特表 2024-545160 テクスチャのある誘電体を使用したウエハからベースプレートへのアーク放電の防止

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-12-05

(54)【発明の名称】テクスチャのある誘電体を使用したウエハからベースプレートへのアーク放電の防止

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20241128BHJP

   H02N 13/00 20060101ALI20241128BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALN20241128BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 R

H02N13/00 D

H01L21/302 101G

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024534446

(86)(22)【出願日】2022-12-02

(85)【翻訳文提出日】2024-07-10

(86)【国際出願番号】 US2022051728

(87)【国際公開番号】W WO2023114028

(87)【国際公開日】2023-06-22

(31)【優先権主張番号】17/550,932

(32)【優先日】2021-12-14

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】チャダ， アービンダー エス．

(72)【発明者】

【氏名】ラーマスワーミ， カーティク

【テーマコード（参考）】

5F004

5F131

【Ｆターム（参考）】

5F004AA01

5F004BB22

5F004BB25

5F131CA09

5F131DA33

5F131DA42

5F131EA03

5F131EB11

5F131EB12

5F131EB15

5F131EB16

5F131EB17

5F131EB18

5F131EB72

5F131EB78

5F131EB79

5F131EB81

5F131EB82

5F131EB85

(57)【要約】

基板処理チャンバで使用するための静電チャックが、本明細書において提供される。幾つかの実施形態では、基板処理チャンバで使用するための静電チャックは、その中に配置された電極を有する誘電体プレートであって、誘電体プレートは、中央部及び周辺部を更に含み、周辺部は、少なくとも１つの凹凸を有する外側側壁、誘電体プレートの中央部の多孔率よりも大きい多孔率、又は中央部の材料とは異なる材料でできた１又は複数のコーティングのうちの少なくとも１つを含む、誘電体プレートを含む。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板処理チャンバで使用するための静電チャックであって、
その中に配置された電極を有する誘電体プレートであって、前記誘電体プレートは、中央部及び周辺部を更に含み、前記周辺部は、
少なくとも１つの凹凸を有する外側側壁、
前記誘電体プレートの中央部の多孔率よりも大きい多孔率、又は
前記中央部の材料とは異なる材料でできた１又は複数のコーティング
のうちの少なくとも１つを含む、誘電体プレート
を備える、静電チャック。

【請求項2】

前記少なくとも１つの凹凸は凹形状又は凸形状を有する、請求項１に記載の静電チャック。

【請求項3】

前記少なくとも１つの凹凸は、前記外側側壁の仮想円筒面に沿って半径方向外側に延在する複数の凹凸を含み、前記仮想円筒面は、前記誘電体プレートの中心軸と同軸であり、かつ前記誘電体プレートの中心軸に対して異なる半径を有する、及び
前記少なくとも１つの凹凸は、周期的に配置された複数の凹凸を含む
ことのうちの少なくとも一方である、請求項１に記載の静電チャック。

【請求項4】

前記周辺部の多孔率は前記中央部の多孔率よりも大きく、前記周辺部の厚さは、前記誘電体プレートの上部から前記誘電体プレートの底部に向かって変化する、請求項１に記載の静電チャック。

【請求項5】

前記少なくとも１つの凹凸は、半球形状、モスアイ形状、長方形形状、楕円体形状、又は切頭楕円体形状を有する複数の凹凸を含む、請求項１に記載の静電チャック。

【請求項6】

前記少なくとも１つの凹凸は、前記複数の凹凸の各々の間に配置された間隙を有する複数の凹凸を含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の静電チャック。

【請求項7】

前記周辺部の多孔率は約１％から約１０％である、請求項１から５のいずれか一項に記載の静電チャック。

【請求項8】

前記周辺部の幅は約３ｍｍから約１０ｍｍである、請求項１から５のいずれか一項に記載の静電チャック。

【請求項9】

前記１又は複数のコーティングは、窒化物層と酸化物層の交互層、又は窒化物層と金属層の交互層を含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の静電チャック。

