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特表2024-541664高度なパターニングのための準グローバルカソードコンタクト方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-11-08
(54)【発明の名称】高度なパターニングのための準グローバルカソードコンタクト方法
(51)【国際特許分類】
H10K 50/824 20230101AFI20241031BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20241031BHJP
H10K 50/844 20230101ALI20241031BHJP
H10K 59/35 20230101ALI20241031BHJP
H10K 59/121 20230101ALI20241031BHJP
【ＦＩ】
H10K50/824
H10K59/122
H10K50/844 445
H10K59/35
H10K59/121 213
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024533030
(86)(22)【出願日】2022-11-30
(85)【翻訳文提出日】2024-06-03
(86)【国際出願番号】 US2022051416
(87)【国際公開番号】W WO2023102056
(87)【国際公開日】2023-06-08
(31)【優先権主張番号】63/264,893
(32)【優先日】2021-12-03
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】17/653,329
(32)【優先日】2022-03-03
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】202210430274.9
(32)【優先日】2022-04-22
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(31)【優先権主張番号】17/805,257
(32)【優先日】2022-06-03
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】390040660
【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．
(74)【代理人】
【識別番号】100103610
【弁理士】
【氏名又は名称】▲吉▼田 和彦
(74)【代理人】
【識別番号】100109070
【弁理士】
【氏名又は名称】須田 洋之
(74)【代理人】
【識別番号】100119013
【弁理士】
【氏名又は名称】山崎 一夫
(74)【代理人】
【識別番号】100067013
【弁理士】
【氏名又は名称】大塚 文昭
(74)【代理人】
【識別番号】100120525
【弁理士】
【氏名又は名称】近藤 直樹
(74)【代理人】
【識別番号】100139712
【弁理士】
【氏名又は名称】那須 威夫
(74)【代理人】
【識別番号】100141553
【弁理士】
【氏名又は名称】鈴木 信彦
(74)【代理人】
【識別番号】100228337
【弁理士】
【氏名又は名称】大橋 綾
(72)【発明者】
【氏名】リー ジュンミン
(72)【発明者】
【氏名】リン ユ シン
(72)【発明者】
【氏名】チェン チュン－チア
(72)【発明者】
【氏名】チョン ジ－ヨン
(72)【発明者】
【氏名】ハース ディーター
(72)【発明者】
【氏名】キム シ キョン
【テーマコード（参考）】
3K107
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC23
3K107CC33
3K107DD37
3K107DD89
3K107DD95
3K107DD96
3K107EE03
3K107EE07
3K107EE48
3K107EE49
3K107EE50
3K107FF15
(57)【要約】
本明細書に記載の実施形態は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイなどのディスプレイで使用され得るサブピクセル回路およびサブピクセル回路を形成する方法に関する。サブピクセル回路は、複数のコンタクトオーバーハングを含む。複数のコンタクトオーバーハングは、形成されるサブピクセル回路の隣接するサブピクセル間に配置される。コンタクトオーバーハングは、ＰＤＬ構造を通して露出された金属格子上に形成される。カソードが、コンタクトオーバーハングに接触するように蒸着によって堆積される。金属格子は、基板上に配置された複数の金属層に対して垂直である。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
サブ回路であって、アノード画定層（ＡＤＬ）上に配置された金属格子であり、前記ＡＤＬが、基板上に配置されたアノードを露出させる、金属格子と、
前記金属格子上に配置された無機オーバーハング構造であり、隣接するＡＤＬが、前記サブ回路の複数のサブピクセルを画定し、前記複数のサブピクセルのうちの各サブピクセルが、
前記ＡＤＬによって画定されたアノードと、
前記アノード上に前記アノードに接触して配置された有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料と、
前記ＯＬＥＤ材料上に配置されたカソードと
を含む、無機オーバーハング構造と、
前記金属格子のそれぞれの補助カソードライン上に配置された少なくとも１つのコンタクトオーバーハングであり、前記コンタクトオーバーハングが、前記複数のサブピクセルのうちの２つのサブピクセル間に配置され、前記カソードが前記コンタクトオーバーハングに接触する、少なくとも１つのコンタクトオーバーハングと
を備える、サブ回路。
【請求項2】
前記ＡＤＬ上に配置されたピクセル画定層（ＰＤＬ）構造をさらに備え、隣接するＰＤＬ構造が、前記サブ回路の前記複数のサブピクセルをさらに画定する、請求項１に記載のサブ回路。
【請求項3】
前記少なくとも１つのコンタクトオーバーハングが、前記ＰＤＬ構造の露出部内に配置されて、前記金属格子を露出させる、請求項２に記載のサブ回路。
【請求項4】
前記複数のサブピクセルのうちの各サブピクセルが、前記カソード、前記コンタクトオーバーハング、前記少なくとも１つのコンタクトオーバーハング、および前記無機オーバーハング構造上に配置された封入層をさらに含む、請求項１に記載のサブ回路。
【請求項5】
前記封入層が、前記無機オーバーハング構造の構造ステム部および構造底面に接触する、請求項４に記載のサブ回路。
【請求項6】
