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特表2025-500750一定幅サブレゾリューションアシストフィーチャの決定のための方法、ソフトウェア、及びシステム
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2025-01-15
(54)【発明の名称】一定幅サブレゾリューションアシストフィーチャの決定のための方法、ソフトウェア、及びシステム
(51)【国際特許分類】
G03F 1/36 20120101AFI20250107BHJP
G03F 1/00 20120101ALI20250107BHJP
G03F 7/20 20060101ALI20250107BHJP
【ＦＩ】
G03F1/36
G03F1/00 D
G03F7/20 521
G03F7/20 501
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024531581
(86)(22)【出願日】2022-11-23
(85)【翻訳文提出日】2024-07-23
(86)【国際出願番号】 EP2022083060
(87)【国際公開番号】W WO2023110346
(87)【国際公開日】2023-06-22
(31)【優先権主張番号】PCT/CN2021/137860
(32)【優先日】2021-12-14
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】504151804
【氏名又は名称】エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．
(74)【代理人】
【識別番号】100079108
【弁理士】
【氏名又は名称】稲葉 良幸
(74)【代理人】
【識別番号】100109346
【弁理士】
【氏名又は名称】大貫 敏史
(74)【代理人】
【識別番号】100117189
【弁理士】
【氏名又は名称】江口 昭彦
(74)【代理人】
【識別番号】100134120
【弁理士】
【氏名又は名称】内藤 和彦
(72)【発明者】
【氏名】ペン，シンユウ
(72)【発明者】
【氏名】ジア，ニンニン
(72)【発明者】
【氏名】シ，ジャン
(72)【発明者】
【氏名】ハウエル，ラファエル シー．
【テーマコード（参考）】
2H195
2H197
【Ｆターム（参考）】
2H195BB02
2H197CB01
2H197DA02
2H197DA03
2H197GA05
2H197GA06
2H197GA12
2H197HA03
2H197HA04
2H197HA10
2H197JA05
(57)【要約】
マスクパターンを決定するための方法、ソフトウェア、及びシステムが開示される。決定は、それぞれが一定幅を有するサブレゾリューションアシストフィーチャ（ＳＲＡＦ）を含むマスクパターンを取得することを含み得る。幅は、連続変数として設定されるため、マスクパターンのマスク最適化プロセスにおいて他の変数と共に最適化され得る。次いで、それらの母集団及び／又は統計値に基づいて、最適化された連続幅は、限られた数のグローバル幅レベルに離散化される。更なるマスク最適化プロセスが、離散化された最適化されたグローバル幅レベルを有するＳＲＡＦで実行されてもよく、個々のＳＲＡＦに割り当てられた幅が、異なるレベルのグローバル幅レベルに調節され得る。
【選択図】 図４
【選択図】 図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
それぞれが一定幅を有するサブレゾリューションアシストフィーチャ（ＳＲＡＦ）を含むマスクパターンを取得することと、前記マスクパターンのマスク最適化プロセスにおいて前記ＳＲＡＦの幅を調節することと
を含む、マスクパターンを決定する方法。
【請求項2】
前記ＳＲＡＦに対して定義された初期の離散的な幅レベルにアクセスすることと、前記初期の離散的な幅レベルから初期の幅となる幅を割り当てることと
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項3】
前記ＳＲＡＦの位置に対応するリッジポイントから略等距離になるＳＲＡＦエッジを生成することであって、前記生成されたＳＲＡＦエッジが、湾曲したものであり、前記リッジポイントが、前記ＳＲＡＦエッジが滑らかに変化するように決定される、ことを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項4】
ＳＲＡＦガイダンスマップ（ＳＧＭ）からリッジポイントを決定することと、２つのリッジポイント間の距離が距離限界を超えたとき、少なくとも２つのリッジポイントの補間を実行することであって、前記補間が、補間されたリッジポイントを生成する、こととを更に含む、請求項３に記載の方法。
【請求項5】
前記ＳＲＡＦエッジの前記生成が、前記ＳＲＡＦの前記リッジポイントに垂直なセグメントの両端に制御点を生成することであって、前記セグメントが、前記ＳＲＡＦの前記一定幅に対応する長さを有する、ことを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項6】
各ＳＲＡＦの前記幅が、前記マスク最適化プロセスによって最適化される連続変数として設定される、請求項１に記載の方法。
【請求項7】
前記マスク最適化プロセスが、リソグラフィモデルを利用してリソグラフィプロセスをシミュレートすることと、
前記リソグラフィモデルによってシミュレートされたマスクの結像特性を予測することと、
前記結像特性に関連するコスト関数の使用によって前記結像特性を最適化するために１つ又は複数のＳＲＡＦの前記幅を調節することと
を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項8】
アシストフィーチャ（ＡＦ）を含むマスクフィーチャの境界を生成するために光学的近接補正最適化を実行すること、又は前記マスクフィーチャを最適化すると共に、リソグラフィシステムにおける放射源マスク最適化（ＳＭＯ）において照明源を同時最適化することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項9】
前記マスク最適化プロセスにおいて利用されるコスト関数が、エッジ配置誤差、サイドローブプリンティング、マスクルールチェック（ＭＲＣ）準拠、又は事前に定義された要件のうちの１つ若しくは複数を記述するパラメータを含み、前記パラメータのうちの少なくとも１つが前記幅の関数である、請求項１に記載の方法。
【請求項10】
幅を表す最適化された連続変数に基づいて、前記ＳＲＡＦの選択された幅を決定することを更に含む、請求項８に記載の方法。
【請求項11】
前記決定することが、前記最適化された幅の母集団又は母集団分布を決定することと、
１つ又は複数の規則に基づいて、前記母集団又は母集団分布の幅の範囲内に前記選択された幅を設定することと、
各ＳＲＡＦの前記幅を最も近い選択された幅に設定することと
を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項12】
各ＳＲＡＦの前記幅が、更なるマスク最適化プロセスによって最適化される離散的変数であり、離散的変数がＳＲＡＦよりも少なく、前記更なるマスク最適化プロセスにおける各離散的変数が、グローバル幅レベルに対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項13】
前記マスク最適化プロセスにおいて前記グローバル幅レベルを固定又は最適化することを更に含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項14】
前記幅の前記調節が、前記ＳＲＡＦの連続幅を連続変数として決定することと、
前記ＳＲＡＦの前記連続幅を離散的な幅に離散化することと、
前記離散的な幅から選択されるように前記幅を変化させることにより前記マスク最適化プロセスを実行することと
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項15】
命令を記録した非一時的コンピュータ可読媒体であって、前記命令が、少なくとも１つのプログラム可能なプロセッサによって実行されると、請求項１～１４の何れか一項に記載の方法を実行する、非一時的コンピュータ可読媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、２０２１年１２月１４日に出願された国際出願番号第ＰＣＴ／ＣＮ２０２１／１３７８６０号の優先権を主張するものであり、同国際出願は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
[0001] 本出願は、２０２１年１２月１４日に出願された国際出願番号第ＰＣＴ／ＣＮ２０２１／１３７８６０号の優先権を主張するものであり、同国際出願は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【0002】
[0002] 本明細書における説明は、一般に、マスク製造及びパターニングプロセスに関する。より詳細には、本開示は、サブレゾリューションアシストフィーチャを決定するための装置、方法、及びコンピュータプログラムを含む。
【背景技術】
【0003】
[0003] リソグラフィ投影装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において使用され得る。このような場合、パターニングデバイス（例えば、マスク）は、ＩＣの個々の層に対応するパターン（「設計レイアウト」）を含むこと、又は提供することができ、及びこのパターンは、パターニングデバイス上のパターンを通してターゲット部分を照射するなどの方法により、放射感応性材料（「レジスト」）の層でコートされた基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つ又は複数のダイを含む）上に転写され得る。一般に、単一の基板は、パターンがリソグラフィ投影装置によって連続して転写される複数の隣接するターゲット部分（一度に１つのターゲット部分）を含む。あるタイプのリソグラフィ投影装置においては、パターニングデバイス全体上のパターンが、一回で１つのターゲット部分上に転写され、このような装置はまた、ステッパと呼ばれ得る。代替装置では、ステップアンドスキャン装置は、投影ビームが、所与の基準方向（「スキャン」方向）にパターニングデバイスをスキャンすることに同期して、この基準方向に平行又は逆平行に基板を移動させることができる。パターニングデバイス上のパターンの異なる部分が、１つのターゲット部分に漸進的に転写される。一般に、リソグラフィ投影装置は、縮小率Ｍ（例えば、４）を有するので、基板を移動させる速度Ｆは、投影ビームがパターニングデバイスをスキャンする速度×１／Ｍとなる。リソグラフィデバイスに関するさらなる情報は、例えば、本明細書に援用される米国特許第６，０４６，７９２号に見出すことができる。
【0004】
[0004] パターニングデバイスから基板にパターンを転写する前に、基板は、プライミング、レジストコーティング、及びソフトベークなどの様々なプロシージャを経てもよい。露光後に、基板は、ポストベーク（ＰＥＢ）、現像、ハードベーク、及び転写されたパターンの測定／インスペクションなどの他のプロシージャ（「ポストプロシージャ」）を受けてもよい。この多数のプロシージャは、デバイス、例えばＩＣの個々の層を作るための基礎として使用される。基板は、次に、エッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機械研磨など（全て、デバイスの個々の層を仕上げることを意図したもの）の様々なプロセスを経てもよい。デバイスに幾つかの層が必要とされる場合、プロシージャ全体又はそれの異形が、各層に対して繰り返される。最終的に、基板上の各ターゲット部分にデバイスが存在する。これらのデバイスは、次に、ダイシング又はソーイングなどの技術によって互いに分離され、その結果、個々のデバイスがキャリア上に取り付けられること、ピンに接続されることなどが可能である。
【0005】
[0005] よって、半導体デバイスなどのデバイスを製造することは、典型的には、デバイスの様々なフィーチャ及び複数の層を形成するために、いくつかの製造プロセスを使用して基板（例えば、半導体ウェーハ）を処理することを含む。このような層及びフィーチャは、典型的には、例えば、堆積、リソグラフィ、エッチング、化学機械研磨、及びイオン注入を使用して製造及び処理される。複数のデバイスが、基板上の複数のダイ上に作製され、その後、個々のデバイスに分離され得る。このデバイス製造プロセスは、パターニングプロセスとみなされ得る。パターニングプロセスは、リソグラフィ装置においてパターニングデバイスを使用する光リソグラフィ及び／又はナノインプリントリソグラフィなど、パターニングデバイス上のパターンを基板に転写するパターニングステップを含み、典型的には、しかしながら任意選択で、現像装置によるレジスト現像、ベークツールを使用する基板のベーク、エッチング装置を使用してパターンを使用するエッチングなど、１つ又は複数の関連するパターン処理ステップを含む。
【0006】
[0006] 上述の通り、リソグラフィは、基板上に形成されたパターンが、マイクロプロセッサ、メモリチップなどのデバイスの機能素子を定義する、ＩＣなどのデバイスの製造における中心的ステップである。フラットパネルディスプレイ、微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）、及び他のデバイスの形成においても、類似のリソグラフィ技術が使用される。
