを含む任意の数の堆積プロセスを含む多数の基板処理工程を実行するように装備することができる。
【0024】
[0035]各4つのセクション109は、第2のロボットアーム110から基板を受け取り、第2のロボットアーム110に基板を供給しうる移送領域を含みうる。チャンバシステムの移送領域は、第2のロボットアーム110を有する移送チャンバと位置合わせされうる。いくつかの実施形態では、移送領域はロボットに対して横方向にアクセス可能でありうる。その後の工程において、移送セクションの構成要素は、基板を上層の処理領域108内に垂直方向に並進させうる。同様に、移送領域はまた、各移送領域内の位置間で基板を回転させるように動作可能でありうる。基板処理領域108は、基板又はウエハ上に材料膜を堆積、アニーリング、硬化及び/又はエッチングするための任意の数のシステム構成要素を含みうる。1つの構成では、4つのセクション109a及び109b内の処理領域などの2組の処理領域は、基板上に材料を堆積させるために使用されうる。4つのセクション109c内の処理チャンバ又は領域などの第3の組の処理チャンバは、堆積された膜を硬化、アニール、又は処理するために使用されうる。別の構成では、図示した12個全てのチャンバなど、3組の全てのチャンバが、基板上に膜を堆積及び/又は硬化させるように構成されうる。
【0025】
[0036]図示されているように、第2のロボットアーム110は、複数の基板を同時に供給及び/又は回収するための2つのアームを含みうる。例えば、4つの各セクション109は、移送領域のハウジングの表面に沿って2つのアクセス部107を含み、このアクセス部107は、第2のロボットアームと横方向に位置合わせされうる。アクセス部は、移送チャンバ112に隣接する表面に沿って画定されうる。図示されているようないくつかの実施形態では、第1のアクセス部は、4つのセクションの複数の基板支持体のうちの第1の基板支持体と位置合わせされうる。更に、第2のアクセス部は、4つのセクションの複数の基板支持体のうちの第2の基板支持体と位置合わせされうる。第1の基板支持体は、第2の基板支持体に隣接しうる。2つの基板支持体は、いくつかの実施形態では、基板支持体の第1の列を画定しうる。図示された構成に示されるように、基板支持体の第2の列は、移送チャンバ112から横方向外向きに基板支持体の第1の列の後方に位置決めされうる。第2のロボットアーム110の2つのアームは、2つのアームが同時に4つのセクション又はチャンバシステムに進入して、移送領域内の基板支持体に1つ又は2つの基板を搬送又は回収できるように、間隔をあけて配置されうる。
【0026】
[0037]記載された移送領域のいずれか1つ以上には、異なる実施形態に示された製造システムから分離された追加のチャンバが組み込まれうる。処理システム100によって、材料膜のための堆積、エッチングチャンバ、アニーリングチャンバ、及び硬化チャンバの更なる構成が企図されることが理解されよう。更に、基板移動などの特定の工程のいずれかを実行するための移送システムを組み込むことができる、任意の数の他の処理システムが本技術とともに利用されうる。いくつかの実施形態では、言及された保持領域や移送領域などの様々なセクションで真空環境を維持しつつ、複数の処理チャンバ領域へのアクセスを提供しうる処理システムが、別個のプロセス間で特定の真空環境を維持しつつ、複数のチャンバ内で工程を実行可能にしうる。
【0027】
[0038]前述のように、処理システム100、より具体的には、処理システム100又は他の処理システムに組み込まれる4つのセクション又はチャンバシステムは、図示された処理チャンバ領域の下方に位置決めされた移送セクションを含みうる。
図2は、本技術のいくつかの実施形態による、例示的チャンバシステム200の移送セクションの概略等角図を示す。
図2は、上述した移送領域の態様の追加的な態様又は変形例を示すものであり、上述した構成要素又は特性のいずれかを含みうる。図示されたシステムは、移送領域ハウジング205を含みうる。この移送領域ハウジング205は、以下に更に論じられるように、チャンバ本体であってもよく、多数の構成要素が含まれうる移送領域を画定する。移送領域は更に、移送領域と流体連通された処理チャンバ又は処理領域(例えば、
図1の4つのセクション109に図示された処理チャンバ領域108など)によって、上方から少なくとも部分的に画定されうる。移送領域ハウジングの側壁は、上述したように、第2のロボットアーム110などによって、基板が搬入及び回収されうる1つ以上のアクセス位置207を画定しうる。アクセス位置207は、スリットバルブ又は他の密閉可能なアクセス位置であり、いくつかの実施形態では、移送領域ハウジング205内に気密環境を提供するためのドア又は他の密閉機構を含む。このような2つのアクセス位置207が図示されているが、いくつかの実施形態では、単一のアクセス位置207のみが含まれてもよく、また、移送領域ハウジングの複数の側面上のアクセス位置が含まれてもよいことを理解されたい。また、図示された移送セクションは、200mm、300mm、450mm、又はそれより大きいか小さい基板を含み、任意の数の形状寸法又は形状によって特徴付けられる基板を含む、任意の基板サイズを収容するようにサイズ決定されうることも理解されたい。
【0028】
[0039]移送領域ハウジング205内には、移送領域空間上方に位置決めされた複数の基板支持体210が存在しうる。4つの基板支持体が図示されているが、任意の数の基板支持体が同様に本技術の実施形態に包含されることを理解されたい。例えば、3つ、4つ、5つ、6つ、8つ、又はそれ以上の基板支持体210が、本技術の実施形態による移送領域に収容されうる。第2のロボットアーム110は、アクセス部207を通して基板支持体210a又は210bのいずれか一方又は両方に基板を搬送しうる。同様に、第2のロボットアーム110は、これらの位置から基板を回収しうる。リフトピン212は、基板支持部210から突出し、ロボットが基板の下にアクセスできるようにしうる。リフトピンは、基板支持体上に、又は基板支持体が下方に陥凹しうる位置に、固定されうる。或いは、いくつかの実施形態では、リフトピンは更に、基板支持体を通して上げ下げされうる。基板支持体210は、垂直方向に並進可能でありうる。いくつかの実施形態では、基板支持体210は、移送領域ハウジング205の上方に位置決めされた処理チャンバ領域108などの基板処理システムの処理チャンバ領域まで延びうる。
