(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-11-08
(54)【発明の名称】リソグラフィ装置で使用するためのペリクル及び膜
(51)【国際特許分類】
G03F 1/62 20120101AFI20241031BHJP
G03F 7/20 20060101ALI20241031BHJP
【ＦＩ】
G03F1/62
G03F7/20 503
G03F7/20 521
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024529189
(86)(22)【出願日】2022-11-11
(85)【翻訳文提出日】2024-07-05
(86)【国際出願番号】 EP2022081574
(87)【国際公開番号】W WO2023094177
(87)【国際公開日】2023-06-01
(31)【優先権主張番号】21210424.4
(32)【優先日】2021-11-25
(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】504151804
【氏名又は名称】エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．
(74)【代理人】
【識別番号】100079108
【弁理士】
【氏名又は名称】稲葉 良幸
(74)【代理人】
【識別番号】100109346
【弁理士】
【氏名又は名称】大貫 敏史
(74)【代理人】
【識別番号】100117189
【弁理士】
【氏名又は名称】江口 昭彦
(74)【代理人】
【識別番号】100134120
【弁理士】
【氏名又は名称】内藤 和彦
(72)【発明者】
【氏名】ハウエリング，ゾマー，シルベスター
(72)【発明者】
【氏名】ヴァーミューレン，ポール，アレクサンダー
(72)【発明者】
【氏名】クライン，アレクサンダー，ルードウィク
【テーマコード（参考）】
2H195
2H197
【Ｆターム（参考）】
2H195BC33
2H195BC34
2H197CA10
2H197GA01
2H197GA24
(57)【要約】
リソグラフィ装置で使用するためのペリクルを形成する方法が開示される。方法は、第１の材料から形成された多孔質膜を設けること、少なくとも１つの二次元材料層を多孔質膜の少なくとも１つの面に塗布すること、及び多孔質膜の少なくとも１つの面上の少なくとも１つの二次元材料層にキャッピング層を、少なくとも１つの二次元材料層がその又は各キャッピング層と多孔質膜との間に配置されるように塗布することを含む。少なくとも１つの二次元材料層は、多孔質膜の隣接面を閉じ、ペリクルのより滑らかで平坦な外面を形成する働きをする。有利には、これにより、キャッピング層に使用される材料に関係なく、ＥＵＶフレアを低減しながら、多孔質膜をエッチングから保護することができる。
【選択図】 図３
【選択図】 図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
リソグラフィ装置で使用するためのペリクルであって、第１の材料から形成された多孔質膜と、
前記多孔質膜の少なくとも１つの面に隣接する少なくとも１つの二次元材料層と、
前記少なくとも１つの二次元材料層に隣接する少なくとも１つのキャッピング層であって、前記少なくとも１つの二次元材料層が前記又は各キャッピング層と前記多孔質膜との間に配置される少なくとも１つのキャッピング層と
を備えたペリクル。
【請求項2】
前記多孔質膜がナノ構造を含む、請求項１のペリクル。
【請求項3】
前記多孔質膜が実質的に自立式である、請求項１又は２のペリクル。
【請求項4】
前記又は各少なくとも１つの二次元材料層が、前記多孔質膜の前記少なくとも１つの面に隣接する実質的に連続した層を構成する、請求項１から３のいずれか一項のペリクル。
【請求項5】
前記二次元材料がグラフェン又はナノチューブを含む、請求項１から４のいずれか一項のペリクル。
【請求項6】
前記二次元材料が六方晶窒化ホウ素（ｈ－ＢＮ）又は二硫化モリブデン（ＭｏＳ２）を含む、請求項１から５のいずれか一項のペリクル。
【請求項7】
少なくとも１つの二次元材料層が前記多孔質膜の両面に隣接して設けられ、キャッピング層が、前記少なくとも１つの二次元材料層がキャッピング層と前記多孔質膜との間に配置されるように前記ペリクルの各側に設けられる、請求項１から６のいずれか一項のペリクル。
【請求項8】
前記又は各キャッピング層が三次元材料である、請求項１から７のいずれか一項のペリクル。
【請求項9】
前記又は各キャッピング層の全ＥＵＶ透過率が９６％以上である、請求項１から８のいずれか一項のペリクル。
【請求項10】
前記少なくとも１つのキャッピング層が、前記多孔質層及び前記少なくとも１つの二次元材料層を水素エッチングから保護するのに適している、請求項１から９のいずれか一項のペリクル。
【請求項11】
前記少なくとも１つのキャッピング層が、ＥＵＶ放射に対する消衰係数が０．０２ｎｍ－１未満の材料から形成される、請求項１から１０のいずれか一項のペリクル。
【請求項12】
前記キャッピング層が０．３から５ｎｍ程度の厚さを有する、請求項１から１１のいずれか一項のペリクル。
【請求項13】
前記キャッピング層がイットリウム又は酸化イットリウムを含む、請求項１から１２のいずれか一項のペリクル。
【請求項14】
前記キャッピング層が、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）、アルミニウム（Ａｌ）又はジルコニウム（Ｚｒ）のうちのいずれかを含む、請求項１から１３のいずれか一項のペリクル。
【請求項15】
前記キャッピング層が、様々な材料から形成された複数の副層を含む、請求項１から１４のいずれか一項のペリクル。
【請求項16】
前記多孔質膜の周辺部にペリクル境界を更に備えた、請求項１から１５のいずれか一項のペリクル。
【請求項17】
リソグラフィ装置で使用するためのペリクルを形成する方法であって、第１の材料から形成された多孔質膜を設けること、
前記多孔質膜の少なくとも１つの面に少なくとも１つの二次元材料層を塗布すること、及び
前記多孔質膜の少なくとも１つの面上の前記少なくとも１つの二次元材料層にキャッピング層を、前記少なくとも１つの二次元材料層が前記又は各キャッピング層と前記多孔質膜との間に配置されるように塗布することを含む方法。
【請求項18】
放射ビームを使用して基板上にパターニングデバイスの像を形成するように動作可能なリソグラフィ装置であって、前記放射ビームの経路内に配置された膜を備え、前記膜が、第１の材料から形成された多孔質膜と、
前記多孔質膜の少なくとも１つの面に隣接する少なくとも１つの二次元材料層と、
前記少なくとも１つの二次元材料層に隣接する少なくとも１つのキャッピング層であって、前記少なくとも１つの二次元材料層が前記又は各キャッピング層と前記多孔質膜との間に配置される少なくとも１つのキャッピング層と
を備えたリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
[0001] この出願は、２０２１年１１月２５日に出願された欧州出願２１２１０４２４．４の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
[0001] この出願は、２０２１年１１月２５日に出願された欧州出願２１２１０４２４．４の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
【0002】
[0002] 本発明は、リソグラフィ装置で使用するためのペリクル及びそのようなペリクルを形成する関連方法に関する。本発明はまた、（基板上に像を形成するために使用される）リソグラフィ装置の放射ビームの経路内に配置された膜を備えたリソグラフィ装置に関する。
【背景技術】
【0003】
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。リソグラフィ装置は、例えばパターニングデバイス（例えば、マスク）からのパターンを、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層に投影することができる。
【0004】
[0004] 基板にパターンを投影するためリソグラフィ装置が用いる放射の波長は、その基板上に形成することができるフィーチャの最小サイズを決定する。４～２０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射であるＥＵＶ放射を用いたリソグラフィ装置を使用すると、従来のリソグラフィ装置（例えば１９３ｎｍの波長の電磁放射を使用できる）よりも小さいフィーチャを基板上に形成することができる。
【0005】
[0005] リソグラフィ装置において放射ビームにパターンを与えるのに使用されるパターニングデバイス（例えば、マスク）は、マスクアセンブリの一部を構成することがある。マスクアセンブリは、パターニングデバイスを粒子汚染から保護するペリクルを備えることがある。ペリクルは、ペリクルフレームによって支持されることがある。
【0006】
[0006] 従来技術に関連する１つ以上の問題を回避又は軽減する装置及び又は方法を提供することが望ましい場合がある。
【発明の概要】
【0007】
[0007] 本開示の第１の態様によれば、リソグラフィ装置で使用するためのペリクルを形成する方法であって、第１の材料から形成された多孔質膜を設けること、多孔質膜の少なくとも１つの面に少なくとも１つの二次元材料層を塗布すること、及び多孔質膜の少なくとも１つの面上の少なくとも１つの二次元材料層にキャッピング層を、少なくとも１つの二次元材料層がその又は各キャッピング層と多孔質膜との間に配置されるように塗布することを含む方法が提供される。
【0008】
[0008] ペリクルは、ＥＵＶリソグラフィ装置内のレチクルに隣接して使用するのに適している場合がある。使用中、そのような（反射型）レチクルは、例えば照明システムからのＥＵＶ放射で照明される。レチクルが照明システムから受けた放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成するように構成されることが理解されるであろう。投影システムが、（反射された）パターン付き放射ビームを収集し、基板（例えばレジストコートシリコンウェーハ）上にレチクルの（回折限界）像を形成する。レチクル上に汚染があると、一般には基板上に形成される像が変わり、印刷エラーが発生することになる。
【0009】
[0009] レチクルの粒子汚染を避けるために、レチクルを保護するためのペリクルと呼ばれる薄い膜を使用することが知られている。ペリクルはレチクルの前に配置され、粒子がレチクルに付着するのを防ぐ。ペリクルは、投影システムによって鮮明に結像されないため、ペリクル上の粒子が結像プロセスを妨げないように配置される。ペリクルは、レチクルに粒子が当たって許容できない印刷エラーが発生するのを防ぐのに十分な厚さである一方、ペリクルによるＥＵＶ放射の吸収を減らすためにできるだけ薄いことが望ましい。
【0010】
[00010] 第１の態様によるペリクルの形成方法は、これより考察するように特に有利である。
【0011】
[00011] 本明細書で使用される多孔質膜が、例えばナノチューブ膜などの開口構造を有する材料を意味するものとすることが理解されよう。本明細書で使用される二次元材料が、例えばグラフェンなどの１つ以上の単一原子層から形成される材料を意味するものとすることが理解されよう。少なくとも１つの二次元材料層は、多孔質膜の隣接面を閉じる働きをする。
【0012】
[00012] 非多孔質膜が、膜の２つの対向する面を画定する２つの概ね平行な表面を有し得ることが理解されるであろう。２つの概ね平行な表面により境界される体積が、非多孔質膜を形成する材料によって実質的に占められる。対照的に、多孔質膜が、材料を有しない空隙が散りばめられた、多孔質膜を形成する材料により占められる領域を含むことが更に理解されるであろう。そのような多孔質膜の場合、２つの概ね平行な仮想表面又は非物理的表面が膜の境界又は側面を画定することがある。２つの概ね平行な仮想表面により境界される体積は、多孔質膜を形成する材料によって部分的にのみ占められる。多孔質膜の少なくとも１つの面に少なくとも１つの二次元材料層を塗布することは、多孔質膜の境界又は面を画定する少なくとも１つの仮想表面又は非物理的表面に少なくとも１つの二次元材料層を塗布することを含むものとする。
【0013】
[00013] 第１の態様による方法は、ペリクルの大部分が多孔質材料から形成されるペリクルをもたらす。有利には、これにより密度が小さい、ひいては極端紫外（ＥＵＶ）放射の透過率が大きいペリクルがもたらされる可能性がある。これはＥＵＶリソグラフィシステムにとって特に重要であり、システムのスループットを向上させる。
【0014】
[00014] ＥＵＶリソグラフィ装置においてペリクル膜として使用するための特に有望な材料の１つは、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）から形成される織物又は膜である。そのようなＣＮＴペリクルは多孔質材料であるため、非常に高いＥＵＶ透過率（＞９８％）をもたらす可能性がある。更に、ＣＮＴペリクルは非常に優れた機械的安定性も提供するため、機械的故障に対して堅牢なままでありながら、小さな厚さで製造することができる。しかしながら、通常、リソグラフィ装置内には低圧の水素ガスが供給され、（露光中）ＥＵＶ放射の存在下で水素プラズマが形成される。水素プラズマからの水素イオン及び水素フリーラジカルが、ＣＮＴから形成されたペリクルをエッチングし、ペリクルの潜在的な寿命を制限し、ＣＮＴペリクルの商業的実装を妨げる可能性があることが分かっている。
【0015】
[00015] そのようなＣＮＴペリクルのエッチングを軽減するために、そのようなＣＮＴペリクルに保護用のキャッピング層を設けることがこれまでに提案されている。そのようなキャッピング層は、リソグラフィ装置の環境において化学的に安定しており、ＥＵＶ放射に対する消衰係数が低い材料から形成されることがある。
【0016】
[00016] しかしながら、炭素と適切なキャッピング層の屈折率の差は、通常、炭素と真空の屈折率の差よりも大きい。したがって、本発明者らは、そのようなキャッピング層が望ましくないＥＵＶフレアの増大をもたらすことになることに気付いた。少なくとも１つの二次元材料層を多孔質膜に塗布し、その後、（第１の態様による方法によって特定されるように）キャッピング層を少なくとも１つの二次元材料層に塗布することは、これより考察するように特に有利である。
【0017】
[00017] 多孔質材料が構造を有することになるため、多孔質材料と周囲の媒体の屈折率に大きな差異がある場合、放射（例えばＥＵＶ放射）がペリクルを通って伝播するときに、放射は（例えば、ミー散乱を介して）散乱されることになることが理解されよう。これは放射の望ましくない拡散又はフレアを引き起こし、リソグラフィ装置の結像性能に再び影響を与えることになる。ＥＵＶ放射はほとんどの材料によって非常に強く吸収されるため、ＥＵＶリソグラフィシステムは通常、高真空で運転される。したがって、多孔質材料が、１に近い屈折率を有する材料から形成されることが特に望ましい場合がある。また、多孔質材料が、ＥＵＶ放射に対する消衰係数ができるだけ低い材料から形成されることが望ましい場合がある。
【0018】
[00018] 第１の態様による方法の少なくとも１つの二次元材料層は、多孔質膜の隣接面を閉じ、ペリクルのより滑らかで平坦な外面を形成する働きをする。これにより、キャッピング層をより滑らかで平坦な外面上に設けることが可能になる。有利には、これにより、キャッピング層に使用される材料に関係なく、ＥＵＶフレアを低減しながら、多孔質膜をエッチングから保護することができる。更に、二次元材料の表面は、多孔質材料の表面よりも大幅に滑らかで平坦であることに加えて、より小さな表面積を有することになる。結果として、（比較的薄い）キャッピング層が多孔質材料上に直接ではなく二次元材料上に設けられるとき、キャッピング層の体積が減少する。有利には、これにより、キャッピング層が同じ厚さであっても、ペリクルのＥＵＶ透過率が高くなる。
【0019】
[00019] ＣＮＴ膜内において、カーボンナノチューブは分かれている場合があるか、代替的に、それらはまとまって束になることがある。更に、そのような束のサイズは異なる場合がある。発明者らは、キャッピング層がＣＮＴ膜に直接塗布される場合に、キャッピング層によるＥＵＶ透過率の損失がＣＮＴ膜内の束化の程度に強く依存することが分かった。例えば、膜内のＣＮＴの密度が一定の場合、１束当たりのＣＮＴの数が少なければ少ないほど、ＥＵＶ透過率の損失は大きくなる。有利には、第１の態様による方法を用いることによって、キャッピング層が（多孔質膜ではなく）少なくとも１つの二次元材料層に塗布されるため、ＥＵＶ透過率の損失は、もはや多孔質膜内の構造の典型的なサイズ（例えば、ＣＮＴ膜の場合は束の数）に依存しない。実際、これを二次元の平坦な層に塗布することによって、所与の厚さのキャッピング層について、ＥＵＶ透過率の損失は最小限に抑えられる。