【0007】
[0007] 半導体製造プロセスが進歩し続けるにつれて、機能素子の寸法は、継続的に小さくなっている一方で、「ムーアの法則」と呼ばれる傾向に従って、１つのデバイス当たりのトランジスタなどの機能素子の量は、何十年にもわたり、着実に増加している。現在の技術状況では、デバイスの層は、深紫外線照明源からの照明を用いて、設計レイアウトを基板上に投影し、１００ｎｍをはるかに下回る（すなわち、照明源（例えば、１９３ｎｍ照明源）からの放射の波長の半分未満）寸法を有する個々の機能素子を生成するリソグラフィ投影装置を用いて製造される。
【0008】
[0008] リソグラフィ投影装置の古典的限界解像度未満の寸法を持つフィーチャが印刷されるこのプロセスは、解像度式ＣＤ＝ｋ１×λ／ＮＡによる低ｋ１リソグラフィと呼ばれ得、式中、λは、用いられた放射の波長（例えば、２４８ｎｍ又は１９３ｎｍ）であり、ＮＡは、リソグラフィ投影装置における投影光学系の開口数であり、ＣＤは、「クリティカルディメンジョン」（一般に、印刷される最小のフィーチャサイズ）であり、及びｋ１は、経験的解像度係数である。一般に、ｋ１が小さいほど、特定の電気的機能性及び性能を達成するために設計者によって計画された形状及び寸法に酷似するパターンを基板上に再現することがより難しくなる。これらの困難を克服するために、最新式の微調整ステップが、リソグラフィ投影装置、設計レイアウト、又はパターニングデバイスに適用される。これらは、例えば、限定されないが、ＮＡ及び光学コヒーレンス設定の最適化、カスタマイズ照明方式、位相シフトパターニングデバイスの使用、設計レイアウトにおける光近接効果補正（ＯＰＣ、「光学及びプロセス補正（optical and process correction）」とも呼ばれることがある）、又は一般に「解像度向上技術」（ＲＥＴ）と定義される他の方法も含む。本明細書で使用する「投影光学系」という用語は、例えば、屈折光学系、反射光学系、アパーチャ、及び反射屈折光学系を含む、様々なタイプの光学システムを網羅すると広く解釈されるものとする。「投影光学系」という用語は、まとめて、又は単独で、放射の投影ビームの誘導、整形、又は制御を行うためにこれらの設計タイプの何れかに従って動作するコンポーネントも含み得る。「投影光学系」という用語は、光学コンポーネントがリソグラフィ投影装置の光路上のどこに位置するかにかかわらず、リソグラフィ投影装置内の何れの光学コンポーネントも含み得る。投影光学系は、ソースからの放射がパターニングデバイスを通過する前に、放射を整形、調節、及び／又は投影するための光学コンポーネント、及び／又は放射がパターニングデバイスを通過した後に、放射を整形、調節、及び／又は投影するための光学コンポーネントを含み得る。投影光学系は、一般に、ソース及びパターニングデバイスを除く。
【発明の概要】
【0009】
[0009] 一実施形態によれば、マスクパターンを決定する方法が、それぞれが一定幅を有するサブレゾリューションアシストフィーチャ（ＳＲＡＦ）を含むマスクパターンを取得することと、マスクパターンのマスク最適化プロセスにおいて幅を調節することとを含む。
【0010】
[0010] いくつかの実施形態では、本方法はまた、ＳＲＡＦに対して定義された初期の離散的な幅レベルにアクセスすることと、初期の離散的な幅レベルから初期の幅となる幅を割り当てることとを含み得る。本方法は、ＳＲＡＦエッジを生成することであって、ＳＲＡＦエッジが、ＳＲＡＦの位置に対応するリッジ（ridge）ポイントから略等距離になるように生成され得る、ことを含み得る。いくつかの実施形態では、生成されたＳＲＡＦエッジは、湾曲したものであり得る。また、リッジポイントは、ＳＲＡＦエッジが滑らかに変化するように決定され得る。いくつかの実施形態では、リッジポイントは、ＳＲＡＦガイダンスマップ（ＳＧＭ）から決定され得、リッジポイントは、対応するＳＲＡＦエッジ間に配置される。
【0011】
[0011] いくつかの実施形態では、ＳＲＡＦエッジの生成は、２つのリッジポイント間の距離が距離限界を超えたとき、少なくとも２つのリッジポイントの補間を実行することであって、補間が、補間されたリッジポイントを生成する、ことを含み得る。補間されたリッジポイントは、２つのリッジポイント間にあるセグメントの中間点に生成され得る。補間されたリッジポイントは、２つのリッジポイント間のスプライン補間曲線に沿って生成され得、スプライン補間曲線が、少なくとも１つの他のリッジポイントを利用して生成される。
【0012】
[0012] ＳＲＡＦエッジの生成は、ＳＲＡＦのリッジポイントに垂直なセグメントの両端に制御点を生成することを含み得る。セグメントは、ＳＲＡＦの一定幅に対応する長さを有し得る。
【0013】
[0013] いくつかの実施形態では、本方法はまた、ＳＲＡＦエッジに先端を付加することを含み得る。
【0014】
[0014] いくつかの実施形態では、各ＳＲＡＦの幅は、マスク最適化プロセスによって最適化される連続変数として設定され得る。マスク最適化プロセスは、リソグラフィモデルを利用してリソグラフィプロセスをシミュレートすることと、リソグラフィモデルによってシミュレートされたマスクの結像特性を予測することと、結像特性に関連するコスト関数の使用によって結像特性を最適化するために１つ又は複数のＳＲＡＦの幅を調節することとを含み得る。
【0015】
[0015] いくつかの実施形態では、マスク最適化プロセスは、アシストフィーチャ（ＡＦ）を含むマスクフィーチャの境界を生成するために光学的近接補正最適化を実行することを含み得、また、マスクフィーチャを最適化すると共に、リソグラフィシステムにおける放射源マスク最適化において照明源を同時最適化することを含み得る。
【0016】
[0016] いくつかの実施形態では、マスク最適化プロセスにおいて利用されるコスト関数が、エッジ配置誤差、サイドローブプリンティング、マスクルールチェック（ＭＲＣ）準拠、又はユーザ定義のカスタム要件のうちの１つ若しくは複数を記述するパラメータを含み得、パラメータのうちの少なくとも１つが幅の関数である。
【0017】
[0017] いくつかの実施形態では、本方法は、ＳＲＡＦの選択された幅を決定することを含み得る。選択された幅の数は５未満であり得る。
【0018】
[0018] いくつかの実施形態では、本方法は、最適化された幅の母集団又は母集団分布を決定することと、１つ又は複数の規則に基づいて、母集団又は母集団分布の幅の範囲内に選択された幅を設定することと、各ＳＲＡＦの幅を最も近い選択された幅に設定することとを含み得る。規則は、選択された幅を幅の範囲内で均等に設定することを含み得る。
【0019】
[0019] いくつかの実施形態では、各ＳＲＡＦの幅は、更なるマスク最適化プロセスによって最適化され得る離散的変数であり得、離散的変数がＳＲＡＦよりも少ない。各離散的変数は、グローバル幅レベルに対応し得る。グローバル幅レベルはマスク最適化プロセス中に固定され得る、又はグローバル幅レベルはマスク最適化プロセス中に最適化され得る。
【0020】
[0020] いくつかの実施形態では、幅の調節は、ＳＲＡＦの連続幅を連続変数として決定することと、ＳＲＡＦの連続幅を離散的な幅に離散化することと、離散的な幅から選択されるように幅を変化させることによりマスク最適化プロセスを継続することとを含み得る。
【0021】
[0021] いくつかの実施形態では、命令を記録した非一時的コンピュータ可読媒体であって、命令が、少なくとも１つのプログラム可能なプロセッサを有するコンピュータによって実行されると、上述の方法実施形態における動作のいずれかを含む動作を引き起こす、非一時的コンピュータ可読媒体が存在し得る。
【0022】
[0022] いくつかの実施形態では、マスクパターンを決定するためのシステムであって、本システムが、少なくとも１つのプログラム可能なプロセッサと、命令を記録した非一時的コンピュータ可読媒体であって、命令が、少なくとも１つのプログラム可能なプロセッサを有するコンピュータによって実行されると、上述の方法実施形態における動作のいずれかを含む動作を引き起こす、非一時的コンピュータ可読媒体とを備える、システムが存在し得る。
【0023】
[0023] 本明細書に組み込まれ、且つ本明細書の一部を構成する添付の図面は、本明細書で開示される主題の特定の態様を示し、説明と併せて、開示される実装に関連する原理の一部を説明するのを助ける。図面は以下のとおりである。
【図面の簡単な説明】
【0024】
【図1】[0024]本開示の一実施形態による、リソグラフィ投影装置の様々なサブシステムのブロック図を示す。
【図2】[0025]本開示の一実施形態による、リソグラフィ投影装置におけるリソグラフィをシミュレートするための例示的なフローチャートを示す。
【図3】[0026]本開示の一実施形態による、主要フィーチャ（ＭＦ）及びサブレゾリューションアシストフィーチャ（ＳＲＡＦ）を含むマスクの例示的な部分を示す。
【図4】[0027]本開示の一実施形態による例示的な一定幅ＳＲＡＦを示す。
【図5】[0028]本開示の一実施形態による、マスクパターンを決定する例示的な方法を示す。
【図6】[0029]本開示の一実施形態による、ＳＲＡＦエッジを生成するための例示的な方法を示す。
【図7】[0030]本開示の一実施形態による、ＳＲＡＦ幅を離散化する例示的な方法を示す。
【図8】[0031]本開示の一実施形態による、最適化プロセスの異なる部分において連続値及び離散値の両方として幅を最適化することを含む複合最適化方法を示す。
【図9】[0032]本開示の一実施形態による、コンピュータシステム例のブロック図である。
【図10】[0033]本開示の一実施形態による、リソグラフィ投影装置の模式図である。
【図11】[0034]一実施形態による、別のリソグラフィ投影装置の模式図である。
【図12】[0035]本開示の一実施形態による、リソグラフィ投影装置の詳細図である。
【図13】[0036]本開示の一実施形態による、リソグラフィ投影装置のソースコレクタモジュールの詳細な図である。
【発明を実施するための形態】
【0025】
[0037] 本明細書において、ＩＣの製造に対して具体的な言及がなされる場合があるが、本明細書の記載は、多くの他の可能な適用例を有することが明白に理解されるものとする。例えば、それは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンス及び検出パターン、液晶ディスプレイパネル、薄膜磁気ヘッドなどの製造において用いられ得る。当業者は、このような代替適用例の文脈において、本明細書における「レチクル」、「ウェーハ」、又は「ダイ」という用語の使用が、それぞれ、より一般的な用語である「マスク」、「基板」、及び「ターゲット部分」と同義であると解釈されるべきであることを認識するだろう。
【0026】
[0038] 本明細書において、「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７、又は１２６ｎｍの波長を有する）及びＥＵＶ（極端紫外線、例えば、約５～１００ｎｍの範囲内の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅するために使用される。
【0027】
[0039] パターニングデバイスは、１つ若しくは複数の設計レイアウトを含むか又は形成することができる。設計レイアウトは、ＣＡＤ（コンピュータ支援設計）プログラムを利用して生成することができ、このプロセスは、ＥＤＡ（電子設計自動化）と呼ばれることが多い。ほとんどのＣＡＤプログラムは、機能設計レイアウト／パターニングデバイスを生成するために、所定の設計ルールセットに従う。これらのルールは、処理及び設計の限界により設定される。例えば、設計ルールは、デバイス（ゲート、キャパシタなど）又は相互接続ライン間のスペース公差を定義し、これは、それらのデバイス又はラインが望ましくない態様で互いに作用しないことを確実にするように行われる。設計ルールの限界の１つ又は複数は、「クリティカルディメンジョン」（ＣＤ）と呼ばれ得る。デバイスのクリティカルディメンジョンは、ライン若しくは孔の最小幅、又は２つのライン若しくは２つの孔間の最小のスペースと定義することができる。したがって、ＣＤは、設計されるデバイスの全体のサイズ及び密度を決定する。当然ながら、デバイス製造のゴールの１つは、（パターニングデバイスを介して）基板上に本来の設計の意図を忠実に再現することである。
【0028】
[0040] 本明細書で用いられる「マスク」又は「パターニングデバイス」という用語は、到来する放射ビームに、基板のターゲット部分に生成されることになるパターンに対応したパターン付き断面を与えるために使用することができる、一般的なパターニングデバイスを指すと広く解釈することができ、「ライトバルブ」という用語も、この文脈で使用されることがある。従来のマスク（透過型又は反射型；バイナリ、位相シフト、ハイブリッドなど）に加えて、他のそのようなパターニングデバイスの例には、プログラマブルミラーアレイ及びプログラマブルＬＣＤアレイが含まれる。
【0029】