【請求項10】

基板処理チャンバで使用するための基板支持体であって、
ベースプレートと、
誘電体プレートが前記ベースプレート上に配置されている、請求項１から５のいずれか一項に記載の静電チャックと、
前記ベースプレート及び前記誘電体プレートを取り囲むプロセスキットと
を備える、基板支持体。

【請求項11】

１又は複数のコーティングは、酸化チタン、窒化チタン、酸化アルミニウム、酸化モリブデン、又は酸化クロムを含む、請求項１０に記載の基板支持体。

【請求項12】

前記プロセスキットは、石英リング、サファイアリング、又は酸化物、炭化物、金属材料のうちの１又は複数を含む複合リングである、請求項１０に記載の基板支持体。

【請求項13】

中央部は周辺部と同じ材料でできている、請求項１０に記載の基板支持体。

【請求項14】

外側側壁の表面粗さは約０．２から約１００ミクロンである、請求項１０に記載の基板支持体。

【請求項15】

前記誘電体プレートのアスペクト比は約０．１から約１０である、請求項１０に記載の基板支持体。

【請求項16】

基板を処理するためのプロセスチャンバであって、
その中に内部領域を画定するチャンバ本体と、
前記内部領域に配置された請求項１０に記載の基板支持体と
を備える、プロセスチャンバ。

【請求項17】

周辺部の多孔率は約１％から約１０％である、請求項１６に記載のプロセスチャンバ。

【請求項18】

少なくとも１つの凹凸は、複数の凹凸の各々の間に配置された間隙を有する複数の凹凸を含む、請求項１６に記載のプロセスチャンバ。

【請求項19】

１又は複数のコーティングは、約０．１電子ボルト（ｅＶ）よりも大きい活性化エネルギーを有する材料を含む、請求項１６に記載のプロセスチャンバ。

【請求項20】

１又は複数のコーティングは、窒化物層と酸化物層の交互層、又は窒化物層と金属層の交互層を含む、請求項１６に記載のプロセスチャンバ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

［０００１］本開示の実施形態は概して、基板処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

［０００２］基板処理システムは、通常、その中に配置された１又は複数の基板にエッチング又は堆積プロセス等の所望のプロセスを実行するためのプロセスチャンバを含む。例えば、コンタクトを形成するための非常に高いアスペクト比の孔、又は電気経路用のインフラを敷設するための深いトレンチを必要とするエッチングプロセスにおいて、無線周波数（ＲＦ）電力がしばしば使用される。ＲＦ電力は、プラズマ生成のため、及び／又は処理中の基板上にバイアス電圧を生じさせて、バルクプラズマからのイオンを引きつけるために使用され得る。基板支持体は、基板を保持するために誘電体プレート内に埋め込まれた１又は複数の電極を有する静電チャック（ＥＳＣ）を含み得る。

【0003】

［０００３］ＥＳＣはベースプレート上に配置され得る。しかし、基板とＥＳＣの誘電体との接合部における局所的な電界の増強により、マルチパクタ絶縁破壊及び基板アーク放電が発生し、基板からベースプレートへの電子の経路が形成されることがある。マルチパクタ絶縁破壊は、ＲＦ電界によって加速された電子が、二次電子放出の増殖によって引き起こされる電子なだれによって真空中（又は略真空中）で自己維持されることにより発生し、ＲＦ部品に損傷を与える。

【0004】

［０００４］従って、本発明者らは、マルチパクタ絶縁破壊を低減又は防止するための改良型ＥＳＣの実施形態を提供した。

【発明の概要】

【0005】

［０００５］基板処理チャンバで使用するための静電チャックが、本明細書において提供される。幾つかの実施形態では、基板処理チャンバで使用するための静電チャックは、その中に配置された電極を有する誘電体プレートであって、誘電体プレートは、中央部及び周辺部を更に含み、周辺部は、少なくとも１つの凹凸を有する外側側壁、誘電体プレートの中央部の多孔率よりも大きい多孔率、又は中央部の材料とは異なる材料でできた１又は複数のコーティングのうちの少なくとも１つを含む、誘電体プレートを含む。

