特表 2024-546137 プラズマチャンバにおける堅牢な発火及び再点火のための補助プラズマ源

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-12-17

(54)【発明の名称】プラズマチャンバにおける堅牢な発火及び再点火のための補助プラズマ源

(51)【国際特許分類】

   H05H 1/46 20060101AFI20241210BHJP

   H01L 21/205 20060101ALI20241210BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20241210BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20241210BHJP

【ＦＩ】

H05H1/46 L

H05H1/46 M

H01L21/205

H01L21/31 C

H01L21/302 101G

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024535368

(86)(22)【出願日】2022-12-02

(85)【翻訳文提出日】2024-08-01

(86)【国際出願番号】 US2022051622

(87)【国際公開番号】W WO2023114022

(87)【国際公開日】2023-06-22

(31)【優先権主張番号】17/551,698

(32)【優先日】2021-12-15

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】ラーマスワーミ， カーティク

(72)【発明者】

【氏名】アチカソフ， コスティアンティン

(72)【発明者】

【氏名】ブライト， ニコラス ジェー．

(72)【発明者】

【氏名】シルベイラ， フェルナンド エム．

(72)【発明者】

【氏名】ヤン， ヤン

(72)【発明者】

【氏名】クオ， ユエ

【テーマコード（参考）】

2G084

5F004

5F045

【Ｆターム（参考）】

2G084AA02

2G084AA05

2G084BB06

2G084CC04

2G084CC12

2G084CC13

2G084CC14

2G084CC16

2G084DD03

2G084HH26

2G084HH28

2G084HH32

5F004AA01

5F004BA03

5F004BA04

5F004BA20

5F004BB13

5F004BB18

5F004BB29

5F004BD04

5F004CA02

5F004CA03

5F004DA22

5F004DA23

5F045AA08

5F045AA09

5F045AC16

5F045AC17

5F045BB08

5F045EB03

5F045EC08

5F045EH02

5F045EH11

5F045EH12

5F045EH18

5F045EH20

(57)【要約】

半導体処理システムは、半導体ウエハ上でレシピを実行するように構成された半導体処理チャンバを含み得る。本システムは、半導体処理チャンバにプラズマを供給し、レシピの実行中にデューティサイクルで動作する第１のプラズマ源を含み得る。本システムはまた、第１のプラズマ源がデューティサイクルで動作している間、半導体処理チャンバ内のプラズマを維持するように構成された第２のプラズマ源を含み得る。
【選択図】図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体処理チャンバにプラズマを供給する方法であって、
レシピに従って半導体処理チャンバ内で半導体ウエハを処理することと、
前記レシピに従って第１のプラズマ源を動作させることであって、前記第１のプラズマ源は、前記半導体処理チャンバにプラズマを供給し、前記レシピの実行中にデューティサイクルで動作するように構成される、前記レシピに従って第１のプラズマ源を動作させることと、
第２のプラズマ源を動作させることであって、前記第２のプラズマ源は、前記第１のプラズマ源がデューティサイクルで動作している間、オン状態になるように構成される、第２のプラズマ源を動作させることと
を含む、方法。

【請求項2】

前記第１のプラズマ源は、前記第１のプラズマ源に、前記半導体処理チャンバ内でプラズマを点火させる第１の電力レベルと、前記プラズマが前記半導体処理チャンバ内で維持される第２の電力レベルとを含む複数の電力レベルの間で、デューティサイクルで動作するように構成される、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

前記半導体ウエハを処理することは、複数の電力レベルの間で前記第１のプラズマ源をデューティサイクルで動作させることを含む、請求項１に記載の方法。

【請求項4】

前記複数の電力レベルは、前記第１のプラズマ源に、前記半導体処理チャンバ内でプラズマを点火させる第１の電力レベルと、前記半導体処理チャンバ内のプラズマをクエンチし、気体状態に遷移させる第２の電力レベルと、前記半導体処理チャンバ内でプラズマを再点火し、プラズマを気体状態からプラズマ状態に遷移させる第３の電力レベルとを含み、前記第３の電力レベルは、前記第１の電力レベルよりも少ないエネルギーを使用する、請求項３に記載の方法。

【請求項5】

前記第２のプラズマ源を動作させることは、前記第１のプラズマ源への電子の供給を提供することを含む、請求項１に記載の方法。

【請求項6】

前記第２のプラズマ源を動作させることで、前記半導体処理チャンバへの電子の供給が提供される、請求項１に記載の方法。

【請求項7】

前記半導体ウエハを処理することは、前記半導体処理チャンバを一定の圧力に保持することを含む、請求項１に記載の方法。

【請求項8】

半導体処理システムであって、
半導体ウエハを処理するためのレシピを実行するように構成された半導体処理チャンバと、
前記半導体処理チャンバにプラズマを供給し、前記レシピの実行中にデューティサイクルで動作するように構成された第１のプラズマ源と、
前記レシピの実行中に前記第１のプラズマ源がデューティサイクルで動作している間、前記半導体処理チャンバ内のプラズマを維持するように構成された第２のプラズマ源と
を備える、半導体処理システム。

【請求項9】

前記半導体ウエハ上で実行されるレシピは、複数の電力レベルの間で前記第１のプラズマ源を循環させるデューティサイクルによって特徴付けられ、前記第２のプラズマ源は、前記第１のプラズマ源が前記半導体処理チャンバ内で最初にプラズマを点火する前にオン状態になるように構成される、請求項８に記載の半導体処理システム。

【請求項10】

前記デューティサイクルは、５Ｈｚから５０００Ｈｚの周波数範囲で動作する、請求項９に記載の半導体処理システム。

【請求項11】

前記第２のプラズマ源は、マイクロ波同軸共振器を含む、請求項８に記載の半導体処理システム。

【請求項12】

前記マイクロ波同軸共振器は、電子フラッドガンとして構成される、請求項１１に記載の半導体処理システム。

【請求項13】

前記第２のプラズマ源は、電子フラッドガンとして構成されたトロイダルプラズマ源を含む、請求項８に記載の半導体処理システム。

【請求項14】

前記第２のプラズマ源は、表面波プラズマ源を含む、請求項８に記載の半導体処理システム。

【請求項15】

前記表面波プラズマ源は、容量結合を用いてプラズマを生成する、請求項１４に記載の半導体処理システム。

【請求項16】

前記表面波プラズマ源は、誘導結合を用いてプラズマを生成する、請求項１４に記載の半導体処理システム。

【請求項17】

前記半導体処理チャンバ及び前記第１のプラズマ源は、前記半導体処理システムの一体化された部品であり、前記第２のプラズマ源は、前記半導体処理システムの製造後に取り付けられる、請求項８に記載の半導体処理システム。

