特表 2024-543555 共形炭素ドープ窒化ケイ素膜およびその方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-11-21

(54)【発明の名称】共形炭素ドープ窒化ケイ素膜およびその方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/318 20060101AFI20241114BHJP

   C23C 16/42 20060101ALI20241114BHJP

【ＦＩ】

H01L21/318 B

C23C16/42

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024531441

(86)(22)【出願日】2022-11-30

(85)【翻訳文提出日】2024-07-26

(86)【国際出願番号】 US2022080683

(87)【国際公開番号】W WO2023102440

(87)【国際公開日】2023-06-08

(31)【優先権主張番号】63/264,932

(32)【優先日】2021-12-03

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】592010081

【氏名又は名称】ラム リサーチ コーポレーション

【氏名又は名称原語表記】ＬＡＭ ＲＥＳＥＡＲＣＨ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ

(74)【代理人】

【識別番号】110000028

【氏名又は名称】弁理士法人明成国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】グプタ・オウニッシュ

(72)【発明者】

【氏名】ヴァン・スクラヴェンディク・バート・ジェイ

(72)【発明者】

【氏名】ヘンリ・ジョン

(72)【発明者】

【氏名】サブチャク・オクサナ

(72)【発明者】

【氏名】ウェイ・フェンギャン

(72)【発明者】

【氏名】スリニヴァサン・イアスワー

(72)【発明者】

【氏名】オースティン・ダスティン・ザカリー

【テーマコード（参考）】

4K030

5F058

【Ｆターム（参考）】

4K030AA11

4K030AA13

4K030AA16

4K030AA17

4K030AA18

4K030BA40

4K030CA04

4K030CA12

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4K030EA06

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4K030HA01

4K030JA01

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4K030JA11

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4K030KA23

4K030LA02

4K030LA15

5F058BA09

5F058BC08

5F058BC10

5F058BD10

5F058BD13

5F058BF04

5F058BF07

5F058BF27

5F058BF30

5F058BF37

5F058BH16

5F058BJ05

5F058BJ06

(57)【要約】

【解決手段】本開示は、窒化ケイ素膜を提供するための方法に関する。特に、膜は、炭素ドープ窒化ケイ素膜であり得る。方法は、ドープ窒化ケイ素を堆積することと、続いてドープ窒化ケイ素をプラズマ処理して共形膜を提供することとを含むことができる。
【選択図】図１Ａ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

膜を堆積する方法であって、
チャンバ内の基板を有機ケイ素含有前駆体に曝露することと、
前記基板を窒素含有反応剤に曝露することと、
前記基板をラジカル種に曝露し、それによって窒化ケイ素を含む膜を形成することと
を含む、方法。

【請求項2】

請求項１に記載の方法であって、
前記膜は、ドープ窒化ケイ素を含む、方法。

【請求項3】

請求項２に記載の方法であって、
前記ドープ窒化ケイ素は、炭素ドープ窒化ケイ素を含む、方法。

【請求項4】

請求項１に記載の方法であって、
前記膜は、共形膜を含む、方法。

【請求項5】

請求項１～４に記載の方法であって、
前記有機ケイ素含有前駆体は、式（Ｉ）：
Ｓｉ（Ｒ’）₄
の構造を含み、
少なくとも１つのＲ’は、炭素原子を含む、
方法。

【請求項6】

請求項１～４に記載の方法であって、
前記有機ケイ素含有前駆体は、式（ＩＩ）：
（Ｒ’）₃Ｓｉ－［Ｌ－Ｓｉ（Ｒ’）₂］－Ｒ’
の構造を含み、
少なくとも１つのＲ’は、炭素原子を含み、Ｌは、リンカーである、
方法。

【請求項7】

請求項１に記載の方法であって、
前記窒素含有反応剤は、アンモニア（ＮＨ₃）、一重水素化アンモニア（ＮＨ₂Ｄ）、二重水素化アンモニア（ＮＨＤ₂）、または三重水素化アンモニア（ＮＤ₃）を含む、方法。

【請求項8】

請求項１に記載の方法であって、
前記基板を前記窒素含有反応剤に前記曝露することは、水素（Ｈ₂）の存在下で前記窒素含有反応剤を提供することを含む、方法。

【請求項9】

請求項１に記載の方法であって、
前記基板をラジカル種に前記曝露することは、アンモニア（ＮＨ₃）、窒素（Ｎ₂）、および水素（Ｈ₂）からなる群から選択されるソースガスを含む、方法。

【請求項10】

請求項１に記載の方法であって、
前記ラジカル種は、リモートプラズマ中の窒素含有ラジカルを含む、方法。

【請求項11】

請求項１～１０に記載の方法であって、
前記基板を前記有機ケイ素含有前駆体に前記曝露すること、前記基板を前記窒素含有反応剤に前記曝露すること、および前記基板を前記ラジカル種に前記曝露することの各々の後、不活性ガスで前記チャンバをパージすることをさらに含む、方法。

【請求項12】

請求項１～１１に記載の方法であって、
サイクルで前記基板を前記有機ケイ素含有前駆体に前記曝露すること、前記基板を前記窒素含有反応剤に前記曝露すること、および前記基板を前記ラジカル種に前記曝露することを繰り返し、前記膜を形成することをさらに含む、方法。

【請求項13】

請求項１～１２に記載の方法であって、
前記方法は、リモートプラズマベースの原子層堆積プロセスを含む、方法。

【請求項14】

膜を堆積する方法であって、
基板の表面上に炭素含有層およびケイ素含有層を堆積することであって、前記基板は、チャンバ内に設けられることと、
窒素含有反応剤の存在下で前記炭素含有層および前記ケイ素含有層を熱変換し、ドープ窒化ケイ素を形成することと、
ソースガスの存在下で前記ドープ窒化ケイ素をプラズマ処理し、それによって前記膜を形成することと
を含む、方法。

【請求項15】

請求項１４に記載の方法であって、
前記堆積することは、前記基板の前記表面を有機ケイ素含有前駆体に曝露することを含む、方法。

【請求項16】

請求項１５に記載の方法であって、
前記有機ケイ素含有前駆体は、式（Ｉ）または（ＩＩ）の構造を含む、方法。

【請求項17】

請求項１４に記載の方法であって、
前記熱変換することは、前記基板の前記表面を前記窒素含有反応剤に曝露することを含む、方法。

【請求項18】

請求項１７に記載の方法であって、
前記窒素含有反応剤は、アンモニア（ＮＨ₃）を含み、任意選択で水素（Ｈ₂）を伴う、方法。

【請求項19】

請求項１４に記載の方法であって、
前記プラズマ処理することは、前記基板をソースガス内のラジカル種に曝露することを含む、方法。

【請求項20】

請求項１９に記載の方法であって、
前記ラジカル種は、窒素含有ラジカルを含み、前記ソースガスは、アンモニア（ＮＨ₃）、窒素（Ｎ₂）、および水素（Ｈ₂）からなる群から選択される、方法。

【請求項21】

請求項１４～２０に記載の方法であって、
前記堆積すること、前記熱変換すること、および／または前記プラズマ処理することの各々の後、不活性ガスで前記チャンバをパージすることをさらに含む、方法。

【請求項22】

請求項１４～２１に記載の方法であって、
サイクルで前記堆積すること、前記熱変換すること、および前記プラズマ処理することを繰り返し、前記膜を形成することをさらに含む、方法。

【請求項23】

請求項１４～２２に記載の方法であって、
前記膜は、共形炭素ドープ窒化ケイ素膜を含む、方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願：
本出願の一部として、本明細書と同時にＰＣＴ出願願書が提出される。この同時出願されたＰＣＴ出願願書に明記され、本出願が利益または優先権を主張する各出願は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

【0002】

本開示は、窒化ケイ素膜を提供するための方法に関する。特に、膜は、炭素ドープ窒化ケイ素膜であり得る。方法は、ドープ窒化ケイ素を堆積することと、続いてドープ窒化ケイ素をプラズマ処理して共形膜を提供することとを含むことができる。

【背景技術】

【0003】

典型的には、窒化ケイ素の共形堆積は、ハロシランベースの前駆体を用いた炉ベースの熱プロセスの使用を含む。前駆体中のハロゲン原子の存在により、場合によっては、堆積膜内に望ましくない不純物としてハロゲンが提供される場合がある。

【0004】

ここで提供される背景の説明は、本技術の内容を概ね提示することを目的とする。この背景技術のセクションで説明されている範囲内における、現時点で名前を挙げられている発明者らによる研究、ならびに出願の時点で先行技術として別途みなされ得ない説明の態様は、明示または暗示を問わず、本技術に対抗する先行技術として認められない。

【発明の概要】

【0005】

本開示は、ドープ窒化ケイ素を堆積し、続いてドープ窒化ケイ素をプラズマ処理する方法に関する。場合によっては、この方法は、炭素ドープ窒化ケイ素を含む共形膜を提供する。炭素の存在により、高エネルギー電子トラップとして作用し得る有益なＳｉ－Ｃ欠陥を有する膜が得られる可能性がある。そのようなトラップは、例えば、メモリセルにおけるトラップ層内で有用であり得る。他の実施形態では、膜は、デバイス（例えば、太陽電池）に使用することができる。炭素の存在により、ウェットエッチング速度が減少した膜が得られる可能性がある。一実施形態では、膜は、エッチストップ層として用いることができ、炭素ドープ窒化ケイ素は、窒化ケイ素単独と比較してウェットエッチング速度が減少し得る。追加の使用法についても、本明細書で説明される。

【0006】

いくつかの実施形態では、方法は、サイクルごとに熱ＡＬＤ変換およびそれに続くプラズマ処理を含むハイブリッド原子層堆積（ハイブリッドＡＬＤ）プロセスとして特徴付けられる。例えば、熱ＡＬＤ変換は、窒素含有反応剤の存在下で堆積された炭素含有層およびケイ素含有層を変換し、ドープ窒化ケイ素を形成することを含むことができる。さらに、プラズマ処理は、ドープ窒化ケイ素をソースガスから得られる高エネルギー種に曝露することを含むことができる。いくつかの実施形態では、高エネルギー種は、窒素原子を含むことができる。他の実施形態では、高エネルギー種は、ラジカルを含むことができる。

【0007】

非限定的な実施形態では、方法は、ハロゲン原子を有する堆積前駆体を回避することによって、膜内のハロゲンの存在を回避する。特定の実施形態では、堆積前駆体は、有機ケイ素含有前駆体である。そのような前駆体は、典型的には、少なくとも１つのケイ素原子と、少なくとも１つの炭素原子とを含む。前駆体の非限定的な例は、本明細書で説明される。

【0008】

第１の態様では、本開示は、膜を堆積する方法を包含する。いくつかの実施形態では、方法は、チャンバ内の基板を有機ケイ素含有前駆体に曝露することと、基板を窒素含有反応剤に曝露することと、基板を高エネルギー種に曝露し、それによって窒化ケイ素を含む膜を形成することとを含む。特定の実施形態では、高エネルギー種は、ラジカル種である。

【0009】

いくつかの実施形態では、膜は、ドープ窒化ケイ素を含む。特定の実施形態では、ドープ窒化ケイ素は、炭素ドープ窒化ケイ素を含む。他の実施形態では、膜は、共形膜を含む。さらなる実施形態では、基板は、高アスペクト比（ＨＡＲ）構造を含み、共形膜は、前記ＨＡＲ構造の表面上に堆積される。

【0010】

いくつかの実施形態では、有機ケイ素含有前駆体は、式（Ｉ）：
Ｓｉ（Ｒ’）₄
の構造を含み、
少なくとも１つのＲ’は、炭素原子を含む。

【0011】

他の実施形態では、有機ケイ素含有前駆体は、式（ＩＩ）：
（Ｒ’）₃Ｓｉ－［Ｌ－Ｓｉ（Ｒ’）₂］－Ｒ’
の構造を含み、
少なくとも１つのＲ’は、炭素原子を含み、Ｌは、リンカーである。

【0012】

いくつかの実施形態では、窒素含有反応剤は、アンモニア（ＮＨ_３）、一重水素化アンモニア（ｓｉｎｇｌｙ ｄｅｕｔｅｒａｔｅｄ ａｍｍｏｎｉａ）（ＮＨ_２Ｄ）、二重水素化アンモニア（ｄｏｕｂｌｙ ｄｅｕｔｅｒａｔｅｄ ａｍｍｏｎｉａ）（ＮＨＤ_２）、または三重水素化アンモニア（ｔｒｉｐｌｙ ｄｅｕｔｅｒａｔｅｄ ａｍｍｏｎｉａ）（ＮＤ₃）を含む。

【0013】

いくつかの実施形態では、基板を窒素含有反応剤に前記曝露することは、水素（Ｈ₂）の存在下で窒素含有反応剤を提供することを含む。

【0014】

他の実施形態では、基板を高エネルギー種（例えば、ラジカル種）に前記曝露することは、アンモニア（ＮＨ₃）、窒素（Ｎ₂）、水素（Ｈ₂）、またはそれらの組み合わせの群から選択されるソースガスを含む。特定の実施形態では、高エネルギー種は、リモートプラズマ中の窒素含有高エネルギー種または窒素含有ラジカルを含む。

【0015】

いくつかの実施形態では、方法は、基板を有機ケイ素含有前駆体に前記曝露すること、基板を窒素含有反応剤に前記曝露すること、および／または基板を高エネルギー種に前記曝露することの後、不活性ガスでチャンバをパージすることをさらに含む。他の実施形態では、方法は、サイクルで基板を有機ケイ素含有前駆体に前記曝露すること、基板を窒素含有反応剤に前記曝露すること、および基板を高エネルギー種に前記曝露することを繰り返し、膜を形成することをさらに含む。

【0016】

他の実施形態では、方法は、リモートプラズマベースの原子層堆積プロセスを含む。

【0017】

第２の態様では、本開示は、膜を堆積する方法であって、基板の表面上に炭素含有層およびケイ素含有層を堆積することであって、基板は、チャンバ内に設けられることと、窒素含有反応剤の存在下で炭素含有層およびケイ素含有層を熱変換し、ドープ窒化ケイ素を形成することと、ソースガスの存在下でドープ窒化ケイ素をプラズマ処理し、それによって膜を形成することとを含む、方法を包含する。

【0018】

いくつかの実施形態では、前記堆積することは、チャンバ内の基板の表面を有機ケイ素含有前駆体に曝露することを含む。特定の実施形態では、有機ケイ素含有前駆体は、式（Ｉ）、（ＩＩ）、または本明細書に記載のいずれかの式の構造を含む。

【0019】

いくつかの実施形態では、前記熱変換することは、基板の表面を窒素含有反応剤に曝露することを含む。窒素含有反応剤の非限定的な例には、アンモニア（ＮＨ₃）が挙げられ、任意選択で水素（Ｈ₂）と共に用いることができる。

【0020】

いくつかの実施形態では、前記プラズマ処理することは、基板をソースガス内の高エネルギー種（例えば、ラジカル種）に曝露することを含む。非限定的な高エネルギー種には、窒素含有高エネルギー種または窒素含有ラジカルが挙げられ得る。いくつかの実施形態では、ソースガスは、アンモニア（ＮＨ₃）、窒素（Ｎ₂）、水素（Ｈ₂）、またはそれらの組み合わせから選択される。

【0021】

いくつかの実施形態では、方法は、前記堆積すること、前記熱変換すること、および／または前記プラズマ処理することの後、不活性ガスでチャンバをパージすることをさらに含む。他の実施形態では、方法は、サイクルで前記堆積すること、前記熱変換すること、および前記プラズマ処理することを繰り返し、膜を形成することをさらに含む。

【0022】

本明細書のいずれかの実施形態では、膜は、共形炭素ドープ窒化ケイ素膜を含む。

【0023】

本明細書のいずれかの実施形態では、基板は、高アスペクト比（ＨＡＲ）構造を含む。いくつかの実施形態では、膜（例えば、共形炭素ドープ窒化ケイ素膜）は、前記ＨＡＲ構造の表面上に堆積される。

【0024】

本明細書のいずれかの実施形態では、有機ケイ素含有前駆体は、本明細書に記載のいずれかの式を含む。

【0025】

さらなる実施形態についても、本明細書で説明される。

【0026】

定義
「アシル」または「アルカノイル」という用語は、本明細書で交換可能に使用される場合、本明細書で定義されるカルボニル基を介して親分子基に結合した、直鎖、分岐、環状構成、飽和、不飽和、および芳香族、ならびにそれらの組み合わせの１、２、３、４、５、６、７、８個またはそれ以上の炭素原子の基、または水素を表す。この基は、ホルミル（－Ｃ（Ｏ）Ｈ）、アセチル（Ａｃまたは－Ｃ（Ｏ）Ｍｅ）、プロピオニル、イソブチリル、ブタノイルなどによって例示される。いくつかの実施形態では、アシル基またはアルカノイル基は、－Ｃ（Ｏ）－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義される水素、脂肪族基、または芳香族基である。

【0027】

「アルカノイルオキシ」とは、本明細書で定義されるオキシ基を介して親分子基に結合した、本明細書で定義されるアルカノイル基を意味する。この基は、アセトキシ（－ＯＡｃまたは－ＯＣ（Ｏ）Ｍｅ）によって例示される。いくつかの実施形態では、アルカノイルオキシ基は、－ＯＣ（Ｏ）－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義される水素、脂肪族基、または芳香族基である。

【0028】

「脂肪族」とは、少なくとも１個の炭素原子～５０個の炭素原子（Ｃ_1-50）、例えば１～２５個の炭素原子（Ｃ_1-25）、または１～１０個の炭素原子（Ｃ_1-10）を有する炭化水素基を意味し、これはアルカン（またはアルキル）、アルケン（またはアルケニル）、アルキン（またはアルキニル）を含み、それらの環状バージョンを含み、さらに直鎖および分岐鎖配列、ならびにすべての立体異性体および位置異性体も含む。脂肪族基は、非置換であるか、または例えば、本明細書で説明される官能基によって置換される。例えば、脂肪族基は、アルキルについて本明細書で説明される１つまたは複数の置換基で置換することができる。

【0029】

「脂肪族－カルボニル」とは、本明細書に開示される化合物にカップリングされるか、またはカップリングすることができる脂肪族基を意味し、脂肪族基は、カルボニル基（－Ｃ（Ｏ）－）を介してカップリングされるか、またはカップリングされるようになる。いくつかの実施形態では、脂肪族－カルボニル基は、Ｃ（Ｏ）－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義される任意選択で置換された脂肪族基である。

【0030】

「脂肪族－カルボニルオキシ」とは、本明細書に開示される化合物にカップリングされるか、またはカップリングすることができる脂肪族基を意味し、脂肪族基は、カルボニルオキシ基（－ＯＣ（Ｏ）－）を介してカップリングされるか、またはカップリングされるようになる。いくつかの実施形態では、脂肪族－カルボニルオキシ基は、ＯＣ（Ｏ）－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義される任意選択で置換された脂肪族基である。

【0031】

「脂肪族－オキシ」とは、本明細書に開示される化合物にカップリングされるか、またはカップリングすることができる脂肪族基を意味し、脂肪族基は、オキシ基（Ｃ（Ｏ）－）を介してカップリングされるか、またはカップリングされるようになる。いくつかの実施形態では、脂肪族－オキシ基は、Ｏ－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義される任意選択で置換された脂肪族基である。

【0032】

「脂肪族－オキシカルボニル」とは、本明細書に開示される化合物にカップリングされるか、またはカップリングすることができる脂肪族基を意味し、脂肪族基は、オキシカルボニル基（Ｃ（Ｏ）Ｏ－）を介してカップリングされるか、またはカップリングされるようになる。いくつかの実施形態では、脂肪族－オキシカルボニル基は、Ｃ（Ｏ）Ｏ－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義される任意選択で置換された脂肪族基である。

【0033】

「アルキル－アリール」、「アルケニル－アリール」、および「アルキニル－アリール」とは、本明細書で定義されるアリール基を介して親分子基にカップリング（または結合）されるか、またはカップリング（または結合）することができる、それぞれ本明細書で定義されるアルキル基、アルケニル基、またはアルキニル基を意味する。アルキル－アリール基、アルケニル－アリール基、および／またはアルキニル－アリール基は、置換または非置換であり得る。例えば、アルキル－アリール基、アルケニル－アリール基、および／またはアルキニル－アリール基は、アルキルおよび／またはアリールについて本明細書で説明される１つまたは複数の置換基で置換することができる。例示的な非置換アルキル－アリール基は、７～１６個の炭素（Ｃ_7-16アルキル－アリール）のもの、ならびに１～６個の炭素を有するアルキル基および４～１８個の炭素を有するアリール基（すなわち、Ｃ_1-6アルキル－Ｃ_4-18アリール）を有するものである。例示的な非置換アルケニル－アリール基は、７～１６個の炭素（Ｃ_7-16アルケニル－アリール）のもの、ならびに２～６個の炭素を有するアルケニル基および４～１８個の炭素を有するアリール基（すなわち、Ｃ_2-6アルケニル－Ｃ_4-18アリール）を有するものである。例示的な非置換アルキニル－アリール基は、７～１６個の炭素（Ｃ_7-16アルキニル－アリール）のもの、ならびに２～６個の炭素を有するアルキニル基および４～１８個の炭素を有するアリール基（すなわち、Ｃ_2-6アルキニル－Ｃ_4-18アリール）を有するものである。いくつかの実施形態では、アルキル－アリール基は、－Ｌ－Ｒであり、Ｌは、本明細書で定義されるアリール基またはアリーレン基であり、Ｒは、本明細書で定義されるアルキル基である。いくつかの実施形態では、アルケニル－アリール基は、－Ｌ－Ｒであり、Ｌは、本明細書で定義されるアリール基またはアリーレン基であり、Ｒは、本明細書で定義されるアルケニル基である。いくつかの実施形態では、アルキニル－アリール基は、－Ｌ－Ｒであり、Ｌは、本明細書で定義されるアリール基またはアリーレン基であり、Ｒは、本明細書で定義されるアルキニル基である。

【0034】

「アルケニル」とは、少なくとも２個の炭素原子～５０個の炭素原子（Ｃ_2-50）、例えば２～２５個の炭素原子（Ｃ_2-25）、または２～１０個の炭素原子（Ｃ_2-10）、および少なくとも１個の炭素－炭素二重結合を有する不飽和一価炭化水素を意味し、不飽和一価炭化水素は、親アルケンの１個の炭素原子から１個の水素原子を除去することから得ることができる。アルケニル基は、分岐、直鎖、環状（例えば、シクロアルケニル）、シス、またはトランス（例えば、ＥまたはＺ）であり得る。例示的なアルケニルには、１つまたは複数の二重結合を有する任意選択で置換されたＣ_2-24アルキル基が挙げられる。アルケニル基は、親分子基への適切な結合、または親分子基と別の置換基との間に適切な結合を形成するために１つまたは複数の水素を除去することによって、一価または多価（例えば、二価）になり得る。アルケニル基はまた、置換または非置換であり得る。例えば、アルケニル基は、アルキルについて本明細書で説明される１つまたは複数の置換基で置換することができる。非限定的なアルケニル基には、アリル（Ａｌｌ）、ビニル（ＶＩ）、１－ブテニル、２－ブテニルなどが挙げられる。

【0035】

「アルコキシ」とは、－ＯＲを意味し、Ｒは、本明細書で説明される任意選択で置換された脂肪族基である。例示的なアルコキシ基には、限定はしないが、メトキシ、エトキシ、ｎ－プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ－ブトキシ、ｔ－ブトキシ、ｓｅｃ－ブトキシ、ｎ－ペントキシ、トリハロアルコキシ、例えばトリフルオロメトキシなどが挙げられる。アルコキシ基は、置換または非置換であり得る。例えば、アルコキシ基は、アルキルについて本明細書で説明される１つまたは複数の置換基で置換することができる。例示的な非置換アルコキシ基には、Ｃ_1-3、Ｃ_1-6、Ｃ_1-12、Ｃ_1-16、Ｃ_1-18、Ｃ_1-20、またはＣ_1-24アルコキシ基が挙げられる。

【0036】

「アルコキシアルキル」とは、本明細書で定義されるアルコキシ基で置換される、本明細書で定義されるアルキル基を意味する。例示的な非置換アルコキシアルキル基には、２～１２個の炭素（Ｃ_2-12アルコキシアルキル）、ならびに１～６個の炭素を有するアルキル基および１～６個の炭素を有するアルコキシ基（すなわち、Ｃ_1-6アルコキシ－Ｃ_1-6アルキル）を有するものが挙げられる。いくつかの実施形態では、アルコキシアルキル基は、－Ｌ－Ｏ－Ｒであり、ＬおよびＲの各々は、独立して、本明細書で定義されるアルキル基である。

【0037】

「アルコキシカルボニル」とは、－Ｃ（Ｏ）－ＯＲを意味し、Ｒは、本明細書で定義される任意選択で置換された脂肪族基である。特定の実施形態では、アルコキシカルボニル基は、－Ｃ（Ｏ）－ＯＡｋであり、Ａｋは、本明細書で定義されるアルキル基である。アルコキシカルボニル基は、置換または非置換であり得る。例えば、アルコキシカルボニル基は、アルキルについて本明細書で説明される１つまたは複数の置換基で置換することができる。例示的な非置換アルコキシカルボニル基には、Ｃ_2-3、Ｃ_2-6、Ｃ_2-7、Ｃ_2-12、Ｃ_2-16、Ｃ_2-18、Ｃ_2-20、またはＣ_2-24アルコキシカルボニル基が挙げられる。

【0038】

「アルキル」とは、少なくとも１個の炭素原子～５０個の炭素原子（Ｃ_1-50）、例えば１～２５個の炭素原子（Ｃ_1-25）、または１～１０個の炭素原子（Ｃ_1-10）を有する飽和一価炭化水素を意味し、飽和一価炭化水素は、親化合物（例えば、アルカン）の１個の炭素原子から１個の水素原子を除去することから得ることができる。アルキル基は、分岐、直鎖、または環状（例えば、シクロアルキル）であり得る。例示的なアルキルには、メチル（Ｍｅ）、エチル（Ｅｔ）、ｎ－プロピル（ｎＰｒ）、ｉｓｏ－プロピル（ｉＰｒ）、ｎ－ブチル（ｎＢｕ）、ｉｓｏ－ブチル（ｉＢｕ）、ｓｅｃ－ブチル（ｓＢｕ）、ｔｅｒｔ－ブチル（ｔＢｕ）、ペンチル（Ｐｅ）、ｎ－ペンチル（ｎＰｅ）、イソペンチル（ｉＰｅ）、ｓ－ペンチル（ｓＰｅ）、ネオペンチル（ｎｅｏＰｅ）、ｔｅｒｔ－ペンチル（ｔＰｅ）、ヘキシル（Ｈｘ）、ヘプチル（Ｈｐ）、オクチル（Ｏｃ）、ノニル（Ｎｎ）、デシル（Ｄｅ）、ドデシル、テトラデシル、ヘキサデシル、エイコシル、テトラコシルなど、１～２４個の炭素原子の分岐または非分岐の飽和炭化水素基が挙げられる。アルキル基はまた、置換または非置換であり得る。アルキル基は、親分子基への適切な結合、または親分子基と別の置換基との間に適切な結合を形成するために１つまたは複数の水素を除去することによって、一価または多価（例えば、二価）になり得る。例えば、アルキル基は、以下からなる群から独立して選択される１、２、３個、または２個以上の炭素のアルキル基の場合には４個の置換基で置換することができる：（１）Ｃ_1-6アルコキシ（例えば、－Ｏ－Ｒ、Ｒは、Ｃ_1-6アルキルである）、（２）Ｃ_1-6アルキルスルフィニル（例えば、－Ｓ（Ｏ）－Ｒ、Ｒは、Ｃ_1-6アルキルである）、（３）Ｃ_1-6アルキルスルホニル（例えば、－ＳＯ₂－Ｒ、Ｒは、Ｃ_1-6アルキルである）、（４）アミノ（例えば、－ＮＲ¹Ｒ²、Ｒ¹およびＲ²の各々は、独立して、本明細書で定義される水素、脂肪族、ヘテロ脂肪族、ハロ脂肪族、ハロヘテロ脂肪族、芳香族、またはそれらの任意の組み合わせから選択されるか、またはＲ¹およびＲ²は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、本明細書で定義されるヘテロシクリル基を形成することができる）、（５）アリール、（６）アリールアルコキシ（例えば、－Ｏ－Ｌ－Ｒ、Ｌは、アルキルであり、Ｒは、アリールである）、（７）アリーロイル（例えば、－Ｃ（Ｏ）－Ｒ、Ｒは、アリールである）、（８）アジド（例えば、－Ｎ₃）、（９）シアノ（例えば、－ＣＮ）、（１０）アルデヒド（例えば、－Ｃ（Ｏ）Ｈ）、（１１）Ｃ_3-8シクロアルキル、（１２）ハロ、（１３）ヘテロシクリル（例えば、本明細書で定義される、１、２、３、または４個の非炭素ヘテロ原子を含む５、６、または７員環など）、（１４）ヘテロシクリルオキシ（例えば、－Ｏ－Ｒ、Ｒは、本明細書で定義されるヘテロシクリルである）、（１５）ヘテロシクリロイル（例えば、－Ｃ（Ｏ）－Ｒ、Ｒは、本明細書で定義されるヘテロシクリルである）、（１６）ヒドロキシル（例えば、－ＯＨ）、（１７）Ｎ－保護アミノ、（１８）ニトロ（例えば、－ＮＯ₂）、（１９）オキソ（例えば、＝Ｏ）、（２０）Ｃ_1-6チオアルコキシ（例えば、－Ｓ－Ｒ、Ｒは、アルキルである）、（２１）チオール（例えば、－ＳＨ）、（２２）－ＣＯ₂Ｒ¹、Ｒ¹は、（ａ）水素、（ｂ）Ｃ_1-6アルキル、（ｃ）Ｃ_4-18アリール、および（ｄ）Ｃ_4-18アリール－Ｃ_1-6アルキル（例えば、－Ｌ－Ｒ、Ｌは、Ｃ_1-6アルキルであり、Ｒは、Ｃ_4-18アリールである）からなる群から選択される、（２３）－Ｃ（Ｏ）ＮＲ¹Ｒ²、Ｒ¹およびＲ²の各々は、独立して、（ａ）水素、（ｂ）Ｃ_1-6アルキル、（ｃ）Ｃ_4-18アリール、および（ｄ）Ｃ_4-18アリール－Ｃ_1-6アルキル（例えば、－Ｌ－Ｒ、Ｌは、Ｃ_1-6アルキルであり、Ｒは、Ｃ_4-18アリールである）からなる群から選択される、（２４）－ＳＯ₂Ｒ¹、Ｒ¹は、（ａ）Ｃ_1-6アルキル、（ｂ）Ｃ_4-18アリール、および（ｃ）Ｃ_4-18アリール－Ｃ_1-6アルキル（例えば、－Ｌ－Ｒ、Ｌは、Ｃ_1-6アルキルであり、Ｒは、Ｃ_4-18アリールである）からなる群から選択される、（２５）－ＳＯ₂ＮＲ¹Ｒ²、Ｒ¹およびＲ²の各々は、独立して、（ａ）水素、（ｂ）Ｃ_1-6アルキル、（ｃ）Ｃ_4-18アリール、および（ｄ）Ｃ_4-18アリール－Ｃ_1-6アルキル（例えば、－Ｌ－Ｒ、Ｌは、Ｃ_1-6アルキルであり、Ｒは、Ｃ_4-18である）からなる群から選択される、ならびに（２６）－ＮＲ¹Ｒ²、Ｒ¹およびＲ²の各々は、独立して、（ａ）水素、（ｂ）Ｎ－保護基、（ｃ）Ｃ_1-6アルキル、（ｄ）Ｃ_2-6アルケニル、（ｅ）Ｃ_2-6アルキニル、（ｆ）Ｃ_4-18アリール、（ｇ）Ｃ_4-18アリール－Ｃ_1-6アルキル（例えば、－Ｌ－Ｒ、Ｌは、Ｃ_1-6アルキルであり、Ｒは、Ｃ_4-18である）、（ｈ）Ｃ_3-8シクロアルキル、および（ｉ）Ｃ_3-8シクロアルキル－Ｃ_1-6アルキル（例えば、－Ｌ－Ｒ、Ｌは、Ｃ_1-6アルキルであり、Ｒは、Ｃ_3-8シクロアルキルである）からなる群から選択され、一実施形態では、カルボニル基またはスルホニル基を介して窒素原子に結合する基は２つも存在しない。アルキル基は、１つまたは複数の置換基（例えば、１つまたは複数のハロまたはアルコキシ）で置換された第一級、第二級、または第三級アルキル基であり得る。いくつかの実施形態では、非置換アルキル基は、Ｃ_1-3、Ｃ_1-6、Ｃ_1-12、Ｃ_1-16、Ｃ_1-18、Ｃ_1-20、またはＣ_1-24アルキル基である。

【0039】

「アルキレン」、「アルケニレン」、または「アルキニレン」とは、それぞれ本明細書で説明されるアルキル基、アルケニル基、またはアルキニル基の多価（例えば、二価）形態を意味する。例示的なアルキレン基には、メチレン、エチレン、プロピレン、ブチレンなどが挙げられる。いくつかの実施形態では、アルキレン基は、Ｃ_1-3、Ｃ_1-6、Ｃ_1-12、Ｃ_1-16、Ｃ_1-18、Ｃ_1-20、Ｃ_1-24、Ｃ_2-3、Ｃ_2-6、Ｃ_2-12、Ｃ_2-16、Ｃ_2-18、Ｃ_2-20、またはＣ_2-24アルキレン基である。他の実施形態では、アルキレン基は、Ｃ_2-3、Ｃ_2-6、Ｃ_2-12、Ｃ_2-16、Ｃ_2-18、Ｃ_2-20、またはＣ_2-24アルケニレン基またはアルキニレン基である。アルキレン基、アルケニレン基、またはアルキニレン基は、分岐または非分岐であり得る。アルキレン基、アルケニレン基、またはアルキニレン基はまた、置換または非置換であり得る。例えば、アルキレン基、アルケニレン基、またはアルキニレン基は、アルキルについて本明細書で説明される１つまたは複数の置換基で置換することができる。

【0040】

「アルキルスルフィニル」とは、－Ｓ（Ｏ）－基を介して親分子基に結合した、本明細書で定義されるアルキル基を意味する。いくつかの実施形態では、非置換アルキルスルフィニル基は、Ｃ_1-6またはＣ_1-12アルキルスルフィニル基である。他の実施形態では、アルキルスルフィニル基は、－Ｓ（Ｏ）－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義されるアルキル基である。

【0041】

「アルキルスルフィニルアルキル」とは、アルキルスルフィニル基によって置換された、本明細書で定義されるアルキル基を意味する。いくつかの実施形態では、非置換アルキルスルフィニルアルキル基は、Ｃ_2-12またはＣ_2-24アルキルスルフィニルアルキル基（例えば、Ｃ_1-6アルキルスルフィニル－Ｃ_1-6アルキルまたはＣ_1-12アルキルスルフィニル－Ｃ_1-12アルキル）である。他の実施形態では、アルキルスルフィニルアルキル基は、－Ｌ－Ｓ（Ｏ）－Ｒであり、ＬおよびＲの各々は、独立して、本明細書で定義されるアルキル基である。

【0042】

「アルキルスルホニル」とは、－ＳＯ₂－基を介して親分子基に結合した、本明細書で定義されるアルキル基を意味する。いくつかの実施形態では、非置換アルキルスルホニル基は、Ｃ_1-6またはＣ_1-12アルキルスルホニル基である。他の実施形態では、アルキルスルホニル基は、－ＳＯ₂－Ｒであり、Ｒは、任意選択で置換されたアルキル（例えば、本明細書で説明される、任意選択で置換されたＣ_1-12アルキル、ハロアルキル、またはパーフルオロアルキルを含む）である。

【0043】

「アルキルスルホニルアルキル」とは、アルキルスルホニル基によって置換された、本明細書で定義されるアルキル基を意味する。いくつかの実施形態では、非置換アルキルスルホニルアルキル基は、Ｃ_2-12またはＣ_2-24アルキルスルホニルアルキル基（例えば、Ｃ_1-6アルキルスルホニル－Ｃ_1-6アルキルまたはＣ_1-12アルキルスルホニル－Ｃ_1-12アルキル）である。他の実施形態では、アルキルスルホニルアルキル基は、－Ｌ－ＳＯ₂－Ｒであり、ＬおよびＲの各々は、独立して、本明細書で定義されるアルキル基である。

【0044】

「アルキニル」とは、少なくとも２個の炭素原子～５０個の炭素原子（Ｃ_2-50）、例えば２～２５個の炭素原子（Ｃ_2-25）、または２～１０個の炭素原子（Ｃ_2-10）、および少なくとも１個の炭素－炭素三重結合を有する不飽和一価炭化水素を意味し、不飽和一価炭化水素は、親アルキンの１個の炭素原子から１個の水素原子を除去することから得ることができる。アルキニル基は、分岐、直鎖、または環状（例えば、シクロアルキニル）であり得る。例示的なアルキニルには、１つまたは複数の三重結合を有する任意選択で置換されたＣ_2-24アルキル基が挙げられる。アルキニル基は、環状または非環状とすることができ、エチニル、１－プロピニルなどによって例示される。アルキニル基は、親分子基への適切な結合、または親分子基と別の置換基との間に適切な結合を形成するために１つまたは複数の水素を除去することによって、一価または多価（例えば、二価）になり得る。アルキニル基は、置換または非置換であり得る。例えば、アルキニル基は、アルキルについて本明細書で説明される１つまたは複数の置換基で置換することができる。

【0045】

「周囲温度」とは、１６℃～２６℃、例えば１９℃～２５℃または２０℃～２５℃の範囲の温度を意味する。

【0046】

「アミド」とは、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ¹Ｒ²または－ＮＨＣＯＲ¹を意味し、Ｒ¹およびＲ²の各々は、独立して、本明細書で定義される水素、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、またはそれらの任意の組み合わせから選択されるか、またはＲ¹およびＲ²は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、本明細書で定義されるヘテロシクリル基を形成することができる。

【0047】

「アミノ」とは、－ＮＲ¹Ｒ²を意味し、Ｒ¹およびＲ²の各々は、独立して、本明細書で定義される水素、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたシリル、または任意選択で置換されたシリルオキシ、またはそれらの任意の組み合わせから選択されるか、またはＲ¹およびＲ²は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、本明細書で定義されるヘテロシクリル基を形成することができる。特定の実施形態では、Ｒ¹およびＲ²の各々は、独立して、Ｈ、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルコキシ、任意選択で置換されたアリール、任意選択で置換されたアリールオキシ、任意選択で置換されたアルキル－アリール、任意選択で置換されたアリール－アルキル、任意選択で置換されたシリル、または任意選択で置換されたシリルオキシである。特定の実施形態では、Ｒ¹およびＲ²は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができる。

【0048】

「アミノアルキル」とは、本明細書で定義されるアミノ基によって置換された、本明細書で定義されるアルキル基を意味する。いくつかの実施形態では、アミノアルキル基は、－Ｌ－ＮＲ¹Ｒ²であり、Ｌは、本明細書で定義されるアルキル基であり、Ｒ¹およびＲ²の各々は、独立して、本明細書で定義される水素、脂肪族、ヘテロ脂肪族、または芳香族、またはそれらの任意の組み合わせから選択されるか、またはＲ¹およびＲ²は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、本明細書で定義されるヘテロシクリル基を形成することができる。他の実施形態では、アミノアルキル基は、－Ｌ－Ｃ（ＮＲ¹Ｒ²）（Ｒ³）－Ｒ⁴であり、Ｌは、本明細書で定義される共有結合またはアルキル基であり、Ｒ¹およびＲ²の各々は、独立して、本明細書で定義される水素、脂肪族、ヘテロ脂肪族、または芳香族、またはそれらの任意の組み合わせから選択されるか、またはＲ¹およびＲ²は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、本明細書で定義されるヘテロシクリル基を形成することができ、Ｒ³およびＲ⁴の各々は、独立して、本明細書で定義されるＨまたはアルキルである。

【0049】

「アミノオキシ」とは、本明細書で定義されるアミノ基によって置換された、本明細書で定義されるオキシ基を意味する。いくつかの実施形態では、アミノオキシ基は、－Ｏ－ＮＲ¹Ｒ²であり、Ｒ¹およびＲ²の各々は、独立して、本明細書で定義される水素、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたシリル、または任意選択で置換されたシリルオキシ、またはそれらの任意の組み合わせから選択されるか、またはＲ¹およびＲ²は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、本明細書で定義されるヘテロシクリル基を形成することができる。特定の実施形態では、Ｒ¹およびＲ²の各々は、独立して、Ｈ、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルコキシ、任意選択で置換されたアリール、任意選択で置換されたアリールオキシ、任意選択で置換されたアルキル－アリール、任意選択で置換されたアリール－アルキル、任意選択で置換されたシリル、または任意選択で置換されたシリルオキシである。

【0050】

「芳香族」とは、別段の指定がない限り、単環（例えば、フェニル）、または少なくとも１つの環が芳香族（例えば、ナフチル、インドリル、またはピラゾロピリジニル）である複数の縮合環を有する環状の共役基または５～１５個の環原子の部分を意味し、すなわち、少なくとも１つの環、および任意選択で複数の縮合環は、連続的な非局在化π電子系を有する。典型的には、面外π電子の数は、ヒュッケル則（４ｎ＋２）に対応する。親構造への結合点は、典型的には、縮合環系の芳香族部分を介する。芳香族基は、非置換であるか、または例えば、本明細書で説明される官能基によって置換される。例えば、芳香族基は、アルキルおよび／またはアリールについて本明細書で説明される１つまたは複数の置換基で置換することができる。

【0051】

「芳香族－カルボニル」とは、本明細書に開示される化合物にカップリングされるか、またはカップリングすることができる芳香族基を意味し、芳香族基は、カルボニル基（－Ｃ（Ｏ）－）を介してカップリングされるか、またはカップリングされるようになる。いくつかの実施形態では、芳香族－カルボニル基は、－Ｃ（Ｏ）－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義される任意選択で置換された芳香族基である。

【0052】

「芳香族－カルボニルオキシ」とは、本明細書に開示される化合物にカップリングされるか、またはカップリングすることができる芳香族基を意味し、芳香族基は、カルボニルオキシ基（－ＯＣ（Ｏ）－）を介してカップリングされるか、またはカップリングされるようになる。いくつかの実施形態では、芳香族－カルボニルオキシ基は、－ＯＣ（Ｏ）－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義される任意選択で置換された芳香族基である。

【0053】

「芳香族－オキシ」とは、本明細書に開示される化合物にカップリングされるか、またはカップリングすることができる芳香族基を意味し、芳香族基は、オキシ基（－Ｏ－）を介してカップリングされるか、またはカップリングされるようになる。いくつかの実施形態では、芳香族－オキシ基は、－Ｏ－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義される任意選択で置換された芳香族基である。

【0054】

「芳香族－オキシカルボニル」とは、本明細書に開示される化合物にカップリングされるか、またはカップリングすることができる芳香族基を意味し、芳香族基は、オキシカルボニル基（－Ｃ（Ｏ）Ｏ－）を介してカップリングされるか、またはカップリングされるようになる。いくつかの実施形態では、芳香族－カルボニル基は、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義される任意選択で置換された芳香族基である。

