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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-12-03
(54)【発明の名称】調節可能なフローバルブをもつドライプロセスツール
(51)【国際特許分類】
C23C 16/455 20060101AFI20241126BHJP
H01L 21/205 20060101ALI20241126BHJP
H01L 21/3065 20060101ALI20241126BHJP
【ＦＩ】
C23C16/455
H01L21/205
H01L21/302 101G
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024531442
(86)(22)【出願日】2022-11-19
(85)【翻訳文提出日】2024-07-25
(86)【国際出願番号】 US2022080198
(87)【国際公開番号】W WO2023102325
(87)【国際公開日】2023-06-08
(31)【優先権主張番号】63/264,780
(32)【優先日】2021-12-01
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．Ｂｌｕ－ｒａｙ
(71)【出願人】
【識別番号】592010081
【氏名又は名称】ラム リサーチ コーポレーション
【氏名又は名称原語表記】ＬＡＭ ＲＥＳＥＡＲＣＨ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ
(74)【代理人】
【識別番号】110000028
【氏名又は名称】弁理士法人明成国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】ジャッジ・ジョン・ガレット
(72)【発明者】
【氏名】ラインバーガー・ジュニア．・ニック・レイ
(72)【発明者】
【氏名】ボートライト・ダニエル
【テーマコード（参考）】
4K030
5F004
5F045
【Ｆターム（参考）】
4K030CA04
4K030CA12
4K030EA01
4K030EA04
4K030GA02
4K030HA01
4K030JA05
4K030JA09
4K030KA41
4K030LA15
5F004BA04
5F004BB13
5F004BB18
5F004BB26
5F004BC03
5F004BD04
5F004CA02
5F004CA05
5F004CB01
5F004DA30
5F045AA08
5F045AA15
5F045AB32
5F045AC01
5F045AC11
5F045AC15
5F045AC19
5F045DP03
5F045EB03
5F045EE02
5F045EE04
5F045EE05
5F045EF05
5F045EH05
5F045EH07
5F045EH14
5F045EK07
5F045EM07
5F045EM10
5F045GB04
5F045GB09
5F045GB10
5F045GB15
(57)【要約】
【解決手段】ドライプロセスツールのためのシステムが、１つまたは複数の処理チャンバと、１つまたは複数の処理チャンバ内に配置された２つまたはそれ以上の処理ステーションと、第１のガス源と、を備える。共通マニホルドが、少なくとも第１のマスフローコントローラを介して第１のガス源に結合される。共通マニホルドは、第１のガス源を、対応するフローパスを介して２つまたはそれ以上の処理ステーションの各処理ステーションに流体的に結合する。各対応するフローパスは調節可能なフローバルブを備える。
【選択図】図１
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
１つまたは複数の処理チャンバと、前記１つまたは複数の処理チャンバ内に配置された２つまたはそれ以上の処理ステーションと、
第１のガス源と、
前記第１のガス源を、対応するフローパスを介して前記２つまたはそれ以上の処理ステーションの各処理ステーションに流体的に結合させ、少なくとも第１のマスフローコントローラを介して前記第１のガス源に結合された共通マニホルドであって、前記各対応するフローパスが調節可能なフローバルブを備える、共通マニホルドと、
を備える、ドライプロセスツールのためのシステム。
【請求項2】
請求項１に記載のシステムであって、各調節可能なフローバルブが、前記対応するフローパス内で最も高いバルブフロー係数を有するように調節可能である、システム。
【請求項3】
請求項１に記載のシステムであって、前記対応するフローパスのうちの１つまたは複数が、各々、前記調節可能なフローバルブと並列に配置された固定オリフィスを備える、システム。
【請求項4】
請求項１に記載のシステムであって、各対応するフローパスが、フレキシブルガスラインを介して前記共通マニホルドに結合され、各フローパスが、それぞれの処理ステーションの処理チャンバに対して可動であるように構成された１つまたは複数の構成要素を備える、システム。
【請求項5】
請求項１に記載のシステムであって、各フローパスが、前記調節可能なフローバルブの上流にオン／オフフローバルブをさらに備える、システム。
【請求項6】
請求項５に記載のシステムであって、各フローパスが、前記オン／オフフローバルブの上流にフィルタをさらに備える、システム。
【請求項7】
請求項１に記載のシステムであって、第２のマスフローコントローラを介して前記共通マニホルドに接続された第２のガス源をさらに備える、システム。
【請求項8】
請求項１に記載のシステムであって、各処理ステーションについて、前記処理ステーションの上流の前記フローパス内に配置されたミキサをさらに備え、各処理ステーションについての前記ミキサが、第２の対応するフローパスを介して第２の共通マニホルドに結合され、前記第２の共通マニホルドが第２のガス源に結合され、前記第２のガス源が、前記第１のガス源とは異なるガス組成を提供するように構成された、システム。
【請求項9】
請求項８に記載のシステムであって、前記第２の対応するフローパスが、固定オリフィスまたは第２の調節可能なフローバルブのうちの１つまたは複数と直列のオン／オフフローバルブを備える、システム。
【請求項10】
請求項１に記載のシステムであって、前記１つまたは複数の処理チャンバが複数の処理チャンバを備え、前記２つまたはそれ以上の処理ステーションの各処理ステーションが、前記複数の処理チャンバのうちの別個の処理チャンバ内に配置される、システム。
【請求項11】
請求項１に記載のシステムであって、前記２つまたはそれ以上の処理ステーションのうちの少なくとも２つが、前記１つまたは複数の処理チャンバのうちの共有される処理チャンバ内に配置される、システム。
【請求項12】
請求項１に記載のシステムであって、前記ドライプロセスツールが化学気相堆積ツールを備える、システム。
【請求項13】
請求項１に記載のシステムであって、前記ドライプロセスツールが原子層堆積ツールを備える、システム。
【請求項14】
請求項１に記載のシステムであって、前記ドライプロセスツールがドライエッチングツールを備える、システム。
【請求項15】
請求項１に記載のシステムであって、前記調節可能なフローバルブが自動バルブを備える、システム。
【請求項16】
マルチステーション処理システムを較正するための方法であって、共通ガス源のチャンバ圧力を較正ガス圧力に設定することと、
前記共通ガス源に結合された前記マルチステーション処理システムの各ステーションについて、
１つまたは複数の他のステーションへのガスフローを閉じることと、
前記共通ガス源から、調節されるステーションにガスを流すことと、
前記ガス源において上流ガス圧力を検知することと、
前記上流ガス圧力が、所定のガス圧力からのしきい値差内にないとき、前記上流ガス圧力を、前記所定のガス圧力からの前記しきい値差内の圧力に設定するために、調節される前記ステーションへのフローパス中の調節可能なバルブを調節することと、
を含む、方法。
【請求項17】
請求項１６に記載の方法であって、前記マルチステーション処理システムを較正することが、１つまたは複数のステーション中の変更された消耗構成要素に応答して実施される、方法。
【請求項18】
マルチステーション処理システムを較正するための方法であって、前記マルチステーション処理システムの少なくとも第１のステーションおよび第２のステーションのためのガスフローを、前記第１のステーションの第１のフローパス中の第１の調節可能なバルブを調節することと、前記第２のステーションの第２のフローパス中の第２の調節可能なバルブを調節することと、によって、平衡化させることと、
前記第１のステーション中の補償可能なハードウェアディスパリティを検知することと、
前記第１のステーションの前記フローパス中の前記第１の調節可能なバルブの設定を調節することによって、前記第１のステーションのためのガスフローを調節することと、
前記第２の調節可能なバルブの設定を維持することと、
を含む、方法。
【請求項19】
請求項１８に記載の方法であって、前記第１のステーションのためのガスフローを調節することが、前記第１の調節可能なバルブの開口のサイズを増加させることによってガスフローを増加させることを含む、方法。
【請求項20】
請求項１８に記載の方法であって、前記第１のステーションのためのガスフローを調節することが、前記第１の調節可能なバルブの開口のサイズを減少させることによってガスフローを減少させることを含む、方法。
【請求項21】
１つまたは複数の処理チャンバと、前記１つまたは複数の処理チャンバ内に配置された２つまたはそれ以上の処理ステーションと、
前記２つまたはそれ以上の処理ステーションに処理ガスを提供するように構成されたガス源と、
各処理ステーションについて、前記ガス源と、前記処理ステーションと、の間に位置する対応するマスフローコントローラを備える対応するフローパスであって、前記対応するマスフローコントローラが、前記処理チャンバへの前記処理ガスのフローを制御するように構成された、対応するフローパスと、
を備える、システム。
【請求項22】
請求項２１に記載のシステムであって、前記処理ガスが２つまたはそれ以上の成分ガスを備え、前記成分ガスが、１つまたは複数の反応ガスと、１つまたは複数のキャリアガスと、を備える、システム。
【請求項23】
