特表2024-543727複数のコイル間でダイレクトドライブ無線周波数信号生成器から電流をスプリットするための装置および方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-11-22
(54)【発明の名称】複数のコイル間でダイレクトドライブ無線周波数信号生成器から電流をスプリットするための装置および方法
(51)【国際特許分類】
H05H 1/46 20060101AFI20241115BHJP
【ＦＩ】
H05H1/46 R
H05H1/46 L
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024534453
(86)(22)【出願日】2022-12-12
(85)【翻訳文提出日】2024-08-06
(86)【国際出願番号】 US2022052563
(87)【国際公開番号】W WO2023114143
(87)【国際公開日】2023-06-22
(31)【優先権主張番号】63/291,307
(32)【優先日】2021-12-17
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】592010081
【氏名又は名称】ラム リサーチ コーポレーション
【氏名又は名称原語表記】ＬＡＭ ＲＥＳＥＡＲＣＨ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ
(74)【代理人】
【識別番号】110000028
【氏名又は名称】弁理士法人明成国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】タリー・マシュー・ローウェル
(72)【発明者】
【氏名】パターソン・アレクサンダー・ミラー
(72)【発明者】
【氏名】ワン・ユホウ
(72)【発明者】
【氏名】マーシュ・リチャード・エイ．
【テーマコード（参考）】
2G084
【Ｆターム（参考）】
2G084BB06
2G084BB28
2G084CC13
2G084CC33
2G084DD03
2G084DD25
2G084DD34
2G084EE23
2G084EE25
2G084HH05
2G084HH21
2G084HH22
2G084HH24
(57)【要約】
【解決手段】無線周波数（ＲＦ）電力供給システムが、第１のコイルと、第２のコイルと、を含む。ＲＦ電力供給システムは、第１の周波数のＲＦ信号を第１のコイルと第２のコイルの両方に供給するように接続された第１のＲＦ電源をも含む。ＲＦ電力供給システムは、第１のコイルと、第２のコイルと、の間での第１の周波数のＲＦ信号の分割を制御するように接続された電流スプリッタ可変キャパシタをも含む。ＲＦ電力供給システムは、第２の周波数のＲＦ信号を第２のコイルに供給するように接続された第２のＲＦ電源をも含む。いくつかの実施形態では、第１のＲＦ電源および第２のＲＦ電源は、それぞれ第１のリアクタンス回路および第２のリアクタンス回路を通して、それぞれ第１の周波数のＲＦ信号および第２の周波数のＲＦ信号を駆動する、それぞれ第１のダイレクトドライブＲＦ電源および第２のダイレクトドライブＲＦ電源である。
【選択図】図１
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１のコイルと、第２のコイルと、
第１の周波数の無線周波数信号を前記第１のコイルと前記第２のコイルの両方に供給するように接続された第１の無線周波数電源と、
前記第１のコイルと、前記第２のコイルと、の間での前記第１の周波数の前記無線周波数信号の分割を制御するように接続された電流スプリッタ可変キャパシタと、
第２の周波数の無線周波数信号を前記第２のコイルに供給するように接続された第２の無線周波数電源と、
を備える、無線周波数電力供給システム。
【請求項2】
請求項１に記載の無線周波数電力供給システムであって、第１のリアクタンス回路であって、前記第１の無線周波数電源が、前記第１の周波数の前記無線周波数信号を前記第１のリアクタンス回路を通して前記第１のコイルと前記第２のコイルの両方に供給するように接続された、第１のリアクタンス回路と、
第２のリアクタンス回路であって、前記第２の無線周波数電源が、前記第２の周波数の前記無線周波数信号を前記第２のリアクタンス回路を通して前記第２のコイルに供給するように接続された、第２のリアクタンス回路と、
をさらに備える、無線周波数電力供給システム。
【請求項3】
請求項２に記載の無線周波数電力供給システムであって、前記第１のリアクタンス回路が、第１の同調可変キャパシタと、前記第１の同調可変キャパシタと直列に接続されたインダクタと、を含み、前記第１の同調可変キャパシタの入力端子が、前記第１の無線周波数電源の出力に接続され、前記インダクタの出力端子が、前記第１のコイルと前記電流スプリッタ可変キャパシタの入力端子の両方に接続された、無線周波数電力供給システム。
【請求項4】
請求項３に記載の無線周波数電力供給システムであって、前記第２のリアクタンス回路が、第２の同調可変キャパシタと、前記第２の同調可変キャパシタと並列に接続された並列キャパシタと、を含む、無線周波数電力供給システム。
【請求項5】
請求項２に記載の無線周波数電力供給システムであって、前記第２のリアクタンス回路と、前記第２のコイルと、の間に接続された遮断フィルタであって、前記遮断フィルタは、前記第１の周波数の前記無線周波数信号が、前記第２の無線周波数電源に進むのを遮断するように構成された、遮断フィルタ
をさらに備える、無線周波数電力供給システム。
【請求項6】
請求項５に記載の無線周波数電力供給システムであって、前記遮断フィルタが、インダクタと並列に接続されたキャパシタを含む、無線周波数電力供給システム。
【請求項7】
請求項５に記載の無線周波数電力供給システムであって、前記遮断フィルタが、第１の遮断フィルタであり、前記無線周波数電力供給システムが、前記電流スプリッタ可変キャパシタと、前記第２のコイルと、の間に接続された第２の遮断フィルタを含み、前記第２の遮断フィルタは、前記第２の周波数の前記無線周波数信号が、前記第１の無線周波数電源に進むのを遮断するように構成された、無線周波数電力供給システム。
【請求項8】
請求項１に記載の無線周波数電力供給システムであって、前記第１の無線周波数電源が、第１のダイレクトドライブ無線周波数電源であり、前記第２の無線周波数電源が、第２のダイレクトドライブ無線周波数電源である、無線周波数電力供給システム。
【請求項9】
請求項１に記載の無線周波数電力供給システムであって、システムコントローラから受け取られた電気制御信号に従って前記電流スプリッタ可変キャパシタのキャパシタンス設定を制御するように接続された制御構成要素
をさらに備える、無線周波数電力供給システム。
【請求項10】
請求項９に記載の無線周波数電力供給システムであって、前記第１の無線周波数電源から前記第１のコイルに送出された無線周波数電力の第１の量を測定するように接続された第１のセンサーと、
第１の無線周波数電源から前記第２のコイルに送出された無線周波数電力の第２の量を測定するように接続された第２のセンサーと、
をさらに備える、無線周波数電力供給システム。
【請求項11】
請求項１０に記載の無線周波数電力供給システムであって、前記システムコントローラが、前記制御構成要素への伝送のために前記電気制御信号を生成するためのフィードバック信号として無線周波数電力の前記第１の量および無線周波数電力の前記第２の量のうちの少なくとも１つを使用するように構成された、無線周波数電力供給システム。
【請求項12】
出力端子を有する第１の無線周波数電源と、入力端子と、出力端子と、を有する第１のリアクタンス回路であって、前記第１のリアクタンス回路の前記入力端子が、前記第１の無線周波数電源の前記出力端子に接続された、第１のリアクタンス回路と、
前記第１のリアクタンス回路の前記出力端子に接続された第１のコイルと、
入力端子と、出力端子と、を有する電流スプリッタ可変キャパシタであって、前記電流スプリッタ可変キャパシタの前記入力端子が、前記第１のリアクタンス回路の前記出力端子に接続された、電流スプリッタ可変キャパシタと、
前記電流スプリッタ可変キャパシタの前記出力端子に接続された第２のコイルと、
出力端子を有する第２の無線周波数電源と、
入力端子と、出力端子と、を有する第２のリアクタンス回路であって、前記第２のリアクタンス回路の前記入力端子が、前記第２の無線周波数電源の前記出力端子に接続された、第２のリアクタンス回路と、
入力端子と、出力端子と、を有する遮断フィルタであって、前記遮断フィルタの前記入力端子が、前記第２のリアクタンス回路の前記出力端子に接続され、前記遮断フィルタの前記出力端子が、前記第２のコイルに接続された、遮断フィルタと、
を備える、無線周波数電力供給システム。
【請求項13】
請求項９に記載の無線周波数電力供給システムであって、前記遮断フィルタが、入力端子と、出力端子と、を有するキャパシタを含み、前記キャパシタの前記入力端子が、前記遮断フィルタの前記入力端子に接続され、前記キャパシタの前記出力端子が、前記遮断フィルタの前記出力端子に接続され、前記遮断フィルタが、入力端子と、出力端子と、を有するインダクタを含み、前記インダクタの前記入力端子が、前記遮断フィルタの前記入力端子に接続され、前記インダクタの前記出力端子が、前記遮断フィルタの前記出力端子に接続された、無線周波数電力供給システム。
【請求項14】