【請求項18】

半導体処理システムであって、
半導体ウエハを処理するためのレシピを実行するように構成された半導体処理チャンバと、
前記半導体処理チャンバにプラズマを供給し、前記レシピの実行中にデューティサイクルで動作するように構成されたプラズマ源と、
前記半導体ウエハ上で前記レシピを実行する間中ずっと前記半導体処理チャンバ内のプラズマを維持するように構成された表面波生成プラズマ源と
を備える、半導体処理システム。

【請求項19】

前記プラズマ源は、トロイダルプラズマ源を含む、請求項１８に記載の半導体処理システム。

【請求項20】

前記プラズマ源は、同軸共振器を含む、請求項１８に記載の半導体処理システム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
［０００１］本出願は、２０２１年１２月１５日出願の「ＡＵＸＩＬＩＡＲＹ ＰＬＡＳＭＡ ＳＯＵＲＣＥ ＦＯＲ ＲＯＢＵＳＴ ＩＧＮＩＴＩＯＮ ＡＮＤ ＲＥＳＴＲＩＫＥＳ ＩＮ Ａ ＰＬＡＳＭＡ ＣＨＡＭＢＥＲ」と題する米国非仮出願第１７／５５１，６９８号の利益及び優先権を主張するものであり、その内容を全て、参照により本明細書に援用する。

【0002】

［０００２］本開示は、概して、半導体製造において使用するための補助プラズマ源に関する。より具体的には、本開示は、複数のプラズマ源を使用する複雑なデューティサイクルの間、主プラズマチャンバ内のプラズマのより均一な発火及び再発火を確実にするための技術を記載する。

【背景技術】

【0003】

［０００３］半導体製造のプロセスに使用されるプラズマを生成するために、通常、半導体処理チャンバ内の原子をイオン化するレベルのエネルギーが中性ガスに加えられる。例えば、アルゴン（Ａｒ）は、プラズマ状態に到達するために５００Ｗの発火又は「点火」要件を有し、プラズマ状態を維持するために４０ＭＨｚで１５Ｗのエネルギーを必要し得る。現在の半導体製造技術では、各々がプラズマに供給されるエネルギーによって特徴付けられる複数の電力レベルを含み得る、プラズマ源がオン状態にある期間と、チャンバ内でプラズマがクエンチ（消孤）することができるプラズマ源がオフ状態にある期間とがある、デューティサイクルを使用し得る。デューティサイクルの間、約３０Ｗから８０００Ｗの範囲の電力が、各オンサイクルの開始時に印加され得る。製造技術上、より複雑なデューティサイクル、及び／又は、オン期間の間のオフ期間がより長いデューティサイクルが要求されるため、チャンバ内のプラズマは、オフ期間中の冷却時間が長くなり、プラズマがクエンチされる。そのため、プラズマ生成のばらつきが大きくなり、製造不良の発生率が高くなる。

【発明の概要】

【0004】

［０００４］幾つかの実施形態では、半導体処理チャンバにプラズマを供給する方法は、レシピに従って半導体処理チャンバ内で半導体ウエハを処理することを含み得る。半導体ウエハを処理することは、半導体処理チャンバを一定の圧力に保持することを含み得る。本方法はまた、レシピに従って第１のプラズマ源を動作させることを含み得る。第１のプラズマ源は、半導体処理チャンバに結合され、レシピの実行中にデューティサイクルで動作するように構成され得る。第１のプラズマ源は、半導体処理チャンバにプラズマを供給し得る。第１のプラズマ源は、複数の電力レベルの間で、デューティサイクルで動作し得る。複数の電力レベルは、第１のプラズマ源に、半導体処理チャンバ内でプラズマを点火させる第１の電力レベルを含み得る。複数の電力レベルは、半導体処理チャンバ内のプラズマをクエンチし、プラズマ状態から気体状態に遷移させる第２の電力レベルも含み得る。第３の電力レベルは、半導体処理チャンバ内でプラズマを再点火し、プラズマを気体状態からプラズマ状態に遷移させ得る。第３の電力レベルは、第１の電力レベルよりも少ないエネルギーを使用し得る。プラズマはアルゴンを含み得る。本方法は、レシピの実行中に第１のプラズマ源がデューティサイクルで動作している間、プラズマを維持するように構成された第２のプラズマ源を動作させることを含み得る。第２のプラズマ源は、第１のプラズマ源への電子の供給を提供し得る。第２のプラズマ源はまた、あるいは代替的に、半導体処理チャンバへの高エネルギー電子の供給を提供し得る。

【0005】

［０００５］幾つかの実施形態では、半導体処理システムは、半導体ウエハを処理するためのレシピを実行するように構成された半導体処理チャンバを含み得る。本システムは、半導体処理チャンバにプラズマを供給するように構成された第１のプラズマ源を含み得る。第１のプラズマ源はまた、レシピの実行中にデューティサイクルで動作するように構成され得る。半導体ウエハ上で実行されるレシピは、複数の電力レベルの間で第１のプラズマ源を循環させることを要するデューティサイクルによって特徴付けられ得る。デューティサイクルは、約５％から９５％の範囲で動作し得る。本システムはまた、第１のプラズマ源がデューティサイクルで動作している間、半導体処理チャンバ内のプラズマを維持するように構成された第２のプラズマ源を含み得る。第２のプラズマ源は、マイクロ波同軸共振器であってよい。マイクロ波同軸共振器は、電子フラッドガンとして構成され得る。第２のプラズマ源は、トロイダルプラズマ源であってよい。トロイダルプラズマ源は、電子フラッドガンとして構成され得る。第２のプラズマ源は、表面波プラズマ源であってよい。表面波プラズマ源は、容量結合を用いて、又は誘導結合を用いてプラズマを生成し得る。