請求項２２に記載のシステムであって、前記ガス源が、２つまたはそれ以上のガスを提供するように構成され、前記ガス源と、前記１つまたは複数の処理チャンバと、の間に配置されたミキサをさらに備え、前記ミキサが、前記２つまたはそれ以上のガスを混合するように構成され、各処理ステーションについての前記対応するマスフローコントローラが、前記ミキサと、前記処理ステーションと、の間に位置する、システム。
【請求項24】
請求項２３に記載のシステムであって、前記２つまたはそれ以上のガスの各ガスが、前記ガス源と、前記ミキサと、の間の第２の対応するマスフローコントローラによって、前記ミキサに接続される、システム。
【請求項25】
請求項２２に記載のシステムであって、各キャリアガスが、対応するキャリアガスマスフローコントローラを介してキャリアガスマニホルドに結合され、前記キャリアガスマニホルドが、キャリアガスフローを、各処理ステーションについてのキャリアガスラインに分割するように構成された、システム。
【請求項26】
請求項２５に記載のシステムであって、各対応するフローパスが、前記１つまたは複数の反応ガスを前記１つまたは複数のキャリアガスと混合するための、対応するミキサを備える、システム。
【請求項27】
１つまたは複数の処理チャンバと、前記１つまたは複数の処理チャンバ内に配置された２つまたはそれ以上の処理ステーションと、
２つまたはそれ以上のガス源であって、各ガス源が、それぞれのマスフローコントローラを介して共通ミキサに結合される、２つまたはそれ以上のガス源と、
前記共通ミキサからのフローを、前記２つまたはそれ以上の処理ステーションの各処理ステーションに分割するように構成された、流量比コントローラと、
を備える、システム。
【請求項28】
請求項２７に記載のシステムであって、専用マスフローコントローラを介してガスマニホルドに結合されたキャリアガス源であって、前記ガスマニホルドが、キャリアガスフローを、各処理ステーションについてのキャリアガスラインに分割する、キャリアガス源と、
各処理ステーションについて、ミキサを備えるフローパスであって、前記ミキサが、前記共通ミキサおよびキャリアガスラインの出力を受け取るように構成され、組み合わせられたガスフローをそれぞれの処理ステーションに向けるようにさらに構成された、フローパスと、
をさらに備える、システム。
【請求項29】
請求項２７に記載のシステムであって、前記２つまたはそれ以上のガス源が、１つまたは複数の反応ガス源と、１つまたは複数のキャリアガス源と、を備える、システム。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【0001】
堆積ツールおよびエッチングツールなど、ドライプロセスツールは、材料を基板の表面上に堆積させるためにまたは材料を基板の表面から除去するために、処理ガスの慎重に計測された組合せを使用する。いくつかのツールは、共通の処理ガス源を共有する複数の処理ステーションを含み得る。そのような構成は、一貫した条件下で複数の基板の並列処理を可能にし得る。
【発明の概要】
【0002】
本概要は、発明を実施するための形態において以下でさらに説明される概念の選択を簡略化された形で紹介するために提供される。本概要は、請求される主題の主要な特徴または不可欠な特徴を識別するものではなく、請求される主題の範囲を限定するために使用されるものでもない。さらに、請求される主題は、本開示のいずれかの部分において言及されるいずれかまたはすべての欠点を解決する実装形態に限定されない。
【0003】
調節可能なフローバルブを備えるドライプロセスツールに関する例が開示される。一例が、１つまたは複数の処理チャンバを備えるドライプロセスツールのためのシステムを提供する。２つまたはそれ以上の処理ステーションが、１つまたは複数の処理チャンバ内に配置される。本システムは、第１のガス源をさらに備える。共通マニホルドが、少なくとも第１のマスフローコントローラを介して第１のガス源に結合される。共通マニホルドは、第１のガス源を、対応するフローパスを介して２つまたはそれ以上の処理ステーションの各処理ステーションに流体的に結合する。各対応するフローパスは調節可能なフローバルブを備える。
【0004】
いくつかのそのような例では、各調節可能なフローバルブが、対応するフローパス内で最も高いバルブフロー係数を有するように調節可能である。
【0005】
いくつかのそのような例では、対応するフローパスのうちの１つまたは複数が、追加または代替として、調節可能なフローバルブと並列に配置された固定オリフィスを備える。
【0006】
いくつかのそのような例では、各対応するフローパスが、追加または代替として、フレキシブルガスラインを介して共通マニホルドに結合され、各フローパスは、追加または代替として、それぞれの処理ステーションの処理チャンバに対して可動であるように構成された１つまたは複数の構成要素を備える。
【0007】
いくつかのそのような例では、各フローパスは、追加または代替として、調節可能なフローバルブの上流にオン／オフフローバルブを備える。
【0008】
いくつかのそのような例では、各フローパスは、追加または代替として、オン／オフフローバルブの上流にフィルタを備える。
【0009】
いくつかのそのような例では、本システムは、追加または代替として、第２のマスフローコントローラを介して共通マニホルドに接続された第２のガス源を備える。
【0010】
いくつかのそのような例では、本システムは、追加または代替として、各処理ステーションについて、処理ステーションの上流のフローパス内に配置されたミキサを備える。各処理ステーションについてのミキサは、追加または代替として、第２の対応するフローパスを介して第２の共通マニホルドに結合される。第２の共通マニホルドは第２のガス源に結合される。第２のガス源は、第１のガス源とは異なるガス組成を提供する。
【0011】
いくつかのそのような例では、第２の対応するフローパスは、追加または代替として、固定オリフィスまたは第２の調節可能なフローバルブのうちの１つまたは複数と直列のオン／オフフローバルブを備える。
【0012】
いくつかのそのような例では、１つまたは複数の処理チャンバは、追加または代替として、複数の処理チャンバを備える。追加または代替として、２つまたはそれ以上の処理ステーションの各処理ステーションは、複数の処理チャンバのうちの別個の処理チャンバ内に配置される。
【0013】
追加または代替として、いくつかのそのような例では、２つまたはそれ以上の処理ステーションのうちの少なくとも２つが、１つまたは複数の処理チャンバのうちの共有される処理チャンバ内に配置される。
【0014】
いくつかのそのような例では、ドライプロセスツールは、追加または代替として、化学気相堆積ツールを備える。
【0015】
いくつかのそのような例では、ドライプロセスツールは、追加または代替として、原子層堆積ツールを備える。
【0016】
いくつかのそのような例では、ドライプロセスツールは、追加または代替として、ドライエッチングツールを備える。
【0017】
いくつかのそのような例では、調節可能なフローバルブは、追加または代替として、自動バルブを備える。
【0018】
別の例が、マルチステーション処理システムを較正するための方法を提供する。本方法は、共通ガス源のチャンバ圧力を較正ガス圧力に設定することを含む。共通ガス源に結合されたマルチステーション処理システムの各ステーションについて、本方法は、１つまたは複数の他のステーションへのガスフローを閉じることと、共通ガス源から、調節されるステーションにガスを流すことと、を含む。ガス源において上流ガス圧力が検知される。上流ガス圧力が、所定のガス圧力からのしきい値差内にないとき、上流ガス圧力を、所定のガス圧力からのしきい値差内の圧力に設定するために、調節されるステーションへのフローパス中の調節可能なバルブが調節される。
【0019】
いくつかのそのような例では、マルチステーション処理システムを較正することは、追加または代替として、１つまたは複数のステーション中の変更された消耗構成要素に応答して実施される。
【0020】
別の例が、マルチステーション処理システムを較正するための方法を提供する。本方法は、マルチステーション処理システムの少なくとも第１のステーションおよび第２のステーションのためのガスフローを、第１のステーションの第１のフローパス中の第１の調節可能なバルブを調節することと、第２のステーションの第２のフローパス中の第２の調節可能なバルブを調節することと、によって、平衡化させることを含む。第１のステーション中の補償可能なハードウェアディスパリティが検知される。第１のステーションのフローパス中の第１の調節可能なバルブの設定を調節することによって、第１のステーションのためのガスフローが調節される。第２の調節可能なバルブの設定が維持される。
【0021】
いくつかのそのような例では、第１のステーションのためのガスフローを調節することは、追加または代替として、第１の調節可能なバルブの開口のサイズを増加させることによってガスフローを増加させることを含む。
【0022】
いくつかのそのような例では、第１のステーションのためのガスフローを調節することは、追加または代替として、第１の調節可能なバルブの開口のサイズを減少させることによってガスフローを減少させることを含む。
【0023】
別の例が、１つまたは複数の処理チャンバと、１つまたは複数の処理チャンバ内に配置された２つまたはそれ以上の処理ステーションと、２つまたはそれ以上の処理ステーションに処理ガスを提供するように構成されたガス源と、を備えるシステムを提供する。各処理ステーションについて、対応するフローパスが、ガス源と、処理ステーションと、の間に位置する対応するマスフローコントローラを備え、対応するマスフローコントローラは、処理チャンバへの処理ガスのフローを制御するように構成される。
【0024】
いくつかのそのような例では、処理ガスは、追加または代替として、２つまたはそれ以上の成分ガスを備え、成分ガスは、１つまたは複数の反応ガスと、１つまたは複数のキャリアガスと、を備える。
【0025】
いくつかのそのような例では、ガス源は、追加または代替として、２つまたはそれ以上のガスを提供するように構成され、ガス源と、１つまたは複数の処理チャンバと、の間に配置されたミキサをさらに備え、ミキサは、２つまたはそれ以上のガスを混合するように構成され、各処理ステーションについての対応するマスフローコントローラは、ミキサと、処理ステーションと、の間に位置する。
【0026】
いくつかのそのような例では、２つまたはそれ以上のガスの各ガスは、追加または代替として、ガス源と、ミキサと、の間の第２の対応するマスフローコントローラによって、ミキサに接続される。
