特表 2025-501494 少なくとも１つの中空構造を作製する方法及び装置、ミラー、ＥＵＶリソグラフィシステム、流体供給装置、及び流体を供給する方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2025-01-22

(54)【発明の名称】少なくとも１つの中空構造を作製する方法及び装置、ミラー、ＥＵＶリソグラフィシステム、流体供給装置、及び流体を供給する方法

(51)【国際特許分類】

   B23K 26/55 20140101AFI20250115BHJP

   B23K 26/082 20140101ALI20250115BHJP

   G03F 7/20 20060101ALI20250115BHJP

【ＦＩ】

B23K26/55

B23K26/082

G03F7/20 503

G03F7/20 521

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024535549

(86)(22)【出願日】2022-12-13

(85)【翻訳文提出日】2024-07-17

(86)【国際出願番号】 EP2022085520

(87)【国際公開番号】W WO2023110816

(87)【国際公開日】2023-06-22

(31)【優先権主張番号】102021214310.5

(32)【優先日】2021-12-14

(33)【優先権主張国・地域又は機関】DE

(31)【優先権主張番号】102021214318.0

(32)【優先日】2021-12-14

(33)【優先権主張国・地域又は機関】DE

(31)【優先権主張番号】102022203593.3

(32)【優先日】2022-04-08

(33)【優先権主張国・地域又は機関】DE

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】503263355

【氏名又は名称】カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー

(74)【代理人】

【識別番号】100147485

【弁理士】

【氏名又は名称】杉村 憲司

(74)【代理人】

【識別番号】230118913

【弁護士】

【氏名又は名称】杉村 光嗣

(74)【代理人】

【識別番号】100230514

【弁理士】

【氏名又は名称】泉 卓也

(72)【発明者】

【氏名】トビアス ウルスペアガー

(72)【発明者】

【氏名】シュテファン ノルテ

(72)【発明者】

【氏名】クリスティアン グリーズン

(72)【発明者】

【氏名】ソーレン クノール

(72)【発明者】

【氏名】トーマス モンツ

(72)【発明者】

【氏名】シュテファン ザルター

(72)【発明者】

【氏名】ミヒャエル クラースナ

(72)【発明者】

【氏名】クリストフ ツァチェク

【テーマコード（参考）】

2H197

4E168

【Ｆターム（参考）】

2H197CA10

2H197GA01

2H197GA10

2H197HA03

4E168AD18

4E168AE04

4E168CA07

4E168CB04

4E168DA02

4E168DA46

4E168EA15

4E168JA14

4E168JA15

(57)【要約】

本発明は、パルスレーザ放射（３５）による材料除去加工によって、ミラー、特にＥＵＶミラー（Ｍ４）用の基板の形態のワークピース（２５）に中空構造（２８）を製造するための方法であって、パルスレーザ放射（３５）を、放射入口側（２７）から、パルスレーザ放射（３５）に対して透明な材料から形成されるワークピース（２５）に放射するステップと、パルスレーザ放射（３５）を焦点領域（３９）に集光するステップと、焦点領域（３９）を移動パターン（４１）に沿って移動させることにより、ワークピース（２５）の材料を面的に除去するための除去フロント（４６）を形成するステップと、除去フロント（４６）をワークピース（２５）内で移動させることによって中空構造（２８）を製造するステップと、を含み、ワークピース（２５）の放射入口側（２７）におけるパルスレーザ放射（３５）の入射放射方向（Ｚ）に対して垂直に整列していない除去フロント（４６）が、中空構造（２８）の製造中に少なくとも断続的に形成され、中空構造が、流体が流れることができるチャネルの形態で製造される、方法に関する。本発明はまた、ミラー（Ｍ４）用の基板（２５）の形態のワークピース（２５）に流路（２８）を製造するための方法であって、流路（２８）がパルスレーザ照射（３５）による材料除去加工によって製造され、流路（２８）の製造中に流体供給（５０）が少なくとも部分的に流路（２８）に導入される方法に関する。本発明はまた、本方法を実施するための装置、およびミラー、特にＥＵＶミラー、ＥＵＶリソグラフィ装置、流体供給装置、および流体供給方法を含む。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

パルスレーザ照射（３５）による材料除去加工によって、ミラー、特にＥＵＶミラー（Ｍ４）用の基板の形態で、加工物（２５）に中空構造（２８）を製造するための方法であって、以下を含む方法：
パルスレーザ放射（３５）を、放射入口側（２７）から、パルスレーザ放射（３５）に対して透明な材料から形成されている被加工物（２５）に放射するステップと
パルスレーザ放射（３５）を焦点領域（３９）に集光する、
焦点領域（３９）を移動パターン（４１）に沿って移動させることにより、ワークピース（２５）の材料を面的に除去するための除去フロント（４６）を形成するステップと
ワークピース（２５）内で除去フロント（４６）を移動させて中空構造（２８）を製造する、
特徴
被加工物（２５）の放射入口側（２７）においてパルスレーザ放射（３５）の入射放射方向（Ｚ）に対して垂直でない除去フロント（４６）が、中空構造（２８）の製造中に少なくとも断続的に形成され、中空構造（２８）が、流体（３２ａ）が流れることができるチャネル（２８）の形態で製造される点である。

【請求項2】

中空構造が、流体（３２ａ）が流れることができる湾曲したチャネル（２８）の形態で製造される、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

請求項１または２に記載の方法であって、被加工物（２５）の材料からのパルスレーザ放射（３５）の最初の出現が、除去フロント（４６）の領域にある方法。

【請求項4】

請求項３に記載の方法であって、パルスレーザ放射（３５）が、被加工物（２５）の材料から出現した後、被加工物（２５）の材料に再入射する方法。

【請求項5】

被加工物（２５）内の除去前面（４６）が、被加工物（２５）の放射線入口側（２７）への方向に少なくとも断続的に移動される、前記請求項のいずれか一項に記載の方法。

【請求項6】

ワークピース（２５）内で除去前面（４６）を移動させるとき、ワークピース（２５）の材料は、除去前面（４６）の縁部（４６ｂ）のうちワークピース（２５）の放射線入口側（２７）から遠い側（４６ｃ）に少なくとも断続的に隣接し、縁部（４６ｂ）はワークピース（２５）の放射線入口側（２７）から遠い。

【請求項7】

前記請求項のいずれか一項に記載の方法であって、除去前部（４６）が、放射線入口側（２７）とは反対側である被加工物（２５）の側部（２９）から出発して移動される方法。

【請求項8】

入射放射方向（Ｚ）に対して２０°から７０°の間、好ましくは３０°から６０°の間の角度（α）で整列された除去フロント（４６）が、少なくとも断続的に形成される、先行する請求項のいずれか一項に記載の方法。

【請求項9】

焦点領域（３９）が、移動パターン（４１）の相互にオフセットされた軌道（４２）に沿って移動される、前記請求項のいずれか一項に記載の方法。

【請求項10】

請求項９に記載の方法において、入射放射方向（Ｚ）に対して垂直に整列していない除去フロント（４６）を形成するために、焦点領域（３９）が入射放射方向（Ｚ）に沿ってオフセットしていることによって、移動パターン（４１）の軌道（４２）が入射放射方向（Ｚ）に沿って互いにオフセットしていることを特徴とする方法。

【請求項11】

請求項９または１０に記載の方法であって、移動パターン（４１）の相互にオフセットされた軌道（４２）のパルスレーザ放射（３５）のパルスエネルギー（Ｅ_Ｐ ）が、入射放射方向（Ｚ）に対して垂直に整列されない除去前面（４６）を形成するように変更され、焦点領域（３９）が、好ましくは、入射放射方向（Ｚ）に対して垂直な平面（ＦＥ）内で移動される方法。

【請求項12】

前記請求項のいずれか１項に記載の方法であって、好ましくは放射線入射側（２７）に対して実質的に平行に延びる中空構造体（２８）の断面（２８ｂ）を形成するために、中空構造体（２８）の製造中に、除去前面（４６）がワークピース内で入射放射線方向（Ｚ）に対して横方向の移動方向（－Ｘ）に少なくとも断続的に移動される方法、放射線入射側（２７）に近い方の端部（４６ａ）の除去フロント（４６）は、入射放射線方向（Ｚ）に対して横方向に移動するとき、好ましくは移動方向（－Ｘ）に対して９０°未満、好ましくは７０°未満の角度（β）で整列される。

【請求項13】

入射放射線方向（Ｚ）に対して実質的に平行に延びる中空構造体（２８）のセクション（２８ａ）を製造するために、中空構造体（２８）の製造中に、除去フロント（４６）が入射放射線方向（Ｚ）に対して実質的に平行な方法で少なくとも断続的に移動される、前記請求項のいずれか１項に記載の方法、入射放射線方向（Ｚ）に対して実質的に平行に延びる中空構造体（２８）のさらなる断面（２８ｃ）を製造するために、好ましくは、放射線入射側（２７）とは反対側であるワークピース（２５）の側（２９）から開始して、入射放射線方向（Ｚ）に対して実質的に平行に延びる中空構造体（２８）のさらなる断面（２８ｃ）を製造する。

【請求項14】

前記請求項のいずれか一項に記載の方法であって、中空構造体（２８）の第１のセクション（２８ａ、２８ｃ）と、中空構造体（２８）の第２の隣接するセクション（２８ｂ）とが製造され、これらの長手方向（Ｘ、Ｚ）は、７０°から１００°の間の角度（γ）、好ましくは９０°の角度（γ）で互いに対して整列される方法。

【請求項15】

請求項１４に記載の方法であって、中空構造体（２８）の製造中に丸み部（２８ｄ、２８ｃ）が形成され、第１の部分（２８ａ、２８ｃ）と第２の部分（２８ｂ）とが丸み部において互いに合体する方法。

【請求項16】

前記請求項のいずれか一項に記載の方法であって、除去前部（４６）が中空構造体（２８）の製造中に流体（３２ｂ）と接触させられ、除去前部（４６）が移動するときに流体（３２ｂ）が流体供給（５０）によって除去前部（４６）を追跡し、流体供給が少なくとも部分的に中空構造体（２８）内に導入される方法。

【請求項17】

請求項１６に記載の方法において、流体供給（５０）が少なくとも１本の可撓性チューブ（５２）からなり、除去前部（４６）が少なくとも１本の可撓性チューブ（５２）により流体（３２ｂ）によって、特に放射線入口側（２７）から遠い被加工物（２５）の側部（２９）から出発して追跡されることを特徴とする方法。

【請求項18】

前記請求項のいずれか一項に記載の方法であって、除去フロント（４６）を移動させるために、ワークピースを変位させることを特徴とする方法。

【請求項19】

除去前面（４６）を形成するために、焦点領域（３９）が、スキャナ光学ユニット（３６）によって、移動パターン（４１）の互いにオフセットされた軌道（４２）に沿って移動される、前記請求項のいずれか一項に記載の方法。

【請求項20】

前記請求項のいずれか一項に記載の方法であって、中空構造が、１ｍｍ以上２０ｍｍ以下、好ましくは１ｍｍ以上５ｍｍ以下の直径（Ｄ）を有する円形断面を有する方法。

【請求項21】

中空構造が、少なくとも１０ｃｍ、好ましくは少なくとも１５ｃｍ、特に好ましくは少なくとも２０ｃｍ、特に少なくとも７０ｃｍの長さ（Ｌ_Ｃ ）を有する、前記請求項のいずれか一項に記載の方法。

【請求項22】

請求項１の前文による方法、特に先行する請求項のいずれか１項による方法であり、
除去前面（４６）から離れた中空構造（２８）が側方表面（５７）によって区画され、中空構造（２８）の製造中の除去前面（４６）が、除去前面（４６）に隣接する中空構造（２８）の側方表面（５７）の領域に対して除去前面角度（β’）で整列されることであって除去前面角度（β’）は、少なくとも断続的に、除去前面最小角度１°より大きく、少なくとも断続的に、除去前面最大角度８９°より小さい
ことを特徴とする方法。

【請求項23】

ミラー、特にＥＵＶミラー（Ｍ４）用の基板（２５）の形態のワークピース（２５）にチャネル（２８）を製造するための方法であって、チャネル（２８）は、パルスレーザ照射（３５）による材料除去処理によって製造され、流体供給（５０）は、チャネル（２８）の製造中にチャネル（２８）に少なくとも部分的に導入される。

【請求項24】

請求項２３に記載の方法において、流体（３２ｂ）が、流体フィード（５０）の助けを借りて、材料除去加工が実施される領域、特に材料除去加工中に形成される除去前面（４６）の領域に供給され、除去前面（４６）は、好ましくは、除去前面（４６）がワークピース（２５）内で移動されるときに、流体フィード（５０）によって、特に自動化された方法で追跡されることを特徴とする方法。

【請求項25】

請求項２４または２５に記載の方法において、流体供給（５０）が、好ましくは湾曲した流路（２８）に少なくとも部分的に導入される可撓性要素からなり、該可撓性要素が好ましくは可撓性チューブ（５２）を形成することを特徴とする方法。

【請求項26】

チャンネル（２８）が、少なくとも１０ｃｍ、好ましくは少なくとも１５ｃｍ、特に好ましくは少なくとも２０ｃｍ、特に少なくとも７０ｃｍの長さ（Ｌ_Ｃ ）で製造される、請求項２４から２６のいずれか一項に記載の方法。

【請求項27】

基板（２５）がモノリシックである、前記請求項のいずれか一項に記載の方法。

【請求項28】

基板（２５）が、チタンをドープした溶融シリカまたはガラスセラミックからなる、前記請求項のいずれか一項に記載の方法。

【請求項29】

基板（２５）の材料が、０℃と１００℃の間、好ましくは１９℃と４０℃の間、特に好ましくは１９℃と３２℃の間であるゼロクロス温度（Ｔ_ＺＣ ）を有する、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。

【請求項30】

基板（２５）の材料が、３Ｋ未満、好ましくは２Ｋ未満、特に好ましくは１Ｋ未満、特に０．１Ｋ未満であるゼロ交差温度（△Ｔ_ＺＣ ）の空間的変動を有する、前記請求項のいずれか一項に記載の方法。

【請求項31】

ミラー、特にＥＵＶミラー（Ｍ４）：
基板（２５）、
基板（２５）に塗布され、放射線、特にＥＵＶ放射線（１６）を反射するコーティング（２６）、
前記請求項のいずれか１項に記載の方法を用いて製造された少なくとも１つのチャネル（２８）を含む基板（２５）。

【請求項32】

ミラー、特にＥＵＶミラー（Ｍ４）：
流体（３２ｂ）が好ましくは流れる少なくとも１つの流路（２８）を含む基板（２５）であって、パルスレーザ照射（３５）による材料除去処理によって形成される流路、
チャネル（２８）は湾曲している、
と、１ｍｍから２０ｍｍ、好ましくは１ｍｍから５ｍｍの直径（Ｄ）、および／または少なくとも１０ｃｍ、好ましくは少なくとも１５ｃｍ、特に少なくとも２０ｃｍの長さ（Ｌ_Ｃ ）を有するチャネル（２８）とを含む。

【請求項33】

基板（２５）がモノリシックである、請求項３２に記載のミラー。

【請求項34】

チャネル（２８）が、第１のセクション（２８ａ、２８ｃ）と第２の隣接するセクション（２８ｂ）とを有し、これらの長手方向（Ｘ、Ｚ）が、７０°と１００°との間の角度（γ）、好ましくは９０°の角度（γ）で互いに対して整列されている、請求項３２または３３に記載のミラー。

【請求項35】

第１の部分（２８ａ、２８ｃ）と第２の部分（２８ｂ）とが、丸みを帯びた部分（２８ｄ、２８ｅ）において互いに合体する、請求項３４に記載のミラー。

【請求項36】

ミラー、特にＥＵＶミラー（Ｍ４）：
好ましくはモノリシック基板（１２５）、
放射線、特にＥＵＶ放射線（１６）を反射するための反射コーティング（１２６）であって、コーティングは、好ましくはモノリシック基板（１２５）の表面（１２５ａ）に塗布される、反射コーティング（１２６）と
好ましくはモノリシック基板（１２５）内に延在し、流体（１２８）がそこを流れるように設計された少なくとも１つの中空構造（１２７）であって、中空構造（１２７）は、第１のセクション（１３１ａ、１３１ｂ；１３４ｂ、１３６ｂ）および第２の隣接するセクション（１３４ａ、１３６ａ；１３３ａ、１３５ａ）を有し、これらのセクションは、６０°と１２０°の間の角度（γ、γ’）、好ましくは８０°と１００°の間の角度（γ、γ’）、特に９０°の角度（γ、γ’）で互いに対して整列され
中空構造体（１２７）は、丸みを帯びた部分（１３７ａ、１３７ｂ、１３８）を有し、この部分において、第一の部分（１３１ａ、１３１ｂ；１３４ｂ、１３６ｂ）と第二の部分（１３４ａ、１３６ａ；１３３ａ、１３５ａ）が互いに合体する。

【請求項37】

請求項３６に記載のミラーであって、丸め部（１３７ａ、１３７ｂ）の曲率半径Ｒと丸め部（１３７ａ、１３７ｂ）の直径Ｄとの間のＲ／Ｄ比が、２～６、好ましくは２．５～５、特に２．５～３． ５であるミラー。

【請求項38】

請求項３６または３７に記載のミラーであって、丸められた部分（１３７ａ、１３７ｂ）の直径Ｄが２ｍｍから２０ｍｍの間、好ましくは２ｍｍから１２ｍｍの間であるミラー。

【請求項39】

中空構造（１２７）が、反射コーティング（１２６）が塗布された表面（１２５ａ）の下方に延びる、特に冷却チャネルの形態の複数の温度制御チャネル（１３１）を備え、中空構造（１２７）が、分配器チャネル（１３４）を介して温度制御チャネル（１３１）に接続された流体分配器（１３３）と、コレクタチャネル（１３６）を介して温度制御チャネル（１３１）に接続された流体コレクタ（１３５）とを備える、請求項３６から３８のいずれか一項に記載のミラー。

【請求項40】

第１のセクションが、分配器チャネル（１３４）に隣接する温度制御チャネル（１３１）の端部セクション（１３１ａ）を形成し、第２のセクションが、端部セクション（１３１ａ）に隣接する分配器チャネルセクション（１３４ａ）を形成する、および／または第１のセクションが、コレクタチャネル（１３６）に隣接する温度制御チャネル（１３１）の端部セクション（１３１ｂ）を形成し、第２のセクションが、端部セクション（１３１ｂ）に隣接するコレクタチャネルセクション（１３６ａ）を形成する、請求項３９に記載のミラー。

【請求項41】

流体分配器が入口チャネル（１３３）を形成し、そこから分配器チャネル（１３４）が分岐し、および／または流体コレクタが出口チャネル（１３５）を形成し、そこからコレクタチャネル（１３６）が分岐する、請求項３９または４０に記載のミラー。

【請求項42】

第１のセクションが、入口チャネル（１３３）に隣接する分配器チャネル（１３４）の合流セクション（１３４ｂ）を形成し、第２のセクションが、合流セクション（１３４ｂ）に隣接する入口チャネル（１３３）の分岐セクション（１３３ａ）を形成し、および／または、第１のセクションが、出口チャネル（１３５）に隣接するコレクタチャネル（１３６）の合流セクション（１３６ｂ）を形成し、第２のセクションが、コレクタチャネル（１３６）の合流セクション（１３６ｂ）に隣接する出口チャネル（１３５）の分岐セクション（１３５ａ）を形成する、請求項４１に記載のミラー。

【請求項43】

入口流路（１３３）の分岐部（１３３ａ）と分配器流路（１３４）の合流部（１３４ｂ）との間の角度（γ’）が９０°より大きく、好ましくは１００°より大きく、及び／又は出口流路（１３５）の分岐部とコレクタ流路（１３５）の合流部（１３６ｂ）との間の角度（γ’）が９０°より大きく、好ましくは１００°より大きい、請求項４２に記載のミラー。

【請求項44】

基板（１２５）の材料が、溶融シリカ、特にチタンをドープした溶融シリカ、およびガラスセラミックからなる群から選択される、請求項３１から４３のいずれか一項に記載のミラー。

【請求項45】

基板（２５、１２５）の材料が、０℃と１００℃との間、好ましくは１９℃と４０℃との間、特に好ましくは１９℃と３２℃との間であるゼロ交差温度（Ｔ_ＺＣ ）を有する、請求項３１から４４のいずれか一項に記載のミラー。

【請求項46】

基板（２５、１２５）の材料が、３Ｋ未満、好ましくは２Ｋ未満、特に好ましくは１Ｋ未満、特に０．１Ｋ未満であるゼロ交差温度（△Ｔ_ＺＣ ）の空間変化を有する、請求項３１から４５のいずれか一項に記載のミラー。

【請求項47】

中空構造、特にチャネル（２８）の形態が、継ぎ目領域（５３）を有する、請求項３１から４６のいずれか一項に記載のミラー。

【請求項48】

請求項４７に記載のミラーにおいて、特にチャネル（２８）の形態の中空構造が、シーム領域（５３）において、除去フロント（４６）のエッジ輪郭（５４）、少なくとも１つのバルジ（５５）、横方向オフセット（５６）または別の構造修正を有することを特徴とするミラー。

【請求項49】

ミラー、特にＥＵＶミラー（Ｍ４）：
基板（２５）は、流体（３２ｂ）が好ましくは流れる湾曲した流路（２８）を有し、流路は継ぎ目領域（５３）を有する。

【請求項50】

請求項４９に記載のミラーにおいて、チャネル（２８）が、シーム領域（５３）において、除去前部（４６）、少なくとも１つの膨出部（５５）、横方向オフセット（５６）、または別の構造変更のエッジ輪郭（５４）を有することを特徴とするミラー。

【請求項51】

請求項３１から５０のいずれか１項に記載の少なくとも１つのＥＵＶミラー（Ｍ４）と、温度制御流体、特に冷却流体（３２ａ、１２８）を、特にチャネル（２８）の形態である少なくとも１つの中空構造（１２７）を通して流すように設計された温度制御装置、特に冷却装置（３２）と、を備えるＥＵＶリソグラフィシステム（１）。

【請求項52】

ミラー用、特にＥＵＶミラー（Ｍ４）用の基板（２５）の形態のワークピース（２５）に少なくとも１つのチャネル（２８）を形成するための装置（３３）であって、以下からなる：
パルスレーザ放射（３５）を生成するレーザー光源（３４）、
レーザー放射（３５）を焦点領域（３９）に集光する集光装置（３７）、
ワークピース（２５）を受けるためのホルダ（４４）、
パルスレーザ放射（３５）を、ホルダ（４４）によって受け止められた被加工物（２５）の放射入口側（２７）に放射し、焦点領域（３９）を移動させるように設計されたスキャナ光学ユニット（３６）と、を備えることを特徴とする、スキャナ。
装置（３３）は、流路（２８）に少なくとも部分的に導入可能な流体供給部（５０）を備えている。

【請求項53】

請求項５２に記載の装置において、流体供給部（５０）は、流体（３２ｂ）を、材料除去加工が実施される領域、特に材料除去加工中に形成される除去前面（４６）に供給するように設計されており、流体供給部（５０）は、好ましくは、ワークピース（２５）内を移動する間、除去前面（４６）を追跡することができる。

【請求項54】

流体供給（５０）が、可撓性要素、特に可撓性チューブ（５２）をチャネル（２８）に少なくとも部分的に導入するように設計されている、請求項５２および５３のいずれかに記載の装置。

【請求項55】

請求項５２から５４のいずれか１項に記載の装置であって、スキャナ光学ユニット（３６）は、ワークピース（２５）の材料の面的除去のための除去前面（４６）を形成するために、移動パターン（４１）に沿って焦点領域（３９）を移動させるように設計されており、装置（３３）は、ホルダ（４４）によって受容されたワークピース（２５）におけるパルスレーザ放射（３５）の入射放射方向（Ｚ）に対して垂直には整列していない除去前面（４６）を形成するように設計されている、装置。

【請求項56】

入射放射方向（Ｚ）に沿ってパルスレーザ放射（３５）の焦点領域（３９）をオフセットするための焦点オフセット装置（４７）と、をさらに備える、請求項５５に記載の装置。
入射放射方向（Ｚ）に対して垂直でない除去フロント（４６）を形成するために、入射放射方向（Ｚ）に沿って移動パターン（４１）の軌道（４２）を互いに対してオフセットするように、フォーカスオフセット装置（４７）を制御するように設計された制御装置（４８）と

【請求項57】

請求項５５および５６のいずれかに記載の装置をさらに含む：
入射放射方向（Ｚ）に対して垂直でない除去フロント（４６）を形成するために、移動パターン（４１）の互いにオフセットされた軌道（４２）のパルスレーザ放射（３５）のパルスエネルギー（Ｅ_Ｐ ）を変更するようにレーザ源（３４）を制御するように設計された制御装置（４８）と、を備える。

【請求項58】

請求項５２から５７のいずれか１項に記載の装置であって、除去フロント（４６）をワークピース（２５）内で、好ましくは放射線入射側（２７）とは反対側であるワークピース（２５）の側部（２９）から開始して、チャネル（２８）を生成するために移動させるための位置決め装置（４３）をさらに備え、位置決め装置（４３）は、入射放射線方向（Ｚ）に沿って、好ましくは入射放射線方向（Ｚ）に対して横方向の少なくとも１つの方向（Ｘ、Ｙ）に沿って、ワークピース（２５）を変位させるように設計されていることを特徴とする装置。

【請求項59】

ＥＵＶミラー（Ｍ４）用の特にモノリシック基板（２２５）から、好ましくはレーザーアブレーションの方法で被加工物から材料を除去する際に、少なくとも１つの除去フロント（２３０ａ、２３０ｂ）に流体（２２８）を供給するための流体供給装置（２３８）であって、以下からなる：
流体（２２８）を少なくとも１つの除去フロント（２３０ａ、２３０ｂ）に供給するための、少なくとも１つの可撓性流体ライン（２４１）、好ましくは複数の可撓性流体ライン（２４１）と
ワークピース（２２５）のキャビティ（２３３、２３５）に挿入するための少なくとも１つの挿入部品（２３９、２４０）であって、流体（２２８）を少なくとも１つの除去フロント（２３０ａ、２３０ｂ）に供給するために、少なくとも１つの可撓性流体ライン（２４１）が案内される少なくとも１つの案内チャネル（２４７）を有する挿入部品（２３９、２４０）。

【請求項60】

請求項５９に記載の流体供給装置において、挿入部品（２３９、２４０）は、可撓性流体ライン（２４１）が各場合に案内される複数の案内チャネル（２４７）を有することを特徴とする流体供給装置。

【請求項61】

除去前部（２３０ａ、２３０ｂ）から流体（２２８）を戻すために、流体が流れることができる隙間、特にリング隙間（２４９）が、流体ライン（２４１）と案内流路（２４７）の流路壁（２４７ａ）との間に形成されている、請求項５９または６０に記載の流体供給装置。

【請求項62】

ガイドチャネル（２４７）が、可撓性流体ライン（２４１）の方向を変更するための少なくとも１つの丸め部（２５０）を有する、請求項５９から６１のいずれか一項に記載の流体供給装置。

【請求項63】

挿入部品（２３９、２４０）が棒状であり、ガイドチャネル（２４７）が挿入部品（２３９）の端面（２４８）から挿入部品（２３９）の側方表面（２４５）まで延びている、請求項５９から６２のいずれか一項に記載の流体供給装置。

【請求項64】

請求項６３に記載の流体供給装置において、ガイドチャネル（２４１）は、挿入部品（２３９）の側方表面（２４５）において開口部（２４６）に合流し、開口部は、好ましくは、挿入部品（２３９）の長手方向（Ｙ）において互いに隣接して配置され、特に、挿入部品（２３９）の長手方向（Ｙ）において互いに等間隔（Ａ”）に配置される。

【請求項65】

棒状の挿入部品（２３９）が円筒形を有し、好ましくは５ｍｍから１０ｍｍの間の直径（Ｄ’）を有する、請求項６３または６４に記載の流体供給装置。

【請求項66】

ガイドチャネル（２４７）が、１ｍｍから４ｍｍの間の直径（ｄ）を有する、請求項６０から６５のいずれか一項に記載の流体供給装置。

【請求項67】

少なくとも１つの流体ライン（２４１）が１ｍｍ以下の外径（Ｆ）を有する、請求項５９から６６のいずれか一項に記載の流体供給装置。

【請求項68】

少なくとも１つの可撓性流体ライン（２４１）に流体（２２８）を供給するための流体供給装置（２４３）をさらに備える、請求項５９から６７のいずれか１項に記載の流体供給装置。

【請求項69】

請求項５９から６８のいずれか１項に記載の流体供給装置であって、ワークピース（２２５）の材料中の除去前部（２３０ａ、２３０ｂ）の移動を少なくとも１つの可撓性流体ライン（２４１）によって自動追跡するための少なくとも１つの追跡装置（２４４）をさらに備える、流体供給装置。

【請求項70】

請求項５４から６４のいずれか１項に記載の流体供給装置（２３８）により流体（２２８）を、レーザーアブレーションの方法でワークピースから、特にＥＵＶミラー（Ｍ４）用の好ましくはモノリシック基板（２２５）から材料を除去する際に、少なくとも１つの除去フロント（２３０ａ、２３０ｂ）に供給するための方法であって、以下を含む方法：
挿入部品（２３９、２４０）をワークピース（２２５）のキャビティ（２３３、２３５）に挿入するステップと
流体（２２８）を、挿入部品（２３９、２４０）の少なくとも１つのガイドチャネル（２４７）に案内される少なくとも１つの可撓性流体ライン（２４１）を介して、少なくとも１つの除去フロント（２３０ａ、２３０ｂ）に供給する。

【請求項71】

挿入部品（２３９、２４０）の挿入前に、キャビティ（２３３、２３５）が流体（２２８）で満たされ、キャビティ（２３３、２３５）に隣接する複数のチャネル部（２３７）が、流体（２２８）で満たされたキャビティ（２３３、２３５）を起点とするレーザーアブレーションによって形成される、請求項７０に記載の方法。

【請求項72】

請求項７１に記載の方法において、複数の除去前線（２３０ａ、２３０ｂ）が、挿入部品（２３９、２４０）のキャビティ（２３３、２３５）への挿入に続いて、チャネルセクション（２３７）から出発して生成され、複数のチャネル（２３１、２３４、２３５）を形成するために、被加工物（２２５）の材料内で移動され、複数の可撓性流体ライン（２４１）が、被加工物（２２５）の材料内での除去前線（２３０ａ、２３０ｂ）の移動を追跡する、方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

発明の背景

【0002】

本発明は、パルスレーザ放射による材料除去加工によって、好ましくはミラー用、特にＥＵＶミラー用の基板の形態の被加工物に少なくとも１つの中空構造を製造するための方法であって、以下を含む方法に関する：パルスレーザ放射を、パルスレーザ放射に対して透明な材料から形成された被加工物に、放射入口側から放射する工程と、パルスレーザ放射を焦点領域に集光する工程と、焦点領域を移動パターンに沿って移動させることにより、被加工物の材料を面的に除去するための除去フロントを形成する工程と、除去フロントを被加工物内で移動させることにより、中空構造を生成する工程と、を含む。本発明はまた、被加工物、好ましくはミラー用基板、特にＥＵＶミラー用の基板にチャネルの形態の中空構造を製造する方法に関する。本発明はまた、ミラー、特にＥＵＶミラー、および少なくとも１つのそのようなＥＵＶミラーを有するＥＵＶリソグラフィシステムに関する。

【0003】

さらに本発明は、少なくとも１つの中空構造、特に少なくとも１つのチャネルを、被加工物、好ましくはミラー、特にＥＵＶミラー用の基板の形態で製造するための装置であって、パルスレーザ放射を生成するためのレーザ光源と、被加工物を受けるためのホルダと、レーザ放射を焦点領域に集光するための集光装置と、ホルダによって受けた被加工物の放射入口側にパルスレーザ放射を放射し、焦点領域を移動させるように設計されたスキャナ光学ユニットと、を備える装置に関する。

【0004】

本発明はまた、レーザーアブレーション、特に多光子レーザーアブレーションによって、被加工物、好ましくはＥＵＶミラー用の特にモノリシック基板から材料を除去する際に、少なくとも１つの除去前面に流体を供給するための流体供給装置に関する。本発明はまた、少なくとも１つの除去前面に流体を供給する方法に関する。

【0005】

本願において、ＥＵＶリソグラフィ装置とは、ＥＵＶリソグラフィ分野で使用可能な光学系を意味すると理解される。リソグラフィシステムは、半導体部品の製造に使用されるＥＵＶリソグラフィ用投影露光装置の他に、例えば、そのような投影露光装置に使用されるフォトマスク（以下、レチクルとも称する）の検査のための検査システム、構造化される半導体基板（以下、ウエハとも称する）の検査のための検査システム、またはＥＵＶリソグラフィ用投影露光装置またはその部品の測定のために使用される計測システム（例えば、投影光学ユニットの測定のための計測システム）であってもよい。

【0006】

製造される半導体部品の構造幅を可能な限り小さくするために、ＥＵＶリソグラフィ装置とも呼ばれる最先端の投影露光装置は、ＥＵＶ波長範囲とも呼ばれる極端紫外線波長範囲、すなわち約５ｎｍから約３０ｎｍの範囲の動作波長用に設計されている。短波長放射のため、ＥＵＶミラーとも呼ばれるコーティングされたミラーがビーム誘導および集光に使用され、当該ミラーは熱膨張係数が非常に小さい材料からなる基板から構成される。例えば、基板材料は、熱膨張係数が非常に小さいチタンドープ溶融シリカとすることができる。露光ウェーハを製造する際の生産性は、ＥＵＶ放射を生成するために使用されるＥＵＶ光源の出力に大きく依存する。しかし、ＥＵＶミラーに入射する放射線のパワーが大きいと、当該ＥＵＶミラーへの熱負荷が増大する。熱膨張係数が極めて小さいにもかかわらず、基板に導入される熱出力は、高精度のミラー表面の形状偏差につながる。ＥＵＶミラーの能動的な冷却は、生産性の向上と、その結果としてますます強力になるＥＵＶ光源の要求に応えるために提供される可能性がある。

【0007】

効率的な方法は、基板を冷却するために液体、例えば水が流れる内部流路を形成する体積冷却によって提供される。液体が流れる流路は、周方向に閉ざされた細長い空洞を形成し、空洞は分岐点を持たず、流路の第一端と第二端の間に延びる。一方または両方の端部において、流路は、基板の体積内に位置するさらなる中空構造に合流することができる。また、チャネルの一端または両端が基板の外側に開口することも可能である。この文脈における課題は、基板の体積内に冷却チャネルの形態の中空構造を実現することにあり、前記冷却チャネルは、原則として約１ｍｍを超える比較的大きな直径を有し、ＥＵＶ放射を反射するための反射コーティングが適用される基板の表面から通常約１０ｍｍ以下の小さな距離で延在する。

【0008】

冷却液の供給と除去を行うには、通常、ＥＵＶ放射が照射されるミラーの表面と実質的に平行に配置される冷却流路に、例えば基板の裏面に接続される可能性のある角度の付いた流路と戻り流路を備える必要がある。

【0009】

中空構造を製造するための一つのアプローチは、レーザー照射を用いた材料加工である。この場合、加工材料は適切な高パルス強度によって損傷される。溶融シリカ、ホウケイ酸ガラス、あるいはチタンをドープした溶融シリカのような従来のガラスは、可視から近赤外の波長のレーザー光線に対して透明である。

【発明の概要】

【0010】

発明の目的

【発明が解決しようとする課題】

【0011】

本発明の目的は、ワークピース、好ましくはミラー用基板、特にＥＵＶミラー用基板において、複雑な形状、特に曲線および／または角度のある形状を有する中空構造を製造することを可能にする方法および装置を提供することである。本発明のさらなる目的は、このような中空構造を有するミラー、特にＥＵＶミラー、およびＥＵＶリソグラフィ装置を提供することである。本発明のさらなる目的は、流体が中空構造を通って流れるときに生じる流れ誘起振動が低減されたミラー、特にＥＵＶミラーを提供することにある。本発明のさらなる目的は、複雑な中空構造を製造する場合であっても、少なくとも１つの除去フロントへの流体供給を可能にする流体供給装置および方法を提供することにある。

【0012】

本発明の主題

【0013】

本発明の第１の態様では、この目的は、冒頭に述べたタイプの方法によって達成され、この方法では、中空構造を製造するために、被加工物の放射入口側でパルスレーザ放射の入射放射方向に対して垂直でない除去フロントが少なくとも断続的に形成され、中空構造は、好ましくは、流体、特に冷却流体が流れることができるチャネルの形態で製造される。流体は、加熱または冷却に使用される温度制御媒体とすることができる。流体は原則として液体であるが、気体であることもある。

【0014】

本願において、「アブレーションフロント」という用語は、「除去フロント」という用語と同義に使用される。被加工物の材料は除去フロントで除去される。除去フロントは、被加工物の材料と中空構造の既に形成された部分との間の界面を形成する。中空構造体の既に形成された部分の側部表面は、除去前面に隣接しており、より正確には除去前面のエッジ輪郭である。

【0015】

本発明者らは、アンダーカットを有する中空構造体、例えば湾曲した形状または角度のある形状を有する中空構造体の製造は、除去前面が、少なくとも断続的に、被加工物の放射入口側でパルスレーザ放射の入射放射方向に対して垂直に整列されるのではなく、除去前面がむしろ傾斜され、入射放射方向に対して９０°とは異なる角度、すなわち０°から８９°の間の角度で整列されることが有益であることを認識した。

【0016】

原則として、傾斜した除去フロントは、入射する放射方向に対して傾斜した平面内に延びるが、原理的には、除去フロントが平面でなく、平面形状から逸脱することも可能である。この場合、除去フロントがパルスレーザ放射の入射放射方向に対して整列している角度は、除去フロントの等価平面に対する角度であると理解される。等価平面とは、除去前面のすべての点から可能な限り小さい距離を有する平面である。等価平面は、従来の通常の最小二乗（ＯＬＳ）法によって決定される。特に、除去フロントは、平面形状または平面形状からのわずかなずれしか持たない場合があり、例えば、小さな段差部の形で平面形状に近似する場合がある。

【0017】

入射放射方向は、パルスレーザ放射が放射入口側に入射する方向を意味すると理解される。それぞれの焦点位置に集光されたパルスレーザ放射は、典型的には、その伝搬方向が入射放射方向に対応するレーザービームである。パルスレーザ光線が被加工物の放射入口側に垂直に放射されない場合、被加工物の材料中におけるパルスレーザ光線の伝播方向は、屈折のために被加工物における入射放射方向と異なる。

【0018】

被加工物の放射入口側へのパルスレーザ放射の入射放射方向は、除去フロントを形成する際、一般に一定である。パルスレーザの入射放射方向が除去フロントの形成中に変化する場合、入射放射方向は、移動パターンの軌道に沿ったすべての焦点位置における放射入口側での入射放射方向の算術平均を意味すると理解される。

【0019】

原則として、被加工物の厚さ方向は、被加工物におけるパルスレーザ光の入射方向と実質的に平行である。厚さ方向は、パルスレーザ光が放射入口側を通過する位置における放射入口側の法線方向に対応する。パルスレーザ放射が被加工物に入射する放射入口側は、入射する放射方向に対して実質的に垂直に整列されたほぼ平面であってもよい。しかしながら、放射入射側が曲面、例えば、球面状の曲面、非球面状の曲面又は自由曲面を形成することも可能である。しかしながら、湾曲した鏡面を形成するために、中空構造体または中空構造体が製造された後であっても、例えば平面状の放射線入口側を機械的またはその他の方法で加工することができる。また、パルスレーザ放射が放射入口側に非垂直に入射することも可能である。

【0020】

アンダーカットを有する中空構造体を形成することを意図する場合、除去フロントは、少なくともアンダーカットを形成する間、入射放射線方向に対して９０°とは異なる角度、すなわち０°から８９°の間の角度で整列させることができる。一例として、このような配置は、長手方向軸が放射線の入射側と実質的に平行に走る中空構造の部分を形成することを意図する場合に有利である。当然のことながら、除去フロントは、入射放射線方向に対して、９０°とは異なる角度で整列させることもでき、この角度は一定であるか、または任意に、中空構造全体の製造中にワークピース内の除去フロントの位置に応じて変化する。除去前面の角度は、連続的にゆっくりと変化させることが好ましく、すなわち、直接連続して形成される２つの除去前面の間の差角は小さくすることが好ましい。

【0021】

被加工物の材料の除去は、典型的には、放射されたレーザー放射の多光子吸収によって引き起こされ、これが、除去プロセスが多光子レーザーアブレーションとも呼ばれる理由である。多光子吸収は、以下に詳述するように、被加工物の材料中、および／または、材料の除去中に除去フロントと接触する流体（典型的には液体）中で起こり得る。他の化学的および／または物理的プロセスも、材料除去をもたらす可能性がある。放射されるレーザー放射のパラメータは、材料除去をもたらすべきそれぞれのプロセスに適合させるか、またはそれぞれのプロセスに最適化させることができる。

【0022】

中空構造は、好ましくは、流体、特に冷却流体が流れることができる湾曲した流路の形態で製造される。さらに上述したように、特にアンダーカットが設けられた中空構造体、例えば、流体が流れることができる湾曲した流路の形態の中空構造体は、さらに上述した方法によって製造することができる。

【0023】

変形例では、被加工物の材料からのパルスレーザ放射の最初の出現は、除去前面の領域にある。この変形例では、パルスレーザ放射は、被加工物の放射入口側と除去フロントとの間の被加工物の材料内を伝播する。

【0024】

この変形例の発展形では、パルスレーザ放射は、被加工物の材料から出現した後、被加工物の材料に再入射する。これは、典型的には、入射放射方向と平行に延びない中空構造の部分を形成することを意図する場合である。この場合、それぞれの焦点領域において被加工物の材料によって完全に吸収されなかったパルスレーザ放射線の一部が入射する被加工物の材料は、パルスレーザ放射線の入射放射方向において放射入射面から離れた除去前面の側に存在する。

【0025】

さらなる変形例では、ワークピース内の除去フロントは、ワークピースの放射線入口側への方向に少なくとも断続的に移動される。入射放射線方向と平行に延びる中空構造体のセクションが形成されている場合、ワークピースの放射線入口側への方向への除去前面の移動は、入射放射線方向と平行であり得る。しかしながら、例えば、中空構造体の角度のある部分または湾曲した部分が形成される場合には、放射線入口側への方向への除去前面の移動が、それに垂直な方向への移動と重畳されることも可能である。

【0026】

さらなる変形例では、ワークピース内で除去フロントを移動させるとき、ワークピースの材料は、除去フロントのエッジの、ワークピースの放射線入口側から遠い側に少なくとも断続的に隣接し、当該側は、ワークピースの放射線入口側から遠い。上述したように、これは、典型的には、入射放射線方向と平行に延在しない中空構造の部分を形成することを意図する場合である。

【0027】

更なる変形例では、除去フロントは、放射線の入射側とは反対側にあるワークピースの側面から出発して移動される。放射線入射側とは反対側であり、除去前面が開始するワークピースの側面は、一般にビーム入射側と実質的に平行に整列されるワークピースの裏面であってもよい。しかしながら、除去前面が開始するワークピースの側面は、ワークピースの体積内に位置する表面であってもよい。例えば、被加工物に既に中空構造が存在し、本方法によって製造される中空構造が、既に製造された中空構造から出発する場合、このような場合が考えられる。被加工物の体積内に既に存在する中空構造は、本明細書に記載した方法を用いて製造されたものであってもよいが、この中空構造が、例えば機械的研磨法を用いるなど、別の材料除去方法を用いて製造されたものであることも、原理的には可能である。

【0028】

変形例では、入射放射方向に対して０°から８９°の間、好ましくは０°から８０°の間、特に好ましくは２０°から７０°の間、特に３０°から６０°の間の角度で整列された除去フロントが、少なくとも断続的に形成される。さらに上述したように、除去前面のこのような位置合わせは、除去前面の下方に位置するワークピースの体積領域への材料修正の導入を防止または低減し、したがって、中空構造を製造する際にワークピース材料に導入される応力を著しく低減する。

【0029】

さらなる変形例では、焦点領域は、移動パターンの互いにオフセットした軌道に沿って移動される。ここで説明する方法では、移動パターンの軌道は、好ましくは互いに平行に整列され、直線状に延びる。一例として、隣接する軌道間の距離は約０．０１ｍｍから０．５ｍｍの間とすることができる。しかしながら、このような整列は必須ではなく、すなわち、移動パターンの軌道は、任意に、例えば同心円状などの同心円状の輪郭の形で整列させることもできる。移動パターンの断面形状または除去前面の移動方向に垂直な平面へのその投影は、中空構造の断面形状に対応する。原則として、中空構造の断面形状は所望のものであり、例えば、円形、楕円形、多角形などであってもよい。ワークピース内の除去前面の位置に応じて移動パターンの空間的範囲を変更することにより、除去前面が移動する際に中空構造の断面の直径を一定の境界内で変更することもできる。

【0030】

変形例では、入射放射方向に対して垂直に整列されていない除去フロントを形成するために、焦点領域が正又は負の入射放射方向にオフセットされていることによって、又は入射放射方向に沿って、移動パターンの軌道が互いにオフセットされている。この変形例では、移動パターンの軌道は、典型的には、直線状に延び、互いに平行に整列される。ここで説明する変形例の場合、移動パターンの個々の軌道は、入射放射線方向に対して斜めの除去前線を生成するために、入射放射線方向に沿って互いにオフセットされる。ある方向、例えばＺ方向への移動は、それぞれの方向に沿った、又は平行な移動を意味すると理解され、方向の符号（＋Ｚ、－Ｚ）は考慮されない。

【0031】

この変形例の最も単純なケースでは、焦点範囲は、移動パターンの横方向の端にある軌跡から始まる、さらに隣接する各軌跡に対して、入射放射方向に一定の絶対値だけオフセットされる。例として、ダイナミックズームレンズを使用して、入射放射方向に焦点範囲をオフセットすることができる。

【0032】

この変形例では、傾斜した除去フロントは、ダイナミックズームレンズを有するスキャナ光学ユニットによる入射放射方向の焦点範囲のオフセットと組み合わせた移動パターンの高速走査によって形成される。ワークピース内で除去フロントを移動させるために、通常、走査移動に比べて遅いワークピースの移動が、走査移動に重ね合わされる。あるいは、静止したワークピースの場合、スキャナ光学ユニットの走査野内の移動パターンの位置が変更されることによって、除去前面を移動させることができる。中空構造体の第１部分を製造する目的で、ワークピースの移動によって除去前面の位置を修正し、中空構造体の第２部分を製造する目的で、走査野内の移動パターンの位置を修正することによって、ワークピース内で除去前面を移動させることが可能である。