【0029】
[0040]移送領域ハウジング205は、図示されたように、移送領域ハウジングの開孔を通って延びることができ、隣接する開孔を通って突出又は透過するレーザ、カメラ、又は他のモニタリング装置と連動して動作し、並進される基板が適切に位置合わせされているかどうかを決定しうるアライナを含みうる、アライメントシステムのためのアクセス部215を提供しうる。移送領域ハウジング205はまた、基板を位置決めし、様々な基板支持体間で基板を移動させるために多数の方法で動作されうる移送装置220を含みうる。1つの実施例では、移送装置220は、基板支持体210a及び210b上の基板を基板支持体210c及び210dまで移動させ、これにより、移送チャンバ内に追加の基板を搬入することができる。追加の移送工程は、上層の処理領域での追加処理のために、基板支持体間で基板を回転させることを含みうる。
【0030】
[0041]移送装置220は、移送チャンバ内に延びる1つ以上のシャフトを含みうる中央ハブ225を含みうる。シャフトには、エンドエフェクタ235が接続されうる。エンドエフェクタ235は、中央ハブから半径方向に又は横方向外側に延びる複数のアーム237を含みうる。アームが延びる中央本体が図示されているが、エンドエフェクタは、様々な実施形態では、シャフト又は中央ハブと各々接続される別個のアームを更に含みうる。本技術の実施形態では、任意の数のアームが含まれうる。いくつかの実施形態では、アーム237の数は、チャンバに含まれる基板支持体210の数と同程度又は等しくてもよい。したがって、図示されているように、4つの基板支持体の場合、移送装置220は、エンドエフェクタから延びる4つのアームを含みうる。アームは、直線状プロファイル又は円弧状プロファイルのような任意の数の形状及びプロファイルによって特徴付けられ、また、基板を支持するため、及び/又は位置合わせ又は係合のためなど、基板へのアクセスを提供するためのフック、リング、フォーク、又は他の設計を含む任意の数の遠位プロファイルを含みうる。
【0031】
[0042]エンドエフェクタ235、又はエンドエフェクタの構成要素もしくは部分は、移送中又は移動中の基板に接触するために使用されうる。これらの構成要素並びにエンドエフェクタは、導電性材料及び/又は絶縁性材料を含む多くの材料から作られうるか、又はこれらを含みうる。いくつかの実施形態では、材料は、上にある処理チャンバから移送チャンバ内を通過しうる前駆体又は他の化学物質とのコンタクトに耐えるように、コーティング又はメッキされていることがある。
【0032】
[0043]更に、材料は、温度などの他の環境特性に耐えるように提供又は選択されうる。いくつかの実施形態では、基板支持体は、支持体上に配置された基板を加熱するように動作可能でありうる。基板支持体は、表面又は基板温度を、約100℃以上、約200℃以上、約300℃以上、約400℃以上、約500℃以上、約600℃以上、約700℃以上、約800℃以上、又はこれを上回る温度まで上昇させるように構成されうる。これらの温度のいずれかが工程中に維持されうる。したがって、移送装置220の構成要素は、これらの記載された温度又は包含された温度のいずれかに曝されうる。その結果、いくつかの実施形態では、これらの温度域に対応するように、材料のいずれかが選択され、比較的低い熱膨張係数、又は他の有益な特性によって特徴付けられうるセラミック及び金属などの材料を含みうる。
【0033】
[0044]構成要素の接続部は、高温環境及び/又は腐食性環境での工程にも適合されうる。例えば、エンドエフェクタ及び端部がそれぞれセラミックである場合、接続部は、プレスフィッティング、スナップフィッティング、又は温度によって膨張及び収縮する可能性があり、かつセラミックに亀裂を生じさせる可能性がある、ボルトといった、追加材料を含まない他のフィッティングを含みうる。いくつかの実施形態では、端部はエンドエフェクタと連続していてもよく、エンドエフェクタと一体的に形成されていてもよい。動作又は動作中の抵抗を容易にしうる任意の数の他の材料が利用されてもよく、同様に本技術に包含される。移送装置220は、エンドエフェクタの多方向への移動を促進しうる多数の構成要素及び構成を含みうる。これにより、エンドエフェクタが接続されうる駆動システム構成要素との1つ以上の方法による回転移動、並びに垂直移動、又は横方向移動が促進されうる。
【0034】
[0045]
図3は、本技術のいくつかの実施形態による例示的なチャンバシステムのチャンバシステム300の移送領域の概略等角図を示す。チャンバシステム300は、上述のチャンバシステム200の移送領域に類似していてもよく、上述の構成要素、特性、又は構成のいずれかを含む類似の構成要素を含んでもよい。
図3は、続く図とともに、本技術に包含される特定の構成要素の接続部(coupling)を示しうる。
【0035】
[0046]チャンバ300は、移送領域を画定するチャンバ本体305又はハウジングを含みうる。画定された空間内には、前述のように、チャンバ本体に分散された複数の基板支持体310が存在しうる。以下で更に説明するように、各基板支持体310は、基板支持体の中心軸に沿って、図示された第1の位置と、基板処理が実行されうる第2の位置と、の間で、垂直方向に並進可能でありうる。チャンバ本体305はまた、チャンバ本体を通して1つ以上のアクセス部口307を画定しうる。移送装置335は、移送領域内に位置決めされ、前述のように、移送領域内の基板支持体310間で基板を係合及び回転させるように構成されうる。例えば、移送装置335は、基板を再配置するために、移送装置の中心軸周囲で回転可能でありうる。移送装置335はまた、各基板支持体での基板の再配置を更に容易にするために、いくつかの実施形態では、横方向に並進可能でありうる。