【0006】

［０００６］幾つかの実施形態では、半導体処理システムは、半導体ウエハを処理するためのレシピを実行するように構成された半導体処理チャンバを含み得る。本システムは、半導体処理チャンバにプラズマを供給するように構成されたプラズマ源を含み得る。プラズマ源はまた、レシピの実行中にデューティサイクルで動作するように構成され得る。プラズマ源は、トロイダルプラズマ源又は同軸共振器を含み得る。本システムは、半導体ウエハ上でレシピを実行中に、半導体処理チャンバ内のプラズマを維持するように構成された表面波プラズマ源を含み得る。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】幾つかの実施形態に係る半導体製造システムの一例を示す図である。

【図2】幾つかの実施形態に係る補助プラズマ源を有する半導体処理システムの一例を示す図である。

【図3】幾つかの実施形態に係る、電子フラッドガンとして構成された無線周波数（ＲＦ）同軸共振器を使用してプラズマ発火を起こすためのシステムを示す図である。

【図4】幾つかの実施形態に係る、トロイダル電子フラッドガンとして構成されたトロイダルプラズマ源を示す図である。

【図5】幾つかの実施形態に係る表面波プラズマ源を示す図である。

【図6】幾つかの実施形態に係る、補助プラズマ源として表面波プラズマ源を使用する半導体処理システムを示す図である。

【図7】幾つかの実施形態に係る、半導体処理チャンバにプラズマを供給する方法のフローチャートを示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

［００１４］上述したように、半導体製造において使用される現在の技術は、しばしば約５Ｈｚから５０００Ｈｚの範囲の周波数を有し得る、より複雑なデューティサイクルを必要とする場合がある。他の実施形態では、周波数は０．０１Ｈｚから２００Ｈｚの範囲であってよい。デューティサイクルは、半導体ウエハ上で実行されるレシピに従ってプラズマのエネルギーレベルを変化させることができる。レシピにより、エネルギーレベルを、チャンバ内の圧力に応じて、例えば３００Ｗから６００Ｗの複数のレベルにおいて変化させることができる。

【0009】

［００１５］一般に、プラズマを点火するのに必要な圧力は、所定のエネルギーレベルにおいてチャンバ内にプラズマを維持するのに必要な圧力よりも高い。例えば、２５ｍＴｏｒｒでアルゴンプラズマを点火するには５００Ｗの誘導結合電力（ＩＣＰ）が必要な場合があるが、半導体処理チャンバ内の所望の動作圧力は１ｍＴｏｒｒから４００ｍＴｏｒｒの範囲内であり得る。そのため、半導体処理チャンバ内の圧力は、レシピに従って何度も上昇及び下降させられる。

【0010】

［００１６］しかし、プラズマの一貫した点火及び再点火を可能にするために半導体処理チャンバの圧力を上昇させることは、製造上の問題を引き起こす可能性がある。例えば、再点火のために半導体処理チャンバ内の圧力を上昇させると、望ましくないポリマー堆積が生じることがある。レシピが複数回の点火と再点火を要求する場合、高圧の期間が更に追加されるため、不要なポリマー堆積及びその他のプロセスのばらつきが発生する機会が増える。

【0011】

［００１７］本開示に記載の実施形態は、チャンバに更なる補助プラズマ源を追加することによって、これらの技術的問題及び他の技術的問題を解決する。２つのプラズマ源（「主」プラズマ源及び「補助」プラズマ源、あるいは「第１」のプラズマ源及び「第２」のプラズマ源と呼ばれることがある）は、チャンバ内に一定のプラズマを点火し、維持するために協働する。主プラズマ源は、プラズマを供給し維持するように構成され、半導体ウエハ上のレシピの実行中に動作し得る。主プラズマ源は、プラズマがクエンチされ、主プラズマ源が「オフ」状態にあるレベルを含む、異なる電力レベルの間を循環させることができる。例えば、プラズマを維持するためには、レシピ及び主プラズマ源の設計によっては、プラズマを点火又は再点火するために使用される５００Ｗ及びＧＨｚ範囲の周波数と比較して、４０ＭＨｚで１５Ｗのエネルギーしか必要としない場合がある。

【0012】

［００１８］補助プラズマ源又は第２のプラズマ源は、半導体処理チャンバ内で主プラズマ源によって供給されるプラズマを維持するように構成され得る。第２のプラズマ源は、ウエハレシピの実行の間中ずっと動作し得る。幾つかの構成では、補助プラズマ源は、主プラズマ源によって必要とされる維持電力を低減させることができる。補助プラズマ源は、チャンバ内に拡散される「リーク」プラズマを生成するように構成され得る、又はチャンバ本体に対する電位差を生じさせることによってプラズマを半導体処理チャンバ内に送り込み、チャンバに電子の供給を行うように構成され得る。

【0013】

［００１９］第２のプラズマ源は、表面波を使用してプラズマを生成するサーファトロン装置等の表面波プラズマ源を含む、多数の異なる技術的解決策を使用して実装され得る。マイクロ波同軸共振器プラズマ源を使用することができ、電子フラッドガンとして構成することができる。また、トロイダルプラズマ源を使用することもでき、電子フラッドガンとして構成することができる。幾つかの実施形態では、２つ以上の補助プラズマ源を用いることができ、半導体処理チャンバ内により一貫したプラズマ密度を付与することができる。

【0014】

［００２０］補助プラズマ源を使用して半導体チャンバに電子源を提供することによって、主プラズマ源を、レシピの実行中に電力レベル間で循環させることができる、及び／又はオフにすることができる。主プラズマ源のデューティサイクル中、補助プラズマ源がチャンバ内のプラズマを維持するため、主プラズマ源のデューティサイクルがオン状態に入るたびにプラズマを再点火する必要がない。再点火を必要とする場合であっても、補助プラズマ源と共働する場合には、主プラズマ源からの電力が低減し得る。更に、補助プラズマ源を用いて再点火を行う場合、チャンバ内の圧力及びその他の環境特性を変更する必要がない。その代わりに、チャンバの環境特性は、再点火の間維持され得、それにより、主プラズマ源のデューティサイクル中のプロセス変動が低減する。本開示の実施形態は、それによって、半導体処理チャンバ内のプラズマを維持するために必要な電力を低減させ、デューティサイクル中に必要とされる再点火のために圧力、電力、及び容量整合ネットワークを調整する必要性を排除し得る。