【0020】
[00020] 最後に、第１の態様による方法を用いて形成されたペリクルの少なくとも１つの二次元材料層は多孔質層の構造を閉じる。有利には、これにより、そのような二次元材料層がないＣＮＴペリクルよりも高い粒子阻止能が得られる。
【0021】
[00021] 多孔質膜の少なくとも１つの面への少なくとも１つの二次元材料層の塗布は、湿式転写プロセスを用いて達成されることがある。
【0022】
[00022] そのような湿式転写プロセスは当技術分野で知られている。一般に、湿式転写プロセスは、第１の基板（例えば、銅基板）上での二次元材料（例えば、グラフェンフィルム）の成長を含む。続いて、二次元材料の他方の面上に接着層を形成する。接着層は、例えば、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などのポリマーを含むことがある。続いて、第１の基板を、例えば選択的エッチングによって除去する。例えば、銅を含む第１の基板を、過硫酸アンモニウムを使用して除去することがある。任意選択で、接着層及び二次元材料を（例えば水で）すすぐことがある。続いて、多孔質膜のある面に二次元材料を塗布する。最後に、接着層を、例えば選択的エッチングによって除去する。
【0023】
[00023] 少なくとも１つの二次元材料層を多孔質膜の少なくとも１つの面に塗布することは、支持基板上に少なくとも１つの二次元材料層を設けること、少なくとも１つの二次元材料層を多孔質膜のある面に押し付けること、及び支持基板を除去することを含むことがある。
【0024】
[00024] 支持基板は、その表面に犠牲層を備えることがある。少なくとも１つの二次元材料層は、犠牲層上に設けられることがある。支持基板を除去することは、犠牲層をエッチングして支持基板を除去することを含むことがある。
【0025】
[00025] 多孔質膜はナノ構造を含むことがある。
【0026】
[00026] 多孔質膜はナノチューブを含むことがある。
【0027】
[00027] 例えば、多孔質膜は、ＣＮＴから形成された織物である場合がある。これは、カーボンナノチューブ膜（ＣＮＴｍ）と呼ばれることがある。
【0028】
[00028] 多孔質膜は実質的に自立式である場合がある。
【0029】
[00029] 使用中、ペリクルが、レチクル又はマスクに取り付けられるペリクルフレームによってその周辺部で支持されることになることが理解されるであろう。本明細書で使用するとき、多孔質膜が実質的に自立式であるとは、多孔質膜が自重を支えることを意味するものとする。つまり、少なくとも１つの二次元材料層及びキャッピング層以外に、多孔質膜を支持する多孔質膜に隣接する追加の膜は存在しない。
【0030】
[00030] 一部の実施形態では、多孔質膜はペリクルの厚さの大部分を構成するものと考えられることがある。
【0031】
[00031] その又は各少なくとも１つの二次元材料層は、多孔質膜の少なくとも１つの面に隣接する実質的に連続した層として塗布されることがある。
【0032】
[00032] 二次元材料はグラフェンを含むことがある。
【0033】
[00033] 一部の実施形態では、多孔質膜の片面又は両面に隣接して３つのグラフェン層が設けられることがある。
【0034】
[00034] 一実施形態では、多孔質膜はカーボンナノチューブ膜である場合があり、二次元材料はグラフェンを含む。グラフェンを二次元材料として使用する１つの利点は、ペリクルがこれまでに炭素から形成されており、この環境における炭素の特性が既知であることである。例えば、グラフェンなどの別の炭素ベースの材料を使用することによって、（他の材料から生じ得る）ＥＵＶ反射の大幅な増加が回避されることがある。更に、他の材料は、リソグラフィ装置内での水素エッチングに対する感受性が増大することがある。
【0035】
[00035] 二次元材料は六方晶窒化ホウ素（ｈ－ＢＮ）を含むことがある。
【0036】
[00036] 二次元材料は二硫化モリブデン（ＭｏＳ２）を含むことがある。
【0037】
[00037] 有利には、これらの材料（ｈ－ＢＮ及びＭｏＳ２）は水素エッチングに強く、したがって、二次元材料が六方晶窒化ホウ素（ｈ－ＢＮ）及び／又は二硫化モリブデン（ＭｏＳ２）を含む実施形態では、厚さがより小さいキャッピング層が塗布されることがある。
【0038】
[00038] 一部の実施形態では、少なくとも１つの二次元材料層が多孔質膜の両面に塗布されることがあり、キャッピング層が、少なくとも１つの二次元材料層がキャッピング層と多孔質膜との間に配置されるようにペリクルの各側に塗布されることがある。
【0039】
[00039] 多孔質膜の異なる面に異なるタイプの二次元材料が設けられ得ることが理解されるであろう。
【0040】
[00040] その又は各キャッピング層は三次元材料である場合がある。
【0041】
[00041] 有利には、三次元材料は二次元材料よりも製造が著しく容易である。以上で考察したように、二次元材料は多孔質膜の構造を効果的に閉じる。これにより、以上で考察したように、第２の態様によるペリクルの利点を享受しながら、三次元材料をキャッピング層に使用することが可能になる。
【0042】
[00042] その又は各キャッピング層の全ＥＵＶ透過率が９６％以上である場合がある。
【0043】
[00043] 特に明記しない限り、本明細書では、キャッピング層の全ＥＵＶ透過率が、ペリクルを通って伝播した後に透過されるＥＵＶ放射の割合を意味するものとすることが理解されるであろう。キャッピング層がペリクルの各側に設けられる実施形態では、キャッピング層の全ＥＵＶ透過率は両側からの全透過率を意味する。
【0044】
[00044] 一部の実施形態では、少なくとも１つのキャッピング層の全ＥＵＶ透過率は９６．５％以上である場合がある。一部の実施形態では、少なくとも１つのキャッピング層の全ＥＵＶ透過率は９７％以上である場合がある。一部の実施形態では、少なくとも１つのキャッピング層の全ＥＵＶ透過率は９７．５％以上である場合がある。一部の実施形態では、少なくとも１つのキャッピング層の全ＥＵＶ透過率は９７．８％程度である場合がある。
【0045】
[00045] キャッピング層のＥＵＶ透過率が、一般に、（ａ）キャッピング層を形成する材料のタイプ、及び（ｂ）キャッピング層の厚さに依存することが理解されるであろう。キャッピング層のＥＵＶ透過率が、一般に、キャッピング層の密度又は空隙率にも依存することが理解されるであろう。例示的な材料については以下で考察する。
【0046】
[00046] 少なくとも１つのキャッピング層は、多孔質層及び少なくとも１つの二次元材料層を水素エッチングから保護するのに適している場合がある。
【0047】
[00047] 他の２つの層を水素エッチングから保護するのに適するように、キャッピング層が、（ａ）水素により強くエッチングされない適切な材料から形成され得ること、及び（ｂ）適切な厚さを有し得ることが理解されるであろう。例示的な材料については以下で考察する。
【0048】
[00048] 少なくとも１つのキャッピング層は、ＥＵＶ放射に対する消衰係数が０．０２ｎｍ－１未満の材料から形成されることがある。
【0049】
[00049] ＥＵＶ放射のペリクルによる吸収を最小限に抑えることが望ましい。そのため、一般的には、キャッピング層をＥＵＶ放射に対する消衰係数が最小限の材料から形成することが望ましい。
【0050】
[00050] 一部の実施形態では、キャッピング層は、ＥＵＶ放射に対する消衰係数が０．０１ｎｍ－１未満の材料から形成される。一部の実施形態では、キャッピング層は、ＥＵＶ放射に対する消衰係数が０．００５ｎｍ－１未満の材料から形成される。
【0051】
[00051] キャッピング層は０．３から５ｎｍ程度の厚さを有することがある。
【0052】
[00052] キャッピング層はイットリウム又は酸化イットリウムを含むことがある。
【0053】
[00053] イットリウムは、ＥＵＶ放射に対する消衰係数が０．００２１ｎｍ－１程度である。酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）は、ＥＵＶ放射に対する消衰係数が０．０１ｎｍ－１程度である。
【0054】
[00054] キャッピング層は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）、アルミニウム（Ａｌ）又はジルコニウム（Ｚｒ）のうちのいずれかを含むことがある。
【0055】
[00055] 方法は更に、多孔質膜の周辺部にペリクル境界を取り付けることを含むことがある。
【0056】
[00056] ペリクル境界は、少なくとも１つの二次元材料層が多孔質膜の少なくとも１つの面に塗布される前に多孔質膜の周辺部に取り付けられることがある。
【0057】
[00057] 本開示の第２の態様によれば、リソグラフィ装置で使用するためのペリクルであって、第１の材料から形成された多孔質膜と、多孔質膜の少なくとも１つの面に隣接する少なくとも１つの二次元材料層と、少なくとも１つの二次元材料層に隣接する少なくとも１つのキャッピング層であって、少なくとも１つの二次元材料層がその又は各キャッピング層と多孔質膜との間に配置される少なくとも１つのキャッピング層とを備えたペリクルが提供される。
【0058】
[00058] 本開示の第２の態様によるペリクルは、本開示の第１の態様による方法を用いて形成されることがある。本開示の第２の態様によるペリクルは、本開示の第１の態様による方法のいずれかの特徴から生じ得るいずれかの特徴を有することがある。
【0059】
[00059] ペリクルは、ＥＵＶリソグラフィ装置内でレチクルに隣接して使用するのに適している場合がある。使用中、そのような（反射型）レチクルは、例えば照明システムからのＥＵＶ放射で照明される。レチクルが照明システムから受けた放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成するように構成されることが理解されるであろう。投影システムが、（反射された）パターン付き放射ビームを収集し、基板（例えばレジストコートシリコンウェーハ）上にレチクルの（回折限界）像を形成する。レチクル上に汚染があると、一般には基板上に形成される像が変わり、印刷エラーが発生することになる。
【0060】
[00060] レチクルの粒子汚染を避けるために、レチクルを保護するためのペリクルと呼ばれる薄い膜を使用することが知られている。ペリクルはレチクルの前に配置され、粒子がレチクルに付着するのを防ぐ。ペリクルは、投影システムによって鮮明に結像されないため、ペリクル上の粒子が結像プロセスを妨げないように配置される。ペリクルは、レチクルに粒子が当たって許容できない印刷エラーが発生するのを防ぐのに十分な厚さである一方、ペリクルによるＥＵＶ放射の吸収を減らすためにできるだけ薄いことが望ましい。
【0061】
[00061] 第２の態様によるペリクルは、これより考察するように特に有利である。
【0062】
[00062] 本明細書で使用される多孔質膜が、例えばナノチューブ膜などの開口構造を有する材料を意味するものとすることが理解されよう。本明細書で使用される二次元材料が、例えばグラフェンなどの１つ以上の単一原子層から形成される材料を意味するものとすることが理解されよう。少なくとも１つの二次元材料層は、多孔質膜の隣接面を閉じる働きをする。
【0063】
[00063] 第２の態様によるペリクルは、ペリクルの大部分が多孔質材料から形成されることを可能にする。有利には、これにより密度が小さい、ひいては極端紫外（ＥＵＶ）放射の透過率が大きいペリクルがもたらされる可能性がある。これはＥＵＶリソグラフィシステムにとって特に重要であり、システムのスループットを向上させる。
【0064】
[00064] 多孔質材料が構造を有することになるため、多孔質材料と周囲の媒体の屈折率に大きな差異がある場合、放射（例えばＥＵＶ放射）がペリクルを通って伝播するときに、放射は（例えば、ミー散乱を介して）散乱されることになることが理解されよう。これは放射の望ましくない拡散又はフレアを引き起こし、リソグラフィ装置の結像性能に再び影響を与えることになる。ＥＵＶ放射はほとんどの材料によって非常に強く吸収されるため、ＥＵＶリソグラフィシステムは通常、高真空で運転される。したがって、多孔質材料が、１に近い屈折率を有する材料から形成されることが特に望ましい場合がある。また、多孔質材料が、ＥＵＶ放射に対する消衰係数ができるだけ低い材料から形成されることが望ましい場合がある。
【0065】
[00065] ＥＵＶリソグラフィ装置においてペリクル膜として使用するための特に有望な材料の１つは、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）から形成される織物又は膜である。そのようなＣＮＴペリクルは多孔質材料であるため、非常に高いＥＵＶ透過率（＞９８％）をもたらす可能性がある。更に、ＣＮＴペリクルは非常に優れた機械的安定性も提供するため、機械的故障に対して堅牢なままでありながら、小さな厚さで製造することができる。しかしながら、通常、リソグラフィ装置内には低圧の水素ガスが供給され、（露光中）ＥＵＶ放射の存在下で水素プラズマが形成される。水素プラズマからの水素イオン及び水素フリーラジカルが、ＣＮＴから形成されたペリクルをエッチングし、ペリクルの潜在的な寿命を制限し、ＣＮＴペリクルの商業的実装を妨げる可能性があることが分かっている。
【0066】
[00066] そのようなＣＮＴペリクルのエッチングを軽減するために、そのようなＣＮＴペリクルに保護用のキャッピング層を設けることがこれまでに提案されている。しかしながら、炭素と適切なキャッピング層の屈折率の差は、通常、炭素と真空の屈折率の差よりも大きい。したがって、そのようなキャッピング層は、望ましくないＥＵＶフレアの増加をもたらすことになる。第２の態様によるペリクルの少なくとも１つの二次元材料層は、多孔質膜の隣接面を閉じ、ペリクルのより滑らかで平坦な外面を形成する働きをする。これにより、キャッピング層をより滑らかで平坦な外面上に設けることが可能になる。有利には、これにより、キャッピング層に使用される材料に関係なく、ＥＵＶフレアを低減しながら、多孔質膜をエッチングから保護することができる。更に、二次元材料の表面は、多孔質材料の表面よりも大幅に滑らかで平坦であることに加えて、より小さな表面積を有することになる。結果として、（比較的薄い）キャッピング層が多孔質材料上に直接ではなく二次元材料上に設けられるとき、キャッピング層の体積が減少する。有利には、これにより、キャッピング層が同じ厚さであっても、ペリクルのＥＵＶ透過率が高くなる。
【0067】
[00067] ＣＮＴ膜内において、カーボンナノチューブは分かれている場合があるか、代替的に、それらはまとまって束になることがある。更に、そのような束のサイズは異なる場合がある。発明者らは、キャッピング層がＣＮＴ膜に直接塗布される場合に、キャッピング層によるＥＵＶ透過率の損失がＣＮＴ膜内の束化の程度に強く依存することが分かった。例えば、膜内のＣＮＴの密度が一定の場合、１束当たりのＣＮＴの数が少なければ少ないほど、ＥＵＶ透過率の損失は大きくなる。有利には、第２の態様によるペリクルによって、キャッピング層が（多孔質膜ではなく）少なくとも１つの二次元材料層に塗布されるため、ＥＵＶ透過率の損失は、もはや多孔質膜内の構造の典型的なサイズ（例えば、ＣＮＴ膜の場合は束の数）に依存しない。実際、これを二次元の平坦な層に塗布することによって、所与の厚さのキャッピング層について、ＥＵＶ透過率の損失は最小限に抑えられる。
【0068】
[00068] 最後に、第２の態様によるペリクルの少なくとも１つの二次元材料層は多孔質層の構造を閉じる。有利には、これにより、そのような二次元材料層がないＣＮＴペリクルよりも高い粒子阻止能が得られる。
【0069】
[00069] 多孔質膜はナノ構造を含むことがある。
【0070】
[00070] 多孔質膜はナノチューブを含むことがある。
【0071】
[00071] 例えば、多孔質膜は、ＣＮＴから形成された織物である場合がある。これは、カーボンナノチューブ膜と呼ばれることがある。
【0072】
[00072] 多孔質膜は実質的に自立式である場合がある。
【0073】