【0036】
[0047]チャンバ本体305は、頂面306を含みうる。この頂面は、システムの上層の構成要素を支持しうる。頂面306はガスケット溝308を画定しうる。このガスケット溝308は、ガスケットが真空処理のために上層の構成要素を気密密閉するためにガスケット用の載置部を提供しうる。いくつかの従来システムとは異なり、チャンバシステム300、及び本技術のいくつかの実施形態による他のチャンバシステムは、処理チャンバ内に開放された移送領域を含みうる。移送領域の上に、処理領域が形成されてもよい。移送装置335がスイープ(sweep)領域を形成するため、処理領域を分離するための支持体又は構造が利用できないことがある。その結果、本技術は、後述するように、開放された移送領域の上に分離した処理領域を形成するために、上層のリッド構造を利用しうる。したがって、いくつかの実施形態では、チャンバ本体と上層の構成要素との間の密閉は、移送領域を画定する外側チャンバ本体壁の周囲のみで行われ、内部接続(interior coupling)は存在しない可能性がある。チャンバ本体305はまた、開孔315を画定しうる。この開口部315は、上層の構造の処理領域からの排気の流れを促進しうる。チャンバ本体305の頂面306はまた、上層の構成要素で密閉するために、開孔315周囲に1つ以上のガスケット溝を画定しうる。更に、開孔は、いくつかの実施形態では、構成要素の積層を容易にしうる位置決めフィーチャを提供しうる。
【0037】
[0048]
図4は、本技術のいくつかの実施形態によるチャンバシステム300の上層構造の概略等角図を示す。例えば、いくつかの実施形態では、第1のリッド板405がチャンバ本体305に載置されうる。第1のリッド板405は、第1の表面407と、第1の表面の反対側の第2の表面409とによって、特徴付けられうる。第1のリッド板405の第1の表面407は、チャンバ本体305に接触し、上述した溝308と協働して構成要素間にガスケットチャネルを生成するために相手溝(companion groove)を画定しうる。第1のリッド板405はまた、開孔410を画定しうる。この開孔410は、基板処理の処理領域を形成するために、移送チャンバの上層領域を分離しうる。
【0038】
[0049]開孔410は、第1のリッド板405を通して画定され、移送領域において基板支持体と少なくとも部分的に位置合わせされうる。いくつかの実施形態では、開孔410の数は、移送領域内の基板支持体の数と等しく、各開孔410は、複数の基板支持体の基板支持体と軸方向に位置合わせされうる。以下で更に説明されるように、処理領域は、チャンバシステム内の第2の位置まで垂直方向に上昇するときに、基板支持体によって少なくとも部分的に画定されうる。基板支持体は、第1のリッド板405の開孔410を通って延びうる。したがって、いくつかの実施形態では、第1のリッド板405の開孔410は、関連する基板支持体の直径よりも大きい直径によって特徴付けられうる。クリアランスの量に応じて、直径は、基板支持体の直径よりも小さい又は約25%大きくてもよく、いくつかの実施形態では、基板支持体の直径よりも小さい又は約20%大きくてもよく、基板支持体の直径よりも小さい又は約15%大きくてもよく、基板支持体の直径よりも小さい又は約10%大きくてもよく、基板支持体の直径よりも小さい又は約9%大きくてもよく、基板支持体の直径よりも小さい又は約8%大きくてもよく、基板支持体の直径よりも小さい又は約7%大きくてもよく、基板支持体の直径よりも小さい又は約6%大きくてもよく、基板支持体の直径よりも小さい又は約5%大きくてもよく、基板支持体の直径よりも小さい又は約4%大きくてもよく、基板支持体の直径よりも小さい又は約3%大きくてもよく、基板支持体の直径よりも小さい又は約2%大きくてもよく、基板支持体の直径よりも小さい又は約1%大きくてもよく、又はそれを下回ってもよく、これにより、基板支持体と開孔410との間の最小間隙距離が提供されうる。
【0039】
[0050]第1のリッド板405はまた、第1の表面407と反対側にある第2の表面409を含みうる。第2の表面409は凹状レッジ415を画定し、このレッジ415により、第1のリッド板405の第2の表面409を通って環状の凹状棚が生成されうる。いくつかの実施形態では、複数の開孔410の各開孔周囲に、凹状レッジ415が画定されうる。更に後述するように、凹状棚は、リッドスタック構成要素を支持しうる。更に、第1のリッド板405は、第2の開孔420を画定しうる。この第2の開孔420は、以下に説明する上層の構成要素からのポンピングチャネルを少なくとも部分的に画定しうる。第2の開孔420は、前述したチャンバ本体305の開孔315と軸方向に位置合わせされうる。
【0040】
[0051]
図5は、本技術のいくつかの実施形態によるチャンバシステム300の概略部分等角図を示す。図は、チャンバシステムの2つの処理領域と移送領域の一部を通る部分断面を示しうる。例えば、チャンバシステム300は、先に説明した処理システム100の4つのセクションであってもよく、先に説明した構成要素又はシステムのいずれかの構成要素を含んでもよい。
【0041】
[0052]チャンバ300は、図を通して展開されるように、基板支持体310を含む移送領域502を画定するチャンバ本体305を含みうる。この基板支持体310は、チャンバ本体305内に延び、前述のように垂直方向に並進可能でありうる。第1のリッド板405は、チャンバ本体305の上に載置され、追加のチャンバシステム構成要素で形成される処理領域504のためのアクセスを生成する開孔410を画定しうる。各開孔周囲に又は各開孔内に少なくとも部分的に、リッドスタック505が載置されうる。チャンバシステム300は、複数の開孔の開孔410の数に等しい数のリッドスタックを含む、複数のリッドスタック505を含みうる。各リッドスタック505は、第1のリッド板405に載置され、第1のリッド板の第2の表面を通して凹状レッジによって生成された棚に載置されうる。リッドスタック505は、チャンバシステム300の処理領域504を少なくとも部分的に画定しうる。
