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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2025-01-17
(54)【発明の名称】リソグラフィ装置で使用するためのシステム
(51)【国際特許分類】
G03F 7/20 20060101AFI20250109BHJP
H01L 21/683 20060101ALI20250109BHJP
【ＦＩ】
G03F7/20 501
H01L21/68 N
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024537044
(86)(22)【出願日】2022-12-21
(85)【翻訳文提出日】2024-08-13
(86)【国際出願番号】 EP2022087216
(87)【国際公開番号】W WO2023134989
(87)【国際公開日】2023-07-20
(31)【優先権主張番号】22151287.4
(32)【優先日】2022-01-13
(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP
(31)【優先権主張番号】22187859.8
(32)【優先日】2022-07-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】504151804
【氏名又は名称】エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．
(74)【代理人】
【識別番号】100079108
【弁理士】
【氏名又は名称】稲葉 良幸
(74)【代理人】
【識別番号】100109346
【弁理士】
【氏名又は名称】大貫 敏史
(74)【代理人】
【識別番号】100117189
【弁理士】
【氏名又は名称】江口 昭彦
(74)【代理人】
【識別番号】100134120
【弁理士】
【氏名又は名称】内藤 和彦
(72)【発明者】
【氏名】ラベッツスキ，ドズミトリ
(72)【発明者】
【氏名】ヴァン デン アッカー，エメリカス，アントゥーン，テオドルス
(72)【発明者】
【氏名】デ ホーフ，ジュースト
(72)【発明者】
【氏名】ファン，ジャンション
(72)【発明者】
【氏名】ド ヴリース，ショールド，フランス
(72)【発明者】
【氏名】ハザリ，サイド アーキブ
【テーマコード（参考）】
2H197
5F131
【Ｆターム（参考）】
2H197AA05
2H197BA11
2H197CA06
2H197CA08
2H197CA10
2H197CB16
2H197CC16
2H197CD02
2H197CD12
2H197CD13
2H197CD43
2H197CD48
2H197DA02
2H197FA01
2H197GA01
2H197GA03
2H197GA04
2H197GA17
2H197GA18
2H197GA20
2H197HA03
2H197HA04
2H197HA05
2H197HA10
5F131AA02
5F131BA11
5F131BA13
5F131CA09
5F131CA12
5F131CA18
5F131EA02
5F131EA23
5F131EB33
5F131EB82
5F131KB12
(57)【要約】
リソグラフィ装置で使用するためのシステムは、基板テーブルと、別のデバイスと、少なくとも１つの変形可能なパーティションとを備える。基板テーブル（例えばウェーハステージ）は基板を支持するように配置される。システムは、デバイスの表面が基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するように第１の構成で構成可能である。少なくとも１つの変形可能なパーティションは、（ａ）システムが第１の構成にあるときに基板テーブルからデバイスの表面に向かって部分的に延在するか、又は（ｂ）システムが第１の構成にあるときに基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するデバイスの表面から基板テーブルに向かって部分的に延在する。
【選択図】 図４
【選択図】 図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
リソグラフィ装置のためのシステムであって、基板を支持するように配置された基板テーブルと、
デバイスであって、前記システムが、前記デバイスの表面が前記基板及び前記基板テーブルに対向し且つ隣接するように第１の構成で構成可能である、デバイスと、
（ａ）前記システムが前記第１の構成にあるときに前記基板テーブルから前記デバイスの前記表面に向かって部分的に延在するか、又は（ｂ）前記システムが前記第１の構成にあるときに前記基板及び前記基板テーブルに対向し且つ隣接する前記デバイスの前記表面から前記基板テーブルに向かって部分的に延在する、少なくとも１つの変形可能なパーティション（３８，４６）と、を備えており、
前記少なくとも１つの変形可能なパーティションは、前記システムが前記第１の構成にあるときに前記デバイスと前記基板テーブルとの間の隙間を低減するためのものである、システム。
【請求項2】
前記デバイスは、開口を通して、前記基板テーブルによって支持された基板上に、パターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムを備える、請求項１のシステム。
【請求項3】
前記デバイスは更に、前記開口から延在し前記システムが前記第１の構成にあるときに前記基板及び前記基板テーブルに対向し且つ隣接する前記デバイスの前記表面を少なくとも部分的に定義する１つ以上のコンポーネントを備える、請求項２のシステム。
【請求項4】
少なくとも１つの変形可能なパーティションが、前記基板テーブルから、前記システムが前記第１の構成にあるときに前記基板及び前記基板テーブルに対向し且つ隣接する前記デバイスの前記表面に向かって、部分的に延在する、請求項１から３のいずれかのシステム。
【請求項5】
前記基板テーブルから前記システムが前記第１の構成にあるときに前記基板及び前記基板テーブルに対向し且つ隣接する前記デバイスの前記表面に向かって部分的に延在する前記少なくとも１つの変形可能なパーティションは、前記基板テーブルのうち前記基板を支持するための領域の外周周りに部分的にのみ延在する、請求項４のシステム。
【請求項6】
前記基板テーブルと前記デバイスとの相対位置を制御するように構成されたスキャン機構を更に備える、請求項１から５のいずれかのシステム。
【請求項7】
少なくとも１つの変形可能なパーティションが、前記基板テーブルに向かって、前記システムが前記第１の構成にあるときに前記基板及び前記基板テーブルに対向し且つ隣接する前記デバイスの表面から、部分的に延在する、請求項１から６のいずれかのシステム。
【請求項8】
前記基板テーブルに向かって前記システムが前記第１の構成にあるときに前記基板及び前記基板テーブルに対向し且つ隣接する前記デバイスの前記表面から部分的に延在する前記少なくとも１つの変形可能なパーティションは、露光領域の前記近傍で投影システムから延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションを備える、請求項７のシステム。
【請求項9】
露光領域の前記近傍で前記投影システムから延在する前記少なくとも１つの変形可能なパーティションは、概ね非スキャン方向に沿って延在する、請求項６に直接的又は非直接的に従属するときの請求項８のシステム。
【請求項10】
前記基板テーブルに向かって前記システムが前記第１の構成にあるときに前記基板及び前記基板テーブルに対向し且つ隣接する前記デバイスの前記表面から部分的に延在する前記少なくとも１つの変形可能なパーティションは、干渉測定システムの一部として使用されるミラーに隣接する表面から延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションを備える、請求項７から９のいずれか一項のシステム。
【請求項11】
干渉測定システムの一部として使用されるミラーに隣接する表面から延在する前記少なくとも１つの変形可能なパーティションは、概ねスキャン方向に沿って延在する、請求項６に直接的又は非直接的に従属するときの請求項１０のシステム。
【請求項12】
前記少なくとも１つの変形可能なパーティションのうち少なくとも１つは弾性変形可能である、請求項１から１１のいずれかのシステム。
【請求項13】
前記弾性変形可能なパーティションは、少なくとも前記基板の平面に平行な方向に範囲の構成要素を有する、又は、前記弾性変形可能なパーティションは、前記基板の前記平面に概ね垂直な方向に弾性変形可能である、又は、
前記少なくとも１つの変形可能なパーティションのうち少なとも１つは、その近位端と遠位端との間に壊れやすい部分を備える、請求項１２のシステム。
【請求項14】
基板を支持するように配置された基板テーブルであって、本体と、
前記本体の表面上に設けられたクランプであって、前記基板を支持するように及び前記基板を前記クランプに締着するように動作可能なクランプと、
前記表面から実質的に前記クランプの外周周りに延在するパーティションと、
前記表面のうち前記パーティション内にある一部に設けられた少なくとも１つのガスアウトレットと、
を備える基板テーブル。
【請求項15】
請求項１から１３のうち一項に記載のシステム又は請求項１４に記載の基板テーブルを備えるリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
[0001] 本願は２０２２年１月１３日に提出された欧州出願第２２１５１２８７．４号及び２０２２年７月２９日に提出された欧州出願第２２１８７８５９．８の優先権を主張するものであり、同出願は参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
[0001] 本願は２０２２年１月１３日に提出された欧州出願第２２１５１２８７．４号及び２０２２年７月２９日に提出された欧州出願第２２１８７８５９．８の優先権を主張するものであり、同出願は参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
【0002】
[0002] 本発明は、リソグラフィ装置で使用するためのシステムに関する。概して、このシステムは、リソグラフィ装置で使用するための基板テーブル（例えばウェーハステージ）を備え得る。リソグラフィ装置は、極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィ装置であり得る。システムは更に、使用時に基板テーブルに隣接し且つ対向して位置決めされる別のデバイスを備え得る。
【背景技術】
【0003】
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。リソグラフィ装置は、例えばパターニングデバイス（例えばマスク）からのパターンを、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層に投影することができる。
【0004】
[0004] 基板上にパターンを投影するために、リソグラフィ装置は電磁放射を使用することができる。この放射の波長は、基板上に形成可能なフィーチャの最小サイズを決定する。４～２０ｎｍの範囲内、例えば６．７ｎｍ又は１３．５ｎｍの波長を有する極端紫外線（ＥＵＶ）放射を使用するリソグラフィ装置は、例えば１９３ｎｍの波長を有する放射を使用するリソグラフィ装置よりも小さいフィーチャを基板上に形成するのに使用することができる。
【0005】
[0005] 本明細書において確認されるか否かに関わらず、既知のリソグラフィ装置と関連する１つ以上の課題に少なくとも部分的に対処するのが望ましいであろう。
【発明の概要】
【0006】
[0006] 本開示の第１の態様によれば、基板を支持するように配置された基板テーブルと、デバイスであって、システムが、そのデバイスの表面が基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するように第１の構成で構成可能であるデバイスと、（ａ）システムが第１の構成にあるときに、基板テーブルからデバイスの表面に向かって部分的に延在するか、又は（ｂ）システムが第１の構成にあるときに、基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するデバイスの表面から基板テーブルに向かって部分的に延在する、少なくとも１つの変形可能なパーティションと、を備えるシステムが提供される。
【0007】
[0007] 第１の態様によるシステムは、リソグラフィ装置の一部を形成し得る。
【0008】
[0008] デバイスは、基板テーブルによって支持された基板上にパターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムを備え得る。デバイスは更に熱シールドを備えていてもよい。そのような投影システム及び熱シールドは、投影システムがパターン付き放射ビームを基板テーブルによって支持された基板上に投影している間、基板テーブルに対向する表面を定義し得る。
【0009】
[0009] あるいは、デバイスは、パターン付き放射への基板の露光前に基板テーブル（例えばウェーハステージ）によって支持された基板（例えばレジストコートされたシリコンウェーハ）の測定を実施するために使用される、リソグラフィ装置の部品を備え得る。
【0010】
[00010] システムは、デバイスの表面が基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するように第１の構成で構成可能である。システムの構成は、基板テーブルをデバイスに対して移動させることによって変更され得る。いくつかの実施形態においては、システムはリソグラフィ装置の一部を形成してもよく、基板テーブルは、リソグラフィ装置内で、少なくとも（ａ）（例えば投影システムに近接した）露光場所、及び（ｂ）（例えば１つ以上の測定システムに近接した）測定場所に位置決め可能である。そのようなリソグラフィ装置内では、システムは、基板テーブルが露光場所にあるときは第１の構成にあり、基板テーブルが測定場所にあるときは第２の構成にある（又はその逆）と考えられ得る。
【0011】
[00011] 第１の態様によるシステムは、次に述べるように有利である。
【0012】
[00012] 使用時、基板テーブル（例えばリソグラフィ装置のウェーハステージ）は、基板の少なくとも一部が（デバイスの）概ね平行な表面に対向するように位置決めされ得る。例えば、投影システムが基板テーブルによって支持された基板上にパターン付き放射ビームを投影している間、基板テーブルは、基板の一部が投影システムからパターン付き放射を受けるように位置決めされる。基板の残りの部分は概ね平行な表面に対向し、この表面は例えば熱シールドを備え得る。
【0013】
[00013] 以下で更に述べるように、基板のいくつかの部品と周囲の装置との間の隙間を低減すること（例えば、基板の特定の部品へ又は基板の特定の部品から通過する粒子及び／又は放射の量を低減すること）は有益であり得る。このために、基板テーブル（又は基板）と対向表面との間の距離を低減することは有益であろう。しかしながら、基板又は基板テーブルが対向表面に接触することは望ましくないので、達成可能な最小距離には限界がある。さらに、地震などの場合にそのような接触を防止して基板、基板テーブル、又は対向表面への損傷を防止するために、いくらかの公差が許容され得る。
【0014】
[00014] 有利なことには、第１の態様によるシステムの少なくとも１つの変形可能なパーティションは更に、基板のいくつかの部品と周囲の装置との間の隙間を低減する。少なくとも１つの変形可能なパーティションは、（その近位端の）第１の部材から（その遠位端の）第２の部材に向かって、部分的に延在する。第１及び第２の部材は、（ａ）基板テーブル、又は（ｂ）基板テーブルに対向するデバイスの表面である。（例えば地震の場合に）第１及び第２の部材が互いに向かって移動すると、第２の部材は、変形可能なパーティションの遠位端に接触して、それを変形させ得る。少なくとも１つのパーティションは変形可能であるので、有利なことには、そのような接触は、基板又は使用時にそれに対向する表面（例えば熱シールド）のいずれにも損傷をもたらさないであろう。したがって、有利なことには、第１の態様によるシステムは、損傷のリスクを制限しながら、基板テーブル（又は基板）と隣接する表面との間の物理的隙間が低減されることを可能にする。
【0015】