【0033】

更なる変形例では、移動パターンの互いにオフセットされた軌道におけるパルスレーザ放射のパルスエネルギーは、入射放射方向に対して垂直でない除去フロントを形成するように変更され、焦点領域は、好ましくは、入射放射方向に対して垂直な平面内で移動される。入射放射方向における焦点領域のオフセットを生成することの代替として、またはそれに加えて、相互にオフセットされた軌道におけるパルスレーザ放射のパルスエネルギーもまた変更することができる。この場合のパルスエネルギーは、移動パターンの第一の側方エッジの軌道から出発して、移動パターンの第二の反対側のエッジの軌道まで連続的に増加または減少されるのが一般的である。例えば、パルスエネルギーの高速調整は、パルスレーザ放射を生成するためのレーザー光源に作用し、１μｓ未満の応答時間を持つ音響光学変調器または電気光学変調器の助けを借りて達成することができる。

【0034】

原則として、ここで説明する方法の変形は、入射放射方向における焦点領域のオフセットと組み合わされないので、焦点位置を動的に適合させるための装置を省くことが可能である。したがって、焦点領域のパルスレーザ放射は焦点面に集光され、アブレーションパターンを生成する際に焦点面内で移動する。Ｆシータレンズまたはテレセントリックレンズを使用することで、スキャナ光学ユニットの助けを借りて軌跡を走査する際に、パルスレーザ放射の焦点面への集束を実現することができる。アブレーションプロセスの開始時、この場合、パルスレーザ放射は、例えばワークピースの裏側に位置する焦点面に集光することができる。

【0035】

パルスレーザ光が入射方向に対して垂直な焦点面に集光される場合でも、レーザーパルスの影響範囲に変化があるため、個々の軌道間でパルスエネルギーを変更することにより、斜めの除去前線を形成することができる：レーザーパルスの波長とパルス時間によって、被加工材の除去を発生させるには、ある閾値のエネルギー密度、あるいはある閾値の強度が必要になる。パルスエネルギーが大きいほど、焦点範囲または焦点面を起点として、材料の除去が発生する入射放射方向の領域の範囲も大きくなる。従って、パルスエネルギーを高速に調整することにより、放射線の入射側から離れた被加工物の側面から始まる除去前線の形成が可能となり、除去前線は、焦点領域が移動する焦点面に対して０°とは異なる角度で整列される。この場合も、中空構造を製造するために、ワークピースの移動によって除去前面をワークピース内で移動させることができる。このようにして、例えばズーム光学ユニットのアクチュエータのような追加の可動要素を必要とすることなく、斜めの除去フロントを生成することができる。

【0036】

変形例では、除去フロントは、好ましくは放射線入射側に対して実質的に平行に延びる中空構造のセクションを形成するために、中空構造の製造中にワークピース内で入射放射線方向に対して横方向に少なくとも断続的に移動され、放射線入射側に近い側の除去フロントは、入射放射線方向に対して横方向に移動するとき、好ましくは移動方向に対して９０°未満、好ましくは７０°未満の角度で整列される。本願の意味において、「実質的に平行」という語句は、平行な位置合わせ、または平行な位置合わせに対して±１０°の角度での位置合わせを意味すると理解される。

【0037】

上述した方法は、特に、中空構造の「水平」セクション、すなわち、ワークピースの放射入口側に実質的に平行に延びるセクションを形成するために使用することができる。ＥＵＶミラー用基板の形態のワークピースの場合、このようなセクションは、一般に、この場合、中空構造の製造後に反射コーティングが施される光学面に対応する放射入口側から少し離れた位置に配置される。水平 セクションは、ＥＵＶミラーの光学面の効率的な温度制御を実現する。

【0038】

さらなる変形例では、放射線の入射側とは反対側であるワークピースの側から出発して、入射する放射線の方向に対して実質的に平行に延びる中空構造のセクションを製造するために、好ましくは、入射する放射線の方向に対して実質的に平行に延びる中空構造のさらなるセクションを製造するために、中空構造の製造中に、除去フロントは、入射する放射線の方向に対して実質的に平行に少なくとも断続的に移動される。中空構造体の製造後、ワークピースまたは基板の温度制御、特に冷却のために流体を流すことができる、例えば貫通チャネルの形態の連続中空構造体を形成するためには、一般に、中空構造体の上述の「水平」セクションを、放射線の入射側から遠いワークピースの側面、またはワークピースの他の側面に接続する必要がある。このため、中空構造体の「垂直」チャンネル部を、放射線の入射側から遠い被加工物の側面から出発して製造することができ、前記「垂直」チャンネル部は、中空構造体の「水平」チャンネル部に合流する。

【0039】

連続中空構造体を製造する場合、第１の工程で、中空構造体の第１の「垂直」セクションと「水平」セクションの一部のみを製造することが可能であり、すなわち、「水平」セクション内の除去フロントで終了する中空構造体が製造される。連続的な中空構造体を製造するために、中空構造体の第２の「垂直」チャネルセクションが第２の工程ステップで製造され、前記第２の「垂直」チャネルセクションは、既に製造された中空構造体の第１の「垂直」セクションが開始する位置から「水平」セクションの長さだけオフセットされた、放射線入口側から遠いワークピース側の異なる位置から開始する。

【0040】

第２工程中の除去フロントは、入射放射線方向に鏡映された第１工程中の除去フロントに対応する。第二の「垂直」セクションは、既に形成された「水平」セクションの一部と入射放射線方向に水平に延びる中空構造体の「水平」セクションのさらなる一部に変換される。中空構造体の「水平」セクションの両端は、連続加工によってオーバーラップ領域で相互に接続される。このようにして、中空構造体は全体的に開口し、第１の端部の流体入口から冷却流体を供給することができる連続流路を形成し、前記冷却流体は、他方の端部の流体出口で中空構造体から再び取り出すことができる。オーバーラップ領域にはシーム領域が形成される。シーム領域内では、流路の性質、特に流路の壁の性質は、以下に詳細に説明するように、シーム領域の外側の流路の性質、特に流路の壁の性質とは異なる。

【0041】

さらなる変形例では、中空構造体の第１の部分と、中空構造体の第２の隣接する部分とが製造され、これらの長手方向は、互いに対して７０°から１００°の間の角度、好ましくは９０°の角度で整列される。さらに上述したように、アンダーカットを有する中空構造体の製造は、ここに記載した方法の場合に可能である。一例として、湾曲した冷却流路の形態の中空構造を、ここに記載した方法の助けを借りて製造することができる。特に、９０°のカーブを有する、すなわち隣接するセクション間で約９０°の方向変化を有する中空構造を製造することが可能である。一例として、このことは、中空構造体の「垂直」セクションと中空構造体の「水平」セクションとの間の上述の遷移の形成に有益である。しかし、ここで説明した、約９０°のカーブを描くような移行は、必ずしも中空構造の「水平」セクションと「垂直」セクションの間で起こる必要はないことが理解される。

【0042】

変形例では、中空構造の製造中に丸みを帯びた部分が形成され、第一の部分と第二の部分は、前記丸みを帯びた部分で互いに合体する。隣接する２つの断面間の曲率が約９０°の場合、キンクの形態の不連続な移行が生じず、むしろ移行が中空構造体の丸みを帯びた断面に沿って連続的に実施されることが有利であることが判明した。原則として、丸みを帯びた部分は一定の曲率半径を持つが、これは必須ではなく、曲率半径は変化してもよい。丸みを帯びた部分は、除去前面または中空構造にフラックスを供給するために、可撓性チューブによる追跡を単純化し、このフラックスは、以下でさらに詳細に説明されるように、除去前面の領域から除去生成物を効果的に除去する。

【0043】

さらなる変形例では、除去フロントは、中空構造の製造中に流体と接触させられ、除去フロントが移動するときに、流体は、流体供給によって除去フロントを追跡し、流体供給は、少なくとも部分的に中空構造内に導入される。通常、アブレーション生成物を除去し、加工物を冷却するために、特にパルスレーザ放射に対して透明な液体で焦点領域をすすぐことが必要である。液体は、ノズルの助けを借りて自由液体ジェットの形で加工物の裏側に導くことができ、または加工物を部分的に液体浴に浸すことができる。しかし、アブレーション生成物を除去するために、液体の代わりに気体、例えば圧縮空気を除去前面に接触させることもできる。

【0044】

例えばチャネルの形態の中空構造が長い長さを有する場合、除去前面の領域で局所的な洗浄を可能にするために、流体供給が中空構造内に少なくとも部分的に導入されることが必要である。この目的のために、流体供給部または流体供給部の一部、例えばノズルを中空構造内に少なくとも部分的に導入することができる。一例として、流体供給は、剛性パイプとして形成されるか、または剛性パイプからなり、その自由端にノズルが取り付けられ、パイプまたはノズルが中空構造内に少なくとも部分的に導入される。しかし、流体供給がノズルを持たないことも可能である。ノズルから出た流体がパイプと中空構造体の壁との間の隙間から取り出せるように、例えばパイプの形の流体供給部は、中空構造体の直径よりわずかに小さい外径を有する。

【0045】

この変形例の発展形では、流体供給は、少なくとも１つの可撓性チューブからなるか、または流体供給は、少なくとも１つの可撓性チューブを形成し、除去前線は、少なくとも１つの可撓性チューブによって流体によって追跡され、特に、放射線の入口側から遠いワークピースの側から出発する。

【0046】

湾曲した中空構造体を製造する場合、任意に９０°湾曲または９０°屈曲を有するが、除去生成物を効果的に除去するために、可撓性チューブを中空構造体の既に製造された部分に導入しなければならない。一般的にノズルが取り付けられるチューブの自由端は、この場合、除去前面から比較的短い距離に配置される。チューブは、ノズルから出る流体が、チューブと中空構造体の壁との間の隙間を通って、典型的にはワークピースの裏側に向かう方向に除去できるように、中空構造体の直径よりもわずかに小さい直径を有する。自由端または流体の出現のための端部片を有する他の可撓性要素は、除去前面を追跡することができる。

【0047】

更なる変形例では、除去フロントを移動させるために、ワークピースを移動、特に変位させる。例として、ワークピースの移動は、１つ、２つまたは３つの空間方向への変位の形で実施することができる。特に、互いに対して約９０°に整列された中空構造体の２つのセクションの間に移行部がある場合、ワークピースは、重ね合わせられた移動の中で２つの空間方向に変位または移動されると有利である。サイズがスキャナ光学ユニットの処理領域を超えない中空構造の製造の場合、ワークピース内での除去前面の移動は、処理領域内での走査パターンの移動によって実現することもでき、その際、ワークピースは移動されない。この場合も、中空構造を製造する際に、入射放射方向に対して除去フロントのアライメントを変更することができる。

【0048】

さらなる変形例では、焦点領域は、除去フロントを形成するために、スキャナ光学ユニットによって移動パターンの互いにオフセットされた軌道に沿って移動される。除去フロントを形成するための焦点領域の移動は、この場合、スキャナ光学ユニットの助けによるパルスレーザ放射の高速偏向によって実施され、この目的のために、例えばガルバノミラーの形態の１つまたは複数のスキャナミラーから構成され得る。中空構造を製造するために、除去フロントを形成するための走査運動は、通常、ワークピースの比較的遅い運動と重ね合わされる。走査運動中に焦点領域を焦点面に集束させるために、通常、パルスレーザ放射がＦθレンズまたはテレセントリックレンズを通過することが必要である。斜めの除去フロントを形成するために、入射放射方向に焦点領域のオフセットを生成する場合、このようなレンズは、一般的に、ダイナミックズームレンズと組み合わせて同様に使用される。Ｆシータレンズやテレセントリックレンズは、パルスレーザのパルスエネルギーを変更して斜め除去フロントを形成する場合にも使用される。

【0049】

さらなる変形例では、中空構造は、１ｍｍから２０ｍｍの間、好ましくは１ｍｍから５ｍｍの間の直径を有する円形断面を有する。さらに上述したように、チャネルは、円形断面から逸脱した断面を有することもできる。この場合、流路の直径は、等価直径として知られているもの、すなわち、流路の流路断面に対応する面積を持つ円の直径であると理解されるが、この場合は円形ではない。流体の流れには、前述の数値範囲の直径を持つ流路が有利であることがわかった。

【0050】

さらなる変形例では、中空構造は少なくとも１０ｃｍ、好ましくは少なくとも１５ｃｍ、特に好ましくは少なくとも２０ｃｍ、特に少なくとも７０ｃｍの長さを有する。さらに上述したように、特にかなりの長さを有する湾曲した流路の形態の中空構造体は、ここに記載した方法の助けを借りて製造することができる。

【0051】

本発明はまた、冒頭に述べたタイプの方法に関し、特に、上述の方法の１つまたは複数の変形例から構成することもできる。この方法において、除去前面から離れた中空構造は、側方表面によって区画され、中空構造の製造中の除去前面は、除去前面に隣接する中空構造の側方表面の領域に対して除去前面角度で整列され、除去前面角度は、少なくとも断続的に、除去前面最小角度１°より大きく、少なくとも断続的に、除去前面最大角度８９°より小さい。除去フロント最小角度は好ましくは５°、１０°、２０°または３０°である。除去フロント最大角度は、好ましくは８５°、８０°、７０°または６０°である。中空構造体の製造中の除去前面角度は、除去前面最小角度よりも永久的に大きく、および／または除去前面最大角度よりも永久的に小さくてもよいが、これは必須ではない。側方表面は、例えば円筒状の側方表面であってもよいが、これは必須ではない。一例として、中空構造は、好ましくは流体が流れることができる流路とすることができる。

【0052】

本発明はまた、ミラー、特にＥＵＶミラー用の基板の形態のワークピースにおいて、特に流体が流れることができる流路を製造するための方法であって、パルスレーザ放射による材料除去処理によって流路を製造し、流路の製造中に流体供給を少なくとも部分的に流路に導入する方法に関する。上述したように、比較的長い長さの流路を製造するには、流路に少なくとも部分的に導入される流体供給を使用する必要がある。

【0053】

この方法の変形例では、流体は、流体供給部の助けを借りて、材料除去加工が実施される領域に、特に材料除去加工中に形成される除去前線に供給され、除去前線は、好ましくは、除去前線がワークピース内で移動されるときに、流体供給部によって、特に自動化された方法で追跡される。パルスレーザ照射による材料除去加工の範囲内では、例えば、さらに上述した方法によって実施することができ、長い流路の製造には、除去フロントを冷却し、アブレーション生成物を除去するための流体供給による除去フロントの追跡が必要である。一例として、流体供給は、パイプなどであり得、その自由端は、ノズルが取り付けられ得、典型的には、除去フロントから少し離れた位置に配置される。除去前面を流体で追跡することは、かなりの長さの直線チャネルが製造される場合にも必要である。この場合、上述した除去前面の斜めの位置合わせを任意に省略することが可能である。一例として、自動トラッキングは、以下に説明するトラッキング装置を用いて実施することができる。

【0054】

さらなる変形例では、流体供給は、好ましくは湾曲したチャネルに少なくとも部分的に導入される可撓性要素からなり、可撓性要素は、好ましくは可撓性チューブを形成する。さらに上述したように、可撓性要素、例えば可撓性チューブの形態の可撓性流体ラインの導入は、流路が湾曲し、例えば９０°のたわみ等の形態のアンダーカットを有する場合であっても、流体による除去前面の追跡を可能にする。

【0055】

さらなる変形例では、チャネルは少なくとも１０ｃｍ、好ましくは少なくとも１５ｃｍ、特に好ましくは少なくとも２０ｃｍ、特に少なくとも７０ｃｍの長さで製造される。上述したように、比較的長い長さのチャネルが製造される場合、トラッキングが必要とされる。さらに上述したように、チャネルは、パルスレーザ放射による材料除去加工によって製造される。別の方法、例えば機械的加工、例えばドリル加工によって製造された部分がチャネルに隣接している可能性がある。これらの部分の長さは、チャネルの長さを決定する際に考慮されないままである。

【0056】

さらなる変形例では、基板はモノリシックである。基板を形成するために２つ以上の部分体を接合する際に発生する基板材料の応力を可能な限り回避するために、ミラーの基板、例えばＥＵＶミラーの基板はモノリシックに、すなわち一体的に形成されると有利である。上述した方法を用いれば、このようなモノリシック基板において、実質的に任意の所望の形状を有する中空構造を製造することが可能である。中空構造体または構造体は、特に冷却流路、すなわち冷却液体、例えば水の通過を可能にする中空構造体とすることができる。中空構造は、連続的な冷却流路とすることができるが、中空構造が１つ以上の分岐点を有することも可能である。中空構造体の冷却液入口および冷却液出口は、基板の裏面に配置することができるが、特に、中空構造体全体または複数の中空構造体の製造に他の材料除去方法を追加的に使用する場合、これは必須ではない。

【0057】

変形例では、基板はチタンをドープした溶融シリカまたはガラスセラミックからなる。さらに上述したように、ＥＵＶミラー用の基板は、通常、熱膨張係数が極めて小さいゼロ膨張材料として知られるもので構成される。

【0058】

原理的には、ＥＵＶ ミラーの基板として使用するには不適当な被加工材にも、上記の方法で中空構造を導入することができる。この方法に適した被加工材は、ガラス、結晶、半導体などである。前提条件は、それぞれの材料が、入射するレーザー放射に対して透明であることである。例えばシリコンの場合、約１０６０ｎｍ以上の近赤外波長域の波長がこれに該当する。

【0059】

さらなる変形例では、基板の材料は、０℃と１００℃の間、好ましくは１９℃と４０℃の間、特に好ましくは１９℃と３２℃の間であるゼロ交差温度を有する。ゼロ膨張材料は、例えばドープ溶融シリカ、特にチタンをドープした溶融シリカ、またはある種のガラスセラミックの形で、互いに正と負の熱膨張係数を持つ成分または相をピットする。この結果、熱膨張と温度との間には実質的に非線形の関係が生じ、熱膨張が消失するか、あるいは温度変化に対する感度が最も小さくなる温度値が正確に存在する。正確には、これがゼロクロス温度として知られているもので、ＺＣＴとも呼ばれる。

【0060】

変形例では、基板の材料は、３Ｋ未満、好ましくは２Ｋ未満、特に好ましくは１Ｋ未満、特に０．１Ｋ未満であるゼロ交差温度の空間的変動を有する。ゼロ交差温度が基板の体積全体にわたって可能な限り一定、すなわち可能な限り少ない変動を示すと有利である。空間的変動とは、基板の体積におけるゼロ交差温度の最大値と最小値との差を意味すると理解される。ゼロ交差温度の空間的変動は、基板における中空構造の製造後の基板に関するものであり、ゼロ交差温度の空間的変動を決定する際に、中空構造の製造中にアブレーションされた材料は考慮されないままである。

【0061】

本発明はまた、基板と、基板に塗布され、放射線、特にＥＵＶ放射線を反射する役割を果たすコーティングと、を備えるミラー、特にＥＵＶミラーに関し、基板は、上述の方法を用いて製造された、好ましくはチャネルの形態の、特に好ましくは流体が流れることができるチャネルの形態の、特に冷却流体が流れることができる冷却チャネルの形態の、少なくとも１つの中空構造を備える。原則として、中空構造はＥＵＶミラーの温度制御のために機能し、流体はこの目的のためにそこを通される。しかし、中空構造は、例えば、センサ、アクチュエータなどの形態の１つまたは複数のコンポーネントを基板に統合するためなど、他の目的で基板に導入することもできる。パルスレーザ放射と反射コーティングの材料との間に生じる相互作用を避けるため、中空構造が製造されるとき、基板は通常、まだ反射コーティングを有していない。したがって、反射コーティングは、通常、中空構造の製造後にのみ基板に施される。

【0062】

本発明はまた、ミラー、特にＥＵＶミラーであって、好ましくは流体が流れることができる少なくとも１つの流路を含む基板と、パルスレーザ照射による材料除去処理によって形成された流路と、を備え、流路は湾曲した形状を有し、流路は、１ｍｍ以上２０ｍｍ以下、好ましくは１ｍｍ以上５ｍｍ以下の直径、および／または少なくとも１０ｃｍ以上、好ましくは少なくとも１５ｃｍ以上、特に少なくとも２０ｃｍ以下の長さを有する、ミラー、特にＥＵＶミラーに関する。チャネルは、パルスレーザ放射によって形成される基板を通って移動する除去フロントによって、特に上述の方法で、すなわち上述の方法によって、パルスレーザ放射による材料除去処理中に形成された可能性がある。特に、この場合の除去フロントは、少なくとも断続的に、被加工物の放射入口側でパルスレーザ放射の入射放射方向に対して垂直に整列されないことがある。湾曲チャネルは、特に、流体、例えば冷却流体の通過のために形成され得る。

【0063】

実施形態では、基板はモノリシックである。上述したように、２つ以上の部分体を接合して多部分基板を形成する際に生じる基板材料の応力は、モノリシック基板では回避され得る。

【0064】

さらなる実施形態では、流路は、第１の部分と第２の隣接する部分とを有し、これらの長手方向は、互いに対して７０°から１００°の間の角度、好ましくは９０°の角度で整列している。約９０°という比較的大きな角度での偏向は、基板の効果的な温度制御をもたらすために流体を流路に導く際に有利である。

【0065】

一実施形態では、第１のセクションと第２のセクションは、丸みを帯びたセクションで互いに合流する。丸みを帯びたセクションに沿って２つのセクションの間に連続的な移行が、以下に詳細に説明するように、キンクの形の移行に対して有利であることが判明した。

【0066】

本発明のさらなる態様は、ミラー、特にＥＵＶミラーの形態で、放射線を反射するための光学素子に関し、以下のものを含む：好ましくはモノリシック基板と、放射線、特にＥＵＶ放射線を反射するための反射コーティングであって、コーティングは、好ましくはモノリシック基板の表面に塗布される、反射コーティングと、好ましくはモノリシック基板内に延在し、流体がそこを流れるように設計された少なくとも１つの中空構造と、を備える、中空構造は、第一のセクションと第二の隣接するセクションとを有し、これらのセクションは、６０°から１２０°の間の角度、好ましくは８０°から１００°の間の角度、特に９０°の角度で互いに対して整列され、中空構造は、第一のセクションと第二のセクションとが互いに合流する丸みを帯びたセクションを有する。この２つのセクションは、通常、丸みを帯びたセクションに隣接して実質的に直線状に延びるチャネルセクションである。丸みを帯びた部分にすぐ隣接して、２つの部分は、上述の角度で互いに対して整列された長手方向軸を有する。特に、第１のセクションと第２のセクションは、９０°を超える角度、例えば１００°を超える角度で互いに対して整列させることができる。

【0067】

特に、２つのセクションが互いにほぼ垂直に、すなわち、互いに対して６０°から１２０°の間の角度で整列している場合、乱流をもたらし、流れに起因する振動を引き起こす流れの分離が、角または鋭角の形で基板の中空構造の２つのセクション間の移行部において中空構造の壁で生じる可能性がある。このため、中空構造の２つの部分が、できるだけ流線型の輪郭を有する丸みを帯びた部分で互いに合流することが提案されている。

【0068】

丸みを帯びた部分とは、角のない部分を意味する。その結果、第一の断面は、丸みを帯びた部分で第二の断面に連続的に合流する。中空構造体の断面または直径は、通常、丸みを帯びた部分内で一定であるが、任意に変化することもある。原則として、切り落とし部の断面または直径は、２つの断面の断面に対応するが、切り落とし部が分岐点に配置されている場合は、この限りではない。

【0069】

基板は、好ましくはモノリシック、つまり一体に形成され、基板の２つ以上の部分体が相互接続される接合面を持たない。

【0070】

丸みを帯びた部分は、中空構造を製造するための方法またはチャネルを製造するための方法の文脈で上述したように、パルスレーザ放射による材料除去加工によって製造することができ、その際、入射放射方向に対して斜めに整列された除去フロントが形成される。上述したように、直線形状から逸脱し、特に、基板の厚さ方向と平行に延在しない中空構造は、加工面または除去フロントの斜めの整列によって形成することができる。一例として、中空構造の丸みを帯びた部分は、斜めの除去フロントが同時に２つの互いに直交する方向に変位することによって生成され得る。

【0071】

一実施形態では、丸め部の曲率半径Ｒと丸め部の直径Ｄとの間のＲ／Ｄ比は、２～６、好ましくは２．５～５、特に２．５～３．５である。Ｒ／Ｄ比が２以上の場合、流れに起因する振動に関する大幅な改善、例えば５０％超が既に達成され得る。理想的には、Ｒ／Ｄ比は約２．５と３．５の間、例えば３．０であり、流れに起因する振動に関する最大の改善は典型的にはそこで達成されるからである。Ｒ／Ｄ比は、６を超える値であってはならない。この実施形態では、丸みを帯びた部分は一定の曲率半径を有する。

【0072】

丸められた部分の流路断面は、典型的には円形であるが、任意に円形から逸脱し、例えば楕円形の形状を有することもある。この場合、切り落とされた部分の直径は、等価直径として知られているもの、すなわち、面積が切り落とされた部分の流れ断面に対応する円の直径であると理解されるが、この場合、すでに上述したように、円形ではない。

【0073】

丸みを帯びた部分の直径と丸みを帯びた部分の曲率半径の比率は、乱流のない流線形の流れ誘導、ひいては流れに起因する振動の回避に不可欠なパラメータであることがわかった。

【0074】

更なる実施形態では、丸め部の直径Ｄは２ｍｍから２０ｍｍの間、好ましくは２ｍｍから１２ｍｍの間である。指定されたオーダーの丸み付け部または中空構造の流路構造の直径は、与えられた境界条件に対して光学素子の効率的な温度制御のための十分な体積流量の発生を可能にする。原則として、中空構造内の流体の流速は秒速数メートルのオーダーである。

【0075】

一実施形態では、中空構造は、反射コーティングが適用される表面の下方に延びる複数の温度制御チャネル、特に冷却チャネルの形態の温度制御チャネルを備え、中空構造は、ディストリビュータチャネルを介して温度制御チャネル、特に冷却チャネルに接続された流体ディストリビュータと、コレクタチャネルを介して温度制御チャネル、特に冷却チャネルに接続された流体コレクタとを備える。温度制御流路は、通常、基板を冷却する役割を果たすため、以下では冷却流路とも呼ばれ、一般に、表面下の表面近傍領域に延在する。表面近傍領域とは、基板の表面から１０ｍｍ以下の距離を意味すると理解される。表面からの距離は、基板の厚さ方向で測定され、後者は一般に、基板の一般に平面的な下側に対して垂直に配置される。表面からの冷却流路の距離が小さい結果、ミラー表面の効果的な冷却が可能となる。この距離は、それぞれの温度制御チャンネルと反射コーティングを施した表面との間の最小距離を意味すると理解される。

【0076】

原則として、流体分配器と流体回収器はそれぞれ、個々の冷却流路よりも大きな流路断面積を持つ。これにより、有益な流動条件の設定が可能になる。流体分配器および／または流体回収器は、好ましくは、冷却流路よりも、反射コーティングが施される表面から大きな距離に配置される。この配置により、一般に冷却流路よりも大きな表面積の空洞を有する流体分配器および／または流体回収器内の流体圧力による表面の変形を許容範囲内に抑えることができる。流体分配器は通常、流体入口に接続され、流体コレクタは通常、流体出口に接続される。各冷却流路は、正確に１つの分配器流路および正確に１つのコレクター流路に接続される可能性があるが、原理的な問題として、２つまたは任意に２つ以上の冷却流路のグループが、共通の分配器流路および共通のコレクター流路に接続されることも可能である。

【0077】

さらなる実施形態では、第１のセクションは、分配器チャネルに隣接する温度制御チャネル、特に冷却チャネルの端セクションを形成し、第２のセクションは、端セクションに隣接する分配器チャネルセクションを形成し、および／または、第１のセクションは、コレクタチャネルに隣接する温度制御チャネル、特に冷却チャネルの端セクションを形成し、第２のセクションは、端セクションに隣接するコレクタチャネルセクションを形成する。

【0078】

冷却流路は通常、反射コーティングが施された表面に対して実質的に平行に延びている。基板内の設置スペースは限られているため、それぞれの冷却流路に接続される分配流路またはコレクター流路は、一般に、反射コーティングが施された表面からほぼ直角に離れるように導かれる。つまり、コレクターまたは分配流路部分と冷却流路の隣接する端部分とは、通常、互いにほぼ直角に延びる。

【0079】

上述した丸みを帯びた部分により、特に直径に対する曲率半径の適切な比率を選択することで、流れに起因する振動を回避するか、少なくとも実質的に低減することができる。

【0080】

原則として、流体分配器と流体コネクタは、異なる設計を有することができる。一例として、流体分配器の流路断面および流体コレクターの流路断面は、それぞれ分配器流路およびコレクター流路から出発して、例えば漏斗の様式で先細りにすることができ、基板内で流体分配器および流体コレクターによって形成される空洞が不必要に大きくならないようにすることができる。

【0081】

さらなる実施形態では、流体分配器は入口チャネルを形成し、そこから分配器チャネルが分岐し、および／または流体コレクタは出口チャネルを形成し、そこからコレクタチャネルが分岐する。この実施形態では、流体コレクタおよび流体分配器は、一般に、分配器チャネルの長手方向に対して実質的に横方向に延び、コレクタチャネルの長手方向に対して横方向に延びる。原則として、分配器流路とコレクター流路は、それぞれ実質的に直角に入口流路と出口流路から分岐する。一例として、流体分配器および流体コレクターは、この場合、円筒状流路として形成されてもよく、この円筒状流路は、それぞれ、基板の外面側の入口開口部および出口開口部から出発して基板内に延びる。この場合、入口流路および出口流路は、例えばドリル穴として形成することができるが、これらを上述のアブレーション法によって製造することも可能である。

【0082】

この実施形態の発展形では、第１のセクションは、入口チャネルに隣接する分配器チャネルの合流セクションを形成し、第２のセクションは、合流セクションに隣接する入口チャネルの分岐セクションを形成し、および／または、第１のセクションは、出口チャネルに隣接するコレクタチャネルの合流セクションを形成し、第２のセクションは、コレクタチャネルの合流セクションに隣接する出口チャネルの分岐セクションを形成する。

【0083】

さらに上述したように、入口流路の長手方向および出口流路の長手方向は、それぞれ、それぞれのコレクタ流路および分配器流路の長手方向に対して実質的に垂直に延びる。分配器流路またはコレクター流路のそれぞれの分岐点では、入口流路または出口流路の分岐点に丸みを帯びた部分を設けることによって生じる流線型の形状も有利である。このようにして、段差を回避し、エッジを丸くすることができ、その結果、中空構造の形状をより流線型に設計することができ、入口流路および出口流路における流体の分離を回避するか、または少なくとも大幅に低減することができる。

【0084】

丸め部の直径と半径の比は、好ましくは上述の値の範囲内である。ただし、分岐点での曲率半径は一定でなくてもよい。また、分岐点における丸め部の流路径も必ずしも一定である必要はない。一例として、切り落とし部の断面は、入口流路から出発して先細りになっていてもよいし、出口流路から出発して先細りになっていてもよい。

【0085】

さらなる実施形態では、入口流路の分岐部と分配器流路の合流部との間の角度は９０°より大きく、好ましくは１００°より大きく、および／または出口流路の分岐部とコレクター流路の合流部との間の角度は９０°より大きく、好ましくは１００°より大きい。入口流路の分岐部と出口流路の分岐部、および分配器流路の分岐部とコレクター流路の分岐部が、それぞれ、互いに対して鈍角に整列していると、流れ案内にとって有益であることが見出された。

【0086】

さらなる実施形態では、基板の材料は、溶融シリカ、特にチタンをドープした溶融シリカ、およびガラスセラミックからなる群から選択される。反射コーティングが施される表面の変形を回避するために、この変形は、基板材料の不均一な加熱に起因する可能性があるため、ＥＵＶリソグラフィ用ミラーの基板は、通常、熱膨張係数が非常に小さいゼロ膨張材料として知られるものを使用して製造される。上述したように、これらの材料は硬くて脆いため、機械的な加工は困難である。しかし、このような材料でも、上述のレーザーアブレーションの方法を用いれば、実質的にあらゆる形状の中空構造を製造することができる。

【0087】

さらなる実施形態では、基板の材料は、０℃と１００℃の間、好ましくは１９℃と４０℃の間、特に好ましくは１９℃と３２℃の間であるゼロ交差温度を有する。上述したように、ゼロ交差温度は、特に、ＥＵＶミラーの動作中の平均入射放射束に応じて決定される。

【0088】

一実施形態では、基板の材料は、３Ｋ未満、好ましくは２Ｋ未満、特に好ましくは１Ｋ未満、特に０．１Ｋ未満であるゼロ交差温度の空間変動を有する。上述したように、ゼロ交差温度の高い空間均一性は、ミラーの効率的な動作のために一般的に必要とされる。

【0089】

さらなる実施形態において、中空構造体、好ましくは特に流体が流れることができるチャネルは、シーム領域を有する。上述したように、シーム領域は、典型的には、チャネルの形態の中空構造体の製造中に形成され、このシーム領域では、連続チャネルを形成するために、レーザーアブレーションによって形成されたチャネルの２つの部分が一緒にされる。シーム領域内では、流路の性質、特に流路の壁の性質は、シーム領域の外側の流路の性質、特に流路の壁の性質とは少なくとも１つの性質が異なる。一例として、シーム領域内の流路の壁の表面または表面構造は、シーム領域の外側の流路の壁の表面または表面構造と異なる場合がある。

【0090】

この実施形態の発展形では、中空構造、好ましくは、特に流体が流れることができる流路は、シーム領域において、除去フロント、少なくとも１つのバルジ、横方向オフセット、または別の構造変更のエッジ輪郭を有する。

【0091】

継ぎ目領域において、チャネルのそれぞれの部分のレーザーアブレーションが終了した除去前面、または任意選択で２つの除去前面の輪郭または縁輪郭は、チャネルの形態の中空構造の表面構造において識別可能であるか、または書き込まれてもよい。チャネルの表面構造で識別可能な除去フロントのエッジ輪郭は、特に、除去フロントに隣接するチャネルの側方表面の領域に対して、例えば４５°の角度をなすことがある。この角度は、通常、チャネルの製造中に除去フロントが入射放射方向に対して垂直に整列されなかったことに起因する。除去フロントのエッジ輪郭は、全周にわたって識別可能な場合もあれば、チャネルの表面構造の一部分においてのみ識別可能な場合もある。

【0092】

継ぎ目領域内の流路の壁には、長手方向に局所的に区切られた、流路の断面の増加または減少をそれぞれ形成する１つまたは複数の膨らみが生じることがある。さらに、流路の壁は、継ぎ目領域内で段差の様式で横方向にわずかなオフセットを有することがあり、この段差は、流路の２つの部分の結合の間に、および／または流路の２つの部分のわずかに異なる断面の理由で生じる。継ぎ目領域内の流路または流路の壁の性質は、継ぎ目領域内の流路の表面構造を継ぎ目領域の外側の流路の表面構造と区別する他の構造変更を有することもできることが理解される。

【0093】

本発明のさらなる態様は、ミラー、特にＥＵＶミラーに関し、以下のものを含む：流体が好ましくは流れることができる、特に湾曲したチャネルを構成する基板であって、前記チャネルはシーム領域を有する、基板。上述したように、シーム領域は、レーザーアブレーションによって形成されたチャネルの２つの部分が一緒にされて連続チャネルを形成する場合に生じる。シーム領域は、典型的には、チャネルの両端から離間している。シーム領域は、チャネルの両端からほぼ同じ距離を有していてもよいが、これは必須ではない。上述したように、シーム領域内の流路、特に流路の壁の性質は、シーム領域の外側の流路、特に流路の壁の性質とは少なくとも１つの性質が異なる。

【0094】

一実施形態では、チャネルは、シーム領域において、除去フロント、少なくとも１つのバルジ、横方向オフセット、または別の構造変更のエッジ輪郭を有する。

【0095】

本発明の態様によるミラーは、特に、上述の本発明の態様によるミラーの特徴を有することができる。基板材料は、特に、チタンをドープした溶融シリカまたはガラスセラミックであってよい。基板はモノリシックな形状を有していてもよいが、これは必須ではない。

【0096】

本発明のさらなる態様は、上述のように設計された少なくとも１つのＥＵＶミラーと、温度制御流体、特に冷却流体が、特にチャネルの形態である少なくとも１つの中空構造体を通って流れるように設計された温度制御装置、特に冷却装置と、を備えるＥＵＶリソグラフィシステムに関する。ＥＵＶリソグラフィシステムは、ウェハを露光するためのＥＵＶリソグラフィ装置とすることができ、または、ＥＵＶリソグラフィで使用されるマスク、ウェハなどを検査するためのＥＵＶ検査システムなど、ＥＵＶ放射を使用する他の光学的配置とすることもできる。

【0097】

温度制御装置は、冷却装置として機能してもよく、例えば、冷却流体の形態の冷却剤、例えば冷却液体の形態の冷却剤、例えば冷却水の形態の冷却剤が、中空構造体を通って、特にチャネルの形態で流れるように形成されてもよい。この目的のために、温度制御装置または冷却装置は、任意に、ポンプと、適切な供給ラインおよび除去ラインも有することができる。温度制御装置は、基板を加熱するための加熱装置としても機能し得る。この場合、一般に同様に液体である加熱流体の形態の温度制御流体が、流路の形態の中空構造に供給される。温度制御装置が、ミラーの加熱と冷却の両方を行うように設計されていることも可能である。好ましくは、冷却と加熱の両方の場合において、流路の形態の中空構造に通される温度制御流体として水が使用される。

【0098】

基板の中空構造は、流体の入口用開口部と、流体の出口用開口部とを有する。入口開口部および出口開口部は、流路を温度制御装置に接続するために、それぞれ流体供給ラインおよび流体除去ラインのポートに接続することができる。流体的に分離された複数の中空構造または流路が基板内に延びている場合、これらは別々の入口開口部および出口開口部によって温度制御装置に接続される。

【0099】

本発明のさらなる態様は、冒頭に述べたタイプの装置に関し、この装置は、流路に少なくとも部分的に導入可能な流体供給部を備える。この装置は、上述した流路の製造方法を実施するためのものであり、その範囲内で材料除去処理が実施され、その範囲内で流体供給が少なくとも部分的に流路に導入される。上述したように、比較的長い流路は、適切な流体供給と除去前面の冷却の助けを借りて、アブレートされたワークピース材料の除去を必要とする。

【0100】

一実施形態では、流体供給は、流体供給の助けによって、材料除去加工が実施される領域、特に材料除去加工中に形成される除去前線に流体を供給するように設計され、流体供給は、好ましくは、ワークピース内での移動中に除去前線を追跡することができる。この目的のために、流体供給は静止したままでよく、被加工物は流体供給に対して相対的に移動することができるが、流体供給自体が適切なアクチュエータなどの助けを借りて移動することも可能である。この場合、流体供給は、典型的には、例えばパイプなどの形態で、流路に導入可能な要素から構成される。

【0101】

さらなる実施形態では、流体供給は、可撓性要素、特に可撓性チューブをチャネルに少なくとも部分的に導入するように設計される。切除された材料を除去前面からできるだけ効果的に除去するために、流体は、除去前面の近傍に、特にこれが湾曲したチャネルに関連する場合には、可撓性チューブなどの助けを借りて、供給される必要がある。自由端では、可撓性チューブは、例えば水または圧縮空気である流体を出現させるためのノズルを有することができる。角のないキャビティまたは例えば２０ｍｍ未満の比較的短いキャビティ長さの場合、典型的には、除去前面とチューブまたはノズルからの流体の出現との間の距離の場合、可撓性チューブを静止状態で配置し、この目的のためにチューブに外部から作用させることなく、被加工物の移動を考慮してキャビティ内に自動的に導入することが可能である。ここで説明する装置は、以下に説明する流体供給装置の文脈で説明するように、流体供給装置と、オプションとして、可撓性チューブによる除去前面の自動追跡のための追跡装置とから構成することができる。

【0102】

さらなる実施形態では、スキャナ光学ユニットは、ワークピースの材料の面的除去のための除去フロントを形成するために、移動パターンに沿って焦点領域を移動させるように設計されており、装置は、ホルダによって受け取られたワークピースにおけるパルスレーザ放射線の入射放射方向に対して垂直には整列していない除去フロントを形成するように設計されている。典型的には、被加工物における入射放射方向、より正確には被加工物の放射入口側における入射放射方向は、重力方向に対応する。ホルダー内に配置される際、被加工物は、その厚さ方向（通常、放射線の入射側に対して垂直に走る）が重力方向に対応するように整列される。レーザー光源は、超短レーザーパルスの形でパルスレーザ放射を生成するように設計されており、典型的には、被加工物の材料をアブレーションするための多光子吸収の発生を可能にする。

【0103】

入射放射方向に対して垂直でない方向または平面に除去フロントを位置合わせする装置の設計には、数多くの選択肢がある。

【0104】

一実施形態において、装置はさらに、パルスレーザ放射の入射放射方向において又は入射放射方向に沿ってパルスレーザ放射の焦点領域をオフセットするための焦点オフセット装置と、入射放射方向に対して垂直でない除去フロントを形成するために、入射放射方向において又は入射放射方向に沿って移動パターンの軌道を互いに対してオフセットするように焦点オフセット装置を制御するように設計又はプログラムされた制御装置とを備える。

【0105】

この実施形態では、装置は、パルスレーザ放射の入射放射方向に沿って焦点領域を動的にオフセットするための焦点オフセット装置を備える。一例として、焦点オフセット装置は、動的ズームレンズとして形成することができる。制御装置は、適切なハードウェア及び／又はソフトウェアの形態で実装することができる。

【0106】

更なる実施形態において、装置は、入射放射方向に対して垂直に整列していない除去フロントを形成するために、移動パターンの相互にオフセットされた軌道のパルスレーザ放射のパルスエネルギーを修正するようにレーザ源を制御するように設計又はプログラムされた制御装置を備える。方法の文脈で上述したように、パルスレーザ放射は、集束オフセット装置を使用せずに、集束光学ユニットの助けを借りて、典型的には入射放射方向に対して垂直に整列された平面に集束される。スキャナ光学ユニットの走査フィールド内のすべての位置で同じ焦点面にパルスレーザ放射線を集光するために、装置は、Ｆθレンズまたはテレセントリックレンズで構成することができる。焦点領域が移動される焦点面に対して除去前面を斜めに位置合わせするために、この場合、パルスレーザ放射のパルスエネルギーは、相互にオフセットされた軌道の間で変更される。

【0107】

パルスエネルギーを変更するために、レーザー光源は、制御装置が作用する１つ以上の音響光学変調器または電気光学変調器を含むことができる。本方法の文脈で上述したように、パルスエネルギーは、一般に、アブレーションパターンの一方のエッジからアブレーションパターンの反対側のエッジに向かって増加または減少し、その結果、焦点面に対して斜めに整列した除去フロントが形成される。

【0108】

さらなる実施形態において、装置は、チャネルを生成する目的で、好ましくは放射線入射側とは反対側であるワークピースの側から出発して、ワークピース内で除去フロントを移動させるための位置決め装置を備え、位置決め装置は、入射放射線方向、好ましくは入射放射線方向に対して横方向の少なくとも１つの方向において、またはそれに沿ってワークピースを変位させるように設計されている。この目的のために、位置決め装置は、通常、被加工物のホルダーに作用する。位置決め装置は、特に２つ又は３つの異なる空間方向におけるワークピースの重ね合わせた移動又は変位を実現する、例えばリニアモータ等の形態の１つ又は複数の駆動装置から構成することができる。原理的には、位置決め装置がワークを回転させるように設計されていることも可能である。

【0109】

本発明のさらなる態様は、少なくとも１つの除去フロント、好ましくは複数の除去フロントに流体を供給するための、少なくとも１つの可撓性流体ライン、好ましくは複数の可撓性流体ラインと、ワークピースのキャビティに挿入するための挿入部品と、を備え、挿入部品は、少なくとも１つの除去フロントに流体を供給するために、少なくとも１つの可撓性流体ラインが案内されるか、または少なくとも１つの可撓性流体ラインが案内可能である、少なくとも１つのガイドチャネルを有する、冒頭に述べたタイプの流体供給装置に関する。

【0110】

中空構造を製造する際にワークピースの材料内で移動させられる少なくとも１つの除去フロントへの流体の供給のために、本発明のこの態様による流体供給装置は、少なくとも１つの可撓性流体ラインからなり、この可撓性流体ラインは、ワークピースを通って除去フロントが移動する間、除去フロントを追跡することができる。本発明による流体供給装置の場合、可撓性流体ライン、より正確には流体が出るその自由端を、基板内の所定の位置に配置するために、可撓性流体ラインは、被加工物の空洞に挿入された挿入部品のガイドチャネル内に案内される。

【0111】

これは、レーザーアブレーション、特に多光子レーザーアブレーションによって形成された１つまたは複数の構造体がキャビティの壁から分岐する場合に特に有利である。

【0112】

挿入部品がキャビティに挿入される前に、キャビティから分岐するそれぞれの構造の短い部分が、レーザーアブレーションによって既に生成されている可能性がある。この工程で形成される除去前面に流体を供給するために、被加工物を少なくとも部分的に液槽に浸漬することができる。除去フロントがキャビティの壁から通常約２０～４０ｍｍを超える距離を有するとすぐに、アブレーションされた材料はもはや十分な範囲まで除去することができないため、液槽への浸漬は一般にもはや十分ではなく、アブレーションプロセスは停止する。キャビティから分岐し、約２０～４０ｍｍを超える長さを持つ構造物を製造するためには、可撓性の流体ラインの助けを借りて、除去前線の動きを流体で追跡する。

【0113】

可撓性流体ラインは、レーザーアブレーションによって生成された中空構造が分岐したり、複雑すぎる他の形状を有していなければ、挿入部品がなくても除去フロントを追跡することもできる。しかし、挿入部品の助けを借りて、可撓性流体ラインは、上述したように、構造体がキャビティから開始または分岐すべき位置に配置することができる。したがって、挿入部品を使用すれば、分岐点を有する中空構造の場合でも、可撓性流体ラインまたは可撓性流体ラインをキャビティから分岐する構造またはキャビティから分岐する構造に手動で通すことなく、除去前面への流体の供給を確実にすることができる。

【0114】

レーザーアブレーションは、特に多光子レーザーアブレーションの形態で実施することができる。多光子レーザーアブレーションの場合に中空構造を形成するために、パルスレーザ放射、一般に超短パルスレーザ放射は、基板の材料を通して、被加工物の裏面上または被加工物内の表面上、例えば上述のキャビティの壁面上の点まで放射され、この点から、形成されるべき構造が開始されるべきである。多光子レーザーアブレーションの場合、除去フロントが生成され、このポイントを起点として、中空構造を形成するために基板の材料を通って移動する。多光子レーザーアブレーションによる材料の除去に関する詳細については、パルスレーザ放射による材料除去処理によって中空構造を製造するための上述の方法を参照されたい。そこに記載されているように、複雑な形状の中空構造を製造する目的で、除去前面または加工面は、パルスレーザ放射の入射放射方向に対して垂直ではなく、入射放射方向に対して垂直な面に対して傾斜するように整列させることができる。このようにして、レーザーアブレーションによって、直線状ではなくアンダーカットを有する中空構造体を製造することも可能である。

【0115】

流体は通常液体、例えば水であり、可撓性流体ラインから比較的高い圧力で出てくる。液体の代わりに、ガス、例えば圧縮空気を、アブレーション生成物を除去するために除去前面に接触させることができる。可撓性流体ラインまたはチューブの自由端には、流体を噴出させるためのノズルを取り付けることができるが、これは必須ではない。