前記無機オーバーハング構造、前記少なくとも１つのコンタクトオーバーハング、および前記封入層上に配置された中間層およびグローバルパッシベーション層をさらに備える、請求項４に記載のサブ回路。
【請求項7】
前記サブ回路の前記カソードが、前記少なくとも１つのコンタクトオーバーハングのステム部に接触する、請求項１に記載のサブ回路。
【請求項8】
前記少なくとも１つのコンタクトオーバーハングに接触する前記それぞれの補助カソードラインに電流を印加することによって、前記サブ回路が起動されるように動作可能である、請求項１に記載のサブ回路。
【請求項9】
デバイスであって、基板と、
前記基板上に配置された複数の金属層と、
前記複数の金属層および前記基板上に配置されたアノード画定層（ＡＤＬ）であり、前記デバイスのアノードを画定する、アノード画定層と、
前記ＡＤＬ上に配置された金属格子であり、隣接するＡＤＬが、前記デバイスのサブピクセルを画定する、金属格子と、
複数のサブ回路であり、各サブ回路が、
前記ＡＤＬ上に配置された前記金属格子と、
前記金属格子上に配置された無機オーバーハング構造と、
第１の複数のサブピクセルと
を含み、前記第１の複数のサブピクセルのうちの各サブピクセルが、
前記ＡＤＬによって画定されたアノードと、
前記アノード上に前記アノードに接触して配置された有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料と、
前記ＯＬＥＤ材料上に配置されたカソードと
を含む、複数のサブ回路と、
前記金属格子のそれぞれの補助カソードライン上に配置された少なくとも１つのコンタクトオーバーハングであり、前記コンタクトオーバーハングが、前記第１の複数のサブピクセルのうちの２つのサブピクセル間に配置され、前記カソードが前記コンタクトオーバーハングに接触する、少なくとも１つのコンタクトオーバーハングと
を備える、デバイス。
【請求項10】
前記ＡＤＬ上に配置されたピクセル画定層（ＰＤＬ）構造をさらに備え、隣接するＰＤＬ構造が、前記サブ回路の前記第１の複数のサブピクセルをさらに画定する、請求項９に記載のデバイス。
【請求項11】
前記金属格子が、前記ＰＤＬ構造の露出部を通して露出され、前記少なくとも１つのコンタクトオーバーハングが、前記露出部において前記金属格子上に配置されている、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項12】
前記第１の複数のサブピクセルのうちの各サブピクセルが、前記カソード、前記コンタクトオーバーハング、前記少なくとも１つのコンタクトオーバーハング、および前記無機オーバーハング構造上に配置された封入層をさらに含む、請求項９に記載のデバイス。
【請求項13】
前記封入層が、前記無機オーバーハング構造の構造ステム部および構造底面に接触する、請求項１２に記載のデバイス。
【請求項14】
前記無機オーバーハング構造、前記少なくとも１つのコンタクトオーバーハング、および前記封入層上に配置された中間層およびグローバルパッシベーション層をさらに備える、請求項１２に記載のデバイス。
【請求項15】
前記カソードが、前記少なくとも１つのコンタクトオーバーハングの少なくともステム部に接触する、請求項９に記載のデバイス。
【請求項16】
前記無機オーバーハング構造が、オーバーハング構造深さに対するオーバーハング構造高さの比として規定されたオーバーハング構造比を有し、前記オーバーハング構造比が、約１．０：１．２～約１．０：１．３である、請求項９に記載のデバイス。
【請求項17】
前記少なくとも１つのコンタクトオーバーハングが、オーバーハング深さに対するオーバーハング高さの比として規定されたコンタクトオーバーハング比を有し、前記コンタクトオーバーハング比が、約１．０：１．０～約１．０：１．５である、請求項９に記載のデバイス。
【請求項18】
前記少なくとも１つのコンタクトオーバーハングが、ステム部とオーバーハング部とを含み、前記オーバーハング部が、前記ステム部よりも幅広で、第１のオーバーハングを形成する、請求項９に記載のデバイス。
【請求項19】
前記複数の金属層が前記金属格子に対して垂直である、請求項９に記載のデバイス。
【請求項20】
デバイスであって、基板と、
前記基板上に配置された複数の金属層と、
前記複数の金属層および前記基板上に配置されたアノード画定層（ＡＤＬ）であり、前記デバイスのアノードを画定する、アノード画定層と、
前記ＡＤＬ上に配置された金属格子であり、隣接するＡＤＬが、前記デバイスのサブピクセルを画定する、金属格子と、
複数のサブ回路であり、各サブ回路が、
前記ＡＤＬ上に配置された前記金属格子と、
前記金属格子上に配置された無機オーバーハング構造と、
第１の複数のサブピクセルと
を含み、前記第１の複数のサブピクセルのうちの各サブピクセルが、
前記ＡＤＬによって画定されたアノードと、
前記アノード上に前記アノードに接触して配置された有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料と、
前記ＯＬＥＤ材料上に配置されたカソードと
を含む、複数のサブ回路と、
前記金属格子のそれぞれの補助カソードライン上に配置された少なくとも１つのコンタクトオーバーハングであり、前記コンタクトオーバーハングが、前記第１の複数のサブピクセルのうちの２つのサブピクセル間に配置され、前記カソードが、前記少なくとも１つのコンタクトオーバーハングの少なくともステム部に接触し、前記少なくとも１つのコンタクトオーバーハングが、オーバーハング深さに対するオーバーハング高さの比として規定されたコンタクトオーバーハング比を含み、前記コンタクトオーバーハング比が、約１．０：１．０～約１．０：１．５である、少なくとも１つのコンタクトオーバーハングと
を備える、デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本明細書に記載の実施形態は、一般にディスプレイに関する。より詳細には、本明細書に記載の実施形態は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイなどのディスプレイで使用され得るサブピクセル回路およびサブピクセル回路を形成する方法に関する。
【背景技術】
【0002】