[0041] プログラマブルミラーアレイの一例は、粘弾性制御層及び反射面を有するマトリックスアドレス可能面であり得る。そのような装置の背後にある基本原理は、（例えば）反射面のアドレスエリアが、入射放射を回折放射として反射し、非アドレスエリアが、入射放射を非回折放射として反射することである。適切なフィルタを使用して、非回折放射が反射ビームから除去され、回折放射のみを後に残すことができ、このようにして、ビームが、マトリックスアドレス可能面のアドレッシングパターンに従ってパターン付けされる。必要とされるマトリックスアドレッシングは、適切な電子方法を使用して行うことができる。
【0030】
[0042] プログラマブルＬＣＤアレイの例が、参照により本明細書に組み込まれる米国特許第５，２２９，８７２号で与えられる。
【0031】
[0043] 図１は、一実施形態による、リソグラフィ投影装置１０Ａの様々なサブシステムのブロック図を示している。主なコンポーネントは、深紫外線エキシマレーザ源、又は極端紫外線（ＥＵＶ）源を含む他のタイプのソースでもよい放射源１２Ａ（上記で説明するように、リソグラフィ投影装置自体は、放射源を有する必要がない）と、例えば、部分コヒーレンス（シグマで表す）を定義し、並びにソース１２Ａからの放射を整形する光学系１４Ａ、１６Ａａ、及び１６Ａｂを含み得る照明光学系と、パターニングデバイス１８Ａと、パターニングデバイスパターンの像を基板面２２Ａ上に投影する透過光学系１６Ａｃとである。投影光学系の瞳面における調節可能フィルタ又はアパーチャ２０Ａは、基板面２２Ａに衝突するビーム角の範囲を制限することができ、ここで、可能な最大角が、投影光学系の開口数ＮＡ＝ｎｓｉｎ（Θｍａｘ）を定義し、ｎは、基板と投影光学系の最後の素子との間の媒体の屈折率であり、Θｍａｘは、まだ基板面２２Ａに衝突し得る投影光学系から出るビームの最大角である。
【0032】
[0044] リソグラフィ投影装置では、ソースは、照明（すなわち、放射）をパターニングデバイスに提供し、投影光学系は、パターニングデバイスを介して、基板上へと照明の誘導及び整形を行う。投影光学系は、コンポーネント１４Ａ、１６Ａａ、１６Ａｂ、及び１６Ａｃのうちの少なくともいくつかを含むことがある。空間像（ＡＩ）は、基板レベルにおける放射強度分布である。レジストモデルを使用して、空間像からレジスト像を計算することができ、その一例は、その開示内容が全体として本明細書に援用される、米国特許出願公開第２００９－０１５７６３０号に見つけることができる。レジストモデルは、レジスト層の特性（例えば、露光、ポストベーク（ＰＥＢ）、及び現像中に生じる化学プロセスの影響）にのみ関係する。リソグラフィ投影装置の光学特性（例えば、照明、パターニングデバイス、及び投影光学系の特性）が、空間像を決定付け、光学モデルで定義され得る。リソグラフィ投影装置で使用されるパターニングデバイスは変更され得るので、パターニングデバイスの光学特性を、少なくともソース及び投影光学系を含む、リソグラフィ投影装置の残りの部分の光学特性から切り離すことが望ましい。技法及びモデルであって、設計レイアウトを様々なリソグラフィ像（例えば、空間像、レジスト像など）に変換し、これらの技法及びモデルを使用してＯＰＣを適用し、（例えば、プロセスウィンドウの観点から）性能を評価するために使用される技法及びモデルの詳細は、米国特許出願公開第２００８－０３０１６２０号、同第２００７－００５０７４９号、同第２００７－００３１７４５号、同第２００８－０３０９８９７号、同第２０１０－０１６２１９７号、及び同第２０１０－０１８０２５１号に記載されており、各米国特許出願公開の開示は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【0033】
[0045] リソグラフィプロセスを理解する１つの態様は、放射とパターニングデバイスとの相互作用を理解することである。放射線がパターニングデバイスを通過した後の放射の電磁場は、放射がパターニングデバイスに到達する前の放射の電磁場と、相互作用を特徴付ける関数とから決定され得る。この関数は、マスク透過関数と呼ばれ得る（マスク透過関数は、透過型パターニングデバイス及び／又は反射型パターニングデバイスによる相互作用を記述するために使用され得る）。
【0034】
[0046] マスク透過関数は様々な異なる形態を有し得る。１つの形態はバイナリである。バイナリマスク透過関数は、パターニングデバイス上の任意の位置において２つの値（例えば、ゼロ及び正の定数）のいずれかを持つ。バイナリ形態のマスク透過関数は、バイナリマスクと呼ばれ得る。もう１つの形態は連続である。すなわち、パターニングデバイスの透過率（又は反射率）は、パターニングデバイス上の位置の連続関数である。透過（又は反射）の位相もまた、パターニングデバイス上の位置の連続関数であり得る。連続形態のマスク透過関数は、連続トーンマスク又は連続透過マスク（ＣＴＭ）と呼ばれ得る。例えば、ＣＴＭはピクセル化された像として表されることがあり、各ピクセルは、０又は１のいずれかの２値ではなく、０と１との間にある値（例えば、０．１、０．２、０．３など）が割り当てられ得る。一実施形態では、ＣＴＭは、ピクセル化されたグレースケール像であることがあり、各ピクセルが、値（例えば、範囲［－２５５，２５５］内にある値、範囲［０，１］若しくは［－１，１］内にある正規化された値、又は他の適切な範囲内にある値）を有する。
【0035】
[0047] 放射とパターニングデバイスとの相互作用の決定を簡単化するために、キルヒホッフの境界条件とも呼ばれる薄膜マスク近似が広く使われている。薄膜マスク近似では、パターニングデバイス上の構造の厚さは波長に比べて非常に小さく、マスク上の構造の幅は波長に比べて非常に大きいと仮定する。したがって、薄膜マスク近似では、パターニングデバイスの後の電磁場は、入射電磁場とマスク透過関数との乗算であると仮定する。しかしながら、リソグラフィプロセスは、ますます短くなる波長の放射を使用しており、パターニングデバイス上の構造はますます小さくなっているので、薄膜マスク近似での仮定が崩れることがある。例えば、放射と構造（例えば、上面と側壁との間のエッジ）との相互作用が、有限の厚さに起因して著しくなることがある（「マスク３Ｄ効果」又は「Ｍ３Ｄ」）。この散乱をマスク透過関数に含めることにより、マスク透過関数が、放射とパターニングデバイスとの相互作用をよりよく取り込むことが可能になり得る。薄膜マスク近似の下でのマスク透過関数は、薄膜マスク透過関数と呼ばれ得る。Ｍ３Ｄを含むマスク透過関数は、Ｍ３Ｄマスク透過関数と呼ばれ得る。
【0036】
[0048] 本開示の一実施形態によれば、１つ又は複数の像が生成され得る。像は、各ピクセルのピクセル値又は強度値で特徴付けられ得る様々なタイプの信号を含む。当業者には理解され得るように、像内のピクセルの相対値に応じて、信号は、例えば、弱い信号又は強い信号と呼ばれ得る。「強い」及び「弱い」という用語は、像内のピクセルの強度値に基づく相対的な用語であり、強度の具体的な値は、本開示の範囲を限定するものではない。一実施形態では、強い信号及び弱い信号は、選択された閾値に基づいて識別され得る。一実施形態では、閾値は固定され得る（例えば、像内のピクセルの最高強度と最低強度との中間点。一実施形態では、強い信号とは、像全体の平均信号値以上の値を持つ信号を指し得、弱い信号とは、平均信号値未満の値を持つ信号を指し得る。一実施形態では、相対強度値はパーセンテージに基づき得る。例えば、弱い信号は、像内のピクセルの最高強度の５０％未満の強度を持つ信号であり得る（例えば、ターゲットパターンに対応するピクセルが、最高強度を持つピクセルとみなされ得る）。更に、像内の各ピクセルが変数とみなされ得る。本実施形態によれば、像内の各ピクセルに関して導関数又は偏導関数が決定され得、各ピクセルの値が、コスト関数に基づく評価及び／又は勾配に基づくコスト関数の計算に従って決定又は変更され得る。例えば、ＣＴＭ像はピクセルを含み得、各ピクセルは、任意の実数値を取り得る変数である。
【0037】
[0049] 図２は、一実施形態による、リソグラフィ投影装置におけるリソグラフィをシミュレートするための例示的なフローチャートを示している。放射源モデル３１は、放射源の光学特徴（放射強度分布及び／又は位相分布を含む）を表す。投影光学系モデル３２は、投影光学系の光学特徴（投影光学系によって生じた放射強度分布及び／又は位相分布に対する変化を含む）を表す。設計レイアウトモデル３５は、設計レイアウト（これは、パターニングデバイス上の、又はパターニングデバイスによって形成されるフィーチャの配置の表現である）の光学特徴（設計レイアウト３３によって生じた放射強度分布及び／又は位相分布に対する変化を含む）を表す。空間像３６は、設計レイアウトモデル３５、投影光学系モデル３２、及び設計レイアウトモデル３５を用いてシミュレーションされることが可能である。レジスト像３８は、レジストモデル３７を用いて空間像３６からシミュレーションされることが可能である。例えば、リソグラフィのシミュレーションは、レジスト像のコンター及びＣＤを予測することができる。
【0038】
[0050] より具体的には、放射源モデル３１は、限定するものではないが、開口数設定、照明シグマ（σ）設定、及び任意の特定の照明形状（例えば、環状、四極、ダイポールなどのオフアクシス放射源）を含む放射源の光学特徴を表し得ることに留意されたい。投影光学系モデル３２は、収差、歪み、１つ又は複数の屈折率、１つ又は複数の物理的サイズ、１つ又は複数の物理的寸法などを含む投影光学系の光学特徴を表し得る。設計レイアウトモデル３５は、例えば、参照によりその全体が組み込まれる、米国特許第７，５８７，７０４号に記載されるような、物理的パターニングデバイスの１つ又は複数の物理的特性を表し得る。シミュレーションの目的は、例えば、エッジ配置、空間像強度傾き、及び／又はＣＤを正確に予測することであり、これらは、その後、意図した設計と比較され得る。意図した設計は、一般に、ＧＤＳＩＩ、又はＯＡＳＩＳ、又は他のファイルフォーマットなどの標準デジタルファイルフォーマットで提供され得るプリＯＰＣ設計レイアウトとして定義される。
【0039】
[0051] この設計レイアウトから、１つ又は複数の部分（これらは、「クリップ」と呼ばれる）を識別することができる。ある実施形態では、設計レイアウト内の複雑なパターンを表すクリップの一セットが抽出される（任意の数のクリップが使用され得るが、一般的に約５０～１０００個のクリップ）。これらのパターン又はクリップは、設計の小さな部分（すなわち、回路、セル、又はパターン）を表し、より具体的にはクリップは通常特別な注意及び／又は検証が必要とされる小さな部分を表す。つまり、クリップは、設計レイアウトの部分でもよく、又は類似していてもよく、又は１つ若しくは複数のクリティカルフィーチャが、経験（顧客によって提供されたクリップを含む）によって、試行錯誤によって、若しくはフルチップシミュレーションを実行することによって識別される設計レイアウトの部分の類似挙動を有してもよい。クリップは、１つ又は複数のテストパターン又はゲージパターンを含み得る。
【0040】
[0052] 初期のより大きなクリップの組が、特定の像最適化を必要とする設計レイアウト内の１つ又は複数の既知のクリティカルフィーチャエリアに基づいて、顧客によって先験的に提供されることがある。或いは、別の実施形態では、初期のより大きなクリップの組は、１つ又は複数のクリティカルフィーチャエリアを識別するある種の自動的な（機械視覚などの）又は手動のアルゴリズムを使用することによって、設計レイアウト全体から抽出されることがある。
【0041】
[0053] リソグラフィ投影装置では、一例として、コスト関数は、以下のように表現することができる。
（ｚ１，ｚ２，…，ｚＮ）は、Ｎ個の設計変数又はそれらの値である。ｆｐ（ｚ１，ｚ２，…，ｚＮ）は、（ｚ１，ｚ２，…，ｚＮ）の設計変数の値の組についての特性の実際の値と意図された値との間の差などの、設計変数（ｚ１，ｚ２，…，ｚＮ）の関数であり得る。ｗｐは、ｆｐ（ｚ１，ｚ２，…，ｚＮ）に関連付けられた重み定数である。例えば、特性は、エッジ上の所定の点で測定された、パターンのエッジの位置であり得る。ｆｐ（ｚ１，ｚ２，…，ｚＮ）が異なれば、ｗｐも異なり得る。例えば、特定のエッジにおける許容される位置の範囲が狭い場合、エッジの実際の位置と意図された位置との間の差を表すｆｐ（ｚ１，ｚ２，…，ｚＮ）の重みｗｐは高い値を与えられ得る。ｆｐ（ｚ１，ｚ２，…，ｚＮ）はまた、層間特性の関数であり得、層間特性は設計変数（ｚ１，ｚ２，…，ｚＮ）の関数である。当然のことながら、ＣＦ（ｚ１，ｚ２，…，ｚＮ）は、上に示す形態に限定されるものではない。ＣＦ（ｚ１，ｚ２，…，ｚＮ）は、任意の他の適切な形態をとることができる。
【数1】
（ｚ１，ｚ２，…，ｚＮ）は、Ｎ個の設計変数又はそれらの値である。ｆｐ（ｚ１，ｚ２，…，ｚＮ）は、（ｚ１，ｚ２，…，ｚＮ）の設計変数の値の組についての特性の実際の値と意図された値との間の差などの、設計変数（ｚ１，ｚ２，…，ｚＮ）の関数であり得る。ｗｐは、ｆｐ（ｚ１，ｚ２，…，ｚＮ）に関連付けられた重み定数である。例えば、特性は、エッジ上の所定の点で測定された、パターンのエッジの位置であり得る。ｆｐ（ｚ１，ｚ２，…，ｚＮ）が異なれば、ｗｐも異なり得る。例えば、特定のエッジにおける許容される位置の範囲が狭い場合、エッジの実際の位置と意図された位置との間の差を表すｆｐ（ｚ１，ｚ２，…，ｚＮ）の重みｗｐは高い値を与えられ得る。ｆｐ（ｚ１，ｚ２，…，ｚＮ）はまた、層間特性の関数であり得、層間特性は設計変数（ｚ１，ｚ２，…，ｚＮ）の関数である。当然のことながら、ＣＦ（ｚ１，ｚ２，…，ｚＮ）は、上に示す形態に限定されるものではない。ＣＦ（ｚ１，ｚ２，…，ｚＮ）は、任意の他の適切な形態をとることができる。
【0042】