請求項９に記載の無線周波数電力供給システムであって、前記第１のリアクタンス回路が、入力端子と、出力端子と、を有する第１の同調可変キャパシタを含み、前記第１の同調可変キャパシタの前記入力端子が、前記第１のリアクタンス回路の前記入力端子に接続され、前記第１のリアクタンス回路が、入力端子と、出力端子と、を有するインダクタを含み、前記インダクタの前記入力端子が、前記第１の同調可変キャパシタの前記出力端子に接続され、前記インダクタの前記出力端子が、前記第１のリアクタンス回路の前記出力端子に接続され、前記第２のリアクタンス回路が、入力端子と、出力端子と、を有する第２の同調可変キャパシタを含み、前記第２の同調可変キャパシタの前記入力端子が、前記第２のリアクタンス回路の前記入力端子に接続され、前記第２の同調可変キャパシタの前記出力端子が、前記第２のリアクタンス回路の前記出力端子に接続され、前記第２のリアクタンス回路が、入力端子と、出力端子と、を有する並列キャパシタを含み、前記並列キャパシタの前記入力端子が、前記第２のリアクタンス回路の前記入力端子に接続され、前記並列キャパシタの前記出力端子が、前記第２のリアクタンス回路の前記出力端子に接続された、無線周波数電力供給システム。
【請求項15】
無線周波数電力をプラズマ処理システムに供給するための方法であって、第１の周波数の無線周波数信号を生成することと、
前記第１の周波数の前記無線周波数信号の第１の部分を第１のコイルに供給することと、
前記第１の周波数の前記無線周波数信号の第２の部分を第２のコイルに供給することと、
第２の周波数の無線周波数信号を生成することと、
前記第２の周波数の前記無線周波数信号を前記第２のコイルに供給することと、
を含む、方法。
【請求項16】
請求項１５に記載の方法であって、前記第１の周波数の前記無線周波数信号の前記第１の部分の量と、前記第１の周波数の前記無線周波数信号の前記第２の部分の量と、を制御するために電流スプリッタ可変キャパシタを使用すること
をさらに含む、方法。
【請求項17】
請求項１６に記載の方法であって、前記第２のコイルによって駆動されるプラズマの点火をサポートするために前記第１の周波数の前記無線周波数信号の前記第２の部分の前記量を増加させるように前記電流スプリッタ可変キャパシタのキャパシタンス設定を制御することと、
前記プラズマの点火の後に、前記第１の周波数の前記無線周波数信号の前記第２の部分の前記量を減少させるように前記電流スプリッタ可変キャパシタの前記キャパシタンス設定を制御することと、
をさらに含む、方法。
【請求項18】
請求項１６に記載の方法であって、前記第２のコイルによって駆動されるプラズマの安定性をサポートするために前記第１の周波数の前記無線周波数信号の前記第２の部分の前記量を制御するように前記電流スプリッタ可変キャパシタのキャパシタンス設定を制御すること
をさらに含む、方法。
【請求項19】
請求項１６に記載の方法であって、前記第１の周波数の前記無線周波数信号の前記第２の部分によって前記第２のコイルに送出された無線周波数電力の量を測定することと、
無線周波数電力のターゲット量が、前記第１の周波数の前記無線周波数信号の前記第２の部分によって前記第２のコイルに送出されるように、無線周波数電力の前記測定された量を、前記電流スプリッタ可変キャパシタのキャパシタンス設定を制御するためのフィードバック信号として使用することと、
をさらに含む、方法。
【請求項20】
請求項１５に記載の方法であって、前記第１の周波数の前記無線周波数信号が、前記第２の周波数の前記無線周波数信号の源に進むのを防ぐために、遮断フィルタを使用すること
をさらに含む、方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【0001】
プラズマ処理システムは、半導体デバイス、たとえば、半導体ウエハ上のチップ／ダイを製造するために使用される。プラズマ処理システムでは、半導体ウエハは、材料堆積および／または材料除去および／または材料注入および／または材料変更などによるものなど、半導体ウエハの状態の規定の変化を引き起こすために、様々なタイプのプラズマに曝される。半導体ウエハのプラズマ処理中に、無線周波数（ＲＦ）電力が、チャンバ内のプロセスガスを通して伝送されて、プロセスガスを、半導体ウエハに曝されるプラズマに変換する。ラジカルおよびイオンなど、プラズマの反応性成分は、半導体ウエハ上の材料と相互作用して、半導体ウエハ上での規定の効果を達成する。いくつかのプラズマ処理システムでは、生成されたＲＦ電力が、プラズマ処理チャンバの外側に位置するコイルを介してプロセスガスに伝送される。本開示で説明される実施形態が行われるのは、この文脈においてである。
【発明の概要】
【0002】
例示的な一実施形態では、ＲＦ電力供給システムが開示される。ＲＦ電力供給システムは、第１のコイルと、第２のコイルと、を含む。ＲＦ電力供給システムは、第１の周波数のＲＦ信号を第１のコイルと第２のコイルの両方に供給するように接続された第１のＲＦ電源をも含む。ＲＦ電力供給システムは、第１のコイルと、第２のコイルと、の間での第１の周波数のＲＦ信号の分割を制御するように接続された電流スプリッタ可変キャパシタをも含む。ＲＦ電力供給システムは、第２の周波数のＲＦ信号を第２のコイルに供給するように接続された第２のＲＦ電源をも含む。
【0003】
例示的な一実施形態では、ＲＦ電力供給システムが開示される。ＲＦ電力供給システムは、出力端子を有する第１のＲＦ電源を含む。ＲＦ電力供給システムは、入力端子と、出力端子と、を有する第１のリアクタンス回路をも含む。第１のリアクタンス回路の入力端子は、第１のＲＦ電源の出力端子に接続される。ＲＦ電力供給システムは、第１のリアクタンス回路の出力端子に接続された第１のコイルをも含む。ＲＦ電力供給システムは、入力端子と、出力端子と、を有する電流スプリッタ可変キャパシタをも含む。電流スプリッタ可変キャパシタの入力端子は、第１のリアクタンス回路の出力端子に接続される。ＲＦ電力供給システムは、電流スプリッタ可変キャパシタの出力端子に接続された第２のコイルをも含む。ＲＦ電力供給システムは、出力端子を有する第２のＲＦ電源をも含む。ＲＦ電力供給システムは、入力端子と、出力端子と、を有する第２のリアクタンス回路をも含む。第２のリアクタンス回路の入力端子は、第２のＲＦ電源の出力端子に接続される。ＲＦ電力供給システムは、入力端子と、出力端子と、を有する遮断フィルタをも含む。遮断フィルタの入力端子は、第２のリアクタンス回路の出力端子に接続される。遮断フィルタの出力端子は、第２のコイルに接続される。
【0004】
例示的な一実施形態では、ＲＦ電力をプラズマ処理システムに供給するための方法が開示される。本方法は、第１の周波数のＲＦ信号を生成することを含む。本方法は、第１の周波数のＲＦ信号の第１の部分を第１のコイルに供給することをも含む。本方法は、第１の周波数のＲＦ信号の第２の部分を第２のコイルに供給することをも含む。本方法は、第２の周波数のＲＦ信号を生成することをも含む。本方法は、第２の周波数のＲＦ信号を第２のコイルに供給することをも含む。
【0005】
実施形態の他の態様および利点は、以下の発明を実施するための形態および添付の図面からより明らかになろう。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【図1】いくつかの実施形態による、ＲＦ電力供給システムを示す図である。
【0007】
【図2A】いくつかの実施形態による、ダイレクトドライブＲＦ信号生成器の概略図である。
【0008】
【図2B】いくつかの実施形態による、時間の関数としての、第１の／第２のＲＦ電源の出力端子において生成された例示的な整形増幅された矩形波形のパラメータのプロットを示す図である。
【0009】
【図2C】いくつかの実施形態による、時間の関数としての、第１の／第２のリアクタンス回路の出力端子において生成された例示的な整形正弦波形のパラメータのプロットを示す図である。
【0010】
【0011】
【0012】
【0013】
【図4】いくつかの実施形態による、ＲＦ電力をプラズマ処理システムに供給するための方法のフローチャートである。
【0014】
【図5】いくつかの実施形態による、システムコントローラの図である。
【発明を実施するための形態】
【0015】
以下の説明では、本開示の完全な理解を提供するために、多数の具体的な詳細が記載される。しかしながら、これらの具体的な詳細の一部または全部なしに本開示の実施形態が実践され得ることは、当業者に明らかであろう。他の事例では、よく知られているプロセス動作は、本開示を不必要に不明瞭にしないために、詳細に説明されていない。
【0016】
基板、たとえば、半導体ウエハの処理のためにプラズマを駆動するために使用されるＲＦ電力供給システムの複数のコイル間で第１の周波数のＲＦ電流をスプリットすることを、その複数のコイルのうちのいくつかへの第２の周波数のＲＦ電流の伝送と組み合わせて行うためのシステムおよび方法であって、それにより、その複数のコイルのうちの少なくとも１つが、第１の周波数のＲＦ電流の部分と第２の周波数のＲＦ電流の両方を受け取る、システムおよび方法が本明細書で開示される。これらのシステムおよび方法は、多くのプラズマ処理状況において有用であり、所与のコイルへの第２の周波数のＲＦ電流の供給のみでは、規定の特性を有するプラズマを点火する（ｉｇｎｉｔｅ）／点弧する（ｓｔｒｉｋｅ）および維持するのに十分でない状況において、特に有用である。そのような状況では、所与のコイルに伝送される第１の周波数のＲＦ電流の部分は、第２の周波数のＲＦ電流と組み合わせて、規定の特性を有するプラズマを点火すること／点弧することおよび維持することをサポートするように働く。上述の状況は、本明細書で開示するシステムおよび方法で可能である多くの使用および利点の一例にすぎない。
