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▶ サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニーの特許一覧

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-12-17
(54)【発明の名称】メトロロジ装置及び方法
(51)【国際特許分類】
   G01N 15/0205 20240101AFI20241210BHJP
   H01S 3/104 20060101ALI20241210BHJP
   H01S 3/00 20060101ALI20241210BHJP
   G03F 7/20 20060101ALI20241210BHJP
   H01S 3/225 20060101ALN20241210BHJP
【FI】
G01N15/0205
H01S3/104
H01S3/00 Z
G03F7/20 502
G03F7/20 521
H01S3/225
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024525227
(86)(22)【出願日】2022-11-14
(85)【翻訳文提出日】2024-06-25
(86)【国際出願番号】 US2022049841
(87)【国際公開番号】W WO2023096767
(87)【国際公開日】2023-06-01
(31)【優先権主張番号】63/283,773
(32)【優先日】2021-11-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】513192029
【氏名又は名称】サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー
(74)【代理人】
【識別番号】100079108
【弁理士】
【氏名又は名称】稲葉 良幸
(74)【代理人】
【識別番号】100109346
【弁理士】
【氏名又は名称】大貫 敏史
(74)【代理人】
【識別番号】100117189
【弁理士】
【氏名又は名称】江口 昭彦
(74)【代理人】
【識別番号】100134120
【弁理士】
【氏名又は名称】内藤 和彦
(72)【発明者】
【氏名】ツァイ,ツンチャン
(72)【発明者】
【氏名】カーメチ,モハマド,アミン
【テーマコード(参考)】
2H197
5F071
5F172
【Fターム(参考)】
2H197CA06
2H197CA08
2H197DC12
2H197DC20
2H197HA03
5F071AA01
5F071AA02
5F071AA06
5F071EE01
5F172AD02
5F172AD06
5F172AD07
5F172DD03
5F172EE22
5F172WW04
5F172ZZ02
(57)【要約】
メトロロジ装置は、ガス放電チャンバの利得媒体と流体連通する光学素子であって、1つ以上の塵粒子にさらされる光学素子の近傍にプローブを生成するように構成されたプローブ装置と、プローブと1つ以上の塵粒子との相互作用を検出して、検出された相互作用に基づいて出力信号を生成するように構成された検出装置と、出力信号を受信して1つ以上の塵粒子の特性を推定するように構成された処理装置とを含む。
【選択図】 図2A
【特許請求の範囲】
【請求項1】
メトロロジ装置であって、
ガス放電チャンバの利得媒体と流体連通する光学素子であって、1つ以上の粒子にさらされる前記光学素子の近傍にプローブを生成するように構成されたプローブ装置と、
前記プローブと前記1つ以上の粒子との相互作用を検出して、前記検出された相互作用に基づいて出力信号を生成するように構成された検出装置と、
前記出力信号を受信して、前記1つ以上の粒子の特性を推定するように構成された処理装置と
を含む、メトロロジ装置。
【請求項2】
前記プローブ装置は光学アセンブリであり、前記プローブは光シートであり、前記相互作用を検出するように構成された前記検出装置は、前記光シートと前記1つ以上の粒子との前記相互作用によって生成された光を取り込むように構成された前記検出装置を含む、請求項1に記載のメトロロジ装置。
【請求項3】
前記光学アセンブリは、レーザ光シートを前記光シートとして生成するように構成されたレーザを含む、請求項2に記載のメトロロジ装置。
【請求項4】
前記レーザは、前記ガス放電チャンバ内の前記利得媒体から生成される光の波長と異なる波長を有する光を生成するように構成される、請求項3に記載のメトロロジ装置。
【請求項5】
前記検出装置は、フォトダイオード又はカメラを含む、請求項2に記載のメトロロジ装置。
【請求項6】
前記検出装置の結像面は、前記光シートの広がりが観察可能及び結像可能となるように前記光シートに面する、請求項2に記載のメトロロジ装置。
【請求項7】
前記検出装置の前記結像面は、前記ガス放電チャンバの内部と流体連通する前記光学素子の表面に面する、請求項6に記載のメトロロジ装置。
【請求項8】
前記光シートは、増幅光ビームが沿って前記ガス放電チャンバを通り抜ける平面と非平行な経路に沿って誘導され、前記増幅光ビームは、エネルギーの印加中に前記利得媒体によって生成される、請求項2に記載のメトロロジ装置。
【請求項9】
前記光シートは、前記光学素子の表面に隣接する経路に沿って誘導される、請求項2に記載のメトロロジ装置。
【請求項10】
前記光学素子は、前記利得媒体で満たされる前記ガス放電チャンバの内部と前記ガス放電チャンバの外部との間に配置された前記ガス放電チャンバのウィンドウであり、前記ウィンドウは、前記ガス放電チャンバを気密封止し、増幅光ビームが前記ウィンドウを通過するように構成される、請求項2に記載のメトロロジ装置。
【請求項11】
前記光シートは、前記ガス放電チャンバの前記内部に面する前記ウィンドウの表面に隣接する経路に沿って誘導される、請求項10に記載のメトロロジ装置。
【請求項12】
前記光シートは、前記ガス放電チャンバの前記内部に面する前記ウィンドウの表面の近傍にある経路に沿って誘導される、請求項10に記載のメトロロジ装置。
【請求項13】
前記光シートと前記1つ以上の粒子との前記相互作用によって生成された光を取り込むように構成された前記検出装置は、前記1つ以上の粒子から散乱又は反射された、前記光シートからの光を取り込むことを含む、請求項2に記載のメトロロジ装置。
【請求項14】
前記光シートのプローブ軸は、前記検出装置の結像面内に位置し、前記光シートの長平面は前記結像面と垂直であるか、又は前記光シートの前記長平面は、前記結像面と平行な角度と前記結像面と垂直な角度との間の角度をなすように配置される、請求項2に記載のメトロロジ装置。
【請求項15】
前記光シートのプローブ軸は、前記検出装置の結像面内に位置し、前記光シートの長平面は、前記結像面と平行である、請求項2に記載のメトロロジ装置。
【請求項16】
前記1つ以上の粒子の特性を推定するように構成された前記処理装置は、前記1つ以上の粒子の数、前記1つ以上の粒子の位置、前記1つ以上の粒子の密度、及び前記1つ以上の粒子の速度のうちの1つ以上を推定するように構成された処理装置を含む、請求項1に記載のメトロロジ装置。
【請求項17】
前記プローブ装置は、前記光学素子の前記近傍に前記プローブを生成し、前記検出装置は、前記ガス放電チャンバが増幅光ビームを生成している間に、前記検出された相互作用に基づいて前記出力信号を生成する、請求項1に記載のメトロロジ装置。
【請求項18】
前記ガス放電チャンバは、利得媒体を含むガスと、電極に電圧が印加されたときに増幅光ビームを生成するプラズマを前記利得媒体が発生させるように前記利得媒体にエネルギーを供給するための前記電極とを含む、請求項17に記載のメトロロジ装置。
【請求項19】
前記プローブ装置及び前記検出装置は、前記光学素子を保持するハウジング内に配置されるか又はハウジングに取り付けられる、請求項1に記載のメトロロジ装置。
【請求項20】
深紫外線(DUV)ガス放電光源用の装置であって、前記装置は、
メトロロジ装置であって、
ガス放電チャンバの利得媒体と流体連通する光学素子であって、1つ以上の粒子にさらされる前記光学素子の近傍にプローブを生成するように構成されたプローブ装置と、
前記プローブと前記1つ以上の粒子との相互作用を検出して、前記検出された相互作用に基づいて出力信号を生成するように構成された検出装置と、
前記出力信号を受信して前記1つ以上の粒子の特性を推定するように構成された処理装置と
を含む、前記メトロロジ装置と、
前記推定された特性を受信して、前記推定された特性に基づいて前記ガス放電光源の1つ以上の特徴を調整するように構成された作動装置と
を含む、深紫外線(DUV)ガス放電光源用の装置。
【請求項21】
前記処理装置及び前記作動装置と通信する制御装置を更に含み、前記制御装置は、前記推定された特性を分析して、前記推定された特性の前記分析に基づいて前記ガス放電チャンバの性能を分析するように構成される、請求項20に記載の装置。
【請求項22】
前記制御装置は、前記光学素子及び/又は前記ガス放電チャンバの寿命を予測するように構成される、請求項21に記載の装置。
【請求項23】
前記作動装置は、塵粒子捕捉システムの1つ以上の特徴を調整するように構成される、請求項21に記載の装置。
【請求項24】
前記粒子は、前記ガス放電チャンバ内の前記利得媒体から生成された塵粒子を含む、請求項20に記載の装置。
【請求項25】
前記利得媒体はフッ化物を含み、前記塵粒子は金属フッ化物粒子を含む、請求項24に記載の装置。
【請求項26】
前記利得媒体は、フッ化アルゴン、フッ化クリプトン、又は塩化キセノンを含む、請求項20に記載の装置。
【請求項27】
前記メトロロジ装置は、前記DUVガス放電光源のパワーリング増幅器に関連付けられ、前記光学素子は、前記パワーリング増幅器の前記ガス放電チャンバのウィンドウである、請求項20に記載の装置。