[00015] 概して、少なくとも１つの変形可能なパーティションは、保護することが望まれる物体が配設される部材から延在し得る。例えば、少なくとも１つの変形可能なパーティションが基板を保護することが望まれる実施形態については、少なくとも１つの変形可能なパーティションは基板テーブルから延在し得る。同様に、少なくとも１つの変形可能なパーティションが基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するデバイスに配設される何かを保護することが望まれる実施形態については、少なくとも１つの変形可能なパーティションはそのデバイスから延在し得る。
【0016】
[00016] デバイスは、開口を通して、基板テーブルによって支持された基板上に、パターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムを備え得る。
【0017】
[00017] そのような投影システムは、投影システムが基板テーブルによって支持された基板上にパターン付き放射ビームを投影している間、基板テーブルに対向し得る。
【0018】
[00018] デバイスは更に、開口から延在しシステムが第１の構成にあるときに基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するデバイスの表面を少なくとも部分的に定義する１つ以上のコンポーネントを備え得る。
【0019】
[00019] 前述のコンポーネントは、以下のうちいずれか又は全てを備え得る。投影システムの本体又はハウジングであってそこに開口が定義されたもの、熱シールド、干渉測定システムの一部として使用されるミラー、及び／又はガス流の一部をそのようなミラーから遠ざかるように誘導するように構成されたスポイラ。
【0020】
[00020] 少なくとも１つの変形可能なパーティションが、基板テーブルから、システムが第１の構成にあるときに基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するデバイスの表面に向かって、部分的に延在し得る。
【0021】
[00021] 基板テーブルに対向する表面は、熱シールドを備えていてもよく、又は少なくとも部分的に熱シールドによって形成されていてもよい。
【0022】
[00022] 有利なことには、基板テーブルから（例えば基板のリソグラフィ露光中に）基板テーブルに対向する表面へ部分的に延在する変形可能なパーティションは、基板テーブルのうち基板を支持する部分及び基板テーブルの周囲部分と周囲環境との間にバリアを提供する。変形可能なパーティションは、基板テーブルから延在するので、基板テーブルによって支持された基板に対して固定位置に留まる。
【0023】
[00023] リソグラフィ装置では、ウェーハ欠陥の発生を低減するために、基板に入射する粒子の数を低減することが望ましい。基板テーブルから使用中（例えば基板のリソグラフィ露光中）に基板テーブルに対向する表面に向かって部分的に延在する変形可能なパーティションは、基板が配設される領域への周囲環境からの粒子の進入を更に低減するように作用する。
【0024】
[00024] 基板テーブルから使用時（例えば投影システムが基板テーブルによって支持された基板上にパターン付き放射ビームを投影している間）に基板テーブルに対向する表面に向かって部分的に延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションが、少なくとも基板の平面に垂直な方向に範囲の構成要素を有することは、理解されよう。
【0025】
[00025] 原理上は、基板テーブルから基板テーブルに対向する表面に向かって部分的に延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションは、基板を支持するための領域の外周（又は周囲）周りの実質的に全体に延在し得る。これは、基板テーブルのうち基板を支持する部分及び基板テーブルの周囲部分と周囲環境との間の分離を最大化するであろう。
【0026】
[00026] 基板テーブルからシステムが第１の構成にあるときに基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するデバイスの表面に向かって部分的に延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションは、基板テーブルのうち基板を支持するための領域の外周周りに部分的にのみ延在していてもよい。
【0027】
[00027] 例えば、いくつかの実施形態においては、基板テーブルから使用時に基板テーブルに対向する表面に向かって部分的に延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションは、基板テーブルのうち基板を支持するための概ね長方形の領域の２つの向き合った表面に沿って延在する。
【0028】
[00028] 有利なことには、このような構成は、レーザビームの見通し線が、周囲環境から基板テーブルのうち基板を支持する部分に隣接する基板テーブルの一部へ通過することを可能にする。そのようなレーザビームは、例えば、基準フレームに対する基板テーブルの位置（例えば高さ）を測定するための干渉測定システムの一部として使用され得る。
【0029】
[00029] リソグラフィ装置は更に、基板テーブルとデバイスとの相対位置を制御するように構成されたスキャン機構を備え得る。
【0030】
[00030] 例えば、リソグラフィ装置はリソグラフィスキャナであってもよい。投影システムは、パターン付き放射ビームを露光領域又は露光スリット上に投影するように動作可能であってもよい。露光領域は、像面内の細長い（直線状又は曲線状のいずれかの）領域であり得る。スキャン機構は、基板テーブルによって支持された基板が概ね像面内に位置するように基板テーブルを位置決めするように構成され得る。スキャン機構は更に、露光領域を通して基板のターゲット領域をスキャンするように基板テーブルを移動させるように構成され得る。
【0031】
[00031] 少なくとも１つの変形可能なパーティションが、基板テーブルに向かって、システムが第１の構成にあるときに基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するデバイスの表面から、部分的に延在し得る。
【0032】
[00032] 有利なことには、基板テーブルに向かって（例えば基板の露光中に）基板テーブルに対向する表面から部分的に延在する変形可能なパーティションは、露光領域（スリットとしても知られる）と装置又はシステムの周囲部分との間にバリアを提供することができる。変形可能なパーティションは、使用時に基板テーブルに対向する表面から延在するので、デバイス（例えば投影システム及びそれに接続された任意の他の装置）に対して固定位置に留まる。
【0033】
[00033] 以下で更に述べるように、（ａ）露光領域に隣接する容積から周囲環境に出ていく粒子の数を低減すること、及び／又は（ｂ）露光領域の外側で基板に入射する投影システムからの放射の量を低減することが望ましい場合がある。基板テーブルに向かって、使用中（例えば基板の露光中）に基板テーブルに対向するデバイスの表面から部分的に延在する変形可能なパーティションは、これを達成することができる。
【0034】
[00034] 基板テーブルに向かって使用時（例えば投影システムが基板テーブルによって支持された基板上にパターン付き放射ビームを投影している間）に基板テーブルに対向する表面から部分的に延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションが、少なくとも基板の平面に垂直な方向に範囲の構成要素を有することは、理解されよう。
【0035】
[00035] 基板テーブルに向かって基板テーブルに対向する表面から部分的に延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションは、露光領域の外周周りの実質的に全体に延在し得る。あるいは、基板テーブルに向かって基板テーブルに対向する表面から部分的に延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションは、露光領域の外周周りに部分的にのみ延在し得る。
【0036】
[00036] 基板テーブルに向かってシステムが第１の構成にあるときに基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するデバイスの表面から部分的に延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションは、露光領域の近傍で投影システムから延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションを備え得る。
【0037】
[00037] 露光領域の近傍で投影システムから延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションは、概ね非スキャン方向に沿って延在し得る。
【0038】
[00038] 基板テーブルに向かってシステムが第１の構成にあるときに基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するデバイスの表面から部分的に延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションは、干渉測定システムの一部として使用されるミラーに隣接する表面から延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションを備え得る。
【0039】
[00039] 干渉測定システムの一部として使用されるミラーに隣接する表面から延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションは、概ねスキャン方向に沿って延在し得る。
【0040】
[00040] 少なくとも１つの変形可能なパーティションのうち少なくとも１つは弾性変形可能であり得る。
【0041】
[00041] 有利なことには、そのような弾性変形可能なパーティションは、その遠位端が（例えば地震の際に）別の物体に接触すると公称位置から変形することができ、変形を引き起こす物体が除去されると公称位置に戻ることができる。
【0042】
[00042] 前述の弾性変形可能なパーティションは、少なくとも基板の平面に平行な方向に範囲の構成要素を有し得る。
【0043】
[00043] すなわち、基板の平面に対して単に垂直に延在するのではなく、弾性変形可能なパーティションは、基板の平面に対して斜角で延在してもよい。基板の平面に概ね垂直な物体からの力が加わると、そのような弾性変形可能なパーティションは、側方に屈曲し得る。
【0044】
[00044] 前述の弾性変形可能なパーティションは、基板の平面に概ね垂直な方向に弾性変形可能であり得る。
【0045】
[00045] 例えば、基板の平面に垂直な方向では、弾性変形可能なパーティションは、概ねばねの形態であってもよい。基板の平面に概ね垂直な物体からの力が加わると、そのような弾性変形可能なパーティションは、その方向に圧縮し得る。
【0046】
[00046] 少なくとも１つの変形可能なパーティションのうち少なくとも１つは、その近位端と遠位端との間に壊れやすい部分を備え得る。
【0047】
[00047] 有利なことには、そのような壊れやすい部分は、変形可能なパーティションが、その遠位端が（例えば地震の際に）別の物体に接触すると、壊れることを可能にする。そのような変形可能なパーティションは、永久的に変形可能であると説明され得る。
【0048】
[00048] 本開示の第２の態様によれば、本開示の第１の態様のシステムにおいて使用するための基板テーブルが提供される。
【0049】
[00049] 本開示の第３の態様によれば、本開示の第１の態様のシステムにおいて使用するためのデバイスが提供される。
【0050】
[00050] 本発明の第４の態様によれば、基板を支持するように配置された基板テーブルが提供され、その基板テーブルは、基板テーブルから延在し基板テーブルによって支持されたときに少なくとも基板の平面に垂直な方向に範囲の構成要素を有する少なくとも１つの変形可能なパーティションを備える。
【0051】
[00051] 第４の態様による基板テーブルは、第１の態様によるシステムの一部を形成し得る。
【0052】
[00052] 使用時には、基板テーブルは別のデバイスに対して、そのデバイスの表面が基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するように位置決め可能であり得る。そのような構成にあるとき、少なくとも１つの変形可能なパーティションは、基板テーブルからデバイスの表面に向かって部分的に延在し得る。
【0053】
[00053] 有利なことには、第４の態様による基板テーブルの少なくとも１つの変形可能なパーティションは、基板と周囲の装置との間の隙間を更に低減することができる。基板テーブルが、使用時に基板テーブルに隣接する別のデバイスに向かって移動すると（例えば地震の場合）、その別のデバイスは、変形可能なパーティションの遠位端に接触して、それを変形させ得る。少なくとも１つのパーティションは変形可能であるので、有利なことには、そのような接触は、基板又は使用時にそれに対向する表面（例えば熱シールド）のいずれにも損傷をもたらさないであろう。したがって、有利なことには、第４の態様による基板テーブルは、損傷のリスクを制限しながら、基板テーブル（又は基板）と隣接する表面との間の物理的隙間が低減されることを可能にする。
【0054】
[00054] 有利なことには、１つ又は複数の変形可能なパーティションは、基板テーブルのうち基板を支持する部分及び基板テーブルの周囲部分と周囲環境との間にバリアを提供することができる。変形可能なパーティションは、基板テーブルから延在するので、基板テーブルによって支持された基板に対して固定位置に留まる。
【0055】
[00055] リソグラフィ装置では、ウェーハ欠陥の発生を低減するために、基板に入射する粒子の数を低減することが望ましい。基板テーブルから使用中（例えば基板のリソグラフィ露光中）に基板テーブルに対向する表面に向かって部分的に延在する変形可能なパーティションは、基板が配設される領域への周囲環境からの粒子の進入を更に低減するように作用する。
【0056】
[00056] 原理上は、少なくとも１つの変形可能なパーティションは、基板を支持するための領域の外周（又は周囲）周りの実質的に全体に延在し得る。これは、基板テーブルのうち基板を支持する部分及び基板テーブルの周囲部分と周囲環境との間の分離を最大化するであろう。
【0057】
[00057] 基板テーブルから延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションは、基板テーブルのうち基板を支持するための領域の外周周りに部分的にのみ延在してもよい。
【0058】
[00058] 例えば、いくつかの実施形態においては、基板テーブルから延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションは、基板テーブルのうち基板を支持するための概ね長方形の領域の２つの向き合った表面に沿って延在してもよい。
【0059】
[00059] 有利なことには、このような構成は、レーザビームの見通し線が、周囲環境から基板テーブルのうち基板を支持する部分に隣接する基板テーブルの一部へ通過することを可能にする。そのようなレーザビームは、例えば、基準フレームに対する基板テーブルの位置（例えば高さ）を測定するための干渉測定システムの一部として使用され得る。
【0060】
[00060] 少なくとも１つの変形可能なパーティションのうち少なくとも１つは弾性変形可能であり得る。
【0061】
[00061] 有利なことには、そのような弾性変形可能なパーティションは、その遠位端が（例えば地震の際に）別の物体に接触すると公称位置から変形することができ、変形を引き起こす物体が除去されると公称位置に戻ることができる。
【0062】
[00062] 前述の弾性変形可能なパーティションは、基板テーブルによって支持されたときに少なくとも基板の平面に平行な方向に範囲の構成要素を有し得る。
【0063】
[00063] すなわち、基板の平面に対して単に垂直に延在するのではなく、弾性変形可能なパーティションは、基板の平面に対して斜角で延在してもよい。基板の平面に概ね垂直な物体からの力が加わると、そのような弾性変形可能なパーティションは、側方に屈曲し得る。
【0064】
[00064] 前述の弾性変形可能なパーティションは、基板テーブルによって支持されたときに基板の平面に概ね垂直な方向に弾性変形可能であり得る。
【0065】