ディスプレイデバイスを含む入力デバイスを、様々な電子システムにおいて使用することができる。有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、電子発光層（ｅｍｉｓｓｉｖｅ ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ ｌａｙｅｒ）が電流に反応して発光する有機化合物の膜である、発光ダイオード（ＬＥＤ）である。ＯＬＥＤデバイスは、発された光が透明なまたは半透明な下部電極とパネルが上に製造された基板とを通過する場合、ボトムエミッションデバイスと分類される。トップエミッションデバイスは、ＯＬＥＤデバイスから発された光がデバイスの製造後に追加されたリッドを通って出る否かに基づいて分類される。ＯＬＥＤは、現在、多くの電子機器のディスプレイデバイスを作製するために使用されている。ＯＬＥＤデバイスは、隣接するピクセル画定層（ＰＤＬ）構造によって画定された複数のサブピクセルを含む。各サブピクセルは、アノードと、アノード上に配置された有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料と、ＯＬＥＤ材料上に配置されたカソードとを有する。１つまたは複数のサブピクセルに電力を供給するために、ローカル補助格子を使用して、入力電流を１つまたは複数のサブピクセルのカソードに分配する。ローカル補助格子を使用すると、漏れ電流が増加することがある。ＯＬＥＤ性能を向上させるために、改良されたカソードコンタクトの必要性が残っている。したがって、インチ当たりのピクセルを増加させ、ＯＬＥＤ性能を向上させる、サブピクセル回路およびサブピクセル回路を形成する方法が、当技術分野で必要とされている。
【発明の概要】
【0003】
一実施形態において、サブ回路が提供される。サブ回路は、アノード画定層（ＡＤＬ）上に配置された金属格子を備える。ＡＤＬは、基板上に配置されたアノードを露出させる。サブ回路は、金属格子上に配置された無機オーバーハング構造をさらに備える。隣接するＡＤＬは、サブ回路の複数のサブピクセルを画定する。複数のサブピクセルのうちの各サブピクセルは、ＡＤＬによって画定されたアノードと、アノード上にアノードに接触して配置された有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料と、ＯＬＥＤ材料上に配置されたカソードとを含む。サブ回路は、金属格子のそれぞれの補助カソードライン上に配置された少なくとも１つのコンタクトオーバーハングをさらに備える。コンタクトオーバーハングは、複数のサブピクセルのうちの２つのサブピクセル間に配置され、カソードはコンタクトオーバーハングに接触する。
【0004】
別の実施形態において、デバイスが提供される。デバイスは、基板と、基板上に配置された複数の金属層と、複数の金属層および基板上に配置されたアノード画定層（ＡＤＬ）とを備える。ＡＤＬは、デバイスのアノードを画定する。デバイスは、ＡＤＬ上に配置された金属格子をさらに備える。隣接するＡＤＬは、デバイスのサブピクセルを画定する。デバイスは、複数のサブ回路をさらに備える。各サブ回路は、ＡＤＬ上に配置された金属格子と、金属格子上に配置された無機オーバーハング構造と、第１の複数のサブピクセルとを含む。第１の複数のサブピクセルのうちの各サブピクセルは、ＡＤＬによって画定されたアノードと、アノード上にアノードに接触して配置された有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料と、ＯＬＥＤ材料上に配置されたカソードとを含む。デバイスは、金属格子のそれぞれの補助カソードライン上に配置された少なくとも１つのコンタクトオーバーハングをさらに備える。コンタクトオーバーハングは、第１の複数のサブピクセルのうちの２つのサブピクセル間に配置され、カソードはコンタクトオーバーハングに接触する。
【0005】
さらに別の実施形態において、デバイスが提供される。デバイスは、基板と、基板上に配置された複数の金属層と、複数の金属層および基板上に配置されたアノード画定層（ＡＤＬ）とを備える。ＡＤＬは、デバイスのアノードを画定する。デバイスは、ＡＤＬ上に配置された金属格子をさらに備える。隣接するＡＤＬは、デバイスのサブピクセルを画定する。デバイスは、複数のサブ回路をさらに備える。各サブ回路は、ＡＤＬ上に配置された金属格子と、金属格子上に配置された無機オーバーハング構造と、第１の複数のサブピクセルとを含む。第１の複数のサブピクセルのうちの各サブピクセルは、ＡＤＬによって画定されたアノードと、アノード上にアノードに接触して配置された有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料と、ＯＬＥＤ材料上に配置されたカソードとを含む。デバイスは、金属格子のそれぞれの補助カソードライン上に配置された少なくとも１つのコンタクトオーバーハングをさらに備える。コンタクトオーバーハングは、第１の複数のサブピクセルのうちの２つのサブピクセル間に配置され、カソードは、少なくとも１つのコンタクトオーバーハングの少なくともステム部に接触する。少なくとも１つのコンタクトオーバーハングは、オーバーハング深さに対するオーバーハング高さの比として規定されたコンタクトオーバーハング比を含み、コンタクトオーバーハング比は、約１．０：１．０～約１．０：１．５である。
【0006】
本開示の前述した特徴を詳細に理解できるように、一部が添付図面に例示されている実施形態を参照しながら、上記で簡単に要約した本開示をより具体的に説明し得る。しかしながら、添付図面は例示的な実施形態を示しているに過ぎず、したがって、本開示の範囲を限定するものとみなすべきではなく、その他の等しく有効な実施形態も許容され得ることに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1A】本明細書に記載の実施形態によるサブピクセル回路の概略断面図である。
【図1B】本明細書に記載の実施形態によるサブピクセル回路の概略断面図である。
【図1C】本明細書に記載の実施形態によるサブピクセル回路の概略断面図である。
【図1D】本明細書に記載の実施形態によるサブピクセル回路の概略断面図である。
【図1E】本明細書に記載の実施形態によるサブピクセル回路の概略上面図である。
【図2A】本明細書に記載の実施形態によるサブピクセル回路の一部の概略断面図である。
【図2B】本明細書に記載の実施形態によるサブピクセル回路の一部の概略断面図である。
【図3】本明細書に記載の実施形態によるサブピクセル回路の概略上面図である。
【図5A】本明細書に記載の実施形態による方法中の、サブピクセル回路の概略上面図である。
【図5B】本明細書に記載の実施形態による方法中の、サブピクセル回路の概略上面図である。
【図5C】本明細書に記載の実施形態による方法中の、サブピクセル回路の概略上面図である。
【図5D】本明細書に記載の実施形態による方法中の、サブピクセル回路の概略上面図である。
【図5E】本明細書に記載の実施形態による方法中の、サブピクセル回路の概略上面図である。
【図6A】本明細書に記載の実施形態による方法中の、サブピクセル回路の概略断面図である。
【図6B】本明細書に記載の実施形態による方法中の、サブピクセル回路の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