[0054] 費用関数は、リソグラフィ投影装置、リソグラフィプロセス、又は基板の任意の１つ又は複数の適切な特徴、例えば、焦点、ＣＤ、像シフト、像歪み、像回転、確率的変動、スループット、局所ＣＤ変動、プロセスウィンドウ、層間特性、又はそれらの組み合わせを表し得る。一実施形態では、設計変数（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）は、ドーズ量、パターニングデバイスのグローバルバイアス、及び／又は照明の形状から選択された１つ又は複数を含む。基板上のパターンを決定づけるのはレジスト像であることが多いため、費用関数は、レジスト像の１つ又は複数の特徴を表す関数を含み得る。例えば、ｆｐ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）は、単純に、レジスト像におけるあるポイントと、そのポイントの意図された位置との間の距離（即ち、エッジ配置誤差ＥＰＥｐ（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ））であり得る。設計変数は、放射源、パターニングデバイス、投影光学系、ドーズ量、焦点などの調節可能パラメータなどの任意の調節可能パラメータを含み得る。
【0043】
[0055] リソグラフィ装置は、放射ビームの波面の形状及び強度分布及び／又は位相シフトを調節するために使用することができる、「波面マニピュレーター」と総称されるコンポーネントを含み得る。一実施形態では、リソグラフィ装置は、パターニングデバイスの前、瞳面の近く、像面の近く、及び／又は焦点面の近くなどのリソグラフィ投影装置の光路に沿った任意の場所で、波面及び強度分布を調節することができる。波面マニピュレーターを使用して、例えば、放射源、パターニングデバイス、リソグラフィ投影装置の温度変動、リソグラフィ投影装置のコンポーネントの熱膨張などにより引き起こされる、波面及び強度分布及び／又は位相シフトの特定の歪みを補正又は補償することができる。波面及び強度分布及び／又は位相シフトを調節することにより、費用関数により表される特性の値を変更することができる。そのような変更は、モデルからシミュレートされ得るか、又は実際に測定され得る。設計変数は、波面マニピュレーターのパラメータを含み得る。
【0044】
[0056] 設計変数には制約があることがあり、これは、（ｚ１、ｚ２、…、ｚＮ）∈Ｚと表現することができ、ここで、Ｚは設計変数の可能な値の組である。設計変数に対する可能な制約の１つは、リソグラフィ投影装置の所望のスループットによって課されることがある。所望のスループットにより課されるそのような制約がなければ、最適化により、非現実的な設計変数の値の組が生成される場合がある。例えば、ドーズ量が設計変数である場合、そのような制約がなければ、最適化により、スループットを経済的に不可能にするドーズ量値が生成される場合がある。しかしながら、制約の有用性は、必要と解釈されるべきではない。例えば、スループットは、瞳充填率に影響される場合がある。照明設計によっては、瞳充填率が低いと、放射を廃棄してしまい、スループットの低下に至る場合がある。スループットは、レジストの化学的性質によっても影響を受ける場合がある。より時間のかかるレジスト（例えば、適切に露光されるためにより多くの放射量を必要とするレジスト）は、スループットの低下をもたらす。
【0045】
[0057] 本明細書で使用される場合、「パターニングプロセス」という用語は、リソグラフィプロセスの一部として、指定された光のパターンを適用することによってエッチングされた基板を作成するプロセスを意味する。
【0046】
[0058] 本明細書で使用される場合、「ターゲットパターン」という用語は、基板上でエッチングされるべき理想パターンを意味する。
【0047】
[0059] 本明細書で使用される場合、「プリントパターン」という用語は、ターゲットパターンに基づいてエッチングされた基板上の物理的パターンを意味する。プリントパターンは、例えば、トラフ、チャネル、窪み、エッジ、又はリソグラフィプロセスから生成される他の２次元及び３次元フィーチャを含むことができる。
【0048】
[0060] 本明細書で使用される場合、「プロセスモデル」という用語は、パターニングプロセスをシミュレートする１つ又は複数のモデルを含むモデルを意味する。例えば、プロセスモデルは、光学モデル（例えば、リソグラフィプロセスにおいて光の送達に使用されるレンズ系／投影系をモデリングし、フォトレジストに到達する光の最終光学像をモデリングすることを含み得るもの）と、レジストモデル（例えば、光に起因する化学効果など、レジストの物理的効果をモデリングするもの）と、ＯＰＣモデル（例えば、ターゲットパターンの作成に使用することができ、サブレゾリューションレジストフィーチャ（ＳＲＡＦ）などを含み得るもの）と、結像デバイスモデル（例えば、結像デバイスがプリントパターンから結像し得るものをモデリングするもの）との任意の組み合わせを含むことができる。
【0049】
[0061] 本明細書で使用される場合、「結像デバイス」という用語は、プリントパターン又はその一部などのターゲットの像を生成するように構成され得る、任意の数又は組み合わせのデバイス並びに関連するコンピュータハードウェア及びソフトウェアを意味する。結像デバイスの非限定的な例としては、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、Ｘ線装置などが挙げられる。
【0050】
[0062] 本明細書で使用される場合、「較正する」という用語は、プロセスモデルなど、なんらかのものを変更（例えば、改善又は調整）及び／又は検証することを意味する。
【0051】
[0063] 図３は、主要フィーチャ（ＭＦ）及びサブレゾリューションアシストフィーチャ（ＳＲＡＦ）を含むマスクの例示的な部分を示している。本明細書で説明されるマスクシミュレーション／最適化プロセスは、マスクを利用してプリントされる所望のフィーチャ（例えば、回路トレース）に概ね一致するＭＦを含むマスク（又はマスクパターン）を生成するために利用され得る。図３は、いくつかの単純化されたＭＦ３１０の例を有するマスクパターン３００の例示的な部分を描いている。製造上の限界、回折効果、又は他の間接的若しくは微細スケールの効果に起因して、マスクパターンは、アシストフィーチャ（ＡＦ）及び／又はＳＲＡＦも含むように生成され得る。ＡＦは、図３の例では描かれていないが、主要フィーチャの形状に対するわずかな逸脱であると理解されたい。このような例としては、マスクによる正確なプリントを容易にするために特定の場所における主要フィーチャを幅広化及び／又は幅狭化すること、主要フィーチャの隅に切り欠きを配置することなどであり得る。しかしながら、本開示は、主にＳＲＡＦに関連するフィーチャの決定を対象とする。図３から分かるように、ＳＲＡＦ３２０は、主要（及びアシスト）フィーチャとは別個のマスクフィーチャであり、最終的なプリントパターンがターゲットパターンをよりよく近似するようにマスク上で更に利用される。一般に、ＳＲＡＦは、ＳＲＡＦに沿った幅を変えることを含め、形状を変えることができる。しかしながら、本明細書でより詳細に説明するように、本開示は、各ＳＲＡＦが一定幅を有し得るＳＲＡＦの決定及び生成のためのプロセスを提供する。
【0052】
[0064] 本明細書で使用される場合、「一定幅」という用語は、ＳＲＡＦの幅がその長さに沿って実質的に一定である（例えば、５％以下しか変化しない）ことを意味する。ＳＲＡＦを含む最終的な物理的マスクにおけるこのようなバリエーションは、製造上の不確実性に起因し得る。しかしながら、本明細書で説明される計算／シミュレートされた「一定幅」ＳＲＡＦは、例えば、公称「一定幅」ＳＲＡＦのエッジを形成するために使用されるスプラインに起因して生じ得る、同様の小さなバリエーションを有し得る。
【0053】
[0065] 図４は、例示的な一定幅ＳＲＡＦを示している。マスク最適化／生成プロセスの生成するＳＲＡＦの形状は、シミュレートされたマスクを最適化するために必要な複雑な形状に対応するために、かなり多様であり得る。したがって、図４に描かれたＳ字形のＳＲＡＦ４１０の例は例示的なものであり、任意の形状のＳＲＡＦが本開示の範囲内にあるとみなされることを理解されたい。本明細書で使用する実施形態では、ＳＲＡＦの全体構造はＳＲＡＦ「骨格」を有するとみなされ得、図４のＳＲＡＦは、ＳＲＡＦの中心に破線で描かれた骨格４２０を有する。よって、ＳＲＡＦ骨格４２０は、マスクパターンにおいてＳＲＡＦがあるべき場所を概ね表す。ＳＲＡＦの位置は、最終マスクで作られたレジストを利用したプリンティングを改善するためにＳＲＡＦの配置され得る場所を示す連続トーン（グレイトーン）像（ＳＲＡＦガイダンスマップ（ＳＧＭ）又はＣＴＭと呼ばれることもある）を最適化することを含み得るマスク最適化プロセスで決定され得る。ＳＧＭは、リッジとして現れ、それによりＳＲＡＦの候補の位置を示すことができる検出可能なバリエーションを有し得る。
【0054】
[0066] 一般に、ＳＲＡＦの幅は様々であり得、いくつかの実装では、最適化プロセスの一部であり得る。しかしながら、本開示は、個々のＳＲＡＦの幅が一定である場合に、ＳＲＡＦの幅を決定／最適化するためのプロセスを説明する。図４に描かれた例示的なＳＲＡＦは、一定幅４３０を有する（すなわち、ＳＲＡＦ骨格の両側に垂直に実質的に同じ距離を有する）と理解されたい。また、開放端においてＳＲＡＦを閉鎖するために含まれ得るＳＲＡＦの例示的な先端４４０も描かれている。
【0055】
[0067] 図５は、マスクパターンを決定する例示的な方法を示している。任意選択の初期方法ステップ５１０及び５２０を以下に説明する。いくつかの実施形態では、本方法は、５３０において、それぞれが一定幅を有するＳＲＡＦを有するマスクパターンを取得することを含み得る。本方法はまた、５４０において、マスクパターンのマスク最適化プロセスにおいて幅を調節することを含み得る。例えば、再び図３を参照すると、描かれているＳＲＡＦは同じ幅を有しているように見えるが、開示されるマスク最適化プロセスは、プリンティング要件に最もよく合うのに必要な個々のＳＲＡＦの一定幅を変化させ得る／決定し得る。
【0056】
[0068] いくつかの実施形態では、初期の幅は所定の幅のグループから選択され得る。例えば、図５の方法は、５１０において、ＳＲＡＦに対して定義された初期の離散的な幅レベルにアクセスすることを含み得る。次いで、５２０において、本方法は、初期の離散的な幅レベルから初期の幅となる幅を割り当てることを含み得る。
【0057】
[0069] 本開示全体を通して、「離散的」及び「連続」という用語は、ＳＲＡＦの幅又はＳＲＡＦの幅を表す変数を記述するために、様々な実施形態に関連して使用される。本明細書で使用される場合、「離散的」という用語は、最適化プロセス中に変化させることができるが、有限数の利用可能な離散的な幅から選択される数（例えば、幅）を指す。「離散的」な幅の例としては、５ｎｍ、７ｎｍ、１０ｎｍなどがあり得る。対照的に、「連続」という用語は、最適化プロセス中に細かく変化させることができる数／幅を指す。「連続」幅の例は、例えば、３～１５ｎｍの範囲であり得、そのような範囲での変化の例は、５．０ｎｍから、５．０１ｎｍまで、５．０００００１ｎｍまで、又は他の任意の種類の微小な変化である。実際の値は特定の実装に大きく依存するため、本明細書で示した幅の具体的な数値は、例に過ぎないとみなされる。
【0058】
[0070] そして、初期の幅は、マスク最適化プロセスによって変化され得る。実装に応じて、初期の幅は、特定の実装に応じて、離散的なままであってもよいし、離散的又は連続的に扱われてもよい。例えば、以下により詳細に説明するように、図８は、マスク最適化プロセスが連続幅を最適化することから離散的な幅を最適化することに移行し得る実施形態を説明している。
【0059】
[0071] ＳＲＡＦの幅をどのように変化／最適化し得るかについて論じる前に、実際のＳＲＡＦエッジの生成に関連する実施形態を開示する。リッジを使用してＳＲＡＦを生成することに関連して実施形態を詳細に説明するが、本開示はこれに限定されるものではない。本開示の範囲を逸脱することなしに、任意の適切な方法を使用することができる。図６は、ＳＲＡＦエッジを生成するための例示的な方法を示している。先に論じたように、ＳＲＡＦの候補位置は、リッジに対応する点など、マスクパターン上の特定の位置において決定され得る。図６の左上部分には、本明細書では「リッジポイント」と呼ぶ、リッジに沿った例示的な位置を示すいくつかの点６１０が描かれている。図６を通して示すように、開示される方法は、ＳＲＡＦの骨格に対応するリッジポイント６１０から略等距離に生成され得るＳＲＡＦエッジを生成することを含み得る。生成されたＳＲＡＦエッジは湾曲したものであり得るが（例えば、図３に示すように）、他の実施形態では、実質的に直線状であってもよいし、直線状又は湾曲した（例えば、図４の例に描かれているようなもの）様々なセクションを有していてもよい。いくつかの実装では、リッジポイントは、ＳＲＡＦエッジが滑らかに変化するように決定され得る。いくつかの実装では、リッジポイントは、ＳＲＡＦ位置の決定に関する先の議論に従って、ＳＧＭから決定され得る。したがって、リッジポイントは、対応するＳＲＡＦエッジ間に配置され得、このことについては、図６の残りの部分を参照して詳述する。
【0060】