【請求項28】
前記プローブは、利得媒体と流体連通する、前記パワーリング増幅器の前記ガス放電チャンバの前記ウィンドウであって、1つ以上の粒子にさらされる前記ウィンドウの近傍に配置される、請求項27に記載の装置。
【請求項29】
前記パワーリング増幅器の前記ガス放電チャンバの前記ウィンドウは、前記パワーリング増幅器の前記ガス放電チャンバの出力側における前記ウィンドウである、請求項27に記載の装置。
【請求項30】
前記ウィンドウは、前記DUVの範囲の波長を有する光を透過させるように構成された結晶構造を含む、請求項27に記載の装置。
【請求項31】
前記ウィンドウは、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、又は融解石英を含む、請求項30に記載の装置。
【請求項32】
前記プローブ装置は、レーザ光シートを前記プローブとして生成するように構成されたレーザを含む光学アセンブリであり、前記相互作用を検出するように構成された前記検出装置は、光シートと前記1つ以上の粒子との前記相互作用によって生成された光を取り込むように構成された前記検出装置を含む、請求項20に記載の装置。
【請求項33】
前記レーザは、前記ガス放電チャンバ内の前記利得媒体から生成される光の波長と異なる波長を有する光を生成するように構成される、請求項32に記載の装置。
【請求項34】
前記検出装置は、フォトダイオード又はカメラを含む、請求項32に記載の装置。
【請求項35】
前記光シートは、エネルギーの印加中に前記利得媒体によって生成される増幅光ビームが沿って前記ガス放電チャンバを通り抜ける平面と非平行な経路に沿って誘導される、請求項32に記載の装置。
【請求項36】
前記レーザ光シートは、前記光学素子の表面に隣接する経路に沿って誘導される、請求項32に記載の装置。
【請求項37】
ガス放電チャンバの利得媒体と流体連通する光学素子であって、1つ以上の塵粒子にさらされる前記光学素子の近傍にプローブを生成することと、
前記生成されたプローブと前記1つ以上の塵粒子との相互作用を検出することと、
前記検出された相互作用に基づいて出力信号を生成することと、
前記出力信号に基づいて前記1つ以上の塵粒子の特性を推定することと
を含む、メトロロジ方法。
【請求項38】
前記プローブを生成することは、レーザ光シートを生成することを含み、前記相互作用を検出することは、光シートと前記1つ以上の塵粒子との前記相互作用によって生成された光を取り込むことを含む、請求項37に記載のメトロロジ方法。
【請求項39】
前記レーザ光シートは、前記ガス放電チャンバ内の前記利得媒体から生成される光の波長と異なる波長を有する、請求項38に記載のメトロロジ方法。
【請求項40】
前記光シートと前記1つ以上の塵粒子との前記相互作用によって生成された前記光を取り込むことは、前記1つ以上の塵粒子から散乱又は反射された、前記レーザ光シートからの光を取り込むことを含む、請求項38に記載のメトロロジ方法。
【請求項41】
前記1つ以上の塵粒子から散乱又は反射された、前記レーザ光シートからの前記光を取り込むことは、露出面に電位差を発生させること又は露出面に2次元画像を発生させることを含み、前記露出面は、前記レーザ光シートからの散乱光又は反射光を受光する、請求項40に記載のメトロロジ方法。
【請求項42】
前記レーザ光シートを生成することは、エネルギーの印加中に前記利得媒体によって生成される増幅光ビームが沿って前記ガス放電チャンバを通り抜ける平面と非平行な経路に沿って前記レーザ光シートを誘導することを含む、請求項38に記載のメトロロジ方法。
【請求項43】
前記経路に沿って前記レーザ光シートを誘導することは、前記光学素子の表面に隣接する経路に沿って前記レーザ光シートを誘導することを含む、請求項42に記載のメトロロジ方法。
【請求項44】
前記1つ以上の塵粒子の前記特性を推定することは、前記1つ以上の塵粒子の数、前記1つ以上の塵粒子の位置、前記1つ以上の塵粒子の密度、及び前記1つ以上の塵粒子の速度のうちの1つ以上を推定することを含む、請求項37に記載のメトロロジ方法。
【請求項45】
前記光学素子の前記近傍に前記プローブを生成することと、前記検出された相互作用に基づいて前記出力信号を生成することは、前記ガス放電チャンバが増幅光ビームを生成している間に行われる、請求項37に記載のメトロロジ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、2021年11月29日に出願された、「METROLOGY APPARATUS AND METHOD」という名称の米国特許出願第63/283,773号の優先権を主張するものであり、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【0002】
[0002] 本開示の主題は、深紫外線光源のガス放電チャンバ内の塵粒子の1つ以上の特性を推定するためのメトロロジ装置に関する。
【背景技術】
【0003】
[0003] フォトリソグラフィで使用されるガス放電光源の一種は、エキシマ光源、すなわちエキシマレーザと称される。典型的には、エキシマレーザは、アルゴン、クリプトン、又はキセノンを含み得る、1種以上の希ガスと、フッ素又は塩素を含み得る、反応性ガスとの組み合わせを使用する。エキシマレーザは、電気的シミュレーション(エネルギー供給されている)と(混合ガスの)高圧との適切な条件下でエキシマ、すなわち擬似分子を形成することができ、エキシマは、エネルギーを与えられた状態でのみ存在する。エネルギーを与えられた状態のエキシマは、紫外線範囲の増幅光を生じさせる。エキシマ光源は、単一のガス放電チャンバ又は多数のガス放電チャンバを使用することができる。エキシマ光源が動作しているときに、エキシマ光源は、深紫外(DUV)光ビームを生成する。DUV光は、例えば、約100ナノメートル(nm)~約400nmの波長を含むことができる。
【0004】
[0004] DUV光ビームは、シリコンウェーハなどの基板のターゲット部分上に所望のパターンを施す機械である、フォトリソグラフィ露光装置又はスキャナへ誘導することができる。DUV光ビームは、投影光学システムと相互作用し、この投影光学システムは、マスクを通してウェーハのフォトレジスト上にDUV光ビームを投影する。このように、チップ設計の1つ以上の層がフォトレジスト上にパターニングされ、その後、パターン付きウェーハが、例えば、注入又はエッチングなどによって処理されることがある。
【発明の概要】
【0005】
[0005] いくつかの一般的な態様では、メトロロジ装置は、ガス放電チャンバの利得媒体と流体連通する光学素子であって、1つ以上の粒子(塵粒子など)にさらされる光学素子の近傍にプローブを生成するように構成されたプローブ装置と、プローブと1つ以上の粒子との相互作用を検出して、検出された相互作用に基づいて出力信号を生成するように構成された検出装置と、出力信号を受信して1つ以上の粒子の特性を推定するように構成された処理装置とを含む。
【0006】
[0006] 実施態様は、以下の特徴の1つ以上を含むことができる。例えば、プローブ装置は、光学アセンブリとすることができ、プローブは、光シートとすることができる。検出装置は、光シートと1つ以上の粒子との相互作用によって生成された光を取り込むことによって相互作用を検出するように構成することができる。光学アセンブリは、レーザ光シートを光シートとして生成するように構成されたレーザを含むことができる。レーザは、ガス放電チャンバ内の利得媒体から生成される光の波長と異なる波長を有する光を生成するように構成することができる。検出装置は、フォトダイオード又はカメラを含むことができる。フォトダイオード又はカメラの結像面は、光シートの広がりが観察可能及び結像可能となるように光シートに面することができる。フォトダイオード又はカメラの結像面は、ガス放電チャンバの内部に面する光学素子の表面に面することができる。光シートのプローブ軸は、フォトダイオード若しくはカメラの結像面内に位置することができ、光シートの長平面は、フォトダイオード若しくはカメラの結像面と平行とすることができるか、光シートの長平面は、フォトダイオード若しくはカメラの結像面と垂直とすることができるか、又は光シートの長平面は、フォトダイオード若しくはカメラの結像面と平行な角度と結像面と垂直な角度との間の角度をなすように配置することができる。
【0007】
[0007] 光シートは、エネルギーの印加中に利得媒体によって生成される増幅光ビームが沿ってガス放電チャンバを通り抜ける平面と非平行な経路に沿って誘導することができる。光シートは、光学素子の表面に隣接する経路に沿って誘導することができる。光学素子は、気密制御され、利得媒体で満たされたガス放電チャンバの内部とガス放電チャンバの外部との間で増幅光ビームを通過させるように構成されたガス放電チャンバのウィンドウとすることができる。光シートは、ガス放電チャンバの内部に面するウィンドウの表面に隣接する経路に沿って誘導することができる。光シートは、ガス放電チャンバの内部に面するウィンドウの表面の近傍にある経路に沿って誘導することができる。検出装置は、1つ以上の粒子から散乱又は反射された、光シートからの光を取り込むように構成することができる。
【0008】
[0008] 処理装置は、1つ以上の粒子の数、1つ以上の粒子の位置、1つ以上の粒子の密度、及び1つ以上の粒子の速度のうちの1つ以上を推定することによって1つ以上の粒子の特性を推定するように構成することができる。プローブ装置は、光学素子の近傍にプローブを生成することができ、検出装置は、ガス放電チャンバが増幅光ビームを生成している間に、検出された相互作用に基づいて出力信号を生成することができる。ガス放電チャンバは、利得媒体を含むガスと、電極に電圧が印加されたときに増幅光ビームを生成するプラズマを利得媒体が発生させるように利得媒体にエネルギーを供給するための電極とを含むことができる。