【0027】
いくつかのそのような例では、各キャリアガスは、追加または代替として、対応するキャリアガスマスフローコントローラを介してキャリアガスマニホルドに結合され、キャリアガスマニホルドは、キャリアガスフローを、各処理ステーションについてのキャリアガスラインに分割するように構成される。
【0028】
いくつかのそのような例では、各対応するフローパスは、追加または代替として、１つまたは複数の反応ガスを１つまたは複数のキャリアガスと混合するための、対応するミキサを備える。
【0029】
別の例が、１つまたは複数の処理チャンバと、１つまたは複数の処理チャンバ内に配置された２つまたはそれ以上の処理ステーションと、２つまたはそれ以上のガス源であって、各ガス源が、それぞれのマスフローコントローラを介して共通ミキサに結合される、２つまたはそれ以上のガス源と、を備えるシステムを提供する。流量比コントローラが、共通ミキサからのフローを、２つまたはそれ以上の処理ステーションの各処理ステーションに分割する。
【0030】
いくつかのそのような例では、キャリアガス源が、追加または代替として、専用マスフローコントローラを介してガスマニホルドに結合され、ガスマニホルドは、キャリアガスフローを、各処理ステーションについてのキャリアガスラインに分割する。各処理ステーションについて、フローパスがミキサを備え、ミキサは、共通ミキサおよびキャリアガスラインの出力を受け取るように構成され、組み合わせられたガスフローをそれぞれの処理ステーションに向けるようにさらに構成される。
【0031】
いくつかのそのような例では、２つまたはそれ以上のガス源は、追加または代替として、１つまたは複数の反応ガス源と、１つまたは複数のキャリアガス源と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【0032】
【図1】基板を処理するための例示的なドライプロセスツールを概略的に示す図である。
【0033】
【図2】例示的なマルチステーションプロセスツールを概略的に示す図である。
【0034】
【図3】プロセスツールの例示的なクラスタを概略的に示す図である。
【0035】
【図4】調節可能なフローバルブをもつガスフローパスを備えるドライプロセスツールのための例示的なガス分配システムを概略的に示す図である。
【0036】
【図5】固定オリフィスと並列な調節可能なフローバルブをもつガスフローパスを備えるドライプロセスツールのための例示的なガス分配システムを概略的に示す図である。
【0037】
【図6】各ガスフローパス内の調節可能なフローバルブを備えるマルチステーションプロセスツールのためのガスフローを平衡化させるための例示的な方法を示すフロー図である。
【0038】
【図7】調節可能なフローバルブを備えるマルチステーションプロセスツールを較正するための例示的な方法を示すフロー図である。
【0039】
【図8】複数の処理ステーションへのガスフローを制御するためのマスフローコントローラを備える例示的なマルチステーションプロセスツールを概略的に示す図である。
【図9】複数の処理ステーションへのガスフローを制御するためのマスフローコントローラを備える例示的なマルチステーションプロセスツールを概略的に示す図である。
【0040】
【図10】複数の処理ステーションへのガスフローを制御するための、マスフローコントローラと、流量比コントローラと、を備える例示的なマルチステーションプロセスツールを概略的に示す図である。
【図11】複数の処理ステーションへのガスフローを制御するための、マスフローコントローラと、流量比コントローラと、を備える例示的なマルチステーションプロセスツールを概略的に示す図である。
【0041】
【図12】複数の処理ステーションへのガスフローを制御するためのマスフローコントローラを備える別の例示的なマルチステーションプロセスツールを概略的に示す図である。
【0042】
【図13】例示的なコンピューティング環境を概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0043】
化学気相堆積ツールおよび原子層堆積ツールなど、ドライプロセスツールが、気相種を使用して薄膜を基板上に堆積させるために使用され得る。ドライエッチングツールなど、他のドライプロセスツールが、気相種を使用して、材料を基板から除去する。
【0044】
複数の処理ステーションが、単一のドライプロセスツールに組み込まれ得る。この構成は、処理チャンバ、ロボティクス、およびガス源など、リソースの共有を可能にする。
【0045】
マルチステーションツールの処理ステーションは、複数のウエハ上で同じプロセスを実施するように動作され得る。このようにして使用されるとき、それらのステーションにわたる処理ガスフローの慎重な平衡化が、ウエハ間の膜一貫性を維持するのに役立つ。マルチステーションツールのステーションにわたってフローを平衡化させるための１つの方法が、各ステーションにガスを送出するためのガスフローパスにおける高精度オリフィスの使用を伴う。各固定オリフィスが、経路のための優勢バルブフロー係数（Ｃｖ）を有するように設計される。しかしながら、各ガスフローパスは、バルブ、フィルタ、ミキサ、および導管など、多数の他の構成要素を備え得る。ガスフローパス中のすべての構成要素についての許容差の和は、高精度オリフィス自体の間の差が所望の範囲内にある場合でも、ステーション間のガスフローの差が所望の範囲（たとえば、所望の寸法許容差範囲）の外側にあることを引き起こし得る。
【0046】
したがって、様々な方法が、ステーション間のガスフローを平衡化させるために使用され得る。そのような追加の平衡化を実施する１つの方法は、ガスフローパス構成要素を手動で交換することである。交換され得る構成要素は、オリフィス、他のバルブ、ミキサ、導管、および／または他の構成要素を含む。しかしながら、構成要素交換は、コストと時間がかかる。さらに、構成要素交換は、構成要素がガスフローパスにおいて置き換えられるたびに、行われなければならない。別の方法は、ガスフローの調整を可能にするために、加熱されたガスラインを使用することである。しかしながら、加熱されたガスラインは、設置するのにコストがかかり得る。さらに、加熱されたガスラインは、多くの実際的な調整範囲を提供しないことがある。
【0047】
したがって、マルチステーション処理ツール中のステーションへのガスフローレートの正確な調節を提供することに関する例が開示される。いくつかの例では、各ステーションへのガスフローパスは、調節可能なバルブを備える。他の例では、マスフローコントローラおよび／または流量比コントローラなど、フローコントローラの様々な構成が、各ステーションへのガスフローを調節するために提供される。
【0048】
これらの例について説明するより前に、例示的なドライプロセスツール１００が、図１を参照しながら説明される。ドライプロセスツール１００は、基板１０２を処理するように構成される。「基板」という用語は、本明細書では、開示される例示的なツールにおいて処理され得る任意のワークピースを指すために使用される。例は、シリコンウエハなど、半導体基板を含む。「前」および「裏」という用語は、本明細書では、基板の両面について説明するために使用される。半導体ウエハの場合、前面は、デバイスが作製されるところであり、処理ステップの大部分が実施されるところである。
【0049】
いくつかの例では、気相前駆体のフローを使用して、ドライプロセスツール１００は、材料の薄膜を基板１０２の表面上に堆積させ得る。他の例では、ドライプロセスツール１００は、気相種を使用して、材料を基板１０２の表面から除去し得る。いくつかのそのようなプロセスでは、堆積またはエッチングのための反応種を生成するためにプラズマが使用され得る。
【0050】
ドライプロセスツール１００は、基板１０２が扱われ得る１つまたは複数の処理ステーション１０４を備える。各処理ステーション１０４は、処理チャンバ１０６内に配置される。いくつかの例では、２つまたはそれ以上の処理ステーション１０４が、同じ処理チャンバ１０６中にあり得る。これは、（１つまたは複数の）追加の処理ステーション１０７によって図１に示されている。
【0051】
ドライプロセスツール１００は、処理が基板前面または基板裏面上で選択的に実施されることを可能にするように構成される。基板１０２の前面が処理されているとき、基板１０２を支持するために、ペデスタル１０８が提供される。いくつかの例では、ペデスタルは、抵抗ヒーター（図示せず）など、熱源を含み得る。ドライプロセスツール１００が、前面処理と裏面処理の両方のために構成されるとき、ペデスタル１０８はまた、基板の裏面のほうへガスを分配するように構成される。ペデスタル１０８は、したがって、本明細書では、シャワーヘッドペデスタル１０８とも呼ばれる。他の例では、ドライプロセスツールが、シャワーヘッド能力のないペデスタルまたは他の基板ホルダーを備え得る。
【0052】
ドライプロセスツール１００は、ペデスタル１０８に対向して配置されたシャワーヘッド１１０をさらに備える。シャワーヘッド１１０は、実施されているプロセスに応じて、基板前面のほうへ反応ガスまたは不活性ガスを分配するように構成される。いくつかの例では、シャワーヘッド１１０は、無線周波数（ＲＦ）整合ネットワーク１１５を介してＲＦ電源１１２に電気的に結合される。電源１１２は、コントローラ１２０によって制御され得る。他の例では、ＲＦ電力は、シャワーヘッド１１０の代わりにシャワーヘッドペデスタル１０８に提供され得る。さらなる例では、ＲＦ電力は、ペデスタル１０８またはシャワーヘッド１１０のいずれかに選択的に提供され得る。
【0053】
基板１０２は、他のプロセスステーションに機械的に移動され得るキャリアリング１２４上に配置される。図１では、基板１０２は、裏面処理のために配置される。したがって、キャリアリング１２４は、シャワーヘッドペデスタル１０８の、選択された距離上に、基板１０２を保持するように構成された支持体１２６上に配置される。この構成では、反応ガスは、シャワーヘッドペデスタル１０８を介して基板１０２の裏面のほうへ分配され得、不活性ガスは、（たとえば、裏面に向けられた反応ガスが前面に到達することを防ぐために）シャワーヘッド１１０を介して基板１０２の前面のほうへ分配され得る。いくつかの例では、各支持体１２６は、パドルまたはスパイダーフォークなど、機械的に移動可能なデバイスの形態をとることができる。他の例では、各支持体１２６は、シャワーヘッドペデスタル１０８に結合されたスペーサの形態をとることができる。そのようなスペーサは、基板が前面処理のためにシャワーヘッドペデスタル１０８上に置かれることを可能にするために、シャワーヘッドペデスタル１０８から除去され得る。