【0116】

ワークピースは、好ましくはＥＵＶミラー用の特にモノリシック基板である。モノリシック基板は一体に形成され、基板の２つ以上の部分体が相互接続される接合面を有さない。上述したように、このようなモノリシック基板における中空構造は、例えばチタンをドープした溶融シリカやガラスセラミックであってもよい、硬くて脆いガラス材料における機械的加工、例えばドリル加工や研削加工によって容易に製造することはできない。上述した空洞は、機械的加工によって製造することができ、例えば、空洞は、基板にフライス加工された穴であってもよい。しかし、キャビティは多光子レーザーアブレーションによって製造することも可能である。

【0117】

一実施形態では、挿入部品は、それぞれの場合に可撓性流体ラインが案内される複数のガイドチャネルを有する。任意選択で、キャビティから発出する相当数のチャネルまたは他の構造を有する中空構造の場合、したがって、複数のチャネルまたは他の構造を同時に生成することが有利である。この目的のために、被加工物の材料がアブレーションされる複数の除去フロントを同時に形成するために、複数のパルスレーザビームを被加工物の体積を通して同時に放射することができ、その結果、キャビティから分岐する複数の構造またはチャネルを同時に製造することができる。

【0118】

複数の除去前線を同時に生成するには、それぞれの除去前線を追跡する、対応する数のガイドチャネルまたはフレキシブルな流体ラインの助けを借りて、除去前線に流体を同時に供給する必要がある。理想的には、キャビティから分岐するすべての構造を同時に製造することができる。分岐する構造体の数が多すぎる場合は、これらの構造体を複数のグループに分け、それぞれを同時に処理してもよい。それぞれのグループの構造体の製造には、形成された異なる挿入部品を使用することができる。

【0119】

さらなる実施形態では、流体を除去フロントから戻すために、流体が流れることができる隙間、特にリング隙間が、流体ラインとガイドチャネルのチャネル壁との間に形成される。可撓性の流体ラインは、流体ライン内の除去前面に供給された流体が、通過可能な隙間を介して再び除去され得るように選択された直径を有する。原則として、間隙の流路断面積は、少なくとも可撓性流体ライン内の流体の流路断面積に対応すべきである。

【0120】

さらなる実施形態では、ガイドチャネルは、可撓性流体ラインの方向を変えるための少なくとも１つの丸みを帯びた部分を有する。原則として、被加工物の空洞から分岐する構造は、挿入部品が被加工物に挿入または導入される方向に沿って平行に延びていない。したがって、それぞれのガイドチャネルが挿入部品の端面から始まる場合、一般に、挿入部品内の可撓性流体ラインの方向を変更する必要がある。このような方向転換は、理想的には、ガイドチャネルの丸みを帯びた部分または湾曲した部分に沿って流体ラインを案内することによって実施される。丸みを帯びた部分において、好ましくは、斜めの角度、すなわち９０°より大きい角度で可撓性流体ラインの方向転換が行われる。

【0121】

更なる実施形態では、挿入部品は棒状であり、少なくとも１つのガイドチャネルは、挿入部品の端面から挿入部品の側面まで延びている。この場合、被加工物内の空洞は、典型的には、好ましくは一定の直径を有し、被加工物の側面の開口部から始まって被加工物の容積内に延びる直線状のチャネルである。この場合、挿入部品は、挿入部品がワークピースの開口部からキャビティ内に押し込まれることによって、キャビティ内に挿入される。この場合、挿入部品の端面は、ワークピースの開口部を通して外部からアクセス可能であるため、可撓性の流体ラインは、挿入部品の端面においてワークピースから離れるように導かれ、ポンプ等からなる流体の供給装置に接続可能である。ガイドチャネルの上述の丸みを帯びた部分の助けにより、それぞれの可撓性流体ラインは、挿入部品の端面から挿入部品の側方表面へと案内されることができる。

【0122】

この実施形態の発展形では、ガイドチャネルは、挿入部品の側方において開口部に合流し、前記開口部は、好ましくは、挿入部品の長手方向において互いに隣接して配置され、特に、挿入部品の長手方向において互いに等距離に配置される。挿入部品の長手方向において開口部が互いに隣接して配置されているとは、開口部が挿入部品の長手方向に走る共通の直線または線に沿って延びていることを意味すると理解される。別の表現をすれば、開口部は、挿入部品の円周方向において互いにオフセットしていない。これは、共通の線に沿ってキャビティから分岐する複数の構造体を多光子レーザーアブレーションによって製造する場合に有利である。形成される構造体が互いに等距離に配置される場合、開口部も等距離に、すなわち挿入部品の長手方向に互いに同じ距離に配置される。

【0123】

この実施形態の発展形として、棒状の挿入部品は円形の円筒形状を有し、好ましくは５ｍｍから１０ｍｍの間の直径を有する。挿入部品の形状は、キャビティの形状に適合しており、この場合も同様に円形の円筒形をしている。キャビティの直径は、挿入部品の直径よりもわずかに大きい。比較的大きな直径を有する円筒形のキャビティは、機械的加工、例えば研削によって製造することができ、例えばブラインドホールの形態にすることもできる。この場合、挿入部品は通常、空洞の端面に当たるまで円筒形の空洞に押し込まれる。このようにして、挿入部品の長手方向における開口部の位置が決定される。挿入部品は、さらに、挿入部品の側面の開口部が、周方向において、これらの開口部が、キャビティから分岐する構造体が開始すべき点に対応するように配置されるように、整列または回転される。さらに、挿入部品の端面には、軸方向の位置決めを簡単にするために、被加工物の切り欠きや溝にラッチする突出部、すなわち舌部を設けることができる。挿入部品が挿入される前に、例えば中実シリンダー形状のスペーサーをキャビティ内に導入し、挿入部品を前記スペーサーの端面に接触させることができる。このようにして、挿入部品の長さを短くすることができる。

【0124】

さらなる実施形態では、少なくとも１つのガイドチャネルは、１ｍｍから４ｍｍの間の内径を有する。キャビティから出る構造体は、一般に、挿入部品よりもかなり小さい直径を有する。これにより、挿入部品内に延びる複数のガイドチャネルを挿入部品内に収容することができるので有利である。

【0125】

さらなる実施形態では、少なくとも１つの流体ラインは、１ｍｍ以下の外径を有する。上述したように、一般に、流体ラインとそれぞれのガイドチャネルの壁との間には、流体が戻るための隙間が残っていることが必要である。従って、流体ラインの外径は、ガイドチャネルの内径よりも小さい。

【0126】

挿入部品は、様々な方法で形成することができる。例えば、ガイドチャネルは、パイプ、例えばステンレス鋼パイプまたはプラスチックパイプとして形成することができ、これらのパイプは、丸みを帯びた部分またはセクションを形成するために曲げられるか、または曲げられた。パイプ状のガイドチャネル、例えばステンレス鋼パイプやプラスチックパイプは、一緒に束ねることができ、例えば円筒形などの所望の形状を有する挿入部品を製造するために、適切な材料に成形することができる。

【0127】

あるいは、挿入部品は、付加製造法によって製造されてもよい。この場合、挿入部品は、典型的には、３－Ｄ印刷法を用いて製造された本体から構成され、中空構造のガイドチャネルは、付加製造中に形成される。挿入部品の製造には、金属、プラスチック、あるいは３－Ｄプリンティングで一般的なガラス状の材料を使用することができる。

【0128】

さらなる実施形態において、流体供給装置は、少なくとも１つの可撓性流体ラインに流体を供給するための流体供給装置を備える。流体供給装置は、流体を供給するための流体リザーバを含んでいてもよい。上述したように、通常、流体を比較的高い圧力で流体ラインから出させることが有利である。従って、流体供給装置の一部であり、対応する高圧を発生するポンプの助けを借りて、流体を可撓性流体ラインに供給することが有利である。

【0129】

さらなる実施形態において、流体供給装置は、ワークピースの材料内の除去前線の移動を少なくとも１つの可撓性流体ラインによって自動追跡するための少なくとも１つの追跡装置を備える。多光子レーザーアブレーションの場合、除去前線は通常、被加工物の体積内を一定の処理速度で移動する。可撓性流体ラインによる自動追跡も同様に、加工速度で実施される。追跡のために、可撓性流体ラインは、例えばコイル等から一定速度で巻き戻されることによって前進する。可撓性流体ラインによるトラッキングのためには、一般に、流体ラインの材料が十分な剪断剛性を有することが必要であるが、これは、可撓性流体ラインに使用される材料の場合に典型的である。除去前線がワークピースの材料内を異なる処理速度で移動する場合、トラッキング装置は、流体ラインが個々に適合した速度でトラッキングできるように設計することができる。

【0130】

本発明のさらなる態様は、多光子レーザーアブレーションの方法で、好ましくはＥＵＶミラー用の特にモノリシック基板から、被加工物から材料を除去する際に、上記のように設計された流体供給装置によって、少なくとも１つの除去前線に流体を供給する方法に関し、この方法は、被加工物のキャビティに挿入部品を挿入する工程と、挿入部品の少なくとも１つのガイドチャネル内に案内される少なくとも１つの可撓性流体ラインを介して、少なくとも１つの除去前線に流体を供給する工程と、を含む。上述のように設計された流体供給装置により、可撓性流体ラインは、除去前線が被加工物内を移動する際に、自動化された方法で、除去前線を追跡することができる。

【0131】

変形例では、挿入部品の挿入前にキャビティが流体で満たされ、キャビティに隣接する複数のチャネルセクションが、流体で満たされたキャビティから始まる多光子レーザーアブレーションによって形成される。キャビティから始まったり分岐したりする比較的短い流路部分やその他の構造の製造では、可撓性流体ラインの助けを借りて除去前面に流体を局所的に供給することは、通常、必要ない：流路の長さが一般的に約２０～４０ｍｍ以下の場合、キャビティ全体、ひいては多光子吸収中に形成される流路部分が流体で満たされていれば十分である。一般的に、流体入りワークは、この目的のために、液体中または液体浴中（通常は水浴中）に部分的に浸漬される。

【0132】

この変形例の展開では、挿入部品のキャビティへの挿入に続いて、複数の除去前線がチャネル部の端面から出発して生成され、複数のチャネルを生成するためにワークピースの材料内で移動され、複数の可撓性流体ラインがワークピースの材料内での除去前線の移動に追従する。

【0133】

ワークピースがＥＵＶミラー用の基板である場合、当該ワークピースは、例えば、流体分配器および流体収集器として機能し、それぞれに挿入部品が挿入される２つのキャビティを有することができる。この２つのキャビティは、第１のキャビティから分岐して第２のキャビティに開口する複数の流路によって流体的に相互接続されている。この場合、２つのキャビティのうちの１つのキャビティから、多光子レーザーアブレーションによって、それぞれのチャネルの長さの約半分に相当する第１または第２のチャネルセクションを形成することが可能である。流路の長さのほぼ中央に、製造中の２つの流路部分の除去前面の重なりがあり、その結果、連続流路が生じ、後者は流体分配器と流体コレクターを接続する。

【0134】

流路がＥＵＶミラー用の冷却流路又は冷却構造である場合、これらは、典型的には、流体分配器と流体コレクタとの間を直線状に延びず、その代わりに角度が付けられ、一般に、ＥＵＶミラーの光学表面から比較的大きな距離を有する流体分配器から出発して流体が表面近傍に輸送される分配器流路を有する。流体は、通常、冷却水の形態で、冷却チャネルを形成するチャネル部において表面に沿って案内された後、コレクタチャネルにおいて表面から除去され、流体コネクタに供給される。

【0135】

本発明のさらなる特徴および利点は、本発明に必須の詳細を示す図面の図を参照しながら、以下に続く本発明の実施例の説明、および特許請求の範囲から明らかになるであろう。個々の特徴は、本発明の１つの変形例において、それぞれ単独で、または複数を任意の組み合わせで実施することができる。

【0136】

図面

【0137】

例示的な実施形態が概略図に描かれ、以下の説明で説明される。詳細には

【図面の簡単な説明】

【0138】

【図1】図１は、ＥＵＶ投影露光装置の一例を示す概略図である。

【図2】図２ａ、ｂは、冷却チャネル状の中空構造が導入された基板を持つＥＵＶミラーの概略図である、

【図3】図３は、アンダーカットを形成する際に、パルスレーザ照射による基板の材料除去加工によって図２ａの中空構造を製造する装置の概略図である。

【図4】図４ａ－ｃは、基板におけるパルスレーザ放射の入射放射方向に相互にオフセットした軌道を有する移動パターンの平面図および側面図、ならびに図３の装置を用いた斜めに整列した除去フロントの生成を示す概略図である。

【図5a】図５ａは、異なるパルスエネルギーでパルスレーザ光を集光する際に発生する、互いにオフセットした軌道を持つ移動パターンの平面図を模式的に示したものである。

【図5b】図５ｂは、図５ａに示した異なるパルスエネルギーによるアブレーションパターンを用いてパルスレーザ放射を焦点面に集光したときに生じる、斜めの除去フロントがある基板の概略断面図である。

【図6】図６ａ－ｃは、中空構造体の製造の３つの異なる段階における、ノズルまたはフレキシブルチューブからなる流体供給による、図３に類似した概略図である。

【図7】図７ａ－ｃは、連続冷却チャネル形状の中空構造体の製造工程と、その工程で形成されるシーム領域の２つの工程を示す。

【図8】図８ａ、ｂは、図１の投影露光装置のミラーの概略断面図であり、冷却流路の形態の複数の温度制御流路を有する中空構造を有し、その端部は、丸みを帯びた部分を介して分配流路またはコレクター流路に合流する。

【図9】図９ａ－ｄは、分配流路と冷却流路の端部との間の丸みを帯びた部分を、４つの異なる曲率半径について同じ流路径で示した概略図である。

【図10】図１０ａ－ｄは、コレクター流路と冷却流路の端部との間の丸みを帯びた部分を、４つの異なる曲率半径について、それぞれ同一の流路径で模式的に示したものである。

【図11a】図１１ａは、図８ａ、ｂに類似した中空構造を有するＥＵＶミラー用基板の透視図であり、冷却チャネルの端部は、ディストリビュータチャネルまたはコレクタチャネルに対して鈍角に配置されている。

【図11b】図１１ｂは、冷却流路の端部と分配流路の間の移行部における丸みを帯びた部分の概略図である。

【図12】図１２ａ－ｄは、図８ａ、ｂに類似した中空構造を有するＥＵＶミラー用基板を示す図であり、ディストリビューターチャネルとコレクターチャネルは、それぞれ入口チャネルと出口チャネルに対して鈍角に配置され、丸みを帯びた部分で入口チャネルまたは出口チャネルに合流する。

【図13a】図１３ａ、ｂは、複数の冷却流路を有する中空構造を有する図１の投影露光装置のミラーの概略断面図である。

【図13b】図１３ａ、ｂは、複数の冷却流路を有する中空構造を有する図１の投影露光装置のミラーの概略断面図である。

【図13c】図１３ｃは、２つの異なる挿入部品を備えた流体供給装置を使用した中空構造体の製造中の図１３ａ、ｂのミラーの概略図である。

【図14】図１４ａ－ｃは、可撓性流体ラインを案内するための屈曲したパイプ状の複数のガイドチャネルを有する挿入部品を備えた流体供給装置の第１の実施例の概略図である。

【図15】図１５ａ、ｂは、挿入部品が積層造形によって製造された流体供給装置の第２実施例の概略図である。

【0139】

以下の図面の説明において、同一の参照符号は、同一または機能的に同一の構成要素に使用される。

【0140】

マイクロリソグラフィ投影露光装置１の形態のＥＵＶリソグラフィ用光学配置の本質的な構成要素を、図１を参照して以下に例示的に説明する。投影露光装置１の基本的なセットアップおよびその構成要素の説明は、この場合、限定的なものとして理解されるべきではない。

【0141】

投影露光装置１の照明システム２の一実施形態は、光源又は放射線源３に加えて、物体平面６内の物体フィールド５を照明するための照明光学ユニット４を備える。別の実施形態では、光源３は、照明システムの他の部分とは別のモジュールとして設けることもできる。この場合、照明システムは光源３から構成されません。

【0142】

被写界５に配置されたレチクル７が照明される。レチクル７はレチクルホルダ８によって保持される。レチクルホルダ８は、レチクル変位駆動装置９によって、特に走査方向に変位可能である。

【0143】

説明の便宜上、デカルトｘｙｚ座標系を図１に示す。ｘ方向は図面の平面に垂直に後者に走る。ｙ方向は水平に、ｚ方向は垂直に走る。走査方向は図１のｙ方向に沿っている。ｚ方向は物体平面６に垂直に走る。

【0144】

投影露光装置１は、投影システム１０から構成される。投影システム１０は、物体フィールド５を像面１２内の像フィールド１１に結像させる役割を果たす。レチクル７上の構造は、像面１２内の像面１１の領域に配置されたウエハ１３の感光層上に結像される。ウェハ１３はウェハホルダ１４によって保持される。ウェハホルダ１４は、ウェハ変位駆動装置１５によって、特にＹ方向に沿って変位可能である。レチクル変位駆動装置９によるレチクル７の変位と、ウエハ変位駆動装置１５によるウエハ１３の変位は、互いに同期して行われる。

【0145】

放射線源３は、ＥＵＶ放射線源である。放射線源３は、特に、以下では使用放射線、照明放射線または照明光とも呼ばれるＥＵＶ放射線１６を放射する。特に、使用放射線は、５ｎｍから３０ｎｍの範囲の波長を有する。放射線源３は、プラズマ源、例えばＬＰＰ源、すなわちレーザー生成プラズマ源、またはＤＰＰ源、すなわちガス放電生成プラズマ源とすることができる。また、放射光源であってもよい。放射源３は、ＦＥＬの略称で呼ばれる自由電子レーザーであってもよい。

【0146】

放射源３から発せられた照明放射１６は、コレクタミラー１７によって集束される。コレクタミラー１７は、１つ以上の楕円面及び／又は双曲面反射面を有するコレクタミラーとすることができる。コレクタミラー１７の少なくとも１つの反射面は、照明放射線１６によって、斜入射（ＧＩ）、すなわち４５°を超える入射角で、または法線入射（ＮＩ）、すなわち４５°未満の入射角で入射することができる。コレクタミラー１７は、第一に、使用される放射に対する反射率を最適化するため、第二に、外来光を抑制するために、構造化および／またはコーティングすることができる。

【0147】

照明放射線１６は、コレクタミラー１７の下流の中間焦点面１８の中間焦点を通って伝播する。中間焦点面１８は、放射線源３及びコレクタミラー１７を有する放射線源モジュールと、照明光学ユニット４との間の分離を表すことができる。

【0148】

照明光学ユニット４は、偏向ミラー１９と、ビーム経路においてその下流側に配置された第１のファセットミラー２０とから構成される。偏向ミラー１９は、平面偏向ミラーであってもよいし、純粋な偏向効果を超えるビーム影響効果を有するミラーであってもよい。代替的または追加的に、偏向ミラー１９は、照明放射１６の使用光波長を、そこから逸脱した波長の外来光から分離する分光フィルタの形態であってもよい。第１のファセット・ミラー２０は、複数の個々の第１のファセット２１から構成され、これらは、以下ではフィールド・ファセットとも呼ばれる。図１には、例として、前記ファセット２１の一部のみが描かれている。照明光学ユニット４のビーム経路において、第２のファセット・ミラー２２が第１のファセット・ミラー２０の下流に配置される。第２のファセット・ミラー２２は、複数の第２のファセット２３から構成されている。

【0149】

その結果、照明光学ユニット４は二重のファセットシステムを形成する。この基本原理は、フライアイコンデンサー（フライアイインテグレーター）とも呼ばれる。第２のファセット・ミラー２２の助けを借りて、個々の第１のファセット２１が物体フィールド５に結像される。第２のファセット・ミラー２２は、物体フィールド５の上流側のビーム経路における最後のビーム成形ミラー、または実際には照明放射１６のための最後のミラーである。

【0150】

投影装置１０は、投影露光装置１のビーム経路における配置に従って連続番号が付された複数のミラーＭｉから構成される。

【0151】

図１に描かれた例では、投影システム１０は６つのミラーＭ１からＭ６で構成されている。４枚、８枚、１０枚、１２枚、またはその他の数のミラーＭｉを用いた代替案も同様に可能である。最後尾のミラーＭ５と最後のミラーＭ６にはそれぞれ、照明光１６のための貫通開口部が設けられている。投影光学系１０は、二重不明瞭光学ユニットである。投影光学ユニット１０は、０．４または０．５より大きく、０．６より大きくすることもでき、例えば０．７または０．７５とすることもできる像側開口数を有する。

【0152】

照明光学ユニット４のミラーと同様に、ミラーＭｉは照明光１６に対して高反射コーティングを施すことができる。

【0153】

図２ａ、ｂは、例示的な態様で、投影システム１０のミラーＭ４を示し、前記ミラーは、反射コーティング２６が施された表面２７を有する基板２５からなる。図示の例では、基板２５の材料は、熱膨張係数が非常に小さいチタンドープ溶融シリカである。基板２５は、熱膨張係数が可能な限り小さい別の材料、例えばガラスセラミックから形成することもできる。このような材料はゼロ膨張材料であり、熱膨張係数が正と負の成分または相を互いに突き合わせたものである。このような材料は、熱膨張が消失する、あるいは温度変化に最も敏感でなくなる温度値を正確に１つ持っている。正確には、これはゼロクロス温度Ｔ_ＺＣ として知られているもので、ＺＣＴとも呼ばれる。ここで説明する例では、基板２５の材料である、熱膨張係数が非常に小さいチタンドープ溶融シリカは、０℃～１００℃、典型的には１９℃～４０℃、特に１９℃～３２℃のゼロクロス温度Ｔ_ＺＣ 。ゼロ交差温度Ｔ_ＺＣ は、基板２５の体積全体にわたって実質的に一定であり、３ Ｋ未満、２ Ｋ未満、１ Ｋ未満、または０．１ Ｋ未満の空間的変動を有し、空間的変動は、ゼロ交差温度の最大値と最小値の差Ｔ_ＺＣ を示す。

【0154】

図示の例では、基板２５はモノリシックな形状を有する。図示の例では、反射コーティング２６は、屈折率の実部が異なる材料からなる複数の層対を有し、層は、例えば、ＥＵＶ放射１６の波長が１３．５ｎｍの場合、ＳｉとＭｏから形成される可能性がある。基板２５の表面２７は、図２ａ、ｂでは平面領域として表されているが、曲率を有することもある。

【0155】

図２ａ、ｂに示す例では、基板２５は、流路の形態の連続中空構造２８を有し、この流路を通って、矢印で示す温度制御流体、本例では冷却流体３２ａの形態の冷却剤が流れることができ、温度制御流体は、ここで説明する例では水である。したがって、中空構造体２８は、以下では冷却流路とも呼ばれることがある。基板２５を加熱する目的で、加熱流体も中空構造２８を流れることができることが理解される。冷却流路２８は、基板２５の裏面２９に形成された冷却液入口３０を起点として、垂直方向、すなわちＸＹＺ座標系のＺ方向に延びる第１の部分２８ａを有する。垂直方向Ｚは、基板２５の厚さ方向Ｚに対応する。ここで説明する例では、基板２５の上面２７および下面２９はそれぞれ、厚さ方向Ｚに対して垂直に並んでいる。

【0156】

冷却チャネル２８の第１の垂直セクション２８ａは、水平方向、すなわちＸ方向に延びるセクション２８ｂと隣接しており、冷却剤３３はこのセクションを通って、垂直方向に延び、基板２５の裏面２９の冷却剤出口３１に開口する冷却チャネル２８の第３のセクション２８ｃに流入する。それぞれの垂直部２８ａ、２８ｃと水平部２８ｂとの間の２つの移行部を除いて、図２ａに示す冷却流路の形態の中空構造２８は、一定の直径を有する円形断面を有し、この直径は、図示の例では約１～５ｍｍのオーダーである。図２ｂに示す連続冷却流路２８が図２ａに示す連続冷却流路２８と異なる点は、冷却液入口３０および冷却液出口３１からそれぞれ始まる垂直部２８ａ、ｃのそれぞれにおける部分が、冷却流路２８の水平部２８ｃへの移行部にそれぞれ位置する水平部２８ｂおよび垂直部２８ａ、ｃの短い部分よりも大きな直径を有する点である。

【0157】

冷却剤入口３０に冷却剤３２ａを供給し、冷却剤出口３１から冷却剤３２ａを除去するために、投影露光装置１は、図１に概略的に表されている冷却装置３２を備える。図示の例では、冷却装置３２は、冷却水の形態の冷却剤３２ａを冷却チャネル２８またはミラーＭ４に供給する役割を果たし、この目的のために、冷却剤入口３０に流体密に接続された、ここには描かれていない供給ラインから構成される。冷却装置３２は、冷却水出口３１から冷却水３２ａを除去するための、ここには描かれていない除去ラインも備えている。投影システム１０の他のミラーＭ１～Ｍ３、Ｍ５、Ｍ６も中空構造２８を有することができ、この中空構造２８は、冷却目的のために、冷却装置３２に接続されるか、あるいは任意に、この目的のために設けられたさらなる冷却装置に接続される。原理的には、どのような鏡も、冷却剤が流れることができる中空構造２８を有することができることが理解される。一例として、これは、ＤＵＶ／ＶＵＶ波長範囲、可視波長範囲および／または赤外波長範囲の放射線を反射するように設計されたミラーに関連し得る。冷却装置３２の代わりに、温度制御装置を投影露光装置１に設けることもでき、すなわち、ミラーＭ１～Ｍ６を冷却および／または加熱するために使用される装置を設けることもできる。加熱には、適当な温度制御流体３２ａを用いることができ、例えば、中空構造体２８に供給される前に所望の温度に加熱される水を用いることができる。

【0158】

図３に概略的に示されている装置３３は、図２ａに示されている冷却チャネル２８を生成する役割を果たす。装置３３は、パルスレーザ放射３５を生成するレーザー源３４からなり、図３ではダッシュの形で表されている。レーザー光源３４は、例えば１０ｐｓ未満のピコ秒オーダーのパルス持続時間を有するレーザーパルスを生成するように設計された超短パルスレーザ光源であり、ＭＷ範囲のピークパルス出力を有する。レーザー光源３４は、近赤外波長範囲、より正確には１０３０ｎｍの波長を持つパルスレーザ放射３５を生成するように設計されている。しかし、レーザー光源３４は、可視波長域の波長または基板２５の材料が透明である近赤外波長域の別の波長でパルスレーザ放射３５を生成するように設計されることも可能である。

【0159】

装置３３はまた、スキャナ光学ユニット３６と集光装置３７とから構成される。図示の例では、集光装置３７はＦθレンズとして設計され、パルスレーザビームの形態でパルスレーザ放射を基板２５内の焦点領域３９に集光する役割を果たす。スキャナ光学ユニット３６は、パルスレーザ放射３５を基板２５のビーム入射面２７上に、ビーム入射面２７に対して垂直に整列された入射放射方向Ｚに放射し、基板２５内の焦点領域３９を移動させる役割を果たし、当該スキャナ光学ユニットは、この目的のために、２方向に傾斜可能なガルバノミラー４０を含んで構成される。つのガルバノミラー４０の代わりに、各々が１方向に傾斜可能な２つのガルバノミラーをスキャナ光学ユニット３６内に配置することも可能である。また、ガルバノミラーの代わりに他のタイプのミラー、例えば圧電ミラーを使用することも可能である。

【0160】

上述したように、焦点領域３９は、ミラー４０を傾けることによって基板２５内で移動させることができる。ガルバノミラー４０のアライメントが異なる場合に電界の湾曲を補正するＦθレンズ３７の結果として、焦点領域３９は、ミラー４０が傾けられると、入射放射方向Ｚに垂直なＸＹ平面内で移動する。したがって、基板２５におけるパルスレーザ放射３５の入射放射方向Ｚは、実質的に基板２５の厚さ方向Ｚに対応する。

【0161】

スキャナ光学ユニット３６の助けを借りて、焦点領域３９は、図４ａに平面図で示されているアブレーションパターン４１に沿って移動される。アブレーションパターン４１は、平行に整列され、Ｙ方向に延び、図示の例ではＸ方向に互いに等間隔に配置された複数の直線軌道４２を有する。軌道４２が互いに同じ距離に配置されることは必須ではなく、むしろ、隣接する軌道４２間の距離もアブレーションパターン４１内でプロセスに依存して変化してもよい。

【0162】

図３に示す冷却チャネルの垂直断面２８ａを生成するために、図４ａに示すアブレーションパターン４１が、スキャナ光学ユニット３６の助けを借りて、コーティングされていない基板２５の裏面２９上のＸＹ平面上に生成される。スキャナ光学ユニット３６が図５ａに示すアブレーションパターン４１を複数回生成する間に、図３に非常に概略的に表されており、基板２５用のホルダ４４に作用する位置決め装置４３の助けにより、基板２５は、基板２５のビーム入口側２７において、パルスレーザ放射３５の入射放射方向Ｚの下方に変位する。このようにして、基板２５の裏面２９を起点として、図３に示す冷却流路２８の垂直部２８ａが形成される。

【0163】

図３は、冷却チャネル２８の垂直部２８ａと冷却チャネル２８の水平部２８ｂとの間にアンダーカット角９０°のアンダーカットの形態の移行部を製造する場合の中空構造体２８の製造工程を示している。その際、水平断面の製造のために材料を除去するために、図３に示すように、パルスレーザ放射３５が垂直断面２８ａの上端部に沿って横方向に誘導されると、パルスレーザ放射３５とその下の基板２５の材料との相互作用が生じ、この相互作用によって、図３に実線の縦線４５で示すように、基板２５の材料に修正と応力が誘発される。

【0164】

この問題は、入射放射方向Ｚに対して垂直でない除去前面４６を生成することによって是正される。図４ｃに示す例では、除去前面４６は、入射放射方向Ｚに対して４５°の角度αを有するが、入射放射方向Ｚに対する角度αは、大きくても小さくてもよく、例えば、入射放射方向Ｚに対して、０°～８９°、１０°～８０°、２０°～７０°又は３０°～６０°の間の値範囲で整列させることができる。

【0165】

図４ｃにおいて、除去フロント４６は、冷却チャネル２８の水平部２８ｂを生成するために、基板２５の放射入口側２７に向かう方向に傾斜させられるが、これは、まだ生成されていないことを理由に、図４ｃの表現において破線で示されている。冷却チャネル２８の水平部２８ｂを製造するために、図４ｃに矢印で示すように、基板２５は、除去前面４６に沿って材料を連続的にアブレーションするために、位置決め装置４３の助けを借りてＸ方向に変位させられる。図４ｃから同様に明らかなように、前記除去前面が水平Ｘ方向に移動しているとき、基板２５の放射入口側２７により近い除去前面４６の上縁４６ａは、負のＸ方向に対応する基板２５内の除去前面４６の移動方向に対して４５°の角度βで整列される。放射線入射面２７から離れた除去前面４６の下縁４６ｂは、中空構造体２８の水平部２８ｂが製造されるとき、除去前面４６の上縁４６ａよりも移動方向にさらに突出する。このようにして、除去前面４６の下縁４６ｂのみが基板２５の材料に隣接するので、水平部２８ｂの製造中にパルスレーザ放射３５と基板２５の材料との相互作用を最小限に抑えることができる。同様に図４ｃから明らかなように、放射入射面２７での入射に続く、被加工物２５の材料からのパルスレーザ放射３５の最初の再出射は、除去前面４６の領域にある。

【0166】

図４ｃに示される例では、図４ｂに示されるように、入射放射方向Ｚにおける２つの隣接する軌道４２の間で、焦点範囲３９が、示される例では一定である値Δｚだけ、それぞれの場合にオフセットされることによって、傾斜された除去前面４６が生成される。入射放射方向Ｚに対して４５°傾いた除去フロント４６に沿った隣接する軌道４２間の距離Ａは、図示の例では約０．０１ｍｍから０．５ｍｍの間、例えば約０．０３ｍｍである。隣接する軌跡４２の横断の間に、入射放射線方向Ｚにおいて焦点領域３９を迅速にオフセットできるようにするために、装置３３は、動的ズームレンズの形態である焦点オフセット装置４７を備える。焦点オフセット装置４７は、入射放射方向Ｚのオフセットを生成するための制御装置４８によって制御される。制御装置４８はまた、入射放射方向Ｚのオフセットを、それぞれの軌道４２に沿った焦点領域３９の移動と同期させるために、レーザ源３４およびスキャナ装置３６を制御する役割を果たす。図示の例では、冷却チャネル２８の円形断面の直径は約２ｍｍである。

【0167】

図５ａ、ｂは、斜め除去前面４６を形成するためのさらなる選択肢を示しており、この斜め除去前面４６も同様に、入射放射方向Ｚに対して４５°の角度αで位置合わせされている。図５ｂから明らかなように、中空構造体２８を製造するための装置３３は、フォーカスオフセット装置を有していない。図５ｂに示す装置３３では、パルスレーザ放射３５は、入射放射方向Ｚに対して垂直に整列された焦点面ＦＥに集光される。図５ａから明らかなように、パルスレーザ放射３５のパルスエネルギーＥ_Ｐ は、図５ａに軌跡４２の線厚の増加によって示されているように、除去フロント４６を形成するために、焦点面ＦＥ内の隣接する軌跡４２または対応する走査線の間で漸増的に増加される。

【0168】

制御装置４８は、パルスエネルギーＥ_Ｐ を増加させるためにレーザー源３４に作用する。レーザー源３４は、パルスエネルギーＥ_Ｐ を調整するための装置を含んでおり、この装置は、例えば、音響光学変調器又は電気光学変調器の形態とすることができる。このような変調器は、マイクロ秒以下のオーダーの応答時間を持ち、アブレーション・パターン４１の２つの隣り合う軌道４２の間でパルス・エネルギーＥ_Ｐ を素早く増加させることができる。図５ｂから明らかなように、パルスレーザ放射３５が基板２５の材料に及ぼす影響範囲は、他のパラメータに加えて、パルスエネルギーＥ_Ｐ にも依存する。パルスレーザ放射３５の波長やパルスレーザ放射３５のパルス持続時間などの指定されたパラメータに応じて、基板２５の材料をアブレーションするには、ある閾値のエネルギー密度または強度が必要となる。パルスエネルギーＥ_Ｐ が大きいほど、焦点面ＦＥを起点として、材料除去が起こり得る領域の範囲が大きくなる。

【0169】

図５ｂは、依然として除去が起こり得る入射放射線方向Ｚの境界４９を有する基板２５内のエネルギー密度の等線範囲を示す。図５ａの矢印で示されるように、Ｘ方向におけるパルスエネルギーＥ_Ｐ の漸増の結果として、入射放射線方向Ｚにおける境界４９を変位させ、入射放射線方向Ｚに対して４５°の角度で整列された図５ｂに示される除去フロント４９を形成することが可能である。その結果、装置３３がこの目的のためにフォーカスオフセット装置４７のような付加的な可動要素を有することなく、図５ａ、ｂと併せて説明した方法で、斜めの除去前面４６を形成することができる。図３の文脈で説明したように、チャネル２８の垂直部２８ａは、図５ｂに矢印で示すように、この場合、基板２５のＺ方向への下向きの移動によっても生成することができる。

【0170】

図６ａ～ｃは、垂直部２８ａおよび水平部２８ｂを有し、これらが丸み部２８ｄまたは曲線部で互いに合流する、角度のついた中空構造体２８の製造の３つの段階を示している。この場合、中空構造体２８を製造するための装置３３は、図４ａ～ｃのように設計されており、すなわち、斜めの除去前面４６を形成するための焦点オフセット装置４７から構成されている。図６ａから明らかなように、垂直チャネル部２８ａは、基板２５が下方に変位されることによって第１段階で製造され、その結果、除去フロント４６が基板２５内で移動され、基板２５の材料が連続的にアブレーションされ、一方、スキャナ光学ユニット３６は静止したままである。材料除去にとって重要なのは、除去フロント４６と基板２５との間の相対的な移動だけであるため、基板２５は入射放射線方向Ｚにおいて静止したままであってもよく、スキャナ光学ユニット３６は、代替的に基板２５内で除去フロント４６を移動させるために上方に移動されてもよい。原理的には、基板２５とスキャナ光学ユニット３６のＺ方向への重畳移動も可能である。

【0171】

除去された材料は、流体供給５０の助けを借りて除去前面４６から除去される。図示の例では、流体供給５０は静止ノズル５１からなり、そこから液体、図示の例では水３２ｂが出、液体は垂直方向に噴出し、除去前面４６に供給される。ノズル５１が鉛直方向上方に配置されることにより、除去前面４６からの除去粒子の標的を絞った除去が可能となり、除去粒子は、重力の作用により、ノズル５１と中空構造体２８の垂直部２８ａの壁面との間の隙間を通って除去される。このようにして、除去前面４６は堆積物から実質的に解放されたままであり、除去を中断することなく実施することができる。同時に、液体３２ｂを供給することにより、除去前面４６または処理ゾーンを積極的に冷却することができ、その結果、基板２５内の残留熱が低減される。液体３２ｂを供給する代わりに、気体、例えば圧縮空気を、流体供給５０の助けを借りて除去前面４６に供給することもできる。

【0172】

図６ｂは、中空構造体２８の製造中の段階を示し、この段階では、中空構造体２８の丸み付け部２８ｄが形成され、当該丸み付け部は、中空構造体２８の垂直部２８ａと水平部２８ｂとの間に９０°の移行部を形成する。丸み部２８ｄが形成されると、基板２５は、矢印で示すように、Ｚ方向への変位に加えてＸ方向にも変位するが、４５°に傾斜した除去前面４６は依然として上述の方法で形成される。

【0173】

丸められた部分２８ｄは、図６ｃに示されるように、中空構造体２８の水平部分２８ｂの製造中に、除去前面４６が前記可撓性チューブによって追跡される、可撓性チューブ５２の中空構造体２８への導入を可能にする。このようにして、水平部２８ｂの製造中であっても、除去前部４６から除去製品を効果的に除去することができる。チューブ５２による連続的な追跡の結果、中空構造体２８の達成可能な長さは、基板２５のサイズとチューブ５２の長さによってのみ制限される。

【0174】

上述した除去フロント４６の傾斜は、パルスレーザ照射３５による材料除去加工によって、例えば直線状に延びるチャネルの形態の中空構造を製造する場合には、必ずしも実施する必要はない。直線状に延びる比較的長い長さを有するチャネル２８の形態の中空構造を製造することを意図する場合であっても、すすぎ液３２ｂを除去前面４６に供給するために、流体供給部５０または流体供給部５０の一部をチャネル２８に少なくとも部分的に導入することが必要である。この目的のために、流体供給部５０は、例えば、流路２８内に少なくとも部分的に導入される剛性パイプ等から構成することができる。特に湾曲した流路２８が形成されるべき場合には、流体供給部５０は、例えば可撓性チューブ５２の形態の可撓性要素から構成されてもよく、この可撓性要素は、除去前面４６が前記可撓性要素の自由端によって追跡されるように、流路２８内に少なくとも部分的に導入される。チューブ５２の自由端にはノズルを取り付けることができるが、これは必須ではない。

【0175】

同様に図６ｃから明らかなように、中空構造体２８の水平部２８ｂの製造中の基板２５の材料は、除去前面４６の縁部４６ｂの側部４６ｃに隣接しており、当該側部は基板２５の放射線入口側部２７から離れており、すなわち基板２５の材料は、図６ｃにおいて除去前面４６の下縁部４６ｂの下方に位置している。さらに、中空構造体２８の水平部２８ｂを製造する際、除去前面４６の領域から出現する、または除去前面４６から中空構造体２８内に発散するレーザ放射３５の一部は、基板２５の材料に再入射し、正確には、図６ｃのチャネル２８の形態の中空構造体の側方表面の下縁に再入射する。

【0176】

同様に図６ｃから明らかなように、除去前面４６は、図示の例では円筒形であるチャネル２８の側方表面５７との角度β’を含み、この角度は以下では除去前面角度とも呼ばれる。チャネル２８の製造中、除去フロント角度β’は、典型的には、少なくとも断続的に１°、５°、１０°、２０°または３０°の除去フロント最小角度より大きく、少なくとも断続的に８９°、８５°、８０°、７０°または６０°の除去フロント最大角度より小さい。チャネル２８の製造中の除去前面角度β’は、除去前面最小角度よりも永久的に大きく、および／または除去前面最大角度よりも永久的に小さくてもよいが、これは必須ではない。

【0177】

図７ａ、ｂは、図６ａ～ｃと関連して説明した段階に続く、中空構造体２８の製造中のさらなる２つの段階またはステップを示す。図７ａから明らかなように、図６ａに示す段階に対応する方法で、基板２５の裏面２９から出発して、中空構造体２８のさらなる垂直部２８ｃ、それに続くさらなる丸み部２８ｅが製造される。図７ａに示す中空構造２８の製造段階においては、図６ａと比較して、除去前面４６の位置合わせが鏡像化され、水平部２８ｂを形成するために、基板が負のＸ方向に変位される。図７ｂから明らかなように、鏡面加工された除去前面４６’は、連続的な加工により、当該鏡面加工された除去前面が中空構造体２８の水平部２８ｂの既に加工された部分に到達するまで水平方向に変位され、連続的な水平部２８ｂが生成され、チャネルの形態の中空構造体２８が連続的に開放される。

【0178】

継ぎ目領域５３は、流路２８を連続するように開くときに生じ、当該継ぎ目領域は、流路２８のそれぞれの部分の製造中に形成されたそれぞれの最後の除去前面４６、４６’に対応する図７ｂの２つの隣接する破線の領域に延びる。継ぎ目領域５３における流路２８の性質、より正確には流路２８の壁の性質は、少なくとも１つの性質の点で、継ぎ目領域の外側の流路２８の壁の性質と異なるか、または継ぎ目領域５３は、残りの流路２８に対して少なくとも１つの構造変更を有する。

【0179】

図７ｃは、そのような構造変更の３つの例を示す：図７ｃに示す例では、まず、継ぎ目領域５３内の流路２８の壁の表面構造は、継ぎ目領域５３の外側の流路２８の壁の表面構造とは異なり、継ぎ目領域５３内の表面構造上で、除去フロント４６のエッジ輪郭５４が観察可能である。他の除去フロント４６’のエッジ輪郭も、シーム領域５３のチャネル２８の表面構造に部分的に書き込まれているが、これは図７ｃには描かれていない。除去フロント４６のエッジ輪郭５４は、図示の例では楕円状に延び、チャネル２８の側方表面に対して約４５°の角度、すなわち除去フロント４６そのものと同じ角度で整列される（図６ｃ参照）。

【0180】

図７ｃに示す例では、継ぎ目領域５３のチャネル２８の壁に４つの膨出部５５がさらに形成され、膨出部はそれぞれチャネル２８の断面を局所的に増加させる。チャネル２８の断面を減少させる膨らみも同様に可能である。さらに、流路２８の壁は、継ぎ目領域５３の段差の様式でわずかな横方向のオフセット５６を有し、これは、流路２８の２つの部分のわずかに異なる断面積に遡ることができる。横方向のオフセットは、連続開口部を製造する際のチャネル２８の２つの部分のわずかにずれた位置決めの結果として生じることもある。膨出部５５と横方向のオフセット５６の両方が、分かりやすくするために誇張して表現されていることが理解される。

【0181】

パルスレーザ照射３５による材料除去処理の結果として、基板２５に湾曲チャネル２８の形態の中空構造を製造することができ、前記中空構造は、１ｍｍ以上２０ｍｍ以下、特に１ｍｍ以上５ｍｍ以下の直径Ｄ、および／または少なくとも１０ｃｍ、少なくとも１５ｃｍ、少なくとも２０ｃｍ、または少なくとも７０ｃｍの長さＬ_Ｃ を有する。図７Ｂに示される流路２８は、２０ｃｍを超える長さＬ_Ｃ および５ｍｍの直径Ｄを有する。基板２５のゼロ交差温度Ｔ_ＺＣ は、上記で規定した値の範囲内であり、モノリシック基板２５の体積において実質的に一定である。すなわち、ゼロ交差温度の変動ΔＴ_ＺＣ 、すなわち基板２５の体積における最大ゼロ交差温度と最小ゼロ交差温度との差も、同様に上記で規定した値の範囲内である。

【0182】

図２ａ、ｂに関連して説明したように、冷却液の通過に使用できる中空構造２８が、上述の方法で生成される。上述のものとは異なり、裏面除去は、基板２５の裏面２９からではなく、ビーム入口側２７とは反対側であって基板２５内に配置された基板２５の側面から開始することもできる。一例として、これは、図２ｂに図示された縦孔の上端であり得、そこから出発して、中空構造２８の２つの縦部２８ａ、ｃが製造される。この場合、中空構造体２８は、基板２５の機械的加工をパルスレーザ照射３５による材料除去加工と組み合わせたハイブリッド製造方法を用いて製造される。垂直孔ではなく、異なる配置の孔またはキャビティが、パルスレーザ照射３５の助けを借りて中空構造体２８の上述の製造の出発点として機能し得ることが理解される。

【0183】

要約すると、高アスペクトの垂直および水平の巨視的中空構造を、上述の方法でＥＵＶミラーの基板２５に導入することができる。水平または垂直アライメントから逸脱する中空構造または中空構造のセクションも、この方法で製造できることが理解される。投影システム１０のミラーＭ１～Ｍ６のうちの１つだけでなく、中空構造を生成するために上述した方法で処理することができる他のミラー、特にＥＵＶミラーであってもよいことが理解される。単一の連続冷却チャネル２８よりも複雑な中空構造も、上述の方法によって製造することができ、例えば、Ｙ分岐点またはＴ分岐点を有する中空構造が挙げられる。分岐点を有する中空構造も、上述の方法で製造することができ、その結果、基板の材料が損傷したり、応力が発生したりすることはない。

【0184】

図８Ａ、Ｂは、投影システム１０の一部であるモノリシック基板１２５を備えたミラーＭ４の実施形態のさらなる例を示している。図示の例では、基板１２５の材料は、熱膨張係数が非常に小さいチタンドープ溶融シリカである。基板１２５は、熱膨張係数が可能な限り小さい別の材料、例えばガラスセラミックから形成することもできる。基板１２５のゼロ交差温度Ｔ_ＺＣ は、上記で規定された値範囲内にあり、モノリシック基板１２５の体積において実質的に一定である。つまり、ゼロ交差温度の変動ΔＴ_ＺＣ 、つまり基板１２５の体積におけるゼロ交差温度の最大値と最小値との差も、同様に上記で規定された値範囲内にある。

【0185】

基板１２５の表面１２５ａには、ＥＵＶ放射１６を反射するための反射コーティング１２６が施されている。反射コーティング１２６内に位置する表面１２５ａの一部は、投影システム１０のＥＵＶ放射１１６によって打たれ、ここには描かれていない反射コーティング１２６の光学的に使用される部分を形成する。ＥＵＶ放射１６を反射するために、反射コーティング１２６は、例えば、屈折率の異なる実数部を有する材料からなる複数の層対を有することができ、層は、例えば、ＥＵＶ放射１６の波長が１３．５ｎｍの場合、ＳｉおよびＭｏから形成される可能性がある。

