特表 2024-541877 ウエハの平面不均一性を低減するための底部カバープレート

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-11-13

(54)【発明の名称】ウエハの平面不均一性を低減するための底部カバープレート

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20241106BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20241106BHJP

   C23C 16/44 20060101ALI20241106BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 N

H01L21/31 F

C23C16/44 B

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024523638

(86)(22)【出願日】2022-08-01

(85)【翻訳文提出日】2024-04-19

(86)【国際出願番号】 US2022038996

(87)【国際公開番号】W WO2023069170

(87)【国際公開日】2023-04-27

(31)【優先権主張番号】17/508,581

(32)【優先日】2021-10-22

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】100094569

【弁理士】

【氏名又は名称】田中 伸一郎

(74)【代理人】

【識別番号】100103610

【弁理士】

【氏名又は名称】▲吉▼田 和彦

(74)【代理人】

【識別番号】100109070

【弁理士】

【氏名又は名称】須田 洋之

(74)【代理人】

【識別番号】100067013

【弁理士】

【氏名又は名称】大塚 文昭

(74)【代理人】

【識別番号】100120525

【弁理士】

【氏名又は名称】近藤 直樹

(74)【代理人】

【識別番号】100139712

【弁理士】

【氏名又は名称】那須 威夫

(74)【代理人】

【識別番号】100141553

【弁理士】

【氏名又は名称】鈴木 信彦

(74)【代理人】

【識別番号】100176418

【弁理士】

【氏名又は名称】工藤 嘉晃

(72)【発明者】

【氏名】ファン ズービン

(72)【発明者】

【氏名】モハナ スリニヴァス トクル

(72)【発明者】

【氏名】ヤダマネ サンデシュ

(72)【発明者】

【氏名】ウ カイ

(72)【発明者】

【氏名】ラヴィ ジャレパリ

(72)【発明者】

【氏名】ユ シャオチョウ

(72)【発明者】

【氏名】ワン ペイチ

【テーマコード（参考）】

4K030

5F045

5F131

【Ｆターム（参考）】

4K030CA12

4K030KA05

4K030KA45

5F045AA06

5F045AA08

5F045AD01

5F045AE01

5F045BB02

5F045DP02

5F045DQ10

5F045EK07

5F045EK24

5F045EM02

5F131AA02

5F131AA03

5F131BA03

5F131BA04

5F131BA19

5F131BA24

5F131BB03

5F131CA03

5F131CA06

5F131DB02

5F131DB52

5F131EA04

5F131EA13

5F131EA18

5F131EA24

5F131EB78

5F131EB81

5F131EB87

5F131GA14

(57)【要約】

本明細書に提供される本開示の実施形態は、一般に、基板を処理するためのチャンバ内部の加熱素子からの放射損失の制御を可能にする底部カバープレート（ＢＣＲ）に関する。加熱素子は、処理前または処理中に基板を加熱するために使用され、チャンバ内の熱損失むらに起因して基板を均等に加熱しないことがある。例えば、基板の加熱むらにより、基板上に材料の堆積むらが生じることがあり、これにより、堆積を補正するための余分な処理が生じ、または不適切に処理された基板を廃棄することによる無駄な製品が生じることがある。ＢＣＲを使用して、基板の加熱むらを補正することができる。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板処理システムで使用するための底部カバープレートであって、
前記基板処理システムのペデスタルのシャフト上に配置されるように構成された中央開口部と、
前記基板処理システムの前記ペデスタル上に配置された基板に面するように構成された対向面であり、異なる放射率の領域を有する表面仕上げを含む、対向面と
を備える、底部カバープレート。

【請求項2】

前記底部カバープレートの前記表面仕上げがテクスチャパターンである、請求項１に記載の底部カバープレート。

【請求項3】

前記底部カバープレートの前記テクスチャパターンが前記基板の熱プロファイルの逆パターンである、請求項２に記載の底部カバープレート。

【請求項4】

前記底部カバープレートが前記ペデスタルの前記シャフトの周りに回転して、前記底部カバープレートの前記テクスチャパターンをある配向に配向させるように構成されている、請求項３に記載の底部カバープレート。

【請求項5】

前記底部カバープレートが前記基板処理システム内に前記底部カバープレートを位置決めするように構成されたアダプタに係合するように構成され、前記アダプタが前記ペデスタルの前記シャフト上に配置されている、請求項４に記載の底部カバープレート。

【請求項6】

前記底部カバープレートが前記アダプタのロッキング特徴と係合するように構成されたキーイング特徴を備え、前記ロッキング特徴が前記キーイング特徴と係合するとき、前記底部カバープレートが静止したままである、請求項５に記載の底部カバープレート。

【請求項7】

前記底部カバープレートが前記キーイング特徴と位置合わせされた貫通孔を有し、前記貫通孔が、前記底部カバープレートの前記キーイング特徴が前記アダプタの前記ロッキング特徴と係合するときに、前記基板処理システムのリフトピンを前記貫通孔を通過させるように構成されている、請求項６に記載の底部カバープレート。

【請求項8】

前記底部カバープレートの前記異なる放射率の領域が前記底部カバープレートの一端から前記底部カバープレートの反対端まで連続的に増加する放射率を含む、請求項１に記載の底部カバープレート。

【請求項9】

前記底部カバープレートの前記一端および前記底部カバープレートの前記反対端が、前記底部カバープレートの中心および前記底部カバープレートの縁部を含む、請求項８に記載のボトムカバープレート。

【請求項10】

前記底部カバープレートの前記一端が前記底部カバープレートの第１の縁部であり、前記底部カバープレートの前記反対端が前記底部カバープレートの第２の縁部であり、
前記第２の縁部が前記第１の縁部よりも前記底部カバープレートの反対側にある、
請求項８に記載の底部カバープレート。

【請求項11】

前記底部カバープレートの放射率が直線状勾配または放射状勾配に従って増加する、請求項８に記載の底部カバープレート。

【請求項12】

前記底部カバープレートの前記異なる放射率の領域が第１の放射率の第１の領域と、第２の放射率の第２の領域とを含む、請求項１に記載の底部カバープレート。

【請求項13】

前記第１の放射率の前記第１の領域が前記底部カバープレートの中心から、前記中心からの半径までであり、前記第２の放射率の前記第２の領域が前記中心からの前記半径から前記底部カバープレートの縁部までである、請求項１２に記載の底部カバープレート。

【請求項14】

前記底部カバープレートがスクライブマークをさらに備え、前記スクライブマークが前記異なる放射率の領域の配向をマークする、請求項１に記載の底部カバープレート。

【請求項15】

前記底部カバープレートの前記対向面が保護コーティングをさらに含む、請求項１に記載の底部カバープレート。

【請求項16】

基板処理システムで使用するための底部カバープレートアセンブリであって、
底部カバープレートであり、
前記基板処理システムのペデスタルのシャフト上に配置されるように構成された中央開口部、および
前記基板処理システムの前記ペデスタル上に配置された基板に面するように構成された対向面であり、異なる放射率の領域を有する表面仕上げを含む、対向面
を備える、底部カバープレートと、
アダプタであり、前記基板処理システム内に前記底部カバープレートを位置決めするように構成され、前記ペデスタルの前記シャフト上に配置されるように構成されている、アダプタと
を備える、底部カバープレートアセンブリ。