【0054】
基板１０２の前面が処理されているとき、基板１０２は、シャワーヘッドペデスタル１０８上に配置され、キャリアリング１２４は、ペデスタル１０８のキャリアリング支持領域１２７上に載る。エンドエフェクタ（図示せず）が、基板１０２およびキャリアリング１２４を、前面処理のためにペデスタル１０８上に、または裏面処理のために支持体１２６上に、置くために使用され得る。
【0055】
いくつかの例では、処理ステーション１０４の少なくとも一部分が、処理チャンバ１０６に対して移動し得る。たとえば、ドライプロセスツール１００が、シャワーヘッドペデスタル１０８を垂直に移動させるためのモーター駆動ベローズ（図示せず）を備え得る。シャワーヘッドペデスタル１０８の移動は、ペデスタル１０８につながるガスフローパス構成要素に結合される１つまたは複数のフレキシブルガスライン（図１に図示せず）によって容易にされ得る。
【0056】
ドライプロセスツール１００は、（１つまたは複数の）第１のガス源１３２に接続された第１のガスマニホルド１３０をさらに備える。（１つまたは複数の）第１のガス源１３２は、１つまたは複数の反応ガスおよび／または１つまたは複数の非反応キャリアガスを備え得る。コントローラ１２０は、（１つまたは複数の）第１のガス源１３２から第１のガスマニホルド１３０を介した、ガスフローパス１３３を介したシャワーヘッド１１０への、ガスの送出を制御する。特定の例として、堆積が、基板１０２の裏面を対象としたとき、不活性ガスフローが、シャワーヘッド１１０を介して基板１０２の前面にわたって向けられる。上述のように、不活性ガスフローは、基板前面から離れるように反応ガスを押し、裏面処理を容易にすることができる。
【0057】
様々な例では、反応ガスが、チャンバ１０６への導入の前に予混合されるか、またはチャンバ１０６に別個に導入され得る。プロセスガスが、出口を介して処理チャンバ１０６を出る。プロセスガスを引き出すために、および反応器内の適切に低い圧力を維持するために、真空ポンピングシステムが採用される。
【0058】
図１は、シャワーヘッドペデスタル１０８にガスを提供するように構成された第２のガスマニホルド１３４をも示す。第２のガスマニホルド１３４に結合された、（１つまたは複数の）第２のガス源１３６が示されている。（１つまたは複数の）第２のガス源１３６は、ガスフローパス１３７を介してシャワーヘッドペデスタル１０８に１つまたは複数の反応ガスおよび／または不活性ガスを提供するように構成される。（１つまたは複数の）第２のガス源１３６のガスの組成は、（１つまたは複数の）第１のガス源１３２とは異なり得る。
【0059】
（１つまたは複数の）追加の処理ステーション１０７も、第１のガスマニホルド１３０および第２のガスマニホルド１３４からガスを受け取る。（１つまたは複数の）追加の処理ステーション１０７は、ＲＦ整合ネットワーク１１５を介してＲＦ電源１１２から電力をさらに受け取り得る。（１つまたは複数の）追加の処理ステーション１０７はまた、コントローラ１２０と信号をやり取りし、コントローラ１２０によって制御され得る。
【0060】
コントローラ１２０は、１つまたは複数の論理デバイスと、１つまたは複数のメモリデバイスと、１つまたは複数のインターフェースと、を備える。コントローラ１２０は、検知された値に部分的に基づいてシステム中のアクチュエータを制御するために採用され得る。たとえば、コントローラ１２０は、検知された値および他の制御パラメータに基づいて、１つまたは複数のバルブ、フィルタヒーター、ポンプ、および他のデバイスを制御し得る。コントローラ１２０は、圧力マノメーター、流量計、温度センサー、マスフロー制御モジュール、位置センサーなど、センサーから、検知された値を受け取り得る。
【0061】
コントローラ１２０は、特定のレシピのためのプロセス入力および制御を実行することによってドライプロセスツール１００を動作させるように構成される。コントローラ１２０は、プロセスタイミング、送出システム温度、フィルタにわたる圧力差、バルブ状態、ガスの混合、チャンバ圧力、チャンバ温度、基板温度、無線周波数（ＲＦ）電力レベル、ペデスタル位置、ペデスタルの上の基板高さ、および／または任意の他の好適な変数を制御するための命令のセットを備えるコンピュータプログラムを実行するように構成され得る。
【0062】
上述のように、複数の処理ステーションが、１つまたは複数の共通ガス源を共有し得る。図２は、マルチステーションプロセスツール２００のための例示的なガス分配システムを示す。簡単のために、単一のガスマニホルド２１０に結合された、単一のガス源２０５が示されている。しかしながら、以下でより詳細に説明されるように、複数のガス源が、ガスマニホルドに結合され得る。さらに、ドライ処理ツールが、各々１つまたは複数のガス源に結合された、複数のガスマニホルドを備え得る。
【0063】
マルチステーションプロセスツール２００は、処理ステーション１ ２１１と、処理ステーション２ ２１２と、処理ステーション３ ２１３と、処理ステーション４ ２１４と、を備える。４つの処理ステーションが示されているが、他の例では、マルチステーションプロセスツール２００は、２つ、３つ、または５つ以上の処理ステーションを備え得る。マルチステーションプロセスツール２００は、任意の好適なタイプのプロセスのために構成され得る。いくつかの例では、マルチステーションプロセスツールは、原子層堆積および／または化学気相堆積など、堆積プロセスのために構成される。他の例では、マルチステーション処理ツールは、ドライエッチングプロセスのために構成される。さらに、マルチステーションプロセスツール２００は、前面処理および裏面処理のために、または前面処理のみのために、構成され得る。ドライプロセスツール１００は、処理ステーション１～４（２１１～２１４）の各々の例示的な一実装形態である。
【0064】
各処理ステーションは、ガスマニホルド２１０および専用フローパスを介してガス源２０５に結合される。処理ステーション１ ２１１は、フローパス２２１を介してガスマニホルド２１０からガスを受け取る。処理ステーション２ ２１２は、フローパス２２２を介してガスマニホルド２１０からガスを受け取る。処理ステーション３ ２１３は、フローパス２２３を介してガスマニホルド２１０からガスを受け取る。処理ステーション４ ２１４は、フローパス２２４を介してガスマニホルド２１０からガスを受け取る。この例では、処理ステーション２１１～２１４は、すべて共通処理チャンバ２３０内に配置される。共通処理チャンバを使用することは、マルチステーションプロセスツール２００が処理ステーション２１１～２１４にわたってリソースを共有することを可能にする。たとえば、ロボット２３５が、順次処理ルーチンにおいて処理ステーションごとに基板をロードおよびアンロードするために、共通処理チャンバ２３０内で採用され得る。ＲＦ電力、真空、ロードロック、入口、出口など、他のリソースも、共有され得る。
【0065】
このようにして、複数の基板が、限られたポンプダウンを伴って、同時に処理され得る。様々な異なるプロセスが実施され得る。たとえば、堆積コンテキストでは、４つの基板が、４つの基板上に完全な厚さの膜を並行して堆積させるために、一緒に稼働され得る。また、４つの基板が、各ステーションにおいて一度に総膜厚の１／４を堆積させるように、ステーション間でローテーションされ得る。別の例として、２つの基板が、ステーションごとに稼働され得、各ステーションが、所望の厚さの１／２を堆積させる。
【0066】
図３は、複数の処理ステーションが共通ガス源を共有する、別の例示的なシステムを示す。より詳細には、図３は、プロセスツールクラスタ３００を示す。プロセスツールクラスタ３００は、単一のガスマニホルド３１０に結合された単一のガス源３０５とともに示されている。しかしながら、他の構成は、２つ以上のガス源および／または２つ以上のマニホルドを利用し得る。
【0067】
プロセスツールクラスタ３００は、各々単一のステーションを有する、４つの処理ツールを備える。それらのツールは、処理ステーション３１１、３１２、３１３、および３１４を備える。他の例では、プロセスツールクラスタは、より多いまたはより少ない処理ツールを備え得る。プロセスツール１００は、各処理ステーション３１１～３１４の例示的な一実装形態である。他の例では、処理ステーション３１１～３１４は、任意の他の好適な構成を有し得る。
【0068】
各処理ステーション３１１、３１２、３１３、３１４は、ガスマニホルド３１０および対応するフローパスを介してガス源３０５に結合される。この例では、各処理ステーションは、別個の処理チャンバ内に格納される。処理ステーション３１１は、処理チャンバ３２１内に配置され、フローパス３２２を介してガスマニホルド３１０からガスを受け取る。処理ステーション３１２は、処理チャンバ３２３内に配置され、フローパス３２４を介してガスマニホルド３１０からガスを受け取る。処理ステーション３１３は、処理チャンバ３２５内に配置され、フローパス３２６を介してガスマニホルド３１０からガスを受け取る。処理ステーション３１４は、処理チャンバ３２７内に配置され、フローパス３２８を介してガスマニホルド３１０からガスを受け取る。同じガス源３０５に各処理ステーションを接続し、各処理ステーションを平衡化させることによって、処理ステーションにわたる一貫性が達成され得、リソースがプールされ得る。いくつかの例では、プロセスツールクラスタ３００の１つまたは複数のツールの各々が、複数の処理ステーションを備え得る。
【0069】
上述のように、ドライプロセスツールのためのガスフローパスは、共通マニホルドからの各処理ステーションへの一貫したガスフローを達成するのに役立つための高精度固定オリフィスを備え得る。しかしながら、ガスフローパス中のすべての構成要素についての許容差の和は、高精度オリフィス自体の間の差が所望の寸法許容差範囲内にある場合でも、ステーション間の差が所望の寸法許容差範囲の外側にあることを引き起こし得る。さらに、異なる処理ステーションへのフローパスの分割の上流にそのような構成要素を置くことは、ガスフローパスの構成要素が独立して移動するマルチステーションツール（たとえば、垂直移動能力をもつペデスタル）にとって、可能または実際的でないことがある。
【0070】