[00065] 例えば、基板の平面に垂直な方向では、弾性変形可能なパーティションは、概ねばねの形態であってもよい。基板の平面に概ね垂直な物体からの力が加わると、そのような弾性変形可能なパーティションは、その方向に圧縮し得る。
【0066】
[00066] 少なくとも１つの変形可能なパーティションのうち少なとも１つは、その近位端と遠位端との間に壊れやすい部分を備え得る。
【0067】
[00067] 有利なことには、そのような壊れやすい部分は、変形可能なパーティションが、その遠位端が（例えば地震の際に）別の物体に接触すると、壊れることを可能にする。そのような変形可能なパーティションは、永久的に変形可能であると説明され得る。
【0068】
[00068] 本発明者らは、露光中の基板の保護を最大化するためには、以下の方法が最も効果的であることを見出した。（ａ）基板と隣接本体（例えば熱シールド）との間の圧力を増加させること、（ｂ）基板と隣接本体（例えば熱シールド）との間のガス速度を増加させること、及び（ｃ）基板と隣接本体（例えば熱シールド）との間の隙間を減少させること。この洞察は、次に述べるように、本開示の第５の態様及び本開示の第６の態様によって利用される。
【0069】
[00069] 本開示の第５の態様によれば、基板を支持するように構成された基板テーブルが提供され、その基板テーブルは、本体と、本体の表面上に設けられたクランプであって、基板を支持するように及び基板をクランプに締着するように動作可能なクランプと、表面から実質的にクランプの外周周りに延在するパーティションと、表面のうちパーティション内にある一部に設けられた少なくとも１つのガスアウトレットとを備える。
【0070】
[00070] 本開示の第５の態様による基板テーブルは、次に述べるように有利である。
【0071】
[00071] 使用時には、基板テーブルは別のデバイスに対して、そのデバイスの表面が基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するように位置決め可能であり得る。そのような構成にあるとき、少なくとも１つのパーティションは、基板テーブルからデバイスの表面に向かって部分的に延在して、基板テーブルのうちパーティションの内側の部分とその別のデバイスとの間にミニ環境を作り出し得る。
【0072】
[00072] 本開示の第５の態様による基板テーブルは、使用時に、リソグラフィ装置の一部を形成し得る。基板テーブルは、代替的には、ウェーハステージ又はウェーハチャックと称され得る。
【0073】
[00073] 使用時、基板テーブル（例えばリソグラフィ装置のウェーハステージ）は、基板の少なくとも一部が（デバイスの）概ね平行な表面に対向するように位置決めされ得る。例えば、投影システムが基板テーブルによって支持された基板上にパターン付き放射ビームを投影している間、基板テーブルは、基板の一部が投影システムからパターン付き放射を受けるように位置決めされる。基板の残りの部分は概ね平行な表面に対向し、この表面は例えば熱シールドを備え得る。
【0074】
[00074] 一般に、基板へ通過し基板に入射する粒子の量は、低減するのが望ましい。例えば、基板に入射する粒子は、リソグラフィ装置の歩留まり損失をもたらし得る。
【0075】
[00075] 有利なことには、表面から実質的にクランプの外周周りに延在するパーティションは、（例えば、別の物体又はデバイスが基板に隣接し平行な基板テーブルに近接しているときに）基板の近傍のパーティション内にミニ環境を定義する。表面のうちパーティション内にある一部には少なくとも１つのガスアウトレットが設けられるので、そのガスアウトレットが、このミニ環境にガスが提供されることを可能にする。有利なことには、使用時に、少なくとも１つのガスアウトレットから基板テーブルの近傍においてガス流が供給されて、基板から遠ざかるように粒子を移動させ得ると共に、基板テーブルによって支持された基板への粒子の入射を低減し得る。パーティションは、ミニ環境内への所与のガス流の分、ミニ環境内の圧力が増加されることを可能にする。加えて、パーティション、及びそれによって定義されるミニ環境は、基板上に粒子が入射するリスクを増加させることなく、基板と隣接物体（例えば熱シールド）との間の隙間が増加されることを可能にすることができる。
【0076】
[00076] 上記で説明したように、本開示の第５の態様による基板テーブルを用いると、基板の近傍においてより少ないガス流で、及び基板と隣接物体（例えば熱シールド）との間の隙間の増大に起因してより大きな容積で、同じ圧力に達することができる。有利なことには、これは、より均一な圧力をもたらして、局所的な圧力ピークの量を低減し、チタン脆化のリスクを低下させる。
【0077】
[00077] 特に、表面から実質的にクランプの外周周りに延在するパーティションと、表面のうちパーティション内にある一部に設けられた少なくとも１つのガスアウトレットとの組み合わせは、パーティションによって定義されるミニ環境内の圧力が（基板を保護するために）増加されることを可能にし、その一方で、中に基板テーブルが配設されるコンパートメントの残りの部分は比較的低い圧力のままであることができる。これは、いくつかの理由で有益である。第一に、これは、基板テーブルの近傍、例えば中に基板テーブルが配設されるコンパートメント（ウェーハステージコンパートメントと称され得る）における高電圧コンポーネントのパッシェン放電のリスクを低下させる。第二に、ウェーハステージコンパートメントのバルクの圧力がより低いことは、基板テーブルが移動しているときの圧力変動がより小さいことを意味し、その結果、（干渉）ウェーハステージ位置決め測定に対する擾乱がより少なくなる。第三に、基板テーブルコンパートメント全体の高圧を維持するために過剰な水素ガスを注入する必要がない。これは、必要とされる（水素）ガスの量を低減させて、装置をよりエネルギ効率的にし、（水素減少によって）より低コストにし、ポンプ能力に対する要求をより低くする。
【0078】
[00078] パーティションによって形成されるミニ環境の別の利点は、基板の近傍において、所与の圧力レベルが、（水素）ガスの有意に少ない流量注入で達成できることである。ひいては、その結果、このガス流からクランプの機能性への擾乱が少なくなる。例えば、これはクランプ及び本体及びクランプの弛緩機能性の熱調節を補助することができる。
【0079】
[00079] 本開示の第５の態様による基板テーブルの別の利点は、基板への放射熱伝達が低減され、これが基板の熱管理をより容易にするということである。
【0080】
[00080] 本開示の第５の態様による基板テーブルのもう１つの利点は、パーティションが粒子シールドとしても機能するということである。例えば、パーティションは、基板テーブルコンパートメントにおいてガス流によって遮断されないような高速で発生された粒子を反射して、そのような粒子をウェーハから遠ざけておくことができる、物理的バリアとして機能することができる。
【0081】
[00081] パーティションと、パーティションがそこから延在する表面との間には、少なくとも１つの隙間が設けられ得る。
【0082】
[00082] このような配置は、ガス流が、ミニ環境を離れてミニ環境の底部に向かう（すなわち、本体の表面に隣接する）ことを可能にする。このような配置は、ガス流が本体に向かって下方に誘導されることを促進し、基板のための追加の保護を提供するので、有利である。
【0083】
[00083] パーティションは、１つ以上の壁と、本体の表面から１つ以上の壁まで延在する複数の離間した脚部、バール、又は突出部とを備え得る。
【0084】
[00084] 有利なことには、脚部、バール、又は突出部の間の空間が、パーティションと、パーティションがそこから延在する表面との間に、１つ以上の隙間を提供する。
【0085】
[00085] 本体の表面から延在するパーティションが、少なくとも基板の平面に垂直な方向に範囲の構成要素を有することは、理解されよう。
【0086】
[00086] 本体の表面から延在するパーティションは、基板の平面に垂直な方向に延在し得る。
【0087】
[00087] 基板の平面に垂直な方向の、本体の表面からのパーティションの高さは、基板の平面に垂直な方向の、クランプによって支持された基板の高さ未満であり得る。
【0088】
[00088] すなわち、使用時に、基板の遠位（又は上部）表面はパーティションよりも高い。そのような配置では、使用時に基板テーブルに隣接する物体（例えば熱シールド）が（例えば地震の場合に）基板テーブルに向かって移動すると、その物体はパーティションよりもむしろ基板に接触し得る。有利なことには、そのような接触は、パーティション又は使用時にそれに対向する他の物体（例えば熱シールド）に損傷をもたらさないであろう。
【0089】
[00089] 少なくとも１つのガスアウトレットから提供されるガスは、バックフィルガスと称され得る。
【0090】
[00090] バックフィルガスは、本体とクランプとの間（例えば支持バール間）の空間に提供されてもよい。バックフィルガスは、クランプと基板との間（例えば支持バール間）の空間に提供されてもよい。
【0091】
[00091] 少なくとも１つのガスアウトレットのうち少なくとも１つは、クランプの近傍に設けられ得る。例えば、少なくとも１つのガスアウトレットのうち少なくとも１つは、本体とクランプとの間に設けられてもよい。追加的又は代替的には、少なくとも１つのガスアウトレットのうち少なくとも１つは、パーティションとクランプとの間に、クランプに近接して設けられてもよい。
【0092】
[00092] 少なくとも１つのガスアウトレットは、ガス流をクランプの周りのリングに誘導するように配置されてもよく、それによってガス流はクランプから遠ざかるように誘導される。
【0093】
[00093] そのような配置は、バックフィルガス流シールドと称され得る。使用時に、ガス（例えば水素ガス）流は、基板（ウェーハ）の周りのリングに注入され得、それによってガス流は、基板から遠ざかる方向に向かい、ひいては粒子を基板から遠ざかる方向に移動させる。したがって、このガス流は、クランプ及び基板の周りにシールドを形成する。
【0094】
[00094] 基板テーブルは更に、少なくとも１つのガスアウトレットにガスを供給するように動作可能なガス供給源を備え得る。
【0095】
[00095] 本開示の第６の態様によれば、本開示の第５の態様による基板テーブルと、デバイスとを備えるシステムが提供され、システムは、デバイスの表面が基板テーブル及びそれによって支持された基板に対向し且つ隣接するように第１の構成で構成可能である。
【0096】
[00096] デバイスは、基板テーブルによって支持された基板上にパターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムを備え得る。デバイスは更に熱シールドを備えていてもよい。そのような投影システム及び熱シールドは、投影システムがパターン付き放射ビームを基板テーブルによって支持された基板上に投影している間、基板テーブルに対向する表面を定義し得る。
【0097】
[00097] あるいは、デバイスは、パターン付き放射への基板の露光前に基板テーブル（例えばウェーハステージ）によって支持された基板（例えばレジストコートされたシリコンウェーハ）の測定を実施するために使用される、リソグラフィ装置の部品を備え得る。
【0098】
[00098] システムは、デバイスの表面が基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するように第１の構成で構成可能である。システムの構成は、基板テーブルをデバイスに対して移動させることによって変更され得る。いくつかの実施形態においては、システムはリソグラフィ装置の一部を形成してもよく、基板テーブルは、リソグラフィ装置内で、少なくとも（ａ）（例えば投影システムに近接した）露光場所、及び（ｂ）（例えば１つ以上の測定システムに近接した）測定場所に位置決め可能である。そのようなリソグラフィ装置内では、システムは、基板テーブルが露光場所にあるときは第１の構成にあり、基板テーブルが測定場所にあるときは第２の構成にある（又はその逆）と考えられ得る。
【0099】
[00099] デバイスは、開口を通して、基板テーブルによって支持された基板上に、パターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムを備え得る。
【0100】
[000100] そのような投影システムは、投影システムが基板テーブルによって支持された基板上にパターン付き放射ビームを投影している間、基板テーブルに対向し得る。
【0101】
[000101] デバイスは更に、開口から延在しシステムが第１の構成にあるときに基板テーブルに対向し且つ隣接するデバイスの表面を少なくとも部分的に定義する１つ以上のコンポーネントを備え得る。
【0102】
[000102] 前述のコンポーネントは、以下のうちいずれか又は全てを備え得る。投影システムの本体又はハウジングであってそこに開口が定義されたもの、熱シールド、干渉測定システムの一部として使用されるミラー、及び／又はガス流の一部をそのようなミラーから遠ざかるように誘導するように構成されたスポイラ。
【0103】
[000103] システムは更に、基板テーブルとデバイスとの相対位置を制御するように構成されたスキャン機構を備え得る。
【0104】
[000104] 例えば、リソグラフィ装置はリソグラフィスキャナであってもよい。投影システムは、パターン付き放射ビームを露光領域又は露光スリット上に投影するように動作可能であってもよい。露光領域は、像面内の細長い（直線状又は曲線状のいずれかの）領域であり得る。スキャン機構は、基板テーブルによって支持された基板が概ね像面内に位置するように基板テーブルを位置決めするように構成され得る。スキャン機構は更に、露光領域を通して基板のターゲット領域をスキャンするように基板テーブルを移動させるように構成され得る。
【0105】
[000105] 本開示の第６の態様によれば、本開示の第１の態様によるシステム、本開示の第４の態様による基板テーブル、本開示の第５の態様による基板テーブル、又は本開示の第６の態様によるシステムを備えるリソグラフィ装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0106】
[000106] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
【0107】
【図1】リソグラフィ装置と放射源とを備えるリソグラフィシステムを示す。
【図3】（基板を支持する）基板テーブルと、基板テーブル及び基板に対向し且つ隣接する概ね平行なバリアとの断片を示す。
【図8】（基板を支持する）基板テーブルと、基板テーブル及び基板に対向し且つ隣接する概ね平行なバリアの一部との断片を示す。
【図13】（基板を支持する）基板テーブルと、基板テーブル及び基板に対向し且つ隣接する概ね平行なバリアの一部との断片を示す。
【図18A】基板テーブルによって支持された基板が熱シールドなどのデバイスに隣接し且つ対向するような構成の、本開示の一実施形態による基板テーブルの正確な縮尺ではない断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【0108】
[000107] 図１は、放射源ＳＯ及びリソグラフィ装置ＬＡを備えたリソグラフィシステムを示している。放射源ＳＯは、ＥＵＶ放射ビームＢを生成し、このＥＵＶ放射ビームＢをリソグラフィ装置ＬＡに供給するように構成される。リソグラフィ装置ＬＡは、照明システムＩＬと、パターニングデバイスＭＡ（例えばマスク）を支持するように構成された支持構造ＭＴと、投影システムＰＳと、基板Ｗを支持するように構成された基板テーブルＷＴとを備える。
【0109】
[000108] 照明システムＩＬは、ＥＵＶ放射ビームＢがパターニングデバイスＭＡに入射する前にＥＵＶ放射ビームＢを調節するように構成される。そのため、照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１を備えることができる。ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１は共に、ＥＵＶ放射ビームＢに所望の断面形状と所望の強度分布とを与える。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１に加えて又はこれらの代わりに、他のミラー又はデバイスを備えることができる。
【0110】