【請求項17】

前記底部カバープレートの前記表面仕上げがテクスチャパターンである、請求項１６に記載の底部カバープレートアセンブリ。

【請求項18】

前記底部カバープレートの前記テクスチャパターンが前記基板の熱プロファイルの逆パターンである、請求項１７に記載の底部カバープレートアセンブリ。

【請求項19】

基板を処理するための処理チャンバであって、
ペデスタルであり、
前記基板を加熱する加熱素子、および
シャフト
を備える、ペデスタル
を備える、処理チャンバと、
底部カバープレートであって、
中央開口部であり、前記底部カバープレートが前記中央開口部を介して前記ペデスタルの前記シャフト上に配置されている、中央開口部、および
前記基板に面するように構成され、テクスチャパターンを含む、対向面
を備える、底部カバープレートと
を備える、基板処理システム。

【請求項20】

前記テクスチャパターンが、直線状勾配または放射状勾配であり、前記基板の熱プロファイルの逆であり、
スクライブマークが前記直線状勾配または前記放射状勾配の配向をマークする、
請求項１９に記載の基板処理システム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書に記載される実施形態は、一般に、半導体処理に適した処理チャンバおよび処理チャンバを組み立てる方法に関する。より詳細には、本明細書に記載される実施形態は、加熱素子からの放射損失を制御するための境界、ならびにその設置および調整に関する。

【背景技術】

【0002】

堆積およびドライエッチングプロセスは、基板上に層を形成し、基板から１つまたは複数の層のすべてまたは一部を除去するために使用される。例えば、物理的気相堆積（ＰＶＤ）としても知られているスパッタリングプロセスを使用して、基板上に、例えば、半導体基板上に直接、または半導体基板上に既に形成されている膜層上に、金属薄膜および誘電体膜を堆積させることが知られている。基板上に薄膜を形成する他の方法は、化学気相堆積（ＣＶＤ）およびプラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）である。ドライエッチングは、半導体処理において一般に使用され、反応性イオンエッチングプロセスによって、基板内に、または基板上の１つまたは複数の薄膜内に特徴を形成する。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

半導体およびフラットパネルディスプレイの製造に使用される多くの薄膜堆積およびエッチングプロセスは、基板処理システムと呼ばれるクラスタツールのメインフレームに取り付けられた基板処理チャンバを採用しており、１つまたは複数の基板が、基板上で実行されるプロセス中に基板を支持するための専用ハードウェアを内部に有する専用の処理チャンバ（例えば、真空チャンバ）にロードされる。均一なプロセス温度を維持することは、プロセス要件、安全性、および部品寿命にとって重要である。薄膜堆積およびエッチングプロセス中に、大量の熱が生成される。基板は、処理中に生成された熱の影響を受ける可能性があり、その結果、適切に制御されない場合には、基板全体にわたって温度が不均一になる可能性がある。例えば、基板の左側が右側よりも高温になることがある。基板の中心が基板の縁部よりも高温になることがあり、その逆もある。温度が不均一な場合、基板の平面パターンが不均一になる可能性があり、これには、基板の変形および材料の堆積むらが含まれてもよい。さらに、基板の温度は、基板処理システムの処理チャンバごとに異なることがあり、その結果、各処理チャンバの堆積量および堆積品質が異なることがある。

【0004】

基板の不均一な温度は、いくつかの要因によって引き起こされ得る。基板処理チャンバの幾何学的形状が基板への熱伝達を妨げることがあり、または基板から熱を奪うヒートシンクとなることがある。例えば、加熱素子からの熱は、基板ではなく処理チャンバの部分に引き込まれることがあり、その結果、基板の温度むらが生じることがある。基板上で実行されるプロセスは、基板全体ではなく基板の一部に熱を導入することがある。基板の温度を均一に維持することは、特に既存の処理チャンバでは、是正措置を実施するための基板処理チャンバ内の利用可能なスペースが限られているため、困難である。

【0005】

したがって、上述の問題を解決する、基板の平面パターンを調整するシステムおよび方法が必要である。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本明細書に記載される実施形態は、一般に、半導体処理に適した処理チャンバおよび処理チャンバを組み立てる方法に関する。より詳細には、本明細書に記載される実施形態は、加熱素子からの放射損失を制御するための境界、ならびにその設置および調整に関する。

【0007】

一実施形態では、基板処理システムで使用するための底部カバープレートは、基板処理システムのペデスタルのシャフト上に配置されるように構成された中央開口部と、基板処理システムのペデスタル上に配置された基板に対向するように構成された対向面とを含む。対向面は、異なる放射率の領域を有する表面仕上げを含む。

【0008】

別の実施形態では、基板処理システムで使用するための底部カバープレートアセンブリは、底部カバープレートを含む。底部カバープレートは、基板処理システムのペデスタルのシャフト上に配置されるように構成された中央開口部と、基板処理システムのペデスタル上に配置された基板に面するように構成された対向面とを含む。対向面は、異なる放射率の領域を有する表面仕上げを含む。基板処理システムは、基板処理システム内に底部カバープレートを配置するように構成されたアダプタを含む。アダプタは、ペデスタルのシャフト上に配置されるように構成されている。

【0009】

別の実施形態では、基板処理システムは、基板を処理するための処理チャンバを含む。処理チャンバは、基板を加熱するように構成された加熱素子と、シャフトとを有するペデスタルを含む。処理チャンバは、中央開口部を有する底部カバープレートを含む。底部カバープレートは、中央開口部を介してペデスタルのシャフト上に配置される。底部カバープレートは、基板に面するように構成された対向面を含む。対向面は、テクスチャパターンを含む。

【0010】

本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約した本開示のより具体的な説明を、実施形態を参照することによって得ることができ、その実施形態の一部が添付の図面に示されている。しかしながら、添付の図面は、本開示の例示的な実施形態のみを示しており、したがって、その範囲を限定するものと見なされるべきではなく、他の等しく有効な実施形態を認めることができることに留意されたい。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】一実施形態による、堆積チャンバ、エッチングチャンバ、ベーキングチャンバ、および硬化チャンバを含む処理システムの平面図である。

【図2】一実施形態による、処理システムのタンデムセクションに設置された底部カバープレート（ＢＣＰ）の断面図である。

【図3A】一実施形態による、ＢＣＰの上面図である。

【図3B】一実施形態による、ＢＣＰの底面図である。

【図3C】一実施形態による、ＢＣＰを位置決めするためのアダプタの上面図である。

【図4A】一実施形態による、基板の上面図である。

【図4B】一実施形態による、基板の熱プロファイルの概略図である。

【図4C】一実施形態による、ＢＣＰの異なる放射率の領域の概略図である。

【図4D】一実施形態による、基板の上面図である。

【図4E】一実施形態による、基板の熱プロファイルの概略図である。

【図4F】一実施形態による、ＢＣＰの上面図である。

【図4G】一実施形態による、ＢＣＰの放射率プロファイルの概略図である。

【図5A】一実施形態による、基板の別の実施形態の上面図である。

【図5B】一実施形態による、基板の熱プロファイルの概略図である。

【図5C】一実施形態による、ＢＣＰの別の実施形態の上面図である。

【図5D】一実施形態による、ＢＣＰの放射率プロファイルの概略図である。

【図5E】一実施形態による、基板の別の実施形態の上面図である。

【図5F】一実施形態による、基板の熱プロファイルの概略図である。

【図5G】一実施形態による、ＢＣＰの別の実施形態の上面図である。

【図5H】一実施形態による、ＢＣＰの放射率プロファイルの概略図である。

【図5I】一実施形態による、基板の熱プロファイルの別の実施形態の概略図である。

【図5J】一実施形態による、ＢＣＰの放射率プロファイルの別の実施形態の概略図である。

【図5K】一実施形態による、図５Ｉからの、基板の調整された熱プロファイルの概略図である。

【図6】一実施形態による、処理システムのタンデムセクションに設置されたＢＣＰの断面図である。

【図7】一実施形態による、ＢＣＰおよびアダプタの等角断面図を示す。

【図8】一実施形態による、基板の平面パターンを調整するための方法の流れ図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