したがって、固定オリフィスに関するそのような問題を克服するために、調節可能なＣｖを備える可変フローバルブが、各処理ステーションへのフローパス中で提供され得る。各調節可能なバルブは、独立して調節され得、ステーションが、ツール中の他のステーションとは異なってエージングまたは摩耗する場合、再較正され得る。
【0071】
図４は、ドライプロセスツールのための例示的なガス分配システム４００を概略的に示す。いくつかの例では、ドライプロセスツールは、化学気相堆積ツール、原子層堆積ツール、またはドライエッチングツールを備え得る。他の例では、ドライプロセスツールは、複数の処理ステーションへのガスの平衡化されたフローを利用する任意の他の好適なツールを備え得る。
【0072】
システム４００は、１つまたは複数の処理チャンバ４０５と、１つまたは複数の処理チャンバ内に配置された２つまたはそれ以上の処理ステーション（４つの処理ステーション４１０、４１１、４１２、４１３が、ここでは示されている）と、を備える。簡単のために、第１の処理ステーション１ ４１０のガスフローパス構成要素のみが、詳細に示されている。しかしながら、他の処理ステーションのためのガスフローパスが、同様の構成要素を有し得る。この例では、４つの処理ステーションが示されており、他の例では、ガス分配システム４００が、２つ、３つ、または５つ以上の処理ステーションのために構成される。他の例では、１つまたは複数の処理ステーションは、処理チャンバ４０５以外の処理チャンバ内に配置され得る。
【0073】
システム４００は、第１のガス源４１５をさらに備える。第１のマニホルド４２０が、少なくとも第１のマスフローコントローラ（ＭＦＣ）４２２を介して第１のガス源４１５に結合される。ＭＦＣ４２２は、少なくとも入口ポートと、出口ポートと、マスフローセンサーと、比例制御バルブと、を備える。比例制御バルブは、マスフローセンサーによって生成された測定値に基づいてガスのフローを制御するように調節され得る。随意の第２のガス源４２３が、第２のマスフローコントローラ４２４によって第１のマニホルド４２０に接続される。他の例では、１つまたは複数のさらなるガス源（図示せず）が、第１のマニホルド４２０に接続され得る。
【0074】
第１のマニホルド４２０は、第１のガス源４１５および第２のガス源４２３を、第１のフローパス４２５を介して第１の処理ステーション１ ４１０に流体的に結合する。「流体的に結合する」という用語は、ガスが、ガスフローパスに沿って構成要素間で流れることができることを示す。第１のマニホルド４２０はまた、第１のガス源４１５および第２のガス源４２３を、まとめてフローパス４２７として示されている他の対応するフローパスを介して各追加の処理ステーション（４１１、４１２、４１３）に流体的に結合する。
【0075】
各フローパスは調節可能なフローバルブを備える。これは、フローパス４２５の場合、調節可能なフローバルブ４３０として示されている。調節可能なフローバルブ４３０は、Ｃｖ値の好適な範囲にわたってプロセスステーション４１０へのガスフローを可能にするように調節され得る。本明細書でさらに説明されるように、いくつかの例では、各調節可能なフローバルブは、システム４００の複数のステーションにわたって所望のフローを平衡化させるように、異なるＣｖに調節され得る。そのような調節可能なバルブは、加熱されたガスラインなどの方法よりも大きい範囲の、ガスフローの調整を提供し得る。さらに、調節可能なフローバルブは、ガスフローパスにおける構成要素の交換よりも速い調整を提供し得る。
【0076】
いくつかのそのような例では、調節可能なフローバルブ４３０は自動バルブを備え得る。そのようなバルブは、コントローラが上流ガス圧力の変化を認識したことに応答して、コントローラから受け取られた信号に基づいて内部開口を調節し得る。たとえば、第１のガス源４１５は、ガス圧力値を出力するように構成された１つまたは複数のマノメーター４３５を備え得る。さらに本明細書で、および図６および図７に関して、説明されるように、このガス圧力値は、調節可能なフローバルブ４３０を較正するために使用され得る。追加または代替として、調節可能なフローバルブ４３０は、手動で調節可能であり得る。第２のガス源４２３も、１つまたは複数のマノメーター４３６を備え得る。
【0077】
いくつかの例では、フローパス４２５は、フレキシブルガスライン４３７を介して第１のマニホルド４２０に結合される。同様に、ステーション４１１、ステーション４１２およびステーション４１３への各フローパスも、フレキシブルガスラインを含み得る。フレキシブルガスライン４３７は、フローパス４２５が、他の処理ステーションの同様の構成要素から独立して可動であるように構成された１つまたは複数の構成要素を備える場合、使用され得る。可動構成要素の一例は、垂直に調節可能なシャワーヘッドペデスタルとしてのものである。フローパス４２５は、処理ステーション１ ４１０へのガスフローがオフにされることを可能にするために、調節可能なフローバルブ４３０の上流にオン／オフフローバルブ４４０をさらに備える。「オン」状態にあるとき、オン／オフフローバルブ４４０は、調節可能なフローバルブ４３０を通して最大許容オリフィスよりも小さいオリフィスを有し得る。フローパス４２５は、オン／オフフローバルブ４４０の上流に１つまたは複数のフィルタ４４５をさらに備え得る。フィルタ４４５は、分子のサイズ、吸着特性、または他の性質に基づいて空気中の分子状汚染物質を除去する。フィルタ４４５は、消耗構成要素であり得、必要に応じて置き換えられ得る。
【0078】
システム４００は、処理ステーション１ ４１０の上流のフローパス４２５内に配置されたミキサ４５０をさらに備える。ミキサ４５０は、処理ステーション１ ４１０への混合物のフローを計測するより前に、複数のガスを適切に均質な混合物にブレンドするように働き得る。ミキサはまた、ステーション２ ４１１、ステーション３ ４１２、およびステーション４ ４１３のためのガスフローパスにおいて使用され得る。ミキサ４５０は、第２のフローパス４５５を介して第２のマニホルド４６０に結合され得る。第２のマニホルド４６０は、第３のガス源４６５に結合され得る。第３のガス源４６５は、第１のガス源４１５または第２のガス源４２３とは異なるガス組成を提供する。このようにして、反応ガスは、処理ステーション１ ４１０に入る前に、できるだけ長く別個に保たれ得る。たとえば、第１のガス源４１５は、シラン系ガスを備え得、第３のガス源４６５は、酸化ガスを備え得る。異なるガス組成が、各処理ステーションにおいて使用され得るように、第２のマニホルド４６０が、システム４００の各処理ステーションに結合され得るか、または、各処理ステーションが、専用マニホルドを介して別個の第２のガス源に結合され得る。
【0079】
第２のフローパス４２５内の各構成要素が、関連する寸法許容差を有する。これらのフローパスがミキサ４５０において一緒になるとき、いくつかの例では、調節可能なバルブ４７０は、フローレートが、そのような許容差を補償するように調節されることを可能にするために、第２のフローパス４５５内に配置され得る。
【0080】
いくつかの例では、単一の調節可能なフローバルブが、高フロープロセスのための十分なＣｖを可能にしないことがある。そのような例では、調節可能なフローバルブは、対応するフローパス内の固定オリフィスと並列に配置され得る。図５は、並列な固定オリフィスおよび調節可能なバルブの例を有するドライプロセスツールのための例示的なガス分配システム５００を示す。システム５００は、１つまたは複数の処理チャンバ５０５と、１つまたは複数の処理チャンバ内に配置された２つまたはそれ以上の処理ステーション（４つの処理ステーション５１０、５１１、５１２、５１３が、ここでは示されている）と、を備える。システム５００は、少なくとも第１のＭＦＣ５２２を介して第１のマニホルド５２０に結合された第１のガス源５１５をさらに備える。システム５００は、第２のマスフローコントローラ５２４によって第１のマニホルド５２０に接続された随意の第２のガス源５２３をさらに備える。いくつかの例では、ガス分配システムは、第１のマニホルドに接続された追加のガスを有し得る。
【0081】
第１のマニホルド５２０は、第１のガス源５１５および第２のガス源５２３を、第１のフローパス５２５を介して第１の処理ステーション１ ５１０に流体的に結合する。第１のマニホルド５２０はまた、第１のガス源５１５および第２のガス源５２３を、まとめてフローパス５２７として示されている他の対応するフローパスを介して各追加の処理ステーション（５１１、５１２、５１３）に流体的に結合する。
【0082】
フローパス５２５は、オン／オフフローバルブ５４０と、ミキサ５４５と、の間に配置された固定オリフィス５３５と並列な調節可能なフローバルブ５３０を備える。固定オリフィス５３５は、金属またはセラミック（たとえば、プレスされたサファイア）など、任意の好適なタイプのオリフィスであり得る。
【0083】
固定オリフィス５３５は、高フローオリフィスとして構成され得、したがって、調節可能なフローバルブよりも大きいオリフィスを備え得る。たとえば、固定オリフィス５３５は、たとえば、９０単位のガスフローを可能にするように構成され得、調節可能なフローバルブ５３０は、５単位から１５単位の間のガスフローを可能にするように調節可能であり得、これは、９５～１０５単位のガスフローのターゲット範囲を可能にする。この構成では、調節可能なフローバルブ５３０は、フローレートを微調整し、抵抗フロー平衡を変更するために使用される。他の例では、調節可能なフローバルブ５３０は、固定オリフィス５３５よりも大きいオリフィスを有し得る。このようにして、ある用途のための比較的高いフローレートが、調節可能なフローバルブ５３０の開口サイズをさらに増加させることなしに達成され得る。
【0084】
システム５００の他の構成要素は、システム４００に関して説明されたものと同様であり得る。たとえば、フローパス５２５は、１つまたは複数のフィルタ５４７を備える。第１のガス源５１５は、ガス圧力値を出力するように構成された１つまたは複数のマノメーター５４８を備え得る。第２のガス源５２３も、１つまたは複数のマノメーター５４９を備え得る。いくつかの例では、フローパス５２５は、フレキシブルガスライン５４２を介して第１のマニホルド５２０に結合される。
【0085】
ミキサ５４５は、第２のフローパス５５５を介して、第２のマニホルド５６０に結合され得る。第２のマニホルド５６０は、第３のガス源５６５に結合され得る。第３のガス源５６５は、第１のガス源５１５および第２のガス源５２３とは異なるガス組成を提供し得る。いくつかの例では、調節可能なバルブ５７０が、第２のフローパス５５５内に配置され得る。追加または代替として、固定オリフィス（図示せず）が、第２のフローパス５５５内に配置され得る。
