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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-11-19
(54)【発明の名称】静電パレット及びベース
(51)【国際特許分類】
H01L 21/683 20060101AFI20241112BHJP
H02N 13/00 20060101ALI20241112BHJP
H01L 21/3065 20060101ALN20241112BHJP
【ＦＩ】
H01L21/68 R
H02N13/00 D
H01L21/302 101G
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024527193
(86)(22)【出願日】2022-11-15
(85)【翻訳文提出日】2024-05-08
(86)【国際出願番号】 CN2022131858
(87)【国際公開番号】W WO2023093564
(87)【国際公開日】2023-06-01
(31)【優先権主張番号】202111419897.8
(32)【優先日】2021-11-26
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】510182294
【氏名又は名称】北京北方華創微電子装備有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＢＥＩＪＩＮＧ ＮＡＵＲＡ ＭＩＣＲＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＥＱＵＩＰＭＥＮＴ ＣＯ．， ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】ＮＯ．８ Ｗｅｎｃｈａｎｇ Ａｖｅｎｕｅ Ｂｅｉｊｉｎｇ Ｅｃｏｎｏｍｉｃ－Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｃａｌ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ａｒｅａ， Ｂｅｉｊｉｎｇ １００１７６， Ｃｈｉｎａ
(74)【代理人】
【識別番号】110001771
【氏名又は名称】弁理士法人虎ノ門知的財産事務所
(72)【発明者】
【氏名】ロン イェンティェン
【テーマコード（参考）】
5F004
5F131
【Ｆターム（参考）】
5F004AA01
5F004AA16
5F004BB19
5F004BB22
5F004BB29
5F004BD03
5F131AA02
5F131BA19
5F131CA06
5F131CA31
5F131CA68
5F131DA43
5F131EA03
5F131EB15
5F131EB16
5F131EB17
5F131EB22
5F131EB23
5F131EB67
5F131EB79
5F131EB84
(57)【要約】
本発明は静電パレット及びベースを提供する。静電パレットは、パレット本体と、電圧供給部材と、複数の吸着部材とを含み、複数の吸着部材はパレット本体に間隔をあけて設けられ、各吸着部材は、いずれもパレット本体から離れる方向に沿って順に設けられた絶縁層、電極層及び誘電体層を含み、電圧供給部材は、吸着部材とパレット本体との間に設けられ、複数の吸着部材の電極層に電気的に接続され、電圧供給部材は各吸着部材の電極層に直流電圧を供給することで、複数の吸着部材によって複数のウェハを１対１で対応して吸着させる。本発明に係る静電パレット及びベースは、多枚葉式静電パレットの加工難易度及びコストを低減することができ、且つ高周波の結合効率を向上させ、半導体プロセスの効率を向上させることができる。
【選択図】図１
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数のウェハを吸着させる静電パレットであって、パレット本体と、電圧供給部材と、複数の吸着部材とを含み、
複数の前記吸着部材は前記パレット本体に間隔をあけて設けられ、各前記吸着部材は、いずれも前記パレット本体から離れる方向に沿って順に設けられた絶縁層、電極層及び誘電体層を含み、
前記電圧供給部材は、前記吸着部材と前記パレット本体との間に設けられ、複数の前記吸着部材の前記電極層に電気的に接続され、前記電圧供給部材は各前記吸着部材の前記電極層に直流電圧を供給することで、複数の前記吸着部材によって複数の前記ウェハを１対１で対応して吸着させる、ことを特徴とする静電パレット。
【請求項2】
位置決め部材をさらに含み、前記位置決め部材は前記パレット本体に設けられ、前記位置決め部材には、間隔をあけて設けられた複数の位置決め貫通孔が開けられ、複数の前記吸着部材は複数の前記位置決め貫通孔に１対１で対応して設けられる、ことを特徴とする請求項１に記載の静電パレット。
【請求項3】
各前記吸着部材の前記絶縁層のいずれにも貫通孔が設けられ、前記貫通孔は前記絶縁層を前記電極層まで貫通し、前記電圧供給部材はリード構造を含み、前記リード構造は引き込み端と供給端を有し、前記引き込み端は直流電源に電気的に接続されることに用いられ、前記供給端の数は前記吸着部材の数と同じであり、前記供給端は前記貫通孔を介して前記電極層に電気的に接続される、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の静電パレット。
【請求項4】