【0042】
[0053]図示されるように、処理領域504は、移送領域502から垂直方向にオフセットされうるが、移送領域と流体連通されうる。更に、処理領域は、他の処理領域から分離されうる。処理領域は、下方から移送領域を通して他の処理領域と流体連通されうるが、処理領域は、上方から、他の処理領域の各々から、流体分離されてもよい。各リッドスタック505はまた、いくつかの実施形態では、基板支持体と位置合わせされうる。例えば、図示されているように、リッドスタック505aは、基板支持体310aの上方で位置合わせされ、リッドスタック505bは、基板支持体310bの上方で位置合わせされうる。第2の位置などの動作位置まで上昇させると、基板は、個別の処理領域内で個別の処理用の基板を供給しうる。この位置にあるとき、以下で更に説明されるように、各処理領域504は、第2の位置にある関連する基板支持体によって下方から少なくとも部分的に画定されうる。
【0043】
[0054]
図5はまた、チャンバシステムに第2のリッド板510が含まれうる実施形態を示す。第2のリッド板510は、いくつかの実施形態では、第1のリッド板405と第2のリッド板510との間に位置決めされうるリッドスタックの各々と接続されうる。以下に説明するように、第2のリッド板510は、リッドスタック505の構成要素へのアクセスを容易にしうる。第2のリッド板510は、第2のリッド板を通して複数の開孔512を画定しうる。複数の開孔の各開孔は、特定のリッドスタック505又は処理領域504への流体アクセスを提供するように画定されうる。遠隔プラズマユニット515は、いくつかの実施形態では、チャンバシステム300内にオプションで含まれ、第2のリッド板510上で支持されうる。いくつかの実施形態では、遠隔プラズマユニット515は、第2のリッド板510を通して複数の開孔の各開孔512と流体連通されうる。遮断バルブ520は、各個別の処理領域504に流体制御を提供するために、各流体ラインに沿って含まれうる。例えば、図示されているように、開孔512aは、リッドスタック505aへの流体アクセスを提供しうる。開孔512aはまた、いくつかの実施形態では、基板支持体310aと同様に、リッドスタック構成要素のいずれかと軸方向に位置合わせされうる。これにより、基板支持体又は特定の処理領域504に関連する構成要素のいずれかを通る中心軸に沿うなどして、個々の処理領域に関連する構成要素の各々に対して軸方向の位置合わせが行なわれうる。同様に、開孔512bは、リッドスタック505bへの流体アクセスを提供しうる。いくつかの実施形態では、リッドスタックの構成要素並びに基板支持体310bと軸方向に位置合わせされることなどが含まれるように、位置合わせされうる。
【0044】
[0055]
図6は、本技術のいくつかの実施形態による例示的なモジュール式ガスブロック600の概略等角図を示す。モジュール式ガスブロック600は、堆積、エッチング、アニーリング、洗浄、及び/又は硬化などの1つ以上の処理工程を実行するために、1つ以上のガスを混合し、及び/又は1つ又は複数のガスを半導体処理システムに供給するためのガス供給アセンブリの一部として使用されうる。以下により詳細に説明されるように、多数のモジュール式ガスブロック600は、ガス供給アセンブリの長さ及び幅の両方(又はx軸及びy軸の両方)に沿って延びるガス経路を生成するように組み立てられうる。これにより、多数のガスが混合可能となり、及び/又は他の方法で1つ以上の処理システムに供給可能となる。
【0045】
[0056]ガスブロック600は、上側部分602及び下側部分604を含むブロック本体605を含みうる。図示されているように、上側部分602及び下側部分604は各々、概ね長方形の角柱形状を有するが、様々な実施形態において他の形状が利用されてもよい。ブロック本体605(及び上側部分602及び下部分604の各々)は、第1の端部606及び第2の端部608、並びに第1の端部606と第2の端部608との間に配置される中間領域607を有しうる。ブロック本体605の長手方向軸は、第1の端部606及び第2の端部608を通って延びうる。上側部分602の第1の端部606は、下側部分604に対して突出部を形成するように、下側部分604の第1の端部606を超えて延びうる。下側部分604の第2の端部608は、上側部分602に対してレッジを形成するように、上側部分602の第2の端部608を超えて延びうる。このように、ブロック本体605の断面は、いくつかの実施形態において概ねz型形状を有しうる。ブロック本体605の形状は、隣接するブロックの形状(端部ブロックの形状寸法など)に依存しうる。例えば、ブロック本体605は、様々な実施形態において、t型形状、z型形状、逆z型形状、鏡映関係にあるz型形状、及び/又は他の形状を有しうる。
【0046】
[0057]いくつかの実施形態では、上側部分602の第1の端部606の下面と、下側部分604の第2の端部608の上面とは、実質的に同一平面上にありうる。このような設計により、隣接するモジュール式ガスブロック600のそれぞれの頂面及び底面が互いに実質的に同一平面上にある状態で、複数のモジュール式ガスブロック600を、x方向に沿って(1つのモジュール式ガスブロック600の第1の端部606が別のモジュール式ガスブロック600の第2の端部608と接続されている状態で)まとめて接続することが可能になりうる。いくつかの実施形態では、そのような設計を容易にするために、上側部分602の第1の端部606及び下側部分604の第2の端部608は、実質的に同じ厚さでありうるが、上側部分602の第1の端部606の下面及び下側部分604の第2の端部608の上面が実質的に同一平面上にありうる限り、上側部分602の第1の端部606及び下側部分604の第2の端部608は、複数のモジュール式ガスブロック600の同一平面上での接続をなおも容易にしつつ、異なる厚さを有しうる。