【0186】

基板１２５は、流体１２８が流れることができる中空構造１２７を有し、後者は図示の例では水である。図８ａに矢印で示す流体１２８は、中空構造１２７の一部を形成する複数の冷却チャネル１３１を通って流れるように、側面の入口開口１２９から基板１２５内に入り、特に、反射コーティング１２６が施された基板１２５の表面１２５ａを冷却する。

【0187】

流体１２８を入口開口部１２９に供給し、流体１２８を図８ａ、ｂには描かれていない出口開口部から除去するために、投影露光装置１は、冷却装置の形態である上述の温度制御装置３２を備える。図示の例では、冷却装置３２は、冷却水の形態の流体１２８を中空構造体１２７またはミラーＭ４に供給する役割を果たし、この目的のために、入口開口部１２９に流体密に接続される、ここには描かれていない供給ラインから構成される。冷却装置１３２はまた、基板１２５の出口開口部を介して、または中空構造体１２７から冷却水を除去するために、ここには描かれていない除去ラインから構成されている。

【0188】

図８Ａから明らかなように、流体１２８は、入口開口部１２９を介して中空構造１２７の入口チャネル１３３に入り、当該入口チャネルは、流体分配器を形成し、そこから、各々が以下の冷却チャネル１３１と呼ばれる複数の温度制御チャネルのうちの１つに接続される複数の分配チャネル１３４が分岐する。冷却流路１３１は、図示の例では平面である基板１２５の表面１２５ａから約５ｍｍの距離Ａ’をおいて配置され、表面１２５ａに平行に、すなわちＸＹＺ座標系のＸＹ平面に平行に延びている。冷却流路１３１は、直線状に延び、平行に整列し、Ｙ方向に対応する長手方向に、コーティング１２６によって覆われている基板１２５の表面１２５ａのほぼ全体にわたって走っている；図８ｂを参照。冷却チャネル１３１から、流体１２８は、複数のコレクタチャネル１３６を経由して、図８ｂに示す例では出口チャネル１３５として形成されている流体コレクタへと流れる。出口流路１３５は、図８ａ、ｂには描かれていない上述の出口開口部を有し、これを介して流体１２８が基板１２５の中空構造１２７から出る。

【0189】

図８ｂから明らかなように、中空構造体１２７は、それぞれの分配器チャネル１３４が冷却チャネル１３１に合流する第１の丸みを帯びた部分１３７ａを有する。従って、中空構造体１２７は第二の丸みを帯びた部分１３７ｂも有し、ここでそれぞれの冷却チャネル１３１がコレクタチャネル１３６に合流する。図示の例では、冷却流路１３１は、Ｙ方向に対応する水平方向に直線状に延びており、分配流路１３４およびコレクタ流路１３６は、Ｚ方向に対応する垂直方向に直線状に延びている。従って、冷却流路１３１の長手方向の軸は、分配流路１３４及びコレクタ流路１３６に対して９０°の角度γで並んでいる。丸みを帯びた部分１３７ａ、ｂは、丸みを帯びていない「角のような」９０°曲げの場合に発生する乱流の発生を回避するか、少なくとも大幅に低減するために、可能な限り流線形の流れ案内を生成する役割を果たす。乱流の低減は、結果として反射光学素子Ｍ４の流れに起因する振動の低減をもたらす。

【0190】

図９ａ～ｄ及び図１０ａ～ｄに示されるように、９０°曲がり部における最適化された流れ案内のためには、丸め部１３７ａ、ｂが一定の曲率半径Ｒを有すると有利である。最適な流れ案内に不可欠なパラメータは、丸み部１３７ａ、１３７ｂの曲率半径Ｒと流れの直径Ｄとの比によって表される。

【0191】

図９ａ～ｄは、丸み付け部１３７ａの曲率半径Ｒと丸み付け部１３７ａの直径Ｄとの間の４つの異なる比率の場合における、それぞれの冷却流路１３１の端部１３１ａと端部１３１ａに隣接する分配流路部１３４ａとが互いに隣接する第１の丸み付け部１３７ａを示す。この場合、曲率半径Ｒは、図９ａ～ｄに示されるように、丸み消し部１３７ａの中心で測定される。丸み消し部１３７ａの直径Ｄは、図示した４つの例すべてにおいて５ｍｍである。この場合の丸み部１３７ａの直径Ｄは、流通路１３４の直径Ｄ及び冷却路１３１の直径Ｄに対応する。長さＬは、図９ａ～ｄの図では約５０ｍｍである。図９ａ～ｄから明らかなように、Ｒ／Ｄ比は、図示の４つの例において、それぞれ、Ｒ／Ｄ＝２、Ｒ／Ｄ＝３、Ｒ／Ｄ＝４、Ｒ／Ｄ＝５である。

【0192】

図９ａ～ｄに類似した態様で、図１０ａ～ｂは、それぞれの冷却チャネル１３１の端部１３１ｂと、端部１３１ｂに隣接するコレクタチャネル部１３６ａとが互いに合流する、第２の丸み付け部１３７ｂを示す。丸み部１３７ｂの直径Ｄは、図１０ａ～ｄでは１０ｍｍである。図１０ａ～ｄの説明図において、長さＬは約６０ｍｍである。また、図１０ａ～ｄの図示において、Ｒ／Ｄ比は、図示の４つの例では、それぞれ、Ｒ／Ｄ＝２、Ｒ／Ｄ＝３、Ｒ／Ｄ＝４、Ｒ／Ｄ＝５である。それぞれの丸み付け部１３７ａ、１３７ｂの直径Ｄは、典型的には２ｍｍから２０ｍｍの間であり、理想的には２ｍｍから１２ｍｍの間である。

【0193】

上述したように、各丸め込み部１３７ａ、１３７ｂの曲率半径Ｒと直径Ｄとの間には、丸め込み部１３７ａ、１３７ｂの外周側における流動流体１２８の圧力が丸め込み部１３７ａ、ｂの内周側と比較して極僅かしか上昇しないように遠心力が作用し、これにより丸め込み部１３７ａ、ｂの上流側及び下流側において境界層剥離の低減を達成することができる最適な比率が存在する。図９ａ～ｄ及び図１０ａ～ｄは、流動する流体１２８の乱流運動エネルギーが所定値を超える領域の輪郭を示す図である。この場合、流体１２８は、分配流路部１３４ａから、またはコレクタ流路部１３６ａから、冷却流路１３１のそれぞれの端部１３１ａまたは１３１ｂに流入すると仮定した。

【0194】

この目的のために、丸み付け部１３７ａ、１３７ｂの曲率半径Ｒと丸み付け部１３７ａ、１３７ｂの直径Ｄとの比は、２以上６以下、より好ましくは２．５以上５以下、理想的には２．５以上３．５以下が特に有利であることが判明した。通常、Ｒ／Ｄ比が２未満の場合、境界層分離の有意な減少はあり得ない。Ｒ／Ｄ比の最適値は典型的には２．５と３．５の間であるが、最適値は任意にこの値の範囲外であってもよい。Ｒ／Ｄ比が６．０を超える場合、通常、流動挙動が悪化する。

【0195】

実際には、丸みを帯びた部分１３７ａ、ｂは、上述したように、モノリシック基板１２５において従来の加工方法の助けを借りて製造することはできない。図示の例では、入口流路１３３と出口流路１３５のみが、正確には、それぞれの穴が基板１２５に導入されることによって、従来の加工方法によって製造される。対照的に、分配チャネル１３４、冷却チャネル１３１およびコレクタチャネル１３６は、基板２５の材料のレーザーアブレーションによって製造され、レーザーアブレーションについては後述する。

【0196】

中空構造１２７の分配チャネル１３４、冷却チャネル１３１およびコレクタチャネル１３６を生成するために、パルスレーザビームは、反射コーティング１２６が適用される前に、基板１２５の表面１２５ａから出発して基板１２５の材料を通して入口チャネル１３３の上側に放射され、そこで集束され、複数の平行なアブレーション経路を有する移動パターンが生成され、当該アブレーション経路は、基板２５の厚さ方向Ｚに対して４５°の角度で整列された除去フロント１３０ａを形成する。この位置から、除去フロント１３０ａは、基板１２５の材料をアブレーションし、分配チャネル３４を形成するために、Ｚ方向に対応する厚さ方向に、基板１２５に対して複数回変位する。変位の間、除去前面１３０ａは静止したままであってもよく、除去前面１３０ａが第１の丸め部１３７ａの真下に位置するまで、基板１２５はＺ方向上方に変位する。

【0197】

第１の丸み付け部１３７ａを形成するために、除去前面１３０ａまたは基板１２５は、Ｚ方向およびＹ方向の両方向に重畳して変位する。第１の丸み付き部１３７ａが形成された後、Ｚ方向に対応する厚さ方向に対して４５°で整列された除去前部１３０ａは、当該除去前部が冷却流路１３１の長手方向のほぼ中央に位置するまで、当該冷却流路１３１または分配流路１３４に隣接する当該冷却流路１３１の端部１３１ａを形成するために、Ｙ方向に対応する冷却流路１３１の長手方向にのみ変位される。

【0198】

コレクタチャネル１３６、第２の丸み付け部１３７ｂ、および冷却チャネル１３１の後半部または第２の丸み付け部１３７ｂに隣接する端部１３１ｂの製造は、出口チャネル１３５から出発するレーザアブレーションによって同様に実施され、その上側で、パルスレーザ放射は、最初に基板１２５を通して集光される。この工程で形成される更なる除去前面３０ｂは、同様に、基板２５の厚さ方向またはＸＹ平面に対して４５°に整列されるが、上述の除去前面１３０ａに対してＸＺ平面に対して鏡面される。パルスレーザビームまたはパルスレーザ放射の厚さ方向または入射放射方向Ｚに対して角度をなす除去前面１３０ａ、１３０ｂの位置合わせは、典型的には、図４ａ～ｃおよび図５ａ、ｂの文脈で上述した方法で実施される。流体は、それぞれの除去フロント１３０ａ、１３０ｂからアブレーションされた材料を除去するため、または冷却目的のために、それぞれの除去フロント１３０ａ、１３０ｂに供給される。流体の供給は、典型的には、図６ａ～ｃの文脈で説明される方法で、流体供給によって、すなわち、中空構造１２７内への流体供給の少なくとも部分的な導入によって実施される。

【0199】

上述の中空構造体１２７において、丸みを帯びているのは２つの部分１３７ａ、１３７ｂのみであり、分配器流路１３４、コレクター流路１３６および冷却流路１３１は直線状に延びている。しかしながら、より複雑な中空構造１２７も、上述のレーザーアブレーション法の助けを借りて製造することができる。図１１ａ、ｂは、基板１２５におけるそのような中空構造１２７の一例を示しており、この中空構造１２７は、図８ａ、ｂに図示した中空構造１２７に実質的に対応している。中空構造１２７が図８ａ、ｂの中空構造１２７と異なる点は、冷却チャネル１３１が、図示の例では凸状に湾曲している表面１２５ａの曲率に追従する、わずかな曲率を有する点である。図１１ｂに示す例では、分配チャネル１３４に隣接するそれぞれの冷却チャネル１３１の端部１３１ａは、約１１５°の角度γで整列している。冷却流路１３１がＺＸ平面内に延びる曲率を有するにもかかわらず、丸め部１３１ａに隣接する端部１３１ａについて、角度γを規定する長手方向軸を規定することが可能である。図１１ａ、ｂには描かれていない第２の丸み付け部１３７ｂは、第１の丸み付け部１３７ａに対応する態様で具現化されることが理解される。それぞれの丸み除去部１３７ａ、ｂの曲率半径Ｒと直径Ｄとの間のＲ／Ｄ比は、典型的には、上述の値範囲にある。

【0200】

図１２ａ～ｄに示す基板１２５の場合、中空構造体１２７は、実質的に図８ａ、ｂに示す中空構造体１２７と同様に設計されているが、分配器チャネル１３４およびコレクタチャネル１３６が垂直方向に延びておらず、基板１２５の厚さ方向Ｚに対して約２５°の角度で整列している点で後者とは異なっている。図８ａ、ｂに示す中空構造体１２７と同様に、図１２ａ～ｄに示す中空構造体１２７は、それぞれの分配器チャネル１３４またはコレクタチャネル１３６と冷却チャネル１３１との間に、ここには描かれていない２つの丸み部１３７ａ、１３７ｂを有する。分配器流路１３４またはコレクタ流路１３６と冷却流路１３１との間の角度γは、この場合も９０°であるが、入口流路１３３の長手方向軸線とそれぞれの分配器流路１３４との間の角度γ’が約１１５°であることを示す図１２ｄから明らかなように、厚さ方向Ｚに対して約２５°傾斜した平面内を通る。

【0201】

図１２ａ～ｄに示す中空構造体１２７は、それぞれの分配器流路１３４の合流部１３４ｂが入口流路１３４、より正確には入口流路１３４の分岐部１３４ａに移行する箇所、またはそれぞれのコレクター流路１３６の合流部１３６ｂが出口流路１３５の分岐部１３５ａに移行する箇所に、丸め部１３８を有する。図示の例では、それぞれの丸め部１３８は、一定の直径または流路断面を有さず、代わりに、流路断面は、分岐部１３４ａを起点として減少する。また、丸め部１３８は、それぞれの分配流路１３４またはコレクター流路１３６とそれぞれの冷却流路１３１との間に延びる２つの湾曲部１３７ａ、ｂの場合と同様に、一定の曲率半径Ｒを有していない。したがって、直径Ｄに対する曲率半径Ｒの最適化された比率を指定することはできない。丸みを帯びた部分１３８は、上述のレーザーアブレーション法の助けを借りて製造することもできる。

【0202】

少なくとも１つの丸みを帯びた部分１３７ａ、ｂ、１３８を有する中空構造１２７は、上述の例に限定されるものではなく、原理的には、１つまたは複数のそのような部分を有する、他の、より複雑な中空構造１２７も、基板１２５を通って延在してもよいことが理解される。さらに、図１１ａ、ｂの文脈で説明したような曲率を有する冷却チャネル１３１だけでなく、むしろ、分配器チャネル１３４およびコレクタチャネル１３６もまた、湾曲して延びていてもよい。

【0203】

図１３Ａ、Ｂは、投影システム１０の一部である、図示の例ではモノリシック基板２２５を有するミラーＭ４のさらなる例を示している。図示の例では、基板２２５の材料は、熱膨張係数が非常に小さいチタンドープ溶融シリカである。基板２２５は、熱膨張係数ができるだけ小さい別の材料、例えばガラスセラミックから形成することもできる。

【0204】

反射コーティング２２６は、モノリシック基板２２５の表面２２５ａに塗布される。反射コーティング２２６内に位置する表面２２５ａの一部は、投影システム１０のＥＵＶ放射１６によって打たれ、ここには描かれていない反射コーティング２２６の光学的に使用される部分を形成する。ＥＵＶ放射１６を反射するために、反射コーティング２２６は、例えば、屈折率の異なる実数部を有する材料からなる複数の層対を有することができ、層は、例えば、ＥＵＶ放射１６の波長が１３．５ｎｍである。

【0205】

基板２２５は、流体２２８が流れることができる中空構造２２７を有し、後者は図示の例では水である。図１３Ａに矢印で示す流体２２８は、中空構造２２７の一部を形成する複数の冷却チャネル２３１を通って流れるように、側面の入口開口２２９から基板２２５内に入り、特に、反射コーティング２２６が施された基板２２５の表面２２５ａを冷却する。

【0206】

流体２２８を入口開口２２９に供給し、流体２２８を図１３ｃに図示されていない基板２２５の出口開口から除去するために、投影露光装置１は、図１に非常に概略的に描かれている冷却装置３２の形態の温度制御装置を備える。図示の例では、冷却装置３２は、冷却水の形態の流体２２８を中空構造２２７またはミラーＭ４に供給する役割を果たし、この目的のために、ここでは図示されていない供給ラインからなり、この供給ラインは、流体密閉式に入口開口２２９に接続されている。冷却装置３２はまた、基板２２５の出口開口部または中空構造体２２７から冷却水を除去するために、ここには描かれていない除去ラインも備えている。投影システム１０の他のミラーＭ１～Ｍ３、Ｍ５、Ｍ６および照明システム２のミラーもまた、冷却の目的で、冷却装置３２に接続されるか、あるいは任意に、この目的のために設けられたさらなる温度制御装置または冷却装置に接続される。

【0207】

図１３Ａから明らかなように、流体２２８は、入口開口２２９を介して中空構造２２７の第１のキャビティ２３３に入り、当該キャビティは、複数の冷却チャネル２３１のうちの１つに各々接続された複数の分配チャネル２３４が分岐する流体分配器を形成する。冷却流路２３１は、図示の例では平面である基板２２５の表面２２５ａから約２ｍｍ～約５ｍｍの距離Ａ’で配置され、表面２２５ａに平行に、すなわちＸＹＺ座標系のＸＹ平面に平行に延びる。冷却流路２３１は、直線状に延び、平行に整列し、基板２２５の表面２２５ａの、コーティング２２６によって覆われている部分のほぼ全体にわたって、長手方向、すなわちＹ方向に走る；図１３ｂを参照。冷却チャネル２３１から、流体２２８は、複数のコレクタチャネル２３６を経由して、図１３ｂに示す例では第２の円筒形キャビティ２３５として形成されている流体コレクタに流れる。流体２２８は、出口開口部２３０を介して基板２２５の中空構造２２７から出る。図示の例では、冷却チャネル２３１は、Ｘ方向に対応する水平方向に直線状に延び、分配チャネル２３４およびコレクタチャネル２３６は、Ｚ方向に対応する垂直方向に直線状に延びている。従って、冷却チャネル２３１の長手方向軸は、分配チャネル２３４およびコレクタチャネル２３６に対して９０°の角度で整列している。しかし、このような位置合わせは必須ではない。

【0208】

図１３Ａ－Ｃに示す中空構造体２２７を製造するために、以下の手順が実施される：最初に、流体分配器および流体コネクタを形成する２つの円筒形空洞２３３、２３５が、例えば研削または超音波研削などの機械的処理によって基板２２５の材料に導入される。その後、基板２２５は液槽、より正確には水槽に浸漬され、その結果、水の形態の流体２２８が入口開口部２２８から流体分配器の空洞２３３に入り、出口開口部２３０から流体コレクターの空洞２３５に入り、これらの空洞を満たす。流体２３８で満たされたそれぞれのキャビティ２３３、２３５から出発して、図１３ｃから明らかなように、キャビティ２３３、２３５に隣接する複数の短い流路部分２３７が多光子レーザーアブレーションによって生成される。

【0209】

チャネル部２３７を製造するために、複数のパルスレーザ光は、基板２２５の表面２２５ａから出発して、流体分配器を形成するキャビティ２３３の表面で基板２２５の材料を通して放射され、そこに集束される。したがって、キャビティ２３３の上面は、表面２２５ａの形態で放射入口側とは反対側の基板２２５の側面を形成する。それぞれの放射入射パルスレーザビームによって、焦点領域は、Ｚ方向に互いにオフセットされた複数の平行なアブレーション経路を有する移動パターンで移動され、基板２２５の厚さ方向Ｚに対して約４５°の角度で整列された除去前面２３０ａを形成する。放射されたレーザービームの焦点位置は、Ｚ方向において変更され、Ｚ方向におけるアブレーション経路のオフセットをもたらす。

【0210】

チャネル部２３７が始まるキャビティ２３３の表面上の点から出発して、除去前面２３０ａは、基板２２５の材料を切除するため、およびチャネル部２３７を形成するために、基板２２５に対して厚さ方向、すなわちＺ方向に複数回変位される。変位の間、除去前面２３０ａは静止したままであってもよく、除去前面２３０ａがキャビティ２３３の上側から約２０～４０ｍｍの距離を有するまで、基板２２５はＺ方向の下方に変位する。多光子レーザーアブレーションによって比較的長い長さを有するチャネル部２３７を製造するためには、以下でさらに詳細に説明するように、除去前面２３０ａを流体２２８で局所的に洗浄することが必要である。流体コレクタを形成するキャビティ２３５から始まるチャネルセクション２３７の製造は、多光子レーザーアブレーションによって対応する方法で実施される。この工程で形成される更なる除去前面２３０ｂは、同様に、基板２２５の厚さ方向またはＸＹ平面に対して約４５°に整列されるが、上述の除去前面２３０ａに対してＸＺ平面に対して鏡面される。

【0211】

図１３ａ、ｂに示す中空構造２２７を形成するために、基板２２５を液槽から取り出し、液体２２８をキャビティ２３３、２３５から除去する。残りの中空構造体２２７を製造するために、水の形態の液体２２８をそれぞれの除去フロント２３０ａ、２３０ｂに供給する流体供給装置２３８が使用され、これは図１３ｃに非常に概略的に描かれている。流体供給装置２３８は、２つの挿入部品２３９、２４０と、複数の可撓性流体ライン２４１とからなる。図示の例では、流体供給装置２３８は７本の流体ライン２４１から構成されている。流体ライン２４１は、流体供給装置２３８の流体供給装置２４３に接続されており、この流体供給装置２４３は、一般に数バールの圧力で可撓性流体ライン２４１内の流体２２８を圧送するポンプを有している。流体供給装置２４３はまた、中空構造２２７を形成するために除去前部２３０ａ、２３０ｂを基板２２５内で移動させる際に、可撓性流体ライン２４１の追跡、より正確には押し出しに役立つ追跡装置２４４を備える。一例として、追跡装置２４４は、それぞれの可撓性流体ライン２４１の一部が巻き取られるリール等から構成することができる。追跡のために、リールは、除去前面の移動速度に対応する一定の角速度で回転させることができる。追跡装置２４４はまた、異なるように形成されてもよいことが理解される。

【0212】

中空構造体２７７を製造するために、第１の棒状の円筒形の挿入部品２３９は、入口開口部２２９を通って第１のキャビティ２３３内に、当該挿入部品がその端面を第１のキャビティ２３３の端部に当てて静止するまで導入され、これにより盲孔が形成される。円周方向において、挿入部品２３９は、挿入部品２３９の側方表面２４５に形成される開口部２４６が、開口部２４６の数に対応する数のチャネルセクション２３７がキャビティ２３３から開始または分岐する、キャビティ２３３の壁上のそれらの位置に配置されるように位置合わせされる。円周方向における挿入部品２３９の位置合わせは、棒状の挿入部品２３９の端面２３９ａに横方向に突出した部分が設けられていることによっても実施することができ、図１３ｃを参照すると、この突出部分は、図１３ｂに破線で示されているように、舌部として機能し、基板２２５の側面の対応する形状の溝に係合する。

【0213】

可撓性流体ライン２４１をチャネルセクション２３７に導入するために、挿入部品２３９は、図示の例では７つのガイドチャネル２４７から構成されている。挿入部品２３９は、より多いまたはより少ない数のガイドチャネル２４７を有することもできることが理解される。図１３ｃに示された挿入部品２３９の端面２３９ａの平面図である図１４ａから明らかなように、ガイドチャネル２４７のうちの６つは、中央ガイドチャネル２４７の周りに配置されている。図１４ａ～ｃに示される例では、ガイドチャネル２４７は、挿入部品３９の直径Ｄ’（図示の例では約９ｍｍ）を規定する固形材料２４８に埋め込まれるか鋳造されたステンレス鋼パイプである。円筒形キャビティ２３３の直径Ｈ、より正確にはその内壁２３３ａの直径はわずかに大きく、約１０ｍｍである。それぞれのガイドチャネル２４７の内径ｄは約２ｍｍである。可撓性流体ライン２４１の内径Ｆは約１ｍｍである。

【0214】

図１４ａから明らかなように、それぞれの流体ライン２４１は、それぞれのガイドチャネル２４７の中心に延びている。リングギャップ２４９は、流体ライン２４１とそれぞれのガイドチャネル２４７の内壁２４７ａとの間に位置している。リングギャップ２４９は、可撓性流体ライン２４１を通ってそれぞれの除去フロント２３０ａ、２３０ｂに供給される流体２２８を戻す役割を果たす。戻された流体２２８は、挿入部品２３９の端面２３９ａから噴出し、そこから除去される。

【0215】

図１４ｂから明らかなように、挿入部品２３９のそれぞれのガイドチャネル２４７は、可撓性流体ライン２４１が棒状の挿入部品２３９の側方表面２４５のそれぞれの開口部２４６に現れることができるように、可撓性流体ライン２４１の整列を、挿入部品２３９の長手方向（Ｙ方向に対応する）に平行な方向からそれに垂直な方向に変更するための丸め部２５０を有する。丸みを帯びた部分２５０は、ガイドチャネル２４７を形成するそれぞれのステンレス鋼パイプを曲げることによって作られる。

【0216】

図１３ｃおよび図１４ｃから明らかなように、挿入部品２３９の側面２４５の開口部２４６は、挿入部品２３９の長手方向、すなわちＹ方向に対応する共通の線に沿って配置されている。これは、チャネル部２３７も同様に、キャビティ２３３の長手方向、すなわちＹ方向に対応する共通の線に沿って延びているため、通常必要なことである。側面２４５の隣接する開口部２４６間の距離Ａ ”は、基板２２５の２つの隣接するチャネル部２３７間の距離に対応する。チャネル部２３７と挿入部品２３９の側方表面の開口部２４６は、共通の線に沿って走ることが必須ではなく、むしろ、共通の線に沿ったこのような配置からの逸脱が可能である。

【0217】

側方表面２４５の開口部２４６を長手方向に互いに隣接して配置するためには、典型的には、ガイドチャネル２４７を異なる長さで設計し、湾曲部２５０を互いに対してねじる必要があるが、これは、付加製造法によって製造されたという点で、図１４ａ～ｃに示された挿入部品２３９とは異なる挿入部品２３９を示す図１５ａ、ｂから極めて明らかである。図１５ａ、ｂに示す挿入部品２３９は、円筒形の本体からなり、この本体には、積層造形中にガイドチャネル２４７が形成された。

【0218】

挿入部品２３９の側方表面２４５を越えて突出し、図１５ｂに図示されている流体ライン２４１の自由端は、流体供給装置２３８の動作中にチャネル部２３７内に突出する。図１３ｃに破線で図示された中空構造体２２７の部分を製造するために、既に形成された流路部分２３７の端面に、パルスレーザ放射による除去前面２３０ａ、２３０ｂが生成される。既に形成されたチャネル部２３７の端面は、放射入口側とは反対側であって、除去前面２３０ａ、２３０ｂが水平に延びる冷却チャネル２３１と水平になるまで基板２２５がＺ方向に下方に変位することによって基板２２５に対して相対的に移動される出発点である基板２２５の側面を形成する。あるいは、例えば、基板２２５自体は静止したまま、除去前面２３０ａを基板２２５内で移動させるために、放射されたパルスレーザ放射の焦点位置を、除去前面２３０ａに沿った全ての点で同じ値だけ上方にオフセットすることができる。

【0219】

水平な冷却チャネル２３１を形成するために、基板２２５の厚さ方向、すなわちＺ方向に対して、またはパルスレーザ放射の入射放射方向に対して約４５°に位置合わせされた除去フロント２３０ａは、冷却チャネル２３１のほぼ中央に位置するまで、冷却チャネル２３１の長手方向、すなわちＸ方向に変位される。この場合、基板２２５は典型的には静止しており、基板２２５にレーザ光を放射するための光学ユニットは、除去フロント２３０ａを水平方向に変位させるために、適切な方法で変位および移動される。

【0220】

ここには描かれていない更なる流体供給装置の更なる挿入部材を使用して、複数の７つのコレクタチャネル２３５が、典型的には、基板２２５が静止したまま、除去フロント２３０ｂの各点において、基板２２５が下方に変位されることによって、または放射されたパルスレーザ放射の焦点位置が一定値だけ上方に変位されることによって、多光子レーザアブレーションによって第２のキャビティ２３５から出発して同時に生成される。その後、基板２２５を静止させたまま、除去フロント２３０ｂをＹ方向に移動させる。つの除去前面２３０ａ、２３０ｂは、例えば約４００ｍｍの長さを有するそれぞれの冷却チャネル２３１のほぼ中央で重なり、その結果、連続冷却チャネル２３１が形成され、分配チャネル２３４によって、流体分配器として機能する第１のキャビティ２３３に接続され、コレクタチャネル２３６によって、流体コレクタとして機能する第２のキャビティ２３５に接続される。

【0221】

以上のようにして、７つの分配チャネル２３４、冷却チャネル２３１およびコレクタチャネル２３６を同時に製造することが可能であり、その結果、中空構造体２２７の製造に要する時間を大幅に短縮することができる。図１３ｃに図示された中空構造体２２７の残りの７つの分配チャネル２３４、冷却チャネル２３１およびコレクタチャネル２３６を製造するために、図１３ｃに図示された挿入部品２４０を使用することができ、この場合、流体ライン２４１の出現のための開口部２４６’は、第１の挿入部品２３９の開口部２４６に対してオフセットされる。第２の挿入部品２４０が第１のキャビティ２３３に挿入されることによって、７つの分配流路２３４、冷却流路２３１、およびコレクター流路２３６の第２のグループの製造は、第１のグループの製造と同様に実施される。

【0222】

図１３ｃに示されているのとは異なり、第２の挿入部品２４０は、第１の挿入部品２３９よりも短い長さを有していてもよいことが理解される。この場合、第２の挿入部品２４０を挿入する前に、例えば中実円筒形のスペーサをキャビティ２３３に導入し、挿入部品２４０を押し込むと、当該スペーサの端面に当接するようにしてもよい。あるいは、挿入部品２４０の端面に設けられた１つまたは複数の突出部は、ストッパとして機能してもよいし、キャビティ２３３への導入時に第２の挿入部品２４０の移動を制限するための静止面として機能してもよい。第２の挿入部品２４０の端面に取り付けられたストッパは、上述したように、第２の挿入部品２４０を円周方向に好適に位置合わせするために、舌片として機能し、基板２２５の外面に設けられた対応する溝に係合することもできる。

【0223】

図１３ｃに描かれているような複雑な中空構造体２２７の製造の範囲内で、同時に製造された複数の除去前面２３０ａ、２３０ｂは、上述の流体供給装置２３８の助けを借りて、可撓性流体ライン２４１によって自動化された方法で追跡することができる。このようにして、複数の構造体、例えば冷却流路２３１を同時に製造することができ、結果として、複雑な中空構造体２２７を製造する際の時間の大幅な節約または生産性の向上をもたらす。

【0224】

図６ａ～ｃの文脈で上述された流体供給装置５０は、例えば、図１３ｃ、図１４ａ～ｃおよび図１５ａ、ｂの文脈で説明された流体供給装置２３８として設計され得る。しかしながら、流体供給装置５０が、流体供給装置２３８の構成部分の一部、例えば流体供給装置２４３および任意選択で追跡装置２４４のみから構成されることも可能である。後者は、例えば、図６ａ～ｃの文脈で説明された可撓性チューブ５２の形態の少なくとも１つの可撓性流体ライン２４１による自動追跡のために使用され得る。

【0225】

本発明は、本明細書の一部を構成するが特許請求の範囲には含まれない以下の条項で定義される態様も含む。

【0226】

１．被加工物（２５）、特にＥＵＶミラー（Ｍ４）用基板に、パルスレーザ照射（３５）による材料除去加工によって中空構造（２８）を形成する方法であって、以下の工程を含む：

【0227】

パルスレーザ放射（３５）を、放射入口側（２７）から、パルスレーザ放射（３５）に対して透明な材料から形成されている被加工物（２５）に放射するステップと

【0228】

パルスレーザ放射（３５）を焦点領域（３９）に集光する、

【0229】

移動パターン（４１）の互いにオフセットされた軌道（４２）に沿って焦点領域（３９）を移動させることにより、ワークピース（２５）の材料を面的に除去するための除去フロント（４６）を形成するステップと

【0230】

被加工物（２５）の放射線入口側（２７）とは反対側の側（２９）から出発して、被加工物（２５）内で除去前部（４６）を移動させることにより、中空構造（２８）を製造する工程、

【0231】

特徴

【0232】

中空構造体（２８）の製造中に、被加工物（２５）の放射入口側（２７）においてパルスレーザ放射（３５）の入射放射方向（Ｚ）に対して垂直でない除去フロント（４６）が少なくとも断続的に形成される点である。

【0233】

２．ワークピース（２５）の放射入口側（２７）において、パルスレーザ放射（３５）の入射放射方向（Ｚ）に対して２０°から７０°の間、好ましくは３０°から６０°の間の角度（α）で整列された除去前面（４６）が、少なくとも断続的に形成される、条項１に記載の方法。

【0234】

３．入射放射方向（Ｚ）に対して垂直に整列していない除去前面（４６）を形成するために、焦点領域（３９）が入射放射方向（Ｚ）においてオフセットしていることによって、移動パターン（４１）の軌道（４２）が入射放射方向（Ｚ）において互いにオフセットしている、条項１または２に記載の方法。

【0235】

４．移動パターン（４１）の相互にオフセットされた軌道（４２）のパルスレーザ放射（３５）のパルスエネルギー（Ｅ_Ｐ ）が、入射放射方向（Ｚ）に対して垂直に整列されていない除去フロント（４６）を形成するように変更され、焦点領域（３９）が、好ましくは、入射放射方向（Ｚ）に対して垂直な平面（ＦＥ）内で移動される、先行する条項のいずれか１つに記載の方法。

【0236】

５．好ましくは放射線入射側（２７）に対して実質的に平行に延びる中空構造（２８）の断面（２８ｂ）を形成するために、中空構造（２８）の製造中に、除去前面（４６）がワークピース内で入射放射線方向（Ｚ）に対して横方向の移動方向（－Ｘ）に少なくとも断続的に移動される、先行する条項のいずれか１つに記載の方法、放射線入射側（２７）に近い方の端部（４６ａ）の除去フロント（４６）は、入射放射線方向（Ｚ）に対して横方向に移動するとき、好ましくは移動方向（－Ｘ）に対して９０°未満、好ましくは７０°未満の角度（β）で整列される。

【0237】

６．入射放射線方向（Ｚ）に実質的に平行に延びる中空構造体（２８）のセクション（２８ａ）を製造するために、中空構造体（２８）の製造中に、除去フロント（４６）が入射放射線方向（Ｚ）に実質的に平行な方法で少なくとも断続的に移動される、先行する条項のいずれか１つに記載の方法、入射放射線方向（Ｚ）に対して実質的に平行に延びる中空構造（２８）のさらなる断面（２８ｃ）を製造するために、好ましくは、放射線入射側（２７）とは反対側であるワークピース（２５）の側（２９）から開始する。

【0238】

７．中空構造体（２８）の第１のセクション（２８ａ、２８ｃ）および中空構造体（２８）の第２の隣接するセクション（２８ｂ）が製造され、これらの長手方向（Ｘ、Ｚ）が、７０°から１００°の間の角度（γ）、好ましくは９０°の角度（γ）で互いに対して整列される、先行する条項のいずれか１つに記載の方法。

【0239】

８．第７項に記載の方法であって、中空構造体（２８）の製造中に、丸め部（２８ｄ、２８ｅ）が形成され、第１部分（２８ａ、２８ｃ）と第２部分（２８ｂ）とが、前記丸め部において互いに合体する、方法。

【0240】

９．中空構造体（２８）が製造されるとき、除去前面（４６）が流体（３２ｂ）と接触させられ、流体（３２ｂ）は、除去前面（４６）が放射線入口側（２７）から遠いワークピース（２５）の側面（２９）から出発して移動させられるとき、好ましくは可撓性チューブ（５２）によって除去前面（４６）を追跡する、先行する条項のいずれか１つに記載の方法。

【0241】

１０．除去フロント（４６）を移動させるためにワークピースを変位させる、前記条項のいずれか１項に記載の方法。

【0242】

１１．除去前面（４６）を形成するために、焦点領域（３９）がスキャナ光学ユニット（３６）によって移動パターン（４１）の互いにオフセットされた軌道（４２）に沿って移動される、先行する条項のいずれか１つに記載の方法。

【0243】

１２．基板（２５）がモノリシックであり、チタンをドープした溶融シリカまたはガラスセラミックからなる、前記条項のいずれか１項に記載の方法。

【0244】

１３．ＥＵＶミラー（Ｍ４）：基板（２５）、基板（２５）に塗布され、ＥＵＶ放射（１６）を反射するコーティング（２６）、特徴

【0245】

基板（２５）が、前記条項のいずれか１つに記載の方法を用いて製造された少なくとも１つの中空構造（２８）を備えるという点である。

【0246】

１４．ＥＵＶリソグラフィシステム（１）であって、第１３項に記載の少なくとも１つのＥＵＶミラー（Ｍ４）と、冷却流体（３２ａ）が少なくとも１つの中空構造（２８）を流れるように設計された冷却装置（３２）と、を備える。

【0247】

１５．ワークピース（２５）、特にＥＵＶミラー（Ｍ４）用の基板に少なくとも１つの中空構造（２８）を製造するための装置（３３）であって、以下のものを含む：

【0248】

パルスレーザ放射（３５）を生成するレーザー光源（３４）、

【0249】

レーザー放射（３５）を焦点領域（３９）に集光する集光装置（３７）、

【0250】

ワークピース（２５）を受けるためのホルダ（４４）、

【0251】

パルスレーザ放射（３５）を、ホルダ（４４）によって受け止められたワークピース（２５）の放射入口側（２７）に放射し、ワークピース（２５）の材料を面的に除去するための除去フロント（４６）を形成するために、移動パターン（４１）の互いにオフセットされた軌道（４２）に沿って焦点領域（３９）を移動させるように設計されたスキャナ光学ユニット（３６）と

【0252】

中空構造体（２８）を製造するために、被加工物（２５）の放射線入口側（２７）とは反対側の側（２９）から出発して、被加工物（２５）内で除去フロント（４６）を移動させるための位置決め装置（４３）と

【0253】

特徴

【0254】

装置（３３）は、ホルダ（４４）によって受けられるワークピース（２５）において、パルスレーザ放射（３５）の入射放射方向（Ｚ）に対して垂直でない除去フロント（４６）を形成するように設計されている点である。

【0255】

１６．入射放射方向（Ｚ）においてパルスレーザ放射（３５）の焦点領域（３９）をオフセットするための焦点オフセット装置（４７）と、をさらに備える、条項１５に記載の装置。

【0256】

入射放射方向（Ｚ）に対して垂直でない除去前面（４６）を形成するために、入射放射方向（Ｚ）において移動パターン（４１）の軌道（４２）を互いに対してオフセットするようにフォーカスオフセット装置（４７）を制御するように設計された制御装置（４８）と

【0257】

１７．さらに以下を含む、条項１５または１６に記載の装置：

【0258】

入射放射方向（Ｚ）に対して垂直でない除去フロント（４６）を形成するために、移動パターン（４１）の互いにオフセットされた軌道（４２）のパルスレーザ放射（３５）のパルスエネルギー（Ｅ_Ｐ ）を変更するようにレーザ源（３４）を制御するように設計された制御装置（４８）と、を備える。

【0259】

１８．位置決め装置（４３）が、入射放射線方向（Ｚ）に、好ましくは入射放射線方向（Ｚ）に対して横方向の少なくとも１つの方向（Ｘ、Ｙ）に、ワークピース（２５）を変位させるように設計されている、条項１５から１７のいずれか１項に記載の装置。

【0260】

１９．さらに以下を含む、条項１５から１８のいずれか一項に記載の装置：

【0261】

流体（３２ｂ）を除去前面（４６）に供給するように設計された流体供給部（５０）であって、好ましくは、除去前面（４６）が、放射線の入射側（２７）とは反対側であるワークピース（２５）の側面（２９）から出発して移動されるときに、流体（３２ｂ）によって追跡されるための可撓性チューブ（５２）を有する、流体供給部（５０）と、を備える。

【0262】

２０．放射線を反射する光学素子（Ｍ４）、特にＥＵＶ放射線を反射する光学素子（１６）：

【0263】

モノリシック基板（２５）、

【0264】

モノリシック基板（２５）の表面（２５ａ）に塗布される反射コーティング（２６）と

【0265】

モノリシック基板（２５）内に延在し、そこを流体（２８）が流れるように設計された少なくとも１つの中空構造（２７）であって、中空構造（２７）は、第１のセクション（３１ａ、３１ｂ；３４ｂ、３６ｂ）と第２の隣接セクション（３４ａ、３６ａ；３３ａ、３５ａ）を有し、これらは互いに対して６０°から１２０°の間の角度（γ、γ’）、好ましくは８０°から１００°の間の角度（γ、γ’）、特に９０°の角度（γ、γ’）で整列している、

【0266】

特徴

【0267】

中空構造体（２７）が丸みを帯びた部分（３７ａ、３７ｂ、３８）を有し、その部分で第一の部分（３１ａ、３１ｂ；３４ｂ、３６ｂ）と第二の部分（３４ａ、３６ａ；３３ａ、３５ａ）が互いに合体する。

【0268】

２１．丸め部（３７ａ、３７ｂ）の曲率半径Ｒと丸め部（３７ａ、３７ｂ）の直径Ｄとの間のＲ／Ｄ比が、２～６、好ましくは２．５～５、特に２．５～３．５である、条項２０に記載の光学素子。

【0269】

２２．丸め部（３７ａ、３７ｂ）の直径Ｄが、２ｍｍ以上２０ｍｍ以下、好ましくは２ｍｍ以上１２ｍｍ以下である、第２０項または第２１項に記載の光学素子。

【0270】

２３．中空構造（２７）が、反射コーティング（２６）が塗布された表面（２５ａ）の下方に延びる複数の冷却チャネル（３１）を備え、中空構造（２７）が、分配チャネル（３４）を介して冷却チャネル（３１）に接続された流体分配器（３３）と、コレクタチャネル（３６）を介して冷却チャネル（３１）に接続された流体コレクタ（３５）とを備える、条項２０から２２のいずれか一項に記載の光学素子。

【0271】

２４．第１セクションが、分配器チャネル（３４）に隣接する冷却チャネル（３１）の端部セクション（３１ａ）を形成し、第２セクションが、端部セクション（３１ａ）に隣接する分配器チャネルセクション（３４ａ）を形成する、及び／又は、第１セクションが、コレクタチャネル（３６）に隣接する冷却チャネル（３１）の端部セクション（３１ｂ）を形成し、第２セクションが、端部セクション（３１ｂ）に隣接するコレクタチャネルセクション（３６ａ）を形成する、条項２３に記載の光学素子。

【0272】

２５．流体分配器が入口チャネル（３３）を形成し、そこから分配器チャネル（３４）が分岐し、および／または流体コレクタが出口チャネル（３５）を形成し、そこからコレクタチャネル（３６）が分岐する、条項２３または２４に記載の光学素子。

【0273】

２６．第１のセクションが、入口チャネル（３３）に隣接する分配チャネル（３４）の合流セクション（３４ｂ）を形成し、第２のセクションが、合流セクション（３４ｂ）に隣接する入口チャネル（３３）の分岐セクション（３３ａ）を形成する、及び／又は、第１のセクションが、出口チャネル（３５）に隣接するコレクタチャネル（３６）の合流セクション（３６ｂ）を形成し、第２のセクションが、コレクタチャネル（３６）の合流セクション（３６ｂ）に隣接する出口チャネル（３５）の分岐セクション（３５ａ）を形成する、第２５項に記載の光学素子。

【0274】

２７．入口流路（３３）の分岐部（３３ａ）と分配器流路（３４）の合流部（３４ｂ）との間の角度（γ’）が９０°より大きく、好ましくは１００°より大きく、及び／又は出口流路（３５）の分岐部とコレクタ流路（３５）の合流部（３６ｂ）との間の角度（γ’）が９０°より大きく、好ましくは１００°より大きい、第２６項に記載の光学素子。

【0275】

２８．基板（２５）の材料が、溶融シリカ、特にチタンドープ溶融シリカ、およびガラスセラミックからなる群から選択される、第２０項から第２７項までのいずれか１項に記載の光学素子。

【0276】

２９．光学配置、特にＥＵＶリソグラフィシステム（１）：

【0277】

第２０項から第２８項までのいずれか１項に記載の少なくとも１つの光学素子（Ｍ４）と

【0278】

温度制御装置、特に冷却装置（３２）は、流体（２８）が少なくとも１つの中空構造（２７）を流れるように設計されている。

【0279】

３０．ＥＵＶミラー（Ｍ４）用の特にモノリシック基板（２５）から、好ましくは多光子レーザアブレーションによって被加工物から材料を除去する際に、少なくとも１つのアブレーションフロント（３０ａ、３０ｂ）に流体（２８）を供給するための流体供給装置（３８）であって、以下のものを含む：

【0280】

流体（２８）を少なくとも１つのアブレーションフロント（３０ａ、３０ｂ）に供給するための、少なくとも１つの可撓性流体ライン（４１）、好ましくは複数の可撓性流体ライン（４１）と

【0281】

ワークピース（２５）のキャビティ（３３、３５）に挿入するための少なくとも１つの挿入部品（３９、４０）であって、流体（２８）を少なくとも１つのアブレーションフロント（３０ａ、３０ｂ）に供給するために、少なくとも１つの可撓性流体ライン（４１）が案内される少なくとも１つの案内チャネル（４７）を有する挿入部品（３９、４０）。

【0282】

３１．挿入部品（３９、４０）が、可撓性流体ライン（４１）が各場合に案内される複数の案内チャネル（４７）を有する、第３０項に記載の流体供給装置。

【0283】

３２．流体（２８）をアブレーションフロント（３０ａ、３０ｂ）から戻すために、流体が流れることができる隙間、特にリング隙間（４９）が、流体ライン（４１）とガイドチャネル（４７）のチャネル壁（４７ａ）との間に形成されている、条項３０または３１に記載の流体供給装置。

【0284】

３３．案内流路（４７）が、可撓性流体ライン（４１）の方向を変更するための少なくとも１つの丸め部（５０）を有する、条項３０から３２のいずれか１項に記載の流体供給装置。

【0285】

３４．挿入部品（３９、４０）が棒状であり、ガイドチャネル（４７）が挿入部品（３９）の端面（４８）から挿入部品（３９）の側方表面（４５）まで延びている、条項３０から３３のいずれか１項に記載の流体供給装置。

【0286】

３５．第３４項に記載の流体供給装置であって、ガイドチャネル（４１）は、挿入部品（３９）の側方表面（４５）において開口部（４６）に合流し、開口部は、好ましくは、挿入部品（３９）の長手方向（Ｙ）において互いに隣接して配置され、特に、挿入部品（３９）の長手方向（Ｙ）において互いに等しい距離（Ａ）に配置されている、流体供給装置。

【0287】

３６．棒状の挿入部品（３９）が円筒形を有し、好ましくは５ｍｍから１０ｍｍの間の直径（Ｄ）を有する、条項３４または３５に記載の流体供給装置。

【0288】

３７．少なくとも１つのガイドチャネル（４７）が、１ｍｍ～４ｍｍの直径（ｄ）を有する、条項３０から３６のいずれか１項に記載の流体供給装置。

【0289】

３８．少なくとも１つの流体ライン（４１）が１ｍｍ以下の外径（Ｆ）を有する、条項３０から３７のいずれか１項に記載の流体供給装置。

【0290】

３９．流体（２８）を少なくとも１つの可撓性流体ライン（４１）に供給するための流体供給装置（４３）をさらに備える、条項３０から３８のいずれか１項に記載の流体供給装置。