[0072] 図６の右上部分は、ＳＲＡＦ生成プロセスにおける、例示的な次のステップを描いている。ＳＲＡＦ骨格の左上部分を見ると、ＳＲＡＦ骨格の中央付近に、セグメントの長さ（端点に対応するリッジポイント６１０間の距離）がＳＲＡＦ骨格の他のセグメントよりも大幅に長い２つのセグメント６２０が存在することが分かる。リッジポイントの分布をより均一にするために、ＳＲＡＦエッジを生成することは、少なくとも２つのリッジポイントの補間を実行することを含み得る。これは、例えば、２つのリッジポイント間の距離が距離限界を超えた場合に行われ得、これにより補間は、補間されたリッジポイント６３０を生成する。本システムは、特定の基準、例えば、リッジポイント間の絶対距離（例えば、５ｎｍ、１０ｎｍなどよりも大きいもの）、リッジポイント間の相対距離（例えば、リッジポイント間の平均間隔の１．５倍よりも大きい、又は２．０倍よりも大きいもの）、又は他の基準が満たされたときに補間を実行し得る。図６の右上に示すものなどのいくつかの実施形態では、補間されたリッジポイント６３０が２つのリッジポイント間にあるセグメント６３２の中間点において生成され得るように線形補間が利用され得るが、他の実装では、補間されたリッジポイントはセグメントに沿った任意の位置にあり得る。いくつかの実装では、補間されたリッジポイントは、２つのリッジポイント間のスプライン補間曲線６４０に沿って生成され得る。いくつかの実施態様では、より拘束された、また場合により、より現実的な曲線となるように、スプライン補間曲線は、少なくとも１つの他のリッジポイントを利用して生成され得る。右上部分は、スプライン補間曲線の見え方の例を描いているが、例示的な線形補間されたリッジポイントのみが示されている。
【0061】
[0073] 図６の左下部分に進むと、いくつかの実施形態では、ＳＲＡＦエッジの生成は、ＳＲＡＦのリッジポイントに垂直なセグメント６５２の両端に制御点６５０を生成することを含み得る。本明細書で使用される場合、「制御点」という用語は、最終的なＳＲＡＦに沿った点を指す。図示のように、セグメントは、ＳＲＡＦの一定幅に対応する長さを有し得る。本開示では、図６に描かれたセグメントは、主に説明のためのものに過ぎないこと、また、リッジポイントに基づいてＳＲＡＦを生成する計算アルゴリズムは、記載されたセグメントのいずれかを文字通り計算、生成、又は表示する必要はないことを理解されたい。例えば、描かれた制御点は、対応するリッジポイントにおける垂直方向を知ることに基づいて、適切な位置にあるように単に計算され得る。
【0062】
[0074] また、図６の左下部分には、セグメント（６６０、６６２）のうちの２つが交差し、このような点を使用した場合、結果として得られるＳＲＡＦにアーチファクト又は他の不規則性が生じる可能性がある例が描かれている。いくつかの実施形態では、そのような不規則性を除去し得る平滑化アルゴリズムが存在し得る。この例では、ぶつかり合う２つのセグメントは単一のセグメント６６４にまとめられるとして描かれている。
【0063】
[0075] 右下部分は、制御点に基づくＳＲＡＦエッジ６７０の生成を描いている。図示のように、ＳＲＡＦエッジは制御点を通過することができ、例えば、任意の数の制御点を通過する１つ又は複数のスプラインによって生成され得る。「一定幅」の定義に関して上述したように、例示的なＳＲＡＦのエッジをよく調べると、生成に使用されたスプラインの特定のフィーチャ（例えば、スプラインのテンション）により、ＳＲＡＦの幅がＳＲＡＦの長さに沿って正確に一定でない場合があることが分かる。よって、ここでも、本開示が一定幅ＳＲＡＦに言及する場合、このようなマイナーなバリエーションも含むと解釈されることを理解されたい。いくつかの実施形態では、ＳＲＡＦの生成は、適切な場合には、ＳＲＡＦエッジに先端６８０を付加することを含み得る。このような先端は、半円状、半楕円状などとすることができる。いくつかの実施形態では、先端はまた、ＳＲＡＦエッジの端部における２つの制御点間の直接の閉鎖（例えば、線）とすることもできる。
【0064】
[0076] 図５の方法を参照して説明したように、本開示の特定の実施形態は、可能な限り最良のプリンティング結果を得るためにＳＲＡＦの幅を最適化するための特定の方法を含み得る。実装に応じて、幅は、連続変数又は離散的変数として扱われ得る。
【0065】
[0077] いくつかの実施形態では、各ＳＲＡＦの幅は、マスク最適化プロセスによって最適化される連続変数として設定され得る。このようにして、マスク最適化プロセスは、シミュレートされたマスクにおけるＳＲＡＦの最適な集合を得るために、幅を非常に高い精度で、又は細かい勾配で変化させることができるようにし得る。例えば、このような連続変数は、浮動小数点値として扱うことができ、小数点以下の桁数が比較的大きい数（例えば、３、５、７など）の小数位を有して、最適化された幅を記述し得る。よって、このような実装は、高度に最適化されたマスクパターンを提供するという技術的利点を有し得る。
【0066】
[0078] このような実装は、例えば、リソグラフィモデルを利用してリソグラフィプロセスをシミュレートすることと、リソグラフィモデルによってシミュレートされたマスクの結像特性を予測することと、結像特性に関連するコスト関数の使用によって結像特性を最適化するために１つ又は複数のＳＲＡＦの幅を調節することとを含み得るマスク最適化プロセスに組み込まれ得る。リソグラフィモデルは、アシストフィーチャを含むマスクフィーチャの境界を生成するために光学的近接補正最適化を実行することを含み得る。他の実施形態では、リソグラフィモデルは、マスクフィーチャを最適化すると共に、リソグラフィシステムにおける放射源マスク最適化（ＳＭＯ）において照明源を同時最適化することを更に含み得る。
【0067】
[0079] コスト関数及びリソグラフィプロセスの最適化におけるコスト関数の使用を（一般的な意味で）上述したが、ＳＲＡＦの最適化で開示されたものと一致するいくつかの実装では、一定幅ＳＲＡＦに関連するコスト関数が、マスク最適化プロセスで利用され得る。コスト関数は、エッジ配置誤差、サイドローブプリンティング、ＭＲＣ準拠、又はユーザ定義のカスタム要件のうちの１つ若しくは複数を記述するパラメータを含み得、パラメータのうちの少なくとも１つが幅の関数である。一例として、コスト関数は、そのようなパラメータの任意の組み合わせについてのコスト関数の関数（例えば、和）であるコスト（Ｓ）とすることができる。
式１において、「ｘ」変数は、計算されたコスト関数に対する任意の適切な依存関係を含むことができ、上述のように、コストが１つ又は複数の計算されたＳＲＡＦ幅の関数であるようなＳＲＡＦ幅を含み得る。このような依存関係は、明示的なもの（つまり、幅の変数を直接計算に入れるもの）と黙示的なもの（すなわち、サイドローブプリンティングの量など、幅のバリエーションに起因して変化する量に基づくもの）とがある。また、上記の項のすべてが幅に依存する必要はなく、幅に依存する表現及び幅に依存しない表現の任意の組み合わせが企図される。
【数2】
式１において、「ｘ」変数は、計算されたコスト関数に対する任意の適切な依存関係を含むことができ、上述のように、コストが１つ又は複数の計算されたＳＲＡＦ幅の関数であるようなＳＲＡＦ幅を含み得る。このような依存関係は、明示的なもの（つまり、幅の変数を直接計算に入れるもの）と黙示的なもの（すなわち、サイドローブプリンティングの量など、幅のバリエーションに起因して変化する量に基づくもの）とがある。また、上記の項のすべてが幅に依存する必要はなく、幅に依存する表現及び幅に依存しない表現の任意の組み合わせが企図される。
【0068】
[0080] 図７は、ＳＲＡＦ幅を離散化する例示的な方法を示している。描かれた方法は、開示されたいくつかの実施形態がＳＲＡＦの選択された幅を決定する能力を表している。この判定は、上に提示した最適化プロセスからのＳＲＡＦの結果としてられた幅の統計値に基づき得る。様々な実施形態において、各ＳＲＡＦがそれ自身の個別の幅を持つのではなく、それぞれがそれ自身の異なる値を持つ特定の数の幅をＳＲＡＦが持つことができる。いくつかの実施形態では、選択された幅の数は５未満であり得るが、例えば、１０未満、４未満、又は正確に２、３、５、１０などでもあり得る。３つの幅がある１つの例示的な方法は、図７に、幅の異なる大きな母集団が３つの幅のうちのいずれかになるように調節された４つのグラフによって描かれている。
【0069】
[0081] 図７の上部部分は、本方法が最適化された幅の母集団７１０又は母集団分布を決定することを含み得ることを示している。母集団は、横軸にＳＲＡＦの幅、縦軸にその幅を有するＳＲＡＦの数をとった曲線によって表されている。それぞれが独自の幅を持つ数十又は更には数百のＳＲＡＦが存在し得、このようなものの「母集団」は、任意の、しかし一般的には細かいスケールのビニングを有するヒストグラムによって表され得る。ここでも、描かれているグラフは、このようなヒストグラムを表す曲線を本システムが生成し得ることを要求するもののではなく、特定の幅におけるＳＲＡＦの母集団が定量化されることだけを要求している。
【0070】
[0082] 図７の第２の部分は、ＳＲＡＦの母集団がカバーする幅の範囲内にある３つの例示的な幅を示している。ここで、本方法は、１つ又は複数の規則に基づいて、選択された幅（例えば、幅７２２、７２４、７２６）を母集団の幅の範囲内に設定することを含み得る。いくつかの実施形態では、規則は、幅の値が均等に分離されるように、又は幅のそれぞれにおいて偶数（同じ数）のＳＲＡＦが存在するように、選択された幅を幅の範囲内で均等に設定することを含み得る。
【0071】
[0083] 図７の第３の部分は、本システムが各ＳＲＡＦの幅を最も近い選択された幅に設定し得ることを示している。このことは、母集団が３つの領域（７３２、７３４、７３６）（異なるクロスハッチで描かれている）に分割され、各領域間の境界が隣接する選択された幅の中間になる（例えば、領域７３２と７３４との間の境界は、選択された幅７２２と７２４との間にある）ように選択されることによって示されている。矢印は、それまで変化していた幅が、次に、その領域で選択された幅に変更されたりまとめられたりし得ることを示している。
【0072】
[0084] そして、図７の第４の（最下）部分は、最終的な幅の分布を示しており、ここで、すべてのＳＲＡＦが選択された幅７２２、７２４、又は７２６に対応する幅を有している。実際の母集団は各幅で同じであり得るが、領域決定の方法によっては、選択された幅を有するＳＲＡＦの数が異なり得る。描かれた最終結果は、実質的に最適化された解でありながら、少ない数の幅を利用するマスクパターンを提供することを含め、いくつかの技術的利点を有する。このようにＳＲＡＦ幅を凝縮することで、高精度の最適化によって決定されたＳＲＡＦ幅を有する利点を実質的に維持しながら、（膨大な数のＳＲＡＦ幅が現実的でない可能性がある）製造要件を簡素化（又は満たす）ことができる。また、いくつかの実施形態では、最終的な幅に到達するために、更なる最適化が行われ得る。
【0073】
[0085] 他の実施形態では、ＳＲＡＦの幅を最適化され得る連続変数とするのではなく、各ＳＲＡＦの幅を更なるマスク最適化プロセスによって最適化され得る離散的変数とすることができる。よって、このような実装では、離散的変数はＳＲＡＦよりも少なくなり得る。例えば、多数のＳＲＡＦの可能な幅には３つの離散的な値があり得る。いくつかの実施形態では、本システムは、最適化中にＳＲＡＦが許容可能である幅のグループから選択される幅として「グローバル幅レベル」を定義し得る。よって、特定の実施形態では、各離散的変数が、グローバル幅レベルに対応し得る。許容可能なＳＲＡＦ幅、グローバル幅レベル、及び離散的変数による表現の間の関係の一例を下表に示す。
【0074】
【表1】
【0075】
[0086] マスク最適化を行うためのコスト関数の使用を再び参照すると、特定のグローバル幅レベルに制限された幅を利用するが、それらの任意の組み合わせとなるように変化させることができる、そのようなコスト関数（最小化されるコスト「Ｓ」を有するもの）の簡単化された表現を以下の式２に示す。
Ｓ＝ＣＦ（ｗｉ（ｘａ，ｂ，又はｃ））（式２）
Ｓ＝ＣＦ（ｗｉ（ｘａ，ｂ，又はｃ））（式２）
【0076】
[0087] 様々な実施形態において、グローバル幅レベルは、マスク最適化プロセスにおいて固定又は最適化され得る。例えば、マスク最適化プロセス中にグローバル幅レベルを固定することを含む実施形態では、グローバル幅レベルをそれらの選択された値（例えば、上記の例示的な表から１．０ｎｍ、４．０ｎｍ、及び５．７ｎｍ）に保ちながら、コスト関数に影響を及ぼす他のパラメータを変化させることができる。他の実施形態では、本方法は、マスク最適化プロセスにおいてグローバル幅レベルを最適化することを含み得る。例えば、本システムの制約は、３つの離散的な幅レベルしかないが、その３つの幅レベルは連続範囲にわたって最適化され得ることであり得る。よって、例えば、本システムは、１．２、４．３７、及び６．２４５の幅がＳＲＡＦの最適化されたグローバル幅レベルであると決定し得る。別の実施形態では、最適化は、ＳＲＡＦによるグローバル幅レベルの使用が最適化された解をもたらすように、許容可能な幅からグローバル幅レベルを選択することを含み得る。例えば、グローバル幅レベルが１．０ｎｍ、４．０ｎｍ、及び５．７ｎｍである特定の解の最終コストは、グローバル幅レベルが２．０ｎｍ、４．０ｎｍ、及び８．２ｎｍである特定の解の最終コストよりも高い（最適ではない）ものであり得る。よって、最適化された解は、マスクパターンにおけるＳＲＡＦにグローバル幅レベルの後者のセットを使用する。