[00073] 使用中、ペリクルが、レチクル又はマスクに取り付けられるペリクルフレームによってその周辺部で支持されることになることが理解されるであろう。本明細書で使用するとき、多孔質膜が実質的に自立式であるとは、多孔質膜が自重を支えることを意味するものとする。つまり、少なくとも１つの二次元材料層以外に、多孔質膜を支持する多孔質膜に隣接する追加の膜は存在しない。
【0074】
[00074] 多孔質膜は、ペリクルの厚さの大部分を構成するものと考えられることがある。
【0075】
[00075] その又は各少なくとも１つの二次元材料層は、多孔質膜の少なくとも１つの面に隣接する実質的に連続した層を構成することがある。
【0076】
[00076] 二次元材料はグラフェンを含むことがある。
【0077】
[00077] 一部の実施形態では、多孔質膜の片面又は両面に隣接して３つのグラフェン層が設けられることがある。
【0078】
[00078] 一実施形態では、多孔質膜はカーボンナノチューブ膜である場合があり、二次元材料はグラフェンを含む。グラフェンを二次元材料として使用する１つの利点は、ペリクルがこれまでに炭素から形成されており、この環境における炭素の特性が既知であることである。例えば、グラフェンなどの別の炭素ベースの材料を使用することによって、（他の材料から生じ得る）ＥＵＶ反射の大幅な増加が回避されることがある。更に、他の材料は、リソグラフィ装置内での水素エッチングに対する感受性が増大することがある。
【0079】
[00079] 二次元材料は六方晶窒化ホウ素（ｈ－ＢＮ）を含むことがある。
【0080】
[00080] 二次元材料は二硫化モリブデン（ＭｏＳ２）を含むことがある。
【0081】
[00081] 有利には、これらの材料（ｈ－ＢＮ及びＭｏＳ２）は水素エッチングに強く、したがって、二次元材料が六方晶窒化ホウ素（ｈ－ＢＮ）及び／又は二硫化モリブデン（ＭｏＳ２）を含む実施形態では、厚さがより小さいキャッピング層が塗布されることがある。
【0082】
[00082] 一部の実施形態では、少なくとも１つの二次元材料層が多孔質膜の両面に隣接して設けられることがあり、キャッピング層が、少なくとも１つの二次元材料層がキャッピング層と多孔質膜との間に配置されるようにペリクルの各側に設けられることがある。
【0083】
[00083] 多孔質膜の異なる面に異なるタイプの二次元材料が設けられ得ることが理解されるであろう。
【0084】
[00084] その又は各キャッピング層は三次元材料である場合がある。
【0085】
[00085] 有利には、三次元材料は二次元材料よりも製造が著しく容易である。以上で考察したように、二次元材料は多孔質膜の構造を効果的に閉じる。これにより、以上で考察したように、第２の態様によるペリクルの利点を享受しながら、三次元材料をキャッピング層に使用することが可能になる。
【0086】
[00086] その又は各キャッピング層の全ＥＵＶ透過率が９６％以上である場合がある。
【0087】
[00087] 特に明記しない限り、本明細書では、キャッピング層の全ＥＵＶ透過率が、ペリクルを通って伝播した後に透過されるＥＵＶ放射の割合を意味するものとすることが理解されるであろう。キャッピング層がペリクルの各側に設けられる実施形態では、キャッピング層の全ＥＵＶ透過率は両側からの全透過率を意味する。
【0088】
[00088] 一部の実施形態では、少なくとも１つのキャッピング層の全ＥＵＶ透過率は９６．５％以上である場合がある。一部の実施形態では、少なくとも１つのキャッピング層の全ＥＵＶ透過率は９７％以上である場合がある。一部の実施形態では、少なくとも１つのキャッピング層の全ＥＵＶ透過率は９７．５％以上である場合がある。一部の実施形態では、少なくとも１つのキャッピング層の全ＥＵＶ透過率は９７．８％程度である場合がある。
【0089】
[00089] キャッピング層のＥＵＶ透過率が、一般に、（ａ）キャッピング層を形成する材料のタイプ、及び（ｂ）キャッピング層の厚さに依存することが理解されるであろう。キャッピング層のＥＵＶ透過率が、一般に、キャッピング層の密度又は空隙率にも依存することが理解されるであろう。例示的な材料については以下で考察する。
【0090】
[00090] 少なくとも１つのキャッピング層は、多孔質層及び少なくとも１つの二次元材料層を水素エッチングから保護するのに適している場合がある。
【0091】
[00091] 他の２つの層を水素エッチングから保護するのに適するように、キャッピング層が、（ａ）水素により強くエッチングされない適切な材料から形成され得ること、及び（ｂ）適切な厚さを有し得ることが理解されるであろう。例示的な材料については以下で考察する。
【0092】
[00092] 少なくとも１つのキャッピング層は、ＥＵＶ放射に対する消衰係数が０．０２ｎｍ－１未満の材料から形成されることがある。
【0093】
[00093] ＥＵＶ放射のペリクルによる吸収を最小限に抑えることが望ましい。そのため、一般的には、キャッピング層をＥＵＶ放射に対する消衰係数が最小限の材料から形成することが望ましい。
【0094】
[00094] 一部の実施形態では、キャッピング層は、ＥＵＶ放射に対する消衰係数が０．０１ｎｍ－１未満の材料から形成される。一部の実施形態では、キャッピング層は、ＥＵＶ放射に対する消衰係数が０．００５ｎｍ－１未満の材料から形成される。
【0095】
[00095] キャッピング層は０．３から５ｎｍ程度の厚さを有することがある。
【0096】
[00096] キャッピング層はイットリウム又は酸化イットリウムを含むことがある。
【0097】
[00097] イットリウムは、ＥＵＶ放射に対する消衰係数が０．００２１ｎｍ－１程度である。酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）は、ＥＵＶ放射に対する消衰係数が０．０１ｎｍ－１程度である。
【0098】
[00098] キャッピング層は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）、アルミニウム（Ａｌ）又はジルコニウム（Ｚｒ）のうちのいずれかを含むことがある。
【0099】
[00099] キャッピング層は、様々な材料から形成された複数の副層を含むことがある。
【0100】
[000100] ペリクルは更に、多孔質膜の周辺部にペリクル境界を備えることがある。
【0101】
[000101] 本開示の第３の態様によれば、放射ビームを使用して基板上にパターニングデバイスの像を形成するように動作可能なリソグラフィ装置であって、放射ビームの経路内に配置された膜を備え、膜が、第１の材料から形成された多孔質膜と、多孔質膜の少なくとも１つの面に隣接する少なくとも１つの二次元材料層と、少なくとも１つの二次元材料層に隣接する少なくとも１つのキャッピング層であって、少なくとも１つの二次元材料層がその又は各キャッピング層と多孔質膜との間に配置される少なくとも１つのキャッピング層とを備えたリソグラフィ装置が提供される。
【0102】
[000102] 第３の態様による膜が、第２の態様によるペリクルと実質的に同じであることが理解されるであろう。更に、第３の態様による膜もリソグラフィ装置内で透過膜を構成するため、上述のように、第２の態様によるペリクルと同じ理由で有利である。
【0103】
[000103] 本開示の第３の態様によるリソグラフィ装置内の放射ビームの経路内に配置された膜は、本開示の第１の態様による方法を用いて形成されることがある。本開示の第３の態様によるリソグラフィ装置内の放射ビームの経路内に配置された膜は、本開示の第１の態様による方法のいずれかの特徴から生じ得るいずれかの特徴を有することがある。同様に、本開示の第３の態様によるリソグラフィ装置内の放射ビームの経路内に配置された膜は、本開示の第２の態様によるペリクルのいずれかの特徴を有することがある。
【0104】
[000104] 膜は動的ガスロックの一部を構成することがある。
【0105】
[000105] そのような動的ガスロックは、例えば、放射ビームがリソグラフィ装置の投影システムから基板テーブル上に支持された基板に通過するための開口部の近くに形成されることがある。
【0106】
[000106] 代替的に、膜はスペクトルフィルタの一部を構成することがある。
【0107】
[000107] そのようなスペクトルフィルタは、リソグラフィ装置内の任意の都合の良い又は適切な位置に設けられることがある。スペクトルフィルタは、基板テーブル上に支持された基板に帯域外放射が入射するのを回避するか、又は少なくとも抑制するように構成されることがある。
【0108】
[000108] 第３の態様による膜は、これより考察するように、上述の第２の態様によるペリクルの特徴のいずれかを有することがある。
【0109】
[000109] 多孔質膜はナノ構造を含むことがある。
【0110】
[000110] 多孔質膜はナノチューブを含むことがある。
【0111】
[000111] 例えば、多孔質膜は、ＣＮＴから形成された織物である場合がある。これは、カーボンナノチューブ膜と呼ばれることがある。
【0112】
[000112] 多孔質膜は実質的に自立式である場合がある。
【0113】
[000113] 使用中、膜が支持フレームによってその周辺部で支持されることになることが理解されるであろう。本明細書で使用するとき、多孔質膜が実質的に自立式であるとは、多孔質膜が自重を支えることを意味するものとする。つまり、少なくとも１つの二次元材料層以外に、多孔質膜を支持する多孔質膜に隣接する追加の膜は存在しない。
【0114】
[000114] 多孔質膜は、膜の厚さの大部分を構成するものと考えられることがある。
【0115】
[000115] その又は各少なくとも１つの二次元材料層は、多孔質膜の少なくとも１つの面に隣接する実質的に連続した層を構成することがある。
【0116】
[000116] 二次元材料はグラフェンを含むことがある。
【0117】
[000117] 一部の実施形態では、多孔質膜の片面又は両面に隣接して３つのグラフェン層が設けられることがある。
【0118】
[000118] 一実施形態では、多孔質膜はカーボンナノチューブ膜である場合があり、二次元材料はグラフェンを含む。グラフェンを二次元材料として使用する１つの利点は、ペリクルがこれまでに炭素から形成されており、この環境における炭素の特性が既知であることである。例えば、グラフェンなどの別の炭素ベースの材料を使用することによって、（他の材料から生じ得る）ＥＵＶ反射の大幅な増加が回避されることがある。更に、他の材料は、リソグラフィ装置内での水素エッチングに対する感受性が増大することがある。
【0119】
[000119] 二次元材料は六方晶窒化ホウ素（ｈ－ＢＮ）を含むことがある。
【0120】
[000120] 二次元材料は二硫化モリブデン（ＭｏＳ２）を含むことがある。
【0121】
[000121] 有利には、これらの材料（ｈ－ＢＮ及びＭｏＳ２）は水素エッチングに強く、したがって、二次元材料が六方晶窒化ホウ素（ｈ－ＢＮ）及び／又は二硫化モリブデン（ＭｏＳ２）を含む実施形態では、厚さがより小さいキャッピング層が塗布されることがある。
【0122】
[000122] 一部の実施形態では、少なくとも１つの二次元材料層が多孔質膜の両面に隣接して設けられることがあり、キャッピング層が、少なくとも１つの二次元材料層がキャッピング層と多孔質膜との間に配置されるように膜の各側に設けられることがある。
【0123】
[000123] 多孔質膜の異なる面に異なるタイプの二次元材料が設けられ得ることが理解されるであろう。
【0124】
[000124] その又は各キャッピング層は三次元材料である場合がある。
【0125】
[000125] 有利には、三次元材料は二次元材料よりも製造が著しく容易である。以上で考察したように、二次元材料は多孔質膜の構造を効果的に閉じる。これにより、以上で考察したように、第２の態様によるペリクルの利点を享受しながら、三次元材料をキャッピング層に使用することが可能になる。
【0126】
[000126] 少なくとも１つのキャッピング層は、多孔質層及び少なくとも１つの二次元材料層を水素エッチングから保護するのに適している場合がある。
【0127】
[000127] 他の２つの層を水素エッチングから保護するのに適するように、キャッピング層が、（ａ）水素により強くエッチングされない適切な材料から形成され得ること、及び（ｂ）適切な厚さを有し得ることが理解されるであろう。例示的な材料については以下で考察する。
【0128】
[000128] 少なくとも１つのキャッピング層は、ＥＵＶ放射に対する消衰係数が０．０２ｎｍ－１未満の材料から形成されることがある。
【0129】
[000129] ＥＵＶ放射の膜による吸収を最小限に抑えることが望ましい。そのため、一般的には、キャッピング層をＥＵＶ放射に対する消衰係数が最小限の材料から形成することが望ましい。
【0130】
[000130] 一部の実施形態では、キャッピング層は、ＥＵＶ放射に対する消衰係数が０．０１ｎｍ－１未満の材料から形成される。一部の実施形態では、キャッピング層は、ＥＵＶ放射に対する消衰係数が０．００５ｎｍ－１未満の材料から形成される。
【0131】
[000131] キャッピング層は０．３から５ｎｍ程度の厚さを有することがある。
【0132】
[000132] キャッピング層はイットリウム又は酸化イットリウムを含むことがある。
【0133】
[000133] キャッピング層は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）、アルミニウム（Ａｌ）又はジルコニウム（Ｚｒ）のうちのいずれかを含むことがある。
【0134】
[000134] キャッピング層は、様々な材料から形成された複数の副層を含むことがある。
【0135】
[000135] リソグラフィ装置は更に、多孔質膜の周辺部に膜境界を備えることがある。
【0136】
[000136] 本開示の第４の態様によれば、リソグラフィ装置で使用するためのペリクルであって、膜と、膜の周辺部かつ第１の面にある境界と、膜の周辺部かつ第２の面にある保護部とを備えたペリクルが提供される。
【0137】
[000137] ペリクルは、ＥＵＶリソグラフィ装置内でレチクルに隣接して使用するのに適している場合がある。第４の態様によるペリクルは、これより考察するように特に有利である。
【0138】
[000138] 以上で考察したように、リソグラフィ装置内に低圧水素ガスが存在することにより、ペリクルがエッチングされ、ペリクルの潜在的な寿命が制限される可能性がある。そのようなペリクルのエッチングを軽減するために、ペリクルに保護用のキャッピング層を設けることがこれまでに提案されている。しかしながら、ＥＵＶ放射のペリクルによる吸収を最小限に抑えることが望ましいため、そのようなキャッピング層の材料及び厚さは一般的にかなり制限される。
【0139】
[000139] 本発明の発明者らは、水素イオン及びフリーラジカルによる炭素のエッチングが温度に依存することに気付いた。特に、本発明者らは、炭素エッチング速度が低温及び中温ではより高いが、十分に高い温度では無視できるレベルまで低下することに気付いた。発明者らはまた、ＥＵＶリソグラフィスキャナ内のペリクルの中心部が、（少なくとも一部の時間）水素エッチングが無視できるほど十分に高い温度に達し得るが、ペリクルの周辺部が通常、この温度より低いままであり、したがって、水素エッチングの影響を受けやすくなることにも気付いた。
【0140】
[000140] 有利には、第４の態様によるペリクルは、膜の（ａ）最も水素エッチングのリスクにさらされており、（ｂ）使用時にＥＵＶ放射を受けない部分（前面）に追加の保護部を設ける。これにより、リソグラフィ装置の性能に影響を与えることなく、ペリクルの寿命を延ばすことができる。
【0141】
[000141] 保護部は、膜の使用時にＥＵＶ放射を受けない部分に設けられることがある。
【0142】
[000142] 保護部は、膜の境界と一致する部分に設けられることがある。
【0143】
[000143] つまり、保護部は境界と重なる（ただし、ペリクルの反対側に設けられる）。
【0144】
[000144] 保護部は、膜の境界と一致しない部分内に部分的に延在することがある。
【0145】
[000145] つまり、保護部は、膜の境界に取り付けられていない領域上に部分的に内側に延在することもある。
【0146】
[000146] 保護部は、膜の大部分と同じ材料から形成されることがある。
【0147】
[000147] そのような実施形態では、保護部はバルク材料（例えば、ＣＮＴ膜）の厚さが増した部分である場合があり、これは水素によってエッチングされる厚さが増した犠牲部として機能することがある。
【0148】
[000148] 付加的に又は代替的に、保護部は、膜のそれが取り付けられる部分を水素エッチングから保護するのに適した材料を含むことがある。