【0017】
図１は、いくつかの実施形態による、ＲＦ電力供給システム１００を示す。ＲＦ電力供給システム１００は、第１のコイル１１３と、第２のコイル１１５と、を含む。いくつかの実施形態では、第１のコイル１１３は内側コイルであり、第２のコイル１１５は外側コイルである。これらの実施形態のうちのいくつかでは、第１のコイル１１３（内側コイル）および第２のコイル１１５（外側コイル）の各々は、平面タイプらせん形コイルであり、第２のコイル１１５は、第１のコイル１１３を囲む。第１のコイル１１３は、入力端子１１３ｉと、出力端子１１３ｏと、を有する。第１のコイル１１３の入力端子１１３ｉは、第１のＲＦ電源１０１から第１の周波数のＲＦ信号を受け取るように接続される。第１のコイル１１３の出力端子１１３ｏは、基準接地電位１１９に接続される。第２のコイル１１５は、入力端子１１５ｉと、出力端子１１５ｏと、を有する。第２のコイル１１５の入力端子１１５ｉは、第２のＲＦ電源１０３から第２の周波数のＲＦ信号を受け取るように接続される。第２のＲＦ電源１０３は、第２の周波数のＲＦ信号を第２のコイル１１５に供給するように接続される。さらに、第２のコイル１１５の入力端子１１５ｉは、第１のＲＦ電源１０１と、第２のコイル１１５と、の間に接続された電流スプリッタ可変キャパシタ１０９のキャパシタンス設定に従って、第１のＲＦ電源１０１から第１の周波数のＲＦ信号を受け取るようにも接続される。電流スプリッタ可変キャパシタ１０９は、第１のコイル１１３と並列に接続される。このようにして、第１のＲＦ電源１０１は、第１の周波数のＲＦ信号を第１のコイル１１３と第２のコイル１１５の両方に供給するように接続され、電流スプリッタ可変キャパシタ１０９は、第１のコイル１１３と、第２のコイル１１５と、の間での第１の周波数のＲＦ信号の分割を制御するように接続される。また、第２のコイル１１５の出力端子１１５ｏは、基準接地電位１１９に接続される。
【0018】
いくつかの実施形態では、ＲＦ電力供給システム１００は、第１のＲＦ電源１０１の出力端子１０１ｏに接続された入力端子１０５ｉを有する第１のリアクタンス回路１０５を含む。このようにして、第１のＲＦ電源１０１は、第１の周波数のＲＦ信号を第１のリアクタンス回路１０５を通して第１のコイル１１３と第２のコイル１１５の両方に供給するように接続される。また、いくつかの実施形態では、ＲＦ電力供給システム１００は、第２のＲＦ電源１０３の出力端子１０３ｏに接続された入力端子１０７ｉを有する第２のリアクタンス回路１０７を含む。このようにして、第２のＲＦ電源１０３は、第２の周波数のＲＦ信号を第２のリアクタンス回路１０７を通して第２のコイル１１５に供給するように接続される。
【0019】
いくつかの実施形態では、第１のＲＦ電源１０１および第２のＲＦ電源１０３の各々は、それぞれのダイレクトドライブＲＦ信号生成器である。図２Ａは、いくつかの実施形態による、ダイレクトドライブＲＦ信号生成器２００概略図を示す。ダイレクトドライブＲＦ信号生成器２００は、入力セクション２０１と、出力セクション２０３と、を含む。入力セクション２０１は、出力セクション２０３に電気的に結合される。第１のＲＦ電源１０１について、出力セクション２０３は、矢印２０５によって示されるように、出力端子１０１ｏに電気的に接続される。このようにして、第１のＲＦ電源１０１について、出力セクション２０３は、矢印２０５によって示されるように、第１のリアクタンス回路１０５に電気的に接続される。同様に、第２のＲＦ電源１０３について、出力セクション２０３は、矢印２０５によって示されるように、第２のリアクタンス回路１０７に電気的に接続される。入力セクション２０１は、電気信号生成器２０７と、ゲートドライバ２０９の入力部分２０９Ａと、を含む。出力セクション２０３は、ゲートドライバ２０９の出力部分２０９Ｂと、ハーフブリッジトランジスタ回路２１１と、を含む。入力セクション２０１は、複数の矩形波信号を生成し、それらの矩形波信号を出力セクション２０３に提供する。出力セクション２０３は、入力セクション２０１から受け取られた複数の矩形波信号から、増幅された矩形整形波形を生成する。出力セクション２０３はまた、増幅された矩形整形波形のピークツーピーク大きさなど、振幅包絡線を整形する。たとえば、整形制御信号が、振幅包絡線を生成するために、入力セクション２０１から出力セクション２０３に供給される。整形制御信号は、振幅包絡線内の整形増幅された矩形波形を生成するために、増幅された矩形整形波形を整形するための複数の電圧値を有する。第１のＲＦ電源１０１について、整形増幅された矩形波形は、出力セクション２０３から第１のリアクタンス回路１０５に伝送される。第２のＲＦ電源１０３について、整形増幅された矩形波形は、出力セクション２０３から第２のリアクタンス回路１０７に伝送される。
【0020】
第１のリアクタンス回路１０５および第２のリアクタンス回路１０７の各々は、基本周波数を有する整形正弦波形を生成するために、整形増幅された矩形波形の高次高調波を、フィルタで除去するなど、除去する。整形正弦波形は、整形増幅された矩形波形と同じ振幅包絡線を有する。第１のＲＦ電源１０１について、ＲＦ電力が、基本周波数および振幅包絡線を有する整形正弦波形の形態で、第１のリアクタンス回路１０５の出力端子１０５ｏを通して伝送される。同様に、第２のＲＦ電源１０３について、ＲＦ電力が、基本周波数および振幅包絡線を有する整形正弦波形の形態で、第２のリアクタンス回路１０７の出力端子１０７ｏを通して伝送される。
【0021】
図２Ｂは、いくつかの実施形態による、時間の関数としての、第１の／第２のＲＦ電源１０１／１０３の出力端子１０１ｏ／１０３ｏにおいて生成された例示的な整形増幅された矩形波形２１３のパラメータのプロットを示す。整形増幅された矩形波形２１３のパラメータは、電力、電圧、または電流のいずれかである。図２Ｂは、整形増幅された矩形波形２１３の（太い破線によって表される）振幅包絡線２１５をも示し、振幅包絡線２１５は、ダイレクトドライブＲＦ信号生成器２００の出力セクション２０３に伝送される整形制御信号によって示される電圧値に従って生成される。図２Ｂの例では、振幅包絡線２１５は、整形増幅された矩形波形２１３のパラメータの絶対値が、第１のレベルＬ１（下位レベル）と、第２のレベルＬ２（上位レベル）と、の間で遷移するように制御される。しかしながら、様々なプロセスでは、振幅包絡線２１５は、出力セクション２０３に伝送される整形制御信号に従う時間の関数として、出力セクション２０３中の電力レールに供給される電圧を制御することによって、本質的に任意の所望の形状を有するように制御され得ることを理解されたい。たとえば、様々なプロセスでは、整形制御信号は、振幅包絡線２１５に、連続波形状、三角形状、マルチレベルパルス形状、または本質的に任意の他の規定の制御された形状を有するように指示するために生成され得る。
【0022】
図２Ｃは、いくつかの実施形態による、時間の関数としての、第１の／第２のリアクタンス回路１０５／１０７の出力端子１０５ｏ／１０７ｏにおいて生成された例示的な整形正弦波形２１７のパラメータのプロットを示す。整形正弦波形２１７のパラメータは、電力、電圧、または電流のいずれかである。整形正弦波形２１７は、時間の関数としての、第１の／第２のリアクタンス回路１０５／１０７の入力端子１０５ｉ／１０７ｉに伝送される整形増幅された矩形波形２１３に基づく。整形正弦波形２１７は、振幅包絡線２１５をも有する。整形増幅された矩形波形２１３は、基本周波数正弦波形２１３Ａと複数の高次高調波周波数正弦波形２１３Ｂ、２１３Ｃなどとの合成である。たとえば、正弦波形２１３Ｂは、基本周波数正弦波形２１３Ａの２次高調波周波数を表す。また、正弦波形２１３Ｃは、基本周波数正弦波形２１３Ａの３次高調波周波数を表す。第１の／第２のリアクタンス回路１０５／１０７は、基本周波数正弦波形２１３Ａだけが、時間の関数としての、第１の／第２のリアクタンス回路１０５／１０７の出力端子１０５ｏ／１０７ｏにおける整形正弦波形２１７として提供されるように、整形増幅された矩形波形２１３から高次高調波周波数正弦波形２１３Ｂ、２１３Ｃなどを除去するように機能する。
【0023】
図２Ｄは、いくつかの実施形態による、図２Ｂの整形増幅された矩形波形２１３に対応する整形正弦波形２１７のプロットを示す。第１のＲＦ電源１０１について、リアクタンス回路１０５の出力端子１０５ｏにおける整形正弦波形２１７は、電流スプリッタ可変キャパシタ１０９のキャパシタンス設定に従って、第１のコイル１１３に、および第２のコイル１１５に伝送される。第２のＲＦ電源１０３について、リアクタンス回路１０７の出力端子１０７ｏにおける整形正弦波形２１７は、第２のコイル１１５に伝送される。
【0024】
再び図１を参照すると、いくつかの実施形態では、第１のリアクタンス回路１０５は、第１のＲＦ電源１０１の出力端子１０１ｏに接続された入力端子１０５ｉを含む。第１のリアクタンス回路１０５は、第１のリアクタンス回路１０５の入力端子１０５ｉに、および次には第１のＲＦ電源１０１の出力端子１０１ｏに接続された、入力端子１２１ｉを有する第１の同調可変キャパシタ１２１を含む。第１のリアクタンス回路１０５は、第１の同調可変キャパシタ１２１と直列に接続されたインダクタ１２３をも含む。詳細には、インダクタ１２３の入力端子１２３ｉは、第１の同調可変キャパシタ１２１の出力端子１２１ｏに接続される。インダクタ１２３の出力端子１２３ｏは、第１のリアクタンス回路１０５の出力端子１０５ｏに接続される。第１のリアクタンス回路１０５の出力端子１０５ｏは、第１のコイル１１３の入力端子１１３ｉと電流スプリッタ可変キャパシタ１０９の入力端子１０９ｉの両方に接続される。このようにして、インダクタ１２３の出力端子１２３ｏは、第１のコイル１１３と電流スプリッタ可変キャパシタ１０９の入力端子１０９ｉの両方に接続される。