【0077】
[0088] 図８は、最適化プロセスの異なる部分において連続値及び離散値の両方として幅を最適化することを含む複合最適化方法を示している。図８に示すように、ＳＲＡＦの幅を調節するステップ（５４０）は、下記の追加動作（８１０～８３０）を含み得る。動作８１０は、ＳＲＡＦの連続幅を決定することを含み得る。この動作は、ＳＲＡＦ幅が連続的に最適化され得る図７の上部部分に描かれたものと同様であり得る。動作８２０は、ＳＲＡＦの連続幅を離散的な幅に離散化することを含み得る。この動作もまた、開示されたアルゴリズムのいずれかを介して、以前に決定された連続幅が指定された離散的な幅のいずれかに変換される、図７の第２の部分～第４の部分に描かれたものと同様であり得る。これらの付加的な動作は、８３０において、離散的な幅から選択されるように幅を変化させることによりマスク最適化プロセスを継続することにより、継続され得る。そのような、離散的な幅が決定されると、最適化プロセスが離散的な幅からＳＲＡＦ幅の最良の組み合わせを決定し得る一例については、式１を参照して先に説明した。
【0078】
[0089] 図９は、本開示の一実施形態による、例示的なコンピュータシステムＣＳのブロック図である。
【0079】
[0090] コンピュータシステムＣＳは、バスＢＳ又は情報を通信するための他の通信機構と、情報を処理するためにバスＢＳと結合されたプロセッサＰＲＯ（又は複数のプロセッサ）とを含む。コンピュータシステムＣＳは、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）又は他の動的ストレージデバイスなどの、プロセッサＰＲＯによって実行される情報及び命令を保存するためにバスＢＳに結合されたメインメモリＭＭも含む。メインメモリＭＭは、プロセッサＰＲＯによって実行される命令の実行中に、一時変数又は他の中間情報を保存するためにも使用されてもよい。コンピュータシステムＣＳは、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）ＲＯＭ、又はプロセッサＰＲＯのための静的情報及び命令を保存するためにバスＢＳに結合された他の静的ストレージデバイスを更に含む。情報及び命令を保存するための磁気ディスク又は光ディスクなどのストレージデバイスＳＤが設けられると共に、バスＢＳに結合される。
【0080】
[0091] コンピュータシステムＣＳは、バスＢＳを介して、情報をコンピュータユーザに表示するための、陰極線管（ＣＲＴ）、フラットパネル、又はタッチパネルディスプレイなどのディスプレイＤＳに結合されてもよい。英数字及び他のキーを含む入力デバイスＩＤが、情報及びコマンド選択をプロセッサＰＲＯに通信するためにバスＢＳに結合される。別のタイプのユーザ入力デバイスは、プロセッサＰＲＯに方向情報及びコマンド選択を通信するため、及びディスプレイＤＳ上でカーソルの移動を制御するための、マウス、トラックボール、又はカーソル方向キーなどのカーソル制御部ＣＣである。この入力デバイスは、一般的に、２つの軸（第１の軸（例えばｘ）及び第２の軸（例えばｙ））において、デバイスがある面内で位置を特定することを可能にする２つの自由度を有する。タッチパネル（スクリーン）ディスプレイが、入力デバイスとして使用されてもよい。
【0081】
[0092] ある実施形態によれば、本明細書に記載される１つ又は複数の方法の部分は、メインメモリＭＭに含まれる１つ又は複数の命令の１つ又は複数のシーケンスを実行するプロセッサＰＲＯに応答して、コンピュータシステムＣＳによって行われてもよい。このような命令は、ストレージデバイスＳＤなどの別のコンピュータ可読媒体からメインメモリＭＭに読み込まれてもよい。メインメモリＭＭに含まれる命令のシーケンスの実行は、プロセッサＰＲＯに本明細書に記載のプロセスステップを行わせる。メインメモリＭＭに含まれる命令のシーケンスを実行するために、多重処理構成の１つ又は複数のプロセッサが用いられてもよい。ある代替実施形態では、ソフトウェア命令の代わりに、又はソフトウェア命令と一緒に、ハードワイヤード回路が用いられてもよい。したがって、本明細書の記載は、ハードウェア回路及びソフトウェアの特定の組み合わせに限定されない。
【0082】
[0093] 本明細書で使用される「コンピュータ可読媒体」という用語は、実行のためにプロセッサＰＲＯに命令を提供することに関与するあらゆる媒体を指す。このような媒体は、限定されないが、不揮発性媒体、揮発性媒体、及び伝送媒体を含む、多くの形態をとり得る。不揮発性媒体は、例えば、ストレージデバイスＳＤなどの光又は磁気ディスクを含む。揮発性媒体は、メインメモリＭＭなどの動的メモリを含む。伝送媒体は、同軸ケーブル、銅線及び光ファイバ（バスＢＳを含むワイヤを含む）を含む。伝送媒体は、無線周波数（ＲＦ）及び赤外線（ＩＲ）データ通信中に生成されるものなどの、音波又は光波の形態もとり得る。コンピュータ可読媒体は、非一時的であり得、例えば、フロッピーディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、その他の磁気媒体、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ、その他の光媒体、パンチカード、紙テープ、孔のパターンを有したその他の物理媒体、ＲＡＭ、ＰＲＯＭ、及びＥＰＲＯＭ、ＦＬＡＳＨ－ＥＰＲＯＭ、その他のメモリチップ又はカートリッジである。非一時的コンピュータ可読媒体には、命令が記録され得る。命令は、コンピュータによって実行されると、本明細書で説明される特徴のいずれかを実施し得る。一時的コンピュータ可読媒体としては、搬送波又は伝播する電磁信号が挙げられ得る。
【0083】
[0094] コンピュータ可読媒体の様々な形態が、実行のためにプロセッサＰＲＯに１つ又は複数の命令の１つ又は複数のシーケンスを運ぶことに関与してもよい。例えば、命令は、最初は、リモートコンピュータの磁気ディスクにある場合がある。リモートコンピュータは、命令をそれの動的メモリにロードし、及びモデムを使用して電話回線上で命令を送ることができる。コンピュータシステムＣＳにローカルなモデムが、電話回線上のデータを受信し、及び赤外線送信機を用いてデータを赤外線信号に変換することができる。バスＢＳに結合された赤外線検出器が、赤外線信号で搬送されたデータを受信し、及びそのデータをバスＢＳにのせることができる。バスＢＳは、データをメインメモリＭＭに搬送し、そこからプロセッサＰＲＯが、命令の読み出し及び実行を行う。メインメモリＭＭによって受信された命令は、任意選択的に、プロセッサＰＲＯによる実行の前又は後に、ストレージデバイスＳＤに保存されてもよい。
【0084】
[0095] コンピュータシステムＣＳは、バスＢＳに結合された通信インターフェースＣＩも含み得る。通信インターフェースＣＩは、ローカルネットワークＬＡＮに接続されたネットワークリンクＮＤＬに結合する双方向データ通信も提供する。例えば、通信インターフェースＣＩは、対応するタイプの電話回線にデータ通信接続を提供するデジタル総合サービス網（ＩＳＤＮ）カード又はモデムでもよい。別の例として、通信インターフェースＣＩは、互換性のあるＬＡＮへのデータ通信接続を提供するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）カードでもよい。ワイヤレスリンクが実施されてもよい。このような実施において、通信インターフェースＣＩは、様々なタイプの情報を表すデジタルデータストリームを搬送する電気、電磁、又は光信号の送信及び受信を行う。
【0085】
[0096] ネットワークリンクＮＤＬは、一般的に、１つ又は複数のネットワークを通して、他のデータデバイスにデータ通信を提供する。例えば、ネットワークリンクＮＤＬは、ローカルネットワークＬＡＮを通して、ホストコンピュータＨＣへの接続を提供することができる。これには、ワールドワイドパケットデータ通信ネットワーク（現在、一般に「インターネット」ＩＮＴと呼ばれる）により提供されるデータ通信サービスが含まれる。ローカルネットワークＬＡＮ（インターネット）は共に、デジタルデータストリームを搬送する電気、電磁、又は光信号を使用する。コンピュータシステムＣＳに対して、及びコンピュータシステムＣＳからデジタルデータを搬送する、様々なネットワークを通る信号、及びネットワークデータリンクＮＤＬ上の、及び通信インターフェースＣＩを通る信号は、情報を運ぶ搬送波の形態例である。
【0086】
[0097] コンピュータシステムＣＳは、１つ又は複数のネットワーク、ネットワークデータリンクＮＤＬ、及び通信インターフェースＣＩを通して、メッセージを送信すること、及びプログラムコードを含むデータを受信することができる。インターネット例では、ホストコンピュータＨＣは、インターネットＩＮＴ、ネットワークデータリンクＮＤＬ、ローカルネットワークＬＡＮ、及び通信インターフェースＣＩを通して、アプリケーションプログラムの要求コードを送信する場合がある。そのようなダウンロードされたアプリケーションの１つは、例えば、本明細書に記載の方法の全て又は一部を提供することができる。受け取られたコードは、受け取られるとプロセッサＰＲＯによって実行され、及び／又は後で実行するためにストレージデバイスＳＤ若しくは他の不揮発性のストレージ内に記憶されることがある。このようにして、コンピュータシステムＣＳは、搬送波の形式でアプリケーションコードを取得することができる。
【0087】
[0098] 図１０は、一実施形態による、リソグラフィ投影装置の概略図である。
【0088】
[0099] リソグラフィ投影装置は、照明システムＩＬと、第１のオブジェクトテーブルＭＴと、第２のオブジェクトテーブルＷＴと、投影システムＰＳとを備え得る。
【0089】
[00100] 照明システムＩＬは、放射のビームＢを調整し得る。この特定の場合には、照明システムは放射源ＳＯも含む。
【0090】
[00101] 第１のオブジェクトテーブル（例えば、パターニングデバイステーブル）ＭＴは、パターニングデバイスＭＡ（例えば、レチクル）を保持するためにパターニングデバイスホルダーを設けられ、アイテムＰＳに対してパターニングデバイスを正確に位置決めするために第１のポジショナに接続され得る。
【0091】
[00102] 第２のオブジェクトテーブル（基板テーブル）ＷＴは、基板Ｗ（例えば、レジストコーティングされたシリコンウェーハ）を保持するために基板ホルダーを設けられ、アイテムＰＳに対して基板を正確に位置決めするために第２のポジショナに接続され得る。
【0092】
[00103] 投影システム（「レンズ」）ＰＳ（例えば、屈折型、反射型、又は反射屈折型の光学系）は、パターニングデバイスＭＡの照射された部分を基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ又は複数のダイを含むもの）上に結像させ得る。
【0093】
[00104] 本明細書に示すように、装置は、透過型のものであり得る（即ち、透過型パターニングデバイスを有する）。しかしながら、一般的に、装置は、例えば反射型（反射パターニングデバイスを備える）のものであってもよい。装置は、典型的なマスクに、異なる種類のパターニングデバイスを利用することがある。例としては、プログラマブルミラーアレイ又はＬＣＤマトリクスが挙げられる。
【0094】
[00105] ソースＳＯ（例えば、水銀ランプ又はエキシマレーザ、ＬＰＰ（レーザ生成プラズマ）ＥＵＶ源）は、放射ビームを生成する。このビームは、照明システム（イルミネータ）ＩＬに対して、そのまま、又は例えばビームエキスパンダＥｘなどの調節装置を横断した後に、供給される。イルミネータＩＬは、ビームの強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般的に、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を設定するための調節デバイスＡＤを含み得る。更にそれは、一般に、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの様々な他のコンポーネントを含む。このようにして、パターニングデバイスＭＡに衝突するビームＢは、断面に所望の均一性及び強度分布を有する。
【0095】
[00106] いくつかの実施形態では、ソースＳＯは、リソグラフィ投影装置のハウジング内に位置してもよいが（大抵の場合、ソースＳＯが、例えば水銀ランプのとき）、リソグラフィ投影装置から離れた位置にあり、それが生成する放射ビームが装置内に導き入れられてもよい（例えば、適宜の誘導ミラーを用いて）。この後者のシナリオは、ソースＳＯがエキシマレーザ（例えば、ＫｒＦ、ＡｒＦ、又はＦ２レージングに基づく）であるケースがある。
【0096】
[00107] 続いて、ビームＰＢは、パターニングデバイステーブルＭＴ上に保持されるパターニングデバイスＭＡと交差し得る。ビームＢは、パターニングデバイスＭＡを横断した後、ビームＢの焦点を基板Ｗのターゲット部分Ｃに合わせるレンズＰＬを通過し得る。第２の位置決め装置（及び干渉測定装置ＩＦ）を用いて、例えば異なるターゲット部分ＣをビームＰＢのパス内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、例えば、パターニングデバイスライブラリからのパターニングデバイスＭＡの機械検索後に、又はスキャン中に、第１の位置決め装置を用いて、ビームＢのパスに対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、オブジェクトテーブルＭＴ、ＷＴの移動は、ロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現することができる。但しステッパの場合は（ステップアンドスキャンツールとは対照的に）、パターニングデバイステーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに接続されてもよく、又は固定されてもよい。