理解を容易にするために、可能な場合には、図に共通する同一の要素を指定するために同一の参照番号が使用されている。一実施形態の要素および特徴は、さらに詳述することなく他の実施形態に有益に組み込まれ得ることが企図される。

【0013】

以下の説明では、本開示のより完全な理解を提供するために、多数の具体的な詳細が記載される。しかしながら、当業者には、本開示の一部の実施形態は、これらの具体的な詳細のうちの１つまたは複数がなくても実施され得ることが明らかであろう。他の例では、本開示の１つまたは複数の実施形態を不明瞭にすることを避けるために、よく知られている特徴については記載されていない。

【0014】

上記に鑑みて、基板処理チャンバ内の基板の平面パターンの均一性を向上させるための課題および機会の両方が存在する。したがって、処理チャンバには、平面パターンの不均一性を補正するための調整可能な加熱システムが設けられている。

【0015】

本明細書で提供される本開示の実施形態は、一般に、基板を処理するためのチャンバ内部の加熱素子からの放射損失の制御を可能にする底部カバープレート（ＢＣＰ）に関する。加熱素子は、処理前または処理中に基板を加熱するために使用され、チャンバ内の熱損失むらに起因して基板を均等に加熱しないことがある。例えば、基板の加熱むらにより、基板上に材料の堆積むらが生じることがあり、これにより、堆積を補正するための余分な処理が生じ、または不適切に処理された基板を廃棄することによる無駄な製品が生じることがある。ＢＣＰを使用して、基板の加熱むらを補正することができる。

【0016】

処理中、基板の熱プロファイルは、直線状または放射状のパターンなどのパターンまたは勾配であってもよい。加熱素子からの熱は、基板の方向とは反対方向に放射されることがある。本明細書に記載されるＢＣＰは、基板の熱プロファイルを調整するために、加熱素子から失われた熱を吸収し、その熱を基板に放射して戻すように構成された熱放射率境界を提供する。ＢＣＰは、基板の熱プロファイルを打ち消し、加熱むらを補償するために、熱プロファイルの逆パターンで、熱を基板に戻るように放射する放射率プロファイルを有することができる。放射率プロファイルは、表面粗さが変化するテクスチャ加工された表面パターンまたは勾配を含むことができる。

【0017】

処理システムの構成例
図１は、一実施形態による、堆積チャンバ、エッチングチャンバ、ベーキングチャンバ、および硬化チャンバを含む処理システム１００の平面図を示す。図では、１対の前方開口型統一ポッド（ＦＯＵＰ）１０２が、様々なサイズの基板を供給し、これらの基板が、ロボットアーム１０４によって受け取られ、タンデムセクション１０９ａ～１０９ｃに配置された基板処理チャンバ１０８ａ～１０８ｆのうちの１つに配置される前に、低圧保持領域１０６に配置される。第２のロボットアーム１１０を使用して、基板（例えば、ウエハ）を保持領域１０６から基板処理チャンバ１０８ａ～１０８ｆに搬送したり、戻したりすることができる。各基板処理チャンバ１０８ａ～１０８ｆは、周期的層堆積（ＣＬＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、物理的気相堆積（ＰＶＤ）、エッチング、前洗浄、ガス抜き、配向、および他の基板処理に加えて、本明細書に記載されたドライエッチング処理を含むいくつかの基板処理操作を実行するように装備され得る。

【0018】

基板処理チャンバ１０８ａ～１０８ｆは、基板上に誘電体膜または金属膜を堆積、アニール、硬化、および／またはエッチングするための１つまたは複数のシステム構成要素を含むことができる。一構成では、２対の処理チャンバ、例えば１０８ｃ～１０８ｄおよび１０８ｅ～１０８ｆを使用して、基板上に材料を堆積させることができ、第３の対の処理チャンバ、例えば１０８ａ～１０８ｂを使用して、堆積させた材料をエッチングすることができる。別の構成では、３対のチャンバすべてが、例えば１０８ａ～１０８ｆが、基板上の誘電体膜または金属膜をエッチングするように構成されてもよい。記載されるプロセスのうちのいずれか１つまたは複数は、異なる実施形態に示される製造システムから分離されたチャンバ内で実行されてもよい。誘電体膜用の堆積、エッチング、アニーリング、および硬化チャンバの追加の構成が、処理システム１００によって企図されることが理解されるであろう。

【0019】

材料堆積プロセス中に、基板処理チャンバ１０８ａ～１０８ｆは、図２、図４Ａ～図４Ｂ、図４Ｄ～図４Ｅ、および図５Ａ～図５Ｂに関連して説明するように、基板を不均等に加熱することがある。加熱むらは、加熱中の放射損失の結果である場合がある。例えば、タンデムセクション１０９ａ～１０９ｃの構成要素および処理チャンバ１０８ａ～１０８ｆの幾何学的形状が異なると、加熱素子と基板との間の熱伝達にむらが生じることがある。図２は、基板の熱プロファイルを調整し、加熱むらを補正するための装置を説明する。

【0020】

底部カバープレートアセンブリ例
図２は、一実施形態による、処理システム１００のタンデムセクション１０９ａに設置された底部カバープレート（ＢＣＰ）２００の断面図を示す。特に、図２は、基板２０６の上面２０６ａに材料を堆積させるために使用される処理チャンバ１０８ｃの内部を示す。処理チャンバ１０８ｃは、共有中心軸２１６を有するシャフト２１４を有するペデスタル２１２と、加熱素子２１０と、基板支持体２０８とを備える。基板２０６の底面２０６ｂは、基板支持体２０８上に載置されている。図示の実施形態では、ペデスタル２１２は、処理のために基板２０６を昇降させるために垂直に移動することができる。ペデスタル２１２は、処理前および／または処理中に基板２０６を加熱するための加熱素子２１０をさらに備えることができる。

【0021】

処理チャンバ１０８ｃは、ＢＣＰ２００を含む。ＢＣＰ２００は、ペデスタル２１２のシャフト２１４上に配置された中央開口部２２０を有する。加熱素子２１０は、ＢＣＰ２００と基板２０６との間に配置される。ＢＣＰ２００の対向面２００ａは、加熱素子２１０および基板２０６に面し、加熱素子２１０によって放出された熱を吸収し、基板２０６に向かって熱を放射することができる。したがって、ＢＣＰ２００は、加熱素子２１０からの放射損失を防止するための境界として作用する。例えば、加熱素子２１０からの熱は、ＢＣＰ２００の対向面２００ａから放射され、基板２０６に向けられる。対向面２００ａは、図３Ａ～図３Ｃに関連して説明されるように、制御されたやり方で熱を吸収および放射するために、異なる放射率の領域を有する表面仕上げをさらに含むことができる。放射された熱は、図４および図５に関連して説明されるように、基板２０６の平面パターンを調整するために使用されることがある。