【0149】
[000149] そのような実施形態では、保護部はキャッピング材料を含む。保護部には、（膜の中央部と比較して）そのようなキャッピング材料がより厚めに供給され得ることが理解されるであろう。
【0150】
[000150] 膜は、ナノチューブ、グラフェン及び／又は非晶質炭素を含むことがある。
【0151】
[000151] 例えば、膜は、ＣＮＴから形成された織物である場合がある。これは、カーボンナノチューブ膜と呼ばれることがある。これは、ＥＵＶリソグラフィ装置のペリクル膜として使用するのに特に有望な材料である。そのようなＣＮＴペリクルは多孔質材料であるため、非常に高いＥＵＶ透過率（＞９８％）をもたらす可能性がある。更に、ＣＮＴペリクルは非常に優れた機械的安定性も提供するため、機械的故障に対して堅牢なままでありながら、小さな厚さで製造することができる。
【0152】
[000152] ペリクルは更に、膜の少なくとも１つの表面をコーティングするキャッピング材料を含むことがある。
【0153】
[000153] キャッピング材料は、次の材料のうちのいずれかを単独で又は組み合わせて含むことがある：イットリウム（Ｙ）、酸化イットリウム（ＹａＯｂ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）、アルミニウム（Ａｌ）又はジルコニウム（Ｚｒ）。キャッピング材料は、様々な材料から形成された複数の副層を含むことがある。
【0154】
[000154] 本開示の第２及び第４の態様を組み合わせ得ることが理解されるであろう。
【0155】
[000155] 具体的には、第４の態様によるペリクルの膜は、第１の材料から形成された多孔質膜と、多孔質膜の少なくとも１つの面に隣接する少なくとも１つの二次元材料層と、少なくとも１つの二次元材料層に隣接する少なくとも１つのキャッピング層であって、少なくとも１つの二次元材料層がその又は各キャッピング層と多孔質膜との間に配置される少なくとも１つのキャッピング層とを含むことがある。
【0156】
[000156] 上述した、又は以下の説明で参照される１つ以上の態様又は特徴が、１つ以上の他の態様又は特徴と組み合わせられ得ることが理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0157】
[000157] 本発明の実施形態を、添付の概略図を参照して、単なる例示として以下に説明する。
【0158】
【図1】リソグラフィ装置及び放射源を備えるリソグラフィシステムの概略図である。
【図2】本開示の実施形態によるペリクルを形成する方法の概略図である。
【図4】ＣＮＴ膜の両面にグラフェンフィルムを塗布する方法の概略図である。
【図5】本開示の実施形態によるペリクルの概略断面図を示す。
【図6】４つの異なるイオンエネルギー、すなわち５ｅＶ、１０ｅＶ、２０ｅＶ及び３０ｅＶの１．５・１０１９ｍ－２・ｓ－１の水素イオンフラックスについての炭素の水素エッチングの予想エッチング速度を温度の関数として、同様にｓｐ３炭素濃度を温度の関数として示す。
【発明を実施するための形態】
【0159】
[000158] 図１はリソグラフィシステムを示している。リソグラフィシステムは、放射源ＳＯ及びリソグラフィ装置ＬＡを備える。放射源ＳＯは、極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビームＢを生成するように構成される。リソグラフィ装置ＬＡは、照明システムＩＬと、パターニングデバイスＭＡ（例えば、レチクル又はマスク）を備えるレチクルアセンブリ１５を支持するように構成された支持構造ＭＴと、投影システムＰＳと、基板Ｗを支持するように構成された基板テーブルＷＴとを備える。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡに入射する前に放射ビームＢを調整するように構成される。投影システムは、放射ビームＢ（今やパターニングデバイスＭＡによりパターン付与されている）を基板Ｗに投影するように構成される。基板Ｗは先に形成されたパターンを含むことがある。この場合、リソグラフィ装置は、パターン付き放射ビームＢを先に基板Ｗ上に形成されたパターンと位置合わせする。
【0160】
[000159] 放射源ＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳはすべて、外部環境から隔離できるように構築及び配置されることがある。大気圧より低い圧力のガス（例えば、水素）が放射源ＳＯ内に供給されることがある。照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳ内に真空が設けられることがある。大気圧よりかなり低い圧力の少量のガス（例えば、水素）が、照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳ内に供給されることがある。
【0161】
[000160] 図１に示す放射源ＳＯは、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ばれ得るタイプである。例えばＣＯ２レーザであり得るレーザ１が、レーザビーム２を介して、燃料放出器３から与えられるスズ（Ｓｎ）などの燃料にエネルギーを付与するように構成される。以下の説明ではスズに言及するが、任意の適切な燃料が使用されることがある。燃料は、例えば液体の形態である場合や、例えば金属又は合金である場合がある。燃料放出器３は、例えば小滴の形態のスズを、プラズマ形成領域４に向かう軌道に沿って誘導するように構成されたノズルを備えることがある。レーザビーム２は、プラズマ形成領域４でスズに入射する。レーザエネルギーのスズへの付与は、プラズマ形成領域４においてプラズマ７を生成する。プラズマのイオンの脱励起及び再結合の間にプラズマ７からＥＵＶ放射を含む放射が放出される。
【0162】
[000161] ＥＵＶ放射は、近法線入射放射コレクタ５（より一般的に法線入射放射コレクタと呼ばれることがある）によって収集及び集束される。コレクタ５は、ＥＵＶ放射（例えば１３．５ｎｍなどの所望の波長を有するＥＵＶ放射）を反射するように構成される多層構造を有することがある。コレクタ５は、２つの楕円焦点を有する楕円構成を有することがある。以下で考察するように、第１の焦点がプラズマ形成領域４にある場合があり、第２の焦点が中間焦点６にある場合がある。
【0163】
[000162] レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源の他の実施形態では、コレクタ５は、ＥＵＶ放射をかすめ入射角で受け、ＥＵＶ放射を中間焦点に集束させるように構成される、いわゆる斜入射型コレクタである場合がある。斜入射型コレクタは、例えば複数の斜入射リフレクタを備えた入れ子型コレクタである場合がある。斜入射リフレクタは、光軸を中心として軸対称に配置されることがある。
【0164】
[000163] 放射源ＳＯは、１つ以上の汚染トラップ（図示せず）を備えることがある。例えば汚染トラップが、プラズマ形成領域４と放射コレクタ５との間に位置することがある。汚染トラップは、例えば回転フォイルトラップであるか、又は他の任意の適切な形態の汚染トラップである場合がある。
【0165】
[000164] レーザ１は放射源ＳＯから分離されることがある。この場合、レーザビーム２は、例えば適切な誘導ミラー及び／もしくはビームエキスパンダ、並びに／又は他の光学系を備えたビームデリバリシステム（図示せず）を用いて、レーザ１から放射源ＳＯに渡されることがある。レーザ１及び放射源ＳＯは、併せて放射システムと見なされることがある。
【0166】
[000165] コレクタ５により反射される放射は放射ビームＢを形成する。放射ビームＢは点６で集束されてプラズマ形成領域４の像を形成し、これは照明システムＩＬのための仮想放射源として作用する。放射ビームＢが集束される点６は、中間焦点と呼ばれることがある。放射源ＳＯは、中間焦点６が放射源ＳＯの閉鎖構造９の開口部８に又はその近くに位置するように配置される。
【0167】
[000166] 放射ビームＢは、放射源ＳＯから放射ビームを調整するように構成される照明システムＩＬに入る。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１を備えることがある。ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１は連携して、放射ビームＢに所望の断面形状及び所望の角度分布を与える。放射ビームＢは、照明システムＩＬから移動し、支持構造ＭＴにより保持されたレチクルアセンブリ１５に入射する。レチクルアセンブリ１５は、パターニングデバイスＭＡ及びペリクル１９を備える。ペリクルは、ペリクルフレーム１７を介してパターニングデバイスＭＡに取り付けられる。レチクルアセンブリ１５は、レチクル－ペリクルアセンブリ１５と呼ばれることがある。パターニングデバイスＭＡは放射ビームＢを反射しこれにパターンを付与する。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１に加えて、又はその代わりに他のミラー又はデバイスを備えることがある。
【0168】
[000167] パターニングデバイスＭＡからの反射に続き、パターン付き放射ビームＢは投影システムＰＳに進入する。投影システムは、基板テーブルＷＴにより保持された基板Ｗに放射ビームＢを投影するように構成される複数のミラー１３、１４を備える。投影システムＰＳは、ある縮小係数を放射ビームに適用し、パターニングデバイスＭＡ上の対応するフィーチャよりも小さなフィーチャを有する像を形成することがある。例えば、４という縮小係数が適用されることがある。図１では投影システムＰＳは２つのミラー１３、１４を有しているが、投影システムＰＳは任意の数のミラー（例えば６つのミラー）を備えることがある。
【0169】
[000168] リソグラフィ装置は、例えばスキャンモードで使用されることがある。スキャンモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期的にスキャンしながら、放射ビームに付与されたパターンを基板Ｗに投影する（すなわち動的露光）。基板テーブルＷＴの支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する速度及び方向は、投影システムＰＳの縮小及び像反転特性によって決定されることがある。基板Ｗに入射するパターン付き放射ビームは放射の帯域を含むことがある。放射の帯域は露光スリットと呼ばれることがある。スキャン露光中、基板テーブルＷＴ及び支持構造ＭＴの移動によって、露光スリットが基板Ｗの露光フィールド上を進むことがある。
【0170】
[000169] 図１に示す放射源ＳＯ及び／又はリソグラフィ装置は、図示されていないコンポーネントを備えることがある。例えば、放射源ＳＯ内にスペクトルフィルタが設けられることがある。スペクトルフィルタは、ＥＵＶ放射に対して実質的に透過性であるが、赤外線放射のような他の波長の放射を実質的に遮断することがある。
【0171】
[000170] リソグラフィシステムの他の実施形態では、放射源ＳＯは他の形態をとることもある。例えば代替的な実施形態では、放射源ＳＯは１つ以上の自由電子レーザを備えることがある。１つ以上の自由電子レーザは、１つ以上のリソグラフィ装置に供給され得るＥＵＶ放射を放出するように構成されることがある。
【0172】
[000171] 以上で簡単に説明したように、レチクルアセンブリ１５は、パターニングデバイスＭＡに隣接して設けられるペリクル１９を備える。ペリクル１９は、放射ビームＢが照明システムＩＬからパターニングデバイスＭＡに近付くときと、パターニングデバイスＭＡによって反射されて投影システムＰＳに向かうときの両方でペリクル１９を通過するように、放射ビームＢの経路に設けられる。ペリクル１９は、ＥＵＶ放射を実質的に通す（ただし、少量のＥＵＶ放射を吸収することになる）薄膜又は膜を含む。本明細書において、ＥＵＶ透過ペリクル又はＥＵＶ放射を実質的に通す膜とは、ペリクル１９がＥＵＶ放射の少なくとも６５％、ＥＵＶ放射の好ましくは少なくとも８０％、より好ましくは少なくとも９０％を透過することを意味する。ペリクル１９は、パターニングデバイスＭＡを粒子汚染から保護する役割を果たす。
【0173】
[000172] リソグラフィ装置ＬＡ内部でクリーンな環境を維持する努力がなされることがあるが、リソグラフィ装置ＬＡ内部に依然として粒子が存在することがある。ペリクル１９がなければ、粒子がパターニングデバイスＭＡ上に付着されることがある。パターニングデバイスＭＡ上の粒子は、放射ビームＢに付与されるパターン、ひいては基板Ｗに転写されるパターンに悪影響を及ぼす恐れがある。ペリクル１９は、有利にはパターニングデバイスＭＡ上に粒子が付着されるのを防止するために、パターニングデバイスＭＡとリソグラフィ装置ＬＡ内の環境との間にバリアを提供する。
【0174】
[000173] ペリクル１９は、パターニングデバイスＭＡから、ペリクル１９の表面に入射する粒子がリソグラフィ装置ＬＡのフィールド面内に存在しない十分な距離に位置決めされる。このペリクル１９とパターニングデバイスＭＡとの間の間隔は、ペリクル１９の表面上の粒子が基板Ｗ上に結像される放射ビームＢにパターンを付与する程度を抑える役割を果たす。粒子が放射ビームＢ内に存在しても、その位置が放射ビームＢのフィールド面内でない（例えば、パターニングデバイスＭＡの表面でない）場合、その粒子の像が基板Ｗの表面で焦点が合わないことが理解されるであろう。他に考慮すべき事項が存在しないならば、ペリクル１９をパターニングデバイスＭＡからかなり離れた距離に位置決めすることが望ましい場合がある。しかしながら実際は、他のコンポーネントが存在するため、リソグラフィ装置ＬＡ内でペリクルを収容するのに利用可能な空間は限られている。一部の実施形態では、ペリクル１９とパターニングデバイスＭＡとの間の間隔は、例えば約１ｍｍ～１０ｍｍ、例えば１ｍｍ～５ｍｍ、例えば２ｍｍ～２．５ｍｍである場合がある。
【0175】
[000174] ペリクルは境界部及び膜を含むことがある。ペリクルの境界部は中空で概ね矩形である場合があり、膜は境界部によって囲まれていることがある。当技術分野で知られているように、ペリクルは１つ以上の薄い材料層を概ね矩形のシリコン基板上に堆積させることによって形成されることがある。シリコン基板は、ペリクルのこの構築段階の間１つ以上の薄層を支持する。層の所望の又は目標厚さ及び組成が一旦適用されると、シリコン基板の中央部がエッチングによって除去される（これはバックエッチングと呼ばれることがある）。矩形のシリコン基板の周辺部はエッチングされない（代替的には中央部よりエッチングの程度が少ない）。この周辺部は最終ペリクルの境界部を形成する一方、１つ以上の薄層はペリクルの（境界部によって境される）膜を形成する。ペリクルの境界部はシリコンから形成されることがある。
【0176】
[000175] 本開示の一部の実施形態は、新しいタイプのペリクル及びそのようなペリクルを形成する方法に関する。
【0177】
[000176] ペリクル（例えば、膜及び境界部を含む）は、より剛性の高いペリクルフレームからのある程度のサポートを必要とすることがある。ペリクルフレームは２つの機能を提供することがある。第１に、ペリクルフレームはペリクルを支持することがあり、またペリクル膜をぴんと張ることがある。第２に、ペリクルフレームは、ペリクルのパターニングデバイス（レチクル）との接続を促進することがある。１つの既知の構成では、ペリクルフレームは、ペリクルの境界部に接着される概ね矩形の本体部及びこの本体の側部に接着されるチタン取付機構を備えることがある。パターニングデバイス（レチクル）には中間固定部材（スタッドとして知られている）が固定されている。パターニングデバイス（レチクル）上の中間固定部材（スタッド）は、ペリクルフレームの取付部材と係合する（例えば解放可能に係合する）ことがある。
【0178】
【0179】
[000178] 方法１００は、第１の材料から形成された多孔質膜を設けるステップ１０２を含む。本明細書で使用する多孔質膜が、例えばナノチューブ膜などの開口構造を有する材料を意味するものとすることが理解されるであろう。一部の実施形態では、多孔質膜はナノ構造を含むことがある。一部の実施形態では、多孔質膜はナノチューブを含むことがある。例えば、多孔質膜はＣＮＴから形成された織物である場合がある。これはカーボンナノチューブ膜と呼ばれることがある。
【0180】
[000179] 方法１００は更に、少なくとも１つの二次元材料層を多孔質膜の少なくとも１つの面に塗布するステップ１０４を含む。