【0047】
[0058]
図6Aは、モジュール式ガスブロック600の概略断面正面図(y軸に沿った断面など)を示す。ブロック本体605は、プロセスガス及び/又はパージガスをそれぞれの処理システムに送るために使用されうる多数の流体チャネルを画定しうる。例えば、
図6Aに示されるように、ブロック本体605は、ブロック本体605の長手方向軸に実質的に平行な方向に延びる第1の流体チャネル610を画定しうる。第1の流体チャネル610は、ガス供給アセンブリの幅(又はx軸)に沿って、隣接するモジュール式ガスブロック600の間でガスを送るように設計されうる。第1の流体チャネル610は、第1の流体ポート615、第2の流体ポート620、及び/又は第3の流体ポート625を含み、及び/又はこれらと流体連通しうる。第1の流体ポート615は、下側部分604の第2の端部608の上面を通って延びうる。後述するように、第1の流体ポート615は、ガス供給アセンブリの幅に沿って隣接するモジュール式ガスブロック600を流体連通させるために使用されうる。第2の流体ポート620は、上側部分602の中間領域607の上面を通って延びうる。第2の流体ポート620は、バルブ、質量流コントローラ、及び/又はモジュール式ガスブロック600の上部に載置され、かつガスアセンブリを通る流れを制御、調節し、及び/又は別法でその流れに影響を与えうる他のデバイスといった、流量調節デバイスと接続されうる。第3の流体ポート625は、上側部分602の第1の端部606の下面を通って延びうる。後述するように、第3の流体ポート625は、ガス供給アセンブリの幅に沿って隣接するモジュール式ガスブロック600を流体連通させるために使用されうる。
【0048】
[0059]
図6Bは、モジュール式ガスブロック600の概略断面側面図(x軸に沿った断面など)を示す。ブロック本体605は、ガス供給アセンブリの長さ(又はy軸)に沿って隣接するモジュール式ガスブロック600間でガスを送るために、長手方向軸及び第1の流体チャネル610に対して横方向に延びる第2の流体チャネル630を画定しうる。第2の流体チャネル630は、第2の流体ポート620及び第4の流体ポート635を含み、及び/又はこれらと流体連通しうる。第2の流体ポート620及び第4の流体ポート635の各々は、中間領域607内など、ブロック本体605の上面を通って延びうる。いくつかの実施形態では、追加の流体ポートが設けられうる。例えば、1つ以上の流体ポートがブロック本体605の側壁内に画定され、ガス供給アセンブリ用の流体入口及び/又は流出口として機能しうる。例えば、ブロック本体605の側壁に形成された流体ポートは、ガス供給アセンブリにガスを導入するガス源と接続されてもよく、及び/又は、ガス供給アセンブリからの任意のガスを1つ以上の処理チャンバ及び/又はマニホールドに方向付ける溶接部及び/又は他のガス供給ルーメンと接続されてもよい。第2の流体ポート620とともに、第4の流体ポート635は、バルブ、質量流コントローラ、及び/又はモジュール式ガスブロック600の上部に載置され、かつガスアセンブリを通る流れを制御、調節し、及び/又は別法でその流れに影響を与えうる他のデバイスといった、流量調節デバイスと接続されうる。第2の流体チャネル630は、単一のチャネルであってもよいし、複数のセグメントに分割されていてもよい。例えば、図示されているように、第2の流体チャネル630の一部は、第4の流体ポート635から第2の流体ポート620まで延びる。隣接するモジュール式ガスブロック600の流体チャネル630は、第2の流体ポート620及び第4の流体ポート635を介してモジュール式ガスブロック600と接続される流量調節装置を介して互いに接続されうる。
【0049】
[0060]第1の流体チャネル610及び第2の流体チャネル630は、いくつかの実施形態では互いに別個であってもよいが、他の実施形態では、2つの流体チャネルは互いに流体連通しうる。例えば、第1の流体チャネル610と第2の流体チャネル630は、1つ以上の点で交差しうる。特定の実施形態では、第1の流体チャネル610及び第2の流体チャネル630は、第2の流体ポート620に近接したブロック本体605内で交差し、この第2の流体ポート620を両方の流体チャネルが共有しうる。流量調節装置との接続のために中間領域607の上面を通って延びる2つのポート(第2の流体ポート620及び第4の流体ポート635)が図示されているが、いくつかの実施形態では、他の数の流体ポートが設けられてもよく、より複雑な流れ設計(例えば、T字型接合部、3方向バルブなど)を容易にしうることが理解されよう。
【0050】
[0061]
図6に戻ると、ブロック本体605は、多数の締め具レセプタクルを画定しうる。この締め具レセプタクルは、複数のモジュール式ガスブロック600をまとめて固定するための、及び/又は流量調節装置及び/又は他の構成要素をモジュール式ガスブロック600に固定するための締め具を受容しうる。例えば、上側部分602の第1の端部606及び下側部分604の第2の端部608は、多数の締め具レセプタクル655を画定しうる。このレセプタクル655は、レセプタクル655を通して締め具を挿入可能とし、あるモジュール式ガスブロック600の第1の端部606と別のモジュール式ガスブロック600の第2の端部608とを接続する。上側部分602の中間領域607及び第2の端部608は各々、複数の締め具レセプタクル660を画定しうる。この複数の締め具レセプタクル660により、締め具レセプタクル660を通して締め具を挿入可能となり、ブロック本体605の上面に流量調節装置が接続される。
【0051】
[0062]