【0022】

ＢＣＰ２００は、ＢＣＰ２００を配向させるための取り付け面２００ｂをさらに含む。図示の実施形態では、取り付け面２００ｂは、ＢＣＰ２００の対向面２００ａとは反対側にある。取り付け面２００ｂは、ＢＣＰ２００を位置決めするために使用され得るアダプタ２０２とインターフェースすることができる。例えば、取り付け面２００ｂは、アダプタ２０２の上面２０２ａと係合することができる。アダプタ２０２は、ペデスタル２１２のシャフト２１４上に配置された中央ボア２４４を有する。したがって、ＢＣＰ２００およびアダプタ２０２は、共有中心軸２１６上に配置されてもよい。アダプタ２０２の底面２０２ｂは、タンデムセクション１０９ａの既存の構造２１５に適合することができる。一部の実施形態では、底面２０２ｂは、タンデムセクション１０９ａの既存の構造２１５に取り外し可能に取り付けられる。一部の実施形態では、底面２０２ｂは、アダプタ２０２が回転するのを防止する。

【0023】

ＢＣＰ２００は、ＢＣＰ２００の配向を固定するためのキーイング特徴２１８（そのうちの１つが示されている）のアレイを備える。キーイング特徴２１８は、ＢＣＰ２００の取り付け面２００ｂに配置されてもよい。図２に示される実施形態では、取り付け面２００ｂは、フランジ２３０を含み、これは、キーイング特徴２１８をさらに含む。アダプタ２０２の上面２０２ａは、ロッキング特徴２４２（そのうちの１つが示されている）のアレイを備える。ＢＣＰ２００は、図３Ａ～図３Ｃに関連して説明するように、ロッキング特徴２４２がキーイング特徴２１８に係合しているときに静止したままである。

【0024】

ＢＣＰ２００は、ピン貫通孔２２２（そのうちの１つが図示されている）のアレイをさらに備える。図示の実施形態では、リフトピン２０４は、基板支持体２０８および加熱素子２１０を貫通するなど、ＢＣＰ２００のピン貫通孔２２２およびペデスタル２１２の他の部分を貫通して移動する。ピン貫通孔２２２は、ＢＣＰ２００のキーイング特徴２１８がアダプタ２０２のロッキング特徴２４２と係合するときにリフトピン２０４がピン貫通孔２２２を通過するように、キーイング特徴２１８と位置合わせされる。リフトピン２０４は、多くのリフトピン２０４のうちの１つであってもよく、基板２０６が処理チャンバ１０８ｃとの間で移送されるときに、基板２０６を基板支持体２０８から持ち上げることができる。

【0025】

一部の実施形態では、ＢＣＰ２００はアダプタ２０２を含む。例えば、ＢＣＰ２００とアダプタ２０２は、ＢＣＰ２００の回転可能な部分が静止アダプタ２０２に回転可能に取り付けられるように、一体であってもよい。例えば、アダプタ２０２とＢＣＰ２００は、一緒に貼り付けられた別個の部品であってもよい。別の例では、アダプタ２０２とＢＣＰ２００は、一体構造の単一部品に形成されてもよい。

【0026】

一部の実施形態では、ＢＣＰ２００と加熱素子２１０との間の距離は可変であってもよい。例えば、異なるアダプタ２０２を使用して、ＢＣＰ２００を加熱素子２１０のより近くにまたはより遠くに配置することができる。一部の実施形態では、アダプタ２０２は、ＢＣＰ２００またはアダプタ２０２を昇降させるための調整機構を含むことができる。例えば、アダプタ２０２は、処理チャンバ１０８ｃからアダプタ２０２を昇降させるための調整可能な脚部を含むことができる。アダプタ２０２は、ＢＣＰ２００を昇降させるための調整可能な支柱を含むことができる。

【0027】

上面２０６ａおよび底面２０６ｂは、基板２０６の上面および底面として説明されているが、他の実施形態は、異なるように構成されてもよい。例えば、基板２０６は、（本ページに示されるような構成に対して）角度をつけた構成または垂直な構成で配置されてもよい。一部の実施形態では、基板２０６の上面２０６ａは第１の面と呼ばれることがあり、底面２０６ｂは第２の面と呼ばれることがある。

【0028】

底部カバープレートの構成例
図３Ａおよび図３Ｂは、一実施形態によるＢＣＰ２００の上面図および底面図をそれぞれ示す。図２に関連して上述したように、ＢＣＰ２００の対向面２００ａは、異なる放射率の領域を有する表面仕上げを有することができる。スクライブマーク３２６を使用して、異なる放射率の領域の配向をマークすることができる。例えば、スクライブマーク３２６は、放射率の高い領域を示すために使用されてもよい。したがって、スクライブマーク３２６は、加熱素子２１０（図２）から熱を吸収し、制御されたやり方で熱を放射するようにＢＣＰ２００を位置決めするために使用されてもよく、放射率の高い領域は、放射率の低い領域よりも多くの熱を放射する。

【0029】

図３Ｃは、一実施形態による、ＢＣＰ２００を位置決めするためのアダプタ２０２の上面図を示す。アダプタ２０２は、アダプタ２０２が回転しないように固定するために使用することができる、直線部分３４０として示されるクロッキング特徴を含む。例えば、処理チャンバ１０８ｃ（図２）の対応する特徴（例えば、既存の構造２１５の嵌合直線部分、図示せず）は、対応する特徴がクロッキング特徴に係合するときにアダプタが静止したままとなるように、直線部分３４０に係合することができる。一部の実施形態では、クロッキング特徴は、図２に関連して論じたように、アダプタ２０２をタンデムセクション１０９ａの既存の構造２１５に適合させることができ、既存の構造２１５が対応する特徴である。

【0030】

図３Ａ～図３Ｃは、３つのキーイング特徴２１８を有するＢＣＰ２００と、６つのロッキング特徴２４２を有するアダプタ２０２とを示すが、他の実施形態は、より多くのまたはより少ないロッキング特徴を有することができる。ＢＣＰ２００のキーイング特徴２１８は、ＢＣＰ２００をシャフト２１４（図２）の周りに回転させてＢＣＰ２００を異なる配向に位置決めすることができるように、アダプタ２０２のロッキング特徴２４２に位置合わせされる。例えば、突起であってもよいキーイング特徴２１８は、中心軸２１６（図２）からの半径（Ｒ）上に、等間隔で（例えば、それぞれ第１の角度で離間されて）配置される。凹部であってもよいロッキング特徴２４２も、キーイング特徴２１８と同じ大きさの中心軸２１６からの半径（Ｒ）上に、等間隔で（例えば、それぞれ第２の角度で離間されて）配置される。図示の実施形態では、キーイング特徴２１８の２倍の数のロッキング特徴２４２があるため、第１の角度は、第２の角度の２倍の大きさであってもよい。ＢＣＰ２００の異なる配向は、ロッキング特徴２４２に対応する。例えば、６つのロッキング特徴２４２があるため、ＢＣＰ２００に対して６つの潜在的な配向がある。各ロッキング特徴２４２は、ＢＣＰ２００の配向に対応する。各配向は、異なる放射率の領域の異なる構成に対応する。したがって、ＢＣＰ２００をシャフト２１４の回りに回転させて、異なる放射率の領域の構成を調整することができ、スクライブマーク３２６を使用して、異なる放射率の領域を基板２０６（図２）に位置合わせすることができる。各配向において、３つのキーイング特徴２１８は、ロッキング特徴２４２のうちの３つと係合する。