【0181】
[000180] 一部の実施形態では、その又は各少なくとも１つの二次元材料層は、多孔質膜の少なくとも１つの面に隣接する実質的に連続した層として塗布される。これは、湿式転写法を用いて塗布されることがある。代替的に、図４を参照して以下で更に考察するように、その又は各少なくとも１つの二次元材料層を一時的又は中間支持基板から転写することがある。
【0182】
[000181] 本明細書で使用する二次元材料が、例えばグラフェンなどの１つ以上の単一原子層から形成される材料を意味するものとすることが理解されよう。様々な異なる二次元材料を使用し得ることが理解されるであろう。
【0183】
[000182] 一部の実施形態では、二次元材料はグラフェンを含むことがある。一部の実施形態では、３つのグラフェン層が多孔質膜の片面又は両面に隣接して設けられることがある。一実施形態では、多孔質膜はカーボンナノチューブ膜である場合があり、二次元材料はグラフェンを含む。単一のグラフェン層が０．３５ｎｍ程度の厚さを有することがある。２つの積層されたグラフェン層間の距離が０．１４ｎｍ程度である場合がある。したがって、３つのグラフェン層の厚さが１．３ｎｍ程度である場合がある。
【0184】
[000183] グラフェンを二次元材料として使用する１つの利点は、ペリクルがこれまでに炭素から形成されており、この環境における炭素の特性が既知であることである。例えば、グラフェンなどの別の炭素ベースの材料を使用することによって、（他の材料から生じ得る）ＥＵＶ反射の大幅な増加が回避されることがある。更に、他の材料は、リソグラフィ装置内での水素エッチングに対する感受性が増大することがある。
【0185】
[000184] 代替的に又は付加的に、一部の実施形態では、二次元材料は六方晶窒化ホウ素（ｈ－ＢＮ）を含むことがある。代替的に又は付加的に、一部の実施形態では、二次元材料は二硫化モリブデン（ＭｏＳ２）を含むことがある。有利には、これらの材料（ｈ－ＢＮ及びＭｏＳ２）は水素エッチングに強く、したがって、二次元材料が六方晶窒化ホウ素（ｈ－ＢＮ）及び／又は二硫化モリブデン（ＭｏＳ２）を含む実施形態では、厚さがより小さいキャッピング層が後続のステップにおいて塗布されることがある。単一の六方晶窒化ホウ素（ｈ－ＢＮ）層又は二硫化モリブデン（ＭｏＳ２）層は、０．６５ｎｍ程度の厚さを有することがある。
【0186】
[000185] 一部の実施形態では、その又は各少なくとも１つの二次元材料層は、０．５ｎｍから５ｎｍ程度の厚さを有する。一部の実施形態では、その又は各少なくとも１つの二次元材料層は、０．５ｎｍから２ｎｍ程度の厚さを有する。
【0187】
[000186] 方法１００は更に、少なくとも１つの二次元材料層がその又は各キャッピング層と多孔質膜との間に配置されるように、多孔質膜の少なくとも１つの面上の少なくとも１つの二次元材料層にキャッピング層を塗布するステップ１０６を含む。
【0188】
[000187] 一部の実施形態では、その又は各キャッピング層は三次元材料である場合がある。有利には、三次元材料は二次元材料よりも製造が著しく容易である。以下で考察するように、（ステップ１０４で提供される）二次元材料は多孔質膜の構造を効果的に閉じる。これにより、以下で考察するように、図２の方法１００の利点を享受しながら、三次元材料をキャッピング層に使用することが可能になる。
【0189】
[000188] 特に明記しない限り、本明細書では、キャッピング層の全ＥＵＶ透過率が、ペリクルを通って伝播した後に透過されるＥＵＶ放射の割合を意味するものとすることが理解されるであろう。キャッピング層がペリクルの各側に設けられる実施形態では、キャッピング層の全ＥＵＶ透過率は両側からの全透過率を意味する。
【0190】
[000189] 一部の実施形態では、その又は各キャッピング層の全ＥＵＶ透過率は９６％以上である。一部の実施形態では、少なくとも１つのキャッピング層の全ＥＵＶ透過率は９６．５％以上である場合がある。一部の実施形態では、少なくとも１つのキャッピング層の全ＥＵＶ透過率は９７％以上である場合がある。一部の実施形態では、少なくとも１つのキャッピング層の全ＥＵＶ透過率は９７．５％以上である場合がある。一部の実施形態では、少なくとも１つのキャッピング層の全ＥＵＶ透過率は９７．８％程度である場合がある。
【0191】
[000190] キャッピング層のＥＵＶ透過率が、一般に、（ａ）キャッピング層を形成する材料のタイプ、及び（ｂ）キャッピング層の厚さに依存することが理解されるであろう。キャッピング層のＥＵＶ透過率が、一般に、キャッピング層の密度又は空隙率にも依存することが理解されるであろう。例示的な材料については以下で考察する。
【0192】
[000191] 一部の実施形態では、少なくとも１つのキャッピング層は、多孔質層及び少なくとも１つの二次元材料層を水素エッチングから保護するのに適した材料から形成される。他の２つの層を水素エッチングから保護するのに適するように、キャッピング層が、（ａ）水素により強くエッチングされない適切な材料から形成され得ること、及び（ｂ）適切な厚さを有し得ることが理解されるであろう。例示的な材料については以下で考察する。
【0193】
[000192] ＥＵＶ放射のペリクルによる吸収を最小限に抑えることが望ましい。そのため、一般的には、キャッピング層をＥＵＶ放射に対する消衰係数が最小限の材料から形成することが望ましい。
【0194】
[000193] 一部の実施形態では、少なくとも１つのキャッピング層は、ＥＵＶ放射に対する消衰係数が０．０２ｎｍ－１未満の材料から形成されることがある。一部の実施形態では、キャッピング層は、ＥＵＶ放射に対する消衰係数が０．０１ｎｍ－１未満の材料から形成される。一部の実施形態では、キャッピング層は、ＥＵＶ放射に対する消衰係数が０．００５ｎｍ－１未満の材料から形成される。
【0195】
[000194] 一部の実施形態では、キャッピング層は０．３から５ｎｍ程度の厚さを有することがある。つまり、キャッピング層は、１つの原子の単層と同じくらい小さい厚さを有することがある（つまり、０又は１個の原子の厚さ、及び、例えば０．３ｎｍ程度の原子間距離を有する）。他の実施形態では、キャッピング層は、下にある二次元材料層及び多孔質膜をより良く保護するために、より大きい厚さを有することがある。一部の実施形態では、キャッピング層は１ｎｍを超える厚さを有することがある。一部の実施形態では、キャッピング層は１．５ｎｍを超える厚さを有することがある。一部の実施形態では、キャッピング層は２ｎｍを超える厚さを有することがある。一部の実施形態では、キャッピング層は５ｎｍを超える厚さを有することがある。
【0196】
[000195] 一部の実施形態では、キャッピング層はイットリウム（Ｙ）又は酸化イットリウム（ＹａＯｂ）を含む。イットリウムは、ＥＵＶ放射に対する消衰係数が０．００２１ｎｍ－１程度である。酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）は、ＥＵＶ放射に対する消衰係数が０．０１ｎｍ－１程度である。したがって、ペリクル膜の各面に厚さ１．５ｎｍの酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）のキャッピング層が存在する実施形態では、少なくとも１つのキャッピング層の全ＥＵＶ透過率は約９７％である。
【0197】
[000196] 一部の実施形態では、多孔質膜の少なくとも１つの面上の少なくとも１つの二次元材料層にキャッピング層を塗布するステップ１０６は、それぞれが異なる材料を含む複数の副層を塗布することを含むことがある。例えば、一部の実施形態では、多孔質膜の少なくとも１つの面上の少なくとも１つの二次元材料層にキャッピング層を塗布するステップ１０６は、第１の材料の第１の副層を多孔質膜の少なくとも１つの面上の少なくとも１つの二次元材料層に塗布すること、及び第２の材料の第２の副層を第１の副層に塗布することを含む。第１の副層は、第２の副層よりもＥＵＶ放射に対する消衰係数が小さい場合がある。第２の（最も外側の）副層は、第１の副層よりも化学的安定性が高い場合がある。一部の実施形態では、第１の副層は金属を含むことがあり、第２の副層は金属酸化物を含むことがある。
【0198】
[000197] 一部の実施形態では、多孔質膜は実質的に自立式である場合がある。使用中、ペリクルが、レチクル又はマスクＭＡに取り付けられるペリクルフレームによってその周辺部で支持されることになることが理解されるであろう。本明細書で使用するとき、多孔質膜が実質的に自立式であるとは、多孔質膜が自重を支えることを意味するものとする。つまり、少なくとも１つの二次元材料層及びキャッピング層以外に、多孔質膜を支持する多孔質膜に隣接する追加の膜は存在しない。
【0199】
[000198] 非多孔質膜が、膜の２つの対向する面を画定する２つの概ね平行な表面を有し得ることが理解されるであろう。２つの概ね平行な表面により境界される体積が、非多孔質膜を形成する材料によって実質的に占められる。対照的に、多孔質膜が、材料を有しない空隙が散りばめられた、多孔質膜を形成する材料により占められる領域を含むことが更に理解されるであろう。そのような多孔質膜の場合、２つの概ね平行な仮想表面又は非物理的表面が膜の境界又は面を画定することがある。２つの概ね平行な仮想表面により境界される体積は、多孔質膜を形成する材料によって部分的にのみ占められる。多孔質膜の少なくとも１つの面に少なくとも１つの二次元材料層を塗布することは、多孔質膜の境界又は面を画定する少なくとも１つの仮想表面又は非物理的表面に少なくとも１つの二次元材料層を塗布することを含むものとする。
【0200】
[000199] 多孔質膜の厚さが、膜の境界又は面を画定する２つの概ね平行な仮想表面又は非物理的表面間の距離として定義されることがある。多孔質膜は、１～１００ｎｍ程度の厚さを有することがある。多孔質膜は、１０～１００ｎｍ程度の厚さを有することがある。多孔質膜は、５０～１００ｎｍ程度の厚さを有することがある。一部の実施形態では、多孔質膜は、ペリクルの厚さの大部分を構成するものと考えられることがある。
【0201】
[000200] 一部の実施形態では、図２に示す方法１００は更に、多孔質膜の周辺部にペリクル境界を取り付けることを含むことがある。このような実施形態では、ペリクル境界は、（ステップ１０４で）少なくとも１つの二次元材料層が多孔質膜の少なくとも１つの面に塗布される前に、多孔質膜の周辺部に取り付けられることがある。
【0202】
[000201] 図２に示す方法１００は、これより考察するように特に有利である。少なくとも１つの二次元材料層は、多孔質膜の隣接面を閉じる働きをする。
【0203】
[000202] 図２に示す方法１００は、ペリクルの大部分が多孔質材料から形成されるペリクルをもたらす。有利には、これにより密度が小さい、ひいては極端紫外（ＥＵＶ）放射の透過率が大きいペリクルがもたらされる可能性がある。これはＥＵＶリソグラフィシステムにとって特に重要であり、システムのスループットを向上させる。ＥＵＶリソグラフィ装置においてペリクル膜として使用するための特に有望な材料の１つは、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）から形成される織物又は膜である。そのようなＣＮＴペリクルは多孔質材料であるため、非常に高いＥＵＶ透過率（＞９８％）をもたらす可能性がある。更に、ＣＮＴペリクルは非常に優れた機械的安定性も提供するため、機械的故障に対して堅牢なままでありながら、小さな厚さで製造することができる。しかしながら、通常、リソグラフィ装置内には低圧の水素ガスが供給され、（露光中）ＥＵＶ放射の存在下で水素プラズマが形成される。水素プラズマからの水素イオン及び水素フリーラジカルが、ＣＮＴから形成されたペリクルをエッチングし、ペリクルの潜在的な寿命を制限し、ＣＮＴペリクルの商業的実装を妨げる可能性があることが分かっている。
【0204】
[000203] そのようなＣＮＴペリクルのエッチングを軽減するために、そのようなＣＮＴペリクルに保護用のキャッピング層を設けることがこれまでに提案されている。そのようなキャッピング層は、リソグラフィ装置の環境において化学的に安定しており、ＥＵＶ放射に対する消衰係数が低い材料から形成されることがある。
【0205】
[000204] しかしながら、炭素と適切なキャッピング層の屈折率の差は、通常、炭素と真空の屈折率の差よりも大きい。したがって、本発明者らは、そのようなキャッピング層が望ましくないＥＵＶフレアの増大をもたらすことになることに気付いた。（ステップ１０４において）少なくとも１つの二次元材料層を多孔質膜に塗布し、その後、（ステップ１０６において）キャッピング層を少なくとも１つの二次元材料層に塗布することは、これより考察するように特に有利である。
【0206】
[000205] 多孔質材料が構造を有することになるため、多孔質材料と周囲の媒体の屈折率に大きな差異がある場合、放射（例えばＥＵＶ放射）がペリクルを通って伝播するときに、放射は（例えば、ミー散乱を介して）散乱されることになることが理解されよう。これは放射の望ましくない拡散又はフレアを引き起こし、リソグラフィ装置ＬＡの結像性能に再び影響を与えることになる。ＥＵＶ放射はほとんどの材料によって非常に強く吸収されるため、ＥＵＶリソグラフィシステムは通常、高真空で運転される。したがって、多孔質材料が、１に近い屈折率を有する材料から形成されることが特に望ましい場合がある。また、多孔質材料が、ＥＵＶ放射に対する消衰係数ができるだけ低い材料から形成されることが望ましい場合がある。
【0207】
[000206] （図２に示す方法１００のステップ１０４で塗布される）少なくとも１つの二次元材料層は、多孔質膜の隣接面を閉じ、ペリクルのより滑らかで平坦な外面を形成する働きをする。これにより、キャッピング層をより滑らかで平坦な外面上に設けることが可能になる。有利には、これにより、キャッピング層に使用される材料に関係なく、ＥＵＶフレアを低減しながら、多孔質膜をエッチングから保護することができる。更に、二次元材料の表面は、多孔質材料の表面よりも大幅に滑らかで平坦であることに加えて、より小さな表面積を有することになる。結果として、（比較的薄い）キャッピング層が多孔質材料上に直接ではなく二次元材料上に設けられるとき、キャッピング層の体積が減少する。有利には、これにより、キャッピング層が同じ厚さであっても、ペリクルのＥＵＶ透過率が高くなる。
【0208】
[000207] ＣＮＴ膜内において、カーボンナノチューブは分かれている場合があるか、代替的に、それらはまとまって束になることがある。更に、そのような束のサイズは異なる場合がある。発明者らは、キャッピング層がＣＮＴ膜に直接塗布される場合に、キャッピング層によるＥＵＶ透過率の損失がＣＮＴ膜内の束化の程度に強く依存することが分かった。例えば、膜内のＣＮＴの密度が一定の場合、１束当たりのＣＮＴの数が少なければ少ないほど、ＥＵＶ透過率の損失は大きくなる。有利には、図２に示す方法１００を用いることによって、キャッピング層が（多孔質膜ではなく）少なくとも１つの二次元材料層に（ステップ１０６において）塗布されるため、ＥＵＶ透過率の損失は、もはや多孔質膜内の構造の典型的なサイズ（例えば、ＣＮＴ膜の場合は束の数）に依存しない。実際、これを二次元の平坦な層に塗布することによって、所与の厚さのキャッピング層について、ＥＵＶ透過率の損失は最小限に抑えられる。
【0209】
[000208] 最後に、図２に示す方法１００を用いて形成されたペリクルの少なくとも１つの二次元材料層は多孔質層の構造を閉じる。有利には、これにより、そのような二次元材料層がないＣＮＴペリクルよりも高い粒子阻止能が得られる。
【0210】
【0211】
[000210] 図３Ａは、図２に示す方法１００の第１の実施形態の概略図である。この方法は、ＣＮＴから形成された多孔質膜２００を設けることを含む。これは、カーボンナノチューブ膜又はＣＮＴｍと呼ばれることがある。多孔質膜２００は、多孔質膜の周辺部にあるペリクル境界２１０に取り付けられる。ペリクル境界２１０は、概ね矩形のフレームを備えることがある。ペリクル境界２１０は、例えば、従来の非多孔質膜に使用されるシリコンから形成されることがある。代替的に、ペリクル境界２１０は、例えば、カーボンナノチューブ、石英又は鋼から形成されることがあり、これらの材料は追加の利点を提供することがある。多孔質膜２００は、既知の技術を用いてペリクル境界２１０に事前に取り付けられていることがある。
【0212】
[000211] 多孔質ＣＮＴ膜２１０のＥＵＶ透過率は約９７．５％である場合がある。多孔質ＣＮＴ膜２１０は、厚さが１００ｎｍ程度である場合がある。以下の実施形態の例は、ＥＵＶ透過率が約９７．５％で厚さが１００ｎｍ程度である多孔質ＣＮＴ膜２１０に基づいている。