【0055】

「アリール」とは、単環または複数の縮合環を有する、少なくとも５個の炭素原子～１５個の炭素原子（Ｃ_5-15）、例えば５～１０個の炭素原子（Ｃ_5-10）を含む芳香族炭素環式基を意味し、その縮合環は、本明細書に開示される化合物の残りの位置への結合点が芳香族炭素環基の原子を介する場合、芳香族であってもなくてもよい。アリール基は、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、他の官能基、またはそれらの任意の組み合わせなど、水素以外の１つまたは複数の基で任意選択で置換されてもよい。例示的なアリール基には、限定はしないが、ベンジル、ナフタレン、フェニル、ビフェニル、フェノキシベンゼンなどが挙げられる。アリールという用語は、芳香族基の環内に組み込まれた少なくとも１つのヘテロ原子を有する芳香族基を含む基として定義されるヘテロアリールも含む。ヘテロ原子の例には、限定はしないが、窒素、酸素、硫黄、およびリンが挙げられる。同様に、アリールという用語にも含まれる非ヘテロアリールという用語は、ヘテロ原子を含まない芳香族基を含む基を定義する。アリール基は、置換または非置換であり得る。アリール基は、以下からなる群から独立して選択される１、２、３、４、または５個の置換基で置換することができる：（１）Ｃ_1-6アルカノイル（例えば、－Ｃ（Ｏ）－Ｒ、Ｒは、Ｃ_1-6アルキルである）、（２）Ｃ_1-6アルキル、（３）Ｃ_1-6アルコキシ（例えば、－Ｏ－Ｒ、Ｒは、Ｃ_1-6アルキルである）、（４）Ｃ_1-6アルコキシ－Ｃ_1-6アルキル（例えば－Ｌ－Ｏ－Ｒ、ＬおよびＲの各々は、独立して、Ｃ_1-6アルキルである）、（５）Ｃ_1-6アルキルスルフィニル（例えば、－Ｓ（Ｏ）－Ｒ、Ｒは、Ｃ_1-6アルキルである）、（６）Ｃ_1-6アルキルスルフィニル－Ｃ_1-6アルキル（例えば－Ｌ－Ｓ（Ｏ）－Ｒ、ＬおよびＲの各々は、独立して、Ｃ_1-6アルキルである）、（７）Ｃ_1-6アルキルスルホニル（例えば、－ＳＯ₂－Ｒ、Ｒは、Ｃ_1-6アルキルである）、（８）Ｃ_1-6アルキルスルホニル－Ｃ_1-6アルキル（例えば、－Ｌ－ＳＯ₂－Ｒ、ＬおよびＲの各々は、独立して、Ｃ_1-6アルキルである）、（９）アリール、（１０）アミノ（例えば、－ＮＲ¹Ｒ²、Ｒ¹およびＲ²の各々は、独立して、本明細書で定義される水素、脂肪族、ヘテロ脂肪族、ハロ脂肪族、ハロヘテロ脂肪族、芳香族、またはそれらの任意の組み合わせから選択されるか、またはＲ¹およびＲ²は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、本明細書で定義されるヘテロシクリル基を形成することができる）、（１１）Ｃ_1-6アミノアルキル（例えば、－Ｌ¹－ＮＲ¹Ｒ²または－Ｌ²－Ｃ（ＮＲ¹Ｒ²）（Ｒ³）－Ｒ⁴、Ｌ¹は、Ｃ_1-6アルキルであり、Ｌ２は、共有結合またはＣ_1-6アルキルであり、Ｒ¹およびＲ²の各々は、独立して、本明細書で定義される水素、脂肪族、ヘテロ脂肪族、ハロ脂肪族、ハロヘテロ脂肪族、芳香族、またはそれらの任意の組み合わせから選択されるか、またはＲ¹およびＲ²は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、本明細書で定義されるヘテロシクリル基を形成することができ、Ｒ³およびＲ⁴の各々は、独立して、ＨまたはＣ_1-6アルキルである）、（１２）ヘテロアリール、（１３）Ｃ_4-18アリール－Ｃ_1-6アルキル（例えば、－Ｌ－Ｒ、Ｌは、Ｃ_1-6アルキルであり、Ｒは、Ｃ_4-18アリールである）、（１４）アリーロイル（例えば、－Ｃ（Ｏ）－Ｒ、Ｒは、アリールである）、（１５）アジド（例えば、－Ｎ₃）、（１６）シアノ（例えば、－ＣＮ）、（１７）Ｃ_1-6アジドアルキル（例えば、－Ｌ－Ｎ₃、Ｌは、Ｃ_1-6アルキルである）、（１８）アルデヒド（例えば、－Ｃ（Ｏ）Ｈ）、（１９）アルデヒド－Ｃ_1-6アルキル（例えば、－Ｌ－Ｃ（Ｏ）Ｈ、Ｌは、Ｃ_1-6アルキルである）、（２０）Ｃ_3-8シクロアルキル、（２１）Ｃ_3-8シクロアルキル－Ｃ_1-6アルキル（例えば、－Ｌ－Ｒ、Ｌは、Ｃ_1-6アルキルであり、Ｒは、Ｃ_3-8シクロアルキルである）、（２２）ハロ、（２３）Ｃ_1-6ハロアルキル（例えば、－Ｌ¹－Ｘまたは－Ｌ²－Ｃ（Ｘ）（Ｒ¹）－Ｒ²、Ｌ¹は、Ｃ_1-6アルキルであり、Ｌ²は、共有結合またはＣ_1-6アルキルであり、Ｘは、フルオロ、ブロモ、クロロ、またはヨードであり、Ｒ¹およびＲ²の各々は、独立して、ＨまたはＣ_1-6アルキルである）、（２４）ヘテロシクリル（例えば、本明細書で定義される、１、２、３、または４個の非炭素ヘテロ原子を含む５、６、または７員環など）、（２５）ヘテロシクリルオキシ（例えば、－Ｏ－Ｒ、Ｒは、本明細書で定義されるヘテロシクリルである）、（２６）ヘテロシクリロイル（例えば、－Ｃ（Ｏ）－Ｒ、Ｒは、本明細書で定義されるヘテロシクリルである）、（２７）ヒドロキシル（－ＯＨ）、（２８）Ｃ_1-6ヒドロキシアルキル（例えば、－Ｌ¹－ＯＨまたは－Ｌ²－Ｃ（ＯＨ）（Ｒ¹）－Ｒ²、Ｌ¹は、Ｃ_1-6アルキルであり、Ｌ²は、共有結合またはアルキルであり、Ｒ¹およびＲ²の各々は、独立して、本明細書で定義されるＨまたはＣ_1-6アルキルである）、（２９）ニトロ、（３０）Ｃ_1-6ニトロアルキル（例えば、－Ｌ¹－ＮＯまたは－Ｌ²－Ｃ（ＮＯ）（Ｒ¹）－Ｒ²、Ｌ¹は、Ｃ_1-6アルキルであり、Ｌ²は、共有結合またはアルキルであり、Ｒ¹およびＲ²の各々は、独立して、本明細書で定義されるＨまたはＣ_1-6アルキルである）、（３１）Ｎ－保護アミノ、（３２）Ｎ－保護アミノ－Ｃ_1-6アルキル、（３３）オキソ（例えば、＝Ｏ）、（３４）Ｃ_1-6チオアルコキシ（例えば、－Ｓ－Ｒ、Ｒは、Ｃ_1-6アルキルである）、（３５）チオ－Ｃ_1-6アルコキシ－Ｃ_1-6アルキル（例えば、－Ｌ－Ｓ－Ｒ、ＬおよびＲの各々は、独立して、Ｃ_1-6アルキルである）、（３６）－（ＣＨ₂）_rＣＯ₂Ｒ¹、ｒは、０～４の整数であり、Ｒ¹は、（ａ）水素、（ｂ）Ｃ_1-6アルキル、（ｃ）Ｃ_4-18アリール、および（ｄ）Ｃ_4-18アリール－Ｃ_1-6アルキル（例えば、－Ｌ－Ｒ、Ｌは、Ｃ_1-6アルキルであり、Ｒは、Ｃ_4-18アリールである）からなる群から選択される、（３７）－（ＣＨ₂）_rＣＯＮＲ¹Ｒ²、ｒは、０～４の整数であり、各Ｒ¹およびＲ²は、（ａ）水素、（ｂ）Ｃ_1-6アルキル、（ｃ）Ｃ_4-18アリール、および（ｄ）Ｃ_4-18アリール－Ｃ_1-6アルキル（例えば、－Ｌ－Ｒ、Ｌは、Ｃ_1-6アルキルであり、Ｒは、Ｃ_4-18アリールである）からなる群から独立して選択される、（３８）－（ＣＨ₂）_rＳＯ₂Ｒ¹、ｒは、０～４の整数であり、Ｒ¹は、（ａ）Ｃ_1-6アルキル、（ｂ）Ｃ_4-18アリール、および（ｃ）Ｃ_4-18アリール－Ｃ_1-6アルキル（例えば、－Ｌ－Ｒ、Ｌは、Ｃ_1-6アルキルであり、Ｒは、Ｃ_4-18アリールである）からなる群から選択される、（３９）－（ＣＨ₂）_rＳＯ₂ＮＲ¹Ｒ²、ｒは、０～４の整数であり、Ｒ¹およびＲ²の各々は、独立して、（ａ）水素、（ｂ）Ｃ_1-6アルキル、（ｃ）Ｃ_4-18アリール、および（ｄ）Ｃ_4-18アリール－Ｃ_1-6アルキル（例えば、－Ｌ－Ｒ、Ｌは、Ｃ_1-6アルキルであり、Ｒは、Ｃ_4-18アリールである）からなる群から選択され、（４０）－（ＣＨ₂）_rＮＲ¹Ｒ²、ｒは、０～４の整数であり、Ｒ¹およびＲ²の各々は、独立して、（ａ）水素、（ｂ）Ｎ－保護基、（ｃ）Ｃ_1-6アルキル、（ｄ）Ｃ_2-6アルケニル、（ｅ）Ｃ_2-6アルキニル、（ｆ）Ｃ_4-18アリール、（ｇ）Ｃ_4-18アリール－Ｃ_1-6アルキル（例えば、－Ｌ－Ｒ、Ｌは、Ｃ_1-6アルキルであり、Ｒは、Ｃ_4-18アリールである）、（ｈ）Ｃ_3-8シクロアルキル、および（ｉ）Ｃ_3-8シクロアルキル－Ｃ_1-6アルキル（例えば、－Ｌ－Ｒ、Ｌは、Ｃ_1-6アルキルであり、Ｒは、Ｃ_3-8シクロアルキルである）からなる群から選択され、一実施形態では、カルボニル基またはスルホニル基を介して窒素原子に結合する基は２つも存在しない、（４１）チオール（例えば、－ＳＨ）、（４２）パーフルオロアルキル（例えば、－（ＣＦ₂）_nＣＦ₃、ｎは、０～１０の整数である）、（４３）パーフルオロアルコキシ（例えば、－Ｏ－（ＣＦ₂）_nＣＦ₃、ｎは、０～１０の整数である）、（４４）アリールオキシ（例えば、－Ｏ－Ｒ、Ｒは、アリールである）、（４５）シクロアルコキシ（例えば、－Ｏ－Ｒ、Ｒは、シクロアルキルである）、（４６）シクロアルキルアルコキシ（例えば、－Ｏ－Ｌ－Ｒ、Ｌは、アルキルであり、Ｒは、シクロアルキルである）、ならびに（４７）アリールアルコキシ（例えば、－Ｏ－Ｌ－Ｒ、Ｌは、アルキルであり、Ｒは、アリールである）。特定の実施形態では、非置換アリール基は、Ｃ_4-18、Ｃ_4-14、Ｃ_4-12、Ｃ_4-10、Ｃ_6-18、Ｃ_6-14、Ｃ_6-12、またはＣ_6-10アリール基である。

【0056】

「アリール－アルキル」、「アリール－アルケニル」、および「アリール－アルキニル」とは、それぞれ本明細書で定義されるアルキル基、アルケニル基、またはアルキニル基を介して親分子基にカップリング（または結合）されるか、またはカップリング（または結合）することができる、本明細書で定義されるアリール基を意味する。アリール－アルキル基、アリール－アルケニル基、および／またはアリール－アルキニル基は、置換または非置換であり得る。例えば、アリール－アルキル基、アリール－アルケニル基、および／またはアリール－アルキニル基は、アリールおよび／またはアルキルについて本明細書で説明される１つまたは複数の置換基で置換することができる。例示的な非置換アリール－アルキル基は、７～１６個の炭素（Ｃ_7-16アリール－アルキル）のもの、ならびに４～１８個の炭素を有するアリール基および１～６個の炭素を有するアルキル基（すなわち、Ｃ_4-18アリール－Ｃ_1-6アルキル）を有するものである。例示的な非置換アリール－アルケニル基は、７～１６個の炭素（Ｃ_7-16アリール－アルケニル）のもの、ならびに４～１８個の炭素を有するアリール基および２～６個の炭素を有するアルケニル基（すなわち、Ｃ_4-18アリール－Ｃ_2-6アルケニル）を有するものである。例示的な非置換アリール－アルキニル基は、７～１６個の炭素（Ｃ_7-16アリール－アルキニル）のもの、ならびに４～１８個の炭素を有するアリール基および２～６個の炭素を有するアルキニル基（すなわち、Ｃ_4-18アリール－Ｃ_2-6アルキニル）を有するものである。いくつかの実施形態では、アリール－アルキル基は、－Ｌ－Ｒであり、Ｌは、本明細書で定義されるアルキル基またはアルキレン基であり、Ｒは、本明細書で定義されるアリール基である。いくつかの実施形態では、アリール－アルケニル基は、－Ｌ－Ｒであり、Ｌは、本明細書で定義されるアルケニル基またはアルケニレン基であり、Ｒは、本明細書で定義されるアリール基である。いくつかの実施形態では、アリール－アルキニル基は、－Ｌ－Ｒであり、Ｌは、本明細書で定義されるアルキニル基またはアルキニレン基であり、Ｒは、本明細書で定義されるアリール基である。

【0057】

「アリーレン」とは、本明細書で説明されるアリール基の多価（例えば、二価）形態を意味する。例示的なアリーレン基には、フェニレン、ナフチレン、ビフェニレン、トリフェニレン、ジフェニルエーテル、アセナフテニレン、アントリレン、またはフェナントリレンが挙げられる。いくつかの実施形態では、アリーレン基は、Ｃ_4-18、Ｃ_4-14、Ｃ_4-12、Ｃ_4-10、Ｃ_6-18、Ｃ_6-14、Ｃ_6-12、またはＣ_6-10アリーレン基である。アリーレン基は、分岐または非分岐であり得る。アリーレン基はまた、置換または非置換であり得る。例えば、アリーレン基は、アリールについて本明細書で説明される１つまたは複数の置換基で置換することができる。

【0058】

「アリールアルコキシ」とは、酸素原子を介して親分子基に結合した、本明細書で定義されるアリール－アルキル基を意味する。いくつかの実施形態では、アリールアルコキシ基は、－Ｏ－Ｌ－Ｒであり、Ｌは、本明細書で定義されるアルキル基であり、Ｒは、本明細書で定義されるアリール基である。

【0059】

「アリールオキシ」とは、－ＯＲを意味し、Ｒは、本明細書で説明される任意選択で置換されたアリール基である。いくつかの実施形態では、非置換アリールオキシ基は、Ｃ_4-18またはＣ_6-18アリールオキシ基である。他の実施形態では、Ｒは、アルキル、アルカノイル、アミノ、ヒドロキシルなどで任意選択で置換されたアリール基である。

【0060】

「アリールオキシカルボニル」とは、カルボニル基を介して親分子基に結合した、本明細書で定義されるアリールオキシ基を意味する。いくつかの実施形態では、非置換アリールオキシカルボニル基は、Ｃ_5-19アリールオキシカルボニル基である。他の実施形態では、アリールオキシカルボニル基は、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義されるアリール基である。

【0061】

「アリーロイル」とは、カルボニル基を介して親分子基に結合しているアリール基を意味する。いくつかの実施形態では、非置換アリーロイル基は、Ｃ_7-11アリーロイルまたはＣ_5-19アリーロイル基である。他の実施形態では、アリーロイル基は、－Ｃ（Ｏ）－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義されるアリール基である。

【0062】

「アリーロイルオキシ」とは、オキシ基を介して親分子基に結合した、本明細書で定義されるアリーロイル基を意味する。いくつかの実施形態では、非置換アリーロイルオキシ基は、Ｃ_5-19アリーロイルオキシ基である。他の実施形態では、アリーロイルオキシ基は、－ＯＣ（Ｏ）－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義されるアリール基である。

【0063】

「アジド」とは、－Ｎ₃基を意味する。

【0064】

「アジドアルキル」とは、本明細書で定義されるアルキル基を介して親分子基に結合したアジド基を意味する。いくつかの実施形態では、アジドアルキル基は、－Ｌ－Ｎ₃であり、Ｌは、本明細書で定義されるアルキル基である。

【0065】

「アゾ」とは、－Ｎ＝Ｎ－基を意味する。

【0066】

「カルバモイル」とは、本明細書で定義されるカルボニル基を介して親分子基に結合したアミノ基を意味する。いくつかの実施形態では、カルバモイルは、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ¹Ｒ²基であり、Ｒ¹およびＲ²の各々は、独立して、本明細書で定義される水素、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたシリル、または任意選択で置換されたシリルオキシ、またはそれらの任意の組み合わせから選択されるか、またはＲ¹およびＲ²は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、本明細書で定義されるヘテロシクリル基を形成することができる。

【0067】

「カルバモイルオキシ」とは、本明細書で定義されるｎオキシ基を介して親分子基に結合した、本明細書で定義されるカルバモイル基を意味する。いくつかの実施形態では、カルバモイルは、－ＯＣ（Ｏ）ＮＲ¹Ｒ²基であり、Ｒ¹およびＲ²の各々は、独立して、本明細書で定義される水素、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたシリル、または任意選択で置換されたシリルオキシ、またはそれらの任意の組み合わせから選択されるか、またはＲ¹およびＲ²は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、本明細書で定義されるヘテロシクリル基を形成することができる。

【0068】

「カルボンイミドイル」とは、－Ｃ（ＮＲ）－基を意味する。いくつかの実施形態では、Ｒは、本明細書で定義される水素、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたシリル、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアリール、任意選択で置換されたアルキル－アリール、または任意選択で置換されたアリール－アルキル、任意選択で置換されたシリルオキシ、またはそれらの任意の組み合わせから選択される。

【0069】

「カルボニル」とは、－Ｃ（Ｏ）－基を意味し、＞Ｃ＝Ｏとして表すこともできる。

【0070】

「カルボキシル」とは、－ＣＯ₂Ｈ基またはその陰イオンを意味する。

【0071】

「触媒」とは、当業者によって容易に理解されるように、合成反応を触媒することが可能な、通常は反応剤に対して少量で存在する化合物を意味する。いくつかの実施形態では、触媒は、遷移金属配位錯体を含んでもよい。

【0072】

「シアナト」とは、－ＯＣＮ基を意味する。

【0073】

「シアノ」とは、－ＣＮ基を意味する。

【0074】

「脂環式」とは、環状である、本明細書で定義される脂肪族基を意味する。

【0075】

「シクロアルコキシ」とは、酸素原子を介して親分子基に結合した、本明細書で定義されるシクロアルキル基を意味する。いくつかの実施形態では、シクロアルコキシ基は、－Ｏ－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義されるシクロアルキル基である。

【0076】

「シクロアルキルアルコキシ」とは、－Ｏ－Ｌ－Ｒ基を意味し、Ｌは、本明細書で定義されるアルキル基またはアルキレン基であり、Ｒは、本明細書で定義されるシクロアルキル基である。

【0077】

「シクロアルキル」とは、特に明記しない限り、３～８個の炭素の一価の飽和または不飽和非芳香族環状炭化水素基を意味し、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、ビシクロ［２．２．１．ヘプチル］などによって例示される。シクロアルキル基は、置換または非置換であり得る。例えば、シクロアルキル基は、アルキルについて本明細書で説明されるものを含む１つまたは複数の基で置換することができる。さらに、シクロアルキルは、１つまたは複数の二重結合および／または三重結合を含み得る。

【0078】

「シクロヘテロ脂肪族」とは、環状である、本明細書で定義されるヘテロ脂肪族基を意味する。

【0079】

「ジシラニル」とは、Ｓｉ－Ｓｉ結合を含む基を意味する。いくつかの実施形態では、ジシラニル基は、－ＳｉＲ^S1Ｒ^S2－ＳｉＲ^S3Ｒ^S4Ｒ^S5または－ＳｉＲ^S1Ｒ^S2－ＳｉＲ^S3Ｒ^S4－基であり、Ｒ^S1、Ｒ^S2、Ｒ^S3、Ｒ^S4、およびＲ^S5の各々は、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、または任意選択で置換されたアミノである。

【0080】

「ジスルフィド」とは、－ＳＳＲを意味し、Ｒは、本明細書で定義される水素、脂肪族、ヘテロ脂肪族、ハロ脂肪族、ハロヘテロ脂肪族、芳香族、またはそれらの任意の組み合わせから選択される。

【0081】

「電子供与基」とは、共鳴などによって、その電子密度の少なくとも一部を電子供与基が直接結合している環に供与することが可能な官能基を意味する。

【0082】

「電子吸引基」とは、誘導電子吸引などによって、電子吸引基が直接結合している環から電子密度を受け取ることが可能な官能基を意味する。

【0083】

「ハロ」とは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、またはＩを意味する。

【0084】

「ハロ脂肪族」とは、本明細書で定義される脂肪族基を意味し、１～１０個の水素原子などの１つまたは複数の水素原子は、独立して、フルオロ、ブロモ、クロロ、またはヨードなどのハロゲン原子で置き換えられる。

【0085】

「ハロアルキル」とは、本明細書で定義されるアルキル基を意味し、１～１０個の水素原子などの１つまたは複数の水素原子は、独立して、フルオロ、ブロモ、クロロ、またはヨードなどのハロゲン原子で置き換えられる。独立した実施形態では、ハロアルキルは、－ＣＸ₃基とすることができ、各Ｘは、独立して、フルオロ、ブロモ、クロロ、またはヨードから選択することができる。いくつかの実施形態では、ハロアルキル基は、－Ｌ－Ｘであり、Ｌは、本明細書で定義されるアルキル基であり、Ｘは、フルオロ、ブロモ、クロロ、またはヨードである。他の実施形態では、ハロアルキル基は、－Ｌ－Ｃ（Ｘ）（Ｒ¹）－Ｒ²であり、Ｌは、本明細書で定義される共有結合またはアルキル基であり、Ｘは、フルオロ、ブロモ、クロロ、またはヨードであり、Ｒ¹およびＲ²の各々は、独立して、本明細書で定義されるＨまたはアルキルである。

【0086】

「ハロヘテロ脂肪族」とは、本明細書で定義されるヘテロ脂肪族を意味し、１～１０個の水素原子などの１つまたは複数の水素原子は、独立して、フルオロ、ブロモ、クロロ、またはヨードなどのハロゲン原子で置き換えられる。

【0087】

「ヘテロ脂肪族」とは、本明細書で定義される脂肪族基を意味し、少なくとも１個のヘテロ原子～２０個のヘテロ原子、例えば１～１５個のヘテロ原子、または１～５個のヘテロ原子を含み、これらは、限定はしないが、酸素、窒素、硫黄、ケイ素、ホウ素、セレン、リン、および群内のそれらの酸化形態から選択することができる。ヘテロ脂肪族基は、非置換であるか、または例えば、本明細書で説明される官能基によって置換される。例えば、ヘテロ脂肪族基は、アルキルについて本明細書で説明される１つまたは複数の置換基で置換することができる。

【0088】

「ヘテロ脂肪族－カルボニル」とは、本明細書に開示される化合物にカップリングされるか、またはカップリングすることができるヘテロ脂肪族基を意味し、ヘテロ脂肪族基は、カルボニル基（－Ｃ（Ｏ）－）を介してカップリングされるか、またはカップリングされるようになる。いくつかの実施形態では、ヘテロ脂肪族－カルボニル基は、－Ｃ（Ｏ）－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義される任意選択で置換されたヘテロ脂肪族基である。

【0089】

「ヘテロ脂肪族－カルボニルオキシ」とは、本明細書に開示される化合物にカップリングされるか、またはカップリングすることができるヘテロ脂肪族基を意味し、ヘテロ脂肪族基は、カルボニルオキシ基（－ＯＣ（Ｏ）－）を介してカップリングされるか、またはカップリングされるようになる。いくつかの実施形態では、ヘテロ脂肪族－カルボニルオキシ基は、－ＯＣ（Ｏ）－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義される任意選択で置換されたヘテロ脂肪族基である。

【0090】

「ヘテロ脂肪族－オキシ」とは、本明細書に開示される化合物にカップリングされるか、またはカップリングすることができるヘテロ脂肪族基を意味し、ヘテロ脂肪族基は、オキシ基（－Ｃ（Ｏ）－）を介してカップリングされるか、またはカップリングされるようになる。いくつかの実施形態では、ヘテロ脂肪族－オキシ基は、－Ｏ－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義される任意選択で置換されたヘテロ脂肪族基である。

【0091】

「ヘテロ脂肪族－オキシカルボニル」とは、本明細書に開示される化合物にカップリングされるか、またはカップリングすることができるヘテロ脂肪族基を意味し、ヘテロ脂肪族基は、オキシカルボニル基（－Ｃ（Ｏ）Ｏ－）を介してカップリングされるか、またはカップリングされるようになる。いくつかの実施形態では、ヘテロ脂肪族－オキシカルボニル基は、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義される任意選択で置換されたヘテロ脂肪族基である。

【0092】

「ヘテロアルキル」、「ヘテロアルケニル」、および「ヘテロアルキニル」とは、それぞれ本明細書で定義されるアルキル基、アルケニル基、またはアルキニル基（分岐、直鎖、または環状であり得る）を意味し、少なくとも１個のヘテロ原子～２０個のヘテロ原子、例えば１～１５個のヘテロ原子、または１～５個のヘテロ原子を含み、これらは、限定はしないが、酸素、窒素、硫黄、ケイ素、ホウ素、セレン、リン、および群内のそれらの酸化形態から選択することができる。

【0093】

「ヘテロアルキレン」、「ヘテロアルケニレン」、および「ヘテロアルキニレン」とは、それぞれ本明細書で説明されるヘテロアルキル基、ヘテロアルケニル基、またはヘテロアルキニル基の多価（例えば、二価）形態を意味する。

【0094】

「ヘテロ芳香族」とは、本明細書で定義される芳香族基を意味し、少なくとも１個のヘテロ原子～２０個のヘテロ原子、例えば１～１５個のヘテロ原子、または１～５個のヘテロ原子を含み、これらは、限定はしないが、酸素、窒素、硫黄、ケイ素、ホウ素、セレン、リン、および群内のそれらの酸化形態から選択することができる。ヘテロ芳香族基は、非置換であるか、または例えば、本明細書で説明される官能基によって置換される。例えば、ヘテロ芳香族基は、アルキルおよび／またはアリールについて本明細書で説明される１つまたは複数の置換基で置換することができる。

【0095】

「ヘテロ芳香族－カルボニル」とは、本明細書に開示される化合物にカップリングされるか、またはカップリングすることができるヘテロ芳香族基を意味し、ヘテロ芳香族基は、カルボニル基（－Ｃ（Ｏ）－）を介してカップリングされるか、またはカップリングされるようになる。いくつかの実施形態では、ヘテロ芳香族－カルボニル基は、－Ｃ（Ｏ）－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義される任意選択で置換されたヘテロ芳香族基である。

【0096】

「ヘテロ芳香族－カルボニルオキシ」とは、本明細書に開示される化合物にカップリングされるか、またはカップリングすることができるヘテロ芳香族基を意味し、ヘテロ芳香族基は、カルボニルオキシ基（－ＯＣ（Ｏ）－）を介してカップリングされるか、またはカップリングされるようになる。いくつかの実施形態では、ヘテロ芳香族－カルボニルオキシ基は、－ＯＣ（Ｏ）－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義される任意選択で置換されたヘテロ芳香族基である。

【0097】

「ヘテロ芳香族－オキシ」とは、本明細書に開示される化合物にカップリングされるか、またはカップリングすることができるヘテロ芳香族基を意味し、ヘテロ芳香族基は、オキシ基（－Ｏ－）を介してカップリングされるか、またはカップリングされるようになる。いくつかの実施形態では、ヘテロ芳香族－オキシ基は、－Ｏ－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義される任意選択で置換されたヘテロ芳香族基である。

【0098】

「ヘテロ芳香族－オキシカルボニル」とは、本明細書に開示される化合物にカップリングされるか、またはカップリングすることができるヘテロ芳香族基を意味し、ヘテロ芳香族基は、オキシカルボニル基（－Ｃ（Ｏ）Ｏ－）を介してカップリングされるか、またはカップリングされるようになる。いくつかの実施形態では、ヘテロ芳香族－カルボニル基は、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義される任意選択で置換されたヘテロ芳香族基である。

【0099】

「ヘテロアリール」とは、少なくとも１個のヘテロ原子～６個のヘテロ原子、例えば１～４個のヘテロ原子を含むアリール基を意味し、これらは、限定はしないが、酸素、窒素、硫黄、ケイ素、ホウ素、セレン、リン、および環内のそれらの酸化形態から選択することができる。そのようなヘテロアリール基は、単環または複数の縮合環を有することができ、縮合環は、結合点が芳香族ヘテロアリール基の原子を介する場合、芳香族であってもなくてもよく、かつ／またはヘテロ原子を含んでもよい。ヘテロアリール基は、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、他の官能基、またはそれらの任意の組み合わせなど、水素以外の１つまたは複数の基で置換されてもよい。例示的なヘテロアリールには、芳香族である、すなわち、単環式または多環式環系内に４ｎ＋２個のπ電子を含む、本明細書で定義されるヘテロシクリル基のサブセットが挙げられる。

【0100】

「ヘテロアリーレン」とは、本明細書で説明されるヘテロアリール基の多価（例えば、二価）形態を意味する。

【0101】

「ヘテロ原子」とは、炭素以外の原子、例えば酸素、窒素、硫黄、ケイ素、ホウ素、セレン、またはリンを意味する。原子価の制約が許されない場合などの特定の開示された実施形態では、ヘテロ原子は、ハロゲン原子を含まない。

【0102】

「ヘテロシクリル」とは、別段の指定がない限り、１、２、３、または４個の非炭素ヘテロ原子（例えば、窒素、酸素、リン、硫黄、またはハロからなる群から独立して選択される）を含む５、６、または７員環を意味する。５員環は、０～２個の二重結合を有し、６員環および７員環は、０～３個の二重結合を有する。「ヘテロシクリル」という用語はまた、二環式、三環式、および四環式の基を含み、上記のヘテロ環のいずれかは、アリール環、シクロヘキサン環、シクロヘキセン環、シクロペンタン環、シクロペンテン環、およびインドリル、キノリル、イソキノリル、テトラヒドロキノリル、ベンゾフリル、ベンゾチエニルなどの別の単環式ヘテロ環からなる群から独立して選択される１つ、２つ、または３つの環に縮合している。ヘテロ環には、チイラニル、チエタニル、テトラヒドロチエニル、チアニル、チエパニル、アジリジニル、アゼチジニル、ピロリジニル、ピペリジニル、アゼパニル、ピロリル、ピロリニル、ピラゾリル、ピラゾリニル、ピラゾリジニル、イミダゾリル、イミダゾリニル、イミダゾリジニル、ピリジル、ホモピペリジニル、ピラジニル、ピペラジニル、ピリミジニル、ピリダジニル、オキサゾリジニル、オキサゾリジニル、オキサゾリドニル、イソキサゾリル、イソキサゾリジニル、モルホリニル、チオモルホリニル、チアゾリル、チアゾリジニル、イソチアゾリル、イソチアゾリジニル、インドリル、キノリニル、イソキノリニル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾオキサゾリル、フリル、チエニル、チアゾリジニル、イソチアゾリル、イソインダゾイル、トリアゾリル、テトラゾリル、オキサジアゾリル、ウリシル、チアジアゾリル、ピリミジル、テトラヒドロフラニル、ジヒドロフラニル、ジヒドロチエニル、ジヒドロインドリル、テトラヒドロキノリル、テトラヒドロイソキノリル、ピラニル、ジヒドロピラニル、テトラヒドロピラニル、ジチアゾリル、ジオキサニル、ジオキシニル、ジチアニル、トリチアニル、オキサジニル、チアジニル、オキソチオラニル、トリアジニル、ベンゾフラニル、ベンゾチエニルなどが挙げられる。

【0103】

「ヘテロシクリルオキシ」とは、酸素原子を介して親分子基に結合した、本明細書で定義されるヘテロシクリル基を意味する。いくつかの実施形態では、ヘテロシクリルオキシ基は、－Ｏ－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義されるヘテロシクリル基である。

【0104】

「ヘテロシクリロイル」とは、カルボニル基を介して親分子基に結合した、本明細書で定義されるヘテロシクリル基を意味する。いくつかの実施形態では、ヘテロシクリロイル基は、－Ｃ（Ｏ）－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義されるヘテロシクリル基である。

【0105】

「ヒドラジノ」とは、－ＮＲ¹－ＮＲ²Ｒ³を意味し、Ｒ¹、Ｒ²、およびＲ³の各々は、独立して、本明細書で定義される水素、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたシリル、または任意選択で置換されたシリルオキシ、またはそれらの任意の組み合わせから選択されるか、またはＲ¹とＲ²の組み合わせ、またはＲ²とＲ³の組み合わせは、各々が結合している窒素原子と一緒になって、本明細書で定義されるヘテロシクリル基を形成することができる。いくつかの実施形態では、Ｒ¹、Ｒ²、またはＲ³の各々は、独立して、Ｈ、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアリール、任意選択で置換されたアルキル－アリール、または任意選択で置換されたアリール－アルキルである。特定の実施形態では、Ｒ²およびＲ³は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができる。

【0106】

「ヒドロキシル」とは、－ＯＨを意味する。

【0107】

「ヒドロキシアルキル」とは、１～３個のヒドロキシル基によって置換された、本明細書で定義されるアルキル基を意味するが、１個以下のヒドロキシル基がアルキル基の単一の炭素原子に結合され得るという条件付きであり、この基はヒドロキシメチル、ジヒドロキシプロピルなどによって例示される。いくつかの実施形態では、ヒドロキシアルキル基は、－Ｌ－ＯＨであり、Ｌは、本明細書で定義されるアルキル基である。他の実施形態では、ヒドロキシアルキル基は、－Ｌ－Ｃ（ＯＨ）（Ｒ¹）－Ｒ²であり、Ｌは、本明細書で定義される共有結合またはアルキル基であり、Ｒ¹およびＲ²の各々は、独立して、本明細書で定義されるＨまたはアルキルである。

【0108】

「イミドイル」とは、カルボンイミドイル基を含む部分を意味する。いくつかの実施形態では、イミドイル基は、Ｃ（ＮＲ¹）Ｒ²であり、Ｒ¹およびＲ²の各々は、独立して、本明細書で定義される水素、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたシリル、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアリール、任意選択で置換されたアルキル－アリール、または任意選択で置換されたアリール－アルキル、任意選択で置換されたシリルオキシ、またはそれらの任意の組み合わせから選択される。他の実施形態では、イミドイル基は、－Ｃ（ＮＲ¹）Ｈ、－Ｃ（ＮＲ¹）Ｒ^Ak、または－Ｃ（ＮＲ^N1）Ｒ^Arであり、Ｒ¹は、水素、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたシリル、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアリール、任意選択で置換されたアルキル－アリール、または任意選択で置換されたアリール－アルキル、または任意選択で置換されたシリルオキシであり、Ｒ^Akは、任意選択で置換されたアルキルまたは任意選択で置換された脂肪族であり、Ｒ^Arは、任意選択で置換されたアリールまたは任意選択で置換された芳香族である。

【0109】

「イミノ」とは、－ＮＲ－基を意味する。いくつかの実施形態では、Ｒは、水素、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、または任意選択で置換されたヘテロ芳香族から選択される。特定の実施形態では、Ｒは、Ｈ、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルコキシ、任意選択で置換されたアリール、任意選択で置換されたアリールオキシ、任意選択で置換されたアルキル－アリール、または任意選択で置換されたアリール－アルキルである。

【0110】

「イソシアナト」とは、－ＮＣＯ基を意味する。

【0111】

「イソシアノ」とは、－ＮＣ基を意味する。

【0112】

「ケトン」とは、－Ｃ（Ｏ）Ｒまたはそのような基を含む化合物を意味し、Ｒは、本明細書で定義される脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、またはそれらの任意の組み合わせから選択される。ケトンの一例には、Ｒ¹Ｃ（Ｏ）Ｒが挙げられ、ＲおよびＲ¹の各々は、独立して、本明細書で定義される脂肪族、ハロ脂肪族、ハロヘテロ脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、脂肪族－芳香族、ヘテロ脂肪族－芳香族、またはそれらの任意の組み合わせから選択される。

【0113】

「ニトロ」とは、－ＮＯ₂基を意味する。

【0114】

「ニトロアルキル」とは、１～３個のニトロ基によって置換された、本明細書で定義されるアルキル基を意味する。いくつかの実施形態では、ニトロアルキル基は、－Ｌ－ＮＯであり、Ｌは、本明細書で定義されるアルキル基である。他の実施形態では、ニトロアルキル基は、－Ｌ－Ｃ（ＮＯ）（Ｒ¹）－Ｒ²であり、Ｌは、本明細書で定義される共有結合またはアルキル基であり、Ｒ¹およびＲ²の各々は、独立して、本明細書で定義されるＨまたはアルキルである。

【0115】

「オキソ」とは、＝Ｏ基を意味する。

【0116】

「オキシ」とは、－Ｏ－を意味する。

【0117】

「パーフルオロアルキル」とは、フッ素原子で置換された各水素原子を有する、本明細書で定義されるアルキル基を意味する。例示的なパーフルオロアルキル基には、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチルなどが挙げられる。いくつかの実施形態では、パーフルオロアルキル基は、－（ＣＦ₂）_nＣＦ₃であり、ｎは、０～１０の整数である。

【0118】

「パーフルオロアルコキシ」は、フッ素原子で置換された各水素原子を有する、本明細書で定義されるアルコキシ基を意味する。いくつかの実施形態では、パーフルオロアルコキシ基は、－Ｏ－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義されるパーフルオロアルキル基である。

【0119】

「塩」とは、電気的に中性の化合物または構造を形成するカチオンまたはアニオン化合物を含む、化合物または構造（例えば、本明細書に記載の任意の式、化合物、または組成）のイオン形態を意味する。塩は、当技術分野で周知である。例えば、非毒性塩は、Ｂｅｒｇｅ Ｓ Ｍ ｅｔ ａｌ．，“Ｐｈａｒｍａｃｅｕｔｉｃａｌ ｓａｌｔｓ，”Ｊ．Ｐｈａｒｍ．Ｓｃｉ．１９７７ Ｊａｎｕａｒｙ；６６（１）：１－１９、および“Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｐｈａｒｍａｃｅｕｔｉｃａｌ Ｓａｌｔｓ：Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ，Ｓｅｌｅｃｔｉｏｎ，ａｎｄ Ｕｓｅ，”Ｗｉｌｅｙ－ＶＣＨ，Ａｐｒｉｌ ２０１１（２ｎｄ ｒｅｖ．ｅｄ．，ｅｄｓ．Ｐ．Ｈ．Ｓｔａｈｌ ａｎｄ Ｃ．Ｇ．Ｗｅｒｍｕｔｈに記載されている。塩は、本発明の化合物の最終的な単離および精製中にｉｎ－ｓｉｔｕで、または遊離塩基基を適切な有機酸と反応させることによって（それによってアニオン塩を生成する）、または酸基を適切な金属もしくは有機塩と反応させることによって（それによってカチオン塩を生成する）、別々に調製することができる。代表的なアニオン塩には、酢酸塩、アジピン酸塩、アルギン酸塩、アスコルビン酸塩、アスパラギン酸塩、ベンゼンスルホン酸塩、安息香酸、重炭酸塩、重硫酸塩、重酒石酸塩、ホウ酸塩、臭化物、酪酸塩、樟脳酸塩、樟脳スルホン酸塩、塩化物、クエン酸塩、シクロペンタンプロピオン酸塩、ジグルコン酸塩、二塩酸塩、二リン酸塩、ドデシル硫酸塩、エデト酸塩、エタンスルホン酸塩、フマル酸塩、グルコヘプトン酸塩、グルコン酸塩、グルタミン酸塩、グリセロリン酸塩、ヘミスル酸塩、ヘプトン酸塩、ヘキサン酸塩、臭化水素酸塩、塩酸塩、ヨウ化水素酸塩、ヒドロキシエタンスルホン酸塩、ヒドロキシナフトエ酸塩、ヨウ化物、乳酸塩、ラクトビオン酸塩、ラウリン酸塩、硫酸ラウリル、リンゴ酸塩、マレイン酸塩、マロン酸塩、マンデル酸塩、メシル酸塩、メタンスルホン酸塩、臭化メチル、硝酸メチル、硫酸メチル、ムケート（ｍｕｃａｔｅ）、２－ナフタレンスルホン酸塩、ニコチン酸塩、硝酸塩、オレイン酸塩、シュウ酸塩、パルミチン酸塩、パモ酸塩、ペクチン酸塩、過硫酸塩、３－フェニルプロピオン酸塩、リン酸塩、ピクリン酸塩、ピバリン酸塩、ポリガラクツロン酸塩、プロピオン酸塩、サリチル酸塩、ステアリン酸塩、亜酢酸塩、コハク酸塩、硫酸塩、タンニン酸塩、酒石酸塩、テオフィリン酸塩、チオシアン酸塩、トリエチオジド、トルエンスルホン酸塩、ウンデカン酸塩、吉草酸塩などが挙げられる。代表的なカチオン塩には、金属塩、例えばアルカリまたはアルカリ土類塩、例えば、バリウム、カルシウム（例えば、エデト酸カルシウム）、リチウム、マグネシウム、カリウム、ナトリウムなど；他の金属塩、例えばアルミニウム、ビスマス、鉄、および亜鉛；ならびに、限定はしないが、アンモニウム、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、エチルアミン、ピリジニウムなどを含む、非毒性アンモニウム、第四級アンモニウム、およびアミノカチオンが挙げられる。他のカチオン塩には、クロロプロカイン、コリン、ジベンジルエチレンジアミン、ジエタノールアミン、エチレンジアミン、メチルグルカミン、およびプロカインなどの有機塩が挙げられる。さらに他の塩には、アンモニウム、スルホニウム、スルホキソニウム、ホスホニウム、イミニウム、イミダゾリウム、ベンズイミダゾリウム、アミジニウム、グアニジニウム、ホスファジニウム、ホスファゼニウム、ピリジニウムなど、ならびに本明細書に記載の他のカチオン基（例えば、任意選択で置換されたイソキサゾリウム、任意選択で置換されたオキサゾリウム、任意選択で置換されたチアゾリウム、任意選択で置換されたピロリウム、任意選択で置換されたフラニウム、任意選択で置換されたチオフェニウム、任意選択で置換されたイミダゾリウム、任意選択で置換されたピラゾリウム、任意選択で置換されたイソチアゾリウム、任意選択で置換されたトリアゾリウム、任意選択で置換されたテトラゾリウム、任意選択で置換されたフラザニウム、任意選択で置換されたピリジニウム、任意選択で置換されたピリミジニウム、任意選択で置換されたピラジニウム、任意選択で置換されたトリアジニウム、任意選択で置換されたテトラジニウム、任意選択で置換されたピリダジニウム、任意選択で置換されたオキサジニウム、任意選択で置換されたピロリジニウム、任意選択で置換されたピラゾリジニウム、任意選択で置換されたイミダゾリニウム、任意選択で置換されたイソキサゾリジニウム、任意選択で置換されたオキサゾリジニウム、任意選択で置換されたピペラジニウム、任意選択で置換されたピペリジニウム、任意選択で置換されたモルホリニウム、任意選択で置換されたアゼパニウム、任意選択で置換されたアゼピニウム、任意選択で置換されたインドリウム、任意選択で置換されたイソインドリウム、任意選択で置換されたインドリジニウム、任意選択で置換されたインダゾリウム、任意選択で置換されたベンズイミダゾリウム、任意選択で置換されたイソキノリニウム、任意選択で置換されたキノリジニウム、任意選択で置換されたデヒドロキノリジニウム、任意選択で置換されたキノリニウム、任意選択で置換されたイソインドリニウム、任意選択で置換されたベンズイミダゾリニウム、および任意選択で置換されたプリニウム）が挙げられる。

【0120】

「シリル」とは、－ＳｉＲ¹Ｒ²Ｒ³または－ＳｉＲ¹Ｒ²－基を意味する。いくつかの実施形態では、Ｒ¹、Ｒ²、およびＲ³の各々は、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、または任意選択で置換されたアミノである。特定の実施形態では、Ｒ¹、Ｒ²、およびＲ³の各々は、独立して、Ｈ、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルコキシ、任意選択で置換されたアリール、任意選択で置換されたアリールオキシ、任意選択で置換されたアルキル－アリール、任意選択で置換されたアリール－アルキル、または任意選択で置換されたアミノである。他の実施形態では、シリル基は、－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_cであり、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、または任意選択で置換されたヘテロ芳香族であり、ａ、ｂ、およびｃの各々は、≧０であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝３である。特定の実施形態では、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアリール、任意選択で置換されたアルキル－アリール、または任意選択で置換されたアリール－アルキルである。

【0121】

「シリルオキシ」とは、－ＯＲを意味し、Ｒは、本明細書で説明される任意選択で置換されたシリル基である。いくつかの実施形態では、シリルオキシ基は、－Ｏ－ＳｉＲ¹Ｒ²Ｒ³であり、Ｒ¹、Ｒ²、およびＲ³の各々は、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、または任意選択で置換されたアミノである。特定の実施形態では、Ｒ¹、Ｒ²、およびＲ³の各々は、独立して、Ｈ、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルコキシ、任意選択で置換されたアリール、任意選択で置換されたアリールオキシ、任意選択で置換されたアルキル－アリール、任意選択で置換されたアリール－アルキル、または任意選択で置換されたアミノである。他の実施形態では、シリルオキシ基は、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_cであり、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、または任意選択で置換されたヘテロ芳香族であり、ａ、ｂ、およびｃの各々は、≧０であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝３である。特定の実施形態では、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアリール、任意選択で置換されたアルキル－アリール、または任意選択で置換されたアリール－アルキルである。

【0122】

「スルフィニル」とは、－Ｓ（Ｏ）－基を意味する。

【0123】

「スルホ」とは、－Ｓ（Ｏ）₂ＯＨ基を意味する。

【0124】

「スルホニル」または「スルホン酸塩」とは、－Ｓ（Ｏ）₂－基または－ＳＯ₂Ｒを意味し、Ｒは、本明細書で定義される水素、脂肪族、ヘテロ脂肪族、ハロ脂肪族、ハロヘテロ脂肪族、芳香族、またはそれらの任意の組み合わせから選択される。