【0086】
図６は、マルチステーション処理システムを較正するための例示的な方法６００を示す。方法６００は、図４のシステム４００を参照しながら説明される。しかしながら、方法６００は、システム５００を含む、調節可能なフローバルブを備える任意の好適なマルチステーション処理システムを較正するために適用され得る。いくつかの例では、方法６００は、コントローラ１２０など、コントローラまたは制御モジュールによって実行され得る。追加または代替として、方法６００の１つまたは複数の態様が、手動で実施され得る。
【0087】
６１０において、方法６００は、共通ガス源のチャンバ圧力を較正ガス圧力に設定することを含む。たとえば、第１のガス源４１５のためのマノメーター４３５など、マノメーターからの読取値が、所望のガス圧力を設定するために使用され得る。較正ガス圧力は、プロセス実行中に使用される動作ガス圧力と同じであることも同じでないこともある。
【0088】
続いて６２０において、方法６００は、以下のように、共通ガス源に結合されたマルチステーション処理システムの各ステーションについて一連のプロセスを通して反復する。６３０において、方法６００は、調節されるステーション以外のステーションへのガスフローを閉じることを含む。たとえば、クワッドステーションにおいて、３つのフローパスが、それぞれのフローパス内のオン／オフフローバルブを遮断することによって閉じられ得る。追加または代替として、ガスフローは、それらのステーションのためのフローパス中の上流ポイントにおいて閉じられ得る。
【0089】
６４０において、方法６００は、共通ガス源から、調節されるステーションにガスを流すことを含む。したがって、１つのステーションのための１つのフローパスが開かれ、残りのフローパスが閉じられ、これは、各フローパスが順次較正されることを可能にする。６５０において、方法６００は、たとえば、第１のガス源４１５内のマノメーター４３５を使用して、ガス源において上流ガス圧力を検知することを含む。このようにして、フローパスを通る、調節されるステーションへのフローが、推論され得る。
【0090】
６６０において、方法６００は、上流ガス圧力が、所定のガス圧力からのしきい値差内にないとき、フローパス中の調節可能なフローバルブを調節することを含む。方法６００は、次いで、各追加のステーションのためのプロセス６２０～６６０を含み得、所定の上流ガス圧力が許容差内で達せられるまで、各調節可能なフローバルブを調節する。このようにして、マルチステーション処理システムのすべてのステーションを通るフローが、平衡化され得る。プロセスは、ステーション間の差異が悪化させられないことを保証するために、２回またはそれ以上反復し得る。たとえば、ステーションのためのミキサへの供給を行う２つまたはそれ以上のフローパスがあり、各フローパスが調節可能なバルブを備える例では、各フローパスを通るフローは、他のフローパスの許容差に影響を及ぼし得る。したがって、追加の反復的較正が、そのようなシステムにおけるガスフロー不平衡を補正するのに役立つことができる。
【0091】
いくつかの例では、マルチステーション処理システムを較正することは、１つまたは複数のステーション中の消耗構成要素の変更に応答して実施される。たとえば、マルチステーション処理システムは、フィルタが変更されるたびに較正され得る。しかしながら、較正は、追加または代替として、経時的なステーション性能のドリフトに応答して、または任意の他の好適な間隔において、実施され得る。フローが平衡化されると、プロセスはまた、観測された性能（たとえば、プロセスフロー中のステーションチャンバにおける屈折率（ＲＩ））に基づいて調節を行うために、他のパラメータ（たとえば、マスフローコントローラレート、ペデスタル位置、圧力、電力）を変動させることができる。調節可能なフローバルブが自動化される例では、観測された性能は、較正中にまたは較正の合間にのいずれかで、バルブを開いてまたは閉じて、フローを調節し、したがって、性能を調節するために、使用され得る。たとえば、各ガス源内のチャンバ圧力は、所定の値に設定され得、圧力デルタおよび下流フローが、観測され、フローパスにわたる圧力低下が許容差内にあるかどうかを決定するために使用され得る。
【0092】
図７は、マルチステーション処理システムを較正するための例示的な方法７００を示す。方法７００は、図４に関して説明されたように、システム４００を参照しながら説明される。しかしながら、方法７００は、システム５００など、調節可能なフローバルブを備える任意の好適なマルチステーション処理システムを較正するために適用され得る。いくつかの例では、方法７００は、コントローラ１２０など、コントローラまたは制御モジュールによって実行され得る。追加または代替として、方法７００の１つまたは複数の態様が、手動で実施され得る。
【0093】
７１０において、方法７００は、マルチステーション処理システムの少なくとも第１のステーションおよび第２のステーションのためのガスフローを、第１のステーションの第１のフローパス中の第１の調節可能なバルブまたは第２のステーションの第２のフローパス中の第２の調節可能なバルブのうちの１つまたは複数を調節することによって、平衡化させることを含む。たとえば、ガスフローを平衡化させることは、マルチステーション処理システムの各ステーションが、互いのステーションの許容差内のガスフローを有するように、方法６００または等価なものを使用して実施され得る。
【0094】
７２０において、方法７００は、第１のステーション中の補償可能なハードウェアディスパリティを検知することを含む。本明細書で使用される、補償可能なハードウェアディスパリティは、他のステーション中の同様の構成要素との機能的差を示し、ガスフローレートの調節を使用して補償され得る、プロセスステーションの構成要素を指す。たとえば、第１のステーション中で処理される基板のためのＲＩの増加が、観測され得る。これは、たとえば、ペデスタルが、古くなり、より高い放射率を備え、したがって、より多くの熱を放射することによるものであり得る。
【0095】
７３０において、方法７００は、第１のステーションのフローパス中の第１の調節可能なバルブの設定を調節することによって、第１のステーションのためのガスフローを調節することを含む。たとえば、第１のステーションにおけるＲＩの増加が、第１の調節可能なバルブを通してガスフローを増加させることによって補償され得る。他の例では、第１のステーションのためのガスフローを調節することは、第１の調節可能なバルブの開口のサイズを減少させることによってガスフローを減少させることを含み得る。
【0096】
７４０において、方法７００は、第２の調節可能なバルブの設定を維持することを含む。このようにして、第１のステーションのためのガスフローと第２のステーションのためのガスフローとは、ハードウェアディスパリティを補償するために、意図的に非平衡化される。これは、各ステーションが基板を動作させているかのように、基板が処理されることを可能にし得る。いくつかの例では、あるステーションが、補償不可能なハードウェアディスパリティを有する場合、他のステーションのためのフローパス中の調節可能なバルブのための設定が、ディスパリティにもかかわらずフローを平衡化させることを試みるために調節され得る。
【0097】
フローパス中で可変フローバルブを採用することに加えて、またはその代替として、各別個のガス源からのフローが、１つまたは複数のＭＦＣによって加減され得る。これは、アクティブなガスフロー調節が、ツールの各ステーションを調整することを可能にする。ＭＦＣは、特定のガスを流すために較正されるが、追加のＭＦＣは、特に、特定のガスのマスフローレートを提供するのではなく、各個々のステーションへのガスフローを微調整するために使用され得る。
【0098】
一例として、１つまたは複数の適切にサイズ決定されたＭＦＣが、各個々のステーションがそのステーションに個々のガスフローを送出するために、提供され得る。実施されるプロセスに応じて、各個々のステーションＭＦＣは、対応するステーションへのガス混合物フローを調整し得る。１つのＭＦＣが、対応するステーションへのガスフローを送出するために提供されるとき、そのＭＦＣは、対応するステーションへのガスフローを停止するためにオフにされ得る。
【0099】
図８～図１２に示されている例では、３つの反応ガスと、１つのキャリアガスと、が混合され、４つの処理ステーションに流される。他の例では、ガスの任意の他の好適なセットが使用され得る。処理ステーションは、１つの処理チャンバまたは複数の処理チャンバ内に配置され得、示されていない１つまたは複数のガスミキサを備え得る。図８～図１２は、単一のガスマニホルドを示す。他の例では、第２のマニホルドが、異なるガス組成を提供するために使用され得、異なるガス組成は、各処理ステーションにおいて混合されるか、または各処理ステーションより前に混合され得る。たとえば、第１のマニホルドは、不活性キャリアガス中の反応ガスを搬送し得、第２のマニホルドは、酸化試薬を搬送し得る。
【0100】
いくつかの例では、流量比コントローラ（ＦＲＣ）が、フロー調整を達成するために使用され得る。さらに、いくつかの例では、個々のステーションＭＦＣおよび／またはＦＲＣは、厳しく制御される必要がある（１つまたは複数の）ガスのみのために使用され得る。キャリアガスは、そのような精密な制御なしにさらに下流に提供され得る。これは、システム設計を簡略化し、フロー調整精度を増加させ、システムコストを低下させ得る。
【0101】
ガスの任意の好適な混合物が、以下のガス分配システム例を介してマルチステーションツール中の処理ステーションに導入され得る。１つの例示的な例として、反応ガスは、シランと、ドーパント（たとえば、ホスフィン）と、水素ガスと、を含み得、キャリアガスは、窒素を含み得る。他の例では、他のガスが使用され得、３つよりも多いまたは少ない反応ガスが使用され得、各々、１つまたは複数のＭＦＣによって加減される。
【0102】
図８は、各ガスのためのおよび各処理ステーションのためのマスフローコントローラを備える例示的なマルチステーションプロセスツール８００を概略的に示す。４つの処理ステーション、すなわち、第１のステーション８０１と、第２のステーション８０２と、第３のステーション８０３と、第４のステーション８０４と、を備える、マルチステーションプロセスツール８００が示されている。
【0103】