【0025】
いくつかの実施形態では、制御構成要素１２５が、第１の同調可変キャパシタ１２１のキャパシタンス設定の制御を提供するために接続される。いくつかの実施形態では、制御構成要素は、機械的シャフトの手動旋回のためにアクセス可能であるロケーションまで延びる機械的シャフトであり、機械的シャフトの手動旋回は、第１の同調可変キャパシタ１２１のキャパシタンス設定の変更を提供する。いくつかの実施形態では、制御構成要素１２５は、モーター、たとえば、ステッパーモーターを含み、モーターと、第１の同調可変キャパシタ１２１と、の間に延びる機械的リンケージを含む。いくつかの実施形態では、機械的リンケージは、たとえば、互いに対する、第１の同調可変キャパシタ１２１の離間された導電性部材（たとえば、プレート）の移動を引き起こすことによってなど、モーターのシャフトの回転移動を第１の同調可変キャパシタ１２１のキャパシタンス設定の調整に変換する。いくつかの実施形態では、制御構成要素１２５は、制御構成要素１２５への電気信号の伝送を通して第１の同調可変キャパシタ１２１のキャパシタンス設定の遠隔制御を提供するように構成される。いくつかの実施形態では、制御構成要素１２５の動作が、第１の同調可変キャパシタ１２１のキャパシタンス設定が、システムコントローラ３１１によって遠隔でおよび／またはプログラム的に設定され得るように、システムコントローラ３１１（図３Ａ参照）から伝送される電気信号によって指示される。いくつかの実施形態では、第１のリアクタンス回路１０５のリアクタンスが、Ｑファクタ（ｑｕａｌｉｔｙ ｆａｃｔｏｒ）制御信号を制御構成要素１２５に伝送することによって修正され、Ｑファクタ制御信号は、第１の同調可変キャパシタ１２１のキャパシタンス設定の変更の実装を指示することによってなど、第１のリアクタンス回路１０５のリアクタンスの特定の変更の実装を指示する。
【0026】
いくつかの実施形態では、電流スプリッタ可変キャパシタ１０９は、第２のコイル１１５の入力端子１１５ｉに接続された出力端子１０９ｏを有する。いくつかの実施形態では、制御構成要素１３３が、電流スプリッタ可変キャパシタ１０９のキャパシタンス設定の制御を提供するために接続される。いくつかの実施形態では、制御構成要素１３３は、モーター、たとえば、ステッパーモーターを含み、モーターと、電流スプリッタ可変キャパシタ１０９と、の間に延びる機械的リンケージを含む。いくつかの実施形態では、機械的リンケージは、たとえば、互いに対する、電流スプリッタ可変キャパシタ１０９の離間された導電性部材（たとえば、プレート）の移動を引き起こすことによってなど、モーターのシャフトの回転移動を電流スプリッタ可変キャパシタ１０９のキャパシタンス設定の調整に変換する。いくつかの実施形態では、制御構成要素１３３は、制御構成要素１３３への電気信号の伝送を通して電流スプリッタ可変キャパシタ１０９のキャパシタンス設定の遠隔制御を提供するように構成される。いくつかの実施形態では、制御構成要素１３３の動作が、電流スプリッタ可変キャパシタ１０９のキャパシタンス設定が、システムコントローラ３１１によって遠隔でおよび／またはプログラム的に設定され得るように、システムコントローラ３１１（図３Ａ参照）から伝送される電気信号によって指示される。
【0027】
電流スプリッタ可変キャパシタ１０９のキャパシタンス設定は、第２のコイル１１５のインピーダンスに影響を及ぼす。電流スプリッタ可変キャパシタ１０９のキャパシタンス設定を調整することによって、第１のコイル１１３と、第２のコイル１１５と、の間のインピーダンスが変更される。電流スプリッタ可変キャパシタ１０９のキャパシタンス設定が、第２のコイル１１５のインピーダンスの増加を引き起こすとき、第１のＲＦ電源１０１によって生成された第１の周波数のＲＦ信号のうちのより多くのＲＦ信号が、第１のコイル１１３に伝送されることになり、第１のＲＦ電源１０１によって生成された第１の周波数のＲＦ信号のうちのより少ないＲＦ信号が、第２のコイル１１５に伝送されることになる。逆に、電流スプリッタ可変キャパシタ１０９のキャパシタンス設定が、第２のコイル１１５のインピーダンスの減少を引き起こすとき、第１のＲＦ電源１０１によって生成された第１の周波数のＲＦ信号のうちのより多くのＲＦ信号が、第２のコイル１１５に伝送されることになり、第１のＲＦ電源１０１によって生成された第１の周波数のＲＦ信号のうちのより少ないＲＦ信号が、第１のコイル１１３に伝送されることになる。このようにして、電流スプリッタ可変キャパシタ１０９は、第１のコイル１１３と、第２のコイル１１５と、の間での第１のＲＦ電源１０１によって生成された第１の周波数のＲＦ信号の分割（スプリッティング）を制御する。
【0028】
いくつかの実施形態では、第２のリアクタンス回路１０７は、第２のＲＦ電源１０３の出力端子１０３ｏに接続された入力端子１０７ｉを含む。第２のリアクタンス回路１０７は、第２のリアクタンス回路１０７の入力端子１０７ｉに、および次には第２のＲＦ電源１０３の出力端子１０３ｏに接続された、入力端子１２７ｉを有する第２の同調可変キャパシタ１２７を含む。第２の同調可変キャパシタ１２７は、第２のリアクタンス回路１０７の出力端子１０７ｏに接続された出力端子１２７ｏを有する。第２のリアクタンス回路１０７は、第２の同調可変キャパシタ１２７と並列に接続されたキャパシタ１３１をも含む。詳細には、キャパシタ１３１の入力端子１３１ｉは、第２のリアクタンス回路１０７の入力端子１０７ｉに、および次には第２のＲＦ電源１０３の出力端子１０３ｏに接続される。キャパシタ１３１は、第２のリアクタンス回路１０７の出力端子１０７ｏに接続された出力端子１３１ｏを有する。キャパシタ１３１は、本明細書では、並列キャパシタとも呼ばれる。第２のリアクタンス回路１０７の出力端子１０７ｏは、第２のＲＦ電源１０３によって生成された第２の周波数のＲＦ信号を第２のコイル１１５の入力端子１１５ｉに伝達するように接続される。
【0029】
いくつかの実施形態では、制御構成要素１２９が、第２の同調可変キャパシタ１２７のキャパシタンス設定の制御を提供するために接続される。いくつかの実施形態では、制御構成要素１２９は、機械的シャフトの手動旋回のためにアクセス可能であるロケーションまで延びる機械的シャフトであり、機械的シャフトの手動旋回は、第２の同調可変キャパシタ１２７のキャパシタンス設定の変更を提供する。いくつかの実施形態では、制御構成要素１２９は、モーター、たとえば、ステッパーモーターを含み、モーターと、第２の同調可変キャパシタ１２７と、の間に延びる機械的リンケージを含む。いくつかの実施形態では、機械的リンケージは、たとえば、互いに対する、第２の同調可変キャパシタ１２７の離間された導電性部材（たとえば、プレート）の移動を引き起こすことによってなど、モーターのシャフトの回転移動を第２の同調可変キャパシタ１２７のキャパシタンス設定の調整に変換する。いくつかの実施形態では、制御構成要素１２９は、制御構成要素１２９への電気信号の伝送を通して第２の同調可変キャパシタ１２７のキャパシタンス設定の遠隔制御を提供するように構成される。いくつかの実施形態では、制御構成要素１２９の動作が、第２の同調可変キャパシタ１２７のキャパシタンス設定が、システムコントローラ３１１によって遠隔でおよび／またはプログラム的に設定され得るように、システムコントローラ３１１（図３Ａ参照）から伝送される電気信号によって指示される。いくつかの実施形態では、第２のリアクタンス回路１０７のリアクタンスが、Ｑファクタ制御信号を制御構成要素１２９に伝送することによって修正され、Ｑファクタ制御信号は、第２の同調可変キャパシタ１２７のキャパシタンス設定の変更の実装を指示することによってなど、第２のリアクタンス回路１０７のリアクタンスの特定の変更の実装を指示する。
【0030】
いくつかの実施形態では、第２のＲＦ電源１０３によって生成された第２の周波数のＲＦ信号は、途中の遮断フィルタ１１１を通して第２のコイル１１５の入力端子１１５ｉに伝達される。遮断フィルタ１１１は、第１のＲＦ電源１０１によって生成された第１の周波数のＲＦ信号が、第２のＲＦ電源１０３に進むのを防ぐように構成される。このようにして、遮断フィルタ１１１は、電流スプリッタ可変キャパシタ１０９の出力端子１０９ｏを通して第２のコイル１１５に進む、第１のＲＦ電源１０１によって生成された第１の周波数のＲＦ信号の部分の伝達をサポートする。遮断フィルタ１１１は、入力端子１１１ｉと、出力端子１１１ｏとを含み、入力端子１１１ｉは、第２のリアクタンス回路１０７の出力端子１０７ｏに接続され、出力端子１１１ｏは、第２のコイル１１５の入力端子１１５ｉに接続される。いくつかの実施形態では、遮断フィルタ１１１は、遮断フィルタ１１１の入力端子１１１ｉと、出力端子１１１ｏと、の間に互いと並列に接続された、キャパシタ１３５と、インダクタ１３７と、を含む。詳細には、キャパシタ１３５は、遮断フィルタ１１１の入力端子１１１ｉに接続された入力端子１３５ｉと、遮断フィルタ１１１の出力端子１１１ｏに接続された出力端子１３５ｏと、を有する。また、インダクタ１３７は、遮断フィルタ１１１の入力端子１１１ｉに接続された入力端子１３７ｉと、遮断フィルタ１１１の出力端子１１１ｏに接続された出力端子１３７ｏと、を有する。様々な実施形態では、遮断フィルタ１１１は、遮断フィルタ１１１が、第１のＲＦ電源１０１から第２のＲＦ電源１０３への第１の周波数のＲＦ信号の伝送を遮断する間、第２のＲＦ電源１０３から第２のコイル１１５への第２の周波数のＲＦ信号の伝送を提供する限り、図１の例に示されているものとは別様に構成され得る。