【0213】
[000212] 以上で説明したように、多孔質膜の厚さが、膜の境界又は面を画定する２つの概ね平行な仮想表面又は非物理的表面間の距離として定義されることがある。同様に以上で説明したように、２つの概ね平行な仮想表面により境界される体積は、多孔質膜を形成する材料によって部分的にのみ占められる（多孔質膜が材料を有しない空隙が散りばめられた材料により占められる領域を含む）。約９７．５％のＥＵＶ透過率を有する炭素から形成された従来の非多孔質膜を得るために、ＥＵＶ放射に対する炭素の消衰係数に基づいて、例示的な多孔質ＣＮＴ膜２１０がどの程度多孔質であるかを示すと、多孔質膜は厚さが４ｎｍ程度であることになる。対照的に、例示的な多孔質ＣＮＴ膜２１０は、厚さが１００ｎｍ程度である。
【0214】
[000213] この方法は、グラフェンフィルム２２０を設けることを含む。例えば、グラフェンフィルム２２０は、単層グラフェン層又は３層グラフェン層（３ＧＬ）を含むことがあるが、グラフェンフィルム２２０が任意の数のグラフェン層を含み得ることが理解されるであろう。一般に、グラフェンフィルム２２０は、少なくとも１つの二次元材料層を含む。単層グラフェン層についてのグラフェンフィルム２２０のＥＵＶ透過率は約９９．８％である場合がある。（３層グラフェン層についての）グラフェンフィルム２２０のＥＵＶ透過率は約９９．５％である場合がある。
【0215】
[000214] この方法は更に、グラフェンフィルム２２０を多孔質膜２００の面に塗布するステップ１０４を含む。この実施形態では、グラフェンフィルム２２０は、ペリクル境界２１０が取り付けられる面と反対にある、又はその面から遠位にある面に塗布される。この実施形態では、グラフェンフィルム２２０は、多孔質膜２００の面に隣接する実質的に連続した層として塗布される。グラフェンフィルム２２０は、湿式転写法を用いて塗布されることがある。代替的に、グラフェンフィルム２２０は、図４を参照して以下で更に考察するように、一時的又は中間支持基板から転写されることがある。多孔質ＣＮＴ膜２００とグラフェンフィルム２２０の組み合わせは、Ｇ－ＣＮＴｍと呼ばれることがある。（単層グラフェン層についての）グラフェンフィルム２２０を有する多孔質ＣＮＴ膜２００のＥＵＶ透過率は約９７．３％である場合がある。
【0216】
[000215] この方法は更に、グラフェンフィルム２２０がキャッピング層２３０と多孔質膜２００との間に配置されるように、グラフェンフィルム２２０にキャッピング層２３０を塗布するステップ１０６を含む。形成された後にグラフェンフィルム２２０に塗布される材料層として概略的に示されているが、実際には、キャッピング層２３０はグラフェンフィルム２２０上に形成され（すなわち、その場で形成され）得ることが理解されるであろう。
【0217】
[000216] この実施形態では、方法は更に、多孔質膜２００の第２の面にキャッピング層２３０を塗布することを含む。具体的には、キャッピング層２３０は、ペリクル境界２１０が取り付けられるのと同じ面に塗布される。
【0218】
[000217] 一部の実施形態では、キャッピング層２３０は酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）を含む。したがって、一部の実施形態では、キャッピング層２３０をグラフェンフィルム２２０に塗布するステップ１０６は、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）の層をグラフェンフィルム２２０に直接、又は中間副層に塗布することを含む。例えば、一実施形態では、キャッピング層は、厚さが１．５ｎｍの酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）の層を含む。
【0219】
[000218] グラフェンフィルム２２０は、多孔質膜２００の隣接面を閉じて、ペリクルのより滑らかで平坦な外面を形成する働きをする。これは、２つのキャッピング層２３０との界面の概略拡大部の比較から分かる。これにより、グラフェンフィルム２２０に塗布されたキャッピング層２３０を、より滑らかで平坦な外面上に設けることが可能になる。有利には、これにより、キャッピング層２３０に使用される材料に関係なく、ＥＵＶフレアを低減しながら、多孔質膜２００をエッチングから保護することができる。
【0220】
[000219] 更に、グラフェンフィルム２２０の表面は、多孔質材料２００の表面よりも大幅に滑らかで平坦であることに加えて、より小さな表面積を有することになる。結果として、（比較的薄い）キャッピング層２３０が多孔質膜２００上に直接ではなくグラフェンフィルム２２０上に設けられるとき、キャッピング層２３０の体積が減少する。これはまた、２つのキャッピング層２３０との界面の概略拡大部の比較から分かる。有利には、この結果、同じ厚さのキャッピング層２３０についてペリクルのＥＵＶ透過率も高くなる。
【0221】
[000220] グラフェンフィルム２２０は多孔質膜２００の構造を閉じ、その結果、有利には、このようなグラフェンフィルム２２０のないＣＮＴペリクルよりも高い粒子阻止能をもたらす。
【0222】
[000221] 図３Ａに示すこの実施形態では、ペリクルのキャビティ側（すなわち、ペリクル境界２１０と同じ側）のキャッピング層２３０には、キャップが多孔質膜２００上に直接堆積されているため起伏がある。これは、ＥＵＶ透過の不均一性及びフレアの低減には不利である場合があるが、ＥＵＶ反射には有利である場合がある。
【0223】
[000222] 図２に示す方法１００の一部の実施形態では、ステップ１０４において、少なくとも１つの二次元材料層が多孔質膜の両面に塗布されることがあり、キャッピング層が、少なくとも１つの二次元材料層が各キャッピング層と多孔質膜との間に配置されるようにペリクルの各面に塗布されることがある。ペリクルを形成する方法１００のそのような実施形態の一例を、これより図３Ｂを参照して説明する。
【0224】
[000223] 図３Ｂは、図２に示した方法１００の第２の実施形態の概略図である。図３Ｂに示す方法の実施形態は、図３Ａに示す方法の実施形態と非常に似ている。したがって、以下では相違点のみを詳細に説明する。
【0225】
[000224] 図３Ｂに示す方法の実施形態は、２つのグラフェンフィルム２２０を設けることを含む。グラフェンフィルムは、実質的に図３Ｂを参照して以上で説明した単層グラフェンフィルムと同様である場合がある。
【0226】
[000225] 図３Ｂに示す方法の実施形態では、方法は、２つのグラフェンフィルム２２０を多孔質膜２００の両面に塗布するステップ１０４を含む。つまり、この実施形態では、グラフェンフィルム２２０は、ペリクル境界２１０が取り付けられている面とその反対面のそれぞれに塗布される。また、この実施形態では、グラフェンフィルム２２０はそれぞれ、多孔質膜２００のある面に隣接する実質的に連続した層として塗布される。多孔質ＣＮＴ膜２００と２つのグラフェンフィルム２２０の組み合わせは、Ｇ－ＣＮＴｍ－Ｇと呼ばれることがある。２つのグラフェンフィルム２２０（各フィルムは単層グラフェン層を含む）を備えた多孔質ＣＮＴ膜２００のＥＵＶ透過率は約９７．１％である。
【0227】
[000226] 図３Ｂに示す方法の実施形態は、各グラフェンフィルム２２０が１つのキャッピング層２３０と多孔質膜２００との間に配置されるように、２つのグラフェンフィルム２２０のそれぞれにキャッピング層２３０を塗布するステップ１０６を含む。
【0228】
[000227] 一部の実施形態では、キャッピング層２３０をグラフェンフィルム２２０のそれぞれに塗布するステップ１０６は、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）の層をグラフェンフィルム２２０に直接、又は中間副層に塗布することを含む。例えば、一実施形態では、キャッピング層は厚さ１．５ｎｍの酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）の層を含む。
【0229】
[000228] 図３Ｂに示す方法の実施形態では、グラフェンフィルム２２０は、多孔質膜２００の両面を閉じ、ペリクルのより滑らかで平坦な外面を形成する働きをする。有利には、これにより、キャッピング層２３０に使用される材料に関係なく、ＥＵＶフレアを更に低減しながら、多孔質膜２００をエッチングから保護することができる。
【0230】
[000229] 更に、グラフェンフィルム２２０の表面は、多孔質材料２００の表面よりも大幅に滑らかで平坦であることに加えて、より小さな表面積を有することになる。両キャッピング層２３０が多孔質膜２００上に直接ではなくグラフェンフィルム２２０上に設けられるため、キャッピング層２３０の体積が減少する。有利には、この結果、同じ厚さのキャッピング層２３０についてペリクルのＥＵＶ透過率も高くなる。
【0231】
[000230] ２つの単層グラフェン層フィルムのＥＵＶ吸収は約０．４％である。しかしながら、キャッピング層２３０は、多孔質ＣＮＴ膜２００ではなく、グラフェンフィルム２２０の閉じた表面に塗布されるため、２つのキャッピング層のＥＵＶ吸収が減少する。正確な減少はＣＮＴ膜２００内の束の数に依存するが、平均すると、２つのキャッピング層のＥＵＶ吸収は約１．５％減少する。したがって、ＣＮＴｍの各面に単層グラフェン層フィルム２２０を追加すると、ＥＵＶ透過率が正味で約１．１％増加する。
【0232】
[000231] 多孔質ＣＮＴ膜２００、２つのグラフェンフィルム２２０及び２つのキャッピング層２３０の組み合わせは、Ｃ－Ｇ－ＣＮＴｍ－Ｇ－Ｃと呼ばれることがある。Ｃ－Ｇ－ＣＮＴｍ－Ｇ－Ｃペリクル（両側が１．５ｎｍのＹ２Ｏ３層で覆われた単層グラフェン層フィルムの場合）のＥＵＶ透過率は約９４．１％である。対照的に、同じＣＮＴｍ膜の両側が１．５ｎｍのＹ２Ｏ３層で覆われた場合（グラフェンフィルム２２０を含まない）、（Ｃ－ＣＮＴｍ－Ｃ）ペリクルのＥＵＶ透過率は約９３％となる（この値はＣＮＴの束の数に依存する）。
【0233】
[000232] 上記の推定値は、数％のＥＵＶ放射の損失をもたらし得る、ＥＵＶ放射のペリクルによる散乱を考慮していない。ＣＮＴ膜２００の構造を閉じることによって、これらの損失を回避するか、少なくとも低減することができる。したがって、上で推定されたＥＵＶ透過率の１．１％の増加に加えて、図２に示した方法１００を用いて形成されたペリクルは、ＥＵＶ放射の損失を更に減少させることが予想される。
【0234】
[000233] 図３Ｂに示す方法の実施形態において、グラフェンフィルム２２０が多孔質膜２００の両面を閉じるという事実は、これより考察するように追加の利点を有する。
【0235】
[000234] ＣＮＴ膜２００内において、カーボンナノチューブは分かれている場合があるか、代替的に、それらはまとまって束になることがある。更に、そのような束のサイズは異なる場合がある。発明者らは、キャッピング層がＣＮＴ膜に直接塗布される場合に、キャッピング層によるＥＵＶ透過率の損失がＣＮＴ膜内の束化の程度に強く依存することが分かった。例えば、膜内のＣＮＴの密度が一定の場合、１束当たりのＣＮＴの数が少なければ少ないほど、ＥＵＶ透過率の損失は大きくなる。有利には、両キャッピング層２３０が（多孔質膜２００ではなく）グラフェンフィルム２２０に塗布されるため、ＥＵＶ透過率の損失は、もはや多孔質膜２００内の構造の典型的なサイズ（例えば、ＣＮＴ膜の場合は束の数）に依存しない。実際、キャッピング層２３０を平坦なグラフェンフィルム２２０に塗布することによって、所与の厚さのキャッピング層２３０について、ＥＵＶ透過率の損失は最小限に抑えられる。
【0236】
[000235] グラフェンフィルム２２０の多孔質膜２００の１つ以上の面への塗布は、湿式転写プロセスを用いて達成されることがある。このような湿式転写プロセスは当技術分野で知られている。一般に、湿式転写プロセスは、第１の基板（例えば、銅基板）上での二次元材料（例えば、グラフェンフィルム２２０）の成長を含む。続いて、二次元材料の他方の面に接着層を形成する。接着層は、例えば、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などのポリマーを含むことがある。続いて、第１の基板は、例えば選択的エッチングによって除去される。例えば、銅を含む第１の基板は、過硫酸アンモニウムを使用して除去されることがある。任意選択で、接着層及び二次元材料を（例えば水で）すすぐことがある。続いて、二次元材料は多孔質膜２００のある面に塗布される。最後に、接着層は、例えば選択的エッチングによって除去される。
【0237】
[000236] グラフェンフィルム２２０を多孔質膜２００の１つ以上の面に塗布する代替的な方法を、図４を参照してこれより考察する。図４は、ＣＮＴ膜２００の両面にグラフェンフィルム２２０を塗布する方法３００の概略図である。方法３００は、図３Ｂに示すペリクルを形成する方法の実施形態におけるステップ１０４に用いられることがある。
【0238】
[000237] グラフェンフィルム２２０をＣＮＴ膜２００に塗布する方法３００は、支持基板３１０上にグラフェンフィルム２２０を設けること、グラフェンフィルム２２０を多孔質膜２００のある面に押し付けること、及び支持基板３１０を除去することを含む。
【0239】
[000238] 支持基板３１０は、ベース基板３１２と、ベース基板３１２の表面に設けられた犠牲層３１４とを備える。グラフェンフィルム２２０は犠牲層３１４上に設けられる。
【0240】
[000239] 形成された後に、支持基板３１０の犠牲層３１４に塗布されるグラフェンフィルム２２０として概略的に示されているが、実際には、グラフェンフィルム２２０が犠牲層３１４上に形成され（つまり、その場で形成され）得ることが理解されるであろう。
【0241】
[000240] 支持基板３１０上に設けられたグラフェンフィルム２２０は、製造中間物と呼ばれることがある。方法３００は、２つのそのような製造中間物を設けることを含むことがある。
【0242】
[000241] 図４の中央右側部分に示すように、方法３００は、支持基板３１０を通じて圧力を加えることによって、グラフェンフィルム２２０のそれぞれを多孔質膜２００のある面に押し付けることを含む。
【0243】
[000242] 支持基板３１０は、犠牲層３１４をエッチングしてグラフェンフィルム２２０からベース基板３１２を解放することによって除去されることがある。
【0244】
[000243] 本開示の一部の実施形態は、図１に示したリソグラフィ装置ＬＡなどのリソグラフィ装置で使用するためのペリクルに関する。そのようなペリクルは、例えば、図２に概略的に示した方法１００を用いて形成されることがある。
【0245】
[000244] 本開示の一部の実施形態は、放射ビームを使用して基板上にパターニングデバイスの像を形成するように動作可能なリソグラフィ装置に関する。リソグラフィ装置は、概ね図１に示したリソグラフィ装置ＬＡの形態である場合がある。そのような実施形態によるリソグラフィ装置ＬＡは更に、放射ビームＢの経路内に配置された膜を備える。膜は、図２に概略的に示した方法１００を用いて形成されることがある。
【0246】
[000245] 一部の実施形態では、膜は動的ガスロックの一部を構成することがある。そのような動的ガスロックは、例えば、放射ビームＢがリソグラフィ装置ＬＡの投影システムＰＳから基板テーブルＷＴ上に支持された基板Ｗに通過するための開口部の近くに形成されることがある。
【0247】
[000246] 一部の実施形態では、膜はスペクトルフィルタの一部を構成することがある。そのようなスペクトルフィルタは、リソグラフィ装置内の任意の都合の良い又は適切な位置に設けられることがある。スペクトルフィルタは、基板テーブル上に支持された基板に帯域外放射が入射するのを回避するか、又は少なくとも抑制するように構成されることがある。
【0248】
[000247] 本開示の一部の実施形態は、本開示の実施形態によるペリクル４００の概略的断面を示す図５を参照してこれより説明する、図１に示したリソグラフィ装置ＬＡなどのリソグラフィ装置で使用するためのペリクルに関する。
【0249】
[000248] ペリクル４００は、膜４１０と、境界４２０と、保護部４３０とを備える。境界４２０は、膜４１０の周辺部かつその第１の面４１２に設けられる。保護部４３０は、膜４１０の周辺部かつその第２の面４１４に設けられる。
【0250】