【0031】

ピン貫通孔２２２のアレイ（そのうちの１つがラベル付けされている）により、リフトピン２０４（図２）が離散的な位置でＢＣＰ２００を通過することができる。図示の実施形態では、６つのピン貫通孔２２２があり、ラベル付けされたピン貫通孔２２２は、図３Ａおよび図３Ｂにおいて同じピン貫通孔である。ピン貫通孔２２２は、ＢＣＰ２００が位置合わせされたときにリフトピン２０４が貫通孔を通過することができるように、キーイング特徴２１８と位置合わせされる。したがって、ＢＣＰ２００は、処理チャンバ１０８ｃ（図２）に設置される場合に、６つの異なる配向で位置決めされ得て、各配向がピン貫通孔２２２に対応する。一部の実施形態では、より多いまたはより少ないピン貫通孔２２２が使用されてもよい。

【0032】

一部の実施形態では、アダプタ２０２のロッキング特徴２４２の数は、ＢＣＰ２００のキーイング特徴２１８の数と同じであってもよく、またはそれよりも多くてもよい。一部の実施形態では、ＢＣＰ２００は、ロッキング特徴２４２を含んでもよく、アダプタ２０２は、キーイング特徴２１８を含んでもよい。

【0033】

一部の実施形態では、スクライブマーク３２６は、ＢＣＰ２００の異なる放射率の領域の方向を示す複雑な形状（例えば、図５Ｃのスクライブマーク５２６）または文字を含んでもよい。一部の実施形態では、スクライブマーク３２６は、取り付け面２００ｂ上などのＢＣＰ２００上の別の位置に位置してもよい。

【0034】

図４Ａおよび図４Ｂは、一実施形態による、基板２０６の上面図および基板２０６の熱プロファイル４５４（熱プロファイルインスタンス４５４ａとして示される）の概略図をそれぞれ示す。熱プロファイル４５４は、処理中の基板２０６の温度のマッピングであってもよい。例えば、熱プロファイル４５４は、基板２０６の上面２０６ａの温度に対応することができる。本例を続けると、熱プロファイルインスタンス４５４ａは、図４Ｂに示される断面スライスに沿った温度のマッピングである。熱プロファイル４５４は、基板２０６の上面２０６ａにわたって同じ傾きを維持することができる。例えば、熱プロファイル４５４は、基板２０６の上面２０６ａにわたって（例えば、図４Ｂに示されるようにページの内外に）、熱プロファイルインスタンス４５４ａと同じ傾きを維持することができる。

【0035】

基板２０６の均一性（例えば、変形または材料堆積厚さ）のマッピングであってもよい基板２０６の平面パターンは、熱プロファイル４５４に対応することがある。例えば、より高い温度は、より低い温度よりも、平面パターンの不均一性の量が大きくなることに対応する可能性がある。熱プロファイル４５４は、基板２０６の温度プロファイルであってもよい。したがって、平面不均一性は、基板２０６の加熱むらによって生じる可能性がある。図示の実施形態では、基板２０６の温度は、熱プロファイルインスタンス４５４ａに示されるように、基板２０６の第１の縁部２０６ｃから基板の第２の縁部２０６ｄまで直線的に増加し、第２の縁部２０６ｄは、第１の縁部２０６ｃとは基板２０６の反対側にある。

【0036】

図４Ｃは、一実施形態による、ＢＣＰ２００の異なる放射率の領域の概略図を示す。特に、図４Ｃは、ＢＣＰ２００の放射率プロファイル４２４（放射率プロファイルインスタンス４２４ａとして示される）を示しており、このプロファイルは、ＢＣＰ２００の第１の縁部２００ｃからＢＣＰ２００の第２の縁部２００ｄまで減少する。

【0037】

放射率は、表面が熱エネルギーを放射する効率の尺度である。放射率は、所与の温度における表面粗さの増加とともに増加する可能性がある。例えば、対向面２００ａをテクスチャ加工する場合、より滑らかに作製された対向面２００ａの任意の部分は、一般に、それらの部分の放射率を減少させ、より粗く作製された対向面２００ａの任意の部分は、一般に、それらの部分の放射率を増加させる。図２に関連して説明したように、加熱素子２１０は、基板２０６とＢＣＰ２００との間に配置される。加熱素子２１０からの熱は、通常、基板２０６から遠ざかる方に向かうと失われる。ＢＣＰ２００は、加熱素子２１０から通常失われる熱を吸収し、吸収した熱を加熱素子２１０および基板２０６に向かって放射して戻し、基板２０６上の熱不均一性を補償することができる。例えば、処理中の基板２０６上の熱不均一性は、基板２０６上の不均一な堆積につながる。しかしながら、基板２０６の温度がほぼ均一になるように調整されれば、不均一な堆積を補正することができる。

【0038】

第１の縁部２００ｃなどの第１の領域におけるＢＣＰ２００の対向面２００ａの放射率を、第２の縁部２００ｄなどの第２の領域と比較して変化させることにより、有利には、他の不均一な堆積パターンまたは堆積以外のプロセスの他のプロセス結果パターンの中でも、中心が高い、中間が高い、または縁部が高い堆積などの不均一な堆積をもたらす熱不均一性を打ち消すことができる。対向面２００ａの放射率を変化させることによっても、基板２０６上の局所的なクールスポットまたはホットスポットを打ち消すことができる。ＢＣＰ２００の異なる放射率の領域は、基板２０６をより熱的に均一にすることができ、したがって、熱駆動プロセスの結果はより均一になる（例えば、材料が上面２０６ａに均一に堆積する）。加えて、ＢＣＰ２００の放射率プロファイル４２４は、例えば、プラズマ不均一性、基板上のプロセスガス分布の不均一性などの、熱不均一性以外の要因によって引き起こされる不均一な処理結果に対抗するために、意図的に不均一になるように制御することもできる。

【0039】

したがって、ＢＣＰ２００のより高い放射率の領域がより多くの熱を放射して基板２０６のより低い温度を補償するため、放射率プロファイル４２４は、熱プロファイル４５４の逆プロファイルである。例えば、放射率プロファイルインスタンス４２４ａは、図４Ｃに示される断面スライスに沿った放射率のマッピングであり、熱プロファイルインスタンス４５４ａと逆である。放射率プロファイル４２４は、ＢＣＰ２００の対向面２００ａにわたって（例えば、図４Ｃに示されるようにページの内外に）、放射率プロファイルインスタンス４２４ａに示されるのと同じ傾きを維持することができる。