【0006】

［０００６］幾つかの実施形態では、基板処理チャンバで使用するための基板支持体は、ベースプレートと、その中に配置された電極を有する誘電体プレートであって、誘電体プレートは、ベースプレート上に配置され、中央部及び周辺部を含み、周辺部は、少なくとも１つの凹凸を有する外側側壁、誘電体プレートの中央部の多孔率よりも大きい多孔率、又は中央部の材料とは異なる材料でできた１又は複数のコーティングのうちの少なくとも１つを含む、誘電体プレートと、ベースプレート及び誘電体プレートを取り囲むプロセスキットとを含む。

【0007】

［０００７］幾つかの実施形態では、基板を処理するためのプロセスチャンバは、その中に内部領域を画定するチャンバ本体と、内部領域に配置され、その中に配置された電極を有する誘電体プレートを含む基板支持体であって、誘電体プレートは、ベースプレート上に配置され、中央部及び周辺部を含み、周辺部は、少なくとも１つの凹凸を有する外側側壁、誘電体プレートの中央部の多孔率よりも大きい多孔率、又は中央部の材料とは異なる材料でできた１又は複数のコーティングのうちの少なくとも１つを含む、誘電体プレートと、ベースプレート及び誘電体プレートを取り囲むプロセスキットとを含む。

【0008】

［０００８］本開示の他の更なる実施形態を以下に説明する。

【0009】

［０００９］添付の図面に示す本開示の例示的な実施形態を参照することにより、上記に要約し、以下により詳細に説明する本開示の実施形態を理解することができる。しかし、添付の図面は本開示の典型的な実施形態を単に示すものであり、したがって、範囲を限定するものと見なすべきではなく、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係るプロセスチャンバを示す概略断面側面図である。

【図2】本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る基板支持体を示す概略断面図である。

【図3】本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る基板支持体を示す概略断面図である。

【図4A】本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る誘電体プレートを示す概略断面図である。

【図4B】本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る誘電体プレートを示す概略断面図である。

【図4C】本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る誘電体プレートを示す概略断面図である。

【図4D】本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る誘電体プレートを示す概略断面図である。

【図4E】本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る誘電体プレートを示す概略断面図である。

【図5A】本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る誘電体プレートを示す概略断面図である。

【図5B】本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る誘電体プレートを示す概略断面図である。

【図6】本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る誘電体プレートを示す概略断面図である。

【図7】本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る誘電体プレートを示す概略断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

［００２２］理解を容易にするために、可能な限り、図面共通の同一要素を示すのに同一の参照番号を使用している。図面は縮尺どおりに描かれておらず、わかりやすくするために簡略化されている場合がある。一実施形態の要素及び特徴は、更に詳述することなく、他の実施形態に有益に組み込むことが可能である。

【0012】

［００２３］基板アーク放電を低減又は防止する誘電体プレートの外側側壁に近接する特徴を有する、基板処理チャンバで使用するための誘電体プレートの実施形態が、本明細書において提供される。部品間の公差又は公差による非対称性により、誘電体プレートと誘電体プレートの周りに配置された他のチャンバ部品（例えば、プロセスキット部品）との間に形成された間隙は、誘電体プレート上に配置された基板から誘電体プレートの下方に配置されたベースプレートへ電子が流れ、増殖する経路となる可能性がある。誘電体プレートの外側側壁が平面であることで、電子の経路が乱れず、代わりに、基板とベースプレートとの間の電気伝導のための直線経路が形成される。本明細書に記載の本発明の特徴は、電子の経路を乱すことで、二次電子の発生及びマルチパクタ絶縁破壊を防止するように構成される。この特徴は、例えば、誘電体プレートの外側側壁に近接した、又は外側側壁上の、テクスチャ、コーティング、多孔率の変化等を含み得る。