【0125】

「チオアルキル」とは、硫黄原子を介して親分子基に結合した、本明細書で定義されるアルキル基を意味する。例示的な非置換チオアルキル基には、Ｃ_1-6チオアルキルが挙げられる。いくつかの実施形態において、チオアルキル基は、－Ｓ－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義されるアルキル基である。

【0126】

「チオール」とは、－ＳＨ基を意味する。

【0127】

当業者は、上記の定義が許容できない置換パターン（例えば、５つの異なる基で置換されたメチルなど）を含むことを意図していないことを認識するであろう。そのような許容できない置換パターンは、当業者によって容易に認識される。本明細書に開示され、かつ／または上で定義されたあらゆる官能基は、別段の指示がない限り、置換または非置換であり得る。

【0128】

本明細書で使用される場合、「約」という用語は、列挙された値の±１０％を意味する。本明細書で使用される場合、この用語は、列挙された値、値の範囲、または１つまたは複数の範囲の終点を修飾する。

【0129】

本明細書で使用される場合、「上部」、「底部」、「上側」、「下側」、「上方」、および「下方」という用語は、構造間の相対的な関係を提供するために使用される。これらの用語の使用は、特定の構造が装置内の特定の場所に位置されなければならないことを示したり要求したりするものではない。

【0130】

本発明の他の特徴および利点は、以下の説明および特許請求の範囲から明らかになるであろう。

【図面の簡単な説明】

【0131】

【図1A】図１Ａは、特定の開示された実施形態による方法についての動作を図示するプロセスフロー図である。

【図1B】図１Ｂは、特定の開示された実施形態による方法についての動作を図示するプロセスフロー図である。

【図1C】図１Ｃは、特定の開示された実施形態による方法についての動作を図示するプロセスフロー図である。

【図1D】図１Ｄは、特定の開示された実施形態による方法についての動作を図示するプロセスフロー図である。

【0132】

【図2A】図２Ａは、特定の開示された実施形態による方法におけるサイクルの例についてのタイミングシーケンス図である。

【図2B】図２Ｂは、特定の開示された実施形態による方法におけるサイクルの例についてのタイミングシーケンス図である。

【0133】

【図3A】図３Ａは、プラズマ処理を含む第１のプロセス３０１およびプラズマ処理内での熱変換を含む第２のプロセス３０２を使用した堆積膜の非限定的な特性評価を示す図である。

【図3B】図３Ｂは、プラズマ処理を含む第１のプロセス３０１およびプラズマ処理内での熱変換を含む第２のプロセス３０２を使用した堆積膜の非限定的な特性評価を示す図である。

【図3C】図３Ｃは、プラズマ処理を含む第１のプロセス３０１およびプラズマ処理内での熱変換を含む第２のプロセス３０２を使用した堆積膜の非限定的な特性評価を示す図である。

【0134】

【図4】図４は、特定の開示された実施形態を実施するための例示的なプロセスチャンバ４００の概略図である。

【0135】

【図5】図５は、特定の開示された実施形態を実施するための例示的なプロセスツール５００の概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0136】

半導体製作プロセスは、多くの場合、窒化ケイ素材料の堆積を伴う。一例では、窒化ケイ素は、半導体デバイス製作において、拡散バリア、ゲート絶縁体、側壁スペーサ、ライナ、トランジスタにおける歪み膜、エッチストップ層、およびカプセル化層として使用される場合がある。共形窒化ケイ素層がまた、他の用途にも使用され得る。例えば、窒化ケイ素は、メモリ構造の製作中に使用されてもよい。

【0137】

存在の開示は、窒化ケイ素膜を堆積するための方法に関する。特定の実施形態では、膜は、堆積層の熱変換およびその後のプラズマ処理を含む、ハイブリッドＡＬＤプロセスによって堆積される。堆積層は、炭素原子とケイ素原子の両方を含むことができ、熱変換は、窒素含有反応剤の存在下で行うことができる。プラズマ処理は、ソースガスの存在下で行うことができ、その中で窒素含有高エネルギー種が基板に送給される。

【0138】

特に、熱変換とプラズマ処理の組み合わせにより、共形膜が提供される。さらに、熱変換およびプラズマ処理動作は、所望の膜の厚さが得られるまでサイクルで行うことができる。一実施形態では、熱変換およびプラズマ処理は、すべてのサイクルで（例えば、すべてのＡＬＤサイクルで）行われる。機構に限定されることを望むものではないが、プラズマの使用は、表面を改質することができる高エネルギー種（例えば、ラジカル、イオン、中性種、準安定種など）を生成することができ、これによりプラズマ処理を行わない堆積プロセスよりも低い温度での共形膜堆積が可能になり得る。特定の実施形態では、熱変換中の窒素含有反応剤の使用は、プラズマ処理中の触媒として作用することができる。

【0139】

一実施形態では、熱変換により共形膜が得られ、プラズマ処理により膜内の炭素含有量を調節することが可能である。別の実施形態では、炭素含有量は、プラズマ処理を使用するのではなく、プロセス温度を変更して炭素含有量を調節することによって調節されてもよい。

【0140】

熱変換は、連続的な自己制限反応を使用して材料の薄層が堆積されるＡＬＤ技法を含むことができる。典型的には、ＡＬＤサイクルは、少なくとも１つの反応剤を基板表面に送給して吸着させ、続いて吸着した反応剤を１つまたは複数の反応剤と反応させて膜の部分層を形成する動作を含む。一例として、窒化ケイ素堆積サイクルは、以下の動作を含むことが可能である：（ｉ）ケイ素含有前駆体の送給／吸着、（ｉｉ）チャンバからのケイ素前駆体のパージ、（ｉｉｉ）窒素含有反応剤または窒素含有ガスの送給、および（ｉｖ）チャンバからの窒素含有反応剤のパージ。

【0141】

熱変換がプラズマ処理と共に用いられる場合、各サイクルは、ハイブリッドＡＬＤプロセスにおける両方の動作を含むことができる。一例として、窒化ケイ素堆積サイクルは、以下の動作を含むことが可能である：（ｉ）ケイ素含有前駆体の送給／吸着、（ｉｉ）チャンバからのケイ素前駆体のパージ、（ｉｉｉ）窒素含有反応剤または窒素含有ガスの送給、（ｉｖ）チャンバからの窒素含有反応剤のパージ、（ｖ）高エネルギー種（例えば、ラジカル種）の送給、および（ｖｉ）チャンバからの高エネルギー種のパージ。

【0142】

任意の高エネルギー種が、堆積またはプラズマ処理中に用いられ得る。本明細書で使用される場合、「高エネルギー種」は、堆積プロセス中に提供される１つまたは複数の成分と反応する任意の種を含むことができる。そのような構成要素には、前駆体、堆積層などが挙げられ得る。高エネルギー種の非限定的な例には、ラジカル、準安定種、イオン、中性種、プラズマ、光子、放射線、励起分子、励起原子、反応種、または本明細書に記載の他のものが挙げられる。１つの非限定的な実施形態では、準安定種は、約０．０１～１ｅＶのエネルギーを有する。別の非限定的な実施形態では、イオンは、約１００～１０００ｅＶのエネルギーを有する。さらに別の非限定的な実施形態では、高エネルギー種は、約０．０１～１０００ｅＶのエネルギーを有する。ラジカルおよび準安定種に関連する本明細書における任意の説明は、いくつかの非限定的な場合では、本明細書に記載の任意の高エネルギー種を包含し得る。

【0143】

化学気相堆積（ＣＶＤ）技法とは異なり、ＡＬＤプロセスは、表面媒介堆積反応を使用して層ごとに膜を堆積する。ＡＬＤプロセスの一例では、表面活性部位の集合を含む基板表面は、基板を収容するように構成されたチャンバに提供される投与量で、ケイ素含有前駆体などの第１の前駆体の気相分布に曝露される。この第１の前駆体の分子は、第１の前駆体の化学吸着種および／または物理吸着分子を含め、基板表面上に吸着される。化合物が本明細書に記載のように基板表面上に吸着される場合、吸着層は、化合物ならびに化合物の誘導体を含み得ることを理解されたい。例えば、ケイ素含有前駆体の吸着層は、ケイ素含有前駆体ならびにケイ素含有前駆体の誘導体を含むことができる。第１の前駆体の投与後、チャンバを排気して気相に残っている第１の前駆体のほとんどまたはすべてを除去し、それにより吸着種の大部分または唯一が残るようにする。いくつかの実施態様では、チャンバは、完全に排気されない場合がある。例えば、気相中の第１の前駆体の分圧が反応を緩和するのに十分に低くなるように、チャンバを排気することが可能である。窒素含有反応剤などの第２の反応剤がチャンバに導入され、それによりこれらの分子の一部が表面上に吸着された第１の前駆体と反応する。いくつかのプロセスでは、第２の反応剤は、吸着した第１の前駆体と直ちに反応する。その後、チャンバを再び排気し、結合していない第２の反応剤分子を除去することができる。上述のように、いくつかの実施形態では、チャンバは、完全に排気されなくてもよい。単一のサイクル内で、さらなる動作は、ラジカル種をチャンバに導入することを含むことができる。その後、チャンバを再び排気し、結合していないラジカル種を除去することができる。追加のＡＬＤサイクルを使用して、膜厚を構築してもよい。

【0144】

特定の実施形態では、ＡＬＤの第１の前駆体の投与量は、基板表面を部分的に飽和させる。いくつかの実施形態では、ＡＬＤサイクルの投与段階は、前駆体が基板に接触して表面を均一に飽和させる前に終了する。典型的には、前駆体の流れはこの時点で止められるか迂回され、パージガスのみが流れる。この亜飽和領域で動作することによって、ＡＬＤプロセスはサイクル時間を短縮し、スループットを増加させる。しかし、前駆体の吸着は飽和に制限されていないため、吸着した前駆体の濃度は基板表面全体にわたってわずかに変化する場合がある。亜飽和領域で動作するＡＬＤプロセスの例は、２０１３年１０月２３日に出願された「ＳＵＢ－ＳＡＴＵＲＡＴＥＤ ＡＴＯＭＩＣ ＬＡＹＥＲ ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ ＡＮＤ ＣＯＮＦＯＲＭＡＬ ＦＩＬＭ ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ」と題する米国特許出願第１４／０６１，５８７号（現在の米国特許第９，３５５，８３９号）に提供されており、上記の出願は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

【0145】

説明したように、いくつかの実施態様では、ＡＬＤ法は、プラズマ活性化を含む。本明細書で説明されるように、本明細書に記載のＡＬＤ方法および装置は、共形膜堆積（ＣＦＤ）法であってもよく、これについては２０１１年４月１１日に出願された「ＰＬＡＳＭＡ ＡＣＴＩＶＡＴＥＤ ＣＯＮＦＯＲＭＡＬ ＦＩＬＭ ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ」と題する米国特許出願第１３／０８４，３９９号（現在の米国特許第８，７２８，９５６号）、および２０１１年４月１１日に出願された「ＳＩＬＩＣＯＮ ＮＩＴＲＩＤＥ ＦＩＬＭＳ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤＳ」と題する米国特許出願第１３／０８４，３０５号（米国特許公開第２０１１／０２５６７３４号）に一般的に記載されており、上記の出願は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

【0146】

ＡＬＤ「サイクル」の概念は、本明細書における様々な実施形態の説明に関連する。一般に、サイクルは、１回だけ表面堆積反応を実施するために使用される最小セットの動作である。１サイクルの結果、基板表面上に少なくとも部分的な窒化ケイ素膜層が形成される。典型的には、ＡＬＤサイクルは、少なくとも１つの反応剤を基板表面に送給して吸着させ、続いて吸着した反応剤を１つまたは複数の反応剤と反応させて膜の部分層を形成する動作を含む。サイクルは、反応剤もしくは副生成物の１つをスイープすること、および／または堆積した部分膜を処理することなどの特定の補助動作を含み得る。

【0147】

本明細書では、本開示の特定の実施形態を詳細に参照する。特定の実施形態の例は、添付の図面に示されている。本開示は、これらの特定の実施形態と併せて説明されるが、本開示をそのような特定の実施形態に限定することを意図していないことが理解されるであろう。逆に、本開示の精神および範囲内に含まれ得る代替物、修正物、および均等物をカバーすることを意図している。以下の説明では、本開示の完全な理解を提供するために、多数の具体的な詳細が記載されている。本開示は、これらの具体的な詳細の一部または全部なしで実践することができる。他の例では、本開示を不必要に曖昧にしないように、周知のプロセス動作は詳細に説明されていない。

【0148】

ハイブリッドＡＬＤ
本明細書の方法は、一般に、窒化ケイ素（ＳｉＮ）膜、ドープＳｉＮ膜（例えば、炭素ドープＳｉＮ膜）、または炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）を提供するハイブリッドＡＬＤプロセスに関する。特定の実施形態では、膜は、共形である。

【0149】

図１Ａは、適切な厚さの膜を提供するためにｎ回繰り返すことができる、様々な曝露動作を有する非限定的な方法を示す。膜は、任意の有用な基板上に設けることができる。基板は、誘電体材料、導電性材料、または半導電性材料などの材料の１つまたは複数の層がその上に堆積されたウエハを含む、ケイ素ウエハ、例えば、２００ｍｍウエハ、３００ｍｍウエハ、または４５０ｍｍウエハであってもよい。基板は、本明細書に記載のように高アスペクト比（ＨＡＲ）構造などの構造を含むことができる。

【0150】

基板は、ビアまたはコンタクトホールなどの「フィーチャ」を有してもよく、これは、狭いおよび／またはリエントラント型の開口部、フィーチャ内の狭窄部、ならびに高アスペクト比のうちの１つまたは複数によって特徴付けることができる。フィーチャは、上述の層のうちの１つまたは複数に形成され得る。フィーチャの一例は、半導体基板または基板上の層における穴またはビアである。いくつかの実施形態では、フィーチャは、少なくとも約２：１、少なくとも約４：１、少なくとも約６：１、少なくとも約１０：１、またはそれ以上のアスペクト比を有する場合がある。フィーチャはまた、開口部付近の寸法、例えば、約１０ｎｍ～５００ｎｍ、例えば約２５ｎｍ～約３００ｎｍの開口部直径または線幅を有してもよい。開示された方法は、約１５０ｎｍ未満の開口部を有するフィーチャを伴う基板上で実施され得る。フィーチャビアまたはトレンチは、未充填フィーチャまたは単にフィーチャと呼ばれることがある。フィーチャの底部、閉端、または内部からフィーチャ開口部に向かって狭くなるリエントラント型のプロファイルを有することができるフィーチャ。

【0151】

本明細書のいずれかの方法では、初期動作は、基板をプロセスチャンバに提供することを含むことができる。プロセスチャンバは、約１０ｍＴｏｒｒ～約３０Ｔｏｒｒ、または約１～３Ｔｏｒｒ、または約０．５～２２Ｔｏｒｒのチャンバ圧力に設定され得る。そのようなチャンバ圧力は、本明細書に記載の動作１１０～１４４全体を通じて使用することが可能である。

【0152】

基板は、約２５℃～約９００℃、または約５００℃～約７００℃の基板温度に加熱されてもよい。基板温度は、本明細書で使用される場合、基板を保持する台座が設定される温度を指し、いくつかの実施形態では、基板は、台座上の処理チャンバに提供されるとき、基板を処理する前に所望の基板温度に加熱され得ることが理解されるであろう。基板温度は、本明細書に記載の動作１１０～１４４全体を通じて同じであってもよい。あるいは、基板温度は、所望の炭素含有量を得るために修正（例えば、増加または減少）されてもよい。

【0153】

図１Ａに戻ると、動作１１０において、基板は、有機ケイ素含有前駆体に曝露される。有機ケイ素含有前駆体は、基板の表面上に吸着する。動作１１０～１４４は、原子層堆積サイクルを構成することができる。本明細書に記載の実施形態は、有機ケイ素含有前駆体への曝露中または窒素含有反応剤への曝露中にプラズマが点火されないようなサイクルで実施される熱原子層堆積を伴い、その後プラズマは、任意選択で、そのような曝露ステップの後に点火することができる。

【0154】

動作１１０中に使用される有機ケイ素含有前駆体は、本明細書に記載のようにアミノシラン、イソシアナトシラン、アジドシラン、ヒドラジノシラン、シロキサンまたはその誘導体、混合シラン、シリルアミン、シラザンまたはその誘導体、混合アミン、環状シラザン、環状シロキサン、アミノシロキサンまたはその誘導体、シラノール、またはカルボニルオキシシランであってもよい。特定の実施形態では、有機ケイ素含有前駆体は、同じく本明細書に記載のように式（Ｉ）または（ＩＩ）の構造を有する。様々な実施形態において、以下に説明する後続のパージ動作は、基板の表面から吸着された有機ケイ素含有前駆体を除去することが可能である。

【0155】

いくつかの実施形態では、基板の表面上への吸着により、基板の表面上に薄い炭素含有層およびケイ素含有層が形成され得る。薄層は単層未満であってもよく、約０．２Å～約３Å（例えば、約０．２～０．４Å）の厚さを有してもよい。

【0156】

いくつかの実施形態では、有機ケイ素含有前駆体は、約１００ｓｃｃｍ～約５０００ｓｃｃｍ（例えば、約１００～２０００ｓｃｃｍ）の流量で基板を収容するチャンバに流される。前駆体は、任意の有用な期間（例えば、約０．１～１０秒）および任意の有用な圧力（例えば、約１～２５Ｔｏｒｒ）で流すことができる。

【0157】

動作１１０中、プッシュガスが流されてもよい。プッシュガスは、窒素（Ｎ₂）、アルゴン（Ａｒ）、または本明細書に列挙された任意の他のものなどの不活性ガスであってもよい。プッシュガスは、プロセスチャンバの圧力および／もしくは温度制御、液体反応剤の蒸発、反応剤のより迅速な送給を支援するために、ならびに／またはプロセスチャンバおよび／もしくはプロセスチャンバ配管からプロセスガスを除去するためのスイープガスとして提供され得る。いくつかの実施形態では、プッシュガスは、約１００ｓｃｃｍ～約５０００ｓｃｃｍ（例えば、約５００～２０００ｓｃｃｍ）の流量で基板を収容するチャンバに流される。有機ケイ素含有前駆体を伴うプッシュガスの流れにより、前駆体の希釈、ならびに動作中の圧力の安定が可能になり得る。

【0158】

動作１４０において、プロセスチャンバは、任意選択で、基板表面上に吸着しなかった有機ケイ素含有前駆体分子を除去するためにパージされる。

【0159】

チャンバをパージすることは、他の動作で使用されるキャリアガスであってもよいし、または異なるガスであってもよいパージガスまたはスイープガスを流すことを伴い得る。いくつかの実施形態では、パージは、チャンバを排気することを伴う場合がある。パージガスの例には、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ₂）、水素（Ｈ₂）、ヘリウム（Ｈｅ）、酸素（Ｏ₂）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）、ネオン（Ｎｅ）、およびそれらの組み合わせが挙げられる。様々な実施形態において、パージガスは、不活性ガスである。パージガスは、１つまたは複数のガスを含むことができる。いくつかの実施形態では、動作１４０は、プロセスチャンバを排気するための１つまたは複数の排気サブ段階を含む場合がある。あるいは、いくつかの実施形態では動作１４０は省略されてもよいことが理解されよう。動作１４０は、約０秒～約６０秒、例えば約０．０１秒など、任意の適切な持続時間を有してもよい。いくつかの実施形態では、１つまたは複数のパージガスの流量を増加させると、動作１４０の持続時間が減少し得る。例えば、パージガス流量は、動作１４０の持続時間を修正するために、プロセスチャンバおよび／またはプロセスチャンバ配管の様々な反応剤の熱力学的特性および／または幾何学的特性に従って調整されてもよい。１つの非限定的な例では、パージ段階の持続時間は、パージガス流量を調節することによって調整され得る。これにより堆積サイクル時間が短縮され、基板のスループットを改善することが可能である。パージ後、有機ケイ素含有前駆体分子は、基板表面上に吸着されたままである。

【0160】

パージガスは、約１０００ｓｃｃｍ～約４００００ｓｃｃｍ（例えば、約１００～２０００ｓｃｃｍ）の流量で基板を収容するチャンバに流すことができる。パージガスは、任意の有用な期間（例えば、約０．１～１０秒）および任意の有用な圧力（例えば、約０．５～２５Ｔｏｒｒ）で流すことができる。

【0161】

動作１２０において、基板は、プラズマなしで窒素含有反応剤ガスに曝露され、表面上に窒化ケイ素を形成する。様々な実施形態において、窒素含有反応剤は、窒素ガス（Ｎ₂）である。いくつかの実施形態では、窒素含有反応剤は、アンモニア（ＮＨ₃）またはその重水素化形態、例えば一重水素化アンモニア（ＮＨ₂Ｄ）、二重水素化アンモニア（ＮＨＤ₂）、または三重水素化アンモニア（ＮＤ₃）である。様々な実施形態において、窒素含有反応剤は、ヒドラジン系化合物、例えば、Ｒ¹Ｒ²Ｎ－ＮＲ³Ｒ⁴であり、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、およびＲ⁴の各々は、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、または任意選択で置換された芳香族である。他の実施形態では、窒素含有反応剤は、アミン系化合物、例えば、ＮＲ¹Ｒ²Ｒ³であり、Ｒ¹、Ｒ²、およびＲ³の各々は、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、または任意選択で置換された芳香族である。いくつかの実施形態では、ヒドラジン系化合物は、ヒドラジン（Ｈ₂ＮＮＨ₂）、ｔ－ブチルヒドラジン（Ｈ₂ＮＮＨｔＢｕ）、またはテトラメチルヒドラジン（Ｍｅ₂ＮＮＭｅ₂）である。これらの窒素含有反応剤の組み合わせもまた、用いることができる。

【0162】

窒素含有反応剤は、約１０００ｓｃｃｍ～約４００００ｓｃｃｍ（例えば、約２０００～１００００ｓｃｃｍ）の流量で基板を収容するチャンバに流すことができる。窒素含有反応剤は、任意の有用な時間（例えば、約０．５～４０秒）および任意の有用な圧力（例えば、約１～２５Ｔｏｒｒ）で流すことができる。

【0163】

窒素含有反応剤ガスは、プッシュガスまたはキャリアガスと共に使用することができる。プッシュガスまたはキャリアガスは、本明細書に記載のような不活性ガスである。プッシュガスまたはキャリアガスは、約１００ｓｃｃｍ～約５０００ｓｃｃｍ（例えば、約５００～２０００ｓｃｃｍ）の流量で基板を収容するチャンバに流すことができる。プッシュガスまたはキャリアガスは、任意の有用な期間（例えば、約０．５～４０秒）および任意の有用な圧力（例えば、約１～２５Ｔｏｒｒ）で流すことができる。

【0164】

さらに他の実施形態では、窒素含有反応剤は、還元ガスとの共流をさらに含むことができる。非限定的な還元ガスには、水素（Ｈ₂）が挙げられ得る。１つの非限定的な場合では、動作１２０は、窒素含有反応剤（例えば、ＮＨ₃またはＮ₂）、還元ガス（例えば、Ｈ₂）、および任意選択で不活性ガス（例えば、Ｎ₂）を含む。還元ガスは、約０～約１００００ｓｃｃｍ（例えば、約０～５０００ｓｃｃｍ）の流量で基板を収容するチャンバに流すことができる。還元ガスは、任意の有用な期間（例えば、約０．５～４０秒）および任意の有用な圧力（例えば、約１～２５Ｔｏｒｒ）で流すことができる。

【0165】

動作１１０および／または１２０中、半導体基板は、約３００℃～約７００℃の温度に設定された台座上に存在することができる。いくつかの実施形態では、半導体基板は、約１０ｍＴｏｒｒ～約３０Ｔｏｒｒのチャンバ圧力に設定されたチャンバ内に存在する。様々な実施形態において、各熱原子層堆積サイクルはまた、半導体基板をケイ素含有前駆体に曝露することと半導体基板を窒素含有反応剤に曝露することとの間に、半導体基板を収容するチャンバをパージすることを含む。

【0166】

例えば、任意選択の動作１４２において、チャンバは、任意選択で、パージされて残留副生成物を除去する。動作１４２は、動作１４０に関して上述した条件のいずれかを使用して実施されてもよい。例えば、いくつかの実施形態では、チャンバは、窒素またはアルゴンなどの不活性ガスを流してチャンバから過剰な分子および／または残留副生成物をポンピングすることによってパージされる。

【0167】

動作１３０において、基板は、高エネルギー種（例えば、ラジカル種）に曝露される。様々な実施形態において、ラジカル種は、ソースガスから生成され、ソースガスは、窒素原子を含む。特定の実施形態では、ソースガスは、本明細書に記載のような窒素ガス（Ｎ₂）、アンモニア（ＮＨ₃）、ヒドラジン系化合物、例えば、Ｒ¹Ｒ²Ｎ－ＮＲ³Ｒ⁴、および／またはアミノ系化合物、例えば、ＮＲ¹Ｒ²Ｒ³、ならびにこれらのいずれかの重水素化形態（例えば、一重水素化アンモニア（ＮＨ₂Ｄ）、二重水素化アンモニア（ＮＨＤ₂）、または三重水素化アンモニア（ＮＤ₃））である。さらに他の実施形態では、ソースガスは、還元ガスとの共流をさらに含むことができる。特定の実施形態では、ラジカル種は、ＮＨ＊ラジカル種またはＮＲ＊ラジカル種であり、Ｒは、Ｈ、脂肪族、芳香族、ヘテロ脂肪族、またはヘテロ芳香族である。ＮＨ＊ラジカル種は、ＮＨ₃、Ｎ₂／ＮＨ₃、またはＮ₂／Ｈ₂プラズマなどの任意の有用な方式で生成することができる。プラズマ生成中、任意の有用なプロセス条件を修正することができ、その条件には、圧力、ガス比混合、およびプラズマ電力（例えば、電力が高いほどより高いラジカル流束を提供することができる）が挙げられ得る。

【0168】

他のラジカル種には、元素窒素ラジカル、アンモニアラジカル、およびアミンラジカルが挙げられ得る。アミンラジカルの例には、限定はしないが、メチルアミン、ジメチルアミン、およびアニリンのラジカルが挙げられる。いくつかの実施形態では、すべてまたは実質的にすべてのラジカルが基底状態にあり得、例えば、基板に隣接するラジカルの少なくとも約９０％または９５％が基底状態にある。いくつかの実施形態では、以下でさらに詳細に説明するように、ラジカル種は、リモートプラズマ源によって生成することができる。

【0169】

特定の実施形態では、ラジカル種は、Ｎ₂とＮＨ₃の組み合わせ、またはＮ₂とＨ₂の組み合わせから形成されたプラズマで形成される。わかるように、窒素含有反応剤のみ、または窒素含有反応剤と還元ガス（例えば、水素またはＨ₂など）の組み合わせを用いることによって、プラズマを形成することができる。さらに、不活性ガスを窒素含有反応剤と共に用いることも可能である。プラズマは、約０～約１００００ｓｃｃｍ（例えば、約０～５０００ｓｃｃｍ）の流量で基板を収容するチャンバに送給することができる。還元ガスは、任意の有用な期間（例えば、約０．５～４０秒）および任意の有用な圧力（例えば、約０．５～２５Ｔｏｒｒ）で流すことができる。

【0170】

一実施形態では、プラズマは、第１の窒素含有反応剤（例えば、約２０～５００ｓｃｃｍの流量を有する）、不活性ガス（例えば、約１０００～４００００ｓｃｃｍの流量を有する）、および還元ガス（例えば、約０～２００ｓｃｃｍの流量を有する）の存在下で形成される。特定の実施形態では、プラズマは、ＮＨ₃を含む第１の窒素含有反応剤（例えば、約５０～２５０ｓｃｃｍの流量を有する）、Ｎ₂を含む不活性ガス（例えば、約５０００～２５０００ｓｃｃｍの流量を有する）、およびＨ₂を含む還元ガス（例えば、約０～１００ｓｃｃｍの流量を有する）の存在下で形成される。

【0171】

プラズマ電力は、３００ｍｍウエハの表面積当たり約７５Ｗ～約１２０００Ｗであってもよい。プラズマは、遠隔で（リモートプラズマ発生器内などで）生成されてもよいし、基板を収容するチャンバ内で直接（すなわち、ｉｎ ｓｉｔｕで）生成されてもよい。ｉｎ ｓｉｔｕのプラズマは、約０．２１２２Ｗ／ｃｍ²～約２．１２２Ｗ／ｃｍ²の基板面積当たりの電力で点火され得る。例えば、４つの３００ｍｍウエハを処理するチャンバの場合、電力は約６００Ｗ～約６０００Ｗの範囲であってもよい。ＡＬＤプロセス用のプラズマは、２つの容量結合されたプレートを使用して高周波（ＲＦ）場をガスに印加することによって生成され得る。ＲＦ場によるプレート間のガスのイオン化によりプラズマが点火され、プラズマ放電領域内に自由電子が生成される。これらの電子はＲＦ場によって加速され、気相反応剤分子と衝突する場合がある。これらの電子と反応剤分子の衝突により、堆積プロセスに関与するラジカル種が形成され得る。

【0172】

動作１３０中、ＲＦ場が任意の適切な電極を介して結合され得ることが理解されよう。電極の非限定的な例には、プロセスガス分配シャワーヘッドおよび基板支持台座が挙げられる。ＡＬＤプロセス用のプラズマは、ＲＦ場とガスの容量結合以外の１つまたは複数の適切な方法によって形成することができることが理解されよう。いくつかの実施形態では、プラズマはリモートプラズマであり、それにより窒素含有反応剤またはソースガスがステーションの上流のリモートプラズマ発生器で点火され、その後、基板が収容されるステーションに送給される。

【0173】

動作１４４において、チャンバを任意選択でパージし、残留副生成物を除去する。動作１４４は、動作１４０に関して上述した条件のいずれかを使用して実施されてもよい。例えば、いくつかの実施形態では、チャンバは、窒素またはアルゴンなどの不活性ガスを流してチャンバから過剰な分子および／または残留副生成物をポンピングすることによってパージされる。

【0174】

動作１５０において、所望の厚さの窒化ケイ素膜が堆積されたかどうかが決定される。堆積されていない場合、動作１１０～１４４が所望の厚さの窒化ケイ素を堆積するのに十分なサイクルで繰り返される。所望の膜厚の窒化ケイ素を堆積するために、任意の適切な数の堆積サイクルがＡＬＤプロセスに含まれてもよい。例えば、開示された実施形態を使用して基板上に窒化ケイ素膜を堆積するために、約２０～約４０回の堆積サイクルを実施することが可能である。いくつかの実施形態では、２０～４０回の堆積が実施される。

【0175】

図１Ｂは、所望の厚さの膜を提供するためにｎ回繰り返すことができる、様々な曝露動作を有する非限定的な方法を示す。動作１０１０において、炭素含有層およびケイ素含有層が基板の表面上に堆積される。堆積は、有機ケイ素含有前駆体を基板に送給することと、任意選択で、パージを行い基板の表面から吸着した有機ケイ素含有前駆体を除去することとを含むことができる。

【0176】

動作１０２０において、炭素含有層およびケイ素含有層を窒素含有反応剤の存在下で熱変換し、ドープ窒化ケイ素を形成することができる。窒素含有反応剤は、本明細書に記載のいずれのものであってもよい。熱変換は、窒素含有反応剤を基板に送給することと、任意選択で、パージを行い基板の表面から吸着した窒素含有反応剤を除去することとを含むことができる。

【0177】

動作１０３０において、ドープ窒化ケイ素は、ソースガスの存在下でプラズマ処理することができる。ソースガスは、窒素含有反応剤、例えば、本明細書に記載のいずれかを含むことができ、プラズマは、ソースガスの存在下で形成されたラジカル種を含むことができる。プラズマ処理は、ラジカル種を基板に送給することと、任意選択で、パージを行い基板の表面から吸着したラジカル種を除去することとを含むことができる。

【0178】

いくつかの方法は、プラズマ処理動作を含まない。例えば、プラズマ処理は堆積膜の炭素含有量を調節するのに有用であり得るが、熱変換は共形膜を得るためにのみ使用することができる。図１Ｃは、所望の厚さの共形膜を提供するためにｎ回繰り返すことができる、様々な曝露動作を有する非限定的な方法を示す。

【0179】

動作１２１０において、炭素含有層およびケイ素含有層が基板の表面上に堆積される。堆積は、有機ケイ素含有前駆体を基板に送給することと、任意選択で、パージを行い基板の表面から吸着した有機ケイ素含有前駆体を除去することとを含むことができる。

【0180】

動作１２２０において、炭素含有層およびケイ素含有層を窒素含有反応剤の存在下で熱変換し、ドープ窒化ケイ素を形成することができる。窒素含有反応剤は、本明細書に記載のいずれのものであってもよい。熱変換は、窒素含有反応剤を基板に送給することと、任意選択で、パージを行い基板の表面から吸着した窒素含有反応剤を除去することとを含むことができる。動作１２１０および１２２０を繰り返すことにより、共形膜を含むドープケイ素膜を提供することができる（１２２５）。

【0181】

他の方法には、所望の炭素含有量を有する膜を提供するためのプラズマ処理動作または熱処理動作が挙げられる。図１Ｄは、所望の厚さおよび所望の炭素含有量のドープ窒化ケイ素膜を提供するためにｎ回繰り返すことができる、様々な曝露動作を有する非限定的な方法を示す。

【0182】

動作１４１０において、炭素含有層およびケイ素含有層が基板の表面上に堆積される。堆積は、有機ケイ素含有前駆体を基板に送給することと、任意選択で、パージを行い基板の表面から吸着した有機ケイ素含有前駆体を除去することとを含むことができる。

【0183】

動作１４２０において、炭素含有層およびケイ素含有層を窒素含有反応剤の存在下で熱変換し、ドープ窒化ケイ素を形成することができる。窒素含有反応剤は、本明細書に記載のいずれのものであってもよい。熱変換は、窒素含有反応剤を基板に送給することと、任意選択で、パージを行い基板の表面から吸着した窒素含有反応剤を除去することとを含むことができる。

【0184】

動作１４３０において、ドープ窒化ケイ素は、ソースガスの存在下でプラズマ処理または熱処理することができる。一実施形態では、ソースガスは、窒素含有反応剤、例えば、本明細書に記載のいずれかを含むことができ、プラズマは、ソースガスの存在下で形成されたラジカル種を含むことができる。プラズマ処理は、高エネルギー種（例えば、ラジカル種）を基板に送給することと、任意選択で、パージを行い基板の表面から吸着したラジカル種を除去することとを含むことができる。別の実施形態では、熱処理は、調節された炭素含有量を提供するソースガスを含む。非限定的なソースガスは、水素ガス（Ｈ₂）を含んでも含まなくてもよい不活性ガス（例えば、窒素（Ｎ₂）、アルゴン（Ａｒ）など）を含むことができる。

【0185】

炭素含有量は、プラズマ処理中にＲＦ電力および／またはＲＦ時間を修正することによって調節することができる。一例では、高炭素ドーピングは、低いＲＦ電力および／または短いＲＦストライク（例えば、約１０ミリ秒～２秒または約５０ミリ秒～１秒のプラズマ曝露時間）を有するプラズマ処理により提供され得る。別の例では、低炭素ドーピングは、より高いＲＦ電力および／またはより長いＲＦストライク（例えば、約１秒～５秒のプラズマ曝露時間）を有するプラズマ処理により提供され得る。特定の実施形態では、基板は、約６５０℃の温度に維持される（例えば、約６５０℃の温度に台座を維持することによって）。動作１４１０～１４３０を繰り返すことにより、所望の炭素含有量を含むドープケイ素膜を提供することができる（１４３５）。

【0186】

図２Ａは、特定の開示された実施形態による方法におけるサイクルの一例を示すタイミングシーケンス図を示す。タイミングシーケンス図は、有機ケイ素含有前駆体ガス、キャリアガス、窒素含有反応剤ガス、プラズマ、およびソースガスの流れについてのオン段階またはオフ段階を示す。図２Ａは、２つの堆積サイクル、すなわち堆積サイクル２０１Ａおよび堆積サイクル２０１Ｂを有するプロセス２００を含む。２つの堆積サイクルのみが図示されているが、より多くの堆積サイクルが実施されてもよいことに留意されたい。

【0187】

堆積サイクル２０１Ａは、ケイ素曝露段階２１０Ａ、パージ段階２４０Ａ、窒素曝露段階２２０Ａ、パージ段階２４２Ａ、プラズマ曝露段階２３０Ａ、およびパージ段階２４４Ａを含む。ケイ素曝露段階２１０Ａ中、キャリアガスの流れ（例えば、不活性ガスの流れ）がオンのまま継続し得る一方、ケイ素含有前駆体ガスの流れがオンにされる。窒素含有反応剤ガスの流れはオフのままであり、ソースガスの流れはオフにされる。これは、図１Ａの動作１１０に対応し得る。パージ段階２４０Ａ中、キャリアガスは、チャンバから過剰な分子を除去するのを助けるために流れ続けてもよい。この段階中、ケイ素含有前駆体ガスの流れがオフにされ、窒素含有反応剤ガスの流れもオフにされ、ソースガスの流れもオフにされる。これは、図１Ａの動作１４０に対応し得る。

【0188】

窒素曝露段階２２０Ａ中、キャリアガスが流れ続けてもよい。いくつかの実施形態では、キャリアガスは、窒素含有反応剤ガスをチャンバに送給するのを助けるために使用され、チャンバ内に迂回または流入することができる。この段階中、ケイ素含有前駆体ガスの流れがオフにされ、ソースガスの流れもオフにされ、窒素含有反応剤ガスの流れはオンにされる。これは、図１Ａの動作１２０に対応し得る。パージ段階２４２Ａ中、キャリアガスの流れはオンのまま継続し得、キャリアガスは、チャンバから過剰な分子および／または副生成物を除去するパージガスとして作用することができる。ケイ素含有前駆体ガスの流れ、窒素含有反応剤ガスの流れ、およびソースガスの流れは、オフにされる。

【0189】

プラズマ曝露段階２３０Ａ中、キャリアガスが流れ続けてもよい。いくつかの実施形態では、キャリアガスは、ソースガスから得られるラジカル種の送給を助けるために使用される。この段階中、ケイ素含有前駆体ガスの流れおよび窒素含有反応剤ガスの流れがオフにされ、ソースガスの流れはオンにされる。これは、図１Ａの動作１３０に対応し得る。パージ段階２４４Ａ中、キャリアガスの流れはオンのまま継続し得、キャリアガスは、チャンバから過剰なラジカル種、分子、および／または副生成物を除去するパージガスとして作用することができる。ケイ素含有前駆体ガスの流れおよび窒素含有反応剤ガスの流れは、オフにされる。

【0190】

図２Ａのこの例では、堆積された窒化ケイ素膜の厚さが不十分であると決定され、別の堆積サイクル２０１Ｂが実施される。堆積サイクル２０１Ｂは、ケイ素含有前駆体曝露段階２１０Ｂ、パージ段階２４０Ｂ、窒素含有反応剤曝露段階２２０Ｂ、パージ段階２４２Ｂ、プラズマ曝露段階２３０Ｂ、およびパージ段階２４４Ｂを含む。ケイ素含有前駆体曝露段階２１０Ｂ中、キャリアガスを流し、ケイ素含有前駆体ガスの流れをオンにする一方、窒素含有反応剤ガスの流れおよびソースガスの流れをオフにすることができる。これは、膜が適切な厚さに堆積されていないと動作１５０で決定した後の、図１Ａの動作１１０の繰り返し動作に対応し得る。パージ段階２４０Ｂ中、キャリアガスの流れはオンのままであるが、ケイ素含有前駆体ガスの流れがオフにされ、窒素含有反応剤ガスの流れとソースガスの流れは両方ともオフのままである。これは、図１Ａの動作１４０の繰り返し動作に対応し得る。窒素曝露段階２２０Ｂ中、キャリアガスの流れはオンのままであり得るが、窒素含有反応剤ガスの流れがオンにされ、ケイ素含有前駆体ガスの流れおよびソースガスの流れはオフにされる。これは、図１Ａの動作１２０の繰り返し動作に対応し得る。パージ段階２４２Ｂ中、キャリアガスの流れはオンのままであり得るが、ケイ素含有前駆体ガスの流れ、窒素含有反応剤ガスの流れ、およびソースガスの流れがオフにされる。

【0191】

プラズマ曝露段階２３０Ｂ中、キャリアガスの流れおよびソースガスの流れはオンのままであり得るが、ケイ素含有前駆体ガスの流れおよび窒素含有反応剤ガスの流れがオフにされる。これは、図１Ａの動作１３０に対応し得る。パージ段階２４４Ｂ中、キャリアガスの流れおよびソースガスの流れはオンのままであり得るが、ケイ素含有前駆体ガスの流れおよび窒素含有反応剤ガスの流れがオフにされる。２つの堆積サイクルが図２Ａには図示されているが、追加の堆積サイクルも実施されてもよいことが理解されるであろう。

【0192】

ガスのタイミングおよび流量を修正することで、堆積層の厚さおよび膜内の所望の炭素含有量などの有益な堆積条件を提供することが可能である。図２Ｂは、特定の開示された実施形態による方法におけるサイクルの一例を示すタイミングシーケンス図を示す。タイミングシーケンス図は、有機ケイ素含有前駆体ガス、キャリアガス、窒素含有反応剤ガス、プラズマ、およびソースガスの流れについてのオン段階またはオフ段階を示す。図２Ｂは、２つの堆積サイクル、すなわち堆積サイクル２５１Ａおよび堆積サイクル２５１Ｂを有するプロセス２５０を含む。２つの堆積サイクルのみが図示されているが、より多くの堆積サイクルが実施されてもよいことに留意されたい。

【0193】

堆積サイクル２５１Ａは、ケイ素曝露段階２６０Ａ、パージ段階２９０Ａ、窒素曝露段階２７０Ａ、パージ段階２９２Ａ、プラズマ曝露段階２８０Ａ、およびパージ段階２９４Ａを含む。ケイ素曝露段階２６０Ａ中、キャリアガスの流れ（例えば、不活性ガスの流れ）がオンのまま継続し得る一方、ケイ素含有前駆体ガスの流れがオンにされる。窒素含有反応剤ガスの流れはオフのままであり、ソースガスの流れはオフにされる。わかるように、ケイ素曝露段階２６０Ａの期間は、図２Ａの同じ段階２１０Ａと比較して短縮することができる。

【0194】

パージ段階２９０Ａ中、キャリアガスは、チャンバから過剰な分子を除去するのを助けるために流れ続けてもよい。特定の実施形態では、パージ段階２９０Ａに見られるように、キャリアガスの流量を増加させて過剰な分子の除去をさらに強化することができる。この段階中、ケイ素含有前駆体ガスの流れがオフにされ、窒素含有反応剤ガスの流れもオフにされ、ソースガスの流れもオフにされる。これは、図１Ａの動作１４０に対応し得る。

【0195】

窒素曝露段階２７０Ａ中、キャリアガスが流れ続けてもよい。特定の実施形態では、キャリアガスの流量は、パージ段階２９０Ａにおける流量と比較して減少させ、窒素曝露段階２７０Ａ内の窒素含有反応剤の消費を低減することができる。いくつかの実施形態では、キャリアガスは、窒素含有反応剤ガスをチャンバに送給するのを助けるために使用され、チャンバ内に迂回または流入することができる。この段階中、ケイ素含有前駆体ガスの流れがオフにされ、ソースガスの流れもオフにされ、窒素含有反応剤ガスの流れはオンにされる。これは、図１Ａの動作１２０に対応し得る。パージ段階２９２Ａ中、キャリアガスの流れはオンのまま継続し得、キャリアガスは、チャンバから過剰な分子および／または副生成物を除去するパージガスとして作用することができる。特定の実施形態では、パージ段階２９２Ａに見られるように、キャリアガスの流量を増加させて過剰な分子の除去をさらに強化することができる。ケイ素含有前駆体ガスの流れ、窒素含有反応剤ガスの流れ、およびソースガスの流れは、オフにされる。

【0196】

プラズマ曝露段階２８０Ａ中、キャリアガスが流れ続けてもよい。特定の実施形態では、キャリアガスの流量は、パージ段階２９２Ａにおける流量と比較して減少させ、プラズマ曝露段階２８０Ａ内のソースガスの消費を低減することができる。いくつかの実施形態では、キャリアガスは、ソースガスから得られるラジカル種の送給を助けるために使用される。この段階中、ケイ素含有前駆体ガスの流れおよび窒素含有反応剤ガスの流れがオフにされ、ソースガスの流れはオンにされる。これは、図１Ａの動作１３０に対応し得る。パージ段階２９４Ａ中、キャリアガスの流れはオンのまま継続し得、キャリアガスは、チャンバから過剰なラジカル種、分子、および／または副生成物を除去するパージガスとして作用することができる。特定の実施形態では、パージ段階２９４Ａに見られるように、キャリアガスの流量を増加させて過剰な分子の除去をさらに強化することができる。ケイ素含有前駆体ガスの流れおよび窒素含有反応剤ガスの流れは、オフにされる。