前記リード構造は、引き込み線、複数の供給線、及び開口部を有する環状線を含み、前記引き込み線は、一端が前記環状線に電気的に接続され、他端が前記引き込み端とし、複数の供給線は前記環状線の周方向に沿って間隔をあけて設けられ、各前記供給線はいずれも、一端が前記環状線に電気的に接続され、他端が前記供給端とする、ことを特徴とする請求項３に記載の静電パレット。
【請求項5】
前記電圧供給部材は、絶縁スリーブと、複数の弾性導電部材とをさらに含み、前記絶縁スリーブは、前記引き込み線、複数の供給線、及び前記環状線の外部に外嵌され、複数の前記弾性導電部材は、複数の前記供給端に１対１で対応して設けられ、複数の前記弾性導電部材は、複数の前記吸着部材の前記電極層に１対１で対応して弾性的に電気的に接触する、ことを特徴とする請求項４に記載の静電パレット。
【請求項6】
前記パレット本体には、第１凹溝と、引き込み通路とが設けられ、前記第１凹溝の形状は前記電圧供給部材の形状に適合し、前記電圧供給部材は前記第１凹溝に嵌め込まれ、前記引き込み通路は、前記第１凹溝に連通し、前記パレット本体を貫通し、前記引き込み端が前記直流電源に電気的に接続されることに用いられる、ことを特徴とする請求項３に記載の静電パレット。
【請求項7】
前記パレット本体には、複数の第２凹溝が間隔をあけて設けられ、複数の前記第２凹溝は前記第１凹溝の前記供給端が嵌め込まれる部分に連通し、各前記第２凹溝の形状は各前記吸着部材の形状に適合し、複数の前記吸着部材は複数の前記第２凹溝に１対１で対応して設けられる、ことを特徴とする請求項６に記載の静電パレット。
【請求項8】
各前記吸着部材は前記第２凹溝に接着される、ことを特徴とする請求項７に記載の静電パレット。
【請求項9】
前記絶縁層の厚さは０．６ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であり、前記電極層の厚さは０．０３ｍｍ以上０．０４ｍｍ以下であり、前記誘電体層の厚さは０．２５ｍｍ以上０．３５ｍｍ以下である、ことを特徴とする請求項１に記載の静電パレット。
【請求項10】
前記絶縁層の材質には、セラミックが含まれ、前記パレット本体の材質には、金属が含まれる、ことを特徴とする請求項１に記載の静電パレット。
【請求項11】
チャックと、請求項１～１０のいずれか１項に記載の静電パレットとを含み、前記静電パレットは前記チャックに設けられ、複数の前記ウェハを吸着させることに用いられる、ことを特徴とするベース。
【請求項12】
電力供給アセンブリと、高周波供給アセンブリとをさらに含み、前記電力供給アセンブリは前記電圧供給部材に電気的に接続され、前記電力供給アセンブリは直流電源に電気的に接続され、前記直流電源から供給された直流電圧を前記電圧供給部材に供給することに用いられ、前記高周波供給アセンブリは前記チャックに電気的に接続され、前記チャックによって高周波を前記静電パレットに供給することに用いられる、ことを特徴とする請求項１１に記載のベース。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置の技術分野に関し、具体的には、静電パレット及びベースに関する。
【背景技術】
【0002】
近年、ｍｉｎｉＬＥＤ及びｍｉｃｒｏＬＥＤ市場の発展に伴い、従来のＬＥＤに使用される複数枚の機械パレットは、ウェハのエッジ利用率及び均一性に対する市場の要件を満たすことができなくなった。静電パレットは、機械チャックに用いられる蓋板によってウェハを押し付ける必要がなく、クーロン力（静電力とも呼ばれる）でウェハを吸着させるため、ウェハのエッジを半導体プロセスの環境に完全に晒さすことができ、エッジ利用率及び均一性を向上させる。そのため、従来のマルチチップＬＥＤに対処するために、多枚葉式静電パレットが開発されており、多枚葉式静電パレットは、複数のウェハ積載位置を提供した上で、ウェハ間の均一性、ウェハ内の均一性及びエッジ利用率が低いという問題を効果的に解決し、機台の競争力を向上させる。
【0003】
従来の多枚葉式静電パレットは、焼結されたセラミック基体と、頂部から底部まで基体に焼結された誘電体層、電極層及び絶縁層と、を含み、半導体プロセスでは、直流電圧を電極層に供給することで、電極層と複数のウェハとの間にクーロン力を形成し、複数のウェハを誘電体層に吸着し、高周波（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ、ＲＦと略称する）を電極層に結合し、プラズマを吸引してウェハに衝撃を与えてエッチングする。多枚葉式静電パレット構造の強度を考慮すると、基体における絶縁層はセラミックであり、その厚さ（例えば１．５ｍｍ～２ｍｍ）も増加する必要がある。また、高周波が絶縁層及び誘電体層を介してプラズマを円滑に吸引することを保証するために、電極層には、絶縁層から誘電体層への方向に間隔をあけて設けられた複数の層構造が含まれる必要があり、それによって、高周波が絶縁層に近い層構造から複数の層構造を経由して誘電体層に近い層構造に徐々に結合される。さらに、電極層には複数の層構造を電気的に接続できる電気的接続構造が含まれる必要もあり、それによって、複数の層構造を介して直流電圧を誘電体層に近い層構造に供給できる。
【0004】