理解を容易にするために、可能であれば、同一の参照数字を使用して、図に共通する同一の要素を示している。一実施形態の要素および特徴を、さらなる記述なしで、他の実施形態に有益に組み込むことができると考えられる。
【0009】
本明細書に記載の実施形態は、一般にディスプレイに関する。より詳細には、本明細書に記載の実施形態は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイなどのディスプレイで使用され得るサブピクセル回路およびサブピクセル回路を形成する方法に関する。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることのできる一実施形態において、ディスプレイは、トップエミッション（ＴＥ）ＯＬＥＤディスプレイである。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることのできる別の実施形態において、ディスプレイは、パッシブマトリックス（ＰＭ）またはアクティブマトリックス（ＡＭ）ＯＬＥＤディスプレイである。各サブピクセルは、通電されると白、赤、緑、青、または他の色の光を発するように構成されたＯＬＥＤ材料を有する。例えば、第１のサブピクセルのＯＬＥＤ材料は、通電されると赤い光を発し、第２のサブピクセルのＯＬＥＤ材料は、通電されると緑の光を発し、第３のサブピクセルのＯＬＥＤ材料は、通電されると青い光を発する。
【0010】
図１Ａおよび図１Ｃは、サブピクセル回路１００の概略断面図である。図１Ａは、図１Ｅの切断線に沿って取られたものである。サブピクセル回路１００は基板１０２を含む。基板１０２は、ケイ素（Ｓｉ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、溶融シリカ、石英、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、またはサファイア含有材料を含むが、これらに限定されるものではない。複数の金属層１０４が、基板１０２上に配置されている。金属層１０４は、それぞれのサブピクセルのアノードとして動作するように構成されている。金属層１０４は、クロム、チタン、金、銀、銅、アルミニウム、ＩＴＯ、それらの組合せ、または他の適切な導電性材料を含むが、これらに限定されるものではない。金属層１０４は、サブピクセル回路１００をボトムエミッションディスプレイとして使用するかトップエミッションディスプレイとして使用するかに応じて、透明または反射性であってよい。
【0011】
アノード画定層（ＡＤＬ）１０８が、金属層１０４および基板１０２上に配置されている。ＡＤＬ１０８の開口部が、金属層１０４のアノード１１４を露出させる。サブピクセル回路１００のそれぞれのサブピクセル１１８が、アノード１１４を含む。一実施形態において、ＡＤＬ１０８は、ポリイミド材料を含むが、これに限定されるものではない。別の実施形態において、ＡＤＬ１０８は、第１の無機絶縁体材料を含む。第１の無機絶縁体材料は、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）、酸窒化ケイ素（Ｓｉ2Ｎ2Ｏ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、またはそれらの組合せを含むが、これらに限定されるものではない。
【0012】
一実施形態において、図１Ａに示すように、ピクセル画定層（ＰＤＬ）構造１１０が、基板１０２、複数の金属層１０４、およびＡＤＬ１０８上に配置されている。ＰＤＬ構造１１０は、第２の無機絶縁体材料を含む。第２の無機絶縁体材料は、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）、酸窒化ケイ素（Ｓｉ2Ｎ2Ｏ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、またはそれらの組合せを含むが、これらに限定されるものではない。一部の実施形態において、第１の無機絶縁体材料と第２の無機絶縁体材料とは、同じ材料である。隣接するＰＤＬ構造１１０は、それぞれのサブピクセル１１８を画定し、サブピクセル回路１００のサブピクセル１１８の金属層１０４のアノード１１４をさらに画定する。別の実施形態において、図１Ｃに示すように、ＰＤＬ構造１１０は設けられていない。隣接するＡＤＬ１０８は、サブピクセル回路１００のそれぞれのサブピクセル１１８を画定する。
【0013】
ＰＤＬ構造１１０（必要であれば）をＡＤＬ１０８上に堆積する前に、金属格子１１２が、ＡＤＬ１０８上に配置される。図１Ａに示すように、ＰＤＬ構造１１０は、その後にＡＤＬ１０８および金属格子１１２上に配置される。金属格子１１２をＡＤＬ１０８上に配置することにより、金属格子１１２を絶縁する。金属格子１１２は、それぞれのサブピクセル１１８間に配置されている。金属格子１１２は、金属などの導電性材料を含む。例えば、金属格子１１２は、クロム、チタン、アルミニウム、ＩＴＯ、またはそれらの組合せを含むが、これらに限定されるものではない。金属格子１１２は、金属格子幅１１６を有する。金属格子幅１１６は少なくとも１μｍである。一例では、金属格子幅１１６は約１０μｍである。別の例では、金属格子幅１１６は約２０μｍ～約３０μｍである。
【0014】
コンタクトオーバーハング１２２が、金属格子１１２上に形成されている。コンタクトオーバーハング１２２は、導電性金属含有材料を含むが、これに限定されるものではない。例えば、金属含有材料は、銅、チタン、アルミニウム、モリブデン、銀、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、またはそれらの組合せを含む。コンタクトオーバーハング１２２は、ステム部１２８とオーバーハング部１３０とを含む。オーバーハング部１３０は、底面１３２、側面１３４、および上面１３６を含む。オーバーハング部１３０の底面１３２は、ステム部１２８よりも幅広で、第１のオーバーハング１３８を形成する。第１のオーバーハング１３８により、コンタクトオーバーハング１２２のオーバーハング部１３０は、ステム部１２８上にシャドーイング効果を生じさせることができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることのできる一実施形態において、ステム部１２８の金属含有材料とオーバーハング部１３０の金属含有材料とは同じである。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることのできる別の実施形態において、ステム部１２８の金属含有材料とオーバーハング部１３０の金属含有材料とは異なる。
【0015】