図7は、ガス供給アセンブリ700の一部を形成するように接続されている多数のモジュール式ガスブロック600の概略断面正面図を示す。図示されているように、モジュール式ガスブロック600は、ガス供給アセンブリ700の幅(又はx軸)に沿って接続され、ガス供給アセンブリ700の幅に沿って延びる流体経路を形成する。3つのモジュール式ガスブロック600で示されているが、ガス供給アセンブリ700は、様々な実施形態において、任意の数のモジュール式ガス供給ブロック600を含みうることが理解されよう。更に、1つ以上のモジュール式ガスブロック600は、ガス供給アセンブリに追加又はガス供給アセンブリから取り外され、異なるガス源を追加又は削除することができる。
【0052】
[0063]図示されるように、第1のモジュール式ガスブロック600aは、第2のモジュール式ガスブロック600bと第3のモジュール式ガスブロック600cとの間に位置決めされうる。第1のモジュール式ガスブロック600aの上側部分602の第1の端部606は、第2のモジュール式ガスブロック600bの下側部分604の第2の端部608の上方に位置決めされ、この第2の端部608と接続されうる。例えば、第1のモジュール式ガスブロック600aの第3の流体ポート625は、第2のモジュール式ガスブロック600bの第1の流体ポート615と接続されうる。これにより、第1のモジュール式ガスブロック600a及び第2のモジュール式ガスブロック600bの第1の流体チャネル610が流体連通しうる。第1のモジュール式ガスブロック600aの下側部分604の第2の端部608は、第3のモジュール式ガスブロック600cの上側部分602の第1の端部606の下方に位置決めされ、これと接続されうる。例えば、第1のモジュール式ガスブロック600aの第1の流体ポート615は、第3のモジュール式ガスブロック600cの第3の流体ポート635と接続されうる。組み立てられたとき、ガス供給アセンブリ700内のモジュール式ガスブロック600は、互いに概ね同一平面上にある頂面及び互いに概ね同一平面上にある底面を有しうる。
【0053】
[0064]上述のように、ガス供給アセンブリ700の幅を形成するために、任意の数のモジュール式ガスブロック600が端から端まで接合されうる。ガス供給アセンブリ700は、モジュール式ガスブロック600の各々の第1の端部606の方向にある近位端(ここでは左端部として示されている)と、モジュール式ガスブロック600の各々の第2の端部608の方向にある遠位端(ここでは右端部として示されている)とを含みうる。モジュール式ガスブロック600の接合された第1の流体チャネル610を密閉するために、最も近位のモジュール式ガスブロック600(ここでは、第2のモジュール式ガスブロック600b)の第3の流体ポート625と、最も遠位のモジュール式ガスブロック600(ここでは、第3のモジュール式ガスブロック600c)の第1の流体ポート615とが、それぞれの第3の流体ポート625及び第1の流体ポート615を閉塞物705で塞ぐ、キャッピングする、及び/又は他の方法で閉鎖することなどによって、閉塞されうる。新しいガススティックをガス供給アセンブリ700に追加するために、閉塞物705(キャップ、プラグ、及び/又は他の妨害物など)は、ガス供給アセンブリ700の所与の側(例えば、近位側又は遠位側)のモジュール式ガスブロック600上のそれぞれの流体ポートから除去されうる。その後、ガス供給アセンブリ700を拡張し、追加のガススティックを組み込むために、追加のモジュール式ガスブロック600が露出された流体ポートに接続されうる。いくつかの実施形態では、接続されたモジュール式ガスブロック600の流体ポートの少なくとも一部の間に形成された境界面は、密閉機構を含む。例えば、隣接する第1の流体ポート615と第3の流体ポート625との間の接続は、Oリング、ガスケット、C型シール、及び/又は隣接するモジュール式ガスブロック600間の様々な境界面において第1の流体チャネル610からガスが漏れるのを防止しうる他の密閉機構を含みうる。
【0054】
[0065]
図8は、ガス供給アセンブリ800の一部を形成するように接続されている複数のモジュール式ガスブロック600の概略断面側面図を示す。図示されているように、モジュール式ガスブロック600は、ガス供給アセンブリ800の長さ(又はy軸)に沿って接続され、ガス供給アセンブリ800の長さに沿って延びる流体経路を形成する。y方向に沿ったモジュール式ガスブロック600の各ラインは、別個のガススティックと見なされ、異なるガス源と接続されうる。3つのモジュール式ガスブロック600で示されているが、ガス供給アセンブリ800は、様々な実施形態において、任意の数のモジュール式ガス供給ブロック600を含みうることが理解されよう。更に、1つ又は複数のモジュール式ガスブロック600は、ガス供給アセンブリに追加又はガス供給アセンブリから取り外され、異なるガス源を追加又は削除することができる。
【0055】
[0066]図示されているように、第1のモジュール式ガスブロック600dは、第2のモジュール式ガスブロック600eと第3のモジュール式ガスブロック600fとの間に位置決めされうる。第1のモジュール式ガスブロック600dの第1の側壁は、第2のモジュール式ガスブロック600eの第2の側壁に対して位置決めされうる。例えば、第1のモジュール式ガスブロック600dの第4の流体ポート635は、バルブ及び/又は他の流量調節装置を介するなどして、第2のモジュール式ガスブロック600eの第2の流体ポート620と接続されうる。これにより、第1のモジュール式ガスブロック600dと第2のモジュール式ガスブロック600eの第2の流体チャネル630を流体連通させうる。第1のモジュール式ガスブロック600dの第2の側壁は、第3のモジュール式ガスブロック600fの第1の側壁に対して位置決めされうる。例えば、第1のモジュール式ガスブロック600dの第4の流体ポート635は、流量調節装置を介して第3のモジュール式ガスブロック600fの第2の流体ポート620と接続されうる。これにより、第1のモジュール式ガスブロック600dと第3のモジュール式ガスブロック600fの第2の流体チャネル630を流体連通させうる。組み立てられたとき、ガス供給アセンブリ800内のモジュール式ガスブロック600は、互いに概ね同一平面上にある頂面及び互いに概ね同一平面上にある底面を有しうる。第2流体チャネル630は、バルブが第2の流体ポート620及び第4流体ポート635において各モジュール式ガスブロック600と接続されているときに、互いに完全に接続されうる。