【0197】

図２Ｂのこの例では、堆積された窒化ケイ素膜の厚さが不十分であると決定され、別の堆積サイクル２５１Ｂが実施される。堆積サイクル２５１Ｂは、ケイ素含有前駆体曝露段階２６０Ｂ、パージ段階２９０Ｂ、窒素含有反応剤曝露段階２７０Ｂ、パージ段階２９２Ｂ、プラズマ曝露段階２８０Ｂ、およびパージ段階２９４Ｂを含む。ケイ素含有前駆体曝露段階２６０Ｂ中、キャリアガスを流し、ケイ素含有前駆体ガスの流れをオンにする一方、窒素含有反応剤ガスの流れおよびソースガスの流れをオフにすることができる。これは、膜が適切な厚さに堆積されていないと動作１５０で決定した後の、図１Ａの動作１１０の繰り返し動作に対応し得る。パージ段階２９０Ｂ中、キャリアガスの流れはオンのままであるが、ケイ素含有前駆体ガスの流れがオフにされ、窒素含有反応剤ガスの流れとソースガスの流れは両方ともオフのままである。これは、図１Ａの動作１４０の繰り返し動作に対応し得る。窒素曝露段階２７０Ｂ中、キャリアガスの流れはオンのままであり得るが、窒素含有反応剤ガスの流れがオンにされ、ケイ素含有前駆体ガスの流れおよびソースガスの流れはオフにされる。これは、図１Ａの動作１２０の繰り返し動作に対応し得る。パージ段階２９２Ｂ中、キャリアガスの流れはオンのままであり得るが、ケイ素含有前駆体ガスの流れ、窒素含有反応剤ガスの流れ、およびソースガスの流れがオフにされる。

【0198】

プラズマ曝露段階２８０Ｂ中、キャリアガスの流れおよびソースガスの流れはオンのままであり得るが、ケイ素含有前駆体ガスの流れおよび窒素含有反応剤ガスの流れがオフにされる。これは、図１Ａの動作１３０に対応し得る。パージ段階２９４Ｂ中、キャリアガスの流れおよびソースガスの流れはオンのままであり得るが、ケイ素含有前駆体ガスの流れおよび窒素含有反応剤ガスの流れがオフにされる。２つの堆積サイクルが図２Ａには図示されているが、追加の堆積サイクルも実施されてもよいことが理解されるであろう。

【0199】

一例では、方法は、共形ＳｉＮ膜を提供することができ、これは高アスペクト比（ＨＡＲ）構造上に堆積される。一実施形態では、（深さ対幅の）アスペクト比は、約１８０：１以上である。１つの非限定的な方法は、有機シラン前駆体の堆積、ＮＨ₃ガスを使用する熱変換、およびその後の主にＮＨ＊ラジカルを生成するＮ₂／ＮＨ₃プラズマを使用するプラズマ処理を含む、ハイブリッドＡＬＤプロセスを含むことができる。特定の実施形態では、オルガノシラン前駆体は、アミノシラン前駆体を含む。ハイブリッドＡＬＤプロセスの後、得られた膜は、共形膜（例えば、１００％のステップカバレッジを有する）となり得る。

【0200】

本明細書に記載のプロセス条件は、高度に共形である膜構造を提供することができる。特定の実施形態では、アスペクト比が約６：１の場合、炭化ケイ素膜は、約２５％～約１００％、典型的には約５０％～８０％、または約５０％～１００％の共形性で堆積され得る。

【0201】

特定の実施形態では、方法は、側壁に堆積される膜の成長速度を高める。一実施形態では、ハイブリッドＡＬＤプロセスを使用する成長速度は、熱変換動作を欠いているがプラズマ処理動作を含むプロセスと比較して、５倍以上、１０倍以上、またはそれ以上改善される。

【0202】

図３Ａに見られるように、膜は、深さおよび幅を有するフィーチャに堆積することができ、深さ対幅のアスペクト比は、約１８０：１である。堆積膜は、側壁上のその堆積厚さによって特徴付けることができ、フィーチャの頂部およびフィーチャの底部における堆積厚さを比較して共形性の測定を行うことが可能である。

【0203】

図３Ｂは、有機ケイ素含有前駆体としてＤＩＰＡＳ（ジ－ｉｓｏ－プロピルアミノシランまたはＳｉＨ₃［ＮｉＰｒ₂］）を使用することによって堆積された膜を示す。ハイブリッドＡＬＤ条件が、以下の表１に示される。ハイブリッドＡＬＤプロセスは、６５０℃で実施された。

【表1】

【0204】

非限定的なハイブリッドＡＬＤプロセスは、プラズマのみのプロセスと比較された。プラズマのみのプロセスは６５０℃で実施され、熱変換動作は含まなかった。むしろ、プラズマのみのプロセスは、堆積動作、第１のパージ動作、プラズマ処理動作、および第２のパージ動作を含んでいた。

【0205】

図３Ｃは、第１のプロセス３０１（プラズマのみの変換を含む）および第２のプロセス３０２（熱変換およびプラズマ処理を含むハイブリッドＡＬＤプロセス）を使用することによって形成された非限定的な膜の特性評価を示す。わかるように、側壁のサイクル当たりの成長速度（ＧＰＣ）は、プラズマのみの変換プロセス３０１（０．０４Å／サイクル）と比較して、ハイブリッドＡＬＤプロセス（第２のプロセス３０２では０．４２Å／サイクル）を用いると約１０倍増加した。プラズマのみの変換プロセス３０１（３０％のステップカバレッジ）と比較して、ハイブリッドＡＬＤプロセス（第２のプロセス３０２では１００％のステップカバレッジ）を用いると共形性の向上（またはステップカバレッジの増加）も観察された。

【0206】

膜内の炭素含有量もまた、制御することができる。例えば、炭素パーセンテージ（原子％）は、約２原子％から約２５原子％になるように制御することができる。機構によって限定されることを望むものではないが、膜内の炭素（Ｃ）原子は、ケイ素（Ｓｉ）－Ｃ結合を介して膜内のＳｉ原子と結合することができる。そのような炭素不純物は、ＳｉＮ膜内の欠陥中心のように作用することができ、それによって電子および正孔に対する荷電トラップ状態を提供する。電子トラップ状態は、約０．６～１．３ｅＶに分布すると予想される（例えば、Ａｌ Ａｈｍｅｄ ＳＲ＆Ｋｏｂａｙａｓｈｉ Ｋ，“Ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ ｏｆ Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｓ Ｔｒａｐｐｅｄ ｉｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｃａｒｂｏｎｉｔｒｉｄｅ（ＳｉＣＮ） Ｃｈａｒｇｅ Ｔｒａｐｐｉｎｇ Ｆｉｌｍｓ，”ＩＥＩＣＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ，２０１７；Ｅ１００－Ｃ （７）：６６２－６６８；およびＫｏｂａｙａｓｈｉ Ｋ＆Ｍｉｎｏ Ｈ，“Ｈｏｌｅ ｔｒａｐｐｉｎｇ ｃａｐａｂｉｌｉｔｙ ｏｆ ｓｉｌｉｃｏｎ ｃａｒｂｏｎｉｔｒｉｄｅ ｃｈａｒｇｅ ｔｒａｐ ｌａｙｅｒｓ，”Ｅｕｒ．Ｐｈｙｓ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，２０２０；９１：１０１０１，７ ｐｐ．（上記の各々は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる）を参照されたい）。使用中、これらの高エネルギートラップ状態は、非ドープＳｉＮ層と比較してより低いキャリア密度を必要とし、その結果、消費電力の低下および高速化（プログラミング／消去）をもたらす場合がある。正孔トラップ密度はまた、非ドープＳｉＮ膜と比較して、炭素ドープＳｉＮ膜の方が高いことを期待することができる。

【0207】

膜内の炭素含有量は、熱変換および／またはプラズマ処理を用いることによって変更することができる。炭素含有量は、約２原子％～約２５原子％であり得、これは、任意の有用な方式（例えば、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ））で決定され得る。このようにして、膜内の炭素含有量を調節することができる。さらに、膜中の炭素パーセンテージの量を制御することによって、膜性質（例えば、荷電トラップ状態、電気的膜性質、漏れ電流、ブレークダウン電圧、密度、ウェットエッチング速度など）が大幅に変化すると予想され、したがってメモリ用途に対して広範囲の調節可能性が与えられることが予想される。

【0208】

膜は、任意の有用な方式で用いることができる。一例では、膜は、高エネルギー電子トラップとして作用することができる有益なＳｉ－Ｃ欠陥を有する。そのようなトラップは、例えば、メモリセルにおけるトラップ層内で有用であり得る。他の実施形態では、膜は、デバイス（例えば、太陽電池）に使用することができる。炭素の存在により、ウェットエッチング速度が減少した膜が得られる可能性がある。一実施形態では、膜は、エッチストップ層として用いることができ、炭素ドープ窒化ケイ素は、窒化ケイ素単独と比較してウェットエッチング速度が減少し得る。特定の例では、炭素ドープ窒化ケイ素（例えば、２５原子％の炭素を有する）は、選択的にエッチングされるように構成することができる。一実施形態では、選択的エッチングは、希釈ＨＦ（１００：１）中で約０．０５Å／分未満のエッチング速度を含むことができる。

【0209】

Ｓｉ含有前駆体を含む前駆体
膜は、任意の有用なケイ素含有前駆体（Ｓｉ含有前駆体）を使用して堆積され得る。いくつかの実施形態では、前駆体は、式（Ｉ）：
Ｓｉ（Ｒ’）₄ （Ｉ）
の構造を含み、
少なくとも１つのＲ’は、炭素原子を含む。他の実施形態では、少なくとも１つのＲ’は、ヘテロ原子（例えば、窒素、酸素、および／またはケイ素）を含む。さらに他の実施形態では、少なくとも１つのＲ’は、炭素原子およびヘテロ原子（例えば、窒素、酸素、および／またはケイ素）を含む。特定の実施形態では、Ｒ’は、ハロゲン原子を含まない。

【0210】

他の実施形態では、前駆体は、式（ＩＩ）：
（Ｒ’）₃Ｓｉ－［Ｌ－Ｓｉ（Ｒ’）₂］－Ｒ’ （ＩＩ）
の構造を含み、
少なくとも１つのＲ’は、炭素原子を含み、Ｌは、リンカーである。いくつかの実施形態では、少なくとも１つのＲ’は、ヘテロ原子（例えば、窒素、酸素、および／またはケイ素）を含む。さらに他の実施形態では、少なくとも１つのＲ’は、炭素原子およびヘテロ原子（例えば、窒素、酸素、および／またはケイ素）を含む。特定の実施形態では、Ｒ’は、ハロゲン原子を含まない。

【0211】

式（ＩＩ）の場合、Ｌについての非限定的なリンカーには、共有結合、オキシ（－Ｏ－）、カルボニル（－Ｃ（Ｏ）－）、任意選択で置換されたカルボンイミドイル（例えば、－Ｃ（ＮＲ）－）、任意選択で置換されたイミノ（例えば、－ＮＲ－）、任意選択で置換されたアルキレン、任意選択で置換されたヘテロアルキレン、任意選択で置換されたアリーレンなどが挙げられる。

【0212】

本明細書のいずれかの式の場合（例えば、式（Ｉ）または（ＩＩ）の場合）、Ｒ’は、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル（例えば、アミノシリル、アルコキシシリルなど）、シリルオキシ（例えば、アミノシリルオキシ、アルコキシシリルオキシなど）、シアナト（－ＯＣＮ）、イソシアナト（－ＮＣＯ）、シアノ（－ＣＮ）、またはイソシアノ（－ＮＣ）であり得、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよい。

【0213】

特定の実施形態では、本明細書のいずれかの式（例えば、式（Ｉ）または（ＩＩ）の場合）中の少なくとも１つ、２つ、３つ、４つ、またはそれ以上のＲ’は、任意選択で置換された脂肪族を含む。非限定的な脂肪族基には、アルキル、アルケニル、またはアルキニルが挙げられ、それらの直鎖、分岐、環状、飽和、または不飽和形態を含む。そのような基は非置換であるか、またはアルキルに関して本明細書に記載の１つまたは複数の置換基などで置換され得る。脂肪族基のさらなる例には、メチル（Ｍｅ）、エチル（Ｅｔ）、プロピル（Ｐｒ）、ｉｓｏ－プロピル（ｉＰｒ）、シクロプロピル（ｃＰｒ）、ブチル（Ｂｕ）、ｓｅｃ－ブチル（ｓＢｕ）、ｉｓｏ－ブチル（ｉＢｕ）、ｔｅｒｔ－ブチル（ｔＢｕ）、ペンチル（Ｐｅ）、ｔｅｒｔ－ペンチル（ｔＰｅ）、アリル（Ａｌｌ）、ビニル（Ｖｉ）、エチニルなどが挙げられる。

【0214】

いくつかの実施形態では、本明細書のいずれかの式（例えば、式（Ｉ）または（ＩＩ）の場合）中の少なくとも１つ、２つ、３つ、４つ、またはそれ以上のＲ’は、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族を含む。ヘテロ脂肪族基は、１つまたは複数の炭素原子および１つまたは複数のヘテロ原子（例えば、酸素、窒素など）を含む任意の基を含むことができる。

【0215】

非限定的なヘテロ脂肪族基には、脂肪族－カルボニル（例えば、アルカノイルまたは－Ｃ（Ｏ）Ｒ^Ak）、脂肪族－カルボニルオキシ（例えば、アルカノイルオキシまたは－ＯＣ（Ｏ）Ｒ^Ak）、脂肪族－オキシ（例えば、アルコキシまたは－ＯＲ^Ak）、脂肪族－オキシカルボニル（例えば、アルコキシカルボニルまたは－Ｃ（Ｏ）ＯＲ^Ak）、アミノ（例えば、－ＮＲ^N1Ｒ^N2）、芳香族－カルボニル（例えば、アリーロイルまたは－Ｃ（Ｏ）Ｒ^Ar）、芳香族－カルボニルオキシ（例えば、アリーロイルオキシまたは－ＯＣ（Ｏ）Ｒ^Ar）、芳香族－オキシ（例えば、アリールオキシまたは－ＯＲ^Ar）、芳香族－オキシカルボニル（例えば、アリールオキシカルボニルまたは－Ｃ（Ｏ）ＯＲ^Ar）、イミドイル（例えば、－Ｃ（ＮＲ^N1）Ｈ、－Ｃ（ＮＲ^N1）Ｒ^Ak、または－Ｃ（ＮＲ^N1）Ｒ^Ar）、カルバモイル（例えば、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^N1Ｒ^N2）、カルバモイルオキシ（例えば、－ＯＣ（Ｏ）ＮＲ^N1Ｒ^N2）、カルボキシル（－ＣＯ₂Ｈ）、ホルミル（－Ｃ（Ｏ）Ｈ）、ヘテロ芳香族、ヘテロシクリル（例えば、任意選択で置換されたフラニル、テトラヒドロフラニル、ピロリジニル、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、トリアゾリル、ピペリジニル、ピリジニル、ピリミジニル、ピリダジニル、ピラジニル、オキサゾリル、モルホリニルなど）、ヒドラジノ（例えば、－ＮＲ^N1－ＮＲ^N2Ｒ^N3）、シリル（例えば、－ＳｉＲ^S1Ｒ^S2Ｒ^S3）、およびシリルオキシ（例えば、－Ｏ－ＳｉＲ^S1Ｒ^S2Ｒ^S3）が挙げられる。これらの基の各々は、任意選択で、（例えば、アルキルに関して本明細書に記載のような）本明細書に記載のいずれかの置換基で置換することができる。ヘテロ脂肪族基は、それらの直鎖、分岐、環状（例えば、ヘテロシクリル）、飽和、または不飽和形態を含むことができる。

【0216】

ヘテロ脂肪族基は、Ｒ^Akおよび／またはＲ^Ar部分を含むことができる。いくつかの実施形態では、Ｒ^Akは、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、任意選択で置換されたシクロアルキル、任意選択で置換されたヘテロアルキル、任意選択で置換されたヘテロアルケニル、任意選択で置換されたヘテロアルキニル、または任意選択で置換されたヘテロシクリルである。他の実施形態において、Ｒ^Arは、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたアリール、または任意選択で置換されたヘテロアリールである。

【0217】

窒素含有基（例えば、アミノ、イミドイルなど）は、窒素原子に結合したＲ^N1、Ｒ^N2、および／またはＲ^N3部分を含むことができる。いくつかの実施形態では、Ｒ^N1、Ｒ^N2、およびＲ^N3の各々は、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたシリル、または任意選択で置換されたシリルオキシである。特定の実施形態では、Ｒ^N1およびＲ^N2またはＲ^N2およびＲ^N3は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができる。そのような窒素含有基は、シリル基またはシリルオキシ基内などの他の部分内に含めることができる。

【0218】

ケイ素含有基（例えば、シリルなど）は、ケイ素原子に結合したＲ^S1、Ｒ^S2、および／またはＲ^S3を含むことができる。いくつかの実施形態では、Ｒ^S1、Ｒ^S2、およびＲ^S3の各々は、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、または任意選択で置換されたアミノである。このようなケイ素含有基は、アミノ基などの他の部分内に含めることができる。

【0219】

いくつかの実施形態では、シリル基は、ケイ素原子に結合した１つまたは複数の脂肪族基を有するアルキルシリル基である。一例では、アルキルシリル基は、－Ｓｉ（Ｒ）_a（Ｒ^Ak）_bであり、Ｒは、独立して、Ｈ、芳香族、ヘテロ芳香族、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル（例えば、アミノシリル、アルコキシシリルなど）、シリルオキシ（例えば、アミノシリルオキシ、アルコキシシリルオキシなど）、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、Ｒ^Akは、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、任意選択で置換されたシクロアルキル、任意選択で置換されたヘテロアルキル、任意選択で置換されたヘテロアルケニル、任意選択で置換されたヘテロアルキニル、または任意選択で置換されたヘテロシクリルであり、ａ≧０、ｂ≧１、およびａ＋ｂ＝３である。さらに他の非限定的なアルキルシリル基には、－ＳｉＨ₂Ｒ^Ak、－ＳｉＨ［Ｒ^Ak］₂、または－Ｓｉ［Ｒ^Ak］₃が挙げられ、Ｒ^Akは、本明細書で提供されるいずれかである。

【0220】

いくつかの実施形態では、シリル基は、オキシ（－Ｏ－）基を介してケイ素原子に結合した１つまたは複数の脂肪族基を有するアルコキシシリル基である。一例では、アルコキシルシリル基は、－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ^Ak）_bであり、Ｒは、独立して、Ｈ、芳香族、ヘテロ芳香族、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル（例えば、アミノシリル、アルコキシシリルなど）、シリルオキシ（例えば、アミノシリルオキシ、アルコキシシリルオキシなど）、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、Ｒ^Akは、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、任意選択で置換されたシクロアルキル、任意選択で置換されたヘテロアルキル、任意選択で置換されたヘテロアルケニル、任意選択で置換されたヘテロアルキニル、または任意選択で置換されたヘテロシクリルであり、ａ≧０、ｂ≧１、およびａ＋ｂ＝３である。さらに他の非限定的なアルコキシシリル基には、－ＳｉＨ₂［ＯＲ^Ak］、－ＳｉＨ［ＯＲ^Ak］₂、または－Ｓｉ［ＯＲ^Ak］₃が挙げられ、Ｒ^Akは、本明細書に記載のいずれかである。

【0221】

他の実施形態では、シリル基は、ケイ素原子に結合した１つまたは複数の芳香族基を有するアリールシリル基である。一例では、アリールシリル基は、－Ｓｉ（Ｒ）_a（Ｒ^Ar）_bであり、Ｒは、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル（例えば、アミノシリル、アルコキシシリルなど）、シリルオキシ（例えば、アミノシリルオキシ、アルコキシシリルオキシなど）、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、Ｒ^Arは、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたアリール、または任意選択で置換されたヘテロアリールであり、ａ≧０、ｂ≧１、およびａ＋ｂ＝３である。さらに他の非限定的なアリールシリル基には、－ＳｉＨ₂Ｒ^Ar、－ＳｉＨ［Ｒ^Ar］₂、または－Ｓｉ［Ｒ^Ar］₃が挙げられ、Ｒ^Arは、本明細書に記載のいずれかである。

【0222】

さらに他の実施形態では、シリル基は、オキシ（－Ｏ－）基を介してケイ素原子に結合した１つまたは複数の芳香族基を有するアリールオキシシリル基である。一例では、アリールシリル基は、－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ^Ar）_bであり、Ｒは、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル（例えば、アミノシリル、アルコキシシリルなど）、シリルオキシ（例えば、アミノシリルオキシ、アルコキシシリルオキシなど）、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、Ｒ^Arは、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたアリール、または任意選択で置換されたヘテロアリールであり、ａ≧０、ｂ≧１、およびａ＋ｂ＝３である。さらに他の非限定的なアリールオキシシリル基には、－ＳｉＨ₂［ＯＲ^Ar］、－ＳｉＨ［ＯＲ^Ar］₂、または－Ｓｉ［ＯＲ^Ar］₃が挙げられ、Ｒ^Arは、本明細書に記載のいずれかである。

【0223】

シリル基はまた、ケイ素原子に結合した１つまたは複数の任意選択で置換されたアミノ基を有するアミノシリルを含むことができる。一例では、アミノシリル基は、－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＮＲ^N1Ｒ^N2）_bであり、Ｒは、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル（例えば、アミノシリル、アルコキシシリルなど）、シリルオキシ（例えば、アミノシリルオキシ、アルコキシシリルオキシなど）、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、Ｒ^N1およびＲ^N2の各々は、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたシリル、または任意選択で置換されたシリルオキシであり、Ｒ^N1およびＲ^N2は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができ、ａ≧０、ｂ≧１、およびａ＋ｂ＝３である。アミノシリル基のさらに他の非限定的な実施形態には、－ＳｉＨ₂［ＮＲ^N1Ｒ^N2］、－ＳｉＨ［Ｒ^Ak］［ＮＲ^N1Ｒ^N2］、－Ｓｉ［Ｒ^Ak］₂［ＮＲ^N1Ｒ^N2］、－ＳｉＨ［ＮＲ^N1Ｒ^N2］₂、－Ｓｉ［Ｒ^Ak］［ＮＲ^N1Ｒ^N2］₂、または－Ｓｉ［ＮＲ^N1Ｒ^N2］₃)、例えば－ＳｉＨ₂［ＮＨ₂］、－ＳｉＨＲ^Ak［ＮＨ₂］、－Ｓｉ［Ｒ^Ak］₂［ＮＨ₂］、－ＳｉＨ₂［ＮＨ（Ｒ^Ak）］、－ＳｉＨＲ^Ak［ＮＨ（Ｒ^Ak）］、－Ｓｉ［Ｒ^Ak］₂［ＮＨ（Ｒ^Ak）］、－ＳｉＨ₂［Ｎ（Ｒ^Ak）₂］、－ＳｉＨＲ^Ak［Ｎ（Ｒ^Ak）₂］、－Ｓｉ［Ｒ^Ak］₂［Ｎ（Ｒ^Ak）₂］、－ＳｉＨ［ＮＨ₂］₂、－ＳｉＲ^Ak［ＮＨ₂］₂、－ＳｉＨ［ＮＨ（Ｒ^Ak）］₂、－ＳｉＲ^Ak［ＮＨ（Ｒ^Ak）］₂、－ＳｉＨ［ＮＨ（Ｒ^Ak）］［ＮＨ₂］、－ＳｉＲ^Ak［ＮＨ（Ｒ^Ak）］［ＮＨ₂］、－ＳｉＨ［Ｎ（Ｒ^Ak）₂］₂、－ＳｉＲ^Ak［Ｎ（Ｒ^Ak）₂］₂、－ＳｉＨ［Ｎ（Ｒ^Ak）₂］［ＮＨ₂］、－ＳｉＲ^Ak［Ｎ（Ｒ^Ak）₂］［ＮＨ₂］、－Ｓｉ［ＮＨ₂］₃、－Ｓｉ［Ｎ（Ｒ^Ak）₂］［ＮＨ₂］₂、－Ｓｉ［Ｎ（Ｒ^Ak）₂］₂［ＮＨ₂］、－Ｓｉ［Ｎ（Ｒ^Ak）₂］₃、－Ｓｉ［ＮＨ（Ｒ^Ak）］［ＮＨ₂］₂、－Ｓｉ［ＮＨ（Ｒ^Ak）₂］₂［ＮＨ₂］、－Ｓｉ［ＮＨ（Ｒ^Ak）］₃、－Ｓｉ［ＮＨ（Ｒ^Ak）］［Ｎ（Ｒ^Ak）₂］₂、－Ｓｉ［ＮＨ（Ｒ^Ak）］₂［Ｎ（Ｒ^Ak）₂］などが挙げられ、Ｒ^Akは、任意選択で置換された脂肪族、ヘテロ脂肪族、アルキル、アルケニル、アルキニル、またはアルコキシであり、Ｒ^N1およびＲ^N2の各々は、本明細書に記載のいずれかである。

【0224】

いくつかの実施形態では、シリル基は、－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_cであり、各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、または任意選択で置換されたヘテロ芳香族であり、ａ、ｂ、およびｃの各々は、≧０であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝３である。特定の実施形態では、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアリール、任意選択で置換されたアルキル－アリール、または任意選択で置換されたアリール－アルキルである。

【0225】

他の実施形態では、本明細書のシリル基のいずれも、オキシ結合を介して親化合物に結合することができる。いくつかの実施形態では、シリルオキシ基は、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_cであり、各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、または任意選択で置換されたヘテロ芳香族であり、ａ、ｂ、およびｃの各々は、≧０であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝３である。特定の実施形態では、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアリール、任意選択で置換されたアルキル－アリール、または任意選択で置換されたアリール－アルキルである。さらに他の非限定的なシリルオキシ基には、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（Ｒ^Ak）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ^Ak）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（Ｒ^Ar）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ^Ar）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＮＲ^N1Ｒ^N2）_bが挙げられ、Ｒは、独立して、Ｈ、芳香族、ヘテロ芳香族、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル（例えば、アミノシリル、アルコキシシリルなど）、シリルオキシ（例えば、アミノシリルオキシ、アルコキシシリルオキシなど）、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、Ｒ^Akは、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、任意選択で置換されたシクロアルキル、任意選択で置換されたヘテロアルキル、任意選択で置換されたヘテロアルケニル、任意選択で置換されたヘテロアルキニル、または任意選択で置換されたヘテロシクリルであり、Ｒ^Arは、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたアリール、または任意選択で置換されたヘテロアリールであり、Ｒ^N1およびＲ^N2の各々は、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたシリル、または任意選択で置換されたシリルオキシであり、Ｒ^N1およびＲ^N2は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができ、ａ≧０、ｂ≧１、およびａ＋ｂ＝３である。さらに他の非限定的なシリルオキシ基には、アルキルシリルオキシ（例えば、－Ｏ－ＳｉＨ₂Ｒ^Ak、－Ｏ－ＳｉＨ［Ｒ^Ak］₂、または－Ｏ－Ｓｉ［Ｒ^Ak］₃）、アルコキシシリルオキシ（例えば、－Ｏ－ＳｉＨ₂［ＯＲ^Ak］、－Ｏ－ＳｉＨ［ＯＲ^Ak］₂、または－Ｏ－Ｓｉ［ＯＲ^Ak］₃）、アリールシリルオキシ（例えば、－Ｏ－ＳｉＨ₂Ｒ^Ar、－Ｏ－ＳｉＨ［Ｒ^Ar］₂、または－Ｏ－Ｓｉ［Ｒ^Ar］₃）、またはアリールオキシシリルオキシ（例えば、－Ｏ－ＳｉＨ₂［ＯＲ^Ar］、－Ｏ－ＳｉＨ［ＯＲ^Ar］₂、または－Ｏ－Ｓｉ［ＯＲ^Ar］₃）が挙げられる。いくつかの実施形態では、シリル基は、アミノシリルオキシ（例えば、－Ｏ－ＳｉＨ₂［ＮＲ^N1Ｒ^N2］、－Ｏ－ＳｉＨ［Ｒ^Ak］［ＮＲ^N1Ｒ^N2］、－Ｏ－Ｓｉ［Ｒ^Ak］₂［ＮＲ^N1Ｒ^N2］、－Ｏ－ＳｉＨ［ＮＲ^N1Ｒ^N2］₂、－Ｏ－Ｓｉ［Ｒ^Ak］［ＮＲ^N1Ｒ^N2］₂、または－Ｏ－Ｓｉ［ＮＲ^N1Ｒ^N2］₃）である。

【0226】

シリル基およびシリルオキシ基は、脂肪族基と芳香族基の混合組み合わせを有することができる。一例では、シリル基は、－Ｓｉ（Ｒ）_a（Ｒ^Ak）_b（Ｒ^Ar）_cまたは－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ^Ak）_b（ＯＲ^Ar）_cであり、Ｒは、独立して、Ｈ、芳香族、ヘテロ芳香族、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル（例えば、アミノシリル、アルコキシシリルなど）、シリルオキシ（例えば、アミノシリルオキシ、アルコキシシリルオキシなど）、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、Ｒ^Akは、任意選択で置換された脂肪族（例えば、任意選択で置換されたアルキル）または任意選択で置換されたヘテロ脂肪族（例えば、任意選択で置換されたアルコキシまたは任意選択で置換されたアミノ）であり、Ｒ^Arは、任意選択で置換された芳香族または任意選択で置換されたヘテロ芳香族であり、ａ、ｂ、およびｃの各々は、≧０であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝３である。

【0227】

別の例では、シリル基は、－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＮＲ^Ak ₂）_b、－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＮＲ^AkＲ^Ar）_b、または－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＮＲ^Ar ₂）_bであり、Ｒは、独立して、Ｈ、芳香族、ヘテロ芳香族、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル（例えば、アミノシリル、アルコキシシリルなど）、シリルオキシ（例えば、アミノシリルオキシ、アルコキシシリルオキシなど）、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、Ｒ^N1およびＲ^N2の各々は、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたシリル、または任意選択で置換されたシリルオキシであり、Ｒ^N1およびＲ^N2は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができ、ａおよびｂの各々は、≧０であり、ａ＋ｂ＝３である。

【0228】

さらに別の例では、シリルオキシ基は、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（Ｒ^Ak）_b（Ｒ^Ar）_c、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ^Ak）_b（ＯＲ^Ar）_c、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＮＲ^Ak ₂）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＮＲ^AkＲ^Ar）_b、または－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＮＲ^Ar ₂）_bであり、Ｒ、Ｒ^Ak、およびＲ^Arは、本明細書に記載のいずれかであり、ａ、ｂ、およびｃは、明細書に記載のいずれかである。

【0229】

いくつかの実施形態では、本明細書のいずれかの式（例えば、式（Ｉ）または（ＩＩ）の場合）中の少なくとも１つ、２つ、３つ、４つ、またはそれ以上のＲ’は、任意選択で置換された脂肪族－オキシ、ヘテロ脂肪族－オキシ、芳香族－オキシ、またはヘテロ芳香族－オキシを含む。例えば、Ｒ’は、－Ｏ－Ｒであり得、Ｒは、任意選択で置換された脂肪族（例えば、アルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、シクロアルケニル、またはシクロアルキニル）、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族（例えば、ヘテロアルキル、ヘテロアルケニル、ヘテロアルキニル、またはヘテロシクリル）、任意選択で置換された芳香族（例えば、アリール）、任意選択で置換されたヘテロ芳香族（例えば、ヘテロアリール）、任意選択で置換された脂肪族－カルボニル（例えば、アルカノイルまたはＣ（Ｏ）Ｒ^Ak、Ｒ^Akは、任意選択で置換された脂肪族または本明細書に記載のいずれかである）、任意選択で置換されたシリル（例えば、－ＳｉＲ^S1Ｒ^S2Ｒ^S3または－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_c、本明細書に記載のいずれかを含む）、または任意選択で置換されたアミノ（例えば、－ＮＲ^N1Ｒ^N2、本明細書に記載のいずれかを含む）である。

【0230】

特定の実施形態では、本明細書のいずれかの式（例えば、式（Ｉ）または（ＩＩ）の場合）中の少なくとも１つ、２つ、３つ、４つ、またはそれ以上のＲ’は、任意選択で置換された芳香族または任意選択で置換されたヘテロ芳香族を含む。非限定的な芳香族基およびヘテロ芳香族基には、フェニル、ベンジル、ナフチル、フラニル、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、トリアゾリル、ピリジニル、ピリミジニル、ピリダジニル、ピラジニル、オキサゾリルなどが挙げられる。

【0231】

特定の実施形態では、本明細書のいずれかの式（例えば、式（Ｉ）または（ＩＩ）の場合）中の少なくとも１つ、２つ、３つ、４つ、またはそれ以上のＲ’は、任意選択で置換されたアミノ（例えば、－ＮＨ₂、－ＮＲ^N1Ｈ、または－ＮＲ^N1Ｒ^N2）を含む。特定の実施形態では、Ｒ^N1およびＲ^N2の各々は、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたアミノ、ヒドロキシル、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルコキシ、任意選択で置換されたアリール、任意選択で置換されたアリールオキシ、任意選択で置換されたアルキル－アリール、任意選択で置換されたアリール－アルキル、任意選択で置換されたシリル、または任意選択で置換されたシリルオキシである。特定の実施形態では、Ｒ^N1およびＲ^N2は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができる。

【0232】

Ｒ^N1およびＲ^N2の非限定的な例には、Ｈ、脂肪族、アルキル（例えば、－Ｒ^Ak）、アルケニル、アルキニル、脂肪族カルボニル（例えば、アルカノイルまたは－Ｃ（Ｏ）Ｒ^Ak）、脂肪族－カルボニルオキシ（例えば、アルカノイルオキシまたは－ＯＣ（Ｏ）Ｒ^Ak）、脂肪族－オキシ（例えば、アルコキシまたは－ＯＲ^Ak）、脂肪族－オキシカルボニル（例えば、アルコキシカルボニルまたは－Ｃ（Ｏ）ＯＲ^Ak）、アミノ（例えば、－ＮＲ₂、各Ｒは、例えば、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、または任意選択で置換されたヘテロ芳香族である）、芳香族（例えば、アリールまたは－Ｒ^Ar）、芳香族－カルボニル（例えば、アリーロイルまたは－Ｃ（Ｏ）Ｒ^Ar）、芳香族－カルボニルオキシ（例えば、アリールオキシまたは－ＯＣ（Ｏ）Ｒ^Ar）、芳香族－オキシ（例えば、アリールオキシまたは－ＯＲ^Ar）、芳香族－オキシカルボニル（例えば、アリールオキシカルボニルまたは－Ｃ（Ｏ）ＯＲ^Ar）、イミドイル（例えば、－Ｃ（ＮＲ）Ｈ、－Ｃ（ＮＲ）Ｒ^Ak、または－Ｃ（ＮＲ）Ｒ^Ar、各Ｒは、例えば、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、または任意選択で置換されたヘテロ芳香族である）、カルバモイル（例えば、－Ｃ（Ｏ）ＮＲ₂、各Ｒは、例えば、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、または任意選択で置換されたヘテロ芳香族である）、カルバモイルオキシ（例えば、－ＯＣ（Ｏ）ＮＲ₂、各Ｒは、例えば、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、または任意選択で置換されたヘテロ芳香族である）、カルボキシル（－ＣＯ₂Ｈ）、ホルミル（－Ｃ（Ｏ）Ｈ）、ヘテロ芳香族、ヘテロシクリル（例えば、任意選択で置換されたフラニル、テトラヒドロフラニル、ピロリジニル、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、トリアゾリル、ピペリジニル、ピリジニル、ピリミジニル、ピリダジニル、ピラジニル、オキサゾリル、モルホリニルなど）、ヒドロキシル（－ＯＨ）、シリル（例えば、－ＳｉＲ^S1Ｒ^S2Ｒ^S3または－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_c）、およびシリルオキシ（例えば、－Ｏ－ＳｉＲ^S1Ｒ^S2Ｒ^S3または－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_c）が挙げられ得る。これらの基のいずれについても、示されている場合、Ｒ^Ak、Ｒ^Ar、Ｒ’、Ｒ、Ｒ^S1、Ｒ^S2、Ｒ^S3、ａ、ｂ、およびｃは、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0233】

さらに他の非限定的なアミノ基には、－ＮＨ₂、－ＮＨＭｅ、－ＮＭｅ₂、－ＮＨＥｔ、－ＮＭｅＥｔ、－ＮＥｔ、－ＮＨｎＰｒ、－ＮＭｅｎＰｒ、－ＮｎＰｒ₂、－ＮＨｉＰｒ、－ＮＭｅｉＰｒ、－ＮｉＰｒ₂、－ＮＨｓＢｕ、－ＮＭｅｓＢｕ、－ＮｓＢｕ₂、－ＮＨｔＢｕ、－ＮＭｅｔＢｕ、－ＮｔＢｕ₂、－Ｎ［ＳｉＨ₃］₂、－Ｎ［Ｓｉ（Ｍｅ）₃］₂、－Ｎ［Ｓｉ（Ｅｔ）₃］₂、－ＮＨ［ＳｉＨ₃］、－ＮＨ［Ｓｉ（Ｍｅ）₃］、－ＮＨ［Ｓｉ（Ｅｔ）₃］、－ＮＭｅ［ＳｉＨ₃］、－ＮＭｅ［Ｓｉ（Ｍｅ）₃］、－ＮＭｅ［Ｓｉ（Ｅｔ）₃］、－Ｎ［ＳｉＨ₂Ｍｅ］₂、－Ｎ［ＳｉＨＭｅ₂］₂、－Ｎ［ＳｉＨ₂Ｅｔ］₂、－Ｎ［ＳｉＨＥｔ₂］₂、－Ｎ［ＳｉＨＭｅＥｔ］₂、－ＮＨ［ＳｉＨ₂Ｍｅ］、－ＮＨ［ＳｉＨＭｅ₂］、－ＮＨ［ＳｉＨ₂Ｅｔ］、－ＮＨ［ＳｉＨＥｔ₂］₂、－ＮＨ［ＳｉＨＭｅＥｔ］、－ＮＭｅ［ＳｉＨ₂Ｍｅ］、－ＮＭｅ［ＳｉＨＭｅ₂］、－ＮＭｅ［ＳｉＨ₂Ｅｔ］、－ＮＭｅ［ＳｉＨＥｔ₂］₂、－ＮＭｅ［ＳｉＨＭｅＥｔ］などが挙げられる。

【0234】

特定の実施形態では、本明細書のいずれかの式（例えば、式（Ｉ）または（ＩＩ）の場合）中の少なくとも１つ、２つ、３つ、４つ、またはそれ以上のＲ’は、任意選択で置換されたヒドラジノ（例えば、－ＮＨ－ＮＨ₂または－ＮＲ^N1－ＮＲ^N2Ｒ^N3）を含む。特定の実施形態では、Ｒ^N1、Ｒ^N2、およびＲ^N3の各々は、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたアミノ、ヒドロキシル、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルコキシ、任意選択で置換されたアリール、任意選択で置換されたアリールオキシ、任意選択で置換されたアルキル－アリール、任意選択で置換されたアリール－アルキル、任意選択で置換されたシリル、または任意選択で置換されたシリルオキシである。特定の実施形態では、Ｒ^N1およびＲ^N2またはＲ^N2およびＲ^N3は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができる。さらに他の非限定的なヒドラジノ基には、－ＮＨ－ＮＨ₂、－ＮＭｅ－ＮＨ₂、－ＮＨ－ＮＨＭｅ、－ＮＨ－ＮＭｅ₂、－ＮＭｅ－ＮＭｅ₂、－ＮＥｔ－ＮＨ₂、－ＮＨ－ＮＨＥｔ、－ＮＨ－ＮＥｔ₂、－ＮＭｅ－ＮＥｔ₂などが挙げられる。

【0235】

いくつかの実施形態では、本明細書のいずれかの式（例えば、式（Ｉ）または（ＩＩ）の場合）中の少なくとも１つ、２つ、３つ、４つ、またはそれ以上のＲ’は、任意選択で置換されたシリルを含む。一実施形態では、シリルは、－ＳｉＲ^S1Ｒ^S2Ｒ^S3であり、Ｒ^S1、Ｒ^S2、およびＲ^S3の各々は、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたアミノ、任意選択で置換されたヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、任意選択で置換されたシリル、任意選択で置換されたシリルオキシ、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、任意選択で置換されたアルコキシ、任意選択で置換されたヘテロアルキル、任意選択で置換されたヘテロアルケニル、任意選択で置換されたヘテロアルキニル、任意選択で置換されたヘテロシクリル、任意選択で置換されたアリール、任意選択で置換されたアリールオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、イソシアノなどである。非限定的なシリル基には、本明細書に記載のいずれか、例えば－Ｓｉ（Ｒ）_a（Ｒ^Ak）_b、－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ^Ak）_b、－Ｓｉ（Ｒ）_a（Ｒ^Ar）_b、－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ^Ar）_b、－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＮＲ^N1Ｒ^N2）_b、－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_cなどが挙げられる。さらに他の非限定的なシリル基には、－ＳｉＨ₃、－ＳｉＨ₂Ｍｅ、－ＳｉＨＭｅ₂、－ＳｉＭｅ₃、－Ｓｉ（ＯＨ）₃、－ＳｉＨ₂（ＯＭｅ）、－ＳｉＨ（ＯＭｅ）₂、－Ｓｉ（ＯＭｅ）₃、－ＳｉＨ₂（ＮＨ₂）、－ＳｉＨＭｅ（ＮＨ₂）、－ＳｉＭｅ₂（ＮＨ₂）、－ＳｉＨ（ＮＨ₂）₂、－ＳｉＭｅ（ＮＨ₂）₂、－Ｓｉ（ＮＨ₂）₃、－ＳｉＨ₂（ＮＭｅ₂）、－ＳｉＨ₂（ＮＭｅ₂）、－ＳｉＨＭｅ（ＮＭｅ₂）、－Ｓｉ（Ｍｅ）₂（ＮＭｅ₂）₂、－ＳｉＭｅ（ＮＭｅ₂）₂、－Ｓｉ（ＮＭｅ₂）₃、－ＳｉＨ₂（ＮＨＭｅ）、－ＳｉＨＭｅ（ＮＨＭｅ）、－ＳｉＨ（ＮＨＭｅ）₂、－ＳｉＭｅ（ＮＨＭｅ）₂、－Ｓｉ（ＮＨＭｅ）₃などが挙げられる。

【0236】

他の実施形態では、本明細書のいずれかの式（例えば、式（Ｉ）または（ＩＩ）の場合）中の少なくとも１つ、２つ、３つ、４つ、またはそれ以上のＲ’は、任意選択で置換されたシリルオキシを含む。非限定的なシリルオキシ基には、本明細書に記載のいずれか、例えば－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（Ｒ^Ak）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ^Ak）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（Ｒ^Ar）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ^Ar）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＮＲ^N1Ｒ^N2）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_cなどが挙げられる。さらに他の非限定的なシリルオキシ基には、－Ｏ－ＳｉＨ₃、－Ｏ－ＳｉＨ₂Ｍｅ、－Ｏ－ＳｉＨＭｅ₂、－Ｏ－ＳｉＭｅ₃、－Ｏ－Ｓｉ（ＯＨ）₃、－Ｏ－ＳｉＨ₂（ＯＭｅ）、－Ｏ－ＳｉＨ（ＯＭｅ）₂、－Ｏ－Ｓｉ（ＯＭｅ）₃、－Ｏ－ＳｉＨ₂（ＮＨ₂）、－Ｏ－ＳｉＨＭｅ（ＮＨ₂）、－Ｏ－ＳｉＭｅ₂（ＮＨ₂）、－Ｏ－ＳｉＨ（ＮＨ₂）₂、－Ｏ－ＳｉＭｅ（ＮＨ₂）₂、－Ｏ－Ｓｉ（ＮＨ₂）₃、－Ｏ－ＳｉＨ₂（ＮＭｅ₂）、－Ｏ－ＳｉＨ₂（ＮＭｅ₂）、－Ｏ－ＳｉＨＭｅ（ＮＭｅ₂）、－Ｏ－Ｓｉ（Ｍｅ）₂（ＮＭｅ₂）₂、－Ｏ－ＳｉＭｅ（ＮＭｅ₂）₂、－Ｏ－Ｓｉ（ＮＭｅ₂）₃、－Ｏ－ＳｉＨ₂（ＮＨＭｅ）、－Ｏ－ＳｉＨＭｅ（ＮＨＭｅ）、－Ｏ－ＳｉＨ（ＮＨＭｅ）₂、－Ｏ－ＳｉＭｅ（ＮＨＭｅ）₂、－Ｏ－Ｓｉ（ＮＨＭｅ）₃などが挙げられる。

【0237】

さらに他の実施形態では、本明細書のいずれかの式（例えば、式（Ｉ）または（ＩＩ）の場合）中の少なくとも１つ、２つ、３つ、４つ、またはそれ以上のＲ’は、アジド（－Ｎ₃）、ヒドロキシル（－ＯＨ）、シアナト（－ＯＣＮ）、イソシアナト（－ＮＣＯ）、シアノ（－ＣＮ）、および／またはイソシアノ（－ＮＣ）を含む。

