特表2024-546040高誘電率薄膜用マスキング剤、それを利用した選択領域蒸着方法、それから製造された半導体基板及び半導体素子

発明の名称　高誘電率薄膜用マスキング剤、それを利用した選択領域蒸着方法、それから製造された半導体基板及び半導体素子

出願人　ソウルブレイン　シーオー．，　エルティーディー　（識別番号 321001986）

　　　　特許公開件数ランキング 1003 位（22件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 2393 位（6件）（共同出願を含む）

公報番号　特表-2024-546040

公報発行日　2024年12月17

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_P1-2024-546040

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