【0040】

ＢＣＰ２００の異なる放射率の領域は、ＢＣＰ２００の一端からＢＣＰ２００の反対端まで連続的に増加する放射率を含む。例えば、ＢＣＰ２００の放射率プロファイル４２４は、線形勾配に従って、第２の縁部２０６ｄから第１の縁部２０６ｃまで増加することができる。図示の実施形態では、放射率プロファイル４２４は、対向面２００ａの表面粗さを変化させることによって生成される。第１の縁部２００ｃの領域などのより高い放射率の領域は、第２の縁部２００ｄの領域などのより低い放射率の領域よりも高い表面粗さを有することができる。したがって、ＢＣＰ２００の表面仕上げは、基板２０６の熱プロファイル４５４の逆のパターンまたはプロファイルであるテクスチャパターンで対向面２００ａをテクスチャ加工することによって生成されてもよく、基板２０６のより低い温度は、ＢＣＰ２００のより粗い表面に対応し、基板のより高い温度は、ＢＣＰ２００のより滑らかな表面に対応する。表面粗さの逆パターンは、基板２０６の熱プロファイル４５４を有利に打ち消し、処理中に基板２０６を均一に加熱することができる。

【0041】

一部の実施形態では、対向面６００ａをテクスチャ加工することは、レーザ、ウォータジェット、ビードブラスト、または化学的テクスチャ加工を介して、ＢＣＰ２００の対向面２００ａを修正して、異なる放射率の領域を有する表面仕上げを作成することを含んでもよい。一部の実施形態では、放射率プロファイル４２４は、コーティングを使用して生成されてもよい。例えば、異なる放射率の領域は、ＢＣＰ２００の対向面２００ａを高放射率コーティングでコーティングすることによって形成されてもよく、より高い放射率の領域は、より低い放射率の領域よりも多くの高放射率塗料を含む。より高い放射率の領域は、より低い放射率の領域よりも厚いコーティング、またはより多くの表面積のコーティングを含むことができる。高放射率コーティングは、高放射率を有することが知られている黒色塗料または他の特殊コーティングなどの高放射率塗料であってもよい。

【0042】

一部の実施形態では、ＢＣＰ２００は、放射率プロファイル４２４を損傷から保護するためのコーティングをさらに含むことができる。例えば、ＢＣＰ２００の対向面２００ａは、保護コーティングをさらに含む。

【0043】

一部の実施形態では、放射率プロファイル４２４は、ＢＣＰ２００の幾何学的形状を補償することができる。例えば、より薄い材料または負の特徴（例えば、ピン貫通孔２２２および中央開口部２２０）を取り囲む領域は、より薄い材料または負の特徴を補償するために、より高い放射率を有することができる。

【0044】

一部の実施形態では、放射率プロファイル４２４を生成する前に基板２０６の平面パターンが測定される。一部の実施形態では、基板２０６の平面パターンを測定することは、基板２０６の熱プロファイル４５４を生成することを含む。

【0045】

図４Ｄおよび図４Ｅは、一実施形態による、基板２０６の上面図および基板２０６の熱プロファイル４５４（熱プロファイルインスタンス４５４ｂとして示される）の概略図をそれぞれ示す。基板２０６は、図４Ａの描写に対して１８０°回転して描かれているため、熱プロファイルインスタンス４５４ｂは、熱プロファイルインスタンス４５４ａの鏡像プロファイルであってもよい。

【0046】

図４Ｆおよび図４Ｇは、一実施形態による、ＢＣＰ２００の上面図およびＢＣＰ２００の放射率プロファイル４２４（放射率プロファイルインスタンス４２４ｂとして示される）の概略図をそれぞれ示す。図４Ｅに示される熱プロファイル４５４を打ち消すために、ＢＣＰ２００を図３Ａに示される配向から回転させて、対向面２００ａの放射率プロファイル４２４、およびこのテクスチャパターンを、放射率プロファイル４２４が熱プロファイル４５４の逆プロファイルとなるように配向させる。例えば、図３Ａ～図３Ｃで説明したように、ＢＣＰ２００をシャフト２１４の周りに回転させて、放射率プロファイルインスタンス４２４ｂが熱プロファイルインスタンス４５４ｂと逆になり、ＢＣＰ２００のキーイング特徴２１８がアダプタ２０２のロッキング特徴２４２と係合するように、ＢＣＰ２００を配向させる。スクライブマーク３２６は、ＢＣＰ２００のテクスチャパターンを配向させるために使用されてもよい。

【0047】

一部の実施形態では、各基板の熱プロファイルがマッピングされる。一部の実施形態において、ＢＣＰのテクスチャパターンは、参照基板にマッピングされた放射率プロファイルを有する。参照基板は、処理チャンバ１０８ｃ（図２）内で処理された基板を表すことができる。テクスチャパターンを参照基板にマッピングすることで、処理チャンバ１０８ｃによって処理される各基板の熱プロファイルをマッピングする必要がなくなるという利点がある。

【0048】

図５Ａおよび図５Ｂは、一実施形態による基板５０６の上面図および基板５０６の熱プロファイル５５４の概略図をそれぞれ示す。図５Ｃおよび図５Ｄは、一実施形態によるＢＣＰ５００の上面図およびＢＣＰ５００の放射率プロファイル５２４の概略図をそれぞれ示す。基板５０６およびＢＣＰ５００は、基板２０６およびＢＣＰ２００と寸法的にも構造的にも同様であり、説明するように異なる。

【0049】

基板５０６は、上面５０６ａと、底面５０６ｂと、第１の縁部５０６ｃと、第２の縁部５０６ｄとを含む。基板５０６の熱プロファイル５５４は、基板５０６の温度のマッピングであってもよく、基板軸５５８に関して対称であってもよい。例えば、第１の縁部５０６ｃおよび第２の縁部５０６ｄなどの、基板軸５５８から同じ半径上の位置における温度は、ほぼ同じ温度であってもよい。図示の実施形態では、熱プロファイル５５４は、放射状勾配に従って、基板５０６の中心（例えば、基板軸５５８）から基板５０６の縁部（例えば、第１の縁部５０６ｃおよび第２の縁部５０６ｄ）まで半径方向に減少する。

【0050】

ＢＣＰ５００は、対向面５００ａと、取り付け面５００ｂと、第１の縁部５００ｃと、第２の縁部５００ｄとを含む。ＢＣＰ５００の放射率プロファイル５２４は、表面粗さのテクスチャパターンに対応してもよく、ＢＣＰ軸５２８に関して対称であってもよい。さらに、ＢＣＰ５００の放射率プロファイル５２４は、基板５０６の熱プロファイル５５４の逆プロファイルであってもよい。図示の実施形態では、放射率プロファイル５２４は、表面５００ａの表面粗さを変化させることによって生成される。ＢＣＰ５００の異なる放射率の領域は、ＢＣＰ５００の一端からＢＣＰ５００の反対端まで連続的に増加する放射率を含む。例えば、ＢＣＰ５００の放射率プロファイル５２４は、放射状勾配に従って、ＢＣＰ５００の中心（例えば、ＢＣＰ軸５２８）からＢＣＰ５００の縁部（例えば、第１の縁部５００ｃおよび第２の縁部５００ｄ）まで増加してもよい。