【0009】
[0009] プローブ装置及び検出装置は、光学素子を保持するハウジングに対して配置する(例えばハウジング内に配置する又はハウジングに取り付ける)ことができる。
【0010】
[0010] 他の一般的な態様では、深紫外線(DUV)ガス放電光源用の装置は、メトロロジ装置と作動装置とを含む。メトロロジ装置は、ガス放電チャンバの利得媒体と流体連通する光学素子であって、1つ以上の粒子にさらされる光学素子の近傍にプローブを生成するように構成されたプローブ装置と、プローブと1つ以上の粒子との相互作用を検出して、検出された相互作用に基づいて出力信号を生成するように構成された検出装置と、出力信号を受信して1つ以上の粒子の特性を推定するように構成された処理装置とを含む。作動装置は、推定された特性を受信して、推定された特性に基づいてガス放電光源の1つ以上の特徴を調整するように構成される。
【0011】
[0011] 実施態様は、以下の特徴の1つ以上を含むことができる。例えば、装置は、処理装置及び作動装置と通信する制御装置を含むことができる。制御装置は、推定された特性を分析して、推定された特性の分析に基づいてガス放電チャンバの性能を分析するように構成することができる。制御装置は、光学素子及び/又はガス放電チャンバの寿命を予測するように構成することができる。作動装置は、塵粒子捕捉システムの1つ以上の特徴を調整するように構成することができる。
【0012】
[0012] 粒子は、ガス放電チャンバ内の利得媒体から生成された塵粒子を含むことができる。利得媒体はフッ化物を含むことができ、塵粒子は金属フッ化物粒子を含むことができる。利得媒体は、フッ化アルゴン、フッ化クリプトン、又は塩化キセノンを含み得る。
【0013】
[0013] メトロロジ装置は、DUVガス放電光源のパワーリング増幅器に関連付けることができ、光学素子は、パワーリング増幅器のガス放電チャンバのウィンドウとすることができる。プローブは、利得媒体と流体連通する、パワーリング増幅器のガス放電チャンバのウィンドウであって、1つ以上の粒子にさらされるウィンドウの近傍に配置することができる。パワーリング増幅器のガス放電チャンバのウィンドウは、パワーリング増幅器のガス放電チャンバの出力側におけるウィンドウとすることができる。ウィンドウは、DUV範囲の波長を有する光を透過させるように構成された結晶構造で作ることができる。ウィンドウは、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、又は融解石英で作ることができる。
【0014】
[0014] プローブ装置は、レーザ光シートをプローブとして生成するように構成されたレーザを含む光学アセンブリとすることができる。検出装置は、光シートと1つ以上の粒子との相互作用によって生成された光を取り込むことによって相互作用を検出するように構成することができる。レーザは、ガス放電チャンバ内の利得媒体から生成される光の波長と異なる波長を有する光を生成するように構成することができる。検出装置は、フォトダイオード又はカメラを含むことができる。光シートは、エネルギーの印加中に利得媒体によって生成される増幅光ビームが沿ってガス放電チャンバを通り抜ける平面と非平行な経路に沿って誘導することができる。光シートは、光学素子の表面に隣接する経路に沿って誘導することができる。
【0015】
[0015] 他の一般的な態様では、メトロロジ方法は、ガス放電チャンバの利得媒体と流体連通する光学素子であって、1つ以上の塵粒子にさらされる光学素子の近傍にプローブを生成することと、生成されたプローブと1つ以上の塵粒子との相互作用を検出することと、検出された相互作用に基づいて出力信号を生成することと、出力信号に基づいて1つ以上の塵粒子の特性を推定することとを含む。
【0016】
[0016] 実施態様は、以下の特徴の1つ以上を含むことができる。例えば、プローブは、レーザ光シートを生成することによって生成することができ、相互作用は、光シートと1つ以上の塵粒子との相互作用によって生成された光を取り込むことによって検出することができる。レーザ光シートは、ガス放電チャンバ内の利得媒体から生成される光の波長と異なる波長を有することができる。光シートと1つ以上の塵粒子との相互作用によって生成される光は、1つ以上の塵粒子から散乱又は反射された、レーザ光シートからの光を取り込むことによって取り込むことができる。1つ以上の塵粒子から散乱又は反射された、レーザ光シートからの光は、露出面に電位差を発生させるか又は露出面に2次元画像を発生させることによって取り込むことができ、露出面は、レーザ光シートからの散乱光又は反射光を受光する。レーザ光シートは、エネルギーの印加中に利得媒体によって生成される増幅光ビームが沿ってガス放電チャンバを通り抜ける平面と非平行な経路に沿ってレーザ光シートを誘導することによって生成することができる。レーザ光シートは、光学素子の表面に隣接する経路に沿ってレーザ光シートを誘導することによって経路に沿って誘導することができる。
【0017】
[0017] 1つ以上の塵粒子の特性は、1つ以上の塵粒子の数、1つ以上の塵粒子の位置、1つ以上の塵粒子の密度、及び1つ以上の塵粒子の速度のうちの1つ以上を推定することによって推定することができる。プローブは、光学素子の近傍に生成することができ、出力信号は、ガス放電チャンバが増幅光ビームを生成している間に、検出された相互作用に基づいて生成することができる。
【図面の簡単な説明】
【0018】
図1】[0018]ガス放電チャンバのキャビティ内の光学素子の近傍にある1つ以上の粒子の特性を推定するように光源のガス放電チャンバに対して配置されたメトロロジ装置のブロック図である。
図2A】[0019]図1のメトロロジ装置の光シートを含むプローブ装置及び検出装置の実施態様の概略図である。
図2B】[0020]光シートと検出装置の結像面との相対配置の実施態様を示す概略図である。
図2C】[0021]光シートと検出装置の結像面との相対配置の別の実施態様を示す概略図である。
図3A】[0022]光シートをプローブとして生成するプローブ装置及び光学素子に対して配置された検出装置の実施態様の概略図である。
図3B】[0023]図3Aの検出装置の実施態様のカメラのセンサの概略図である。
図4】[0024]深紫外線(DUV)光源の一部としての図1のガス放電チャンバ及びメトロロジ装置の実施態様のブロック図である。
図5】[0025]図1のメトロロジ装置の処理装置の実施態様のブロック図である。
図6】[0026]図4のDUV光源の実施態様である2ステージ光源のブロック図である。
図7】[0027]メトロロジ装置が、パワー増幅器ガス放電チャンバのウィンドウに対して配置され、プローブが、作動光ビームと非平行なプローブ軸に沿って進む光シートである、図6の2ステージ光源のパワー増幅器ガス放電チャンバの実施態様の断面図である。
図8A】[0028]プローブ光シートのプローブ軸に沿った図7のパワー増幅器ガス放電チャンバのウィンドウの拡大詳細断面図である。
図8B】[0029]8B-8B平面に沿った図8Aのウィンドウの断面図の拡大詳細図である。
図9A】[0030]プローブ光シートのプローブ軸に沿って撮影され、プローブ光シートの別の可能な位置を示す、図7のパワー増幅器ガス放電チャンバのウィンドウの拡大詳細断面図である。
図9B】[0031]プローブ光シートのプローブ軸に沿って撮影され、プローブ光シートの別の可能な位置を示す、図7のパワー増幅器ガス放電チャンバのウィンドウの拡大詳細断面図である。
図10A】[0032]光シートをプローブとして生成するプローブ装置及び結像面が図3Aの検出装置の結像面と異なるように光学素子に対して配置された検出装置の実施態様の概略図である。
図10B】[0033]図10Aの検出装置の実施態様のカメラのセンサの概略図である。
図11】[0034]メトロロジ装置によって実施される手順のフローチャートである。
図12】[0035]図3A及び図3Bの検出装置のカメラで取り込まれる画像の一例である。
図13】[0036]図3A及び図3Bの検出装置のカメラで取り込まれる合成画像であって、塵粒子の流路又は軌道を経時的に示す合成画像の一例である。
図14A】[0037]時刻T1に撮影された、図3A及び図3Bの検出装置のカメラで取り込まれる画像の一例である。
図14B】[0038]時刻T1後の時刻T2に撮影され、時刻T1に取り込まれた関心領域を示す、図3A及び図3Bの検出装置のカメラで取り込まれる画像の一例である。
図14C】[0039]時刻T2後の時刻T3に撮影され、時刻T2及びT1に取り込まれた関心領域を示す、図3A及び図3Bの検出装置のカメラで取り込まれる画像の一例である。
【発明を実施するための形態】
【0019】
[0040] 図1を参照すると、メトロロジ装置100は、ガス放電チャンバ110のキャビティ105に対して配置される。メトロロジ装置100は、ガス放電チャンバ110のキャビティ105内の光学素子120の近傍を流れる1つ以上の粒子(例えば塵粒子であり得る)の特性を推定するように構成される。例えば、メトロロジ装置100は、これらの塵粒子115の1つ以上を検出及び/又は追跡することができる。光学素子120は、ガス放電チャンバ110のキャビティ105と流体連通する表面であって、したがって塵粒子115にさらされるようになり得る表面を含む素子である。光学素子120は、ガス放電チャンバ110によって生成された増幅光ビーム127又は(例えば、ガス放電チャンバ110の他のコンポーネント又は素子と相互作用した後に)増幅光ビーム127になる前駆光ビームの何れか一方である光ビーム127pと光学的に相互作用する素子である。例えば、光学素子120は、ガス放電チャンバ110のウィンドウ又は様々なメトロロジ動作で使用される光学素子とすることができる。メトロロジ装置100は、ガス放電チャンバ110が、例えば以下の図4に示す、出力装置によって使用される増幅光ビーム127を生成する(又は生成している)間に、1つ以上の粒子115の特性を推定することができる。したがって、メトロロジ装置100は、リアルタイムで動作し、メトロロジ装置100の動作によって、ガス放電チャンバ110(又は、例えば図4に示す、ガス放電チャンバ110が内部で使用される光源)の動作に混乱が生じることはない。