サブピクセル回路１００は、複数のサブピクセル１１８を含む。本明細書に記載の実施形態のサブピクセル回路１００は、第１のサブピクセルおよび第２のサブピクセルなどの１つまたは複数のサブピクセル１１８を含むことができる。各サブピクセル１１８は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料１２０を有する。ＯＬＥＤ材料１２０は、金属層１０４上に配置されている。一例では、図１Ａに示すように、ＯＬＥＤ材料１２０は、隣接するＰＤＬ構造１１０上にも配置されている。別の例では、図１Ｃに示すように、ＯＬＥＤ材料１２０は、ＡＤＬ１０８上にも配置されている。ＯＬＥＤ材料１２０を、蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって堆積させることができる。ＯＬＥＤ材料１２０は、通電されると白、赤、緑、青、または他の色の光を発するように構成されている。例えば、サブピクセル１１８のＯＬＥＤ材料１２０は、通電されると赤い光を発する、通電されると緑の光を発する、通電されると青い光を発する、または通電されると白い光を発する、のうちの１つであるように構成されている。ＯＬＥＤ材料１２０は、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、および電子輸送層（ＥＴＬ）のうちの１つまたは複数を含むことができる。
【0016】
カソード１２４が、ＯＬＥＤ材料上に配置されている。カソード１２４は、金属などの導電性材料を含む。例えば、カソード１２４は、クロム、チタン、アルミニウム、ＩＴＯ、またはそれらの組合せを含むが、これらに限定されるものではない。カソード１２４は、各サブピクセル１１８のＯＬＥＤ材料１２０上に配置されている。第１のオーバーハング１３８のシャドーイング効果は、ＯＬＥＤ材料１２０およびカソード１２４のそれぞれの蒸着中の堆積角度を規定する。ＯＬＥＤ材料１２０は、コンタクトオーバーハング１２２および金属格子１１２に接触しない。カソード１２４は、コンタクトオーバーハング１２２の少なくともステム部１２８と金属格子１１２とに接触する。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることのできる一部の実施形態において、カソード１２４は、コンタクトオーバーハング１２２のステム部１２８およびオーバーハング部１３０に接触する。
【0017】
コンタクトオーバーハング１２２は、オーバーハング深さ１４０を含む。オーバーハング深さ１４０は、ステム部１２８から側面１３４までの距離として規定される。コンタクトオーバーハング１２２は、オーバーハング高さ１４２をさらに含む。図１Ａでは、オーバーハング高さ１４２は、ＰＤＬ構造１１０から底面１３２までの距離として規定される。図１Ｃでは、オーバーハング高さ１４２は、ＡＤＬ１０８から底面１３２までの距離として規定される。コンタクトオーバーハング比が、オーバーハング深さ１４０に対するオーバーハング高さ１４２の比として規定される。コンタクトオーバーハング１２２のコンタクトオーバーハング比は、約１．０：０．５～約１．０：３．０である。例えば、コンタクトオーバーハング１２２のコンタクトオーバーハング比は、約１．０：１．５である。コンタクトオーバーハング比により、カソード１２４は第１のオーバーハング１３８の下に延びることができ、カソード１２４がコンタクトオーバーハング１２２の少なくともステム部１２８に接触するようになっている。
【0018】
各サブピクセル１１８は、封入層１２６を含む。封入層１２６は、ローカルパッシベーション層であっても、ローカルパッシベーション層に対応していてもよい。それぞれのサブピクセル１１８の封入層１２６は、カソード１２４（およびＯＬＥＤ材料１２０）ならびにＰＤＬ構造１１０（設けられる場合）上に配置されている。封入層１２６は、ケイ素含有材料などの非導電性無機材料を含む。ケイ素含有材料は、Ｓｉ3Ｎ4含有材料を含むことができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることのできる一実施形態において、封入層１２６は、コンタクトオーバーハング１２２のオーバーハング部１３０の少なくとも一部の下に、ステム部１２８に沿って延びる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることのできる一部の実施形態において、封入層１２６は、コンタクトオーバーハング１２２の底面１３２上に配置されている。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることのできる一部の実施形態において、封入層１２６は、コンタクトオーバーハング１２２の側面１３４およびコンタクトオーバーハング１２２の上面１３６上に配置されている。
【0019】
サブピクセル回路１００は、コンタクトオーバーハング１２２および封入層１２６上に配置された少なくともグローバルパッシベーション層１４４をさらに含むことができる。中間層１４６を、グローバルパッシベーション層１４４とコンタクトオーバーハング１２２および封入層１２６との間に配置することができる。中間層１４６は、インクジェット層であってよい。インクジェット層は、アクリル材料を含むことができる。
【0020】
図１Ｂおよび図１Ｄは、サブピクセル回路１００の概略断面図である。図１Ｂは、図１Ｅの切断線に沿って取られたものである。前述したように、サブピクセル回路１００は、金属格子１１２と、コンタクトオーバーハング１２２と、ＯＬＥＤ材料１２０と、カソード１２４と、封入層１２６とを含む。一例では、図１Ｂに示すように、サブピクセル回路１００はＰＤＬ構造１１０を含む。別の例では、図１Ｃに示すように、サブピクセル回路１００はＰＤＬ構造１１０を含まない。
【0021】
一例では、図１Ｂに示すように、無機オーバーハング構造１４８が、ＰＤＬ構造１１０上に配置されている。別の例では、図１Ｄに示すように、無機オーバーハング構造１４８は、金属格子１１２上に配置されている。無機オーバーハング構造１４８は、サブピクセル回路１００に固定されている。無機オーバーハング構造１４８は、サブピクセル回路１００の各サブピクセル１１８をさらに画定する。無機オーバーハング構造１４８は、非導電性無機材料または導電性無機材料のうちの少なくとも一方を含む。非導電性無機材料は、無機ケイ素含有材料またはポリマー材料を含むが、これらに限定されるものではない。例えば、ケイ素含有材料は、ケイ素の酸化物もしくは窒化物、またはそれらの組合せを含む。導電性無機材料は、金属含有材料を含むが、これに限定されるものではない。例えば、金属含有材料は、銅、チタン、アルミニウム、モリブデン、銀、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、またはそれらの組合せを含む。無機オーバーハング構造１４８は、ＯＬＥＤ材料１２０とカソード１２４との連続堆積を妨げる。
【0022】