【0013】

［００２４］図１は、本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係るプロセスチャンバ１００を示す概略断面側面図である。幾つかの実施形態では、プロセスチャンバ１００はエッチング処理チャンバである。しかしながら、異なるプロセス用に構成された他の種類のプロセスチャンバも、使用することができる、又は本明細書に記載の基板支持体の実施形態と共に使用するために変更することができる。

【0014】

［００２５］プロセスチャンバ１００は、基板処理中に内部領域１２１内に大気圧より低い圧力を維持するように好適に適合された真空チャンバであってよい。プロセスチャンバ１００は、内部領域１２１の上半分に位置する処理領域１１９を囲むリッド１０１によってカバーされたチャンバ本体１０６を含む。プロセスチャンバ１００はまた、様々なチャンバ部品を取り囲む１又は複数のシールド（図示せず）を含み、上記部品とイオン化されたプロセス材料との間の不要な反応を防止することができる。チャンバ本体１０６及びリッド１０１は、アルミニウム等の金属製であってよい。チャンバ本体１０６は、グラウンド１１５への結合を介して接地され得る。

【0015】

［００２６］例えば半導体ウエハ、又は他のウエハ等の基板１２２を支持し保持するために、基板支持体１２４が内部領域１２１に配置される。基板支持体１２４は概して、ベースプレート１２６上に配置された誘電体プレート１５２を含み得る。幾つかの実施形態では、ベースプレート１２６は、例えばアルミニウム（Ａｌ）等の金属材料を含む。幾つかの実施形態では、ベースプレート１２６は、チャンバ本体１０６の支持プレート１０２上に配置される。幾つかの実施形態では、ベースプレート１２６は、その中に配置され、誘電体プレート１５２を冷却するための冷却剤を循環させるように構成された冷却チャネルを有する冷却プレートであってよい。

【0016】

［００２７］基板支持体１２４の上面（例えば、誘電体プレート１５２の上面）は、処理領域１１９に露出している。幾つかの実施形態では、誘電体プレート１５２は、基板１２２を誘電体プレート１５２に静電チャックするように構成された、その中に配置された１又は複数の電極１５４を含む。１又は複数の電極１５４は、モノポーラ又はバイポーラであってよい。誘電体プレート１５２は、中央部１３２と、中央部１３２の周りに配置された周辺部１３８とを含む。誘電体プレート１５２は、Ｊ－Ｒ誘電体又はクーロン誘電体を含み得る。

【0017】

［００２８］幾つかの実施形態では、支持プレート１０２は、チャンバ本体１０６と共に、支持プレート１０２の下方にプロセスチャンバ１００の下部領域１８０を画定する。幾つかの実施形態では、下部領域１８０は、使用中は大気圧であってよい。様々な導管が、例えば、裏側ガス、プロセスガス、流体、冷却剤、電力等を基板支持体１２４に供給するために、下部領域１８０を介して基板支持体１２４まで延在していてよい。幾つかの実施形態では、様々な導管は、裏側ガス供給部１４１、チャッキング電源１４０、ＲＦプラズマ電源１７０、及びバイアス電源１１７用の導管を含み得る。チャッキング電源１４０は、チャッキング電極ライン１４３を介して１又は複数の電極１５４に結合され得る。

【0018】

［００２９］ＲＦプラズマ電源１７０は、代替的に、又は追加的に、リッド１０１又はチャンバ本体１０６の上部を介してプロセスチャンバ１００に供給され得る。幾つかの実施形態では、バイアス電源１１７は、１又は複数のＲＦバイアス電源を含む。幾つかの実施形態では、ＲＦプラズマ電源１７０によって供給されるＲＦエネルギーは、約４００ｋＨｚから４０ＭＨｚ超の周波数を有していてよい。幾つかの実施形態では、ＲＦプラズマ電源１７０及びバイアス電源１１７は、それぞれのＲＦ整合ネットワーク（ＲＦ整合ネットワーク１１６のみ図示）を介してペデスタル１５０に結合される。幾つかの実施形態では、基板支持体１２４は、代替的にＡＣ、ＤＣ、又はＲＦバイアス電力を含み得る。幾つかの実施形態では、ＡＣ、ＤＣ、又はＲＦバイアス電力は、パルス化され得る。