[000249] 図５に示すペリクル４００は、これより考察するように特に有利である。以上で考察したように、リソグラフィ装置ＬＡ内に低圧水素ガスが存在することにより、ペリクルがエッチングされ、ペリクルの潜在的な寿命が制限される可能性がある。そのようなペリクルのエッチングを軽減するために、ペリクルに保護用のキャッピング層を設けることがこれまでに提案されている。しかしながら、ＥＵＶ放射のペリクルによる吸収を最小限に抑えることが望ましいため、そのようなキャッピング層の材料及び厚さは一般的にかなり制限される。
【0251】
[000250] 水素イオンと炭素材料との相互作用は、その内容が参照により本明細書に組み込まれる２つの公開された論文、（１）Ｊ．Ｒｏｔｈ、Ｃ．Ｇａｒｃｉａ－Ｒｏｓａｌｅｓ、「Ａｎａｌｙｔｉｃ ｄｅｓｃｒｉｐｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｅｒｏｓｉｏｎ ｏｆ ｇｒａｐｈｉｔｅ ｂｙ ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｉｏｎｓ」、Ｎｕｃｌ．Ｆｕｓｉｏｎ １９９６、３６／１２、１６４７－１６５９、及び（２）Ｊ．Ｒｏｔｈ、Ｃ．Ｇａｒｃｉａ－Ｒｏｓａｌｅｓ、「Ｃｏｒｒｉｇｅｎｄｕｍ－Ａｎａｌｙｔｉｃ ｄｅｓｃｒｉｐｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｅｒｏｓｉｏｎ ｏｆ ｇｒａｐｈｉｔｅ ｂｙ ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｉｏｎｓ」、Ｎｕｃｌ．Ｆｕｓｉｏｎ １９９７、３７、８９７に定量的に説明されている。この水素イオンと炭素材料との相互作用の定量的記述は、Ｒｏｔｈ－Ｇａｒｃｉａ－Ｒｏｓａｌｅｓ（ＲＧＲ）モデルと呼ばれることがある。ＲＧＲモデルは、例えばイオンエネルギーが１～３０ｅＶを形成するなど、リソグラフィ装置内で遭遇する典型的な水素イオンエネルギーの温度の関数として炭素材料のエッチング収率を予測するのに使用される可能性がある。ＥＵＶリソグラフィ装置内では、ペリクルに入射する一般的な水素イオンフラックスは、１・１０１９ｍ－２・ｓ－１程度である場合がある。ＥＵＶリソグラフィ装置内では、ペリクルに入射する一般的な水素イオンフラックスは、１・１０１９ｍ－２・ｓ－１の数桁の範囲内（例えば、１０１８ｍ－２・ｓ－１から１０２０ｍ－２・ｓ－１）にある場合がある。
【0252】
[000251] 図６は、４つの異なるイオンエネルギー、すなわち５ｅＶ、１０ｅＶ、２０ｅＶ及び３０ｅＶの１．５・１０１９ｍ－２・ｓ－１の水素イオンフラックスについての炭素の水素エッチングの予想エッチング速度を温度の関数として示している。図６はまた、ｓｐ３炭素濃度を温度の関数として示している。図６から、リソグラフィ装置ＬＡ内のこれらの典型的な周囲条件では、純粋にＣＮＴから形成されたペリクルの場合、ペリクルの水素エッチング速度は約１０５０Ｋの温度で無視できるレベルに低下することが予想されることがわかる。しかしながら、当業者であれば、異なる条件下では異なる最低温度が望ましい場合があることを理解するであろう。
【0253】
[000252] 本発明の発明者らは、水素イオン及びフリーラジカルによる炭素のエッチングが温度に依存することに気付いた。特に、本発明者らは、炭素エッチング速度が低温及び中温ではより高いが、十分に高い温度では無視できるレベルまで低下することに気付いた。発明者らはまた、ＥＵＶリソグラフィスキャナ内のペリクル１９の中心部が、（少なくとも一部の時間）水素エッチングが無視できるほど十分に高い温度に達し得るが、ペリクルの周辺部が通常、この温度より低いままであり、したがって、水素エッチングの影響を受けやすくなることにも気付いた。
【0254】
[000253] 有利には、図５に示すペリクル４００は、膜４１０の（ａ）最も水素エッチングのリスクにさらされており、（ｂ）使用時にＥＵＶ放射を受けない部分（前面４１４）に追加の保護部４３０を設ける。これにより、リソグラフィ装置ＬＡの性能に影響を与えることなく、ペリクルの寿命を延ばすことができる。
【0255】
[000254] 一部の実施形態では、保護部４３０は、膜４１０の使用時にＥＵＶ放射を受けない部分に設けられることがある。
【0256】
[000255] 保護部４３０は、膜４１０の境界４２０と一致する部分に設けられることがある。つまり、保護部４３０は境界４２０と重なることがある（ただし、ペリクル４００の反対側４１４に設けられる）。保護部４３０は、膜４１０の境界４２０と一致しない部分４１６内に部分的に延在することがある。つまり、保護部４３０は、膜４１０の境界４２０に取り付けられていない領域上に部分的に内側に延在することもある。
【0257】
[000256] 一部の実施形態では、保護部４３０は、保護部は、膜４１０の大部分と同じ材料から形成されることがある。そのような実施形態では、保護部４３０はバルク材料（例えば、ＣＮＴ膜）の厚さが増した部分である場合があり、これは水素によってエッチングされる厚さが増した犠牲部として機能することがある。
【0258】
[000257] 一部の実施形態では、保護部４３０は、それが取り付けられる膜４１０の一部を水素エッチングから保護するのに適した材料から形成されることがある。そのような実施形態では、保護部４３０はキャッピング材料を含むことがある。キャッピング材料は、次の材料のいずれかを単独で又は組み合わせて含むことがある：イットリウム（Ｙ）、酸化イットリウム（ＹａＯｂ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）、アルミニウム（Ａｌ）又はジルコニウム（Ｚｒ）。キャッピング材料は、様々な材料から形成された複数の副層を含むことがある。
【0259】
[000258] 保護部４３０には、（膜４１０の中央部と比較して）そのようなキャッピング材料がより厚めに供給され得ることが理解されるであろう。
【0260】
[000259] 一部の実施形態では、膜４１０はナノチューブを含む。例えば、膜４１０はＣＮＴから形成された織物である場合がある。これはカーボンナノチューブ膜と呼ばれることがある。これは、ＥＵＶリソグラフィ装置のペリクル膜として使用するのに特に有望な材料である。そのようなＣＮＴペリクルは多孔質材料であるため、非常に高いＥＵＶ透過率（＞９８％）をもたらす可能性がある。更に、ＣＮＴペリクルは非常に優れた機械的安定性も提供するため、機械的故障に対して堅牢なままでありながら、小さな厚さで製造することができる。他の実施形態では、膜４１０はグラフェン及び／又は非晶質炭素を含むことがある。
【0261】
[000260] 一部の実施形態では、ペリクル４００は更に、膜４１０の少なくとも１つの表面をコーティングするキャッピング材料を含む。
【0262】
【0263】
[000262] 例えば、膜４１０は、第１の材料（例えばＣＮＴ膜）から形成された多孔質膜と、多孔質膜の少なくとも１つの面に隣接する少なくとも１つの二次元材料（例えばグラフェン）層と、少なくとも１つの二次元材料層に隣接する少なくとも１つのキャッピング層であって、少なくとも１つの二次元材料層がその又は各キャッピング層と多孔質膜との間に配置される少なくとも１つのキャッピング層とを含むことがある。
【0264】
[000263] この文書におけるマスク又はレチクルへの言及は、パターニングデバイスへの言及として解釈されることがあり（マスク又はレチクルはパターニングデバイスの一例である）、これらの用語は同じ意味で使用されることがある。特に、マスクアセンブリという用語は、レチクルアセンブリ及びパターニングデバイスアセンブリと同義である。
【0265】
[000264] 本明細書ではリソグラフィ装置に関連して本発明の実施形態について具体的な言及がなされているが、本発明の実施形態は他の装置に使用することもできる。本発明の実施形態は、マスク検査装置、メトロロジ装置、又はウェーハ（あるいはその他の基板）もしくはマスク（あるいはその他のパターニングデバイス）などのオブジェクトを測定又は処理する任意の装置の一部を形成してよい。これらの装置は一般にリソグラフィツールと呼ばれることがある。このようなリソグラフィツールは、真空条件又は周囲（非真空）条件を使用することができる。
【0266】
[000265] 用語「ＥＵＶ放射」は、４～２０ｎｍの範囲内、例えば１３～１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射を包含すると考えられることがある。ＥＵＶ放射は、１０ｎｍ未満、例えば６．７ｎｍ又は６．８ｎｍなどの４～１０ｎｍの範囲内の波長を有することがある。
【0267】
[000266] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。考えられる他の用途は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。
【0268】
以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることは理解されよう。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲及び条項から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【0269】
１．リソグラフィ装置で使用するためのペリクルを形成する方法であって、
第１の材料から形成された多孔質膜を設けること、
多孔質膜の少なくとも１つの面に少なくとも１つの二次元材料層を塗布すること、及び
多孔質膜の少なくとも１つの面上の少なくとも１つの二次元材料層にキャッピング層を、少なくとも１つの二次元材料層がその又は各キャッピング層と多孔質膜との間に配置されるように塗布することを含む方法。
２．少なくとも１つの二次元材料層の多孔質膜の少なくとも１つの面への塗布が、湿式転写プロセスを用いて達成される、条項１の方法。
３．少なくとも１つの二次元材料層を多孔質膜の少なくとも１つの面に塗布することが、
少なくとも１つの二次元材料層を支持基板上に設けること、
少なくとも１つの二次元材料層を多孔質膜のある面に押し付けること、及び
支持基板を除去することを含む、条項１の方法。
４．支持基板がその表面に犠牲層を備え、
少なくとも１つの二次元材料層が犠牲層上に設けられ、
支持基板を除去することが、犠牲層をエッチングして支持基板を除去することを含む、条項３の方法。
５．多孔質膜がナノ構造を含む、条項１から４のいずれか一項の方法。
６．多孔質膜がナノチューブを含む、条項５の方法。
７．多孔質膜が実質的に自立式である、条項１から６のいずれか一項の方法。
８．その又は各少なくとも１つの二次元材料層が、多孔質膜の少なくとも１つの面に隣接する実質的に連続した層として塗布される、条項１から７のいずれか一項の方法。
９．二次元材料がグラフェンを含む、条項１から８のいずれか一項の方法。
１０．二次元材料が六方晶窒化ホウ素（ｈ－ＢＮ）を含む、条項１から９のいずれか一項の方法。
１１．二次元材料が二硫化モリブデン（ＭｏＳ２）を含む、条項１から１０のいずれか一項の方法。
１２．少なくとも１つの二次元材料層が多孔質膜の両面に塗布され、キャッピング層が、少なくとも１つの二次元材料層がキャッピング層と多孔質膜との間に配置されるようにペリクルの各側に塗布される、条項１から１１のいずれか一項の方法。
１３．その又は各キャッピング層が三次元材料である、条項１から１２のいずれか一項の方法。
１４．その又は各キャッピング層の全ＥＵＶ透過率が９６％以上である、条項１から１３のいずれか一項の方法。
１５．少なくとも１つのキャッピング層が、多孔質層及び少なくとも１つの二次元材料層を水素エッチングから保護するのに適している、条項１から１４のいずれか一項の方法。
１６．少なくとも１つのキャッピング層が、ＥＵＶ放射に対する消衰係数が０．０２ｎｍ－１未満の材料から形成される、条項１から１５のいずれか一項の方法。
１７．キャッピング層が０．３から５ｎｍ程度の厚さを有する、条項１から１６のいずれか一項の方法。
１８．キャッピング層がイットリウム又は酸化イットリウムを含む、条項１から１７のいずれか一項の方法。
１９．キャッピング層が、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）、アルミニウム（Ａｌ）又はジルコニウム（Ｚｒ）のうちのいずれかを含む、条項１から１８のいずれか一項の方法。
２０．多孔質膜の周辺部にペリクル境界を取り付けることを更に含む、条項１から１９のいずれか一項の方法。
２１．ペリクル境界が、少なくとも１つの二次元材料層が多孔質膜の少なくとも１つの面に塗布される前に多孔質膜の周辺部に取り付けられる、条項２０の方法。
２２．リソグラフィ装置で使用するためのペリクルであって、
第１の材料から形成された多孔質膜と、
多孔質膜の少なくとも１つの面に隣接する少なくとも１つの二次元材料層と、
少なくとも１つの二次元材料層に隣接する少なくとも１つのキャッピング層であって、少なくとも１つの二次元材料層がその又は各キャッピング層と多孔質膜との間に配置される少なくとも１つのキャッピング層と
を備えるペリクル。
２３．多孔質膜がナノ構造を含む、条項２２のペリクル。
２４．多孔質膜がナノチューブを含む、条項２３のペリクル。
２５．多孔質膜が実質的に自立式である、条項２２から２４のいずれか一項のペリクル。
２６．その又は各少なくとも１つの二次元材料層が、多孔質膜の少なくとも１つの面に隣接する実質的に連続した層を構成する、条項２２から２５のいずれか一項のペリクル。
２７．二次元材料がグラフェンを含む、条項２２から２６のいずれか一項のペリクル。
２８．二次元材料が六方晶窒化ホウ素（ｈ－ＢＮ）を含む、条項２２から２７のいずれか一項のペリクル。
２９．二次元材料が二硫化モリブデン（ＭｏＳ２）を含む、条項２２から２８のいずれか一項のペリクル。
３０．少なくとも１つの二次元材料層が多孔質膜の両面に隣接して設けられ、キャッピング層が、少なくとも１つの二次元材料層がキャッピング層と多孔質膜との間に配置されるようにペリクルの各側に設けられる、条項２２から２９のいずれか一項のペリクル。
３１．その又は各キャッピング層が三次元材料である、条項２２から３０のいずれか一項のペリクル。
３２．その又は各キャッピング層の全ＥＵＶ透過率が９６％以上である、条項２２から３１のいずれか一項のペリクル。
３３．少なくとも１つのキャッピング層が、多孔質層及び少なくとも１つの二次元材料層を水素エッチングから保護するのに適している、条項２２から３２のいずれか一項のペリクル。
３４．少なくとも１つのキャッピング層が、ＥＵＶ放射に対する消衰係数が０．０２ｎｍ－１未満の材料から形成される、条項２２から３３のいずれか一項のペリクル。
３５．キャッピング層が０．３から５ｎｍ程度の厚さを有する、条項２２から３４のいずれか一項のペリクル。
３６．キャッピング層がイットリウム又は酸化イットリウムを含む、条項２２から３５のいずれか一項のペリクル。
３７．キャッピング層が、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）、アルミニウム（Ａｌ）又はジルコニウム（Ｚｒ）のうちのいずれかを含む、条項２２から３６のいずれか一項のペリクル。
３８．キャッピング層が、様々な材料から形成された複数の副層を含む、条項２２から３７のいずれか一項のペリクル。
３９．多孔質膜の周辺部にペリクル境界を更に備えた、条項２２から３８のいずれか一項のペリクル。
４０．放射ビームを使用して基板上にパターニングデバイスの像を形成するように動作可能なリソグラフィ装置であって、放射ビームの経路内に配置された膜を備え、膜が、 第１の材料から形成された多孔質膜と、
多孔質膜の少なくとも１つの面に隣接する少なくとも１つの二次元材料層と、
少なくとも１つの二次元材料層に隣接する少なくとも１つのキャッピング層であって、少なくとも１つの二次元材料層がその又は各キャッピング層と多孔質膜との間に配置される少なくとも１つのキャッピング層と
を備えたリソグラフィ装置。
４１．膜が動的ガスロックの一部を構成する、条項４０のリソグラフィ装置。
４２．膜がスペクトルフィルタの一部を構成する、条項４０のリソグラフィ装置。
４３．多孔質膜がナノ構造を含む、条項４０から４２のいずれか一項のリソグラフィ装置。
４４．多孔質膜がナノチューブを含む、条項４３のリソグラフィ装置。
４５．多孔質膜が実質的に自立式である、条項４０から４４のいずれか一項のリソグラフィ装置。
４６．その又は各少なくとも１つの二次元材料層が、多孔質膜の少なくとも１つの面に隣接する実質的に連続した層を構成する、条項４０から４５のいずれか一項のリソグラフィ装置。
４７．二次元材料がグラフェンを含む、条項４０から４６のいずれか一項のリソグラフィ装置。
４８．二次元材料が六方晶窒化ホウ素（ｈ－ＢＮ）を含む、条項４０から４７のいずれか一項のリソグラフィ装置。
４９．二次元材料が二硫化モリブデン（ＭｏＳ２）を含む、条項４０から４８のいずれか一項のリソグラフィ装置。