【0238】

有機ケイ素含有前駆体は、シラン、ジシラン、トリシラン、テトラシラン、前述のシランのいずれかのアミン置換バージョン、およびトリシリルアミンからなる群から選択されてもよい。

【0239】

有機ケイ素含有前駆体の例には、限定はしないが、シラン、ポリシラン、ハロシラン、およびアミノシランが挙げられる。シランは、水素基および／または炭素基を含むが、ハロゲンを含まない。ポリシランは、式（Ｈ₃Ｓｉ－（ＳｉＨ₂）_n－ＳｉＨ₃）を有し得、ｎ≧１である。シランの例には、シラン（ＳｉＨ₄）、ジシラン（Ｓｉ₂Ｈ₆）、トリシラン、テトラシラン、およびオルガノシラン、例えばメチルシラン、エチルシラン、イソプロピルシラン、ｔ－ブチルシラン、ジメチルシラン、ジエチルシラン、ジ－ｔ－ブチルシラン、アリルシラン、ｓｅｃ－ブチルシラン、テキシルシラン、イソアミルシラン、ｔ－ブチルジシラン、ジ－ｔ－ブチルジシラン、テトラ－エチル－オルト－シリケート（テトラ－エトキシ－シランまたはＴＥＯＳとしても知られる）などが挙げられる。

【0240】

アミノシランは、ケイ素原子に結合した少なくとも１つの窒素原子を含むが、水素、酸素、ハロゲン、および炭素も含み得る。アミノシランの例は、モノアミノシラン、ジアミノシラン、トリアミノシラン、およびテトラアミノシラン（それぞれ、Ｈ₃Ｓｉ（ＮＨ₂）₄、Ｈ₂Ｓｉ（ＮＨ₂）₂、ＨＳｉ（ＮＨ₂）₃、およびＳｉ（ＮＨ₂）₄）、ならびに置換モノアミノシラン、置換ジアミノシラン、置換トリアミノシラン、および置換テトラアミノシラン、例えば、ｔ－ブチルアミノシラン、メチルアミノシラン、ｔｅｒｔ－ブチルシランアミン、ビス（ターシャリーブチルアミノ）シラン（ＳｉＨ₂（ＮＨＣ（ＣＨ₃）₃）₂（ＢＴＢＡＳ）、ｔｅｒｔ－ブチルシリルカルバメート、ＳｉＨ（ＣＨ₃）－（Ｎ（ＣＨ₃）₂）₂、ＳｉＨＣｌ－（Ｎ（ＣＨ₃）₂）₂、（Ｓｉ（ＣＨ₃）₂ＮＨ）₃、ジ（ｓｅｃ－ブチルアミノ）シラン（ＤＳＢＡＳ）、ジ（イソプロピルアミド）シラン（ＤＩＰＡＳ）、ビス（ジエチルアミノ）シラン（ＢＤＥＡＳ）などである。アミノシランのさらなる例は、トリシリルアミン（Ｎ（ＳｉＨ₃）₃）である。

【0241】

炭化ケイ素を堆積するためのケイ素含有前駆体の例には、シロキサン、アルキルシランもしくは炭化水素置換シラン、または窒素含有炭素含有反応剤が挙げられる。シロキサンの例には、２，４，６，８－テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）、ヘプタメチルシクロテトラシロキサン（ＨＭＣＴＳ）、シルセスキオキサン、ジシロキサン、例えばペンタメチルジシロキサン（ＰＭＤＳＯ）またはテトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）、およびトリシロキサン、例えばヘキサメチルトリシロキサンまたはヘプタメチルトリシロキサンが挙げられる。アルキルシランは、１つまたは複数のアルキル基が結合し、かつ１つまたは複数の水素原子が結合した中心ケイ素原子を含む。いくつかの実施形態では、アルキル基のいずれかの１つまたは複数は、１～５個の炭素原子を含む。炭化水素基は、飽和または不飽和であってもよい（例えば、アルケン（例えば、ビニル）、アルキン、および芳香族基）。例には、限定はしないが、トリメチルシラン（３ＭＳ）、トリエチルシラン、ペンタメチルジシラメタン（（ＣＨ₃）₂Ｓｉ－ＣＨ₂－Ｓｉ（ＣＨ₃）₃）、およびジメチルシラン（２ＭＳ）が挙げられる。加えて、モノシランの代わりに、ジシラン、トリシラン、または他の高級シランが使用されてもよい。いくつかの実施形態では、ケイ素原子のうちの１つは、結合した炭素含有基または炭化水素基を有することができ、ケイ素原子のうちの１つは、結合した水素原子を有することができる。窒素を含む例示的な炭素含有反応剤には、テトラメチルジシラザンおよびヘキサメチルトリシラザンなどのメチル置換ジシラザンおよびトリシラザンが挙げられる。

【0242】

有機ケイ素含有前駆体のさらに他の例には、シロキサン、例えばヘプタメチルシクロテトラシロキサン（ＨＭＣＴＳ）およびテトラメチルシクロテトラシロキサンなどのシクロテトラシロキサンが挙げられ得る。他の環状シロキサンにはまた、限定はしないが、シクロトリシロキサンおよびシクロペンタシロキサンが挙げられ得る。適切な前駆体の他の例には、限定はしないが、ジシロキサンなどの直鎖シロキサン、例えばペンタメチルジシロキサン（ＰＭＤＳＯ）、テトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）、ヘキサメチルトリシロキサン、およびヘプタメチルトリシロキサンが挙げられる。非ドープ炭化ケイ素の場合、適切な前駆体の例には、例えば、１～５個の炭素原子を含む１つまたは複数のアルキル基、アルケン基、および／またはアルキン基で置換されたモノシランが挙げられる。例には、限定はしないが、トリメチルシラン（３ＭＳ）、ジメチルシラン（２ＭＳ）、トリエチルシラン（ＴＥＳ）、およびペンタメチルジシラメタンが挙げられる。加えて、モノシランの代わりに、ジシラン、トリシラン、または他の高級シランが使用されてもよい。アルキルシランクラスからのそのようなジシランの１つの一例は、ヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）である。アルキルシランクラスからのジシランの別の例には、ペンタメチルジシラン（ＰＭＤＳ）が挙げられ得る。他のタイプのアルキルシランには、ケイ素原子に結合した炭素ならびにケイ素原子に結合したアルキル基を有する分岐ポリマー構造を有することができるアルキルカルボシランが挙げられ得る。例には、ジメチルトリメチルシリルメタン（ＤＴＭＳＭ）およびビス－ジメチルシリルエタン（ＢＤＭＳＥ）が挙げられる。他の適切な前駆体の例には、例えば、アルキルジシラザン、および場合によっては、１つまたは複数のケイ素原子に別々に結合したアミノ（－ＮＨ₂）基およびアルキル基を含む化合物が挙げられる。アルキルジシラザンは、シリザンと、２つのケイ素原子に結合したアルキル基とを含む。一例には、１，１，３，３－テトラメチルジシラザン（ＴＭＤＳＮ）が挙げられる。

【0243】

本明細書に記載のＳｉ含有前駆体では、異なる種類のＲ’をケイ素原子に結合させることができる。さらなるＳｉ含有前駆体については、本明細書で説明される。

【0244】

アミノシラン
ケイ素含有前駆体は、１つまたは複数の任意選択で置換されたアミノ基を含むことができ、それによって非限定的なアミノシランが提供される。一実施形態では、前駆体は、（Ｒ’）_4-xＳｉ（ＮＲ’’₂）_xの式を有し、
ｘは、１、２、３、または４であり、
各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、脂肪族－カルボニル、脂肪族－カルボニルオキシ、脂肪族－オキシ、脂肪族－オキシカルボニル、ヘテロ脂肪族、ヘテロ脂肪族－カルボニル、ヘテロ脂肪族－カルボニルオキシ、ヘテロ脂肪族－オキシ、ヘテロ脂肪族－オキシカルボニル、芳香族、芳香族－カルボニル、芳香族－カルボニルオキシ、芳香族－オキシ、芳香族－オキシカルボニル、ヘテロ芳香族、ヘテロ芳香族－オキシ、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、
各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、またはアミノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、または任意選択で２つのＲ’’は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができる。

【0245】

別の実施形態では、前駆体は、（Ｒ’’₂Ｎ）_x（Ｒ’）_3-xＳｉ－Ｌ－Ｓｉ（Ｒ’）_3-x（ＮＲ’’ ₂）_xの式を有し、
各ｘは、独立して、０、１、２、または３であり、
Ｌは、リンカー、例えば共有結合、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、オキシ（－Ｏ－）、イミノ、またはシリルであり、
各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、脂肪族－カルボニル、脂肪族－カルボニルオキシ、脂肪族－オキシ、脂肪族－オキシカルボニル、ヘテロ脂肪族、ヘテロ脂肪族－カルボニル、ヘテロ脂肪族－カルボニルオキシ、ヘテロ脂肪族－オキシ、ヘテロ脂肪族－オキシカルボニル、芳香族、芳香族－カルボニル、芳香族－カルボニルオキシ、芳香族－オキシ、芳香族－オキシカルボニル、ヘテロ芳香族、ヘテロ芳香族－オキシ、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、
各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、またはアミノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、または任意選択で２つのＲ’’は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができる。

【0246】

特定の実施形態では、Ｌは、－ＮＲ－などの任意選択で置換されたイミノであり、Ｒは、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、または任意選択で置換された芳香族である。他の実施形態では、Ｌは、－ＳｉＲ₂－などの任意選択で置換されたシリルであり、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、または任意選択で置換された芳香族である。

【0247】

一例では、少なくとも１つのｘは、０ではない。別の実施形態では、ｘは、０とすることができる（例えば、Ｌが炭素原子またはヘテロ原子を含む場合）。さらに別の実施形態では、ｘは、０であり、および／またはＬは、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキレン、任意選択で置換されたアルケニレン、任意選択で置換されたアルキニレン、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換されたヘテロアルキレン、任意選択で置換されたヘテロアルケニレン、任意選択で置換されたヘテロアルキニレン、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたアリーレン、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたヘテロアリーレン、オキシ（－Ｏ－）、イミノ、またはシリルを含む。

【0248】

特定の実施形態では、少なくとも１つのＲ’またはＲ’’は、Ｈではない。前駆体は、１つまたは複数のケイ素原子に結合したＲ’基とアミノ基（ＮＲ’’₂）の任意の有用な組み合わせを有することができる。

【0249】

いくつかの実施形態では、Ｒ’は、Ｈ、任意選択で置換されたアミノ（例えば、－ＮＲ₂）、脂肪族－オキシ（例えば、アルコキシまたは－ＯＲ）、脂肪族－カルボニル（例えば、アルカノイルまたは－Ｃ（Ｏ）Ｒ）、脂肪族－カルボニルオキシ（例えば、アルカノイルオキシまたは－ＯＣ（Ｏ）Ｒ）、脂肪族－オキシカルボニル（例えば、アルコキシカルボニルまたは－Ｃ（Ｏ）ＯＲ）、シリル（例えば、－ＳｉＲ₃）、脂肪族－オキシ－シリル（例えば、アルコキシシリルまたは－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b）、アミノシリル（例えば、－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＮＲ₂）_b）、シリルオキシ（例えば、－Ｏ－ＳｉＲ₃）、脂肪族－オキシ－シリルオキシ（例えば、アルコキシシリルオキシまたは－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b）、アミノシリルオキシ（例えば、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＮＲ₂）_b）、芳香族（例えば、アリール）、芳香族－オキシ（例えば、アリールオキシまたは－ＯＲ）、ヒドロキシル（－ＯＨ）、ホルミル（－Ｃ（Ｏ）Ｈ）などである。特定の実施形態では、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたアリール、および任意選択で置換されたヘテロ芳香族であり、ａ≧０、ｂ≧１、およびａ＋ｂ＝３である。いくつかの実施形態では、２つのＲ基は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができる。他の実施形態では、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、または任意選択で置換されたアリールである。

【0250】

他の実施形態では、Ｒ’’は、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたシリル、または任意選択で置換されたシリルオキシである。いくつかの実施形態では、Ｒ’’は、任意選択で置換されたアルキル（例えば、Ｍｅ、Ｅｔ、ｎＰｒ、ｉＰｒ、ｓＢｕ、またはｔＢｕ）である。他の実施形態では、Ｒ’’は、－ＳｉＲ’ ₃、－ＳｉＲ₃、－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b、－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b、－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＮＲ₂）_b、－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＮＲ₂）_b、－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_c、－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_c、－Ｏ－ＳｉＲ’ ₃、－Ｏ－ＳｉＲ₃、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＮＲ₂）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’ａ（ＮＲ₂）_b）、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_c、または－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_cであり、各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、または任意選択で置換されたヘテロ芳香族であり、ａ、ｂ、およびｃの各々は、≧０であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝３またはａ＋ｂ＝３（ｃが存在しない場合）である。特定の実施形態では、Ｒは、Ｈ、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、または任意選択で置換されたアルキニルである。

【0251】

前駆体は、ケイ素原子に結合した少なくとも１つのＲ’基を含むことができる。一実施形態では、前駆体は、（Ｒ’）（Ｈ）_3-xＳｉ（ＮＲ’’₂）_xの式を有し、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができ、ｘは、１、２、または３である。別の実施形態では、前駆体は、（Ｒ’）（Ｈ）₂Ｓｉ（ＮＲ’’₂）の式を有し、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。一実施形態では、前駆体は、（Ｒ’）（Ｈ）Ｓｉ（ＮＲ’’₂）₂の式を有し、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。別の実施形態では、前駆体は、（Ｒ’）₂（Ｈ）Ｓｉ（ＮＲ’’₂）の式を有し、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。さらに別の実施形態では、前駆体は、（Ｒ’）₂Ｓｉ（ＮＲ’’ ₂）₂の式を有し、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。一実施形態では、前駆体は、（Ｒ’）₃Ｓｉ（ＮＲ’’ ₂）の式を有し、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0252】

前駆体は、ケイ素原子に結合したＲ’基を欠いている場合がある。一実施形態では、前駆体は、（Ｈ）_4-xＳｉ（ＮＲ’’ ₂）_xの式を有し、各Ｒ’’は、独立して、本明細書に記載のいずれかとすることができ、ｘは、１、２、３、または４である。別の実施形態では、前駆体は、Ｓｉ（ＮＲ’’ ₂）_xの式を有し、各Ｒ’’は、独立して、本明細書に記載のいずれかとすることができる。特定の実施形態では、各Ｒ’’は、独立して、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、またはヘテロ芳香族である。

【0253】

前駆体は、ケイ素原子に結合した１つまたは複数の水素原子を含むことができる。一実施形態では、前駆体は、（Ｈ）₃Ｓｉ（ＮＲ’’_２）、（Ｈ）₂Ｓｉ（ＮＲ’’₂）₂、または（Ｈ）Ｓｉ（ＮＲ’’₂）₃の式を有し、各Ｒ’’は、独立して、本明細書に記載のいずれかとすることができる。特定の実施形態では、各Ｒ’’は、独立して、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、またはアミノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよい。

【0254】

前駆体は、窒素原子を有するヘテロシクリル基を含むことができる。一実施形態では、式は、Ｈ₃Ｓｉ－Ｈｅｔの式を有し、Ｈｅｔは、少なくとも１つの窒素原子を含む任意選択で置換されたヘテロシクリルである。特定の実施形態では、前駆体は、以下の化学式１の式を有し、ヘテロシクリル基は、任意選択で置換することができ（例えば、アルキルについての置換基として本明細書に記載のいずれかの置換基で）、ｎは、１、２、３、４、または５である。一実施形態では、式は、Ｒ’ ₃Ｓｉ－Ｈｅｔの式を有し、Ｈｅｔは、少なくとも１個の窒素原子を含む任意選択で置換されたヘテロシクリルであり、各Ｒ’は、独立して、本明細書に記載のいずれかとすることができる。特定の実施形態では、前駆体は、以下の化学式２の式を有し、ヘテロシクリル基は、任意選択で置換することができ（例えば、アルキルについての置換基として本明細書に記載のいずれかの置換基で）、各Ｒ’は、独立して、本明細書に記載のいずれかとすることができ、ｎは、１、２、３、４、または５である。

【化1】

【化2】

【0255】

場合によっては、前駆体は、２つ以上のケイ素原子を有することができ、前駆体は、Ｓｉ－Ｓｉ結合を含むことができる。特定の実施形態では、前駆体は、（Ｒ’’₂Ｎ）_x（Ｒ’）_3-xＳｉ－Ｓｉ（Ｒ’）_3-x（ＮＲ’’₂）_xの式を有し、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。一実施形態では、前駆体は、（Ｒ’’₂Ｎ）（Ｒ’）₂Ｓｉ－Ｓｉ（Ｒ’）₂（ＮＲ’’₂）の式を有し、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。別の実施形態では、前駆体は、（Ｒ’’ ₂Ｎ）₂（Ｒ’）Ｓｉ－Ｓｉ（Ｒ’）（ＮＲ’’₂）₂の式を有し、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。さらに別の実施形態では、前駆体は、（Ｒ’’₂Ｎ）₃Ｓｉ－Ｓｉ（ＮＲ’’₂）₃の式を有し、各Ｒ’’は、独立して、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0256】

前駆体は、ケイ素原子に結合した異なる基を含むことができる。一例では、前駆体は、（Ｒ’’₂Ｎ）_x（Ｒ’）_3-xＳｉ－ＳｉＨ₃の式を有し、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0257】

リンカーは、２つのケイ素原子の間に存在することができる。一例では、前駆体は、（Ｒ’’ ₂Ｎ）_x（Ｒ’）_3-xＳｉ－ＮＲ－Ｓｉ（Ｒ’）_3-x（ＮＲ’’ ₂）_xの式を有し、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができ、Ｒは、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、または任意選択で置換された芳香族である。別の例では、前駆体は、（Ｒ’’₂Ｎ）_x（Ｈ）_3-xＳｉ－ＮＲ－Ｓｉ（Ｈ）_3-x（ＮＲ’’₂）_xの式を有し、Ｒ、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0258】

前駆体は、Ｒ’基とヘテロ原子を有するリンカーの組み合わせを含むことができる。一例では、前駆体は、（Ｒ’）₃Ｓｉ－ＮＲ－Ｓｉ（Ｒ’）₃の式を有し、ＲおよびＲ’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。別の例では、前駆体は、（Ｒ’）₃Ｓｉ－Ｌ－Ｓｉ（Ｒ’）₃の式を有し、ＬおよびＲ’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。特定の実施形態では、Ｌは、オキシ（－Ｏ－）、任意選択で置換されたイミノ（例えば、－ＮＲ－）、または任意選択で置換されたシリル（例えば、－ＳｉＲ₂－）である。

【0259】

前駆体は、２つのケイ素原子と組み合わせたＲ’基およびＮＲ’’₂基の任意の有用な組み合わせを含むことができる。一例では、前駆体は、（Ｒ’’₂Ｎ）（Ｒ’）₂Ｓｉ－Ｌ－Ｓｉ（Ｒ’）₂（ＮＲ’’₂）_xの式を有し、Ｌ、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0260】

前駆体は、ケイ素原子および窒素原子を含むヘテロ環基を含むことができる。一実施形態では、前駆体は、以下の化学式３の式を有し、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができ、ｎは、１、２、３、または４である。

【化3】

【0261】

別の実施形態では、前駆体は、以下の化学式４の式を有し、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができ、ｎは、１、２、３、または４である。さらに別の実施形態では、前駆体は、化学式５の式を有し、各Ｒ’’は、独立して、本明細書に記載のいずれかとすることができ、ｎは、１、２、３、または４である。別の実施形態では、前駆体は、化学式６の式を有し、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができ、ｎは、１、２、３、または４である。さらに別の実施形態では、前駆体は、化学式７の式を有し、Ｒ’’は、独立して、本明細書に記載のいずれかとすることができ、ｎは、１、２、３、または４である。

【化4】

【化5】

【化6】

【化7】

【0262】

本明細書のいずれかの前駆体において、２つのＲ’’は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができる。

【0263】

前駆体は、以下のいずれか、例えば、（Ｒ^Ak）Ｓｉ（ＮＨ₂）（ＮＲ^Ak ₂）₂、（Ｒ^Ak）Ｓｉ（ＮＲ^Ak ₂）₃、（Ｒ^Ak）₂Ｓｉ（ＮＨＲ^Ak ₂）₂、（Ｒ^Ak）（Ｈ）Ｓｉ（ＮＨＲ^Ak）₂、（Ｒ^Ak）₃Ｓｉ（ＮＲ^Ak ₂）、（Ｒ^Ak）₃Ｓｉ（ＮＨＲ^Ak）、Ｈ₂Ｓｉ（ＮＨＲ^Ak ₂）₂、（Ｒ^Ak）（Ｈ）Ｓｉ（ＮＲ^Ak ₂）₂、ＨＳｉ（ＮＨ₂）（ＮＲ^Ak ₂）₂、ＨＳｉ（ＮＲ^Ak ₂）₃、Ｓｉ（ＮＲ^Ak ₂）₄、（Ｒ’）（Ｈ）Ｓｉ（ＮＲ’’₂）₂、（Ｒ’）₂Ｓｉ（ＮＲ^Ak ₂）₂、（Ｒ’）₂Ｓｉ（Ｎ［ＳｉＨ₃］₂）₂、（Ｒ’）₂Ｓｉ（Ｎ［ＳｉＲ’’₃］₂）₂、または（Ｒ’）₃Ｓｉ（ＮＨＲ^Ak）を含むことができる。いくつかの実施形態では、Ｒ’およびＲ’’の各々は、独立して、本明細書に記載のいずれかとすることができる（例えば、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、または任意選択で置換されたアルキニル）。他の実施形態では、各Ｒ^Akは、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、または任意選択で置換されたアルキニルである。特定の実施形態では、Ｒ^Akは、メチル（Ｍｅ）、エチル（Ｅｔ）、ｎ－プロピル（ｎＰｒ）、ｉｓｏ－プロピル（ｉＰｒ）、ｎ－ブチル（ｎＢｕ）、ｓｅｃ－ブチル（ｓＢｕ）、ｉｓｏ－ブチル（ｉＢｕ）、ｔｅｒｔ－ブチル（ｔＢｕ）などである。

【0264】

前駆体の非限定的な例には、以下のいずれかが挙げられる：メチルアミノトリメチルシラン（ＳｉＭｅ₃［ＮＨＭｅ］）、ジメチルアミノジメチルシラン（ＳｉＭｅ₂Ｈ［ＮＭｅ₂］）、ジメチルアミノトリメチルシラン（ＳｉＭｅ₃［ＮＭｅ₂］）、ジメチルアミノジエチルシラン（ＳｉＨＥｔ₂［ＮＭｅ₂］）、ジメチルアミノトリエチルシラン（ＳｉＥｔ₃［ＮＭｅ₂］）、エチルメチルアミノジメチルシラン（ＳｉＨＭｅ₂［ＮＭｅＥｔ］）、エチルメチルアミノトリメチルシラン（ＳｉＭｅ₃［ＮＭｅＥｔ］）、エチルメチルアミノトリエチルシラン（ＳｉＨＥｔ₂［ＮＭｅＥｔ］）、エチルメチルアミノトリエチルシラン（ＳｉＥｔ₃［ＮＭｅＥｔ］）、ジエチルアミノメチルシラン（ＳｉＨ₂Ｍｅ［ＮＥｔ₂］）、ジエチルアミノエチルシラン（ＳｉＨ₂Ｅｔ［ＮＥｔ₂］）、エチルアミノトリメチルシラン（ＳｉＭｅ₃［ＮＨＥｔ］）、ジエチルアミノジメチルシラン（ＳｉＨＭｅ₂［ＮＥｔ₂］）、ジエチルアミノジエチルシラン（ＳｉＨＥｔ₂［ＮＥｔ₂］）、ジエチルアミノトリメチルシラン（ＳｉＭｅ₃［ＮＥｔ₂］）、ジエチルアミノトリエチルシラン（ＳｉＥｔ₃［ＮＥｔ₂］）、ｉｓｏ－プロピルアミノジメチルシラン（ＳｉＨＭｅ₂［ＮＨｉＰｒ］）、ｉｓｏ－プロピルアミノトリメチルシラン（ＳｉＭｅ₃［ＮＨｉＰｒ］）、ｉｓｏ－プロピルアミノジエチルシラン（ＳｉＨＥｔ₂［ＮＨｉＰｒ］）、ｉｓｏ－プロピルアミノトリエチルシラン（ＳｉＥｔ₃［ＮＨｉＰｒ］）、ジ－イソプロピルアミノトリメチルシラン（ＳｉＭｅ₃［ＮｉＰｒ₂］）、ジ－ｉｓｏ－プロピルアミノシラン（ＳｉＨ₃［ＮｉＰｒ₂］、Ｃ₆Ｈ₁₇ＮＳｉ、またはＤＩＰＡＳ）、ジ－ｉｓｏ－プロピルアミノメチルシラン（ＳｉＨ₂Ｍｅ［ＮｉＰｒ₂］）、ジ－イソプロピルアミノジメチルシラン（ＳｉＨＭｅ₂［ＮｉＰｒ₂］）、ジ－イソプロピルアミノトリエチルシラン（ＳｉＨＥｔ₂［ＮｉＰｒ₂］）、ジ－イソプロピルアミノトリエチルシラン（ＳｉＥｔ₃［ＮｉＰｒ₂］）、ｎ－プロピルアミノトリメチルシラン（ＳｉＭｅ₃［ＮＨｎＰｒ］）、ジ－ｓｅｃ－ブチルアミノシラン（ＳｉＨ₃［ＮｓＢｕ₂］またはＤＳＢＡＳ）、ジ－ｓｅｃ－ブチルアミノメチルシラン（ＳｉＨ₂Ｍｅ［ＮｓＢｕ₂］）、ｉｓｏ－ブチルアミノトリメチルシラン（ＳｉＭｅ₃［ＮＨｉＢｕ］）、ｎ－ブチルアミノトリメチルシラン（ＳｉＭｅ₃［ＮＨｎＢｕ］）、ｔｅｒｔ－ブチルアミノジメチルシラン（ＳｉＨＭｅ₂［ＮＨｔＢｕ］）、ｔｅｒｔ－ブチルアミノトリメチルシラン（ＳｉＭｅ₃［ＮＨｔＢｕ］）、ｔｅｒｔ－ブチルアミノジエチルシラン（ＳｉＨＥｔ₂［ＮＨｔＢｕ］）、ｔｅｒｔ－ブチルアミノトリエチルシラン（ＳｉＥｔ₃［ＮＨｔＢｕ］）、ジシクロヘキシルアミノシラン（ＳｉＨ₃［ＮＣｙ₂］、Ｃｙは、シクロヘキシルである）、Ｎ－プロピルイソプロピルアミノシラン（ＳｉＨ₃［ＮｉＰｒｎＰｒ］）、Ｎ－メチルシクロヘキシルアミノシラン（ＳｉＨ₃［ＮＭｅＣｙ］）、Ｎ－エチルシクロヘキシルアミノシラン（ＳｉＨ₃［ＮＥｔＣｙ］）、アリルフェニルアミノシラン（ＳｉＨ₃［ＮＡｌｌＰｈ］）、Ｎ－イソプロピルシクロヘキシルアミノシラン（ＳｉＨ₃［ＮｉＰｒＣｙ］）、アリルシクロペンチルアミノシラン（ＳｉＨ₃［ＮＡｌｌＣｐ］）、フェニルシクロヘキシルアミノシラン（ＳｉＨ₃［ＮＨＣｙ］）、シクロヘキシルアミノトリメチルシラン（ＳｉＭｅ₃［ＮＨＣｙ］、Ｃｙは、シクロヘキシルである）、ピロリルトリメチルシラン（ＳｉＭｅ₃［ＮＨＰｙ］、Ｐｙは、ピロリルである）、ピロリジノトリメチルシラン（ＳｉＭｅ₃［ＮＨＰｙｒ］、Ｐｙｒは、ピロリンジルである）、ピペリジノトリメチルシラン（ＳｉＭｅ₃［ＮＨＰｉｐ］、Ｐｉｐは、ピペリジニルである）、ピペラジノトリメチルシラン（ＳｉＭｅ₃［ＮＨＰｚ］、Ｐｚは、ピペラジニルである）、イミダゾリルトリメチルシラン（ＳｉＭｅ₃［ＮＨＩｍ］、Ｉｍは、イミダゾリルである）、ビス（ジメチルアミノ）シラン（ＳｉＨ₂［ＮＭｅ₂］₂またはＢＤＭＡＳ）、ビス（ジメチルアミノ）メチルシラン（ＳｉＭｅＨ［ＮＭｅ₂］₂）、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン（ＳｉＭｅ₂［ＮＭｅ₂］₂またはＢＤＭＡＤＭＳ）、ビス（ジメチルアミノ）ジエチルシラン（ＳｉＥｔ₂［ＮＭｅ₂］₂）、ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン（ＳｉＭｅＶｉ［ＮＭｅ₂］₂）、ビス（エチルアミノ）ジメチルシラン（ＳｉＭｅ₂［ＮＨＥｔ］₂）、ビス（エチルメチルアミノ）シラン（ＳｉＨ₂［ＮＭｅＥｔ］₂）、ビス（エチルメチルアミノ）ジメチルシラン（ＳｉＭｅ₂［ＮＭｅＥｔ］₂）、ビス（エチルメチルアミノ）ジエチルシラン（ＳｉＥｔ₂［ＮＭｅＥｔ］₂）、ビス（エチルメチルアミノ）メチルビニルシラン（ＳｉＭｅＶｉ［ＮＭｅＥｔ］₂）、ビス（ジエチルアミノ）シラン（ＳｉＨ₂［ＮＥｔ₂］₂、Ｃ８Ｈ₂２Ｎ₂Ｓｉ、またはＢＤＥＡＳ）、ビス（ジエチルアミノ）ジメチルシラン（ＳｉＭｅ₂［ＮＥｔ₂］₂）、ビス（ジエチルアミノ）メチルビニルシラン（ＳｉＭｅＶｉ［ＮＥｔ₂］₂）、ビス（ジエチルアミノ）ジエチルシラン（ＳｉＥｔ₂［ＮＥｔ₂］₂）、ビス（ｉｓｏ－プロピルアミノ）ジメチルシラン（ＳｉＭｅ₂［ＮＨｉＰｒ］₂）、ビス（ｉｓｏ－プロピルアミノ）ジエチルシラン（ＳｉＥｔ₂［ＮＨｉＰｒ］₂）、ビス（ｉｓｏ－プロピルアミノ）メチルビニルシラン（ＳｉＭｅＶｉ［ＮＨｉＰｒ］₂）、ビス（ジ－ｉｓｏ－プロピルアミノ）シラン（ＳｉＨ₂［ＮｉＰｒ₂］₂）、ビス（ジ－ｉｓｏ－プロピルアミノ）ジメチルシラン（ＳｉＭｅ₂［ＮｉＰｒ₂］₂）、ビス（ジ－ｉｓｏ－プロピルアミノ）ジエチルシラン（ＳｉＥｔ₂［ＮｉＰｒ₂］₂）、ビス（ジ－ｉｓｏ－プロピルアミノ）メチルビニルシラン（ＳｉＭｅＶｉ［ＮｉＰｒ₂］₂）、ビス（メチルアミノ）シラン（ＳｉＨ₂［ＮＨＭｅ］₂）、ビス（ｓｅｃ－ブチルアミノ）シラン（ＳｉＨ₂［ＮＨｓＢｕ］₂）、ビス（ｓｅｃ－ブチルアミノ）メチルシラン（ＳｉＨＭｅ［ＮＨｓＢｕ］₂）、ビス（ｓｅｃ－ブチルアミノ）エチルシラン（ＳｉＨＥｔ［ＮＨｓＢｕ］₂）、ビス（ｔｅｒｔ－ブチルアミノ）シラン（ＳｉＨ₂［ＮＨｔＢｕ］₂またはＢＴＢＡＳ）、ビス（ｔｅｒｔ－ブチルアミノ）ジメチルシラン（ＳｉＭｅ₂［ＮＨｔＢｕ］₂）、ビス（ｔｅｒｔ－ブチルアミノ）メチルビニルシラン（ＳｉＭｅＶｉ［ＮＨｔＢｕ］₂）、ビス（ｔｅｒｔ－ブチルアミノ）ジエチルシラン（ＳｉＥｔ₂［ＮＨｔＢｕ］₂）、ビス（１－イミダゾリル）ジメチルシラン（ＳｉＭｅ₂［Ｉｍ］₂、Ｉｍは、イミダゾリルである）、トリス（ジメチルアミノ）シラン（ＳｉＨ［ＮＭｅ₂］₃または３ＤＭＡＳ）、トリス（ジメチルアミノ）フェニルシラン（ＳｉＰｈ［ＮＭｅ₂］₃）、トリス（ジメチルアミノ）メチルシラン（ＳｉＭｅ［ＮＭｅ₂］₃）、トリス（ジメチルアミノ）エチルシラン（ＳｉＥｔ［ＮＭｅ₂］₃）、トリス（エチルメチルアミノ）シラン（ＳｉＨ［ＮＥｔＭｅ］₃）、トリス（ジエチルアミノ）シラン（ＳｉＨ［ＮＥｔ₂］₃）、トリス（ｉｓｏ－プロピルアミノ）シラン（ＳｉＨ［ＮＨｉＰｒ］₃、Ｃ₉Ｈ₂₅Ｎ₃Ｓｉ、またはＴＩＰＡＳ）、トリス（ジメチルアミノ）シリルアミド（Ｓｉ［ＮＭｅ₂］₃［ＮＨ₂］）、テトラキス（ジメチルアミノ）シラン（Ｓｉ［ＮＭｅ₂］₄）、テトラキス（エチルメチルアミノ）シラン（Ｓｉ［ＮＥｔＭｅ］₄）、テトラキス（ジエチルアミノ）シラン（Ｓｉ［ＮＥｔ₂］₄）、１，２－ジエチル－テトラキス（ジエチルアミノ）ジシラン（［Ｅｔ₂Ｎ］₂ＥｔＳｉ－ＳｉＥｔ［ＮＥｔ₂］₂）、１，２－ジメチル－テトラキス（ジメチルアミノ）ジシラン（［Ｍｅ₂Ｎ］₂ＭｅＳｉ－ＳｉＭｅ［ＮＭｅ₂］₂）、１，２－ジメチル－テトラキス（ジエチルアミノ）ジシラン（［Ｅｔ₂Ｎ］₂ＭｅＳｉ－ＳｉＭｅ［ＮＥｔ₂］₂）、ヘキサキス（メチルアミノ）ジシラン（［ＭｅＨＮ］₃Ｓｉ－Ｓｉ［ＮＨＭｅ］₃）、ヘキサキス（エチルアミノ）ジシラザン（［ＥｔＨＮ］₃Ｓｉ－Ｓｉ［ＮＨＥｔ］₃）、ヘキサキス（ジメチルアミノ）ジシラザン（Ｍｅ₂Ｎ－Ｓｉ［Ｍｅ₂］₂－Ｓｉ［ＮＭｅ₂］₂－ＮＭｅ₂）など。

【0265】

イソシアナトシラン
ケイ素含有前駆体は、１つまたは複数のイソシアナト基を含むことができ、それによって非限定的なイソシアナトシランが提供される。一実施形態では、前駆体は、（Ｒ’）_4-xＳｉ（ＮＣＯ）_xの式を有し、
ｘは、１、２、３、または４であり、
各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、脂肪族－カルボニル、脂肪族－カルボニルオキシ、脂肪族－オキシ、脂肪族－オキシカルボニル、ヘテロ脂肪族、ヘテロ脂肪族－カルボニル、ヘテロ脂肪族－カルボニルオキシ、ヘテロ脂肪族－オキシ、ヘテロ脂肪族－オキシカルボニル、芳香族、芳香族－カルボニル、芳香族－カルボニルオキシ、芳香族－オキシ、芳香族－オキシカルボニル、ヘテロ芳香族、ヘテロ芳香族－オキシ、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよい。

【0266】

別の実施形態では、前駆体は、（Ｒ’）_zＳｉ（ＮＣＯ）_x（ＮＲ’’₂）_yの式を有し、
ｘは、１、２、３、または４であり、
ｙおよびｚの各々は、独立して、０、１、２、または３であり、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝４であり、
各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、脂肪族－カルボニル、脂肪族－カルボニルオキシ、脂肪族－オキシ、脂肪族－オキシカルボニル、ヘテロ脂肪族、ヘテロ脂肪族－カルボニル、ヘテロ脂肪族－カルボニルオキシ、ヘテロ脂肪族－オキシ、ヘテロ脂肪族－オキシカルボニル、芳香族、芳香族－カルボニル、芳香族－カルボニルオキシ、芳香族－オキシ、芳香族－オキシカルボニル、ヘテロ芳香族、ヘテロ芳香族－オキシ、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、
各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、またはアミノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、または任意選択で２つのＲ’’は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができる。

【0267】

さらに別の実施形態では、前駆体は、（ＮＣＯ）_x（Ｒ’）_3-xＳｉ－Ｌ－Ｓｉ（Ｒ’）_3-x（ＮＣＯ）_xの式を有し、
各ｘは、独立して、０、１、２、または３であり、
Ｌは、リンカー、例えば共有結合、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキレン、任意選択で置換されたアルケニレン、任意選択で置換されたアルキニレン、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換されたヘテロアルキレン、任意選択で置換されたヘテロアルケニレン、任意選択で置換されたヘテロアルキニレン、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたアリーレン、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたヘテロアリーレン、オキシ（－Ｏ－）、イミノ、またはシリルであり、
各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、脂肪族－カルボニル、脂肪族－カルボニルオキシ、脂肪族－オキシ、脂肪族－オキシカルボニル、ヘテロ脂肪族、ヘテロ脂肪族－カルボニル、ヘテロ脂肪族－カルボニルオキシ、ヘテロ脂肪族－オキシ、ヘテロ脂肪族－オキシカルボニル、芳香族、芳香族－カルボニル、芳香族－カルボニルオキシ、芳香族－オキシ、芳香族－オキシカルボニル、ヘテロ芳香族、ヘテロ芳香族－オキシ、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよい。

【0268】

いくつかの実施形態では、Ｒ’は、Ｈ、任意選択で置換されたアミノ（例えば、－ＮＲ₂）、脂肪族－オキシ（例えば、アルコキシまたは－ＯＲ）、脂肪族－カルボニル（例えば、アルカノイルまたは－Ｃ（Ｏ）Ｒ）、脂肪族－カルボニルオキシ（例えば、アルカノイルオキシまたは－ＯＣ（Ｏ）Ｒ）、脂肪族－オキシカルボニル（例えば、アルコキシカルボニルまたは－Ｃ（Ｏ）ＯＲ）、シリル（例えば、－ＳｉＲ₃）、脂肪族－オキシ－シリル（例えば、アルコキシシリルまたは－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b）、アミノシリル（例えば、－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＮＲ₂）_b）、シリルオキシ（例えば、－Ｏ－ＳｉＲ₃）、脂肪族－オキシ－シリルオキシ（例えば、アルコキシシリルオキシまたは－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b）、アミノシリルオキシ（例えば、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＮＲ₂）_b）、芳香族（例えば、アリール）、芳香族－オキシ（例えば、アリールオキシまたは－ＯＲ）、ヒドロキシル（－ＯＨ）、ホルミル（－Ｃ（Ｏ）Ｈ）などである。特定の実施形態では、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたアリール、および任意選択で置換されたヘテロ芳香族であり、ａ≧０、ｂ≧１、およびａ＋ｂ＝３である。いくつかの実施形態では、２つのＲ基は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができる。他の実施形態では、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、または任意選択で置換されたアリールである。

【0269】

他の実施形態では、Ｒ’’は、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたシリル、または任意選択で置換されたシリルオキシである。いくつかの実施形態では、Ｒ’’は、任意選択で置換されたアルキル（例えば、Ｍｅ、Ｅｔ、ｎＰｒ、ｉＰｒ、ｓＢｕ、またはｔＢｕ）である。他の実施形態では、Ｒ’’は、－ＳｉＲ’ ₃、－ＳｉＲ₃、－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b、－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b、－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＮＲ₂）_b、－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＮＲ₂）_b、－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_c、－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_c、－Ｏ－ＳｉＲ’ ₃、－Ｏ－ＳｉＲ₃、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＮＲ₂）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’ａ（ＮＲ₂）_b）、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_c、または－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_cであり、各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、または任意選択で置換されたヘテロ芳香族であり、ａ、ｂ、およびｃの各々は、≧０であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝３またはａ＋ｂ＝３（ｃが存在しない場合）である。特定の実施形態では、Ｒは、Ｈ、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、または任意選択で置換されたアルキニルである。

【0270】

前駆体は、以下のいずれか、例えば、（Ｒ’）Ｓｉ（ＮＣＯ）（ＮＲ’’₂）₂、（Ｒ’）₂Ｓｉ（ＮＣＯ）（ＮＲ’’₂）、（Ｒ’）₂Ｓｉ（ＮＣＯ）（Ｎ［ＳｉＲ₃］₂）、またはテトライソシアナトシラン（Ｓｉ［ＮＣＯ］₄）を含むことができる。いくつかの実施形態では、Ｒ’およびＲ’’の各々は、独立して、本明細書に記載のいずれかとすることができる（例えば、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、または任意選択で置換されたアルキニル）。他の実施形態では、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、任意選択で置換されたアルコキシ、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたアリール、または任意選択で置換されたヘテロアリールである。

【0271】

アジドシラン
ケイ素含有前駆体は、１つまたは複数のアジド基を含むことができ、それによって非限定的なアジドシランが提供される。一実施形態では、前駆体は、（Ｒ’）_4-xＳｉ（Ｎ₃）_xの式を有し、
ｘは、１、２、３、または４であり、
各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、脂肪族－カルボニル、脂肪族－カルボニルオキシ、脂肪族－オキシ、脂肪族－オキシカルボニル、ヘテロ脂肪族、ヘテロ脂肪族－カルボニル、ヘテロ脂肪族－カルボニルオキシ、ヘテロ脂肪族－オキシ、ヘテロ脂肪族－オキシカルボニル、芳香族、芳香族－カルボニル、芳香族－カルボニルオキシ、芳香族－オキシ、芳香族－オキシカルボニル、ヘテロ芳香族、ヘテロ芳香族－オキシ、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよい。

【0272】

別の実施形態では、前駆体は、（Ｒ’）_zＳｉ（Ｎ₃）_x（ＮＲ’’₂）_yの式を有し、
ｘは、１、２、３、または４であり、
ｙおよびｚの各々は、独立して、０、１、２、または３であり、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝４であり、
各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、脂肪族－カルボニル、脂肪族－カルボニルオキシ、脂肪族－オキシ、脂肪族－オキシカルボニル、ヘテロ脂肪族、ヘテロ脂肪族－カルボニル、ヘテロ脂肪族－カルボニルオキシ、ヘテロ脂肪族－オキシ、ヘテロ脂肪族－オキシカルボニル、芳香族、芳香族－カルボニル、芳香族－カルボニルオキシ、芳香族－オキシ、芳香族－オキシカルボニル、ヘテロ芳香族、ヘテロ芳香族－オキシ、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、
各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、またはアミノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、または任意選択で２つのＲ’’は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができる。

【0273】

さらに別の実施形態では、前駆体は、（Ｎ₃）_x（Ｒ’）_3-xＳｉ－Ｌ－Ｓｉ（Ｒ’）_3-x（Ｎ₃）_xの式を有し、
各ｘは、独立して、０、１、２、または３であり、
Ｌは、リンカー、例えば共有結合、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキレン、任意選択で置換されたアルケニレン、任意選択で置換されたアルキニレン、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換されたヘテロアルキレン、任意選択で置換されたヘテロアルケニレン、任意選択で置換されたヘテロアルキニレン、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたアリーレン、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたヘテロアリーレン、オキシ（－Ｏ－）、イミノ、またはシリルであり、
各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、脂肪族－カルボニル、脂肪族－カルボニルオキシ、脂肪族－オキシ、脂肪族－オキシカルボニル、ヘテロ脂肪族、ヘテロ脂肪族－カルボニル、ヘテロ脂肪族－カルボニルオキシ、ヘテロ脂肪族－オキシ、ヘテロ脂肪族－オキシカルボニル、芳香族、芳香族－カルボニル、芳香族－カルボニルオキシ、芳香族－オキシ、芳香族－オキシカルボニル、ヘテロ芳香族、ヘテロ芳香族－オキシ、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよい。