【0097】
[00108] 描かれたツールは、２つの異なるモード、すなわち、ステップモード及びスキャンモードで使用され得る。ステップモードでは、パターニングデバイステーブルＭＴは、基本的に静止したままであり、パターニングデバイス像全体が、一回（すなわち、単一の「フラッシュ」）でターゲット部分Ｃ上に投影される。異なるターゲット部分ＣがビームＰＢによって照射され得るように、基板テーブルＷＴが、ｘ及び／又はｙ方向にシフトされ得る。
【0098】
[00109] スキャンモードでは、所定のターゲット部分Ｃが、単一の「フラッシュ」で露光されないことを除き、基本的に同じシナリオが当てはまる。代わりに、パターニングデバイステーブルＭＴは、投影ビームＢがパターニングデバイス像上をスキャンさせられるように、速度ｖで、所定の方向（いわゆる「スキャン方向」、例えば、ｙ方向）に移動可能である。並行して、基板テーブルＷＴが、速度Ｖ＝Ｍｖ（Ｍは、レンズＰＬの倍率である（一般的に、Ｍ＝１／４又は１／５））で、同じ又は反対方向に同時に移動される。このようにして、解像度を妥協する必要なしに、比較的大きなターゲット部分Ｃを露光させることができる。
【0099】
[00110] 図１１は、一実施形態による、別のリソグラフィ投影装置（ＬＰＡ）の概略図である。
【0100】
[00111] ＬＰＡは、ソースコレクタモジュールＳＯと、放射ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、サポート構造ＭＴと、基板テーブルＷＴと、投影システムＰＳとを備え得る。
【0101】
[00112] サポート構造（例えば、パターニングデバイステーブル）ＭＴは、パターニングデバイス（例えば、マスク又はレチクル）ＭＡを支持するように構築され、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続され得る。
【0102】
[00113] 基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴは、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続され得る。
【0103】
[00114] 投影システム（例えば、反射型投影システム）ＰＳは、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ又は複数のダイを含むもの）上に投影するように構成され得る。
【0104】
[00115] ここで描かれるように、ＬＰＡは、反射型（例えば、反射型パターニングデバイスを用いる）であり得る。ほとんどの材料が、ＥＵＶ波長範囲内で吸収性であるので、パターニングデバイスは、例えば、モリブデン及びシリコンのマルチスタックを含む多層リフレクタを有し得ることに留意されたい。一例では、マルチスタックリフレクタは、各層の厚さが４分の１波長である、モリブデン及びシリコンの４０層ペアを有する。更に小さな波長が、Ｘ線リソグラフィを用いて生成され得る。ほとんどの材料が、ＥＵＶ及びｘ線波長で吸収性であるので、パターニングデバイストポグラフィ上の薄い一片のパターン付き吸収材料（例えば、多層リフレクタ上のＴａＮアブゾーバ）は、どこにフィーチャが印刷され（ポジ型レジスト）、又は印刷されないか（ネガ型レジスト）を定義する。
【0105】
[00116] イルミネータＩＬが、ソースコレクタモジュールＳＯから極端紫外線放射ビームを受け得る。ＥＵＶ放射を生成する方法は、必ずしも限定されないが、ＥＵＶ範囲において１つ又は複数の輝線を備えた少なくとも１つの元素（例えば、キセノン、リチウム、又はスズ）を有するプラズマ状態に材料を変換することを含む。レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれることが多い、そのような１つの方法では、プラズマは、線発光元素を有する材料の小滴、ストリーム、又はクラスタなどの燃料をレーザビームで照射することによって生成され得る。ソースコレクタモジュールＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供するレーザを含むＥＵＶ放射システムの一部でもよい。その結果生じるプラズマが、出力放射（例えば、ＥＵＶ放射）を放出し、これが、ソースコレクタモジュールに配置される放射コレクタを用いて収集される。レーザ及びソースコレクタモジュールは、例えば、燃料励起用のレーザビームを提供するためにＣＯ２レーザが使用される場合には、別個のエンティティでもよい。
【0106】
[00117] このようなケースでは、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされず、及び放射ビームは、例えば、適宜の誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを用いて、レーザからソースコレクタモジュールへと渡すことができる。他のケースでは、例えばソースが、ＤＰＰソースと呼ばれることが多い、放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合に、ソースは、ソースコレクタモジュールの一体化部分でもよい。
【0107】
[00118] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するためのアジャスタを含み得る。一般に、イルミネータの瞳面の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（一般的に、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）が、調節され得る。更に、イルミネータＩＬは、ファセットフィールド及び瞳ミラーデバイスなどの様々な他のコンポーネントを含み得る。イルミネータを使用して、断面に所望の均一性及び強度分布を有するように放射ビームを調整することができる。
【0108】
[00119] 放射ビームＢは、サポート構造（例えば、パターニングデバイステーブル）ＭＴ上に保持されるパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し得、及びパターニングデバイスによってパターン付けされる。放射ビームＢは、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射された後、ビームの焦点を基板Ｗのターゲット部分Ｃに合わせる投影システムＰＳを通過する。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＰＳ２（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を用いて、例えば異なるターゲット部分Ｃを放射ビームＢのパス内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサＰＳ１を用いて、放射ビームＢのパスに対してパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを正確に位置決めすることができる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。
【0109】
[00120] 描かれた装置ＬＰＡは、ステップモード、スキャンモード、及び静止モードのうちの少なくとも１つのモードで使用され得る。
【0110】
[00121] ステップモードでは、放射ビームに付与されたパターン全体が、一回でターゲット部分Ｃ上に投影される間に、サポート構造（例えば、パターニングデバイステーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止したままである（すなわち、単一静的露光）。次いで、異なるターゲット部分Ｃが露光され得るように、基板テーブルＷＴが、Ｘ及び／又はＹ方向にシフトされる。
【0111】
[00122] スキャンモードでは、放射ビームに付与されたパターンが、ターゲット部分Ｃ上に投影される間に、サポート構造（例えば、パターニングデバイステーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、同期してスキャンされる（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えば、パターニングデバイステーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの縮小及び像反転特性によって決定され得る。
【0112】
[00123] 静止モードでは、放射ビームに付与されたパターンが、ターゲット部分Ｃ上に投影される間に、サポート構造（例えば、パターニングデバイステーブル）ＭＴは、プログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止したままであり、基板テーブルＷＴは、移動又はスキャンされる。このモードでは、一般にパルス放射源が用いられ、プログラマブルパターニングデバイスが、基板テーブルＷＴの各移動後に、又はスキャン中の連続する放射パルスの合間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、プログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【0113】
[00124] 図１２は、一実施形態による、リソグラフィ投影装置の詳細図である。
【0114】
[00125] 図示のように、ＬＰＡは、ソースコレクタモジュールＳＯと、照明システムＩＬと、投影システムＰＳとを備え得る。ソースコレクタモジュールＳＯは、ソースコレクタモジュールＳＯの閉鎖構造ＥＳ内で真空環境が維持され得るように、構築及び配置される。ＥＵＶ放射放出高温プラズマＨＰは、放電生成プラズマ源によって形成され得る。ＥＵＶ放射は、ガス又は蒸気（例えば、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射を放出するために、高温プラズマＨＰが作られるＸｅガス、Ｌｉ蒸気、又はＳｎ蒸気）によって生成され得る。高温プラズマＨＰは、例えば、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを生じさせる放電によって作られる。Ｘｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気又は任意のその他の適宜のガス若しくは蒸気の例えば１０Ｐａの分圧が、放射の効率的生成に必要とされ得る。ある実施形態では、励起スズ（Ｓｎ）のプラズマは、ＥＵＶ放射を生成するために提供される。
【0115】
[00126] 高温プラズマＨＰによって放出された放射は、ソースチャンバＳＣから、ソースチャンバＳＣの開口内、又はその後ろに位置する任意選択的なガスバリア又は汚染物質トラップＣＴ（場合によっては、汚染物質バリア又はフォイルトラップとも呼ばれる）を介して、コレクタチャンバＣＣ内へと渡される。汚染物質トラップＣＴは、チャネル構造を含み得る。汚染物質トラップＣＴは、ガスバリア、又はガスバリア及びチャネル構造の組み合わせも含み得る。本明細書に更に示される汚染物質トラップ又は汚染物質バリアＣＴは、当該技術分野で知られているように、少なくともチャネル構造を含む。
【0116】
[00127] コレクタチャンバＣＣは、いわゆる斜入射型コレクタでもよい放射コレクタＣＯを含み得る。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側ＵＳ及び下流放射コレクタ側ＤＳを有する。放射コレクタＣＯを横断する放射は、格子スペクトルフィルタＳＦに反射して、一点鎖線「Ｏ」によって示される光軸に沿った仮想光源点ＩＦに焦点を合わせることができる。仮想光源点ＩＦは、中間焦点と呼ばれ得、及びソースコレクタモジュールは、中間焦点ＩＦが、閉鎖構造ＥＳの開口ＯＰに、又はその付近に位置するように配置することができる。仮想光源点ＩＦは、放射放出プラズマＨＰの像である。
【0117】
[00128] 続いて、放射は、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビームＢの所望の角度分布、及びパターニングデバイスＭＡにおいて放射振幅の所望の均一性を提供するように配置されたファセットフィールドミラーデバイスＦＭ及びファセット瞳ミラーデバイスｐｍを包含し得る照明システムＩＬを横断する。サポート構造ＭＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡにおける放射ビームＢの反射時に、パターン付きビームＰＢが形成され、及びパターン付きビームＰＢは、投影システムＰＳによって、反射要素ＲＥを介して、基板テーブルＷＴによって保持される基板Ｗ上に結像される。
【0118】