【0015】

［００２１］図１は、幾つかの実施形態に係る半導体製造システムの一例を示す図である。システム１００は、半導体処理チャンバ１０２と、主プラズマ源１０４とを含み得る。主プラズマ源１０４は、例えば、第１のコイル１１０、第２のコイル１１２、交流（ＡＣ）電源１１４、電力分割器１１１、コントローラ１１８、及びガス源１１６を有する誘導結合プラズマ源を含み得る。主プラズマ源１０４は、容量結合プラズマ源も含み得る。

【0016】

［００２２］半導体処理チャンバ１０２は、半導体ウエハ１０８を支持するウエハプラットフォーム１０６を含み得る。レシピは、半導体製造プロセス中に半導体ウエハ１０８上で実行され得る。本明細書で使用する「レシピ」は、半導体処理チャンバ１０２の動作を制御する一連の命令を指す場合がある。例えば、レシピは、圧力、温度、ガス濃度、ガス流量、及び／又は他の条件等の環境条件の時系列設定値を含み得る。レシピはまた、プラズマを生成し、半導体ウエハ１０８上に膜又は層を堆積させ、半導体ウエハ１０８上の層を研磨又はエッチングする、及び／又は半導体ウエハ１０８上で他のプロセスを実行するために、半導体処理チャンバ１０２の様々な構成要素に印加され得る電圧、電流、電力設定、デューティサイクル、及び他の電子刺激を含み得る。

【0017】

［００２３］コントローラ１１８は、レシピに従って、ガスをガス源１１６から半導体処理チャンバ１０２に供給させることができる。コントローラ１１８はまた、レシピに従って、ＡＣ電源１１４によって電流が出力されるようにすることができる。電力分割器１１１は、コイル１１０と１１２との間で電流を分割することができる。電流は、その結果生じる電磁場によってガスがイオン化されて、半導体処理チャンバ１０２内にプラズマを点火するのに十分な電力レベル及び周波数で供給され得る。プラズマは、拡散効果によって半導体処理チャンバ１０２に充満し得る、又はプラズマ源１０４と半導体処理チャンバ１０２との間の電位差によって送り込まれ得る。

【0018】

［００２４］レシピは、コントローラ１１８がＡＣ電源１１４をオン及びオフにさせる、及び／又はＡＣ電源１１４によって出力される電力レベルを変化させるデューティサイクルを含み得る。したがって、主プラズマ源１０４は、１又は複数の電力レベルによって特徴付けられるオン状態であってよい、又は主プラズマ源はＯＦＦ状態であってよい。幾つかの実施形態では、オン状態は、複数の電力レベルを含み得る。第１の電力レベルは、第１のプラズマ源に、半導体処理チャンバ１０２内でプラズマを点火することができる。第２の電力レベルは、半導体処理チャンバ１０２内のプラズマをクエンチさせる、又は気体状態に再び遷移させることを可能にし得る。第３の電力レベルは、半導体処理チャンバ１０２内でプラズマを再点火し、プラズマを気体状態からプラズマ状態に遷移させることができる。第３の電力レベルは、第１の電力レベルよりも少ないエネルギーを使用し得る。

【0019】

［００２５］レシピがレシピの一部において主プラズマ状態をオフ状態にさせる状況では、デューティサイクルで必要とされるときに、プラズマを再発火又は「再点火」する必要があり得る。その場合、主プラズマ源１０４は、プラズマを維持するために必要とされるよりも高い電力を、プラズマを再点火するために使用する可能性がある。半導体処理チャンバ１０２内の動作圧力の増加もまた、プラズマを再点火するために必要であり得る。プラズマを再点火するのに必要な圧力の増加は、半導体ウエハ１０８上のポリマーの不要な堆積又は生成等の製造欠陥につながる可能性がある。

【0020】

［００２６］更に、主プラズマ源１０４だけがプラズマを半導体処理チャンバ１０２に供給しているため、プラズマが半導体処理チャンバ１０２に均一に充満しない可能性がある。したがって、半導体ウエハ１０８が曝露されるプラズマの量にばらつきが出る可能性がある。これは、更なる製造欠陥につながる可能性がある。

【0021】

［００２７］図１では、主プラズマ源１０４を誘導結合プラズマ源として図示したが、容量結合プラズマ源、及び他の種類の供給源を含む、多くの周知の種類の主プラズマ源が使用され得る。このリストは網羅的ではなく、任意のプラズマ源を主プラズマ源１０４として使用することができる。更に、主プラズマ源１０４を半導体処理チャンバ１０２の外部に図示したが、主プラズマ源１０４が半導体処理チャンバ１０２の内部にあり、プラズマがチャンバに充満する代わりに半導体処理チャンバ１０２の内部に形成される場合を含む、他の構成も可能である。

【0022】

［００２８］図２は、幾つかの実施形態に係る、補助プラズマ源を有する半導体処理システムの一例を示す図である。システム２００は、半導体処理チャンバ２０２、主プラズマ源２０４、及び補助プラズマ源２２０を含み得る。幾つかの実施形態では、半導体処理チャンバ２０２及び主プラズマ源２０４は、図１に描かれた主プラズマ源１０４と同様であってよい。したがって、ラベル付けされた構成要素２０２～２１８は、図１の対応する構成要素１０２～１１８と同様に機能し得る。図１と同様に、主プラズマ源２０４を誘導結合電源として図示したが、誘導結合電源の代わりに、又は誘導結合電源に加えて、容量結合電源、又は任意の他の種類のプラズマ源を使用することができる。

【0023】

［００２９］補助プラズマ源２２０は、レシピの実行中、主プラズマ源がデューティサイクルで動作している間、半導体処理チャンバ２０２内のプラズマを維持するように構成され得る。補助プラズマ源２２０は、半導体ウエハ２０８上で実行されるレシピの持続期間中ずっとオン状態であってよい。幾つかの実施形態では、補助プラズマ源は、半導体ウエハ２０８上で実行されるレシピの持続期間中、単一の電力レベルに保持され得る。補助プラズマ源２２０は、サーファトロン等の表面波生成プラズマ源、様々な構成のマイクロ波同軸共振器、トロイダルプラズマ発生装置等を含む、任意の種類のプラズマ源を含み得る。補助プラズマ源はまた、石英リアクタを備えた同軸共振器も含み得る。更に、補助プラズマ源を１つのみ図示したが、任意の数の補助プラズマ源を任意の構成で配置することができる。例えば、プラズマの密度をより均一に維持するために、複数の補助プラズマ源を半導体処理チャンバ２０２の周囲に分散させることができる。更に、補助プラズマ源２２０は、主プラズマ源２０４が半導体処理システムの一体部品である半導体製造システムが製造された後に、図１のシステム１００等の半導体製造システムに追加することができる。