【0291】

４０．ワークピース（２５）の材料中のアブレーションフロント（３０ａ、３０ｂ）の移動を少なくとも１つの可撓性流体ライン（４１）によって自動追跡するための少なくとも１つの追跡装置（４４）をさらに備える、条項３０から３９のいずれか１項に記載の流体供給装置。

【0292】

４１．多光子レーザーアブレーションの方法で被加工物から、特にＥＵＶミラー（Ｍ４）用の好ましくはモノリシック基板（２５）から材料を除去する際に、第３０項から第４０項までのいずれか１項に記載の流体供給装置（３８）によって流体（２８）を少なくとも１つのアブレーションフロント（３０ａ、３０ｂ）に供給するための方法であって、以下を含む方法：

【0293】

挿入部品（３９、４０）をワークピース（２５）のキャビティ（３３、３５）に挿入するステップと

【0294】

流体（２８）を、挿入部品（３９、４０）の少なくとも１つのガイドチャネル（４７）に案内される少なくとも１つの可撓性流体ライン（４１）を介して、少なくとも１つのアブレーションフロント（３０ａ、３０ｂ）に供給する。

【0295】

４２．挿入部品（３９、４０）の挿入の前に、キャビティ（３３、３５）が流体（２８）で満たされ、キャビティ（３３、３５）に隣接する複数のチャネルセクション（３７）が、流体（２８）で満たされたキャビティ（３３、３５）から始まる多光子レーザーアブレーションによって形成される、第４１項による方法。

【0296】

４３．挿入部品（３９、４０）のキャビティ（３３、３５）への挿入に続いて、複数のアブレーション前線（３０ａ、３０ｂ）が、チャネルセクション（３７）から出発して生成され、複数のチャネル（３１、３４、３５）を形成するために、被加工物（２５）の材料内で移動され、複数の可撓性流体ライン（４１）が、被加工物（２５）の材料内でのアブレーション前線（３０ａ、３０ｂ）の移動を追跡する、第４２項による方法。

【図1】

【図2a】

【図2b】

【図3】

【図4a】

【図4b】

【図4c】

【図5a】

【図5b】

【図6a】

【図6b】

【図6c】

【図7a】

【図7b】

【図7c】

【図8a】

【図8b】

【図9a-9d】

【図10a-10d】

【図11a】

【図11b】

【図12a】

【図12b】

【図12c】

【図12d】

【図13a】

【図13b】

【図13c】

【図14a】

【図14b】

【図14c】

【図15a】

【図15b】

【誤訳訂正書】

【提出日】2024-09-06

【誤訳訂正1】

【訂正対象書類名】明細書

【訂正対象項目名】全文

【訂正方法】変更

【訂正の内容】

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、パルスレーザ放射による材料除去加工により、好ましくはミラー用、特にＥＵＶミラー用の基板の形態の被加工物に少なくとも１つの中空構造を形成するための方法であって、パルスレーザ放射に対して透明な材料から形成された被加工物に放射線入射側からパルスレーザ放射を放射するステップと、パルスレーザ放射を焦点領域に集光するステップと、焦点領域を移動パターンに沿って移動させることにより、被加工物の材料の面状除去のための除去フロントを作製するステップと、除去フロントを被加工物内で移動させることにより、中空構造を作製するステップとを含む方法に関する。本発明は、好ましくはミラー用、特にＥＵＶミラー用の基板の形態の被加工物に流路の形態の中空構造を作製する方法にも関する。本発明は、ミラー、特にＥＵＶミラー、及び少なくとも１つの上記ＥＵＶミラーを有するＥＵＶリソグラフィシステムにも関する。

【0002】

本発明はさらに、好ましくはミラー用、特にＥＵＶミラー用の基板の形態の被加工物に少なくとも１つの中空構造、特に少なくとも１つの流路を形成する装置であって、パルスレーザ放射を生成するレーザ源と、被加工物を収容するホルダと、レーザ放射を焦点領域に集光する集光装置と、ホルダに収容された被加工物の放射線入射側にパルスレーザ放射を放射し、焦点領域を移動させるよう設計されたスキャナ光学ユニットとを備えた装置に関する。

【0003】

本発明は、被加工物から、好ましくはＥＵＶミラー用の特にモノリシック基板からの、レーザアブレーション、特に多光子レーザアブレーションによる材料の除去時に、少なくとも１つの除去フロントに流体を供給する流体供給装置にも関する。本発明は、少なくとも１つの除去フロントに流体を供給する方法にも関する。

【背景技術】

【0004】

本願において、ＥＵＶリソグラフィシステムとは、ＥＵＶリソグラフィ分野で使用可能な光学系を意味すると理解される。半導体コンポーネントの形成に使用されるＥＵＶリソグラフィ用投影露光装置に加えて、リソグラフィシステムは、例えば、以下ではレチクルとも称するこうした投影露光装置で使用されるフォトマスクの検査用の検査システム、以下ではウェハとも称する構造化される半導体基板の検査用の検査システム、又はＥＵＶリソグラフィ用投影露光装置若しくはその部品の測定に、例えば投影光学ユニットの測定に使用される計測システムであり得る。

【0005】

形成される半導体コンポーネントの構造幅をできる限り小さくするために、ＥＵＶリソグラフィ装置としても知られる最先端の投影露光装置が、ＥＵＶ波長域としても知られる極端紫外線波長域の、すなわち約５ｎｍ～約３０ｎｍの範囲の動作波長用に設計されている。短波長放射なので、ＥＵＶミラーとしても知られるコーティングされたミラーがビーム誘導及び集光に使用され、当該ミラーは、熱膨張係数が非常に小さい材料からなる基板を含む。例として、基板材料は、熱膨張係数が非常に小さいチタンドープ石英ガラスとすることができる。露光ウェハの形成時の生産性は、ＥＵＶ放射の生成に使用されるＥＵＶ光源の出力に大きく依存する。しかしながら、ＥＵＶミラーに入射する放射線のパワーが大きいと、当該ＥＵＶミラーへの熱負荷が増大する。熱膨張係数が極めて小さいにもかかわらず、基板に導入される熱出力は、高精度のミラー表面の形状偏差につながる。生産性の向上と、その結果さらに強力なＥＵＶ光源の要求とを満たすために、ＥＵＶミラーの能動的な冷却が行われ得る。

【0006】

効率的な方法が、基板を冷却するために液体、例えば水が流れる内部流路の形態の体積冷却により提供され、こうした理由で、これらの流路を以下では冷却流路とも称する。液体が流れることができる流路は、周方向に閉鎖された細長い空洞を形成し、この空洞は分岐点を有さず、流路の第１端と第２端との間に延びる。一方又は両方の端において、流路は、基板の体積内に位置付けられたさらなる中空構造に合流し得る。流路の一端又は両端が基板の外側に開口することも可能である。この状況での課題は、概して約１ｍｍを超える比較的大きな直径を有し、ＥＵＶ放射を反射するための反射コーティングを塗布される基板の表面から通常は深さ約１０ｍｍ以下の小さな距離に延びる、基板の体積内の冷却流路の形態で、中空構造を実現することにある。

【0007】

冷却液の供給及び除去を行うために、通常は、ＥＵＶ放射を照射されるミラーの表面に実質的に平行な向きの冷却流路に、例えば基板の裏側に接続され得る屈曲した前進流路及び戻り流路を備える必要がある。

【0008】

中空構造を形成する１つの手法は、レーザ放射を用いた材料加工にある。この場合、被加工材料は適度に高いパルス強度により損傷を受ける。石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、又はチタンドープ石英ガラス等の従来のガラスは、可視～近赤外域の波長のレーザ放射に対して透明である。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0009】

本発明の目的は、被加工物、好ましくはミラー用、特にＥＵＶミラー用の基板において、複雑な形状、特に湾曲及び／又は屈曲形状を有する中空構造の形成を可能にする方法及び装置を提供することである。本発明のさらに別の目的は、このような中空構造を含むミラー、特にＥＵＶミラー、及びＥＵＶリソグラフィ装置を提供することである。本発明のさらに別の目的は、流体が中空構造を流れる際に生じる流動励起振動が低減されるミラー、特にＥＵＶミラーを提供することである。本発明のさらに別の目的は、複雑な中空構造を形成する場合でも、少なくとも１つの除去フロントへの流体供給を可能にする流体供給装置及び方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0010】

本発明の第１態様では、この目的は、前述のタイプの方法であって、流体、特に冷却流体が流れることができる流路の形態で作製されることが好ましい中空構造を形成するために、被加工物の放射線入射側でパルスレーザ放射の入射放射線方向に対して垂直に向いていない除去フロントを少なくとも断続的に形成する方法により達成される。流体は、加熱又は冷却に用いられる温度制御媒体とすることができる。概して、流体は液体だが、ガスである場合もある。

【0011】

本願において、用語「アブレーションフロント」は、用語「除去フロント」と同義に用いられる。被加工物の材料は、除去フロントで除去される。除去フロントは、被加工物の材料と中空構造の形成済みの部分との間の界面を形成する。中空構造の形成済みの部分の側面は、除去フロントに隣接しており、より正確には除去フロントの縁輪郭である。

【0012】

本発明者らの認識では、アンダカットを有する、例えば湾曲又は屈曲形状を有する中空構造の形成の利点は、除去フロントが、少なくとも断続的に、被加工物の放射線入射側でパルスレーザ放射の入射放射線方向に対して垂直に向けられるのではなく、除去フロントが傾斜し、入射放射線方向に対して９０°以外の角度、すなわち０°～８９°の角度に向けられることである。

【0013】

概して、傾斜した除去フロントは、入射放射線方向に対して傾斜した平面内に延びるが、原理上は、除去フロントが平面でなく、平面形状から逸脱することも可能である。この場合、除去フロントがパルスレーザ放射の入射放射線方向に対して向けられる角度は、除去フロントの等価平面に対する角度であると理解される。等価平面とは、除去フロントの全ての点からできる限り小さい距離を有する平面である。等価平面は、従来の通常最小二乗（ＯＬＳ）法により求められる。特に、除去フロントは、面状又は平面形状からのずれを極僅かにすることができ、例えば小さな段差部の形態で平面形状に近似し得る。

【0014】

入射放射線方向は、パルスレーザ放射が放射線入射側に入射する方向を意味すると理解される。それぞれの焦点位置に集光されたパルスレーザ放射は、通常は伝搬方向が入射放射線方向に対応するレーザビームである。パルスレーザ放射が被加工物の放射線入射側に垂直に放射されない場合、被加工物の材料中のパルスレーザ放射線の伝播方向は、屈折により被加工物における入射放射線方向と異なる。

【0015】

被加工物の放射線入射側へのパルスレーザ放射の入射放射線方向は、除去フロントの形成時には略一定である。パルスレーザの入射放射線方向が除去フロントの形成中に変化する場合、入射放射線方向は、移動パターンの軌道に沿った全ての焦点位置における放射線入射側での入射放射線方向の算術平均を意味すると理解される。

【0016】

概して、被加工物の厚さ方向は、被加工物におけるパルスレーザ放射の入射放射線方向に実質的に平行である。厚さ方向は、パルスレーザ放射が放射線入射側を通過する位置における放射線入射側の法線方向に対応する。パルスレーザ放射が被加工物に入射する放射線入射側は、入射放射線方向に対して実質的に垂直に向いた略平面であり得る。しかしながら、放射入射側が曲面、例えば、球面状の曲面、非球面状の曲面、又は自由曲面を形成することも可能である。しかしながら、曲面状のミラー面を形成するために、中空構造又は中空構造の形成後でも、例えば平面状の放射線入射側を機械的に又は他の方法で加工することができる。パルスレーザ放射が放射線入射側に非垂直に入射することも可能である。

【0017】

アンダカットを有する中空構造を形成することが意図される場合、除去フロントは、少なくともアンダカットの作製中に、入射放射線方向に対して９０°以外の角度、すなわち０°～８９°の角度に向けられ得る。例として、このような向きは、長手方向軸が放射線入射側に実質的に平行である中空構造の部分を形成することが意図される場合に有利である。当然ながら、除去フロントは、入射放射線方向に対して、９０°以外の角度に向けることもでき、この角度は一定であるか、又は場合によっては中空構造全体の作製中に被加工物内の除去フロントの位置に応じて変わる。除去フロントの角度は、連続的にゆっくりと変化させるべきであり、すなわち、直接連続して形成される２つの除去フロント間の差角は小さくすべきである。

【0018】

被加工物の材料の除去は、通常は照射されるレーザ放射の多光子吸収により引き起こされるので、除去プロセスは多光子レーザアブレーションとも称する。多光子吸収は、以下に詳述するように、被加工物の材料中、及び／又は材料の除去中に除去フロントと接触する流体、通常は液体中で起こり得る。他の化学的プロセス及び／又は物理的プロセスも、材料除去をもたらし得る。照射されるレーザ放射のパラメータは、材料除去をもたらすべき各プロセスに適合され得るか又は各プロセスに最適化され得る。

【0019】

中空構造は、流体、特に冷却流体が流れることができる湾曲した流路の形態で作製されることが好ましい。さらに上述したように、特にアンダカットが設けられた中空構造、例えば、流体が流れることができる湾曲した流路の形態の中空構造は、さらに上述した方法によって形成され得る。

【0020】

変形形態では、パルスレーザ放射が被加工物の材料から最初に出るのは、除去フロントの領域である。この変形形態では、パルスレーザ放射は、被加工物の放射線入射側と除去フロントとの間の被加工物の材料内を伝播し、すなわち、放射線入射側と除去フロントとの間に空洞はない。

【0021】

この変形形態の発展形態では、パルスレーザ放射は、被加工物の材料から出た後に被加工物の材料に再入射する。これは、通常は入射放射線方向に平行に延びない中空構造の部分を形成することが意図される場合である。この場合、各焦点領域において被加工物の材料により完全に吸収されなかったパルスレーザ放射線の一部が入射する被加工物の材料は、除去フロントのうちパルスレーザ放射線の入射放射線方向で放射線入射面から遠い側に存在する。

【0022】

さらに別の変形形態では、被加工物内の除去フロントを、被加工物の放射線入射側への方向に少なくとも断続的に移動させる。入射放射線方向に平行に延びる中空構造の部分が形成され場合、被加工物の放射線入射側への方向への除去フロントの移動は、入射放射線方向に平行であり得る。しかしながら、例えば、中空構造の屈曲又は湾曲部が形成される場合、放射線入射側への方向の除去フロントの移動を、それに垂直な方向の移動と重畳せることも可能である。

【0023】

さらに別の変形形態では、被加工物内での除去フロントの移動時に、被加工物の材料は、被加工物の放射線入射側から遠い除去フロントの縁の側面に少なくとも断続的に隣接する。さらに上述したように、これは、通常は入射放射線方向に平行に延びない中空構造の部分を形成することが意図される場合である。

【0024】

さらに別の変形形態では、除去フロントを、被加工物の放射線入射側とは反対の側から始めて移動させる。被加工物の放射線入射側とは反対の除去フロントが始まる側は、概してビーム入射側に実質的に平行に向けられる被加工物の裏側であり得る。しかしながら、被加工物のうち除去フロントが始まる側は、被加工物の体積内に位置する面でもあり得る。例として、これは、被加工物に既に中空構造が存在し、本方法により形成される中空構造が、既に形成された中空構造からできる場合であり得る。被加工物の体積内に既に存在する中空構造は、本明細書に記載の方法を用いて形成されたものであり得るが、原則として、この中空構造が、例えば機械的研磨法等の異なる材料除去法を用いて形成されたものである可能性もある。

【0025】

一変形形態では、入射放射線方向に対して０°～８９°、好ましくは０°～８０°、特に好ましくは２０°～７０°、特に３０°～６０°の角度を向いた除去フロントが、少なくとも断続的に形成される。さらに上述したように、除去フロントのこのような向きにより、除去フロントの下方に位置する被加工物の体積領域への材料改質の導入が防止又は低減され、したがって、中空構造の形成時に被加工物材料に導入される応力が著しく低減される。

【0026】

さらに別の変形形態では、焦点領域は、移動パターンの相互にオフセットした軌道に沿って移動される。ここに記載の方法では、移動パターンの軌道は、好ましくは相互に平行な向きで直線状に延びる。例として、隣接する軌道間の距離は約０．０１ｍｍ～０．５ｍｍとすることができる。しかしながら、このような向きは必須ではなく、すなわち、移動パターンの軌道は、任意選択で、同心円状の輪郭の形態で、例えば同心円の形態で、又は任意の他の方法で配列されてもよい。移動パターンの断面形状又は除去フロントの移動方向に垂直な平面へのその投影は、中空構造の断面形状に対応する。原則として、中空構造の断面形状は所望に応じたものであり、例えば円形、楕円形、多角形等であり得る。被加工物内の除去フロントの位置に応じた移動パターンの空間的広がりを変更により、除去フロントの移動時に中空構造の断面の直径を特定の範囲内で変更することもできる。

【0027】

一変形形態では、入射放射線方向に対して垂直に向いていない除去フロントを形成するために、焦点領域を正又は負の入射放射線方向に又は入射放射線方向に沿ってオフセットさせることにより、移動パターンの軌道は相互にオフセットさせる。この変形形態では、移動パターンの軌道は、通常は直線状に延び、相互に平行に向けられる。ここに記載の変形形態の場合、移動パターンの個々の軌道は、入射放射線方向に対して斜めの除去フロントを発生させるために、入射放射線方向に沿って相互にオフセットされる。ある方向、例えばＺ方向の移動は、その方向に沿った、又はその方向に平行な移動を意味すると理解され、方向の符号（＋Ｚ、－Ｚ）は考慮されない。

【0028】

この変形形態の最も単純な場合では、焦点範囲は、移動パターンの外側縁の軌道から始めて隣接する軌道に進む毎に、入射放射線方向に一定の絶対値だけオフセットされる。例として、ダイナミックズームレンズを用いて、入射放射線方向に焦点範囲をオフセットすることができる。

【0029】

この変形形態では、傾斜した除去フロントを、ダイナミックズームレンズを有するスキャナ光学ユニットによる入射放射線方向の焦点範囲のオフセットと組み合わせた移動パターンの高速走査により形成する。被加工物内で除去フロントを移動させるために、通常は走査移動に比べて遅い被加工物の移動が、走査移動に重畳される。代替として、固定された被加工物の場合、スキャナ光学ユニットの走査野内の移動パターンの場所の変更により、除去フロントを移動させることができる。中空構造の第１部分を形成する目的で、被加工物の移動により除去フロントの位置を修正し、中空構造の第２部分を形成する目的で、走査野内の移動パターンの位置を修正することにより、被加工物内で除去フロントを移動させることが可能である。

【0030】

さらに別の変形形態では、移動パターンの相互にオフセットした軌道におけるパルスレーザ放射のパルスエネルギーは、入射放射線方向に対して垂直に向いていない除去フロントを形成するよう変更され、焦点領域は、入射放射線方向に対して垂直な平面内で移動させることが好ましい。入射放射線方向に焦点領域のオフセットを生じさせる代替として又はそれに加えて、相互にオフセットした軌道におけるパルスレーザ放射のパルスエネルギーも変更することができる。この場合のパルスエネルギーは、移動パターンの第１外側縁の軌道から始めて、移動パターンの反対側の第２縁の軌道まで通常は連続的に増加又は減少させる。例として、パルスレーザ放射を生成するためのレーザ源に作用し、１μｓ未満程度の応答時間を有する音響光学変調器又は電気光学変調器を用いて、パルスエネルギーの高速調整を達成することができる。

【0031】

概して、ここに記載の方法の変形形態は、入射放射線方向の焦点領域のオフセットと組み合わされないので、焦点位置を動的に適合させるための装置を省くことが可能である。したがって、焦点領域のパルスレーザ放射を焦点面に集光させ、アブレーションパターンの生成時に焦点面内で移動させる。スキャナ光学ユニットを用いた軌道の走査時に、Ｆθレンズ又はテレセントリックレンズを用いてパルスレーザ放射の焦点面への集束を実現することができる。アブレーションプロセスの開始時に、パルスレーザ放射を、この場合は例えば被加工物の裏側に位置する焦点面に集光させることができる。

【0032】

パルスレーザ放射が入射放射線方向に対して垂直な焦点面に集光される場合でも、レーザパルスの影響範囲に変化があったので、個々の軌道間でパルスエネルギーを変更することにより斜めの除去フロントを形成することができる。レーザパルスの波長及びパルス時間に応じて、特定のエネルギー密度閾値、あるいは特定の閾値強度が被加工材料の除去の発生に必要である。パルスエネルギーが大きいほど、焦点範囲又は焦点面を始点として材料の除去が起こる入射放射線方向の領域の範囲も大きくなる。したがって、パルスエネルギーの高速調整により、被加工物の放射線入射側から遠い側から始まる除去フロントの形成が可能となり、除去フロントは、焦点領域が移動する焦点面に対して０°以外の角度に向けられる。この場合も、中空構造を形成するために、被加工物の移動により除去フロントを被加工物内で移動させることができる。このように、この目的で追加の可動要素、例えばズーム光学ユニットのアクチュエータを必要とすることなく、斜めの除去フロントを発生させることができる。

【0033】

一変形形態では、放射線入射側に実質的に平行に延びることが好ましい中空構造の部分を形成するために、除去フロントを、中空構造の作製中に被加工物内で入射放射線方向を横切る移動方向に少なくとも断続的に移動させ、除去フロントの放射線入射側に近い側を、入射放射線方向に対する横方向移動時に移動方向に対して９０°未満、好ましくは７０°未満の角度に向けることが好ましい。本願の意味の範囲内で、「実質的に平行」という語句は、平行な向き、又は平行な向きに対して±１０°の角度での向きを意味すると理解される。

【0034】

さらに上述した方法を用いて、特に、中空構造の「水平」部分、すなわち、被加工物の放射線入射側に実質的に平行に延びる部分を形成ことができる。ＥＵＶミラー用基板の形態の被加工物の場合、このような部分は、概して、この場合は中空構造の形成後に反射コーティングを塗布される光学面に対応する放射線入射側から僅かに離れて配置される。「水平」部分は、ＥＵＶミラーの光学面の効率的な温度制御の実現を可能にする。

【0035】

さらに別の変形形態では、被加工物の放射線入射側とは反対の側から始めて入射放射線方向に実質的に平行に延びる中空構造の部分を形成するために、また好ましくは、入射放射線方向に実質的に平行に延びる中空構造のさらに別の部分を形成するために、中空構造の作製中に、除去フロントを入射放射線方向に実質的に平行に少なくとも断続的に移動させる。中空構造の形成後に、被加工物又は基板の温度制御、特に冷却のために流体を流すことができる、例えば貫通流路の形態の連続した中空構造を形成するために、概して中空構造の上記「水平」部分を、被加工物の放射線入射側から遠い側又は被加工物の任意の他の側に接続する必要がある。この目的で、中空構造の「垂直」流路部分を、被加工物の放射線入射側から遠い側から始めて形成することができ、上記「垂直」流路部分は、中空構造の「水平」流路部分に合流する。

【0036】

連続した中空構造を形成する場合、第１プロセスステップにおいて中空構造の第１「垂直」部分と「水平」部分の一部のみとを形成することが可能であり、すなわち、「水平」部分内の除去フロントで終わる中空構造が形成される。連続した中空構造を形成するために、第２プロセスステップにおいて中空構造の第２「垂直」流路部分が形成され、当該第２「垂直」流路部分は、中空構造の既に形成された第１「垂直」部分が始まる位置から「水平」部分の長さだけオフセットした、被加工物の放射線入射側から遠い側の異なる位置から始まる。

【0037】

第２プロセスステップ中の除去フロントは、入射放射線方向で鏡像反転された第１プロセスステップ中の除去フロントに対応する。第２「垂直」部分は、「水平」部分の形成済みの一部と入射放射線方向で同じ高さに延びる中空構造の「水平」部分のさらなる一部に移行する。中空構造の「水平」部分の２つの端は、連続加工によりオーバーラップ領域で相互接続される。このようにして、中空構造は、開通して第１端の流体入口を介して冷却流体を供給することができる連続流路を形成し、上記冷却流体は、他端の流体出口で中空構造から再度除去することができる。オーバーラップ領域にはシーム領域が形成される。シーム領域内では、流路の性質、特に流路の壁の性質は、詳細に後述するようにシーム領域外の流路の性質、特に流路の壁の性質とは異なる。

【0038】

さらに別の変形形態では、長手方向が相互に対して７０°～１００°の角度、好ましくは９０°の角度を向いた、中空構造の第１部分及び中空構造の隣接する第２部分が作製される。さらに上述したように、アンダカットを有する中空構造の形成が、ここに記載の方法の場合に可能である。例として、湾曲した冷却流路の形態の中空構造を、ここに記載の方法を用いて形成することができる。特に、９０°の湾曲を有する、すなわち隣接する部分間で約９０°の方向変化を有する中空構造を形成することが可能である。例として、これは、中空構造の「垂直」部分と中空構造の「水平」部分との間の上記移行部の形成に有益である。しかしながら、ここに記載の約９０°の湾曲様式の移行は、必ずしも中空構造の「水平」部分と「垂直」部分の間で起こる必要はないことが理解される。

【0039】

一変形形態では、中空構造の作製中に丸み部分が形成され、第１部分及び第２部分は、上記丸み部分で相互に合流する。２つの隣接する部分間の曲率が約９０°の場合、キンクの形態の不連続な移行部が生じるのではなく、移行が中空構造の丸み部分に沿って連続的に実現されることが有利であることが分かった。概して、丸み部分は一定の曲率半径を有するが、これは必須ではなく、曲率半径は変化してもよい。丸み部分は、除去フロント又は中空構造にフラックスを供給するための可撓性チューブによる追跡を単純化し、このフラックスは、より詳細に後述するように、除去フロントの領域から除去生成物を効果的に除去する。

【0040】

さらに別の変形形態では、除去フロントを、中空構造の作製中に流体と接触させ、この流体は、除去フロントの移動時に、中空構造内に少なくとも部分的に導入される流体供給部により除去フロントを追跡する。アブレーション生成物の除去及び加工物の冷却のために、特にパルスレーザ放射に対して透明な液体で焦点領域を洗浄することが通常は必要である。液体は、ノズルを用いて液体自由噴流の形態で被加工物の裏側に導くことができ、又は被加工物を液体浴に部分的に浸漬させることができる。しかしながら、アブレーション生成物を除去するために、液体の代わりにガス、例えば圧縮空気を除去フロントに接触させることができる。

【0041】

例えば流路の形態の中空構造の長さが長い場合、除去フロントの領域で局所的な洗浄を可能にするために、流体供給部が中空構造内に少なくとも部分的に導入される必要がある。この目的のために、流体供給部又は流体供給部の一部、例えばノズルが中空構造内に少なくとも部分的に導入され得る。例として、流体供給は、剛性管として形成されるか又は剛性管を含むことができ、その自由端にノズルが取り付けられ、管又はノズルが中空構造内に少なくとも部分的に導入される。しかしながら、流体供給部がノズルを有しない可能性もある。ノズルから出る流体を管と中空構造の壁との間の隙間により取り出すことができるように、例えば管の形態の流体供給部は、中空構造の直径よりも僅かに小さい外径を有する。

【0042】

この変形形態の発展形態では、流体供給部は少なくとも１つの可撓性チューブを含むか、又は流体供給部は少なくとも１つの可撓性チューブを形成し、除去フロントは、特に被加工物の放射線入射側から遠い側から始めて、少なくとも１つの可撓性チューブを用いて流体により追跡される。

【0043】

９０°湾曲又は９０°屈曲を任意に有する湾曲した中空構造を形成する場合、除去生成物の効果的な除去のために、可撓性チューブを中空構造の形成済みの部分に導入しなければならない。ノズルが通常は取り付けられるチューブの自由端は、この場合は除去フロントから比較的短い距離に位置決めされる。チューブは、ノズルから出る流体をチューブと中空構造の壁との間の隙間を介して通常は被加工物の裏側に向かう方向に確実に除去できるように、中空構造の直径よりも僅かに小さい直径を有する。自由端又は流体の排出用の端片を有する他の可撓性要素が、除去フロントを追跡してもよい。

【0044】

さらに別の変形形態では、除去フロントを移動させるために、被加工物を移動、特に変位させる。例として、被加工物の移動は、１つ、２つ又は３つの空間方向の変位の形態で実施することができる。特に、相互に対して約９０°を向いた中空構造の２つの部分間に移行部がある場合、被加工物を重畳された移動内で２つの空間方向に変位又は移動させれば有利である。スキャナ光学ユニットの処理領域を超えないサイズの中空構造の形成の場合、被加工物内での除去フロントの移動は、被加工物を移動させずに処理領域内での走査パターンの移動により実現することもできる。この場合も、中空構造の形成時に、入射放射線方向に対して除去フロントの向きを変更することができる。

【0045】

さらに別の変形形態では、除去フロントを形成するために、スキャナ光学ユニットにより焦点領域を移動パターンの相互にオフセットした軌道に沿って移動させる。除去フロントを形成するための焦点領域の移動は、この場合はスキャナ光学ユニットを用いたパルスレーザ放射の高速偏向により実施され、スキャナ光学ユニットは、この目的のために例えばガルバノミラーの形態の１つ又は複数のスキャナミラーを含み得る。中空構造を形成するために、除去フロントを形成するための走査移動は、通常は被加工物の比較的低速の運動と重畳される。走査移動中に焦点領域を焦点面に集束させるために、通常はパルスレーザ放射がＦθレンズ又はテレセントリックレンズを通過する必要がある。斜めの除去フロントを形成するために入射放射線方向に焦点領域のオフセットを発生させる場合、このようなレンズは、概して同様にダイナミックズームレンズと組み合わせて使用される。概して、Ｆθレンズ又はテレセントリックレンズは、パルスレーザ放射のパルスエネルギーを変更することにより斜め除去フロントを発生させる場合にも用いられる。

【0046】

さらに別の変形形態では、中空構造は、１ｍｍ～２０ｍｍ、好ましくは１ｍｍ～５ｍｍの直径の円形断面を有する。さらに上述したように、流路は、円形断面から逸脱した断面を有することもできる。この場合、流路の直径は、いわゆる相当直径、すなわちこの場合は円形ではない流路の流路断面に対応する面積を有する円の直径であると理解される。流体の流れには、上記値範囲の直径を有する流路が有利であることが分かった。

【0047】

さらに別の変形形態では、中空構造は、１０ｃｍ以上、好ましくは１５ｃｍ以上、特に好ましくは２０ｃｍ以上、特に７０ｃｍ以上の長さを有する。さらに上述したように、特にかなりの長さを有する湾曲した流路の形態の中空構造を、ここに記載の方法を用いて形成することができる。

【0048】

本発明は、上記方法の１つ又は複数の変形形態も含み得る前述のタイプの方法にも関する。本方法では、中空構造は、除去フロント以外では側面により画定され、中空構造の作製中の除去フロントは、中空構造の側面のうち除去フロントに隣接する領域に対して除去フロント角度を向き、除去フロント角度は、少なくとも断続的に除去フロント最小角度１°よりも大きく、少なくとも断続的に除去フロント最大角度８９°よりも小さい。除去フロント最小角度は、５°、１０°、２０°又は３０°であることが好ましい。除去フロント最大角度は、８５°、８０°、７０°又は６０°であることが好ましい。中空構造の作製中の除去フロント角度は、除去フロント最小角度よりも恒久的に大きく且つ／又は除去フロント最大角度よりも恒久的に小さくてもよいが、これは必須ではない。側面は、例えば円筒状の側面であり得るが、これは必須ではない。例として、中空構造は、流体が流れることができることが好ましい流路とすることができる。

【0049】

本発明は、ミラー用、特にＥＵＶミラー用の基板の形態の被加工物において、特に流体が流れることができる流路を作製する方法であって、パルスレーザ放射による材料除去加工により流路を形成し、流路の作製中に流体供給部を少なくとも部分的に流路に導入する方法にも関する。さらに上述したように、長さが比較的長い流路の形成には、流路に少なくとも部分的に導入される流体供給部の使用が必要である。

【0050】

本方法の一変形形態では、流体供給部を用いて、材料除去加工が実行される領域に、特に材料除去加工中に形成される除去フロントに流体を供給し、除去フロントを、被加工物内での除去フロントの移動時に流体供給部により好ましくは追跡し、特に自動的に追跡する。例えばさらに上述した方法により実施され得るパルスレーザ放射による材料除去加工の範囲内では、長い流路の形成には、除去フロントの冷却及びアブレーション生成物の除去のための流体供給部による除去フロントの追跡が必要である。例として、流体供給部は管等とすることができ、ノズルが取り付けられている場合があるその自由端は、通常は除去フロントから僅かに離れて配置される。流体での除去フロントの追跡は、かなりの長さの直線流路が形成される場合にも必要である。この場合、上述した除去フロントの斜めの向きを任意に省くことが可能であり得る。例として、自動追跡は、後述する追跡装置を用いて実施することができる。

【0051】

さらに別の変形形態では、流体供給部は、好ましくは湾曲した流路に少なくとも部分的に導入される可撓性要素を含み、可撓性要素は、可撓性チューブを形成することが好ましい。さらに上述したように、例えば可撓性チューブの形態の可撓性流体ラインの形態の可撓性要素の導入は、流路が湾曲しており、例えば９０°の撓み等の形態のアンダカットを有する場合でも、流体による除去フロントの追跡を可能にする。

【0052】

さらに別の変形形態では、流路は１０ｃｍ以上、好ましくは１５ｃｍ以上、特に好ましくは２０ｃｍ以上、特に７０ｃｍ以上の長さで形成される。さらに上述したように、長さが比較的長い流路が形成される場合に追跡が必要である。さらに上述したように、流路は、パルスレーザ放射による材料除去加工により形成される。異なる方法で、例えば機械加工、例えばドリル加工により形成された部分が流路に隣接する可能性がある。これらの部分の長さは、流路の長さの決定時には考慮されていない。

【0053】

さらに別の変形形態では、基板はモノリシックである。２つ以上の部分体を接合して基板を形成する際に発生する基板材料の応力をできる限り回避するために、ミラーの、例えばＥＵＶミラーの基板がモノリシックに、すなわち一体に形成されれば有利である。さらに上述した方法を用いて、このようなモノリシック基板において、事実上任意の所望の形状を有する中空構造を形成することが可能である。中空構造は、特に冷却流路、すなわち冷却液、例えば水の通過を可能にする中空構造とすることができる。中空構造は、連続した冷却流路とすることができるが、中空構造が１つ以上の分岐点を有する可能性もある。中空構造の冷却剤入口及び冷却剤出口は、基板の裏側に配置され得るが、特に、中空構造全体又は複数の中空構造の形成に他の材料除去方法を追加的に用いる場合、これは必須ではない。

【0054】

一変形形態では、基板は、チタンドープ石英ガラス又はガラスセラミックからなる。さらに上述したように、ＥＵＶミラー用の基板は、通常は極めて小さな熱膨張係数を有するいわゆるゼロ膨張材料からなる。

【0055】

原理上は、中空構造は、ＥＵＶミラー用の基板としての使用に適さない被加工材料にも、上述の方法で導入され得る。本方法に適した被加工材料類は、ガラス、結晶、及び半導体である。前提条件は、各材料が入射するレーザ放射に対して透明であることである。例として、シリコンの場合、約１０６０ｎｍを超える近赤外波長域の波長がこれに該当する。

【0056】

さらに別の変形形態では、基板の材料は、０℃～１００℃、好ましくは１９℃～４０℃、特に好ましくは１９℃～３２℃であるゼロクロス温度を有する。例えばドープ石英ガラスの形態、特にチタンドープ石英ガラスの形態、又は特定のガラスセラミックの形態のゼロ膨張材料は、正の熱膨張係数を有する成分又は相と負の熱膨張係数を有する成分又は相とが対抗する。これにより、熱膨張と温度との間には事実上非線形の関係が生じ、熱膨張がなくなるか、又は温度変化の影響を最も受けにくい温度値が１つだけ存在する。正確には、これがいわゆるゼロクロス温度であり、ＺＣＴとも称する。

【0057】

一変形形態では、基板の材料は、３Ｋ未満、好ましくは２Ｋ未満、特に好ましくは１Ｋ未満、特に０．１Ｋ未満であるゼロクロス温度の空間的変動を有する。ゼロクロス温度が基板の積全体にわたってできる限り一定、すなわちできる限り小さな変動を示せば有利である。空間的変動とは、基板の体積における最大ゼロクロス温度と最小ゼロクロス温度との差を意味すると理解される。ゼロクロス温度の空間的変動は、基板における中空構造の形成後の基板に関するものであり、すなわち、中空構造の作製中にアブレーションされた材料は、ゼロクロス温度の空間的変動の決定時には考慮されていない。

【0058】

本発明は、基板と、基板に塗布されて放射線、特にＥＵＶ放射線を反射する働きをするコーティングとを備えるミラー、特にＥＵＶミラーであって、基板は、上述の方法を用いて形成された、好ましくは流路の形態の、特に好ましくは流体が流れることができる流路の形態の、特に冷却流体が流れることができる冷却流路の形態の、少なくとも１つの中空構造を含む、ミラーにも関する。概して、中空構造は、ＥＵＶミラーの温度制御に用いられ、流体がこの目的でそこに通される。しかしながら、中空構造は、例えば、例えばセンサ、アクチュエータ等の形態の１つ又は複数のコンポーネントを基板に組み込むために、任意の他の目的で基板に導入することもできる。パルスレーザ放射と反射コーティングの材料との間に生じる相互作用を回避するために、基板は、通常は中空構造の形成時にはまだ反射コーティングを有していない。したがって、反射コーティングは、通常は中空構造の形成後にのみ基板に塗布される。

【0059】

本発明は、ミラー、特にＥＵＶミラーであって、流体が流れることができることが好ましい少なくとも１つの流路を含む基板を備え、流路は、パルスレーザ放射による材料除去加工により形成され、湾曲形態を有し、１ｍｍ～２０ｍｍ、好ましくは１ｍｍ～５ｍｍの直径、及び／又は１０ｃｍ以上、好ましくは１５ｃｍ以上、特に２０ｃｍ以上の長さを有する、ミラーにも関する。流路は、特に上述のようなパルスレーザ放射による材料除去加工中に、すなわち上述の方法により、パルスレーザ放射により形成される基板を通って移動する除去フロントにより、形成されたものであり得る。特に、この場合の除去フロントは、少なくとも断続的に、被加工物の放射線入射側でパルスレーザ放射の入射放射線方向に対して垂直に向いていない場合がある。湾曲した流路は、特に、流体、例えば冷却流体の通過のために形成され得る。

【0060】

一実施形態では、基板はモノリシックである。上述のように、２つ以上の部分体を接合して多部品基板を形成する際に生じる基板材料の応力は、モノリシック基板では回避され得る。

【0061】

さらに別の実施形態では、流路は、長手方向が相互に対して７０°～１００°の角度、好ましくは９０°の角度を向いた、第１部分及び隣接する第２部分を有する。約９０°という比較的大きな角度の撓みは、基板の効果的な温度制御をもたらすために流路を通して流体を導く際に有利であり得る。

【0062】

一実施形態では、第１部分と第２部分は、丸み部分で相互に合流する。丸み部分に沿った２つの部分間の連続的な移行が、詳細に後述するように、キンクの形の移行部に対して有利であることが分かった。

【0063】

本発明のさらに別の態様は、ミラー、特にＥＵＶミラーの形態の放射線を反射する光学素子であって、好ましくはモノリシック基板と、放射線、特にＥＵＶ放射線を反射する反射コーティングであって、コーティングは、好ましくはモノリシック基板の表面に塗布される、反射コーティングと、好ましくはモノリシック基板内に延びて流体を流すよう設計された少なくとも１つの中空構造であり、相互に対して６０°～１２０°の角度、好ましくは８０°～１００°の角度、特に９０°の角度を向いた第１部分及び隣接する第２部分を有し、第１部分及び第２部分が相互に合流する丸み部分を有する、中空構造とを備えた、光学素子に関する。この２つの部分は、通常は丸み部分のすぐ隣に実質的に直線状に延びる流路部分である。丸み部分のすぐ隣で、２つの部分は、相互に対して上記角度を向いた長手方向軸を有する。特に、第１部分及び第２部分は、相互に対して９０°を超える角度、例えば１００°を超える角度を向き得る。

【0064】

特に、２つの部分が相互に略垂直に、すなわち、相互に対して６０°～１２０°の角度を向いている場合、角又は鋭い縁の形態の基板の中空構造の２つの部分間の移行部において、乱流をもたらして流動励起振動を引き起こす流れの剥離が中空構造の壁で生じ得る。この理由から、中空構造の２つの部分が、できる限り流線形のプロファイルを有する丸み部分で相互に合流することが提案される。

【0065】

丸み部分は、角のない部分を意味すると理解される。その結果、第１部分は、丸み部分で第２部分に連続的に合流する。中空構造の断面又は直径は、通常は丸み部分内で一定であるが、任意に変化する場合もある。概して、丸み部分の断面又は直径は、２つの部分の断面に対応するが、丸み部分が分岐点に配置されている場合、これは必須ではない。

【0066】

基板は、好ましくはモノリシックであり、すなわち一体に形成され、基板の２つ以上の部分体が相互接続される接合面を有しない。

【0067】

丸み部分は、中空構造を作製する方法又は流路を作製する方法の文脈で上述したように、パルスレーザ放射による材料除去加工により形成することができ、この方法では、入射放射線方向に対して斜めに向いた除去フロントが形成される。上述のように、直線形状から逸脱し、特に基板の厚さ方向に平行に延びない中空構造は、加工面又は除去フロントの斜めの向きにより形成することができる。例として、中空構造の丸み部分は、斜めの除去フロントが２つの相互に直交する方向に同時に変位することにより形成され得る。

【0068】

一実施形態では、丸み部分の曲率半径Ｒと丸み部分の直径ＤとのＲ／Ｄ比は、２～６、好ましくは２．５～５、特に２．５～３．５である。Ｒ／Ｄ比が２を超える場合、流動励起振動に関する大幅な改善、例えば５０％超を既に達成することができる。理想的には、Ｒ／Ｄ比は約２．５～３．５、例えば３．０であり、それは流動励起振動に関する最大の改善が通常はこの比で達成されるからである。Ｒ／Ｄ比は、６を超える値とすべきではない。この実施形態では、丸み部分は一定の曲率半径を有する。

【0069】

丸み部分の流路断面は、通常は円形だが、任意に円形形状から逸脱し、例えば楕円形状を有することもできる。この場合、既に上述したように、丸み部分の直径は、いわゆる相当直径、すなわちこの場合は円形ではない丸み部分の流路断面に対応する面積を有する円の直径であると理解される。

【0070】

丸み部分の直径と丸み部分の曲率半径との比は、乱流のない流線形の流れ誘導、したがって流動励起振動の回避に不可欠なパラメータを表すことが分かった。

【0071】

さらに別の実施形態では、丸み部分の直径Ｄは、２ｍｍ～２０ｍｍ、好ましくは２ｍｍ～１２ｍｍである。指定されたオーダの丸み部分又は中空構造の流路構造の直径は、所与の境界条件に対して光学素子の効率的な温度制御に十分な体積流量の発生を可能にする。概して、中空構造内の流体の流速はメートル毎秒のオーダである。

【0072】

一実施形態では、中空構造は、反射コーティングを塗布される表面の下方に延びる特に冷却流路の形態の複数の温度制御流路を備え、中空構造は、分配流路を介して温度制御流路、特に冷却流路に接続された流体分配部と、回収流路を介して温度制御流路、特に冷却流路に接続された流体回収部とを備える。温度制御流路は、通常は基板を冷却する働きをするので、以下では冷却流路とも称し、概して表面下の表面近傍領域に延びる。表面近傍領域と、基板の表面から１０ｍｍ以下の距離を意味すると理解される。表面からの距離は、概して基板の略平面状の下側に対して垂直な向きの基板の厚さ方向で測定される。表面からの冷却流路の距離が小さい結果として、ミラーの表面の効果的な冷却をもたらすことができる。この距離は、各温度制御流路と反射コーティングを塗布された表面との間の最小距離を意味すると理解される。

【0073】

概して、流体分配部と流体回収部はそれぞれ、個々の冷却流路よりも大きな流路断面を有する。これにより、有益な流動条件の設定が可能となる。流体分配部及び／又は流体回収部は、冷却流路よりも反射コーティングを施される表面から大きな距離に配置されることが好ましい。この配置により、概して冷却流路よりも大きな表面積の空洞を有する流体分配部及び／又は流体回収部内の流体圧力による表面の変形を許容限度内に抑えることができる。流体分配部は、通常は流体入口に接続され、流体回収部は、通常は流体出口に接続される。各冷却流路は、１つだけの分配流路及び１つだけの回収流路に接続され得るが、原則として、２つ又は任意に３つ以上の冷却流路の群が、共通の分配流路及び共通の回収流路に接続される可能性もある。

【0074】

さらに別の実施形態では、第１部分は、分配流路に隣接する温度制御流路の、特に冷却流路の端部分を形成し、第２部分は、端部分に隣接する分配流路部分を形成し、且つ／又は第１部分は、回収流路に隣接する温度制御流路の、特に冷却流路の端部分を形成し、第２部分は、端部分に隣接する回収流路部分を形成する。

【0075】

冷却流路は、通常は反射コーティングを塗布される表面に実質的に平行に延びる。基板内の設置空間は限られるため、各冷却流路に接続される分配流路又は回収流路は、概して反射コーティングを有する表面から略直角に遠ざかる、すなわち、回収部又は分配流路部分と冷却流路の隣接する端部分とは、通常は相互に略直角に延び、すなわち中空構造を流れる流体の略９０°の偏向がある。

【0076】

上述の丸み部分により、特に直径に対する曲率半径の適切な比を選択することで、流動励起振動を回避するか又は少なくとも実質的に低減することができる。

【0077】

原理上は、流体分配部と流体コネクタとは、異なる設計を有し得る。例として、流体分配部の流路断面及び流体回収部の流路断面は、それぞれ分配流路及び回収流路から始めて例えば漏斗の様式で先細りであり得ることで、基板内で流体分配部及び流体回収部により形成される空洞が不必要に大きくならない。

【0078】

さらに別の実施形態では、流体分配部は入口流路を形成し、そこから分配流路が分岐し、且つ／又は流体回収部は出口流路を形成し、そこから回収流路が分岐する。この実施形態では、流体回収部及び流体分配部は、概して分配流路の長手方向に対して実質的に横方向に延び、回収流路の長手方向に対して実質的に横方向に延びる。概して、分配流路及び回収流路は、入口流路及び出口流路からそれぞれ実質的に直角に分岐する。例として、流体分配部及び流体回収部は、この場合は円筒形流路として形成されてもよく、この円筒状流路は、基板の外側の入口開口及び出口開口からそれぞれ始めて基板内に延びる。この場合、入口流路及び出口流路は、例えば穿孔として形成され得るが、これらを上述のアブレーション法により形成することも可能である。

【0079】

この実施形態の発展形態では、第１部分は、入口流路に隣接する分配流路の合流部分を形成して、第２部分は、合流部分に隣接する入口流路の分岐部分を形成し、且つ／又は、第１部分は、出口流路に隣接する回収流路の合流部分を形成して、第２部分は、回収流路の合流部分に隣接する出口流路の分岐部分を形成する。