【0019】

［００３０］基板支持体１２４は、基板支持体１２４を通って延在する複数の基板リフトピン１６８を含み得る。リフト機構１２８が複数の基板リフトピン１６８に結合され、リフトピンを介して基板１２２を選択的に上昇又は下降させるように構成され得る。幾つかの実施形態では、複数の基板リフトピン１６８は、基板支持体１２４の周りに対称に配置された３つのリフトピンを含む。幾つかの実施形態では、基板支持体１２４は、誘電体プレート１５２の周りに配置された１又は複数の部品を含むプロセスキット１３４を含む。幾つかの実施形態では、プロセスキット１３４は、ベースプレート１２６及び誘電体プレート１５２の周りに配置される。

【0020】

［００３１］幾つかの実施形態では、基板支持体１２４は、誘電体プレート１５２の周りに配置された、又は誘電体プレート１５２を取り囲むライナ１０４を含み得る。幾つかの実施形態では、ライナ１０４及び支持プレート１０２のうちの１又は複数が、使用中に接地される。幾つかの実施形態では、ライナ１０４は、環状チャネル１１２をその間に画定する内壁１０３及び外壁１０５を含む。幾つかの実施形態では、内壁１０３と外壁１０５はライナ１０４の下部プレート１０７に結合されている。プロセスチャンバ１００は、処理領域１１９を排気するために処理領域１１９に流体的に結合された真空ポンプ１１４を含む。幾つかの実施形態では、下部プレート１０７は、処理領域１１９を排気するために真空ポンプ１１４に結合された１又は複数のポンプポート１５８を含む。処理領域１１９内の圧力は、真空ポンプ１１４のスロットルバルブを調整することによって調節することができる。

【0021】

［００３２］幾つかの実施形態では、プロセスキット１３４は、誘電体プレート１５２の周りに配置された第１のリング１３０を含む。第１のリング１３０は、誘電体プレート１５２及びベースプレート１２６を処理領域１１９のプラズマ環境から隔離することができる。幾つかの実施形態では、第１のリング１３０は、基板１２２の周りに配置されたエッジリング等を支持し得る。第１のリング１３０は、石英リング、サファイアリング、又は酸化物、炭化物、又は金属材料（例えば、アルミナと炭化ケイ素（ＳｉＣ）、石英とアルミニウム等）のうちの１又は複数を含む複合リングであってよい。

【0022】

［００３３］幾つかの実施形態では、基板支持体１２４は、ペデスタル１５０の下面（例えば、ベースプレート１２６の底面）からペデスタル１５０の上面の様々な開口部まで延在するガス分配チャネル１８２を含む。ガス分配チャネル１８２は、窒素（Ｎ）又はヘリウム（Ｈｅ）等の裏側ガスを誘電体プレート１５２の上面に供給し、熱伝達媒体として機能するように構成される。ガス分配チャネル１８２は、使用中の基板支持体１２４の温度及び／又は温度プロファイルを制御するために、ガス導管１４２を介して裏側ガス供給部１４１と流体連結している。

【0023】

［００３４］処理領域１１９はまた、その中に配置された基板を処理するためにプロセスチャンバ１００に１又は複数のプロセスガスを供給し得るプロセスガス供給部１１８に結合され、それと流体連結している。幾つかの実施形態では、プロセスガス供給部１１８は、より均一なガス分配のために、シャワーヘッド（図示せず）を介して１又は複数のプロセスガスを処理領域１１９に供給することができる。プロセスチャンバ１００は、内部領域１２１内外への基板１２２の移送を容易にするスリットバルブ１４４を含む。幾つかの実施形態では、移送ロボット（図示せず）が基板１２２を移送するように構成される。移送ロボットはまた、交換のために内部領域１２１の内外へエッジリング１８５を移送するように有利に構成され得る。スリットバルブ１４４は、リッド１０１又はチャンバ本体１０６に結合されていてよい。