マルチステーションプロセスツール８００は、ガス源８０５をさらに備える。ガス源８０５は、第１の反応ガス８１０と、第２の反応ガス８１１と、第３の反応ガス８１２と、キャリアガス８１３と、のための源を備える。各反応ガスは、マニホルドに流され、マニホルドは、反応ガスを各処理ステーションのための別個のＭＦＣに提供する。第１の反応ガス８１０は、マニホルド８２０に流される。マニホルド８２０は、４つのＭＦＣ、すなわち、ＭＦＣ１－１ ８２１と、ＭＦＣ１－２ ８２２と、ＭＦＣ１－３ ８２３と、ＭＦＣ１－４ ８２４と、にガスフローを分ける。次には、これらのＭＦＣは、それぞれ、第１の反応ガス８１０を、第１のステーション８０１と、第２のステーション８０２と、第３のステーション８０３と、第４のステーション８０４と、にそれぞれ流す。
【0104】
同様に、第２の反応ガス８１１は、マニホルド８３０に流される。マニホルド８３０は、４つのＭＦＣ、すなわち、ＭＦＣ２－１ ８３１と、ＭＦＣ２－２ ８３２と、ＭＦＣ２－３ ８３３と、ＭＦＣ１－４ ８３４と、にガスフローを分ける。次には、それらのＭＦＣは、それぞれ、第２の反応ガス８１１を、第１のステーション８０１と、第２のステーション８０２と、第３のステーション８０３と、第４のステーション８０４と、にそれぞれ流す。
【0105】
第３の反応ガス８１２は、マニホルド８４０に流される。マニホルド８４０は、４つのＭＦＣ、すなわち、ＭＦＣ３－１ ８４１と、ＭＦＣ３－２ ８４２と、ＭＦＣ３－３ ８４３と、ＭＦＣ３－４ ８４４と、にガスフローを分ける。次には、それらのＭＦＣは、それぞれ、第３の反応ガス８１２を、第１のステーション８０１と、第２のステーション８０２と、第３のステーション８０３と、第４のステーション８０４と、にそれぞれ流す。キャリアガス８１３は、直接ＭＦＣ４－１ ８５０に流され、次いで、マニホルド８５２に流され、マニホルド８５２は、キャリアガスをステーション８０１～８０４に流す。
【0106】
図４および図５に示されているものなど、追加のバルブ、オリフィス、フィルタ、フレックスラインなどが、ガス源８０５をステーション８０１～８０４に結合するフローパス
中に存在し得る。各処理ステーションへの各パスのフローを制御するためにＭＦＣを使用することによって、ガスフローレートの追加の制御が、ガスフローパスの他の構成要素の変動性を補償するために達成され得る。各フローパスはまた、各ガスまたはあらゆるガスのオン／オフ制御を提供され得る。
中に存在し得る。各処理ステーションへの各パスのフローを制御するためにＭＦＣを使用することによって、ガスフローレートの追加の制御が、ガスフローパスの他の構成要素の変動性を補償するために達成され得る。各フローパスはまた、各ガスまたはあらゆるガスのオン／オフ制御を提供され得る。
【0107】
図９は、各ガスをミキサに流すためのマスフローコントローラと、その後に続く、各処理ステーションのためのマスフローコントローラと、を備える例示的なマルチステーションプロセスツール９００を概略的に示す。４つの処理ステーション、すなわち、第１のステーション９０１と、第２のステーション９０２と、第３のステーション９０３と、第４のステーション９０４と、を備える、マルチステーションプロセスツール９００が示されている。
【0108】
マルチステーションプロセスツール９００は、ガス源９０５を備える。ガス源９０５は、第１の反応ガス９１０と、第２の反応ガス９１１と、第３の反応ガス９１２と、キャリアガス９１３と、を備える。各反応ガスは、ＭＦＣに流され、次いで、ミキサ９１５に流される。第１の反応ガス９１０は、ＭＦＣ１－１ ９２０に結合される。第２の反応ガス９１１は、ＭＦＣ１－２ ９２１に結合される。第３の反応ガス９１２は、ＭＦＣ１－３ ９２２に結合される。キャリアガス９１３は、ＭＦＣ１－４ ９２３に結合される。
【0109】
ミキサ９１５は、ガス混合物を各処理ステーションについて１つずつ、４つのＭＦＣに向ける。ＭＦＣ２－１ ９３０は、ガス混合物を第１のステーション９０１に提供する。ＭＦＣ２－２ ９３１は、ガス混合物を第２のステーション９０２に提供する。ＭＦＣ２－３ ９３２は、ガス混合物を第３のステーション９０３に提供する。ＭＦＣ２－４ ９３３は、ガス混合物を第４のステーション９０４に提供する。
【0110】
１つまたは複数の追加の加圧デバイスが、精密なフロー制御を保証するためにガス混合物の圧力を高めるために、ＭＦＣの第２のセットの上流に配置され得る。いくつかの例では、追加のＭＦＣが、反応ガスのうちの１つまたは複数の精密な制御のためにガス源９０５中に含まれ得る。マルチステーションプロセスツール８００のように、マルチステーションプロセスツール９００は、各ステーションが、各ガスのオン／オフ制御を提供されることを可能にする。比較的、マルチステーションプロセスツール９００は、マルチステーションプロセスツール８００と比較して、ガスフロー制御においてわずかに劣る精度をもたらし得る。しかしながら、マルチステーションプロセスツール９００はまた、マルチステーションプロセスツール８００よりも費用がかからず、複雑でないことがある。
【0111】
図１０は、各ガスをミキサに流すためのマスフローコントローラと、その後に続く、各処理ステーションに分配するためのフローレートコントローラと、を備える例示的なマルチステーションプロセスツール１０００を概略的に示す。４つの処理ステーション、すなわち、第１のステーション１００１と、第２のステーション１００２と、第３のステーション１００３と、第４のステーション１００４と、を備える、マルチステーションプロセスツール１０００が示されている。
【0112】
マルチステーションプロセスツール１０００は、ガス源１００５をさらに備える。ガス源１００５は、第１の反応ガス１０１０と、第２の反応ガス１０１１と、第３の反応ガス１０１２と、キャリアガス１０１３と、を備える。各反応ガスは、ＭＦＣに流され、次いで、ミキサ１０１５に流される。第１の反応ガス１０１０は、ＭＦＣ１－１ １０２０に結合される。第２の反応ガス１０１１は、ＭＦＣ１－２ １０２１に結合される。第３の反応ガス１０１２は、ＭＦＣ１－３ １０２２に結合される。キャリアガス１０１３は、ＭＦＣ１－４ １０２３に結合される。
【0113】
ミキサ１０１５は、次いで、ガス混合物をＦＲＣ１０２５に向ける。ＦＲＣ１０２５は、ガス混合物を４つの処理ステーションに分ける。この段階において個々のＭＦＣの代わりにＦＲＣを使用することは、低圧ガスが、ＦＲＣに入ることと、ＦＲＣから出ることと、の両方を行うことができるので、低い圧力変化を伴ってガスを流すことを可能にする。マルチステーションプロセスツール９００のように、追加のＭＦＣが、反応ガスのうちの１つまたは複数（たとえば、シラン）の精密な制御のためにガス源１００５中に含まれ得る。
【0114】
図１１は、各反応ガスをミキサに流すためのマスフローコントローラと、その後に続く、キャリアガスのためのミキサを介して各処理ステーションに分配するためのフローレートコントローラと、を備える例示的なマルチステーションプロセスツール１１００を概略的に示す。４つの処理ステーション、すなわち、第１のステーション１１０１と、第２のステーション１１０２と、第３のステーション１１０３と、第４のステーション１１０４と、を備える、マルチステーションプロセスツール１１００が示されている。
【0115】
マルチステーションプロセスツール１１００は、ガス源１１０５をさらに備える。ガス源１１０５は、第１の反応ガス１１１０と、第２の反応ガス１１１１と、第３の反応ガス１１１２と、キャリアガス１１１３と、を備える。各反応ガスは、ＭＦＣに流され、次いで、ミキサ１１１５に流される。第１の反応ガス１１１０は、ＭＦＣ１－１ １１２０に結合される。第２の反応ガス１１１１は、ＭＦＣ１－２ １１２１に結合される。第３の反応ガス１１１２は、ＭＦＣ１－３ １１２２に結合される。キャリアガス１１１３は、ＭＦＣ１－４ １１２３に結合される。
【0116】
反応ガス混合物は、次いで、ＦＲＣ１１２５に渡され、ＦＲＣ１１２５は、混合物を、各処理ステーションについて１つずつ、４つのフローパスに沿って分割する。キャリアガス１１１３は、ＭＦＣ１－４ １１２３からガスマニホルド１１３０に流され、ガスマニホルド１１３０は、キャリアガスフローを４つのラインに分割する。各キャリアガスラインは、処理ステーションに渡される前に、ミキサにおいて反応ガスフローパスとマージする。ミキサ１１３１が、組み合わせられたガスフローを第１のステーション１１０１に向け、ミキサ１１３２が、組み合わせられたガスフローを第２のステーション１１０２に向け、ミキサ１１３３が、組み合わせられたガスフローを第３のステーション１１０３に向け、ミキサ１１３４が、組み合わせられたガスフローを第４のステーション１１０４に向ける。
【0117】
この構成では、反応ガスは、最初に、比較的より小さいボリュームにおいて互いに混合される。次いで、キャリアガスは、後で、比較的より高いボリュームにおいて混合される。キャリアガス濃度があまり精密でないことがあるので、これは、必要よりもさらに上流の、キャリアガス中で精密に混合するための追加のハードウェアなしに、反応ガスの制御された混合を可能にする。
【0118】
図１２は、各反応ガスをミキサに流すためのマスフローコントローラと、その後に続く、キャリアガスのためのミキサを介して各処理ステーションに分配するためのマスフローコントローラと、を備える例示的なマルチステーションプロセスツール１２００を概略的に示す。４つの処理ステーション、すなわち、第１のステーション１２０１と、第２のステーション１２０２と、第３のステーション１２０３と、第４のステーション１２０４と、を備える、マルチステーションプロセスツール１２００が示されている。
【0119】
マルチステーションプロセスツール１２００は、ガス源１２０５をさらに備える。ガス源１２０５は、第１の反応ガス１２１０と、第２の反応ガス１２１１と、第３の反応ガス１２１２と、キャリアガス１２１３と、を備える。各反応ガスは、ＭＦＣに流され、次いで、ミキサ１２１５に流される。第１の反応ガス１２１０は、ＭＦＣ１－１ １２２０に結合される。第２の反応ガス１２１１は、ＭＦＣ１－２ １２２１に結合される。第３の反応ガス１２１２は、ＭＦＣ１－３ １２２２に結合される。キャリアガス１２１３は、ＭＦＣ１－４ １２２３に結合される。
【0120】