【0031】
いくつかの実施形態では、オプションとして、遮断フィルタ１１７が、電流スプリッタ可変キャパシタ１０９と、第２のコイル１１５と、の間に接続される。詳細には、遮断フィルタの入力端子１１７ｉが、電流スプリッタ可変キャパシタ１０９の出力端子１０９ｏに接続され、遮断フィルタ１１７の出力端子１１７ｏが、第２のコイル１１５の入力端子１１５ｉに接続される。いくつかの実施形態では、遮断フィルタ１１７は、キャパシタ１３５およびインダクタ１３７と同様に、互いと並列に接続されたキャパシタおよびインダクタを含むように、遮断フィルタ１１１のように構成される。いくつかの実施形態では、電流スプリッタ可変キャパシタ１０９を通して伝達された第１のＲＦ電源１０１によって生成された第１の周波数のＲＦ信号の部分は、次には、途中の遮断フィルタ１１７を通して第２のコイル１１５の入力端子１１５ｉに伝達される。遮断フィルタ１１７は、第２のＲＦ電源１０３によって生成された第２の周波数のＲＦ信号が、第１のＲＦ電源１０１に進むのを防ぐように構成される。このようにして、遮断フィルタ１１７は、第２のＲＦ電源１０３によって生成された第２の周波数のＲＦ信号の、第２のコイル１１５への伝達をサポートする。様々な実施形態では、遮断フィルタ１１７は、遮断フィルタ１１７が、第２のＲＦ電源１０３から第１のＲＦ電源１０１への第２の周波数のＲＦ信号の伝送を遮断する間、第１のＲＦ電源１０１から第２のコイル１１５への第１の周波数のＲＦ信号の伝送を提供する限り、様々なやり方で構成され得る。
【0032】
いくつかの実施形態では、ＲＦ電力供給システム１００は、第１のコイル１１３に送出されたＲＦ電力の量および／または第２のコイル１１５に送出されたＲＦ電力の量を測定するための１つまたは複数のセンサーを含む。たとえば、いくつかの実施形態では、Ｖ／Ｉ（電圧／電流）センサー１３９が、第１のＲＦ電源１０１から第１のコイル１１３に送出された量ＲＦ電力の測定値を提供するために接続される。いくつかの実施形態では、Ｖ／Ｉセンサー１３９は、第１のリアクタンス回路１０５の出力端子１０５ｏと、第１のコイル１１３の入力端子１１３ｉと、の間に接続される。いくつかの実施形態では、別のＶ／Ｉセンサー１４１が、第１のＲＦ電源１０１から第２のコイル１１５に送出された量ＲＦ電力の測定値を提供するために接続される。いくつかの実施形態では、Ｖ／Ｉセンサー１４１は、電流スプリッタ可変キャパシタ１０９の出力端子１０９ｏと、第２のコイル１１５の入力端子１１５ｉと、の間に接続される。また、いくつかの実施形態では、Ｖ／Ｉセンサー１４１は、遮断フィルタ１１７の出力端子１１７ｏと、第２のコイル１１５の入力端子１１５ｉと、の間に接続される。いくつかの実施形態では、別のＶ／Ｉセンサー１４３が、第２のＲＦ電源１０３から第２のコイル１１５に送出された量ＲＦ電力の測定値を提供するために接続される。いくつかの実施形態では、Ｖ／Ｉセンサー１４３は、遮断フィルタ１１１の出力端子１１１ｏと、第２のコイル１１５の入力端子１１５ｉと、の間に接続される。また、いくつかの実施形態では、Ｖ／Ｉセンサー１４１は、第２のリアクタンス回路１０７の出力端子１０７ｏと、第２のコイル１１５の入力端子１１５ｉと、の間に接続される。
【0033】
いくつかの実施形態では、Ｖ／Ｉセンサー１３９は、第１のＲＦ電源１０１から第１のコイル１１３へのＲＦ信号送出経路中の電気導体上に存在する電圧および電流を測定するように接続される。また、いくつかの実施形態では、Ｖ／Ｉセンサー１４１は、第１のＲＦ電源１０１から第２のコイル１１５へのＲＦ信号送出経路中の電気導体上に存在する電圧および電流を測定するように接続される。また、いくつかの実施形態では、Ｖ／Ｉセンサー１４３は、第２のＲＦ電源１０３から第２のコイル１１５へのＲＦ信号送出経路中の電気導体上に存在する電圧および電流を測定するように接続される。いくつかの実施形態では、Ｖ／Ｉセンサー１３９、１４１、および１４３の各々が、所与の時間における、２乗平均（ＲＭＳ）電圧（Ｖｒｍｓ）、ＲＭＳ電流（ｉｒｍｓ）、および測定されたＲＭＳ電圧（Ｖｒｍｓ）と、測定されたＲＭＳ電流（ｉｒｍｓ）と、の間の位相角（φ）を測定するように構成される。いくつかの実施形態では、Ｖ／Ｉセンサー１３９、１４１、および１４３の各々はまた、所与の時間における、対応する電気導体を通して伝送されるＲＦ電力（Ｐ）を、所与の時間における、測定されたＲＭＳ電圧（Ｖｒｍｓ）、測定されたＲＭＳ電流（ｉｒｍｓ）、および測定されたＲＭＳ電圧（Ｖｒｍｓ）と、測定されたＲＭＳ電流（ｉｒｍｓ）と、の間の位相角（φ）を使用することによって、Ｐ＝（Ｖｒｍｓ）（ｉｒｍｓ）ｃｏｓ（φ）のように決定するように構成される。様々な実施形態では、Ｖ／Ｉセンサー１３９、１４１、および１４３の各々は、本質的に任意の利用可能な電気測定または測定算出技法を使用して、所与の時間における、対応する電気導体を通して伝送されるリアルタイムＲＦ電力を決定するように構成され得ることを理解されたい。いくつかの実施形態では、所与の時間における、Ｖ／Ｉセンサー１３９、１４１、１４３によって決定されたＲＦ電力（Ｐ）を示す信号が、電気信号接続を通してシステムコントローラ３１１（図３Ａ参照）に伝達される。また、いくつかの実施形態では、所与の時間における、測定されたＲＭＳ電圧（Ｖｒｍｓ）、測定されたＲＭＳ電流（ｉｒｍｓ）、および測定されたＲＭＳ電圧（Ｖｒｍｓ）と、測定されたＲＭＳ電流（ｉｒｍｓ）と、の間の位相角（φ）を示す信号が、電気信号接続を通してＶ／Ｉセンサー１３０、１４１、１４３からシステムコントローラ３１１に伝達される。
【0034】
いくつかの実施形態では、Ｖ／Ｉセンサー１３９、１４１、１４３は、第１のコイル１１３および第２のコイル１１５の各々に伝送されているＲＦ電力の量を決定するために使用され得る。いくつかの実施形態では、Ｖ／Ｉセンサー１３９、１４１、１４３から取得された情報は、第１のコイル１１３と、第２のコイル１１５と、の間のターゲットＲＦ電流比を達成するために、システムコントローラ３１１が、電流スプリッタ可変キャパシタ１０９のキャパシタンス設定をどのように調整すべきかを決定することを可能にする。いくつかの実施形態では、システムコントローラ３１１は、第１の周波数のＲＦ信号に対応するＲＦ電力のターゲット量が、第１のＲＦ電源１０１から第２のコイル１１５に伝送されるように、制御構成要素１３３を介して、電流スプリッタ可変キャパシタ１０９のキャパシタンス設定を制御するためのフィードバック信号として、Ｖ／Ｉセンサー１３９、１４１、１４３によって提供された（１つまたは複数の）ＲＦ電力測定値のうちの１つまたは複数を使用するように構成される。たとえば、いくつかの実施形態では、プラズマ処理レシピが、電流スプリッタ可変キャパシタ１０９のキャパシタンス設定のための初期設定点と、第１のコイル１１３および第２のコイル１１５の各々のためのターゲットＲＦパラメータ（電圧、電流、および／または電力）と、を指定する。次いで、ウエハ上でのプラズマ処理レシピの実施中に、Ｖ／Ｉセンサー１３９、１４１、および１４３によって提供された測定値は、第１のコイル１１３および第２のコイル１１５の各々のためのターゲットＲＦパラメータ（電圧、電流、および／または電力）を達成および維持するために電流スプリッタ可変キャパシタ１０９のキャパシタンス設定を制御するためのフィードバック信号として、システムコントローラ３１１によって使用される。このようにして、閉ループフィードバック制御プロセスが、システムコントローラ３１１と、制御構成要素１３３と、電流スプリッタ可変キャパシタ１０９と、Ｖ／Ｉセンサー１３９、１４１、および／または１４３のうちの１つまたは複数と、を使用して実装される。
【0035】
図３Ａは、いくつかの実施形態による、ＲＦ電力供給システム１００を利用する例示的なプラズマ処理システム３００を示す。図３Ａは、例示的なプラズマ処理チャンバ３０１を通した例示的な縦断面図を示す。プラズマ処理チャンバ３０１は、外側構造３０２、たとえば、側面および底面構造と、上側ウィンドウ構造３０３と、を含む。上側ウィンドウ構造３０３は、第１のコイル１１３および第２のコイル１１５からプラズマ処理チャンバ３０１内のプラズマ処理領域３１０へのＲＦ電力の伝送を提供する材料、たとえば、石英または同様の材料から形成される。基板支持構造３０５が、基板３０７のプラズマ処理中に基板３０７を支持するを提供するために、プラズマ処理領域３１０内に配設される。基板支持構造３０５は、プラズマ処理動作中に基板３０７をプラズマ処理領域３１０に曝されるように保持するように構成される。プラズマ処理チャンバ３０１は、基準接地電位１１９に接続される。
【0036】