【0051】

その結果、ＢＣＰ５００の放射率プロファイル５２４は、図５Ｄの透視図に示すように、ＢＣＰ５００がＢＣＰ軸５２８を中心に回転しても同じままであり、このＢＣＰ軸５２８は図２に関連して説明した共有中心軸２１６と同一直線上にあってもよい。したがって、ＢＣＰ５００の位置合わせには、図２に関連して説明した処理チャンバ１０８ｃなどの処理チャンバに設置される場合に、基板５０６の熱プロファイル５５４に従って放射率プロファイル５２４を配向させるためにＢＣＰ５００を回転させる必要はない。スクライブマーク５２６は、放射率プロファイル５２４の放射状勾配の方向性（例えば、ＢＣＰ５００の中心からＢＣＰ５００の縁部に向かって増加する）を示すために使用されてもよい。例えば、スクライブマーク５２６は、放射率が増加する方向（例えば、ＢＣＰ５００の縁部に向かう方向）を指す矢印であってもよい。

【0052】

図５Ｅ～図５Ｈは、一実施形態による、熱プロファイル５５５を有する基板５５６と、放射率プロファイル５２５を有するＢＣＰ５５０とを示す。基板５５６およびＢＣＰ５５０は、熱プロファイル５５５および放射率プロファイル５２５以外は、基板５０６およびＢＣＰ５００と同様である。

【0053】

基板５５６は、上面５５６ａと、底面５５６ｂと、第１の縁部５５６ｃと、第２の縁部５５６ｄと、基板軸５５９とを含む。基板５５６の熱プロファイル５５５は、図５Ｂに示す熱プロファイル５５４の逆プロファイルであってもよい。図示の実施形態では、熱プロファイル５５５は、放射状勾配に従って、基板５５６の中心（例えば、基板軸５５９）から基板５５６の縁部（例えば、第１の縁部５５６ｃおよび第２の縁部５５６ｄ）まで半径方向に減少する。

【0054】

ＢＣＰ５５０は、対向面５５０ａと、取り付け面５５０ｂと、第１の縁部５５０ｃと、第２の縁部５５０ｄと、ＢＣＰ軸５２９とを含む。ＢＣＰ５５０の放射率プロファイル５２５は、熱プロファイル５５５の逆プロファイルであってもよい。例えば、ＢＣＰ５５０の放射率プロファイル５２５は、放射状勾配に従って、ＢＣＰ５５０の中心（例えば、ＢＣＰ軸５２９）からＢＣＰ５５０の縁部（例えば、第１の縁部５５０ｃおよび第２の縁部５５０ｄ）まで減少してもよい。したがって、ＢＣＰ５５０の位置合わせには、基板５５６の熱プロファイル５５５に従って放射率プロファイル５２５を配向させるために、ＢＣＰ５５０を回転させる必要ない。スクライブマーク５２７は、放射率プロファイル５２５の放射状勾配の方向性（例えば、ＢＣＰ５５０の縁部からＢＣＰ５５０の中心に向かって増加する）を示すために使用されてもよい。例えば、スクライブマーク５２７は、放射率が増加する方向（例えば、ＢＣＰ５５０の中心に向かう方向）を指す矢印であってもよい。

【0055】

直線状勾配および放射状勾配が議論されているが、基板の熱プロファイルおよびＢＣＰの放射率プロファイルは異なってもよい。一部の実施形態では、勾配プロファイルは湾曲していてもよい。例えば、勾配経路は、指数関数的または対数的であってもよい。一部の実施形態では、勾配は、矩形であってもよく、または方程式などの経路に従ってもよい。一部の実施形態では、放射率プロファイルは、図５Ｉ～図５Ｊに記載されるように基板にホットゾーンまたはコールドゾーンを形成するために、または基板の熱プロファイルのホットゾーンまたはコールドゾーンを補正するために、連続的ではなく離散的であってもよい。例えば、放射率プロファイルは、連続的に変化する放射率の代わりに、離散的な放射率領域を有してもよい。一部の実施形態では、熱プロファイルは勾配でなくてもよく、不均一に変化してもよい。このような実施形態において、放射率プロファイルは、熱プロファイルの逆プロファイルであってもよい。

【0056】

図５Ｉおよび図５Ｊは、一実施形態による、基板５６６の熱プロファイル５６４およびＢＣＰ５７０の放射率プロファイル５７４の概略図をそれぞれ示す。具体的には、図５Ｉは、上面５６６ａと、底面５６６ｂと、第１の縁部５６６ｃと、第２の縁部５６６ｄと、基板５６６の中心にある基板軸５６９とを含む基板５６６を示す。基板の熱プロファイル５６４は、説明を容易にするために、基板５６６にわたって一定の温度として示されているが、上述の実施形態などの一部の実施形態では、熱プロファイル５６４は一定でなくてもよい。

【0057】

図５Ｊは、ＢＣＰ５７０を示しており、ＢＣＰ５７０は、対向面５７０ａと、取り付け面５７０ｂと、第１の縁部５７０ｃと、第２の縁部５７０ｄと、ＢＣＰ５７０の中心にあるＢＣＰ軸５７９とを含む。対向面５７０ａは、基板５６６内に高温または低温の領域またはゾーンを形成するために使用することができる放射率プロファイル５７４を含む。放射率プロファイル５７４は、第１の放射率の第１の領域５７６ａ（例えば、高放射率領域５７４ａ）および第２の放射率の第２の領域５７６ｂ（例えば、低放射率領域５７４ｂ）を含むことができる。図示の実施形態では、第１の放射率の第１の領域５７６ａは、ＢＣＰ５７０の中心（例えば、ＢＣＰ軸５７９）から、中心からの半径（Ｒ）までであり、第２の放射率の第２の領域は、半径Ｒから底部カバープレートの縁部（例えば、第１または第２の縁部５６６ｃおよび５６６ｄ）までである。したがって、第１の領域５７６ａおよび第２の領域５７６ｂは、それぞれ、放射率プロファイル５７４が、上方から見たときに離散的な放射率のターゲット状パターン（例えば、高放射率領域５７４ａおよび低放射率領域５７４ｂ）を形成するように（図示せず）、ＢＣＰ軸５７９を中心に掃引する。

【0058】

図５Ｋは、一実施形態による、基板５６６の調整された熱プロファイル５６５の概略図を示す。基板５６６の熱プロファイル５６４へのＢＣＰ５７０の放射率プロファイル５７４からの放射は、調整された熱プロファイル５６５を形成することができる。

【0059】

調整された熱プロファイル５６５は、第１の温度の第１の領域５６７ａ（例えば、高温領域５６５ａ）と、第２の温度の第２の領域５６７ｂ（例えば、低温領域５６５ｂ）とを含む。放射率プロファイル５７４は、高放射率領域５７４ａが高温領域５６５ａを生成し、低放射率領域５７４ｂが低温領域５６５ｂを生成するように、調整された熱プロファイル５６５に対応する。例えば、放射率プロファイル５７４は、基板５６６のホット縁部（例えば、第１または第２の縁部５６６ｃおよび５６６ｄ）およびコールド中心（例えば、基板軸５６９における）を形成することができる。したがって、離散的な放射率プロファイル５７４は、離散的な温度の領域を有する基板（例えば、基板５６６）をもたらすことができる。