しかしながら、電極層の層構造の数が多いほど、電気的接続構造の焼結プロセス技術の難易度が大きく、コストが高く、また、絶縁層が厚いため、高周波の結合効率に深刻な影響を与え、その結果、エッチングレートに影響を与える。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、従来技術に存在する技術的課題の少なくとも１つを解決するために、多枚葉式静電パレットの加工難易度及びコストを低減することができ、且つ高周波の結合効率を向上させ、半導体プロセスの効率を向上させることができる、静電パレット及びベースを提案することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の目的を達成するために、複数のウェハを吸着させる静電パレットであって、パレット本体と、電圧供給部材と、複数の吸着部材とを含み、複数の前記吸着部材は前記パレット本体に間隔をあけて設けられ、各前記吸着部材は、いずれも前記パレット本体から離れる方向に沿って順に設けられた絶縁層、電極層及び誘電体層を含み、前記電圧供給部材は、前記吸着部材と前記パレット本体との間に設けられ、複数の前記吸着部材の前記電極層に電気的に接続され、前記電圧供給部材は各前記吸着部材の前記電極層に直流電圧を供給することで、複数の前記吸着部材によって１対１で対応して複数の前記ウェハを吸着させる、静電パレットを提供する。
【0007】
任意選択的に、前記静電パレットは、位置決め部材をさらに含み、前記位置決め部材は前記パレット本体に設けられ、前記位置決め部材には、間隔をあけて設けられた複数の位置決め貫通孔が開けられ、複数の前記吸着部材は複数の前記位置決め貫通孔に１対１で対応して設けられる。
【0008】
任意選択的に、各前記吸着部材の前記絶縁層のいずれにも貫通孔が設けられ、前記貫通孔は前記絶縁層を前記電極層まで貫通し、前記電圧供給部材はリード構造を含み、前記リード構造は引き込み端と供給端を有し、前記引き込み端は直流電源に電気的に接続されることに用いられ、前記供給端の数は前記吸着部材の数と同じであり、前記供給端は前記貫通孔を介して前記電極層に電気的に接続される。
【0009】
任意選択的に、前記リード構造は、引き込み線、複数の供給線、及び開口部を有する環状線を含み、前記引き込み線は、一端が前記環状線に電気的に接続され、他端が前記引き込み端とし、複数の供給線は前記環状線の周方向に沿って間隔をあけて設けられ、各前記供給線はいずれも、一端が前記環状線に電気的に接続され、他端が前記供給端とする。
【0010】
任意選択的に、前記電圧供給部材は、絶縁スリーブと、複数の弾性導電部材とをさらに含み、前記絶縁スリーブは、前記引き込み線、複数の供給線、及び前記環状線の外部に外嵌され、複数の前記弾性導電部材は、複数の前記供給端に１対１で対応して設けられ、複数の前記弾性導電部材は、複数の前記吸着部材の前記電極層に１対１で対応して弾性的に電気的に接触する。
【0011】
任意選択的に、前記パレット本体には、第１凹溝と、引き込み通路とが設けられ、前記第１凹溝の形状は前記電圧供給部材の形状に適合し、前記電圧供給部材は前記第１凹溝に嵌め込まれ、前記引き込み通路は、前記第１凹溝に連通し、前記パレット本体を貫通し、前記引き込み端が前記直流電源に電気的に接続されることに用いられる。
【0012】
任意選択的に、前記パレット本体には、複数の第２凹溝が間隔をあけて設けられ、複数の前記第２凹溝は前記第１凹溝の前記供給端が嵌め込まれる部分に連通し、各前記第２凹溝の形状は各前記吸着部材の形状に適合し、複数の前記吸着部材は複数の前記第２凹溝に１対１で対応して設けられる。
【0013】
任意選択的に、各前記吸着部材は前記第２凹溝に接着される。
【0014】
任意選択的に、前記絶縁層の厚さは０．６ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であり、前記電極層の厚さは０．０３ｍｍ以上０．０４ｍｍ以下であり、前記誘電体層の厚さは０．２５ｍｍ以上０．３５ｍｍ以下である。
【0015】
任意選択的に、前記絶縁層の材質には、セラミックが含まれ、前記パレット本体の材質には、金属が含まれる。
【0016】
本発明は、チャックと、本発明に係る前記静電パレットとを含み、前記静電パレットは前記チャックに設けられ、複数の前記ウェハを吸着させることに用いられるベースをさらに提供する。
【0017】
任意選択的に、前記ベースは、電力供給アセンブリと、高周波供給アセンブリとをさらに含み、前記電力供給アセンブリは前記電圧供給部材に電気的に接続され、前記電力供給アセンブリは前記直流電源に電気的に接続され、前記直流電源から供給された直流電圧を前記電圧供給部材に供給することに用いられ、前記高周波供給アセンブリは前記チャックに電気的に接続され、前記チャックによって高周波を前記静電パレットに供給することに用いられる。
【発明の効果】
【0018】
本発明は以下の有益な効果を有する。
【0019】
本発明に係る静電パレットは、互いに独立したパレット本体、電圧供給部材、位置決め部材、及び複数の吸着部材を設計し、複数の吸着部材を位置決め部材の複数の位置決め貫通孔に設けることにより、電圧供給部材を吸着部材とパレット本体との間に設け、それによって、パレット本体を利用して電圧供給部材及び複数の吸着部材を載置することができ、それにより、パレット本体によって静電パレットの構造の強度を保証することができ、複数のウェハを吸着させるための吸着部材に依存せずに静電パレットの構造の強度を保証することができる。このような設計により、静電パレットの構造の強度を保証するために吸着部材の絶縁層を厚く設計する必要がなくなり、すなわち、本発明に係る静電パレットの吸着部材の絶縁層は、従来技術における多枚葉式静電パレットの絶縁層より薄く設計することができ、このようにして、高周波は吸着部材の絶縁層及び誘電体層を介してプラズマをより容易に吸引することができ、高周波のエネルギー損失をさらに回避し、高周波の結合効率を向上させる。また、本発明に係る静電パレットの複数の吸着部材の電極層はいずれも同一層にあり、従来技術のように、異なる層に位置する複数の電極層の間に複数の電極層を電気的に接続する電気的接続構造を設計する必要がなく、電圧供給部材のみによって各吸着部材の電極層に直流電圧を供給すればよい。上記設計により、本発明の技術的解決手段は、多枚葉式静電パレットの加工難易度及びコストを低減することができ、多枚葉式静電パレットの加工を可能にし、高周波の結合効率を向上させ、エッチングレートを向上させ、それにより、半導体プロセスの効率を向上させる。