【0274】

いくつかの実施形態では、Ｒ’は、Ｈ、任意選択で置換されたアミノ（例えば、－ＮＲ₂）、脂肪族－オキシ（例えば、アルコキシまたは－ＯＲ）、脂肪族－カルボニル（例えば、アルカノイルまたは－Ｃ（Ｏ）Ｒ）、脂肪族－カルボニルオキシ（例えば、アルカノイルオキシまたは－ＯＣ（Ｏ）Ｒ）、脂肪族－オキシカルボニル（例えば、アルコキシカルボニルまたは－Ｃ（Ｏ）ＯＲ）、シリル（例えば、－ＳｉＲ₃）、脂肪族－オキシ－シリル（例えば、アルコキシシリルまたは－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b）、アミノシリル（例えば、－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＮＲ₂）_b）、シリルオキシ（例えば、－Ｏ－ＳｉＲ₃）、脂肪族－オキシ－シリルオキシ（例えば、アルコキシシリルオキシまたは－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b）、アミノシリルオキシ（例えば、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＮＲ₂）_b）、芳香族（例えば、アリール）、芳香族－オキシ（例えば、アリールオキシまたは－ＯＲ）、ヒドロキシル（－ＯＨ）、ホルミル（－Ｃ（Ｏ）Ｈ）などである。特定の実施形態では、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたアリール、および任意選択で置換されたヘテロ芳香族であり、ａ≧０、ｂ≧１、およびａ＋ｂ＝３である。いくつかの実施形態では、２つのＲ基は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができる。他の実施形態では、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、または任意選択で置換されたアリールである。

【0275】

他の実施形態では、Ｒ’’は、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたシリル、または任意選択で置換されたシリルオキシである。いくつかの実施形態では、Ｒ’’は、任意選択で置換されたアルキル（例えば、Ｍｅ、Ｅｔ、ｎＰｒ、ｉＰｒ、ｓＢｕ、またはｔＢｕ）である。他の実施形態では、Ｒ’’は、－ＳｉＲ’ ₃、－ＳｉＲ₃、－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b、－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b、－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＮＲ₂）_b、－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＮＲ₂）_b、－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_c、－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_c、－Ｏ－ＳｉＲ’ ₃、－Ｏ－ＳｉＲ₃、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’）ａ（ＮＲ₂）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’ａ（ＮＲ₂）_b）、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_c、または－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_cであり、各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、または任意選択で置換されたヘテロ芳香族であり、ａ、ｂ、およびｃの各々は、≧０であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝３またはａ＋ｂ＝３（ｃが存在しない場合）である。特定の実施形態では、Ｒは、Ｈ、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、または任意選択で置換されたアルキニルである。

【0276】

前駆体は、以下のいずれか、例えば、（Ｒ’）₃Ｓｉ（Ｎ₃）、（Ｒ’）₂Ｓｉ（Ｎ₃）₂、（Ｒ’）Ｓｉ（Ｎ₃）₃、またはＳｉ（Ｎ₃）（ＮＲ’’₂）₃を含むことができる。いくつかの実施形態では、Ｒ’およびＲ’’の各々は、独立して、本明細書に記載のいずれかとすることができる（例えば、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、または任意選択で置換されたアルキニル）。前駆体の非限定的な例にはまた、トリス（ジメチルアミノ）シリルアジド（［Ｍｅ₂Ｎ］₃ＳｉＮ₃）、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルジアジドシラン（ｔＢｕ₂Ｓｉ（Ｎ₃）₂）、エチルシリコントリアジド（ＥｔＳｉ（Ｎ₃）₃）などが挙げられる。

【0277】

ヒドラジノシラン
ケイ素含有前駆体は、１つまたは複数の任意選択で置換されたヒドラジノ基を含むことができ、それによって非限定的なヒドラジノシランが提供される。一実施形態では、前駆体は、（Ｒ’）_4-xＳｉ（ＮＲ’’－ＮＲ’’₂）_xの式を有し、
ｘは、１、２、３、または４であり、
各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、脂肪族－カルボニル、脂肪族－カルボニルオキシ、脂肪族－オキシ、脂肪族－オキシカルボニル、ヘテロ脂肪族、ヘテロ脂肪族－カルボニル、ヘテロ脂肪族－カルボニルオキシ、ヘテロ脂肪族－オキシ、ヘテロ脂肪族－オキシカルボニル、芳香族、芳香族－カルボニル、芳香族－カルボニルオキシ、芳香族－オキシ、芳香族－オキシカルボニル、ヘテロ芳香族、ヘテロ芳香族－オキシ、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、
各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、またはアミノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、または任意選択で２つのＲ’’は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができる。

【0278】

別の実施形態では、前駆体は、（ＮＲ’₂－ＮＲ’’）_x（Ｒ’）_3-xＳｉ－Ｌ－Ｓｉ（Ｒ’）_3-x（ＮＲ’’－ＮＲ’’₂）_xの式を有し、
各ｘは、独立して、０、１、２、または３であり、
Ｌは、リンカー、例えば共有結合、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、オキシ（－Ｏ－）、イミノ、またはシリルであり、
各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、脂肪族－カルボニル、脂肪族－カルボニルオキシ、脂肪族－オキシ、脂肪族－オキシカルボニル、ヘテロ脂肪族、ヘテロ脂肪族－カルボニル、ヘテロ脂肪族－カルボニルオキシ、ヘテロ脂肪族－オキシ、ヘテロ脂肪族－オキシカルボニル、芳香族、芳香族－カルボニル、芳香族－カルボニルオキシ、芳香族－オキシ、芳香族－オキシカルボニル、ヘテロ芳香族、ヘテロ芳香族－オキシ、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、
各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、またはアミノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、または任意選択で２つのＲ’’は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができる。

【0279】

さらに別の実施形態では、前駆体は、（Ｒ’）_4-xＳｉ（ＮＲ’’－Ｌ－ＮＲ’’ ₂）_xの式を有し、ｘは、１、２、３、または４であり、各Ｌ、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0280】

特定の実施形態では、Ｌは、－ＮＲ－などの任意選択で置換されたイミノであり、Ｒは、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、または任意選択で置換された芳香族である。他の実施形態では、Ｌは、－ＳｉＲ₂－などの任意選択で置換されたシリルであり、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、または任意選択で置換された芳香族である。さらに他の実施形態において、Ｌは、－ＮＲ－ＮＲ－であり、Ｒは、本明細書に記載のいずれかである（例えば、Ｒは、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、または任意選択で置換された芳香族である）。

【0281】

一例では、少なくとも１つのｘは、０ではない。別の実施形態では、ｘは、０とすることができる（例えば、Ｌが炭素原子またはヘテロ原子を含む場合）。さらに別の実施形態では、ｘは、０であり、および／またはＬは、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキレン、任意選択で置換されたアルケニレン、任意選択で置換されたアルキニレン、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換されたヘテロアルキレン、任意選択で置換されたヘテロアルケニレン、任意選択で置換されたヘテロアルキニレン、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたアリーレン、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたヘテロアリーレン、オキシ（－Ｏ－）、イミノ、またはシリルを含む。

【0282】

前駆体は、Ｒ’基とヒドラジノ基の任意の有用な組み合わせを含むことができる。一実施形態では、前駆体は、（Ｒ’）₃Ｓｉ（ＮＲ’’－Ｌ－ＮＲ’’₂）または（Ｒ’）₃Ｓｉ（ＮＲ’’－ＮＲ’’₂）の式を有し、Ｌ、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0283】

前駆体は、複数のヒドラジノ基を含むことができる。一実施形態では、前駆体は、（Ｒ’）₂Ｓｉ（ＮＲ’’－Ｌ－ＮＲ’’₂）₂、（Ｒ’）₂Ｓｉ（ＮＲ’’－ＮＲ’’₂）₂、または（Ｒ’）₂Ｓｉ（ＮＨ－ＮＨＲ’’）₂の式を有し、Ｌ、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0284】

前駆体は、少なくとも２つのケイ素原子を含むことができる。一実施形態では、前駆体は、（ＮＲ’’₂－ＮＲ’’）（Ｒ’）₂Ｓｉ－Ｓｉ（Ｒ’）₂（ＮＲ’’－ＮＲ’’₂）の式を有し、各Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0285】

非限定的な前駆体には、ビス（ｔｅｒｔ－ブチルヒドラジノ）ジエチルシラン（ＳｉＥｔ₂［ＮＨ－ＮＨｔＢｕ］₂）、トリス（ジメチルヒドラジノ）シラン（ＳｉＨ［ＮＨ－ＮＭｅ₂］₃）などが挙げられ得る。

【0286】

シロキサンおよびその誘導体
ケイ素含有前駆体は、１つまたは複数の脂肪族－オキシ基、芳香族－オキシ基、および／またはオキシ基を含むことができ、それによって１つまたは複数のＳｉ－Ｏ、Ｏ－Ｓｉ－Ｏ、またはＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を有するシロキサンまたはその誘導体が提供される。一実施形態では、前駆体は、（Ｒ’）_4-xＳｉ（ＯＲ’’’）_xの式を有し、
ｘは、１、２、３、または４であり、
各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、脂肪族－カルボニル、脂肪族－カルボニルオキシ、脂肪族－オキシ、脂肪族－オキシカルボニル、ヘテロ脂肪族、ヘテロ脂肪族－カルボニル、ヘテロ脂肪族－カルボニルオキシ、ヘテロ脂肪族－オキシ、ヘテロ脂肪族－オキシカルボニル、芳香族、芳香族－カルボニル、芳香族－カルボニルオキシ、芳香族－オキシ、芳香族－オキシカルボニル、ヘテロ芳香族、ヘテロ芳香族－オキシ、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、
各Ｒ’’’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、シリル、またはシリルオキシであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよい。

【0287】

別の実施形態では、前駆体は、（Ｒ’’’Ｏ）_x（Ｒ’）_3-xＳｉ－Ｌ－Ｓｉ（Ｒ’）_3-x（ＯＲ’’’）_xの式を有し、
各ｘは、独立して、０、１、２、または３であり、
Ｌは、リンカー、例えば共有結合、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、オキシ（－Ｏ－）、イミノ、またはシリルであり、
各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、脂肪族－カルボニル、脂肪族－カルボニルオキシ、脂肪族－オキシ、脂肪族－オキシカルボニル、ヘテロ脂肪族、ヘテロ脂肪族－カルボニル、ヘテロ脂肪族－カルボニルオキシ、ヘテロ脂肪族－オキシ、ヘテロ脂肪族－オキシカルボニル、芳香族、芳香族－カルボニル、芳香族－カルボニルオキシ、芳香族－オキシ、芳香族－オキシカルボニル、ヘテロ芳香族、ヘテロ芳香族－オキシ、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、
各Ｒ’’’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、シリル、またはシリルオキシであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよい。

【0288】

特定の実施形態では、Ｌは、－ＮＲ－などの任意選択で置換されたイミノであり、Ｒは、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、または任意選択で置換された芳香族である。他の実施形態では、Ｌは、－ＳｉＲ₂－などの任意選択で置換されたシリルであり、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、または任意選択で置換された芳香族である。他の実施形態では、Ｌは、－Ｏ－Ｌ’－Ｏ－であり、Ｌ’は、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたシリル（例えば、ＳｉＲ₂－）、任意選択で置換されたアルキレン（例えば、－（ＣＨ₂）_n－、ｎは、１～６である）、任意選択で置換されたアリーレンなどである。さらに他の実施形態では、Ｌは、オキシである。

【0289】

一例では、少なくとも１つのｘは、０ではない。別の実施形態では、ｘは、０とすることができる（例えば、Ｌが炭素原子またはヘテロ原子を含む場合）。さらに別の実施形態では、ｘは、０であり、および／またはＬは、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキレン、任意選択で置換されたアルケニレン、任意選択で置換されたアルキニレン、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換されたヘテロアルキレン、任意選択で置換されたヘテロアルケニレン、任意選択で置換されたヘテロアルキニレン、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたアリーレン、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたヘテロアリーレン、オキシ（－Ｏ－）、イミノ、またはシリルを含む。

【0290】

いくつかの実施形態では、Ｒ’は、Ｈ、任意選択で置換されたアミノ（例えば、－ＮＲ₂）、脂肪族－オキシ（例えば、アルコキシまたは－ＯＲ）、脂肪族－カルボニル（例えば、アルカノイルまたは－Ｃ（Ｏ）Ｒ）、脂肪族－カルボニルオキシ（例えば、アルカノイルオキシまたは－ＯＣ（Ｏ）Ｒ）、脂肪族－オキシカルボニル（例えば、アルコキシカルボニルまたは－Ｃ（Ｏ）ＯＲ）、シリル（例えば、－ＳｉＲ₃）、脂肪族－オキシ－シリル（例えば、アルコキシシリルまたは－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b）、アミノシリル（例えば、－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＮＲ₂）_b）、シリルオキシ（例えば、－Ｏ－ＳｉＲ₃）、脂肪族－オキシ－シリルオキシ（例えば、アルコキシシリルオキシまたは－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b）、アミノシリルオキシ（例えば、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＮＲ₂）_b）、芳香族（例えば、アリール）、芳香族－オキシ（例えば、アリールオキシまたは－ＯＲ）、ヒドロキシル（－ＯＨ）、ホルミル（－Ｃ（Ｏ）Ｈ）などである。特定の実施形態では、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたアリール、および任意選択で置換されたヘテロ芳香族であり、ａ≧０、ｂ≧１、およびａ＋ｂ＝３である。いくつかの実施形態では、２つのＲ基は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができる。他の実施形態では、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、または任意選択で置換されたアリールである。

【0291】

他の実施形態では、Ｒ’’’は、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたシリル、または任意選択で置換されたシリルオキシである。いくつかの実施形態では、Ｒ’’’は、任意選択で置換されたアルキル（例えば、Ｍｅ、Ｅｔ、ｎＰｒ、ｉＰｒ、ｓＢｕ、またはｔＢｕ）である。他の実施形態では、Ｒ’’’は、－ＳｉＲ’ ₃、－ＳｉＲ₃、－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b、－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＮＲ₂）_b、－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＮＲ₂）_b、－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_c、－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_c、－Ｏ－ＳｉＲ’ ₃、－Ｏ－ＳｉＲ₃、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＮＲ₂）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’ａ（ＮＲ₂）_b）、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_c、または－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_cであり、各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、または任意選択で置換されたヘテロ芳香族であり、ａ、ｂ、およびｃの各々は、≧０であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝３またはａ＋ｂ＝３（ｃが存在しない場合）である。特定の実施形態では、Ｒは、Ｈ、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、または任意選択で置換されたアルキニルである。

【0292】

前駆体は、ケイ素原子に結合した１つまたは複数の水素原子を含むことができる。一実施形態では、前駆体は、Ｈ₃Ｓｉ（ＯＲ’’’）、Ｈ₂Ｓｉ（ＯＲ’’’）₂、またはＨＳｉ（ＯＲ’’’）₃の式を有し、各Ｒ’’’は、独立して、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0293】

前駆体は、前駆体内にＲ’基とＯＲ’’’基の任意の組み合わせを含むことができる。一実施形態では、前駆体は、（Ｒ’）₃Ｓｉ（ＯＲ’’’）、（Ｒ’）₂Ｓｉ（ＯＲ’’’）₂、または（Ｒ’）Ｓｉ（ＯＲ’’’）₃の式を有し、Ｒ’およびＲ’’’の各々は、独立して、本明細書に記載のいずれかとすることができる。前駆体は、（Ｒ^Ak）₃Ｓｉ（ＯＲ^Ak）、（Ｒ^Ak）₂Ｓｉ（ＯＲ^Ak）₂、または（Ｒ^Ak）Ｓｉ（ＯＲ^Ak）₃の式を有する前駆体内などにアルキル基を含むことができ、Ｒ^Akは、任意選択で置換されたアルキルである。

【0294】

場合によっては、前駆体は、２つ以上のケイ素原子を有することができ、前駆体は、Ｓｉ－Ｓｉ結合を含むことができる。特定の実施形態では、前駆体は、（Ｒ’’’ Ｏ）_x（Ｒ’）_3-xＳｉ－Ｓｉ（Ｒ’）_3-x（ＯＲ’’’）_xの式を有し、Ｒ’およびＲ’’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。一実施形態では、前駆体は、（Ｒ’’’Ｏ）（Ｒ’）₂Ｓｉ－Ｓｉ（Ｒ’）₂（ＯＲ’’’）の式を有し、Ｒ’およびＲ’’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0295】

前駆体は、Ｒ’基とヘテロ原子を有するリンカーの組み合わせを含むことができる。一例では、前駆体は、（Ｒ’）₃Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’）₃の式を有し、Ｒ’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。別の例では、前駆体は、（Ｒ’）₃Ｓｉ－Ｏ－Ｌ’－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’）₃の式を有し、ＬおよびＲ’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。さらに別の例では、前駆体は、（Ｒ’）₃Ｓｉ－（ＯＳｉＲ’ ₂）_z－Ｒ’の式を有し、Ｒ’は、本明細書に記載のいずれかとすることができ、ｚは、１、２、３、４、またはそれ以上である。別の例では、前駆体は、（Ｒ’）_4-xＳｉ－［（ＯＳｉＲ’ ₂）_z－Ｒ’］_xの式を有し、Ｒ’は、本明細書に記載のいずれかとすることができ、ｘは、１、２、３、または４であり、ｚは、１、２、３、４、またはそれ以上である。

【0296】

前駆体は、２つのケイ素原子と組み合わせたＲ’基およびＯＲ’’’基の任意の有用な組み合わせを含むことができる。一例では、前駆体は、（Ｒ’’’ Ｏ）_x（Ｒ’）_3-xＳｉ－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’）_3-x（ＯＲ’’’）_xの式を有し、Ｒ’およびＲ’’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。別の例では、前駆体は、（Ｒ’’’Ｏ）_x（Ｒ’）_3-xＳｉ－Ｏ－Ｌ’－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’）_3-x（ＯＲ’’’）_xの式を有し、Ｌ’、Ｒ’、およびＲ’’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0297】

非限定的な前駆体には、メトキシジメチルシラン（ＳｉＨＭｅ₂［ＯＭｅ］）、エトキシジメチルシラン（ＳｉＨＭｅ₂［ＯＥｔ］）、ｉｓｏ－プロポキシジメチルシラン（ＳｉＨＭｅ₂［ＯｉＰｒ］）、ｔ－ブトキシジメチルシラン（ＳｉＨＭｅ₂［ＯｔＢｕ］）、ｔ－ペントキシジメチルシラン（ＳｉＨＭｅ₂［ＯｔＰｅ］）、フェノキシジメチルシラン（ＳｉＨＭｅ₂［ＯＰｈ］）、アセトキシジメチルシラン（ＳｉＨＭｅ₂［ＯＡｃ］）、メトキシトリメチルシラン（ＳｉＭｅ₃［ＯＭｅ］）、エトキシトリメチルシラン（ＳｉＭｅ₃［ＯＥｔ］）、ｉｓｏ－プロポキシトリメチルシラン（ＳｉＭｅ₃［ＯｉＰｒ］）、ｔ－ブトキシトリメチルシラン（ＳｉＭｅ₃［ＯｔＢｕ］）、ｔ－ペントキシトリメチルシラン（ＳｉＭｅ₃［ＯｔＰｅ］）、フェノキシトリメチルシラン（ＳｉＭｅ₃［ＯＰｈ］）、アセトキシトリメチルシラン（ＳｉＭｅ₃［ＯＡｃ］）、メトキシトリエチルシラン（ＳｉＥｔ₃［ＯＭｅ］）、エトキシトリエチルシラン（ＳｉＥｔ₃［ＯＥｔ］）、ｉｓｏ－プロポキシトリエチルシラン（ＳｉＥｔ₃［ＯｉＰｒ］）、ｔ－ブトキシトリエチルシラン（ＳｉＥｔ₃［ＯｔＢｕ］）、ｔ－ペントキシトリエチルシラン（ＳｉＥｔ₃［ＯｔＰｅ］）、フェノキシトリエチルシラン（ＳｉＥｔ₃［ＯＰｈ］）、アセトキシトリエチルシラン（ＳｉＥｔ₃［ＯＡｃ］）、ジメトキシシラン（ＳｉＨ₂［ＯＭｅ］₂）、ジエトキシシラン（ＳｉＨ₂［ＯＥｔ］₂）、ジ－ｉｓｏ－プロポキシシラン（ＳｉＨ₂［ＯＰｒ］₂）、ジ－ｔｅｒｔ－ブトキシシラン（ＳｉＨ₂［ＯｔＢｕ］₂またはＤＴＢＯＳ）、ジ－ｔｅｒｔ－ペントキシシラン（ＳｉＨ₂［ＯｔＰｅ］₂またはＤＴＰＯＳ）、ジアセトキシシラン（ＳｉＨ₂［ＯＡｃ］₂）、ジメトキシジメチルシラン（ＳｉＭｅ₂［ＯＭｅ］₂）、ジエトキシジメチルシラン（ＳｉＭｅ₂［ＯＥｔ］₂）、ジ－ｉｓｏ－プロポキシジメチルシラン（ＳｉＭｅ₂［ＯＰｒ］₂）、ジ－ｔｅｒｔ－ブトキシジメチルシラン（ＳｉＭｅ₂［ＯｔＢｕ］₂）、ジアセトキシジメチルシラン（ＳｉＭｅ₂［ＯＡｃ］₂）、ジメトキシジエチルシラン（ＳｉＥｔ₂［ＯＭｅ］₂）、ジエトキシジエチルシラン（ＳｉＥｔ₂［ＯＥｔ］₂）、ジ－ｉｓｏ－プロポキシジエチルシラン（ＳｉＥｔ₂［ＯｉＰｒ］₂）、ジ－ｔｅｒｔ－ブトキシジエチルシラン（ＳｉＥｔ₂［ＯｔＢｕ］₂）、ジ－ｉｓｏ－ジアセトキシジエチルシラン（ＳｉＥｔ₂［ＯＡｃ］₂）、ジメトキシジフェニルシラン（ＳｉＰｈ₂［ＯＭｅ］₂）、ジメトキシジ－ｉｓｏ－プロピルシラン（Ｓｉ［ｉＰｒ］₂［ＯＭｅ］₂）、ジエトキシジ－ｉｓｏ－プロピルシラン（Ｓｉ［ｉＰｒ］₂［ＯＥｔ］₂）、ジ－ｉｓｏ－プロポキシジイソプロピルシラン（Ｓｉ［ｉＰｒ］₂［ＯｉＰｒ］₂）、ジ－ｔｅｒｔ－ブトキシジイソプロピルシラン（Ｓｉ［ｉＰｒ］₂［ＯｔＢｕ］₂）、ジアセトキシジ－ｉｓｏ－プロピルシラン（Ｓｉ［ｉＰｒ］₂［ＯＡｃ］₂）、ジメトキシメチルビニルシラン（ＳｉＭｅＶｉ［ＯＭｅ］₂）、ジエトキシメチルビニルシラン（ＳｉＭｅＶｉ［ＯＥｔ］₂）、ジ－ｉｓｏ－プロポキシメチルビニルシラン（ＳｉＭｅＶｉ［ＯｉＰｒ］₂）、ジ－ｔｅｒｔ－ブトキシメチルビニルシラン（ＳｉＭｅＶｉ［ＯｔＢｕ］₂）、ジアセトキシメチルビニルシラン（ＳｉＭｅＶｉ［ＯＡｃ］₂）、トリエトキシシラン（ＳｉＨ［ＯＥｔ］₃またはＴＥＳ）、トリメトキシエチルシラン（ＳｉＥｔ［ＯＭｅ］₃）、トリエトキシメチルシラン（ＳｉＭｅ［ＯＥｔ］₃）、トリエトキシフェニルシラン（ＳｉＰｈ［ＯＥｔ］₃）、テトラメトキシシラン（Ｓｉ［ＯＭｅ］４）、テトラエトキシシラン（Ｓｉ［ＯＥｔ］₄またはＴＥＯＳ）、テトラ－ｎ－プロポキシシラン（Ｓｉ［ＯｎＰｒ］₄）、テトラ－ｉｓｏ－プロポキシシラン（Ｓｉ［ＯｉＰｒ］₄）、テトラ－ｎ－ブトキシシラン（Ｓｉ［ＯｎＢｕ］₄）、テトラ－ｔ－ブトキシシラン（Ｓｉ［ＯｔＢｕ］₄）、テトラメチルジシロキサン（Ｏ［ＳｉＨＭｅ₂］₂またはＴＭＤＯ）、ヘキサメチルジシロキサン（Ｏ［ＳｉＭｅ₃］₂）、ヘキサエチルジシロキサン（Ｏ［ＳｉＥｔ₃］₂）、ヘキサプロピルジシロキサン（Ｏ［ＳｉＰｒ₃］₂）、ヘキサフェニルジシロキサン（Ｏ［ＳｉＰｈＰｒ₃］₂）、ヘキサメチルトリシロキサン（Ｍｅ₂ＳｉＨ－Ｏ－ＳｉＭｅ₂－Ｏ－ＳｉＨＭｅ₂）などが挙げられ得る。

【0298】

酸素および窒素を含む混合シラン
ケイ素含有前駆体は、脂肪族－オキシ基または芳香族－オキシ基のいずれかで任意選択で置換された１つまたは複数のアミノ基を含むことができ、それによって非限定的な混合シランが提供される。一実施形態では、前駆体は、（Ｒ’）_zＳｉ（ＯＲ’’’）_x（ＮＲ’’₂）_yの式を有し、
ｘおよびｙの各々は、独立して、１、２、３、または４であり、
ｚは、０、１、または２であり、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝４であり、
各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、脂肪族－カルボニル、脂肪族－カルボニルオキシ、脂肪族－オキシ、脂肪族－オキシカルボニル、ヘテロ脂肪族、ヘテロ脂肪族－カルボニル、ヘテロ脂肪族－カルボニルオキシ、ヘテロ脂肪族－オキシ、ヘテロ脂肪族－オキシカルボニル、芳香族、芳香族－カルボニル、芳香族－カルボニルオキシ、芳香族－オキシ、芳香族－オキシカルボニル、ヘテロ芳香族、ヘテロ芳香族－オキシ、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、
各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、またはアミノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、または任意選択で２つのＲ’’は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができ、
各Ｒ’’’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、シリル、またはシリルオキシであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよい。

【0299】

別の実施形態では、前駆体は、（Ｒ’’₂Ｎ）_y（Ｒ’’’Ｏ）_x（Ｒ’）_zＳｉ－Ｌ－Ｓｉ（Ｒ’）_z（ＯＲ’’’）_x（ＮＲ’’₂）_yの式を有し、
ｘおよびｙの各々は、０よりも大きく（例えば、１または２）、
ｚは、０または１であり、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝３であり、
Ｌは、リンカー、例えば共有結合、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキレン、任意選択で置換されたアルケニレン、任意選択で置換されたアルキニレン、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換されたヘテロアルキレン、任意選択で置換されたヘテロアルケニレン、任意選択で置換されたヘテロアルキニレン、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたアリーレン、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたヘテロアリーレン、オキシ（－Ｏ－）、イミノ、またはシリルであり、
各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、脂肪族－カルボニル、脂肪族－カルボニルオキシ、脂肪族－オキシ、脂肪族－オキシカルボニル、ヘテロ脂肪族、ヘテロ脂肪族－カルボニル、ヘテロ脂肪族－カルボニルオキシ、ヘテロ脂肪族－オキシ、ヘテロ脂肪族－オキシカルボニル、芳香族、芳香族－カルボニル、芳香族－カルボニルオキシ、芳香族－オキシ、芳香族－オキシカルボニル、ヘテロ芳香族、ヘテロ芳香族－オキシ、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、
各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、またはアミノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、または任意選択で２つのＲ’’は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができ、
各Ｒ’’’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、シリル、またはシリルオキシであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよい。

【0300】

Ｒ’、Ｒ’’、およびＲ’’’の非限定的な例は、例えば、アミノシラン、シロキサン、またはそれらの誘導体などについて本明細書に記載されている。

【0301】

前駆体は、Ｒ’基、ＮＲ’’₂基、およびＯＲ’’’基の任意の組み合わせを含むことができる。一実施形態では、前駆体は、（Ｒ’）Ｓｉ（ＯＲ’’’）₂（ＮＲ’’_２）または（Ｒ’）２Ｓｉ（ＯＲ’’’）₂（ＮＲ’’_２）の式を有し、Ｒ’、Ｒ’’、およびＲ’’’の各々は、独立して、本明細書に記載のいずれかとすることができる。他の実施形態では、前駆体は、（Ｒ’）₂Ｓｉ（ＯＲ’’’）（Ｎ［ＳｉＲ₃］₂）の式を有し、Ｒ’およびＲ’’’の各々は、独立して、本明細書に記載のいずれかとすることができ、Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、または任意選択で置換されたヘテロ芳香族である。

【0302】

前駆体は、ケイ素原子に結合したアミノ基およびオキシ含有基のみを含むことができる。一実施形態では、前駆体は、Ｓｉ（ＯＲ’’’）₃（ＮＲ’’₂）、Ｓｉ（ＯＲ’’’）₂（ＮＲ’’₂）₂、またはＳｉ（ＯＲ’’’）（ＮＲ’’₂）₃の式を有し、Ｒ’’およびＲ’’’の各々は、独立して、本明細書に記載のいずれかとすることができる。非限定的な前駆体には、例えば、ジエトキシ（ｉｓｏ－プロピルアミノ）シラン（ＳｉＨ［ＮＨｉＰｒ］［ＯＥｔ］₂）、ジエトキシ（ｔｅｒｔ－ブチルアミノ）シラン（ＳｉＨ［ＮＨｔＢｕ］［ＯＥｔ］₂）、ジエトキシ（ｔｅｒｔ－ペンチルアミノ）シラン（ＳｉＨ［ＮＨｔＰｅ］［ＯＥｔ］₂）、ジ－ｔｅｒｔ－ブトキシ（メチルアミノ）シラン（ＳｉＨ［ＮＨＭｅ］［ＯｔＢｕ］₂）、ジ－ｔｅｒｔ－ブトキシ（エチルアミノ）シラン（ＳｉＨ［ＮＨＥｔ］［ＯｔＢｕ］₂）、ジ－ｔｅｒｔ－ブトキシ（ｉｓｏ－プロピルアミノ）シラン（ＳｉＨ［ＮＨｉＰｒ］［ＯｔＢｕ］₂）、ジ－ｔｅｒｔ－ブトキシ（ｎ－ブチルアミノ）シラン（ＳｉＨ［ＮＨｎＢｕ］［ＯｔＢｕ］₂）、ジ－ｔｅｒｔ－ブトキシ（ｓｅｃ－ブチルアミノ）シラン（ＳｉＨ［ＮＨｓＢｕ］［ＯｔＢｕ］₂）、ジ－ｔｅｒｔ－ブトキシ（ｉｓｏ－ブチルアミノ）シラン（ＳｉＨ［ＮＨｉＢｕ］［ＯｔＢｕ］₂）、ジ－ｔｅｒｔ－ブトキシ（ｔｅｒｔ－ブチルアミノ）シラン（ＳｉＨ［ＮＨｔＢｕ］［ＯｔＢｕ］₂）、ジ－ｔｅｒｔ－ペントキシ（メチルアミノ）シラン（ＳｉＨ［ＮＨＭｅ］［ＯｔＰｅ］₂）、ジ－ｔｅｒｔ－ペントキシ（エチルアミノ）シラン（ＳｉＨ［ＮＨＥｔ］［ＯｔＰｅ］₂）、ジ－ｔｅｒｔ－ペントキシ（ｉｓｏ－プロピルアミノ）シラン（ＳｉＨ［ＮＨｉＰｒ］［ＯｔＰｅ］₂）、ジ－ｔｅｒｔ－ペントキシ（ｎ－ブチルアミノ）シラン（ＳｉＨ［ＮＨｎＢｕ］［ＯｔＰｅ］₂）、ジ－ｔｅｒｔ－ペントキシ（ｓｅｃ－ブチルアミノ）シラン（ＳｉＨ［ＮＨｓＢｕ］［ＯｔＰｅ］₂）、ジ－ｔｅｒｔ－ペントキシ（ｉｓｏ－ブチルアミノ）シラン（ＳｉＨ［ＮＨｉＢｕ］［ＯｔＰｅ］₂）、ジ－ｔｅｒｔ－ペントキシ（ｔｅｒｔ－ブチルアミノ）シラン（ＳｉＨ［ＮＨｔＢｕ］［ＯｔＰｅ］₂）、ジメトキシ（フェニルメチルアミノ）シラン（ＳｉＨ［ＮＰｈＭｅ］［ＯＭｅ］₂）、ジエトキシ（フェニルメチルアミノ）シラン（ＳｉＨ［ＮＰｈＭｅ］［ＯＥｔ］₂）、ジメトキシ（フェニルメチルアミノ）メチルシラン（ＳｉＭｅ［ＮＰｈＭｅ］［ＯＭｅ］₂）、ジエトキシ（フェニルメチルアミノ）メチルシラン（ＳｉＥｔ［ＮＰｈＭｅ］［ＯＥｔ］₂）などが挙げられ得る。

【0303】

シリルアミン
ケイ素含有前駆体は、窒素原子に結合した１つまたは複数の任意選択で置換されたシリル基を含むことができ、それによって非限定的なシリルアミンが提供される。一実施形態では、前駆体は、（Ｒ’’）_3-yＮ（ＳｉＲ’ ₃）_yの式を有し、
ｙは、１、２、または３であり、
各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、脂肪族－カルボニル、脂肪族－カルボニルオキシ、脂肪族－オキシ、脂肪族－オキシカルボニル、ヘテロ脂肪族、ヘテロ脂肪族－カルボニル、ヘテロ脂肪族－カルボニルオキシ、ヘテロ脂肪族－オキシ、ヘテロ脂肪族－オキシカルボニル、芳香族、芳香族－カルボニル、芳香族－カルボニルオキシ、芳香族－オキシ、芳香族－オキシカルボニル、ヘテロ芳香族、ヘテロ芳香族－オキシ、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、
各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、アミノ、シリル、またはシリルオキシであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、または任意選択で２つのＲ’’は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができる。

【0304】

別の実施形態では、前駆体は、（Ｒ’ ₃Ｓｉ）_y（Ｒ’’）_2-yＮ－Ｌ－Ｎ（Ｒ’’）_2-y（ＳｉＲ’ ₃）_yの式を有し、
各ｙは、独立して、０、１、または２であり、
Ｌは、リンカー、例えば共有結合、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、オキシ（－Ｏ－）、イミノ、またはシリルであり、
各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、脂肪族－カルボニル、脂肪族－カルボニルオキシ、脂肪族－オキシ、脂肪族－オキシカルボニル、ヘテロ脂肪族、ヘテロ脂肪族－カルボニル、ヘテロ脂肪族－カルボニルオキシ、ヘテロ脂肪族－オキシ、ヘテロ脂肪族－オキシカルボニル、芳香族、芳香族－カルボニル、芳香族－カルボニルオキシ、芳香族－オキシ、芳香族－オキシカルボニル、ヘテロ芳香族、ヘテロ芳香族－オキシ、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、
各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、またはアミノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、または任意選択で２つのＲ’’は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができ、
任意選択でＮ－Ｌ－Ｎは、一緒になって、多価ヘテロシクリル基を形成する。

【0305】

一例では、少なくとも１つのｙは、０ではない。別の実施形態では、ｙは、０とすることができる（例えば、Ｌが炭素原子またはヘテロ原子を含む場合）。さらに別の実施形態では、ｙは、０であり、および／またはＬは、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキレン、任意選択で置換されたアルケニレン、任意選択で置換されたアルキニレン、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換されたヘテロアルキレン、任意選択で置換されたヘテロアルケニレン、任意選択で置換されたヘテロアルキニレン、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたアリーレン、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたヘテロアリーレン、オキシ（－Ｏ－）、イミノ（例えば、－ＮＲ－または－Ｎ（ＳｉＲ₃）－）、またはシリル（例えば、－ＳｉＲ₂－）、ならびにそれらの組み合わせ（例えば、－ＳｉＲ₂－ＮＲ－、－ＮＲ－ＳｉＲ₂－、－ＳｉＲ₂－ＮＲ－ＳｉＲ₂－など）を含む。特定の実施形態では、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたアリール、および任意選択で置換されたヘテロ芳香族である。

【0306】

いくつかの実施形態では、Ｒ’は、Ｈ、任意選択で置換されたアミノ（例えば、－ＮＲ₂）、脂肪族－オキシ（例えば、アルコキシまたは－ＯＲ）、脂肪族－カルボニル（例えば、アルカノイルまたは－Ｃ（Ｏ）Ｒ）、脂肪族－カルボニルオキシ（例えば、アルカノイルオキシまたは－ＯＣ（Ｏ）Ｒ）、脂肪族－オキシカルボニル（例えば、アルコキシカルボニルまたは－Ｃ（Ｏ）ＯＲ）、シリル（例えば、－ＳｉＲ₃または－ＳｉＲ₂－Ｌ－ＳｉＲ₃）、脂肪族－オキシ－シリル（例えば、アルコキシシリルまたは－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b）、アミノシリル（例えば、－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＮＲ₂）_b）、シリルオキシ（例えば、－Ｏ－ＳｉＲ₃）、脂肪族－オキシ－シリルオキシ（例えば、アルコキシシリルオキシまたは－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b）、アミノシリルオキシ（例えば、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＮＲ₂）_b）、芳香族（例えば、アリール）、芳香族－オキシ（例えば、アリールオキシまたは－ＯＲ）、ヒドロキシル（－ＯＨ）、ホルミル（－Ｃ（Ｏ）Ｈ）などである。特定の実施形態では、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたアリール、および任意選択で置換されたヘテロ芳香族であり、ａ≧０、ｂ≧１、およびａ＋ｂ＝３である。いくつかの実施形態では、２つのＲ基は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができる。他の実施形態では、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、または任意選択で置換されたアリールである。Ｌは、任意の有用なリンカー（例えば、共有結合、任意選択で置換されたアルキレン、任意選択で置換されたヘテロアルキレン、オキシ、イミノ、シリルなど）とすることができる。

【0307】

他の実施形態では、Ｒ’’は、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたシリル、または任意選択で置換されたシリルオキシである。いくつかの実施形態では、Ｒ’’は、任意選択で置換されたアルキル（例えば、Ｍｅ、Ｅｔ、ｎＰｒ、ｉＰｒ、ｓＢｕ、またはｔＢｕ）である。他の実施形態では、Ｒ’’は、－ＳｉＲ’ ₃、－ＳｉＲ₃、－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b、－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＮＲ₂）_b、－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＮＲ₂）_b、－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_c、－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_c、－Ｏ－ＳｉＲ’ ₃、－Ｏ－ＳｉＲ₃、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＮＲ₂）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’ａ（ＮＲ₂）_b）、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_c、または－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_cであり、各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、または任意選択で置換されたヘテロ芳香族であり、ａ、ｂ、およびｃの各々は、≧０であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝３またはａ＋ｂ＝３（ｃが存在しない場合）である。特定の実施形態では、Ｒは、Ｈ、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、または任意選択で置換されたアルキニルである。

【0308】

前駆体は、窒素原子に結合した少なくとも１つのＲ’’基を含むことができる。一実施形態では、前駆体は、（Ｒ’’）Ｎ（ＳｉＲ’ ₃）₂または（Ｒ’’）₂Ｎ（ＳｉＲ’ ₃）の式を有し、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。別の実施形態では、前駆体は、（Ｒ’’）₂Ｎ（ＳｉＨ₃）または（Ｒ’’）Ｎ（ＳｉＨ₃）₂の式を有し、Ｒ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。特定の実施形態では、Ｒ’は、任意選択で置換されたアルキル、アミノ、またはアルコキシであり、Ｒ’’は、任意選択で置換されたアルキルまたはアミノであり、任意選択で２つのＲ’’は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、ヘテロシクリルを形成する。

【0309】

前駆体は、窒素原子に結合した少なくとも１つの水素原子を含むことができる。一実施形態では、前駆体は、（Ｈ）Ｎ（ＳｉＲ’ ₃）₂の式を有し、Ｒ’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。別の実施形態では、前駆体は、（Ｈ）Ｎ（ＳｉＲ^Ak ₃）₂の式を有し、Ｒ^Akは、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、または任意選択で置換されたアルキニルとすることができる。

【0310】

前駆体は、窒素原子に結合した３つのケイ素原子を含むことができる。一実施形態では、前駆体は、Ｎ（ＳｉＲ’ ₃）₃の式を有し、Ｒ’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。別の実施形態では、前駆体は、Ｎ（ＳｉＨ₃）（ＳｉＲ’ ₃）₂の式を有し、Ｒ’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。さらに別の実施形態では、前駆体は、Ｎ（ＳｉＨ₃）（ＳｉＲ^Ak ₃）₂の式を有し、Ｒ^Akは、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、または任意選択で置換されたアルキニルとすることができる。

【0311】

前駆体は、２つ以上の窒素原子を有することができ、前駆体は、Ｎ－Ｎ結合を含む。一例では、前駆体は、（Ｒ’ ₃Ｓｉ）₂Ｎ－Ｎ（ＳｉＲ’ ₃）₂の式を有し、Ｒ’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0312】

リンカーは、窒素原子の間に存在することができる。一例では、前駆体は、（Ｒ’ ₃Ｓｉ）（Ｒ’’）Ｎ－Ｌ－Ｎ（Ｒ’’）（ＳｉＲ’ ₃）または（Ｒ’ ₃Ｓｉ）₂Ｎ－Ｌ－Ｎ（ＳｉＲ’ ₃）₂の式を有し、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。いくつかの実施形態では、Ｌは、共有結合、任意選択で置換されたアルキレン、任意選択で置換されたヘテロアルキレン、－Ｏ－、－ＳｉＲ₂－、または－Ｓｉ－である。特定の実施形態では、Ｒ’’の少なくとも１つは、Ｈではない。別の例では、前駆体は、（Ｈ₃Ｓｉ）（Ｒ’’）Ｎ－Ｌ－Ｎ（Ｒ’’）（ＳｉＨ₃）の式を有し、Ｒ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0313】

リンカーは、ケイ素原子を含むことができる。一例では、前駆体は、（Ｒ’ ₃Ｓｉ）₂Ｎ－ＳｉＲ’ ₂－Ｎ（ＳｉＲ’ ₃）₂の式を有し、Ｒ’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。別の例では、前駆体は、（Ｒ’ ₃Ｓｉ）（Ｒ’’）Ｎ－ＳｉＲ’ ₂－Ｎ（Ｒ’’）（ＳｉＲ’ ₃）または（Ｒ’ ₃Ｓｉ）₂Ｎ－ＳｉＲ’ ₂－Ｎ（Ｒ’’）₂の式を有し、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0314】

リンカーは、ＳｉＨ₂基を含むことができる。一例では、前駆体は、（Ｒ’ ₃Ｓｉ）₂Ｎ－ＳｉＨ₂－Ｎ（ＳｉＲ’ ₃）₂の式を有し、Ｒ’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。別の例では、前駆体は、（Ｒ’ ₃Ｓｉ）ＨＮ－ＳｉＨ₂－ＮＨ（ＳｉＲ’ ₃）または（Ｒ’ ₃Ｓｉ）₂Ｎ－ＳｉＨ₂－Ｎ（Ｒ’’）₂の式を有し、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0315】

複数の窒素含有部分およびケイ素含有部分が、前駆体内に存在し得る。一実施形態では、前駆体は、（Ｒ’ ₃Ｓｉ）（Ｒ’’）Ｎ－ＳｉＲ’ ₂－Ｎ（Ｒ’’）－ＳｉＲ’ ₂－Ｎ（Ｒ’’）（ＳｉＲ’ ₃）の式を有し、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0316】

非限定的な前駆体には、例えば、１，１，３，３－テトラメチルジシラザン（ＮＨ［ＳｉＨＭｅ₂］₂またはＴＭＤＳ）、１，１，２，３，３－ペンタメチルジシラザン（ＮＭｅ［ＳｉＨＭｅ₂］₂）、１，１，１，３，３，３－ヘキサメチルジシラザン（ＮＨ［ＳｉＭｅ₃］₂またはＨＭＤＳ）、ヘプタメチルジシラザン（ＮＭｅ［ＳｉＭｅ₃］₂）、１，１，１，３，３，３－ヘキサメチル－２－エチルジシラザン（ＮＥｔ［ＳｉＭｅ₃］₂）、１，１，１，３，３，３－ヘキサメチル－２－イソプロピルジシラザン（ＮｉＰｒ［ＳｉＭｅ₃］₂）、１，１，１，３，３，３－ヘキサエチル－２－イソプロピルジシラザン（ＮｉＰｒ［ＳｉＥｔ₃］₂）、１，１，３，３－テトラメチル－２－イソプロピルジシラザン（ＮｉＰｒ［ＳｉＨＭｅ₂］₂）、１，１，３，３－テトラエチル－２－イソプロピルジシラザン（ＮｉＰｒ［ＳｉＨＥｔ₂］₂）、１，３－ジエチルテトラメチルジシラザン（ＮＨ［ＳｉＭｅ₂Ｅｔ］₂）、１，１，３，３－テトラエチルジシラザン（ＮＨ［ＳｉＨＥｔ₂］₂）、１，１，３，３－テトラエチル－２－メチルジシラザン（ＮＭｅ［ＳｉＨＥｔ₂］₂）、１，１，１，３，３，３－ヘキサエチルジシラザン（ＮＨ［ＳｉＥｔ₃］₂）、１，１，１，３，３，３－ヘキサエチル－２－メチルジシラザン（ＮＭｅ［ＳｉＥｔ₃］₂）、１，１，１，２，３，３，３－ヘプタエチルジシラザン（ＮＥｔ［ＳｉＥｔ₃］₂）、１，２，３－トリメチルトリシラザン（Ｎ［ＳｉＨ₂Ｍｅ］₃）、ノナメチルトリシラザン（Ｎ［ＳｉＭｅ₃］₃）、ジイソプロピルシリルアミン（ＮｉＰｒ₂［ＳｉＨ₃］）、ジエチルシリルアミン（ＮＥｔ₂［ＳｉＨ₃］）、ジイソプロピルシリルアミン（ＮｉＰｒ₂［ＳｉＨ₃］）、ジ－ｓｅｃ－ブチルシリルアミン（ＮｓＢｕ₂［ＳｉＨ₃］）、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルシリルアミン（ＮｔＢｕ₂［ＳｉＨ₃］）、ジシリルメチルアミン（ＮＭｅ［ＳｉＨ₃］₂）、ジシリルエチルアミン（ＮＥｔ［ＳｉＨ₃］₂）、ジシリルイソプロピルアミン（ＮｉＰｒ［ＳｉＨ₃］₂）、ジシリル－ｔｅｒｔ－ブチルアミン（ＮｔＢｕ［ＳｉＨ₃］₂）、ビス（トリメチルシリル）アミン（ＮＨ［ＳｉＭｅ₃］₂）、ビス（トリエチルシリル）アミン（ＮＨ［ＳｉＥｔ₃］₂）などが挙げられ得る。