ミキサ１２１５は、ガス混合物を各処理ステーションについて１つずつ、４つのＭＦＣに向ける。ＭＦＣ２－１ １２３０は、ガス混合物を第１のステーション１２０１に提供する。ＭＦＣ２－２ １２３１は、ガス混合物を第２のステーション１２０２に提供する。ＭＦＣ２－３ １２３２は、ガス混合物を第３のステーション１２０３に提供する。ＭＦＣ２－４ １２３３は、ガス混合物を第４のステーション１２０４に提供する。１つまたは複数の追加の加圧デバイスが、精密なフロー制御を保証するためにガス混合物の圧力を高めるために、ＭＦＣの第２のセットの上流に配置され得る。
【0121】
キャリアガス１２１３は、ＭＦＣ１－４ １２２３からガスマニホルド１２４０に流され、ガスマニホルド１２４０は、キャリアガスフローを４つのラインに分割する。各キャリアガスラインは、処理ステーションに渡される前に、ミキサにおいて反応ガスフローパスとマージする。ミキサ１２４１が、組み合わせられたガスフローを第１のステーション１２０１に向け、ミキサ１２４２が、組み合わせられたガスフローを第２のステーション１２０２に向け、ミキサ１２４３が、組み合わせられたガスフローを第３のステーション１２０３に向け、ミキサ１２４４が、組み合わせられたガスフローを第４のステーション１２０４に向ける。
【0122】
図８～図１２に関して説明される例のいずれかでは、追加のフロー制御ハードウェアが、プロセスステップ間のガスフローを調節するために、追加の動的制御を提供することができる。処理中の監視された条件（たとえば、膜厚、堆積レート、エッチングレート、ＲＩ）に基づいて、フローが、プロセスステップ間で（場合によっては自動化を介して）調節され得る。他の例では、複数の異なるプロセスが、同じステーション上で連続的に実施され得、複数の異なるプロセスが、同じマルチステーションツール内の隣接するステーション上で実施され得る。
【0123】
これらの例では、フローの広範囲調整可能性が、各個々のステーションについて提供される。調整は、構成要素を手動で調節および／または交換するためにツールをシャットダウンする必要なしに、自動的に、またはツールのためのユーザインターフェースから、導かれ得る。さらに、ＭＦＣ制御は、特定のステーションへのフローをオフにする追加の能力を提供する。
【0124】
いくつかの実施形態では、本明細書で説明される方法およびプロセスは、１つまたは複数のコンピューティングデバイスのコンピューティングシステムにひも付けられ得る。特に、そのような方法およびプロセスは、コンピュータアプリケーションプログラムまたはサービス、アプリケーションプログラミングインターフェース（ＡＰＩ）、ライブラリ、および／あるいは他のコンピュータプログラム製品として実装され得る。
【0125】
図１３は、上記で説明された方法およびプロセスのうちの１つまたは複数を遂行することができるコンピューティングシステム１３００の非限定的な実施形態を概略的に示す。コンピューティングシステム１３００は、簡略化された形態で示されている。コンピューティングシステム１３００は、１つまたは複数のパーソナルコンピュータ、ワークステーション、ウエハ処理ツールと一体化されたコンピュータ、および／またはネットワークアクセス可能なサーバコンピュータの形態をとり得る。
【0126】
コンピューティングシステム１３００は、論理マシン１３１０と、記憶マシン１３２０と、を含む。コンピューティングシステム１３００は、随意に、ディスプレイサブシステム１３３０、入力サブシステム１３４０、通信サブシステム１３５０、および／または図１３に示されていない他の構成要素を含み得る。コントローラ１２０は、コンピューティングシステム１３００の一例である。
【0127】
論理マシン１３１０は、命令を実行するように構成された１つまたは複数の物理デバイスを含む。たとえば、論理マシンは、１つまたは複数のアプリケーション、サービス、プログラム、ルーチン、ライブラリ、オブジェクト、構成要素、データ構造、または他の論理構築物の一部である命令を実行するように構成され得る。そのような命令は、タスクを実施するか、データタイプを実装するか、１つまたは複数の構成要素の状態を変換するか、技術的効果を達成するか、またはさもなければ所望の結果に達するために、実装され得る。
【0128】
論理マシンは、ソフトウェア命令を実行するように構成された１つまたは複数のプロセッサを含み得る。追加または代替として、論理マシンは、ハードウェア命令またはファームウェア命令を実行するように構成された１つまたは複数のハードウェア論理マシンまたはファームウェア論理マシンを含み得る。論理マシンのプロセッサは、シングルコアまたはマルチコアであり得、その上で実行される命令は、順次処理、並列処理、および／または分配処理のために構成され得る。論理マシンの個々の構成要素は、随意に、２つまたはそれ以上の別個のデバイスの間で分配され得、それらのデバイスは、リモートに位置し、および／または協調処理のために構成され得る。論理マシンの態様は、クラウドコンピューティング構成において構成された、リモートアクセス可能な、ネットワーク化されたコンピューティングデバイスによって仮想化および実行され得る。
【0129】
記憶マシン１３２０は、本明細書で説明される方法およびプロセスを実装するために論理マシンによって実行可能な命令を保持するように構成された１つまたは複数の物理デバイスを含む。そのような方法およびプロセスが実装されるとき、記憶マシン１３２０の状態は、たとえば、異なるデータを保持するために、変換され得る。
【0130】
記憶マシン１３２０は、リムーバブルデバイスおよび／または内蔵デバイスを含み得る。記憶マシン１３２０は、特に、光メモリ（たとえば、ＣＤ、ＤＶＤ、ＨＤ－ＤＶＤ、Ｂｌｕ－Ｒａｙディスクなど）、半導体メモリ（たとえば、ＲＡＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭなど）、および／または磁気メモリ（たとえば、ハードディスクドライブ、フロッピーディスクドライブ、テープドライブ、ＭＲＡＭなど）を含み得る。記憶マシン１３２０は、揮発性デバイス、不揮発性デバイス、動的デバイス、静的デバイス、読取り／書込みデバイス、読取り専用デバイス、ランダムアクセスデバイス、順次アクセスデバイス、ロケーションアドレス指定可能デバイス、ファイルアドレス指定可能デバイス、および／またはコンテンツアドレス指定可能デバイスを含み得る。
【0131】
記憶マシン１３２０は、１つまたは複数の物理デバイスを含むことが諒解されよう。しかしながら、本明細書で説明される命令の態様は、代替的に、有限の持続時間の間、物理デバイスによって保持されない通信媒体（たとえば、電磁信号、光信号など）によって伝搬され得る。
【0132】
論理マシン１３１０および記憶マシン１３２０の態様は、ともに、１つまたは複数のハードウェア論理構成要素に一体化され得る。そのようなハードウェア論理構成要素は、たとえば、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、プログラムおよび特定用途向け集積回路（ＰＡＳＩＣ／ＡＳＩＣ）、プログラムおよび特定用途向け標準製品（ＰＳＳＰ／ＡＳＳＰ）、システムオンチップ（ＳＯＣ）、ならびに複合プログラマブル論理デバイス（ＣＰＬＤ）を含み得る。
【0133】
含まれるとき、ディスプレイサブシステム１３３０は、記憶マシン１３２０によって保持されるデータの視覚表現を提示するために使用され得る。この視覚表現は、グラフィカルユーザインターフェース（ＧＵＩ）の形態をとり得る。本明細書で説明される方法およびプロセスは、記憶マシンによって保持されるデータを変更し、したがって、記憶マシンの状態を変換するので、ディスプレイサブシステム１３３０の状態は、同様に、基礎をなすデータの変更を視覚的に表すように変換され得る。ディスプレイサブシステム１３３０は、実質的に任意のタイプの技術を利用する１つまたは複数のディスプレイデバイスを含み得る。そのようなディスプレイデバイスは、共有エンクロージャ中の論理マシン１３１０および／または記憶マシン１３２０と組み合わせられ得るか、あるいは、そのようなディスプレイデバイスは、周辺ディスプレイデバイスであり得る。
【0134】
含まれるとき、入力サブシステム１３４０は、キーボード、マウス、またはタッチスクリーンなど、１つまたは複数のユーザ入力デバイスを備えるか、あるいはそれらとインターフェースし得る。いくつかの実施形態では、入力サブシステムは、選択された自然ユーザ入力（ＮＵＩ）構成要素を備えるか、またはそれとインターフェースし得る。そのような構成要素は、一体化されるか、または周辺にあり得、入力アクションの伝達および／または処理は、オンボードまたはオフボードで扱われ得る。例示的なＮＵＩ構成要素は、音声および／またはボイス認識のためのマイクロフォンと、マシン視覚および／またはジェスチャー認識のための、赤外線、色、立体視、および／または深度カメラと、を含み得る。
【0135】
含まれるとき、通信サブシステム１３５０は、コンピューティングシステム１３００を、１つまたは複数の他のコンピューティングデバイスと通信可能に結合するように構成され得る。通信サブシステム１３５０は、１つまたは複数の異なる通信プロトコルに適合するワイヤードおよび／またはワイヤレス通信デバイスを含み得る。非限定的な例として、通信サブシステムは、ワイヤレス電話ネットワーク、あるいはワイヤードまたはワイヤレスローカルまたはワイドエリアネットワークを介した通信のために構成され得る。いくつかの実施形態では、通信サブシステムは、コンピューティングシステム１３００が、インターネットなどのネットワークを介して、他のデバイスにおよび／または他のデバイスから、メッセージを送るおよび／または受け取ることを可能にし得る。
【0136】
本明細書で説明される構成および／または手法は、本質的に例示的であり、これらの特定の実施形態または例は、多数の変形形態が可能であるので、限定的な意味において考慮されるべきではないことを理解されよう。本明細書で説明される特定のルーチンまたは方法は、任意の数の処理ストラテジーのうちの１つまたは複数を表し得る。したがって、示されるおよび／または説明される様々な行為が、示されるおよび／または説明されるシーケンスで、他のシーケンスで、並列に、実施されるか、あるいは省略され得る。同様に、上記で説明されたプロセスの順序は、変更され得る。
【0137】
本開示の主題は、本明細書で開示される、様々なプロセス、システム、および構成と、他の特徴、機能、行為、および／または性質と、のすべての新規のおよび自明でない組合せおよび部分組合せ、ならびに、それらの任意のおよびすべての等価物を含む。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【国際調査報告】