【0080】

さらに上述したように、入口流路及び出口流路の長手方向は、各回収流路及び分配流路の長手方向に対して実質的に垂直に延びる。分配流路又は回収流路の各分岐点では、入口流路又は出口流路の分岐点に丸み部分を設けることにより生じ得る流線形の形状も有利である。このようにして、段差を回避し、縁に丸みを付けることができ、その結果、中空構造の形状をより流線形に設計することができ、入口流路及び出口流路における流体の剥離を回避するか又は少なくとも大幅に低減することができる。

【0081】

丸み部分の直径と半径との比は、上述の値範囲内であることが好ましい。しかしながら、丸み部分は、分岐点で一定の曲率半径を有しない場合がある。分岐点における丸み部分の流径も、必ずしも一定である必要はない。例として、丸み部分の断面は、入口流路から又は出口流路から始めて先細りであり得る。

【0082】

さらに別の実施形態では、入口流路の分岐部分と分配流路の合流部分との間の角度は９０°よりも大きく、好ましくは１００°よりも大きく、且つ／又は出口流路の分岐部分と回収流路の合流部分との間の角度は９０°よりも大きく、好ましくは１００°よりも大きい。入口流路及び出口流路の分岐部分と分配流路及び回収流路の分岐部分とがそれぞれ、相互に対して鈍角に向けられる場合、流れ誘導に有益であることが分かった。

【0083】

さらに別の実施形態では、基板の材料は、石英ガラス、特にチタンドープ石英ガラス、及びガラスセラミックを含む群から選択される。基板材料の不均一な加熱に起因する可能性がある、反射コーティングを塗布される表面の変形を回避するために、ＥＵＶリソグラフィ用ミラーの基板は、通常は非常に小さな熱膨張係数を有するいわゆるゼロ膨張材料を用いて形成される。上述のように、これらの材料は硬質且つ脆性なので、機械的な加工は困難である。しかしながら、上述のレーザアブレーション法を用いれば、このような材料で事実上いかなる形状の中空構造も形成することができる。

【0084】

さらに別の実施形態では、基板の材料は、０℃～１００℃、好ましくは１９℃～４０℃、特に好ましくは１９℃～３２℃であるゼロクロス温度を有する。上述のように、ゼロクロス温度は、特にＥＵＶミラーの動作中の平均入射放射束に応じて決まる。

【0085】

一実施形態では、基板の材料は、３Ｋ未満、好ましくは２Ｋ未満、特に好ましくは１Ｋ未満、特に０．１Ｋ未満であるゼロクロス温度の空間的変動を有する。上述のように、ゼロクロス温度の高い空間均一性が、ミラーの効率的な動作のために通常は必要である。

【0086】

さらに別の実施形態では、中空構造、好ましくは特に流体が流れることができる流路は、シーム領域を有する。上述のように、シーム領域は、流路の形態の中空構造の作製中に通常は形成され、このシーム領域では、連続した流路を形成するために、レーザアブレーションにより形成された流路の２つの部分が結合される。シーム領域内では、流路の、特に流路の壁の性質は、シーム領域外の流路の、特に流路の壁の性質とは少なくとも１つの特性が異なる。例として、シーム領域内の流路の壁の表面又は表面構造は、シーム領域外側の流路の壁の表面又は表面構造と異なり得る。

【0087】

この実施形態の発展形態では、中空構造、好ましくは特に流体が流れることができる流路は、シーム領域において、除去フロントの縁輪郭、少なくとも１つのバルジ、横方向オフセット、又は別の構造変更を有する。

【0088】

シーム領域において、流路の各部分のレーザアブレーションが終了した除去フロントの、又は任意に２つの除去フロントの輪郭又は縁輪郭は、流路の形態の中空構造の表面構造において識別可能であり得るか又はそこに刻まれ得る。流路の表面構造で識別可能な除去フロントの縁輪郭は、特に、除去フロントに隣接する流路の側面の領域に対して例えば４５°の角度であり得る。この角度は、流路の作製中に除去フロントが入射放射線方向に対して垂直に向いていないことに通常は起因する。除去フロントの縁輪郭は、全周にわたって、又は場合によっては流路の表面構造の一部分においてのみ識別可能であり得る。

【0089】

シーム領域内の流路の壁には、長手方向に局所的に画定された流路の断面の拡大又は縮小をそれぞれ形成する１つ又は複数のバルジが生じ得る。さらに、流路の壁は、シーム領域内で段差の様式の僅かな横方向オフセットを有する場合があり、この段差は、流路の２つの部分の結合中に、且つ／又は流路の２つの部分の断面が僅かに異なることにより生じる。シーム領域内の流路又は流路の壁の性質は、シーム領域内の流路の表面構造をシーム領域外の流路の表面構造と区別する他の構造変更も有し得ることが理解される。

【0090】

本発明のさらに別の態様は、ミラー、特にＥＵＶミラーであって、流体が流れることができることが好ましい特に湾曲した流路を含む基板であり、上記流路はシーム領域を有する基板を備えた、ミラーに関する。上述のように、シーム領域は、レーザアブレーションにより形成された流路の２つの部分が結合されて連続流路を形成する場合に生じる。シーム領域は、通常は流路の両端から離間している。シーム領域は、流路の両端から略同じ距離を有し得るが、これは必須ではない。上述のように、シーム領域内の流路の、特に流路の壁の性質は、シーム領域外の流路の、特に流路の壁の性質とは少なくとも１つの特性が異なる。

【0091】

一実施形態では、流路は、シーム領域において、除去フロントの縁輪郭、少なくとも１つのバルジ、横方向オフセット、又は別の構造変更を有する。

【0092】

本発明のこの態様によるミラーは、特に、本発明の上述の態様によるミラーの特徴を有し得る。基板材料は、特にチタンドープ石英ガラス又はガラスセラミックであり得る。基板はモノリシック形態を有し得るが、これは必須ではない。

【0093】

本発明のさらに別の態様は、ＥＵＶリソグラフィシステムであって、上述のように設計された少なくとも１つのＥＵＶミラーと、温度制御流体、特に冷却流体を特に流路の形態の少なくとも１つの中空構造を通して流すよう設計された温度制御装置、特に冷却装置とを備えた、ＥＵＶリソグラフィシステムに関する。ＥＵＶリソグラフィシステムは、ウェハを露光するためのＥＵＶリソグラフィ装置とすることができ、又はＥＵＶ放射を用いる他の何らかの光学装置、例えばＥＵＶリソグラフィで用いられるマスク、ウェハ等の検査用のＥＵＶ検査システムとすることもできる。

【0094】

温度制御装置は、冷却装置として働くことができ、例えば、冷却流体の形態の冷却剤、例えば冷却液の形態の冷却剤、例えば冷却水の形態の冷却液を、特に流路の形態の中空構造に流すよう形成され得る。この目的のために、温度制御装置又は冷却装置は、任意選択で、ポンプを有すると共に、適切な供給ライン及び除去ラインも有することができる。温度制御装置は、基板を加熱するための加熱装置としても働き得る。この場合、概して同様に液体である加熱流体の形態の温度制御流体が、流路の形態の中空構造に供給される。温度制御装置が、ミラーの加熱及び冷却の両方を行うよう設計される可能性もある。冷却及び加熱の両方の場合に、流路の形態の中空構造に通される温度制御流体として水が好ましくは用いられる。

【0095】

基板の中空構造は、流体が入る入口開口及び流体が出る出口開口を有する。入口開口及び出口開口は、流路を温度制御装置に接続するために、それぞれ流体供給ライン及び流体除去ラインのポートに接続され得る。複数の流体的に分離された中空構造又は流路が基板内に延びる場合、これらは別個の入口開口及び出口開口により温度制御装置に接続される。

【0096】

本発明のさらに別の態様は、流路に少なくとも部分的に導入可能な流体供給部を備えた、前述のタイプの装置に関する。本装置は、上述の流路を作製する方法を実行するよう設計され、その範囲内で材料除去加工が実行され、その範囲内で流体供給が流路に少なくとも部分的に導入される。上述のように、比較的長い流路は、適切な流体供給及び除去フロントの冷却を用いたアブレーションされた被加工材料の除去を必要とする。

【0097】

一実施形態では、流体供給部は、流体供給部を用いて、材料除去加工が実行される領域に、特に材料除去加工中に形成される除去フロントに流体を供給するよう設計され、流体供給部は、被加工物内での移動中に除去フロントを追跡することができることが好ましい。この目的で、流体供給部は固定されたままとすることができ、被加工物は流体供給部に対して相対的に移動することができるが、適切なアクチュエータ等を用いて流体供給部自体を移動させる可能性もある。この場合、流体供給部は、例えば管等の形態で流路に導入可能な要素を通常は含む。

【0098】

さらに別の実施形態では、流体供給部は、可撓性要素、特に可撓性チューブを流路に少なくとも部分的に導入するよう設計される。アブレーションされた材料を除去フロントからできる限り効果的に除去するために、流体は、除去フロントの近傍に、特にこれが湾曲した流路に関連する場合には可撓性チューブ等を用いて、供給される必要がある。自由端では、可撓性チューブは、例えば水又は圧縮空気であり得る流体を出すためのノズルを有し得る。屈曲していない空洞又は例えば２０ｍｍ未満の比較的短い空洞長さの場合、通常は除去フロントとチューブ又はノズルからの流体の排出との間に距離がある場合、可撓性チューブを固定状態で配置し、被加工物の移動により空洞内に自動的に導入することが可能であり、この目的のためのチューブに対する外部作用はない。ここに記載の装置は、以下に記載の流体供給装置の文脈で説明するように、流体補給装置と、任意選択で可撓性チューブによる除去フロントの自動追跡のための追跡装置とを備え得る。

【0099】

さらに別の実施形態では、スキャナ光学ユニットは、被加工物の材料の面状除去のための除去フロントを形成するために、移動パターンに沿って焦点領域を移動させるよう設計され、本装置は、ホルダにより収容された被加工物におけるパルスレーザ放射線の入射放射線方向に対して垂直に向いていない除去フロントを形成するよう設計される。通常は、被加工物における、より正確には被加工物の放射線入射側における入射放射線方向は、重力方向に対応する。ホルダに配置されると、被加工物は、通常は放射線入射側に対して垂直なその厚さ方向が重力方向に対応するように位置合わせされる。レーザ源は、超短レーザパルスの形態でパルスレーザ放射を生成するよう設計され、パルスレーザ放射は、被加工物の材料のアブレーションのための多光子吸収を発生させることができる。

【0100】

入射放射線方向に対して垂直の向きではない方向又は平面に除去フロントを位置合わせする装置の設計には、数多くの選択肢がある。

【0101】

一実施形態において、本装置はさらに、パルスレーザ放射の入射放射線方向で又は入射放射線方向に沿ってパルスレーザ放射の焦点領域をオフセットさせる焦点オフセット装置と、入射放射線方向に対して垂直に向いていない除去フロントを形成するために、入射放射線方向で又は入射放射線方向に沿って移動パターンの軌道を相互に対してオフセットさせるように焦点オフセット装置を制御するよう設計又はプログラムされた制御装置とを備える。

【0102】

この実施形態では、本装置は、パルスレーザ放射の入射放射線方向に沿って焦点領域を動的にオフセットさせる焦点オフセット装置を備える。例として、焦点オフセット装置は、ダイナミックズームレンズとして形成することができる。制御装置は、適切なハードウェア及び／又はソフトウェアの形態で実装され得る。

【0103】

さらに別の実施形態において、本装置は、入射放射線方向に対して垂直に向いていない除去フロントを形成するために、移動パターンの相互にオフセットした軌道のパルスレーザ放射のパルスエネルギーを変更するようにレーザ源を制御するよう設計又はプログラムされた制御装置を備える。方法の文脈で上述したように、パルスレーザ放射は、焦点オフセット装置を用いずに、集束光学ユニットを用いて、通常は入射放射線方向に対して垂直に向いた平面に集束される。スキャナ光学ユニットの走査野内の全ての位置で同じ焦点面にパルスレーザ放射線を集光するために、本装置は、Ｆθレンズ又はテレセントリックレンズを備え得る。焦点領域を移動させる焦点面に対して除去フロントを斜めに向けるために、パルスレーザ放射のパルスエネルギーは、この場合は相互にオフセットした軌道間で変更される。

【0104】

パルスエネルギーを変更するために、レーザ源は、制御装置が作用する１つ又は複数の音響光学変調器又は電気光学変調器を含み得る。方法の文脈で上述したように、パルスエネルギーは、概してアブレーションパターンの一方の縁からアブレーションパターンの反対側の縁に向かって増加又は減少し、その結果として焦点面に対して斜めに向いた除去フロントが形成される。

【0105】

さらに別の実施形態において、本装置は、流路を形成する目的で、好ましくは被加工物の放射線入射側とは反対の側から始めて被加工物内で除去フロントを移動させる位置決め装置を備え、位置決め装置は、入射放射線方向で又は入射放射線方向に沿って、好ましくは入射放射線方向を横切る少なくとも１つの方向で又はその方向に沿って被加工物を変位させるよう設計される。この目的で、位置決め装置は、通常は被加工物のホルダに作用する。位置決め装置は、特に２つ又は３つの異なる空間方向での被加工物の重畳した移動又は変位を実現する、例えばリニアモータ等の形態の１つ又は複数の駆動装置を含み得る。原理上は、位置決め装置が非加工物を回転させるよう設計される可能性もある。

【0106】

本発明のさらに別の態様は、少なくとも１つの除去フロントに、好ましくは複数の除去フロントに流体を供給するための、少なくとも１つの可撓性流体ライン、好ましくは複数の可撓性流体ラインと、被加工物の空洞に挿入するための挿入コンポーネントであり、少なくとも１つの除去フロントに流体を供給するために、少なくとも１つの可撓性流体ラインを案内するか又は案内可能である少なくとも１つのガイド流路を有する挿入コンポーネントとを備えた、冒頭に述べたタイプの流体供給装置に関する。

【0107】

中空構造の形成時に被加工物の材料内で移動させる少なくとも１つの除去フロントへの流体の供給のために、本発明のこの態様による流体供給装置は、被加工物を通した除去フロントの移動中に除去フロントを追跡することができる少なくとも１つの可撓性流体ラインを備える。本発明による流体供給装置の場合、可撓性流体ライン、より正確には流体が出るその自由端を、基板内の指定の位置に配置するために、可撓性流体ラインは、被加工物の空洞に挿入された挿入コンポーネントのガイド流路内に案内される。

【0108】

これは、レーザアブレーションにより、特に多光子レーザアブレーションにより形成された１つ又は複数の構造が空洞の壁から分岐する場合に特に有利であるが、その理由は、この場合、挿入コンポーネント又はガイド流路を用いて、流体ラインの各端を空洞の壁上の構造が出る位置に位置決めすることができ、構造の形成時に除去フロントを追跡できるからである。

【0109】

空洞への挿入コンポーネントの挿入前に、空洞から分岐する各構造の短い部分が、レーザアブレーションにより既に作製されている可能性がある。その際に形成される除去フロントに流体を供給するために、被加工物は液浴に少なくとも部分的に浸漬され得る。除去フロントが空洞の壁から通常は約２０～４０ｍｍを超える距離になるとすぐに、アブレーションされた材料を十分に除去することができなくなり、アブレーションプロセスは徐々に停止するので、液浴への浸漬では概して十分ではなくなる。したがって、空洞から分岐して約２０～４０ｍｍを超える長さを有する構造物を作製するためには、可撓性流体ラインを用いて、除去フロントの移動を流体で追跡する。

【0110】

レーザアブレーションにより作製された中空構造が分岐しておらず他の複雑すぎる形状も有していなければ、可撓性流体ラインは、挿入コンポーネントがなくても除去フロントを追跡することもできる。しかしながら、上述のように、挿入コンポーネントを用いて、可撓性流体ラインを構造が空洞から開始又は分岐すべき位置に配置することができる。したがって、分岐点を有する中空構造の場合でも、可撓性流体ラインを空洞から分岐する構造に手動で通す必要なく、挿入コンポーネントを用いて、除去フロントへの流体の供給を確保することが可能である。

【0111】

レーザアブレーションは、特に多光子レーザアブレーションの形態で実施することができる。多光子レーザアブレーションの場合に中空構造を形成するために、パルスレーザ放射、概して超短パルスレーザ放射が、基板の材料を通して被加工物の裏側又は被加工物内の表面上、例えば上記空洞の壁面上の点まで放射され、そこから形成すべき構造が始まることになる。多光子レーザアブレーションの場合、除去フロントが形成され、そこから始めて基板の材料を通って移動することで中空構造を形成する。多光子レーザアブレーションによる材料除去に関する詳細については、パルスレーザ放射による材料除去加工により中空構造を作製するための上述の方法を参照されたい。そこに記載のように、複雑な形状の中空構造を作製する目的で、除去フロント又は加工面は、パルスレーザ放射の入射放射線方向に対して垂直となるようにではなく、入射放射線方向に対して垂直な平面に対して傾くように位置合わせされ得る。このように、レーザアブレーションにより、直線状ではなくアンダカットを有する中空構造を作製することも可能である。

【0112】

流体は、通常は液体、例えば水であり、可撓性流体ラインから比較的高い圧力で出る。液体の代わりに、ガス、例えば圧縮空気を、アブレーション生成物を除去するために除去フロントに接触させることができる。流体を出すためのノズルを可撓性流体ライン又はチューブの自由端に取り付けることができるが、これは必須ではない。

【0113】

被加工物は、ＥＵＶミラー用の特にモノリシック基板であることが好ましい。モノリシック基板は、一体に形成され、基板の２つ以上の部分体が相互接続される接合面を有しない。上述のように、このようなモノリシック基板の中空構造は、例えばチタンドープ石英ガラス又はガラスセラミックであり得る硬質且つ脆性のガラス材料における機械加工、例えば穿孔又は研削により容易に作製することはできない。上述の空洞は、機械加工により作製することができ、例えば空洞は、基板にフライス加工された孔であり得る。しかしながら、多光子レーザアブレーションが大きな直径の空洞の作製時に時間のかかるものであっても、空洞はこの方法により作製することも可能である。

【0114】

一実施形態では、挿入コンポーネントは、可撓性流体ラインをそれぞれ案内する複数のガイド流路を有する。したがって、空洞から発出する相当数の流路又は他の構造を任意に有する中空構造の場合、複数の流路又は他の構造を同時に作製することが有利である。この目的で、被加工物の材料がアブレーションされる複数の除去フロントを同時に形成するために、複数のパルスレーザビームを被加工物の体積を通して同時に放射することができ、その結果、空洞から分岐する複数の構造又は流路を同時に形成することができる。

【0115】

複数の除去フロントを同時に形成するには、各除去フロントを追跡する対応する数のガイド流路又は可撓性流体ラインを用いて、除去フロントに流体を同時に供給する必要がある。理想的には、空洞から分岐する全ての構造を同時に作製することができる。分岐する構造の数が多すぎる場合は、これらの構造を複数の群に分割し、それぞれを同時に処理してもよい。各構造群の形成には、異なる形態の挿入コンポーネントを用いることができる。

【0116】

さらに別の実施形態では、流体を除去フロントから戻すために、流体が流れることができるギャップ、特にリングギャップが、流体ラインとガイド流路の流路壁との間に形成される。可撓性流体ラインは、流体ライン内の除去フロントに供給された流体を、通過可能なギャップを介して再度除去できるように選択された直径を有する。概して、ギャップの流路断面積は、可撓性流体ライン内の流体の流路断面積に少なくとも対応すべきである。

【0117】

さらに別の実施形態では、ガイド流路は、可撓性流体ラインの方向を変えるための少なくとも１つの丸み部分を有する。概して、被加工物の空洞から分岐する構造は、挿入コンポーネントが被加工物に挿入又は導入される方向に平行に延びていない。したがって、各ガイド流路が挿入コンポーネントの端面から始まる場合、概して挿入コンポーネント内の可撓性流体ラインの方向を変える必要がある。このような方向変化は、ガイド流路の丸み部分又は湾曲部分に沿って流体ラインを案内することにより理想的には実施される。丸み部分では、斜角で、すなわち９０°よりも大きな角度で可撓性流体ラインの方向変化が行われることが好ましい。

【0118】

さらに別の実施形態では、挿入コンポーネントは棒状であり、少なくとも１つのガイド流路は、挿入部品の端面から挿入コンポーネントの側面まで延びる。この場合、被加工物の空洞は、通常は直線状の流路であり、一定の直径を有することが好ましく、被加工物の側面の開口から始めて被加工物の容積内に延びる。この場合、挿入コンポーネントは、挿入コンポーネントが被加工物の開口を通して空洞に押し込まれることにより、空洞に挿入される。この場合、挿入コンポーネントの端面は、被加工物の開口を通して外部からアクセス可能なので、可撓性流体ラインは、挿入コンポーネントの端面において被加工物から遠ざかり、ポンプ等を含む流体の供給装置に接続可能である。ガイド流路の上述の丸み部分を用いて、各可撓性流体ラインを、挿入コンポーネントの端面から挿入コンポーネントの側面まで案内することができる。

【0119】

この実施形態の発展形態では、ガイド流路は、挿入コンポーネントの側面で開口に合流し、当該開口は、好ましくは挿入コンポーネントの長手方向に隣り合って配置され、特に挿入コンポーネントの長手方向で相互に等距離に配置される。挿入コンポーネントの長手方向に隣り合った開口の配置は、開口が挿入コンポーネントの長手方向に延びる共通の直線又は線に沿って延びることを意味すると理解される。換言すれば、開口は、挿入コンポーネントの周方向で相互にオフセットしていない。これは、共通の線に沿って空洞から分岐する複数の構造を多光子レーザアブレーションにより形成することが意図される場合に有利である。形成される構造が相互に等距離に配置される場合、開口も等距離に、すなわち挿入コンポーネントの長手方向で相互に同じ距離に配置される。

【0120】

この実施形態の発展形態として、棒状の挿入コンポーネントは円筒形の形態を有し、好ましくは５ｍｍ～１０ｍｍの直径を有する。挿入コンポーネントの形状は、この場合は同様に円筒形の形態を有する空洞の形状に一致するよう適合される。空洞の直径は、挿入コンポーネントの直径よりも僅かに大きい。比較的大きな直径を有する円筒形の空洞は、機械加工により、例えば研削により形成することができ、例えば止まり穴の形態であり得る。この場合、挿入コンポーネントは、通常は空洞の端面に当接するまで円筒形の空洞に押し込まれる。このようにして、挿入コンポーネントの長手方向での開口の位置が規定される。挿入コンポーネントはさらに、挿入コンポーネントの側面の開口が、空洞から分岐する構造が始まる点に周方向で対応するように位置決めされるように、位置合わせされるか又は回転させられる。さらに、挿入コンポーネントの端面は、軸方向位置決めを簡略化するために、被加工物の切欠き又は溝に掛止する突出部分、すなわち舌部を有し得る。挿入コンポーネントの挿入前に、例えば中実シリンダの形態のスペーサを空洞内に導入し、挿入コンポーネントを上記スペーサの端面に接触させることができる。このようにして、挿入コンポーネントの長さを短縮することができる。

【0121】

さらに別の実施形態では、少なくとも１つのガイド流路は１ｍｍ～４ｍｍの内径を有する。空洞から出る構造は、概して挿入コンポーネントよりも大幅に小さな直径を有する。これにより、挿入コンポーネント内に延びる複数のガイド流路を挿入コンポーネント内に収容することができるので有利である。

【0122】

さらに別の実施形態では、少なくとも１つの流体ラインは１ｍｍ以下の外径を有する。上述のように、概して流体が戻るためのギャップが流体ラインと各ガイド流路の壁との間に残る必要である。したがって、流体ラインの外径は、それに対応してガイド流路の内径よりも小さい。

【0123】

挿入コンポーネントは、様々な方法で形成され得る。例として、ガイド流路は、丸み部分を形成するために曲げられるか又は曲げてある管として、例えばステンレス鋼管又はプラスチック管として形成することができる。管の形態のガイド流路、例えばステンレス鋼管又はプラスチック管は、１つにまとめることができ、例えばシリンダの様式の所望の形状を有する挿入コンポーネントを作製するために、適切な材料に成形することができる。

【0124】

代替として、挿入コンポーネントは、付加製造法により作製され得る。この場合、挿入コンポーネントは、通常は３Ｄプリンティング法を用いて作製された本体からなり、中空構造の形態のガイド流路が付加製造中に形成される。挿入コンポーネントの作製には、金属、プラスチック、又は３Ｄプリンティングに典型的なガラス状の材料を利用することができる。

【0125】

さらに別の実施形態において、流体供給装置は、少なくとも１つの可撓性流体ラインに流体を供給する流体補給装置を備える。流体補給装置は、流体を補給するための流体リザーバを含み得る。上述のように、流体を比較的高い圧力で流体ラインから出すことが通常は有利である。したがって、流体補給装置の一部であり、対応する高圧を発生するポンプを用いて、流体を可撓性流体ラインに供給することが有利である。

【0126】

さらに別の実施形態において、流体供給装置は、被加工物の材料内の除去フロントの移動を少なくとも１つの可撓性流体ラインにより自動追跡する少なくとも１つの追跡装置を備える。多光子レーザアブレーションの場合、除去フロントは、通常は被加工物の体積内を一定の処理速度で移動する。可撓性流体ラインによる自動追跡も同様に、加工速度で実施される。追跡のために、可撓性流体ラインは、例えばコイル等から一定速度で巻き出されることにより前進する。可撓性流体ラインによる追跡のためには、通常は流体ラインの材料が十分な剪断剛性を有する必要があるが、これは、通常は可撓性流体ラインに用いられる材料の場合である。除去フロントが被加工物の材料内を異なる処理速度で移動する場合、追跡装置は、流体ラインが個々に適合した速度で追跡できるよう設計され得る。

【0127】

本発明のさらに別の態様は、多光子レーザアブレーションによる被加工物からの、好ましくはＥＵＶミラー用の特にモノリシック基板からの材料の除去時に、上述のように設計された流体供給装置により少なくとも１つの除去フロントに流体を供給する方法であって、被加工物の空洞に挿入コンポーネントを挿入するステップと、挿入コンポーネントの少なくとも１つのガイド流路内に案内される少なくとも１つの可撓性流体ラインを通して少なくとも１つの除去フロントに流体を供給するステップとを含む、方法に関する。上述のように、上述のように設計された流体供給装置により、被加工物内での除去フロントの移動時に、可撓性流体ラインは自動的に除去フロントを追跡することができる。

【0128】

一変形形態では、挿入コンポーネントの挿入前に空洞に流体が充填され、流体を充填された空洞から始めて、空洞に隣接する複数の流路部分が多光子レーザアブレーションにより形成される。空洞から始まるか又は分岐する比較的短い流路部分又は他の構造の形成には、可撓性流体ラインを用いた除去フロントへの流体の局所的な供給は通常は必要ない。流路部分の長さが全体として約２０ｍｍ～４０ｍｍ以下の場合、空洞全体に、したがって多光子吸収中に形成される流路部分にも流体が充填されれば十分である。通常は、この目的のために、被加工物は流体と共に液体中又は液体浴中に、通常は水浴中に部分的に浸漬される。

【0129】

この変形形態の展開形態では、複数の流路を形成するために、複数の除去フロントが空洞への挿入コンポーネントの挿入後に流路部分の端面から始めて形成されて被加工物の材料内で移動され、複数の可撓性流体ラインが被加工物の材料内での除去フロントの移動を追跡する。

【0130】

被加工物がＥＵＶミラー用の基板である場合、当該被加工物は、流体分配部及び流体回収部として働きそれぞれに挿入コンポーネントが挿入される２つの空洞を例えば有し得る。この２つの空洞は、第１空洞から分岐して第２空洞に開口する複数の流路により流体的に相互接続される。この場合、２つの空洞のそれぞれから、多光子レーザアブレーションにより各流路の長さの約半分に相当する第１又は第２流路部分をそれぞれ形成することが可能である。流路の長さの略中央で、作製中の２つの流路部分の除去フロントが重なり、その結果として連続した流路が生じ、これが流体分配部と流体回収部を接続する。

【0131】

流路がＥＵＶミラー用の冷却流路又は冷却構造である場合、これらは、通常は流体分配部と流体回収部との間を直線状に延びるのではなく角度をなし、概してＥＵＶミラーの光学面から比較的大きな距離を有する流体分配部から始めて流体を表面近傍に輸送する分配流路を有する。通常は冷却水の形態の流体は、冷却流路を形成する流路部分で表面に沿って案内された後に、回収流路で表面から除去され、流体コネクタに供給される。

【0132】

本発明のさらなる利点及び態様は、本発明に必須の詳細を示す図面の図を参照した以下の本発明の実施例の説明と、特許請求の範囲とから明らかとなろう。個々の特徴は、本発明の１つの変形形態において、それぞれ単独で又は複数を任意の組み合わせで実施することができる。

【0133】

例示的な実施形態を概略図に示し、以下の説明で説明する。

【図面の簡単な説明】

【0134】

【図1】ＥＵＶ投影リソグラフィ用の投影露光装置の子午線断面の概略図を示す。

【図2a】冷却流路の形態の中空構造が導入された基板を有するＥＵＶミラーの概略図を示す。

【図2b】冷却流路の形態の中空構造が導入された基板を有するＥＵＶミラーの概略図を示す。

【図3】アンダカットの形成時にパルスレーザ放射による基板の材料除去加工により図２ａの中空構造を形成する装置の概略図を示す。

【図4a】基板におけるパルスレーザ放射の入射放射線方向に相互にオフセットした軌道を有する移動パターンの平面図の概略図を示す。

【図4b】基板におけるパルスレーザ放射の入射放射線方向に相互にオフセットした軌道を有する移動パターンの側面図の概略図を示す。

【図4c】図３の装置を用いた斜めの向きの除去フロントの形成を示す概略図である。

【図5a】異なるパルスエネルギーでのパルスレーザ放射の集光時に発生する、相互にオフセットした軌道を有する移動パターンの平面図の概略図を示す。

【図5b】図５ａに示す異なるパルスエネルギーでのアブレーションパターンを用いた焦点面へのパルスレーザ放射の集光時に生じる、斜めの除去フロントを有する基板の概略断面図を示す。

【図6a】中空構造の形成の３つの異なる段階の１つにおける、ノズル又は可撓性チューブを含む流体供給部を含む図３に類似した概略図である。

【図6b】中空構造の形成の３つの異なる段階の１つにおける、ノズル又は可撓性チューブを含む流体供給部を含む図３に類似した概略図である。

【図6c】中空構造の形成の３つの異なる段階の１つにおける、ノズル又は可撓性チューブを含む流体供給部を含む図３に類似した概略図である。

【図7a】連続した冷却流路の形態の中空構造の作製中の２つのプロセスステップの一方を示す。

【図7b】連続した冷却流路の形態の中空構造の作製中の２つのプロセスステップの一方を示す。

【図7c】その際に形成されるシーム領域を示す。

【図8a】端部分が丸み部分を介して分配流路又は回収流路に合流する冷却流路の形態の複数の温度制御流路を有する中空構造を含む、図１の投影露光装置のミラーの概略断面図を示す。

【図8b】端部分が丸み部分を介して分配流路又は回収流路に合流する冷却流路の形態の複数の温度制御流路を有する中空構造を含む、図１の投影露光装置のミラーの概略断面図を示す。

【図9a】流路径を同一として曲率半径を異なる４つのうち１つとした、分配流路と冷却流路の端部分との間の丸み部分の概略図を示す。

【図9b】流路径を同一として曲率半径を異なる４つのうち１つとした、分配流路と冷却流路の端部分との間の丸み部分の概略図を示す。

【図9c】流路径を同一として曲率半径を異なる４つのうち１つとした、分配流路と冷却流路の端部分との間の丸み部分の概略図を示す。

【図9d】流路径を同一として曲率半径を異なる４つのうち１つとした、分配流路と冷却流路の端部分との間の丸み部分の概略図を示す。

【図10a】流路径を同一として曲率半径を異なる４つのうち１つとした、回収流路と冷却流路の端部分との間の丸み部分の概略図を示す。

【図10b】流路径を同一として曲率半径を異なる４つのうち１つとした、回収流路と冷却流路の端部分との間の丸み部分の概略図を示す。

【図10c】流路径を同一として曲率半径を異なる４つのうち１つとした、回収流路と冷却流路の端部分との間の丸み部分の概略図を示す。

【図10d】流路径を同一として曲率半径を異なる４つのうち１つとした、回収流路と冷却流路の端部分との間の丸み部分の概略図を示す。

【図11a】冷却流路の端部分が分配流路又は回収流路に対して鈍角に配置される、図８ａ、図８ｂに類似した中空構造を有するＥＵＶミラー用の基板の斜視図を示す。

【図11b】冷却流路の端部分と分配流路との間の移行部における丸み部分の概略図を示す。

【図12a】分配流路及び回収流路がそれぞれ入口流路及び出口流路に対して鈍角に配置され、丸み部分で入口流路又は出口流路に合流する、図８ａ、図８ｂに類似した中空構造を有するＥＵＶミラー用の基板の図を示す。

【図12b】分配流路及び回収流路がそれぞれ入口流路及び出口流路に対して鈍角に配置され、丸み部分で入口流路又は出口流路に合流する、図８ａ、図８ｂに類似した中空構造を有するＥＵＶミラー用の基板の図を示す。

【図12c】分配流路及び回収流路がそれぞれ入口流路及び出口流路に対して鈍角に配置され、丸み部分で入口流路又は出口流路に合流する、図８ａ、図８ｂに類似した中空構造を有するＥＵＶミラー用の基板の図を示す。

【図12d】分配流路及び回収流路がそれぞれ入口流路及び出口流路に対して鈍角に配置され、丸み部分で入口流路又は出口流路に合流する、図８ａ、図８ｂに類似した中空構造を有するＥＵＶミラー用の基板の図を示す。

【図13a】複数の冷却流路を有する中空構造を含む図１の投影露光装置のミラーの概略断面図を示す。

【図13b】複数の冷却流路を有する中空構造を含む図１の投影露光装置のミラーの概略断面図を示す。

【図13c】２つの異なる挿入コンポーネントを含む流体供給装置を用いた中空構造の作製中の図１３ａ、図１３ｂのミラーの概略図を示す。

【図14a】可撓性流体ラインを案内するための曲管の形態の複数のガイド流路を有する挿入コンポーネントを含む流体供給装置の第１実施例の概略図を示す。

【図14b】可撓性流体ラインを案内するための曲管の形態の複数のガイド流路を有する挿入コンポーネントを含む流体供給装置の第１実施例の概略図を示す。

【図14c】可撓性流体ラインを案内するための曲管の形態の複数のガイド流路を有する挿入コンポーネントを含む流体供給装置の第１実施例の概略図を示す。

【図15a】挿入コンポーネントが付加製造により形成された流体供給装置の第２実施例の概略図を示す。

【図15b】挿入コンポーネントが付加製造により形成された流体供給装置の第２実施例の概略図を示す。

【0135】

以下の図面の説明において、同一又は機能的に同一のコンポーネントには同一の参照符号を用いる。

【0136】

マイクロリソグラフィ投影露光装置１の形態のＥＵＶリソグラフィ用光学装置の必須コンポーネントを、図１を参照して以下で例として説明する。投影露光装置１及びそのコンポーネントの基本構成の説明は、この場合は限定的なものと理解すべきではない。

【0137】

投影露光装置１の照明系２の一実施形態は、光源又は放射源３に加えて、物体面６の物体視野５を照明する照明光学ユニット４を有する。代替的な実施形態において、光源３は、照明系の残りの部分とは別個のモジュールとして設けることもできる。この場合、照明系は、光源３を含まない。

【0138】

物体視野５に配置されたレチクル７が照明される。レチクル７は、レチクルホルダ８により保持される。レチクルホルダ８は、レチクル変位ドライブ９により特に走査方向に変位可能である。

【0139】

説明のために、直交ｘｙｚ座標系を図１に示す。ｘ方向は図の平面に対して垂直に延びる。ｙ方向は水平に延び、ｚ方向は鉛直に延びる。図１では、走査方向はｙ方向に延びる。ｚ方向は物体面６に対して垂直に延びる。

【0140】

投影露光装置１は、投影光学ユニット１０を備える。投影光学ユニット１０は、物体視野５を像面１２の像視野１１に結像する働きをする。レチクル７上の構造が、像面１２の像視野１１の領域に配置されたウェハ１３の感光層に結像される。ウェハ１３は、ウェハホルダ１４により保持される。ウェハホルダ１４は、ウェハ変位ドライブ１５により特にｙ方向に沿って変位可能である。第１にレチクル変位ドライブ９によるレチクル７の変位、及び第２にウェハ変位ドライブ１５によるウェハ１３の変位は、相互に同期するように実施することができる。

【0141】

放射源３は、ＥＵＶ放射源である。放射源３は、特に、以下で使用放射線、照明放射線、又は照明光とも称するＥＵＶ放射線１６を出射する。特に、使用放射線は、５ｎｍ～３０ｎｍの範囲の波長を有する。放射源３は、プラズマ源、例えばＬＰＰ源、すなわちレーザ生成プラズマ源、又はＧＤＰＰ源、すなわちガス放電プラズマ源であり得る。これは、シンクロトロンベースの放射源でもあり得る。放射源３は、頭文字でＦＥＬとも称する自由電子レーザであり得る。

【0142】

放射源３から出る照明放射線１６は、コレクタミラー１７により集束される。コレクタミラー１７は、１つ又は複数の楕円反射面及び／又は双曲反射面を有するコレクタであり得る。コレクタミラー１７の少なくとも１つの反射面に、照明放射線１６が斜入射（ＧＩ）で、すなわち４５°よりも大きな入射角で、又は垂直入射（ＮＩ）で、すなわち４５°よりも小さな入射角で入射し得る。コレクタミラー１７は、第１に使用放射線に対する反射率を最適化するために、第２に外来光を抑制するために、構造化且つ／又はコーティングされ得る。

【0143】

照明放射線１６は、コレクタ１７ミラーの下流で中間焦点面１８の中間焦点を伝播する。中間焦点面１８は、放射源３及びコレクタミラー１７を有する放射源モジュールと照明光学ユニット４との間の分離を表し得る。

【0144】

照明光学ユニット４は、偏向ミラー１９と、ビーム経路でその下流に配置された第１ファセットミラー２０とを備える。偏向ミラー１９は、平面偏向ミラー、あるいは純粋な偏向効果を超えたビーム影響効果を有するミラーであり得る。代替として又は追加として、偏向ミラー１９は、照明放射線１６の使用光波長を異なる波長の外来光から分離する分光フィルタの形態であり得る。第１ファセットミラー２０は、以下で視野ファセットとも称する複数の個別の第１ファセット２１を含む。図１は、当該ファセット２１のいくつかのみを例として示す。照明光学ユニット４のビーム経路で、第１ファセットミラー２０の下流に第２ファセットミラー２２が配置される。第２ファセットミラー２２は、複数の第２ファセット２３を含む。

【0145】

したがって、照明光学ユニット４は二重ファセットシステムを形成する。この基本原理は、フライアイコンデンサ（フライアイインテグレータ）とも称する。第２ファセットミラー２２を用いて、個々の第１ファセット２１が物体視野５に結像される。第２ファセットミラー２２は、物体視野５の上流のビーム経路で最後のビーム整形ミラー又は実際に照明放射線１６に対する最終ミラーである。

【0146】

投影系１０は、複数のミラーＭｉを含み、これらには投影露光装置１のビーム経路におけるそれらの配置に従って連続番号を付す。

【0147】

図１に示す例において、投影系１０は、６個のミラーＭ１～Ｍ６を含む。４個、８個、１０個、１２個、又は任意の他の数のミラーＭｉでの代替も同様に可能である。最後から２番目のミラーＭ５及び最終ミラーＭ６はそれぞれ、照明放射線１６用の通過開口を有する。投影系１０は、二重遮蔽光学ユニットである。投影光学ユニット１０は、０．４又は０．５よりも大きく、０．６よりも大きくてもよく、例えば０．７又は０．７５であり得る像側開口数を有する。

【0148】

照明光学ユニット４のミラーと同様に、ミラーＭｉは、照明放射線１６に対して高反射コーティングを有することができる。

【0149】

図２ａ、図２ｂは、投影系１０のミラーＭ４を例示的に示し、当該ミラーは、反射コーティング２６を塗布された表面２７を有する基板２５を含む。図示の例では、基板２５の材料は、熱膨張係数が非常に小さいチタンドープ石英ガラスである。基板２５は、熱膨張係数ができる限り小さい別の材料、例えばガラスセラミックからも形成され得る。これらの材料はゼロ膨張材料であり、正の熱膨張係数を有する成分又は相と負の熱膨張係数を有する成分又は相とが対抗する。これらの材料には、熱膨張がなくなるか、又は温度変化の影響を最も受けにくい温度値が１つだけある。正確には、これがいわゆるゼロクロス温度Ｔ_ＺＣであり、ＺＣＴとも称する。ここに記載の例では、基板２５の材料である、膨張係数が非常に小さいチタンドープ石英ガラスは、０℃～１００℃、通常は１９℃～４０℃、特に１９℃～３２℃のゼロクロス温度Ｔ_ＺＣを有する。ゼロクロス温度Ｔ_ＺＣは、基板２５の体積全体にわたって実質的に一定であり、３Ｋ未満、２Ｋ未満、１Ｋ未満、又は０．１Ｋ未満の空間的変動を有し、空間的変動は、ゼロクロス温度Ｔ_ＺＣの最大値と最小値との差を示す。

【0150】

図示の例では、基板２５はモノリシック形態を有する。図示の例では、反射コーティング２６は、屈折率の実部が異なる材料からなる複数の層対を有し、層は、ＥＵＶ放射線１６の波長が１３．５ｎｍの場合、例えばＳｉ及びＭｏから形成される可能性がある。基板２５の表面２７は、図２ａ、図２ｂでは平面領域として表されているが、曲率も有し得る。

【0151】

図２ａ、図２ｂに示す例では、基板２５は、流路の形態の連続した中空構造２８を有し、矢印で示す温度制御流体、この場合は冷却流体３２ａの形態の冷却剤がここを流れることができ、温度制御流体は、ここに記載の例では水である。したがって、中空構造２８は、以下では冷却流路と称することもある。基板２５を加熱する目的で、加熱流体も中空構造２８を流れることができることが理解される。冷却流路２８は、基板２５の裏側２９に形成された冷却剤入口３０から始めて垂直方向、すなわちＸＹＺ座標系のＺ方向に延びる第１部分２８ａを有する。垂直方向Ｚは、基板２５の厚さ方向Ｚに対応する。ここに記載の例では、基板２５の上側２７及び下側２９はそれぞれ、厚さ方向Ｚに対して垂直な向きである。

【0152】

冷却流路２８の第１垂直部分２８ａは、水平方向、すなわちＸ方向に延びる部分２８ｂに隣接し、ここを通って冷却剤３３は、垂直方向に延びて基板２５の裏側２９の冷却剤出口３１に開口する冷却流路２８の第３部分２８ｃに流入する。各垂直部分２８ａ、２８ｃと水平部分２８ｂとの間の２つの移行部を除いて、図２ａに示す冷却流路の形態の中空構造２８は、図示の例では約１ｍｍ～５ｍｍのオーダである一定の直径を有する円形断面を有する。図２ｂに示す連続した冷却流路２８が図２ａに示す連続した冷却流路２８と異なる点は、冷却剤入口３０及び冷却剤出口３１からそれぞれ始まる垂直部分２８ａ、２８ｃのそれぞれにおける部分が、水平部分２８ｂ及び冷却流路２８の水平部分２８ｃへの移行部にそれぞれ位置する垂直部分２８ａ、２８ｃの短寸部よりも大きな直径を有することである。

【0153】

冷却剤入口３０に冷却剤３２ａを供給し、冷却剤出口３１から冷却剤３２ａを除去するために、投影露光装置１は、図１に概略的に表す冷却装置３２を備える。図示の例では、冷却装置３２は、冷却水の形態の冷却剤３２ａを冷却流路２８又はミラーＭ４に供給する働きをし、この目的で、冷却剤入口３０に流体密に接続されたここには図示しない供給ラインを含む。冷却装置３２は、冷却剤出口３１から冷却水３２ａを除去するために、ここには図示しない除去ラインも含む。投影系１０の他のミラーＭ１～Ｍ３、Ｍ５、Ｍ６も中空構造２８を有することができ、この中空構造２８は、冷却目的のために、冷却装置３２に接続されるか又はこの目的で設けられたさらなる冷却装置に任意に接続される。原理上は、いかなるミラーも、冷却剤が流れることができる中空構造２８を有することができることが理解される。一例として、これは、ＤＵＶ／ＶＵＶ波長域、可視波長域及び／又は赤外波長域の放射線を反射するよう設計されたミラーに関し得る。冷却装置３２の代わりに、温度制御装置、すなわちミラーＭ１～Ｍ６の冷却及び／又は加熱に用いられる装置を投影露光装置１に設けることもできる。適当な温度制御流体３２ａ、例えば、中空構造２８への供給前に所望の温度に加熱される水を加熱に用いることができる。

【0154】

図３に概略的に表す装置３３は、図２ａに示す冷却流路２８を形成する働きをする。装置３３は、図３ではダッシュ記号の形態で表すパルスレーザ放射３５を生成するレーザ源３４を含む。レーザ源３４は、ピコ秒のオーダの、例えば１０ｐｓ未満のパルス持続時間を有するレーザパルスを生成するよう設計された超短パルスレーザ源であり、ＭＷ範囲のピークパルス出力を有する。レーザ源３４は、近赤外波長域、より正確には１０３０ｎｍの波長を有するパルスレーザ放射３５を生成するよう設計される。しかしながら、レーザ源３４は、可視波長域の波長又は基板２５の材料が透明である近赤外波長域の別の波長でパルスレーザ放射３５を生成するよう設計される可能性もある。

【0155】

装置３３は、スキャナ光学ユニット３６及び集光装置３７も含む。図示の例では、集光装置３７はＦθレンズとして設計され、パルスレーザビームの形態のパルスレーザ放射を基板２５内の焦点領域３９に集光する働きをする。スキャナ光学ユニット３６は、ビーム入射側２７に対して垂直な向きの入射放射線方向Ｚで、パルスレーザ放射３５を基板２５のビーム入射側２７に放射し、基板２５内の焦点領域３９を移動させる働きをし、上記スキャナ光学ユニットは、この目的で、２方向に傾斜可能なガルバノミラー４０を含む。１つのガルバノミラー４０の代わりに、それぞれが１方向に傾斜可能な２つのガルバノミラーがスキャナ光学ユニット３６内に配置される可能性もある。ガルバノミラーの代わりに他のタイプのミラー、例えば圧電ミラーを用いることも可能である。

【0156】

上述のように、焦点領域３９は、ミラー４０を傾けることにより基板２５内で移動させることができる。ガルバノミラー４０のアライメントが異なる場合に像面湾曲を補正するＦθレンズ３７の結果として、焦点領域３９は、ミラー４０が傾けられると、入射放射線方向Ｚに対して垂直なＸＹ平面内で移動する。したがって、基板２５におけるパルスレーザ放射３５の入射放射線方向Ｚは、基板２５の厚さ方向Ｚに実質的に対応する。