無機オーバーハング構造１４８は、構造ステム部１５０と構造オーバーハング部１５２とを含む。構造オーバーハング部１５２は、構造底面１５４、構造側面１５６、および構造上面１５８を含む。構造底面１５４は、構造ステム部１５０よりも幅広で、第２のオーバーハング１６０を形成する。第２のオーバーハング１６０により、コンタクトオーバーハング１２２の構造オーバーハング部１５２は、構造ステム部１５０をシャドーイングすることができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることのできる一実施形態において、構造ステム部１５０と構造オーバーハング部１５２とは、同じ材料を含む。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることのできる別の実施形態において、構造ステム部１５０と構造オーバーハング部１５２とは異なる材料を含む。
【0023】
無機オーバーハング構造１４８は、オーバーハング構造深さ１６２を含む。オーバーハング構造深さ１６２は、構造ステム部１５０の頂点１５１から構造側面１５６までの距離として規定される。無機オーバーハング構造１４８は、オーバーハング構造高さ１６４をさらに含む。一例では、図１Ｂに示すように、オーバーハング構造高さ１６４は、ＰＤＬ構造１１０から構造底面１５４までの距離として規定される。別の例では、図１Ｄに示すように、オーバーハング構造高さ１６４は、金属格子１１２から構造底面１５４までの距離として規定される。オーバーハング構造比が、オーバーハング構造深さ１６２に対するオーバーハング構造高さ１６４の比として規定される。無機オーバーハング構造１４８のオーバーハング構造比は、約１．０：２．０～約１．０：３．０である。オーバーハング構造比により、カソード１２４を第２のオーバーハング１６０の下に堆積することができ、カソード１２４が第２のオーバーハング１６０の下でＯＬＥＤ材料１２０に接触するようになっている。一例では、図１Ｂに示すように、カソード１２４は、ＯＬＥＤ材料１２０およびＰＤＬ構造１１０に接触する。別の例では、図１Ｄに示すように、カソード１２４は、ＯＬＥＤ材料１２０および金属格子１１２に接触する。
【0024】
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることのできる一実施形態において、封入層１２６は、無機オーバーハング構造１４８の構造オーバーハング部１５２の少なくとも一部の下に、構造ステム部１５０に沿って延びる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることのできる一部の実施形態において、封入層１２６は、無機オーバーハング構造１４８の構造底面１５４上に配置されている。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることのできる一部の実施形態において、封入層１２６は、無機オーバーハング構造１４８の構造側面１５６および無機オーバーハング構造１４８の構造上面１５８上に配置されている。
【0025】
図１Ｅは、サブピクセル回路１００の概略上面図である。図１Ｅに示すサブピクセル回路１００は、図１Ａおよび図１Ｂに示すサブピクセル回路１００に対応する。サブピクセル回路１００は、第１の構成のコンタクトオーバーハング１２２を含む。図１Ｅに示すように、サブピクセル回路１００は、複数のピクセル開口部１６６を含む。各ピクセル開口部１６６には、サブピクセル１１８のそれぞれを形成する場所を規定する、隣接する無機オーバーハング構造１４８が接している。サブピクセル回路１００は、サブピクセル１１８のそれぞれを形成する場所をさらに規定するＰＤＬ構造１１０をさらに含む。隣接するＰＤＬ構造１１０は、それぞれのサブピクセルを画定し、サブピクセル回路１００のそれぞれのサブピクセルの金属層１０４（すなわち、アノード）のアノード１１４を露出させる。コンタクトオーバーハング１２２は、隣接するサブピクセル１１８間に配置されている。コンタクトオーバーハング１２２は、ＰＤＬ構造１１０の露出部１６８内に配置されている。露出部１６８は、ＰＤＬ構造１１０に形成されて、ＰＤＬ構造１１０の下のＡＤＬ１０８上に配置された金属格子１１２を露出させる。露出部１６８により、コンタクトオーバーハング１２２は、金属格子１１２に接触することができる。
【0026】
図２Ａは、図１Ａに示すサブピクセル回路１００の部分２０５の概略断面図である。コンタクトオーバーハング１２２が、ＰＤＬ構造１１０の露出部１６８内に配置されている。ＰＤＬ構造１１０は、ＰＤＬ構造１１０の下に配置されたＡＤＬ１０８をさらに含む。露出部１６８により、コンタクトオーバーハング１２２は、金属格子１１２に接触することができる。部分２０５は、ＯＬＥＤ材料１２０、カソード１２４、および封入層１２６を示す。ＯＬＥＤ材料１２０は、コンタクトオーバーハング１２２に接触しない。カソード１２４は、金属格子１１２の少なくともステム部１２８に接触する。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることのできる一部の実施形態において、カソード１２４は、ＰＤＬ構造１１０に接触する。コンタクトオーバーハング１２２は、金属格子１１２に電気的接触を提供する。したがって、コンタクトオーバーハング１２２に接触したカソード１２４は、コンタクトオーバーハング１２２を介して金属格子１１２から電流を受け取る。コンタクトオーバーハング比は、カソード１２４がコンタクトオーバーハング１２２に接触する蒸着を提供する。さらに、蒸着源は、カソード１２４とＯＬＥＤ材料１２０とを異なる角度で堆積させて、カソード１２４とＯＬＥＤ材料１２０とが配置される場所を調節することができる。
【0027】
アノード１１４とカソード１２４との間の最小距離に起因して、デバイス漏れ（ｄｅｖｉｃｅ ｌｅａｋａｇｅ）が発生する。加えて、ＯＬＥＤ材料１２０が無機オーバーハング構造１４８に接触することに起因して、デバイス漏れが発生することがある。コンタクトオーバーハング１２２は、他の手法と比べて、サブピクセルのカソード接点（すなわち、カソード１２４がコンタクトオーバーハング１２２に接触する場所）と金属層１０４のアノード１１４との間の距離を増加させることによって、サブピクセル回路３００内の漏れを低減させるように動作可能である。例えば、カソード接点（すなわち、カソード１２４がコンタクトオーバーハング１２２に接触する場所）と金属層１０４のアノード１１４との間の距離は、約１０ｍｍ～約５インチである。コンタクトオーバーハング１２２がカソード接点の数を減らして、カソード接点とアノード１１４との間の距離を増加させるため、距離を増加させることにより、漏れの発生が低減する。
【0028】