【0020】
[0041] ガス放電チャンバ110の動作中に、(光共振器内に配置された)利得媒体130は、光増幅をもたらすプラズマを作り出す、エネルギー源125(1対の電極など)からの高電圧放電における短い(例えば、ナノ秒)電流パルスで励起され、紫外線範囲(例えば、深紫外線又はDUV範囲)の波長を有する増幅光ビーム127が生成され、ガス放電チャンバ110から出力される。利得媒体130は、通常、バッファガスの他に、希ガス(アルゴン、クリプトン、キセノンなど)とハロゲン(フッ素、塩素など)とを含む混合ガスである。したがって、例えば、利得媒体130は、フッ化アルゴン(ArF)、フッ化クリプトン(KrF)、又は塩化キセノン(XeCl)を含むことができる。利得媒体130がフッ化アルゴン(ArF)を含む場合、増幅光ビーム127の波長は、約193nmである。電極125は通常動作中に腐食し、かかる腐食によって、金属フッ化物(又は塩化物がハロゲンである場合には金属塩化物)粒子が発生する可能性がある。腐食に起因して生成されるそのような粒子は、本明細書では塵粒子115と呼ばれるが、代替的に、単に粒子として説明することもできる。
【0021】
[0042] 典型的には、これらの塵粒子115は、ガス放電チャンバ110に塵粒子捕捉システム135が取り付けられているため、光学素子120に近づくことはない。塵粒子捕捉システム135は、塵粒子115が光学素子120に接触する可能性を防止又は低減するために、パージガスを経路に沿って光学素子120に対して押し出すように構成された洗浄パージガスを提供する。例えば、塵粒子捕捉システム135は、機械的メッシュ及び静電力を使用して金属フッ化物粒子又は他の粒子を捕捉できる、金属フッ化物トラップ(MFT)とすることができる。いくつかの実施態様では、ガス放電利得媒体の一部がMFTを通過すると、汚染されたガス放電利得媒体中の金属フッ化物塵埃が捕捉フィルタに吸着され、いかなる残留粒子も電気集塵機によって収集される。例えば、特定のMFTが、参照により全体が本明細書に組み込まれる、2001年5月29日に発行された米国特許第6,240,117号及び2010年10月26日に発行された米国特許第7,819,945号において既に説明されている。
【0022】
[0043] それにもかかわらず、塵粒子捕捉システム135を用いても、塵粒子115がなお光学素子120に接近する(及び汚染する)可能性のある特定の状況が存在する。例えば、ガス再充填手順(利得媒体130が交換又は再充填される)中に汚染が発生する可能性がある。別の例として、汚染は、塵粒子捕捉システム135が漏出させているか又は(塵粒子115で)満たされている場合に、ガス放電チャンバ110の通常動作中に発生する可能性がある。相当数の塵粒子115が光学素子120上に堆積した場合、光学素子120に損傷が生じる可能性がある。光学素子120は光ビーム127と相互作用するため、光学素子120の表面121上の塵粒子115(塵粒子115sなど)も光ビーム127からエネルギーを吸収し、これによって、光学素子120の表面における塵粒子115sが熱くなり、光学素子の表面に溶着する可能性がある。光学素子120の表面121への損傷は、特にガス放電チャンバ110の寿命を延長させるとともに増幅光ビーム127のエネルギーを増加させる必要がある場合に、重大な問題になる可能性がある。
【0023】
[0044] メトロロジ装置100は、光学素子120付近を流れるこれらの塵粒子115/115sを追跡及び/又は検出することができる。メトロロジ装置100によって得られる、塵粒子115/115sに関する情報は、ガス放電チャンバ110に関する性能上の問題が、塵粒子115/115sで光学素子120が汚染されたことに起因するかどうかを判定するために使用することができる。更に、メトロロジ装置100は、これらの塵粒子115/115sの追跡及び/又は検出を可能にするとともに、ガス放電チャンバ110の動作の停止を必要とせずに、ガス放電チャンバ110の分解を必要とせずに、また、光学素子120をキャビティ105から取り外して光学素子120を直接検査する必要なしに、ガス放電チャンバ110の性能に関する判定を可能にする。
【0024】
[0045] メトロロジ装置100は、プローブ装置102と、検出装置106と、処理装置108とを含む。プローブ装置102は、光学素子120の近傍にプローブ104を生成するように構成される。プローブ104が、光学素子120に隣接して若しくはその近傍に位置するか、又は光学素子120の動作に影響を及ぼす塵粒子115の特性を推定することが可能となるのに十分に光学素子120に近接している場合、プローブ104は、光学素子120の近傍にある。更に、塵粒子115がプローブ104と光学素子120との間を移動するための通路があり、塵粒子115とプローブ104との間に障害物がない場合、プローブ104は、光学素子120の近傍にある。プローブ104は、プローブ104によって阻止される塵粒子115と相互作用する。検出装置106は、プローブ104と1つ以上の塵粒子115とのこの相互作用を検出するように構成される。検出装置106は、この検出された相互作用に基づいて出力信号107を生成する。処理装置108は、出力信号107を受信して1つ以上の塵粒子115の特性を推定するように構成される。
【0025】
[0046] 図2Aを参照すると、プローブ装置102の実施態様202は、光シート204をプローブ104として生成する。プローブ装置202は、光ビームを生成するように構成された光源212を含む光学アセンブリであり、この光ビームは、光ビームを光シート204内に誘導し整形する光学コンポーネント216によって光学的に修正される。ある特定の例では、光源212は、He-Neレーザ、Nd/YAGレーザなどのレーザ、又は光ビーム127の波長と異なる波長を有する任意のレーザ若しくはレーザ源である。光源212の出力は、光ビーム又はレーザビームであり、レーザビームは、光ファイバ213を通して光学コンポーネント216に向けて誘導することができ、光学コンポーネント216は、光学素子220に向かう経路に沿って位置決め又は配置される。光学コンポーネント216は、光ビームの方向を変える1つ以上のミラーと、光ビームが通過する1つ以上のウィンドウとを含むことができる。光学コンポーネント216を図1のガス放電チャンバ110に気密封着するために、光学コンポーネント216(ウィンドウなど)の1つ以上を使用することができる。又は、光学コンポーネント216は、ガス放電チャンバ110に気密封着されるハウジング240内に取り付けることができる。このように、光源212からの光ビームは、キャビティ105の外側で作り出し、次いで、流体接続された領域内又はキャビティ105の内側に光学コンポーネント216を介して搬送することができる。追加的に、光学素子220は、光学素子220が利得媒体130にさらされるように、ガス放電チャンバ110に気密封着されるハウジング240内に取り付けることができる。この場合、光学コンポーネント216のウィンドウは、ハウジング240を気密封止することができる。光学コンポーネント216はまた、第2の横断方向に沿った広がりよりもはるかに大きい第1の横断方向に沿った広がりを有する光シート204に光ビームを変換するシリンドリカルレンズを含み、横断方向は、光シート204が沿って進む方向に垂直である。光学コンポーネント216のウィンドウは、CaFで作ることができる。このように、プローブ装置202は、光学素子220のハウジング240内に後付けされる。
【0026】
[0047] 光シート204は、プローブ軸Aによって画定された経路に沿って誘導される。プローブ軸Aは、光ビーム127が沿ってガス放電チャンバ110を通り抜ける平面又は経路と非平行でなければならない。このように、光シート204は、光ビーム127がガス放電チャンバ110を通る際に取る経路と同じ経路を辿ることができないので、光ビーム127と干渉しない。例えば、光ビーム127は、チャンバ110のXY平面に沿って進み、プローブ軸Aは、概ねZ軸と一直線上にある。図示の実施態様では、光シート204は、ガス放電チャンバ110のキャビティ105と流体連通する光学素子220の表面221に隣接する経路に沿って誘導される。
【0027】
[0048] 図2Aには、検出装置106の実施態様206が示されている。検出装置206は、光シート204と1つ以上の塵粒子115との相互作用によって生成された光242を検出するように構成される。光242は、塵粒子115によって散乱、反射、又は偏向され、検出装置206の視野に沿って誘導される、光シート204からの光とすることができる。検出装置206は、フォトダイオード又はカメラを含むことができる。フォトダイオードは、光242の強度を測定し、この光エネルギーを電流に変換する。
【0028】
[0049] その一方で、図3A及び図3Bを参照すると、カメラのセンサ244は、光シート204に面する視野の2次元視覚画像246を取り込み、したがって、センサ244のXY平面内の塵粒子115を2次元で可視化することができる。特に、塵粒子115は、画像246内の他の画素に対する形状248の下にある画素の強度変化に対応する形状(又は関心領域)248として画像内に現れる。
【0029】