[000109] このように調節された後、ＥＵＶ放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡと相互作用する。この相互作用の結果、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’が生成される。投影システムＰＳは、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’を基板Ｗに投影するように構成される。この目的のため、投影システムＰＳは、基板テーブルＷＴにより保持された基板Ｗにパターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’を投影するように構成された複数のミラー１３、１４を備えることができる。投影システムＰＳは、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’に縮小係数を適用し、これによってパターニングデバイスＭＡにおける対応するフィーチャよりも小さいフィーチャの像を形成することができる。例えば、４又は８の縮小係数を適用することができる。投影システムＰＳは、図１では２つのミラー１３、１４のみを有するものとして示されているが、投影システムＰＳは様々な数のミラー（例えば６個又は８個のミラー）を備えることができる。
【0111】
[000110] 基板Ｗは、前もって形成されたパターンを含むことができる。このような場合、リソグラフィ装置ＬＡは、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’により形成された像を、基板Ｗ上に前もって形成されたパターンと位置合わせする。
【0112】
[000111] 相対真空、すなわち大気圧を大きく下回る圧力の少量のガス（例えば水素）を、放射源ＳＯ、照明システムＩＬ、及び／又は投影システムＰＳ内に供給することができる。
【0113】
[000112] 図１に示されている放射源ＳＯは例えば、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）放射源と呼ぶことがあるタイプである。例えばＣＯ２レーザを含み得るレーザシステム１は、レーザビーム２を介して、例えば燃料放出器３から与えられるスズ（Ｓｎ）のような燃料にエネルギを堆積するよう配置されている。以下の記載ではスズに言及するが、任意の適切な燃料を使用すればよい。燃料は、例えば液体の形態とすることや、例えば金属又は合金とすることが可能である。燃料放出器３は、例えば小滴の形態のスズを、プラズマ形成領域４へ向かう軌道に沿って誘導するよう構成されたノズルを備えることができる。レーザビーム２は、プラズマ形成領域４においてスズに入射する。レーザエネルギのスズへの堆積は、プラズマ形成領域４においてスズプラズマ７を生成する。プラズマイオンによる電子の脱励起及び再結合の間に、プラズマ７からＥＵＶ放射を含む放射が放出される。
【0114】
[000113] プラズマからのＥＵＶ放射は、コレクタ５によって収集され集束される。コレクタ５は、例えば近法線入射放射コレクタ５を含む（より一般的に法線入射放射コレクタと呼ばれることもある）。コレクタ５は、ＥＵＶ放射（例えば、１３．５ｎｍ等の所望の波長を有するＥＵＶ放射）を反射するように配置された多層ミラー構造を有し得る。コレクタ５は、２つの焦点を有する楕円構成を有し得る。焦点のうち第１のものはプラズマ形成領域４にあり、焦点のうち第２のものは中間焦点６にあり得る。これについては以下で検討する。
【0115】
[000114] レーザシステム１は、放射源ＳＯから空間的に分離してもよい。これが当てはまる場合、レーザビーム２は、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダ及び／又は他の光学系を含むビームデリバリシステム（図示せず）によって、レーザシステム１から放射源ＳＯへ渡すことができる。レーザシステム１、放射源ＳＯ、及びビームデリバリシステムは、共に放射システムと見なすことができる。
【0116】
[000115] コレクタ５によって反射された放射は、ＥＵＶ放射ビームＢを形成する。ＥＵＶ放射ビームＢは、中間焦点６で集束されて、プラズマ形成領域４に存在するプラズマの中間焦点６での像を形成する。中間焦点６の像は、照明システムＩＬの仮想放射源として作用する。放射源ＳＯは、中間焦点６が放射源ＳＯの閉鎖構造９の開口８に又は開口８の近くに位置付けられるように配置されている。
【0117】
[000116] 図１は放射源ＳＯをレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）放射源として図示しているが、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）放射源又は自由電子レーザ（ＦＥＬ）等のいずれかの適切な放射源を用いてＥＵＶ放射を発生させればよい。
【0118】
[000117] 投影システムＰＳは、絶縁されたフレームに接続される。例えば、絶縁されたフレーム（メトロフレームと称され得る）はベースフレームによって支持されてもよく、ベースフレームは、外部の影響（ベースフレームの振動など）から実質的に絶縁されるように、地面に支持されてもよい。この絶縁は、絶縁されたフレームをベースフレーム上に支持する音響制振マウントの使用によって達成されてもよい。音響制振マウントは、ベースフレームによって及び／又は絶縁されたフレーム自体によって導入される振動を絶縁するように能動的に制御され得る。
【0119】
[000118] 支持構造ＭＴは、絶縁されたフレームに、第１の位置決めデバイスを介して、移動可能に装着される。第１の位置決めデバイスは、パターニングデバイスＭＡを移動させるため並びに絶縁されたフレーム（及びフレームに接続された投影システムＰＳ）に対して正確に位置決めするために使用され得る。基板テーブルＷＴは、絶縁されたフレームに、第２の位置決めデバイスを介して、移動可能に装着される。第２の位置決めデバイスは、基板Ｗを移動させるため並びに絶縁されたフレーム（及びそこに接続された投影システムＰＳ）に対して正確に位置決めするために使用され得る。
【0120】
[000119] 投影システムＰＳは、内部及び開口を定義する本体又はハウジングを有する。２つのミラー１３，１４はその内部内に配設され、投影システムＰＳは、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’を、開口を通して、基板テーブルＷＴによって支持された基板Ｗ上に投影するように構成及び配置される。
【0121】
[000120] 投影システムＰＳは、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’を基板Ｗに投影するように構成される。特に、投影システムＰＳは、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’を投影システムＰＳの像面内の露光領域（又は照明領域）上に投影するように構成される。露光領域と放射ビームＢ’とは、（一般に基板Ｗの表面と一致する）この像面内では、概して同じ形状及びサイズである。
【0122】
[000121] 使用時には、基板Ｗの複数の異なるターゲット領域（１つ以上のダイに相当し得る）は、（ターゲット領域のうちどれが像面の露光領域内に配設されるかを変更するように）露光と露光との間に基板テーブルＷＴを投影システムＰＳに対して移動させることによって、順次露光され得る。加えて、そのような各露光はスキャン露光であってもよく、その際に基板テーブルＷＴは投影システムＰＳに対してスキャン方向で移動し、それによって、露光されているターゲット領域は、露光領域を通ってスキャン方向に移動又はスキャンする。この機能性を達成するために、リソグラフィ装置ＬＡには、基板テーブルＷＴを投影システムＰＳに対して移動させるためのアクチュエータが設けられている。これらのアクチュエータは、基板テーブルＷＴと投影システムＰＳとの相対位置を制御するように構成されたスキャン機構を形成するものと考えられ得る。そのような実施形態については、リソグラフィ装置ＬＡは、リソグラフィスキャナとも称され得る。スキャン機構は、基板テーブルによって支持された基板が概ね像面内に位置するように基板テーブルを位置決めするように構成され得る。スキャン機構は更に、露光領域を通して基板のターゲット領域をスキャンするように基板テーブルを移動させるように構成され得る。
【0123】
[000122] リソグラフィスキャナにおいて、投影システムＰＳの像面内の露光領域は細長く、そして、（一般に基板Ｗの表面と一致する）この像面内では、放射ビームＢ’は概して、放射の（直線状又は曲線状のいずれかの）細長いバンドである。投影システムＰＳの本体の開口（これを通ってパターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’が基板Ｗ上に投影される）は、概ね同様の形状を有していてもよく、露光領域及び放射のバンドよりもわずかに大きくてもよい。放射システムＰＳの像面内の細長い露光領域又は放射の細長いバンドは、スリット又は露光スリットと称され得る。
【0124】
[000123] 一般に、スキャンリソグラフィ装置ＬＡでは、露光領域は細長く、長い寸法と短い寸法とを有する。短い方の寸法は支持構造ＭＴのスキャン方向と一致していてもよく、長い方の寸法は支持構造ＭＴの非スキャン方向と一致していてもよい。露光領域は、湾曲状又は直線状であり得る。以下及び添付の図面では、リソグラフィ装置ＬＡの非スキャン方向はｘ方向と称され又は標識され、リソグラフィ装置ＬＡのスキャン方向はｙ方向と称され又は標識される。露光領域に垂直な方向はｚ方向と称され又は標識される。露光領域の長い方の寸法（ｘ方向）は図１の平面に対して垂直であり、露光領域の（ｙ方向の）短い方の寸法は図１の平面内にある。
【0125】
[000124] 像面の露光領域内の各点は、一般に、放射の円錐を受けることになる（すなわち、ある範囲の入射角を有する放射ビームを受けることになる）。したがって、開口に近接して、投影システムＰＳの本体の内部は、（パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’の光軸に垂直な両方向で）開口に向かって内向きにテーパ状になっていてもよい。開口部に近接したハウジングのこのテーパ状部分は、概ね漏斗形状であるものとして説明されてもよく、漏斗部と称され得る。
【0126】
【0127】
[000126] 図２Ａ及び図２Ｂは、基板Ｗを支持するための基板テーブルＷＴと投影システムＰＳの一部とを備えるシステム２０を示す。図２Ａは、スキャン方向（ｙ方向）を含む平面におけるシステム２０の断面を示す。図２Ｂは、非スキャン方向（ｘ方向）を含む平面におけるシステム２０の断面を示す。
【0128】
[000127] システム２０は、図１に概略的に示されるリソグラフィ装置ＬＡの一部を形成する。図２Ａ及び図２Ｂは、投影システムの本体又はハウジングのうち内部２１及び開口２２を定義する一部を示す（開口２２に近接した内部２１のテーパ状の部分のみが示されている）。開口２２の範囲は、スキャン方向（図２Ａを参照）よりも非スキャン方向（図２Ｂを参照）における方が大きいことに留意されたい。
【0129】
[000128] システム２０は更に、開口を通って投影システムＰＳの内部から遠ざかるガス流を提供するように配置されたガスロックを備えている。このガス流は、矢印２３によって概略的に示され、ガスが投影システムの本体又はハウジングの内壁のアパーチャを通って内部２１に導かれることを示している。ガス流２３は、例えば水素又は窒素など、任意の適当なガスを備え得る。アパーチャは、ガス流２３を概ね開口２２に向かって誘導するように配置されている。そうすることによって、ガスロックは、投影システムＰＳの内部を汚染物質の進入から保護する。例えば、ミラー１３，１４に衝突するそのような汚染物質を防止することができ、これはひいては、投影システムＰＳの光学性能を改善する。
【0130】
[000129] システム２０は更に、基板テーブルＷＴ（及びそれによって支持された任意の基板Ｗ）に概ね平行な表面２７を定義するバリア２６を備える。バリア２６は、投影システムのうち開口２２に近接した一部を囲み、そこから遠ざかるように延在している。バリア２６は、投影システムＰＳの本体もしくはハウジングの一部を形成するか又は本体もしくはハウジングの延伸部であると考えられてもよい。
【0131】
[000130] バリア２６は複数の異なるコンポーネントから形成され得ることが理解されよう。
【0132】
[000131] 例えば、バリア２６は、（例えば図２Ａに示される断面内に）基板テーブル熱シールドを備えていてもよく、その基板テーブル熱シールドは、特定の温度に維持することが望ましいであろう基板テーブルＷＴ（及びそれによって支持された任意の基板Ｗ）を装置の他の部品（例えばリソグラフィ装置ＬＡの他の部品）から少なくとも部分的に熱的に絶縁するように配置され得る。そのような基板テーブル熱シールドは、水冷プレートを備えていてもよい。
【0133】
[000132] 追加的又は代替的には、バリア２６は、バリア２６及び／又は投影システムＰＳに対する（又は、同等に、バリア２６及び投影システムＰＳが取り付けられた、絶縁されたフレームに対する）基板テーブルＷＴの位置を測定するように配置された測定システムの一部として使用され得る１つ以上のミラー２８（図２Ｂを参照）を備えるか又は組み込んでいてもよい。使用時には、１つ以上の干渉計ビーム３０が、例えばバリア２６及び投影システムＰＳが取り付けられた、絶縁されたフレームから、基板テーブルに向けて放出され得る。干渉ビーム３０は、基板テーブルＷＴからミラー２８に向かって反射される。干渉ビーム３０は、ミラー２８から反射され、基板テーブルＷＴの平面に概ね垂直な方向（ｚ方向と称され得る）でバリア２６及び／又は投影システムＰＳに対する（又は、同等に、バリア２６及び投影システムＰＳが取り付けられた、絶縁されたフレームに対する）基板テーブルＷＴの位置を判定するように動作可能な干渉デバイスに戻るように伝搬する。そのような干渉デバイスは位置センサとも称され得る。
【0134】
[000133] バリア２６は、例えばアクセスハッチ又はドアなど、投影システムＰＳの内部２１へのアクセスを提供するために移動又は除去されることができる追加のコンポーネントを備えていてもよい。
【0135】
[000134] ＥＵＶリソグラフィ装置内では、例えば放射ビームＢ’からのＥＵＶ放射が存在する場合に、装置のいくつかの部品が汚染に曝され得る。基板レベルの装置の部品は、特にそのような汚染の影響を受けやすい。ＥＵＶ放射が基板Ｗを照明するとき、汚染物が基板Ｗから放出され得る。これらの汚染物は、ガス流２３によって、システム２０の他の部品へと輸送され得る。ミラー２８の汚染は、基板テーブルＷＴの（バリア２６に対する）ｚ位置を判定することができる精度の低下を引き起こし得る、並びに／又はミラー２８の洗浄及び／もしくは交換を必要とし得るものであり、回避することが望ましい。
【0136】
[000135] 図２Ｂに概略的に示されるように、システム２０は更に、バリアの一部を形成する、開口２２とミラー２８との間に配設されたスポイラ３２を備える。スポイラ３２は、ガス流２３の一部をミラー２８から遠ざかるように、例えばミラー２８を迂回する領域３４内に誘導するように構成されている。有利なことには、これは、ミラー２８上に堆積される汚染物の濃度を低減することができる。
【0137】
[000136] 本開示のいくつかの実施形態は更に、（ａ）基板テーブルＷＴから使用時（例えば、投影システムＰＳがパターン付き放射ビームＢ’を基板テーブルＷＴによって支持された基板Ｗ上に投影している間）に基板テーブルＷＴに対向する表面２７に向かって部分的に延在するか、又は（ｂ）使用時（例えば、投影システムＰＳがパターン付き放射ビームＢ’を基板テーブルＷＴによって支持された基板Ｗ上に投影している間）に基板テーブルＷＴに対向する表面２７から基板テーブルＷＴに向かって部分的に延在する、少なくとも１つの変形可能なパーティションを備える。
【0138】
[000137] 使用時に、投影システムＰＳがパターン付き放射ビームＢ’を基板テーブルＷＴによって支持された基板Ｗ上に投影している間、基板テーブルＷＴは、基板の一部が投影システムＰＳから（開口２２を通して）パターン付き放射Ｂ’を受けるように位置決めされる。基板Ｗの残りの部分は、概ね平行な表面２７に対向し、この表面は例えば熱シールドを備え得る。
【0139】
[000138] 以下で更に述べるように、基板Ｗのいくつかの部品と周囲の装置との間の隙間を低減すること（例えば、基板Ｗの特定の部品へ又は基板の特定の部品から通過する粒子及び／又は放射の量を低減すること）が有益であり得る。このために、基板テーブルＷＴ（又は基板Ｗ）と対向表面２７との間の距離は、低減することが有益であろう。しかしながら、基板Ｗ又は基板テーブルＷＴが対向表面２７に接触することは望ましくないので、達成可能な最小距離には限界がある。さらに、地震などの場合にそのような接触を防止して基板Ｗ、基板テーブルＷＴ、又は対向表面２７への損傷を防止するために、いくらかの公差が許容され得る。