プラズマ処理システム３００は、ＲＦ電力が第１のコイル１１３および第２のコイル１１５からプラズマ処理領域３１０に伝送される誘導結合システムである。例示的なプラズマ処理システム３００では、第１のコイル１１３は内側コイルであり、第２のコイル１１５は外側コイルである。図３Ｂは、いくつかの実施形態による、プラズマ処理システム３００中の第１のコイル１１３および第２のコイル１１５の平面図を示す。図３Ｂの例では、第１のコイル１１３（内側コイル）は、交互配置されたらせん形コイル１１３Ａおよび１１３Ｂのペアを含む。コイル１１３Ａおよび１１３Ｂの各々は、第１のリアクタンス回路１０５の出力端子１０５ｏからＲＦ信号を受け取るように接続されたそれぞれの第１の端部を有する。コイル１１３Ａおよび１１３Ｂの各々は、基準接地電位１１９に接続されたそれぞれの第２の端部を有する。また、図３Ｂの例では、第２のコイル１１５（外側コイル）は、第１のコイル１１３（内側コイル）のコイル１１３Ａおよび１１３Ｂを囲むように集合的に位置する交互配置されたらせん形コイル１１５Ａおよび１１５Ｂのペアを含む。コイル１１５Ａおよび１１５Ｂの各々は、遮断フィルタ１１１の出力端子１１１ｏから、および電流スプリッタ可変キャパシタ１０９の出力端子１０９ｏから（直接、または随意の遮断フィルタ１１７を介してのいずれかで）ＲＦ信号を受け取るように接続されたそれぞれの第１の端部を有する。コイル１１５Ａおよび１１５Ｂの各々は、基準接地電位１１９に接続されたそれぞれの第２の端部を有する。様々な実施形態では、第１のコイル１１３および第２のコイル１１５の各々は、ＲＦ電力を上側ウィンドウ構造３０３を通しておよびプラズマ処理領域３１０に伝送するために好適である本質的に任意の構成を有することができる。様々な実施形態では、第１のコイル１１３および第２のコイル１１５の各々は、上側ウィンドウ構造３０３を通したおよびプラズマ処理領域３１０へのＲＦ電力の伝送を提供するために適宜に任意の巻数ならびに任意の断面サイズおよび形状（円形、楕円形、長方形、台形など）を有することができる。
【0037】
プラズマ処理領域３１０は、１つまたは複数のプロセスガスが、矢印３１５によって表されるように、制御された様式でプラズマ処理領域３１０に供給され得るように、プロセスガス供給システム３１３に流体接続される。プロセスガス供給システム３１３は、制御された流量でおよび制御された流れ時間で、プラズマ処理領域３１０への１つまたは複数のプロセスガスの提供を可能にするために、１つまたは複数のプロセスガス源、ならびに弁およびマスフローコントローラの配置を含む。また、様々な実施形態では、１つまたは複数のプロセスガスは、基板支持構造３０５およびその上に保持された基板３０７に対して、時間的に制御された様式で、および空間的に制御された様式での両方で、プラズマ処理領域３１０に送出される。プラズマ処理システム３００は、矢印３１７によって示されるように、プラズマ処理領域３１０からのプロセスガスの制御された除去を提供する排気システムをも含む。プラズマ処理システム３００は、プラズマ処理領域３１０中で１つまたは複数のプロセスガスを（破線の楕円領域によって表される）プラズマ３０９に変換するために、プロセスガス供給システム３１３に、１つまたは複数のプロセスガスをプラズマ処理領域３１０に流させることによって、およびＲＦ電力を第１のコイル１１３および／または第２のコイル１１５からプラズマ処理領域３１０に伝送することによって動作する。いくつかの実施形態では、システムコントローラ３１１は、プロセスガス供給システム３１３の動作を制御するように、およびＲＦ電力供給システム１００の動作を制御するように接続される。
【0038】
プラズマ３０９は、制御された様式で基板３０７の変化を引き起こすために生成される。様々な作製プロセスでは、基板３０７の変化は、基板３０７上の材料または表面条件の変化であり得る。たとえば、様々な作製プロセスでは、基板３０７の変化は、基板３０７からの材料のエッチング、基板３０７上の材料の堆積、または基板３０７上に存在する材料の変更のうちの１つまたは複数を含むことができる。プラズマ処理システム３００は、ＲＦ電力が、プラズマ処理チャンバ３０１外に配設された第１のコイル１１３および第２のコイル１１５からプラズマ処理領域３１０内のプロセスガスに伝送されて、プラズマ処理領域３１０内でプラズマ３０９を生成する、任意のタイプのプラズマ処理システムであり得ることを理解されたい。
【0039】
いくつかの実施形態では、基板３０７は、作製手順を経た半導体ウエハである。しかしながら、様々な実施形態では、基板３０７は、プラズマベースの作製プロセスを受ける、本質的に任意のタイプの基板であり得ることを理解されたい。たとえば、いくつかの実施形態では、本明細書で言及される基板３０７は、シリコン、サファイア、ＧａＮ、ＧａＡｓまたはＳｉＣ、あるいは他の基板材料から形成された基板であり得、ガラスパネル／基板、金属箔、金属シート、ポリマー材料などを含むことができる。また、様々な実施形態では、本明細書で言及される基板３０７は、形態、形状、および／またはサイズが変動し得る。たとえば、いくつかの実施形態では、本明細書で言及される基板３０７は、半導体ウエハサイズの中でも、直径２００ｍｍ（ミリメートル）の半導体ウエハ、直径３００ｍｍの半導体ウエハ、または直径４５０ｍｍの半導体ウエハに対応し得る。また、いくつかの実施形態では、本明細書で言及される基板３０７は、形状の中でも、フラットパネルディスプレイのための長方形基板など、非円形基板に対応し得る。
【0040】
図４は、いくつかの実施形態による、ＲＦ電力をプラズマ処理システムに供給するための方法のフローチャートを示す。本方法は、（たとえば、第１のＲＦ電源１０１を動作させることによってなど）第１の周波数のＲＦ信号を生成するための動作４０１を含む。本方法は、第１の周波数のＲＦ信号の第１の部分を第１のコイル（たとえば、１１３）に供給するための動作４０３をも含む。本方法は、第１の周波数のＲＦ信号の第２の部分を第２のコイル（たとえば、１１５）に供給するための動作４０５をも含む。いくつかの実施形態では、本方法は、第１の周波数のＲＦ信号の第１の部分の量と、第１の周波数のＲＦ信号の第２の部分の量と、を制御するために電流スプリッタ可変キャパシタ（たとえば、１０９）を使用することを含む。本方法は、（たとえば、第２のＲＦ電源１０３を動作させることによってなど）第２の周波数のＲＦ信号を生成するための動作４０７をも含む。本方法は、第２の周波数のＲＦ信号を第２のコイル（たとえば、１１５）に供給するための動作４０９をも含む。いくつかの実施形態では、本方法は、第１の周波数のＲＦ信号が、第２の周波数のＲＦ信号のソースに進むのを防ぐために（たとえば、第１のＲＦ電源１０１によって生成されたＲＦ信号が、第２のＲＦ電源１０３に進むのを防ぐために）遮断フィルタ（たとえば、１１１）を使用することを含む。
【0041】
いくつかの実施形態では、本方法は、第２のコイル（たとえば、１１５）によって駆動されるプラズマの点火／点弧をサポートするために第２のコイル（たとえば、１１５）に伝送された、第１のＲＦ電源（たとえば、１０１）によって生成された第１の周波数のＲＦ信号の第２の部分の量を増加させるように電流スプリッタ可変キャパシタ（たとえば、１０９）のキャパシタンス設定を制御するための動作を含む。また、これらの実施形態のうちのいくつかでは、本方法は、プラズマの点火／点弧の後に第２のコイル（たとえば、１１５）に伝送された、第１のＲＦ電源（たとえば、１０１）によって生成された第１の周波数のＲＦ信号の第２の部分の量を減少させるように電流スプリッタ可変キャパシタ（たとえば、１０９）のキャパシタンス設定を制御するための動作を含む。いくつかの実施形態では、本方法は、第２のコイル（たとえば、１１５）によって駆動されるプラズマの安定性をサポートするために第２のコイル（たとえば、１１５）に伝送された、第１のＲＦ電源（たとえば、１０１）によって生成された第１の周波数のＲＦ信号の第２の部分の量を制御するように電流スプリッタ可変キャパシタ（たとえば、１０９）のキャパシタンス設定を制御するための動作を含む。いくつかの実施形態では、本方法は、第１のＲＦ電源（たとえば、１０１）によって生成された第１の周波数のＲＦ信号の第２の部分によって第２のコイル（たとえば、１１５）に送出されたＲＦ電力の量を測定するための動作を含む。また、これらの実施形態では、本方法は、ＲＦ電力のターゲット量が、第１のＲＦ電源（たとえば、１０１）によって生成された第１の周波数のＲＦ信号の第２の部分によって第２のコイル（たとえば、１１５）に送出されるように、ＲＦ電力の測定された量を、電流スプリッタ可変キャパシタ（たとえば、１０９）のキャパシタンス設定を制御するためのフィードバック信号として使用するための動作を含む。
【0042】
いくつかの実施形態では、第１のＲＦ電源１０１によって生成されたＲＦ信号の第１の周波数は、約１３メガヘルツ（ＭＨｚ）であり、第２のＲＦ電源１０３によって生成されたＲＦ信号の第２の周波数は、約２ＭＨｚである。これらの実施形態では、電流スプリッタ可変キャパシタ１０９のキャパシタンス設定は、約５ピコファラド（ｐＦ）から約５００ｐＦに及ぶ範囲内に制御される。また、これらの実施形態のうちのいくつかでは、第１の同調可変キャパシタ１２１のキャパシタンス設定は、約５ｐＦから約１０００ｐＦに及ぶ範囲内に制御され、インダクタ１２３は、約３００ナノヘンリー（ｎＨ）から約１０００ｎＨに及ぶ範囲内のインダクタンスを有する。また、これらの実施形態のうちのいくつかでは、第２の同調可変キャパシタ１２７のキャパシタンス設定は、約５ｐＦから約２０００ｐＦに及ぶ範囲内に制御され、キャパシタ１３１は、約２０００ｐＦから約３５００ｐＦに及ぶ範囲内のキャパシタンスを有する。また、これらの実施形態のうちのいくつかでは、遮断フィルタ１１１は、約５０ｐＦから約５００ｐＦに及ぶ範囲内のキャパシタンスを有するキャパシタ１３５と、約２００ｎＨから約２０００ｎＨに及ぶ範囲内のインダクタンスを有するインダクタ１３７と、で構成される。また、これらの実施形態のうちのいくつかでは、随意の遮断フィルタ１１７は、遮断フィルタ１１１と同様に構成される。