【0056】
[0067]上述のように、ガス供給アセンブリ800の長さを形成するために、任意の数のモジュール式ガスブロック600が側壁から側壁に接合されうる。ガス供給アセンブリ800は、モジュール式ガスブロック600の各々の第1の側壁の方向にある近位端ここでは左端部として示されている)と、モジュール式ガスブロック600の各々の第2の側壁の方向にある遠位端(ここでは右端部として示されている)とを含みうる。ガス供給アセンブリ800の露出した第2の流体ポート620及び/又は第4の流体ポート635は、様々な実施形態において、ガス源、ガス出口と接続され、及び/又は閉塞されうる。いくつかの実施形態では、接続されたモジュール式ガスブロック600の流体ポートの少なくとも一部の間に形成された境界面は、密閉機構を含む。例えば、第4の流体ポート635及び/又は第2の流体ポート620と流量調節装置との間の接続部は、Oリング、ガスケット、C型シール、及び/又は隣接するモジュール式ガスブロック600間の様々な境界面において第2の流体チャネル620からガスが漏れるのを防止しうる他の密閉機構を含みうる。
【0057】
[0068]多くの場合、多数の異なるガスが処理チャンバに供給されうる。ガスの一部は、処理チャンバに導入される前に混合されうる。このことは、ガス源と処理チャンバとの間に延びる導管の複雑さを軽減するのに役立つことがある。モジュール式ガスブロック600の使用により、1つ以上のガス源からのガスを1つ以上の処理チャンバに流すことができるようにする、及び/又はガスを1つ以上の処理チャンバに供給する前に混合することができるようにする、容易にカスタマイズ可能なガス供給アセンブリの設計及び組立が可能になりうる。
図9は、各々が、多数のガスの供給及び/又は混合を容易にするために、それぞれのガス供給アセンブリ900の長さ及び幅の両方に沿って配置された多数のモジュール式ガスブロック600を組み込んだ多数のガス供給アセンブリ900を示す。各ガス供給アセンブリ900は、ガス供給アセンブリ700及び800など、先に説明したガス供給アセンブリの任意の特徴を組み込みうる。例えば、様々なモジュール式ガスブロック600の第2の流体チャネル630は、1つ以上の処理チャンバ及び/又はマニホールドへのその後の供給のために、ガス源905からガス供給アセンブリ900の出口910にガスを供給しうる。第1の流体チャネル610により、ガス供給アセンブリ900の幅に沿って第2の流体チャネル610の一部又は全部の内部を流れるガスが混合可能となりうる。モジュール式ガスブロック600の様々な流体チャネルを通るガスの流れ及び/又は混合は、バルブ915、質量流コントローラ920などの1つ以上の流量調節装置を使用して制御されうる。これらの装置は各々、第2の流体ポート620及び/又は第4の流体ポート635などを介して、モジュール式ガスブロック600のそれぞれ1つと接続されうる。例えば、様々なバルブ915は、特定のガス(又はガスの混合物)が所定のモジュール式ガスブロック600の所定の流体チャネルを通って流れるかどうか、及び/又はどのくらい流れるかを制御するために利用されうる。
【0058】
[0069]図示されているように、各ガス供給アセンブリ900は、3つ又は4つのガス源905(例えば、ガススティックごとに1つ)を含み、これらは、1つ以上のパージガス源905aを含みうる。しかしながら、他の実施形態では、他の数のガス源905が利用されてもよく、ガス源905の一部又は全部がパージガス源905aである。例えば、所定のガス供給アセンブリ900は、少なくとも若しくは約1つのガス源905、少なくとも若しくは約2つのガス源905、少なくとも若しくは約3つのガス源905、少なくとも若しくは約4つのガス源905、少なくとも若しくは約5つのガス源905、少なくとも若しくは約6つのガス源905、又はこれを上回るガス源905を含みうる。各ガス供給アセンブリ900は、ガス供給アセンブリ900から1つ以上の処理チャンバ及び/又はマニホールドに1つ以上のガスの任意の組み合わせを供給しうる出力溶接部などの出口910を含みうる。
【0059】
[0070]ガス供給アセンブリ900を生成するためにモジュール式ガスブロック600を使用することによって、本発明の実施形態は、ガス供給アセンブリの底部における溶接部のネットワークを使用することなく、x方向において隣接するガススティック間のガス混合を容易にしうる。これにより、ガス供給アセンブリの設計及び製造が大幅に簡素化され、これに関連する時間及びコストが低減されうる。いくつかの実施形態では、ガス供給アセンブリ900内の各ブロックは、同一の形状寸法又は設計を有しうる。これにより、所定のガス供給アセンブリ900の構造が単純化されうる。他の実施形態では、ガス供給アセンブリ900は、いくつかの異なるモジュール式ガスブロック(中間領域607上に追加のポートを含むモジュール式ガスブロック600に類似するものなど)を含みうる。いくつかの実施形態では、ガス供給アセンブリ900の幅及び/又は長さの極端な近位端及び/又は遠位端におけるモジュール式ガスブロックは、ガス源、出口などからの溶接物などの他の構成要素との接続部を収容するために異なっていてもよい。このようなモジュール式設計により、手持ちの単一種類(又は少数の種類)のモジュール式ガスブロック900で、異なる構成のガス供給アセンブリが生成可能となりうる。
【0060】