【0140】
[000139] 有利なことには、本開示によるリソグラフィ装置の少なくとも１つの変形可能なパーティションは、基板Ｗのいくつかの部品と周囲の装置との間の隙間を更に低減する。少なくとも１つの変形可能なパーティションは、（その近位端の）第１の部材から（その遠位端の）第２の部材に向かって、部分的に延在する。第１及び第２の部材は、（ａ）基板テーブルＷＴ、又は（ｂ）使用時に基板テーブルＷＴに対向する表面２７である。（例えば地震の場合に）第１及び第２の部材が互いに向かって移動すると、第２の部材は、変形可能なパーティションの遠位端に接触して、それを変形させ得る。少なくとも１つのパーティションは変形可能であるので、有利なことには、そのような接触は、基板テーブルＷＴ又は使用時にそれに対向する表面２７（例えば熱シールド）のいずれにも損傷をもたらさないであろう。したがって、有利なことには、本開示によるリソグラフィ装置は、損傷のリスクを制限しながら、基板テーブルＷＴ（又は基板Ｗ）と隣接する表面２７との間の物理的隙間が低減されることを可能にする。
【0141】
【0142】
[000141] 本開示のいくつかの実施形態においては、次に図３から図７Ｂを参照して述べるように、少なくとも１つの変形可能なパーティションは、基板テーブルＷＴから、使用時、投影システムＰＳがパターン付き放射ビームＢ’を基板テーブルＷＴによって支持された基板Ｗ上に投影している間に基板テーブルＷＴに対向する表面２７に向かって、部分的に延在する。
【0143】
[000142] 上記で説明されたように、基板テーブルＷＴに対向する表面２７は、熱シールドを備えていてもよく、又は少なくとも部分的に熱シールドによって形成されていてもよい。
【0144】
[000143] 図３は、（基板Ｗを支持する）基板テーブルと、変形可能なパーティションを有さない概ね平行なバリア２６との断片を示す。図３には、周囲環境から放出された粒子の潜在的な軌道３６も示されている。図３に概略的に表されるように、これらの軌道３６は、周囲環境からのそのような粒子がバリア２６から跳ね返って基板Ｗに入射する可能性があることを示す。これは、印刷エラーを生じさせ得ると共に、その結果、集積回路に欠陥をもたらし得るので、望ましくない。
【0145】
[000144] 図４は、図３に示されるのと同じ基板テーブルＷＴ、基板Ｗ、及びバリア２６の断片を示す。加えて、図４は、基板テーブルＷＴから表面２７に向かって部分的に延在する変形可能なパーティション３８を示す。図４には、周囲環境から放出された粒子の潜在的な軌道３６も示されている。図３と図４との比較から分かるように、変形可能なパーティション３８がない場合に基板Ｗに到達するであろう潜在的な軌道３６（図３を参照）のうちいくつかは、変形可能なパーティション３８によって遮断される（図４を参照）。
【0146】
[000145] 有利なことには、基板テーブルＷＴから表面２７へ部分的に延在する変形可能なパーティション３８は、基板テーブルＷＴのうち基板Ｗを支持する部分及び基板テーブルＷＴの周囲部分と周囲環境との間にバリアを提供する。変形可能なパーティション３８は、基板テーブルＷＴから延在するので、基板テーブルＷＴによって支持された基板Ｗに対して固定位置に留まる。
【0147】
[000146] ウェーハ欠陥の発生を低減するために、基板Ｗに入射する粒子の数を低減することが望ましい。変形可能なパーティション３８は、基板Ｗが配設される領域への周囲環境からの粒子の進入を更に低減するように作用する。
【0148】
[000147] 基板テーブルＷＴから使用時に基板テーブルＷＴに対向する表面２７へ部分的に延在する少なくとも１つの変形可能なパーティション３８が、少なくとも基板Ｗの平面に垂直な方向（すなわちｚ方向）に範囲の構成要素を有することは、理解されよう。
【0149】
[000148] 原理上は、基板テーブルＷＴから基板テーブルに対向する表面２７に向かって部分的に延在する少なくとも１つの変形可能なパーティション３８は、基板Ｗを支持するための領域の外周（又は周囲）周りの実質的に全体に延在し得る。これは、基板テーブルＷＴのうち基板Ｗを支持する部分及び基板テーブルＷＴの周囲部分と周囲環境との間の分離を最大化するであろう。
【0150】
[000149] しかしながら、いくつかの実施形態においては、基板テーブルＷＴから基板テーブルに対向する表面２７へ部分的に延在する少なくとも１つの変形可能なパーティション３８は、基板テーブルＷＴのうち使用時に基板Ｗを支持する領域の外周周りに部分的にのみ延在する。
【0151】
[000150] 例えば、いくつかの実施形態においては、基板テーブルＷＴから基板テーブルＷＴに対向する表面２７へ部分的に延在する少なくとも１つの変形可能なパーティション３８は、基板テーブルＷＴのうち基板Ｗを支持するための概ね長方形の領域の２つの向き合った表面に沿って延在する。
【0152】
[000151] 有利なことには、このような構成は、レーザビーム３０の見通し線が、周囲環境から基板テーブルＷＴのうち基板Ｗを支持する部分に隣接する基板テーブルＷＴの一部へ通過することを可能にする。図２Ｂを参照して上記で述べたように、そのようなレーザビーム３０は、例えば、基準フレームに対する基板テーブルＷＴの位置（例えば高さ又はｚ位置）を測定するための干渉測定システムの一部として使用され得る。
【0153】
[000152] 例えば、上記の図２Ａ及び図２Ｂに示されるようなシステム２０の配置では、システム２０は、基板テーブルＷＴのうち基板Ｗを支持するための概ね長方形の領域の２つの対向する表面の一方に沿って概ね非スキャン方向（ｘ方向）に各々が延在する、２つの変形可能なパーティション３８を備えていてもよい。
【0154】
【0155】
[000154] 基板テーブルＷＴから対向表面２７に向かって部分的に延在する変形可能なパーティション３８の第１の例示的な実施形態においては、変形可能なパーティション３８は、少なくとも基板Ｗの平面に平行な方向に範囲の構成要素を有する弾性変形可能なパーティション３８ａである。そのような弾性変形可能なパーティション３８ａが、図５Ａ及び図５Ｂに示されている。
【0156】
[000155] 図５Ａは、図４に示されるのと同じ基板テーブルＷＴ、基板Ｗ、及びバリア２６の断片を示し、弾性変形可能なパーティション３８ａは公称位置に配設されている。図５Ｂは、図５Ａのように配置を示すが、基板テーブルＷＴ及びバリア２６が共に移動されており、それによってバリア２６が、公称位置に配設された弾性変形可能なパーティション３８ａに接触して力を及ぼす。
【0157】
[000156] 基板Ｗの平面に対して単に垂直に（すなわちｚ方向のみに）延在するのではなく、弾性変形可能なパーティション３８ａは、基板Ｗの平面に対して斜角で延在する。図５Ｂに見られるように、基板Ｗの平面に概ね垂直な（すなわち概ねｚ方向の）物体（例えばバリア２６）からの力が加わると、そのような弾性変形可能なパーティション３８ａは、自身又はバリア２６を損傷することなく、側方に屈曲することができる。
【0158】
[000157] 基板テーブルＷＴから対向表面２７に向かって部分的に延在する変形可能なパーティション３８の第２の例示的な実施形態においては、変形可能なパーティション３８は、基板Ｗの平面に概ね垂直な方向（すなわちｚ方向）に弾性変形可能な、弾性変形可能なパーティション３８ｂである。そのような弾性変形可能なパーティション３８ｂが、図６Ａ及び図６Ｂに示されている。
【0159】
[000158] 図６Ａは、図４に示されるのと同じ基板テーブルＷＴ、基板Ｗ、及びバリア２６の断片を示し、弾性変形可能なパーティション３８ｂは公称位置に配設されている。図６Ｂは、図６Ａのように配置を示すが、基板テーブルＷＴ及びバリア２６が共に移動されており、それによってバリア２６が、公称位置に配設された弾性変形可能なパーティション３８ｂに接触して力を及ぼす。
【0160】
[000159] 基板Ｗの平面に垂直な方向では、この実施形態の弾性変形可能なパーティション３８ｂは、概ねばねの形態である。基板Ｗの平面に概ね垂直な（すなわち概ねｚ方向の）物体（例えばバリア２６）からの力が加わると、そのような弾性変形可能なパーティション３８ｂは、その方向に圧縮し得る。
【0161】
[000160] 有利なことには、このような弾性変形可能なパーティション３８ａ，３８ｂは、その遠位端が（例えば地震の際に）別の物体２６に接触すると公称位置から変形することができ、変形を引き起こす物体が除去されると公称位置に戻ることができる。
【0162】
【0163】
[000162] 基板テーブルＷＴから対向表面２７に向かって部分的に延在する変形可能なパーティション３８ｃの第３の例示的な実施形態においては、変形可能なパーティション３８ｃは、その近位端と遠位端との間に壊れやすい部分を備える。そのような変形可能なパーティション３８ｃが、図７Ａ及び図７Ｂに示されている。
【0164】
[000163] 図７Ａは、図４に示されるのと同じ基板テーブルＷＴ、基板Ｗ、及びバリア２６の断片を示し、弾性変形可能なパーティション３８ｃは公称位置に配設されている。変形可能なパーティション３８ｃの近位端４２と変形可能なパーティション３８ｃの遠位端４４との間には、壊れやすい部分４０が設けられている。
【0165】
[000164] 図７Ｂは、図７Ａの配置を示すが、基板テーブルＷＴ及びバリア２６が共に移動されており、それによってバリア２６が、公称位置に配設された変形可能なパーティション３８ｃに接触して力を及ぼしている。
【0166】
[000165] 有利なことには、そのような壊れやすい部分４０は、変形可能なパーティション３８ｃが、その遠位端４４が（例えば地震の際に）別の物体に接触すると、壊れることを可能にする。そのような変形可能なパーティション３８ｃは、永久的に変形可能であると説明され得る。
【0167】
[000166] 本開示のいくつかの実施形態においては、次に図８から図１７Ｂを参照して述べるように、少なくとも１つの変形可能なパーティションは、基板テーブルＷＴに向かって、使用時、投影システムＰＳがパターン付き放射ビームＢ’を基板テーブルＷＴによって支持された基板Ｗ上に投影している間に基板テーブルＷＴに対向する表面２７から、部分的に延在する。
【0168】
[000167] 基板テーブルＷＴに向かって基板テーブルＷＴに対向する表面２７から部分的に延在する変形可能なパーティションは、露光領域の外周周りの実質的に全体に延在し得る。あるいは、基板テーブルＷＴに向かって基板テーブルＷＴに対向する表面２７から部分的に延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションは、露光領域の外周周りに部分的にのみ延在し得る。
【0169】
[000168] 図８は、（基板Ｗを支持する）基板テーブルＷＴと、変形可能なパーティションを有さない概ね平行なバリアの一部との断片を示す。特に、バリアは、バリア２６及び／又は投影システムＰＳに対する（又は、同等に、バリア２６及び投影システムＰＳが取り付けられた、絶縁されたフレームに対する）基板テーブルＷＴのｚ位置を測定するように配置された測定システムの一部として使用され得るミラー２８（図２Ｂを参照）を備える。バリアは更に、バリアの一部を形成する、開口２２とミラー２８との間に配置されたスポイラ３２を備える。
【0170】
[000169] 図９は、図８に示されるのと同じ基板テーブルＷＴ、基板Ｗ、及びバリア２６の断片を示す。加えて、図９は、表面２７から基板テーブルＷＴに向かって部分的に延在する変形可能なパーティション４６を示す。
【0171】
[000170] 特に、変形可能なパーティション４６は、干渉測定システムの一部として使用されるミラー２８に隣接するスポイラ３２の表面２７から延在する。この実施形態においては、変形可能なパーティション４６は、概ねスキャン方向（すなわちｙ方向）に沿って延在する。
【0172】
[000171] 有利なことには、変形可能なパーティション４６は基板テーブルＷＴに向かって基板Ｗの露光中に基板テーブルＷＴに対向する表面２７から部分的に延在するので、変形可能なパーティション４６は、露光領域（スリットとしても知られる）と装置の周囲部分との間にバリアを提供することができる。変形可能なパーティション４６は、使用時に基板テーブルＷＴに対向する表面２７から延在するので、投影システムＰＳ及びそれに接続された任意の他の装置に対して固定位置に留まる。
【0173】
[000172] 露光領域に隣接する容積から周囲環境に出ていく粒子の数を低減することが望ましい場合がある。例えば、ＥＵＶ放射が基板Ｗを照明するとき、汚染物が基板Ｗから放出され得る。これらの汚染物は、ガス流２３（図２Ａ及び図２Ｂを参照）によって、システム２０の他の部品へと輸送され得る。ミラー２８の汚染は、基板テーブルＷＴの（バリア２６に対する）ｚ位置を判定することができる精度の低下を引き起こし得る、並びに／又はミラー２８の洗浄及び／もしくは交換を必要とし得るものであり、回避することが望ましい。基板テーブルＷＴへ、基板の露光中に基板テーブルＷＴに対向する表面２７から部分的に延在する変形可能なパーティション４６は、これを達成することができる。
【0174】
[000173] 基板テーブルＷＴに向かって投影システムＰＳがパターン付き放射ビームを基板テーブルＷＴによって支持された基板Ｗ上に投影している間に基板テーブルＷＴに対向する表面２７から部分的に延在する変形可能なパーティション４６が、少なくとも基板Ｗの平面に垂直な方向（すなわちｚ方向）に範囲の構成要素を有することは、理解されよう。
【0175】
【0176】
[000175] 基板テーブルＷＴに向かって干渉測定システムの一部として使用されるミラー２８に隣接する表面２７から部分的に延在する変形可能なパーティション４６の第１の例示的な実施形態においては、変形可能なパーティション４６は、少なくとも基板Ｗの平面に平行な方向に範囲の構成要素を有する弾性変形可能なパーティション４６ａである。そのような弾性変形可能なパーティション４６ａが、図１０Ａ及び図１０Ｂに示されている。
【0177】
[000176] 図１０Ａは、図９に示されるのと同じ基板テーブルＷＴ、基板Ｗ、及びバリア２６の断片を示し、弾性変形可能なパーティション４６ａは公称位置に配設されている。図１０Ｂは、図１０Ａのように配置を示すが、基板テーブルＷＴ及びバリア２６が共に移動されており、それによって基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴが弾性変形可能なパーティション４６ａに接触して力を及ぼす。
【0178】
[000177] 基板Ｗの平面に対して単に垂直に（すなわちｚ方向のみに）延在するのではなく、弾性変形可能なパーティション４６ａは、基板Ｗの平面に対して斜角で延在する。図１０Ｂに見られるように、基板Ｗの平面に概ね垂直な（すなわち概ねｚ方向の）物体（例えば基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴ）からの力が加わると、そのような弾性変形可能なパーティション４６ａは、自身又はバリア２６又は基板テーブルＷＴを損傷することなく、側方に屈曲することができる。
【0179】
[000178] 基板テーブルＷＴに向かって干渉測定システムの一部として使用されるミラー２８に隣接する表面２７から部分的に延在する変形可能なパーティション４６の第２の例示的な実施形態においては、変形可能なパーティション４６は、基板Ｗの平面に概ね垂直な方向（すなわちｚ方向）に弾性変形可能な、弾性変形可能なパーティション４６ｂである。そのような弾性変形可能なパーティション４６ｂが、図１１Ａ及び図１１Ｂに示されている。
【0180】
[000179] 図１１Ａは、図４に示されるのと同じ基板テーブルＷＴ、基板Ｗ、及びバリア２６の断片を示し、弾性変形可能なパーティション４６ｂは公称位置に配設されている。図１１Ｂは、図１１Ａのように配置を示すが、基板テーブルＷＴ及びバリア２６が共に移動されており、それによって基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴが弾性変形可能なパーティション４６ｂに接触して力を及ぼす。
【0181】
[000180] 基板Ｗの平面に垂直な方向では、この実施形態の弾性変形可能なパーティション４６ｂは、概ねばねの形態である。基板Ｗの平面に概ね垂直な（すなわち概ねｚ方向の）物体（例えば基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴ）からの力が加わると、そのような弾性変形可能なパーティション４６ｂは、その方向に圧縮し得る。