【0020】
本発明に係るベースは、チャックに本発明に係る静電パレットを設け、本発明に係る静電パレットを利用して複数のウェハを吸着させることにより、多枚葉式静電パレットの加工難易度及びコストを低減することができ、多枚葉式静電パレットの加工を可能にし、且つ高周波の結合効率を向上させ、半導体プロセスの効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0021】
【図1】本発明の実施例に係る静電パレットの分解構造概略図である。
【図2】本発明の実施例に係る静電パレットの部分断面立体構造概略図である。
【図3】本発明の実施例に係る静電パレットの部分断面側面構造概略図である。
【図4】本発明の実施例に係る静電パレットの吸着部材の正面構造概略図である。
【図5】本発明の実施例に係る静電パレットの吸着部材の側面断面構造概略図である。
【図6】本発明の実施例に係る静電パレットの電圧供給部材の正面構造概略図である。
【図7】本発明の実施例に係る静電パレットの電圧供給部材の立体構造概略図である。
【図8】本発明の実施例に係る静電パレットのパレット本体の正面構造概略図である。
【図9】本発明の実施例に係るベースの構造概略図である。
【発明を実施するための形態】
【0022】
当業者が本発明の技術的解決手段をよりよく理解するために、以下、図面を参照して本発明に係る静電パレット及びベースについて詳細に説明する。
【0023】
図１～図５に示すように、本発明の実施例は、複数のウェハ６を吸着させるための静電パレット２を提供し、静電パレット２は、パレット本体２１と、電圧供給部材２２と、複数の吸着部材２３とを含み、複の吸着部材２３はパレット本体２１に設けられる。任意選択的に、静電パレット２は位置決め部材２５をさらに含んでもよく、該位置決め部材２５の材質には、例えば石英が含んでもよく、又は絶縁性・耐高温性の他の材質が使用されてもよい。位置決め部材２５は、パレット本体２１に設けられ、位置決め部材２５には、間隔をあけて設けられた複数の位置決め貫通孔２５１が開けられ、複数の吸着部材２３は複数の位置決め貫通孔２５１に１対１で対応して設けられる。上記位置決め部材２５を設けることにより、位置決め部材２５に間隔をあけて開けられた複数の位置決め貫通孔２５１は、複数の吸着部材２３を位置決めすることができるだけでなく、複数の吸着部材２３が複数のウェハ６を１対１で対応して吸着させる時に、複数のウェハ６が複数の位置決め貫通孔２５１に１対１で対応して位置するようにし、複数の位置決め貫通孔２５１を利用して複数のウェハ６を１対１で対応して位置決めすることができ、それにより、ウェハ６が半導体プロセスで移動することを回避し、さらに静電パレット２の使用安定性を向上させ、半導体プロセスの安定性を向上させる。勿論、実際の応用には、他の任意の構造を用いて吸着部材２３の位置決めを実現するようにしてもよく、或いは、接着等の方式を用いて複数の吸着部材２３をパレット本体２１に直接固定するようにしてもよく、また、他の任意の構造を用いて吸着部材２３上のウェハ６を位置決めするようにしてもよいが、本発明の実施例は特に限定しない。
【0024】
各吸着部材２３は、いずれもパレット本体２１から離れる方向に沿って順に設けられた絶縁層２３１、電極層２３２、及び誘電体層２３３を含み、電圧供給部材２２は、吸着部材２３とパレット本体２１との間に設けられ、複数の吸着部材２３の電極層２３２に電気的に接続され、電圧供給部材２２は各吸着部材２３の電極層２３２に直流電圧を供給することで、複数の吸着部材２３によって複数のウェハ６を１対１で対応して吸着させる。
【0025】
本発明の実施例に係る静電パレット２は、互いに独立したパレット本体２１、電圧供給部材２２、位置決め部材２５、及び複数の吸着部材２３を設計し、複数の吸着部材２３を位置決め部材２５の複数の位置決め貫通孔２５１に設けることにより、電圧供給部材２２を吸着部材２３とパレット本体２１との間に設け、パレット本体２１を利用して電圧供給部材２２及び複数の吸着部材２３を載置することができ、それによって、パレット本体２１によって静電パレット２の構造の強度を保証することができ、複数のウェハ６を吸着させるための吸着部材２３に依存せずに静電パレット２の構造の強度を保証することができる。このような設計により、静電パレット２の構造の強度を保証するために吸着部材２３の絶縁層２３１を厚く設計する必要がなくなり、すなわち、本発明の実施例に係る静電パレット２の吸着部材２３の絶縁層２３１は、従来技術における多枚葉式静電パレット２の絶縁層２３１より薄く設計することができ、このようにして、高周波は吸着部材２３の絶縁層２３１及び誘電体層２３３を介してプラズマをより容易に吸引することができ、高周波のエネルギー損失をさらに回避し、高周波の結合効率を向上させる。また、本発明の実施例に係る静電パレット２の複数の吸着部材２３はいずれもパレット本体２１に設けられ、これにより複数の吸着部材２３の電極層２３２はいずれも同一層にあり、従来技術のように、異なる層に位置する複数の電極層の間に複数の電極層を電気的に接続する電気的接続構造を設計する必要がなく、電圧供給部材２２のみによって各吸着部材２３の電極層２３２に直流電圧を供給すればよい。上記設計により、本発明の実施例の技術的解決手段は、多枚葉式静電パレット２の加工難易度及びコストを低減することができ、多枚葉式静電パレット２の加工を可能にし、高周波の結合効率を向上させ、エッチングレートを向上させ、それにより、半導体プロセスの効率を向上させる。