【0157】

スキャナ光学ユニット３６を用いて、焦点領域３９は、図４ａに平面図で示すアブレーションパターン４１に沿って移動される。アブレーションパターン４１は、平行な向きにされ、Ｙ方向に延び、図示の例ではＸ方向に相互に等距離に配置された複数の直線軌道４２を有する。軌道４２が相互に同じ距離に配置されることは必須ではなく、隣接する軌道４２間の距離は、アブレーションパターン４１内でプロセス依存的に変化することもできる。

【0158】

図３に示す冷却流路の垂直部分２８ａを作製するために、図４ａに示すアブレーションパターン４１が、スキャナ光学ユニット３６を用いて、コーティングされていない基板２５の裏側２９上のＸＹ平面上に生成される。スキャナ光学ユニット３６が図５ａに示すアブレーションパターン４１を複数回生成する間に、図３に非常に概略的に表し基板２５用のホルダ４４に作用する位置決め装置４３を用いて、基板２５は、基板２５のビーム入射側２７におけるパルスレーザ放射３５の入射放射線方向Ｚの下方に変位する。このようにして、基板２５の裏側２９から始めて、図３に示す冷却流路２８の垂直部分２８ａが形成される。

【0159】

図３は、冷却流路２８の垂直部分２８ａと冷却流路２８の水平部分２８ｂとの間にアンダカット角９０°のアンダカットの形態の移行部を形成する場合の、中空構造２８の作製ステップを示す。その際に、水平部分を形成するよう材料を除去するために、図３に示すように、パルスレーザ放射３５が垂直部分２８ａの上端に沿って横方向に誘導される場合、これがパルスレーザ放射３５とその下の基板２５の材料との相互作用につながり、この相互作用は、図３に実線の縦線４５で示すように、基板２５の材料に変更及び応力を誘発する。

【0160】

この問題は、入射放射線方向Ｚに対して垂直に向いていない除去フロント４６を発生させることにより修正される。図４ｃに示す例では、除去フロント４６は、入射放射線方向Ｚに対して４５°の角度αを有する。しかしながら、入射放射線方向Ｚに対する角度αは、それよりも大きくても小さくてもよく、例えば、入射放射線方向Ｚに対して、０°～８９°、１０°～８０°、２０°～７０°又は３０°～６０°の値範囲の向きにされ得る。

【0161】

図４ｃにおいて、冷却流路２８の水平部分２８ｂを作製するために、除去フロント４６を基板２５の放射線入射側２７に向かう方向に傾けるが、水平部分２８ｂは、作製前なので図４ｃでは破線で示されている。冷却流路２８の水平部分２８ｂを作製するには、図４ｃに矢印で示すように、除去フロント４６に沿って材料を連続的にアブレーションするために、位置決め装置４３を用いて基板２５をＸ方向に変位させる。図４ｃから同様に明らかなように、除去フロント４６の水平Ｘ方向の移動中に、基板２５の放射線入射側２７により近い上記除去フロントの上縁４６ａは、負のＸ方向に対応する基板２５内の除去フロント４６の移動方向に対して４５°の角度βに向けられる。放射線入射側２７から遠い除去フロント４６の下縁４６ｂは、中空構造２８の水平部分２８ｂの形成時に、除去フロント４６の上縁４６ａよりも大きく移動方向に突出する。このようにして、除去フロント４６の下縁４６ｂのみが基板２５の材料に隣接するので、水平部分２８ｂの作製中にパルスレーザ放射３５と基板２５の材料との相互作用を最小限に抑えることができる。同様に図４ｃから明らかなように、放射線入射側２７での入射後に被加工物２５の材料からパルスレーザ放射３５が初めて出るのは、除去フロント４６の領域である。

【0162】

図４ｃに示す例では、図４ｂに示すように、入射放射線方向Ｚの２つの隣接する軌道４２間で、焦点領域３９が図示の例では一定である値Δｚだけそれぞれオフセットすることにより、傾いた除去フロント４６が生じる。入射放射線方向Ｚに対して４５°傾いた除去フロント４６に沿った隣接する軌道４２間の距離Ａは、図示の例では約０．０１ｍｍ～０．５ｍｍ、例えば約０．０３ｍｍである。隣接する軌道４２の横断間に、入射放射線方向Ｚにおいて焦点領域３９を迅速にオフセットできるようにするために、装置３３は、ダイナミックズームレンズの形態である焦点オフセット装置４７を含む。焦点オフセット装置４７は、入射放射線方向Ｚのオフセットを発生させるための制御装置４８により制御される。制御装置４８は、入射放射線方向Ｚのオフセットを各軌道４２に沿った焦点領域３９の移動と同期させるために、レーザ源３４及びスキャナ装置３６を制御する働きもする。図示の例の冷却流路２８の円形断面の直径は、約２ｍｍである。

【0163】

図５ａ、ｂは、同様に入射放射線方向Ｚに対して４５°の角度αを向いた斜めの除去フロント４６を形成するためのさらなる選択肢を示す。図５ｂから明らかなように、中空構造２８を作製する装置３３は、焦点オフセット装置を有していない。図５ｂに示す装置３３では、パルスレーザ放射３５は、入射放射線方向Ｚに対して垂直に向いた焦点面ＦＥに集光される。図５ａから明らかなように、パルスレーザ放射３５のパルスエネルギーＥ_Ｐは、図５ａに軌道４２の線太さの増加で示されるように、除去フロント４６を形成するために、焦点面ＦＥ内の隣接する軌道４２又は対応する走査線間で漸増される。

【0164】

制御装置４８は、パルスエネルギーＥ_Ｐを増加させるためにレーザ源３４に作用する。レーザ源３４は、パルスエネルギーＥ_Ｐを調整する装置を含み、この装置は、例えば音響光学変調器又は電気光学変調器の形態であり得る。このような変調器は、マイクロ秒以下のオーダの応答時間を有し、アブレーションパターン４１の２つの隣接する軌道４２間それぞれでパルスエネルギーＥ_Ｐを速やかに増加させることができる。図５ｂから明らかなように、パルスレーザ放射３５が基板２５の材料に及ぼす影響範囲は、他のパラメータに加えて、パルスエネルギーＥ_Ｐに応じて変わる。パルスレーザ放射３５の波長及びパルスレーザ放射３５のパルス持続時間等の指定のパラメータに応じて、特定の閾値のエネルギー密度又は強度が基板２５の材料のアブレーションに必要である。パルスエネルギーＥ_Ｐが大きいほど、焦点面ＦＥから始めて材料除去が起こり得る領域の大きさが大きくなる。

【0165】

図５ｂは、入射放射線方向Ｚに除去が依然として起こり得る境界４９がある、基板２５内のエネルギー密度の等値線範囲を示す。図５ａの矢印で示されるように、Ｘ方向にパルスエネルギーＥ_Ｐが漸増する結果として、入射放射線方向Ｚに境界４９を変位させて、入射放射線方向Ｚに対して４５°の角度を向いた図５ｂに示す除去フロント４９を形成することが可能である。その結果、装置３３がこの目的で焦点オフセット装置４７等の付加的な可動要素を有することなく、斜めの除去フロント４６を図５ａ、図５ｂと併せて説明したように形成することができる。図３との関連で説明したように、流路２８の垂直部分２８ａは、図５ｂに矢印で示すように、この場合は基板２５のＺ方向の下向き移動により形成することもできる。

【0166】

図６ａ～図６ｃは、丸み部２８ｄ又は湾曲部で相互に合流する垂直部分２８ａ及び水平部分２８ｂを有する、屈曲した中空構造２８の形成の３つの段階を示す。この場合、中空構造２８を作製する装置３３は、図４ａ～図４ｃのように設計され、すなわち、斜めの除去フロント４６を形成するために焦点オフセット装置４７を含む。図６ａから明らかなように、垂直流路部分２８ａは、基板２５を下方に変位させる結果として除去フロント４６が基板２５内で移動して基板２５の材料が連続的にアブレーションされる一方でスキャナ光学ユニット３６は固定のままであることにより、第１段階で形成される。材料除去に最も重要なのは、除去フロント４６と基板２５との間の相対移動なので、基板２５内で除去フロント４６を移動させるために、代替的に基板２５が入射放射線方向Ｚに固定のままでスキャナ光学ユニット３６を上方に移動させてもよい。原理上は、基板２５及びスキャナ光学ユニット３６のＺ方向の重畳移動も可能である。

【0167】

除去された材料は、流体供給部５０を用いて除去フロント４６から除去される。図示の例では、流体供給部５０は固定ノズル５１を含み、そこから液体、図示の例では水３２ｂが出て垂直方向に流出し、除去フロント４６に供給される。ノズル５１が鉛直方向上向きであることにより、除去フロント４６からの除去粒子の目標通りの除去が可能となり、除去粒子は、重力の作用によりノズル５１と中空構造２８の垂直部分２８ａの壁面との間のギャップを通って除去される。このようにして、除去フロント４６には堆積物が実質的になく、除去を間断なく実施することができる。同時に、液体３２ｂを供給することにより、除去フロント４６又は処理ゾーンの能動的な冷却が可能であり、その結果として基板２５内の残留熱が低減される。液体３２ｂを供給する代わりに、流体供給５０を用いてガス、例えば圧縮空気を除去フロント４６に供給することもできる。

【0168】

図６ｂは、中空構造２８の作製中の、中空構造２８の垂直部分２８ａと水平部分２８ｂとの間に９０°の移行部を形成する中空構造２８の丸み部分２８ｄが形成される段階を示す。丸み部分２８ｄの形成時に、矢印で示すように、基板２５はＺ方向への変位に加えてＸ方向にも変位するが、４５°に傾斜した除去フロント４６は依然として上述の方法で形成される。

【0169】

丸み部分２８ｄにより、図６ｃに示すように、中空構造２８の水平部分２８ｂの作製中に除去フロント４６を追跡する可撓性チューブ５２を、中空構造２８に導入することができる。このようにして、水平部分２８ｂの作製中でも、除去生成物を除去フロント４６から効果的に除去することができる。チューブ５２による継続的な追跡の結果として、中空構造２８の達成可能な長さは、基板２５のサイズ及びチューブ５２の長さのみにより制限される。

【0170】

除去フロント４６の上述の傾斜は、パルスレーザ放射３５による材料除去加工により、例えば直線状の流路の形態の中空構造を作製する場合には、必ずしも行う必要はない。直線状に延びる長さが比較的長い流路２８の形態の中空構造を作製することが意図される場合でも、リンス液３２ｂを除去フロント４６に供給するために、流体供給部５０又は流体供給部５０の一部を流路２８に少なくとも部分的に導入する必要がある。この目的で、流体供給部５０は、例えば、流路２８内に少なくとも部分的に導入される剛性管等を含み得る。特に湾曲した流路２８を形成すべき場合には、流体供給部５０は、例えば可撓性チューブ５２の形態の可撓性要素を含むことができ、当該可撓性要素は、その自由端で除去フロント４６を追跡するために流路２８内に少なくとも部分的に導入される。チューブ５２の自由端にはノズルが取り付けられ得るが、これは必須ではない。

【0171】

同様に図６ｃから明らかなように、中空構造２８の水平部分２８ｂの作製中の基板２５の材料は、基板２５の放射線入射側２７から遠い除去フロント４６の縁４６ｂの側面４６ｃに隣接しており、すなわち基板２５の材料は、図６ｃでは除去フロント４６の下縁４６ｂの下方に位置する。さらに、中空構造２８の水平部分２８ｂの作製時に、除去フロント４６の領域から出るか又は除去フロント４６から中空構造２８内に発せられるレーザ放射３５の一部は、基板２５の材料に再入射し、正確には、図６ｃでは流路２８の形態の中空構造の側面の下縁に再入射する。

【0172】

同様に図６ｃから明らかなように、除去フロント４６は、図示の例では円筒形である流路２８の側面５７との角度β’を含み、この角度は以下では除去フロント角度とも呼ばれる。流路２８の作製中に、除去フロント角度β’は、通常は少なくとも断続的に１°、５°、１０°、２０°、又は３０°の除去フロント最小角度よりも大きく、少なくとも断続的に８９°、８５°、８０°、７０°、又は６０°の除去フロント最大角度よりも小さい。流路２８の作製中の除去フロント角度β’は、除去フロント最小角度よりも恒久的に大きく且つ／又は除去フロント最大角度よりも恒久的に小さくてもよいが、これは必須ではない。

【0173】

図７ａ、図７ｂは、図６ａ～図６ｃと併せて説明した段階から続く、中空構造２８の作製中のさらなる２つの段階又はステップを示す。図７ａから明らかなように、図６ａに示す段階に対応する方法で、基板２５の裏側２９から始めて、中空構造２８のさらなる垂直部分２８ｃが作製され、それにさらなる丸み部分２８ｅが続く。図７ａに示す中空構造２８の形成段階では、図６ａに比べて、除去フロント４６の向きが鏡像反転され、水平部分２８ｂを形成するために基板が負のＸ方向に変位される。図７ｂから明らかなように、鏡像反転された除去フロント４６’を、当該鏡像反転された除去フロントが中空構造２８の水平部分２８ｂの加工済み部分に到達するまで連続加工により水平方向に変位させ、連続した水平部分２８ｂが作製されて流路の形態の中空構造２８が開通するようにする。

【0174】

シーム領域５３が流路２８の開通時に生じ、当該シーム領域は、流路２８の各部分の作製中に形成されたそれぞれ最後の除去フロント４６、４６’に対応する図７ｂの２つの隣接する破線の領域に延びる。シーム領域５３における流路２８の性質、より正確には流路２８の壁の性質は、少なくとも１つの特性がシーム領域外の流路２８の壁の性質と異なるか、又はシーム領域５３は、残りの流路２８に対して少なくとも１つの構造変更を有する。

【0175】

図７ｃは、そのような構造変更の３つの例を示す。図７ｃに示す例では、まず、シーム領域５３の流路２８の壁の表面構造は、シーム領域５３の表面構造上で除去フロント４６の縁輪郭５４が観察可能であるという点で、シーム領域５３外の流路２８の壁の表面構造とは異なる。他の除去フロント４６’の縁輪郭も、シーム領域５３の流路２８の表面構造に部分的に書き込まれているが、これは図７ｃには図示されてない。除去フロント４６の縁輪郭５４は、図示の例では楕円状に延び、流路２８の側面に対して約４５°の角度、すなわち除去フロント４６自体と同じ角度に向けられる（図６ｃ参照）。

【0176】

図７ｃに示す例では、シーム領域５３の流路２８の壁に４つのバルジ５５がさらに形成され、バルジはそれぞれが流路２８の断面を局所的に大きくする。流路２８の断面を小さくするバルジも同様に可能である。さらに、流路２８の壁は、シーム領域５３の段差の様式で僅かな横方向オフセット５６を有し、これは、流路２８の２つの部分の断面積が僅かに異なることに起因し得る。横方向オフセットは、連続した開口の形成時の流路２８の２つの部分の僅かにずれた位置決めの結果としも生じ得る。バルジ５５及び横方向オフセット５６の両方が、明確化のために誇張して表されていることが理解される。

【0177】

パルスレーザ放射３５による材料除去加工の結果として、基板２５に湾曲した流路２８の形態の中空構造を作製することができ、当該中空構造は、１ｍｍ～２０ｍｍ、特に１ｍｍ～５ｍｍの直径Ｄ、及び／又は１０ｃｍ以上、１５ｃｍ以上、２０ｃｍ以上、又は７０ｃｍ以上の長さＬ_Ｃを有する。図７ｂに示す流路２８は、２０ｃｍを超える長さＬ_Ｃ及び５ｍｍの直径Ｄを有する。基板２５のゼロクロス温度Ｔ_ＺＣは、上記で指定した値範囲内であり、モノリシック基板２５の体積において事実上一定である。すなわち、ゼロクロス温度の変動ΔＴ_ＺＣ、すなわち基板２５の体積における最大ゼロクロス温度と最小ゼロクロス温度との差も、同様に上記で指定した値範囲内である。

【0178】

図２ａ、図２ｂと併せて説明したように、冷却液の通過に用いることができる中空構造２８が、上述のように形成される。上述のものとは異なり、裏側除去は、基板２５の裏側２９からではなく、基板２５のビーム入射側２７とは反対で基板２５内に配置された側からも開始することができる。例として、これは、中空構造２８の２つの垂直部分２８ａ、２８ｃの作製の起点となる図２ｂに示す縦孔の上端であり得る。この場合、中空構造２８は、基板２５の機械加工をパルスレーザ放射３５による材料除去加工と組み合わせたハイブリッド作製法を用いて作製される。縦孔ではなく、異なる向きの孔又は空洞が、パルスレーザ放射３５を用いた中空構造２８の上述の形成の起点として働き得ることが理解される。

【0179】

要約すると、高アスペクトの垂直及び水平の巨視的な中空構造を、上述のようにしてＥＵＶミラーの基板２５に導入することができる。水平又は垂直の向きから逸脱する中空構造又は中空構造の部分も、このようにして作製できることが理解される。中空構造を形成するために上述したように加工することができるのが、投影系１０のミラーＭ１～Ｍ６のうちの１つだけでなく任意の他のミラー、特にＥＵＶミラーでもあることが理解される。単一の連続した冷却流路２８よりも複雑な中空構造、例えばＹ分岐点又はＴ分岐点を有する中空構造も、上述の方法により形成することができる。分岐点を有する中空構造も、上述の方法で形成することができ、それによる基板の材料の損傷も応力の発生もない。

【0180】

図８ａ、図８ｂは、投影系１０の一部であるモノリシック基板１２５を備えたミラーＭ４の実施形態のさらに別の例を示す。図示の例では、基板１２５の材料は、熱膨張係数が非常に小さいチタンドープ石英ガラスである。基板１２５は、熱膨張係数ができる限り小さい別の材料、例えばガラスセラミックからも形成され得る。基板１２５のゼロクロス温度Ｔ_ＺＣは、上記で指定した値範囲内であり、モノリシック基板１２５の体積において事実上一定である。すなわち、ゼロクロス温度の変動ΔＴ_ＺＣ、すなわち基板１２５の体積における最大ゼロクロス温度と最小ゼロクロス温度との差も、同様に上記で指定した値範囲内である。

【0181】

ＥＵＶ放射線１６を反射する反射コーティング１２６が、基板１２５の表面１２５ａに塗布される。反射コーティング１２６内に位置付けられた表面１２５ａの一部には、投影系１０のＥＵＶ放射１１６が当たり、この部分はここには図示しない反射コーティング１２６の光学的使用部分を形成する。ＥＵＶ放射線１６を反射するために、反射コーティング１２６は、例えば、屈折率の実部が異なる材料からなる複数の層対を有することができ、層は、ＥＵＶ放射線１６の波長が１３．５ｎｍの場合、例えばＳｉ及びＭｏから形成される可能性がある。

【0182】

基板１２５は、図示の例では水である流体１２８が流れることができる中空構造１２７を有する。図８ａに矢印で示す流体１２８は、中空構造１２７の一部を形成する複数の冷却流路１３１を通って流れるように、側面の入口開口１２９を介して基板１２５に入り、こうして反射コーティング１２６を塗布された基板１２５の表面１２５ａを特に冷却する。

【0183】

流体１２８を入口開口１２９に供給し、流体１２８を図８ａ、図８ｂには図示しない出口開口から除去するために、投影露光装置１は、冷却装置の形態である上述の温度制御装置３２を備える。図示の例では、冷却装置３２は、冷却水の形態の流体１２８を中空構造１２７又はミラーＭ４に供給する働きをし、この目的で、入口開口１２９に流体密に接続されるここには図示しない供給ラインを含む。冷却装置１３２は、基板１２５の出口開口を介して、又は中空構造１２７から冷却水を除去するために、ここには図示しない除去ラインも含む。

【0184】

図８ａから明らかなように、流体１２８は、入口開口１２９を介して中空構造１２７の入口流路１３３に入り、当該入口流路は流体分配部を形成し、そこから、以下で冷却流路１３１と称する複数の温度制御流路の１つにそれぞれが接続された複数の分配流路１３４が分岐する。冷却流路１３１は、図示の例では平面である基板１２５の表面１２５ａから約５ｍｍの距離Ａ’に配置され、表面１２５ａに平行に、すなわちＸＹＺ座標系のＸＹ平面に平行に延びる。冷却流路１３１は、直線状に延び、平行に向けられ、Ｙ方向に対応する長手方向に、基板１２５の表面１２５ａのコーティング１２６で覆われた部分の略全体にわたって延びる。図８ｂを参照されたい。冷却流路１３１から、流体１２８は、複数の回収流路１３６を介して、図８ｂに示す例では出口流路１３５として形成される流体回収部へと流れる。出口流路１３５は、図８ａ、図８ｂには図示しない上述の出口開口を有し、これを介して流体１２８が基板１２５の中空構造１２７から出る。

【0185】

図８ｂから明らかなように、中空構造１２７は、各分配流路１３４が冷却流路１３１に合流する第１丸み部分１３７ａを有する。したがって、中空構造１２７は、各冷却流路１３１が回収流路１３６に合流する第２丸み部分１３７ｂも有する。図示の例では、冷却流路１３１は、Ｙ方向に対応する水平方向に直線状に延び、分配流路１３４及び回収流路１３６は、Ｚ方向に対応する垂直方向に直線状に延びる。したがって、冷却流路１３１の長手方向軸は、分配流路１３４及び回収流路１３６に対して９０°の角度γに向けられる。丸み部分１３７ａ、１３７ｂは、丸みのない「角状の」９０°ベンドの場合に発生するような乱流の発生を回避するか又は少なくとも大幅に低減するために、できる限り流線形の流れ誘導を生じさせる働きをする。乱流の低減は、結果として反射光学素子Ｍ４の流動励起振動の低減をもたらす。

【0186】

図９ａ～図９ｄ及び図１０ａ～図１０ｄに示すように、９０°ベンドにおける最適化された流れ誘導のためには、丸み部分１３７ａ、１３７ｂが一定の曲率半径Ｒを有すれば有利である。最適な流れ誘導に不可欠なパラメータは、丸み部分１３７ａ、１３７ｂの曲率半径Ｒと流路径Ｄとの比により表される。

【0187】

図９ａ～図９ｄは、丸み部分１３７ａの曲率半径Ｒと丸み部分１３７Ａの直径Ｄとの４つの異なる比の場合の、各冷却流路１３１の端部分１３１ａと端部分１３１ａに隣接する分配流路部分１３４ａとが相互に隣接する第１の丸み部分１３７ａを示す。この場合、曲率半径Ｒは、図９ａ～図９ｄに示すように丸み部分１３７ａの中心で測定される。丸み部分１３７ａの直径Ｄは、図示の４つの例全てで５ｍｍである。この場合の丸み部分１３７ａの直径Ｄは、分配流路１３４の直径Ｄ及び冷却流路１３１の直径Ｄに対応する。長さＬは、図９ａ～図９ｄの説明図では約５０ｍｍである。図９ａ～図９ｄか明らかなように、Ｒ／Ｄ比は、図示の４つの例ではそれぞれＲ／Ｄ＝２、Ｒ／Ｄ＝３、Ｒ／Ｄ＝４、Ｒ／Ｄ＝５である。

【0188】

図９ａ～図９ｄと同様に、図１０ａ～図１０ｂは、各冷却流路１３１の端部分１３１ｂと端部分１３１ｂに隣接する回収流路部分１３６ａとが相互に合流する第２丸み部分１３７ｂを示す。丸み部分１３７ｂの直径Ｄは、図１０ａ～図１０ｄでは１０ｍｍである。図１０ａ～図１０ｄの説明図では、長さＬは約６０ｍｍである。図１０ａ～図１０ｄの説明図において、Ｒ／Ｄ比は、図示の４つの例ではそれぞれＲ／Ｄ＝２、Ｒ／Ｄ＝３、Ｒ／Ｄ＝４、Ｒ／Ｄ＝５である。各丸み部分１３７ａ、１３７ｂの直径Ｄは、通常は２ｍｍ～２０ｍｍであり、理想的には２ｍｍ～１２ｍｍである。

【0189】

上述のように、各丸み部分１３７ａ、１３７ｂの曲率半径Ｒと直径Ｄとの間には、丸み部分１３７ａ、１３７ｂの外側における流動流体１２８の圧力が丸み部分１３７ａ、１３７ｂの内側に比べて極僅かにしか上昇しないように遠心力が作用し、これにより丸み部分１３７ａ、ｂの上流及び下流で境界層剥離の低減を達成することができる最適な比がある。図９ａ～図９ｄ及び図１０ａ～図１０ｄは、流動流体１２８の乱流運動エネルギーが指定値を超える領域の輪郭を示す。この場合、流体１２８は、分配流路部分１３４ａから又は回収流路部分１３６ａから、冷却流路１３１の各端部分１３１ａ又は１３１ｂに流入すると仮定した。

【0190】

この目的で、丸み部分１３７ａ、１３７ｂの曲率半径Ｒと丸み部分１３７ａ、１３７ｂの直径Ｄとの比は、２～６以下、より好ましくは２．５～５、理想的には２．５～３．５が特に有利であると分かった。Ｒ／Ｄ比が２未満の場合、境界層剥離の有意な低減は通常はあり得ない。Ｒ／Ｄ比の最適値は典型的には２．５～３．５だが、最適値は場合によってはこの値範囲外でもあり得る。Ｒ／Ｄ比が６．０を超える場合、通常は流動挙動が悪化する。

【0191】

実際には、丸み部分１３７ａ、１３７ｂは、上述のように、モノリシック基板１２５に従来の加工方法を用いて作製することはできない。図示の例では、入口流路１３３及び出口流路１３５のみが、従来の加工方法により、正確にはそれぞれの穴が基板１２５に導入されることにより作製される。これに対して、分配流路１３４、冷却流路１３１、及び回収流路１３６は、基板２５の材料のレーザアブレーションにより作製され、レーザアブレーションについては後述する。

【0192】

中空構造１２７の分配流路１３４、冷却流路１３１、及び回収流路１３６を作成するために、反射コーティング１２６の塗布前に、パルスレーザビームを、基板１２５の表面１２５ａから基板１２５の材料を通して入口流路１３３の上側に放射してそこに集光させ、基板２５の厚さ方向Ｚに対して４５°の角度を向いた除去フロント１３０ａを形成する複数の平行なアブレーション経路を有する移動パターンを生成する。この位置から、基板１２５の材料のアブレーション及び分配流路３４の形成のために、除去フロント１３０ａを、基板１２５に対してＺ方向に対応する厚さ方向に複数回変位させる。変位中に、除去フロント１３０ａは固定のままであってもよく、除去フロント１３０ａが第１丸み部分１３７ａの真下に位置するまで、基板１２５をＺ方向上方に変位させる。

【0193】

第１丸み部分１３７ａを作製するために、除去フロント１３０ａ又は基板１２５を、Ｚ方向及びＹ方向の両方向の重畳移動で変位させる。第１丸み部分１３７ａの形成後に、当該冷却流路１３１又は分配流路１３４に隣接する当該冷却流路１３１の端部分１３１ａを形成するために、Ｚ方向に対応する厚さ方向に対して４５°を向いた除去フロント１３０ａは、当該除去フロントが冷却流路１３１の長手方向の略中央に位置するまで、Ｙ方向に対応する冷却流路１３１の長手方向に変位させられるだけである。

【0194】

回収流路１３６、第２丸み部分１３７ｂ、及び冷却流路１３１の後半又は第２丸み部分１３７ｂに隣接する端部分１３１ｂの作製は、出口流路１３５から始まるレーザアブレーションにより同様に実施され、出口流路１３５の上側にパルスレーザ放射を最初に基板１２５を通して集光させる。その際に形成されるさらなる除去フロント３０ｂは、同様に基板２５の厚さ方向又はＸＹ平面に対して４５°に向けられるが、上述の除去フロント１３０ａに対してＸＺ平面に関して鏡像反転される。パルスレーザビーム又はパルスレーザ放射の厚さ方向又は入射放射線方向Ｚに対して角度をなす除去フロント１３０ａ、１３０ｂの向きは、図４ａ～図４ｃ及び図５ａ、図５ｂとの関連で上述したように通常は実施される。各除去フロント１３０ａ、１３０ｂからアブレーションされた材料を除去するため又は冷却目的のために、流体が各除去フロント１３０ａ、１３０ｂに供給される。流体の供給は、通常は図６ａ～図６ｃとの関連で説明したようにして、流体供給部により、すなわち中空構造１２７内への流体供給部の少なくとも部分的な導入により実施される。

【0195】

上述の中空構造１２７において、丸みがあるのは２つの部分１３７ａ、１３７ｂのみであり、分配流路１３４、回収流路１３６、及び冷却流路１３１は直線状に延びる。しかしながら、より複雑な中空構造１２７も、上述のレーザアブレーション法を用いて作製することができる。図１１ａ、図１１ｂは、基板１２５におけるそのような中空構造１２７の一例を示し、この中空構造１２７は、図８ａ、図８ｂに示した中空構造１２７に実質的に対応する。中空構造１２７が図８ａ、図８ｂの中空構造１２７と異なる点は、冷却流路１３１が、図示の例では凸状に湾曲している表面１２５ａの曲率に従う若干の曲率を有することである。図１１ｂに示す例では、分配流路１３４に隣接する各冷却流路１３１の端部分１３１ａは、約１１５°の角度γに向けられる。冷却流路１３１がＺＸ平面内に延びる曲率を有するにもかかわらず、丸み部分１３１ａに隣接する端部１３１ａについて角度γを規定する長手方向軸を規定することが可能である。図１１ａ、図１１ｂには図示しない第２丸み部分１３７ｂは、第１丸み部分１３７ａに対応するようにして具現化されることが理解される。それぞれの丸み部分１３７ａ、１３７ｂの曲率半径Ｒと直ＤとのＲ／Ｄ比は、通常は上述の値範囲内である。

【0196】

図１２ａ～図１２ｄに示す基板１２５の場合、中空構造１２７は、図８ａ、図８ｂに示す中空構造１２７のように実質的に設計されるが、分配流路１３４及び回収流路１３６が垂直方向に延びておらず、基板１２５の厚さ方向Ｚに対して約２５°の角度に向けられている点で後者とは異なる。図８ａ、図８ｂに示す中空構造１２７のように、図１２ａ～図１２ｄに示す中空構造１２７は、各分配流路１３４又は回収流路１３６と冷却流路１３１との間に、ここには図示しない２つの丸み部分１３７ａ、１３７ｂを有する。分配流路１３４又は回収流路１３６と冷却流路１３１との間の角度γは、この場合も９０°だが、入口流路１３３の長手方向軸線と各分配流路１３４との間の角度γ’が約１１５°であることを示す図１２ｄから明らかなように、厚さ方向Ｚに対して約２５°傾斜した平面内に延びる。

【0197】

図１２ａ～図１２ｄに示す中空構造１２７は、各分配流路１３４の合流部分１３４ｂが入口流路１３４に、より正確には入口流路１３４の分岐部分１３４ａに移行する、又は各回収流路１３６の合流部分１３６ｂが出口流路１３５の分岐部分１３５ａに移行する、丸み部分１３８を有する。図示の例では、各丸み部分１３８は、一定の直径又は流路断面を有さず、その代わりに、流路断面は、分岐部分１３４ａから始まって小さくなる。丸み部分１３８は、各分配流路１３４又は回収流路１３６と各冷却流路１３１との間に延びる２つの湾曲部分１３７ａ、１３７ｂの場合のように、一定の曲率半径Ｒを有しない。したがって、直径Ｄに対する曲率半径Ｒの最適化された比を指定することはできない。丸み部分１３８は、上述のレーザアブレーション法を用いて作製することもできる。

【0198】

少なくとも１つの丸み部分１３７ａ、１３７ｂ、１３８を有する中空構造１２７は、上述の例に限定されるものではなく、原理上は、１つ又は複数のそのような部分を有する他のより複雑な中空構造１２７も、基板１２５を通って延び得ることが理解される。さらに、図１１ａ、図１１ｂとの関連で説明したような曲率を有する冷却流路１３１だけでなく、分配流路１３４及び回収流路１３６もまた、湾曲して延びていてもよい。

【0199】

図１３ａ、図１３ｂは、投影系１０の一部である、図示の例ではモノリシック基板２２５を有するミラーＭ４のさらに別の例を示す。図示の例では、基板２２５の材料は、熱膨張係数が非常に小さいチタンドープ石英ガラスである。基板２２５は、熱膨張係数ができる限り小さい異なる材料、例えばガラスセラミックからも形成され得る。

【0200】

反射コーティング２２６は、モノリシック基板２２５の表面２２５ａに塗布される。反射コーティング２２６内に位置付けられた表面２２５ａの一部には、投影系１０のＥＵＶ放射線１６が当たり、この部分はここには図示しない反射コーティング２２６の光学的使用部分を形成する。ＥＵＶ放射線１６を反射するために、反射コーティング２２６は、例えば、屈折率の実部が異なる材料からなる複数の層対を有することができ、層は、ＥＵＶ放射線１６の波長が１３．５ｎｍの場合、例えばＳｉ及びＭｏから形成される可能性がある。

【0201】

基板２２５は、図示の例では水である流体２２８が流れることができる中空構造２２７を有する。図１３ａに矢印で示す流体２２８は、中空構造２２７の一部を形成する複数の冷却流路２３１を通って流れるように、側面の入口開口２２９を介して基板２２５に入り、こうして反射コーティング２２６を塗布された基板２２５の表面２２５ａを特に冷却する。

【0202】

流体２２８を入口開口２２９に供給し、流体２２８を図１３ｃには図示しない出口開口から除去するために、投影露光装置１は、図１に非常に概略的に示す冷却装置３２の形態の上述の温度制御装置を備える。図示の例では、冷却装置３２は、冷却水の形態の流体２２８を中空構造２２７又はミラーＭ４に供給する働きをし、この目的で、入口開口２２９に流体密に接続されるここには図示しない供給ラインを含む。冷却装置３２は、基板２２５の出口開口を介して、又は中空構造２２７から冷却水を除去するために、ここには図示しない除去ラインも含む。投影系１０の他のミラーＭ１～Ｍ３、Ｍ５、Ｍ６及び照明系２のミラーも、冷却の目的で、冷却装置３２に接続されるか又はこの目的で設けられたさらなる温度制御装置又は冷却装置に任意に接続される。

【0203】

図１３ａから明らかなように、流体２２８は、入口開口２２９を介して中空構造２２７の入口流路２３３に入り、当該入口流路は流体分配部を形成し、そこから、複数の冷却流路２３１の１つにそれぞれが接続された複数の分配流路２３４が分岐する。冷却流路２３１は、図示の例では平面である基板２２５の表面２２５ａから約２ｍｍ～約５ｍｍの距離Ａ’に配置され、表面２２５ａに平行に、すなわちＸＹＺ座標系のＸＹ平面に平行に延びる。冷却流路２３１は、直線状に延び、平行に向けられ、長手方向に、すなわち長手方向に、基板２２５の表面２２５ａのコーティング２２６で覆われた部分の略全体にわたって延びる。図１３ｂを参照されたい。冷却流路２３１から、流体２２８は、複数の回収流路２３６を介して、図１３ｂに示す例では円筒形の第２空洞２３５として形成される流体回収部へと流れる。流体２２８は、出口開口２３０を介して基板２２５の中空構造２２７から出る。図示の例では、冷却流路２３１は、Ｘ方向に対応する水平方向に直線状に延び、分配流路２３４及び回収流路２３６は、Ｚ方向に対応する垂直方向に直線状に延びる。したがって、冷却流路２３１の長手方向軸は、分配流路２３４及び回収流路２３６に対して９０°の角度に向けられる。しかしながら、このような向きは必須ではない。

【0204】

図１３ａ～図１３ｃに示す中空構造２２７を作製するために、以下の手順が実行される。最初に、流体分配部及び流体コネクタを形成する２つの円筒形の空洞２３３、２３５を、機械加工により、例えば研削又は超音波研削により基板２２５の材料に導入する。その後、基板２２５を液浴に、より正確には水浴に浸漬させ、その結果として水の形態の流体２２８が入口開口２２８を通して流体分配部の空洞２３３に入り、出口開口２３０を通して流体回収部の空洞２３５に入り、これらの空洞を満たす。流体２３８を充填された各空洞２３３、２３５から始めて、図１３ｃから明らかなように、空洞２３３、２３５に隣接する複数の短い流路部分２３７を多光子レーザアブレーションにより作製する。

【0205】

流路部分２３７を作製するために、複数のパルスレーザビームを、基板２２５の表面２２５ａから始めて基板２２５の材料を通して流体分配部を形成する空洞２３３の表面に放射してそこに集光させる。したがって、空洞２３３の上側は、表面２２５ａの形態の基板２２５の放射線入射側とは反対の側を形成する。各照射パルスレーザビームにより、Ｚ方向に相互にオフセットして基板２２５の厚さ方向Ｚに対して約４５°の角度を向いた除去フロント２３０ａを形成する複数の平行なアブレーション経路を有する移動パターンで、焦点領域を移動させる。照射レーザビームの焦点位置を、Ｚ方向で変更し、Ｚ方向のアブレーション経路のオフセットをもたらす。

【0206】

流路部分２３７が始まる空洞２３３の表面上の点から始めて、基板２２５の材料のアブレーション及び流路部分２３７の形成のために、除去フロント２３０ａを、基板２２５に対して厚さ方向、すなわちＺ方向に複数回変位させる。変位中に、除去フロント２３０ａは静止したままであってもよく、除去フロント２３０ａが空洞２３３の上側から約２０～４０ｍｍの距離を有するまで、基板２２５をＺ方向下方に変位させる。多光子レーザアブレーションにより長さが比較的長い流路部分２３７を形成するために、以下でさらに詳細に説明するように、除去フロント２３０ａを流体２２８で局所的に洗浄する必要がある。流体回収部を形成する空洞２３５から始まる流路部分２３７の作製は、多光子レーザアブレーションにより対応する方法で実施される。その際に形成されるさらに別の除去フロント２３０ｂは、同様に基板２２５の厚さ方向又はＸＹ平面に対して約４５°に向けられるが、上記除去フロント２３０ａに対してＸＺ平面に関して鏡像反転される。

【0207】

図１３ａ、図１３ｂに示す中空構造２２７を形成するために、基板２２５を液浴から取り出し、液体２２８を空洞２３３、２３５から除去する。残りの中空構造２２７を形成するために、流体供給装置２３８を利用して水の形態の流体２２８を各除去フロント２３０ａ、２３０ｂに供給するが、これは図１３ｃに非常に概略的に示されている。流体供給装置２３８は、２つの挿入コンポーネント２３９、２４０及び複数の可撓性流体ライン２４を含む。図示の例では、流体供給装置２３８は７本の流体ライン２４１を含む。流体ライン２４１は、流体供給装置２３８の流体補給装置２４３に接続され、流体補給装置２４３は、概して数バールの圧力で可撓性流体ライン２４１内の流体２２８を圧送するポンプを有する。流体供給装置２４３は、中空構造２２７を形成するために除去フロント２３０ａ、２３０ｂを基板２２５内で移動させる際に、可撓性流体ライン２４１を追跡するのに、より正確には押し進めるのに役立つ追跡装置２４４も含む。例として、追跡装置２４４は、各可撓性流体ライン２４１の一部を巻き上げるリール等を含み得る。追跡の目的で、リールは、除去フロントの移動速度に対応する一定の角速度で回転させることができる。追跡装置２４４は、異なる形態で形成されてもよいことが理解される。

【0208】

中空構造２７７を形成するために、棒状且つ円筒形の第1挿入コンポーネント２３９を、当該挿入コンポーネントの端面が止まり穴を形成する第１空洞２３３の端に当接するまで、入口開口部２２９を通して第１空洞２３３内に導入する。挿入コンポーネント２３９の側面２４５に形成された開口２４６が、開口２４６の数に対応する数の流路部分２３７が開始又は分岐する空洞２３３の壁上の位置に配置されるように、挿入コンポーネント２３９を周方向で位置合わせする。挿入コンポーネント２３９の周方向の位置合わせは、棒状の挿入コンポーネント２３９の端面２３９ａに横方向突出部分が設けられること（図１３ｃ参照）により実施することもでき、この突出部は、図１３ｂに破線を用いて示すように、舌部として働き基板２２５の側面の対応する形状の溝に係合する。

【0209】

可撓性流体ライン２４１を流路部分２３７に導入するために、挿入コンポーネント２３９は、図示の例では７つのガイド流路２４７を含む。図１４を参照されたい。挿入コンポーネント２３９は、より多い又はより少ない数のガイド流路２４７を有することもできることが理解される。図１３ｃに示す挿入コンポーネント２３９をその端面２３９ａの平面図で示す図１４ａから明らかなように、ガイド流路２４７の６つは、中央ガイド流路２４７の周りに配置されている。図１４ａ～図１４ｃに示す例では、ガイド流路２４７は、挿入コンポーネント３９の直径Ｄ’、図示の例では約９ｍｍを規定する固体材料２４８に埋め込まれ又は鋳込まれたステンレス鋼管である。円筒形の空洞２３３の、より正確にはその内壁２３３ａの直径Ｈは僅かに大きく、約１０ｍｍである。各ガイド流路２４７の内径ｄは約２ｍｍである。可撓性流体ライン２４１の内径Ｆは約１ｍｍである。

【0210】

図１４ａから明らかなように、各流体ライン２４１は、それぞれのガイド流路２４７の中央に延びる。リングギャップ２４９が、流体ライン２４１とそれぞれのガイド流路２４７の内壁２４７ａとの間に位置する。リングギャップ２４９は、可撓性流体ライン２４１を通って各除去フロント２３０ａ、２３０ｂに供給される流体２２８を戻す働きをする。戻された流体２２８は、挿入コンポーネント２３９の端面２３９ａから出てそこから除去される。

【0211】

図１４ｂから明らかなように、挿入コンポーネント２３９の各ガイド流路２４７は、可撓性流体ライン２４１が棒状の挿入コンポーネント２３９の側面２４５の各開口２４６から出ることができるように、可撓性流体ライン２４１の配列を、挿入コンポーネント２３９のＹ方向に対応する長手方向からそれに対して垂直な方向に変えるための丸み部分２５０を有する。丸み部分２５０は、ガイド流路２４７を形成する各ステンレス鋼管を曲げることにより作製される。

【0212】

図１３ｃ及び図１４ｃから明らかなように、挿入コンポーネント２３９の側面２４５の開口２４６は、挿入コンポーネント２３９の長手方向、すなわちＹ方向に対応する共通の線に沿って配置される。流路部分２３７も同様に、空洞２３３の長手方向、すなわちＹ方向に対応する共通の線に沿って延びるので、通常はこれが必要である。側面２４５の隣接する開口２４６間の距離Ａ’’は、基板２２５の２つの隣接する流路部分２３７間の距離に対応する。流路部分２３７及び挿入コンポーネント２３９の側面の開口２４６が、共通の線に沿って延びることは必須ではなく、共通の線に沿ったこのような配置からの逸脱が可能である。

【0213】

側面２４５の開口２４６を長手方向に隣り合って配置するためには、ガイド流路２４７を異なる長さで設計し、湾曲部分２５０を相互に対して捻ることが通常は必要であり、これは、付加製造法により作製されたという点で図１４ａ～図１４ｃに示す挿入コンポーネント２３９とは異なる挿入コンポーネント２３９を示す図１５ａ、図１５ｂから極めて明らかである。図１５ａ、図１５ｂに示す挿入コンポーネント２３９は、付加製造中にガイド流路２４７が形成された円筒形の本体からなる。

【0214】

挿入コンポーネント２３９の側面２４５を越えて突出する、図１５ｂに示す流体ライン２４１の自由端は、流体供給装置２３８の動作中に流路部分２３７内に突出する。図１３ｃに破線を用いて示す中空構造２２７の部分を形成するために、形成済みの流路部分２３７の端面に、パルスレーザ放射の照射による除去フロント２３０ａ、２３０ｂを作製する。形成済みの流路部分２３７の端面は、放射線入射側とは反対の側を形成し、そこから始めて、除去フロント２３０ａが水平方向に延びる冷却流路２３１と同じ高さになるまで、基板２２５をＺ方向下方に変位させることにより、除去フロント２３０ａ、２３０ｂを基板２２５に対して移動させる。代替として、例えば、基板２２５自体は静止したまま除去フロント２３０ａを基板２２５内で移動させるために、照射されたパルスレーザ放射の焦点位置を除去フロント２３０ａに沿った全ての点で同じ値だけ上方にオフセットさせることができる。

【0215】

水平な冷却流路２３１を形成するために、基板２２５の厚さ方向、すなわちＺ方向に対して、又はパルスレーザ放射の入射放射線方向に対して約４５°に向けられた除去フロント２３０ａを、冷却流路２３１の略中央に位置するまで、冷却流路２３１の長手方向、すなわちＸ方向に変位させる。この場合、基板２２５は通常は静止しており、除去フロント２３０ａを水平方向に変位させるために、基板２２５にレーザビームを放射するための光学ユニットを適切な方法で変位及び移動させる。

【0216】

ここには図示しないさらに別の流体供給装置のさらに別の挿入コンポーネントを用いて、基板２２５を下方に変位させることにより、又は基板２２５が静止したまま照射されたパルスレーザ放射の焦点位置を除去フロント２３０ｂの各点において一定値だけ上方に変位させることにより、通常は複数７つの回収流路２３５を第２の空洞２３５から始めて多光子レーザアブレーションにより同時に作製する。その後、基板２２５を静止させたまま、除去フロント２３０ｂをＹ方向に移動させる。２つの除去フロント２３０ａ、２３０ｂは、例えば長さが約４００ｍｍであり得る各冷却流路２３１の略中央で重なり、その結果、連続した冷却流路２３１が形成され、分配流路２３４により流体分配部として働く第１空洞２３３に接続され、回収流路２３６により流体回収部として働く第２空洞２３５に接続される。

【0217】

上述のようにして、７つの分配流路２３４、冷却流路２３１、及び回収流路２３６を同時に作製することが可能であり、その結果、中空構造２２７の作製に要する時間を大幅に短縮することができる。図１３ｃに示す中空構造２２７の残りの７つの分配流路２３４、冷却流路２３１、及び回収流路２３６を作製するために、図１３ｃに示す挿入コンポーネント２４０を利用することができ、その場合、流体ライン２４１を出すための開口部２４６’は、第１挿入コンポーネント２３９の開口２４６に対してオフセットされる。第２挿入コンポーネント２４０を第１空洞２３３に挿入することにより、７つの分配流路２３４、冷却流路２３１、及び回収流路２３６の第２群の作製は、第１群の形成と同様に実施される。

【0218】

図１３ｃに示すのとは異なり、第２挿入コンポーネント２４０は、第１挿入コンポーネント２３９よりも長さが短くてもよいことが理解される。この場合、例えば中実シリンダの形態のスペーサを空洞２３３に導入した後に第２挿入コンポーネント２４０を導入し、挿入コンポーネント２４０を押し込むと上記スペーサの端面に当接するようにすることができる。代替として、挿入コンポーネント２４０の端面にある１つ又は複数の突出部分が、ストッパとして、又は空洞２３３への導入時に第２挿入コンポーネント２４０の移動を制限するための当接面として働き得る。第２挿入コンポーネント２４０の端面に取り付けられたストッパも、上述のように第２挿入コンポーネント２４０を周方向に適切に位置合わせするために、舌部として働き基板２２５の外側の対応する溝に係合することもできる。