【0317】

シラザンおよびその誘導体
ケイ素含有前駆体は、１つまたは複数のアミノ基、シリル基、および／またはイミノ基を含むことができ、それによって１つまたは複数のＳｉ－Ｎ、Ｎ－Ｓｉ－Ｎ、Ｓｉ－Ｎ－Ｓｉ、Ｎ－Ｓｉ－Ｓｉ、またはＮ－Ｓｉ－Ｎ－Ｓｉ結合を有するシラザンまたはその誘導体が提供される。一実施形態では、前駆体は、（Ｒ’’）_3-yＮ（ＳｉＲ’ ₂－Ｌ－ＳｉＲ’ ₃）_yの式を有し、
ｙは、１、２、または３であり、
Ｌは、リンカー、例えば共有結合、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、オキシ（－Ｏ－）、イミノ、またはシリル、ならびにそれらの組み合わせであり、
各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、脂肪族－カルボニル、脂肪族－カルボニルオキシ、脂肪族－オキシ、脂肪族－オキシカルボニル、ヘテロ脂肪族、ヘテロ脂肪族－カルボニル、ヘテロ脂肪族－カルボニルオキシ、ヘテロ脂肪族－オキシ、ヘテロ脂肪族－オキシカルボニル、芳香族、芳香族－カルボニル、芳香族－カルボニルオキシ、芳香族－オキシ、芳香族－オキシカルボニル、ヘテロ芳香族、ヘテロ芳香族－オキシ、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、
各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、アミノ、シリル、またはシリルオキシであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、または任意選択で２つのＲ’’は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができる。

【0318】

別の実施形態では、前駆体は、（Ｒ’’）_3-yＮ（ＳｉＲ’ ₂－Ｌ－ＳｉＲ’ ₂－ＮＲ’’₂）_yの式を有し、ｙは、１、２、または３であり、Ｌ、Ｒ’およびＲ’’の各々は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0319】

さらに別の実施形態では、前駆体は、（Ｒ’’）_3-yＮ（ＳｉＲ’ ₂－Ｌ－ＮＲ’’₂）_yの式を有し、ｙは、１、２、または３であり、Ｌ、Ｒ’およびＲ’’の各々は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0320】

一実施形態では、前駆体は、（Ｒ’）_4-xＳｉ（ＮＲ’－Ｌ－ＳｉＲ’ ₃）_xの式を有し、
ｘは、１、２、３、または４であり、
Ｌは、リンカー、例えば共有結合、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、オキシ（－Ｏ－）、イミノ、またはシリル、ならびにそれらの組み合わせであり、
各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、脂肪族－カルボニル、脂肪族－カルボニルオキシ、脂肪族－オキシ、脂肪族－オキシカルボニル、ヘテロ脂肪族、ヘテロ脂肪族－カルボニル、ヘテロ脂肪族－カルボニルオキシ、ヘテロ脂肪族－オキシ、ヘテロ脂肪族－オキシカルボニル、芳香族、芳香族－カルボニル、芳香族－カルボニルオキシ、芳香族－オキシ、芳香族－オキシカルボニル、ヘテロ芳香族、ヘテロ芳香族－オキシ、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、
各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、アミノ、シリル、またはシリルオキシであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、または任意選択で２つのＲ’’は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができる。

【0321】

別の実施形態では、前駆体は、（Ｒ’’₂Ｎ）－（ＳｉＲ’ ₂－Ｌ）_z－ＳｉＲ’ ₃の式を有し、ｚは、１、２、または３であり、Ｌ、Ｒ’およびＲ’’の各々は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0322】

いくつかの実施形態では、Ｌは、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキレン、任意選択で置換されたアルケニレン、任意選択で置換されたアルキニレン、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換されたヘテロアルキレン、任意選択で置換されたヘテロアルケニレン、任意選択で置換されたヘテロアルキニレン、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたアリーレン、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたヘテロアリーレン、オキシ（－Ｏ－）、イミノ（例えば、－ＮＲ－または－Ｎ（ＳｉＲ₃）－）、またはシリル（例えば、－ＳｉＲ₂－）、ならびにそれらの組み合わせ（例えば、－ＳｉＲ₂－ＮＲ－、－ＮＲ－ＳｉＲ₂－、－ＳｉＲ₂－ＮＲ－ＳｉＲ₂－など）を含む。特定の実施形態では、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたアリール、および任意選択で置換されたヘテロ芳香族である。

【0323】

いくつかの実施形態では、Ｒ’は、Ｈ、任意選択で置換されたアミノ（例えば、－ＮＲ₂）、脂肪族－オキシ（例えば、アルコキシまたは－ＯＲ）、脂肪族－カルボニル（例えば、アルカノイルまたは－Ｃ（Ｏ）Ｒ）、脂肪族－カルボニルオキシ（例えば、アルカノイルオキシまたは－ＯＣ（Ｏ）Ｒ）、脂肪族－オキシカルボニル（例えば、アルコキシカルボニルまたは－Ｃ（Ｏ）ＯＲ）、シリル（例えば、－ＳｉＲ₃または－ＳｉＲ₂－Ｌ－ＳｉＲ₃）、脂肪族－オキシ－シリル（例えば、アルコキシシリルまたは－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b）、アミノシリル（例えば、－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＮＲ₂）_b）、シリルオキシ（例えば、－Ｏ－ＳｉＲ₃）、脂肪族－オキシ－シリルオキシ（例えば、アルコキシシリルオキシまたは－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b）、アミノシリルオキシ（例えば、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＮＲ₂）_b）、芳香族（例えば、アリール）、芳香族－オキシ（例えば、アリールオキシまたは－ＯＲ）、ヒドロキシル（－ＯＨ）、ホルミル（－Ｃ（Ｏ）Ｈ）などである。特定の実施形態では、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたアリール、および任意選択で置換されたヘテロ芳香族であり、ａ≧０、ｂ≧１、およびａ＋ｂ＝３である。いくつかの実施形態では、２つのＲ基は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができる。他の実施形態では、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、または任意選択で置換されたアリールである。Ｌは、任意の有用なリンカー（例えば、共有結合、任意選択で置換されたアルキレン、任意選択で置換されたヘテロアルキレン、オキシ、イミノ、シリルなど）とすることができる。

【0324】

他の実施形態では、Ｒ’’は、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたシリル、または任意選択で置換されたシリルオキシである。いくつかの実施形態では、Ｒ’’は、任意選択で置換されたアルキル（例えば、Ｍｅ、Ｅｔ、ｎＰｒ、ｉＰｒ、ｓＢｕ、またはｔＢｕ）である。他の実施形態では、Ｒ’’は、－ＳｉＲ’ ₃、－ＳｉＲ₃、－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b、－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＮＲ₂）_b、－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＮＲ₂）_b、－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_c、－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_c、－Ｏ－ＳｉＲ’ ₃、－Ｏ－ＳｉＲ₃、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＮＲ₂）_b、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’ａ（ＮＲ₂）_b）、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ’）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_c、または－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b（ＮＲ₂）_cであり、各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、または任意選択で置換されたヘテロ芳香族であり、ａ、ｂ、およびｃの各々は、≧０であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝３またはａ＋ｂ＝３（ｃが存在しない場合）である。特定の実施形態では、Ｒは、Ｈ、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、または任意選択で置換されたアルキニルである。

【0325】

前駆体は、１つまたは複数のジシラニル基およびアミノ基を含むことができる。一実施形態では、前駆体は、Ｒ’’₂Ｎ－ＳｉＲ’ ₂－ＳｉＲ’ ₃の式を有し、Ｌ、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。他の実施形態では、前駆体は、Ｒ’’₂Ｎ－ＳｉＨ₂－ＳｉＨ₃の式を有し、Ｒ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。別の実施形態では、前駆体は、（Ｒ’’）_3-yＮ－（ＳｉＲ’ ₂－ＳｉＲ’ ₃）_yの式を有し、ｙ、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。さらに別の実施形態では、前駆体は、（Ｒ’’）_3-yＮ－（ＳｉＨ₂－ＳｉＨ₃）_yの式を有し、ｙおよびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0326】

前駆体は、二価ジシラニル基を含むことができる。一実施形態では、前駆体は、Ｒ’’₂Ｎ－ＳｉＲ’ ₂－ＳｉＲ’ ₂－Ｌ－ＮＲ’’₂の式を有し、Ｌ、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。別の実施形態では、前駆体は、Ｒ’’₂Ｎ－ＳｉＲ’ ₂－ＳｉＲ’ ₂－ＮＲ’’₂の式を有し、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0327】

リンカーＬは、２つのシリル基の間に存在することができる。一実施形態では、前駆体は、Ｒ’’₂Ｎ－ＳｉＲ’ ₂－Ｌ－ＳｉＲ’ ₃またはＲ’’Ｎ－（ＳｉＲ’ ₂－Ｌ－ＳｉＲ’ ₃）₂の式を有し、Ｌ、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。別の実施形態では、前駆体は、Ｒ’’₂Ｎ－ＳｉＲ’ ₂－Ｌ－ＳｉＲ’ ₂－ＮＲ’’₂の式を有し、Ｌ、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。さらに別の実施形態では、前駆体は、（Ｒ’’）_3-yＮ－（ＳｉＲ’ ₂－Ｌ－ＳｉＨ₃）_yの式を有し、ｙ、Ｌ、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0328】

前駆体は、シリル基として－ＳｉＨ₃を含むことができる。一実施形態では、前駆体は、Ｒ’’₂Ｎ－ＳｉＨ₂－ＳｉＨ₃の式を有し、Ｒ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。別の実施形態では、前駆体は、（Ｒ’’）Ｎ－（ＳｉＨ₂－Ｌ－ＳｉＨ₃）₂または（Ｒ’’）２Ｎ－（ＳｉＨ₂－Ｌ－ＳｉＨ₃）の式を有し、ＬおよびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0329】

前駆体は、例えば、－ＮＲ’’－ＳｉＲ’ ₃などのシリル置換アミノ基を含むことができ、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。一実施形態では、前駆体は、（Ｒ’）_4-xＳｉ（ＮＲ’’－ＳｉＲ’ ₃）_xまたは（Ｒ’）_4-xＳｉ（ＮＨ－ＳｉＲ’ ₃）_xの式を有し、ｘは、１、２、３、または４であり、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。別の実施形態では、前駆体は、Ｈ₂Ｓｉ（ＮＲ’’－ＳｉＲ’ ₃）₃の式を有し、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0330】

前駆体は、例えば、－Ｎ（ＳｉＲ’ ₃）₂などのビス－トリシリルアミノ基を含むことができ、Ｒ’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。一実施形態では、前駆体は、Ｒ’’₂Ｎ－ＳｉＲ’ ₂－Ｎ（ＳｉＲ’ ₃）₂の式を有し、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。別の実施形態では、前駆体は、Ｒ’’₂Ｎ－ＳｉＨ₂－Ｎ（ＳｉＨ₃）₂の式を有し、Ｒ’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。さらに別の実施形態では、前駆体は、（Ｒ’ ₃Ｓｉ）₂Ｎ－［ＳｉＲ’ ₂－Ｎ（ＳｉＲ’ ₃）］_z（ＳｉＲ’ ₃）の式を有し、ｚは、０、１、２、または３であり、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0331】

前駆体は、ケイ素原子と窒素原子との間に配置されたリンカーＬを含むことができる。一実施形態では、前駆体は、Ｒ’’₂Ｎ－ＳｉＲ’ ₂－Ｌ－ＮＲ’’₂の式を有し、Ｌ、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0332】

前駆体は、２つの窒素原子の間に配置されたリンカーＬを含むことができる。一実施形態では、前駆体は、Ｒ’ ₃Ｓｉ－ＳｉＲ’ ₂－ＮＲ’’－Ｌ－ＮＲ’’－ＳｉＲ’ ₂－ＳｉＲ’ ₃の式を有し、Ｌ、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0333】

リンカーは、例えば、－Ｎ（ＳｉＲ’ ₃）－などのシリルイミノ基を含むことができ、Ｒ’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。一実施形態では、前駆体は、Ｒ’’₂Ｎ－［ＳｉＲ’ ₂－Ｎ（ＳｉＲ’ ₃）］_z－ＳｉＲ’ ₃またはＲ’’₂Ｎ－［Ｎ（ＳｉＲ’ ₃）］_z－ＳｉＲ’ ₃の式を有し、ｚは、１、２、３、またはそれ以上であり、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0334】

リンカーは、シリル基とイミノ基の両方を含むことができる。一実施形態では、前駆体は、Ｒ’’₂Ｎ－［ＳｉＲ’ ₂－ＮＲ’’］_z－ＳｉＲ’ ₃の式を有し、ｚは、１、２、３、またはそれ以上であり、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0335】

非限定的な前駆体には、例えば、ジ－ｉｓｏ－プロピルアミノジシラン（［ｉＰｒ₂Ｎ］－ＳｉＨ₂－ＳｉＨ₃）、ジ－ｓｅｃ－ブチルアミノジシラン（［ｓＢｕ₂Ｎ］－ＳｉＨ₂－ＳｉＨ₃）、メチルシクロヘキシルアミノジシラン（［ＭｅＣｙＮ］－ＳｉＨ₂－ＳｉＨ₃）、メチルフェニルアミノジシラン（［ＭｅＰｈＮ］－ＳｉＨ₂－ＳｉＨ₃）、ピペリジノジシラン、３，５－ジメチルピペリジノジシラン、ジ－ｉｓｏ－プロピルアミノトリシリルアミン（［ｉＰｒ₂Ｎ］－ＳｉＨ₂－Ｎ［ＳｉＨ₃］₂）、ジエチルアミノトリシリルアミン（［Ｅｔ ２ Ｎ］－ＳｉＨ₂－Ｎ［ＳｉＨ₃］₂）、ｉｓｏ－プロピルアミノトリシリルアミン（［ｉＰｒＨＮ］－ＳｉＨ₂－Ｎ［ＳｉＨ₃］₂）などが挙げられる。

【0336】

ケイ素および酸素を含む混合アミン
ケイ素含有前駆体は、シリル基で置換された１つまたは複数のアミノ基を含むことができ、それによって非限定的な混合アミンが提供される。一実施形態では、前駆体は、（Ｒ’’）_3-yＮ［Ｓｉ（ＯＲ’’’）_xＲ’_3-x］ｙの式を有し、
ｘおよびｙの各々は、独立して、１、２、または３であり、
各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、脂肪族－カルボニル、脂肪族－カルボニルオキシ、脂肪族－オキシ、脂肪族－オキシカルボニル、ヘテロ脂肪族、ヘテロ脂肪族－カルボニル、ヘテロ脂肪族－カルボニルオキシ、ヘテロ脂肪族－オキシ、ヘテロ脂肪族－オキシカルボニル、芳香族、芳香族－カルボニル、芳香族－カルボニルオキシ、芳香族－オキシ、芳香族－オキシカルボニル、ヘテロ芳香族、ヘテロ芳香族－オキシ、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、
各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、またはアミノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、または任意選択で２つのＲ’’は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができ、
各Ｒ’’’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、シリル、またはシリルオキシであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよい。

【0337】

Ｒ’、Ｒ’’、およびＲ’’’の非限定的な例は、例えば、アミノシラン、シロキサン、シリルアミン、またはそれらの誘導体などについて本明細書に記載されている。

【0338】

前駆体は、Ｒ’’基とケイ素含有基の任意の組み合わせを含むことができる。一実施形態では、前駆体は、（Ｒ’’）_3-yＮ［Ｓｉ（ＯＲ^Ak）_xＲ^Ak _3-x］ｙまたは（Ｒ^Ak）_3-yＮ［Ｓｉ（ＯＲ^Ak）_xＲ^Ak _3-x］ｙの式を有し、Ｒ’’、ｘ、およびｙは、本明細書に記載のいずれかとすることができ、Ｒ^Akは、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、または任意選択で置換されたヘテロ脂肪族である。特定の実施形態では、Ｒ^Akは、Ｈ、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルキレン、または任意選択で置換されたアルキニルである。他の実施形態では、前駆体は、（Ｒ’’）_3-yＮ［Ｓｉ（ＯＲ^Ak）_xＨ_3-x］ｙまたは（Ｒ’’）_3-yＮ［Ｓｉ（ＯＲ^Ak）Ｈ（Ｒ^Ak）］ｙの式を有し、Ｒ’’、Ｒ^Ak、ｘ、およびｙは、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0339】

前駆体は、２つのケイ素含有基を含むことができる。一実施形態では、前駆体は、（Ｒ’’）Ｎ［Ｓｉ（ＯＲ^Ak）_xＲ^Ak _3-x］₂または（Ｒ^Ak）Ｎ［Ｓｉ（ＯＲ^Ak）_xＲ^Ak _3-x］₂の式を有し、Ｒ’’、Ｒ^Ak、ｘ、およびｙは、本明細書に記載のいずれかである。特定の実施形態では、ｘは、１または２である。

【0340】

前駆体は、窒素原子に結合した水素原子を含むことができる。一実施形態では、前駆体は、（Ｈ）_3-yＮ［Ｓｉ（ＯＲ^Ak）_xＲ^Ak _3-x］ｙまたは（Ｈ）_3-yＮ［Ｓｉ（ＯＲ^Ak）_xＨ_3-x］_yまたは（Ｈ）_3-yＮ［Ｓｉ（ＯＲ^Ak）Ｈ（Ｒ^Ak）］_yの式を有し、Ｒ^Ak、ｘ、およびｙは、本明細書に記載のいずれかである。特定の実施形態では、ｘは、１または２である。

【0341】

非限定的な前駆体には、例えば、ビス（ジメトキシシリル）アミン（ＮＨ［Ｓｉ（ＯＭｅ）₂Ｈ］₂）、ビス（ジエトキシシリル）アミン（ＮＨ［Ｓｉ（ＯＥｔ）₂Ｈ］₂）、Ｎ－ｉｓｏ－プロピルビス（ジエトキシシリル）アミン（ＮｉＰｒ［Ｓｉ（ＯＥｔ）₂Ｈ］₂）、ビス（メトキシメチルシリル）アミン（ＮＨ［Ｓｉ（ＯＭｅ）ＭｅＨ］₂）、トリス（ジメトキシシリル）アミン（Ｎ［Ｓｉ（ＯＭｅ）₂Ｈ］₃）、トリス（メトキシメチルシリル）アミン（Ｎ［Ｓｉ（ＯＭｅ）ＭｅＨ］₃）、トリス（ジエトキシシリル）アミン（Ｎ［Ｓｉ（ＯＥｔ）₂Ｈ］₃）、トリス（トリメトキシシリル）アミン（Ｎ［Ｓｉ（ＯＭｅ）₃］₃）などが挙げられる。

【0342】

環状シラザン
ケイ素含有前駆体は、１つまたは複数の窒素原子を有する環状基を含むことができる。一実施形態では、前駆体は、［ＮＲ’’－（ＳｉＲ’ ₂）_n］_zの式を有し、
ｚは、１、２、３、４、５、またはそれ以上であり、
ｎは、１、２、または３であり、
各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、脂肪族－カルボニル、脂肪族－カルボニルオキシ、脂肪族－オキシ、脂肪族－オキシカルボニル、ヘテロ脂肪族、ヘテロ脂肪族－カルボニル、ヘテロ脂肪族－カルボニルオキシ、ヘテロ脂肪族－オキシ、ヘテロ脂肪族－オキシカルボニル、芳香族、芳香族－カルボニル、芳香族－カルボニルオキシ、芳香族－オキシ、芳香族－オキシカルボニル、ヘテロ芳香族、ヘテロ芳香族－オキシ、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、
各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、アミノ、シリル、またはシリルオキシであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、または任意選択で２つのＲ’’は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができる。

【0343】

一実施形態では、前駆体は、［ＮＲ’’－（ＳｉＲ’ ₂）_n－Ｌ－（ＳｉＲ’ ₂）_n］_zの式を有し、
ｚは、１、２、３、４、５、またはそれ以上であり、
各ｎは、独立して、１、２、または３であり、
各Ｌは、独立して、リンカー、例えば共有結合、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、オキシ（－Ｏ－）、イミノ、またはシリル、ならびにそれらの組み合わせであり、
各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、脂肪族－カルボニル、脂肪族－カルボニルオキシ、脂肪族－オキシ、脂肪族－オキシカルボニル、ヘテロ脂肪族、ヘテロ脂肪族－カルボニル、ヘテロ脂肪族－カルボニルオキシ、ヘテロ脂肪族－オキシ、ヘテロ脂肪族－オキシカルボニル、芳香族、芳香族－カルボニル、芳香族－カルボニルオキシ、芳香族－オキシ、芳香族－オキシカルボニル、ヘテロ芳香族、ヘテロ芳香族－オキシ、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、
各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、アミノ、シリル、またはシリルオキシであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、または任意選択で２つのＲ’’は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができる。

【0344】

別の実施形態では、前駆体は、［ＮＲ’’－Ｌ－ＮＲ’’－（ＳｉＲ’ ₂）_n］_zの式を有し、ｚは、１、２、３、４、５、またはそれ以上であり、各ｎは、独立して、１、２、または３であり、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0345】

さらに別の実施形態では、前駆体は、［Ｌ－（ＳｉＲ’ ₂）_n］_zの式を有し、ｚは、１、２、３、４、５、またはそれ以上であり、各ｎは、独立して、１、２、または３であり、Ｌは、イミノ（例えば、－ＮＲ－）、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、またはそれらの組み合わせであり、Ｒ’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。特定の実施形態では、Ｌがヘテロ原子を含まない場合、Ｒ’は、１つまたは複数のヘテロ原子（例えば、窒素原子）を含む。

【0346】

一実施形態では、前駆体は、以下の化学式８の式を有し、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができ、ｎは、１、２、３、または４である。

【化8】

【0347】

別の実施形態では、前駆体は、以下の化学式９の式を有し、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができ、ｎは、１、２、３、または４である。

【化9】

【0348】

さらに別の実施形態では、前駆体は、以下の化学式１０の式を有し、Ｒ’’およびＲ’’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができ、ｎは、１、２、３、または４である。特定の実施形態では、各Ｒ’’’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、シリル、またはシリルオキシであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよい。

【化10】

【0349】

一実施形態では、前駆体は、以下の化学式１１の式を有し、Ｒ’は、ヘテロ原子（例えば、任意選択で置換されたアミノ、アジド、イソシアナト、または任意選択で置換されたヒドラジノ中などの窒素原子）を含むことができ、ｎは、１、２、３、または４である。

【化11】

【0350】

いくつかの実施形態では、Ｌは、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキレン、任意選択で置換されたアルケニレン、任意選択で置換されたアルキニレン、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換されたヘテロアルキレン、任意選択で置換されたヘテロアルケニレン、任意選択で置換されたヘテロアルキニレン、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたアリーレン、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたヘテロアリーレン、オキシ（－Ｏ－）、イミノ（例えば、－ＮＲ－または－Ｎ（ＳｉＲ₃）－）、またはシリル（例えば、－ＳｉＲ₂－）、ならびにそれらの組み合わせ（例えば、－ＳｉＲ₂－ＮＲ－、－ＮＲ－ＳｉＲ₂－、－ＳｉＲ₂－ＮＲ－ＳｉＲ₂－など）を含む。特定の実施形態では、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたアリール、および任意選択で置換されたヘテロ芳香族である。

【0351】

他の実施形態では、Ｌは、任意選択で置換されたアルキレンであり、少なくとも１つのＲ’は、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換されたアミノ、任意選択で置換された脂肪族－オキシ、または任意選択で置換されたアルコキシを含む。

【0352】

いくつかの実施形態では、各Ｒ’は、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、任意選択で置換された芳香族、または任意選択で置換されたアリールである。他の実施形態では、各Ｒ’は、独立して、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換されたアミノ、または任意選択で置換されたアルコキシである。

【0353】

他の実施形態では、各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、任意選択で置換されたシリル、任意選択で置換されたアミノ、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたアリール、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、または任意選択で置換されたヘテロアリールである。

【0354】

非限定的な前駆体には、１，３，３－トリメチルシクロジシラザン（［ＮＨ－ＳｉＭｅ₂］［ＮＨ－ＳｉＭｅＨ］）、ヘキサメチルシクロトリシラザン（［ＮＨ－ＳｉＭｅ₂］₃）、オクタメチルシクロテトラシラザン（［ＮＨ－ＳｉＭｅ₂］₄）などが挙げられる。

【0355】

環状シロキサン
ケイ素含有前駆体は、１つまたは複数の酸素原子を有する環状基を含むことができる。一実施形態では、前駆体は、［Ｌ－（ＳｉＲ’ ₂）_n］_zの式を有し、
ｚは、１、２、３、４、５、またはそれ以上であり、
ｎは、１、２、または３であり、
Ｌは、酸素含有リンカー（例えば、オキシまたはヘテロアルキレン）であり、
各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、脂肪族－カルボニル、脂肪族－カルボニルオキシ、脂肪族－オキシ、脂肪族－オキシカルボニル、ヘテロ脂肪族、ヘテロ脂肪族－カルボニル、ヘテロ脂肪族－カルボニルオキシ、ヘテロ脂肪族－オキシ、ヘテロ脂肪族－オキシカルボニル、芳香族、芳香族－カルボニル、芳香族－カルボニルオキシ、芳香族－オキシ、芳香族－オキシカルボニル、ヘテロ芳香族、ヘテロ芳香族－オキシ、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよい。

【0356】

一実施形態では、前駆体は、［Ｏ－Ｌ’－Ｏ－（ＳｉＲ’ ₂）_n］_zの式を有し、
ｚは、１、２、３、４、５、またはそれ以上であり、
ｎは、１、２、または３であり、
各Ｌ’は、独立して、リンカー、例えば任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたシリル（例えば、－ＳｉＲ₂－）、任意選択で置換されたアルキレン（例えば、－（ＣＨ₂）_n－、ｎは、１～６である）、および任意選択で置換されたアリーレンであり、
Ｒ’は、本明細書に記載のいずれかである。

【0357】

別の実施形態では、前駆体は、［Ｏ－（ＳｉＲ’ ₂）_n－Ｌ－（ＳｉＲ’ ₂）_n］_zの式を有し、
ｚは、１、２、３、４、５、またはそれ以上であり、
各ｎは、独立して、１、２、または３であり、
各Ｌは、独立して、リンカー、例えば共有結合、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、オキシ（－Ｏ－）、イミノ、またはシリル、ならびにそれらの組み合わせであり、
Ｒ’は、本明細書に記載のいずれかである。

【0358】

さらに別の実施形態では、前駆体は、［Ｌ－（ＳｉＲ’ ₂）_n］_zの式を有し、
ｚは、１、２、３、４、５、またはそれ以上であり、各ｎは、独立して、１、２、または３であり、Ｌは、オキシ（－Ｏ－）、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、またはそれらの組み合わせであり、Ｒ’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。特定の実施形態では、Ｌがヘテロ原子を含まない場合、Ｒ’は、１つまたは複数のヘテロ原子（例えば、酸素原子）を含む。

【0359】

一実施形態では、前駆体は、以下の化学式１２の式を有し、Ｒ’は、本明細書に記載のいずれかとすることができ、ｎは、１、２、３、または４である。

【化12】

【0360】

別の実施形態では、前駆体は、以下の化学式１３の式を有し、Ｒ’およびＲ’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができ、ｎは、１、２、３、または４である。

【化13】

【0361】

さらに別の実施形態では、前駆体は、以下の化学式１４の式を有し、Ｒ’’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができ、ｎは、１、２、３、または４である。特定の実施形態では、各Ｒ’’’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、シリル、またはシリルオキシであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよい。

【化14】

【0362】

一実施形態では、前駆体は、以下の化学式１５の式を有し、Ｒ’は、ヘテロ原子（例えば、任意選択で置換された脂肪族－オキシ、脂肪族－オキシカルボニル、脂肪族－カルボニル、脂肪族－カルボニルオキシ、任意選択で置換されたアルコキシ、任意選択で置換されたアルコキシカルボニル、任意選択で置換されたアルカノイル、任意選択で置換されたアルカノイルオキシ中などの酸素原子）を含むことができ、ｎは、１、２、３、または４である。

【化15】

【0363】

いくつかの実施形態では、各Ｒ’は、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、任意選択で置換されたアミノアルキル、任意選択で置換された芳香族、または任意選択で置換されたアリールである。他の実施形態では、各Ｒ’は、独立して、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換されたアミノ、または任意選択で置換されたアルコキシである。

【0364】

非限定的な前駆体には、例えば、テトラメチルシクロテトラシロキサン（［ＯＳｉＨＭｅ］₄またはＴＭＣＴＳ）、ヘキサメチルシクロテトラシロキサン（［ＯＳｉＭｅ₂ＯＳｉＨＭｅ］₂またはＨＭＣＴＳ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（［ＯＳｉＭｅ₂］₄、Ｃ₈Ｈ₂₄Ｏ₄Ｓｉ₄、またはＯＭＣＴＳ）、デカメチルシクロペンタシロキサン（［ＯＳｉＭｅ₂］₅またはＣ₁₀Ｈ₃₀Ｏ₅Ｓｉ₅）、２－ジメチルアミノ－２，４，４，６，６－ペンタメチルシクロトリシロキサン（［ＯＳｉＭｅ₂］₂［ＯＳｉＭｅ（ＮＭｅ₂）］）、２－ジメチルアミノ－２，４，４，６，６，８，８－ヘプタメチルシクロテトラシロキサン（［ＯＳｉＭｅ₂］₃［ＯＳｉＭｅ（ＮＭｅ₂）］）などが挙げられる。

【0365】

アミノシロキサンおよびその誘導体
ケイ素含有前駆体は、１つまたは複数のアミノ置換基を有するシロキサンまたはその誘導体を含むことができ、それによって１つまたは複数のＳｉ－Ｏ、Ｏ－Ｓｉ－Ｏ、またはＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を有し、かつ１つまたは複数の－ＮＲ₂置換基を有するシロキサンまたはその誘導体が提供される。一実施形態では、前駆体は、（Ｒ’’）_3-yＮ［ＳｉＲ’ ₂－（ＯＳｉＲ’ ₂）_z－Ｒ’］_yの式を有し、
ｙは、１、２、または３であり、
ｚは、１、２、３、またはそれ以上であり、
各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、脂肪族－カルボニル、脂肪族－カルボニルオキシ、脂肪族－オキシ、脂肪族－オキシカルボニル、ヘテロ脂肪族、ヘテロ脂肪族－カルボニル、ヘテロ脂肪族－カルボニルオキシ、ヘテロ脂肪族－オキシ、ヘテロ脂肪族－オキシカルボニル、芳香族、芳香族－カルボニル、芳香族－カルボニルオキシ、芳香族－オキシ、芳香族－オキシカルボニル、ヘテロ芳香族、ヘテロ芳香族－オキシ、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、
各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、またはアミノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、または任意選択で２つのＲ’’は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができる。

【0366】

別の実施形態では、前駆体は、（Ｒ’’）_3-yＮ［（ＳｉＲ’ ₂－Ｏ）_z－ＳｉＲ’ ₃］_yの式を有し、Ｒ’、Ｒ’’、ｙ、およびｚは、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0367】

前駆体は、任意選択で置換されたシリル基を有する任意選択で置換されたアミノ基を含むことができる。一実施形態では、前駆体は、Ｒ’’₂Ｎ－ＳｉＲ’ ₂－（ＯＳｉＲ’ ₂）_z－Ｒ’またはＲ’’₂Ｎ－ＳｉＲ’ ₂－Ｏ－ＳｉＲ’ ₃の式を有し、Ｒ’、Ｒ’’、およびｚは、本明細書に記載のいずれかとすることができる。別の実施形態では、前駆体は、Ｒ’’₂Ｎ（ＳｉＲ’ ₂－Ｏ）ｚ－ＳｉＲ’ ₃の式を有し、Ｒ’、Ｒ’’、およびｚは、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0368】

前駆体は、２つの任意選択で置換されたアミノ基を含むことができる。一実施形態では、前駆体は、Ｒ’’₂Ｎ－ＳｉＲ’ ₂－（ＯＳｉＲ’ ₂）_z－ＮＲ’’₂の式を有し、Ｒ’、Ｒ’’、およびｚは、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0369】

いくつかの実施形態では、Ｒ’は、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、または任意選択で置換されたアルキニルである。他の実施形態では、Ｒ’’は、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、または任意選択で置換されたアルキニルである。特定の実施形態では、ｚは、１、２、または３である。

【0370】

非限定的な前駆体には、例えば、１－ジメチルアミノ－ペンタメチルジシロキサン（Ｍｅ₂Ｎ－ＳｉＭｅ₂－ＯＳｉＭｅ₃）、１－ジエチルアミノ－ペンタメチルジシロキサン（Ｅｔ₂Ｎ－ＳｉＭｅ₂－ＯＳｉＭｅ₃）、１－エチルメチルアミノ－ペンタメチルジシロキサン（ＥｔＭｅＮ－ＳｉＭｅ₂－ＯＳｉＭｅ₃）、１，３－ビス（ジメチルアミノ）テトラメチルジシロキサン（Ｍｅ₂Ｎ－ＳｉＭｅ₂－ＯＳｉＭｅ₂－ＮＭｅ₂）、１－ジメチルアミノ－ヘプタメチルトリシロキサン（Ｍｅ₂Ｎ－ＳｉＭｅ₂－［ＯＳｉＭｅ₂］₂－Ｍｅ）、１，５－ビス（ジメチルアミノ）ヘキサメチルトリシロキサン（Ｍｅ₂Ｎ－ＳｉＭｅ₂－［ＯＳｉＭｅ₂］₂－ＮＭｅ₂）などが挙げられ得る。

【0371】

アルキルシラノールまたはアルコキシシラノールを含む、シラノール
ケイ素含有前駆体は、１つまたは複数のヒドロキシル基を含むことができ、それによって非限定的なシラノールが提供される。一実施形態では、前駆体は、（Ｒ’）_4-xＳｉ（ＯＨ）_xの式を有し、
ｘは、１、２、３、または４であり、
各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、脂肪族－カルボニル、脂肪族－カルボニルオキシ、脂肪族－オキシ、脂肪族－オキシカルボニル、ヘテロ脂肪族、ヘテロ脂肪族－カルボニル、ヘテロ脂肪族－カルボニルオキシ、ヘテロ脂肪族－オキシ、ヘテロ脂肪族－オキシカルボニル、芳香族、芳香族－カルボニル、芳香族－カルボニルオキシ、芳香族－オキシ、芳香族－オキシカルボニル、ヘテロ芳香族、ヘテロ芳香族－オキシ、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよい。

【0372】

他の実施形態では、前駆体は、（Ｒ’）_zＳｉ（ＯＨ）_x（ＯＲ’’’）_yの式を有し、
ｘは、１、２、３、または４であり、
ｙおよびｚの各々は、独立して、０、１、２、または３であり、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝４であり、
各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、脂肪族－カルボニル、脂肪族－カルボニルオキシ、脂肪族－オキシ、脂肪族－オキシカルボニル、ヘテロ脂肪族、ヘテロ脂肪族－カルボニル、ヘテロ脂肪族－カルボニルオキシ、ヘテロ脂肪族－オキシ、ヘテロ脂肪族－オキシカルボニル、芳香族、芳香族－カルボニル、芳香族－カルボニルオキシ、芳香族－オキシ、芳香族－オキシカルボニル、ヘテロ芳香族、ヘテロ芳香族－オキシ、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、
各Ｒ’’’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、シリル、またはシリルオキシであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよい。

【0373】

前駆体は、１つのヒドロキシル基を有することができる。一実施形態では、前駆体は、（Ｒ’）₃Ｓｉ（ＯＨ）の式を有し、各Ｒ’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。別の実施形態では、前駆体は、Ｓｉ（ＯＨ）（ＯＲ’’’）₃の式を有し、各Ｒ’’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。特定の実施形態では、Ｒ’’’は、任意選択で置換されたアルキル（例えば、Ｍｅ、Ｅｔ、ｎＰｒ、ｉＰｒ、ｓＢｕ、またはｔＢｕ）であり、任意選択で置換されたアルキルは、直鎖、分岐、置換、または非置換である。

【0374】

非限定的な前駆体には、例えば、トリ（ｔ－ブトキシ）シラノール（ＳｉＯＨ［ＯｔＢｕ］₃）、トリ（ｔ－ペントキシ）シラノール（ＳｉＯＨ［ＯｔＰｅ］₃）などが挙げられる。

【0375】

カルボニルオキシシラン
ケイ素含有前駆体は、１つまたは複数の任意選択で置換された脂肪族－カルボニルオキシ基を含むことができ、それによって非限定的なカルボニルオキシシランが提供される。一実施形態では、前駆体は、（Ｒ’）_4-xＳｉ（ＯＣ（Ｏ）－Ｒ’’’）_xの式を有し、
ｘは、１、２、３、または４であり、
各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、脂肪族－カルボニル、脂肪族－オキシ、脂肪族－オキシカルボニル、ヘテロ脂肪族、ヘテロ脂肪族－カルボニル、ヘテロ脂肪族－オキシ、ヘテロ脂肪族－オキシカルボニル、芳香族、芳香族－カルボニル、芳香族－オキシ、芳香族－オキシカルボニル、ヘテロ芳香族、ヘテロ芳香族－オキシ、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、
各Ｒ’’’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、アミノ、またはアミノオキシであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよい。

【0376】

別の実施形態では、前駆体は、（Ｒ’’’－Ｃ（Ｏ）Ｏ）_x（Ｒ’）_3-xＳｉ－Ｌ－Ｓｉ（Ｒ’）_3-x（ＯＣ（Ｏ）－Ｒ’’’）_xの式を有し、
各ｘは、独立して、０、１、２、または３であり、
Ｌは、リンカー、例えば共有結合、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、オキシ（－Ｏ－）、イミノ、またはシリルであり、
各Ｒ’は、独立して、Ｈ、脂肪族、脂肪族－カルボニル、脂肪族－オキシ、脂肪族－オキシカルボニル、ヘテロ脂肪族、ヘテロ脂肪族－カルボニル、ヘテロ脂肪族－オキシ、ヘテロ脂肪族－オキシカルボニル、芳香族、芳香族－カルボニル、芳香族－オキシ、芳香族－オキシカルボニル、ヘテロ芳香族、ヘテロ芳香族－オキシ、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル、シリルオキシ、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、
各Ｒ’’’は、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族、アミノ、またはアミノオキシであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよい。

【0377】

いくつかの実施形態では、Ｒ’は、Ｈ、任意選択で置換されたアミノ（例えば、－ＮＲ₂）、脂肪族－オキシ（例えば、アルコキシまたは－ＯＲ）、脂肪族－カルボニル（例えば、アルカノイルまたは－Ｃ（Ｏ）Ｒ）、脂肪族－オキシカルボニル（例えば、アルコキシカルボニルまたは－Ｃ（Ｏ）ＯＲ）、シリル（例えば、－ＳｉＲ₃）、脂肪族－オキシ－シリル（例えば、アルコキシシリルまたは－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b）、アミノシリル（例えば、－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＮＲ₂）_b）、シリルオキシ（例えば、－Ｏ－ＳｉＲ₃）、脂肪族－オキシ－シリルオキシ（例えば、アルコキシシリルオキシまたは－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ）_b）、アミノシリルオキシ（例えば、－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＮＲ₂）_b）、芳香族（例えば、アリール）、芳香族－オキシ（例えば、アリールオキシまたは－ＯＲ）、ヒドロキシル（－ＯＨ）、ホルミル（－Ｃ（Ｏ）Ｈ）などである。特定の実施形態では、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたアリール、および任意選択で置換されたヘテロ芳香族であり、ａ≧０、ｂ≧１、およびａ＋ｂ＝３である。いくつかの実施形態では、２つのＲ基は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、任意選択で置換されたヘテロシクリルを形成することができる。他の実施形態では、各Ｒは、独立して、Ｈ、任意選択で置換されたアルキル、任意選択で置換されたアルケニル、任意選択で置換されたアルキニル、または任意選択で置換されたアリールである。

【0378】

いくつかの実施形態では、Ｒ’’’は、Ｈ、場合によって置換されたアルキル、場合によって置換されたアルケニル、場合によって置換されたアルキニル、場合によって置換されたアルコキシ、場合によって置換されたアリールオキシ、場合によって置換されたアミノ、または場合によって置換されたアミノオキシである。

【0379】

非限定的な前駆体には、（Ｒ’）₂Ｓｉ（ＯＣ（Ｏ）－Ｒ’’’）₂の式を有する前駆体が挙げられ、Ｒ’およびＲ’’’は、本明細書に記載のいずれかとすることができる。

【0380】

装置
本開示はまた、本明細書に記載の方法を実施するように構成された装置を包含する。一態様では、半導体基板を処理するための装置であって、装置は、基板を保持するための台座を含む少なくとも１つのプロセスチャンバと、真空に結合するための少なくとも１つの出口と、１つまたは複数の有機ケイ素含有前駆体ガス源に結合された１つまたは複数のプロセスガス入口と、１つまたは複数の窒素含有反応剤ガス源に結合された１つまたは複数のプロセスガス入口と、装置内の動作を制御するためのコントローラであって、時間的に分離されたパルスで有機ケイ素含有前駆体ガスおよび窒素含有反応剤ガスを導入し、熱原子層堆積によって基板の表面上に窒化ケイ素を形成するための機械可読命令を含むコントローラとを含み、ケイ素含有前駆体ガスのパルスおよび窒素含有反応剤ガスのパルスは、１つの熱原子層堆積サイクルを構成し、それによって膜を堆積する。一実施形態では、膜の炭素含有量は、プロセス温度を変更することによって修正することができる。

【0381】

別の態様では、半導体基板を処理するための装置であって、装置は、基板を保持するための台座を含む少なくとも１つのプロセスチャンバと、真空に結合するための少なくとも１つの出口と、１つまたは複数の有機ケイ素含有前駆体ガス源に結合された１つまたは複数のプロセスガス入口と、１つまたは複数の窒素含有反応剤ガス源に結合された１つまたは複数のプロセスガス入口と、１つまたは複数のプラズマ源と、装置内の動作を制御するためのコントローラであって、時間的に分離されたパルスで有機ケイ素含有前駆体ガスおよび窒素含有反応剤ガスを導入し、熱原子層堆積によって基板の表面上に窒化ケイ素を形成するための機械可読命令を含むコントローラとを含み、ケイ素含有前駆体ガスのパルスおよび窒素含有反応剤ガスのパルスは、１つの熱原子層堆積サイクルを構成し、基板の表面をラジカル種に曝露することで、１つまたは複数のプラズマ源を形成する。特定の実施形態では、ラジカル種は、窒素含有ラジカルを含む。

【0382】

図４は、いずれもプラズマ強化されてもよい、原子層堆積（ＡＬＤ）および／または化学気相堆積（ＣＶＤ）を使用して材料を堆積するために使用され得るプロセスステーション４００の一実施形態を概略的に示す。簡略化のために、プロセスステーション４００は、低圧環境を維持するためのプロセスチャンバ本体４０２を有する独立型プロセスステーションとして図示されている。しかし、複数のプロセスステーション４００が共通のプロセスツール環境に含まれてもよいことが理解されよう。さらに、いくつかの実施形態では、プロセスステーション４００の１つまたは複数のハードウェアパラメータ（以下で詳細に説明されるものを含む）は、１つまたは複数のコンピュータコントローラによってプログラム的に調整することができることが理解されよう。

【0383】

プロセスステーション４００は、プロセスガスを分配シャワーヘッド４０６に送給するための反応剤送給システム４０１と流体連通する。反応剤送給システム４０１は、シャワーヘッド４０６に送給するプロセスガスをブレンドおよび／または調整するための混合容器４０４を含む。１つまたは複数の混合容器入口弁４２０は、混合容器４０４へのプロセスガスの導入を制御することができる。同様に、シャワーヘッド入口弁４０５は、シャワーヘッド４０６へのプロセスガスの導入を制御することができる。