図２Ｂは、図１Ｂに示すサブピクセル回路１００の部分２１０の概略断面図である。無機オーバーハング構造１４８が、ＰＤＬ構造１１０上に配置されている。ＰＤＬ構造１１０は、ＰＤＬ構造１１０の下に配置されたＡＤＬ１０８をさらに含む。部分２１０は、ＯＬＥＤ材料１２０、カソード１２４、および封入層１２６を示す。ＯＬＥＤ材料１２０は、コンタクトオーバーハング１２２に接触しない。カソード１２４は、無機オーバーハング構造１４８に接触しない。オーバーハング構造比は、カソード１２４が無機オーバーハング構造１４８に接触しない蒸着を提供する。したがって、無機オーバーハング構造１４８の形成は、同じ精度を必要としない。例えば、オーバーハング構造比がＯＬＥＤ材料１２０とカソード１２４との連続堆積を妨げる限り、無機オーバーハング構造１４８を、より低い精度で形成することができる。サブピクセル回路３００のこの設計により、ボトムエミッションディスプレイで一般に使用される無機オーバーハング構造１４８を使用して、トップエミッションディスプレイを形成することができる。ボトムエミッションディスプレイは、より低いフォト精度要件で、無機オーバーハング構造１４８を使用する。
【0029】
図３は、サブピクセル回路３００の概略上面図である。サブピクセル回路３００は、第２の構成のコンタクトオーバーハング１２２を有するサブピクセル回路１００（図１Ａ～図１Ｅに示す）の実施形態である。コンタクトオーバーハング１２２は、隣接するサブピクセル１１８間に配置されている。サブピクセル回路３００は、無機オーバーハング構造１４８を含む。サブピクセル回路３００は、複数のピクセル開口部１６６を含む。各ピクセル開口部１６６には、サブピクセル１１８のそれぞれを形成する場所を規定する、隣接する無機オーバーハング構造１４８が接している。隣接するＰＤＬ構造１１０および隣接する無機オーバーハング構造１４８は、それぞれのサブピクセル１１８を画定する。図３に示すように、サブピクセル回路３００は、５×５のサブピクセル１１８の格子を含み、２５のサブピクセル１１８が存在するようになっている。各サブピクセル１１８は、異なる色の光を発するように動作可能である。例えば、各サブピクセル１１８は、起動されると赤、緑、青、または白の光のうちの１つを発することができる。
【0030】
サブピクセル回路３００は、サブ回路Ｃ1、Ｃ2、Ｃ3、Ｃ4、…ＣNを含む。サブ回路Ｃ1～ＣNはそれぞれ、複数のサブピクセル１１８を含む。サブ回路Ｃ1～ＣNは、基板１０２上のサブピクセル回路３００を通る複数の金属層１０４に対応する。各サブ回路Ｃ1～ＣNは、１つまたは複数のコンタクトオーバーハング１２２を含む。サブピクセル回路３００は、金属格子１１２をさらに含む。金属格子１１２は、複数の補助カソードラインＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、…ＲMを含む。金属格子１１２の補助カソードラインＲ1～ＲMは、サブ回路Ｃ1～ＣNに対して垂直である。金属格子１１２の補助カソードラインＲ1～ＲMは、アノード画定層（ＡＤＬ）１０８の下方に配置されている。複数の金属層１０４は、金属格子１１２に対して垂直である。コンタクトオーバーハング１２２のそれぞれが、金属格子１１２のそれぞれの補助カソードラインＲ1～ＲMに接触している。サブ回路Ｃ1～ＣNの数および補助カソードラインＲ1～ＲMの数を増加させることにより、サブピクセル回路３００上により多くのサブピクセル１１８を提供する。
【0031】
サブピクセル回路３００により、サブ回路Ｃ1～ＣNのそれぞれを個々に起動することができる。特定のサブ回路Ｃ1～ＣNを起動するために、電流が金属格子１１２を通って供給される。起動される対応するサブ回路Ｃ1～ＣNのコンタクトオーバーハング１２２を有する補助カソードラインＲ1～ＲMの金属格子１１２に、電圧および／または電流が供給される。電流は、金属格子１１２を通って供給され、コンタクトオーバーハング１２２へ流れる。金属格子１１２は、共通の接地に接続されている。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることのできる一部の実施形態において、負電圧を金属格子１１２に印加することができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることのできる一実施形態において、各金属格子１１２は、基板１０２上の薄膜トランジスタ（図示せず）に電気的に接続され、この薄膜トランジスタは、電流および／または電圧を各金属格子１１２に供給する。コンタクトオーバーハング１２２は、起動されるサブ回路Ｃ1～ＣNのカソード１２４（図１Ａ～図１Ｅに示す）に接触する。
【0032】
サブ回路Ｃ1の複数のサブピクセル１１８を起動するための電流の流れの例が、線３０１で示されている。図３に示すように、電流は、補助カソードラインＲ1の金属格子１１２を通って流れる。電流は、サブ回路Ｃ1のコンタクトオーバーハング１２２へ流れる。コンタクトオーバーハング１２２は、サブ回路Ｃ1に沿って配置されたカソード１２４に接触する。したがって、電流および／または電圧は、サブ回路Ｃ1全体にわたってカソード１２４を通って流れるように動作可能である。電流は、カソード１２４からＯＬＥＤ材料１２０へ流れ、サブ回路Ｃ1の金属層１０４内へ流れる。列Ｉ１の金属層１０４に電流が供給され、サブ回路Ｃ1のサブピクセル１１８を起動することができる。
【0033】
サブ回路Ｃ1～ＣNのサブピクセル１１８は、光を発するように動作可能である。サブピクセル回路３００は、各サブ回路Ｃ1～ＣNを個々に独立して起動するように動作可能である。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることのできる一実施形態において、サブ回路Ｃ1～ＣNのそれぞれのサブピクセル１１８は、単色である。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることのできる別の実施形態において、サブ回路Ｃ1～ＣNのサブピクセル１１８のそれぞれは、異なる色の光を発するように動作可能である。例えば、第１のサブ回路Ｃ1のサブピクセル１１８は、赤い光を発し、第２のサブ回路Ｃ2のサブピクセル１１８は、緑の光を発し、第３のサブ回路Ｃ3のサブピクセル１１８は、青い光を発し、第４のサブ回路Ｃ4のサブピクセル１１８は、白い光を発する。
【0034】
コンタクトオーバーハング１２２を、所望に応じて、サブピクセル回路３００に配置することができる。サブ回路Ｃ1～ＣNのそれぞれは、少なくとも１つのコンタクトオーバーハング１２２を含む。例えば、サブ回路Ｃ1～ＣNのそれぞれは、２つ以上のコンタクトオーバーハング１２２を含むことができる。コンタクトオーバーハング１２２は、約５０ｍｍ～約７インチの距離が隣接するコンタクトオーバーハング１２２間にあるように位置決めされている。
【0035】