[0050] ここで図2B及び図2Cに戻ると、何れのシナリオ(検出装置206がフォトダイオード又はカメラを含む)でも、かかるフォトダイオード又はカメラの結像面IP244は、光シート204に面する必要がある。特に、フォトダイオード又はカメラの結像面IP244は、光シート204の横断面TP204と垂直とすることができ、光シート204の横断面TP204は、プローブ軸Aに垂直な光シート204の平面である。したがって、いくつかの実施態様では、フォトダイオード又はカメラの結像面IP244は、プローブ軸Aと平行であり、プローブ軸Aは、フォトダイオード又はカメラの結像面IP244内に位置する。光シート204が、光シート204の横断面TP204と垂直な長平面LP204によって画定される長い広がりを有する場合、フォトダイオード又はカメラの結像面IP244は、図2Bに示すように、光シート204の長平面LP204と平行とすることができ、又は図2Cに示し、図10Aにも示すように、光シート204の長平面LP204と垂直とすることができ、又はこれら2つの両極端の間の任意の方向に沿ったものとすることができる。
【0030】
[0051] 図4を参照すると、ガス放電チャンバ110の実施態様410が、深紫外線(DUV)ガス放電光源450の一部として示されており、ガス放電チャンバ410は、(増幅光ビーム127に対応する)増幅光ビーム427を生成する。光源450は、図4には図示しない他の装置及び光学素子を含むことができる。例えば、図6には、2ステージ光源450の実施態様650が示されている。更に、光源450は、フォトリソグラフィ露光装置とすることができる、出力装置455によって使用される作動光ビーム451を出力する。作動光ビーム451は、光源450内のガス放電チャンバ410の位置に応じて、増幅光ビーム427に対応することができる。又は、増幅光ビーム427は、出力装置455によって使用される作動光ビーム451を形成する前に、光源450内の他の光学装置及び素子を通して誘導することができる。メトロロジ装置100は、作動装置452と通信し、この作動装置452は、ガス放電チャンバ410のキャビティ405内の光学素子420の近傍を流れる1つ以上の粒子115に関する推定された特性453を受信する。作動装置452は、推定された特性453に基づいてDUVガス放電光源450の1つ以上の特徴を調整するように構成される。例えば、作動装置452は、塵粒子捕捉システム435の1つ以上の特徴を調整するように構成することができる。
【0031】
[0052] 追加的に、制御装置454は、メトロロジ装置100(具体的には処理装置108)及び作動装置452と通信することができる。制御装置454は、処理装置108と比較して光源450の動作に関する多くの情報を知ることができる。このように、制御装置454は、推定された特性453(メトロロジ装置100の処理装置108からの出力)を分析し、推定された特性453に基づいてガス放電チャンバ410及び/又は光源450の性能を更に分析することができる。例えば、制御装置454は、光学素子420及び/又はガス放電チャンバ410の寿命を予測するように構成することができる。
【0032】
[0053] 図5を参照すると、処理装置108の実施態様508が示されている。処理装置508は、検出装置106から出力信号107を受信するように構成された信号処理モジュール522を含む。
【0033】
[0054] 出力信号107が検出装置206のセンサ244によって提供される場合、信号処理モジュール522は、検出装置206から2次元表示(画像)を受信し、画像に対する処理を実施する。この目的で、信号処理モジュール522は、画像についての様々なタイプの分析を実施するように構成された様々なサブモジュールを含むことができる。例えば、信号処理モジュール522は、検出装置206から画像を受信して、そのデータを処理に適した形式に変換する入力サブモジュールを含むことができる。信号処理モジュール522は、検出装置206からの画像を使えるようにする(例えば、背景ノイズを除去する、画像をフィルタリングする、及び利得補償する)前処理サブモジュールを含むことができる。信号処理モジュール522は、画像内の1つ以上の関心領域(ROI)の識別などの、画像データの処理を行う画像サブモジュールを含むことができ、各ROIは、塵粒子115の位置に対応する形状248の1つである。画像サブモジュールはまた、例えば、画像内の各ROIの面積及び各ROIの重心などの各ROIの特性を算出することもできる。分析信号処理モジュール522は、算出されたデータ(ROIの面積及び重心など)を出力用に準備する出力サブモジュールを含むことができる。
【0034】
[0055] 検出装置106がフォトダイオードを含む場合、出力信号107は、フォトダイオードによって提供され、出力信号107は、検出装置106のフォトダイオードにおいて検出された光から生成される電流に関する電圧信号である。概して、信号処理モジュール522は、フォトダイオードからの出力信号107を分析する。例えば、信号処理モジュール522は、各塵粒子115がプローブ光シート204とどのように相互作用するかに対応するタイムスタンプの一セットを分析することができ、出力信号107の振幅が閾値よりも大きいかどうかを判定することができ、閾値よりも大きい出力信号107の大きさ(領域など)を特定することができ、及び/又は出力信号107が閾値を横切る開始時間と終了時間を調べることができる。
【0035】
[0056] 処理装置508はまた、1つ以上のプログラマブルプロセッサ523と、プログラマブルプロセッサによる実行のために機械可読記憶デバイス内に有形に具現化された1つ以上のコンピュータプログラム524とを含む又は有することができる。1つ以上のプログラマブルプロセッサ523は各々、入力データに基づいて動作して適切な出力を生成することによって所望の機能を果たす命令のプログラムを実行することができる。概して、プロセッサ523は、メモリ526から命令及びデータを受信する。メモリ526は、読み出し専用メモリ及び/又はランダムアクセスメモリとすることができる。コンピュータプログラム命令及びデータを有形に具現化するのに好適な記憶デバイスは、例として、EPROM、EEPROM、及びフラッシュメモリデバイスなどの、半導体メモリデバイス、内蔵ハードディスク及びリムーバブルディスクなどの磁気ディスク、光磁気ディスク、及びCD-ROMディスクを含む、あらゆる形の不揮発性メモリを含む。前述の何れかは、特別に設計されたASIC(特定用途向け集積回路)によって補われるか、又はASICに組み込まれることがある。処理装置508はまた、1つ以上の入力デバイス528(例えば、キーボード、タッチスクリーン、マイクロフォン、マウス、ハンドヘルド入力デバイスなど)と、1つ以上の出力デバイス529(例えば、スピーカ又はモニタ)とを含むことができる。
【0036】
[0057] 追加的に、メトロロジ装置100が作動装置452と通信する場合(図4)、処理装置508は、DUV光源450と通信する作動装置452と通信する作動モジュール514も含む。作動モジュール514は、(図5に示すように)処理装置508内に位置することができ、又は作動装置452に組み込むことができる。
【0037】
[0058] 処理装置508内のモジュール(信号処理モジュール522及び作動モジュール514など)は各々、それら自体のデジタル電子回路、コンピュータハードウェア、ファームウェア、及びソフトウェア、並びに専用メモリ、入出力デバイス、プログラマブルプロセッサ、及びコンピュータプログラムを含む。同様に、モジュール522、514のうちの任意の1つ以上は、メモリ526、1つ以上の入力デバイス528、1つ以上の出力デバイス529、1つ以上のプログラマブルプロセッサ523、及び1つ以上のコンピュータプログラム524にアクセスしてこれらを使用することができる。
【0038】
[0059] 処理装置508は、別個の完全なユニットとして示されているが、処理装置508のコンポーネント及びモジュールの各々が別個のユニットであることも可能である。また、処理装置508は、図5には図示しない、専用メモリ、入出力デバイス、プロセッサ、コンピュータプログラムなどの、他のコンポーネントを含むことができる。又は、処理装置508を制御装置454と一体化することができる。
【0039】
[0060] 図6を参照すると、上述したように、光源450は、2ステージ光源650とすることができる。光源650は、その第1のステージとしての主発振器660Aと、第2のステージとしてのパワー増幅器660Bとを含む。主発振器660Aは、主発振器ガス放電チャンバ610Aを含み、パワー増幅器660Bは、パワー増幅器ガス放電チャンバ610Bを含む。主発振器ガス放電チャンバ610Aは、チャンバ610A内の利得媒体630Aにパルスエネルギー源を提供する2つの細長い電極625Aをエネルギー源として含む。パワー増幅器ガス放電チャンバ610Bは、チャンバ610B内の利得媒体630Bにパルスエネルギー源を提供する2つの細長い電極625Bをエネルギー源として含む。
【0040】
[0061] 主発振器660Aは、パルス増幅光ビーム(シード光ビームと呼ばれる)661をパワー増幅器660Bに提供する。主発振器ガス放電チャンバ610Aは、増幅が起こる利得媒体630Aを収容し、主発振器660Aは、光共振器などの光フィードバック機構を含む。光共振器は、主発振器ガス放電チャンバ610Aの一方側の分光光学システム662Aと、主発振器ガス放電チャンバ610Aの第2の側の出力カプラ663Aとの間に形成される。パワー増幅器ガス放電チャンバ610Bは、主発振器660Aからのシード光ビーム661でシーディングされたときに増幅が起こる利得媒体630Bを収容する。パワー増幅器660Bは、再生リング共振器として設計されている場合、パワーリング増幅器として説明されるが、この場合、十分な光フィードバックをリング設計から提供することができる。パワー増幅器660Bはまた、(リング増幅器への入力がリング増幅器から出る出力と交差する)循環及びループ経路を形成するために、(例えば反射によって)パワー増幅器ガス放電チャンバ610B内に戻るように光ビームを返すビームリターン(リフレクタなど)662Bと、シード光ビーム661を入力し、増幅光ビーム667を出力するための出力カプラ663Bも含む。出力装置に供給される作動光ビーム651は、パワー増幅器660Bから出力され、また、ビーム誘導及び再誘導並びにパルス伸長光学系などの他の光学コンポーネント664によって追加的に修正される増幅光ビーム667に対応することができる。