【0024】

［００３０］補助プラズマ源２２０は、半導体処理チャンバ２０２に電子の供給を提供することによって、半導体処理チャンバ２０２内のプラズマを維持することができる。幾つかの実施形態では、電子は、拡散効果によって半導体処理チャンバ２０２に進入する「リーク」プラズマとして、補助プラズマ源２２０によって供給され得る。他の実施形態では、補助プラズマ源を電子フラッドガンとして構成することができ、電子は、電子ビームとして半導体処理チャンバ２０２に進入し得る。以下にそのうちの一部を詳細に説明する任意の種類のプラズマ源を、リークプラズマを提供するように構成することができる、又は電子フラッドガンとして構成することができる。

【0025】

［００３１］幾つかの実施形態では、補助プラズマ源２２０は、マイクロ波周波数（３×１０^８から３×１０^１１Ｈｚ）で動作し得る。マイクロ波周波数で動作することによって、補助プラズマ源２２０は、主プラズマ源２０４よりも物理的に小さくなり得る。更に、補助プラズマ源２２０によって使用される電力は、主プラズマ源２０４によって使用される電力よりも小さくてよい。他の実施形態では、補助プラズマ源は、３×１０^５から３×１０^８Ｈｚ等の無線周波数（ＲＦ）範囲で動作するように構成され得る。

【0026】

［００３２］システム２００を使用して、半導体ウエハ２０８上でレシピを実行することができる。主プラズマ源は、半導体処理チャンバ２０２にプラズマを供給するように構成され、レシピの実行中、デューティサイクルで動作するように構成され得る。レシピは、主プラズマ源２０４が複数の電力レベル間で交互の繰り返しを行うことを要求するデューティサイクルを含み得る。幾つかの実施形態では、第１の電力レベルは、第１のプラズマ源に、半導体処理チャンバ２０２内でプラズマを点火させることができる。第２の電力レベルは、半導体処理チャンバ１０２内のプラズマをクエンチさせる、又は気体状態に遷移させることができる。第３の電力レベルは、半導体処理チャンバ１０２内でプラズマを再点火し、プラズマを気体状態からプラズマ状態に遷移させることができる。第３の電力レベルは、第１の電力レベルよりも少ないエネルギーを使用し得る。

【0027】

［００３３］幾つかの実施形態では、第１の電力レベルは、半導体処理チャンバ２０２内でプラズマを点火することができる。第２の電力レベルは、プラズマのエネルギーの減少によって特徴付けられ得る。その場合、補助プラズマ源２２０が、半導体処理チャンバ２０２内のプラズマを維持し得る。第３の電力レベルは、主プラズマ源２０４に、プラズマのエネルギーを上昇させることができる。プラズマは補助プラズマ源２２０によって維持され得るので、プラズマを再点火する必要がない場合がある。

【0028】

［００３４］補助プラズマ源２２０によって提供される電子の供給は、主プラズマ源２０４がある電力レベルから別の電力レベルへ直接遷移することを可能にし得る。電子の供給は、シード電子として機能し、プラズマを再点火するために必要とされ得るより高い電力レベルの代わりに、レシピによって示されるエネルギーにプラズマが遷移することを可能にし得る。換言すれば、補助プラズマ源２２０は、主プラズマ源２０４用の発火源として機能すると同時に、半導体処理チャンバ２０２内のプラズマを維持し、再点火なしで主プラズマ源が電力レベルを変更することを可能にする。

【0029】

［００３５］更に、半導体処理チャンバ２０２は一定の圧力に保持され得る。半導体処理チャンバ２０２内のプラズマは補助プラズマ源２２０によって維持され得るので、半導体処理チャンバ２０２内の圧力は、レシピの実行中にプラズマを再点火するために上昇させられる代わりに、所望の動作圧力に保持され得る。半導体処理チャンバ２０２内の圧力をより高い再点火圧力まで上昇させる必要なく、不要なポリマー堆積等の製造欠陥が緩和され得る。

【0030】

［００３６］図３は、幾つかの実施形態に係る、電子フラッドガンとして構成された無線周波数（ＲＦ）同軸共振器を使用してプラズマ発火を起こすためのシステムを示す図である。同軸共振器は、狭い帯域のＥＭ波の伝送を可能にする。例えば、同軸共振器の一般的な構成は、波の波長が同軸共振器の長さの１／４（又はその倍数）のＥＭ波のみを伝送するλ／４共振器である。同軸共振器は、同軸共振器の共振周波数によって特徴付けられる電流が同軸共振器の内部本体によって運ばれたときに、強い電磁（ＥＭ）場を発生させる。十分な出力レベルでは、同軸共振器の端部にプラズマが形成され得る。

【0031】

［００３７］システム３００は、主プラズマ源本体３０２と、外部ＤＣ共振器本体３０４、内部ＤＣ共振器本体３０６、ＤＣ接続部３０８、及びＤＣ源３１０を含む直流（ＤＣ）同軸共振器とを含み得る。システム３００はまた、外部ＲＦ共振器本体３１２、内部ＲＦ共振器本体３１４、及びＤＣ絶縁ブロック３１６を含むＲＦ同軸共振器も含み得る。システム３００はまた、絶縁体３２２及びチャンバ窓３２０を含み得る。チャンバ窓３２０は、図１の半導体処理チャンバ１０２等の半導体処理チャンバに通じていてよい。

【0032】

［００３８］ＤＣ源３１０は、ＤＣ接続３０８を介して、内部ＤＣ共振器本体３０６に電流を供給し得る。電流は、その後、外部ＤＣ共振器本体３０４を通って戻ることができる。内部ＤＣ共振器本体３０６と外部ＤＣ共振器本体３０４との間に電磁場が形成され得る。内部ＤＣ共振器本体に十分な電力で周波数が印加されると、チャンバ窓３２０の近傍にプラズマが形成され得る。