【0384】

本明細書のいずれかのケイ素含有前駆体と同様に、一部の反応剤は、プロセスステーションでの気化前、およびその後のプロセスステーションへの送給前に液体の形態で保管され得る。例えば、図４の実施形態は、混合容器４０４に供給される液体反応剤を気化させるための気化ポイント４０３を含む。いくつかの実施形態では、気化ポイント４０３は、加熱された気化器であり得る。このような気化器から発生された反応剤蒸気は、下流の送給配管で凝縮する可能性がある。凝縮した反応剤に不適合なガスを曝露すると、小さな粒子が生成される場合がある。これらの小さな粒子は、配管を詰まらせたり、弁の動作を妨げたり、基板を汚染したりする可能性がある。これらの問題に対処するいくつかのアプローチは、送給配管を掃除および／または排気し、残留反応剤を除去することを伴う。しかし、送給配管を掃除すると、プロセスステーションのサイクル時間が増加し、プロセスステーションのスループットが低下する可能性がある。したがって、いくつかの実施形態では、気化ポイント４０３の下流の送給配管は、ヒートトレースされ得る。いくつかの例では、混合容器４０４もまた、ヒートトレースされ得る。１つの非限定的な例では、気化ポイント４０３の下流の配管は、混合容器３０４において約１００℃～約１５０℃に及ぶ上昇温度プロファイルを有する。

【0385】

いくつかの実施形態では、反応剤液体は、液体注入器で気化され得る。例えば、液体注入器は、液体反応剤のパルスを混合容器の上流のキャリアガス流に注入することができる。１つのシナリオでは、液体注入器は、液体を高圧から低圧にフラッシュすることによって反応剤を気化させることができる。別のシナリオでは、液体注入器は、液体を分散微小液滴に霧化し、続いて加熱された送給パイプ内で気化することができる。小さな液滴は大きな液滴よりも速く気化することができ、液体注入と完全気化との間の遅延を減少させることが理解されよう。気化が速いほど、気化ポイント４０３から下流の配管の長さを短くすることができる。１つのシナリオでは、液体注入器は、混合容器４０４に直接取り付けられてもよい。別のシナリオでは、液体注入器は、シャワーヘッド４０６に直接取り付けられてもよい。

【0386】

いくつかの実施形態では、気化されてプロセスステーション４００に送給される液体の質量流量を制御するために、液体流コントローラを気化ポイント４０３の上流に設けることができる。例えば、液体流コントローラ（ＬＦＣ）は、ＬＦＣの下流に位置する熱質量流量計（ＭＦＭ）を含み得る。次に、ＬＦＣのプランジャ弁は、ＭＦＭと電気的に通信する比例積分微分（ＰＩＤ）コントローラによって提供されるフィードバック制御信号に応答して調整され得る。しかし、フィードバック制御を使用して液体の流れを安定化するには１秒以上かかる場合がある。これは、液体反応剤の投与時間を延長する可能性がある。したがって、いくつかの実施形態では、ＬＦＣは、フィードバック制御モードと直接制御モードとの間で動的に切り替えられてもよい。いくつかの実施形態では、ＬＦＣの感知管およびＰＩＤコントローラを無効にすることによって、ＬＦＣをフィードバック制御モードから直接制御モードに動的に切り替えることができる。

【0387】

シャワーヘッド４０６は、プロセスガスを基板４１２に向かって分配する。図４に示す実施形態では、基板４１２は、シャワーヘッド４０６の下に位置し、台座４０８上に静止した状態で示されている。シャワーヘッド４０６は、任意の適切な形状を有してもよく、プロセスガスを基板４１２に分配するための任意の適切な数および配置のポートを有してもよいことが理解されよう。

【0388】

いくつかの実施形態では、マイクロ体積４０７がシャワーヘッド４０６の下に位置する。プロセスステーションの全体積ではなくマイクロ体積でＡＬＤおよび／またはＣＶＤプロセスを実施することは、反応剤への曝露および掃除時間を短縮することができ、プロセス条件（例えば、圧力、温度など）を変更するための時間を短縮することができ、プロセスガスへのプロセスステーションロボットの曝露を制限することなどが可能である。例示的なマイクロ体積サイズには、限定はしないが、０．１リットル～２リットルの体積が挙げられる。このマイクロ体積もまた、生産性スループットに影響を与える。サイクル当たりの堆積速度が低下する一方で、サイクル時間も同時に短縮される。場合によっては、後者の影響は、膜の所与の目標厚さに対するモジュールの全体的なスループットを改善するのに十分効果的である。

【0389】

いくつかの実施形態では、台座４０８を上昇または下降させて基板４１２をマイクロ体積４０７に露出させ、かつ／またはマイクロ体積４０７の体積を変化させることができる。例えば、基板移送段階では、台座４０８を下降させ、基板４１２が台座４０８上にロードされることを可能にすることができる。堆積プロセス段階中、台座４０８を上昇させ、マイクロ体積４０７内に基板４１２を位置決めすることができる。いくつかの実施形態では、マイクロ体積４０７は、基板４１２ならびに台座４０８の一部を完全に包囲し、堆積プロセス中に流れインピーダンスの高い領域を形成することができる。

【0390】

任意選択で、台座４０８は、マイクロ体積４０７内のプロセス圧力、反応剤濃度などを調節するために、堆積プロセスの一部の間に下降および／または上昇されてもよい。プロセスチャンバ本体４０２が堆積プロセス中にベース圧力のままである１つのシナリオでは、台座４０８を下降させることにより、マイクロ体積４０７を排気することができる。マイクロ体積対プロセスチャンバ体積の例示的な比には、限定はしないが、１：１００～１：１０の体積比が挙げられる。いくつかの実施形態では、台座の高さは、適切なコンピュータコントローラによってプログラム的に調整することができることが理解されよう。

【0391】

別のシナリオでは、台座４０８の高さを調整することにより、堆積プロセスに含まれるプラズマ活性化サイクルおよび／またはプラズマ処理サイクル中にプラズマ密度を変化させることが可能になり得る。堆積プロセス段階の終わりに、別の基板の移送段階中に台座４０８を下降させ、台座４０８から基板４１２を取り出し可能にすることができる。

【0392】

本明細書に記載の例示的なマイクロ体積変動は高さ調整可能な台座に言及しているが、いくつかの実施形態では、シャワーヘッド４０６の位置を台座４０８に対して調整し、マイクロ体積４０７の体積を変化させることができることが理解されよう。さらに、台座４０８および／またはシャワーヘッド４０６の垂直位置は、本開示の範囲内の任意の適切な機構によって変化させてもよいことが理解されよう。いくつかの実施形態では、台座４０８は、基板４１２の配向を回転させるための回転軸を含んでもよい。いくつかの実施形態では、これらの例示的な調整の１つまたは複数は、１つまたは複数の適切なコンピュータコントローラによってプログラム的に実施することができることが理解されよう。

【0393】

図４に示す実施形態に戻ると、シャワーヘッド４０６および台座４０８は、プラズマに電力を供給するために、ＲＦ電源４１４および整合ネットワーク４１６と電気的に通信する。いくつかの実施形態では、プラズマエネルギーは、プロセスステーション圧力、ガス濃度、ＲＦ源電力、ＲＦ源周波数、およびプラズマ電力パルスタイミングの１つまたは複数を制御することによって制御することができる。例えば、ＲＦ電源４１４および整合ネットワーク４１６は、任意の適切な電力で動作してラジカル種の所望の組成を有するプラズマを形成することができる。適切な電力の例は、上記に含まれている。同様に、ＲＦ電源４１４は、任意の適切な周波数のＲＦ電力を提供することができる。いくつかの実施形態では、ＲＦ電源４１４は、互いに独立して高周波および低周波のＲＦ電源を制御するように構成され得る。例示的な低周波ＲＦ周波数は、限定はしないが、５０ｋＨｚ～１０００ｋＨｚの周波数を含み得る。例示的な高周波ＲＦ周波数は、限定はしないが、１．８ＭＨｚ～２．４５ＧＨｚの周波数を含み得る。表面反応のためのプラズマエネルギーを提供するために、任意の適切なパラメータを離散的または連続的に調節することができることが理解されよう。１つの非限定的な例では、プラズマ電力を断続的にパルス化し、連続的に電力を供給されるプラズマと比較して基板表面でのイオン衝撃を低減することができる。

【0394】

いくつかの実施形態では、プラズマは、１つまたは複数のプラズマモニタによってｉｎ－ｓｉｔｕで監視することができる。１つのシナリオでは、プラズマ電力は、１つまたは複数の電圧、電流センサ（例えば、ＶＩプローブ）によって監視され得る。別のシナリオでは、プラズマ密度および／またはプロセスガス濃度は、１つまたは複数の発光分光センサ（ＯＥＳ）によって測定されてもよい。いくつかの実施形態では、１つまたは複数のプラズマパラメータは、そのようなｉｎ－ｓｉｔｕプラズマモニタからの測定値に基づいてプログラム的に調整することができる。例えば、ＯＥＳセンサは、プラズマ電力のプログラム制御を提供するためのフィードバックループで使用され得る。いくつかの実施形態では、他のモニタを使用して、プラズマおよび他のプロセス特性を監視することができることが理解されよう。そのようなモニタには、限定はしないが、赤外線（ＩＲ）モニタ、音響モニタ、および圧力変換器が挙げられ得る。

【0395】

いくつかの実施形態では、プラズマは、入出力制御（ＩＯＣ）シーケンス命令を介して制御され得る。一例では、プラズマプロセス段階に対するプラズマ条件を設定するための命令は、堆積プロセスレシピの対応するプラズマ活性化レシピ段階に含まれてもよい。場合によっては、プロセスレシピ段階は、堆積プロセス段階に対するすべての命令がそのプロセス段階と同時に実行されるように、順に配置されてもよい。いくつかの実施形態では、１つまたは複数のプラズマパラメータを設定するための命令が、プラズマプロセス段階に先行するレシピ段階に含まれ得る。例えば、第１のレシピ段階は、不活性ガスおよび／または有機ケイ素含有前駆体ガスの流量を設定するための命令、プラズマ発生器を電力設定点に設定するための命令、および第１のレシピ段階のための時間遅延命令を含んでもよい。第２の後続のレシピ段階は、不活性ガスおよび／または反応剤ガスの流量を調整または停止するための命令、キャリアガスまたはパージガスの流量を調節するための命令、および第２のレシピ段階のための時間遅延命令を含んでもよい。第３のレシピ段階は、窒素含有ガスの流量を調節するための命令、キャリアガスまたはパージガスの流量を調節するための命令、および第３のレシピ段階のための時間遅延命令を含んでもよい。第４の後続のレシピ段階は、不活性ガスおよび／または反応剤ガスの流量を調節または停止するための命令、キャリアガスまたはパージガスの流量を調節するための命令、および第４のレシピ段階のための時間遅延命令を含んでもよい。第５の後続のレシピ段階は、プラズマ発生器を有効にするための命令および第５のレシピ段階のための時間遅延命令を含んでもよい。第６のレシピ段階は、プラズマ発生器を無効にするための命令および第６のレシピ段階のための時間遅延命令を含んでもよい。第７の後続のレシピ段階は、不活性ガスおよび／または反応剤ガスの流量を調節または停止するための命令、キャリアガスまたはパージガスの流量を調節するための命令、および第７のレシピ段階のための時間遅延命令を含んでもよい。これらのレシピ段階は、本開示の範囲内で任意の適切な方法でさらに細分化および／または反復され得ることが理解されよう。

【0396】

いくつかの堆積プロセスでは、プラズマストライクは、持続時間が数秒以上続く。特定の実施態様では、はるかに短いプラズマストライクが使用されてもよい。これらは１０ミリ秒～１秒程度、典型的には、約２０～８０ミリ秒であり、具体的な例としては５０ミリ秒である。そのような非常に短いＲＦプラズマストライクは、プラズマの非常に迅速な安定化を必要とする。これを実現するために、プラズマ発生器は、周波数が変動することを許容しながら、インピーダンス整合が特定の電圧に設定事前設定されるように構成され得る。従来、高周波プラズマは、約１３．５６ＭＨｚのＲＦ周波数で生成される。本明細書に開示される様々な実施形態において、周波数は、この標準値とは異なる値に変動することが許容される。インピーダンス整合を所定の電圧に固定しながら周波数を変動させることによって、プラズマははるかに迅速に安定化することができ、この結果は、ある種の堆積サイクルに関連する非常に短いプラズマストライクを使用する場合に重要となり得る。

【0397】

いくつかの実施形態では、台座４０８は、ヒータ４１０を介して温度制御され得る。さらに、いくつかの実施形態では、堆積プロセスステーション４００についての圧力制御は、バタフライ弁４１８によって提供され得る。図４の実施形態に示すように、バタフライ弁４１８は、下流の真空ポンプ（図示せず）によって提供される真空を絞る。しかし、いくつかの実施形態では、プロセスステーション４００の圧力制御はまた、プロセスステーション４００に導入される１つまたは複数のガスの流量を変化させることによって調整することができる。

【0398】

図５は、インバウンドロードロック５０２およびアウトバウンドロードロック５０４を備え、これらのいずれかまたは両方がリモートプラズマ源を備え得るマルチステーション処理ツール５００の一実施形態の概略図を示す。ロボット５０６は、大気圧において、ポッド５０８を介してロードされたカセットから、大気圧ポート５１０を介してインバウンドロードロック５０２にウエハを移動させるように構成される。ウエハは、ロボット５０６によって、インバウンドロードロック５０２の台座５１２上に載置され、大気圧ポート５１０が閉じられ、ロードロックがポンプダウンされる。インバウンドロードロック５０２がリモートプラズマ源を備える場合、ウエハは、処理チャンバ５１４に導入される前にロードロック内でリモートプラズマ処理を受けてもよい。さらに、ウエハはまた、例えば、水分および吸収したガスを除去するためにインバウンドロードロック５０２においても加熱されてもよい。次に、処理チャンバ５１４へのチャンバ搬送ポート５１６が開かれ、別のロボット（図示せず）が、ウエハをリアクタ内に移動させ、リアクタ内に示す第１のステーションの台座上に処理のために載置する。図５に図示される実施形態はロードロックを含んでいるが、いくつかの実施形態では、プロセスステーションにウエハを直接進入させてもよいことが理解されよう。

【0399】

図示の処理チャンバ５１４は、図５に示す実施形態において１から４まで番号が付けられた４つのプロセスステーションを備える。各ステーションは、加熱台座（ステーション１に対して５１８で示す）と、ガスライン入口とを有する。いくつかの実施形態では、各プロセスステーションは、異なる目的または複数の目的を有し得ることが理解されよう。図示の処理チャンバ５１４は４つのステーションを備えるが、本開示による処理チャンバは、任意の適切な数のステーションを有してもよいことが理解されるであろう。例えば、いくつかの実施形態では、処理チャンバは、５つ以上のステーションを有してもよく、他の実施形態では、処理チャンバは、３つ以下のステーションを有してもよい。

【0400】

図５はまた、処理チャンバ５１４内でウエハを移送するためのウエハハンドリングシステム５９０の一実施形態を図示する。いくつかの実施形態では、ウエハハンドリングシステム５９０は、様々なプロセスステーション間および／またはプロセスステーションとロードロックとの間でウエハを移送することができる。任意の適切なウエハハンドリングシステムが用いられてもよいことが理解されよう。非限定的な例には、ウエハカルーセルおよびウエハハンドリングロボットが挙げられる。図５はまた、プロセスツール５００のプロセス条件およびハードウェア状態を制御するために用いられるシステムコントローラ５５０の一実施形態を図示する。システムコントローラ５５０は、１つまたは複数のメモリデバイス５５６と、１つまたは複数の大容量記憶デバイス５５４と、１つまたは複数のプロセッサ５５２とを含むことができる。プロセッサ５５２は、ＣＰＵまたはコンピュータ、アナログおよび／またはデジタル入出力接続、ステッピングモータコントローラボードなどを含み得る。

【0401】

いくつかの実施形態では、システムコントローラ５５０は、プロセスツール５００の活動のすべてを制御する。システムコントローラ５５０は、大容量記憶デバイス５５４に記憶され、メモリデバイス５５６にロードされ、プロセッサ５５２で実行されるシステム制御ソフトウェア５５８を実行する。システム制御ソフトウェア５５８は、タイミング、ガスの混合、チャンバ圧力および／またはステーション圧力、チャンバ温度および／またはステーション温度、パージ条件およびタイミング、ウエハ温度、ＲＦ電力レベル、ＲＦ周波数、基板、台座、チャック位置および／またはサセプタ位置、ならびにプロセスツール５００によって実施される特定のプロセスの他のパラメータを制御するための命令を含み得る。システム制御ソフトウェア５５８は、任意の適切な方法で構成され得る。例えば、様々なプロセスツール構成要素サブルーチンまたは制御オブジェクトは、開示された方法に従って様々なプロセスツールプロセスを実行するために必要なプロセスツール構成要素の動作を制御するために書かれてもよい。システム制御ソフトウェア５５８は、任意の適切なコンピュータ可読プログラミング言語でコード化され得る。

【0402】

いくつかの実施形態では、システム制御ソフトウェア５５８は、上述の様々なパラメータを制御するための入出力制御（ＩＯＣ）シーケンス命令を含み得る。例えば、ハイブリッドＡＬＤまたはＰＥＡＬＤプロセスの各段階は、システムコントローラ５５０によって実行される１つまたは複数の命令を含み得る。ハイブリッドＡＬＤまたはＰＥＡＬＤプロセス段階についてのプロセス条件を設定するための命令は、対応するハイブリッドＡＬＤまたはＰＥＡＬＤレシピ段階に含めることができる。いくつかの実施形態では、ハイブリッドＡＬＤまたはＰＥＡＬＤレシピ段階は、ハイブリッドＡＬＤまたはＰＥＡＬＤプロセス段階についてのすべての命令がそのプロセス段階と同時に実行されるように、連続して配置され得る。

【0403】

いくつかの実施形態では、システムコントローラ５５０に関連する大容量記憶デバイス５５４および／またはメモリデバイス５５６に記憶された他のコンピュータソフトウェアおよび／またはプログラムが用いられてもよい。この目的のためのプログラムまたはプログラムのセクションの例には、基板位置決めプログラム、プロセスガス制御プログラム、圧力制御プログラム、ヒータ制御プログラム、およびプラズマ制御プログラムが挙げられる。

【0404】

基板位置決めプログラムは、基板を台座５１８上にロードし、基板とプロセスツール５００の他の部分との間隔を制御するために使用されるプロセスツール構成要素のプログラムコードを含むことができる。

【0405】

プロセスガス制御プログラムは、プロセスステーションの圧力を安定化するために、ガス組成および流量を制御するためのコード、および任意選択で、堆積前にガスを１つまたは複数のプロセスステーションに流すためのコードを含むことができる。プロセスガス制御プログラムは、開示された範囲のいずれか内にガス組成および流量を制御するためのコードを含んでもよい。圧力制御プログラムは、例えば、プロセスステーションの排気システムのスロットル弁、プロセスステーションへのガス流などを調節することによってプロセスステーションの圧力を制御するためのコードを含み得る。圧力制御プログラムは、開示された圧力範囲のいずれか内にプロセスステーション内の圧力を維持するためのコードを含んでもよい。

【0406】

ヒータ制御プログラムは、基板を加熱するために使用される加熱ユニットへの電流を制御するためのコードを含むことができる。あるいは、ヒータ制御プログラムは、基板への熱伝達ガス（ヘリウムなど）の送給を制御することができる。ヒータ制御プログラムは、開示された範囲のいずれか内に基板の温度を維持するための命令を含んでもよい。

【0407】

プラズマ制御プログラムは、例えば本明細書に開示されるＲＦ電力レベルのいずれかを使用して、１つまたは複数のプロセスステーション内のプロセス電極に適用されるＲＦ電力レベルおよび周波数を設定するためのコードを含むことができる。プラズマ制御プログラムはまた、各プラズマ曝露の持続時間を制御するためのコードを含むことができる。

【0408】

いくつかの実施形態では、システムコントローラ５５０に関連するユーザインターフェースが存在してもよい。ユーザインターフェースは、ディスプレイ画面、装置および／またはプロセス条件のグラフィカルソフトウェアディスプレイ、ならびにポインティングデバイス、キーボード、タッチスクリーン、マイクロフォンなどのユーザ入力デバイスを含むことができる。

【0409】

いくつかの実施形態では、システムコントローラ５５０によって調整されたパラメータは、プロセス条件に関係するものであってもよい。非限定的な例には、プロセスガス組成および流量、温度、圧力、プラズマ条件（ＲＦ電力レベル、周波数、および曝露時間など）などが挙げられる。これらのパラメータは、レシピの形態でユーザに提供されてもよく、ユーザインターフェースを利用して入力することができる。

【0410】

プロセスを監視するための信号は、様々なプロセスツールセンサからシステムコントローラ５５０のアナログおよび／またはデジタル入力接続によって提供されてもよい。プロセスを制御するための信号は、プロセスツール５００のアナログおよびデジタル出力接続で出力することができる。監視することができるプロセスツールセンサの非限定的な例には、マスフローコントローラ、圧力センサ（圧力計など）、熱電対などが挙げられる。適切にプログラムされたフィードバックおよび制御アルゴリズムをこれらのセンサからのデータと共に使用して、プロセス条件を維持することができる。

【0411】

開示された実施形態を実施するために、任意の適切なチャンバを使用することができる。例示的な堆積装置には、限定はしないが、各々がカリフォルニア州フリーモントのＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ社から入手可能なＡＬＴＵＳ（登録商標）製品ファミリー、ＶＥＣＴＯＲ（登録商標）製品ファミリー、および／もしくはＳＰＥＥＤ（登録商標）製品ファミリーからの装置、または様々な他の市販されている処理システムのいずれかが挙げられる。２つ以上のステーションが、同じ機能を実施してもよい。同様に、２つ以上のステーションが異なる機能を実施してもよい。各ステーションは、所望の特定の機能／方法を実施するように設計／構成することができる。

【0412】

いくつかの実施態様では、コントローラ５５０はシステムの一部であり、そのようなシステムは上述した例の一部であってもよい。そのようなシステムは、１つまたは複数の処理ツール、１つまたは複数のチャンバ、１つまたは複数の処理用プラットフォーム、および／または特定の処理構成要素（ウエハ台座、ガス流システムなど）を含む半導体処理機器を含むことができる。これらのシステムは、半導体ウエハまたは基板の処理前、処理中、および処理後のシステム動作を制御するための電子機器と一体化されてもよい。そのような電子機器は「コントローラ」と呼ばれることがあり、１つまたは複数のシステムの様々な構成要素または副部品を制御してもよい。コントローラは、処理要件および／またはシステムのタイプに応じて、本明細書に開示されるプロセスのいずれかを制御するようにプログラムされてもよい。そのようなプロセスとしては、処理ガスの送給、温度設定（例えば、加熱および／または冷却）、圧力設定、真空設定、電力設定、いくつかのシステムにおける高周波（ＲＦ）発生器設定、ＲＦ整合回路設定、周波数設定、流量設定、流体送給設定、位置および動作設定、特定のシステムに接続または連動するツールおよび他の移送ツールに対するウエハの搬入と搬出、および／またはロードロックに対するウエハの搬入と搬出が含まれる。

【0413】

広義には、コントローラは、命令を受信し、命令を発行し、動作を制御し、洗浄動作を可能にし、エンドポイント測定を可能にするなどの様々な集積回路、論理、メモリ、および／またはソフトウェアを有する電子機器として定義されてもよい。集積回路は、プログラム命令を記憶するファームウェアの形式のチップ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）として定義されたチップ、および／または１つまたは複数のマイクロプロセッサ、すなわちプログラム命令（例えば、ソフトウェア）を実行するマイクロコントローラを含んでもよい。プログラム命令は、様々な個々の設定（またはプログラムファイル）の形式でコントローラに通信される命令であって、特定のプロセスを半導体ウエハ上で、または半導体ウエハ用に、またはシステムに対して実行するための動作パラメータを定義してもよい。動作パラメータは、いくつかの実施形態では、１つまたは複数の層、材料、金属、酸化物、ケイ素、二酸化ケイ素、表面、回路、および／またはウエハダイの製作における１つまたは複数の処理ステップを実現するためプロセスエンジニアによって定義されるレシピの一部であってもよい。

【0414】

コントローラは、いくつかの実施態様では、システムと統合または結合されるか、他の方法でシステムにネットワーク接続されるコンピュータの一部であってもよく、またはそのようなコンピュータに結合されてもよく、またはそれらの組み合わせであってもよい。例えば、コントローラは、「クラウド」内にあってもよいし、ファブホストコンピュータシステムのすべてもしくは一部であってもよい。これにより、ウエハ処理のリモートアクセスが可能となる。コンピュータは、システムへのリモートアクセスを可能にして、製作動作の現在の進捗状況を監視し、過去の製作動作の履歴を検討し、複数の製作動作から傾向または性能基準を検討し、現在の処理のパラメータを変更し、現在の処理に続く処理ステップを設定するか、または新しいプロセスを開始してもよい。いくつかの例では、リモートコンピュータ（例えば、サーバ）は、ネットワークを通じてプロセスレシピをシステムに提供することができる。そのようなネットワークは、ローカルネットワークまたはインターネットを含んでいてもよい。リモートコンピュータは、パラメータおよび／または設定のエントリまたはプログラミングを可能にするユーザインターフェースを含んでもよく、そのようなパラメータおよび／または設定は、その後リモートコンピュータからシステムに通信される。いくつかの例では、コントローラは命令をデータの形式で受信する。そのようなデータは、１つまたは複数の動作中に実施される各処理ステップのためのパラメータを特定するものである。パラメータは、実施されるプロセスのタイプ、およびコントローラが連動または制御するように構成されるツールのタイプに特有のものであってもよいことを理解されたい。したがって、上述したように、コントローラは、例えば、互いにネットワーク接続され共通の目的（本明細書で説明されるプロセスおよび制御など）に向けて協働する１つまたは複数の個別のコントローラを備えることによって分散されてもよい。このような目的のための分散型コントローラの例として、チャンバ上の１つまたは複数の集積回路であって、（例えば、プラットフォームレベルで、またはリモートコンピュータの一部として）遠隔配置されておりチャンバにおけるプロセスを制御するよう組み合わせられる１つまたは複数の集積回路と通信するものが挙げられるであろう。

【0415】

例示的なシステムは、プラズマエッチングチャンバまたはモジュール、堆積チャンバまたはモジュール、スピンリンスチャンバまたはモジュール、金属めっきチャンバまたはモジュール、洗浄チャンバまたはモジュール、ベベルエッジエッチングチャンバまたはモジュール、物理気相堆積（ＰＶＤ）チャンバまたはモジュール、化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバまたはモジュール、原子層堆積（ＡＬＤ）チャンバまたはモジュール、原子層エッチング（ＡＬＥ）チャンバまたはモジュール、イオン注入チャンバまたはモジュール、追跡チャンバまたはモジュール、ならびに半導体ウエハの製作および／または製造に関連するか使用されてもよい任意の他の半導体処理システムを含むことができるが、これらに限定されない。

【0416】

上記のように、ツールによって実施される１つまたは複数のプロセスステップに応じて、コントローラは、１つまたは複数の他のツール回路もしくはモジュール、他のツール構成要素、クラスタツール、他のツールインターフェース、隣接するツール、近接するツール、工場全体に位置するツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、または半導体製造工場内のツール場所および／もしくはロードポートに対してウエハの容器を搬入および搬出する材料搬送に使用されるツールと通信してもよい。

【0417】

結論
前述の実施形態は、明確な理解のために多少詳しく説明されてきたが、一定の変更および修正が添付の特許請求の範囲の範囲内で実践されてもよいことは明らかであろう。本明細書に開示された実施形態は、これらの具体的な詳細の一部または全部なしで実践することができる。他の例では、開示された実施形態を不必要に曖昧にしないように、周知のプロセス動作は詳細に説明されていない。さらに、開示された実施形態は、特定の実施形態と併せて説明されるが、特定の実施形態は、開示された実施形態を限定することを意図するものではないことが理解されるであろう。本実施形態のプロセス、システム、および装置の実施には多くの別の方法があることに留意されたい。したがって、本実施形態は、限定ではなく例示とみなされるべきであり、それらの実施形態は本明細書に述べられる詳細に限定されるべきではない。

【図1A】

【図1B】

【図1C】

【図1D】

【図2A】

【図2B】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図4】

【図5】

【手続補正書】

【提出日】2024-08-16

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

膜を堆積する方法であって、
チャンバ内の基板を有機ケイ素含有前駆体に曝露することと、
前記基板を窒素含有反応剤に曝露することと、
前記基板をラジカル種に曝露し、それによって窒化ケイ素を含む膜を形成することと
を含む、方法。

【請求項2】

請求項１に記載の方法であって、
前記膜は、ドープ窒化ケイ素を含む、方法。

【請求項3】

請求項２に記載の方法であって、
前記ドープ窒化ケイ素は、炭素ドープ窒化ケイ素を含む、方法。

【請求項4】

請求項１に記載の方法であって、
前記膜は、共形膜を含む、方法。

【請求項5】

請求項１～４のいずれか一項に記載の方法であって、
前記有機ケイ素含有前駆体は、式（Ｉ）：
Ｓｉ（Ｒ’）₄
の構造を含み、
少なくとも１つのＲ’は、炭素原子を含む、
方法。

【請求項6】

請求項１～４のいずれか一項に記載の方法であって、
前記有機ケイ素含有前駆体は、式（ＩＩ）：
（Ｒ’）₃Ｓｉ－［Ｌ－Ｓｉ（Ｒ’）₂］－Ｒ’
の構造を含み、
少なくとも１つのＲ’は、炭素原子を含み、Ｌは、リンカーである、
方法。

【請求項7】

請求項１に記載の方法であって、
前記窒素含有反応剤は、アンモニア（ＮＨ₃）、一重水素化アンモニア（ＮＨ₂Ｄ）、二重水素化アンモニア（ＮＨＤ₂）、または三重水素化アンモニア（ＮＤ₃）を含む、方法。

【請求項8】

請求項１に記載の方法であって、
前記基板を前記窒素含有反応剤に前記曝露することは、水素（Ｈ₂）の存在下で前記窒素含有反応剤を提供することを含む、方法。

【請求項9】

請求項１に記載の方法であって、
前記基板をラジカル種に前記曝露することは、アンモニア（ＮＨ₃）、窒素（Ｎ₂）、および水素（Ｈ₂）からなる群から選択されるソースガスを含む、方法。

【請求項10】

請求項１に記載の方法であって、
前記ラジカル種は、リモートプラズマ中の窒素含有ラジカルを含む、方法。

【請求項11】

請求項１～４のいずれか一項に記載の方法であって、
前記基板を前記有機ケイ素含有前駆体に前記曝露すること、前記基板を前記窒素含有反応剤に前記曝露すること、および前記基板を前記ラジカル種に前記曝露することの各々の後、不活性ガスで前記チャンバをパージすることをさらに含む、方法。

【請求項12】

請求項１～４のいずれか一項に記載の方法であって、
サイクルで前記基板を前記有機ケイ素含有前駆体に前記曝露すること、前記基板を前記窒素含有反応剤に前記曝露すること、および前記基板を前記ラジカル種に前記曝露することを繰り返し、前記膜を形成することをさらに含む、方法。

【請求項13】

請求項１～４のいずれか一項に記載の方法であって、
前記方法は、リモートプラズマベースの原子層堆積プロセスを含む、方法。

【請求項14】

膜を堆積する方法であって、
基板の表面上に炭素含有層およびケイ素含有層を堆積することであって、前記基板は、チャンバ内に設けられることと、
窒素含有反応剤の存在下で前記炭素含有層および前記ケイ素含有層を熱変換し、ドープ窒化ケイ素を形成することと、
ソースガスの存在下で前記ドープ窒化ケイ素をプラズマ処理し、それによって前記膜を形成することと
を含む、方法。

【請求項15】

請求項１４に記載の方法であって、
前記堆積することは、前記基板の前記表面を有機ケイ素含有前駆体に曝露することを含む、方法。

【請求項16】

請求項１５に記載の方法であって、
前記有機ケイ素含有前駆体は、式（Ｉ）または（ＩＩ）の構造を含む、方法。

【請求項17】

請求項１４に記載の方法であって、
前記熱変換することは、前記基板の前記表面を前記窒素含有反応剤に曝露することを含む、方法。

【請求項18】

請求項１７に記載の方法であって、
前記窒素含有反応剤は、アンモニア（ＮＨ₃）を含み、任意選択で水素（Ｈ₂）を伴う、方法。

【請求項19】

請求項１４に記載の方法であって、
前記プラズマ処理することは、前記基板を前記ソースガス内のラジカル種に曝露することを含む、方法。

【請求項20】

請求項１９に記載の方法であって、
前記ラジカル種は、窒素含有ラジカルを含み、前記ソースガスは、アンモニア（ＮＨ₃）、窒素（Ｎ₂）、および水素（Ｈ₂）からなる群から選択される、方法。

【請求項21】

請求項１４～２０のいずれか一項に記載の方法であって、
前記堆積すること、前記熱変換すること、および／または前記プラズマ処理することの各々の後、不活性ガスで前記チャンバをパージすることをさらに含む、方法。

【請求項22】

請求項１４～２０のいずれか一項に記載の方法であって、
サイクルで前記堆積すること、前記熱変換すること、および前記プラズマ処理することを繰り返し、前記膜を形成することをさらに含む、方法。

【請求項23】

請求項１４～２０のいずれか一項に記載の方法であって、
前記膜は、共形炭素ドープ窒化ケイ素膜を含む、方法。

【手続補正2】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３１

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0031】

「脂肪族－オキシ」とは、本明細書に開示される化合物にカップリングされるか、またはカップリングすることができる脂肪族基を意味し、脂肪族基は、オキシ基（－（Ｏ）－）を介してカップリングされるか、またはカップリングされるようになる。いくつかの実施形態では、脂肪族－オキシ基は、Ｏ－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義される任意選択で置換された脂肪族基である。

【手続補正3】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５４

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0054】

「芳香族－オキシカルボニル」とは、本明細書に開示される化合物にカップリングされるか、またはカップリングすることができる芳香族基を意味し、芳香族基は、オキシカルボニル基（－Ｃ（Ｏ）Ｏ－）を介してカップリングされるか、またはカップリングされるようになる。いくつかの実施形態では、芳香族－オキシカルボニル基は、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義される任意選択で置換された芳香族基である。

【手続補正4】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６７

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0067】

「カルバモイルオキシ」とは、本明細書で定義されるオキシ基を介して親分子基に結合した、本明細書で定義されるカルバモイル基を意味する。いくつかの実施形態では、カルバモイルオキシは、－ＯＣ（Ｏ）ＮＲ¹Ｒ²基であり、Ｒ¹およびＲ²の各々は、独立して、本明細書で定義される水素、任意選択で置換された脂肪族、任意選択で置換されたヘテロ脂肪族、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたシリル、または任意選択で置換されたシリルオキシ、またはそれらの任意の組み合わせから選択されるか、またはＲ¹およびＲ²は、各々が結合している窒素原子と一緒になって、本明細書で定義されるヘテロシクリル基を形成することができる。

【手続補正5】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００９０

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0090】

「ヘテロ脂肪族－オキシ」とは、本明細書に開示される化合物にカップリングされるか、またはカップリングすることができるヘテロ脂肪族基を意味し、ヘテロ脂肪族基は、オキシ基（－（Ｏ）－）を介してカップリングされるか、またはカップリングされるようになる。いくつかの実施形態では、ヘテロ脂肪族－オキシ基は、－Ｏ－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義される任意選択で置換されたヘテロ脂肪族基である。

【手続補正6】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００９８

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0098】

「ヘテロ芳香族－オキシカルボニル」とは、本明細書に開示される化合物にカップリングされるか、またはカップリングすることができるヘテロ芳香族基を意味し、ヘテロ芳香族基は、オキシカルボニル基（－Ｃ（Ｏ）Ｏ－）を介してカップリングされるか、またはカップリングされるようになる。いくつかの実施形態では、ヘテロ芳香族－オキシカルボニル基は、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－Ｒであり、Ｒは、本明細書で定義される任意選択で置換されたヘテロ芳香族基である。

【手続補正7】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１９８

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0198】

プラズマ曝露段階２８０Ｂ中、キャリアガスの流れおよびソースガスの流れはオンのままであり得るが、ケイ素含有前駆体ガスの流れおよび窒素含有反応剤ガスの流れがオフにされる。これは、図１Ａの動作１３０に対応し得る。パージ段階２９４Ｂ中、キャリアガスの流れおよびソースガスの流れはオンのままであり得るが、ケイ素含有前駆体ガスの流れおよび窒素含有反応剤ガスの流れがオフにされる。２つの堆積サイクルが図２Ｂには図示されているが、追加の堆積サイクルも実施されてもよいことが理解されるであろう。

【手続補正8】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２２２

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0222】

さらに他の実施形態では、シリル基は、オキシ（－Ｏ－）基を介してケイ素原子に結合した１つまたは複数の芳香族基を有するアリールオキシシリル基である。一例では、アリールオキシシリル基は、－Ｓｉ（Ｒ）_a（ＯＲ^Ar）_bであり、Ｒは、独立して、Ｈ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、アミノ、ヒドラジノ、アジド、ヒドロキシル、シリル（例えば、アミノシリル、アルコキシシリルなど）、シリルオキシ（例えば、アミノシリルオキシ、アルコキシシリルオキシなど）、シアナト、イソシアナト、シアノ、またはイソシアノであり、これらのいずれかは、任意選択で置換されてもよく、Ｒ^Arは、任意選択で置換された芳香族、任意選択で置換されたヘテロ芳香族、任意選択で置換されたアリール、または任意選択で置換されたヘテロアリールであり、ａ≧０、ｂ≧１、およびａ＋ｂ＝３である。さらに他の非限定的なアリールオキシシリル基には、－ＳｉＨ₂［ＯＲ^Ar］、－ＳｉＨ［ＯＲ^Ar］₂、または－Ｓｉ［ＯＲ^Ar］₃が挙げられ、Ｒ^Arは、本明細書に記載のいずれかである。

【手続補正9】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０３８１

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0381】

別の態様では、半導体基板を処理するための装置であって、装置は、基板を保持するための台座を含む少なくとも１つのプロセスチャンバと、真空に結合するための少なくとも１つの出口と、１つまたは複数の有機ケイ素含有前駆体ガス源に結合された１つまたは複数のプロセスガス入口と、１つまたは複数の窒素含有反応剤ガス源に結合された１つまたは複数のプロセスガス入口と、１つまたは複数のプラズマ源と、装置内の動作を制御するためのコントローラであって、時間的に分離されたパルスで有機ケイ素含有前駆体ガスおよび窒素含有反応剤ガスを導入し、熱原子層堆積によって基板の表面上に窒化ケイ素を形成するための機械可読命令を含むコントローラとを含み、ケイ素含有前駆体ガスのパルスおよび窒素含有反応剤ガスのパルスは、１つの熱原子層堆積サイクルを構成し、基板の表面を１つまたは複数のプラズマ源からのラジカル種に曝露する。特定の実施形態では、ラジカル種は、窒素含有ラジカルを含む。

【手続補正10】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０４１７

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0417】

結論
前述の実施形態は、明確な理解のために多少詳しく説明されてきたが、一定の変更および修正が添付の特許請求の範囲の範囲内で実践されてもよいことは明らかであろう。本明細書に開示された実施形態は、これらの具体的な詳細の一部または全部なしで実践することができる。他の例では、開示された実施形態を不必要に曖昧にしないように、周知のプロセス動作は詳細に説明されていない。さらに、開示された実施形態は、特定の実施形態と併せて説明されるが、特定の実施形態は、開示された実施形態を限定することを意図するものではないことが理解されるであろう。本実施形態のプロセス、システム、および装置の実施には多くの別の方法があることに留意されたい。したがって、本実施形態は、限定ではなく例示とみなされるべきであり、それらの実施形態は本明細書に述べられる詳細に限定されるべきではない。また、本開示は以下の形態として実現できる。
［形態１］
膜を堆積する方法であって、
チャンバ内の基板を有機ケイ素含有前駆体に曝露することと、
前記基板を窒素含有反応剤に曝露することと、
前記基板をラジカル種に曝露し、それによって窒化ケイ素を含む膜を形成することと
を含む、方法。
［形態２］
形態１に記載の方法であって、
前記膜は、ドープ窒化ケイ素を含む、方法。
［形態３］
形態２に記載の方法であって、
前記ドープ窒化ケイ素は、炭素ドープ窒化ケイ素を含む、方法。
［形態４］
形態１に記載の方法であって、
前記膜は、共形膜を含む、方法。
［形態５］
形態１～４に記載の方法であって、
前記有機ケイ素含有前駆体は、式（Ｉ）：
Ｓｉ（Ｒ’） ₄
の構造を含み、
少なくとも１つのＲ’は、炭素原子を含む、
方法。
［形態６］
形態１～４に記載の方法であって、
前記有機ケイ素含有前駆体は、式（ＩＩ）：
（Ｒ’） ₃ Ｓｉ－［Ｌ－Ｓｉ（Ｒ’） ₂ ］－Ｒ’
の構造を含み、
少なくとも１つのＲ’は、炭素原子を含み、Ｌは、リンカーである、
方法。
［形態７］
形態１に記載の方法であって、
前記窒素含有反応剤は、アンモニア（ＮＨ ₃ ）、一重水素化アンモニア（ＮＨ ₂ Ｄ）、二重水素化アンモニア（ＮＨＤ ₂ ）、または三重水素化アンモニア（ＮＤ ₃ ）を含む、方法。
［形態８］
形態１に記載の方法であって、
前記基板を前記窒素含有反応剤に前記曝露することは、水素（Ｈ ₂ ）の存在下で前記窒素含有反応剤を提供することを含む、方法。
［形態９］
形態１に記載の方法であって、
前記基板をラジカル種に前記曝露することは、アンモニア（ＮＨ ₃ ）、窒素（Ｎ ₂ ）、および水素（Ｈ ₂ ）からなる群から選択されるソースガスを含む、方法。
［形態１０］
形態１に記載の方法であって、
前記ラジカル種は、リモートプラズマ中の窒素含有ラジカルを含む、方法。
［形態１１］
形態１～１０に記載の方法であって、
前記基板を前記有機ケイ素含有前駆体に前記曝露すること、前記基板を前記窒素含有反応剤に前記曝露すること、および前記基板を前記ラジカル種に前記曝露することの各々の後、不活性ガスで前記チャンバをパージすることをさらに含む、方法。
［形態１２］
形態１～１１に記載の方法であって、
サイクルで前記基板を前記有機ケイ素含有前駆体に前記曝露すること、前記基板を前記窒素含有反応剤に前記曝露すること、および前記基板を前記ラジカル種に前記曝露することを繰り返し、前記膜を形成することをさらに含む、方法。
［形態１３］
形態１～１２に記載の方法であって、
前記方法は、リモートプラズマベースの原子層堆積プロセスを含む、方法。
［形態１４］
膜を堆積する方法であって、
基板の表面上に炭素含有層およびケイ素含有層を堆積することであって、前記基板は、チャンバ内に設けられることと、
窒素含有反応剤の存在下で前記炭素含有層および前記ケイ素含有層を熱変換し、ドープ窒化ケイ素を形成することと、
ソースガスの存在下で前記ドープ窒化ケイ素をプラズマ処理し、それによって前記膜を形成することと
を含む、方法。
［形態１５］
形態１４に記載の方法であって、
前記堆積することは、前記基板の前記表面を有機ケイ素含有前駆体に曝露することを含む、方法。
［形態１６］
形態１５に記載の方法であって、
前記有機ケイ素含有前駆体は、式（Ｉ）または（ＩＩ）の構造を含む、方法。
［形態１７］
形態１４に記載の方法であって、
前記熱変換することは、前記基板の前記表面を前記窒素含有反応剤に曝露することを含む、方法。
［形態１８］
形態１７に記載の方法であって、
前記窒素含有反応剤は、アンモニア（ＮＨ ₃ ）を含み、任意選択で水素（Ｈ ₂ ）を伴う、方法。
［形態１９］
形態１４に記載の方法であって、
前記プラズマ処理することは、前記基板をソースガス内のラジカル種に曝露することを含む、方法。
［形態２０］
形態１９に記載の方法であって、
前記ラジカル種は、窒素含有ラジカルを含み、前記ソースガスは、アンモニア（ＮＨ ₃ ）、窒素（Ｎ ₂ ）、および水素（Ｈ ₂ ）からなる群から選択される、方法。
［形態２１］
形態１４～２０に記載の方法であって、
前記堆積すること、前記熱変換すること、および／または前記プラズマ処理することの各々の後、不活性ガスで前記チャンバをパージすることをさらに含む、方法。
［形態２２］
形態１４～２１に記載の方法であって、
サイクルで前記堆積すること、前記熱変換すること、および前記プラズマ処理することを繰り返し、前記膜を形成することをさらに含む、方法。
［形態２３］
形態１４～２２に記載の方法であって、
前記膜は、共形炭素ドープ窒化ケイ素膜を含む、方法。

【国際調査報告】