[00129] 一般に、図示されるよりも多くの要素が、照明光学系ユニットＩＬ及び投影システムＰＳ内に存在し得る。格子スペクトルフィルタＳＦが、リソグラフィ装置のタイプに応じて、任意選択的に存在してもよい。更に、図面に示されるミラーよりも多くのミラーが存在してもよく、例えば、１～６個の追加の反射要素が、投影システムＰＳに存在してもよい。
【0119】
[00130] コレクタ系ＣＯは、コレクタ（又はコレクタミラー）の単なる一例として、斜入射型リフレクタＧＲを備えた入れ子式コレクタであり得る。斜入射型リフレクタＧＲは、光軸Ｏに対して軸対称に配置され、及びこのタイプのコレクタ系ＣＯは、ＤＰＰソースと呼ばれることが多い、放電生成プラズマ源と組み合わせて使用されてもよい。
【0120】
[00131] 図１３は、一実施形態による、リソグラフィ投影装置ＬＰＡのソースコレクタモジュールＳＯの詳細図である。
【0121】
[00132] ソースコレクタモジュールＳＯは、ＬＰＡ放射システムの一部であってもよい。レーザＬＡは、レーザエネルギーをキセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）、又はリチウム（Ｌｉ）などの燃料に堆積させ、数十ｅＶの電子温度の高イオン化プラズマＨＰを生成するように配置され得る。脱励起及びこれらのイオンの再結合中に生成されるエネルギー放射は、プラズマから放出され、近法線入射コレクタ系ＣＯによって収集され、及び閉鎖構造ＥＳの開口ＯＰ上に焦点が合わせられる。
【0122】
[00133] 本明細書に開示する概念は、サブ波長フィーチャを結像するための一般的結像システムのシミュレーション又は数学的モデル化を行うことができ、及び特に、ますます短くなる波長を生成することが可能な新しい結像技術にとって有用となり得る。既に使用されている新しい技術には、ＥＵＶ（極端紫外線）、ＡｒＦレーザを使用して１９３ｎｍの波長、及びフッ素レーザを使用して１５７ｎｍの波長さえ生成可能なＤＵＶリソグラフィが含まれる。また、ＥＵＶリソグラフィは、２０～５０ｎｍの範囲内で光子を生成するために、シンクロトロンを使用することによって、又は材料（固体又はプラズマ）に高エネルギー電子をぶつけることによって、この範囲内の波長を生成することが可能である。
【0123】
[00134] 本明細書に開示する概念は、シリコンウェーハなどの基板上の結像のために使用され得るが、開示した概念は、あらゆるタイプのリソグラフィ結像システム（例えば、シリコンウェーハ以外の基板上の結像に使用されるもの）に使用され得ることが理解されるものとする。
【0124】
[00135] 本開示の実施形態が、以下の条項によって更に説明され得る。
１．それぞれが一定幅を有するサブレゾリューションアシストフィーチャ（ＳＲＡＦ）を含むマスクパターンを取得することと、
マスクパターンのマスク最適化プロセスにおいて幅を調節することと
を含む、マスクパターンを決定する方法。
２．ＳＲＡＦに対して定義された初期の離散的な幅レベルにアクセスすることと、
初期の離散的な幅レベルから初期の幅となる幅を割り当てることと
を更に含む、条項１に記載の方法。
３．ＳＲＡＦエッジを生成することを更に含む、条項１に記載の方法。
４．ＳＲＡＦの位置に対応するリッジポイントから略等距離になるようにＳＲＡＦエッジを生成することを更に含む、条項３に記載の方法。
５．生成されたＳＲＡＦエッジが、湾曲したものである、条項４に記載の方法。
６．リッジポイントが、ＳＲＡＦエッジが滑らかに変化するように決定される、条項４に記載の方法。
７．ＳＲＡＦガイダンスマップ（ＳＧＭ）からリッジポイントを決定することであって、リッジポイントが、対応するＳＲＡＦエッジ間に配置される、ことを更に含む、条項４に記載の方法。
８．ＳＲＡＦエッジの生成が、２つのリッジポイント間の距離が距離限界を超えたとき、少なくとも２つのリッジポイントの補間を実行することであって、補間が、補間されたリッジポイントを生成する、ことを含む、条項７に記載の方法。
９．補間されたリッジポイントが、２つのリッジポイント間にあるセグメントの中間点に生成される、条項８に記載の方法。
１０．補間されたリッジポイントが、２つのリッジポイント間のスプライン補間曲線に沿って生成され、スプライン補間曲線が、少なくとも１つの他のリッジポイントを利用して生成される、条項８に記載の方法。
１１．ＳＲＡＦエッジの生成が、ＳＲＡＦのリッジポイントに垂直なセグメントの両端に制御点を生成することであって、セグメントが、ＳＲＡＦの一定幅に対応する長さを有する、ことを含む、条項３に記載の方法。
１２．ＳＲＡＦエッジに先端を付加することを更に含む、条項３に記載の方法。
１３．各ＳＲＡＦの幅が、マスク最適化プロセスによって最適化される連続変数として設定される、条項１に記載の方法。
１４．マスク最適化プロセスが、
リソグラフィモデルを利用してリソグラフィプロセスをシミュレートすることと、
リソグラフィモデルによってシミュレートされたマスクの結像特性を予測することと、
結像特性に関連するコスト関数の使用によって結像特性を最適化するために１つ又は複数のＳＲＡＦの幅を調節することと
を含む、条項１３に記載の方法。
１５．アシストフィーチャ（ＡＦ）を含むマスクフィーチャの境界を生成するために光学的近接補正最適化を実行することを更に含む、条項１４に記載の方法。
１６．マスクフィーチャを最適化すると共に、リソグラフィシステムにおける放射源マスク最適化（ＳＭＯ）において照明源を同時最適化することを更に含む、条項１５に記載の方法。
１７．マスク最適化プロセスにおいて利用されるコスト関数が、エッジ配置誤差、サイドローブプリンティング、マスクルールチェック（ＭＲＣ）準拠、又はユーザ定義のカスタム要件のうちの１つ若しくは複数を記述するパラメータを含み、パラメータのうちの少なくとも１つが幅の関数である、条項１に記載の方法。
１８．幅の選択された連続変数に基づいて、ＳＲＡＦの選択された幅を決定することを更に含む、条項１に記載の方法。
１９．選択された幅の数が５未満である、条項１８に記載の方法。
２０．決定することが、
最適化された幅の母集団又は母集団分布を決定することと、
１つ又は複数の規則に基づいて、母集団又は母集団分布の幅の範囲内に選択された幅を設定することと、
各ＳＲＡＦの幅を最も近い選択された幅に設定することと
を更に含む、条項１８に記載の方法。
２１．１つ又は複数の規則が、選択された幅を幅の範囲内で均等に設定することを含む、条項２０に記載の方法。
２２．各ＳＲＡＦの幅が、更なるマスク最適化プロセスによって最適化される離散的変数であり、離散的変数がＳＲＡＦよりも少ない、条項１に記載の方法。
２３．各離散的変数が、グローバル幅レベルに対応する、条項２２に記載の方法。
２４．マスク最適化プロセスにおいてグローバル幅レベルを固定することを更に含む、条項２３に記載の方法。
２５．マスク最適化プロセスにおいてグローバル幅レベルを最適化することを更に含む、条項２３に記載の方法。
２６．幅の調節が、
ＳＲＡＦの連続幅を連続変数として決定することと、
ＳＲＡＦの連続幅を離散的な幅に離散化することと、
離散的な幅から選択されるように幅を変化させることによりマスク最適化プロセスを継続することと
を含む、条項１に記載の方法。
２７．命令を記録した非一時的コンピュータ可読媒体であって、命令が、１つ又は複数のプログラム可能なプロセッサによって実行されると、プロセッサに条項１～２６の何れか一項に記載の方法を実行させる、非一時的コンピュータ可読媒体。
２８．マスクパターンを決定するためのシステムであって、本システムが、
少なくとも１つのプログラム可能なプロセッサと、
命令を記録した非一時的コンピュータ可読媒体であって、命令が、少なくとも１つのプログラム可能なプロセッサによって実行されると、本システムに条項１～２６の何れか一項に記載の方法を実行させる、非一時的コンピュータ可読媒体と
を備える、システム。
１．それぞれが一定幅を有するサブレゾリューションアシストフィーチャ（ＳＲＡＦ）を含むマスクパターンを取得することと、
マスクパターンのマスク最適化プロセスにおいて幅を調節することと
を含む、マスクパターンを決定する方法。
２．ＳＲＡＦに対して定義された初期の離散的な幅レベルにアクセスすることと、
初期の離散的な幅レベルから初期の幅となる幅を割り当てることと
を更に含む、条項１に記載の方法。
３．ＳＲＡＦエッジを生成することを更に含む、条項１に記載の方法。
４．ＳＲＡＦの位置に対応するリッジポイントから略等距離になるようにＳＲＡＦエッジを生成することを更に含む、条項３に記載の方法。
５．生成されたＳＲＡＦエッジが、湾曲したものである、条項４に記載の方法。
６．リッジポイントが、ＳＲＡＦエッジが滑らかに変化するように決定される、条項４に記載の方法。
７．ＳＲＡＦガイダンスマップ（ＳＧＭ）からリッジポイントを決定することであって、リッジポイントが、対応するＳＲＡＦエッジ間に配置される、ことを更に含む、条項４に記載の方法。
８．ＳＲＡＦエッジの生成が、２つのリッジポイント間の距離が距離限界を超えたとき、少なくとも２つのリッジポイントの補間を実行することであって、補間が、補間されたリッジポイントを生成する、ことを含む、条項７に記載の方法。
９．補間されたリッジポイントが、２つのリッジポイント間にあるセグメントの中間点に生成される、条項８に記載の方法。
１０．補間されたリッジポイントが、２つのリッジポイント間のスプライン補間曲線に沿って生成され、スプライン補間曲線が、少なくとも１つの他のリッジポイントを利用して生成される、条項８に記載の方法。
１１．ＳＲＡＦエッジの生成が、ＳＲＡＦのリッジポイントに垂直なセグメントの両端に制御点を生成することであって、セグメントが、ＳＲＡＦの一定幅に対応する長さを有する、ことを含む、条項３に記載の方法。
１２．ＳＲＡＦエッジに先端を付加することを更に含む、条項３に記載の方法。
１３．各ＳＲＡＦの幅が、マスク最適化プロセスによって最適化される連続変数として設定される、条項１に記載の方法。
１４．マスク最適化プロセスが、
リソグラフィモデルを利用してリソグラフィプロセスをシミュレートすることと、
リソグラフィモデルによってシミュレートされたマスクの結像特性を予測することと、
結像特性に関連するコスト関数の使用によって結像特性を最適化するために１つ又は複数のＳＲＡＦの幅を調節することと
を含む、条項１３に記載の方法。
１５．アシストフィーチャ（ＡＦ）を含むマスクフィーチャの境界を生成するために光学的近接補正最適化を実行することを更に含む、条項１４に記載の方法。
１６．マスクフィーチャを最適化すると共に、リソグラフィシステムにおける放射源マスク最適化（ＳＭＯ）において照明源を同時最適化することを更に含む、条項１５に記載の方法。
１７．マスク最適化プロセスにおいて利用されるコスト関数が、エッジ配置誤差、サイドローブプリンティング、マスクルールチェック（ＭＲＣ）準拠、又はユーザ定義のカスタム要件のうちの１つ若しくは複数を記述するパラメータを含み、パラメータのうちの少なくとも１つが幅の関数である、条項１に記載の方法。
１８．幅の選択された連続変数に基づいて、ＳＲＡＦの選択された幅を決定することを更に含む、条項１に記載の方法。
１９．選択された幅の数が５未満である、条項１８に記載の方法。
２０．決定することが、
最適化された幅の母集団又は母集団分布を決定することと、
１つ又は複数の規則に基づいて、母集団又は母集団分布の幅の範囲内に選択された幅を設定することと、
各ＳＲＡＦの幅を最も近い選択された幅に設定することと
を更に含む、条項１８に記載の方法。
２１．１つ又は複数の規則が、選択された幅を幅の範囲内で均等に設定することを含む、条項２０に記載の方法。
２２．各ＳＲＡＦの幅が、更なるマスク最適化プロセスによって最適化される離散的変数であり、離散的変数がＳＲＡＦよりも少ない、条項１に記載の方法。
２３．各離散的変数が、グローバル幅レベルに対応する、条項２２に記載の方法。
２４．マスク最適化プロセスにおいてグローバル幅レベルを固定することを更に含む、条項２３に記載の方法。
２５．マスク最適化プロセスにおいてグローバル幅レベルを最適化することを更に含む、条項２３に記載の方法。
２６．幅の調節が、
ＳＲＡＦの連続幅を連続変数として決定することと、
ＳＲＡＦの連続幅を離散的な幅に離散化することと、
離散的な幅から選択されるように幅を変化させることによりマスク最適化プロセスを継続することと
を含む、条項１に記載の方法。
２７．命令を記録した非一時的コンピュータ可読媒体であって、命令が、１つ又は複数のプログラム可能なプロセッサによって実行されると、プロセッサに条項１～２６の何れか一項に記載の方法を実行させる、非一時的コンピュータ可読媒体。
２８．マスクパターンを決定するためのシステムであって、本システムが、
少なくとも１つのプログラム可能なプロセッサと、
命令を記録した非一時的コンピュータ可読媒体であって、命令が、少なくとも１つのプログラム可能なプロセッサによって実行されると、本システムに条項１～２６の何れか一項に記載の方法を実行させる、非一時的コンピュータ可読媒体と
を備える、システム。
【0125】
[00136] 本明細書で開示される要素の組み合わせ及びサブコンビネーションは、別個の実施形態を構成するものであり、例示としてのみ提供されたものである。また、上記の説明は、限定するものではなく、例示のためのものであることが意図されている。したがって、当業者には、以下に記載される請求項の範囲から逸脱することなく、説明したように、修正がなされ得ることが明らかなはずである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【国際調査報告】