【0060】

一部の実施形態では、ＢＣＰ５７０の放射率プロファイル５７４は、ＢＣＰ５７０がコールド縁部およびホット中心を有する基板５６６をもたらし得るように反転させることができる。一部の実施形態では、放射率プロファイル５７４は、ターゲット状パターンでＢＣＰ軸５７９の周りに配置されていない離散的な放射率の領域を含むことができる。例えば、離散的な放射率の領域は、ＢＣＰ５７０の対向面５７０ａにわたって異なる境界を有する領域を含むことができる。離散的な放射率の領域は、基板５６６に異なる温度の領域を形成してもよく、または基板の熱プロファイルにおける高温または低温の領域またはゾーンを補正するために使用されてもよい。

【0061】

追加の底部カバープレートアセンブリの例
図６は、一実施形態による、処理システム１００のタンデムセクション１０９ａに設置された異なるＢＣＰ６００の断面図を示す。ＢＣＰ６００は、特記される以外は、ＢＣＰ５００と同様である。例えば、ＢＣＰ６００は、ＢＣＰ６００がリフトピン２０４を侵害しないように、小さくなっている。したがって、ＢＣＰ６００は、図２および図３に関連して説明したピン貫通孔２２２を必要としない。ＢＣＰ６００は、ペデスタル２１２のシャフト２１４上に配置された中央開口部６２０を有する。ＢＣＰ６００の対向面６００ａは、加熱素子２１０によって放出された熱を吸収し、吸収した熱を基板５０６に向けて放射することができる。対向面２００ａは、図３～図５に関連して前述したように、また図７に関連して説明したように、吸収された熱を制御されたやり方で放射するために、異なる放射率の領域を有する表面仕上げを含むことができる。

【0062】

ＢＣＰ６００の対向面６００ａは、図５Ｄに関連して説明した放射率プロファイル５２４と同様の放射率プロファイル（図示せず）を含む。ＢＣＰ６００、したがって対向面６００ａは、図５Ｃに関連して説明したＢＣＰ５００または図２に示すＢＣＰ２００ほど基板５０６の大きな領域には投影しない。したがって、ＢＣＰ６００の放射率プロファイルは、基板５０６の熱プロファイル５５４（図５Ｂ）の一部のみを打ち消すことができる。一部の実施形態では、放射率プロファイルは、ＢＣＰ６００の最外縁部からより多くの熱を放射することによって、より小さい対向面６００ａを補償するように、放射率プロファイル５２４よりも急勾配を含んでもよい。

【0063】

ＢＣＰ６００の取り付け面６００ｂは、アダプタ６０２の上面６０２ａに係合することができる。アダプタ６０２は、ペデスタル２１２のシャフト２１４上に配置された中央ボア６４４を有し、ＢＣＰ６００を位置決めするために使用することができる。ＢＣＰ６００は、アダプタ６０２のロッキング特徴６４２と係合するキーイング特徴６１８をさらに備える。キーイング特徴６１８は、ＢＣＰ６００の取り付け面６００ｂに配置されてもよい。例えば、キーイング特徴６１８は、取り付け面６００ｂのフランジ６３０上に配置されてもよい。ロッキング特徴６４２は、アダプタ６０２の上面６０２ａに配置されてもよい。アダプタの底面６０２ｂは、タンデムセクション１０９ａの既存の構造２１５に適合することができる。

【0064】

図示の実施形態では、キーイング特徴６１８は、中央開口部６２０の周りに形成されたリッジであってもよい。ロッキング特徴６４２は、中央ボア６４４の周りの上面６０２ａに形成された溝またはチャネルであってもよい。一部の実施形態では、ＢＣＰ６００のキーイング特徴６１８は、図２および図３に関連して説明したキーイング特徴２１８を含むことができる。アダプタ６０２のロッキング特徴２４２は、図２および図３に関連して説明したロッキング特徴２４２を含むことができる。

【0065】

一部の実施形態では、ＢＣＰ６００はアダプタ６０２を含む。例えば、ＢＣＰ６００およびアダプタ６０２は、ＢＣＰ６００の回転可能な部分が静止アダプタ６０２に回転可能に取り付けられるように、一体であってもよい。ＢＣＰ６００は、代替として、ＢＣＰ６００およびアダプタ６０２が一体としてのみ回転し得るように、アダプタ６０２に固定されてもよい。

【0066】

図７は、一実施形態による、ＢＣＰ６００およびアダプタ６０２の等角断面図を示す。特に、図７は、図６で説明した要素および特徴の異なる視点を提供する。

【0067】

図８は、一実施形態による、基板の平面パターンを調整するための方法８００の流れ図を示す。方法８００は、図２および図６に関連して説明したように、基板処理システムの処理チャンバ内に底部カバープレートを配置するブロック８０２で開始する。

【0068】

方法は、図２～図６に関連して説明したように、基板の平面パターンを調整するために、異なる放射率の領域を有する表面仕上げに従って底部カバープレートを位置合わせするブロック８０４に続く。

【0069】

方法８００の一部の実施形態では、底部カバープレートは、図２～図６に関連して説明したように、異なる放射率の領域を有する表面仕上げを含む。方法８００の一部の実施形態では、異なる放射率の領域を有する表面仕上げは、図２および図６に関連して説明したように基板に面する。

【0070】

一部の実施形態では、底部カバープレートは、図２、図３Ａ～図３Ｃ、および図６に関連して説明したように、処理チャンバのペデスタルの中心軸上に配置される。

【0071】

一部の実施形態では、異なる放射率の領域を有する表面仕上げは、図２～図６に関連して説明したようなテクスチャパターンである。

【0072】

一部の実施形態では、基板の平面パターンは、図２および図４Ａ～図４Ｂに関連して説明したような基板の熱プロファイルに対応する。

【0073】

一部の実施形態では、底部カバープレートを位置合わせすることは、図２～図４に関連して説明したように、底部カバープレートを中心軸の周りで回転させて、テクスチャパターンが基板の熱プロファイルと逆になる配向に底部カバープレートのテクスチャパターンを配向させることを含む。

【0074】

一部の実施形態は、図２および図６に関連して説明したように、底部カバープレートと基板との間に配置された加熱素子を使用して基板を加熱することをさらに含む。

【0075】

一部の実施形態では、処理チャンバは、図２、図６、および図７に関連して説明したようなアダプタをさらに備える。一部の実施形態では、底部カバープレートは、処理チャンバ内に配置されたときにアダプタに係合する。一部の実施形態では、アダプタは、ペデスタルの中心軸上に配置され、処理チャンバの特徴に係合し、底部カバープレートを配向させるためのインターフェースを提供し、底部カバープレートが中心軸の周りを回転するときに静止したままである。

【0076】

図８は方法の一例に過ぎず、本開示と一致する、より少ない、追加の、または代替のブロックを含む他の方法が可能であることに留意されたい。

【0077】

本開示の実施形態は、特定の実施形態を参照して上述された。しかしながら、当業者であれば、添付の特許請求の範囲に記載された本発明のより広い精神および範囲から逸脱することなく、様々な修正および変更を行うことができることを理解するであろう。したがって、前述の説明および図面は、限定的な意味ではなく例示的な意味で考慮されるべきである。

【図1】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図4E】

【図4F】

【図4G】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図5D】

【図5E】

【図5F】

【図5G】

【図5H】

【図5I】

【図5J】

【図5K】

【図6】

【図7】

【図8】

【国際調査報告】