【0041】
[0062] それぞれの放電チャンバ610A、610B内で使用される利得媒体630A、630Bは、所要の波長、帯域幅及びエネルギー付近の増幅光ビームを生成するために適切なガスの組み合わせとすることができる。例えば、上述のように、利得媒体630A、630Bは、約193nmの波長で光を放出する、フッ化アルゴン(ArF)、又は約248nmの波長で光を放出する、フッ化クリプトン(KrF)を含むことができる。
【0042】
[0063] 上で述べたように、メトロロジ装置100は、ガス放電チャンバ110に関連付けることができる。光源650において、メトロロジ装置100の実施態様600をガス放電チャンバ610A、610Bの何れか一方又は両方に関連付けることができる。特定の一実施態様では、図6に示し、図7図8Bに詳細に示すように、メトロロジ装置600は、パワー増幅器ガス放電チャンバ610Bに関連付けられ、具体的には、チャンバ610Bの入出力側に配置されたウィンドウ620oBの形態の光学素子に関連付けられる。他の実施態様では、メトロロジ装置600は、他の位置におけるウィンドウに関連付けられ、又はメトロロジ装置の追加の例は、光源650内の他の位置における追加のウィンドウに関連付けられる。例えば、メトロロジ装置600は、パワー増幅器放電チャンバ610Bの他方側に配置されたウィンドウ620rB、主発振器放電チャンバ610Aの出力側として配置されたウィンドウ620oA、又は分光光学システム662Aに面する主発振器放電チャンバ610Aの側に配置されたウィンドウ620rAに関連付けることができる。ウィンドウ620oA、620rA、620oB、620rBはそれぞれ、利得媒体630A、630Bに適合する材料で作られる。追加的に、ウィンドウ620oA、620rA、620oB、620rBは、利得媒体630A、630Bによって生成される光を透過させることができる材料で作られる。したがって、この例では、生成される光がDUV範囲にあるので、ウィンドウ620oA、620rA、620oB、620rBは、DUV範囲の波長を有する光を透過させなければならない。いくつかの実施態様では、ウィンドウ620oA、620rA、620oB、620rBは、結晶構造で作られる。例えば、ウィンドウ620oA、620rA、620oB、620rBは、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、又は融解石英で作ることができる。
【0043】
[0064] 図7図8Bを参照すると、メトロロジ装置600は、パワー増幅器ガス放電チャンバ610Bに、具体的にはチャンバ610Bの入出力側に配置されたウィンドウ620oBに関連付けられる。ウィンドウ620oBは、チャンバ610Bの壁666Bに及びウィンドウハウジング640内に固定される。ウィンドウハウジング640は、2つの機能を果たす。すなわち、ウィンドウハウジング640は、ウィンドウ620oBを適所に固定し、ウィンドウハウジング640は、ガス放電チャンバ610Bが、気密封止された状態を維持し、利得媒体630Bを保持するように、ウィンドウ620oBを壁666Bに気密封着する。ウィンドウ620oBは、チャンバ610Bのキャビティ605B内へシード光ビーム661を通過させるように構成され、また、出力された増幅光ビーム667を通過させるように構成される。
【0044】
[0065] 図8A及び図8Bには、ウィンドウハウジング640及びウィンドウ620oBの配置が更に詳細に示されている。この実施態様では、プローブは、チャンバ610Bのキャビティ605Bに面するウィンドウ620oBの表面621oBに隣接する経路に沿って誘導される光シート604である。ハウジング640は、チャンバ610Bのキャビティ605Bと流体連通する収容キャビティ640cを含む。その上、ウィンドウ620oBの反対側にあるハウジング640の通路668内に光路が画定される。通路668は、光ビーム661、667がウィンドウ620oBを通ってチャンバ610Bのキャビティ605Bに出入りすることを可能にする。光ビーム661、667は概して、パワー増幅器ガス放電チャンバ610BのXY平面内を進む。このことは、概して光ビーム661、667がチャンバ610BのZ軸に沿って移動するように構成されないことを意味する。上述したように、メトロロジ装置600は、ガス放電チャンバ610Bが増幅光ビーム667を生成している間に動作し、したがって、光シート604は、光ビーム661、667がウィンドウ620oBを通過すると同時に光シート604がウィンドウ620oBの近傍に位置するように誘導される。光シート604と光ビーム661、667とのいかなる光学干渉も防止するために、光シート604は、光ビーム661、667が沿ってパワー増幅器ガス放電チャンバ610Bを通り抜けるXY平面と非平行なプローブ軸Aに沿って誘導される(例えば、図2Aを参照)。一例では、図8A及び図8Bに示すように、プローブ軸Aは、概ねZ軸と一直線上にあり、光シート604は、ガス放電チャンバ610Bのキャビティ605Bに面するウィンドウ620oBの表面621oBに隣接する経路に沿って誘導される。その上、光シート604の波長は、光ビーム661、667の波長と異なる。このように、検出装置606は、増幅光ビーム661、667の生成中でさえ、光シート604と1つ以上の塵粒子115との相互作用を検出することができる。
【0045】
[0066] 光シート604は、キャビティ605B又は収容キャビティ640c(キャビティ605Bと流体連通する)の別の領域を通過するように構成することができる。例えば、図9A及び図9Bに示すように、それぞれの光シート904A及び904Bは、収容キャビティ640c内の他の位置に位置決めされる。ウィンドウ620oBに接触する又はウィンドウ620oBの近傍にある塵粒子115の数の正確な推定を可能にするために、光シート604、904A、904Bがウィンドウ620oBに十分近接している(その近傍にある)限り、光シート604、904A、904Bの他の位置も可能である。
【0046】
[0067] 図10A及び10Bを参照すると、検出装置206の実施態様1006は、図2Aに示す検出装置206のセンサ244の結像面に対してセンサ1044の結像面(X平面)が回転されるように配置される。どちらの場合も、検出装置206及び1006は、その結像面が光シート204に面し、光シート204の全広がりを結像できるように配置される。これによって、検出装置1006が、光シート204に面する視野の2次元視覚画像1046を取り込むことが可能となり、塵粒子115が画像1046内の形状又は関心領域1048として可視化される。検出装置206は、センサ244の結像面(X平面)が光シート204のより広い広がりを可視化できる限り、任意の方向に沿って配置することができる。したがって、センサ244の結像面(X平面)は、プローブ軸Aに垂直であるべきではない。
【0047】
[0068] 図11を参照すると、メトロロジ手順1170が実施される。メトロロジ手順1170は、ガス放電チャンバ110に関連付けられたメトロロジ装置100によって実施することができる。光学素子120の近傍にプローブ104が生成される(1172)。プローブ104と1つ以上の塵粒子115との相互作用が検出される(1174)。この検出された相互作用に基づいて出力信号107が生成される(1176)。そして、1つ以上の塵粒子115の特性が、出力信号107に基づいて推定される(1178)。
【0048】
[0069] 例えば、プローブ104は、光学素子220の近傍に光シート(光シート204など)を生成することによって生成することができる(1172)。図7図8A図8Bの実施態様を参照すると、光シート604は、作動光ビーム661、667が沿ってガス放電チャンバ610Bを通り抜けるXY平面と非平行なプローブ軸Aに沿って誘導される。その上、光シート604は、光学素子620oBの表面621oBに隣接する経路に沿って誘導することができる。プローブ104は、ガス放電チャンバ110が作動光ビーム127を生成するように動作している間に生成される(1172)。
【0049】
[0070] 図2Aの例では、光シート204と1つ以上の塵粒子115との相互作用によって生成された光242を取り込むことによって、相互作用が検出される(1174)。(例えば、ステップ1174において検出装置206によって)取り込まれる光242は、1つ以上の塵粒子115から散乱又は反射された、光シート204からの光とすることができる。その上、光242は、検出装置206におけるフォトダイオードによって又は検出装置206のセンサ244などを備えたカメラによって取り込むことができる。
【0050】
[0071] 上で述べたように、検出装置106が、センサ244を備えたカメラなどの2次元結像デバイスを含む実施態様では、生成される(1176)出力信号107は、センサ244の視野の2次元表示又は画像246である。図12を参照すると、関心領域又は形状248が画像246に表示されている。このデータから、例えば、処理装置108は、(一定期間にわたって)光学素子120の近傍範囲に存在する塵粒子115の数を推定又は計数することができる(1178)。追加的に、キャビティ105(又はキャビティ605B、640c)内の光シート204の位置が既知であるため、処理装置108は、1つ以上の塵粒子115の位置を推定することもできる。処理装置108は、ある時点(密度)で又は一定期間(変化する密度)にわたって光学素子120の近傍の特定の領域に存在する塵粒子115の数を推定又は計数することもできる(1178)。