図４は、図５Ａ～図５Ｅおよび図６Ａ、図６Ｂに示すサブピクセル回路１００を形成する方法４００のフロー図である。方法４００は、図１Ａおよび図１Ｂに示すサブピクセル回路１００に対応する。図５Ａ～図５Ｅは、方法４００中のサブピクセル回路１００の概略上面図である。図６Ａおよび図６Ｂは、方法４００中のサブピクセル回路１００の概略断面図である。説明を容易にするために、第１の構成のコンタクトオーバーハング１２２を有するサブピクセル回路１００を参照して、方法４００を説明する。しかしながら、方法４００は、任意の構成のコンタクトオーバーハング１２２を有する任意のサブピクセル回路（例えば、サブピクセル回路３００）を形成するように実行されてよい。
【0036】
動作４０１で、図５Ａに示すように、複数の金属層１０４が基板１０２上に配置される。複数の金属層１０４を、基板１０２上にパターニングすることができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることのできる一実施形態において、金属層１０４は、基板１０２上に予めパターニングされる。例えば、基板１０２は、予めパターニングされたインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）ガラス基板である。
【0037】
動作４０２で、図５Ｂに示すように、アノード画定層（ＡＤＬ）１０８が、基板１０２および複数の金属層１０４上に配置される。ＡＤＬ１０８は、さらにパターニングされて、複数の金属層１０４（すなわち、アノード）のアノード１１４を露出させる。アノード１１４のそれぞれが、図１Ｅに示す複数のサブピクセル１１８などの、形成される個々のサブピクセル１１８に関連付けられる。ＡＤＬ１０８を、フォトレジストコーティングのパターニングおよびその後のエッチングによって、パターニングすることができる。
【0038】
動作４０３で、図５Ｃに示すように、金属格子１１２がＡＤＬ１０８上に配置される。金属格子１１２は、複数の金属層１０４の露出部間に配置される。金属格子１１２は、複数の金属層１０４に対して垂直に配置される。金属格子１１２は、ＡＤＬ１０８によって絶縁される。
【0039】
動作４０４で、図５Ｄに示すように、ＰＤＬ構造１１０が、金属格子１１２およびＡＤＬ１０８上に配置される。ＰＤＬ構造１１０は、さらにパターニングされて、ＰＤＬ構造１１０に露出部１６８を形成する。露出部１６８は、その下の金属格子１１２を露出させる。ＰＤＬ構造１１０は、金属格子１１２を防水する。
【0040】
動作４０５で、図５Ｅに示すように、複数の無機オーバーハング構造１４８が形成される。複数の無機オーバーハング構造１４８は、ＰＤＬ構造１１０上に形成される。複数の無機オーバーハング構造１４８は、複数の金属層１０４の露出部の両側に形成される。複数の無機オーバーハング構造１４８は、複数の金属層１０４に平行に形成される。複数の無機オーバーハング構造１４８は、第２のオーバーハング１６０を含む。隣接するＰＤＬ構造１１０と隣接する無機オーバーハング構造１４８とは、それぞれのサブピクセル１１８を画定する。
【0041】
動作４０６で、図６Ａに示すように、コンタクトオーバーハング１２２が露出部１６８に形成される。コンタクトオーバーハング１２２は、露出部１６８に形成され、その下に配置された金属格子１１２に接触する。コンタクトオーバーハング１２２は、隣接するサブピクセル１１８間に形成される。形成できるコンタクトオーバーハング１２２の数は、限定されない。形成されるサブピクセル回路が各サブ回路を個々に制御するため、各サブピクセルにはコンタクトオーバーハング１２２が不要である。コンタクトオーバーハング１２２を使用することにより、大型のディスプレイを形成することができる。コンタクトオーバーハング１２２は、第１のオーバーハング１３８を含む。
【0042】
動作４０７で、図６Ｂに示すように、ＯＬＥＤ材料１２０、カソード１２４、および封入層１２６が配置される。ＯＬＥＤ材料１２０、カソード１２４、および封入層１２６は、蒸着によって堆積される。第１のオーバーハング１３８および第２のオーバーハング１６０のシャドーイングは、ＯＬＥＤ材料１２０およびカソード１２４のそれぞれの蒸着を規定する。コンタクトオーバーハング１２２および無機オーバーハング構造１４８のシャドーイング効果は、蒸着中にＯＬＥＤ材料１２０およびカソード１２４が堆積される角度を規定する。例えば、第１のオーバーハング１３８によって規定される蒸着角度により、カソード１２４は、第１のオーバーハング１３８の下に延び、コンタクトオーバーハング１２２に接触する。第２のオーバーハング１６０によって規定される蒸発角度により、カソード１２４は、コンタクトオーバーハング１２２に接触しない。さらに、蒸着源は、ＯＬＥＤ材料１２０とカソード１２４とを異なる堆積角度で堆積させて、ＯＬＥＤ材料１２０とカソード１２４とが堆積される場所をさらに規定するように動作可能である。動作４０７を、追加のサブピクセル１１８ごとに繰り返すことができる。動作４０８で、図１Ｂに示すように、中間層１４６およびグローバルパッシベーション層１４４が配置される。
【0043】
要約すると、本明細書に記載の実施形態は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイなどのディスプレイで使用され得るサブピクセル回路およびサブピクセル回路を形成する方法に関する。サブピクセル回路は、複数のコンタクトオーバーハングを含む。複数のコンタクトオーバーハングは、形成されるサブピクセル回路の隣接するサブピクセル間に配置される。コンタクトオーバーハングは、ＰＤＬ構造を通して配置された金属格子上に形成される。カソードが、コンタクトオーバーハングに接触するように蒸着によって堆積される。金属格子は、基板上に配置された複数の金属層に対して垂直である。サブピクセル回路の個々のサブ回路を起動するために、電流が金属格子に印加される。電流は、起動されるサブ回路のコンタクトオーバーハングおよびカソードへ流れる。電流は、ＯＬＥＤ材料を通って複数の金属層のうちの１つへ流れ、サブピクセルのサブ回路のうちの１つを起動する。コンタクトオーバーハングにより、サブ回路のオーバーハング構造をより低い精度で形成することができる。コンタクトオーバーハングはまた、デバイス漏れの発生を低減させ、したがって、サブ回路の性能を向上させる。
【0044】
以上の記述は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他の実施形態およびさらなる実施形態を考え出すことができ、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決まる。
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図1D】
【図1E】
【図2A】
【図2B】
【図3】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図5D】
【図5E】
【図6A】
【図6B】
【国際調査報告】