【0026】
半導体プロセスでは、電圧供給部材２２は各吸着部材２３の電極層２３２に直流電圧を供給することができ、各吸着部材２３の電極層２３２は、複数のウェハ６に１対１で対応して分極されて正負の反対する電荷を生成し、複数の吸着部材２３と対応するウェハ６との間にクーロン力が形成され、それにより、複数の吸着部材２３は複数のウェハ６を１対１で対応して吸着させることができ、さらに、本発明の実施例に係る静電パレット２は複数のウェハ６を吸着させて載置することができる。
【0027】
半導体プロセスでは、高周波は、複数の吸着部材２３の電極層２３２に結合されることで、プラズマを吸引して複数の吸着部材２３に吸着させた複数のウェハ６に衝撃を与え、複数のウェハ６をエッチングする。
【0028】
本発明の実施例に係る静電パレット２の設計により、任意選択的に、絶縁層２３１の厚さは０．６ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であってもよい。この厚さは、従来技術における多枚葉式静電パレットの厚さ１．５ｍｍ～２ｍｍの絶縁層に比べて薄くなり、それにより、高周波の絶縁層２３１を通過する時の損失を低減することができ、さらに、高周波の結合効率を向上させ、半導体プロセスの効率を向上させる。
【0029】
本発明の１つの好ましい実施例では、絶縁層２３１の厚さは０．６７ｍｍであってもよい。
【0030】
任意選択的に、電極層２３２の厚さは０．０３ｍｍ以上０．０４ｍｍ以下であってもよい。
【0031】
任意選択的に、誘電体層２３３の厚さは０．２５ｍｍ以上０．３５ｍｍ以下であってもよい。
【0032】
本発明の１つの好ましい実施例では、電極層２３２の厚さは０．０３ｍｍであってもよい。
【0033】
本発明の１つの好ましい実施例では、誘電体層２３３の厚さは０．３ｍｍであってもよい。
【0034】
本発明の１つの好ましい実施例では、パレット本体２１の材質には、金属が含まれてもよい。このような設計の原因としては、金属が導体であり、高周波が吸着部材２３の電極層２３２に結合するにはパレット本体２１を通過する必要があるため、このようにして、静電パレットの構造の強度を保証した上で、高周波がパレット本体２１を通過する時の損失を減少、さらに回避することができ、それにより、高周波の結合効率を向上させ、半導体プロセスの効率を向上させる。
【0035】
任意選択的に、パレット本体２１の材質には、アルミニウムが含まれてもよい。
【0036】
本発明の１つの好ましい実施例では、絶縁層２３１の材質には、セラミックが含まれてもよい。
【0037】
本発明の１つの好ましい実施例では、誘電体層２３３の材質には、セラミックが含まれてもよい。
【0038】
本発明の１つの好ましい実施例では、吸着部材２３の誘電体層２３３、電極層２３２、及び絶縁層２３１は、焼結により作製することができる。
【0039】
図２、図３～図５に示すように、本発明の１つの好ましい実施例では、各吸着部材２３の絶縁層２３１のいずれにも貫通孔２３４が設けられてもよく、貫通孔２３４は、絶縁層２３１を電極層２３２まで貫通し、電圧供給部材２２はリード構造２２１を含み、リード構造２２１は引き込み端及び供給端を有し、引き込み端は直流電源（図示せず）に電気的に接続されることに用いられ、供給端の数は吸着部材２３の数と同じであり、供給端は貫通孔２３４を介して電極層２３２に電気的に接続され、供給端は引き込み端を介して引き込みされた直流電圧を電極層２３２に供給することに用いられる。
【0040】
つまり、リード構造２２１は、引き込み端及び吸着部材２３と同数の供給端を有し、引き込み端は、直流電源に電気的に接続されることで、直流電源から供給された直流電圧をリード構造２２１に供給することができ、すなわち、直流電源から供給された直流電圧は引き込み端を介してリード構造２２１に供給される。供給端は複数の吸着部材２３の貫通孔２３４を１対１で対応して貫通しており、貫通孔２３４は吸着部材２３の絶縁層２３１を電極層２３２まで貫通するため、供給端は、複数の吸着部材２３の貫通孔２３４を１対１で対応して貫通しており、複数の吸着部材２３の電極層２３２に１対１で対応して電気的に接続することができる。リード構造２２１に供給された直流電圧は、供給端を介して複数の吸着部材２３の電極層２３２に１対１で対応して供給することができる。
【0041】