【0033】

［００３９］内部ＲＦ共振器本体は、交流（ＡＣ）電源３１８に接続されていてよい。幾つかの実施形態では、ＡＣ電源３１８は、マイクロ波範囲（３×１０^８から３×１０^１１Ｈｚ）の周波数を利用する電流を供給することができる。内部ＲＦ共振器本体は、外部ＤＣ共振器本体３０４内に延在していてよく、電子がＤＣ同軸共振器に進入することを可能にする。ＡＣ電源３１８がＲＦ同軸共振器の共振周波数付近の電流を供給すると、内部ＲＦ共振器本体３１４の端部にプラズマが形成され得る。

【0034】

［００４０］外部ＲＦ共振器本体は、主プラズマ源本体３０２と電気的に接触していてよい。幾つかの実施形態では、主プラズマ源本体３０２は、電気的に接地されていてよい。したがって、ＲＦ同軸共振器は、ＤＣ同軸共振器よりも低い電位にあり、電子は、ＤＣ同軸共振器に送り込まれ得る。ＲＦ同軸共振器の構成は、電子ビームを供給することから、電子フラッドガンと呼ぶことができる。

【0035】

［００４１］ＲＦ同軸共振器を変化させる望ましくない電磁影響を防止するために、ＲＦ同軸共振器はＤＣ電流から絶縁され得る。ＤＣ絶縁ブロックコネクタ３１６は、ＤＣ同軸共振器内のＤＣ電流からＡＣ同軸共振器を絶縁することができる。幾つかの実施形態では、ＤＣ絶縁ブロックコネクタ３１６は、他の適切な材料と共に、セラミックを含み得る。

【0036】

［００４２］ＤＣ同軸共振器は、図１における主プラズマ源１０４の代わりに、半導体処理チャンバ用の主プラズマ源として機能し得る。図１と同様に、ＤＣ同軸共振器の電力は、１又は複数のプロセッサによって実行されるレシピに従って変化し得る。幾つかの実施形態では、ＤＣ同軸共振器は、上述の補助プラズマ源として機能し得る内部ＲＦ共振器本体３１４を介して、ＲＦ同軸共振器によって供給される高エネルギー電子の供給を有し得る。高エネルギー電子の供給により、ＤＣ同軸共振器はより小さい電力を使用して、プラズマを再点火する又は様々な電力レベルでプラズマを維持することができる。更に、ＲＦ同軸共振器をＤＣ同軸共振器の発火源として使用することにより、従来の方法と比較して、プラズマをより安定的に形成することができる。

【0037】

［００４３］更に、ＲＦ同軸共振器は、ＤＣ同軸共振器に電子を供給するものとして示したが、他の構成も可能である。例えば、ＲＦ同軸共振器は、主プラズマ源ではなく、処理チャンバに取り付けられた図２の補助プラズマ源２２０として使用することができる。その場合、ＲＦ同軸共振器は、半導体処理チャンバ２０２に電子の供給を提供することができ、半導体処理チャンバ２０２の内部で直接プラズマを維持することができる。

【0038】

［００４４］システム３００は、ＲＦ同軸共振器によって発火又は維持されるＤＣ同軸共振器を示しているが、他の実施形態では、代替のプラズマ源を使用することができる。例えば、ＤＣ同軸共振器は、サーファトロン等の表面波生成プラズマ源、様々な構成の（例えば、石英リアクタを備えた）同軸共振器、トロイダルプラズマ発生装置、及び／又は他の代替物を含む、任意のプラズマ源に置き換えることができる。他のプラズマ源は、電子フラッドガンとして構成することもできる。

【0039】

［００４５］図４は、幾つかの実施形態に係る、トロイダル電子フラッドガンとして構成されたトロイダルプラズマ源を示す図である。トロイダル電子フラッドガン４００を別にして図示したが、トロイダル電子フラッドガン４００は、本明細書の実施形態のいずれにも適用することができる。例えば、トロイダル電子フラッドガン４００は、図２の補助プラズマ源２２０であってよい。別の実施形態では、トロイダル電子フラッドガンは、図３のＲＦ同軸共振器の代わりに、又はそれに加えて使用することができる。

【0040】

［００４６］トロイダル電子フラッドガン４００は、フラッドガン本体４０２を含み得る。トロイダルチャンバ４０４がフラッドガン本体４０２内に含まれていてよい。ガスをトロイダルチャンバ４０４に送達するために、ガス入口４０６がフラッドガン本体４０２を通っていてよい。トロイダルチャンバはまた、電気的に接地されていてよい。プラズマ排気口４０８が、第１の端部においてトロイダルチャンバ４０４に接続されていてよい。幾つかの実施形態では、プラズマ排気口４０８は、第２の端部において、図２の半導体処理チャンバ２０２等の半導体処理チャンバに接続されていてよい。幾つかの実施形態では、第２の端部は、図３のＤＣ同軸共振器等の別のプラズマ源に接続されていてよい。

【0041】

［００４７］トロイダルフラッドガン４００はまた、ＡＣ経路４１４を介して導体４１２ａ及び４１２ｂに電気的に接続された交流（ＡＣ）電源４１０も含み得る。幾つかの実施形態では、ＡＣ電源は、マイクロ波範囲（３×１０^８から３×１０^１１Ｈｚ）の周波数の電流を供給することができる。他の実施形態では、ＡＣ電源４１０は、ＲＦ範囲（３×１０^５から３×１０^８Ｈｚ）の周波数の電流を供給することができる。電流は、導体４１２ａ及び４１２ｂを通って流れ、トロイダルチャンバ４０４に方向づけされることと、トロイダルチャンバ４０４から離れるように方向づけされることとを交互に繰り返す磁場を形成し得る。電流はまた、導体４１２ａ及び４１２ｂの周囲にトロイダル電場を形成し得る。変化する磁場とトロイダル電場は、トロイダルチャンバ４０４の周りにガスを送り込み、プラズマを生成し得る。