【0182】
[000181] 有利なことには、このような弾性変形可能なパーティション４６ａ，４６ｂは、その遠位端が（例えば地震の際に）別の物体２６に接触すると公称位置から変形することができ、変形を引き起こす物体が除去されると公称位置に戻ることができる。
【0183】
【0184】
[000183] 基板テーブルＷＴに向かって干渉測定システムの一部として使用されるミラー２８に隣接する表面２７から部分的に延在する変形可能なパーティション４６の第３の例示的な実施形態においては、変形可能なパーティション４６ｃは、その近位端と遠位端との間に壊れやすい部分を備える。そのような変形可能なパーティション４６ｃが、図１２Ａ及び図１２Ｂに示されている。
【0185】
[000184] 図１２Ａは、図９に示されるのと同じ基板テーブルＷＴ、基板Ｗ、及びバリア２６の断片を示し、変形可能なパーティション４６ｃは公称位置に配設されている。変形可能なパーティション４６ｃの近位端５０と変形可能なパーティション４６ｃの遠位端５２との間には、壊れやすい部分４８が設けられている。
【0186】
[000185] 図１２Ｂは、図１２Ａのように配置を示すが、基板テーブルＷＴ及びバリア２６が共に移動されており、それによって基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴが変形可能なパーティション４６ｃに接触して力を及ぼしている。
【0187】
[000186] 有利なことには、そのような壊れやすい部分４０は、変形可能なパーティション４６ｃが、その遠位端４４が（例えば地震の際に）別の物体に接触すると、壊れることを可能にする。そのような変形可能なパーティション４６ｃは、永久的に変形可能であると説明され得る。
【0188】
[000187] 図１３は、（基板Ｗを支持する）基板テーブルＷＴと、開口２２に近接しているが変形可能なパーティションを有さない投影システムハウジングの一部との断片を示す。
【0189】
[000188] 図１４は、図１３に示されるのと同じ基板テーブルＷＴと、基板Ｗと、開口２２に近接した投影システムハウジングの下側部分との断片を示す。加えて、図１４は、各々がハウジング又は投影システムから基板テーブルＷＴに向かって部分的に延在する、２つの変形可能なパーティション５４を示す。
【0190】
[000189] 特に、変形可能なパーティション５４は、開口２２に近接した投影システムハウジングの下側部分から延在すると共にその延伸部を形成する。変形可能なパーティション５４は、露光領域の近傍で投影システムから延在する。この実施形態においては、変形可能なパーティション５４は、各々が、概ね非スキャン方向（すなわちｘ方向）に沿って延在する。
【0191】
[000190] 有利なことには、変形可能なパーティション５４は基板テーブルＷＴに向かって基板Ｗの露光中に基板テーブルＷＴに対向する表面から部分的に延在するので、変形可能なパーティション５４は、露光領域（スリットとしても知られる）と装置の周囲部分との間にバリアを提供することができる。変形可能なパーティション５４は、使用時に基板テーブルＷＴに対向する表面から延在するので、投影システムＰＳ及びそれに接続された任意の他の装置に対して固定位置に留まる。
【0192】
[000191] 露光領域に隣接する容積から周囲環境に出ていく粒子の数を低減することが望ましい場合がある。例えば、ＥＵＶ放射が基板Ｗを照明するとき、汚染物が基板Ｗから放出され得る。これらの汚染物は、ガス流２３（図２Ａ及び図２Ｂを参照）によって、システム２０の他の部品へと輸送され得る。基板Ｗの他の部品の汚染は、ウェーハ欠陥を引き起こし得るものであり、回避することが望ましい。追加的又は代替的には、露光領域の外側で基板Ｗに入射する投影システムＰＳからの放射の量を低減することが望ましい場合がある。基板テーブルＷＴへ、基板の露光中に基板テーブルＷＴに対向する表面２７から部分的に延在する変形可能なパーティション５４は、これを達成することができる。
【0193】
[000192] 基板テーブルＷＴに向かって投影システムＰＳがパターン付き放射ビームを基板テーブルＷＴによって支持された基板Ｗ上に投影している間に基板テーブルＷＴに対向する表面から部分的に延在する変形可能なパーティション５４が、少なくとも基板Ｗの平面に垂直な方向（すなわちｚ方向）に範囲の構成要素を有することは、理解されよう。
【0194】
【0195】
[000194] 露光領域の近傍で投影システムから延在する変形可能なパーティション５４の第１の例示的な実施形態においては、変形可能なパーティション５４は、少なくとも基板Ｗの平面に平行な方向に範囲の構成要素を有する弾性変形可能なパーティション５４ａである。そのような弾性変形可能なパーティション５４ａが、図１５Ａ及び図１５Ｂに示されている。
【0196】
[000195] 図１５Ａは、図１４に示されるのと同じ基板テーブルＷＴ、基板Ｗ、及び投影システムＰＳの下部の断片を示し、弾性変形可能なパーティション５４ａは公称位置に配設されている。図１５Ｂは、図１５Ａのように配置を示すが、基板テーブルＷＴ及びバリア２６が共に移動されており、それによって基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴが弾性変形可能なパーティション５４ａに接触して力を及ぼす。
【0197】
[000196] 基板Ｗの平面に対して単に垂直に（すなわちｚ方向のみに）延在するのではなく、弾性変形可能なパーティション５４ａは、基板Ｗの平面に対して斜角で延在する。図１５Ｂに見られるように、基板Ｗの平面に概ね垂直な（すなわち概ねｚ方向の）物体（例えば基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴ）からの力が加わると、そのような弾性変形可能なパーティション５４ａは、自身又はバリア２６又は基板テーブルＷＴを損傷することなく、側方に屈曲することができる。
【0198】
[000197] 露光領域の近傍で投影システムから延在する変形可能なパーティション５４の第２の例示的な実施形態においては、変形可能なパーティション５４は、基板Ｗの平面に概ね垂直な方向（すなわちｚ方向）に弾性変形可能な、弾性変形可能なパーティション５４ｂである。そのような弾性変形可能なパーティション５４ｂが、図１６Ａ及び図１６Ｂに示されている。
【0199】
[000198] 図１６Ａは、図１４に示されるのと同じ基板テーブルＷＴ、基板Ｗ、及び投影システムＰＳの下部の断片を示し、弾性変形可能なパーティション５４ｂは公称位置に配設されている。図１６Ｂは、図１６Ａのように配置を示すが、基板テーブルＷＴ及びバリア２６が共に移動されており、それによって基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴが弾性変形可能なパーティション５４ｂに接触して力を及ぼす。
【0200】
[000199] 基板Ｗの平面に垂直な方向では、この実施形態の弾性変形可能なパーティション５４ｂは、概ねばねの形態である。基板Ｗの平面に概ね垂直な（すなわち概ねｚ方向の）物体（例えば基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴ）からの力が加わると、そのような弾性変形可能なパーティション５４ｂは、その方向に圧縮し得る。
【0201】
[000200] 有利なことには、このような弾性変形可能なパーティション５４ａ，５４ｂは、その遠位端が（例えば地震の際に）別の物体２６に接触すると公称位置から変形することができ、変形を引き起こす物体が除去されると公称位置に戻ることができる。
【0202】
【0203】
[000202] 露光領域の近傍で投影システムから延在する変形可能なパーティション５４の第３の例示的な実施形態においては、変形可能なパーティション５４ｃは、その近位端と遠位端との間に壊れやすい部分を備える。そのような変形可能なパーティション５４ｃが、図１７Ａ及び図１７Ｂに示されている。
【0204】
[000203] 図１７Ａは、図１４に示されるのと同じ基板テーブルＷＴ、基板Ｗ、及びバリア２６（投影システムの下部）の断片を示し、変形可能なパーティション５４ｃは公称位置に配設されている。変形可能なパーティション５４ｃの近位端５８と変形可能なパーティション５４ｃの遠位端６０との間には、壊れやすい部分５６が設けられている。
【0205】
[000204] 図１７Ｂは、図１７Ａのように配置を示すが、基板テーブルＷＴ及びバリア２６が共に移動されており、それによって基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴが変形可能なパーティション５４ｃに接触して力を及ぼしている。
【0206】
[000205] 有利なことには、そのような壊れやすい部分５６は、変形可能なパーティション５４ｃが、その遠位端６０が（例えば地震の際に）別の物体に接触すると、壊れることを可能にする。そのような変形可能なパーティション５４ｃは、永久的に変形可能であると説明され得る。
【0207】
[000206] 上記では変形可能なパーティション３８，４６，５４の種々の実施形態が別々に説明されてきたが、他の実施形態がこれらの変形可能なパーティション３８，４６，５４の任意の組み合わせを備えることは理解されよう。
【0208】
[000207] 図４から図７Ｂに示され上記で説明された基板テーブルＷＴは、使用時に基板テーブルＷＴ及び基板Ｗに対向し且つ隣接する表面２７を有するバリア２６も参照して図示及び説明されている。本開示のいくつかの実施形態は、概ね図４から図７Ｂに示され上記で説明された基板テーブルＷＴの形態の基板テーブルＷＴから延在する変形可能なパーティション３８を有する基板テーブルＷＴのみに関する。
【0209】
[000208] 本発明者らは、放射ビームＢへの露光中の基板Ｗの保護を最大化するためには、以下の方法が最も効果的であることを見出した。（ａ）基板Ｗと隣接本体（例えば熱シールド）との間の圧力を増加させること、（ｂ）基板Ｗと隣接本体（例えば熱シールド）との間のガス速度を増加させること、及び（ｃ）基板Ｗと隣接本体（例えば熱シールド）との間の隙間を減少させること。この洞察は、次に述べるように、本開示のいくつかの実施形態によって利用される。
【0210】
[000209] 次に、基板Ｗを支持するように配置された基板テーブル７０の一実施形態を、図１８Ａから図２１を参照して説明する。図１８Ａは、基板テーブル７０によって支持された基板が熱シールド７２などのデバイスに隣接し対向するような構成の、基板テーブル７０の断面図を示す。図１８Ｂは、図１８Ａに示される基板テーブル７０の平面図である。
【0211】
[000210] 基板テーブル７０は、本体７４と、クランプ７６と、パーティション７８とを備える。本体７４には、当該技術分野において知られているように、干渉位置決めデバイス（図示しない）と共に使用するための反射面が設けられ得る。本体７４はミラーブロックとも称され得る。クランプ７６は、本体７４の表面８０に設けられる。使用時には、クランプ７６は、基板Ｗを支持するように、及び基板Ｗをクランプ７６に締着するように（すなわち、クランプ力を提供するように）動作可能である。クランプ７６は、電磁クランプを備えていてもよい。
【0212】
[000211] パーティション７８は、本体７４の表面８０から延在する。図１８Ｂに最もよく見られるように、パーティション７８は、実質的にクランプ７６の外周周りに延在する。
【0213】
[000212] 基板テーブル７０は更に、表面８０のうちパーティション７８内にある一部に設けられた少なくとも１つのガスアウトレットを備える。この実施形態においては、少なくとも１つのガスアウトレットは、それによって送出されるガスが、図１８Ａで矢印８２によって示されるように、クランプ７６と表面８０との間の界面から遠ざかるように流れるように配設される。例えば、少なくとも１つのガスアウトレットは、クランプ７６と本体７４との間に設けられてもよい。あるいは、少なくとも１つのガスアウトレットは、クランプ７６とパーティション７８との間に、クランプ７６に近接して設けられてもよい。
【0214】
[000213] 少なくとも１つのガスアウトレットから提供されるガス８２は、バックフィルガスと称され得る。バックフィルガスは、本体７４とクランプ７６との間（例えば支持バール間）の空間に提供されてもよい。追加的又は代替的には、バックフィルガスは、クランプ７６と基板Ｗとの間（例えば支持バール間）の空間に提供されてもよい。
【0215】
[000214] 少なくとも１つのガスアウトレットは、ガス流８２をクランプ７６の周りのリングに誘導するように配置されてもよく、それによってガス流８２はクランプ７６から遠ざかるように誘導される。
【0216】
[000215] そのような配置は、バックフィルガス流シールドと称され得る。使用時に、ガス（例えば水素ガス）流８２は、基板Ｗの周りのリングに注入され得、それによってガス流８２は、基板Ｗから遠ざかる方向に向かい、ひいては粒子を基板Ｗから遠ざかる方向に移動させる。したがって、このガス流８２は、クランプ７６及び基板Ｗの周りにシールドを形成する。
【0217】
[000216] 基板テーブル７０は更に、少なくとも１つのガスアウトレットにガスを供給するように動作可能なガス供給源を備え得る。あるいは、少なくとも１つのガスアウトレットにガスを供給するように動作可能であり得る、（リソグラフィ装置ＬＡの一部を形成し得る）別個のガス供給源が、基板テーブル７０に接続されてもよい。
【0218】
[000217] 使用時には、基板テーブル７０は別のデバイス７２に対して、そのデバイス７２の表面が基板Ｗ及び基板テーブル７０に対向し且つ隣接するように位置決め可能であり得る。そのような構成にあるとき、パーティション７８は、基板テーブル７０からデバイス７２の表面に向かって部分的に延在して、基板テーブル７０のうちパーティション７８の内側の部分とその別のデバイス７２との間にミニ環境を作り出す。
【0219】
[000218] 基板テーブル７０は、使用時に、図１に示されるタイプのリソグラフィ装置ＬＡの一部を形成し得る（例えば、図１に示される基板テーブルＷＴとして使用され得る）ことが理解されよう。基板テーブル７０は、代替的には、ウェーハステージと称され得る。
【0220】
[000219] 使用時、基板テーブル７０（例えばリソグラフィ装置のウェーハステージ）は、基板の少なくとも一部が（熱シールドなどのデバイス７２の）概ね平行な表面に対向するように位置決めされ得る。例えば、投影システムＰＳがパターン付き放射ビームＢ’を基板テーブル７０によって支持された基板Ｗ上に投影している間、基板テーブル７０は、基板Ｗの一部が投影システムＰＳからパターン付き放射Ｂ’を受けるように位置決めされる。基板Ｗの残りの部分は、デバイス７２の概ね平行な表面に対向し、この表面は例えば熱シールドを備え得る。
【0221】
[000220] 一般に、基板Ｗへ通過し基板Ｗに入射する粒子の量は、低減するのが望ましい。例えば、基板Ｗに入射する粒子は、リソグラフィ装置ＬＡの歩留まり損失をもたらし得る。
【0222】
[000221] 有利なことには、本体７４の表面８０から実質的にクランプ７６の外周周りに延在するパーティション７８は、（例えば、別の物体７２又はデバイスが基板Ｗに隣接し平行な基板テーブル７０に近接しているときに）基板Ｗの近傍のパーティション７８内にミニ環境を定義する。表面８０のうちパーティション７８内にある一部には少なくとも１つのガスアウトレットが設けられるので、そのガスアウトレットが、このミニ環境にガス８２が提供されることを可能にする。有利なことには、使用時に、少なくとも１つのガスアウトレットから基板テーブル７０の近傍においてガス流８２が供給されて、基板テーブル７０から遠ざかるように粒子を移動させ得ると共に、基板テーブルによって支持された基板Ｗへの粒子の入射を低減し得る。パーティション７８は、（パーティション７８が設けられない配置と比較して）ミニ環境内への所与のガス流８２の分、ミニ環境内の圧力が増加されることを可能にする。加えて、パーティション７８、及びそれによって定義されるミニ環境は、基板Ｗ上に粒子が入射するリスクを増加させることなく、基板Ｗと隣接物体７２（例えば熱シールド）との間の隙間８４が増加されることを可能にすることができる。
【0223】
[000222] 図１８Ａ及び図１８Ｂにおいては、実施形態の理解を助けるために、新たな基板テーブル７０のいくつかの部品の寸法が誇張されている。図１９Ａから図１９Ｃは、同じ基板テーブル７０をより現実的な寸法で示す。図１９Ａは、本体７４、クランプ７６、及び基板Ｗ（すなわち、パーティション７８なしの基板テーブル７０）を示す。図１９Ｂは、パーティション７８基板テーブル７０を示す。そして、図１９Ｃは、基板テーブル７０とパーティション７８とを一緒に示す。