[0071]上述のように、各ガス供給アセンブリは、1つ以上のガスの混合物を1つ以上の処理チャンバ及び/又はマニホールドに送る出口を含みうる。例えば、ガス供給アセンブリは、処理チャンバから遠隔に(処理チャンバの下などに)位置しうる。出口は、ガス供給アセンブリから処理チャンバ及び/又はマニホールドにガスを方向付ける、溶接部などの流体ラインと接続されうる。
図10は、本技術のいくつかの実施形態による半導体処理システム1000の1つの実施形態の概略上面図である。図は、先に説明及び図示したシステムのいずれかの構成要素を含みうる。また、先に説明したシステムのいずれかの更なる態様を示しうる。図が上述した4つのセクション109に見られるような例示的な構成要素も示していることを理解されたい。
【0061】
[0072]半導体処理システム1000は、リッド板1005を含みうる。このリッド板1005は、先に説明した第2のリッド板510に類似しうる。例えば、リッド板1005は、リッド板1005の下に位置決めされた多数の処理チャンバへのアクセスを提供する、開孔512に類似した多数の開孔を画定しうる。複数の開孔の各開口は、特定のリッドスタック、処理チャンバ、及び/又は処理領域への流体アクセスを提供するように画定されうる。
【0062】
[0073]ガススプリッタアセンブリ1010は、リッド板1005の頂面に載置されうる。例えば、ガススプリッタアセンブリ1010は、リッド板1005の開孔間の中央に配置されうる。ガススプリッタアセンブリ1010は、ガス供給アセンブリ700、800、及び900などのガス供給アセンブリのそれぞれの出口と各々が接続される複数の入力溶接部1015と流体連通しうる。入力溶接部1015は、前駆体、プラズマ放出物、及び/又はパージガスなどのガスを、複数のガス源からガススプリッタアセンブリ1010に供給しうる。例えば、各入力溶接部1015の各々が、リッド板1005の下に位置決めされたガス供給アセンブリから垂直方向に延び、フィードスルー板1020を通過しうる。フィードスルー板1020上方の入力溶接部1015の一部は、水平に曲げられ、ガスをガススプリッタアセンブリ1010に向かって方向付けうる。いくつかの実施形態では、入力溶接部1015の一部又は全部が、入力溶接部1015の長さに沿った熱損失を防ぐのに役立つヒータジャケット1019内に配置されうる。
【0063】
[0074]ガススプリッタアセンブリ1010は、入力溶接部1015からガスを受け取り、バルブブロック1025を通るガスの流れを制御するのに役立つ1つ以上のバルブ1027と各々接続される多数のガス出力部にガス流を再帰的に分割しうる。例えば、バルブ1027の作動は、パージガス及び/又はプロセスガスがそれぞれの処理チャンバに流されるか、又は処理チャンバからシステム1000の別の場所に迂回されるかを制御しうる。例えば、ガススプリッタアセンブリ1010の出口は、各々、出力溶接部1030と流体連通しうる。この出力溶接部1030は、パージガス及び/又はプロセスガスを、特定の処理チャンバに関連する出力マニホールド1035に供給しうる。例えば、出力マニホールド1035は、リッド板1005内に形成された各開孔の上方に位置決めされ、リッドスタック構成要素と流体連通して、1つ以上のガスをそれぞれの処理チャンバの処理領域に供給しうる。
【0064】
[0075]上記の記載では、説明を目的として、本技術の様々な実施形態の理解を促すために、数々の詳細が提示されてきた。しかしながら、特定の実施形態は、これらの詳細のいくつかがなくても或いは追加の詳細があっても実施されうることが、当業者には明らかだろう。
【0065】
[0076]いくつかの実施形態を開示してきたが、当業者には、実施形態の精神から逸脱することなく、様々な修正例、代替構造物、及び均等物を使用できることが認識されよう。更に、本技術を不必要に不明瞭にすることを避けるために、多くの周知のプロセス及び要素については記載していない。従って、上記の説明は、本技術の範囲を限定するものと見なされるべきではない。更に、方法又は処理は、連続的又は段階的に説明されうるが、工程は、同時に行われてもよく、又は、記載よりも異なる順序で行われてもよいことを理解するべきである。
【0066】
[0078]値の範囲が提供されている場合、文脈上そうでないと明示されていない限り、当然ながら、その範囲の上限値と下限値との間の各介在値は、下限値の最も小さい単位まで具体的に開示されている。記載された範囲の任意の記載値又は記載されていない介在値の間の任意の小さい範囲、そしてその記載範囲のその他の任意の記載された値又は介在する値も含まれる。これら小さい範囲の上限及び下限は、その範囲に個々に含まれ、又はその範囲から除外される場合があり、小さい範囲に限界値のいずれかが含まれる、どちらも含まれない、又は両方が含まれる各範囲もまた、記載された範囲における明確に除外される任意の限界値を条件として、この技術範囲に包含される。記載された範囲に限界値の一方又は両方が含まれる場合、これらの含有限界値のいずれか又は両方を除外する範囲も含まれる。
【0067】
[0079]本明細書及び特許請求の範囲で使用される単数形「1つの(a、an)」、及び「その(the)」は、文脈が他のことを明らかに示していない限り、複数の参照対象を含む。したがって、例えば、「ある板(plate)」を言及する場合には、そのような複数の板が含まれ、「その開孔(the aperture)」を言及する場合には、当業者に知られている1つ以上の開孔及びその均等物への言及が含まれる、などである。
【0068】
[0080]また、「備える(comprise(s))」、「備えている(comprising)」、「含有する(contain(s))」、「含有している(containing)」、「含む(include(s))」、及び「含んでいる(including)」という用語は、本明細書及び特許請求の範囲で使用された場合、記載された特徴、整数、構成要素、又はステップの存在を特定することを意図しているが、1つ以上のその他の特徴、整数、構成要素、工程、動作、又はグループの存在又は追加を除外するものではない。
【国際調査報告】