【0024】

［００３５］工程において、例えば、１又は複数のプロセスを実行するために、処理領域１１９にプラズマ１９２が生成され得る。プラズマ１９２は、プラズマ電源（例えば、ＲＦプラズマ電源１７０）からの電力を、処理領域１１９の近く又は処理領域１１９内の１又は複数の電極を介してプロセスガスに結合させ、プロセスガスに点火してプラズマ１９２を生成することによって生成され得る。バイアス電源（例えば、バイアス電源１１７）からペデスタル１５０にバイアス電力を供給して、プラズマ１９２からのイオンを基板１２２に向けて引きつけることができる。バイアス電源１１７は、エッジリング１８５及び誘電体プレート１５２にバイアス電力を供給し得る。例えば、バイアス電源１１７は、エッジリング１８５及び誘電体プレート１５２の両方によって共有される単一の電源を含み得る。

【0025】

［００３６］図２は、本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る基板支持体１２４を示す概略断面図である。誘電体プレート１５２と、誘電体プレート１５２の周りに配置されたプロセスキット１３４との間には、部品の公差に起因する間隙２１０が配置される場合がある。幾つかの実施形態では、誘電体プレート１５２のアスペクト比は、約０．００１から約１０００である。幾つかの実施形態では、誘電体プレート１５２のアスペクト比は約０．１から約１０である。図３は、本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る基板支持体を示す概略断面図である。幾つかの実施形態では、誘電体プレート１５２の外側側壁３１０は、二次電子放出３４０の増殖を低減又は防止する少なくとも１つの凹凸３２０を含み、したがってマルチパクタ絶縁破壊を有利に防止する。

【0026】

［００３７］幾つかの実施形態では、図３に示すように、少なくとも１つの凹凸３２０は、長方形形状３３０を有する複数の凹凸を含む。少なくとも１つの凹凸３２０は、半球形状、モスアイ形状、長方形形状、楕円体形状、又は切頭楕円体形状等を有していてよい。幾つかの実施形態では、外側側壁３１０の表面粗さは、二次電子放出の増殖を低減するために、約０．２から約１００ミクロンである。幾つかの実施形態では、外側側壁３１０の表面粗さは、誘電体プレートの上面又は下面の表面粗さよりも大きい。幾つかの実施形態では、少なくとも１つの凹凸３２０は、周期的に配置された複数の凹凸を含む。幾つかの実施形態では、少なくとも１つの凹凸３２０はランダムに配置される。

【0027】

［００３８］少なくとも１つの凹凸３２０は、二次放出からの電子の増殖を低減又は防止するのに適した任意の適切な形状又は形状の配置を含み得る。例えば、図４Ａ～図４Ｅは、本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る誘電体プレート１５２を示す概略断面図である。幾つかの実施形態では、少なくとも１つの凹凸３２０は、図４Ａに示すように凸形状４０２を有する。幾つかの実施形態では、少なくとも１つの凹凸３２０は、図４Ｂに示すように凹形状４０４を有する。幾つかの実施形態では、少なくとも１つの凹凸３２０は、図４Ｃに示すように、凸形状４０２を有する複数の凹凸を有する。幾つかの実施形態では、少なくとも１つの凹凸３２０は、凹形状４０４を有する複数の凹凸を有する。幾つかの実施形態では、少なくとも１つの凹凸３２０は、図４Ｄに示すように、複数の凹凸の各々の間に配置された間隙４２０を有する複数の凹凸を含む。幾つかの実施形態では、少なくとも１つの凹凸３２０は、外側側壁３１０の仮想円筒面４１２Ａ、４１２Ｂに沿って半径方向外側に延在する複数の凹凸を含み、仮想円筒面４１２Ａ、４１２Ｂは、誘電体プレート１５２の中心軸４６０と同軸であり、誘電体プレート１５２の中心軸４６０に対して異なる半径を有する。