【0224】
【0225】
[000224] 図１８Ａに示される断面に見られるように、パーティション７８と、パーティションがそこから延在する本体７４の表面８０との間には、少なくとも１つの隙間８６が設けられる。このような隙間８６は、図の縮尺のために、図１９Ｂ及び図１９Ｃには示されていない。しかしながら、図２０は、パーティション７８の壁８８のうちの１つと本体７４との拡大図を側面図で示しており、ここでは隙間８６が視認できる。この実施形態においては、パーティション７８は、４つの壁８８と、本体７４の表面８０から１つ以上の壁８８まで延在する複数の離間した脚部、バール、又は突出部９０とを備えている。有利なことには、脚部、バール、又は突出部９０の間の空間が、パーティション７８と、パーティションがそこから延在する表面８０との間に、１つ以上の隙間８６を提供する。
【0226】
[000225] 本体７４とパーティション７８との間に隙間８６があるこのような配置は、ガス流８２が、ミニ環境を離れてミニ環境の底部に向かう（すなわち、本体７４の表面８０に隣接する）ことを可能にする。このような配置は、ガス流８２が本体７４に向かって下方に誘導されることを促進し、基板Ｗのための追加の保護を提供するので、有利である。
【0227】
[000226] 本体７４の表面８０から延在するパーティション７８が、少なくとも基板Ｗの平面に垂直な方向に範囲の構成要素を有することは、理解されよう。図に示される実施形態においては、パーティション７８は、基板Ｗの平面に垂直な方向に延在している。
【0228】
[000227] 基板Ｗの平面に垂直な方向の、本体７４の表面８０からのパーティション７８の高さ９２は、基板の平面に垂直な方向の、クランプ７８によって支持された基板Ｗの高さ９４以下であり得る。
【0229】
[000228] すなわち、使用時に、基板Ｗの遠位（又は上部）表面はパーティション７８よりも高くなり得る。そのような配置では、使用時に基板テーブル７０に隣接する物体７２（例えば熱シールド）が（例えば地震の場合に）基板テーブル７０に向かって移動すると、その物体７２はパーティション７８よりもむしろ基板Ｗに接触し得る。有利なことには、そのような接触は、パーティション７８又は使用時にそれに対向する他の物体７２（例えば熱シールド）に損傷をもたらさないであろう。
【0230】
[000229] 上記で説明したように、新たな基板テーブル７０を用いると、基板Ｗの近傍においてより少ないガス流で、及び基板Ｗと隣接物体７２（例えば熱シールド）との間の隙間の増大に起因してより大きな容積で、同じ圧力に達することができる。有利なことには、これは、より均一な圧力をもたらして、局所的な圧力ピークの量を低減し、チタン脆化のリスクを低下させる。
【0231】
[000230] 特に、（ａ）本体７４の表面８０から実質的にクランプ７６の外周周りに延在するパーティション７８と、（ｂ）表面８０のうちパーティション７８内にある一部に設けられた少なくとも１つのガスアウトレットとの組み合わせは、パーティション７８によって定義されたミニ環境内の圧力が（基板Ｗを保護するために）増加されることを可能にし、その一方で、中に基板テーブル７０が配設されるコンパートメントの残りの部分は比較的低い圧力のままであることができる。これは、いくつかの理由で有益である。第一に、これは、基板テーブル７０の近傍、例えば中に基板テーブル７０が配設されるコンパートメント（ウェーハステージコンパートメントと称され得る）における高電圧コンポーネントのパッシェン放電のリスクを低下させる。第二に、基板テーブルコンパートメントのバルクの圧力がより低いことは、基板テーブル７０が移動しているときの圧力変動がより小さいことを意味し、その結果、（干渉）基板テーブル７０位置決め測定に対する擾乱がより少なくなる。第三に、基板テーブルコンパートメント全体の高圧を維持するために過剰な水素ガスを注入する必要がない。これは、必要とされる（水素）ガスの量を低減させて、装置をよりエネルギ効率的にし、（水素減少によって）より低コストにし、ポンプ能力に対する要求をより低くする。
【0232】
[000231] パーティション７８によって形成されるミニ環境の別の利点は、基板Ｗの近傍において、所与の圧力レベルが、（水素）ガスの有意に少ない流量注入で達成できることである。ひいては、その結果、このガス流８２からクランプ７６の機能性への擾乱が少なくなる。例えば、これはクランプ７６及び本体８０及びクランプ７６の弛緩機能性の熱調節を補助することができる。
【0233】
[000232] 基板テーブル７０の別の利点は、基板Ｗへの放射熱伝達が低減され、これが基板Ｗの熱管理をより容易にするということである。
【0234】
[000233] 基板テーブル７０のもう１つの利点は、パーティション７８が粒子シールドとしても機能するということである。例えば、パーティション７８は、基板テーブルコンパートメントにおいてガス流８２によって遮断されないような高速で発生された粒子を反射して、そのような粒子を基板Ｗから遠ざけておくことができる、物理的バリアとして機能することができる。
【0235】
[000234] 図２１は、基板テーブル７０のパーティション７８の存在に起因して基板Ｗの近傍で達成される圧力増加を、基板Ｗの高さ９４に対するパーティションの高さ９２の関数として示す。図２１に示される結果は、（ａ）基板Ｗの平面に垂直な方向の、クランプ７８によって支持された基板Ｗの高さ９４が８ｍｍであり、（ｂ）基板Ｗと隣接物体７２（例えば熱シールド）との間の隙間８４が６ｍｍである、と仮定したシミュレーションの結果である。
【0236】
[000235] 図２１からは、基板Ｗの平面に垂直な方向の、本体７４の表面８０からのパーティション７８の高さ９２が、基板Ｗの高さ９４と同じであれば、２５％の圧力増大が達成されることがわかる。やはり図２１からわかるように、機械の損傷の安全性の理由又は他の理由でパーティション７８の高さ９２が基板Ｗの高さ９４未満である場合、パーティション７６は、依然として圧力の有意な増加を提供することができる。
【0237】
[000236] 先の試験は、基板Ｗに入射する粒子の数が基板Ｗの近傍の圧力にほぼ反比例し、したがって、基板Ｗの近傍の圧力の倍増によって、基板Ｗに入射する粒子の数はおよそ半分になることを示している。パーティションによって達成され得るような１．２５倍の圧力増加は、基板Ｗ当たりの粒子の１．２５倍の改善に相当する。
【0238】
[000237] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。考えられる他の用途は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。
【0239】
[000238] 本明細書ではリソグラフィ装置に関連して本発明の実施形態について具体的な言及がなされているが、本発明の実施形態は他の装置に使用することもできる。本発明の実施形態は、マスク検査装置、メトロロジ装置、又はウェーハ（あるいはその他の基板）もしくはマスク（あるいはその他のパターニングデバイス）などのオブジェクトを測定又は処理する任意の装置の一部を形成してよい。これらの装置は一般にリソグラフィツールと呼ばれることがある。このようなリソグラフィツールは、真空条件又は周囲（非真空）条件を使用することができる。
【0240】
[000239] 以上では光学リソグラフィと関連して本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は、例えばインプリントリソグラフィなど、その他の適用例において使用されてもよく、文脈が許す限り、光学リソグラフィに限定されないことが理解されるであろう。
【0241】
[000240] 文脈上許される場合、本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらの任意の組み合わせにおいて実装することができる。本発明の実施形態は、１つ以上のプロセッサにより読み取られて実行され得る、機械可読媒体に記憶された命令として実装することも可能である。機械可読媒体は、機械（例えばコンピューティングデバイス）により読み取り可能な形態で情報を記憶又は伝送するための任意の機構を含むことができる。例えば機械可読媒体は、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音響又は他の形態の伝搬信号（例えば搬送波、赤外信号、デジタル信号など）、及び他のものを含むことができる。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令は、特定のアクションを実行するものとして本明細書で説明されることがある。しかしながら、そのような説明は単に便宜上のものであり、そのようなアクションは実際には、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行するコンピューティングデバイス、プロセッサ、コントローラ、又は他のデバイスから生じ、実行する際、アクチュエータ又は他のデバイスが物質世界と相互作用し得ることを理解すべきである。
【0242】
[000241] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることは理解されよう。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。それ故、下記に示す条項及び特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【0243】
[000242] 条項
１．基板を支持するように配置された基板テーブルと、
デバイスであって、システムが、デバイスの表面が基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するように第１の構成で構成可能である、デバイスと、
（ａ）システムが第１の構成にあるときに基板テーブルからデバイスの表面に向かって部分的に延在するか、又は（ｂ）システムが第１の構成にあるときに基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するデバイスの表面から基板テーブルに向かって部分的に延在する、少なくとも１つの変形可能なパーティションと、
を備えるシステム。
２．デバイスは、開口を通して、基板テーブルによって支持された基板上に、パターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムを備える、条項１のシステム。
３．デバイスは更に、開口から延在しシステムが第１の構成にあるときに基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するデバイスの表面を少なくとも部分的に定義する１つ以上のコンポーネントを備える、条項２のシステム。
４．少なくとも１つの変形可能なパーティションが、基板テーブルから、システムが第１の構成にあるときに基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するデバイスの表面に向かって、部分的に延在する、いずれかの先行する条項のシステム。
５．基板テーブルからシステムが第１の構成にあるときに基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するデバイスの表面に向かって部分的に延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションは、基板テーブルのうち基板を支持するための領域の外周周りに部分的にのみ延在する、条項４のシステム。
６．基板テーブルとデバイスとの相対位置を制御するように構成されたスキャン機構を更に備える、いずれかの先行する条項のシステム。
７．少なくとも１つの変形可能なパーティションが、基板テーブルに向かって、システムが第１の構成にあるときに基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するデバイスの表面から、部分的に延在する、いずれかの先行する条項のシステム。
８．基板テーブルに向かってシステムが第１の構成にあるときに基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するデバイスの表面から部分的に延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションは、露光領域の近傍で投影システムから延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションを備える、条項７のシステム。
９．露光領域の近傍で投影システムから延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションは、概ね非スキャン方向に沿って延在する、条項６に直接的又は非直接的に従属するときの条項８のシステム。
１０．基板テーブルに向かってシステムが第１の構成にあるときに基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するデバイスの表面から部分的に延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションは、干渉測定システムの一部として使用されるミラーに隣接する表面から延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションを備える、条項７から９のいずれか一項のシステム。
１１．干渉測定システムの一部として使用されるミラーに隣接する表面から延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションは、概ねスキャン方向に沿って延在する、条項６に直接的又は非直接的に従属するときの条項１０のシステム。
１２．少なくとも１つの変形可能なパーティションのうち少なくとも１つは弾性変形可能である、いずれかの先行する条項のシステム。
１３．前述の弾性変形可能なパーティションは、少なくとも基板の平面に平行な方向に範囲の構成要素を有する、条項１２のシステム。
１４．前述の弾性変形可能なパーティションは、基板の平面に概ね垂直な方向に弾性変形可能である、条項１２のシステム。
１５．少なくとも１つの変形可能なパーティションのうち少なくとも１つは、その近位端と遠位端との間に壊れやすい部分を備える、いずれかの先行する条項のシステム。
１６．いずれかの先行する条項のシステムで使用するための基板テーブル。
１７．条項１から１５のいずれか一項のシステムで使用するためのデバイス。
１８．基板を支持するように配置された基板テーブルであって、基板テーブルから延在し基板テーブルによって支持されたときに少なくとも基板の平面に垂直な方向に範囲の構成要素を有する少なくとも１つの変形可能なパーティションを備える、基板テーブル。
１９．基板テーブルから延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションは、基板テーブルのうち基板を支持する領域の外周周りに部分的にのみ延在する、条項１８の基板テーブル。
２０．少なくとも１つの変形可能なパーティションのうち少なくとも１つは弾性変形可能である、条項１８又は条項１９の基板テーブル。
２１．前述の弾性変形可能なパーティションは、基板テーブルによって支持されたときに少なくとも基板の平面に平行な方向に範囲の構成要素を有する、条項２０の基板テーブル。
２２．前述の弾性変形可能なパーティションは、基板テーブルによって支持されたときに基板の平面に概ね垂直な方向に弾性変形可能である、条項２０の基板テーブル。
２３．少なくとも１つの変形可能なパーティションのうち少なくとも１つは、その近位端と遠位端との間に壊れやすい部分を備える、条項１８から２２のいずれか一項の基板テーブル。
２４．基板を支持するように配置された基板テーブルであって、
本体と、
本体の表面上に設けられたクランプであって、基板を支持するように及び基板をクランプに締着するように動作可能なクランプと、
表面から実質的にクランプの外周周りに延在するパーティションと、
表面のうちパーティション内にある一部に設けられた少なくとも１つのガスアウトレットと、
を備える基板テーブル。
２５．パーティションと、パーティションがそこから延在する表面との間には、少なくとも１つの隙間が設けられる、条項２４の基板テーブル。
２６．パーティションは、１つ以上の壁と、本体の表面から１つ以上の壁まで延在する複数の離間した脚部、バール、又は突出部とを備える、条項２４又は条項２５の基板テーブル。
２７．本体の表面から延在するパーティションは、基板の平面に垂直な方向に延在する、条項２４から２６のいずれか一項の基板テーブル。