【0043】
いくつかの実施形態では、プラズマ処理システム３００は、システムコントローラ３１１を介して、第１のコイル１１３だけへの第１の周波数のＲＦ信号の伝送と組み合わせた第２のコイル１１５への第２の周波数のＲＦ信号だけの伝送を使用してプラズマ３０９を点火する／点弧するおよび維持するのが困難であるプラズマモードにおけるプラズマ３０９の生成を含むプラズマ処理レシピを実施するようにプログラムされる。たとえば、いくつかのプラズマ処理レシピおよび規定のプラズマモードの場合、第２のＲＦ電源１０３によって生成された、第２の周波数、たとえば、２ＭＨｚのＲＦ信号は、それら自体では、外側コイル１１５によって駆動されたプラズマを点火する／点弧するおよび維持するのに十分なＲＦ電力を提供しない。したがって、これらのプラズマ処理レシピおよび規定のプラズマモードについて、電流スプリッタ可変キャパシタ１０９は、制御構成要素１３３を介して、外側コイル１１５によって駆動されるプラズマ３０９の点火／点弧および維持を支援するために、第１の周波数、たとえば、１３ＭＨｚのＲＦ信号のうちのいくつかを外側コイル１１５に転送するように制御される。
【0044】
様々なプラズマ処理レシピでは、プラズマ３０９は、プラズマ３０９が、主に、コイル１１３／１１５と、プラズマ３０９と、の間の容量性電界によって駆動されているＥモードにおいて、またはプラズマ３０９が主にコイル１１３／１１５によって生成された磁界によって駆動されているＨモードにおいてのいずれかで生成され得る。いくつかの状況では、プラズマ３０９がＨモードにおいて生成されるべきであるとき、第２のＲＦ電源１０３から第２のコイル１１５に伝送された第２の周波数のＲＦ信号によって供給されたＲＦ電力は、プラズマ３０９を点火する／点弧するおよび維持するのに十分でない。また、プラズマ３０９生成内の遷移領域により、プラズマ３０９を点火する／点弧するおよび維持するために、第２のＲＦ電源１０３から第２のコイル１１５に伝送された第２の周波数のＲＦ信号によって供給されたＲＦ電力を、桁違いに、たとえば、約３００ワットから２キロワット超まで増加させることが必要であることになる。しかしながら、第２の周波数のＲＦ信号によって供給されたＲＦ電力を、そのような高いレベルに増加させることは、第２のコイル１１５を通した極めて高い電流の駆動を生じることになり、これは可能にされない。たとえば、第２のコイル１１５を通した極めて高い電流の駆動は、第２のコイル１１５上の電圧を、上側ウィンドウ構造３０３の問題になるプラズマスパッタリングを引き起こす許容できないレベルまで増加させることがある。したがって、そのような状況では、Ｈモードにおけるプラズマ３０９の生成は、第２のＲＦ電源１０３から第２のコイル１１５への第２の周波数のＲＦ信号によって供給されたＲＦ電力を単純増加させることによって確実に行われ得ない。ＲＦ電力供給システム１００は、第２のコイル１１５を通して許容できないほど高い電流を駆動する必要なしに、Ｈモードにおけるプラズマ３０９の信頼できる点火／点弧および維持を可能にする、この状況におけるソリューションを提供する。たとえば、この状況では、システムコントローラ３１１および制御構成要素１３３は、上側ウィンドウ構造３０３のスパッタリングを引き起こし得る、第２のコイル１１５上の許容できないほど高い電圧を生じることなしに、Ｈモードにおけるプラズマ３０９の点火／点弧および維持をサポートするために、第２のＲＦ電源１０３から第２のコイル１１５に供給された第２の周波数のＲＦ信号によって提供されたＲＦ電力を拡張するために、第１のＲＦ電源１０１によって生成された第１の周波数のＲＦ信号の十分な量を第２のコイル１１５に転送するために電流スプリッタ可変キャパシタ１０９のキャパシタンスを設定するように動作する。
【0045】
様々な実施形態では、電流スプリッタ可変キャパシタ１０９のキャパシタンス設定は、必要に応じてプラズマ処理ステップ間で変更され得る。たとえば、プラズマ処理レシピは、第１の周波数のＲＦ信号の大部分が第１のコイル１１３に伝送される処理ステップと、その後に続く、第１の周波数のＲＦ信号のうちのいくつかが、第２のコイル１１５からプラズマ３０９への第２の周波数のＲＦ信号の結合をサポートするために電流スプリッタ可変キャパシタ１０９を介して第２のコイル１１５に転送される別の処理ステップと、を含むことができる。また、いくつかの実施形態では、システムコントローラ３１１は、第１の周波数のＲＦ信号の十分に大きい部分が、プラズマ３０９生成の点火／点弧フェーズのために第１のＲＦ電源１０１から第２のコイル１１５に伝送され、その後に、第２のコイル１１５上の電圧が、上側ウィンドウ構造３０３のプラズマスパッタリングを引き起こし得るレベル、たとえば、１５００Ｖを下回って維持されるように、プラズマ３０９の点火／点弧の後の、第１のＲＦ電源１０１から第２のコイル１１５に伝送される第１の周波数のＲＦ信号の部分の低減が続くように、制御構成要素１３３を介して、電流スプリッタ可変キャパシタ１０９のキャパシタンス設定を制御するようにプログラムされる。ＲＦ電力供給システム１００によって、特に、電流スプリッタ可変キャパシタ１０９によって提供される、第１の周波数のＲＦ信号のうちのいくつかを第２のコイル１１５に転送するプログラマブル能力は、プラズマ３０９の点火／点弧の増加された信頼性と、プラズマ処理動作中の改善されたプラズマ３０９の安定性と、上側ウィンドウ構造３０３のプラズマスパッタリングを防ぐ／低減するためのコイル１１５上の十分に低い電圧とを提供する。
【0046】
本明細書で開示されるＲＦ電力供給システム１００は、第１のコイル１１３、たとえば、内側コイルと、第２のコイル１１５、たとえば、外側コイルと、の間での、第１の周波数、たとえば、１３ＭＨｚのＲＦ信号によって提供されたＲＦ電力をスプリットするためのやり方を提供する。ＲＦ電力供給システム１００は、第１のＲＦ電源１０１および第２のＲＦ電源１０３の各々が、それぞれのダイレクトドライブＲＦ信号生成器２００であるとき、特に有用である。第２のコイル１１５への第１の周波数のＲＦ信号の部分のスプリッティングは、第２の周波数のＲＦ信号によって第２のコイル１１５に提供されたＲＦ電力が、プラズマ３０９の点火を生じない、プラズマ３０９の不安定性を生じる、および／またはＨモードプラズマ３０９の持続可能性問題を生じる状況における、第１のＲＦ電源１０１および第２のＲＦ電源１０３の各々についての、ダイレクトドライブＲＦ信号生成器２００の使用を可能にする。
【0047】
いくつかの実施形態では、第１の周波数、たとえば、１３ＭＨｚのＲＦ信号に対応する少量のＲＦ電流を、第２のコイル１１５に加えることによって、プラズマ３０９の点火／点弧の両方が、より可能性が高く、プラズマ３０９安定性ウィンドウが増加される。また、いくつかの実施形態では、第２のコイル１１５に供給された、第１の周波数、たとえば、１３ＭＨｚのＲＦ信号に対応するＲＦ電流が、プラズマ３０９をＨモードに入れることを助け、第２のコイル１１５に供給された、第２の周波数、たとえば、２ＭＨｚのＲＦ信号に対応するＲＦ電流が、単独でプラズマ３０９をＨモードに入れることができないので、プラズマ３０９のＨモード維持は、より可能性が高い。さらに、第１の周波数、たとえば、１３ＭＨｚのＲＦ信号に対応する少量のＲＦ電流を、第２のコイル１１５に加えることによって、プラズマ３０９の特性の中でも、イオン密度、電子密度、および電子温度など、プラズマ３０９特性の空間分布を制御することが可能である。
【0048】
図５は、いくつかの例示的な実施形態による、システムコントローラ３１１の図を示す。いくつかの実施形態では、システムコントローラ３１１は、プロセッサ５０９と、記憶ハードウェアユニット（ＨＵ）５１１（たとえば、メモリ）と、入力ＨＵ５０１と、出力ＨＵ５０５、入出力（Ｉ／Ｏ）インターフェース５０３と、Ｉ／Ｏインターフェース５０７と、ネットワークインターフェースコントローラ（ＮＩＣ）５１５と、データ通信バス５１３と、を含む。プロセッサ５０９と、記憶ＨＵ５１１と、入力ＨＵ５０１と、出力ＨＵ５０５と、Ｉ／Ｏインターフェース５０３と、Ｉ／Ｏインターフェース５０７と、ＮＩＣ５１５とは、データ通信バス５１３を介して互いとデータ通信している。入力ＨＵ５０１の例は、マウス、キーボード、スタイラス、データ収集システム、データ収集カードなどを含む。出力ＨＵ５０５の例は、ディスプレイ、スピーカー、デバイスコントローラなどを含む。ＮＩＣ５１５の例は、ネットワークインターフェースカード、ネットワークアダプタなどを含む。様々な実施形態では、ＮＩＣ５１５は、特に、イーサネット（登録商標）および／またはＥｔｈｅｒＣＡＴ（登録商標）など、１つまたは複数の通信プロトコルおよび関連する物理層に従って動作するように構成される。Ｉ／Ｏインターフェース５０３および５０７の各々は、Ｉ／Ｏインターフェースに結合された異なるハードウェアユニット間の互換性を提供するように定義される。たとえば、Ｉ／Ｏインターフェース５０３は、入力ＨＵ５０１から受信される信号をデータ通信バス５１３と互換性がある形式、振幅、および／または速度に変換するように定義され得る。また、Ｉ／Ｏインターフェース５０７は、データ通信バス５１３から受信される信号を出力ＨＵ５０５と互換性がある形式、振幅、および／または速度に変換するように定義され得る。本明細書で説明される様々な動作は、システムコントローラ３１１のプロセッサ５０９によって実施されるが、いくつかの実施形態では、様々な動作は、システムコントローラ３１１の複数のプロセッサによって、および／またはシステムコントローラ３１１に接続された複数のコンピューティングシステムの複数のプロセッサによって実施され得ることを理解されたい。