図６～図７に示すように、本発明の１つの好ましい実施例では、リード構造２２１は、引き込み線２２１１、複数の供給線２２１２、及び開口部を有する環状線２２１３を含んでもよく、引き込み線２２１１は、一端が環状線２２１３に電気的に接続され、他端が引き込み端とし、複数の供給線２２１２は環状線２２１３の周方向に沿って間隔をあけて設けられ、各供給線２２１２はいずれも、一端が環状線２２１３に電気的に接続され、他端が供給端とする。具体的には、図１に示すように、吸着部材２３は５つあり、それらのうちの１つの吸着部材２３は、パレット本体２１の中心位置にあり、残りの４つの吸着部材２３は、パレット本体２１の周方向に沿って中心位置にある吸着部材２３の周囲に対称的に分布する。この場合、供給線２２１２は５つあり、それらのうちの１つの供給線２２１２は、環状線２２１３の内側に位置し、中心位置にある吸着部材２３の電極層２３２に電気的に接続され、残りの４つの供給線２２１２は、いずれも環状線２２１３の外側に位置し、残りの４つの吸着部材２３の電極層２３２に１対１で対応して電気的に接続される。好ましくは、引き込み線２２１１と、環状線２２１３の内側に位置する供給線２２１２とは、環状線２２１３の同一の径方向に延在する。
【0042】
半導体プロセスでは、引き込み線２２１１は、引き込み端の一端として直流電源に電気的に接続され、直流電源から供給された直流電圧は、引き込み端を介して引き込み線２２１１に供給され、引き込み線２２１１を通過した後、引き込み線２２１１の環状線２２１３に電気的に接続された端部を介して環状線２２１３に供給される。直流電圧は、環状線２２１３に供給された後に環状線２２１３の周方向に沿って流れ、流れる過程で複数の供給線２２１２の環状線２２１３に電気的に接続された端部を介して、環状線２２１３の周方向に沿って間隔をあけて設けられた複数の供給線２２１２に供給される。直流電圧は、複数の供給線２２１２を通過した後に複数の供給線２２１２の供給端とした端を介して複数の吸着部材２３の電極層２３２に１対１で対応して供給される。
【0043】
このような設計では、開口部を有する環状線２２１３を利用して、複数の供給線２２１２を環状線２２１３の周方向に沿って間隔をあけて設けることにより、リード構造２２１を非接続形態とすることができ、すなわち、リード構造２２１を非閉形態にすることができ、それによって、直流電圧によってリード構造２２１に磁界が発生し、直流電圧に干渉を与えることを回避し、それにより、静電パレット２の使用時の安定性を向上させ、半導体プロセスの安定性を向上させることができる。
【0044】
【0045】
【0046】
図２～図３に示すように、本発明の１つの好ましい実施例では、電圧供給部材２２は、絶縁スリーブ２２２と、複数の弾性導電部材２４とをさらに含んでもよく、絶縁スリーブ２２２は、引き込み線２２１１、複数の供給線２２１２、及び環状線２２１３の外部に外嵌され、複数の弾性導電部材２４は、複数の供給端に１対１で対応して設けられ、複数の弾性導電部材２４は、複数の吸着部材２３の電極層２３２に１対１で対応して弾性的に電気的に接触する。
【0047】
つまり、複数の供給端は、１対１で対応して設けられた複数の弾性導電部材２４を介して複数の吸着部材２３の電極層２３２に１対１で対応して電気的に接続され、このように、弾性導電部材２４が持つ弾性を利用して、弾性導電部材２４と電極層２３２を常に緊密に電気的に接触させ、それにより、複数の供給端は、複数の吸着部材２３の電極層２３２に１対１で対応して緊密に電気的に接続され、さらに静電パレット２の使用時の安定性が向上し、半導体プロセスの安定性が向上する。さらに、引き込み線２２１１、複数の供給線２２１２、及び環状線２２１３の外部に絶縁スリーブ２２２を外嵌することにより、引き込み線２２１１、複数の供給線２２１２、及び環状線２２１３をパレット本体２１から絶縁させ、電極層２３２に結合された高周波がパレット本体２１を通過する時に引き込み線２２１１、複数の供給線２２１２、及び環状線２２１３を通過する直流電圧に干渉を与えることを回避し、それにより、静電パレット２の使用安定性を向上させ、半導体プロセスの安定性を向上させることができる。
【0048】
任意選択的に、複数の弾性導電部材２４は、複数の吸着部材２３の貫通孔２３４を１対１で対応して貫通し、複数の吸着部材２３の電極層２３２に１対１で対応して電気的に接触し、一方、供給端は、対応する吸着部材２３の貫通孔２３４内に伸びない。
【0049】
任意選択的に、弾性導電部材２４は、弾性プローブを含んでもよい。
【0050】
図６～図７に示すように、任意選択的に、絶縁スリーブ２２２は、引き込みスリーブセグメント２２２１、複数の供給スリーブセグメント２２２２、及び開口部を有する環状スリーブセグメント２２２３を含んでもよく、環状スリーブセグメント２２２３は環状線２２１３の外部に外嵌され、引き込みスリーブセグメント２２２１及び複数の供給スリーブセグメント２２２２は、環状スリーブセグメント２２２３の周方向に沿って間隔をあけて設けられ、引き込みスリーブセグメント２２２１は、一端が環状スリーブセグメント２２２３に連通し、他端が閉鎖され、引き込みスリーブセグメント２２２１は引き込み線２２１１の外部に外嵌され、各供給スリーブセグメント２２２２はいずれも、一端が環状スリーブセグメント２２２３に連通し、他端が閉鎖され、複数の供給スリーブセグメント２２２２は複数の供給線２２１２の外部に１対１で対応して外嵌される。
【0051】
任意選択的に、絶縁スリーブ２２２の材質としては、セラミックが挙げられてもよい。
【0052】
図１～図８に示すように、本発明の１つの好ましい実施例では、パレット本体２１に第１凹溝２１１及び引き込み通路が設けられてもよく、第１凹溝２１１の形状は電圧供給部材２２の形状に適合し、電圧供給部材２２は第１凹溝２１１に嵌め込まれ、引き込み通路は、第１凹溝２１１に連通し、パレット本体２１を貫通し、引き込み端を直流電源に電気的に接続することに用いられる。
【0053】