【0028】

［００３９］図５Ａは、本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る誘電体プレート１５２を示す概略断面図である。幾つかの実施形態では、誘電体プレート１５２の周辺部１３８の多孔率は、誘電体プレート１５２の中央部１３２の多孔率よりも大きい。周辺部１３８の多孔率が大きいと、外側側壁３１０の有効電気長が増加し、それによりマルチパクタ絶縁破壊が低減又は防止される。幾つかの実施形態では、周辺部１３８の多孔率は、総容積に対するボイドの多孔性が約１容積％から約１０容積％である。幾つかの実施形態では、中央部１３２の多孔率は、総容積に対するボイドの多孔性が約１容量％未満である。幾つかの実施形態では、中央部１３２は、周辺部１３８と同じ材料でできている。例えば、誘電体プレート１５２は、周辺部１３８の多孔率を増加させるためにエッチングされ得る。幾つかの実施形態では、周辺部１３８は、中央部１３２とは異なる材料でできている。幾つかの実施形態では、周辺部１３８の幅は、約３ｍｍから約１０ｍｍである。

【0029】

［００４０］図５Ｂは、本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る誘電体プレートを示す概略断面図である。幾つかの実施形態では、周辺部１３８の多孔率は、中央部１３２における多孔率よりも大きく、周辺部１３８の厚さは、誘電体プレート１５２の上部５０２から誘電体プレート１５２の底部５０４に向かって変化する。幾つかの実施形態では、周辺部１３８の厚さは、上部５０２から底部５０４に向かって増加する。上記実施形態では、誘電体プレート１５２の外側側壁３１０は、直線的に下方及び半径方向外側に延在し得る。幾つかの実施形態では、誘電体プレート１５２の外側側壁３１０は、少なくとも１つの凹凸３２０を含み、中央部１３２の多孔率よりも大きい多孔率を有する周辺部１３８を含み得る。

【0030】

［００４１］図６は、本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る誘電体プレート１５２を示す概略断面図である。幾つかの実施形態では、誘電体プレート１５２は、中央部１３２の材料とは異なる材料でできた１又は複数のコーティング６１０を含む。１又は複数のコーティング６１０は概して、約０．１電子ボルト（ｅＶ）よりも大きい活性化エネルギーを有する材料でできており、二次放出からの電子の増殖を低減又は防止するために電荷輸送を最小限に抑える。幾つかの実施形態では、１又は複数のコーティング６１０は、酸化チタン、窒化チタン、酸化アルミニウム、酸化モリブデン、又は酸化クロムを含む。

【0031】

［００４２］図７は、本開示の少なくとも幾つかの実施形態に係る誘電体プレート１５２を示す概略断面図である。幾つかの実施形態では、１又は複数のコーティング６１０は、第１の層６０２と第２の層６０４の交互の層を含む。幾つかの実施形態では、第１の層６０２は窒化物層であり、第２の層６０４は酸化物層である。幾つかの実施形態では、第１の層６０２は酸化物層であり、第２の層６０４は窒化物層である。幾つかの実施形態では、第１の層６０２は窒化物層であり、第２の層６０４は金属層である。幾つかの実施形態では、第１の層６０２は金属層である。幾つかの実施形態では、酸化物層は、本質的に酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化モリブデン、又は酸化クロムから構成される。幾つかの実施形態では、窒化物層は、本質的に窒化チタンから構成される。幾つかの実施形態では、金属層は、本質的に銀（Ａｇ）又は金（Ａｕ）から構成される。

【0032】

［００４３］前述の内容は本開示の実施形態を対象としているが、その基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他のさらなる実施形態を考案することが可能である。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図4E】

【図5A】

【図5B】

【図6】

【図7】

【国際調査報告】