【0051】
[0072] 処理装置108は、1つ以上の塵粒子115の位置をメモリ523に連続的に記憶させ、記憶された位置を使用して、塵粒子の経路と、光学素子220の近傍の塵粒子115の速度(速度及び方向)も経時的に追跡することができる(1178)。例えば、図13を参照すると、処理装置108は、いくつかの塵粒子115の軌道(又は流動パターン)を経時的に追跡する。簡略化するために、図13では、3つの軌道1185i、1185ii、1185iiiのみに符号が付されているが、更に多くの軌道が観察されている。
【0052】
[0073] 1つ以上の塵粒子の推定された特性1178は、ガス放電チャンバ410が内部に実装されたDUV光源450の1つ以上の特徴を調整するために使用することができる(1180)。一例では、DUV光源450に対する調整は、(捕捉システム135が満杯であるとみなされた場合に)捕捉システム135を空にするか又は交換することである可能性がある。例えば、塵粒子115の流動パターン(図13の流動パターンなど)の可視化によって、塵粒子の流動挙動の更なる分析が可能となり、これは、ガス放電チャンバ410の設計を改善して、光学素子420付近に塵粒子が流れる可能性を低減するために使用することができる。例えば、ガス放電チャンバ410は、チャンバ41のキャビティ内にガスを循環させる速度を変更することによって修正することができる。別の例として、光学素子120の近傍にある塵粒子115を追跡し計数することによって得られた情報を用いて、ガス放電チャンバ110に伴う性能上の問題を解決することが可能である。更なる例として、光学素子120の近傍にある塵粒子115を追跡し計数することによって得られた情報に基づいて光学素子120の寿命を予測すること、又は光学素子120の近傍の塵粒子の数が光学素子120の寿命にどのような影響を及ぼすかを判断することも可能である。光学素子120付近の塵粒子115の速度の推定によって、光学素子120付近の塵粒子115の流動挙動の全体的な理解が高まる。
【0053】
[0074] 一実施態様では、処理装置108は、図14A図14Cを参照すると、以下のように塵粒子115を追跡する。時刻T1において、検出装置106は、画像1446-1(図14A)を取り込み、時刻T2において、検出装置106は、画像1446-2(図14B)を取り込み、時刻T3において、検出装置106は、画像1446-3(図14C)を取り込む。時刻T1(図14A)において、処理装置108(具体的には信号処理モジュール522)は、画像1446-1内の塵粒子115(図14Aには関心領域又は形状1448Aとして示す)を識別する。時刻T2(図14B)において、処理装置108(具体的には信号処理モジュール522)は、画像1446-2内の塵粒子115(図14Bには関心領域又は形状1448Bとして示す)を識別し、先の画像1446-1内で検出された塵粒子115の近傍の塵粒子115(図14Bには形状1448Aとして示す)も探し出す。先の画像1446-1内で検出された塵粒子115の近傍の塵粒子115は、現在の画像1446-2内で検出された塵粒子115(形状1448B)に対して色褪せた塗りつぶしパターン(形状1448A)で表されている。時刻T3(図14C)において、処理装置108(具体的には信号処理モジュール522)は、画像1446-3内の塵粒子115(図14Cには関心領域又は形状1448Cとして示す)を識別し、先の画像1446-2内で検出された塵粒子115の近傍の塵粒子115(図14Cには形状1448Bとして示す)も探し出す。先の画像1446-2内で検出された塵粒子115の近傍の塵粒子115は、現在の画像1446-3内で検出された塵粒子115(形状1448C)に対して色褪せた塗りつぶしパターン(形状1448B)で表されている。時刻T1に撮影された画像1446-1内で検出された塵粒子115の近傍の塵粒子115も、参照のために図14Cに形状1448Aとして表示されている。このように、処理装置108は、各塵粒子を経時的に追跡することができる。
【0054】
[0075] 実施形態については、以下の条項を用いて更に説明することができる。
1.メトロロジ装置であって、
ガス放電チャンバの利得媒体と流体連通する光学素子であって、1つ以上の粒子にさらされる光学素子の近傍にプローブを生成するように構成されたプローブ装置と、
プローブと1つ以上の粒子との相互作用を検出して、検出された相互作用に基づいて出力信号を生成するように構成された検出装置と、
出力信号を受信して1つ以上の粒子の特性を推定するように構成された処理装置と
を含む、メトロロジ装置。
2.プローブ装置は光学アセンブリであり、プローブは光シートであり、相互作用を検出するように構成された検出装置は、光シートと1つ以上の粒子との相互作用によって生成された光を取り込むように構成された検出装置を含む、条項1に記載のメトロロジ装置。
3.光学アセンブリは、レーザ光シートを光シートとして生成するように構成されたレーザを含む、条項2に記載のメトロロジ装置。
4.レーザは、ガス放電チャンバ内の利得媒体から生成される光の波長と異なる波長を有する光を生成するように構成される、条項3に記載のメトロロジ装置。
5.検出装置は、フォトダイオード又はカメラを含む、条項2に記載のメトロロジ装置。
6.検出装置の結像面は、光シートの広がりが観察可能及び結像可能となるように光シートに面する、条項2に記載のメトロロジ装置。
7.検出装置の結像面は、ガス放電チャンバの内部と流体連通する光学素子の表面に面する、条項6に記載のメトロロジ装置。
8.光シートは、増幅光ビームが沿ってガス放電チャンバを通り抜ける平面と非平行な経路に沿って誘導され、増幅光ビームは、エネルギーの印加中に利得媒体によって生成される、条項2に記載のメトロロジ装置。
9.光シートは、光学素子の表面に隣接する経路に沿って誘導される、条項2に記載のメトロロジ装置。
10.光学素子は、利得媒体で満たされるガス放電チャンバの内部とガス放電チャンバの外部との間に配置されたガス放電チャンバのウィンドウであり、ウィンドウは、放電チャンバを気密封止し、増幅光ビームがウィンドウを通過するように構成される、条項2に記載のメトロロジ装置。
11.光シートは、ガス放電チャンバの内部に面するウィンドウの表面に隣接する経路に沿って誘導される、条項10に記載のメトロロジ装置。
12.光シートは、ガス放電チャンバの内部に面するウィンドウの表面の近傍にある経路に沿って誘導される、条項10に記載のメトロロジ装置。
13.光シートと1つ以上の粒子との相互作用によって生成された光を取り込むように構成された検出装置は、1つ以上の粒子から散乱又は反射された、光シートからの光を取り込むことを含む、条項2に記載のメトロロジ装置。
14.光シートのプローブ軸は、検出装置の結像面内に位置し、光シートの長平面は結像面と垂直であるか、又は光シートの長平面は、結像面と平行な角度と結像面と垂直な角度との間の角度をなすように配置される、条項2に記載のメトロロジ装置。
15.光シートのプローブ軸は、検出装置の結像面内に位置し、光シートの長平面は、結像面と平行である、条項2に記載のメトロロジ装置。
16.1つ以上の粒子の特性を推定するように構成された処理装置は、1つ以上の粒子の数、1つ以上の粒子の位置、1つ以上の粒子の密度、及び1つ以上の粒子の速度のうちの1つ以上を推定するように構成された処理装置を含む、条項1に記載のメトロロジ装置。
17.プローブ装置は、光学素子の近傍にプローブを生成し、検出装置は、ガス放電チャンバが増幅光ビームを生成している間に、検出された相互作用に基づいて出力信号を生成する、条項1に記載のメトロロジ装置。
18.ガス放電チャンバは、利得媒体を含むガスと、電極に電圧が印加されたときに増幅光ビームを生成するプラズマを利得媒体が発生させるように利得媒体にエネルギーを供給するための電極とを含む、条項17に記載のメトロロジ装置。
19.プローブ装置及び検出装置は、光学素子を保持するハウジング内に配置されるか又はハウジングに取り付けられる、条項1に記載のメトロロジ装置。
20.深紫外線(DUV)ガス放電光源用の装置であって、装置は、
メトロロジ装置であって、
ガス放電チャンバの利得媒体と流体連通する光学素子であって、1つ以上の粒子にさらされる光学素子の近傍にプローブを生成するように構成されたプローブ装置と、
プローブと1つ以上の粒子との相互作用を検出して、検出された相互作用に基づいて出力信号を生成するように構成された検出装置と、
出力信号を受信して1つ以上の粒子の特性を推定するように構成された処理装置と
を含む、メトロロジ装置と、
推定された特性を受信して、推定された特性に基づいてガス放電光源の1つ以上の特徴を調整するように構成された作動装置と
を含む、深紫外線(DUV)ガス放電光源用の装置。
21.処理装置及び作動装置と通信する制御装置を更に含み、制御装置は、推定された特性を分析して、推定された特性の分析に基づいてガス放電チャンバの性能を分析するように構成される、条項20に記載の装置。
22.制御装置は、光学素子及び/又はガス放電チャンバの寿命を予測するように構成される、条項21に記載の装置。
23.作動装置は、塵粒子捕捉システムの1つ以上の特徴を調整するように構成される、条項21に記載の装置。
24.粒子は、ガス放電チャンバ内の利得媒体から生成された塵粒子を含む、条項20に記載の装置。
25.利得媒体はフッ化物を含み、塵粒子は金属フッ化物粒子を含む、条項24に記載の装置。
26.利得媒体は、フッ化アルゴン、フッ化クリプトン、又は塩化キセノンを含む、条項20に記載の装置。
27.メトロロジ装置は、DUVガス放電光源のパワーリング増幅器に関連付けられ、光学素子は、パワーリング増幅器のガス放電チャンバのウィンドウである、条項20に記載の装置。