電圧供給部材２２を第１凹溝２１１に嵌め込むことにより、第１凹溝２１１を利用して電圧供給部材２２のパレット本体２１での位置を位置決めすることができ、電圧供給部材２２がパレット本体２１で移動することを回避し、それにより、静電パレット２の使用安定性が向上し、半導体プロセスの安定性が向上する。
【0054】
図８に示すように、任意選択的に、第１凹溝２１１は、引き込み溝セグメント２１１１、複数の供給溝セグメント２１１２、及び開口部を有する環状溝セグメント２１１３を含んでもよく、環状スリーブセグメント２２２３及び環状線２２１３は引き込み溝セグメント２１１１に嵌め込まれ、引き込み溝セグメント２１１１及び複数の供給溝セグメント２１１２は、環状溝セグメント２１１３の周方向に沿って間隔をあけて設けられ、引き込み溝セグメント２１１１は、一端が環状溝セグメント２１１３に連通し、他端が閉鎖され、引き込みスリーブセグメント２２２１及び引き込み線２２１１は引き込み溝セグメント２１１１に嵌め込まれ、各供給溝セグメント２１１２はいずれも、一端が環状溝セグメント２１１３に連通し、他端が閉鎖され、複数の供給スリーブセグメント２２２２及び複数の供給線２２１２は１対１で複数の供給溝セグメント２１１２に嵌め込まれ、引き込み通路は、引き込み溝セグメント２１１１に連通し、パレット本体２１を貫通し、引き込み端を直流電源に電気的に接続することに用いられる。
【0055】
図８に示すように、本発明の１つの好ましい実施例では、パレット本体２１には、複数の第２凹溝２１２が間隔をあけて設けられてもよく、複数の第２凹溝２１２は、第１凹溝２１１の供給端が嵌め込まれる部分に連通し、各第２凹溝２１２の形状は各吸着部材２３の形状に適合し、複数の吸着部材２３は複数の第２凹溝２１２に１対１で対応して設けられる。このように、第１凹溝２１１の各供給溝セグメント２１１２は対応する各第２凹溝２１２に延伸し、つまり、第１凹溝２１１の各第２凹溝２１２に延伸する部分は、第２凹溝２１２の溝底に開けられた凹溝セグメントであり、それにより、供給スリーブセグメント２２２２及び供給線２２１２は第２凹溝２１２内に位置する吸着部材２３の底部に延伸し、貫通孔２３４を介して電極層２３２に電気的に接続されるようにしてもよい。好ましくは、第１凹溝２１１の各供給溝セグメント２１１２の対応する各第２凹溝２１２に延伸する端部は、第２凹溝２１２の中心位置にある。また、複数の吸着部材２３を複数の第２凹溝２１２に１対１で対応して設けることにより、複数の第２凹溝２１２を利用して複数の吸着部材２３のパレット本体２１での位置を特定することができ、吸着部材２３がパレット本体２１で移動することを回避し、それにより、静電パレット２の使用安定性を向上させ、半導体プロセスの安定性を向上させることができる。
【0056】
【0057】
本発明の１つの好ましい実施例では、各吸着部材２３は第２凹溝２１２に接着され得る。すなわち、各吸着部材２３は、パレット本体２１に接着により接続することができる。
【0058】
図９に示すように、本発明の実施例は、チャック３（Ｃｈｕｃｋ）及び本発明の実施例に係る静電パレット２を含み、静電パレット２はチャック３に設けられ、複数のウェハ６を吸着させることに用いられるベースをさらに提供する。
【0059】
本発明の実施例に係るベースは、本発明の実施例に係る静電パレット２をチャック３に設け、本発明の実施例に係る静電パレット２を利用して複数のウェハ６を吸着させることにより、多枚葉式静電パレット２の加工難易度及びコストを低減し、高周波の結合効率を向上させ、半導体プロセスの効率を向上させることができる。
【0060】
図９に示すように、本発明の１つの好ましい実施例では、ベースは、電力供給アセンブリ４及び高周波供給アセンブリ５をさらに含み、電力供給アセンブリ４は電圧供給部材２２に電気的に接続され、電力供給アセンブリ４は直流電源に電気的に接続され、直流電源から供給された直流電圧を電圧供給部材２２に供給することに用いられ、高周波供給アセンブリ５はチャック３に電気的に接続され、チャック３を介して高周波を静電パレット２に供給することに用いられる。
【0061】
図９に示すように、任意選択的に、電力供給アセンブリ４は供給リード４１及びフィルタ４２（Ｆｉｌｔｅｒ）を含んでもよく、高周波供給アセンブリ５は高周波供給リード５１及び整合器５２（Ｍａｔｃｈ）を含んでもよく、整合器５２は高周波源（図示せず）に電気的に接続されることに用いられ、高周波供給リード５１は整合器５２及びチャック３にそれぞれ電気的に接続され、フィルタ４２は直流電源（図示せず）に電気的に接続されることに用いられ、供給リード４１はチャック３を貫通し、フィルタ４２及び引き込み線２２１１にそれぞれ電気的に接続される。半導体プロセスでは、高周波源は高周波を供給し、高周波源から供給された高周波は、整合器５２を介してチャック３に供給され、さらに順にチャック３、パレット本体２１、及び吸着部材２３の絶縁層２３１を経由して吸着部材２３の電極層２３２に結合される。直流電源は直流電圧を供給し、直流電圧は、順にフィルタ４２、供給リード４１、引き込み線２２１１、環状線２２１３、供給線２２１２及び弾性導電部材２４を経由して吸着部材２３の電極層２３２に供給される。
【0062】
図９に示すように、任意選択的に、チャック３に冷却液を流すための冷却通路３１（Ｃｈｉｌｌｅｒ）が設けられる。これにより、冷却液によって静電パレット２を冷却することができる。
【0063】
図９に示すように、任意選択的に、静電パレット２とチャック３との間には、シールリング３２が設けられ、不活性ガスが導入されてもよい。このようにして、シールリング３２及び不活性ガスを利用して静電パレット２とチャック３との間をシールすることができる。