【0049】
様々な実施形態では、プラズマ処理システム３００は、基板３０７の処理前に、処理中に、および処理後にその動作を制御するためのエレクトロニクスと統合され、それらのエレクトロニクスは、ＲＦ電力供給システム１００を含む、プラズマ処理システム３００の様々な構成要素および／または下位部分を制御するように構成および接続された、システムコントローラ３１１内で実装される。プラズマ処理システム３００の基板３０７処理要件および／または特定の構成に応じて、システムコントローラ３１１は、特に、プロセスガス供給システム３１３による（１つまたは複数の）プロセスガスの送出、温度設定（たとえば、加熱および／または冷却）、圧力設定、真空設定、電力設定、ＲＦ電力供給システム１００設定、電気信号周波数設定、ガス流量設定、流体送出設定、位置および動作設定、プラズマ処理チャンバ３０１へのおよびそこからのならびに／あるいはプラズマ処理システム３００に接続されたまたはそれとインターフェースされたロードロックへのおよびそこからの基板３０７移送を含む、本明細書で開示される任意のプロセスおよび／または構成要素を制御するようにプログラムされる。
【0050】
様々な実施形態では、システムコントローラ３１１は、タスク／動作の中でも、命令を受信すること、命令を発行すること、デバイス動作を制御すること、洗浄動作を可能にすること、終点測定を可能にすること、計測学測定（光、熱、電気、など）を可能にすることなど、様々なタスク／動作を指示および制御する様々な集積回路、論理、メモリ、および／またはソフトウェアを有するエレクトロニクスとして定義される。いくつかの実施形態では、システムコントローラ３１１内の集積回路は、プログラム命令を記憶するファームウェア、コンピューティングデバイスの中でも、プログラム命令（たとえば、ソフトウェア）を実行する、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）チップ、プログラマブル論理デバイス（ＰＬＤ）、１つまたは複数のマイクロプロセッサ、および／または１つまたは複数のマイクロコントローラのうちの１つまたは複数を含む。いくつかの実施形態では、プログラム命令は、プラズマ処理システム３００内で基板３０７上でプロセスを行うための動作パラメータを定義する、様々な個々の設定（またはプログラムファイル）の形式で、システムコントローラ３１１に通信される。いくつかの実施形態では、動作パラメータは、基板３０７上の１つまたは複数の層、材料、金属、酸化物、シリコン、二酸化シリコン、表面、回路、および／またはダイの作製中に１つまたは複数の処理ステップを達成するために、プロセス技術者によって定義されたレシピ中に含まれる。
【0051】
いくつかの実施形態では、システムコントローラ３１１は、プラズマ処理システム３００と統合される、またはプラズマ処理システム３００に接続される、あるいはさもなければプラズマ処理システム３００にネットワーク接続される、コンピュータの一部であるか、あるいはコンピュータに接続されるか、あるいはその組合せである。たとえば、いくつかの実施形態では、システムコントローラ３１１は、「クラウド」あるいはファブホストコンピュータシステムの全部または一部中で実装され、これは、プラズマ処理システム３００による基板３０７処理の制御のための遠隔アクセスを可能にする。システムコントローラ３１１は、作製動作の現在の進行の監視を提供すること、過去の作製動作の履歴の検査を提供すること、複数の作製動作からの傾向または性能メトリックの検査を提供すること、処理パラメータの変更を提供すること、後続の処理ステップの設定を提供すること、ＲＦ電力供給システム１００動作パラメータの仕様を提供すること、および／あるいは新しい基板作製プロセスの開始を提供することを行うために、プラズマ処理システム３００への遠隔アクセスを可能にする。
【0052】
いくつかの実施形態では、サーバコンピュータシステムなど、遠隔コンピュータが、ローカルネットワークおよび／またはインターネットを含むコンピュータネットワークを介してシステムコントローラ３１１にプロセスレシピを提供する。遠隔コンピュータは、パラメータおよび／または設定のエントリまたはプログラミングを可能にするユーザインターフェースを含み、パラメータおよび／または設定は、次いで、遠隔コンピュータからシステムコントローラ３１１に通信される。いくつかの例では、システムコントローラ３１１は、プラズマ処理システム３００内で基板３０７を処理するための設定の形態の命令を受信する。それらの設定は、基板３０７上で実施されるべきプロセスのタイプ、およびシステムコントローラ３１１がインターフェースするまたは制御するツール／デバイス／構成要素のタイプに固有であることを理解されたい。いくつかの実施形態では、システムコントローラ３１１は、ともにネットワーク接続され、基板３０７上で規定のプロセスを実施するためにプラズマ処理システム３００を動作させることなどの共通の目的に向かって機能するように同期された、１つまたは複数の個別システムコントローラ３１１を含むことなどによって、分散される。そのような目的のための分散システムコントローラ３１１の一例が、チャンバ中のプロセスを制御するように組み合わせた、（プラットフォームレベルにおいて、または遠隔コンピュータの一部としてなどの）遠隔にある１つまたは複数の集積回路と通信しているチャンバ上の１つまたは複数の集積回路を含む。また、プラズマ処理システム３００によって実施されるべきプロセス動作に応じて、システムコントローラ３１１は、他のツール回路またはモジュール、他のツール構成要素、クラスタツール、他のツールインターフェース、隣接ツール、近隣ツール、分散ツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、あるいは半導体製造工場におけるツールロケーションおよび／またはロードポートとの間で基板３０７のコンテナを運ぶ材料移送において使用されるツールのうちの１つまたは複数となど、半導体製造工場を通して様々なエンティティと通信する。
【0053】
本明細書で説明される様々な実施形態は、携帯型ハードウェアユニット、マイクロプロセッサシステム、マイクロプロセッサベースまたはプログラマブルコンシューマーエレクトロニクス、ミニコンピュータ、メインフレームコンピュータなどを含む様々なコンピュータシステム構成とともに実践され得る。本明細書で説明される様々な実施形態はまた、コンピュータネットワークを通してリンクされた遠隔処理ハードウェアユニットによってタスクが実施される分散コンピューティング環境とともに実践され得る。また、本明細書で開示される様々な実施形態は、コンピュータシステムに記憶されたデータに関与する様々なコンピュータ実装動作の実施を含むことを理解されたい。これらのコンピュータ実装動作は、物理量を操作するものである。様々な実施形態では、コンピュータ実装動作は、汎用コンピュータまたは専用コンピュータのいずれかによって実施される。いくつかの実施形態では、コンピュータ実装動作は、選択的にアクティブにされたコンピュータによって実施され、および／あるいはコンピュータメモリに記憶され、またはコンピュータネットワークを介して取得される１つまたは複数のコンピュータプログラムによって指示される。コンピュータプログラムおよび／またはデジタルデータがコンピュータネットワークを介して取得されるとき、デジタルデータは、コンピュータネットワーク上の他のコンピュータ、たとえば、コンピューティングリソースのクラウドによって処理され得る。コンピュータプログラムおよびデジタルデータは、非一時的コンピュータ可読媒体にコンピュータ可読コードとして記憶される。非一時的コンピュータ可読媒体は、データを記憶する、任意のデータ記憶ハードウェアユニット、たとえば、メモリデバイスなどであり、データは、その後、コンピュータシステムによって可読である。非一時的コンピュータ可読媒体の例は、ハードドライブ、ネットワーク接続ストレージ（ＮＡＳ）、ＲＯＭ、ＲＡＭ、コンパクトディスクＲＯＭ（ＣＤ－ＲＯＭ）、ＣＤレコーダブル（ＣＤ－Ｒ）、ＣＤリライタブル（ＣＤ－ＲＷ）、デジタルビデオ／汎用ディスク（ＤＶＤ）、磁気テープ、ならびに他の光学的および非光学的なデータ記憶ハードウェアユニットを含む。いくつかの実施形態では、コンピュータプログラムおよび／またはデジタルデータは、コンピュータプログラムおよび／またはデジタルデータが分散された様式で実行および／または記憶されるように、結合されたコンピュータシステムのネットワーク内の異なるコンピュータシステム中にある複数のコンピュータ可読媒体の間で分散される。
【0054】
上記の開示は、理解の明確さの目的で何からの詳細を含むが、いくつかの変更および修正が、添付の特許請求の範囲内で実践され得ることは明らかであろう。たとえば、本明細書で開示される任意の実施形態からの１つまたは複数の特徴が、本明細書で開示される任意の他の実施形態の１つまたは複数の特徴と組み合わせられ得ることを理解されたい。したがって、本実施形態は、限定的ではなく例示的であると見なされるべきであり、特許請求の範囲は、本明細書で与えられる詳細に限定されるべきでなく、説明される実施形態の範囲および均等物の範囲内で修正され得る。
【0055】
特許請求の範囲は以下の通りである。
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図3A】
【図3B】
【図4】
【図5】
【国際調査報告】