【0219】

図１３ｃに示す複雑な中空構造２２７の作製の範囲内で、同時に作製された複数の除去フロント２３０ａ、２３０ｂは、上述の流体供給装置２３８を用いて、可撓性流体ライン２４１により自動的に追跡することができる。このようにして、複数の構造、例えば冷却流路２３１を同時に作製することができ、結果として、複雑な中空構造２２７の作製時の時間の大幅な節約又は生産性の向上を得ることができる。

【0220】

図６ａ～図６ｃとの関連で上述した流体供給部５０は、例えば、図１３ｃ、図１４ａ～図１４ｃ、及び図１５ａ、図１５ｂとの関連で説明した流体供給装置２３８として設計され得る。しかしながら、流体供給部５０が、流体供給装置２３８の構成品の一部、例えば流体供給装置２４３及び任意選択で追跡装置２４４のみを含むこと可能性もある。後者は、例えば、図６ａ～図６ｃとの関連で説明した可撓性チューブ５２の形態の少なくとも１つの可撓性流体ライン２４１による自動追跡に用いることができる。

【0221】

本発明は、本明細書の一部を形成するが特許請求の範囲ではない以下の項に記載の態様も含む。

【0222】

１．被加工物（２５）、特にＥＵＶミラー（Ｍ４）用の基板に、パルスレーザ放射（３５）による材料除去加工により中空構造（２８）を作製する方法であって、
パルスレーザ放射（３５）に対して透明な材料から形成された被加工物（２５）に放射線入射側（２７）からパルスレーザ放射（３５）を放射するステップと、
パルスレーザ放射（３５）を焦点領域（３９）に集光するステップと、
焦点領域（３９）を移動パターン（４１）の相互にオフセットした軌道（４２）に沿って移動させることにより、被加工物（２５）の材料の面状除去のための除去フロント（４６）を作製するステップと、
被加工物（２５）の放射線入射側（２７）とは反対の側（２９）から始めて、除去フロント（４６）を被加工物（２５）内で移動させることにより、中空構造（２８）を作製するステップと
を含む方法において、
中空構造（２８）の作製中に、被加工物（２５）の放射線入射側（２７）でパルスレーザ放射（３５）の入射放射線方向（Ｚ）に対して垂直に向いていない除去フロント（４６）が、少なくとも断続的に形成されることを特徴とする方法。

【0223】

２．第１項に記載の方法において、被加工物（２５）の放射線入射側（２７）におけるパルスレーザ放射（３５）の入射放射線方向（Ｚ）に対して２０°～７０°、好ましくは３０°～６０°の角度（α）を向いた除去フロント（４６）が、少なくとも断続的に形成される方法。

【0224】

３．第１項又は第２項に記載の方法において、入射放射線方向（Ｚ）に対して垂直に向いていない除去フロント（４６）を形成するために、焦点領域（３９）を入射放射線方向（Ｚ）にオフセットさせることにより、移動パターン（４１）の軌道（４２）を入射放射線方向（Ｚ）に相互にオフセットさせる方法。

【0225】

４．第１項～第３項のいずれか１つに記載の方法において、移動パターン（４１）の相互にオフセットされた軌道（４２）のパルスレーザ放射（３５）のパルスエネルギー（Ｅ_Ｐ）を、入射放射線方向（Ｚ）に対して垂直に向いていない除去フロント（４６）を形成するよう変更し、焦点領域（３９）を、好ましくは入射放射線方向（Ｚ）に対して垂直な平面（ＦＥ）内で移動させる方法。

【0226】

５．第１項～第４項のいずれか１つに記載の方法において、放射線入射側（２７）に実質的に平行に延びることが好ましい中空構造（２８）の部分（２８ｂ）を形成するために、中空構造（２８）の作製中に、除去フロント（４６）を、被加工物内で入射放射線方向（Ｚ）を横切る移動方向（－Ｘ）に少なくとも断続的に移動させ、除去フロント（４６）の放射線入射側（２７）に近い端（４６ａ）を、入射放射線方向（Ｚ）に対する横方向移動時に移動方向（－Ｘ）に対して９０°未満、好ましくは７０°未満の角度（β）に向ける方法。

【0227】

６．第１項～第５項のいずれか１つに記載の方法において、被加工物（２５）の放射線入射側（２７）とは反対の側（２９）から始めて入射放射線方向（Ｚ）に実質的に平行に延びる中空構造（２８）の部分（２８ａ）を作製するために、また好ましくは、入射放射線方向（Ｚ）に実質的に平行に延びる中空構造（２８）のさらに別の部分（２８ｃ）を作製するために、中空構造（２８）の作製中に、除去フロント（４６）を、入射放射線方向（Ｚ）に実質的に平行に少なくとも断続的に移動させる方法。

【0228】

７．第１項～第６項のいずれか１つに記載の方法において、長手方向（Ｘ、Ｚ）が相互に対して７０°～１００°の角度（γ）、好ましくは９０°の角度（γ）を向いた、中空構造（２８）の第１部分（２８ａ、２８ｃ）及び中空構造（２８）の隣接する第２部分（２８ｂ）を作製する方法。

【0229】

８．第７項に記載の方法であって、中空構造（２８）の作製中に丸み部分（２８ｄ、２８ｅ）を形成し、第１部分（２８ａ、２８ｃ）及び第２部分（２８ｂ）は、丸み部分で相互に合流する方法。

【0230】

９．第１項～第８項のいずれか１つに記載の方法において、除去フロント（４６）を、中空構造（２８）の作製時に流体（３２ｂ）と接触させ、流体（３２ｂ）は、被加工物（２５）の放射線入射側（２７）から遠い側（２９）から始めた除去フロント（４６）の移動時に、好ましくは可撓性チューブ（５２）により除去フロント（４６）を追跡する方法。

【0231】

１０．第１項～第９項のいずれか１つに記載の方法において、被加工物を、除去フロント（４６）を移動させるために変位させる方法。

【0232】

１１．第１項～第１０項のいずれか１つに記載の方法において、除去フロント（４６）を形成するために、焦点領域（３９）を、スキャナ光学ユニット（３６）により移動パターン（４１）の相互にオフセットした軌道（４２）に沿って移動させる方法。

【0233】

１２．第１項～第１１項のいずれか１つに記載の方法において、基板（２５）は、モノリシックであり、チタンドープ石英ガラス又はガラスセラミックからなる方法。

【0234】

１３．ＥＵＶミラー（Ｍ４）であって、
基板（２５）と、
基板（２５）に塗布されてＥＵＶ放射（１６）を反射する働きをするコーティング（２６）と
を備え、基板（２５）は、節１～１２いずれか１つに記載の方法を用いて作製された少なくとも１つの中空構造（２８）を含むＥＵＶミラー。

【0235】

１４．ＥＵＶリソグラフィシステム（１）であって、節１３に記載の少なくとも１つのＥＵＶミラー（Ｍ４）と、冷却流体（３２ａ）を少なくとも１つの中空構造（２８）に流すよう設計された冷却装置（３２）とを備えたＥＵＶリソグラフィシステム。

【0236】

１５．被加工物（２５）、特にＥＵＶミラー（Ｍ４）用の基板に少なくとも１つの中空構造（２８）を作製する装置（３３）であって、
パルスレーザ放射（３５）を生成するレーザ源（３４）と、
レーザ放射（３５）を焦点領域（３９）に集光する集光装置（３７）と、
被加工物（２５）を収容するホルダ（４４）と、
被加工物（２５）の材料の面状除去のための除去フロント（４６）を形成するためにホルダ（４４）に収容された被加工物（２５）の放射線入射側（２７）にパルスレーザ放射（３５）を放射し、移動パターン（４１）の相互にオフセットした軌道（４２）に沿って焦点領域（３９）を移動させるよう設計されたスキャナ光学ユニット（３６）と、
中空構造（２８）を作製するために、被加工物（２５）の放射線入射側（２７）とは反対の側（２９）から始めて被加工物（２５）内で除去フロント（４６）を移動させる位置決め装置（４３）と
を備え、
装置（３３）は、ホルダ（４４）により収容された被加工物（２５）において、パルスレーザ放射（３５）の入射放射線方向（Ｚ）に対して垂直に向いていない除去フロント（４６）を形成するよう設計されることを特徴とする装置。

【0237】

１６．第１５項に記載の装置において、入射放射線方向（Ｚ）でパルスレーザ放射（３５）の焦点領域（３９）をオフセットするための焦点オフセット装置（４７）と、
入射放射線方向（Ｚ）に対して垂直に向いていない除去フロント（４６）を形成するために、入射放射線方向（Ｚ）で移動パターン（４１）の軌道（４２）を相互に対してオフセットさせるように焦点オフセット装置（４７）を制御するよう設計された制御装置（４８）と
をさらに備えた装置。

【0238】

１７．第１５項又は第１６項に記載の装置において、
入射放射線方向（Ｚ）に対して垂直に向いていない除去フロント（４６）を形成するために、移動パターン（４１）の相互にオフセットした軌道（４２）のパルスレーザ放射（３５）のパルスエネルギー（Ｅ_Ｐ）を変更するようにレーザ源（３４）を制御するよう設計された制御装置（４８）
をさらに備えた装置。

【0239】

１８．第１５項～第１７項のいずれか１つに記載の装置において、位置決め装置（４３）は、入射放射線方向（Ｚ）に、好ましくは入射放射線方向（Ｚ）を横切る少なくとも１つの方向（Ｘ、Ｙ）に、被加工物（２５）を変位させるよう設計される装置。

【0240】

１９．第１５項～第１８項のいずれか１つに記載の装置において、
流体（３２ｂ）を除去フロント（４６）に供給するよう設計された流体供給部（５０）であり、被加工物（２５）の放射線入射側（２７）とは反対の側（２９）から始めた除去フロント（４６）の移動時に流体（３２ｂ）により追跡する可撓性チューブ（５２）を有することが好ましい、流体供給部（５０）と
をさらに備えた装置。

【0241】

２０．放射線を反射する、特にＥＵＶ放射線（１６）を反射する光学素子（Ｍ４）であって、
モノリシック基板（２５）と、
モノリシック基板（２５）の表面（２５ａ）に塗布される反射コーティング（２６）と、
モノリシック基板（２５）内に延びて流体（２８）を流すよう設計された少なくとも１つの中空構造（２７）であり、相互に対して６０°～１２０°の角度（γ、γ’）、好ましくは８０°～１００°の角度（γ、γ’）、特に９０°の角度（γ、γ’）を向いた第１部分（３１ａ、３１ｂ；３４ｂ、３６ｂ）及び第２の隣接部分（３４ａ、３６ａ；３３ａ、３５ａ）を有する中空構造（２７）と
を備え、
中空構造（２７）は、第１部分（３１ａ、３１ｂ；３４ｂ、３６ｂ）及び第２部分（３４ａ、３６ａ；３３ａ、３５ａ）が相互に合流する丸み部分（３７ａ、３７ｂ、３８）を有することを特徴とする光学素子。

【0242】

２１．第２０項に記載の光学素子において、丸み部分（３７ａ、３７ｂ）の曲率半径Ｒと丸み部分（３７ａ、３７ｂ）の直径ＤとのＲ／Ｄ比が、２～６、好ましくは２．５～５、特に２．５～３．５である光学素子。

【0243】

２２．第２０項又は第２１項に記載の光学素子において、丸み部分（３７ａ、３７ｂ）の直径Ｄは、２ｍｍ～２０ｍｍ、好ましくは２ｍｍ～１２ｍｍである光学素子。

【0244】

２３．第２０項～第２２項のいずれか１つに記載の光学素子において、中空構造（２７）は、反射コーティング（２６）を塗布された表面（２５ａ）の下方に延びる複数の冷却流路（３１）を含み、中空構造（２７）は、分配流路（３４）を介して冷却流路（３１）に接続された流体分配部（３３）と、回収流路（３６）を介して冷却流路（３１）に接続された流体回収部（３５）とを含む光学素子。

【0245】

２４．第２３項に記載の光学素子において、第１部分は、分配流路（３４）に隣接する冷却流路（３１）の端部分（３１ａ）を形成して、第２部分は、端部分（３１ａ）に隣接する分配流路部分（３４ａ）を形成し、且つ／又は第１部分は、回収流路（３６）に隣接する冷却流路（３１）の端部分（３１ｂ）を形成して、第２部分は、端部分（３１ｂ）に隣接する回収流路部分（３６ａ）を形成する光学素子。

【0246】

２５．第２３項又は第２４項に記載の光学素子において、流体分配部は、分配流路（３４）が分岐する入口流路（３３）を形成し、且つ／又は流体回収部は、回収流路（３６）が分岐する出口流路（３５）を形成する光学素子。

【0247】

２６．第２５項に記載の光学素子において、第１部分は、入口流路（３３）に隣接する分配流路（３４）の合流部分（３４ｂ）を形成して、第２部分は、合流部分（３４ｂ）に隣接する入口流路（３３）の分岐部分（３３ａ）を形成し、且つ／又は、第１部分は、出口流路（３５）に隣接する回収流路（３６）の合流部分（３６ｂ）を形成して、第２部分は、回収流路（３６）の合流部分（３６ｂ）に隣接する出口流路（３５）の分岐部分（３５ａ）を形成する光学素子。

【0248】

２７．第２６項に記載の光学素子において、入口流路（３３）の分岐部分（３３ａ）と分配流路（３４）の合流部分（３４ｂ）との間の角度（γ’）は、９０°よりも大きく、好ましくは１００°よりも大きく、且つ／又は出口流路（３５）の分岐部分と回収流路（３５）の合流部分（３６ｂ）との間の角度（γ’）は、９０°よりも大きく、好ましくは１００°よりも大きい光学素子。

【0249】

２８．第２０項～第２７項のいずれか１つに記載の光学素子において、基板（２５）の材料は、石英ガラス、特にチタンドープ石英ガラス、及びガラスセラミックを含む群から選択される光学素子。

【0250】

２９．光学装置、特にＥＵＶリソグラフィシステム（１）であって、
節２０～２８のいずれか１つに記載の少なくとも１つの光学素子（Ｍ４）と、
温度制御装置、特に流体（２８）を少なくとも１つの中空構造（２７）に流すよう設計された冷却装置（３２）と
を備えた光学装置。

【0251】

３０．被加工物からの、好ましくはＥＵＶミラー（Ｍ４）用の特にモノリシック基板（２５）からの多光子レーザアブレーションによる材料の除去時に、少なくとも１つのアブレーションフロント（３０ａ、３０ｂ）に流体（２８）を供給する流体供給装置（３８）であって、
少なくとも１つのアブレーションフロント（３０ａ、３０ｂ）に流体（２８）を供給するための、少なくとも１つの可撓性流体ライン（４１）、好ましくは複数の可撓性流体ライン（４１）と、
被加工物（２５）を空洞（３３、３５）に挿入するための少なくとも１つの挿入コンポーネント（３９、４０）であり、少なくとも１つのアブレーションフロント（３０ａ、３０ｂ）に流体（２８）を供給するために、少なくとも１つの可撓性流体ライン（４１）を案内する少なくとも１つのガイド流路（４７）を有する挿入コンポーネント（３９、４０）と
を備えた流体供給装置。

【0252】

３１．第３０項に記載の流体供給装置において、挿入コンポーネント（３９、４０）は、可撓性流体ライン（４１）をそれぞれ案内する複数の案内流路（４７）を有する流体供給装置。

【0253】

３２．第３０項又は第３１項に記載の流体供給装置において、流体（２８）をアブレーションフロント（３０ａ、３０ｂ）から戻すために、流体が流れることができるギャップ、特にリングギャップ（４９）が、流体ライン（４１）とガイド流路（４７）の流路壁（４７ａ）との間に形成される流体供給装置。

【0254】

３３．第３０項～第３２項のいずれか１つに記載の流体供給装置において、案内流路（４７）は、可撓性流体ライン（４１）の方向を変更するための少なくとも１つの丸み部分（５０）を有する流体供給装置。

【0255】

３４．第３０項～第３３項のいずれか１つに記載の流体供給装置において、挿入コンポーネント（３９、４０）は、棒状であり、ガイド流路（４７）は、挿入コンポーネント（３９）の端面（４８）から挿入コンポーネント（３９）の側面（４５）まで延びる
流体供給装置。

【0256】

３５．第３４項に記載の流体供給装置において、ガイド流路（４１）は、挿入コンポーネント（３９）の側面（４５）で開口（４６）に合流し、開口は、好ましくは挿入コンポーネント（３９）の長手方向（Ｙ）に隣り合って配置され、特に挿入コンポーネント（３９）の長手方向（Ｙ）で相互に等距離（Ａ）に配置される流体供給装置。

【0257】

３６．第３４項又は第３５項に記載の流体供給装置において、棒状の挿入コンポーネント（３９）は円筒形の形態を有し、好ましくは５ｍｍ～１０ｍｍの直径（Ｄ）を有する流体供給装置。

【0258】

３７．第３０項～第３６項のいずれか１つに記載の流体供給装置において、少なくとも１つのガイド流路（４７）は、１ｍｍ～４ｍｍの直径（ｄ）を有する流体供給装置。

【0259】

３８．第３０項～第３７項のいずれか１つに記載の流体供給装置において、少なくとも１つの流体ライン（４１）は１ｍｍ以下の外径（Ｆ）を有する流体供給装置。

【0260】

３９．第３０項～第３８項のいずれか１つに記載の流体供給装置において、少なくとも１つの可撓性流体ライン（４１）に流体（２８）を供給する流体補給装置（４３）をさらに備えた流体供給装置。

【0261】

４０．第３０項～第３９項のいずれか１つに記載の流体供給装置において、被加工物（２５）の材料内のアブレーションフロント（３０ａ、３０ｂ）の移動を少なくとも１つの可撓性流体ライン（４１）により自動追跡する少なくとも１つの追跡装置（４４）をさらに備えた流体供給装置。

【0262】

４１．多光子レーザアブレーションによる被加工物からの、特にＥＵＶミラー（Ｍ４）用の好ましくはモノリシック基板（２５）からの材料の除去時に、節３０～４０のいずれか１つに記載の流体供給装置（３８）により少なくとも１つのアブレーションフロント（３０ａ、３０ｂ）に流体（２８）を供給する方法であって、
被加工物（２５）の空洞（３３、３５）に挿入コンポーネント（３９、４０）を挿入するステップと、
挿入コンポーネント（３９、４０）の少なくとも１つのガイド流路（４７）内に案内される少なくとも１つの可撓性流体ライン（４１）を通して少なくとも１つのアブレーションフロント（３０ａ、３０ｂ）に流体（２８）を供給するステップと
を含む方法。

【0263】

４２．第４１項に記載の方法において、挿入コンポーネント（３９、４０）の挿入前に空洞（３３、３５）に流体（２８）を充填し、流体（２８）を充填された空洞（３３、３５）から始めて、空洞（３３、３５）に隣接する複数の流路部分（３７）を多光子レーザアブレーションにより形成する方法。

【0264】

４３．第４２項に記載の方法において、複数の流路（３１、３４、３５）を形成するために、複数のアブレーションフロント（３０ａ、３０ｂ）を挿入コンポーネント（３９、４０）の空洞（３３、３５）への挿入後に流路部分（３７）から始めて形成して被加工物（２５）の材料内で移動させ、複数の可撓性流体ライン（４１）は、被加工物（２５）の材料内でのアブレーションフロント（３０ａ、３０ｂ）の移動を追跡する方法。

【誤訳訂正2】

【訂正対象書類名】特許請求の範囲

【訂正対象項目名】全文

【訂正方法】変更

【訂正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ミラー用、特にＥＵＶミラー（Ｍ４）用の基板の形態の被加工物（２５）に、パルスレーザ放射（３５）による材料除去加工により中空構造（２８）を作製する方法であって、
前記パルスレーザ放射（３５）に対して透明な材料から形成された前記被加工物（２５）に放射線入射側（２７）から前記パルスレーザ放射（３５）を放射するステップと、
前記パルスレーザ放射（３５）を焦点領域（３９）に集光するステップと、
前記焦点領域（３９）を移動パターン（４１）に沿って移動させることにより、前記被加工物（２５）の材料の面状除去のための除去フロント（４６）を形成するステップと、
前記除去フロント（４６）を前記被加工物（２５）内で移動させることにより、前記中空構造（２８）を作製するステップと
を含む方法において、
中空構造（２８）の作製中に、前記被加工物（２５）の前記放射線入射側（２７）で前記パルスレーザ放射（３５）の入射放射線方向（Ｚ）に対して垂直に向いていない除去フロント（４６）を、少なくとも断続的に形成すること、及び前記中空構造（２８）を、流体（３２ａ）が流れることができる流路（２８）の形態で作製することを特徴とする方法。

【請求項2】

請求項１に記載の方法において、前記中空構造を、流体（３２ａ）が流れることができる湾曲した流路（２８）の形態で作製する方法。

【請求項3】

請求項１又は２に記載の方法において、前記パルスレーザ放射（３５）が前記被加工物（２５）の材料から最初に出るのは、前記除去フロント（４６）の領域である方法。

【請求項4】

請求項３に記載の方法において、前記パルスレーザ放射（３５）は、前記被加工物（２５）の材料から出た後に該被加工物（２５）の材料に再入射する方法。

【請求項5】

請求項１～４のいずれか１項に記載の方法において、前記被加工物（２５）内の前記除去フロント（４６）を、前記被加工物（２５）の前記放射線入射側（２７）への方向に少なくとも断続的に移動させる方法。

【請求項6】

請求項１～５のいずれか１項に記載の方法において、前記被加工物（２５）内での前記除去フロント（４６）の移動時に、前記被加工物（２５）の材料は、被加工物（２５）の放射線入口側（２７）から遠い前記除去フロント（４６）の縁（４６ｂ）の側面（４６ｃ）に少なくとも断続的に隣接し、前記縁（４６ｂ）は、前記被加工物（２５）の前記放射線入射側（２７）から遠い方法。

【請求項7】

請求項１～６のいずれか１項に記載の方法において、前記除去フロント（４６）を、前記被加工物（２５）の前記放射線入射側（２７）とは反対の側（２９）から始めて移動させる方法。

【請求項8】

請求項１～７のいずれか１項に記載の方法において、前記入射放射線方向（Ｚ）に対して２０°～７０°、好ましくは３０°～６０°の角度（α）を向いた除去フロント（４６）を、少なくとも断続的に形成する方法。

【請求項9】

請求項１～８のいずれか１項に記載の方法において、前記焦点領域（３９）を、前記移動パターン（４１）の相互にオフセットした軌道（４２）に沿って移動させる方法。

【請求項10】

請求項９に記載の方法において、前記入射放射線方向（Ｚ）に対して垂直に向いていない前記除去フロント（４６）を形成するために、前記焦点領域（３９）を前記入射放射線方向（Ｚ）に沿ってオフセットさせることにより、前記移動パターン（４１）の前記軌道（４２）を前記入射放射線方向（Ｚ）に沿って相互にオフセットさせる方法。

【請求項11】

請求項９又は１０に記載の方法において、前記移動パターン（４１）の前記相互にオフセットした軌道（４２）の前記パルスレーザ放射（３５）のパルスエネルギー（Ｅ_Ｐ）を、前記入射放射線方向（Ｚ）に対して垂直に向いていない前記除去フロント（４６）を形成するように変更し、前記焦点領域（３９）を、好ましくは前記入射放射線方向（Ｚ）に対して垂直な平面（ＦＥ）内で移動させる方法。

【請求項12】

請求項１～１１のいずれか１項に記載の方法において、前記放射線入射側（２７）に実質的に平行に延びることが好ましい前記中空構造（２８）の部分（２８ｂ）を形成するために、前記中空構造（２８）の作製中に、前記除去フロント（４６）を、前記被加工物内で前記入射放射線方向（Ｚ）を横切る移動方向（－Ｘ）に少なくとも断続的に移動させ、前記除去フロント（４６）の前記放射線入射側（２７）に近い端（４６ａ）を、前記入射放射線方向（Ｚ）に対する横方向移動時に前記移動方向（－Ｘ）に対して９０°未満、好ましくは７０°未満の角度（β）に向ける方法。

【請求項13】

請求項１～１２のいずれか１項に記載の方法において、前記被加工物（２５）の前記放射線入射側（２７）とは反対の側（２９）から始めて前記入射放射線方向（Ｚ）に実質的に平行に延びる前記中空構造（２８）の部分（２８ａ）を作製するために、また好ましくは、前記入射放射線方向（Ｚ）に実質的に平行に延びる前記中空構造（２８）のさらに別の部分（２８ｃ）を作製するために、前記中空構造（２８）の作製中に、前記除去フロント（４６）を、前記入射放射線方向（Ｚ）に実質的に平行に少なくとも断続的に移動させる方法。

【請求項14】

請求項１～１３のいずれか１項に記載の方法において、前記長手方向（Ｘ、Ｚ）が相互に対して７０°～１００°の角度（γ）、好ましくは９０°の角度（γ）を向いた、前記中空構造（２８）の第１部分（２８ａ、２８ｃ）及び前記中空構造（２８）の隣接する第２部分（２８ｂ）を作製する方法。

【請求項15】

請求項１４に記載の方法において、前記中空構造（２８）の作製中に丸み部分（２８ｄ、２８ｃ）を形成し、前記第１部分（２８ａ、２８ｃ）及び前記第２部分（２８ｂ）は、前記丸み部分で相互に合流する方法。

【請求項16】

請求項１～１５のいずれか１項に記載の方法において、前記除去フロント（４６）を、前記中空構造（２８）の作製中に流体（３２ｂ）と接触させ、該流体（３２ｂ）は、前記除去フロント（４６）の移動時に、前記中空構造（２８）内に少なくとも部分的に導入される流体供給部（５０）により前記除去フロント（４６）を追跡する方法。

【請求項17】

請求項１６に記載の方法において、前記流体供給部（５０）は、少なくとも１本の可撓性チューブ（５２）を含み、前記除去フロント（４６）を、特に前記被加工物（２５）の前記放射線入射側（２７）から遠い側（２９）から始めて、前記少なくとも１つの可撓性チューブ（５２）を用いて前記流体（３２ｂ）により追跡する方法。

【請求項18】

請求項１～１７のいずれか１項に記載の方法において、前記除去フロント（４６）を移動させるために、前記被加工物を変位させる方法。

【請求項19】

請求項１～１８のいずれか１項に記載の方法において、前記除去フロント（４６）を形成するために、スキャナ光学ユニット（３６）により前記焦点領域（３９）を、前記移動パターン（４１）の相互にオフセットした軌道（４２）に沿って移動させる方法。

【請求項20】

請求項１～１９のいずれか１項に記載の方法において、前記中空構造は、１ｍｍ～２０ｍｍ、好ましくは１ｍｍ～５ｍｍの直径（Ｄ）を有する円形断面を有する方法。

【請求項21】

請求項１～２０のいずれか１項に記載の方法において、前記中空構造は、１０ｃｍ以上、好ましくは１５ｃｍ以上、特に好ましくは２０ｃｍ以上、特に７０ｃｍ以上の長さ（Ｌ_Ｃ）を有する方法。

【請求項22】

請求項１の前文に記載の、特に請求項１～２１のいずれか１項に記載の方法において、
前記中空構造（２８）は、前記除去フロント（４６）以外では側面（５７）により画定され、前記中空構造（２８）の作製中の前記除去フロント（４６）は、前記中空構造（２８）の前記側面（５７）のうち前記除去フロント（４６）に隣接する領域に対して除去フロント角度（β’）を向き、該除去フロント角度（β’）は、少なくとも断続的に除去フロント最小角度１°よりも大きく、少なくとも断続的に除去フロント最大角度８９°よりも小さいことを特徴とする方法。

【請求項23】

ミラー用、特にＥＵＶミラー（Ｍ４）用の基板（２５）の形態の被加工物（２５）に流路（２８）を作製する方法であって、該流路（２８）を、パルスレーザ照射（３５）による材料除去加工により作製し、流体供給部（５０）を、前記流路（２８）の作製中に該流路（２８）に少なくとも部分的に導入する方法。

【請求項24】

請求項２３に記載の方法において、前記流体供給部（５０）を用いて、材料除去加工が実行される領域に、特に材料除去加工中に形成される除去フロント（４６）に流体（３２ｂ）を供給し、前記除去フロント（４６）を、前記被加工物（２５）内での前記除去フロント（４６）の移動時に前記流体供給部（５０）により好ましくは追跡し、特に自動的に追跡する方法。

【請求項25】

請求項２４又は２５に記載の方法において、前記流体供給（５０）は、好ましくは湾曲した流路（２８）に少なくとも部分的に導入される可撓性要素を含み、該可撓性要素は、好ましくは可撓性チューブ（５２）を形成する方法。

【請求項26】

請求項２４～２６に記載の方法において、前記流路（２８）は、１０ｃｍ以上、好ましくは１５ｃｍ以上、特に好ましくは２０ｃｍ以上、特に７０ｃｍ以上の長さ（Ｌ_Ｃ）で作製される方法。

【請求項27】

請求項１～２６のいずれか１項に記載の方法において、前記基板（２５）は、モノリシックである方法。

【請求項28】

請求項１～２７のいずれか１項に記載の方法において、前記基板（２５）は、チタンドープ石英ガラス又はガラスセラミックからなる方法。

【請求項29】

請求項１～２８のいずれか１項に記載の方法において、前記基板（２５）の材料は、０℃～１００℃、好ましくは１９℃～４０℃、特に好ましくは１９℃～３２℃であるゼロクロス温度（Ｔ_ＺＣ）を有する方法。

【請求項30】

請求項１～２９のいずれか１項に記載の方法において、前記基板（２５）の材料は、３Ｋ未満、好ましくは２Ｋ未満、特に好ましくは１Ｋ未満、特に０．１Ｋ未満であるゼロクロス温度の空間的変動（△Ｔ_ＺＣ）を有する方法。

【請求項31】

ミラー、特にＥＵＶミラー（Ｍ４）であって、
基板（２５）と、
該基板（２５）に塗布され、放射線、特にＥＵＶ放射線（１６）を反射するコーティング（２６）と
を備え、前記基板（２５）は、請求項１～３０のいずれか１項に記載の方法を用いて作製された少なくとも１つの流路（２８）を含むミラー。

【請求項32】

ミラー、特にＥＵＶミラー（Ｍ４）であって、
流体（３２ｂ）が流れることができることが好ましい少なくとも１つの流路（２８）を含む基板（２５）
を備え、前記流路（２８）は、パルスレーザ放射（３５）による材料除去加工により形成され、
前記流路（２８）は湾曲形態を有し、且つ
前記流路（２８）は、１ｍｍ～２０ｍｍ、好ましくは１ｍｍ～５ｍｍの直径（Ｄ）、及び／又は１０ｃｍ以上、好ましくは１５ｃｍ以上、特に２０ｃｍ以上の長さ（Ｌ_Ｃ）を有するミラー。

【請求項33】

請求項３２に記載のミラーにおいて、前記基板（２５）は、モノリシックであるミラー。

【請求項34】

請求項３２又は３３に記載のミラーにおいて、前記流路（２８）は、長手方向（Ｘ、Ｚ）が相互に対して７０°～１００°角度（γ）、好ましくは９０°の角度（γ）を向いた、第１部分（２８ａ、２８ｃ）及び隣接する第２部分（２８ｂ）を有するミラー。

【請求項35】

請求項３４に記載のミラーにおいて、前記第１部分（２８ａ、２８ｃ）及び第２部分（２８ｂ）は、丸み部分（２８ｄ、２８ｅ）で相互に合流するミラー。

【請求項36】

ミラー、特にＥＵＶミラー（Ｍ４）であって、
好ましくはモノリシック基板（１２５）と、
放射線、特にＥＵＶ放射線（１６）を反射する反射コーティング（１２６）であり、前記好ましくはモノリシック基板（１２５）の表面（１２５ａ）に塗布される反射コーティング（１２６）と、
前記好ましくはモノリシック基板（１２５）内に延びて流体（１２８）を流すよう設計された少なくとも１つの中空構造（１２７）であり、相互に対して６０°～１２０°の角度（γ、γ’）、好ましくは８０°～１００°の角度（γ、γ’）、特に９０°の角度（γ、γ’）を向いた第１部分（１３１ａ、１３１ｂ；１３４ｂ、１３６ｂ）及び隣接する第２部分（１３４ａ、１３６ａ；１３３ａ、１３５ａ）を有する、中空構造（１２７）と
を備え、該中空構造（１２７）は、第１部分（１３１ａ、１３１ｂ；１３４ｂ、１３６ｂ）及び第２部分（１３４ａ、１３６ａ；１３３ａ、１３５ａ）が相互に合流する丸み部分（１３７ａ、１３７ｂ、１３８）を有するミラー。

【請求項37】

請求項３６に記載のミラーにおいて、前記丸み部分（１３７ａ、１３７ｂ）の曲率半径Ｒと丸み部分（１３７ａ、１３７ｂ）の直径ＤとのＲ／Ｄ比が、２～６、好ましくは２．５～５、特に２．５～３．５であるミラー。

【請求項38】

請求項３６又は３７に記載のミラーにおいて、前記丸み部分（１３７ａ、１３７ｂ）の直径Ｄは、２ｍｍ～２０ｍｍ、好ましくは２ｍｍ～１２ｍｍであるミラー。

【請求項39】

請求項３６～３８のいずれか１項に記載のミラーにおいて、前記中空構造（１２７）は、前記反射コーティング（１２６）を塗布された前記表面（１２５ａ）の下方に延びる、特に冷却流路の形態の複数の温度制御流路（１３１）を含み、前記中空構造（１２７）は、分配流路（１３４）を介して前記温度制御流路（１３１）に接続された流体分配部（１３３）と、回収流路（１３６）を介して前記温度制御流路（１３１）に接続された流体回収部（１３５）とを含むミラー。

【請求項40】

請求項３９に記載のミラーにおいて、前記第１部分は、分配流路（１３４）に隣接する前記温度制御流路（１３１）の端部分（１３１ａ）を形成して、第２部分は、前記端部分（１３１ａ）に隣接する分配流路部分（１３４ａ）を形成し、且つ／又は前記第１部分は、回収流路（１３６）に隣接する前記温度制御流路（１３１）の前記端部分（１３１ｂ）を形成して、前記第２部分は、前記端部分（１３１ｂ）に隣接する回収流路部分（１３６ａ）を形成するミラー。

【請求項41】

請求項３９又は４０に記載のミラーにおいて、前記流体分配部は、分配流路（１３４）が分岐する入口流路（１３３）を形成し、且つ／又は前記流体回収部は、回収流路（１３６）が分岐する出口流路（１３５）を形成するミラー。

【請求項42】

請求項４１に記載のミラーにおいて、前記第１部分は、前記入口流路（１３３）に隣接する前記分配流路（１３４）の合流部分（１３４ｂ）を形成して、前記第２部分は、前記合流部分（１３４ｂ）に隣接する前記入口流路（１３３）の分岐部分（１３３ａ）を形成し、且つ／又は前記第１部分は、前記出口流路（１３５）に隣接する前記回収流路（１３６）の合流部分（１３６ｂ）を形成して、前記第２部分は、前記回収流路（１３６）の前記合流部分（１３６ｂ）に隣接する前記出口流路（１３５）の分岐部分（１３５ａ）を形成するミラー。

【請求項43】

請求項４２に記載のミラーにおいて、前記入口流路（１３３）の前記分岐部分（１３３ａ）と前記分配流路（１３４）の前記合流部（１３４ｂ）との間の角度（γ’）は、９０°よりも大きく、好ましくは１００°よりも大きく、且つ／又は前記出口流路（１３５）の前記分岐部分と前記回収流路（１３５）の前記合流部分（１３６ｂ）との間の角度（γ’）は、９０°よりも大きく、好ましくは１００°よりも大きいミラー。

【請求項44】

請求項３１～４２のいずれか１項に記載のミラーにおいて、前記基板（１２５）の材料は、石英ガラス、特にチタンドープ石英ガラス、及びガラスセラミックを含む群から選択されるミラー。

【請求項45】

請求項３１～４４のいずれか１項に記載のミラーにおいて、前記基板（２５、１２５）の材料は、０℃～１００℃、好ましくは１９℃～４０℃、特に好ましくは１９℃～３２℃であるゼロクロス温度（Ｔ_ＺＣ）を有するミラー。

【請求項46】

請求項３１～４５のいずれか１項に記載のミラーにおいて、前記基板（２５、１２５）の材料は、３Ｋ未満、好ましくは２Ｋ未満、特に好ましくは１Ｋ未満、特に０．１Ｋ未満であるゼロクロス温度（△Ｔ_ＺＣ）の空間的変動を有するミラー。

【請求項47】

請求項３１～４６のいずれか１項に記載のミラーにおいて、特に前記流路（２８）の形態の前記中空構造は、シーム領域（５３）を有するミラー。

【請求項48】

請求項４７に記載のミラーにおいて、特に前記流路（２８）の形態の前記中空構造は、前記シーム領域（５３）において、除去フロント（４６）の縁輪郭（５４）、少なくとも１つのバルジ（５５）、横方向オフセット（５６）又は別の構造変更を有するミラー。

【請求項49】

ミラー、特にＥＵＶミラー（Ｍ４）であって、
流体（３２ｂ）が流れることができることが好ましい特に湾曲した流路（２８）を含む基板（２５）であり、前記流路はシーム領域（５３）を有する基板（２５）
を備えたミラー。

【請求項50】

請求項４９に記載のミラーにおいて、前記流路（２８）は、前記シーム領域（５３）にて、除去フロント（４６）の縁輪郭（５４）、少なくとも１つのバルジ（５５）、横方向オフセット（５６）、又は別の構造変更を有するミラー。

【請求項51】

ＥＵＶリソグラフィ装置（１）であって、請求項３１～５０のいずれか１項に記載の少なくとも１つのＥＵＶミラー（Ｍ４）と、温度制御流体、特に冷却流体（３２ａ、１２８）を特に流路（２８）の形態の少なくとも１つの中空構造（１２７）を通して流すよう設計された温度制御装置、特に冷却装置（３２）とを備えたＥＵＶリソグラフィシステム。

【請求項52】

ミラー用、特にＥＵＶミラー（Ｍ４）用の基板（２５）の形態の被加工物（２５）に少なくとも１つの流路（２８）を作製する装置（３３）であって、
パルスレーザ放射（３５）を生成するレーザ源（３４）と、
前記レーザ放射（３５）を焦点領域（３９）に集光する集光装置（３７）と、
前記被加工物（２５）を収容するホルダ（４４）と、
該ホルダ（４４）に収容された被加工物（２５）の放射線入射側（２７）に前記パルスレーザ放射（３５）を放射し、前記焦点領域（３９）を移動させるよう設計されたスキャナ光学ユニット（３６）と
を備えた装置（３３）において、
該装置（３３）は、前記流路（２８）に少なくとも部分的に導入可能な流体供給部（５０）を備えることを特徴とする装置。

【請求項53】

請求項５２に記載の装置において、前記流体供給部（５０）は、材料除去加工が実行される領域に、特に材料除去加工中に形成される除去フロント（４６）に流体（３２ｂ）を供給するよう設計され、前記流体供給部（５０）は、好ましくは、前記被加工物（２５）内での移動中に前記除去フロント（４６）を追跡することができることが好ましい装置。

【請求項54】

請求項５２又は５３に記載の装置において、前記流体供給部（５０）は、可撓性要素、特に可撓性チューブ（５２）を前記流路（２８）に少なくとも部分的に導入するよう設計される装置。

【請求項55】

請求項５２～５４のいずれか１項に記載の装置において、前記スキャナ光学ユニット（３６）は、前記被加工物（２５）の材料の面状除去のための除去フロント（４６）を形成するために、移動パターン（４１）に沿って前記焦点領域（３９）を移動させるよう設計され、該装置（３３）は、前記ホルダ（４４）により収容された前記被加工物（２５）における前記パルスレーザ放射（３５）の入射放射線方向（Ｚ）に対して垂直に向いていない除去フロント（４６）を形成するよう設計される装置。

【請求項56】

請求項５５に記載の装置において、前記入射放射線方向（Ｚ）に沿って前記パルスレーザ放射（３５）の前記焦点領域（３９）をオフセットさせる焦点オフセット装置（４７）と、
前記入射放射線方向（Ｚ）に対して垂直に向いていない前記除去フロント（４６）を形成するために、前記入射放射線方向（Ｚ）に沿って前記移動パターン（４１）の軌道（４２）を相互に対してオフセットさせるように前記焦点オフセット装置（４７）を制御するよう設計された制御装置（４８）と
をさらに備えた装置。

【請求項57】

請求項５５又は５６に記載の装置において、
前記入射放射線方向（Ｚ）に対して垂直に向いていない前記除去フロント（４６）を形成するために、前記移動パターン（４１）の相互にオフセットした軌道（４２）の前記パルスレーザ放射（３５）のパルスエネルギー（Ｅ_Ｐ）を変更するように前記レーザ源（３４）を制御するよう設計された制御装置（４８）
をさらに備えた装置。

【請求項58】

請求項５２～５７のいずれか１項に記載の装置において、前記流路（２８）を作製するために、好ましくは前記被加工物（２５）の前記放射線入射側（２７）とは反対の側（２９）から始めて前記被加工物（２５）内で前記除去フロント（４６）を移動させる位置決め装置（４３）をさらに備え、該位置決め装置（４３）は、前記入射放射線方向（Ｚ）に沿って、好ましくは該入射放射線方向（Ｚ）を横切る少なくとも１つの方向（Ｘ、Ｙ）に沿って前記被加工物（２５）を変位させるよう設計される装置。

【請求項59】

被加工物からの、好ましくはＥＵＶミラー（Ｍ４）用の特にモノリシック基板（２２５）からのレーザアブレーションによる材料の除去時に、少なくとも１つの除去フロント（２３０ａ、２３０ｂ）に流体（２２８）を供給する流体供給装置（２３８）であって、
前記少なくとも１つの除去フロント（２３０ａ、２３０ｂ）に前記流体（２２８）を供給するための、少なくとも１つの可撓性流体ライン（２４１）、好ましくは複数の可撓性流体ライン（２４１）と、
前記被加工物（２２５）を空洞（２３３、２３５）に挿入するための少なくとも１つの挿入コンポーネント（２３９、２４０）であり、前記少なくとも１つの除去フロント（２３０ａ、２３０ｂ）に前記流体（２２８）を供給するために、前記少なくとも１つの可撓性流体ライン（２４１）を案内する少なくとも１つのガイド流路（２４７）を有する挿入コンポーネント（２３９、２４０）と
を備えた流体供給装置。

【請求項60】

請求項５９に記載の流体供給装置において、前記挿入コンポーネント（２３９、２４０）は、前記可撓性流体ライン（２４１）をそれぞれ案内する複数のガイド流路（２４７）を有する流体供給装置。

【請求項61】

請求項５９又は６０に記載の流体供給装置において、前記除去フロント（２３０ａ、２３０ｂ）から流体（２２８）を戻すために、流体が流れることができるギャップ、特にリングギャップ（２４９）が、前記流体ライン（２４１）と前記ガイド流路（２４７）の流路壁（２４７ａ）との間に形成される流体供給装置。

【請求項62】

請求項５０～６１のいずれか１項に記載の流体供給装置において、前記ガイド流路（２４７）は、前記可撓性流体ライン（２４１）の方向を変更するための少なくとも１つの丸み部分（２５０）を有する流体供給装置。

【請求項63】

請求項５９～５２のいずれか１項に記載の流体供給装置において、前記挿入コンポーネント（２３９、２４０）は、棒状であり、前記ガイド流路（２４７）は、前記挿入コンポーネント（２３９）の端面（２４８）から前記挿入コンポーネント（２３９）の側面（２４５）まで延びる流体供給装置。

【請求項64】

請求項６３に記載の流体供給装置において、前記ガイド流路（２４１）は、前記挿入コンポーネント（２３９）の前記側面（２４５）で開口（２４６）に合流し、該開口は、好ましくは前記挿入コンポーネント（２３９）の長手方向（Ｙ）に隣り合って配置され、特に、前記挿入コンポーネント（２３９）の長手方向（Ｙ）で相互に等距離（Ａ’’）に配置される流体供給装置。

【請求項65】

請求項６３又は６４に記載の流体供給装置において、前記棒状の挿入コンポーネント（２３９）は、円筒形の形態を有し、好ましくは５ｍｍ～１０ｍｍの間の直径（Ｄ’）を有する流体供給装置。

【請求項66】

請求項６０～６５のいずれか１項に記載の流体供給装置において、前記ガイド流路（２４７）は、１ｍｍ～４ｍｍの間の直径（ｄ）を有する流体供給装置。

【請求項67】

請求項５９～６６のいずれか１項に記載の流体供給装置において、前記少なくとも１つの流体ライン（２４１）は、１ｍｍ以下の外径（Ｆ）を有する流体供給装置。

【請求項68】

請求項５９～６７のいずれか１項に記載の流体供給装置において、前記少なくとも１つの可撓性流体ライン（２４１）に前記流体（２２８）を供給する流体供給装置（２４３）をさらに備えた流体供給装置。

【請求項69】

請求項５９～６８のいずれか１項に記載の流体供給装置において、前記被加工物（２２５）の材料内の前記除去フロント（２３０ａ、２３０ｂ）の移動を前記少なくとも１つの可撓性流体ライン（２４１）により自動追跡する少なくとも１つの追跡装置（２４４）をさらに備えた流体供給装置。

【請求項70】

請求項５４～６４のいずれか１項に記載の流体供給装置（２３８）により、被加工物からの、特にＥＵＶミラー（Ｍ４）用の好ましくはモノリシック基板（２２５）からのレーザアブレーションによる材料の除去時に、少なくとも１つの除去フロント（２３０ａ、２３０ｂ）に流体（２２８）を供給する方法であって、
前記被加工物（２２５）の空洞（２３３、２３５）に挿入コンポーネント（２３９、２４０）を挿入するステップと
前記挿入コンポーネント（２３９、２４０）の少なくとも１つのガイド流路（２４７）内に案内される少なくとも１つの可撓性流体ライン（２４１）を通して少なくとも１つの除去フロント（２３０ａ、２３０ｂ）に前記流体（２２８）を供給するステップと
を含む方法。

【請求項71】

請求項７０に記載の方法において、前記挿入コンポーネント（２３９、２４０）の挿入前に前記空洞（２３３、２３５）に前記流体（２２８）を充填し、該流体（２８）を充填された前記空洞（２３３、２３５）から始めて、該空洞（２３３、２３５）に隣接する複数の流路部分（２３７）をレーザアブレーションにより形成する方法。

【請求項72】

請求項７１に記載の方法において、複数の流路（２３１、２３４、２３５）を形成するために、複数の除去フロント（２３０ａ、２３０ｂ）を前記挿入コンポーネント（２３９、２４０）の前記空洞（２３３、２３５）への挿入後に前記流路部分（２３７）から始めて形成して前記被加工物（２２５）の材料内で移動させ、前記複数の可撓性流体ライン（２４１）は、前記被加工物（２２５）の材料内での前記除去フロント（２３０ａ、２３０ｂ）の移動を追跡する方法。

【国際調査報告】