【0064】
また、不活性ガスとしては、ヘリウムガスが含まれてもよい。
【0065】
要するに、本発明の実施例に係る静電パレット２及びベースは、多枚葉式静電パレット２の加工難易度及びコストを低減し、且つ高周波の結合効率を向上させ、半導体プロセスの効率を向上させることができる。
【0066】
なお、以上の実施形態は、本発明の原理を説明するために採用した例示的な実施形態に過ぎず、本発明はこれらに限定されるものではない。当業者であれば、本発明の趣旨及び本質を逸脱することなく、種々の変形や改良を行うことができ、これらの変形や改良も本発明の保護範囲とみなされる。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【手続補正書】
【提出日】2024-09-27
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数のウェハを吸着させる静電パレットであって、パレット本体と、電圧供給部材と、複数の吸着部材とを含み、
複数の前記吸着部材は前記パレット本体に間隔をあけて設けられ、各前記吸着部材は、いずれも前記パレット本体から離れる方向に沿って順に設けられた絶縁層、電極層及び誘電体層を含み、複数の前記吸着部材における前記電極層はいずれも同一層にあり、
前記電圧供給部材は、前記吸着部材と前記パレット本体との間に設けられ、複数の前記吸着部材の前記電極層に電気的に接続され、前記電圧供給部材は各前記吸着部材の前記電極層に直流電圧を供給することで、複数の前記吸着部材によって複数の前記ウェハを１対１で対応して吸着させる、ことを特徴とする静電パレット。
【請求項2】
位置決め部材をさらに含み、前記位置決め部材は前記パレット本体に設けられ、前記位置決め部材には、間隔をあけて設けられた複数の位置決め貫通孔が開けられ、複数の前記吸着部材は複数の前記位置決め貫通孔に１対１で対応して設けられる、ことを特徴とする請求項１に記載の静電パレット。
【請求項3】
各前記吸着部材の前記絶縁層のいずれにも貫通孔が設けられ、前記貫通孔は前記絶縁層を前記電極層まで貫通し、前記電圧供給部材はリード構造を含み、前記リード構造は引き込み端と供給端を有し、前記引き込み端は直流電源に電気的に接続されることに用いられ、前記供給端の数は前記吸着部材の数と同じであり、前記供給端は前記貫通孔を介して前記電極層に電気的に接続される、ことを特徴とする請求項１に記載の静電パレット。
【請求項4】
前記リード構造は、引き込み線、複数の供給線、及び開口部を有する環状線を含み、前記引き込み線は、一端が前記環状線に電気的に接続され、他端が前記引き込み端とし、複数の供給線は前記環状線の周方向に沿って間隔をあけて設けられ、各前記供給線はいずれも、一端が前記環状線に電気的に接続され、他端が前記供給端とする、ことを特徴とする請求項３に記載の静電パレット。
【請求項5】
前記電圧供給部材は、絶縁スリーブと、複数の弾性導電部材とをさらに含み、前記絶縁スリーブは、前記引き込み線、複数の供給線、及び前記環状線の外部に外嵌され、複数の前記弾性導電部材は、複数の前記供給端に１対１で対応して設けられ、複数の前記弾性導電部材は、複数の前記吸着部材の前記電極層に１対１で対応して弾性的に電気的に接触する、ことを特徴とする請求項４に記載の静電パレット。
【請求項6】
前記パレット本体には、第１凹溝と、引き込み通路とが設けられ、前記第１凹溝の形状は前記電圧供給部材の形状に適合し、前記電圧供給部材は前記第１凹溝に嵌め込まれ、前記引き込み通路は、前記第１凹溝に連通し、前記パレット本体を貫通し、前記引き込み端が前記直流電源に電気的に接続されることに用いられる、ことを特徴とする請求項３に記載の静電パレット。
【請求項7】
前記パレット本体には、複数の第２凹溝が間隔をあけて設けられ、複数の前記第２凹溝は前記第１凹溝の前記供給端が嵌め込まれる部分に連通し、各前記第２凹溝の形状は各前記吸着部材の形状に適合し、複数の前記吸着部材は複数の前記第２凹溝に１対１で対応して設けられる、ことを特徴とする請求項６に記載の静電パレット。
【請求項8】
各前記吸着部材は前記第２凹溝に接着される、ことを特徴とする請求項７に記載の静電パレット。
【請求項9】
前記絶縁層の厚さは０．６ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であり、前記電極層の厚さは０．０３ｍｍ以上０．０４ｍｍ以下であり、前記誘電体層の厚さは０．２５ｍｍ以上０．３５ｍｍ以下である、ことを特徴とする請求項１に記載の静電パレット。
【請求項10】
前記絶縁層の材質には、セラミックが含まれ、前記パレット本体の材質には、金属が含まれる、ことを特徴とする請求項１に記載の静電パレット。
【請求項11】
チャックと、請求項１～１０のいずれか１項に記載の静電パレットとを含み、前記静電パレットは前記チャックに設けられ、複数の前記ウェハを吸着させることに用いられる、ことを特徴とするベース。
【請求項12】
電力供給アセンブリと、高周波供給アセンブリとをさらに含み、前記電力供給アセンブリは前記電圧供給部材に電気的に接続され、前記電力供給アセンブリは直流電源に電気的に接続され、前記直流電源から供給された直流電圧を前記電圧供給部材に供給することに用いられ、前記高周波供給アセンブリは前記チャックに電気的に接続され、前記チャックによって高周波を前記静電パレットに供給することに用いられる、ことを特徴とする請求項１１に記載のベース。
【国際調査報告】