５０．少なくとも１つの二次元材料層が多孔質膜の両面に隣接して設けられ、キャッピング層が、少なくとも１つの二次元材料層がキャッピング層と多孔質膜との間に配置されるように膜の各側に設けられる、条項４０から４９のいずれか一項のリソグラフィ装置。
５１．その又は各キャッピング層が三次元材料である、条項４０から５０のいずれか一項のリソグラフィ装置。
５２．少なくとも１つのキャッピング層が、多孔質層及び少なくとも１つの二次元材料層を水素エッチングから保護するのに適している、条項４０から５１のいずれか一項のリソグラフィ装置。
５３．少なくとも１つのキャッピング層が、ＥＵＶ放射に対する消衰係数が０．０２ｎｍ－１未満の材料から形成される、条項４０から５２のいずれか一項のリソグラフィ装置。
５４．キャッピング層が０．３から５ｎｍ程度の厚さを有する、条項５０から５３のいずれか一項のリソグラフィ装置。
５５．キャッピング層がイットリウム又は酸化イットリウムを含む、条項５０から５４のいずれか一項のリソグラフィ装置。
５６．キャッピング層が、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）、アルミニウム（Ａｌ）又はジルコニウム（Ｚｒ）のうちのいずれかを含む、条項５０から５５のいずれか一項のリソグラフィ装置。
５７．キャッピング層が、様々な材料から形成された複数の副層を含む、条項５０から５６のいずれか一項のリソグラフィ装置。
５８．多孔質膜の周辺部に膜境界を更に備えた、条項４０から５７のいずれか一項のリソグラフィ装置。
５９．リソグラフィ装置で使用するためのペリクルであって、
膜と、
膜の周辺部かつ第１の面上にある境界と、
膜の周辺部かつ第２の面上にある保護部と
を備えるペリクル。
６０．保護部が、膜の使用時にＥＵＶ放射を受けない部分に設けられる、条項５９のペリクル。
６１．保護部が、膜の境界と一致する部分に設けられる、条項５９又は条項６０のペリクル。
６２．保護部が、膜の境界と一致しない部分内に部分的に延在する、条項６１のペリクル。
６３．保護部が、膜の大部分と同じ材料から形成される、条項５９から６２のいずれか一項のペリクル。
６４．保護部が、膜のそれが取り付けられる部分を水素エッチングから保護するのに適した材料を含む、条項５９から６３のいずれか一項のペリクル。
６５．膜が、ナノチューブ、グラフェン及び／又は非晶質炭素を含む、条項５９から６４のいずれか一項のペリクル。
６６．膜の少なくとも１つの表面をコーティングするキャッピング材料を更に含む、条項５９から６５のいずれか一項のペリクル。
６７．膜が、
第１の材料から形成された多孔質膜と、
多孔質膜の少なくとも１つの面に隣接する少なくとも１つの二次元材料層と、
少なくとも１つの二次元材料層に隣接する少なくとも１つのキャッピング層であって、少なくとも１つの二次元材料層がその又は各キャッピング層と多孔質膜との間に配置される少なくとも１つのキャッピング層と
を含む、条項５９から６６のいずれか一項のペリクル。
第１の材料から形成された多孔質膜を設けること、
多孔質膜の少なくとも１つの面に少なくとも１つの二次元材料層を塗布すること、及び
多孔質膜の少なくとも１つの面上の少なくとも１つの二次元材料層にキャッピング層を、少なくとも１つの二次元材料層がその又は各キャッピング層と多孔質膜との間に配置されるように塗布することを含む方法。
２．少なくとも１つの二次元材料層の多孔質膜の少なくとも１つの面への塗布が、湿式転写プロセスを用いて達成される、条項１の方法。
３．少なくとも１つの二次元材料層を多孔質膜の少なくとも１つの面に塗布することが、
少なくとも１つの二次元材料層を支持基板上に設けること、
少なくとも１つの二次元材料層を多孔質膜のある面に押し付けること、及び
支持基板を除去することを含む、条項１の方法。
４．支持基板がその表面に犠牲層を備え、
少なくとも１つの二次元材料層が犠牲層上に設けられ、
支持基板を除去することが、犠牲層をエッチングして支持基板を除去することを含む、条項３の方法。
５．多孔質膜がナノ構造を含む、条項１から４のいずれか一項の方法。
６．多孔質膜がナノチューブを含む、条項５の方法。
７．多孔質膜が実質的に自立式である、条項１から６のいずれか一項の方法。
８．その又は各少なくとも１つの二次元材料層が、多孔質膜の少なくとも１つの面に隣接する実質的に連続した層として塗布される、条項１から７のいずれか一項の方法。
９．二次元材料がグラフェンを含む、条項１から８のいずれか一項の方法。
１０．二次元材料が六方晶窒化ホウ素（ｈ－ＢＮ）を含む、条項１から９のいずれか一項の方法。
１１．二次元材料が二硫化モリブデン（ＭｏＳ２）を含む、条項１から１０のいずれか一項の方法。
１２．少なくとも１つの二次元材料層が多孔質膜の両面に塗布され、キャッピング層が、少なくとも１つの二次元材料層がキャッピング層と多孔質膜との間に配置されるようにペリクルの各側に塗布される、条項１から１１のいずれか一項の方法。
１３．その又は各キャッピング層が三次元材料である、条項１から１２のいずれか一項の方法。
１４．その又は各キャッピング層の全ＥＵＶ透過率が９６％以上である、条項１から１３のいずれか一項の方法。
１５．少なくとも１つのキャッピング層が、多孔質層及び少なくとも１つの二次元材料層を水素エッチングから保護するのに適している、条項１から１４のいずれか一項の方法。
１６．少なくとも１つのキャッピング層が、ＥＵＶ放射に対する消衰係数が０．０２ｎｍ－１未満の材料から形成される、条項１から１５のいずれか一項の方法。
１７．キャッピング層が０．３から５ｎｍ程度の厚さを有する、条項１から１６のいずれか一項の方法。
１８．キャッピング層がイットリウム又は酸化イットリウムを含む、条項１から１７のいずれか一項の方法。
１９．キャッピング層が、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）、アルミニウム（Ａｌ）又はジルコニウム（Ｚｒ）のうちのいずれかを含む、条項１から１８のいずれか一項の方法。
２０．多孔質膜の周辺部にペリクル境界を取り付けることを更に含む、条項１から１９のいずれか一項の方法。
２１．ペリクル境界が、少なくとも１つの二次元材料層が多孔質膜の少なくとも１つの面に塗布される前に多孔質膜の周辺部に取り付けられる、条項２０の方法。
２２．リソグラフィ装置で使用するためのペリクルであって、
第１の材料から形成された多孔質膜と、
多孔質膜の少なくとも１つの面に隣接する少なくとも１つの二次元材料層と、
少なくとも１つの二次元材料層に隣接する少なくとも１つのキャッピング層であって、少なくとも１つの二次元材料層がその又は各キャッピング層と多孔質膜との間に配置される少なくとも１つのキャッピング層と
を備えるペリクル。
２３．多孔質膜がナノ構造を含む、条項２２のペリクル。
２４．多孔質膜がナノチューブを含む、条項２３のペリクル。
２５．多孔質膜が実質的に自立式である、条項２２から２４のいずれか一項のペリクル。
２６．その又は各少なくとも１つの二次元材料層が、多孔質膜の少なくとも１つの面に隣接する実質的に連続した層を構成する、条項２２から２５のいずれか一項のペリクル。
２７．二次元材料がグラフェンを含む、条項２２から２６のいずれか一項のペリクル。
２８．二次元材料が六方晶窒化ホウ素（ｈ－ＢＮ）を含む、条項２２から２７のいずれか一項のペリクル。
２９．二次元材料が二硫化モリブデン（ＭｏＳ２）を含む、条項２２から２８のいずれか一項のペリクル。
３０．少なくとも１つの二次元材料層が多孔質膜の両面に隣接して設けられ、キャッピング層が、少なくとも１つの二次元材料層がキャッピング層と多孔質膜との間に配置されるようにペリクルの各側に設けられる、条項２２から２９のいずれか一項のペリクル。
３１．その又は各キャッピング層が三次元材料である、条項２２から３０のいずれか一項のペリクル。
３２．その又は各キャッピング層の全ＥＵＶ透過率が９６％以上である、条項２２から３１のいずれか一項のペリクル。
３３．少なくとも１つのキャッピング層が、多孔質層及び少なくとも１つの二次元材料層を水素エッチングから保護するのに適している、条項２２から３２のいずれか一項のペリクル。
３４．少なくとも１つのキャッピング層が、ＥＵＶ放射に対する消衰係数が０．０２ｎｍ－１未満の材料から形成される、条項２２から３３のいずれか一項のペリクル。
３５．キャッピング層が０．３から５ｎｍ程度の厚さを有する、条項２２から３４のいずれか一項のペリクル。
３６．キャッピング層がイットリウム又は酸化イットリウムを含む、条項２２から３５のいずれか一項のペリクル。
３７．キャッピング層が、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）、アルミニウム（Ａｌ）又はジルコニウム（Ｚｒ）のうちのいずれかを含む、条項２２から３６のいずれか一項のペリクル。
３８．キャッピング層が、様々な材料から形成された複数の副層を含む、条項２２から３７のいずれか一項のペリクル。
３９．多孔質膜の周辺部にペリクル境界を更に備えた、条項２２から３８のいずれか一項のペリクル。
４０．放射ビームを使用して基板上にパターニングデバイスの像を形成するように動作可能なリソグラフィ装置であって、放射ビームの経路内に配置された膜を備え、膜が、 第１の材料から形成された多孔質膜と、
多孔質膜の少なくとも１つの面に隣接する少なくとも１つの二次元材料層と、
少なくとも１つの二次元材料層に隣接する少なくとも１つのキャッピング層であって、少なくとも１つの二次元材料層がその又は各キャッピング層と多孔質膜との間に配置される少なくとも１つのキャッピング層と
を備えたリソグラフィ装置。
４１．膜が動的ガスロックの一部を構成する、条項４０のリソグラフィ装置。
４２．膜がスペクトルフィルタの一部を構成する、条項４０のリソグラフィ装置。
４３．多孔質膜がナノ構造を含む、条項４０から４２のいずれか一項のリソグラフィ装置。
４４．多孔質膜がナノチューブを含む、条項４３のリソグラフィ装置。
４５．多孔質膜が実質的に自立式である、条項４０から４４のいずれか一項のリソグラフィ装置。
４６．その又は各少なくとも１つの二次元材料層が、多孔質膜の少なくとも１つの面に隣接する実質的に連続した層を構成する、条項４０から４５のいずれか一項のリソグラフィ装置。
４７．二次元材料がグラフェンを含む、条項４０から４６のいずれか一項のリソグラフィ装置。
４８．二次元材料が六方晶窒化ホウ素（ｈ－ＢＮ）を含む、条項４０から４７のいずれか一項のリソグラフィ装置。
４９．二次元材料が二硫化モリブデン（ＭｏＳ２）を含む、条項４０から４８のいずれか一項のリソグラフィ装置。
５０．少なくとも１つの二次元材料層が多孔質膜の両面に隣接して設けられ、キャッピング層が、少なくとも１つの二次元材料層がキャッピング層と多孔質膜との間に配置されるように膜の各側に設けられる、条項４０から４９のいずれか一項のリソグラフィ装置。
５１．その又は各キャッピング層が三次元材料である、条項４０から５０のいずれか一項のリソグラフィ装置。
５２．少なくとも１つのキャッピング層が、多孔質層及び少なくとも１つの二次元材料層を水素エッチングから保護するのに適している、条項４０から５１のいずれか一項のリソグラフィ装置。
５３．少なくとも１つのキャッピング層が、ＥＵＶ放射に対する消衰係数が０．０２ｎｍ－１未満の材料から形成される、条項４０から５２のいずれか一項のリソグラフィ装置。
５４．キャッピング層が０．３から５ｎｍ程度の厚さを有する、条項５０から５３のいずれか一項のリソグラフィ装置。
５５．キャッピング層がイットリウム又は酸化イットリウムを含む、条項５０から５４のいずれか一項のリソグラフィ装置。
５６．キャッピング層が、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）、アルミニウム（Ａｌ）又はジルコニウム（Ｚｒ）のうちのいずれかを含む、条項５０から５５のいずれか一項のリソグラフィ装置。
５７．キャッピング層が、様々な材料から形成された複数の副層を含む、条項５０から５６のいずれか一項のリソグラフィ装置。
５８．多孔質膜の周辺部に膜境界を更に備えた、条項４０から５７のいずれか一項のリソグラフィ装置。
５９．リソグラフィ装置で使用するためのペリクルであって、
膜と、
膜の周辺部かつ第１の面上にある境界と、
膜の周辺部かつ第２の面上にある保護部と
を備えるペリクル。
６０．保護部が、膜の使用時にＥＵＶ放射を受けない部分に設けられる、条項５９のペリクル。
６１．保護部が、膜の境界と一致する部分に設けられる、条項５９又は条項６０のペリクル。
６２．保護部が、膜の境界と一致しない部分内に部分的に延在する、条項６１のペリクル。
６３．保護部が、膜の大部分と同じ材料から形成される、条項５９から６２のいずれか一項のペリクル。
６４．保護部が、膜のそれが取り付けられる部分を水素エッチングから保護するのに適した材料を含む、条項５９から６３のいずれか一項のペリクル。
６５．膜が、ナノチューブ、グラフェン及び／又は非晶質炭素を含む、条項５９から６４のいずれか一項のペリクル。
６６．膜の少なくとも１つの表面をコーティングするキャッピング材料を更に含む、条項５９から６５のいずれか一項のペリクル。
６７．膜が、
第１の材料から形成された多孔質膜と、
多孔質膜の少なくとも１つの面に隣接する少なくとも１つの二次元材料層と、
少なくとも１つの二次元材料層に隣接する少なくとも１つのキャッピング層であって、少なくとも１つの二次元材料層がその又は各キャッピング層と多孔質膜との間に配置される少なくとも１つのキャッピング層と
を含む、条項５９から６６のいずれか一項のペリクル。
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図4】
【図5】
【図6】
【手続補正書】
【提出日】2024-07-17
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
リソグラフィ装置で使用するためのペリクルであって、第１の材料から形成された多孔質膜と、
前記多孔質膜の少なくとも１つの面に隣接する少なくとも１つの二次元材料層と、
前記少なくとも１つの二次元材料層に隣接する少なくとも１つのキャッピング層であって、前記少なくとも１つの二次元材料層が前記又は各キャッピング層と前記多孔質膜との間に配置される少なくとも１つのキャッピング層と
を備えたペリクル。
【請求項2】
前記多孔質膜がナノ構造を含む、請求項１のペリクル。
【請求項3】
前記多孔質膜が実質的に自立式である、請求項１又は２のペリクル。
【請求項4】
前記又は各少なくとも１つの二次元材料層が、前記多孔質膜の前記少なくとも１つの面に隣接する実質的に連続した層を構成する、請求項１又は２のペリクル。
【請求項5】
前記二次元材料がグラフェン又はナノチューブを含む、請求項１又は２のペリクル。
【請求項6】
前記二次元材料が六方晶窒化ホウ素（ｈ－ＢＮ）又は二硫化モリブデン（ＭｏＳ２）を含む、請求項１又は２のペリクル。
【請求項7】
少なくとも１つの二次元材料層が前記多孔質膜の両面に隣接して設けられ、キャッピング層が、前記少なくとも１つの二次元材料層がキャッピング層と前記多孔質膜との間に配置されるように前記ペリクルの各側に設けられる、請求項１又は２のペリクル。
【請求項8】
前記又は各キャッピング層が三次元材料である、請求項１又は２のペリクル。
【請求項9】
前記又は各キャッピング層の全ＥＵＶ透過率が９６％以上である、請求項１又は２のペリクル。
【請求項10】
前記少なくとも１つのキャッピング層が、前記多孔質層及び前記少なくとも１つの二次元材料層を水素エッチングから保護するのに適している、請求項１又は２のペリクル。
【請求項11】
前記少なくとも１つのキャッピング層が、ＥＵＶ放射に対する消衰係数が０．０２ｎｍ－１未満の材料から形成される、請求項１又は２のペリクル。
【請求項12】
前記キャッピング層が０．３から５ｎｍ程度の厚さを有する、請求項１又は２のペリクル。
【請求項13】
前記キャッピング層がイットリウム又は酸化イットリウムを含む、請求項１又は２のペリクル。
【請求項14】
前記キャッピング層が、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）、アルミニウム（Ａｌ）又はジルコニウム（Ｚｒ）のうちのいずれかを含む、請求項１又は２のペリクル。
【請求項15】
リソグラフィ装置で使用するためのペリクルを形成する方法であって、第１の材料から形成された多孔質膜を設けること、
前記多孔質膜の少なくとも１つの面に少なくとも１つの二次元材料層を塗布すること、及び
前記多孔質膜の少なくとも１つの面上の前記少なくとも１つの二次元材料層にキャッピング層を、前記少なくとも１つの二次元材料層が前記又は各キャッピング層と前記多孔質膜との間に配置されるように塗布することを含む方法。
【国際調査報告】