28.プローブは、利得媒体と流体連通する、パワーリング増幅器のガス放電チャンバのウィンドウであって、1つ以上の粒子にさらされるウィンドウの近傍に配置される、条項27に記載の装置。
29.パワーリング増幅器のガス放電チャンバのウィンドウは、パワーリング増幅器のガス放電チャンバの出力側におけるウィンドウである、条項27に記載の装置。
30.ウィンドウは、DUV範囲の波長を有する光を透過させるように構成された結晶構造を含む、条項27に記載の装置。
31.ウィンドウは、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、又は融解石英を含む、条項30に記載の装置。
32.プローブ装置は、レーザ光シートをプローブとして生成するように構成されたレーザを含む光学アセンブリであり、相互作用を検出するように構成された検出装置は、光シートと1つ以上の粒子との相互作用によって生成された光を取り込むように構成された検出装置を含む、条項20に記載の装置。
33.レーザは、ガス放電チャンバ内の利得媒体から生成される光の波長と異なる波長を有する光を生成するように構成される、条項32に記載の装置。
34.検出装置は、フォトダイオード又はカメラを含む、条項32に記載の装置。
35.光シートは、エネルギーの印加中に利得媒体によって生成される増幅光ビームが沿ってガス放電チャンバを通り抜ける平面と非平行な経路に沿って誘導される、条項32に記載の装置。
36.レーザ光シートは、光学素子の表面に隣接する経路に沿って誘導される、条項32に記載の装置。
37.ガス放電チャンバの利得媒体と流体連通する光学素子であって、1つ以上の塵粒子にさらされる光学素子の近傍にプローブを生成することと、
生成されたプローブと1つ以上の塵粒子との相互作用を検出することと、
検出された相互作用に基づいて出力信号を生成することと、
出力信号に基づいて1つ以上の塵粒子の特性を推定することと
を含む、メトロロジ方法。
38.プローブを生成することは、レーザ光シートを生成することを含み、相互作用を検出することは、光シートと1つ以上の塵粒子との相互作用によって生成された光を取り込むことを含む、条項37に記載のメトロロジ方法。
39.レーザ光シートは、ガス放電チャンバ内の利得媒体から生成される光の波長と異なる波長を有する、条項38に記載のメトロロジ方法。
40.光シートと1つ以上の塵粒子との相互作用によって生成された光を取り込むことは、1つ以上の塵粒子から散乱又は反射された、レーザ光シートからの光を取り込むことを含む、条項38に記載のメトロロジ方法。
41.1つ以上の塵粒子から散乱又は反射された、レーザ光シートからの光を取り込むことは、露出面に電位差を発生させるか又は露出面に2次元画像を発生させることを含み、露出面は、レーザ光シートからの散乱光又は反射光を受光する、条項40に記載のメトロロジ方法。
42.レーザ光シートを生成することは、エネルギーの印加中に利得媒体によって生成される増幅光ビームが沿ってガス放電チャンバを通り抜ける平面と非平行な経路に沿ってレーザ光シートを誘導することを含む、条項38に記載のメトロロジ方法。
43.経路に沿ってレーザ光シートを誘導することは、光学素子の表面に隣接する経路に沿ってレーザ光シートを誘導することを含む、条項42に記載のメトロロジ方法。
44.1つ以上の塵粒子の特性を推定することは、1つ以上の塵粒子の数、1つ以上の塵粒子の位置、1つ以上の塵粒子の密度、及び1つ以上の塵粒子の速度のうちの1つ以上を推定することを含む、条項37に記載のメトロロジ方法。
45.光学素子の近傍にプローブを生成することと、検出された相互作用に基づいて出力信号を生成することは、ガス放電チャンバが増幅光ビームを生成している間に行われる、条項37に記載のメトロロジ方法。
【0055】
[0076] 上記の実施態様及び他の実施態様は、以下の特許請求の範囲内である。
図1
図2A
図2B
図2C
図3A
図3B
図4
図5
図6
図7
図8A
図8B
図9A
図9B
図10A
図10B
図11
図12
図13
図14A
図14B
図14C
【手続補正書】
【提出日】2024-07-01
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
メトロロジ装置であって、
ガス放電チャンバの利得媒体と流体連通する光学素子であって、1つ以上の粒子にさらされる前記光学素子の近傍にプローブを生成するように構成されたプローブ装置と、
前記プローブと前記1つ以上の粒子との相互作用を検出して、前記検出された相互作用に基づいて出力信号を生成するように構成された検出装置と、
前記出力信号を受信して、前記1つ以上の粒子の特性を推定するように構成された処理装置と
を含む、メトロロジ装置。
【請求項2】
前記プローブ装置は光学アセンブリであり、前記プローブは光シートであり、前記検出装置は、前記光シートと前記1つ以上の粒子との前記相互作用によって生成された光を取り込むように構成される、請求項1に記載のメトロロジ装置。
【請求項3】
前記光学アセンブリは、レーザ光シートを前記光シートとして生成するように構成されたレーザを含む、請求項2に記載のメトロロジ装置。
【請求項4】
前記レーザは、前記ガス放電チャンバ内の前記利得媒体から生成される光の波長と異なる波長を有する光を生成するように構成される、請求項3に記載のメトロロジ装置。
【請求項5】
前記検出装置は、フォトダイオード又はカメラを含む、請求項2に記載のメトロロジ装置。
【請求項6】
前記検出装置の結像面は、前記光シートの広がりが観察可能及び結像可能となるように前記光シートに面する、請求項2に記載のメトロロジ装置。
【請求項7】
前記検出装置の前記結像面は、前記ガス放電チャンバの内部と流体連通する前記光学素子の表面に面する、請求項6に記載のメトロロジ装置。
【請求項8】
前記光シートは、増幅光ビームが沿って前記ガス放電チャンバを通り抜ける平面と非平行な経路に沿って誘導され、前記増幅光ビームは、エネルギーの印加中に前記利得媒体によって生成される、請求項2に記載のメトロロジ装置。
【請求項9】
前記光シートは、前記光学素子の表面に隣接する経路に沿って誘導される、請求項2に記載のメトロロジ装置。
【請求項10】
前記光学素子は、前記利得媒体で満たされる前記ガス放電チャンバの内部と前記ガス放電チャンバの外部との間に配置された前記ガス放電チャンバのウィンドウであり、前記ウィンドウは、前記ガス放電チャンバを気密封止し、増幅光ビームが前記ウィンドウを通過するように構成される、請求項2に記載のメトロロジ装置。
【請求項11】
前記光シートは、前記ガス放電チャンバの前記内部に面する前記ウィンドウの表面に隣接する経路に沿って誘導される、請求項10に記載のメトロロジ装置。
【請求項12】
前記光シートのプローブ軸は、前記検出装置の結像面内に位置し、前記光シートの長平面は前記結像面と垂直であるか、又は前記光シートの前記長平面は、前記結像面と平行な角度と前記結像面と垂直な角度との間の角度をなすように配置される、請求項2に記載のメトロロジ装置。
【請求項13】
前記光シートのプローブ軸は、前記検出装置の結像面内に位置し、前記光シートの長平面は、前記結像面と平行である、請求項2に記載のメトロロジ装置。
【請求項14】
前記1つ以上の粒子の特性を推定するように構成された前記処理装置は、前記1つ以上の粒子の数、前記1つ以上の粒子の位置、前記1つ以上の粒子の密度、及び前記1つ以上の粒子の速度のうちの1つ以上を推定するように構成された処理装置を含む、請求項1に記載のメトロロジ装置。
【請求項15】
源用の装置であって、前記装置は、
メトロロジ装置であって、
ガス放電チャンバの利得媒体と流体連通する光学素子であって、1つ以上の粒子にさらされる前記光学素子の近傍にプローブを生成するように構成されたプローブ装置と、
前記プローブと前記1つ以上の粒子との相互作用を検出して、前記検出された相互作用に基づいて出力信号を生成するように構成された検出装置と、
前記出力信号を受信して前記1つ以上の粒子の特性を推定するように構成された処理装置と
を含む、前記メトロロジ装置と、
前記推定された特性を受信して、前記推定された特性に基づいて前記ガス放電光源の1つ以上の特徴を調整するように構成された作動装置と
を含む、深紫外線(DUV)ガス放電光源用の装置。
【請求項16】
前記作動装置は、塵粒子捕捉システムの1つ以上の特徴を調整するように構成される、請求項15に記載の装置。
【請求項17】
前記プローブ装置は、レーザ光シートを前記プローブとして生成するように構成されたレーザを含む光学アセンブリであり、前記相互作用を検出するように構成された前記検出装置は、光シートと前記1つ以上の粒子との前記相互作用によって生成された光を取り込むように構成された前記検出装置を含む、請求項15に記載の装置。
【請求項18】
ガス放電チャンバの利得媒体と流体連通する光学素子であって、1つ以上の塵粒子にさらされる前記光学素子の近傍にプローブを生成することと、
前記生成されたプローブと前記1つ以上の塵粒子との相互作用を検出することと、
前記検出された相互作用に基づいて出力信号を生成することと、
前記出力信号に基づいて前記1つ以上の塵粒子の特性を推定することと
を含む、メトロロジ方法。
【請求項19】
前記プローブを生成することは、レーザ光シートを生成することを含み、前記相互作用を検出することは、前記1つ以上の塵粒子から散乱又は反射された、光シートからの光を取り込むことを含む、請求項18に記載のメトロロジ方法。
【請求項20】
前記レーザ光シートを生成することは、エネルギーの印加中に前記利得媒体によって生成される増幅光ビームが沿って前記ガス放電チャンバを通り抜ける平面と非平行な経路に沿って前記レーザ光シートを誘導することを含む、請求項19に記載のメトロロジ方法。
【国際調査報告】