２８．基板の平面に垂直な方向の、本体の表面からのパーティションの高さは、基板の平面に垂直な方向の、クランプによって支持された基板の高さ未満である、条項２４から２７のいずれか一項の基板テーブル。
２９．少なくとも１つのガスアウトレットのうち少なくとも１つは、クランプの近傍に設けられる、条項２４から２８のいずれか一項の基板テーブル。
３０．少なくとも１つのガスアウトレットは、ガス流をクランプの周りのリングに誘導するように配置され、それによってガス流はクランプから遠ざかるように誘導される、条項２４から２９のいずれか一項の基板テーブル。
３１．少なくとも１つのガスアウトレットにガスを供給するように動作可能なガス供給源を更に備える、条項２４から３０のいずれか一項の基板テーブル。
３２．条項２４から３１のいずれか一項の基板テーブルと、
デバイスであって、システムが、デバイスの表面が基板テーブル及びそれによって支持された基板に対向し且つ隣接するように第１の構成で構成可能である、デバイスと、
を備えるシステム。
３３．デバイスは、開口を通して、基板テーブルによって支持された基板上に、パターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムを備える、条項３２のシステム。
３４．デバイスは更に、開口から延在しシステムが第１の構成にあるときに基板テーブルに対向し且つ隣接するデバイスの表面を少なくとも部分的に定義する１つ以上のコンポーネントを備える、条項３３のシステム。
３５．基板テーブルとデバイスとの相対位置を制御するように構成されたスキャン機構を更に備える、条項３２から３４のいずれか一項のシステム。
３６．条項１から１５のいずれか一項に記載のシステム、条項１８から２３のいずれか一項に記載の基板テーブル、条項２４から３１のいずれか一項に記載の基板テーブル、又は条項３２から３５のいずれか一項に記載のシステムを備えるリソグラフィ装置。
１．基板を支持するように配置された基板テーブルと、
デバイスであって、システムが、デバイスの表面が基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するように第１の構成で構成可能である、デバイスと、
（ａ）システムが第１の構成にあるときに基板テーブルからデバイスの表面に向かって部分的に延在するか、又は（ｂ）システムが第１の構成にあるときに基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するデバイスの表面から基板テーブルに向かって部分的に延在する、少なくとも１つの変形可能なパーティションと、
を備えるシステム。
２．デバイスは、開口を通して、基板テーブルによって支持された基板上に、パターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムを備える、条項１のシステム。
３．デバイスは更に、開口から延在しシステムが第１の構成にあるときに基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するデバイスの表面を少なくとも部分的に定義する１つ以上のコンポーネントを備える、条項２のシステム。
４．少なくとも１つの変形可能なパーティションが、基板テーブルから、システムが第１の構成にあるときに基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するデバイスの表面に向かって、部分的に延在する、いずれかの先行する条項のシステム。
５．基板テーブルからシステムが第１の構成にあるときに基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するデバイスの表面に向かって部分的に延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションは、基板テーブルのうち基板を支持するための領域の外周周りに部分的にのみ延在する、条項４のシステム。
６．基板テーブルとデバイスとの相対位置を制御するように構成されたスキャン機構を更に備える、いずれかの先行する条項のシステム。
７．少なくとも１つの変形可能なパーティションが、基板テーブルに向かって、システムが第１の構成にあるときに基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するデバイスの表面から、部分的に延在する、いずれかの先行する条項のシステム。
８．基板テーブルに向かってシステムが第１の構成にあるときに基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するデバイスの表面から部分的に延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションは、露光領域の近傍で投影システムから延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションを備える、条項７のシステム。
９．露光領域の近傍で投影システムから延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションは、概ね非スキャン方向に沿って延在する、条項６に直接的又は非直接的に従属するときの条項８のシステム。
１０．基板テーブルに向かってシステムが第１の構成にあるときに基板及び基板テーブルに対向し且つ隣接するデバイスの表面から部分的に延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションは、干渉測定システムの一部として使用されるミラーに隣接する表面から延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションを備える、条項７から９のいずれか一項のシステム。
１１．干渉測定システムの一部として使用されるミラーに隣接する表面から延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションは、概ねスキャン方向に沿って延在する、条項６に直接的又は非直接的に従属するときの条項１０のシステム。
１２．少なくとも１つの変形可能なパーティションのうち少なくとも１つは弾性変形可能である、いずれかの先行する条項のシステム。
１３．前述の弾性変形可能なパーティションは、少なくとも基板の平面に平行な方向に範囲の構成要素を有する、条項１２のシステム。
１４．前述の弾性変形可能なパーティションは、基板の平面に概ね垂直な方向に弾性変形可能である、条項１２のシステム。
１５．少なくとも１つの変形可能なパーティションのうち少なくとも１つは、その近位端と遠位端との間に壊れやすい部分を備える、いずれかの先行する条項のシステム。
１６．いずれかの先行する条項のシステムで使用するための基板テーブル。
１７．条項１から１５のいずれか一項のシステムで使用するためのデバイス。
１８．基板を支持するように配置された基板テーブルであって、基板テーブルから延在し基板テーブルによって支持されたときに少なくとも基板の平面に垂直な方向に範囲の構成要素を有する少なくとも１つの変形可能なパーティションを備える、基板テーブル。
１９．基板テーブルから延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションは、基板テーブルのうち基板を支持する領域の外周周りに部分的にのみ延在する、条項１８の基板テーブル。
２０．少なくとも１つの変形可能なパーティションのうち少なくとも１つは弾性変形可能である、条項１８又は条項１９の基板テーブル。
２１．前述の弾性変形可能なパーティションは、基板テーブルによって支持されたときに少なくとも基板の平面に平行な方向に範囲の構成要素を有する、条項２０の基板テーブル。
２２．前述の弾性変形可能なパーティションは、基板テーブルによって支持されたときに基板の平面に概ね垂直な方向に弾性変形可能である、条項２０の基板テーブル。
２３．少なくとも１つの変形可能なパーティションのうち少なくとも１つは、その近位端と遠位端との間に壊れやすい部分を備える、条項１８から２２のいずれか一項の基板テーブル。
２４．基板を支持するように配置された基板テーブルであって、
本体と、
本体の表面上に設けられたクランプであって、基板を支持するように及び基板をクランプに締着するように動作可能なクランプと、
表面から実質的にクランプの外周周りに延在するパーティションと、
表面のうちパーティション内にある一部に設けられた少なくとも１つのガスアウトレットと、
を備える基板テーブル。
２５．パーティションと、パーティションがそこから延在する表面との間には、少なくとも１つの隙間が設けられる、条項２４の基板テーブル。
２６．パーティションは、１つ以上の壁と、本体の表面から１つ以上の壁まで延在する複数の離間した脚部、バール、又は突出部とを備える、条項２４又は条項２５の基板テーブル。
２７．本体の表面から延在するパーティションは、基板の平面に垂直な方向に延在する、条項２４から２６のいずれか一項の基板テーブル。
２８．基板の平面に垂直な方向の、本体の表面からのパーティションの高さは、基板の平面に垂直な方向の、クランプによって支持された基板の高さ未満である、条項２４から２７のいずれか一項の基板テーブル。
２９．少なくとも１つのガスアウトレットのうち少なくとも１つは、クランプの近傍に設けられる、条項２４から２８のいずれか一項の基板テーブル。
３０．少なくとも１つのガスアウトレットは、ガス流をクランプの周りのリングに誘導するように配置され、それによってガス流はクランプから遠ざかるように誘導される、条項２４から２９のいずれか一項の基板テーブル。
３１．少なくとも１つのガスアウトレットにガスを供給するように動作可能なガス供給源を更に備える、条項２４から３０のいずれか一項の基板テーブル。
３２．条項２４から３１のいずれか一項の基板テーブルと、
デバイスであって、システムが、デバイスの表面が基板テーブル及びそれによって支持された基板に対向し且つ隣接するように第１の構成で構成可能である、デバイスと、
を備えるシステム。
３３．デバイスは、開口を通して、基板テーブルによって支持された基板上に、パターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムを備える、条項３２のシステム。
３４．デバイスは更に、開口から延在しシステムが第１の構成にあるときに基板テーブルに対向し且つ隣接するデバイスの表面を少なくとも部分的に定義する１つ以上のコンポーネントを備える、条項３３のシステム。
３５．基板テーブルとデバイスとの相対位置を制御するように構成されたスキャン機構を更に備える、条項３２から３４のいずれか一項のシステム。
３６．条項１から１５のいずれか一項に記載のシステム、条項１８から２３のいずれか一項に記載の基板テーブル、条項２４から３１のいずれか一項に記載の基板テーブル、又は条項３２から３５のいずれか一項に記載のシステムを備えるリソグラフィ装置。
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図3】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図6A】
【図6B】
【図7A】
【図7B】
【図8】
【図9】
【図10A】
【図10B】
【図11A】
【図11B】
【図12A】
【図12B】
【図13】
【図14】
【図15A】
【図15B】
【図16A】
【図16B】
【図17A】
【図17B】
【図18A】
【図18B】
【図19A】
【図19B】
【図19C】
【図20】
【図21】
【手続補正書】
【提出日】2024-08-20
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
リソグラフィ装置のためのシステムであって、基板を支持するように配置された基板テーブルと、
デバイスであって、前記システムが、前記デバイスの表面が前記基板及び前記基板テーブルに対向し且つ隣接するように第１の構成で構成可能である、デバイスと、
（ａ）前記システムが前記第１の構成にあるときに前記基板テーブルから前記デバイスの前記表面に向かって部分的に延在するか、又は（ｂ）前記システムが前記第１の構成にあるときに前記基板及び前記基板テーブルに対向し且つ隣接する前記デバイスの前記表面から前記基板テーブルに向かって部分的に延在する、少なくとも１つの変形可能なパーティションと、を備えており、
前記少なくとも１つの変形可能なパーティションは、前記システムが前記第１の構成にあるときに前記デバイスと前記基板テーブルとの間の隙間を低減するためのものである、システム。
【請求項2】
前記デバイスは、開口を通して、前記基板テーブルによって支持された基板上に、パターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムを備える、請求項１のシステム。
【請求項3】
前記デバイスは更に、前記開口から延在し前記システムが前記第１の構成にあるときに前記基板及び前記基板テーブルに対向し且つ隣接する前記デバイスの前記表面を少なくとも部分的に定義する１つ以上のコンポーネントを備える、請求項２のシステム。
【請求項4】
少なくとも１つの変形可能なパーティションが、前記基板テーブルから、前記システムが前記第１の構成にあるときに前記基板及び前記基板テーブルに対向し且つ隣接する前記デバイスの前記表面に向かって、部分的に延在する、請求項１から３のいずれかのシステム。
【請求項5】
前記基板テーブルから前記システムが前記第１の構成にあるときに前記基板及び前記基板テーブルに対向し且つ隣接する前記デバイスの前記表面に向かって部分的に延在する前記少なくとも１つの変形可能なパーティションは、前記基板テーブルのうち前記基板を支持するための領域の外周周りに部分的にのみ延在する、請求項４のシステム。
【請求項6】
前記基板テーブルと前記デバイスとの相対位置を制御するように構成されたスキャン機構を更に備える、請求項１のシステム。
【請求項7】
少なくとも１つの変形可能なパーティションが、前記基板テーブルに向かって、前記システムが前記第１の構成にあるときに前記基板及び前記基板テーブルに対向し且つ隣接する前記デバイスの表面から、部分的に延在する、請求項１から３，６のいずれかのシステム。
【請求項8】
前記基板テーブルに向かって前記システムが前記第１の構成にあるときに前記基板及び前記基板テーブルに対向し且つ隣接する前記デバイスの前記表面から部分的に延在する前記少なくとも１つの変形可能なパーティションは、露光領域の前記近傍で投影システムから延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションを備える、請求項７のシステム。
【請求項9】
露光領域の前記近傍で前記投影システムから延在する前記少なくとも１つの変形可能なパーティションは、概ね非スキャン方向に沿って延在する、請求項６に直接的又は非直接的に従属するときの請求項８のシステム。
【請求項10】
前記基板テーブルに向かって前記システムが前記第１の構成にあるときに前記基板及び前記基板テーブルに対向し且つ隣接する前記デバイスの前記表面から部分的に延在する前記少なくとも１つの変形可能なパーティションは、干渉測定システムの一部として使用されるミラーに隣接する表面から延在する少なくとも１つの変形可能なパーティションを備える、請求項７のシステム。
【請求項11】
干渉測定システムの一部として使用されるミラーに隣接する表面から延在する前記少なくとも１つの変形可能なパーティションは、概ねスキャン方向に沿って延在する、請求項６に直接的又は非直接的に従属するときの請求項１０のシステム。
【請求項12】
前記少なくとも１つの変形可能なパーティションのうち少なくとも１つは弾性変形可能である、請求項１から３のいずれかのシステム。
【請求項13】
前記弾性変形可能なパーティションは、少なくとも前記基板の平面に平行な方向に範囲の構成要素を有する、又は、前記弾性変形可能なパーティションは、前記基板の前記平面に概ね垂直な方向に弾性変形可能である、又は、
前記少なくとも１つの変形可能なパーティションのうち少なとも１つは、その近位端と遠位端との間に壊れやすい部分を備える、請求項１２のシステム。
【請求項14】
基板を支持するように配置された基板テーブルであって、本体と、
前記本体の表面上に設けられたクランプであって、前記基板を支持するように及び前記基板を前記クランプに締着するように動作可能なクランプと、
前記表面から実質的に前記クランプの外周周りに延在するパーティションと、
前記表面のうち前記パーティション内にある一部に設けられた少なくとも１つのガスアウトレットと、
を備える基板テーブル。
【請求項15】
請求項１から３のうち一項に記載のシステム又は請求項１４に記載の基板テーブルを備えるリソグラフィ装置。【国際調査報告】