【0042】

［００４８］幾つかの実施形態では、フラッドガン本体４０２は、ＤＣ経路４１８を介してＤＣ源４１６に接続されていてよい。ＤＣ源４１６は、トロイダル電子フラッドガン４００と、プラズマ排気口４０８の第２の端部に取り付けられていてよい半導体処理チャンバ又はプラズマ源との間に電圧を生じさせる電流を供給することができる。この電圧に起因して、電子が、トロイダル電子フラッドガン４００から、プラズマ排気口４０８の第２の端部に取り付けられていてよい半導体処理チャンバ又はプラズマ源に送り込まれ得る。従って、トロイダル電子フラッドガン４００は、図２の補助プラズマ源２２０等の補助プラズマ源として、あるいは図３のＲＦ同軸共振器の代わりに、あるいはそれに加えて使用することが可能である。

【0043】

［００４９］図５は、幾つかの実施形態に係る表面波生成プラズマ源５００を示す図である。表面波プラズマ源５００は、プラズマ源ハウジング５０２を含み得る。プラズマ源ハウジング５０２は、内管５０４及びランチングプレート５０８を含み得る。内管５０４とランチングプレート５０８との間にランチング間隙５１０があってよい。誘電体管５０６が内管５０４の内側にあってよく、無線周波数（ＲＦ）電源５１４が内管５０４と接触していてよい。

【0044】

［００５０］動作中、ＲＦ電源５１４は、内管５０４に交流電流を供給し得る。幾つかの実施形態では、交流電流は、約１０ＭＨｚから３ＧＨｚの周波数範囲で供給され得る。交流電流は、約１Ｗから２０００Ｗの電力レベルで供給され得る。交流電流は、内管５０４を横切って流れ、内管５０４の周囲に電場を形成する。電場は誘電体管５０６の軸方向に沿っていてよい。

【0045】

［００５１］また、動作中に、アルゴン又はヘリウム等のガスが、ガスポート５１６を通して誘電体管５０６に供給され得る。幾つかの実施形態では、内管５０４への誘導結合を通じて供給される交流電流は、ガスが誘電体管５０６及び電場を通って移動すると、それによってガスがプラズマになるほど十分なレベルで供給され得る。他の実施形態では、内管５０４への容量結合を通じて供給される交流電流は、ガスが誘電体管５０６及び電場を通って移動すると、それによってガスがプラズマになるほど十分なレベルで供給され得る。交流電流は更に、ランチング間隙５１０からプラズマに伝播される表面波を形成し得る。表面波は、伝播方向に沿って電子をランチング間隙５１０に向かって送り込み、プラズマを導出するイオン化前線を形成する。

【0046】

［００５２］表面波がランチング間隙５１０から放出されると、プラズマ及びイオン化前線がランチングプレート５０８に向かって推進され得る。幾つかの実施形態では、ランチングプレート５０８は、金属から製造され得る。プラズマとランチングプレート５０８との間の電位差により、イオン化前線及びプラズマが誘電体管５０６の軸方向に向かって更に送り込まれ得る。

【0047】

［００５３］幾つかの実施形態では、ランチングプレート５０８は、イオン化前線及びプラズマを、図２の半導体処理チャンバ２０２等の半導体処理チャンバに向かって方向づけするように構成され得る。他の実施形態では、ランチングプレートは、図３のＤＣ同軸共振器等の主プラズマ源と接触していてよい。このように、表面波プラズマ源５００は、高エネルギー電子の供給を半導体処理チャンバ及び／又は別のプラズマ源に送達するように構成された補助プラズマ源として使用することができる。表面波プラズマ源５００は、電子の供給を送達することができるので、表面波プラズマ源５００は、他の供給源から生成されるプラズマを点火する又は維持するために使用することができ、他の供給源をより低い出力で動作させ、レシピに従って変化させることができる。

【0048】

［００５４］図６は、特定の実施形態に係る、補助プラズマ源として表面波プラズマ源を使用する半導体処理システムを示す図である。システム６００は、半導体処理チャンバ６０２、主プラズマ源６０４、及び補助プラズマ源６２０を含み得る。幾つかの実施形態では、半導体処理チャンバ６０２及び主プラズマ源６０４は、図１に描かれているものと同様であってよい。したがって、ラベル付けされた構成要素６０２～６１８は、図１の対応する構成要素１０２～１１８と同様に機能し得る。図１と同様に、主プラズマ源６０４は誘導結合プラズマ源として示されているが、主プラズマ源６０４は、容量結合プラズマ源、又は他の任意のプラズマ源を含む任意の種類のプラズマ源であってよい。

【0049】

［００５５］システム６００はまた、表面波プラズマ源６５０を含み得る。表面波プラズマ源６５０は、外壁６２０を含み得る。幾つかの実施形態では、外壁６２０は、金属から製造され得る。外壁６２０はまた、電気的に接地され得る。外壁６２０は、誘電体管６２４を取り囲む内管６２２を収納し得る。幾つかの実施形態では、内管６２２はアルミニウムから製造され得る。誘電体管６２４は、石英から製造され得る。誘電体管６２４、内管６２２、及び外壁６２０は、誘電体管６２４にガスが入ることを可能にするガスポート６３０を含み得る。

【0050】

［００５６］表面波プラズマ源６５０はまた、ＡＣ経路６２８を介して内管６２２に交流電流を送達するＲＦ電源６２６を含み得る。幾つかの実施形態では、交流電流は、約１０ＭＨｚから３ＧＨｚの周波数範囲で供給され得る。交流電流は更に、約１Ｗから２０００Ｗの電力レベルで供給され得る。

【0051】

［００５７］幾つかの実施形態では、半導体処理チャンバ６０２は、半導体ウエハ６０８を処理するためのレシピを実行するように構成され得る。主プラズマ源６０４は、半導体処理チャンバ６０２にプラズマを供給し、レシピの実行中にデューティサイクルで動作するように構成され得る。表面波プラズマ源６５０は、レシピの実行の間中ずっと、半導体処理チャンバ６０２内のプラズマを維持するように構成され得る。幾つかの実施形態では、表面波プラズマ源６５０は、図５に記載される表面波プラズマ源５００として機能し得る。表面波プラズマ源５００と同様に、表面波プラズマ源６５０は、半導体処理チャンバ６０２に電子の供給を提供し得る。

【0052】

［００５８］図６は、表面波プラズマ源６５０を１つだけ示しているが、システム６００は、任意の数の表面波プラズマ源を含み得る。表面波プラズマ源は、同じ動作周波数を有する異なる種類のプラズマ源より小さくてよい。なぜなら、表面波プラズマ源は、動作周波数に関連する波長によって決定される最小長さを必ずしも有さないからである。したがって、システム６００等の単一のシステムに追加の表面波プラズマ源を含めることが実用的であり得る。

【0053】

［００５９］図７は、幾つかの実施形態に係る、半導体処理チャンバにプラズマを供給するための方法のフローチャートを示す図である。ブロック７０２において、本方法は、レシピに従って半導体処理チャンバ内で半導体ウエハを処理することを含み得る。幾つかの実施形態では、半導体処理チャンバは一定の圧力に保持される。

【0054】

［００６０］ブロック７０４において、方法７００は、レシピに従って第１のプラズマ源を動作させることを含んでいてよく、プラズマ源は、半導体処理チャンバに結合される。第１のプラズマ源はまた、レシピの実行中にデューティサイクルで動作するように構成され得る。第１のプラズマ源は、半導体処理チャンバにプラズマを供給し得る。幾つかの実施形態では、第１のプラズマ源は、図２の主プラズマ源２０４等の主プラズマ源であってよい。プラズマは、アルゴン、ヘリウム、又は他の同様のプラズマガスを含み得る。第１のプラズマ源は、誘導結合プラズマ源、容量結合プラズマ源、又は任意の他の種類のプラズマ源であってよい。

【0055】

［００６１］ブロック７０６において、方法７００は、半導体処理チャンバ内のプラズマを維持するように構成された第２のプラズマ源を動作させることを含み得る。第２のプラズマ源は、第１のプラズマ源がデューティサイクルで動作している間、レシピの実行中にプラズマを維持し得る。第２のプラズマ源は、他の構成と共に、サーファトロン、様々な構成の同軸共振器、トロイダルプラズマ発生装置等の表面波生成プラズマ源を含み得る。幾つかの実施形態では、第２のプラズマ源は、図２の補助プラズマ源２２０等の補助プラズマ源であってよい。幾つかの実施形態では、第２のプラズマ源は、ブロック７０４において第１のプラズマ源を動作させる前にオンにすることができる。第２のプラズマ源は、最初のプラズマ点火において第１のプラズマ源を補助し、その後、第１のプラズマ源がレシピ実行の間中デューティサイクルで動作する間、プラズマを維持するためにオンのままであり得る。

【0056】

［００６２］幾つかの実施形態では、第２のプラズマ源は、半導体処理チャンバに電子の供給を提供し得る。第２のプラズマ源は、リークプラズマとしての拡散効果によって、又はプラズマを送り込むことによって、半導体処理チャンバに電子を供給することができる。例えば、第２のプラズマ源は、電子ビーム又は電子フラッドガン等を用いて、電位を使用してプラズマを半導体処理チャンバに送り込むことができる。

【0057】

［００６３］幾つかの実施形態では、第１のプラズマ源は、複数の電力レベルの間でデューティサイクルで動作し得る。第１の電力レベルは、第１のプラズマ源に、半導体処理チャンバ内でプラズマを点火させることができる。第２の電力レベルは、半導体処理チャンバ内のプラズマをクエンチし、気体状態に遷移させる。第３の電力レベルは、半導体処理チャンバ内でプラズマを再点火して、プラズマを気体状態からプラズマ状態に遷移させる。第３の電力レベルは、第１の電力レベルよりも少ないエネルギーを使用し得る。デューティサイクルは、約５％から９５％の範囲で動作し得る。他の実施形態では、第２の電力レベルは、プラズマのエネルギーの減少によって特徴付けられ得る。その場合、補助プラズマ源は、半導体処理チャンバ内のプラズマを維持し得る。第３の電力レベルは、主プラズマ源に、プラズマのエネルギーを上昇させることができる。プラズマは補助プラズマ源によって維持されるため、プラズマを再点火する必要がない場合がある。

【0058】

［００６４］幾つかの実施形態では、第２のプラズマ源は、第１のプラズマ源に高エネルギー電子の供給を提供し得る。第２のプラズマ源は、リークプラズマとしての拡散効果によって、又はプラズマを送り込むことによって、第１のプラズマ源に電子を供給することができる。例えば、第２のプラズマ源は、電子ビーム又は電子フラッドガン等を用いて、電位を使用してプラズマを第１のプラズマ源に送り込むことができる。

【0059】

［００６５］図７の特定のステップは、様々な実施形態に係る半導体処理チャンバにプラズマを供給する特定の方法を提供することを理解されたい。他の順序のステップも、代替の実施形態に従って実行され得る。例えば、代替の実施形態は、上記で概説したステップを異なる順序で実行することができる。更に、図７に図示した個々のステップは、個々のステップに適切なように様々な順序で実行され得る複数のサブステップを含み得る。更に、特定の用途に応じて、更なるステップを追加又は削除することができる。多くの変形、修正、及び代替案も、本開示の範囲内にある。

【0060】

［００６６］上記の記述では、説明の目的で、様々な実施形態の完全な理解を提供するために、多数の具体的な詳細を示した。しかしながら、幾つかの実施形態は、これらの具体的な詳細の一部がなくても実施され得ることは明らかであろう。他の例では、周知の構造及び装置がブロック図の形態で示されている。

【0061】

［００６７］上記の記述は、例示的な実施形態のみを提供するものであり、本開示の範囲、適用可能性、又は構成を限定することを意図するものではない。むしろ、様々な実施形態に関する上記の記述は、少なくとも１つの実施形態を実施するための実現可能な開示を提供するものである。添付の特許請求の範囲に規定されるような幾つかの実施形態の主旨及び範囲から逸脱することなく、要素の機能及び配置において様々な変更がなされ得ることが理解されるべきである。

【0062】

［００６８］また、個々の実施形態は、フローチャート、フロー図、データフロー図、構造図、又はブロック図として描写されるプロセスとして記述されている可能性があることに留意されたい。フローチャートは、工程を順序だったプロセスとして記述しているかもしれないが、工程の多くは、並列又は同時に実行することができる。更に、工程の順序を並べ替えることもできる。プロセスは、その工程が完了した時点で終了するが、図に含まれていない追加のステップを持つ可能性もある。プロセスは、方法、関数、手順、サブルーチン、サブプログラム等に対応し得る。プロセスが関数に対応する場合、その終了は、呼び出し元関数又はメイン関数への関数の戻り値に対応し得る。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【国際調査報告】